114 Corriente y conductores neste capitulo se aplicardn las leyes y los métodos estudiados de los capitulos ante- riores para algunos materiales con los que un ingeniero debe trabajar. Antes de deti- nir la corriente y la densidad de corriente y con esto desarrollar la ecuacién fundamental de continuidad, es preciso tomar en cuenta al conductor y exponer la ley de ‘Ohm, tanto en su forma microsc6pica como macroscépica. Con estos resultados sera posi- ble calcular valores de la resistencia para algunas formas geométricas sencillas que las re- sistencias pueden adoptar. Se obtendrdn las condiciones de frontera que deben encontrarse en un conductor, y este conocimiento permitiré presentar el uso del método de imégenes. Se concluira el capitulo considerando las propiedades de un semiconductor en general, En el capitulo 6 se investigaré la polarizacién de los materiales dieléctricos y se definiré Ja permitividad relativa, 0 constante dieléctrica, pardmetro muy importante en ingenieria. Teniendo tanto conductores como dieléctricos se pueden combinar para formar capacitores. La mayorfa del trabajo realizado en los capftulos anteriores se utilizard para determinar la capacitancia de varios tipos de capacitores. El asunto principal de este capitulo y del capftulo 6 son los principios fundamentales clectromagnéticos que describen las resistencias y los capacitores; la inductancia se presen tard en el capitulo 9. i 5.1 Cort Las cargas eléctricas en movimiento constituyen una corriente. La unidad de la corriente es el ampere (A), definida como la raz6n de cambio del movimiento de las cargas al pasar or un punto de referencia dado (0 por un plano de referencia dado) a razén de un coulomb por segundo, La corriente se simboliza con J, y entonces, inte y densidad de corriente d 32. a dt La corriente se define entonces como el movimiento de las cargas positivas, aunque la con- duccién en metales la realiza el movimiento de electrones, como se vera en breve.8.1 Corriente y densidad de corrionte Figura 5.1 Un incremento de carga AQ = p,AS AL, que se mueve una distancia Ax en un tiempo At, produce en el limite una componente de la densidad de corriente de J, =p, ¥, En la teoria del campo, el interés recae generalmente en fenémenos que ocurren en un punto en lugar de una regiGn, por lo que se crea el concepto de densidad de corriente, me- dida normalmente en amperes por metro cuadrado (A/m?), La densidad de corriente es un vector! que se representa con J. El incremento de corriente A/ que atraviesa una superficie AS normal a la densidad de corriente es Al In AS y en el caso en que la densidad de corriente no es perpendicular a la superficie, Al=J-AaS La corriente total se obtiene integrando, iL +dS @ La densidad de corriente se puede relacionar con la velocidad de una densidad de car- ga volumétrica en un punto. Considérese el elemento de carga AQ = p,Av = p, AS AL, co- ‘mo Jo muestra la figura 5.1, Para simplificar la explicacién, supdngase que el elemento de carga esté orientado con sus aristas paraleias a los ejes coordenados y que su velocidad s lo tiene componente en x. En el intervalo de tiempo Ar, el elemento de carga se ha movido una distancia Ax, como est indicado en la figura 5.1b. Entonces se ha movido una carga "La corriente no es un veetor. Esto es ficil visualizarlo en un problema en el cual la corriente total Fen un con- ‘ductor con seccidn transversal no uniforme (como puede ser una esfera) puede tener uaa direccisn diferente en ‘cada punto de dicha seccién transversal. La corriente en un alambre extremadamente fino, © corrientefilamenta- ‘ia, ocasionalmente esté definida como un veetor, pero es preferible ser consistentes y dar la direccién del filamen- too trayectoria y no de la corriente. 115116 CAPITULO 5 Corriente y conductores AQ = p, AS Ax, a través de un plano de referencia perpendicular a la direccién del movi- miento, durante el intervalo de tiempo Ar, y la corriente resultante es Si se toma el limite con respecto al tiempo, se tiene AI = py AS vy donde v, representa la componente x de la velocidad y.? En términos de la densidad de co- rriente, se tiene Je y en general QB) Este iltimo resultado muestra con claridad que las cargas en movimiento constituyen una corriente. El nombre dado a este tipo de cortientes es el de corrientes de conveccién, y a Jo p,v el de densidad de corriente de conveccién, Obsérvese que la densidad de corriente de conveccién se relaciona linealmente tanto con la densidad de carga como con la veloci- dad. La razén de flujo de masa de automéviles (automéviles por metro cuadrado por segun- do) en un ttinel podria incrementarse, ya sea aumentando la velocidad 0 incrementando la densidad de autos por metro ciibico, si los conductores tuvieran la posibilidad de lograrlo. 5.1 Un vector de densidad de corriente esti dado por J = 10p%za, — 4p cos? ¢ a, mA/m?. a) Encontrar la densidad de corriente en P(p = 3, @ = 30°, 2 = 2); b) deter solstice elas 8 ares Goans Pale ale dg 3,0<¢<2z, 2<2<28. Respuesta: 180a, ~ 9a, mA/m?; 3.26 A 5.2 Continuidad de la corriente Aunque se han estado suponiendo hasta el momento campos estaticos, la presentacin del concepto de corriente es seguido légicamente por un estudio de la conservaci6n de la carga y la ecuacién de continuidad. El principio de conservacién de la carga se fundamenta en que las cargas no se crean ni se destruyen, aunque cantidades iguales de cargas positivas y ne- gativas pueden ser simulténeamente creadas, obtenidas por separaci6n, destruidas o perdi- das por recombinacién. La ecuacién de continuidad se obtiene de este principio cuando se considera una regién li- mitada por una superficie cerrada, La corriente que circula a través de la superficie cerrada es r= fas S y aeste flujo hacia fuera de la carga positiva debe equilibrarlo una disminucién de cargas positivas (o tal vez un aumento de cargas negativas) dentro de la superficie cerrada. Si la Fa vmindscula se usa tanto para el volumen como para la velocidad. Sin embargo, se puede notar que Ia veloci- ddad siempre aparece como un vector V, como componente v,..0 como magnitud jv, mientras que el volumen parece como la diferencial dv o como Av5-2. Continuidad de la corriente carga dentro de ésta se denota con Q,, entonces la raz6n de cambio a la que disminuye es =dQ,/dt y el principio de conservacién de la carga exige que @) Es conveniente responder en este momento a una pregunta frecuente, pensando en que 1= dOfdr: ;Existe un error de signo en (4)? La presencia o ausencia de signos negativos de- pende del tipo de corriente 0 de carga que se considere. En la teorfa de circuitos se asocia generalmente el flujo de corriente hacia dentro de una de las terminales de un capacitor, con la raz6n de incremento de carga en esa placa con respecto al tiempo. Sin embargo, la co- rriente de (4) es una corriente que fluye hacia fuera. La ecuacién (4) es la forma integral de la ecuacién de continuidad, y la forma diferen- cial o puntual se obtiene cambiando la integral de superficie por una integral de volumen por medio del teorema de la divergencia: fs-as= [ cv-dav Is ot Representando la carga Q, encerrada por la integral de volumen de la densidad de carga, a fe ‘Ddv= Glew Si se conviene en mantener la superficie constante, la derivada se convierte en una de- rivada parcial y puede aparecer dentro de la integral Dado que la expresiGn es verdadera para cualquier volumen, por pequefio que sea, es verdadera para cualquier incremento de volumen, apy (V+ J) Av=— Fav de la cual se tiene la forma punto de Ia ecuacién de continuidad, () Si se recuerda la interpretacién fisica de la divergencia, esta ecuaci6n indica que la corrien- te, 0 carga por segundo, que sale de un volumen pequefio por unidad de volumen es igual a la raz6n de cambio a la que la carga decrece con el tiempo por unidad de volumen en cada punto. Como ejemplo numérico para ilustrar algunos conceptos que se han encontrado en las dos ultimas secciones, considérese una densidad de corriente que esti dirigida radialmente hacia fuera y decrece en forma exponencial con el tiempo, eta, Afm? J Si se elige el instante ¢ = 1 s, es posible calcular la corriente total que sale en r = 5 m: 1=48 23.14 ge" )ns? "7118 CAPITULO 5 Cortiente y conductores En el mismo momento, pero para un radio ligeramente mayor 1=5,S =(fe")(416) = 27.74 6m, se tiene Asf, la corriente total es mayor en r = 6 que en r = 5. Entender este comportamiento requiere considerar la densidad de carga del volumen y la velocidad. Utilizando primero la ecuaci6n de continuidad: ap ar ved v-( r Se busca después la densidad de carga volumétrica por medio de la integraci6n respecto a +, Como p, esté dada por una derivada parcial respecto al tiempo, la “constante” de integra- ci6n puede ser una funcién de r: "+ Kir) Si se supone que p, > 0 cuando t > 00, entonces K(r) = 0, y 1 Pv = et Cm? 7 Se utiliza ahora J = p,v para encontrar la velocidad, & = r mis Pv La velocidad es mayor en r = 6 que en r= 5, y puede notarse que alguna fuerza (no espe- cificada) esta acelerando la densidad de carga hacia fuera. En resumen, se tiene una densidad de corriente que es inversamente proporcional a r, una densidad de carga que es inversamente proporcional a ry una velocidad y una corrien- te total proporcionales a 1. Todas las cantidades varfan como e~ D.5.2 La densidad de corriente esta dada en coordenadas cilindricas J = —10°'Sa Alm? en la regi6n 0 < p < 20 jum; para p 2 20 xm, J = 0. a) Encontrar la corriente total que cruza la superficie z = 0.1 m en la direccién a. b) Si la velocidad de la car- gaes 2x 10° m/s en z= 0.1 m, encontrar p,, c) Si la densidad de carga volumétrica en z= 0.15 mes ~2000 C/m?, encontrar la velocidad de la carga. Respuesta: —39.7 A; —15.8 mC/m?; 29.0 mis. 5.3 Conductores metalicos Hoy los fisicos describen el comportamiento de los electrones que rodean al nticleo positi- vo en términos de la energia total del electrén con respecto a un nivel de referencia cero pa- ra el electrén situado a una distancia infinita del nicleo. La energfa total es la suma de la energfa cinética y potencial, y dado que para alejar un electrén del niicleo hay que suminis- trar energia, la energia de cada electrén en el dtomo es una cantidad negativa. Aun cuando la siguiente visualizaci6n tiene ciertas limitaciones. es conveniente asociar estos valores de8.3. Conductores metdlicos las energfas con Grbitas alrededor del micleo, de tal manera que es més negativa la energfa para las 6rbitas con radio més pequefio. De acuerdo con la teorfa cudntica, s6lo ciertos ni- veles discretos de energfa, o estados de energfa, son permitidos en un cierto tomo, y enton- ces un electrén debe absorber 0 emitir cantidades discretas de energfa, 0 cuantos, al pasar de un nivel a otro. Un tomo normal a la temperatura del cero absoluto tiene un electrén en cada una de las capas inferiores de energia, comenzando desde el micleo hacia fuera y con- tinuando hasta que la provisién de electrones se termine. En un s6lido cristalino, como un metal o un diamante, los tomos estn empaquetados apretadamente; muchos electrones mis estdn presentes y otros muchos niveles permitidos de energia estan disponibles debido a las fuerzas de interacci6n entre dtomos adyacentes, Se encuentra que las energfas que los electrones pueden poser estin agrupadas en inter- valos muy amplios o “bandas”; cada banda la constituyen numerosos niveles localizados unos muy cerca de otros. A la temperatura de cero absoluto también el s6lido tiene cada nivel ocupado, comenzando con los mAs bajos y continuando en orden hasta que todos los electrones estén colocados. Los electrones con los niveles de energia superiores (menos negativos), los electrones de valencia, se localizan en la banda de valencia. Si existen nive- les permitidos con niveles de energfa més altos en la banda de valencia o si ésta se traslapa suavemente a una banda de conduccién, se puede suministrar energfa cinética adicional a los electrones de valencia por un campo externo, lo que produce un flujo de electrones. Si esto ocurre al s6lido se le llama conductor metdlico. La figura 5.2a muestra la banda de valencia Hena y la banda de conduccién vacfa para un conductor con temperatura de ce- ro absoluto. Sin embargo, si el electrén con la mayor energfa ocupa el nivel més alto en la banda de valencia y existe una brecha entre la banda de valencia y la de conduccién, entonces el electrén no puede recibir la energia adicional en pequefias cantidades y el material es un aislante, Esta estructura de bandas la muestra la figura 5.2b. Obsérvese que si una cantidad relativamente grande de energia pudiera transferirse al electron, éste serfa excitado lo suficiente como pa- ra brincar a la banda siguiente, donde la conduccién puede ocurrit més ficilmente. En este punto es cuando se rompe el aislante. Una condicién intermedia ocurre cuando s6lo una pequeiia “regién prohibida” separa las dos bandas, como lo indica la figura 5.2c. Se necesita una pequefia cantidad de energfa Banda de energia [ " i Banda de energia Energia i an a) (Banda prohibida) “ann de andes Bande valencia valencia valencia, ene ile ena Conductor Asante Semiconductor a) 6) oO Figura 5.2 La estructura de bandas de energia en tres diferentes tipos de materiales a 0° K a) El conductor no presenta una brecha de energia entre las bandas de valencia y conduccién. b) El aisiante tiene una gran brecha de energia. c) El semiconductor tiene solamente una pequefia brecha de energia. 119Tlustraciones CAPITULO Corriente y conductores en forma de calor, luz 0 campo eléctrico para aumentar la energia de los electrones de la parte superior de la banda llena y dar las bases para la conduccién. Estos materiales son ais- antes que muestran muchas de las propiedades de los conductores, por lo que se denomi nan semiconductores. Se considerard primero un conductor. Aqui los electrones de valencia, de conduccién 0 libres, se mueven bajo la influencia de un campo eléctrico, Cuando el electrén tiene una carga de @ = ~e y el campo es EB, entonces el electrén experimenta una fuerza F=-cE En el vacio el electron podria acelerarse ¢ incrementar continuamente su velocidad (y ener- gia); en el material cristalino el avance del electrén lo impiden colisiones continuas contra Ja estructura cristalina de la red térmicamente excitada y pronto se establece una velocidad promedio. Esta velocidad v, se denomina velocidad de arrastre, y se relaciona linealmente con la intensidad de campo eléctrico debido al coeficiente de movilidad del electrén en di- cho material. Se designa la movilidad con la letra j1 (mu), v4 = -eE © donde 11, ¢s la movilidad del electrén y es positiva por definicién, Obsérvese que la veloci- dad del electrén tiene una direccién opuesta a la direccién de E. La ecuacién (6) también muestra que la movilidad se mide en unidades de metros cuadrados por volt-segundo. Al- gunos valores tipicos* son: 0.0012 para el aluminio, 0.0032 para el cobre y 0.0056 para la plata. Para estos buenos conductores una velocidad de arrastre de unos cuantos centimetros por segundo es suficiente para producir un notable aumento en la temperatura, lo que pue- de hacer que el cable se funda si el calor no se remueve répidamente por medio de condue- cién térmica 0 radiacién. Sustituyendo (6) en la ecuacién (3) de la seccién 5.1, se obtiene I= PeheE ™ en donde p, es la densidad de carga de los electrones libres con un valor negativo, por defi- nici6n. La densidad de carga total p, es cero, ya que igual ntimero de cargas positivas y ne- gativas esta presente en el material neutro. El valor negativo de p, y el signo de menos llevan a.una densidad de corriente J en la misma direccién de la intensidad de campo eléctrico E. La relacién entre J y E para un conductor metilico también se especifica por la con- ductividad o (sigma), J=ck 8) en donde o esté medida en siemens* por metro (S/m). Un siemens (1 S) es la unidad basica de conductancia en el sistema SI y se define como un ampere por volt. Originalmente a la unidad de conductancia se le llamaba mho y se simbolizaba por una Q invertida. Al igual Wert y Thompson, p, 238, citado en las lecturas complementarias al final del capttuo, “Este es el apeido paterno de dos hermanos nacidos en Alemania, Kart Wilhelm y Werner von Siemens, quienes fueron unos inventores famosos en el siglo XIX. Kart se hizo britinico y fue hecho caballero, por lo que se convir- tid en sir William Siemens.5.3 Conductores metélicos que el siemens debe su nombre a las hermanos Siemens, el reciproco de la unidad de resis- tencia que llamamos ohm (1 @ es un volt por ampere) honra a Georg Simon Ohm, un co alemén, quien fue el primero en describir la relacién corriente-voltaje implicita en (8). Se lama a esta ecuaci6n la forma puntual de la ley de Ohm; en breve se veré la forma més co- min de ta ley de Ohm. Sin embargo, es titil observar primero los valores ordinarios de varios metales conduc- tores; valores comunes (en siemens por metro) son 3.82 x 107 para el aluminio, 5.80 x 107 para el cobre, y 6.17 x 10” para la plata. Datos acerca de otros conductores se pueden en- contrar en el Apéndice C. Al observar datos como éstos es natural suponer que se presentan como valores constantes, lo que es esencialmente cierto. Los conductores metilicos obedecen la ley de Ohm, la cual es una relacién tinea; la conductividad es constante en una amplia gama de densidades de corriente ¢ intensidades de campo eléctrico. La ley de Ohm y los conductores metilicos se describen también como isotrépicos 0 que tienen las mismas pro- piedades en cualquier direccién. Un material que no es isotrépico se llama anisotrdpico y se retomard dicho material unas cuantas paginas después. Sin embargo, la conductividad es una funciGn de la temperatura. La resistividad, el re- cfproco de la conductividad, cambia casi linealmente con la temperatura, para temperatura en la regién de la temperatura ambiente, y para el aluminio, el cobre y la plata, aumenta cer- ca de 0.4% para un incremento en la temperatura de 1 K.* Para varios metales la resistencia cae abruptamente a cero a temperaturas de unos cuantos grados Kelvin; esta propiedad se lama superconductividad. El cobre y la plata no son superconductores, aunque el aluminio lo es (para temperaturas menores a 1.14 K). Si se combinan (7) y (8), se puede expresar la conductividad en términos de la densi- dad de carga y de 1a movilidad del electrén. | © A partir de la definicién de movilidad (6), se observa que a mayor temperatura se produce una mayor vibracién de la red cristalina; en consecuencia, el avance del electrén esta mas obstaculizado para una intensidad de campo eléctrico dado, lo que da lugar a menor veloci dad de arrastre. Por tanto, menor movilidad, menor conductividad de acuerdo con (9) y fi- nalmente mayor resistividad. La aplicaci6n a una regién macroscépica, visible a simple vista, dela ley de Ohm en la for- ma puntual conduce a una forma mucho més familiar. Inicialmente, supéngase que J y E son uniformes, como lo muestra la regién cilindrica de la figura 5.3. Dado que son uniformes, 10) a) ¥ Gran cantidad de datos sobre temperatura de 1os materiales conductores se encuentra disponible en el Standard Handbook for Electrical Engineers, citado en las lecturas complemeatarias al final de este capitulo, 424122 CAPITULO 8 Corriente y conductores tc Figura 5.3 Densidad de corriente uniforme J e intensidad de campo eléctrico E en una regién cilindrica de longitud L y area de la seccién transversal S. Aqui V = IR, donde R = L/aS. ° V=EL Asi, I s ° v oS Sin embargo, en la teorfa elemental de circuitos se conoce como resistencia del cilin- dro a la relaci6n de la diferencia de potencial entre las terminales del cilindro con la corrien- te que entra por el extremo mas positivo, V=eIR (12) donde i (13) La ecuacién (12) es, por supuesto, conocida como la ley de Ohm, y (13) permite calcular la resistencia R, la cual se mide en ohms (abreviado como @), de los objetos conductores que poseen campos uniformes. Si el campo no es uniforme, la resistencia puede estar definida como el cociente de Ve /, donde V es la diferencia de potencial entre dos superficies equi- potenciales especificas del material, ¢ / es la corriente total que cruza a la superficie mas po- sitiva dentro del material. De Jas relaciones integrales generales (10) y (11), y de la ley de ‘Ohm (8), se puede escribir esta expresién general cuando los campos no son uniformes, pave SPE- db 1 J,oE-d8 Se toma la integral de linea entre dos superficies equipotenciales en el conductor, y la inte- gral de superficie se evaltia sobre la més positiva de estas dos equipotenciales. En este mo- (ay5.4 Propiedades de los conductores y condiciones de trontera ‘mento no se pueden resolver estos problemas que no son uniformes; serd posible hacerlo después de estudiar los capftulos 6 y 7. ‘Como ejemplo de Ia determinacién de la resistencia de un cilindro, encontrar la resistencia de un alambre de cobre del nimero 16 que tiene una milla de longitud y un didmetro de 0.0508 pulgadas. Solucién, El diémetro del alambre es de 0.0508 x 0.0254 = 1.291 x 10~* m, el drea de la secci6n transversal es (1.291 x 10~9/2)? = 1.308 x 10-6 m*, y la longitud es de 1 609 metros. Utilizando una conductividad de 5.80 x 107 S/m la resistencia del alambre es, por lo tanto, 1609 (80 x 107)(1.308 x 10-5) El alambre puede llevar con seguridad 10 A ed, que corresponden a una densidad de corrien- te de 10/(1.308 x 10~®) = 7.65 x 10° A/m?, 0 7.65 A/mm?. Con esta corriente la diferen- cia de potencial entre los extremos del cable es 212 V; la intensidad de campo eléctrico, 0.312 Vm; la velocidad de arrastre, 0.000422 m/s, 0 un poco més que un furlong a la sema- na; y la densidad de electrones libres, —1.81 x 10! C/m* més 0 menos un electrén en un cubo de 2 angstroms por lado. R 21.22 123 5.3 Calcular la magnitud de la intensidad de campo eléctrico en una muestra de pla- ta que tiene 6 = 6.17 x 107 Sim y j1, = 0.0056 m’/V « s si: a) la velocidad de arrastre es de 1.5 m/s; b) la intensidad de campo eléctrico es de 1 mV/m; c) la muestra es un ‘cubo de 2.5 mm de lado y tiene un voltaje de 0.4 mV entre las caras opuestas; d) la muestra es un cubo de 2.5 mm de lado y transporta una corriente total de 0.5 A. Respuesta: 16.5 kA/in*, 61.7 kA/m?; 9.9 MA/m; 80.0 KA/m? 5.4 Un conductor de cobre tiene un didmetro de 0.6 pulgadas y una longitud de 1 200 pies. Suponer que transporta una corriente total de ed de 50 A. a) Encontrar la resistencia total del conductor. b) ;Qué densidad de corriente tiene el conductor? c) Cul es el voltaje de ed entre los extremos del conductor? d) ;Cusnta potenca es di- sipadaen el alambre? Respuesta: 0.035 0; 274 x 10° A/m*; 1.73 V. 86.4 W 5.4 Propiedades de los conductores y condiciones de frontera Una vez més hay que dejar, por lo tanto, las supuestas condiciones estéticas y hacer variar el tiempo durante unos cuantos microsegundos para ver qué ocurre cuando una distribucién de carga es desbalanceada sibitamente dentro de un material conductor. Supéngase, tenien- do en cuenta lo anterior, que de improviso aparece un cierto nimero de electrones en el in- terior de un conductor. Los campos eléctricos de estos electrones no los neutraliza ninguna carga positiva, asf que los electrones se aceleran alejindose unos de otros. Esto continiia124 CAPITULO S Corriente y conductores hasta que los electrones alcanzan una de las superficies del conductor o hasta que un néme- 10 de electrones igual al de los electrones introducidos alcanza la superficie. Aqui la salida de los electrones la detiene el material que rodea al conductor, suponien- do que es un aislante que no posee la banda de conducci6n apropiada. Ninguna carga per- ‘manece dentro del conductor. Si asf tratara de hacerlo, el campo eléctrico resultante obligarfa a las cargas a permanecer en la superficie. De aqui que dentro de un conductor el resultado final sea densidad de carga igual a ce- f0, por lo que reside en Ja superficie exterior una densidad de carga de superficie. Esta es una de las dos caracteristicas de un buen conductor. La otra caracteristica, establecida para las condiciones estaticas en las cuales no existe un flujo de corriente, se obtiene directamente de la ley de Ohm: la intensidad de campo eléc- trico dentro del conductor es cero. Fisicamente, se ve que si un campo eléctrico estuviera presente los electrones de conduccién se moverfan y producirfan una corriente, con la cual se generarfa una situacién no estatica. En resumen, para una situaci6n electrostética no existen cargas ni campos eléctricos en ningdn punto dentro de un conductor. Sin embargo, la carga puede aparecer en la superficie como una densidad de carga superficial, y la tarea ahora es investigar los campos externos al conductor. Se quieren relacionar los campos externos con la carga localizada en la superficie del conductor. El problema es simple y primero se hablaré de una manera particular de encon- trar la solucién con un poco de matemiticas Si el campo eléctrico externo se descompone en dos componentes, una tangencial y otra normal a la superficie del conductor, se ve que la tangencial es cero. Si asi no ocurriera, una fuerza tangencial se aplicaria en las cargas de la superficie, lo que daria como resultado su movimiento y condiciones no estiticas. Pero como se han supuesto condiciones estéticas, el ‘campo eléctrico tangencial y la densidad de flujo deben ser cero. La ley de Gauss contesta la pregunta relativa a la componente normal. El flujo eléct co que abandona una superficie pequefia debe ser igual a la carga que en ella se encuentra. El flujo no puede salir en una direcci6n tangencial, ya que su componente es cero, por lo que lo debe hacer normal a la superficie. Cuantitativamente, se puede decir que la densi- dad de flujo eléctrico, medido en coulombs por metro cuadrado, tiene una direcci6n nor- ‘mal a la superficie y es igual a la densidad de carga, medida en coulombs por metro cuadrado; es decir, Dy = py Si utilizamos algunos de los resultados obtenidos antes para realizar un andlisis mas cuidadoso (¢ incidentalmente introduciendo un método general que se utilizar mas adelan- te), se puede proponer una region de frontera entre el conductor y el espacio libre (figura 5.4) donde se muestran las componentes normal y tangencial de D y E en el lado de la fron- tera que da al espacio libre. Ambos campos son cero dentro del conductor. El campo tan- gencial puede determinarse aplicando la ecuacién (21) de la seccién 4.5, ge a lo largo de una pequefia trayectoria cerrada abcda. La integral se debe separar en cua- Le[s{+f 05.4 Propiedades de los conductores y condiciones de frontera Espacio libre Figura 5.4 Una trayectoria y una superficie gaussiana seleccionadas apropiadamente se utilizan para determinar las condiciones de frontera en la interfase entre un conductor y el espacio libre; E, = 0y Dy = Ps Se debe recordar que E = 0 dentro del conductor. Sean Aw la longitud de a ab y de cad, y Aw de b acy de daaAh, entonces se obtiene E,Aw — Even 4h + Ewena $Ah =O Al aproximarse Ah a cero, manteniendo Aw pequefio pero finito, no importa si las com- ponentes normales son, © no, iguales en los puntos a y b, ya que Ah hace estos productos despreciablemente pequefios. Ast E,Aw =0 ¥, por lo tanto, La condicién sobre el campo normal se demuestra mis répido si se considera Dy en el lugar de Ey y se escoge un pequefio cilindro como superficie gaussiana. Sea la altura Ah, y cl Grea de las tapas AS. Una vez. més se hace tender h a cero. Utilizando la ley de Gauss, fr-as=0 integrando sobre las tres superficies diferentes dea he Se encuentra que las dos iltimas son cero (por razones diferentes). Entonces DyAS = Q = psAS Du = ps 128126 CAPITULO 5 Corriente y conductores Las siguientes son las condiciones de frontera que se estaban buscando para la fronte- ra de un conductor con el espacio libre en el caso electrostatico: D=6=0 as) Dy = @En = ps (16) E] flujo eléctrico sale del conductor en una direccién normal a la superficie y el valor de la densidad del flujo eléctrico es numéricamente igual a la densidad superficial de carga. Una consecuencia inmediata e importante de que la componente tangencial de la inten- sidad de campo eléctrico sea cero es el hecho de que la superficie de un conductor es una superficie equipotencial. Evaluar la diferencia de potencial entre dos puntos cualquiera en la superficie por medio de la integral de linea nos da como resultado cero, debido a que la trayectoria se puede escoger sobre la superficie misma donde se cumple E + dL = 0, en to- dos los puntos. Para resumir los principios aplicables a conductores en campos electrostiticos se puede decir lo siguiente: 1. La intensidad de campo eléctrico dentro de un conductor es cero. 2. La intensidad de campo eléctrico estatico es normal a la superficie del conductor. 3. La superficie del conductor es una superficie equipotencial. Al utilizar estos tres principios, existe un buen nimero de cantidades susceptibles de calcularse en la frontera de un conductor, si se tiene conocimiento del campo de potencial. Dado el potencial, V = 100(x — y*) en el punto P(2, 1, 3) ubicado en la frontera entre el conductor y el espak trar V, E, D y pen P, y también la ecuacién de la superficie del conductor, libre encon- Solucién. El potencial en el punto P es Vp = 100[2? — (-1) 300 V Dado que el conductor es una superficie equipotencial, el potencial en toda la superficie de- be ser 300 V. Mas atin, si el conductor es un objeto s6lido, el potencial en todo punto inte- rior y sobre la superficie del conductor es de 300 V, puesto que E = 0 dentro del conductor. La ecuacién que representa el lugar geométrico de todos los puntos que tienen un po- tencial de 300 V es 300 = 100(x? — y) vays3 Esta es, por lo tanto, la ecuacién de la superficie del conductor; se trata de un cilindro hi- perbélico, como lo muestra la figura 5.5. Supéngase arbitrariamente que el conductor s6lido5.4 Propiedades de los conductores y condiciones de frontera 127 Figura 5.5 Dado el punto P(2, -1, 3) y el campo de potencial V = 100} — y2), se encuentra que la superficie equipotencial que pasa por P es x? — y? = 3, y la linea de flujo en P es xy = —2. queda arriba y a 1a derecha de la superficie equipotencial en el punto P, mientras el espacio libre esta abajo y a la izquierda, Ahora, encuéntrese E por medio del operador gradiente, E = -100V(x? — y*) = —200xa, + 200yay Enel punto P, —400a, ~ 200a, Vim oF, se tiene Dp = 8.854 x 10° Ep = —3.54a, — 1.771ay nC/m? El campo esta dirigido hacia abajo y hacia la izquierda de P, y es normal a la superficie equi- potencial. Entonces, Dy = |Dp| = 3.96 nC/m* Asf, la densidad de carga superficial en P es bsp = Dy = 3.96 nCim*128 CAPITULO 5 Corriente y conductores Obsérvese que si se hubiera tomado la regién a Ia izquierda de la superficie equipoten- cial como el conductor, el campo E terminarfa en ta carga superficial y se tendria py = 3.96 nCim?, Peenr to 5) Por iitimo, determinar la ecuacién de las Ifneas de flujo que pasan por P. Solucién. Obsérvese que Ey 200y __y__dy E, ~200x x dx Asi dy a y y Iny+ing=C Por lo tanto, xy La Ifnea (0 superficie) que pasa por P se obtiene cuando C, de flujo es el trazo de otro cilindro hiperbélico, 2. Asf, la Iinea 2-1) xy Esto también lo muestra la figura 5.5. . DS.5 Dado un campo de potencial en el espacio libre V = 100 senh Sx sen Sy Vy un punto P(0.1, 0.2, 0.3), encontrar en el punto P: a) V; b) E; c) ||; d) |pg| si se sa- bbe que el punto P se localiza sobre la superficie del conductor, Respuesta: 43.8 V; —474a, — 140.8a, Vm; 495 Vim; 4.38 nC/m? 5.5 EI método de las imagenes Una caracteristica importante del campo de un dipolo, estudiado en el capitulo anterior, es el plano infinito con potencial cero que existe a la mitad entre las dos cargas. Tal plano pue- de representarse por un conductor extremadamente delgado que se extiende al infinito. El conductor es una superficie equipotencial en el punto V =O y la intensidad de campo eléc- trico es entonces normal a la superficie. Asf, si se reemplaza la configuracién del dipolo mostrada en la figura 5.6a por la de una sola carga y un plano conductor (figura 5.66), los campos en la mitad superior de cada figura son iguales. Debajo del plano conductor el cam- Po es cero, ya que no se ha suministrado carga en ninguna regi6n, Por supuesto, también se5.8 El método de las imagenes +06 +08 +O° Superficie equipotencial V= 0 Plano conductor ¥ ~08 a » Figura 5.8 2) Dos cargas iguales pero de signo puesto pueden reemplazarse por b) una sola carga y un plano conductor, sin que atecte los campos encima de la superficie V = 0. puede sustituir por una sola carga negativa debajo de un plano conductor para el arreglo del dipolo y obtener campos equivalentes en la parte inferior de cada regién. Si se observa esta equivalencia desde un punto de vista opuesto, empezando primero por una carga arriba de un plano perfectamente conductor, se ve que se puede mantener el mismo campo en la parte superior al plano, quitandolo y colocando una carga negativa en una posicién simétrica por debajo del plano. Esta carga se denomina la imagen de la carga original y tiene un valor negativo al valor de la carga inicial. Si es valido realizar esto una vez, la linealidad permite hacerlo una y otra vez, de ma- nera que cualquier configuracién de cargas arriba de un plano infinito con potencial cero puede reemplazarse con un arreglo similar de cargas, su imagen y quitando el plano con- ductor. Esto lo sugieren las dos ilustraciones de la figura 5.7. En muchos casos el campo de potencial del nuevo sistema es mucho mis fiicil de encontrar, ya que no contiene un plano conductor con una distribuci6n superficial de carga desconocida, Como ejemplo del uso de las imagenes, encuéntrese la densidad de carga superficial en P(2, 5, 0) en un plano conductor z = 0 si existe una linea de carga de 30 nC/m localizada “ue tee Plano conductor +40 D) » Figura 8.7. 2) Una configuracién de cargas dada ubicada arriba de un plano conductor infinito puede reemplazarse por ) la configuracion de cargas dada mas su configuracién imagen sin el plano conductor. 129CAPITULO 5 Corriente y conductores 30.nCim 30cm Plano conductor ® 6 Figura .8 a) Una linea de carga arriba de un plano conductor. b) El conductor se suprime y $e aflade la imagen de una linea de carga en x= 0,2 = 3, como lo muestra la figura 5.84, Se quita el plano y se introduce una linea de carga, que sea la imagen de la anterior, de —30 nC/m en x = 0, ¢ = —3, como lo ilustra la figura 5.8. El campo en P ahora se puede obtener por superposicién de los campos co- nocidos de las Iineas de carga. El vector radial de la linea de carga a Pes R, mientras que R_ = 2a, + 3a,. Asf, los campos individuales son PL 30 x 10-® 2a, ~ 3a, Ee aks = eid JE y BL = 20X10? 2a +38, QrevI3 VIB Sumando ambos resultados se tiene —180 x 107%, —249a, VA 2reo(13) “wm Este es el campo en P (0 justo arriba de P) en ambas configuraciones de la figura 5.8, y ciertamente satisface ver que el campo es normal al plano conductor. Asi, D = ¢gE = =2.20a, nC/m2, y como su direccién es hacia el plano conductor, p, es negativa y tiene un valor 2.20 nC/m? en P. D5.6 Un plano perfectamente conductor est ubicado en el espacio libre en x = 4, y tuna linea de carga infinita y uniforme de 40 nC/m se ubica a lo largo de la linea x = 6, y=3. Sea V = 0 en el plano conductor, En el punto P(7, —1, 5) encontrar: a) V; b) E, Respuesta: 317 V; —45.3a, ~99.2a, Vim 5.6 Semiconductores Ahora se pondrd atencién a un material semiconductor intrinseco, como lo es el germanio © el silicio puros, en el cual estén presentes dos tipos de portadores de carga, electrones y huecos. Los electrones se encuentran en la capa superior de la banda de valencia ocupada5.6 Semiconductores y han recibido suficiente energia (por lo general térmica) para atravesar la relativamente an- gosta banda prohibida y Hegar a la banda de conduccién. La banda prohibida del espacio de energfa en los semiconductores comunes es més o menos de un electrén-volt. Las vacantes dejadas por estos electrones son estados de energia no ocupados en la banda de valencia, los cuales pueden moverse de un étomo a otro dentro del cristal. La vacante es Hamada hueco, y muchas propiedades de los semiconductores se describen tratando el hueco como si tuvie~ ra una carga positiva de e, una movilidad 2, y una masa efectiva comparable a la del elec- trén, Ambos portadores se mueven en un campo eléctrico en direcciones opuestas; asf, cada forma contribuye a una corriente total, la cual es en la misma direcci6n para ambas, La con- ductividad entonces es una funcién de las concentraciones y movilidades tanto de huecos como de electrones, = —Peble + Phi (7) Para el silicio puro, 0 intrinseco, las movilidades de los huecos y de los electrones son 0.12 y 0.025, respectivamente, mientras que para el germanio éstas son 0.36 y 0.17, respec- tivamente. Estos valores estin dados en metros cuadrados por volt-segundo y estan en un in- tervalo de 10a 100 veces la del aluminio, cobre, plata y otros conductores metalicos.® Las movilidades citadas son vélidas a una temperatura de 300°K. La concentracién de electrones y huecos depende significativamente de la temperatu- ra. A 300°K la densidad volumétrica, tanto de electrones como de huecos, es de 0.0024 ‘Cim* en silicio intrinseco y de 3.0 C/m* en germanio puro, Estos valores dan una conduc- tividad de 0.00035 S/m en el silicio y de 1.6 S/m en el germanio. Conforme la tempera- tura aumenta, las movilidades disminuyen, pero las densidades aumentan muy répidamente. Como resultado, la conductividad del silicio aumenta por un factor de 10 cuando la temperatura se incrementa desde 300°K hasta aproximadamente 330°K, y decre- ce por un factor de 10 cuando la temperatura disminuye de 300°K hasta aproximadamente 275°K. Obsérvese que la conductividad de un semiconductor intrinseco aumenta con la temperatura; ésta es una de las diferencias caracteristicas que distingue a los semiconduc- tores de los conductores metalicos. Los semiconductores intrinsecos también satisfacen la forma puntual de la ley de Ohm, esto es, la conductividad es razonablemente constante con la densidad de corriente y con la direccién de la densidad de corriente. EI nimero de portadores de carga y la conductividad pueden aumentarse drésticamen- te si se afladen pequefias cantidades de impurezas. Materiales donadores suministran elec- trones adicionales y forman el semiconductor tipo n, mientras que materiales aceptores proveen de huecos extra y forman los materiales tipo p. El proceso es conocido como con- taminacién, y una concentracién de donadores de una parte en 107 en el silicio produce un aumento en la conductividad con un factor de 108 El intervalo de valores de la conductividad es muy amplio, desde los materiales aislantes hasta los semiconductores y los mejores conductores. En siemens por metro, intervalos pa- ra s van desde 10-'” para cuarzo fundido, 10-? para aislantes de plasticos malos, y casi 1 para semiconductores hasta casi 10 para metales conductores a la temperatura ambiente. Estos valores cubren un intervalo de unos 25 drdenes de magnitud. © Los valores para la movilidad en los semiconductores estén en las referencias 2. 3 y 5, enumeradas al final de este capitulo. 131132 CAPITULO 8 Corriente y conductores 5.7 Utilizando los valores de movilidad de electrones y huecos en el silicio a 300°K. dados en esta seccién y suponiendo densidades de carga de huecos y electro- nes de 0.0029 C/m? y —0,0029 C/m3, respectivamente, encontrar: a) la componente de la conduetividad que producen los huecos; b) la componente de la conductividad ‘que producen los electrones; c) la conductividad. Respuesta: 7.25 j1S/m; 348 jeS/m; 421 eS/m Lecturas complementarias 2 3 5. Adler, K. H., A. C. Smith y R. L. Longini, Introduction to Semiconductor Physics, Nueva York, John Wiley & Sons, 1964. La teoria de los semiconductores se trata nivel universitario. Dekker, A. J., Electrical Engineering Materials, Englewood Cliffs, NJ, Prentice-Hall, 1959. Es- te libro admirable cubre temas acerca de dieléetricos, conductores, semiconductores y materiales magnéticos. Fink, D. G. y H. W. Beaty, Standard Handbook for Electrical Engineers, 12a, ed., Nueva York, McGraw-Hill, 1987. Maxwell, J.C.,A Treatise on Electricity and Magnetism, 3a. ed., Nueva York, Oxford University Press, 1904, o una edicién rstica, Dover Publications, Nueva York, 1954 ‘Wert, C. A., y R. M. Thomson, Physics of Solids, 2a. ed., Nueva York, McGraw-Hill, 1970. Este sun texto avanzado para nivel universitario y cubre temas como metales, semiconductores y die- Iéetricos Problemas 5. 52 53 54 55 Dada la densidad de corriente J = —10*[sen(2x)e“a, + cos(2x)e~a,] kA/m*: a) Encontrar la corriente total que cruza el plano y = 1 en la direcci6n de a, en la re- giGn 0 0 a medida que > 00. 4) Encontrar una expresién para la velocidad de la densidad de carga. Suponiendo que no hay transformacién de masa a energfa y viceversa, se puede es- cribir una ecuacién de continuidad para la masa. a) Si se utiliza la ecuacién de con- tinuidad para la carga como en nuestro modelo, ,qué cantidades corresponden a J y 0,26) Dado un cubo de | cm de lado, algunos datos empiricos demuestran que las velocidades a las que la masa abandona las caras son 10.25, —9.85, 1.75, -2.00, 4.05 y 4.45 mg/s. Si se supone que el cubo es un elemento de volumen incremen- tal, determ{nese un valor aproximado de 1a rapidez. de cambio de la densidad en su centro. La conductividad del carbén es de 3 x 10* S/m. a) {Qué forma y tamafio de una muestra de carbén tiene una conductancia de 3 x 10* S? b) {Cudl es la conductan- cia si todas las dimensiones de la muestra encontrada en el inciso a) se redujeran a Ja mitad? 4) Utilizando los datos tabulados en el Apéndice C, calcular el diémetro que se re- quiere para que un alambre de nicromo de 2 m de longitud disipe una potencia pro- medio de 450 W cuando se le aplique un voltaje de 120 V rms a 60 Hz. b) Calcular el valor rms de la densidad de corriente en el alambre ‘Un alambre s6lido con una conductividad a, y un radio a tiene una cubierta de un material que tiene una conductividad , su radio interior es a y su radio exterior es b, ‘Demostrar que la relaci6n de las densidades de corriente de los dos materiales es in- dependiente de ay b. Dos superficies cilfndricas conductoras de longitud € estén ubicadas en p = 3 y p= 5m. La corriente total que fluye radialmente hacia fuera a través del medio entre los dos cilindros es de 3 A de cd. a) Encontrar el voltaje y la resistencia entre los cilindros y E en la regién entre los cilindros si un material conductor que tiene una o = 0,05 S/m esté presente en 3 < p <5 cm, b) Demostrar que integrando la po- tencia disipada por unidad de volumen a través de todo el volumen se obtiene la poten- cia disipada total Dos placas conductoras idénticas que tienen un rea A se ubican en z= 0 y z La regi6n entre las placas esté lena de un material cuya conductividad a(z) = o¢— depende de z, donde , es una constante. Un voltaje V, se aplica a la placa en z en z = 0, la placa estd a cero potencial. Encontrar en términos de los pardmetros da- dos: a) la resistencia del material; b) la corriente total que fluye a través de las pla- cas; c) la intensidad de campo eléctrico E dentro del material. Un tubo cilindrico hueco con una seccién rectangular mide externamente 0.5 pulg, por 1 pulg y un grosor de pared de 0.05 pulg. Suponer que el material es lat6n y tie- ne una o = 1.5 x 107 S/m. Por el tubo fluye una corriente de 200 A de ed. a) {Qué caida de voltaje se presenta en un metro de tubo? b) Encontrar la cafda de voltaje si el interior del tubo se Tena con material conductor cuyo valor de o = 1.5 x 10° S/m. 133134 CAPITULO 5 Cortente y conductores 5.14 5.15 5.16 5.17 5.18 5.19 5.20 5.21 5.22 5.23 Una placa conductora rectangular est ubicada en el plano xy y ocupa la regién 0.< x 3, respectivamente. Si, = 0.082 m°/V - s YH, = 0.0021 m*/V - s, encontrar la resistencia ofrecida entre las caras de los extre- mos de la muestra 135