Práctica 7: El transistor JFET, principio de

funcionamiento.
José L. Medina

Abstract — En la presente práctica se busca observar el D. Sánchez, Universidad de Cuenca en Laboratorio de máquinas eléctricas.
funcionamiento del transistor JFET canal n, el cual como se verá más Laboratorio Electrónica Analógica (alejandro.sanchez@ucuenca.ec).
adelante es controlado por voltaje, para lograr los objetivos, se coloca el
transistor en tres tipos de polarizaciones, y basándose en un punto de carga
arbitrario, se trata de obtener este punto en las configuraciones indicadas a
continuación que son: polarización fija, autopolarizacion, y polarización por Calcular y comprobar el punto de operación del JFET.
divisor de voltaje. Se tomará medidas del punto de carga para luego Manejar apropiadamente las hojas de especificaciones de un
compararlas con el preestablecido, claro está inicialmente se requiere medir transistor JFET.
magnitudes características del transistor como son: Idss y Vp, con
configuraciones específicas para este fin.
III. MATERIALES
Index Terms — transistor, JFET, polarización. - Fuente CC variable
- Multímetro
I. INTRODUCTION - Transistor JFET de canal N de propósito general:
(sugerencia:JFET 2N5457 ó JFET 451 ó JFET 2N5486 ó
Los transistores JFET tiene un comportamiento diferente en
similares)
comparación con los BJT, su principal diferencia radica en que
- Resistencias y potenciómetros en función de los cálculos
los BJT son dispositivos controlados por corriente, y que su
realizados
relación entre magnitud de entrada y salida respecto a las - Protoboard;
corrientes en lineal, en cambio para un transistor JFET, se - Cables de conexión
tiene una dependencia de voltaje en la entrada, y la relación - Hojas de Especificaciones del transistor JFET de canal N,
con magnitudes de salida es no lineal, que visto empleado.
matemáticamente de debe al termino cuadrado de la ecuación
de Scockely el relaciona dichas magnitudes en transistores IV. MARCO TEÓRICO
JFET específicos.
Se puede colocar el transistor en diferentes configuraciones A. Configuración de polarización fija.
con los cuales se puede polarizar y observar su Las presentes configuraciones están utilizando un transistor
comportamiento dentro del circuito, claro está que sus JFET de canal n.
características no se ven alteradas por la configuración en la Esta configuración se presenta en la siguente figura:
que se encuentren, lo que si se puede modificar es su punto de
funcionamiento ligeramente.
Una característica relevante en estos transistores es la
condición que se dede garantizar una corriente nula en el
terminal gate.

II. OBJETIVOS
A. Objetivos Generales
Analizar y comprobar el principio de operación y control
de un transistor JFET.
B. Objetivos Específicos
Determinar experimentalmente los valores característicos
IDSS y VP, de un transistor JFET, de canal N.
Comprobar y trazar la curva de transferencia para un JFET
de canal N.
Reconocer la variable de control de un JFET en
comparación con un transistor BJT.
L. Medina, Universidad de Cuenca en Laboratorio de máquinas eléctricas.
Laboratorio Electrónica Analógica (jose.medina@ucuenca.ec).
En la cual se puede obtener una malla entrada y salida,
tomando los terminales, gate-source para la malla de entrada y
drenaje-source para la malla de salida, aplicancion LTK en las
mallas correspondientes se llega a las ecuaciones que definen
esta polarización:
VGSQ = -VGG
VDS = VDD - I D RS
Como se puede observar en las ecuaciones obtenidas no
interviene la resistencia de gate, debido a que esta resistencia
en muy alta, por ende tanto la corriente como el voltaje que
por ella circulan es 0, y para el análisis se reemplaza por un
cable. V. DESARROLLO
B. Configuración de autopolarización. 1. Referirse a las hojas de especificaciones del
La red de polarización de cd contiene un resistor en el canal transistor JFET de canal N empleado y recopilar la
source, para mejorar la estabilidad del nivel en relación con la información acerca de los valores máximos de
de la configuración de polarización fija. operación del dispositivo.

Tabla I: Características del transistor medidas

IDSS 35.5mA
VP -3V
VDS 10V

2. Determinar experimentalmente los valores

IDSS y Vp, (Intensidad de saturación y voltaje
de estrechamiento), para el transistor JFET.
Siguiendo el procedimiento anterior, se divide en malla de Describa el procedimiento desarrollado para
entrada y salida, la diferencia con la polarización anterior es tal efecto, incluya esquema, mediciones y
únicamente la resistencia presente en source. De esto se cálculos que considere necesarios.
obtiene las siguientes ecuaciones: Cuando se tiene Vgs=0V, entonces se obtiene Idss, como se
muestra en la figura:
VGSQ = - I D RS
VDS = VDD - I D ( RS + RD )

C. Polarización por medio de divisor de voltaje.

Para realizar el análisis de esta polarización se recurre
equivalente de thevenin, de un circuito, es decir reemplazar el
circuito visto desde los terminales de R2 por un voltaje te
Thevenin y su respectiva resistencia: Fig. 1. Configuración para obtención de Idss.

Con este procedimiento se midió IDSS=35.5mA.

Mientras que para obtener Vp, se trata que la corriente ID
sea 0A:

Luego de reeemplzar por el equivalente se procede a sacar

una malla de entrada y salida, y aplicando LTK, se obtiene:

R2VDD Fig. 2. Configuración para obtención de Vp.

VG =
R1 + R2
Con este procedimiento se midió VP=-3V.
VGS = VG - I D RS
3. Empleando los valores IDSS y Vp, obtenidos en
VDS = VDD - I D ( RS + RD )
el punto anterior, grafique la curva de
transferencia del dispositivo (ID vs VGS).
Siendo Vg, el voltaje equivalente de Thevenin, la resistencia Emplee el método aproximado (de los tres
de thevenin al ser muy alta se toma las mismas puntos generales) y mediante la ecuación de
consideraciones anteriores y para el análisis, se reemplaza por Shockley.
un cable.
 Fig. 5. Circuito de polarización estabilizado en emisor

Fig. 3. Curva de transferencia para el transistor JFET de canal N.

VGSQ = -VGG
VP
VGG = = -1.5V
2
I
I DQ = DSS = 8.875mA
4
VDS = VDD - I D RD
Teniendo : VDS = 0.75VDD
I DSS RD
7.5 = 10 -
4
10
RD = = 281.69W
35.5mA
Fig. 4. Curva de transferencia para el transistor JFET.
TABLA II: Medición de punto de carga

VGSQ -1.5V
4. De acuerdo a la curva de transferencia obtenida en
el punto anterior, defina arbitrariamente un punto de IDQ 6.88mA
trabajo para el transistor: Q(VGSQ , IDQ) Diseñar,
calcular y armar un circuito de POLARIZACIÓN
FIJA para las condiciones de Q(V GSQ , IDQ)
,establecidas. Realizar mediciones del punto de
trabajo y comparar los valores con las condiciones
previamente definidas.
El punto de carga planteado es:

Q(Vp/2 , IDSS/4)= [-1.5V; 8.875mA]

Se utiliza la siguiente configuración cuyos valores de

resistencia y fuentes vienen dadas por:

Fig. 6. Circuito de polarización estabilizado en emisor (simulación)

Dado el punto de trabajo, las mediciones presentan un

porcentaje de error como se puede observar en la tabla, que en
este caso solo se presenta en la corriente, que varia 22%,
mientras que el voltaje se mide exactamente el planteado.
 Tabla III: Variacion entre datos medidos y planteados

Variable Medido Planteado Error

VGSQ -1.5V -1.5V 0%
IDQ 6.88mA 8.88mA 22.5%

5. De acuerdo a la curva de transferencia obtenida en

el punto 3, defina arbitrariamente un punto de
trabajo para el transistor: Q(VGSQ , IDQ) .Diseñar,
calcular y armar un circuito de
AUTOPOLARIZACIÓN para las condiciones de
Q(VGSQ , IDQ), establecidas. Realizar mediciones
del punto de trabajo y comparar los valores con las Fig. 8. Circuito de polarización DC por retroalimentación de
condiciones previamente definidas. voltaje(simulación)

El punto de carga planteado es:

Tabla V: Variacion entre datos medidos y planteados

Q(Vp/2 , IDss/4)= [-1.5V; 8.875mA] Variable Medido Planteado Error

VGSQ -1.46V -1.5V 2.7%
Se utiliza la siguiente configuración cuyos valores de
resistencia y fuentes vienen dadas por: IDQ 8.24mA 8.88mA 7.21%

Según la tabla y los valores de las demás configuraciones se

puede ver que el porcentaje de error en menor, en cuanto a la
corriente, mientras que el voltaje tiene un bajo error de
alrededor de 2%.

6. De acuerdo a la curva de transferencia obtenida en

Fig. 7. Circuito de polarización DC por retroalimentación de voltaje
el punto 3, defina arbitrariamente un punto de
trabajo para el transistor: Q(VGSQ , IDQ) .Diseñar,
calcular y armar un circuito de polarización por
DIVISOR DE VOLTAJE para las condiciones de
Q(VGSQ , IDQ), establecidas. Realizar mediciones
del punto de trabajo y comparar los valores con las
condiciones previamente definidas.
El punto de carga planteado es:

VGSQ + I D RS = 0 Q(Vp/2 , IDSS/4)= [-1.5V; 8.875mA]

VP I DSS RS
+ =0 Se utiliza la siguiente configuración cuyos valores de
2 4 resistencia y fuentes vienen dadas por:
-2VP
RS = = 169W
I DSS
VDD = RD I D + RS I D + VDS
Con : VDS = 0.75VDD
4 RS I DSS
RD = (2.5 - ) = 112.7W
I DSS 4
Tabla IV: Medición de punto de carga

VGSQ -1.46V
IDQ 8.24mA

Fig. 9. Circuito de polarización por división de voltaje.

 El error se mantiene mayor en la medida de corriente que de
De la malla de entrada y considerando voltaje, debido a las unidades en las que se maneja la
R1 = 2.3M W corriente.

R2 = 2 M W VI. CONCLUSION
Se obtiene:  En la práctica se pudo evidenciar el comportamiento
RV y funcionamiento de un transistor JFET canal N, este
VG = 2 DD
R1 + R2 dispoditivo es controlado por voltaje, y eso se
evidencia con la medición de su punto de carga.
VGS = VG - I D RS  Con las diferentes polarizaciones se llegó a un punto
VDS = VDD - I D ( RS + RD ) de trabajo similar al planteado inicialmente, la
configuración con la que se obtuvo mejores
RV 2M W *10V resultados fue con autopolarizacion.
VG = 2 DD = = 4.65V
R1 + R2 2 M W + 2.3M W  La medición de Idss y Vp es única para cada
transistor y no se repite a pesar que sean del mismo
VG = VGS + I D RS tipo y/o fabricante.
4  Mientras mayor se coloca la resistencia en el terminal
RS = (4.65V + 1.5V )* = 785.4W gate, mejora la aproximación de los valores, del
I DSS
punto de carga, ya que la corriente en ese terminal se
VDS = 0.25VDD acerca a 0, y en el caso práctico está en los
Tomando la malla de salida, y considerando
miliamperios.
VDS = VDD - I D ( RS + RD )
 Se pudo verificar que el voltaje VDS se encuentra
I R entre el 25% y 75% del voltaje V DD, es decir de la
10 = RD I D + 2.5 + DSS S fuente de alimentación, este porcentaje se tomó 75%
4
para las configuraciones excepto para el divisor de
4
RD = (7.5 - 8.875*785.4) = 59.72W voltaje en el que se requiere de 25% para evitar
35.5*10-3 resultados erróneos.

TABLA VI: Medición de punto de carga REFERENCIAS

VGSQ 1.38V [1] A. Malvino y D. Bates, “Semiconductores,” en Principios
IDQ 7.93mA de Electrónica, C. Sánchez, Mcgraw-
hill/Interamericana:España, 2007.
[2] R. Boylestad y L. Nashelsky, “Diodos semiconductores,”
en Electronica: Teoría de circuitos y electronica, Pearson
Educación:Mexico, 2009.
BIOGRAFIA

José L. Medina. Bachiller en Ciencias de la

Educacion, graduado en en Instituto tecnológico
“Daniel Alvarez Burneo” Loja. Estudiante de la
Universidad de Cuenca, facultad de Ingeniería,
carrera Ingeniería Eléctrica, actualmente curso 5to
ciclo.

Fig. 10. Circuito de polarización por división de voltaje (simulación).

Tabla VII: Variacion entre datos medidos y planteados

Variable Medido Planteado Error

VGSQ 1.38V -1.5V 8%
IDQ 7.93mA 8.88mA 10.7%