Questions of Last Week

Lecture with Concept

08.02.2019

[1 ]
[2 ]
[3 ]
[4 ]
[5 ]
[6 ]
[7 ]
[8 ]
[9 ]
1.

A…………… is a vacancy in the outer shell. It can attract and capture a nearby
electron. This merging is called.
एक …………… बाहरी आवरण में एक ररक्ति है । यह एक पास के इलेक्ट्रॉन को आकर्षित और कैप्चर
कर सकता है । इस र्वलय को कहा जाता है ।

a) Ion, excess hole

b) Electron, depletion
c) Hole, recombination
d) Ion, doping

2.

In a semiconductor

एक अधधचालक में

a)Free electrons and holes are generated in pairs due to thermal energy.
a) तापीय ऊजाि के कारण मुि इलेक्ट्रॉनोों और र्िद्ोों को जोडे में उत्पन्न र्कया जाता है ।

b)The number of holes or electrons generated depends on the rate of heating.

बी) उत्पन्न छिद्र या इलेक्ट्रॉनोों की सोंख्या हीर् ों ग की दर पर र्नभि र करती है ।

c) Holes generated due to thermal energy are more than the number of
electrons.
c) थमिल ऊजाि के कारण उत्पन्न र्िद् इलेक्ट्रॉनोों की सोंख्या से अर्धक हैं ।

[10 ]
d)Free electrons generated due to thermal energy are always more in number
as compared to holes.
) थमिल ऊजाि के कारण उत्पन्न मुि इलेक्ट्रॉन हमेशा र्िद्ोों की तुलना में अर्धक सोंख्या में होते हैं ।

3.

The diffusion of charge carriers in a semiconductor is due to

अधधचालक में आवे श वाहक ों का प्रसार छकसके कारण ह ता है

a) Barrier potential a) बैररयर की क्षमता

b) Attraction ख) आकर्धण
c) Repulsion ग) प्रछतकर्ध ण
d) None of the above reasons. d) उपर क्त कारण ों में से क ई नही ों।

4.

Resistivity is a property of a semiconductor that depends on

प्रछतर धकता एक अधधचालक की एक गुण है ज छनभधर करती है

a) The atomic nature of the semiconductor

a) अधधचालक की परमाणु प्रकृछत
b) The atomic number of the semiconductor
b) अधधचालक की परमाणु सोंख्या
c) The atomic weight of the semiconductor
c) अधधचालक का परमाणु भार
d) The material of the semiconductor
d) अधधचालक की सामग्री

[11 ]
5.

Which statement regarding P – type semiconductor is incorrect ?

P - प्रकार अधधचालक के सोंबोंध में कौन सा कथन गलत है?

a) Fermi level lies near but a little above valence band

क) फमी स्तर सोंय जी बैंड के नज़दीक लेछकन थ ड़ा ऊपर रहता है

b) It has more holes than electrons
b) इसमें इलेक्ट्रॉन ों की तुलना में अछधक छिद्र ह ते हैं
c) It is obtained by doping pure semiconductor material with trivalent atoms
ग) यह छिसोंय जी परमाणु के साथ ड छपों ग शुद्ध अधधचालक सामग्री द्वारा प्राप्त छकया जाता है
d) It develops excess positive charge due to the addition of acceptor atoms.
डी) यह स्वीकारकताध परमाणुओों के addition ह ने के कारण अछतररक्त धनात्मक चाजध छवकछसत
करता है ।

6.

Which of the following doping will produce P – type semiconductor ?

छनम्नछलखखत में से कौन सा ड छपोंग P- प्रकार के अधधचालक का उत्पन्न करे गा

a) Germanium with antimony

b) Germanium with phosphorous
c) Germanium with indium
d) Silicon with indium

[12 ]
7.

Which of the following elements belongs to the same group of periodic table as
that of Germanium and Silicon ?

छनम्नछलखखत में से कौन सा तत्व जमेछनयम और छसछलकॉन के समान आवतध सारणी के एक ही समूह
से सों बोंछधत है?

a) Carbon
b) Gold
c) Copper
d) Sulphur

8.

The forbidden energy gap for silicon is

छसछलकॉन के छलए forbidden energy का अोंतर है

a) 0.16 eV
b) 1.12 eV
c) 0.82 eV
d) 9.2 eV

9.

Which of the following is not a semiconductor ?

छनम्नछलखखत में से कौन सा अधधचालक नही ों है ?

a) Silicon carbide
b) Selenium
c) Lead telluride
d) Tungsten carbide

[13 ]
10.

The resistivity of Ge semiconductor is

Ge अधधचालक की प्रछतर धकता है

a) 45 Ω cm
b) 150 kΩ cm
c) 180 kΩ cm
d) 200 kΩ cm

11.

A N – type semiconductor has

एक N प्रकार अधधचालक है

a) Electrons as minority carriers and holes as majority carriers.

क) अल्पसोंख्यक वाहक के रूप में इलेक्ट्रॉन और बहुसोंख्यक वाहक के रूप में छिद्र ।
b) Electrons as majority carriers and holes as minority carriers.
ख) बहुसों ख्यक वाहक के रूप में इलेक्ट्रॉन और अल्पसोंख्यक वाहक के रूप में छिद्र ।
c) Only electrons as carriers
ग) केवल वाहक के रूप में इलेक्ट्रॉन
d) Only holes as carriers
d) केवल वाहक के रूप में छिद्र करता है

12.The neighbouring atoms in the crystalline lattice structure of a

semiconductor like germanium form ………… bonds.

[14 ]
 छिस्टलीय जाली सोंरचना में जमेछनयम जै से अदद ध चालक पड़ सी परमाणुओों से ………… बाों ड बनाते
हैं

a) Metallic
b) Ionic
c) Covalent
d) Molecular

13.

Intrinsic semiconductors are those which

शुद्ध अधधचालक वे हैं ज

a) Have zero energy gap

b) Are made of the semiconductor material in its purest form
c) Are available locally
d) Have more electrons than holes.

14.

Which of the following statements is not, valid in case of a hole ?

र्नम्नर्लक्तित में से कौन सा कथन र्िद् के मामले में मान्य नही ों है?

a) Holes exist in silicon as well as germanium

र्िद् र्सर्लकॉन के साथ-साथ जमेर्नयम में भी मौजूद हैं
b) Holes may constitute an electric current
बी) र्िद् एक र्वद् यु त प्रवाह का गठन कर सकते हैं

c) Holes can exist in any material including conductors

र्िद् कोंडक्ट्र सर्हत र्कसी भी सामग्री में मौजूद हो सकते हैं

[15 ]
d) Holes can be considered as a net positive charge.
d) र्िद् को शु द्ध धनात्मक आवेश माना जा सकता है ।

15.

A semiconductor is made up of
एक अधधचालक छकससे बना है

a) N – type material only

b) P – type material only
c) Both P – type and N – type materials
d) a P – type material sandwiched between two N – type layers.

16.

If number of electrons available in conduction band are zero then the

resistance is
यछद चालन बैंड में उपलब्ध इलेक्ट्रॉन ों की सोंख्या शून्य है त प्रछतर ध है

a) Low
b) Infinity
c) Zero
d) High

17.

Ions are
आयन हैं

a) Molecules with excess or deficient electrons

a) अछधक या कमी वाले इलेक्ट्रॉन ों के साथ अणु
b) Same as holes
बी) छिद्र के रूप में भी

[16 ]
c) Atoms with excess or deficient electrons
ग) अछधक या कमी वाले इलेक्ट्रॉन ों के साथ परमाणु
d) Same as electrons
d) इलेक्ट्रॉन ों के समान

18.

Addition of impurity in the ratio of 1 in 10 8 to a pure or intrinsic semiconductor

शुद्ध या शुद्ध अधिचालक में 1 से 108 के अनुपात में अशुद्धता का जोड

a) Increase its resistivity nearly 100 times
a) इसकी प्रर्तरोधकता को लगभग 100 गुना बढा दे ता है

b) Increase its conductivity nearly 108 times

b) इसकी चालकता को लगभग 108 गुना बढा दे ता है

c)Increase its conductivity nearly 100 times

ग) इसकी चालकता को लगभग 100 गुना बढा दे ता है

d)Decrease its conductivity nearly 100 times

d) इसकी चालकता में लगभग 100 गुना की कमी कर दे ता है

19.

The time difference between generation to recombination of charge carriers

is known as
आवे श वाहक ों के उत्पन्न और recombination के समय के अोंतरद क कहते हैं
a) Charge constant
b) Time constant
c) Rise time
d) Life time

[17 ]
20.

Regarding valence band in a solid which statement in incorrect ?

ठ स के valence band के सम्बन्ध में कौन सा कथन गलत है

a)It is the highest occupied band

a) यह सबसे अर्धक भरा हुआ बैंड है
b)It represents the energy possessed by the valence electrons
बी) यह वै लेंस इलेक्ट्रॉनोों के पास मौजूद ऊजाि का प्रर्तर्नर्धत्व करता है
c)It may be empty in some solids
c) यह कुि ठोस पदाथों में िाली हो सकता है
d)It is either completely filled or partially filled
d) यह या तो पूरी तरह से भरा हुआ है या आों र्शक रूप से भरा हुआ है

21.

Diamond is not used as a semiconductor material because

हीरे का उपयोग अधिचालक सामग्री के रूप में नही ों र्कया जाता है क्ोोंर्क
a) Of its high melting point
b) Of its high cost
c) Both (a) and (b)
d) None of the above

22.

Which devices are preferred for higher temperature applications ?

उच्च तापमान अनु प्रय ग ों के छलए कौन से उपकरण पसोंद छकए जाते हैं ?

[18 ]
a) Silicon devices
b) Germanium devices
c) Diamond devices
d) All are equally good

23.

Number of electron hole pair generation increase with

electron hole pair की उतपछि की सोंख्याों बढ़ जाती है इनमे से छकसके साथ

a) Decrease of temperature
b) Increase of temperature
c) Both (a) and (b)
d) None of the above

24.

Semiconductors are widely used in

अधधचालक का व्यापक रूप से उपय ग छकया जाता है

a) Diodes
b) Photocells
c) thermisters
d) All of the above

25.

Germanium is
Germanium है
a) Transitional solid

[19 ]
b) Liquid crystal
c) Crystalline
d) Amorphous solid

26.

In an intrinsic semiconductor
एक शुद्ध अधधचालक में

a)There are no electrons in the material

सामग्री में कोई इलेक्ट्रॉन नही ों हैं
b)The number of holes are less
र्िद्ोों की सों ख्या कम होती है
c)Electrons in the material are neutralized by holes
सामग्री में इलेक्ट्रॉनोों को र्िद् द्वारा बेअसर र्कया जाता है
d)There are no holes in the material
सामग्री में कोई र्िद् नही ों हैं

27.

Drift current is influenced by

Drift current छकससे से प्रभार्वत होता है

a) Magnitude of voltage
b) Concentration gradient of carriers
c) Concentration of carriers
d) None of the above

28.

Semiconductors-

[20 ]
a)Can be used as photo – conductors
फो ो - कोंडक्ट्र के रूप में इस्तेमाल र्कया जा सकता है
b)Find applications in strain gauges
तनाव गेज में अनु प्रयोगोों का पता लगा सकता है
c) Can be used as thermistors
थर्मिस्टसि के रूप में इस्तेमाल र्कया जा सकता है
d) All of the above
उपरोि सभी

29.

The diffusion current is

diffusion current पै दा ह ता है
a)Only due to electrons
b)Only due to holes

c)Due to both holes and electrons

d)Either by holes or by electrons

30.

Holes are available in

छिद्र इनमे से छकसमे उपलब्ध है

a) Valence band
b) Forbidden gap
c) Conduction band
d) None of the above

31
A sample of N-type semiconductor has electron density of 6.25 *10 18 /cm3 at
300 K. If the intrinsic carrier concentration is 2.25 *10 13 /cm3. Find the hole

[21 ]
concentration.
N-टाइप से मीकोंडक्ट्र के एक नमूने में 300 K पर 6.25 * 1018 / सेमी 3 की इलेक्ट्रॉन घनत्व है ।
यछद शुद्ध वाहक concentration 2.25 * 1013 / सेमी 3 है । छिद्र concentration का पता
लगाएों ।
a)106
b)107
c)109
d)108

32
The carrier mobility in the semiconductor is 0.4 cm 2/v.sec diffusion at 300 K
will be-
सेमीकोंडक्ट्र में वाहक गर्तशीलता 0.4 cm2/v.sec है । 300 K पर र्वसरण होगा-
a) 0.124 m2/sec
b)0.214 m2/sec
c) 0.104 m2/sec
d)0.0104 m2/sec

33. The intrinsic carrier concentration at 300K is 1.5 *1016 /cm3. If after the doping the
number of majority carrier is 5* 1020 /m3. The minority carrier density is-
300K पर शुद्ध वाहक concentration 1.5 * 1016 / cm3 है । यछद ड छपोंग के बाद बहुसोंख्यक आवे श
वाहक की सों ख्या 5 * 1020 / m3 है । अल्पसोंख्यक वाहक घनत्व है-
a) 4.5*1011
b) 4.5*1012
c) 4.5*1013
d) 4.5*1014

34. As the Fermi energy of silver is 8.8* 10-19 J. the velocity of the fastest electron in silver
at 0K is-

जैसा छक चाों दी की फमी ऊजाध 8.8 * 10-19 है । 0K पर चाों दी में सबसे ते ज इलेक्ट्रॉन का वेग है -
a) 1.39* 106
b) 1.39* 109

[22 ]
c) 1.39* 1011
d) 1.39* 108

35.The diffusion constant for hole in Si is 13 cm2/sec. what is the diffusion

current if the gradient of the hole concentration dP/dx= -2*1014 holes/cm3/cm
Si में छिद्र के छलए छवसरण खथथराों क 13 cm2/sec है । यछद छिद्र की cocentration ग्रेछडएों ट dP
/ dx = -2*1014 holes/cm3/cm है त छवसरण धारा ह गी-
a)-0.416mA
b) +0.416 mA
c)- 3.25 mA
d)None

36. A pure semiconductor (Ge) is doped with donar impurities to strenghth of

1:107 . calculate
a)donar concentration
b)electron and hole concentration
c) resitivity and conductivity
d)how many times the conductivity is increase in the semiconductor due to
doping

[23 ]
[24 ]