MOSFET INCREMENTAL DE CANAL N ET dispositivo esté construido sobre sobre un sustrato o cuerpo, de semiconductor tipo p, ligeramente dopado, que proporciona soporte mecénico. En un circuito integrado, un solo sustrato de tipo p soporta muchos dispositivos en forma simultanea. Figura 5.9 Estactra det MOSFET de canal n: (@) vista general) seccién transversal Inter La longind yet ancho W de a region de la compuerteson as Simensiones clave dl disposi, La capa 4: 6xidosisldora centre la compueray flausrato tenen un EPO lr aca ina Consideraremos Vsg= 0, aunque si no es cero, presenta una modificacién en el funcionamiento del dispositivo. Las dimensiones fisicas importantes de un MOSFET incluyen el ancho de la compuerta W, la longitud de la misma Z y el espesor del Oxido fox. Comuinmente las unidades se especifican em micrones (um). ELABORO: MC. ROMAN AMEZCUA C. Transistores MOSFET qOPERACION DEL MOSFET SIN VOLTAJE DE COMPUERTA Si Vos eS positivo, la unién entre drenaje y sustrato se polariza en inversa, impidiendo el flujo de corriente. Figura 6.10 fp=0 ‘Un MOSFET de canal ssn vole de ove donne el ite compart y con un tones reels ite yg postvo, Se forma tuna resin de gotamiento en le unin pm drenae sutton Potrizacitn iver, Iimpidinde ef jo de MOSFET CON VOLTAJE DE COMPUERTA APLICADO Si Vos Y Ves Son positivos crea un campo eléctrico en la capa de oxido, que hace que los huecos sean repelidos de la superficie del sustrato. Figura 5.11 MOSFET com ty positive yt postive (mostra para oe << ve) Eeampo cleo en leap de ido eausado pot, se origin la computa postva fe termina ena carga egativaen la superficie de sutato (Cuando et eampo se Ince lo sfcientemente srande, en la superficie del sustrato se forma una capa de inversion de leetones méviles libres Cuando ves excede un valor critico conocido como voltaje de umbral V;, el campo de la capa de éxido atrae electrones de la regién de sustrato, debajo de la compuerta. Estos electrones, provenientes de la fuente, forman una ELABORO: MC. ROMAN AMEZCUA C. Transistores MOSFET 2capa de inversién conductora de electrones méviles, a través de la cual la corriente /p puede fluir. La conductividad de la capa de inversion del canal aumenta con el voltaje de la compuerta. Para una MOSFET dado, el valor de Vj quedara determinado por los niveles de dopado del sustrato, asi como por otros parametros de fabricacion. Tipicamente varia en el rango de 0.5 a 3 V. OPERACION MOSFET PARA UN Vps PEQUENO Cuando Vps es pequefio —del orden de 1 V o menor- y ves mayor que Vy, la densidad de los electrones en el canal de la capa de inversién es uniforme, segtin se aprecia a continuaci6n : {0hver~ Fo 10 vast) Aqui el MOSFET se comporta como un resistor, con una corriente de drenaje ‘p proporcional al voltaje vps. Esta regidn de operacién es conocida como region resistiva 0 como region triodo. ELABORO: MC. ROMAN AMEZCUA C. Transistores MOSFET 3Sobre la region resistiva, la caracteristica v-/ del MOSFET puede quedar descrita por la ecuacién : ip = 2K (Yas Vi Mos Esta ecuacién tiene la forma de la Ley de Ohm. La resistencia del canal, dada por »,./i,=2K,.-¥,)Jf', eS una funcién del voltaje excedente de comuerta (v,5-V;)+ La constante x, conocida como pardmetro de conductancia, tiene unidades mA/V’. Esta dado por la expresi6n : K a He fox W 2 tox L donde yy. es un parametro que depende del material, Ilmadao movilidad de electrones y ox es la permitividad dieléctrica de! material de dxido de la compuerta. Tanto “como egy son constantes fisicas fundamentales del semiconductor y el oxido, respectivamente. Las dimensiones Wy L de la compuerta y el espesor foy del éxido quedan determinados en el momento de la fabricacién. Para un MOSFET de canal p, K esta dado por una expresion similar, sustituyendo por sla movilidad de huecos My. La relacién €oy/toy es equivalente a Cox, que es la capacitancia de la capa de oxido por unidad de area. Asi, K puede expresarse como : K= yon * Para un Oxido de silicio de 0.1 ym de espesor, Coy es de 0.35 fF/um?. ELABORO: MC, ROMAN AMEZCUA C. Transistores MOSFET 4En un C.l., fox sera el mismo para todos los dispositivos. Escogiendo valores apropiados de W y LZ dentro de su fabricacién, es posible producir dispositivos con valores relativos predeterminados de K. OPERACION DEL MOSFET CONFORME SE INCREMENTA vps Cuando Ves es mayor que v7, de manera que aparece una capa conductora de inversién de electrones, cualquier vps aplicado entre drenaje y fuente quedaré distribuido a lo largo del canal de la capa de inversién. Figura 5.13 MOSFET con un vo sufccnemente gran para hace uc a carters vs convert re lineal, Con tg distibuido 1 o largo del eanaly con un drenje positive en relacion com I cnt, la caida ‘Se vote et de a compuerta l canal hace menor que vr La capa de inversién se hace menos densa en el creme drenje de canal porque el earap clécrco en la capa de éxid dsminuye en intensida, El espesor cada vez mas reducido de la capa de inversién, conforme uno pasa del extremo fuente al extremo drenaje del canal, hace que la caracteristica v-/del MOSFET se convierta en no lineal. La ecuacidn de corriente ahora se representa como : in = K ves —Mr os Viel ELABORO: MC, ROMAN AMEZCUA C. Transistores MOSFET 5El MOSFET se vuelve a un comportamiento resistivo sdlo cuando vps es lo suficientemente pequefio para que se pueda ignorar el término cuadratico de la ecuacién. fas carctersticns 0 A MOSFET 3 Weeaacién (5.4) 0 posta sr ignored. 5 10 vost) OPERACION MOSFET PARA Vos MAS GRANDE Si Vps se incrementa atin mas, se llega a un punto donde el espesor de la capa de inversién en el extremo drenaje del canal llega a cero. Este estado, llamado estrechamiento 0 a veces saturaci6n, se ilustra a continuacion : Figura 6.15, Estado de ctrechamiento que ‘cure par mayor (que el valor erica Yer Vig Laeapa de inversidn se detiene justo af izquerda de Taegion de ‘través de canal se mantoneconstante en Cape denver eects cl valor exaco que tenia anes det ctrechamiento satin Suse de pop ‘cole foes) ELABORO: MC, ROMAN AMEZCUA C. Transistores MO:La capa de inversion existe a todo lo largo del canal, excepto en el extremo drenaje. El valor critico de vps para el estrechamiento, puede calcularse a partir de: Ys = Cuando vps llega a este valor critico, el flujo de corriente en el MOSFET no cesa, permitiendo mantener una trayectoria de flujo de corriente para /p. El flujo de corriente en el canal se conserva constante conforme Vps se incrementa mas alla del valor critico, este modo de operacién se conoce como regién de corriente constante o a veces, regién de saturacion. El flujo constante se puede describir mediante: ip = K (Ys Ve) La figura siguiente incluye la regién de corriente constante descrita por la ecuacion anterior. otma) Figura 6.16 Catacterisicas 1 compleas del » (MOSFET incremental ‘de canal incluyendo las regonestriodoy de cortiente constant, Para Yar> Bos Vow ‘orient de dena fp 0 tt independiente de Ys El dispositive rmostado ne parkmeos K-05 mA" y¥aq= 2, ELABORO: MC, ROMAN AMEZCUA C. Transistores MOSFET 7RESUMEN DEL MOSFET INCREMENTAL CANAL N El simbolo basico del circuito aparece en la siguiente figura : fe > s o La forma general de las caracteristicas v-/del puerto de salida se muestran a continuacién : te Ye i das carters 1-1 bows} det pus de sain MOSFET para vas ey altar del on vpn el aso 00 > Yon Region de corinte constant La corriente no puede fluir de drenaje a fuente, a menos que Ves sea mayor que el voltaje de umbral V;. La cantidad en la cual Ves exceda a V; se conoce como el voltaje excedente de compuerta. La porcidn no lineal, constituye la regién de operacién triodo, y la porcién plana, horizontal, se conoce como la regién de corriente constante. ELABORO: MC. ROMAN AMEZC Transistores MOSFET 8El MOSFET operara en la regién triodo si vps es menor que el voltaje excedente de compuerta, esto es : Vps < Ves Vr El MOSFET operara en la regidn de corriente constante si vps es mayor que el voltaje excedente de compuerta : Vos > Vas —Vr Cuando ves es menor que V;, se dice que el dispositivo esta en corte. En este punto, las desigualdades de las dos ecuaciones anteriores no tienen significado. Las caracteristicas v-i del MOSFET se pueden resumir mediante las siguientes ecuaciones : Region de corte (para y,; <¥,): ip =0 Region triodo (para v5 >%- Y 0% Y vps 2 v%s-¥;) * ip ip = Kos Vr La frontera de transicién entre las regiones triodo y de corriente constante queda indicada por la linea punteada de la figura anterior. ELABORO: MC, ROMAN AMEZCUA C. Transistores MOSFET 9VOLTAJE FUENTE A SUSTRATO DISTINTO A CERO (EFECTO DE CUERPO) Las caracteristicas v-i mostradas anteriormente, son validas siempre que la fuente esté conectada al sustrato del MOSFET, es decir, a su cuerpo. La utilizacisn de un sustrato comUn para todos los dispositivos facilita la fabricaci6n y al mismo tiempo permite aislar al dispositivo de los demas. Si el sustrato de tipo p de un MOSFET de canal 77 se conserva al voltaje mas bajo del circuito (es decir, a tierra, en un circuito con un solo voltaje de alimentacién), el drenaje de todos los MOSFET estara a un voltaje mas alto que el sustrato. En el circuito que se muestra a continuacion, Q, tiene su fuente conectada al sustrato (tierra), pero Qg tiene su fuente conectada al nodo 1, que esta a un voltaje v;, por encima de tierra. El dispositivo Q, tendraé por tanto un Vsg positivo. Figura 5.20 ito MOSFET de susato-E1 ‘snectad al volte mis negaivo det cari (ira). spostvo Q, tone ‘fuente conectada tier; Oy ine su fuente concetada a un ode dstinto a tor, por que su ges itn de coo. ELABORO: MC, ROMAN AMEZCUA C. Transistores MOSFET 10Un Vg distinto de cero afecta el comportamiento del dispositivo y requiere que las ecuaciones anteriormente vistas sean modificadas. Para mantener el mismo /p se requiere un Ves mas alto. Este comportamiento, llamado efecto de cuerpo o sustrato, se puede presentar como una elevacidn del voltaje de umbral efectivo. Un anilisis detallado de la fisica del MOSFET muestra que el voltaje de umbral V-con un Vsg distinto de cero se convierte en : Vp = Vp, + AV, = Voy +7 Vop + 2b — 24 ) El término del lado derecho de la ecuacidn expresa el cambio AV; en el voltaje de umbral. El pardmetro y es un numero entre 0.3 y 1.0 V"”, y gees una constante llamada potencial de Fermi que depende del material. En el caso del silicio, ¢- es aproximadamente igual a 0.3 V. ELABORO: MC. ROMAN AMEZCUA C. Transistores MOSFET u