TSIEN TTT CAPITULO Diodos Semicondutores 1.1 INTRODUCAO Algumas décadas apés a introdugio do transistor em 1940, tem se percebido uma mudanga muito dramitica na inddstra elet nica. A miniaturizagdo crescente leva-nos a questionar sobre seus limites. Sistemas completos aparecem agora sobre um wafer milhares de vezes menor do que um simples elemento dos eir- cuitos anteriores. As vantagens associadas com os sistemas atu- ais, quando comparados com circuitos a vélvulas dos anos ante- riores, sio, para a maioria, imediatamente Gbvias: menores ¢ le- vves, nenhuma necessidade de aquecimento ou perda de calor (como necessério para vilvulas), construcdo mais robusta, mais eficiente, e ndo requer periodo de aquecimento. ‘A miniaturizado de anos recentes tem resultado em sistemas ‘do pequenos que o objetivo principal do encapsulamento € sim- plesmente fornecer algum meio de manusear 0 dispositive e ga- rantir que as conexdes mantenham-se adequadamente fixas a0 ‘wafer semicondutor. Os limites da miniaturizagao parecem ser estabelecidos por trés fatores: a qualidade do material semicon- mem qualquer tentativa de estabelecer corrente no sentido oposto. Em. resumo: As caracteristicas de um diodo ideal sdo aquelas de uma ‘chave que pode conduzir corrente somente em um sentido. Na descrigao dos elementos a seguir, & importantfssimo que as diversas letras dos sfmbolos, polaridades de tensdo e sen tidos de corrente sejam definidos. Se a polaridade da tensa0 aplicada é consistente com aquela mostrada nia Fig. I.la, a regido da curva caracterfstica a ser considerada na Fig. 1.1b esta & direita do eixo vertical. Se uma tensdo reversa for apli- cada, a regido esquerda da curva é considerada. Se a corrente através do diodo tem a diregao indicada na Fig. 1.1a, a regido da curva caracteristica a ser considerada esté acima do eixo horizontal, enquanto uma inversio no sentido exigiria 0 uso da curva abaixo do eixo. Para a maioria das caracteristicas do dispositivo mostradas neste livro, a ordenada (ou eixo “y") serio eixo da corrente, enquanto a abscissa (ou eixo °x") sera oeixo da tensa. ‘Um dos parimetros importantes para 0 diodo ¢ a resistén- cia no ponto ou regido de operagao. Se considerarmos aregi de condugio definida pelo sentido de /, e polaridade V, na Fig. ) Fig. 11 Diodo ideal: (a) simbolo;(b) curva earateristca.2 Dispostives Eletronicos e Teoria de Circuitos Cuno-cresito Shi i cut) 1, mitada plo cir @ © Fig. 1.2 Estados de (a) condugoe (b)nlo-condugao do dnd ideal detesminados pe poarizaao apicada. 11a (quadrant superior direto da Fig. 1.1b), coneluiemos que ‘o valor da resisténcia direta, R,, conforme definida pela lei de Ohm. é ve Ip 2, 3, mA, ov {ou qualquer valor positive Re 0 © (curto-circuito) onde V, € a tensdo direta através do diodo e /, é a corrente direta através do diodo. Odiodo ideal é, portanto, wn curto-circuito para a regio de condugao, Se considerarmos agora a regio de potencial negativo apli- cado (terceiro quadrante), da Fig. 1.1b, 20, ov qualquer potencial de polarizagao reversa ‘Oma = 2 O (circuito-aberto) 6 a corrente re- onde V, € a tensdo reversa através do diodo,¢ I, versa do diodo, O diodo ideal é, portanto, um circuito-aberto na regiao de ndo-condugao. Em resumo, as condigdes descritas na Fig. 1.2 sio aplicaveis. Em geral, érelativamente simples determinar se um diodo est na regiio de condugdo ou ndo-condugao, observando-se simples- mente a diregao da corrente /, estabelecida por uma tensao apli- cada, Para o fluxo convencional (oposto ao fluxo do elétron), se a corrente de diodo resultante tem mesmo sentido que a seta do simbolo do diodo, 0 diodo ests operando na regio de condu- io conforme descrito na Fig, 1.3a, Se a corrente resultante tem, 4 diregdo oposta, como mostrado na Fig. 1.3b, 0 circuito-aberto equivalente € apropriado. Conforme indicado anteriormente, o propésito principal des- ta segdo ¢ introduzir as caracteristicas de um dispositivo ideal, ‘por comparaco com as caracteristicas da variedade comercial A medida que avangamos nas préximas seqdes, devemos man- ter as seguintes questdes em mente: Quao préximo iré a resistencia direta ou “ligada” de um diodo real equivaler ao nivel 0-0 desejado? Arresisténcia de polarizagio reversaésuficientemente grande para permitir uma aproximagdo de circuito-aberto? 1.3. MATERIAIS SEMICONDUTORES ‘A propria expresstio semicondutor apresenta uma sugestlo so- bre sua caracteristica. O prefixo semi-€ normalmente aplicado a ‘uma faixa de niveis situada entre dois limites. O termo condutor € aplicado a qualquer material que sus tenta um fluxo de uso de carga, quancio uma fonte de tensiio amplitude limitada € aplicada através de seus terminais. Um isolante é 0 material que oferece um nivel muito bai- 1x0 de condutividade sob pressio de wma fonte de tensdo aplicada. Um semicondutor 6, portanto, 0 material que possui wm nivel de condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor. Inversamente relacionada d condutividade de um material est sua resisténcia ao fluxo de carga, ou corrente, Isto é, maior o nivel de condutividade, menor o nivel de resisténcia. Em tabelas, 0 termo resistividade (p, letra grega rho) € geralmente usado quando se compara aos niveis de resistencia dos materiais. Em unidades métricas, a resistividade de um material é medida em 9-cm ou Q-m. As unidades de N-cm so obtidas pela substituigao das tunidades para cada quantidade da Fig. 1.4 na seguinte equagio (que se obtém da equagao bisica de resisténcia R = pl/A): an Tp Ip=0 1.3 Estados de (a) condugdo(b) nio-condugo do dodo ideal, como deter rminado pelo sentido da corrente convencionalestabelecida peo cireuito,Fig. 14 Definindo as unidades métrias de resistividade. De fato, se a drea da Fig. 1.4 € | em? e o comprimento I cm, valor da resisténcia do cubo da Fig. 1.4 ¢ igual & resistividade do material, conforme demonstrado abaixo: L_ dem) IRl= 6 re) A il lembrar deste fato ao compararmos os niveis de = |pfohms Sera resistividade nas discusses a seguir. ‘No Quadro 1.1, 0s valores tipicos de resistividade sao forne- cidos por ts grandes categorias de materiais. Embora voc® possa estar familiarizado com as propriedades elétricas do cobre e mica deestudos passados, as caracteristicas dos materiais semicondu- tores de germanio (Ge) e silicio (Si) podem ser relativamente inéditas. Como voce verificard nos capitulos a seguir, eles no so, com certeza, os dois tnicos materiais semicondutores. Eles sio, contudo, os dois materiais que tm recebido maior interesse no desenvolvimento de dispositivos semicondutores. Em anos recentes, a tendéncia 6 a adogio do silicio em detrimento do ge ‘manio, mas o germanio ainda continua em modesta produgio. ‘Observe no Quadro I. a diferenga extrema entre os mater ais condutor e isolante para o comprimento de 1 em (drea de 1 cm?) do material. Dezoito posigdes separam 0 ponto decimal de ‘um niimero para o outro. Justfica-se a atencdo que Ge e Si rece- bbem por varias razdes. Uma consideragiio muito importante € {ato de eles poderem ser fabricados em um nfvel muito grande de pureza, De fato, avancos recentes tém reduzido niveis de im- pureza no material puro para uma parte por 10 bilhdes (1:10.000,000.000). Alguém poderia perguntar se estes niveis reduzidos de impureza sao mesmo necessérios. Eles certamente slo, se considerarmos que a adigio de uma parte de impureza (do tipo adequado) por milhio em um wafer do material de silicio pode mudar aquele material de um condutor relativamente po- bre para um bom condutor de eletricidade. Estamos lidando, & claro, com um espectro totalmente novo de niveis de compara- 20, quando lidamos com 0 meio semicondutor. A capacidade de mudar significativamente as caracteristicas do material atra- vvés deste processo, conheciddo como “dopagem”, jé€ uma razio do porque o Ge e Si tém recebido toda esta atengdo. Outras ra- ‘ies incluem o fato de suas caracteristicas poderem ser muito alteradas pela aplicagao de calor ou luz — uma consideragio importante no desenvolvimento de dispositivos sensiveis ao ca- lore luz QUADRO 1.1 Valores de Resistividade Tipicos Condor ‘Semicondutor Irolante p= 10" Dem (ica) 0° 2m (cobee) e 50 Q-em (germinio) 50% 10° D-em (ico) Diodos Semicondutores 3 cima sto devidas a suas estruturas atomicas. Os étomos de ambos, (os materiais formam um modelo bem preciso, que é peri por natureza (isto é, repetem-se continuamente). Um modelo completo € chamado cristal, e relica & 0 arranjo peridico dos tomos. Para Ge e Si, o cristal tem a estrutura de diamante tridi- mensional da Fig. 1.5. Qualquer material composto apenas de estruturas cristalinas repetidas no mesmo tipo & chamado de uma estrutura de cristal singular. Para materiais semicondutores de aplicag2o prética no campo de eletrOnica, esta caracteristica de cristal singular existe e, além disso, a periodicidade da estrutura ‘iio muda significativamente com a adicao de impurezas no pro- cesso de dopagem. ‘Vamos agora examinar a estrutura do étomo e observar como ele poderia afetar as caracteristicas elétricas do material. Como se sabe, 0 dtomo & composto de trés particulas bisicas; 0 elétron, © proton e 0 néutron. Na estrutura atOmica, 0s néutrons formam © micleo, enquanto que os elétrons giram em torno do niicleo em uma drbita fixa, Os modelos de Bohr dos dois semicondutores mais comumente usados, germdnio e silicio, sao mostrados na Fig. 1.6. Conforme indicado pela Fig. 1.6a, 0 étomo de germanio tem 32 elétrons orbitando, enquanto osilicio tem 14. Em cada ca8o, cexistem quatro elétrons na camada mais externa (valéncia). potencial (potencial de ionizagdo) exigido para qualquer um = Nédleo © Fig. 1.6 Escutura aimica (a) do germanio:(b) do slo,