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CAPITULO 13

CONTENIDO
13.1 La electrónica

13.2 El diodo
SISTEMAS ANALOGICOS
13.1.- LA ELECTRONICA
A) SISTEMAS ELECTRÓNICOS

Un sistema electrónico es una asociación de dispositivos, componentes y elementos


electrónicos interrelacionados destinados a satisfacer una necesidad.

En cualquier sistema electrónico hay que tener en cuenta las señales eléctricas que entran
y salen se un circuito, según la forma distinguiremos dos grandes grupos:

-Señales analógicas.- Son aquellas que presentan una gran cantidad de valores de manera
continuada a lo largo del tiempo (fig. 13.1). Por ejemplo, el tiempo, la temperatura, el
sonido, la intensidad de un transformador, etc.

-Señales digitales.- Son aquellas que presentan dos únicos valores extremos,
perfectamente identificables y diferenciados (fig. 13.2). Por ejemplo, un interruptor deja
o no pasar la corriente eléctrica, etc.

B) LOS SEMICONDUCTORES

En la electrónica el uso de materiales semiconductores es esencial ya que nos permite


controlar el paso de la corriente eléctrica. Los semiconductores por excelencia son el
germanio y el silicio, utilizándose mucho últimamente el arseniuro de galio.

Todos los semiconductores de silicio y germanio se caracterizan por tener 4 electrones en


su última orbita. Cuando estos átomos se combinan para formar un sólido, forman una
estructura ordenada llamada cristal.

Los semiconductores logran una estructura estable al compartir sus cuatro electrones de
valencia con cuatro electrones de átomos próximos, este es el llamado enlace covalente
tal como se representa en la figura 13.3

En un semiconductor de germanio y silicio puro, llamado intrínseco, a temperatura


ambiente hay alguno de estos enlaces covalentes que se rompe, por lo que se crea un
electrón libre por lo tanto en la estructura de enlaces tenemos la ausencia de un electrón
que se denomina hueco (le asignaremos carga positiva). El proceso mediante el cual se
libera un electrón libre y se crea un hueco se conoce con el nombre de generación. En
cambio cuando un electrón libre (carga negativa) se encuentra en un hueco y ocupa este
lugar se denomina recombinación.

Si aplicamos a los extremos de un material semiconductor una diferencia de potencial,


tendremos una circulación de cargas eléctricas. Los electrones libres serán atraídos por el
potencial positivo de la pila y los huecos se desplazaran hacia el polo negativo para
recombinarse con los electrones que suministra la pila (fig. 13.4).

Para aumentar la conductividad de los semiconductores se añaden impurezas; estos


semiconductores dopados con impurezas se denominan extrínsecos.

Las impurezas son átomos de unas sustancias que añadidas a los semiconductores, entran
a formar parte de su estructura cristalina y hacen aumentar la conductividad. Según el
tipo de impurezas que se haya añadido a los semiconductores extrínsecos, los
clasificaremos en dos grupos: semiconductores tipo p y semiconductores tipo n.

-Semiconductores del tipo p

Estos semiconductores nacen de la unión de un semiconductor puro con el boro, aluminio,


galio, indio con tres electrones en su capa de valencia (fig. 13.5).

En este tipo de semiconductores el número de huecos es muy superior al de electrones


libres y por lo tanto la conducción eléctrica se produce gracias a los huecos, que son los
portadores mayoritarios, mientras que el número de electrones, portadores
minoritarios, liberados por agitación térmica, es muy pequeño.

-Semiconductores del tipo n

Resultan de la combinación de un semiconductor puro con el antimonio, fosforo o el


arsénico, con cinco electrones en su capa de valencia (fig. 13.6).

En este tipo de semiconductores el número de electrones libres es superior al número de


huecos, por lo tanto la conducción eléctrica se produce gracias a los electrones, que son
los portadores mayoritarios, mientras que el número de huecos, portadores
minoritarios es muy pequeño.

ACTIVIDADES

1.- Explica la diferencia existente entre un enlace covalente y un enlace iónico.

2.- Explica que son los huecos y como se mueven.

3.- Busca información sobre los superconductores e indica sus aplicaciones.

13.2.- EL DIODO
A) LA UNION pn

Si ponemos en contacto un cristal semiconductor del tipo p y otro del tipo n los huecos y
los electrones se neutralizarán sólo en una región próxima a [a unión (figura 13.7). Eso
sucede porque los electrones del cristal n próximos a la unión se difunden por la sección
p y se combinan con los huecos más próximos. De esta manera, en esta región próxima a
[a unión quedan sin equilibrar iones negativos del cristal e iones positivos del cristal.
Como a ambos lados de [a unión se crean potenciales de signos contrarios, entre ellos se
establece un campo electrostático que recibe el nombre de barrera de potencial, que-"
impide que La corriente circule entre las dos zonas. La unión formada de esta manera se
denomina unión pn.

Pero la peculiaridad de este elemento es que si aplicamos a los extremos del cristal una
tensión bastante grande para que desaparezca [a barrera de potencial se crea una corriente
eléctrica a través del semiconductor. Esta acción recibe el nombre de polarización.
Aplicamos una polarización directa a una unión pn cuando conecta los et polo positivo
de la fuente de alimentación al cristal y el polo negativo al cristal n (figura 13.8). La
tensión de la fuente de alimentación repele los portadores mayoritarios de ambos cristales
y hace que [a barrera de potencial disminuya y que los electrones libres existentes en el
cristal del tipo n adquieran bastante energía para saltar al cristal del tipo p recombinándose
con los huecos. Eso produce una corriente de electrones que va desde el polo negativo
hasta el positivo.

Por el contrario, [a polarización inversa se lleva a cabo cuando conectamos el terminal


positivo de la fuente al cristal n y el negativo al cristal p (figura 13.9). El polo negativo
atrae los electrones del cristal p y el polo positivo los huecos del cristal n, y de esta manera
se sepan ambas cargas de la unión y se ensancha la barrera de potencial. El efecto que
produce es la falta de corriente al no circular electrones entre las bandas.

Llamaremos cátodo al terminal del diodo que corresponda a la zona n y ánodo al terminal
conectado a la zona p (fig. 13.10).
B) CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

Recuerda que recibe el nombre de curva característica de un elemento la gráfica que


representa la relación que existe entre la tensión aplicada y la corriente que circula por
este elemento.

Si nos fijamos en la representación Id =f (vd) para et diodo, podemos observar diferentes


partes (figura 13.11):

-En la polarización directa veremos que al comenzar a aplicar la tensión. la corriente no


crece hasta que la tensión no llega a un valor v llamado tensión de umbral, que depende
del material semiconductor empleado: Si (0,7 V) y Ge (0,3 V). En el momento en el que
la barrera de potencial desaparece, et incremento de la tensión supone un espectacular
crecimiento de la corriente.

-En la polarización inversa, la corriente es muy próxima a cero (teóricamente podremos


considerar cero esta corriente para hacer cálculos aproximativos). Eso sucede porque hay
una pequeña corriente de fuga a causa de los portadores minoritarios, Si aumentamos la
polarización inversa, suministramos tanta energía a los portadores minoritarios que al
aumentar su velocidad y chocar con otros átomos rompen los enlaces covalentes y
generan más portadores minoritarios, lo cual hace que la corriente aumente, Esta
corriente, generada por el efecto alud, puede llegar a destruir la unión pn. El valor del
voltaje inverso en el que se produce el efecto alud se denomina tensión de ruptura, que
para la mayoría de diodos es superior a 50 V.

En la figura 13.12 podemos ver un circuito equivalente a un diodo.

Si el diodo estudiado anteriormente fuese un diodo ideal (fig. 13.13), al comenzar a


aplicar una tensión muy pequeña en polarización muy directa dejaría pasar la corriente y
se comportaría como un cortocircuito (r=0) y en polarización inversa equivaldría a un
circuito abierto (r=infinito).

EJEMPLO 1:

Hallar Id y Vd en el siguiente circuito, si Vdd=5V y R=1KΩ, el diodo tiene una


corriente de 1mA a 0.7V n=2.
Considerando que el voltaje en el diodo es 0,7V y aplicando mallas:

Considerando que esta es la corriente I2 y que los valores iniciales son 1mA y 0,7 V,
aplicamos la ecuación de la diferencia de voltajes para hallar V2:

Ahora se vuelve a calcular la corriente por el diodo con este valor de voltaje:

Se calcula de nuevo el voltaje para esta corriente

Da el mismo valor anterior, por lo que éste es el resultado correcto

ID = 4,228 mA VD = 0,772V

C) RECTIFICADORES

Las propiedades que hemos visto en el diodo lo convierten en un componente adecuado


para ser utilizado como rectificador.
La rectificación consiste en [a obtención de una señal continua a partir de una señal alterna
sinusoidal generalmente obtenida a la salida de un transformador.

Para rectificar la señal podemos utilizar un diodo, ya que éste dejará pasar [a corriente en
un solo sentido (polarización directa), y se quedará bloqueado cuando la tensión aplicada
sea de polaridad contraria. Hay dos tipos de rectificadores: de medía onda y de doble onda
o de onda completo.

-Rectificador de media onda

La rectificación de media onda consiste en eliminar uno de los semiperíodos de la tensión


alterna aplicada en la entrada, y así en la salida se obtiene sólo el semiperíodo de la señal
deseada, positivo o negativo. Como podemos ver en la figura 13.15, el diodo soto deja
pasar la corriente cuando está polarizado directamente.

-Rectificador de doble onda

En la rectificación de doble onda, tenemos los dos semiperiodos de la tensión alterna


aplicada a la entrada en la salida, pero con la misma polaridad, es decir ambos positivos
o negativos.

Esta rectificación según el transformador que tengamos en la entrada del circuito, se


puede llevar a cabo mediante dos métodos: mediante un transformador con toma
intermedia o mediante un puente de diodos.

Para rectificar con un transformador con toma intermedia se necesitan dos diodos,
fijémonos en el circuito de la figura 13.16. Durante el semiperíodo positivo de la señal
alterna, el diodo D1 está polarizado directamente y conduce la corriente, mientras que el
diodo D2 está polarizado inversamente y queda bloqueado.
El rectificador con puente de diodos, también llamado puente de Graetz, está formado
por cuatro diodos (figura 13.17). Durante el semiperíodo positivo, D1 y D3 son
polarizados directamente y conducen la corriente, mientras que D2 y D4 se polarizan
inversamente y quedan bloqueados. En el semiperíodo negativo D2 y D4 son los que
conducen a D1 y D3 los que quedan bloqueados.

Fig. 13.17. Circuito rectificador de doble onda con puente de diodos


-Factor de forma y factor de rizado

Podemos ver que cuando las señales de tensión y de corriente salen del rectificador ya no
son sinusoidales, pero sí que son periódicas, es decir, son señales ondulatorias. Para
determinar la magnitud de estas ondulaciones deberemos estudiar dos coeficientes, el
factor de forma y el factor de rizado o grado de ondulación.

° Denominamos factor de formo Fr, de una magnitud ondulada, a la relación entre su


valor eficaz total y su valor medio.

° Denominamos factor de rizado Fr, de cualquier magnitud ondulada, a la relación


existente entre et valor eficaz de la ondulación y su valor medio.

Hay que recordar que cualquier medida efectuada por un aparato de corriente continua
indica el valor medio de la magnitud y que, efectuada por un aparato de corriente alterna,
indica el valor eficaz.

EJEMPLO 2:

Un puente rectificador de onda completa con una entrada senoidal de 120-Vrms tiene una
resistencia de carga de 1 KW.
a) si se utilizan diodos de silicio, ¿cuál es el voltaje dc disponible en la carga?
b) Determine el valor PIV que se requiere para cada diodo.
c) Encuentre la corriente máxima a través de cada diodo durante la conducción.
d) ¿Cuál es el valor de potencia que se requiere de cada diodo?

SOLUCION:
VT = 0.7 Volt, Vi = 120Vrms, Vipico =120Vx =169.7056 V
a) Si analizamos el circuito para el primer ciclo de la tensión de entrada, es decir, el
ciclo positivo tenemos.

- Vi + VT + VO + VT =0 => VOMAX = Vi – 2VT sustituyendo valores, nos


queda:
VOMAX = 169.7056 – 2(0.7) = 169.7056 – 1.4 = 168.3056 Vpico
VOMAX = 168.3056 Volt

Luego Vdc lo obtenemos de la siguiente relación


Vdc = 0.636(VOMAX) = 0.636 (Vi – 2VT) = 0.636(168.3056) = 107.0423 Volt
Vdc = 107.0423 Volt

b) Analizando la siguiente configuración

Si se asume que cada diodo es de silicio, y el voltaje máximo a través de RL VOMAX


PIV >= VT + VOMAX , para proteger al diodo se recomienda que el PIV sea mayor al
valor calculado

PIV >= 0.7 + 168.3056 = 169.0056 Volt PIV >= 169.0056 Volt
c) La corriente máxima a través de cada diodo se determina de la siguiente manera
Como esta es la corriente que circula por la resistencia durante el pico máximo de cada
semiciclo, también es la misma corriente máxima que circulara por cada diodo cuando
están activados.

d) La potencia de cada diodo se determina de la fórmula para la potencia P = VI


V = VT = caída de tensión del diodo en conducción

I = Id conducción =corriente máxima cuando el diodo está en conducción


PD = VT IMAX = (0.7)(168.3056mA)=117.8139 mW

Luego la potencia necesaria para cada diodo debe ser >= que la potencia para la IMAX,
es decir

PD >= 117.8139 mW

D) FILTROS

Una vez hemos rectificado la señal, si queremos obtener un valor medio superior y uno
de rizado menor, es decir, hacer más lineal la señal continua, deberemos utilizar un
circuito llamado filtro.
Su función es reducir el rizado y aumentar el valor medio de la tensión rectificada. El
filtro siempre se monta entre la salida de la señal rectificada y el estabilizador o la carga
(figura 13.18).

Fig. 13.18

-Filtro con condensador

Es el circuito más simple generalmente, se trata de un condensador electrolítico de gran


capacidad, convenientemente polarizado, situado entre la señal rectificada y la carga
(figura 13.19).
El condensador se carga a la tensión máxima que proporciona la rectificación. Cuando la
señal rectificada sea inferior al valor almacenado en el condensador este se descargará a
través de la resistencia de carga. Cuando la señal rectificada sea superior al valor
almacenado en el condensador este volverá a cargarse, y así sucesivamente.

El valor de tensión que tendremos en la carga se denomina de rizado y valdrá:

(Para media onda)

(Para onda completa)

Donde:

Vr= tensión de rizado en la carga en Vr Irl, = Intensidad de la corriente en la carga en A,


f= frecuencia de la red en Hz y C = Capacidad en μF.

Existen otras configuraciones de filtros, como pueden ser los filtros en L y en π (figura
13.20),

Fig. 13.19. Filtro con condensador

Fig. 13.20. Filtros en L y en π


g

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