Spider+12v - Emh-Ch

TLE75602-EMH
SPIDER+12V
TLE75602-EMH
适用于增强型SPI继电器控制驱动
数据手册
版本1.0, 2017/8/10
数据手册汽车功率电子 1 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
目录
1 概述................................................................................... 6
2 框图和术语 ............................................................................ 10
2.1 功能框图 ............................................................................... 10
2.2 术语 ................................................................................... 11
3 引脚配置 .............................................................................. 12
3.1 引脚分配 ............................................................................... 12
3.2 引脚定义和功能 ......................................................................... 13
4 产品一般特性 .......................................................................... 15
4.1 最大绝对额定值 ......................................................................... 15
4.2 工作范围 ............................................................................... 17
4.3 热阻抗 ................................................................................. 18
4.3.1 PCB设置 .............................................................................. 18
4.3.2 热阻抗 ............................................................................... 20
5 控制引脚 .............................................................................. 21
5.1 输入引脚 ............................................................................... 21
5.2 IDLE引脚 ............................................................................... 21
5.3 控制引脚电气特性 ....................................................................... 23
6 电源.................................................................................. 24
6.1 操作模式 ............................................................................... 27
6.1.1 上电 ................................................................................. 29
6.1.2 睡眠模式 ............................................................................. 29
6.1.3 空闲模式 ............................................................................. 29
6.1.4 工作模式 ............................................................................. 29
6.1.5 跛行回家模式 ......................................................................... 29
6.1.6 电源模式转换时间的定义 ............................................................... 30
6.2 复位条件 ............................................................................... 30
6.2.1 VS上的欠压 .......................................................................... 30
6.2.2 VDD上的低操作电源 ..................................................................... 31
6.3 电源电气特性 ........................................................................... 32
7 功率级................................................................................ 39
7.1 输出ON即导通状态电阻 ................................................................... 39
7.1.1 驱动阻性负载 ......................................................................... 39
7.1.2 感应输出箝位 ......................................................................... 39
7.1.3 最大负载电感 ......................................................................... 40
7.2 反向电流行为 ........................................................................... 41
7.3 开关并行通道 ........................................................................... 41
7.4 “浪涌模式”（BIM) ..................................................................... 41
7.5 PWM自动生成器 .......................................................................... 42
7.6 功率级电气特性 ......................................................................... 45
8 保护功能 .............................................................................. 49
8.1 过载保护 ............................................................................... 49
8.2 过温保护 ............................................................................... 49
数据手册 2 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
8.3 跛行回家模式下的过温保护和过载保护 ..................................................... 50

8.4 反极性保护 ............................................................................. 50
8.5 过压保护 ............................................................................... 50
8.6 保护功能电气特性 ....................................................................... 51
9 诊断 .......................................................................... 53
9.1 过载和过温 ............................................................................. 53
9.2 输出状态监控器 ......................................................................... 53
9.3 导通状态下的负载开路 ................................................................... 55
9.3.1 导通状态下的负载开路－直接通道诊断 .................................................... 55
9.3.2 导通时的负载开路－诊断环路 ........................................................... 56
9.3.3 OLON 位 ...................................................................... 58
9.4 诊断电气特性 ........................................................................... 59
10 串行外设接口（SPI） ................................................................... 61
10.1 SPI信号描述 ............................................................................ 61
10.2 菊花链 ................................................................................. 62
10.3 时序图 ................................................................................. 63
10.4 电气特性 ............................................................................... 64
10.5 SPI协议 ................................................................................ 67
10.6 SPI寄存器概览 .......................................................................... 70
10.6.1 标准诊断 ............................................................................. 70
10.6.2 寄存器结构 ........................................................................... 72
10.6.3 寄存器概述 ........................................................................... 76
10.6.4 SPI命令快速列表 ...................................................................... 77
11 应用信息 .............................................................................. 79
11.1 更多应用信息 ........................................................................... 80
12 封装外形 .............................................................................. 81
13 修订历史 ............................................................................ 83
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数据手册 4 版本1.0, 2017/8/10

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数据手册 5 版本1.0, 2017/8/10

适用于增强型SPI继电器控制驱动TLE75602-EMH
1 概述
产品特点
• 16位串行外设接口，用于控制和诊断
• 支持菊花链的SPI,也与8位SPI器件兼容
• 2个兼容CMOS的并行输入引脚，并具有输入映射功能
• 启动电压低至VS = 3.0 V (支持 LV124)
• 数字电源电压范围，兼容3.3 V 和5 V 微控器
PG-SSOP-24-9
• 在灯泡浪涌模式下（BIM)可驱动2W灯泡和电子负载
封装标识
• 两个用于µC offload内部PWM发生器，
PG-SSOP-24-9 TLE75602EMH
• 静态电流极低（使用EDLE引脚）
• 跛行回家模式（使用IDLE和IN引脚）
• 绿色产品 (RoHS 认证)
• AEC汽车级认证
产品描述
TLE75602-EMH是八通道高边和低边功率开关，采用PG-SSOP-24-9封装，具有嵌入式保护功能。针对汽车环境和工
业应用中控制标准继电器和LED灯而特别设计。
利用串行外设接口（SPI)控制并诊断器件和负载。对于直接控制及PWM，默认2个输入引脚与2个输出相连。相同的
输入引脚可以控制其它输出或不同的输出（可通过SPI编程）。
表1 产品概述
参数符号值
模拟电源电压 VS 3.0 V … 28 V
数字电源电压 VDD 3.0 V … 5.5 V
过压保护电压最小值 VS(AZ) 42 V (详情见第8.5节)
TJ = 150 °C时，ON即导通状态电阻最大值 RDS(ON) 2.2 Ω
额定负载电流 (TA = 85 °C, 所有通道) IL(NOM) 330 mA
最大能量耗散-重复 EAR 10 mJ @ IL(EAR) = 220 mA
漏极到源极箝位电压最小值 VDS(CL) 42 V (用作低边开关时)
源极到地箝位电压最大值 VOUT_S(CL) -16 V
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TLE75602-EMH
概述
表 1 产品概述(续表)
参数符号值
过载关断阈值电流最大值 IL(OVL0) 2.3 A
TJ ≤ 85 °C时，总静态电流最大值 ISLEEP 5 µA
SPI时钟频率最大值 fSCLK 5 MHz
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TLE75602-EMH
概述
应用
• 低边和高边功率开关，用于12V的汽车或工业环境，如照明，供暖，电机驱动，能量和电力分配
• 专为驱动继电器,LED和电机而设计
保护功能
• 无需外部组件，就可对VS进行电池反接保护
• 对地短路和对电池短路保护
• 欠压时，仍然有稳定的表现（“扩展操作条件下电源电压范围下限”）
• 过流闩锁
• 热关断闩锁
• 过压保护
• 接地失效保护
• 接电池失效保护
• 静电放电防护(ESD)
诊断特性
• 通过SPI寄存器锁存的诊断信息
• 导通状态下进行负载开路检测
• 使用输出状态监控功能在关断状态下进行负载开路检测
• 输出状态监控器
• 输入状态监控器
• 导通状态下进行负载开路检测
具体应用功能
• 跛行回家模式下，通过输入引脚激活自动防故障装置
• SPI支持菊花链连接
• 在低电池电压时（启动阶段）仍能安全运行
• 两个通道并联的2W 灯泡，5W灯泡，和增强的容性负载驱动能力（灯泡浪涌模式）
• 两个独立的内部PWM发生器，用于驱动LED等
详细描述
TLE75602-EMH是八通道高边和低边继电器开关，具有嵌入式保护功能。输出级包含了2个低边开关和6个自动配置
的高边或低边开关 ( TJ = 25°C时， RDS(ON) 典型值为 1 Ω)。自动配置开关与负载相连后，就能用于高边或低
边配置了。保护和诊断功能根据硬件配置自动进行调整。从高边驱动负载使得可以在导通状态下诊断负载开路。
采用了16位串行外设接口（SPI)控制并诊断器件和负载。为了使多个器件（兼容8位SPI器件）可以复用相同的微
控制器引脚，SPI接口支持菊花链连接。
数据手册 8 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
概述
该器件专为低电源电压操作而设计，因此在低电池电压时(VS ≥ 3.0 V)能保持稳定的运行。SPI的功能，包括对

器件进行编程的可能性，仅仅在数字电源存在时，才可用（更多细节见第6章）。
TLE75602-EMH有2个输入引脚，连接到2个可配置的输出，这样即便没有数字电源电压，也能控制这2个输入引脚。
通过输入映射功能，就可以将输入引脚连接到不用的输出，或者是将更多的输出分配到同一个输入引脚。在这种
情况下，通过施加到一个输入引脚的单个信号就能控制更多通道。
在跛行回家模式里（自动防故障模式），输入引脚被直接路由到通道2和3。当IDLE引脚“低”时，可以使用输入
引脚激活这2个通道，而与是否存在数字电源电压无关。
器件提供负载诊断功能,包括OFF关断状态下和ON导通状态下的负载开路检测（通过 DIAG_OSM.OUTn位）和短路检
测。对于OFF关断状态下的负载开路检测，可以通过SPI激活内部电流源IOL 。
对每个输出级都进行了短路保护。如果发生过载，当电流上升到过载检测电流IL(OVLn) 时，受影响的通道关断，并
可通过SPI重新被激活。在跛行回家模式下运行时，与置“高”的输入引脚相连的通道在超出输出重启时间tRETRY(LH)
之后，自动重启。每个通道均配置了温度传感器，目的是为器件提供过温保护。
功率晶体管是一个N通道的功率MOSFET，有一个用于自动配置通道的中央电荷泵。输入兼容接地的TTL。该芯片采
用Smart Power技术进行了单片集成。
数据手册 9 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
框图和术语
2 框图和术语
2.1 功能框图
图1 TLE75602-EMH功能框图
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TLE75602-EMH
框图和术语
2.2 术语
图 2为此数据手册中所有术语，以及相关物理量正值图例。
图2 电压和电流定义
在有关电气特性的所有表格中那些与通道相关，又无通道号的参数符号适用于每个通道(如VDS 适用于VDS0 ...VDS7)。

此外，除非另有说明，与输出电流相关的参数符号，不用规定电流是流入漏极引脚还是流出源极引脚。例如，额
定输出电流的标示法如下：IL(NOM) IL_LS(NOM) IL_D(NOM) IL_S(NOM)
所有的SPI寄存器位都标记为：ADDR.PARAMETER(如HWCR.RST)，其中诊断帧里的位除外，只有它被标记为PARAMETER
(如 UVRVS)。
数据手册 11 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
引脚配置
3 引脚配置
3.1 引脚分配
图3 采用PG-SSOP-24-9封装的TLE75602-EMH引脚配置
数据手册 12 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
引脚配置
3.2 引脚定义和功能
符号输入/
引
脚输出
电源引脚
20 VS – 模拟电源VS
用于功率开关栅极控制（包括保护）的正电源电压
24 VDD – 数字电源VDD
SPI的电源电压，也支持VS
5 GND – 接地
接地（也用于低边开关）
SPI 引脚
1 CSN I 片选
“低”有效，集成上拉至VDD
2 SCLK I 串行时钟
“高”有效，集成下拉到地
3 SI I 串行输入
“高”有效，集成下拉到地
4 SO O 串行输出
CSN为“高”时，为“Z”态（三态）
输入和待机引脚
21 IDLE I 空闲模式
功率模式控制，“高”有效空闲模式，集成下拉到地
23 IN0 I 输入引脚0
默认接至通道2，且在跛行回家模式下，“高”有效，集成下拉到地
22 IN1 I 输入引脚1
默认接至通道3，且在跛行回家模式下，“高”有效，集成下拉到地
功率输出引脚
6 OUT0_LS O 低边功率晶体管（通道0）的漏极
7 OUT2_D O 自动配置功率晶体管（通道2）的漏极
8 OUT2_S O 自动配置功率晶体管（通道2）的源极
数据手册 13 版本1.0, 2017/8/10

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引脚配置
引脚符号输入/ 功能
输出
19 OUT1_LS O 低边功率晶体管（通道1）的漏极
散热区域
25 GND – 散热焊盘
建议将其接至PCB接地点，以便冷却并提高EMC电磁兼容性能－不可用作
电气接地引脚。电气接地由引脚5完成。
数据手册 14 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
产品一般特性
4 产品一般特性
4.1 绝对最大额定值
表2 绝对最大额定值
Tj = -40 °C 到 +150 °C
所有电压为对地的电压，流入引脚的电流方向为正方向（除非另有规定）
参数符号值单位注释/ 编号
最小典型最大测试条件
电源电压
模拟电源电压 VS -0.3 – 28 V – P_4.1.1
数字电源电压 VDD -0.3 – 5.5 V – P_4.1.2
抛负载保护电源电压 VS(LD) – – 42 V 2)
P_4.1.3
短路保护电源电压(单脉冲) VS(SC) 0 – 28 V – P_4.1.4
3)
反极性电压 -VS(REV) – – 16 V P_4.1.5
TJ(0) = 25 °C
t ≤ 2 min
See Chapter 11for
general setup.
RL = 70 Ω on all
channels
VS引脚电流 IVS -10 – 10 mA t ≤ 2 min P_4.1.7
VDD引脚电流 IVDD -50 – 10 mA t ≤ 2 min P_4.1.8
功率级
负载电流 |IL| – – IL(OVL0) A single channel P_4.1.9
功率晶体管电压 VDS -0.3 – 42 V – P_4.1.10
功率晶体管源极电压 VOUT_S -16 – VOUT_D V – P_4.1.11
+0.3
功率晶体管漏极电压 (VOUT_S VOUT_D VOUT_S – 42 V – P_4.1.12
≥ 0 V) -0.3
功率晶体管漏极电压 (VOUT_S VOUT_D -0.3 – 42 V – P_4.1.59
< 0 V)
单脉冲最大能耗 EAS – – 50 mJ 4)
P_4.1.13
TJ(0) = 25 °C
IL(0) = 2*IL(EAR)
单脉冲最大能耗 EAS – – 25 mJ 4)
P_4.1.14
TJ(0) = 150 °C
IL(0) = 400 mA
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TLE75602-EMH
产品一般特性
表 2 绝对最大额定值(续)1)
Tj = -40 °C 到 +150 °C
重复脉冲IL(EAR)最大能耗 EAR – – 10 mJ 4)
P_4.1.15
TJ(0) = 85 °C
IL(0) = IL(EAR)
2*106 cycles
IDLE引脚
IDLE引脚电压 VIDLE -0.3 5.5 V – P_4.1.23
IDLE引脚电流 IIDLE -0.75 0.75 mA – P_4.1.25
IDLE引脚电流 IIDLE -10.0 2.0 mA t ≤ 2 min. P_4.1.26
输入引脚
输入引脚电压 VIN -0.3 5.5 V – P_4.1.28
输入引脚电流 IIN -0.75 0.75 mA – P_4.1.30
输入引脚电流 IIN -10.0 2.0 mA t ≤ 2 min. P_4.1.31
SPI引脚
片选引脚上的电压 VCSN -0.3 5.5 V – P_4.1.33
片选引脚上的电流 ICSN -0.75 0.75 mA – P_4.1.34
片选引脚上的电流 ICSN -10.0 2.0 mA t ≤ 2 min. P_4.1.35
串行时钟引脚上的电压 VSCLK -0.3 5.5 V P_4.1.37
串行时钟引脚上的电流 ISCLK -0.75 0.75 mA – P_4.1.38
串行时钟引脚上的电流 ISCLK -10.0 2.0 mA t ≤ 2 min. P_4.1.39
串行输入引脚上的电压 VSI -0.3 5.5 V P_4.1.41
串行输入引脚上的电流 ISI -0.75 0.75 mA – P_4.1.42
串行输入引脚上的电流 ISI -10.0 2.0 mA t ≤ 2 min. P_4.1.43
串行输出引脚SO上的电压 VSO -0.3 VDD+0.3 V P_4.1.58
串行输出引脚SO上的电流 ISO -0.75 0.75 mA P_4.1.45
串行输出引脚SO上的电流 ISO -2.0 10.0 mA t ≤ 2 min. P_4.1.46
温度
结温 TJ -40 – 150 °C – P_4.1.48
储存温度 Tstg -55 – 150 °C – P_4.1.49
ESD 承受能力
OUT引脚对VS或GND的 VESD -4 – 4 kV 5)
P_4.1.50
ESD承受能力（HBM） HBM
其它引脚的ESD承受能力 VESD -2 – 2 kV 5)
P_4.1.51
（HBM) HBM
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TLE75602-EMH
产品一般特性
表 2 绝对最大额定值(续)1)
Tj = -40 °C 到 +150 °C
VESD -750 – 750 V 6)
P_4.1.52
引脚 1、12、13、24 CDM
（在芯片四角处的引脚）的ESD承
受能力（CDM)
ESD承受能力(CDM) VESD -500 – 500 V 6)
P_4.1.54
CDM
1) 未经过生产测试，为设计规定值。
2) 持续 ton = 400 ms; ton/toff = 10%;不超出100个脉冲
3) 器件根据Jedec JESD51-2,-5,-7,在自然对流下被安装到FR4 2s2p板上；本产品（芯片加封装）在尺寸为
76.2 * 114.3 * 1.5 mm，具有两层内层铜层 (2 * 70 µm Cu, 2 * 35 µm Cu)的板子上进行仿真。在适当的情况下，散
热焊盘下的热通风孔阵列应与第一内部铜层相接触。
4) 脉冲波形代表感应关断：IL(t) = IL(0) x (1 - t / tpulse); 0 < t < tpulse
5) ESD承受能力是根据ANSI/ESDA/JEDEC JS001 (1.5k Ω, 100 pF)采用人体模型(HBM)来测试的。
6) ESD承受能力是根据ESDA STM5.3.1 或 ANSI/ESD S.5.3.1采用带电器件模型（CDM）来测试的。
注释
1. 超出上表所列值可能会对器件造成永久性损坏。长时间在最大绝对额定值条件下工作可能影响器件的可
靠性。
2. 器件集成的保护功能旨在防止IC在数据手册描述的故障条件下损坏。故障条件被视为“超出”了正常工作范
围。保护功能不用于持续的重复操作。
4.2 工作范围
表 3 工作范围
正常工作时电源电压范围 VS(NOR) 7 – 18 V – P_4.2.1
扩展操作条件下电源电压范 VS(EXT,UP) 18 – 28 V 可能出现参数偏差 P_4.2.2

围上限
扩展操作条件下电源电压范 VS(EXT,LOW) 3 – 7 V 可能出现参数偏差 P_4.2.3
围下限
结温 TJ -40 – 150 °C – P_4.2.4
逻辑电源电压 VDD 3 – 5.5 V – P_4.2.5
注释：在工作或运行范围内，IC 如电路说明中所述运行。电气特性参数是相关电气特性表所列条件规定下的参
数。
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TLE75602-EMH
产品一般特性
4.3 热阻抗
注释：生成的热学数据与JEDEC JESD51标准保持一致。如欲了解更多信息，请访问www.jedec.org
表4 热阻抗
参数符号值单位注释/测试条件编号
最小典型最大
结至焊接点 RthJSP – 5 7 K/W 1)
P_4.3.4
measured to exposed
pad (pin 25)
结至周围环境 RthJA – 32 – K/W 1)2)
P_4.3.5
2) RthJA 值是指根据标准Jedec JESD51-2,-5,-7 在FR4 2s2p 板上自然对流条件下的值；本产品（芯片加封装）在尺寸为
76.2 * 114.3 * 1.5 mm，具有两层内层铜层 (2 * 70 µm Cu, 2 * 35 µm Cu)的板子上进行仿真。在适当的情况下，散
热焊盘下的热通风孔阵列应与第一内部铜层相接触。
4.3.1 PCB设置
图4 2s2p PCB横截面图
数据手册 18 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
产品一般特性
图5 PC板600mm²散热区域热模拟视图
图6 PC板2s2p散热区域热模拟视图
数据手册 19 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
产品一般特性
4.3.2 热阻抗
图7 典型热阻抗。根据第 4.3.1章安装PCB
图8 典型热阻抗。安装1s0p PCB板
数据手册 20 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
控制引脚
5 控制引脚
器件IN0, IN1 和 IDLE引脚无需SPI就可直接控制器件。
5.1 输入引脚
TLE75602-EMH 有2个有效的输入引脚IN0和IN1。IN0和IN1默认分别与通道2和通道3相连接。MAPIN0和 MAPIN1是2
个输入映射寄存器，经过编程后，可通过它们将IN0和IN1引脚与更多的通道或其它不同的通道相连接。如图9所示。
驱动通道的信号或者由OUT寄存器发出，或者由PWM发生器（取决于PWM发生器输出映射的状态），或者由IN0引脚
或IN1引脚发出（取决于输入映射寄存器的状态）。更多信息见第 7.5章。
图 9 输入映射
可以通过输入状态监控器寄存器(INST)监控输入引脚的逻辑电平。TLE75602-EMH为跛行回家模式时，该输入状态
监控器也是可操作的。如果输入引脚IN0或IN1置“高”，且IDLE引脚置“低”，器件切入到跛行回家模式，并激
活默认映射到输入引脚的通道。更多信息见第 6.1.5章。
5.2 IDLE引脚
当IDLE引脚置“低”且所有的输入引脚都置“低”时，IDLE引脚可使器件进入睡眠模式。当IDLE引脚置“低”，
而其中一个输入引脚置“高”时，器件进入跛行回家模式。
为了确保器件在不同的模式之间顺利切换，IDLE引脚从一个状态转换到另一个状态时必须延迟：从“高”转换到
“低”时，至少延迟 tIDLE2SLEEP (P_6.3.54），从“低”转换到“高”时，至少延迟tSLEEP2IDLE (P_6.3.53,）。
将IDLE引脚置“低”会引发下列事件：
• SPI里所有的寄存器复位到默认值
• 如果2个输入引脚都置“低”，VDD 和VS 欠压检测电路被禁用，以降低电流消耗
数据手册 21 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
控制引脚
• 如果2个输入引脚都置“低”，SPI通讯被禁用（当CSN引脚置“低”时，SO引脚保持高阻抗）
数据手册 22 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
控制引脚
5.3 控制引脚电气特性
表 5 电气特性: 控制引脚
VDD = 3 V 到 5.5 V, VS = 7 V 到 18 V, TJ = -40 °C 到 +150 °C（除非另有说明）
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
IDLE引脚
低－输入电平 VIDLE(L) 0 0.8 V – P_5.3.1
高－输入电平 VIDLE(H) 2.0 5.5 V – P_5.3.2
低－输入电流 IIDLE(L) 5 12 20 μA VIDLE = 0.8 V P_5.3.3
高－输入电流 IIDLE(H) 14 28 45 μA VIDLE = 2.0 V P_5.3.4
输入引脚
低－输入电平 VIN(L) 0 0.8 V – P_5.3.5
高－输入电平 VIN(H) 2.0 5.5 V – P_5.3.6
低－输入电流 IIN(L) 5 12 20 μA VIN = 0.8 V P_5.3.7
高－输入电流 IIN(H) 14 28 45 μA VIN = 2.0 V P_5.3.8
数据手册 23 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
6 电源
TLE75602-EMH 的供电电源为：
• VS (模拟电源，也可用于逻辑）
• VDD (数字电源)
VS 电源线接至馈电，与VDD 电源一起驱动功率级电路。当VS电压降至低于VDD 电压时（例如启动时降至3.0V），VDD
引脚上的电流消耗增加。
VS 和VDD电源具有一个欠压检测电路，如果测量的实际电压低于欠压阈值，那么这个电路阻止相关的功能元件被激
活。更多细则：
• VS 和VDD 电源发生欠压会阻止功率级的激活，并禁止任何SPI通讯（SPI寄存器复位）
• VDD电源发生欠压禁止任意SPI通讯。SPI读/写寄存器复位到默认值。
• VS 电源上的欠压会迫使TLE75602-EMH从VDD电源汲取逻辑所需的电流。
一旦VS ≥ VS(OP)，通道被禁用，并被再次使能。
图10简要描述了电源引脚VS和VDD,输出级驱动器和SO电源线之间的相互作用。
图10 TLE75602-EMH内部电源图
当3.0 V ≤ VS ≤ VDD - VSDIFF 时，TLE75602-EMH在“启动操作范围”（COR)内运行。此时，VDD引脚电流消耗

增多，而VS引脚电流消耗减少，因而总电流消耗仍然保持在规定的范围内。图11描述了器件切换至“启动操作范
围（COR)”，及从“启动操作范围（COR）”切换出时，VS引脚上的电压电平变化。在从正常操作切换到COR范围
期间，以及从COR范围切换到正常操作范围期间，IVS 和IVDD 在正常操作规定值和COR操作规定值之间变换。I VS 和
IVDD 电流之和保持在“总电流消耗”限值内。（如表 8）
数据手册 24 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
图11 “启动操作范围”
此外，当VS(UV) ≤ VS ≤ VS(OP) 时，可能无法导通先前已断开的通道。如果所有的通道都已处于导通状态，请保持

这种导通状态，除非是通过SPI或者是INn引脚将它们关断。表6 列举了在不同的VS 和 VDD 电源电压下，通道的状
态（上电成功后，该表有效，更多详情见第 6.1.1节）。
数据手册 25 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
表6 器件性能与VS 和VDD之间的关系
VDD ≤ VDD(UV) VDD = VDD(LOP) VDD > VDD(LOP)
(VDD(UV) = P_6.3.25) (VDD(LOP) = P_6.3.24)
VS ≤ 3.0 V 无法控制通道无法控制通道无法控制通道
3.0 V = VS(UV),max SPI寄存器复位 SPI寄存器可用 SPI寄存器可用

(P_6.3.1)
无法进行SPI通信可以进行SPI通信可以进行SPI通信
(fSCLK = 0 MHz) (fSCLK = 1 MHz)(P_10.4.34) (fSCLK = 5 Mhz)(P_10.4.22)
可进入跛行回家模式可进入跛行回家模式
无法进入跛行回家模式
（通道关断）（通道关断）
3.0 V < VS ≤ VS(OP) SPI无法控制通道可导通或关断通道可导通或关断通道
(VS(OP) = P_6.3.2) （通过SPI控制） 1)
（通过SPI控制）1)
(RDS(ON) 可能出现偏差) (RDS(ON) 可能出现偏差)
SPI寄存器复位 SPI寄存器可用 SPI寄存器可用
(fSCLK = 0 MHz) (fSCLK = 1 MHz)(P_10.4.34) (fSCLK = 5 MHz)(P_10.4.22)
1)
可进入跛行回家模式可进入跛行回家模式1) 可进入跛行回家模式1)
（RDS(ON) 可能出现偏差）（RDS(ON) 可能出现偏差）（RDS(ON) 可能出现偏差）
VS ≥ VS(OP) SPI无法控制通道通道可被导通并关断通道可被导通并关断
（当VS = VS(EXT,LOW)时，（当VS = VS(EXT,LOW)时，
RDS(ON) 可能稍微出现偏差） RDS(ON) 可能稍微出现偏差）
SPI寄存器复位 SPI寄存器可用 SPI寄存器可用
(fSCLK = 0 MHz) (fSCLK = 5 MHz)(P_10.4.22) (fSCLK = 5 MHz)(P_10.4.22)
可进入跛行回家模式可进入跛行回家模式可进入跛行回家模式
（当VS = VS(EXT,LOW)时，（当VS = VS(EXT,LOW)时，（当VS = VS(EXT,LOW)时，
RDS(ON) 可能稍微出现偏差） RDS(ON) 可能稍微出现偏差） RDS(ON) 可能稍微出现偏差）
必须考虑VS上出现欠压的情况－更多细则见第 6.2.1节
数据手册 26 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
6.1 操作模式
TLE75602-EMH具有以下运行模式：
• 睡眠模式
• 空闲模式
• 工作模式
• 跛行回家模式
以下电平和引脚状态决定运行模式之间如何切换：
• IDLE引脚上的逻辑电平
• INn引脚上的逻辑电平
• OUT.OUTn位的状态
• HWCR.ACT位的状态
• HWCR_PWM.PWM0和 HWCR_PWM.PWM1位的状态
图12描述了各个运行模式的状态以及他们之间可能出现的转换。运行模式不同时，TLE75602-EMH芯片的运转状态
和某些参数可能发生变化。此外，由于有了监控VS 和VDD电源的欠压检测电路，因此也可以监测到同一个运行模式
内发生的变化。
可通过下列状态及电流消耗情况确定TLE75602-EMH的运行模式：
• 输出通道的状态
• SPI寄存器的状态
• VDD引脚上的电流消耗(IVDD)
• VS引脚上的电流消耗(IVS)
默认导通负载的工作模式是工作模式。如果器件不在工作模式，在接收到导通一个或多个输出的请求（通过SPI或
者是输入引脚）时，器件会根据IDLE引脚的状态切换至工作或跛行回家模式。由于从一个模式切换到另外一个模
式需要耗费一段时间，因此输出导通时间tON 延长。
数据手册 27 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
图12 运行模式状态图
表7列举了器件工作模式，VS 和VDD 电源电压，以及最重要的功能元件（通道运行状态，SPI通讯和SPI寄存器）的
状态之间的关系。
表7 器件功能与运行模式，VS 和VDD电压的关系
Operation Function Undervoltage con Undervoltage VS not in VS not in
Mode dition on VS 1) condition on VS undervoltage undervoltage
VDD ≤ VDD(UV) VDD > VDD(UV) VDD ≤ VDD(UV) VDD >VDD(UV)
Sleep Channels not available not available not available not available
SPI comm. not available not available not available not available
SPI registers reset reset reset reset
Idle Channels not available not available not available not available
SPI comm. not available ✔ not available ✔
SPI registers reset ✔ reset ✔
Active Channels not available not available ✔ (IN pins only) ✔
SPI comm. not available ✔ not available ✔
SPI registers reset ✔ reset ✔
Limp Home Channels not available not available ✔ (IN pins only) ✔ (IN pins only)
SPI comm. not available ✔ (read-only) not available ✔ (read-only)
2)
SPI registers reset ✔ (read-only) reset ✔ (read-only)2)
1) 更多信息见第 6.2.1章
2) 详细信息见第 6.1.5章
数据手册 28 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
6.1.1 上电
向器件施加VS 或 VDD电源电压，且INn或IDLE引脚置为“高”时，器件便满足了上电条件。如果 VS 高于阈值VS(OP)，
或者是VDD高于阈值VDD(LOP) ，那么内部上电信号建立。
6.1.2 睡眠模式
当TLE75602-EMH在睡眠模式下时，所有的输出断开，且SPI寄存器复位，而与电源电源无关。此时的耗电最低。查
看器件参数IVDD(SLEEP)和IVS(SLEEP), 或ISLEEP 。
6.1.3 空闲模式
在空闲模式下，器件消耗的电流可以达到参数 IVDD(IDLE)和IVS(IDLE),或IIDLE 的限值。内部稳压器正在运行。诊断功
能不可用。输出通道关断，而与电源电压无关。当VDD可用时，SPI寄存器工作且SPI可通信。在空闲模式下，考虑
到功能安全，因此不清除ERRn位。
6.1.4 工作模式
主动模式是未设置跛行回家模式时TLE75602-EMH的正常运行模式。该模式是驱动某些或所有负载的必需模式。如
第6章开头所述，VDD 和VS 的电压电平影响器件的工作状态。器件消耗的电流用IVDD(ACTIVE) 和IVS(ACTIVE) 表示 (IACTIVE
针对整个器件）。当IDLE引脚置为“高”，且其中一个输入引脚置为“高”，或者是其中一个 OUT.OUTn位置“1”
时，器件进入工作模式。如果HWCR.ACT清0，一旦所有的输入引脚置“低”，且OUT.OUTn位清0，器件返回空闲模
式。如果HWCR.ACT置“1”，器件保持在工作模式，与输入引脚和OUT.OUTn位的状态无关。如果所有的输入引脚都
置为“低”，VDD 电源欠压会将器件切换到空闲模式。即使寄存器MAPIN0 和 MAPIN1都置为“00H” ，但其中一个
输入引脚INn置为“高”，那么器件切换到工作模式。
6.1.5 跛行回家模式
当IDLE引脚“低”，且其中一个输入引脚置为“高”时，TLE75004-EMH进入跛行回家模式，导通与之相连的通道。
虽然此时SPI仍然可能进行通讯，但仅仅是处于一个只读的模式（SPI寄存器可被读取，但是无法被写入）。更多
细则：
• UVRVS和 LOPVDD置“1”
• MODE置为“01B” （跛行回家模式）
• 进入跛行回家模式后收到首个SPI命令时，TER位置“1”。之后正常工作
• OLON和 OLOFF位清“0”
• ERRn位正常工作
• DIAG_OSM.OUTn位可被读取并正常工作
• 所有其它寄存器置为默认值，且只要器件处于跛行回家模式，就无法对它们进行编程
欲知在跛行回家模式中导通通道2和3电源需满足的条件，请见表 6。所有其它通道处于关断状态。
从工作模式进入跛行回家模式，或者是从跛行回家模式进入工作模式时，传输SPI命令会导致不确定的SPI响应。
数据手册 29 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
6.1.6 电源模式转换时间的定义
TLE75602-EMH处于工作模式或跛行回家模式时，通道的导通时间用参数 tON表示。从其它模式进入工作模式或跛行
回家模式时，通道的导通时间还需加上切换时间（如图13所示）。
图13 切换时间示图
6.2 复位条件
出现以下3种情况之一时,SPI寄存器复位到默认值:
• VDD ,或者是VDD(UV)低于欠压阈值VDD(UV)
• IDLE引脚置为“低”
• 执行了一个复位命令(HWCR.RST置 “1”)
– 复位命令(用于功能安全)并未清除ERRn
– 复位命令清除UVRVS和 LOPVDD位
尤其要注意，通道全部关断（如果无输入引脚置为“高”），且输入映射配置复位。
6.2.1 VS上的欠压
电压值在 VS(UV) 和 VS(OP) 间时，触发欠压机制。如果器件可操作正在运行，且电源电压降至欠压阈值 VS(UV)以下，
那么逻辑将位UVRVS 置为“1”。一旦电源VS超出最小电压操作阈值 VS(OP),首次读出标准诊断之后，位UVRVS 清
“0”。如表6所述，VS欠压会影响通道状态。图14 所示为欠压状态 (“VS - VDS” 线表示设置为ON状态的通道）
数据手册 30 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
Power Supply
图14 VS 欠压状态
6.2.2 VDD上的低操作电源
当 VDD 电源电压在VDD(LOP)指定的范围内时，位LOPVDD 置“1”。
一旦VDD>VDD(LOP) ，首次读出标准诊断之后，位 LOPVDD清“0”。
如果无VDD 电源，一股施加到引脚CSN或SO的电压给内部逻辑供电（因内部设计的限制，在正常工作时不建议）。
数据手册 31 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
6.3 电源电气特性
表8 电源电气特性
VDD = 3 V 到 5.5 V, VS = 7 V 到 18 V, TJ = -40 °C 到 +150 °C, 所有电压为对地的电压，电流正方向如
图 2 所示(除非另有规定)
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
VS引脚
模拟电源欠压关断 VS(UV) 1.5 – 3.0 V OUTn = ON P_6.3.1
from VDS ≤ 1 V
to UVRVS= 1B
RL = 50 Ω
模拟电源最小操作电压 VS(OP) – – 4.0 V OUT.OUTn= 1B P_6.3.2
from UVRVS = 1B
to VDS ≤ 1 V
RL = 50 Ω
1)
欠压关断滞回 VS(HYS) – 1 – V P_6.3.3
睡眠模式下，带载器件模拟 IVS(SLEEP) – 0.1 3 µA 1)

P_6.3.4
电源电流消耗 V IDL E floatig
V INn floating
VCSN = VDD
TJ ≤ 85 °C
睡眠模式下，带载器件模拟 IVS(SLEEP) – 0.1 – µA 1)
P_6.3.63
电源电流消耗 VIDLEfloating
VINnfloating
VCSN = VDD
TJ ≤ 85°C
VS = 13.5 V
睡眠模式下，带载器件模拟 IVS(SLEEP) – 0.1 20 µA VIDLE floating P_6.3.5
电源电流消耗 VINn floating
VCSN = VDD
TJ = 150°C
空闲模式下，带载器件模 IVS(IDLE) – – 2.2 mA IDLE =“high” P_6.3.6
拟电源电流消耗 VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 0B
OUT.OUTn= 0B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
VCSN = VDD
数据手册 32 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
表8 电源电气特性 (续)
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
空闲模式下，带载器件 IVS(IDLE) – – 0.3 mA IDLE=“high” P_6.3.7
（COR)模拟电源电流消耗 VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 0B
OUT.OUTn= 0B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
VCSN = VDD
VS ≤ VDD - 1 V
工作模式下，带载器件模拟 IVS(ACTIVE) – – 7.7 mA IDLE=“high” P_6.3.9
电源电流消耗－通道关断 VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 0B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
VCSN = VDD
工作模式下，带载器件模拟 IVS(ACTIVE) – 3.0 5.0 mA IDLE=“high” P_6.3.13
电源电流消耗－通道关断 VINn floating
(COR) fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 0B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
VCSN = VDD
VS ≤ VDD - 1 V
工作模式下，带载器件模拟 IVS(ACTIVE) – – 8.7 mA IDLE=“high” P_6.3.17
电源电流消耗－通道导通 VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 1B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
DIAG_OLONEN.MU X=
0100B
VCSN = VDD
数据手册 33 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
工作模式下，带载器件模拟 IVS(ACTIVE) – 2.3 5.0 mA IDLE=“high” P_6.3.21
电源电流消耗－通道导通 VINn floating
(COR) fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 1B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
VCSN = VDD
VS ≤ VDD - 1 V
VDD引脚
逻辑电源工作电压 VDD(OP) 3.0 – 5.5 V fSCLK = 5 MHz P_6.3.23
逻辑电源低边工作电压 VDD(LOP) 3.0 – 4.5 V – P_6.3.24
欠压关断 VDD(UV) 1 – 3.0 V VSI = 0 V P_6.3.25

VSCLK = 0 V
VCSN = 0 V
SO from“low”to
high impedance
睡眠模式下逻辑供电电流 IVDD(SLEE – 0.1 2.5 µA V
1) IDLE floating P_6.3.26
P)
VINn floating
VCSN = VDD
TJ ≤ 85°C
睡眠模式下逻辑供电电流 IVDD(SLEE – – 10 µA VIDLE floating P_6.3.27
P) VINn floating
VCSN = VDD
TJ = 150°C
空闲模式下逻辑供电电流 IVDD(IDLE) – – 0.3 mA IDLE=“high” P_6.3.28
VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 0B
OUT.OUTn= 0B
VCSN = VDD
空闲模式下(COR)逻辑供电电流 IVDD(IDLE) – – 2.2 mA IDLE=“high” P_6.3.29
VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 0B
OUT.OUTn= 0B
VCSN = VDD
VS ≤ VDD - 1 V
数据手册 34 版本1.0, 2017/8/10
TLE75602-EMH
电源
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
工作模式下逻辑供电电流－ IVDD(ACTIVE) – – 0.3 mA IDLE=“high” P_6.3.30
通道关断
VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 0B
VCSN = VDD
通道关断（COR) VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 0B
VCSN = VDD
VS ≤ VDD - 1 V
通道导通 VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 1
VCSN = VDD
通道导通（COR) VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 1B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
DIAG_OLONEN.MU
X= 0100B
VCSN = VDD
VS ≤ VDD - 1 V
总消耗电流
睡眠模式下总电流消耗 ISLEEP – – 5 µA V
IVS(SLEEP) + IVDD(SLEEP) VINn floating
VCSN = VDD
TJ ≤ 85°C
睡眠模式下总电流消耗 ISLEEP – – 5 µA V
VCSN = VDD
TJ ≤ 85 °C
VS = 13.5 V
数据手册 35 版本1.0, 2017/8/10
TLE75602-EMH
电源
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
睡眠模式下总电流消耗 ISLEEP – – 30 µA VIDLE floating P_6.3.41
VCSN = VDD
TJ = 150°C
空闲模式下总消耗电流 IIDLE – – 2.5 mA IDLE=“high” P_6.3.42
IVS(IDLE) + IVDD(IDLE) VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 0B
OUT.OUTn= 0B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
VCSN = VDD
主动模式下总消耗电流－通 IACTIVE – – 8 mA IDLE＝high” P_6.3.44
道关断 VINn floating
IVS(ACTIVE) + IVDD(ACTIVE) fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 0B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
VCSN = VDD
主动模式下总消耗电流－通道 IACTIVE – – 9 mA IDLE = high” P_6.3.49
导通IVS(ACTIVE) + IVDD(ACTIVE) VINn floating
fSCLK = 0 MHz
HWCR.ACT= 1B
OUT.OUTn= 1B
DIAG_IOL.OUTn= 0B
DIAG_OLONEN.MU X=
0100B
VCSN = VDD
VS和VDD电源线间的电压差 VSDIFF – 200 – mV 1)
P_6.3.52
时序
睡眠模式到空闲模式延迟 tSLEEP2IDLE – 200 400 µs 1)
P_6.3.53
from IDLE pin to
TER+ INST register
= 8680H (see
Chapter 10.6.1
for details)
数据手册 36 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
空闲模式到睡眠模式延迟 tIDLE2SLEEP – 100 200 µs 1)
P_6.3.54
from IDLE pin to S
tandard Diagnosis
= 0000H (see
Chapter 10.5
for details)
external pull-
down SO to GND
required
空闲模式到工作模式延迟 tIDLE2ACTIVE – 100 200 µs 1)
P_6.3.55
from INn or CSN
pins to MODE= 10B
1)
工作模式到空闲模式延迟 tACTIVE2IDLE – 100 200 µs P_6.3.56
from INn or CSN
pins to MODE= 11B
睡眠模式到跛行回家模式延迟 tSLEEP2LH – 300 600 µs 1)

P_6.3.57
+tON +tON from INn pins
to VDS = 10% VS
跛行回家模式到睡眠模式延迟 tLH2SLEEP – 200 400 µs 1)

P_6.3.58
+tOFF +tOFF from INn pins to
StandardDiagnosis
= 0000H (see
Chapter 10.6.1
for details)
External
pull-down SO
to GND
required
跛行回家模式到工作模式延迟 tLH2ACTIVE – 50 100 µs 1)

P_6.3.59
from IDLE pin to
MODE= 10B
数据手册 37 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
电源
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
工作模式到跛行回家模式延迟 tACTIVE2LH – 50 100 µs 1)
P_6.3.60
from IDLE pin to
TER+INST register
= 8683H (IN0 = IN1
= “high”)
or 8682H
(IN1=“high”,
IN0 = “low”)
or 8681H
(IN1 = “low”,
IN0 = “high”)
(see Chapter 0.5
for details)
工作模式到睡眠模式延迟 tACTIVE2SLEEP – 50 100 µs 1)

P_6.3.61
from IDLE pin to
Standard Diagnosis
= 0000H (see
Chapter 10.6.1
for details).
External
pull-down SO to
GND requird.
数据手册 38 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级
7 功率级
TLE75602-EMH是八通道高边和低边继电器开关。功率级由N通道的横向功率MOSFET晶体管组成。
该芯片有6个可配置的通道，这些通道即可用作低边又可用作高边开关。它们根据漏极和源极上的电压，自动调节
诊断和保护功能。这些通道通过一个电荷泵连接到输出MOSFET栅极。
在高边配置中，负载连接在地和功率晶体管的源极之间 (pins OUTn_S, n = 2...7)。功率晶体管的漏极 (OUTn_D,
“n” 为可配置的通道数) 可被接至地和VS间的任意电位。当漏极被连接到VS时，通道的运行状态会如同其它高
边开关。
在低边配置中，功率晶体管的源极必须接至GND引脚电位（直接连接或者是通过一个电流反向阻塞二极管）。
可单个单个对这些通道进行配置，因此可以将一个通道或多个通道连接到低边配置，而将其它可自动配置的通道
用作高边开关。
7.1 输出ON即导通状态电阻
导通电阻，用RDS(ON)表示，取决于电源电压及结温TJ。
7.1.1 驱动阻性负载
当开关阻性负载时，可以考虑以下开关时序和转换速度。
图15 导通/断开阻性负载过程
7.1.2 感应输出箝位
当断开感性负载时，因为电感要继续驱动电流，所以功率开关上的电压上升到VDS(CL)。输出引脚上的电位不可低
于VOUT_S(CL)。电压钳位可以保护器件不受到损坏。
图16, 图17为电压钳位概念图。然而，所运行的最大负载电感是有限制的。钳位结构在所有的工作模式里（睡眠，
空闲，工作，跛行回家）都能保护器件。
数据手册 39 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级
图16 输出箝位概念图
图17 输出箝位概念图
7.1.3 最大负载电感
感性负载去磁时，能量被TLE75602-EMH消耗。方程式(7.1)描述了如何计算低边开关的能量，方程式 (7.2)则描述
了如何计算高边开关的能量(自动配置的开关可以根据负载的位置，选择自己所需的方程式):
数据手册 40 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级
该能量最后转变成热能，故该能量值受限于热设计。表 2中的EAR 值假定当连接到输出的电感在同一时间消磁时，

所有的通道消耗相同的能量。
7.2 反向电流行为
高边配置中出现反向电流时(VOUTn_S > VOUTn_D)，受影响的通道保持在导通或关断状态。此外，当施加了反向电流时，
如果通道处于导通状态，且达到过温阈值，那么位 ERRn置位。
施加到其它通道的反向电流不会影响未受影响通道的一般功能（导通和关断，保护，诊断）。参数（尤其是下列
参数）有可能出现偏差（过温保护不受影响）：
• 开关能力：tON, tOFF, dV/dtON, -dV/dtOFF
• 保护:IL(OVL0), IL(OVL1)
• 诊断:VDS(OL), VOUT_S(OL), IL(OL)
未受影响通道在跛行回家状态下的可靠性无变化。
注释：施加反向电流期间，保护机制如温度保护或电流过载保护无效。反向电流使DMOS产生功率损耗，从而增加
了整个器件的温度。这样，未受反向电流影响的通道可能因过温而关断。
7.3 开关并行通道
如果并行通道短路，两个通道可能先后关断，从而给后关断的通道造成额外的热应力。为了避免这种情况发生，
可以通过设置SPI寄存器的参数并行操作两个相邻的通道（位HWCR.PAR)。器件在该模式下运行时，对过载或过温
最快做出反应的通道将停用与之相邻的另一通道。两个通道并行时所能处理的感应能量低于单个通道所能处理能
量的2倍值(见P_7.6.11)。可以同步下列通道：
• 通道 0 和通道 2 → HWCR.PAR(0) 置“1”
同步位仅对通道如何对过载或过温做出反应产生影响。微控器必须分别导通并关断同步通道。
7.4 “浪涌模式”（BIM)
尽管TLE75602-EMH是为继电器和LED而设计的，但也可将一个或多个输出用作高边开关，以驱动小型灯泡（典型值
为 2 W）或者是输入电容大的电子负载。在这种工作条件下，在开关导通的瞬间，可能出现浪涌电流，并达到过
载电流阈值，而使通道闩锁关断（更多细则见第8.1章）。在正常操作条件下，器件会等待微控制器发送出一条
SPI命令以清除闩锁(寄存器HWCR_OCL)，使通道再次开启。一般，该延迟太长以致于无法将足够的能量传递到负载。
当位BIM.OUTn置“1”时，如果通道达到过流阈值或者是过温阈值，并闩锁关断，在时间 tINRUSH之后，它会自动重
启，从而使负载离开浪涌模式。时序图如图18。如图所示，在通道导通时，计数器开始计数。每当有通道关断
（与控制通道的实体无关－更多细则见图19 ），位 BIM.OUTn 清“0”。
当 BIM.OUTn置“1”时，ERRn位也可能置“1”，但此时通道不会闩锁关断。
数据手册 41 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级
40 ms (参数 tBIM) 后，间隔定时器将位 BIM.OUTn 再次清0，以防止对通道造成过度热应力，尤其是在输出短路的

情况下。
TLE75602-EMH允许根据通道选择浪涌模式（BIM)，以便具有完全的灵活性而又不影响稳定性。
图18 浪涌模式（BIM)工作
7.5 PWM自动生成器
TLE75602-EMH有两个独立的自动PWM发生器。每个PWM发生器可以分配给一个或多个通道，并且可以用不同的占空比
和频率进行编程。
两个PWM发生器都是指由内部振荡器产生的基频fINT 。可以使用位HWCR_PWM.ADJ调整该基频，如表 9所示。
表 9 HWCR_PWM.ADJ系数概览
bit content absolute delta to fINT relative delta between step
0000B (reserved) s
(reserved)
0001B -37.2% -5.2%
0010B -31.9% -5.1%
0011B -26.9% -5.9%
0100B -21.0% -5.5%
0101B -15.5% -4.6%
0110B -10.9% -5.1%
0111B -5.8% -5.8%
1000B – –
1001B +4.3% +4.3%
1010B +8.9% +4.6%
1011B +14.0% +5.1%
数据手册 42 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级
表 9 HWCR_PWM.ADJ系数概览
bit content absolute delta to fINT relative delta between step
1100B +19.5% s
+5.6%
1101B +25.6% +6.1%
1110B +32.4% +6.8%
1111B +40.0% +7.6%
对于每一个PWM发生器，可以设置如下4个参数：
• 占空比（位 PWM_CR0.DC 用于PWM发生器0）
– 有8位可以实现0.39%占空比分辨率
– 当微控制器编程新的占空比时，PWM发生器会在上一个周期完成才使用新的占空比（这也发生在占空比为0％
或100％时 - 下一个PWM周期采用新的占空比）
– 可达到的最大占空比是99.61% (PWM_CR0.DC置为 “11111111B”)。将位PWM_CR0.FREQ置为“11B”，
也可能达到100％的最大占空比。
• 频率（位 PWM_CR0.FREQ 用于PWM发生器0）
– 使用2位可以选择fINT的分频器来达到所需的占空比
– 00B = fINT / 1024 (当 fINT = 102.4 kHz时，相应的PWM 频率为100 Hz)
– 01B = fINT / 512 (对应 200 Hz的PWM频率)
– 10B = fINT / 256 (对应 400 Hz的PWM频率)
• 通道输出控制和映射寄存器 PWM_OUT 和PWM_MAP
– 任意通道都可被映射到每个PWM发生器
– 与两个并行输入一起，可以组成4组独立的PWM通道，而对微控制器资源和SPI数据流量的占用低。
图 19 是对图 9的延伸，新增了PWM发生器。
数据手册 43 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级
图19 PWM发生器映射
数据手册 44 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级
7.6 功率级电气特性
表 10 电气特性: 功率级
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
输出特性
导通电阻 RDS(ON) – 1.0 – Ω 1)
P_7.6.1
TJ = 25 °C
导通电阻 RDS(ON) – 1.8 2.2 Ω T J =150 °C P_7.6.2
IL = IL(EAR)
= 220 mA
额定负载电流（所有 IL(NOM) – 330 500 2)3)
mA 1)
P_7.6.3
TA = 85 °C
通道处于工作模式）
TJ ≤ 150 °C
额定负载电流（所有 IL(NOM) – 260 5002)3) mA 1)
P_7.6.4
通道处于工作模式） TA = 105 °C
TJ ≤ 150 °C
额定负载电流（一半的 IL(NOM) – 470 5002)3) mA 1)
P_7.6.5
通道导通）
TA = 85°C
TJ ≤ 150°C
最大能耗的负载电流－重复性 IL(EAR) – 220 – mA 1)
P_7.6.8
（所有通道处于工作模式） TA = 85°C
TJ ≤ 150°C
1)
单个通道的反向电流（在高 -IL(IC) – – IL(EAR) mA No influences on P_7.6.9
边配置中） switching
functionality of
unaffected
channels -
parameter
deviations
possible
重复脉冲-2个IL(EAR) 最大能 EAR – – 15 mJ 1)

P_7.6.11
耗（两通道并行） TJ(0) = 85 °C
IL(0) = 2*IL(EAR)
2*106 cycles
HWCR.PAR=“1”for
affected channels
低电池电压时功率管压降 VDS(OP) – – 1 V RL = 50 Ω P_7.6.13
自动配置通道 connected to VS
or ground
VS = VS(OP),max
VDn = VS(OP),max
refer to
Figure 17
数据手册 45 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级
表 10 电气特性: 功率级 (续)

典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
低电池电压时功率管压降 VDS(OP) – – 1 V RL =50 Ω supplied P_7.6.14
低边通道 by VS = 4 V
VS = VS(OP),max
refer to Figure 16
漏极到源极输出箝位 VDS(CL) 42 46 55 V IL = 20 mA P_7.6.16
for High-Side
Configuration
VS = VOUT_Dn= 36 V
源极到地输出箝位 VOUT_S(CL) -25 – -16 V IL = 20 mA P_7.6.17

自动配置通道 VS = VOUT_Dn= 7 V
每个通道输出漏电流 IL(OFF) – 0.01 0.5 µA 1)
P_7.6.19
TJ ≤ 85 C VIN =0 V or
(低边通道)
floating
VDS = 28 V
OUT.OUTn= 0
TJ ≤ 85°C
1)
每个通道输出漏电流 IL(OFF) – 0.01 0.5 µA P_7.6.47
TJ ≤ 85
C VIN =0V or floating
（自动配置通道） VDS = 28 V VOUT
_S= 1.5V
OUT.OUTn= 0
TJ ≤ 85°C
每个通道输出漏电流 IL(OFF) – 0.1 5 µA 1)
P_7.6.20
TJ = 150 C VIN =0V or floating
(低边通道) VDS = 28 V
OUT.OUTn= 0
TJ = 150°C
每个通道输出漏电流 IL(OFF) – 0.1 5 µA 1)
P_7.6.49
TJ = 150
C VIN =0V or floating
（自动配置通道） VDS = 28 V
VOUT_S = 1.5V
OUT.OUTn= 0
TJ = 150°C
时序
导通延迟 tDELAY(ON) 1 4 8 µs RL = 50 Ω P_7.6.28
（从INn引脚或位至 VS = 13.5 V
VOUT = 90% VS) Active mode or
(低边通道) Limp Home mode
数据手册 46 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级

典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
关断延迟 tDELAY(OFF) 1 6 12 µs RL = 50 Ω P_7.6.29
导通时间 tON 6 15 35 µs RL = 50 Ω P_7.6.30
关断时间 tOFF 6 15 35 µs RL = 50 Ω P_7.6.31
导通/关断一致性（低边 tON - tOFF -10 0 10 µs RL = 50 Ω P_7.6.32
通道） VS = 13.5 V
Active mode or
Limp Home mode
导通压摆率 dV/dtON 0.7 1.3 1.9 V/µs RL = 50 Ω P_7.6.33
VDS = 70% 到 30% VS VS = 13.5 V
(低边通道) Active mode or
Limp Home mode
关断压摆率 -dV/dtOFF 0.7 1.3 1.9 V/µs RL = 50 Ω P_7.6.34
VDS = 30% 到 70% VS VS = 13.5 V
(低边通道) Active mode or
Limp Home mode
导通延迟 tDELAY(ON) 1 4 8 µs RL = 50 Ω P_7.6.35
（自动配置通道） Limp Home mode
关断延迟 tDELAY(OFF) 1 6 12 µs RL = 50 Ω P_7.6.36
(自动配置通道) Limp Home mode
导通时间 tON 6 15 35 µs RL = 50 Ω P_7.6.37
（自动配置通道） Limp Home mode
关断时间 tOFF 6 15 35 µs RL = 50 Ω P_7.6.38
(自动配置通道) Limp Home mode
数据手册 47 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
功率级

典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
导通/关断一致性（自动配置 tON - tOFF -10 0 10 µs RL = 50 Ω P_7.6.39
的通道） VS = 13.5 V
Active mode or
Limp Home mode
导通压摆率 dV/dtON 0.6 1.3 1.9 V/µs RL = 50 Ω P_7.6.40
VDS = 30% 到 70% VS VS = 13.5 V
(自动配置通道) Active mode or
Limp Home mode
关断压摆率 -dV/dtOFF 0.7 1.3 1.9 V/µs RL = 50 Ω P_7.6.41
VDS = 70% 到 30% VS VS = 13.5 V
（自动配置通道） Active mode or
Limp Home mode
浪涌模式重启时 tINRUSH – – 40 µs 1)
P_7.6.42
间 Active mode
浪涌模式复位时 tBIM – 40 – ms 1)
P_7.6.43
间 Active mode
PWM发生器
内部基准频率 fINT 80 102 125 kHz HWCR_PWM.ADJ= P_7.6.44
1000B
内部基准频率波动 fINT(VAR) -15 – 15 % 1)
P_7.6.56
内部基准频率同步时间 tSYNC – 5 10 µs 1)
P_7.6.45
HWCR_PWM.ADJ=
1000B
2) 如果一个通道施加了IL(NOM),max ，剩下的通道必须欠载，以便TJ < 150°C
3) IL(NOM),max 可达到 IL(OVL1),min
数据手册 48 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
保护功能
8 保护功能
8.1 过载保护
TLE75602-EMH具有过载保护或短路保护功能。有两个过载电流限值(见图 20):
• 通道导通和tOVLIN之间的IL(OVL0)
• IL(OVL1)之后的 tOVLIN
每当通道关断的时间超过2倍tSYNC，过载电流阈值便重设为IL(OVL0)。
图20 过载电流阈值
如果负载电流高于IL(OVL0) 或 IL(OVL1),在时间tOFF(OVL) 之后，过载通道关断，且相应的诊断位ERRn 置位。将位 HWCR

_OCL.OUTn 置“1”，清除保护闩锁之后，通道可被导通。通道解锁之后，该位被清0。详见图21。
图21 过载时关断
8.2 过温保护
每个通道都配置了一个温度传感器，这样过热的通道会关断从而防止造成损坏。通道相应的诊断位 ERRn置“1”
（具有过载保护）。
数据手册 49 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
保护功能
将位 HWCR_OCL.OUTn 置“1”，清除保护闩锁之后，通道可被导通。通道解锁之后，该位被清0。
8.3 跛行回家模式下的过温保护和过载保护
当TLE75602-EMH处于跛行回家模式时，可通过输入引脚导通通道2和通道3。如果发生过载，短路或过温，通道关
断。如果输出引脚保持“高”，通道按照以下时序重启：
• 10 ms (头8次重试)
• 20 ms (再接下来的8次重试)
• 40 ms (再接下来的8次重试)
• 80 ms （只要输入引脚保持“高”，故障就存在）
任何时候，只要输入引脚为“低”超出2倍tSYNC时间，重启定时器就复位。在跛行模式下，再一次激活通道时，定
时器重新从10 ms开始计时。详情请见图 22 。过载电流阈值如第 8.1节所述。
图22 跛行回家模式下的重启定时器
8.4 反极性保护
发生反极性时（也叫电池反接），每个DMOS通道的本征体二极管产生功耗(低边通道和自动配置的通道用作低边开
关），用作高边开关的自动配置通道具有Reversave™功能。总功率耗散包含了逻辑引脚和电源引脚的每个ESD二极
管产生的功率耗散。具有Reversave™功能的通道导通时RDS(ON) 的几乎相同（见参数 RDS(REV))。
流经通道的反向电流必须被所连接的负载限制流经数字电源 VDD 和输入引脚的电流也必须受到限制（请见第 4.1节
列举的绝对最大额定值）。
注释：反极性发生时，不存在像温度保护或是电流限制这种保护机制。
8.5 过压保护
电源电压值在VS(SC)与VS(LD) 之间时，输出晶体管仍然工作，且工作状态与输入引脚或OUT寄存器保持一致。
除了第7.1.2节描述的感性负载输出箝位外，还有一个钳位机制在过压时保护逻辑和所有的通道，监控VS和GND引
脚(VS(AZ))间的电压。
数据手册 50 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
保护功能
8.6 保护功能电气特性
表 11 保护功能电气特性
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
过载
过载检测电流 IL(OVL0) 1.3 1.7 2.3 A TJ = -40°C P_8.8.19
过载检测电流 IL(OVL0) 1.25 1.55 2.3 A 1)
P_8.8.20
TJ = 25°C
过载检测电流 IL(OVL0) 1 1.45 2 A TJ = 150°C P_8.8.21
过载检测电流 IL(OVL1) 0.7 0.95 1.3 A TJ = -40°C P_8.8.22
过载检测电流 IL(OVL1) 0.65 0.85 1.3 A 1)
P_8.8.23
TJ = 25°C
过载检测电流 IL(OVL1) 0.5 0.8 1.25 A TJ = 150°C P_8.8.24
过载阈值切换延迟时间 tOVLIN 110 170 260 µs 1)
P_8.8.5
过载关断延迟时间 tOFF(OVL) 4 7 11 µs 1)
P_8.8.26
BIM.OUTn=HWCR.PAR
=0B
过温和过压
热关断温度 TJ(SC) 150 1751) 2201) °C P_8.8.7
过压保护 VS(AZ) 42 50 60 V IVS = 10 mA P_8.8.8

Sleep mode
反极性
反极性期间漏源二极管电 VDS(REV) – 800 – mV 1)
P_8.8.9
压（低边通道和自动配置 IL = -10 mA
的通道用作低边开关） TJ = 25°C
Sleep mode
反极性期间漏源二极管电 VDS(REV) – 650 – mV IL = -10 mA P_8.8.10

压（低边通道和自动配置 TJ = 150°C
的通道用作低边开关） Sleep mode
反极性期间的导通电阻 RDS(REV) – 1.0 – Ω 1)

P_8.8.11
（自动配置的通道用作高边 VS =-VS(REV)
开关） IL = IL(EAR)
TJ = 25°C
数据手册 51 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
保护功能
表 11 保护功能电气特性(继续)
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
反极性期间的导通电阻 RDS(REV) – 1.8 – Ω 1)
P_8.8.12
（自动配置的通道用作高边 VS = -VS(REV)
开关） IL = IL(EAR)
TJ = 150°C
时序
跛行回家模式下的重启时 tRETRY0(LH) 7 10 13 ms 1)
P_8.8.13
间
P_8.8.14
间
P_8.8.15
间
P_8.8.16
间
数据手册 52 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
诊断
9 诊断
TLE75602-EMH的SPI提供器件和负载的诊断信息。每个通道的诊断信息都与其它通道无关。一个通道发生故障不影
响其它通道的诊断（除非通道被配置成并行工作，详情见第7.3节）。
9.1 过载和过温
当某个通道发生过载或过温时，诊断位 ERRn 相应地置“1”。如之前在第8.1节和第8.2节所描述，通道闩锁，
必须通过将位HWCR_OCL.OUTn置“1”再次激活通道。
9.2 输出状态监控器
器件比较每个通道的VDS 和VDS(OL) (低边通道和自动配置通道用作低边开关），VOUT_S 和 VOUT_S(OL) (自动配置通道
用作高边开关），并相应地将位 DIAG_OSM.OUTn置1。每当读出 DIAG_OSM寄存器时，这些位被刷新。
• VDS < VDS(OL) → DIAG_OSM.OUTn= “1” (低边通道和自动配置通道用作低边开关)
• VOUT_S > VOUT_S(OL) → DIAG_OSM.OUTn= “1” (自动配置通道用作高边开关)
通过对 DIAG_IOL.OUTn位进行编程，可以使能与功率开关并联的诊断电流IOL ，该电流可在关断状态下检测负载开
路。每个通道都有各自专用的诊断电流源。如果诊断电流IOL 被使能，或者是通道的状态发生变化（ON → OFF 或
OFF → ON)，为了使诊断可靠，需要等待tOSM 时长。使能IOL 电流源会增加器件消耗的电流。即便检测到负载开路，
通道也不会关断。
输出状态监控器时序图请见图23（DIAG_IOL.OUTn值是通道在正常操作时正确与负载相接的值）。
图23 输出状态监控器时序
当VS = VS(NOR) 且VDD ≥ VDD(UV)时，输出状态监控器可进行诊断。
数据手册 53 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
诊断
由于输出状态监控器实时检测输出上的电压电平，因此在关断状态下诊断负载开路时，需要同步 DIAG_OSM寄存器
的读数与通道的OFF关断状态。
图24, 图 25 和图 26从概念层描述了输出状态监控器的工作方式。
图24 输出状态监控器-概念(低边通道）
图25 输出状态监控器-概念(自动配置通道用作高边开关）
数据手册 54 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
诊断
图26 输出状态监控器-概念(自动配置通道用作低边开关）
在标准诊断里，当通道在关断状态下，通道相应的电流源IOL被激活，位 OLOFF表示这些通道对应DIAG_OSM.OUTn位
的OR运算。
9.3 导通状态下的负载开路
每个自动配置的通道（用作高边开关时）可在导通状态下进行负载开路诊断，这一动作又可通过编程位DIAG_OLON
EN.MUX来控制。默认情况下，复位之后，在导通状态下无法进行负载开路诊断。器件比较IL_Sn 和IL(OL)，并设置
DIAG_OLON.OUTn：
• IL_Sn < IL(OL) → DIAG_OLON.OUTn= “1” 如果 VOUTn_S > VOUT_S(OL)
9.3.1 导通状态下的负载开路－直接通道诊断
当DIAG_OLONEN.MUX 位被编程为与通道对应的值(0010B → 0111B)时，内部多路复用器将对所选的通道在导通状态
下进行负载开路检测。建议在激活诊断前，通道导通的状态至少持续 tON时长。在 tOLONSET 之后，所选通道的相应
位DIAG_OLON.OUTn可用。DIAG_OLON 寄存器里的其它位都设置为默认值 (“0B”)。每当读出寄存器时，这些位被
刷新。
当选择了通道时，对应的 DIAG_OLON.OUTn位内容也被映射到标准诊断（位 OLON)。如果按序读出多个寄存器，那
么在每次收到微控制器的读取请求时，更新寄存器内容。详情请见图 27 。
数据手册 55 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
诊断
图27 导通时的负载开路时序（直接通道诊断）
9.3.2 导通时的负载开路－诊断环路
当 DIAG_OLONEN.MUX位被编程为值1010B 时，器件启动诊断环路，其中对所有自动配置（用作高边开关）通道在
导通状态下进行负载开路检测。内部多路复用器由内部逻辑控制，因此无需微控制器发送任何附加命令。
首先，内部逻辑检查由微控制器直接驱动但未被配置为由内部PWM发生器驱动的所有通道，然后内部逻辑检查被配
置为由内部PWM发生器驱动的所有通道。
• 由微控制器直接驱动的通道的诊断时序
– 首先检查的通道：通道2建议在激活诊断环路前，通道导通的状态至少持续tON时长。
– tOLONSET + tSYNC 之后，对第一个通道的诊断完成(DIAG_OLON.OUTn位被更新)
– 内部多路复用器设置到下一个通道。tOLONSW + tSYNC之后，对当前选择的通道的诊断完成 (DIAG_OLON.OUTn
位被更新)。对所有剩余的直接驱动通道重复该步骤。
– 执行诊断时如果一个通道关断，那么相应的位DIAG_OLON.OUTn设置为“0B”。
• 由内部PWM发生器驱动的通道的诊断时序（见第 7.5章）
– 在检查完所有由微控制器直接驱动的通道后，才开始诊断这些通道
– 首先诊断映射到PWM发生器0的通道
– tOLONSET 之后，通道激活（导通）将会促发对第一个通道执行在导通状态下的负载开路诊断
– tONMAX + tOLONSW 之后，对第一个通道的诊断完成(DIAG_OLON.OUTn 位被更新)
– 内部多路复用器设置到下一个通道。 tOLONSW之后，对当前选择的通道的诊断完成 (DIAG_OLON.OUTn位
被更新)对所有剩余的PWM发生器驱动通道重复该步骤。
数据手册 56 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
诊断
PWM 发生器驱动通道。
在PWM周期内，如果通道处于关断状态，内部逻辑会等待直至通道导通从而执行诊断。tONMAX + tOLONSW 之后，
对通道的诊断完成。
–执行一次可靠的诊断最少所需导通时间为tONMAX + tOLONSW。如果导通时间小于tONMAX + tOLONSW ，
对应的位DIAG_OLON.OUTn设置为“0B”.
环路完成时，DIAG_OLONEN.MUX位重新设置为1111B (默认值) ，且 DIAG_OLON.OUTn位存储最后一个诊断环路的结
果。有必要启动另一个诊断环路来更新寄存器内容。
图 28描述了通道由微控制器直接驱动时，导通状态下的负载开路诊断时序，图 29描述了通道由内部PWM发生器
驱动时，导通状态下的负载开路诊断时序。
图28 导通状态下的负载开路诊断时序（诊断环路－通道由微控制器直接驱动）
数据手册 57 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
诊断
图29 导通状态下的负载开路诊断时序（诊断环路－通道由内部PWM发生器驱动）
9.3.3 OLON 位
OLON位可以赋与下列值：
• “0” =在导通状态下未检测到负载开路，或者是执行诊断时，通道关断
• “1” = 在导通状态下检测到负载开路
根据DIAG_OLONEN.MUX的设置，标准诊断中报告了不同的信息。
• DIAG_OLONEN.MUX设置为0010B → 0111B: OLON显示了对所选通道在导通状态下执行的负载开路诊断。读
出每个标准诊断时更新信息。
• DIAG_OLONEN.MUX设置为1010B: OLON显示了DIAG_OLON 寄存器内所有的“OR”运算。诊断环路运行时更新信
息。
• DIAG_OLONEN.MUX设置为 1111B:OLON位显示最后执行的诊断环路的结果。有必要启动另一个诊断环路来
更新信息。
• DIAG_OLONEN.MUX设置为任意其它值: OLON位清“0”。保存DIAG_OLONEN.MUX位的值，且不在应用中使用该
值。
数据手册 58 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
诊断
9.4 诊断电气特性
表 12 诊断电气特性
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
输出状态监控器
输出状态监控器比较器 tOSM – – 20 µs 1)
P_9.5.1
建立时间
输出状态监控器阈值 VDS(OL) 3 3.3 3.6 V P_9.5.2
电压
（低边通道和自动配置的通
道用作低边开关）
输出状态监控器阈值 VOUT_S(OL) 3 3.3 3.6 V 2)

P_9.5.4
电压
（自动配置的通道用作高边
开关）
输出诊断电流 IOL 70 85 100 µA VDS = 3.3 V P_9.5.5
（低边通道和自动
配置的通道用作低
边开关）
VOUT_S = 3.3 V
（自动配置的通道
用作高边开关）
负载开路等效电阻 ROL 30 – 300 kΩ 1)

P_9.5.6
导通状态下的负载开路
多路复用器激活前，在导通 tONMAX 40 58 76 µs 1)
P_9.5.7
状态下负载开路诊断等待时
间
导通状态下负载开路诊断建 tOLONSET – 20 40 µs 1)
P_9.5.8
立时间
导通状态下负载开路诊断通 tOLONSW – 10 20 µs 1)
P_9.5.9
道开关时间
负载开路检测阈值电 IL(OL) 1 6 10 mA TJ = -40°C P_9.5.10
流
数据手册 59 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
诊断
表12 诊断电气特性 (继续)

典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
负载开路检测阈值电 IL(OL) – 6 – mA 1)
P_9.5.11
流 TJ = 25°C
负载开路检测阈值电 IL(OL) 1 6 10 mA TJ = 150°C P_9.5.12
流
2) 输出状态检测电压指对地的电压（GND引脚）
数据手册 60 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
串行外设接口（SPI）
10 串行外设接口（SPI）
SPI是全双工，同步的，串行从机接口，只占用四根信号线：分别是SO, SI, SCLK和CSN。SI和SO信号线按SCLK信
号线的数据传输率传输数据。数据访问以CSN下降沿开始。在SCLK下降沿的SI信号线上进行数据采样，在SCLK的上
升沿的SO信号线上移出数据。每次访问必须以CSN上升沿结束。8/16计数器会确保数据的获取方式，即在最初16位
数据传输之后，会传输多组8位数据。否则会产生一个TER位。以该方式，接口通过16位和8位SPI器件提供菊花链
能力。
图30 串行外设接口
10.1 SPI信号描述
CSN -片选
系统微控制器通过CSN引脚选择TLE75602-EMH。当引脚处于低电平状态时，发生数据传输。当CSN处于高电平状态
时，忽略SCLK和SI引脚上的所有信号，并将强制SO变成高阻态。
CSN "高"至"低"电平转变
• 请求信息传输到移位寄存器。
• 根据传输错误标志(TER)和引脚SI上的信号电平之间的逻辑或运算,决定SO从高阻态状态变为高还是低状
态。这样，即便在菊花链配置中也能检测出故障传输。
• 如果器件在睡眠模式，SO引脚保持高组态，且无SPI传输。
图31 TER标志的组合逻辑
数据手册 61 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
CSN"低"至“高”电平转变
• CSN的下降沿后，只有在最初16个SCLK脉冲之后检测到八的整数倍（1，2，3，...）个SCLK信号时，才进行
指令解码。当发生传输故障时，传输误差位置位(TER) 并忽略指令。
• 移位寄存器的数据传输到地址寄存器。
SCLK—串行时钟
这个输入引脚为内部移位寄存器计时。在SCLK下降沿，串行输入(SI)将数据传送到移位寄存器，而在串行时钟上
升沿，串行输出(SO)将信息移出。当片选 CSN进行任何跳变时，SCLK 引脚必须处于低电平状态。否则，不会接会
指令。
SI—串行输入
串行输入数据位移入此引脚，首先是最高有效位。在SCLK下降沿时读取SI信息。输入数据包括两部分，先是控制
位，然后是数据位。更多信息请参考第10.5节。
SO—串行输出
数据从此引脚串行发送，首先是最高有效位。SO保持高阻态，直至CSN引脚变成低电平。SCLK上升沿之后，SO引脚
上将出现新数据。更多信息请参考第10.5节。
10.2 菊花链
TLE75602-EMH的SPI支持菊花链的连接方式。在该配置里，多个器件被同一个CSN信号MCSN激活。一个器件的SI与
另一个器件的SO线相连接（见图32）建立菊花链的连接。链的末端连接至主件的输出和输入，分别是MO和MI。主
件具有主时钟MCLK，连接到链上每个器件的SCLK线上。
图32 菊花链配置
每个器件的SPI模块有一个移位寄存器，在SCLK的下降沿，SI线上的每个数据位移入到该寄存器。数据位在SO引脚
上移出。一个器件的数据传输在16个SCLK循环后完成。单芯片配置时，CSN线必须转为“高电平”，以使器件确认
传输数据。
数据手册 62 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
在菊花链配置中，从器件1移出的数据移入到器件2。使用菊花链连接上的三个器件时，8位数据必须通过器件移位
若干次（具体次数取决于有多少个器件有8位SPI，且有多少个器件有16位SPI)。之后，MCSN线必须转为“高”电
平(见图33)。
图33 菊花链配置的数据传输
10.3 时序图
图34 SPI访问时序图
数据手册 63 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
10.4 电气特性
典型值：VDD = 5 V, VS = 13.5 V, TJ = 25 °C
表13 串行外设接口（SPI）电气特性
输入特性 (CSN, SCLK, SI) -引脚低电平
CSN VCSN(L) 0 – 0.8 V – P_10.4.1
SCLK VSCLK(L) 0 – 0.8 V – P_10.4.2
SI VSI(L) 0 – 0.8 V – P_10.4.3
输入特性 (CSN, SCLK, SI) -引脚高电平
CSN VCSN(H) 2 – VDD V – P_10.4.4
SCLK VSCLK(H) 2 – VDD V – P_10.4.5
SI VSI(H) 2 – VDD V – P_10.4.6
引脚CSN上的输入上拉电流
引脚CSN上的低电平输入上拉电流 -ICSN(L) 30 60 90 μA VDD = 5 V P_10.4.7
VCSN = 0.8 V
引脚CSN上的高电平输入上拉电流 -ICSN(H) 20 40 65 μA VDD = 5 V P_10.4.8
VCSN = 2 V
引脚低电平输入下拉电流
SCLK ISCLK(L) 5 12 20 μA VSCLK = 0.8 V P_10.4.9
SI ISI(L) 5 12 20 μA VSI = 0.8 V P_10.4.10
引脚高电平输入下拉电流
SCLK ISCLK(H) 14 28 45 μA VSCLK = 2 V P_10.4.11
SI ISI(H) 14 28 45 μA VSI = 2 V P_10.4.12
输出特性(SO)
低电平输出电压 VSO(L) 0 – 0.4 V ISO = -1.5 mA P_10.4.13
高电平输出电压 VSO(H) VDD - – VDD V ISO = 1.5 mA P_10.4.14
0.4
输出三态漏电流 ISO(OFF) -1 – 1 μA VCSN =VDD P_10.4.15
VSO = 0 V
输出三态漏电流 ISO(OFF) -1 – 1 μA VCSN =VDD P_10.4.16
VSO = VDD
时序
使能提前时间(CSN下降至SCLK上 tCSN(lead) 200 – – ns 1)
P_10.4.17
升) VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
使能延迟时间(SCLK下降至CSN上 tCSN(lag) 200 – – ns 1)
P_10.4.18
升) VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
数据手册 64 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
表13 串行外设接口(SPI)电气特性(续)
传输延迟时间(CSN上升至CSN下降) tCSN(td) 250 – – ns 1)
P_10.4.19
VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
输出使能时间(CSN下降至SO有效) tSO(en) – – 200 ns 1)
P_10.4.20
VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
CL =20 pF at SO
pin
输出禁用时间(CSN上升至SO三态) tSO(dis) – – 200 ns 1)
P_10.4.21
VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
CL=20 pF at SO
pin
串行时钟频率 fSCLK – – 5 MHz 1)
P_10.4.22
VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
串行时钟周期 tSCLK(P) 200 – – ns 1)
P_10.4.23
VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
串行时钟"高电平"时间 tSCLK(H) 75 – – ns 1)
P_10.4.24
VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
1)
串行时钟"低电平"时间 tSCLK(L) 75 – – ns P_10.4.25
VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
数据建立时间（SI 至SCLK下降所 tSI(su) 20 – – ns 1)
P_10.4.26
需时间） VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
数据保存时间（SCLK下降至SI） tSI(h) 20 – – ns 1)
P_10.4.27
VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
带容性负载的输出数据有 tSO(v) – – 100 ns 1)
P_10.4.28
效时间 VDD = 4.5 V or
VS > 7 V
CL=20 pF at SO
pin
使能提前时间(CSN下降至SCLK上 tCSN(lead) 1 – – μs 1)
P_10.4.29
升) VDD = VS = 3.0 V
使能延迟时间(SCLK下降至CSN上 tCSN(lag) 1 – – μs 1)
P_10.4.30
升) VDD = VS = 3.0 V
传输延迟时间(CSN上升至CSN下降) tCSN(td) 1.25 – – μs 1)
P_10.4.31
VDD = VS = 3.0 V
数据手册 65 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
表13 串行外设接口(SPI)电气特性(续)
输出使能时间(CSN下降至SO有效) tSO(en) – – 1 μs 1)
P_10.4.32
VDD = VS = 3.0 V
CL=20 pF at SO
pin
输出禁用时间(CSN上升至SO三态) tSO(dis) – – 1 μs 1)
P_10.4.33
VDD = VS = 3.0 V
CL=20 pF at SO
pin
串行时钟频率 fSCLK – – 1 MHz 1)
P_10.4.34
VDD = VS = 3.0 V
串行时钟周期 tSCLK(P) 1 – – μs 1)
P_10.4.35
VDD = VS = 3.0 V
串行时钟"高电平"时间 tSCLK(H) 375 – – ns 1)
P_10.4.36
VDD = VS = 3.0 V
串行时钟"低电平"时间 tSCLK(L) 375 – – ns 1)
P_10.4.37
VDD = VS = 3.0 V
1)
数据建立时间（SI 至SCLK下降所 tSI(su) 100 – – ns P_10.4.38
需时间） VDD = VS = 3.0 V
数据保存时间（SCLK下降至SI） tSI(h) 100 – – ns 1)
P_10.4.39
VDD = VS = 3.0 V
带容性负载的输出数据有 tSO(v) – – 500 ns 1)
P_10.4.40
效时间 VDD = VS = 3.0 V
CL=20 pF at SO
pin
数据手册 66 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
10.5 SPI协议
SPI通讯时SI和SO内容间的关系如图35所示。SI线表示从µC发出的帧，SO线代表TLE75602-EMH给出的回答。
图35 SPI通讯时，SI和SO间的关系
只有μC触发下一次传输时，SPI才把应答提供给命令帧。尽管TLE75602-EMH执行的绝大多数的命令和帧可以在不
知道之前传送的内容的情况下进行解码，但是最好考虑上次传输中μC发送的内容，以完全解码TLE75602-EMH响应
帧。
更多详细信息，“读”和“写”寄存器内容的命令程序见下面：
图36 发送回微控器的寄存器内容
在以下三种情况下，发送回µC的帧与之前收到帧无直接关系：
• 前一个帧传输时发生错误（例如，时钟脉冲不是8的倍数，且最少为16位），如图图37所示。
• 当TLE75602-EMH逻辑电源来源于上电复位或者是软件复位之后，如图38所示。
• 如果命令语法发生错误
– “写”命令从“11”开始，而不是从“10”开始
– “读”命令从“00”开始，而不是从“01”开始
– 寄存器上的“读”或“写”命令被“保留”或“未使用”
数据手册 67 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
图37 传输发生错误后TLE75602-EMH响应
图38 VDD上电复位后，TLE75602-EMH响应
图39 语法命令发生错误后TLE75602-EMH响应
表14概述了所有SPI命令，包括TLE75602-EMH在下一次传输时发送回的应答。
数据手册 68 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
表14 SPI命令概览1)
Requested Operation Frame sent to SPIDER+ (SI pin) Frame received from SPIDER+ (SO
pin) with the next command
Read Standard Diagnosis 0xxxxxxxxxxxxx01B 0dddddddddddddddB
(“xxxxxxxxxxxxB” = don´t care) (Standard Diagnosis)
Write 10 bit register 10aaaaccccccccccB 0dddddddddddddddB
where: (Standard Diagnosis)
“aaaaB” = register address ADDR0
“ccccccccccB”=new register
content
Read 10 bit registers 01aaaaxxxxxxxx10B 10aaaaccccccccccB
where: where:
“aaaaB”=register address “aaaaB” = register address AD
ADDR0 “xxxxxxxxB”=don´t care DR0 “ccccccccccB” = register
Write 8 bit register 10aaaabbccccccccB content
0ddddddddddddddd B
where: (Standard Diagnosis)
“aaaaB”=register address ADDR0
“bbB” = register address ADDR1
“ccccccccB” = new register
content
Read 8 bit registers 01aaaabbxxxxxx10B 10aaaabbccccccccB
where: where:
“aaaaB”= register address “aaaaB” = register address
ADDR0 “bbB”= register address ADDR0 “bbB”= register address
ADDR1 “xxxxxxB” = don´t care ADDR1 “ccccccccB” = register
content
1) “a” = address bits for ADDR0 field, “b” = address bit for ADDR1 field, “c” = register content, “d”
= diagnostic bit
数据手册 69 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
10.6 SPI寄存器概览
10.6.1 标准诊断
表15 标准诊断
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Default
0 UVR LOP MODE TER OL OL O ERR 7800H

VS VDD ON FF
Field Bits Type Description

UVRVS 14 r VS 欠压监控
0B 在VS上未检测到欠压（更多细则见第 6.2.1节）
1B （默认）自从上一次读出标准诊断以来，至少已经发生一次VS欠
压
LOPVDD 13 r VDD 低边操作范围监控
0B VDD高于VDD(LOP)
1B （默认）自从上一次读出标准诊断以来，至少有一个
“VDD = VDD(LOP)”
MODE 12:11 r 工作模式监控
00B （保留）
01B 跛行回家模式
10B 主动模式
11B (默认) 空闲操作
TER 10 r 传输误差
0B 前一次传输成功
(modulo 16 + 收到n*8个时钟 ,n = 0, 1, 2...)
1B (默认) 前一次传输失败
复位之后首个帧 TER置“高”，INST 寄存器也是如此。
第二个帧是标准诊断，其中TER置“低” (如果前一次传输未发生故
障)。
OLON 9 r 导通状态下负载开路诊断
0B (默认) 导通状态下未检测到负载开路
1B 导通状态下检测到负载开路
详细信息见第 9.3.3章
数据手册 70 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
字段位类型描述
OLOFF 8 r 关断状态下负载开路诊断
0B (默认) 关断状态下所有通道( DIAG_IOL.OUTn 位置 “1”)
VDS > VDS(OL) (低边通道和自动配置的通道用作低边开关) 或
VOUT_S < VOUT_S(OL) (自动配置的通道用作高边开关)
1B (默认) 关断状态下，至少一个通道 ( DIAG_IOL.OUTn 位置
“1”) 其 VDS > VDS(OL) (低边通道和自动配置的通道用作低边开
关) 或 VOUT_S < VOUT_S(OL) (自动配置的通道用作高边开关)
不考虑导通状态下的通道。
ERRn n:0 r 通道n过载/过温诊断
n = 7 to 0 0B (默认)未检测到故障
1B 过温或过载
数据手册 71 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
10.6.2 寄存器结构
存储了数字的寄存器结构如下：
表 16 寄存器结构－所有寄存器 ( PWM_CR0 和 PWM_CR1除外)

15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Default
r = 0 r = 1 ADDR0 ADDR1 DATA XXXXH

w = 1 w = 0
Table 17 寄存器结构- PWM_CR0 和 PWM_CR1

15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Default
r = 0 r = 1 ADDR0 DATA XXXXH

w = 1 w = 0
表18 总结了所有可用的寄存器，以及他们的寻址空间和大小。
表18 寄存器寻址空间
寄存器名称 ADDR0 ADDR1 大小类型用途
OUT 0000B 00B n r/w 电压输出控制寄存器
n = 7 to 0 位 OUT.OUTn
0B (默认) 输出关断
1B 输出导通
BIM 0000B 01B 8 r/w 浪涌模式

位 BIM.OUTn
0B (默认) 发生故障时输出关断
1B 发生故障时输出自动重启
MAPIN0 0001B 00B n r/w 输入映射（输入引脚0）

n = 7 to 0 位 MAPIN0.OUTn
0B (默认) 输出未与输入引脚相连
1B 输出与输入引脚相连
注释：默认通道2将相应位置“1”。
MAPIN1 0001B 01B n r/w 输入映射（输入引脚1）

n = 7 to 0 位sMAPIN1.OUTn
0B (默认) 输出未与输入引脚相连
1B 输出与输入引脚相连
注释：默认通道3将相应位置“1”。
数据手册 72 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
表 18 寄存器寻址空间 (续)
INST 0001B 10B 8 r 输入状态监控
位 TER
0B 前一次传输成功
(modulo 16 + 收到n*8个时钟 ,n = 0, 1, 2...)
1B (默认) 前一次传输失败
位 INST.RES(6:2) - 保留
位INST.INn(1:0)
0B (默认) 输入引脚置为“低”
1B 输入引脚置为“高”
逻辑复位之后，进行首次寄存器传输
DIAG_IOL 0010B 00B n r/w 负载开路诊断电流控制

n = 7 to 0 位DIAG_IOL.OUTn
0B (默认) 未使能诊断电流
1B 使能诊断电流
DIAG_OSM 0010B 01B n r 输出状态监控

n = 7 to 0 位DIAG_OSM.OUTn
0B (默认) VDS > VDS(OL) (低边通道和自动配置的通道
用作低边开关) 或VOUT_S < VOUT_S(OL) (自动配置的通道
用作高边开关)
1B VDS < VDS(OL) (低边通道和自动配置的通道用作低边开
关) 或 VOUT_S > VOUT_S(OL) (自动配置的通道用作高边开
关)
DIAG_OLON 0010B 10B 8 r 导通状态下负载开路监控

位DIAG_OLON.OUTn(7:2)
0B (默认) 通道关断时，进行正常操作或诊断
1B 导通时检测到负载开路
位(1:0) - 保留（默认：0B)
只有将自动配置通道用作高边开关时，该特性才有效。
数据手册 73 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
DIAG_OLONEN 0010B 11B 8 r/w 导通状态下负载开路诊断控制
位(7:4) - reserved
位DIAG_OLONEN.MUX(3:0)
0000B(reserved)
0001B(reserved)
0010B 通道2在导通状态下可进行负载开路诊断
0111B 通道7在导通状态下可进行负载开路诊断 7
1000B (reserved)
1001B (reserved)
1010B 导通状态下负载开路诊断环路开启
1011B (reserved)
1100B(reserved)
1101B(reserved)
1110B(reserved)
1111B (default) 导通状态下的负载开路诊断不可用
HWCR 0011B 00B 8 r/w 硬件配置寄存器
位HWCR.ACT(7) (主动模式)
0B (默认) 正常工作或者是器件离开主动模式
1B 器件进入主动模式
（工作模式转变请见第6.1节）
位HWCR.RST(6) (复位)
0B (默认) 正常操作
1B 执行复位命令（自清除）
位 HWCR.PAR(3:0) (通道并行操作)
0B (默认)正常操作
1B 两个相邻的通道同步发生过载和过温
（更多详情见Chapter 7.3）
位 5:4 -保留 (默认: 0B)
HWCR_OCL 0011B 01B n w 输出清除闩锁

n = 7 to 0 位HWCR_OCL.OUTn
0B (默认) 正常操作
1B 清除选中输出的错误闩锁
数据手册 74 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
HWCR_PWM 0011B 10B 8 r/w PWM配置寄存器
位HWCR_PWM.ADJ(7:4)
0000B (reserved)
0001B base frequency fINT - 37.2%
1000B (default)base frequencyfINT
1001B base frequency fINT + 4.3%
位HWCR_PWM.PWM1(1)
0B (默认) PWM发生器1无效
1B PWM发生器1有效
位HWCR_PWM.PWM0(0)
0B (默认) PWM发生器0无效
1B PWM发生器0有效
位 HWCR_PWM.RES(3:2) - reserved
PWM_CR0 0100B – 10 r/w PWM发生器配置0

位PWM_CR0.FREQ(9:8)
00B (默认) 内部时钟1024分频
01B 内部时钟512分频
11B 100%占空比
位PWM_CR0.DC(7:0) (resolution:0.39%)
00000000B, PWM发生器关闭
11111111B, PWM发生器打开 (99.61% 占空比)
PWM_CR1 0101B – 10 r/w PWM发生器配置1

位PWM_CR1.FREQ(9:8)
00B (默认) 内部时钟1024分频
11B 100%占空比
位PWM_CR1.DC(7:0) (resolution:0.39%)
00000000B, PWM发生器关闭
11111111B, PWM发生器打开 (99.61% 占空比)
数据手册 75 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
PWM_OUT 1001B 00B 8 r/w PWM发生器输出控制
位PWM_OUT.OUTn
0B (默认) 所选输出不被其中一个PWM发生器驱动
1B 所需输出连接到一个PWM发生器
PWM_MAP 1001B 01B 8 r/w PWM发生器输出映射

位PWM_MAP.OUTn
0B （默认）所选输出连接到PWM发生器0
1B （默认）所选输出连接到PWM发生器1 有必要设置
PWM_OUT寄存器以便激活PWM发生器控制输出
10.6.3 寄存器概述
表19 和表20 中未提及的所有带地址的寄存器被“保留”。在这些寄存器上执行“读”操作会返回标准诊断。
“默认” 这一栏显示的是复位之后的寄存器内容（8或10位）。
表19 可寻址寄存器（基本功能）
15 14 13-10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Default
r = 0 r = 1 0000 00 OUT.OUTn 00H

w = 1 w = 0
r = 0 r = 1 0001 00 MAPIN0.OUTn 04H
w = 1 w = 0
r = 0 r = 1 0001 01 MAPIN1.OUTn 08H
w = 1 w = 0
0 1 0001 10 TER (reserved) INST.INn 00H
r = 0 r = 1 0010 00 DIAG_IOL.OUTn 00H
w = 1 w = 0
0 1 0010 01 DIAG_OSM.OUTn 00H
r = 0 r = 1 0011 00 HWCR HWCR (reserved) HWCR.PAR 00H
w = 1 w = 0 .ACT .RST
r = 0 r = 1 0011 01 HWCR_OCL.OUTn 00H
w = 1 w = 0
表 20 可寻址寄存器 (高级功能)
15 14 13-10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Default
r = 0 r = 1 0000 01 BIM.OUTn 00H

w = 1 w = 0
r = 0 r = 1 0010 10 DIAG_OLON.OUTn (reserved) 00H
w = 1 w = 0
数据手册 76 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
Serial Peripheral Interface (SPI)
表 20 可寻址寄存器 (高级功能)
15 14 13-10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Default
r = 0 r = 1 0010 11 (reserved) DIAG_OLONEN.MUX 0FH
w = 1 w = 0
r = 0 r = 1 0011 10 HWCR_PWM.ADJ (reserved) HWCR HWCR 80H
w = 1 w = 0 _PWM _PWM
.PWM .PWM
1 0
r = 0 r = 1 0100 PWM_CR0.FR PWM_CR0.DC 000H
w = 1 w = 0 EQ
r = 0 r = 1 0101 PWM_CR1.FR PWM_CR1.DC 000H
w = 1 w = 0 EQ
r = 0 r = 1 1001 00 PWM_OUT.OUTn 00H
w = 1 w = 0
r = 0 r = 1 1001 01 PWM_MAP.OUTn 00H
w = 1 w = 0
10.6.4 SPI命令快速列表
表21列举了最常用的SPI命令。
表21 SPI命令快速列表
Register “read” command” “write” command content written
OUT 4002H 80XXH XXH = xxxxxxxxB
BIM 4102H 81XXH XXH = xxxxxxxxB
MAPIN0 4402H 84XXH XXH = xxxxxxxxB
MAPIN1 4502H 85XXH XXH = xxxxxxxxB
INST 4602H n.a. (read-only) –
DIAG_IOL 4802H 88XXH XXH = xxxxxxxxB
DIAG_OSM 4902H n.a. (read-only) –
DIAG_OLON 4A02H 8AXXH XXH = xxxxxxxxB
DIAG_OLONEN 4B02H 8BXXH XXH = xxxxxxxxB
HWCR 4C02H 8CXXH XXH = xxxxxxxxB
HWCR_OCL 4D02H 8DXXH XXH = xxxxxxxxB
HWCR_PWM 4E02H 8EXXH XXH = xxxxxxxxB
PWM_CR0 5002H 90XXH 0XXH = 00xxxxxxxxB
91XXH 1XXH = 01xxxxxxxxB
PWM_CR1 5402H 94XXH 0XXH = 00xxxxxxxxB
数据手册 77 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
表21 SPI 命令快速列表(续)

Register “read” command” “write” command content written
PWM_OUT 6402H A4XXH XXH = xxxxxxxxB
PWM_MAP 6502H A5XXH XXH = xxxxxxxxB
数据手册 78 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
应用信息
11 应用信息
注释：本应用笔记中给出的下列信息仅作为关于实现该器件的建议，不得被视为就该器件的任何特定功能、
条件或质量作出的任何说明或保证。
图40 TLE75602-EMH应用框图
注释：该图仅是应用电路简单示例。功能必须在实际应用中验证。
表22 元器件推荐值
参考值用途
RIN 4.7 kΩ 过压和反极性时保护微控器接地失效时，确保TLE75602-EMH通道关断
RIDLE 4.7 kΩ 过压和反极性时保护微控器接地失效时，确保TLE75602-EMH通道关断
RCSN 500 Ω 过压和反极性发生时保护微控器

RSCLK 500 Ω 过压和反极性发生时保护微控器
RSI 500 Ω 过压和反极性发生时保护微控器
RSO 500 Ω 过压和反极性发生时保护微控器
RVDD 100 Ω 逻辑电源电压尖峰滤波
CVDD 100 nF 逻辑电源电压尖峰滤波
数据手册 79 版本1.0, 2017/8/10
TLE75602-EMH
应用信息
表22 元器件推荐值(续)
Reference 值用途
CVS 68 nF 模拟电源电压尖峰滤波
ZVS P6SMB30 过压发生时保护器件。齐纳二极管
COUT 10 nF ESD和BCI保护
11.1 更多应用信息
• 联系我们获悉有关引脚FMEA的信息
• 如欲了解进一步应用信息，请访问网站 http://www.infineon.com/
数据手册 80 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
封装外形
12 封装外形
图41 PG-SSOP-24-9封装图
图42 封装焊盘和钢网
数据手册 81 版本1.0, 2017/8/10

TLE75602-EMH
封装外形
注释：虽然上图的封装尺寸指的是PG-SSOP-24-4的封装尺寸，但是它们也可作为PG-SSOP- 24-9 的封装尺寸（物

理尺寸相同）。
绿色产品 (RoHS 认证)

为满足全球客户对于环保产品的要求并符合相关政府法规，本器件设计成绿色产品。绿色产品意指符合 RoHS认证
（即，引脚使用无铅镀层且符合IPC/JEDEC J-STD-020要求的无铅焊接）。
更多备选封装，请访问：
http://www.infineon.com/packages. 尺寸以毫米为单位
数据手册 82 版本1.0, 2017/8/10
TLE75602-EMH
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13 修订历史
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版本1.0, 2017/8/10
TLE75602-EMH Data Sheet Chinese Version released
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DAVE™, DI-POL™, EasyPIM™, EconoBRIDGE™, EconoDUAL™,
EconoPIM™, EconoPACK™, EiceDRIVER™, eupec™, FCOS™, HITFET™, HybridPACK™, I²RF
™, ISOFACE™, IsoPACK™, MIPAQ™, ModSTACK™, my-d™, NovalithIC™, OptiMOS™, ORIGA™, POWERCODE™;
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™ of Symbian Software Limited.TAIYO YUDEN™ of Taiyo Yuden Co. TEAKLITE™ of CEVA, Inc. TEKTR
ONIX™ of Tektronix Inc. TOKO™ of TOKO KABUSHIKI KAISHA TA.UNIX™
of X/Open Company Limited.VERILOG™, PALLADIUM™ of Cadence Design Systems, Inc. VLYNQ™ of Texas Inst
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Last Trademarks Update 2011-11-11
数据手册 83 版本1.0, 2017/8/10

版本 2017/8/10
出版发行
英飞凌科技公司
上海，中国
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数据手册 汽车功率电子 1 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 2 版本1.0, 2017/8/10

8.3 跛行回家模式下的过温保护和过载保护 ..................................................... 50

数据手册 3 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 4 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 5 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 6 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 7 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 8 版本1.0, 2017/8/10

该器件专为低电源电压操作而设计，因此在低电池电压时(VS ≥ 3.0 V)能保持稳定的运行。SPI的功能，包括对

数据手册 9 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 10 版本1.0, 2017/8/10

在有关电气特性的所有表格中那些与通道相关，又无通道号的参数符号适用于每个通道(如VDS 适用于VDS0 ...VDS7)。

数据手册 11 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 12 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 13 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 14 版本1.0, 2017/8/10

短路保护电源电压(单脉冲) VS(SC) 0 – 28 V – P_4.1.4

数据手册 15 版本1.0, 2017/8/10

串行输出引脚SO上的电流 ISO -2.0 10.0 mA t ≤ 2 min. P_4.1.46

数据手册 16 版本1.0, 2017/8/10

扩展操作条件下电源电压范 VS(EXT,UP) 18 – 28 V 可能出现参数偏差 P_4.2.2

数据手册 17 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 18 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 19 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 20 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 21 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 22 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 23 版本1.0, 2017/8/10

当3.0 V ≤ VS ≤ VDD - VSDIFF 时，TLE75602-EMH在“启动操作范围”（COR)内运行。此时，VDD引脚电流消耗

数据手册 24 版本1.0, 2017/8/10

此外，当VS(UV) ≤ VS ≤ VS(OP) 时，可能无法导通先前已断开的通道。如果所有的通道都已处于导通状态，请保持

数据手册 25 版本1.0, 2017/8/10

3.0 V = VS(UV),max SPI寄存器复位 SPI寄存器可用 SPI寄存器可用

数据手册 26 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 27 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 28 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 29 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 30 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 31 版本1.0, 2017/8/10

睡眠模式下，带载器件模拟 IVS(SLEEP) – 0.1 3 µA 1)

数据手册 32 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 33 版本1.0, 2017/8/10

逻辑电源低边工作电压 VDD(LOP) 3.0 – 4.5 V – P_6.3.24

欠压关断 VDD(UV) 1 – 3.0 V VSI = 0 V P_6.3.25

数据手册 36 版本1.0, 2017/8/10

睡眠模式到跛行回家模式延迟 tSLEEP2LH – 300 600 µs 1)

跛行回家模式到睡眠模式延迟 tLH2SLEEP – 200 400 µs 1)

跛行回家模式到工作模式延迟 tLH2ACTIVE – 50 100 µs 1)

数据手册 37 版本1.0, 2017/8/10

工作模式到睡眠模式延迟 tACTIVE2SLEEP – 50 100 µs 1)

数据手册 38 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 39 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 40 版本1.0, 2017/8/10

该能量最后转变成热能，故该能量值受限于热设计。表 2中的EAR 值假定当连接到输出的电感在同一时间消磁时，

数据手册 41 版本1.0, 2017/8/10

40 ms (参数 tBIM) 后，间隔定时器将位 BIM.OUTn 再次清0，以防止对通道造成过度热应力，尤其是在输出短路的

数据手册 42 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 43 版本1.0, 2017/8/10

数据手册 44 版本1.0, 2017/8/10

重复脉冲-2个IL(EAR) 最大能 EAR – – 15 mJ 1)

数据手册 45 版本1.0, 2017/8/10

数据手册汽车功率电子 1 版本1.0, 2017/8/10

RIDLE 4.7 kΩ 过压和反极性时保护微控器接地失效时，确保TLE75602-EMH通道关断