CAPITULO Transistores Bipolares de Juncao 3.1 INTRODUCAO Durante 0 perfodo de 1904 até 1947, a vélvula foi indubi- tavelmente 0 dispositivo eletrénico de interesse e desenvol mento, Em 1904, 0 diodo a vélvula foi introduzido por J. A. Fleming. Logo depois, em 1906, Lee De Forest adicionou um terceiro elemento, chamado de grade de controle, ao diodo a valvula eletrdnica, resultando no primeiro amplificador, 0 triodo. Nos anos seguintes, radio e a televisdo proporciona- ram um grande estimulo a indistria de valvulas. A produgdo cresceu de aproximadamente 1 milhio de valvulas em 1922 para cerca de 100 milhées em 1937. No inicio da década de 30, 0 tétrodo de quatro elementos ¢ 0 péntodo de cinco ele- ‘mentos ganharam importancia na indtstria de valvulas eletro- nicas. Posteriormente, a industria tornou-se uma das mais im- portantes, e foram obtidos rpidos avangos nas dreas de proje- to, técnicas de fabricagio, aplicagses de alta poténcia, alta qiiéncia ¢ miniaturizagao. Em 23 de dezembro de 1947, entretanto, a industria eletr6- nica estava prestes a experimentar uma linha de interesse & desenvolvimento completamente nova. Foi durante a tarde des- te dia que Walter H. Brattain ¢ John Bardeen demonstraram a Co-invenores do primero transistor no Bell Laboratories: Dr, William Schockley (Gentadoy; Dr. Jofn Bardeen @ esquerda; Dr. Walter H. Bratain.(Coresia da [ATACT Archives Poresiacontribui, tos diviiramo prémio Nobel em 1956. Fig. 31 O primeico transistor. (Cortesia Bell Telephone Laboratories.) fungdo de amplificagao do primeiro transistor, nos laboratérios da companhia Bell Telephone. O transistor original (um tran- sistor de contato de ponta) esta mostrado na Fig. 3.1. As vanta- gens deste dispositivo de estado solido de trés terminais em re- aco a vélvula eram imediatamente dbvias: menor e mais leve, nndo apresentava necessidade ou perdas de aquecimento; mais robusto; mais eficiente, jd que menos poténcia era absorvida pelo dispositivo, estava instantaneamente disponivel para wtilizagao, no necessitando de um periodo de aquecimento; e tensdes de operagdo menores poderiam ser utilizadas. Observe na discus- sdo acima que este capitulo é a nossa primeira abordagem sobre dispositivos de trés ou mais terminais, Vocé descobriré que to- dos os amplificadores (dispositivos que aumentam a tenséo, cor- rente ou nivel de poténcia) possuiréo no minimo trés terminais com um deles controlando 0 fluxo entre os outros dois. 3.2 CONSTRUCAO DO TRANSISTOR (O transistor um dispositivo semicondutor no qual existe uma camada do tipo p entre duas camadas do tipo 1, ou uma ca-B mada do tipo n entre duas camadas p. O primeiro € denomi- nado transistor npn, enquanto que 0 tiltimo é chamado tran- sistor pnp. Ambos séo mostrados na Fig. 3.2, com a polari- zagio de apropriada. Verificaremos no Cap. 4 que a polari- zagio de é necesséria para estabelecer a regidio apropriada de ‘operacdo para a amplificagio ac. As camadas externas do transistor so materiais semicondutores mais fortemente ‘dopados, com larguras muito maiores do que a camada inter- na tipo p ou n. Para os transistores mostrados na Fig. 3.2, a razio entre a largura total e @ largura da camada central é de 0,150/0,001 = 150:1. A dopagem da camada interna é tam- bém consideravelmente menor do que a das camadas exter- nas (tipicamente, 10:1 ou menor). Este nivel de dopagem me- nor reduz a condutividade (aumenta a resisténcia) deste ma- terial, diminuindo o nimero de portadores “livres”. Para a polarizagdo mostrada na Fig. 3.2, os terminais so normalmente indicados pela letra maitiscula E para emissor, C para coletor e B para base. Uma avaliacio para esta escola de notacao sera desenvolvida quando discu- tirmos a operagio basica do transistor. A abreviacdo TBJ, transistor bipolar de juncdo, € usualmente aplicada a este dispositivo de trés terminais. O termo bipolar reflete 0 fato de que buracos e elétrons participam do proceso de injegdo no material opostamente polarizado. Se um por- tador somente € empregado (elétron ou buraco), 0 dispo- sitivo é considerado unipolar, O diodo Schottky do Cap. 20 é um exemplo. 3.3. OPERACAO DO TRANSISTOR A operagio bisica do transistor ser agora descrita utilizando 0 transistor pnp da Fig. 32a. A operagao do transistor npn € exata- 0,150 pot 2901 pa a \ \ I 1 Ver Vec ° rs pol {901 pot. = ¢ Ric ie " n T tt Vee Vee ig 32 Tipos de tansistores (3) pnp: (0) np Transistores Bipolares de Juncio 8 Fig. 33 Jungdo diretamente polarizada de um transistor pnp. ‘mente a mesma, se as fungSes dos buracos elétrons fossem tro- ceadas, Na Fig. 3.3, o transistor pnp f0i redesenhado sem a pola- rizagio base-coletor. Note as semelhancas entre esta situagdo aquela do diodo direramente polarizado do Cap. 1. A regio de deplegiio foi reduzida em largura devido a tensao aplicada, re- sultando em um fluxo denso de portadores majoritérios do ma- terial tipo p para o material tipo n. ‘Vamos agora remover a polarizagdo base-emissor do tran- sistor pnp da Fig. 3.2 como mostra a Fig. 3.4. Considere as, semelhangas entre esta situago e aquela do diodo reversamente polarizado da Segdo 1.6, Lembre-se de que o fluxo de portado- res majoritérios € zero, resultando apenas em um fluxo de por- tadores minoritérios, como indicado na Fig. 3.4. Em resumo, portanto: Uma jungdo p-n de um transistor estd reversamente pola- rizada, enquanto a outra estd diretamente polarizada. Na Fig. 3.5, ambos os potenciais de polarizagao foram apli- cados a um transistor pnp, com o resultante fluxo de portado- res majoritérios e minoritérios indicado. Note na Fig. 3.5 as larguras das regides de deplegao, indicando claramente qual jungao esté diretamente polarizada e qual esté reversamente polarizada. Como indicado na Fig. 3.5, inimeros portadores ‘majoritérios serao injetados através da jung p-n diretamen- te polarizada, no material tipo n. A questo, portanto, é se estes portadores contribuirdo diretamente para a corrente de base Ty, 0U Se passarao diretamente para o material tipo p. J4 que © ‘material tipo n, interno, € muito fino e apresenta uma baixa condutividade, um mimero muito pequeno de tais portadores adotaré este caminho de alta resisténcia para o terminal da base. O valor da corrente de base é¢ tipicamente da ordem de + Portadores minonttion Fig. 34 Jungio reversamente polarizada de um transistor pp.82 microamperes, enquanto a corrente de coletor ¢ emissor é de miliamperes. Um nimero maior destes portadores majorité- rios serd injetado, através da jungdo reversamente polariza- da, no material tipo p conectado ao terminal de coletor, con- forme a Fig. 3.5. A razao da relativa facilidade com que por- tadores majoritarios podem atravessar a juncdo reversamente polarizada é facilmente compreendida se considerarmos que para 0 diodo reversamente polarizado 0s portadores majori- térios comportar-se-do como portadores minorit terial tipo n, Em outras palavras, houve uma injecao de porta- dores minoritérios no material tipo da base. Combinando isto com o fato de que todos 0s portadores minoritérios na regio de depleeao atravessarao a juncio reversamente polarizada de um iodo, obtém-se o fluxo indicado da Fig. 35. Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff ao transistor da Fig. 3.5 como se fosse um né simples, obtemos In= let Ip co ¢ descobrimos que a corrente de emissor € a soma das cor- rentes de base e coletor. A corrente de coletor, entretanto, & composta de dois elementos — os portadores majoritérios € minoritérios indicados na Fig. 3.5. A componente de porta- dores minoritérios € chamada corrente de fuga, ¢ € dado 0 simbolo Icy — (corrente I com terminal do emissor aberto Open). A corrente de coletor, portanto, é determinada pela Equacdo 3.2. Sia ub lon Para os transistores usuais, /- é da ordem de miliampéres, enquan- 10 Io & medido em microampéres ou nanoamperes. eq. assim como /,, para um diodo reversamente polarizado, é sensivel & temperatura e deve ser analisado cuidadosamente quando a fai- xa de variagdo da temperatura para a aplicagao for extensa. Em temperaturas clevadas, este parmetro pode afetar consideravel- ‘mente a estabilidade de um sistema que nao considera apropria- damente seu efeito. Melhorias implementadas nas técnicas de construcdo resultaram em niveis significativamente menores de Teo, chegando a um ponto em que seu efeito pode, na maioria das vezes, ser ignorado. 3.4. CONFIGURACAO BASE-COMUM A notago e simbolos para o transistor, uilizados atualmente na ‘maioria dos textos e manuais publicados, esto indicados na Fig. * poradotes majoritéios * Portadores minortrio P\ n/p le T See Teo) te lo Se egies de deplegio “78 Vee Fig. 35 Fluxo de portadores majoritiiose minoritiios de um transistor pp, B 3.6 para a configuragao base-comum com transistores pnp € npn. ‘A terminologia base-comum deriva do fato de a base ser comum tanto & entrada quanto & safda da configuragio. Além disso, a base 6 normalmente o terminal aterrado ou com um nivel de potencial mais préximo 20 terra. Em todo est livro, os sentidos de corrente ito referit-se ao fluxo convencional (buracos) ao invés de a0 flu- xo de elétrons. Esta opea0 foi adotada principalmente pelo fato de ‘uma vasta soma de referéncias de instituigdes educacionais e in- dustriais empregarem o fluxo convencional, eas setas em todos os simbolos eletrinicos possuirem uma dirego definida por esta con- vengfo. Lemibre-se de que a seta no simbolo do diodo definia 0 sentido de condugio para a corrente convencional, Para transistor: A seta do simbolo gréfico define o sentido da corrente de emissor (fluxo convencional) através do dispositive. ‘Todos os sentidos de corrente apresentados na Fig. 3.6 so os sentidos reais, definidos pelo fluxo convencional. Note em cada | S le Fig. 3.6Nowaeo estos utlizados para. aconfiguragSo-basecomum: (a tan- sistor pnp () transistor npn