Fabricage van een chip.

In dit hoofdstuk zal in het kort de fabricage van een ic (chip) worden uitgelegd. Daarna meer specifiek
over de ovensectie, omdat het reclaim systeem in deze sectie gebruikt wordt.

Chipfabricage.

IC’s worden geproduceerd op een wafer, dit is een ronde schijf, die in verschillende maten bestaan.
Op dit moment worden 6, 8 en 12 inch wafers in de wereld het meest gebruikt. De wafers zijn
gemaakt van silicium (oftewel zand). Silicium heeft als eigenschap dat het een halfgeleider is.
Afhankelijk van welke vervuiling er in het silicium zit, wordt het of (elektrisch) geleidend, of een
weerstand. Om een ic te maken moeten er 200 tot 300 afzonderlijke processtappen doorlopen
worden. Hieronder komen de hoofdstappen punt voor punt voorbij, met een kleine uitleg. Dit wordt
beperkt gehouden, want hier kan een verslag vol over schreven worden.

1. Laseren wafer: mbv een laser krijgt wafer een uniek ID mee
2. Eerste silicium oxidatie laag (ovens)
3. LAK bedekken (litho)
4. Mbv een masker worden bepaalde gebieden op de plak belicht (litho). Denk hierbij aan een
fotonegatief wat gemaakt wordt zoals bij een fototoestel.
5. De belichte gebieden verdwijnen in de ontwikkelstap (litho)
6. Mbv een zuur wordt het oxide dat onder de belichte gebieden zit weggeetst.( ets stap)
7. Mbv strippen wordt alle resterende lak verwijderd. (ets stap)
8. Plak wordt geheel gereinigd.
9. Er volgt een implantatie, hier word de stof (dope stof) toegevoegd die het silicium geleidend
maakt, of een weerstand geeft. (implanters)
10. Diffusiestap, hierbij gaat de stof dieper de plak in (tgv hoge temperatuur)(ovens)
11. Wegeetsen van resterend silicium oxide. , daarna weer reinigen.
12. Nu komt er een z.g. epitaxiale laag silicium bovenop de plak. (EPI)
13. Nu kunnen bovenstaande stappen herhaald worden, net zolang totdat het circuit klaar is.
14. Dan wordt een alumium laag aangebracht, zodat de componenten met elkaar verbonden
zijn. (klokken)
15. Als laatste een siliciumnitride laag, als bescherming. (novellus)

Binnen de sectie ovens worden er in de basis 3 processen uitgevoerd:

1. Oxidatie (omzetten van silicium naar siliciumoxide)

2. Depositie, het aanbrengen van een laag bovenop het silicium
3. Diffusie, het naar binnen drijven van de dopestoffen.

De eerste 2 processen kunnen we inline meten. Door bij het proces een wafer toe voegen waar niks
op zit, kan na het proces gemeten worden hoeveel oxide/depositie erop gekomen is. Bij productie
wafers is dit namelijk veel moeilijker door de al aanwezige lagen. Bij de ovens komen laagdikten voor
die variëren van 40nm tot 800nm. Dit alles met een tolerantie van +/- 3%. (1nm = 0,000001 mm. Een
mensen haar is ongeveer 71 micrometer dik, 71000 nanometer dus. Dit geeft wel aan in welk gebied
er gewerkt wordt)
Het komt allemaal zeer precies. Als er problemen zijn met de meetwafers, dan kan dit dus veel
invloed hebben op het eindproduct, want de ovens zelf worden ondermeer met behulp van de
meetdata gestuurd. Als bijvoorbeeld door vervuiling van de plakken verkeerde waarden worden
gemeten, dan wordt een machine gecorrigeerd, terwijl er niks aan de hand blijkt te zijn.

Hieronder staan alle stappen visueel weergegeven.