Introducción

El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue inventado en 1949 en
los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron el premio
Nobel en 1956). También se suele denominar por sus siglas inglesas BJT (bipolar junction
transistor).

Desde su creación fue considerado el componente electrónico estrella, pues inicio una
autentica revolución en la electrónica que ha superado cualquier previsión inicial. Con el
transistor vino la miniaturización de los componentes y se llegó al descubrimiento de los
circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milímetros cuadrados, miles de
transistores. Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de
los ordenadores actuales. Por otra parte, la sustitución en los montajes electrónicos de las
clásicas y antiguas válvulas de vacío por los transistores, reduce al máximo las pérdidas de
calor de los equipos.

El transistor posee tres terminales (llamados emisor, base y colector). Y posee las funciones de
dejar pasar o cortar señales eléctricas a partir de una pequeña señal de mando, como la de un
amplificador de señales.

Pero en este informe nos centraremos en el transistor PNP por lo cual el presente informe
constara de 5 capítulos: marco teórico, aplicaciones, proyecto con el elemento descrito,
recomendaciones y conclusiones.

En el marco teórico se abarcará todo el conocimiento acerca de este dispositivo, ya sea su

origen o funcionamiento. En aplicaciones se llegará a conocer las diversas funciones que
cumple. Además, en recomendaciones, todo lo que debe saber aquella persona que lo utiliza y
por ultimo las conclusiones.
Marco teórico
Un transistor es un dispositivo electrónico simple que conmuta y amplifica las corrientes
eléctricas. Aunque los científicos han inventado muchos tipos de transistores, el transistor de
unión fue desarrollado primero, y el PNP es uno de ellos. Un transistor PNP es uno que
controla el flujo de corriente principal, alterando el número de agujeros en lugar del número
de electrones en la base. El bajo costo, fiabilidad y el tamaño pequeño de los transistores los
ha convertido en uno de los grandes inventos del siglo 20.

Un transistor PNP típico tiene una caja de metal o de plástico de aproximadamente el tamaño
de una arveja. Los transistores de alta potencia son más grandes, casi tan grandes como una
tapa de botella. El dispositivo tiene tres cables denominados conectores que se conectan a
otras partes de un circuito. Los conectores se llaman base, colector y emisor, y cada uno tiene
una función específica. El cuerpo del transistor puede tener un número de pieza y el logotipo
del fabricante impreso o estampado en ella, junto con las letras "E", "B" y "C" que identifican
los terminales de emisor, base y colector.

Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga

Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.

Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor. Es el cristal de en medio

El transistor consta de tres cintas de silicio especialmente tratado, un elemento que conduce la
electricidad cuando se mezcla con trazos de otros elementos. Las dos capas exteriores tienen
un tratamiento que les hace preferir las cargas eléctricas positivas. La capa interna prefiere
cargas negativas. Las tres capas juntas forman un transistor positivo-negativo-positivo, o PNP,
para abreviar.
Polarización del transistor
Se entiende por polarización del transistor las conexiones adecuadas que hay que realizar con
corriente continua para que pueda funcionar correctamente. Si se conectan dos baterías al
transistor como se ve en la figura, es decir, con la unión PN de la base-emisor polarizada
directamente y la unión PN de la base-colector polarizado inversamente. Siempre que la
tensión de la base emisor supere 0,7 V, diremos que el transistor esta polarizado, es decir, que
funciona correctamente

En este caso, el hecho de que el transistor esté en funcionamiento significa que es capaz de
conducir la corriente desde el terminal colector hasta el terminal emisor. Se cumplen dos
expresiones para este caso:

E= IB + IC
Donde:
IE es la corriente que recorre el terminal emisor.
IC es la corriente que recorre el terminal colector.
IB es la corriente que recorre el terminal base.
Como la corriente de base resulta siempre MUY PEQUENA, se puede decir que la corriente del
colector y la del emisor prácticamente coinciden.
IE ≈ IC

IC= β・IB
Donde β es una constante que depende de cada transistor llamado ganancia que puede valer
entre 50 y 300 (algunos transistores llegan a 1000). La ganancia de un transistor nos habla de
la capacidad que tiene para amplificar la corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un
transistor, más puede amplificar la corriente.
Se concluye que la corriente por el colector de un transistor bipolar es proporcional a la
corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base, mayor corriente en el colector.
Según estas dos expresiones el transistor bipolar puede tener tres estados distintos de
funcionamiento:

a) Corte: En este caso la corriente de base es nula (o casi), es decir, IB = 0, por lo tanto,
IC= β・IB= β・0 = 0 → IC= 0 En este caso, el transistor no conduce en absoluto. No está
funcionando. Se dice que el transistor se comporta como un interruptor abierto.

b) Activa: En este caso el transistor conduce parcialmente siguiendo la segunda expresión

(IC= β・IB). La corriente del colector es directamente proporcional a la corriente de la base.
Ejemplo: Si β = 100, la corriente del colector es 100 veces la corriente de la base. Por eso se
dice que el transistor amplifica la corriente.

c) Saturación: En este caso, el transistor conduce totalmente y se comporta como un

interruptor cerrado. Este estado se alcanza cuando la corriente por la base (IB) alcanza un valor
alto. En este caso la expresión (IC= β・IB) ya no tiene sentido pues, por mucho que aumente el
valor de la corriente de base (IB), no aumenta el valor de la corriente de colector.

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

 Región activa en cuanto a la polaridad: Cuando un transistor no está ni en su región de

saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región
activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente), y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo
que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.
 Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo
activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo,
las regiones del colector y emisor intercambian roles.
 Región de corte: Un transistor está en corte cuando la corriente del colector=corriente
del emisor=0. En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentación del circuito. De forma simplificada, se puede decir que el la
unión CE se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es
cero.
 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente del colector ≈
corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx). En este caso la magnitud de la
corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Cuando el transistor está en
saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib no se cumple. De forma
simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un cortocircuito, ya
que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.
Como se puede ver, la región activa es útil para la electrónica analógica (especialmente útil
para amplificación de señal) y las regiones de corte y saturación, para la electrónica digital,
representando el estado lógico alto y bajo, respectivamente.

Efecto Early
Una vez polarizado el transistor en su zona de funcionamiento se pueden producir variaciones
no deseadas de las corrientes en el mismo debidas a variaciones en la tensión colector-base.
Estas variaciones de corriente están producidas por la modulación de la anchura de la base,
este hecho es conocido como el Efecto Early. En un transistor bipolar, un incremento en la
tensión colector-base lleva asociado un incremento en la anchura de la zona de carga espacial
de dicha unión. Este aumento provoca una disminución de la anchura efectiva de la base.
Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para la
recombinación en base.

Aplicaciones

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)
Proyecto: Sensor detector de humedad casero

Materiales Costo
Protoboard S/ 7.00
2 transistores 2N2222A S/ 3.00
4 resistencias de 1k ohm S/ 3.00
1 diodo led S/ 1.00
3 cables pequeños S/ 2.00
2 cables largos S/ 2.50
1 batería de 9 voltios S/ 4.50
Total S/ 23.00

Recomendaciones:
 Verificar que todos los conectores estén en buen estado.
 Tener en cuenta las especificaciones del transistor que se está utilizando, para un buen
desempeño en las experiencias, y además tener en cuenta la correcta polarización.
 Tomar los valores reales de todos los dispositivos o elementos para tener en cuenta las
variaciones que se puedan presentar frente a una posterior simulación con valores ideales.

Conclusiones
 La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).
 De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada patilla, bien
sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.
 Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada de la
ganancia del transistor en términos relativos.

Cuestionario

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un bipolar.

 Saturación: El transistor permite el paso de corriente desde el colector al emisor. De
todas formas esta corriente no puede ser demasiado elevada, ya que la propia
corriente calienta al transistor por efecto Joule y si se calienta excesivamente, puede
estropearse de forma permanente. Para un transistor de silicio que se encuentra en
saturación la tensión entre la base y el emisor es de 0,7 V y entre la base y el colector
de unos 0,5 V, de donde se deduce que la tensión entre el colector y el emisor será de
unos 0,2 V.
 Corte: En este estado el transistor no permite el paso de corriente entre el colector y el
emisor, se comporta como si fuera un interruptor abierto. Para un transistor de silicio
que se encuentra en corte las corrientes de emisor y de colector son nulas y las
tensiones entre la base y el emisor y entre la base y el colector son ambas menores de
0,7 V.
 Amplificación: Cuando un transistor se encuentra en este estado de funcionamiento,
permite amplificar la potencia de una señal.
 2. Obtener los datos de los transistores bipolares: 2N3906 y BF494B. (AC128 y AC126),
(BD138, TR50 Y TR85).

Transistor 2N3906
 Transistor Bipolar (BJT) PNP
 Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general con
corrientes de colector de 10 μA a 100 mA
 IC: 200 mA
 PD: 625 mW
 VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
 hFE: 100 a 300 (@ IC 10 mA y VCE 1 V), 30 min. (@ IC 100 mA y VCE 1 V)
 fT: 250 MHz min.

 VCE(sat): 0.4 V max. (@ IC 50 mA)

 Encapsulado: TO-92

Transistor BF494B

 Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

 Tensión colector-base (Vcb): 30 V
 Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
 Tensión emisor-base (Veb): 5 V
 Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
 Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
 Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 260 MHz
 Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
 Ganancia de corriente contínua (hfe): 220
 Empaquetado / Estuche: TO92

AC126 .

Principales características

 Número de Parte: AC126

 Material: Ge
 Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

 Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5

  Dispositivos Electrónicos
 Tensión colector-base (Ucb): 32
 Tensión colector-emisor (Uce): 12
 Tensión emisor-base (Ueb): 10
 Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1
 Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 90

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1

 Capacitancia de salida (Cc), pF: 40
 Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

AC128

 DC Máxima del Colector1 A

 Dispositivos Electrónicos
 Tensión Máxima Colector-Emisor32 V
 Tipo de EncapsuladoTO-1
 Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
 Disipación de Potencia Máxima0,7 W
 Configuración Único Frecuencia Máxima de Funcionamiento1,5 MHz
 Conteo de Pines3
 Número de Elementos por Chip1 AC128 .
 Características
 Número de Parte: AC128
 Material: Ge
 Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

 Disipación total del dispositivo (Pc): 1

 Tensión colector-base (Ucb): 32
 Tensión colector-emisor (Uce): 16
 Tensión emisor-base (Ueb): 10
 Corriente del colector DC máxima (Ic): 1
 Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 100

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1

 Dispositivos Electrónicos
 Capacitancia de salida (Cc), pF: 200
 Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
 Empaquetado / Estuche: TO1
Bibliografía
El transistor. (10 de Octubre de 2010). Obtenido de
http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/el%20transistor.pdf

Electrónica urg. (s.f.). Electrónica urg. Obtenido de Transistor de unión bipolar:

http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm

Mr.Mandi. (s.f.). Proyectos de electrónica. Obtenido de Sensor detector de humedad casero:

http://proyectosdeelectronicaz.blogspot.com/2016/08/sensor-detector-de-humedad-
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Transistores. (16 de Abril de 2008). Obtenido de

https://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/transistores.pdf

turmero, P. (s.f.). Monografias. Obtenido de Transistores y aplicaciones:

https://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-y-
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Wikilibros. (s.f.). Wikilibros. Obtenido de Transistor bipolar de potencia:

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/Transistor_Bipolar_de_
Potencia/Estructura_y_principio_de_funcionamiento