PRVIDEO_ GLAVA7 OPTOELEKTRONSKE POLUPROVODNICKE KOMPONENTE Optoctektronske ili fotoelektronske polu- provodnitke komponente pretvaraju svetlosnu energiju u elektrinu ili vrSe obrnutw transfor- ‘maciju. U ovo} glavi ée biti razmatrane samo one optoelektronske komponente, koje imaju iru primenu za emisiju svetlosti u indikatorima (dis- plejima), detekciju prisustva svetlosti u fotode- tektorima, i izvorima energije na bazi sunteve svetlosti. Vise detalja, narotito u vezi materijala iizrade fotoclektri¢nih sklopova, nalazi se u refe- renci [1] Svetlost je elektromagnetno zratenje koje ima talasno-korpuskularnu prirodu. Opseg talas- nih duzina svettosti ide od 10am — ultraljubiasti deo spekira, do 106m — infracrveni deo. Opseg Vidljive svetlosti za Ijudsko oko ide od 380nm - jubicasta boja, do 750nm — ervena boja. Spek- tralna karakteristika oka, definisana kao subjek- tivan oseéaj sa kojim oko vidi monohromatsku svetlost razligtih boja{istog intenziteta, prikaza- najenaslici 7.1. Vidi se da oko najbolje registruje zelenu boju, a znatno lo8ije ljubiéastu i ervenn Svetlosne eestice se nazivaju fotoni i imaju en- ergiju odredenu formulom: Wehpahy ty gde jeh = 4,137-10-eV-s Plankova konstanta, FiA su utestanost i talasna duzina svetlosti, a ¢ ‘njena brzina. Energija po prethodnyj formuli je izrazena u elektron-voltima (eV). 200 100 500 a0 Rad optociektronskih. poluprovounitkih komponenata se zasniva na prelasku elektrona izmedu valentnogi provodnog opsega. Smer kre- tanja elektrona pri prelasku je suprotan kod aps- ‘otpeije i kod emisije svetlosti. Pri apsorpeiji svetlosti poluprovodnik se iz~ lage dejstva fotona koji mu predaju energiju, ‘Tada se energija fotona pretvara u toplotu (ter- mitki cfckat)ilise generise par elektron-Supljina, ako je energija fotona ve¢a od energetskog pro- cepa u materijalu (kvantni efekat). Poslednji us- lov je potreban za povecavanje energije jednog valentnog elektrona i njegov prelazak u provod- ‘nu zonu, dime se stvara slobodan par elektron- Supljina. Pastoje dve vrste apsorpeionih opto- elektronskih poluprovodnikih elemenata na ba- zi kvantnog efekta. Fotokondukiivni elementi, od kojih s¢ pod dejstvom svetlosti menja kon- centracija slobodnih nosilaca, odnosno elektrigna provodnost i foronaponski elementi kod kojih se ‘generic veliki broj slobodnih nosilaca pod dejst- vom svetlosti, a zatim ve8i njihovo razdvajanje i transport uz pomoé PN spoja. Na taj nagin fo- tonaponski elementi daju struju na ragun ener- gije svetlosti. Enisija svetlosti iz, poluprovodnika nastaje pri rekombinaciji parova etektron-Supljina. Re- kombinacija se podstite propustanjem direktne struje kroz PN spoj kada glavni nosioci menjaju stranu i poveavaju verovatnoéu popunjavanja valentnih veza. Pri tome siobodan elektron pre- Tanasi fg budinatnmd SI. 7.1. Spektraina karakteristika oka,7. Optoctektronske poluprovodnitke komponente lazi iz provodne u valentnu zonu emitujuéi foton dja je talasna duzina jednaka ili manja od hc /E,, de je E, energetski procep poluprovodnika, vi- deti jednaginu (7.1). Emisioni poluprovodnicki optoelektronski elementi mogu imati neko- herentno i koherentno zratenje. Izvori nekohe- rentnog zratenja daju fotone razli¢ite talasne du- ine, faze, polarizacije i pravea prostiranja u ne- kom opsegu i nose naziv svetlasne diode ili LED diode (Light-Emitting Diodes ). Izvori kohe- rentnog zraéenja su poznati kao laseri i oni neée biti razmatrani u daljem tekstu(), 7.1. Fotokonduktivni elementi _ Kao Sto je regeno, kod fotokondul (fotOprovodnin) elemenata se vr8i apsorpeija fo- tona svetlosti u poluprovodniku sto povecava koncentraciju njegovih slobodnih nositaca i me- nja elektritnu provodnost. Ako se na fotokon- duktivan elemenat prikljudi napon, onda sc kroz njega uspostavija struja, tija jagina zavisi od in- tenziteta svetlosti. Na tom principu je zasnovan rad fotootpornika. Konstrukeija fotctpornika je prikazana na slic 7.2a. Na keramitkoj plotici je postavijen ta- nak sloj poluprovodnika jednog tipa, na primer N, na dijim su krajevima vezane metalne cle- ktrode kao spoljni izvodi. Kuéiste ima stakleni prozor ili sotivo za prolazak svettosti do polupro- ‘vodnika. Otpornost fotootpornika je najveéa u mraku. Ako se izvrSi osvetljavanje sa svetloséu Gija talasna duzina daje enegiju fotona veéu. od energetskog procepa poluprovodnika, broj sio- bodnih nosilaca raste i otpornost opada. Spoljna karakteristika fotootpornoka pokazuje zavisnost njegove otpornosti od intenziteta svetlosti. Njen tipiéan oblik je pokazan na slici 7.2b u logari- tamskoj razmeri. Otpornost fotootpornika zavisi cod temperature jer njen porast podize sopstve- ‘nu koncentraciju slobodnih nosilaca, jednadina (1), Ovaj efckat treba minimizirati kod foto- konduktivnih elemenata da bi se postigla zavis- st hal nost Koncentracije slobodnih nosilaca, praktitno, ‘samo od svetlosti. To je moguée izvesti biranjem Poluprovodnika sa vecim energetskim proce- Pom, ili njegovim hladenjem. Oba procesa do- vode do smanjenja sopstvene koncentracije u poluprovodniku, a samim tim i do smanjenja ‘znataja njene varijacije sa temperaturom. Brzina rada fotokonduktivnih elemenata, ‘odredena vremenom koje protekne od nagle promene intenziteta svetiosti do postizanja de- finitivne promene otpornosti materijala, je mala — reda jecine milisekunde. To je posledica priro- de procesa stvaranja slobodnih nosilaca pod dej- stvom svetlosti. 7.2, Fotonaponski elementi Fotonaponski poluprovodni¢ki elementi sadrZe PN spoj. Pod dejstvom svetlosti u njima sestvaraju slobodni nosioci pretaskom elektrona, Koji je primio energiju fotona, iz valentne u pro- vodnu zonu. Elektroni i Supljine, koji se generis uu delu PN spoja dalje od oblasti prostornog tova- ra, ne mogu da opstanu zbog velike koncentracije ‘okolnih slobodni nosilaca sa kojima se rekombi- nuju. Medutim, elektroni i Supijine, koji se gene- rigu w oblasti prostornog tovara, nastaju u zoni jakog elektritnog polja. Posto je koncentracija slobodnih nosilaca u oblasti prostornog tovara mala, nema rekombinacije, ve¢ jako elektritno polje Salje fotogenerisane Supljine ka anodi, a clektrone ka katodi. Ako se krajevi fotonapon- skog elementa spoje, kroz njih protige struja pod dejsivom svetlostl. Ta struja, koju Cine svetioscu generisani nosioci, se naziva fotostruja I, i kroz ‘diodu ima smer od katode ka anodi. Njena jagina Je direktno srazmerna intenzitetu svetlosti. Fotonaponski elementi se koriste kao de- tektori prisustva ili intenziteta svetlosti u elek- tronskim kolima ili kao izvori elektritne energije na bazi sungeve svetlosti. U prvu grupu spadaju fotodiode i fototranzistori, a u drugu fotovolta- ine Celie. » SI.7.2. Fotootpornik: (2) konstrukeija, (b) prenosna karakteristika.80 PRVI DEO - Poluprovodnitke komponente 7.2.1. Fotodiode Konstrukeija, simbol i statitke karakteris- {ike poluprovodnitke fotodiode su dati na slici 7.3, Kroz stakleni ptozor ili sotivo, svettost pada na PN spoj. Posto se fotogencrisani elektroni i Supljine na mestima dalje od spoja brzo rekom- binuju u uslovima velike koncentracije slobodni nosilaca, N sloj poluprovodnika se pravi kao ve- ‘oma tanak. Fotoni, kada dospeju u oblast pro- stornog tovara, stvaraju slobodne nosioce koji se dejstvom jakog polja u toj oblasti razdvajaju tako da Supljine ida prema anodi, a elektioui prema katodi. Na taj nagin se generi8e fotostruja sraz- ‘mera intenzitetu svetlosti. Ova struja je mala i ne moze dogi do izrazaja pri direktnoj polarizaciji diode. Stoga se fotodiode koriste iskljutivo uw reZimu inverzne polarizacije s tim da se preduz- mu sve konstruktivne mere da struja zasiéenja diode, definisana jednaginom (2.15), bude sto ‘manja (jaée dopiranje, niska radna temperatura fotodiode postignuta hladenjem i sino). Struja zasi¢enja fotodiode se naziva istruja mraka, kriva (a) na slic 7.3b. Prema tome, struja fotodiode ima dve komponente: fotostruju Ji struju kroz PN spoj ostvarenu dejstvom napona polarizacije Gl): (Up) F+15| ep|pe]-1]. 0.2) Zavisnost fotostruje od intenziteta svetlosti je linearna, jer se pri dvostrukoj jagini svetla gene- rie dvostruko vedi broj slobodnih nosilaca pu- tem apsorpcije fotona, Ucciliu pove¢anja brzine odziva na promene intenziteta svetlosti, fotodiode se kostruigu sa ubatenim slabo dopiranim slojem poluprovod- nika i izmedu'P i N oblast, slika 7.3a. Time se dobija mala kapacitivnost prostornog tovara, jer ‘se on ra8iri preko celog osiromaxenog sloja polu- provodnika, Tako konstruisane fotodiode se na- zivaju PIN fotodiode (I- intrinsic). Fotodiode daju mau fotostruju, nekoliko stotina mikroampera pri jatini svetlosti reda 0,1 Imjem?, Poveéanje struje kroz povetanje povrsi- ne PN spoja je neprihvatljivo zbog porasta kapa- citivnosti Koja usporava rad fotodiode. Uveéanje fotostruje se moze posti¢i inverznom polariza Jom diode tako, da ona ude w oblast lavinskog roboja, odnosno da se aktivira lavinski efekat, Odeljak 2.6. Time se svaki fotoelektron umnoza- va M puta, ali zavisnost struje od jatine svettostl nije vie linearna, Na opisanom principu rade lavinske fotodiode, koje predstavijaju najosetlji- viji fotonaponski element. Njihova brzina rada je neSto manja u odnosu na PIN fotodiodu zbog vremena potrebnog za multiplikaciju nosilaca. ‘Medutim, posto daje veéu struju, lavinsku foto- diodu je moguée opterctiti manjom otpornosén Potrosata sa koga se detektuje korisni signal Kako je minimalni prihvatljiv nivo korisnog sig- nala unapred odreden, sledi da ¢e lavinska foto- dioda raditi sa manjom vremenskom konstan- tom od PIN fotodiode, a toznaéi da 6e mati veeu brzinu odziva na promene intenziteta svetlosti. Spekiralna karakteristika fotodiode poka- zuje zavisnost njene struje od talasne duzine svet- losti konstantnog intenziteta. Njen oblik se odre- duje izborom vtste materijala poluprovodnika prema potrebnom energetskom procepu E, za dobijanje najvece osctljivosti na odabranu véstu svetlosti. Posebnosu interesantne infracrvene fo- todiode za detckciju toplih objekata u prirodi, koji emituju infracrvene zrake. 7.2.2, Fototranzistori Fototranzistori su bipolarni tranzistori koji koriste apsorpeiju svetlosti za generisanje slo- bodnin nosilaca kao i fotodiode, s tim da se po- S1.73.Fotodioda: (@) konstrukeja i simbol,(b) statidke Karakteristike.