CHƯƠNG IV: MẠCH XÉN, KẸP, SO SÁNH

Trong chương này ta khảo sát mạch xử lý hiệu analog như mạch xén, mạch kẹp và so sánh..
4.1: Mạch xén (clipper):
Mạch xén còn gọi là mạch hạn biên (limiter) cho qua tín hiệu có biên độ nằm trên, dưới hoặc giữa
hai mức giới hạn nào đó gọi là điện áp tham chiếu Vref.
Mạch xén thường sử dụng diode hoặc transistor kết hợp với vài điện trở và nguồn tham chiếu.
4.1.1: Mạch xén trên diode
R V0
Vi
+ + V0
D VR
Vi VR
V0
+
- VR - 0
- VR Vi
0 t
a) Mạch điện b) Dạng sóng c) Đặc tuyến truyền đạt

Hình 4.1: Mạch xén trên diode

Xem mạch xén trên sử dụng diode như hình (4.1a). Để đơn giản ta giả sử diode lý tưởng, nghĩa là
R f  0,V  0 và Rr  
 Khi i  V R : D off, D xem như hở mạch, o  i
 Khi i  VR : D on, D xem như ngắn mạch, o  VR
Biên độ cao nhất ngõ ra là VR . Ta nói mạch bị xén trên ở mức VR .
Hình (4.1b) là dạng sóng ngõ vào/ ra với tín hiệu sin và hình (4.1c) là đặc tuyến truyền đạt. Khi
i  VR , đặc tuyến là đường thẳng độ dốc bằng 1 và khi i  VR : đặc tuyến bẻ ngang song song với trục
hoành tại điểm VR .
V0
Rƒ
R+ Rƒ

VR+V γ
0
0 t
Vi
VR+Vγ

Vi
+ +
Vi
V0
+
R

t
Hình 4.3: Mạch xén trên diode nối tiếp

Hình 4.2 minh họa đặc tuyến và dạng sóng thực tế của mạch xén trên diode. Nếu kể đến V và VR
thì điểm gẫy của đặc tuyến hay điểm tại đó diode dẫn phải là VR  V . Khi diode dẫn phần biến thiên
Rf
tín hiệu ngõ ra o  i , nên đoạn đặc tuyến khi diode dẫn là đường thẳng có độ dốc
R  Rf

Giáo trình kỹ thuật xung

1
 Rf
. Do đó dạng sóng ngõ ra hơi bị cong một đoạn từ điểm VR  V (hình 4.2)
R  Rf
Hình 4.3 là mạch xén trên mắc diode nối tiếp với ngõ vào và ngõ ra
4.1.2: Mạch xén dưới diode:

Vi V0
+ + V0
Vi
V0
VR
+ VR
R

t 0 VR Vi
a) Mạch điện b) Dạng sóng c) Đặc tuyến truyền đạt

Hình 4.4: Mạch xén dưới diode

+ +
Xem hình 4.4a, diode quay ngược đầu so với hình 4.1a.
 Khi i  V R : D on xem như ngắn mạch , i  V R Vi
V0
 Khi i  VR : D off xem như hở mạch, o  i +
Hình 4.4 là mạch xén dưới diode nối tiếp ngõ vào và ngõ ra. R

4.1.3: Mạch xén 2 mức:

Hình 4.4: Mạch xén dưới diode nối tiếp
V0 V0
+ +
2
Vi
Vi
1
VR2
V0 VR2
+ + VR1
R1 R2
VR1
0 VR1 VR2 Vi
t
a) Mạch điện b) Dạng sóng c) Đặc tuyến truyền đạt

Hình 4.5: Mạch xén 2 mức diode

Kết hợp hai mạch xén trên và dưới, ta có mạch xén hai mức.
Cho VR1  V R 2
 i  V R1 : D1on, D2 off , D1 xem như ngắn mạch, o  VR1
 V R1  i  V R 2 : D1 & D2 off , D1 & D2 xem như hở mạch, o  i
 VR 2  i : D1off , D2 on, D2 xem như ngắn mạch, o  VR 2
V0
VZ
+ +
Z1 0
Vi -VZ
V0 VZ Vi
Z2

-VZ
a) Mạch điện b) Đặc tuyến truyền đạt
Hình 4.6: Mạch xén 2 mức zener

Giáo trình kỹ thuật xung

2
 Hình 4.6a là mạch xén hai mức sử dụng diode zener, ta xem như zener dẫn thuận tương tự như
diode chỉnh lưu lý tưởng ( R f  0,V  0), và khi zener dẫn nghịch điện áp trên zener là VZ .
 i  V Z : DZ dẫn thuận, DZ dẫn zener, o  V Z
1 2

  VZ  i  VZ : Dz1onDz2 off , o  i
 V Z  i : Dz1 dẫn zener, Dz 2 dẫn thuận, o  V Z
4.1.4: Mạch xén BJT:
 i  V : I B  0, I C  0 +
i  BE , o  Vcc
 V  i  VBES  RI BS : Q dẫn chủ động +
+
BE  i  RiB (4.1)
VT
Tổng trở vào BJT : hie  rbb '  h fe  1 (4.2)
IE
0  Avi a) Mạch điện i
 VBES  R IBS  i : Q dẫn bão hòa. V0
BE  VBES VBE
VBES
VT Vγ
Do h fe  0 nên hie giảm  hie  rbb ' 
IE 0
t
nên VBE sẽ bị xén ở mức V BES IB
V  VCES
Q sat: I CS  CC (4.3) ICS/ β
RC IBS
và o  VCES
Như vậy bản thân mạch BJT có hai mức xén là 0
Ic t
VCC và VCES ở ngõ ra cực C.
Ta khảo sát mạch xén 2 mức sử dụng hai BJT ICS
ghép cực E như hình 4.8a.
Ban đầu i đủ bé để Q1off ,Q2 được phân cực qua
nguồn VBB 2 đảm bảo dẫn chủ động,điện áp ngõ ra: 0
V0 t
o  VCC  I C2 RC .Khi i tăng đủ để Q1 dẫn chủ động, cả Vcc

Q2 cùng dẫn chủ động. Mạch sẽ khuếch đại tín hiệu và o

VCES
đồng pha với i .Tăng i cao hơn làm VE tăng cho đến 0
b)- Daïng soùn g t
khi Q 2 off , ngõ ra o  VCC .
HÌnh 4.7: Maïch xeùn BJT vaø daïng soùng
cc

V0 0,1VS

v 0 U= Vcc
C1 C2 C
+
BB 1 v S = RCIC2
BB2 Vo V0L=Vcc - RCIC2
+ 1 2
+ +
0,1VS
i 1 2
1
- 2
1 2 VIL VBB2 VIU Vi
e

VTln9 VTln9
EE
4,4ηV T

a) Mạch điện b) Đặc tuyến truyền đạt

Hình 4.8: Mach xén 2BJT ghép cực E
Ta có dòng qua cực E:
Giáo trình kỹ thuật xung
3
 VBB2  VEE  2
I  I1  I 2  (4.4)
Re
do  2  VBB2  VEE nên I  const
Mức xén cao oU  VCC khi Q 1 on, Q 2 off , I1  I và I 2  0 .
Mức xén dưới o L  VCC  I C2 RC (4.5)
ứng với Q1 off và Q2 on , I1  0 và I 2  I
 1
Lưu ý: I 2  I C2  I B2  I C 2 1  
 
 1
Do đó trong (4.5) I C2  I 1   với I có được từ (4.4)
 
Từ hình (4.8a): i  VBB2  1  2 (4.6)
Do dòng điện cực B biến thiên theo hàm mũ điện áp BE và từ vùng cắt chuyển sang dẫn không
đột biến mà diễn ra từ từ, ta quy ước mức xén cao i U tương ứng với I 2  0,1I và I 1  0,9 I , ngược lại
mức xén thấp i L tương ứng với I 2  0,9I và I1  0,1I . Từ tham khảo, ta có biểu thức điện áp tiếp giáp
BE:
 I   I IC 
VBE  VT ln 1  E  (4.7)
 I EO 
Bỏ qua dòng I B , I C   I E và số hạng thứ hai trong ngoặc rất lớn hơn 1:
 (1   I ) I E
VBE  VT ln (4.8)
I EO
Do 1  VBE nếu I1   I E và 2  V BE nếu I 2   I E , từ đó:
i  VBB2  VT ln
1   I I1  V ln (1   I ) I 2
T
I EO I EO
I
= VBB2  VT ln 1 (4.9)
I2
0,9 I
Do đó: iU  VBB2  VT ln  VBB2  VT ln 9 (4.10)
0,1I
0,1I
i L  VBB2  VT ln  VBB2  VT ln 9 (4.11)
0,9 I
Ở nhiệt độ phòng, V T  26mV và ln 9  2,2, i  57 mV đối với Ge và  114mV đối với Si, so
với điểm giữa V BB2 , làm ngõ ra chuyển mức xén.
Tổng quát: i  2VT ln 9  4,4VT (4.12)
Lưu ý: i phụ thuộc vào nhiệt độ (do VT ) và 2 BJT luôn luôn dẫn chủ động.
4.2: Mạch kẹp (clamper):
Mạch kẹp dùng để giữ mức biên độ tín hiệu vào ở mức hằng V R và phục hồi lại mức dc tín
hiệu vào.
4.2.1: Mạch kẹp diode:
Giả sử diode lý tưởng R f  0,V  0, Rr   .
Cho i  Vm sin t
Trong ¼ bán kỳ dương đầu i  0 làm D on, o =0.C nạp đến giá trị đỉnh  A  Vm ,cực tính như
hình (4.9a).
Sau ¼ bán kỳ dương i giảm ,giá trị tức thời nhỏ hơn Vm là điện áp trên C nên D off. Điện áp
ngõ ra : o  i  Vm .
Nói cách khác điện áp ngõ ra bị dịch đi mức dc là –Vm và mạch bị kẹp ở mức 0V. Mức dc điện
áp ngõ ra là - Vm tỉ lệ với biên độ vào i .

Giáo trình kỹ thuật xung

4
 Vi
VA Vm
+
+
0
+ t
Vi
V0
-Vm
V0
0
t
a) Mạch điện b)Dạng sóng
-Vm
Hình 4.9: Mạch kẹp diode và dạng sóng
-2Vm
Trường hợp ngõ vào i tăng biên độ, khi giá trị tức thời i   A làm D on do phân cực thuận, C
lại tiếp tục nạp đến giá trị đỉnh và mức dc ngõ ra vẫn thay đổi tỉ lệ với biên độ tín hiệu vào. Nhưng nếu
i giảm biên độ, D không bao giờ dẫn được và C không thể xả để tạo mức dc ngõ ra tỉ lệ với biên độ tín
hiệu vào.
Để dảm bảo mức dc ngõ ra luôn luôn tỉ lệ với biên độ tín hiệu vào, ta xem mạch kẹp hình 4.10a.
VA t1 t2
+ t
+ -V’m
+ -Vm
V0 -2V’m
Vi
=RC
-2Vm
a)Mạch kẹp có đường xả C qua R
b) Dạng sóng ngõ ra khi biên độ ngõ vào thay đổi

Hình 4.10: Mạch kẹp hoàn chỉnh

Khi biên độ ngõ vào giảm còn Vm '  Vm C sẽ xả qua R theo thời hằng   RC ,điện áp trên C sẽ
giảm từ Vm đến Vm ’, làm D on trở lại khi i đạt biên độ Vm ’.
Như vậy điện áp trên C hay mức dc ngõ ra luôn luôn tỉ lệ với biên độ tín hiệu vào i . Thời hằng
 được chọn đủ lớn so với chu kỳ tín hiệu để không thay đổi điện áp trên C khi tín hiệu vào ổn định.
Ta khảo sát ví dụ 4.1 với đáp ứng ngõ ra mạch kẹp với tín hiệu xung và kể đến ảnh hưởng của
nội trở nguồn và điện trở R f của diode
Vd 4.1: Cho mạch kẹp như hình 4.11,
S + +
RS  R f  100, R  10 K , C  1F . Ở t=0, áp vào một tín hiệu
+
chuỗi xung vuông biên độ 0->10V và tần số 5kHz. Vẽ dạng
VS Vi
V0
sóng một số chu kỳ đầu của ngõ ra.
Hình 4.12 minh họa mạch tương đương khi D on và D off.

 t  t1 :  S  V1 ; Don, C  C (t1 )
Rf
o (t ) 
R f  RS
 

V1  C (t1 ) e t t1  /1 ,
(4.13)
 1  ( R f  RS )C

 t  t 2 :  S  V2 ; Doff , C  C (t 2 )
R
o (t ) 
R  RS
 

V2  C (t 2 ) e t t2  / 2 , 2  ( R  RS )C (4.14)

Giáo trình kỹ thuật xung

5
 +
+V
A

VA
S
+ +
S

+ +
VS f VS
r
f
V0 V0

a) D on b) D off
Hình 4.12: Mạch tương đương hình 4.11,khi D on và D off

Trở lại ví dụ 4.11 :

 0  t  0,1ms : i  10V , C (0  )  0, Don,  1  ( R  RS )C  (100  100)  10 6  0,2ms
o (t )  5e  t / 0, 2 (t : ms)
o (0  )  5V
o (0,1 )  3V
C (0,1 )  10  3  2  4V
 0,1  t  0,2ms : i  0, C (0,1 )  4V , Doff , 2  ( R  RS )C  (10 4  100)10 6  10ms
T
 2  10ms   0,1ms nên xem như C không xả.
2
o  C (0,1 )  4V
C (0,2  )  4V
 0,2  t  0,3ms : i  10V , C (0,2  )  4V , Don,  0,1ms
o (t )  3e ( t 0, 2) / 0,1 (t: ms)
o (0,2  )  3V
o (0,3 )  1,8V
C  (0,3 )  10  1,8  2  6,4V
 0,3  t  0,4ms : i  0, C (0,3 )  6,4V , Doff , 2  10ms
o  C (0,3 )  6,4V
C (0,4  )  6,4V
 0,4  t  0,5ms : i  10V , C (0,4  )  6,4V , Don, 1  0,1ms
o (t )  1,8e  (t 0, 4) / 0,1 (t : ms )
o (0,4  )  1,8V
o (0,5  )  1,1V
C (0,5  )  7,8V
 0,5  t  0,6ms : i  0V , C (0,5 )  7,8V , Doff ,  2  10ms
o  C (0,5  )  7,8V
C  (0,6  )  7,8V
 0,6  t  0,7 ms : i  10V , C (0,5  )  7,8V , Don, 1  0,1ms
o  (t )  1,1e  ( t 0,6) / 0,1 (t : ms)
o (0,6  )  1,1V
o (0,7  )  0,40V
C (0,7  )  9,2V

Giáo trình kỹ thuật xung

6
 Vi,V0(V)

10

5
3
3
1,8
1,8
1,1 1,1

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 t(ms)

-4
-6,4
-7,8

Hình 4.13:Daïng soùng ngoõ ra VD 4.11

4..2.2: Dạng sóng xác lập ngõ ra mạch kẹp ứng với tín hiệu vào là xung vuông
Cho tín hiệu vào là xung vuông áp vào mạch kẹp hình 4.11,tìm các giá trị đỉnh dạng sóng ngõ ra
V1 ,V1 ' ,V2 ,V2 ' .
 t  0  ,  S  V ' ' , o  V2 ' , Doff V’
Vs
Điện áp trên C:
R  RS
 A (0  )  V ' ' V2 ' (4.15) V
R V’’
 t  0  , S  V ' , o  V1 , Don.
R f  RS 0 T1+T2
V0 t=0 T1
t
 A (0  )  V ' V1 (4.16)
Rf
Do  A  (0  )   A (0  ) nên : f V1
V1
R  RS R f  RS Af
V’1 V’1
V ' ' V 2'  V ' V1 (4.17)
R Rf
0
Do V  V 'V ' ' nên : T1 T2 t
Ar V’2
R  RS R  RS r
V f V1  V2 ' (4.18)
Rf R V2
 
Tương tự như vậy tại t  T1 và t  T1 , tìm được:
R f  RS R  RS
V V1 ' V2 (4.19)
Rf R
Ngoài ra; ta còn có:
T /( R  R ) C
V1 '  V1e 1 f S (4.20)
T2 /( R f  RS )C
V2 '  V 2 e (4.21)
Từ (4.18), (4.19), (4.20), (4.21) tìm được các giá trị đỉnh.
Trường hợp RS  0, từ (4.18) và (4.19):
V  V1  V 2 '  V '1 V 2 (4.22)
Có nghĩa là đáp ứng ngõ ra chỉ phụ thuộc vào mức biên độ V của tín hiệu xung ngõ vào hay
không phụ thuộc vào mức dc của tín hiệu vào.
Lấy (4.18) trừ (4.19):
R f  RS R  RS
(V1  V1 ' )  (V 2'V2 )  0
Rf R
Đặt:  r  V2 'V2 và  f  V1  V1 ' ta được:
Rf R  RS
f   r (4.23)
R f  RS R
Do R S  R nên  f   r trừ trường hợp RS  0   f   r .
Giáo trình kỹ thuật xung
7
4.2.3: Định lý mạch kẹp:

Trong điều kiện xác lập, phần diện tích A f dưới dạng sóng ngõ ra ở chiều thuận (diode dẫn )
liên hệ với phần diện tích Ar dưới dạng sóng ngõ ra ở chiều nghịch (diode tắt) theo biểu thức:
Af Rf
 (4.24)
Ar R
Có thể xem diện tích nói ở trên minh họa ở hình 4.14. Tuy nhiên định lý (4.24) vẫn đúng với bất
kỳ dạng tín hiệu nào ở ngõ ra và bất kỳ giá trị nội trở nguồn RS .
Ta xem lại hình 4.11. Gọi  f (t) là dạng sóng ngõ ra chiều thuận ( D on), dòng nạp tụ là
i f   f / R f . Điện tích nạp trong thời gian D on là:

T1 T
1 1 A
 i f dt    f dt  f (4.25)
0
Rf 0 Rf
Gọi  r (t) là dạng sóng ngõ ra chiều nghịch ( D off), dòng xả tụ là ir   r / R . Điện tích xả trong
thời gian D off là:

T1 T2 T1 T2
1 Ar
 ir dt   r dt  (4.26)
T1
R T1
R
Trong thời xác lập, lượng điện tích trên tụ không thay đổi nên:
Af A
 r
Rf R
Ví dụ 4.2: Một xung vuông không đối xứng T1  1ms, T2  1s và biên độ 10V. Tín hiệu áp vào
mạch kẹp như hình 4.11 có R f  50, R  50 K , RS  0, giả sử C rất lớn sao cho dạng sóng ngõ ra
không có độ sụt đỉnh:
a) Tìm mức 0 trên dạng sóng ngõ ra.
b) Nếu dạng sóng đảo ngược lại T1  1s, T2  1ms, tìm mức 0 dạng sóng ngõ ra.
c) Nếu đảo ngược diode, dạng sóng như câu b, tìm mức 0 dạng sóng ngõ ra.

Giải: V1 Af
a) Gọi biên độ phần xung dương là V1 , biên
10v -V1
độ phần xung âm là 10-V 1 10v
1000 s Ar
A 1000V1 Rf 50 1 s
Ta có: f     10 3
Ar (10  V1 )  1 R 50  10 3
V1 Af
Từ đó: V1  10 5 V
Mức 0 rất sát với đỉnh dương của xung.
Af V1 A r 10v-V1
b)   10 3
Ar 1000(10  V1 )
Ar V1
Suy ra: V1  5V
Điều này cho thấy mạch kẹp làm việc không tốt
Af 10v -V1
với các xung hẹp.
Một cách để kéo mức kẹp về 0 là tăng R, Hình 4.15: Các dạng sóng ngõ ra vd 4.2
tuy nhiên sẽ kéo dài thời gian phục hồi khi tín hiệu
vào giảm và ảnh hưởng đến Rr của diode.
c) Trường hợp tín hiệu vào như hình b và diode đảo ngược, Ar ở phần dương xung
và A f ở phần âm xung.
Từ câu a ta có V1  10 5 V
Từ ví dụ trên, ta nhận xét rằng mạch kẹp rất khó phục hồi mức dc với những xung hẹp
có thời gian D on rất bé!
Giáo trình kỹ thuật xung
8
4.2.4: Mạch kẹp thực tế: V0
f V’1 =0 V1
Để đảm bảo độ phẳng đỉnh xung dương và âm, phải có
C rất lớn. Trong thực tế ta phải có (Rf+RS)C<< T1 và ( R+RS)C>>T2. t=0
t
Dạng sóng vuông ngõ ra sau khi qua mạch kẹp như hình 4.16. T1

Trong thời gian T2 có độ sụt đỉnh  r và ở đầu thời điểm T1 một gai T2
Ar
vọt lố  f xuất hiện. C nạp qua diode trong thời gian rất ngắn và
trong phần thời gian còn lại của T1 Doff.
V’2
Sử dụng các phương trình (4.18), (4.19), (4.20),(4.21) và (4.23) r

R V2
V1 '  0,V2   V (4.27)
R  RS
V2 '  V2 e T2 /( R  RS )C (4.28) có (Rf+RS)C<< T1 và ( R+RS)C>>T2
Rf R  RS
V1   f   (V2 'V2 ) (4.29)
R f  RS R
Rf
Phần tín hiệu vào được truyền đến ngõ ra khi diode dẫn theo hệ số F f  .
R f  RS
R
Phần tín hiệu được truyền đến ngõ ra khi diode tắt theo hệ số Fr  .
R  RS
Fr -> 1 hơn so với Ff. Độ suy giảm có chọn lọc này gây méo V0
tín hiệu ra khi diode dẫn . Độ méo dạng này khó thấy với tín hiệu
xung và sin nhưng sẽ dễ thấy với những tín hiệu có đỉnh nhọn như
xung răng cưa ở hình 4.17.Tuy nhiên định lý về mạch kẹp vẫn đúng.
Trong trường hợp cần kẹp ngõ ra ở VR , ta có mạch như hình Af t
4.18a. Ta xem VR như tín hiệu vào,tín hiệu trên diode tương tự như Ar
tín hiệu ra mạch 4.11. Tín hiệu ra gồm tín hiệu trên diode xếp chồng t
lên VR . T1 T2
Hình 4.17 méo dạng sóng ngõ ra ở mạch kẹp
X
+ + + +
V0 V0
Vi + Vi +
R R

a) Mạch kẹp ở mức VR b) Bổ sung hình a).

Hình 4.18: Mạch kẹp ở mức VR.
Hình 4.18b là mạch kẹp bổ sung cho hình 4.18a với R mắc song song nhánh D nối tiếp
nguồn VR . Khi D off xem như hở điểm X, C nạp / xả qua R và dạng sóng ngõ ra tại X theo dạng sóng
i . Khi D on dạng sóng ngõ ra bị kẹp tại VR . Để D on biên độ tín hiệu vào phải lớn hơn VR .
Trong thực tế, nếu kể đến điện áp mở V , mạch kẹp hình 4.11 tương tự như hình 4.18b với
V R  V , mức kẹp sẽ là V . Còn nếu thêm nguồn V R mức kẹp là VR  V .
Định lý mạch kẹp bây giờ được tính lại:
A f  (VR  V )T1 R f
 (4.30)
Ar R
+
với T1 là thời đoạn diode dẫn và R  R f +
+
4.2.5: Mạch kẹp BJT : VS
Hình 4.19 minh họa mạch kẹp tại mạch BE của BJT,
trong đó tiếp giáp BE đóng vai trò như diode. Mạch kẹp ngõ vào
BE tạo áp phân cực dc,gọi là mạch tự phân cực,từ biên độ tín hiệu vào.
Các mạch tự phân cực thường được sử dụng trong mạch khuếch đại Hình 4.19: Mạch kẹp ở BE BJT
lớp C và các mạch dao động.

Giáo trình kỹ thuật xung

9
4.3: Mạch so sánh (comparator):
Mạch so sánh làm việc theo nguyên lý so sánh
tín hiệu vào i với điện áp tham chiếu VR và cho đột
biến mức điện áp ngõ ra khi i đạt tới V R .
Mạch so sánh khác mạch xén ở chỗ không
i
i a)-
quan tâm đến việc tái tạo dạng sóng ngõ ra. R V 0
cc 0
Hình 4.20c là đặc tuyến truyền đạt mạch
R cc
so sánh.
R
Khi i <VR: O =0,và khi i ≥VR O =Vcc.
Có hai nguyên nhân gây ra sai số đáp ứng
trong mạch so sánh:
1. Truyền đạt ngõ vào: mạch nhận dạng ngõ vào 0 t 1 t2 t3 t 0 c)- R t
khi i =VR luôn có ngưỡng điện áp mở Vγ b)-
Mới làm việc(Vγ của diode,BJT).Thay vì Hình 4.20: Nguyên lý họat động mạch so sánh
i =VR tại t=t1 phải đến t=t2 i =VR+Vγ,
ngõ vào mới nhận dạng được(hình 4.20b)
2. Truyền đạt ngõ ra: kể từ khi ngõ vào nhận dạng được tín hiệu,phải mất một khỏang thời gian
ngõ ra mới đáp ứng và thay đổi mức tín hiệu ra.Khi đó ngõ vào đạt đến VR+Vγ+ΔV tại t=t3,ngõ
ra mới đột biến lên Vcc.
Hiện nay,để có thể khắc phục được hai nguyên nhân trên,ta thường sử dụng OPAMP khuếch đại
vòng hở làm mạch so sánh.OPAMP có đặc tính khuếch đại vòng hở trong đọan Δvi=±Vs rất bé,cở μV-
mV(xem lại chương 3) và thời gian truyền đạt tp bé,tốc độ đáp ứng(slewrate) cao.Các lọai OPAMP
chuyên dùng so sánh tiêu biểu như LM711,LM311,LM339…
4.3.1: So sánh 1 mức: 0
Hình 4.21 là mạch so sánh ngõ vào đảo
Xem  VS  0 , OPAMP lý tưởng +
i
 i  VR : i  0 : o  VCC 0
+ + +
 i  VR : i  0 : o  VCC
Hình 4.22 là mạch so sánh ngõ vào không đảo
 i  VR : i  0 : o  VCC
 i  VR : i  0 : o  VCC Hình 4.21: So sánh ngõ vào đảo
4.3.2: So sánh 2 mức:
01
+ 0
+
Vi 01
cc +
+ 0
R1 i +
cc
+
02 + i
0
02 cc i
+ +
R2 0 R1 R2
R1 R2
cc

Hình 4.22: So sánh ngõ vào không đảo

Hình 4.23: Mạch so sánh 2 mức
Trong mạch so sánh 2 mức hình 4.23 , VR1  V R2 .
 i  VR : i1  0; o1  VCC
1

i 2  0; o 2  VCC
 VR  i  VR : i 1  0, o1  VCC
1 2

i1  0, o 2  VCC
 VR2  i : i 1  0, o1  VCC
i 2  0, o 2  VCC

Giáo trình kỹ thuật xung

10
4.3.3: Mạch so sánh có vòng trễ :
Trong mạch so sánh một mức như trên, khi  i gần tới VR , ngõ ra sẽ dễ dàng không ổn định có
thể đột biến liên tục từ  VCC đến  VCC do ảnh hưởng nhiễu, độ ổn định nguồn, off set... làm
i biến thiên xung quanh 0. Để khắc phục hiện tượng này, ta sử dụng mạch so sánh có vòng trễ
( còn gọi là mạch Schmitt trigger trong chương 5 ).
R
+ U

L t
+
+ + 0

i
1 cc

t
cc


Ban đầu i bé i  i  VR  i  0
cc

ngõ ra: o  VCC

 R1 R2
i   VCC  i (4.31) t
R1  R2 R1  R2
 cc
Tăng dần i đến khi i  VR ngõ ra o  VCC
Giá trị i  VU tại đó ngõ ra đột biến:
R1 R2
VR   VCC  i
R1  R2 R1  R2
R  R2 R
Suy ra i  VU  1 VR  1 VCC (4.32)
R2 R2
Sau khi o  VCC :
R1 R2
i  
R1  R2
VCC 
R1  R2
i (4.33) V0
+Vcc

Khi i giảm đến i  VR ngõ ra đột biến xuống
o  VCC .
Giá trị i  VL tại đó ngõ ra đột biến :
VL 0
V U VI
R  R2 R
i  VL  1 VR  1 VCC (4.34)
R2 R2
-Vcc
Độ rộng vòng trễ :
R
VH  VU  VL  2 1 VCC (4.35) Hình 4.26: Đặc tính vòng trễ.
R2
Điện áp điểm giữa vòng trễ:
V  VL R1  R2
VC  U  VR (4.36)
2 R2
4.4: Tạo nguồn áp tham chiếu VR
Trong thực tế,nguồn áp tham chiếu VR có thể tạo thành như hình 4.27.Hình 4.27a,VR chính là
Vz.Hình 4.27b, diode zener tạo điện áp ổn định Vz,biến trở tinh chỉnh chọn VR tùy ý, OPAMP theo điện
áp cho VR=V0 có tổng trở ra R0 gần bằng 0,xem như nội trở nguồn VR=0.
R
+Vcc
R
+ + +Vcc
+ -
Vcc Dz Dz Vz +
VR=Vz - +
+
V0
a) B) VR -
- - - -Vcc

Hình 4.27: Tạo nguồn tham chiếu VR

Giáo trình kỹ thuật xung
11
 Bài tập chương IV

4.1) *Ngõ vào i của hình BT 4.1 là một xung biên độ 0-10V, độ rộng 1s . Cho
R f  100,V  0,5V , Rr  . Vẽ dạng sóng ngõ ra, chú thích các giá trị thời hằng, biên độ.
Vi
+ C +
+ +
V0
Vi + 0 V0
R t Vi

1 s
0,1 s

Hình BT 4.1 Hình BT 4.2

4.2) Diode có R f  100, Rr  10 K , V  0 , và điện dung song song diode (điện dung tiếp giáp) là
5pF. Vẽ dạng sóng ngõ ra xác lập.
4.3) Diode có R f  1k , Rr  100 K , V  0. Vẽ dạng sóng ngõ ra, chú thích thời hằng, biên độ i .
Vi
1
5 s
1 s
+ +
0 2
t V0
Vi VR

Hình BT 4.3

4.4) Ngõ ra i thay đổi tuyến tính từ 0->15V. Vẽ dạng sóng ngõ ra trên cùng trục (t) với dạng sóng
ngõ vào. Giả sử diode lý tưởng ( R f  0, Rr  , V  0)

+ 1
2 + + +
1

+ V0 V0
Vi +
+

Vi

a) b)
Hình BT 4.4
4.5) a) Giả sử diode lý tưởng. Vẽ đặc tuyến hàm truyền o theo i .
b) Vẽ dạng sóng o ; cho i = 40sinωt.

+ +
+ 1
2
+ 3
2
1
V0
Vi
V0 5k
Vi +
+
+

Hình BT 4.5 Hình BT 4.6

Giáo trình kỹ thuật xung
12
4.6) Giả sử diode lý tưởng, vẽ đặc tuyến hàm truyền o theo i từ 0 ->50V.
4.7) Trong mạch xén hình BT 4.7,D2 dùng để bù nhiệt.
Giả sử các diode có R f  50, Rr  , V  0 . + D1 R D2 +
a) Vẽ đặc tuyến truyền đạt v0 theo vi.Chứng minh rằng 5K
V0
Mạch có 1 điểm gãy mở rộng,nghĩa là 2 điểm gãy rất V i
+
10V
sát nhau. - - -
b) Vẽ lại đặc tuyến truyền đạt nếu bỏ D2 và dịch chuyển
R thay thế chỗ D2. Hình BT 4.7
c) Chứng minh rằng 2 điểm gãy ở a) sẽ mất đi và chỉ có
1 điểm gãy ở b) nếu Rf<< R.
4.8) Dạng sóng tam giác như hình BT 4.8 được chuyển
thành sine bằng mạch xén dùng diode.Dạng sóng
đứt nét trùng với tín hiệu sine ở 0,30°,60°,120°,150°,
210 270 330
180°.Thiết kế mạch xén cho dạng sóng ngõ ra như 0 30 60 90 120 150 180 240 300 360
tín hiệu đứt nét với ngõ vào là dạng sóng tam giác.
Giả sử các diode lý tưởng,tính các giá trị nguồn và Hình BT4.8
điện trở trong mạch,cho biên độ tín hiệu sine là 50V.

4.9) Xây dựng các mạch điện có đặc tuyến truyền đạt như hình BT 4.9
I I

V V

a) b)

Hình BT 4.9
4.10) Mạch xén 2 BJT như hình 4.8a,BJT loại Si,VCC=4,5V,-VEE=-12V,Rc=2,7K,Re=10K,VBB2=2V.
Vẽ đặc tuyến v0 theo vi,xác định các mức xén.
4.11) Xem mạch xén ghép cực E hoạt động với nguồn dòng I ở cực E.Ta định nghĩa :
 ViU là mức xén trên,tại đó IC2=1% giá trị max.
 ViL là mức xén dưới,tại đó IC2=99% giá trị max.
Chứng minh rằng tầm điện áp vào vi  ViU  ViL gần bằng 2 lần giá trị cho bởi biểu thức 4.12.

4.12) Cho mạch kẹp như hình 4.11 (lý thuyết), VS (V)
RS  R f  50 , Rr  , R  10 K , C  1F , V  0.
+10
Vẽ dạng sóng ngõ ra theo dạng i như hình BT 4.12, 5 s
chú thích các giá trị biên độ, thời hằng +5
4.13) Trong mạch kẹp 4.11 (lý thuyết) RS  5K , R  15 K , 0
0.1 .2 .3 .4
R f  100, Rr  ,V  0, C  0,5F . Ngõ vào -5 t (ms)
VS  0 khi t < 0 và với t >0 là chuỗi xung vuông
đối xứng f = 5kHz biên độ 0 – 10V. Giả sử ban đầu C Hình BT 4.12
không tích điện.Vẽ dạng sóng ngõ ra trong 3 chu kỳ đầu,
chú thích các giá trị điện áp, thời hằng.
4.14) Tín hiệu vào như hình BT 4.14 áp vào mạch kẹp hình 4.11 (lý thuyết),
R f  100,V  0, Rr   và R = 10K. Cho C rất lớn
a) Vẽ dạng sóng ngõ ra, tính các mức điện áp và điện áp
ngang qua tụ khi Rs=0.
b) Lập lại câu a với RS  100
c) Lập lại a,b khi đảo chiều diode.
Hình BT 4.14
Giáo trình kỹ thuật xung
13
4.15) a) Trong mạch kẹp hình 4.11(lý thuyết), V  0, R f  R  Rr . Không giả sử Rs  R .Cho C
lớn vô hạn.Ngõ vào là một xung vuông đối xứng có giá trị đỉnh-đỉnh V.Vẽ dạng sóng xác lập
ngõ ra và chứng minh rằng các đỉnh dương và âm dạng sóng ngõ ra:
Rf R
V1  V và  V2  V
2 Rs  R 2 Rs  R
b) Vì mức kẹp trên gần bằng 0,ta cho rằng khi ngõ vào đột biến âm một lượng V,ngõ ra sẽ đột
biến âm một lượng VR/(Rs+R).Thực tế ta tìm được là VR/(2Rs+R).Giải thích ý nghĩa vật lý điều
này.
c) Nếu R  10 K , R f  0 ,tìm giá trị max cho phép của Rs để biên độ đỉnh-đỉnh ngõ ra không bé
hơn 0,99xV.
4.16) Trong mạch kẹp hình 4.11 ( lý thuyết), R f  100, Rr  , V  0, R  100 K . Dạng sóng ngõ
vào là xung vuông V=30V, T1  50s, T2  1000s.
a) Rs = 0 và C rất lớn. Tính và vẽ dạng sóng xác lập ngõ ra.
b) Lập lại a nếu RS  100
c) Lập lại b nếu C  0,05F
d) Lập lại C nếu V  0,7V
4.17) Tín hiệu ngõ vào như hình BT 4.17 có V  20V , T1  1ms, T2  10ms ,áp vào mạch kẹp hình
4.11(lý thuyết).Cho V  0, R f  10, Rr  , Rs  0, R  1K , C  0,1F .
a) Tính và vẽ dạng sóng xác lập ngõ ra.
b) Lập lại a) nếu đảo chiều diode.
c) Lập lại a) và b) nếu R=1M.
10μ s
100μs
T2 T1 30V
V
50V

Hình BT 4.17 Hình BT 4.18

4.18) Người ta dự định phục hồi giá trị max của một tín hiệu tuần hoàn là 10V.Sử dụng diode có
V  0, R f  20, Rr   .Giả sử nội trở nguồn bằng 0.Tụ điện ghép có giá trị 0,05μF.Điện trở
tải song song diode là 20K.
a) Vẽ dạng mạch điện.
b) Vẽ chính xác dạng sóng ngõ ra.Ghi chú các giá trị điện áp và thời hằng quan trọng.
c) Đánh dấu 2 vùng quan trọng trên dạng sóng ngõ ra và phát biểu vế tỉ số của 2 vùng này.
+12v +12v
Vi
4.19) a) Vẽ dạng sóng tại các điểm 1,2,3,4 theo i từ 0 - 15V, +
1
R1
RC
V1
giả sử diode ,OPAMP lý tưởng, Q dẫn bão hòa/ tắt. - D1
4
+ -12v R2
b) Cho Q có   50, I CS  50mA , U1,U2 có dòng ngõ ra - 6v
3
Q
+
+12v
ngắn mạch I OSC  10mA. . Tính R1 , R2 , RC . - 2
D2 V0
V2
-
+ +
-12v
4.20) Cho mạch so sánh có vòng trễ như hình BT 4.20. -
9v

Thiết lập biểu thức tính các điểm đột biến

ViU vàViL , từ đó suy ra độ rộng vòng trễ. Hình BT 4.19
+Vcc
Giả sử opamp lý tưởng.
+ -
+
Vi + V0
-V cc
- -
R2
R1
+
VR
-
Hình BT 4.20
Giáo trình kỹ thuật xung
14
4.21) Cho mạch so sánh có vòng trễ như hình BT 4.21.
a) Tìm ViU,ViL,VH,VC.
Giả sử OPAMP lý tưởng.
b) Áp dụng mạch này cho mạch sạc bình accu.
Ngõ ra của mạch lái một BJT on/off,BJT lái một
relay DC 12V có nội trở cuộn dây 500Ω.Tiếp điểm
relay được điều khiển cấp/cắt nguồn DC sau chỉnh
lưu để sạc bình accu.Yêu cầu điều khiển sạc bình:
 Vaccu  10,5V: cấp nguồn sạc bình.
 Vaccu  13,5V: cắt nguồn sạc bình.
Thiết kế hoàn chỉnh mạch sạc bình theo yêu cầu trên. Hình BT 4.21
4.22)* Cho mạch so sánh có vòng trễ như hình BT 4.22.
Sử dụng OPAMP LM339 có ngõ ra cực thu hở(xem data
sheet LM339).
a) Giải thích hoạt động của mạch.
b) Tìm ViU,ViL,VH,VC.
c) Nêu quy trình cân chỉnh mạch.

Hình BT 4.22

Giáo trình kỹ thuật xung

15