You are on page 1of 17

Maide UYGUR Veysi ÜLGER

141024022 141024039
İçindekiler

1. Zayıflatıcı Devrenin Tasarlanması .........................................................................................................1


1.1 1.5 mA'lik Akım Kaynağını Tasarlanması .......................................................................................1
1.1.1 1.5 mA’lik Akım Kaynağı Devre Şeması...................................................................................2
1.2 RS Direncinin Hesaplanması ...........................................................................................................3
1.3 Zayıflatıcı Devresi Devre Şematiği ..................................................................................................4
1.4 Devre Çıktı Grafikleri ......................................................................................................................5
2.Ortak Emitörlu Yükselteç Tasarlanması .................................................................................................6
2.1 Model Parametreleri ......................................................................................................................6
2.2 Alçak Kesim Frekansı, C1,C2,Cx ve CE Değerlerinin Belirlenmesi ...................................................8
2.3 Çıkış/Giriş Grafikleri ..................................................................................................................... 10
2.4 Yorumlama .................................................................................................................................. 11
3. Tasarımların Birleştirilmesi ................................................................................................................ 12
3.1 V = 15 sin(2π1200t)V için Grafik ................................................................................................. 12
3.2 V = 15 sin(2π100t)V Grafik .......................................................................................................... 13
3.3 Kapasitör ile Kesim Frekansları İncelenmesi ............................................................................... 14
Bu proje kapsamında bir zayıflatıcı devrenin ve bir ortak emetörlü yükselteç devresinin
tasarımı gerçekleştirilecektir. Tasarlanan devrelerin çalışma koşulları ayrı ayrı
analiz edilecek ve istenilen koşulların sağlanması durumunda söz konusu devrelerin bir
bütün olarak çalışmaları incelenecektir.

1. Zayıflatıcı Devrenin Tasarlanması


Bu aşamada giriş işaretinin genliğini düşürmek üzere bir zayıflatıcı devresi tasarlanmıştır.
Tasarımda kullanılacak devre modeli Şekil 1 ile gösterilmektedir.

1.1 1.5 mA'lik Akım Kaynağını Tasarlanması


Şekil 1 ‘de gösterilen zayıflatıcı devre modelinde yer alan akım kaynağının çıkışında
herhangi bir direnç olmadan zayıflatıcı devresine 1.5 mA akım sağlayabilecek şekilde pnp
transistörler (BC558) aracılığıyla basit akım kaynağı yapısı dahilinde bir devre tasarlandı.
Referans akımını ayarlamak üzere potansiyometre tercih edildi.

1
1.1.1 1.5 mA’lik Akım Kaynağı Devre Şeması

Devrede kullanılan potansiyometre 10kΩ değerindedir. %79 civarlarında ayarlandığında


zayıflatıcı devreye 1.5mA’lik bir akım sağlanmaktadır.

2
1.2 RS Direncinin Hesaplanması

𝑉o = 𝑉𝑖((𝑛.t) / (( 𝑛.𝑉t) + (𝐼.𝑅s)))

𝑅s =((𝑉𝑖.𝑛.𝑉t) − (𝑉0.𝑛.𝑉t)) / (𝐼.𝑉o))) = 51.798kΩ

1N4001 diyotunun idealite faktörü n=2 olarak ayarlandı. Giriş geriliminin genliğini 1500 kat
düşürecek zayıflatıcı devresi için R direnci değeri yukarıda hesaplanmıştır.

İdealite Faktörü Değişimi n=2

3
1.3 Zayıflatıcı Devresi Devre Şematiği

4
1.4 Devre Çıktı Grafikleri

Osiloskop görüntüsünde görüldüğü üzere giriş geriliminin genliği 1500 kat düşürülmüştür.
CH1 kanalı (Pk-Pk=29.9V) girişe bağlanmıştır. CH2 kanalı (Pk-Pk=20.1mV) çıkışa
bağlanmıştır.

5
2. Ortak Emitörlu Yükselteç Tasarlanması
Bu aşamada zayıflatıcı devresinin çıkış gerilimini güçlendirmek üzere bir ortak emetörlu
yükselteç devresi tasarlanacaktır. Tasarım için kullanılacak parametreler şunlardır;

2.1 Model Parametreleri


Tasarım için bazı parametreler transistörun iç yapısı ile ilgilidir ve uygulanabilmeleri için
transistörun model parametrelerinde değişimler yapılmıştır.

6
7
2.2 Alçak Kesim Frekansı, C1,C2,Cx ve CE Değerlerinin Belirlenmesi
Alçak kesim frekansının belirlenmesi;
𝜔𝐿 ≅1/ 𝑅1𝐶1+ 1 /𝑅2𝐶2+ 1 /𝑅𝐶𝐸x𝐶𝐸

𝜔𝐿 ≅ 1 /𝑅𝐶𝐸𝐶𝐸

Diğer Hesaplamalar;

𝑅𝐶𝐸 = 𝑅𝐸//𝑟𝜋 + (𝑅𝐼//𝑅1//𝑅2) 𝛽𝑂 + 1 ≅ 28.91Ω

𝐶1 ≅ 1 /𝑅𝐶1𝑥0.5=1 /2𝜋𝑥2.712𝑘Ω𝑥0.5≅ 117µ𝐹

𝐶2 ≅ 1/ 𝑅𝐶2𝑥0.5=1 /2𝜋𝑥9.885𝑘Ω𝑥0.5≅ 32.2µ𝐹

𝜔𝑓 =1/2𝜋(𝐶𝜋 + (1 − 𝐴𝑉)𝐶𝑥)(𝑅𝑠//𝑅𝐼) + 2𝜋(𝐶𝑜𝑏 + (1 −1/ 𝐴𝑉)𝐶𝑥)(𝑟𝑂//𝑅𝑐//𝑅𝐿)

𝐶𝑜𝑏 = 2.2pF

𝑔𝑚 =𝐼𝐶/ 𝑉𝑇= 0.9𝑚𝐴/ 26𝑚𝑉= 0.0347

𝑟𝑂 =𝑉𝐴/ 𝐼𝐶= 100𝑉/ 0.9𝑚𝐴= 111𝑘Ω

𝐴𝑉 = −𝑔𝑚(𝑟𝑂//𝑅𝑐//𝑅𝐿) = −𝑔𝑚(𝑅𝑐//𝑅𝐿) = −86.431

20log(86.431) = 38.7334 dB

𝜔𝑓 =1/2𝜋(15𝑝𝐹 + (1 + 86.5)𝐶𝑥)(𝑅𝑠//𝑅𝐼) + 2𝜋(2.2𝑝𝐹 + (1 +1 /86.5)𝐶𝑥)(111𝑘Ω//5𝑘Ω//5𝑘Ω)

200𝑘𝐻𝑧 =1/ 2𝜋(3.42𝑛𝐹 + (19.95𝑘)𝐶𝑥) + 2𝜋(5.4𝑛𝐹 + 2.5𝑘Ω𝐶𝑥)

𝐶𝑥 =1/ 2𝜋𝑥22.45𝑘𝑥200𝑘𝐻𝑧≅ 33.2𝑝𝐹

Devre şeması;

8
9
2.3 Çıkış/Giriş Grafikleri
Tasarladığımız devrenin giriş ve çıkış frekansının ve genliğinin osiloskop görüntüsü;

Orta bant kazancı hesabı;


𝐴𝑉 = −𝑔𝑚(𝑟𝑂//𝑅𝑐//𝑅𝐿) = −𝑔𝑚(𝑅𝑐//𝑅𝐿) = −86.431

20log(86.431) = 38.7334 dB

Buna göre bode grafikleri;


Alçak kesim frekansı;

107.413 Hz elde edilmiştir. İstenen değer 100 Hz’dir. Yaklaşık bir değer gözlemlenmiştir.

10
Yüksek kesim frekansı;

204.437 kHz elde edilmiştir. İstenen değer 200kHz’dir. Yaklaşık bir değer gözlemlenmiştir.

2.4 Yorumlama
Alçak ve yüksek kesim frekanslarının grafikten değerlerini gözlemledik. Hata hesabı
yapıldığında alçak kesim frekansı %6.9 hata payı ile hesaplanmıştır.
Yüksek kesim frekansının hata hesabı yapıldığında %2.21’lik bir hata payı
gözlemlenmektedir.

11
3. Tasarımların Birleştirilmesi
Bu aşamada, tasarlamış olduğumuz devrelerin bir arada çalışmalarını incelemek üzere
bu iki devreyi birleştirmemiz istenmektedir. Bu işlemi, zayıflatıcı devrenin çıkış sinyali
kuvvetlendirici devrenin giriş sinyali olacak şekilde gerçekleştirdik.
3.1 V = 15 sin(2π1200t)V için Grafik
Devre Şeması;

Grafik;

12
3.2 V = 15 sin(2π100t)V Grafik
Grafik;

Osiloskop görüntüsünden elde ettiğimiz genlik değerleri ile midband hesabı yapılır;
822 mV/14mV=58.71428571
20log(58.71428571)=35.37487564 dB
Elde ettiğimiz sonuca bakıldığında orta bant kazancından 3 dB az olduğu gözlemlenmiştir.

13
3.3 Kapasitör ile Kesim Frekansları İncelenmesi

Hesaplamalar;
𝑅𝐴 = 52𝑘 + 17.3Ω//30𝑘Ω//5𝑘Ω//5.78𝑘Ω = 52𝑘Ω

T𝐴 = 𝑅𝐴.𝐶𝐴 = 52𝑘Ω.10µ𝐹 = 0.52

𝑓𝐿 =1 /(0.52)2𝜋= 0.3𝐻𝑧

𝑅𝐵 = 52𝑘//17.3Ω + 30𝑘Ω//5𝑘Ω//5.78𝑘Ω = 2.4𝑘Ω

T𝐴 = 𝑅𝐴.𝐶𝐴 = 2.4𝑘Ω.10µ𝐹 = 0.024

𝑓𝐿 =1 /(0.024)2𝜋= 6.4Hz

Kesim Frekansları
Alçak kesim frekansı;

14
Yüksek kesim frekansı;

15

You might also like