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1cm
1cm 2
2cm
Figura 1
L
R
A
Utilizando la formula anterior tenemos lo siguiente:
Caso 1: Elemento de Cobre
2cm
R 106 .cm. 0,000002
1cm2
Caso 2: Elemento de Germanio:
2cm
R 50.cm. 100
1cm2
Caso 3: Elemento de Mica:
2cm
R 1012 .cm. 2.000.000.000.000
1cm2
Los mejores conductores como lo son la plata, el cobre y el oro tienen un solo
electrón de valencia, los semiconductores tienen cuatro electrones de valencia y los
aislantes ocho. Como ejemplo observe la distribución electrónica del cobre (conductor),
el germanio y el silicio (semiconductores) en las figuras 2 y 3.
Los átomos del germanio y el silicio forman un patrón bastante definido que es
de naturaleza periódica (es decir, se repite en forma continua). Un patrón completo se
denomina cristal y el arreglo periódico de los átomos red. En el caso del germanio y el
silicio el cristal tiene la estructura tridimensional del diamante.
Figura 4:
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Sb: antimonio
Si Si Si
Impurezas del
grupo V de la Quinto electrón de
tabla periódica valencia del
(Pentavalentes) + antimonio
Si Sb
Si Si
A temperatura ambiente
todos los átomos de
Impurezas se encuentran
ionizados
Si Si Si
Impureza de Antimonio
Nótese que los cuatro enlaces covalentes aún están presentes, sin embargo, hay
un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza, el cual no está asociado con
algún enlace covalente particular. Este electrón unido débilmente a su átomo padre
(antimonio), a temperatura ambiente se libera y se puede mover más o menos con
cierta libertad dentro del material tipo N, esto quiere decir que se convierte en un
electrón libre.
Debido a que las impurezas pentavalentes pierden un electrón después de
enlazarse con cuatro átomos de silicio, éstas se convierten en iones positivos, por lo
que podemos representar un material tipo N como se muestra en la figura 8.
+
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
Impurezas
+
Sb
+
Sb
grupo V
+
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+ +
Sb
+
Sb +
Sb Sb
Al: aluminio
Impurezas del Si Si Si
grupo III de la Vacante ó hueco
tabla periódica
Si Al
Si Si
-
Si Si Si
Impureza de Aluminio
-
Al
-
Al -
Al -
Al
-
Al Al - Impurezas grupo III
-
Al -
Al
-
Al
-
Al
-
Al
-
Al
- -
Al
-
Al -
Al Al
Región de empobrecimiento
- - - + + + +
- - - + +
- + +
- - + +
- - - +
- + + + +
- - - +
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
- +
Figura 11: Resultado de la unión de un material tipo P a un material tipo N (El diodo).
En el momento que un material tipo P se une a uno tipo N, los electrones del
material tipo N cercanos a la unión pasan hacia el material tipo P y llenan algunos
huecos cercanos a la unión. Como resultado se forma una región donde no hay
electrones libres ni huecos.
El terminal positivo de la fuente de voltaje atrae los electrones libres del material
tipo N hacia la derecha y el terminal negativo atrae los huecos hacia la izquierda, como
resultado se obtiene que la región de empobrecimiento y barrera de potencial se
amplían, impidiendo la circulación de los portadores mayoritarios de de cada zona, por
lo que la corriente que circula es aproximadamente igual a cero.
Región de empobrecimiento
P - - - + + + + N
-
- - + +
- +
- +
- + +
- - -
- + +
- - + + +
- - +
I≠0
Figura 13: Polarización directa de un diodo.
En este caso el terminal positivo de la fuente de voltaje repele los huecos del
material tipo P hacia la derecha y el terminal negativo repele los electrones libres del
material tipo N hacia la izquierda, como resultado se obtiene que la región de
empobrecimiento y barrera de potencial disminuyen, por lo cual los electrones pueden
pasar desde el material N al P y viajar de hueco en hueco hasta llegar al terminal
positivo de la fuente, por este motivo ahora la corriente es diferente de cero y
dependerá del valor de la resistencia que se ha colocado para limitarla.