UNMSM

Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica

y Telecomunicaciones
APELLIDOS Y NOMBRES MATRÍCULA
Zamora Girón, Oscar Manuel 13190268
Andrade Siancas, Junior Aldair 17190006
Solis Rodriguez, Giulian Dayana 17190010
Revilla Ochoa, Jeisom Javier 17190019
CURSO TEMA
Dispositivos y
El diodo Zener. Características
componentes
básicas
electrónicos
INFORME FECHAS NOTA
REALIZAC ENTRE
Final
IÓN GA
NÚMERO
05-05-18 09-05-18
2
GRUPO PROFESOR
G21 Russell Córdova
UNMSM
CARACTERISTICAS BASICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR
Zamora, Oscar, Andrade, Junior, Solís, Giulian, Revilla Jeisom.
oscar_zagi@hotmail.com, al_dair08@hotmail.com, srgiulian@hotmail.com, jeisomrevoc@gmail.com
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica - UNMSM
El siguiente informe dará a conocer los resultados
obtenidos en la experimentación de la primera
experiencia del laboratorio de Dispositivos
Electrónicos que tenía como objetivo conocer y
utilizar las características de operación de los
diodos semiconductores. Utilizamos como una
herramienta muy útil el simulador de circuitos
Multisim para hallar primero los resultados
teóricos que luego fueron comparados con los
datos obtenidos en la experimentación.
Índice de términos
Corriente continúa variable,
Corriente de polarización directa,
Diodo semiconductor,
Tensión de pico inverso,
Resistencia dinámica.
I. INTRODUCCIÓN
Un diodo es un componente electrónico de dos
terminales que permite la circulación de la
corriente eléctrica a través de él en un solo sentido.
La flecha del símbolo del diodo muestra la
dirección en la cual puede fluir la corriente.
UNMSM Informe Final de Practica de laboratorio
Polarización inversa
Se invierte la polaridad de la fuente de continua,
el diodo se polariza en inversa, el terminal
negativo de la batería conectado al lado p y el
positivo al n, esta conexión se denomina
"Polarización Inversa".
En la siguiente figura se muestra una conexión en
inversa:
Resistencia Dinámica
Cuando en un diodo se le superpone a la
continua una pequeña señal (o sea una señal
alterna), aparece para dicha señal una resistencia
que depende del punto Q de funcionamiento. El
valor de dicha resistencia se la denomina
resistencia dinámica del diodo. Y como en el caso
de la resistencia estática, se la puede calcular de
dos formas, una gráfica y otra analítica. La
resistencia dinámica posee dos componentes, una
el valor de resistencia que presenta la juntura PN
(llamado ru), y otro es el valor de la resistencia
óhmica del cuerpo del diodo (llamada rb). O sea la
resistencia dinámica es:
rd = ru +rb
Para valores chicos de corriente de
polarización (o sea la corriente continua),
predomina ru (ru>>rb), y para valores grandes de
corriente predomina rb (rb>>ru).
Gráficamente la resistencia dinámica representa
la pendiente de la recta que pasa por el punto Q.
La resistencia dinámica se calcula como:
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Tabla 2

Vcc(v) 0.1 0.2 0.4 0.8

Id(mA) 0.3u 2.4u 0.1m 2.4m
O sea la variación de la tensión dividida la
Vd(v) 0.1 0.2 0.39 0.555
variación de la corriente. Se observa que para
valores grandes de corriente Ay>>Ax con lo cual 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
el valor de resistencia es chico, y para valores
9.7m 0.018 0.043 0.093 0.142 0.192
chicos de corriente pasa lo contrario Ax>>Ay con
lo cual el valor de resistencia es grande. 0.627 0.66 0.705 0.747 0.771 0.789

II. MATERIALES Y MÉTODOS Tabla 3

 Una fuente de corriente continua, variable
 Un multímetro Vcc (v) 0.0 2.0 4.0 8.0
 Un miliamperímetro y un micro amperímetro Vd (v) 0 2 4 8
 Un diodo semiconductor de Si y Ge
Id (uA) 0 0.253u 0.453u 0.853u
 Un voltímetro cc
 Resistencia de 100
10.0 12.0 15.0 20.0
 Cables y conectores
 El software Multisim versión 14.0 10 12 15 20
1.053u 1.253u 1.553u 2.054u

Germanio (0.3V)

Tabla 4

Rdirecta Rinversa
891.528 kOhm
1.78 hm

Tabla 5
PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias Vcc (v) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6
directas e inversas del diodo de silicio. Registrar 0.324 2.494
los datos en la tabla 1. Id (mA) 0.1 m 2.445 m 9.728 m
u u
2. Armar el circuito de la figura 1: Vd (v) 0.1 0.2 0.39 0.555 0.627
a. Ajustando el voltaje del potenciómetro, observar y
medir la corriente y el voltaje directo del diodo,
registrar sus datos en la tabla 2.
2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la
polaridad de los instrumentos, proceder como en 0.018 0.043 0.073 0.093 0.112 0.142 0.192
a., registrando los datos en la tabla 3. 0.66 0.705 0.734 0.747 0.758 0.771 0.789
3. Usando el ohmímetro, medir la resistencia directa
e inversa del diodo de germanio. Registrar los
datos en la tabla 4. Tabla 6
4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de
germanio de manera similar al paso 2, proceder a Vcc (v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0
llenar la tabla 5 y 6. Vd (v) 0 1 2 4 6
Id (uA) 0 0.153 0.253 0.453 0.653

III. RESULTADOS
8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Silicio (0.7v) 8 10 12 15 18 20
Tabla 1
0.853 1.053 1.253 1.553 1.853 2.053
Rdirecta Rinversa
981,5 kOhm1 GOhm

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IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS

Chart Title
Los valores obtenidos durante este informe previo 30
son valores ideales obtenidos gracias a la 20
simulación y muchos de estos valores no cuentan
con margen de error debido a que es muy 10
cercanos a los valores obtenidos teóricamente. 0
1 2 3 4 5 6 7 8
Mientras que los valores obtenidos media la
experimental en el laboratorio nos brinda un mayor
Vd (v) Id (uA)
margen de error debido a los erros de medición y
la variación de los instrumentos ya que estos no
fueron instrumentos ideales y se presentaron los
errores comunes de medición.
V. CONCLUSIONES

Chart Title Los diodos semiconductores son utilizados en los

circuitos como compuertas que dejan o impiden el
1 paso de la corriente, al utilizar el ohmímetro en el
diodo el ohmímetro nos arrojara diferente
medidas, esto sucede debido a la polaridad en
0.5 que el diodo se mida.

0
0 2 4 6 8 10 12 Es necesario tener en cuenta los errores
Id(mA) Vd(v) comunes de medición al momento de realizar la
-0.5 experimentación para que de esta manera los
resultados obtenidos sean los más exactos
posibles, gracias a nuestro simulador podemos
Chart Title darnos una idea de los datos de forma ideal y
compararlos con los obtenidos y comprobar que
1.5 tan exactos son estos.
1
0.5
0 VI. REFERENCIAS
0 5 10 15
[1] Robert L. Boylestad. Louis Nashelsky
“Electrónica: Teoría de circuitos y Dispositivos
Electrónicos” 10 edición

[2] Tienda online “carrod electrónica” [Online].

Id (uA) https://www.carrod.mx/products/diodo-6a6-
1 rectificador-600-v-6-a
0.8 [3] Articulo online de la universidad de la
0.6 universidad de Valencia [pag 25-79]
0.4 https://www.uv.es/~marinjl/electro/diodo.html
0.2
0
0 5 10 15 20 25

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