Chuong 3-Nguon On AP Xung

Chương 3: Nguồn ổn áp xung
Trong chương này chúng ta sẽ khảo sát các vấn đề:

- Căn bản về ổn áp xung
- Cuộn dây, biến áp trong ổn áp xung
- Các giải pháp thiết kế
3.1 Căn bản về ổn áp xung
3.1.1: Các chức năng của nguồn ổn áp xung căn bản:
Hình 3.1 mô tả sơ đồ khối của nguồn ổn áp xung căn bản. Chức năng căn bản của sơ đồ
này chuyển ngõ vào DC chưa ổn định sang ngõ ra DC ổn định. Với hoạt động này có thể xem
nguồn ổn áp xung là bộ chuyển đổi DC-DC (DC-DC converter).
Ngõ vào Ngõ ra DC

DC chưa ổn ổn định
Khóa
Diode kẹp Mạch lọc
công suất
Kiểm soát
Dao động độ rộng Lấy mẫu
xung
Hình 3.1: Sơ đồ khối nguồn ổn áp xung căn bản
Trong nguồn ổn áp xung, transistor công suất làm việc ở chế độ giao hoán on/off, không
phải liên tục như trong ổn áp tuyến tính. Hơn nữa ổn áp xung có thể cung cấp áp ngõ ra cao hơn
áp ngõ vào, trong khi ổn áp tuyến tính chỉ có thể cho áp ngõ ra thấp hơn áp ngõ vào. Ổn áp xung
có thể đảo ngược cực tính ngõ ra so với ngõ vào mà ổn áp tuyến tính không thể được. Ổn áp
xung tần số cao sẽ giảm được trọng lượng , kích thước và hiệu suất tốt hơn nhất là với nguồn
công suất cao so với ổn áp tuyến tính.
1. Các vấn đề hạn chế của nguồn ổn áp xung:
Nguồn ổn áp xung nói chung không có những điểm hạn chế nào đáng kể.Ngoài việc mạch
điện phức tạp hơn , nguồn ổn áp xung còn tạo ra nhiễu giao thoa điện từ (EMI). Tuy nhiên với
thiết kế thích hợp , có thể giảm EMI đến mức cho phép, bằng cách chon lõi ferrite mất mát thấp
cho biến áp và cuộn dây, lõi có độ từ thẩm cao và có bọc giáp ngoài, thiết kế với các phần tử
mạch điện tối thiểu.
2. Chu kỳ nhiệm vụ giao hoán:
Trong hình 3.1 việc ổn định điện áp ngõ ra bằng cách giao hoán transistor mắc nối tiếp
(khóa công suất) làm việc on/off. Chu kỳ nhiệm vụ của phần tử công suất này quyết định điện áp
DC trung bình ngõ ra. Chu kỳ nhiệm vụ được điều chỉnh với phần hồi tiếp tỉ lệ với sai lệch điện
áp ngõ ra và điện áp tham chiếu.
3. Tần số giao hoán:
Tần số giao hoán hầu như cố định và trên tần số âm thanh, mặc dù có một số nguồn ổn
áp xung sử dụng tần số thay đổi để chuyển đổi giữa nguồn và tải.Trong một số vi mạch ổn áp
xung, có thể thay đổi tần số giao hoán bằng cách thay đổi tụ điện bên ngoài. Một số điều cần lưu
ý là với tần số cao hiệu suất sẽ bị kém do mất mát của phần tử công suất và mất mát lõi tăng.
Mặt khác, tần số giao hoán thấp trong vùng âm tần sẽ tạo nhiễu giao thoa âm tần.
4. Đặc tính của transistor và diode:
Nguồn ổn áp xung phải sử dụng transistor có thông số tích số độ lợi khổ tần ít nhất là
4MHz mới hoạt động hiệu quả (fT ≈30MHz sẽ tốt hơn), BJT hoặc MOSFET đều có thể sử dụng
Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 1
làm khóa công suất.
Diode chỉnh lưu có thời gian phục hồi nhanh , hay diode schottky, được sử dụng làm
diode kẹp trong thời gian khóa công suất tắt để giữ đường tải của transistor giao hoán nằm trong
vùng hoạt động an toàn và tăng thêm hiệu suất. Một số dụng cụ bán dẫn khác sử dụng trong
mạch ổn áp xung gồm cổng logic.FF, ổn áp, bộ định thì, chỉnh lưu.
3.1.2: Các mạch ổn áp xung tiêu biểu:
Hình 3.2: Bốn dạng mạch ổn áp xung tiêu biểu
Hình 3.2 mô tả 4 dạng mạch ổn áp xung NPN/PNP tiêu biểu. Tất cả các mạch đều có các
thành phần chung như sau:transistor giao hoán, diode kẹp, lọc LC và khối điều khiển logic.
Không có dạng mạch nào cách ly hoàn toàn giữa nguồn và tải, trừ trường hợp có nhiều hơn một
transistor nối tiếp được sử dụng, tuy nhiên thiết kế với 01 transistor thì đơn giản và kinh tế nhất.

Thông thường người ta hay chọn có ít nhất 1 đường chung giữa ngõ vào và ngõ ra để
giảm vòng GND. Mạch 1 đường chung cũng để xác định ngõ ra có cực tính dương/âm. Tuy
nhiên hầu hết các mạch điện làm việc với các đường chung cách ly, do ngõ vào và ngõ ra cách
ly nhau. Thiết kế 1 transistor và 1 đường chung là dạng thiết kế thông dụng nhất.
Trong mạch hình 3.2a và 3.2b,khối logic hoạt động từ điện áp tải. Các dạng mạch như thế
không thể tự khởi động được, nên phải lấy áp từ nguồn cấp cho nó trong thời gian khởi động ( và
trong các trường hơp ngắn mạch).
Trong mạch hình 3.2c và 3.2d thông dụng trong mạch cấp nguồn từ cao áp do transistor
công suất NPN cao áp dễ chọn và thông dụng hơn. Trong đó mạch 3.2d thông dụng hơn do khối
logic ghép trực tiếp với transistor công suất nên tăng hiệu suất. Một số thiết kế sử dụng biến áp
lái giữa logic và transistor giao hoán, transistor có thể là NPN hay PNP.
Hình 3.3 minh họa 3 dạng mạch ổn áp xung MOSFET tiêu biểu, biểu diễn 3 cấu hình cơ
bản ; buck, boost, buck-boost (hạ, nâng, hạ-nâng). Mỗi cấu hình có 01 ứng dụng riêng. Khi điện
áp ra cao hơn điện áp vào, mạch hoạt động theo diện nâng điện áp (voltage-boost).Mạch buck
hay hạ áp khi điện áp vào cao hơn điện áp ra. Mạch buck-boost đảo cực tính áp ngõ vào họat
động với áp ngõ vào có thể lớn hơn hoặc nhỏ hơn áp ngõ ra. Do đó, mạch buck-boost còn gọi là
mạch hoán năng (inverter).
+
+
Vin Vout > Vin
Điều khiển +
-
a) Dạng Boost
+
+
Vin Vout < Vin
Điều khiển +
-
b) Dạng Buck
+
Điều khiển > Vin
Vin Vout < Vin
-
+
+
c) Dạng Boost-Buck
Hình 3.3 : Ba dạng mạch tiêu biểu sử dụng Mosfet

3.1.3 :Lý thuyết nguồn ổn áp xung:
Hình 3.4 minh họa mạch ổn áp xung lý thuyết (dạng buck) và các dạng sóng liên quan.
Hiệu suất cao của nguồn ổn áp xung là do hoạt động của transistor nối tiếp ở chế độ giao hoán.
Khi transistor on, toàn bộ áp ngõ vào áp vào mạch lọc LC. Khi transistor off, áp ngõ vào mạch lọc
LC bằng 0. trường hợp transistor on và off trong khoảng thời gian bằng nhau (50% chu kỳ nhiệm
vụ) điện áp DC ngõ ra bằng phân nửa điện áp vào.Điện áp ngõ ra Vo bằng điện áp vào VIN nhân
với chu kỳ nhiệm vụ D, Vo=DVIN.
Thay đổi chu kỳ nhiệm vụ sẽ bù lại thay đổi điện áp ngõ vào. Nguyên lý này áp dụng để
tạo điện áp ngõ ra hoạt động như sau.Hoạt động đóng/ mở của transistor ở chu kỳ nhiệm vụ cố
định tạo dạng song ngõ ra xác lập như hình 3.4. Khi SW đóng,dòng IL qua cuộn dây chảy từ ngõ
vào VIN sang ngõ ra qua tải. Điệp áp trên cuộn dây là V-Vo làm tăng dòng điện trong chu kỳ đóng.
Khi SW hở, năng lượng tích trữ trong cuộn dây ép IL tiếp tục chảy qua tải và ghép qua diode,
điện áp cuộn dây bị ngược cực tính và bằng Vo, IL giảm dần trong chu kỳ hở.
Hình 3.4: Mạch ổn áp xung lý thuyết (dạng buck)
Dòng trung bình qua cuộn dây bằng dòng tải. Do tụ điện giữ điện áp tải Vo cố định, dòng
tải Io cũng cố định. Khi IL>Io, tụ điện nạp,và khi IL <Io,tụ điện xả.
Kết quả hoạt động xác lập sau cùng như sau:
1- Điện áp trung bình trên cuộn dây bằng 0, nhưng sự biến thiên rộng từ VIN-Vo→Vo là thực
tế.

2- Dòng DC qua cuộn dây bằng dòng tải, có 1 lượng nhỏ gợn răng cưa
3- Áp DC trên tụ bằng áp ngõ ra trên tải , có 1 lượng gợn sóng nhỏ trên tụ.
Để đạt hiệu quả bộ ổn áp phải bù được thay đổi VIN và Io. Trong ổn áp xung, sự thay đổi
VIN tự động được bù bằng thay đổi chu kỳ nhiệm vụ trong hệ thống hồi tiếp vòng kín. Độ ổn định
ngõ vào và độ nén gợn sóng phụ thuộc vào độ lợi vòng. Việc thay đổi dòng Io sẽ khó bù hơn nhất
là sự thay đổi tải nhanh. Thay đổi Io được bù từ từ bằng thay đổi chu kỳ nhiệm vụ. Chẳng hạn, sự
thay đổi tải từ 0 đến đầy tải sẽ tạo ra các hoạt động sau:
1. Chu kỳ nhiệm vụ tăng đến cực đại (Transistor có thế dẫn liên tục)
2. Dòng qua cuộn dây cần phải nhiều chu kỳ mới tăng tới mức DC mới
3. Chu kỳ nhiệm vụ trở về giá trị ban đầu
3.1.4: PWM đến PFM:
Nguồn ổn áp xung cũng được phân loại theo cách điều khiển ngõ ra. Hai cách thông dụng
nhất là điều rộng xung (PWM) và điều tần xung (PFM). Cả hai cách đều thay đổi chu kỳ nhiệm vụ.
Trong ổn áp xung PWM, tần số xung được giữ cố định, độ rộng mỗi xung thay đổi.Ổn áp
xung PWM được sử dụng trong các nguồn công suất cao làm việc không có đường cấp nguồn
AC. Trong ổn áp xung PFM, độ rộng xung giữ cố định còn chu kỳ nhiệm vụ được kiểm soát bằng
cách thay đổi tốc độ lập lại xung.
Có nhiều sự khác nhau giữa 2 loại ổn áp trên. Ví dụ dạng kiểm soát dòng điện là 1 kiểu
của PFM, trong khi bỏ quãng xung (pulse skipping) là 1 kiểu PWM. Các kiểu khác nhau của
PWM/PFM sẽ được khảo sát ở phần sau:
3.1.5: Cấu hình nguồn ổn áp xung thông dụng:
Có nhiều dạng cấu hình ổn áp xung. Việc chọn cấu hình nào để sử dụng nói chung giới
hạn bởi những thông số như cực tính điện áp, tỉ lệ điện áp, và các điều kiện gây hỏng, chẳng hạn
nếu điện áp ra phải cao hơn điện áp vào phải chọn dạng boost.Nếu ngõ vào âm, ngõ ra dương,
phải chọn dạng buck-boost (inverter). Nếu nguồn cần phải hạn dòng không thể sử dụng dạng
boost.
Ngay cả với những giới hạn hiển nhiên ở trên, cũng có nhiều cách chọn cấu hình cho các áp
dụng khác nhau. Ví dụ, để chuyển từ 28v→5v, có thể chọn dạng buck, flyback,forward, hoặc
nâng dòng (current-boost). Các khảo sát sau đây bao gồm tất cả các dạng cấu hình , mô tả cả
ưu điểm và giới hạn của chúng để ta dễ chọn dạng cấu hình khi bắt đầu thiết kế nguồn ổn áp
xung.
1. Dạng boost
Hình 3.5 minh họa cấu hình lý thuyết dạng boost. Hình 3.6 là IC ổn áp xung tiêu biểu
RC4190 kết nối dạng boost. Hình 3.7 tiêu biểu các dạng sóng.
Trong phần sau sẽ mô tả hoạt động của mạch lý thuyết liên hệ đến mạch thực tế giữa 2
hình 3.5 và 3.6, chú ý là SW S trong mạch lý thuyết được thay bằng transistor Q1 và IC thực tế.
Tụ điện C, diode D, cuộn dây L trong hình 3.5 được thay bằng C1, D1 và Lx trong hình 3.6.
Như minh họa ở hình 3.5, khi SW S đóng, điện áp nguồn áp ngang qua cuộn dây L. Dòng
điện nạp qua L tạo ra 1 từ trường tăng dần nếu S vẫn còn đóng. Trong khi S đóng, diode D phân
cực ngược và dòng tải được cấp bởi tụ C. Trong thời gian S đóng dòng qua L tăng dần tuyến
V
tính đến giá trị cực đại Ipk  in Ton
L
Hình 3.5: Cấu hình lý thuyết dạng boost

Khi S hở, từ trường bị ngắt đột ngột, năng lượng tích trữ trong L sẽ chuyển thành dòng xả
qua L cùng chiều dòng nạp. Do S hở, dòng chảy qua D cấp cho tải và nạp lại tụ C.Nếu S
đóng/hở liên tục(do dao động điều khiển)ở tốc độ cao hơn thời hằng RG,điện áp DC ổn định
được thiết lập ở ngõ ra.
Hình 3.6 : Ổn áp xung dạng boost thực tế sử dụng IC RC4190
Khi mới cấp nguồn cho mạch IC hình 3.6, dòng qua R1 tạo thành dòng phân cực cấp cho
chân 6 IC. Dòng này được ổn định bởi bộ khuếch đại nguồn dòng độ lợi đơn vị và sử dụng làm
dòng phân cực cho điện áp tham chiếu 1,31V. Dòng phân cực ổn định phát từ nguồn tham chiếu
dùng để phân cực cho các thành phần còn lại của IC.
Cùng thời điểm đó IC bắt đầu khởi động, dòng qua Lx và D1 nạp cho C1 đến điện áp VIN,
tạo áp VIN –VD.Tại thời điểm này hồi tiếp (chân 7) cảm điện áp Vo bé, qua mạch so sánh phân áp
Vo với điện áp tham chiếu 1,31V.Nếu Vo nhỏ hơn,ngõ ra mạch so sánh bằng 0 mở cổng cho tín
hiệu từ mạch dao động qua cổng lái transistor Q1.
Hình 3.7: Các dạng sóng tại các điểm trên hình 3.6

Việc tắt/dẫn Q1 thực hiện như chức năng mở/đóng SW S hình 3.5. Nghĩa là năng lượng
được tích trữ trong cuộn dây trong thời gian dẫn và phóng đến ngõ ra trên C1 trong thời gian tắt.
Mạch so sánh tiếp tục cho tín hiệu dao động điều khiển Q1 on/off cho đến khi điện áp tích trên
C1 tăng đến mức điện áp hồi tiếp vượt qua 1.31V.
Một khi điện áp hồi tiếp vượt qua điện áp tham chiếu, hệ thống hồi tiếp sẽ thay đổi thời
gian dẫn để đáp ứng với sự thay đổi dòng tải hay điện áp vào như minh họa các dạng sóng ở
hình 3.7. Nếu dòng tải tăng (dạng sóng C) Q1 tiếp tục dẫn (dạng sóng D) trong khoảng thời gian
dài của chu kỳ dao động , cho phép dòng qua cuộn dây (dạng sóng E) đạt đến giá trị đỉnh cao
hơn. Chu kỳ nhiệm vụ của Q1 thay đổi đáp ứng theo dòng tải và điện áp vào.
Trong bất kỳ nguồn ổn áp xung nào, giá trị điện cảm cuộn dây và tần số dao động phải
liên hệ chặt chẽ đến điện áp nguồn, dòng ngõ ra và các điều kiện độ gợn sóng. Nếu điện cảm
cao quá hoặc tần số dao động cao quá , dòng qua cuộn dây không thể đạt đến giá trị đủ cao
bằng dòng tải, dẫn đến điện áp ngõ ra bị giảm.Nếu điện cảm cuộn dây hoặc tần số dao động
quá thấp, dòng qua cuộn dây tăng quá cao , gây vọt lố độ gợn sóng, ngoài ra còn làm cho cuộn
dây bị bão hòa, và quá dòng qua transistor.
2. Liên tục và không liên lục:
Hoạt động của nguồn ổn áp xung có thể liên tục hoặc không liên tục. Trường hợp hoạt
động liên tục, dòng điện qua cuộn dây không bao giờ giảm về 0 trong thời gian tắt của transistor.
Trong trường hợp không liên tục, nếu có dòng tải đủ nhỏ , dòng qua cuộn dây có thể giảm về 0.
Thông thường không cần thiết phải tránh mode bất liên tục khi dòng tải nhẹ.Chỉ có điều
thời gian dẫn của transistor không thể giảm quá nhỏ để áp ngõ ra không tăng vọt trong trường
hợp nhẹ tải. Nếu điều này xảy ra , hầu hết các nguồn ổn áp đều bắt đầu “mất chu kỳ”, nghĩa là
transistor sẽ không dẫn trong 1 vài chu kỳ . Ngõ ra vẫn kiểm soát được nhưng sẽ xuất hiện một
số thành phần hài gây nhiễu.
Vấn đề chính trong mode bất liện tục là khi có dòng tải nặng, do tỉ số cao giữa dòng giao
hoán và dòng tải sẽ dẫn đến xuất hiện những đỉnh dòng, áp. Các đỉnh này được minh họa trong
hình 3.8, gồm dạng sóng dòng, áp trên transistor, diode, tụ điện của ổn áp xung dạng boost. Nói
chung, dù là liên tục hay không liên tục, các linh kiện trên phải chịu được dòng trung bình cũng
như dòng đỉnh.
Hình 3.8: Dạng sóng trên transistor(SW),

diode,tụ điện ngõ ra ổn áp xung dạng boost

3. Dạng buck-boost hay inverter:
Hình 3.9 minh họa dạng mạch buck-boost lý thuyết, hình 3.10 là mạch ổn áp xung buck-
boost thực tế sử dụng vi mạch RC4391 và hình 3.11 là các dạng sóng tương ứng. Lưu ý là SW S
tương ứng với Q1, C, D, L lần lượt tương ứng với CF, D1, Lx khi so 2 hình 3.9 và 3.10.
Xem hình 3.9, khi S đóng, có dòng nạp từ VIN qua L tạo thành từ trường tăng dần trong lúc
S đóng. Khi S hở, từ trường bị ngắt đột ngột , năng lượng tích trữ trong L chuyển thành dòng xả
qua L cùng chiều dòng nạp.Dòng xả này chảy qua D và C.Chìa khóa của sự hoán năng là cuộn
dây trở thành nguồn khi dòng nạp bị ngắt.
Hình 3.9 : Mạch buck-boost lý thuyết
Hình 3.10: Mạch buck-boost thực tế sử dụng IC RC4391
Trong mạch hình 3.10, mạch hồi tiếp và tụ điện ngõ ra giảm điện áp ngõ ra ngang qua
cuộn dây đến giá trị ổn áp cố định. Khi mới cấp nguồn mạch so sánh 0 C1(pin8) so sánh ngõ ra
với điện áp tham chiếu1,25V. Do ban đầu C chưa nạp xả, điện áp dương áp vào pin8 làm ngõ ra
C1 dương mở cổng NAND cho xung dao động từ mạch OSC ra kích Q1 on/off.
Việc đóng mở Q1 tương tự như SW S đóng/mở trong hình 3.9, nghĩa là năng lượng tích
trữ trong Lx trong thời gian Q1 dẫn và xả qua CF, D1 trong thời gian Q1 tắt. Bộ so sánh tiếp tục
mở cổng NAND cho dao động qua kích Q1 cho đến khi đủ năng lượng trữ trong CF làm cho áp
ngõ vào mạch so sánh âm. Điện áp ngõ vào so sánh tỷ lệ với áp ngõ ra Vout, áp tham chiếu và tỷ
lệ R1/R2.

Hình 3.11: Các dạng sóng tại các điểm trên hình 3.10
4. Dạng buck:
Hình 3.12 là mạch lý thuyết dạng buck, hình 3.13 là mạch ổn áp xung dạng buck sử dụng
IC RC4391 hà hình 3.14 là các dạng sóng tương ứng.
Lưu ý là S, C,D, L trong mạch hình 3.12 được thay thế bằng Q1, CF, D1, Lx trong hình
3.13, cũng lưu ý rằng chân GND (chân 4) của IC không nối GND mà là ngõ ra. Với cách sắp xếp
hệ thống hồi tiếp như vậy, có thể cho ngõ ra ổn áp dương trong khi điện áp hồi tiếp về được
nhận dạng âm hơn GND.
Hình 3.12 : Sơ đồ mạch lý thuyết dạng buck
Trong hình 3.12, khi S đóng , dòng từ VIN qua L, chảy ra tải. khi S hở, năng lượng tích trữ
trong L làm dòng vẫn chảy cùng chiều như trên và ghép ra tải và qua D. Do dòng vẫn chảy trong
thời gian nạp và xả, nên dòng trung bình trên tải lớn hơn so với mạch buck-boost. Điều đó có
nghĩa là với cùng 1 dòng tải , mạch buck sẽ có dòng đỉnh quaLl bé hơn so với mạch buck-boost.
Do đó cuộn dây trong mạch buck có thể nhỏ hơn và transistor công suất sẽ không bị lái nặng
dòng hơn so với mạch buck-boost.
Trong mạch hình 3.13, tụ lọc ngõ ra CF chưa tích điện nên điện áp tại chân 4 ban đầu
bằng 0. Điện áp tham chiếu cao 1,25V so với chân mass IC làm mạch so sánh cấp ngõ ra dương
mở cổng NAND cho xung dao động qua kích Q1.
Khi Q1 giao hoán nạp điện trên CF làm điện áp ngõ ra tăng, chân mass IC tăng áp cho
đến khi điện áp trên nó đạt tới điện áp hồi tiếp. Lúc này, hệ thống kiểm soát sẽ giảm thời gian
dẫn của Q1 để duy trì điện áp ổn định ngõ ra.

Hình 3.13: Mạch buck sử dụng IC RC4391
Hình 3.14: Dạng sóng mạch hình 3.13

5. Fly back:
Nguồn ổn áp xung flyback làm việc dựa trên 2 chu kỳ truyền năng lượng. Đầu tiên năng
lượng được tích trữ trong cuộn dây, bước kế tiếp năng lượng chuyển qua tụ tải. Mặc dù nguồn
ổn áp xung căn bản chỉ sử dụng 1 cuộn dây, trong thực tế cuộn dây được thay bằng biến áp.
Hình 3.15 và 3.16 là sơ đồ mạch fly back thực tế sử dụng IC RC4292. Trong các hình từ 3.15
đến 3.17, lưu ý S1 được thay thế bằng transistor M1 và M1 được nối GND chứ không phải vào
nguồn âm như hình 3.15. Trong thực tế để tạo nguồn áp dương ở ngõ ra, phải sử dụng dạng
mạch có biến áp như hình 3.16 và 3.17.
Biến áp có thể làm việc ở 2 mode. Khi dòng điện chảy trong sơ cấp và thứ cấp lần lượt
tuần tự nhau (dòng sơ chảy, dòng thứ ngưng hoặc ngược lại). Đó là hoạt động ở mode fly back .

Khi dòng điện sơ và thứ chảy cùng 1 thời điểm, biến áp hoạt động ở mode forward.
IL
Hình 3.15 mạch flyback lý thuyết với cuộn dây

Xem hình 3.15, khi S1 đóng, dòng nạp L1 từ nguồn VIN tăng dần tạo từ trường tăng dần
trong lúc S đóng. Khi S hở, từ trường bị ngắt đột ngột, năng lượng tích trữ trong L1 được chuyển
thành dòng điện xả qua L1 cùng chiều với dòng nạp qua D1 nạp cho tụ C1 . Chìa khóa tạo hoán
năng trong mạch fly back là cuộn dây trở thành nguồn cấp điện khi dòng nạp bị ngắt (tương tự
như mạch buck-boost)
Hình 3.16 : Mạch flyback lý thuyết với biến áp .

Trong thời gian xả,dòng qua L1 giảm, khi dòng giảm về 0, D1 tắt. Lưu ý là tốc độ biến
thiên của dòng điện trong cưộn dây theo thời gian bằng điện áp ngang qua cuộn dòng chia cho
điện cảm của nó . Điện áp và dòng tải cũng ổn định bằng cách kiểm soát thời gian on của SW
S1 . Tụ C1 trữ năng lượng và phóng ra tải như các nguồn ốn áp khác .
Mạch hình 3.16 hoạt động tương tự như mạch hình 3.15, trong đó biến áp T1 tích trữ
năng lượng trên cuộn sơ và xả năng lượng trên cuộn thứ . Chu kỳ đầu tiên bắt đầu, dòng bắt đầu
tăng tuyến trên cuộn N1, tích trữ năng lượng trong biến áp . Sau đó S1 mở, năng lượng được
truyền qua thứ cấp đến ngõ ra .
Trong mạch hình 3.17, IC 4292 gồm mạch dao động, so sánh (comp), khuếch đại sai lệch .
(ERR AMP) tham chiếu và điều khiển logic .
Bộ dao động ở chân 1 IC phát tín hiệu xung lái ra ở chân 6. Tần số dao động xác định qua
giá trị Cx mắc ở chân 1. Khuếch đại sai lệch so sánh tín hiệu hồi tiếp và tham chiếu ở chân 2 và
3 tạo ra tín hiệu sai lệch tỉ lệ chênh lệch áp ngõ vào . Bộ so sánh dòng điện so sánh tín hiệu ngõ
ra khuếch đại sai lệch và tín hiệu tỉ lệ với dòng điện qua biến áp (đo áp trên R4).
Nếu tín hiệu hồi tiếp ở chân 7 lớn hơn tín hiệu sai lệch, bộ điều khiển logic (FF và mạch lái)
làm transistor M1 tắt. Bộ điều khiển logic sử dụng FF để đảm bảo M1 nhận chỉ 1 xung trong 1
chu kỳ dao động . Bộ khuếch đại lái ngõ ra FF tạo tín hiệu giao hoán nhanh kích M1 . Điện áp
tham chiếu 5V ở chân 4 cấp nguồn cho các khối trong IC và tạo áp tham chiếu cho KĐ sai lệch .
Bộ ổn áp song song với chân 5 làm việc như Zener để kẹp IC, khống chế áp cấp nguồn ngõ vào
cho IC .
Khi mới cấp nguồn, KĐ sai lệch cảm điện áp ngõ ra bé hơn giá trị định trước và gởi tín
hiệu sai lệch qua bộ so sánh dòng điện đến bộ điều khiển logic . Dẫn đến bộ điều khiển logic mở
xung kích M1 để tăng áp ngõ ra. Khi điện áp ngõ ra đạt đến giá trị định trước bộ điều khiển logic
thay đổi độ rộng xung kích M1 sao cho dòng qua biến áp giữ bằng số . Tỉ số R1,R2 xác định giá
trị Vout, thông thường điện trở tương đương của tổ hợp trở này nằm trong tầm 25-100 KΩ để tối
thiểu dòng phân cực vào và nhiễu ngõ vào .
Điện trở R3 tạo dòng cho bộ ổn áp song song ở chân 5 . Giá trị R4 đặt dòng giao hoán
cực đại qua M1 và R5 giữ M1 off trong lúc khởi động hoặc bất kỳ lúc nào IC không làm việc .R6
hạn dòng quá độ nạp cho cực G M1,R7 triệt ảnh hưởng của dòng phân cực vào ở ngõ vào KĐ
sai lệch .
R8,C3,D3 tạo thành mạch snubber triệt các dao động trên M1 và sơ cấp T1, nên cắt được
các đỉnh vọt lố bảo vệ M1 khỏi bị quá áp . C2 lọc tín hiệu hồi tiếp, C4,C5 lọc điện áp từ bộ ổn áp
song song cấp nguồn cho IC .
Vout=VrefxR1/R2
Hình 3.17: Mạch flyback sử dụng IC 4292

C6 cà C7 lọc điện áp ngõ ra . D2 chỉnh lưu áp ngõ ra . Giới hạn cơ bản về công suất tải ngõ
ra chủ yếu cho điện dung C GD của M1 . Ngõ ra ở chân 6 của IC không thể lái transistor trường
dòng cao quá 10A . Nhà sản xuất khuyến cáo nên sử dụng FET IRF9633 hay MTPJP18 cho M1.
Một nhược điểm lớn nhất của mạch flyback là phần lớn năng lượng tích trữ trong biến áp
dưới dạng dòng DC trong cuộn dây . Do đó cần phải sử dụng lõi kích thước lớn hoặc lõi phải có
khe hở từ để tránh bị bão hòa, dẫn đến giảm công suất biến áp, điều này được khắc phục bằng
mạch forward .
6. Mạch forward:
Mạch forward cơ bản như hình 3.18a loại trừ được phần lớn năng lượng tích trữ trong biến
áp.Tuy nhiên,biến áp phải quấn thêm cuộn dây, mắc nhiều hơn 2 diode và cuộn cảm lọc ngõ ra .
Năng lượng truyền từ ngõ vào đến tải qua D1 trong thời gian SW đóng, tích trữ trên L1.Khi
SW hở, D1 phân cực nghịch, dòng qua L1 chảy qua D2 .
Cuộn dây thứ ba và D3 để làm mạch kẹp áp trên S1 trong thời gian off . Nếu không có
mạch kẹp này, điện áp trên S1 trong thời gian off rất cao có thể đánh thủng S1 .
ON
S1
OFF
Ipk
Iin
IS1
0
a) b) Im
ID3
0
I0 IL1
Hình 3.18 : Mạch forward cơ bản và dạng sóng ID1 ID2
0
Cuộn thứ ba còn gọi là cuộn reset thông 2Vin
thường có tỉ số vòng 1:1 với cuộn sơ cấp.
Điều này làm giới hạn chu kỳ nhiệm vụ tối đa Vin
VS1
là 50% . Trên 50% dòng qua SW tăng không 0
kiểm soát được, bởi vì cuộn sơ cấp không thể
duy trì áp DC 0V . Giảm số vòng trên cuộn reset sẽ tăng được chu kỳ nhiệm vụ nhưng điện áp tắt
trên SW tăng cao .
Độ gợn sóng ngõ ra sẽ thấp do có L1, nhưng gợn sóng dòng vào cao do thường sử dụng
chu kỳ nhiệm vụ thấp.T1 có thể là lõi kích thước bé không có khe hở từ, do không tồn tại thành
T /2
phần DC dễ gây bão hòa lõi .
B1
T D1 L1
C2 np:ns 0,45T
R1 +Vout
B2 D3
Q2 +
Điều khiển C2 C1
B2
tạo xung +Vin 0 ,4 5 T
B1 T
Q1 D2 IPK
C1 IC1
0
R2 D4
IPK
C3 Hồi tiếp
IC2
0
a) b) I0 IL1
D2 ON D1 ON
Hình 3.19 : Mạch forward đẩy kéo và dạng sóng 0
Mạch foward đẩy kéo như hình 3.19a thường 2VIN
được sử dụng trong các nguồn ổn áp xung công VC1
suất cao . Khi Q1 dẫn, Q2 tắt, dòng điện được 0
truyền qua T1 và D1 dẫn,nạp cho L1 và tải, lúc này 2VIN
D2 tắt . Khi Q2 dẫn, Q1 tắt, dòng điện truyền qua T1, VIN VC2
0

D2 nạp cho L1 và tải, D1 tắt . Trong khoảng thời gian Q1 tắt Q2 chưa dẫn ,L1 xả dòng ra tải và
D2, ngược lại Q2 tắt Q1 chưa dẫn, L1 xả dòng ra tải và D1. T1 hoạt động như biến áp bình
thường và dòng DC trung bình qua sơ cấp T1 bằng 0 nên không gây bão hòa lõi .
Khi Q1 từ dẫn chuyển sang tắt,trên VC1 xuất hiện gai dương làm D4 dẫn nạp năng lượng
vào C3 và triệt gai dương.Khi Q1 dẫn trở lại,C3 xả qua R2 và Q1.Mạch D4,C3 và R2 chính là
mạch snubber đã khảo sát ở chương 2.Tương tự như vậy cho mạch snubber D3,C2,R1 bảo vệ
Q2.
7. Mạch boost nâng dòng (current-boosted boost)
Hình 3.20 là 1 dạng mở rộng của mạch boost .
Sử dụng cuộn dây có điểm giữa để giảm dòng qua
SW với dòng tải định trước . Điều này cho phép dòng tải
cao ứng với điện áp cao ở ngõ ra và trên SW . Tăng công
suất càng thể hiện rõ khi chênh lệch giữa ngõ vào và ra
càng thấp . Tuy nhiên phải lưu ý điện áp giao hoán off tối đa
trên SW .
Hình 3.20: Mạch boost nâng dòng
8. Mạch buck nâng dòng (current boosted buck ) :
Hình 3.21: Mạch buck nâng dòng

Mạch buck nâng dòng như hình 3.21 sử dụng biến áp để tăng dòng ra cao hơn dòng cực
đại trên SW . Mạch này cũng gây ra điện áp cao trên SW khi off . Việc nâng dòng tải nhờ tỉ số
điện áp sơ/thứ và tỉ số vòng . Ví dụ, tỉ lệ áp sơ/thứ là 15V/5V và tỉ số vòng 1:4,dòng ra sẽ tăng
gấp đôi : (15/(5+1/4x(15-5))=2 .Tuy nhiên điện áp trên SW tối đa sẽ là : 15+5/1/4=35V .
9. Mạch Cuk :
Vin + -
+ -Vout
L1 L2
C2
D C1
S1
Hình 3.22 : Mạch Cuk nâng dòng
Mạch Cuk như hình 3.22 ( lấy theo tên Slobodan Cuk) tương tự như mạch buck-boost có
input và output ngược cực tính . Tuy nhiên dạng mạch Cuk có ưu điểm nhờ dòng vào và ra gợn
sóng bé . Trong thực tế, 2 cuộn dây phân biệt được quấn trên cùng 1 lõi với tỉ lệ vòng 1:1 chính
xác .Nếu như lệch 1 chút giữa L1 và L2, dòng gợn sóng ngõ vào và ra không thể triệt bằng 0 .
Nếu gợn sóng vào/ra bé việc chọn tụ lọc sẽ dễ dàng hơn ( điện dung bé kích thước nhỏ) .
Lưu ý là dòng gợn sóng trong C2 bằng với dòng ngõ ra nên chọn C2 lớn, thường là tụ hóa .

3.2 : Cuộn dây và biến áp trong nguồn ổn áp xung
3.2.1 : Căn bản thiết kế cuộn dây
Hầu hết các nguồn ốn áp xung đều sử dụng cuộn dây đơn, nên ta chỉ khảo sát dạng cuộn
dây đơn. Một khi nắm được thiết kế cuộn dây, ta có thể chuyển sang thiết kế biến áp trong mạch
flyback .
Hình 3.23 minh họa mạch PFM sử dụng IC MAX641, kết nối theo mạch boost, sử dụng
cuộn dây đơn L. Hình 3.24 minh họa các dạng sóng của hình 3.23, bao gồm dòng điện qua L,
dòng điện diode, điện áp giao hoán .
Hình 3.23: Mạch PFM dạng boost dùng IC MAX641

Cuộn dây trong hình 3.23 phải thỏa 7 điều kiện sau :
1. Giá trị : Điện cảm phải đủ nhỏ để tích trữ được năng lượng khi áp vào thấp, và đủ lớn để
tránh quá dòng trong trường hợp dẫn trong thời gian dài .
2. Bão hòa : Cuộn dây phải có điện cảm xác định trong trường hợp dòng đỉnh cao.
3. Điện trường : mặc dù không phải là vấn đề quan trọng, tuy nhiên cách điện cuộn dây phải
chịu điện áp ngược cao .
4. Điện trở DC : Điện trở cuộn dây không gây ra nung nóng nhiệt . Trong mạch PFM điện áp
vào thấp, điện trở có thể gây giảm áp tải .
5. Hệ số phẩm chất Q : Mất mát cuộn dây không gây ra hiệu suất thấp hay tự nung nhiệt .
6. Giao thoa điện từ (EMI) : EMI không gây nhiễu lên các phần từ trên mạch .
7. Điện dung ký sinh : tần số tự cộng hưởng cao gấp từ 5-10 lần so với tần số giao hoán .
Hình 3.24 : Các dạng sóng trên hình 3.23

1/ Chọn giá trị điện cảm xác định :
Giá trị điện cảm cụ thể phụ thuộc vào tần số làm việc và điện áp trên cuộn dây,cả hai xác
định dòng đỉnh qua cuộn dây . Giá trị không đúng sẽ gây quá dòng cho transistor hoặc không đủ
năng lượng tích trữ . Năng lượng tích trữ không đủ sẽ làm khởi động và thời gian đáp ứng quá
độ chậm . Trong ổn áp PFM, năng lượng tích trữ không đủ sẽ làm mất ổn định ngõ ra .
 Lưu ý : điện cảm càng nhỏ dễ dàng gây quá dòng !
Điện áp cấp nguồn và giá trị điện cảm xác định độ dốc của dạng sóng dòng điện (hình
3.24) . Khi hoạt động ở mode bất liên tục, dòng tải trung bình tỉ lệ trực tiếp với dòng đỉnh .

Biểu thức quan hệ giữa dòng đỉnh, điện áp vào/ra và dòng tải :
Vout  VD  Vin
Ipk  4 I load (3.1)
Vin  Vsw
Vout : điện áp ngõ ra
Vin : điện áp ngõ vào
Vsw : điện áp bão hòa của transistor SW
VD: điện áp thuận của diode
Và hệ số 4 được dựa trên chu kỳ nhiệm vụ 50%
Phương trình trên cho cuộn dây đơn hình 3.23
Từ phương trình Ipk, ta xác định giá trị L:
Vin  Vsw
L ton (3.2)
Ipk
2/ Vấn đề điện cảm cao :
Trường hợp điện cảm cao sẽ gây ra dòng tải thấp và không ổn áp ngõ ra.
3/Vấn đề điện cảm thấp :
Điện cảm thấp gây nóng, rung lõi, hiệu suất thấp, ngõ ra gợn sóng. Điện cảm thấp quá
làm lõi bão hòa, hỏng trasisitor SW.
4/ Điện cảm tối ưu :
Để tìm giá trị điện cảm tối ưu theo các phương trình trên, ta tính giá trị Lmax và Lmin .
Sau đó chọn giá trị L chuẩn nằm giữa Lmin-> Lmax .
Ví dụ 3.1 : Trong hình 3.23 input=5V±10%, ouput =15V, sử dụng diode 1N5817
(VD=0.4V), IC MAX641 có sai số 10% trên chu kỳ dao động 50KHz ( ton=10µs với chu kỳ nhiệm
vụ 50%). tải I LOAD  15mA .Tính L và Ipk.
Giải:
Tính Lmax : sử dụng Vinmin=4.5V, Vswmax=0.75V, tonmin=9µs
15  0.4  4.5
Ipk min   15  4  174mA
4.5  0.75
4.5  0.75
L max  (9 s )  194 H
174mA
Tính Lmin : sử dụng dòng cực đại của MAX641=450mA=Ipk, Vinmax=5.5V
tonmax=11µs, Vswmin=0.25V
5.5  0.25
L min  (11s )  128 H
450mA
chọn giá trị L=150µH hay 160µH
5/Lựa chọn cuộn dây cho nguồn xung PWM :
Hầu hết nguồn xung đều có dòng đỉnh cao khi ngõ vào áp thấp . Đó là do nguồn xung
thường làm việc ở mode liên tục và chu kỳ nhiệm vụ cao (cao hơn 50%) . Giá trị điện cảm PWM
chỉ giới hạn bởi số vòng dây, khởi động và thời gian đáp ứng quá độ hợp lý.
Trong mode liên tục, dòng qua cuộn dây dao động nhưng không bao giờ giảm về 0 . Bởi
vì dòng điện có thể tăng theo dạng bậc thang trong khoảng thời gian nhiều chu kỳ, tốc độ tăng
(xác định bới giá trị điện cảm) không giới hạn mức dòng qua cuộn dây cực đại hay dòng tải trung
bình . Nói cách khác giá trị chính xác của L không cần thiết cho PWM như đối với PFM, giá trị
nhỏ nhất được tính dựa trên mất mát I 2 R và khả năng dòng cực đại qua transistor . Do những
thông số trên, PWM được sử dụng thích hợp hơn ở công suất cao .
Nguồn PFM thường được sử dụng với công suất<10W, và nguồn PWM sử dụng với công
suất>10W.
6/ Ảnh hưởng bão hòa :
Đỉnh dòng cao làm cuộn dây bão hòa dẫn đến hiệu suất thấp, tăng nhiễu ồn làm hỏng
transistor sw . Khi lõi cuộn dây bão hòa, giá trị điện cảm hiệu dụng giảm đột biến làm dòng tăng
nhanh theo quy luật hàm mũ . Mất mát I 2 R làm giảm hiệu suất và cuộn dây không tích trữ năng
lượng thêm . Với những lý do trên, dòng đỉnh cao nhất trên bất kỳ nguồn ổn áp xung nào cũng

nhỏ hơn dòng đỉnh cho phép của cuộn dây để tránh lõi bão hòa. Lưu ý cuộn dây có dòng DC qua
thường dễ bão hòa .
Hình 3.25 minh họa các dạng sóng dòng điện trong các trường hợp hoạt động bình
thường, bão hòa hoặc điện trở cuộn dây cao. Có thể quan sát dạng sóng dòng điện bằng cách
mắc một điện trở công suất 10W có R<1Ω để xem dạng điện áp trên điện trở .
Hình 3.25 : Các dạng sóng dòng điện qua cuộn dây
7/ Khe hở từ và vật liệu lõi :
Ngoài các thông số trên, vật liệu lõi xác định năng lượng của lõi và bão hòa. Một cách để
tăng năng lượng là để cho lõi có khe hở . Điều này mở rộng chiều dài hiệu dụng của đường sức
từ và tăng khả năng tích trữ năng lượng trong cuộn dây . Tuy nhiên khe hở từ cũng gây ra một
số vấn đề . Ảnh hưởng của khe hở từ lên các vật liệu lõi khác nhau được tóm tắt sau đây .
Ferrite và các vật liệu từ độ từ thẩm cao rất dễ bão hòa . Chẳng hạn với lõi xuyến ferrite,
đường sức từ ngắn nên chống EMI tốt, nhưng do đường sức từ ngắn và độ từ thấm cao sẽ dễ
làm lõi xuyến bão hòa. Lõi xuyến ferrite làm biến áp rất tốt nhưng không thích hợp cho các nguồn
ổn áp xung dạng boost (có dòng DC cao ).
Khi công suất ≤5W, lõi ferrite có khe hở thường tốt hơn lõi xuyến hoặc nồi ferrite mặc dù
có tạo nhiễu ồn, nhưng ứng dụng tốt cho những trường hợp công suất thấp vì dạng lõi để quấn
dây và rẻ tiền .
Khi công suất hơn 5W, lõi nồi ferrite sẽ tốt hơn do phát xạ EMI bé, đặc biệt với mức dòng
cao và có từ trường xung quanh .
Trong nhiều ứng dụng công suất thấp, lõi sắt bụi và hợp kim(MPP) xuyến thường được
chọn do giá, kích thước và mức EMI . Các vật liệu này có khe hở bên trong (built-in) tạo thành
khi gia công ép vật liệu . Mỗi 1 khe hở bão hòa ở một mức khác nhau của lực từ trường .
8/ Vật liệu lõi thương mại :
Bảng 3-1 tóm tắt đặc tính của các lõi khác nhau sử dụng trong các nguồn xung công suất
thấp . Ferrite là tốt nhất do giá thấp, điện trở cao giảm dòng xoáy. (Ferrite chỉ sử dụng ở tần số
≥500kHZ) . Mặt khác, độ từ thẩm ferrite cao nên phải có khe hở từ sẽ gây ra những hạn chế như
EMI cao, quấn dây, lắp ráp khó .
Bảng 3.1 : Đặc tính thương mại của các loại dây :
LOẠI EMI GIẢI THÍCH
Bobbin ferrite cao Giá rẻ, cùng trục cuộn dây, mất mát lõi thấp hiệu
suất cao.
Bobbin ferrite có thấp Hiệu suất, dễ bão hòa
lớp áo ferrite
Lõi nồi ferrite thấp Hiệu suất, dễ tạo khe hở theo yêu cầu .
Tốt ở dòng cao và tần số cao .
Lõi nồi ferrite Cao Tốt với tải nhẹ. Dễ bão hòa và không hiệu suất
cần theo dõi kỹ đáp ứng dòng điện .
Lõi xuyến thép Sinc thấp Quấn thành lớp, tương tự như bụi sắt.
Sử dụng lớp quấn mỏng với tần số cao hơn
Xuyến ferrite thấp Dễ bão hòa
Xuyến bụi hợp kim (MPP) thấp Tốt hơn ở tần số <400kHZ, EMI thấp, mất mát
thấp, đắt tiền, sử dụng loại từ thông cao
Xuyến bụi sắt thấp Chú ý tới vật liệu lõi để đạt mất mát thấp
Bụi hợp kim MPP có đặc tính bão hòa tốt với mất mát từ trễ thấp . Tuy nhiên MPP giá đắt (do có
chứa nickel), sắt bụi và thép silic mặc dù có dòng xoáy và mất mát từ trễ hơn cao nhưng giá rẻ
và phổ dụng .
9/ Lõi MPP từ thông cao :
Lõi MPP từ thông cao có EMI thấp và kích thước nhỏ . Lõi MPP thông thường ( cho các
ứng dụng RF) chứa 80% nickel, sắt và molybden,MPP từ thông cao 50% nickel,không tốt ở nhiệt
độ cao nhưng tốt cho các nguồn xung.Mặc dù MPP từ thông cao không đắt tiền,nhưng đôi lúc
đắt hơn ferrite do yêu cầu khe hở chính xác .
10/ Điện trở DC dây quấn và mất mát IR:
Vật liệu lõi ảnh hưởng đến mức công suất tương ứng với kích thước cuộn dây cho trước .
Tuy nhiên, điện trở DC cuộn dây giới hạn dòng ra và hiệu suất mạch, như minh họa ở hình 3.25,
điện trở DC cuộn dây cao làm thay đổi dạng sóng dòng điện (tạo ra độ dốc khác với dạng tuyến
tính ). mất mát công suất I 2 R ảnh hưởng đến hiệu suất toàn mạnh và làm nhiệt độ lõi tăng .
Điện trở DC cuộn dây càng ảnh hưởng mạnh đến nguồn sử dụng pin hoặc áp ra thấp <3V, trong
đó giá trị điện cảm phải bé để đạt độ dốc chấp nhận được cho dòng điện nạp cuộn dây .
11/ Sự gia nhiệt :
Các đặc tính kỹ thuật của cuộn dây thường bao gồm 2 giới hạn dòng điện, liên tục hay
RMS và bão hòa DC (đôi khi gọi là dòng đỉnh ). Giới hạn dòng liên tục kể đến sự tăng nhiệt độ do
điện trở cuộn dây cũng như tầm nhiệt độ làm việc và đặc tính cách điện của vật liệu . Giới hạn
dòng liên tục thường cao hơn giới hạn dòng bão hòa DC (nhưng không luôn luôn, đặc biệt khi L
cao ). Trong thiêt kế đơn giản, phải đảm bảo dòng trung bình qua cuộn dây nhỏ hơn giới hạn
không liên tục, nếu kể đến tần số cao phải dự trữ thêm mức an toàn 10% do nhiệt độ tăng do bởi
mất mát lõi . Giá trị dòng trung bình gần đúng qua cuộn dây trong nguồn xung là :
Vout  VD  Vin
Iave  I load  1 (3.3)
Vin  Vsw
12/ Mất mát tần số cao và hệ số Q của cuộn dây :
Mất mát tần số cao trong nguồn xung bao gồm 3 thành phần chính : từ trễ, dòng xoáy
trong lõi, dòng xoáy trong cuộn .
Mất mát từ trễ xảy ra khi cường độ từ trường gần điểm bão hòa , trở thành vấn đề trong
các lõi sắt bụi ở tần số SW≤ 100kHZ. Một cách để giảm cường độ từ trường đỉnh ứng với dòng
điện cao là tăng kích thước lõi . Tuy nhiên tăng kích thước lõi làm dòng xoáy tăng ( do tạo ra các
đường điện trở thấp cho dòng xoáy ). Dòng xoáy trong lõi là hàm theo f 2 và tăng nhanh khi f đạt
từ 300kHz-400kHz . Để giảm dòng xoáy sử dụng lõi vật liệu khác hơn là thay đổi kích thước
Bảng 3.2 : Giới hạn tần số cho 1 số vật liệu lõi thông dụng
Đến 100kHZ bụi sắt và lá thép
Đến 200kHZ bụi sắt tần số cao, độ từ thẩm thấp
Đến 400kHZ MPP từ thông cao
Đến 500kHZ MPP chuẩn
Đến 1MHZ ferrit kẽm-mangan
Đến 10MHz ferrite –nickel
Bảng 3.2 giới thiệu giới hạn tần số đối với 1 số vật liệu lõi thông dụng . Chú ý rằng ở các
tần số cao (≥100kHz )sử dụng các lõi sắt bụi lá thép có thể gây mất mát dòng xoáy cao làm tăng
nhiệt độ lõi và mất hiệu suất . Vần đề dòng xoáy rất khó phát hiện, ngoại trừ mất mát hiệu suất
hoặc hiệu ứng nóng lõi không giải thích được .
Dòng xoáy cuộn dây (dòng vòng trong dây ) cũng có thể gây ra vấn đề ở tần số ≥500kHz,
lời giải thực tế là dùng dây có bề dầy thật bé chẳng hạn như dây litz(dây bọc tơ),để giảm dòng
xoáy. Ngoài ra ta phải đặt các cuộn dây trong lõi phải càng xa khe hở càng tốt .
Một vần đề thực tế xác định mất mát cuộn dây là đo hệ số Q bằng sóng sine ở tần số SW
dùng cầu đo. Theo thực tế, nếu Q≥25, mất mát cuộn dây ≤5% .
13/Vấn đề EMI :
Giải quyết vấn đề EMI thông thường phụ thuộc vào áp dụng thương mại . Chẳng hạn như
sử dụng cuộn dây có vỏ bọc nếu muốn giảm thiểu EMI, tuy nhiên cuộn dây có vỏ bọc sẽ to hơn,
đắt hơn và khó gắn hơn so với không vỏ bọc . Nếu chấp nhận EMI cao, sử dụng cuộn dây dạng
bobbin không vỏ bọc sẽ có kích thước và giá rẻ phân nửa so với dạng xuyến /lõi nồi tương
đương về điện . Lưu ý rằng cuộn dây bobbin phát từ trường mạnh nhất gần 2 đầu trục, nên đặt
cuộn dây tránh xa các mạch nhạy nhiễu và vuông góc với các thành phần từ khác .
EMI sẽ xuất hiện tại các khe hở từ như ở hai đầu của bobbin cuộn dây quấn trên lõi trụ .
Lõi nồi cho phép có khe hở trong vật liệu ferrite nhưng ngăn phát xạ EMI. Khe hở trong vật liệu
bụi nhỏ nên EMI rất bé không đáng kể, miễn là lõi hình xuyến hay tương tự có đường sức từ kín .
14/Tần số tự cộng hưởng :
Tất cả các cuộn dây đều có điện dung phân bố kết hợp với cuộn dây tạo thành mạch cộng
hưởng.Tần số mạch tự cộng hưởng nên lớn hơn 5-10 lần tần số làm việc (nhưng không nên
chính xác là hài bậc cao của tần số làm việc ). Do giá trị điện cảm quyết định phải yêu cầu mạch
điện tần số tự cộng hưởng (SRF) xác định bởi điện dung phân bố .
Khi SRF bé, hàm dốc tuyến tính của dòng qua cuộn dây (hình 3.25) có 1 đột biến dòng khi
transistor dẫn, điều này gây ra mất mát giao hoán làm hiệu suất nguồn ổn áp kém.Điện dung
phân bố phải đủ nhỏ để SRF cao và không ảnh hưởng nghiêm trọng đến dòng qua cuộn dây .
Điện dung phân bố có thể giảm khi quấn dây trên lõi xuyến hoặc gối hai đầu cuộn dây lên nhau,
hoặc tạo 1 khe hở giữa 2 đầu cuộn dây .
1.22 : Chọn giá trị điện cảm cuộn dây :
1/- Căn bản về giá trị điện cảm :
Giá trị thích hợp cho bất kỳ nguồn ổn áp xung nào phụ thuộc vào 3 thông số: công suất
ngõ ra yêu cầu, tầm điện áp ngõ vào, tần số SW (chu kỳ nhiệm vụ). Tần số SW rất quan trọng vì
nó xác định cuộn dây nạp năng lượng bao lâu trong mỗi chu kỳ, cùng với ngõ vào xác định mức
năng lượng trữ trong cuộn dây .
Năng lượng tại thời điểm cho trước là hàm của dòng cuộn dây và điện cảm :
EL  LI 2 / 2 (3.4)
với : Ipk=VL ton/L (3.5)
Tổng công suất có thể đặt vào (hoặc lấy ra ) cuộn dây là năng lượng trên 1 chu kỳ ( E L )
nhân với số chu kỳ trên /s :
PL=ELf0 (3.6)
f0 : tần số sw
Phương trình trên giả sử ton và fo là độc lập . Với nguồn PFM, tần số tiêu biểu là xung
vuông đối xứng chu kỳ nhiệm vụ 50% .
1
ton  (3.7)
2 f0
Công suất trên cuộn dây :
V2
PL  L (3.8)
8 f0L
Hoặc dưới dạng ton :
V 2t
PL  L on (3.9)
4L
Trong nguồn boost hoặc inverter , điện áp nạp cuộn dây VL thông thường bằng áp ngõ
vào Vin nếu bỏ qua mất mát trên SW .
Trong nguồn buck VL=Vin-Vout (bỏ qua mất mát SW) do cuộn dây mắc giữa ngõ vào và ngõ ra .
2/ Chọn điện cảm cuộn dây trong nguồn boost :
Bước đầu tiên là chọn Vout, Vin(min) và Iout .Chú ý rằng trong thiết kế nguồn boost, Vin phải
nhỏ hơn Vout .
Nếu vì lý do nào đó Vin có thể bằng hay lớn hơn Vout phải tính đến dạng nguồn inverter.

Vin(min) và Vin(max) bao cả tầm điện áp vào . Công suất ngõ ra Pout =Vout xIout . Tuy nhiên
phải tính đến mất mát trong cuộn dây,transistor,diode khoảng 10-25% công suất thực tế .
Trong thiết kế nguồn boost, công suất được cung cấp nhờ cuộn dây và từ điện áp vào, do
1 đầu cuộn dây nối tiếp với ngõ vào Vin khi cuộn dây cấp dòng cho ngõ ra .
Pout  PL  Vin  I out (3.10)
Công suất lấy từ cuộn dây :
PL  (Vout  Vin  VD )  I out (3.11)
VD x Iout biểu diễn mất mát trên diode . Nếu dùng diode schottky sẽ giảm thiếu mất mát .
Bảng 3-3 liệt kê 1 số loại diode tiêu biểu .
Bảng 3.3 : Diode chỉnh lưu dùng trong nguồn ổn áp xung
MÃ SỐ ITB (A) VF (V) BVR (V) LOẠI VỎ NGOÀI

1N914 0.05 1.0 75 si Thủy tinh
1N4148 0.05 1.0 75 si Thủy tinh
1N4935 1 1.2 200 si Nhựa
1N5817 1 0.45 20 schottly Nhựa

1N5823 5 0.36 20 schottly Kim loại

1N 5824 5 0.37 30 schottly Kim loại
1N5825 5 0.38 40 schottly Kim loại
UDS620 6 0.48 20 schottly 50-220
UDS640 6 0.48 40 schottly 50-220
UES1001 1 0.895 50 si Bead
UES1002 1 0.895 100 si Bead
UES1003 1 0.895 150 si Bead
Trong các hệ thống lý tưởng (bỏ qua mất mát SW ), một trong hai phương trình sau được
sử dụng :
PL  VL2 /(8 f 0 L) (3.12)
Hoặc dưới dạng ton :
PL  VL2ton /( 4 L) (3.13)
Thay thế giá trị PL vào ta được biểu thức tính L :
Vin2
L (3.14)
8 f 0 I out (V outVD  Vin )
Với f0 là tần số SW có chu kỳ nhiệm vụ 50%.
Khi sử dụng phương trình trên tính L, nên chọn Vin min để đảm bảo công suất ra được
ứng với tầm điện áp vào cho phép .
Chọn giá trị L phải đáp ứng dòng đỉnh Ipk:
V t V
I pk  in on  in (3.15)
L 2 f0 L
Với ton là thời gian nạp =1/2 chu kỳ .
Phương trình Ipk giả sử điện trở Ron của SW không đáng kể so với điện trở cuộn dây và
điện áp trên cuộn dây VL≃Vin . Khi sử dụng phương trình Ipk chọn Vinmax để đảm bảo dòng đỉnh
tối đa cho phép .

Sau khi tìm được Ipk, so sánh với giới hạn dòng qua cuộn dây và giới hạn dòng qua SW.
Ipk phải đảm bảo dưới 2 giá trị giới hạn trên .
Nếu Ipk vượt quá giá trị dòng max của transistor trong IC (chẳng hạn 550mA với MAX
630/4193 và 475mA với MAX631/32/33), chọn transistor ngoài để đảm bảo dòng qua SW . Bảng
3.4 giới thiệu 1 số MOSFET thông dụng .
Bảng 3.4 : Một số MOSFET công suất tiêu biểu
Kênh N
Mã số Vỏ ngoài Ron (Ω)(IDS,VGS ) Vmax(v) Nhà sản xuất
BUZ71A TO-220 0,12(6A,10V) 50 MOT/SI/SM

BUZ21 TO-220 0,1(9A,5V) 100 MOT/SI/SM
0,2(5A,5V)
IRF513 TO-220 0,8(2A,10V) 100 IR/SI/GE/MOT
1,2(1A,5V)
2,0(4A,5V)
0,1(5A,5V)
IRF620 TO-220 0,8(2,5A,10V) 200 IR/SI/GE/MOT
1,3(2,5A,5V)
IRFD121 4pinDip 0,3(1,3A,10V) 60 IR/GE
RFP12N08L TO-220 0,2(1,3A,5V) 80 RCA
Kênh P
Mã số Vỏ ngoài Ron (Ω) (IDS,VGS) Vmax(v) Nhà sản xuất
IRFD120 4pinDIP 0,6(1,3A,-10V) -100 IR/GE

IRF9520 TO-220 0,6(3,5A,-10V) -100 IR
IRF9540 TO-220 0,2(10A,-10V) -100 IR
IRF9543 TO-220 0,3(10A,-10V) -60 IR
IRF9620 TO-220 1,5(3,5A,-10V) -200 IR
RFP6P08 TO-220 0,6(-10V) -100 RCA
MTP2P45 TO-220 6(1A,-10V) -450 MOT
MTP8P08 TO-220 0,4(4A,-10V) -80 MOT
Nhà sản xuất : IR=International Rectifier, SI=Siliconix, MOT=Motorola
GE=General Electric, SM=Siemens, RCA=RCA
Ví dụ 3.2: Xem lại hình 3.6 mạch nguồn boost IC RC4190.Cho Vin=+5V±20%, Vout=+12V,
Iout=50mA,f0=25Khz,chọn D1=1N5817.Tính L và Ipk,cho nhận xét về thiết kế.
Giải:
Theo bảng B3.3 diode 1N5817 có VD=0.45V.
Vinmin=5x0.8=4V,Vinmax=5x1.2=6V.
Từ (3.14),tính L với Vinmin:
42
L  189H
8  25  103  50  10 3 (12  0.45  4)
Từ (3.15),tính Ipk với Vinmax:
6
I pk   0.635 A
2  25  10  189  10 6
3
Với Ipk=635mA,chọn D1=1N5817 có ITB=1A phù hợp,nhưng IC RC4190 có dòng đỉnh SW

ISWPK=375mA nên không đạt yêu cầu.Do đó ta phải thêm BJT hoặc MOSFET lái ngoài ra tải .
Từ bảng B3.4,chọn MOSFET IRF513 có IDS(TB)=1A,VGS=5V là phù hợp.
Phần kết nối MOSFET ngoài sinh viên tự giải quyết(bài tập).

3/ Chọn điện cảm cuộn dây cho nguồn buck:
Bước đầu tiên là chọn Vout, Vin(min),Vin(max), Iout . Lưu ý rằng trong thiết kế nguồn buck
Vin(min) phải>Vout . Nếu vì lý do gì mà Vin ≤Vout, nên nghĩ đến dạng nguồn inverter .
Vin(min) và Vin(max) bao cả tầm điện áp vào.Công suất ngõ ra Pout =Vout x Iout . Tuy nhiên
phải kể đến mất mát cuộn dây, transisitor SW, diode khoảng 10->25%.
Trong thiết kế nguồn buck, công suất ngõ ra là tổng công suất cấp cho cuộn dây và công
suất cấp trực tiếp từ ngõ vào . Khi cuộn dây nạp điện, nó kết nối ngõ vào với ngõ ra , nên dòng
nạp qua cuộn dây cũng là dòng ra tải . Khi cuộn dây xả điện, dòng xả ghép qua tải về cuộn dây .
Tổng công suất ra :
Pout  PL  Vout  I pk / 4 (3.16)
Với PL là công suất cấp từ cuộn dây và Vout.Ipk/4 là công suất cấp trực tiếp từ ngõ vào khi
cuộn dây nạp . Ipk là dòng đỉnh nạp cuộn dây, với giả sử dòng nạp cuộn dây tăng tuyến tính từ 0
đến Ipk trong nửa chu kỳ giao hoán, dòng trung bình là Ipk/4.
Dòng đỉnh cuộn dây là hàm của điện áp nạp (Vin –Vout), thời gian nạp (ton) và điện cảm L :
I pk  (Vin  Vout )ton / L (3.17)
Hay I pk  (Vin  Vout ) /( 2 f 0 L) (3.18)
với f0 là tần số SW .
Hầu hết cuộn dây có thể nạp trong ½ chu kỳ SW (1/2f0)
Kết hợp phương trình Pout và Ipk :
Pout  PL  Vout (Vout  Vin ) /(8 f 0 L) (3.19)
Thay các phương trình trên :
(V  Vout ) 2
PL  in (3.20)
8 f0 L
V (V  V )
Pout  in in out (3.21)
8 f0 L
Nhân Pout cho 1,25 (bù mất mát ), tìm được L :
V (V  Vout )
L  in in (3.22)
10 f 0 Pout
Sử dụng giá trị Vin min để tính L và Vinmax để tính Ipk .
Ví dụ 3.3: Xem lại nguồn buck sử dụng IC RC4391 hình 3.13.Cho Vin=8V±20%,Vout=5V,
Iout=20mA,f0=25Khz±10%.Tính L và Ipk,nhận xét về cách chọn IC và diode.
Giải:
Vinmin=8x0.8=6.4V,Vinmax=8x1.2=9.6V.
f0min=25x0.9=22.5Khz.
Pout=VoutxIout=5x0.02=0.1W.
Từ (3.22),tính L theo Vinmin và thời gian nạp max tương ứng f0min:
6.4(6.4  5)
L  398H
10  22.5  103  0.1
Từ (3.18),tính Ipk theo Vinmax và f0min:
I pk  (9.6  5) /( 2  22.5  103  398  10 6 )  257mA
 Nhận xét:
- D1=1N914 có VBR=75V và IFSM=Ipk=1A nên thỏa mãn yêu cầu.
- IC RC4391 có Iswpk=375mA nhưng VCEQ1(Ic=250mA)≈2.5V nên Vinmin-VCEmax=
6.4-2.5=3.9V<Vout=5V nên không ổn áp được!Muốn có ổn áp tối thiểu Vinmin=7.5V.
- Hoặc phải thêm SW ngoài BJT/MOSFET có Ipk>257mA và Vsw<0.4V(bài tập)!
4/ Chọn điện cảm cuộn dây cho nguồn inverter :

Bước đầu tiên là chọn Vout, Vin(min),Vin(max) và Vout. Khi chọn cấu hình Vin có thể lớn,
bằng hoặc nhỏ hơn Vout .

Công suất ngõ ra Pout=VoutxIout. Tuy nhiên do các mất mát cuộn dây SW,diode nên nhân
công suất ngõ ra với hệ số 1,25.
Trong nguồn inverter, tất cả công suất ngõ ra được cấp qua cuộn dây . Một đầu cuộn dây
được nối masse khi nạp xả . Tổng công suất ngõ ra là :
Pout  PL (3.23)
Vin2
PL  (3.24)
8 f0 L
Và nhân Pout cho 1,25, tìm được L :
Vin2
L (3.25)
10 f 0 I outVout
f0 là tần số SW chu kỳ nhiệm vụ 50%
I pk  (Vin / L)  ton (3.26)
Hay I pk  Vin /( 2 f 0 L) (3.27)
Sử dụng Vinmin để tính L và Vinmax tính Ipk .
Ví dụ 3.4: Xem lại hình 3.10 mạch nguồn inverter hay buck-boost sử dụng IC RC4391.
Cho Vin= +5V±20%,Vout=-15V,Iout=10mA,f0=25Khz.Tìm L và Ipk,nhận xét về cách chọn
IC và diode.
Giải:
Vinmin=5x0.8=4V,Vinmax=5x1.2=6V.
Từ (3.25),tính L với Vinmin:
42
L  426.6 H
10  25  103  0.01  15
Từ (3.27),tính Ipk với Vinmax:
I pk  6 /( 2  25  103  426.6  106 )  281.3mA
 Nhận xét:
- D1=1N914 có VBR=75V,Ipk=IFSM=1A phù hợp yêu cầu
- IC RC4391 có +Vsmin=4V=+Vinmin và Iswpk=375mA>Ipk=281.3mA đạt yêu cầu.
5/ Chọn biến áp cho nguồn flyback:
Bước đầu tiên là chọn Vout, Vin(min), Vin(max), Iout. Với nguồn flyback Vin có thể lớn, nhỏ
hơn hoặc bằng Vout . Nguồn flyback có thể đổi cực tính ngõ ra .
Công suất ngõ ra Pout  PT  VD I out , với PT là công suất nguồn cấp cho biến áp và VD I out là
mất mát trên diode .
PT phải đặt vào sơ cấp :
Vin2
PT  (3.28)
8 f0 LPRI
f0 là tần số SW chu kỳ nhiệm vụ 50%, L PRI điện cảm sơ cấp .
Giải ra tìm được :
Vin2
LPRI  (3.29)
8 f 0 I out (Vout  VD )
V t V
I pk  in on  in (3.30)
LPRI 2 f0 L
ton là thời gian nạp/ 1 chu kỳ bằng ½ chu kỳ .
Chọn Vinmin khi tính L PRI và Vinmax khi tính Ipk .
Giá trị L PRI và Ipk dùng để tính toán thiết kế biến áp sẽ được đề cập ở phần sau .

3.2.3 Thiết kế cuộn dây và biến áp :
Phần này trình bày 1 trong những phương pháp thiết kế nhanh cuộn dây và biến áp cho
các dạng lõi nồi và xuyến . Tất nhiên để đạt tốt tối ưu phải qua bước thí nghiệm và điều chỉnh
kích thước lõi, số vòng dây, cở dây .
1/ Thiết kế cuộn dây :
Khi biết giá trị L và Ipk từ các phương trình trên bước đầu tiên là tính tích số LI 2 (mH x
A 2 =mJ) . Tích số này biểu diễn năng lượng tích trữ LI 2 / 2 .
Từ LI 2 tính được, dựa vào hình 3.26 xác định kích thước lõi : xác định LI 2 trên trục hoành,
kẻ đường vuông góc với trục LI 2 tại điểm đã chọn cắt đường chéo thấp nhất, kẻ song song trục
LI 2 cắt trục tung AL , đọc giá trị AL . Đường chéo biểu diễn kích thước lõi nhỏ nhất và AL là giá trị
max sử dụng ( AL là điện cảm/số vòng2 ứng với lõi được chọn). Điều này có nghĩa là với lõi đã
chọn giá trị AL nhỏ hơn AL trên trục tung sẽ không làm lõi bão hòa .
Cũng vậy, bất kỳ đường chéo biểu diễn kích thước lõi cắt đường thẳng vuông góc trục
hoành tại điểm LI 2 cũng đều sử dụng được lõi đó nếu giá trị AL dưới giá trị AL tìm được ở trên .
Từ AL tìm được , số vòng dây quấn N được tính
N  31,6 ( L / AL ) (μH) (3.31)
Sau khi tìm được số vòng, chọn cở dây có kích thước lớn nhất có thể quấn được trên lõi
để giảm điện trở DC . Tiết điện dây thích hợp Aw ứng với kích thước lõi nồi ferrrite cho trong
bảng 3.5
Bảng 3.5 : Kích thước dây ứng với lõi nồi ferrite
Kích thước lõi Tiết diện dây Aw(cm2) Chiều dài TB/vòng (Feet)
(mm x mm) 1 ngăn 2 ngăn 3 ngăn
14 x8 0,098 0,044 0,0953
18 x 11 0,170 0,084 0,049 0,121
22 x 13 0,292 0,138 0,087 0,145
26 x 15 0,421 0,202 0,128 0,173
30 x19 0,542 0,254 0,159 0,204
36 x22 0,755 0,357 0,225 0,244
Hình 3.26 : Đồ thị lựa chọn lõi nồi
Bước tiếp theo là tìm T(số vòng / cm 2 ). T phải lớn hơn N/ AW , được xác địnhở bảng 3.6 sử
dụng dây có kích thước ứng với giá trị chọn T .
Bước kế tiếp là tính giá trị điện trở dây :

R  NI w rw (3.32)
N là số vòng dây, I W là chiều dài TB của 1 vòng ứng với lõi đã chọn và rw là điện trở / foot
của dây đã chọn . R tính được sao cho không gây tổn hao công suất quá 1 hoặc 2% tổng công
suất ra . Công suất mất mát do dây trong mạch flyback được tính gần đúng :
PR  ( I 2pk  R ) / 3 (3.33)
2/ Thiết kế biến áp :
Biến áp (cho flyback) được thiết kế tương tự như cuộn dây . Sau khi xác định số vòng sơ
cấp từ điện cảm sơ cấp và dòng đỉnh, số vòng thứ cấp được xác định từ tỉ số vòng theo tỉ số áp
vào / áp ra và cở dây thứ cấp tùy thuộc vào dòng ngõ ra .
3/ Ví dụ thiết kế biến áp :
Ví dụ 3.5 :Hình 3.27 là dạng mạch nguồn xung flyback sử dụng IC MAX641 . Cho ngõ ra 5V/1A,
ngõ vào từ 4-5.2V.
Giải:
Hình 3.27 : Nguồn xung flyback biến áp

Giả sử chọn diode 1N5817 có V f  0.5V . Như vậy cần công suất ngõ ra biến áp là
(5+0.5)x1=5.5W.
Với f0 =50kHz và Vin(min) =4V
Vin2
L
8 f 0 I out (Vout  VD )
42
  7.27 H
8  50  103  1(5  0.5)
Với Vin(max) =5.2V
V
I pk  in
2 f0 L
5. 2
  7.15 A
2  50  10  7.27  10 6
3
LI 2  7.27  10 3  (7.15) 2  0.372mJ

Từ hình 3.26, 0.372mJ dẫn đến tìm được lõi kích thước 18x11mm và AL  330
Ta chọn AL chuẩn=250.
N  31.6 7.27 / 250  5.4
Do tỉ lệ sơ/thứ n=(Vout+VD)/Vinmin=5.5/4=1.375 nên số vòng thứ cấp Ns=5.4x1.375=7.4
Aw cho cuộn dây có 2 ngăn là 0.084 cm 2 ứng với lõi 18 x11 theo bảng 3.5 và hình 3.28 .
Tìm T : T  N / Aw  5.4 / 0.084  64
Từ bảng 3.6, chọn dây #18, dây #18 có số vòng/ cm 2 =79.1, dây #17 là 63.6 và dây #19 là
98.4.

Bảng 3.6 cũng cho dây #18 có điện trở 6,386Ω/1000feet. Chiều dài trung bình 1 vòng với
lõi 18 x11 là 0,121 feet theo bảng 3.5.
R  NI w rw  5,4.0,121.0,00638  0,0042
Với dòng đỉnh Ipk=7.15A, công suất mất mát trung bình :
2
( I pk  R ) / 3  (7.152  0.0042) / 3  72mW #1,4% công suất ra.
Aw Aw
L: chiều dài trung bình cuộn dây
Aw: tiết diện cuộn dây
Hình 3.28: Chiều dài trung bình và tiết diện cuộn dây và hình dạng lõi nồi ferrite

Bảng 3.6 : các thông số dây điện từ
Magnet Wire Table
Wire Size Wire area(max) (Circular Mils) Turns Resistance Current capacity(ma)
AWG Heavy QUAD per in2 per cm 2 ohms/1000 @750cir.Mil/amp @500Cir.Mil/amp
10 11,470 12,230 89 13,8 0,9987 13,840 20,768
11 9,518 9,821 112 17,4 1.261 10,968 16,452

12 7,310 7,885 140 21,7 1.588 8,705 13,058
13 5,852 6,336 176 27,3 2.001 6,912 10,368
14 4,679 5,112 220 34,1 2.524 5.479 8,220
15 3,758 4,147 260 40,3 3.181 4,347 6,520
16 3,003 3,329 330 51,2 4.020 3,441 5,160

17 2,421 2,704 410 63,6 5,054 2,736 4,100
18 1,936 2,190 510 79.1 6,386 2,165 3,250
19 1,560 1,781 635 98.4 8,046 1,719 2,580
20 1,246 1,436 800 124 10,13 1,365 2,050
21 1,005 1,170 1,000 155 12,77 1,083 1,630

22 807 949 1,200 186 16,20 853 1,280
23 650 778 1,500 232 20,3 681 1,020
24 524 635 1,900 294 25,67 539 808
25 424 520 2,400 372 32,37 427 641
26 342 424 3,000 465 41,0 338 506

27 272 342 3,600 558 51,4 259 403
28 219 276 4,700 728 65,3 212 318
29 180 231 5,600 868 81,2 171 255
30 144 188 7,000 1,085 104 133 200
31 117 154 8,500 1,317 131 106 158

32 96,0 128 10,500 1,628 162 85 128
33 77,4 104 13,000 2,015 206 67 101
34 60,8 82,8 16,000 2,480 261 53 79
35 49,0 67,2 20,000 3,100 331 42 63
36 39,7 54,8 25,000 3,876 415 33 50

37 32,5 44,9 32,000 4,961 512 27 41
38 26,0 36,0 37,000 5,736 648 21 32
39 20,2 28,1 50,000 7,752 847 16 25
40 6,0 22,1 65,000 10,077 1,080 13 19
41 13,0 80,000 12,403 1,320 11 16

42 10,2 100,000 15,504 1,660 8,5 13
43 8,40 125,000 19,380 2,140 6,5 10
44 7,30 150,000 23,256 2,590 5,5 8
45 5,30 185,000 28,682 3,348 4,1 6,2

3.4: Các giải pháp thiết kế :
Trong phần này sẽ khảo sát 2 vi mạch tiêu biểu UC3844 và TL494, các dạng nguồn ổn áp
xung thiết kế trên 2 vi mạch này .Tham khảo thêm các đặc tính và thông số kỹ thuật của 2 vi
mạch trên trong data sheet .
3.4.1 : Vi mạch UC 3844/45
Họ vi mạch UC 3844/45 là các vi mạch điều khiển bằng mode dòng điện tần số cố định chỉ
tiêu cao . Vi mạch được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng bộ biến đổi dc sang dc offline, cung
cấp cho người thiết kế giải pháp rẻ tiền với các linh kiện ngoài ít nhất .Cấu hình gồm một bộ dao
động , bộ tham chiếu bù nhiệt, bộ khuếch đại sai lệch độ lợi cao , bộ so sánh nhạy dòng, và ngõ
ra totem dòng cao thích hợp lái MOSFET công suất .
Ngoài ra vi mạch còn bao gồm bộ bảo vệ gồm các bộ khóa dưới áp ngõ vào và tham
chiếu có vòng trễ, bộ hạn dòng theo từng chu kỳ, bộ chốt kiểm soát xung đơn , và một FF xóa
ngõ ra trong mỗi chu kỳ dao động, cho phép lập trình thời gian chết từ 50% đến 70% .
Tất cả các mạch trên được đóng gói trong vỏ nhựa 8 chân theo dạng DIP, hoặc 14 chân
dạng dán SOIC .
Họ UCX844 có ngưỡng khóa dưới áp UVLO (under volltage lock out ) 16V(on) và 10V
(off) . Còn họ UCX845 có ngưỡng UVLO 8,5V(on) và 7,6V(off)
Các chỉ tiêu chính của họ UCX844/45 được tóm tắt như sau :
 Hoạt động mode dòng điện với tần số giao hoán đến 500kHZ
 Điều chỉnh thời gian chết ngõ ra từ 50% đến 70%
 Tự động bù cấp phát thuận (Feed Forward)
 Chốt PWM cho hạn dòng từng chu kỳ
 Điện áp tham chiếu điều chỉnh từ bên trong theo bộ khóa dưới áp
 Ngõ ra totem dòng cao
 Bộ khóa dưới áp ngõ vào có vòng trễ
 Dòng điện khởi động và làm việc thấp
Hình 3.29 minh họa sơ đồ khối cơ bản sơ đồ chân của họ vi mạch UC 3844/45
a) Sơ đồ khối cơ bản UC3844/45 b) Sơ đồ chân

(số chân trong dấu ngoặc cho vỏ SO-14 pin)
Hình 3.29: Sơ đồ khối cơ bản và sơ đồ chân UC3844/45
* Mô tả cấu hình UC 3844/45

Vi mạch UC 3844/45 rất thích hợp trong các thiết kế nguồn ổn áp xung mode dòng điện chỉ
tiêu cao . Hình 3.30 mô tả sơ đồ khối cấu hình của vi mạch .
1/ Bộ dao động :

Hình 3.30: Sơ đồ khối chi tiết UC3844/45
Tần số dao động được chọn qua các giá trị định thời RT và CT . Tụ điện CT được nạp từ
điện áp tham chiếu 5V qua điện trở RT đến gần 28V và xả đến 1.2V bằng nguồn dòng rút bên
trong . Trong khoảng thời gian xả của CT , bộ dao động phát ra 1 xung xóa bên trong để giữ mức
logic của chân giữa cổng NOR ở mức cao . Điều này làm ngõ ra xuống mức thấp, tạo việc điều
khiển khoảng thời gian chết .Một FF được bố trí bên trong để xóa ngõ ra theo mỗi chu kỳ bằng
cách giữ 1 ngõ vào cổng NOR ở mức cao . Điều này kết hợp với chu kỳ xả của CT cho phép lập
trình thời gian chết ngõ ra từ 50% đến 70%.
Hình 3.31: Giản đồ xung thời gian

Hình 3.32a biểu diễn RT theo tần số dao động và hình 3.32b là thời gian chết theo tần
số ,với giá trị CT cho trước . Lưu ý có nhiều giá trị RT sẽ cho ra 1 thời gian chết cụ thể với 1 tần
số cho trước .Ta có thể tính gần đúng tần số dao động theo công thức sau:
Fosc=1.72/[RT(K)xCT(μF)](KHz) (3.33*)
Trong nhiều ứng dụng nhạy với nhiễu, người ta nên khuyên khóa tần số bộ chuyển đổi
bằng xung clock từ hệ thống ngoài . Điều này có thể thực hiện bằng cách áp 1 tín hiệu clock vào
mạch như hình 3.33 . Để việc khóa được tin cậy, tần số dao động tự do nên đặt thấp hơn tần số
xung clock khoảng 10% . Một phương pháp đồng bộ nhiều bộ như hình 3.34 . Bằng cách kéo dài

dạng sóng clock, việc ghim chu kỳ nhiệm vụ chính xác có thể đạt được thời gian chết ngõ ra
vượt hơn 70% .
a) RT theo tần số/CT b) Thời gian chết output theo tần số/CT
Hình 3.32: Chọn RT và thời gian chết output theo tần số dao động và CT
Hình 3.33: Đồng bộ dao động bằng Hình 3.34: Đồng bộ nhiều bộ bằng dao động ngoài
xung clock ngoài
2/ Bộ khuếch đại sai lệch :

Bộ khuếch đại sai lệch bù toàn phần có 2 ngõ
vào đảo và không đảo . Hệ số khuếch đại DC tiêu biểu
90dB, và độ lợi đơn vị khổ tần 1 MHZ với độ lệch pha
57 độ (hình 3.35).Ngõ vào không đảo được phân cực
bên trong 2,5V không đưa ra ngoài vỏ.Điện áp ngõ ra
được chia xuống và kiểm soát bởi ngõ vào đảo .
Dòng phân cực vào tối đa là -2μA tạo độ lệch áp ngõ
ra bằng với tích số dòng phân cực và điện trở tương
đương ngõ vào bộ chia điện trở . Hình 3.35: Độ lợi và pha theo tần số
Bộ KĐ sai lệch(EA)
Ngõ ra bộ khuếch đại sai lệch ( chân 1) có thể sử dụng mạch vòng hồi tiếp bù bên ngoài như
hình 3.35b. Ngõ ra được giảm áp qua diode (  1,4V) và chia 3 trước khi dẫn đến ngõ vào đảo
của bộ so sánh nhạy dòng . Điều này đảm bảo không có xung xuất hiện ở ngõ ra (chân 6) khi
chân 1 ở mức áp thấp (VOL). Điều này xảy ra khi nguồn đang hoạt động không tải , hoặc bắt đầu
V0=2.5(1+Ri/Rd)
Hình 3.35b: Mạch hồi tiếp ngoài EA

giai đoạn khởi động mềm (soft start ) ( hình 3.36,3.37) . Điện trở hồi tiếp tối thiểu cho bộ khuếch
đại sai lệch giới hạn bởi dòng cấp ngõ ra yêu cầu để đạt đến mức ghim 1,0V của bộ so sánh .
R f (min)  [3,0(1,0V )  1,4V ] / 0,5mA  8.800 (3.34a)
Với cách hồi tiếp hình 3.35b,điện áp ngõ ra và ngõ Vcom(pin 1) được xác định:
V0=2.5(1+Ri/Rd) (3.34b)
Vcomp(1)=2.5(1+Rf/(Ri//Rd))-V0(Rf/Ri) (3.34c)
3/ Bộ so sánh nhạy dòng và chốt PWM :

Vi mạch UC3844/45 hoạt động như là bộ điều khiển mode dòng điện, trong đó phần tử
giao hoán ngõ ra được khởi động bởi dao động và kết thúc dẫn khi dòng đỉnh qua cuộn dây đạt
Hình 3.36: Khởi động mềm(soft start)

V p1  Vref (1  e  t / RC )  5(1  e  t / RC )
Đặt Vp1=4.5V kết thúc thời gian khởi động mềm
Suy ra Tkdm Hình 3.37: Mạch đệm khởi động mềm
giảm ảnh hưởng mức ghim
đến ngưỡng thiết lập bởi ngõ ra bộ khuếch đại sai lệch (chân 1) . Vì thế , tín hiệu sai lệch sẽ điều
khiển dòng qua cuộn dây theo từng chu kỳ một . Bộ so sánh nhạy dòng và chốt PWM có mặt để
đảm bảo chỉ có 1 xung duy nhất xuất hiện ở ngõ ra tương ứng với 1 chu kỳ dao động cho trước .
Dòng qua cuộn dây có thể chuyển thành điện áp bằng cách gắn thêm điện trở RS nối tiếp giữa
chân nguồn Q1 và GND . Điện áp này được ngõ vào nhạy dòng (chân 3) theo dõi và so sánh với
mức điện áp tạo ra từ bộ khuếch đại sai lệch . Dòng đỉnh cuộn dây trong điều kiện hoạt động
bình thường được kiểm soát bởi điện áp ở chân 1 .
V ( pin1)  1,4V
I pk  (3.35)
3RS
Các điều kiện làm việc bất thường xảy ra khi ngõ ra nguồn cấp điện bị quá tải hoặc việc
cảm áp ngõ ra bị mất . Khi đó, ngưỡng bộ so sánh nhạy dòng được ghim ở bên trong là 1V, cho
nên dòng đỉnh tối đa là :
1,0V
I pk (max)  (3.36)
RS
Khi thiết kế nguồn ổn áp xung công suất lớn,người ta thường quan tâm tới việc giảm điện
áp ghim bên trong để giữ công suất tiêu tán trên Rs ở mức chấp nhận được. Phương pháp đơn
giản để điều chỉnh hiệu áp này như hình 3.38, hai diode ngoài được sử dụng để bù các diode
bên trong tạo ra điện áp ghim hằng số trên toàn tầm nhiệt độ .Nếu giảm quá nhiều điện áp ghim
do Ipk (max),mạch sẽ dễ bị nhiễu!
Một xung hẹp trên cạnh lên của dạng sóng dòng điện có thể dễ dàng thấy được và làm
cho nguồn cấp điện làm việc mất ổn định khi ngõ ra nhẹ tải . Xung này xuất hiện do điện dung
giữa các vòng dây của biến áp xung và thời gian phục hồi của mạch chỉnh lưu ngõ ra . Mạch lọc
RC thêm vào ở ngõ vào nhạy dòng với thời hằng xấp xỉ bằng độ rộng xung nhiễu sẽ loại được
việc mất ổn định, như hình 3.39 .

Hình 3.38: Điều chỉnh mức áp ghim Hình 3.39: Mạch lọc RC triệt gai xung dòng
4/ Bộ khóa dưới áp :
Hai bộ so sánh khóa dưới áp kết hợp với nhau để bảo đảm IC làm việc hoàn toàn trước
khi tầng ra được phép làm việc . Ngõ cấp nguồn dương (Vcc) và ngõ ra tham chiếu (Vref) đều
được kiểm soát bởi mỗi bộ so sánh . Mỗi bộ so sánh có vòng từ trễ bên trong để tránh các rối
loạn ở ngõ ra khi ngõ vào qua ngưỡng tác động tương ứng . Ngưỡng cao/thấp của bộ so sánh
Vcc của UCX844 là 16V/10V và 8,4V/7,6V cho UCX845, ngưỡng cao thấp của bộ so sánh Vref là
3,6V/3,4V .
Vòng trễ rộng và dòng khởi động thấp của UCX844 rất thích hợp cho các ứng dụng bộ
chuyển đổi offline sử dụng kỹ thuật khởi động boostrap như hình 3.41 (sẽ giới thiệu ở phần sau ) .
UCX845 được sử dụng cho các bộ chuyển đổi dc-dc điện áp thấp hơn . Diode zenner 36V nối rẽ
giữa chân nguồn Vcc và GND, nhằm bảo vệ quá áp cho IC có thể xảy ra khi khởi động hệ thống .
Điện áp làm việc tối thiểu của UCX844 là 11V và UCX845 là 8,2V .
5/ Ngõ ra :
Ngõ ra có dạng totem đơn cực thích hợp để lái trực tiếp MOSFET công suất, nó có khả
năng cấp dòng đến ±1,0A dòng đỉnh và có thời gian lên/xuống tiêu biểu 50ns, với tải 1nF .
Mạch điện thêm vào bên trong có tác dụng giữ ngõ ra ở mode rút dòng bất cứ khi nào bộ
khóa dưới áp tác động . Đặc tính này loại trừ việc có thêm điện trở kéo xuống bên ngoài .
Loại SOIC 14 chân có thêm 2 chân phân biệt Vc (output supply) và power Ground . Việc
cấp nguồn riêng cho khối output sẽ giảm thiểu nhiễu quá độ giao hoán xếp chồng lên tín hiệu
điều khiển . Điều này đặc biệt hữu dụng khi giảm mức ghim IPK (max). Ngoài ra,chân cấp nguồn
Vc độc lập cho phép người thiết kế linh động chọn điện áp lái độc lập với Vcc .
Một diode ghim Zener thường được nối ở ngõ này khi lái MOSFET trong hệ thống nguồn
lớn hơn 20 . Hình 3.40 cho thấy kết nối nguồn và GND thích hợp khi lái MOSFET.
Hình 3.40:Kết nối sử dụng MOSFET cảm dòng

6/ Điện áp tham chiếu :
Điện áp tham chiếu 5V hiệu chỉnh sai số ±1,0% ở TJ= 25 0 C trên UC284X và ±2,0%trên
UC384X . Nguồn này chủ yếu cấp nạp dòng cho tụ điện định thời CT . Bộ tham chiếu có bảo vệ
ngắn mạch và có khả năng cấp dòng đến 20mA .
7/ Giới thiệu nguồn ổn áp xung tiêu biểu sử dụng vi mạch UC 3844:
Hình 3.41 minh họa sơ đồ nguồn ổn áp xung dạng flyback 27W . Ngõ vào biến thiên từ 95-
130VAC . Ngõ ra gồm đường nguồn 5V/4A, đường nguồn ±12V/0,3A.
Cầu diode D1 chỉnh lưu và C1 lọc nguồn từ nguồn cao áp 115VAC cấp trực tiếp cho mạch
MOSFET Q1. R1 hạn dòng khởi động nạp cho tụ khi mới cấp điện. R2 nối nguồn cao áp DC đến
chân 7 (Vcc) cấp nguốn khởi động cho IC (Vcc≥16V). Khi có dao động kích Q1 làm việc, có dòng
qua biến áp T1 và lấy xung xuất hiện trên thứ cấp qua mạch chỉnh lưu và lọc D3,R3,C3,D2,C2
đưa về chân 7 cấp nguồn thường trực cho mạch.Với cách cấp nguồn như vậy,mạch làm việc ổn
áp rất tốt và đảm bảo cắt nguồn cung cấp cho IC khi bị quá tải hoặc ngắn mạch ngõ ra, hoặc điện
áp nguồn thường trực giảm đến mức mạnh khóa dưới áp làm việc (<11V), bảo vệ mạch rất tốt .
R12 và C9 quyết định tần số dao động, C8 mắc ở chân 8(Vref) lọc nhiễu cao lần. Đường hồi
tiếp từ ngõ ra lấy từ nguồn thường trực qua cầu phân áp R9,R10 đưa vào chân 2 (VFB). R11 là
điện trở hồi tiếp mắc từ ngõ ra chân 1 (output comp) đưa về ngõ vào chân 2.Hệ số khuếch đại
mạch khuếch đại sai lệch có giá trị bằng R11/(R9//R10).C7 lọc nhiễu cao tần cho khuếch đại sai
lệch .Điện áp cấp nguồn cũng chính là điện áp hồi tiếp về lấy từ cuộn TL2 chỉnh lưu và lọc có giá
trị Vcc=Vht= 2.5(1+18/4.7)=12V.Đây chính là tỉ lệ để tính số vòng cho các cuộn dây trong biến áp.
Xung dao động xuất ra chân 6 (output) ghép qua R6 kích vào cực GQ1.DZ1 ghim áp bảo
vệ ngõ vào GS Q1 . Hồi tiếp dòng lấy trên R8 qua mạch lọc nhiễu R7C6 đưa về chân 3(current
sense) so sánh với tín hiệu từ khuếch đại sai lệch. Các mạch snubber C5,R5,D5 và D4,R4,C4
triệt các gai vọt lố khi Q1 giao hoán tắt .
Biến áp xung gồm các cuộn :
TL1 : cuộn sơ cấp kết hợp Q1 chạy ở mode flyback
TL2: cuộn thứ cấp tạo nguồn thường trực cấp nguồn IC và hồi tiếp
TL3: cuộn thứ cấp tạo nguồn 5VDC
TL4,TL5 : cuộn thứ cấp tạo nguồn ±12VDC
T1: sơ cấp 45 vòng dây AWG26 L1: 15μH@5A,Coilcraft Z7156

thứ cấp ±12V 9 vòng dây AWG30 cặp 2 sợi L2,L3: 25μH@1,0A,Coilcraft Z7157
thứ cấp 5V 4 vòng dây AWG26 cặp 6 sợi
thứ cấp hồi tiếp 10 vòng AWG30 cặp 2 sợi
Lõi Ferroxcube EC35-3C8
Cuộn dây: Ferroxcube EC35PCB1
Khe hở=0,01” cho điện cảm sơ cấp 1,0mH
Hình 3.41: Nguồn ổn áp xung flyback 27W
3.4.2 : Vi mạch TL494
1 . Tóm tắt chức năng chính:
 Điều khiển hoàn toàn dùng PWM
 2 ngõ ra cấp nhận dòng 500mA
 Chọn ngõ ra đơn/đẩy kéo(pushpull)
 Mạch điện bên trong chọn xung kép cho mỗi ngõ ra
 Điều khiển thời gian chết toàn tầm
 Mạch ổn áp bên trong 5V±5%
 Mạch dao động bên trong
 Bộ khóa dưới áp
 Cấu trúc mạch cho phép dễ dàng đồng bộ
Sơ đồ chân TL494 như hình 3.42, các đặc tính và chỉ tiêu Hình 3.42: Sơ đồ chân TL494
kỹ thuật xem ở phụ lục
2. Mô tả :
TL494 có chức năng hoàn hảo của mạch điều khiển PWM trong 1 chip đơn. Vi mạch chủ
yếu được thiết kế cho điều khiển nguồn cấp điện có thể linh động áp dụng cho các mạch cụ thể
có điều khiển cấp nguồn .
TL494 gồm 2 mạch khuếch đại sai lệch, một bộ dao động nội điều chỉnh được, một bộ so
sánh điều khiển thời gian chết(DTC), một FF điều khiển phát xung, một nguồn ổn áp 5V±5%, và
mạch kiểm soát ngõ ra .
Các bộ khuếch đại sai lệch có tầm điện áp cách chung (common mode) từ -0,3V đến Vcc-
2V . Bộ so sánh điều khiển thời gian chết có điện áp offset cố định khoảng 5% thời gian chết . Bộ
dao động nội có thể không sử dụng bằng cách kéo RT lên nguồn Vref và cấp tín hiệu răng cưa
ngoài vào ngõ CT, hoặc nếu sử dụng dao động nội bằng cách mắc RT,CT thích hợp xuống GND
(hình 3.43)
Hai transistor ngõ ra có các chân C và E đưa ra ngoài C1,E1 (pin8,9) và C2,E2(pin11,10)
có thể cho phép mắc EC hay CC . Ngõ out control (pin13) cho phép ngõ ra làm việc ở mode đơn
tần hay đẩy kéo(pushpull).
Hình 3.43: Sơ đồ khối IC TL494

3. Hoạt động :
TL494 là vi mạch điều khiển PWM tần số cố định, sơ đồ khối căn bản như hình 3.43.
Một dao động tạo sóng răng cưa tuyến tính bên trong được chọn tần số bằng 2 linh kiện
ngoài RT (pin6) và CT(pin5) nối xuống GND .Tần số dao động xác định gần đúng bởi biểu thức :
Fosc  1,1 /( RT CT ) (3.37)
Hình 3.44 minh họa đồ thị chọn RT và CT để có tần số dao động mong muốn .Tần số làm
việc của TL494 được cho từ 1-200kHZ.
Hình 3.44: Đồ thị chọn tần số dao động theo RT và CT

 Ở mode đơn tần số được tính theo (3.37) và đồ thị hình 3.44.Ở mode đẩy kéo tần số
được tính bằng 1/2 tần số theo mode đơn.
Việc điều chế độ rộng xung tạo ra từ việc so sánh tín hiệu răng cưa trên CT với 1 trong 2
tín hiệu điều khiển .Các cổng NOR lái các transistor ngõ ra Q1Q2 chỉ được mở khi tín hiêu clock
ngõ vào FF ở mức thấp . Điều này chỉ xảy ra khi trong thời đoạn tín hiệu răng cưa có điện áp lớn
hơn các tín hiệu điều khiển . Do đó, biên độ tín hiệu điều khiển tăng sẽ làm độ rộng xung ngõ ra
giảm tuyến tính tương ứng (hình 3.45)
Hình 3.45: Giản đồ xung hoạt động của TL494
Các tín hiệu điều khiển có ngõ vào tương ứng là điều khiển thời gian chết DTC (pin4), các
ngõ vào 2 bộ khuếch đại sai lệch (pin1,2,15,16), ngõ vào hối tiếp FB (pin3).Bộ so sánh DTC có
điện áp offset ngõ vào khoảng 120mV làm giới hạn thời gian chết ngõ ra tối thiểu bắt đầu khoảng
4% của chu kỳ sóng răng cưa .Hay nói cách khác chu kỳ nhiệm vụ tối đa là 96% với ngõ ra đơn
tần ( chân output control pin 13 nối GND), hoặc 48% với ngõ ra pushpull (pin13 nối Vref). Có thể
kiểm soát độ rộng xung ngõ ra cực đại bằng cách đặt điện áp ở ngõ DTC(pin4)cố định từ 0 - 3,3V.
Hoặc có thể sử dụng chân DTC làm khởi động mềm(hình 3.46).
b) Điều khiển khởi động mềm
a) Điều khiển thời gian chết quyết định độ rộng xung cực đại
Hình 3.46: Điều khiển DTC(pin 4)
Khi ngõ vào DTC (pin4) bằng 0V, bộ so sánh PWM là phương tiện để các bộ khuếch đại
sai lệch điều chỉnh độ rộng xung ngõ ra từ giá trị cực đại (CKNV max 45%) xuống 0, tương ứng
với điện áp VFB (pin3) biến thiên từ 0,5-3,5V . Cả hai bộ khuếch đại sai lệch đều có tầm điện áp
ngõ vào cách chung từ 0,3→(Vcc-2V), và dùng để cảm điện áp và dòng điện ngõ ra.Các ngõ ra
bộ khuếch đại sai lệch được OR với nhau qua 2 diode và đưa đến ngõ vào đảo của bộ so sánh
PWM .
Hình 3.47: Các cách hồi tiếp ngõ ra về khuếch đại sai lệch
Hình 3.48: Kết nối ngõ ra dạng đẩy kéo hay đơn tầng
Khi CT xả điện, 1 xung dương phát ra ở ngõ ra bộ so sánh DTC, xung này là xung
nhịp(clock) FF và tác động đến ngõ ra Q1Q2. Với output control (pin13) nối Vref ,FF lần lượt mở
cổng cho các xung PWM hay xung clock kích dẫn Q1,Q2 tương ứng, làm Q1,Q2 hoạt động ở
mode pushpull (1 con dẫn, 1 con tắt ). Tần số xung ngõ ra bằng ½ fosc. Độ rộng xung PWM biến
thiên từ 0-45% . Nếu ngõ output control (pin 13 ) nối GND, các cổng NOR ngõ vào Q1,Q2 luôn
mở, xung PWM đưa trực tiếp đến kích đồng thời Q1 và Q2, làm Q1,Q2 hoạt động ở mode đơn

tần . Có thể ghép song song Q1,Q2 để tạo thành 1 transistor dẫn dòng cao trong trường hợp
công suất lớn . Tần số ngõ ra lúc này bằng tần số dao động, độ rộng xung PWM biến thiên trên lý
thuyết từ 0-96% .
TL494 còn có nguồn ổn áp nội 5V±5% cấp dòng đến 10mA phục vụ cho việc phân cực
(pin14).
Hình 3.49: Nguồn cấp TL494>40V Hình 3.50: Mạch đồng bộ dao động chủ/tớ
Hình 3.49 sử dụng cho nguồn cung cấp TL494>40V.Diode zener ngoài ghim áp 39V(giới
hạn nguồn cấp cho TL494<40V).
Hình 3.50 là mạch dao động đồng bộ cho mạch chủ và tớ.
4. Phân tích một số mạch ổn áp xung sử dụng TL494:
Hình 3.51: Mạch buck hạ áp sử dụng TL494

Hình 3.51 là dạng mạch buck hạ áp sử dụng TL494.Mạch kết nối ngõ ra mode đơn tầng,
chân O.C.(pin 13)nối Gnd(pin 7),các transistor output kết nối song song E1(pin 9) nối
E2(pin),C1(pin 8) nối C2(pin11)để tăng dòng lái ngõ ra gấp đôi.Mạch dao động nội quyết định bởi
R8,C3 nối Gnd.Từ giá trị R8 và C3,đối chiếu hình 3.44,tần số dao động khoảng 40Khz.
Mạch khuếch đại sai lệch EA1 dạng không đảo,điện áp V0 đưa về chân 1(in +) qua
R9.Chân 2(in -) qua R5 nhận áp phân cực từ Vref=5V(pin 14).Hệ số khuếch đại quyết định bởi
R4 và R5.R3 và C2 triệt nhiễu RF(giảm HSKĐ EA1).Điện áp chân 3 VFB được tính(hình 3.52):
VFB  V0 (1  R 4 / R5)  Vref .R 4 / R5 (3.38)
Theo hình 3.47 và hình 3.52,V0=Vref=5V.
Thực vậy nếu tải nhẹ hoặc Vi tăng VFB tăng đến 3.5V chẳng hạn,để giảm độ rộng xung tối
thiểu,từ (3.38) tính được V0≈5V.Ngược lại nếu tải nặng hoặc Vi giảm,VFB có thể giảm về 0.5V để
tăng độ rộng xung tối đa,từ (3.38) tính được V≈4.98V.
Ngõ ra TL494 lái Q1 qua phân cực R1,R2 nâng dòng tải lên 2A.L1,C5 lọc gợn và ổn định
áp DC ngõ ra tải.D1 là diode kẹp dẫn khi Q1 tắt,xả dòng nạp từ L1,đảm bảo dòng chảy ra tải liên
tục.
Xem mạch bảo vệ quá dòng như hình 5.32.Khuếch đại EA2 đóng vai trò mạch so sánh.
Lưu ý ngõ ra tải có chân Gnd là COM khác với GND ngõ vào.Giữa COM và GND nối R10 cảm
dòng tải IL tạo một điện áp dương áp vào chân 16(in +)so với GND.Chân 15(in -) phân cực một
điện áp dương nhỏ so với GND qua cầu phân áp R6,R7 từ Vref=5V.Khi IL bé,áp ở chân 16 bé
hơn áp chân 15,dẫn đến Vi  0 ,làm ngõ ra EA2 =0V,diode nối ngõ ra EA2 tắt cách ly EA2 với
chân 3.Khi IL đạt tới ILmax,áp trên chân 16 dương hơn áp trên chân 15 làm Vi  0 ,ngõ ra EA2
mức cao 5V,diode nối ngõ ra EA2 dẫn ghim áp 5V vào chân 3,dẫn đến độ rộng xung ngõ ra bằng
0 mất dao động,ngõ ra IC mức cao(pin 8 và 11)làm Q1 tắt,V0 giảm về 0.
Dòng tải ILmax được tính:
R7
I L max  R10  Vref  0 (3.39)
R6  R7
R3 47K C2 0,1
Thay các giá trị vào tìm được:
150 Vref=5V R5 5K1
R4 1M 3
I L max  0,1  50
5100  150 14
2 -15
R6 5K1 Vref=5V
-
I L max  1,5 A R9 5K1 EA 1 EA 2 R7 150
V0 1 + 16
+
COM GND
IL +
R10 0,1 -
Hình 3.52: Mạch tương đương khối EA1 và EA2
Hình 3.53 minh họa mạch ổn áp xung dạng forward đẩy kéo sử dụng IC TL494.Dựa vào
phân tích hình 3.51 và 3.52,sinh viên có thể tự phân tích hình này.
 Lưu ý: Với mạch hình 3.53, TL494 hoạt động mode đẩy kéo chân OC=Vref,nên tần số tính
theo công thức (3.37) hoặc đồ thị hình 3.44 phải giảm còn ½ giá trị tính.
Hình 3.53: Sơ đồ mạch ổn áp xung dạng forward đẩy kéo sử dụng TL494

3.4.3: Kỹ thuật hồi tiếp trong nguồn ổn áp xung:
1. Hồi tiếp không cách ly:
Hình 3.54 là sơ đồ mạch hồi tiếp từ ngõ ra về ngõ va VFB của mạch IC điều khiển.
+V0
Vref R2 Vref R1
IC IC
ĐK FB FB
ĐK
GND
R1 R2
GND
-V0
a) Hồi tiếp với V0 dương b) Hồi tiếp với V0 âm

Hình 3.54: Hồi tiếp không cách ly
Trong hình 3.54a:
R1
VFB  V0 (3.40)
R1  R2
Trong hình 3.54b:
R 2.Vref  R1.V0
VFB  (3.41)
R1  R2
2.Hồi tiếp cách ly:
Hình 3.55 sử dụng biến áp có thêm cuộn thứ cấp để tạo tín hiệu hồi tiếp cách ly.
Cực tính điện áp hồi tiếp về cũng tương tự như hình 3.54a,b.
+VFB
+ +
Vref R2
IC Vp Vs
ĐK FB
- -
GND
R1
Hình 3.55: Hồi tiếp cách ly qua biến áp

Hình 3.56 sử dụng IC kiểm soát dòng TL431 và optocoupler tạo hồi tiếp cách ly.
OPTO COUPLER Ra
Vref
IC Vp
ĐK FB
bù đáp ứng nhanh

GND Rfb Cb
Rb
A +V0
3
R2
+ 1
G
- R1
TL431
K 2 -
Hình 3.56: Hồi tiếp cách ly sử dụng IC TL431 và optocoupler

Phương pháp này cách ly hoàn toàn đường GND giữa ngõ ra và IC điều khiển.
Phân áp R2,R1 tạo áp tham chiếu 2,5V cho ngõ điều khiển G(pin 1) TL431.Dòng qua
diode optocoupler được điều khiển bởi dòng qua TL431 IAK,từ đó điều khiển dòng Ic transistor
của optocoupler,tạo áp Vp=VFB=Ic.Rfb.Khi V0 tăng làm VG TL431 tăng,dẫn đến IAK=ID tăng,Ic tăng
làm VFB tăng,IC điều khiển tác động làm độ rộng xung hẹp lại,ngõ ra V0 sẽ giảm lại.
Rb và Cb tăng tốc độ đáp ứng nhanh cho optocoupler.
Hình 3.57 minh họa cách kết nối tạo hồi tiếp trong trường hợp có 2 ngõ ra +5V và +12V.
Hai nguồn ra +5V và +12V được cộng lại qua R3 và R4 phân cực cho chân G TL431.
OPTO COUPLER Ra
8 680
Vref
Ri 8K2 Vp V02
2 R3
IC FB
1K +12V
UC3844 Rfb
PC817
IA bù đáp ứng nhanh D2 FR207
R4 12K
L2
1K Rb 4K7 Cb 1MF M
Rf Cf IP
1 V01
GND COMP 10nF A
10K 3 +5V
5 R2 + +
1K5 IM D1 UF5404
+ Vp Vs
+ +
1 C2
C1
G 1000MF 1000MF
- L1
R1 - -
TL431 2K5
2
K -
Hình 3.57:Hồi tiếp cho mạch có nhiều ngõ ra
Để đảm bảo cả 2 nguồn áp ngõ ra đều ổn định không phụ thuộc vào tải của nguồn khác,
ngõ ra +12V tạo thành từ cách chồng áp,cuộn L1 và D1 tạo nguồn +5V,cuộn L2 và D2 tạo nguồn
áp +7V xếp chồng lên nguồn +5V.
- Hệ số khuếch đại mạch EA đối với Vp :| Av-|=Rf/Ri=10/8.2=1.22
- Để Vcomp=2.5V phải đặt Vp=2.5/1.22=2.05V
- Suy ra dòng OPTO IP=Vp/Rfb=2.05/1=2.05mA
- Cho hệ số truyền đạt OPTO =1,suy ra IA=ID=2.05mA
- Theo data sheet TL431 VAmin=Vref=2.5V,tính được:
Ra=(5-VD-VA)/IA=(5-1-2.5)/2.05mA=731Ω.Chọn Ra=680Ω
- R2 và R1 phân cực sao cho VG=Vref=2.5V,chỉnh R1 để V01=5V
Chọn VM=4V,VM/VG=1+R2/R1→4/2.5=1+R2/R1→R2/R1=0.6
Chọn R2=1K5,R1=2K5.R1 gồm R2K2 nối tiếp VR500Ω
IM=VM/(R1+R2)=4/4K=1mA
- R3=(V01-VM)/IM=(5-4)/1mA=1K
- Chọn R4≥10R3 do hồi tiếp chủ yếu từ nguồn V01=+5V.Chọn R4=12K.
 Tính độ nhạy hồi tiếp ΔVP/ΔV01:
- Biến thiên ΔVG theo ΔV01:
R1
VG  V01  0.5V01 (3.42)
R1  R 2  R3
- Biến thiên ΔIA theo ΔVA:
V  VD  V A
Ta có: I A  01
Ra
Thực tế biến thiên ΔVA ảnh hưởng mạch nhất:
 V A
I A  (3.43)
Ra
- Theo data sheet TL431: ΔVG/ΔVA=1mV/V (3.44)
- Thay các biểu thức trên tìm được:
I A 0.5  1
 / mV  0.74mA / mV (3.45)
V01 Ra
- Cho hệ số truyền đạt OPTO =1: ΔVP=ΔIAxRfb=ΔIA(V)
VP
 0.74V / mV (3.46)
V01
Độ nhạy hồi tiếp khá lớn nên mạch khuếch đại EA chỉ cần AV≈-1!
 Lưu ý: tùy thuộc vào biến thiên điện áp VFB của IC điều khiển và mạch lái BJT hoặc
MOSFET công suất,mạch hồi tiếp phải đảm bảo hồi tiếp âm!

3.4.4: Cách tính dòng đỉnh,dòng trung bình,dòng hiệu dụng,độ gợn sóng,chu kỳ nhiệm vụ:
IPK IPK
IAC
IAC
IPK /2 IDC
IDC IAC IAC
0
T
Ton Tr
Toff 0
T Ton Toff
a) Dòng qua L mode bất liên tục b) Dòng qua L mode liên tục
Hình 3.58: Dạng sóng dòng qua cuộn dây
Hình 3.58 minh họa dạng sóng dòng qua cuộn dây L mode bất liên tục và mode liên tục.
Ở mode bất liên tục:
I T  Tr
 Dòng dc: I DC  PK  ON (3.47)
2 T
 Dòng ac: IAC=IPK /2 (3.48)
I T  Tr
 Dòng hiệu dụng: I RMS  PK  ON (3.49)
3 T
 Lưu ý: trường hợp nguồn flyback mode bất liên tục,do chỉ có dòng nạp Lp trong thời gian
Ton(xem lại hình 3.16),thời gian xả dòng Tr=0.Do đó áp dụng các công thức từ (3.47) đến
(3.50) cho nguồn flyback mode bất liện tục với Tr=0.
Ở mode liên tục:
I 2 I AC
 Độ gợn sóng: r  (3.50)
I DC I DC
 Dòng dc: IDC=IPK-IAC=IPK/(1+r/2) (3.51)
 Dòng ac: IAC=IPKr/(2+r) (3.52)
2
I AC 2 r2
 Dòng hiệu dụng: I RMS   I DC  I DC 1 (3.53)
3 12
Chu kỳ nhiệm vụ tổng quát:
TON T
D  ON  TON f (3.54)
TON  TOFF T
Ta chuyển sang tính chu kỳ nhiệm vụ theo điện áp.
I ON
- Trong thời gian SW on L nạp,điện áp trên L: VON  L
TON
I
- Trong thời gian SW off L xả,điện áp trên L : VOFF  L OFF
TOFF
- Khi mạch xác lập và ổn định: I ON  I OFF  VON TON  VOFF TOFF
Kết hợp (3.55),suy ra:
VOFF
D (3.55)
VON  VOFF
 Nguồn buck: VON=VIN-V0 ,VOFF=V0
V
D 0 (3.56)
VIN
I
Ta có: VL  L L ,với VL là điện áp trên L,ΔIL dòng nạp L và ΔT thời gian nạp(SW on).
T
Từ sơ đồ căn bản nguồn buck thay các giá trị vào:
V (V  V0 )
I L  0 IN (3.57)
VIN Lf
 Nguồn boost: VON=VIN ,VOFF=V0-VIN
V0  VIN
D (3.58)
V0
Từ sơ đồ căn bản nguồn boost,thay các giá trị vào:
V (V  VIN )
I L  IN 0 (3.59)
V0 Lf
 Nguồn buck-boost(inverter): VON=VIN ,VOFF=V0 (ngõ ra –V0)
V0
D (3.60)
VIN  V0
Từ sơ đồ căn bản nguồn buck-boost,thay các giá trị vào:
V0VIN
I L  (3.61)
(VIN  V0 ) Lf
 Nguồn flyback: VON=VIN ,VOFF=V0/n (n=Np/Ns: tỉ số vòng sơ/thứ)
V0 / n
D (3.62)
VIN  V0 / n
Từ sơ đồ căn bản nguồn flyback,thay các giá trị vào:
(V0 / n)  VIN
I L p  (3.63)
(VIN  V0 / n) L p f
3.4.5: Chọn tụ lọc ngõ ra:
Tụ lọc ngõ ra thường là tụ hóa nhôm hoặc tantalum có +
ΔIL
điện dung phụ thuộc vào độ gợn sóng ngõ ra ΔV0,độ gơn dòng ESR
qua L ΔIL,tần số làm việc.Hình 3.59 minh họa mạch tương đương ΔV0
+
thực tế của tụ điện gồm điện trở tương đương nối tiếp(Equivalent C -
Serie Resistor: ESR) và C thuần.Có thể xem ESR chính là nguyên
nhân gây ra độ gợn sóng ngõ ra. Hình 3.59
Tính ESR trong trường hợp xấu nhất:
V
ESRmax  0 (3.64)
I L
 Với nguồn flyback phản ánh về thứ cấp ΔILs=ΔILpxn
Tính C theo công thức điện tích nạp/xả:
Q=I.t=C.V
 Trường hợp nguồn buck,forward,C nạp trong thời gian Ton:
I 0 max TON  I 0 max D / f  CV0
Tính C với tải nặng nhất với chu kỳ nhiệm vụ Dmax:
I D
C  0 max max (3.65)
fV0
 Trường hợp nguồn boost,buck-boost,flyback,C nạp trong thời gian Toff=T-Ton:
I (1  Dmax )
C  0 max (3.66)
fV0
Chọn C lớn hơn C tính và ESR nhỏ hơn ESR tính.Ngoài ra ta phải chọn tụ điện có dòng
hiệu dụng gợn sóng cho phép(RMS ripple current) lớn hơn dòng hiệu dụng gợn sóng ΔILRMS.
Trong một số trường hợp không chọn được một tụ điện có C và ESR thỏa yêu cầu,ta phải
chọn nhiều tụ mắc song song để đạt C và ESR như yêu cầu!
Ví dụ 3.6: Xem lại ví dụ 3.5,chọn tụ điện ngõ ra theo yêu cầu độ gợn sóng ngõ ra 50mV#±25mV
Giải:
Ví dụ 3.5 thiết kế nguồn flyback hình 3.27 có f=50Khz,L=7.27μH,n=1:1.375,Dmax=0.5,
V0=5V, I0max=1A,Vimax=5.2V,Vinmin=4V.
Ta tính trường hợp xấu nhất Vinmin=4V và V0=5V.

Vin min Dmax 4  0.5
I L p    5.5 A
fL 7.27 10 6  50 103
Phản ánh về thứ cấp:
5. 5
I L s  I Lp  n   4A
1.375
50mV
Theo (3.64): ESRmax   12.5m
4
Theo (3.66):
1 0.5
C  200 F
50  103  0.05
I TON max N P 7.15 1
Theo (3.49): I LRMSS  PKP   0.5   2.12 A
3 T NS 3 1.375
Tham khảo data sheet Panasonic_CAP ta thấy nếu chọn tụ hóa C=3300MF/WV=10V FC
series có kích thước DxL=12.5x30mm: ESR=25mΩ,ΔIrms=2310mA.
Để đáp ứng ESRmax=12.5mΩ và ΔILRMS=2.12A phải mắc song song ít nhất 2 tụ này để đạt
ESR=25/2=12.5mΩ!!!
 Nhận xét: Với nguồn bất liên tục gợn sóng dòng và áp khá cao nên việc chọn C lọc ngõ ra
khá khó khăn và tốn kém!Để dễ chọn C ta phải chấp nhận nâng gợn sóng ngõ ra hoặc
phải thêm cuộn dây lọc nối tiếp với C!
Theo ví dụ trên ta có ΔV0/2=25mV tương ứng ripple=±25mV/5V=±0.5%
Giả sử ta nâng ΔV0=100mV tương ứng ripple=±1%,tìm được ESRmax=25mΩ và C=150MF.
Như vậy chỉ cần mắc một C 3300MF như trên là đạt yêu cầu!
3.4.6: Các thông số hình học lõi sắt:
a) Lõi EE,EI b) Lõi ETD/EC
c)Lõi EFD d) Lõi P(nồi) e) Lõi PQ
f) Lõi xuyến f) Lõi RM

Hình 3.60: Các dạng hình học lõi biến áp xung

Các dạng hình học lõi biến áp xung như hình 3.60.
 Lõi EE,EI là loại thông dụng nhất,dễ ra/vào đầu dây và tỏa nhiệt tốt do không bị bao phủ
hoàn toàn bởi vật liệu từ,nhưng sẽ tạo EMI-RFI cao.
 Lõi EC/ETD(Economic Transformer Design) tương tự như EE,EI,có ưu điểm hơn là thân
giữa hình trụ tròn xoay nên tiết kiệm được chiều dài dây quấn khoảng 11%,mất mát dây
đồng và nhiệt sẽ giảm hơn.
 Lõi EFD(Economic Flat Design) có kích thước nhỏ gọn thích hợp cho các mạch SMD.
 Lõi P(nồi) được bao phủ hoàn toàn bằng vật liệu từ nên EMI-RFI thấp,khe hở từ hẹp nên
khó thiết kế với công suất cao khi phải quấn nhiều vòng dây đường kính lớn.
 Lõi PQ(Power Quality) có tỉ số thể tích trên diện tích bề mặt và diện tích cuộn dây tối thiểu
nên mất mát lõi và gia nhiệt giảm,thể tích lõi là tối thiểu với mức công suất cho trước.
 Lõi xuyến có mạch từ khép kín tốt nhất nên giảm EMI-RFI,công suất cao,khó đặt khe hở
từ và khó quấn dây.
 Lõi RM(Rectangular Modular) có thể chỉnh được trục lõi giữa để thay đổi điện cảm,thích
hợp cho các cuộn lọc nhạy tần số.
Hình 3.61 mô tả các kích thước hình học lõi EE.Ta sẽ thiết lập các công thức tính các
thông số liên quan đến kích thước hình học của lõi EE sẽ sử dụng trong thiết kế biến áp xung ở
phần sau.Dựa vào đó,ta cũng có thể thiết lập các công thức tính các thông số hình học cho các
kiểu lõi khác.
F
le=MPL
Hình 3.61: Các kích thước lõi EE

1. Tiết diện ngang lõi Ac(Ae): là diện tích mặt cắt ngang của trục giữa của lõi:
Ac  D  E (cm 2 ) (3.67)
2. Tiết diện cửa sổ W a: là diện tích mặt dọc ngoài khe hở của lõi(có hai cửa sổ):
Wa  G  ( B  E ) / 2(cm 2 ) (3.68)
3. Chiều dài trung bình mạch từ(Magnetic Path Length:MPL)MPL(le):là chiều dài khép kín
của đường sức từ bao quanh cửa sổ tại vị trí trục của thân lõi:
MPL  2[G  (C  G ) / 2  ( B  E ) / 2  ( A  B) / 2]  G  C  A  E (cm) (3.69)
4. Thể tích hiệu dụng lõi Ve: là tích số của tiết diện ngang lõi và chiều dài trung bình mạch từ:
Ve  Ac  MPL(cm 3 ) (3.69)
5. Diện tích bề mặt lõi At: là diện tích toàn bộ mặt ngoài lõi kể cả cửa sổ:
At  2[ A  C  A  D  C  D  ( B  E  2G )  D](cm 2 ) (3.70)
6. Chiều dài trung bình 1 vòng dây(Mean Length Turn:MLT): chu vi hình vuông có cạnh là
khoảng cách giữa 2 trục dọc 2 cửa sổ:
MLT  2( B  E )2(cm) (3.71)
7. Tích số diện tích lõix diện tích cửa sổ Ap: được định nghĩa:
Ap  Ac  Wa (cm 4 ) (3.72)
8. Chiều cao cuộn dây(Hw): là chiều cao cửa sổ:
H w  G (cm) (3.73)
9. Hằng số hình học của lõi(Kg): được định nghĩa bằng AcxW a/MLT
Trong thực tế thiết kế người ta thường sử dụng hệ số 0.4 cho Kg định nghĩa:
K g  0.4  Ac  Wa / MLT (cm 5 ) (3.74)
Thông thường nhà sản xuất chỉ cho các kích thước lõi như hình 3.61,Ae(Ac),le(MPL) và Ve,
ta phải tính các thông số còn lại.
Tham khảo data sheet file Magnetic cores,trong đó đã tính đầy đủ các thông số trên cho
các loại lõi.Ta xem các ví dụ dưới đây:
Ví dụ 3.7: Tính các thông số lõi ferrite EE-2425 có các kích thước(cm):A=2.515,B=1.880,
C=1.906, D=0.653,E=0.610,G=1.250.
Giải:
Giá trị tính Tra bảng

2
Ac=0.653x0.610=0.398cm Ac=0.384cm2
2
W a=1.25x(1.88-0.61)/2=0.794cm W a=0.794cm2
MPL≈1.25+1.906+2.515-0.61=5.06cm MPL=4.85cm
3
Ve=0.398x5.06=2.014cm
At=2[2.515x1.906+2.515x0.653+1.906x0.653+ At=23.5cm2
2
(1.88-0.61+2x1.25)2]=22.90cm
MLT=2(1.88+0.61)/2=4.98cm MLT=4.9cm
4
Ap=0.398x0.794=0.316cm Ap=0.305cm4
Hw=1.25cm
Kg=0.4x0.3982x0.794/3.911=0.0101cm5 Kg=0.0095cm5
Sai số giữa giá trị tính và tra bảng trong data sheet có thể do các cạnh lõi có vát hoặc
cung tròn và dung sai của các kích thước cho trước.
Phần sau đây trình bày phương pháp thiết kế biến áp xung nguồn flyback mode bất liên
tục và biến áp xung&cuộn dây nguồn forward đơn.Các phần này tham khảo từ tài liệu
Transformer and Inductor Design Handbook Copyright 2004 by Marcel Dekker Inc.(xem data
sheet file Magnetic core,Flybackconvert-Transformerdesign,Forwardconverter-Transformerdesign)
3.4.7: Thiết kế biến áp xung nguồn flyback mode bất liên tục:
Hình 3.62 là sơ đồ mạch nguồn flyback và dạng sóng mode bất liên tục.Về hoạt động đã
được phân tích ở phần trước.Để dễ hiểu,ta sẽ thiết lập các công thức tính kết hợp cùng ví dụ cụ
thể như ví dụ 3.8.
a) Nguồn flyback phần công suất
Hình 3.62
b) Dạng sóng mode bất liên tục

Ví dụ 3.8: Thiết kế biến áp nguồn flyback mode bất liên tục có các thông số sau:
1. Điện áp vào danh định Vin=28V
2. Điện áp vào min Vinmin=24V
3. Điện áp vào max Vinmax=32V
4. Điện áp ra ngõ 1 V01=5V
5. Dòng điện ra ngõ 1 I01=2A
6. Điện áp ngõ ra 2 V02=12V
7. Dòng điện ngõ ra 2 I02=0.5A
8. Hệ số sử dụng cửa sổ* Ku=0.29
9. Tần số làm việc f=100Khz
10. Hiệu suất η=90%
11. Tỉ số chu kỳ nhiệm vụ max Dmax=0.5
12. Tỉ số chu kỳ dừng(dòng qua Ls bằng 0) Dw=0.1
13. Độ ổn định biến áp α=1%
14. Cảm ứng từ max Bm=0.25T
15. Điện áp thuận trên diode Vd=1V
*Hệ số sử dụng cửa sổ thường chọn ≤0.3 do các lý do sau:
- Kích thước lõi nhựa
- Kích thước dây do hiệu ứng da
- Cách quấn dây
- Dự trữ khe hở để tra lõi vào ống dây
 Độ sâu dẫn điện của dây dẫn do hiệu ứng da(Skin depth):
6.62
 (cm) (3.75)
f ( Hz)
6.62
  0.0209cm
105
Để chống hiệu ứng da tốt Rac/Rdc=1 phải chọn đường kính dây thỏa điều kiện:
d w  2 (cm) (3.76)
d w  2  0.0209  0.0418cm
Tiết diện dây đồng trần(chưa tính lớp men cách điện)
Aw  d w2 / 4    0.04182 / 4  0.00137cm 2
Tra bảng dây đồng tại phụ lục PL3.1,ta có dây AWG26 có tiết diện dây đồng trần là
0.00128cm2 có kích thước nhỏ nhất gần AW để tránh hiệu ứng da.Ta sẽ chập nhiều sợi dây
AWG26 để đảm bảo đủ mật độ dòng cho phép.Bảng sau tóm tắt các thông số dây:
AWG Aw dây trần(cm2) Aw1 có cách điện(cm2) Aw/Aw1 μΩ/cm

#26 0.001280 0.001603 0.798 1345
#27 0.001021 0.001313 0.778 1687
#28 0.0008046 0.0010515 0.765 2142
1. Tính Tonmax:
Ton max  TDmax  Dmax / f (3.77)
Ton max  0.5 / 100 Khz  5s
2. Tính tổng công suất thứ cấp:
P01  I 01 (V01  Vd )  2(5  1)  12W
P02  I 02 (V02  Vd )  0.5(12  1)  6.5W
P0 max  P01  P02  12  6.5  18.5W
3. Tính dòng DC ngõ vào max:
P
I in max  0 max (3.78)
Vin min

18.5
I in max   0.856 A
24  0.9
4. Tính dòng đỉnh sơ cấp:
2 P0 maxT
I ppk  (3.79)
Vin minTon max
2 18.5 10  10 6
I ppk   3.43 A
0.9  24  5  10 6
5. Tính dòng hiệu dụng sơ cấp:
T
I prms  I ppk on max (3.80)
3T
5
I prms  3.43  1.4 A
3  10
6. Tính công suất ngõ vào max:
P
Pin max  0 max (3.81)

18.5
Pin max   20.6W
0.9
7. Tính điện cảm cuộn sơ cấp:
(V D ) 2 T
L p  in min max (3.82)
2 Pin max
(24  0.5) 2  10  10 6
Lp   35H
2  20.6
8. Tính năng lượng trên cuộn dây sơ cấp:
2
LI ppk
Ep  (W .s) (3.83)
2
35  10 6  3.432
Ep   0.000206(W .s)
2
9. Tính hệ số quan hệ điện từ :
2
K e  0.145P0 max Bm  10 4 (3.84)
K e  0.145  18.5  0.252  10 4  16.8  10 6
10. Tính hằng số hình học lõi:
E2
K g  p (cm 5 ) ,α: độ ổn định(%) (3.85a)
K e
Trong thực tế để trừ hao các ảnh hưởng do hiệu ứng da,cách điện,kích thước lõi,khe hở
dự trữ...,nhân Kg tính cho 1.35
E 2p
K g  1.35 (cm 5 ) (3.85b)
K e
0.0002062
K g  1.35 6
 0.00342cm5
16.8  10  1
Chọn lõi EFD kích thước gọn cho mạch SMT ,tra bảng từ data sheet file Magnetic cores
Ta có thông số lõi EFD-20 như sau:
- Mã số lõi EFD-20
- Vật liệu từ 3C85
- Chiều dài mạch từ MPL 4.7cm
- Trọng lượng lõi W tfe 7.0g
- Trọng lượng dây đồng W tCu 6.8g
- Chiều dài TB 1 vòng dây MLT 3.8cm
- Tiết diện lõi Ac 0.31cm2
- Diện tích cửa sổ W a 0.501cm2
- Tích số diện tích Ap 0.155cm4
- Hằng số hình học lõi Kg 0.00506cm5
- Diện tích bề mặt lõi At 13.3cm2
- Độ từ thẩm lõi μm 2500
- Chiều cao cuộn dây G 1.54cm
11. Tính mật độ dòng điện sử dụng hệ số sử dụng cửa sổ Ku=0.29
2 E p  10 4
J ( A / cm 2 ) (3.86)
Bm Ap K u
2  0.000206  104
J  367 A / cm 2
0.25  0.155  0.29
12. Tính tiết diện dây đồng trần sơ cấp:
I
ApwB  prms (cm 2 ) (3.87)
J
1.4
ApwB   0.00381cm 2
267
13. Tính số sợi dây chập tương đương cho dây AWG#26:
ApwB
S np  (3.88)
AwB (#26)
0.000381
S np   2.97  3
0.00128
14. Tính số vòng dây sơ cấp,giả sử cuộn sơ cấp chiếm nửa diện tích cửa sổ 1/2W a,và số dây
chập AWG#26:
K uWa / 2
Np  (3.89)
S np AwB (#26)
0.29  0.501 / 2
Np   18.9  19
3  0.00128
15. Tính khe hở từ:
0.4N p2 Ac  10 8 MPL
lg   (cm) (3.90)
Lp m
0.4  19 2  0.31  10 8 4.7
lg  6
  0.0384cm
35 10 2500
16. Tính hệ số từ thông tản(tại khe hở từ):
l  2G 
F  1  g ln   (3.91)
Ac  l g 
0.0384  2 1.54 
F 1 ln    1.30
0.31  0.0384 
17. Tính lại số vòng sơ cấp khi kể đến F:
lg Lp
N np  (3.92)
0.4Ac F 10 8
0.0384  35  10 6
N np   16
0.4  0.31  1.3  10 8
18. Tính cảm ứng từ cực đại:

0.4N np FI ppk  10 4
B pk  (T ) (3.93)
l g  ( MPL / m)
0.4  16  1.3  3.43  10 4
B pk   0.223T <Bm=0.25T đạt yêu cầu không bão hòa từ.
0.0384  (4.7 / 2500)
19. Tính điện trở cuộn sơ cấp:
R p  MLT  N np  [ / cm  / S np ]  10 6 () (3.94)
R p  3.8  16  [1345 / 3]  10 6  0.0272
20. Tính mất mát dây đồng sơ cấp:
2
Pp  I prms Rp (3.95)
Pp  1.4 2  0.0272  0.0533W
21. Tính số vòng cuộn thứ cấp:
N (V  Vd )(1  Dmax  Dw )
N s  np 0 (3.96)
V p min Dmax
16(5  1)(1  0.5  0.1)
Cuộn thứ 1 V01=5V: N s1   3.2  3
24  0.5
16(12  1)(1  0.5  0.1)
Cuộn thứ 2 V02=12V: N s 2   6.9  7
24  0.5
22. Tính dòng đỉnh cuộn thứ cấp:
2 I0
I spk  (3.97)
1  Dmax  Dw
2 2
Cuộn thứ 1 I01=2A: I spk1   10 A
1  0.5  0.1
2  0. 5
Cuộn thứ 2 I02=0.5A: I spk 2   2.5 A
1  0.5  0.1
23. Tính dòng hiệu dụng thứ cấp:
1  Dmax  Dw
I srms  I spk (3.98)
3
1  0.5  0.1
Cuộn thứ 1 Ispk1=10A: I srms1  10  3.65 A
3
1  0.5  0.1
Cuộn thứ 2 Ispk2=2.5A: I srms 2  2.5  0.913 A
3
24. Tính tiết diện dây cuộn thứ cấp:
I 3.65
Cuộn thứ 1: Asw1  srms1   0.00995cm 2
J 367
I srms 2 0.913
Cuộn thứ 2: Asw 2    0.00249cm 2
J 367
25. Tính số lượng sợi dây chập cuộn thứ cấp:
Asw1 0.00995
Cuộn thứ 1: S ns1    7.8  8
AwB (#26) 0.00128
(vẫn sử dụng dây AWG#26 giảm hiệu ứng da đã tính ở trên)
Asw2 0.00249
Cuộn thứ 2: S ns 2    1.95  2
AwB (#26) 0.00128
26. Tính điện trở cuộn thứ:
Cuộn thứ 1: áp dụng (3.94) Rs1  3.8  3  [1345 / 8]  10 6  0.00192

Cuộn thứ 2: áp dụng (3.94) Rs 2  3.8  7  [1345 / 2]  10 6  0.0179
27. Tính mất mát dây đồng cuộn thứ cấp:
Cuộn thứ 1: áp dụng (3.95) Ps1  3.652  0.00192  0.0256W
Cuộn thứ 2: áp dụng (3.95) Ps 2  0.9132  0.0179  0.0149W
28. Tính hệ số sử dụng cửa sổ:
NA
K u  t wB (3.99)
Wa
Nt; tổng số vòng sơ và thứ cấp tính luôn chập dây:
Nt=16x3+3x8+7x2=86
AwB trong ví dụ này là dây AWG#26.
86  0.00128
Ku   0.22 < 0.3 đảm bảo không kẹt cửa sổ!
0.501
29. Tính độ ổn định biến áp:
P
  Cu  100% (3.100)
P0
PCu= tổng mất mát dây đồng các cuộn sơ và thứ
0.0533  0.0256  0.0149
  100%  0.507% < 1% theo yêu cầu
18.5
30. Tính cảm ứng từ AC:
0.4N np F ( I ppk / 2)  10 4 B pk
Bac   (T ) (3.101)
l g  (MPL / m) 2
Bac  0.223 / 2  0.111T
31. Tính hệ số W/Kg:
WK  4.855  10 5  f 1.63  Bac2.62 (W / Kg ) (3.102)
5 5 1.63 2.62
WK  4.855  10  (10 )  0.111  21.6W / Kg
32. Tính mất mát lõi:
Pfe  (mW / g )  Wtfe  10 3 (W ) (3.103)
W tfe= trọng lượng lõi(g)
Pfe  21.6  7  10 3  0.151W
33. Tính mật độ công suất tỏa nhiệt:
P P  Pfe
    Cu (W / cm 2 ) (3.104)
At At
At=diện tích bề mặt lõi(cm2)
0.0938  0.151
  0.0184W / cm 2
13.3
34. Tính mức tăng nhiệt độ:
Tr  450 0.826 (C ) (3.105)
0.826 
Tr  450  (0.0184)  16.6 C
3.4.8: Thiết kế biến áp xung và cuộn lọc ngõ ra nguồn forward đơn(single-end):
Hình 3.63 là sơ đồ phần công suất nguồn forward đơn và dạng sóng.Từ phân tích ở mục
6 phần 3.1.5,ta có một số lưu ý như sau:
- Chu kỳ nhiệm vụ tối đa Dmax=0.5
- Cuộn khử từ hay reset có tỉ lệ 1:1 với cuộn sơ cấp
- Tại thời điểm Q1 off,việc xả dòng từ hóa qua điện cảm rò sơ cấp sẽ tạo gai điện áp dương
chồng lên 2Vin,nên phải có mạch snubber hoặc diode zener triệt gai xung này!
- Từ trường biến thiên ΔB=2Bac

a) Nguồn forward đơn phần công suất
Hình 3.63 b) Dạng sóng
Để dễ theo dõi,ta thiết lập các công thức thiết kế biến áp xung và cuộn lọc ngõ ra nguồn
forward đơn cùng với ví dụ minh họa 3.9 như sau:
Ví dụ 3.9: Thiết kế biến áp xung và cuộn lọc ngõ ra nguồn forward đơn như hình 3.63a theo các
thông số dưới đây:
1. Điện áp ngõ vào min Vinmin=22V
2. Điện áp ngõ vào danh định Vinnom=28V
3. Điện áp ngõ vào max Vinmax=35V
4. Điện áp ngõ ra V0=5V
5. Dòng điện ngõ ra I0=5A
6. Tần số làm việc f=100Khz
7. Hiệu suất η=98%
8. Độ ổn định biến áp α=0.5%
9. Điện áp rơi trên diode Vd=1V
10. Biến thiên cảm ứng từ ΔB=2Bac=Bmax=0.1T
11. Vật liệu lõi ferrite
12. Hệ số sử dụng cửa sổ Ku=0.3
13. Nhiệt độ tăng Tr=30˚C
14. Chu kỳ nhiệm vụ max Dmax=0.5
15. Cuộn reset(demagnetic) tỉ số Nr/Np=1,công suất Pr=0.1P0
Giải:
Các công thức trong ví dụ này có đánh mã số chỉ áp dụng cho nguồn forward đơn,các
công thức không có mã số sử dụng chung với nguồn flyback trong ví dụ trên.
 Độ sâu dẫn điện:
Theo (3.75) với f=100Khz ta chọn dây AWG#26 có AwB=0.00128cm2
1. Tính công suất ngõ ra:
P0  I 0 (V0  Vd )  5(5  1)  30W
2. Tính công suất ngõ vào:
Pin  P0  1.1 /   30  1.1 / 0.98  33.67W
3. Tính hệ số quan hệ điện-từ:
K e  0.145 f 2 B 2  10 4 (3.106)
K e  0.145(105 ) 2 0.12  10 4  1450
PD
K g  1.35 in max (3.107)
K e

33.67  0.5
K g  1.35   0.0313cm 5
1450  0.5
Từ data sheet file Magnetic cores chọn lõi EPC-30 có Kg phù hợp:
- Loại lõi EPC-30
- Nhà sản xuất TDK
- Vật liệu từ PC44
- Chiều dài trung bình mạch từ MPL=8.2cm
- Chiều cao lõi G=2.6cm
- Trọng lượng lõi W tfe=23g
- Trọng lượng dây đồng W tCu=22g
- Chiều dài trung bình 1 vòng dây MLT=5.5cm
- Tiết diện lõi Ac=0.61cm2
- Diện tích cửa sổ W a=1.118cm2
- Tích số diện tích Ap=0.682cm4
- Hằng số hình học lõi Kg=0.0301cm5
- Diện tích bề mặt At=31.5cm2
- Số mH/1000 vòng AL=1570(μm=2400)
5. Tính số vòng sơ cấp:
V D  10 4
N p  in min max (3.108)
fAc B
22  0.5  10 4
Np   18
105  0.61  0.1
6. Tính mật độ dòng điện với Ku=0.29:
2 P Dmax  10 4
J  in ( A / cm 2 ) (3.109)
fBAcWa K u
2  33.67  0.5 10 4
J 5  241A / cm 2
10  0.1  0.61 1.118  0.29
Pin
I prms  ( A) (3.110)
Vin min Dmax
33.67
I prms   2.16 A
22 0.5
I 2.16
ApwB  prms   0.00896cm 2
J 241
ApwB 0.00896
S np   7
AwB (#26) 0.00128
R p  MLT  N p  [ / cm  / S np ]  10 6 ()  5.5  18  1345 / 7  0.019
2
Pp  I prms R p  2.16 2  0.019  0.0886W
N p (V0  Vd )   
Ns  1   (1.111)
DmaxVin min  100 
18(5  1)  0.5 
Ns  1    10
0.5  22  100 
I srms  I 0 Dmax (1.112)
I srms  5 0.5  3.54 A
14. Tính tiết diện dây đồng trần thứ cấp:
I 3.54
AswB  srms   0.0147cm 2
J 241
15. Tính số sợi dây chập thứ cấp tương đương cho dây AWG#26:
AswB 0.0147
S ns    11
AwB (#26) 0.00128
16. Tính điện trở cuộn thứ cấp:
Rs  MLT  N s  [ / cm  / S ns ]  10 6 ()  5.5  10  (1345 / 11)  10 6  0.00671
17. Tính mất mát dây đồng thứ cấp:

2
Ps  I srms Rs  3.54 2  0.00671  0.0841W
P
  Cu  100%
P0
PCu=Pp+Ps=0.0886+0.0841=0.173W
0.173
  100%  0.576%
30
19. Tính điện cảm cuộn reset: Chọn Nr=Np
Lr  L(1000vòng )  N r2  10 6 (mH ) (1.113)
Lr  1570  182  10 6  0.509mH
20. Tính biến thiên dòng qua cuộn reset:
V t V D
I r  in min  in min max (1.114)
Lr Lr f
22  0.5
I r   0.217 A
0.509  10 3  105
21. Tính dòng reset hiệu dụng:
Dmax
I rrms  I r (1.115) Hình 3.64: Dòng từ hóa cuộn reset
3
0.5
I rrms  0.217  0.089 A
3
22. Tính tiết diện dây đồng trần cuộn reset:
I 0.217
AwrB  rrms   0.000369cm 2 # dây AWG#31,chọn dây AWG#26
J 241
NAwB (#26) ( N p S np  N s S ns  N r S nr ) AwB (#26) (18  7  10  11  18  1)0.00128
Ku     0.291
Wa Wa 1.118
Ku đạt yêu cầu <0.3!
24. Tính hệ số mW/g:
mW / g  0.000318  f 1.71  Bac2.747 (mW / g ) (1.116)
mW / g  0.000318  (105 )1.71  0.052.747  3.01mW / g
Pfe  (mW / g )  Wtfe  10 3 (W )  3.01  23  10 3  0.069W
P PCu  Pfe 0.173  0.069
  (W / cm 2 )   0.0077W / cm 2
At At 31.5
Tr  450 0.826 (C )  450  0.0077 0.826  8.08 C
Bây giờ ta thiết kế cuộn cảm lọc ngõ ra.Trong thực tế mạch thứ cấp nguồn forward hoàn
toàn tương tự như nguồn buck đã phân tích ở mục 4 phần 3.1.5.Hình 3.65 minh họa sơ đồ mạch,
dạng sóng của nguồn buck,trong đó Vin chính là điện áp trên cuộn thứ cấp biến áp xung.
a) Mạch thứ cấp tương đương hư nguồn buck
b) Dạng sóng liên tục c) Dạng sóng tới hạn và bất liên tục
Hình 3.65: Mạch điện ngõ ra nguồn forward đơn và dạng sóng
 Trong thiết kế nguồn buck ta có các lưu ý sau:
1. Phải chọn trước biến thiên dòng ngõ ra ΔI.Theo(3.50) độ gợn sóng r=ΔI/I0.Nếu chọn r
bé,điện áp ngõ ra ổn định hơn,tụ lọc ngõ ra bé,nhưng giá trị L cao sẽ gây mất mát dây
đồng và đáp ứng chậm.Người ta thường chọn r=0.3 đến 0.5.
2. Trường hợp r=2,dạng sóng dòng điện qua L xả về đến 0 như hình 3.65c.B gọi là dạng
sóng tới hạn.Nếu r>2,dạng sóng dòng qua L sẽ bất liên tục như hình 2.65c.D.Tại thời
điểm dòng xả qua CR3 về 0,CR3 off,dẫn đến trên V1 xuất hiện các xung dao động tắt dần
cho đến khi V1=V0 trước khi có xung dương ngõ vào trở lại.Điều này sẽ gây nhiễu EMI-
RFI trên ngõ ra!Để tránh tình trạng này,ta nên mắc thêm tải giả ngõ ra để tiêu thụ dòng tối
thiểu,sao cho dòng qua L không bị bất liên tục.
 Với các lưu ý trên ta sẽ tính L tương ứng với chọn r<2 và chu kỳ nhiệm vụ bé nhất Dmin
ứng với Vinmax!
Từ phần tính toán biến áp xung ở trên,ta thiết lập lại các thông số để tính Lfo:

- Tần số làm việc f=100Khz
- Điện áp ngõ ra V0=5V
- Dòng điện ngõ ra I0=5A
- Biến thiên dòng điện ngõ ra ΔI=1A(r=0.2)
- Điện áp vào min V1min=VinminNs/Np=22x10/18≈12V
- Điện áp vào max V1max=VinmaxNs/Np=35x10/18≈19V
- Độ ổn định α=1%
- Cảm ứng từ max Bpk=0.3T
- Hệ số sử dụng cửa sổ Ku=0.4
- Điện áp rơi trên diode Vd=1V
Do f=100Khz,theo tính toán ở trên chọn dây AWG#26 có AwB=0.00128cm2.
1. Tính chu kỳ nhiệm vụ min:
V
Dmin  0 (1.117)
V1max
5
Dmin   0.263
19
2. Tính điện cảm cuộn lọc ngõ ra:
T (V0  Vd )(1  Dmin )
Lof  (1.118)
I
10 5 (5  1)(1  0.263)
Lof   44.2H
1
3. Tính dòng đỉnh ngõ ra:
I opk  I 0  I / 2 (1.119)
I opk  5  1 / 2  5.5 A
 Từ I0 và I0pk,V1max chọn diode đáp ứng yêu cầu
4. Tính dòng đỉnh cuộn sơ cấp:
I ppk  I 0 pk N s / N p (1.120)
I ppk  5.5  10 / 18  3.06 A
 Iin,Ippk,Vinmax chọn BJT/MOSFET đáp ứng yêu cầu.
5. Tính năng lượng trên cuộn L0f:
E  (1 / 2) L0 f I 02pk  (1 / 2)44.2  10 6  5.52  0.000668W .s
2
K e  0.145P0 max Bm  104  0.145  30  0.32  10 4  0.0000392

E2 0.000668 2
K g  1.35  1.35   0.01138cm5
K e 0.0000392  1
Từ data sheet file Magnetic cores chọn lõi xuyến sắt bụi MPP MP-55059-A2 có Kg phù hợp:
- Loại lõi MP-55059-A2
- Hãng sản xuất Magnetic
- Trọng lượng dây đồng W tCu=15.2g
- Độ từ thẩm μ=60
- Số mH/1000 vòng AL=43(μm=1000)
8. Tính số vòng cuộn lọc:
L0 f (mH )
N  1000 (1.121)
L(1000)(mH )
0.0442
N  1000  32
43
9. Tính dòng hiệu dụng ngõ ra:
I 0rms  I 02  I 2 / 12 (1.122)
I 0 rms  52  12 / 12  5.01A
10. Tính mật độ dòng điện ngõ ra ,sử dụng Ku=0.4:
NI
J  0rms ( A / cm 2 ) (3.123)
Wa K u
32  5.01
J  295 A / cm 2
1.36  0.4
11. Tính cảm ứng từ max:
0.4NI 0 pk  r  10 4
B pk  (3.124)
MPL
0.4  32  5.5  60  10 4
B pk   0.233 <0.3T đạt yêu cầu!
5.7
12. Tính tiết diện dây đồng trần:
I 5.01
AwB  0 rms   0.017cm 2
J 295
AwB 0.017
Sn    13
AwB (#26) 0.00128
14. Tính điện trở cuộn lọc:
RLof  MLT  N  [ / cm  / S n ]  10 6 ()  3.2  32  (1345 / 13)  10 6  0.0105
15. Tính mất mát dây đồng cuộn lọc:

PCuL  I 02rms RLof  5.012  0.0105  0.264W
16. Tính cường độ từ trường cuộn dây:
0.4NI pk
H (oersted ) (3.125)
MPL
0.4  32  5.5
H  38.9oersted
5.7
17. Tính cảm ứng từ ac trên cuộn dây:
0.4N (I / 2)  r  104
Bac  (T ) (3.126)
MPL
0.4  32  0.5  60  10 4
Bac   0.0212T #10% Bpk=0.233T
5.7
18. Tính độ ổn định ngõ ra:
P 0.264
 0  CuL  100%   100%  0.88%
P0 30
mW / g  0.00551  f 1.23  Bac2.12 (mW / g ) (1.127)
mW / g  0.00551 (105 )1.23  0.0212 2.12  2.203mW / g
Pfe  (mW / g )  Wtfe  10 3 (W )  2.203  16  10 3  0.0352W
P P  Pfe 0.264  0.0352
    CuL (W / cm 2 )   0.0105W / cm 2
At At 28.6
Tr  450 0.826 (C )  450  0.01050.826  10.4C
3.4.9: Thiết kế biến áp xung và cuộn lọc nguồn forward đẩy kéo(push pull):
T=2T1
T1 T1
Ip
0
Đơn
Ton
I0 ΔI
0
Q1 on Q2 on
Ip
0
Đẩy kéo
Ton Ton
I0 ΔI
0
a) Cảm ứng từ b) Dạng sóng
Hình 3.66: So sánh cảm ứng từ và dạng sóng nguồn forward đơn và đẩy kéo.
Trong phần 6 mục 3.1.5 ta đã phân tích hoạt động của nguồn forward đẩy kéo.Ta sẽ so
sánh đặc tính của 2 loại nguồn này để thiết lập công thức thiết kế biến áp xung và cuộn lọc ngõ
ra nguồn forward đẩy kéo dựa vào các công thức của nguồn forward đơn.
Hình 3.66 minh họa so sánh cảm ứng từ và dạng sóng của 2 loại nguồn:
 Cảm ứng từ làm việc của nguồn đẩy kéo gấp đôi nguồn đơn
 Nguồn đẩy kéo không có thành phần DC nên không cần cuộn reset
 Giả sử xung vuông có đỉnh phẳng bằng Ipkf tại trung điểm đường dốc,với nguồn đơn:
- dòng hiệu dụng : I rms  I pkf Ton / T  I pkf D ,
- dòng dc: I DC  I pkf (Ton / T )  I pkf D
-
công suất vào nguồn đẩy kéo gấp đôi nguồn đơn với cùng điện áp nguồn Vin:
Pin ( p  p)  2Vin I DC  2Vin I rms D
- Nếu cùng Vin và Pin: Ipk,Irms,IDC của cặp transistor đẩy kéo bằng phân nửa so với
nguồn đơn
 Độ biến thiên(gợn sóng) dòng trên cuộn lọc ngõ ra ΔI nguồn đẩy kéo giảm phân nửa so
với nguồn đơn(xem như nguồn đẩy kéo làm việc với tần số gấp đôi)
Bảng tóm tắt sau so sánh các thông số giữa 2 loại nguồn cùng kích thước và vật liệu lõi:
Giá trị Đơn Đẩy kéo
Cảm ứng từ: ΔB Bmax 2Bmax
Điện áp vào: Vin Vin Vin
Công suất vào: Pin Pin 2Pin
Số vòng sơ cấp: Np Np 2xNp/2
Số vòng thứ cấp: Ns Ns 2xNs/2
Biến thiên dòng điện: ΔI ΔI ΔI/2

 Nhược điểm lớn nhất của nguồn đẩy kéo là do đặc tính vòng từ trể,nếu 2 vế dẫn không
đều có thể dẫn đến lõi sẽ bị bão hòa!Thực tế ta có thể khắc phục bằng cách:
- Chọn lõi có μm không cao(MPP) hoặc tạo khe hở từ để hạ độ dốc cảm ứng từ và
làm hẹp vòng trể
- Mắc thêm điện trở nối tiếp(thường ở cực E hay S)để hạn dòng
- Sử dụng MOSFET công suất,do MOSFET có Ron cao và tăng theo nhiệt độ.
Ta trở lại ví dụ 3.9 với thiết kế cho nguồn forward đẩy kéo.
Ví dụ 3.10: Sử dụng các thông số ở ví dụ 3.9,thiết kế biến áp xung và cuộn lọc ngõ ra cho nguồn
forward đẩy kéo.
Giải:
Ta dựa vào các công thức cho nguồn đẩy kéo đơn để tính toán.Áp dụng bảng so sánh
trên để thiết lập công thức khác cho nguồn forward có đánh mã số.
 Tính toán biến áp xung:
 Độ sâu dẫn điện: tần số 100Khz nên vẫn chọn dây AWG#26 có AwB(#26)=0.00128cm2
1. Tính công suất ngõ ra:
P0  I 0 (V0  Vd )  5(5  1)  30W
2. Tính công suất ngõ vào:
Pin  P0  1.1 /   30  1.1 / 0.98  33.67W
K e  0.145 f 2 B 2  10 4 (ΔB=2Bmax=0.2T)
K e  0.145(105 ) 2 0.2 2  10 4  5800
PD
K g  1.35 in max
K e
33.67  0.5
K g  1.35   0.00784cm5
5800  0.5
Từ data sheet file Magnetic cores chọn lõi EPC-25 có Kg phù hợp:
- Loại lõi EPC-30
- Nhà sản xuất TDK
- Vật liệu từ PC44
- Chiều cao lõi G=1.8cm
- Số mH/1000 vòng AL=1560(μm=2400)
5. Tính số vòng sơ cấp:
V D  10 4
N p  in min max
fAc B
22  0.5  10 4
Np   12  N p / 2  6
105  0.464  0.2
6. Tính mật độ dòng điện với Ku=0.29:
2 Pin Dmax  10 4
J ( A / cm 2 )
fBAcWa K u

2  33.67  0.5  10 4
J 5
 211.4 A / cm2
10  0.2  0.464  0.837  0.29
Pin
I prms  ( A) (3.128)
2Vin min Dmax
33.67
I prms   1.08 A
2  22 0.5
I 1.08
ApwB  prms   0.00511cm2
J 211.4
ApwB 0.00511
S np   4
AwB (#26) 0.00128
R p  MLT  N p  [ / cm  / S np ]  10 6 ()  5.0  12  1345 / 4  0.0202
2
Pp  I prms R p  1.082  0.0202  0.0235W
N p (V0  Vd )   
Ns  1  
DmaxVin min  100 
12(5  1)  0.5 
Ns  1    7  N s / 2  3.5
0.5  22  100 
I srms  ( I 0 Dmax ) / 2 (3.129)
I srms  (5 0.5 ) / 2  1.77 A
14. Tính tiết diện dây đồng trần thứ cấp:
I 1.77
AswB  srms   0.00837cm 2
J 211.4
15. Tính số sợi dây chập thứ cấp tương đương cho dây AWG#26:
AswB 0.00837
S ns   7
AwB (#26) 0.00128
16. Tính điện trở cuộn thứ cấp:
Rs  MLT  N s  [ / cm  / S ns ]  10 6 ()  5.0  7  (1345 / 7)  10 6  0.00673
17. Tính mất mát dây đồng thứ cấp:
2
Ps  I srms Rs  1.77 2  0.00673  0.021W
P
  Cu  100%
P0
PCu=Pp+Ps=0.0235+0.021=0.0445W
0.0445
  100%  0.15%
30
 Tính cuộn lọc ngõ ra: các thông số yêu cầu như ví dụ 3.9 với Np=12 và Ns=7
Do f=100Khz,theo tính toán ở trên chọn dây AWG#26 có AwB=0.00128cm2.
1. Tính chu kỳ nhiệm vụ min:

V0
Dmin 
V1max
5
Dmin   0.263
19
2. Tính điện cảm cuộn lọc ngõ ra:
T (V0  Vd )(1  Dmin )
Lof  (1.130)
2I
10 5 (5  1)(1  0.263)
Lof   22.1H
2 1
3. Tính dòng đỉnh ngõ ra:
I opk  I 0  I / 2
I opk  5  1 / 2  5.5 A
 Từ I0 và I0pk,V1max chọn diode đáp ứng yêu cầu
4. Tính dòng đỉnh cuộn sơ cấp:
I
I ppk  0 pk ( N s / N p ) (1.131)
2
I ppk  (5.5 / 2)  (7 / 12)  1.60 A
 Iin,Ippk,Vinmax chọn BJT/MOSFET đáp ứng yêu cầu.
5. Tính năng lượng trên cuộn L0f:
E  (1 / 2) L0 f I 02pk  (1 / 2)22.1  10 6  5.52  0.000334W .s
2
K e  0.145P0 max Bm  104  0.145  30  0.32  10 4  0.0000392

E2 0.000334 2
K g  1.35  1.35   0.0002846cm5
K e 0.0000392  1
Từ data sheet file Magnetic cores chọn lõi xuyến sắt bụi MPP MP-55121 có Kg phù hợp:
- Loại lõi MP-55121
- Hãng sản xuất Magnetic
- Trọng lượng lõi W tfe=6.1g
- Diện tích bề mặt At=16cm2
- Độ từ thẩm μ=60
- Số mH/1000 vòng AL=35(μm=1000)
8. Tính số vòng cuộn lọc:
L0 f (mH )
N  1000
L(1000)(mH )
0.0221
N  1000  25
35
9. Tính dòng hiệu dụng ngõ ra:
I 0rms  I 02  I 2 / 12
I 0 rms  52  12 / 12  5.01A
10. Tính mật độ dòng điện ngõ ra ,sử dụng Ku=0.4:
NI
J  0rms ( A / cm 2 )
Wa K u
25  5.01
J  458 A / cm 2
0.684  0.4
11. Tính cảm ứng từ max:
0.4NI 0 pk  r  10 4
B pk 
MPL
0.4  25  5.5  60  10 4
B pk   0.252 <0.3T đạt yêu cầu!
4.11
12. Tính tiết diện dây đồng trần:
I 5.01
AwB  0 rms   0.0109cm 2
J 458
AwB 0.0109
Sn   9
AwB (#26) 0.00128
14. Tính điện trở cuộn lọc:
RLof  MLT  N  [ / cm  / S n ]  10 6 ()  2.5  25  (1345 / 9)  10 6  0.0093
15. Tính mất mát dây đồng cuộn lọc:
PCuL  I 02rms RLof  5.012  0.0093  0.233W
16. Tính cường độ từ trường cuộn dây:
0.4NI pk
H (oersted )
MPL
0.4  25  5.5
H  42.04oersted
4.11
17. Tính cảm ứng từ ac trên cuộn dây:
0.4N (I / 2)  r  104
Bac  (T )
MPL
0.4  25  0.5  60 10 4
Bac   0.023T #10% Bpk=0.252T
4.11
18. Tính độ ổn định ngõ ra:
P 0.233
 0  CuL  100%   100%  0.78%
P0 30
mW / g  0.00551  f 1.23  Bac2.12 (mW / g )
mW / g  0.00551 (105 )1.23  0.0232.12  2.618mW / g
Pfe  (mW / g )  Wtfe  10 3 (W )  2.618  6.373  10 3  0.0167W
P P  Pfe 0.233  0.0167
    CuL (W / cm 2 )   0.0156W / cm 2
At At 16
Tr  450 0.826 (C )  450  0.0156 0.826  14.5 C
 Sinh viên tự cho nhận xét về kết quả của ví dụ 3.9 và 3.10!

3.4.10: Thiết kế hoàn chỉnh nguồn flyback mode bất liên tục:
Ví dụ 3.11: Thiết kế nguồn flyback mode bất liên tục làm việc theo các yêu cầu sau:
 Input: 90 – 260VAC
 Tần số 50Khz
 Output: 5VDC/4A,+12VDC/0.3A,-12VDC/0.3A
 Độ ổn định 1%
 Độ gợn sóng output ±50mV
 Hiệu suất 85%
 Dmax=0.5
 Dw=0.1
Giải:
Ta có thể sử dụng lại hình 3.41 làm sơ đồ thiết kế như hình vd3.11.
Hình vd3.11: Thiết kế hoàn chỉnh nguồn flyback mode bất liên tục
Vin min  90 2  127V

Vin min  260 2  368V
 Thiết kế biến áp xung:
 Độ sâu dẫn điện của dây dẫn do hiệu ứng da(Skin depth):
6.62 6.62
 (cm)   0.0296cm
f ( Hz) 50000
Để chống hiệu ứng da tốt Rac/Rdc=1 phải chọn đường kính dây thỏa điều kiện:
d w  2 (cm)
d w  2  0.0296  0.0592cm
Tiết diện dây đồng trần(chưa tính lớp men cách điện)
Aw  d w2 / 4    0.0592 2 / 4  0.00275cm 2
Tra bảng dây đồng tại phụ lục PL3.1,ta có dây AWG#23 có tiết diện dây đồng trần là
0.00258cm2 có kích thước nhỏ nhất gần AW và(μΩ/cm)=666
1. Tính Tonmax:
Ton max  TDmax  Dmax / f  0.5 / 50000  10s

2. Tính tổng công suất thứ cấp: chọn Vd1=1V,Vd2=Vd4=0.5V
P01  I 01 (V01  Vd )  4(5  1)  24W
P02  P03  I 02 (V02  Vd )  0.3(12  0.5)  3.75W
Cuộn thứ 4 cấp nguồn cho IC 3844 có V04=12V,Icc=30mA(xem data sheet)
P04  I 04 (V04  2Vd 4 )  0.03(12  1)  0.39W
P0 max  P01  P02  P03  P04  24  3.75  3.75  0.39  32W
3. Tính dòng DC ngõ vào max:
P 32
I in max  0 max   0.296 A
Vin min 127  0.85
4. Tính dòng đỉnh sơ cấp:
2 P0 maxT 2  32  20  10 6
I ppk    1.186 A
Vin minTon max 0.85  127  10 10 6
Ton max 10  10 6
I prms  I ppk  1.186  0.484 A
3T 3  10 6
6. Tính công suất ngõ vào max:
P 32
Pin max  0 max   37.7W
 0.85
7. Tính điện cảm cuộn sơ cấp:

(Vin min Dmax ) 2 T (127  0.50 2  20  10 6
Lp    1070 H
2 Pin max 2  37.7
8. Tính năng lượng trên cuộn dây sơ cấp:
LI 2 1070  10 6 1.186 2
E p  ppk (W .s)   0.000752W .s
2 2
9. Tính hệ số quan hệ điện từ : chọn Bm=0.25T
2
K e  0.145 P0 max Bm  10 4  0.145  32  0.252  104  0.000029
E p2 5 0.000752 2
K g  1.35 (cm )  1.35  0.0195cm5 (3.85)
K e 0.000029  1
Chọn lõi EC-35 ferrite ,tra bảng từ data sheet file Magnetic cores,ta có:
- Mã số lõi EC-35
- Vật liệu từ 3C85
- Chiều dài mạch từ MPL 7.59cm
- Trọng lượn lõi W tfe 36g
- Trọng lượng dây đồng W tCu 35.1g
- Chiều dài TB 1 vòng dây MLT 6.3cm
- Tiết diện lõi Ac 0.71cm2
- Diện tích cửa sổ W a 1.571cm2
- Tích số diện tích Ap 1.115cm4
- Hằng số hình học lõi Kg 0.05cm5
- Diện tích bề mặt lõi At 50.2cm2
- Độ từ thẩm lõi μm 2500
- Chiều cao cuộn dây G 2.38cm
11. Tính mật độ dòng điện sử dụng hệ số sử dụng cửa sổ Ku=0.29
2 E p  10 4 2 2  0.000752  10 4
J ( A / cm )   186 A / cm 2
Bm Ap K u 0.25  1.115  0.29

I 0.484
ApwB  prms (cm 2 )   0.0026cm2
J 186
ApwB 0.0026
S np   1
AwB (#23) 0.00258
14. Tính số vòng dây sơ cấp,giả sử cuộn sơ cấp chiếm nửa diện tích cửa sổ 1/2W a,và số dây
chập AWG#23:
K uWa / 2 0.29  1.571 / 2
Np    88
S np AwB (#23) 1 0.00258
15. Tính khe hở từ:
0.4N p2 Ac  10 8 MPL 0.4  882  0.71 10 8 7.59
lg   (cm)    0.0615cm
Lp m 1070  10 6 2500
16. Tính hệ số từ thông tản(tại khe hở từ):
l  2G 
F  1  g ln    1  0.0615 ln  2  2.38   1.32

Ac  l g  0.71  0.0615 
17. Tính lại số vòng sơ cấp khi kể đến F:
lg Lp 0.0615  1070  10 6
N np    75
0.4Ac F  10 8 0.4  0.71  1.32  10 8
18. Tính cảm ứng từ cực đại:
0.4N np FI ppk  10 4 0.4  75  1.32  1.186  10 4
B pk  (T )   0.229T
l g  ( MPL / m) 0.0615  7.59 / 2500
Nhỏ hơn Bm=0.25T đạt yêu cầu không bão hòa từ.
R p  MLT  N np  [ / cm  / S np ]  106 ()  6.3  75  (666 / 1)  10 6  0.315
2
Pp  I prms R p  0.484 2  0.315  0.0738W
N (V  Vd )(1  Dmax  Dw )
N s  np 0
V p min Dmax
75(5  1)(1  0.5  0.1)
Cuộn thứ 1 V01=5V: N s1  3
127  0.5
75(12  0.5)(1  0.5  0.1)
Cuộn thứ 2&3 V02=12V: N s 2  N s 3  6
127  0.5
75(12  1)(1  0.5  0.1)
Cuộn thứ 4 V01=12V: N s1  6
127  0.5
22. Tính dòng đỉnh cuộn thứ cấp:

2 I0
I spk 
1  Dmax  Dw
24
Cuộn thứ 1 I01=4A: I spk1   20 A
1  0.5  0.1
2  0. 3
Cuộn thứ 2&3 I02=0.3A: I spk 2  I spk 3   1. 5 A
1  0.5  0.1
Cuộn thứ 4 dòng không đáng kể

1  Dmax  Dw
I srms  I spk
3
1  0.5  0.1
Cuộn thứ 1 Ispk1=20A: I srms1  20  7.3 A
3
1  0.5  0.1
Cuộn thứ 2&3 Ispk2=1.5A: I srms 2  Isrms 3  1.5  0.55 A
3
24. Tính tiết diện dây cuộn thứ cấp:
I 7.3
Cuộn thứ 1: Asw1  srms1   0.03925cm 2
J 186
I 0.55
Cuộn thứ 2&3: Asw 2  Asw3  srms 2   0.00296cm 2
J 186
25. Tính số lượng sợi dây chập cuộn thứ cấp:
Asw1 0.03925
Cuộn thứ 1: S ns1    15
AwB (#23) 0.00258
(vẫn sử dụng dây AWG#23 giảm hiệu ứng da đã tính ở trên)
Asw 2 0.00296
Cuộn thứ 2&3: S ns 2  S ns 3   1
AwB (#26) 0.00258
Cuộn thứ 4 vẫn sử dụng 1 sợi dây AWG#23
26. Tính điện trở cuộn thứ:
Cuộn thứ 1: áp dụng (3.94) Rs1  6.3  3  [666 / 15]  10 6  0.00084
Cuộn thứ 2&3: áp dụng (3.94) Rs 2  Rs 3  6.3  6  [666 / 1]  10 6  0.0252

27. Tính mất mát dây đồng cuộn thứ cấp:
Cuộn thứ 1: áp dụng (3.95) Ps1  7.32  0.00084  0.0448W
Cuộn thứ 2&3: áp dụng (3.95) Ps 2  0.552  0.0252  0.0076W
NA
K u  t wB
Wa
Nt; tổng số vòng sơ và thứ cấp tính luôn chập dây:
Nt=75x1+3x15+6x1x2+6x1=138
AwB trong ví dụ này là dây AWG#23.
138  0.00258
Ku   0.227 < 0.3 đảm bảo không kẹt cửa sổ!
1.571
P 0.0738  0.0448  0.0076  2 0.1338
  Cu  100%  100%  100%  0.42%
P0 32 32
30. Tính cảm ứng từ AC:
0.4N np F ( I ppk / 2)  104 B pk 0.229
Bac   (T )   0.115T
l g  ( MPL / m) 2 2
31. Tính hệ số W/Kg:
WK  4.855  10 5  f 1.63  Bac2.62 (W / Kg )  4.855  105  (50000)1.63  (0.115) 2.62  7W / kg
Pfe  (mW / g )  Wtfe  10 3 (W )  7  36  10 3  0.252W

P PCu  Pfe 0.1338  0.252
  (W / cm 2 )   0.0077
At At 50.2
Tr  450 0.826 ( C )  450  (0.0077) 0.826  8.1 C
 Thiết kế mạch điện:
Từ thiết kế biên áp xung,ta có các thông số:
 Vinmin=127V ; Vinmax=368V
 Ippk=1.168A ; Iinmax(DC)=0.296A ; Iprms=0.484A
 Lp=1070μH ;f=50Khz
 Np=75 ; Ns1=3 ; Ns2=Ns3=Ns4=6
1. Chọn MOSFET Q1,D6,D7,D8:
Điện áp trên D Q1 khi Q1 off:
Vpoff=Vinmax+(Np/Ns)(V0+Vd)=368+(75/3)(5+1)=518V
Dự trữ gai vọt lố trên sơ cấp khi Q1 off khoảng 1/3Vinmax=123V
Vpoff=518+123=641V
Chọn Q1 có VDSS>Vpoff,IDmax>Iinmax,IDmmax>Ippk
Chọn Q1=4N80 có: VDSS=800V,ID=4A,IDM=16A,Ciss=880pF,Crss=12pF,Coss=100pF
D6 có điện áp ngược: VR=VinmaxNs/Np +V01=368x3/75+5=19.72V,dòng IF=4A,IFp=16A.
Chọn D6=USD945 là diode schottky có VR=50V,IF=16A,IFSM=250A,VF=0.6V@IF=16A.
D7 và D8 có : VR=VinmaxNs/Np +V02=368x6/75+12=41.4V,IF=0.3A,IFp=1.2A
Chọn D7 và D8=UF1002 có VR=70V,IF=1A,IFSM=30A,VF=0.8V@IF=0.3A
2. Chọn R6,C6 theo f: từ đồ thị hình 3.32 hay công thức (3.33*) với f=50Khz tìm được:
R6=33K,C6=1nF.
3. Hồi tiếp và EA: tính R3,R4,R5,C14
Ta có: VP7=Vref(1+R3/R4)
R3/R4=Vp7/Vref-1=12/2.5-1=3.8
Chọn: R4=4K7 → R3=3.8x4.7=17.86
Chọn R3=18K
Cho Vinmax biến thiên 1%→ΔVp7=Vinmax(Ns/Np)x1%=368x(6/75)x1%≈0.3V
Hệ số khuếch đại tín hiệu hồi tiếp: Av=-R5/R3
Chọn Av=-10 sẽ có ΔVp1=-3V<Vzmaxx3+1.4=1x3+1.4=4.4V đảm bảo vẫn điều khiển.
Suy ra: R5=10xR3=10x18=180K
1 R 10 10
Chọn C14 theo công thức: X C    C14    177 pF
2fC 10 2fR 2  50000 180000
Chọn C14=220pF.
4. Tính R10,R8,C7,R7,D9:
I ppk  1 /(3R10)  R10  1 /(3I ppk )  1 /(3  1.168)  0.29
Chọn R10=0.22Ω/1/2W
Chọn R8C7 thỏa yêu cầu lọc nhiễu gai nhọn: R8C7≈T/5→C7=T/(5R8)
Chọn R8=1K→C7=20x10-6/(5x1000)=400pF.Chọn C7=470pF
R7 hạn dòng nạp tụ ngõ vào Q1,chọn R7 thỏa điều kiện thời gian lên:
t r  2.2 R7(C ISS  C RSS )  5%T / 2
5%T 5%  10  10 6
R7    127
4.4(C ISS  C RSS ) 4.4(880  12)10 12
Chọn R7=22Ω.
D9 bảo vệ ngõ vào GS Q1,khi có xung âm D9 on.Chọn điện áp ngược trên D9 nhỏ hơn
điện áp chịu đựng VGS Q1=±30V.
Chọn D9=USD1120 là diode schottky có IF=1A,VR=20V.
5. Tính mạch lọc ngõ ra C10,C11,L1,C12,C13:
- Ngõ ra 1 V01=5V/I01=4A:

ESR=ΔV0/ΔIs1=50mV/(4x4)=3.125mΩ
C10  I 01max (1  Dmax ) /( fV0 )  4(1  0.5) /(50000  0.05)  800F
Từ file Panasonic_Cap ta có:C=2200μF/16V FC 16x20 ESR=29mΩ,C=1000μF/16V FC
10x25 ESR=45mΩ.Nếu sử dụng C=2200μF như trên phải cần tới 10 tụ song song mới thỏa ESR.
Để không sử dụng nhiều tụ,ta thêm L1 lọc dòng tạo thành mạch lọc hình π C10.L1,C11.
Chọn C10=2200μF,ta tính được độ gợn sóng trên C10: ΔV1=ΔIs1xESR=4x4x29mΩ=0.46V.
Suy ra độ gợn sóng dòng điện qua L1: ΔIL1=L1(ΔV1/Δt)=L1[ΔV1/((1-Dmax)T)]
Chọn L1 là các cuộn dây có sẵn suy ra ΔIL1.
Chọn L1=25μH,suy ra ΔIL1=25x10-6[0.46/((1-0.5)x20x10-6)]=1.15A
Tính ESR cho C11: ESR=ΔV0/ΔIL1=50mV/1.15A=43mΩ
Chọn C11=1000μF có ESR=45mΩ
- Ngõ ra 2&3 có V02=12V/I02=0.3A
ESR=50mV/(0.3x4)=42mΩ
C12=0.3(1-0.5)/(50000x0.05)=60μF
Chọn C12=C13=1000μF có ESR=45mΩ
6. Tính điện trở cấp nguồn khởi động R2:
UC3844 khởi động với Vccs=14V,Iccs=1mA,ta tính với Vinmin=127V.
R2=(Vinmin-Vccs)/Iccs=(127-14)/1mA=113K
Chọn R2=100K,tính công suất R2 với Vinmax=368V:
PR2=(Vinmax-Vccs)2/R2=(368-14)2/100K=1.25W
Chọn R2=100K/2W.
7. Tính mạch lọc ngõ ra cấp nguồn IC Vp7 D3,C4,R9,D2,C2,C2*:
Để ổn định áp và gợn sóng bé,ta sử dụng 2 mắc lọc D3 C4 và D2 C2.
R9 là tải giả để chống mất ổn định điện áp ngõ ra khi không tải do có thể mất chu kỳ xung.
Chọn công suất tiêu thụ trên R9 khoảng 5% P0max,điện áp trên R9 là 12.5V(VD3=0.5V)
IR9=(5%P0max/VR9)=(5%x32)/12.5=128mA
R9=12.5/0.128=97.6≈100Ω
PR9=12.52/100=1.56W→Chọn R9=100Ω/3W
Chọn C4=100μF/25V FC có ESR=0.35Ω,độ gợn sóng trên C4:
ΔVC4=ΔIR9xESR=4xIR9xESR=4x0.128x0.35=0.18V
Như vậy điện áp trên C4 : VC4=12.5±0.09V
Điện áp trên C2 max khi không tải: VC2max=Vp7=12+0.09=12.09V(VD2=0.5V)
Chọn C2=100μF FC ESR=0.35Ω,dòng tiêu thụ max cho IC Icc=30mA,tím được ΔVC4:
ΔVC4=2IccxESR=2x0.03x0.35=21mV
Thêm C2*=0.22μF ceramic để cải thiện độ gợn sóng và nhiễu.
Như vậy điện áp trên IC: VC4=Vp7=12.09±0.01V,độ ổn định 10mV.
Chọn D2,D3 diode schottky D2=D3=USD1120
8. Tính mạch snubber C8,R11,D5 và C9,R12,D4:
Tham khảo các công thức ở chương 2 mục 2.1.2,ta có:
I dt
C 8  ppk
Vp
Trong thời gian Q1 off thứ cấp phản ánh điện áp về sơ cấp nên ta có Vp=518V,chọn
dt=0.2μs:
1.186  0.2  10 6
C8   458 pF
518
Chọn C8=470pF/800V
D T 0.5  20  10 6
R11  max   2127
10C8 10  470  10 12
Công suất tiêu tán trên R11:
C8V p2 f 470  1012  5182  50000
PR11    3.15W
2 2
Chọn R11=2K2/5W
 Giả sử điện cảm rò Lplk=(1/40)Lp=1070/40=25μH(thực tế phải xác định qua thực nghiệm),
Điện áp thứ cấp phản ánh về sơ cấp 150V.Chọn áp thường trực trên C9 V=150V,gai điện
áp do điện cảm rò là dV=50V
2
L plk I ppk 25  10 6  1.186 2
C9    2009 pF
dV (dV  2V ) 50(50  2  150)
Chọn C9=2.2nF/600V
10T 10  20  10 6
R12    99531  100 K
C9 2.2 10 9
Công suất tiêu tán trên R12:
PR12=(1/2)LplkI2ppk+V2/R12=1/2x25x10-6x1.1862+1502/100K=1.105W
Chọn R12=100K/2W.
Chọn D4=D5=UF1007 có IF=1A,IFSM=30A,VR=1000V
 Lưu ý: Các giá trị tính cho mạch snubber chỉ trên lý thuyết và phải đều chỉnh bằng thực
nghiệm để có kết quả tốt nhất!
9. Tính mạch lọc nguồn ngõ vào R1,D1,C1:
Điện áp ac vào 90V – 260V,Vdcmax=368V,Iinmax=0.269A,chọn D1=MDB8S diode cầu có
IF=1A,IFSM=30A,VR=800V.
R1 hạn dòng khởi động D1,áp rơi trên R1 khoảng 1-2V.
Chọn R1=5Ω/1W
Có thể tính chọn C1 theo các công thức như trên,thực tế với mạch nguồn vài chục W chọn
C1=250μF/400V là đạt yêu cầu và kinh tế!
3.4.11: Thiết kế hoàn chỉnh nguồn forward đẩy kéo:
Ví dụ 3.12: Từ kết quả thiết kế biến áp xung và cuộn lọc ngõ ra trong ví dụ 3.10,thiết kế hoàn
chỉnh nguồn forward đẩy kéo đáp ứng các thông số sau:
- Vin=22 – 35VDC
- V0=5V,I0=5A độ ổn định α=1%,độ gợn r=±5mV
- Tần số f-100Khz
- Bảo vệ quá dòng 5A
- Các thông số còn lại đã cho trong thiết kế biến áp xung ví dụ 3.10.
Giải:
Ta có thể chọn sơ đồ nguồn forward đẩy kéo IC TL494 như hình 3.53 để thiết kế.Sơ đồ
thiết kế như hình vd3.12.
Hình vd3.12: Sơ đồ thiết kế hoàn chỉnh nguồn forward đẩy kéo

Từ ví dụ 3.10,ta có các thông số:
- Np=12,Ns=7
- Iinmax=Pinmax/Vinmin=33.67/22=1.53A,Iprms=1.08A,Ippk=1.6A

- I0max=5A,Isrms=1.77A,I0pk=5.5A,ΔIL=0.5A(do mạch đẩy kéo)
1. Chọn Q1,Q2,D1,D2:
Q1Q2 là cặp BJT đẩy kéo hoàn toàn giống nhau.Khi Q1 off,điện áp đặt trên cực C Q1
bằng 2Vcc+dV với dV là gai điện áp do điện cảm rò gây ra.Trong sơ đồ này ta không có
các mạch triệt gai do điện áp cấp nguồn không cao nên có thể chọn dV=Vcc,với
Vcc=Vinmax.Dòng ngõ ra IC TL494 Ioicmax=0.5A,nên β=ICmax/IBmax=1.6/0.5=1.2,dễ đạt yêu
cầu.Như vậy chọn Q1,Q2 có Vceo>3x35=105V,Icmax>1.53A,Icp>1.6A.
Chọn Q1=Q2=ZXTP2014Z PNP BJT có các thông số(xem data sheet): VCBO=-180V,
VCEO=-140V,IC=-3A,ICM=-10A,VCES=115mV@IC=-1A,IB=-100mA,fT=120Mhz.
D1,D2 giống nhau nên chọn diode xung schottky có Vd thấp tiêu tán thấp.Khi D1 off.điện
áp ngược đặt trên D1: VR=VinmaxxNs/Np+V0=35x7/12+5=25.4V.
Chọn D1,D2 có IF>5A,IFSM>5.5A,VR>26V.
Chọn D1=D2=USD945 diode schottky có IF=32A,IFSM=250A,VR=45V
2. Tính mạch dao động C4,R6:
Với mạch đẩy kéo ta có công thức tính f cho TL494: f=1.1/(2xR6C4).
Chọn R=2K2 tìm được C4=1.1/(2x2200x100000)=1.25nF
Chọn C=1.2nF tụ polycarbonat.
3. Tính mạch khởi động mềm C3,R5:
Điện áp chân 4 được tính bằng công thức mạch thượng thông: V p 4  Vref e t / R 5C 3  5e t / R 5C 3
Chọn thời gian khởi động mềm 1s và Vp4=0.5V là kết thúc khởi động mềm.
Chọn R5=10K,tìm được C 3  1 /( R5 ln 10)  43.4 F
Chọn C3=47μF/16V.
4. Tính mạch hồi tiếp và EA R9,R10,R1,C1,C2:
Theo mạch hình 3.53: V0=(1+R9/R10)Vref=(1+R9/R10)5.
Yêu cầu V0=5V nên R9=0,hay nói cách khác hồi tiếp 100%→V0=5V.
Hồi tiếp đưa về chân 1(Vi+),khi V0 tăng làm ngõ ra EA Vp3 tăng,thời gian dẫn các BJT lái
ngõ ra IC(chân 8,11) ngắn lại làm Ton của Q1,Q2 bé lại sẽ giảm V0 lại.
Để cách ly ngõ ra và chân 1 ta nối tiếp ngõ ra và chân 1 bằng R10 và chọn R10=R3 để bù
lệch 0 do dòng phân cực vào OPAMP.
Chọn R3=R10=4K7.
Chọn Av=200,khi V0 biến thiên một lượng ΔV0=10mV,biến thiên trên chân 3
ΔVp3=200x10mV=2V<4.5V đạt yêu cầu!
R1=199R2=199x4.7K=935.3K
Chọn R1=1M.
Chọn C1 sao cho C1=10/(2πfR1)=10/(2πx105x106)=15.9pF
Chọn C1=100pF.
Chọn C2=0.01μF chống nhiễu ngõ ra chân 3.
5. Tính phân cực Q1,Q2 R7,R8:
Khi Q1 on dòng đỉnh qua Q1 IC1p=Ippk=1.6A.Giả sử β=10→IB1=IoIC=160mA,trong giới hạn
cấp dòng ngõ ra IC.Chọn dòng qua R7 bằng 20mA,VBES=1V(theo data sheet).
Tính R7: R7=VBES/IR7=1/0.02=50Ω→Chọn R7=R8=47Ω.
6. Tính mạch lọc ngõ ra C6,C7:
ESR=ΔVr/ΔI0=5mV/0.5A=10mΩ
Chọn C6=C7=4700μF/10V FC 16x20 có ESR=0.022Ω Irms=2.555A đạt yêu cầu.
7. Tính mạch bảo vệ R11,R12,R4:
Theo công thức (3.39):
R12
I 0 max  R11  5 0.
R 4  R12
Cho áp rơi trên R11 bằng 0.1V→R11=0.1/5=0.02Ω,P=0.02x52=0.5W
Chọn R11=0.02Ω/2W(có thể dùng dây đồng quấn tạo thành!)
Suy ra R4/R12=49,chọn R4=5K1,R12=100Ω
Chọn C5=1000μF/50V để lọc tại điểm cấp nguồn cho Q1,Q2.

Phụ lục 3.1-PL3.1: Bảng tra kích thước dây đồng trần.

Phụ lục 3.2-(PL3.2): Thiết lập các công thức thiết kế biến áp xung
Các công thức trong phần thiết kế biến áp xung mục 3.4.8 đến 3.4.10 có thể tham khảo
trong tài liệu Transformer and Inductor Design Handbook,hoặc có thể suy ra từ khảo sát lý thuyết
ở các phần trên.Trong phần PL3.2 này sẽ thiết lập các công thức quan trọng trong thiết kế biến
áp xung như công thức (3.84),(3.85),(3.106),3.107).
P
Hệ số ổn định biến áp:   Cu 100%
P0
Với P0: công suất trên thứ cấp biến áp
Với PCu:tổng công suất mất mat dây đồng sơ và thứ cấp PCu=PpCu+PsCu
Giả sử PpCu=PsCu,PCu=2PpCu=2I2prmsRp
   6 1.78
R p  MLT (cm)  N p     10  MLT (cm)  N p  2
 10 6
 cm  Aw ( cm )
MLT: chiều dài trung bình 1 vòng dây với lõi chọn
AW : Tiết diện dây đồng
Np: số vòng cuộn sơ cấp
Thay các giá trị vào,ta được:
2
2MLT  N p  I prms  1.78  10 4
 (PL3.2.1)
P0  Aw
 Nguồn flyback không liên tục:
T D
I prms  I ppk on  I ppk
3T 3
T 2I
I ppk  2 I in  in
Ton D
2 I in 2 Pin
I prms  
3D 3D Vin
2MLT  N p  4 Pin2  1.78  10 4

P0  Aw  3D  Vin2
B
Vin  V p  N p Ac  10 8 (PL3.2.2)
t
Ac(cm2): tiết diện ngang của lõi biến áp
ΔB=Bm và Δt=DxT=D/f
Giả sử bề dày cuộn sơ và thứ bằng nhau,hệ số lấp đầy cửa sổ Ku:
2NpAw=KuW a (PL3.2.3)
Với W a là tiết diện cửa sổ của lõi.
Cho P0=Pin,thay vào α:
2MLT  N p  4 P02  1.78  D 2  10 4

P0  Aw  3D  N p2 Ac2 Bm2 f 2
16 MLT  P0  1.78  D  10 4

3K u  Wa  Ac2 Bm2 f 2
Wa Ac2
Đặt hệ số hình học lõi K g  K u (PL3.2.4)
MLT
Công suất ra tải DC: P0t  P0 / 2
Năng lượng tích trữ: E p  Pot / f
Nguồn bất liên tục: Dmax=0.5
16  1.78  0.5  2  10 4 2 6.7128 2
E 2p
Thay vào:  E p  E p 
3K g Bm2 f 2 Pot K g Bm2 f 2 Pot K g Ke
Với: K e  0.1489 K g Bm2 f 2 Pot
 Nguồn forward:
Pin
I prms 
Vin D
Thay Iprms và (PL3.2.2) vào (PL3.2.1):
2 MLT  Pin2  D  1.78  10 4

P0  Aw  N p  Ac2  B 2  f 2
Tiếp tục thay (PL3.2.3) vào:
4 MLT  Pin2  D  1.78  10 4

P0  K u  Wa  Ac2  B 2  f 2
Đặt K g  K uWa Ac2 / MLT , Pin  P0 ,
4 Pin D  1.78  10 4 7.12  10 4  Pin D P D
 2 2
 2 2
 in
K g B f K g B f Kg Ke
Với : K e  0.1404B 2 f 2  10 4
Việc sai khác hệ số 0.145 co lẽ do chọn điện trở suất ρ và thống nhất hệ số cho dễ nhớ!

BÀI TẬP CHƯƠNG 3
3.1: Mô tả hoạt động của mạch ổn áp xung dạng boost hình 3.6.Phân tích chi tiết dạng sóng trên
hình 3.7.
3.2: Mô tả hoạt động của mạch ổn áp xung dạng buck-boost hình 3.10.Phân tích chi tiết dạng
sóng trên hình 3.11.
3.3: Mô tả hoạt động của mạch ổn áp xung dạng buck hình 3.13.Phân tích chi tiết dạng sóng trên
hình 3.14.
3.4: Mô tả hoạt động của mạch ổn áp xung dạng flyback hình 3.17.Vẽ lại dạng sóng dòng và áp
trên sơ cấp và thứ cấp biến áp T1.
3.5: Cho chuỗi xung kích S1 on/off hình 3.18a như hình BT3.5.Vẽ và phân tích dạng sóng điện
áp tại các điểm: trên S1,trên cathode D3,trên cuộn thứ cấp ghép ra tải(anode D1).
T/2
S1 on S1 off
B1
0,45T
Hình BT 3.5
3.6: Cho dạng sóng các ngõ B1,B2 hình 3.19a B2
Như hình BT 3.6. 0,45T
Mô tả hoạt động mạch ổn áp xung dạng T

Forward đẩy kéo như hình 3.19,chức năng Hình BT 3.6
của R1,C2,D3 và R2,C3,D4.Vẽ và phân tích dạng sóng trên các cực C Q1,Q2,anode D1,D2.
3.7: Giải thích tại sao nguồn ổn áp xung fly back thường phải sử dụng biến áp xung có khe hở
từ,trong khi dạng forward lại không cần khe hở từ.Cho biết chức năng của khe hở từ.
3.8: Trong mạch buck nâng dòng như hình 3.21,cho tỉ lệ áp sơ/thứ là Up/Us,tỉ số vòng sơ/thứ là
1/N.Thiết lập biểu thức tính tỉ số dòng điện thứ/sơ và điện áp trên SW theo Up,Us và N.Kiểm
chứng lại giá trị đã cho ở ví dụ hình 3.21.
3.9: Thiết kế cuộn dây cho nguồn buck có Vin=12V±20%,Vout=5V,Iout=2A.
3.10: Thiết kế biến áp xung nguồn flyback có áp AC in từ 90 – 260Vac,Vout=5V,Iout=2A.
3.11: Giải thích hoạt động mạch khởi động mềm cho IC UC3844.Thiết kế mạch khởi động mềm
cho IC UC3844,thời gian khởi động mềm khoảng 3s.
3.12: Tính hệ số khuếch đại mạch EA của IC UC3844 hình 3.35b.
3.13: Kiểm chứng lại công thức tính Vclamp cho IC UC3844 hình 3.38.
3.14: Giải thích cách cấp nguồn cho IC UC3844 hình 3.41.Cách tính R2.
3.15: Tìm tần số dao động và tính hệ số khếch đại mạch IC UC3844 hình 3.41.
3.16: Giải thích hoạt động mạch khởi động mềm cho IC TL494.Thiết kế mạch khởi động mềm
cho IC TL494,thời gian khởi động mềm khoảng 3s.
3.17: a) Tìm tần số dao động mạch IC TL494 hình 3.53.
b) Mạch hình 3.53 có khởi động mềm không,nếu có thời gian khởi động mềm khoảng bao
lâu?
3.18: Vẽ lại mạch tương đương hồi tiếp và tính hệ số khuếch đại mạch hình 3.53.
3.19: Tính giá trị ILmax mạch hình 3.53.
3.20: Giải thích hoạt động mạch cấp nguồn IC TL494 hình 3.49,khi nguồn cấp >40V.
3.21: Vẽ sơ đồ nguồn boost sử dụng IC UC3844.
3.22: Vẽ sơ đồ tạo nguồn âm từ ngõ vào Vin dương sử dụng IC TL494
3.23: Vẽ sơ đồ nguồn boost sử dụng IC TL494.
3.24: Vẽ sơ đồ nguồn buck nâng dòng sử dụng IC TL494.
3.25: Thiết kế mạch ổn áp xung thỏa các yêu cầu sau:
 Input 8VDC±20%
 Output 5VDC/2A
 Bảo vệ quá dòng 2A
 Tự chọn các linh kiện trong thiết kế
3.26: Thiết kế mạch ổn áp xung flyback thỏa các yêu cầu sau:
 Input 90 – 260VAC
 Output1: 5VDC/3A,output2: 12VDC/1A
 Input 12VDC±20%
 Output -5VDC/2A
3.28: Thiết kế mạch ổn áp xung forward đẩy kéo thỏa các yêu cầu sau:
 Output 5VDC/4A,12VDC/1A
3.29: Tìm hiểu hoạt động IC VIPER22A.Từ đó thiết kế nguồn ổn áp xung thỏa các yêu cầu sau:
 Output1: 5VDC/1A,output2: +12VDC/0,5A.
 Input 12VDC±10%
 Output: 36VDC/6A
 Chọn lõi xuyến

Chuong 3-Nguon On AP Xung

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chuong 3-Nguon On AP Xung

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương 3: Nguồn ổn áp xung

Trong chương này chúng ta sẽ khảo sát các vấn đề:

Ngõ vào Ngõ ra DC

Hình 3.1: Sơ đồ khối nguồn ổn áp xung căn bản

Hình 3.2: Bốn dạng mạch ổn áp xung tiêu biểu

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 2

Hình 3.3 : Ba dạng mạch tiêu biểu sử dụng Mosfet

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 3

Hình 3.4: Mạch ổn áp xung lý thuyết (dạng buck)

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 4

Hình 3.5: Cấu hình lý thuyết dạng boost

Hình 3.6 : Ổn áp xung dạng boost thực tế sử dụng IC RC4190

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 6

Hình 3.8: Dạng sóng trên transistor(SW),

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 7

Hình 3.9 : Mạch buck-boost lý thuyết

Hình 3.10: Mạch buck-boost thực tế sử dụng IC RC4391

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 8

Hình 3.12 : Sơ đồ mạch lý thuyết dạng buck

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 9

Hình 3.14: Dạng sóng mạch hình 3.13

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 10

Hình 3.15 mạch flyback lý thuyết với cuộn dây

Hình 3.16 : Mạch flyback lý thuyết với biến áp .

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 11

Hình 3.17: Mạch flyback sử dụng IC 4292

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 12

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 13

Hình 3.20: Mạch boost nâng dòng

8. Mạch buck nâng dòng (current boosted buck ) :

Hình 3.21: Mạch buck nâng dòng

Hình 3.22 : Mạch Cuk nâng dòng

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 14

Hình 3.23: Mạch PFM dạng boost dùng IC MAX641

Hình 3.24 : Các dạng sóng trên hình 3.23

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 15

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 16

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 19

MÃ SỐ ITB (A) VF (V) BVR (V) LOẠI VỎ NGOÀI

1N5817 1 0.45 20 schottly Nhựa

1N5823 5 0.36 20 schottly Kim loại

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 20

BUZ71A TO-220 0,12(6A,10V) 50 MOT/SI/SM

IRFD120 4pinDIP 0,6(1,3A,-10V) -100 IR/GE

Với Ipk=635mA,chọn D1=1N5817 có ITB=1A phù hợp,nhưng IC RC4190 có dòng đỉnh SW

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 21

4/ Chọn điện cảm cuộn dây cho nguồn inverter :

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 22

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 23

Hình 3.26 : Đồ thị lựa chọn lõi nồi

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 24

Hình 3.27 : Nguồn xung flyback biến áp

LI 2  7.27  10 3  (7.15) 2  0.372mJ

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 25

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 26

11 9,518 9,821 112 17,4 1.261 10,968 16,452

16 3,003 3,329 330 51,2 4.020 3,441 5,160

21 1,005 1,170 1,000 155 12,77 1,083 1,630

26 342 424 3,000 465 41,0 338 506

31 117 154 8,500 1,317 131 106 158

36 39,7 54,8 25,000 3,876 415 33 50

41 13,0 80,000 12,403 1,320 11 16

Giáo trình Điện Tử Ứng Dụng Lưu Phú 27