The IGBTs have some of the advantages the MOSFET. The BJT and the GTO combined.

Similar to the MOSFET, the IGBT has high impedance gate, which requires only a small
amount of energy to switch the device. Like the BJT, the IGBT has small on-state voltage
even in devices with large blocking voltage ratings (for example, V is 2-3 V in a 1000 V
device) .similar to the GTO, IGBTs can be designed to block negative voltages, as theie
idealized switch characteristic shown in 2-c indicate.
Insulated gate bipolar transistors have turn-on and turn –off times on the order of 1 S and are
available in module ratings as large as 1700 Vand 1200A . voltages ratings of up to 2-3 Kv
are projected.
Thyristors
•Most important type of power semiconductor device.
•Have the highest power handling
capability.they have a rating of 5000V / 6000A with switching frequencies ranging from
1KHz to 20KHz
 is inherently a slow switching device compared to BJT or MOSFET.
•Used as a latching switch that can be turned
on by the control terminal but cannot be turned off by the gate.
Gate Turn-off Thyristors
•Turned on by applying positive gate signal.
•Turned off by applying negative gate signal.
•On state voltage is 3.4V for 550A, 1200V GTO
.•Controllable peak on-state current I TGQ is the peak value of on-state current which can be
turned-off by gate control.

Applications of IGBT
•ac and dc motor controls
.•General purpose inverters.
•Uninterrupted Power Supply (UPS).
•Welding Equipments.
•Numerical control, Cutting tools.
•Robotics & Induction heating.

IGBTs memiliki beberapa keuntungan dari MOSFET. Gabungan BJT dan GTO. Mirip
dengan MOSFET, IGBT memiliki gerbang impedansi tinggi, yang hanya membutuhkan
sedikit energi untuk mengganti perangkat. Seperti BJT, IGBT memiliki tegangan on-state
kecil bahkan dalam perangkat dengan peringkat tegangan pemblokiran besar (misalnya, V
adalah 2-3 V dalam perangkat 1000 V). Mirip dengan GTO, IGBT dapat dirancang untuk
memblokir tegangan negatif , karena karakteristik saklar yang diidealkan yang ditunjukkan
dalam 2-c mengindikasikan.
Transistor bipolar gerbang terisolasi memiliki turn-on dan turn-off kali pada urutan 1 S dan
tersedia dalam peringkat modul sebesar 1700 Vand 1200A. peringkat tegangan hingga 2-3
Kv diproyeksikan.
Thyristor
• Jenis yang paling penting dari perangkat semikonduktor daya.
• Memiliki penanganan daya tertinggi
capability.they memiliki rating 5000V / 6000A dengan frekuensi switching mulai dari 1KHz
hingga 20KHz
• secara inheren merupakan perangkat switching yang lambat dibandingkan dengan BJT atau
MOSFET.
• Digunakan sebagai saklar latch yang dapat diputar
oleh terminal kontrol tetapi tidak dapat dimatikan oleh gerbang.
Gate Turn-off Thyristors
• Diaktifkan dengan menerapkan sinyal gerbang positif.
• Dimatikan dengan menerapkan sinyal gerbang negatif.
• Pada tegangan state adalah 3.4V untuk 550A, 1200V GTO
• Puncak terkontrol pada saat ini I TGQ adalah nilai puncak dari arus on-state yang dapat
dimatikan oleh kontrol gerbang.

Aplikasi IGBT
• Kontrol motor as dan dc
• Inverter tujuan umum.
• Catu Daya Tidak Terputus (UPS).
• Peralatan Pengelasan.
• Kontrol numerik, alat pemotong.
• Robotika & Pemanasan induksi.