1. SEMICONDUCTORES: Introduccion El avance de la electrénica en los iltimos afos se debe principalmente a los semiconductores, quienes desplazaron a los tubos al vacio y permitieron la implementacién de sistemas complejos con menor consumo de potencia, mas econémicos, mas pequefios y mas fiables. El proceso de conduccién en cualquier material se encuentra directamente relacionado con el movimiento de particulas eléctricamente cargadas. La conductividad es el parametro propio que posee cada material que lo clasifica eléctricamente, dependiendo de su valor dentro de un grupo, como conductor, semiconductor o aislante. La conductividad en un conductor es muy grande y se encuentra en el orden de 6x105/Qcm, mientras que la de un aislante es muy pequefia, del orden de 6x10-18/Qcm. Los semiconductores presentan una conductividad intermedia entre los conductores y los aislantes. La conductividad de cualquier material puede ser modificada por la adicion de otros, denominados impurezas. Materiales Los materiales més utilizados en la electrénica pertenecen al GRUPO IV de la tabla periddica, quienes poseen 4 electrones en su Ultimo nivel de energia (4 electrones de valencia). Cada uno de estos materiales requiere la aplicacion de una cierta cantidad de energia para la generacién de portadores libres, los cuales. quedan disponibles para la conduccién eléctrica. Los materiales de este grupo son, en su orden: C(Carbono), Si(Silicio), Ge (Germanio), Sn(Estafio) y Pb(Plomo). AL analizar la estructura atémica del C (carbono) se aprecia que los 4 electrones. de valencia se ubican en el segundo nivel de energia, tal como se ilustra en la Fig.1-1(a), y es ésta la raz6n por la cual son fuertemente atraidos por el nucleo y requieren la aplicacién de un nivel elevado de energia para que se presente la ionizacién y con ello la generacién de cargas eléctricas que permitan la conduccién. Las anteriores propiedades lo clasifican dentro del grupo de los aislantes. A continuacién del Carbono (C) se encuentra el Silicio (Si), el cual presenta tres niveles de energia y seguidamente, dentro de! mismo grupo, el Germanio (Ge) con un nivel mas de energia que el Silicio, lo que implica que posee cuatro niveles de energia; la estructura atémica del Ge se ilustra en la Fig.1-1(b). (Cap-5Seniconduetores . (Cara tnés Bonilla Romerocc) Ge(32) @ © Fig.1-1 (a) Estructura atdmica de un étomo de carbono (@) Estructura atémica de un étomo de Germanio Para cualquier material el hecho de poseer sus electrones de valencia mas alejados del nucleo, implica que la energia que se requiere aplicar para que exista generacién de cargas libres es menor, es decir, dentro de este IV grupo existen materiales aislantes, conductores y semiconductores. El Electron-voltio. eV. Cuando se trabaja con las energias de los electrones, las expresiones numéricas son muy bajas o muy pequefias. Se requiere definir una nueva unidad denominada electrén-voltio cuyo nombre se obtiene a partir de su definicidn: si un electrén se desplaza a través del potencial de un voltio, la cantidad de energia potencial que se convierte en energia cinética es igual a un electrén-voltio, 0 lo que es lo mismo .6x10°C x1V=1.6x10"J =1eV. Energia de ionizacion En la siguiente tabla se puede apreciar los niveles de energia necesarios para obtener la ionizacién de un elemento cualquiera del grupo IV clasificado de acuerdo a su comportamiento eléctrico: MATERIAL ENERGIA CLASIFICACION CCarbono) .6-BeV—> AISLANTE ‘siSiic). it ev Ge (Gorman) ..,68 ev ~LseuiconoucTones Sn(Estafo). 0,050. Pb(Plomo). 0,0600. CONDUCTORES El estafio (Sn) y el plomo (Pb), requieren de la aplicacién de un nivel muy pequefio de energia y por esta razén son conductores. Cap} Semiconduetores <2. (Cara tnés Bonilla RomeroDentro de los materiales semiconductores, el Ge presenta una conduetividad de 2.2x10? O-'/cm y requiere la aplicacién de una energia de 0,85 eV, mientras que el Si presenta una conductividad de 4x10°Q""icm y requiere la aplicacién de una energia de 1.23 eV para la liberacion de un electron. Comparando estos dos materiales semiconductores se observa que el Ge tiene la mayor conductidad, requiere menor cantidad de energia para su ionizacién, presenta un nivel de energia menos y sus electrones de valencia se encuentran mas cercanos del nucleo con respecto al Si. Formacion de Bandas de energia La quimica basica establece que los atomos de cualquier material se encuentran constituidos por un nucleo y un determinado numero de electrones los cuales giran en orbitas a su alrededor. Estas orbitas no son perfectamente circulares y el parametro mas importante es el momento angular del electron. No esta totalmente entendido porque ciertas reglas atémicas o leyes no son violadas, sin embargo, ciertos principios han sido desarrollados basados en la observacién y tienden a soportar estas reglas. Es conocido, por ejemplo, que un electrén esté asociado con un nucleo solamente en un estado discreto de energia, esto es, cada electron tiene un valor particular de momento angular orbital, orbita, momento angular de giro y energia total. El principio de exclusién de Pauli describe el hecho de que no hay dos electrones en un sistema que puedan ocupar el mismo estado. Si los valores discretos de energia permitida son asociados con las orbitas del electron, el principio de exclusion de Pauli puede ser usado para predecir el numero de electrones requeridos para llenar cada orbita. En bajas energias, se permiten valores menores de momento angular y se requieren menos electrones para llenar la envoltura. Como resultado del mayor valor del momento angular permitido, mas electrones pueden ser acomodadhs en las orbitas de mas alta energia. No todos los estados posibles son ocupados por electrones aunque, en general, las orbitas de menor energia tienden a estar llenas. Cada elemento atmico tiene una configuracién particular de electrones. Es posible modificar la configuracién electrénica de un Atomo y una de esas modificaciones se lleva a cabo a través de la ionizacién. Como la energia es impartida a los electrones mas externos o de mas alto nivel de energia, un electrén puede romper su asociacién con el nicleo y llegar a ser electrén libre. El tomo se dice que esta ionizado cuando uno o mas electrones lo dejan; entonces presenta una carga neta igual en magnitud pero opuesta en signo a la carga electrénica de los electrones libres. Hay varias formas de ionizar los atomos: mediante energia térmica, es un importante ionizador en los semiconductores; 0 con energia éptica, es utiizada en dispositivos de conductividad foténica y finalmente mediante energia eléctrica, la cual es utllizada para ionizar étomos de gas en varios dispositivos incluyendo tubos tales como los de neén: (Cap-5Seniconduetores . (Cara tnés Bonilla RomeroEl principio de exclusién de Pauli establece que dos electrones de un sistema no pueden ocupar el mismo estado; considerando el atomo aislado se tiene que los electrones se sittian en niveles de energia discretamente diferenciados, pero como los atomos se encuentran cercanos, las fuerzas interatémicas actdan con los &tomos vecinos y causan que los niveles de energia permitidos se dispersen en bandas. Los estados de energia permitidos pueden definirse en términos de bandas mejor que en niveles discretos de energia para un atomo. Las regiones entre las bandas de energia permitidas, son llamadas regiones prohibidas 6 energia de Gap. Los electrones pueden ser excitados a estados superiores de energia aplicando la energia necesaria para pasar a través de la banda prohibida, pero nunca pueden permanecer entre bandas debido a que, si no se aplica la energia suficiente para pasar a la banda superior, esta obligado a permanecer en su banda original. Las bandas de energia permitidas de mayor importancia en los semiconductores son la banda de valencia y la banda de conduccién. La banda de conduccién representa los niveles de energia permisibles de los electrones libres mientras que la banda de valencia representa los niveles de energia correspondientes a los electrones de la tltima érbita, Fig. 1-2. ENERGIA 4 Nivel de conduccién Nivel de valencia Fig, 1-2 Distibucién en bandas de energia para un material En el Sio en el Ge, a muy bajas temperaturas, la banda de valencia se encuentra completamente lena con electrones y la banda de conduccién vacia de electrones; el semiconductor en muy bajas temperaturas es un no conductor de electricidad. A temperatura ambiente hay suficiente energia térmica aplicada a los. electrones para causar que una pequefia fraccién abandone la banda de valencia y pase ala banda de conduccién. Cap} Semiconduetores (Cara tnés Bonilla RomeroExisten dos tipos de conduccién en los semiconductores: Por el paso de electrones a la banda de Conduccién, la cual es llamada conduccién por electrones. Por la creacién de estados vacios, huecos, en la banda de Valencia, la cual es llamada conduccién por huecos. A la pareja electrén-hueco generados se le llama portador de carga. En la Fig.1-3, se ilustra el esquema de bandas para el aislante y el semiconductor; alli se aprecia que el material aistante presenta una energia de Gap muy grande y a la vez el material semiconductor una energia de Gap relativamente pequefia, los conductores presentan una energia de Gap aproximadamente nula y en estos materiales a veces se traslapan la banda de valencia y la banda de conduccién ENERGIA ENERGIA 4 * Nivel de conduccisn vel de conduccisn Energia Noel klucei aplicar GAP Enero a anlicar GAP [Nivel de vatencia irre] Seaaieaein > > » Fig.1-. (a) Representacién en bandas de energia para un semiconductor. (6) Representacién en bandas de energla para un aislante El Gap de cualquier material disminuye el aumentar la temperatura de acuerdo a la ecuaci6n: E,(T) = EOK) - pT donde: E, (T) : Energia de Gap a la temperatura de trabajo T. E, (OK): Energia de gap a 0K eneV. B : Rata de variacién de la energia de Gap (propia de cada material) en eV/K. T : Temperatura absoluta a la que desea calcular nuevo gap en Kelvin. El valor para Bes: Ge si B 2,23x104 eVIK 3,6 x 104 eV/K Cap} Semiconduetores (Cara tnés Bonilla RomeroSemiconductor intrinseco La conduccién depende del numero de electrones libres (electrones de conduccién) y del numero de huecos en la banda de valencia. El material semiconductor puro tiene igual nimero de huecos y electrones libres y es llamado también semiconductor intrinseco. Se asume que es posible obtener Germanio puro o silicio puro lo cual es prdcticamente imposible, posteriormente se tratard la teoria de dopaje. Cuando el material es puro, constituido Unicamente por Atomos de Ge 6 de Si como se observa en la estructura atémica en la Fig.1-4, cada Atomo comparte sus cuatro electrones de valencia por medio de enlaces covalentes, obteniendo de esta forma ocho electrones de valencia y quedando eléctricamente neutro. 0 8 Bee Doo) ob)e~m 0 9 OS Fig.1-4 Estructura atémica de un semiconductor intinsaco de Germania 0 de Sie puro Al aplicar la energia de Gap suficiente, un electrén puede liberarse y pasar de la banda de valencia a la banda de conduccién; en este momento se presenta la conduccién por electrones. En el lugar antes ocupado por el electrén se forma una carga positiva (+) llamada hueco; ésta no se puede desplazar por ser fija, pero cuando un electron cercano es atraido por ella, se puede apreciar una conduccién en el nivel de valencia por el movimiento aparente del hueco. Los que se desplazan realmente son los electrones quienes son atraidos por los huecos, esto se presenta debido a que cada tomo tiende a completar 8 electrones de Cap-5 Semiconduetores -6- (Cara tnés Bonilla Romerovalencia y cuando le falta alguno tiende a completar su octavo electron. Esta conduccién se denomina conduccién por huecos, como se aprecia en la Fig.1-5. 8 8 Q 5 ‘ a= Lec ie “ore Og a Fig. 1-5 Estructura atémica de un semiconductor intrinseco cuando se aplca energia y se Iibera un eletrén,creéndose un hueco A cualquier temperatura, tanto en el Ge como en el Si puros, la densidad de electrones libres es igual a la densidad de huecos. Esta densidad puede ser calculada a cualquier temperatura para un material dado. Para calcular la densidad de electrones libres 0 huecos de un material intrinseco se utiliza la estadistica de Fermi-Dirac 0 Boltzman y algunas consideraciones de mecanica cuantica. Tedricamente, y se verifica experimentalmente, la concentracién de electrones libre (nj) y la concentracién de huecos (p) para Ge o Si puros esta dada por: n(T) = p(T) = AT? && Donde: E, : Energia de Gap del material en eV. T: Temperatura absoluta en K. A : Constante independiente de la temperatura K : Constante de Boltzman = 1.381x10*J/K = 8.620 x 10° eV/K Cap-5 Semiconduetores aia (Cara tnés Bonilla RomeroA temperatura ambiente (300K aproximadamente) las concentraciones intrinsecas para el Ge y el Si son: Si Ge mn, 1.4x10'° 25x10" Con unidades: electrones (0 huecos) por cm La diferencia entre las concentraciones de los dos materiales es el resultado de las diferencias entre sus energias de Gap. Existe una ley denominada de accién de masas la cual establece que en condiciones de equilibrio térmico, el producto de la concentracién de las cargas Positivas y negativas libres es una constante independiente de la cantidad de donador o aceptador, la cual se hace extensiva a los semiconductores dopados: n?=np, Para este material puro se cumple que n = n = p. donde: n,: Concentracién intrinseca, 1: Concentraci6n de electrones libres y p: Concentracién de huecos. Semiconductor Dopado Se puede modificar la estructura de un semiconductor intrinseco agregando cierto tipo de dtomos, llamados impurezas, los cuales pueden contribuir con huecos 0 electrones libres. Impurezas Aceptoras Al agregar este tipo de impurezas se crean huecos adicionales en la banda de valencia. Esto puede ser realizado por la adicién de atomos tales como Boro, Galio o Indio, los cuales contienen 3 electrones en su banda de valencia. Cuando estos atomos aceptores pasan a formar parte de la estructura atémica del cristal, los enlaces covalentes no se completan para todos los atomos pues los atomos aceptores solo poseen 7 electrones de valencia, mientras que el arreglo del enlace covalente requiere 8 electrones de valencia. Un electrén de algun atomo vecino puede facilmente caer dentro de este vacio dando como resultado la generacion de un hueco como se aprecia en la Fig. 1-6. Cap} Semiconduetores (Cara tnés Bonilla RomeroFig.1-6 Estructura atémica de un material dopade too P eon atomos de impurezas Aceptoras Desde el punto de vista de energia, los atomos aceptores establecen el estado del electrén en niveles de energia cercano a la banda de valencia. La energia térmica de los electrones de valencia puede facilmente excitar electrones a este nuevo estado. Asi, a temperatura ambiente, facilmente se crea un hueco por cada atomo aceptor presente en la estructura. La representacién esquematica se ilustra en la Fig.1-7. ENERGIA + Nivel de conduecién Energia a aplicar GAP Stomos acepores Nivel de valencia aa Fig. 1-7 Distibucion en bandas de energia para un material dopad tipo P. Cap-5 Semiconduetores 9. (Cara tnés Bonilla RomeroAl liberar electrones que pasan a la banda de conduccién se crean huecos adicionales en la banda de valencia, asi, para este material p>ny es por esta razén que el cristal formado se denomina tipo P, y por ser los huecos los portadores que hay en mayor cantidad, se dice que este material tiene portadores mayoritarios huecos y portadores minoritarios electrones. Definiendo: Na : Densidad de atomos aceptores Pp : Concentracién de huecos en el cristal P Np : Concentracién de electrones libres en el cristal P, la concentracién de portadores mayoritarios es pp Na, despreciando los huecos generados por agitacién térmica. Aplicando la ley de accion de masas, nj? = np Pp, se obtiene la concentracién de portadores minoritarios como: Aunque el semiconductor este dopado, la carga neta siempre es igual a cero. Un Atomo aceptor aislado es eléctricamente neutro como lo son todos los atomos del material. Cuando un electron de valencia abandona su atomo, el vacio 0 hueco es una carga positiva +q para ese tomo; el atomo que acepte ese electrén adquiere una carga negativa -g, manteniéndose la carga neta igual a cero. Impurezas Donoras Los dtomos donores son los que presentan 5 electrones en su ultima érbita, tales como: Antimonio, Arsénico y fésforo. Actwan como impurezas donoras. Cuando un tomo pentavalente es inciuido dentro de la estructura atémica del Ge 6 del Si, solo 4 electrones de la impureza forman el enlace covalente de tal forma que un electrén del atomo donor se encuentra practicamente libre, aunque realmente el nucleo lo mantiene en su nivel de valencia correspondiente. El quinto electron puede facilmente liberarse y generalmente a temperatura ambiente, la energia térmica es suficiente para ionizar todos los atomos donores. En la Fig.1-8 se aprecia la estructura atémica de este material. (Cap-5Seniconduetores =10- (Cara tnés Bonilla Romero0 8 Qo) oe) <> be areas Fig. 1-8 Estructura atémica de un material dopado tio Ncon impurezas donoras. Electrén sobrante En el esquema de bandas se aprecia que la energia de estos atomos donores se encuentra cerca de la banda de conduccién, de tal forma que aplicando una pequefia energia, estos electrones pasan a la banda de conduccién tal como se ilustra en la Fig.1-9. ENERGIA * Nivel de conduccién Nivel de valencia Fig. 19 Distibucion en bandas de energia para un material dopado too N. Al aplicar una energia mayor se liberan electrones adicionales y se crean huecos en el nivel de valencia. Por presentar este material mAs electrones libres que Cap-5 Semiconduetores ate (Cara tnés Bonilla Romerohuecos, n>p, a este material se le denomina tipo N. En este material, los portadores mayoritarios son los electrones y los minoritarios los huecos. Definiendo: Np : Densidad de étomos donores Np: Concentracién de electrones en el cristal N Pp: Concentracién de huecos en el cristal N En este cristal los portadores mayoritarios son aproximadamente igual al numero de atomos donores, es decir, m No despreciando los electrones generados por agitacién térmica. Aplicando la Ley de accién de masas: 2 = MX Pn De donde la concentracién de portadores minoritarios es Con estas ecuaciones se puede calcular tedricamente la concentracién de portadores. Proceso conduccién en los semiconductores La conduccién eléctrica_en los cristales depende de los portadores libres y la facilidad de movimiento de éstos. El movimiento de portadores se produce basicamente por tres fendmenos: Agitaci6n térmica, debida al aumento de temperatura. Arrastre, debida a la aplicacién de un campo eléctrico Difusién, debida a la existencia de un gradiente de concentracién. Flujo de corriente por arrastre La conduccién de corriente eléctrica en un sélido esta relacionada con el numero de portadores libres y la facilidad 0 velocidad a la cual estos portadores se pueden desplazar. Cuando un campo eléctrico existe en el espacio libre, el movimiento de un electron puede ser facilmente predicho por los métodos clisicos basados en las leyes de movimiento de Newton; no obstante en los procesos de conduccién electronica, a través del semiconductor, es necesario aplicar la mecdnica cuantica; Cap-5 Semiconduetores -12- (Cara tnés Bonilla Romeroen el espacio libre las particulas no colisionan mientras que el desplazamiento del electrén en el semiconductor se produce por las interacciones electrén-electron y electrén-cristal. Conduccién por electrones Movilidad Tanto en los metales como en los semiconductores tipo N, al aplicar un campo eléctrico extero, se liberan grupos de electrones cuya rata de desplazamiento con fespecto al tiempo es la corriente. La aplicacién de un campo eléctrico a un semiconductor tiende a acelerar los electrones libres en una determinada direccién, las colisiones limitan la velocidad de los electrones, entonces, se habla de una variable que especifica la velocidad promedio de los electrones por unidad de campo eléctrico aplicado, esta es la movilidad y se expresa como: donde: i es la movilidad en cm?/volt seg V: es la velocidad promedio de los electrones en cm/seg E: el campo elécttico aplicado en volt/em, A temperatura ambiente las movilidades de los electrones para el semiconductor intrinseco son: Si Ge Mn: 1300 cm/volt seg 3800 cm?/volt seg Estos valores decrecen con el incremento de los niveles de dopado. Densidad de corriente Es la corriente media por unidad de area del conductor, cuando la distribucién de corriente es uniforme. Si Jes la cortiente y Aes el rea, entonces, la densidad de corriente es: T ge A Si nes la concentracién de electrones y Vjes la velocidad promedio, la densidad de corriente, J, se puede expresar como: Jn nqvn (Cap-5Seniconduetores -13- (Cara tnés Bonilla RomeroDonde el signo negativo es consecuencia de la carga negativa del electrén. Conductividad La conductividad, o; es el inverso de la resistividad, , por lo tanto: donde: @: conductividad del material en Q-tom Rs resistencia en Q. L: longitud de! material en cm A: area del material en cm? Cuando la conduccién es por electrones: ngV,, Qt nly cm My donde: q: carga del electron = 1.602 x 10 Coulomb. n: densidad de electrones en ntimero de electrones por cm? ‘Mp. Movilidad en cm?/vol-seg. De acuerdo con la anterior expresién, la conductividad es funcién de los portadores libres determinados por el proceso de dopaje y de la temperatura del semiconductor. Esta dependencia de la temperatura permite la construccion de sensores térmicos. Conduccién por huecos Los huecos pueden ser creados por dopado del semiconductor con impurezas aceptoras. Un hueco puede ser llenado si un electrén de valencia de un atomo vecino ocupa el vacio. A temperatura ambiente y sin un campo eléctrico aplicado, los electrones de valencia se mueven en miiltiples direcciones. La aplicacién de un campo eléctrico tiende a ordenar el movimiento de estos electrones. Es muy util representar el hueco como una carga positiva, +g, que aparentemente se mueve en la direccién del campo eléctrico aplicado, opuesta ésta, a la direccién del movimiento de los electrones. El flujo de corriente por la conduccién de huecos es un poco diferente del de la conduccién de electrones libres. Para el caso de electrones libres, estos se (Cap-5Seniconduetores o14- (Cara tnés Bonilla Romeromueven a través del cristal con varias interacciones y permanecen libres. En la conduccién por huecos, los electrones no solamente interactuan con el cristal y otros electrones sino que caen en los vacios hechos en el dopaje, por lo tanto la movilidad del hueco es menor que la del electr6n libre. A temperatura ambiente, la movilidad del hueco es: si Ge Up 480 cm*/volt seg 1800 cm’/volt seg Teoricamente la movilidad del hueco tiene la misma dependencia de la temperatura que la movilidad del electron. Tal como se dedujo la conductividad del material tipo N, la conductividad del material tipo P es: pear aeno EP Vom)" donde pes la concentracién de huecos. Conductividad intrinseca Cuando un electrén de valencia de un atomo semiconductor intrinseco gana suficiente energia para romper su enlace, contribuye al proceso de conduccién en dos formas: por el movimiento de electron y por el movimiento del hueco creado. Ambos resultados de conduccién son independientes, pero las concentraciones de cada tipo de portador pueden ser relacionadas. En general, la expresién de conductividad refleja el efecto de los dos tipos de portadores 2 = patty + nan, | } Para el semiconductor puro el ntimero de electrones libres es igual al numero de huecos por lo tanto la conductividad intrinseca esta dada por: o=an(u,+H,) (%] om Flujo de corriente por difusion El proceso llamado difusién es el resultado de una distribucién no uniforme de portadores de carga, es decir, se debe a un excesivo numero de portadores en una region particular. Es factible tener, en un semiconductor, una concentracién de Cap-5 Semiconduetores -15- (Cara tnés Bonilla Romeroparticulas no uniforme como se indica en la Fig.1-10, donde, la concentracién de huecos varia con la distancia x del semiconductor y existe un gradiente de concentracién dp/dx. Los huecos tienen un movimiento al azar por la agitacion térmica y durante algiin intervalo de tiempo, mayor cantidad pasaran del lado de mayor densidad al de menor densidad que en sentido contrario. Este transporte de huecos produce una corriente resultado de un proceso estadistico. Portador Mayor conventracién on Menor de portadores > — + concentracién r P9928 ovine de portadores fo) +<—___~1A___+ Distancia Fig.1-10. Movimiento por altusén de impurezas de la zona de mayor ‘concentacion a ia zona de menor concenracion La derivada dp/dx representa la variacién de la concentracién con la distancia y es negativa debido a que la concentracién de p disminuye cuando se incrementa la distancia, como se ilustra en la Fig. 1-11. Concentacin de portadores P dp dx Distancia x Fig.1-11 Caractritica dela concentracién de portadores con lacistancia, El sentido de la corriente de difusién, debida a las particulas depende de la carga de éstas. Cap-5 Semiconduetores = 16- (Cara tnés Bonilla RomeroPara los huecos la corriente de difusi6n en un punto x es: » gD,A ap LE de El signo negativo en la corriente de huecos lo produce la pendiente negativa de dp/ax. Donde: q: carga del electrén en Coulomb. D: constante de difusién que depende de! dopado, de la movilidad de los portadores y de la temperatura, en unidades de om*/seg. dp/dx: pendiente del gradiente de concentracién en huecos /cm®. A: area del material en cm? Para los electrones y teniendo en cuenta que su carga es negativa, —q, entonces el flujo de corriente de difusién de electrones en un punto x es: 1,=qD,4@ dx La cual es ahora positiva, debido al producto entre -q y el gradiente de concentracién, que es negativo Para obtener la densidad de corriente simplemente se divide la expresin anterior por el area A. Valores tipicos, a temperatura ambiente, de las constantes de difusién para los electrones y los huecos en el Si y el Ge intrinseco son: Si Ge Dy 34.cméIsec 98 cm*/sec Dy, 13. cm*/sec 46 cm*/sec. (Cap-5Seniconduetores <7 (Cara tnés Bonilla Romero