2018 – Predavanje 13

II semestar (2+2+0)
Prof. dr Dragan Pantić, kabinet 337
dragan.pantic@elfak.ni.ac.rs
 Elektronske komponente -
5/29/2018 Pasivne komponente 2
 Fotootpornik (svetlosna
karakteristika, spektralna
karakteristika)
 Princip rada fotodiode i
fototranzistora
 LED
 Optokapler – simbol, uloga
 Prilikom osvetljavanja poluprovodnika u njemu
se povećava koncentracija i manjinskih i
većinskih nosilaca
 Unutrašnji fotoelektrični efekat
 Efekat se javlja kada usled energije fotona
elektroni prelaze iz valentne zone, ili sa
primesnih nivoa, u provodnu zonu, kao i iz
valentne zone na primesne nivoe
 Energija fotona mora biti veća ili jednaka
aktivacionoj energiji Ea odgovarajućeg prelaza:

hf  E a (5.1)

gde je h = 6,6710-34 Js  Plankova konstanta, a f učestanost

elektromagnetnog zračenja (svetlosti).
 Iz (5.1) se dobija maksimalna talasna
dužina elektromagnetnog talasa koji može
da izazove fotoefekat
 "crvena" granica fotoefekta
 “crvena" granica unutrašnjeg fotoefekta u
poluprovodnicima često se nalazi u oblasti
infracrvenog zračenja
 max reda nekoliko m
 neke poluprovodničke komponente se
mogu koristiti u prijemnicima infracrvenog
zračenja.
 Osvetljavanje poluprovodnika i poluprovodničkih
komponenata ima sledeće posledice:
1. Povećava se provodnost poluprovodnika.
2. Ukoliko je fotoefekat u blizini p-n spoja, nastaje
povećanje inverzne struje p-n spoja.
3. Usled difuzionog kretanja nosilaca, na p-n spoju će
se promeniti visina barijere i u tom slučaju
osvetljen p-n spoj može služiti kao izvor električne
energije.
 Obrnuto, prilikom proticanja struje kroz p-n spoj,
usled rekombinacije nosilaca dolazi do
emitovanja svetlost i takav elemenat može da
služi kao izvor svetlosti.
Absorpcija i emisija svetlosti
 FOTOOTPORNIK
- radili smo kod otpornika -
 Fotootpornici su poluprovodnički otpornici kod kojih se
otpornost smanjuje pod uticajem svetlosti
 Rad poluprovodničkih fotootpornika zasnovan je na
efektu fotoprovodnosti (unutrašnjem fotoelektričnom
efektu).
 Izrađuju se od:
 kadmijum sulfida (CdS)
 kadmijum selenida (CdSe)
 kadmijum sulfoselenida (CdSSe)
 cink sulfida (ZnS)
 za oblast infracrvenog zraČenja od olovo sulfida (PbS), indijum
antimonida (InSb), kadmijum telurida (CdTe)
 Otporni materijal se nanosi na izolacionu podlogu, a
preko toga se prekriva providnim materijalom
Konstruktivni izgled fotootpornika: apločica od steatita;
bfotoosetljivi otporni sloj (CdS); celektrode za kontakt (ovde su
u obliku češlja); dprovidno kućište od epoksidne smole; eizvodi.
 Osnovne karakteristike fotootpornika:
1. Statička strujno-naponska karakteristika  predstavlja
zavisnost jednosmerne struje koja protiče kroz fotootpornik od
napona na njemu pri konstantnom osvetljaju. Razlika između
struje koja protiče kroz fotootpornik kada je on osvetljen i struje
neosvetljenog fotootpornika (struje tame) zove se fotostruja.
Strujno-naponska karakteristika fotootpornika je u većini
slučajeva linearna ili bliska linearnoj
 Osnovne karakteristike fotootpornika:
2. Promena otpornosti sa osvetljajem – meri se pri različitom
osvetljenju otpornika svetlošću složenog spektralnog sastava
 Osnovne karakteristike fotootpornika:
3. Svetlosna karakteristika  predstavlja zavisnost fotostruje IF od
osvetljenosti E, pri konstantnom naponu


IF  A E
A  konstanta koja zavisi od
tipa fotootpornika
  konstanta koja zavisi od
talasne dužine svetlosti i tipa
fotootpornika
E  osvetljenost.
 Osnovne karakteristike fotootpornika:
4. Spektralna karakteristika izražava relativnu promenu fotostruje u
zavisnosti od talasne dužine svetlosti koja pada na fotootpornik.
Karakteristično je za sve fotootpornike da postoji talasna dužina
opt, zavisno od materijala od koga je sačinjen fotootpornik, pri
kojoj je najveća promena fotostruje - maksimalna spektralna
osetljivost
 FOTODIODA
 Planarna dioda kod koje je anodni kontakt izveden
samo na delu difundovane površine, tako da je
samo mali deo površine p-tipa zaklonjen kontaktom
 Svetlost koja pada na površinu prodire u silicijum,
tako da struja inverzno polarisane diode pri
osvetljavanju poraste usled povećanja
koncentracije manjinskih nosilaca u p-oblasti, koja
je vrlo tanka, i u n-oblasti u dubini ispod prelazne
oblasti
 Inverzna struja poraste i usled generacije nosilaca
u prelaznoj oblasti. Stvoreni elektroni odlaze iz
prelazne oblasti u n-oblast, a šupljine u p-oblast.
Koncentracija generisanih nosilaca proporcionalna svetlosnom fluksu 
koji je pao na aktivnu površinu diode
(n   i p   pa je povećanje inverzne struje proporcionalno svetlosnom fluksu

I  K  
K - osetljivost fotodiode
 FOTOGENERATOR - SOLARNA ĆELIJA
 Fotogenerator stvara elektromotornu silu pod uticajem
svetlosti - fotodioda koja nije priključena na spoljašnji
izvor napajanja
 Pod dejstvom ugrađenog polja u prelaznoj oblasti p-n
spoja, svetlošću generisani elektroni iz prelazne i p-
oblasti preći će u n-oblast, a šupljine iz prelazne i n-
oblasti u p-oblast
 Usled toga narušiće se ravnoteža, anoda će se
naelektrisati pozitivno, a katoda negativno
 Ako spojimo krajeve (anodu i katodu), poteći će struja –
dioda se ponaša kao generator električne energije
 Solarna ćelija, pretvara sunčevu energiju u električnu
 Paralelnim i rednim vezivanjem većeg broja solarnih
ćelija dobijaju se solarni paneli koji mogu da napajaju
manje potrošače.
 statička karakteristika fotogeneratora –
karakteristika za neosvetljeni fotogenerator ( = 0) je praktično
karakteristika diode. Osvetljavanjem raste inverzna struja, pa se
karakteristika spušta

Ako dioda nije

kratkospojena, kontaktna
razlika potencijala se mora
smanjiti za V0 da bi
potekla i difuziona struja,
odnosno da bi ukupna
struja bila jednaka nuli.
 ekvivalentna šema fotogeneratora – idealnoj diodi,
kroz koju protiče difuziona struja usled promene barijere, na red je
vezana otpornost Rs, a paralelno otpornost Rp i strujni generator
fotoelektrične struje I. Za razliku od redne otpornosti, paralelna
otpornost Rp se uglavnom može zanemariti
 Uprošćena ekvivalentna šema fotogeneratora i
strujno-naponska karakteristika fotogeneratora u
aktivnom području
 fotostruja I se deli na jednu kroz otpornost
potrošača Rp  to je spoljašnja struja I i drugu I1
 to je difuziona struja kroz diodu
 Režim rada fotogeneratora se bira tako da
korisna snaga bude najveća
 Korisna snaga je:

PK  UI
Rp se bira tako da osenčena površina na bude
maksimalna.
 Elementi PV sistema

 a) PV panel
 b) kontrolni panel
 c) power storage sistem
 d) invertor DC/AC
 e) backup power supplies
(diesel startup generators)
 Tipovi PV sistema

 Direktno povezan PV
sistem (dole)
 Stand-alone PV sistem
(desno gore)
 Hibridni PV sistem (desno
dole)
 Full summer sunlight = 1000W/m-2
PV ćelija, molul, panel,...
 Tipovi solarnih ćelija

 Monokristalne Si solarne
ćelije
 Tipovi solarnih ćelija

 Polikristalni solarni panel

 Tipovi solarnih ćelija

 a-Si solarni panel

World cell/module production, consumer and commercial, 1994-2002 (MW).
Source: PV News, Vol. 22, No. 3, 2003
Top ten PV cell/module producers, 1999-2002. Source: PV News, Vol. 22 No. 3, 2003
Solarni sistemi za grejanje
3. januar 2004.
3. februar 2004.
3. mart 2004.
3. april 2004.
28. april 2004.
 FOTOTRANZISTOR
 Povećanje osetljivosti fotoelemenata postiže se
fototranzistorima
 Fotodiodi se dodaje emitor, dobija se tranzistor, koji ima
veliku površinu kolektorskog spoja – svetlost deluje
uglavnom na kolektorski spoj
 Ovaj tranzistor je zatvoren u providno kućište kako bi
svetlost prodirala do tranzistorske strukture. S obzirom da je
najvećim delom osvetljen kolektorski p-n spoj, to je kao da
je kolektor-baznom spoju paralelno vezana fotodioda
 Kako je bazna struja praktično jednaka fotostruji I, to znači
da je kolektorska struja IC = I
 Fototranzistor je  puta osetljiviji od fotodiode koja ima
istu efektivnu površinu
 FOTOLUMINISCENTNE DIODE
(LED)
 LED (Light-Emitting Diode) – svetleća dioda, vrši obrnuti
proces: električnu energiju, odnosno električni signal pretvara u
svetlosnu energiju
 osnovni princip na kome
se zasniva rad svetlećih
dioda
 elektron u valentnoj zoni
ima manju energiju od
elektrona u provodnoj zoni
za veličinu širine
zabranjene zone Eg
 Pri rekombinaciji direktnim
prelaskom elektrona iz
provodne u valentnu zonu
oslobađa se energija čija
je vrednost jednaka Eg
 energija se pretvara u
foton svetlosti energije:
hf = Eg.
 Da bi poluprovodnik emitovao svetlost,
neophodno je da postoji veliki broj pobuđenih
elektrona
 Pobuđivanje elektrona sa nižeg na viši
energetski nivo najbolje se postiže injekcijom -
p-n spoja pri direktnoj polarizaciji
 U tom slučaju slobodni elektroni iz provodne
zone n-tipa prelaze u provodnu zonu p-tipa.
Pošto u p-tipu ima mnogo šupljina, raste
intenzitet rekombinacije, i dolazi do svetlosnog
zračenje  spontana emisija
 Ukoliko je struja veća, a to je direktna struja
diode IF, biće veća i jačina svetlosti
Način povezivanja LED
 Od širine zabranjene zone zavisi energija
fotona, odnosno talasna dužina svetlosti
 Izborom poluprovodnika možemo dobiti željenu
talasnu dužinu svetlosti
 LED se ne realizuju u silicijumskoj tehnologiji,
tako da je njihov napon pri direktnoj polarizaciji
znatno veći od 0.7 V
 LED se izrađuju od poluprovodničkih materijala
čije su vrednosti energetskih procepa veće nego
u slučaju silicijuma
 Trokomponentno jedinjenje galijum-arsenid-
fosfid (GaAsP) zrači vidljivu crvenu svetlost, dok
se LED od galijum-arsenida (GaAs) koristi za
infracrveno (nevidljivo) područje spektra
Spektralne karakteristike LED u vidljivom delu spektra
Spektralna karakteristika LED za infracrveno područje
 KOMPONENTE SA
SVETLOSNOM SPREGOM
 Komponenta sa svetlosnom spregom sastoji se od dve nezavisne
optokomponente
 Prva komponenta je svetleća dioda (LED), a druga je neka od
fotokomponenata: fotootpornik, fotodioda ili, najčešće, fototranzistor
 Između njih je providan izolator. LED je prema tranzistoru okrenuta
tako da zrači najveći intenzitet svetla, a fototranzistor je okrenut
prema diodi svojom fotoosetljivom stranom.

OPTOKAPLER
 POLUPROVODNIČKE
LASERSKE DIODE!! dopuni
 Bitna karakteristika lasera, koja ga izdvaja od ostalih
izvora svetlosti, jeste emisija strogo definisanih (uzanih)
snopova monohromatske svetlosti
 Princip rada laserske diode je sličan radu svetleće diode,
ali za razliku od LED kod koje svetlost nastaje usled
spontane emisije, kod laserskih dioda svetlost je rezultat
procesa stimulisane emisije
 laser – Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation
 Stimulisana emisija nastaje kada kod direktno polarisane
diode pored emisije fotona (spontana emisija) dolazi do
stvaranja fotonske lavine, tj. kada svaki ovako stvoreni
foton uzrokuje stvaranje drugih fotona koji imaju iste
optičke osobine (istu frekvenciju, smer, stanje
polarizacije).
 Laserske diode se proizvode od poluprovodnika sa direktnim
prelazom nosilaca iz provodne u valentnu zonu, u koje ne spada
silicijum
 To su jedinjenja iz III i V ili iz II i VI grupe periodnog sistema
 p-n spoj formira kao heterospoj, a to znači da je takav spoj sačinjen
od različitih poluprovodničkih jedinjenja
Osnovne primene plouprovodničkih lasera

 Obrada informacija - Laseri male snage (crveni laseri),

sa visokokvalitetnim snopom koriste se prilikom optičkog
skladištenja i iščitavanja podataka. Crveni laseri se još
koriste kao markeri ili indikatori.
 Audio-vizuelna tehnika - Kompakt-disk (CD) plejeri
koriste AlGaAs tip lasera sa snopom talasne dužine 780
nm, a u mogućnosti su da postignu skladištenje 700 MB
podataka na površinu jednog diska. DVD uređaji koriste
lasere tipa AlGaInP sa zračenjem na talasnoj du`ini od
640 nm, i time postižu nešto veću rezoluciju i mogućnost
skladištenja veće količine informacija.
 Optičke komunikacije - Laserske diode su našle
primenu u sistemima sa optičkim vlaknima i na njima
zasnovane tehnologije prenosa podataka
 INTEGRISANA KOLA

Elektronske komponente -
5/29/2018 Pasivne komponente 58
 Integrisano kolo je složeno električno kolo
sastavljeno iz mnoštva elemenata
objedinjenih na jedinstvenoj podlozi koje je
spremno za ugradnju u složenije sisteme
 Može se koristiti i kao jedinstvena
komponenta.
 Ono u sebi sadrži čitave električne šeme
sa različitim komponentama, kao što su:
tranzistori, otpornici i kondenzatori.
Integrisano kolo sa
osnovnim sastavnim
delovima
 Funkcija koju obavlja integrisano kolo
uslovljava njihovu osnovnu podelu na:
 analogna (na primer, operacioni

pojačavač),
 digitalna (na primer, procesor) i

 mešovita − na primer, A/D i D/A

konvertori − ona koja obrađuju I

analogni i digitalni signal na istom čipu
(čip − poluprovodnička pločica s
monolitnim sklopom).
Analogna IC Digitalna IC
 Vrste integracije
 Otkriće tranzistora – integrisana kola!!
 Automobilska industirja – ista brzina
razvoja:
 1 litar benzina/1 000 000 km
 Brzina > 1 000 000 km/h
 Cena nekoliko eura
 Težina oko 100 g
 Vreme eksploatacije 10 000 godina
 Stepen integracije: broj tranzistora po
jedinici površine
 SSI (Small Scale
Integration) − kola
malog stepena
integracije, do 100
elemenata;
 MSI (Medium Scale
Integration) − kola
srednjeg stepena
integracije, 100 do
1000 elememata;
 LSI (od Large Scale
Integration) − kola
visokog stepena
integracije (1000 -
10000 elemenata)
 VLSI (od Very Large
Scale Integration) −
kola vrlo visokog
stepena integracije
(10000 -100000
tranzistora)
 ULSI (od Ultra Large Scale Integration)
− kola izuzetno visokog stepena
integracije sa preko milion tranzistora
po integrisanom kolu ili čipu;
 U2LSI3 (od Ultra-Ultra Large Scale Integration) −
kola izuzetno-izuzetno visokog stepena
integracije, sa preko milijardu tranzistora po
integrisanom kolu ili čipu (sa preko milion
tranzistora po mm2).
 Velika disipacija (napon napajanja 0,8V – za
snagu od 80W struja je 100A)
 Neophodno je hlađenje!!!
Vrste integrisanih kola – podloga
Vrste integrisanih kola – tehnologija
 Monolitna integrisana kola
 Najčešća integrisana kola
 Planarna integrisana kola
 Izrada je bazirana na planarnoj tehnologiji
 Struktura osnove je planarna – ravna
 Dimenzije komponenata vertikalne na
površinu su za više od reda velićine manje od
debljine osnove pa se stiče utisak da su
komponente u jednoj ravni
 Tankoslojna i debeloslojna IC
 Uporedo sa monolitnim IC razvijala su se, ali u
znatno manjoj meri, i integrisana kola u
tehnologiji debelog i u tehnologiji tankog filma.
 U oba slučaja kao podloga kola služi tanka
pločica od izolatorskog materijala, npr. od
specijalnih vrsta keramike.
 U tehnologiji debelog filma se na podlogu
metodom sito-štampe nanose provodni, otporni,
dielektrični i izolatorski slojevi, pomoću kojih se
formiraju pasivne komponente debeloslojnog
integrisanog kola (npr. otpornici, kondenzatori,
provodne veze)
 U tehnologiji tankog filma se za nanošenje
odgovarajućih slojeva koristi tehnika vakuumskog
naparavanja ili tehnika katodnog (jonskog) raspršavanja.
 Ovom tehnologijom, kao i debeloslojnom, mogu se dobiti
dovoljno kvalitetne pasivne komponente.
 Moguće je dobiti i pojedine aktivne komponente, one se u
praksi dodaju kao diskretne.
 Hibridna integrisana kola
 Hibridna integrisana kola su kombinacija
monolitnih kola i elemenata s kolima koja su
urađena tehnikama debelog ili tankog filma.
 Pasivne komponente se realizuju debeloslojnom
ili tankoslojnom tehnologijom.
 Aktivna kola, realizovana planarnim procesom,
dodaju se naknadno u formi čipa koji se na
pasivnoj podlozi povezuje sa debeloslojnim ili
tankoslojnim komponentama.
 Postoje deboslojna i tankoslojna hibridna
integrisana kola