Bai Giang DCLKDT PDF

Bài giảng DCLKĐT Các khái niệm cơ bản
CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN

1. Mạch điện
Mạch điện: một hệ gồm các thiết bị điện, điện tử ghép lại trong đó xảy ra quá trình
truyền đạt, biến đổi năng lượng hay tín hiệu điện đo bởi các đại lượng dòng điện, điện áp.
Mạch điện được cấu trúc từ các thành phần riêng rẽ đủ nhỏ, thực hiện các chức năng
xác định được gọi là các phần tử mạch điện. Hai loại phần tử chính của mạch điện là
nguồn và phụ tải.
- Nguồn: các phần tử dùng để cung cấp năng lượng điện hoặc tín hiệu điện cho
mạch.
VD: máy phát điện, acquy …
- Phụ tải: các thiết bị nhận năng lượng hay tín hiệu điện.
VD: động cơ điện, bóng điện, bếp điện, bàn là …
Ngoài 2 thành phần chính như trên, mạch điện còn có nhiều loại phần tử khác nhau
như: phần tử dùng để nối nguồn với phụ tải (VD: dây nối, dây tải điện…); phần tử làm
thay đổi áp và dòng trong các phần khác của mạch (VD: máy biến áp, máy biến dòng …);
phần tử làm giảm hoặc tăng cường các thành phần nào đó của tín hiệu (VD: các bộ lọc,
bộ khuếch đại…).
Trên mỗi phần tử thường có một đầu nối ra gọi là các cực để nối nó với các phần tử
khác. Dòng điện đi vào hoặc đi ra phần tử từ các cực. Phần tử có thể có 2 cực (điện trở,
cuộn cảm, tụ điện …), 3 cực (transistor, biến trở …) hay nhiều cực (máy biến áp, khuếch
đại thuật toán …).
2. Các đại lượng cơ bản
* Điện áp
Điện áp giữa 2 điểm A và B là công cần thiết để làm dịch chuyển một đơn vị điện
tích (1 Coulomb) từ A đến B.
Đơn vị: V (Volt)
UAB = VA – VB
UAB = - UBA
UAB : điện áp giữa A và B.
VA; VB: điện thế tại điểm A, B.
* Dòng điện
Trường ĐH GTVT TPHCM 1

Dòng điện là dòng các điện tích chuyển dịch có hướng. Cường độ dòng điện (còn
gọi là dòng điện) là lượng điện tích dịch chuyển qua một bề mặt nào đó (VD: tiết diện
ngang của dây dẫn …).
Đơn vị: A (Ampere)
Chiều dòng điện theo định nghĩa là chiều chuyển động của các điện tích dương (hay
ngược chiều với chiều chuyển động của các điện tích âm). Để tiện lợi, người ta chọn tuỳ
ý một chiều và kí hiệu bằng mũi tên và gọi là chiều dương của dòng điện. Nếu tại một
thời điểm t nào đó, chiều dòng điện trùng với chiều dương thì dòng điện mang dấu dương
(i > 0); còn nếu chiều dòng điện ngược chiều dương thì dòng điện mang dấu âm (i < 0).
3. Các định luật cơ bản của mạch điện
Định luật Ohm

Z
U: điện áp giữa 2 đầu mạch I
I: dòng điện chạy trong mạch

Z: tổng trở của mạch U
U = Z.I
u(t) = Z.i(t)
Định luật Kirchhoff
Nhánh: 1 đoạn mạch gồm một hay nhiều phần tử 2 cực nối tiếp với nhau trên đó có
cùng một dòng điện đi qua.
Nút (đỉnh): là biên của nhánh hoặc điểm chung của các nhánh.
Vòng: là một tập các nhánh tạo thành một đường khép kín
3.2.1 Định luật Kirchhoff 1
Tổng đại số các dòng điện tại một nút bất kỳ bằng 0.
Σ ± ik = 0
Trong đó quy ước: Các dòng điện có chiều dương đi vào
nút thì lấy dấu +, còn đi ra khỏi nút thì lấy dấu - ; hoặc ngược
lại.
Ví dụ :
i1 – i2 – i3 = 0
-i1 + i2 + i3 = 0
Định luật Kirchhoff 1 còn được phát biểu dưới dạng: Tổng các dòng điện có chiều
dương đi vào một nút bất kì thì bằng tổng các dòng điện có chiều dương đi ra khỏi nút
đó.
3.2.2 Định luật Kirchhoff 2

Tổng đại số các điện áp trên các phần tử dọc theo tất cả các nhánh trong một vòng
bằng 0.
Σ ± uk = 0
Dấu của điện áp được xác định dựa trên chiều dương của điện áp đã chọn so với
chiều của vòng. Chiều của vòng được chọn tuỳ ý. Trong mỗi vòng nếu chiều vòng đi từ
cực + sang cực – của một điện áp thì điện áp mang dấu +, còn ngược lại thì điện áp mang
dấu - .
Ví dụ:
UR3 + UC3 + e2 - UL2 – UR1 – e1 = 0 i3 i2
UR3 + UC3 - UL2 – UR1 = e1 – e2 C3 e2
t
1 di R3
R 3 i3 + ∫
C3 0
i 3 dt − L 2 2 + R 1 i1 = e1 − e 2
dt
i1 e1 R1
4. Các loại vật liệu điện

Chất dẫn điện
Là chất có khả năng để cho dòng điện đi qua. Các chất dẫn điện tốt: bạc, đồng,
vàng, nhôm,…
Chất cách điện
Là các chất không để cho dòng điện chạy qua. Chất cách điện tốt nhất là: thuỷ tinh,
sành, cao su, giấy,…
Chất bán dẫn
Là các chất mà cấu tạo nguyên tử ở tầng ngoài có 4 electron, chất bán dẫn có điện
trở lớn hơn chất dẫn điện nhưng nhỏ hơn chất cách điện. Các chất bán dẫn thông dụng là:
silic và gecmany.

Bài giảng DCLKĐT Chương 1: Điện trở
CHƯƠNG 1 ĐIỆN TRỞ

1. Tổng quan điện trở (Resistor)
Đặc tính điện và cấu tạo
1.1.1 Đặc tính điện
- Điện trở là linh kiện thụ động, có tác dụng cản trở dòng điện trong mạch tùy thuộc
vào trị số của nó.
- Khi có dòng điện chạy qua, dưới tác dụng nhiệt các điện trở sẽ bị nóng lên, do đó
điện trở còn được sử dụng để chuyển đổi điện năng sang nhiệt năng.
Vd: mỏ hàn, bếp điện…
- Ký hiệu:
R
- Đơn vị tiêu chuẩn Ω ohm
1
G= : điện dẫn – Đơn vị: Ω-1 hay Siemen (S)
R
- Hình dạng thực tế của điện trở:
-
1.1.2 Cấu tạo
Cấu tạo thông thường của điện trở như sau:
Vật liệu cản điện
Vỏ cách điện
Đế lõi
Đầu ra

Các tham số cơ bản của R.

1.2.1 Trị số danh định
- Đặc trưng cơ bản của điện trở là trị số của nó. Điện trở có trị số càng lớn (hay sức
cản điện, trở kháng) sẽ cản dòng qua nó càng nhiều.
U
Định luật Ohm: I = , A (ampere)
R
1M Ω = 103 K Ω = 106 Ω
- Trị số của điện trở được các nhà chế tạo ghi lên thân của điện trở bằng chữ số hay
vòng màu.
- Người ta không thể chế tạo các điện trở có đủ tất cả các trị số từ lớn đến nhỏ mà
chỉ chế tạo các điện trở có trị số tiêu chuẩn.
Thí dụ:
1 1, 2 1,5 1,8..
1K Ω 1, 2 K Ω 1,5 K Ω 1,8 K Ω
1M Ω 1, 2 M Ω ... ...
... ... ... ...
- Nếu muốn các giá trị danh định khác, ta phải mắc nối tiếp hoặc song song nhiều
điện trở.
• Mắc nối tiếp: R = R1 + R2 + ..
1 1 1
• Mắc song song: = + + ...
R R1 R2
1.2.2 Dung sai (Độ chính xác):

Là sai số của giá trị thực so với giá trị danh định.
Thí dụ: R = 10 K Ω có dung sai ±10 0 0 . Giá trị thực của R ∈ [9 K Ω;11K Ω ]
- Tùy theo công dụng mà người ta chia thành các cấp chính xác như sau:
• Điện trở thường: ±20 0 0 , ±10%, ±5% .
• Điện trở chính xác: ±2%, ±1%, ±0.5%
• Điện trở chính xác cao: ±0.1%, ±0.05%
1.2.3 Công suất.

- Công suất định mức là công suất tiêu tán tối đa của điện trở mà tại đó không làm
hỏng nó.

V2
- Công suất của R: P = RI 2 = (W : Watt)
R
- Nếu quá công suất chịu đựng thì có thể xảy ra tăng hay giảm điện trở hoặc xảy ra
hiện tượng đánh thủng.
- Công suất chịu đựng tối đa Pmax tùy thuộc vào:
• Kích thước điện trở (kích thước càng lớn -> công suất càng lớn).
• Kỹ thuật giải nhiệt.
• Tuỳ thuộc vào nhiệt độ: TA (nhiệt độ môi trường) và TC (case: nhiệt độ vỏ điện
trở)
Thí dụ: Đường cong giảm công suất.
Pmax
T0A
0 0
0 25 C 100 C
Để làm giảm ảnh hưởng của điện trở vào nhiệt độ người ta có thể quấn lá nhôm quanh
R để tản nhiệt.
- Nếu biết Pmax ta có thể tìm Vmax: điện áp chịu đựng cực đại
Vmax = Pmax .R (Với áp DC)
Bảng qui ước về màu sắc của R:
Màu Trị số Dung sai

Đen 0 ±20%
Nâu 1 ±1%
Đỏ 2 ±2%
Cam 3
Vàng 4
Lục (Xanh lá) 5
Lam (Xanh dương) 6
Tím 7
Xám 8

Trắng 9
10-1
Vàng kim ±5%
-2
10
Bạc ±10%
- Đọc trị số:

Voøng maøu
Maøu 1 2 3 Dung
sai
- Vòng màu thứ 3 (đối với điện trở có 3 hay 4 vòng màu) và vòng màu thứ 4 (đối
với điện trở có 5 vòng màu) chỉ hệ số mũ.
- Nếu màu vàng kim hoặc màu bạc ở vòng thứ 3 (đối với điện trở 4 vòng màu)
hoặc ở vòng thứ 4 (đối với điện trở 5 vòng màu) thì trị số tương ứng là:
Vàng kim: -1
Bạc: -2
Ví dụ: Đỏ - Xám – Nâu: 28.101 => Giá trị của điện trở: 28 Ω
Nâu – Đen – Đỏ - Bạc: 10.102 ±10% => Giá trị điện trở: 1KΩ , sai số 10%.
Đỏ - Cam – Tím – Đen – Nâu: 237.100 ±1% => Giá trị điện trở: 273Ω , sai số 1%.
2. Công thức tính điện trở:

2.1 Theo vật liệu chế tạo
- Nếu là điện trở của cuộn dây: Trị số điện trở của cuộn dây dẫn phụ thuộc vào vật
liệu, tỷ lệ thuận với chiều dài và tỷ lệ nghịch với tiết diện dây.
l
R=ρ ρ : điện trở xuất Ωm 2 / m 
S
l : chiều dài dây dẫn [m]
S : tiết diện dây [m2]
Thí dụ: Tìm điện trở của 1 dây dẫn dài 6.5m, đường kính dây 0.6mm, có ρ = 430nΩm .
Dựa vào công thức ta tìm được R = 9.88Ω
2.2 Theo lý thuyết mạch:
Định luật Ohm:
U
R= (Ω)
I

Khi có dòng điện chạy qua 1 vật dẫn điện thì ở hai đầu dây sẽ phát sinh 1 điện áp U tỷ
lệ với dòng điện I.
2.3 Theo năng lượng:
Khi có dòng điện qua R trong 1 thời gian t thì R bị nóng lên, ta nói R đã tiêu thụ 1
năng lượng: W = U.I.t
→ W = R.I 2 .t J hoặc W.s
Ta thấy rằng t càng lớn thì điện năng tiêu thụ càng lớn.
3. Phân loại điện trở.

3.1 Theo vật liệu điện trở:
• Than graphite: bột, màng, chất cách điện…
• Hợp kim: dây điện trở…
• Oxide kim loại
• Cermit (Ceramic metal): kim loại gốm
• Màng kim loại.
3.2 Theo cấu tạo:
Cấu tạo thông thường của điện trở như sau:
3.2.1 Điện trở than ép (nén) RTN:
Đây là loại điện trở được sử dụng nhiều nhất trong các mạch điện tử.
- Nó được chế tạo bằng cách trộn bột than chì và keo cách điện theo 1 tỷ lệ nhất
định để cho các trị số khác nhau. Sau đó được nung nóng, ép lại thành từng thỏi
khối hình trụ tròn, hai đầu có dây dẫn ra để hàn nối. Ngoài cùng người ta sơn các
vòng màu khác nhau để phân biệt trị số của điện trở.
- Đặc điểm của loại điện trở này là dễ chế tạo -> rẽ tiền -> thông dụng.
Tuy nhiên nó có dung sai khá lớn (khoảng ±20% ). Nhiệt độ làm việc dưới 1000C.
Công suất 1/4W -> 4W.
3.2.2 Điện trở dây quấn RD:
- Loại này được làm bằng hợp kim NiCr (hệ số nhiệt nhỏ) quấn trên lõi cách điện
bằng Amiăng, đất nung, sành sứ…. Bên ngoài được phủ một lớp nhựa cứng và
một lớp sơn cách điện.
- Đặc điểm của điện trở dây quấn là loại điện trở cần trị số nhỏ hay cần dòng chịu
đựng cao: trị số 0,1Ω → 10Ω sai số nhỏ ( ±5% ) có thể đạt tới ±0.1% → chịu được
công suất lớn (vài W -> vài chục W) nên được gọi là điện trở công suất. Nhiệt độ
tối đa sử dụng khoảng 1250C.

3.2.3 Các loại điện trở khác

Điện trở than màng mỏng kim loại: Dùng chất Ni – Ca có trị số ổn định hơn điện
trở than, giá thành cao. Công suất thường là 1/2W.(RKM)
Điện trở oxide kim loại: dùng chất oxide thiếc chịu được nhiệt độ cao và độ ẩm
cao. Công suất thường là 1/2W.(ROKM)
Điện trở màng vi điện tử.(RMV)
Điện trở dán bề mặt (Surface mount resistor).(RBM)
……………
3.3 Phân loại theo công dụng
3.3.1 Biến trở: (Variable resistor)

Biến trở là điện trở có thể thay đổi được. Biến trở có thể ở dạng kiểm soát dòng
hay dạng chiết áp.
Biến trở dạng kiểm soát dòng công suất lớn dùng loại dây quấn. Ít gặp trong các
mạch điện tử. Chúng có ký hiệu như hình vẽ.
Biến trở thường dùng hơn là biến trở than hay còn được gọi là chiết áp. Chiết áp là
loại điện trở được sử dụng khi thường xuyên cần thay đổi trị số. Có ký hiệu như hình
vẽ.
Loại kiểm soát dòng Loại chiết áp
Phần tử chính của biến trở là một con chạy trượt tiếp xúc với bề mặt của điện trở.
Kế cấu con chạy có thể theo kiểu xoay (biến trở xoay) hoặc theo kiểu trượt (biến trở
trượt).
Cấu tạo của biến trở: Người ta tráng một lớp than mỏng lên hình vành cung bằng
bakelit, 2 đầu lớp than là hai cực A, B của biến trở. Ở giữa có một con chạy bằng kim
loại tiếp xúc lớp than, con chạy xem như là cực thứ 3 của biến trở. Trục xoay được
gắn liền với con chạy. Khi trục xoay (chỉnh biến trở) -> con chạy di động trên lớp
than làm cho trị số của biến trở thay đổi.
Vậy: Khi ta chỉnh biến trở bằng tay, trị số điện trở giữa AC và BC thay đổi, nhưng
trị số của AB không đổi do nó là trị số của điện trở.
- Ngoài ra cũng có loại biến trở kép (cùng một trục điều khiển con chạy).
- Thường biến trở được chế tạo từ 5Ω → 5M Ω , công suất tối đa 2W.

- Lưu ý: ngoài các đặc tính tương tự như điện trở cố định, chiết áp còn có thông số
cơ bản nhất là luật điện trở. Luật điện trở cho biết trị của điện trở thay đổi thế nào
khi ta xoay con chạy của chiết áp.
Góc quay Tuyến tính
Loga
Điện trở
• Nếu quan hệ trong góc quay chiết áp và trị số thay đổi tuyến tính thì loại này gọi là
chiết áp tuyến tính. Ứng dụng để điều chỉnh âm lượng…
• Nếu quan hệ giữa góc quay chiết áp và trị số có luật thay đổi không tuyến tính
(loại loga) dùng để điều chỉnh âm lượng để đạt sự thay đổi từ từ, không bị chói tai
như dùng chiết áp loại tuyến tính.
- Cách đo điện trở: Dùng ở chế độ đo nguội, đồng hồ ở vị trị đo Ohm. Chập 2 que
đo, chỉnh về zero bằng nút Adjust. Chập 2 que đo vào 2 chân ngoài ( 1 và 3) đo trị
số cố định. Dùng 1 trong 2 chân đặt vào chân giữa (chân nối với trục xoay) từ từ
xoay trục của biến trở theo chiều kim đồng hồ và ngược lại. Nếu:
• Kim VOM lên xuống 1 cách đều đặn -> biến trở tốt.
• Kim VOM không thay đổi -> biến trở hư.
• Trong quá trình xoay có vài vị trí kim bị chựng lại hay nhảy vọt: biến trở mòn, dơ
-> tiếp xúc xấu.
3.3.2 Nhiệt trở (Thermistor)
Nhiệt trở là loại điện trở mà tính chất và các thông số của nó phụ thuộc vào nhiệt
độ.
Ký hiệu: PTC
Th t0
1 1
RT1 β − 
Công thức: =e  T1 T2 
RT2
T1, T2 (0K)
β : phụ thuộc vật liệu chế tạo.
Có hai loại nhiệt trở:
Nhiệt trở dương PTC (positive Temperature Coefficient): còn được gọi là nhiệt trở
có hệ số nhiệt dương. Tính chất của PTC là điện trở tăng khi nhiệt độ tăng và ngược lại.

Có rất nhiều dạng như: hình đĩa, hình hạt đậu hay hình trụ có đầu hơi nhọn…
- Ứng dụng: nhiệt trở PTC thường được dùng để bảo vệ mạch khỏi bị quá dòng (ổn
định dòng), ổn định điều kiện làm việc trong các mạch khuếch đại (đặc biệt là các
mạch khuếch đại công suất). Nếu vì lý do nào đó dòng điện trong mạch tăng lên,
PTC có nhiệt độ tăng -> R tăng -> I giảm xuống.
- Đặc tuyến: RT ( Ω )
RT = f(t0)
t0(C)
Nhiệt trở âm NTC (Negative temperature coefficient): NTC còn được gọi là nhiệt
độ có hệ số nhiệt âm. Tính chất của NTC là: điện trở giảm khi nhiệt độ tăng và ngược lại.
Nhiệt trở NTC được chế tạo từ các hợp chất như: mangan – đồng…
- Đặc tuyến: RT ( Ω )
t0(C)
- Ứng dụng: nhiệt trở âm được sử dụng nhiều trong kỹ thuật điện tử. Nó thường
dùng để điều chỉnh nhiệt độ, trung hoà các thành phần khác không của mạch điện
làm việc ở các khoảng t0 khá rộng ( ổn định nhiệt cho các tầng khuếch đại công
suất).
Ngoài ra nhiệt trở còn có chức năng đặc biệt như: đo năng lượng phóng xạ, năng
lượng áng sáng mặt trời, năng lượng các tia đặc biệt …-> nó đóng vai trò một chỉ báo
trong thiết bị.
• Cách đo thử điện trở:
Đo Ohm của điện trở, sau đó làm nóng nhiệt trở:
Loại NTC: trị số của điện trở sẽ giảm.
Loại PTC: trị số của điện trở sẽ tăng.
3.3.3 Điện trở tùy áp VDR: (Volt Dependent resistor hay Varistor)
Vật liệu cấu tạo: SiC (Silicon – Carbon)
V V
VDR
VDR là loại điện trở có trị số phụ thuộc và điện áp đạt vào nó:
• Khi điện áp đạt vào dưới trị số qui định thì VDR có trị số điện trở rất lớn ( R → ∞ )
coi như hở mạch.
• Khi điện áp tăng lên quá cao thì VDR có trị số giảm xuống còn rất thấp ( R → 0 )
xem như ngắn mạch.
Đặc tuyến: I
-V V
-I
Đặc tuyến làm việc

Ứng dụng:
• VDR thường được mắc song song với các cuộn dây bị mất dòng điện qua đột ngột,
tránh làm hỏng các linh kiện khác trong mạch.
• Giới hạn điện áp:
100 VAC
• Nén giản tín hiệu: R

R
AC AC AC
AC
3.3.4 Điện trở cầu chì: (Fusistor)

Điện trở cầu chì thường được mắc ở các đường mạch nguồn. Khi dòng qua R lớn,
dòng sẽ làm đứt điện trở này, mạch sẽ cắt được dòng. Nhờ đó mạch bị cắt nguồn và được
bảo vệ khi có sự cố (điện thế tăng hay cắm lộn điện). Fusistor thường có trị số nhỏ
(khoảng vài Ω ).
3.3.5 Trimmer
- Trimmer gồm:
Phần tử điện trở.
2 đầu ra.
Tiếp điểm di chuyển được (con trượt).

Trục chỉnh (trục, ốc chỉnh, trục quay).
- Có 2 nhóm trimmer: loại chỉnh 1 vòng và nhiều vòng.
- Các ứng dụng của trimmer:
Loại mạch Các thí dụ sử dụng
Nguồn điện - Chỉnh điện áp.
- Điều chỉnh giới hạn dòng.
Op – amp - Chỉnh offset .
- Chỉnh độ lợi ( độ khuếch đại)
Mạch số - Trì hoãn thời gian trong mạch monostable.
- Chỉnh sai số (offset) trong mạch tế bào quang.
Thiết bị đo - Cân chỉnh Volt kế số.
- Chỉnh trigger, định thì và các mạch khác trong các
máy phát tín hiệu vá các dao động ký
- Loại trimmer 1 vòng hay nhiều vòng? Loại nhiều vòng chính xác hơn.
- So sánh trimmer loại cermit và dây quấn: phần tử điện trở của trimmer có thể được
tạo từ một số vật liệu. Có 2 loại vật liệu thông dụng nhất là cermit và đồng; tương
ứng là trimmer cermit và trimmer dây quấn.
Tùy theo yêu cầu sử dụng mà ta chọn lựa loại trimmer nào. Bảng sau cho ta thấy so
sánh giữa 2 loại trimmer (chỗ nào có đánh x chỉ tốt hơn).
Cermit Dây quấn

Dãi điện trở. 10Ω ÷ 5M Ω 10Ω ÷ 50K Ω
Hệ số nhiệt độ thấp x
Tiêu tán công suất cao x
Độ ổn định điện trở. x
Độ chính xác chỉnh. x
Điện kháng thấp trong mạch hồi tiếp. x
Giá thành thấp hơn. x
Kích thước nhỏ hơn. x
Nhiễu trong khi chỉnh x

4. Ứng dụng chung của điện trở

- Trong sinh hoạt, điện trở được dùng để chế tạo các dụng cụ điện như: bàn ủi, bếp
điện, bóng đèn, nồi cơm điện…
- Trong công nghiệp, điện trở dùng để chế tạo các thiết bị sấy, sưởi, giới hạn dòng
khởi động của các động cơ.
- Trong lĩnh vực điện tử, điện trở dùng để giới hạn dòng điện hay tạo sự giảm thế.

Bài giảng DCLKĐT Chương 2: Tụ điện
CHƯƠNG 2 TỤ ĐIỆN
1. Tổng quan:
Cấu tạo của tụ điện:
Về cơ bản tụ điện gồm hai bản cực kim loại đối diện nhau và phân cách ở giữa chất
cách điện mà còn được gọi là chất điện môi (dielectric).
Chất điện môi có thể là không khí, chất khí, giấy (tẩm), màng hữu cơ, mica, thủy
tinh hoặc gốm, mỗi loại có hằng số điện môi khác nhau, khoảng nhiệt độ và độ dày khác
nhau.
i C
Kí hiệu: C – Đơn vị Farah (F).
Điện tích giữa hai bản tụ được xác định: + u -
q(t) = Cu(t)
Khái niệm chung

 Trị số điện dung C: khả năng chứa điện của tụ điện được gọi là điện dung (C).
 Đơn vị của C: Fara (F), F lớn nên trong thực tế thường dùng đơn vị nhỏ hơn µF,
nF, pF 1F = 10 6 µF = 10 9 nF = 1012 pF
- Theo quan điểm vật liệu: Điện dung C (Capacitor hay Condenser) của tụ điện tùy
thuộc vào cấu tạo và được tính bởi công thức:
S
C =ε
d
Với: C: điện dung {F}
S: diện tích của bản cực {m2}.

D: khoảng cách giữa hai bản cực {m}.

ε : là hằng số điện môi và ε = ε r .ε 0 ( ε r là hằng số điện môi tương đối; ε 0 là hằng
số điện môi không khí, ε 0 = 8.85 ×10−12 (F/m).
- Theo quan điểm lý thuyết mạch: tỷ số giữa điện tích Q và điện áp đặt vào 2 vật dẫn
(hay bản cực) U.
Q
C= hay Q = C.U
U
Với: Q: điện tích có đơn vị là C (colomb).
C: điện dung có đơn vị là F (Fara), µ F , nF, pF.
U: sụt áp ở hai bản cực có đơn vị là V (volt).
- Theo quan điểm năng lượng: tụ là kho chứa điện và lượng điện năng chứa trong tụ
được xác định:
1
W = C.V 2
2
Năng lượng tĩnh điện J tính theo Ws (Wast giây) hoặc J (Joule) được cho bởi
Sau đây là các giá trị hằng số điện môi của một số chất cách điện thông dụng để làm
tụ điện:
Vật liệu Hằng số điện môi tương Điện trường đánh thủng
đối ε r (KV/cm)
Chân không hay không khí 1 32
Giấy tẩm dầu 3.6 100 – 250
Gốm (sứ) 5.5 150 – 200
Mica 3–8 600 – 1500
Parafin 2 – 2.2 200 – 250
Màng mỏng 2.25 500
Trong bảng trên cho thấy có giá trị điện trường cực đại mà ở đó điện môi không bị
đánh thủng. Điện trường cực đại này còn gọi là điện áp đánh thủng; vì điện áp đánh thủng
tăng khi độ dày điện môi tăng nên tụ điện cố định mức điện áp càng cao thì hai bản cực
càng cách xa hơn.
 Độ chính xác: Biểu thị mức độ chênh lệch trị số thực tế của điện dung so với trị
danh định của nó, có kí hiệu như sau: G = ±2% , I , J = ±5% , K = ±10% , M = ±20% .
Đối với các tụ không ghi giá trị sai số thì mặc định là ±10%

 Điện áp làm việc WV (Working Volt): Là điện áp mà tụ có thể chịu được khi làm
việc lâu dài. WV có các cấp như sau: 16V, 25V, 35V, 50V, 63V, 85V, 100V,
160V, 200V, 400V…
Nếu tụ không ghi giá trị WV thì mặc định là 50V.
Lưu ý: khi sử dụng không nên để tụ vượt quá giới hạn này, nếu không thì chất điện
môi của tụ có thể bị đánh thủng. Thường chọn WV > 2Vc.
 Mạch tương đương của tụ điện:
Ngoài tụ điện ra thì thực tế nó còn có điện trở và điện cảm như trong mạch tương
RP
đương sau:
L RS
C
Rs: điện trở nối tiếp.

Rp: điện trở song song
 Điện trở tương đương nối tiếp (ESR).
ESR: là điện trở AC của tụ điện phản ánh cả điện trở nối tiếp Rs và điện trở song
song Rp ở tần số cho trước để mất mát trên các phần tử này có thể được biểu diễn bằng
mất mát của 1 điện trở duy nhất R trong mạch tương đương.
 Mất mát điện môi tan γ :
Trong thực tế thì tụ điện có mất mát do sự phân cực hóa điện môi trong tụ điện và
điện trở của các dây dẫn. Quan hệ giữa hệ số phẩm chất Q và tg γ
100
Q=
tgγ
 Hệ số công suất pF (Power Factor) hay thừa số công suất: định nghĩa mất mát
điện trong tụ khi làm việc với điện áp AC. Trong tụ điện lý tưởng thì dòng điện
sớm pha hơn điện áp 900. PF được định nghĩa là tỉ số giữa điện trở tương đương
nối tiếp R và tổng trở Z của tụ điện và PF thường có đơn vị là%.
 Hệ số tiêu tán DF (dissipation Factor) hay thừa số tiêu tán: DF là tỉ số của điện
trở tương đương nối tiếp R với dung kháng Xc và thường có đơn vị là%. DF xấp xỉ
bằng PF khi PF ≤ 10%
1
 Hệ số phẩm chất Q (Quality Factor) hay thừa số phẩm chất Q = . Thường áp
DF
dụng cho các tụ điện trong các mạch điều hợp.
 Dòng điện rĩ DC hay dòng điện rò: là dòng điện chạy qua tụ điện khi có đặt điện
áp DC vào tụ.
 Điện trở cách điện (Isulation resistance): là tỷ số của điện áp đặt vào tụ điện với
dòng rĩ và thường được biểu diễn bằng M Ω .

Ký hiệu của tụ điện trong sơ đồ mạch:
Tụ điện cố định Tụ điện biến đổi Tụ điện tinh chỉnh
Tụ ghép song song: Ctd = C1 + C2 + .. áp tương đương bằng áp tụ có điện áp nhỏ nhất
1 1 1
Tụ ghép nối tiếp = + + ... áp tương đương bằng tổng các điện áp thành phần
Ctd C1 C2
Chức năng của tụ điện:

Có hai chức năng chính:
 Nạp hay xả điện: chức năng này áp dụng cho các mạch làm bằng phẳng mạch định
thì…
 Ngăn dòng điện DC: chức năng này được áp dụng vào các mạch lọc để trích ra
hay khử đi các tần số đặc biệt.
Phân loại tụ điện cố định:
a. Theo điện môi của tụ điện:
* Tụ điện giấy dầu cách điện.
* Tụ điện màng chất dẻo (plastic) hay chất dẻo kim loại, polystyrene,…
* Tụ điện mica.
* Tụ điện gốm: 1 lớp hay nhiều lớp.
* Tụ điện điện giải (còn gọi là tụ điện điện phân): nhôm, chứa khí…
b. Theo ứng dụng của tụ điện:
* Chính xác: mica, thủy tinh, gốm, màng polystyrene,…
* Bán chính xác: màng chất dẻo, màng chất dẻo kim loại. Mylar….
* Đa dụng: gốm, tụ điện điện giải cxide nhôm, oxide tantalum…
* Vi điện tử: gốm, oxide tantalum….
* Máy phát: gốm, mica, thủy tinh, chân không, chứa khí ….
Các tụ điện tiêu biểu:

Các tụ điện thương mại thường được phân loại theo điện môi. Các tụ điện thông
dụng nhất là tụ điện môi không khí, mica, giấy, màng chất dẻo và gốm, và kể thêm tụ
điện hoá học (gọi tắt là tụ hoá). Bảng sau cho thấy các đặc tính tiêu biểu của các tụ điện
thông dụng:
Điện môi Cấu tạo Điện dung Điện áp đánh thủng

(Volt)
Không khí Các bản đan xen kẻ 10 – 40pF 400 (khe không khí
0.02 inch)
Gốm Hình ống 0.5 – 1600pF 500 – 20.000
Gốm Hình đĩa 1pF đến 1 µ F
Điện giải Nhôm 1 - 6800 µ F 10 - 450
Điện giải Tantalum 0.047 - 330 µ F 6 - 50
Mica Các tấm xếp lại 140 – 5000pF 500 – 20.000
Giấy Màng được cuộn 0.001 - 1 µ F 200 - 1600
Màng chất dẻo Cuộn lại hoặc được 100pF - 100 µ F 50 - 600
kim loại hóa
Ngoại trừ tụ hoá ra, các tụ điện khác được nối vào mạch không cần quan tâm đến
cực tính. Chú ý là cực tính của nạp xác định cực tính của điện áp trên tụ điện.
Tụ phân cực còn gọi là tụ DC.
Tụ hóa
Một số tụ điện thông dụng:
1. Tụ hóa: (có cực tính) được chế tạo với bản cực nhôm và cực dương có bề mặt
hình thành lớp Oxit nhôm và lớp bột khí có tính cách điện để làm chất điện môi
giá trị: 1µ F → 10.000 µ F .
2. Tụ gốm: (không cực tính) giá trị 1 pF → 1µ F .
3. Tụ giấy (không cực tính): Hai bản cực là các băng kim loại dài, ở giữa có lớp cách
điện là giấy tẩm dầu và cuộn lại thành ống. Điện áp đánh thủng đến vài trăm Volt.
4. Tụ mica (không cực tính) pF -> nF. Điện áp làm việc rất cao.
Tụ được sơn chấm màu để chỉ giá trị điện dung.
5. Tụ màng mỏng: pF → µ F (không có cực tính): Chất điện môi là polyester (PE),
polyetylen (PS). Điện áp làm việc rất cao.

6. Tụ tang: (có cực tính) 0.1µ F → 100 µ F

7. Tụ điện thay đổi được (Variable Capacitor).
Viết tắt là CV hay VC.
Phân loại theo ứng dụng có: loại đa dụng, điều chuẩn, chính xác…
a. Loại đa dụng:
Thường điện môi là không khí hay mica; cấu tạo dựa trên sự chỉnh thay đổi diện
tích của hai bản cực có hình bán nguyệt, số ngăn có thể từ 1 đến 5. Ứng dụng
trong các máy thu, thí dụ loại 2 ngăn thì 1 ngăn làm tụ dao động nội và 1 ngăn làm
cho tụ dao động cao tần.
Giá trị Cmax từ 10 đến 600pF (Cmax ứng với diện tích S giữa hai bản cực có trị số từ
3 đến 10). Thường thì dung sai 1% hay 1pF.
Luật thay đổi điện dung có thể thay đổi theo: tuyến tính góc quay, tuyến tính theo
tần số, tuyến tính theo bước sóng.
b. Loại điều chuẩn (tinh chỉnh, còn gọi là trimmer).
Thường là tụ thay đổi do nhà sản xuất thiết bị chỉnh trước cho mạch hoạt động
đúng. Thí dụ tụ điều chuẩn để đi kèm các cuộn dây trung tần thay cao tần HF.
Cách đọc trị số tụ
Loại tham số quan trọng nhất của tụ điện là trị số điện dung (kèm theo dung sai) và
điện áp làm việc của nó. Chúng có thể được ghi trực tiếp, ghi bằng qui ước chữ số.
a. Đối với tụ điện có cực (tụ DC).
Các cực được ghi bằng dấu + hoặc dấu -.
Đơn vị điện dung: µ F , µ F D, MFD, UF.
Điện áp làm việc: VDC (volt DC) được ghi trực tiếp bằng chữ số.
VD: 10 µ F /16 VDC, 470 µ F /15VDC, 5 µ F /6VDC.
b. Các loại tụ màng mỏng:
Nếu không ghi đơn vị thì qui ước đơn vị là pF.
VD: 47/630 có nghĩa là 47pF, điện áp làm việc là 630V.
Nếu số đầu có dấu chấm thì đơn vị là µ F
VD: .1 có nghĩa là .1 µ F
.47 có nghĩa là .47 µ F
Trường hợp ghi bằng chữ số:
VD:123K -> 12 *103 pF, K là sai số ( hay dung sai).
Ký tự chỉ dung sai: G = ±2%; J = ±5%; K = ±10%; M = ±20%

VD: 473J -> 47.000pF = 0.47 µ F

223 M-> 22.000pF = 0.22 µ F
c. Các trường hợp khác:
Được qui ước bằng bảng màu (thường được áp dụng cho tụ mica, tụ giấy).
Hệ số nhân Điện áp làm việc
Chỉ số 1 và 2 Dung sai

Dung sai có hai màu đen: 20%, trắng 10%
Màu Số 1 Số 2 Hệ số nhân Điện áp làm Hệ số nhân

(pF) việc ( µF )
Đen 0 0 100 100
Nâu 1 1 101 100 101
Đỏ 2 2 102 250 102
Cam 3 3 103
Vàng 4 4 104 400
Lục 5 5 105
Lam 6 6 106 630
Tím 7 7 107 10-3
Xám 8 8 10-2 10-2
Trắng 9 9 10-1 10-1
VD: Đen – vàng – tím – trắng – đỏ -> 4 .107 pF ±10% , 250VDC.
2. Đặc Tính Nạp - Xả Của Tụ.

Xem mạch như hình vẽ:
Tụ nạp
K ở vị trí 1: Tụ nạp từ điện thế 0V tăng dần đến điện thế VDC theo hàm mũ đối với thời
gian t. Điện thế tức thời trên hai đầu tụ:
(
Vc ( t ) = VDC 1 − e
−t
τ
) với t: thời gian tụ nạp (s), τ = RC hằng số thời gian (s)

1 K R
2
VDC C
Đặc tuyến nạp: Vc(t)

Vc
VDC
0.99
0.86
ic(t)
t
τ 5τ
Nhận thấy sau thời gian t = 5τ tụ nạp điện thế Vc = 0.99 VDC xem như tụ nạp đầy.
VDC
Khi điện thế tụ tăng dần thì dòng điện tụ nạp lại giảm từ giá trị cực đại I = về 0.
R
Tụ xả
Khi tụ nạp đầy Vc ≅ VDC ta chuyển K sang vị trí 2: tụ xả điện qua R -> điện thế trên
tụ giảm dần từ VDC -> 0V theo hàm mũ thời gian theo t. Điện thế 2 đầu tụ xả được tính
−t
theo công thức: Vc ( t ) = VDC .e τ
VDC
R
τ 5τ
Sau thời gian t = 5τ thì điện thế trên tụ chỉ còn 0.01VDC. xem như tụ xả hết điện.
Trường hợp tụ xả, dòng xả cũng giảm dần theo hàm số mũ từ trị số cực đại bắt đầu là
VDC
I= xuống 0.
R
VDC − t τ
Dòng xả tức thời được tính theo công thức giống dòng nạp ic ( t ) = e
R

3. Đặc tính của tụ điện đối với AC.

Q
Ta có: I = ⇒ Q = I .t
t
Đối với tụ điện, điện tích tụ nạp được tính theo công thức: Q = C.V
1
⇒ C.V = I .t ⇒ V = .I .t
C
Điện áp nạp được trên tụ là sự tích tụ của dòng điện nạp vào tụ theo thời gian t.
Đối với dòng điện xoay chiều hình sin thì trị số tức thời của dòng điện:
i(t) = Im . sin ω t
Hệ thức liên hệ giữa điện áp Vc và dòng điện i(t) là:
t
1 u
C ∫0
VC ( t ) = i ( t ) .dt i
t u Uc t
⇒ VC ( t ) = ∫ I m sin ωt.dt
0
1 1
V (t ) = .I m ( − cos ωt ) = .I m sin (ωt − 900 )
ωC ωC I
Dung kháng Xc của tụ được xác định:
1 1 Uc
XC = f .C =
2π ωC
ω
Với f = {Hz}.
2π
Như vậy, điện áp VC trên tụ cũng lá 1 trị số thay đổi theo dòng điện xoay chiều hình sin.
Dựa vào kết luận trên, ta thấy ở mạch điện xoay chiều thuần điện dung, dòng điện vượt
pha trước điện áp một góc 90o
4. Phương pháp kiểm tra tụ

Các trường hợp hư hỏng của tụ:
 Tụ bị nối tắt: hai má của tụ bị chạm vào nhau.
 Tụ bị rỉ: chất điện môi bị biến chất nên một phần dòng điện DC đi qua.
 Tụ bị giảm trị số: chất điện môi bị mất chất lượng (rắn), khô (lỏng).
 Tụ bị đứt: do dây nối ra chân tụ bị đứt.

Kiểm tra tụ cố định có trị số > 0.1 µ F (tụ hoá)

VOM ở thang đo R x100, hay Rx1000, đưa que đen vào đầu +, đỏ vào đầu – của tụ.
Nếu:
 Kim lên nhanh rồi từ từ trả về ∞ : tụ tốt.
 Kim lên rồi đứng yên: tụ rỉ.
 Kim lên rồi dừng lại ở vị trí 0: tụ bị chấp.
 Kim không lên: tụ đứt.
 Kim chỉ hơi nhích lên rồi chạy về vị trí ∞ . Tụ khô.
Tụ có trị số càng lớn: kim lên càng nhiều, về ∞ rất chậm.
Lưu ý: trước đó phải xả điện tích trong tụ bằng cách chập hai chân tụ vào nhau.
Kiểm tra tụ có điện dung nhỏ (<0.5 µ F )

Do có trị số nhỏ, nên không thể dùng VOM để kiểm tra vì thời gian tụ nạp và xả quá
nhanh. Nên dùng phương pháp đo nóng như sau:
C
VOM
+
VDC + -
-
Dùng nguồn DC 12V nối với mạch như hình vẽ. Dùng VOM ở thang đo VDC, chọn
tầm đo thích hợp. Nếu:
 Kim lên từ từ về 0: tụ tốt.
 Kim lên bằng điện áp nguồn: tụ nối tắt.
 Kim lên < 10V: tụ rỉ.
 Kim không lên: tụ đứt.
Đối với tụ có trị số thay đổi:
Dùng VOM ở trị số Rx100 hay Rx1K. Dùng 2 đầu que đo đưa vào hai cực của biến
tụ, xoay. Nếu:
 Kim chỉ 00 suốt quá trình xoay: tụ tốt.
 Kim nhảy 1 vài vị trí: tụ bị chạm.
5. Các ứng dụng của tụ điện.

- Tụ dẫn điện ở tần số cao: tách tín hiệu tần số cao và tần số thấp ra để đưa vào 2 loa
bổng và trầm.
- Tụ nạp xã điện trong mạch lọc: qua mạch lọc có chứa tụ tín hiệu xoay chiều sẽ được
liên tục và ít bị méo.
Bài giảng DCLKĐT Chương 3: Cuộn cảm
CHƯƠNG 3 CUỘN CẢM

1. Cuộn dây
Cấu tạo.
Cuộn cảm gồm nhiều vòng dây quấn sát nhau, ngay cả chồng lên nhau nhưng không
chạm nhau do dây đồng có tráng men cách điện.
Cuộn dây lõi không khí Cuộn dây lõi Ferit
Tùy theo lõi cuộn cảm là không khí, sắt bụi hay sắt lá mà cuộn cảm được ký hiệu
như sau:
L1 là cuộn dây lõi không khí, L2 là cuộn dây lõi ferit,

L3 là cuộn dây có lõi chỉnh, L4 là cuộn dây lõi thép kỹ thuật
Các tham số cơ bản của cuộn cảm:

Khi sử dụng cuộn cảm người ta quan tâm đến các số chính sau:
1.2.1 Hệ số tự cảm L:
là khả năng tích trữ năng lượng từ trường của cuộn dây, đơn vị là Henry (H).
1H = 103mH = 106 µ H .
dI
V =L
dt

XL
Hệ số phẩm chất: Q = phụ thuộc vào f
XS
 Tổn hao cuộn cảm.

 Dòng điện định mức Imax.
 Tần số định mức.
1.2.2 Cảm kháng
Cảm kháng của cuộn dây là đại lượng đặc trưng cho sự cản trở dòng điện của cuộn
dây đối với dòng điện xoay chiều .
1.2.3 Hổ cảm:
Khi có 2 cuộn dây quấn chung trên một
lõi hay 2 cuộn đặt gần nhau, thì dòng điện I
L1 L2
biến thiên ở cuộn dây này sẽ phát sinh điện
thế hổ cảm ở cuộn kia.
Điện thế hổ cảm được tính:
∆I
e = −M , M: Hệ số hổ cảm (H).
∆t
Hệ số tự cảm M chỉ khả năng ( tương hổ) liên kết giữa hai cuộn cảm. M phụ thuộc
vào cách quấn và vị trí của hai cuộn dây. Được tính như sau:
M = K L1 .L2
Với K là hệ số ghép.
 K = 1 khi cùng quấn trên cùng một lõi.
 K = 0 khi 2 cuộn xa nhau. (Không ảnh hưởng từ trường lẫn nhau).
Và L: Hệ số tự cảm phụ thuộc cấu tạo cuộn dây, được tính như sau:
n2
L = µ r .4π . .S .10−7
l
Với:
 l: chiều của lõi (m).
+ l thấp: lõi không từ tính
+ l trung bình: lõi sắt bụi.
+ l cao hơn: lõi Ferit.
+ l rất cao: lõi Ferit + bao bọc bằng vật liệu từ.
 S: tiết diện (m2).

 n: số vòng.
 µr : hệ số từ thẩm của điện môi.
Nếu là lõi không khí ⇒ µr = 1
1.2.4 Điện trở thuần của cuộn dây.

Điện trở thuần của cuộn dây là điện trở mà ta có thể đo được bằng đồng hồ vạn
năng, thông thường cuộn dây có phẩm chất tốt thì điện trở thuần phải tương đối nhỏ so
với cảm kháng, điện trở thuần còn gọi là điện trở tổn hao vì chính điện trở này sinh ra
nhiệt khi cuộn dây hoạt động.
1.2.5 Ghép cuộn cảm
a. Ghép nối tiếp:
Ltd = L1 + L2 + ...
Công thức này chỉ sử dụng cho các cuộn dây không quan hệ về từ, không có hỗ
cảm. Nếu các cuộn dây có từ trường tương tác lẫn nhau thì:
Từ trường tăng cường (quấn cùng chiều):
Ltd = L1 + L2 + ... + 2M
Từ trường đối nhau (quấn ngược chiều)

Ltd = L1 + L2 + ... − 2 M
b. Ghép song song:

Khi mắc song song cách biệt về từ thì công thức tính như sau:
1 1 1 1
= + + ... +
Ltd L1 L2 Ln
1.2.6 Năng lượng nạp vào cuộn dây:

Dòng điện chạy qua cuộn dây tạo ra năng lượng tích trữ dưới dạng từ trường:
1
W= L.I 2
2
W: năng lượng (Joule).
L : Hệ số tự cảm (H).
I : Cường độ dòng điện (A).
Phân loại cuộn cảm
1. Phân loại theo cấu tạo:
- Cuộn cảm không lõi: là loại cuộn cảm được quấn trên lõi sứ hoặc không cần lõi.
Thường dùng cho sóng ngắn hay sóng cực ngắn, hoặc quấn nhiều vòng, nhiều lớp
dùng trong sóng trung và sóng dài.
- Cuộn cảm có lõi bằng bột từ ép: nhằm làm tăng trị số điện cảm.
- Cuộn cảm có lõi sắt từ: người ta dùng cuộn cảm có lõi sắt từ gồm nhiều lá thép sử
dụng ở tần số thấp.
2. Phân loại theo tần số:
- Cuộn cảm âm tần: được dùng trong các mạch điện âm tần, có L từ 24 – 30H, các
vòng dây được quấn một cách đều đặn, trong các lớp có đặt giấy cách điện mỏng.
Lõi là lá sắt có hình dạng chữ E, I.
- Cuộn cảm cao tần: được sử dụng ở tần số cao, có lõi bằng Ferit. Chúng được
nghiền thành bột mịn ép thanh dạng thanh hay ống hoặc lõi.
 Cuộn cảm không lõi được sử dụng trong các mạch đều hợp cao tần hoặc cuộn
chặn tín hiệu cao tần.
 Cuộn cảm cóp lõi Ferit được sử dụng ở mạch điều hợp, thu sóng, có L từ 2 -
300 µ H .
Tùy theo công dụng mà cuộn cảm sẽ có tên gọi khác nhau.
Ví dụ: Ở mạch cộng hưởng: cuộn cảm cộng hưởng.
Ngăn dòng cao tần: cuộn chặn.
Trong mạch lọc: cuộn lọc.
2. Sự nạp xả cuộn cảm

Xét mạch
1 R
2
VDC
Cuộn cảm nạp điện:

Khi K = 1 cuộn dây chống lại dòng điện do nguồn VDC cung cấp bằng cách tạo ra
sức điện động cảm ứng bằng VDC , nhưng ngược chiều, nên dòng điện trong mạch bằng
0. Sau đó L nạp dòng và dòng qua cuộn dây tăng lên theo hàm số mũ:
t
−
iL ( t ) = I (1 − e )τ
i
L
τ= : được gọi la hằng số thời gian nạp điện của L (s). VDC
R R i(t) nạp
63%
VDC
I= : dòng điện cực đại mà L nạp được.
R 37% i(t) xả
t
0 τ 5τ

VDC
Sau thời gian t = τ dòng tăng lên 63% của dòng cực đại . Sau thời gian t = 5τ
R
VDC
dòng tăng lên 99% , xem như dòng đạt cực đại.
R
Ngược lại với dòng điện, điện thế của cuộn dây lúc đầu là VDC, sau đó điện thế giảm
dần theo hàm mũ:
vL ( t ) = VDC e −t
τ
Tại t = τ thì V = 37%VDC, tại t = 5τ thì V = 0.
 Nhận xét: đặc tính nạp của cuộn dây có i(t), v(t) ngược với tụ.
Cuộn cảm xả điện:
Khi cuộn dây được nạp đầy điện, chuyển khóa K sang vị trí 2 thì cuộn dây xả điện. Dòng
xả được tính như sau:
−t VDC
i ( t ) = I .e τ
với I =
R
sau thời gian t = 5τ thì cuộn dây xả hết dòng trữ trong nó.
3. Đặc tính của cuộn dây đối với dòng AC.

Qua thực nghiệm, ta thấy điện thế trên cuộn dây ngược dấu với điện thế cảm ứng,
nên:
U
∆I dI U=UL i
VL = −e = L =L
∆t dt
Nếu dòng điện vào cuộn dây
I t
là dòng xoay chiều, ta có:
i ( t ) = I m sin ωt uL
UL
và điện thế vL ( t ) = Lω I m cos ωt = Lω I m sin (ωt + 900 ) = Vm sin (ωt + 900 )
Ta thấy: điện thế vL(t) sớm pha 900 so với dòng điện vào cuộn dây, cũng là trị số thay
đổi theo dòng xoay chiều hình sin.
Ta có: Vm = ω LI m = 2π fLI m : Điện áp cực đại trên cuộn dây.
Vm
→ XL = = ω L = 2π fL : Cảm kháng của cuộn dây ( Ω ) .
Im

4. Biến thế (transformer):

Biến thế là linh kiện dùng để tăng hoặc giảm điện thế xoay chiều, đầu ra cho 1 hiệu
điện thế tương ứng với nhu cầu sử dụng. Máy biến thế đóng vai trò rất quan trọng trong
truyền tải điện năng.
Cấu tạo:
cấu tạo bao gồm một cuộn sơ cấp ( đưa điện áp vào ) và một hay nhiều cuộn thứ cấp
( lấy điện áp ra sử dụng) cùng quấn trên một lõi từ có thể là lá thép hoặc lõi ferit, hoặc
không khí.
Biến thế gồm hai cuộn dây ghép hổ cảm với nhau:
 Cuộn L1 gọi là cuộn sơ cấp.
 Cuộn L2 gọi là cuộn thứ cấp.
V1 N 1 N 2 V2
Ký hiệu:
Hình dạng thực tế
Biến áp nguồn Biến áp nguồn Biến áp xung

hình xuyến
Nguyên lý hoạt động

Khi đặt vào cuộn sơ cấp 1 điện thế xoay chiều V1 sẽ tạo ra từ trường biến thiên chạy
trong mạch từ và trong cuộn thứ cấp. Cuộn thứ cấp nhận được từ trường biến thiên sẽ làm
từ thông qua cuộn dây thay đổi, và cuộn thứ cấp cảm ứng tạo ra điện thế xoay chiều là
V2.
∆Φ
 Sơ cấp: V1 = − N1 .
∆t

∆Φ
 Thứ cấp: V2 = − N 2
∆t
Hệ thức biến thế

a. Hệ thức điện thế:
V1 N1
= = n : tỷ số biến áp.
V2 N 2
b. Hệ thức về dòng điện:

I1 N 2 1
= =
I 2 N1 n
c. Hệ thức về công suất:

Công suất nguồn cung cấp: P1 = V1.I1
Công suất tiêu thụ trong cuộn thứ cấp: P2 = V2 .I 2
Biến áp được xem là lý tưởng khi công suất P1 thu nhận từ cuộn sơ cấp hoàn toàn
chuyển sang cho cuộn thứ cấp P2, tức không có sự tổn hao năng lượng bên trong biến áp:
P1 = P2 → V1.I1 = V2 .I 2
V1 I 2 N1
= = =n
V2 I1 N 2
d. Hiệu suất máy biến thế:

Do có sự tổn hao năng lượng trên các vòng dây và tiêu tán năng lượng ở lõi từ.
Vì vậy công suất tiêu thụ ở cuộn thứ cấp luôn nhỏ hơn công suất nguồn cung cấp
cho cuộn sơ cấp: P1 < P2.
Hiệu suất của máy biến thế:
P2
η= ×100%
P1
Do có sự tổn hao như vậy, nên sau khi tính toán theo công thức trên, người ta
thường tăng số vòng n2 bên thứ cấp lên 5 -> 10% để bù lại nhằm đạt được trị số điện áp
theo yêu cầu.
Khi biến thế có tải lớn nhất theo công suất danh định thì hiệu suất đạt được từ 80% -
> 90%.
η max = 80% ÷ 90%
e. Hệ thức về tổng trở:

V1
Tải bên cuộn sơ cấp: R1 =
I1

V2
Tải bên cuộn sơ cấp: R2 =
I2
V1 2
R1 I1 V1 I 2  N1  2 2
= = × =  = n → R1 = n .R2
R2 V2 V2 I1  N 2 
I2
R1: điện trở phản ánh của cuộn thứ cấp về cuộn sơ cấp.
5. Ứng dụng.
- Làm micrô điện động.
- Làm loa điện động.
Cả 2 được gọi là linh kiện điện thanh dùng để đổi âm thanh ra dòng điện.

Bài giảng DCLKĐT Chương 4: Lý thuyết bán dẫn
CHƯƠNG 4 LÝ THUYẾT BÁN DẪN
Để có những hiểu biết cơ bản về chất bán dẫn, cần biết một số kiến thức về lý thuyết
nguyên tử và cấu trúc của vật chất. Trong chương này chúng ta sẽ học về những vật liệu
bán dẫn cơ bản được sử dụng để chế tạo diode, transistor và các linh kiện bán dẫn khác
mà ta được học trong những chương tiếp theo. Chúng ta sẽ có một số khái niệm quan
trọng về lý thuyết lớp tiếp xúc P – N, nó cần thiết để hiểu các hoạt động của các linh kiện
bán dẫn.
Diode rất quan trọng trong những ứng dụng. Một ứng dụng mà không thể thiếu
diode là nguồn chỉnh lưu. Đặc điểm cơ bản của diode là cho phép dòng điện đi qua chỉ
một chiều để chuyển đổi AC DC.
AC DC
Biến áp Chỉnh lưu Filter Ổn áp
Sơ đồ khối bộ nguồn chỉnh lưu
Nguyên tử Silicon và Germanium (Si và Ge).

Hai loại chất bán dẫn đang được sử dụng một cách rộng rãi là Si và Ge, cả hai
nguyên tử Si và Ge đều có 4 e- hóa trị, trong đó Si có 14 proton và Ge có 32 proton trong
hạt nhân.
Nhân
+14
Lớp ngoài cùng
Cấu tạo nguyên tử của Si
Khi các nguyên tử Si kết hợp lại thành phân tử để hình thành nên chất rắn, chúng tự
sắp xếp thành một cấu trúc cố định gọi là tinh thể. Những nguyên tử trong mạng tinh thể
liên kết với nhau bằng liên kết đồng (cộng) hóa trị, nó được tạo thành bởi sự kết hợp của
các e- hóa trị của các nguyên tử.
Trong hình bên dưới, ta thấy mỗi nguyên tử Si kết hợp với 4 nguyên tử Si kết cận.
Để nguyên tử có thể có 8 e- ở lớp ngoài cùng thì một nguyên tử Si với 4 e- hóa trị dùng
chung 1 e- với 4 nguyên tử kế cận.

Si
-
-
Si - - Si - - Si
-
-
Si
1. Sự dẫn trong tinh thể bán dẫn:

Những e- trong nguyên tử chỉ tồn tại trong những vùng có mức năng lượng xác định.
Mỗi lớp xung quanh nhân tương ứng với một mức năng lượng và được phân chia bởi
những khe năng lượng, trong khe này sẽ không tồn tại e-. Hình vẽ vùng năng lượng của
nguyên tử Si (không kể năng lượng bên ngoài). Điều này chỉ xảy ra ở 00 K.
Năng lượng
Vùng dẫn
Vùng hóa trị e-

Khe năng lượng
Không có e- Vùng 2
Vùng 1
Giản đồ năng lượng

Hạt dẫn e- và lỗ trống:
Tinh thể Si tại to phòng, năng lượng to từ không khí xung quanh là nguyên nhân để
-
các e trong vùng cấm có đủ năng lượng để nhảy từ vùng hóa trị sang vùng dẫn, trở thành
e- tự do.
Khi một e- nhảy vào vùng dẫn, chỗ trống mà nó để lại trong vùng hóa trị gọi là lỗ
trống (hole) mang điện tích dương. Do đó nếu một e- nhảy lên vùng dẫn bởi to hay ánh
sáng thì sẽ có một lỗ trống trong vùng hóa trị được gọi là cặp điện tử – lỗ trống. Sự tái
hợp xảy ra khi e- trong vùng dẫn bị mất năng lượng và kết hợp với lỗ trống ở vùng hóa
trị.

Năng lượng
Vùng dẫn e-
Vùng hóa trị Lỗ trống

Năng lượng to
Vùng 2
Vùng 1
Giản đồ năng lượng
Năng lượng to e-
Lỗ trống
Sơ đồ liên kết
Tóm lại, đối với chất bán dẫn thuần ở to phòng, số điện tử tự do trong vùng dẫn
không có liên kết với hạt nhân và chuyển động tự do, bằng với số lỗ trống trong vùng hóa
trị khi những e- đó nhảy vào vùng dẫn.
Dòng e- và lỗ trống: đặt điện áp lên khối bán dẫn như hình vẽ.
e-
Lỗ trống
Dòng lỗ
Dòng e-
trống

Điện tử tự do sẽ chạy về phía cực dương của nguồn dưới tác động của điện trường.
Sự chuyển động của e- tự do gọi là dòng electron. Còn các lỗ trống sẽ di chuyển theo
hướng ngược lại về phía cực âm của nguồn gọi là dòng lỗ trống.
Chất bán dẫn, chất dẫn và chất cách điện: xét về mặt năng lượng.
Năng lượng
Năng lượng Năng lượng
Vùng dẫn
Khe
năng Vùng dẫn
lượng Khe năng lượng
Vùng dẫn
Vùng hóa trị Vùng hóa trị Vùng hóa trị
Từ hình vẽ ta thấy rằng:

 Đối với chất cách điện thì khe năng lượng khá rộng nên rất ít e- có đủ năng
lượng để nhảy vào vùng dẫn.
 Đối với chất dẫn thì vùng hóa trị và vùng dẫn chồng lấp lên nhau vì thế luôn
luôn có nhiều e- tự do trong vùng dẫn mà không cần năng lượng kích thích từ
bên ngoài.
 Đối với chất bán dẫn thì khe năng lượng hẹp hơn so với chất cách điện.
2. Bán dẫn loại N và bán dẫn loại P:

Bán dẫn loại N:
Để tăng nồng độ e- trong chất bán dẫn trong chất bán dẫn thuần, người ta pha tạp
chất nhóm V (hóa trị 5) vào chất bán dẫn thuần. Các nguyên tử có 5 e- ở lớp ngoài cùng
là: Arsenic (Ar), phosphorus (P), antimony (Sb),…
e- tự do
Si
Si P Si P
Si Nguyên tử Phosphorus

Từ hình vẽ, 4 e- hóa trị của P kết hợp với 4 e- của 4 nguyên tử Si kế cận, còn lại một
e- (điện tử thứ 5). Điện tử này sẽ trở thành e- tự do vì nó không gắn với nguyên tử nào. Số
lượng e- tự do phụ thuộc vào nồng độ tạp chất pha vào chất bán dẫn thuần ban đầu. Trong
trường hợp này hạt dẫn chủ yếu là e- nên chất bán dẫn được pha tạp chất nhóm 5 gọi là
chất bán dẫn loại N (negative).
Trong chất bán dẫn loại N thì e- gọi là hạt dẫn đa số. Mặc dù phần lớn hạt dẫn trong
chất bán dẫn loại N là e- nhưng vẫn có rất ít các lỗ trống, nên lỗ trống gọi là hạt dẫn thiểu
số.
Bán dẫn loại P:
Để tăng lượng lỗ trống trong bán dẫn thuần, người ta pha vào chất bán dẫn thuần tạp
chất nhóm III (hóa trị 3). Các nguyên tử này có 3 điện tử ở lớp ngoài cùng như là
aluminum, boron, gallium…
Si Lỗ trống
Si B Si B
Si Nguyên tử Boron
Từ hình vẽ, nguyên tử B kết hợp với 4 nguyên tử Si kế cận, 3 e- của nguyên tử B
được dùng để tạo liên kết cộng hóa trị. Vì thế nó thiếu 1 e-, nên sẽ dư ra một lỗ trống
mang điện tích dương. Số lượng lỗ trống tùy thuộc vào số lượng tạp chất nhóm 3 pha vào
chất bán dẫn nguyên chất. Trong trường hợp này hạt dẫn chính là các lỗ trống, vì thế chất
bán dẫn thuần được pha tạp chất nhóm 3 gọi là chất bán dẫn loại P (Positive).
Trong chất bán dẫn loại P, lỗ trống gọi là hạt dẫn đa số, ngoài ra còn có e- tự do có
nồng độ rất ít nên e- được gọi là hạt dẫn thiểu số.
3. Mối nối P – N: P N
P N
Lỗ trống Điện tử
Mối nối P – N
Mối nối P – N gồm hai khối bán dẫn loại N và khối bán dẫn loại P đặt tiếp xúc nhau
như hình vẽ. Vị trí tiếp giáp của hai khối bán dẫn gọi là mối nối P – N, linh kiện này gọi
là diode bán dẫn. Mối nối P – N xét về hoạt động cơ bản không chỉ giống như diode mà
còn giống như transistor và các loại linh kiện bán dẫn khác.

3.1 Vùng nghèo:

Nếu không có điện áp bên ngoài, các hạt dẫn e- bên N chuyển động vô hướng. Các
e- gần mối nối khuếch tán qua bên vùng P và tái hợp với các lỗ trống tại lớp tiếp giáp.
Mỗi e- vượt qua mối nối và tái hợp với một lỗ trống bên vùng nghèo, nguyên tử hóa trị 5
trong vùng gần mỗi nối bên N mất một e- nên trở thành ion dương. Tương tự khi e- tái
hợp với lỗ trống bên P, nguyên tử hóa trị 3 gần mối nối bên P trở thành ion âm.
Kết quả của quá trình tái hợp, một số ion dương và ion âm hình thành gần lớp tiếp
xúc. Những e- bên N phải vượt qua lực hút của ion dương và lực đẩy của các ion âm để đi
qua vùng P. Vì thế, khi lớp ion hình thành vùng hẹp xung quanh mối nối thì trong mối
nối trở nên ít hạt dẫn e- hoặc lỗ trống và còn được gọi là vùng nghèo. Khi đạt được điều
kiện cân bằng, bề dày vùng nghèo sẽ không thay đổi và các e- sẽ không thể vượt qua
vùng nghèo.
Vùng nghèo
P N
- +
- +
- +
Vtx
Trong vùng nghèo tồn tại hai lớp ion trái dấu nên tạo nên một hàng rào điện thế gọi
là điện thế tiếp xúc (Vtx). Tại to phòng (25oC), điện thế tiếp xúc là 0.7V đối với Si và
0.3V đối với Ge. Khi to mối nối tăng lên thì Vtx giảm xuống và ngược lại.
3.2 Phân cực tiếp xúc P – N:
ở trạng thái cân bằng, không có dòng điện đi qua mối nối P – N. đặc điểm của diode tiếp
xúc P – N là khả năng cho dòng đi qua chỉ một chiều và ngăn không cho dòng đi qua
hướng ngược lại. Có hai chế độ phân cực cho diode là phân cực thuận và phân cực
nghịch.
 Phân cực thuận:
Thuật ngữ phân cực trong điện tử đề cập đến 1 điện áp cố định, nó thiết lập điều
kiện hoạt động cho linh kiện bán dẫn. Phân cực thuận là điều kiện cho phép dòng điện
qua lớp tiếp xúc P – N. Phân cực thuận có mạch như hình vẽ.
Vùng nghèo
P N
Dòng lỗ trống Dòng e-
+ -
Phân cực thuận

Hoạt động của diode ở chế độ phân cực thuận như sau: cực âm của nguồn đẩy
những e- bên N về bên P, cực dương của nguồn sẽ đẩy pỗ trống bên P về bên N. Khi
những hạt dẫn vượt qua hàng rào điện thế, nguồn điện áp bên ngoài cung cấp cho những
e- bên N đủ năng lượng đi qua miền nghèo và kết hợp với các lỗ trống bên P. Dòng e- đi
từ NP, cực âm của nguồn cung cấp e- vào khối bán dẫn N. Vì vậy dòng hạt dẫn qua
khối bán dẫn N là dòng e- (hạt dẫn đa số bên N) đi qua mối nối.
Một khi hạt dẫn e- vượt qua miền nghèo và tái hợp với các lỗ trống bên P, nó sẽ trở
thành e- hóa trị. Các e- hóa trị này di chuyển từ lỗ trống này đến lỗ trống khác hướng đến
cực dương của nguồn. Sự di chuyển của các e- hóa trị này làm cho các lỗ trống di chuyển
theo hướng ngược lại. Vì thế dòng lỗ trống qua khối bán dẫn P là dòng lỗ trống (hạt dẫn
đa số bên P) đi qua mối nối. Bề dày miền nghèo trong trường hợp này bị thu hẹp.
Ảnh hưởng của hàng rào điện thế trong phân cực thuận: hàng rào điện thế trong
miền nghèo đóng vai trò như là một nguồn pin có giá trị nhỏ và có cực như hình vẽ. Vì
vậy, điện thế bên ngoài phải lớn hơn hàng rào điện thế để diode dẫn. Khi diode dẫn
thuận, điện áp rơi trên hai đầu diode xấp xỉ điện áp tiếp xúc và thay đổi rất ít theo dòng
điện thuận qua diode (IF ).
Vtx
Mô hình tương đương của diode:
RP RN
RP: là điện trở miền P.
RN: là điện trở miền N. Mô hình diode
Vtx: là điện áp rào thế.
Lưu ý: RP, RN thường rất nhỏ.
 Phân cực ngược: là điều kiện ngăn cản dòng qua tiếp xúc P – N, có mạch như
hình vẽ.
P N
- +
Phân cực nghịch
Cực âm của nguồn nối với khối bán dẫn loại P, còn đầu dương nối với khối bán dẫn
loại N. Cực âm của nguồn hút các lỗ trống bên P ra xa mối nối, trong khi đó cực dương
cũng hút các e- bên N ra xa mối nối. Do đó vùng nghèo bị mở rộng, càng nhiều ion dương
được tạo ra bên N và ion âm được tạo ra bên P. Miền nghèo mở rộng cho đến khi điện thế
sai lệch (Vtx) trên nó bằng giá trị điện áp bên ngoài. Các lỗ trống và điện tử không đi qua
mối nối và dòng điện do hạt dẫn đa số tạo ra sẽ giảm và còn được gọi là dòng điện quá độ
của phân cực nghịch.

Khi diode phân cực nghịch, miền nghèo đóng vai trò như là một bộ cách ly giữa
những lớp ion mang điện tích trái dấu. Tính chất này giống như là đặc tính của tụ điện. Vì
thế điện áp phân cực ngược càng tăng thì bề rộng miền nghèo càng tăng và điện dung
càng giảm và ngược lại. Mạch tương đương khi diode ở phân cực nghịch có thể xem như
là một tụ điện.
Dòng điện rò ngược: khi phân cực nghịch dòng điện do các hạt dẫn đa số tạo ra
giảm nhanh về 0. Tuy nhiên, vẫn có một dòng điện rò rất bé được tạo nên bởi những hạt
dẫn thiểu số. Dòng điện rò này có giá trị khoảng ìA hay nA.
Trong chất bán dẫn dưới tác dụng to luôn luôn tạo ra cặp điện tử – lỗ trống trong
miền nghèo, dưới tác động của điện áp bên ngoài, một vài e- sẽ khuếch tán qua lớp tiếp
xúc trước khi tái hợp với lỗ trống. Quá trình này tạo ra dòng điện do hạt dẫn thiểu số qua
khối bán dẫn. Dòng điện rò phụ thuộc vào nhiệt độ mối nối và không bị ảnh hưởng bởi
điện áp phân cực bên ngoài. Nhiệt độ càng tăng thì dòng điện rò càng lớn.
Đánh thủng ngược: nếu giá trị điện áp phân cực ngược tăng đủ lớn thì mối nối sẽ
bị đánh thủng thác lũ. Hiện tượng này được giải thích như sau: giả sử một số e- bên P
(hạt dẫn thiểu số) được cung cấp đủ năng lượng từ nguồn phân cực nghịch bên ngoài để
vượt qua mối nối đi về cực dương của diode. Trong quá trình di chuyển, nó va chạm với
những nguyên tử và đủ năng lượng để đẩy với các e- hóa trị vào dãy dẫn. Mỗi e- hóa trị
lại va chạm với các nguyên tử sẽ đẩy hai hay nhiều e- hóa trị vào trong dãy dẫn, quá trình
cứ tiếp tục như thế nên số lượng các e- trong dãy dẫn tăng lên rất nhanh hay còn gọi là
hiệu ứng thác lũ. Trong trường hợp này dòng điện ngược sẽ tăng rất nhanh. Hầu hết
những diode không hoạt động trong chế độ đánh thủng ngược này vì có thể hư hỏng do
quá công suất. Tuy nhiên, diode zener hoạt động dựa trên đặc điểm đánh thủng ngược
này mà ta sẽ học ở bài sau.
4. Diode chỉnh lưu:

Diode chỉnh lưu là một dạng diode bán dẫn. Công dụng chủ yếu của loại này là
chỉnh lưu, ngoài ra còn được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác.
Ký hiệu:
Anode Cathode
Đặc tuyến của diode:

IF
Phân cực IF, VF: điện áp thuận và
thuận dòng điện thuận
IR, VR: điện áp nghịch và
VR VBR VF
dòng điện nghịch
Vtx hoặc V
Phân cực VBR: điện áp đánh thủng
nghịch ngược
Vtx hay V: điện áp rào
IR
thế

Diode dẫn dòng khi điện áp phân cực thuận vượt qua điện áp rào thế và diode không
dẫn dòng khi nó bị phân cực ngược. Từ hình vẽ ta thấy rằng nhánh trên là nhánh phân
cực thuận và nhánh dưới là nhánh phân cực nghịch.
 Khi điện áp phân cực thuận nhỏ hơn điện áp rào thế (0.3V đến 0.7V) thì dòng
điện qua diode có giá trị rất nhỏ gọi là dòng điện ngược.
 Khi điện áp phân cực thuận lớn hơn điện áp rào thế thì dòng điện qua diode
tăng rất nhanh vì thế cần phải mắc điện trở nối tiếp để hạn dòng.
Điện áp phân cực thuận trên diode xấp xỉ với điện áp rào thế gọi là V có giá trị trong
khoảng từ 0.3. đến 0.7V.
Ở nhánh phân cực ngược khi điện áp ngược tăng lên về bên trái, dòng điện gần bằng
0 cho đến khi VR = VBR (điện áp đánh thủng). Khi đánh thủng xảy ra, dòng ngược có giá
trị rất lớn, nếu không giới hạn thì nó có thể phá hỏng diode. Giá trị điện áp đánh thủng
điển hình lớn hơn 50V cho hầu hết loại diode. Hầu hết các loại diode đều không được
hoạt động trong vùng đánh thủng ngược.
Khi điện thế cực Anode dương hơn so với Cathode, diode phân cực thuận và dòng
điện đi từ Anode đến Cathode. Lưu ý rằng khi diode được phân cực thuận, điện áp rào thế
luôn luôn xuất hiện giữa hai cực Anode và Cathode.
Khi điện thế cực Anode âm hơn so với Cathode, diode bị phân cực ngược, dòng
điện qua diode gần bằng 0.
V V
+ - - +
I ≈ 0A
IF
R R
+ - - +
VBB VBB
Phân cực thuận Phân cực nghịch
Kiểm tra diode:

Dùng nguồn pin bên trong VOM để phân cực thuận hay phân cực nghịch cho diode,
cho phép chúng ta kiểm tra nhanh và đơn giản.
Để kiểm tra diode theo hướng thuận, đầu dương của VOM nối với Anode và đầu âm
của nó nối với Cathode. Khi diode bị phân cực thuận, điện trở nội của nó nhỏ (khoảng
100). Đổi hai đầu que đo, nguồn pin bên trong VOM làm cho diode bị phân cực nghịch,
điện trở nội của nó có giá trị rất lớn (khoảng vài M).
Các mô hình xấp xỉ của Diode:
Cách đơn giản để thấy được hoạt động của Diode là xem Diode như là một cái khóa
chuyển mạch (switch). Khi diode dẫn, diode đóng vai trò như là khóa đóng và khi phân
cực ngược thì diode đóng vai trò như là khóa mở. Lưu ý rằng điện áp thuận và dòng điện
ngược luôn luôn bằng 0. Đây là mô hình lý tưởng, bỏ qua điện áp rào thế, điện trở nội và
các thông số khác. Trong nhiều trường hợp nó đủ chính xác.
Khi Khi
khóa khóa
đóng mở
Đặc tuyến lý tưởng có dạng như sau:
IF
VF
0
Đặc tuyến lý tưởng
Tiếp theo là mô hình có tính chính xác cao hơn. Khi phân cực thuận diode có thể
xem như là khóa đóng nối tiếp với nguồn pin V (có điện thế khoảng 0.3V đến 0.7V), cực
dương của pin hướng về anode. Khi phân cực nghịch thì xem như hở mạch giống như
trường hợp lý tưởng, bởi vì điện áp rào thế không ảnh hưởng đến phân cực ngược.
Khi khóa Khi khóa

đóng mở
-
V
+
Trường hợp này có đặc tuyến như sau:

IF
VF
0 V
Nếu cần cấp độ chính xác lớn hơn nữa thì ta dùng mô hình sau: khi phân cực thuận
diode được thay thế như là điện áp rào thế và điện trở thuận của diode có giá trị nhỏ. Khi
phân cực nghịch diode được xem như là một điện trở phân cực ngược có giá trị lớn.
Khi khóa Khi khóa
R có giá
đóng mở
trị rất
- lớn
V
+
Đặc tuyến làm việc theo mô hình này như sau:

IF
VF
Đặc tính cơ bản của diode là chỉ dẫn điện theo một chiều nên nó được ứng dụng
rộng rãi trong các mạch chỉnh lưu, chuyển đổi tín hiệu từ AC DC.
5. Diode Zener:
Diode zener dùng để ổn định điện áp, công dụng giống mục đích tổng quát của
diode chỉnh lưu, và rất quan trọng trong nhiều mạch nguồn cung cấp.
Ký hiệu:
Vùng
IF phân
cực
thuận
VZ VF
VR
Vùng
phân
cực
nghịch
Đặc tuyến của Zener
Zener là linh kiện dùng tiếp xúc P – N nhưng nó khác với diode chỉnh lưu là hoạt
động tối ưu trong vùng phân cực ngược.
Khi phân cực thuận nó hoạt động giống như diode thường nhưng khi phân cực
nghịch, điện áp ngược VR > VZ thì đánh thủng ngược xảy ra và điện áp nghịch trên hai
đầu diode hầu như không đổi mặc dù dòng điện nghịch thay đổi rất lớn.
Có hai loại đánh thủng ngược trong diode zener. Một là loại đánh thủng thác lũ với
điện áp ngược cao như trong diode chỉnh lưu. Hai là loại đánh thủng zener như trong
diode zener với điện áp ngược thấp. Tùy theo bề dày miền nghèo khác nhau mà mức điện
áp đánh thủng khác nhau vì vậy có nhiều loại diode zener khác nhau.
Diode zener với điện áp đánh thủng < 5V hoạt động trong chế độ đánh thủng zener,
điện áp đánh thủng > 5V hoạt động trong chế độ đánh thủng thác lũ nhưng cả hai loại vẫn
gọi là diode zener. Trong thực tế, điện áp đánh thủng trong khoảng từ 1.8V đến 200V.

Đặc tuyến đánh thủng:

VR VZ
IZK
IZM
IR
Khi VR < VZ dòng điện ngược có giá trị rất nhỏ khi VR ≥ VZ xảy ra hiện tượng đánh
thủng dòng điện IZ tăng rất nhanh, điện áp VZ gần như không đổi. Khả năng ổn định điện
áp này là đặc điểm chính của diode zener. Zener duy trì điện áp không đổi trên hai cực
của nó trong khi dòng điện IZ thay đổi trong một khoảng xác định.
Giá trị tối thiểu của dòng điện ngược là IZK phải được duy trì để giữ diode ổn định.
Ta có thể thấy trên đặc tuyến là IZ < IZK thì điện áp thay đổi rất nhanh và không còn chức
năng ổn áp. Giá trị tối đa của dòng điện ngược là IZM, khi IZ > IZM thì diode bị phá hỏng.
Vì vậy diode zener duy trì điện áp không đổi trên hai cực khi dòng điện ngược thay đổi
trong khoảng IZK đến IZM.
Mạch tương đương của Zener:
Mô hình xấp xỉ của diode zener trong vùng đánh thủng ngược có dạng như sau:
+ rZ
VZ
_ Mô hình
Mô hình lý +
thực tế
tưởng VZ
_
rZ = ∆VZ/∆IZ
Ứng dụng của diode zener:

 Làm phần tử ổn định điện áp.
 Làm mạch xén.
 …
6. Diode Schottky:
Ký hiệu:
Diode schottky có đáp ứng tần số nhanh hơn so với diode thường. Loại Diode này
chỉ cần phân cực thuận khoảng 0.3V nên chúng thích hợp cho những ứng dụng tần số cao
và điện áp thấp.
Đặc điểm của Diode Schottky:
 Được tạo thành từ tiếp xúc của bán dẫn (pha ít tạp chất) và kim loại.
 Hoạt động như diode thường nhưng điện áp nhỏ hơn.

 Có dòng ngược lớn hơn so với diode thường.
 Chuyển mạch tốc độ cao.
7. Diode biến dung (varactor diode):

Diode biến dung được sử dụng như là diode có điện dung thay đổi. Cấu tạo về cơ
bản là một mối nối P-N phân cực ngược để tận dụng điện dung miền nghèo. Vùng nghèo
được tạo thành bởi phân cực ngược đóng vai trò như là điện môi của tụ điện do đặc tính
không dẫn điện của nó. Vùng p và n dẫn điện và đóng vai trò như là hai bản cực của tụ
điện.
Lớp điện môi
p n
Bản cực
_ + _ +
Khi điện áp phân cực ngược tăng lên, bề dày miền nghèo tăng lên, tăng bề dày lớp
điện môi và làm giảm điện dung của lớp bán dẫn. Khi điện áp phân cực ngược giảm,
vùng nghèo thu hẹp, điện dung tăng lên.
Giá trị của tụ điện được xác định bằng công thức sau:
S
C =ε
d
Trong đó:
 S là diện tích bản cực.
 là hằng số điện môi.
 d là bề dày lớp điện môi.
Vì vậy giá trị của điện dung được điều khiển bằng cách thay đổi độ rộng miền
nghèo và cấu trúc của diode. Giá trị của tụ từ vài pF đến vài trăm pF.
RS
CV
Ký hiệu Mạch tương đương

Điện
dung Cd
của tụ
điện
VR
0 Điện thế phân cực ngược
Ứng dụng của diode biến dung để thay đổi tần số trong các mạch công hưởng.
8. Tunnel diode:
Diode tunnel được sử dụng nhiều trong mạch khuếch đại, mạch dao động siêu cao
tần, mạch flip flop dùng trong bộ nhớ. Lý do chính là kích thước nhỏ, giá thành hạ, tốc độ
cao, công suất tiêu thụ thấp, nhiễu thấp và tỉ số dòng điện đỉnh – thung lũng rất cao.
Diode tunnel được cấu tạo từ Ge hoặc Ge_Ar. Hiệu ứng tunnel xảy ra trên các hạt
mang điện tại tiếp xúc PN mật độ rất cao, do mật độ rất lớn các hạt mang điện nên vùng
nghèo rất hẹp, cho phép dẫn ở điện áp ngược mà không làm hư hỏng linh kiện.
Bề rộng miền nghèo rất hẹp cho phép các e- chui qua (tunnel) mối nối với điện áp
phân cực thuận rất nhỏ, diode dẫn (từ A đến B). tại điểm B, điện áp phân cực thuận bắt
đầu làm giảm miền nghèo và dòng điện bắt đầu giảm khi điện áp phân cực thuận tiếp tục
tăng lên. Đây là vùng điện trở âm.
RF = - ∆VF/∆IF
Đây là hiệu ứng ngược của định luật Ohm (khi điện áp tăng thì dòng điện tăng). Tại
điểm C, diode đóng vai trò như là diode dẫn thuận bình thường.
Đặc tuyến làm việc của Diode tunnel:
IF
Vùng điện
B
trở âm
C VF
A
Đặc tuyến của diode tunnel
Ký hiệu:

9. Các ứng dụng của diode

Mạch chỉnh lưu bán kỳ (half ware rectifier)
Từ tín hiệu xoay chiều của khu vực (220V – 50Hz) hay thấp hơn (qua biến thế), dùng
diode với tín chất chỉ dẫn điện theo một chiều (P-N) để đổi điện thành DC.
Vi
D
t
Vi R Vo
V0
- Bán kỳ +: D phân cực thuận nên dẫn, nên dòng điện IL qua tải RL cũng có giá trị số
biến thiên theo bán kỳ + của nguồn. Nên điện thế ra trên tải VL cũng có dạng bán
kỳ + của V2.
- Bán kỳ -: D phân cực nghịch nên không dẫn, do đó không có dòng qua tải IL, nên
VL = 0.
Kết quả: là dòng chạy qua tải IL, và điện thế trên tải VL chỉ còn lại bán kỳ +, nên được
gọi là mạch chỉnh lưu bán kỳ.
Điện áp trên tải:
π
1 π V
VDC = ∫
2π 0
Vm sin ωtd ωt = − cos ωt 0 = m = 0.45Vhd
π
Tương tự cho dòng trên tải:
Im Vm V
I DC = = = 0.45 RMS
π π RL RL
Chỉnh lưu toàn kỳ (Full ware rectifier)

Biến thế ở đây là biến thế có chấu giữa làm điểm chung, điện áp ở 2 đầu ngược pha
nhau so với điểm giữa. Vi
D
t
Vi
Vi
R t
D
VL
t
- Bán kỳ + tại A: D1 dẫn, D2 ngưng => dòng IA chạy qua D1 qua R trở về điểm
giữa biến áp.
- Bán kỳ – tại A (chính là bán kỳ + tại B): D1 ngưng, D2 dẫn => dòng IB chạy qua
D2 qua R về điểm giữa của biến áp.
Do đó dòng qua tải chính là tổng của 2 dòng IA và IB.
Điện áp trung bình trên tải:
Vm
VDC = 2 = 0.636V = 0.9V
m RMS
π
Tương tự cho dòng trên tải:
2I m 2Vm V
I DC = = = 0.9 RMS
π π RL RL
Nhận xét: Độ gợn sóng của mạch chỉnh lưu toàn sóng giảm so với chỉnh lưu bán kỳ.
Chỉnh lưu cầu.
+
Thay vì phải sử dụng biến áp có chấu giữa,
ta không cần mà chỉ cần sắp xếp các diode Vi
để có thể dẫn điện ở cả 2 bán kỳ.
- R
- Bán kỳ đầu VA > Vc: D1D3 dẫn, D2
D4 tắt => dòng chạy A->D1->R->D3->C.
- Bán kỳ sau VA < Vc : D1 D3 tắt, D2
D4 dẫn => dòng từ C->D2->R->D4->A.
Công thức tính dòng và áp như 2 diode
Mạch lọc D
VL
Vi
R
D
Tín hiệu ra trong các mạch chỉnh lưu có độ gợn sóng khá lớn và VDC thấp (toàn kỳ VDC =
0.636 Vm). Do đó để cải thiện độ gợn sóng người ta mắc thêm các mạch lọc.
Ở ngõ ra, khi D1 dẫn, dòng qua tải R và nạp cho tụ C. Ở đỉnh A, điện thế giảm, tụ lập tức
xả điện qua tải với thời gian T = RL.C. Khi tụ xả đến B, D2 dẫn và lại nạp cho tụ lên đỉnh
A, cứ thế tiếp tục. Kết quả là dạng sóng ra như hình vẽ có VDC tăng và độ gợn sóng giảm
so với lúc chưa có tụ lọc.
Mạch xén
- Mạch giới hạn biên độ tín hiệu.
- Tùy theo diode mắc nối tiếp hay song song với tải ngõ ra (RL) ta phân biệt thành
mạch xén nối tiếp hay song song.
- Tùy theo chức năng mà ta có loại xén mức trên, mức dưới hay hai mức độc lập.
Sau đây ta sẽ khảo sát mạch xén sử dụng diode lý tưởng ( Vγ = 0 )

-
a. Mạch xén trên:
D
t
Vi Vo
b. Mạch xén dưới:
D t
Vi Vo

Bài giảng DCLKĐT Chương 5: Transistor
CHƯƠNG 5 TRANSISTOR
1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Bipolar Junction transistor (BJT):
BJT được cấu tạo bởi 3 khối bán dẫn được phân chia bởi hai lớp tiếp xúc P – N.
BJT có 2 loại cơ bản sau:
C C
Collector Collector
N P
B B JC
P N
Base Base JE
N P
E Emitter E Emitter
Loại NPN Loại PNP
Ký hiệu:
C
C
2
B B
3
1 2
E E
1
3
Loại NPN Loại PNP

Mối nối P – N giữa vùng B và vùng E được gọi là lớp tiếp giáp BE hay JE. Mối nối
P – N giữa vùng B và vùng C được gọi là lớp tiếp giáp BC hay JC. Vùng B rất hẹp và có
nồng độ tạp chất thấp hơn so với vùng C và vùng E. Transistor được gọi là lưỡng cực vì
có hai loại hạt dẫn: lỗ trống và điện tử tự do trong cấu trúc transistor.
Để transistor hoạt động như là một bộ khuếch đại, hai lớp tiếp xúc cần được phân
cực với nguồn điện áp bên ngoài. Trong phần này chúng ta sẽ thảo luận về transistor loại
NPN. Hoạt động của loại PNP giống như loại NPN ngoại trừ vai trò của điện tử và lỗ
trống, cực tính của nguồn phân cực, chiều dòng điện trên các cực…
Lưu ý rằng trong cả hai trường hợp mối nối JE được phân cực thuận và JC được phân
cực nghịch.
R1 R2 R1 R2
3 2 1 3
2
1

Phân cực nghịch lớp JC làm cho vùng nghèo giữa vùng B và C bị mở rộng hơn và
phân cực thuận lớp JE làm cho miền nghèo giữa B và E bị thu hẹp. Vùng E dễ dàng phun
hạt dẫn (e-) qua mối nối JE vào vùng B. Một phần nhỏ e- tái hợp với các lỗ trống bên B và
đi ra ngoài cực B tạo nên dòng điện IB. Phần lớn e- còn lại khuếch tán vào vùng nghèo
BC, dưới tác dụng của điện trường tiếp xúc BC các e- được hút qua mối nối BC. Thật
vậy, ta có thể xem như các e- được hút qua mối nối BC (bị phân cực nghịch) bởi lực hút
từ các ion dương ở vùng C. Các e- này đi qua vùng C và đến cực dương của nguồn DC
tạo nên dòng IC . Cường độ dòng điện cực C (IC) chỉ phụ thuộc vào dòng điện IB và
không phụ thuộc vào nguồn phân cực DC.
Vùng nghèo
N P N
Dòng của transistor:

IE IC IE IC
N P N P N P
IB IB
IE IC IE IC
3 2 1 3
IB IB IB
2
1
2. Các thông số của transistor:

Khi transistor được nối với nguồn phân cực. Cả hai loại NPN và PNP, VBB phân cực
thuận mối nối BE và VCC phân cực nghịch mối nối BC.
Hệ số α và β
Tỷ số của dòng Collector (IC) và dòng Base (IB) là độ lợi dòng DC của transistor.
IC
β=
IB
có giá trị trong khoảng 20 ÷ 200, còn được gọi là hfe trong data sheet.

RC RC
IC
IC VCC VCC
2
RB RB
3
1 2
IB IB
VBB VBB IE
1
IE
3
Tỷ số của dòng IC và IE là hệ số .
IC
α=
IE
có giá trị trong khoảng 0.95 ÷ 0.99
Quan hệ của α và β
I E = I C + I B . Chia hai vế cho IC
I E IC I B
= +
IC IC IC
1 1 α
= +1 β=
α β 1−α
Ví dụ: tìm hệ số và khi IB = 50ìA và IC = 3.65mA
I C 3.65mA
β= = = 73
IB 50 µA
β 73
α= = = 0.986
β +1 74
Phân tích DC:

RC IC
VCC
2
RB +
1
VCE
IB -
VBB
IE
3
Khi mối nối BE được phân cực thuận, nó giống như diode và có một điện áp thuận
rơi trên nó là :
VBE ≈ 0.7V (Si) và 0.3V (Ge)
Điện áp trên RB:

VRB = VBB − VBE (1)
VRB = RB .I B (2)
từ (1) và (2): RB .I B = VBB − VBE

VBB − VBE
IB =
RB
IC
I C = βI B và IE =
α
Điện áp trên RC:
VRC = I C .RC = VCC − VCE
VCE = VCC − I C .RC
VCB = VCE − VBE
Ví dụ: Xác định IB, IC, IE, , VCE, VCB. Biết transistor có β = 150.
100 RC
VCC
2
RB
1
10V
5V VBB 10K
3
ĐS:
IB = 430ìA.
IC = 64.5mA.
= 0.993.
IE = 64.95mA.
VCE = 3.55V.
VCB = 2.85V.
Đặc tuyến Collector
IC
100 RC IB
IC VCC
2
RB IB
1
10V
5V VBB 10K VCE

3
Giá trị của IB được xác định bởi VBB và khi VCC = 0 thì IC = 0 và VCE = 0. Bây giờ
nếu ta tăng VCC thì IC và VCE sẽ tăng lên.
Khi VCE ≈ 0.7 V, mối nối BC trở nên phân cực ngược và IC đạt giá trị cực đại, được
xác định theo IC = IB. Tại điểm này, nếu VCE tiếp tục tăng thì IC vẫn không tăng nữa.

IC
IB4>IB3
Vùng IB3>IB2
bão
hòa IB2>IB1
IB1>IB
IB = 0
VCE
Vùng tắt
Họ đặc tuyến Collector
Chế độ tắt và chế độ bão hòa:

Khi IB = 0, transistor tắt. Lớp tiếp giáp JC bị phân cực ngược nên có dòng rò
Collector rất nhỏ là ICEO, tùy thuộc vào nhiệt độ của mối nối. Trong chế độ tắt thì JE và JC
đều bị phân cực nghịch.
RC
ICEO
2
1
VCC
IB = 0
3
RC
2
RB
1
VCC
VBB
3
Khi IB tăng lên, dòng IC cũng tăng lên và VCE giảm xuống. Khi VCE giảm đến giá trị
gọi là VCE(sat) thì mối nối BC trở thành phân cực thuận và dòng IC sẽ không tăng nữa mặc
dù IB tiếp tục tăng. Trong vùng bão hòa, mối quan hệ IC = IB không còn đúng nữa và
VCE(sat) có giá trị khoảng 0.2V.
VD: Giả sử VCE(sat) = 0. Transistor có bão hòa hay không?
RC
1K
2
RB
1
10K 10V VCC
VBB 3V = 50
3

VCC − VCE ( sat )

I C ( sat ) = = 10mA
RC
VBB − VBE
IB = = 0.23mA
RB
I C = β .I B = 50 × 0.23mA = 11.5mA
Hệ số khuếch đại :
là một thông số rất quan trọng của transistor. phụ thuộc vào hai thông số IC và
nhiệt độ mối nối.
 Giữ nhiệt độ không đổi và tăng dần IC , tăng dần đến mức cực đại. Tăng IC
hơn nữa, đang ở mức cực đại sẽ giảm dần.
 Giữ dòng IC không đổi và thay đổi nhiệt độ, thay đổi theo nhiệt độ nếu nhiệt
độ tăng lên thì cũng tăng lên và ngược lại.
T2>T1
T1
IC(mA)
Bảng mô tả kỹ thuật (data sheet) thường cho giá trị tại 1 giá trị IC nào đó. Thậm chí
tại giá trị cố định của cả hai thông số IC và nhiệt độ mối nối, thay đổi từ thiết bị này sang
thiết bị khác với cùng một transistor.
Giá trị của được xác định tại giá trị IC nhỏ nhất, min . Cũng có khi người ta dùng giá
trị cực đại hoặc giá trị điển hình.
Các giá trị cực đại:

Transistor giống như các linh kiện điện tử khác, có những giới hạn trong hoạt động
của nó. Những giới hạn này là những giá trị cực đại và thường được xác định bởi nhà sản
xuất linh kiện. Điển hình, các giá trị cực đại liên quan đến transistor là VCB, VCE, VBE , IC
và P (công suất).
IC
Vùng
đánh
Vùng thủng Đường
bão cong
hòa công
suất
IB = 0
Vùng tắt VCE
Pmax = I C .VCE

Pmax thường được tại 250. Nếu nhiệt độ cao thì Pmax sẽ nhỏ hơn. Hệ số suy giảm
công suất 2mW/0C nghĩa là nếu nhiệt độ tăng lên 10C thì Pmax sẽ giảm 2mW.
3. Các cách mắc cơ bản:

Bộ khuếch đại dùng transistor:
Khuếch đại là quá trình tăng tuyến tính biên độ của tín hiệu điện và là một trong
những đặc điểm chính của transistor. Khi phân cực transistor, mối nối BE có điện trở
thấp tùy thuộc vào điện thế phân cực thuận, mối nối BC có điện trở cao tùy thuộc vào
điện thế phân cực nghịch. Vì IB rất nhỏ nên IC ≈ IE.
vi RC
1 3
VCC
VBB
2
IC
1 3
+
vi IE RC Vout
2
re là điện trở lớp tiếp xúc JE.

Vin
IE =
re
vì I C ≅ I E ⇒ Vout = RC .I e
Vout RC
AV = =
Vin re
Ví dụ: transistor có re = 50Ω
vi RC
1 3
100mV(rms) 1K
VCC
VBB
2
RC 1KΩ
Độ lợi áp AV = = = 20
re 50Ω
Vì thế điện áp ra : Vout = AV .Vin = 2V (rms)

Bộ chuyển mạch dùng transistor: (Switch)

Một ứng dụng quan trọng nữa của transistor là bộ chuyển mạch. Khi được sử dụng
như là một khóa điện tử, transistor thường hoạt động ở 2 chế độ tắt và bão hòa.
Transistor tắt:
+VCC +VCC
VCC VCC
RC RC
C
2
0V RB
1 VCE = VCC
E
3
Vì mối nối BE bị phân cực nghịch nên transistor tắt, một cách lý tưởng xem như hở
mạch cực C và E.
Transistor bão hòa:

+VCC +VCC
VCC VCC
RC RC
IC C
2
+VBB RB VCC
1 I C ( sat ) =
IB
E RC
3
Transistor bão hòa vì mỗi nối BE được phân cực thuận và dòng IB đủ lớn để IC đạt
giá trị bão hòa. Một cách lý tưởng, xem như ngắn mạch giữa C và E. vì điện áp VCE(sat) rất
nhỏ nên:
VCC
I C ( sat ) =
RC
Giá trị IB cần để transistor bão hòa: +10V
1K
Vout
2
RB
1
Vin
3
I C ( sat )
I B (min) =
β

Ví dụ:
a. VCE = ? khi Vin = 0V.
b. IB(min) = ? để transistor bão hòa. Biết = 200.
c. RB(max) = ? khi Vin = 5V.
Giải:
a. khi Vin = 0, transistor tắt và VCE = VCC = 10V.
b. Khi transistor bão hòa, VCE ( sat ) ≅ 0
VCC
I C ( sat ) = = 10mA
RC
I C ( sat )
IB = = 0.05mA
β
Đây là giá trị IB cần thiết để lái transistor đến điểm bão hòa. Nếu càng tăng IB
hơn nữa thì transistor càng bão hòa sâu hơn nhưng IC sẽ không tăng.
c. Khi transistor bão hòa, VBE = 0.7V
Vin − 0.7
RB = = 86 KΩ
IB
4. Mục đích của phân cực

Như đã biết transistor phải được phân cực để hoạt động như một bộ khuếch đại.
Mục đích của phân cực DC là để thiết lập giá trị dòng và áp của transistor không đổi
được gọi là điểm hoạt động DC hay điểm làm việc tĩnh.
Điểm hoạt động phải được xác định sao cho tín hiệu AC tại ngõ vào phải được
khuếch đại và tái tạo chính xác tại ngõ ra. Phân cực không thích hợp sẽ gây ra méo dạng
tín hiệu ở ngõ ra.
Khuếch đại tuyến tính phân cực thích hợp
Phân cực ngõ ra bị méo điểm tĩnh quá gần điểm thắt
Phân cực ngõ ra bị méo điểm tĩnh quá gần điểm bão hòa
Điểm làm việc tĩnh:

Điểm làm việc tĩnh hay còn gọi là điểm Q (Quiescence point).
Phân tích đồ thị:

Transistor được phân cực với VCC và VBB để định giá trị cho IB, IC, IE và VCE.
Đường đặc tuyến collector cho transistor như hình vẽ và chúng ta sẽ dùng hình ảnh này
để minh họa ảnh hưởng của phân cực DC. Để thực hiện điều này chúng ta sẽ thay đổi giá
trị IB và quan sát sự thay đổi của IC và VCE.
RC
IC 200
2
RB
1
VCC
10K
VBB IE 0 ÷ 10V
= 100
3
0 ÷ 5V
IC DC load line
(mA)
50
Q2
40 400ìA
Q1
30 300ìA
20 Q3
200ìA
2 4 6 10 VCE(V)
Ta thay đổi VBB để IB = 300ìA IC = 30mA và VCE = 4V Q1

IB = 400ìA IC = 40mA và VCE = 2V Q2
IB = 200ìA IC = 20mA và VCE = 6V Q3
Đường tải DC: (DC load line)
Lưu ý rằng khi IB tăng lên thì IC tăng lên và VCE giảm xuống. Khi IB giảm thì IC
giảm và VCE tăng lên. Vì thế, khi VBB thay đổi, điểm tĩnh Q của transistor di chuyển theo
đường thẳng gọi là đường tải DC.
 Khi VCE = VCC = 10V, transistor tắt bởi vì IB và IC =0. Thực tế có một dòng
ngược ICBO rất nhỏ nên VCE < 10V.
VCC
 Khi IC = 50mA, transistor bão hòa bởi vì IC đạt cực đại, VCE =0 và I C = .
RC
Thực tế có 1 điện áp rất nhỏ VCE(sat) # 0 vì thế IC < 50mA.
Hoạt động tuyến tính của transistor
Vùng dọc theo đường tải bao gồm tất cả các điểm giữa vùng cắt và vùng bão hòa
được gọi là vùng tuyến tính. Transistor hoạt động trong vùng này, điện áp ngõ ra là sự tái
tạo tuyến tính của điện áp ngõ vào.

+10V IC
A
RC 200 ICQ Q
B
2
RB VCE
1
10K
vi VCEQ
3
3.7V
IBQ
Méo dạng ngõ ra:
Tùy thuộc vào vị trí của điểm Q trên Bão hòa IC
đường tải mà biên độ của tín hiệu ngõ ra bị
giới hạn. Tín hiệu ngõ ra bị giới hạn doICQ A
nhiều nguyên nhân: biên độ tín hiệu vào, Q
vị trí điểm Q…Ta sẽ xem xét từng trường B
hợp cụ thể: VCE
VCEQ
Một phần tín hiệu ngõ vào lái transistor vào vùng bão hòa nên biên độ ngõ ra bị nén
(méo).
IC IBQ
A
ICQ Q
VCE
0 VCEQ B
tắt
Một phần tín hiệu vào lái transistor vào vùng tắt nên tín hiệu ngõ ra bị xén (méo).

IC IBQ
Bão hòa
ICQ
Q
VCEQ VCE
Tắt
Do biên độ tín hiệu vào quá lớn nên transistor bị lái vào vùng tắt và vùng bão hòa.
Khi đỉnh dương bị xén, transistor bị lái vào vùng tắt nhưng không bão hòa. Khi đỉnh âm
bị xén, transistor bị lái vào vùng bão hòa nhưng không bị tắt.
Ví dụ: Xác định điểm Q và biên độ đỉnh cực đại của IB.
+20V
IC
RC 300 66.7mA
Q IC(peak) = 66.7-37.2
37.2mA
2
RB
1 =29.5mA
50K
10V
0 8.84V 20V VCE
3
ĐS:
IB = 186ìA.
IC = 37.2mA.
VCE = 8.84V
IC(off) = 0
VCE 20
I C ( sat ) = = = 66.7 mA
RC 30
I C ( peak )
I b ( peak ) = = 147.5µA
β
Phân cực định dòng IB: (Phân cực Base)

Trong phần trước ta đã biết nguồn VBB được dùng để phân cực mối nối BE. Trong
thực tế người ta sử dụng nguồn VCC làm nguồn phân cực như là một nguồn phân cực
riêng.

VCC
VCC
a có: VRB = VCC − VBE = I B .RB

VCC − VBE RC
⇒ IB =
RB RB
2
và I C = β .I B (1) 1
VCE = VCC − I C .RC = VCC − β .I B .RC (2)
3
Chú ý:
 Trong phương trình (1) và (2) đều có chứa hệ số . Điều này không thuận lợi
vì sự thay đổi của sẽ dẫn đến IC và VCE thay đổi theo, do đó làm thay đổi
điểm tĩnh của transistor và làm cho mạch phân cực này phụ thuộc vào .
 Điểm tĩnh Q có thể bị ảnh hưởng bởi sự thay đổi của VBE và ICBO (dòng
ngược đi qua mối nối BC).
VCC
V − VBE VCC
I B = CC
RB
Khi nhiệt độ tăng lên thì VBE giảm ICBO
RC
IB tăng lên. Để loại bỏ ảnh hưởng này thì
2
chọn VCC >> VBE. Dòng ICBO có ảnh hưởng
làm tăng điện áp phân cực vì nó tạo một VBB VCC
ICBO.RB
1
điện áp rơi trên RB.
3
Hiện nay, hầu hết các transistor có ICBO rất nhỏ (nA) và có thể bỏ qua ảnh hưởng của
nó nếu VBB >> ICBO.RB
Phân cực Emitter
Loại mạch phân cực này dùng cả hai nguồn âm và nguồn dương. Khi đó VB ≅ 0V và
nguồn âm –VEE phân cực thuận mối nối BE.
Ta có:
VB ≅ 0V
VE ≅ −VBE
VE − VEE
IE =
RE
IC ≅ I E
VC = VCC − I C .RC
VCE = VC − VE
Ví dụ 1:
Ta có VE ≅ −VBE = −0.7V

VE − VEE 9.3
IE = = = 1.86mA +VCC
VCC
RE 5K
IC ≅ I E
RC
VC = VCC − I C .RC = 8.14V VC
2
VCE = VC − VE = 8.84V RB
1
VB
Ví dụ 2:
VE
Mạch như hình trên, với:
3
RE
RB =100K, RC = 680, RE = 3.3K
VCC = +15V, VEE = -15V
VCC
-VEE
Ổn định phân cực Emitter: +10V
VCC
Ta có: I B .RB + VBE + I E .RE = VEE
IE
Với IB ≅ 1K
β
VC
2
R  50K
⇒ I E  B + RE  = VEE − VBE 1
 β  VB
V − VBE VE
3
⇒ I E = EE (1) 5K
R
RE + B
β
RB VEE − VBE VCC
nếu RE >> thì (1) ⇒ I E = -10V
β RE
VEE
Hơn nữa, nếu VEE >>VBE thì I E = .
RE
Kết luận:
RB
Nếu RE >> và VEE >>VBE thì IE sẽ không phụ thuộc vào và VBE, IE không đổi
β
thì điểm tĩnh Q sẽ không đổi. Vì thế phân cực emitter cung cấp một điểm phân cực ổn
định 1 cách hợp lý.
Ví dụ:
Khi nhiệt độ thay đổi, transistor có thông số thay đổi như sau:
= 50 đến 100
VBE = 0.6V đến 0.7V
Xác định điểm tĩnh Q.
 Khi = 50 và VBE = 0.6V
I E ≅ I C = 1.892mA
VCE = 11.24V
 Khi = 100 và VBE = 0.7V
I E ≅ I C = 1.921mA

VCE = 10.995V +20V

VCC
Ví dụ:
= 20 đến 75. VBE = 0.75V đến 0.59V 5K
VCC = ± 10V. Xác định điểm tĩnh Q.
VC
2
10K
1
VB
VE
3
10K
Phân cực emitter cho transistor PNP:

Đối với transistor loại PNP thì phân cực có VCC
-20V
mạch như hình vẽ. Sơ đồ mạch giống như đối với
NPN, chỉ khác chiều dòng điện và cực của nguồn - VCC
VCC
cung cấp.
RC
RB
3
2
1
RE
Phân cực kiểu phân áp

VCC VVCC
CC
IB + I2 Điện trở
VCC VCC
RC tương
R1
R1 đương
2
IB R1 nhìn vào
A 1
A cực B
I2
R2 R2
3
R2 RE RIN
Hình a. Hình b. Hình c.
Nếu dòng I B << I R thì mạch phân cực như hình b). Nếu dòng IB đủ lớn để so sánh
2
với I2 thì phải xét điện trở ngõ vào DC RIN nhìn vào cực B. Ta thấy rằng RIN mắc song
song với R2.
Tìm RIN:
VA
RIN =
IB

mà V A = VB ( Base) = VBE + I E .RE

Giả sử rằng VBE <<IE.RE ⇒ VB = I E .RE = β .RE .I B
β .RE .I B
⇒ RIN = = β .RE
IB
Kết luận: RIN = β .RE
Phân tích mạch phân cực kiểu phân áp:

Ta có: VCC
R2 //( βRE )
VB = × VCC
R1 + R2 //( βRE )
R1 RC
R2
Nếu .RE>>R2 thì VB = × VCC VC
2
R2 + R1
VB 1
VE = VB − VBE
VE
V
⇒ IE = E
3
RE R2 RE
IC ≅ I E
VC = VCC − I C .RC
VCE = VC − VE = VCC − I E (RC + RE )
Ví dụ:
Xác định VCE và IC, biết = 100.
1
Nếu R2 << .β .RE thì R2 //( β .RE ) ≈ R2
10 VCC
Ta có: RIN = RE = 100x 500 = 50K.

R1
1 RC
R2 = 5 KΩ ≤ RIN 10K 1K
10
VC
2
R2
VB = × VCC = 3.33V VB 1
R2 + R1
VE
VE = VB − VBE = 2.63V
3
R2 RE
V 500
⇒ I E = E = 5.26mA ≈ I C 5K
RE
VCE = VC − VE = VCC − I E (RC + RE ) = 2.11V
Ổn định phân cực kiểu phân áp:

VCC VCC
Hình a. Hình b.
RC
RC
2
2
R1 RTH
A +VTH
1 1
VCC VCC
R2
3
3
RE
RE
Dùng biến đổi tương đương Thevenin:

RT = R1 // R2 VCC
VCC
R2
VT = × VCC RE
R1 + R2
R2 1K
10K
từ hình b) ta tính được:
1
2
VT = I B .RT + VBE + I E .RE
IE
3
R1
với IB = RC
β
20K 2K
 R 
⇒ VT = I E  RE + T  + VBE
 β 
V − VBE
⇒ IE = T
R
RE + T
β
RT VT − VBE
nếu RE >> thì ⇒ I E = .
β RE
Ví dụ:
Transistor có = 150. Tìm điểm tĩnh Q.
ĐS:
VB = 6.67V
VE = 7.37V
IE = IC = 2.63mA
VEC = 2.11V

Phân cực hồi tiếp Collector

Phân cực dạng này rất ổn định vì ít bị ảnh VCC
hưởng bởi .
tăng theo nhiệt độ, IC tăng lên
RC
⇒ VC = VCC − I C .RC giảm. Mà VC giảm thì dòng IB RB
sẽ giảm theo và IC cũng giảm. Kết quả là mạch có
2
khuynh hướng duy trì giá trị ổn định của IC giữ
cho điểm Q cố định. 1
Phân tích mạch:
3
VC − VBE
IB =
RB
mà VC = VCC − I C RC
và I C = βI B VCC
V − VBE
⇒ I C = CC
R
RC + B RC
β RB
10K
Ví dụ: Tính IC và VCE: 100K
2
Biết transistor có = 100. 1
Tính điểm tĩnh Q của mạch.

3
ĐS:
IC = 0.845mA
VCE = 1.55V
5. Field – Effect Transistor (FET)

FET là linh kiện đơn cực, hoạt động với chỉ một loại hạt dẫn chính. FET có 2 loại
chính:
 JFET: Junction field – Effect Transistor.
 MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Transistor. MOSFET còn gọi là IFET
(Isolate – gate FET).
BJT là loại linh kiện được điều khiển bằng dòng điện, dòng IB điều khiển dòng IC.
Nhưng FET là loại linh kiện được điều khiển bằng điện áp, điện áp điều khiển dòng điện
đi qua linh kiện.
FET thường được sử dụng rộng rãi trong các mạch thu AM hoặc FM, là linh kiện
quan trọng trong nhiều hệ thống thông tin.
. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động:
Tùy thuộc vào cấu tạo JFET được chia ra làm hai loại: JFET kênh N và JFET kênh
P.

Drain Drain
N P
Gate Gate
P P N N
Kênh dẫn Kênh dẫn
Source Source
Kênh dẫn loại N Kênh dẫn loại P
Nguyên lý hoạt động: D
G N
VDD
VGG
S
Nguồn VDD cung cấp điện áp VDS và dòng IDS. JFET luôn luôn hoạt động với mối
nối GS bị phân cực nghịch. Điện thế âm VG hình thành vùng nghèo tại mối nối PN và vì
thế điện trở kênh dẫn tăng lên. Độ rộng của kênh dẫn được điều khiển bằng cách thay đổi
điện thế VG và nhờ đó điều khiển được dòng ID.
D +
G
P P VDS
+
VGG
- S -
Bề rộng miền nghèo giữa hai cực G – D lớn hơn so với G – S do điện áp phân cực
ngược VGD lớn hơn điện áp phân cực ngược VGS.
Ký hiệu của JFET:
D D
G G
2
3 2
S S
1
Loại N Loại P

Đặc tuyến và các thông số
ID
Vùng tuyến tính
Vùng
C
IDSS B đánh
thủng
Vùng thắt kênh
A VDS
0 VP
Khi VGS = 0, tăng dần VDD từ 0V, ID sẽ tăng tỷ lệ với VDS như trong đoạn AB. Trong
vùng này, điện trở kênh dẫn hầu như không đổi nên còn gọi là vùng tuyến tính.
Tại điểm B, đường đặc tuyến có dạng nằm ngang và ID có giá trị không đổi là IDSS.
Tại điểm này, điện áp phân cực ngược trên mối nối G – D làm cho vùng nghèo mở rộng
đủ để kênh dẫn thu hẹp vì thế điện trở kênh dẫn càng tăng (do ID không đổi, VDS càng
tăng). Giá trị VGD tại điểm này gọi là điện áp thắt kênh (VP).
Tổng quát: VP = VGS − VDS
Do VGS =0 ⇒ VGD = −VDS = VP
VP có giá trị không đổi đối với loại JFET cụ thể. Giá trị VDS tại điểm thắt kênh thay
đổi tùy thuộc vào giá trị VGS. IDSS là giá tị cực đại của ID khi VGS = 0.
Tại điểm C, xảy ra hiện tượng đánh thủng và ID tăng rất nhanh do mối nối phân cực
ngược bị đánh thủng, vì thế JFET luôn luôn hoạt động trong vùng thắt kênh từ điểm B
điểm C.
ID
VGS = 0
VGS = -1
VGS = -2
VGS = -3
VGS = -4
VDS
Họ đặc tuyến JFET
Tăng dần giá trị âm của VGS, điện áp ngưỡng VP xuất hiện tại những giá trị VDS
giảm dần, vì thế ID sẽ giảm tương ứng. Vì thế ID được điều khiển bởi điện áp VGS. Giá trị
IDmax (IDSS) xuất hiện khi VGS = 0 và giảm dần khi VGS tăng lên.
Trạng thái tắt:
Nếu VGS càng âm thì IDS càng nhỏ. Khi VGS âm đủ lớn đến khi ID = 0 vùng nghèo
bị mở rộng tối đa hay kênh dẫn bị đóng. Giá trị VGS tại điểm tắt gọi là VGS(off).
Từ phương trình: VP = VGS − VDS
JFET kênh N tắt khi VGS = VP VDS =0 IDS =0.
Kênh
dẫn bị
P P đóng
Phân biệt trạng thái tắt và trạng thái thắt kênh:

Điện áp thắt kênh VP là giá trị của VGD mà khi đó ID có giá trị không đổi đối với mỗi
giá trị của VGS.
Điện áp tắt VGS(off) là giá trị của VGS mà khi đó ID = 0. ID chỉ bằng 0 khi VGS ≥ VP .
Đặc tuyến truyền đạt của JFET:
JFET kênh N, VGS(off) < 0 (VP = VGS(off))
JFET kênh P, VGS(off) > 0
 Khi ID = 0, VGS = VGS(off).
 Khi ID = IDSS, VGS = 0.
Phương trình đặc tuyến có dạng:
VGS 2
I D = I DSS (1 − ) với Vp =VGS(off)
VP
ID
IDSS VGS = 0
VGS = -1
VGS = -2
VGS = -3
VGS(off) VGS = -5
VGS -5 -3 -2 -1 VDS
Đặc tuyến JFET
6. Các thông số của JFET:

VGS
 Điện trở vào: RIN = có giá trị rất lớn (~M).
IG
IG là dòng điện ngược qua mối nối G – S (IG ≈ 0).
∆VDS
 Điện trở kênh dẫn rDS: rDS = .
∆I D
∆I D
 Hỗ dẫn: gm =
∆VGS

 V 
g m = g m 0 1 − GS 
 VP 
7. Phân cực JFET:
Tự phân cực:
+VDD
VCC
+10V
VG ≅ 0
RD
VGS = − I D .RS = VG − VS = −VS do (VG =0) (1)
1K
V
I D = I DSS (1 − GS ) 2 (2)
2
3
VP
VDS = VDD − I D (RD + RS ) (3) RG
1
RS
Giải hệ phương trình 3 ẩn (1), (2) và (3) kết quả 500
Ví dụ: Tính VDS và VGS cho mạch sau, biết rằng ID = 5mA.
ĐS:
VS = 2.5V
VD = 5V
VDS = 2.5V
Vì VG = 0 nên VGS = -2.5V
Thiết lập điểm phân cực:

Đây là phương pháp cơ bản để thiết lập điểm phân cực của JFET. Ta xác định ID từ
giá trị VGS đã biết. Tìm RS theo công thức:
VGS
RS =
ID
Ví dụ: xác định RS dựa vào đặc tuyến truyền đạt sau tại VGS = -5V.
ID(mA)
5V
IDSS RS = = 800Ω
6.25mA
6.25
VGS(V)
VGS(off) -5
Ví dụ: xác định RS với IDSS =25mA và VP = -10V, VGS = -5V.

Từ phương trình:

VGS 2
I D = I DSS (1 − ) = 6.25mA
VP
VGS 5V
RS = = = 800Ω
ID 6.25mA
8. MOSFET: Metal Oxide Semiconductor FET

Đây là loại transistor không có mối nối PN hay còn gọi là FET có cực cửa cách ly.
Có hai loại MOSFET cơ bản là MOSFET kênh có sẵnvà MOSFET kênh cảm ứng.
MOSFET kênh có sẵn:
Cấu tạo: Tùy theo cấu tạo mà ta có các loại như sau: MOSFET kênh N và
MOSFET kênh P.
+VDD -VDD
VCC
VCC
RD RD
VG ≈ 0 VG ≈ 0
2
3
3
2
RG RG
1
RS RS
Drain Drain
SiO2 SiO2
N P
Gate Gate
P N
N P
Source Source
Kênh dẫn loại N Kênh dẫn loại P
MOSFET có thể hoạt động trong chế độ nghèo hoặc chế độ giàu. Vì cực cửa cách ly
so với kênh dẫn bằng lớp SiO2 nên có thể cung cấp điện áp VG dương hoặc âm vào cực G
(Gate).
Xét hoạt động của MOSFET loại N: MOSFET hoạt động trong chế độ nghèo khi VG <
0 và trong chế độ giàu khi VG > 0.

D
RD
N +
- +
G - +
+ P VDD
- +
- + -
- N Chế độ nghèo VGS<0 và
VG VGS<VGS(off)
+
S
D
RD
N
+ - -
G + -
- P VDD
+ -
+ + - +
N
VG Chế độ giàuVGS>0
-
S
Chế độ nghèo: Lớp SiO2 là lớp điện môi cách điện. Do đó cực G được xem như là
1 bản cực của tụ điện và mặt đối diện của lớp SiO2 là bản cực còn lại.
Khi VGS âm, điện tích âm tích tụ trên cực G và điện tích dương tích tụ trong kênh
dẫn loại N. Các điện tích dương này sẽ tái hợp với các e- có sẵn trong kênh dẫn, nếu VG
càng âm thì e- bị tái hợp càng nhiều các e- tự do trong kênh dẫn giảm nên còn gọi là
chế độ làm nghèo kênh dẫn hay chế độ nghèo.
Khi VGS =VGS(off) thì kênh dẫn không còn hạt dẫn nên ID = 0 MOSFET tắt.
Chế độ giàu: khi VG > 0, điện tích dương sẽ tích tụ trên cực G và điện tích âm tích
tụ trong kênh dẫn, vì thê e- trong kênh dẫn tăng lên nên còn gọi là chế độ làm giàu hạt
dẫn hay chế độ giàu.
Ký hiệu của MOSFET: D D
1
G G
3 3
S S
2
Loại N Loại P
Đặc tuyến và thông số của MOSFET:

Đây là loại MOSFET hoạt động với VGS > 0 hoặc VGS < 0.
VGS 2
Phương trình đặc tuyến: I D = I DSS (1 − )
VP

ID
ID
IDSS
IDSS
VGS VGS
VGS(off) 0 0 VGS(off)
MOSFET kênh cảm ứng:

Loại này chỉ hoạt động trong chế độ giàu và không có chế độ nghèo. MOSFET kênh
cảm ứng có cấu tạo giống như MOSFET kênh có sẵn nhưng nó không có kênh dẫn vật lý.
Cấu tạo và nguyên lý hoạt động:
Drain
Drain
SiO2
SiO2
N
P
Gate
P Gate
N
N
P
Source
Source
Kênh cảm ứng loại N
Kênh cảm ứng loại P
Đối với MOSFET loại N, VGG lớn hơn giá trị ngưỡng (VT) thì sẽ hình thành kênh
dẫn bằng cách tạo 1 lớp mỏng điện tích âm trong lớp bán dẫn loại P. khi VGG càng tăng
thì kênh dẫn càng tăng do tăng cường thêm e- tự do trong kênh dẫn ID = 0.
Với VGG nhỏ hơn giá trị ngưỡng thì không có kênh dẫn.
Kênh dẫn D
RD
cảm ứng
+ N
+ - +
G -
-P VDD
+ -
+ - -
+ N
VGG
-
S

Ký hiệu:
D D
2
G G
2 1
S S
3
Loại N Loại P
Đặc tuyến truyền đạt:

Loại N VGS > 0.
Loại P VGS < 0.
ID ID
VT
VGS VGS
0 VT VT 0
Loại N Loại P
ID = 0 khi VGS < VT. (VGS(OFF))

ID # 0 khi VGS ≥ VT (điện thế ngưỡng).
Phương trình đặc tuyến:
2
I D = K (VGS − VT )
hằng số K phụ thuộc vào MOSFET và có thể xác định từ bảng mô tả kỹ thuật của
nhà sản xuất (data sheet).
phân cực MOSFET:

+VDD
 MOSFET kênh có sẵn: VCC
Ta có IG ≈ 0 VG ≈ 0 RD
VDS = VDD – IDSS.RD IDSS
3
Ví dụ: Cho mạch như hình trên. Biết:

IG ≈ 0
VDD = +18V 2
+
RD = 600 VGS -
1
RG
RG = 10M RE
VT = -8V và IDSS = 12mA.
ID = IDSS , VDS = 10.8V

 MOSFET kênh cảm ứng:

Có hai cách phân cực để VGS > 0.
Tính mạch phân cực dựa vào phương trình
2
I D = K (VGS − VT )
+VVCC
DD
+VVCC
DD
RD RD
R1
RG
3
3
2
2
R2
1
1
Ví dụ: ID(on) = 3mA tại VGS = 10V và VT =5V.
+24V
VCC
R2
VGS = × VDD = 14.4V
R1 + R2 RD
2 R1
K=0.12 mA/V . 1K
10K
Với VGS = 14.4V
3
2
⇒ I D = K (VGS − VT ) = 10.6mA 2
VDS = VDD − I D RD = 13.4V R2

1
15K

Bài giảng DCLKĐT Chương 6:Vi mạch tích hợp
CHƯƠNG 6 VI MẠCH TÍCH HỢP

(IC: INTERGRATED CIRCUIT)
1. Khái Niệm.
Định Nghĩa:
Vi mạch là mạch điện gồm nhiều linh kiện Transistor, diode, điện trở… được chê
tạo đồng loạt trên một kích thước rất nhỏ, các linh kiện này liên kết với nhau thực hiện
một số chức năng đã định và được bọc bên ngoài bằng vỏ plastic hoặc kim loại, nên còn
được gọi là mạch điện tích hợp (gọi tích là IC).
Phân Loại Vi Mạch:
Vi mạch có hai loại chính đó là vi mạch số và vi mạch tương tự ( tuyến tính).
- IC số (digital): là vi mạch dùng để xử lý tín hiệu số. Thường ký hiệu bằng chữ- D.
- IC tương tự (Analog): là vi mạch dùng để xử lý tín hiệu Analog, thường có ký
hiệu bằng chữ A và thêm ký hiệu của hãng sản xuất.
VD: TA: IC Analog của hãng TOSHIBA.
Các hệ thống số làm việc bằng vận dụng các cổng logic AND, OR, NOT, NOR…
và các Flip Flop. Các dụng cụ chứa các cổng này là số. Các dụng cụ giao tiếp như các bộ
đệm được thiết kế chủ yếu cho các ứng dụng số cũng được xem là IC số. Các mạch vi xử
lý và các linh kiện liên hệ, các chip tính toán và đồng hồ là các dụng cụ số. Ta cũng sẽ
xem xét các bộ chuyển đổi analog và digital là các IC số.
Phần lớn các dụng cụ khác được coi là IC tuyến tính. Chúng bao gồm các mạch
khuếch đại, bộ so sánh, ổn áp, dao động và các vo mạch thông tin, audio và video (như
bộ thu AM, FM, tách sóng FM, giải điều chế stereo, điều khiển âm thanh, equalizer,
khếch đại video TV, tách đồng bộ…
Đóng Gói Các Vi Mạch:
Có nhiều dạng đóng gói như : TO-5, DIP-8, TO-3, SIP-9, TO-220…
Dạng vỏ kim loại TO-5: 8,10, 12 chân.
Dạng DIP (Dual inline Package): có các cấu hình 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 28 và 40
chân. Đối với các loại DIP-8, 14, 16, 18, 20 chân thì các hàng chân cách nhau 0.3 in, các
chân kề nhau 0.1 in.
Những năm gần đây người ta chế tạo các loại vỏ gắn trên bề mặt (surface mount
package) dùng để gắn IC lên bề mặt của vi mạch in không cần khoang lỗ. Ví dụ như SO-
8 và SO-4 (SO là Small Outline).
Dạng gắn bề mặt PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier).
Các mạch xử lý công suất như ổn áp và khuếch đại công suất thường dùng kiểu
đóng gói khác.
- Đối với loại công suất tiêu tán từ 20W trở lên, người ta dùng dạng TO-3. On áp
đơn giản chỉ có hai chân với chân thứ 3 là vỏ.

- Đối với loại công suất tiêu tán nhỏ hơn 15W thì dạng TO-220 là chủ yếu.
- TO-39 cho ổn áp nhỏ hơn 2W.
- Các vi mạch khuếch đại công suất đôi khi ở dạng 1 đường ra SIP (Single In – line
Package) SIP-9.
2. Vi Mạch Khuếch Đại Thuật Toán (Op-Amp: Operational Amplifier)

Khái Niệm:
Mạch khuếch đại thuật toán, còn gọi là Op-Amp là loại vi mạch được chế tạo theo công
nghệ màng mỏng dưới dạng tích hợp IC nên còn gọi IC thuật toán.
IC thuật toán thường được sử dụng trong các mạch làm toán như cộng, trừ, nhân, chia,
tích phân, vi phân… hoặc trong các lĩnh vực khác như tạo sóng (sin, vuông, tam giác),
tạo hàm, so sánh, khuếch đại v.v…
Ký hiệu của opamp:
Bộ khuếch đại thuật toán có 2 ngõ vào và một ngõ ra, hai ngõ vào được thiết kế dưới
dạng vi sai.
Vout = A (Vin + − Vin − )
với A: là hệ số khuếch đại.
Vout: điện áp ra.
Vin+: Điện áp vào không đảo.
Vin-: Điện áp vào đảo.
Đặc tính kỹ thuật của OP-AMP
 Độ lợi điện áp lớn (lý tưởng AV = ∞ )
 Tổng trở vào lớn (lý tưởng Zin = ∞ )
 Tổng trở ra bé (lý tưởng Zout = 0)
Các dạng mạch cơ bản của Op-Amp
a. Mạch so sánh: Do Op-amp có hệ số khuếch đại rất lớn, nên tín hiệu vào Vin rất
nhỏ là IC đã bảo hoà:
Nếu Vin+ > Vin- : Vout = Vcc, được gọi là vùng bảo hoà dương.
Nếu Vin+ < Vin- : Vout = -Vcc, được gọi là vùng bảo hoà âm.

Đặc tuyến truyền đạt của Opamp:
b. Mạch khuếch đại đảo: là mạch dùng hồi tiếp âm từ ngõ ra đến ngõ vào đảo.
Mạch khuếch đại đảo có hệ số được tính theo công thức:
Rf
Av = −
Ri
Ri Rf
Với : Ri: điện trở ngõ vào. Vi
Rf: điện trở hồi tiếp -VCC
R3: cân bằng nhiệt cho Op-amp
- Vo
R3
+VCC
Muốn thay đổi độ khuếch đại vi sai vòng kín Av, thì cần chọn các giá trị Ri, Rf thích
hợp. Khi thay đổi Ri thì tổng trở vào sẽ thay đổi. Còn thay đổi Rf thì chỉ có Av thay đổi
nhưng tổng trở vào không thay đổi, song giá trị Rf không phải chọn tùy ý.
- Nếu Rf quá nhỏ, dòng ra của Op-Amp sẽ vượt quá giá trị cực đại cho phép, vì
dòng ra bao gồm dòng if và dòng qua tải.
- Nếu Rf quá lớn, mạch điện dễ bị nhiễu và làm việc thiếu ổn định. Thông thường
chọn Rf từ 2k đến 2M.
Bộ khuếch đại đảo có trở kháng vào rất lớn nên dòng vào Op-Amp rất nhỏ. Do vậy
dòng tín hiệu vào Ri sẽ bằng dònmg qua Rf: ii ≅ i f . Nếu đầu vào không đảo (3) của Op-
Amp nối mass, thì dòng phân cực ib cho ngõ vào đảo sẽ tạo ra áp lệch giữa 2 ngõ vào và
bản thân dòng phân cực lại thay đổi theo nhiệt độ nên làm việc thiếu ổn định.
Để giảm nhỏ ảnh hưởng này, cần mắc điện trở R3 vào đầu vào không đảo với mass.
Điều kiện cân bằng tốt nhất nên chọn R3 = R1 // R2 .

c. Mạch khuếch đại không đảo:

Ri Rf
-VCC
- Vo
Vin +
R3
+VCC
Mạch có hệ số khuếch đại được tính theo công thức:

Rf
Av = 1 +
Ri
Điện trở R3 được ở đầu vào không đảo để ổn định nhiệt, không cho ngõ ra trôi đến trạng
thái bảo hòa.
d. Mạch đệm.
Mạch có hệ số khuếch đại : -VCC

Av = 1
Zin rất lớn ( ≅ ∞ ) - Vo
Vin
Zout rất bé ( ≅ 0 ) +
e. Mạch cộng (Summer) +VCC

R1 Rf
R1 V1
V1
R2
R2 V2 -VCC
V2 -VCC
R3
R3 V3 - Vo
V3 - Vo
+
+
+VCC
+VCC R4
R5
R4
 R1   V1 V 2 V 3 
Vout =  1 +  (V 1 + V 2 + V 3 ) Vout = − Rf  + + 
 R3   R1 R 2 R3 

f. Mạch trừ (Subtracter)

R1 R2
Vi
-VCC
- Vo
Vi R3 +
R4
+VCC
Mạch có điện áp vi sai ngõ ra tỉ lệ với hiệu điện thế ngõ vào nên ra kết quả phép trừ. Điện
áp ra được tính bởi công thức:
 R1 + R 4  R 4 R2
Vo =   V2− V1
 R 2 + R3  R3 R1
R1 R 4
Có thể chọn các giá trị R tùy ý, nhưng phải theo tỉ lệ =
R 2 R3

Bài giảng DCLKĐT Chương 7: Quang điện tử
CHƯƠNG 7 QUANG ĐIỆN TỬ
1. khái niệm chung về kỹ thuật quang điện tử

Định nghĩa
Quang điện tử là những hiệu ứng tương hỗ giữa bức xạ ánh sáng và mạch điện tử.
Bức xạ ánh sáng là 1 dạng của bức xạ điện từ có dải bước sóng từ 0,001 nm đến
1cm. Sự thay đổi trạng thái năng lượng trong nguyên tử và phân tử là nguồn gốc của các
bức xạ ánh sáng đó.
Các bức xạ quang được chia thành 3 vùng là:
Vùng cực tím Độ dài bước sóng từ 100 nm đến 380 nm

Vùng ánh sáng nhìn thấy Độ dài bước sóng từ 380 nm đến 780 nm
Vùng hồng ngoại Độ dài bước sóng từ 780 nm đến1 mm
Phân loại linh kiện quang điện tử

Gồm 2 loại linh kiện là linh kiện bán dẫn và linh kiện không bán dẫn.
* Linh kiện bán dẫn quang điện tử là những linh kiện thể rắn được chế tạo từ vật
liệu bán dẫn như điện trở quang, diode quang, transistor quang, LED, PiN, Laser, APD
…
* Linh kiện không bán dẫn quang điện tử là sợi quang, mặt chỉ thị tinh thể lỏng
LCD, ống nhân quang …
2. các linh kiện phát quang

Nguyên lý bức xạ
Hai tiên đề của Bohr:
* Tiên đề về trạng thái dừng: nguyên tử chỉ tồn tại ở những trạng thái có mức năng
lượng xác định, gọi là các trạng thái dừng. Trong các trạng thái dừng nguyên tử không
bức xạ.
* Tiên đề về sự bức xạ và hấp thụ năng lượng của nguyên tử: trạng thái dừng có
mức năng lượng càng thấp thì càng bền vững. Khi nguyên tử ở các trạng thái dừng có
năng lượng lớn bao giờ cũng có xu hướng chuyển sang trạng thái dừng có mức năng
lượng nhỏ hơn.
Hệ quả rút ra từ hai tiên đề trên là: trong trạng thái dừng của nguyên tử, điện tử chỉ
chuyển động quanh hạt nhân theo những quỹ đạo có bán kính hoàn toàn xác định gọi là
các quỹ đạo dừng.
Điều này cho thấy khi cung cấp cho nguyên tử một năng lượng nào đó thì điện tử sẽ
hấp thụ năng lượng này và nhảy lên mức năng lượng cao hơn. Tuy nhiên, nếu quỹ đạo
càng xa hạt nhân thì thời gian tồn tại ở quỹ đạo này càng ngắn và có xu hướng trở về quỹ
đạo gần hạt nhân theo cách nhảy thẳng hoặc nhảy từng bước.

2.2.1 Sự bức xạ ánh sáng không kết hợp (bức xạ tự phát)

Như đã nói ở trên nếu các điện tử trở về mức năng lượng cơ bản từ các mức năng
lượng cao theo cách nhảy thẳng hoặc nhảy từng bước qua các trạng thái dừng trung gian
thì ánh sáng do chúng bức xạ ra sẽ là ánh sáng tổng hợp. Nghĩa là các xung ánh sáng này
không cùng pha và tần số, ta nói nguyên tử đã bức xạ ra ánh sáng không kết hợp (đây
chính là nguyên tắc hoạt động của LED).
2.2.2 Sự bức xạ ánh sáng kết hợp (bức xạ kích thích)
Khi các nguyên tử tồn tại trong cùng một mạng tinh thể thì chúng ảnh hưởng lẫn
nhau, do đó khái niệm mức năng lượng có thể thay bằng khái niệm dải năng lượng. Sự
dịch chuyển từ trạng thái năng lượng này sang trạng thái năng lượng khác có thể bị cấm
nhiều, cấm ít hay cấm hẳn.
Xét trường hợp của Laser hồng ngọc
Các điện tử có 3 mức năng lượng E1, E2, E3. Trong đó E1 là mức năng lượng cơ
bản. E2 là mức năng lượng ổn định (thời gian tồn tại điện tử ở mức này là 10-2s). E3 là
mức năng lượng cao (thời gian điện tử tồn tại ở đây chỉ là 10-8s) nên khi bị kích thích lên
mức này thì điện tử nhanh chóng nhảy xuống E2.
Như vậy khi có năng lượng cung cấp thích hợp đưa vào mạng tinh thể thì điện tử sẽ
E3
E2
E1
Tr¹ng th¸i b×nh th−êng Tr¹ng th¸i kÝch thÝch §¶o mËt ®é tÝch luü
tập trung ở mức E2 (E1 → E2; E1 → E3 → E2). Nghĩa là trong nguyên tử xảy ra hiện
tượng đảo mật độ tích luỹ (điện tử bình thường tập trung ở E1 nay chuyển sang tập trung
ở E2)
Nếu ngẫu nhiên xảy ra một quá trình bức xạ của một điện tử bị kích thích nào đó thì
sẽ có hiệu ứng dây chuyền xảy ra. Sở dĩ vậy là do khi chuyển từ E2 về E1 điện tử này sẽ
bức xạ ra một dao động ngắn, dao động này lan truyền và tác động tới các điện tử khác và
làm chúng cũng bức xạ. Tần số của bức xạ được xác định bởi mức chênh lệch năng lượng
giữa E2 và E1. Do đó có thể coi rằng các điện tử nằm cùng mức năng lượng E2 được
điều hưởng ở cùng một tần số và pha trùng với tần số và pha của ánh sáng kích thích. Tức
là ánh sáng phát ra là ánh sáng kết hợp. Người ta gọi đây là hiện tượng khuếch đại ánh
sáng nhờ bức xạ cưỡng bức. Nguyên lý này còn gọi là nguyên lý Fabry - Perot, và
LASER chính là linh kiện có nguyên tắc hoạt động dựa vào nguyên lý này.
Trên thực tế năng lượng dùng để kích thích cho các quá trình đã phân tích ở trên là
năng lượng điện trường và người ta gọi đó là nguyên lý biến đổi điện/quang. Nghĩa là từ
năng lượng điện chuyển thành năng lượng quang nhờ các hiện tượng bức xạ.
Diode phát quang - LED (Light Emitting Diode)
LED là linh kiện bán dẫn quang có khả năng phát ra ánh sáng khi có hiện tượng tái
hợp xảy ra trong chuyển tiếp P - N.
Ánh sáng do LED phát ra là ánh sáng không kết hợp, tự phát và đẳng hướng.
Tuỳ theo vật liệu chế tạo mà ánh sáng bức xạ của LED có thể ở những vùng bước
sóng khác nhau.
LED bức xạ ra ánh sáng nhìn thấy (gọi là LED màu) được sử dụng trong các hệ
thống chiếu sáng hoặc quang báo.
LED bức xạ hồng ngoại (LED hồng ngoại) được sử dụng trong hệ thống bảo vệ, sản
xuất, thông tin quang….
a. Cấu tạo và ký hiệu LED
P N
A K A K
Vật liệu chế tạo LED là các nguyên tử nhóm III và V: GaAs, GaP, GaAsP … đây là
những vật liệu tái hợp trực tiếp.
Nồng độ hạt dẫn của P và N rất cao nên điện
trở của chúng rất nhỏ. Do đó khi mắc LED phải mắc λ ~ 980 nm
A
nối tiếp với một điện trở hạn dòng.
Cấu tạo của LED hồng ngoại tương tự như của
LED màu. Chỉ có một điểm khác biệt là một mặt của GaAs (P)
bán dẫn được mài nhẵn làm gương phản chiếu để đưa
ánh sáng ra khỏi LED theo một chiều với độ tập
GaAs (N)
trung cao.
b. Nguyên tắc làm việc của LED B Mµi nh½n
Dựa trên hiệu ứng phát sáng khi có hiện tượng
tái hợp điện tử và lỗ trống ở vùng chuyển tiếp P - N.
LED sẽ phát quang khi được phân cực thuận, nghĩa là biến đổi năng lượng điện thành
năng lượng quang. Cường độ phát quang tỉ lệ với dòng qua LED.
Khi phân cực thuận các hạt dẫn đa số sẽ ồ ạt di chuyển về phía bán dẫn bên kia.
Điện tử từ bên N sẽ khuếch tán sang P và lỗ trống bên P sẽ khuếch tán sang N. Trong quá
trình di chuyển chúng sẽ tái hợp với nhau và phát ra các photon.
Đặc tuyến Von-Ampe của LED
Ith
Ung max
UD UAK
Đặc tuyến V- A của LED giống như của diode thông thường.
Điện áp phân cực thuận UD: 1,6 - 3 V; điện áp phân cực ngược: 3 - 5 V; dòng ID
khoảng vài chục mA
Chú ý:
Do đặc điểm cấu tạo đặc biệt nên LED hồng ngoại tạo ra ánh sáng nằm trong vùng
hồng ngoại. Ngoài ra, những tia có hướng đi vào trong lớp bán dẫn sẽ gặp gương phản
chiếu và bị phản xạ trở lại để đi ra ngoài theo cùng một hướng. Việc này sẽ tăng hiệu suất
một cách đáng kể cho LED.
Tia hồng ngoại có khả năng xuyên qua chất bán dẫn tốt hơn so với ánh sáng nhìn
thấy nên hiệu suất phát của LED hồng ngoại cao hơn rất nhiều so với LED phát ánh sáng
màu.
Để tăng cường tính định hướng cho LED, người ta thường cấu tạo LED với một lỗ
cho ánh sáng đi qua. Có hai loại LED là SLED (LED phát xạ mặt) và ELED (LED phát
xạ cạnh). Dưới đây là hình minh hoạ cho việc lấy ánh sáng ra của một SLED.
c. Tham số của LED

* Vật liệu:
Về nguyên tắc tất cả các chuyển tiếp P - N đều có khả năng phát ra ánh sáng khi
được phân cực thuận nhưng chỉ có một số loại vật liệu tái hợp trực tiếp mới cho hiệu suất
tái hợp cao.
Một số loại LED thông dụng:
Bước sóng Vùng UD
Vật liệu Eg (eV) Ung
λ (nm) bức xạ (I = 20mA)
GaAs 1,43 910 Hồng ngoại 1,6 – 1,8 5
GaAsP 1,9 660 Đỏ 1,6 – 1,8 5
GaAlAs 1,91 650 Đỏ 1,6 – 1,8 5
GaAsP 2 635 Cam 2 - 2,2 5
GaAsP 2,1 585 Vàng 2,2 – 2,4 5
GaAsP 2,2 565 Xanh lá cây 2,4 – 2,7 5
GaP 2,24 560 Xanh lá cây 2,7 – 3 5
SiC 2,5 490 Xanh da trời 3 5
GaNO2 3,1 400 Tím 3 5
* Nhiệt độ
Khoảng nhiệt độ làm việc của LED : - 600C đến + 800C
LED rất nhạy với nhiệt độ:
Nhiệt độ càng tăng bước sóng của LED càng ngắn (bước sóng giảm 0,02 – 0,09
0
µm/ C).
Nhiệt độ tăng cường độ bức xạ quang giảm (1% / 0C)

* Công suất phát xạ: vài trăm µW đến vài mW

d. Phân loại và ứng dụng của LED
LED bức xạ ánh sáng nhìn thấy được sử dụng trong báo hiệu, màn hình, quảng cáo
… còn LED bức xạ ánh sáng trong vùng hồng ngoại dùng trong các hệ thống thông tin
quang hoặc các hệ thống tự động điều khiển hoặc bảo mật.
Để việc sử dụng được đơn giản và gọn nhẹ người ta thường ghép nhiều LED với
nhau, nếu ghép các cực anot với nhau thì các đầu điều khiển đi vào các catot (điều khiển
bằng xung âm) và LED gọi là anot chung. Nếu ghép các cực catot với nhau thì cực điều
khiển đi vào anot (điều khiển bằng xung dương) và LED gọi là catot chung. Người ta
thường tạo LED theo các cấu trúc sau:
LED đơn
LED đôi
LED 7 thanh .
Hình dưới đây biểu diễn các ký tự hiển thị của LED 7 thanh
LED băng
Ma trận LED
….
LASER
Như đã nói ở phần trên, LED không thể đáp ứng được những yêu cầu của hệ thống
yêu cầu tốc độ cao, công suất phát lớn, tính định hướng tốt … Trong trường hợp này
người ta phải sử dụng nguồn LASER với những tính năng vuợt trội so với LED. Xét về
bản chất cả LED và LASER đều có nguyên tắc hoạt động dựa trên nguyên lý biến đổi
điện / quang và có cấu trúc đơn giản nhất như một diode.
LASER là một linh kiện quang học dùng để tạo ra và khuếch đại ánh sáng đơn sắc
có tính liên kết về pha từ bức xạ kích thích của ánh sáng.
Môi trường bức xạ có thể là chất khí, chất lỏng, tinh thể cách điện hay chất bán dẫn.
Bức xạ của các loại LASER đều có tính chất giống nhau là có tính kết hợp về không
gian và thời gian, nghĩa là ánh sáng bức xạ ra ngoài là ánh sáng đơn sắc có tính định
hướng cao.
Nguyên tắc hoạt động
LASER hoạt động dựa trên 3 hiệu ứng:
Hiệu ứng chích động tử: khi cho hai khối bán dẫn suy biến khác loại tiếp xúc
nhau thì tại lớp tiếp xúc điều kiện đảo mật độ tích luỹ được hình thành. Các phần tử
mang điện khuếch tán sang nhau nhưng chỉ trong một thời gian ngắn sau khi hình thành
thế cân bằng quá trình này sẽ mất đi. Để tạo ra việc đảo mật độ tích luỹ thì phải đặt một
điện trường ngược với điện trường tiếp xúc, nghĩa là phân cực thuận cho diode. Khi này
ta nói các động tử được chích vào miền hoạt tính và chúng sẽ tham gia vào quá trình tái
hợp tạo thành bức xạ LASER.
Đảo mật độ tích luỹ bằng cách chiếu ánh sáng lạ hoặc cung cấp một điện trường
ngoài. Khi này số trạng thái kích thích bị chiếm giữ nhiều hơn số trạng thái cơ bản bị
chiếm giữ. Hiện tượng đảo mật độ tích luỹ xảy ra khi có hiện tượng phun hạt dẫn và dòng
bơm vượt quá dòng ngưỡng.
Phát xạ kích thích: khi điện tử chuyển từ mức năng lượng cao xuống mức năng
lượng thấp thì sẽ bức xạ ra photon. Quá trình LASER là quá trình bức xạ kích thích, nó
xuất hiện khi hệ số khuếch tán quang trong bộ cộng hưởng lớn hơn tổn hao bức xạ. Khi
đó các photon được bức xạ ra sẽ có tần số và pha đúng bằng tần số và pha của photon
đến.
3. Các linh kiện thu quang

Bộ thu quang là phần tử có nhiệm vụ biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện
dựa trên nguyên lý biến đổi quang / điện. Nghĩa là, biến đổi năng lượng quang thành
năng lượng điện. Khi các nguyên tử được cung cấp năng lượng dưới dạng năng lượng
quang thích hợp, các điện tử ở lớp ngoài cùng của chúng có thể bật ra thành điện tử tự do,
người ta gọi đó là hiện tượng phát xạ cặp điện tử - lỗ trống. Bằng cách dùng điện trường
ngoài để thu nhận các điện tử và lỗ trống này ta sẽ có dòng điện ở mạch ngoài gọi là dòng
quang điện có độ lớn phụ thuộc vào cường độ của ánh sáng chiếu vào.
Tuỳ theo mục đích sử dụng và cấu trúc mà có nhiều loại bộ thu quang khác nhau, vì
thế đặc tính của chúng cũng khác nhau.
Có thể lấy một số ví dụ điển hình như sau:
Loại Hệ số đáp
Thời gian tăng sườn Dòng tối
ứng
xung [(s] [nA]
[A/W]
Phototransistor (Si) 18 2,5 25
Photodarlington (Si) 500 40 100
PiN photodiode (Si) 0,5 0,1 – 5 10
PiN photodiode (InGaAs) 0,8 0,01 – 5 0,1 – 3
APD (Ge) 0,6 0,3 – 1 400
APD (InGaAs) 0,75 0,3 30
PiN FET (Si) 15000V/W 10
PiN FET (InGaAs) 5000V/W 1 - 10
3.1 Các thông số cơ bản của bộ thu quang

Hiệu suất lượng tử hoá: là tỉ số giữa số lượng các đôi điện tử – lỗ trống sinh ra trên
số photon có năng lượng hf đi đến
IP / q
η= (30 – 95 %)
P0 / hf
Độ nhạy S
Đây là thông số liên quan tới khả năng đáp ứng của bộ thu đối với tín hiệu. Nó phụ
thuộc vào bản thân bộ tách sóng, các mạch khuếch đại và các mạch xử lý tín hiệu điện.
Độ nhạy S là tỉ số giữa dòng quang điện sinh ra trên công suất ánh sáng đi đến

diode
IP q
S= = η.
P0 hf
Các tham số của bộ tách sóng ảnh hưởng tới độ nhạy là:
+ Hệ số đáp ứng là tỉ số giữa năng lượng điện đầu ra và năng lượng quang đầu vào
P
R = η.
hf
+ Hiệu suất lượng tử hoá
+ Độ khuếch đại của mạch. Có thể sử dụng các bộ khuếch đại điện cũng như
khuếch đại quang để làm tăng công suất tín hiệu nhưng chúng sẽ khuếch đại cả nhiễu và
tín hiệu.
+ Vật liệu chế tạo bộ tách sóng quang. Đây là thông số sẽ quyết định bước sóng
công tác, nghĩa là dải bước sóng mà bộ tách sóng sẽ làm việc tốt nhất.
Một số giá trị độ nhạy của PiN
Vật liệu Bước sóng Độ nhạy [(A/(W]

Si 900 0,65
Ge 1300 0,45
InGaAs 1300 0,6
Bước sóng hoạt động và vật liệu chế tạo

Vật liệu bán dẫn nền và thành phần pha tạp sẽ quyết định dải bước sóng hoạt động
của bộ thu quang. Ví dụ, GaAlAs làm việc ở dải 800 – 900 nm; Ge, InGaAs, In GaAsP
làm việc ở dải 1300 – 1500 nm. Bằng cách thay đổi chỉ số của In, Ga, As, P sẽ được các
bước sóng khác nhau trong dải trên. Thêm vào đó, ứng với mỗi loại vật liệu này sẽ có
hiệu suất lượng tử khác nhau.
3.2 Một số linh kiện thu quang
a. Điện trở quang
Điện trở quang là một linh kiện quang thụ động, không có tiếp xúc P – N. Nó hoạt
động dựa trên tính chất của bán dẫn là điện trở của bán dẫn phụ thuộc vào nồng độ hạt
dẫn điện. Khi vật liệu hấp thụ ánh sáng, nồng độ hạt dẫn điện của nó tăng lên, do vậy
điện trở của nó giảm xuống. Hàm của điện trở phụ thuộc vào cường độ ánh sáng chiếu
vào.
Cấu tạo và ký hiệu
Điện trở quang thường được chế tạo bằng vật liệu CdS, CdSe, ZnS hoặc các hỗn
hợp tinh thể khác, nói chung là các vật liệu nhạy quang.

Điện trở quang gồm :
Ch©n cùc
Líp chèng ph¶n quang
§iÖn cùc
VËt liÖu
B¸n dÉn nh¹y quang
nh¹y quang
ChÊt c¸ch ®iÖn
+ Một lớp vật liệu bán dẫn nhạy quang (có bề dày từ 1 (m đến 0,1 mm, tuỳ theo vật
liệu sử dụng và công nghệ chế tạo)
+ Đế là chất cách điện
+ Tất cả được phủ một lớp chống ẩm trong suốt đối với vùng ánh sáng hoạt động
của quang trở.
+ Vỏ bọc bằng chất dẻo có cửa sổ cho ánh sáng đi qua
Nguyên tắc làm việc:
Khi chiếu ánh sáng vào lớp vật liệu nhạy quang thì các cặp điện tử – lỗ trống sẽ
xuất hiện làm cho nồng độ hạt dẫn điện tăng lên, nói cách khác là điện trở của khối bán
dẫn giảm xuống.
Độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn nhạy quang được tính theo công thức:
σ = q ( nµ n + pµ p )
với ĉlà độ linh động của điện tử và lỗ trống
n,p là nồng độ hạt dẫn của điện tử và lỗ trống
Như vậy, điện trở của quang trở phụ thuộc vào cường đồ ánh sáng chiếu vào, nghĩa
là cường độ dòng qua điện trở thay đổi. Nói cách khác, sự biến đổi cường độ ánh sáng đã
chuyển thành sự biến đổi của cường độ dòng điện trong mạch, hay tín hiệu quang đã
được chuyển thành tín hiệu điện.
Các tham số chính của quang trở
+ Điện dẫn suấtĠlà hàm số của mật độ quang khi độ dài bước sóng thay đổi.
+ Độ nhạy tương đối của quang trở S(() là tỉ số giữa điện dẫn suất thay đổi theo
bước sóng và điện dẫn suất cực đại khi mật độ năng lượng quang không thay đổi.
σ p (λ )
S(λ) = ρ p (λ ) = const
σ p max (λ)
+ Thời gian đáp ứng là thời gian hồi đáp của quang trở khi có sự thay đổi cường độ
sáng
Thông thường khi cường độ ánh sáng mạnh quang trở làm việc nhanh hơn.
+ Hệ số nhiệt của quang trở
Hệ số này tỉ lệ nghịch với cường độ chiếu sáng. Do vậy quang trở cần làm việc ở
mức chiếu sáng tốt nhất để giảm thiểu sự thay đổi trị số theo nhiệt độ.
+ Điện trở tối Rd
Rd là điện trở trong điều kiện không được chiếu sáng của quang trở, nó sẽ cho biết

dòng tối (hay dòng rò) lớn nhất.

+ Công suất tiêu tán lớn nhất
Khi hoạt động cần giữ cho nhiệt độ của quang trở nhỏ hơn nhiệt độ cho phép. Kích
thước của quang trở càng lớn thì khả năng tiêu tán nhiệt càng tốt.
Vật liệu chế tạo sẽ giới hạn dải nhiệt độ của quang trở từ 40 - 750C
b. Tế bào quang điện
Cấu tạo
Vật liệu dùng để chế tạo tế bào quang
điện có thể là Ge, Si, CdS, ZnS … Rt
Phần nhạy quang là tấm bán dẫn loại N Si - N
với các cửa sổ trong suốt cho ánh sáng đi vào U F Etx
(thường được phủ thêm chất chống phản xạ +
quang). Si – P
Phía đối diện với bán dẫn N là lớp bán
dẫn loại P+
Tất cả được bọc trong lớp vỏ bảo vệ có 2 điện cực nối ra ngoài.
Nguyên tắc làm việc
Khi chiếu sáng lên lớp bán dẫn N, do quá trình lượng tử hoá các cặp điện tử – lỗ
trống sẽ được sinh ra. Dưới tác dụng của điện trường tiếp xúc chúng sẽ di chuyển về 2
điện cực. Lỗ trống di chuyển về phía N còn điện tử di chuyển về phía P. Việc di chuyển
này của các hạt dẫn đã hình thành một hiệu điện thế giữa 2 đầu điện cực có chiều từ P
sang N. Khi trạng thái cân bằng được thiết lập thì giá trị hiệu điện thế này ổn định và nếu
mắc điện trở tải thì sẽ có dòng qua điện trở này. Như vậy năng lượng quang đã được
chuyển thành năng lượng điện.
c. Diode quang (Photodiode)
Diode quang tương tự như một diode bán dẫn thông thường. Nó được chế tạo sao
cho, khi có ánh sáng ngẫu nhiên rơi trên chất bán dẫn, ánh sáng này có thể tiếp cận tới
vùng chuyển tiếp. Năng lượng ánh sáng ngẫu nhiên sẽ phá huỷ liên kết của cặp điện tử-lỗ
trống, do vậy các điện tử tự do sẽ bị hút về miền N và các lỗ trống bị hút về miền P.
Dòng quang điện do đó được tạo ra trong diode phụ thuộc vào cường độ ánh sáng.
Hướng của dòng quang điện này từ cathode đến anode; vì thế, trong các ứng dụng thông
thường, diode được phân cực ngược.
Khi diode không được chiếu sáng (0 lux), vẫn có một dòng tối Id qua chuyển tiếp
P-N, bằng với dòng rò của diode thông thường được phân
cực ngược. Khi photodiode được chiếu sáng, dòng tổng It
của nó bằng tổng của dòng tối Id và dòng quang I p tức là:
It = Id + Ip .
Hình bên chỉ ra đặc tuyến dòng/áp của diode quang
tại các giá trị khác nhau của năng lượng quang ngẫu nhiên
chiếu vào.
Trong các hệ thống yêu cầu cao về độ nhạy thu người

ta sử dụng hai loại diode quang là diode quang qua miền tự dẫn (PiN) và diode quang
thác (APD). Hai loại này được ứng dụng đặc biệt trong các hệ thống thông tin quang nên
không trình bày chi tiết ở đây.
d. Transistor quang lưỡng cực (Phototransistor)
Transistor quang có nhiệm vụ biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện, ngoài ra
chúng còn có khả năng khuếch đại các tín hiệu này lên.
Cấu tạo và ký hiệu của transistor quang
Cũng giống như transistor lưỡng cực thông thường, transistor quang được chế tạo từ
chất bán dẫn Si, Ge. Nó có 2 chuyển tiếp P – N, có 2 hoặc 3 chân cực.
B
E
C C
SiO2
B B
N+
C
E E
Transistor quang có 2 loại là PNP và NPN. Trên hình vẽ là cấu tạo của transistor
loại NPN, còn loại PNP cũng có cấu tạo tương tự như vậy.
Cực gốc B có bề mặt được ánh sáng chiếu vào, nó được chế tạo rất mỏng để có điện
trở nhỏ và thường để trống (phủ lớp phản quang).
Nguyên tắc hoạt động:
IC (mA)
8
C hf3
6
N
Rt hf2
4
hf hf1
P
2
N Ecc hf0=0
E UCB (V)
0 5 10 15
Nguồn cung cấp Ecc tạo cho chuyển tiếp phát phân cực thuận và chuyển tiếp góp
phân cực ngược.
Tải Rt để sụt bớt một phần điện áp phân cực cho C và lấy tín hiệu điện ra.
Khi không có ánh sáng chiếu vào (không có tín hiệu quang hay hf = 0, IB = 0) trong
mạch chỉ có dòng tối ICtối . Đây là dòng điện do điện tử khuếch tán từ phần phát sang
phần góp và có trị số nhỏ.

Khi có tín hiệu quang đến, trong phần gốc sẽ xuất hiện các cặp điện tử – lỗ trống.
Các điện tử sẽ di chuyển về cực góp, lỗ trống di chuyển về phía cực phát tạo thành dòng
quang điện Ip. Các lỗ trống tập trung ở tiếp giáp phát làm cho tiếp giáp phát phân cực
thuận càng mạnh, mặt khác điện tử tập trung ở tiếp giáp góp làm cho nó phân cực ngược
càng mạnh. Kết quả là điện tử dễ dàng đi từ E, qua B và sang C làm cho dòng điện cực
góp IC tăng rõ rệt.
Nhận xét:
Dòng cực gốc để hở và có ánh sáng chiếu vào nên dòng điện cực gốc chính là dòng
tín hiệu quang.
Hệ số khuếch đại dòng quang điện chính là hệ số khuếch đại của transistor trong sơ
đồ mắc cực phát chung.
Transistor cũng có 3 cách mắc là BC, EC và CC với dòng điều C
khiển là dòng tín hiệu quang.
Về mặt cấu trúc có thể coi transistor quang như là một mạch gồm
một diode quang làm nhiệm vụ biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu B
điện và một transistor có nhiệm vụ khuếch đại.
Khi này độ nhạy tăng lên vài trăm lần so với diode quang đơn E
nhưng dải tần làm việc lại bị hạn chế đi rất nhiều. Transistor quang có
dải tần làm việc rộng 300 kHz còn diode quang có dải tần làm việc cỡ vài chục MHz.
Hình bên chỉ ra đường cong biểu diễn mối quan hệ giữa dòng emitter và điện áp
collector- emitter của transistor quang NPN với các giá trị khác nhau của cường độ sáng.
Nếu cực B được nối vào mạch, sẽ có dòng base Ib và dòng collector được tăng thêm một
lượng là β.Ib.
4. Mặt chỉ thị tinh thể lỏng LCD

4.1 Khái niệm
LCD là linh kiện quang thụ động được chế tạo dưới dạng thanh và chấm ma trận.
Hiện nay LCD được sử dụng làm bảng hiển thị và màn hình
Ưu điểm:
Công suất tiêu thụ thấp, kích thước nhỏ gọn
LCD không phát sáng nên dễ đọc nếu môi trường xung quanh sáng
Cấu trúc phẳng dẹt có độ bền cơ học cao
Có thể điều khiển trực tiếp bằng linh kiện bán dẫn TTL và CMOS
Nhược điểm:
Tuổi thọ ngắn hơn LED
Chỉ có thể đọc được với nguồn sáng bên ngoài
Thời gian tắt mở tương đối chậm
Khoảng nhiệt độ làm việc khá hẹp
4.2 Cấu tạo của thanh LCD

LCD gồm 2 tấm kính đặt cách nhau 10 (m, mặt trong tráng một lớp ZnO trong suốt
làm điện cực.
Xung quanh 2 bên tấm kính hàn kín sau khi đổ đầy tinh thể lỏng vào.
Hai tấm nhựa có tính phân cực ánh sáng được dán bên ngoài tấm kính sao cho hình
ảnh được nhìn từ một phía nhờ một gương phản xạ lại.
Láng kh«ng Láng
ThÓ r¾n
®¼ng h−íng ®¼ng h−íng
t0 nãng ch¶y t0 trong suèt
Vật liệu làm tinh thể lỏng là những hợp chất hữu cơ. Tuỳ theo nhiệt độ làm việc mà
những tinh thể lỏng này ở trạng thái khác nhau
Nhiệt độ thấp: tinh thể lỏng ở thể rắn

Nhiệt độ nóng chảy: tinh thể lỏng ở thể lỏng không đẳng hướng
Nhiệt độ trong suốt: tinh thể lỏng ở thể lỏng đẳng hướng
Hiệu ứng quang học dùng cho mặt chỉ thị LCD chỉ hạn chế ở khoảng nhiệt độ mà
tinh thể lỏng ở dạng không đẳng hướng.
4.3 Nguyên tắc làm việc
a. Chế độ phản chiếu
Khi chưa có điện áp đặt vào, các thanh LCD không làm việc, ánh sáng xuyên qua
mặt chỉ thị và bị phản chiếu ở gương rồi quay trở về mắt người quan sát. Lúc này mặt chỉ
thị trong suốt.
Khi có điện áp cung cấp, trụcdài của các phân tử chất tinh thể lỏng được định hướng
theo hướng của điện trường. Như vậy, ánh sáng đi qua tấm nhựa phân cực thứ nhất sẽ bị
thay đổi do chất tinh thể đã hoạt hoá, ánh sáng không thể đi qua tấm thứ 2. Thanh tinh thể
lỏng chịu tác động của điện trường sẽ bị tối đi do ánh sáng không quay trở lại mắt người
quan sát.
ở chế độ phản chiếu này nền chỉ thị trong suốt còn những ký tự hiển thị thì bị tối
G−¬ng ph¶n chiÕu
TÊm nhùa ph©n cùc 2
®iÖn cùc trong suèt KÝnh
Keo
Tinh thÓ láng
¸nh s¸ng chiÕu vµo M¾t quan s¸t
đen. Khi này nếu không có nguồn ánh sáng ngoài thì mặt chỉ thị sẽ không nhìn thấy.
Màn hình hiển thị của máy tính cá nhân, máy điện thoại di động hiện nay chủ yếu là
LCD hoạt động ở chế độ phản chiếu.
b. Chế độ thông sáng
Chế độ này ngược với chế độ trên, khi đó 2 màng lọc phân cực song song và ta có
mặt chỉ thị có nền tối còn các ký tự hiển thị trong suốt. Loại này thích hợp cho chiếu sáng
từ phía sau.
Loại LCD này cần có điện áp xoay chiều từ 3 – 8 VAC.
Thời gian hiện số là 100 ms và thời gian tắt là 200 – 300 ms.
Hầu hết các loại đồng hồ hiển thị số đều kết hợp cả hai chế độ phản chiếu và thông
sáng.
Chú ý:
Để LCD làm việc ta cần một điện áp xoay chiều không có lẫn điện áp một chiều.
Nếu điện áp một chiều lớn màng điện cực trong suốt ZnO sẽ bị khử thành Zn có màu tối.
Khi đó màn LCD không hiển thị được nữa, người ta gọi hiện tượng này là hiện tượng mù
của LCD.
LCD thông thường yêu cầu điện áp một chiều nhỏ hơn 100 mV còn LCD màu yêu
cầu điện áp một chiều nhỏ hơn 50 mV.
4.4 Một số loại LCD tiêu biểu
LCD loại thông sáng
LCD loại phản chiếu
LCD loại thông sáng + phản chiếu
LCD màu
LCD ghép kênh
3 loại LCD đầu tiên là LCD hoạt động ở chế độ phản chiếu, thông sáng và phản
chiếu + thông sáng
LCD màu:
Để chế tạo LCD màu các hạt màu được trộn lẫn với tinh thể lỏng.
Khi không có điện áp các tinh thể lỏng nằm song song với các phần tử màu.
Khi điện áp xoay chiều đặt vào đủ lớn các phần tử màu và tinh thể lỏng sẽ được sắp
xếp lại để tạo thành màu sắc khác nhau.
LCD loại ghép kênh:
LCD có cấu trúc theo kiểu ma trận m x n nhằm giảm thiểu số dây điều khiển trong
các LCD có điểm chỉ thị.
4.5 Tham số của LCD
Giá trị
Giá trị tiêu Giá trị
Tham số Đơn vị nhỏ
chuẩn lớn nhất
nhất
0
Khoảng nhiệt độ làm việc C - 10 + 60
0
Khoảng nhiệt độ dự trữ C - 25 + 70
Điện áp làm việc VAC 3 4,5 8
Thành phần một chiều mV 100
Tần số điều khiển Hz 30 200
Dòng tiêu thụ năng lượng nA/mm2 15 30
Thời gian lên hình ms 40
Thời gian tắt hình ms 80
Thời gian lên + tắt ms 250

Bài giảng DCLKĐT Chương 8: Các linh kiện điện tử thông dụng khác
CHƯƠNG 8 CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ THÔNG DỤNG KHÁC

THYRISTOR VÀ UJT
(UJT: Uni – Junction Transistor)
Đây là loại linh kiện được cấu tạo bởi 4 lớp bán dẫn. Loại linh kiện này có hai loại
chính: loại thứ nhất là họ thyristor bao gồm Shockley diode, SCR, SCS, Diac và Triac;
loại thứ hai là UJT(Uni – Junction Transistor).
Thyristor được sử dụng để điều khiển công suất trên tải, điều khiển tốc độ động
cơ… Còn UJT được sử dụng như là linh kiện tạo xung kích cho thyristor, mạch dao động
và mạch định thời…
1. Shockley Diode:
Shockley diode là loại thyristor 2 cực. Cấu tạo của linh kiện này gồm 4 lớp bán dẫn
tạo thành cấu trúc pnpn có dạng như hình vẽ.
Anode Anode
p
Mối nối 1
n
Mối nối 2
p
Mối nối 3
n Cathode
Cathode Ký hiệu
+VVCC
CC
Anode
1
1
Q1 2 IA = IE1
2
1
3
1 IC2 = IB1
IC1 = IB2
3
Q2
2
3
1
3
Cathode
IK = IE2
3
Mạch tương đương
Khi đặt vào nguồn có cực như hình trên. Mối nối BE của Q1 và Q2 bị phân cực
thuận và mối nối BC của Q1 và Q2 bị phân cực nghịch. Khi giá trị điện áp phân cực bé.
Ta có:
I B1 = I E1 − I C1 − I CBO1
I B1 = I E1 − α 1 I E1 − I CBO1
I B1 = (1 − α 1 )I E1 − I CBO1

⇒ I B1 = (1 − α1 )I A − I CBO1
I C2 = α 2 I E2 + I CBO2 = α 2 I K + I CBO2
mà I B ≡ I C và I A ≡ I K
1 2
I CBO1 + I CBO2
⇒ IA =
1 − (α1 + α 2 )
trong điều kiện này, rất bé. Vì thế tại mức điện thế thấp dòng điện IA rất bé nên đây
là trạng thái tắt hay khóa mở. Khi VAK tăng IA tăng dần vì thế 1 và 2 cũng tăng lên. Tại
điểm 1 + 2 = 1 thì IA có giá trị rất lớn.
IA
On
IH
Off
0 VBR VAK
Đặc tuyến làm việc

Tại điểm VAK = VBR, các transistor bên trong bão hòa. Khi đó VAK giảm đột ngột
bằng VBE + VCE(sat).
Shockley diode vào vùng dẫn thuận (khóa đóng).
Diode tiếp tục dẫn, nó sẽ dẫn cho đến khi dòng IA giảm nhỏ hơn mức ngưỡng IH
diode tắt.
Dòng điện chuyển mạch IS là giá trị của IA khi diode chuyển từ vùng phân cực thuận
tắt sang vùng phân cực thuận dẫn. ( IS ≤ IH )
2. SCR: (Silicon – Controlled Rectifier)

SCR cũng là một loại linh kiện 4 lớp bán dẫn pnpn tương tự như Shockley diode
nhưng nó có 3 cực: Anode, Cathode và Gate.
Anode
A
p
n
Gate G
p
n K
Cathode Ký hiệu
A A A A
R→∞ R→0
K K K K
Ở trạng thái tắt Ở trạng thái dẫn

SCR được sử dụng trong nhiều ứng dụng như điều khiển động cơ, mạch tạo trễ, điều
khiển nhiệt độ, điều khiển pha, điều khiển relay…
Mạch tương đương của SCR:
A A
1
p
2
n Q1
G
3
p
2
G
n 1 Q2
3
K
SCR dẫn: IG = 0, SCR giống như Shockley diode ở trạng thái tắt.
VCC
VCC
RA
Q1 A
RA
1
Tắt 2
A
3
Q2 Hở mạch
2
G K
1 Tắt
IG = 0
K
3
Khi kích một xung dương vào cực G, Q1 và Q2 dẫn.

VCC
VCC
IA RA
A
RA
1
Q1 2
IB1 A
3
IG IB2 Ngắn mạch

2
Q2 K
G 1
K
3
ID2 kích Q2 dẫn, cung cấp dòng IB1 kích Q1 dẫn. Khi Q1 dẫn (dòng IC1 ≡ IB2) cung
cấp IB2 cho Q2 để Q2 tiếp tục dẫn nếu không có xung kích (IG = 0). Vì vậy, ta thấy rằng
Q2 dẫn bão hòa cung cấp IB1 cho Q1 . Ngược lại Q1 dẫn bão hòa cung cấp dòng IB2 cho
Q2.

VCC
VCC
IA RA
A
RA
1
Q1 2
IB1 A
3
IB2 Ngắn mạch
2
IG = 0 Q2 K
1
G
K
3
Giống như Shockley diode, SCR có thể dẫn mà không cần xung kích nếu như VAK >
VBR (forward Breakover). Điện thế VBR càng giảm khi IG càng tăng. Dòng IG điều khiển
giá trị điện áp VBR để SCR dẫn.
Mặc dù VAK > VBR nhưng sẽ không phá hỏng linh kiện nếu dòng IG bị giới hạn. Nên
để SCR dẫn ta chỉ cần kích 1 xung tại cực G.
SCR tắt:
Sau khi kích thì IG = 0, SCR tiếp tục dẫn. Dòng IA phải giảm nhỏ hơn giá trị ngưỡng
IH để SCR tắt. Có hai cách để SCR tắt:
 IA = 0 (ngắt dòng IA ). Bằng cách sau:
VCC
VCC
IA = 0
RA
RA
IA < IH
G
SCR tắt G
 Chuyển mạch cưỡng bức: SCR đang dẫn, tạo dòng qua SCR theo hướng
ngược lại sao cho dòng điện tổng qua SCR < IH SCR tắt.
VCC VCC
IA IA
S S
G G
RK RK
SCR dẫn SCR tắt

Đặc tuyến SCR:

IF
Vùng dẫn thuận
IH
VBD VF (VAK)
Vùng Vùng VBR

Vùng
khóa khóa
đánh
nghịch thuận
thủng
IA
IG1>IG2
IG2>IG1
IH0
IG = 0
VBD IH1 VAK
VBR1 VBR0
Họ đặc tuyến của SCR
VBR là giá trị điện áp của VAK mà tại đó SCR vào vùng dẫn thuận. VBR lớn nhất khi
IG = 0, khi IG tăng lên thì VBR giảm từng bước tương ứng.
IH là giá trị của dòng IA < IH để SCR chuyển từ vùng dẫn thuận sang vùng khóa
thuận. IH tăng khi IG giảm và lớn nhất khi IG = 0.
3. SCS: (Silicon – Controlled Switch)

SCS có cấu trúc giống như SCR nhưng có 2 cực điều khiển Cathode gate và Anode
gate. SCS có thể tắt hay dẫn tùy thuộc vào mức của xung kích vào 2 cực này.
Ký hiệu Mạch tương đương
A A
GA
1
GA
2
GK
3
K GK
1
K
3

SCS dẫn: khi kích xung kích dương vào GK hoặc kích VCC
VCC
xung âm vào GA.
SCS tắt: khi SCS dẫn ta kích xung âm vào GK hoặc
kích xung dương vào GA SCS tắt. Ta có thể dùng cách
giống như SCR là làm cho IA = 0. A
1
Q1 GA
2
2
GK
1 Q2
3
Ứng dụng: SCR và SCS có ứng dụng tương tự nhau. SCS có thời gian tắt nhanh hơn
nhưng công suất dòng và áp sẽ nhỏ hơn so với SCR. SCS chủ yếu trong bộ đếm, thanh
ghi và mạch định thời.
4. Diac và Triac
4.1. Diac
Diac có thể dẫn 2 chiều và có cấu tạo 4 lớp bán dẫn.
Cấu tạo Ký hiệu
A1
A1
n
p
p
n
A2
A2
Diac dẫn khi điện áp trên hai cực của nó > VBR ở cả hai chiều. Dòng điện qua diac
có chiều tùy thuộc vào cực tính của điện áp đặt vào 2 cực của nó. Diac tắt khi dòng điện
qua nó giảm nhỏ hơn IH.
I A
2
Q3
1
Q1 2 1
IH
-VBR V
3
-IH VBR 1 2
Q4
Q2
1
3
Đặc tuyến của Diac Mạch tương đương của Diac

Ví dụ: R R
A1 A1
I
V I
V V > VBR
A2
A2
Diac có thể dẫn điện cả hai chiều
4.2. Triac: A1
n n A1
p
n
G
p
n n A2
G
A2
Triac có thể xem 2 SCR nối song song, ngược hướng và có chung cực G. Triac có
thể dẫn theo chiều tùy thuộc vào đặc tính đặt vào 2 cực A1 và A2. Triac ngừng dẫn khi
dòng điện qua nó giảm nhỏ hơn IH. (giống như SCR)
IA
IH0 I2 I1 I0
-VBR0 IH1 VA
0 VBR0
-IA
5. UJT Họ đặc tuyến của Diac
UJT là linh kiện 3 cực có cấu tạo như hình vẽ.

Base 1
Mối nối PN
B2
n E
1
3
p
Emitter
2
B1
Base 2
Mạch tương đương: B2

Mối nối pn Diode
RB2 RB2 : điện trở mối nối của B2E
E
RB1 : điện trở mối nối của B1E
RB1
B1
Điện trở liên nền:
RBB = RB1 + RB2
Giá trị RB1 thay đổi nghịch đảo với dòng IE nên RB1 là 1 biến trở, giá trị của RB1 có
thể thay đổi từ vài chục đến vài chục K.
RB1 B2
V RB 1 = × VBB
RB 2 IE RB2
E
+
VEB1 RB1 çVBB
VBB
- B1
RB1
Tỷ số η = : khi VEB1 < VRB1 + V pn mối nối PN phân cực nghịch IE = 0. Giá trị
RBB
điện thế VE để mối nối BE phân cực thuận được gọi là VP.
VP = ηVBB + V pn
Khi VEB1 = VP, mối nối PN phân cực thuận IE # 0. Lỗ trống bên P đi qua thanh N,
kéo điện tử từ cực âm của nguồn VBB vào cực nền B1 tái hợp với lỗ trống. Lúc đó, hạt dẫn
trong thanh n tăng cao đột ngột làm cho RB1 giảm xuống, kéo VE giảm xuống làm cho IE
tăng lên.
Trong khoảng này, điện áp VE bị giảm trong khi dòng điện IE lại tăng lên nên người
ta gọi đây là vùng điện trở âm.
Khi RB1 giảm thì điện trở liên nền RBB
cũng bị giảm và dòng điện IBB tăng. Dòng Vùng
điện IE tiếp tục tăng và điện áp VE giảm đến VE
1 trị số thấp nhất gọi là điện áp thung lũng Vùng tắt R<0
(valley voltage) thì IE và VE sẽ tăng lên như VP
đường đặc tuyến của diode thông thường. Vùng bão hòa
Vùng này gọi là vùng bão hòa.
VV
IP IV IE

Bai Giang DCLKDT PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Bai Giang DCLKDT PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Bài giảng DCLKĐT Các khái niệm cơ bản

CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN

2. Các đại lượng cơ bản

Trường ĐH GTVT TPHCM 1

Định luật Ohm

I: dòng điện chạy trong mạch

3.2.2 Định luật Kirchhoff 2

4. Các loại vật liệu điện

Trường ĐH GTVT TPHCM 3

CHƯƠNG 1 ĐIỆN TRỞ

Trường ĐH GTVT TPHCM 4

Các tham số cơ bản của R.

1.2.2 Dung sai (Độ chính xác):

• Điện trở chính xác: ±2%, ±1%, ±0.5%

• Điện trở chính xác cao: ±0.1%, ±0.05%

1.2.3 Công suất.

Trường ĐH GTVT TPHCM 5

Bảng qui ước về màu sắc của R:

Màu Trị số Dung sai

Trường ĐH GTVT TPHCM 6

- Đọc trị số:

2. Công thức tính điện trở:

Trường ĐH GTVT TPHCM 7

3. Phân loại điện trở.

Trường ĐH GTVT TPHCM 8

3.2.3 Các loại điện trở khác

3.3.1 Biến trở: (Variable resistor)

Loại kiểm soát dòng Loại chiết áp

Trường ĐH GTVT TPHCM 9

Trường ĐH GTVT TPHCM 10

Đặc tuyến làm việc

• Nén giản tín hiệu: R

3.3.4 Điện trở cầu chì: (Fusistor)

Tiếp điểm di chuyển được (con trượt).

Cermit Dây quấn

Trường ĐH GTVT TPHCM 13

4. Ứng dụng chung của điện trở

Trường ĐH GTVT TPHCM 14

Khái niệm chung

Trường ĐH GTVT TPHCM 15

D: khoảng cách giữa hai bản cực {m}.

Trường ĐH GTVT TPHCM 16

Rs: điện trở nối tiếp.

Trường ĐH GTVT TPHCM 17

Ký hiệu của tụ điện trong sơ đồ mạch:

Tụ điện cố định Tụ điện biến đổi Tụ điện tinh chỉnh

Chức năng của tụ điện:

Trường ĐH GTVT TPHCM 18

Điện môi Cấu tạo Điện dung Điện áp đánh thủng

Trường ĐH GTVT TPHCM 19

6. Tụ tang: (có cực tính) 0.1µ F → 100 µ F

Trường ĐH GTVT TPHCM 20

VD: 473J -> 47.000pF = 0.47 µ F

Chỉ số 1 và 2 Dung sai

Màu Số 1 Số 2 Hệ số nhân Điện áp làm Hệ số nhân

2. Đặc Tính Nạp - Xả Của Tụ.

Trường ĐH GTVT TPHCM 21

Đặc tuyến nạp: Vc(t)

Trường ĐH GTVT TPHCM 22

3. Đặc tính của tụ điện đối với AC.

4. Phương pháp kiểm tra tụ

Trường ĐH GTVT TPHCM 23

Kiểm tra tụ cố định có trị số > 0.1 µ F (tụ hoá)