Fizicka Elektronika Cvrstog Tela 2010 PDF

Jelena Radovanovi, Vitomir Milanovi
FIZIKA ELEKTRONIKA
VRSTOG TELA
UNIVERZITET U BEOGRADU - ELEKTROTEHNIKI FAKULTET

BEOGRAD, 2010.
PREDGOVOR
Jelena Radovanovi, Vitomir Milanovi

Fizika elektronika vrstog tela Fizika elektronika vrstog tela je savremena nauna disciplina koja je u intenzivnom usponu,
sudei po istraživakoj aktivnosti i broju publikacija objavljenih na godišnjem nivou. Fizika
vrstog stanja poela je da se formira kao posebna oblast na poetku XX veka, a ubrzan razvoj
Recenzenti doživela je u njegovoj drugoj polovini, prvenstveno zahvaljujui praktinim potrebama za
sintezom materijala sa unapred zadatim karakteristikama. Sa otkriem tranzistora, 1948. godine
dr Dejan Gvozdi raa se poluprovodnika elektronika, kao deo fizike elektronike vrstog tela koji e odigrati
dr Milan Tadi ogromnu ulogu u naunom i tehnikom napretku
Ovaj udžbenik nastao je na osnovu dugogodišnjih predavanja u okviru kursa Fizika

elektronika vrstog tela na Elektrotehnikom fakultetu u Beogradu. Nivo složenosti i nain
izlaganja materije podrazumeva da su itaoci ve upoznati sa osnovama kvantne mehanike na
Odlukom Nastavno-naunog vea Elektrotehnikog fakulteta nivou osnovnog univerzitetskog kursa. Radi prilagoavanja novom nastavnom planu i
broj 1349 od 02. 06. 2010. godine ova knjiga je odobrena kao programu kursa, kao i radi boljeg i lakšeg usvajanja izložene problematike, u užbenik je
udžbenik na Elektrotehnikom fakultetu u Beogradu ukljueno preko 60 rešenih problema i zadataka koji su dati na kraju svake oblasti. Knjiga je
prevashodno namenjena studentima Odseka za Fiziku Elektroniku na Elektrotehnikom
fakultetu u Beogradu koji prate pomenuti kurs Fizike elektronike vrstog tela, ali može biti
korisna i slušaocima predmeta na višim godinama osnovnih studija, master i doktorskim
studijama smera za Nanoelektroniku, optoelektroniku i lasersku tehniku. S obzirom da fizika
vrstog stanja predstavlja osnovu za dublje prouavanje mnogih pravaca u savremenoj nauci i
tehnici, nadamo se da e tekst biti koristan i odgovarajuem krugu istraživaa i inženjera.
Izdava
Elektrotehniki fakultet Zahvaljujemo se profesorima Elektrotehnikog fakulteta u Beogradu Dejanu Gvozdiu i
Milanu Tadiu na izvršenoj recenziji i korisnim sugestijama koje su dali.
Beograd, maj 2010. Autori
ISBN 978-86-7255-044-2
i
SADRŽAJ 3. GENERACIONO-REKOMBINACIONI I DIFUZNI PROCESI 191
3.1. GENERACIJA I REKOMBINACIJA 191
1. ZONSKA TEORIJA VRSTOG TELA 1
3.1.1. Direktna rekombinacija 192
1.1. DOZVOLJENE I ZABRANJENE ZONE 1
3.1.2. Indirektna rekombinacija 202
1.1.1. Rešenja Schrödinger-ove jednaine u dozvoljenim i zabranjenim zonama 9
3.2. JEDNAINA KONTINUITETA 210
1.1.2. Oblik zavisnosti E(k) i odreivanje granica zona 13
3.3. ODABRANI PROBLEMI 219
1.2. GUSTINA STANJA. KONCENTRACIJA ELEKTRONA 15
4. POVRŠINSKE I KONTAKTNE POJAVE. HETEROSPOJEVI 237
1.2.1. Pojam efektivne mase 23
4.1. HETEROSPOJ METAL-VAKUUM. TERMOELEKTRONSKA EMISIJA 237
1.2.2. Gustina stanja za sluaj elipsoidnih i sfernih ekvienergetskih površina 27
4.2. HETEROSPOJ METAL-POLUPROVODNIK. SCHOTTKY-JEVA APROKSIMACIJA 241
1.2.3. Koncentracija elektrona u sluaju elipsoidnih i sfernih ekvienergetskih površina 30
4.3. HETEROSPOJ POLUPROVODNIK-POLUPROVODNIK 250
1.3. BRZINA ELEKTRONA U PROVODNOJ ZONI 35
4.4. NEHOMOGENI POLUPROVODNIK 256
1.3.1. Kretanje elektrona u spojašnjem polju 38
4.4.1. Kapacitivnost p-n spoja 268
1.4. POJAM ŠUPLJINA 40
4.4.2. Odreivanje profila primesa na osnovu merenja kapacitivnosti p-n spoja 270
1.4.1. Izraunavanje koncentracije šupljina 44
4.1.3 Proboj p-n spoja 272
1.5. SOPSTVENI POLUPROVODNIK 48
1.6. VRSTO TELO KONANIH DIMENZIJA. POVRŠINSKA STANJA 53
1.6.1. Tamovska stanja 55 LITERATURA 297
1.7. PRIMESNI POLUPROVODNIK 58 INDEKS POJMOVA 301
1.7.1. Koncentracija nosilaca u primesnom poluprovodniku 62
2. TRANSPORTNI PROCESI 135

2.1. BOLTZMANN-OVA KINETIKA JEDNAINA 135
2.2. GUSTINA STRUJE NAELEKTRISANJA I GUSTINA STRUJE ENERGIJE 141
2.2.1. Gustina struje naelektrisanja 141
2.2.2. Gustina struje energije 142
2.3. KINETIKI KOEFICIENTI 143
2.3.1. Termoelektrine pojave 143
2.3.2. Struja u poluprovodniku. Einstein-ova relacija 153
2.3.3. Galvanomagnetne pojave 156
ii iii
Zonska teorija vrstog tela
1. ZONSKA TEORIJA VRSTOG TELA
Pod vrstim telima podrazumevaju se materijali koji imaju sposobnost suprotstavljanja

spoljašnjim promenama (oblika, zapremine) i odgovara im najvei stepen ureenosti osnovnih
strukturnih elemenata. Naješe imaju kristalnu strukturu za koju je karakteristian pravilan
raspored i periodinost najmanjih gradivnih elemenata u svim pravcima. S druge strane, kod
amorfnih vrstih tela raspored osnovnih strukturnih jedinica je promenljiv i razliit u okviru
uzorka zbog ega ovakvi materijali nemaju fiksnu temperaturu topljenja. vrsta tela kristalne
strukture sreu se u vidu odvojenih, pojedinanih kristala – monokristala, ili u vidu polikristala
koji predstavljaju klastere nasumino orijentisanih malih kristalita tj. zrna koja su po strukturi
bliska monokristalima.
Prouavanje osobina materijala u okviru fizike elektronike vrstog tela uobiajeno je zapoeti
razmatranjem idealizovanog modela u vidu savršenog besprimesnog monokristala beskonano
velikih dimenzija. Pojave defekata, primesa i granica strukture se zatim razmatraju kao mali
poremeaji (perturbacije). Taj opšte prihvaeni pristup usvojiemo i ovde, zapoinjui analizu
elektronske strukture vrstih tela uz sledee pretpostavke:
1) pri kretanju elektrona, joni koji su rasporeeni tano u vorovima idealne kristalne rešetke
tretiraju se kao nepokretni izvori polja koje deluje na elektrone
2) uzajamno dejstvo elektrona izmeu sebe, kao i sa jonima kristalne rešetke, zamenjuje se
efektivnim poljem tj. pretpostavlja se skup nezavisnih elektrona koji se kreu u datom polju
(jednoelektronska aproksimacija)
1.1 DOZVOLJENE I ZABRANJENE ZONE
U skladu sa prethodnim pretpostavkama, posmatraemo idealno, homogeno i beskonano

vrsto telo kristalne strukture. Zahvaljujui idealnoj periodinosti, podrazumevamo da
translacijom jedne elementarne elije možemo preklopiti itavu ovu kristalnu strukturu.
Ovakva periodinost kristalne strukture ima za posledicu periodinost potencijalne energije
elektrona koji se nalazi u polju kristala. Koristiemo jednoelektronsku aproksimaciju, koja
podrazumeva da su svi slobodni elektroni u vrstom telu ekvivalenti, prema tome, ono što važi
za jedan posmatrani elektron, važie i za sve ostale. Efektivno, u okviru ove aproksimacije
uzimamo da su jezgra nepokretna i posmatramo jedan “reprezentativni” elektron koji “vidi“
kristalnu strukturu kao periodini potencijal. On ima nerelativistiku masu slobodnog elektrona
i naziva se provodni elektron.
Podrazumeva se da je svako (idealno) vrsto telo trodimenzionalno (3D), meutim direktna

analiza trodimenzionalnog problema je izuzetno složena. Zbog toga je uobiajeno da se
razmatranje zapoinje polazei od jednodimenzionalne (1D) strukture (ilustrovane na Sl. 1.1),
ija konstanta periodinosti iznosi d, a da se odgovarajui izrazi za 3D sluaj navedu
iv 1
Zonska teorija vrstog tela Zonska teorija vrstog tela
uopštavanjem, bez dokaza. U današnje vreme opravdanost 1D modela je sve oiglednija, što se = 2 d 2 <( z d )
može videti na primeru superrešetke kod koje se potencijalna energija (u smislu profila dna U ( z d )< ( z d ) E< ( z d ) (1.3)
2m0 dz 2
provodne zone) menja samo duž jedne koordinate, pa se kompletna analiza svodi na rešavanje
problema jednodimenzionalnog vrstog tela.
Pošto je U ( z ) U ( z d ) , ova jednaina postaje
... d d d
... = 2 d 2 <( z d )
U ( z )< ( z d ) E< ( z d ) (1.4)
z 2m0 dz 2
Sl. 1.1 Idealizovani jednodimenzionalni kristal Vidimo, dakle, da su jednaine (1.2) i (1.4) istog oblika, što znai da njihova rešenja moraju
biti linearno zavisna, odnosno da se razlikuju samo na nivou multiplikativne konstante:
Pretpostaviemo takoe da zavisnost potencijalne energije od rastojanja predstavlja parnu <( z d ) O< ( z ) (1.5)
funkciju u okviru jedne periode, što je realna pretpostavka, a ilustrovana je na Sl. 1.2, dakle
Posmatraemo dalje talasnu funkciju samo na domenu z [ d / 2 , d / 2] . Pošto u svakoj taki
U ( z) U ( z d ) periodina funkcija (1.1a)
talasna funkcija mora biti neprekidna i diferencijabilna, to važi i za taku z d / 2 :
U ( z ) U ( z ) parna funkcija (1.1b)

< ( d2 ) < ( d2 ) (1.6a)
d
< '( 2 ) < '( d2 ) (1.6b)
Koristei relacije (1.5), i (1.6) možemo pisati:
< ( d2 ) O< ( d2 ) (1.7a)

<' ( ) d
2 O< ' ( ) d
2 (1.7b)
U posmatranom domenu z [ d
2
d
, ] , pretpostaviemo talasnu funkciju u sledeem obliku:
2
<( z) Ay p ( z ) By n ( z ) (1.8)
Sl. 1.2 Periodina potencijalna energija kristalne strukture
odnosno, dato rešenje rešenje Schrödinger-ove jednaine prikazaemo u formi linearne
Schrödinger-ova jednaina koja opisuje kretanje provodnog elektrona u periodinom kombinacije dve realne funkcije, od kojih je y p (z ) parna funkcija koordinate a y n (z ) neparna
potencijalu U (z ) je oblika: funkcija (Sl. 1.3). Funkcije y p (z ) i y n ( z ) su rešenja koja ispunjavaju fundamentalne
granine uslove u obliku:
= 2 d 2 <( z)
U ( z )< ( z ) E< ( z ) (1.2) y p (0) 1, y p ' (0)
2m0 dz 2 0 (1.9a)
y n (0) 0, y n ' (0) 1 (1.9b)

gde je m0 masa slobodnog elektrona. Ako je < (z ) jedno rešenje gornje jednaine, tada
naprosto izvršimo smenu promenljive z o z d i posmatrajmo Schrödinger-ovu jednainu za Ovo važi za sve energije E [0 ,f) . Ako U (z ) ne bi bila parna funkcija, onda ni
funkciju < ( z d ) .
fundamentalna rešenja y p (z ) i y n (z ) ne bi imala definisanu parnost.
2 3
Da bi ovaj sistem imao netrivijalno rešenje, potrebno je da determinanta sistema bude jednaka
nuli:
y p (1 O ) y n (1 O )
0 (1.14)
y p ' (1 O ) y n ' (1 O )
y p y n ' (1 O ) 2 y p ' y n (1 O ) 2 0 (1.15)
odnosno,
O2 [ y p y n ' y p ' y n ] 2O[ y p y n ' y p ' y n ] [ y p y n ' y p ' y n ] 0 (1.16)
Dakle, u opsegu energija E [0 ,f) rešavamo Schrödinger-ovu jednainu uz fundamentalne

granine uslove a dobijena fundamentalna rešenja su realna za sve vrednosti energije, tj.
y p , yn , y p ', yn ' \ , pri emu koeficijent može biti i kompleksan. Lako se može pokazati da
Sl. 1.3 Ilustracija parnog i neparnog dela talasne funkcije je Wronski-jeva determinanta, odnosno Wronskian, za dati oblik Schrödinger-ove jednaine
konstantan duž z–ose:
Napisaemo sada relacije (1.7a) i (1.7b) sa talasnom funkcijom datom u formi (1.8): W y p ( z ) yn ' ( z ) y p ' ( z ) yn ( z ) Const (1.17)
Ay p ( d2 ) By n ( d2 ) >
O Ay p ( d2 ) By n ( d2 ) @ (1.10a) Za fundamentalne poetne uslove (1.9a) i (1.9b) Wronskian sistema je jednak jedinici:
Ay p ' ( d2 ) By n ' ( d2 ) O>Ay ' ( d2 ) By n ' ( d2 ) @ (1.10b)
y p y n ' y p ' y n
p
W 1 (1.18)
Koristei osobine parnosti y p (z ) i y n (z ) , tj.
Imajui u vidu (1.18), sada jednainu (1.16) možemo napisati u obliku:
y p ( d2 ) y p ( d2 ), y p ' ( d2 ) y p ( d2 ) (1.11a) O2 2O[ y p y n ' y p ' y n ] 1 0 (1.19)

yn ( ) d
y n ( ), y n ' ( )
d d
y n ( )
d
2 2 2 2 (1.11b)
Neka su rešenja ove kvadratne jednaine O1 i O 2 . Na osnovu Viet-ovih pravila postoje sledee
gornje jednaine se mogu izraziti u obliku veze izmeu njih:
O1 O 2 1 (1.20a)
Ay p By n >
O Ay p By n @ (1.12a) O1 O 2 2( y p yn ' y p ' yn ) (1.20b)
Ay p ' By n ' O > Ay p ' By n ' @ (1.12b) Pošto su y p , y n , y p ' , y n ' uvek realni, to je realan i izraz ( y p yn ' y p ' yn ) i obeležiemo ga sa f(E)
jer je funkcija energije:
gde je y p { y p ( d2 ) , y n { y n ( d2 ) , y p ' { y p ' ( d2 ) i y n ' { y n ' ( d2 ) . Posle sreivanja, ove jednaine
f ( E ) ( y p yn ' y p ' yn ) (1.21)
poprimaju sledeu formu:
A>y p (1 O ) @ B> y n (1 O )@ 0 (1.13a)
Uslove (1.20a) i (1.20b) pišemo sada u obliku:
> @
A y p ' (1 O ) B> y n ' (1 O ) @ 0 (1.13b) O1 O 2 1 (1.22a)
4 5
O1 O 2 2 f (E) (1.22b) U ovom sluaju je talasni vektor k u rešenjima O1 i O 2 (datim izrazima (1.23a) i (1.23b))
realan, tj. k . Ovo je oigledno pošto na osnovu (1.22b) sledi cos(kd ) f ( E ) , a kako je
Rešenja u formi f ( E ) d 1 , to proizvod kd mora biti realan, a samim tim i k . Prema tome, nema nikakvih
O1 e ikd (1.23a) prepreka da se elektron nae u ovim stanjima, odnosno njegova talasna funkcija zadovoljava
potrebne uslove, kao što emo pokazati kasnije. Ukoliko bismo pretpostavili u
O2 e ikd (1.23b) jednoelektronskoj aproksimaciji da je posmatrani provodni elektron potpuno slobodan (što
odgovara graninom sluaju E !! U (z ) ), tada bi zavisnost energije od talasnog vektora bila
oigledno zadovoljavaju prvi uslov (1.20a), pri emu je k u najopštijem sluaju kompleksna parabolina:
veliina. Funkcija f(E) za periodini potencijal koji se razmatra, izgleda kvalitativno kao na Sl. G = 2k 2
1.4. E (k ) E (k ) (1.25)
2m0
gde je m0 masa slobodnog elektrona. U svim ostalim sluajevima moramo posebno odrediti
zavisnost E(k) za datu kristalnu strukturu. Oblasti energija u kojima je ispunjen uslov (1.24a)
nazivaju se dozvoljene zone i sa Sl. 1.4 se vidi da su dozvoljene energije u oblastima ( E1 , E2 ) ,
( E3 , E4 ) , ( E5 , E6 ) , …. Dozvoljene zone su sa porastom energije sve šire, jer elektron sve
manje “vidi” zavisnost U ( z ) , što se takoe može videti sa Sl. 1.4.
Uslov (1.22b) sa rešenjima za O1 i O 2 datim izrazima (1.23a) i (1.23b), za k \ , postaje:
O1 O 2 eikd e ikd 2 cos(kd ) (1.26)
Poreenjem izraza (1.25) i (1.22b) zakljuujemo da je
f ( E ) cos(kd ), k \ (1.27)
odakle jednostavno sledi da je E (k ) E (k ) . Izraz (1.27) naziva se disperziona relacija za

energije u dozvoljenim zonama.
Sl. 1.4 Kvalitativni oblik funkcije f(E) sa oznaenim oblastima dozvoljenih i zabranjenih zona 2) Razmotrimo sada drugi sluaj:
f (E) y p yn ' y p ' yn ! 1 (1.28)

Dalje emo posebno razmotriti dva mogua sluaja:
U ovom sluaju je talasni vektor kompleksan ( k ^ ), kako bi rešenja O1 i O 2 mogla da zadrže
1) f ( E ) y p yn ' y p ' yn d 1 (1.24a)
istu formu datu izrazima (1.23a) i (1.23b). Oblasti energija elektrona za koje je talasni vektor
kompleksan nazivaju se zabranjene zone. Na Sl. 1.4 zabranjene zone nalaze se u intervalima
2) f ( E ) y p yn ' y p ' yn ! 1 (1.24b)
energija (0, E1 ) , ( E2 , E3 ) , ( E4 , E5 ) , …. Pošto je k ^ , napisaemo ovaj talasni vektor u
obliku
k k R ik I (1.29)
1) f ( E ) y p yn ' y p ' yn d 1 (dozvoljene zone)
gde je k R realni, a k I imaginarni deo (bez gubitka opštosti uzimamo da je k I ! 0 ). Rešenja za
O1 i O 2 sada možemo napisati u formi
6 7
R ik I
O1 ei ( k )d
(1.30a)
i ( k R ik I ) d
O2 e (1.30b)
Na osnovu ovoga, uslov (1.22b) postaje:
ei ( k R ik I ) d e i ( k R ik I ) d f (E) (1.31)

tj.
[cos(k R d ) i sin(k R d )]e k I d [cos(k R d ) i sin(k R d )]e k I d f (E) (1.32)
Pošto je f (E ) realna funkcija, tj. f ( E ) \ , imaginarni deo izraza na levoj strani mora biti
jednak nuli pa zakljuujemo da mora važiti:
sin( k R d ) 0 (1.33)
kRd nS, n 0,1,2, ! (1.34)
Uz uslov (1.34), realni deo izraza (1.32) se može napisati u obliku:
cos( nS) cosh( k I d ) f (E) (1.35)
odakle dobijamo disperzionu relacija za energije u zabranjenim zonama u konanom

obliku:
(1) n cosh(k I d ) f (E) (1.36) Sl. 1.5. Zonski (trakasti) spektar
Talasni vektor u zabranjenim zonama možemo napisati u obliku:

1.1.1 REŠENJA SCHRÖDINGER-OVE JEDNAINE U DOZVOLJENIM I ZABRANJENIM ZONAMA
k k R ik I nS
d ik I (1.37)
Analiziraeno posebno sluajeve kada je k \ i k ^ , odnosno tražiemo rešenja
Iz izraza (1.36) sledi da je E (k ) E (k ) , kao kod dozvoljenih zona. Dakle, energetski spektar Schrödinger-ove jednaine u dozvoljenim i zabranjenim zonama.
elektrona u kristalu koji predstavljamo periodinim potencijalom je trakast, sa dozvoljenim i
zabranjenim zonama. Poreklo zonskog, odnosno trakastog spektra, možemo objasniti na 1) Kada je k \ , u dozvoljenim zonama imamo rešenja O1 i O 2 u obliku O1 e ikd i
sledei nain: svaka potencijalna jama obezbeuje jednu energiju elektrona (diskretno stanje O 2 e ikd . Njima odgovaraju dve talasne funkcije <1 ( z ) i <2 ( z ) . Napišimo talasnu funkciju
izolovane jame), odnosno jednu liniju u spektru energije. Ako imamo dve spregnute elektrona u dozvoljenoj zoni u obliku:
potencijalne jame, onda imamo dve bliske linije, a sa porastom broja potencijalnih jama raste i
broj linija u spektru, pa diskretni spektar prelazi u trakasti kada ovaj broj teži beskonanosti. <k ( z ) uk ( z )eikz (1.38)
Ovo važi za energije elektrona manje od visine potencijalne barijere, ali interesantno je da važi
i za energije vee od visine barijere što je malo složenije objasniti, a potie od rezonantnih
stanja u kontinualnom delu spektra pojedinanih jama. Na Sl. 1.5 prikazan je dijagram energije i odredimo osobine funkcije uk (z ) . Prema relaciji (1.5),
i potencijal kristalne rešetke.
<k ( z d ) O<k ( z ) (1.39)
8 9
pa je = 2 ª d 2u k* ( z ) du * ( z ) º
u k ( z d )e ik ( z d ) Ou k ( z )e ikz (1.40) « 2ik k k 2u k* ( z )» U ( z )u k* ( z ) Ek uk* ( z ) (1.47)
2m0 ¬ dz 2 dz ¼
odnosno,
uk ( z d )eikd Ou k ( z ) (1.41) Ako sada u jednaini (1.45) zamenimo k sa –k, vodei rauna da je < k ( z ) u k ( z )e ikz , kao i
da je E k E k (što je jasno iz (1.27)), dolazimo do jednaine koja je potpuno ista kao (1.47),
Ako je O O1 eikd , onda je
samo je umesto uk* ( z ) funkcija uk (z ) . Odavde se može zakljuiti da je
uk ( z d ) uk ( z ) (1.42)
što dalje znai da je ta funkcija periodina, sa osnovnim periodom koji je isti kao osnovni u k ( z ) uk* ( z ) (1.48)
period kristalne rešetke (dokaz da je funkcija uk ( z ) periodina predstavlja Bloch-ovu teoremu
u fizici vrstog stanja). Dakle, talasna funkcija koja odgovara rešenju O1 je oblika sa tanošu do multiplikativne konstante. Napomenimo da ova relacija važi ako i samo ako je
k realno. Dalje možemo zakljuiti da je
<1 ( z ) uk ( z )eikz (1.43)
<2 ( z ) <1* ( z ) (1.49)
i ima formu modulisanog ravanskog talasa1 koji se prostire u pravcu z-ose, u pozitivnom
smeru. Formirajmo sada drugu talasnu funkciju Na osnovu prethodnih izraza jasno sledi:
ikz
<2 ( z ) u k ( z )e
2 2
(1.44) <1 ( z ) uk ( z ) (1.50)
Istim postupkom kao u prethodnom sluaju može se pokazati da je u k ( z d ) u k ( z ) , kao i

2
uzimajui u razmatranje rešenje O 2 e ikd . Schrödinger-ova jednaina za talasnu funkciju <2 ( z )
2
uk ( z )
2
u k* ( z ) (1.51)
<k (z ) je oblika:
odnosno, kao što je oigledno i iz (1.49),
= 2 d 2 <k ( z )
U ( z )<k ( z ) Ek <k ( z ) (1.45) 2 2
2m0 dz 2 <1 ( z ) <2 ( z ) (1.52)
s tim da je, ponovimo, <k ( z ) uk ( z )eikz . Ako ovu jednainu konjugujemo, vodei rauna da su Možemo zakljuiti da je za k \ a) talasna funkcija periodina, b) kvadrat modula talasne
U (z ) i Ek realne veliine, dolazimo do izraza funkcije takoe periodian i da je c) talasna funkcija konana u celom opsegu z (f,f) .
2) U zabranjenim zonama je talasni vektor kompleksan, tj.

= 2 d 2 <k* ( z )
U ( z )<k* ( z ) Ek <k* ( z ) (1.46)
2m0 dz 2 k nS
ik I ^ , (1.53)
d
ikz
odnosno, pošto je < ( z ) u ( z )e
*
k
*
k (k je realno jer analiziramo elektrone u dozvoljenim gde emo, kao što je ve napomenuto, pretpostavljati da je k I ! 0 (bez umanjenja opštosti). I u
zonama), dolazimo do jednaine po uk* (z ) : ovom sluaju su rešenja Schrödinger-ove jednaine date prema Bloch-ovoj teoremi, tj. u formi:
<1 ( z ) uk ( z )ei ( k R ik I ) z (1.54a)

1
U sluaju da je U ( z ) Const , onda je uk ( z ) const , pa je <1 ( z ) e ikz
što odgovara <2 ( z ) uk ( z )e i ( k R ik I ) z (1.54b)
ravanskom talasu
10 11
gde je takoe ur k ( z d ) ur k ( z ) , što se pokazuje na isti nain kao kod dozvoljenih zona. 1.1.2 OBLIK ZAVISNOSTI E(k) I ODREIVANJE GRANICA ZONA
Prema tome, možemo pisati:
Zavisnost E(k) za slobodan elektron je parabolina i data izrazom (1.25). U graninom sluaju
<1 ( z d ) <1 ( z )ei ( k R ik I ) d (1.55a)
kada su energije elektrona u kristalu veoma velike, on se praktino ponaša kao slobodan i
njegova disperziona relacija se približava navedenoj funkciji, tj.
<2 ( z d ) <2 ( z )e i ( k R ik I ) d (1.55b)
* !!U ( z ) = 2k 2
S obzirom da je k kompleksna veliina, tada jednaina za u ( z ) analogna jednaini (1.47), k E (k ) E o (1.61)
2m0
dobija oblik:
=2 ª d 2u k* ( z ) du * ( z ) 2 º gde je m0 masa slobodnog elektrona. Uoimo da je energija u ovom sluaju parna funkcija
« 2
2ik * k k * u k* ( z )» U ( z )u k* ( z ) Ek uk* ( z ) (1.56) talasnog vektora, što znai da je dijagram E(k) simetrian. Granice zona se na osnovu izraza
2m0 ¬ dz dz ¼
(1.24a) i (1.27) izraunavaju iz jednakosti
dok je jednaina za u k (z ) oblika: f ( E ) cos(kd ) r1 (1.62)
= ª d uk ( z )
2 2
du ( z ) º odnosno odgovaraju vrednostim talasnog vektora
« 2ik * k k 2u k ( z )» U ( z )u k ( z ) Ek u k ( z ) (1.57)
2m0 ¬ dz 2 dz ¼
nS
kE , n 0,r1,r2, ! (1.63)
Iz prethodna dva izraza se vidi da u sluaju kada je k kompleksno ( k z k * , k 2 z k *2 ), ne važi d
uslov (1.48), tj.
Potražimo izvod relacije (1.27) po k:
uk ( z ) z uk* ( z ), k ^ (1.58)
df ( E ) dE
d sin(kd ) (1.64)
dE dk
pa ne važi ni veza (1.49), tj.
Na granicama zona (gde je cos(kd ) r1 ), leva strana izraza (1.64) je jednaka nuli. S obzirom
<2 ( z ) z <1* ( z ) (1.59)
da sa Sl. 1.4 možemo zakljuiti da je df ( E ) / dE z 0 u ovim takama, sledi:
Proverimo da li su i u ovom sluaju kvadrati modula odgovarajuih rešenja Schrödinger-ove
jednaine ograniene funkcije na celom domenu (što je uslov za normiranost). dE
0 (1.65)
dk k kE
ik R z k I z 2 2 2kI z
<1 ( z ) uk ( z )e e , <1 ( z ) uk ( z ) e (1.60a)
<2 ( z ) u k ( z )e ik R z e k I z , <2 ( z )

2 2
uk ( z ) e 2 k I z (1.60b) odnosno, u tim takama funkcija E(k) ima ektremume. Na osnovu prethodnih razmatranja,
možemo ilustrovati zavisnost funkcije E(k) na nain prikazan na Sl. 1.6.
2
Vidimo iz izraza (1.55a) da kada z o f , <1 (z ) o f , a na osnovu (1.60b) sledi da kada
2
S obzirom na periodinost funkcije cos(kd ) po talasnom vektoru, oigledno je da vrednosti k i
z o f , <2 (z ) o f , što znai da se ove funkcije uopšte ne mogu normirati. Zboga toga te k 2dnS , n 0,r1,r2,! daju ekvivalentan rezultat i da je dovoljan jedan osnovni opseg talasnih
funkcije ne mogu biti talasne funkcije elektrona i zato smo ovakve intervale energija kojima vektora širine 2dnS da se “pokriju” sve mogue vrednosti cos(kd ) , odnosno prema (1.27),
one odgovaraju nazvali zabranjene zone.
funkcije f(E).
12 13
Napomenimo da i za trodimenzionalnu strukturu važi parnost energije u odnosu na talasni

vektor, tj.:
G G
E (k ) E ( k ) (1.66)
I u ovom sluaju se po analogiji definiše prva Brillouin-ova zona, koja sada predstavlja
geometrijsko telo (videti primer na Sl. 1.8), a za odreivanje njenih granica izvedena su u
literaturi odgovarajua pravila.
Sl. 1.6 Opšti oblik zavisnosti energije od talasnog vektora u periodinoj kristalnoj struktruri
Za ovaj osnovni skup neekvivalentnih talasnih vektora uzima se opseg k > dS , dS @ i on se

naziva prva Brillouin-ova zona. Analogno tome, oblast k > 2dS , dS @ > dS , 2dS @ predstavljala bi
II Brillouin-ovu zonu, itd. Zbog ovih osobina periodinosti, može se izvršiti pomeranje
celokupnog dijagrama prikazanog na Sl. 1.6 u I Brillouin-ovu zonu, transliranjem Sl. 1.8 Ilustracija I Brillouin-ove zone kod nekih materijala
odgovarajuih segmenata za ( n d1)S levo i desno, ukoliko je n neparno, gde je n broj zone, a ako
je n parno onda transliranje treba izvršiti za ndS . Ovakav dijagram redukovan na I Brillouin-ovu
zonu prikazan je na desnom delu Sl. 1.7.
1.2 GUSTINA STANJA. KONCENTRACIJA ELEKTRONA
Posmatrajmo jednodimenzionalni model kristala prikazanog u obliku kruga, kao što je

ilustrovano na Sl. 1.9. Beskonani 1D kristal predstavili smo lancem elija (tj. vorova na
rastojanju d) koji se zatvara sam u sebe. Neka se u tom lancu nalazi N elija, gde N o f .
Sl. 1.9 Beskonani 1D kristal u formi prstena

Sl. 1.7 Redukovanje dijagrama E(k) na I Brillouin-ovu zonu
Koristiemo Born-von-Karman-ove granine uslove prema kojima se 0.-ta i N-ta elija
poklapaju, tj. ekvivalentne su. Tada su oigledno i talasne funkcije 0.-te i N-te elije identine.
14 15
Zbog periodinosti strukture, talasne funkcije uzimamo u Bloch-ovoj formi: 1 L

g (k ) (1.74)
'k 2S
ik 0
< (0) uk (0)e , talasna funkcija u 0.-tom voru
U trodimenzionalnom sluaju, u zapremini k-prostora 'Vk se nalazi jedno stanje. Pri tome je
< (1) uk (1)e ikd , talasna funkcija u prvom voru, ...
< (2) u k (2)e ik 2 d , (1.67) 'Vk 'k x 'k y 'k z (1.75a)
#
< ( N ) uk ( N )e ikNd 2S 2S 2S
'k x ; 'k y ; 'k z (1.75b)
Lx Ly Lz
Na osnovu Born-von-Karman-ovih graninih uslova imamo pa sledi
< (0) <( N ) (1.68) (2S ) 3 8S 3

'Vk (1.76)
Lx L y Lz V
a zbog periodinosti funkcije uk (z ) važi
gde je V zapremina celog kristala. Gustina stanja sada predstavlja broj stanja dN k* u
uk (0) uk ( N ) (1.69)
elementarnoj zapremini dVk podeljen veliinom te zapremine, tj.
Prema tome,
u k (0) 1 uk (0)e ikNd G

(1.70) dN k* 1 V
g (k ) (1.77)
eikNd 1 dVk 'Vk 8S 3
odakle zakljuujemo da je
Broj elektrona koji imaju talasni vektor k ( u 1D sluaju) u intervalu (k , k dk ) dobijamo
k n Nd 2 nS kada pomnožimo verovatnou da elektron ima talasni vektor u intervalu (k , k dk ) , odnosno
(1.71)
2S n energiju u intervalu E (k ), E (k dk ) sa brojem stanja u (k , k dk ) , što iznosi:
kn , n 0,1,2, ! N 1
d N
dN e (k ) f FD ( E ( k )) g (k )dk (1.78)
Sa L Nd obeležiemo ukupnu dužinu kristala, pa je
gde je f FD ( E (k )) Fermi-Dirac-ova funkcija koja odreuje verovatnou da elektron ima talasni
2S vektor u intervalu (k , k dk ) i data je izrazom:
kn n , n 0,1,2,! N 1 (1.72)
L 1
G f FD ( E ) E EF
(1.79)
Dužina u k-prostoru koja odgovara jednoj moguoj vrednosti vektora k odreena je kao:
e k BT
1
2S
'k k n 1 k n (1.73) pri emu je EF energija Fermi-jevog nivoa, T je temperatura, a k B je Boltzmann-ova
L
konstanta. Ako zamenimo izraz za gustinu stanja (1.74) u (1.78) dobijamo:
Gustina stanja u k-prostoru se definiše kao broj stanja u elementu prostora dk, podeljen sa
veliinom tog elementa prostora. U našem primeru se na dužini 'k u k-prostoru nalazi jedno L
k-stanje, pa e gustina stanja iznositi: dN e (k ) f FD ( E ( k ))dk (1.80)
2S
16 17
Ukupan broj elektrona u 1D sluaju dobijamo integracijom po svim vrednostima k, što daje Kao što je ve navedeno, u izrazima (1.83)-(1.85) veliina | < (k , z ) |2 dz predstavlja
f
verovatnou da se elektron nalazi u intervalu ( z , z dz ) , što dalje znai da se talasna funkcija
L
Ne
2S ³
f
f FD ( E ( k ))dk (1.81) mora normirati na jedinicu:
L
³ < (k , z )
2
dz 1 (1.86)
L 0
s obzirom da važi g (k ) g (k ) . Koncentracija elektrona se može izraunati kao
2S
pri emu L o f ( L Nd ), kao što je ranije objašnjeno. Podelimo ceo domen na elije
N 1
f dužine d, gde je d period jednodimenzionalnog kristala. Vodei rauna da je
n 2 e
L S ³
f
f FD ( E ( k ))dk (1.82) < (k , z ) Ck eikz uk ( z ) , gde je Ck konstanta koja se odreuje pomou uslova normiranja, izraz
(1.86) moeže se napisati u obliku:
L
gde je izraz (1.81) dodatno pomnožen faktorom 2 da bi se uraunala injenica da elektroni
³ u (k , z )
2
mogu imati dve razliite orijentacije spina. U prethodnim izrazima postojanje spina nije bilo | Ck |2 dz 1 (1.87)
0
uzeto u obzir, odnosno analiza je sprovedena samo za elektrone sa jednom vrednošu spina, pa
je zbog toga ovakva multiplikativna korekcija neophodna. Naravno, smatra se da se elektroni
obe orijentacije spina ponašaju ekvivalentno. Napišimo promenljivu z u obliku z z ' ld , gde z ' [0, d ] , a l 0,1, 2,! , N 1 . Tada (1.87)
dobija formu:
U prethodnom izvoenju, koje je opšteprihvaeno i standardno u literaturi duži niz godina,
N 1 d
pretpostavljeno je da koncentracija elektrona ne zavisi od koordinate z, što nije najegzaktnija
¦ ³ u ( z)
2 2
Ck dz 1 (1.88)
pretpostavka. Naime, broj elektrona koji imaju talasni vektor u intervalu (k , k dk ) , a l 0 0
k
verovatnoa za to je f FD [ E ( k ), EF ] , i koji se nalaze na poziciji izmeu z i z dz (za šta je odnosno

2
verovatnoa < (k , z ) dz ) iznosi:
d
³ u ( z)
2 2
Ck k dz N 1 (1.89)
2
dN e , k ( z ) f FD [ E (k ), EF ] | < (k , z ) dz (1.83) 0
Kako je L Nd , konano se može zapisati:

Zadržaemo se na modelu prikazanom na Sl. 1.9., kod koga su sve vrednosti talasnog vektora
pozitivne. Ukupan broj elektrona u intervalu ( z , z dz ) dobija se sumiranjem po svim moguim
d 1
vrednostima k u opsegu (0,f) . Svakoj vrednosti k odgovaraju dve talasne funkcije: <1 (k , z ) | Ck |2 d
(1.90)
L
³ u(k , z ) dz
2
i <1* (k , z ) <1 (k , z ) , pa se izraz za broj elektrona dN e ( z ) u opsegu ( z , z dz ) može zapisati
0
u formi:
k f odnosno:
¦
2
dN e ( z ) f FD [ E (k ), EF ] | <1 (k , z ) dz (1.84) 2
k f 2 d u (k , z )
< (k , z ) d
(1.91)
L
³ u (k , z )
2
dz
Pošto elektron može imati dve orijentacije spina, ako pretpostavimo da su talasne funkcije 0
< (k , z ) i energije E (k , EF ) nezavisne od orijentacije spina, koncentraciju elektrona na poziciji pa je

z možemo pisati u formi 2
k f
d u (k , z )
dN e ( z ) k f n( z ) 2 ¦ f FD [ E (k ), EF ] | (1.92)
2 ¦ f FD [ E (k ), EF ] | < (k , z )
2 d
n( z ) (1.85) L
³ u (k , z )
k f 2
dz k f
dz
0
18 19
Ako se sada pree sa sumiranja na integraljenje (uz 'k 2S / L ), izraz za koncentraciju dobija 1
³f
G
konani oblik: n FD ( E ( k ))d 3 k (1.97)
4S 3 G
(k )
f
d 2
³
u (k ,z)
n( z ) f FD [ E (k ), EF ] d dk (1.93)
S f ³ u ( k , z ) dz
2 Odredimo sada energetsku gustinu stanja, odnosno broj stanja u intervalu energije ( E , E dE ) .
0
Broj stanja u zapremini V, u intervalu energije ( E , E dE ) je jednak broju stanja u onoj
zapremini u k-prostoru koja odgovara ovom intervalu energije
Iz izraza (1.93) vidi se da koncentracija zavisi od koordinate z i da je ta zavisnost periodina, sa
G
osnovnim periodom d, što je posledica periodine zavisnosti potencijalne energije. g * ( E )dE g (k )'Vk (1.98)
Uvedimo sada srednju koncentraciju nSR u okviru osnovnog perioda dužine d:

gde je g ( E ) energetska gustina stanja, a 'Vk je odgovarajua zapremina u k-prostoru. Da bi
*
d
d f ³ u (k ,z )
2
dz odredili 'Vk posmatraemo dve ekvienergetske površi u k-prostoru, koje su definisane sa
1 1
d ³0 ³
nSR n( z )dz f FD [ E (k ), EF ] d0 dk (1.94) E Const1 i E dE Const2 (kao što je prikazano na Sl. 1.10). Ekvienergetske površi
S f ³ u ( k , z ) dz
2
0 predstavljaju skup taaka u k-prostoru koje odgovaraju konstantnoj vrednosti energije.
odnosno:
f
1
nSR
S ³
f
f FD [ E (k ), EF ]dk (1.95)
što se u potpunosti poklapa sa izrazom (1.82). Imajui u vidu da d iznosi nekoliko desetih
delova nanometra, ovo usrednjavanje se vrši na vrlo maloj dužini. U daljem tekstu e nSR biti
oznaeno sa n.
U 3D sluaju broj elektrona koji imaju talasni vektor u intervalu (k x , k x dk x ) , (k y , k y dk y ) ,

(k z , k z dk z ) je
G
³ g (k ) f
G
Ne FD ( E ( k ))d 3 k (1.96a)
G
(k ) Sl. 1.10 Ekvienergetske površi u k-prostoru
G
gde je g (k ) V / (8S 3 ) po analogiji sa 1D sluajem, pa dalje imamo G
Uvešemo komponentu talasnog vektora normalnu na ekvienergetsku površ kA i element
V površine dSk na toj površi. Tada možemo odrediti elementarnu zapreminu šupljeg tela u k-
8S 3 (³kG )
G
Ne f FD ( E ( k ))d 3 k (1.96b)
prostoru izmeu dve uoene ekvienergetske površi:
dVk dS k dkA (1.99)

Ne 1
³
G
n f FD ( E ( k ))d 3 k (1. 96c)
V 8S 3 G
(k ) gde je dkA promena komponente talasnog vektora normalne na ekvienergetsku površ. Tražena
zapremina u k-prostoru koja odgovara promeni energije izmeu E i E dE iznosi:
Kao i kod (1.82), zbog postojanja spina elektrona poslednji izraz neophodno je pomnožiti sa 2,
ime dobijamo izraz za koncentraciju u obliku:
'Vk ³ dV
( E const )
k (1.100)
20 21
G
Pošto je vektor kA uveden kao normala na ekvienergetsku površ u k-prostoru, možemo pisati: 1.2.1 POJAM EFEKTIVNE MASE
dE
dkA G (1.101)
kG E ( k ) Posmatrajmo prvo jednodimenzionalni kristal. Neka je k0 taka u k-prostoru u kojoj funkcija
Tada je E (k ) ima ekstremum. Sa Sl. 1.7 (desni, redukovani dijagram) vidimo da je k0 0 ili
k0 rS / d .
dS k
dVk G
dE (1.102)
kG E ( k ) dE
0 (1.108)
dk k k0
Konano, zamenom u (1.98) dobijamo broj stanja u zapremini V, u intervalu energije

( E , E dE ) : Izvršimo razvoj funkcije E (k ) u Taylor-ov red u odnosu na taku ekstremuma k0 :
G
³
dSk
g * ( E )dE g (k ) G dE (1.103) 0
kG E ( k ) dE 1 d 2E 2
( E const )
E ( k ) E ( k0 ) ( k k0 ) ( k k0 ) ! (1.109)
dk k k0 2 dk 2 k k0
Skraujui konstantu dE sa obe strane izraza (1.103) dobijamo izraz za energetsku gustinu
stanja u zapremini V: Imajui u vidu uslov ekstremuma (1.108) i zanemarujui sabirke višeg reda, dobijamo:
V
8S 3 ( E ³const )
g*(E) dS k
(1.104) 1 d 2E 2
G
kG E ( k ) E (k ) | E (k0 ) (k k0 ) (1.110)
2 dk 2 k k0
Deljenjem zapreminom dobijamo konanu formu: Slobodnom elektronu odgovara parabolina zavisnost E (k ) pa u tom sluaju možemo pisati:
1
8S 3 ( E ³const )
dS k
g (E) G
kG E ( k )
(1.105) = 2k 2 d 2 E (k ) =2
E (k ) (1.111)
2m0 dk 2 m0
gde je g ( E ) g * ( E ) / V . Ukupan broj elektrona u posmatranom kristalu zapremine V je:
Po analogiji sa drugim delom izraza (1.111), formulu (1.110) možemo prikazati na sledei
nain:
Ne 2 ³ g ( E ) f FD ( E )dE 2V
*
³ g(E) f FD ( E )dE (1.106)
(E) (E) d 2E =2
dk 2 k k0 m*
a koncentracija elektrona iznosi: (1.112)
1 1 d 2E

n 2 ³ g ( E ) f FD ( E )dE (1.107) m* = 2 dk 2 k k0
(E)
Odnosno, mozemo pisati:
Koncentracija se može izraunavati na osnovu izraza (1.107) i (1.97), oba izraza dae naravno =2
G E (k ) E (k0 ) (k-k0 ) 2 (1.113)
isti rezultat. Ako se koristi izraz (1.97), potrebno je znati zavisnost E (k ) , pa zatim izvršiti 2m*
trostruku integraciju. Izraz (1.107) je pogodan ako je poznata zavisnost g (E ) jer izraunavanje
G gde je m* veliina koju nazivamo efektivna masa i ona je pozitivna ako funkcija E (k ) ima
zahteva samo jednostruku integraciju. Ako se meutim zna samo E (k ) , tada je broj potrebnih
minimum u taki k0 . Za k0 0 , funkcija E (k ) dobija oblik paraboline zavisnosti koji je
integracija isti kod oba izraza pošto odreivanje g (E ) zahteva dvostruku integraciju.
22 23
potpuno analogan odgovarajuem izrazu za slobodnu esticu: Ponovo, po analogiji uvodimo:

G
= k2 2
w 2 E (k ) =2
E (k ) (1.114) (kD k0D )(k E k0 E ) (kD k0D )(k E k0 E ) (1.120)
2m * wkD wk E G G
k k0 mDE
ukoliko se kao referentni nivo za energiju uzme baš taka minimuma, tj. E (k0 ) 0 . pa relaciju (1.119) možemo napisati u obliku:
Napomenimo da Schrödinger-ova jednaina za elektron u potencijalu U (z ) glasi
G G =2
¦
1
E (k ) E (k0 ) (kD k0D )(k E k0 E ) (1.121)
=2 d 2 < 0 2 mDE
U ( z )< 0 E< 0 (1.115) D , E ( x , y , z )
2m0 dz 2
gde je 1 / mDE komponenta tenzora inverzne efektivne mase. Iz (1.120) sledi da je
gde je m0 masa slobodnog elektrona, dok u aproksimaciji efektivnim masama ima oblik
odgovarajua komponenta ovog tenzora jednaka
G
=2 d 2< 1 1 w 2 E (k )
E< (1.116) (1.122)
2m* dz 2 mDE = wkD wk E
2 G G
k k0
što znai da je u ovom sluaju elektron slobodan ( U ( z ) 0 ), ali sa efektivnom masom

i vrlo važno je napomenuti da se koristi samo tenzor inverzne efektivne mase, tj. veliine
m* z m0 . Pored toga je < 0 ( z ) z < ( z ) . Kao što se vidi iz Schrödinger-ove jednaine u 1 / mD E koje jedine imaju odgovarajui smisao, a da tenzor efektivne mase ne bi imao fiziki
aproksimaciji efektivnim masama, potencijalna energija je konstantna pa je i u k (z ) konstanta,
smisao. Prema tome, izraz (1.121) možemo napisati u formi:
što dalje znai da je koncentracija nezavisna od z, tj. da je u ovoj aproksimaciji izraz za
koncentraciju (1.97) potpuno taan. 1 1 1
mxx mxy mxz ª k x k0 x º
G G G =2 «k k »
E ( k ) E ( k0 ) ªk x k0 x k y k0 y k z k0 z º¼ 1 1 1
2 ¬
Ponovimo sada navedeni postupak za 3D sluaj. Neka se jedan od ekstremuma funkcije E (k ) m yx m yy m yz « y 0y »
G
nalazi u taki k 0 (k0 x , k0 y , k 0 z ) . Tada e u posmatranoj taki ekstremuma važiti: 1 1 1 «¬ k z k0 z »¼ (1.123)
mzx mzy mzz
G G = G G
2 T
1 G G
kG E (k ) G 0 (1.117) ªk k0 º ªk k0 º
2 ¬ ¼ m* ¬ ¼
G
k k0
G
Razviemo funkciju E (k ) u Taylor-ov red u okolini take ekstremuma: Kao što možemo videti na osnovu prethodnog izraza, tenzor inverzne efektivne mase u opštem
sluaju ima oblik:
G
G G G G G G 1 w 2 E (k )
E (k ) E (k0 ) kG E (k ) GG
k k0
(k k0 ) ¦
2 D , E ( x , y , z ) wkD wk E kG G
k0
(kD k0D )(k E k0 E ) ! (1.118) 1
m xx
1
m xy
1
m xz
w2E
wk x2
w2E
wk x wk y
w2E
wk x wk z
1 1 1 1 w2E w2E w2E
m yx m yy m yz wk y wk x wk y2 wk y wk z
(1.124)
m* 1 1 1
Zanemarujui lanove višeg reda, zadržaemo samo prva tri sabirka u ovom razvoju, imajui u m zx m zy m zz
w2E w2E w2E
wk z wk x wk z wk y wk z2
vidu da je drugi sabirak jednak nuli zbog uslova ekstremuma (1.117), pa dobijamo:
G
G G 1 w 2 E (k ) pri emu komponente zadovoljavaju uslov 1 / mDE 1 / mED (simetrinost u odnosu na glavnu
E (k ) | E (k0 ) ¦
2 D , E ( x , y , z ) wkD wk E kG G
k0
(kD k0D )(k E k 0 E ) (1.119) dijagonalu). Ovo je ispunjeno pod pretpostavkom da je posmatrani materijal beskonaan,
homogen i izotropan, što je sluaj na koji smo se ograniili na poetku izlaganja.
24 25
Ukoliko koordinatne ose u k-prostoru postavimo u pravcu glavnih osa ekvienergetskog 1.2.2 GUSTINA STANJA ZA SLUAJ ELIPSOIDNIH I SFERNIH EKVIENERGETSKIH POVRŠINA
elipsoida, tada e vandijagonalni elementi biti jednaki nuli, tj. 1 / mDE 0, D z E , a tenzor
inverzne efektivne mase dobie formu
U sluaju elipsoidnih ekvienergetskih površina zavisnost energije od talasnog vektora je data
1
izrazom (1.126), tj.
m xx 0 0
1
0 1
m yy 0 (1.125) G G = 2 k x2 = k y = 2 k z2
2 2
m* 1 E (k ) E (k0 ) E* (1.129)
0 0 m zz 2mxx 2m yy 2mzz
Ako je u pitanju beskonani poluprovodnik ili dielektrik, uvek se može tenzor 1

predstaviti Ovaj izraz napisaemo u sledeem obliku:
m*
u dijagonalnom obliku (1.125). Meutim ako to nije sluaj (npr. polubeskonani materijal, spoj k y2
k x2 k z2
dva ili više materijala, ...), tada je m1* dato izrazom (1.124), znai i sa vandijagonalnim *
1 (1.130)
2mxx E 2m yy E * 2mzz E *
elementima. =2 =2 =2
Pošto razmatramo beskonani poluprovodnik, tada je zavisnost energije od talasnog vektora, na što predstavlja jednainu elipsoida u normalnoj formi. Ovu jednainu možemo zapisati
osnovu (1.125), data izrazom: skraeno kao:
2
k x2 k y k z2
G G = 2 k x2 = k y = 2 k z2
2 2
1 (1.131)
E (k ) E (k0 ) (1.126) a2 b2 c2
2mxx 2m yy 2mzz
gde veliine a 2mxx E * / = 2 , b 2m yy E * / = 2 , i c 2mzz E * / = 2 predstavljaju poluose
gde se podrazumeva i da je koordinatni poetak u k-prostoru pomeren u taku minimuma, tj. da
je k0 x k0 y k0 z 0 . Ukoliko je ispunjeno mxx m yy mzz m* , tada su ekvienergetske elipsoida (videti Sl. 1.11).
površi sfere, tj. imamo parabolinu zavisnost E (k ) , tj.
G G = 2k 2
E (k ) E (k0 ) (1.127)
2m*
odnosno, u tom specijalnom sluaju efektivna masa postaje skalar:
1
0 0
m*
1 1 1
0
m*
0 I (1.128)
m* 1
m*
0 0
m*
G Sl. 1.11 Elipsoidne ekvienergetske površi

Smisao metoda efektivne mase ogleda se u tome da se složene funkcije E (k ) aproksimiraju
tako da se elektron tretira kao slobodan ali umesto stvarne mase m0 , pripisuje mu se efektivna Zapremina elipsoida u k-prostoru izraunava sa pomou formule:
masa m* - parametar koji nosi informaciju u periodinom potencijalu koji odreuje kretanje
3/ 2
elektrona. Validnost ove aproksimacije zavisi od posmatranog materijala i odabrane zone 4S 4S § 2· 3/ 2
Vk abc ¨ 2¸ mxx m yy mzz E * (1.132)
(provodna ili valentna). Kada su u pitanju elektroni, jasno je da aproksimacija važi samo za 3 3 ©= ¹
vrednosti energije u okolini minimuma zone.
26 27
Deo zapremine koji odgovara intervalu energije ( E , E dE ) nalazimo kao: 1

8S 3 ( E ³const )
dS k
g(E) G
kG E ( k )
(1.139)
4S 2
dVk mxx m yy mzz E * dE (1.133)
G
=3 =2k 2
uzimajui u obzir da je sada E (k ) E (k ) (videti Sl. 1.12).
2m*
Broj stanjaG u ovoj zapremini k-prostora izraunat preko energetske gustine stanja i preko
gustine g (k ) mora biti isti, tako da možemo pisati:
V
g * ( E )dE dVk (1.134)
(2S ) 3
G
Pri izboru referentnog nivoa za merenje energije E (k0 ) E0 0 , iz (1.134) sledi:
V 2
g * ( E )dE mxx m yy mzz E dE (1.135)
2S 2 = 3
Dakle, gustina stanja za elipsoidne ekvienergetske površine ima formu:

Sl. 1.12 Sferne ekvienergetske površi
2 mxx m yy mzz
g (E) E (1.136)
2S 2 =3
Površina ekvienergetskih sfera iznosi
Kod materijala kojima odgovaraju elipsoidne ekvienergetske površi, u okviru I Brillouin-ove
G
zone može postojati više ekvivalentnih minimuma funkcije E (k ) pa se izraz za gustinu stanja Sk 4Sk 2 (1.140)
(1.136) mora pomnožiti brojem tih minimuma koji emo obeležiti sa A, kako bi se uraunali
svi elektroni sa energijom u okolini posmatranog minimuma. Prema tome, konaan oblik a takoe je
izraza za gustinu stanja glasi:
G = 2k
3/ 2 kG E ( k ) (1.141)
2 ( mg n ) m*
g (E) Ag A 1 ( E ) E (1.137)
2S 2
= 3
Zamenom u (1.139) dobijamo:

gde parameter mg n A2 / 3 3 mxx m yy mzz predstavlja prividnu masu gustine stanja i uvodi se
1 m* 1 m*
radi analogije sa sluajem sfernih ekvienergetskih površina (npr. ASi 6 , AGe 4 ). Naime, ako
G
g(E) dS k
8S 3 = 2 k ( E const )³ 8S 3 = 2 k
Sk (1.142)
je mxx m yy mzz m* , funkcija E (k ) ne može imati više ekvivalentnih minimuma (tj. A 1 )
i formula (1.136) postaje: i konano:
2 ( m* ) 3 / 2 2 ( m* ) 3 / 2
g (E) E (1.138) g (E) E (1.143)
2S 2 = 3 2S 2 = 3
Prethodni izraz mogli smo dobiti i polazei od opšteg izraza za energetsku gustinu stanja Napomenimo da se sferne ekvienergetske površine sreu npr. kod GaAs, a elipsoidne npr. kod
(1.105), tj. Si i Ge, za dovoljno male vrednosti energija u okolini odgovarajuih minimuma.
28 29
1.2.3 KONCENTRACIJA ELEKTRONA U SLUAJU ELIPSOIDNIH I SFERNIH Zamenom sledeih bezdimenzionalnih veliina:
EKVIENERGETSKIH POVRŠINA
E EF
x , K (1.146)
k BT k BT
Prilikom izraunavanja koncentracije polazimo od izraza (1.107), odnosno
u (1.145) dobijamo
n 2 ³ g ( E ) f FD ( E )dE (1.144) 3/ 2 f
§ 2 m g n k BT · x
(E) n 4S ¨¨
© h
2 ¸¸
¹
³e
0
x K
1
dx (1.147)
gde emo za gustinu stanja koristiti prethodno izvedenu formulu (1.137), ali uz napomenu da
ovakva zavisnost, tj. srazmera sa E , ima ogranienu oblast primene na energije u okolini Ovaj izraz se uobiajeno zapisuje u obliku
minimuma funkcije E (k ) . Dakle, ovaj izraz za gustinu stanja važi samo do onih vrednosti
energija gde se u Taylor-ovom redu (1.118) mogu zanemariti lanovi višeg reda od kvadratnog, 2
n Bc F1/ 2 (K ) (1.148)
a za vee energije, zavisnost g (E ) gubi oblik korene funkcije. Meutim, ono što nam S
omoguava da ipak izvršimo integraciju u izrazu (1.144) na celom opsegu energija od interesa,
je injenica da Fermi-Dirac-ova funkcija kojom množimo g (E ) jako brzo opada se porastom gde konstanta
3/ 2
energije i praktino anulira podintegralnu funkciju pri veim energijama (videti Sl. 1.13). § 2Smg n k BT ·
Prema tome, greška koju pravimo primenom formule (1.144) postaje veoma mala, a oblik Bc 2¨¨ ¸¸ (1.149)
© h2 ¹
podintegralne funkcije nam omoguava još jednu aproksimaciju – pomeranje gornje granice
integracije u taku f (strogo govorei, gornju granicu treba da predstavlja maksimalna
energija u posmatranoj zoni). ima smisao gustine stanja svedene na dno provodne zone, a
f
x
F1/ 2 (K ) ³e
0
x K
1
dx (1.150)
predstavlja Fermi-jev integral indeksa ½. U opštem sluaju, Fermi-jev integral indeksa i

definiše se na sledei nain:
f
zi
³e
'
Fi ( z0 ) z z0
dz (1.151)
0
1
Detaljnije emo razmatrati dva karakteristina sluaja:
1) sluaj potpune nedegeneracije
Sl. 1.13 Skica a) Fermi-Dirac-ove funkcije i b) podintegralne funkcije u izrazu za U ovom sluaju smatramo da je ispunjen uslov
koncentraciju
EF 0 K 0 (1.152)
Na osnovu prethodnog, izraz za koncentraciju možemo napisati u obliku ali tako da je

e K !! 1 e x K !! 1 e x K 1 | e x K (1.153)
3/2 f
2 ( mg n ) E
n
S 2 =3 ³ E EF dE (1.145)
Praktino, potrebno je da je K 1 da bi greška u izraunavanju F1/ 2 (K ) bila zanemarljiva
0 e kBT 1
(manja od 1%). Fermi-jev integral (1.150) na osnovu ovoga dobija oblik:
30 31
f f
x
F1/ 2 (K ) eK ³
0
x e x dx S K
2 e (1.154) F1/2 (K ) ³e
0
x K
1
dx (1.159)
Zamenom u izraz za koncentraciju (1.148), dobijamo i uvedimo smenu t x K . Integral (1.159) sada postaje:
K
n Bc e (1.155)
f
t K
odnosno,
EF
F1/2 (K ) ³
K
et 1
dt (1.160)
k BT
n Bc e (1.156)
Uslov (1.152) je ispunjen kod izolatora, gde se Fermi-jev nivo EF nalazi u zabranjenoj zoni
ispod pomatrane dozvoljene zone, a takoe i kod poluprovodnika koji nisu suviše jako
dopirani. Fermi-Dirac-ova funkcija raspodele u ovom sluaju izgleda kao na Sl. 1.14.
Sl. 1.15 Sluaj potpune degeneracije
Parcijalnom integracijom izraza (1.160) dobijamo:

3/2 f
2 t K 2 t K e
f 3/2 t
3 ³K (et 1) 2
F1/2 (K ) dt (1.161)
Sl. 1.14 Sluaj potpune nedegeneracije 3 ey 1
K
t K
3/2
2) sluaj potpune degeneracije Prvi sabirak je naravno jednak nuli, dok emo u integralu aproksimirati lan
zakljuno sa linearnim sabirkom po y. Za uticaj kvadratnog lana i opšti oblik podintegralne
U ovom sluaju smatramo da je ispunjen uslov funkcije koji nam dozvoljava da donju granicu integracije pomerimo u f pogledati problem
P.1.41. Dakle, uzimajui:
EF ! 0 K ! 0 (1.157)
3
t K | K 3/2 K 1/ 2 t
3/ 2
ali tako da možemo pretpostaviti 2 (1.162)
e K
1 (1.158) K o f
dobijamo
f f
što je praktino ostvareno za K ! 5 . Tada se Fermi-Dirac-ova funkcija raspodele može 2 et dt et t dt
F1/2 (K ) | K 3/ 2 ³ t K 1/2 ³ t (1.163)
aproksimirati kao na Sl. 1.15b), kao što e biti pokazano u nastavku. 3 f
(e 1) 2 f
(e 1) 2
Posmatrajmo integral Oba integrala su analitiki rešiva, prvi je jednak jedinici a drugi nuli (zbog neparnosti
podintegralne funkcije), što daje:
32 33
2 1.3 BRZINA ELEKTRONA U PROVODNOJ ZONI

F1/2 (K ) | K 3/2 (1.164)
3
G
a to je ekvivalentno kao da smo integraciju (1.159) izvršili samo za x d K , uzimajui u tom Oznaimo sa v̂ kvantno-mehaniki operator brzine. U posmatranom kristalu zapremine V,
intervalu f FD ( x) | 1 , a za x ! K uzimajui f FD ( x) 0 (kao na Sl. 1.15b). Izraz za kvantno-mehanika srednja vrednost ovog operatora definiše se na sledei nain:
koncentraciju je sada oblika
G G
vˆ ³ < vˆ <dV
*
(1.168)
4
n BcK 3 / 2 (1.165) (V )
3 S
odnosno Operator brzine uvešemo preko operatora impulsa:
3/ 2
4 § E ·
n Bc ¨ F ¸ (1.166) G 1 Gˆ
3 S ¨© k BT ¸¹ vˆ
m0
p (1.169)
Ovakva situacija, gde se Fermijev nivo nalazi u posmatranoj dozvoljenoj zoni tako da je gde je m0 masa slobodnog elektrona, a p̂ operator impulsa koji je po definiciji jednak
ispunjen uslov (1.158) javlja se kod metala.
G G
Postoje materijali koji se ne mogu svrstati ni u jedan od ova dva asimptotska sluaja i tada se pˆ i= rG (1.170)
moraju koristiti drugaije aproksimacije za Fermijev integral. Navodimo jedan od primera
aproksimiranja Fermijevog integrala sa tanošu do 1% (videti Sl. 1.16). Prema tome, srednja vrednost operatora brzine se izraunava kao
2S eK , (f,1) G 1 Gˆ i= G
m0 (V³)
° S 1 vˆ p < * rG <dV (1.171)
F1/ 2 (K ) ® 2 0.25 e K , [1,5] (1.167) m0
° 2 K 3/ 2 , (5,f]
¯3 G
Talasne funkcije elektrona u kristalu sa periodninim potencijalom U (r ) dobijaju se
rešavanjem Schrödinger-ove jednaine u obliku:
=2 2 G G G G
< (r ) U (r )< (r ) E< (r ) (1.172)
2m0
odnosno,
G
G 2m
=
> G G
2 < (r ) 2 0 E (k ) U (r ) < (r ) 0 @ (1.173)
Na osnovu Bloch-ove teoreme, talasna funkcija elektrona koji se kree u ovakvom

periodinom potencijalu ima formu:
G G GG
<kG (r ) ukG (r )e ikr (1.174)
Diferencirajmo Schrödinger-ovu jednainu (1.173) po komponenti talasnog vektora k x :
G G G
G
Sl. 1.16 Aproksimacije Fermijevog integrala 2
w<kG (r )
wk x

2m0 wE (k ) G G 2m0
= wk x
2
<k (r ) 2 E (k ) U (r )
=
>
G w<kG (r )
wk x
@ 0 (1.175)
34 35
Na osnovu (1.174) sledi: Pošto je operator Ĥ 0' Hermite-ov operator, onda važi:
G G G
w< (r )
G wu (r )
G GG
G GG wu (r )
G GG
G
e i ixukG (r )ei ei ix<kG (r ) ³ < Hˆ ³ ( Hˆ < )
k k kr kr k kr * ' ' *
(1.176) G AdV G AdV 0 (1.184)
0 0
wk x wk x wk x (V )
k
(V )
k
Primenom Laplace-ovog operatora na (1.176) dobijamo; s obzirom da je Hˆ 0' <kG 0 na osnovu (1.173). Prema tome, jednaina (1.183) postaje
G G G
§ wu G (r ) ikGrG G · § wu G (r ) ikGrG · G w< G (r ) G
2 ¨¨ k e ix<kG (r ) ¸¸ 2 ¨¨ k e ¸¸ ix 2 <kG (r ) 2i k (1.177) w<kG m0 wE (k )
© wk x ¹ © wk x ¹ wx i ³ <kG* dV 0 (1.185)
(V )
wx = wk x
2
Uvešemo sledeu oznaku odnosno,

G
wukG (r ) GG
G
A{ e ik r (1.178) i= w<kG 1 wE (k )
wk x ³<
*
G dV (1.186)
m0 k
wx = wk x
Sada jednaina (1.175) dobija oblik: (V )
G G
G Poreenjem sa (1.171) zakljuujemo da leva strana gornjeg izraza predstavlja x-komponentu
G w< G (r )
ix 2 <kG (r ) 2i k
wx
2m wE (k ) G G 2m0
2 A 20
= wk x
G G
>
<k (r ) 2 E (k ) U (r ) A ix<kG (r ) 0
=
@ Ĝ
srednje vrednosti operatora brzine 2 v { vx , pa je dakle
x
(1.179) G
Pregrupisaemo sabirke na sledei nain: 1 wE (k )
vx (1.187)
= wk x
G G
G 2m
> G G½
@ 2m G ½
ix ® 2 <kG (r ) 2 0 E (k ) U (r ) <kG (r )¾ ® 2 A 2 0 E (k ) U (r ) A¾
= =
> @ Analogno se izvode odgovarajuu izrazi i za druge dve komponente v y i v z , pa je prema tome
¯ ¿ ¯ ¿
G G (1.180) srednja vrednost operatora brzine jednaka
w<kG (r ) 2m0 wE (k ) G
2i 2 <k (r ) 0
G
wx = wk x G G 1GG G
vˆ { v E (k ) (1.188)
= k
U prvoj vitiastoj zagradi prepoznajemo izraz (1.173) pa je taj sabirak oigledno jednak nuli.
Definišimo operator koji je slian Hamiltonian-u i izveden je iz njega, u obliku: G G
Izraz (1.188) važi za bilo kakvu zavisnost E (k ) . U takama ekstremuma funkcije E (k )
G G
G
2m
> G
Hˆ 0' { 2 2 0 E (k ) U (r )
=
@ (1.181)
ispunjen je uslov k E (k ) 0 , što znai da je i srednja vrednost brzine elektrona u tim takama
G
G
k -prostora jednaka nuli.

Na osnovu toga izraz (1.180) možemo skraeno zapisati u formi G
G G G
G kG E (k ) G 0 v ( k0 ) 0 (1.189)
G G
w< (r )
^ `
0
G G 2m wE (k ) G G k k0
ix Hˆ 0' <kG (r ) Hˆ 0' A 2i k
20 <k (r ) 0 (1.182) G G GG
wx = wk x Izraz (1.188) izveden je polazei od talasne funkcije <kG (r ) ukG (r )e ikr . Ako bi se pak pošlo od
G G GG
druge talasne funkcije < kG (r ) u kG (r )e ik r , tada bi se došlo do izraza
Pomnožimo prethodni izraz sa < * i potražimo integral po celoj zapremini V G G G G G
G v kG 1= kG E ( k ) 1= kG E (k ) 1= kG E (k ) vkG , što je i oekivani rezultat.
* w< 2m wE (k )
G
³(V )<kG Hˆ 0 AdV 2i (V³) <kG wxk dV = 20 wk x (V³)<kG <kG dV 0

* ' *
(1.183)

2
U daljem tekstu emo pod pojmom “brzina elektrona” podrazumevati kvantno-mehaniku srednju vrednost
1 operatora brzine pa emo nadalje izostavljati oznaku operatora ˆ i oznaku za usrednjavanje
36 37
1.3.1 KRETANJE ELEKTRONA U SPOLJAŠNJEM POLJU G d ª1 G G º

a E (k )» (1.196)
dt «¬ = k ¼
U skladu sa Ehrenfest-ovom teoremom, možemo relacije izmeu kvantno-mehanikih srednjih ili, razloženo na komponente
vrednosti posmatranih veliina dovesti u formu analognu zakonima klasine mehanike. Npr., u
klasinoj fizici trenutna snaga izražava se kao proizvod spoljašnje sile i brzine elektrona, tj. 1 d § wE · 1 d §¨ wE ·¸ 1 d § wE ·
ax ¨ ¸, ay , az ¨ ¸ (1.197)
G G = dt ¨© wk x ¸¹ = dt ¨© wk y ¸¹ = dt ¨© wk z ¸¹
dE
F v (1.190)
dt
Ove izraze dalje možemo napisati u obliku:
G
U vrstom telu energija elektrona predstavlja funkciju talasnog vektora k , pa emo dakle
G 1 ª w 2 E dk x w 2 E dk y w 2 E dk z º
analizirati funkciju E E (k ) i izraunati njen totalni diferencijal: ax « »
= «¬ wk x2 dt wk x wk y dt wk x wk z dt »¼
G wE wE wE
dE (k ) dk x dk y dk z (1.191)
wk x wk y wk z 1 ª w 2 E dk x w 2 E dk y w 2 E dk z º
ay « » (1.198)
= ¬« wk y wk x dt wk y2 dt wk y wk z dt ¼»
Na osnovu toga sledi:
G 1 ª w 2 E dk x w 2 E dk y w 2 E dk z º
dE (k ) wE dk x wE dk y wE dk z ax « »
(1.192) = ¬« wk z wk x dt wk z wk y dt wk z2 dt ¼»
dt wk x dt wk y dt wk z dt
S obzirom na definiciju komponenti tenzora efektivne mase (1.122), dalje imamo
odnosno
G G 1 dpx 1 dp y 1 dpz
dE (k ) G G dk ax
k E (1.193) mxx dt mxy dt mxz dt
dt dt
Zamenom izraza (1.188) u (1.193) dobijamo 1 dpx 1 dp y 1 dpz

ay (1.199)
myx dt myy dt m yz dt
G G G G
dE (k ) G dk G d (=k ) G d ( p) G G
=v v v vF (1.194)
dt dt dt dt 1 dpx 1 dp y 1 dpz
az
G mzx dt mzy dt mzz dt
G
gde p =k predstavlja impuls. Podsetimo se da podrazumevamo da su sve veliine
predstavljene kvantno-mehanikim srednjim vrednostima po celokupnom prostoru. Izraz G G
dp
(1.194) je u potpunoj saglasnosti sa izrazom (1.190). Uzimajui u obzir da je F , konano dobijamo izraz za ubrzanje u matrinoj formi:
dt
S druge strane, posmatrajmo formulu za ubrzanje:
ªax º ª m1 1 1 º ª Fx º
G «a » « 1xx m xy m xz
»« »
G dv « m yx
1 1
» « Fy » (1.200)
a (1.195) « y» m yy m yz
dt «¬ a z »¼ « 1 1 1 »«F »
¬ mzx m zy m zz ¼¬ z ¼
koja na osnovu (1.188) postaje
Odavde možemo uoiti analogiju sa II Newton-ovim zakonom iz klasine mehanike, ako
formulu (1.200) krae zapišemo kao:
38 39
G G
a 1
F (1.201) Na nekoj temperaturi T ! 0 K , deo elektrona iz valentne zone e zahvaljujui dovoljnoj
m*
termalnoj energiji uspeti da pree u provodnu zonu ime e se situacija po pitanju popunjenosti
G G zona promeniti. Smatraemo da je ovakva termalna generacija trenutno jedini mehanizam
Naglasimo da ovaj izraz ne možemo napisati u formi F m * a s obzirom da samo veliina
prelaska elektrona iz valentne u provodnu zonu, pa je prema tome broj elektrona koji
1
m*
tj. tenzor inverzne efektivne mase ima odgovarajui fiziki smisao, dok bi m* bila isto popunjava stanja u provodnoj zoni jednak broju upražnjenih mesta koja su oni ostavili u
1 valentnoj zoni.
matematika tvorevina, a u opštem sluaju 1
nije jednako m* .
m* G
Definisemo gustinu struje koja potie od jednog elektrona sa talasnim vektorom k :
Ako posmatramo sluaj elipsoidnih ekvienergetskih površina (videti Sl. 1.11), tako da se
G G G
koordinatne ose u k - prostoru poklapaju sa glavnim osama elipsoida, tada e elementi van G e
jkG evkG kG E (k ) (1.202)
glavne dijagonale biti jednaki nuli (izraz (1.104)). Ukoliko su dijagonalni elementi meusobno =
jednaki (izraz 1.127), tj. ekvienergentske površine sferne, samo u tom (specijalnom) sluaju G
efektivna masa postaje skalar pa možemo napisati m1* 1
I gde je I jedinina matrica i tada gde vkG oznaava kvantno-mehaniku srednju vrednost brzine, a e ! 0 je elementarno
m*
G G naelektrisanje. Podrazumevaemo da se radi o jedininoj zapremini pa otuda izostaje faktor
se izraz (1.201), izuzetno, sme napisati u prepoznatljivom obliku F m* a . 1 / V . Ukupna gustina struje dobija se sumiranjem po svim stanjima zauzetim od strane
G
elektrona, odnosno po svim vrednostima talasnog vektora k koje odgovaraju zauzetim
stanjima:
1.4 POJAM ŠUPLJINA
G G G
J ¦jG
G
k
e ¦
G
vkG (1.203)
k k
U daljem razmatranju ograniiemo se na dve specifine energetske zone u poluprovodniku, i
to poslednju zonu koja je u potpunosti popunjena elektronima na temperaturi apsolutne nule G G
Podsetimo se da je energija parna funkcija talasnog vektora, tj. E (k ) E ( k ) , a brzina
( 0 K ) i prvu narednu zonu koja je potpuno prazna, videti Sl. 1.17. Najviša zona koja je u
neparna funkcija, odnosno:
potpunosti popunjena elektronima na temperaturi apsolutne nule naziva se valentna zona
(engl., valence band), dok se naredna viša zona koja je u istim uslovima potpuno prazna naziva G G
provodna zona (engl., conduction band). Izmeu ove dve zone nalazi se odgovarajua v kG vkG (1.204)
zabranjena zona odnosno energetski procep (engl., energy gap). Najniža energija (dno)
provodne zone obeležava se oznakom E c , dok se najviša energija (vrh) valentne zone kao što je objašnjeno posle izraza (1.189).
obeležava sa E v . Razlika ove dve vrednosti energije daje veliinu energetskog procepa E g , tj.
Pretpostavimo da izraunavamo vrednost izraza (1.203) za valentnu zonu koja je u potpunosti
Eg Ec Ev ! 0 . popunjena elektronima. Tada e suma po svim vrednostima talasnog vektora, s obzirom na
G
simetrinost vrednosti k (videti npr. Sl. 1.7 koja ilustruje jednodimenzionalni sluaj) biti
jednaka nuli, tj. ukupna gustina struje bie jednaka nuli:
G G
J e ¦
G
vkG 0 (1.205)
k
S druge strane, posmatrajmo situaciju kada valentna zona nije u potpunosti popunjena ali je
uzrok delimine nepopunjenosti iskljuivo termalna generacija (ne postoji nikakvno spoljašnje
polje, ve elektroni prelaze u provodnu zonu zahvaljujui dovoljnoj termalno energiji). Tada e
G
simetrija popunjenosti stanja po k ostati ouvana, tj. ako je popunjeno stanje koje odgovara
G G
nekoj vrednosti k , bie popunjeno i stanje k , pa e ukupna gustina struje i dalje biti jednaka
nuli. Meutim, ukoliko je prisutno spoljašnje polje koje doprinosi prelasku elektrona iz
Sl. 1.17 Šematski prikaz provodne i valentne zone u poluprovodniku valentne u provodnu zonu, tada e ova simetrinost biti narušena i ukupna gustina struje
40 41
postae razliita od nule. Da bismo analizirali ovaj poslednji i najvažniji sluaj (delimino stanja možemo smatrati fiktivnim esticama ije je naelektrisanje suprotnog znaka od
popunjena provodna zona, tj. postojanje nepopunjenih stanja u valentnoj zoni, ali u prisustvu naelektrisanja elektrona dok im je brzina ista, a nazivamo ih šupljine (engl., hole). To su
spoljašnjeg polja), uvešemo nekoliko pomonih veliina na sledei nain: kvaziestice koje fiziki ne postoje ve predstavljaju model za jednostavnije tretiranje
elektronskog transporta kroz valentnu zonu.
G
G °1, ako je stanje opisano sa k zauzeto elektronom
Q n (k ) ® G (1.206a) Definisaemo sada fluks ukupne energije kako bismo uspostavili relaciju izmeu totalne
°̄0, ako stanje opisano sa k nije zauzeto elektronom energije elektrona i šupljina, a zatim emo dati izraz za izraunavanje koncentracije šupljina.
Fluks ukupne energije napisaemo na sledei nain:
G
G °0, ako je stanje opisano sa k zauzeto elektronom G G
Q p (k ) ® G
G
°̄1, ako stanje opisano sa k nije zauzeto elektronom
(1.206b) * ¦Q G n (k ) Etot n vkG (1.211)
k
G G
Ove dve veliine služe kao indikatori zauzetosti posmatranog stanja od strane elektrona i U ovom izrazu lan Etot n E (k ) eM (r ) oznaava totalnu energiju elektrona, gde drugi
oigledno je da su to komplementarne veliine:
sabirak reprezentuje neku dodatnu potencijalnu energiju koja potie od primene spoljašnjeg
G G G polja. Iskoristiemo sada vezu (1.207), što daje
Q n (k ) Q p (k ) 1, k (1.207)
G G G G G
Ukupnu gustinu struje elektrona sada možemo da izrazimo na sledei nain:
* ¦ 1 Q
G
k
p
(k ) ª¬ E (k ) eM (r ) º¼vkG
G G G 0 G G G G
(1.212)
G
J e¦
G G
Q n (k )vkG e¦
G G
1 Q p (k ) vkG (1.208) ¦G ¬ª E (k ) eM (r ) ¼ºvkG ¦G Q p (k ) ª¬ E (k ) eM (r ) º¼vkG
G G k k
k k
G G G
Na ovaj nain se sumiranje vrši po svim moguim stanjima tj. vrednostima k , pri emu Zbog parnosti funkcije E (k ) i neparnosti brzine vkG , prilikom sumiranja po svim moguim
G
nepopunjena stanja ulaze sa težinom 0, tako da ukupni zbir ostaje nepromenjen u odnosu na stanjima (simetrine granice po k ), prvi sabirak u gornjem izrazu se anulira. Ukupan fluks
izraz (1.203) gde se sumiranje vrši samo po popunjenim stanjima. možemo sada predstaviti na sledei nain:
Izraz (1.208) izraz možemo dalje razviti u obliku:

G G G G G G G
G G G G G * ¦ Q p (k ) ª¬ E (k ) eM (r ) º¼vkG ¦Q (k ) ª¬ Etot n º¼vkG (1.213)
G 0 G G p
J e ¦
G
vkG e¦
G
Q p (k )vkG e¦
G
Q p (k )vkG (1.209) k k
k k k
Pošto se sumiranje sada vrši po nepopunjenim stanjima (stanjima koja “zauzimaju” šupljine),
gde se sada sumiranje vrši po nepopunjenim stanjima uz promenu znaka naelektrisanja. Prvi sledi da i odgovarajua energija u izrazu za fluks predstavlja totalnu energiju šupljina Etot p ,
sabirak u (1.182) se anulira iz razloga simetrije jer je analogan sluaju potpuno popunjene
pa se gornji izraz može prikazati kao
zone. Uporeujui (1.208) i (1.209) zakljuujemo sledee:
G G G
G
J e ¦
G G
Q n (k )vkG e¦
G G
Q p (k )vkG (1.210)
* ¦Q
G p (k ) Etot p vkG (1.214)
G G k
k k
odakle jednostavno zakljuujemo da je totalna energija šupljina jednaka negativnoj vrednosti

Dakle, sa stanovišta izraunavanja ukupne gustine struje potpuno je ekvivalentno da li
totalne energije elektrona (u valentnoj zoni):
sumiranje sprovodimo po stanjima koja su popunjena elektronima, uzimajui u obzir njihovo
stvarno naelektrisanje e , ili po nepopunjenim stanjima tretirajui ih kao da imaju pozitivno
naelektrisanje. Jasno je da je ovaj drugi nain izraunavanja daleko pogodniji za valentnu zonu Etot p Etot n (1.215)
jer je ona u praksi skoro potpuno popunjena elektronima, tj. broj “praznih” stanja je prilino
mali pa ih je mnogo lakše “prebrojati” prilikom sumiranja. Ovako definisana nepopunjena
42 43
1.4.1 IZRAUNAVANJE KONCENTRACIJE ŠUPLJINA prethodnom izlaganju je zakljueno da je mnogo pogodnije valentnu zonu tretirati analizom
šupljina, ija energija je suprotnog znaka od energije elektrona, pa se dakle izraunava u formi
Razmotriemo sluaj kada su disperzione relacije (zavisnost energije elektrona od talasnog G =2k 2 =2 k 2
vektora) paraboline, i u provodnoj i u valentnoj zoni, kao što je prikazano na Sl. 1.18. E p (k ) Eg Eg (1.218)
2( mn*v ) 2m*p
Energiju elektrona u provodnoj zoni opisaemo izrazom
G =2 k 2 Parametar m*p ! 0 predstavlja efektivnu masu šupljina u valentnoj zoni. Dakle, ova
En (k ) (1.216)
2mn* reprezentacija šupljinama podrazumeva “estice“ sa pozitivnom vrednošu naelektrisanja i
efektivne mase. Radi jednostavnijeg izvoenja, tj. direktne analogije sa izraunavanjem
koncentracije elektrona u provodnoj zoni, referentni nivo za energiju šupljina pomeriemo u
uzimajui dno provodne zone kao referentni nivo za raunanje energije. Veliina mn*
vrh valentne zone (taka 0 ' na Sl. 1.18), pa izraz za energiju šupljina postaje
predstavlja efektivnu masu elektrona u provodnoj zoni.
G =2 k 2
E p' (k ) (1.219)
2m*p
Napomenimo da ovakav opis valentne zone pomou skalarne efektivne mase u praksi nije
adekvatan i potrebno je ak i u gruboj aproksimaciji koristiti dva parametra (dve “parabole”
koje bi reprezentovale tzv. lake i teške šupljine).Radi jednostavnosti izvoenja privremeno
emo se zadržati na izrazu (1.219) a kasnije objasniti razlike koje nastaju kada se koristi
složeniji izraz za opis valentne zone. Dalji postupak izraunavanja koncentracije šupljine
obavlja se na identian nain kao u poglavlju 1.2. Po analogiji sa (1.107), za koncentraciju
šupljina možemo napisati izraz
p 2 ³ g p ( E p' ) f FDp ( E p' )dE p' (1.220)

(E)
p
gde je g p ( E p' ) energetska gustina stanja za šupljine, a f FD ( E p' ) funkcija raspodele šupljina u
G valentnoj zoni. Gustina stanja ima formu ekvivalentnu sa (1.136)
Sl. 1.18 Ilustracija paraboline zavisnosti E (k ) u provodnoj i valentnoj zoni poluprovodnika
* 3/2
2 (m p )
g p ( E p' ) E p' (1.221)
U odnosu na isti referentni nivo, energija elektrona u valentnoj zoni može se izraziti kao 2S 2 =3
Pošto šupljine predstavljaju odsustvo elektrona, onda je i njihova funkcija raspodele

G =2k 2 komplementarna onoj za elektrone, tj.
Env (k ) Eg (1.217)
2mn*v
f FDp ( E p' ) 1 f FD
n
( E p' ) (1.222)
odnosno,
gde Eg oznaava veliinu energetskog procepa koja se uvek definiše kao Eg Ec Ev , tj.
obavezno je pozitivna, dok je mn*v efektivna masa elektrona u valentoj zoni. S obzirom da 1 1 1
G G f FDp ( E p' ) 1 En EF 1 Eg E 'p EF E 'p Eg EF
(1.223)
valentna zona ima maksimum funkcije E (k ) u taki k 0 (videti Sl. 1.18), prema definiciji e kBT
1 e kBT
1 e kBT
1
parametra efektivne mase (1.112), ova vrednost e biti negativna mn*v 0 . Meutim, u
44 45
K p x K p x K p x K p
Oznaka EF predstavlja, kao i svuda do sada, Fermijev nivo za elektrone koji se uvek izražava e !! 1 e !! 1 e 1 | e (1.229)
u odnosu na energiju dna provodne zone. Prilikom analize provodne zone, pod Fermijevim
nivoom smatrali smo veliinu EF Ec , uz referentni nivo Ec 0 . Ukoliko bismo hteli da Prema tome, Fermijev integral se može aproksimirati vrednošu
definišemo analognu veliinu za šupljine tada bismo prethodni izraz preuredili na sledei Kp
S
nain: F1/2 (K p ) 2 e (1.230)
1 Konano, izraz za koncentraciju u sluaju potpune nedegeneracije dobija oblik:

f FDp ( E p' ) E 'p EFp
(1.224)
e kBT
1 EFp EF E g

Kp
p Bv e Bv e kBT Bv e k BT
(1.231)
gde bi E { Eg EF predstavljao Fermijev nivo za šupljine, odnosno položaj Fermijevog
p
F
nivo izražen u odnosu na vrh valentne zone (uzimajui referentni nivo energije Ev 0 , i pri emu se EF rauna u odnosu na referentni nivo “0” sa Sl. 1.18. Kao što je ve naglašeno,
usmeravajui energetsku osu naniže, Sl. 1.18). Zamenom izraza (1.221) i (1.224) u (1.220) opisivanje valentne zone izrazom oblika (1.219) je veoma neprecizno za uobiajene tipove
dobijamo: poluprovodnika kao što su GaAs, Si, Ge, InSb. Aproksimacija efektivne mase za šupljine po
pravilu nije adekvatna, ali se ipak koristi za kvalitativnu ocenu jer su drugi metodi analize
* 3/2 G
2 (m p ) E 'p daleko složeniji. Nešto precizniji opis zavisnosti E (k ) za npr. GaAs ukljuivao bi tri
³
'
p dE p (1.225)
S2 =3
p
E 'p EF
(E) e k BT
1 parametra tj. tri “paraboline zavisnosti”, koje predstavljaju grane lakih i teških šupljina i
otcepljenu zonu koja potice od spin-orbitne interakcije (nalazi se ispod prethodne dve, kao što
je prikazano na Sl. 1.19).
Uvoenjem smena x E p' k BT i K p EFp k BT , prethodni izraz se svodi na
3/2
§ 2m*p k BT · f
x
p 4S ¨
¨ h 2 ¸¸ ³e x K p
1
dx (1.226)
© ¹ 0
a uobiajeno se zapisuje u obliku
2
p Bv F1/2 (K p ) (1.227)
S
3/2
§ 2S m*p k BT ·
gde je veliina Bv 2¨ ¸¸ ima smisao gustine stanja svedene na vrh valentne zone.
¨ h2
© ¹
Prema definicionom izrazu (1.151), F1/2 (K p ) predstavlja Fermijev integral indeksa ½:
f
x
F1/2 (K p ) ³e 0
x K p
1
dx (1.228)
G
Sl. 1.19 Uprošeni prikaz zavisnosti E (k ) u provodnoj i valentnoj zoni GaAs
koji se može aproksimirati na identian nain kao za elektrone. U sluaju potpune
nedegeneracije, kada je ispunjeno EFp 0 , tj. K p 0 (u odnosu na referentni nivo i smer
Pošto kod najpoznatijih poluprovodnika i jedinjenja u valentnoj zoni imamo i lake i teške
energetske ose za šupljine), imaemo sledee: šupljine, ukoliko zanemarimo otcepljenu zonu, efektivna masa m p u izrazu za koncentraciju
46 47
šupljina iznosi Odavde se direktno može izraziti vrednost energije Fermijevog nivoa u posmatranom sluaju
m 3/2
p m 3/2
pl m 3/2
ph (1.232) Eg3 § m*p ·
EFi k BT ln ¨ ¸ (1.237)
2 4 ¨ mg ¸
© n ¹
gde su m pl i m ph efektivna masa lakih i teških šupljina, respektivno. gde indeks i služi da naglasi da se radi o sopstvenom poluprovodniku. Oigledno je da se na
temperaturi apsolutne nule Fermijev nivo “nalazi” na sredini energetskog procepa i da od
temperature zavisi na približno linearan nain (s obzirom da i efektivne mase u principu zavise
1.5 SOPSTVENI POLUPROVODNIK od temperature). Meutim, i na sobnoj temperaturi vrednost termalne energije je prilino mala,
k BT | 26 meV , a odnos efektivne mase za elektrone i šupljine je reda veliine 10, tako da ceo
drugi sabirak u izrazu (1.237) ima vrednost koja je reda par desetina meV (npr. 20 meV ). S
Kod sopstvenog (nedopiranog) poluprovodnika, koji se nalazi na nekoj temperaturi T z 0 K ,
druge strane, veliina energetskog procepa kod veine standardnih poluprovodnika (Si, Ge,
mehanizam termalne generacije doveše do prelaska odreenog broja elektrona iz valentne u
GaAs) je reda veliine 1eV (videti Tabelu 1), tako da se drugi sabirak ak i na sobnoj
provodnu zonu. Jasno je da je u ovim uslovima koncentracija elektrona u provodnoj zoni
temperaturi praktino može zanemariti u odnosu na prvi 3 . Dakle, položaj Fermijevog nivoa
jednaka koncentraciji šupljina u valentnoj zoni. Pretpostavimo da su ispunjeni uslovi potpune
kod sopstvenog poluprovodnika približno odgovara sredini izmeu dna provodne zone i vrha
nedegeneracije, odnosno da se Fermijev nivo nalazi u energetskom procepu, i tada se
valentne zone:
koncentracije elektrona i šupljina mogu izraziti formulama:
Eg
n Bc eK (1.233a) EFi | (1.238)
Eg 2

Kp K k BT
p Bv e Bv e e (1.233b)
k što je ilustrovano na Sl. 1.20.
Kao što je objašnjeno, poluprovodnik je elektrino neutralan i ove koncentracije su meusobno
jednake
n p ni (1.234)
a njihova vrednost zove se sopstvena (ili intrinzina, engl., intrinsic) koncentracija i

obeležava se sa ni . Izjednaavanjem izraza (1.233a) i (1.233b) dobijamo
Kp
Bc eK Bv e (1.235a)
odnosno, Sl. 1.20 Položaj Fermijevog nivoa kod sopstvenog poluprovodnika

EF EFp
Bc e k BT
Bv e k BT Vrednost sopstvene koncentracije n p ni , pod pretpostavkom da je poluprovodnik idealno
ist (bez dodatka bilo kakvih primesa) i totalno nedegenerisan, izraunavamo množenjem
2 EF E g izraza (1.205a) i (1.205b):
Bv
e k BT
(1.236)
Bc
Eg
K K p k BT
ni2 Bc Bv e Bc Bv e (1.239)
3/2 2 EF E g
§ m*p ·
¨ ¸¸ e k BT
¨ mg
© n ¹ 3
Ovo je opravdano prilikom izraunavanja EFi ; meutim ako se u nekoj relaciji pojavljuje izraz tipa e
EFi / k BT
tada se drugi sabirak ne sme automatski zanemariti.
48 49
G
gde se podrazumeva da je Eg Ec Ev ! 0 . Odavde sledi:
Eg
E p (k )
=2
2m0

J 1k 2 r 4J 22 k 4 12(J 32 J 22 )(k x2 k y2 k y2 k z2 k z2 k x2 (1.242)

2 k BT
ni Bc Bv e (1.240)
gde se znak “+“ odnosi na lake a znak “-“ na teške šupljine (videti Sl. 1.19). Problem je
odnosno, najjednostavnije rešavati u sfernom koordinatnom sistemu pa emo zameniti k x k sin T cos M ,
Eg ky k sin T sin M , k z k cos T , gde T > 0, S @ , M > 0, 2S @ , k > 0, f) . Na osnovu toga
§ 2S k BT ·
3/2

m m
3/4
* 2 k BT
ni 2¨ 2 ¸ p gn e (1.241) dobijamo:
© h ¹
Zavisnost sopstvene koncentracije od temperature je dominantno odreena poslednjim

iniocem, dakle približno eksponencijalno raste sa porastom temperature. S druge strane pošto
E p 1,2 (k ,T , M )
=2k 2
2m0
J 1 r 2J 2 1 : sin 4T cos 2M sin 2M sin 2T cos 2T (1.243)
se sopstvena koncentracija poluprovodnika može ekperimentalno izmeriti, na osnovu toga,
preko izraza (1.241) mogue je odrediti veliinu energetskog procepa na datoj temperaturi. gde je : 3 J 32 J 22 1 . Koncentraciju šupljina u jednoj grani valentne zone (za lake ili teške
Vrednosti energetskog procepa, sopstvene koncentracije i efektivne mase elektrona za nekoliko
najpoznatijih poluprovodnika prikazane su u Tabeli 1.1. šupljine) izraunavamo na osnovu izraza
1 G
³
E
Iz izraza (1.241) vidi se da je sopstvena koncentracija proporcionalna sa exp 2 kBgT . p1 f FD ( k ) dk x dk y dk z (1.244)
4S 3 G
(k )
Vrednosti energetskog procepa za veinu poluprovodnika su reda 1 eV. Ako posmatramo Ep
G
E1 ( k )
vrednost Eg 1 eV na odreenoj temperaturi, tada e promena Eg od svega 1% prouzrokovati G F
Pretpostavljajui sluaj totalne nedegeneracije f FD ( k ) | e k BT

, gde je EFp E g EF , a
promenu ni od
21% na sobnoj temperaturi, odnosno 210% (
dva puta vea vrednost) na
EF Fermi-jev nivo izražen u odnosu na dno provodne zone, i prelazei na sferne koordinate,
temperaturi tenog azota (77 K). Energetski procep se može odrediti sa konanom tanošu, pa
je gornje izlaganje ujedno i objašnjenje zašto se podaci o sopstvenoj koncentraciji pojedinih dobijamo
poluprovodnika u literaturi znaajno razlikuju. Ep
F f S 2S
1 E1 ( k ,T ,M )
³ T³ M³ e k 2 sin T dk dT dM

p1 e k BT k BT (1.245)
Sopstvena 4S 3
k 0 0 0
Relativna
Energetski procep Prividna masa gustine koncentracija n
Poluprovodnik stanja mgn, [m0] i dielektrina
na 300 K , [eV] -3 Prema tome, ukupna koncentracija šupljina u valentnoj zoni po ovom modelu iznosi:
na 300 K, [cm ] konstanta
Ge 0.66 0.55 2.33·1013 16 p p1 p2
Si 1.12 1.08 1.5·1010 11.9 Ep
1 F
ª f S 2S E1 ( k ,T ,M ) f S 2S
E2 ( k ,T ,M ) º
GaAs 1.42 0.067 1.84·106 12.9 e kBT « ³ ³ ³ e kBT k 2 sin T dk dT dM ³ ³ ³ e kBT k 2 sin T dk dT dM »
4S 3
¬« k 0 T 0 M 0 k 0T 0M 0 ¼»
Ep
Tabela 1.1 Vrednosti odabranih parametara za Ge, Si i GaAs, 4 1 F
e kBT > I1 I 2 @
4S 3
Izvešemo takoe i izraz za sopstvenu koncentraciju u sluaju kada je valentna zona opisana (1.246)
G G
složenijom zavisnošu od one date izrazom (1.219). Prema takozvanom k p modelu, Odrediemo prvo vrednost integrala I1 , zamenjivanjem zavisnosti energije od talasnog vektora
zavisnost energije šupljina od talasnog vektora u blizini ekstremuma valentne zone u taki
G u formi (1.243):
k 0 , data je sledeom formulom:
f S 2S
=2 k 2
J 1 2J 2 ) (T ,M )
³ T³ M³ e k 2 sin T dk dT dM

I1 2 m0 k BT (1.246)
4 rd k 0 0 0
Vrednosti parametara su preuzete iz 1) S.M.Sze and Kwok. K. Ng, “Physics of semiconductor devices”, 3 Ed.,
Wiley-Interscience, 2006. i 2) J. Singh, “Semiconductor Devices: basic principles”, Wiley, 2000.
50 51
gde je ) (T , M ) ªJ 2J 1 : sin 4T cos 2M sin 2M sin 2T cos 2T º / J 2J . Uzimajui u Sopstvena koncentracija dobija se kao ni np , što daje
¬« 1 2
¼» 1 2
f
³ S / 4a 3/ 2 , a ! 0 , integracija po k e dati:
2 2
obzir da je e a x x 2 dx 3/ 2 Eg
§ kT ·
m
0
mLH R1 mHH
3/4 3/ 2 3/2 2 k BT
ni 2¨ B 2 ¸ R2 e (1.253)
© 2S = ¹
gn
3/ 2
S§ ·
2m0 k BT
S 2S
sin T dT dM
I1 ¨ ¸
4 ©¨ = 2 J 1 2J 2 ¹¸ ³ ³ >)(T , M )@ 3/ 2
(1.248)
T 0M 0 Ukoliko je J 2 J 3 , odnosno : 0 , sledi R1 R2 1 , a izraz za sopstvenu koncentraciju
dobija uobiajeni oblik. Interesantno je uporediti rezultate dobijene primenom izraza (1.253) sa
Uvešemo oznaku mLH { m0 J 1 2J 2 i zameniti rezultat (1.248) u (1.245), što daje rezultatima koji se dobijaju korišenjem obine paraboline zavisnosti za valentu zonu.
Posmatrajmo kolinik:
3/2 Ep
§m k T ·
F
p1 2 ¨ LH B2 ¸ e kBT R1 (1.249a)
mLH R1 mHH R2
3/ 2 3/2
© 2S = ¹ 4
ni
(1.254)
ni0 mLH mHH
3/2 3/2
S 2S
1 sin T dT dM
R1
4S ³ ³ >)(T , M )@
T 0M 0
3/2
gde je ni odreeno na osnovu (1.253), a ni0 ni ( R1 R2 1) . Vrednosti 4 za neke od naješe

(1.249b)
S 2S
J 1 2J 2 sin T dT dM
3/2
korišenih poluprovodnika date su u Tabeli 1.2.
³ ³
T 0M 0 ªJ 2J 1 : sin 4T cos 2M sin 2M sin 2T cos 2T º
3/2
«¬ 1 2 »¼
Poluprovodnik Ge Si GaAs AlAs InAs AlP InP GaSb AlSb InSb
Na slian nain dolazimo do izraza za koncentraciju u drugoj grani:
1.44 1.34 1.47 1.38 1.32 1.34 1.37 1.55 1.37 1.38
3/ 2 Ep
§m k T ·
F
k BT
p1 2 ¨ HH B2 ¸ e R2 (1.250a)
© 2S = ¹ Tabela 1.2 Vrednosti konstatne definisane izrazom (1.254) za nekoliko poluprovodnika
S 2S
J 1 2J 2 sin T dT dM
3/2
1 1.6 VRSTO TELO KONANIH DIMENZIJA. POVRŠINSKA STANJA
R2
4S ³ ³
T M 0 0 ªJ 2J 1 : sin 4T cos 2M sin 2M sin 2T cos 2T º
3/2
(1.250b)
¬« 1 2
¼»
U dosadašnjim razmatranjima pretpostavljali smo da je vrsto telo idealno, beskonanih
dimenzija i da je kristalna rešetka strogo periodina. Pokazuje se da bi svako narušavanje
gde je mHH { m0 J 1 2J 2 . Ukupna koncentracija šupljina prema tome iznosi: peridinosti rezultovalo pojavom diskretnih stanja u zabranjenim zonama. Mi emo ovde
analizirati samo jedan specifian sluaj: polubeskonani kristal – polubeskonani vakuum.
3/2 E g EF
§ kT · k BT ª mLH 3/ 2 R1 mHH 3/2 R2 º Jasno je da u realnosti vrsto telo ne može biti beskonano i da je na graninoj površini
p 2¨ B 2 ¸ e (1.251)
© 2S = ¹ ¬ ¼ periodinost narušena pa se moraju koristiti drugaiji granini uslovi. Razmotriemo uticaj
granine površine na elektronsku strukturu. Posmatraemo vrsto telo sa jednom graninom
površinom u ravni z 0 , tj. “polubeskonano vrsto telo”, kao što je prikazano na Sl. 1.21.
dok je koncentracija elektrona jednaka Smatramo da se ovakvo vrsto telo granii sa vakuumom (leva polovina prostora, za vrednosti
3/2 EF koordinate z 0 ). Pretpostaviemo da se daleko od razdvojne površine (velike vrednosti
§ kT ·
m
3/2
n 2¨ B 2 ¸ e k BT (1.252) z ! 0 ) uticaj te površine ne osea i da su u važnosti periodini granini uslovi, a naravno da je
© 2S = ¹
gn
u okolini ravni z 0 situacija bitno izmenjena i mora se detaljnije razmatrati.
52 53
Pretpostavljamo da je daleko od površine energetski spektar elektrona zonski, sa istim

položajem dozvoljenih i zabranjenih zona kao kod idealnog beskonanog kristala iz ranijih
razmatranja. Vakuum opisujemo konstantnom vrednošu potencijalne energije U 0 , a
rezultujui spektar energija je ilustrovan na Sl. 1.22.
1.6.1 TAMOVSKA STANJA
Da bismo odredili dozvoljene energije elektrona u sistemu vakuum – polubeskonani kristal,

rešavaemo standardnu Schrödinger-ovu jednainu:
Sl. 1.21 Polubeskonano vrsto telo d 2 < ( z ) 2m0

2 > E U ( z )@ < ( z ) 0 (1.255)
dz 2 =
Ovakav model polubeskonanog vrstog tela kao što je prikazan na Sl. 1.21, analizirao je I. E.
Tamm 1932. godine, polazei od Kronig-Penney-jevog pravougaonog modela (videti probleme Bitno je napomenuti da emo se u daljem razmatranju ograniiti iskljuivo na vrednosti
1.1-1.5) i prikazao uticaj granine površine na elektronska stanja. Kao što emo pokazati, uticaj
energija ispod vakuumskog nivoa, tj. E U 0 , i to na one oblasti energija koje odgovaraju
površine ogleda se u egzistenciji dodatnih diskretnih stanja u okviru odreenih zabranjenih
zona idealnog kristala. Potencijalnu energiju polubeskonanog kristala šematski emo prikazati zabranjenim zonama. Tretiranje svih oblasti je veoma složeno i izlazi iz okvira ovog teksta.
kao na Sl. 1.22. Deo spektra koji razmatramo, u malo opštijoj formi od one sa Sl. 1.22, prikazan je na slici 1.23,
gde sada smatramo da se granina površina nalazi u proizvoljnoj ravni z z0 , kao i da u se
posmatranom opsegu energija može nalaziti više zabranjenih zona u zavisnosti od parametara
strukture.
Sl. 1.23 Profil potencijalne energije u modelu polubeskonanog vrstog tela za oblast energija
ispod vakuumskog nivoa; n je redni broj zabranjene zone, a m redni broj periode
Pretpostavimo u prvom trenutku da je 1D kristal idealno periodian na celom domenu

(f, f) . Tada je u opsegu z [d / 2, d / 2] talasna funkcija data izrazom (1.8):
Sl. 1.22 Energetski spektar polubeskonanog vrstog tela
54 55
<( z) Ay p ( z ) By n ( z ) (1.256) f (E) 1

° tanh ½°
® ¾
¯°coth ¿°

kI d
2
f (E) 1
F (E) (1.263)
Veza izmeu konstanti A i B je prema (1.12a) oblika
Kombinujui (1.261) i (1.263) dolazimo do transcendentne jednaine za energiju diskretnih
Ay p ( d / 2) By n ( d / 2) >
e ikd Ay p ( d / 2) By n ( d / 2) @ (1.257) stanja:
y p ( d / 2, E ) f ( E ) 1
nS ik , ( k ! 0 ), n 0,1, 2,! , kao što je ve y p' ( z0 , E ) f ( E ) 1 yn' ( z0 , E )
N (E)
yn ( d /2, E )
vodei rauna da je u zabranjenim zonama k I I (1.264)
d y p ( z0 , E )
y p ( d / 2, E ) f ( E ) 1
yn ( z 0 , E )
f ( E ) 1
pokazano. Imajui u vidu prethodne izraze, talasna funkcija u domenu z [ d / 2, d / 2] se
yn ( d /2, E )
može napisati u formi:

Ovu jednainu treba rešavati za sve energije E [0,U 0 ] , osim za energije koje pripadaju
dozvoljenim zonama. Neka su rešenja jednaine (1.264) energije E0 , E1 ,!, Ei ,! , Eimax .
<( z) A ª y p ( z)
¬«
y p ( d / 2)
yn ( d / 2) ° tanh °½
® ¾
¯° coth ¿°

kI d
2 yn ( z ) º
¼»
(1.258)
Odredimo sada talasne funkcije koje odgovaraju energijama Ei . Veza izmeu konstanti A i C
dobija se iz uslova neprekidnosti talasne funkcije u z z0 :
gde je ® u parnim zabranjenim zonama ( n 0, 2, 4! ) jednako tanh , a u neparnim
° tanh ½°
¾
¯°coth ¿°
kI d
2
kI d
2
Ce N z0 A ª y p ( z0 ) F ( Ei ) yn ( z0 ) º
y p ( d / 2)
(1.265a)
zabranjenim zonama postaje coth , dok je A kompleksna konstanta. ¬ ¼
kI d yn ( d / 2)
2
AeN z0 ª y p ( z0 , Ei ) F ( Ei ) yn ( z0 , Ei ) º
y p ( d / 2, Ei )
C Ag ( Ei ) (1.265b)
“Ukljuimo” sada vakuum u oblasti z z0 , ( z0 ! 0 ). U taki z z0 veliina logaritamskog ¬ yn ( d / 2, Ei ) ¼
izvoda talasne funkcije mora biti neprekidna
Konano, talasna funkcija se može napisati u obliku:
< '( z ) < '( z )
(1.259) Nz
<( z) z z0
<( z) z z0 ° Ag ( Ei )e , z z0
°
<( z) ® (1.266)
°
U oblasti z z0 talasna funkcija je oblika A ª y ( z md , Ei ) ynp ( d / 2, Eii ) F ( Ei ) yn ( z md , Ei ) º eimS e kI md , z t z0
y ( d / 2, E )
¯° ¬ p ¼
< ( z ) CeN z , N= 2 m0
=2
U 0 E , E U0 (1.260) pri emu je m redni broj periode ( m 0,1, 2,! ), kao što je prikazano na Sl. 1.23. Konstanta A se
dobija na osnovu oubiajenog uslova normiranja:
gde je C kompleksna konstanta. Uslov neprekidnosti logaritamskog izvoda (1.259) sada f
poprima oblik:
³ <( z)
2
dz 1 (1.267)
f
N
y p' ( z0 )
y p ( d /2)
yn ( d /2) (c) tanh y' (z )
kI d
2 n 0
(1.261) Analizirajmo ponašanje talasne funkcije u oblasti z ! z0 . Kao što se vidi iz izraza (1.266)
y p ( z0 )
y p ( d /2)
yn ( d /2) (c) tanh y (z )
kI d
2 n 0
< ( z ) p( z ) e kI d
m
(1.268)
S druge strane, ve je pokazano (relacija (1.36)) da je:
gde je p ( z ) periodina funkcija sa periodom d. Faktor e kI d

m
(1) n cosh(k I d ) f (E) (1.262) odreuje opadanje talasne
funkcije u periodi sa rednim brojem m u odnosu na poetnu periodu ( m 0 ). Jasno je da kada
Pošto je tanh x / 2 >(cosh x 1) / (cosh x 1)@ z o f i m o f , pa i e kI d o 0 , što znai da je talasna funkcija kvadratno integrabilna i da
1/ 2
za x ! 0 , jednostavno se dolazi do izraza: m
odgovara diskretnom stanju.
56 57
Dakle, kao rezultat postojanja granine površine vrstog tela (ukljuivanja vakuuma u taki provodnoj zoni i šupljina u valentnoj zoni poluprovodniku se dodaju odgovarajue primese.
z z0 ) dolazi do promene u energetskom spektru elektrona i pojave dodatnih vezanih stanja u Polazi se od idealnog (istog) materijala, a primesni atomi se ugrauju u kristalnu rešetku u
okviru zabranjenih zona, gde broj i raspored tih stanja zavisi od oblika posmatranog meuprostor izmeu atoma tog osnovnog materijala, narušavajui na taj nain idealnost
periodinog potencijala. Talasne funkcije ovih stanja su lokalizovane u okolini granine kristalne strukture. Koncentracija primesnih atoma je veoma mala u poreenju sa
površine (kao što se ilustrovano na Sl. 1.24 za sluaj z0 0 ), a sama stanja nose naziv koncentracijom atoma osnovnog poluprovodnika ali se pomou njih postiže znaajno
površinska ili tamovska stanja (engl., surface states). poveanje koncentracije elektrona ili šupljina, u zavisnosti od toga koji tip primesa se koristi.
Pretpostavimo da je osnovni materijal poluprovodnik koji pripada IV grupi periodnog sistema

(Si, Ge,...), a da su atomi primesa koje ubacujemo petovalentni (npr. P, As, Sb). Dakle,
primesni atomi imaju u svojoj poslednjih ljusci jedan (valentni) elektroni više u odnosu na
osnovne atome i ovaj tip primesa nazivamo donorskim primesama. Atom primese
modelovaemo po uzoru na model atoma vodonika (videti Sl. 1.25), dok emo sopstveni
poluprovodnik u kome se ta primesa nalazi tretirati kao kontinuum.
Sl. 1.25 Elektron u atomu primese koji se kree u sredini koju ini osnovni poluprovodnik
Kod ovakvog modela, dodatni elektron atoma primese kree se u Coulomb-ovom potencijalu
Sl. 1.24 Talasna funkcija koja odgovara površinskom stanju oblika V (r ) e / (4SH r H 0 r ) , (potencijalna energija iznosi U (r ) e 2 / (4SH r H 0 r ) , e ! 0 ), gde je
H r relativna dielektrina konstanta osnovnog materijala, a r je radijalna koordinata.
Kao što je ve objašnjeno, stepen lokalizacije stanja u okolini ravni z 0 na osnovu (1.266) Pretpostavili smo da važi aproksimacija prema kojoj je “poluprenik orbite“ ovog elektrona
zavisi od veliine parametara N i k I koji diktiraju brzinu eksponencijalnog opadanja talasne (Bohr-ov radijus prema modelu vodonikovog atoma) mnogo vei od meuatomskog rastojanja
u kristalnog rešeci osnovnog materijala i da se zbog toga može primeniti kontinualna
funkcije u vakuumu, odnosno brzinu amortizacije oscilujue funkcije u vrstom telu, aproksimacija osnovnog poluprovodnika preko dielektrine konstante H r H 0 . Energetski nivoi
respektivno.
elektrona u atomu primese se prema Bohr-ovom modelu atoma mogu izraziti kao:
Treba naglasiti da do pojave diskretnih stanja u zabranjenim zonama dolazi uvek kada je
13.6eV m / m0
*
narušena idealna periodinost kristalne strukture (odnosno potencijalne energije), a da su
En (1.269)
talasne funkcije takvih stanja lokalizovane u okolini “nesavršenosti” koja je narušila n 2
H r2
periodinost.
*
gde je m efektivna masa za elektrone u osnovnom poluprovodniku, a n je glavni kvantni
broj. Referentni nivo za energiju je u ovom sluaju dno provodne zone osnovnog materijala, pa
1.7 PRIMESNI POLUPROVODNIK izraz (1.269) predstavlja energiju koja je potrebna da bi se primesni elektron “oslobodio”,
odnosno prešao u provodnu zonu.
Prilikom analize sopstvenog poluprovodnika, pokazali smo kako se izraunava sopstvena Bohr-ov radijus posmatranog elekrona izraunavamo po formuli
koncentracija i utvrdili formu njene zavisnosti od spoljašnje temperature. Numerike vrednosti Hr
pokazuju da je ova koncentracija prilino mala (nekoliko redova veliine manja nego kod rn r0 (1.270)
(m* / m0 )
metala) i vrlo osetljiva na promene temperature. U cilju poveanja koncentracije elektrona u
58 59
gde je r0 | 0.5Å radijus osnovnog nivoa u atomu vodonika. Primera radi, relativna dielektrina Donorski atomi predstavljaju se jednim diskretnim nivoom koji se naziva donorski nivo ( Ed ) i
konstanta GaAs iznosi H r | 13 , a efektivna masa (m* / m0 ) | 0.067 (videti Tabelu 1.1), pa je nalazi se nekoliko desetina meV ispod dna provodne zone. S druge strane, akceptorske atome
drugi inilac u izrazu (1.270) veliine | 200 , odnosno Bohr-ov radijus rn | 100Å , što je modelujemo akceptorskim nivoom ( Ea ) koji se nalazi u energetskom procepu, nekoliko
desetina meV iznad vrha valentne zone. Ovakva reprezentacija primesa diskretnim stanjima
mnogo vee od meuatomskog rastojanja d | 6Å . Prema tome, potpuno je opravdano
dozvoljena je u sluajevima kada je dopiranje umereno tj. kada je koncentracija primesa
korišenje aproksimacije prema kojoj se osnovni poluprovodnik tretira kao kontinuum. Što se
mnogo manja od koncentracije atoma osnovnog poluprovodnika. Ako bi dopiranje bilo
tie energije izraunate na osnovu (1.269), numerika vrednost faktora (m* / m0 ) / H r2 za veinu preveliko i ove koncentracije uporedive, tada se atomi primesa ne bi smeli tretirati diskretno
posmatranih poluprovodnika iznosi 103 , pa je energija potrebna za jonizovanje atoma ve bi formirali sopstveni zonski spektar i analiza takve situacije bila bi veoma složena. U
primese prilino mala (desetak meV, što je manje od termalne energije k BT na sobnoj ovom tekstu razmatraemo iskljuivo plitke primese “normalne“ koncentracije. U tom sluaju,
temperaturi). Dakle, svi atomi primese su praktino jonizovani ve na sobnoj temperaturi i na funkcija raspodele elektrona na donorskom i akceptorskom nivou je Fermi-Dirac-ovog tipa i
taj nain smo kontrolisano poveali koncentraciju elektrona u provodnoj zoni. glasi:
1
f FD ( Ei ) Ei EF
, i d, a (1.271)
S druge strane, osnovni materijal možemo dopirati i trovalentnim primesama (kao što su Ga,
B,...), koje imaju jedan valentni elektron manje od atoma osnovnog materijala i ovakve
1
gi e k BT
1
primese nazivamo akceptorskim. Lako se može pokazati da je u tom sluaju potrebno dodati
gde je gi faktor spinske degeneracije ije su vrednosti:
malu energiju elektronu iz valentne zone (manju od termalne energije), kako bi on napustio
valentnu zonu i prešao na atom primese, ostavljajui za sobom prazno mesto, tj. slobodnu 2, i d
šupljinu, u valentnoj zoni. Pošto su na sobnoj temperaturi svi atomi akceptora jonizovani gi ® (1.272)
(primili su elektron), na ovaj nain smo kontrolisano smo poveali koncentraciju šupljina u ¯1/ 2, i a
valentnoj zoni. Gustina stanja na donorskom i akceptorskom nivou opisuje se Dirac-ovom G funkcijom, s
obzirom da se radi o diskretnim stanjima, g ( E ) G ( Ei E ) , kao što je prikazano na Sl. 1.27.
Prethodna razmatranja odnose se iskljuivo na tzv. plitke primese (engl., shallow impurities),
gde se prisustvo primesnih atoma modeluje jednim nivoom koji se nalazi u blizini za primer donorskih primesa. Gustina stanja za elektrone u provodnoj zoni opisana je izrazom
odgovarajue zone, kao što je prikazano na Sl. 1.26. Sluaj dubokih primesa (engl., deep (1.137). Takasto isprekidana linija na Sl. 1.27 odgovara situaciji kada je koncentracija donora
impurities), gde su odgovarajui primesni nivoi daleko od dna/vrha provodne/valentne zone vrlo velika i tada gustina stanja za elektrone na donorskom nivou znaajno odstupa od G
neemo razmatrati. funkcije.
Sl. 1.27 Gustina stanja kod poluprovodnika dopiranog donorima. Takasta linija ilustruje
Sl. 1.26 Energetski dijagram dopiranog poluprovodnika sluaj vrlo jakog dopiranja
60 61
Kao što je ve navedeno, donorske ili akceptorske primese biraju se tako da formiraju nivoe P A
neposredno ispod dna provodne, odnosno iznad vrha valentne zone, i tada su na sobnoj pa PA f FD ( Ea ) Ea EF
(1.275)
temperaturi sve primese jonizovane. Energija jonizacije primesa je znaajno manja od energije 2e k BT
1
jonizacije atoma osnovnog poluprovodnika (kao što se vidi sa Sl. 1.26). Koncentracija primesa
se bira tako da znaajno prevazilazi sopstvenu koncentraciju osnovnog poluprovodnika ni na pa je koncentracija nejonizovanih akceptora jednaka
sobnoj temperaturi, inae se gubi efekat kontrolisanog poveanja koncentracije slobodnih
nosilaca. S druge strane, mora biti dovoljno manja od koncentracije atoma osnovnog materijala P
pa PA pa A
EF Ea
(1.276)
da se ne bi poremetila osnovna kristalna rešetka što bi dovelo do formiranja komplikovanog
zonskog spektra. Optimalan izbor koncentracije dopanata vrši se posle pažljive analize
1
2 e k BT
1
parametara osnovnog poluprovodnika i primesnih atoma.
Koncentracije elektrona i šupljina izraunavaju se na poznati nain:
EF Ec
1.7.1 KONCENTRACIJA NOSILACA U PRIMESNOM POLUPROVODNIKU n Bc e k BT
(1.277a)
( EF Ec ) Eg
Posmatraemo poluprovodnik dopiran donorima koncentracije N D i akceptorima koncentracije p Bv e k BT
(1.277b)
PA , smatrajui da je raspodela ovih primesa homogena. Atomi donora formiraju donorski nivo
Ed u blizini dna provodne zone, a akceptorski atomi daju nivo Ea neposredno iznad vrha podrazumevajui sluaj potpune nedegeneracije. S obzirom da je osnovni poluprovodnik bio
valentne zone. Odrediemo koncentraciju slobodnih nosilaca (elektrona i šupljina) u razliitim elektrino neutralan, a da smo ga dopirali atomima donora i akceptora koji su takoe bili
temperaturskim opsezima u funkciji parametara osnovnog poluprovodnika i korišenih neutralni, ukupna neutralnost mora biti ouvana pa možemo napisati jednainu neutralnosti u
dopanata. Uvodimo sledee oznake: nd predstavlja koncentraciju nejonizovanih donora, formi:
n pa p nd (1.278)
odnosno koncentraciju elektrona na donorskom nivou. Izraunava se kao proizvod ukupne
koncentracije donorskih primesa ( N D ) i verovatnoe da elektron bude (tj. ostane) na
gde leva strana jednaine predstavlja ukupnu koncentraciju negativnog naelektrisanja, a desna
donorskom nivou (što daje funkcija raspodele ( f FD ( Ed ) ): strana ukupnu koncentraciju pozitivnog naelektrisanja. U razvijenom obliku jednaina
neutralnosti glasi:
N D
EF Ec ( EF Ec ) Eg
nd N D f FD ( Ed ) (1.273) P N
Ed EF
Bc e k BT
A
Ea EF
Bv e k BT
EF Ed
(1.279)
1
e k BT
1
2
2e k BT
1 2e kBT
1
Koncentracija jonizovanih donora (koji su pozitivno naelektrisani s obzirom da je jedan Ulazni parametri koji zavise od izbora osnovnog poluprovodnika su Bc , Bv i Eg , dok primese
elektron otišao u provodnu zonu), prema tome, iznosi:
odreuju vrednosti N D , PA , Ed i Ea , a nepoznata veliina je položaj Fermijevog nivoa EF .
ND Pomou smene x exp ( EF Ec ) / k BT , prethodni izraz se može prevesti u formu jednaine
nd N D nd EF Ed
(1.274)
etvrtog stepena po x ije rešenje je mogue odrediti u analitikom obliku ali je rezultujui
2e k BT
1
izraz vrlo složen i nepregledan. Zbog toga emo izraz (1.279) analizirati u razliitim opsezima
temperature gde je opravdano uvoenje odgovarajuih aproksimacija i zanemarivanje
Dalje, koncentraciju nejonizovanih akceptora oznaiemo sa pa i oni su elektrino neutralni. odreenih lanova, tako da analitiko rešenje rezultujue jednaine ima jednostavniju formu.
Koncentracija jonizovanih akceptora (koji su negativno naelektrisani pošto su primili po jedan Posmatraemo sledee oblasti:
elektron iz valentne zone) odreuje se kao proizvod ukupne koncentracije akceptorskih
primesa ( PA ) i verovatnoe da elektron bude na akceptorskom nivou (tj. doe na taj nivo) 1) oblast vrlo niskih temperatura
( f FD ( Ea ) ):
Pretpostavimo da u posmatranom poluprovodniku dominiraju donorske primese tj. N D ! PA .
Tada e se Fermijev nivo nalaziti negde u blizini dna provodne zone. Prema tome, veliina
62 63
( Ea EF ) 0 ima relativno veliku vrednost, pogotovo kada se podeli faktorom k BT koji je u Koncentracija elektrona se sada može odrediti zamenom (1.282) u (1.277a) i iznosi:
ovom opsegu prilicno mali, pa na osnovu izraza (1.275) možemo smatrati da su svi akceptori
Ed Ec Wd
jonizovani ( pa | 0 ). Dalje, na vrlo niskim temperaturama koje su bliske temperaturi apsolutne N D PA k BT N D PA kBT
n Bc e Bc e (1.283)
nule, koncentracije slobodnih nosilaca odreena prema formulama (1.277a) i (1.277b) bie 2 PA 2 PA
veoma male i možemo ih zanemariti. Dakle, uvodimo sledee aproksimacije:
gde je uvedena oznaka Wd { Ec Ed ! 0 . Iz gornjeg izraza se jasno vidi da koncentracija oštro
n|0
opada sa smanjenjem temperature, tj. n o 0 kada T o 0 . Koncentracija šupljina u ovom
p|0 (1.280) sluaju data je izrazom:
pa | PA
Eg Wd
ni2 2 PBv k BT
p e (1.284)
pa se jednaina neutralnosti svodi na formu pa PA nd , tj.: n N D PA
PA
N D
(1.281) Kako je Eg Wd , ( Eg je reda eV, dok je Wd reda desetak meV), sledi da koncentracija
EF Ed
2e k BT
1 šupljina izrazitije opada sa smanjenjem temperature od koncentracije elektrona.
odakle se može jednostavno izraunati položaj Fermijevog nivoa:

2) oblast niskih temperatura
N PA
EF Ed k BT ln D (1.282) U ovoj oblasti smatramo da je koncentracija elektrona dovoljno porasla tako da se više ne
2 PA može zanemariti, dok su preostale dve aproksimacije iz izraza (1.270) i dalje na snazi. Pošto su
svi akceptorski atomi jonizovani u prethodnoj temperaturskoj oblasti, a koncentracija elektrona
Odavde se vidi da se energija Fermijevog nivoa menja linearno sa temperaturom u zavisnosti se poveala, smatramo da je ispunjeno n !! PA , ali takoe uzimamo i da je n daleko manje od
od odnosa N D i PA , kao što je ilustrovano na Sl. 1.28. koncentracije donorskih primesa tj. da veina donora nije jonizovana. Ove pretpostavke
uobiajeno se zapisuju na sledei nain:
p|0
pa | PA (1.285)
n !! PA , n ( N D - PA )
U ovim uslovima, jednaina (1.279) dobija oblik:
EF Ec
N
Bc e k BT
PA D
EF Ed
(1.286)
2e k BT
1
EF Ec Wd
Uvoenjem oznaka x e k BT
i y e kBT prethodni izraz svodimo formu:
Sl. 1.28 Zavisnost Fermijevog nivoa od temperature u oblasti vrlo niskih temperatura, u ND
funkciji odnosa koncentracija donora i akceptora Bc x PA (1.287)
2 xy 1
ili u preureenom obliku:
64 65
2 xy Bc x PA Bc x PA N D 0 (1.288) nejonizovanih atoma primesa jednake nuli:

n !! PA n ( N PA )
nd | 0 nd | N D
(1.295)
S obzirom da je n Bc x , uz primenu aproksimacija (1.284), gornja jednaina se može pa | 0 pa | PA
uprostiti, tako da postaje:
Jednaina neutralnosti sada dobija oblik:
2 x 2 y PA N D 0 (1.289)
n PA p ND (1.296)
odakle se može izraunati
Iskoristiemo injenicu da su koncentracije elektrona i šupljina povezane sledeom relacijom
N D PA
x (1.290) np ni2 (1.297)
2 yBc
Dalje sledi koja važi i za dopirani poluprovodnik, kao što se može videti na osnovu izraza (1.277a),
EF Ec W
(1.277b) i (1.240). Odavde se (1.296) može dalje napisati kao:
k BT N D PA 2 kBdT
e e (1.291)
2 Bc ni2
n PA ND (1.298)
n
odakle se konano može izraziti vrednost energije Fermijevog nivoa:
Rešavanjem ove kvadratne jednaine dobija se koncentracija elektrona
Wd k BT N D PA
EF Ec ln (1.292) 2
2 2 2 Bc N D PA § N PA ·
n ¨ D ¸ ni
2
(1.299)
2 © 2 ¹
Pošto i parametar Bc zavisi od temperature kao Bc T 3/2 , funkcija EF (T ) e u ovoj
temperaturskoj oblasti za sluaj N D ! 3PA imati maksimum na temperaturi Text , kao što je a prema (1.297) i koncentracija šupljina
prikazano na Sl. 1.30(a). Kada je poznat položaj Fermijevog nivoa može se izraunati i
2
koncentracija elektrona u provodnoj zoni: N D PA § N PA ·
p ¨ D ¸ ni
2
(1.300)
W
2 © 2 ¹
Bc ( N D PA ) 2 kBdT
n e (1.293)
2 U daljoj analizi razlikovaemo dva posebna sluaja
Koncentracija šupljina odreena je izrazom a) oblast srednjih temperatura, koje nisu preterano visoke tako da možemo smatrati da
sopstvena koncentracija elektrona nije previše porasla i da važi:
Eg Wd 2
2 Bc
k BT
p Bv e (1.294) N D PA
N D PA ni (1.301)
2
U sluaju N D 3PA , što se retko sree u praksi, EF (T ) je monotono opadajua funkcija. Ako izraz (1.299) razvijemo u Taylor-ov red i primenimo gornju aproksimaciju, dobijamo
koncentracije elektrona i šupljina u obliku:
3) oblast srednjih i visokih temperatura
U ovoj oblasti temperatura smatramo da su sve primese jonizovane, tj. da su koncentracije
66 67
ni2
n N D PA ! | N D PA (1.302a)
N D PA
ni2 ni2
p | (1. 302b)
n N D PA
Ova oblast temperatura u kojoj važi aproksimacija (1.301) se naziva oblast iscrpljenja i to je
najvažnija oblast rada dopiranog poluprovodnika. Izjednaavanjem izraza (1.302a) i (1.277a)
dolazimo do vrednosti Fermijevog nivoa:
N D PA
EF Ec k BT ln (1.303)
Bc
Sl. 1.29 Kvalitativni oblik zavisnost koncentracije elektrona od temperature
b) oblast visokih temperatura, na kojima je sopstvena koncentracija toliko porasla da je
ispunjeno Zavisnost Fermijevog nivoa od temperature za n-tip poluprovodnika koji smo analizirali (u
kome dominiraju donorske primese tj. N D ! PA ), data je na Sl. 1.30a). Slina razmatranja za p-
N D PA tip poluprovodnika ( PA ! N D ) dovela bi do analognih rezultata koji su ilustrovani na Sl. 1.30b).
ni !! (1.304)
2
Tada se izrazi (1.284) i (1.285) mogu napisati u obliku
N D PA
n ni ! | ni (1.305a)
2
ni2
p | ni (1.305b)
n
Ova oblast temperatura naziva se sopstvena oblast i tu su koncentracije elektrona i šupljina

praktino jednake sopstvenoj koncentraciji pa korišenje dopiranog poluprovodnika u ovom
opsegu nema mnogo smisla u praksi (s obzirom da se dopirani poluprovodnik ponaša vrlo
slino nedopiranom). Fermijev nivo u ovom sluaju ima približno istu vrednost kao kod
sopstvenog poluprovodnika
EF | EFi (1.306)
Sl. 1.30 Zavisnost Fermijevog nivoa od temperature (a) za poluprovodnik n-tipa i (b) za
Prelaz iz oblasti iscrpljenja u sopstvenu oblast je jedan od kriterijuma za maksimalnu radnu poluprovodnik p-tipa
temperaturu, a za dati osnovni poluprovodnik ova granica odreena je veliinom energetskog
procepa, pa se tako npr. prvo dostiže za Ge, pa za Si, i konano za GaAs.
Dijagram zavisnosti koncentracije elektrona od temperature u analiziranim opsezima, skiciran

na osnovu izraza (1.283), (1.293), (1.302a) i (1.305a), prikazan je na Sl. 1.29.
68 69
Zonska teorija vrstog tela – odabrani problemi Zonska teorija vrstog tela – odabrani problemi
1.8 ODABRANI PROBLEMI gde su A, B, C i D integracione konstante. Napisaemo granine uslove za talasnu funkciju u
taki z 0 :
Problem 1.1. Za jednodimenzionalni Kronig-Penney-jev model potencijalne energije, prikazan < (0 ) < (0 ) (P.1.3a)
na Sl. P.1.1, odrediti zavisnost energije elektrona od talasnog vektora (disperziona relacija).

< '(0 ) < '(0 ) (P.1.3b)
Time dolazimo do sledeih jednaina za integracione konstante:
CD A B (P.1.4a)
D (C D) iE ( A B) (P.1.4b)
Dodatne relacije izmeu konstanti dobiemo primeniemo Bloch-ove teoreme (1.43) , na

osnovu koje rešenje Schrödinger-ove jednaine u periodinom potencijalu možemo napisati u
obliku:
<k ( z ) uk ( z )e ikz (P.1.5)

Sl. P.1.1 Kronig-Penney-jev pravougani model (periodine) potencijalne energije
gde je funkcija uk (z ) periodina sa periodom d. Na osnovu toga je

Rešenje: Kronig-Penney-jev model podrazumeva aproksimaciju periodinog potencijala
kristalne rešetke nizom pravougaonih barijera (visine U 0 i širine b) i jama (širina a, ije dno < k ( z d ) uk ( z d )eik ( z d ) uk ( z )eikz eikd < k ( z )eikd (P.1.6)
emu uzeti kao referentni nivo energije). Oblasti jama odgovaraju pozitivno naelektrisanim
jonima kristalne rešetke dok barijere reprezentuju rastojanje izmeu jona. Ovakav Upotrebiemo izraz (P.1.6) da povežemo talasne funkcije u oblastima II ( b d z 0 ) i III
pojednostavljeni profil potencijala omoguava dobijanje rešenja u analitikoj formi. Konstanta ( a d z a b ):
periodinosti strukture iznosi d a b . Problem emo rešavati analizirajui Schrödinger-ovu
jednainu (1.2) u razliitim oblastima i to prvo za opseg energija u podbarijernom deluju < III ( z d ) < II ( z )eikd (P.1.7a)
spektra ( E U 0 ). U oblastima I i II, Schrödinger-ova jednaina se svodi na:
< (z d )
'
III < ( z )e
'
II
ikd
(P.1.7b)
=2 d 2 < ( z )
E < ( z ), 0d za (P.1.1a)
2m0 dz 2 Na osnovu gornjih uslova napisanih u taki z b imamo:
=2 d 2 < ( z ) < (a) < (b)eikd (P.1.7a)

U 0<( z) E < ( z ), -b d z 0 (P.1.1b)
2m0 dz 2
< '(a) < '(b)eikd (P.1.7b)
Opšta rešenja jednaina (P.1.1a) i (P.1.1b) imaju oblik:
Granini uslovi za talasnu funkciju u taki z a glase:
AeiE z Be iE z , E 2 m0 E
, 0d za
° =2
< III (a )
< I (a ) < II (b)eikd < I (a)
<( z) ® (P.1.2) (P.1.8a)
2 m0 (U 0 E )
°CeD z De D z , D , -b d z 0
¯ = 2
< 'III (a ) < 'I (a ) < 'II (b)eikd < 'I (a) (P.1.8b)
70 71
što zamenom (P.1.2) daje:
Ce D b
DeD b eikd AeiE a Be iE a (P.1.9a)
D Ce D b
D DeD b eikd Ai E eiE a Bi E e iE a (P.1.9b)
Jednaine (P.1.4a), (P.1.4b), (P.1.9a), (P.1.9b) ine sistem linearnih homogenih jednaina po
konstantama A, B, C i D, a determinanta tog sistema ima oblik:
1 1 1 1
iE i E D D
(P.1.10)
ei E a e iE a eD b eikd eD b eikd
i E ei E a i E e iE a D e D b eikd D eD b eikd
Da bi sistem jednaina imao netrivijalno rešenje gornja determinanta mora biti jednaka nuli.
Ovaj uslov, posle sreivanja, daje disperzionu relaciju koja povezuje energiju elektrona i Sl. P.1.2 Opšti oblik funkcije f(E) odreen izrazima (P.1.11) i (P.1.14)
talasni vektor k:
D2 E2 Problem 1.2. Elektroni se nalaze u jednodimenzionalnoj kristalnoj rešeci okarakterisanoj

sinh(D b) sin( E a) cosh(D b) cos( E a) cos( kd ), E U0 (P.1.11) funkcijom potencijalne energije U ( z ) , koja je parna periodina funkcija sa periodom d.
2DE
Poznato je da se talasna funkcija može predstaviti u obliku:
Ovaj izraz predstavlja eksplicitnu formu jednaine (1.27) u podbarijernom delu spektra za
pravougaoni (Kronig-Penney-jev) potencijal, iji je opšti oblik glasio <( z) Ay p ( z ) By n ( z ) (P.1.15)
f ( E ) cos(kd ), k \ (P.1.12) gde su y p (z ) i y n (z ) fundamentalno parno i neparno rešenje Schrödinger-ove jednaine koja
zadovoljavaju granine uslove
Posmatrajmo sada oblast energija iznad vrhova potencijalnih barijera ( E ! U 0 ). U tom sluaju
veliina D definisana u (P.1.2) postaje imaginarna, pa emo je zapisati u sledeoj formi: y p (0) 1, y p ' (0) 0 (P.1.16a)
2m0 (U 0 E ) 2m0 ( E U 0 ) y n (0) 0, y n ' (0) 1 (P.1.16b)

D i { iD (P.1.13)
=2 =2
kao i da se disperziona relacija iz koje se odreuju dozvoljene energije može dobiti u formi:
gde je D realna i pozitivna veliina. Imajui u vidu da je sinh(iD b) i sin(D b) i
cosh(iD b) cos(D b) , disperziona relacija (P.1.11) dobija oblik: cos(kd ) y p ( d2 ) yn '( d2 ) y p '( d2 ) yn ( d2 ) f (E) (P.1.17)
D E
2 2
gde k \ . Za specijalan sluaj kada je U ( z ) pravougana funkcija širine jame a i širine
sin(D b) sin( E a) cos(D b) cos( E a ) cos(kd ), E ! U0 (P.1.14)
2DE barijere b, a visine barijere U 0 (Kronig-Penney-jev model kao na Sl.P.1.3), odrediti eksplicitno
funkcije y p (z ) i y n (z ) u oblasti jedne periode, tretirajui posebno podbarijernu ( E U 0 ) i
Sada je mogue prikazati oblik funkcije f ( E ) za sve vrednosti energije koji odgovara nadbarijeru oblast energije. Na osnovu toga, i izraza (P.1.17) izvesti disperzionu relaciju za
konkretnim vrednostima parametara a, b i U 0 , kao što je ilustrovano na Sl. P.1.2. Kronig-Penney-jev model.
72 73
a
Na osnovu graninih uslova (neprekidnosti y p , yn , y p ' i yn ' ) u taki z 2 dolazimo do
vrednosti konstanti C1 , D1 , C2 i D2 , tako da konani oblik parnog i neparnog rešenja
Schrödinger-ove jednaine u desnoj polovini periode glasi:
cos(kw z ), 0 d z d a2
° (P.1.22a)
y p ( z) ®
°̄cos(kw a2 ) cosh[k B ( z a2 )] kwb sin(k w a2 ) sinh[ kb ( z a2 )], dzd
k a d
2 2
k1w sin( kw z ), 0 d z d a2
° (P.1.22b)
yn ( z ) ®
Sl. P.1.3 Parna periodina potencijalna energija-pravougaoni model °̄ kw sin( kw 2 ) cosh[ k B ( z a2 )] k1b cos( kw a2 ) sinh[ kb ( z a2 )],
1 a a
2 dzd d
2
Zamenom u izraz (P.1.17) dolazimo do tražene eksplicitne forme disperzione relacije za

Rešenje: Posmatraemo prvo oblast energija u podbarijernom deluju spektra ( E U 0 ). U Kronig-Penney-jev model koja važi u podbarijernoj oblasti energija:
oviru centralne periode [ d2 , d2 ] , Schrödinger-ova jednaina dobija formu:
kb2 k w2
cos(kd ) cos(k w a )cosh(kb b) sin(k w a )sinh(kb b) F ( E ) , E U0 (P.1.23)
d 2 < ( z ) 2m0 E 2 kb k w
2 < ( z ) 0, z ( a
2
a
, ) (P.1.18a)
dz 2 = 2
S obzirom na definisanu parnost funkcija y p i yn , za levu polovinu periode možemo direktno

d 2 < ( z ) 2m0 (U 0 E ) pisati:
< ( z ) 0, z [ d2 , a2 ] [ a2 , d2 ] (P.1.18b)
dz 2 =2
cos(kw z ), - a2 d z d 0
° (P.1.24a)
Rešenje jednaine (P.1.18a) je oblika: y p ( z) ®
°̄cos(kw 2 ) cosh[kb ( z a2 )] kwb sin(kw a2 ) sinh[kb ( z a2 )], - d2 d z d - a2
a k
<( z) A cos(k w z ) B sin( k w z ), k w z ( a2 , a2 )

2 m0 E
=2
, (P.1.19)
k1w sin( kw z ), - a2 d z d 0
odnosno, parno i neparno rešenje se mogu napisati u formi: ° (P.1.24b)
yn ( z ) ®
°̄ kw sin( kw 2 ) cosh[ kb ( z a2 )] k1b cos( k w a2 ) sinh[ kb ( z a2 )],
1 a
- d2 d z d - a2
y p ( z) A1 cos(k w z ), z ( a2 , a2 ) (P.1.20a)
yn ( z ) B1 cos(k w z ), z ( a2 , a2 ) (P.1.20b)
U nadbarijernoj oblasti ( E t U 0 ), slino kao u izrazu (P.1.13) uvešemo oznaku:
Primenom fundamentalnih graninih uslova (P.1.16a) i (P.1.16b) dolazimo do vrednosti
konstanti, tj. A1 1 , B1 1/ k w . Zbog parnosti potencijala ograniiemo se samo na analizu 2 m0 ( E U 0 )
kb* ikb (P.1.25)
=
2
desne poluperiode [0, d2 ] . Rešenja jednaine (P.1.18b) tražiemo u sledeem obliku:
y p ( z ) C1 cosh[kb ( z a2 )] D1 sinh[kb ( z a2 )] što zamenom u (P.1.23) daje disperzionu relaciju

2 m0 (U 0 E )
, kb =2
, z [ a2 , d2 ] (P.1.21)
yn ( z ) C2 cosh[kb ( z a2 )] D2 sinh[kb ( z a2 )] k B*2 kw2
cos(kd ) cos(kw a )cos(kb*b) sin(k w a )sin(kb*b) F ( E ) , E t U0 (P.1.26)
2kb* k w
74 75
i odgovarajua rešenja Schrödinger-ove jednaine: Za odreivanje disperzione relacije iskoristiemo rezultat (P.1.11) s obzirom da U 0 o f pa
2 m0 (U 0 E )
uvek važi E U 0 . Takoe imamo D o f , Db o
2 m0 (U 0b )
b Const b o 0 , pa
cos(k ) cos[k ( z )] * sin(k ) sin[k ( z )],
a
w 2
*
b
a
2
kw a
w 2
*
b
a
2 - dzd-
d
2
a
2
=2 =2
° kb
prema tome sinh(D b) o D b , cosh(D b) o 1 , što zamenjeno u izraz (P.1.11) daje:
° (P.1.27a)
y p ( z) ®cos(k w z ), 0 d z d a2
°
°cos(k w a2 ) cos[kb* ( z a2 )] kw* sin(k w a2 ) sin[ kb* ( z a2 )], dzd
D 2b
¯
a
2
d
2 sin( E a ) cos( E a ) cos(ka ) (P.1.29)
2E
kb
odnosno
k1 sin(kw a2 ) cos[kb* ( z a2 )] 1* cos(kw a2 ) sin[kb* ( z a2 )], - d2 d z d - a2
° w kb
m0 aV0
°1 sin( E a) cos( E a) cos(ka ) (P.1.30)
yn ( z ) ® kw sin(kw z ), 0 d z d a2 (P.1.27a) E =2
°
° 1 sin(kw a ) cos[kb* ( z a )] 1* cos(kw a ) sin[kb* ( z a )], a
dzd d
¯ kw 2 2 kb 2 2 2 2 m0 a 2V0
Uvešemo još veliinu P koja se naziva faktor neprozranosti, ime dolazimo do
=2
finalnog oblika disprerzione relacije za Kronig-Penney-jev G -model
Problem 1.3. Odrediti disperzionu relaciju za Kronig-Penney-jev G -model potencijalne
energije. sin( E a)
P cos( E a ) cos(ka) (P.1.31)
Ea
Rešenje: Kronig-Penney-jev G -model dobijamo daljim uprošavanjem strukture sa Sl. P.1.3,
smanjujui širinu barijera b (u graninom sluaju b o 0 ) a istovremeno poveavajui visinu
barijere ( U 0 o f ) tako da njihov proizvod ostane konstantan ( bU 0 Const ). Rezultujui Problem 1.4. Odrediti granice energetskih zona u Kronig-Penney-jevom G -modelu.
potencijal može se prikazati nizom delta funkcija, kao na Sl. P.1.4. Smatrajui da su prve dve dozvoljene zone vrlo uske, odrediti njihovu širinu.
Rešenje: Funkcija f ( E a) sa leve strane znaka jednakosti u izrazu (P.1.31) ima opšti oblik koji
je prikazan na Sl. P.1.5.
Granice zona odreene su izrazom
f ( E a) r1 (P.1.32)
gde znak “+” odgovara donjim granicama neparnih zona i gornjim granicama parnih zona, dok
znak “-” odreuje gornje granine energije neparnih zona i minimalne energije parnih zona.
1) Razmotriemo prvo sluaj kada je f ( E a) 1 . Tada uslov (P.1.32) dobija oblik:
sin( E a)
Sl. P.1.4 Kronig-Penney-jev G -model P >1 cos( E a ) @ 0 (P.1.33)
Ea
Konstanta bU 0 obino se uzima u formi proizvoda širine jame a i unapred zadate veliine V0 , odnosno,
tj. bU 0 aV0 , a periodini potencijal sa Sl. P.1.4 se može predstaviti u obliku: ª P º
sin( E a / 2) « cos( E a / 2) sin( E a / 2) » 0 (P.1.34)
¬Ea ¼
m f
U ( z)
m f
¦ aV G ( z ma) (P.1.28)
76 77
ª P º
cos( E a / 2) « sin( E a / 2) cos( E a / 2) » 0 (P.1.38)
¬Ea ¼
ija rešenja su odreena izrazima:
cos( E a / 2) 0 E a (2n 1)S , n 1, 2,! (P.1.39a)

P
cot( E a / 2) (P.1.39b)
Ea
Pošto je
d > f ( E a )@ P
0 (P.1.40)
d ( E a) E a (2 n 1)S
Ea
možemo zakljuiti da rešenja oblika (P.1.39a) odreuju gonje granice neparnih zona, dok
Sl. P.1.5 Opšti oblik funkcije f ( E a) odreene izrazom (P.1.31) rešenja jednaine (P.1.39b) odgovaraju donjim granicama parnih zona. Na osnovu prethodnih
rezultata zakljuujemo da vrhove dozvoljenih zona dobijamo za vrednosti:
Rešenja prethodne jednaine odreena su izrazima: E a nS , n 1, 2,! (P.1.41)
sin( E a / 2) 0 E a 2nS , n 1, 2,! (P.1.35a) dok minimume zona odreuju izrazi:

P
P
tan( E a / 2) (P.1.35b) tan > ( E a (n 1)S ) / 2@ (P.1.42)
Ea Ea
Na osnovu izvoda funkcije f ( E a) po E a mogue je odrediti da li posmatrano rešenje gde n sada ima ulogu indeksa dozvoljene zone. Širinu prve, odnosno druge zone, obeležiemo
sa G E1 i G E2 , respektivno, gde je na osnovu Sl. P.1.5
odgovara donjoj ili gornjoj granici zone. Kako je
d > f ( E a )@ cos( E a ) ( E a ) sin( E a ) G E1 E1max E1min (P.1.43a)

P sin( E a ) (P.1.36)
d (E a) ( E a)2
G E2 E2max E2 min (P.1.43b)
sledi
S obzirom da je pretpostavljeno da su prve dve zone vrlo uske, možemo pisati:
d > f ( E a)@ P
!0 (P.1.37) G E1 E1max (P.1.44a)
d ( E a) E a 2 nS
Ea
G E2 E2max (P.1.44b)
Prema tome, rešenja oblika (P.1.35a) odgovaraju odgovaraju gornjim granicama parnih zona, a
rešenja jednaine (P.1.35b) daju donje granice neparnih zona.
Iz izraza (P.1.39a) ili (P.1.41) sledi da je
2) Kada je f ( E a) 1 , tada se uslov (P.1.32) svodi na:
( E a )1max S (P.1.45)
78 79
a pošto je E 2m0 E / = 2 , dobijamo gornju granicu prve dozvoljene zone u obliku: gde je sada M2 neki mali ugao. Na osnovu (P.1.39b) imamo
P 1 1
= 2S 2 cot(S M 2 / 2) | (P.1.55)
E1max (P.1.46) 2S M2 tan(M2 / 2) M 2 / 2
2m0 a 2
odakle sledi
Odgovarajuu donju granicu odrediemo na osnovu (P.1.35b), odakle je
4S
M2 (P.1.56)
P P2
tan > ( E a )1min / 2@ (P.1.47)
( E a )1min
odnosno
2= 2S 2 P 2
Pretpostaviemo da se ( E a )1min može napisati u obliku E2 min (P.1.57)
m0 a 2 ( P 2) 2
( E a)1min ( E a )1max M1 S M1 (P.1.48)
Konano, možemo odrediti i širinu druge dozvoljene zone koja iznosi:
gde M1 oznaava neki mali ugao s obzirom da je zona uska (i na E a osi). Tada možemo pisati:
2= 2S 2 § P2 · 8= 2S 2 ( P 1) 8= 2S 2
G E2 E2 max E2min ¨1 ¸ | (P.1.58)
m0 a 2 © ( P 2) 2 ¹ m0 a 2 ( P 2) 2 m0 a 2 P
P 1
tan > (S M1 ) / 2@ cot(M1 / 2) | (P.1.49)
S M1 M1 / 2
Problem 1.5. Za Kronig-Penney-jev G-model izvesti disperzionu relaciju ne koristei
odakle je pravougaoni model.
2S
M1 (P.1.50)
P2 Rešenje: Posmatrajmo Kronig-Penney-jev G-model potencijalne energije koji je prikazan na
Sl. P.1.4. Schrödinger-ova jednaina u oblastima jama ima sledei oblik:
a na osnovu (P.1.47)
= 2S 2 P 2 =2 d 2 < ( z )
E1min (P.1.51) E < ( z ), (P.1.59)
2m0 a 2 ( P 2) 2 2m0 dz 2
Širina prve dozvoljene zone iznosi: Rešenje ove jednaine u odabranoj jami (npr. prvoj jami s leve stane koordinatnog poetka)
možemo napisati u formi:
= 2S 2 § P2 · 2= 2S 2 ( P 1) 2= 2S 2
G E1 E1max E1min ¨1 ¸ | (P.1.52) <( z) A sin( E z ) B cos( E z ), -a z 0 (P.1.60)
2m0 a 2 © ( P 2) 2 ¹ m0 a 2 ( P 2) 2 m0 a 2 P
Na slian nain dolazimo do granica druge dozvoljene zone. Na osnovu izraza (P.1.35a) ili gde je E 2m0 E / = 2 . Granini uslov za talasnu funkciju u taki z 0 glasi:
(P.1.41) sledi da je ( E a) 2max 2S , odnosno
2= 2S 2 < (0 ) < (0 ) (P.1.61)
E2max (P.1.53)
m0 a 2
Iskoristiemo injenicu da prema Bloch-ovoj teoremi rešenje jednaine (P.1.59) ima opšti oblik
Pretpostaviemo da se ( E a ) 2min može napisati u obliku <k ( z ) uk ( z )eikz , pošto je potencijalna energija periodina funkcija koordinate. Prema tome,
( E a ) 2min ( E a) 2max M2 2S M 2 (P.1.54)
80 81
funkcija (P.1.60) ispunjava periodine granine uslove: < k ( z a) < k ( z )eika i sin( E a)
P cos( E a ) cos(ka ) (P.1.69)
< ( z a)
'
< ( z )e
' ika
. Ove uslove primeniemo u taki z
a , što daje: Ea
k k
Problem 1.6. Smatrajui disperzionu relaciju u kristalu ( f ( E ) cos(kd ) ) poznatom, nai izraz
< (0 ) < (a )eika (P.1.62a)
za efektivnu masu u blizini ekstremuma zone. Posebno analizirati rezultate dobijene za vrhove
< '(0 ) < '(a )eika (P.1.62b) dozvoljenih zona, za sluaj kada se disperziona relacija odgovara Kronig-Penney-jevom G-
odnosno, modelu potencijalne energije. Takoe, odrediti opšti izraz za koeficijent neparabolinosti u
blizini ektremuma zone.
< (0 ) > A sin( E a) B cos( E a)@ eika (P.1.63a)
Rešenje: Efektivna masa u okolini ekstremuma zone odreena je izrazom
< '(0 )
> AE cos( E a) BE sin( E a)@ eika (P.1.63b)
=2
m* (P.1.70)
Na osnovu (P.1.63a) i (P.1.60), granini uslov (P.1.61) dobija oblik: d 2E
dk 2 k
> A sin( E a) B cos( E a)@ eika
k0
B (P.1.64)
gde k0 oznaava talasni vektor koji odgovara ekstremumu zone. Položaj ekstremuma zone
U taki z 0 , Schrödinger-ova jednaina ima oblik:
odreujemo izjednaavanjem izvoda dE dk sa nulom. Diferenciranjem disperzione relacije po
k dobijamo:
=2 d 2 < ( z )
> E aV0G ( z )@ < ( z ) 0 (P.1.65)
2m0 dz 2 df df dE
d sin(kd ) (P.1.71)
dk dE dk
Integraliemo ovu jednainu u okolini z 0:
odakle sledi
0
z 0
d <( z) d <( z) 2m E 2m aV
dz z 0

dz z 0
20
= ³ <( z )dz =0 2 0 <(0) 0 (P.1.66) dE
d
sin(kd )
(P.1.72)
z 0
dk df / dE
Uz pomo (P.1.63b) i (P.1.60) dalje dobijamo: dE

Pošto je 0 , zakljuujemo da je
2P dk k k0
> AE cos(E a) BE sin( E a)@ eika AE B 0 (P.1.67) nS
a sin(k0 d ) 0 k0 0, r , n 1,2,! (P.1.73)
d
gde je P m0 a V0 / = faktor neprozranosti. Izrazi (P.1.64) i (P.1.67) ine sistem od dve
2 2
linearne i homogenih jednaina po konstantama A i B, ija determinanta mora biti jednaka nuli Daljim diferenciranjem izraza (P.1.72) po talasnom vektoru dolazimo do izraza:
da bi sistem imao netrivijalna rešenja. Na osnovu toga dolazimo do uslova:
df df 2
d cos(kd ) sin(kd ) 2
d 2E dE dE
sin( E a )e ika
1 cos( E a )e ika
d 2
(P.1.74)
dk 2 § df ·
2P 0 (P.1.68) ¨ ¸
1 cos( E a )e ika
sin( E a )eika © dE ¹
Ea
S obzirom na (P.1.73), u taki ekstremuma imamo:
Koji posle sreivanja daje traženu disperzionu relaciju:
82 83
d 2E d 2 cos(k0 d ) d 2 f ( E0 ) Da bismo odredili koeficijent neparabolinosti u okolini ekstremuma zone, posmatraemo

(P.1.75) razvoj u red funkcije E (k ) u okolini ekstremuma k0 :
dk 2 k k0
df df
dE k k0 dE E E0
dE 1 d 2E 1 d 3E 1 d 4E
E ( k ) E ( k0 ) ( k k0 ) ( k k0 ) 2 ( k k0 )3 (k k0 ) 4 !
gde je E (k0 ) E0 . Zamenom (P.1.75) u izraz (P.1.70) dolazimo do formule za izraunavanje dk k k0 2! dk 2 k k 3! dk 3 k k 4! dk 4 k k
0 0 0
efektivne mase u ekstremumu zone, u obliku: (P.1.82)

Koeficijent neparabolinosti je odreen prvim lanom posle kvadratnog u razvoju funkcije
= 2 df E (k ) koji je razliit od nule. Potražiemo prvo d 3 E / dk 3 :
m* ( E0 ) (P.1.76)
d 2 f ( E0 ) dE E E0
d § d sin(kd ) d f dE ·
2 2
d 3E d § d 2E · d § cos(kd ) ·
¨ 2 ¸ d ¨ ¸ d ¨¨ ¸
2
(P.1.83)
Posmatrajmo Sl. P.1.2. Na dnu prve dozvoljene zone (energija E1 ), f ( E1 ) 1 a df / dE 0 pa dk 3 dk © dk ¹ dk © df / dE ¹ dk df / dE
2
¸
© ¹
je efektivna masa elektrona u okolini ove energije pozitivna. S druge strane na vrhu prve zone
imamo f ( E2 ) 1 i df / dE 0 pa je m* ( E2 ) 0 . Posle sreivanja dobijenih izraza, dolazimo do rezultata:
U sluaju kada se posmatra Kronig-Penney-jev G-model, disperziona relacija je oblika 2

d2 f d3 f §d2 f ·
sin(2kd ) sin 3 (kd ) 3 sin 3 (kd ) ¨ 2 ¸
sin( E a ) d 3E sin(kd ) 3d 3 dE 2 d 3 dE 2d 3 © dE ¹
f (E) P cos( E a) cos(ka) (P.1.77) d 3
(P.1.84)
Ea dk 3 df 2 § df ·
3
§ df ·
4
§ df ·
5
dE ¨ ¸ ¨ ¸ ¨ ¸
© dE ¹ © dE ¹ © dE ¹
pa je
df df d ( E a ) ª cos( E a ) ( E a ) sin( E a ) º Ea Na osnovu (P.1.73) zakljuujemo da je u taki ekstremuma:

«P sin( E a) » (P.1.78)
dE d ( E a) dE ¬ ( E a)2 ¼ 2E d 3E
0 (P.1.85)
U primeru P.1.4 pokazano je da se vrhovi zona dobijaju kada je E a nS , n 1, 2,! , odakle dk 3 k k0
sledi
df P cos(nS ) što znai da se mora odrediti i sledei lan u razvoju u red. Još jednim diferencijaranjem
(P.1.79) (P.1.84) po k dobijamo:
dE E En max 2 En max
d 2 f dE d2 f d 3 f dE
Zamenom u (P.1.69), uz d | a , dobijamo: d 4E cos(kd )
sin(kd ) cos(2kd ) 3 sin(2 kd )
d 4
d3 dE 2 dk 3d 4 dE 2 3d dE 3 dk
2 3 3
dk 4 df § df · § df · 2 § df ·
=2 P cos(nS ) =2 ¨ ¸ ¨ ¸ ¨ ¸
m* ( E n max ) (P.1.80) dE © ¹
dE © ¹
dE © ¹
dE
2a 2 E n max f ( E n max ) 2a 2 E n max
2
(P.1.86)
Pošto su energije maksimuma zone odreene izrazom E n max n 2S 2 / (2m0 a 2 ) , dobijamo § d 2 f · dE
sin(2kd ) ¨ 2 ¸
konano: 9d 3 © dE ¹ dk

m0 P 2 § df ·
4
m* ( E n max ) (P.1.81)
n 2S 2 ¨ ¸
© ¹
dE
Prema tome, u vrhovima dozvoljenih zona efektivna masa elektrona je negativna, a njena U takama ekstremuma vrednost prethodnog izraza iznosi:
vrednost opada sa kvadratom indeksa zone.
84 85
d2 f gornja granica provodne zone. Na primer, za dovoljnu širinu provodne zone na T 300 K
4 dE 2 mogla bi da se smatra vrednost od 4k BT | 100 meV.
d E f ( E0 )
3d 4
4 k k0
d (P.1.87)
dk 4 k df § df ·
3
k0 4) Konano, pretpostavljeno je da važi uslov totalne nedegeneracije, odnosno da se Fermi-
dE k k0 ¨ ¸
© dE ¹ k k0
Diracova funkcija raspodele može aproksimirati Maxwell-Boltzmann-ovom funkcijom
e ( E EF ) kBT , što pojednostavljuje Fermijev integral F1/2 (K ) u izrazu (1.148) i on postaje
i uopštem sluaju je razliita od nule. Zavisnost energije od talasnog vektora u okolini analitiki rešiv. Ovo je opravdano za niže koncentracije elektrona (i šupljina), kada je n Bc ,
ekstremuma sada možemo prikazati u obliku: gde Bc ima smisao gustine stanja svedene na dno provodne zone
=2
k k0 c k k0
2 4
E ( k ) | E ( k0 ) (P.1.88) Problem 1.8. Na Sl. P.1.6 je data zavisnost specifine elektrine otpornosti nekog vrstog tela
2 m* od temperature. a) na osnovu grafika zakljuiti da li se radi o metalu ili izolatoru b) Ukratko
opisati glavne fizike procese koji dovode do ovakve zavisnosti U (T ) .
gde je m* odreeno izrazom (P.1.76), a c je koeficijent neparabolinosti:
1 d 4E ª 1 f (E) 1 d 2 f dE 2 º
c d4 « 3»
(P.1.89)
4! dk 4 k k0 «¬ 24 df dE 8 df dE »¼ E E0
Problem 1.7. Izrazi za koncentraciju elektrona n Bc e( EF Ec ) kBT i koncentraciju šupljina

p Bv e( Eg ( EF Ec )) kBT izvedeni su korišenjem 4 glavne pretpostavke. Navesti te pretpostavke,
motivaciju za njihovo uvoenje i argumentovati njihovu opravdanost.
Rešenje: 1) Osnovna pretpostavka je da je kristal beskonaan, odnosno da broj atom u

kristalnoj rešeci teži beskonanosti, i da su zbog toga dozvoljeni energetski nivoi beskonano
zgusnuti (spektar je kontiunalan) u okviru svake dozvoljene zone. Ovo omoguava da se
prilikom odreivanja broja elektrona koji popunjavaju dozvoljena stanja može prei sa Sl. P.1.6 Specifina elektrina otpornost nekog materijala u funkciji temperature
sumiranja na integraciju. Pretpostavka je opravdana jer je koncentracija atoma u vrsim telima
veoma velika, npr. u 1 cm3 Si ima N A | 4.99 1022 atoma , pa je samim tim i broj dozvoljenih
Rešenje: a) Kao što se vidi sa slike, specifina elektrina otpornost posmatranog materijala
stanja ogroman.
generalno raste sa porastom temperature, i taj porast je približno linearan poevši od T 25 K ,
2) Uvedena je aproksimacija efektivne mase koja daje parabolinu zavisnost energije od pri emu je vrednost otpornosti na T 300 K i dalje relativno mala ( U 104 :cm ). Na
talasnog vektora (elipsoidne ekvienergetske površine). Na taj nain dolazi se do analitikog osnovu toga zakljuujemo da se radi o metalu.
izraza za gustinu stanja. Validnost ove pretpostavke zavisi od materijala i tipa nosilaca, i po
pravilu je znatno slabija za valentnu nego za provodnu zonu. b) Kada bi kristalna rešetka metala bila idealna i ne bi bilo termalnih vibracija rešetke,
elektroni bi se transportovali bez rasejanja, odnosno otpornost bi bila jednaka nuli. U realnim
3) Pretpostavljeno je da je provodna zona dovoljno široka (>> k BT ) kada je granica u integralu metalima elektroni doživljavaju rasejanje usled postojanja nepravilnosti, kao što su neistoe i
defekti kristalne rešetke, kao i usled termalnih vibracija atoma u rešeci (što rezultuje
u izrazu za koncentraciju (1.145) pomerena u f , da bi integral dobio oblik poznate i tabelirane
efektivnom promenom (distorzijom) periodinog potencijala). Kao posledica ovih efekata
funkcije. Ovo je opravdano pošto je proizvod gustine stanja i Fermi-Dirac-ovog faktora
javlja se odgovarajua elektrina otpornost. Na niskim temperaturama ( T 25 K ), dominantan
f FD ( E , EF ) maksimalan na energiji koja je bliska k BT / 2 , a zatim brzo opada do zanemarljivih
uticaj ima otpornost koja potie od neistoa i defekata i ona je nezavisna od temperature. Sa
vrednosti na višim energijama. Dakle, potrebno je da je ( Emax Ec ) / k BT !! 1 , gde je Emax porastom temperature raste i doprinos otpornosti koja potie od termalnih vibracija kristalne
rešetke (fonona).
86 87
Problem 1.9. Na Sl. P.1.7 dati su grafici temperaturne zavisnosti specifine elektrine Rešenje: Kinetike energija kvazi-slobodnog elektrona data je izrazom:
otpornosti Cu i Ge dobijeni za realne uzorke visoke istoe. Objasniti ukratko osnovne
mehanizme provoenja u oba materijala i objasniti oblik dobijenih grafika. Voditi rauna da su =2 k 2
veliine na apscisama razliite. E (P.1.90)
2m*
Prva Brillouin-ova zona za kvadratnu kristalnu rešetku konstante a, predstavlja kvadrat stranice
2S
G
a u k prostoru, kao što je prikazano na Sl. P.1.8.
Sl. P.1. 7 Specifina elektrina otpornost a) Cu i b) Ge u funkciji temperature
Rešenje: a) Cu je metal (videti Problem 1.8). Na vrlo niskim temperaturama specifina

elektrina otpornost odreena je verovatnoom rasejanja na neistoama i ne zavisi od Sl. P.1.8 Prva Brillouin-ova zona za kvadratnu kristalnu rešetku
temperature. Zatim se ukljuuje i uticaj termalnih viracija kristalne rešetke (fonona) i u uskoj
EM
oblasti niskih temperatura U T 5 , dok na visokim temperaturama dominira uticaj fonona i u Po uslovu zadatka je b . Kako je
EX
tom sluaju U T
EM k x2
(P.1.91)
b) Ge je poluprovodnik. Sa grafika vidimo da na niskim temperaturama otpornost opada sa EX k y2
porastom temperature, na srednjim temperaturama U raste sa porastom temperature, a na
visokim temperaturama ponovo brzo opada kako se T poveava. Ovakvo ponašanje se može a sa Sl. P.1.8. se vidi da je kM2 2k X2 , oigledno je da traženi faktor iznosi
objasniti na sledei nain: na niskim temperaturama dominira jonizacija atoma neistoa koji
su uvek prisutni u realnim uzorcima, makar u vrlo malom procentu. Koncentracija nosilaca
b 2 (P.1.92)
dobijenih jonizovanjem atoma neistoa raste sa porastom temperature pa zbog toga otpornost
opada. U opsegu srednjih temperatura svi atomi neistoa su jonizovani pa se koncentracija
Problem 1.11. Elektron se nalazi u jednodimenzionalnoj kristalnoj rešeci konstante a kod koje
slobodnih nosilaca praktino ne menja sa temperaturom. Meutim, sa porastom T raste
je zavisnost energije i talasnog vektora oblika:
verovatnoa rasejanja elektrona na fononima, što smanjuje pokretljivost nosilaca i poveava
otpornost. Na visokim temperaturama dolazi do naglog poveavanja sopstvene koncentracije
E (k ) 2V cos(ka) (P.1.93)
(prelaska elektrona iz valentne u provodnu zonu) – videti izraz (1.241) – što rezultuje brzim
opadanjem specifine elektrine otpornosti. G G
gde je V poznata konstanta. Slabo uniformno elektrino polje K Kiz primenjeno je paralelno
Problem 1.10. Posmatrati (dvodimenzionalnu) kvadratnu kristalnu rešetku, konstante rešeci. Opisati kvalitativno kretanje elektrona u k-prostoru i u realnom prostoru. Kakav uticaj
periodinosti a. Kinetika energija kvazi-slobodnog elektrona u uglu prve Brillouin-ove zone bi imalo ukljuivanje realnih procesa rasejanja elektrona? Šta se podrazumeva pod slabim
vea je od energije elektrona na sredini bone ivice zone b puta. Odrediti faktor b. G
poljem i do kakvih pojava može doi kod realnih (višezonskih) kristala kada polje K nije
slabo?
88 89
Rešenje: U odsustvu rasejanja, jednaina kretanja elektrona pod dejstvom elektrinog polja Pod slabim elektrinim poljem podrazumeva se da ono ne omoguava elektronu da dostigne
G
K glasi: dovoljno velike vrednosti energije za prelazak u višu energetsku zonu. U realnim kristalim kod
kojih postoji mnoštvo zona, takvi prelazi su mogui pri jakim poljima.
G G
dp dk G G G G
= F eK (P.1.94) Problem 1.12. Uzorak metala izložen je dejstvu konstantnog magnetnog polja B B0 iz .
dt dt
Smatrati da se elektroni u provodnoj zoni mogu tretirati kao slobodni, i da ine elektronski gas
Integracijom ove jednaine dobijamo rešenje u obliku: koncentracije n, karakterisan vremenom rasejanja W . Izvesti izraz za tenzor specifine
elektrine otpornosti ovog metala.
G
G G eKt G
k k (0) (P.1.95) Rešenje: Pri rasejanju provodnog elektrona momenta mv , koji u proseku doživi 1/ W rasejanja
= G
u jedinici vremena, srednja “sila trenja“ koja na njega deluje iznosi mv W . Na osnovu toga,
G jednaina kretanja provodnog elektrona može se napisati u obliku:
odakle se vidi da se talasni vektor k menja linearno sa t. U k-prostoru svi elektroni bi se kretali
G
G G G
istom brzinom, u smeru suprotnom od polja K , kao što je prikazano na Sl. P.1.9a). Kada dv G G mv
elektron dostigne granicu prve Brillouin-ove zone (taka A), on se reflektuje i prelazi u taku m eK ev u B (P.1.96)
A’ , simetrinu u odnosu na koordinatni poetak (u redukovanom zonskom dijagramu). Stanja dt W
A i A’ su u potpunosti ekvivalentna. Na osnovu ovoga zakljuujemo da se elektron kree
Kako je gustina stuje jednaka
periodino u k-prostoru u funkciji vremena t.
G G
Pod dejstvom elektrinog polja stanje elektrona se kontinualno menja, kao i njegova brzina J env (P.1.97)
odreena sa v 1= wwEk (P.1.9b)). Brzina elektrona osciluje izmeu pozitivnih i negativnih
izraz (P.1.96) dobija formu:
vrednosti, pa je kretanje elektrona u realnom prostoru takoe periodino.
G G G G
m dJ G J u B mJ
eK (P.1.98)
ne dt n W ne
Potražimo rešenje u obliku

G G
J J 0 e iZt (P.1.99)
Zamenom u jednainu (P.1.98) dobijamo:

G G
G m §1 · G J uB
K 2 ¨
iZ ¸ J (P.1.100)
ne © W ¹ ne
Prethodni izraz možemo razložiti na tri skalarne jednaine:
Sl. 1. P.1.9 Zavisnost a) energije i b) brzine elektrona od talasnog vektora u posmatranoj m §1 · B0

Kx ¨ iZ ¸ J x J y (P.1.101a)
kristalnoj rešeci ne 2 © W ¹ ne
U prisustvu rasejanja ne uoavaju se prethodno opisane oscilacije. U realnim kristalima m §1 · B0
Ky ¨ iZ ¸ J y J x (P.1.101b)
prisutni su razliiti mehanizmi rasejanja i jednaina kretanja (3) je u važnosti samo izmeu ne 2 © W ¹ ne
uzastopnih rasejanja. Kako su vremena izmeu rasejanja veoma kratka, talasni vektor elektrona
se samo malo “pomeri“ u k-prostoru pre nego što se elektron ponovo raseje, što onemoguava m §1 ·
Kz ¨ iZ ¸ J z (P.1.101c)
izvršenje prethodno opisanih oscilacija. ne 2 © W ¹
90 91
G G G G
S obzirom da je prema Ohm-ovom zakonu J V K , odnosno K U J , specifina elektrina Na osnovu toga možemo pisati:
otpornost se dobija u matrinoj formi:
g * ( E )dE g (k ) 2dk (P.1.105)
ª m §1 · B0 º
« ne 2 ¨ W iZ ¸ 0 » Odavde je energetska gustina stanje jednaka:
« © ¹ ne
»
« B0 m §1 · » L dk
U « 2 ¨
iZ ¸ 0 » (P.1.102) g* (E) 2 (P.1.106)
« ne ne © W ¹ » 2S dE
« m §1 ·» Kako je, prema izrazu (P.1.103):
« 0 0 ¨ iZ ¸»
¬ ne2 © W ¹¼
2
dE § E E0 ·
2Vb sin(kb) 2Vb 1 ¨ ¸ (P.1.107)
Problem 1.13. Jednodimenzionalna kristalna rešetka sastoji se od pravilno rasporeenih dk © 2V ¹
atoma, na meusobnom rastojanju b, sa jednim elektronom po atomu. Zavisnost energije
elektrona u provodnoj zoni može se prikazati izrazom: dobijamo
L
E (k ) E0 2V cos(kb) (P.1.103) g* (E) (P.1.108)
bS 4V 2 E E0
2
gde su E0 i V konstante. Nai izraz za energetsku gustinu stanja.

odakle se za može izraziti i energetska gustina stanja po jedinici dužine
Rešenje: Broj stanja u intervalu talasnog vektora (k, k dk ), po jedinici talasnog vektora, za
jednodimenzionalnu rešetku dužine L iznosi (videti (1.74)): 1
g(E) (P.1.109)
bS 4V 2 E E0
2
L
g (k ) (P.1.104)
2S
S druge strane, pošto je E (k ) E ( k ) , promeni energije u intervalu (E, E dE ) odgovara Problem 1.14. Model slobodnog elektrona u metalu podrazumeva da se elektroni u provodnoj
promena talasnog vektora u oblasti (k, k dk ) ali i (-k, k dk ), kao što je prikazano na Sl. zoni mogu aproksimirati gasom slobodnih elektrona, gde su glavni parametri tog gasa
P.1.9. koncentracija elektrona n, i vreme izmeu sudara . Pokazati da se u okviru ovog modela
specifina elektrina provodnost metala može izraziti kao
ne 2W
V (P.1.110)
m
G G
Rešenje: Kod slobodnog elektrona, impuls p i talasni vektor k povezani su izrazom:
G G
p =k (P.1.111)
G
Jednaina kretanja ovog elektrona pod dejstvom spoljašnje sile F , prema drugom Newton-
ovom zakonu ima oblik:
G
G dpG dk
F = (P.1.112)
Sl. P.1.9 Zavisnost energije od talasnog vektora u posmatranoj kristalnoj rešeci i ekvivalenta dt dt
promena talasnog vektora koja odgovara uoenom intervalu energije dE
Talasni vektor elektrona u pravcu dejstva spoljašnje sile se poveava sa vremenom i
92 93
ravnotežna situacija e biti postignuta vraanjem elektrona u poetno stanje usled sudara sa
jonima kristalne rešetke, nakon vremena koje je odreeno izrazom: wE sin
a 3 A1 cos
ak y
2
ak x 3
2
(P.1.119a)
1 4cos cos cos º¼»
G wk x ªak y ak y ak x 3
G =F ¬« 2 2 2
'k (P.1.113)
G
W
gde je 'k promena talasnog vektora u odnosu na ravnotežnu vrednost. Odgovarajua promena
brzine iznosi: wE ª¬«2cos cos º¼»
aA1 sin
ak y
2
ak y
2
ak x 3
2
(P.1.119b)
1 4cos ªcos cos º¼»
wk y ak y ak y ak x 3
G G G
G 'p ='k WF ¬« 2 2 2
'v (P.1.114)
m m m
wE
G G G 2 A2 c sin ck z (P.1.119c)
Ako je primenjeno elektrino polje K , tada je sila koja deluje na elektron F eK , pa se wk z
odgovarajua gustina struje može zapisati u obliku: Ponovnim diferenciranjem prethodnih izraza uz direktnu zamenu k x k y k z 0 , što znaajno
G pojednostavljuje dobijene izvode, dolazimo do odgovarajuih komponenti tenzora efektivne
G e 2 nW G G
J en'v K VK (P.1.115) mase:
m
1 1 1 A1a 2 1 1 1 1 1
, 2 A2 c 2 , 0 (P.1.120)
Odakle sledi da specifina elektrina provodnost, pod pretpostavkom da se može primeniti mxx m yy =2 2 mzz =2 mxy m yz mzx
Ohm-ov zakon, iznosi:
e 2 nW Prema tome, tenzor inverzne efektivne mase je dijagonalan i glasi:
V (P.1.116)
m
A1a 2
0 0
2 =2
Problem 1.15. Zavisnost energije od talasnog vektora u jednoj zoni nekog materijala može se 1 A1a 2
približno opisati sledeim izrazom: 0 2 =2
0 (P.1.121)
m*
2 A2c2
0 0
G
ª¬«cos cos º¼» 2 A cos ck
ak y ak y =2
ak x 3
E (k ) A1 1 4 cos 2 2 2 2 z (P.1.117)
Umesto direktnog izraunavanja izvoda w 2 E wki wk j do rešenja smo mogli doi i razvijanjem
G
gde su A1 i A2 konstante, a a i c su parametri rešetke. Odrediti tenzor inverzne efektivne mase funkcije (P.1.117) u okolini take k (0, 0, 0) na sledei nain: pošto možemo smatrati da su u
G
elektrona za talasni vektor k (0, 0, 0) . okolini posmatrane take veliine k x , y a i k z c male, primenom aproksimacije
cos( x) | 1 x 2 / 2 funkciju pod korenom izraza (P.1.117) možemo napisati u obliku:
Rešenje: Komponente tenzora inverzne efektivne mase odreene su drugim parcijalnim
izvodima energije po komponentama talasnog vektora (videti (1.122)):
^1 4cos ¬«ªcos cos ¼»º` | 9¨©§1 a6 k k ¸¹·
2
ak y ak y ak x 3 2 2
G 2 2 2 x y (P.1.122)
1 1 w E (k )
2
, i, j ^x, y, z` (P.1.118)
mij = 2 wki wk j G
k 0
kako je dalje 1 y | 1 y / 2 , imamo
Odrediemo prvo parcijalne izvode wE wki , što daje:
a2 2 a 2 k x2 k y2
1
6
kx k y2 | 1 12 (P.1.123)
94 95
Konano, zamenom u izraz (P.1.117) dobijamo: = 2 k F2 1 2mEF

EF kF1 (P.1.127a)
2m =2
G 2
E (k ) | 3 A1 2 A2 k x2 k y2 A2 c 2 k z2
a
(P.1.124)
4 = 2 k F2 2 2m( EF E0 )
E0 EF kF 2 (P.1.127b)
Odakle direktno možemo proitati vrednosti date izrazom (P.1.120). 2m =2
b) Koncentracija elektrona izraunava se na osnovu izraza (1.145) uz primenu aproksimacije

Problem 1.16. Posmatrajmo metal kod koga postoje dve elektronske zone koje se meusobno totalne degeneracije
preklapaju. Neka je energija elektrona u prvoj zoni odreena izrazom:
EF
2m3/2 2 2m3/2
G ³ EF Emin
3/2
=2k 2 n EdE (P.1.128)
E1 (k ) (P.1.125) S 2 =3 Emin
3S 2 =3
2m
dok je energija elektrona u drugoj zoni data u obliku: gde je Emin minimalna energija posmatrane zone ( Emin1 0 , Emin 2 E0 ). Prema tome,
koncentracija elektrona u prvoj i drugoj zoni respektivno, data je izrazima:
G =2 k 2
E2 (k ) E0 (P.1.126)
2mEF
3/2
2m
n1 (P.1.129a)
3S 2 =3
gde je E0 ! 0 . a) Izraunati Fermi-jev talasni vektor ( k F ) za obe zone, ako je poznata Fermi-
jeva energija EF ! E0 . b) Izraunati koncentraciju elektrona c) Odrediti izraz za gustinu stanja 2m( EF E0 )
3/2
n2 (P.1.129b)
g (E) 3S 2 =3
Rešenje: Energetske zone opisane izrazima (P.1.125) i (P.1.126) ilustrovane su na Sl. P.1.10. Ukupna koncentracija elektrona predstavlja zbir koncentracija u pojedinanim zonama:
2m
3/2
n n1 n2 ª EF3/2 ( EF E0 )3/2 º¼ (P.1.130)

3S = ¬
2 3
c) Gustina stanja u svakoj zoni odreena je izrazom oblika (1.143), a ukupna gustina stanja
dobija se sabiranjem po preklopljenim zonama i glasi:
0, E 0
°
°
°° 2 m3/2 E
g (E) ® 2 , 0 E E0 (P.1.131)
° 2S =3
°

3/2
° 2 m E E E0 , E0 E
°̄ 2S 2 =3
Sl. P.1.10 Zavisnost energije od talasnog vektora u posmatranim zonama

Problem 1.17. Dat je izraz za gustinu elektronskih stanja u nekom materijalu, u obliku
a) Fermi-jev talasni vektor odreujemo na osnovu izraza E (k F ) EF , što e u posmatranom g (E) C E (P.1.132)
sluaju dati
96 97
gde je C 1.95 1066 J 2 m 3 . Odrediti vrednost Fermi-jeve energije EF ako koncentracija Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
elektrona u provodnoj zoni iznosi n 5 1028 m 3 . =2
m* | 1.4 1030 kg | 0.15m0 (P.1.139)
2Ca 2
Rešenje: Pošto je koncentracija elektrona u provodnoj zoni n 5 1022 cm 3 veoma visoka
jasno je da se Fermi-jev nivo mora nalaziti u provodnoj zoni, odnosno da je u važnosti gde je m0 masa slobodnog elektrona.
aproksimacija totalne degeneracije. U tom sluaju, veza izmeu koncentracije i gustine stanja
je oblika: Problem 1.19. Odrediti koliko puta se promeni koncentracija elektrona u provodnoj zoni
EF
n 2 ³ g ( E )dE (P.1.133) sopstvenog poluprovodnika iji energetski procep iznosi Eg 2eV , ako se temperatura povea
0 sa 27 qC na 77 qC .
Zamenom izraza za gustinu stanja za posmatrani materijal dobijamo Rešenje: Koncentracija elektrona u provodnoj zoni sopstvenog poluprovodnika odreena je
izrazom (1.241) i glasi:
EF
n 2C ³ EdE aEF2 (P.1.134) Eg

§ 2S k BT ·
3/2

m m
3/4
0 2 k BT
ni 2¨ 2 ¸ p e (P.1.140)
© h ¹ n
gde je a | 5 1022 eV 2cm 3 . Na osnovu prethodnog izraza Fermijeva energija iznosi

Na osnovu toga e odnos koncentracija na temperaturama T2 i T1 iznositi
n
EF 1eV (P.1.135) 3/2 Eg § 1 1 ·
a ni (T2 ) § T2 · ¨ ¸
2 k B © T2 T1 ¹
¨ ¸ e (P.1.141)
ni (T1 ) © T1 ¹
Problem 1.18. Pretpostavimo da je energija elektrona koji se kreu u periodinom potencijalu
oblika
gde je T1 27 273 300K a T2 77 273 350K . Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
G
E (k ) 6C 2C cos ak x 2C cos ak y 2C cos ak z (P.1.136)
3/2
ni (T2 ) § 350 ·
¨ ¸ e5.52 | 315 (P.1.142)
gde je C 4eV a konstanta rešetke a 2.5 10 10
m . Odrediti efektivnu masu elektrona na dnu ni (T1 ) © 300 ¹
energetske zone (gde je aki 1 , i x, y, z ).
Problem 1.20. Pretpostavimo da je energija elektrona koji se kree u jednodimenzionalnom
Rešenje: Na osnovu oblika izraza (P.1.136) vidimo da e vandijagonalne komponente tenzora kristalu, u posmatranoj dozvoljenoj zoni oblika:
efektivne mase biti jednake nuli, a dijagonalne meusobno jednake, tako da je efektivna masa
u ovom primeru zapravo skalarna veliine. Uzimajui u obzir da je aki veoma malo i E (k ) (2 A 2 B) 2 A cos ak 2 B cos 2ak (P.1.143)
G
razvijajui funkciju (P.1.136) u okolini k (0, 0, 0) , dobijamo:
gde je A 0.5eV , B 0.25eV , a konstanta rešetke iznosi a 2.5 1010 m . a) Odrediti
1 1 1 1 2Ca 2 minimalnu i maksimalnu energiju date dozvoljene zone ( Emin (kmin ) i Emax (kmax ) , gde su kmin i
(P.1.137)
mxx myy mzz m* =2 kmax odgovarajui talasni vektori). b) Odrediti efektivnu masu elektrona na dnu energetske
zone c) odrediti efektivnu masu elektrona na vrhu energetske zone d) Odrediti efektivnu masu
Na osnovu toga se zavisnost energije od talasnog vektora može prikazati u obliku: elektrona na kraju I Brillouin-ove zone ( k S / a ).
G =2 =2k 2 Rešenje: Oblik dozvoljene zone, definisan izrazom (P.1.143) prikazan je na Sl. P.1.11.
E (k ) | E (0) (k x2 k y2 k z2 ) (P.1.138)
2m* 2m*
98 99
a) Minimalnu i maksimalnu vrednost energije odrediemo izjednaavanjem prvog izvoda c) U maksimumu energetske zone efektivna masa elektrona bie negativna:
energije po talasnom vektoru sa nulom. U takama ekstremuma važi:
=2
wE m* (k 2S / 3a ) 7.42 1031 kg | 0.81m0 (P.1.150)
0 (P.1.144) a 2 ( A 4 B)
wk k kmin,max
Na osnovu izraza (1) dobijamo: d) Na granici I Brillouin-ove zone efektivna masa elektrona iznosi:
a sin ak ª¬ A 4 B cos ak º¼ 0 (P.1.145) m* ( k S / a)

=2
11.12 1031 kg | 1.22m0 (P.1.151)
2a 2 ( A 4 B )
Ova jednaina ima dva rešenja, prvo je

Problem 1.21. Dat je izraz za gustinu elektronskih stanja u nekom materijalu, u obliku
kmin 0, Emin 0 (P.1.146)
0, E 0
°
Drugo rešenja odreuje maksimalnu vrednost energije i glasi ° 1/2
g ( E ) ®CE , 0 E E0 (P.1.152)
°
kmax arccos( A / 4 B ) / a 2S / 3a Emax 2.25eV (P.1.147) °¯CE 1/2 C ( E E0 ) 1/2 , E0 E
gde je C 1.6 1038 J 1/2 m 3 , a E0 0.2eV . Izraunati Fermi-jevu energiju EF ako

koncentracija elektrona u provodnoj zoni iznosi n 6.4 1028 m 3 .
Rešenje: S obzirom na veliku vrednost koncentracije elektrona, jasno je da se Fermi-jev nivo

nalazi u dozvoljenoj zoni pa emo primeniti aproksimaciju totalne degeneracije tako da veza
izmeu koncentracije i gustine stanja glasi:
EF
n 2 ³ g ( E )dE (P.1.152)
0
gde je vrednost gornje granice integracije nepoznata. Pretpostavimo da je 0 EF E0 , tada

prethodni izraz dobija oblik:
Sl. P.1.11 Zavisnost energije od talasnog vektora u posmatranoj zoni
EF
n 2C ³ E 1/2 dE C EF (P.1.153)
b) Efektivna masa elektrona odreuje se na osnovu izraza 0
1 1 w2 E =2 Na osnovu toga dobija se vrednost Fermi-jeve energije

m* (k ) (P.1.148)
m* (k ) = 2 wk 2 2a 2 [ A cos( ak ) 4 B cos(2ak )]
n2
EF 1eV (P.1.154)
U minimumu zone, efektivna masa iznosi C2
Kako je dobijena vrednost EF ! E0 što je u suprotnosti sa pretpostavkom, to znai da se Fermi-

=2
m* (k 0) 3.71 1031 kg | 0.41m0 (P.1.149) jev nivo nalazi u opsegu E0 EF , pa je
2a ( A 4 B )
2
100 101
°E0 EF
½° 2 A ª¬cos k x a cos k y a º¼ 2 B ª¬ cos k y a cos k x a º¼

E (k x , k y )
n 2C ® ³ E 1/2 dE ³ ª¬E 1/2 ( E E0 ) 1/2 º¼ dE ¾ C EF EF E0 (P.1.155) (P.1.160)
°¯ 0 E0 °¿ 2( B A) cos k x a 2( A B) cos k y a
Kvadriranjem gornjeg izraza i preureivanjem dolazimo do vrednosti Fermi-jeve energije:

odakle sledi:
2 1 2a 2 ( A B )
ª¬(n / C ) E0 º¼ cos k x a
2
EF 0.36eV (P.1.156) mxx =2

4(n / C ) 2 (P.1.161)
2a 2 ( A B )
cos k y a
1
Problem 1.22. a) Izraunati odnos specifinih elektrinih provodnosti kristala silicijuma bez m yy =2
primesa na temperaturama T1 300K i T2 350K , ako je energetski procep silicijuma jednak
Eg 1.114 eV . b) Izraunati koncentraciju elektrona u provodnoj zoni na temperaturi G
Tenzor inverzne efektivne mase je dijagonalan, njegov oblik u odabranim takama u k -
T 300K , ako je efektivna masa elektrona mn 0.26m0 , a efektivna masa šupljina prostoru glasi:
m p 0.49m0 , gde je m0 masa slobodnog elektrona.
ª1º 2a 2 ª( B A) 0 º ª1/ 4.77 m0 0 º
(P.1.162a)
Rešenje: a) Ukupna specifina elektrina provodnost sopstvenog poluprovodnika ima oblik ¬« m ¼» kG Sa , Sa
*
= 2 ¬« 0 ( B A)¼» «¬ 0 1/ 3.18m0 »¼
V (T ) eni (T ) | Pn | P p gde su Pn i P p pokretljivost elektrona i šupljina respektivno. Prema
tome odnos specifinih otpornosti na posmatranim temperaturama svodi se na odnos ª1º 2a 2 ª B A 0 º ª1/ 4.77 m0 0 º
(P.1.162b)
odgovarajuih koncentracija i iznosi (videti Problem 1.19): «¬ m* »¼ G S
k a , 0
= 2 «¬ 0 ( B A)»¼ «¬ 0 1/ 3.18m0 »¼
3/ 2 Eg § 1 1 ·
V (T2 ) ni (T2 ) § T2 · ¨ ¸ G G
e | 27.3
2 k B © T2 T1 ¹
¨ ¸ (P.1.157) Zavisnost energije od talasnog vektora u okolini postamtrane take k k0 je oblika:
V (T1 ) ni (T1 ) © T1 ¹
= 2 k x2 = 2 k x2
b) Koncentracija elektrona u provodnoj zoni na T 300K iznosi E (k x , k y ) | E (k x 0 , k y 0 ) (P.1.163)
2mxx (k x 0 , k y 0 ) 2myy (k x 0 , k y 0 )
Eg
§ 2S k BT ·
3/ 2

m m
3/4
ni (T 300K) 2¨ 2 ¸ p e 2 k BT
| 2.4 1015 m 3 (P.1.158) Kako su za (k x , k y ) ( Sa , Sa ) obe komponte efektivna mase istog znaka, ekvienergetska
© h ¹ n
površina u okolini ove ima oblik elipse. S druge strane, za (k x , k y ) ( Sa , 0) imamo mxx 0 a
m yy ! 0 , pa ekvienergetske površine imaju oblik hiperbole.
Problem 1.23. Neka je energija elektrona u dvodimenzionalnoj rešeci oblika:
Problem 1.24. Pretpostavimo da je u nekom anizotropnom metalu koncentracija slobodnih
E (k x , k y ) 4 A cos (kx k y ) a
2 cos ( kx k y ) a
2 4B sin (kx k y ) a
2 sin ( kx k y ) a
2 (P.1.159) elektrona u provodnoj zoni jednaka n 5 1021 cm 3 , a zavisnost energije od talasnog vektora
oblika:
G = 2 k x2 = 2 k y2 = 2 k 2
gde je A 1eV , B 0.2 eV i a 1 Å. Odrediti tenzor inverzne efektivne mase za E (k ) z
(P.1.164)
G 2 m x 2 m y 2 mz
(k x , k y ) ( Sa , Sa ) i za ( Sa , 0) . Kako izgledaju ekvienergetske površine u okolini ovih taaka u k -
prostoru? gde efektivne mase izražene u jedinicama mase slobodnog elektrona iznose mx 1 , my 1.25
i mz 0.8 . a) nai izraz za energetsku gustinu stanja g ( E ) b) izraunati Fermi-jevu energiju
Rešenje: Izraz (P.1.159) možemo napisati u obliku
EF .
102 103
Rešenje: a) U poglavlju 1.2.2 izveden je izraz za gustinu stanja (izraz (1.136)) u sluaju EF 2 A ª¬cos(k x a) cos(k y a) º¼ 0 (P.1.170)
sfernih ekvienergetskih površina, u obliku
Gornji izraz možemo napisati u obliku:
2 mx m y mz
g (E) E (P.1.165)
2S 2
= 3
§ (k x k y )a · § (k x k y )a ·
cos ¨ ¸ cos ¨ ¸ 0 (P.1.171)
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo: © 2 ¹ © 2 ¹
S
2 m03/2 ije rešenje su k x r k y r . Odavde zakljuujemo da je Fermi-jeva površina kvadrat ije su
g (E) E (P.1.166) a
2S 2 =3
stranice odreene sa
b) Koncentracija elektrona u provodnoj zoni metala odreena je izrazom
k x S / a
ky ® , za 0 d k x d S / a (P.1.172a)
¯kx S / a
EF
2 m03/ 2 2 2 m03/ 2 3/2
n
S 2 =3 ³
0
EdE
3S 2 =3
EF (P.1.167)
k x S / a
ky ® , za -S / a d k x d 0 (P.1.172b)
odakle je ¯k x S / a
3 S = 2/3
2/3 4/3 2
EF n | 1.07eV (P.1.168)
2m0 kao što je prikazano na Sl. P.1.12.
Problem 1.25. Posmatrajmo neko vrsto telo koje se nalazi na vrlo niskoj temperaturi i
pretpostavimo da je zavisnost energije od talasnog vektora oblika:
G
E (k ) 2 A ª¬cos(k x a) cos(k y a) º¼ (P.1.169)
gde je gde je k x , y d S / a . a) Odrediti enegiju vrha i dna provodne zone b) Koliko iznosi
Fermi-jeva energija ako je provodna zona polupopunjena? c) Kako izgleda Fermi-jeva površina
u dvodimenzionalnoj k x - k y ravni? d) Izraunati srednju vrednost energije elektrona u
polupunjenoj zoni.
Rešenje: a) Minimalna vrednost izraza (P.1.169) dobija se kada je cos(k x a ) cos(k y a ) 1 tj. Sl. P.1.12 Izgled Fermi-jeve površine (kvadrat oivien punom linijom). Isprekidanom linijom
kx ky 0 , i iznosi Emin 4 A . Analogno, energija vrha provodne zone je Emax 4 A i dobija prikazane su granice Brillouin-ove zone
G
se kada je cos(k x a ) cos(k y a ) 1 , odnosno k rS a , rS a .
d) Srednja vrednost energije elektrona u provodnoj zoni dobija se na sledei nain:
b) Pošto je provodna zona polupopunjena i materijal se nalazi na vrlo niskoj temperaturi, onda
je Fermi-jeva energija jednaka energiji sredine zone tj. EF Emin Emax / 2 0 . ³ ³
( k x )( k y )
E (k x , k y )dk x dk y
E (P.1.173)
c) Na osnovu prethodnog zakljuujemo da se Fermi-jeva površina odreuje rešavanjem ³ ³
( k x )( k y )
dk x dk y
jednaine
104 105
gde se integracija vrši po popunjenim stanjima u Brillouin-ovoj zoni, tj. po onim stanjima koja
su ograniena Fermi-jevom površinom. S obzirom na simetriju, integracija se može izvršiti po n 2 ³ g ( E ) dE (P.1.180)
(E)
prvom kvadrantu a rezultat pomnožiti sa 4. Prema tome, brojilac izraza (P.1.173) dobija oblik:
S / a S / a kx Izraz (3) možemo dalje napisati u obliku

4
4 2 A ³ ³ ¬ª cos(k x a ) cos(k y a) ¼º dk x dk y 8 A
a2
(P.1.174)
kx 0 k y 0 1 1 2
S bc ( k³ ) S bc ( ³E ) dE / dk x
n dk x dE (P.1.181)
x
dok je izraz u imeniocu jednak
S / a S / a kx U prethodnom izrazu faktor 2 potie od toga što pri integraciji po energiji treba uzeti u obzir da
2S 2
4 ³ ³ dk x dk y (P.1.175) intervalu energije (E, E dE ) odgovara promena talasnog vektora u oblasti ( k x , k x dk x ) ali i
a2
kx 0 k y 0 ( k x , k x dk x ), ( videti Problem 1.13). Na osnovu (P.1.177) imamo:
Konano, srednja vrednost energije iznosi

dE E2
2 Aa sin(k x a ) 2 Aa 1 a 4 A2 E 2 (P.1.182)
16 A dk x 4 A2
E (P.1.176)
S 2
Na osnovu toga izraz (P.1.181) postaje

Problem 1.26. U kvazi-jednodimenzionalnom metalu energija elektrona u posmatranoj zoni se 2 dE
S abc ( ³E ) 4 A2 E 2
n (P.1.183)
može približno prikazati u obliku:
G
E (k ) 2 A cos(k x a ) (P.1.177) Poreenjem izraza (P.1.183) i (P.1.180) zakljuujemo da je broj stanja po jedinici energije i po
jedinici zapremine jednak:
odnosno zavisi samo od jedne komponente talasnog vektora ( k x ). a) Nai izraz za energetsku
1 1
gustinu stanja ako su konstante rešetke u pravcu normalnom na kretanje elektrona oznaene sa g (E) (P.1.184)
S abc 4 A2 E 2
b i c, a a je konstanta rešetke u pravcu kretanja elektrona. Skicirati dobijenu gustinu stanja. b)
Ako je a 2 Å i b c 8 Å, kolika je koncentracija elektrona za polupopunjenu zonu. što je ilustrovano na Sl. P.1.13.
G
Rešenje: Gustina stanja u k -prostoru vrstog tela data je izrazom (1.77) i iznosi:
G V
g (k ) (P.1.178)
8S 3
gde je V zapremina celog vrstog tela. Koncentracija elektrona dobija se na osnovu izraza (1.
97), vodei rauna da se radi o metalu, što daje
kz S / c ky S /b
1 1
n
4S 3 ³S
kz / c
dk z ³
k y S / b
dk y ³ dk
( kx )
x
S bc ( k³ )
dk x (P.1.179)
x
gde granice integracije po k x zavise od popunjenih stanja. S druge strane, koncentracija

elektrona može se izraziti preko energetske gustine stanja:
Sl. P.1.13 Izgled energetske gustine stanja u posmatranoj zoni.
106 107
b) Koncentraciju elektrona možemo izraunati na osnovu izraza (P.1.179): ( Ec Ed ) § 1 1 ·

¨ ¸
n(T2 )
|e
2 k B © T2 T1 ¹
(P.1.191)
kF n(T1 )
1 2k F
S bc ³kF x
n dk (P.1.185)
S bc Energija donorskog nivoa prema tome glasi:
gde je k F Fermi-jev talasni vektor koji dobijamo rešavanjem jednaine 2k BT1T2

Ed Ec ln > n(T2 ) n(T1 ) @ (P.1.192)
T2 T1
E (k F ) EF 2 A cos(k F a ) (P.1.186)
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
Pošto je zona polupopunjena, a položaj Fermi-jevog nivoa se kod metala ne menja znaajno sa
temperaturom, zakljuujemo da je EF Emax Emin / 2 0 jer su maksimalna i minimalna Ed Ec k B 800 ln(1.19) Ec 0.012 eV (P.1.193)
energija u posmatranoj zoni jednake Emax 2 A , Emin 2 A . Zamenom EF u izraz (P.1.186)
Donorski nivo se u posmatranom sluaju nalazi 12meV ispod dna provodne zone.
dobijamo:
cos(k F a ) 0 kF S / 2a (P.1.187) Problem 1.28. Posmatrajmo neki nepoznati jednodimenzionalni kristal ija elektronska
struktura se sastoji od 2 relevantne zone od kojih je jedna sasvim popunjena, a druga sasvim
pa je koncentracija elektrona jednaka prazna, a mogu se opisati izrazom:
t cos(ka) ' sin(ka)

2 2
1 E r (k ) r2 (P.1.194)
n 7.81 1021 cm 3 (P.1.188)
abc
gde je t 2.5 eV, ' 0.8 eV, a a je konstanta rešetke i iznosi 1.22Å. a) Odrediti granice
Isti rezultat bismo naravno dobili korišenjem izraza (P.1.183): posmatranih zona, kao i vrednost energetskog procepa izmeu njih b) Izraunati efektivu masu
elektrona na dnu popunjene zona i efektivnu masu šupljina na vrhu popunjene zone.
0 0 0
2 dE 2 dt 2 1
S abc ³2 A 4 A2 E 2 S abc ³1 1 t 2
n arcsin(t ) (P.1.189)
S abc 1 abc Rešenje: Na Sl. P.1.14 prikazan je profil posmatranih zona, a njihove granice se mogu odrediti
izjednaavanjm izvoda izraza (P.1.194) po k sa nulom:
Problem 1.27. Izraunati energiju donorskog stanja fosfora u energetskom procepu dE r 2a ' t sin(ka) cos(ka)
germanijuma ako se koncentracija elektrona pri poveanju temperature sa T1 150K na r 0 (P.1.195)
dk t cos(ka) ' sin(ka)
2 2
k k0
T2 240K povea za 19%. k k0
Rešenje: Kako se radi o oblasti relativno niskih temperatura, koncentracija elektrona može se odakle dobijamo
odrediti na osnovu izraza (1.293):
S S
( Ec Ed )
sin(k0 a) cos(k0 a) 0 k0 0, r k0 r (P.1.196)
Bc ( N PA ) 2 k BT
a 2a
n e (P.1.190)
2
gde je k0 talasni vektor ekstremuma u okviru prve Brillouin-ove zone.
Ako zanemarimo zavisnost faktora Bc od temperature ( Bc T 3/2 ), odnos koncentracija na
razliitim temperaturama može se prikazati u obliku
108 109
= 2t
m* | 1.04 1030 kg 1.14m0 (P.1.201)
k 0
2a ' 2 t 2
a efektivna masa šupljina na vrhu popunjene zone
=2'
m*p m* | 3.32 1031 kg 0.36m0 (P.1.202)
2a ' 2 t 2
S S
k r k r
2a 2a
Problem 1.29. Pretpostavimo da se u dvodimenzionalnom kristalu zavisnost energije od

talasnog vektora u provodnoj zoni može aproksimirati izrazom:
G
E (k ) Ak 4 (P.1.203)
Sl. P.1.14 Zavisnost energije od talasnog vektora u posmatranim zonama. gde je A konstanta, a k 2
k k . Izvesti izraz za energetsku gustinu stranja u provodnoj zoni.
2
x
2
y
Zamenom vrednosti parametara dobijamo da je Rešenje: Koncentracija elektrona u dvodimenzionalnom kristalu data je izrazom:

Emax 2t 5eV, za k0 0, rS / a 2 1

Emin 2' 1.6 eV, za k0 rS / 2a
Ns
(2S ) 2 ³
G
f FD ( E , EF )dVk
S ³
(k )
f FD ( E , EF )k dk
(k )
(P.1.197) (P.1.204)

Emax 2' 1.6 eV, za k0 rS / 2a 1 dk
S ³ f FD ( E , EF )k
dE
dE

Emin 2t 5eV, za k0 0, rS / a (E)
a vrednost energetskog procepa je S druge strane, veza površinske koncentracije i energetske gustine stanja glasi:
Eg
Emin
Emax 3.2 eV (P.1.198) Ns 2 ³ f FD ( E , EF ) g ( E )dE (P.1.205)
(E)
na osnovu ega sledi

b) Tražene efektivne mase odrediemo dodatnim diferenciranjem izraza (P.1.195) po k, što
daje:
1 k 1 1
g(E) (P.1.206)
2a 2 ' 2 t 2 2S dE dk 8S 4 AE
d 2Er
r (P.1.199)
dk 2 k k0 t cos(k0 a) ' sin(k0 a)
2 2
Problem 1.30. Pretpostavljajui da je disperziona relacija u kristalu neparabolina, oblika
odnosno =2k 2
E (k ) >1 D E (k ) @ (P.1.207)
2m* (0)
t cos(k0 a) ' sin(k0 a)
2 2
=2
m* r (P.1.200) 1 d 2E
k k0
2a 2 ' 2 t 2 gde je m* (0)
= 2 dk 2
. Izraunati brzinu elektrona u funkciji talasnog vektora v(k ) .
k 0
Efektivna masa elektrona na dnu popunjene zone iznosi: Rešenje: Brzina elektrona odreena je izrazom:
110 111
1 dE Prelaskom na polarne koordinate dobijamo k x k cos T 2m* E / = 2 cos T , pa prethodni izraz

v(k ) (P.1.208)
= dk postaje
Diferenciranjem disperzione relacije (P.1.207) po talasnom vektoru dobijamo:
2E
vx ( E , T ) cos T (P.1.214)
dE =2k m*
1 2D E (P.1.209)
dk m* (0)
a srednja vrednost iznosi
odakle je
EF 2S
=k =k
v(k ) (P.1.210) ³ ³ E cos T dEdT
m (0) >1 2D E (k ) @
* *
m (E) vx
2 E 0T 0 4 2 EF 4
vF (P.1.215)
m* E F 2S
3S m* 3S
gde smo uveli energetski zavisnu efektivnu masu m ( E ) *
m (0) >1 2D E (k )@ .
* ³ T³
E 0 0
dEdT
*
gde je vF 2 EF / m .
Problem 1.31. Posmatrati poluprovodnik koji se nalazi na temperaturi T 0K i za taj sluaj
izraunati: c) Na proizvoljnoj temperaturi, površinska koncentracija elektrona izraunava se na osnovu
a) površinsku koncentraciju elektrona, pretpostavljajui da je zavisnost energije od talasnog izraza:
vektora parabolina, sa efektivnom masom m* f
m* m* dE m*k BT
³ ³ ln ª¬1 e EF º¼
( k BT )
b) srednju vrednost x-komponente brzine elektrona (usrednjenu po svim stanjima) Ns f FD ( E , EF )dE E EF
(P.1.216)
S =2 S =2 S =2
1
(E) 0 k BT
c) ponoviti izraunavanje površinske koncentracije za proizvoljnu vrednost temperature e
Rešenje: a) Površinska koncentracija elektrona u poluprovodniku odreena je izrazom:

Problem 1.32. Za poluprovodnik sa sporopromenljivom efektivnom masom m* ( x) izvesti
2 1 jednainu kretanja elektrona u k-prostoru analognu onoj koja važi za sluaj kada je efektivna
Ns
(2S ) 2 ³G
(k )
f FD ( E , EF )dVk
S ³
(k )
f FD ( E , EF )k dk (P.1.211) masa konstantna:
d ( =k ) dEc ( x)
Fx (P.1.217)
Na temperaturi T 0K i za sluaj paraboline disperzione relacije u obliku E (k ) = 2 k 2 / 2m* , dt dx
prethodni izraz se svodi na
gde Fx oznaava silu u pravcu x-ose, a Ec ( x) je dno provodne zone.
EF
m* m* EF
Ns
= 2S ³ dE
0
= 2S
(P.1.212)
Rešenje: Ukupna energija elektrona jednaka je zbiru kinetike i potencijalne energije:
=2 k 2
gde smo Fermi-Dirac-ovu funkciju raspodele na 0K zamenili sa Heaviside-ovom step Etot (k , x) Ec ( x) (P.1.218)
funkcijom h( EF E ) . 2 m* ( x )
b) Brzina elektrona u x-pravcu glasi: pa je
1 wE =2 kx
vx (P.1.213)
= wk x m*
112 113
dE (k , x) wE dk wE dx Za dvodimenzionalni elektronski gas pod istim uslovima imamo:

dt wk dt wx dt
f
(P.1.219)
dk = 2 k 2 d § 1 · dx dEc dx 2³ g 2 D ( E ) f FD ( E , EF ) EdE
=vx ¨ ¸ 0
dt 2 dx © m* ¹ dt dx dt E2 D (P.1.225)
ns
Pošto se ukupna energija održava sa vremenom, imamo gde je ns površinska koncentracija elektrona, a g 2 D ( E ) je odgovarajua gustina stanja. Pošto
je
dE (k , x) d (=k ) = k d § 1 · dEc
2 2
0 ¨ ¸ (P.1.220)
dt dt 2 dx © m* ¹ dx 2
f f
1
f
m*
EF
ns
(2S ) 2 ³ ³
kx 0 k y 0
f FD ( E , EF )dk x dk y
S ³
k 0
f FD ( E , EF )k dk |
S =2
e k BT (P.1.226)
odakle dobijamo traženu jednainu kretanja u obliku
d (=k ) d § = 2 k 2 · dEc
¨ ¸ (P.1.221) a odatle sledi i
dt dx © 2m* ¹ dx
1 kdk m*
Ovaj primer je od znaaja za poluprovodnike heterostrukture kod kojih efektivna masa sporo g2 D ( E ) (P.1.227)
2S dE 2S = 2
varira sa koordinatom.
izraz (P.1.225) dobija oblik:
Problem 1.33. Za trodimenzionalni elektronski gas izraunati srednju vrednost kinetike
energije po jednom elektronu u sluaju totalne nedegeneracije i paraboline zavisnosti energije m*
EF f

E
od talasnog vektora, sa izotropnom efektivnom masom. Ponoviti proraun za odgovarajui e k BT ³ e k BT

EdE
dvodimenzionalni elektronski gas. S =2 0
E2 D k BT (P.1.228)
Rešenje: Srednju vrednost kinetike energije po jednom elektronu odreujemo na sledei ns
nain:
f Problem 1.34. Koncentracija elektrona u sopstvenom poluprovodniku na temperaturi od 400 K

2 ³ g3 D ( E ) f FD ( E , EF ) EdE iznosi 1.38 1015 cm -3 . Odrediti vrednost efektivne mase šupljina ako je efektivna masa
E3 D 0 elektrona mn 0.4m0 , gde je m0 masa slobodnog elektrona. Poznato je da se širina
n
EF
(P.1.222) energetskog procepa menja sa temperaturom po linearnom zakonu Eg (T ) a bT , gde je
2m*3/ 2 k BT
5/2
f
4 104 eV / K .
E E
1 2 kBFT kBT 3/2 e k BT a 0.785eV , b
| e ³e E dE *(5 / 2)
n S 2 =3 0
nS 2 =3
Rešenje: Koncentracija elektrona u sopstvenom poluprovodniku odreena je izrazom (1.241):
Koncentracija elektrona u ovom sluaju prema (1.156) iznosi Eg
§ 2S k BT ·
3/2

m m
3/4
2 k BT
3/2 EF
ni 2¨ 2 ¸ p e (P.1.229)
§ m*k BT · k BT © h ¹ n
n 2¨ 2 ¸
e (P.1.223)
© 2S = ¹
Odavde se može izraziti efektivna masa šupljina u obliku
pa je
4/3 2 2( a bT )
3 1 § ni · § h2 · 3 k BT
E3 D k BT (P.1.224) mp ¨ ¸ ¨ ¸ e (P.1.230)
2 mn © 2 ¹ © 2S k BT ¹
114 115
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo °e ikz rD eikz , z t a / 2

\ D ( z) ® ikz
(P.1.233)
°̄t D e , z d a / 2
m p | 0.52m0 (P.1.231)
Ukoliko barijera nije simetrina, amplitude transmisije t L i t D e u opštem sluaju biti

Problem 1.35. Razmotriti sluaj jednodimenzionalnog periodinog potencijala U ( z ) koji se razliite, a isto važi i za rL i rD . Opšte rešenje za talasnu funkciju dato je linearnom
sastoji od niza identinih potencijalnih barijera V ( z ) , širine a, centriranih u takama z r na
kombinacijom \ L i \ D :
gde je n ceo broj. Pojedinana barijera V ( z ) ima opšti oblik kao što je prikazano na Sl. P.1.15,
i može se okarakterisati amplitudom transmisije t (k ) i refleksije r (k ) za elektrone ija je
\ ( z) A\ L ( z ) B\ D ( z ) (P.1.234)
energija E = 2 k 2 / 2m , koji nailaze na nju.
gde su A i B konstante. Unutar barijere a / 2 z a / 2 , talasna funkcija dobija se rešavanjem
Schrödinger-ove jednaine:
=2 d 2<( z ) a a
V ( z )< ( z ) E < ( z ), z (P.1.235)
2m dz 2 2 2
n f
b) Ukoliko imamo periodini potencijal u obliku U ( z ) ¦ V ( z na)
n f
tj. niz barijera koje se
meusobno dodiruju, kao na Sl. P.1.16, Hamiltonian u oblasti a / 2 z a / 2 bie identian

kao kod pojedinane barijere, a rešenje u ostatku strukture odrediemo uz pomo Bloch-ove
teoreme:
Sl. P.1.15 Profil pojedinane barijere izdvojene iz periodinog potencijala
\ ( z a) eika\ ( z) (P.1.236a)

a) Za sluaj izolovane barijere napisati opšti oblik talasnih funkcija za elektrone energije \ '( z a ) e \ '( z )
ika
(P.1.236b)
E = 2 k 2 / 2m koji nailaze na nju.
gde je k konstanta koja igra ulogu talasnog vektora elektrona u periodinom potencijalu, a
b) Nai vezu energije i talasnog vektora elektrona u periodinom potencijalu funkcija \ ( z ) je data izrazom (P.1.234).
n f
U ( z) ¦ V ( z na) . Pokazati da se za slobodan elektron ( V
n f
0 ) dobija ispravan rezultat.
c) Koristei osnovne osobine koeficijenata t i r, pokazati da Bloch-ovi talasi egzistiraju samo u

odgovarajuim energetskim zonama
Rešenje: a) Talasna funkcija elektrona energije E, koji nailazi s leve strane barijere prikazane
na Sl. P.1.15, može se prikazati u obliku: Sl. P.1.16 Periodini potencijal sastavljen od niza barijera centriranih u takama z = ±na
ikz
°e rL e , z d a / 2
ikz
\ L ( z) ® ikz (P.1.232)
°̄t L e , zta/2 Na osnovu toga, za z a / 2 imamo:
A\ L (a / 2) B\ D (a / 2) eika > A\ L ( a / 2) B\ D ( a / 2) @

(P.1.237a)
gde je k 2mE / = 2 . Talasna funkcija elektrona iste energije koji nailazi na barijeru s desne
strane može se opisati izrazom:
116 117
A\ L '(a / 2) B\ D '(a / 2) eika > A\ L '(a / 2) B\ D '(a / 2)@

(P.1.237b) (P.1.232) prilagoenim za simetrian sluaj. Pošto u stacionarnom stanju gustina struje
G
verovatnoe J 2i=m \ *\ '\\ '* mora biti prostorno konstanta, primena ovog uslova na
odnosno, oblasti z d a / 2 i z t a / 2 daje:
A ª¬t L e ika
e

ika
1 r e º¼ B ª¬1 r e
L
ika
D
ika ika
tD e e º¼
ika
0 (P.1.238a) \ \*
L L '\ L\ L '*
z d
a \ \
*
L L '\ L\ L '*
zt
a (P.1.234a)
2 2
2 2
1 r
A ª¬t L eika eika 1 rL eika º¼ B ª¬1 rD eika tD eika eika º¼
t (P.1.234b)
0 (P.1.238b)
što je i oekivano zbog održanja energije.

Sabiranjem i oduzimanje prethodna dva izraza dobijamo:
Posmatrajmo sada dva elektrona iste energije koji istovremeno nailaze na barijeru, jedan s leve

A t L eika eika BrD eika 0 (P.1.239a) a drugi sa desne strane. U tom sluaju ukupna gustina struje verovatnoe je jednaka nuli, što
primenjeno na oblast z d a / 2 daje:

ArL eika eika B 1 t D eika eika

0 (P.1.239b)
ª\ L \ D * \ L \ D ' \ L \ D \ L ' \ D '* º 0 (P.1.235)
¬ ¼ z d a
2
Da bi ovaj sistem jednaina imao netrivijalna rešenja njegova determinanta mora biti jednaka odakle sledi
nuli, što daje:
2 2
1 r t r *t t *r 0 (P.1.236)
tLtD rL rD eika eika

t L e ika t D eika (P.1.240)
Na osnovu (P.1.234b) zakljuujemo da je

Prethodni izraz daje vezu izmeu energije elektrona E = 2 k 2 /2m i talasnog vektora u kristalu
k . r *t t *r 2 Re(r *t ) 0 (P.1.237)
Ako pretpostavimo da je barijera simetrina, što je kod kristala obino ispunjeno, tada imamo što znai da r *t mora biti isto imaginaran broj. Napisaemo koeficijente r i t u obliku:
V ( z ) V ( z ) , rL rD r , t L t D t . U tom sluaju izraz (P.1.240) dobija oblik:
t t eiG , r i r eiG (P.1.238)
t 2
r 2 eika e ika )
2t cos(ka (P.1.241)
ime je zadovoljen uslov (P.1.237). Zamenom i izraz (P.1.241) koji važi za periodian
Ukoliko je elektrona slobodan ( V 0 ), tada je r 0 , t 1 pa (P.1.241) postaje potencijal dobijamo:
)
cos(ka) cos(ka (P.1.242) cos(ka G ) )
cos(ka (P.1.239)
t
odnosno
k k (P.1.243) Pošto je t d 1 , u odreenim opsezima energija emo na levoj strani izraza (P.1.239) imati
) je za realne vrednosti k
f (k ) cos(ka G )/ | t |! 1 , a s druge strane, vrednost cos(ka
što je ispravan rezultat jer za slobodan elektron veza energije i talasnog vektora treba da ima
ograniena na interval [1,1] pa je oigledno da e te vrednosti energije pripadati zabranjenim
oblik E (k ) = 2 k 2 / 2m .
zonama u kojima Bloch-ovi talasi ne mogu da se prostiru. Tipian izgled funkcije f (k )
c) Pretpostavimo da elektron nailazi s leve strane ne izolovanu barijeru (koju emo smatrati prikazan je na Sl. P.1.17, gde osenene oblasti odgovaraju zabranjenim zonama.
simetrinom) i da smo njegovu talasnu fukciju u oblastima van barijere prikazali izrazom
118 119
U prvoj potencijalnoj jami levo od barijere, rešenje možemo predstaviti u formi:
<( z) AeiE z Be iE z , E 2 mE
=2
, a d z 0 (P.1.241)
U taki z 0 talasna funkcija i njen prvi izvod moraju biti neprekidni, na osnovu ega
dobijamo sledee relacije izmeu konstantni A, B, i C:
A B C (P.1.242a)
i E ( A B) N C (P.1.242b)
U periodinom delu potencijala (za z 0 ), na osnovu Bloch-ove teoreme rešenje Schrödinger-

ove jednaine ima opšti oblik < k ( z ) u k ( z )e ikz , gde vodimo rauna da rešenje tražimo na
energijama iz zabranjenih zona (pošto se radi o površinskim stanjima), pa je talasni vektor k
kompleksna veliina ( k k R ik I , k I ! 0 ). Prema tome, funkcija (P.1.241) ispunjava
Sl. P.1.17 Opšti oblik funkcije f(k) koju predstavlja leva strana izraza (P.1.239)
periodine granine uslove: < k ( z a ) < k ( z )e ika . Ove uslove primeniemo u taki
z a , što daje:
Problem 1.36. Za Kronig-Penney-jev -model polubeskonane jednodimenzionalne kristalne
rešetke ograniene konstantnim potencijalom U 0 , nai jednainu iz koje se dobijaju energije < (0 ) < ( a )e ika < ( a )e ika (P.1.243)
površinskih (tamovskih) stanja. odnosno
Rešenje: Posmatrajmo profil potencijalne energije prikazan na Sl. P.1.17, koji odgovara C e ika Ae iE a BeiE a (P.1.244)
opisanom modelu. Rešenje Schrödinger-ove jednaine u oblasti konstantnog potencijala, na
energijama 0 d E d U 0 , ima oblik:
Determinantu sistema jednaina (P.1.242a), (P.1.242b) i (P.1.244) po nepoznatim konstantama
izjednaiemo sa nulom, kako bi dobili netrivijalna rešenja:
N z
<( z) Ae , zt0 (P.1.240)
1 1 1
gde je N 2m(U 0 E ) / = 2 . iE i E N 0 (P.1.245)
e iE a ei E a eika
što daje
N sin E a
eika cos E a (P.1.246)
E
S druge strane, veza izmeu energije i talasnog vektora za Kronig-Penney-jev -model data je
izrazom (P.1.31):
sin( E a)
P cos( E a ) cos(ka ) (P.1.247)
Ea
Sl. P.1.17 Profil potencijalne energija kod polubeskonanog Kronig-Penney-jevog -modela
120 121
Kombinovanjem jednaina (P.1.246) i (P.1.247) možemo eliminisati talasni vektor, ime Na osnovu Kane-ove relacije (P.1.249) dobijamo:
dolazimo do tražene jednaine koja odreuje energije površinskih stanja:
2 § W · § 2W ·
m(0)3/2 W ¨1 1
a2 2 ¨ W ¸¸ ¨¨ W ¸¸
g (W ) (P.1.254)
2P
N E 2 aN E a cot( E a) (P.1.248) 2S 2 =3 © g ¹© g ¹
U sluaju potpune degeneracije, izraz (P.1.252) dobija oblik:

Problem 1.37. Izvesti izraz za izraunavanje koncentracije elektrona u vrstom telu za sluaj
WF
kada je zavisnost energije od talasnog vektora opisana Kane-ovom relacijom:
n 2
W 0
³ g (W ) f FD (W ( k ),WF )dW
=2k 2 § W · (P.1.255)
W ¨1 ¸¸ (P.1.249) W
¨ Wg
m(0)3/ 2 ³ W 1 W Wg 1 2W Wg dW
F
2m(0) 2
© ¹
S = 2 3
W 0
gde je W energija elektrona izražena u odnosu na dno provodne zone, Wg je energetski

Prethodni izraz napisaemo u formi sume dva integrala od kojih emo prvi rešavati
procep, a m(0) m(k 0) . Smatrati da su ispunjeni uslovi totalne degeneracije. Takoe
parcijalnom integracijom:
odrediti prividnu masu gustine stanja u ovom sluaju.
2
Rešenje: Koncentraciju elektrona izraunavamo na osnovu izraza n m(0)3/2 > I1 I 2 @ (P.1.256a)
S 2 =3
2
(2S )3 (³kG )
G
n f FD (W ( k ),WF )d 3 k (P.1.250) WF W
1 W
WF F
ª 2 W 3/2 1 W º 1
3/ 2
³ W 1 WWg
¼ 0 Wg W³ 0
W 3/ 2
I1 dW dW (P.1.256b)
W 0
¬3 Wg Wg
Pošto u posmatranom sluaju energija zavisi samo od modula talasnog vektora, integraciju je
W
najjednostavnije obaviti u sfernom koordinatnom sistemu:
I2
1 F
Wg W³ 0
1 W
W
Wg
3/2
dW (P.1.256c)
f S 2S
2
(2S )3 k³0 T ³0 M³0
n f FD (W ( k ),WF )k sin T dT dM dk
2
Na osnovu toga, koncentracija elektrona u provodnoj zoni postaje jednaka:

(P.1.251)
f
1 § W ·
3/2
S 2 ³0
f FD (W ( k ),WF )k 2M dk 2 2
n m(0)3/2 ¨1 F ¸ WF3/2 (P.1.257)
3S 2 =3 ¨ W ¸
© g ¹
S druge strane, koncentracija elektrona može se izraunati i preko energetske gustine stanja
Prividnu masu gustine stanja odrediemo poreenjem sa izrazom za koncentracije elektrona
f (1.166), koji se dobija u sluaju kada je zavisnost energije od talasnog vektora parabolina
n 2 ³
W 0
g (W ) f FD (W ( k ),WF )dW (P.1.252) ( W (k ) = 2 k 2 / 2m* )
2 2 3/ 2 3/ 2
Poreenjem izraza (P.1.251) i (P.1.252) zakljuujemo da se energetska gustina stanja može n mg WF (P.1.258)
izraziti u formi: 3S 2 =3 n
1 k 2 dk odakle zakljuujemo da je
g (W ) (P.1.253)
2S 2 dW
122 123
§ W · aproksimirajui ga za male vrednosti k, tj. W, onda i gustinu stanja po energiji možemo dobiti
mg n m(0) ¨1 F ¸ (P.1.259) iz odgovarajueg opštijeg izraza (P.1.254):
¨ Wg ¸
© ¹
2 § W · § 2W ·
Kane-ov oblik disperzione relacije daje taniju zavisnost energije od talasnog vektora (u m(0)3/2 W ¨1 1
¨ W ¸¸ ¨¨ W ¸¸
g (W ) (P.1.265)
odnosu na najjednostaviju parabolinu aproksimaciju), za poluprovodnike na bazi III-V 2S 2 =3 © g ¹© g ¹
jedinjenja, s obzirom da uzima u obzir interakciju provodne i valentne zone. Oigledno je da su
razlike izmeu odgovarajuih izraza vee ukoliko je energetski procep manji (zamenom koji za male vrednosti energije dobija oblik:
Wg o f u Kane-ovoj relaciji prelazimo na parabolinu aproksimaciju).
2 m(0)3/ 2 § W ·§ 2W ·
W ¨1 !¸¨1
¸¨ W ¸¸
g (W )
Problem 1.38. Disperziona relacija za elektrone u provodnoj zoni se za male vrednosti energija 2S 2 =3 ¨ 2W
© g ¹© g ¹
može prikazati u obliku: (P.1.266)
2 m(0)3/ 2 § 5W W 2 0
·
=2k 2
W (k )
2m(0)
1 J 2 k 2 (P.1.260) |
2S 2 =3
W ¨1
¨ 2Wg Wg2
¸
¸
© ¹
gde je J konstanta neparabolinosti, a m(0) m( k 0) . Izvesti izraz za J polazei od opšteg Zamenom konstante neparabolinosti (P.1.264) dobijamo:
oblika Kane-ove relacije (P.1.249) i aproksimirajui ga za male vrednosti talasnog vektora.
Nai vezu izmeu koncentracije elektrona i Fermi-jevog nivoa u ovom sluaju. 2 m(0)3/ 2 § 5J m(0) ·
g (W ) W ¨1 W¸ (P.1.267)
Rešenje: Na osnovu Kane-ovom relacije (1 iz preth. primera) dobijamo sledeu kvadratnu 2S 2 =3 © =2 ¹
jednainu po energiji:
što možemo zapisati u formi:
= 2 k 2Wg
W WWg
2
0 (P.1.261) g (W ) C1W 1/2 C2W 3/2 (P.1.268)
2m(0)
gde su konstante
ije rešenje glasi:
2 m(0)3/2 5 2 J m(0)5/2
C1 , C2 (P.1.269)
Wg § 2= k · 2 2 2S 2 =3 2S 2 =5
W ¨ 1 1 ¸ (P.1.262)
2 ¨© Wg m(0) ¸¹ Koncentracija elektrona jednaka je:
f
Ovaj izraz razviemo u red u okolini take k 0 , u kome emo zadržati lanove zakljuno sa
k4 :
n 2
W 0
³ g (W ) f FD (W ,WF )dW
=2k 2 § =2 k 2 · (P.1.270)
W| ¨1 ¸ (P.1.263) f f
2m(0) ¨© 2Wg m(0) ¸¹ 2C1 ³
W 0
W 1/2 f FD (W ,WF )dW 2C2 ³
W 0
W 3/2 f FD (W ,WF )dW
Poreenjem sa izrazom (P.1.260) zakljuujemo da konstanta neparabolinosti iznosi:

Uvoenjem bezdimenzionalnih promenljivih x { W / k BT i K { WF / k BT dobijamo:
=2
J (P.1.264)
2Wg m(0) f f
n 2C1 (k BT )3/2 ³x f FD ( x,K )dx 2C2 (k BT )5/2 ³x f FD ( x ,K )dx
1/2 3/2
(P.1.271)
x 0 x 0
Pošto smo disperzionu relaciju (P.1.260) izveli iz opšteg oblika Kane-ove relacije,
124 125
što se na osnovu (1.151) može zapisati preko Fermi-jevih integrala: 1 k dk

g 2 D (W ) (P.1.277)
2S dW
n 2C1 (k BT ) F1/2 (K ) 2C2 (k BT ) F3/2 (K )
3/2 5/2
(P.1.272)
što se u sluaju paraboline zavisnosti energije od talasnog vektora svodi na:
3/2
§ m(0)k BT ·
Ukoliko uvedemo i efektivni broj stanja provodne zone Bc 2¨ ¸ , dobijamo m*
© 2S = ¹
2
g 2 D (W ) (P.1.278)
2S = 2
2 ª 5m(0)J º
n Bc «F1/2 (K ) (k BT ) F3/2 (K )» Vidimo da je energetska gustina stanja u posmatranom primeru zapravo konstantna tj. ne zavisi
S ¬ =2 ¼ (P.1.273) od energije. Na osnovu izraza (P.1.276), površinska koncentracija je dalje jednaka:
n(J 0) n1 f
m* dW
S = 2 ³0 e(W W
Ns (P.1.279)
Vidimo da se koncentracija može izraziti u formi zbira vrednosti n0 n(J 0) koja se dobija u
F )/ k BT
1
parabolinoj aproksimaciji i dodatka n1 koji je direktno srazmeran konstanti neparabolinosti
J. Uvoenjem smene t e (W WF )/ kBT dobijamo:
WF
m*k BT § ·
e kBT WF
Problem 1.39. Odrediti relaciju izmeu površinske koncentracije elektrona N s i Fermi-jevog m* k B T dt
nivoa WF u dvodimenzionalnom elektronskom gasu, ako je zavisnost energije od talasnog
Ns
S =2 ³ 1 t 2S = 2
ln ¨1 e kBT ¸
¨ ¸
(P.1.280)
G 0 © ¹
vektora k (k x , k y ) parabolina, sa izotropnom efektivnom masom ( W (k ) = 2 k 2 2m* ) .
Problem 1.40. Odrediti energetsku gustinu stanja i relaciju izmeu površinske koncentracije
Rešenje: Površinska koncentracija elektrona data je izrazom: elektrona N s i Fermi-jevog nivoa WF u dvodimenzionalnom elektronskom gasu, ako je
G
zavisnost energije od talasnog vektora k (k x , k y ) data Kane-ovom relacijom
2
(2S ) 2 (³kG )
G
Ns f FD (W ( k ),WF )d 2 k (P.1.274)
=2k 2
W 1 W Wg . Smatrati da je degeneracija potpuna, tj. da se može uzeti f FD (W ) 1 ,
2m(0)
Pošto energija zavisi samo od modula talasnog vektora, najjednostavnije je da se integracija za W d WF i f FD (W ) 0 , za W ! WF . Uporeujui dobijeni izraz za površinsku koncentraciju
izvrši u polarnim koordinatama, pa je: sa rezultatom koji se dobija kada je zavisnost W (k ) isto parabolina sa konstantnom
f 2S
efektivnom masom m* ( W (k ) = 2 k 2 2m* ), uz nepromenjene ostale uslove, izraziti m* u
1
2S 2 k³0 M³0
Ns f FD (W ( k ),WF )kdM dk funkciji m(0) , WF i Wg .
(P.1.275)
f Rešenje: Kao što je pokazano u prethodnom primeru, gustina stanja po jedinici energije kod
1
S ³
0
f FD (W ( k ),WF )kdk dvodimenzionalnog elektronskog gasa ima oblik:
1 k dk
Ako površinsku koncentraciju izraunavamo uz pomo dvodimenzionalne gustine stanja po g 2 D (W ) (P.1.281)
2S dW
jedinici energije g 2 D (W ) imamo:
f što u sluaju kada je veza W i k data Kane-ovom relacijom iznosi:
Ns 2 ³ g 2 D (W ) f FD (W ,WF )dW (P.1.276)
W 0 m(0) ª 2W º
g 2 D (W ) «1 » (P.1.282)
2S = 2 «¬ Wg »¼
pa poreenjem sa izrazom (P.1.275) zakljuujemo da je:
126 127
Površinska koncentracija, u aproksimaciji totalne degeneracije, jednaka je
m(0) § WF ·
WF
³ 1 2W Wg dW
m(0)
Ns W ¨1 ¸ (P.1.283)
S =2 0
S = 2 F ¨© Wg ¹¸
Kada je zavisnost energije od talasnog vektora isto parabolina, sa konstantnom efektivnom

masom, energetska gustina stanja iznosi:
m*
g 2 D (W ) (P.1.284)
2S = 2
a površinska koncentracija
m*
WF
m* Sl. P.1.18 Fermi-Dirac-ova funkcija i njen izvod po energiji kod metala
Ns
S =2 ³ dW
0
W
S =2 F
(P.1.285)
Parcijalnom integracijom gornjeg izraza dobijamo:
Poreenjem izraza (P.1.285) i (P.1.283) zakljuujemo da je 0
3/2 f
2 y K 2 y K e
f 3/2 y
3 ³K (e y 1) 2
§ W · F1/2 (K ) dy (P.1.289)
m* m(0) ¨1 F ¸¸ (P.1.286) 3 ey 1
¨ Wg K
© ¹
što je identino rezultatu (P.1.259) koji smo dobili u trodimenzionalnom sluaju. Da bi pojednostavili rešavanje integrala (P.1.289), donju granicu K emo zameniti sa f , što
je opravdano uzevši u obzir da je vrednost podintegralne funkcije znaajna samo u okolini
Problem 1.41. Odrediti približan izraz za koncentraciju elektrona u metalu, koristei y 0.
adekvatan razvoj Fermi Dirac-ovog integrala. Postupak sprovesti pretpostavljajui da je
2 y K e
f 3/2
y
zavisnost energije od talasnog vektora parabolina. Takoe, nai približan izraz za promenu
Fermi-jevog nivoa sa temperaturom smatrajui da je pri tome tokoncentracija elektrona u
F1/2 (K ) | ³ (e y 1)2 dy
3 f
(P.1.290)
metalu konstantna.
Faktor y K
3/2
podintegralne funkcije razviemo u red u okolini y 0 , što daje
Rešenje: Polazimo od opšteg oblika izraza za koncentraciju (1.148), za sluaj kada je
disperziona relacija parabolina:
f
2 e y ª 3/ 2 3 1/2 3 1/ 2 2 º
2
f
x F1/2 (K ) | ³ (e y 1)2 «¬K 2 K y 8K y !»¼ dy (P.1.291)
n
S
Bc F1/2 (K ), F1/2 (K ) ³0 e xK 1 dx (P.1.287) 3 f
Zadržaemo prva tri lana u razvoju, ime dobijamo tri analitiki rešiva integrala
gde je x W / k BT , K WF / k BT . Kod metala, Fermi-jev nivo WF se nalazi u provodnoj zoni
f f f
( WF ! 0 ), a funkcija raspodele f FD (W ,WF ) se može aproksimirati odskonom funkcijom u 2 e y dy e y ydy 1 1/2 e y y 2 dy
F1/2 (K ) | K 3/ 2 ³ y K 1/2 ³ y K ³ (e y 1)2
okolini WF , dok je njen izvod wf FD / wW oblika Dirac-ove delta-funkcije ( G (W WF ) ), kao 3 f
( e 1) 2
f
( e 1) 2 4 f
(P.1.292)
što je prikazano na Sl. P.1.17. Zbog toga je zgodno da uvedemo promenljvih u obliku
y x K , što daje 2 3/ 2 S 2 1/2
K K
3 12
f
y K
F1/2 (K ) ³
K
ey 1
dy (P.1.288) Približan izraz za koncentraciju elektrona, prema tome, glasi:
128 129
4§W ·
3/ 2
ª S 2 § k T ·2 º Problem 1.42. Primenjujui zakon o dejstvu generalisanih masa (pravilo o prelasku sa jednog
n| Bc ¨ F ¸ «1 ¨ B ¸ » (P.1.293) energetskog nivoa na drugi) koji glasi:
3 S © k BT ¹ «¬ 8 © WF ¹ »
¼
E fin Einic
( Za )inic ( Pr ) fin k BT
Na temperaturi T 0K , izraz (P.1.293) dobija oblik: e (P.1.300)
( Za ) fin ( Pr )inic
2 2 3/ 2 3/ 2
n| mg WF (P.1.294) gde je: ( Za) inic - koncentracija zauzetih stanja na inicijalnom nivou (sa koga se vrši prelaz)
3S 2 =3 n 0
( Za) fin - koncentracija zauzetih stanja na finalnom nivou (na koji se vrši prelaz)
gde je WF0 WF (T 0) , pa prema tome možemo pisati: ( Pr )inic / fin - koncentracija nezauzetih (praznih) stanja
izraunati faktor spinske degeneracije za donorski nivo.

ª S 2 § k T ·2 º
WF3/0 2 | WF 3/2 «1 ¨ B ¸ » (P.1.295) Rešenje: Posmatraemo samo prelaze izmeu provodne zone i donorskog nivoa, kao što je
«¬ 8 © WF ¹ »
¼ prikazano na Sl. P.1.19, i primeniemo zakon o dejstvu generalisanih masa (P.1.300) u tom
sluaju. U stanju termodinamike ravnoteže, brzine prelaza izmeu provodne zone (koju
Pošto kod metala Fermi-jev nivo ima veliku vrednost, možemo smatrati da je ispunjen uslov reprezentujemo energijom dna Ec ) i donorskog nivoa Ed , moraju biti jednake u oba “smera”,
WF / k BT 1 , pa se prethodni izraz može aproksimirati na sledei nain: pa izbor inicijalnog i finalnog stanja u formuli (P.1.300) ne utie na rezultat.
2/3
ª S 2 § k T ·2 º ª S 2 § k T ·2 º Neka je Einic Ed , E fin Ec . U tom sluaju veliina ( Za) inic predstavlja koncentraciju
WF0 WF «1 ¨ B ¸ » | WF «1 ¨ B ¸ » (P.1.296) elektrona na donorskom nivou koja iznosi:
¬«
8 © WF ¹ »
¬«
12 © WF ¹ »
¼ ¼
( Za)inic nd N D f d ( Ed ) (P.1.301)
Na osnovu toga dobijamo kvadratnu jednainu po WF u obliku
gde je N D koncentracija donorskih primesa, a f d je funkcija koju treba odrediti i ija vrednost
S2
k BT f d ( Ed ) daje verovatnou da je donorski nivo Ed zauzet elektronom (tj. da atom donora nije
2
W WF0WF
F
2
0 (P.1.297)
12 jonizovan).
ija su rešenja:
WF0 § · W ª § S 2 k T 2 ·º
¨1 r 1 S B
2 2
kT
WF ¸ | F0 «1 r ¨1 B
¸» (P.1.298)
2 ¨ ¸ 2 «¬ ¨© 6 WF20 ¸¹»
2
3 WF0
© ¹ ¼
U gornjem izrazu dolazi u obzir samo znak “+” (pošto bi u suprotnom dobili WF | 0 , što je
nemogue), pa konano imamo:
§ S 2 k BT 2 ·
WF (T ) | WF0 ¨1 ¸ (P.1.299)
¨ 12 WF2 ¸
© 0 ¹
Sl. P.1.19 Ilustracija razmene elektrona izmeu donorskog nivoa i provodne zone
130 131
S druge strane imamo: Problem 1.43. Za nedegenerisani poluprovodnik n-tipa ( P 0 ), odrediti transcendentu
jednainu za temperaturu jonizacije T j u sluaju da je ona definisana na sledei nain:
EF Ec
k BT
( Za) fin n Bc e (P.1.302)
a) T j odgovara preseku zavisnosti n(T ) za oblast iscrpljenja i za primesnu oblast (oblast niskih
temperatura).
Broj praznih stanja u provodnoj zoni dobijamo kada od efektivnog broja stanja Bc (za
EF Ec ), oduzmemo broj zauzetih stanja, tj. b) T j odgovara stanju potpune jonizacije donora, u sluaju kada se funkcija raspodele za
elektrone na donorskom nivou aproksimira linearnom zavisnošu od x Ed EF / k BT
EF Ec
ª º
( Pr ) fin Bc n Bc «1 e kBT » (P.1.303) Rešenje: a) Koncentracija elektrona u primesnoj oblasti data je izrazom (1.293), koji za PA 0
¬« ¼»
dobija oblik
EF Ec
W
Pošto je kod nedegenerisanih poluprovodnika e k BT
1 , sledi Bc N D 2 kBdT
n e (P.1.309)
2
( Pr ) fin | Bc (P.1.304)

3/ 2
gde je Bc 2 2S mgn k B h 2 T 3/2 { acT 3/ 2 , a Wd Ec Ed . U oblasti iscrpljenja važi
Konano, treba odrediti i koncentraciju nezauzetih stanja na donorskom nivou, a to je zapravo
koncentracija jonizovanih donora, kojih ima N D nd . Meutim, iako jedan jonizovani donor
n | ND (P.1.310)
(kome nedostaje elektron) ima jedno prazno mesto i može da primi jedan elektron iz provodne
zone – taj elektron može biti jedne ili druge orijentacije spina. Dakle, 2 elektrona iz provodne
zone (sa razliitim spinom) “vide” to stanje na donorskom nivou kao upražnjeno, iako naravno Presek zavisnosti n(T ) datih izrazima (1) i (2) daje
im jedan od njih izvrši prelaz, ono više nije dostupno za drugi elektron. Prema tome, za
N D nd jonizovanih donora, efektivan broj praznih stanja iznosi: Bc N D 2 kBdT
W
ND e (P.1.311)
2
( Pr )inic 2 N D nd (P.1.305)
a odgovarajua transcendentna jednaina na osnovu koje se odreuje T j je, prema tome, oblika
Zamenom izraunatih veliina ( Pr )inic / fin i ( Za)inic / fin u izraz (P.1.300) dobijamo:
Wd
ac 3/ 2 kBT j
Ec Ed ND T e (P.1.312)
nd Bc k BT 2 j
e (P.1.306)
n 2 N D nd
b) Funkcija raspodele elektrona na donorskom nivou glasi:
Odavde sledi:
d 1 1
f FD ( Ed ) Ed EF
(P.1.313)
nd 1 1 x
d
f ( Ed )
1
(P.1.307) e k BT
1 e 1
ND Ed EF
2 2
1
e k BT
1
2
Razvijanjem prethodnog izraza u red i zanemarivanjem svih lanova osim linearnog dobijamo:
Poreenjem sa izrazom (1.271), zakljuujemo da faktor spinske degeneracije donorskog nivoa
2§ x·
iznosi: d
f FD ( x) | ¨1 ¸ (P.1.314)
3© 3¹
gd 2 (P.1.308)
132 133
Zonska teorija vrstog tela – odabrani problemi Transportni procesi
U sluaju kada su svi donori jonizovani, verovatnoa za nalaženje elektrona na donorskom 2. TRANSPORTNI PROCESI
nivou jednaka je nuli, odakle sledi:
d
f FD ( x ) 0 x 3 EF Ed 3k BT (P.1.315) 2.1 BOLTZMANN-OVA KINETIKA JEDNAINA
Zamenom u izraz za koncentraciju elektrona dobijamo: U dosadašnjim razmatranjima pretpostavljali smo da na posmatrano vrsto telo ne deluju
nikakva spoljašnja polja, kao i da se ono nalazi u uslovima termo-dinamike ravnoteže.
WF

Wd
3
Meutim, ukoliko je materijal izložen dejstvu polja (elektrinog, magnetnog), ili je npr.
n Bc e kBT Bc e k BT
(P.1.316) dopiranje nehomogeno, ili postoji gradijent temperature duž uzorka, tada dolazi do dodatnog
kretanja slobodnih elektrona i šupljina, odnosno vrši se transport nosilaca.
a izjednaavanjem sa oblikom (P.1.309) koji važi u primesnoj oblasti dolazimo do tražene
transcendentne jednaine: U ovom poglavlju analiziraemo kretanje elektrona 5 u vrstom telu pod dejstvom navedenih
spoljašnjih polja. Dejstvo elektrinog i magnetnog polja opisuje se preko Lorentz-ove sile koja
Wd je data izrazom:
2ac 3/2 kBT j
ND T e (P.1.317) G G G G
e6 j F
-e u K v u B (2.1)
Kada se vrsto telo nalazi u ravnoteži (ne deluju nikakva fizika polja) tada je funkcija
raspodele elektrona u vrstom telu Fermi-Dirac-ova i nju nazivano ravnotežna funkcija
raspodele i obeležavamo sa f 0 ( f 0 { f FD ( E , EF ) ). Pod dejstvom spoljašnjih polja funkcija
raspodele se menja i postaje zavisna od koordinate (a svakako i dalje zavisi od talasnog
G G
vektora, odnosno energije) i tu novu veliinu obeležiemo sa f (k , r ) . Ova funkcija dobija se
rešavanjem Boltzmann-ove kinetike jednaine u aproksimaciji vremena relaksacije, koja je
data izrazom:
G G G G f f0
r rG f k kG f G (2.2)
W (k )
G
gde je W vreme relaksacije i funkcija je talasnog vektora k .
G G
Funkciju raspodele f (k , r ) prikazaemo u formi zbira ravnotežnog ( f 0 ) i neravnotežnog lana
( f1 ) koji izražava uticaj polja:
f f 0 f1 (2.3)
Boltzmann-ova kinetika jednaina se može izvesti na klasian naine. Ako su npr. elektrina i
magnetna polja vrlo jaka, tada prestaje važenje ove jednaine i prelazi se na odgovarajui
kvantno-mehaniki tretman. Dakle, razmatraemo slaba spoljašnja polja, a to dalje znai da je
ispunjena sledea nejednakost:
5
U okviru ovog poglavlja ograniiemo se samo na transport elektrona. Transport šupljina, zbog vrlo kompleksne
strukture valentne zone, zahteva znatno složeniji tretman
134 135
Transportni procesi Transportni procesi
f1 f 0 (2.4) Ukupnu energiju elektrona E možemo napisati u obliku sume kinetike i potencijalne enerije,
pa je, prema tome
Imajui u vidu da je (videti poglavlje 1.3.1):
E EF EKIN EPOT EF
G G G G (2.11)
G dr G W (k ) eM (r )) EF (r )
r v (2.5a)
dt
G G G
G G G gde je W W (k ) kinetika energija, M M (r ) je elektrostatiki potencijal, a EF (r ) se naziva
G dk 1 dp F
k (2.5b) elektrohemijski potencijal. Ovaj izraz možemo napisati i u sledeem obliku gde smo
dt = dt = G
razdvojili funkcije koje zavise od koordinate r od onih koje zavise samo od talasnog vektora
G
k:
na osnovu izraza (2.1) - (2.5b) Boltzmann-ovu jednainu možemo napisati u obliku: G G G
E EF W (k ) [ EF (r ) eM (r )]
G G (2.12)
G G e G G G G W (k ) WF (r )
=

v rG f K v u B kG f
f1
W
(2.6)
G G G
gde veliina WF ( r ) [ EF ( r ) eM (r )] predstavlja hemijski potencijal. Dakle, ravnotežna
Pretpostaviemo da u sluaju slabih spoljašnjih polja važi i sledee: funkcija raspodele dobija formu:
G G
rG ( f 0 f )1 | rG f 0 (2.7a) 1
f0 f FD (W , WF ) G
W ( k )WF ( rG ) (2.13)
kBT ( rG )
G G e 1
kG ( f 0 f1 ) | kG f 0 (2.7b)
gde je uzeto da se u opštem sluaju i temperatura može menjati sa koordinatom. Odredimo
što je dodatna aproksimacija koja ne sledi neposredno iz (2.4), npr. ne bi važila u sluaju da je sada lanove jednaine (2.9). U prvom sabirku imamo
G G
f1 brzopromenljiva funkcija po r ili k . Zamenimo sada funkciju raspodele u obliku (2.3) u W WF G
izraz za Boltzmann-ovu jednainu (2.6): § rGWF W WF G ·
¨ rGT ¸
k BT
e
G © k BT k BT 2 ¹
rG f 0 (2.14)
G G e G G e G G G
f1 2
v rG f 0 f1 K kG f 0 f1 v u B kG f 0 f1 § W WF
(2.8) ·
W ¨1 e ¸
k BT
= = ¨ ¸
© ¹
i primenimo uslove (2.7a) i (2.7b) na prva dva sabirka. U treem sabirku neemo zanemariti
G G
lan kG f1 jer bi na taj nain izgubili informaciju o uticaju magnetnog polja. Naime, Zatim treba izraunati kG f 0 , što možemo napisati u obliku
G G G G G G G G G

pokazaemo da je kG f 0 v , pa je v u B kG f 0 v u B v 0 i lan koji sadrži B bi G wf 0 G G
G kG f 0 W (2.15)
nestao. Zbog toga e u treem sabirku (2.8) ostati lan kG f1 pa ova jednaina dobija oblik: wW k
G G e G G e G G G
f1 a na osnovu (2.13) dobijamo
v rG f 0 K kG f 0 v u B kG f1 (2.9)
= = W
W WF
wf 0 e k BT
1
Ravnotežna, Fermi-Dirac-ova funkcija raspodele data je izrazom (1.79), tj. (2.16)
wW § W WF
·
2
k BT
1 ¨1 e kBT ¸
f0 f FD ( E , EF ) (2.10) ¨ ¸
E EF © ¹
e kBT 1
136 137
Poreenjem izraza (2.14) i (2.16) vidimo da važi relacija U celom poglavlju o transportnim procesima pretvljaemo model skalarne efektivne mase tj.
=2k 2 G
G wf 0 § G W WF G · zavisnost kinetike energije od talasnog vektora u obliku W , pri emu je m* z m* (k ) .
rG f 0 ¨ rGWF rGT ¸ 2m*
(2.17) G
wW © T ¹ Ako su u pitanju složenije zavisnosti W (k ) , teorija transportnih procesa se znatno usložnjava i
izlazi iz okvira ovog teksta. U modelu skalarne efektivne mase, brzina je data izrazom
G 1 G G G G
Na osnovu izraza (1.188) imamo v W (k ) , pa (2.15) možemo napisati u obliku v =k m* , pa za x-komponentu izraza (2.22) možemo pisati
= k
G w = w
wf 0 G ªax vx a y v y a y v y º¼ ªax vx a y v y az vz º¼
kG f 0 = v (2.18) wk x ¬ m* wvx ¬
wW
G G G = = ª wa wa wa º
odakle vidimo da je kG f 0 v , što je i razlog zbog koga nismo zanemarili lan kG f1 u a x * « x v x y v y z vz » (2.23)
m* m ¬ wvx wvx wvx ¼
jednaini (2.8). Da bismo izraunali i trei sabirak na levoj strani jednaine (2.9)
prepostaviemo funkciju f1 u obliku: = = ª wa wW wa y wW wa wW º
ax * « x vx vy z vz »
m* m ¬ wW wvx wW wvx wW wvx ¼
§ wf · G G G G
f1 { ¨ 0 ¸ ¬ªF (r , k ) v ¼º (2.19)
© wW ¹ wW
Kako je m*vx prethodni izraz se svodi na
wvx
G G G G
gde je F F (r , k ) nepoznata funkcija koju treba odrediti. Na osnovu (2.19) imamo
w = ª wa wa wa º
G G ª§ wf · G Gº G G G G G ªax vx a y v y a y v y º¼ a x =v x « x v x y v y z v z » (2.24)
kG f1 kG «¨ 0 ¸ F v » kG ¬ªa (r , k ) v ¼º (2.20) wk x ¬ m* ¬ wW wW wW ¼
¬© wW ¹ ¼
gde smo uveli oznaku Na identian nain analiziraju se i y- i z-komponenta izraza (2.22), što konano daje
G G G § wf · G G G G G G G G wa y
a (r , k ) { ¨ 0 ¸ F (r , k ) =a G ª wa wa º
(2.21) kG f1 kG >a v @ =v « x vx v y z vz » (2.25)
© wW ¹ m* ¬ wW wW wW ¼
Dalje je Analizirajui trei sabirak jednaine (2.9) zakljuujemo da je

G G G G G
kG f1 kG >a v @ kG ¬ªax vx a y v y a y v y ¼º G G G G ª wa y waz º
w G vG u B Gf
k 1 vG u B m= §¨© wwWf ·¸¹ FG = vGu
*
0 G wa
B v «

wW
x
v x
wW
vy vz
wW ¼»
ªax vx a y v y a y v y ¼º ix ¬
wk x ¬ 0 (2.26)
wf 0 = G G G

w G
ªax vx a y v y a y v y º¼ iy
(2.22)
wW m*

vuB F
wk ¬ y
w G Ovaj rezultat, zajedno sa (2.17) i (2.18), uvrstiemo u jednainu (2.9):

ªax vx a y v y a y v y º¼ iz
wk z ¬ G G
wf 0 G § G W WF G · G wf G wf e G G G wf 0 v F

wW ©
v ¨ rGWF
T
rGT ¸ eK 0 v 0 * v u B F
¹ wW wW m

wW W
(2.27)
138 139
wf Kombinovanjem (2.31) dobijamo:

Posle skraivanja faktora 0 i primene pravila za proizvod vektora na osnovu kojeg imamo
wW G G G G G G G
G G G
G G G
G

v u B F v B u F , jednaina (2.27) dobija sledei oblik: A F
A u T T T A FT 2 (2.33c)
G G
G § G W WF G G· e G G G vF odakle je
v ¨ rGWF
© T
rGT eK ¸ * v B u F
¹ m
W
(2.28)
G
G G G G G G

A A uT T T A
F (2.34)
1T 2
S obzirom da gornja jednaina mora biti ispunjena za proizvoljno orijentisan vektor brzine,
jasno je da sledi: G
Kada je poznata funkcija F , onda na osnovu relacije (2.19) možemo odrediti neravnotežni lan
G G f1 funkcije raspodele, kao i ukupnu funkciju raspodele datu izrazom (2.3). Naravno, za
G GT G e G G F
rGWF W WF r eK * B u F
T m

W
(2.29) G
odreivanje funkcije F neophodno je poznavanje zavisnosti vremena relaksacije od talasnog
G
vektora W W ( k ) , što je jedan od centralnih problema teorije rasejanja. U modelu skalarne
G
Malim preureivanjem gornjeg izraza dolazimo do jednaine: efektivne mase koji ovde razmatramo, vreme relaksacije zavisi samo od | k | , tj. od energije, pa
emo u daljem izlaganju podrazumevati W W (W ) .
G ªG W WF G GT eKG º eW BG u FG
F W « rGWF
T
r » * (2.30)
¬ ¼ m
2.2 GUSTINA STRUJE NAELEKTRISANJA I GUSTINA STRUJE ENERGIJE
koja se može zapisati i kompaktnijoj formi kao:
2.2.1 Gustina struje naelektrisanja
G G G G
F A T u F (2.31)
Nakon odreivanja funkcije raspodele mogue je izraunati koncentraciju elektrona u
gde je G
elementarnoj zapremini k -prostora, dVk , koja je data izrazom:
G ªG
A W « rGWF
W WF G GT eKG º
r » (2.32a)
dn 2 f
dVk
(2.35)
¬ T ¼ 8S 3
G eW G
T B (2.32b) kao što je pokazano u poglavlju 1.2. Elementarna gustina struje koja potie od ovih elektrona
m* iznosi:
G G G G
Pomnožiemo jednainu (2.31) vektorom T prvo skalarno: dJ ev (k )dn (2.36)
G G G G G G G G G
F T A T (T u F ) T

A T (2.33a) Zamenom (2.35) u (2.36) dobijamo:

0
a zatim i vektorski: G e G
dJ 3 fvdVk (2.37)
G G G G G G 4S
G
F uT
A uT T u F uT
G G G G G G G G Ukupna gustina struje koja potie od svih elektrona (sa svim moguim vrednostima talasnog

A u T T T F F T T (2.33b) G
vektora) dobija se integracijom po k -prostoru
G G G G G G 2

A u T T T A FT
140 141
G G e G Kao što je objašnjeno ispod jednaine (2.39), zbog neparnosti podintegralne funkcije
J ³ dJ
G
(k )

4S 3 (³kG )
fvdVk (2.38) ravnotežni deo energetskog fluksa bie jednak nuli, pa imamo:
G G G G
G 1 eM (r ) G G
4S 3 (³kG ) 4S 3 (³kG )
Ukoliko funkciju raspodele napišemo u formi zbira ravnotežnog i neravnotežnog lana, * W (k ) v (k ) f1dVk v (k ) f1dVk (2.45)
dobijamo:
G e G e G 0
e G Poreenjem sa (2.40) zakljuujemo da važi sledea veza izmeu gustine struje energije i
J 3 ³ ( f 0 f1 )vdVk ³ f 0 vdVk 3 ³ f1vdVk (2.39)
4S ( kG ) 4S 3 G
(k )
4S ( kG ) gustine struje naelektrisanja:
G G 1 G G G G G
4S 3 (³kG )
Kao što je ve naglašeno, podrazumevamo zavisnost W (k ) = 2 k 2 (2m* ) , pa je f 0 parna * W (k ) v (k ) f1dVk eM (r ) J (2.46)
G G
funkcija talasnog vektora, a v =k m* je neparna funkcija, pa je prvi integral u izrazu (2.39)
jednak nuli. Dakle, ukupna gustina struje iznosi:
2.3 KINETIKI KOEFICIJENTI
G e G
J 3 ³ f1vdVk (2.40) G G
4S ( kG ) Posmatraemo dejstvo etiri mogue eksitacije, a to su: elektrino polje K , magnetno polje B ,
G G
gradijent temperature u materijalu rGT i gradijent hemijskog potencijala rGWF , i detaljnije
analizirati situacije u kojima deluju samo pojedine od njih.
2.2.2 Gustina struje energije
2.3.1 TERMOELEKTRINE POJAVE

Još jedna znaajna makroskopska veliina koja karakteriše transportne procese je gustina struje
G
energije. Elementarna gustina struje energije u zapremini dVk u k -prostoru iznosi
Pretpostavimo da vrsto telo nije izloženo uticaju magnetnog polja, ve su za transport nosilaca
G G G G G odgovorne preostale tri veliine, odnosno
d * Etot (r , k ) v (k )dn (2.41)
G G G G
G G B 0 , K z 0, rGT z 0, rGWF z 0 (2.47)
gde Etot (r , k ) predstavlja ukupnu energiju. Zamenom izraza (2.35) u (2.41) dolazimo do
sledee relacije: G
Na osnovu (2.32b) imamo da je T 0 , a iz (2.32a) i (2.34) sledi:
G G G G G dVk
d * Etot (r , k ) v (k ) f (2.42)
4S 3 G G ªG W WF G GT eKG º
F A W « rGWF r » (2.48)
Ukupnu gustine struje energije dobijamo integracijom po svim stanjima: ¬ T ¼
G
G 1 G G G G G §W · G W GT
*
4S 3 ³E
G
(k )
tot (r , k ) v (k ) fdVk (2.43) Kako je T rG ¨ F ¸ rGWF F r , gornji izraz se može napisati u obliku:
© T ¹ T
G
Ukupnu energiju elektrona predstaviemo kao zbir kinetike i potencijalne energije: G ª G T G §W · W rGT º
G G G G F eW « K rG ¨ F ¸ » (2.49)
Etot (r , k ) W (k ) eM (r ) , što dalje daje ¬ e © T ¹ eT ¼
G G G G
G 1 eM (r ) G G
4S 3 (³kG ) 4S 3 (³kG )
* W (k ) v (k ) fdVk v (k ) fdVk (2.44)
Neravnotežni deo funkcije raspodele odreujemo na osnove (2.19) i on u ovom sluaju glasi
142 143
§ wf · G G

Ako primenimo ove rezultate na izraz (2.51), dobijamo sledeu formulu za gustinu struje
f1 ¨ 0 ¸ A v (2.50)
© wW ¹ G G
G G
º¼ ³ W (W )v dV rGT
³ W (W ) W v dV
2
e e
J ªK Te rG WF wf 0 2
wf 0 2
(2.56)
12S
3 ¬ T
G
wW k
12S
3
T G
wW k
Zamenom (2.49) i (2.50) u izraz za gustinu struje (2.40) dobijamo: (k ) (k )
G G G
^ `
º vG vdV
G
G
e2
J
¬
0 W ªK Te rG
4S 3 (³kG ) wW
wf

WF
T
W rG T
e T ¼ k (2.51)
koja se uobiajeno zapisuje u obliku
G
G ª G T G § W ·º GT
Kao što je ve reeno, podrazumevamo da je vreme relaksacije W izotropna veliina i da zavisi J C1 «K rG ¨ F ¸» C2 r (2.57)
samo od energije, tj. W W (W ) . Posmatrajmo integral oblika: ¬ e © T ¹¼ T
G G G G
³ g (W ) P(W ) v vdV
I (2.52) gde C1 i C2 predstavljaju prvi i drugi kinetiki koeficijent, respektivno, i definisani su na
k
G
(k ) sledei nain
G G e2
gde su g i P neke funkcije energije, mada naravno mogu zavisiti i od koordinate r , što u
posmatranom sluaju nije bitno jer se integracija vrši u k-prostoru, za odreenu vrednost r .
G C1
12S 3 (³kG ) wW
wf

0 W (W )v dVk
2
(2.58a)
Izraz (2.52) u razvijenom obliku predstavlja sumu 9 lanova, pri emu su koeficijenti oblika
³ G g (W ) Pi v j vk dVk , ( j z k ) jednaki nuli jer je podintegralna funkcija parna po k j i kk , a e

12S 3 (³kG ) wW
wf
0 W (W ) W v dVk
2
(k ) C2 (2.58b)
granice integracije su simetrine. Prema tome, imamo
G G G G Gustinu struje energije odreujemo na osnovu izraza (2.46), zamenjujui (2.19) i (2.49), što
³ g (W ) P v dV i ³ g (W ) P v dV i ³ g (W ) P v dV i
2 2 2
I x x k x y y k y z z k z (2.53) daje:
G G G
(k ) (k ) (k )
G G G
³ W W ^ª¬K º vG vdV`
G G G
G
G
Ukoliko vektor P ne zavisi od energije, tj. Pi z Pi (W ) , tada se izraz (2.53) može napisati u
e
* 3
4S G
wf 0
wW
T
e rG We
WF
T
rGT
T ¼ k M (r ) J (2.59)
(k )
obliku:
odnosno, na osnovu (2.55) i (2.58b)
G G G G
³ g (W )v dV i Py ³ g (W )v dV i Pz ³ g (W )v dV i
2 2 2
I Px
G
x k x y k y z k z
G
³ W W ^ª¬K `
G G G G
G G
G
(k ) (k ) (k )
(2.54) * MJ
e
12S
3
G
wf 0
wW
T
e rG We
WF
T
rGT
T
º v 2 dVk
¼
P ³ g (W )vi2 dVk (k )
(2.60)
G G
(k ) G ª G T G § W ·º GT
M J C3 «K rG ¨ F ¸» C4 r
¬ e © T ¹¼ T
gde je i=x,y ili z, s obzirom da su svi integrali oblika ³ G
(k )
g (W )vi2 dVk meusobno jednaki zbog
simetrije po ki . Ovo oigledno važi pod uslovom da su komponente brzine razliite od nule Ovde C3 i C4 predstavljaju nove kinetike koeficijente, a oigledno je da važi:
( vi z 0 , i x, y, z ), a tada možemo pisati i ³ G
(k )
g (W )vi2 dVk 1
³
3 ( kG ) g (W )v 2 dVk , pa imamo
C3 C2 (2.61a)
G 1G
3 (³kG )
I P g (W )v 2 dVk (2.55) 1
12S 3 (³kG ) wW
wf
0 W (W ) W v dVk
2 2
C4 (2.61b)
144 145
Uspostaviemo vezu izmeu kinetikih koeficijenata i makroskopskih veliina koje se mogu i daje identine rezultate kao (2.67) jer izdvojena toplota na spoju dva materijala A i B zavisi
G
ekperimentalno odrediti. Kombinovanjem izraza (2.57) i (2.60) dobijamo: od njihovog relativnog koeficijenta 3 AB 3 A 3 B , a elektrohemijski potencijal EF (r ) je
G G G G
G neprekidna funkcija koordinate r . Kao što emo pokazati u nastavku J rG EF (r ) , pa ako bi
G § C · G § C2 · GT G G
* ¨M 2 ¸ J ¨ 2 C4 ¸ r (2.62) EF (r ) bila prekidna funkcija sledilo bi J o f , što naravno nije fiziki mogue.
© C1 ¹ C
© 1 ¹ T
Konano, izraz za gustinu struje energije može se napisati u obliku:
Na osnovu definicije hemijskog potencijala (2.12), imamo
G G G E G
WF EF eM (2.63) * 3J O rGT F J (2.69)
e
Zamenom M iz izraza (2.63) u (2.62) dobijamo: G
Ukoliko iz (2.57) izrazimo elektrino polje K , dobijamo:
G
G § W EF C2 · G § C22 · GT
G 1 G § eF C12 · G 1G
W C
* ¨ F ¸J ¨ C4 ¸ r (2.64)
© e C1 ¹ © C1 ¹ T K J ¨ ¸ rGT rGWF (2.70)
C1 ¨ ¸
© T ¹ e
a uobiajeno je da se prethodna formula napiše u obliku: G G
Na osnovu gornje formule, posmatrajui sluaj kada je ispunjeno rGT 0 i rGWF 0 , lako je
G G
G §W C · G §C · GT E G
2
zakljuiti da koeficijent uz J predstavlja specifinu elektrinu otpornost U . Drugim reima,
* ¨ F 2 ¸J ¨ C4 ¸ r F J
2
(2.65)
© e C1 ¹ C
© 1 ¹ T e specifina elektrina provodnost iznosi:
G 1
Ukoliko je J 0 , tada je energetski fluks srazmeran gradijentu temperature, a koeficijent V C1 (2.71)
srazmere ima oblik U
G G
§ C22 · 1 Analogno tome, ako je J 0 , a rGT z 0 , tada možemo definisati koeficijent termo-
O ¨ C4 ¸ (2.66)
© C1 ¹ T elektromotorne sile, koji karakteriše Seebeck-ov efekat (generisanje razlike potencijala usled
postojanja gradijenta temperature):
naziva se toplotna provodnost, i kao što je poznato, može se eksperimentalno odrediti. S
G G § WF C2 ·
druge strane, ako je J z 0 a rGT 0 , možemo definisati koeficijent srazmere izmeu ¨ ¸
energetskog fluksa i gustine struje u obliku: D © e C1 ¹ (2.72)
T
WF C2 EF
3* (2.67) Poreenjem izraza (2.72) i izraza za Peltier-ov koeficient u obliku (2.68), dolazimo do veze
e C1 e
3 D T (2.73)
Gornji izraz predstavlja jednu od formulacija Peltier-ovog koeficijenta, koji opisuje efekat
izdvajanja (ili apsorbovanja) energije pri proticanju elektrine struje kroz spoj razliitih
koja predstavlja Thomson-ovu relaciju.
materijala. Uobiajeniji izraz za Peltier-ov koeficijent je
G
WF C2 Na ovaj nain smo, za sluaj kada je B 0 , uspostavili zavisnost izmeu funkcije raspodele i
3 (2.68) makroskopskih parametara ( O , V , 3 , D ), za ije izraunavanje je od kljunog znaaja
e C1
poznavanje funkcije W (W ) , odnosno adekvatno modelovanje dominantnih mehanizama
rasejanja.
146 147
Specifina elektrina provodnost Smatraemo da je spoljašnje polje slabo, odnosno da je neravnotežni doprinos mali, pa emo
koncentraciju aproksimirati njenom ravnotežnom vrednošu n0 :
Ograniimo se na sluaj kada na elektrone u vrstom telu deluje samo spoljašnje elektrino
G G G G 1
4S 3 (³kG )
polje K ( B 0 , rGT 0 , rGWF 0 ). Pretpostavimo da je elektrino polju usmereno duž z-ose, n | n0 f 0 dVk (2.80)
tj.
G G Na osnovu toga izraz (2.78) dobija oblik:
K Kiz (2.74)

e ³ wwWf0 W (W )vz2 dVk
G
Tada na osnovu (2.51) imamo: G G
K
(k )
v (2.81)
G e2 G G G ³ f 0 dVk

G
J
4S 3 (³kG ) wW
wf
0 W (W ) K v vdVk (k )
(2.75) Analiziraemo prvo integral u brojiocu:

e2 G
4S 3 (³kG ) w
wf

W0 W (W )vz vdVk K
³ W (W )v dV
wf 0 2
I1 wW z k (2.82)
G
(k )
Kao što je objašnjeno prilikom izvoenja kinetikih koeficijenata (videti izraze (2.52)-
(2.58a,b)), poslednji izraz se svodi na: S obzirom da su ekvienergetske površine sfere ( W = 2 k 2 (2m* ) ), integral je najjednostavnije
rešavati u sfernim koordinatama, pa u jednaini (2.82) možemo zameniti:
G e2 G G
J
4S 3 (³kG ) wW
wf

0 W (W )vz dVk K V K
2
(2.76) =k z =k cosT
vz (2.83a)
m* m*
S druge strane, gustina struje elektrona se može napisati i u obliku:
dVk k 2 sin T dT dM dk (2.83b)
G G
J ( e) n v (2.77)
Na osnovu toga dobijamo:
G
gde v predstavlja srednju brzinu elektrona pod dejstvom elektrinog polja, odnosno f S 2S
=2
driftovsku brzinu, a n je koncentracija elektrona. Na osnovu (2.76), driftovska brzina dobija I1
m*2 k³0

wW0 W (W ) k dk ³ cos T sin T dT ³ dM
wf 4 2
T 0 M 0
oblik: (2.84)
f
4S = 2
3 m*2 k³0 W
wf

w 0 W (W ) k dk
4
³ W (W )v dV
e wf 0 2
wW
G
z k
G 4S
3
G
K
(k )
v (2.78)
n
Kako je dalje k 2m*W = 2 , možemo prei na integraciju po kinetikoj energiji:
Koncentraciju elektrona izraunavamo na uobiajeni nain:
f
8S 2m*
1 1 I1
=3 W³ 0
wf

wW0 W (W )W dW
3/ 2
(2.85)
f0 f1 dVk
4S 3 (³kG ) 4S 3 (³kG )
n fdVk (2.79) 3
Na slian nain transformisaemo i integral u imeniocu:
148 149
2m* rasejanje elektrona na jonizovanim primesama, na defektima, na fononima (vibracijama

f 3/ 2 f
I2 ³G
f 0 dVk 2S ³ f 0 k 2 dk 4S
= 3 ³ f 0W 1/2 dW (2.86) kristalne rešetke) koji mogu biti optiki i akustiki, itd. Ukoliko su dominantni oblici
(k ) k 0 W 0 interakcije rasejanja na jonizovanim primesama i na fononima, tada se zavisnost W (W ) može
prikazati na sledei nain:
Prema tome, driftovska brzina elektrona u sluaju slabog elektrinog polja dobija sledei oblik:
r
§W ·
f
W (W ) W 0 ¨ ¸
W (W )W
(2.92)
(e) 2 W³ 0
wf 0 3/2
dW © k BT ¹
G
wW
G
v f
K (2.87)
m* 3
³ f 0W 1/2 dW gde je W 0 konstanta (tj. vreme relaksacije pri energiji W k BT ), a r je parameter ija vrednost
W 0 zavisi od mehanizma rasejanja:
Koeficijent srazmere izmeu brzine drifta i eletkrinog polja naziva se pokretljivost ( P ), a 32 , za rasejanje na jonizovanim primesama
gornji izraz se može zapisati u kompaktnijoj formi: °
° 12 , za rasejanje na akustikim fononima
°
G ( e) W G G r ® (2.93)
v K { PK (2.88) °0, za rasejanje na optikim fononima (na nižim temperaturama)
m* °
°̄ 12 , za rasejanje na optikim fononima (na višim temperaturama)
gde je W srednje vreme relaksacije, u obliku
Jasno je da konstanta W 0 ima razliitu vrednost za svaki od navedenih mehanizama rasejanja.
f
³ W (W )W
wf 0 3/2 Analizirajmo sluaj potpune nedegeneracije, gde kao što je poznato, ravnotežnu funkciju
wW dW
2W raspodele možemo aproksimirati na sledei nain:
W 0
f
(2.89)
3
W 0
³ f 0W 1/2 dW
f 0 (W ) W WF
1
|e
WF W
kBT
(2.94)
e kBT
1
Na osnovu (2.88) vidimo da je pokretljivost elektrona negativna, tj. odnosno,
( e) W
P 0 (2.90) wf 0 1 WF W
m* e kBT
(2.95)
wW k BT
odnosno da je smer driftovske brzine elektrona suprotan od smera spoljašnjeg polja. Izraz za
gustinu struje elektrona glasi: Na osnovu toga izraz (2.89) postaje:
f
G G e2 n W G G WF W
³ W (W )W 3/ 2 dW
kBT
J ( e) n v K {V K (2.91a) e
m* 2
W W 0
f WF W
(2.96)
3k BT
³ W 1/2 dW
kBT
e
e2 n W
V (2.91b) W 0
m*
Posle skraivanja faktora sa hemijskim potencijalom i zamene izraza (2.92) dobijamo:
gde je V specifina elektrina provodnost. Za izraunavanje pokretljivosti i provodnosti
kljuno je poznavanje funkcije W (W ) iji oblik je po pravilu veoma složen i odreen razliitim
mehanizmima sudara koje elektron doživljava u poluprovodniku ili metalu. Tu spadaju
150 151
dW
f
W W r
8 W 0 , za rasejanje na jonizovanim primesama
³ W 3/2 k T
kBT
e ° S
2W 0 B
° 4
W W 0
f
(2.97) W ® 3 S W 0 , za rasejanje na akustikim fononima (2.102b)
3k BT W
³ W 1/ 2 dW °
kBT
e
° 8 W 0 , za rasejanje na optikim fononima (na višim temperaturama)
W 0
¯3 S
Uvešemo bezdimenzionalnu promenljivu x { W / k BT , što e prethodni izraz dovesti u formu: Napomenimo da su prethodni rezultati za srednje vreme relaksacije izvedeni pretpostavljajui
da je prisutan samo jedan tip rasejanja, što realno nikada nije sluaj. Istovremeno prisustvo više
f
mehanizama rasejanja koji su meusobno nezavisni uraunava se na sledei nain:
³e
x
x r 3/ 2 dx
2W 0
W x 0
(2.98) 1 1 1 1 N
1
¦W
f
3 ! (2.103)
³e
x 1/2
x dx W tot
W1 W2 WN i 1 i
x 0
gde je W totalno srednje vreme relaksacije. Do ovog izraza dolazi se sabiranjem otpornosti
S obzirom da vrednost integrala u imeniocu iznosi S / 2 , konani oblik izraza za srednje tot
¦
N
vreme relaksacije postaje: koje potiu od svakog tipa rasejanja ( Utot i 1
Ui , pri emu je Ui 1/ W i ).
f
4W 0 4W 0
W ³e
x
x r 3/2 dx *( 5 2 r ) (2.99)
3 S x 0 3 S 2.3.2 STRUJA U POLUPROVODNIKU. EINSTEIN-OVA RELACIJA
gde *( 2 r ) predstavlja gama-funkciju argumenta 2 r . Gama-funkcija definisana je za

5 5
Posmatrajmo sluaj kada pored elektrinog polja postoji i uticaj prostorne zavisnosti hemijskog
kompleksne brojeve z sa pozitivnim realnim delom na sledei nain:
potencijala, tj.
f
G G G G
³e
x
*( z ) x z 1dx (2.100) K z 0, rGWF z 0, B 0, rGT 0 (2.104)
0
G
Tada, na osnovu (2.48), funkcija F dobija oblik
Ako je n prirodan broj, tada važe relacije:
G G G
*(n 1) n! (2.101a) F W ª¬ rGWF eK º¼ (2.105)
(2n 1)!! a izraz za gustinu struje (2.51) se pojednostavljuje i postaje

*(n 1 2 ) S (2.101b)
2n
G G G G G
Izraz (2.99) važi iskljuivo pod pretpostavkom da su ispunjeni uslovi za primenu aproksimacija
J
e
4S 3 (³kG ) W
wf
^
w 0 W ª rGWF eK º v vdVk
¬ ¼ ` (2.106)
(2.94) i (2.92). Ukoliko W ne zavisi od energije W, npr. kod rasejanja na optikim fononima, na
nižim temperaturama, gde je r 0 u (2.92)), tada izraz (2.99) uz primenu (2.101b) postaje: Kao što je pokazano jednainama (2.52)-(2.55), prethodni izraz se može napisati i u formi:
4W 0 4W 0 G G G G
GWF G
W *(2 1 2 ) W 0
³ W (W )v dV C1 ª r Kº
*( 5 2 ) e wf 0
¬ª rGWF eK ¼º
(2.102a) J 2
(2.107)
3 S 3 S wW
¬« e ¼»
z k
4S
3
G
(k )
Za bilo koju drugu vrednost r z 0 iz skupa (2.93), srednje vreme relaksacije W bi takoe bilo
konstantno ( ali z W 0 ) i odreeno uz pomo (2.101a):
152 153
G G G G G G
Kako je WF (r ) EF (r ) eM (r ) i K rGM (r ) , a C1 V , izraz za gustinu struje dobija Odavde se može izraziti odnos koeficijenta difuzije i pokretljivosti u formi:
kompaktniji oblik:
G Dn k BT n
G (2.115)
G E Pn e dn
J V r F (2.108)
e dK
Jasno je da e gustina struje u materijalu biti razliita od nule samo u sluaju kada je i ovaj izraz naziva se Einstein-ova relacija.
elektrohemijski potencijal poziciono zavisan. Vraajui se na oblik (2.107) možemo pisati:
Ukoliko pretpostavimo da je koncentracija elektrona bliska ravnotežnoj vrednosti, možemo je
G G V G G G aproksimirati izrazom
J V K rGWF J drift J dif (2.109a)
e
G

gde je 2 G
WF ( r )
n( r ) Bc F1/ 2 (2.116)
S
k BT
G G
J drift { V K (2.110a) odnosno,
G V G f
J dif { rGWF (2.110b) G 2 x
e n( r ) Bc ³ G dx (2.117)
S 0
e x K ( r ) 1
G G
Veliina J drift prestavlja driftovsku komponentu struje, a J dif je difuziona komponenta
gde je x W / k BT . Diferenciranjem formule (2.117) po K dobijamo:
struje povezana sa prostornom promenom koncentracije. Driftovska komponenta struje može
se na osnovu (2.91b) i (2.90) napisati i u obliku:
f
dn 2 x K e x K
G G Bc ³ dx (2.118)
J drift enPn K (2.111) dK S 0
(e x K 1)2
gde je Pn pokretljivost elektrona. Koncentracija elektrona u opštem sluaju predstavlja Zamenom u Einstein-ovu relaciju (2.215), dolazimo do izraza:
G G
funkciju hemijskog potencijala, odnosno veliine K (r ) WF (r ) / k BT . Na osnovu toga je f
x
G G
G ³e x K
1
dx
dn G dn rGWF Dn k BT 0
(2.119)
rG n(r ) rGK (2.112) Pn e f
x K e x K
dK dK k BT
³ (e
0
x K
1)2
dx
Zamenom u (2.110b) dobijamo

Dalje emo razmotriti asimptotske sluajeve:
G 1 G G
J dif n P n k BT G n eDn rG n (2.113)
dn r 1) sluaj potpune nedegeneracije ( eK !! 1 ). Tada je
dK
f
2
n(K ) | Bc eK ³ xe x dx (2.120a)
gde je Dn ! 0 koeficijent difuzije za elektrone i odreen je izrazom: S 0
k BT n P n dn
Dn (2.114) |n (2.120b)
e dn dK
dK
pa izraz (2.119) dobija oblik
154 155
Dn k BT
(2.121) G W 2e2 G G
Pn G G G
e
G
eW K * K u B
m
W K JW 2 B u K
F e (2.125)
e 2W 2 1 JW B
2
što predstavlja klasian oblik Einstein-ove relacije 1 *2 B 2
m
2) sluaj potpune degeneracije ( e K 1 ). Tada je, prema (1.158)-(1.164)
gde je J e m* . Kako je na osnovu Sl. 2.1. pretpostavljeno da važi
K
2 4 G
n(K ) | Bc ³ xdx BcK 3/2
(2.122a)
S 0 3 S B (0,0, B) (2.126a)
G
K ( K x , K y ,0) (2.126b)
dn 2
| BcK 1/2 (2.122b)
dK S gde su B, K x , K y konstante, sledi da je
odnosno, G G G G
Bu K BK x ix BK y iy (2.127)
Dn 2 WF
(2.123)
Pn 3 e Zamenom u (2.125) dobijamo
G G G
F F x ix F y iy (2.128a)
2.3.3 GALVANOMAGNETNE POJAVE
e W K x JW 2 BK y
Fx (2.128b)
1 JW B
2
Posmatrajmo sluaj kada se vrsto telo nalazi samo pod dejstvom spoljašnjeg elektrinog i
magnetnog polja,
G G G G e W K y JW 2 BK x
K z 0, B z 0, rGWF 0, rGT 0 (2.124) Fy (2.128c)
1 JW B
2
Ograniiemo se na situaciju kada su vektori elektrinog i magnetnog polja meusobno

G G Odrediemo gustinu struje polazei od izraza (2.40) i (2.50).
upravni ( B A K ) i orijentisani kao na Sl. 2.1.
G G G G G
e
J 3 ³ f1vdVk
4S ( kG )

e
4S 3 (³kG ) W

w 0 A v vdVk
wf
(2.129)
Zamenom (1.128a) u (2.129) dobijamo
G G G G
4S ( kG )
wf

J 3 ³ wW0 F x vx F y v y vx ix v y iy vz iz dVk
e
(2.130)
Kada se prethodni izraz razvije u sumu 6 integrala, svi sabirci kod kojih podintegralne funkcije
Sl. 2.1 Pretpostavljena orijentacija vektora elektrinog polja i magnetne indukcije
sadržei proizvod vi v j (i z j ) bie jednaki nuli zbog neparnosti tih podintegralnih funkcija, tako
U tom sluaju, na osnovu izraza (2.32a), (2.32b) i (2.34) da se (2.130) svodi na:
156 157
G G G G G
e
4S ( kG )
wf

J 3 ³ wW0 F x vx2 ix F y v y2 iy dVk J x ix J y iy (2.131)
Dalju analizu koeficijenta a1 nastaviemo proširivanjem izraza (2.134a) koncentracijom
elektrona, pretpostavljajui da je ona bliska ravnotežnoj vrednosti, kao i efektivnom masom
elektrona:
gde je
e2 W vx m*

2
n
4S 3 (³kG ) wW 1 JW B 2
wf
a1 0 dVk (2.137)
e2 W K x JW BK y 2 e2
³ wf 0 dVk m*
2
Jx
4S 3 (³kG ) W
wf
w0
1 JW B
2
vx dVk (2.132a) 4S 3 G
(k )
Iz prethodnog izraza sledi:

2
W K JW BK
e2
Jy
4S 3 (³kG ) wW
wf
0
y x 2
v y dVk (2.132b) m* ³ W ( W) v dV
wf 0
wW
* 2
1 JW B 2
x k
G
ne 2 (k )
a1 (2.138)
Izraz (2.132a) napisaemo u obliku:
m* ³ wf dV
G
0 k
(k )
gde je W * (W ) W [1 JW B ] . Na osnovu izraza (2.82), (2.85) i (2.86) dobijamo:

2
Jx a1 K x a2 K y (2.133)
f
gde je
ne 2 2 W³ 0
W wf 0
wW
*
(W )W 3/2 dW
a1 f
(2.139)
e2 W vx m* 3

2
4S 3 (³kG ) wW 1 JW B2 ³
wf
a1 0 dVk (2.134a) f 0W 1/ 2 dW
W 0
e2 W vx Konano, posle zamene izraza (2.89), koeficijent a1 možemo napisati u obliku

2 2
4S 3 (³kG ) wW 1 JW B 2
a2 J B wf0 dVk (2.134b)
ne 2 W *
a1 (2.140)
Analogno možemo napisati: m*
ª e2 2 2
W vy º ª e2 W vy
2
º Ukoliko su ispunjeni uslovi totalne nedegeneracije, tako da Fermi-Dirac-ovu funkciju f 0
Jy
« 3 J B ³ wW0
wf
dVk » K x « 3 ³ wW0
wf
dVk » K y (2.135a)
«¬ 4S S
G JW 2
G JW 2 možemo aproksimirati Maxwell-Boltzmann-ovom funkcijom raspodele, na osnovu (2.95)
(k ) 1 B »
¼ «
¬ 4 (k ) 1 B »¼
dobijamo:
f
4
3 S x³0
W* e xW * ( x ) x 3/2 dx (2.141)
Jy a2 K x a1 K y (2.135b)
gde je uzeto u obzir da se u izrazima (2.134a) i (2.134b) može zameniti komponenta brzine gde je x W / k BT . Na slian nain možemo sprovesti analizu koeficijenta a2 i doi do
( vx o v y ) bez promene rezultata integracije, zahvaljujui simtetriji podintegralne funkcije u rezultata analognog izrazu (2.138):
odnosu na vx , v y . Jednaine (2.133) i (2.135b) možemo zapisati u matrinom obliku:
1 WJWv B
2
m*J B ³ wwWf0 x
2
vx2 dVk
G
ne 2
ª J x º ª a1 a2 º ª K x º a2
(k )
(2.142)
«J » « »« »
¬ y ¼ ¬a2 a1 ¼ ¬K y ¼
(2.136) m* ³ wf dV
G
0 k
(k )
158 159
Primena aproksimacije totalne nedegeneracije daje: Za geometriju problema kao na Sl. 2.2. možemo pisati:
ne 42 f
W
2
K x , K y z 0, Bx B, J x J, Jy 0 (2.146)
a2 J B ³ e x x 3/2 dx (2.143)
m* 3 S 1 JW B
2
x 0
s obzirom da je y-komponenta struje u ustaljenom režimu jednaka nuli. Na osnovu (2.136)
ili konano, imamo:
Jx J a1 K x a2 K y (2.147a)
ne 2 W
2
ne 2 *
a2 JB W (2.144)
m* 1 JW B 2 m* Jy 0 a2 K x a1 K y (2.147b)
kao i odakle sledi

a2
f Ky J (2.148)
a12 a22
2
4 W
W* JB ³e
x
x3/ 2 dx (2.145)
3 S 1 JW B
2
x 0
Prethodni izraz napisaemo u formi:
Hall-ov efekat Ky RH BJ (2.149)
Posmatrajmo uzorak poluprovodnikog materijala, u formi ploice debljine d i širine b, koji se uz napomenu da su K y , B i J algebarske vrednosti u odnosu na koordinantni sistem sa Sl. 2.2,
G G
nalazi u konstantnom elektrinom i magnetnom polju i kroz koji protie struja J J e , kao što ime smo definisali Hall-ovu konstantu RH :
G
je prikazano na Sl. 2.2. Na elektrone koji se usmereno kreu driftovskom brzinom ve , usled
G G G G G

prisustva magnetno polja delovae sila F e ve u B u pravcu normalnom na ve i B . Pod RH
a2 1
(2.150)
dejstvom ove sile doi e od skretanja elektrona i njihovog nagomilavanja na jednoj od bonih a12 a22 B
stranica uzorka, dok e na suprotnoj stranici ostati višak pozitivnog naelektrisanja. Ovo e
rezultovati pojavom razlike potencijala izmeu posmatranih stranica koja se naziva Hall-ov Na osnovu izraza (2.150) zakljuujemo da Hall-ova konstanta za elektrone ima negativnu
napon (oznaen sa U H na Sl. 2.2). vrednost ( a2 ! 0 ), jer je K y 0 , a J ! 0 i B ! 0 , kao što se vidi sa Sl. 2.2. Ova konstanta se
može eksperimentalno odrediti merenjem Hall-ovog napona (razlike potencijala na stranicama
G
upravnim na y-osu). Kako je K y K H U H b , zamenom u (2.149) dobijamo:
UH I
RH B (2.151)
b bd
odnosno,
UH d 1
RH (2.152)
Ib B
Definisaemo još i magnetootpornost U ( B ) na sledei nain:
Sl. 2.1 Ilustracija pojave Hall-ovog napona u poluprovodniku kroz koji protie struja, usled Kx
skretanja naelektrisanja pod dejstvom magnetnog polja U ( B) (2.153)
Jx
160 161
Relativna promena specifine elektrine otpornosti u odnosu na sluaj kada je B 0 iznosi: koncentracija elektrona za nekoliko redova veliine vea u metalima nego u poluprovodnicima,
to je i Hall-ov napon u istom odnosu manji u metalima. Konkretnije, U H u poluprovodnicima
U ( B) U (0) 1 Kx jer reda desetak mV, a u metalima reda V i manje, što je naravno mnogo teže izmeriti. Ovo je
'U ( B ) 1 (2.154)
U (0) U (0) J x jedan od razloga što je Hall-ov efekat dobio mnogo na znaaju sa primenom poluprovodnika.
Na osnovu (2.147b) i (2.148) sledi Izraz za relativnu promenu otpornosti (2.156) u ovom sluaju dobija oblik:
a1 a1 'U ( B) 1 1
Kx Ky J (2.155) 1 0 (2.160)
a2 a12 a22 U (0) U (0) § ne 2W 0 ·
¨ * ¸
© m ¹
tako da relativna promena otpornosti usled dejstva magnetnog polja iznosi
s obzirom da je V (0) 1 U (0) ne 2W 0 m* (videti (2.91b) i (2.102)). Kao što vidimo na osnovu
'U ( B) 1 a1
1 (2.156) izraza (2.160) u ovoj aproksimaciji efekat magnetootpornosi izostaje ( 'U ( B) U (0) 0 ).
U (0) U (0) a12 a22
2) vreme relaksacije W je funkcija energije W, tj W W (W ) ).
Detaljnija analiza izraza za RH i U ( B ) iziskuje poznavanje zavisnosti W (W ) pa emo dalje
razmatrati specijalne sluajeve: Tada je
1) vreme relaksacije W je konstantno tj. ne zavisi od energije ( W W 0 , W 0 z W 0 (W ) ).

ne 2 W
a1 (2.161a)
m* 1 JW B2
Tada se izrazi (2.141) i (2.144b) pojednostavljuju pa dobijamo:
ne 2 W0 ne 2 W2
a1 (2.157a) a2 JB (2.161b)
m* 1 JW 0 B2 m* 1 JW B
2
ne2 W 02 a) posmatrajmo sluaj slabih magnetnih polja, kada se može smatrati da je ispunjen uslov
a2 JB a1J BW 0 (2.157b)
1 JW 0 B
2
m*
JW (W ) B
2
1 (2.162)
što zamenom u (2.150) daje
P B 1 , gde je P | Pn | , jer je P | JW .
2
Ovak uslov se može zapisati približno i kao
JW 0 Uzimajui standardne vrednosti za pokretljivost P kod GaAs, Ge i Si koje iznose 0.85, 0.35 i
RH (2.158)
a1[1 (JW 0 B) 2 ]
0.15 m2/Vs, respektivno, i smatrajui da je potrebno ostvariti P B 1 , odnosno u praksi
2
P B 0.1 , za maksimalne vrednosti indukcije pri kojima je prethodna nejednakost ispunjena,

2
odnosno
1 dobijamo 0.37, 0.81 i 2.1 T, respektivno. Ova analiza pokazuje da “slaba polja“ u realnim
RH RH 0 (2.159)
ne uslovima ne moraju biti mala.
Kao što je ve objašnjeno, Hall-ova konstanta se može eksperimentalno odrediti, pa se iz Linearna aproksimacija koeficijenata a1 i a2 u odnosu na B glasi
(2.159) može jednostavno izraunati koncentracija elektrona. Hall-ov efekat je otkriven 1879.
godine i u poetku je istraživan na metalima, a kasnije i na poluprovodnicima. Iz izraza (2.152)
ne 2
i (2.159) vidi se da je Hall-ov napon U H obrnuto srazmeran koncentraciji n. Kako je a1 | W (2.163a)
m*
162 163
ne 2 ne 2 ª ne 2
JB W2 W 1 JW B º ª W J 2 B2 W 3 º
2
a2 | (2.163b) a1 (2.168a)
m* m* ¬ ¼ m* ¬ ¼
Tada izraz (2.150) dobija oblik: ne 2

a2 JB W2 (2.168b)
m*
1 W2
RH (2.164)
§ ne 2 · ª W2 º Tada je
¨ *¸ W «1 J 2 B 2 2 »
2
©m ¹ «¬ W »¼ W J 2 B2 W 3
U ( B)
§ ne ·
^ `
2 2 2
¨ * ¸ ¬ª W J B W ¼º J B W
2 2 3 2 2 2
Drugi sabirak u imeniocu je srazmeran sa B 2 pa se u linearnoj aproksimaciji zanemaruje, što
daje: ©m ¹
(2.169)
1 W
2
W2 1 W J 2 B2 W 3
RH RH 0 (2.165) |
ne W 2 W
2 § ne 2 · W 2
2J 2 B 2 W 3 W J 2 B 2 W 2
2
¨ *¸
© m ¹
Posmatrajmo primer zavisnosti W (W ) dat izrazom (2.92). U tom sluaju se za vrednost Hall-
ove konstante dobija: Kako je V (0) ne 2 W m* , možemo dalje pisati:
32S RH 0 | 1.178 RH 0 , za rasejanje na jonizovanim primesama W3

1 J 2 B2
° W
° 315S RH | 1.933 RH , za rasejanje na akustikim fononima U ( B)
° 512 0 0 ª W3 W2 º
2
RH ® (2.166) V (0) «1 2J 2 B 2 J 2 B2 »
S
° 45
128 RH 0 | 1.104 RH 0 , za rasejanje na optikim fononima (niže temperature) « W W »
2
(2.170)
° ¬ ¼
°RH , za rasejanje na optikim fononima (više temperature)
¯ 0
· ª § W3 W 2 ·º
2
§ W3
| U (0) ¨1 J 2 B 2 ¸ «1 J 2 B 2 ¨ 2 ¸»
što jasno ukazuje na to da se zanemarivanjem zavisnosti W od W u nekim sluajevima pravi ¨ W ¸ « ¨ W W ¸»
2
© ¹ ¬ © ¹¼
velika greška.
Relativna promena otpornosti u linearnoj aproksimaciji a1 ( B) i a2 ( B) iznosi: Zanemarujui lanove srazmerne sa B 4 i zamenjujui izraz za pokretljivost P J W
dobijamo:
W
2
'U ( B) 1 1 ª
1 | 1 0 § W3 W 2 ·º
2
(2.167)
U (0) U (0) § ne2 · ª § ne 2 · U ( B) | U (0) «1 P 2 B 2 ¨ ¸»
¨ * ¸ ¬ W J B W ¼º
2
2 2 2
U (0) ¨ (2.171)
* ¸ « ¨ W W ¸»
2
©m ¹ © m ¹ ¬ © ¹¼
Oigledno je da ni primena linearne aproksimacije ne omoguava detektovanje efekta odakle je konano:

magnetootpornosti. § W3 W W2 2
·
'U ( B)
| P 2 B2 ¨ ¸ (2.172)
U kvadratnoj aproksimaciji koeficijente a1 i a2 prikazujemo u obliku: U (0) ¨ W
2
¸
© ¹
164 165
Transportni procesi Transportni procesi – odabrani problemi
Oigledno je da ako bi važilo W z W (W ) , tj. ¢W ² W , tada bismo imali 'U ( B) U (0) 0 , kao što 2.4 ODABRANI PROBLEMI
smo ve ranije konstatovali.
Za prethodno razmatrane mehanizme rasejanja dobijamo: Problem 2.1. Provodna zona jednodimenzionalnog provodnika može se opisati izotropnom
disperzionom relacijom u obliku E ( k ) Ak D , gde su A i konstante. Polazei od izraza za
provodnost
916S ª¬1 S4 º¼ P B 2 | 4.16 P B 2 , za rasejanje na jonizovanim primesama
°
°15S e2
'U ( B) ° 8 ª¬1 32768 º¼ P B | 2.15 P B , za rasejanje na akustikim fononima
6615S 2 2
V
4S 2 (³kG ) wW
wf
0 W (W )v dk x dk y
2
(P.2.1)
® (2.173)
U (0) ° 27S ª1 75S º P B2 | 0.105 P B 2 , za rasejanje na opt. fononima (niže temp.)
° 64 ¬ 256 ¼
°0, za rasejanje na opt. fononima (više temp.) pokazati da na niskim temperaturama (na kojima se wf0 wW može aproksimirati sa
¯
G (W WF ) ) nezavisno od vrednosti A i možemo izraziti površinsku provodnost u obliku
Generalno, možemo zakljuiti da u sluaju slabih polja primena kvadratne aproksimacije

V e2 nsW m , gde je ns površinska koncentracija elektrona, W W (WF ) , i m =k V W WF
.
pokazuje da je relativna promena specifine otpornosti uvek pozitivna i srazmerna kvadratu
magnetne indukcije. Rešenje: Izraz za površinsku koncentraciju (P.2.1) predstavlja kinetiki koeficijent C1 (videti
(2.58a)), izraunat za dvodimenzionalni sluaj:
b) sluaj jakih magnetnih polja, dat je uslovom JW (W ) B 1 . Sprovodei analizu kao kod
2
2e 2
slabih polja, a smatrajui da je ispunjeno P B ! 10 , za minimalne vrednosti indukcije pri
2
(2S ) 2 (³kG ) wW
wf
V 2 D C1 0 W (W )vi dVk , i
2
x y
kojima je zadovoljena prethodna nejednakost dobijamo 3.72, 8.10 i 21.08 T, za GaAs, Ge i Si,
(P.2.2)
respektivno. Ove minimalne vrednosti nalaze se u opsegu jakih ili vrlo jakih polja, što ukazuje
1 e2
na to da je neophodno sprovesti detaljniju analizu posmatranog problema. Naime, kada se
2 2S 2 (³kG )

wf
wW0 W (W )v dk x dk y
2
vrsto telo unese u magnetno polje, tada energetski spektar provodne zone (koji je u odsustvu
=2 k 2
magnetnog polja oblika W 2=m* (k x2 k y2 k z2 ) ), dobija formu W 2 m*x ( j 12 )=Zc , j 0,1,2!
2
Prelaskom u polarne koordinate dobijamo

gde je Zc eB / m* ciklotronska uestanost, j je Landau-ov indeks, a podrazumevano je da je
G 2S
vektor B orijentisan duž x-ose. Ako su polja slaba, tada =Zc ima malu vrednost pa se e2 e2
energetski spektar može aproksimirati kontinualnim, a cela pojava zadovoljavajue opisati
V
4S 2 (³k ) T ³0 wW
wf
0 W (W )v k dk dT
2
2S ³ W (W )v k dk
wf 0
wW
2
(P.2.3)
(k )
Boltzmann-ovom kinetikom jednainom. Kada su polja jaka (reda nekoliko desetina T), tada
je =Zc relativno veliko i može da bude vee od termalne energije k BT . U ovom sluaju
Dalje emo iskoristiti aproksimaciju za niske temperature wf 0 wW | G (W WF ) , vodei
neophodan je strožiji kvantno-mehaniki prilaz, koji iskljuuje Boltzmann-ovu kinetiku
rauna da se integracija vrši po k, pa emo zameniti
jednainu. Prema tome, primena iste procedure kao za slaba polja, na sluaj kada je P B 1 ,
2
ne bi imala nikakvog smisla, jer kao što je reeno Boltzmann-ova kinetika jednaina gubi 1
wf0 wW | G (W WF ) G (k k F ) (P.2.4)
validnost tj. koeficijenti a1 i a2 nemaju fizikog znaaja. dWdk k kF
Interesantno je napomenuti da u je nekim od svetski priznatih knjiga iz fizike poluprovodnika,

u izraz (P.2.3), gde je W (k F ) WF . Na taj nain dobijamo
sluaj jakih magnetnih polja tretiran tako što je u koeficijentima a1 i a2 , koji su rezultat
rešavanja Boltzmann-ove kinetike jednaine, jednostavno uveden uslov P B 1 . Ovakav
2
e2 1
prilaz, kao što smo pokazali, nema nikakvog fizikog opravdanja. V
2S ³
(k )
dW
dk
G (k k F )W (W )v 2 k dk (P.2.5)
k kF
166 167
Transportni procesi – odabrani problemi Transportni procesi – odabrani problemi
G G G
Znajui da je brzina elektrona v kGW (k ) / = , odnosno da je v dW dk / = , izraz (P.2.5)
C1
e2 WF f
W
S 2S
e kBT ³ ³ ³ e kBT W (W )v 2 k 2 sin T dkdT dM
možemo napisati u obliku: 12S 3 k BT k 0T 0M 0
(P.2.11a)
f
e2 1 e2 e2 W
³ W (W )v 2 k 2 dk
kBT
V ³ v = G (k kF )W (W )v k dk W (WF )vF k F e
2
(P.2.6)
2S 2S = 3S 2 k BT k 0
(k ) F
WF f
Površinska koncentracija elektrona u metalu iznosi: e W
C2 e kBT ³ e kBT W (W )W v 2 k 2 dk (P.2.11b)
3S k BT
2
k 0
kF 2
1 k
ns
S ³ k dk
k 0
F
2S
(P.2.7)
a) ukoliko je vreme relaksacije konstantno i iznosi W (W ) W 0 , dobijamo
f f
što daje traženi rezultat: e 2W 0 = 2 WF
W 2e 2W 0 2m* kWBFT W
C1 e kBT ³ e kBT k 4 dk e ³ e kBT W 3/2 dW
3S 2 k BTm*2 3S 2 k BT =
e2 nsW
k 0 W 0
e2
V vFW (WF )ns (P.2.8) (P.2.12)
=k F m
2e 2W 0 2m* (k BT )3/2 kWBFT f x 3/ 2 2e 2W 0 2m* (k BT )3/2 kWBFT
e ³ e x dx e *(5 / 2)
3S 2 = x 0
3S 2 =
Problem 2.2. Izraunati Seebeck-ov koeficijent za trodimenzionalni poluprovodnik u sluaju
potpune nedegeneracije, ako je zavisnost energije od talasnog vektora parabolina sa Na slian nain, drugi kinetiki koeficijent možemo napisati u obliku:
izotropnom efektivnom masom. a) pretpostaviti da je vreme rasejanja konstantno b)
f
pretpostaviti da je srednja dužina slobodnog puta konstantna 2eW 0 2m* kWBFT W
³ e B W dW
k T 5/2
C2 e
3S 2 k BT = W 0
Rešenje: Seebeck-ov koeficijent izražen preko kinetikih koeficijenata dat je izrazom (2. 72)
(P.2.13)
§ WF C2 · 2eW 0 2m* (k BT )5/2 kWBFT f x 5/2 2eW 0 2m* (k BT )5/ 2 kWBFT
¸ e ³ e x dx e *(7 / 2)
¨ 3S 2 = 3S 2 =
D © e C1 ¹ (P.2.9)
x 0
T
Zamenom u izraz (P.2.9) za Seebeck-ov koeficijent dobijamo:
gde je
1 § WF k BT *(7 / 2) · k B § WF 5 ·
D ¨ ¸ ¨ ¸ (P.2.14)
e2 e *(5 / 2) ¹

T© e e © k BT 2 ¹
12S 3 (³kG ) wW
wf
0 W (W )v dVk
2
C1 (P.2.10a)
b) ukoliko je srednja dužina slobodnog puta konstantna tada možemo smatrati da je
vW Const=O0 , što na osnovu (P.2.11a) i (P.2.11b) daje:
C2
e
12S 3 (³kG )

wf
wW0 W (W ) W v dVk
2
(P.2.10b)
wf 0 1 WF W
Kako je u sluaju totalne nedegeneracije e kBT
, kinetike koeficijente možemo
wW k BT
dalje napisati u obliku:
168 169
e 2 O0 kWBFT f kWBT 2 e 2 O0 = WF f
W gde je V specifina elektrina provodnost, 3 je Peltier-ov koeficijent a D je Seebeck-ov
C1 e ³ e vk dk e kBT ³ e kBT k 3 dk koeficijent. Koristei izraz (2.58a) možemo pisati
3S 2 k BT k 0
3S 2 m*k BT k 0
(P.2.15a) f
2e 2 O0 m* kWBFT f kWBT 2e 2 O0 m*k BT kWBFT f x K1

e

12S 3 (³kG ) wW
wf
0 W (W )v dVk
2 e

3S 2 k³0 wW
wf
0 W (W )v k dk
2 2
(P.2.20)
3S 2 k BT =3
e ³ e WdW 3S 2 =3
e ³ e xdx
wf 0
W 0 x 0 WF W
1
eO0 WF f
W 2eO0 m* kWBFT f kWBT 2 S obzirom da se radi o sluaju totalne nedegeneracije imamo e , a pošto se kBT
e kBT ³ e kBT Wvk 2 dk wW k BT

C2
3S 2 k BT 3S 2 k BT =3
e ³ e W dW
k 0 W 0 srednja dužina slobodnog puta može smatrati konstantnom ( v(W )W (W ) O0 ), prethodni izraz
(P.2.15b)
f dobija oblik:
2eO0 m* (k BT ) 2 kWBFT
e ³ e x x 2 dx
3S =2 3
eO0 WF f
W eO0 = WF f
W
e kBT ³ e kBT vk 2 dk e kBT ³ e kBT k 3 dk
x 0
K1 (P.2.21)
3S 2 k BT k 0
3S 2 k BTm* k 0
pa Seebeck-ov koeficijent iznosi:
Prelaskom na integraciju po kinetikoj energiji W, dolazimo do rezultata:
1 § WF k BT *(3) · k B § WF ·
D ¨ ¸ ¨ 2¸ (P.2.16)
T© e e *(2) ¹ e © k BT ¹ 2eO0 m* kWBFT
f
W 2eO0 m*k BT kWBFT
K1 e ³ e kBT WdW e (P.2.22)
3S 2 k BT =3 k 0
3S 2 =3
Problem 2.3 Izraz za gustinu struje elektrona kada u poluprovodniku postoji gradijent Ravnotežna koncentracija elektrona u posmatranom sluaju iznosi:
hemijskog potencijala i gradijent temperature može se napisati u obliku:
G G G § m*k BT ·
3/2 WF
J K1 rGWF K 2 rGT (P.2.17) n0 2¨ 2 ¸
e k BT (P.2.23)
© 2S = ¹
Odrediti koeficijente K1 i K 2 za trodimenzionalni poluprovodnik kod koga se može primeniti
pa se izraz (6) može napisati u obliku
aproksimacija totalne degeneracije u sluaju kada se srednja dužina slobodnog puta može
smatrati konstantnom.
2 2eO0 n0
K1 (P.2.24)
Rešenje: U prisustvu gradijenta hemijskog potencijala i temperature, gustinu struje možemo 3 S m*k BT
izraziti preko kinetikih koeficijenata C1 i C2 u formi (2.57):
G Za izraunavanje koeficijenta K 2 iskoristiemo rezultat dobijen u primeru P2.2 za Seebeck-ov
G T G §W · GT C1 G 1§ CW ·GG
J C1 rG ¨ F ¸ C2 r rGWF ¨ C2 1 F koeficijent:
¸ r T (P.2.18)
e © T ¹ T e T© e ¹
k B § WF ·
D ¨ 2¸ (P.2.25)
Na osnovu prethodnog izraza zakljuujemo da je e © k BT ¹
C1 V pa je
K1 (P.2.19a)
e e 2 2k B eO0 n0 § WF ·
K2 VD ¨ 2¸ (P.2.26)
3 S m*T © k BT ¹
C §W C · 1
K2 1 ¨ F 2 ¸ V3 VD (P.2.19b)
T © e C1 ¹ T
170 171
Problem 2.4 Polazei od pretpostavljenog rešenja za neravnotežni lan funkcije raspodele u

G wf wf 0
obliku (2.19), pokazati da se u sluaju kada deluje samo slabo elektrino polje K , ukupna Kako je f ( x 0) f0 , a , možemo pisati
wx x 0
wW
(neravnotežna) funkcija raspodele može aproksimirati izrazom :
GG G G wf G G
f
f 0 W eW vK (P.2.27) f f 0 (W eW v K ) | f 0 0 eW v K
wW
(P.2.34)
gde je f 0 ravnotežna (Fermi-Dirac-ova funkcija raspodele). Posebno analizirati sluaj kada se Poreenjem sa izrazom (4) zakljuujemo da je
G G
Fermi-Dirac-ova funkcija raspodele može aproksimirati Maxwell-Boltzmann-ovom funkcijom, f | f 0 (W eW v K ) (P.2.35)
a zavisnost kinetike energije od talasnog vektora je parabolina (sa skalarnom efektivnom
masom). Ovo znai da u prisustvu slabog elektrinog polja funkcija raspodele zadržava istu formu kao u
sluaju termodinamike ravnoteže, samo je energija elektrona promenjena i iznosi
Rešenje: Neravnotežnu funkciju raspodele predstavljamo u obliku: G G G G
W W eW v K , odnosno “pomerena” je za vrednost eW v K koja predstavlja energiju koju
G
elektron dobije pod dejstvom polja K za vreme W .
§ wf · G G
f f0 ¨ 0 ¸>F v @ (P.2.28)
© wW ¹ U sluaju totalne nedegeneracije, Fermi-Dirac-ovu funkciju raspodele možemo aproksimirati
WF W
G = 2 k 2 2m* .
gde je F , za sluaj kada postoji samo slabo elektrino polje, na osnovu izraza (2.30) jednako Maxwell-Boltzmann-ovom funkcijom f 0 e kBT , gde je po uslovu zadatka W
Tada neravnotežna funkcija raspodele dobija oblik:
G G
F W eK (P.2.29)
G G m* GG
WF W eW v K WF

v 2 2 v vd
f e kBT
e k BT e 2 k BT
(P.2.36)
Prema tome, funkciju raspodele možemo napisati u formi:
G G G
§ wf · G G eW v K / m
*
gde je vd driftovska brzina elektrona. Prethodni izraz možemo preurediti i u
f f 0 ¨ 0 ¸ eW v K (P.2.30)
© wW ¹ formu
G G 2
WF m*vd2 /2 m* v vd
gde je k BT

2 k BT
W WF f e e (P.2.37)
wf 0 e kBT
1
(P.2.31)
wW § W WF
·
2
k BT
¨e
kBT
1¸ Problem 2.5. Disk od poluprovodnikog materijala izrazito p-tipa ima dva omska kontakta (Sl.
© ¹ G
P.2.1). Kroz disk protie struja, a prisutno je i slabo spoljašnje magnetno polje B paralelno osi
S druge strane, posmatrajmo funkciju diska. Odrediti a) ugao M koji zaklapa vektor gustine struje sa poluprenikom diska, b)
relativnu promenu otpornosti u funkciji magnetnog polja i c) ukupnu tangencijalnu struju.
1 Debljinu diska iznosi d, napon izmeu elektroda je U. Smatrati da su pokretljivost P i
f f 0 (W x) W xWF (P.2.32)
koncentracija šupljina poznate.
e kBT
1
G G
gde je x eW v K . Za male vrednosti x, funkciju f možemo aproksimirati izrazom
wf
f | f ( x 0) x (P.2.33)
wx x 0
172 173
G G G m* G G G
eir K eB vM ir vr iM vr ir vM iM vz iz 0 (P.2.40)
W
gde je zamenjeno q e pošto se radi o šupljinama (poluprovodnik je izrazito p-tipa). Dobijenu

vektorsku jednainu dalje možemo razložiti na tri skalarne:
m*
eK eBvM vr 0 (P.2.41a)
W
m*
eBvr vM 0 (P.2.41b)
W
m*
vz 0 (P.2.41c)
Sl. P.2.1 Corbino disk W
Rešenje: a) Konfiguracija prikazana na Sl. P.2.1 naziva se Corbino disk i pogodna je za
merenje magnetootpornosti. Naziv je dobila po O. M. Corbino-u koji je 1911. godine objavio Kao što je i oekivano, pod dejstvom spoljašnjih polja nosioci e se kretati u ravni diska
rezulate merenja magnetootpornosti nekoliko metala koristei ovakvu geometriju. ( vz 0 ). Iz izraza (P.2.341a) i (P.2.341b) možemo odrediti radijalnu i tangencijalnu
komponentu brzine:
Ovaj problem rešavaemo koristei Lorentz-ov modela transporta koji se može dobiti
eK
pojednostavljivanjem Boltzmann-ovog modela. Prema Lorentz-ovom pristupu, pretpostavlja se vr (P.2.42a)
G m* e 2 B 2W
da je kretanje nosilaca naelektrisanja pod dejstvom spoljašenjeg elektrinog polja K i
G W m*
magnetnog polja B , režirano sledeom jednainom kretanja:
G G W
G G G m* v e 2 BK
m*
dv
dt

qK q v u B W
(P.2.38) vM m* (P.2.42b)
m e B 2W
* 2

G W m*
U ovom izrazu v srednju brzinu nosilaca, m* je efektivna masa za koju je pretpostavljeno da
je skalarna veliina, W je izotropno vreme relaksacije. Poslednji sabirak u jednaini (P.2.38) Zamenom izraza za pokretljivost u obliku P eW / m* dobijamo:
ima ulogu da urauna efekte razliitih procesa rasejanja u poluprovodniku na kretanje nosilaca.
Ovi efekti se približno opsuju “silom trenja” koja je srazmerna brzini. Gornju jednainu
najjednostavije je rešavati u cilindrinom koordinatnom sistemu, pa emo napisati: PK
vr (P.2.43a)
1 P 2 B2
G G G G
v vr ir vM iM vz iz (P.2.39a)
P 2 BK
G G vM (P.2.43b)
K K ir P.2.39b) 1 P 2 B2
G G Pretpostavljajui da je struja manjinskih nosilaca zanemarljiva, ukupnu gustinu struje možemo

B B iz (P.2.39c) napisati na sledei nain:
G G G G G
G J | J p epv J r ir J M iM (P.2.44a)
Analiziraemo stacionarno stanje (kada je dv dt 0 ), pa e jednaina (P.2.38) dobiti oblik:
Jr epvr , JM epvM (P.2.44b)
174 175
Zamenom izraza (P.2.343a) i (P.2.343b), dobijamo radijalnu i tangencijalnu komponentu ln r2 / r1

gustine struje u obliku: R( B)
2S dV
1 P 2 B 2 (P.2.52)
PK VK a relativna promena otpornosi u funkciji magnetnog polja:

Jr ep (P.2.45a)
1 P 2 B2 1 P 2 B2
'R( B) R( B) R(0)
P 2 B2 (P.2.53)
P 2 BK VP BK R( B) R( B)
JM ep (P.2.45b)
1 P 2 B2 1 P 2 B2
c) Ukupnu tangencijalnu struju odrediemo na sledei nain:
gde je V epP specifina elektrina provodnost. Ugao koji zaklapa vektor gustine struje sa
VP Bd
r2
poluprenikom diska ( T na Sl. Sl. P.2.1), možemo odrediti na sledei nain: r
IM ³ JM dSM ³ JM d dr
r1
ln 2 U
1 P 2 B 2 r1
(P.2.54)
JM
tan T P B (P.2.46)
Jr Znak “-“ oznaava da se nosioci kreu u suprotnom smeru od onog koji je pretpostavljen na Sl.
Sl. P.2.1.
b) Otpornost diska predstavlja odnos izmeu prikljuenog napona i ukupne struje koja tee u Problem 2.6. Cilindar visine l, unutrašnjeg poluprenika ra i spoljašnjeg rb , napravljen od
radijalnom pravcu: poluprovodnikog materijala izrazito p-tipa, izložen je dejstvu radijalnog magnetnog polja koje
G G r G
U se u oblasti ra d r d rb može prikazati u obliku B (r ) B0 a ir . Na osnove cilindra nanete su
R (P.2.47) r
Ir elektrode i na njih je prikljuen spoljašnji napon U (videti Sl. P.2.2). Odrediti (ukupnu)
tangencijalnu struju IM i relativnu relativnu promenu provodnosti izmeu elektroda u
Struju I r izraunavamo uz pomo radijalne komponente gustine struje: zavisnosti od magnetnog polja. Smatrati da su pokretljivost P i koncentracija šupljina poznate.
Ir J r Sr J r 2rS d (P.2.48)
dok je veza napon izmeu elektroda i elektrinog polja oblika:

r2
U Ur ³ K (r )dr
r1
(P.2.49)
gde su r1 i r2 unutrašnji i spoljašnji poluprenik diska, respektivno. Zameniemo J r iz relacije

(P.2.348) u izraz (P.2.345a), a zatim integraliti po radijalnoj koordinati:
V
r r2
I r 2 dr
2S d ³r1 r ³ K (r )dr (P.2.50)
1 P 2 B2 r1
ime dobijamo
Ir r V
ln 2 U (P.2.51)
2S d r1 1 P 2 B2
Prema tome, otpornost diska za datu vrednost magnetnog polja iznosi:
176 177
rb ra P 2 B02
2
VPUB0 ra
Sl. P.2.2 Poluprovodniki cilindar pod dejstvom radijalnog magnetnog polja, na ije osnove je IM ln (P.2.61)
prikljuen spoljašnji napon U 2 1 P 2 B02
Provodnost izmeu elektroda iznosi:

Rešenje: a) Lorentz-ova jednaina kretanja nosilaca u stacionarnom stanju, u posmatranom 1 Iz
sluaju glasi: G (P.2.62)
G G R U
G G m* v
eK e v u B 0 W
(P.2.55) gde je
rb rb
rdr
gde je
G G
Iz ³ J dS ³ J
z z
ra
z 2rS dr 2SV K ³
ra 1 P 2 B02 ra r
2
(P.2.63)
B B (r )ir (P.2.56a)
G G
K Kiz (P.2.56b) odnosno:
° ª rb rb 2 P 2 B02 º½°
®rb ra P B0 ra ln «
U
Zamenom (P.2.356a) i (P.2.356b) u jednainu kretanja (P.2.355) dobijamo: Iz SV 2 2 2 2 2
»¾ (P.2.64)
¬« 1 P B0
2 2
¯°
l ¼»¿°
G G G m* G G G
eKiz eB(r ) vz iM vM iz vr ir vM iM vz iz 0 (P.2.57) Na osnovu toga provodnost izmeu elektroda jednaka je
W
SV ° ª rb rb 2 P 2 B02 º½°
®rb ra P B0 ra ln « »¾
2 2 2 2 2
odakle sledi: G (P.2.65)
¬ 1 P B0
2 2
vr 0 (P.2.58a) l °
¯ « »¼¿°
eK P 2 KB dok relativna promena provodnosti iznosi:

vM (P.2.58b) ª r r 2 P 2 B 2 º
m*2 1 P 2 B2
eB 2 ln « b b 2 2 0 »
W eB 'G ( B) G ( B) G (0)
P 2 B02 ra2 ¬« 1 P B0 ¼» (P.2.66)
PK
G ( B) G ( B) rb
2
ra2
vz (P.2.58c)
1 P 2 B2
Vidimo da sa porastom B0 opada provodnost cilindra, pošto se smanjuje komponenta brzine u
Ukupna gustina struje iznosi z-pravcu.
G G G G G
J Jp epv epvM iM epvz iz (P.2.59a)
Problem 2.7. Nai Hall-ovu konstantu RH i Hall-ov ugao T H za poluprovodniki materijal u
VP B(r ) K VK kome su prisutne obe vrste nosilaca. Smatrati da su ekvienergetske površine elipsoidne, a
JM , Jz (P.2.59b) odgovarajue dijagonalne komponente tenzora inverzne efektivne mase za elektrone iznose
1 P 2 B2 1 P 2 B2
1/ mxxe , 1 / m yye i 1 / mzze i analogno za šupljine (1 / miih , i x, y, z ). Posmatrati uzorak u obliku
Prema tome, tangencijalna komponenta struje odreujena je izrazom: kvadra, ije ose su orijentisane u pravcu glavnih osa ekvienergetskih elipsoida, pri emu struja
tee u pravcu x, a magnetno polje deluje u pravcu z (Sl. P.2.3). Smatrati da su vremena
rb rb
B0 ra r relaksacije konstantna i ne zavise od pravca kretanja nosilaca ali se razlikuju za elektrone i
IM ³ JM dSM ³ JM l dr
ra
VP Kl ³
ra 1 P 2 B02 ra r
2
dr (P.2.60) šupljine ( W e z W h ). Takoe smatrati da je magnetno polje slabo.
Integral rešavamo uvoenjem smene t r 2 P 2 B02 ra2 i dobijamo:
178 179
G
Ky K H . Jednaine (P.2.367a) i (P.2.367b) rešavamo u stacionarnom stanju ( dpe, h / dt 0 ),
što daje:
G G G G G G G

e K x ix K y iy eB v ye ix vxe iy
1

mxxe vxe ix m yye v ye iy mzze vze iz
We
0 (P.2.70a)
G G G G G G G

e K x ix K y iy eB v yh ix vxh iy
1

mxxh vxh ix m yyh v yh iy mzzh vzh iz
Wh
0 (P.2.70b)
Jednainu (4a) razdvojiemo na tri skalarne jednaine:
mxxe vxe
eK x eBv ye 0 (P.2.71a)
We
myye v ye
eK x eBvxe 0 (P.2.71b)
We
Sl. P.2.3 Poluprovodniki uzorak u obliku kvadra, kod koga su znaajne obe vrste nosilaca, mzze vze
0 (P.2.71c)
kroz koji protie struja u pravcu x, a slabo magnetno polje je usmereno u pravcu z. We
Rešenje: Jednaine kretanja nosilaca u poluprovodnikom uzorku sa Sl. P.2.3 imaju oblik: Odavde dobijamo komponente brzine elektrona:
G G G G p
G eW e ª eBW e K y º
dpe
dt
qe K qe
ve u B e
We
(P.2.67a) «
mxxe ¬« m yye
Kx »
¼»
G G vxe (P.2.72a)
G G G p e2W e2 B 2
dph
dt
qh K qh vh u B h Wh
(P.2.67b) 1
mxxe myye
gde je qe e , qh e , a pošto se radi o materijalu kod koga su ekvienergetske površine eW e ª eBW e K x º

« Ky»
elipsoidi, veza imeu impulsa i brzine za elektrone i šupljine je oblika: myye «¬ myye »¼
v ye (P.2.72b)
e 2W e2 B 2
ª 1 0 0 º ª px º ªVx º 1
« mxxe ,h » « e ,h » « e ,h »
mxxe m yye
« 0 1
0 » « p ye ,h » «Vye ,h » (P.2.68)
« m yye ,h
»« » « »
« 0 1 » p v ze 0 (P.2.72c)
0 mzze ,h « » «¬Vze ,h »¼
¬ ¼ ¬ ze , h ¼
Uvešemo pokretljivosti elektrona u pravcima x i y na sledei nain:
odakle je
eW e eW e
pxe ,h mxxe ,h Vxe ,h , p ye ,h myye ,h Vye ,h , pze ,h mzze ,h Vze ,h (P.2.69) Px , Py (P.2.73)
e
mxxe e
m yye
G G
Pod dejstvom spoljašnjeg magnetnog polja B Biz , doi e do skretanja nosilaca u pravcu y i na osnovu ega izrazi (8a) i (8b) dobijaju oblik:
G G G
stvaranja razlike potencijala U H , pa je elektrino polje oblika K K x ix K y iy , gde je
180 181
vxe
P x ª¬P y BK y K x º¼
e e
(P.2.74a)

v ye | P ye P xe BK x K y (P.2.78b)
1 P xe P ye B 2
a odgovarajue komponente gustine struje u tom sluaju dobijaju oblik:
P y ª¬ P x BK x K y º¼
v ye e e
1 P xe P ye B 2
(P.2.74b) J xe
envxe | enP xe P ye BK y K x V x P y BK y K x
e e
(P.2.79a)
Na slian nain, rešavanjem jednaine (4b) dolazimo do odgovarajuih izraza za komponente J ye

env ye | enP ye P xe BK x K y V y P x BK x K y
e e
(P.2.79b)
brzine šupljina:
gde V xe enP xe i V ye enP ye predstavljaju specifine elektrine provodnosti elektrona u
eW h ª eBW h K y º pravcu x i y, respektivno. Kada su u pitanju šupljine, zanemarivanjem lanova srazmernih sa
« Kx »
mxxh ¬« myyh ¼» B 2 u (11a) i (11b) dobijamo:
vxh (P.2.75a)
e2W h2 B 2
1
mxxh m yyh J xh
epvxh | ep P xh P yh BK y K x V x P y BK y K x
h h
(P.2.80a)
eW h ª eBW h K x º J yh
epv yh | ep P yh P xh BK x K y V y P x BK x K y (P.2.80b)
« Ky» h h
myyh «¬ myyh »¼
v yh (P.2.75b) gde je V xh epP xh i V yh ep P yh . Ukupna gustina struje u pravcu y jednaka je nuli pa imamo:
e 2W h2 B 2
1
mxxh m yyh
Jy J ye J yh 0 (P.2.81)
v zh 0 (P.2.75c)
odnosno
Pokretljivosti šupljina u pravcima x i y imaju oblik: V y P x BK x K y V y P x BK x K y 0
e e h h
(P.2.82)
eW h eW h
Px , Py (P.2.76) odakle je
h
mxxh h
m yyh Px V y Px V y
pa je Ky KH h h
BK x e e
(P.2.83)
V y V ye h
P x ¬ªP y BK y K x ¼º
vxh h h
(P.2.77a) Hall-ova konstanta odreena je izrazom (2.149):
1 Px P y B2 h h
Ky
RH (P.2.84)
P y ª¬ P x BK x K y º¼
h h
BJ x
v yh (P.2.77b)
1 P xh P yh B 2
gde je u posmatranom poluprovodniku
V
Pošto je magnetno polje slabo, komponente brzine elektrona možemo aproksimirati izrazima:
Jx J xe J xh xe V xh K x V xe P ye V xh P yh BK y (P.2.85)

vxe | P xe P ye BK y K x (P.2. 78a)
Pošto je K y B na osnovu izraza (P.2.383), zakljuujemo da je drugi deo izraza za J x
srazmeran sa B 2 pa ga možemo zanemariti u odnosu na prvi lan kada je B malo.
182 183
G G G G G m*vG

J x | V xe V xh K x (P.2.86)
dp
dt
m*
dv
dt

q K vuB W
(P.2.91)
G G G G G
Prema tome, Hall-ova konstanta iznosi: gde je K K 0 e jZt K 0 ix e jZt , B Biz , dok je W izotropno vreme relaksacije. Brzinu elektrona
pretpostaviemo u obliku:
Px V y Px V y
RH (P.2.87) G G G G G
v i v0 y iy v0 z iz e jZt
h h e e
V ye
V yh V xe V xh v v0 e jZt 0x x (P.2.92)
Hall-ov ugao definisan je na sledei nain: Zamenom u jednainu (P.2.391) dobijamo:
G G G G G G m* G G G
m* jZ v0 x ix v0 y iy v0 z iz qK 0 ix qB ¬ªv0 y ix v0 x iy ¼º v0 x ix v0 y iy v0 z iz
KH
tan T H (P.2.88) (P.2.93)
Kx W
i u posmatranom sluaju iznosi: odakle je
Px V y Px V y § 1·
tan T H h h
B e e
(P.2.89) v0 x m* ¨ jZ ¸ qK 0 qBv0 y 0 (P.2.94a)
V y V y e h © W¹
Kada bi efektivna masa u poluprovodniku bila izotropna, imali bismo P xe P y Pe , § 1·

e
v0 y m* ¨ jZ ¸ qBv0 x 0 (P.2.94b)
Px Py Ph , V x Vy Ve , Vx Vy V h , pa bi izrazi za Hall-ovu konstantu i Hall-ov © W¹
h h e e h h
ugao dobili oblik:

PeV e PhV h v0 z 0 (P.2.94c)
RH (P.2.90a)
V2 Na osnovu izraza (P.2.394a) i (P.2.394b) možemo odrediti komponentu brzine koja je potrebna
za izraunavanje visokofrekventne provodnosti:
PhV h PeV e
tan T H B (P.2.90b) § 1·
V qK 0 m* ¨ jZ ¸
© W¹
v0 x (P.2.95)
gde je V Vh Ve . § 1·
q 2 B 2 m*2 ¨ jZ ¸
© W¹
Problem 2.8. Na estice naelektrisanja q i skalarne efektivne mase m* deluje stalno magnetno Odgovarajua komponenta gustine struje iznosi:
G G G G
polje indukcije B i elektrino polje jaine K visoke uestanosti Z . Vektori K i B su
G G Jx qnv0 x (P.2.96)
meusobno upravni, pri emu se pravac K poklapa sa x-osom, a pravac B sa z-osom. Odrediti
izraz za visokofrekventnu provodnost definisanu kao V J x K x i frekvenciju za koju je
pa je provodnost jednaka
apsorpcija elektromagnetnih talasa maksimalna. Uticaj defekata rešetke, rasejanja na fononima
i primesama, kao i u prethodnim primerima opisati “silom trenja” koja je srazmerna impulsu
Jx q 2 nm*W jZW 1 1 jZW
estice. V V 0x (P.2.97)
q 2 B 2W 2 m*2 jZW 1 ZcW jZW 1
2 2 2
Kx
Rešenje: Jednaina kretanja estica u ovom sluaju je oblika:
gde je V 0 x q 2 nW m* , a Zc qB / m* je ciklotronska uestanost.
184 185
Zopt | Zc (P.2.106)
Apsorpcija elektromagnetnog zraenja odreena je realnim delom provodnosti, pa emo
frekvenciju na kojoj je apsorpcija maksimalna odrediti na osnovu uslova: Dakle, apsorpcija elektromagnetnog zraenja je maksimalna kada je uestanost Z približno
jednaka ciklotronskoj uestanosti. Ova injenica može se iskoristiti za odreivanje efektivne
d Re^V ` mase nosilaca, na taj nain što se snimi zavisnost Re^V ` od veliine magnetne indukcije B, pri
0 (P.2.98)
dZ Z Zopt konstantnoj uestanosti Z spoljašnjeg elektrinog polja koja je poznata. Ovim postupkom
gde je dobija se grafik nalik onom sa Sl. P.2.4, na osnovu koga se odreuje vrednost magnetne
indukcije Bmax pri kome je provodnost najvea. Iz prethodnih rezultata jasno je da je
1 W 2 Z 2 Zc2 ciklotronska uestanost Zc pri toj vrednosti indukcije približno jednaka fiksiranoj uestanosti
Re^V ` V 0 x (P.2.99)
ªW 2 Zc2 Z 2 1º 4 Z 2W 2
2 Z.
¬ ¼
Uvedimo sledee oznake: xc 1 Zc2W 2 i x Z 2W 2 . Tada se izraz (P.2.399) može prikazati u

obliku:
xc x
Re^V ` V 0 x (P.2.100)
xc x
2
4x
Uslov (8) se sada svodi na:
d Re^V ` d Re^V ` dx d Re^V `

2ZW 2 0 (P.2.101)
dZ dx d Z dx
odakle sledi:
Sl. P.2.4 Zavisnost realnog dela specifine elektrine provodnosti od magnetne indukcije
2
xopt 2 xopt xc 3 xc2 4 xc 0 (P.2.102)
Koristei uslov Zc | Z , odnosno:
Pošto mora biti ispunjeno x ! 0 dobijamo rešenje

q Bmax
|Z (P.2.107)
m*
xopt xc 2 x xc
2
c (P.2.103)
lako dolazimo do tražene efektivne mase nosilaca.
Pošto se radi o visokim uestanostima, pretpostaviemo da je ispunjeno x 1 i xc 1 , pa
prethodni izraz možemo aproksimirati na sledei nain: Problem 2.9. Nai ciklotronsku uestanost u uslovima kada na uzorak deluje magnetno polje
G G G G
indukcije B i elektrino polje jaine K visoke uestanosti ( B A K ), a disperziona relacija je
xopt xc 2 xc 1 1/ xc | xc (P.2.104) data izrazom:
G = 2 k x2 = k y = 2 k z2
2 2
na osnovu ega zakljuujemo da je E (k ) E0 (P.2.108)
2mxx 2myy 2mzz
Z W |1 Z W
2
opt
2 2 2
c (P.2.105)
Koristei dobijeni rezultat, nai komponente efektivne mase na osnovu sledeih merenja:
odnosno, pošto je po pretpostavci Zc2W 2 1 dobijamo
186 187
G G
1) Na uestanosti od 20 GHz, jedna rezonancija je postignuta za B1 0.304T i pri tome se nije Rešenje Z 0 odgovaralo bi kretanju nosilaca u pravcu magnetnog polja ( v u B 0 ), dok
menjala ukoliko je kristal rotiran oko ose normalne na vektor magnetne indukcije. drugo rešenje odgovara postizanju ciklotronske rezonancije (što se može pokazati na slian
nain kao u prethodnom primeru P.2.8):
G
2) Drugo merenje je sprovedeno tako što je vektor B imao pravac ose rotacije iz prvog
2
merenja. Tada je rezonancija postignuta za B2 0.136T . Bx2 By Bz2
Z Zc e (P.2.113)
m yy mzz mxx mzz mxx myy
Ceo eksperiment je izvršen na temperaturi tenog helijuma, tako da se “sila trenja”, kao i
odgovarajua sila koja potie od visokofrekvetnog elektrinog polja, mogu zanemariti u
Koordinatni sistem postaviemo tako da se pravci x, y i z-ose poklapaju sa pravcima glavnih
jednaini kretanja.
osa ekvienergetskih elipsoida k x , k y i k z , respektivno. Pretpostaviemo da je prilikom prvog
merenja magnetno polje imalo pravac jedne od osa, npr. y-ose (Sl. P.2.5), s obzirom da
Rešenje: Jednaina kretanja elektrona, uzimajui u obzir zadate uslove, ima oblik: prilikom rotacije kristala oko normalne ose ne treba da dolazi do promena.
G G G
dv
dt
1
m*
F | e 1
m* vG u B (P.2.109)
odnosno
ªvx º
1
mxx 0 0
« » G G T
ª¬v u Bº¼
«v y » e 0
1
m yy 0 (P.2.110)
¬«vz ¼» 0 0 1
mzz
Sl. P.2.5 Orijentacija magnetnog polja u odnosu na ose ekvienergetskog elipsoida prilikom
G G prvog merenja
gde je vi dvi dt , i x, y, z . Rešenje za brzinu elektrona tražiemo u obliku v v0 e jZt , pri
G
emu je Z uestanost spoljašnjeg elektrinog polja. Izraz (P.2.110) možemo razdvojiti na tri Za izabranu orijentaciju magnetnog polja B (0, B1 ,0) , zakljuujemo da je
skalarne jednaine:
jZv0 x
e
mxx
v0 y Bz v0 z By (P.2.111a)
Zc e
B12
(P.2.114)
mxx mzz
e
jZ v0 y v0 z Bx v0 x Bz (P.2.111b) Pretpostavimo da kristal rotira oko x-ose. Sa Sl. P.2.5 se vidi da do promene vrednosti
m yy
ciklotronske uestanosti nee doi samo ukoliko su komponente tenzora inverzne efektivne
mase u pravcima y i z jednake. Konkretnije, ako rotiramo kristal za S / 2 u smeru kazaljke na
G
jZv0 z
e
mzz
v0 x By v0 y Bx (P.2.111c) satu, tada e pravac magnetnog polja poklopiti sa pravcem z-ose, tj. B (0, 0, B1 ) , pa je
B12
Da bi posmatrani sistem jednaina imao netrivijalno rešenje, njegova determinanta mora biti Zc e (P.2.115)
jednaka nuli, što daje: mxx m yy
§ e 2 Bx2 e2 By2 e 2 Bz2 · Na osnovu izraza (P.2.114) i (P.2.115) jasno je da mora biti m yy mzz . Prilikom drugog
Z ¨ Z 2 ¸ (P.2.112) G
¨ m yy mzz mxx mzz mxx myy ¹¸
© merenja, ciklotronska rezonancija se postiže pri magnetnom polju B ( B2 , 0,0) , što zamenom
u (P.2.113) daje
188 189
Transportni procesi – odabrani problemi Generaciono-rekombinacioni i difuzioni procesi
3. GENERACIONO-REKOMBINACIONI I DIFUZIONI PROCESI

B22 eB2
Zc e (P.2.116)
myy mzz myy
3.1 GENERACIJA I REKOMBINACIJA
Koristei brojne vrednosti dobijene merenjima, možemo izraunati: U okviru poglavlja posveenih zonskoj teoriji razmatrali smo vrsto telo u stanju
termodinamike ravnoteže i analizirali zavisnost (ravnotežne) koncentracije nosilaca od
eB2 temperature, vrste i koliine primesa itd. Zatim smo prouavali transportne procese,
m yy mzz | 0.19 m0 (P.2.117a)
2S f c pretpostavljajui da je termodinamika ravnoteža narušena dejstvom slabih polja, što nam je
dozvoljavalo da smatramo da su koncentracije nosilaca i dalje vrlo bliske ravnotežnim.
Meutim, u sluaju znaajnih pobuda (npr. pod dejstvom jaih spoljašnjih polja), koncentracije
B12
mxx e | 0.95 m0 (P.2.117b) nosilaca e se bitno razlikovati od ravnotežnih vrednosti i možemo ih u najopštijem sluaju
2S f c B2 prikazati u obliku:
G G G
gde je m0 masa slobodnog elektrona. n( r , t ) n0 ( r , t ) G n( r , t )
(3.1a)
G G G
p(r , t ) p0 (r , t ) G p(r , t ) (3.1b)
gde su n i p neravnotežne koncentracije, G n i G p su nadkoncentracije elektrona i šupljina,

respektivno, a n0 i p0 predstavljaju ravnotežne koncentracije koje ispunjavaju uslov:
n0 p0 ni2 (3.2)
Veliina ni , kao što je poznato, oznaava sopstvenu koncentraciju nosilaca. Pod pojmom
generacije podrazumeva se nastajanje parova dodatnih slobodnih nosilaca nadkoncentracija
G n i G p , pod dejstvom neke pobude. Do sada smo se susretali sa termalnom generacijom koja
je podrazumevala da na datoj temperaturi ( T ! 0 K) odreeni broj elektrona, koji poseduje
dovoljnu energiju, pree iz valentne u provodnu zonu, ostavljajui za sobom podjednak broj
upražnjenih mesta (šupljina). Rekombinacija predstavlja suprotan proces, odnosno
išezavanje parova elektrona i šupljina. Na primer, elektron koji izgubi energiju u nekom
procesu prelazi u valentnu zonu i zauzima upražnjeno mesto, tj. rekombinuje se sa šupljinom.
U uslovima ravnoteže brzine ova dva procesa su jednake. Proces slian termalnoj generaciji
odvija se i pri dejstvu spoljašnjih pobuda (polja). Spoljašnje polje može dovesti do znaajne
generacije dodatnih slobodnih nosilaca tj. do stvaranja velike nadkoncentracije, a po prestanku
dejstva polja ta nadkoncentracija e poeti da opada. Višak elektrona (u odnosu na n0 ) e se
vraati u valentnu zonu i na taj nain ukloniti ekvivalentnu koliinu dodatno generisanih
šupljina, pa e se tako koncentracije nosilaca vratiti na ravnotežne vrednosti.
Razlikujemo dva osnovna tipa rekombinacije:
1) direktna rekombinacija ili rekombinacija zona-zona. Kod ovog tipa rekombinacije,

elektroni iz provodne zone se direktno vraaju u valentnu zonu
190 191
Generaciono-rekombinacioni i difuzioni procesi Generaciono-rekombinacioni i difuzioni procesi
2) indirektna rekombinacija koja se vrši preko rekombinacionih centara. Usled prisustva neravnotežne procese, svakako da f n i f p predstavljaju neravnotežne funkcije raspodele.
primesa kod dopiranih poluprovodnika, ali i usled nesavršenosti realnih kristala (neistoe, Pretpostaviemo da se one mogu prikazati u obliku Fermi-Dirac-ovih funkcija, ali sa razliitim
defekti,...), u okviru energetskog procepa javljaju se dodatni diskretni nivoi koji mogu da parametrom koji u njima figuriše u odnosu na ravnotežno stanje.
uestvuju u procesima rekombinacije tako što privremeno zahvataju nosioce, pre nego što doe
do njihovog novog prebacivanja u odgovarajuu zonu.
3.1.1 Direktna rekombinacija
Ovaj tip rekombinacije ima osnovnu ulogu kod poluprovodnika sa manjim energetskim
procepom (do 0.2-0.3 eV) i tada se elektroni iz provodne zone direktno rekombinuju sa
šupljinama u valentnoj zoni. Posmatraemo uzorak idealnog poluprovodnika, koji se nalazi u
stanju termodinamike ravnoteže, a koncentracije elektrona i šupljina u njemu iznose n0 i p0 ,
respektivno, i poznate su. Poluprovodnik emo zatim izložiti dejstvu neke spoljašnje pobude
(npr. obasjaemo ga svetlošu ija je energije fotona vea od veliine energetskog procepa) i
na taj nain emo generisati dodatne slobodne nosioce. Nove koncentracije elektrona i šupljina
oznaiemo sa n i p. Pretpostavimo da smo u trenutku t 0 ukinuli dejstvo pobude. Tada e
vrednosti koncentracija u momentu iskljuivanja pobude iznositi
n(0) n0 G n(0) (3.3a)

p(0) p0 (0) G p(0) (3.3b)
gde je G n(0) G p(0) , s obzirom da je broj elektrona koji su prebaeni u provodnu zonu jednak
broju šupljina nastalih u valentnoj zoni. Po ukidanju pobude doi e do rekombinacije i
opadanja veliina G n(t ) i G p (t ) sa vremenom, pri emu e u svakom trenutku važiti
G n(t ) G p(t ) . Posle dovoljno dugo vremena ( t o f ), koncentracije elektrona i šupljina
poprimie svoje ravnotežne vrednosti n0 i p0 (u opštem sluaju n0 z p0 pošto poluprovodnik Sl. 3.1 Šematski prikaz procesa termike generacije i direktne rekombinacije izmeu provodne
i valentne zone posmatranog poluprovodnika
može biti dopiran). Odrediemo brzinu procesa rekombinacije, odnosno brzinu kojom se
smanjuju koncentracije dodatnih slobodnih nosilaca nastalih pod dejstvom spoljašnje pobude.
Fermi-jeva energija u ovom sluaju zamenjuje se veliinama koji se nazivaju kvazi Fermi-jevi
nivoi, i oni se razlikuju za elektrone i šupljine (a naravno da se razlikuju i od vrednosti Fermi-
Uoimo opseg energija elektrona u provodnoj zoni ( En , En dEn ) i opseg energija šupljina u
jevog nivou u stanju ravnoteže EF0 ). Naime, poveanje koncentracije elekrona (usled procesa
valentnoj zoni ( E p , E p dE p ), gde su energije u obe zone izražene u odnosu na isti referentni
generacije) odgovara zahtevu da Fermi-jev nivo bude bliži dnu provodne zone. Meutim,
nivo (dno provodne zone), kao što je prikazano na Sl. 3.1. Koncentracija elektrona dn i istovremeno poveanje koncentracije šupljina nalaže da Fermi-jev nivo treba da bude bliži
šupljina dp sa posmatranim energijama iznosi: valentnoj zoni. Pošto su ovi zahtevi protivreni, za svaku vrstu nosilaca uvodi se poseban nivo
(kvazi Fermi-jev nivo). Dakle, funkcije raspodele uzimamo u obliku:
dn( En ) 2 g n ( En ) f n ( En )dEn (3.4a)
1
f n ( En ) En EFn
(3.5a)
dp( E p ) 2 g p ( E p ) f p ( E p )dE p (3.4a)
e k BT
1
gde su g n i g p energetske gustine stanja elektrona i šupljina po jedinici zapremine, 1 1

f p (Ep ) 1 E p EF p EF p E p
(3.5b)
respektivno, a fn i f p odgovarajue funkcije raspodele. S obzirom da razmatramo
e k BT
1 e k BT
1
192 193
Eg EFn EFp
gde su EFn i EFp kvazi Fermi-jev nivo za elektrone i šupljine, respektivno, i izraženi su u
np Bc Bv e kBT e k BT
(3.8a)
odnosu na dno provodne zone ( Ec 0 ), kao što se može videti na Sl. 3.2. Zapravo, prema
izabranom referentnom smeru, EFp je zapravo kvazi Fermi-jev nivo za elektrone u valentnoj
odnosno
zoni (dok bismo za šupljine oekivali da se kvazi Fermi-jev nivo izražava u odnosu na vrh EFn EFp
valentne zone kao Eg EFp ) ali je uobiajeno da se ova veliina naziva kvazi Fermi-jev nivo np n0 p0 e k BT
(3.8b)
za šupljine pa emo zadržati takav naziv.
gde su ravnotežne koncentracije date izrazima (1.156) i (1.231). Oigledno je da razlika kvazi
Fermi-jevih nivoa predstavlja meru (ne)ravnoteže. Proizvod funkcija raspodele (3.6a) i (3.6b)
daje verovatnou da je stanje sa energijom En popunjeno elektronom a da je istovremeno
stanje sa energijom E p upražnjeno:
E p En EFn EFp
kBT k BT
f n ( En ) f p ( E p ) e e (3.9)
Na osnovu (3.9) i (3.8b) imamo:
E p En
np k BT
f n ( En ) f p ( E p ) e (3.10)
n0 p0
Sl. 3.2 (a) Jedinstveni Fermi-jev nivo u stanju termodinamike ravnoteže (b) kvazi Fermi-jevi Brzina rekombinacije elektrona (koncentracija rekombinovanih elektrona u jedinici vremena)
nivoi za elektrone i šupljine kod neravnotežne raspodele nosilaca ije su energije u intervalu ( En , En dEn ) sa šupljinama energija u intervalu ( E p , E p dE p )
proporcionalna je koncentracijama nosilaca ukljuenih u prelaz i može se izraziti na sledei
U sluaju potpune nedegeneracije možemo pisati: nain:
EFn En dr w( En , E p )dn( En )dp( E p ) (3.11)

f n ( En ) | e k BT
(3.6a)
odnosno
E p EF p
f p (Ep ) | e k BT
(3.6b) dr 4 w( En , E p ) g n ( En ) f n ( En ) g p ( E p ) f p ( E p )dEn dE p (3.12)
Ukupne neravnotežne koncentracije elektrona i šupljina u provodnoj, odnosno valentnoj zoni, gde je w( En , E p ) verovatnoa prelaza elektrona iz stanja sa energijom En u stanje sa
prema tome iznose: energijom E p , u jedinici vremena, pomnožena sa ukupnom zapreminom V i izražava se u
EFn
n Bc e kBT (3.7a) jedinicama cm3 /s . Pored procesa rekombinacije, uvek je prisutan i proces termalne generacije
nosilaca (i kad je spoljašnja pobuda ukinuta) i brzinu tog procesa za date intervale energija u
E g EF p
provodnoj i valentnoj zoni oznaiemo sa dgT . Ukupna promena koncentracije elektrona pri
p Bv e k BT
(3.7b) rekombinaciji, po jedinici vremena, dobija se integracijom po svim energijama u provodnoj i
valentnoj zoni:
Proizvod neravnotežnih koncentracija jednak je f Eg
r ³ ³ 4w( En , E p ) g n ( En ) f n ( En ) g p ( E p ) f p ( E p )dEn dE p (3.13)

En 0 E p f
194 195
Zamenom (3.10) u (3.13) dobijamo: w (G n(t ))

R(t ) (3.22)
wt
f Eg E p En
np
³ ³
k BT
r 4 w( En , E p ) g n ( En ) g p ( E p )e dEn dE p (3.14) Kod direktne rekombinacije u svakom trenutku ispunjeno je G n(t ) G p (t ) , odakle sledi
n0 p0 En 0 E p f
w (G p (t ))
Uvešemo veliinu J koja zavisi samo od osobina materijala i vrste prelaza, a ne od R(t ) (3.23a)
wt
koncentracija n i p, u obliku:
f Eg E p En
w ( p (t )) w (n(t ))
1
(3.23b)
wt wt
J ³ ³
k BT
4 w( En , E p ) g n ( En ) g p ( E p )e dEn dE p (3.15)
n0 p0 En 0 E p f
Uz pomo izraza (3.21a) i (3.21b), ukupnu brzinu rekombinacije možemo predstaviti u obliku
i smatramo je ona konstantna za posmatrani poluprovodnik. Na osnovu toga možemo pisati:
R J ª¬ (n0 p0 )G n(t ) (G n(t ))2 º¼ (3.24)
r J np (3.16)
pa je promena nadkoncentracije elektrona sa vremenom odreena jednainom
Posmatrajmo ukupnu (efektivnu) brzinu rekombinacije R, koju dobijamo kada od koncentracije
rekombinovanih nosilaca odbijemo koncentraciju nosilaca koji su termalno generisani: w (G n(t ))
J > (n0 p0 ) G n(t ) @ (G n(t )) (3.25)
wt
R r gT J np gT (3.17)
Prethodni izraz preurediemo u oblik:
U stanju termodinamike ravnoteže brzine procesa generacije i rekombinacije su jednake, tj.
R 0 , a n n0 i p p0 , odakle sledi: d (G n(t ))
J dt (3.26)
>(n0 p0 ) G n(t )@G n(t )
J n0 p0 gT =0 gT J n0 p0 (3.18)
odakle integracijom dolazimo do jednaine
Zamenom u izraz (3.17) dobijamo
1 ª (n0 p0 ) G n(t ) º
R J (np n0 p0 ) (3.19)
ln
n0 p0 «¬ G n (t ) » Jt C (3.27)
¼
Efektivna rekombinacija odreuje promenu neravnotežne koncentracije elektrona sa vremenom Integraciona konstanta odreuje se na osnovu odgovarajueg poetnog uslova
po ukidanju spoljašnje pobude: G n(t 0) G n(0) :
wn(t )
R(t ) (3.20) 1 ª (n0 p0 ) G n(0) º
wt C ln (3.28)
n0 p0 «¬ G n(0) »
¼
a kako je
pa je konano,
n(t ) n0 G n(t ) (3.21a)
n0 p0
p(t ) p0 G p(t )
G n (t ) (3.29)
(3.21b) ( n0 p0 ) G n (0) J t ( n0 p0 )
e 1
G n (0)
možemo posmatrati promenu nadkoncentracije u jedinici vremena:
196 197
Važno je napomenuti da u opštem sluaju poremeaj koncentracije u odnosu na ravnotežno Prema tome, sistem bi se iz neravnotežnog stanja relaksirao sa vremenskom konstantom W f
stanje može imati i negativne vrednosti ( G n(t ) 0 ) u zavisnosti od prirode spoljašnjeg dejstva koja je jednaka srednjem vremenu “preživljavanja” neravnotežnih nosilaca pre nego što se
u intervalu t 0 , odnosno znaka poetnog uslova G n(0) . U ovom izvoenju pretpostavljeno je rekombinuju. Polazei od definicionog izraza (3.30) i zamenjujui ukupnu rekombinaciju u
da je u t 0 izvršena generacija nosilaca pa G n(t ) ! 0 i koristi se termin nadkoncentracija obliku (3.24), vidimo da u opštem sluaju vreme života nije konstantno:
nosilaca. U tom sluaju nadkoncentracija ima sledee opšte osobine:
1
W (t ) (3.35)
1) G n(t ) je monotono opadajua funkcija u celokupnom vremenskom domenu J > (n0 p0 ) G n(t ) @
2) G n(t o f) 0
i ovu veliinu možemo nazvati trenutno vreme života neravnotežnih nosilaca
Definisaemo vremenski parametar W f koji opisuje proces relaksacije neravnotežne ( W fn (t ) W fp (t ) W (t ) ).
koncentracije nosilaca, odnosno smanjenje nadkoncentracije nosilaca sa vremenom i vraanje u
ravnotežno stanje, na sledei nain: Dalju analizu izraza (3.29) sprovešemo pretpostavljajui da se radi o poluprovodniku izrazito
n-tipa:
G n (t ) n0 p0 (3.36)
Wf { (3.30)
R (t )
Na osnovu toga, (3.29) postaje
n0
Veliina W f naziva se vreme života neravnotežnih nosilaca i 1/ W f ima smisao verovatnoe G n (t ) | (3.37)
n0 G n (0) J t n0
rekombinacije jednog slobodnog nosioca naelektrisanja u jedinici vremena i jedinici e 1
G n (0)
zapremine. Kod direktne rekombinacije oigledno je da e vremena života elektrona i šupljina
biti jednaka:
a trenutno vreme života iznosi
G n (t ) G p (t ) 1
W fn W fp W (t ) | (3.38)
R (t ) R (t )
(3.31a) J > n0 G n(t ) @
W fn W fp W f (3.31b) Razmatraemo dva asimptotska sluaja:
1) linearna rekombinacija
Na osnovu izraza (3.22) možemo pisati:
Ako je efektivna brzina rekombinacije nosilaca direktno proporcionalna nadkoncentraciji, tada
w (G n(t )) G n (t )
(3.32) se rekombinacija naziva linearnom. Za poluprovodnik n-tipa izraz (3.24) dobija oblik
wt Wf R J > n0 G n(t ) @ G n(t ) , pa zakljuujemo da e rekombinacija biti linearna ako je ispunjen
uslov:
Ukoliko bi vreme života bilo konstantno, integracijom prethodnog izraza dobili bismo G n(t ) n0 (3.39)
G n (t )
d (G n(t )) G n (t )
t
1 t
³
G n (0) G n (t )

Wf ³ dt ln
G n(0)

Wf
(3.33) Tada dobijamo
0
R | J n0 G n(t ) (3.40)
odnosno
Ako je pored toga ispunjen i uslov
t
G n(t ) G n(0) e

Wf (3.34) G n(0) n0 (3.41)
tada e rekombinacija biti linearna u celom vremenskom domenu t [0, f) . Ovaj poslednji
sluaj emo detaljno ispitati.
198 199
Na osnovu (3.41), izraz (3.37) dobija oblik Pošto je G n(t ) monotono opadajua funkcija, rekombinacija može biti kvadratna samo u
nekom vremenskom intervalu t (0, t1 ) . Dužinu ovog intervala možemo oceniti na osnovu
n0 J t n0
G n (t ) | | G n(0)e (3.42) izraza (3.37), primenjujui uslov G n(0) n0 :
n0 J t n0
e 1
G n (0)
G n (t ) 1
1 (3.46)
n0 n0 G n(0) J t n0
n0 J t n0 e 1
jer je e 1 za t [0, f) . Vreme života (3.38) postaje praktino konstantno G n (0)
G n (0)
odakle dobijamo
1 G n (0) J t n0
W| Wf (3.43) n0
e 1 1 (3.47)
J n0 G n (0)
U tom sluaju možemo pisati
J t n0

t Kako je G n(0) n0 , ovaj uslov dobija oblik e 1 1 , odnosno, u svakom trenutku
G n(t ) G n(0) e Wf (3.44)
t (0, t1 ) mora biti ispunjeno
Kod ovog tipa rekombinacije poremeaj koncentracije nestaje po eksponencijalnom zakonu,
kao što je prikazano na Sl. 3.3. J tn0 1 (3.48)
J t n0
U tom sluaju možemo koristiti aproksimaciju e | 1 J tn0 , što zamenom u (3.37) daje:
1 G n(0)
G n (t ) | | , t (0, t1 ) (3.49)
1 § n0 · J t n0
0
1 J G n(0) t
J t ¨1 ¸ e 1
G n (0) ¨ G n(0) ¸
© ¹
Trenutno vreme života dobijamo zamenom (3.49) u (3.38), i ono iznosi
1 J G n(0) t 1 J G n(0) t
W (t ) | (3.50)
J > n0 J n0 G n(0) t G n(0) @ J G n(0)> n0 J n0 t @
Sl. 3.3 Promena nadkoncentracije sa vremenom u sluaju linearne rekombinacije
Do izraza (3.49) mogli smo doi i direktno iz (3.25), uzimajui u obzir da se radi o
poluprovodniku izrazito n-tipa ( n0 p0 ) i velikom poremeaju ( G n(t ) n0 , za 0 t t1 )
2) kvadratna rekombinacija
w (G n(t )) d (G n(t ))
J >G n(t ) @
2
Ovaj tip rekombinacije podrazumeva da je efektivna brzina rekombinacije srazmerna kvadratu J dt (3.51)
wt >G n(t )@
2
poremeaja, što e na osnovu (3.24) biti ispunjeno u onom vremenskom intervalu u kome važi
G n(t ) n0 pa možemo pisati
Integracijom (3.51) direktno dobijamo
R | J >G n(t ) @
2
(3.45)
1 1 G n(0)
Jt G n (t ) (3.52)
G n(t ) G n(0) 1 J G n(0)t
200 201
Na osnovu jednaine (3.49) zakljuujemo da kod kvadratne rekombinacije nadkoncentracija Detaljnije razmatranje indirektne rekombinacije zapoeemo analizom procesa koji se odvijaju
opada po hiperbolikom zakonu u vremenskom intervalu (0, t1 ) . Posle odreenog vremena t2 , izmeu provodne i valentne zone i R-centara. Pretpostaviemo da je energetski procep
nadkoncentracija e se smanjiti toliko da e biti ispunjeno G n(t ) n0 , što odgovara linearnoj poluprovodnika dovoljno veliki, tako da se direktna rekombinacija može zanemariti, kao i da je
energetski nivo R-centara Et pozicioniran duboko u okviru procepa. Važno je naglasiti da se
rekombinaciji i promena G n(t ) za t ! t2 bie eksponencijalna. U intervalu [t1 , t2 ] neophodno je
R-centri u procesu rekombinacije ne menjaju ve igraju ulogu katalizatora. Njihovu
koristiti izraz (3.37) za odreivanje G n(t ) , što je ilustrovano na Sl. 3.4.
koncentraciju oznaiemo sa N t , a funkciju raspodele elektrona na nivou Et , koja ima oblik
Fermi-Dirac-ove funkcije, oznaiemo sa ft .
Sl. 3.4 Promena nadkoncentracije sa vremenom u sluaju kvadratne rekombinacije
Sl. 3.5 a) privremeni centri zahvata koji mogu primiti npr. samo elektrone, b) R-centri koji
3.1.2 Indirektna rekombinacija
mogu primiti i elektrone i šupljine
(Shockley-Read-ov model)
Kod poluprovodnika iji je energetski procep vei od 0.5 eV, proces rekombinacije se
1) Posmatrajmo prvo sluaj termodinamike ravnoteže (kada je Fermi-jev nivo za elektrone i
dominantno odvija preko lokalizovanih stanja koja su smeštena u okviru procepa a nazivaju se
rekombinacioni centri ili “zamke” (engl. trap). Ova lokalizovana stanja su zapravo primesni šupljine jedinstven i iznosi EF ). U intervalu energija ( En , En dEn ) u provodnoj zoni (Sl. 3.6),
nivoi koji potiu od nesavršenosti poluprovodnika i pozicionirana su naješe duboko u imamo koncentraciju elektrona koja je jednaka 2 g n ( En ) f ( En )dEn , a brzina rekombinacije ovih
energetskom procepu (daleko od vrha valentne zone i dna provodne zone). Prilikom elektrona prelaskom na R-centre glasi:
rekombinacije, slobodni nosioci bivaju zahvaeni od strane jednog od tih primesnih nivoa i na
njemu provode odreeno vreme pre novog prelaska u odgovarajuu zonu. Da bi primesni nivo drn 2cn ( En ) g n ( En ) f ( En )dEn N t f t p (3.53)
mogao da dovede do rekombinacije para elektron-šupljina on mora da “stupa u interakciju” sa
obe zone. Generalno, razlikuju se dve vrste primesnih nivoa. Prva vrsta predstavlja
privremene centre zahvata (u literaturi na engleskom jeziku koristi se termin temporary gde je cn ( En ) kvantno-mehaniki parametar koji karakteriše prelaz, a analogan je veliini
storage traps tj. privremene zamke), koji mogu primiti samo jednu vrstu nosilaca. Ovi centri su w( En , E p ) iz izraza (3.12), ft p je funkcija raspodele za šupljine na R-centru ( ft p 1 ft ), a
ilustrovani na Sl. 3.5a, na primeru gde mogu primiti samo elektrone, i njih neemo detaljnije
proizvod N t ft p predstavlja koncentraciju šupljina (praznih stanja) na nivou Et .
prouavati u okviru ovog teksta. Više prostora bie posveeno složenijem tipu
rekombinacionih centara, koji mogu prihvatiti i elektrone i šupljine. Ovaj drugi tip
rekombinacionih centara nadalje emo oznaavati kao R-centri, a procesi koji se mogu 1
ft ( Et ) Et EF
(3.54a)
odvijati izmeu provodne i valentne zone i jednog R-centra ija je energija Et prikazani su na
Sl. 3.5b. Veliine nt i pt na Sl. 3.5 oznaavaju neravnotežne koncentracije elektrona i šupljina
1
g e k BT
1
respektivno, na centru rekombinacije.
202 203
Et EF
U stanju termodinamike ravnoteže, brzine toplotne generacije i rekombinacije date izrazima
ft p 1 ft ( Et ) 1
g ft ( Et ) e k BT
(3.54b) (3.53) i (3.55) su meusobno jednake:
gde je g faktor spinske degeneracije. drn dgTn (3.57)
Istovremeno sa prelaskom elektrona iz provodne zone na R-centar, odvija se i proces termalne što dalje daje
generacije tj. prelazak elektrona sa R-centra u provodnu zonu. Brzina termalne generacije uz
prelazak elektrona u oblast energije oko En iznosi: cn ( En ) f ( En ) ft p ln ( En ) f p ( En ) f t (3.58)
dgTn 2ln ( En ) g n ( En ) f p ( En )dEn N t ft (3.55) odnosno

ln ( En ) f ( En ) ft p ( Et )
(3.59)
gde je ln ( En ) novi kvantno-mehaniki faktor. Proizvod 2 g n ( En ) f p ( En )dEn daje koncentraciju cn ( En ) f p ( En ) ft ( Et )
praznih stanja u intervalu ( En , En dEn ) , a N t ft je broj elektrona na R-centrima, dok je:
Zamenom izraza (3.54a), (3.54b), (3.56) u (3.59) dobijamo:
En EF
f p ( En ) 1 f ( En ) f ( En ) e k BT
(3.56) Et EF
Et En
k BT
ln ( En ) 1 e 1 k BT
g En EF g e (3.60)
cn ( En ) k BT
e
Na osnovu prethodnog zakljuujemo da u stanju termodinamike ravnoteže odnos posmatranih

koeficijenata ne zavisi od koncentracija ve samo od energetskog razmaka i temperature.
2) U neravnotežnom sluaju Fermi-jev nivo nije jedinstven pa emo uvesti sledee oznake:
Fermi-jev nivo za elektrone u provodnoj zoni obeležavaemo sa EFn , za elektrone na R-centru
sa EFt , a za šupljine u valentnoj zoni sa EFp . Brzine termalne generacije i rekombinacije pri
prelascima elektrona izmeu provodne zone i R-centra su sada svakako razliite:
drn z dgTn (3.61)
pa emo posmatrati efektivnu rekombinaciju koju definišemo kao razliku ovih brzina:
dRn drn dgTn (3.62)
Smatrajui da se koeficijenti cn i ln ne menjaju pri prelasku na neravnotežno uslove, možemo

pisati:
drn 2cn ( En ) g n ( En ) f ( En , EFn )dEn N t ft p ( Et , EFt ) (3.63a)

Sl. 3.6 Šematski prikaz procesa indirektne rekombinacije koji se odvijaju izmeu provodne i
valentne zone i nivoa Et koji potie od R-centara
dgTn 2ln ( En ) g n ( En ) f p ( En , EFn )dEn Nt ft ( Et , EFt ) (3.63b)
204 205
pa je efektivna rekombinacija elektrona sa energijama u intervalu ( En , En dEn ) jednaka: f
³ c (E ) f (E ) g
0
n n n n ( En )dEn
cn (3.70)
ª l (E ) f f º f
dRn 2cn ( En ) g n ( En ) f ft p N t dEn «1 n n p t » (3.64) ³ c ( E ) f ( E )dE

n n n n
¬«
cn ( En ) f f t p »
¼ 0
Imajui u vidu da se Fermi-jevi nivoi razlikuju, u neravnotežnom sluaju izrazi (3.54b) i (3.56) i definišimo novi koeficijent
dobijaju novi oblik:
Et EFt CN cn N t (3.71)
ft p ( Et , EFt ) 1 f t ( Et , EFt ) 1
g f t ( Et , EFt ) e k BT
(3.65a)
gde je N t koncentracija R-centara. Na osnovu toga, izraz (3.69) za ukupnu efektivnu
En EFn rekombinaciju možemo napisati u formi:
f p ( En , EFn ) 1 f ( En , EFn ) f ( En , EFn ) e k BT
(3.65b)
EFt EFn
CN f t p n ª1 e º
kBT
Rn
Zamenom ovih izraza, zajedno sa (3.60) u (3.64) daje ¬« ¼»
(3.72)
EFt EFn k BT
ª EFt EFn
º CN ft p n CN ft p n e
dRn 2cn ( En ) g n ( En ) f ft p N t dEn «1 e k BT
» (3.66)
«¬ »¼
Pretpostaviemo da su ispunjeni uslovi za primenu aproksimacije totalne nedegeneracije, tj. da
funkciju raspodele elektrona u provodnoj zoni možemo prikazati Maxwell-Boltzmann-ovom
Ukupna efektivna rekombinacija elektrona u provodnoj zoni dobija se integracijom: funkcijom, pa koncentracija elektrona ima oblik
f f
E E
N t f t p ª1 e Ft Fn º 2c ( E ) f ( E ) g ( E )dE
EFn
³ dR ( E ) »¼ ³ n n
k BT
Rn (3.67)
n n
«¬ n n n n n Bc e kBT (3.73)
0 0
Izraz (3.67) emo proširiti koncentracijom elektrona, koja ima oblik: Zamenom (3.73) i (3.65a) u drugi sabirak (3.72) dobijamo
Et
f
CN f t p n CN ft Bc e kBT
n ³ 2g
0
n ( En ) f ( En )dEn (3.68) Rn (3.74)
što daje Uvešemo veliinu

Et
f
n1 { Bc e kBT (3.75)
EFt EFn
³ cn ( En ) f ( En ) gn ( En )dEn
N t ft p n ª1 e º
kBT 0
Rn (3.69)
«¬ »¼ f koja ima smisao efektivne koncentracije elektrona u sluaju kada se Fermi-jev nivo za
³g
0
n ( En ) f ( En )dEn elektrone poklapa sa nivoom R-centra Et . Konano, izraz za ukupnu rekombinaciju možemo
napisati u obliku:
Uvedimo srednju vrednost koeficijenta cn na sledei nain:
Rn CN f t p n CN n1 f t (3.76)
Na slian nain možemo sprovesti analizu razmene nosilaca izmeu R-centra i valentne zone,
što bi rezultovalo sledeim izrazom za ukupnu (efektivnu) rekombinaciju šupljina:
206 207
Rp CP ft p CP p1 f t p (3.77a) CN n CP p1
ft (3.84)
CN (n n1 ) CP ( p p1 )
gde je
Eg Et odnosno
p1 { Bv e k BT
(3.77b) CN n1 CP p
ft p (3.85)
CN (n n1 ) CP ( p p1 )
Da bismo uspostavili vezu izmeu ukupnih brzina relaksacije elektrona i šupljina ( Rn i R p ),
poiemo od jednaine elektrine neutralnosti. Pošto posmatramo R-centre koji mogu primiti i Zamenom ovih izraza u (3.76) dobijamo efektivnu rekombinaciju u obliku
elektrone i šupljine, jednaina neutralnosti e u sluaju termodinamike ravnoteže imati oblik:
C N CP (np n1 p1 )

Rn (3.86)
n0 PA nt0 p0 N D p t0 (3.78) CN (n n1 ) CP ( p p1 )
Proizvod n1 p1 ima jednostavnu formu:

gde PA i N D oznaavaju koncentracije jonizovanih akceptorskih i donorskih primesa,
respektivno, a nt0 i p t0 su koncentracije negativnog, odnosno pozitivnog naelektrisanja na R-
Eg
centru. U neravnotežnom sluaju, jednaina neutralnosti glasi: n1 p1 { Bc Bv e k BT

n0 p0 ni2 (3.87)
n0 PA nt p N D p t (3.79) pa je

CN CP (np ni2 )
Rn Rp (3.88)
pri emu smo pretpostavili da se PA i N D ne menjaju pri prelasku na neravnotežni sluaj. CN (n n1 ) CP ( p p1 )
Oduzimanjem izraza (3.78) od izraza (3.79) dolazimo do rezultata:
Odrediemo vreme života elektrona pri rekombinaciji na R-centrima na osnovu definicionog
G n G nt G p G p t (3.80) izraza ( W n G n / Rn ), što prema (3.86) daje
gde je G n n n0 , G p p p0 , G nt nt nt0 , G p t p t p t0 . Prethodni izraz možemo CN (n n1 ) CP ( p p1 )

Wn Gn (3.89)
preurediti u oblik: CN CP (np ni2 )
G n G p G p t G nt (3.81) lan u imeniocu odreen vrednostima koncentracija može se napisati u obliku:
Veliina na desnoj strani (3.81) proporcionalna je koncentraciji R-centara. Ako je N t malo np ni2 (n0 G n)( p0 G p ) n0 p0 n0G p p0G n G nG p (3.90)
tada je G n | G p i na osnovu definicionog izraza za rekombinaciju (3.22) sledi:
pa je
CN (n n1 ) CP ( p p1 ) 1
Rn Rp (3.82) Wn (3.91)
CN CP n0 p0 G n
a dalje emo analizirati samo ovakav sluaj. Zamenimo sada izraze (3.76), (3.77a) i (3.77b) u
(3.82): Konstante CN i CP imaju dimenziju s-1 pa možemo uvesti sledee oznake:
CN f t p n CN n1 ft CP ft p CP p1 f t p (3.83) CN {
1
, CP {
1
(3.92)
Wn o
Wpo
Uzimajui u obzir da je ft p 1 ft , iz prethodne jednaine dobijamo

Na osnovu toga izraz za vreme života elektrona dobija oblik:
208 209
G G G
Wn ª¬W po (n n1 ) W no ( p p1 ) º¼
1
(3.93) J Jn J p (3.96)
n0 p0 G n
Struje elektrona i šupljina sastoje se od driftovske i difuzione komponente:
Pošto je G n G p i Rn R p , izraz (3.93) ujedno predstavlja i vreme života šupljina W p :
G G G
Jn J ndrift J ndif (3.97a)
Wn W p W (3.94)
G G G
Jp J pdrift J pdif (3.97b)
Konani izraz za W u proširenoj formi je oblika
koje su za sluaj elektrona date izrazima (2.111) i (2.113), analogni oblik važi i za šupljine:
n0 G n n1 n G p p1
W Wp W no 0 , Gn G p (3.95) G G G
o
n0 p0 G n n0 p0 G p Jn enP n K eDn rG n (3.98a)
Ovo je poznata Shockely-Read-ova formula (objavljena u radu “Statistics of the G G G

Recombinations of Holes and Electrons”, W. Shockley, W. T. Read, Jr., Physical Review 87, Jp ep P p K eD p rG p (3.98b)
pp. 835-842, 1952.) Na osnovu izraza (3.95) zakljuujemo da vreme života nosilaca W zavisi
G
od tipa R-centara (preko veliina W no , W po ), od položaja nivoa Et (što odreuje n1 i p1 ), od gde je Pn 0 , a P p ! 0 . Pri proticanju struje dolazi do promene koncentracija nosilaca n(r , t )
G
koncentracije primesa (kroz veliine n0 i p0 ) i od temperature (koja figuriše u n0 , p0 , n1 , p1 i i p (r , t ) , a ta promena se odvija u skladu sa jednainom kontinuiteta, iji je generalni oblik:
vrlo malo utie na W no , W po ).
wU G G
rG J (3.99)
Napomenimo da bismo do potpuno istog krajnjeg izraza (3.93) odnosno (3.95) došli i da smo wt
uzeli g 1 u (3.54a), što je i uobiajeno u literaturi. Mišljenja smo da je postupak izložen
gde je U gustina prostornog naelektrisanja (ukupna koncentracija pozitivnog naelektrisanja
ovde, uz uraunavanje g z 1 , ipak egzaktniji.
iznosi U ep eN D , a negativno U en eP ). Jednaina (3.99) važi u sluaju kada nema
Relacija (3.95) izvedena je pod pretpostavkom da je koncentracija R-centara dovoljno mala, spoljašnje generacije, kao ni rekombinacije nosilaca. U opštijem sluaju, promena
odakle sledi da su nadkoncentracije elektrona i šupljina vrlo približno jednake, pa su i koncentracije nosilaca sa vremenom (usled proticanja struje, generacije i rekombinacije),
odgovarajua vremena života elektrona i šupljina jednaka (W n W p W ). Ako je koncentracija odreena je sledeim jednainama:
N t znaajna, tada se nadkoncentracije G n i G p razlikuju , što naravno ima za posledicu i G
wn G G G §J ·
razliita vremena života elektrona i šupljina. Gn (r , t ) Rn (r , t ) rG ¨ n ¸ (3.100a)
wt © e¹
G
3.2 JEDNAINA KONTINUITETA wp G G G §J ·
G p (r , t ) R p (r , t ) rG ¨ p ¸ (3.100b)
wt ¨ e ¸
© ¹
U prethodnim razmatranjima promene koncentracije neravnotežnih nosilaca u poluprovodniku
sa vremenom, pretpostavili smo da nisu prisutna spoljašnja polja kao ni druge pobude kao što Jednaine (3.100a), (3.100b), (3.98a) i (3.98b) rešavaju se u kombinaciji sa Poisson-ovom
G G
je npr. gradijent koncentracije duž materijala, odnosno da kroz poluprovodnik ne tee struja. U jednainom koja povezuje elektrino polje K (r , t ) i ukupno prostorno naelektrisanje:
opštem sluaju (kao što smo videli u poglavlju o transportnim procesima), pod dejstvom
spoljašnjih ili unutrašnjih pobuda doi e do transporta nosilaca i postojae odgovarajue G G U
driftovske i difuzione komponente struje. Ukupna struja u poluprovodniku predstavlja zbir rG K (3.101)
struja nastalih transportom elektrona i šupljina: H 0H r
210 211
gde je H 0 dielektrina permitivnost vakuuma, H r relativna dielektrina permitivnost G p z 0, z 0

(3.104)
posmatranog materijala, a ukupna gustina prostornog naelektrisanja iznosi Gp 0, z z 0
U e ª¬ p N D n P º¼ (3.102) 3) Smatramo da je rekombinacija linearna i data u obliku:
Zamenom (3.108) u (3.101), kao i (3.98a) i (3.98b) u (3.100a) i (3.100b), respektivno, Gp

G Rp (3.105)
dobijamo sistem od 3 jednaine, ijim rešavanjem dolazimo do nepoznatih veliina n(r , t ) , Wp
G G G
p (r , t ) i K (r , t ) . Pošto se radi o sistemu parcijalnih diferencijalnih jednaina, pri emu su
nepoznate funkcije zavisne od etiri promenljive, problem se naravno u opštem sluaju ne 4) Posmatramo iskljuivo stacionarno stanje tako da važi:
može analitiki rešiti. Primer koji sledi ilustruje kako se u vrlo specijalnom sluaju rešenje
može dobiti u analitikoj formi. wn wp
0, 0 (3.106)
wt wt
Posmatrajmo jednodimenzionalni homogeni poluprovodnik kod koga se vrši injekcija
manjinskih nosilaca u taki z 0 , kao što je prikazano na Sl. 3.7. Pretpostavimo da na Na osnovu gornjih pretpostavki, jednaina (3.100b) za z z 0 dobija oblik:
poluprovodnik deluje spoljašnje elektrino polje koje je usmereno duž z-ose.
1G G
R p rG J p 0 (3.107)
e
odnosno, posle zamene (3.105) i (3.98b):
Gp G ª G wp G º
rG « pP p K D p iz » 0 (3.108)
Wp ¬ wz ¼
G G
Kako je na osnovu izraza (3.103) rG K | 0 , a p( z ) p0 G p( z ) , pri emu p0 ne zavisi od
koordinate, dalje možemo pisati:
Sl. 3.7 Jednodimenzionalni homogeni poluprovodnik n-tipa, pod dejstvom spoljašnjeg Gp G G0 G d (G p ) G d 2 (G p )

elektrinog polja, u koji se injektuju šupljine u taki z=0 pP p rG K P p K iz D p 0 (3.109)
Wp dz dz 2
G G
Navešemo eksplicitno sve pretpostavke koje uvodimo prilikom razmatranja prikazanog Pošto smo pretpostavili da je elektrino polje oblika K Kiz , konano imamo:
modela:
d 2 (G p ) P p K d (G p) G p
1) U ( z, t ) | 0 -ostvarena je kvazineutralnost. Poluprovodnik je homogen i u svakoj taki 0 (3.110)
dz 2 D p dz D pW p
gustina prostornog naelektrisanja je jednaka nuli. Na osnovu ove pretpostavke, iz Poisson-ove
jednaine (3.102) sledi:
G G Definisaemo difuzionu dužinu za šupljine na sledei nain:
rG K | 0 (3.103)
Lp D pW p (3.111)
2) Injekcija manjinskih nosilaca vrši se samo u taki z 0 . Ako pretpostavimo da je uzorak
poluprovodnika n-tipa, tada možemo pisati:
a uvešemo i oznaku
lkp P p KW p (3.112)
212 213
na osnovu ega e jednaina (3.110) dobiti oblik:

z
°G p(0)e p , z t 0
L
°
d (G p) lkp d (G p) G p
2 G p( z ) ® , K 0 (3.119)
2 2 0, z z 0 (3.113) °
z
dz 2 Lp dz Lp
°̄G p(0)e , z 0
Lp
Ovo je homogena linearna diferencijalna jednaina sa konstantnim koeficijentima, koju emo

Analizaemo dalje asimptotske sluajeve:
rešavati uz pomo njene karakteristine jednaine:
1) slabo elektrino polje -u tom sluaju smatramo da je ispunjen uslov:
lkp 1
a2 2
a 0 (3.114)
Lp L2p lkp
1 (3.120)
Lp
ija su rešenja
1 § lkp · Tada možemo pisati:
lkp2
a1,2 ¨ r 1¸ (3.115)
Lp ¨ 2 Lp 4 L2p ¸ ª lkp §
© ¹ 1 lkp2 ·º 1 lkp lkp2
a1,2 | « r ¨1 2 ¸» r 2 r 2 (3.121)
Lp «¬ 2 Lp ¨© 8Lp ¸¹»¼ Lp 2 Lp 8Lp
Na osnovu toga, rešenje diferencijalne jednaine (3.113) ima oblik:
G p( z ) A1ea z A2 ea z
1 2
(3.116) Ako zanemarimo lan srazmeran sa (lkp / Lp ) 2 dobijamo:
gde su A1 i A2 konstante koje se odreuju uz pomo graninih uslova. Pretpostaviemo da je 1 lkp

a1 | (3.122a)
a1 ! 0 (znak “+” u izrazu (3.115)) a a2 0 . U tom sluaju e a1z ( z o f) o f i Lp 2 L2p
e a2 z ( z o f) o f , a pošto nadkoncentracije moraju biti konane, rešenje u odgovarajuim
1 lkp
oblastima uzimamo u formi: a2 | (3.122b)
° A1e a2 z , z t 0 Lp 2 L2p
G p( z ) ® (3.117)
¯° A2 e , z 0
a1 z
odnosno
z § lkp ·
¨1 ¸
Na osnovu graninog uslova G p( z 0) G p(0) zakljuujemo da je A1 A2 G p(0) , pa izraz °G p(0)e Lp ©¨ 2 Lp ¹¸ , z t 0
°
(3.117) postaje G p( z ) ® (3.123)
z § lkp ·
°G p(0)e , z t 0
a2 z
° L ¨
¨1 ¸
2 L p ¸¹
G p( z ) ® (3.118) °G p(0)e p © , z0
¯
°¯G p(0)e a1z , z 0
Pretpostavili smo da se smer elektrinog polja poklapa sa smerom z-ose ( K ! 0 ) i da se radi o
Iz izraza (3.115) jasno se vidi da je a1 z a2 , tj. da je u prisustvu elektrinog polja raspodela efektivnoj injekciji nosilaca ( G p (0) ! 0 ) pa e raspodela dodatnih manjinskih nosilaca duž
nosilaca asimetrina u odnosu na taku z 0 u kojoj se vrši injekcija. Ukoliko ne bi bilo poluprovodnika izgledati kao na Sl. 3.8. Vidimo da elektrino polje “pomera” dodatne šupljine
spoljašnjeg elektrinog polja ( lkp 0 ), tada bismo imali a1 1/ Lp , a2 1/ Lp i raspodela u pravcu z-ose.
dodatnih manjinskih nosilaca bi bila simetrina:
214 215

z
°G p (0)e kp , z t 0
l
°
G p( z ) ® lkp
(3.127)
° L2
z
°̄G p (0)e p , z 0
a kolinik koeficijenta a2 i a1 pokazuje da e se nadkoncentracija šupljina mnogo sporije

menjati u oblasti z ! 0 :
| a2 | 2 L2p
1 (3.128)
a1 lkp2
kao što je prikazano na Sl. 3.9. Pošto se radi o jakom elektrinom polju, “pomak” šupljina u
pravcu z-ose je veoma izražen.
Sl. 3.8 Promena nadkoncentracije manjinskih nosilaca duž homogenog poluprovodnika sa Sl.
3.7, u prisustvu slabog elektrinog polja (puna linija). Isprekidanom linijom ilustrovana je
raspodela ovih nosilaca kada nema elektrinog polja ( K = 0 )
2) jako elektrino polje -tada smatramo da je ispunjen uslov:
lkp
1 (3.124)
Lp
pa emo koeficijente a1 i a2 prikazati u obliku
1 ª lkp l 4 L2 º 1 ª l l § 2 L2 ·º
a1,2 « r kp 1 2 p » | « kp r kp ¨1 2 p ¸» (3.125)
Lp « 2 Lp 2 Lp lkp » Lp «¬ 2 Lp 2 Lp ¨© lkp ¸¹»¼
¬ ¼
Na osnovu prethodnog izraza dalje dobijamo
0
lkp 1 l Sl. 3.9 Promena nadkoncentracije manjinskih nosilaca duž homogenog poluprovodnika u
a1 | kp2 (3.126a)
2L 2
lkp 2 Lp prisustvu jakog elektrinog polja (puna linija). Isprekidanom linijom ilustrovana je
p
raspodela u sluaju kada je K = 0
1
a2 (3.126b)
lkp Generalno, za K ! 0 i G p(0) ! 0 , možemo zakljuiti da u oblasti z ! 0 elektrino polje vrši
injekciju neravnotežnih manjinskih nosilaca, dok za z 0 polje vrši ekskluziju (smanjuje
Promena nadkoncentracije šupljina sa koordinatom, prema tome, ima oblik: koncentraciju nosilaca u poreenju sa sluajem kada je K 0 ). Ukoliko bismo razmatrali i
situaciju kada je G p (0) 0 , što bi znailo da se u taki z 0 ekstrahuju manjinski nosioci,
tada bi elektrino polje u oblasti z ! 0 vršilo ekstrakciju (oduzimanje) manjinskih nosilaca,
dok bismo s druge strane (za z 0 ) imali akumulaciju, jer bi polje “dodavalo” manjinske
nosioce. Opisani sluajevi ilustrovani su na Sl. 3.10.
216 217
Generaciono-rekombinacioni i difuzioni procesi Generaciono-rekombinacioni i difuzioni procesi – odabrani problemi
3.3 ODABRANI PROBLEMI
Problem 3.1. Za uzorak germanijuma n-tipa, ija otpornost na sobnoj temperaturi ( T 300 K ),
pri slaboj spoljašnjoj pobudi (osvetljenosti) iznosi U 0 1.65 :cm , dobija se vreme života
nosilaca W 0 2s . Pri jakoj spoljašnjoj osvetljenosti otpornost se smanjuje na vrednost
U1 1.27 :cm , a vreme života iznosi W 1 3.3s . Ako se zna da se rekombinacija u ovom
uzorku vrši preko R-centara odreenih sa Wg | Wt | 0.32 eV, odrediti vremena života W no i
W p . Poznato je Bv
o
0.565 1019 cm 3 , | Pn | 3800 cm/Vs , | P p | 1800 cm/Vs .
Rešenje: Vreme života nosilaca u posmatranom sluaju dato je Shockley-Read-ovom

formulom (3.95) u obliku:
n0 G n n1 n G p p1
W Wp W no 0 , Gn G p (P.3.1)
o
n0 p0 G n n0 p0 G p
Sl. 3.10 Ilustracija uticaja elektrinog polja na raspodelu neravnotežnih manjinskih nosilaca u
homogenom poluprovodniku sa Sl. 3.7, u sluaju kada je a) G p(0)> 0 i b) G p(0)< 0
Pošto se radi o uzorku n-tipa sledi n0 p0 , a na osnovu izraza (3.75) i (3.77b) zakljuujemo
da je
WF Wt
n0
e kBT n0 n1 (P.3.2a)
n1
WF Wt
p0
e k BT
p0 p1 (P.3.2b)
p1
gde je Wt Et Ec 0 (videti Sl. P.3.1). Ove relacije slede iz injenice da energetski procep
Ge iznosi Wg 0.66 eV, što znai da se R-centar nalazi u blizini sredine procepa, dok je Fermi-
jev nivo blizu dna provodne zone pošto se radi o uzorku n-tipa .
Sl. P.3.1 Meusobni položaj Fermi-jevog nivoa i R-centra u posmatranom poluprovodniku
218 219
Generaciono-rekombinacioni i difuzioni procesi – odabrani problemi Generaciono-rekombinacioni i difuzioni procesi – odabrani problemi
Prema tome, u posmatranom sluaju izraz (P.3.1), za slabe spoljašenje pobude ( G n n0 ) pa konano dobijamo
dobija oblik:
p1
p
W 0 | W po W no 1 (P.3.3) W n | 8s, W p W 0 W n | 1.8s (P.3.11)
n0
o o o
n0
Ukoliko je pobuda G n velika, tada se zanemarivanjem odgovarajuih lanova u izrazu (P.3.1) Problem 3.2. Nai koncentraciju nosilaca na površini debelog uzorka n-tipa germanijuma kada
dobija je generacija parova elektron-šupljina ravnomerna po zapremini i iznosi g 0 2.5 1017 cm -3s 1
p Gn const , vreme života šupljina iznosi W p 4s , brzina površinske rekombinacije
W 1 | W po W no 1 (P.3.4)
n0 G n s 500 cm/s , a koeficient difuzije D p 49 cm 2 /s .
Specifina otpornost uzorka odreena je izrazom Rešenje: Posmatrani uzorak poluprovodnika, za koji je potrebno odrediti raspodelu manjinskih
nosilaca, prikazan je na Sl. P.3.2. Pretpostavimo da je izložen dejstvu neke spoljašnje pobude,
1
U (P.3.5) npr. fotona odgovarajue energije koji dovode do ravnomerne generacije nosilaca po
e n0 G n | Pn | e p0 G n P p zapremini. Dodatni nosioci e se zatim rekombinovati, ali pored zapreminske rekombinacije u
realnim poluprovodnicima prisutan je i proces površinske rekombinacije tj. odreeni broj
Pošto je n0 p0 , u sluaju slabe pobude dobijamo nosilaca e se rekombinovati na površini materijala.
1
U0 | (P.3.6)
en0 | Pn |
dok u sluaju jake pobude imamo

1
U1 | (P.3.7)
en0 | Pn | e P p | Pn | G n
Na osnovu izraza (P.3.3) i (P.3.4) sledi
Wn
W 1 W 0 n0 G n n0 (P.3.8)
o
n0 p1 G n
Iz jednaine (P.3.6) možemo odrediti n0 | 1 eU0 | P n | | 9.97 1014 cm -3 , a kombinovanjem sa Sl. P.3.2 Uzorak poluprovodnika velike debljine izložen dejstvu spoljašnje pobude (svetlosti)
(P.3.7) dolazimo do izraza
Do ove pojave dolazi zbog toga što na površini realnih materijala mogu postojati razliiti
U0 U1 defekti i nesavršenosti. Površina je esto izložena mehanikim ošteenjima do kojih može doi
Gn | 2 1014 cm -3 (P.3.9)
U0 U1 P p | Pn | e
u procesu narastanja i obrade uzorka, hemijskim neistoama (u smislu apsorpcije stranih
atoma ili molekula) i sl., i te nepravilnosti su jedan od uzroka smanjenja koncentracije
neravnotežnih nosilaca. Meutim, površinska rekombinacija postoji i kada nisu prisutni strani
Na osnovu izraza (3.77b) možemo odrediti veliinu: atomi, niti druge nepravilnosti (vakancije, intersticije), s obzirom da i sama površina
poluprovodnika predstavlja inherentu nesavršenost jer narušava idealnu periodinost kristalne
Wg Wt |Wt |Wg
rešetke (kao što smo videli u poglavlju 1.6). Ovakvo narušavanje periodinosti dovodi do
p1 Bv e k BT
Bv e k BT
| 2.55 1013 cm -3 (P.3.10) pojave lokalizovanih stanja na energijama u okviru zabranjenih zona (površinska stanja) i ti
diskretni nivoi u energetskom procepu mogu zahvatiti nosioce, analogno R-centrima kod
220 221
zapreminske rekombinacije. Svi navedeni efekti rezultuju promenom koncentracije nosilaca na Za proizvoljnu površinu uzorka z z0 , imamo granine uslove u formi:
površini tj. igraju ulogu centara rekombinacije koje oznaavamo kao S-centri (Sl. P.3.3). Kao i
kod zapreminskih efekata, proces rekombinacije opisujemo odgovarajuom brzinom eRs r J p ( z0 ) (P.3.13a)
rekombinacije Rs koja predstavlja broj rekombinovanih nosilaca po jedinici površine u jedinici
vremena. Rekombinacija Rs je srazmerna promeni koncentracije manjinskih nosilaca na 1 d (G p )
površini, i ako posmatramo poluprovodnik n-tipa gde su manjinski nosioci šupljine imaemo: s (G p )|z z0
r J p ( z0 ) B D p (P.3.13b)
e dz z z0
Rs sG ps (P.3.12)
gde se znak bira vodei rauna o smeru difuzione struje šupljina u konkretnom sluaju.
gde je s koeficijent proporcionalnosti koji ima dimenzije brzine (m/s) i naziva se brzina
Jednaina kontinuiteta za uslove date u tekstu zadatka se može napisati u obliku
površinske rekombinacije, a G ps predstavlja razliku neravnotežne koncentracije šupljina na
površini ( z 0 ) i ravnotežne koncentracije šupljina p0 (koja je ista kao u balku). w (G p) Gp 1G G
g0 G J
wt Wp e r p
G (P.3.14)
G p 1 wJ p
g0
W p e wz
gde je G p p p0 . Ukupna struja šupljina iznosi:
G G w (G p ) w (G p)
Jp ep P p K eD p eD p (P.3.15)
wz wz
gde smo driftovku komponentu struje zanemarili s obzirom da nema spoljašnjeg polja.
Zamenjivanjem (P.3.15) u (P.3.14) dolazimo do odgovarajue diferencijalne jednaine za
Sl. P.3.3 Ilustracija površinskih centara rekombinacije (S-centri) nadkoncentraciju šupljina G p :
Pošto na površini dolazi do rekombinacije šupljina, javlja se gradijent koncentracije (Sl. P.3.4) w (G p) Gp w 2 (G p )
g0 Dp (P.3.16)
što prouzrokuje (difuzionu) struju šupljina ka površini. Ukupan broj rekombinovanih šupljina wt Wp wz 2
po jedinici površine u jedinici vremena mora biti jednak ukupnom broj šupljina po jedinici
površine koje difuzijom pristižu na površinu eRs r J p ( z0 ) . w (G p )
U stacionarnom stanju, kada je wt 0 , dobijamo
d 2 (G p) G p g0
2 (P.3.17)
dz 2 Lp Dp
gde je Lp W p D p . Rešenje jednaine (P.3.17) je oblika
z z

G p( z ) g 0W p Ae
Lp
Be
Lp
(P.3.18)
Sl. P.3.4 Promena neravnotežne koncentracije šupljina u okolini površine poluprovodnika
222 223
Pošto se radi o debelom uzorku (tretiramo ga kao polubeskonaan), da bi G p( z ) bilo konano g ( z) dI dz (P.3.24)
kada z o f , mora se uzeti B 0 , pa imamo

z
gde je I ( z ) I 0 eD z . Prema tome, generacija nosilaca menja se duž uzorka po zakonu:
G p( z ) g 0W p Ae
Lp
(P.3.19)
g ( z ) D I 0 e D z g 0 e D z (P.3.25)
Pošto nema površinske generacije nosilaca, to znai da se na površini moraju rekombinovati
sve šupljine koje dolaze difuzijom, što daje granini uslov u formi:
gde je g0 D I 0 , kao što je ilustrovano na Sl. P.3.5.
1 d (G p )
s (G p )|z 0
J p (0) D p (P.3.20)
e dz z 0
Primenom na izraz (P.3.19) dobijamo
sg 0W p2
A (P.3.21)
L p sW p
Na osnovu toga možemo odrediti nadkoncentraciju šupljina na površini uzorka Sl. P.3.5 Promena generacije nosilaca sa udaljenjem od površine, koja je posledica apsorpcije
sg 0W p2 W p g0 Lp Diferencijalna jednaina, analogna sa (P.3.17) za stacionarno stanje, sada ima oblik:

G p(0) g 0W p 0.875 1012 cm -3 (P.3.22)
L p sW p L p sW p
d 2 (G p) G p D I0
2 e D z (P.3.26)
dok na velikoj udaljenosti od površine imamo G p z o f 1012 cm 3 ! G p (0) . dz 2 Lp Dp
Rešenje ove jednaine je u formi

Problem 3.3. Nai koncentraciju neravnotežnih šupljina na osvetljenoj površini debelog
uzorka n-tipa germanijuma, ako je brzina površinske rekombinacije s 500 cm/s , intenzitet G p( z ) A1e r1z A2 e r2 z y p (P.3.27)
svetlosti (podeljen sa energijom fotona) I 0 6 1016 cm -2s 1 , koeficijent apsorpcije svetlosti
D 103 cm-2 , vreme života šupljina W p 100s , koeficijent difuzije šupljina D p 49 cm 2 , pod gde su r1 i r2 rešenja karakteristine jednaine homogenog dela u (P.3.26)
pretpostavkom da svaki kvant svetlosti daje par elektron-šupljina.
1 1
r2 0 r1,2 B (P.3.28)
Rešenje: S obzirom da postoji apsorpcija svetlosti u uzorku, generacija nosilaca nee biti L2p Lp
uniformna, ve e biti funkcija rastojanja od površine koja se osvetljava. Ukupan broj
generisanih nosilaca u jedinici vremena, u elementarnoj zapremini dV S dz , gde je S a y p je partikularno rešenje koje tražimo u obliku y p Ae D z . Zamenom u (P.3.26) dobijamo
površina poprenog preseka uzorka, iznosi:
g 0W p L2p
dN g ( z )dV g ( z ) Sdz (P.3.23) A (P.3.29)
L2pD 2 1
S druge strane, broj apsorbovanih kvanata svetlosti u posmatranoj zapremini je jednak
> I ( z ) I ( z dz )@ S , a kako svaki kvant svetlosti daje jedan par elektron šupljina, možemo Konano, rešenje (P.3.27) se može napisati u formi
pisati:
224 225

z
g 0W p L2p vreme života W p , brzinu površinske rekombinacije s i pokretljivost P p . Odrediti koordinatu z0
G p( z ) e D z
Lp
A1e (P.3.30)
L2pD 2 1 gde je koncentracija šupljina maksimalna.
Rešenje: Kao što je objašnjeno u primeru P.3.3, zbog postojanja apsorpcije svetlosti u
gde je zamenjeno A2 0 zbog zahteva za konanim G p kada z o f . Konstantu A1
poluprovodniku, generacija e opadati duž uzorka po zakonu g ( z ) g 0 e D z , gde je sada
odreujemo iz graninog uslova na površini poluprovodnika
g0 D I 0 hQ (upadni intenzitet je potrebno podeliti energijom fotona da bi se odredio broj
d (G p ) fotona tj. broj parova elektron-šupljina), Sl. P.3.6.
s (G p )|z 0
Dp (P.3.31)
dz z 0
što kombinovanjem sa (P.3.30) daje:
g 0W p sW p D L2p
A1 (P.3.32)
L D 1 L p sW p
2
p
2
Konano, zamenjujui (P.3.32) u (P.3.30) dobijamo:
g 0W pª sW p D L2p Lz º
G p( z ) « e p e D z » (P.3.33) Sl. P.3.6 Polubeskonani poluprovodnik kod koga generacija nosilaca opada sa koordinatom
L D 1 « L p sW p
2 2
»¼
p ¬ usled apsorpcije, pod dejstvom spoljašnjeg elektrinog polja
odakle je Jednaina kontinuiteta u stacionarnom stanju glasi:
g 0W p Lp G p 1 dJp
G p(0) (P.3.34) g 0 (P.3.36)
D L p 1 L p sW p
W p e dz
gde je
Kako je u posmatranom primeru D Lp 70 1 , a g0 D I 0 , sledi: wp w (G p)
Jp ep P p K eD p | e(G p ) P p K eD p (P.3.37)
wz wz
I 0W p
G p(0) | 5 1013 cm 3 (P.3.35) pošto se p0 može zanemariti. Na osnovu izraza (P.3.37) i (P.3.36) dolazimo do diferencijalne
Lp sW p
jednaine
Primetimo da je G p z o f 0 , što nije sluaj kod uniformne generacije ( D 0 ) gde je
d 2 (G p ) P p K d (G p ) G p D I 0 D z
G p z o f g 0W p . 2 e (P.3.38)
dz 2 Dp dz Lp hQ D p
Problem 3.4. Na polubeskonani poluprovodnik izrazito n-tipa p0 | 0 pada svetlost gde je zamenjeno L2p D pW p . Karakteristina jednaina homogenog dela ove diferencijalne
intenziteta I 0 W/cm 2 energije fotona hQ ! Eg , normalno na površinu pri emu svaki jednaine je oblika:
apsorbovani kvant daje jedan par elektron-šupljina. Ako je na poluprovodnik primenjeno
elektrino polje K normalno na površinu (sa smerom od površine u dubinu) odrediti raspodelu PpK 1
r2 r 0 (P.3.39)
šupljina G p z smatrajui poznatim koeficient apsorpcije svetlosti D , koeficient difuzije D p , Dp L2p
226 227
odakle sledi
PpK § · r1 Ae r1 z0 D Ce D z0
¸¸¹
4 Dp 2 0 (P.3.43)
r1 ¨1 1 2 P pK (P.3.40a)
2 D p ¨© Lp
odakle je
PpK § · DC D D p r1 s P p K

4 Dp 2 1 1
¨1 1 2 ¸ z0 ln ln (P.3.44)
r1 D p s P p K
r2 (P.3.40b)
2 D p ¨© Lp
PpK ¸ r1 D r1 A r1 D
¹
Problem 3.5. Odrediti raspodelu neravnotežnih šupljina u uzorku germanijuma n-tipa, koji ima
Partikularno rešenje tražiemo u obliku oblik dugakog vlakna, pri stacionarnoj injekciji šupljina u jednoj taki ( z 0 ) i konstantnom
elektrinom polju K 5 V/cm duž uzorka. Temperatura je sobna ( T 300 K ), a L p 0.09 cm .
G p p ( z ) Ce D z (P.3.41)
Rešenje: Jednaina kontinuiteta za svaku vrednost koordinate z uzorka sa Sl. P.3.7, osim za
što zamenom u (P.3.38) daje taku z 0 gde postoji injekcija tj. spoljašnja generacija, ima oblik:
D I 0W p / hQ w (G p ) G p 1 dJp
C (P.3.42) , zz0 (P.3.45)
eKD L2p wt W p e dz
1 D 2 L2p kBT
Ukupno rešenje ima oblik:
G p( z ) Ae r1 z Be r2 z Ce D z (P.3.43)
gde se mora uzeti B 0 (pošto je r2 ! 0 ) da bi G p ostalo konano kada z of . Granini

uslov na površini poluprovodnika glasi
G
1 Sl. P.3.7 Uzorak oblika dugakog vlakna, izložen dejstvu spoljašnjeg elektrinog polja K , kod
s G p (0) J p (0) (P.3.44) koga je prisutna stacionarna injekcija šupljina u taki z 0
e
gde J p (0) podrazumeva ukupnu struju šupljina (i driftovsku i difuzionu komponentu) koje
pristižu na površinu. Na osnovu toga dobijamo Struja šupljina odreena je izrazom:
w (G p )
s A C D p Ar1 D D p C P p K A C (P.3.45) Jp ep P p K eD p (P.3.46)
wz
odnosno
odakle sledi
D Dp s P p K
A C (P.3.46)
D p r1 s P p K dJ p wp wK w 2 (G p)
e P p K ep P p eD p
dz wz wz wz 2
(P.3.47)
Vrednost koordinate u kojoj je koncentracija šupljina maksimalna odrediemo diferenciranjem w (G p) w 2 (G p )
izraza (P.3.43) i izjednaavanjem sa nulom: eP p K eD p
wz wz 2
228 229
wK wp w (G p ) § ·
§
¸¸¹· | L1 ¨¨©1 LL ¸¸¹ | L1
2 2
pošto je 0 a . Na osnovu izraza (P.3.45) i (P.3.46), u stacionarnom stanju 1 Lk
¨¨1 1 4
k
wz wz wz r1 Lp 2
(P.3.54a)
2 Lk © k p k
( w (G p ) wt 0 ) dobija se:
§
·¸¸¹ | LL
2
d 2 (G p) P p K d (G p) G p 1 Lk
¨¨1 1 4
k
0, z z 0 (P.3.48) r2 Lp 2
(P.3.55b)
dz 2 Dp dz D pW p 2 Lk © p
Kada se zameni L2p D pW p i D p P p k BT e iz Einstein-ove relacije (2.121) napisane za odakle zakljuujemo da je r2 r1 , što oznaava da se koncentracija elektrona znatno sporije
šupljine, prethodna jednaina dobija oblik menja u oblasti z ! 0 . Konani oblik rešenja (P.3.53) glasi
d 2 (G p) eK d (G p) G p z
°°G p (0) e k , z0

L
2 0, z z 0 (P.3.49)
dz 2 k BT dz Lp G p( z ) ® L (P.3.56)
z 2k
°G p (0) e L p
, z!0
Karakteristina jednaina homogenog dela diferencijalne jednaine (P.3.49) glasi: °̄
eK 1 što je ilustrovano na Sl. P.3.8.

r2 r 2 0 (P.3.50)
k BT Lp
odakle je
eK §
¸¸·¹ ! 0
2
2 kBT
r1 ¨1 1 (P.3.51a)
2k BT ¨© L p eK
§
·¹¸¸ 0
2
eK 2 kBT
r2 ¨¨ 1 1 L p eK (P.3.51b)
2 k BT ©
Rešenje jednaine (P.3.49) se prema tome može napisati u obliku:
G p( z ) Aer1 z Ber2 z (P.3.52)

Sl. P.3.8 Raspodela neravnotežnih šupljina u uzorku sa Sl. P.3.7.
Pošto G p mora biti konano kada z o f , a kako je r1 ! 0 sledi da za z ! 0 mora biti A 0 .
Na slian nain zakljuujemo da je za z 0 neophodno da bude B 0 zbog r2 0 . Na osnovu Dakle, od take z 0 gde je stvorena nadkoncentracija G p (0) , šupljine se difuzijom kreu na
toga imamo: levu i desnu stranu. Kada ne bi postojalo elektrino polje, raspodela šupljina bi bila simetrina
( | r2 | r1 ), a oigledno je da polje utie tako što “potpomaže” difuziju u pravcu z, a “otežava”
°G p (0) e , z 0 difuziju u pravcu suprotnom od svoga delovanja.
rz
1
G p( z ) ® (P.3.53)
°̄G p (0) e rz
2
, z!0
Problem 3.6. Na poluprovodniki uzorak izrazito n-tipa p0 | 0 , na levu i desnu stranu
Posmatrajmo veliinu Lk k BT eK 5.2 103 cm L p . Uzimajui u obzir ovu vrednost,
normalno na površinu, pada svetlost intenziteta I 6 1016 cm -2s -1 pri emu svaki apsorbovani
izraze (P.3.51a) i (P.3.51b) možemo napisati u obliku kvant daje jedan par elektron-šupljina, Sl. P.3.9. Debljina poluprovodnikog uzorka je
230 231
d 5 mm . Ako je na poluprovodnik primenjeno elektrino polje K 1V/cm normalno na d 2 (G p ) P p K d (G p ) G p DI

2 ªe D z eD ( z d ) º¼ (P.3.60)
površine (sa smerom od leve površine na desno), odrediti raspodelu šupljina G p z , znajui da dz 2 Dp dz Lp Dp ¬
je koeficijent apsorcije svetlosti D 3 -1
10 cm , koeficijent difuzije D p 2
49 cm /s , vreme života
Rešenja karakteristine jednaine homogenog dela ove diferencijalne su oblika:
W p 100s , pokretljivost P p 1800 cm/Vs i brzina površinske rekombinacije na levoj i desnoj
strani s 500 cm/s . Posebno razmotriti sluaj kada s o f . Skicirati dobijene rezultate.
PpK ª º
»¼»
2
4 Dp
r1,2 «1 r 1 2 PpK (P.3.61)
2 D p «¬ Lp
Partikularno rešenje tražiemo u formi
G p p ( z ) C1e D z C2 eD ( z d ) (P.3.62)
što zamenom u (P.3.60) daje
D IW p
C1 1.18 1012 cm -3
1 D 2 L2p P p KDW p
(P.3.63)
D IW p
C2 1.27 1012 cm -3
1 D L P p KDW p
2 2
p
Sl. P.3.9 Poluprovodniki uzorak n-tipa osvetljen sa obe strane i izložen dejstvu spoljašnjeg Ukupno rešenje ima oblik:
elektrinog polja
G p( z ) A1e r1z A2 er2 z C1e D z C2 eD ( z d ) (P.3.64)
Rešenje: Jednaina kontinuiteta u stacionarnom stanju, za posmatrani uzorak ima oblik:
Konstante A1 i A2 odreuju se na osnovu graninih uslova na površinama koje se osvetljavaju:
G p 1 dJp
g 0 (P.3.57) 1
W p e dz s G p (0) J p (0) (P.3.65a)
gde je e
w (G p)
J p | e(G p) P p K eD p (P.3.58) 1
wz s G p(d ) J p (d ) (P.3.65b)
e
ili, u razvijenom obliku:
a generacija g ( z ) se dobija sabiranjem efekata osvetljavanja sa leve i desne strane:
s A1 A2 C1 C2 eD d
g ( z) g1 ( z ) g 2 (d z ) (P.3.66a)
(P.3.59) D p r1 A1 r2 A2 D C1 D C2 e D d P p K A1 A2 C1 C2 e D d
D IeD z D IeD ( d z )
Zamenjivanjem (P.3.59) i (P.3.58) u (P.3.57) dolazimo do diferencijalne jednaine u obliku: s A1e r1d A2 e r2 d C1e D d C2
(P.3.66b)
D p r1 A1e r1d r2 A2 e r2d D C1e D d D C2 P p K A1e r1d A2 e r2d C1e D d C2
232 233
Ukoliko brzina površinske rekombinacije ima veoma veliku vrednost ( s o f ), granini uslovi
Preureivanjem gornjih jednaina dolazimo do forme: na površinama se menjaju i svode na:
G p (0) 0 (P.3.70a)
A1M A2 N K1 (P.3.67a)
G p(d ) 0 (P.3.70b)
A1 P A2Q K 2 (P.3.67b)
gde je pošto je desna strana izraza (P.3.65a) i (P.3.65b) konana. Na osnovu toga imamo:
M s D p r1 P p K
A1 A2 C1 C2e D d 0 (P.3.71a)
N s D p r2 P p K
A1e r1d A2 er2d C1e D d C2
P s D r P K e
p 1 p
r1d 0 (P.3.71b)
(P.3.68)
Q s D r P K e
p 2 p
r2 d
odnosno,
K1 C s D D P K C e s D D P K
1 p p 2
D d
p p C1 e D d e r2 d C2 1 e( r2 D ) d
A1 1.18 1012 cm -3 (P.3.72a)
K2 C e s D D P K C s D D P K
1
D d
p p 2 p p
e r2 d e r1d
Zamenom brojnih vrednosti dolazimo do rezultata: C1 e r1d e D d C2 1 e( r1 D ) d

A2 1.06 103 cm -3 (P.3.72b)
e r2d e r1d
A1 | 2.4 10 cm 13 -3
(P.3.69) Do istih rezultata došli bismo naravno i zamenjujui s o f u (P.3.68) a zatim rešavajui
A2 7.84 104 cm -3
sistem jednaina (P.3.67a) i (P.3.67b). Raspodela šupljina G p z u ovom sluaju prikazana je
a raspodela šupljina, odreena izrazom (P.3.64) prikazana je na Sl. P.3.10. na Sl. P.3.11.
Sl. P.3.10 Raspodela neravnotežnih šupljina u uzorku osvetljenom sa obe strane, i izloženom Sl. P.3.11 Raspodela neravnotežnih šupljina u uzorku kada je brzina površinske
dejstvu spoljašnjeg elektrinog polja u pravcu z-ose, kada je brzina površinske rekombinacije rekombinacije s o f
konana i iznosi s 500 cm / s
234 235
Generaciono-rekombinacioni i difuzioni procesi – odabrani problemi Površinske i kontaktne pojave. Heterospojevi
4. POVRŠINSKE I KONTAKTNE POJAVE. HETEROSPOJEVI
Prilikom dovoenja u kontakt dva razliita vrsta tela, u graninom sloju dolazi do razmene
nosilaca izmeu njih i javljaju se odgovarajue potencijalne barijere, što dovodi do promena
osobina materijala ne samo u okolini spoja, ve i u celoj zapremini. Pod heterospojem
podrazumeva se spoj materijala ije se fizike i hemijske osobine, kao i atomski sastav,
znaajno razlikuju (npr. spoj metala i poluprovodnika, ili spoj dva poluprovodnika koji imaju
bitno razliit hemijski sastav). S druge strane, pojam homospoj oznaava da se sa razliitih
strana granine površine nalaze fiziki, hemijski i atomski identini materijali, ili oni koji se
razlikuju u zanemaljivoj meri (npr. p-n spoj kod koga se sa obe strane radi o istom
poluprovodniku, samo dopiranom primesama razliitog tipa ija koncentracija je zanemarljiva
u odnosu na koncentraciju atoma osnovnog materijala).
U opštem sluaju, granina površina dva materijala predstavlja složen kvazidvodimenzionalni

sistem sa specifinom atomskom geometrijom, uz mogunost pojave interdifuzije i formiranja
dodatnih hemijskih jedinjenja na površini. U okviru ovog teksta, razmatraemo samo
idealizovani sluaj gde se pretpostavlja da su spojevi potpuno atomski oštri i ne dolazi do
mešanja komponenti dve materijala. U dosadašnjoj analizi elektronske strukture vrstih tela,
energije nosilaca smo naješe izražavali u odnosu na dno provodne zone ili, za šupljine, u
odnosu na vrh valentne zone posmatranog materijala, i od znaaja su bile relativne pozicije
elektronskih nivoa a ne i njihove apsolutne vrednosti. Meutim, kada se radi o kontaktu
razliitih materijala, postaju znaajne i apsolutne pozicije nivoa energije, pa je radi odreivanja
meusobnog položaja zona u datim materijama neophodno da se njihove energije izraze u
odnosu na neki opšti referentni nivo. U tom cilju uvodi se vakuumski nivo energije koji
odgovara vrednosti energije koju bi elektron imao van materijala, u vakuumu. Ovaj nivo
enegije je naravno jedinstven, tj. ne zavisi od posmatranog materijala koji se analizira
izolovano pre formiranja heterospoja. Položaj dna provodne zone posmatranog materijala u
odnosu na vakuumski nivo predstavlja elektronski afinitet. Ukoliko je elektronski afinitet
pozitivan, onda je to energije koju treba uložiti da bi se elektron sa dna provodne zone u
materijalu prebacio na vakuumski nivo, tj. izveo iz materijala, odnosno to je energija koju bi
elektron dobio pri ulasku u vrsto telo. Elektronski afinitet nam omoguava da odredimo
meusobne pozicije provodne i valentne zone u razliitim materijalima. Još jedna
karakteristina veliina je i izlazni rad koji se definiše kao energetska razlika Fermi-jevog
nivoa u kristalu i vakuumskog nivoa. Kod metala, izlazni rad predstavlja minimalnu energiju
koja je potrebna da bi se elektron sa Fermi-jevog nivoa u kristalu prebacio na vakuumski nivo
(na T 0 K ). Analizu heterospojeva zapoeemo razmatranjem njihove najjednostavnije
varijante koju predstavlja kontakt vrstog tela (metala ili poluprovodnika) i vakuuma.
4.1 HETEROSPOJ METAL-VAKUUM. TERMOELEKTRONSKA EMISIJA
Posmatrajmo uzorak metala koji je ogranien u z-pravcu, tako da se u ravni z 0 nalazi

granina površina kojom se metal nalazi u kontaktu sa spoljašnjom sredinom koju ini vakuum
(Sl. 4.1).
236 237
Površinske i kontaktne pojave. Heterospojevi Površinske i kontaktne pojave. Heterospojevi
Izraunaemo gustinu struje nosilaca koja protie kroz spoj (gde se u o ovom primeru zapravo
radi o struji elektrona koji izlaze iz metala), polazei od opšteg izraza za gustinu struje u
sluaju termo-dinamike ravnoteže (2.38):
G e G G
J 3 ³ f FD (k ) vdVk (4.3)
4S ( kG )
G
pri emu je f FD (k ) ravnotežna funkcija raspodele. Za razliku od beskonanog kristala kod
koga je ova struja jednaka nuli, kod polubeskonanog kristala (kao što e biti pokazano) ova
struja ima konanu vrednost. Pošto je uzorak metala neogranien u ravni x-y, kretanje elektrona
u x- i y-pravcu je slobodno, pa e komponente gustine struje J x i J y biti jednake nuli
Sl. 4.1 Ilustracija heterospoja metal-vakuum (podintegralne funkcije u odgovarajuim komponentama izraza (4.3) su neparne po k x tj. k y ).
Prema tome, možemo pisati:
Referentni nivo za energiju emo postaviti u dno provodne zone metala, a vakuumski nivo
emo oznaiti sa Evac . Pošto se posmatrani sistem nalazi u stanju termodinamike ravnoteže G G
J J z iz (4.4a)
Fermi-jev nivo e biti jedinstven ( EF na Sl. 4.2). Izlazni rad definisan je na sledei nain:
e G
4S 3 (³kG )
) Evac EF (4.1) Jz f FD (k ) vz dVk (4.4b)
i može zavisiti od temperature, a ukoliko bi se radilo o kontaktu dopiranog poluprovodnika i

Pretpostaviemo da je zavisnost energije od talasnog vektora parabolina, sa izotropnom
vakuuma, izlazni rad bi zavisio i od vrste i koncentracije primesa. Elektronski afinitet F
efektivnom masom:
predstavlja karakteristiku samo datog materijala i odreen je izrazom
=2k 2
E (4.5)
F Evac Ec (4.2) 2 m*
G G
U tom sluaju je v =k / m* , pa izraz (4.4b) dobija oblik:
3
e § m* ·
Jz ¨ ¸
4S 3 © = ¹ ³G
(v )
f FD ( E m*v 2
2 , EF ) vz dvx dv y dvz (4.6)
Nadalje emo razmatrati samo apsolutnu vrednost struje pošto nam je smer proticanja poznat:
3
e § m* · vz dvx dv y dvz
J Jz ¨ ¸
4S 3 © = ¹ ³
G
m*v 2 E
2 F k T 1
B
e
(v )
(4.7)
3 f f f
§m ·
*
vz dvz
2e ¨ ¸
© h ¹
³ dvx ³ dv y
f f
³ m*v 2 E
2 F k T 1
B
e
vz0
Sl. 4.2 Ilustracija izlaznog rada i elektronskog afiniteta metala
238 239
Komponente brzine vx i v y mogu imati sve vrednosti od f do f , dok je komponenta brzine 4em*S (k BT ) 2
( F EF )
k BT
J e (4.13)
vz ograniena s donje strane, zbog injenice da struju mogu initi samo elektroni ija je h3
kinetika energija vea od potencijalne barijere koja postoji na spoju
Ova struja elektrona koji izlaze iz metala i idu u vakuum naziva se struja termoelektronske
m*v 2 emisije i na osnovu Sl. 4.2 vidimo da je odreena veliinom izlaznog rada ( F EF ) ):
tF (4.8)
2
)
4em*S (k BT ) 2 kBT
Dakle, u struji uestvuju samo elektroni ija energija je vea od vakuumskog nivoa, a svakako J e (4.14)
h3
se podrazumeva da je vz ! 0 , s obzirom da u vakuumu nema elektrona. Izraz (4.8) se može
napisati i u obliku Izraz (4.14) naziva se Richardson-Dushman-ova formula i uobiajeno je da se zapisuje u
obliku:
m* vx2 v y2 vz2
)
4em*S k B2
tF
k BT
(4.9a) J AT 2 e , A (4.15)
2 h3
odakle jasno sledi i važi kako za metale, tako i za poluprovodnike. Pošto u struji uestvuju elektroni ija energija
2F je daleko vea od periodine potencijalne energije kristalne rešetke, možemo smatrati da je
vzmin v z0 (4.9b) m* | m0 , što daje
m*
A
A | 120.2 2 2 (4.16)
Posmatrajmo razliku energija ( m*v 2 / 2 EF ) u argumentu Fermi-Dirac-ove funkcije u izrazu cm K
(4.7) i potražimo njenu minimalnu vrednost:
Ako je npr. veliina izlaznog rada ) 2.5eV , tada dobijamo J (T 300K) | 1036 A/cm 2 i
m*v 2 m*vz2 m vz0 * 2
J (T 1500K) | 0.8A/cm 2 , što znai da je struja termoelektronske emisije zanemarljiva na
EF t EF t EF F EF ) (4.10) sobnoj temperaturi, dok na višim temperaturama postaje znaajna. Ova injenica predstavlja
2 2 2
jedan od osnova za konstruisanje elektronskih cevi.
Dakle, najmanja vrednost ovog faktora jednaka je izlaznom radu ) , koji je kod metala reda
veliine eV, što znaajno prevazilazi vrednost termalne energije k BT . Prema tome, imamo:
4.2 HETEROSPOJ METAL-POLUPROVODNIK. SCHOTTKY-JEVA APROKSIMACIJA
e
m*v 2 E
2 F k T t e) k T 1
B
B
(4.11)
Prilikom analize heterospoja metal-poluprovodnik, pretpostaviemo da se radi o
pa možemo pisati poluprovodniku n-tipa, kao i da je izlazni rad metala (M) vei od izlaznog rada poluprovodnika
(S):
E k T v dv
3 f f f
§ m* · * 2
m 2v )M ! )S (4.17)
³ dv ³ dv ³ e
F B
J 2e ¨ ¸ x y z z
© h ¹ f f vz0
(4.12) Posmatrajmo prvo energetske nivoe u metalu i poluprovodniku pre njihovog spajanja, izražene
3
§ m* · F f m*vx2
E f m v
y
f m*v 2
z
* 2 u odnosu na vakuumski nivo, kao što je prikazano na Sl. 4.3. Struja elektrona koji bi izlazili iz
2e ¨ ¸ e kBT ³ e 2 kBT dvx ³ e 2 kBT dv y ³ e 2 kBT vz dvz metala i išli u vakuum ( J M ), kao i struja elektrona koji bi išli iz poluprovodnika u vakuum
© ¹
h f f vz0
( J S ), mogu se odrediti uz pomo Richardson-Dushman-ove jednaine (4.15):
f )M
³ S /a,
2 2
Integrali po komponentama vx i v y imaju formu Poisson-ovog integrala e a x dx JM AT 2 e

k BT
(4.18a)
f
m*vz20 2 k BT
dok integral po vz daje k BT
m * e k BT
m * e F k BT
, pa izraz (4.12) postaje:
240 241
)S ve naglašeno, Fermi-jev nivo ne menja svoju poziciju, to znai da e jedinstveni Fermi-jev

k BT
JS AT 2 e (4.18b) nivo u stanju ravnoteže zapravo biti Fermi-jev nivo metala ( EF EFM ). Izlazni rad
poluprovodnika na površini se prema tome poveava i izjednaava sa izlaznim radom metala,
I kod poluprovodnika je veliina izlaznog rada reda veliine nekoliko eV, pa je opravdana ime se i postiže da je ukupna struja kroz spoj jednaka nuli ( J M J S ). Vrednost izlaznog rada
aproksimacija Fermi-Dirac-ove raspodele Maxwell-Boltzmann-ovom. Pošto je u posmatranom
primeru izabrano ) M ! ) S , svakako da sledi J S ! J M , što znai da e prilikom spajanja poluprovodnika na površini ( ) 'S ) se može napisati u obliku:
metala i poluprovodnika, u prelaznom procesu doi do efektivnog prelaska elektrona iz
poluprovodnika u metal. Meutim, kako je koncentracije elektrona u metalu veoma velika, ) 'S ) S eU D )M (4.19)
nee se osetiti ovaj priliv elektrona i možemo smatrati da njegova koncentracija ostaje
praktino nepromenjena, a samim tim i položaj Fermi-jevog nivoa praktino fiksiran. S druge a veliina U D naziva se kontaktna razlika potencijala. Odgovarajua potencijalna energija
strane, poluprovodnik e biti osiromašen elektronima u blizini spoja i ovo smanjene eU D jednaka je razlici Fermi-jevog nivoa u poluprovodniku pre spajanja i zajednikog Fermi-
koncentracije u poluprovodniku procentualno nije zanemarljivo.
jevog nivoa na spoju (koji se poklapa sa EFM ), što se može videti sa Sl. 4.3.
eU D )M )S E vac
EFM Evac EFS EFS EFM ! 0 (4.20)
Pošto u poluprovodniku dolazi do znaajnog smanjenja koncentracije elektrona u okolini spoja,

mora doi i do pomeranja dna provodne zone – u ovom sluaju krivljenja naviše, što odgovara
“udaljenju” od Fermi-jevog nivoa (Sl. 4.4). Podizanje dna provodne zone u taki spoja je toliko
da veliina energetskog afiniteta u poluprovodniku ostane ouvana, s obzirom da je to
karakteristika posmatranog materijala, kao i energetski procep, i mora biti konstantna duž
poluprovodnika. Ovo znai da e i zavisnost vrha valentne zone od koordinate duž
poluprovodnika biti istog oblika kao i zavisnost dna provodne zone i ovakva promena EcS ( z ) i
EvS ( z ) naziva se krivljenje zona.
Sl. 4.3 Energetski dijagram metala i poluprovodnika n-tipa pre formiranja njihovog spoja, za
sluaj kada je izlazni rad metala vei od izlaznog rada poluprovodnika
Po završetku prelaznih procesa i uspostavljanju termodinamike ravnoteže, struja kroz

heterospoj e biti jednaka nuli a Fermi-jev nivo mora biti jedinstven za celu strukturu. Pošto je
obogaenje elektronima u metalu zanemarljivo u odnosu na njegovu koncentraciju, i kao što je Sl. 4.4 Krivljenje dna provodne zone u poluprovodniku u okolini spoja
242 243
Nakon formiranja heterospoja, Fermi-jev nivo u poluprovodniku se izjednaio sa Fermi-jevim

EF Ec ( z )
nivoom metala, što u primeru sa Sl. 4.3 znai da se spustio za vrednost eU D u odnosu na k BT
n( z ) Bc e (4.22)
poziciju koju je imao pre spajanja. Dovoljno daleko od spoja poluprovodnik je neizmenjen, pa
veliine kao što su koncentracija elektrona (odnosno udaljenost Fermi-jevog nivoa od dna
provodne zone), elektronski afinitet, izlazni rad i sl. moraju biti neizmenjene tj. zadržati Definišimo veliinu
vrednosti kao pre spajanja:
G Ec Ec ( z ) Ec (f) (4.23)
FS )S EcS EFS Ec (f ) EF (4.21)
koja predstavlja promenu položaja dna provodne zone u odnosu na vrednost dovoljno daleko
Da bi ovo bilo ispunjeno, znai da je moralo doi do spuštanja dna provodne zone u od spoja ( z o f ). Tada izraz za koncentraciju (4.22) možemo napisati u obliku:
poluprovodniku daleko od spoja za isti iznos za koji se spustio i Fermi-jev nivo. S druge strane,
>EF Ec ( f )@G Ec ( z ) EF Ec ( f ) G E (z)
da bi elektronski afinitet, kao karakteristika iskljuivo datog poluprovodnikog materijala ostao k BT k BT
c
k BT
konstantan, neophodno je da doe i do spuštanja vakuumskog nivoa tj. nivoa energije koji n( z ) Bc e Bc e e (4.24)
elektron treba da dostigne da bi postao slobodan (Sl. 4.5).
Pretpostavimo da je poluprovodnik uniformno dopiran donorima koncentracije N D i da su na
posmatranoj temperaturi sve primese jonizovane. U tom sluaju dovoljno daleko od spoja važi:
EF Ec ( f )
n(f) Bc e k BT
| ND (4.25)
pa izraz (4.24) postaje
G Ec ( z )

n( z ) | N D e k BT
(4.26)
Promena položaja dna provodne zone sa koordinatom, rezultuje promenom potencijala

elektrostatike barijere b( z ) :
G Ec eb ( z ) (4.27)
gde je b( z o f) 0 , Sl. 4.6. Prema tome, koncentraciju elektrona (4.25) možemo napisati u
obliku:
eb ( z )
k BT
n( z ) N D e (4.28)
Gustina naelektrisanja u poluprovodniku iznosi:
Sl. 4.5 Energetski dijagram heterospoja metal-poluprovodnik, za sluaj prikazan na Sl. 4.3 U ( z ) e > N D n( z )@ (4.29)
gde je pretpostavljeno da je koncentracija manjinskih nosilaca (šupljina) zanemarljiva, kao i da

Pošto u metalu ne dolazi do znaajnijih promena, analiziraemo samo raspodelu naelektrisanja
su sve primese jonizovane pa ukupno pozitivno naelektrisanje predstavljaju joni donora
u poluprovodniku u okolini spoja. U uslovima totalne nedegeneracije, koncentracija elektrona
u poluprovodniku data je izrazom: koncentracije N D . Uz pomo izraza (4.28) dobijamo:
244 245
eb ( z )
ª º a odgovarajui granini uslovi glase
U ( z ) eN D «1 e k T » B
(4.30) b( w) 0 (4.36a)
«¬ »¼
db
Veza izmeu zapreminske gustine naelektrisanja i elektrostatikog potencijala b( z ) odreena 0 (4.36b)
dz z w
je Poisson-ovom jednainom:
d 2 b( z ) U ( z) Drugi granini uslov potie od injenice da unutrašnje elektrino polje, koje nastaje
(4.31)
dz 2 H rH 0 razdvajenjem naelektrisanja na spoju, mora da išezava dovoljno daleko od granine površine
spoja – tamo gde su svi uslovi isti kao u balku, otuda d b dz z of 0 . U suprotnom bismo
Zamenom izraza (4.30) dolazimo do nelinearne diferencijalne jednaine po nepoznatom
imali neku struju razliitu od nule.
potencijalu b( z ) :
eb ( z )
d 2 b( z ) ª º
H rH 0 eN D «1 e kBT » (4.32)
dz 2 ¬« ¼»
koja se rešava uz granine uslove:
b( z o f) 0 (4.33a)
eb(0) eU D (4.33b)
Jednaina (4.32) nema analitiko rešenje u opštem sluaju i može se dalje analizirati samo uz
primenu odgovarajuih aproksimacija. Koristiemo poznatu aproksimaciju totalnog
osiromašenja koju je predložio W. S. Schottky. Smatraemo da postoji neka taka udaljena od
spoja za veliinu w, tako da se za z ! w ne oseaju promene u raspodeli naelektrisanja pod
uticajem spoja i važi potpuna elektrina neutralnost (Sl. 4.6). S druge strane, pretpostavljamo
da je u oblasti z d w proces prelaska elektrona iz poluprovodnika u metal bio toliko intenzivan
je koncentracija preostalih slobodnih elektrona približno jednaka nuli. Oblast z d w naziva se
oblast prostornog naelektrisanja, i nadalje emo smatrati da jedino prisutno naelektrisanje u
njoj predstavljaju nepokretni pozitivno nalektrisani joni donora. Konkretno, aproksimacija
totalnog osiromašenja podrazumeva da jednainu (4.32) dalje rešavamo uzimajui:
eb ( z )
n( z ) | N D , b ( z ) 0 e k BT
1, z!w (4.34a)
eb ( z )
n( z ) | 0, e k BT
1, z d w (4.34b)
Prema tome, u oblasti totalne osiromašenosti elektronima, Poisson-ova jednaina se svodi na

oblik:
d 2 b( z ) eN D
, zdw (4.35)
dz 2 H rH 0 Sl. 4.6 Ilustracija aproksimacije totalnog osiromašenja za heterospoj metal-poluprovodnik
246 247
Rešenje jednaine (4.35) je oblika poluprovodniku u okolini spoja. S druge strane, ukoliko bi izlazni rad u poluprovodniku bio
vei od izlaznog rada metala ( ) S ! ) M ), tada bi elektroni prelazili iz metala u poluprovodnik
2
eN D z sve do uspostavljanja ravnoteže i izjednaavanja Fermi-jevog nivoa na vrednosti koja odgovara
b( z ) Az B, zdw (4.37)
2H r H 0 metalu. U tom sluaju došlo bi do krivljenja zona naniže, a oblast poluprovodnika u okolini
spoja bi se obogaivala elektronima, odnosno došlo bi do njihove akumulacije. Pojava
gde su A i B konstante koje se odreuju na osnovu (4.36a) i (4.36b). inverzije i akumulacije ilustrovane su na Sl. 4.7.
db eN D w U sluaju akumulacije (poluprovodnik n-tipa, ) S ! ) M ) i Poisson-ova jednaina ostaje

A 0 (4.38a) nepromenjena, u formi (4.32). Kako se koncentracija elektrona poveava idui ka površini, u
dz z w H rH 0
odnosu na balkovsku vrednost, u ovom sluaju se ne pojavljuje oblast osiromašenja, pa se ne
može primeniti aproksimacija totalno osiromašenja, ve se Poisson-ova jednaina može
eN D w2 rešavati iskljuivo numerikim metodama. Sluaj inverzije obuhvata 1) inverziju šupljina u n-
b( w) B 0 (4.38b)
2H r H 0 tipu poluprovodnika ( ) M ! ) S ) ili 2) inverziju elektrona u p-tipu poluprovodnika ( ) M ) S ).
U oba sluaja manjinski nosioci se koncentrišu uz površinu i taj sloj je vrlo tanak (nekoliko
Konano, traženi elektrostatiki potencijal možemo napisati u obliku: nanometara). Kako je elektrino polje u ovim slojevima vrlo veliko, manjinski nosioci se
nalaze u vrlo uskim potencijalnim jamama, pa je neophodan kvantno-mehaniki tretman, što
eN D znai da pored Poisson-ove jednaine treba rešavati i Schrödinger-ovu jednainu.
z w ,
2
° zdw
b( z ) ® 2H r H 0 (4.39)
°
¯0, z ! w
Potrebno je još odrediti i širinu oblasti prostornog naelektrisanja. U taki spoja ( z 0 ) imamo:
'Ec (0) ) M ) S eU D eb(0)
)M )S (4.40)
b(0) 0
e
Uporeujui ovaj izraz sa vrednošu b(0) dobijenom na osnovu (4.39), zakljuujemo da je
2H r H 0 ) M ) S
w (4.41)
e2 N D
Složeniji modeli pokazuju da je prethodni izraz potrebno korigovati tako što se razlika
) M ) S zamenjuje sa ) M ) S k BT . Pošto je k BT 26meV na sobnoj temperaturi, što se
može zanemariti u odnosu na ) M ) S , vidimo da je korišenje aproksimacije totalnog
osiromašenja sasvim opravdano. Sl. 4.7 a) Pojava inverzije tipa veinskih nosilaca u okolini spoja metal-poluprovodnik kada je
izlazni rad u metalu znaajno vei od izlaznog rada u poluprovodniku b) Obogaivanje
U oblasti osiromašenja elektronima u poluprovodniku (oblast prostornog naelektrisanja), poluprovodnika elektronima u okolini spoja, u sluaju kada je izlazni rad poluprovodnika
koncentracija šupljina može se zanemariti sve dok je dno valentne zone znaajno ispod Fermi- vei od izlaznog rada metala
jevog nivoa. Meutim, ukoliko je razlika ) M ) S veoma velika i krivljenje zona izrazito,
može se desiti da se vrh valentne zone približi Fermi-jevom nivou toliko da koncentracija
šupljina postane vea od koncentracije elektrona pa šupljine formiraju inverzioni sloj u
248 249
4.3 HETEROSPOJ POLUPROVODNIK-POLUPROVODNIK
Razmatraemo spoj dva poluprovodnika materijala sa razliitim vrednostima energetskog

procepa, elektronskog afiniteta i izlaznog rada, iji su relevantni energetski nivoi pre spajanja
prikazani na Sl. 4.8. Ograniiemo se na situaciju kada su poluprovodnici razliitog tipa
provodnosti, pretpostavljajui da je prvi uniformno dopiran akceptorskim primesama
koncentracije PA , a drugi uniformno dopiran donorima koncentracije N D . Razlika energetskih
procepa ova dva poluprovodnika je 'Eg | Eg1 Eg2 | i ona se raspodeljuje na diskontinuitet
provodne zone 'Ec | Ec1 Ec2 | i diskontinuitet valentne zone 'Ev | Ev1 Ev2 | .
Pretpostaviemo da važi sledee:
1) Elektronski afinitet u poluprovodniku p-tipa je manji od elektronskog afiniteta

poluprovodnika n-tipa
F1 F 2 (4.42a)
Ec1 ! Ec2 (4.42b)
2) vrednosti energetskog procepa u materijalima su takve da je ispunjeno
F1 Eg F 2 Eg
1 2
(4.43a)
Ev2 ! Ev1 (4.43b)

Sl. 4.8 Energetski dijagram poluprovodnika p- i n-tipa pre formiranja spoja
3) odnos izlaznih radova je
Po uspostavljanju termodinamike ravnoteže Fermi-jev nivo mora biti jedinstven i njegov
)1 ! ) 2 (4.44) položaj e biti negde izmeu Fermi-jevih nivoa izolovanih poluprovodnika sa Sl. 4.8. Zbog
toga e doi do krivljenja zona u oba materijala. Pretpostavimo da se Fermi-jev nivo u
poluprovodniku 2 spustio za vrednost eU D2 , a da se u poluprovodniku 1 podigao za vrednost
Pošto je izlazni rad u poluprovodniku n-tipa manji, na osnovu izraza (4.15) zakljuujemo da je
J 2 ! J1 , pa e nakon formiranja spoja elektroni efektivno prelaziti iz materijala 2 u materijal 1. eU D1 Oigledno je da e se položaji dna provodne zone daleko od spoja, u odnosu na vrednosti
Ovo znai da e se doi do obogaivanja elektronima poluprovodnika p-tipa (tj. smanjie se sa Sl. 4.8, promeniti za iste tolike iznose (Sl. 4.9). Krivljenje vrha valentne zone u potpunosti
koncentracija šupljina) u okolini spoja, dok e se s druge strane poluprovodnik n-tipa prati promenu dna provodne zone u oba materijala, pošto energetski procep kao karakteristika
oslobaati elektrona u uskom sloju u okolini granine površine. Na taj nain, u blizini površine materijala mora imati istu vrednost u svakoj taki. Slino tome, da bi se održale vrednosti F i
poluprovodnik 1 e biti osiromašen šupljinama, dok e poluprovodnik 2 u blizini površine biti ) , dolazi do krivljenja vakuumskog nivoa. Koristiemo aproksimaciju totalnog osiromašenja,
osiromašen elektronima. pretpostavljajui da u oblasti prostornog naelektrisanja [ z p , zn ] nema slobodnih nosilaca
naelektrisanja. U poluprovodniku p-tipa u okolini spoja, za z p d z 0 , nalaze se samo
negativno naelektrisani joni akceptora koncentracije PA (smatramo da su sve primese
jonizovane). Analogno, za 0 z d zn imamo samo pozitivno naelektrisane jone donora
koncentracije N D . Izvan oblasti prostornog naelektrisanja, podrazumevamo potpunu
neutralnost ( U ( z ) 0 ).
250 251
eU D F1 F 2 ª¬Ec (f) EF º¼ ª¬Ec (f) EF ¼º

1 2
(4.47)
U aproksimaciji totalnog osiromašenja, koncentracije veinskih nosilaca u poluprovodnicima 1

i 2 na granicama oblasti prostornog naelektrisanja možemo napisati u obliku:
[ Ec1 ( f ) EF ] Eg1
p( z p ) Bv1 e k BT
|P (4.48a)
EF Ec2 ( f )
n( zn ) Bc2 e k BT
| ND (4.48b)
odakle je
P
Ec1 (f) EF k BT ln Eg1 (4.49a)
Bv1
ND
EF Ec2 (f) k BT ln (4.49b)
Bc2
Kombinovanjem sa izrazom (4.47) dobijamo:
§ PN D ·
eU D F1 F 2 k BT ln ¨ ¸¸ Eg1 (4.50)
¨ Bv Bc
© 1 2 ¹
Prethodni izraz može se napisati i u obliku:
§ PN Eg1
·
eU D F1 F 2 k BT ln ¨ D
e k BT ¸ (4.51)
¨ Bv1 Bc2 ¸
© ¹
Eg1

Sl. 4.9 Energetski dijagram heterospoja poluprovodnika p-tipa i poluprovodnika n-tipa Pošto je sopstvena koncentracija u poluprovodniku p-tipa odreena izrazom ni21 Bv1 Bc1 e k BT
,
dalje imamo:
Prema Sl. 4.9, ukupna razlika potencijalne energije na spoju iznosi: § N D P Bc1 ·
F1 F 2 k BT ln ¨
¨ ni2 Bc ¸¸
eU D (4.52)
© 1 2 ¹
eU D eU D1 eU D2 )1 ) 2 (4.45)
Na osnovu definicije konstante Bc , u obliku (1.149), zakljuujemo da je
Kako je
)1 F1 Ec (f) EF (4.46a) 3/2
1
Bc1 § mn1 ·
¨¨ mn ¸¸
(4.53)
)2 F 2 Ec (f) EF
2
(4.46b) Bc2 © 2¹
što konano daje
sledi:
252 253
§ N D P · 3 mn1 eP 2
F1 F 2 k BT ln ¨ ln °H H z / 2 z p z C3 , z p d z 0
¨ ni2 ¸¸ 2 mn
eU D (4.54)
© 1 ¹ d b( z ) ° r1 0
2
® (4.61)
dz ° eN D z 2 / 2 z z C , 0 z d z
gde je U D ukupna razlika potencijala izmeu balkovskih oblasti materijala n- i p-tipa, tj. °̄ H r H 0 n 4 n
2
UD b( zn ) b( z p ) { U np (4.55) a konstante C3 i C4 emo odrediti uzimajui referentni nivo za potencijal u balkovskoj oblasti
poluprovodnika p-tipa:
U aproksimaciji totalnog osiromašenja, Poisson-ova jednaina dobija oblik:
b( z p ) 0 , b( zn ) U D (4.62)
eP
°H H , z p d z 0 na osnovu ega je konano
d 2 b( z ) ° r1 0
® (4.56)
dz 2 ° eN D , 0 z d z
° 2H H z z p , z p d z 0
eP 2
°̄ H r H 0 n
°
2
r1 0
b( z ) ® (4.63)
a odgovarajui granini uslovi su ° eN D z z 2 U , 0 z d z
°̄ 2H r H 0 n D n
2
db db
0, 0 (4.57)
dz z zp dz z zn Potrebno je odrediti i granice oblasti prostornog naelektrisanja z p i zn , što emo postii
korišenjem uslova neprekidnosti potencijala i dielektrinog pomeraja, primenjenih u taki
Integracijom jednaine (4.56) dobijamo spoja z 0 .
ePz b(0 ) b(0 ) (4.64a)

° H H C1 , z p d z 0
d b( z ) ° r1 0
® (4.58)
D (0 ) D(0 )
(4.64b)
dz ° eN D C , 0 z d z
°̄ H r H 0 2 n
2
gde je D( z ) H r H 0 K ( z ) H r H 0 d b dz , a K ( z ) je elektrino polje. Ukoliko uslovi (4.64a) i
(4.64b) ne bi bili ispunjeni, imali bismo beskonani skok površinske gustine naelektrisanja u
Integracione konstante C1 i C2 odreujemo uz pomo uslova (4.57):
Poisson-ovoj jednaini (4.31). Prema tome, imamo
ePz p eN D zn eP 2 eN D 2
C1 , C2 (4.59) zp zn U D (4.65a)
Hr H0
1
Hr H02
2H r1 H 0 2H r2 H 0
pa je Pz p N D zn (4.65b)
eP
°H H z z p , z p d z 0
d b( z ) ° r1 0 Izraz (4.65b) smo mogli dobiti i iz jednaine globalne neutralnosti, izjednaavajui ukupno
® (4.60) pozitivno i negativno naelektrisanje u oblasti prostornog naelektrisanja ( ez p SP ezn SN D , gde
dz ° eN D z z , 0 z d z
°̄ H r H 0 n n
je S površina poprenog preseka). Iz (4.65a) i (4.65b) može se izraunati
2
Nova integracija daje
254 255
2U D 1
zp (4.66a)
eP 1 P

Hr H0
1
N DH r2 H 0
2U D 1
zn (4.66a)
eN D ND 1

Hr H0P Hr H0
1 2
Elektrino polje i potencijal b( z ) u analiziranoj strukturi prikazani su na Sl. 4.10. Vidimo da u

ravni spoja postoji diskontinuitet elektrinog polja koji je posledica razlike relativnih Sl. 4.11 Zonski dijagram homogenog poluprovodnika
dielektrinih konstanti u poluprovodnicima ( H r1 i H r2 ).
Koncentracije elektrona i šupljina u ovom homogenom poluprovodniku date su izrazima:
EF Ec
k BT
n Bc e (4.67a)
Ev Ec
k BT
p Bv e (4.67b)
a sopstveni Fermi-jev nivo bi se nalazio na energiji
Ec Ev 3 m*p
EFi k BT ln * (4.68)
2 4 mn
Uvešemo novu promenljivu M koja predstavlja razliku izmeu energije Fermi-jevog nivoa
(usled prisustva primesa) i sopstvenog Fermi-jevog nivoa:
Sl. 4.10 a) Elektrino polje i b) potencijal duž heterospoja poluprovodnika p- i n-tipa
M EF EF i
(4.69)
4.4 NEHOMOGENI POLUPROVODNIK Koncentracija elektrona se može napisati u obliku:
Posmatraemo trodimenzionalni poluprovodnik koji je beskonaan i izotropan ali nehomogeno EF EFi EFi Ec EFi Ec M
dopiran atomima primesa, što znai da se koncentracija slobodnih nosilaca menja sa n Bc e k BT
e k BT
Bc e k BT
e k BT ni eM (4.70)
koordinatom. Analiziraemo samo sluaj totalne nedegeneracije, kada se Fermi-Dirac-ova
EFi Ec
funkcija raspodele može aproksimirati Maxwell-Boltzmann-ovom, pretpostavljajui takoe da
su na posmatranoj temperaturi sve primese jonizovane. gde je ni Bc e kBT (prema (1.233a) i (1.234)) sopstvena koncentracija elektrona, a
M M k BT . Na slian nain koncentraciju šupljina možemo prikazati u formi:
Podsetimo se prvo poznate situacije kada je poluprovodnik homogeno dopiran donorima
G G
koncentracije N D i akceptorima koncentracije PA ( rG N D 0 , rG PA 0 ), a dijagram Ev EFi EFi EF
relevantnih energetskih nivoa izgleda kao na Sl. 4.11. p Bv e k BT

e k BT
ni e M (4.71)
256 257
G G
Vratimo se sada na sluaj nehomogeno dopiranog poluprovodnika, kod koga je raspodela EFi (r ) eb(r ) Const (4.75)
G G
primesa oblika N D (r ) i PA (r ) , pa su i koncentracije elektrona i šupljina funkcije koordinate
G G
( n n(r ) , p p(r ) ) . Ponovo emo smatrati da su na datoj temperaturi svi primesni atomi Odavde je
jonizovani, i da se poluprovodnik nalazi u stanju termodinamike ravnoteže kada je Fermi-jev G G
G G G
nivo konstantan ( EF z EF (r ) ). S obzirom da je Fermi-jev nivo fiksiran, da bi koncentracije rG EF M (r ) rG eb(r ) Const
G (4.76)
nosilaca mogle da se menjaju mora doi do promene položaja dna provodne zone ( Ec Ec (r ) ), G G G G
rGM (r ) e rG b(r )
a naravno i do identinog krivljenja vrha valentne zona da bi energetski procep kao
karakteristika poluprovodnikog materijala ostao nepromenjen (Sl. 4.12). Vrednost sopstvenog
Fermi-jevog nivoa, ije rastojanje od dna provodne zone je takoe odreeno samo osobinama Zamenom u Poisson-ovu jednainu (4.72) dobijamo:
osnovnog materijala, menjae se na isti nain. G
G 1 2 G U (r )
2 b( r ) M (r ) (4.77)
e H rH 0
Prethodni izraz možemo napisati u obliku:
G e2 G G G G
2M (r ) > N D (r ) p(r ) PA (r ) n(r )@
H rH 0
(4.78)
G G G G
e ni ª n(r ) p (r ) N D (r ) PA (r ) º
2

H r H 0 «¬ ni ni
»
¼
Na osnovu (4.70) i (4.71) prvi sabirak u uglastoj zagradi iznosi

Sl. 4.12 Krivljenje zona u nehomogeno dopiranom poluprovodniku
n p
eM eM 2sinh M (4.79)
ni
Poisson-ova jednaina e u sluaju nehomogenog poluprovodnika imati oblik: pa (4.78) postaje
G
G U (r ) G e 2 ni G
b( r )
2
(4.72) 2M (r ) ª2sinh M N (r )¼º (4.80)
H rH 0 H rH 0 ¬
G gde je
gde je b(r ) potencijal koji je posledica nehomogenosti, a zapreminska gustina naelektrisanja
G G
iznosi: G N D (r ) PA (r )
G G G G G N (r )
U (r ) e > N D (r ) p(r ) PA (r ) n(r )@ (4.73) ni
(4.81)
G G
Odrediemo vezu izmeu potencijala b(r ) i uvedene veliine M (r ) . Na osnovu izraza (4.69) Jednainu (4.80) podeliemo termalnom energijom k BT , što e dati:
imamo:
G G G e 2 ni G
EFi (r ) EF M (r ) (4.74) 2M (r ) ª2sinh M N (r )º¼ (4.82)
H r H 0 k BT ¬
G G
a s druge strane, pošto se EFi (r ) menja na identian nain kao Ec (r ) , možemo napisati
Veliina H r H 0 k BT (e2 ni ) predstavlja karakteristiku svakog (nedopiranog) poluprovodnika,
nezavisnu od vrste i koliine primesa, i naziva se Debye-eva besprimesna dužina:
258 259
H r H 0 k BT Pretpostavimo da je profil primesa ( N * ( z ) N D ( z ) PA ( z ) ) u okolini p-n spoja oblika kao na

/ 2Di (4.83)
e 2 ni Sl. 4.15. Elektroni iz n-oblasti prelazie na levu stranu take metalurškog prelaza ( z 0 ), gde
im je koncentracija manja, a za sobom e ostaviti pozitivno naelektrisane jonizovane donorske
Prema tome, izraz (4.82) možemo napisati u formi: primese. Istovremeno, šupljine e se prebacivati iz p- u n-oblast, ostavljajui negativne
akceptorske jone. Do ravnoteže e doi kada unutrašnje elektrino polje u okolini spoja, koje
G G
/ 2Di 2M (r ) 2sinh M N (r ) (4.84) se javlja izmeu suprotno naelektrisanih jona primesa, uravnoteži difuzionu težnju nosilaca da
prelaze u oblast manje koncentracije. Koristiemo aproksimaciju totalnog osiromašenja,
smatrajui da se oblast prostornog naelektrisanja prostire u granicama ( z p , zn ), pa uzimamo:
Ova nelinearna diferencijalna jednaina se zbog složenosti može rešiti samo u specijalnim
sluajevima, a mi emo u okviru ovog teksta razmatrati iskljuivo jednodimenzionalne
probleme. Uobiajeno je da se analiziraju sledea dva profila nehomogenog dopiranja: 1) U ( z ) 0, z d z p z t zn
1) l-h prelaz (engl., light-heavy), gde se u poluprovodniku mogu izdvojiti dve oblasti dopirane 2) n( z ) p ( z ) 0 , U ( z ) e > PA ( z ) N D ( z )@ , z p z zn
primesama istog tipa ali znaajno razliitih koncentracija, kao što je ilustrovano na Sl. 4.13 za
sluaj donorskih primesa. Ovaj prelaz može biti interesantan u nekim primenama ali ga mi
ovde neemo detaljnije analizirati.
Sl. 4.13 Primer l-h prelaza
2) p-n prelaz kod koga je jedna oblast poluprovodnika dopirana samo akceptorskim, a druga
samo donorskim primesama (Sl. 4.14). Ovaj tip prelaza ima mnogo vei praktian znaaj pa
emo za njega izložiti detaljan postupak odreivanja profila potencijala na spoju, širine oblasti
prostornog naelektrisanja i ostalih relevantnih veliina. Sl. 4.15 Profil primesa kod p-n spoja
Vrednosti funkcije M na granici oblasti prostornog naelektrisanja oznaiemo na sledei nain:
M ( z p ) M p (4.85a)
M ( zn ) Mn (4.85b)
dok za koncentracije, prema aproksimaciji totalnog osiromašenja, možemo pisati
p ( z p ) PA ( z p ) (4.86a)
Sl. 4.14 Ilustracija p-n prelaza
n( zn ) N D ( z n ) (4.86b)
260 261
Na osnovu izraza (4.70) i (4.71) dalje imamo: Ako važi potpuna lokalna neutralnost u celoj oblasti, mora biti ispunjeno U ( z ) 0 za sve
Mn
vrednosti z ! zn , odnosno eM N D / ni 0 , što znai da je i
N D ( zn )
N D ( zn ) ni e kBT M n k BT ln (4.87a)
ni d 2M
/ 2Di 0 (4.93)
Mp dz 2
PA ( z p )
PA ( z p ) ni e k BT
Mp k BT ln (4. 87b) Iz izraza (4.93) jednostavno sledi
ni
M C1 z C2 (4.94)
Razlika potencijala na granicama oblasti prostornog naelektrisanja, prema (4.76) iznosi:
pri emu su C1 i C2 realne konstante. Ako se ova zavisnost M unese u jednainu
Mn M p k BT N D ( zn ) PA ( z p )
UD ln (4.88) eM N D / ni 0 , nalazi se profil primesa za koji je za sve z ! zn ispunjen uslov lokalne
e e ni2 neutralnosti U ( z ) 0 :
C1 z C2 C1 z
Zamenjujui izraz za sopstvenu koncentraciju (1.240), dobijamo N D ( z) k BT
e C0 e kBT (4.95)
ni
Eg k BT N D ( zn ) PA ( z p )
UD ln (4.89)
e e Bc Bv Ako koncentracija primesa u taki zn iznosi N D ( zn ) , tada izraz (4.95) dobija oblik
C1 ( z zn )
Pošto je obino N D ( zn ) PA ( z p ) Bc Bv , sledi da je maksimalna vrednost ovog napona k BT
N D ( z ) N D ( z n )e (4.96)
dok je
Eg
U Dmax
e
(4.90) M ( z ) k BT C1 z zn M ( zn ) (4.97)
M ( zn )
što znai da bi za Si ili Ge p-n spojeve U Dmax iznosio 1.1eV odnosno0.72eV, respektivno.
pri emu je naravno N D ( zn ) ni e kBT . Ako je profil primesa za z ! zn dat u obliku (4.96), tada
U aproksimaciji totalnog osiromašenja, p-n spoj se sastoji od totalno osiromašene oblasti se odgovarajui potencijal b( z ) , prema (4.76), menja sa koordinatom na nain opisan izrazom
( z p z zn ) i dve polubeskonane neutralne oblasti ( f z z p i zn z f ). Poisson-ova (4.97) i u svakoj taki oblasti z ! zn važi uslov lokalne neutralnosti, što je ilustrovano na Sl.
jednaina u ovim oblastima je oblika: 4.15.
PA ( z ), zp z 0
°
°N ( z ), 0 z zn
d 2M ° D
/ 2Di ® M (4.91)
dz 2 °e PA ( z ), f z zp
°
°eM N ( z ), zn z z p
¯ D
Analizirajmo samo jednainu za oblast z ! zn :
d 2M ND
/ 2Di eM (4.92)
dz 2 ni Sl. 4.16 a) Profil primesa i b) profil potencijala u oblasti z>zn
262 263
Sa Sl. 4.16. vidi se da je potencijal konstantan za sve vrednosti z ! zn , ako i samo ako je Razmatraemo funkciju profila primesa u obliku:
N D ( z ) N D ( zn ) , tj. ako je dopiranje u posmatranoj oblasti uniformno (ova situacija prikazana
°N D ( z ), z ! 0
je punom linijom na Sl. 4.16). U svim ostalim sluajevima kada je oblast z ! zn neutralna, N * ( z) ® (4.98)
potencijal je linearna funkcija koordinate z. °̄PA ( z ), z 0
Profili primesa koji se sreu u realnim p-n spojevima manje ili više odstupaju od Za odreivanje granica oblasti prostornog naelektrisanja neophodno je uzeti u obzir sledea
eksponencijalnog profila (ukljuujui i sluaj C1 0 , tj. N D ( z ) const ), što znai da oblast dva uslova: uslov globalne neutralnosti i uslov jednakosti ukupnih dipolnih momenata u oblasti
z ! zn strogo govorei nije neutralna. U literaturi se ovaj problem prevazilazi na sledei nain: prostornog naelektrisanja.
pretpostavi se kao da je koncentracija primesa za z ! zn jednaka vrednosti u taki zn , tj.
1) Jednaina globalne neutralnosti
N D ( zn ) , videti Sl. 4.17. Tada je oblast z ! zn približno neutralna – uvodi se termin
kvazineutralnost, a potencijal konstantan. Ovakva aproksimacija je utoliko tanija ukoliko je U oblasti prostornog naelektrisanja mora biti zadovoljen uslov globalne neutralnosti koji se u
profil primesa bliži konstantnoj vrednosti, tj. N D ( z ) dz manje (funkcija je sporopromenljiva). opštem sluaju može napisati u obliku:
³ U ( z )dV
(V )
0 (4.99)
odnosno, u konkretnom sluaju

zn
³ U ( z )Sdz
zp
0 (4.100)
gde je S površina poprenog preseka poluprovodnika. Ovaj uslov se dalje može prikazati kao
0 zn
Sl. 4.17 Zavisnost profila primesa za z ! zn (isprekidana linija) i aproksimacija ove ³ P ( z )dz ³ N
zp
A
0
D ( z )dz 0 (4.101a)
zavisnosti sa N D ( z ) N D ( zn )
0 zn
Primenom identine aproksimacije na p-oblast, u uslovima kvazineutralnosti potencijalal duž

p-n spoja se može približno prikazati kao na Sl. 4.18.
³ P ( z )dz ³ N
zp
A
0
D ( z )dz (4.101b)
ili u kompaktnom obliku

zn
³N
*
( z )dz 0 (4.102)
zp
Na osnovu izraza (4.101b) zakljuujemo da površine ispod krive na Sl. 4.15, u p- i n- delu
oblasti prostornog naelektrisanja, moraju biti jednake.
2) Jednaina ukupnog dipolnog momenta
Ukupni dipolni momenat možemo napisati u obliku:

Sl. 4.18 Profil potencijala duž p-n spoja, aproksimiran konstantnim vrednostima u
neutralnim oblastima
264 265
zn
N D ( zn ) , PA ( z p ) , ni i T, izraunava se ugraeni napon na spoju U D , a zatim se iz sistema
DM ³ U ( z ) zdz
zp
(4.103)
jednaina
zn
³N
*
( z ) dz 0 (4.111a)
Pošto na osnovu Poisson-ove jednaine imamo zp
U ( z)
zn
dK
³ eN ( z ) zdz H r H 0U D
*
(4.104) (4.111b)
dz H rH 0 zp
dalje možemo pisati:
zn n z
dK
DM ³HH
zp
r 0
dz
z dz H r H 0 ³ dK z dz
zp
(4.105) izraunava širina oblasti prostornog naelektrisanja.
Ukoliko je na p-n spoj primenjen spoljašnji napon U, tada se menja širina oblasti prostornog
Parcijalnom integracijom izraza (4.105) dobijamo: naelektrisanja tj. imamo z p z p (U ) , zn zn (U ) , pa se prema tome menja i ugraeni napon na
spoju U D U D (U ) . U zavisnosti od smera spoljašnjeg elektrinog polja razlikujemo inverzno i
ª zn º direktno polarisani p-n spoj (Sl. 4.19).
DM H r H 0 « zn K ( zn ) z p K ( z p ) ³ K dz» (4.106)
«¬ zp »¼
Pošto je
k T N ( z ) P ( z p )
zn
1
³ K dz
zp
¬ªb( zn ) b( z p )¼º ¬ªM ( zn ) M ( z p )¼º B ln D n 2A
e e ni
(4.107)
i kako su polja K ( zn ) i K ( z p ) u aproksimaciji totalnog osiromašenja jednaka nuli, sledi
H r H 0 k BT N D ( zn ) PA ( z p )
DM ln (4.108) Sl. 4.19 Ilustracija a) inverzno polarisanog i b) direktno polarisanog p-n spoja
e ni2
Izraz (4.103) za ukupni dipolni momenat može se napisati i u obliku: Jednaina (4.111b) e u ovom sluaju dobiti oblik:
zn
H rH 0
zn
³ eN ³N U D U
*
DM ( z ) z dz (4.109) *
( z ) zdz (4.112)
zp zp
e
pa izjednaavanjem sa (4.109) dolazimo do jednaine: gde je U ! 0 za direktnu polarizaciju, a U 0 za inverznu.

zn
Analiziraemo samo sluaj inverzne polarizacije jer se tada, sa dovoljnom tanošu, može
³ eN ( z ) zdz H r H 0U D
*
(4.110) primeniti aproksimacija totalnog osiromašenja. Sve jednaine u ovom poglavlju izvedene su
zp
pretpostavljajui važenje ove aproksimacije. Sluaj direktne polarizacije je znatno složeniji
zbog proticanja znaajne struje kroz p-n spoj i ovde ga neemo razmatrati.
pri emu je U D odreeno izrazom (4.89). Na osnovu izraza (4.110), zajedno sa jednainom
(4.102), odreuju se granice oblasti prostornog naelektrisanja z p i zn . Za poznate vrednosti
266 267
zn (U )
4.4.1 Kapacitivnost p-n spoja
Qn (U ) ³
0
U ( z ) S dz ! 0 (4.114b)
Kod p-n spoja se mogu definisati kapacitivnost oblasti prostornog naelektrisanja, koja se
zasniva na injenici da dolazi do promene koliine naelektrisanja u oblasti prostornog
naelektrisanja sa promenom inverznog spoljašnjeg napona, i difuziona kapacitivnost, iji je Qn (U ) Q p (U ) (4.114c)
uzrok injekcija veinskih nosilaca u p- i n-oblast pri direktnoj polarizaciji. U ovom tekstu
difuziona kapacitivnost nee biti detaljnije analizirana. Diferenciraemo gornje izraze po spoljašnjem naponu, pretpostavljajui da gustina
Posmatraemo inverzno polarisani p-n spoj, prikazan na Sl. 4.19 a), i odrediemo naelektrisanja U ( z ) ne zavisi od napona, što je ispunjeno u sluaju inverzne polarizacije u
kapacitivnost oblasti prostornog naelektrisanja koja se definiše na sledei nain: oblasti prostornog naelektrisanja, dok za direktne napone svakako ne bi važilo.
dQ Q p (U ) 0
dz p (U )
C{ (4.113) d
dU dU dU ³
z p (U )
U ( z ) S dz S
dU
U ( z p ) ! 0 (4.115a)
gde je Q Q p Qn apsolutna vrednost ukupnog naelektrisanja u p- odnosno n-delu oblasti zn (U )

Qn (U ) d dzn (U )
prostornog naelektrisanja, a U 0 . Kada se p-n spoj nalazi pod dejstvom inverznog napona,
tada se poveava ukupno elektrino polje na spoju, što odgovara širenju oblasti prostornog dU dU ³
0
U ( z ) S dz S
dU
U ( zn ) 0 (4.115b)
naelektrisanja. Pri promeni napona za dU 0 (tj. pri poveanju inverznog napona), dolazi do
pomeranja granica z p (U ) i zn (U ) na levu, odnosno desnu stranu, kao što je prikazano na Sl. Qn (U ) Q p (U )
(4.115c)
4.20. dU dU
S druge strane, imamo i izraz za ukupni dipolni moment:

zn
³ U ( z ) zdz H r H 0 U D U (4.116)
zp
koji emo takoe diferencirati po U, što e dati
dzn (U ) dz p (U ) §U ·
zn U ( z n ) z p U ( z p ) H r H 0 ¨ D 1¸ (4.117)
dU dU © dU ¹
Kombinovanjem sa (4.115a)-(4.115c) dobijamo:
1 dQn
S dU
zn z p H rH 0 ¨©§ dU
dU
D ·
1¸
¹
(4.118)
Sl. 4.20 Promena širine oblasti prostornog naelektrisanja p-n spoja pod dejstvom spoljašnjeg
inverznog napona
odakle sledi
Ukupna koliina naelektrisanja u p- i n- delovima oblasti prostornog naelektrisanja iznosi: dQn H r H 0 S § dU D ·

¨ 1¸ (4.119)
dU zn z p © dU ¹
0
Q p (U ) ³
z p (U )
U ( z ) S dz 0 (4.114a)
Pošto je uvek dU D dU 1 , izraz u zagradi ima negativnu vrednost, pa kapacitivnost možemo
konano napisati u obliku:
268 269
H r H 0 S § dU D · Pošto je na osnovu (4.121)

C ¨1 ¸ (4.120)
zn z p © dU ¹
H rH 0 S
zn (U ) (4.123)
C (U )
sledi
4.4.2 Odreivanje profila primesa na osnovu merenja kapacitivnosti p-n spoja
dzn (U ) H r H 0 S dC (U )
(4.124)
>C (U )@
2
dU dU
U dosadašnjim razmatranjima pretpostavljeno je da je N D ( z ) poznata veliina i polazei od te
injenice vršena je dalja analiza. Realno, nije uvek jednostavno unapred znati oblik zavisnosti Kombinovanjem sa jednainom (4.122) dobijamo:
N D ( z ) i postoji veliki broj metoda koje omoguavaju njeno odreivanje. Pored destruktivnih
>C (U )@
3
metoda, koje naravno nisu uvek pogodne, postoji i niz nedestruktivnih metoda.
N D ( zn (U )) (4.125)
dC (U )
Jedna od nedestruktivnih metoda za odreivanje profila primesa p-n spoja zasniva se na eS 2H r H 0
dU
merenju kapacitivnosti oblasti prostornog naelektrisanja. Pretpostaviemo da su ispunjeni
sledei uslovi:
Odreivanje profila primesa vrši se tako što se snimi zavisnost kapacitivnosti u funkciji
inverznog napona, koji se menja u granicama od 0 do neke maksimalne vrednosti koja mora
1) jedna oblast poluprovodnika je znatno jae dopirana od druge, što znai da e se oblast
biti dovoljno niža od probojnog napona. Na taj nain dobija se zavisnost kao na Sl. 4.21a).
prostornog naelektrisanja praktino nalaziti na strani na kojoj je dopiranje slabije. Ako je npr.
Zatim se za posmatrane vrednosti napona izraunaju granice oblasti prostornog naelektrisanja
PA N D , sledi da je zn (U ) z p (U ) da bi mogla biti zadovoljena globalna neutralnost.
zn (U ) prema formuli (4.123) i vrednosti koncentracije primesa na osnovu (4.125), što daje
odgovarajuu zavisnost nalik onoj sa Sl. 4.21b). Na ovaj nain može se dobiti profil primesa
2) ugraeni napon na spoju U D praktino ne zavisi od prikljuenog napona pa se može
smatrati da je dU D dU 0 .
samo za slabije dopiranu oblast i to u opsegu koordinata znmin , znmax .
Takoe emo smatrati da su površina poprenog preseka S i relativna dielektrina konstanta
poluprovodnika H r poznate veliine.
Ukoliko su ispunjeni gornji uslovi, izraz za kapacitivnost (4.120) dobija oblik
H rH 0 S
C (4.121)
zn (U )
a jednaina (4.117) postaje:
dzn (U ) HH
zn N D ( zn ) r 0 (4.122)
dU e
Iz prethodnog izraza možemo odrediti vrednost koncentracije primesa na granici oblasti

prostornog naelektrisanja za datu vrednost spoljašnjeg napona:
H rH 0 1 Sl. 4.21 Ilustracija odreivanja profila primesa na bazi merenja kapacitivnosti p-n spoja
N D ( zn ) (4.122) a) Zavisnost kapacitivnosti od spoljašnjeg inverznog napona b) Izraunati profil primesa za
e z (U ) dzn (U ) dati opseg napona
n
dU
270 271
Napomenimo na kraju da se može odrediti profil primesa i ako PA N D nije ispunjen. U tom elektron-šupljina koji mogu dalje nastaviti proces jonizacije. Na primer, slobodni elektroni koji
sluaju mora se poi od eksperimentalno dobijene zavisnosti kapacitivnosti od temperature i pod dejstvom polja dobiju veliko ubrzanje, u stanju su da putem sudara dovedu do dodatnog
napona, a zatim vrlo složenom analizom izvesti relacije koje povezuju koncentracije donora i raskidanja veza i daljeg umnožavanja slobodnih nosilaca i taj proces naziva se lavinska
akceptora i odgovarajue zavisnosti širina u p- i n-oblasti. jonizacija. Lavinski proboj odvija se praktino u oblasti prostornog naelektrisanja, pošto je u
neutralnim oblastima K | 0 , pa ne dolazi do lavinskih efekata.
4.4.3 Proboj p-n spoja
Kada se napon inverzne polarizacije na p-n spoju povea iznad neke kritine vrednosti, dolazi
do proboja, odnosno do naglog porasta broja slobodnih nosilaca u oblasti prostornog
naelektrisanja, tj. velike struje koja protie kroz spoj. Razmotriemo dva najznaajnija
mehanizma proboja do kojih dolazi pri najnižim vrednostima elektrinog polja, a to su lavinski
ili avalanche (engl., lavina) proboj i tunelski proboj.
Kao što je poznato, pod dejstvom elektrinog polja u oblasti prostornog naelektrisanja dolazi
do krivljenja zona i ovo krivljenje može biti vrlo izraženo kada se napon inverzne polarizacije
približi kritinim vrednostima, što je ilustrovano na Sl. 4.22.
Sl. 4.23 Generacija parova elektron-šupljina u procesu lavinske jonizacije
Tunelski (ili Zener-ov) proboj javlja se kao posledica velikog nagiba zona u oblasti prostornog
naelektrisanja, pri jakim elektrinim poljima, kada je poveana verovatnoa za prelazak
elektrona u provodnu zonu putem tunelskog efekta. Krivljenje zona dovodi do izjednaavanja
energija elektrona u provodnoj i valentnoj zoni (Sl. 4.24), a efekat tunelovanja je naroito
izražen kod p-n spojeva kod kojih su koncentracije primesa PA ( z ) i N D ( z ) visoke, pošto
poveanje nivoa dopiranosti smanjuje širinu oblasti prostornog naelektrisanja i time sužava
efektivnu barijeru koju elektroni treba da savladaju. Ovaj mehanizam proboja neemo
detaljnije analizirati u okviru ovog teksta.
Sl. 4.22 Zonski dijagram p-n spoja pod dejstvom veoma jakog spoljašnjeg elektrinog polja u
sluaju inverzne polazizacije
Do lavinskog proboja dolazi pri elektrinim poljima koja su reda K 105 V/cm i dovoljno su
jaka da dovedu do raskidanja kovalentnih veza u atomima osnovnog poluprovodnika i Sl. 4.24 Tunelski efekat u inverzno polarisanom p-n spoju
prebacivanja elektrona iz valentne u provodnu zonu (Sl. 4.23). Na taj nain generišu se parovi
272 273
Lavinski proboj Kako je gustina struje šupljina data izrazom J p ( z ) epv p ep* ( z ) , sledi:
Pretpostaviemo da je nivo dopiranja u p-n spoju dovoljno nizak tako da pri posmatranoj
dJ p
vrednosti elektrinog polja ne dolazi do tunelskog proboja. Kao što je prethodno objašnjeno, D n en* D p ep* D n J n ( z ) D p J p ( z ) (4.132)
pod dejstvom velikog inverznog napona može doi do prebacivanja valentnih elektrona u dz
provodnu zonu, a ako su ti elektroni dovoljno ubrzani, oni mogu nastaviti proces generisanja
novih parova elektron-šupljina. Da bi došlo do ostvarivanja lavinskog efekta potrebno je da gde je J n ( z ) en* ( z ) gustina struje elektrona.
širina oblasti prostornog naelektrisanja bude dovoljno velika, kako bi slobodan elektron na
svom putu mogao da jonizuje dodatne atome pre nego što pree u neutralnu oblastu u kojoj ne
dolazi do formiranja lavine nosilaca. Definisaemo koeficijent jonizacije D n , p kao broj parova
elektron-šupljina koji je generisan putem jonizacije atoma poluprovodnika od strane jednog
nosioca (elektrona ili šupljine) na putu dužine l, podeljen tom dužinom l:
BROJ PAROVA e - h NA l
D n, p (4.126)
l
Takoe emo definisati fluks elektrona i šupljina na sledei nain:
n* nvn (4.127a)
*
p nv p (4.127b)
gde su vn i v p brzine elektrona i šupljina, respektivno, na posmatranom preseku, kao što je

prikazano na Sl. 4.25. Dodatni fluks parova elektron-šupljina, koji se proizvede elektronima
fluksa n* na segmentu dz oblasti prostornog naelektrisanja, iznosi:
dn1* dp1* D n n*dz (4.128) Sl. 4.25 Ilustracija procesa lavinske jonizacije u oblasti prostornog naelektrisanja
dok fluks parova elektron-šupljina proizveden šupljinama, na istom segmentu, iznosi:

Ukupna gustina struje, na osnovu jednaine kontinuiteta, nije funkcija koordinate z, odnosno
dn2* dp2* D p p*dz (4.129)
J J n ( z) J p ( z) z J ( z) (4.133)
D n D n ( z ) i D p D p ( z ) su koeficijenti jonizacije elektrona i šupljina, respektivno, definisani
izrazom (4.126). Ukupan priraštaj fluksa šupljina predstavlja zbir doprinosa datih izrazima Prema tome, izraz (4.132) možemo zapisati u formi:
(4.128) i (4.129):
dJ p
dp* dp1* dp2* D n n*dz D p p*dz (4.130) dz
D p Dn J p Dn J (4.134)
a iz (4.133) sledi i:
Na osnovu toga možemo pisati:
dJ p
dp*
D n n* D p p* (4.131)
dJ n
dz

dz
D p Dn Jn D p J (4.135)
dz
274 275
ª º
z z'
Jednaine (4.134) i (4.135) predstavljaju linearne diferencijalne jednaine po strujama J n i J p .
³D
« J J D ( z ')e ³w
D * ( z '') dz ''
z *
( z ') dz '
Poznato je da diferencijalna jednaina u obliku J n ( z) ew ³w p dz '» (4.142)

« n0 »
¬« ¼»
y '( x) p ( x) y ( x) q ( x) 0 (4.136) U taki z w izraz (4.141) ima vrednost
sa graninim uslovom w
ª º
z'
³D « J J D ( z ')e ³0
D * ( z '') dz ''
* w
( z ') dz '
J p ( z) e 0 ³0 n dz '» J J n ( w) J J n0 (4.143)
y ( x0 ) y0 (4.137) « p0 »
¬« ¼»
ima rešenje:
odakle je mogue izraziti ukupnu struju J:
³ p ( x ') dx ' ª« ³ p ( x '') dx '' º»

x x'
x w
³D
« y0 ³ q ( x ')e
*
y ( x) e x0 x0
dx '» (4.138) ( z ') dz '
J n0 J p0 e 0
«¬ x0
»¼ J w z' (4.144)
³D ³
D * ( z '') dz ''
* w
( z ') dz '
Prvo emo odrediti struju J p rešavajui jednainu

1 e 0
< ³D
0
n ( z ')e 0
dz '
dJ p S druge strane, za z 0 , izraz (4.142) dobija vrednost:

D *J p Dn J 0 (4.139)
dz
ª º
0 z'
³D « J J D ( z ')e ³w
D * ( z '') dz ''
* 0
( z ') dz '
gde smo uveli oznaku D ( z ) D p ( z ) D n ( z ) . Pretpostaviemo da u taki z0

*
0 struja šupljina J n (0) e w ³w p dz '» J J p (0) J J p0 (4.145)
« n0 »
iznosi J p (0) J p0 . Poreenjem (4.139) sa (4.136) zakljuujemo da je ¬« ¼»
odakle je
p ( z ) D * ( z ) (4.140a) w
³
D * ( z ') dz '
q ( z ) D n ( z ) (4.140b) J p0 J n0 e 0
J w w (4.146)
³
D * ( z ') dz ' ³D
w *
( z '') dz ''
što daje rešenje za J p u obliku 1 e 0
< ³D
0
p ( z ')e z'
dz '
ª º
z z'
³D « J J D ( z ')e ³0
D * ( z '') dz ''
*
Do proboja nastaje kada J o f , odnosno kada imenilac u izrazima (4.144) i (4.146) postane
( z ') dz ' z
J p ( z) e 0 ³0 n dz '» (4.141)
« p0 » jednak nuli:
¬« ¼»
w z'
³D ³
D * ( z '') dz ''
* w
( z ') dz '
Jednainu za gustinu struje elektrona (4.135) rešavaemo koristei granini uslov na desnom
kraju oblasti prostornog naelektrisanja, tj. J n ( z w) J n0 , pri emu je sada p ( z ) D * ( z ) ,
e0 < ³ D n ( z ')e
0
0
dz ' 1 (4.147)
q ( z ) D p ( z ) , pa imamo ili
w w
³
D * ( z ') dz ' ³D
w *
( z '') dz ''
e 0
< ³ D p ( z ')e
0
z'
dz ' 1 (4.148)
276 277
Površinske i kontaktne pojave. Heterospojevi Površinske i kontaktne pojave. Heterospojevi – odabrani problemi
Prethodne dve jednaine definišu uslov proboja, a mogu se napisati i u obliku: ODABRANI PROBLEMI
w
w
³
D * ( z '') dz ''
³D
0
n ( z ')e z'
dz ' 1 (4.149a) Problem 4.1. Izvesti izraz za gustinu struje termoelektronske emisije ne zamenjujui Fermi-
Dirac-ovu funkciju raspodele Maxwell-Boltzmann-ovom. Na šta se svodi dobijeni izraz kada je
izlazni rad znatno vei od termalne energije?
z'
w
³
D * ( z '') dz ''
Rešenje: Gustina struje termoelektronske emisije odreena je izrazom (4.7), u formi:
³D
0
p ( z ')e 0
dz ' 1 (4.149b)
3 f f f
§ m* · vz dvz
Pošto veliine w , D n , i D p zavise od elektrinog polja, odnosno od veliine inverznog napona
J 2e ¨ ¸
© h ¹
³ dv ³ dv ³
f
x
f
y m*v 2 E
2 F k T 1
B
(P.4.1)
e vz0
na p-n spoju ( w w(U ) , D n D n (U ) , D p D p (U ) ), jednaine (4.149a) i (4.149b) mogu se
izraziti i u formi: gde je vz0 2 F m* . Komponente brzine vx i v y zameniemo promenljivim vxy i M , gde je
f (U b ) 1 (4.150) vxy vx2 v y2 , M arctan v y / vx . Na taj nain dobijamo:
gde je U b probojni napon (engl., breakdown voltage). Izrazi (4.149a) i (4.149b) su § m* ·

3 2S f f
vxy vz dvxy dvz
meusobno ekvivalentni i daju isti rezultat za uslov proboja. Ukoliko su koeficijenti jonizacije J 2e ¨ ¸
© h ¹
³ dM ³ ³
M 0
§ m*vxy
2
m*vz2 ·
¨¨ 2 2 EF ¸¸ k BT
(P.4.2)
elektrona i šupljina meusobno jednaki ( D n ( z ) D p ( z ) D ( z ) ), ovi izrazi se pojednostavljuju i vxy 0 vz vz0
e © ¹
1
svode na jednainu
Posmatrajmo integral
f
w vxy dvxy
³ D ( z ')dz ' 1 (4.151) I ³
vxy
§ m*vxy
2
m*vz2 ·
¨¨ 2 2 EF ¸¸ k BT
(P.4.3)
0 © ¹
1
0
e
Zavisnost koeficijenta jonizacije od elektrinog polja je u opštem sluaju veoma složena, pa se
naješe koriste aproksimativne formule, na primer: i uvedimo oznake x m*
2 kBT v 2
xy vz2 i K E F / k BT :
m f
§K · k BT dx
D D0 ¨ ¸ (4.152) I
m* ³ e x K 1
(P.4.4)
© K0 ¹ m*vz2
2 k BT
ili nešto taniji izraz Rešenje gornjeg integrala glasi

m
§b·
¨ ¸
k BT f k BT ª K m vz º
* 2
D Ae ©K¹
(4.153) I ln ª1 eK x º¼ m*vz2 ln 1 e 2 kBT » (P.4.5)
m* ¬ 2 k BT m* «¬ ¼
gde su m, D 0 , K 0 , A i b odgovarajui parametri koji zavise do vrste materijala.
Prema tome, izraz (P.4.2) dobija oblik
f
4S ek BTm*2 ª K m vz º
* 2
J
h3 ³
v z vz
vz ln «1 e 2 kBT » dvz
¬ ¼
(P.4.6)
0
* 2
Dobijeni integral dalje emo rešavati uz pomo smene y K 2mkBvTz , što daje
278 279
Površinske i kontaktne pojave. Heterospojevi – odabrani problemi Površinske i kontaktne pojave. Heterospojevi – odabrani problemi
m*v 2
K 2k
z0 Rešenje: Profil primesa strmog p-n spoja prikazan je na Sl. P.4.1a, a odgovarajui zonski
4S e(k BT ) 2 m* BT
dijagram na Sl. P.4.1b. U aproksimaciji totalnog osiromašenja, gustina prostornog
J
h3 ³
f
ln ¬ª1 e y ¼º dy (P.4.7)
naelektrisanja ima oblik:
Posmatrajmo gornju granicu integracije 0, z z p z ! zn

°
U ( z ) ®ePA , zp z 0 (P.4.14)
m*vz20 EF m*vz20 / 2 EF F ) °
K (P.4.8) ¯eN D , 0 z zn
2 k BT k BT k BT k BT
gde su z p i zn granice oblasti prostornog naelektrisanja.
Na osnovu toga izraz (P.4.7) dobija formu
) / k BT
4S e(k BT ) 2 m*
J
h3 ³
f
ln ª¬1 e y º¼ dy (P.4.9)
što možemo zapisati i na sledei nain:
J AT 2 )
k BT (P.4.10)
gde je
4S ek B2 m*
A (P.4.11a)
h3
) / k BT
)
k BT ³ ln ª¬1 e y º¼ dy (P.4.11b) Sl. P.4.1 a) Profil primesa i b) zonski dijagram strmog p-n spoja
f
Ako je ) / k BT 1 , tada je ln ª¬1 e y º¼ | e y , pa dobijamo Polazei od Poisson-ove jednaine
d 2M U ( z)
) / k BT

)
(P.4.15)
)
k BT | ³ e y dy e k BT
(P.4.12) dz 2 H rH 0
f
odnosno dobijamo izraz za elektrino polje K ( z ) dM dz u obliku

)

2 k BT
J AT e (P.4.13)
°0, z z p z ! zn
°
što je identino izrazu (4.15). ° ePA
K ( z) ® H H z C1 , z p d z 0 (P.4.16)
° 0 r
Problem 4.2. Za strmi p-n spoj, koristei aproksimaciju totalnog osiromašenja, nai izraze za ° eN D
° z C2 , 0 z d zn
¯ H 0H r
elektrino polje i potencijal u funkciji koordinate i skicirati ih. Takoe odrediti širinu oblasti
prostornog naelektrisanja ako su poznate vrednosti koncentracija primesa N D i PA , sopstvena
koncentracija ni , kao i relativna dielektrina konstanta H r .
280 281
U neutralnim oblastima ( z z p z ! zn ) elektrino polje je jednako nuli, a pošto K ( z ) 1 eN D 2

M ( zn ) M ( zn ) Mn C4 zn (P.4.21c)
mora biti neprekidno, sledi: 2 H rH 0
K ( z p ) 0 Na osnovu ovih izraza zakljuujemo da je

(P.4.17)
K ( zn ) 0 ePA 2 eN D 2
Mn M p U D zp zn (P.4.22)
2H r H 0 2H r H 0
odakle dobijamo vrednost konstanti C1 i C2
Do ovih rezultata mogli smo doi i uz pomo jednaine ukupnog dipolnog momenta:
ePA z p
C1 zn 0 zn
H 0H r
(P.4.18) ³ z U ( z)dz ³ eP zdz ³ eN
zp zp
A
0
D zdz H r H 0U D (P.4.23)
eN D zn
C2
H 0H r
Zamenom (P.4.21a)-(P.4.21c) u (P.4.20) dobijamo konaan izraz za zavisnost potencijala od
koordinate:
Prema tome, zavisnost elektrinog polja od koordinate je oblika
M p , z zp
°
°0, z z p z ! zn ° ePA z z 2 M ,
° zp d z 0
°° 2H r H 0 p p
° ePA M ( z) ® (P.4.24)
K ( z) ® H H z z p , z p z 0 (P.4.19) eN
° D z z M ,
2
° 0 r 0 d z d zn
° H rH 0 n n
° eN °
° D z zn , 0 z zn °̄M n , z ! zn
¯ H 0H r
Pored (P.4.22), dodatnu relaciju za odreivanje granica oblasti prostornog naelektrisanja
Integracijom prethodnog izraza odreujemo potencijal
dobijamo iz jednaine kontinuiteta:
M p , z zp zn
°
° ePA § z z · z C , zp d z 0
³ U ( z )dz 0 PA z p N D zn (P.4.25)
°° H r H 0 ©¨ 2 p ¹¸ 3 zp
M ( z) ® (P.4.20)
° D
eN § z · tako da imamo
z z C4 , 0 d z d zn
° H r H 0 ¨© 2 n ¸¹ eP 2 § P ·
° UD z p ¨1 A ¸ (P.4.26)
°̄M n , z ! zn 2H r H 0 © N D ¹
gde su M p i Mn konstantne vrednosti potencijala u p- i n- delu neutralne oblasti. Pošto odakle sledi:
potencijal mora biti neprekidan, dobijamo nove granine uslove: 2H 0H rU D ND
zp (P.4.27a)
e PA ( N D PA )
M (0 ) M (0 ) C3

C4 (P.4.21a)
1 ePA 2 2H 0H rU D PA
M ( z p ) M ( z p ) M p C3 zp (P.4.21b) zn
N D ( N D PA )
(P.4.27b)
2 H rH 0 e
282 283
Koncentracije elektrona i šupljina u neutralnim oblastima mogu se izraziti u obliku Problem 4.3. Za p-i-n spoj iji je profil primesa prikazan na Sl. P.4.3, koristei aproksimaciju
totalnog osiromašenja, nai zavisnost elektrinog polja i potencijala od koordinate z, širinu
EF Ec ( z ) EF Ec ( f ) Ec ( f ) Ec ( z ) eM ( z ) oblasti prostornog naelektrisanja, kao i maksimalnu vrednost elektrinog polja (po apsolutnoj
k BT k BT k BT k BT
n( z ) Bc e Bc e e ni e (P.4.28a) vrednosti). Smatrati da je difuzioni napon U D poznat, kao i konstante H r , a i d.
Ev ( z ) EF Ec ( f ) EF Ev ( z ) Ev ( f ) eM ( z )

k BT k BT k BT k BT
p ( z ) Bv e Bv e e ni e (P.4.28b)
Na granicama oblasti prostornog naelektrisanja imamo:
k BT p ( z p ) k BT ni
M p M ( z p ) ln n( z ) ln (P.4.29a)
e ni e PA
k BT n ( z n ) k BT N D
M n M ( zn ) ln ln (P.4.29a)
e ni e ni
pa je difuzioni napon na spoju jednak

Sl. P.4.3 Profil primesa linearnog p-i-n spoja
k BT N D PA
UD Mn M p ln 2 (P.4.30)
e ni Rešenje: Gustina prostornog naelektrisanja za p-i-n spoj sa Sl. P.4.3, u aproksimaciji totalnog
osiromašenja, iznosi:
Na osnovu izraunate vrednosti U D , odreuje se širina oblasti prostornog naelektrisanja 0, z zp
w zn z p prema izrazima (P.4.27a) i (P.4.27b). Zavisnost elektrinog polja i potencijala od °
°ePA ( z ) eaz , z p z - d2
koordinate prikazane su na Sl. P.4.2a i P.4.2b, respektivno, gde je referentni nivo za potencijal °
postavljen u taku z 0 . U ( z) ®0, - d2 z d
2 (P.4.31)
°eN ( z ) eaz , d
z zn
° D 2
°0 , z ! zn
¯
Granice oblasti prostornog naelektrisanja z p i zn odreujemo uz pomo jednaine globalne

neutralnosti i jednaine ukupnog dipolnog momenta:
zn
³ U ( z )dz
zp
0 (P.4.32a)
zn
³ z U ( z )dz
zp
H r H 0U D (P.4.32b)
Kombinovanjem izraza (P.4.31) i (P.4.32a) dobijamo

Sl. P.4.2 Profil a) elektrinog polja i b) potencijala kod strmog p-n spoja d /2 d /2
³
zp
eazdz ³ eazdz
zn
0 (P.4.33a)
284 285
zp zn (P.4.33b) Vrednosti integracionih konstanti C1 - C3 dobijamo iz uslova neprekidnosti elektrinog polja na

razdvojnim površinama razliitih oblasti, što daje:
Jednaina (P.4.32b) u razvijenom obliku glasi
eazn2
d /2 d /2 C1 C3
2H r H 0
³ eaz dz ³ eaz dz
2 2
0 (P.4.34a)
zp zn
(P.4.39)
ea § 2 d 2 ·
C2 ¨ zn ¸
2H r H 0 © 4 ¹
ea ª d 3 3º
« z p zn » H r H 0U D
3
(P.4.34b)
3 ¬ 4 ¼ Konano, zavisnost elektrinog polja od koordinate dobija oblik
ea
° 2H H zn z ,
Zamenom (P.4.33b) u (P.4.34b) dobijamo 2 2
z p d z - d2
° r 0
3H r H 0U D d 3 °0, z z p z ! zn
zn zp 3 (P.4.35) °
2ea 8 K ( z) ® ea § 2 d 2 · (P.4.40)
° 2H H ¨ zn 4 ¸ , - d2 d z d d
2
Širina oblasti prostornog naelektrisanja, prema tome, iznosi: ° r 0 © ¹
° ea
12H r H 0U D
° zp z ,
2 2 d
z d zn
¯ 2H r H 0
2
w zn z p 3 d3 (P.4.36)
ea
Elektrino polje i potencijal odrediemo rešavajui Poisson-ovu jednainu kao što je prikazano na Sl. P.4.4a, a maksimalna vrednost elektrinog polja (po apsolutnoj
vrednosti) iznosi:
eaz
° H H , z p z - d2
ea § 2 d 2 ·
dM2
U ( z) °° r 0 K max C2 ¨ zn ¸ (P.4.41)
z z p - d2 z z ! zn 2H r H 0 © 4 ¹
®0,
d
(P.4.37)
dz 2 H rH 0 °
2
° eaz , d
z zn Potencijal M ( z ) dobijamo integracijom jednaine (P.4.40), što daje
°̄ H r H 0 2
M p , z zp
Integracijom jednaine (P.4.37), smatrajui da je elektrino polje K ( z ) dM dz u oblasti °
° ea § z 2 z · z C , z d z - d
2
z z p z ! zn približno jednako nuli, dolazimo do izraza: ° 2H H ¨ n 3 ¸ 1 p 2

° r 0© ¹
°° ea § 2 d 2 ·
eaz 2 M ( z)
® ¨ z n ¸ z C2 , - 2 d z d 2
d d
(P.4.42)
C1 , z p d z - d2
° ° 2H r H 0 © 4 ¹
° 2H r H 0 ° ea §
°°0, z z p z ! zn ° z2 ·
¨ z p ¸ z C3 , 2 z d zn
2 d
K ( z) ® (P.4.38) ° 2H r H 0 © 3¹
°C2 , - d2 d z d d
2 °
° eaz 2 °̄M n , z ! zn
° C3 , d
z d zn
°̄ 2H r H 0
2
286 287
gde je M p Mn U D . Pošto je struktura simetrina, a referentni nivo za potencijal se može Rešenje: Kapacitivnost p-n spoja kod koga je p-oblast znatno jae dopirana od n-oblasti data
je izrazom
proizvoljno izabrati, uzeemo M (0) 0 , odakle sledi Mn Mp U D / 2 . Nove integracione
HS
konstante C1 - C 3 , odreujemo iz uslova kontinualnosti potencijala na granicama razliitih C (P.4.44)
zn (U )
oblasti, tako da zavisnost potencijala od koordinate konano dobija oblik:
pošto je u tom sluaju zn z p . Diferenciranjem gornjeg izraza po primenjenom inverznom
UD naponu ( U 0 ) dobijamo:
° 2 , z zp
°
° ea § 2 z ·
2 3
d ea dC H S dzn

° 2H H ¨ z p 3 ¸ z 24 H H , z p d z - 2
d (P.4.45)
dU zn2 dU
° r 0© ¹ r 0
°° ea § 2 d 2 ·
M ( z) ® ¨ zn ¸ z , - d2 d z d d2 (P.4.43) Jednaina ukupnog dipolnog momenta glasi
° 2H r H 0 © 4 ¹
° ea § z2 · d 3 ea
zn
° ¨ zn ¸ z
2
, 2 z d zn
d
e ³ N D ( z ) zdz H U D U (P.4.46)
° 2H r H 0 © 3¹ 24 H r H 0 0
°
°U D , z ! zn
°̄ 2 odakle sledi
dzn
N D ( zn ) zn H (P.4.47)
dU
što je ilustrovano na Sl. P.4.4b.
Kombinovanjem (P.4.47) i (P.4.45) dobijamo
dC H 2S
(P.4.48)
dU ezn3 N D ( zn )
odnosno
H 2S
N D ( zn ) (P.4.49)
dC
ezn3
dU
Kako je kod posmatranog p-n spoja potrebno ostvariti C (U ) C0 gU 2 , sledi

Sl. P.4.4 Profil a) elektrinog polja i b) potencijala polja kod linearnog p-i-n spoja
dC
2 gU 2 g | U | 2 g (C0 C ) 2 g (C0 H S / zn ) (P.4.50)
dU
Problem 4.4. Kod p-n spoja p-oblast je znatno jae dopirana od n-oblasti. U ovakvom spoju
potrebno je ostvariti zavisnost kapacitivnosti oblika C (U ) C0 gU 2 . Odrediti potrebni profil Konano, na osnovu izraza (P.4.49) i (P.4.50) dobijamo traženi profil primesa u obliku:
primesa u n-oblasti, smatrajui da kontaktna razlika potencijala ne zavisi od primenjenog
inverznog napona. Poznatim veliinama smatrati konstante C0 i g, površinu spoja S, i relativnu H 2S 1
ND ( z) (P.4.51)
dielektrinu konstantu H . 2ez 3 g (C0 H S / z )
288 289
Problem 4.5. Smatrajui da su koeficijenti jonizacije elektrona i šupljina jednaki i da zavise od ePA z p eN D zn
elektrinog polja na sledei nain: Maksimalna vrednost K ( z ) iznosi K max K (0) pa se izraz (P.4.57) može
H 0H r H 0H r
m napisati u obliku:
Dn D p D aK (P.4.52) m
aK max w
1 (P.4.58)
gde su a i m konstante, izvesti izraz za probojni napon kod strmog p-n spoja. m 1
w z p zn . Za inverzno polarisani strmi p-n spoja granice oblasti prostornog naelektrisanja

Rešenje: Uslov proboja p-n spoja u sluaju kada su koeficijenti jonizacije elektrona i šupljina
jednaki, prema izrazu (4.151), glasi: iznose:
zn
2H 0H r U D U ND
zp (P.4.59a)
³ D ( z )dz 1
zp
(P.4.53) e PA ( N D PA )
što se za oblik (P.4.52) ovih koeficijenata svodi na izraz: 2H 0H r U D U PA

zn (P.4.59b)
e N D ( N D PA )
zn
1
³
m
K dz (P.4.54)
a pa je
zp
Zavisnost elektrinog polja od koordinate kod strmog p-n spoja odreena je u primeru P.4.2 2e U D U N D PA
K max (P.4.60a)
(izraz (P.4.19)) i glasi: H 0H r ( N D PA )
ePA z z ,
° H H p zp z 0
2H 0H r U D U ( N D PA )
° 0 r w (P.4.60b)
K ( z) ® (P.4.55) e PA N D
° eN D z z
° H H n , 0 z zn
¯ 0 r Kombinovanjem prethodnih izraza sa (P.4.58) dobijamo
što zamenom u (P.4.54) daje: 2 m 1

1 § m 1 · m 1 ªH 0H r ( N D PA ) º m 1
m 0 m z
U D Ub ¨ ¸ « » (P.4.61)
§ ePA · § eN · 2© a ¹ ¬ e PA N D ¼
³ z z
n
1
³ z z dz
m m
¨ ¸ dz ¨ D ¸ n (P.4.56)
© H 0H r ¹ © H 0H r ¹
p
zp
a
i N
0
Ukoliko uvedemo oznake q m 1
m 1
PA N D N D PA , izraz za probojni napon postaje
odnosno,
1 q q
1ª 2 º § eN ·
m m Ub U D « » ¨ ¸ (P.4.62)
1 § ePA z p · 1 § eN D zn · 1 2 ¬ q 1 a ¼ © H 0H r ¹
¨ ¸ zp ¨ ¸ zn (P.4.57)
m 1 © H 0H r ¹ m 1 © H 0H r ¹ a
Zavisnost probojnog napona od efektivne koncentracije primesa N prikazana je na Sl. P.4.4.
290 291
Smatrati poznatim konstante D 0 , n , J , K 0 ( K 0 U 0 / w ). Koristei dobijenu zavisnost,

pokazati da se za dovoljno široku i-oblast ( w zn ) dobija:
n
ln J §U ·
|D ¨ b ¸ w (P.4.64)
J 1 0 ©U0 ¹
Problem rešavati uz korišenje aproksimacije totalnog osiromašenja
Rešenje: Na osnovu aproksimacije totalnog osiromašenja, Poisson-ovu jednainu možemo

napisati u obliku:
Sl. P.4.5 Probojni napon strmog p-n spoja u funkciji efektivne koncentracije primesa
ePA
° H , zp z 0
Važno je napomenuti da dobijeni izraz za probojni napon važi samo za koncentracije primesa dM2
°
koje su ispod nekih kritinih vrednosti kada dolazi do izražaja tunelski proboj. ®0, 0 zw (P.4.65)
dz 2 ° eN
° D , w z w zn
Problem 4.6. Polazei od uslova za lavinski proboj u obliku ¯ H
zn w Integracijom ove jednaine dobijamo:

ln J Dp
³
zp
D n ( z )dz
J 1
, J
Dn
(P.4.63)
ePA
° H z C1 , z p z 0
°
gde su D n i D p odgovarajui koeficijenti jonizacije elektrona i šupljina, respektivno, i K ( z) ®C2 , 0 zw (P.4.66)
° eN
uzimajui aproksimativnu zavisnost D n D 0 K K 0 , ( n ! 1 ), nai vezu izmeu probojnog ° D z C3 , w z w zn
n
¯ H
napona i parametara strukture za p-i-n prelaz sa Sl. P.4.6. ( PA N D ).
gde se konstante C1 , C2 i C3 dobijaju iz graninih uslova.
ePA z p
K ( z p ) 0 C1 (P.4.67a)
H
K (0 ) K (0 ) C2 C1 (P.4.67b)
eN D ( w zn )
K ( w zn ) 0 C3 (P.4.67c)
H
Prema tome, zavisnost elektrinog polja do koordinate je oblika:
ePA
° H z z p , z p z 0
°
° ePA z p
K ( z) ® , 0 zw (P.4.68)
° H
° eN D
° H z w zn , w z w z n
Sl. P.4.6 Profil primesa strmog p-i-n spoja ¯
292 293
Zamenom ovog rezultata u uslov proboja (P.4.63) dobijamo: 2H U b

zn (U b ) | w w2 (P.4.75)
eN D
D 0 § ePA · ª 0 º
zn w n w z
D0 § ND ·
n w n
³ K 0n © H ¹ «³z p
¸ « ( z z p ) dz z p ³ dz ¨ ³
n
K dz ¨
n n
¸ ( w zn z ) n dz »
K 0n © PA ¹ »¼ što zamenom u (P.4.70) daje
zp ¬ 0 w
(P.4.69)
D 0 § ePA z p · ª« z p §N z · z º
n n
ln J
¨ ¸ w¨ D n ¸ n » º §
n
w w2 2HU b / eN D · ln J
K 0n © H ¹ « n 1
¬
¨ P z ¸ n 1»
© A p¹ ¼
J 1 ª eN D
D0 «
¬H K0

w w2 2H U b / eN D » ¨ w
¼ ¨© n 1
¸
¸ J 1
(P.4.76)
¹
Iz jednaine globalne neutralnosti sledi PA z p N D zn , a kako je PA N D , imamo zn z p , pa
Ukoliko je w zn , tada na osnovu (P.4.73) imamo ( PA N D ):
izraz (P.4.69) dobija oblik
n § z ·
D 0 § eN D zn · ª z p § eN z · zn eN D ¨ w n ¸ | zn eN D w H U D U
n
z n 1 º ª zn º ln J (P.4.77)
¨ ¸ « w n » | D0 ¨ D n ¸ «w n 1» (P.4.70) © 2¹
K 0n © H ¹ ¬ n 1 n 1¼ © H K0 ¹ ¬ ¼ J 1
odakle je
Potrebno je još odrediti zavisnost zn (U ) , što se može postii korišenjem jednaine ukupnog H U D U
dipolnog momenta zn (U )
eN D w
(P.4.78)
w zn
HU b
³ U ( z ) zdz H U D U (P.4.71) zn (U b ) |
zp
eN D w
odnosno
w zn
Prema tome, izraz (P.4.70) dobija oblik
0
³ eP zdz ³
A eN D zdz H U D U (P.4.72) n
zp w §Ub · ln J
D0 ¨ ¸ w (P.4.79)
©U0 ¹ J 1
gde je U 0 napon inverzne polarizacije. Na osnovu izraza (P.4.72) dolazimo do kvadratne
jednaine po zn :
§N · eN
zn2 ¨ D 1¸ D zn eN D w H U D U 0 (P.4.73)
© PA ¹ 2
ije rešenje glasi:
2H U D U § 1 1 ·
w w2 ¨ ¸
e © PA N D ¹ 2H U D U
zn | w w2 (P.4.74)
§1 1 · eN D
ND ¨ ¸
© PA N D ¹
Pošto za probojni napon U b svakako važi U b U D , prethodni izraz možemo napisati u obliku
294 295
Površinske i kontaktne pojave. Heterospojevi – odabrani problemi
LITERATURA
1. Ashkroft N. W, Mermin N.D, "Solid State Physics", (Holt, Rinehart and Winston, New
York, 1976).
2. Anselm A., "Introduction to Semiconductor Theory", (Prentice-Hall, Englewood Cliffs,

NJ, 1981).
3. Bassani F., "Electronic States and Optical Transitions in Solids", (Pergamon, London,
1975).
4. - .., . ., " # # $ ", (&,
< @, 1977).
5. Davies J. H, "The Physics of Low Dimensional Semiconductors: an Introduction",

(Cambridge University Press, 1998).
6. Haug H., Koch S.W., "Quantum theory of the optical and electronic properties of
semiconductors", (World Scientific, 1990).
7. Harrison W.A, "Electronic Structure and the Properties of Solids: The Physics of the
Chemical Bond", (Dover, New York, 1989).
8. Ikoni Z., Milanovi V., "Poluprovodnike kvantne mikrostrukture", (Elektrotehniki

fakultet, Beograd, 1997).
9. Kasap S. O., "Principles of Engineering Materials and Devices", (McGraw-Hill, New

York, 1997).
10. , \. ., " # # $ ", (^@_ , < @, 1975).
11. Kittel C., "Quantum Theory of Solids", (John Wiley and Sons, New York, 1987).
12. Leighton R. B, "Principles of Modern Physics" (McGraw-Hill, Inc., New York, 1959).
13. Lundstrom M, "Fundamentals of carrier transport Second Edition", (Cambridge

University Press, 2000).
14. Madelung O., "Introduction to Solid State Theory", (Springer, New York, 1978).
15. Martin R. M., "Electronic Structure Basic Theory and Practical Methods", (Cambridge
16. Ng K. K, "Complete Guide to Semiconductor Devices", (Wiley, New York, 2002).
296 297
17. Patterson J. D., Bailey B. C, "Solid State Physics: Introduction to the Theory", 34. Tjapkin D, "Fizika elektronika i elektronska fizika vrstog tela", (Elektrotehniki
(Springer, 2007). fakultet, Beograd, 1988).
18. Peierls R. E, "Quantum theory of solids", (Clarendon Press, Oxford, 2001). 35. Tjapkin D., Smiljani M., Milanovi V., Ikoni Z, Inin D., "Zbornik problema iz
fizike elektronike i elektronske fizike vrstog tela", (Elektrotehniki fakultet, Beograd,
19. Pierret R. F, "Advanced Semiconductor Fundamentals", (Addison-Wesley, Reading, 1994).
MA, 1989).
36. Yu P.Y., Cardona M., "Fundamentals of Semiconductors Physics and Materials
20. Ridley B. K., "Quantum Processes in Semiconductors", (Clarendon, Oxford, 1988). Properties", (Springer, 2001).
21. Sander L. M., "Advanced Condensed Matter Physics", (Cambridge University Press, 37. Wang S., "Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics", (Prentice
2009). Hall, Englewood Cliffs, 1989).
22. Seeger K., "Semiconductor Physics", (Springer, 1997). 38. `q ., " # # $ ", (< @: <, 1977).
23. Seitz F., "The Modern Theory of Solids", (McGraw-Hill Book Company, New York, 39. Ziman J. M, "Principles of the Theory of Solids", (Cambridge University. Press,
1940). Cambridge, 1972).
24. Singh J., "Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures",

(Cambridge University Press, 2003).
25. Singh J., "Physics of Semiconductors and their Heterostructures", (McGraw-Hill, Inc.,
New York, 1993).
26. Singh J., “Semiconductor Devices: basic principles”, (Wiley, 2000).
27. Sze S. M., "Semiconductor Devices", (Wiley, New York, 1985).
28. Sze S.M., Ng Kwok. K., “Physics of semiconductor devices”, (Wiley-Interscience,

2006).
29. Sharma B. L., Purohit R. K, "Semiconductor Heterojunctions", (Pergamon, London,

1974).
30. Shockley W., Read W. T. Jr., "Statistics of the Recombinations of Holes and
Electrons", Phys. Rev. 87, 835 (1952).
31. Shur M., "Physics of Semiconductor Devices", (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, New
Jersey, 1990).
32. Streetman B. G., "Solid State Electronic Devices", (Prentice-Hall, Englewood Cliffs,
NJ, 1990).
33. Taylor P., "A Quantum Approach to Condensed Matter Physics", (Cambridge
298 299
INDEKS POJMOVA
akceptorski nivo 61
akceptorske primese 60-65, 208, 250, 256, 260, 272
akumulacija nosilaca 217, 249
aproksimacija totalnog osiromašenja 246, 251, 261, 267, 280, 285, 293
apsorpcija 184, 224
Bloch-ova teorema 10, 35, 71, 117, 121

Bohr-ov radijus 59, 60
Boltzmann-ova kinetika jednaina 135, 166
Born-von Karman-ovi granini uslovi 15, 16
Brillouin-ova zona 14, 15, 28, 88-90, 99, 106, 109
brzina drifta 148, 150, 160, 173
brzina generacije 195, 204, 205
brzina rekombinacije 195, 196, 199, 200, 203, 205
centar zahvata 202, 203

Corbino disk 174
ciklotronska frekvencija 166, 187
ciklotronska rezonancija 188, 189
Debye-eva besprimesna dužina 259

degeneracija 32, 33, 97, 98, 122, 123, 127, 156, 170
dielektrini pomeraj 255
difuziona struja 154, 210, 223
difuziona dužina 213
direktna polarizacija p-n spoja 267, 268
direktna rekombinacija 191, 192
dipolni momenat 265, 266, 269, 283, 294
disperziona relacija 7, 8, 13, 44, 70, 72, 76, 83, 111, 124, 128, 167, 187
donorski nivo 61, 131, 132
donorske primese 59, 61-63, 208, 245, 250, 256, 260, 272
dopirani poluprovodnik 60-62, 68, 135, 192, 237, 248, 250, 256, 260, 270, 273, 288
dozvoljene zone 1, 6-10, 34, 55, 57, 77, 79, 83, 101
driftovska struja 154, 210
efektivna masa 23-25, 44, 47, 60, 83, 86, 94, 186
efektivna masa lakih šupljina 48
efektivna masa teških šupljina 48
Einstein-ova relacija 153, 155, 230
ekskluzija nosilaca 217
ekstrakcija nosilaca 218
ekvienergetski elipsoid 26-28, 86, 179, 188
300 301
ekvienergetske površi 21, 26-29, 86, 103, 149 koeficijent difuzije 154, 155
elektrohemijski potencijal 137, 147, 154 koeficijent jonizacije 274, 278
elektronska struktura 1, 53, 109, 237 koeficijent termo-elektromotorne sile 147
elektronski afinitet 237, 238, 243, 244, 250 konstanta rešetke 1, 88
energetski procep 40, 44, 49, 50, 61, 115, 192, 202, 219, 221, 243, 250, 258 krivljenje zona 243, 248, 258, 272
energetski spektar 8, 9, 54, 61, 86, 166 Kronig-Penney-ev delta model 76, 77, 81
energija jonizacije 62 Kronig-Penney-ev pravougani model 54, 70, 73
energetske zone 1, 6, 7 kvadratna rekombinacija 200, 202
kvantno-mehanika srednja vrednosti 35, 37, 38
faktor neprozranosti 77, 82 kvazi-Fermi-jev nivo 193-195
faktor spinske degeneracije 61, 131, 204 kvazineutralnost 264
Fermi-Dirac-ova funkcija raspodele 17, 30, 32, 61, 86, 129, 135, 172, 193, 203
Fermi-jev nivo 17, 32, 98, 124, 128, 194, 205, 219, 243, 251 lake šupljine 45, 47, 48
fononi 87, 88, 151, 153, 164, 166 Landau-ov indeks 166
fundamentalni granini uslovi 3, 5, 74 lavinski proboj 272, 274, 275, 292
l-h prelaz 260
galvanomagnetne pojave 156 linearna rekombinacija 199, 200
generacija 191, 193, 198, 204, 221, 225, 232, 273 Lorentz-ov modela transporta 174
gustina stanja 15-17, 21, 27, 28, 45, 61, 93, 106, 115 Lorentz-ova sila 135
gustina struje naelektrisanja 141
gustina struje energije 142 magnetno polje 91, 135, 156, 160, 162, 163, 166, 173, 184
mgnetootpornost 161, 174
Hall-ov efekat 160, 162, 183 Maxwell-Boltzmann-ova funkcija raspodele 87, 159, 172, 207, 242
Hall-ova konstanta 161, 162, 164, 183 metalurški prelaz 261
Hamiltonian 36
hemijski potencijal 137, 143, 146, 153, 154, 170 nehomogeni poluprovodnik 256, 258, 260
heterospoj 237, 238, 241, 244, 247, 250, 252, 256 neravnotežna funkcija raspodele 135, 141, 143, 173, 193
heterospoj metal-poluprovodnik 241, 244, 274, 249 neravnotežna koncentracija nosilaca 191, 194, 196, 202, 222, 224, 229, 231, 234
heterospoj poluprovodnik.-poluprovodnik 250-252 n-tip poluprovodnika 69, 199, 201, 219, 221, 242, 249-252
homospoj 237
oblast iscrpljenja 68
indirektna rekombinacija 192, 202, 204 oblast prostornog naelektrisanja 246, 248, 255, 261, 265, 268, 272, 275, 280
injekcija nosilaca 215, 217, 229, 268
inverzna polarizacija p-n spoja 267, 268, 269, 271-274, 278 Peltier-ov koeficijent 146, 147, 170
izlazni rad 237, 238, 241, 243, 244, 249, 250 periodini granini uslovi 82
periodini potencijal 1-3, 8, 70, 117
jedinina elija 1, 15, 19 p-i-n spoj 285, 288, 292
jednaina kontinuiteta 210, 223, 227, 232 plitke primese 60, 61
jednaina totalne neutralnosti 63, 208, 255, 265, 294 p-n spoj 260, 261, 267, 272, 280
jednoelektronska aproksimacija 1, 7 pokretljivost 150, 154
površinska stanja 58, 221
Kane-ova relacija 122, 124, 127 površinska rekombinacija 221, 222, 232
kapacitivnost p-n spoja 268, 270, 271, 288 potpuna nedegeneracija 31, 46, 87, 151, 155, 194, 207, 244, 256
kinetiki koeficijenti 143, 145, 148, 167, 169 prividna masa gustine stanja 28
302 303
primesni poluprovodnik (videti: dopirani poluprovodnik) vakuumski nivo 55, 237, 240, 244, 251
probojni napon 278, 290, 292 valentna zona 26, 40-47, 50, 59, 61, 86, 191, 193, 202, 204, 248, 250, 251, 258, 273
profil primesa 261, 263, 265, 270, 281, 285, 289 vreme relaksacije 135, 141, 150-153, 162, 163, 184
p-tip poluprovodnika 69, 199, 201, 219, 226, 231, 242, 249, 250 vreme života neravnotežnih nosilaca 198-201, 209, 210
provodna zona 40, 44, 59, 60, 86, 91, 93, 103, 105, 111, 131, 166, 167, 191, 193
203, 237, 243, 245, 258, 273 Wronskian 5
rasejanje 87, 151, 153, 164, 166 zabranjene zone 1, 6-9, 11, 40, 54-56, 58, 119, 221
ravnotežna funkcija raspodele 135-137, 151, 172, 239 Zener-ov proboj 273
redukovani zonski dijagram 14, 90
rekombinacija 191-193, 195, 196, 199, 200, 202, 204
rekombinacioni centar 192, 202-204, 210, 222
Richardson-Dushman-ova formula 241
Schottky-jeva aproksimacija (videti i: aproksimacija totalnog osiromašenja) 241, 246

Schrodinger-ova jednaina 2, 3, 5, 9-11, 24, 35, 55, 70, 81, 249
Seebeck-ov efekat 147, 170
Shockley-Read model rekombinacije 202, 219
sopstvena koncentracija 48-50, 52, 62, 68, 88, 191, 257
sopstvena oblast 68, 69
sopstveni poluprovodnik 48-50, 59
specifina elektrina provodnost 93, 94, 147, 148, 150, 167, 184
spinska degeneracija 61, 131, 132, 204
spin-orbitna interakcija 47
srednja dužina slobodnog puta 168-170
strmi p-n spoj 280, 282, 284, 290, 292
šupljine 40, 43-48, 59, 63, 65, 174, 191-193

203, 212, 217, 222, 231, 234, 249, 257, 261, 274
talasna funkcija 3, 4, 9-12, 15, 19, 35, 37, 55-58, 71, 116
tamovska stanja 55, 58
tenzor inverzne efektivne mase 25, 26, 39, 40, 94, 189
termodinamika ravnoteža 191, 192, 196, 203, 208, 238, 242, 251, 258
termoelektrine pojave 143
termoelektronska emisija 237, 241, 279
teške šupljine 45, 47, 48, 51
Thomson-ova relacija 147
toplotna provodnost 146
trenutno vreme života 199, 201
tunelski proboj 272, 273
ubrzanje elektrona 38, 39, 273

ugraeni napon 267, 270
304 305

Fizicka Elektronika Cvrstog Tela 2010 PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Fizicka Elektronika Cvrstog Tela 2010 PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Jelena Radovanovi, Vitomir Milanovi

UNIVERZITET U BEOGRADU - ELEKTROTEHNIKI FAKULTET

Jelena Radovanovi, Vitomir Milanovi

Ovaj udžbenik nastao je na osnovu dugogodišnjih predavanja u okviru kursa Fizika

Beograd, maj 2010. Autori

2. TRANSPORTNI PROCESI 135

1. ZONSKA TEORIJA VRSTOG TELA

Pod vrstim telima podrazumevaju se materijali koji imaju sposobnost suprotstavljanja

1.1 DOZVOLJENE I ZABRANJENE ZONE

U skladu sa prethodnim pretpostavkama, posmatraemo idealno, homogeno i beskonano

Podrazumeva se da je svako (idealno) vrsto telo trodimenzionalno (3D), meutim direktna

Koristei relacije (1.5), i (1.6) možemo pisati:

< ( d2 ) O< ( d2 ) (1.7a)

y n (0) 0, y n ' (0) 1 (1.9b)

 y p y n ' (1  O ) 2  y p ' y n (1  O ) 2 0 (1.15)

Dakle, u opsegu energija E  [0 ,f) rešavamo Schrödinger-ovu jednainu uz fundamentalne

y p ( d2 ) y p (  d2 ), y p ' ( d2 )  y p (  d2 ) (1.11a) O2  2O[ y p y n ' y p ' y n ]  1 0 (1.19)

Uslov (1.22b) sa rešenjima za O1 i O 2 datim izrazima (1.23a) i (1.23b), za k  \ , postaje:

O1  O 2 eikd  e  ikd 2 cos(kd ) (1.26)

Poreenjem izraza (1.25) i (1.22b) zakljuujemo da je

odakle jednostavno sledi da je E (k ) E (k ) . Izraz (1.27) naziva se disperziona relacija za

f (E) y p yn ' y p ' yn ! 1 (1.28)

Na osnovu ovoga, uslov (1.22b) postaje:

ei ( k R ik I ) d  e i ( k R ik I ) d f (E) (1.31)

[cos(k R d )  i sin(k R d )]e  k I d  [cos(k R d )  i sin(k R d )]e k I d f (E) (1.32)

 kRd nS, n 0,1,2, ! (1.34)

Uz uslov (1.34), realni deo izraza (1.32) se može napisati u obliku:

cos( nS)  cosh( k I d ) f (E) (1.35)

odakle dobijamo disperzionu relacija za energije u zabranjenim zonama u konanom

(1) n cosh(k I d ) f (E) (1.36) Sl. 1.5. Zonski (trakasti) spektar

Talasni vektor u zabranjenim zonama možemo napisati u obliku:

Istim postupkom kao u prethodnom sluaju može se pokazati da je u k ( z  d ) u k ( z ) , kao i

2) U zabranjenim zonama je talasni vektor kompleksan, tj.

<1 ( z ) uk ( z )ei ( k R ik I ) z (1.54a)

<2 ( z ) u k ( z )e ik R z e k I z ,  <2 ( z )

Napomenimo da i za trodimenzionalnu strukturu važi parnost energije u odnosu na talasni

Za ovaj osnovni skup neekvivalentnih talasnih vektora uzima se opseg k  > dS , dS @ i on se

Posmatrajmo jednodimenzionalni model kristala prikazanog u obliku kruga, kao što je

Sl. 1.9 Beskonani 1D kristal u formi prstena

Zbog periodinosti strukture, talasne funkcije uzimamo u Bloch-ovoj formi: 1 L

< (2) u k (2)e ik 2 d , (1.67) 'Vk 'k x 'k y 'k z (1.75a)

< (0) <( N ) (1.68) (2S ) 3 8S 3

u k (0) 1 uk (0)e ikNd G

verovatnoa za to je f FD [ E ( k ), EF ] , i koji se nalaze na poziciji izmeu z i z  dz (za šta je odnosno

Kako je L Nd , konano se može zapisati:

< (k , z ) i energije E (k , EF ) nezavisne od orijentacije spina, koncentraciju elektrona na poziciji pa je

Uvedimo sada srednju koncentraciju nSR u okviru osnovnog perioda dužine d:

0 predstavljaju skup taaka u k-prostoru koje odgovaraju konstantnoj vrednosti energije.

U 3D sluaju broj elektrona koji imaju talasni vektor u intervalu (k x , k x  dk x ) , (k y , k y  dk y ) ,

dVk dS k dkA (1.99)

Konano, zamenom u (1.98) dobijamo broj stanja u zapremini V, u intervalu energije

potpuno analogan odgovarajuem izrazu za slobodnu esticu: Ponovo, po analogiji uvodimo:

što znai da je u ovom sluaju elektron slobodan ( U ( z ) 0 ), ali sa efektivnom masom

Ako je u pitanju beskonani poluprovodnik ili dielektrik, uvek se može tenzor 1

odnosno, u tom specijalnom sluaju efektivna masa postaje skalar:

G Sl. 1.11 Elipsoidne ekvienergetske površi

Deo zapremine koji odgovara intervalu energije ( E , E  dE ) nalazimo kao: 1

Dakle, gustina stanja za elipsoidne ekvienergetske površine ima formu:

Zamenom u (1.139) dobijamo:

predstavlja Fermi-jev integral indeksa ½. U opštem sluaju, Fermi-jev integral indeksa i

Detaljnije emo razmatrati dva karakteristina sluaja:

1) sluaj potpune nedegeneracije

Na osnovu prethodnog, izraz za koncentraciju možemo napisati u obliku ali tako da je

< ( d2 ) O< ( d2 ) (1.7a)

y p y n ' (1 O ) 2 y p ' y n (1 O ) 2 0 (1.15)

Dakle, u opsegu energija E [0 ,f) rešavamo Schrödinger-ovu jednainu uz fundamentalne

y p ( d2 ) y p ( d2 ), y p ' ( d2 ) y p ( d2 ) (1.11a) O2 2O[ y p y n ' y p ' y n ] 1 0 (1.19)

Uslov (1.22b) sa rešenjima za O1 i O 2 datim izrazima (1.23a) i (1.23b), za k \ , postaje:

O1 O 2 eikd e ikd 2 cos(kd ) (1.26)

odakle jednostavno sledi da je E (k ) E (k ) . Izraz (1.27) naziva se disperziona relacija za

f (E) y p yn ' y p ' yn ! 1 (1.28)

ei ( k R ik I ) d e i ( k R ik I ) d f (E) (1.31)

[cos(k R d ) i sin(k R d )]e k I d [cos(k R d ) i sin(k R d )]e k I d f (E) (1.32)

kRd nS, n 0,1,2, ! (1.34)

cos( nS) cosh( k I d ) f (E) (1.35)

(1) n cosh(k I d ) f (E) (1.36) Sl. 1.5. Zonski (trakasti) spektar

Istim postupkom kao u prethodnom sluaju može se pokazati da je u k ( z d ) u k ( z ) , kao i

<1 ( z ) uk ( z )ei ( k R ik I ) z (1.54a)

<2 ( z ) u k ( z )e ik R z e k I z , <2 ( z )

Za ovaj osnovni skup neekvivalentnih talasnih vektora uzima se opseg k > dS , dS @ i on se

u k (0) 1 uk (0)e ikNd G

verovatnoa za to je f FD [ E ( k ), EF ] , i koji se nalaze na poziciji izmeu z i z dz (za šta je odnosno

U 3D sluaju broj elektrona koji imaju talasni vektor u intervalu (k x , k x dk x ) , (k y , k y dk y ) ,

Deo zapremine koji odgovara intervalu energije ( E , E dE ) nalazimo kao: 1

³(V )<kG Hˆ 0 AdV 2i (V³) <kG wxk dV = 20 wk x (V³)<kG <kG dV 0

<( z) Ay p ( z ) By n ( z ) (1.256) f (E) 1

gde je p ( z ) periodina funkcija sa periodom d. Faktor e kI d

2 xy Bc x PA Bc x PA N D 0 (1.288) nejonizovanih atoma primesa jednake nuli:

=2 d 2 < ( z ) < (a) < (b)eikd (P.1.7a)

D2 E2 Problem 1.2. Elektroni se nalaze u jednodimenzionalnoj kristalnoj rešeci okarakterisanoj

2m0 (U 0 E ) 2m0 ( E U 0 ) y n (0) 0, y n ' (0) 1 (P.1.16b)

<( z) A cos(k w z ) B sin( k w z ), k w z ( a2 , a2 )

y p ( z ) C1 cosh[kb ( z a2 )] D1 sinh[kb ( z a2 )] što zamenom u (P.1.23) daje disperzionu relaciju

cos( E a / 2) 0 E a (2n 1)S , n 1, 2,! (P.1.39a)

sin( E a / 2) 0 E a 2nS , n 1, 2,! (P.1.35a) dok minimume zona odreuju izrazi:

d > f ( E a )@ cos( E a ) ( E a ) sin( E a ) G E1 E1max E1min (P.1.43a)

( E a ) 2min ( E a) 2max M2 2S M 2 (P.1.54)

d 2E d 2 cos(k0 d ) d 2 f ( E0 ) Da bismo odredili koeficijent neparabolinosti u okolini ekstremuma zone, posmatraemo

df df d ( E a ) ª cos( E a ) ( E a ) sin( E a ) º Ea Na osnovu (P.1.73) zakljuujemo da je u taki ekstremuma:

Problem 1.7. Izrazi za koncentraciju elektrona n Bc e( EF Ec ) kBT i koncentraciju šupljina