DOI:10.13890/j.issn.1000-128x.2013.03.

001
2013 年第 3 期 机　　车　　电　　传　　动 № 3, 2013
2013 年 5 月 10 日 ELECTRIC DRIVE FOR LOCOMOTIVES May 10, 2013

技 轨道交通用 Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ 模块互连技术
术
及　其　发　展　趋　势
专
覃荣震，刘国友，黄建伟
栏 （株洲南车时代电气股份有限公司 功率半导体研发中心，英国 林肯 ＬＮ６ ３ＬＦ）

作者简介：覃荣震（1 9 8 2 - ）
摘 要 ：从焊接、键合及压接三方面介绍了模块封装的各种互连技术，分析了各种互连方式的
男，硕士，工程师，主要从
发展现状及其特点，总结了轨道交通用 IGBT 模块封装中的互连技术的发展方向。 事 I G B T 技术研究与产品开
关键词：IGBT 模块；互连技术；焊接；键合；压接；轨道交通 发工作。
中图分类号：TN303 文献标识码 ：A 文章编号：1000－128X(2013)03－0001－05

Technical Progress and Trend of Interconnection in IGBT Module

for Railway Transportation

QIN Rong-zhen, LIU Guo-you, HUANG Jian-wei

(Power Semiconductor R& D Center, Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd., Lincoln, LN6 3LF, United Kingdom)

Abstract: All the interconnection technologies of IGBT module from soldering, bonding and pressure contact were introduced respectively,
the development status and technical features of the interconnections were analyzed, and development directions of each interconnection
technique were summarized.
Key words: IGBT module; interconnection technology; soldering; bonding; pressure contact; railway transportation

对于压接式 IGBT 模块而言，互连技术需要着重考

０ 引言 虑如何保证模块内部所有芯片获得准确的定位、良好
当前IGBT 模块的封装形式主要有焊接式封装及压 的接触和均匀一致的压力。
接式封装2种，而互连技术是IGBT模块封装中最重要的 无论是焊接连接、 键合连接还是压接连接，IGBT模
技术，涉及到功率芯片的固定、芯片电极的互连以及电 块内的互连材料及连接界面都是模块长期可靠性的一
极端子的固定和引出,它是影响模块长期可靠性的最主 个薄弱环节，大部分的失效都发生在连接界面处。特
要因素[1－ 3] 。 别是对于轨道交通等牵引工况，IGBT 模块工作在频繁
对于焊接式 IGBT 模块而言，互连技术包括焊接连 的开、关状态，要经历频繁的功率与温度循环，对模块
接与键合连接。互连技术主要的失效机理是在功率循 应用可靠性提出了更高的要求；同时随着IGBT 模块功
环和温度循环之后焊层的老化和引线的脱落[4]。IGBT 率密度的进一步提高，芯片的工作结温从 125℃提高到
模块焊层在工作状态下，会产生热疲劳失效，进而产生 150℃，对互连技术提出了新的要求。
焊层裂纹，增加热阻，继而进一步加剧了焊层的老化。
而一个模块内部有多达几百条引线，1 000 多个引线键 １ 焊接技术
合点，在工作时由于引线材料与硅片的热膨胀系数相 焊接技术用来进行芯片焊接、衬板焊接和母排及
差较大，使用一段时间后会造成引线的键合点脱落。如 辅助电极端子的焊接，主要有钎焊焊接、低温连接、电
果通过引线的电流超过其承受值，还会造成引线的烧 阻 / 电感焊接及超声焊接几种方式。
毁[5]。 １．１ 钎焊
钎焊是采用比母材熔点低的金属材料作钎料，在
收稿日期：2 0 1 2 － 1 1 － 2 0 ；收修改稿日期：2 0 1 3 － 0 1 － 3 0 加热温度高于钎料但低于母材熔点的情况下，利用液
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 机　　车　　电　　传　　动
态钎料润湿母材，填充接头间隙，并与母材相互扩散
实现连接焊件的方法。在 IGBT 模块内部，芯片背面电
极与衬板正面金属化面、衬板背面金属化面与基板正
面以及衬板正面金属化面与电极端子的连接一般都采
用钎焊来完成。常见的焊接材料分为含铅和无铅两大
类，均可以以焊膏和焊片2 种形式存在。由于环境保护
和欧盟《RoHS 指令》的关系[6－7]，目前大功率IGBT 模块
制造商正逐步采用无铅焊料，但对轨道交通用高压大
功率模块仍然普遍采用有铅焊料。焊膏是焊料合金颗
粒和有机助焊剂的膏状混合物，焊片则是焊料合金固
体。
焊膏工艺和焊片工艺各有特点。焊膏工艺相对简
单，成本较低。焊接时，首先采用丝网印刷法进行焊膏
的涂覆，再利用焊膏的粘性对芯片或衬板进行定位，
但电极端子的焊接需要专门的固定夹具。焊接后需要
清洗残留助焊剂，此外，焊膏工艺还容易受环境的湿
度影响。焊片工艺则有很好的焊接均匀性，更小的空
洞率，而且焊接完成后不需要清洗，但成本较高。这是
因为在焊接时不仅需要夹具来对焊片进行固定，还需
要对芯片、衬板和电极端子进行定位和固定，另外，由
于焊片不含助焊剂，还需要活化剂（如氢气或蚁酸）来
活化焊接表面、改善润湿。无论是焊膏工艺还是焊片
工艺，其焊接设备均为真空焊接炉，以减少空洞率，提
高焊层可靠性。目前很多厂家都采用焊片代替焊膏以
获得更好的焊接质量，提高IGBT 模块的质量均匀性和
长期可靠性。
１．２ 低温连接技术
随着 IGBT 模块的功率密度的提高，其工作结温要
求也更高，人们采用更高熔点的钎料来进行芯片或衬
板的焊接，开发了新的焊接工艺——低温连接技术
（Low Temperature Joining Technique，
LTJT）又叫低温
键合（Low Temperature Bonding， LTB） 技术，或者烧结
（Sintering）技术。由于该技术不再采用含锡的金属钎
料，因此又称之为无焊料连接（Solder Free）
温连接技术，就是在空气环境中，在 230～250℃下，对
焊接材料（纳米银粉）施加30～50 MPa 压力并维持1～
2 min时间，从而实现焊接材料与焊接界面连接的一种技
术 [ 8] 。相对于钎焊依靠钎料在金属界面处形成金属间
化合物实现连接，低温连接技术则完全是靠银粉向金
属内扩散而形成连接，可以大大提高焊接质量。
表 1 是基于低温连接技术的银烧结层与基于钎焊
技术的锡银焊层特性对比表[9]。从表中可以看出，银的
熔点远远高于锡银的熔点，因此可以承受更大的结
温；而银的热导率为锡银的 3～5 倍，因此有更好的散
热能力。
试验证明，基于低温连接技术的银烧结层具有优
异的热和机械特性，虽然工艺温度大约为 230℃，但却
能承受超过300℃的温度[10]，因此银烧结层比钎焊焊接
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20 13 年
层具有更高的可靠性[5,11] 。西门康经过十几年的研究，
建立了一条基于低温连接技术的生产线，并推出了世
界上第一款无焊料（100 % solder free）封装的IGBT 模
块[12]。目前，英飞凌也对这一技术展开了研究。随着研
究的进展，低温连接技术将可以用于芯片正面的电极
连接[4,11,13-14]，从而去除引线键合工艺，进一步提高模
块的可靠性、缩 小 体 积 和 提 高 生 产 效 率 。随着用于
烧结的银材料的颗粒直径进一步减小，达到纳米尺
寸，在烧结时有望不需要施加压力即可完成可靠的
连接[15]。
表１ 锡银焊层与银烧结层特性对比
特性参数 SnAg(3.5) Ag
熔点 / ℃ 22 1 96 1
热导率 /W・(m・K) － 1 70 24 0
电导率 /mS・m － 1 8 41
层厚 / μm 90 20
热膨胀系数(CTE) /pp m・K － 1 28 19
拉伸强度 / M P a 30 55
１．３ 电阻焊 ／ 电感焊
采用钎焊来进行IGBT模块的电极端子焊接的难度
较大，不仅因为电极端子焊接面的面积小，焊接时需
要采用专门的夹具对其进行定位及固定，还因为它的
焊接位置与芯片焊接同位于衬板正面金属化面上，但
在焊接顺序上，需首先进行芯片焊接，然后进行电极
端子焊接。因此需要保证电极端子焊接不影响到芯片
与衬板之间的焊层。目前一般选择将电极端子的焊接
与基板焊接同步进行，或者在基板焊接之后再进行电
极端子的焊接。但这 2 种方法都是通过对整个模块进
行加热来完成电极端子的焊接，为了更有效地利用热
量，并减小焊接过程对芯片与衬板之间的焊层的影
，
响，人们提出了采用局部焊接法来对电极端子进行焊
接——电阻焊和电感焊[16] 。
电阻焊是利用电流通过焊件时所产生的电阻热加
。所谓低 热焊件的接合处，并在金属达到塑性状态或熔化状态
时施加一定的压力，使焊件牢固地连接在一起的一种
方法，如图 1 所示。具体是，在需要焊接的电极端子和
衬板间放置焊料，然后通大电流，依靠局部产生大量
的热来完成焊接。这种技术要求有较大的电流接触面
积，因而不适合芯片焊接。电阻焊的发热量符合焦耳 －
楞次定律，其关系式为：
Q=0.24I2Rt （1）
式中：Q 为电阻焊所产生的热量，J；I 为两电极之间的
电流，A；R 为两电极之间的电阻，Ω；t为通电时间，s。
电感焊是一种通过电感效应的涡流加热原理来进
行焊接的工艺，将一个水冷线圈放置在焊接区附近，
线圈中的高频电流会产生很强的磁场，进而在需要焊
接的电极端子及焊料中产生涡流，最后完成焊接，如
图2 所示。这种技术允许非接触式加热焊接，具有加热
　第 3 期 覃 荣 震 ，刘 国 友 ，黄 建 伟：轨 道 交 通 用 I G B T 模 块 互 连 技 术 及 其 发 展 趋 势

快和热容量高的优点，产生 铝带可以叠层键合，一方面提高了通电电流密度，另
的热量能够很好地控制，局 一方面也可以减小模块厚度，同时，在高频应用时，铝
部的温度也能准确控制。其 带可以避免电流的趋肤效应。总体而言，虽然铝带键
缺点是技术不易掌握，焊点 图 1 电阻焊 合的速度没有铝线键合速度快，并且不能像铝线一样
周边不能有某些金属部件， 在平面内实现 360°弯曲，但采用铝带键合工艺具有优
高频信号对某些电子元件 良的导电性能、芯片表面接触良好，具有很高的热疲劳
不利以及加热头的位置敏 能力，很强的电流冲击能力，较低的寄生电感以及很好
感度高等。同样地，电感焊 的抗振动能力，非常适合高频和大电流应用。可以预见
也不适合芯片焊接。 铝带键合在IGBT 模块中的应用将会越来越广泛[22－23]。
１．４ 超声焊接 ２．３ 铜线键合
超声焊接（U l t ra so ni c 铜引线具有比铝引线更好的电与热特性，且铜引线
Welding）具有简单、经济及 键合可以大大提高高温应用下的键合界面的可靠性。
焊接质量好等特点，并适用 表 2 为铜与铝的材料特性对比表[24] ，从表中可以看出，
于不同材料属性之间的金 铜的电导率比铝高60%左右，屈服强度约是铝的5倍，其
属焊接，目前被认为是较理 图 2 电感焊 他参数也比铝的要好。在相同条件下，电流能力提高了
想的电极端子焊接方法。 70%，例如，400μm 直径的铝线可以承受电流的典型值
该方法利用超声波直接将 为19 A，而相同直径的铜线能够承受32.5 A 的电流[21]。
电极端子焊接到铜金属化 表２ 铝与铜材料特性比较
衬 板 上 ，无 需 使 用 任 何 钎
特性参数 铝 铜
料，如图 3 所示。它比钎焊
电 阻 率 / Ω・m 2.7 × 0 － 8 1.7 × 10 － 8
更 加牢 固，可以大大提高 热导率 / W・（m ・K ）－ 1 22 0 40 0
大电流模块的长期工作可 热膨胀系数(CTE) /pp m・K － 1 25 16 .5
靠性 [ 1 7 － 1 8 ] 。英飞凌已在其 图 3 超 声 波 焊 接 电 极 端 子 屈服强度 / M P a 29 14 0
弹性模量 /G Pa 50 11 0～1 4 0
Prime-PACKTM及HYBRIDPACKTM2产品上将铜电极端子
熔点 / ℃ 66 0 1 083
直接采用超声波键合到衬板铜金属化面上[19－ 20] 。
目前芯片表面普遍为铝金属化面，而铝与铜存在机
２ 键合技术 械特性失配的问题，铜线键合到铝金属化面的键合点
键合技术用来进行芯片电极之间的互连及引出， 强度不高，并且容易造成芯片损害。因此，对铜引线键
主要有“线”键合和“带”键合 2 种， “线”和“带”的材 合而言，要求芯片正面为铜金属化面。目前英飞凌已经
质均可以是铝或铜。 研究开发出芯片铜金属化工艺及铜引线键合工艺[25] 。
２．１ 粗铝线键合 由于铜引线键合受芯片表面铜金属化工艺的限
IGBT 模块内部芯片正面电极互连一般采用超声引 制，人们提出一种利用铝包铜线进行键合的折中办法。
线键合技术实现互连。目前普遍采用的是粗铝线键合 铝包铜线是在铜线的外围包裹着一层铝，其横截面如
的方式，其工艺技术十分成熟。但是，由于在一个模块 图4 所示。该线的铜体积含量为60%～70%，例如对于
内有多达几百根引线及上千个键合点，在键合点界面 300 μm铝包铜线线径而言，铜线径为230～250 μm，外
处容易发生断裂与脱落。 围包裹的铝层的厚度为25～35 μm。铝包铜线键合兼容
大量试验表明，采用铝引线键合经过多次功率循 了芯片的铝金属化工艺，具有优异的电与热特性，可
环后，会在键合点界面处附近（而不是在界面处）发生 以大大提高键合点的可靠性[26] 。
裂纹而产生失效。即使通过改善铝线的材质，如采用
更好的铝合金材料，以及增加键合强度，使键合界面
处的连接强度更高，可以在一定程度上增加模块寿
命，但是最后还是会在键合点界面处附近发生裂纹而
失效 [2 1] 。并且，当前用于引线键合的粗铝线其最大线
径为500μm，随着模块的功率密度的提高，粗铝线的线
径将是一个限制。
图4 铝包铜线截面图
２．２ 铝带键合
铝带的表面积比横截面积更大，可以提高键合拱 借助“线”键合或“带”键合技术，可以将所有的电
环的稳定性，允许更低的环高、更小的环角度。因此， 极端子预先内嵌在模块外壳内，然后采用粗铝（铜）线

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 机　　车　　电　　传　　动
或者铝（铜）带实现衬板与电极端子的互连，如图 5 所
示[21,27]。这样一方面，将原来尺寸较大的电极端子设置
在模块外壳内，减小了模块内部寄生电感，且电极端
子不再需要经过多次弯曲以满足封装的需要，这将进
一步减小电感，有望将寄生电感降为原来的 1/3。另一
方面，不再需要对电极端子进行焊接，减少一次焊接工
艺，可以大大
提高模块封装
效率。最后，由
于不需要在衬
板上预留空间
以焊接电极端
子，衬板的尺
寸可以减小，
从而减小模块
的体积[28－29]。 图 5 电极端子内嵌于管壳内
３ 压接技术
相对于焊接式IGBT模块，压接式IGBT模块作为另
外一种封装形式，可以双面散热，具有优良的散热效
果及高可靠性，并且在器件损坏时表现出短路失效模
式，广泛应用在智能电网上。此外，由于压接式IGBT模
块的封装形式可与 GTO 一样，因此可以直接取代GTO
应用在轨道交通领域 [30－32] 。
目前，Dynex、IXYS、ABB等公司已经开发出压接式
IGBT模块。Dynex采用如图6所示的结构——类似于晶闸
管的陶瓷外壳封装[33]，IXYS 亦采用与此相似的结构[34]。
这种结构需要在模块内部设置多个芯片定位装置，并
且对芯片的均匀性要求很高，同时，封装结构件很多，
这些结构件的加工精度要求严格，否则会影响产品的
合格率和可靠性。ABB 则采用如图7 所示的结构[35]，内
部采用弹簧端子来接触并引出电极，可以较好地控制
每个芯片的误差，但是，由于采用塑料外壳封装，封装
完成后还需对模块灌注硅胶以保护芯片。Semikron 则
采用焊接与压接相结合的方式 [36] ，先在衬板上完成芯
片焊接和引线键合，再通过对弹簧电极端子的压接完
成封装，如图 8 所示。
　　 图6 压接式 I GB T 模块封装结构 1
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20 13 年
图7 压接式 I GB T 模块封装结构 2
图8 压接式 I GB T 模块封装结构 3
４ 结语
对焊接式 IGBT 模块而言，互连技术的发展趋势是
利用低温连接（银烧结）代替焊料进行芯片焊接；用铝
带键合代替铝线键合以改善电流能力，或者用铜线/ 铜
带键合取代铝线键合以提高电流能力及键合界面强
度；用电极端子超声键合或预先内嵌在管壳内代替电
极端子焊接以减小寄生电感。对压接式IGBT模块而言，
互连技术由直接压力接触向弹簧接触发展，而且，有
望将焊接式 IGBT 模块与压接式IGBT 模块的互连技术
混合应用，如将低温连接与压接技术共同应用于模块
封装，开发出免焊料且免引线键合的小型化、高性能
和高可靠的轨道交通用IGBT 模块。
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