REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

VICEMINISTERIO DE EDUCACIÓN PARA LA DEFENSA
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA
NACIONAL BOLIVARIANA
U.N.E.F.A
NÚCLEO: CARACAS
INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES
ELECTRONICA II
6TO SEMESTRE – NOCTURNO

TRANSISTORES BJT Y FETS

PROFESOR: AUTORES:
JHONNY ALDANA ADRIANA SIMOES V-22.504.370

CHUAO, ABRIL 2019

El trabajo debe llevar todo lo reglamentario: Introducción, Índice, gráficos, esquemas, conclusión.
 INTRODUCCIÓN

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos

capas de material tipo n y una de material tipo p, o de dos capas de material tipo p y una
de material tipo n. Sus inventores, John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, lo
llamaron así por la propiedad que tiene de cambiar la resistencia al paso de la corriente
eléctrica entre el emisor y el receptor.
El transistor tiene tres partes, como el triodo. Una que emite electrones (emisor),
otra que los recibe o recolecta (colector) y otra con la que se modula el paso de dichos
electrones (base). Una pequeña señal eléctrica aplicada entre la base y el emisor modula
la corriente que circula entre emisor y receptor.
La señal base-emisor puede ser muy pequeña en comparación con la emisor-
receptor. La señal emisor-receptor es aproximadamente la misma que la base-emisor
pero amplificada. El transistor se utiliza, por tanto, como amplificador.
Además, todo amplificador oscila; así que puede usarse como oscilador y también
como rectificador y como conmutador on-off. El transistor también funciona por tanto
como un interruptor electrónico, siendo esta propiedad aplicada en la electrónica en el
diseño de algunos tipos de memorias y de otros circuitos como controladores de motores
de Corriente directa y de pasos.
 INDICE
Introducción ...........................................................................................................................2
Definir concepto de transistor en que año y quienes diseñaron el primer transistor, que son
elementos semiconductores y superconductores en el campo de las
telecomunicaciones............................................................................................................................4
Cuantas capas de material tiene un transistor en su diseño interno.....................................6
De que se deriva la definición de base común en los transistores pnp y npn.......................7
Explicar que define las flechas en la siguiente figura 1, se debe plantear un ejemplo
realizando el cálculo correspondiente……………………………........................................................8
Que representa la región activa de un transistor, y cuando un transistor esta en
saturación…………………………………………………………...........................................................9
Usando un multímetro explicar cómo podemos determinar cuándo un transistor presenta
corrientes de fuga, y cuando está abierto para este caso usar como guía referencial el transistor
2N3055.............................................................................................................................................10
Dibujar e indicar los nombres de los diferentes tipos de encapsulados usados en el diseño
de transistores y fets………………………………………………………..............................................11
Como está definido el beta de un transistor en (CD) y en (AC) para el uso de los
transistores........................................................................................................................................12
Que define la ecuación resultante ( Ic=Iceo) en los amplificadores lineales…....................13
Se desea diseñar un transistor de potencia para sustituir un transistor de potencia en una
fuente de poder variable DC con las siguientes características eléctricas de operación..................14
Que aplicaciones comerciales en el campo de las telecomunicaciones podemos emplear el
uso de transistores de radio frecuencia (RF)…………………………………………...........................15
Definir y como es el esquema correspondiente de un espejo de corriente………………….16
Explicar cómo determinar la ecuación de la recta de carga en una red de transistores…...17
Como se puede determinar la ganancia de corriente en un transistor……………………….18
Definir que es un FET en que año fue desarrollado y quienes fueron sus diseñadores…...19
Indicar 2 diferencias entre los FET y los transistores BJT…………………………………….20
Definir los siguientes conceptos: JFET, MOSFET, MESFET, IDSS………………………….21
Identificar los pines correspondientes a la figura 2 de un FET, y cuál es el tipo encapsulado
usado en sus diseños……………………………………………………………………………………….22
Que material de la tabla periódica es empleado en los semiconductores FET……………..23
Cuáles son las diferencias principales entre las características de colector de un transistor
BJT, y las características de drenaje de un JFET. Comparando igualmente las variables de control
en cada eje…………………………………………………………………………………………………..24
Conclusión…….………...………………………………………………………………………….25
 1-. Definir concepto de transistor en que año y quienes diseñaron el primer
transistor, que son elementos semiconductores y superconductores en el campo de las
telecomunicaciones.
TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar
una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Actualmente se encuentra en aparatos electrónicos de uso diario tales como
radios, televisores, reproductores de audio y video, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi siempre dentro de los
llamados circuitos integrados.
ANTECEDENTES HISTORICOS
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251
una patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes
eléctricas", que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya
que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo.
En 1948, el transistor de contacto fue inventado por los físicos alemanes Herbert
Mataré y Heinrich Welker. Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo de
rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el
desarrollo de un radar alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este
conocimiento, comenzó a investigar el fenómeno de la "interferencia" que había
observado en los rectificadores de germanio durante la guerra.
Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell,
tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, cuya nueva patente fue solicitada el 31 de
octubre de 1952. Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington
solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente como transistor
Darlington.
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de
germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco
Corporation en 1953,capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en
enero 1954 por el químico Morris Tanenbaum. El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y
Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para
producir dispositivos semiconductores. El primer transistor de silicio comercial fue
producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal
quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales
de alta pureza. El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-
estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los
Laboratorios Bell, en 1960.

ELEMENTOS SEMICONDUCTORES Y SUPERCONDUCTORES EN EL AREA

DE TELECOMUNICACIONES
Los nuevos materiales son productos de nuevas tecnologías fruto del desarrollo de
la química y la física aplicada, de la ingeniería y de la ciencia de los materiales. Se han
diseñado para responder a nuevas necesidades o a alguna aplicación tecnológica. El
rápido progreso de la electrónica durante la segunda mitad del siglo XX se explica por el
refuerzo mutuo entre la investigación de materiales y su aplicación industrial práctica en
áreas tan distintas como la ingeniería, la medicina, la construcción, las
telecomunicaciones o la informática.
Cuando se habla de materiales Semiconductores tenemos el silicio, galio o el
selenio, arseniuro de galio, cuya resistencia al paso de la corriente depende de factores
como la temperatura, la tensión mecánica o el grado de iluminación que se aplica. Con
ellos se fabrican microchips para ordenadores y circuitos de puertas lógicas.
Con los materiales Superconductores tenemos el mercurio por debajo de 4K de
temperatura, nanotubos de carbono, aleaciones de niobio y titanio, cerámicas de óxidos
de itrio, bario y cobre, etc., que al no oponer resistencia al paso de la corriente eléctrica,
permiten el transporte de energía sin pérdidas.
 2-. Cuantas capas de material tiene un transistor en su diseño interno.
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:
la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta
de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de
la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque
mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran β.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente
un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen
que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para
funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de
α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en
modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.5.
La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor
y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente
dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión
colector-base antes de que esta colapse.
La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. La
razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de
inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en
relación con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la
mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados
en procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente, lo que significa que
no hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los
modernos están compuestos de silicio.
 3-. De que se deriva la definición de base común en los transistores pnp y npn.

Base Común en Transistores NPN y PNP

Como su nombre sugiere, la Base Común, es común para la entrada y salida. La
señal de entrada es aplicada entre la base del transistor y los terminales del emisor,
mientras que la señal de salida correspondiente es tomada entre la base y los terminales
del colector. El terminal de la base va conectado a tierra.
La corriente entrante fluyendo al emisor es grande ya que suma la corriente de
base y la corriente del colector respectivamente, por lo que la salida de corriente del
colector es menos de la corriente que sale del emisor, resultando en una ganancia para
este tipo de circuitos. En otras palabras, la configuración de base común atenúa la señal
de entrada.
 4-. Explicar que define las flechas en la siguiente figura 1, se debe plantear un
ejemplo realizando el cálculo correspondiente.

Figura 1

La flecha en el símbolo grafico define la dirección de la corriente del emisor (flujo

convencional de la corriente) a través del dispositivo. Esta configuración se llama
Configuración en Emisor Común. Como se observa, el flujo convencional de la corriente
lleva una dirección contraria a la corriente de la configuración.

a) Determinar IC en IB=30picoA y VCE=10V

b) Determinar IC en VBE=0.7V y VCE=15V
a) En la intersección de Ib=30picoA y VCE=10V, IC=3.4mA
b) Obtenemos IB=20picoA en la intersección de VBE=0.7V y VCE=15V
(entre VCE=10V y 20V). En la figura se observa que IC=2.5mA en la
intersección de Ib=20picoA y VCE=15V
 5-. Que representa la región activa de un transistor, y cuando un transistor esta en
saturación.

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte

entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de
colector depende principalmente de la corriente de base, de β y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que
se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal. Dependiendo de la
polarización la región activa del transistor puede ser: región activa directa o región activa
inversa.
Mientras que un transistor está saturado cuando la corriente de colector ≈ corriente
de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx). En este caso la magnitud de la corriente
depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de
potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE, sat.
Cuando el transistor esta en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por
ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un
cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.

Normalmente los transistores trabajan en la región activa directa, esta región es la

que se utiliza para amplificar la señal que entra por el transistor.
 6-. Usando un multímetro explicar cómo podemos determinar cuándo un transistor
presenta corrientes de fuga, y cuando está abierto para este caso usar como guía
referencial el transistor 2N3055.
 7-. Dibujar e indicar los nombres de los diferentes tipos de encapsulados usados
en el diseño de transistores y fets.
 8-. Como está definido el beta de un transistor en (CD) y en (AC) para el uso de
los transistores.
El parámetro Beta de un transistor nos indica la eficiencia del transistor,
relacionando la corriente de colector con la corriente de base, cuanto mayor es el número
de Beta más eficiente es el transistor, es decir que con una corriente de base pequeña es
capaz de entregar una corriente de colector grande. Existe otro parámetro conocido como
el Alpha del transistor, y hace referencia a la relación entre la corriente de colector y la
corriente de emisor, cuanto más cercano a uno sea esta relación menor perdida entre los
terminales tendrá el transistor, Las ecuaciones son las siguientes.
Tanto el Beta como el Alpha del transistor son datos que nos otorga el fabricante
en la hoja de datos del componente, a la hora de comprar un transistor se supone que
tenemos conocimientos de qué características tiene que tener el transistor que
necesitamos.
Para definir a Beta en CD y AC, tenemos que la ganancia de corriente del Emisor
Común está definida como un Beta en AC y está en el radio del Colector en AC de la
corriente Base. Esta viene representada por Beta = Ic/Ib. Mientras que Beta en DC que
viene siendo el radio de una corriente de Colector en Ic a la corriente de Base Ib y se
representa como BetaDC = Ic/Ib.
 9-. Que define la siguiente ecuación resultante ( Ic=Iceo) en los amplificadores
lineales.

Para propósitos de amplificación lineal (distorsión mínima), Ic = Iceo, define el

corte para la configuración en emisor común.
 10-. Se desea diseñar un transistor de potencia para sustituir un transistor de
potencia en una fuente de poder variable DC con las siguientes características eléctricas
de operación.
Input: 110 VAC 60 Hz.
Output: 1 VDC a 30 VDC
A-. Explicar con qué elementos semiconductores podemos sustituir el transistor de
la fuente de poder, dibujar el esquema correspondiente.
 11-. Que aplicaciones comerciales en el campo de las telecomunicaciones
podemos emplear el uso de transistores de radio frecuencia (RF).

Estos tipos de amplificadores se encuentran en innumerables de aplicaciones en el

sector de las comunicaciones un ejemplo de ello es el siguiente:
En un sistema de comunicaciones entre dos puntos, a través de dos antenas (una
emisora y otra receptora) se le puede encontrar a estos amplificadores en los modulos de
las etapas antecesoras en el caso de la antena de transmisión, y en modulos de las
etapas predecesoras en el caso de la recepción a través de la antena receptora de la
señal transmitida entre los dos puntos A y B como se muestra en el diagrama en bloques
a continuación:

En otro tipo de aplicación en donde a estos tipos de amplificadores se les puede

ver es en todos los receptores modernos de radio y televisión, los cuales están
conformados por un Receptor Superheterodino, el cual es un receptor de ondas de radio
que utiliza un proceso de mezcla de frecuencias o heterodinación para convertir la señal
recibida en una frecuencia intermedia fija, que puede ser más convenientemente
elaborada (filtrada y amplificada) que la frecuencia de radio de la portadora original.
 12-. Definir y como es el esquema correspondiente de un espejo de corriente.

Un circuito de espejo de corriente produce una corriente constante y se utiliza

principalmente en circuitos integrados. La corriente constante se obtiene desde una
corriente de salida, la cual es la reflexión o espejo de una corriente constante desarrollada
en un lado del circuito. El circuito es particularmente adecuado para la fabricación de
circuitos integrados porque el circuito requiere que los transistores tengan caídas de
voltaje idénticas entre la base y el emisor, y valores idénticos de beta, lo cual se logra
mejor cuando los transistores se forman al mismo tiempo en la fabricación de circuitos
integrados.
 13-. Explicar cómo podemos determinar la ecuación de la recta de carga en una
red de transistores.
La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la
corriente y la tensión del diodo. Las rectas de carga son especialmente útiles para los
transistores, por lo que más adelante se dará una explicación más detallada acerca de
ellas.
Estas son las distintas formas de analizar los circuitos con diodos:
 Exacta por tanteo: Ecuación del diodo exponencial y ecuación de la
malla.
 Modelos equivalentes aproximados: 1ª aproximación, 2ª
aproximación y 3ª aproximación.
 Forma gráfica: Recta de carga.
Si de la ecuación de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuación de
una recta, que en forma de gráfica sería:

A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa.

El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solución, el punto
Q, también llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto Q se
controla variando VS y RS.
Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y se
le llama "Saturación".
 14-. Como se puede determinar la ganancia de corriente en un transistor.

Con el fin de calcular la ganancia de un transistor, éste debe ser utilizado como un
amplificador en un circuito. La ganancia de un transistor está determinada por su
configuración.
Los resultados más comunes de configuración base resultan en una ganancia de
voltaje, pero no en una ganancia de corriente. La configuración de colector común tiene
una ganancia de corriente, pero no ganancia de tensión. La configuración de emisor
común tiene tanto una ganancia de corriente como de tensión. Cuando determinas la
tensión o la ganancia de corriente de un transistor, el voltaje a través de la base y el
emisor (VBE, por sus siglas en inglés) del transistor, así como la tensión a través del
colector y el emisor (VCE, por sus siglas en inglés) se utilizan.
 Determina la relación de la corriente de colector (Ic) a la corriente de
la base (Ib) utilizando la siguiente fórmula:
IC / IB
Esta relación se designa con el signo Beta (β). Las corrientes de base y el colector
pueden ser determinadas mediante el uso de la resistencia de base (Rb) y las resistencias
de carga (RL), respectivamente, y la ley de Ohm a continuación:
V = I / R Ib = Vb / Rb Ic = Vcc / RL
Donde:
Vb = tensión suministrada a través de la unión base-emisor. Vcc = tensión de
alimentación a través de la resistencia de carga y el terminal de emisor.
 Determina la ganancia de corriente del transistor utilizando la
corriente de colector (Ic) y la corriente de emisor (Ie) utilizando la siguiente
fórmula:
IC / IE
Esta relación se designa con el símbolo de alfa (α) y es generalmente una función
propia del transistor. El colector de corriente y la pequeña base de corriente por lo general
resulta en un valor de α alfa que está muy cerca de la unidad y por lo general se
encuentra cerca de 0,99.
 Combina α y los parámetros β para determinar el flujo de corriente y
la ganancia del transistor como se muestra a continuación:
Alpha α = β / β + 1 = α β / α + 1
Si α = 0,99 entonces β = 0,99 / 0,01 = 99
 15-. Definir que es un FET en que año fue desarrollado y quienes fueron sus
diseñadores.
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un transistor
que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un
canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser
conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales,
denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source).
La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor BJT (Bipolar Junction
Transistor), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado
entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos
tipos los de canal-n y los de canal-p, dependiendo del tipo de material del cual se
compone el canal del dispositivo.
El físico austro-húngaro Julius Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una
patente para "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se
considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo.
Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 1926 y 1928
pero no publicó artículo alguno de investigación sobre sus dispositivos, ni sus patentes
citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de
materiales semiconductores de alta calidad aún no estaba disponible por entonces, las
ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico
en los años 1920 y 1930.
En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de
campo,8 tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que
ahora posee.
Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell,
tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, cuya nueva patente fue solicitada el 31 de
octubre de 1952.
El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon
Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.
16-. Indicar 2 diferencias entre los FET y los transistores BJT.

BJT
 Controlado por corriente de base.
 Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y
electrones.
 IC es una función de IB.
 ß (beta factor de amplificación)
 Altas ganancias de corriente y voltaje.
 Relación lineal entre Ib e Ic.

FET:
 Controlado por tensión entre puerta y fuente.
 Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos
(canal p) ó electrones (canal n).
 ID es una función de Vgs.
 gm (factor de transconductancia).
 Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores
a las de los BJT.
 Relación cuadrática entre Vgs e Id.
 17-. Definir los siguientes conceptos: JFET, MOSFET, MESFET, IDSS.
JFET: (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo
de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser
usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada
por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta
(G) y fuente (S).
MOSFET: El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET
(en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión
bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
MESFET: Un MESFET, o transistor de efecto de campo metal–semiconductor, es
un transistor de efecto de campo semiconductor similar a un JFET con una union Schottky
(metal-semiconductor) en lugar de una unión P-N. Las barreras Schottky son barreras
establecidas mediante la depositación de un metal como el tungsteno sobre un canal
de tipo n.
IDSS: Es la corriente máxima de drenado que circula por el transistor.
 18-. Identificar los pines correspondientes a la figura 2 de un FET, y cuál es el tipo
encapsulado usado en sus diseños.

Figura 2.

Este tipo de JFET, tiene un encapsulado

acopado, diferente al usado regularmente por otros
FET.
En electrónica, TO-
18 es la designación de un
tipo de encapsulado
metálico utilizado en la
fabricación de transistores.
El encapsulado es más caro
que el equivalente de plástico de tamaño similar TO-92. El
nombre proviene del JEDEC, de su nombre original en inglés
Transistor Outline Package, Case Style 18.
 19-. Que material de la tabla periódica es empleado en el diseño de los
semiconductores FET.
Los FETs pueden ser construidos de varios semiconductores, con silicio siendo el
más común de ellos. La mayoría de los FETs están hechos usando la técnica
convencional para procesar un semiconductor, usando una sola capa de cristal
semiconductor como la región activa o el canal.
Entre los materiales más inusuales, están el silicio amorfo, silicio policristalino u
otros semiconductores amorfos con capas delgadas de transistores o como los OFETs
que están basados en semiconductores orgánicos. Estos FETs orgánicos, están hechos
de una gran variedad de materiales como silicón carburado (SiC), arsénico de galio
(GaAs), Nitrito de Galio (GaN) y Galio de Indio Arsenico (InGaAs).
 20-. Cuáles son las diferencias principales entre las características de colector de
un transistor BJT, y las características de drenaje de un JFET. Comparando igualmente
las variables de control en cada eje.
Mientras que la función principal de un colector es de recolectar la energía en
forma de corriente que entra en el BJT, el drenaje en un JFET es donde se deposita la
tensión.
El JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los
electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de deplexión van al
drenaje.
 CONCLUSIÓN

El transistor es un componente utilizado en las prácticas de electrónica. Este es un

dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una variedad de
funciones de control en los circuitos electrónicos.
Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificación, oscilación,
conmutación y la conversión de frecuencias. En el reporte siguiente podremos ver los
elementos de un transistor, las ventajas de la utilización de los transistores electrónicos,
los tipos de transistores, como realizar un test en un transistor, aplicaciones de los
transistores y sus encapsulados o materiales que están compuestos.
Entre las ventajas de los transistores electrónicos tenemos el consumo de energía
que es sensiblemente bajo en comparación a otros componentes electrónicos, su tamaño
y peso es bastante menor que los tubos de vacío, por lo que se pueden usar en pequeños
circuitos, estos además poseen una vida larga útil, con muchas horas de servicio. Puede
permanecer mucho tiempo almacenados y no necesitan tiempo de calentamiento.