CAPITULO Vill TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO (JFET, MESFET Y MOSFET) Nota: El acrénimo FET proviene del nombre en inglés: "Field Effect Transisto Los transistores de efecto de campo 0 FET' se denominan asf porque durante su funcionamiento la sefial de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corriente a través del dispositivo. Estos transistores también se denominan unipolares para distinguir- los de los transistores bipolares de uni6n (cap. 6) y para destacar el hecho de que s6lo un tipo de portadores -electrones 0 huecos- inter- viene en su funcionamiento. Los transistores de efecto campo de unidn (JFET) fueron pri- mero propuestos por Schockley en 1952 y su funcionamiento se basa en el control del paso de la corriente por el campo aplicado a la puer- ta, constituida por una o varias uniones p-n polarizadas en inverso. Los transistores de efecto de campo de unién metal-semiconductor (MESFET), propuestos en 1966, tienen un funcionamiento muy si- milar al JFET, pero en ellos el control del flujo de corriente se realiza por una unién metal-semiconductor de tipo Schottky (cap. 4). Final- mente, existe también otro tipo de transistores denominados genéri- camente MOSFET (metal-6xido-semiconductor), de desarrollo mas reciente, en los que el control de la corriente a través del semiconductor se realiza mediante un contacto separado del semiconductor por una capa aislante (normalmente, 6xido de silicio). Este tipo de transisto- res se utiliza preferentemente en la electrénica digital. En comparacién con los transistores bipolares, los FET pre- sentan una impedancia de entrada muy elevada y ademés consumen muy poca potencia, por lo que su uso se ha extendido sobre todo en Asimismo JFET procede del nombre: “Junction Field Effect Transistor":226 Fundamentos de electronica fisica y microelectrénica los circuitos integrados. También encuentran aplicaciones en circui- tos de alta frecuencia (microondas), especialmente los MESFET de arseniuro de galio, los cuales tienen un tiempo de respuesta muy ré- pido debido a la alta movilidad de los electrones en este material. 8.1. EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNION (JFET) 8.1.1. Descripcién del transistor Segtin se muestra en la fig. 8.1a, la estructura basica de un JFET esta formada por un semiconductor, de tipo n por ejemplo, con dos contactos Ghmicos en sus extremos, uno de ellos $ denominado fuente o surtidor y el otro D conocido por el nombre de drenador 0 sumidero. E] tercer electrodo G, denominado puerta, estd constituido por dos regiones de tipo p difundidas a ambos lados de la estructura del semiconductor. Se forma asf en el contacto de puerta dos uniones p-n, las cuales estén conectadas entre si y polarizadas en inverso, de forma que la corriente que pasa a través de ellas es practicamente nula. Generalmente la unién de puerta es del tipo p*- n, lo cual significa que la regi6n p de la puerta est mucho ms dopada que la regidn n del semiconductor. Los JFET utilizados en circuitos integrados normalmente se fabrican siguiendo la tec- nologia planar (véase cap. XIII), segiin la cual el semiconductor est formado por una capa de cardcter n (capa epitaxial) depositada sobre un substrato de silicio u otro semiconductor, de tipo p. Un drea pequefia de la superficie de esta capa epitaxial esta difundida con impurezas también de tipo p, y forma, junto con el substrato de silicio, el contacto de puerta. Los electro- dos metalicos de fuente y de sumidero se depositan directamente a ambos lados del contacto superior de puerta. En la fig. 8.1b se presenta un esquema de la geometria de las diferentes zonas y contactos de un JFET utilizado en circuitos integrados, mostrando la zona activa, es decir la regién donde tiene lugar la accién del transistor. El simbolo de circuitos para el JFET de tipo n se ha representado en la fig. 8.1c, con la flecha de la puerta apuntando hacia dentro para indicar el cardcter n del semiconductor. En el caso del JFET de tipo p, la flecha de la puerta tiene la direccin opuesta a la de la figura. Si el semiconductor es de tipo n, la polarizacién se hace de forma que la corriente de electrones (portadores mayoritarios) fluya desde el contacto de surtidor, S, al de drenador, D. Esto quiere decir que la tensién Vps = Vp -Vs debe ser positiva. Se dice entonces que el semiconductor funciona como un canal de baja resistencia para los electrones, estando limita- do el canal por las paredes que forman las dos regiones de carga espacial adyacentes a las uniones p-n de la puerta. Segiin hemos visto en el capitulo tercero, en las regiones de carga espacial la concentracién de carga libre es muy baja y por tanto su resistividad es muy elevada.VIII. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 227 carga espacial pt Ss D canal n G a) s G D carga espacial Zona activa del transistor “capa epitaxial (n) — substrato (p) Es -— contacto b) G ¢) Fig. 8.1. a) Esquema de la estructura de un JFET de canal tipo n. b) Esquema de un transistor JFET de canal n fabricado segiin la tecnologia planar. c) Simbolo de circuitos de un JFET de canal n.