INTERCALACION DE LITIO EN UN SEMICONDUCTOR III- G. Herren Fundacién Bunge y Born N.E, Walsie de Reca Divisin de Investigaciones en s6lidos (DINSO, ex PRINSO), Centro de Investigaciones Técnicas de las Fuerzas Armadas, Zufriategui y Varela, 1603 Villa Martelli, Buenos Aires. Se ofectué la litiacién directa de muestras monocristalinas de InSb, orientadas (111), de tipo n, indo n-butil-litio en solucién de hexano, a temperatura ambiente. El proceso de litiacién fue estudiado por difractometria de rayos X y con mediciones eléctricas. Los datos obtenidos de resis- tividad y de coeficientes de Hall permitieron determinar un coeficiente de difusién de litio en InSb a temperatura ambiente D,., por otros métodos. Se disct sibilidad del proceso. 1, INTRODUCCION La fisicoquimica de intercalacién constituye una herramienta fundamental para el desarrollo y pro- cesado de semiconductores con propiedades nue- vaso mejoradas y aplicaciones diversas y sorpren- dentes’, El objeto de este trabajo fue estudiar la li- tiacién espontanea del InSb monocristalino produ- cida por su inmersién en solucién de n-butil-litio (n-BL) en hexano a temperatura ambiente, carac- terizando el material con difractometria de rayosX. y mediciones eléctricas antes y después de la litia- cién. Se sugiere un mecanismo de intercalacién y se demuestra la reversibilidad del proceso. 2. PARTE EXPERIMENTAL 2.1. Caracteristicas del material empleado deun lingote monocristalinode InSb de 99,999% de pureza, se cortaron rodajas de 1m de diametro y de 0,5 cm de espesor. Las obleas fueron pulidas me- cénica y quimicamente realizéndose, posterior- mente, diagramas de difraccién de rayos X (méto- do de Laue) los que permitieron determinar la mo- nocristalinidad de las rodajas, su orientacién (111) ya ausencia de maclas. Las muestras fueron ata- cadas con reactivo CP-4 determinéndose la densi- dad de dislocaciones (8) en un rango 5,10* em*<6< 10°em®, Las medidas de resistividad y de efecto Hall fueron realizadas a 77K con el método de van der Pauw * en un equipo construido en la DINSO’. Los datos de resistividad (p), movilidad de Hall(y1,,) concentracién de portadores (n) y coe- ficientes de Hall (R,,) del material puro (InSb) se dan en la tabla I+, 2.2, Método de litiaci6n: El n-BL en solucién de hexano (0,26M) fue preparadoen el laboratorio’. 249» ANALES AFA Vol. 1 1,09 x 10* em*s"! de acuerdo con valores de literatura hallados ‘un probable mecanismo de interealacién y se demuestra la rever- La litiaci6n fue realizada en atmésfera controlada (N, seco), en caja de guantes, durante tiempos difé- rentes, a temperatura ambiente (T,). La reaccién quimica probable entre el n-BL y el InSb es: C,H, Lit 1/x InSb = Vx Li, InSb + V/2C,H,, (1) La concentracién de litio fue controlada eléctrica- mente en las diferentes etapas y, como las mues- traslitiadas demostraron estabilidad en atmésfera de nitrégeno pero no al aire, éstas fueron protegi- dasconuna pelicula de Mylar antes y durante la ex- posicién alosrayos Xy durante lasmediciones eléc- tricas. La concentracién de litio fue también con- trolada por espectroscopia de absorcién atémica. 3, RESULTADOS Y DISCUSION Magnitd | Unidades | dasbp | 14,108 med. a 7K | med 077K > | acm | sara | 16.10 | omives | crestor | dazi0 | em | aerioe | hor mR | erent | aoe Fl Tabla I La tabla I muestra los datos de las mediciones eléctricas del InSb litiado (Li, InSb) obtenidos a ‘77K. Se consideré que el InSb estaba saturado con Li cuando los datos de la p se mantenjan constan- tes. La reversibilidad del proceso se comprobé re- Pitiendo las medidas después de haber dejado las muestraslitiadasen una celda herméticamente ce- ‘SAN LUIS 1989 - 249rrada aT, durante tiempos diferentes. El grado de saturacién (s) est relacionado con el coeficiente de difusién del Li en InSb(D en em? s*), con el tiempo de migracién (t en s)y con el espesor de la muestra (den em) por la relaci6n &”; VRy(O-1/ Ry (i) _ 2 VDE 7R,@)-/R,@ a (2) donde: R,, (3), Ry(s) y R,(t) en em? coul son los valo- es del coeficiente de Hall (R,) en InSb puro, en InSb litiado a saturacién y en InSb litiado durante un tiempo t. ‘Nuestras experiencias de litiacién se realizaron solamente a 298K, determinéndose con (II) un co- eficiente de difusién de Li en InSb: Digg, = 1,09 « 10* cm*. s, en concordancia con el valor hallado por Takabatake y col. "por otro método. La compa- racién de ambos coeficientes de difusi6n fue posible porque las caracteristicas del InSb empleado en, ambos trabajos eran muy similares. Los resultados de difractometria de rayos X (Ko. Cu, filtro de Ni) se muestran parcialmente en la fi- gura 1 para el InSb puro (linea lena) y para el Li, InSb (linea de puntos). En esta tiltima se apre- cia facilmente el corrimiento de lospicos correspon- dientes a los espaciados d (A) de los planos (111), (220) y (311), debido a la intercalacién del Lien la red de InSb. En la Tabla II se ordenan los datos de los espa- ciados d (A) del InSb puro consignados en las Ta- blas Cristalogréficas Internacionales y los obteni- dos en este trabajo para el (InSb) p y_ para el Li, InSb. Con estos datos y empleando el anélisis por cuadrados minimos® se obtuvieron los parame- tros refinados del (InSbip y del Li InSb: a,=(6,477 £0,007) Ay a,= (6,575:0,009)A. Los voltimenes de las celdas unitarias de ambos materiales resulta- ron V,= 271,72 Aty V,= 284,24 A¥, respectivamen- te. La intercalacién de Li causé una expansién de red cibica unitaria del (InSb)p de (4,40 + 1,5)%. Simples consideraciones geométricas indican que el pequefio ién Li*(radio iénico: 0,60A) puede gene- rar tensiones en la red del InSb al intercalarse en los espacios (= 0,49 A) entre las capas que se orde- nan tetrahédricamente a lo largo de una de las, <111>. Por otra parte, la polaridad cristalografica de la red tipo blenda de cinc del InSb, que es carac- teristica de las estructuras no-centro-simétricas con coordinacién tetrahédrica sp*, favoreceria la ubicacién del Li* en estos sitios. Cuando se permitié la salida del Li del Li, InSb, en las condiciones descriptas ms arriba, se obtu- vieron difractogramas coincidentes con los origina- les, demostrandose también por este medio la rever- idad del proceso. 422287 (220) 42195315111 2024655 sa TaSb poro (Rel) Gasp Tininsb ai] uy [ om [aw [im | am] ie am [100 [an | 37a | ME| a7 | MP 2200] 80 | 200 | 2287 | F | ass] F 1953] 53 | a | 1950 | F | 979] F 1620] 16 | 400 | 1620 | D | 1,620] mp vase] 20} sax | 248 | D | 1,500] so use| 25 | 422 | aa22 | | 1250] mp rat] | si ee 11453] 10 | 440 | taese | mp] rosso] 12 | sax - |-fo-]- x23] 10 | 620 ee Tabla ds 2022375 \, 29:7359 20 Figura 1: Difractograma de rayos X (parcial) del (InSb)p (linea lena) y del Li InSb (linea de puntos). Radiacién: CuK, filtro:Ni 250 - ANALES AFA Vel. 1 SAN LUIS 1989 - 250! | 4, AGRADECIMIENTOS Agradecemos a la Dra. Perazzo (CNEA), al Dr. D. Batistoni (CNEA)y al Ldo. E. Heredia (CITEFA) por su asistencia en los difractogramas de RX, los andlisis de EAA y las mediciones eléctricas y al CONICET por el Subsidio PID No. 3-9135-01, otor- * gado'a uno de los autores (N.E.W. de R). 5. REFERENCIAS 1. “Intercalation Chemistry”. Eds. M.S. Witting- ham y AJ. Jacobson. Academie Press. N.Y. (4982). { 2. L. van der Pauw, Philips Res. Rep. 13 (1958) 1. 251 - ANALES APA Vol. 1 E. Heredia, “Construccién de un Equipo para Mediciones de Efecto Hall”. Tesis de Licencia- tura en Fisica. FACEN-UBA (1989) G. Herren y N.E. Walsée de Reca, “Lithium Intercalation in InSb” a publicar. C.E. Bawn y F. Whitby. Disc. Farad. Soc.2 (1947) 228. N.B. Hannay, “Semiconductors”, Reinhold Publish. Corp (1959) pag. 229. T. Takabatake, H.Ikari y Y. Uyeda, Japan J.Appl. Phys 5(1966) 839. NBS Circular 539, Vol IV. P-73 (1955). A. Guinier, “Theorie et Technique de la Radiocrystallographie”, Dunod, Paris (1964), pag, 221. SAN LUIS 1989 - 25: