UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA, ELECTRICA Y DE

TELECOMUNICACIONES

Nombres y apellidos Código

Arroyo Uribe Jhilmar 18190189

Curso Tema

Laboratorio de dispositivos
Transistor PNP AC128
electrónicos

Informe Fechas Nota

Previo Realización Entrega

Numero
09 de junio 13 de junio
07

Horario Profesor
Jueves de 2:00 a 4:00 pm Ing. Luis Paretto Quispe
 1. ESPECIFICACIONES

CODIGO DE ESTRUCTURA Y TIPO DE MAXIMA LIMITE DE

TRANSISTOR MATERIAL ENCAPSULADO CORRIENTE VOLTAJE
CONTINUA COLECTOR
DE EMISOR
COLECTOR
AC 128 PNP Ge T01 1 32
LIMITE DE LIMITE DE HFE (β) MAXIMA FRECUENCIA
VOLTAJE VOLTAJE DISIPACION DE CORTE
COLECTOR EMISOR BASE DE POTENCIA
BASE CONTINUA
DE
COLECTOR
32 10 90 1.4 1.5

2. PUNTO DE OPERACIÓN

Se tiene el siguiente circuito:

Para la tabla 2 se tienen los siguientes valores:

R1= 56 KΩ
R2=22 KΩ
RC= 1 KΩ
RE= 220 Ω
P= 0 Ω
Circuito Equivalente Thevenin

𝑅2 𝑉𝐶𝐶 𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2

22000 ∗ 12 56 𝐾 ∗ 22𝐾
𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
56000 + 22000 56𝐾 + 22𝐾

𝑉𝑇𝐻 = 3.384 𝑅𝑇𝐻 = 15.794 𝐾Ω

 𝐼
𝛽 = 𝐼𝐶 𝐼𝐶 = 90 𝐼𝐵
𝐵

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐸∗ 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐵 + 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵

𝑉𝐸𝐵 = −𝑉𝐵𝐸 = −0.2

3.384 = (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) ∗ 200 − 0.2 + 15794𝐼𝐵

3.384 = 91 𝐼𝐵 ∗ 220 − 0.2 + 15794𝐼𝐵

𝐼𝐵 = 78.2 µ𝐴
𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 = 7.03 𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 + 12 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
7.03 𝑚𝐴 =
1330

𝐼𝐸 = 7.09 𝑚𝐴
9.336 − 12 = 𝑉𝐶𝐸
Vcemáx = Vcc=-12v
𝑉𝐶𝐸 = −2.66 𝑉 −Vcc 12v
Ic max=R =330Ω+1kΩ= 9.023mA
c +Re

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸
𝑉𝐸 = 7.09 ∗ 10−3 ∗ 330 𝑄1 = (−2.66 𝑉; 7.09 𝑚𝐴)
𝑉𝐸 = 2.34 𝑉
 TABLA 2

Valores 𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) β 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)

𝑹𝟏 = 𝟓𝟔 𝑲

TEORICO 7.03 78 90 -2.66 -0.2 2.34

𝑸𝟏

Para la tabla 3 se tienen los siguientes valores:

R1= 68k
R2=22k
Rc= 1k
Re= 330
P=0
Circuito Equivalente Thevenin
 𝑅2 𝑉𝐶𝐶 𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2

22000 ∗ 12 68 𝐾 ∗ 22𝐾
𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
68000 + 22000 68𝐾 + 22𝐾

𝑉𝑇𝐻 = 2.933 𝑅𝑇𝐻 = 16.622 𝐾Ω

𝐼
𝛽 = 𝐼𝐶 𝐼𝐶 = 90 𝐼𝐵
𝐵

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐸∗ 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐵 + 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵

𝑉𝐸𝐵 = −𝑉𝐵𝐸 = −0.2

2.933 = (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) ∗ 220 − 0.2 + 16622𝐼𝐵

3.384 = 91 𝐼𝐵 ∗ 330 − 0.2 + 15794𝐼𝐵

𝐼𝐵 = 67.15 µ𝐴

𝐼𝐶 = 6.04 𝑚𝐴

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

𝐼𝐸 = 6.1 𝑚𝐴
 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 + 12
6.04 𝑚𝐴 =
1330

8.03 − 12 = 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸 = −3.96 𝑉 Vcemáx = Vcc=-12v

−Vcc 12v
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗𝑉𝑅𝐸 Ic max=R =330Ω+1kΩ= 9.023mA
c +Re

𝑉𝐸 = 6.1 ∗ 10−3 ∗ 330

𝑉𝐸 = 2.013 𝑉
𝑄2 = (−3.96 𝑉; 6.04 𝑚𝐴)

TABLA 3

Valores 𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) β 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)

𝑹𝟏 = 𝟔𝟖 𝑲

TEORICO 6.04 67.15 90 -3.96 -0.2 2.013

𝑸𝟐

PARA LA TABLA 5 SE TIENEN LAS SIGUIENTES VARIACIONES EN P:

 P=100K

𝑅2 𝑉𝐶𝐶 𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2

22000 ∗ 12 156 𝐾 ∗ 22𝐾

𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
156000 + 22000 156 𝐾 + 22𝐾

𝑉𝑇𝐻 = 1.483 𝑉 𝑅𝑇𝐻 = 19.28 𝐾Ω

 𝐼
𝛽 = 𝐼𝐶 𝐼𝐶 = 90 𝐼𝐵 𝐼𝐵 = 34.13µ𝐴
𝐵

𝐼𝐶 = 3.07 𝑚𝐴

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐸𝐵 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝐼𝐸 = 3.1 𝑚𝐴
𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐸∗ 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐵 + 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵

𝑉𝐸𝐵 = −𝑉𝐵𝐸 = −0.2

1.483 = (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) ∗ 330 − 0.2 + 19280𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐶

𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 + 12
3.07𝑚𝐴 =
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 1330

𝑉𝐸 = 3.1 ∗ 10−3 ∗ 330

4.08 − 12 = 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐸 = 1.02 𝑉
𝑉𝐶𝐸 = −7.91 𝑉

 P=250K

𝑅2 𝑉𝐶𝐶 𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2

22000 ∗ 12 306 𝐾 ∗ 22𝐾

𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
306000 + 22000 306 𝐾 + 22𝐾

𝑉𝑇𝐻 = 0.804 𝑉 𝑅𝑇𝐻 = 20.524 𝐾Ω

 𝐼𝐶
𝛽= 𝐼𝐶 = 90 𝐼𝐵 𝐼𝐵 = 19.85 µ𝐴
𝐼𝐵

𝐼𝐶 = 1.78 𝑚𝐴
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐸∗ 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐵 + 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 𝐼𝐸 = 1.79 𝑚𝐴

𝑉𝐸𝐵 = −𝑉𝐵𝐸 = −0.2

0.804 = (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) ∗ 330 − 0.2 + 20524𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐶

𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 + 12
1.78𝑚𝐴 =
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 1330

𝑉𝐸 = 1.79 ∗ 10−3 ∗ 330

2.36 − 12 = 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐸 = 0.59 𝑉
𝑉𝐶𝐸 = −9.63 𝑉

 P=500K

𝑅2 𝑉𝐶𝐶 𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2

22000 ∗ 12 556 𝐾 ∗ 22𝐾

𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
556000 + 22000 556 𝐾 + 22𝐾

𝑉𝑇𝐻 = 0.456 𝑉 𝑅𝑇𝐻 = 21.162 𝐾Ω

 𝐼
𝛽 = 𝐼𝐶 𝐼𝐶 = 90 𝐼𝐵
𝐵

𝐼𝐵 = 12.81µ𝐴

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐸𝐵 𝐼𝐶 = 1.15 𝑚𝐴

𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐸∗ 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐵 + 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵
𝐼𝐸 = 1.16 𝑚𝐴
𝑉𝐸𝐵 = −𝑉𝐵𝐸 = −0.2

0.456 = (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) ∗ 330 − 0.2 + 21162𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 𝑉𝐶𝐸 + 12
1.15 𝑚𝐴 =
𝑉𝐸 = 1.16 ∗ 10−3 ∗ 330 1330
𝑉𝐸 = 0.38 𝑉
1.529 − 12 = 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸 = −10.47 𝑉

 P=1M

𝑅2 𝑉𝐶𝐶 𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2

22000 ∗ 12 1056 𝐾 ∗ 22𝐾

𝑉𝑇𝐻= 𝑅𝑇𝐻 =
1056000 + 22000 1056 𝐾 + 22𝐾

𝑉𝑇𝐻 = 0.244 𝑉 𝑅𝑇𝐻 = 21.55 𝐾Ω

 𝐼
𝛽 = 𝐼𝐶 𝐼𝐶 = 90 𝐼𝐵
𝐵 𝐼𝐵 = 8.6 µ𝐴

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐸𝐵 𝐼𝐶 = 0.77 𝑚𝐴

𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐸∗ 𝑅𝐸 + 𝑉𝐸𝐵 + 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵
𝐼𝐸 = 0.78𝑚𝐴
𝑉𝐸𝐵 = −𝑉𝐵𝐸 = −0.2

𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐶
0.244 = (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) ∗ 330 − 0.2 + 21550𝐼𝐵 𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 + 12
0.77𝑚𝐴 =
1330
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸
𝑉𝐸 = 0.78 ∗ 10−3 ∗ 330 1.02 − 12 = 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐸 = 0.258 𝑉
𝑉𝐶𝐸 = −10.98 𝑉

TABLA 5
𝑷𝟏 𝟏𝟎𝟎 𝑲Ω (𝑸𝟑 ) 𝟐𝟓𝟎 𝑲Ω (𝑸𝟒 ) 𝟓𝟎𝟎 𝑲Ω (𝑸𝟓 ) 𝟏 𝑴Ω (𝑸𝟔 )
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 3.07 1.78 1.15 0.77
𝑰𝑩 (µ𝑨) 34.13 19.85 12.81 8.6
𝑽𝑪𝑬 (𝑽) -7.91 -9.63 -10.47 -10.98

PUNTOS DE OPERACION:

Vcemáx = Vcc=-12v
 −Vcc 12v
Ic max= R +R = = 9.023mA
c e 330Ω+1kΩ

𝑄3 = (−7.91 𝑉 ; 3.07 𝑚𝐴)

𝑄4 = (−9.63 𝑉 ; 1.78 𝑚𝐴)

𝑄5 = ( −10.47 𝑉; 1.15 𝑚𝐴)

𝑄6 = (−10.98 𝑉 ; 0.77 𝑚𝐴)