Trịnh Lê Phúc Lộc

61602110

1) Quy trình tráng phủ trong công nghệ sản suất bán dẫn

-bước 1: xử lý bề mặt

Đó là vieetjc đầu tiên ,à người làm công nghệ cần thực hiện trong phòng sạch. Công đoạn làm sạch
bề mặt phiến (silicon) thường được thực hiện nhờ các acid mạnh, các chất có tính oxi hóa như
HNO3,H2SO4 và HF. Việc xử lý bề mặt giúp chúng ta loại bỏ bớt các tạp chất vô cơ, hữu cơ hoặc
sai hỏng trên bề mặt wafer trước khi chuyển nó nó vào những bước công nghệ tiếp theo. Kĩ thuật
làm sạch thường sử dụng là RCA clean ( wet cleaning ) bao gồm nhiều bước.

 SC1 ( standard clean 1): removes organic films

 SC2 ( standard clean 2): removes metals
 HF ( hydrofluoric acid): removes silicon dioxide layers

-bước 2: oxi hóa

Trong quá trình chế tạo mạch tích hợp người ta thường phải dung lớp SiO2 trên bề mặt tinh thể Si.
Lớp SiO2 nàu có hệ số dãn nở nhiệt gần bằng hệ số giản nở nhiệt của Si, với hằng số điện môi 3.9-
4 có tác dụng bảo bệ bề mặt các linh kiện bán dẫn dưới tác dùn của moio trường bên ngoài che
chắn bề mặ Si trong quá trình khuếch tán định xứ các tạp chất P và B.Ngoài ra lớp SiO2 còn được
sử dụng làm cực cho bóng bán dẫn. CÓ nhiều phương pháp tạo ra lớp SiO2 nhưng phương pháp
được sử dụng rộng rãi nhất để nhận lớp SiO2 là phương pháp oxi hóa ở nhiệt độ cao ( khoảng
1000oC-1100oC)
-bước 3 :khuếch tán

Là kỹ thuật được sử dụng trong công nghệ bán dẫn để tạo các vùng chuyển tiếp của transitor. Có
nhiều phương pháp để khuếch tán tạo cung chuyển tiếp P-N khác nhau như phương pháp khuếch
tán ở nhiệt độ cao, phương pháp cấy ion… Tùy thuộc vào đế silicon và mục đích của việc pha tạp
người làm công nghệ sẽ phải dung 2 loại tạp phổ biến nhất là Boron (B) và photpho (P) cho quá
trình này.

-bước 4: quang khắc

Là tập hợp các quá trình quang hóa nhằm tạo ra các chi tiết trên bề mặt wafer. Để làm được điều
này cần phải có những bộ Mask, chất cản quang nguồn sáng UV và dung dịch tạo hình. Mask
thường là 1 tấm kính hữu cơ được phủ 1 màng crom trên đó khắc họa nhưng chi tiết phù hợp với
thiết kế của cảm biến hoặc mạch tích hợp (IC).

Người ta phủ lên trên bề mặt tấm wafer chất có tình nhậy sáng đặc biệt-chất cản quang. Chất cản
quang phải đảm bảo 2 tính chất: nhạy quang và bền vững trong các dung môi acid hoặc kiềm. Chất
cản quang có nhiệm vụ là lớp bảo vệ có hình dạng cần thiết cho bề mặt khỏi bị rác dụng của các
dung môi hóa học . Người ta phân loại cảm quang thành cản quang dương và âm dựa vào cơ chế
phản ứng xảy ra trong cảm quang khi bị chiếu sáng và sự thay đổi tính chất trong quá trình chiếu
sáng. Cản quang âm khi bị chiếu sáng sẽ trên không bị hòa tan trong các dung môi tương ứng.Còn
cản quang dương thì ngược lại, khi chiếu sáng sẽ hoàn tan trong dung môi.
Dung dịch tạo hình cho phép tạo ra những chi tiết trên lớp cản quang do tác dụng của nguồn UV.
Quá trình này giống như quá trình rửa ảnh trong kỹ thuật nhiếp ảnh. Ở mặt nạ đầu tiên quá trình
quang khắc được thực hiện khá đươn giản : đặt miếng wafer lên giá, thiết lập các điều kiện cần
thiết như chân không , khí nén, chế độ tiếp xúc, công suất UV, thời gian chiếu sáng… Tuy vậy để
chế tạo mạch tổ hợp người ta cần phải dung nhiều bộ mask khác nhau.Để các chi tiết trên mask để
lên tấm wafer của lần chế tạo trước đó trùng với chi tiết của mask hiện tại người ta dung 1 kĩ thuật
gọi là kĩ thuật đồng chỉnh. Kỹ thuật này được thực hiện thông qua những dấu hiệu gọi là dấu so
với sự trợ giúp của quang học và hệ vi chỉnh cơ khí theo các chiều X,Y và chỉnh méo. Thông qua
những dấu so đặc biệt này người ta có thể chắc chắn được rằng mọi chi tiết trên tấm wafer được
nhận từ các mask khác nhau là trùng khít lên nhau.
-bước 5: cấy ion

Các tạp chất có thể được sử dụng để thay đổi các đặc tính về điện tích của wafer. Việc đưa các tạp
chất vào trong wafer theo cách được kiểm soát là chìa khóa để hình thành nên các mạch tích hợp.
Implant ion hiện là phương pháp phổ biến nhật để đưa tạp chất vào trong các tấm wafer. Trong 1
thiết bị cấy ion, các tạp chất được đưa vào wafer sẽ được ion hóa, tức là loại bỏ 1 hay nhiều electron
khiến các ion tạp chất mang dương. 1 điện trường điện áp cao sau đó được sử dụng để tang tốc các
ion với 1 năng lương rất cao. Quá trình gia tốc này được thực hiện trong chân không để các ion
không va chạm với bất kì khí nào trong quá trình tang tốc. Các ion gia tốc sau đó được “cấy ghép”
vào bề mặt wafer nhờ vào năng lượng cao của chúng khiến chúng thâm nhập, thấm vào bề mặt đã
chọn sẵn.

Quá trình cấy ghép ion được chọn lọc bằng cách sử dụng 1 mô hình cản quang để chặn các ion tạp
chất đến wafer ,à kgoonf có tạp chất mong muốn. Quá trình đưa vào có chọn lọc của tạp chất bắt
đầu với sự phát triển/gia tang của 1 lipws silicon dioxide/SiO2 mỏng. Lớp silicon dioxide bảo vệ
bề mặt wafer nhưng phải đủ mỏng để không chặn các ion cấy vào.
-bước 6: ăn mòn

Khi wafer đã có lớp SiO2 phủ lên rồi thì bước kế tiếp cũng giống như quá trình làm bo mạch điện
tử. Sau khi dung mực cản quang in lên rồi thì sau đó sẽ đến bước “tẩy” phần không cần tới.

Có 2 pp ăn mòn: ăn mòn ướt và ăn mòn khô

+ăn mòn ướt: đây là ky thuật thông dụng nhất trong công nghệ bán dẫn. Nó sử dụng hóa chất lỏng,
chủ yếu là acid để ăn mòn vật liệu.Ăn mòn ướt chủ yếu không định hướng/ đẳng hướng

+ăn mòn khô: trong kĩ thuật ăn mòn khô , tấm wafer đưa vào trong buồng chân không, sau đó hỗn
hợp khí dung cho ăn mòn được đưa vào trong buồng phản ứng.Ở chân không thích hợp, dưới tác
dụng của nguồn cao, khí ăn mòn bị ion hóa và chúng ta thu được hỗn hợp plasma của khí nói trên
bao gôm các ion F+ do đó SiO2 hoặc Si bị ăn mòn và tạo ra các sản phẩm phản ứng tương ứng.Ăn
mòn khô có thể là định hướng/không định hướng.

Nhờ vào kĩ thuật này mà chúng ta có thể mang lại ký thuật ăn mòn vật liệu với hệ số d/w (sâu/cao)
rất lớn tùy theo độ dày của vật liệu mà người ta chọn các chế độ ăn mòn khác nhau. Với kỹ thuật
này các hang sản xuất lớn có thể phân đoạn thiết bị dành riêng cho quá trình ăn mòn với 1 vài
micromet cho tới thiết bị có thể ăn mòn qua tấm wafer ( cỡ micromet) trong 2h

-bước 7:kỹ thuật màng mỏng (CVD)

Chủ yeesh tạo những lớp vật liệu có bề dày như mong muốn lên trên 1 lớp vật liệu khác. Đây là
quá trình đòi hỏi khá nhiều kiến thức bỏ xung nhứ kỹ thuật chân không, cấu trúc vật liệu… Các kĩ
thuật cơ bản để tạo màng mỏng ở đây gồm 2 pp-vật lỹ và hóa học.Phương pháp vật lý bao gồm:
phún xạ, bốc hơi nhiệt, pp phun tĩnh điện… Trong khi pp hóa học có: lắng đọng hóa học pha
hơi,pha hơi áp suất và sol-gel

-bước 8: rửa

Đây là bước làm sạch wafer bằng dung dich hóa học để loại bỏ các hạt như bụi ra khỏi wafer.APM
( hh NH4OH/H2O2/H2O) dung để làm sạch các hạt bụi trong không khí. HPM (hh
HCl/H2O2/H2O) dung để làm sạch các tạp chất và kim loại hiếm (Au, Pt). hh H2SO4/H2O2 để
làm sạch các tạp chất hữu cơn và kim loại ( zn, Fe..). DHF (acid HF loãng) để loại bỏ các phần
SiO2 không cần thiết.

2) khái quát về các dạng vật liệu chất bán dẫn

-Silic (Si) là vật liệu được sử dụng rộng rãi nhất trong các linh kiện bán dẫn. Chi phí nguyên liệu
thấp, chế biến tương đối đơn giản, phạm vi nhiệt độ làm việc rộng, khả năng chế tạo thành tấm
nền có đường kính đủ lớn cỡ 300 mm (12 in), làm cho nó là tốt nhất trong số các vật liệu cạnh
tranh khác.
Germani (Ge) là loại vật liệu bán dẫn sử dụng đầu tiên, nhưng sự nhạy nhiệt làm cho nó thua kém
silic. Hiện nay, germani được tạo hợp kim với silic để sử dụng trong các linh kiện SiGe tốc độ rất
cao. IBM là một nhà sản xuất chính các linh kiện như vậy.
Arsenua galli (GaAs) cũng được sử dụng rộng rãi trong các linh kiện tốc độ cao, nhưng khó chế
tạo được tấm nền lớn. Việc sản xuất hàng loạt các linh kiện GaAs đắt hơn silic đáng kể.
Vật liệu ít phổ biến khác cũng được sử dụng hoặc đang được nghiên cứu.
Cacbua silic (SiC) đã tìm thấy một số ứng dụng làm nguyên liệu cho điốt phát sáng xanh lam
(LED). Nó đang được nghiên cứu để sử dụng trong các linh kiện bán dẫn có thể chịu được nhiệt
độ hoạt động rất cao và môi trường có bức xạ ion hóa lớn. Hiện tại điốt IMPATT là loại được chế
tạo từ SiC
 Si là loại vật liệu phổ biến nhất hiện nay vì nó dễ khai thác (chiếm 26% vỏ trái đất), nhiều
phương pháp tạo ra Si tinh khiết đã được phát triển nâng cao khả năng của Si. Việc khai
thác Si có thể áp dụng cho nhiều lĩnh vực như gốm sứ, thủy tinh…vì vậy khai thác làm
bán dẫn và Si sẽ cho hiệu quả kinh tế cao hơn.

 Các loại bán dẫn đều có đặc điểm riêng của từng loại tùy thuôc vào cấu trúc đặc điểm vật
lý và hoá học khác nhau sẽ cho tính chất chất của bán dẫn khác nhau.Theo em, sự tiến bộ
trong công nghiệp vật liệu mới là điều em quan tâm không nên chú trọng vào 1 cái, cần
phải nghiên cứu kết hợp các loại vật liệu bán dẫn với nhau để tạo ra vật liệu bán dẫn tối ưu
nhất. ví dụ như Si có khả năng chịu nhiệt cao chế tạo đơn giản, còn bán dẫn Ge có khả năng
xử lý thông tin nhanh hơn nên khi kết hợp Si và Ge lại thì sẽ có 1 vật liệu bán dẫn vừa bền
vừa có tốc độ cao.