ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Unidad 4: Circuitos de Disparo

ALUMNOS: Cristopher Rivera- Silvio Ramos

ASIGNATURA: Electrónica de potencia

PROFESOR: José Poblete Cabezas

FECHA: Diciembre del 2018.-

1 Introducción

El reciente interés en el transistor monunión (UJT), al igual que en el SCR, ha estado

aumentando a un ritmo notable. Aunque se presentó por primera vez en 1948, el
dispositivo estuvo disponible hasta 1952. El bajo costo por unidad combinado con las
excelentes características del dispositivo ha asegurado su uso en una amplia
variedad de aplicaciones, como osciladores, circuitos de disparo, generadores de
diente de sierra, control de fase y circuitos temporizadores, redes biestables y
fuentes reguladas por corriente o voltaje. El hecho de que este dispositivo sea, en
general, un dispositivo que absorbe poca potencia en condiciones de operación
normales es una gran ayuda en el esfuerzo continuado de diseñar sistemas
relativamente eficientes.

El UJT es un dispositivo de tres terminales cuya construcción básica se muestra en la

figura a continuación. Una pastilla de material de silicio tipo n levemente dopado
(característica de resistencia incrementada) tiene dos contactos base fijados a los
dos extremos de una superficie y una barra de aluminio ligada a la superficie
opuesta. La unión tipo p-n se forma en el límite de la barra de aluminio y la pastilla
de silicio tipo n. La unión p-n única
explica la terminología monounión.
Originalmente se llamaba diodo de
base de base doble (duo) por la
presencia de dos contactos de base.
Observe en la figura que la barra de
aluminio está ligada a la pastilla de
silicio en un punto más cercano al
contacto de base 2 que el contacto de
base 1 y que la terminal de base 2 se
hizo más positiva con respecto a la
terminal de base 1 por VBB volts.

2 Transistor UJT

El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT está constituido por dos

regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la
figura “a” aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor está fuertemente
dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello, la
resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a
10KΩΩ estando el emisor abierto).

El modelo equivalente representado en la figura “b” está constituido por un diodo

que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2 , verificando RBB =R1 + R2.
Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1(V1) se puede expresar como:

en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y η es el factor de
división de tensión conocido como relación intrínseca. El modelo de este dispositivo
utilizando transistores se muestra en la figura “c”, cuya estructura es muy similar a
un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los transistores la caída de
tensión en R1 es muy baja. El símbolo del UJT se muestra en la figura “d”:

El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la gráfica de a

continuación se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de
la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen
dos puntos críticos: punto de pico o peak-point (VP , IP) y punto de valle o valley-
point (VV ,
IV), ambos verifican la
condición de dVE/dIE =0.
Estos puntos a su vez
definen tres regiones de
operación: región de
corte, región de
resistencia negativa y
región de saturación,
que se detallan a
continuación:

• Región de corte. En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la

tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de
emisor es muy baja y se verifica que VE <VP e IE < IP.
Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación

donde la VF varía entre 0.35V a 0.7V con un valor típico de 0.5 V. Por
ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25oC. El UJT en esta región se comporta
como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB .

• Región de resistencia negativa. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar

el diodo de emisor, es decir, VE =VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta
huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de
recombinación. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia
interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dV E /dIE <
0). En esta región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico
y de valle (IP < IE < IV ).

• Región de saturación. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas
corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de
muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la
corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV ). Si no se verifica las
condiciones del punto de valle, el UJT entrará de forma natural a la región de corte.

3 Objetivos

• Verificar la operación y principio de funcionamiento de un transistor ujt.

• Configurar circuito estándar de funcionamiento.

4 Materiales a utilizar

DESCRIPCIÓN DESCRIPCIÓN
Protoboard Transistor 2n2646
Cables para puentear condensador
Alicate cortante Fuente continua regulable
Resistencias osciloscopio

5 Oscilador de relajación con UJT

Una de las aplicaciones más típicas del UJT es la construcción de osciladores de

relajación que se utilizan en muchos casos como circuito de control de SCRs y
TRIACs.
 1.- Arme el siguiente
circuito:

2.- Determinar RB1 y RB2 en base al circuito

equivalente:

3.- Obtención del

voltaje VP:

4.- Determine si R1 está dentro

del intervalo permisible de valores
determinados para garantizar el
encendido del UJT.
5.- Obtención de los tiempos de incremento y de decremento de la oscilación t1 y t2:

6.- Determine la frecuencia de oscilación si RB1 = 100ohm, durante la fase de

descarga:

7.- Trace la forma de onda de vC para un ciclo completo:

8.- Trace la forma de onda de vR2 para un ciclo completo.

9.- Realice las gráficas indicadas anteriormente según lo que visualiza en

osciloscopio, a partir de circuito oscilador armado y energizado:

a.- En la siguiente grilla dibuje una gráfica y apunte valores asociados medidos:
En la imagen podemos observar los valores obtenidos que corresponden a un voltaje peak
to peak medido es de 152 mV, con una frecuencia de 353.4KHz.

b) En la siguiente grilla dibuje una gráfica y apunte valores asociados medidos:

En la imagen podemos observar los valores obtenidos que corresponden a un voltaje peak
to peak de 6.8V y una frecuencia de 54.47KHz

Fuente:

Libro Teroría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos de Robert Boylestad.

Libro Electrónica básica para Ingenieros de Gustavo Ruiz.