ESQUEMA DEL CAPITULO 4.1 totrogucci6n Punto de operacién CConfiguracin de polaizacin fija CConfiguracién de polarzacin de emisor Configuracién de potarizacin por medio del divisor de voltae Configuraciéa de realimentaciéa del colector Configuacién en emisor-seguidor CConfiguracin en base comin Diversas configuraciones de polarizacién Tabla de resumen Operaciones de diseio CGiteitos de expeja de corrente Giteitos de fuente de coriente Transstres pp Redes de conmutacién con tansisores Técnicas de slucién de falas Escabilizacién dela polaizaci6n Aplicaciones prticas Resumen, Analisis por computadora 4.1 INTRODUCCION OBJETIVOS DEL CAPITULO 1 capaz de determina los nivel de od pars las diversas configuraciones importantes de les BIT. 1 Entender emo se mien los niveles de voltaje importantes de una configuraci6n de transistor de un BIT y uilzarios para determinar sila red cst operando corzectamente f¢ Entcrarse de las condiciones de saturacién y corte de una red con un BIT y de los niveles de voltaje y corienteestablecidos por cada una de las condiciones. 1 Ser capaz de realizar un andlsis de Ia recta de carga de las configuraciones més comunes de wn BIT, © Conocer el proceso de disefo de amplificadores con BIT. ‘¢ Enlenderla operacié bisica de las redes de conmutacién con teansstores, ‘© Comenzar a entender el proceso de solucién de fallas tal como se aplica a configuraciones con Bir, f¢ Tener una idea de los factores de estailidad de tuna configaracidn con BJT y eémo afectan st ‘operacin los cambios en las caactefsticas especificas y los cambios ambientaes EE andisis odisefo de un amplificadortransistorizado requiere conocer la respuesta del sistema tanto de ed como de ca. Con frecuencia se supone que el transistor es un dispositive mégico aque puede elevar el nivel de a entrada de ca sin la ayuda de una fuente de energfa externa. En realidad, lnivel de potencia de ca de salida mejorada es el resultado de una transferencia de energia de las fuentes de ed aplicadas. El andiss odiseso de cualquier amplficador electrénico se compone, por consiguiene, de una parte deca y una de ed. Por suerte, el teorema de superposiién es aplicabley Ia investigacisn Ge las condiciones de od puede separarse por completo de la respuesta de ca, Sin embargo, hay {que tener en cuenta que durante la etapa de defo osintsis, la seleccin de los pardmetros de los niveles de ed roqueridos afoctaria la respuesta deca, y viceversa162 POLARIZACION DE CD DELOS Bit ‘Varios factores contolan el nivel de operacin de ed de un wansisor, entre ellos e! intervalo Ae los posibles puntos de operacién en las caractersticas del dispositive. Bn la secci6n 4.2 espe- cams el intervalo para el amplifcador de transistor de unién bipolar (BIT). Una vez que se han definido los niveles de cortiente ody voltje deseados, se dobe constrir una red que establez- cael punto de operacién deseado. En este capitulo se analizan varias de estas redes. Cada diseho lambign determinaré la estabilidad del sistema, es decir, cusn sensible es alas variaciones de la -mperatura, otto tema que s investigard en una seccién de la parte final de este capitulo. ‘Aunque aqut analizaemos varias tedes, hay una similitud subyacente en el andlsis de cada configuracin, debido al uso recurente de las siguientes relaciones bisicas importantes de un Vor = 0.7V a) Te= (B+ Ils = Ie (4.2) Bl, (43) De hecho, una ver bien entendido el andlisis de las primeras edes, la ruta a seguir para la solucién de las redes ser cada vez més clara. Ea la mayoria de ls casos, la primera cantidad a \eterminar es a cortente en la hasty. Una ver conocida la Ise pueden aplica las relaciones de Jas ecuaciones (4.1) a (43) para determinar las cantidades de interés restances, Las semejanzas cenel anilise serén obvias de inmediato conforme avancemos a través del capitul, Las ecvacio- res para J son similares para varias configuracienes, de modo que se puede derivar una ecuaciéa de oira con slo suprimie o agregar un érmino o des, La funcisa primordial de este capitulo es Adesartolar nivel de conocimiento del transistor BJT que permita un andliss de ed de cualquier sistema que pudiera emplear el amplificador de BIT. 4.2 PUNTO DE OPERACION BI téemino polarizacisn que aparece en el tule de este capitulo es un éemino totalmente inclo- sivo de la aplicacin de voltajes de ed para establecer un nivel fio de corrente y valtae, Para amplificadores con tansstore, la coriente y voltae de ed resultates establecen un punto de ‘operacién ex las caracterislicas que deinen la regin que se empleara para amplificat la seal aplicada. Como el punto de operacién es un punto fjo en las caracteristica, también se Hama Punto quiescente (abreviado punto 0). Por definicién, quiescente significa quieto, inmévil, ‘activo. La figura 4.1 muestra una carateistica del dispositivo dela salida general para estable- cer la operacién del dieposiivo en cualquiera de estos oltas puntos dentco de la regtn activ. Las capacidades mximas se indican en las caracterfatcas de a figura 4.1 por medio de una linea horizontal para la coriente mxima del colecor Ic, ¥ tuna linea vertical para el voltaje mximo de colector # emisor Veg... La curva Pe,,, define la restriccién de potencia nominal méxi- ‘a en la misma figura. En ol extremo inferior de las escalas se encuentran la regién de corte, Aefinida por fy = 0 MA, y la regién de saturacién, definida por Vee = Very El dispositive BIT podafa ser polarizado para que opere afuera de estos limites maximos, pero el resutade de tal operacidn acortarfaconsiderablemente la duracién del dispositive © lo destruirfa. Si nos imitamos a la regin activa, podemos seleccionar muchas dreas o puntos de ‘operacin diferentes. A menudo, e] punto 0 seleccionado depende del uso pretendido del cizeui- to, No obstante, podemos considerar algunas diferencias entre los varios puntos mostrados en la figura 4.1 para presenta algunas ideas bisicas sobre el punto de operaci6n y, por ende, sobee el circuito de polarizacién, ‘Si no se ullizara polaizacisn, al principio el dispositive estarfa totalmente apagado o inte- tivo, y el punto @ estarfaen A, es decir, corrente cero a eavés del dispositive (y voltae cero a través de é}). Como es necesatio polarizar un dispositive de modo que sea capar.de responder ‘todo el intervalo de una sefal de salida, el punto A no senfa adecuado, Para el punto B, si se aplica uaa sefal al cirouito, el dispositive variard la corsente y el vollae a parr del punto de ‘operacin, lo que permite que el dispositive reaccione (y que posiblemente amplifique) tanto las excussiones pesitivas como las negativas de la seal de entrada, Si seleeciona apropiadamente la sei de entrada, el voltae y la corriente del dispositiv varia, pero nolo suficiente p evar al dispositive a corte o saturactén. El punto C permitnia alguna variacign positive y egativa dela sefial de entrada, pero el valor pica a pico se verfalimitado por la proximidad de Veg = OV ee = OmA. La operacisn en el punto C también hace que sutjan dudas con respecto Tas no lincalidades inteoducidas por el hecho de que la separacin entre las curvas cambiaents 28 Ver Ye ene i v Fig. a1 Varios puntos de operacn dentro de os limites de operacién de wn transistor «om rapidex en esta regis. En general, es preferible operar donde Ia ganancia del dispositive es bastante constante (o lneal) para garanizar que la amplificacin a lo largo de toda la excursisn de la sofia de entrada sea la misma, El punto B es una rezién de més separacin lineal, y por ‘onsiguiente de mis operacién lineal, como se muesia en la figura 4.1, El punto Dsitéa el pun- {ode operaci6n cerca del nivel méximo de voltae y potencia, BI voltae de sala excutsiona en la diecci6n positiva,y por lo tanto se limita sino se excede el voltaje méximo. Por consiguien- (c, paroce que el punto B cs el mejor punto de operacié en funcida de ganancia lineal y max sma excursiGn posible de velaje y de corriente. En realidad, sta es la condicin deseada para amplificadores de seal pequeta (capstuo S) aunque no nevesariamente para amplificadores de potencia, los cuales se considerarin en el capitulo 12. En este andisis nos cancentraremos prin- cipalmente en polarizar el transistor para operacin de amplificacién de sefal pegueia lay que consierar otro factor de polarizacin muy importante. Habiendo selecionado y pola- sizado el BIT en un punto de operacién deseado, ambién debemos tomar en cuenta el efecto de Ja temperatura. La temperatura cambia los parimetos del dispositive al igual que la gananci de comiente del transistor ((,,) y su coriente de fuga (cy). Las alts temperaturasincremen- tan las comrcntes de fuga en el dispositive, y cambian por lo tanto las condiciones de operacién establecidas por la red de polatizaci6n, Bl esultado es que el diseio de la ted también debe pro- porcionar un grado de estabilidad de remperatura, de modo que los cambios ambientalesprodu2- an cambios minimos en el punto de operacién. Este mantenimiento del panto de operacién puede ser especificado por un factor de estabilidad S, el cual indica el grado de cambio del punto {se operacién pravocado por una variacién de la temperatura. Es deseable un citeuito altamente stable, y se compararé a estabilidad de algunos etcuitos de polarizacién hisicos ‘Para que el BIT se police en surogién de operacidn lineal o activa lo siguiente debe ser cero: 1, La unién base-emisor debe polarizarse en directa (volije mas positivo en la regién p), con el voligje de polarizacién en directa resultante de cerca de 0.6 a 0.7 V. 2. Launién base-colector debe polarizarse en inversa (mas positivo en la regién n), con el voltaje de polaricacin en inversa de cualquier valor dentro de los limites del dis [Observe que para la polarizacién en directa el voltae a través dela unin p-n es p positive, ex ‘anto que para la potarizacin en inversa es opuesto(inverso) con n positiva, Ete énfasis en la letra inicial deberd servir para memoriza la polaridad necesaria dl voltaje] La operacién en las regiones de corte, saturaciny lineal dela caracteristica BIT se da como sigue PUNTO DE OPERACION 165