INSTITUTQ TRONOLOGICO DE Electronica de Potencia Aplicada Practica 1. PWM rrera Ingenieria Mecatrénica PRESENTA Alumno Chavez Garduiio José Luis Nieto Sanchez Salvador Solano Martinez César David Docente Ing. Oleg Alexandro Cravioto Garcia Metepec, Estado de México, a 14 de septiembre de 2018Introduccién Dentro del signiente documento el lector podré encontrar informacién acerca de la realizacién de un PWM para regular la velocidad de un motor, proceso que se realizo dentro del laboratorio del Instituto Tecnolégico de Toluca en el rea de me- catrénica Primeram ntrodue ate, en el marco tedrico cen los conceptos necesarios para poder entender el proceso de la practica como la misma defin cién de un PWM, qué es un MOSFET y st fun- cionamiento, asf como la introduccién de diversas formulas que ayndan a entender el comportami to de determinados componentes electrénicos. Més adelante se dard a conocer la forma en que se desarrollé la préctica, se muestran diagramas hechos en un software externo (Proteus), Inego se presentan las formulas que se usaron para calcular iertos arreglos de resistencias, como es de espe- rarse se muestra todo el desarrollo explicando paso a paso lo que se realiz6. En el siguiente punto se colocaron los resulta~ dos obtenidos, mostrando las evidencias en forma, de fotografias, en las cuales se puede visualizar la, parte electrénica ensamblada en una protoboard ¥ ciertas sefiales vistas en el osciloscopio para ase~ gurar el funcionamiento del circuito. Por tiltimo, se colocaron las conclusiones que dan a conocer ciertos errores que pudieron pre- sentarse dentro del proceso, incluyendo puntos de vista y mejoras que hallan sido de ayuda para com- pletar la préctica. Figura 1. 3 ejemplos diferentes de PWM.Marco Teérico PWM La modulacién de ancho ée pulso (PWM, por sus siglas en inglés) de una sefial es una técnica, que logra producir el efecto de una sefial analés ca sobre una carga, a partir de la variacién de la frecuencia y cielo de trabajo de una seal di- gital. El ciclo de trabajo describe la cantidad de tiempo que la sefial esté en sn estado Iigico al- to, como un porcentaje del tismpo total que esta, toma para completar un cielo completo. La fre- cuencia determina que tan répido se completa un ciclo (por ejemplo: 1000 Hz corresponde a 1000 clos en un segundo), y por consiguiente que tan rapido se cambia entre los estados légicos alto y bajo. Al cambiar una sefial del estado alto a ba- jo a una tasa Jo suficientemente répida y con un cierto ciclo de trabajo, la salida parecer compor- tarse como una sefial analégiea constante cuanto esta estd siendo aplicada a algiin dispositivo. Sefiales de PWM son utilizadas cominmente en el control de aplicaciones. Su uso prineipal es el control de motores de corriente continna, ann- que también pueden ser utilizacas para controlar valvulas, bombas, sistemas hidréulicos, y algunos otros dispositivos mecénicos. La frecuencia a la cual la sefial de PWM se generard, dependeré de la aplicacién y del tiempo de respuesta del siste- ma que esta siendo controlado. A continuacién, muestran algunas aplic y sus respectivas frecuencias: * Calentar elementos o sistemas con tiempos dee respuesta lentos: 10-100 Hs 0 superior. ‘¢ Motores eléctricos de corriente continua: 5-10 kHz o superior. # Fuentes de poder 0 amplificadores de audio: 20-200 kHz 0 superior. A continacién, se mn tran algunos grificns demostrando sefales PWM con diferentes ciclos de trabajo: Figura 2. Ciclo de trabajo del 25 porciento. Figura 3, del 50 porciento. Figura 4. Ciclo de trabajo del 75 porciento. MOSFET El MOSFET posee cuatro terminates Hama- dos surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y ustrato (B). Generalmente el sustrato esti conee- tado internamente al terminal del surtidor, por lo que se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales, El material de la compuerta, que antes era metélico, ahora se construye con tma capa de si- licio policristalino. La compuerta se fabricaba en aluminio hasta mediados de los 70, cuando em- pez6 a ser sustituiido por el silicio policristalino en favor de su eapacidad de formar compuertas auto alineadas. Sin embargo, la mayor velocidad alcan- zable de las puertas metélicas est haciendo que se vuelvan a emplearse, Ademés, el "6xido’ uti do como aislante en la compnerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propési- to de obtener canales fuertes con la aplicacién de tensiones mas pequefias. Un MOSFET de potencia es un dispositive controlado por voltaje, y sélo requiere una pe- queiia corriente de entrada, La velocidad de con- mutacién es muy alta, y los tiempos de conmuta- cidn son del orden de nanosegundos. Los MOSFET. no tienen problemas de fenémenos de segunda ava- Jancha como los BJT pero sf los de descarga elec- trostética ademas de que son difeil de proteger en condiciones de falla por cortocirenito. Los MOSFET tienen tres terminales, Las tres terminales son compuerta, drenaje y fuente. En1 caso normal, el substrato se coneeta a la fuen- te. Si el voltaje de compuerta a fuente VGS es lo suficientemente negativo no pasa corriente del dre- naje a la fuente IDS. Si VGS es positivo, la IDS circnlara del drenaje a la fuente, Requieren po- ca energia de compuerta, Por el contrario, tienen grandes pérdidas en estado activo. G Figura 5. Estructura del MOSFET. Hay dos tipos de MOSFET: ¢ MOSFET decreméntales: se forman sobre un substrato de silicio tipo p, con dos regiones de sili- cio n- muy dopado, para formar conexiones de ba- ja resistencia. La compuerta esta aislada del canal por una capa muy delgada de dxido. En funcién de si la VGS es positiva o negativa, el canal se sanchard o estrecharé permitiendo el paso o no de corriente. ¢ MOSFET incrementales: no tienen canal fisi- co. SI VGS es positiva, un voltaje inducido atrae a los electrones del substrato p y los acumula en la superficie. Si VGS es mayor o igual a un va- lor llamado voltaje umbral, se acumula tina canti- dad suficiente de electrones para formar un canal N virtual, y la eorriente cirenla del drenaje a la, fuente. Ya que éstos permanecen spagados con voltaje igual a cero, se utilizan en la conmutacién. La caracteristica constructiva comrin a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est formado por una estructura de po Metal/Oxido/Semiconduc:or, El éxido es ais- ante, con Io que la corriente de puerta es préeti- camente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar sefiales de muy baja potencia. ‘Tiene una versién NPN y otra PNP. El NPN es Mamado MOSFET de canal N y el PNP es llama~ do MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N.t4 conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P.t4 conectado a la fuente (source) y al arenaje (drain). Se coloca una capa de material dieléctrico (Si02) sobre un sustrato de silicio, y luego una capa de metal o silicio policristalino. Debido al dicléctrico, esta estmictura funciona de manera si- milar a un condensador plano. Al aplicar un po- tencial a la estructura MOS modificamos la distri- bucién de las cargas en el semiconductor. Se con- sidera un semiconductor de tipo P con densidad de aceptores NA. Una tensién positiva VGB en- tre la compuerta y la tierra (sustrato) crearé una, regién de agotamiento debido a los huecos positi- vamente cargados, que son repelidos por el aislan- te de compuerta y semiconduetor, de esta manera, queda expuesta una regién libre de portadores, en esta zona se encuentran los iones de los étomos aceptores con carga negativa, A la vista de esto, se deduce que para VGB elevadas, habré una alta concentracién de portadores negativos que forma- ran la regidn de inversién situada entre el semicon- auctor y el aislante, como se ve en la figura. Esta estructura MOS deserita hasta aqué es la base de funcionamiento de los MOSFET. La estructura MOSFET Formacién del canal en un MOSFET NMOS: Superior: Una tensién de compuerta dobla las ban- das de energia, y se agotan los huecos de la super- ficie cercana a la compuerta (izquierda). La carga que induce el doblamiento de bandas se equilibra, con tna capa de cargas negativas de iones acepto- res (derecha). Inferior: Una tensién todavia mayor aplicada en la compuerta agota los Imecos, y la banda de conduceién disminuye de forma que se ogra la conduceién a través del canal. # Si el MOSFET es de canal n (NMOS) en- tonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones ‘n+’ y el sustrato es una region de tipo ’p’. el MOSFET es de canal p (PMOS) en- tonces las regiones de dopado para el surtidor y el drenador son regiones ‘p+ y el sustrato es uma regién de tipo "n’ Regiones del MOSFET © Regién lineal u Shmica Cuando Ves > Vin y Vos < (Vas-Vin)Al polarizarse la puerta con una tensién ma- yor que la tensién de umbral, se erea una regién de agotamiento en la regién que separa el surtidor y el drenador. Si esta tensién crece lo suficiente, apare- cern portadores minoritarios (hnecos en PMO: electrones en NMOS) en la regién de agotamien- to, que dardn lugar a un canal de conduccién. El transistor pasa entonces a estado de conduccién, de modo que una diferencia de poteneial entre dre- nador y surtidor dard lugar a una corriente. El transistor se comporta como tna resistencia con- trolada por la tensién de compuerta, Figura 6. Se forma un canal ce tipo ual lograr la inversi6n del sustrato, y la corriente fluye de drenador a sursidor. © Saturacién o Vin y Vos > (Vas-Vin) activa Cuando Ves Cuando la tensién entre drenador y surtidor supera cierto limite, el canal de conduecién bajo la puerta sufre 1n estrangulamiento en las cercanias del drenador y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor no se inte- rrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. dor més Figura 7. Al aplicar una tensién de di alta, los electrones son atraidos con mas fuerza hacia el drenador y el canal se deforma.Desarrollo Para poder realizar la prictica el profesor de Ja materia nos proporeioné el diagrama correspon- diente para hacer el cireuito de un PWM, se im- plementé dicho diagrama en la parte fisiea pero no io los resultados esperados por lo que se modifi- caron ciertos valores de componentes. El diagrama, es el siguiente: Figura 8 Diagrama del PWM. Los materiales que se utilizaron son los signien- tes # LM3524 ‘* Resistencia de 2.2k y 10k * Potenciémetro de 10k * Capacitor de 100nF ¢ IRFZ44ES * Motor de 12V * Fuente a 10V Las conexiones se realizaron y se observaron las sefiales que arrojaba el LM3524 en un osei- loscopio, se pudo observar que la sefial euadrada, estaba desfasada, para solucionar el problema se calculé una nueva resistencia (res del pin 6 del LM3524) con la signiente formula obtenida de la hoja de datos del LM3524. 118 Foo (Rr)(Cr) Pr Lis 118 5H2)(0.1iF) Rp = 2,362 Valor més cercano: 2.2k Se sustituyo la nueva resistencia y se volvid a medir la sefial, el desfase habfa desaparecido, por consecuente se conects el MOSFET el cual se uti- liza para controla corriente por medio del voltaje en el gate y el motor; lo que se observo es que el PWM regulaba la velocidad del motor por medio del potenciémetro.Resultados A continuacién, se muestran los resultados de la préctica, para este caso 10 se realiz6 alguna, sinmlacién, lo que se pretendia obtener era el co- rrecto funcionamiento del PWM, para ello se ob- servaron las ondas que arrojaba el LM3524 y con ayuda del profesor se determino si el equipo podia conectar el motor 0 no, en la figura 9 podemos observar la seital que arroja e! capacitor, es trian- Figura 11, Sefial del LM3524 con el pot en 100 gular, por lo tanto, es correcta. porciento. La sefial de Ia figura 9 muestra la sefial sin desfase de la salida del LM3524 cuando el poten- ciémetro esta en el 0 porciento, Inego en la figura 10 se muestra cuando esta al 50 porciento y por iiltimo en la figura 11 cuando esté al 100 pore to. La figura 12 muestra el arreglo de conexiones con el MOSFET conectado y la resistencia de 2.2k en el pin 6, anteriormente se tenia una de 10k co- nectada, el motor se conects ¥ se probé, en este ra el funcionamiento con una imagen de la siguiente préctica en la que se conecta a un puente H para cambiar su giro (figura 13). caso se mues Figura 9. Sefial triangular del capacitor y sefial del LM3524 con el pot en 0 porciento. Figura 13. Conecciones del PWM y puente H. Figura 10.Sefial del LM3521 con el pot en 50 porciento.Conclusiones Conclusiones El tinico error encontrado fue el ‘ial enadrada que arroja- ba el LM3524, primeramente se desarmo y volvié a armar el cireuito con el fin de buscar posibles errores en las conexiones, al ver que el problema, no se encontraba ahi, se procedié al intercambio de diversos capacitores lo cual mejoro la reduceién de los arménicos, al ver que el problema persistia, se decidié en cambiar la resistencia del pin 6 por la de 2.2k que se calculé, desfase mostrado en las[1] Cadrianarrebola. (2018). rentes de PWM [Figura 1]. Recuperado de [5] Referencias 3 ejemplpos dife- https:/ /eadrianarrebola. wordpress.com /practicas- arduino/funcionamiento-salidas-pwm/. National Instruments. (2014). Ciclo de traba- jo del 25 porciento [Figura 2].Recuperado de http:/ /digital.ni.com/publie.nsf/allkb, a electroniesforu.com, (2017). Estructura del MOSFET [Figura 3]. 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