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Práctica de laboratorio No. 1: Amplificadores de
Pequeña Señal con BJT
Vladimir Cárdenas , vlcardenasbo@unal.edu.co, cód. 261830
Wilson Peña, mfclavijon@unal.edu.co, cód.261820
Jennifer Zuluaga, jczuluagat@unal.edu.co, cód.261823
Abstract—Most electronic devices are based on analogue elec-
tronics, however and despite most analogue transistors used
these days are FET or MOSFET transistors, BJT transistors
are highly used on many power circuits. That’s the reason why
these transistors were characterized and analyzed in this paper.
We are going to present a very short but cloncusive report
on a single transistor (2N3904) configured in the four basic
polarizations, common collector, common base, common emitter
with and without degeneration. The configurations are going to
be determined by simple supositions such as Collector Emitter
Voltage (VCE ), voltage gain on the amplifier (Av ), or Collector
current (IC ), choosing these parameter will let us design a simple
composition for each configuration.
I. I NTRODUCCI ÓN
La investigación electrónica es uno de los principales com-
ponentes en la actualidad para el desarrollo, ya sea con
fines puramente comerciales, altruistas y demás, dentro de
esta investigación, se han llegado a estados de avance fuera
de proporciones donde los componente son tan bastos y
amplios que no se podrı́an clasificar dentro de la electrónica
propiamente en la actualidad, sin embargo, si podemos atribuir
el desarrollo de la electrónica moderna, al desarrollo de nuevos
métodos de análisis y diseños basados en transistores que
inicialmente eran BJT, por esto realizamos la caracterización
que se presenta este documento donde con diseños sencillos
encontramos diferentes puntos de operación y análisis para
cada uno de estos, ya sea que estemos analizando su ganancia
de tensión (Av = VVoi ), su punto de polarización o su ancho
de banda (ωm = ωmáx − ωmín ). A partir de estos análisis
se presentarán las conclusiones para cada transistor y su
configuración.
II. O BJETIVOS
• Realizar el diseño, simulación e implementación de un
amplificador BJT en configuración emisor común sin
degenerar, base común y colector común.
• Verificar que la teorı́a vista en clase para las configura-
ciones de los transistores BJT coincide con lo obtenido
en el laboratorio.
• Analizar la respuesta en frecuencia de las diferentes
configuraciones para el transistor.
Facultad de Ingenierı́a, Universidad Nacional de Colombia
Ing. Juan Felipe Gutierrez
III. M ARCO T E ÓRICO
La electrónica análoga inició con el descubrimiento del
tuvo de vacı́o, siendo este el más importante avance en
la electrónica del momento, diferentes factores, como las
guerras, las mega compañias que surgı́an gracias a las
diferentes disputas territoriales y religiosas, entre otras,
hicieron que las investigaciones en electrónica avanzaran tan
rápido que los tubos no tuvieron tiempo de envejecer cuando
ya tenı́amos el desarrollo de los diodos semiconductores,
hechos con diferentes metales con un altı́simo grado de
pureza, ası́ mismo los diodos semiconductores produjeron un
boom en el desarrollo electrónico por lo que surgió de aquı́
la base de la electrónica cuando en Farchild semiconductors
unieron dos materiales dopados con electrones y uno dopado
con falta de electrones (huecos), formando ası́ el primer
transistor siendo esta la base de toda la electrónica.
Muchos transistores han sido fabricados desde entonces,
sin embargo, en este documento nos limitamos a los
transistores BJT, en especial al transistor ”2N3904”, siendo
este un transistor NPN. Las principales configuraciones para
los transistores NPN se muestran a continuación.
Emisor Común:
Esta configuración es caracterı́stica en sistemas con ganan-
cia alta, donde podemos mostrar diferentes configuraciones,
en la figura 1 observamos un emisor común sin degenerar,
sin embargo, la configuración alternativa se presenta cuando
se quiere un ancho de banda más grande y se realiza una
configuración en degeneración, es decir, retiramos el capacitor
que tenemos en la resistencia del emisor, ası́, aunque tengamos
una disminución significativa en la potencia, podemos tener
un ancho de banda mucho más grande y poder trabajar con
frecuencias más altas.
Base Común:
La configuración de base común se muetsra en la figura
2 donde podemos observar que la señal ingresa al transistor
por el emisor y esto condiciona la entrada, por otro lado la
salida se encuentra en colector, si observamos el modelo pi que
se encuentra en la figura 4 vemos que la entrada comparte
la resistencia con la salida, por lo tanto la variación en la
resistencia de entrada nos varı́a la impedancia de salida.
 Universidad Nacional de Colombia. Cárdenas, Peña, Zuluaga, Amplificadores Básicos BJT, Febrero de 2015.
Figure 1: Configuración en emisor común sin degenerar [4]
Figure 2: Configuración en base común [4]
Colector Común:
Por último tenemos la configuración de colector común
donde la entrada se da de nuevo por base y la salida se da por
emisor, para esta configuración tenemos que las impedancias
son realmente apropiadas para diferentes configuraciones ya
sean impedancias de entrada altas o bajas, asimismo se pueden
configurar impedancias de salida altas o bajas.
Figure 3: Configuración en colector común [4]
Para el análisis en pequeña señal (Vin ∼ 10Vp ) del circuito
utilizaremos el modelo de análisis pi, mostrado en la figura 4,
este modelo nos facilita la interpretación del circuito cuando
este está siendo analizado en corriente alterna, sin embargo,
se encuentra limitado a valores de señales muy pequeñas.
Figure 4: Modelo pi de análisis en pequeña señal
Además de este modelo, debemos implementar ciertos
cálculos necesarios para comprender y trabajar el circuito en
su equivalente PI, las ecuaciones más importantes son:
Vbe
Ic = Is e Vt (1)
Donde el voltaje Vbe se supone inicialmente 0.7V , sin
embargo, al escoger nosotros inicialmente la corriente que
necesitamos podemos hallar el voltaje colector-emisor aprox-
imadamente real, teniendo en cuenta que VT es el voltaje
térmico caracterı́stico de cada transistor y suministrado por la
empresa manufacturera, sin embargo podemos utilizar como
valor general VT = 25mV , siempre que se esté trabajando a
temperatura ambiente. Otra ecuación importante el la resisten-
cia r0 :
VA + VCE
(2)
IC
Además de esto tenemos la ecuación que nos relaciona la
fuente dependiente del esquema en la figura 4, donde decimos
que la relación para la fuente es: Igm = VBE gm, donde gm
está dado por:
Ic
gm = (3)
VT
Finalmente tenemos los parámetros establecidos y las ecua-
ciones necesarias para hacer un análisis concreto para el
sistema.
IV. R ESULTADOS
Para la realización de la práctica de laboratorio se hicieron
ciertos diseños que permiten desarrollar los objetivos de
forma apropiada. A continuación se presentan los resultados
obtenidos
Colector Común
Para este diseño, se requerı́a utilizar un transistor BJT en
un circuito sencillo de amplificación, donde el único requisito
para este era tener una corriente de colector IC de 5mA.
El análisis de polarización DC se hace necesario, en la
intención de garantizar el funcionamiento activo-directo de
los transistores implicados, en el caso de la etapa colector
común, esto se encuentra estrictamente relacionado con el
valor de RE , en este caso se busca, además, una corriente de
5mA.
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Tabla 1. Valores reales calculados y resistencias normalizadas

Resistencia Valor (Ω)
Calculada 802
Real 820

ICQ
• gm = VT = 200 mA
V

VAF −V CEQ
• ro = ICQ = 414, 88Ω

Tabla 2. Resistencias para la polarización del transistor

Resistencia Valor(kΩ)
Figure 5: Circuito completo de emisor común con salida a RB2 2.7
colector común (R5 representa la resistencia RE . RB1 10

Al agregar esta configuración en la salida del primer Al verificar la polarización del circuito obtuvimos los sigu-
transistor se sabe que la corriente que inicialmente circulaba ientes valores.
por el colector del primer transistor presentará un cambio Tabla 3. Resistencias para la polarización
en magnitud, una parte de ella será aplicada a la base del Magnitud Real Teórico Error
segundo transistor, con lo cual la tensión que caerá sobre este IC 4.78mA 4.89mA 2.25%
terminal cambiará en igual proporción.
VCE 8.3 V 7.97 V 4.14%

La magnitud de la corriente de base IB2 , puede determinarse

a partir de la corriente de polarización, de la siguiente manera: Apagando las fuentes y utilizando el modelo hı́brido PI
descrito en la figura 4, llegamos al modelo en pequeña señal.
Donde los valores necesarios se muestran a continuación.
Ic = 5mA
En la tabla 4 se presentan tanto los valores teóricos y reales
Ic 5mA de la ganancia calculada como las impedancias de entrada o
IB = = = 25µA
β 200 salida respectivas.
El cambio en la corriente de colector viene dada entonces Tabla 4. Valores de los parámetros de colector común
por: Ganancia Zin (kΩ) Zout (Ω)
Real 0.897 20 261.4
Ic1 − Ib2 = Ic1a Teórico 0.935 18.23 287
Por tanto, la nueva tensión de colector vendrı́a dada por: Error 4.23% 1.77% 8.79%

Vc = Vi = 12 − 560Ic1a
En un principio vemos que la ganancia es casi igual de lo
En la etapa de colector común, entonces se sabe que la que se esperaba, existen errores de medición incluyendo que
tensión que cae sobre el colector (Vc2 ) viene dada por la el beta real es mucho más bajo que el del modelo spice, en
relación: las resistencias de entrada y salida suponemos que el error
fue causado por la impedancia de los condensadores y la
Vi + 0.7 = VE2 = 4.026V falta de precisión de los potenciómetros utilizados para dicha
medición, los cuales se colocaron en serie tanto en la entrada
VE2 como a la salida y se variaron hasta que la señal cayo a la
RE = = 802Ω mitad para luego medir la resistencia del potenciómetro y
5mA
fijarla como resistencia de salida o de entrada según la que
Por tanto, se sabe que la tensión colector-emisor se resume: se estuviera midiendo. Lo importante fue que se demostró
el comportamiento de una impedancia alta de entrada y una
VCE = VC − VE = 12 − 4.026 = 7.97V impedancia de salida muy baja.
Ahora bien, los parámetros necesarios para realizar el
análisis de pequeña señal se resumen de la siguiente manera:
Base Común
βVT
• rπ = ICQ = 1kΩ La estructura base para el diseño del amplificador se
muestra en la figura (), el parámetro de ganancia requerida
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Con estas suposiciones, se plantearon ecuaciones de mallas,

basados en el circuito de polarización.

Al hacer uso de las ecuaciones pertinentes (mallas colector

Figure 6: Simulación Colector Común Completa.
a emisor y divisor de tensión en Base), vemos que la ganancia
tiene una relación directa con la resistencia de colector y la
resistencia re que se encuentra en función de la corriente,
esto puede representar un problema ya que la resistencia re
no tiene un valor significativo como para modificar realmente
los valores de ganancia y por lo tanto casi toda la ganancia
depende de RC . Usando estas ecuaciones, obtenemos que las
resistencias calculadas son:

• RE = 3.92kΩ
• RC = 281.8Ω
• RB1 = 1kΩ
• RB2 = 2kΩ

Aproximando estos valores de resistencias a los valores

comerciales más cercanos, tenemos que sus valores reales
utilizados en la prática fueron de:

• RE = 4kΩ
Figure 7: Resultados Simulación Colector Común en DC. • RC = 330Ω
• RB1 = 1kΩ
• RB2 = 2kΩ
se encuentra definida por Av = 2 + (mod(X, 7)/0.5) donde
para nuestro caso x = 3 y por lo tanto la ganancia. Teniendo estos valores de resistencias, podemos ahora tratar
el circuito a modo de análisis, para hallar la ganancia teórica,
y las impedancias de entrada y salida. Para ello, se usaron
valores ya normalizados de resistencias. Con esto se obtienen
los valores que se ven en la tabla 6:
Tabla 6. Valores de los parámetros de base común
Ganancia Zin Zout
Real 3.16 54.8ω 270Ω
Teórico 3.5 49.4ω 265.6Ω
Error 9.7% 11% 1.7%

En esta tabla nos podemos dar cuenta que, si bien es

Figure 8: Configuración primaria para diseño de base común.
En esta parte de la práctica se hizo el diseño de un
amplificador de una etapa en configuración de base común.
El objetivo de diseño era una ganancia de 3.5 V/V. Para el
proceso de diseño se tomó como referencia este parámetro
principalmente, además se supuso una alimentación total de
circuito de 12V y, finalmente, que el valor del divisor de
tensión puesto a la base aplicara a ésta un valor de 1/4 de la
tensión de alimentación.
Con estos parámetros, se hacen 3 suposiciones importantes:
Que el transistor se encuentra en modo activo directo, que el
voltaje Vbe es de 0.7V, y que el β del transistor es de 300.
cierto que los valores no son exactos, se acercan bastante
a los valores calculados. Estas diferencias se pueden dar
por la tolerancia de las resistencias, y un (β) distinto en el
transistor usado respecto al β usado para calcular estos valores.
Posterior a esto, se realizaron las mediciones del ancho de
banda del circuito amplificador, hallando los puntos en que la
ganancia caı́a a -3 dB. Estos valores son:
Tabla 7. Frecuencia de Operación para el transistor
Valor
Frecuencia Mı́nima 100Hz
Fercuencia Máxima 500MHz
Ancho de Banda 400MHz
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Emisor Común La señal de entrada del circuito en emisor común fue de,
Para el Emisor Común realizamos inicialmente el análisis aproximadamente, 708mVpp , equivalente a más o menos
de polarización abriendo los condensadores y por lo tanto 500mVrms . La señal de salida medida en el osciloscopio
desconectando la entrada. Por Théveninen la base tenemos fue de 6.5Vpp , lo que genera una ganancia de voltaje
un Vt h y Rt h en serie con la resistencia de 10k de la base AV VVoi = 0.708
6.5
= −9.2[V /V ]
calculadas como sigue:
Para medir el lı́mite de la frecuencia de banda media de
2.7k nuestro amplificador, empezamos a variar la frecuencia desde
Vt h = 12 = 2.55 (4)
12.7k 1KH en adelante, hasta que el valor pico se redujera en un
Rt h = 10K||2, 7K = 2, 13K (5) factor de 0.707, es decir 6.5 ∗ 0.707 = 4.6Vpp . La frecuencia a
que el valor de tensión a la salida llegó a 4.6Vpp fue 206KH.
Con estos dados se aplica ley de tensiones de kirchhoff, A partir de esta frecuencia, la amplitud decrece de forma
asumiendo VB E = 0, 7v y β = 200 podemos calcular IB ,IE contı́nua.
y IC como se muestra a continuación:
Tabla 8. Relación Valores Medidos Vs Calculados
Val. Calc. Val. Medido Val. Sin Cap.
Vt h − VB E = IB (RT H + 10K) + IB (82 + (β + 1)) (6) VC (V ) 4,725 3.27 3.27
VE (V ) 1,065 1,2 1,12
VT H − VB E VCE (V ) 3,66 2.17 2,17
IB = = 64, 66µA (7)
RT H + 10K + 82(β + 1 IC (mA) 12,99 15.24 15.24
AV (V /V ) -9,00 -9.38 -7,42
IE = IB (β + 1) = 12.99mA = IC (8)
ZOut (Ω) 483,04 492 587
Ahora partiendo de Ic = IC Q Y IE = IE Q aplicamos ZIn (KΩ) 1,79 1,75 2.365
nuevamente ley de tensiones y procedemos a calcular las
resistencias para el modelo de pequeña señal y finalmente
utilizamos el modelo pi para los calculos de impedancias y Todos los cálculos, montajes, medidas y procedimientos se
ganancias como sigue en las ecuaciones. realizaron de la misma manera con el circuito amplificador
común con el emisor en degenera miento.
(9)
12 − 560IC Q − 82IE Q = VE CQ (10)
VC EQ = 3.66 (11)
βVT 200(25mV )
rπ = = = 384, 91Ω (12)
IC Q 12.99mA
VA F − VC EQ 74.03 − 3.66
r0 = = = 5.42KΩ (13)
IC Q 12.99mA
2, 55 − 12.3K(IB ) − 0, 7 − 82IB (β + 1) = 0 (14)
IB = 64, 66µA; IE = 12.99mA (15)
12v − 560IC − 82IE = VC E = VC E = 3, 66v (16)
VE = IE ∗ RE = 1, 065 (17) Figure 9: Vi y Vo del amplificador en emisor común
VC = 4, 725 (18)
IC 12.99mA
gm = = = 0.5196[A/V ] (19)
VT 25mV
Una vez realizados estos cálculos, procedimos a realizar
el montaje y las mediciones de cada uno de los parámetros
más importantes de la configuración de emisor común. La
tabla 8 muestra la comparación entre los valores calculados
y los valores medidos en el laboratorio. En la tercera columna
de esta tabla también se encuentran los valores de dichos
parámetros al suprimir el condensador de acople en paralelo
con la resistencia del emisor.
Según el modelo π planteado y mediante los cálculos
registrados en la bitácora, calculamos una ganancia de voltaje
Figure 10: Simulación Ganancia Emisor Común.
AV VVoi = −9.008[V /V ]
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V. A N ÁLISIS Además de esto, podemos ver en las figuras 11,12 y 13

donde variamos el β, que las ganancias tienen dependencia
Colector Común
mı́nima respecto a este y, como se explicó en los cálculos,
Es interesante analizar cómo se comporta esta configuración estos valores dependen en gran medida de la resistencia de
después de obtener los resultados de los laboratorios y llegar colector.
a distintas conclusiones de esta configuración.
En primer lugar observamos que no hay una ganancia de
voltaje por eso esta configuración también es conocida como
seguidor de voltaje ya que la misma entrada se ve reflejada
en la salida en amplitud y fase.

Otra caracterı́stica que podemos observar tanto en el teórico

como practico es la alta impedancia de entrada y la baja
impedancia de salida, lo cual hace esta configuración ideal
para el acople con cargas de pequeña impedancia, carac-
terı́stica que es posible observar desde el modelamiento de las
dos etapas del circuito base (Emisor Común- Colector Común)
y una mejor transferencia de potencia.
Al acoplar la etapa de colector con la de emisor el ancho
de banda está dado por el emisor ya que aunque en frecuencia Figure 12: Resultados Simulación Base Común Hfe=57.
bajas son similares estando en el orden de las centenas de
Hertz, la frecuencia alta es más baja en el colector limitando
ası́ la banda de trabajo a la configuración de capacitancias de
la etapa de colector común, como se puede observar en la
simulación.

Figure 11: Simulación Ancho de Banda Colector Común.

Base Común
Al analizar los comportamientos de ganancia e impedancias Figure 13: Resultados Simulación Base Común Hfe=117.
de este amplificador, se puede ver que, si bien no presenta
ganancias muy altas de tensión, tiene valores muy estables de
impedancias, en especial cuando se necesitan impedancias de
entrada bajas, además tiene una ventaja respecto a los demás
amplificadores en cuanto a su ancho de banda, y esta es que
como no presenta efecto capacitivo Miller dada la relación
directa que existe con re , entonces los polos del sistema
presentan un corrimiento hacia la derecha amplificando el
ancho de banda de respuesta a altas frecuencias.

Ahora, si comparamos los valoreas de impedancias de este

amplificador con el amplificador de emisor común, veremos
que son valores de impedancias bastante diferentes, en este
caso, la impedancia de base común nos genera un ligero
problema a la entrada ya que al presentar un valor tan bajo
tenemos que tener resistencias del generador que no sean Figure 14: Resultados Simulación Base Común Hfe=317.
comparables para tener ası́ una transferencia de energı́a
máxima, cosa que no se presenta con el emisor común que Finalmente, vale la pena tener en cuenta que las
tiene valores realmente altos y ası́ la señal de entrada puede caracterı́sticas presentadas anteriormente en la configuración
transferirse completamente. Base Común con BJT, son precisamente las que hacen
de este una muy buena opción de acople entre etapas de
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respecto a la resistencia de entrada. Ahora, respondiendo

a la pregunta de por qué se invierte la señal de salida con
respecto a la señal de entrada, esto se debe a al efecto de
la carga: Si aumenta la tensión de base, aumenta también
la corriente de base, y aumenta la corriente de colector un
número de veces superior, igual a la ganancia del mismo.
Amplifica corrientes. El aumento de la corriente de colector
hace disminuir la tensión de colector, por que parte de la
tensión de alimentación cae en la resistencia de carga. El
Figure 15: Simulación Ganancia y DC Base Común.
resultado es, simplemente,que ante un aumento de la tensión
de base se diminuye de la tensión de colector, lo cual implica
amplificación si lo que se busca de manera prioritaria es una una Inversión.
banda de operación alta sin sacrificar en grandes porcentajes
la ganancia lograda, sin embargo, es claro que la relación Respecto a la frecuencia lı́mite de operación en banda
entre estos dos tipos de variables es necesariamente inversa media, sabemos que la tensión a la salida empieza a disminuir
esto es: el costo por ampliar considerablemente la banda de al superar ésta frecuencia, debido a el papel que entrar a
frecuencia de un sistema repercute en la disminución de su desempeñar las capacitancias internas del BJT que actúan entre
ganancia. la Base y el Colector y entre la Base y el Emisor, alterando el
modelo π y por tanto, las ganancias de voltaje y de corriente.
Por otro lado, al retirar el condensador que se encuentra en
paralelo con la resistencia del emisor, nos enfrentamos ante
Emisor Común un circuito amplificador en emisor común diferente que es
Una vez que obtuvimos los resultados experimentales, pro- denominado ”Emisor Común Degenerado”. Como podemos
cedimos a realizar la comparación entre éstos y los val- observar en la tabla 8, esto afecta los valores de ganancias
ores calculados, pues era evidente la diferencia entre los y de imedancias de entrada y salida del amplificador. Por un
valores calculados y los valores medidos. De esta manera, lado, vemos que las impedancias de entrada y salida aumentan
encontramos que, principalmente, la diferencia radica en el y que la ganancia de voltaje dismuye en un factor considerable.
hecho de haber asumido desde el inicio un β del transistor En contraste a esto, la frecuencia lı́mite de operación en banda
igual a 200 para realizar los cálculos teóricos. Con los datos media aumenta, ya que en este caso, la ganancia se redujo en
experimentales y realizando el cálculo respectivo, encontramos un factor de 0.707 cuando llego a los 239KHz
que realmente es Beta del transistor es de de aproximadamente Esta configuración presenta ciertas ventajas al momento de
β = 380. Esta suposición permitió acercarnos a un cálculo de trabajar con ella, en especial en ganancias cuando se utilizan
ganancia y a un punto de operación del transistor aproximado. valores apropiados y el emisor no se encuentra degenerado.
Como vemos nuestra ganancia para un emisor sin degenerar es
V alorM edido − V alorCalculado la más alta de todas las configuraciones además, tiene un valor
Error = ∗ 100 = 14%
V alorV alormedido de entrada bajo sin embargo, su ancho de banda es menor. Si
Error que es notablemente corregido al re calcular el valor analizamos el emisor degenerado encontraremos un ancho de
de la corriente IC con un β = 380. Ası́ el error se reduce a: banda mayor, con una impedancia de entrada mayor, lo cual
es sumamente bueno ya que podemos garantizar ”máxima”
transferencia al circuito, sin embargo su ganancia se reduce
V alorM edido − V alorCalculado 15.24 − 15.11
Error = = = 0.85%
considerablemente. A pesar de que esto puede adecuarse, la
V alorV alormedido 15.24
ganancia del emisor degenerado siempre estará disminuida
respecto al emisor sin degenerar.
Es decir que, finalmente, la corriente calculada se aparta
en un 0.85% de la corriente calculada.
VI. C ONCLUSIONES
El error porcentual de la ganancia de voltaje está dado por: •El amplificador en configuración de Emisor común ofrece
una alta ganancia de voltaje con inversión de fase, en
V alorM edido − V alorCalculado 9.38 − 9.00 relación con las demás configuraciones. igualmente, pre-
Error = = = 4.05%
V alorV alormedido 9.38 senta una baja resistencia de entrada y una alta resistencia
de salida, respecto a la de la entrada. Cuando es un
emisor degenerado, es decir, se suprime el condensador
que es debido a varios factores, entre ellos el valor real de en paralelo con la resistencia de emisor, las impedancias
las resistencias y su respectiva tolerancia, la incertidumbre y de entrada y de salida del amplificador aumentan, al
error de los equipos de medición y de generación de señal. igual que el ancho de banda media de operación, pero
También podemos notar que la resistencia de salida de disminuyendo notablemente la ganancia de tensión. Por
un amplificador en emisor común es relativamente alta con esta razón, es importante verificar el uso o aplicación
 Universidad Nacional de Colombia. Cárdenas, Peña, Zuluaga, Amplificadores Básicos BJT, Febrero de 2015.

Figure 19: Medición Completa in Emisor Out Colector.

Figure 16: Resultados Simulación Emisor Común Hfe=50.
principales. La primera de ellas tiene que ver con la
capacidad que tiene de entregar a la salida la cantidad
de corriente con que se alimenta a su entrada, es
decir, actúa como un buffer de corriente, la segunda
tiene que ver con el hecho de que la señal aplicada
a la entrada de este sistema no se ve invertida a la
salida y, finalmente, el ancho de banda que es capaz
entregar es mucho mayor que el de otras configuraciones.

R EFERENCES
[1] S. Sedra & K. C. Smith, Circuitos Microelectrónicos, 4ta Edición 10,
Octubre 2012.
[2] R. L. Boylestad, Introducción al análisis de circuitos 10ma Edición, 2004
[3] L. P. Viñas, J. Calderer Cardona Dispositivos electrónicos y fotónicos:
fundamentos, Univ. Politèc. de Catalunya, 2006 pp 235-245.
[4] Guı́a de trabajo proporcionada por el profesor.
Figure 17: Resultados Simulación Emisor Común Hfe=300.

que se le dará y ası́ escoger la configuración que más

convenga.
• La configuración en colector común se utiliza como un
acople de impedancia ya que cuenta con una Ri n Alta y
una Ro ut baja lo cual lo convierte en un buen seguidor
de tensión con una ganancia ligeramente menor a uno.
Sin embargo su ancho de banda no es tan bueno ya
que se encuentra en el orden de los KHz. El capacitor
ubicado en el emisor de esta etapa debe ser cercano a los
100uF para que no se generen perdidas en la ganancia
por variaciones en el la impedancia de salida, sin embargo
esta capacitancia limitará el ancho de banda.
• El amplificador de Base Común suele ser utilizado
como acople de impedancias debido a tres ventajas

Figure 18: Resultados Prácticos Emisor Común.