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LIMA-2018
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1. MATERIALES
2. FUNDAMENTO TEÓRICO
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por
una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en
el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al
lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P
son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se
mueven y en consecuencia no hay corriente. El diodo se puede hacer trabajar de 2
maneras diferentes:
Polarización directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del
diodo), o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con
mucha facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito.
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Polarización inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la
flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el
diodo, y se comporta prácticamente como un circuito abierto.
Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, ésto quiere decir
que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los
casos), tanto en polarización directa como en polarización inversa.
3. PROCEDIMIENTO
3.1 Implementar el siguiente circuito
Polarización Directa
140
Corriente en el Diodo (mA)
120
100
80
60
40
20
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Tensión en el Diodo (V)
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Usando la ecuación del diodo, grafique la curva para los valores dados en las
tablas A y B.
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝐾.𝑇 − 1)
𝑉
De la fórmula: 𝑖 = 𝐼𝑠. ( 𝑒 𝑛𝑉𝑡 -1)
Para valores muy grandes de voltaje se puede eliminar el 1, obteniendo:
𝑉
𝑖 = 𝐼𝑠. ( 𝑒 𝑛𝑉𝑡 -1) … (𝛼)
Donde:
i = Corriente en el diodo
V= Voltaje en el diodo
n: Constante del diodo
Is: Corriente de saturación inversa
VT: voltaje térmico del diodo
Además, sabemos que:
𝑘𝑇
𝑉𝑇 = 𝑄
Dónde:
k =1.38 x 10−23
q = 1.6 x 10−19;
T = temperatura en grados kelvin = 298 k
1) Hallamos n:
Usando la ecuación 𝛽:
1
18.49 =
298.1.38 x 10−23
𝑛.
1.6 x 10−19
𝑛 = 2.10
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Corriente de Saturación
4
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Corriente
-2
-4
-6
-8
-10
Voltaje (V)
1) Hallamos Is:
Usando la ecuación 𝛾:
30.19 = 𝐿𝑛(𝐼𝑠)
𝑒 30.19 = 𝐼𝑠
𝐼𝑠 = 1.29 ∗ 1013
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4. CONCLUSIONES
-El cambio abrupto de dirección de la curva se debe al cambio de las escalas de corriente de
arriba hacia abajo del eje.
-la curva no es la misma que en una simulación. Ya que en el caso de este último. El diodo es
ideal, y en el caso real los diodos poseen factores como son la “resistencia de cuerpo y
resistencia interna”.
-La temperatura juega un rol importante en el accionar del diodo ya que a temperatura de
ambiente y si esta se incrementa, se produce una caída de tensión, lo cual es significativo
para una representación de en décimas de volts.