U.N.M.S.

M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

 Cerna Cordero Franco Emmanuel  17190151

CURSO TEMA

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN C5488

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

INFORME FECHAS NOTA

REALIZACIÓN ENTREGA
PREVIO

7 DE NOVIEMBRE 14 DE
NUMERO DEL 2018 NOVIEMBRE
DEL 2018
6

GRUPO 3 PROFESOR

MARTES DE 2-4 PM ING. LUIS PARETTO QUISPE

I. TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR NPN C5488

II. OBJETIVOS:

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.

  Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar
NPN.

III. Introducción teórica.

TRANSISTOR BIPOLAR
Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición.
Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los
denominados PNP. A partir de este punto nos centramos en el estudio de los
transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento de los transistores PNP
totalmente análogo.

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora

más fuertemente dopada con donadores de electrones,
siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector.
Su función es la de emitir electrones a la base. La base es
la zona más estrecha y se encuentra débilmente dopada
con aceptores de electrones. El colector es la zona más
ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones
en cantidad intermedia entre el emisor y la base.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un
transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se encuentra
polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra
polarizado en inversa. En esta situación gran parte de los
electrones que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar ésta, debido a su
poco grosor y débil dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y es
transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, ésta depende exclusivamente de la tensión entre
emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a
un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la
corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de
colector, de forma casi independiente de la tensión entre emisor y colector.
Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa,
mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente
a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la
 corriente de colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar el
transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.

IV. RESOLUCION TEÓRICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

Trabajamos con el transistor C5488

 POLARIDAD: NPN
 MATERIAL: SILICIO (SI)
 GANANCIA DE CORRIENTE (β) =
β =200

Datos del circuito:

 Re=330Ω
 Rc=1kΩ
 R1=56KΩ
 R2= 22KΩ.
 Vcc= 12v

Hacemos el equivalente de Thevenin del

circuito:

(R1+P1)×R2
Rb =
(R1+P1)+R2

R2×Vcc
V = (R1+P1)+R2

Con este nuevo

circuito procedemos a
realizar las
operaciones de las
siguientes tablas.
OBSERVACIÓN: El
transistor C5488 está
hecho de SILICIO y es NPN, entonces su VBE (activa) y su “β” es respectivamente:
 VBE= 0.6v β = 200

TABLA 2

(Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω)
 Hallando el Rb:  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
R1×R2
Rb = R1+R2 Ic = (33.899 µA)(200)

56K×22K Ic = 6.779 mA
Rb = (56+22)K

Rb = 15.794k Ω  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)

Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re

 Hallando el V:
VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc
R2×Vcc
V= R1+R2 VCE = 12 – (6.779×10−3 +
33.899𝑥10−6 ).330- 6.779×10−3 ×103
22k×(12)
V = (56+22)𝑘
VCE = 7.469v
V = 3.3846 v
 Hallando VE:
 Hallando Ib:
VBE = VB - VE……. (VB = V)
V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re VE = V - VBE

3.384−0.6 VE = 3.3846 – (0.6)

Ib=15.794×103 +(200+1)330
VE = 2.7846 v
Ib = 33.899 µA

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) Β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K Ω)
2.7846
Teóricos 6.779 33.899 200 7.469 0.6
 TABLA 3
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 68k Ω)

 Hallando el Rb:
R1×R2
Rb = R1++R2  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Ic = (28.136µA) (200)
68K×22K
Rb = (68+22)K
Ic = 5.627mA
Rb = 16.623k Ω
 Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
 Hallando el V: Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
R2×Vcc
V= VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc
R1+R2

22k×(12) VCE = 12 – (5.627×10−3 +

V = (68+22)𝑘
28.136𝑥10−6 )330- 5.627×10−3 × 103

V = - 2.934 v VCE = 8.239v

 Hallando Ib:  Hallando VE:

V−VBE
Ib=
Rb+(β+1)Re
VBE = VB - VE……. (VB = V)

2.934−(0.6) VE = V - VBE
Ib=
16.623×103 +(200+1)330
VE = 2.934 – (0.6)
Ib = 28.136µA
VE = 2.334 v

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K Ω)

Teóricos 5.627 28.136 200 8.239 0.6 2.334

 TABLA 5

(Para P1 = 100K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(12)
V = (56+100+22)𝑘

V = 1.483 v

 Hallando Ib:
V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re

1.483−(0.6)
Ib=19.2808×103 +(200+1)330

Ib = 10.314µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (10.314µA) (200)
 Hallando el Rb:
(R1+P1)×R2 Ic = 2.062mA
Rb = R1+P1+R2
 Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
156K×22K
Rb = (56+100+22)K Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re

Rb = 19.2808k Ω VCE=Vcc -(Ic+Ib)×Re-Ic×Rc

VCE = 12 –
(2.062/1000+10.314/1000000).330-
2.062

VCE = 10.622 v
 (Para P1 = 250K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:

R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(12)
V = (56+250+22)𝑘

V = 0.8048 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

0.8048−(0.6)
Ib=20.524×103 +(200+1)330

Ib = 2.357 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (2.357 µA) (200)

Ic = 0.471mA

 Hallando el Rb:  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)

Rb =
(R1+P1)×R2 Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
R1+P1+R2

306K×22K
VCE= Vcc -(Ic+Ib)×Re-Ic×Rc
Rb = (56+250+22)K VCE = 12 –

(0.471. 10−3 +2.357×10−6 )×330-

Rb = 20.524k Ω
0.471

VCE = 11.685 v
 (Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(12)
V = (56+500+22)𝑘

V = 0.4567 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

0.4567−(0)
Ib=21.162×103 +(200+1)330

Ib = 5.223 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (5.223 µA) (200)

 Hallando el Rb: Ic = 1.044 mA

(R1+P1)×R2
Rb =  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
R1+P1+R2

Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
556K×22K
Rb = (56+500+22)K
VCE= Vcc -(Ic+Ib)×Re-Ic×Rc
Rb = 21.162k Ω
VCE = 12 –

(1.044×10−3 +5.223×10−6 )×330-

1.044

VCE = 11.302 v
 (Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(12)
V = (56+1000+22)𝑘

V = 0.245 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

0.245−(0)
Ib=21.551×103 +(200+1)330

Ib = 11.263µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (11.263 µA)(200)

 Hallando Rb: Ic = 2.252mA

(R1+P1)×R2
Rb = R1+P1+R2  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
1056K×22K Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
Rb = (56+1000+22)K
VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re
Rb = 21.551k Ω
VCE = 12 –

(2.252×10−3 +11.263×10−6 )×330-

2.252

VCE = 10.494v
Procedemos a llenar la tabla con los datos teóricos obtenidos:

P1 100K Ω 250K Ω 500K Ω 1M Ω

Ic(mA) 2.062 0.471 1.044 2.252

Ib(uA) 10.314 2.357 5.223 11.263

VCE (v) 10.622 11.685 11.302 10.494