Professional Documents
Culture Documents
شرح المقاومة PDF
شرح المقاومة PDF
المقاوماة بوحادة (الفولت) -كمقسم جهد ،وشدة التياار (األمبيار) -كمقسام تياار ،و تقاا
األوم ، Ohmوترمز بالرمز . R
وتختلف نوعيتها على حسب كيفية صنعها ،والمواد المركبة منها ،وأهم أنواع المقاومات هي:
-1المقاومة الثابتة .
-2المقاومة المتغيرة .
-3المقاومة الضوئية .
-4المقاومة الحرارية .
ل اًً:المقاومةًالثابتةً:ًR
أو ً
تتميز هذه المقاومات بثبات قيمتها وتختلف في استخدامها على حسب قدرتها في تمرير التيار الكهرباائي فهناا
مقاومات ذات أحجام كبيرة تستخدم في التيارات الكبيرة وأخرى صغيرة للتيارات الصغيرة .
2
مقاومة مصهرية مقاومة سطحية
Fusible Surface Mount
Fig. 1.1a: Some low-power resistors Fig. 1.1b: High-power resistors and rheostats
المقاومة المتغيرة
الدورانية
المقاومة المتغيرة
الخطية
المقاومة المتغيرة
المستخدمة الدائرية
في األلواق االليكترونية
3
قراءةًقيمةًالمقاومةًً:
عادة الترميز بخمسة أحزمة لونية يستخدم فاي المقاوماات ذات الدقاة %1±و . %2±النماوذ األكثار تاوفرا هاو
%5±يأتي عادة بأربعة أحزمة لونية .
أرقام أما في حال المقاومات بخمسة أطواج :األمر مماثق تماما للحالة السابقة ولكن اللون األول والثاني والثال
اللون الرابع فهو عدد األصفار والخامس كما سبق نسبة التفاوت .
4
نسابة خطاأ أو تفااوت فاي الخطاأ ،لكان هناا
مالح ة :المصانع ال تضع قيمة المقاومة كالقيمة الفعلية بالضاب
. Tolerance
علاى لذلك وضعت المصانع الطاوج األخيار "الاذهبي أو الفضاي" لمعرفاة دقاة المقاوماة ،وهاي ببسااطة تقاا
حسب لون الطوج ،فاللون الذهبي يعني أنه هنا نسبة خطأ قدره %5والفضي %11و %21للمقاومة من غيار
طوج أخير .
مثال :احسب قيمة المقاومة بني اسود برتقالي ذهبي مع نسبة خطأها ؟
المقاومة تكون نسبة خطأها %5ألن اللون الرابع هو ذهبي وقيمتها مابين :
ohm 051إلى . ohm 1151
وإذا المقاومة كانت ذات طوج فضي تكون نسبة خطأها %11وقيمتها مابين:
ohm 011إلى . ohm 1111
وإذا المقاومة كانت بدون طوج تكون نسبة خطأها %21وقيمتها مابين:
ohm 011إلى . ohm 1211
ً
أنواعًالمقاوماتًً:
ً
.1المقاوماتًالثابتةً(ًكربونيةً–ًسلكية)ًً:وهي المقاومة التي لها قيمة ثابتة ال تتغير ،وتكون هذه القيماة
مكتوبة عليها بشكق مباشر (أرقام) أو غير مباشر (ألوان) .
.2المقاوماتًالكربونيةً :وتكون المادة الناقلة فيها مصنوعة من الكرباون ،ويكاون لهاا قايم أومياة كبيارة ولكان
استطاعتا صغيرة .
.3المقاوماتًالسلكيةً :وتكون المادة الناقلة فيها سلك يكون ملفوف علاى جسام المقاوماة عادد معاين مان
اللفات حسب قيمة المقاومة ويحب أن يكون هنا مسافة بين كق لغة ،ويكون لها قيم أومية صغيرة نوعا ما ،
ولكن االستطاعة تكون كبيرة .
.4المقاوماتًالمتغيرةً :تتغير قيمة هذه المقاومة ميكانيكيا بواسطة وصلة متحركة (منزلقة) أو ضوئياُ (ضاوئية)
أو حراريا (حرارية) .
.5المقاومةًالضوئيةً(:ً)LDR
وهي تقوم على تحويق الضوء إلى مقاومة ..
تصنع هذه المقاومات من سلفيد الكاديوم ()CDS
تاانخفض قيمتهااا األوميااة عنااد ا دياااد شاادة اإلضاااءة ،وتاازداد
قيمتها عند انخفاض الضوء ..
تصق قيمتها األع مية في ال الم إلى (.. )2M ohm
وفي الضوء الشديد الناصع تصق قيمتها إلى (.. )100 ohm
وتعتبااار المقاوماااة الضاااوئية حساساااة جااادا للناااور وساااهلة
اإلسخدام .
ً
.6الثارًمستورً(ً:ً)Thermistor
وهو عنصر إلكتروني يحول الحرارة إلى مقاومة تتغير قيمتها طبقاا لدرجاة ً
الحرارة المحيطة ..
مقاومة هذا العنصر تنقص با دياد درجة الحرارة ..
تحدد القراءات التالية التجريبية مقاومة العنصر عند درجات الحرارة :
-في الماء المتجمد ( )1C°تكون المقاومة عالية (..)12K ohm
-في درجة حرارة الغرفة ( )25C°تكون المقاومة (..)5K ohm
-في الماء المغلي ( )100C°تصبح المقاومة (..)400 ohm
5
.7المقاومةًالحراريةًالموجبةً( :[Positive Temperature Coefficient Thermistor]ً)PTCتزداد قيمتها األومية
عند أرتفع درجة الحرارة ،وتختلف قيم هذه المقاومة بحسب نوعها .
: [Critical Temperature Resister Thermistor] CTR .9تنقص قيمة المقاومة فجاأة عنادما درجاة الحارارة ترتفاع
فوج نقطة معيّنة .
إن العالقة بين درجة الحرارة وقيمة مقاومة نوع NTCيمكن أن يحسبا باستعمال الصيغة التالية :
.11المقاومةًالشبكية :هذا النوع من المقاومات تكون متوضعة في غالف واحد أسود اللون بأرجاق عمودياة
وتكون المقاومات موصولة من نهاياتها بنقطة واحدة مشتركة وباداياتها حارة ،وتتاوفر بسابع مقاوماات وثمانياة
وأربعة كما في األشكال ،وفي بعض األنواع تكون عبارة عن عدد من المقاومات في غالف دارة متكاملة وتكون
حرة البداية والنهاية .
تستخدم هذه المقاومات الشبكية لتستغق مساحة أصغر على الدارة فاي دارات قياادة
اللدات وأيضا كمقاومات رفع ..
.11مقاومةًالكمونًالمتغيرً(ً)VDRالفايرستورً :وهو عنصر يغير قيمته طبقا للجهد المطبق على طرفياه
حي أنه تنقص قيمة هذه المقاومة كلما ا داد فرج الكمون المطبق على طرفيها ،كما أن القطبية غير مهماة
بالنسبة إلى هذا العنصر ..
الرمز اإللكتروني
6
ً
استخدام المقاومة VDRفي حماية عناصر
الدارات الكهربائية ..
ً
الشكق السابق يبين توصيق الفايرستور مع الحمق من أجق الحد من مستوى التيار المتناوب ..
7
يبين الشكق السابق بعض تطبيقات الفايرستور
الشكق األول :حماية المحر من خطر يادة الجهد على طرفيه .
الشكق الثاني :حماية وشيعة سخان حراري من ارتفاع مستوى الجهد وبالتالي اختالف المعامق الحراري .
الشااكق الثال ا :حمايااة الترانزسااتور ماان الحق اق الكهربااائي المخاازن فااي ملااف الريليااه الااذي سااوف يفاار فااي
الترانزستور بعد إغالقه .
الشكق التالي يبين توصيق الفايرستور مع من ومة تحكم كاملة (الحظ الفايرستور في كق جزء منها) ..
ً
ً
ً
8
توصيلًالمقاومةًعلىًالتواليًوالتوازيًً:
الوصلًعلىًالتسلسلً:
توصااق نهايااة كااق مقاومااة مااع بدايااة المقاومااة الثانيااة
بمعنى أن التيار يمر باتجاه واحد .
9
تريدون الحقيقة !
لقااااد أعجبتنااااي
هذه الدائرة ..
غالبا من يعمق في رسم وطباعة الدارات اإللكترونية ،فإنه يتساءل عن أبعاد المقاومة التي استطاعتها كذا !!؟
لذا إليكم الشكق التالي :
Rough size
Rating power Thickness Length
)(W )(mm )(mm
1/8 2 3
From the top of the photograph
1/8W 1/4 2 6
1/4W 1/2 3 9
1/2W
أما بالنسبة للمقاومات الفلمية المعدنية التي تمتا بدقة عالية جدا وتحمق كبير لدرجات الحرارة والضوضاء ..
Rough size
Rating power Thickness Length
)(W )(mm) (mm
From the top of the photograph 1/8 2 3
)1/8W (tolerance ±1% 1/4 2 6
)1/4W (tolerance ±1%
1 3.5 12
)1W (tolerance ±5%
)2W (tolerance ±5% 2 5 15
01
: من أجق التذكر ال أكثر
Example 1
(Brown=1),(Black=0),(Orange=3)
10 x 13 = 10k ohm
Tolerance(Gold) = ±5%
Example 2
(Yellow=4),(Violet=7),(Black=0),(Red=2)
470 x 102 = 47k ohm
Tolerance(Brown) = ±1%
silver ±10%, gold ±5%, red ±2%, brown ±1%, If no fourth band is shown the tolerance is ±20%. [
00
The following shows all resistors from 1R to 22M:
02
Nonlinear resistors - a. NTC , b. PTC , c. LDR
ً ً
100 K ohm , 2% 270 K ohm , 1% 560 K ohm , 5% ً1940 ohm , 1%
03
وأخيرا وليس آخرا فإنك لن تجد مقاوماة قيمتهاا ماثال !! 225K؟ ألن الشاركات المصانعة تصانع سلسالة مان قايم
محددة وهي التالي ...
04
تركيبًالملفً :يتركب الملاف مان سالك معازول ملفاوف علاى
إطار من مادة عا لة formerويمكان أن تكاون علاى عادة أشاكال
منها :
-1على شكق أسطوانة أو مكعب أو متوا ي مستطيالت .
-2على شاكق قلاب مجاوف وفاار ،ويمكان أن يكاون قلاب
اإلطار مشغوال بشرائح حديدية أو مسحوج حديد أو ماادة
الفيريت ferriteأو أن يكون الهواء .
-3يمكن أن يغلف الملف بغالف من الحديد وذلك عند الرغباة
في أال يتأثر الملف بالمجاالت المغناطيسية الخارجية وقاد
يغلاف بغاالف مان البالساتيك لحمايتاه ،وقاد يتار بادون
تغليف .
مقدمةًنظريةًهامةًً:
مرورًتيارًفيًسلكً:
عناادما يماار تيااار فااي ساالك ينشااأ حااول هااذا الساالك مجااال
مغناطيسي ،يتزايد هذا المجال بتزايد التيار المار في السلك .
مرورًتيارًفيًملفً:
يلف السلك بطريقة معينة ليعطاي مجااال مغناطيسايا فاي اتجااه
معين محدد مسبقا من قبق المصمم .
وتخضع اتجاهات التيار واللف والمجال المغناطيساي لقاعادة الياد
اليمنى .
الحثًالذاتيًً:
إذا كانت قيمة التيار المار في الملف تتغير يادة أو نقصاا كماا هاو الحاال ماع التياار المتنااوب ،فاان قيماة المجاال
المغناطيسي الناشئ عن التيار تتغير أيضا يادة أو نقصا ،وفي هذه الحالة يتولد على طرفي الملف جهد يعاارض
الزيادة والنقص في التيار المار في الملف ،وكلما اد معدل تغير التيار كلما ادت قيمة هذا الجهد المعارض لحدوث
التغيير ،وخاصية المعارضة هذه تسمى " الح الذاتي " .
ويسمى الجهد العارض لحدوث التغير :جهد مستح أو جهد مستنت أو جهد مولد بالح الذاتي .
الح الذاتي : وحدات قيا
الذاتي لملف بوحدة (الهناري) أو (الميلاي الح يقا
هنري) .
1H = 1000mH = 106 µH
05
ممانعة الملفات :
يزدادًالحثًالذاتيًلملفًإذاًً:
-1ادت مساحة مقطعة وقق طوله .
-2اد عدد لفاته .
-3كان للملف قلب من مادة مغناطيسية كالحديد أو مسحوج الحديد أو من مادة الفيريت .
والعكس صحيح .
ًً
تزيدًممانعةًالملفًً:
-1بزيادة تردد اإلشارة المارة بالملف .
-2بزيادة ح الملف .
-3بكليهما .
For example, if f equals 684 kHz, while L=0.6 mH, coil reactance will be:
ً
أنواعًالملفاتًًً:ًTypesًCoils
ً
ل اً:منًحيثًالقلبًً..أو ً
تصنف الملفات وفقا للمادة التي تشغق الحيز داخق اإلطار الداخلي للملف إلى :
ً-1ملفاتًذاتًقلبًهوائيًً:
وهى تلك الملفات التي يشغق الهواء ما بداخق إطارهاا الاداخلي (ماا باداخق قلبهاا )
والح الذاتي لمثق هذه الملفات صغير .
ً-2ملفاتًذاتًقلبًحديديًً:
إذا وضع داخق الملف قلب حديدي ،فان المجال المغناطيسي
يتركز داخق وحول الملف وال يشرد كثيرا خارجه ،وبالتالي يزيد
من ح الملف .قد يصق ح مثق هذا النوع من الملفات إلى
11هنري .
ولكاان يعيااب علااى مثااق هااذا النااوع ماان الملفااات ،أن تيااارات
متولدة بالح الذاتي داخق القلب الحديدي تسامى بالتياارات
اإلعصارية أو التيارات الدوامية ،تتحر في اتجاهات عشاوائية
داخااق هااذا القلااب ممااا يساابب ارتفاااع درجااة حاارارة القلااب
المغناطيسي وفقد في الطاقة .ولذلك يقسم القلب الحديادي
إلااى شاارائح معزولااة عاان بعضااها الاابعض لتقاااوم التيااارات
اإلعصارية أو الدوامية .
وتستخدم الملفات ذات القلب الحديدي في التنعيم في دوائار
تقااويم التيااار المتناااوب كمااا تسااتخدم فااي دوائاار المصااابيح
الفلورسنتية .
06
ً-3ملفاتًذاتًقلبًمنًمسحوقًالحديدًً:
وه اي الملفااات التااي يوضااع بااداخق قلبهااا مسااحوج ماان الحدي اد ،حي ا يخل ا
مسحوج الحديد بمادة عا لة ويضغ ليعطي قلب مغناطيسي ذو مقاومة كهربياة
عالية ،وبالتالي تقليق التيارات الدوامية أو اإلعصارية إلى حد كبير .
لذلك هذا النوع من الملفات يملاك كفااءة عالياة ولاه تاأثير صاغير علاى المكوّناات
األخرى .
07
ً-4ملفاتًذاتًقلبًمنًمادةًالفيرريتًً:
وهااى تلااك الملفااات التااي يوضااع بااداخق قلبهااا مااادة
الفيريت ،وماادة الفيريات ماادة مغناطيساية مقاومتهاا
الكهربية عالية جدا ،وبذلك نضمن عدم سريان التياارات
اإلعصارية داخلها .
ثانياً:منًحيثًالترددًً..
ً
ً-1ملفاتًالترددًالمنخفضًًlow Frequency Coilsً:
وهي الملفات التي تستخدم في الترددات الصوتية ،ومن المعروف أن الترددات الصوتية تتراوق مان 21هرتاز إلاى
21كيلو هرتز .وملفات التردد المنخفض من الملفات ذات القلب الحديدي .
ً-2ملفاتًالترددًالمتوسطًًً:
وهي الملفات التي تستخدم في الترددات المتوساطة ،والتاردد
المتوس في أجهزة الرادياو ذات التعاديق الساعوي AMيسااوي
465كيلو هرتز .
وملفات التردد المتوس مان الملفاات ذات القلاب المصانوع مان
مسحوج الحديد أو مادة الفيرريت .
ً-3ملفاتًالترددًالعاليًً High Frequency Coilsً:
وهي الملفات التي تستخدم في الترددات العالية التي تزيد عن
2ميجا هرتز ،مثق دوائر التنعيم في أجهزة الراديو .
وملفات التردد العالي من الملفات ذات القلب الهوائي .
في حالة التردد العالي تكون ممانعة الملفات كبيرة ،وفى حالاة
التردد المنخفض تكون ممانعة الملفات صاغيرة وهاذا يمكنناا مان
فصق الترددات الصاوتية عان التارددات العالياة فاي الادوائر التاي
يقترن فيها التردد العالي مع التردد المنخفض .
1µH, 2.2µH, 3.3µH, 3.9µH, 4.7µH, 5.6µH, 6.8µH, 8.2µH,
10µH, 15µH, 18µH, 22µH, 27µH, 33µH, 39µH, 46µH, باإلضااافة لاابعض هااذه الملفااات التااي يكااون قلبهااا مصاانوع ماان
56µH, 68µH, 82µH, 100µH other. الفيرياات أو مس احوج الحديااد التااي تعمااق كاادارات توليااف عنااد
ترددات . 70MHz to 100MHz
ً
رموزًالملفاتًً:
الملفًفيًدوائرًالتيارًالمستمرًً:
إذا سل جهد مستمر على ملف ،فان التيار الذي سيمر بالملف ال يصق إلى قيمته الع مى منذ اللح اة األولاى
وذلك بسبب تولد جهد مستنت بالح الذاتي يعارض مرور التيار في الملف .
التيار يتزايد تدريجيا في الملف عند توصيلة بالتيار المستمر ،وإذا فصق الجهد المساتمر عان الملاف ،فاان الجهاد
المستنت بالح الذاتي يعارض تناقص التيار في الملف ،لاذا فاان تياار الهباوط ال يصاق إلاى الصافر بمجارد فصاق
الجهد المستمر عن الملف .بق يستمر إلى حين .
يتناقض التيار تدريجيا من الملف عند فصله من التيار المستمر يتزايد التيار تدريجيا من الملف عند وصله مع التيار المستمر
08
الملفاتًفيًدوائرًالتيارًالمتناوبًً:
ً
بالحا بما أن التيار المتناوب يتغير باستمرار في قيمته واتجاهه ،لاذلك فاان الملفاات يتولاد فيهاا جهاد مساتنت
الذاتي يعارض الزيادة أو النقص أو تغيير االتجاه عندما توصق تلك الملفات في دوائر التيار المتناوب .
بعضًالتطبيقاتًالبسيطةًللملفاتًً:
طبعا وهنا دارات الطنين التي أكثر ما نجدها في دارات الهزا ات واالتصااالت ،كاذلك يكاون الملاف والمكثاف هام
دارة الطنين األساسية والبح في ذا األمر يطول ولنا فاي مرحلاة متقدماة وليسات فاي البعيادة حادي طوياق ،
وأكتفي بالشكق التالي :
دارةًطنينًتسلسليةًً.. دارةًطنينًتفرعيةًً..
ً ً
ً
ا
قراءةًوحسابًالملفاتًعملياًً:
ً
-1الملفات الجاهزة :وهي تشبه المقاومات وتحوي على حلقات لونية أيضا وتكاون قيمهاا ثابتاة ..يمكان معرفاة
قيمها باستخدام الجدول التالي وبنفس الطريقة المستخدمة مع المقاومات .
09
-2حساب الملفات المعرفة بقيم :في الدارات اإللكترونية وخصوصا في دارات االتصاالت الالسلكية تكون الملفاات
من الناحية التطبيقية مجهولة الهوية وتستلزم عملية حسابية .
فمثلاًًً:ملف بقيمة 1uHغير متوفر في السوج ،أو أن المطلوب أن يكون قلبه من الهواء حصرا ،فما العمق !!؟
من خالل األسطر التالية سوف نتعلم كيفية حساب الملفات ذات القلب الهوائي ..
حساباتًالملفاتًذاتًالقلبًالهوائيًً:
ً
العالقات التالية توضح كيفية حساب الملفات ذات القلب الهوائي (عدد اللفات – عامق التحريض) ..
-1عدد اللفات :وهو معطى بالعالقة التالية ..
ن:حي أ ّ
: Lالتحريض المغناطيسي وهو باا ( )uHميكروهنري .
: dقطر الملف باإلنش (. )1 inches = 25.4 mm
: lطول الملف باإلنش ( ، )1 inches = 25.4 mmالمسافة من أول لفة إلى آخر لفة .
: nعدد اللفات .
7.2 10
( * 1*[18 * ) 40 ]
n 25.4 25.4 16.11
7.2
25.4
بالتالي نقرب عدد اللفات لتصبح ( )n=16لفة .
مالح ة :لقد ذكرنا سابقا أن قطر الملف وطوله با ( ، )inchلذلك قسمنا على 25.4للتحويق من mmإلى . inch
21
مالح ة :إن المسافة من أول لفة إلى آخر لفة متعلقة بقر السلك المستخدم وأيضا بالفراغات بين اللفات .
مالح ة :الملف يمكن أن يلف برصف اللفات بدون فرا بينها أو يمكن أن يفسح بعض المجال بين الل ّفات ،ولكان
يمكن الحصول على أفضق عامق جودة للملف ( )QLإذا كانت المسافة بين اللفات أثناء اللف (. )0,6mm
هنا الكثير من المواضيع والصفحات على اإلنترنت توضح كيفية حساب الملفات ،لكن قليال منهاا سايعطي قيماا
مضبوطة .
ومن أجق ذلك أستخدم شخصيا الملفات التي يكون قطرها (أي قطار اللفاة) إماا ( )7.2 mmأو ( )5.8mmوبمقطاع
سلك لكاال الحاالتين ( )0.6mmوذلاك مان خاالل نتاائ محساوبة تعطاي قايم دقيقاة لعاماق التحاريض المتوضاعة
بالجدول التالي :
INDUCTANCE TABLE
)(diameter 5.8 mm, 0.6mm wire
)Inductance (nH Q-value 13-MHz )Inductance (nH Q-value 13-MHz
Number of turns
)(Compact coil )(Compact coil )(Air-space coil )(Air-space coil
4 92 540 79 -
5 131 370 120 530
6 175 340 155 500
7 220 300 184 640
8 272 370 234 560
9 315 470 267 770
10 363 650 313 1270
INDUCTANCE TABLE
)(diameter 7.2 mm, 0.6mm wire
)Inductance (nH Q-value 13-MHz )Inductance (nH Q-value 13-MHz
Number of turns
)(Compact coil )(Compact coil )(Air-space coil )(Air-space coil
3 77 407 66 440
4 122 325 102 560
5 177 340 - -
6 240 440 206 550
7 306 509 290 690
8 379 607 319 1300
9 470 1500 422 >1500
10 582 >1000 515 >1000
11 644 >1000 - >1000
12 656 >1000 545 >1000
13 745 >1000 612 >1000
14 789 >1000 658 >1000
20
ويمكن استخدام الجدول التالي من أجق الحسابات الجاهزة ..
22
23
يصنع المكثف من لوحين متاوا يين يفصاق بيانهم فارا ،
وهااذا الفاارا يساامى الطبقااة العا لااة ،وتختلااف أنااواع
المكثفااات علااى حسااب نااوع الطبقااة العا لااة ،منهااا
مكثفااات الساايراميك ،الميكااا ,البوليسااتر ,الااورج ،
هوائي إلى أخره .
رمزًالمكثفًً:
علىًالتسلسلً(شحنًالمكثف)ً:
يتم الشحن تدريجيا وتعمق المقاومة على عملية إبطاء شحن المكثاف كماا
هو موضح على المنحني .
علىًالتوازيً)تفريغًالمكثف( ً:
توصق المكثف والمقاوماة علاى التاوا ي وياتم التساريب أو التفرياغ تادريجيا
وتعمق المقاومة على إبطاء عملية التفريغ للمكثف كما هو موضح .
قيمة المكثف قسمت إلى وحدات أصغر .. والفاراد :وحدة كبيرة جدا في المكثف ،ولقيا
uF Micro Farad 10 -6 F
nF Nano Farad 10 -9 F
pF Pico Farad 10 -12 F
24
تصنع المكثفات بأحجام وأشكال متنوعة وعادة تكتب القيم عليها أو تكون عليها األطواج كما في المقاومة .
وهنا شكلين للمكثفات بشكق عام جدا :
مكثفات تشبه المقومات ويخر منها سلكين .AXIAL
أنواعًالمكثفات ً:
-1مكثفات ثابتة ولها أشكال مختلفة .
-2مكثفات مستقطبة مثق المكثف اإلليكتروني ،ومكثف التيتانيوم ،وتتميز بوجود قطب موجب وسالب .
-3مكثفات متغيرة وتستخدم في ضب الترددات كما الموجودة في الراديو .
المكثّفات االليكتروليتية (مكثّفات نوعِ كهر وكيميائية) :مكثّفات متعددة الطبقة الخزفية :
ان حاوالي هذه المكثفات يكون لهاا عاا ل مان عادة طبقاات وماع ة ِم ح
فات االليكتروليتي ُة في القيما ِ
تراوق المكثّ ُ
ُ تَ
ف ، µFوهاااي تساااتخدم فاااي دارات ذلك تمتا بصغر الحجم ودرجاة حارارة جيادة وخصاائص µF 1إلاااى آال ِ
تردد مستقرة .كما أنها ليس لها قطبية . الترشيح وتمتا بسعاتها العالية .
وهااي تسااتخدم فااي ترشاايح إشااارات التااردد العااالي ]1µF (50V) [diameter 5 mm, high 12 mm
الرقمية من خالل إمارار التارددات العالياة غيار المربعاة ]47µF (16V) [diameter 6 mm, high 5 mm
]100µF (25V) [diameter 5 mm, high 11 mm
على القطب األرضي . ]220µF (25V) [diameter 8 mm, high 12 mm
]1000µF (50V) [diameter 18 mm, high 40 mm
26
تكتب القيمة العليا لفارج الجهاد علاى المكثاف والتاي ممكان أن يعماق
بااها .
وفي بعض المكثفات كإليكترونياة التنتاانيوم تكاون مقطباة ،وهاذا يعناي
إنها يجب أن توضع بالشكق الصحيح ،وتكتب عليهاا عاادة هاذه األقطااب
إذا كانت موجبة أو سالبة .
بعض المكثفات لها أطاواج مان األلاوان لمعرفاة قيمتهاا كاالموجودة فاي
المقاومات .
ً
توصيلًالمكثفاتً:
التوالي:
وتتم رب المكثفات بشكق متسلسق كما بالشكق ..
وتكون القيمة النهائية للمكثف تساوي :
1/Ct=1/c1+1/c2
)Ct=1/(1/C1+1/C2
التوا ي:
وتتم رب المكثفات بشكق متوا ي كما بالشكق ..
وتكون القيمة النهائية للمكثف تساوي :
Ct=C1+C2
Micro
uF 10^(-6) F
Farad
Nano
nF 10^(-9) F
Farad
Pico
pF 10^(-12) F
Farad
27
قراءةًمكثفاتًذاتًاأللوانًً:
بالبيكو فاراد Pico Farad بعض القيم تقا
مثال مكثف بلون بني أسود أحمر قيمتها تكون102=1000pF :
مثال مكثف بلون بني أسود أصفر قيمتها تكون100000pF= 100nF= 0.1uf :
ً
قراءةًالمكثفًذوًالغلفًالبلستيكيً:
أغلب هذه القطع تكون مطبوعة القيم حي تشمق سعة المكثف وجهدها ودقتهاا ،تكاون الساعه بالماايكرو فااراد
microfaradإال إذا وجد الرمز nفغن السعة تكون بالنانو فاراد .
ويعطى الجهد كرقم يتبع الحرف Vوفي بعضها ال يكتب الحرف ،Vوتحدد الدقة على حسب الرمو التالية:
الدقة الرمز
%20 M
%10 K
%5 J
%2.5 H
1 pF
F
بالموجب أو السالب
28
جدول قراءة مكثفات التيتانيوم اإللكتروليتية
29
[
31
30
ً
الريليهًالكهروميكانيكيةًً:
هي عبارة عن عنصر كهربائي يتكون من مفتاق ميكانيكي يمكن التحكم به كهربائيا من خالل تطبيق جهد على
الملف الموجود بداخلها .
هذا العنصر يعتبر عنصرا استطاعيا أكثر من كونه عنصرا الكترونيا ،بالرغم من وجود عناصر تسمى ()Mini Relay
تركب على الدارات اإللكترونية ،وهو يتوفر بأحجام متعددة واستطاعات مختلفة تبدأ من 1Ampوحتى ،60Amولها
دور كبير في الدارات الصناعية في حال كونها يمكن أن تحق محق الكونتكتور الذي يصدر أصواتا عالية عند الفتح
واإلغالج.
ومن أكثر استخداماتها في الدارات اإللكترونية ،وهو قيادة مرحلة الخر النهائي من خالل التحكم بالجهد المطبق
على ملف الريليه باستخدام ترانزستور صغير ال يتجاو تياره . 1Amp
لكنه يجب االنتباه أن الريليه تستغرج منا بأجزاء الميلي ثانية حتى تستجيب للوصق والفصق ،وهذا الزمن نات
عن عطالتها الميكانيكية ،لذا ال يمكننا استخدامها في التطبيقات التي تحتا إلى سرعات عالية ،حي يستعاض
عنها بالثايرستورات االستطاعية أو الترياكات أو المفاتيح السليكونية.
وتنتشر في التطبيقات الصناعية :في دارات المن مات الكهربائية وأجهزة الا PLCودارات المصاعد واألبواب
الكهربائية والعديد من التطبيقات األخرى...
باإلضافة لكونها تتوفر بتيارات متعددة ،هي أيضا تتوفر بجهود تحكم متعددة أيضا وهي جهود ن امية عالمية:
32
بعض أشكالها المستخدمة في الدارات اإللكترونية..
ً
ً
ً
كيفًتعملًالريليه :لفهم طريقة عمق الريليه ان ر إلى الشكق التالي:
لو افترضنا أن هنا ذراعا معدنيا مستقر في وضعه الطبيعي على محور وافترضنا أن هذا الذراع يمكنه التحر
بحرية على هذا المحور فماذا سيحدث عندما نقرب مغناطيسا إلى هذا الذراع كما هو موضح هنا؟
الشك أن الذراع سيتر وضعه الطبيعي و سيتحر إلى األسفق باتجاه المغناطيس مما يجعق طرفه اآلخر يالمس
النقطة الحمراء وبذلك يكون هنا اتصال بين النقطة الحمراء والذراع .هذه ببساطة هي طريقة عمق الريليه.
وبشكق أعمق ،يوضح الشكق التالي رسما تفصيليا للبنية الداخلية للريليه حيا أناه عنادما ياتم تغذياة الوشايعة
الثابات مؤدياا إلاى وصاق الادارة، المتحر ساوف ينجاذب ويالماس التماا ( )Coilفإن الزراع الذي يحمق التما
وعندما يفقد الملف تهييجه ئؤثر قوة النابض العكسية على الذراع وتعيده إلى وضعيته األساسية.
33
أجزاءًالريليه :الريليه إذا يتكون من جزئين رئيسيين وهما:
أنواعًالريليه :هنا أنواع مختلفة من الريليهات تصنف حسب عدد نقاط التالمس وعدد حوامق التماسات .فعدد
حوامق التماسات يحدد عدد ما يسمى باألقطاب وعدد نقاط التالمس يحدد ما يسمى بالتحويالت ،وأهم هذه
األنواع:
في هذا الريليه يكون هنا ذراع واحدة (أي قطب واحد) وتكون لهذا
الذراع نقطة واحدة للتالمس.
34
الريليه ذو القطب الواحد والتحويلتين ()SPDT
في هذا الريليه تكون هنا ذراع واحدة (قطب واحد) ولها نقطتين
للتالمس تكون مرتبة بحي عندما يتحر الذراع تقوم إحدى النقاط
بالتوصيق بينما تكون النقطة األخرى في وضع الفصق.
ذراعان تتحركان بنفس الوقت و لكق ذراع في هذا الريليه يوجد هنا
نقطة تالمس واحدة.
ذراعان تتحركان بنفس الوقت ولكن لكق في هذا الريليه يكون هنا
ذراع نقطتي تالمس.
الريلياه المساتخدمة فاي مهما تكن الفكرة بسيطة ،فإنها ال تترسخ إال بالعيان ،لذا أدر فيما يلي بعضا من نما
التطبيقات اإللكترونية والصناعية
35
استخدام الريليه في تطبيقات دارات التحكم كمفاتيح خر (....)PLC , Inverter
لقد ذكرناا فاي بداياة الفقارة ،أن الريلياه ال تقتصار فقا علاى التطبيقاات البسايطة ،وإنماا تتعادى بكونهاا عنصارا
يستخدم في لوحات التحكم الصناعية كأدا ٍة لحماية األحمال الكهربائية من أخطار يادة تيار التحميق.
تتوفر هذه الريليه بتيارات قياسية متعددة ( )6 to 250 Ampوتكون قابلة للمعايرة في من الفصاق عناد ياادة تياار
الحمق ،وتيار الفصق الذي يجب أن تفصق الريليه عنده بعد انقضاء من الفصق.
فمثال :
لدي محر ضاغ لسحب المياه من البئر ،استطاعته 11أحصنة أي 10x736=7360 Wattيعمق على توتر ثالثي
الطور 380Vبتردد 50HZوعمق استطاعة .0.87
والمطلوب :حماية هذا المحر من خطر التحميق الزائد للمحر الذي يمكن أن ينجم إما عن انخفاض جهد التغذية
أو يادة الحمق على محور المحر وأمور أخرى..
الحق :األمر بسي جدا!!
يجب أن نختار عنصر الريليه بحي يكون تيارها قريبا من تيار المحار ماع العلام أن الشاركات المصانعة قاد أخاذت
بعين االعتبار استطاعات المحركات القياسية المصنعة من قبق شركات المحركات.
إن تيار المحر يمكن حسابه من العالقة التالية:
P 7360
P 3.V .I .Cos I 7.42 Amp
3.V .Cos 3.380.0.87
هذا هو التيار االسمي للمحر ،ولكن ما هو التيار الذي يجب أن تفصق عنده الريليه (تيار الحمق الزائد)!!؟؟
36
إن تيار الحمق الزائد حسب المقاييس العالمية يمكن اعتباره مقبوال عندما تكون نسبته ( )+5% to 10%أما فاوج
هذا المجال فيعتبر غير مقبول.
ولكن بقي أن نحدد الزمن الذي يجب أن تفصق عنده الريليه عند استمرار يادة التيار ..
إن هذا الزمن يتراوق عاد ُة بين دقيقة واحدة 15دقيقة ،وأيضا هو متعلاق بتياار الحماق الزائاد حيا كلماا ا داد تياار
الحمق ا داد تمدد الصفيحة المعدنية للمزدوجة الحرارية الموجودة في داخق الريليه التي يقوم عليها مبدأ العمق.
لذا نقوم باختيار ريليه لها مجال تيار ( )8 to 12 Ampوهي قياسية ونعاير الزمن على 10دقائق وسطيا.
ولكن عند فصق الريليه بسب يادة الحمق ماذا نفعق !!؟؟
إن هذه الريليه لها وضعيتين (المفتاق األ رج على الرسم):
الوضعية األولى ( :)Handحي ال تعود الريليه إلى الوصق إلى بعد ضغ الزر األحمر .
الوضعية الثانية ( :)Autoحي تعاود الريلياه إلاى الوصاق أوتوماتيكياا بعاد وال التياار الزائاد بفتارة اساتعادة
المزدوجة لدرجة الحرارة الطبيعية لها.
– مصااعد )..مان األشكال التالية توضح أنواع الريليه المستخدمة لحماية التجهيزات الصناعية (محركات – ضواغ
أخطار التحميق الزائد..
حاليا أصبحت هنا ريليه إلكترونية ،يمكن معايرتها بدقة كبيرة وتعطاي التياارات علاى الحماق مان خاالل محاوالت
تسمى بمحوالت الشدة تكون كوسي بين العنصر والحمق يمر من خاللها سلك التغذية الرئيسي للحمق .
الصفحة التالية تبين المواصافات الفنياة إلحادى أناواع الريلياه المساتخدمة فاي الادارات اإللكترونياة وهاي األكثار
انتشارا في األسواج .
تحتوي على المواصفات والجهود األع مية واألصغرية وتارددات العماق التاي يمكان أن تساتجيب لهاا الريلياه فاي
الفتح و اإلغالج.
37
38
ً
المواد الموصلة :
حركة عشاوائية باين الاذرات، وهي المواد التي يمكن إللكترونات المدار الخارجي فيها أن تتحرر من ذرّاتها وتتحر
وإذا تعرضت لفرج جهد (أي االلكترونات) يتشكق تيار كهربائي.
،األلمنيوم وعموم المعادن . من أمثلة المواد الموصلة كهربائيا :الفضة ،النحا
ً
تنتمي مادتي السليكون والجرمانيوم إلى عائلة أشباه الموصالت ،تحتوي كاق مان ذرتاي الساليكون والجرماانيوم
على أربعة الكترونات تكاافؤ(،الكتروناات التكاافؤ هاي الكتروناات المادار الخاارجي للاذرة وتسااهم فاي التفااعالت
الكيميائية) واالختالف بينهما هو أن ذرة السليكون تحتوي على 14بروتون في النواة بينما ذرة الجرمانيوم تحتاوي
على 32بروتون ،ويوضح الشكق التركيب الذري لمادة السليكون و التركيب الذري لمادة الجرمانيوم .
39
البلورة السالبة : N
لكي تتحول البلورة النقياة إلاى ماادة قابلاة للتوصايق فاناه
يتم تطعيمها بأحد المواد التي يطلق عليها (مواد شائبة )،
ومن أمثلة المواد الشائبة المستخدمة في تكاوين البلاورة
السالبة ،مادة الفسفور ( )Pوالزنك ( )ASواالنتيماون (،)SB
وتشتر هذه الماواد فاي خاصاية احتوائهاا علاى خمساة
الكترونات خارجية .
وي هر الشاكق أسالوب تكاوين البلاورة الساالبة ( )Nحيا
نجااد أن كااق أربعااة الكترونااات تكااافؤ ماان الكترونااات المااادة
الشااائبة (الزنااك) تاارتب فااي رواباا تساااهمية مااع ذرة
جرماااانيوم ليكتماااق المااادار الخاااارجي لاااذرة الجرماااانيوم،
ويتبقى إلكتارون ائاد مان الزناك يصابح حار الحركاة خاالل
البلورة ،بهاذا األسالوب يازداد عادد اإللكتروناات (الساالبة)
الحرة ،وتتحول المادة إلاى بلاورة ساالبة ويرماز لهاا باالرمز
(.)N
التطعيم بالشوائب خماسية التكافؤ لتكوين البلورة السالبة N
41
تركيب الثنائي :
الثنائي عنصر إليكتروني يحتوي علاى طارفين (المصاعد
والمهااب ) ،يساامح الثنااائي بماارور التيااار الكهربااي فااي
اتجاااه واحااد وذلااك عناادما يكااون جهااد المصااعد موجااب
بالنسبة للمهب (توصيق أمامي) ،وال يمر إال تياار ضائيق
جداَ عندما يكون جهاد المصاعد ساالباَ بالنسابة للمهاب
(توصيق عكسي) ،وهكاذا يمكان اعتباار الاديود كمفتااق
جهد يوصق فاي أحاد االتجاهاات وال يوصاق فاي االتجااه
اآلخر .
يتكااون الثنااائي ماان شااريحتين ماان مااواد نصااف ناقلااة،
إحداهما سالبة واألخرى موجبة.
يفصااق الشاااريحة الموجباااة ( )Pوالتااي تحتاااوي علاااى
الفجااوات الموجبااة كحااامالت للشااحنة ،عاان الشااريحة
الساالبة ( )Nوالتااي تحتاوي علااى االلكتروناات السااالبة
كحااامالت للشااحنة ،بمنطقااة فاصاالة تاادعى المنطقااة
المجردة ،وتشير األسهم الموضحة إلى اتجاه حركة كاق
من تيار الفجوات وتيار اإللكترونات.
رمز الثنائي :
الشكق الخارجي للثنائي:
ً
ً
Maximum
Maximum
Diode Reverse
Current
Voltage
1N4001 1A 50V
1N4002 1A 100V
1N4007 1A 1000V
1N5401 3A 100V
1N5408 3A 1000V
دارة الحماية بواسطة الثنائي جدول يبين مواصفات بعض الثنائيات الشائعة االستخدام
ثنائيًزينرً:
منحنى خصائص ثنائي الزينر :
يعمق الزينر كثنائي عادي إذا إذا تام توصايله أمامياا أماا إذا وصاق
توصيال عكسيا فانه عند قيمة معينة في الجهد العكساي ساوف
يزداد التيار العكساي بصاورة مفاجئاة وشاديدة ،ويسامى الجهاد
العكسي الذي يتسبب في حدوث تيار عكسي "جهد االنهيار" أو
"جهد الزينر" ،ويعتمد جهد االنهياار أو جهاد الزينار أساساا علاى
كمية الشوائب التي طعمت بهاا الماادة التاي صانع منهاا ثناائي
الزينر . .
والنقاط التالية جديرة بالذكر:
ُ يسااتغق جهااد االنهيااار العكسااي لثنااائي الزيناار كجهااد
مرجعي في دوائر تثبيت الجهد .
يوصااق ثنااائي الزيناار دائمااا عكساايا أمااا إذا وصااق توصاايال
أماميا فان خواصه تكون مثق الثنائي العادي.
عند دخول ثنائي الزينر منطقاة االنهياار فإناه لان يتلاف أو
يحترج حي أن الادارة الخارجياة الموصالة باه تحاد التياار
ليكون أقق من القيمة التي تسبب تلفه ً.
تن يم الجهد بواسطة ثنائي ينر :
يوضح الشكق دائرة بسيطة تشرق كيفية استخدام ثنائي الزينار
في تن يم الجهد .
المقاومة Rتحد من قيمة التيار ،جهد الخر ثابت ويساوي جهد
انهيار الزينار ،بغاض الن ار عان تغيار جهاد الادخق أو تغيار التياار
المسحوب بواسطة الحمق .
43
Example: output voltage required is 5V, output current required is 60mA.
1. )Vz = 4.7V (nearest value available
2. )Vs = 8V (it must be a few volts greater than Vz
3. )Imax = 66mA (output current plus 10%
4. Pz > 4.7V × 66mA = 310mW, choose Pz = 400mW
5. R = (8V - 4.7V) / 66mA = 0.05k = 50 , choose R = 47
6. Resistor power rating P > (8V - 4.7V) × 66mA = 218mW, choose P = 0.5W
ً
44
الثنائي ثالثي األلوان :
وهو مبين في الشكق جانبا ..
حي أنه يصدر األلوان (األحمر واألخضر واألصفر) ..
وهو في داخله يتكون من لدين (أحمر وأخضر) وعند اشاتعال االثناين معاا يعطاي
لونا ثالثا وهو األصفر ..
النقطة الوسطى هي المهب المشتر و( )a1للون األحمر و( )a2للون األخضر ..
ً
ً
الثنائيًالضوئيًًً:PhotoًDiode
يتكون الثنائي الضوئي من شبه موصق موجاب Pوآخار ساالب Nونافاذة
يوصاق الثناائي الضاوئي توصايال عكسايا
شفافة منفذة للضوء كما يتضح من الشكق.
كما في الشكق :
عندما يسق الضوء علاى الثناائي الضاوئي ،يقاوم الضاوء بكسار الارواب
البلورية ويتحرر عدد من الشحنات التي تسمى باشحنات األقلية ،ويزداد
هااذا العاادد بزيااادة الضااوء الساااق مكونااا تيااارا يساامى بتيااار التسااريب
ويستخدم في الدارات االلكترونية ً.
45
الثنائي السعوي : Varactor
تستخدم الثنائيات السعوية كمكثفات متغيرة اعتمادا على الجهد الواقع عليها.
والثنائي السعوي أساسا عبارة عن وصلة ثنائية ) )PNمان السيليسايوم موصالة فاي
االتجاه العكسي وذلك كما في الشكق .
وتلعااب السااعة الذاتيااة التااي تتشااكق فااي منطقااة الكمااون الحاااجز دورا كبياارا فااي
استخدام الثنائي السعوي ،وقد تصق قيمة السعة الذاتية إلى (. ) 2500 pF
يلعب الكمون العكسي المطبق من منباع خاارجي الادور الرئيساي فاي تحدياد قيماة
السعة الذاتية ،فمع ا دياده تزداد سماكة منطقة الكمون الحاجز ( )dفتنقص السعة الذاتية ) .)cdإن السعة الذاتياة
( )cdتتناقص با دياد الكمون العكسي المطبق ،ويجب مالح ة عدم الوصول إلى كمون االنهيار العكسي و إال تلاف
الثنائي السعوي.
تتأثر قيمة السعة الذاتية ( )cdبارتفاع درجة الحرارة حي تزداد مع صغر الكمون العكسي المطبق وتقق مع كبره.
تستخدم الثنائيات السعوية فاي دارات رناين أجهازة االساتقبال العاملاة علاى التعاديق التارددي ( )FMوفاي دارات
الترددات فوج العالية ( )UHFوخاصة في أجهزة التلفزيون كما يمكن استخدامه كأي ثنائي عادي .
الثنائيًالنفقيًً:ًTunnel diodes
يصنع الثناائي النفقاي بشاكق عاام مان الجرماانيوم
وتكون مساحة الوصلة فاي منطقاة الكماون الحااجز
صغيرة .
يتصرف الثنائي النفقي في التوصيق العكسي تماما
كالثنائي العادي ،أماا فاي التوصايق العكساي فاناه
يتصرف بطريقة مختلفة يبينها منحني الخواص .
ضمن مجال محدد يتناقص التيار األماامي ماع ا ديااد
الكمااون األمااامي المطبااق أي أن الثنااائي النفقااي
يبدي مقاومة سالبة ضمن هذا المجال المحدد .
يستخدم الثنائي النفقي كثيرا في دارات المذبذبات
ذات الترددات العالية جدا ويكون دائماا فاي التوصايق
األمااامي ،وتراعااى كثياارا قيمااة الكمااون العكسااي
المطبق للحصول على مقاومة سالبة .
46
الرمو المعبرة عن الثنائيات :
Light Emitting Varactor Schotky Tunnel General
Photo Diode Photo Diode Diode LED Gun Diode Zener Diode
Diode Diode Diode Diode
ً
ً
ً
47
The formula for C1 is:
6
C1(uF)=[(IL* t )/Vrip ] X10
6
C1=[(0.5A X 0.00833) / 0.92V]X10
C1 = 0.00453 X 10 6 = 4529 uF
ً
.. دارة تقويم نصف موجة
5 × Io
Smoothing capacitor for 10% ripple, C=
Vs × f
ً
Io = output current from the supply ..
Vs = supply voltage (peak value of unsmoothed DC) ..
f = frequency of the AC supply (50Hz in UK) ..
ً
48
مراحق دارة تقويم موجة كاملة :
Transformer + Rectifier
تستخدم من مات الجهد في الدارات اإللكترونية عندما نحتا جهود خر ثابتة ودقيقة ..
إن أشهر أنواع هذه المن مات هاي العائلاة ( ، )78XX , 79XXحيا تساتخدم العائلاة ( )78XXمان أجاق تن ايم
الجهود الموجبة ،وتستخدم العائلة ( )79XXمن أجق تن يم الجهود السالبة ..
إن لمن م الجهد ثالث نقاط (مدخق ،ومخر ،وأرضي) .. ً
مالح ة هامة :دائما نضع على مدخق ومخر المن م مكثفات من رتبة النانوفااراد مان أجاق حماياة المان م مان
ارتفاع الجهد المفاجئ ومن الحاالت العابرة للتيار ..
49
ً
الجدولًالتاليًيبينًجهودًالتنظيمًللعائلةً(ً..ً)78XX , 79XX
ً
ً
ً
51
مثالًتطبيقيًً:
ً
الدارة السابقة تحوي من م جهد 0فولت تيار مستمر ،كما أن الجهود تعطى بالعالقات التالية :
من الجدول السابق فإن المن م ( )7808يحتا في دخله إلى جهد اصغري ( ، )10.5Vباإلضافة إلى هباوط الجهاد
على المقوم الجسري ( )0.7+0.7وبالتالي فالجهد الثانوي من القمة للقمة للمحول (.. )10.5+0.7+0.7=11.9V
أما القيمة الفعلية للجهد على الطرف الثانوي (.. )11.9 / 1.41 = 8.145 Vrms
باإلضافة إلى العائلة ( )78XX , 79XXيوجد عائالت أخرى تنت م جهود متغيرة مثق المن مات (.. )LM317
ً
دارات تغذية عملية :
ً
ً
ً
الثنائي ( )1N4004ي ق منحا ا أثناء التشغيق الطبيعي وهو يستخدم لحماية المان م فاي حاال تام توصايق جهاد
بقطبية معكوسة إلى الخر .
50
Variable DC Power Supply
الدارة التالية عبارة عن دارة تغذية من مة من ( )1.25 TO 25فولت ،باستخدام المن م ( ، )LM317ومن أجق
تغيير الجهد في الخر ندور المقاومة المتغيرة ( ، )5Kومن اجق الحصول على جهد 25فولت في الخر فإنه يجاب
أن يكون الجهد على دخق المن م 20فولت ..
ً
وحدة تغذية متغيرة موجبة
شرق الدارة :
الثنائيات D1-D4تكون جسر تقويم بهدف تحويق جهد الدخق المتناوب ACإلى جهد مستمر .. DC
المكثف C1يقوم بترشيح وتنعيم جهد خر جسر التقويم المستمر ،فاي حاين المكثاف C2يمناع مارور التارددات
العالية ..
الدارة LM317هي دارة تن يم جهد قابق للضب بهدف الحصول على جهد الخر المطلوب .
الثنائي D5ي ق منحا ا أثناء التشغيق الطبيعي وهو يستخدم لحماية المن م فاي حاال تام توصايق جهاد بقطبياة
معكوسة إلى الخر .
يقدم المن م جهدا مرجعيا اسميا قدره V1.25بين الخر ومآخذ الضب ،يتم تطبيق هذا الجهد عبار المقاوماة R1
وهو يسبب مرور تيار ثابت .
يمر هذا التيار الثابت عبر المقاومة المتغيرة ، VR1ومن خالل ضب المقاوماة VR1ساتتغير قيماة الجهاد وبالتاالي
يتم ضب جهد الخر .
وجهد الخر يعطى بالمعادلة :
)VOUT = 1.25 ( 1 + VR1 / R1
يتحسس المكثف C3من ممانعة اإلشارة للمن م في حين يؤمن المكثفان C4و C5منعاا لمارور التارددات العالياة
والمنخفضة على التوالي .
يشير الثنائي الضوئي إلى وجود الجهد على الخر ،التيار المار عبر هذا الثنائي الضوئي يجب أن يكون بين 5mA
و 20mAويتم تحديده من خالل ،R2وقيمة R2تتغير تبعا لقيمة جهد الخر المطلوبة وتحسب باالعالقة:
ً
52
R2 = (VOUT - VLED) / (10 x 0.001)
VLED ≈ 2V : حي
ً
ً
53
ًً)ًثنائيةًالقطبية1.2 To 25 Vً(ًوحدةًتغذيةًمتغيرة
دارة تقويم موجة كاملة جسرية دارة تقويم موجة كاملة نقطة مشتركة دارة تقويم نصف موجة
Vdc
2Vm
Vdc
2Vm Vdc Vm
π π π
Vm
V
Vm
V
Vm V
rms 2 rms 2
rms 2
2V
2 2V 2 2V rms
Vdc
Vdc rms
Vdc rms
VDiod Vm
VDiod Vm VDiod 2Vm
I Diod IL
I Diod 0.5IL I Diod 0.5IL
54
ً
عندما تضاف طبقة ثالثة للثنائي بحي يتشكق لدينا وصلتين ،فان الناات هاو عنصار جدياد يطلاق علياة
"الترانزستور" ،ويتمتع الترانزستور بقدرة عالية على تكبير اإلشارات االلكترونية ،وهذا بالرغم من حجماه
الصغير .
وصفًالترانزيستورًً:
مع Cو الباع .. Eفيما يلاي ّ المج و B القاعدة هي و . هُ من تخر
ُ أطراف ثالثة ه
صر ل ُالترانزيستور هو عن ُ
رساااااااااااام لترانزيسااااااااااااتور ماااااااااااان النااااااااااااوع BC547مكبّاااااااااااار أربااااااااااااع ماااااااااااارات .
ً
ً
البنية الداخلية األساسية:
ً
ً
أنواع الترانزستور :BJT
هنا نوعين من الترانزستور يختلف كق واحد في تركيبه وهما كالتالي:
-1الترانزستور : PNP
يحتااوى الترانزسااتور PNPعلااى ثالثااة طبقااات ،اثنتااان
موجبتااان Pوبينهمااا طبقااة سااالبة Nليتكااون بااذلك
شكق الترانزستور PNP الترانزستور . PNP
-2الترانزستور : NPN
يحتااوى الترانزسااتور NPNعلااى ثالثااة طبقااات اثنتااان
سااالبتان Nوبينهمااا واحاادة موجبااة Pليتكااون بااذلك
شكق الترانزستور NPN الترانزستور . NPN
ً
يحتوى كق ترانزستور على ثالث أطراف وهي كما يلي :
-1المشع : Emitterوهاو الجازء المخاتص بإماداد حاامالت الشاحنة وهاي الفجاوات فاي حالاة الترانزساتور PNP
وااللكترونات في الترانزستور NPNويوصق المشع أماميا ( )forwardبالنسبة للقاعدة وبذلك فهاو يعطاي كمياة
كبيرة من حامالت الشحنة عند توصيلة .
-2المجمع : Collectorويختص هذا الجزء من الترانزستور بتجميع حامالت الشحنة القادماة مان المشاع ،ويوصاق
عكسيا ( )reverseمع القاعدة .
-3القاعدة : Baseوهي عبارة عن الجزء األوسا باين المشاع والمجماع ويوصاق أمامياا ( )forwardماع المشاع،
وعكسيا ( )reverseمع المجمع .
ً
رمو الترانزستور :
رمزين للترانزستور والسهم يدل على نوعه كما بالشكق: هنا
يدل السهم على نوع الترانزستور فالسهم الخار يادل علاى ترانزساتور
NPN PNP ،NPNوالداخق يدل على ترانزستورPNP
55
ترانزستور معدني ترانزستور عادي
ً
خصائص الترانزستور :
يوصق الترانزستور تيارا في االتجاه األمامي وال يوصق تيارا
في االتجاه العكسي ومنطقة التوصيق تنقسم إلى ثاالث
مناطق :
المنطقة األولى :وهى منطقاة القطاع التاي ال يمار فيهاا
تيار في مجمع Baseالترانزستور .
ً
طرج توصيق الترانزستور :
بين الدخق الطرف الثال يوصق أحد أطراف الترانزستور بإشارة الدخق والطرف الثاني يوصق بإشارة الخر ويشتر
والخر ،ولهذا يوصق الترانزستور في الدوائر االلكترونية بثالث طرج مختلفة .
القاعدة المشتركة :Common Base
ياااتم توصااايق إشاااارة الااادخق باااين المشاااع والقاعااادة
، Emitter and Baseوتوصق إشارة الخر بين المجماع
والقاعدة Base Collector andويالحظ أن طرف القاعادة
Baseمشتركا بين الدخق والخر ،ولهذا سميت طريقة
التوصيق هذه بالقاعدة المشتركة . Common Base
56
المشع المشتر :Common Emitter
توصااااق إشااااارة الاااادخق بااااين القاعاااادة والمشااااع
، Emitter and Baseوتوصق إشارة الخار باين المجماع
والمشاع Base and Emitterويالحاظ أن طارف المشاع
Emitterمشااتركا بااين الاادخق والخاار ،ولهااذا سااميت
طريقااااااة التوصاااااايق هااااااذه بالمشااااااع المشااااااتر
.Common Emitter
الشكق يبين ترانزستور موصق بطريقة المشع المشاتر
Common Emitter
57
مماًسبقًنستنتجًأن:
يكون الترانزستور في حالة قطع إذا كاان جهاد القاعادة – المشاع أقاق مان 0.7فولات فاي حالاة ترانزساتورات
السيلكون 0.3 ،فولت في حالة ترانزستورات الجرمانيوم.
في الوقت الذي يكون فيه جهد القاعدة – المشع يساوى من 0.7فولت في ترانزستورات السيلكون يتزايد تيار
المجمع بتزايد تيار القاعدة.
تيار القاعدة أصغر بكثير من تيار المجمع ولكنه يتحكم فيه ،أي أن النقص القليق في تيار القاعدة يناارره نقاص
كبير في تيار المجمع والزيادة القليلة في تيار القاعدة يناررها يادة كبيرة في تيار المجمع .
ولهذا تدخق اإلشارة صغيرة إلى دائرة القاعدة – المشع وتخر كبيرة من دائرة المجمع – المشع
.
58
نوعان منه : وظيفةًالترانزيستورً :يستعمق الترانزيستور كعنصر كهربائي فعال وذلك كمكبر أو مفتاق وهنا
يسري تيار الحمق خالل عدة مناطق به . األول وهو أكثر استعماال -ترانزيستور ثنائي القطبية ( ، )bipolarحي
كترانزيساتور FET والنوع الثاني هو أحادي القطبية ( ، )unipolarوالذي يسري به التيار خالل منطقاة واحادة فقا
مثال ،أي ترانزيستور تأثير المجال .ويتأثر فيه مجاال كهربائيا عن طريق قناة نصف موصلة للتيار .
إذا مر تيار في أحاد ويتكون ثنائي القطبية من ثالثة طبقات تحد قريبا على بعضها البعض للمواد النصف ناقلة حي
هذه الطبقات فيؤثر على الطبقة األخرى .
وهنا ما يسمى بتقنياة الترانزساتورات أو منطاق الترانزيساتور -ترانزيساتور () TTLالتاي تساتعمق فاي "تقنياة
الرقميات" ( ) DIGITALفي الحاسب مثال ،وهي تسلسق مان الترانزساتورات تعماق كمفااتيح منطقياة رقمياة أو
لتخزين المعلومات الرقمية .
كيفيّةًاستخدامهًً:
وصااالت منباااع جهاااد باااين الطااارفين Cو Eفلااان يسااامح الترانزيساااتور بمااارور أي تيّاااار ( لشاااكق) 1
َ • إذا
أحدهم جعق التيّار يسري باين Bو Eفاال ُبا أد أن يساتخ ِدم هاذا الشاخص ُ • لكِن يوجد وصلة بين Bو , Eفإذا أراد
منبع للجهد و مقاومة ( الشكق ) 2
جعلت التيّار Ibيسري بين Bو , Eعندئ ٍذ ستسمح المقاومة بتمرير التيّار Ic=β . Ibبين Cو ( Eالشكق ) 3 َ • إذا
,في ه ِذ ِه الحالة تكون βبحدود .. 111
المخط ّطات الكهربائية الموافقة لألشكال 1و 2و 3هي األشكال 4و 5و .. 6
59
ك استخدام بطاريّة V0واحدة بدال من اثنتين ( األشكال 0و . ) 0
أردت تجريب ه ِذ ِه الدارات يمكن َ
َ مالح ة :إذا
الموجبة والسالبة في مواقِعها الصحيحة ،فاتجااه التيّاار هاام جادا انتبِه للقطبية :ضع األسال
في الترانزيستور ..
أفضاق صاق علاى نتاائِالترانزيستور BC547ضاعيف إلاى حاد ماا لجعاق مصاباق ُيضايء ،ستح َ
باستخدام ترانزيستور أقوى ,مثق . BD649و فيما يلي رسم له مكبأر مرتين ..
دد
ك أخطاء في توصيالت األسال ستؤدي إلاى جعاق الترانزيساتور يبا ِّ صق مع َفي البداية ,قد تح َ
تحرج العديد من الترانزستورات ,هذا أمر طبيعي ..
ِ قد الكثير من الحرارة ,و
ه
و السبب في إنقاص Volt1.0من الجهد ) )UBEهو أنأ الترانزيستور ثُنائي القطبيّة يحوي بداخ ِل ِ
مد على نوع نصف الناقِق V1.0 :من أجق طرح ُه يعت ِ
ُ ديود "طفيلي" ..ومقدار الجهد الذي ينبغي
السيلكون ,و V1.2من أجق الجرمانيوم .
61
الترانزستور كقاطع إلكتروني:
يتم توصيق الترانزستور في الدارات اإللكترونياة ليساتخدم كمفتااق لقياادة األحماال التاي هاي فاي خرجاه وذلاك
كوسي بن مرحلة التحكم بالحمق والحمق.
في هذه الحالة يعمق الترانزستور بين القطع واإلشباع فق ،وتتعلق استطاعة الترانزستور باستطاعة التياار الاذي
يستهلكه الحمق المستمر.
يوجدًتصنيفانًللترانزستورًبشكلًعامًوهماًً:
ًJunction TransistorًBipolarً-1
ويطلق عليه اختصارا BJTوالكلمة معناها أن كال من اإللكترونات والفجوات holesتستخدم كحامالت للتيار .
وهذا النوع أيضا يعتبر من العناصر الذي ياتحكم فيهاا بواساطة تياار الادخق Current Controlledأي أن تياار الخار
يعتمد على تيار الدخق.
ًJunction TransistorًUnipolarً-2
ويطلق عليه أيضا FETاختصارا لا Field Effect Transistorأي أن التيار الماار خاللاه ياتحكم فياه بالجهاد المسال
على البوابة ( gateأحد أطراف الترانزستور من هذا النوع) .
وفيه تكون اإللكترونات أو الفجوات (أحدهما) هي حاملة التيار.
ً
ً
ً
ً
أطراف الترانزيستورات الشائعة
يمكن الرجوع إلى األشكال الموضحة بالجدول التالي من اجق معرفة تسلسق أقطاب الترانزستور وفقا لنوعه:
BC251 BC171
BC252 BC172
BC257 BC167
BC253 BC173
BC258 BC168
BC212 BC182
BC259 BC169
BC213 BC183
BC214 BC184
60
BC317
BC318
BC320
BC319
BC321
BC337
BC417 BC407 BC322
BC347
BC418 BC408 BC327
BC348
BC419 BC409 BC350
BC349
BC351
BC382
BC352
BC383
BC384
BC437
BC415 BC413
BC438
BC416 BC414
BC439
BC557 BC547
BC558 BC548
BC467
BC559 BC549
BC468
BC512 BC582
BC469
BC513 BC583
BC514 BC584
BC261
2N3905 2N3903
BC262
2N3906 2N3904
BC263
9012 9013
TIP2955 TIP3055
9015 9014
MJE MJE
2955T 3055T BD132 BD131
BD266A BD267A BD140 BD139
TIP32A TIP31A BD262 BD263
TIP42A TIP41A
Darlington Darlington
TIP126 TIP121 2N2222A
TIP137 TIP132
Positive Voltage
Negative Voltage
Regulator1amp
Regulator 1amp
7805
7905
7812
7912
LM2940
Negative Voltage
Darlington Darlington Regulator 100mA
TIP146 TIP141 79L05
79L12
62
الدوائر األساسية للمكبرات
ألسباب التكبير و"المالئمة" بين المراحق (مالئمة قدرة ،مالئمة جهد ،مالئمة تيار ،مالئمة مقاومة …) تساتعمق
الدوائر األساسية للمكبرات .
وهنا ثالثة وصالت مكبرة " :وصلة المشع" ،وتستغق لتكبير الجهد والقدرة وعامق تكبيرها للجهاد مان 111إلاى
، 1111و "وصلة المجمع" فهي ال تكبر الجهد وعامق تكبيرها للتيار من 21إلى 511وتستغق لمالئماة المقاوماة ،
و"وصلة القاعدة" وأقوى ما تكبره هي التيار ثم الجهد ،وتستغق في الترددات العالية .
وللتميز بينهم (تخطيطيا) فلكق مكبر 4وصالت :وصلتان للمدخق ووصلتان للمخار ،ولكان الترانزيساتور لاه ثالثاة
وصالت ،والوصلتان المشتركتان له للمدخق وللمخر هي الذي تعطي الدائرة االسم .
ً
ً
ً
63
معطيات الوصالت األساسية للترانزيستورات
من 111أوم إلى 11كيلو أوم من 11إلى 111كيلوآوم من 111أوم إلى 11كيلوآوم مقاومة التيار المتردد للمدخق
من 11إلى 111كيلوآوم من 111أوم إلى 11كيلو أوم من 1كيلوآوم إلى 11كيلوآوم مقاومة التيار المتردد للمخر
من 111إلى 1111ضعف 1 من 21إلى 111ضعف عامق تكبير الجهد
<1 من 11إلى 4111ضعف من 11إلى 51ضعف عامق تكبير التيار
ً
ً
ً
ً
ً
ً
ً
ً
64
تصنيف المضخمات الترانزستورية
غالبا ما ت هار الحاجاة مان أجاق تضاخيم إشاارة ذات تشاويه أصاغري ،تحات هاذه ال اروف فاان العناصار الفعالاة
تستوجب العمق بشكق خطي .
إن المجال الترددي للمضخمات يمتد على بضع دورات في الثانية (وهو ما يسمى بالهرتز( أو من المحتمق إن يمتد
من الصفر حتى عشرات الميغا هرتز.
إن الدافع الرئيسي لدراسة مضخمات ذات حزمة عريضة بسبب حاجتها لتضخيم النبضات التي تحدث في إشاارة
التلفزيون لذلك فان مضخمات كهذه غالبا ما يشار إليها بمضخمات الفيديو.
وصفت المضخمات بعدة طرج وذلك وفقا :للمجال الترددي ,وطريقة العمق ,واالستخدام األساساي وناوع الحماق,
وطريقة الرب الداخلي بين المراحق الخ........
إن موقع النقطة الساكنة ومجال الميزات المستخدمة يحدد طريقاة العماق ،فيماا إذا كاان الترانزساتور أو الصامام
يعمق كمضخم من صنف A OR B OR AB OR Cويتحدد ذلك من خالل نقاط التعارف التالية :
ً
الصنفً:ًA
ً
ً
ً
65
الصنفً: AB
ً
تكون فيه نقطة العمق بين نقطتي العمق في التعاريفين
السابقين لذلك فان إشارة الخر معدومة من اجق جازء
اقق من نصف اإلشارة الجيبية للدخق حسب الشكق:
وهو مضخم يتم فيه اختيار نقطة العمق بحي يكون تياار
أو جهد الخر فيه معدوم من اجق مقدار اكبر مان نصاف
إشارة الدخق الجيبية حسب الشكق:
تطبيقاتًالمضخماتًً:
إن التصنيف وفقا لالستخدام يتضمن الجهد ,االستطاعة ,التيار ،والمضخمات ذات األهداف العامة ..
شكق عام فان حمق المضخم عبارة عن ممانعة ,والحالتين الخاصتين األكثر أهمية هما:
حمق مقاوم مثالي ...ودارة مولفة تعمق قرب تردد الطنين...
تستخدم مضخمات من صنف B & ABفي مضخمات االستطاعة غير المولفة بينما عمق مضخم صنف Cمستخدم
في مضخمات الترددات الراديوية المولفة.
العديد من الورائف الهامة لتغيير شكق الموجة يمكن إنجا ها بواسطة مضخمات سريعة من صنف.. B OR C
التشويهًفيًالمضخماتًً:
عنه موجة خر جيبية ,وبشكق عام فاان شاكق إن تطبيق إشارة جيبية على دخق مضخم مثالي صنف Aسينت
موجة الخر ليس نسخة طبق األصق عن شكق موجة الدخق:
إن أنماط التشويه التي ربما توجاد بشاكق منفارد أو ماع بعضاها وتادعى بالتشاويه الالخطاي ,التشاويه التارددي,
التشويه النات عن التأخير الزمني....
66
التشويهًاللخطي :ينت عن وجود ترددات جديدة في الخر والتي لم تكن موجودة في إشارة الادخق ,وهاذه
الترددات الجديدة أو التوافقيات ناتجة عن وجود المنحني الديناميكي الال خطي للعناصر الفعالة..
التشويهًالترددي :ي هر هذا التشويه عندما تضخم ترددات مختلفة لمكونات اإلشارة بشكق مختلاف ,إن هاذا
التشويه في الترانزستور يمكن أن ينت عن السعات الداخلية للعنصر أو قد ي هر بسبب رد فعاق الادارة المتعلقاة
بالمضخم ( رب العناصر ,الحمق) ,تحت هذه ال روف فان الربح Aيكون عدد عقدي له طويلة و اوياة تعتماد علاى
تردد اإلشارة المطبقة ,الرسم البياني للربح Vs ,تردد المضخم يدعى بميزة االستجابة الترددية المطالية .
إذا لم يكن هذا الرسم البياني خ مستقيم أفقي على مجال الترددات المعتبرة فان الدارة تبادي تشاويه تارددي
على هذا المجال .
عن اإل احاات الطورياة غيار المتسااوية التشويهًالناتجًعنًالتأخير :يدعى بتشويه اإل احة الطورية ,وهو ينت
إلشارات ذات ترددات مختلفة.
يعود هذا التشويه إلى حقيقة إن اوية الطور للربح المعقد Aتعتمد على التردد .
مكبرات جهد مستمر .....مكبرات جهد متردد .....مكبرات قدرة .....مكبرات تعشيق ..
تستعمق "مكبرات الجهد المتناوب" لتكبير إشارات التردد وذلك من بداية سلم التردد وحتى نطاج فوج جيجا هرتز
أما "مكبرات الجهد المستمر" فتستعمق لنقق الجهد وتكون دون مكونات تتأثر بالتردد كالمكثف والملف .وتستعمق
"مكبرات القدرة" (ذو تيارات مجمع عالية) لإلشارة ذات االستطاعة العالياة ،أماا "مكبارات التعشايق" (ذو التياارات
العالية وسريعة التعشيق) تستعمق لتوجيه إشارة جهد مربع الشكق (أي أيضا ماا يساتعمق فاي الادوائر الرقمياة
مثق الحاسب) .
ً
مكبرًالجهدًالمستمرًً:
67
يتم تقسيم الجهد المطلوب للقاعدة عن طريق المقاومات م 1و م ، 2ولكي تستتب وتُثبت نقطة التشغيق حرارياا
فتستعمق لهذا السبب مقاومة المشع ،وال يوضع مكثف حاول أو بادل مقاوماة المشاع لسابب عادم تاأثر المكبار
بالتردد .
إن عامق التكبير للجهد المستمر هو ضئيق وأقق بكثير من الجهد المتناوب وبنفس المكبار ،وال يتبقاى لرفاع عاماق
التكبير إال توصيق عددا من المراحق المتتالية .وهنا تبدأ إحدى المشاكق المهمة لإلليكترونيات ،وهي "المالئماة"
حي أنه عندما تتوالى مراحق التكبير واحدة تلو األخرى تكون فروج فاي المالئماة للطاقاة باين المادخق والمخار
باإلضافة للمؤثرات الحرارية التي تأثر على "نقطة التشغيق" .والحقا سوف يتم معالجة مراحق التكبير ذو التوصايق
المختلف .
مكبرًالجهدًالمتناوبًًً:
تصنف مكبرات الجهد المتناوب إلى نوعان :األول "مكبر الحزمة العريضة" والذي يكبر نطاج كبير من التارددات ،أي
مثق "المكبر السمعي" الذي يكبر جميع الترددات التي تساتطيع األذن البشارية ساماعها (مان 21هرتاز إلاى 21
كيلو هرتز 21 ،آلف هرتز تقريبا) ،والنوع الثاني هو "مكبر محدد التردد" وكما يعرف االسم فهاو يكبار حزماة رفيعاة
للتردد 011ميجا هرتز مثال ،ويستعمق في التردد العالي ً.
68
ولحساب تردد اإلشارة الملتقطة معادلة التردد :
ولمكبر الحزمة العريضة (من 21هرتز إلى 21كيلو هرتز) ،أي خالل التصميم أو الحساب يجاب أخاذ تارددان بعاين
االعتبااار "الحااد األساافق لتااردد " و "الحااد األعلااى للتااردد" ،وبناااءا علااى ذلااك يااتم حسااب مااا يساامى باادائرة
"المرشحات" وهي عبارة عن دائرة مكثف ومقاومة مثال ُ ،تدخق حزمة التردد المطلوب إلى مرحلة التكبيار ،فاثمال
"مرشااح التاارددات العاليااة" ياادخق التاارددات العليااة فق ا ويحجااز التاارددات المنخفضااة ،بينمااا " مرشااح التاارددات
المنخفضة" ُيدخق الترددات المنخفضة ويحجز الترددات العالية.
وفي حالة المكبر أعاله يتشكق "مرشح الترددات العالية" في مدخق المكبر من المقاومة والكثافاة فاي المادخق ،
أي أن "الحد األسفق لتردد المرشح" وهي (21هرتز) تتشكق من مكثف المادخق ( الاذي يسامى مكثاف الارب أو
اللق ،ألنه يلتق اإلشارة) والمقومة 1باإلضافة لمقاومة مدخق الترانزيستور (مدخ) ولتحديد قيمة مكثف المادخق
مثال :
69
طرق فحص الترانزستور ومعرفة نوعه :
الترانزستور كما رأينا على نوعين :
: NPN .1ويكون سهم الباع متجه نحو الخار .
: PNP .2ويكون سهم الباع نحو الداخق .
يمثق الترانزستور بديودين موصولين على التضاد ..
قبق فحص الترانزستور يجب علينا معرفة أقطابه ويمكننا ذلك من خالل مقياا
اآلفو متر على مجال األوم كمايلي:
بين القاعدة وكق مان المجماع والباعا مقاوماة منخفضاة /فاي حاال
التوصيق األمامي /أي يؤشر المؤشر أماا إذا عكسانا األقطااب فيشاير إلاى مقاوماة ال نهائياة أي ال يؤشار
المؤشر .
بين الباع و المجمع مقاومة مرتفعة في كال الحالتين ..
كما يمكننا معرفة نوعه ( )NPN , PNPوذلك :
موجاودا علاى القاعادة عنادما تعطاي مقاوماة منخفضاة ماع المجماع إذا كان القطاب الموجاب للمقياا
والباع فالترانزستور نوع (.. )NPN
موجودا على القاعادة عنادما تعطاي مقاوماة منخفضاة ماع المجماع أما إذا كان القطب السالب للمقيا
والباع فالترانزستور نوع (.. )PNP
ً
ملحظاتًعلىًالترانزستورًً:
يوجد لدينا نوع من الترانزستورات المعدنية مثال ( BC140أو ) BC107يكون فيها الطارف الاذي يحاوي نتاوء
هو المشع ،والطرف الموصول مع الجسم هو المجمع ،والطرف الثال هو القاعدة ..
الترانزستور الضوئي يكون له مجمع و باع ونافذة ضوئية ،فالمجمع هو الاذي وصاق ماع الجسام إن كاان
معدنيا ..
يوجد نوع من الترانزستورات المعدنية يحوي على طرف ان هما الباعا و القاعادة أماا المجماع فيكاون هاو
جسم الترانزستور المعدني كالترانزستور (.. )2N3055
71
NPN transistors
Case IC VCE hFE Ptot Category Possible
Code Structure
style max max min max (typical use) substitutes
BC182
BC107 NPN TO18 100mA 45V 110 300mW Audio, low power
BC547
General purpose, BC108C
BC108 NPN TO18 100mA 20V 110 300mW
low power BC183 BC548
General purpose,
BC108C NPN TO18 100mA 20V 420 600mW
low power
Audio (low noise), BC184
BC109 NPN TO18 200mA 20V 200 300mW
low power BC549
General purpose, BC107
BC182 NPN TO92C 100mA 50V 100 350mW
low power BC182L
General purpose, BC107
BC182L NPN TO92A 100mA 50V 100 350mW
low power BC182
Audio,
BC547B NPN TO92C 100mA 45V 200 500mW BC107B
low power
General purpose,
BC548B NPN TO92C 100mA 30V 220 500mW BC108B
low power
Audio (low noise), low
BC549B NPN TO92C 100mA 30V 240 625mW BC109
power
General purpose,
2N3053 NPN TO39 700mA 40V 50 500mW BFY51
low power
General purpose,
BFY51 NPN TO39 1A 30V 40 800mW BC639
medium power
General purpose,
BC639 NPN TO92A 1A 80V 40 800mW BFY51
medium power
General purpose,
TIP29A NPN TO220 1A 60V 40 30W
high power
General purpose, TIP31C
TIP31A NPN TO220 3A 60V 10 40W
high power TIP41A
General purpose, TIP31A
TIP31C NPN TO220 3A 100V 10 40W
high power TIP41A
General purpose,
TIP41A NPN TO220 6A 60V 15 65W
high power
General purpose,
2N3055 NPN TO3 15A 60V 20 117W
high power
PNP transistors
Case IC VCE hFE Ptot Category Possible
Code Structure
style max max min max (typical use) substitutes
Audio,
BC177 PNP TO18 100mA 45V 125 300mW BC477
low power
General purpose,
BC178 PNP TO18 200mA 25V 120 600mW BC478
low power
Audio (low noise),
BC179 PNP TO18 200mA 20V 180 600mW
low power
Audio,
BC477 PNP TO18 150mA 80V 125 360mW BC177
low power
General purpose,
BC478 PNP TO18 150mA 40V 125 360mW BC178
low power
General purpose,
TIP32A PNP TO220 3A 60V 25 40W TIP32C
high power
70
الترانزستور دارلنكتون ()Darlington
باثالث أطاراف خارجياة ،ويمتاا باربح وهو عبارة عن ترانزستورين بغالف واحد وفق
تيار علي ( ، )10000وباستقرارية عالية ..
إن القيمة الفعالة لا ( )hfeأكبر بكثير من ( )hfeلترانزستور واحد ولذلك نحصق علاى
ربح تيار عالي ..
يتوفر هذا الترانزستور بالنوعين ( )D-npnو(.. )D-pnp
يمكن الحصول على ترانزستور دارلنكتون من ترانزستورين ،وكمثال على ذلك :
For TR1 use BC548B with hFE1 = 220.
For TR2 use BC639 with hFE2 = 40.
وبالتالي فإن الربح العام لهذا الترانزستور هو :
وإن استطاعة تيار الخر األع مي للترانزستور الجديد هي نفسها تيار المجمع للترانزستور الثاني .. TR2
جدا ،بما فيه الكفاية لالستجابة لتيار صغير جادا يمكان ان إن هذا الترانزستور يمكن أن يستخدم كمفتاق حسا
يكون ناتجا عن ملمس الجلد البشري وكمثال عليه الدارة التالية (مفتاق يعمق بالمس):
المقاومة ( )100Kتحمي الترانزستور عن حصول تالمس مباشر مع منبع التغذية نتيجة قصر بسلك ..
72
Choosing a suitable NPN transistor :
1. The transistor's maximum collector current IC(max) must be greater than the load current IC.
supply voltage Vs
load current IC =
load resistance RL
2. The transistor's minimum current gain hFE(min) must be at least five times the load current IC
divided by the maximum output current from the chip.
load current IC
hFE(min) > 5 ×
max. chip current
3. Choose a transistor which meets these requirements and make a note of its properties:
IC(max) and hFE(min).
6. Finally, remember that if the load is a motor or relay coil a protection diode is required.
Example
The output from a 4000 series CMOS chip is required to operate a relay with a 100 coil.
The supply voltage is 6V and the chip can supply a maximum current of 5mA.
1. Load current = Vs/RL = 6/100 = 0.06A = 60mA, so transistor must have IC(max) > 60mA.
2. The maximum current from the chip is 5mA, so transistor must have hFE(min) > 60
(5 × 60mA/5mA).
3. Choose general purpose low power transistor BC182 with IC(max) = 100mA and
hFE(min) = 100.
4. RB = 0.2 × RL × hFE = 0.2 × 100 × 100 = 2000 . so choose RB = 1k8 or 2k2.
5. The relay coil requires a protection diode.
The procedure for choosing a suitable PNP transistor is exactly the same as that for an NPN
transistor described above.
73
بنية الترانزيستور وحيدة الوصلة :
يعتبر الترانزيستور وحيدة الوصلة ( )U.J.Tمن العناصر الهامة الشائعة االستعمال فاي دارات تولياد النبضاات ودارات
التوقيت ودارات كشف المستوى ،كما أنه يستخدم كمفاتيح متحكم بهاا جهاديا وال يساتخدم كمضاخم ،.وكلماة
( )U.J.Tمشتقة من الكلمة االنكليزية ) .. ) Unijunction Transistor
يتكون ترانزيستور وحيد الوصلة من قضيب مان السيليسايوم نصاف الناقاق ناوع ( ، )Nيوضاع وصالتان فاي نهايتياه
لتشكيق القاعدتين ( ، )B2 - B1لذلك يسمى أحيانا بالترانزيستور ذو القاعدتين ،وتوضع طبقاة سيليسايوم نصاف
ناقق نوع ( )Pفي نقطة متوسطة بين القاعدتين أقرب إلى ( )B1منها إلى ( )B2لتشكق مشع الترانزيستور .
يطبق كمون التغذية ( )VBBبين القاعدتين على أن يكون انحيا (استقطاب) ( )B2موجبا بالنسبة إلى ( )B1وعلاى
ذلك يصبح كمون الوصلة ( (VB1بين المشع ( )Eوالقاعدة ( )B1عبارة عن جازء مان كماون التغذياة ( )VBBويعطاى
بالعالقة :
. = VBB VB1
وتأخذ ( ) قيما أقق من الواحد دائما ،وتتوقف على موقع المشع على قضيب السيليسيوم .
نميز اآلن الحالتين التاليتين :
.1كمون المشع ( )Eأصغر من ( : )VB1تصبح الوصالة باين ( )Eو ( )B1فاي حالاة توصايق عكساي ويمار فاي
الوصلة تيار تسريب صغير وتصبح المقاومة بين القاعدتين كبيرة .
74
.2كمون المشع ( )Eأكبر من ( : )VB1تصبح الوصلة بين ( )Eو ( )B1في حالة توصايق أماامي ويمار تياار كبيار
من الفراغات من المنطقة ( )Pباتجاه المنطقة ( )Nومن االلكترونات الحرة من المنطقة ( )Nباتجاه المنطقاة
( )Pفتصغر بذلك المقاومة بين القاعدتين كثيرا ،لذلك يمكن اعتبار الوصلة باين المشاع ( (Eوالقاعادة ((B1
مقاومة متغيرة تعتمد في قيمتها على انحيا (استقطاب) المشع .
تتراوق قيمة المقاومة بين القاعدتين في الترانزيستور وحيد الوصالة مان ) (K5إلاى ) (10 Kويمكان حسااب قيماة
الكمون ( )VB1باالستعانة بقانون أوم كما يلي :
RB1
VB1 .VBB
RB1 RB 2
إن الكمون الال م حتى يصبح الترانزيستور وحيد الوصلة في حالة توصيق يساوي الكمون (الساكن المستمر) على
المقاومة ( ) RB1مضافا إليه كمون االنحيا األمامي والذي يساوي لثنائيات السيليسيوم حوالي (.. (VD=0.7V
إذا :
VP VD .VBB
يسمى الكمون ( )VPكون القمة أو التشغيق ..
مثةةال :فااي الاادارة المكافئااة السااابقة إذا كااان كمااون التغذيااة ( ، )VBB=30Vوكمااون االنحيااا األمااامي للثنااائي
( ، )VD=0.7Vوإذا علمت أن ( ، ) =0.6أحسب قيمة كمون القمة (.. )VP
الحلًً:
.VBB=0.7+(0.6x30) VP=VD+
VP=0.7+18=18.7V
تؤدي الزيادة المستمرة في الكمون ( )VEB1إلى مرور تيار في االتجااه األماامي ،وعنادما يصابح الكماون ()VEB1
مساويا كمون القمة ( )VPيفتح الترانزستور ،وعندها ينخفض فرج الكماون باين المشاع ( )Eوالقاعادة ( )B1ويمار
تيار كبير في الترانزستور .
تؤدي الزيادة في التيار إلى نقصان فرج الكمون بين المشع والقاعدة ( )B1لاذلك يمثاق الترانزساتور فاي المنطقاة
الواصلة بين النقطتين ( )Bو ( )Cعلى المنحني بالمقاومة السالبة .
تسمى النقطة ( )Cبنقطة االنعطاف ،ويسمى الكمون ( )Vvبكمون االنعطاف .
تشبه خواص الترانزستور وحيد الوصلة في نقطة االنعطااف خاواص الثناائي العاادي حيا يكاون (مان عناد نقطاة
االنعطاف وما بعدها) كق يادة في الكمون يقابلها يادة في التيار .
75
مولد نبضات أبرية :
يستخدم الترانزستور وحيد الوصلة ( )UJTفي دارات توليد النبضات األبرية الشكق ذات اتجاهين موجب وسالب ..
تمثق المقاومة ( ) R2حمق قاعدة الترانزستور ( ، ) B1والمقاومة ( ) R1حمق القاعدة (. ) B1
يتم توصيق كمون التغذية لمشع الترانزيستور وحيد الوصلة عن طرياق دارة التكاماق المؤلفاة مان المقاوماة ( ) R3
والمكثف (. (C
عند وصق كمون التغذية ،يكون تيار المشع مساويا الصفر بالبدء ،ويمر فاي قضايب السيليسايوم باين القاعادتين
تيار صغير مقداره ( )IB2فيصبح كمون القاعدة (: ) B1
VB1 I B 2 .R1
وكذلك يصبح كمون القاعدة (: ) B2
VB 2 V CC I B 2 .R2
حي يكون كمون كق من القاعدتين مستمر .
يكون فرج الكمون بين طرفي المكثف ( )Cفي لح ة توصيق كمون التغذية مسااويا الصافر ولكناه ال يساتمر هكاذا
وإنما يبدأ المكثف بالشحن ويزداد فرج الكمون بين طرفيه بشكق غير خطي (منحن) ،وعندما يصبح فرج الكماون
بين طرفي المكثف ( )Cمساويا كمون ( (VPيفاتح الترانزيساتور ،إذ يصابح التوصايق أمامياا باين المشاع والقاعادة
( ، )B1لااذلك يباادأ المكثااف ( )Cبتفريااغ شااحنته بشااكق مف ااجئ وسااريع فااي المشااع ،وياازداد التيااار المااار فااي
الترانزيستور بشكق مفاجئ وسريع أيضا ،وينخفض كمون ( )B2أيضا بشكق مفاجئ وسريع ،وبما أن تياار التفرياغ
يتناقص بسرعة كبيرة لذلك يأخذ كمون القاعدة ( )B1شكق نبضات أبرية محملة علاى الكماون المساتمر ،ويأخاذ
كمون القاعدة ( )B2أيضا شكق نبضات أبرية .
عندما يصبح كمون المكثف مساويا إلى كمون االنعطاف ( (Vvيقطع الترانزيستور ويبدأ المكثف بالشحن مان جدياد
وتتكرر العملية السابقة .
يمناع مارور المركباة يمكن التخلص من الكمون المستمر وذلك بأخذ من كق من القاعدتين عن طرياق مكثاف ربا
المستمرة ،ونحصق فق على نبضات أبرية الشكق .
76
فحص ترانزيستور وحيد الوصلة : UJT
األوم .الشاكق األكثار اساتخداما هاو آفاو رقماي علاى مجاال قياا نجرى عملياات الفحاص باساتخدام مقياا
2N2646الذي تصن ُع ُه شركة .. Motorola
األوم ,اقارأ المقاوماة باين القاعادة األولاى Base1والقاعادة الثانياة اآلفو الرقماي علاى وضاع قياا ضع مقيا
ُ
خذ قراءة أخرى ,ال ُب أد أن تتساوى القراءتين تقريبا على قيمة مقاومة مرت ِفعاةم اعكِس وضع األسال و ُ , Base2ث أ
.
جاب ( )+قُامعا الترانزيساتور ,وباساتخدام السالك المو ِ اآلفاو إلاى با ِ صّق اآلن السلك السالِب ( )-من مقيا و ِ
ع إلاى القاعادة , Base2ال ُبا أد أن تتسااوى القراءتاان
ِ البا من و Base1 القاعدة إلى ع
ِ البا من قاومةمُ ال بقيا
تقريبا على قيَم ُمقاومة مرت ِفعة .
77
ً
بنيةًثنائيًرباعيًالطبقاتًً:
يسمى ثنائي رباعي الطبقات أيضا باسم ثنائي إعادة الوضع يصنع من السيليسيوم وترتب الطبقات نصاف الناقلاة
كما في الشكق :
يسمى الطرف الموصول إلى شريحة نصف الناقق من نوع Pبالمصعد ،وأما الطارف الموصاول إلاى شاريحة نصاف
الناقق من نوع Nبالمهب ..
تكون الدارة المكافئة لثنائي رباعي الطبقات عبارة عن ثالث ثنائيات موصاولة ماع بعضاها الابعض علاى التسلساق
كما في الشكق السابق ..
كما يرمز لثنائي رباعي الطبقات بالرمز :
منحنياتًخواصًثنائيًرباعياتًالطبقاتًً:
ً
.. نصق القطب الموجب لمنبع التغذية عن طريق المقاومة Rvإلى مصعد الثنائي والقطب السالب إلى المهب
78
يكون الثنائيان عندها D1و D3موصوالن أماميا لذلك تزول منطقة الفصق بين الشرائح ،ويكون D2محياز عكسايا ،
ومع يادة الكمون تزداد منطقة الفصق ،وعندما يصبح فارج الكماون باين طرفاي الثناائي D2مسااويا إلاى كماون
االنهيار Vsيفتح الثنائي ويسمح بمرور التيار من خالله ،عنادها يانخفض فارج الكماون باين طرفاي الثناائي إلاى
القيمة VHويمر فيه تيار . IH
إن أي يادة بسيطة في الكمون أعلى من VHسيقابلها يادة كبيرة في التيار األمامي ، IHويبقى الثنائي موصال
إلى أن ينخفض فرج الكمون بين طرفياه إلاى أقاق مان VHلاذلك يسامى الكماون VHكماون التوقاف ،و IHتياار
التوقف ..
أما إذا عكسنا توصيق منبع التغذية يكون الثنائي D1و D3في حالة توصيق عكسي و D2في حالة توصيق أمامي
وإذا ادت قيمة الكمون العكسي إلى القيمة Vabينهار الثنائي مما يؤدي إلى مرور تيار كبير فيه يؤدي إلى تلفه .
مجالًاستخدامًثنائيًرباعيًاألقطابًًً:
ً
.1يستخدم ثنائي رباعي الطبقات كمفتح لتيار المتناوب ذو اتجاه واحد ،إذ عندما يصبح فرج الكمون باين طرفياه
مساويا Vsيفتح ويمرر تيار في االتجاه األمامي ،ويكون مغلقا في االتجاه المعاكس .
.2يستخدم في دارات توليد اإلشارات األبرية والمثلثية والنبضية في دارات التحكم .
مولدًنبضاتًأبريةًباستخدامًالثنائيًرباعيًالطبقاتًً:
ً
يوصق كمون التغذية ) )Vccفي الدارة المبينة فاي الشاكق إلاى مصاعد الثناائي ربااعي الطبقاات عان طرياق دارة
تكامق مكونة من المقاومة ( )R1والمكثف (. )c
يكون فرج الكمون بين طرفي المكثف فاي بادء التوصايق مسااويا الصافر ،ثام يبادأ المكثاف بالشاحن ويأخاذ فارج
الكمون بين طرفيه شكق منحن أساي كماا فاي الشاكق ،وعنادما يصابح فارج الكماون باين طرفاي المكثاف ()c
مساويا كمون االنهيار األمامي ( ، )Vsيفتح الثنائي رباعي الطبقات وتصبح مقاومته األمامية صاغيرة ويبادأ المكثاف
( )Cبتفريغ شحنته ،حي يكون تيار التفريغ كبيرا في البداية ،ويمر في المقاومة ( )R2مشكال باين طرفيهاا فارج
كمون ذو قيماة كبيارة ،وبعادها تبادأ قيماة التياار بالتنااقص بسارعة كبيارة ،فيتنااقص فارج الكماون باين طرفاي
المقاومة ( )R2بسرعة كبيرة أيضا .
79
يعتمد الزمن الال م لشحن المكثف على قيمة المقاومة ( )R1وساعة المكثاف ( ، )Cفكلماا كانات قيماة المقاوماة
( )R1كبيرة كلما كان الزمن الال م حتى يصق فرج الكمون بين طرفي المكثف ( )Cإلى القيمة ( )Vsأكبار ،وكاذلك
يعتمد من التفريغ على قيمة المقاومة ( ، )R2فعندما تكون قيمتها صغيرة يكون من التفريغ صغيرا .
تأخذ إشارة الخر ( )VAبين طرفي المقاومة ( )R2شكق نبضات أبرية ،وللحصول على نبضات أبرية حادة يجاب أن
تكون قيمة المقاومة ( )R2أصغر بكثير من المقاومة (. )R1
عندما يصبح فرج الكمون بين طرفي المكثف ( )Cمسااويا ( )VHيقطاع الثناائي ربااعي الطبقاات وتصابح مقاومتاه
كبيرة جدا ويتوقف المكثف ( )Cعن التفريغ ويبدأ بالشحن من جديد وتتكرر العملية السابقة .
. تستعمق مثق هذه النبضات األبرية للتحكم بعمق الثايرستور أو التريا
81
بنيةًالدياكًً:
يسمى الديا أيضا بالثنائي خماسي الطبقات ،إذ أناه يتكاون مان خمساة طبقاات نصاف ناقلاة ()N1-P1-N2-P2
ونالحظ أنه ال يوجد مصعد أو مهب للديا ،ولكن له مربطان (.. )A2( & )A1
كلمة ديا مشاتقه مان اختازال التسامية االنكليزياة ( )Diode alternating current switchوتعناي مفتااق ثناائي
للتيار المتناوب (مفتاق باتجاهين) .
ويمكن اعتباره وكأنه يتألف من ثنائيين رباعي الطبقات موصلين على التوا ي المتعاكس .
80
: مولد نبضات باستخدام الديا
يمكن توليد نبضات أبرية ذات اتجاهين موجب وسالب باستخدام الديا .
حي نطبق على الدارة التالية كمون متناوب جيبي فيبدأ المكثاف بالشاحن عناد نصاف الموجاة الموجاب إلاى أن
يصبح فرج الكمون بين طرفيه مساويا لكمون االنهيار األمامي ،فيفتح الديا وتنخفض مقاومته فيفر المكثف في
المقاومة ( )R2ويكون التيار في بدء التفريغ كبيرا ثم يتناقص بسرعة وذلك تبعا لفرج الكمون بين طرفاي المقاوماة
( )R2وهذا يؤدي لتشكيق نبضة كمون أبرية موجبة الشكق في خر الدارة .
وتصبح مقاومته كبيرة جدا ويتوقف المكثف عن عند وصول الكون بين طرفي المكثف إلى القيمة ( )VHيقطع الديا
التفريغ .
يشحن المكثف من جديد ولكن بقطبية معاكسة عند نصف الموجة السالب ،وعندما يصبح فرج الكون بين طرفي
المكثف مساويا لكمون االنهيار العكسي ( )-Vsيفتح الديا وتصبح مقاومته العكسية صغيرة ويبدأ المكثف بالتفريغ
حي يكون تيار التفريغ كبيرا ومعاكسا باالتجاه لتيار التفريغ في الحالة السابقة ويمار فاي المقاوماة ( )R2مشاكال
بين طرفيها فرج كمون ذو قيمة كبيرة ،وبعدها تبدأ قسمة التيار بالتناقص بسرعة كبيرة فيتناقص فرج الكون باين
طرفي المقاومة ( )R2بسرعة كبيرة ونحصق في الخر على نبضة أبرية سالبة ً.
ً
يعتمد الزمن الال م لشحن المكثف على قيمة المقاومة ( )R1وساعة المكثاف ( ، )Cفكلماا كانات قيماة المقاوماة
( )R1كبيرة كلما كان الزمن الال م حتى يصق فرج الكمون بين طرفي المكثف ( )Cإلى القيمة ( )Vsأكبار ،وكاذلك
يعتمد من التفريغ على قيمة المقاومة ( ، )R2فعندما تكون قيمتها صغيرة يكون من التفريغ صغيرا .
تأخذ إشارة الخر ( )VAبين طرفي المقاومة ( )R2شكق نبضات أبرية ،وللحصول على نبضات أبرية حادة يجاب أن
تكون قيمة المقاومة ( )R2أصغر بكثير من المقاومة (. )R1
يتم معرفة جهد الفتح للديا إما من جدول المواصفات أو من حلقة لونية موجودة في وسطه مرمزة كمايلي :
القيمةً اللون
31فولت برتقالي
41فولت أصفر
51فولت أخضر
61فولت أ رج
82
83
تعريفًالثايرستور(ً:)Thyristors
إن كلمة الثايرستور لها أصق يوناني والتي تعنى الباب....هذا في اللغة ،أما عند االنتقال إلى المفهوم االلكتروني
فإن الثايرستور هو عنصر إلكتروني مصنوع من مواد نصف ناقلة وتتألف من أربع طبقات و هي على التسلساق P1
, N1 , P2 , N2و له ثالثة أقطاب (مصعد Aومهب Kوبوابة . )G
يمكن توضيح عمق SCRعن طريق تمثيله بترانزستورين احدهما من نوع NPNواألخر من نوع PNPموصولين على
التوا ي والتعاكس كما في الشكق التالي :
نالحاظ أن هاذه التوصايلة للترانزساتورين تعتماد مبادأ يسامى بااالتغذية العكساية الموجباة Positive Feedback
وبالتالي يتوارد للذهن...ما هي التغذيةًالعكسية الموجبة؟
يمكن تلخيصها إلكترونيا بأنها توصيلة معينة بين خر و دخق دارة إلكترونية تقوم بزيادة رباح الادارة (ساواء جهاد أو
تيار) بشكق كبير..
بتطبيق هذا على الدارة المجاورة ،فإنه عند مرور تياار فاي قاعادة الترانزيساتور Q1فاإن هاذا التياار ساي هر أثاره
مضاخما علاى مجماع Q1الموصاول ماع قاعادة الترانزساتور Q2وبالتاالي عناد مارور التياار فاي قاعادة Q2يفاتح
الترانزستور Q2ويمرر التيار من باع Q2إلى مجمع الترانزستور نفسه والموصاول ماع قاعادة Q1وبالتاالي يازداد
تيار القاعدة للترانزستور Q1وهكذا نالحظ أن الترانزستورين ينتقالن بسرعة كبيرة نحو اإلشباع.
84
إذا ماذا نستنت مما سبق؟
• أن الثايرستور ُيعا َمق ُم َعا َملاة المفتااق ،أي يأخاذ وضاعيتين (قطاع أو
إشباع) يبقى فيهما إذا لم تؤثر علية أي قوة خارجية.
• حتى يمر تيار فاي الترانزساتور Q2يجاب أن يكاون الجهاد المطباق
عليه أكبر من جهد المتصق المحيّز عكسيا ( )P2-N1وبالتالي يسمى
الجهااد الااذي يفااتح عنااده الثايرسااتور بجهااد الفااتح وعناادها ينتقااق
الترانزستورين إلى حالة اإلشباع بسرعة كبيرة.
دون توصيله في الدارة فإن العنصر SCRيعمق كثنائي رباعي الطبقات . الطرف الثال لو تر
يستعمق الثايرستور كقاطع الكتروني للتيار المتناوب وهو يمرر في اتجاه واحاد فقا ولاه قطاب تحكام ،ياتم قادق
الثايرستور بجهد من 0.5إلى 2فولت ،وله ثالثة أقطاب : Aالمصعد : K ،المهب : G ،البوابة /قطب التحكم ً. /
ويمكن تلخيص عمق الثايرستور بشكق عام (بأنه يشبه عمق الديود) :
• عندما يكون محيز أماميا :ال يمرر الثايرستور أي تيار إال ّ عندما يكون الجهد المطبق عليه أكبر من جهد الفتح .
• عندما يكون محيز عكسيا :يكون في حالة قطع وال يمرر أي تيار .
هنا ثايرستورات نفتح بواسطة اإلشعاع الضوئي وهذا النوع من العناصر يعرف با .. LASCR
بعض الثايرستورات ثنائية االتجاه أي تمرر في كال االتجاهين في ن ام الوصق مثق التريا .. TRIAC
خالل القطع تكون مقاومة الثايرستور بين المهب و المصعد عالية جدا ,وعنادما تطباق اإلشاارة علاى البواباة فاان
SCRيصبح في ن ام الوصق ويكون قادر على تمرير تيار عالي (ضمن حدود مجال االستطاعة) في اتجاه واحد فق
من المصعد إلى المهب ..
85
ال يعمق الثايرستور إال في حال :
بعد إعطاء نبضة القدق يعمق الثايرستور وال يتوقف إال في حال قطعه بإحدى الطريق :
و المصعد صغيرة جدا بمقدار عدة أومات أو أقق ,وفي هذا ن ام الوصق :وفيه تكون مقاومة الثايرستور بين المهب
الن ام يعمق الثايرستور كقاطع مغلق ً..
ً
ن ام القطع :وفيه تكون مقاومة الثايرستور بين المهب و المصعد عالية جدا تتراوق من عشرات إلاى مئاات الميغاا
أوم ,وفي هذا الن ام يعمق الثايرستور كقاطع مفتوق ..
عمليا فإن استخدامات SCRتتوقف على مخيلة ومقدرة المصمم ,كما أن التطبيقات األكثر شيوعا عديدة وسيكون
كافيا إذا ذكرنا العناصر االلكترونية و الكهربائية التي استطاع SCRإن يحق محلها في مع م التطبيقات وهي كماا
يلي :
استطاع SCRبنجاق إن يحق محق الصمام االلكتروني الثالثي والصمام المفر أو ترانزستور االساتطاعة )1
في الدارات االلكترونية .
في الدارات الكهرومغناطيسية حق SCRمحق كق أنواع المفاتيح والزواجق والمقاومات المتغيرةًً. )2
في دارات الحماية حق محق الفواصم وقواطع الدارةًً. )3
حق محق المضخمات المغناطيسية في دارات تضخيم االستطاعة . )4
والشاك إن االساتخدام الرئيساي لاا SCRالياوم فاي حقاول الاتحكم بالطاقاة وأيضاا كعنصار تفرعاي أو )5
تسلسلي ,وتكمن أفضليته في المردود العالي النات عن التبديد المنخفض للطاقاة ...مثاق :الاتحكم
بالطاقة المقدمة لتسخين العناصر ,تعيين سرعة الموتورات الكهربائية ,تعتيم الضوء ,الخ.......
ً
86
مالح ات هامة:
أحد عيوب الثايرستور أنه عند االنتقال إلى اإلشباع ال يمكن التحكم فيه وبالتالي ال يمكن إيقاف تمريره
للتيار إال ّ عند انخفاض التيار المار فيه إلى الصفر وعندها يقطع ،فنلجأ عادة إلاى دارة مسااعدة (عاادة
مؤلفة من مكثفة و مقاومة) تقوم هذه الدارة بتمرير التيار باتجاه معاكس وبالتالي قطع الثايرستور.
تتميز الثايرساتورات باساتطاعتها الكبيارة وتحملهاا للتياارات الكبيارة فلاذلك تساتخدم فاي التطبيقاات
الصناعية والتي تحتا إلى استطاعات كبيرة.
أنواع الثايرستورات:
الوصلة بوابة-مهب على إنها وصلة ( N-Pكالدايود العادي) فبذلك جزء من الخطأ وخصوصا فاي إذا فكرت في قيا
الثايرستورات الكبيرة والتي تستخدم مع الجهود العالية ،حي تضااف مقاوماة باين طرفاي الوصالة (بواباة-مهاب )
أثناء صناعة الثايرستور.
وهذه المقاومة فائدتها جعق الثايرستور أقق تأثرا بالنبضات الخاطئة التي ربماا تصاله عان طرياق شارارة كهربياة أو
ضوضاء كهربية أو تفريغ لشحنة ستاتيكية .وكما ذكرنا فهذه المقاوماة (فاي الثايرساتورات الكبيارة فقا ساتمنعنا
الوصلة Gate-Cathodeعلى أنها ديود عادي) . من قيا
87
أما الثايرستورات التي ال تحتوى هذه المقاومة (غالبا التي تعمق في دارات ذات جهود صغيرة) تسامى sensitive
gate SCRsوذلك لحساسيتها لإلشعال Triggeredبجهود صغيرة جادا .والادارة العملياة المساتخدمة لفحاص الاا
SCRهي كالتالي :
بمجرد غلق المفتاق (الموجود في حالة فتح طبيعيا )Normally openedيصق لطرف البوابة تيار يكفي لجعق التياار
يمر بين المهب والمصعد .
وعندما نتر هذا المفتاق releasedفإن الثايرستور سي ق في حالة العمق latchedوسي ق التيار يمر بالدارة .
وبالضغ على المفتاق (الموجود في حالة غلاق طبيعياا )Normally closedفاإن التياار سايتوقف عان المارور فاي
الدارة مجبرا الثايرستور على الدخول في حالة فتح . OFF
إذا لم يستطع الثايرستور الدخول في حالة العماق Latchedبعاد ضاغ المفتااق (الموجاود فاي حالاة فاتح طبيعياا
)Normally openedفذلك ال يعنى بالضرورة عطق الثايرستور ولكن ربما المقاومة (أو الحمق) كبيرة مماا يجعلهاا ال
تستطيع إمرار تيار كافي لبدأ عملية اإلشعال .
والتيار الال م لبدأ عملية اإلشعال Firingيسمى holding currentوهو في األغلب يقع بين 1ملي أمبير إلى 51
ملي أمبير أو أكبر للثايرستورات األكبر .
كهربائي) كما يلي : وأحد االستخدامات للثايرستور هو استخدامه كمفتاق ( On/Offللتحكم في محر
وفي تطبيق عملي أخر يستخدم الثايرستور كعتلة crowbarللحماية من الجهد الزائد وخصوصا فاي دارات مصاادر
التغذية المستمرة . DCحي يقوم بعمق دارة قطع Short Circuitفي حالاة ياادة الجهاد عان مساتواه الطبيعاي
فيمنعه من الوصول للحمق وإيقاع الضرر به .
ويوضع قبق الثايرستور منصهر Fuseلحماية الثايرستور ودارة التغذية من التيار في حالة القطع . Short Circuit
88
أما عن البوابة ( Gateوالتي لم توضح الدارة المتصلة بها في الرسم الساابق للتساهيق) فاإن الادارة المتصالة بهاا
تقوم بتغذية الثايرستور بنبضة في حالة ارتفاع الجهد عن الحد المسموق وعندها يصبح الثايرستور كوصلة سالكية
Circuit Shortبين طرفي الدارة مانعا التيار من المرور في بقية الدارة (الحمق).
وبالطبع فإن الثايرستور SCRهو عنصر وحيد االتجاه Unidirectionalوالستخدامه في دارات التيار المتردد ACفإنناا
نستخدم و من الثايرستورات ولكن باإلضافة إلى شرط الوصول لجهد االنهياار يجاب أن تاوفر نبضاة علاى البواباة
gateكلما أردنا من الثايرستور العمق وتوصيق التيار عبر طرفيه المهب و المصعد .
وصق الثايرستور في دارة تيار متناوب للتحكم في القدرة الواصلة للحمق . وإليك هذا المثال :حي
وألن الثايرستور عنصرا وحيد االتجاه (يوصق في طريق ذو اتجاه واحد ) فإنه في أحسن حاال سايوفر نصاف القادرة
التي يعطبها المصدر للحمق .
والمصاعد) إلاى جهاد علاى طرفياه (المهاب إذا لم توضع نبضة على بوابة الثايرستور أو لم يصاق الجهاد المسال
االنهيار فإنه لن يعمق .
وبتوصيق طرف البوابة gateبالمصعد عن طرياق موحاد ( diodeلمناع التياار مان المارور باالعكس فاي حالاة وجاود
مقاومة داخلية -كما ذكر من قبق -داخق الثايرستور) فإن ذلك سيجعق الثايرستور يعمق في بداية كق نصف موجاة
موجبة.
وبإمكاننا عمق تأخير لتلك النبضة بوضع مقاومة في دارة البواباة مماا يزياد مان قيماة الجهاد الال ماة حتاى يحادث
إشعال للثايرستور وستكون النتيجة على الشكق التالي :
89
وبطريقة التأخير تلك يتم التحكم في اوية القطع للموجة الجيبية المدعومة مان المصادر مماا يمكنناا مان الاتحكم
في القيمة المتوسطة للقدرة average powerالواصلة للحمق .
وبوضع مقاومة متغيرة بدال من المقاومة الثابتة يمكننا الاتحكم فاي اوياة القطاع (وبالتاالي متوسا القادرة علاى
الحمق).
ولألسف فإن هذا النوع من التحكم له حد مسموق به (عند التعامق ماع التياار المتاردد) وهاو النصاف األول لنصاف
الموجة الموجب فق .
ولكن برفع الا trigger thresholdأكثر من ذلك (وضع تاأخير أكبار بمقاوماة أكبار) فاإن ذلاك لان يحادث أي إشاعال
للثايرستور ولن يصبح هنا خر واصق للحمق .
ولكن هنا حق ذكي لهذه المشكلة وذلك بإضافة مكثف (مرحق للطور ) phase-shiftingللدارة كما يلي :
الجهد المرسوم باللون األخضر يمثق الجهد الموجود على المكثف ( .لتوضيح عملية ترحيق الطور تم وضع المقاومة
بقيمة كبيرة بحي لن يحدث إشعال للثايرستور كما سبق) وسيتم شحن المكثف بذلك التياار البساي الماار فاي
المقاومة (والذي ال يكفى إلشعال الثايرستور) مما ينت عنه ذلك الجهد المرحق في الطور (عن طور منبع التغذية)
بقيمة تتراوق من 1إلى 01درجة.
وعندما يصق ذلك الترحيق phase-shiftingإلى قيمة مناسابة سايبدأ المكثاف فاي التفرياغ ليادعم تياار المقاوماة
البسي إلشعال الثايرستور وتشغيله.
ولكن الدارة السابقة ن رية إلى حد كبير حي (في الحقيقة) يتشوه المنحنى الممثق للجهد على المكثف عندما
يدخق الثايرستور في مرحلة العمق Latchedولن يكون جيبي الشكق تماما .
91
رغم أن الدارات السابقة إلشعال الثايرستور كافية وقابلاة للعماق فاي الادارات البسايطة كاالتحكم فاي مصاباق أو
محر صناعي كبير إال أنه يمكن إشعالها firedبدارات أكثر تعقيدا تحقيقا لمطالب بعض التطبيقات .
90
المواصفات الفنية للثايرستور:
92
لنا عنصرا جديدا هو .. SCS بإضافة طرف أخر إلى نموذ الثايرستور (عند قاعدة الترانزستور العلوي) سينت
عندما نضغ على المفتاق المكتوب عليه ONفإن ذلك سيضع جهدا على الوصلة بوابة المهب -المهب مماا يادفع
الثايرستور للعمق وإمرار التيار بين المصعد والمهب عبر المقاومة R2ومن ناحية أخارى سايمر تياار خاالل المحار
مما يجعله يعمق.
وطبعا يمكن إيقاف المحر بفصق منبع التغذية (تعرف تلك الطريقة باا . )natural commutationوأيضاا ياوفر لناا الاا
SCSطريقة أخرى إليقافه عن العمق وهى forced commutationوذلك بتوصيق المصعد باالمهب وهاذا ماا يفعلاه
المفتاق . OFF
93
ألن الثايرستورات SCRsأحادية االتجاه فهي تستخدم في دارات التحكم التي تعمق بالتيار المستمر .ولكن بوضاع
و منها بطريقة معاكسة (مثلما فعلنا مع الديا سابقا) سيتكون لدينا عنصرا جديدا يسمى التريا . TRIAC
وهذا العنصر الجديد قادر على التعامق مع نصفى الموجة المترددة ( ACكما حدث مع الديا ) .
ولكننا نالحظ أن الثايرساتور SCRيساتخدم بكثارة فاي دارات الاتحكم (مثاق دارات الاتحكم فاي المحركاات) بينماا
يستخدم التريا كعنصر في التطبيقات التي ال تتطلب قدرات عالية عند عملها مثق التحكم في المصابيح الصاغيرة
لتغيير شدة اإلضاءة كما بالشكق التالي :
وطبعا الجزء المكون من المقاومة المتغيرة والمكثف هو الذي يحدد الزاوية التي يحدث عندها التشغيق (مما يحادد
متوس الجهد الذي سيشغق المصباق) .
والتريا له سمعة سايئة فاي الادارات العملياة حيا أن جهاد اإلشاعال فاي النصاف الموجاب يختلاف عان جهاد
اإلشعال للنصف السالب في مع م األحيان .وخاصية عدم التماثق في جهد اإلشعال تعتبر غير مرغوب فيها ألنهاا
تنت توافقيات ( harmonicsترددات) غير مرغوب فيها .
توقيات اإلشاعال (وهاو ولجعق تيار التريا أكثر تماثلية (وأقق في التوافقيات الغير مرغوبة) نستخدم عنصارا لضاب
في الدارة التالية الديا : )DIAC
94
إن استعمال الديا سيجعق التيار المار في الدارة أكثر تماثلية بين نصافي الموجاة الساالب والموجاب وذلاك ألن
الديا سيمنع أي وصول للتيار إلى بوابة التريا حتى يصق إلى جهد االنهيار الال م لتشغيله .
مميزةًالفولتًأمبيرًللترياكًً:
ً
ً
طريقةًالفحصًًً:
/األمامي. / : G , A1يمرر باتجاه واحد فق
/األمامي. / : G , A2يمرر باتجاه واحد فق
: A1 , A2ال يمرر .
95
هنااا طاارج أخاارى لفحااص التريااا أدج ماان اسااتخدام جهااا أوم متاار تماااثلي ..و أفضااق الطاارج وأسااهلها
باستخدام الدارة التالية ..والتي تستخدم لفحص التريا أو الثايرستور ..
إلجراء االختبار يجب أن ينير المصباق عن الضغ على المفتاحين ،وتبقى مضيئة حتى بعد تر المفتااق األول
واإلبقاء فق على المفتاق الثاني مضغوط ..
ً
دارةًتحكمًبالستطاعةً:
ً
ً
ً
ً
ً
ً
ً
ً
ً
96
دارةًتحكمًبالستطاعةًالمتناوبةً:
ً
التحكمًبمحركًتيارًمتناوبً:
ً
أنواعًوأشكالًالترياكاتً:
ً
ً
97
المعطياتًالفنيةًللترياكً:
ً
ً
ً
98
ترانزيستور تأثير المجال ): FET(Field-Effect
هو عنصر كهربائي يفضق استعماله كمفتاق أو كمكبر لإلشارات الصغيرة ..
البنيةًالداخليةًوطريقةًالعملًً:
بعكس التركيب الداخلي للترانزيستور "ثنائي القطبية" والذي يتكون من طبقتين للشاحنات (إلكتروناات وثقاوب) أو
(سالب وموجب) ..
يتكون ترانزيستور " "FETمن طبقة واحدة إما ( )Pأو ) ، )Nومن هنا ترجع تسميته بأحادي القطبية ..
تتكون بنية ترانزيستور " "FETمن مساحة نصف موصلة بشكق القضيب وهي من مادة السايليكون ،وعلاى يماين
ويسار القضيب تتكون مناطق حاجزة ،وبين أعلى وأسفق هذا القضيب تتكون "قنال" االتصال (مادة Nموصالة دون
طبقة حاجزة) وتشكق هذه القنال المصرف ( )Drainو المنبع (.. )Source
وعلى جوانب القضيب تام ماز "منطقتاان" مان ماادة Pموصالتين ومارتبطتين ببعضاهم الابعض ،وتشاكال البواباة
( )Gateومن هنا تأتي تسمية "الترانزيستور .. PN-FET
فإذا تم توصيق جهاد بمسااحة بلورياة موصالة مان ماادة السايليكون Nأي المصارف ( )Drainو المنباع (،)Source
فيسري بها تيار كهربائي ( )IDعبر قنال في هذه المساحة ،وذلك بحكم الجهد والمقاومة في هذه المساحة .
99
وفي حالة توصيق جهد سلبي بين البواباة ( )Gateوالمنباع ( ، )Sourceفتكاون قطبياة طبقتاي PNباتجااه حااجز ،
وتتكون بذلك داخق الطبقتين "مناطق حاجزة" بحي تمنع مرور التياار بهاذا االتجااه .وتتوساع "المنااطق الحااجزة"
بينما يضيق قطر ممر التيار في القنال .
وكق ما أرتفع الجهد السلبي( )-UGSكق ما توسعت "المناطق الحاجزة" .
والنتيجة لذلك أن قطر القنال (ممر التيار) يصبح أضيق فأضيق ،أي أن قيمة المقاومة ( )RDSفاي ممار التياار باين
المصرف ( )Drainوالمنبع (( )Sourceلصنف )N-FETتتعلق بقيماة الجهاد السالبي للبواباة ( ، )Gateوباذلك يمكان
التحكم بقيمة المقاومة وذلك على مستوى واسع .
واستنادا لقوانين أوم فيمكن التحكم بالجهد أو التيار لو تم استبدال قطبية الجهود .
بعبارات أخرى :القنال من صنف – Nهي المجال الموصق لهذا ، FETويوجه تيار المجال هاذا بجهاد البواباة (فاي
هذه الحالة جهد سالب) .
و إذا أرتفع الجهد السالب في البوابة ،فتتمدد الطبقة الحاجزة ،وينخفض تيار هذا المجال .
واالستنتا :أن تغيير عرض الطبقة الحاجزة يجري دون قدرة (تقريبا) ..
بالمقارنة مع الترانزيستور ثنائي القطبية المعتاد فلترانزستور األحادي القطبية ميزات إيجابية كثيرة :
.1اقتصادي أكثر ..
.2يعمق بجهد تشغيق منخفض ..
.3أحجام صغيرة وتركيبه يتوافق مع ترانزيستور ثنائي القطبية ..
.4يكفي توجيهه بالجهد باختالف ثنائي القطبية الذي يوجه بقدرة ..
.5مقاومة المدخق عالية ما بين ()10^9لا FETذو الطبقة العا لة و ()10^15لا .. MOSFET
.6ليس هنا أهمية لقطبية التوجيه ..
.0صفاء ونقاء عالي في تقنية الموجات ال يصلها ثنائي القطبية المألوف ..
011
010
012
ترانزستور التأثير المجالي والمصنوع من أشباه الموصالت وأكسيد المعادن
MOSFET
طبقة سفلية Substrateوهى إما من النوع Nكما بيمين الشكق أو من النوع Pكما بيسار الشكق .. .1
منطقتين من بلورتين من نفس النوع بعكس الطبقة السافلية N <==> Pويماثالن طارفين مان أطاراف .2
الترانزستور وهما المصرف Drainوالمنبع .. Source
طبقة من األكسيد (ثاني أكسيد السليكون ) SIO2وهي مادة غير موصلة للتيار الكهربائي (عا لة( .. .3
طبقة من المعدن وتمثق الطرف الثال للترانزستور وهو البوابة.. Gate .4
ونجد أيضا من الشكق أن هذا الترانزستور له نوعان هماا الاا ) (P-Channelوالاا ) (N-Channelبحساب اختياار ناوع
الطبقة السفلية والبلورتين الجانبيتين (المصرف والمنبع) ..
فكرةًعملًترانزستورًً:ً MOSFET
في هذا النوع من الترانزستورات يتم التحكم بتيار الخر عن طريق جهد (المجال الكهربائي) الدخق .فكيف ذلك ؟
أن ر الشكق التالي (حي تم توصيق المصرف بالطرف الموجب لبطارية والمنبع بالطرف السالب لها) .
.1في حالة عدم وضع جهد على البوابة Gateفإنه لن يمر أي تيار بين المنبع والمصرف (الشكق األيسر) ..
.2في حالة وضع جهد موجب على البوابة (في الشكق األيمن) الحظ أن الترانزساتور مان ناوع القنااة Nفاإن
اإللكترونات الحرة الموجودة في بلورتي المنبع والمصارف ساتنجذب للمجاال الكهرباائي الموجاب المتكاون
عند البوابة مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القناة تبعاا لقاوة المجاال الكهرباائي عناد البواباة وبالتاالي تتغيار قيماة التياار الماار باين المنباع
والمصرف .
013
.3في حالة وضع جهد سالب على البوابة (في الشكق األيمن) الحاظ أن الترانزساتور مان ناوع القنااة Pفاإن
الفجوات الموجودة في بلورتي المنبع والمصرف ستنجذب للمجال الكهربائي السالب المتكون عناد البواباة
مكونة قناة لمرور التيار بين المنبع والمصرف.
ويتغير حجم هذه القنااة تبعاا لقاوة المجاال الكهرباائي عناد البواباة وبالتاالي تتغيار قيماة التياار الماار باين المنباع
والمصرف .
يتم التحكم بالتيار الحظ أنه لوجود مادة األكسيد العا لة بين البوابة وبقية الترانزستور فإن التيار ال يمر بينهما وفق
المار بين المنبع والمصرف عن طريق الجهد (المجال الكهربائي) الموجود على البوابة ..
وهو عبارة عن دارة تجمع بين ترانزستورين من نوع ( (N-Channel , P-Channelويكون عمله كاآلتي :
عندما يكون مستوى الدخق منخفضا علاى البواباة ) (LOWيعماق الترانزساتور P-MOS FETأي الترانزساتور ذو
القناة Pعلى تمرير التيار من مصدره لمصرفه ،وال يعمق الترانزستور اآلخر .
عندما يكون مستوى الادخق مرتفعاا علاى البواباة ) (Highيعماق الترانزساتور N-MOS FETأي الترانزساتور ذو
القناة Nعلى تمرير التيار من مصرفه لمصدره ،وال يعمق الترانزستور اآلخر .
أي أنه في دارة الا CMOSيعمق الا N-MOSو الا PMOSبصورة عكسية (أحدهما يمرر واآلخر ال).
ويسااتفاد ماان هااذه الحالااة عنااد التعامااق مااع تيااارات عاليااة (قاادرات عاليااة) فيخفااف ذلااك ماان تسااخين كااال ماان
الترانزستورين حي يعمق كال منهما نصف الوقت بينما يريح األخر مع الحفار على حاالت الخر وذلك بإدخال نبضة
ساعة على البوابة .
ً
ً
ً
014
ً
األنواعًالخاصةًً:
الترانزيستور MOSFETذو البوابتين ،وهو من التصميمات الخاصة لترانزيستور تاأثير المجاال ذو الطبقاة المعدنياة ،
وهو من النوعية الموصلة ،وكما تعبر التسمية فله وصلتين للبوابة ،وذلك لكي ُيادخق تياار التوجياه بوابتياه علاى
التوالي (بالتسلسق) وتكون مستقلتين عن بعضهن البعض ..
أي يمكن تغيير كفاءة أو قدرة التوصيق بين المصرف ( )Dوالمنبع ( )Sكال على حدا .
يستعمق هذا النوع في الراديو ..
جميع أنواع ترانزيستور " "FETالتي عالجنهاا حتاى اآلن تصالح للقادرات المنخفضاة نسابيا وذلاك يرجاع للمساافة
الطويلة نسبيا في "القنال" ( 5مايكرو متر تقريبا) ،حي تكون مقاومة االختراج فيه (من 1كيلو أوم حتى 11كيلو
أوم) ولذلك تبقى محدودة القدرة ..
أما اإلمكانيات ا لحاضرة لتقنية التصنيع فتسمح بجهد وتيار أكبر ،وببنااء طبقاة عمودياة باإلضاافة للطبقاات األفقياة
المتبعة ،فيصق التيار فيه إلى 11أمبير ويصق الجهد بين المصرف ( )Dوالمنبع ( )Sإلى 111فولت ..
وهو يشابه تركيب VMOS-FETباختالف أن تقنية بنيته المسطحة ،ويكون من النوع المنضب أي حاجز .
تتراوق مقاومة االختراج به بحدود الميلي أوم ،كماا يتاراوق توقيات التعشايق باه فاي حادود الناانو ثانياة ،وغالباا
يستعمق كمفتاق قدرة سريع ..
ً
منحنى خصائص المخر من النوع الموصق وصنف قنال : N
ً
خاتمةً :
ً
تعتبر الترانزستورات من نوع MOSFETخليفة الترانزستورات BJTحي تدخق في مع م الدارات الحديثاة وخصوصاا
في بناء الدارات المتكاملة والدارات الرقمية خاصة لماا تتمياز باه مان سارعة فاي األداء خصوصاا عناد اساتخدامها
كمفاتيح .
015
ً
طريقةًفحصًترانزيستورًً:ًMOSFET
الترانزستورات MOSFETوخصوصا القناة nكثيرة االستخدام فاي دارات التغذياة العاملاة فاي نما التقطياع ساواء
كانت بشكق فردي (أي بشكق ترانزستور مستقق) أو كترانزستور مبناي ضامن دارة متكاملاة مثاق عائلاة الاا STR
في التلفزيونات والشاشات وغيرها من وحدات التغذية ..
و من المهم أن نتعرف على طريقة الفحص الستاتيكي لهذا الترانزستور عندما يكون خار الدارة وبواسطة مقيا
األوم ..
المبدأ بسي و هام جدا ،ألن الكثير ال يعرفون طريقة فحص هذه الترانزستورات الشائعة في األجهزة الحديثة ..
البواباة حارة وبالتاالي إلى المصرف و الطرف السالب إلى المصدر ،بينما نتار نصق الطرف الموجب للمقيا
يجب أن تكون الممانعة عالية جدا أو ال نهاية ..
على المصادر أي إلى البوابة مع المحاف ة على الطرف السالب للمقيا اآلن نصق الطرف الموجب للمقيا
سوف نشحن مكثفة البوابة ..
اآلن نعيد االختبار في الخطوة األولى يجب أن نحصق على ممانعة صغيرة للغاية ..
نفر البوابة بلمس قطبي المصدر و البوابة فيعود الترانزستور لحالته األساسية ..
فحصًترانزيستورً(ًMOSFETطريقةًثانية)ً:
ه جهد أكبر
آفو رقمي موضوع على مجال فحص الديود وعلى مجال ُيطبأق في ِ يجرى هذا الفحص باستخدام مقيا
من 3.3فولت ..
ضع المجس السالِب على "المصرف" يجِاب جب با"بوابة " الترانزيستور ثم َ مس سلك المجس المو ِ في البدء إل ِ
ح َنت عان
شا ِ
ُ قاد الترانزيساتور بواباة علاى اةّ يالداخل فاةث
ِ المك تكون وبهذا , ضة ف
ِ منخ قراءة المقيا أن ُيعطي
و يكون الترانزيستور "مشغأال ".. طريق المقيا
على المصرف ,و ضع إصبعك بين المنبع و البوابة والمصرف أيضاا ، حافِظ على وضع السلك الموجب للمقيا
مرتفعة تعني هذه القراءة أن الجسم غيار فرّ البوابة عن طريق إصبعك وستكون قراءة المقيا
إذا أردت ،س ُت ِ
ناقق ..
السابق هو عبارة عن فحص جهد القطع في الترانزيساتور ,الاذي يكاون فاي القيا
العادة أكبر جهد ُيطبأق على البوابة بدون أن ُتصبح ناقِلة .
ف ..
هذا اإلجراء ليس دقيقا %111إال أنأ ُه كا ٍ
ط ّق ترانزيستور MOSFETفعادة يكون السبب هو قصر المصرف إلى البوّابة , عندما يتع ِ
وهذا يؤدي إلى إعادة جهد المصرف إلى البوابة ومنها إلى التغذياة التاي تاأتي عان طرياق مقاوماة البواباة ،وقاد
تؤدي إلى ُتخريب منبع التغذية وأي ترانزستورات MOSFETمربوطة بواباتها معه على التف ُّرع ..
لهذا عندما يتعطق ترانزيستور MOSFETيفضق فحص منبع التغذية أيضاا ,لهاذا السابب يضااف عاادة
ديود ينر بين البوابة والمنبع ,سوف يعمق هذا الترانزيستور قصر دارة و يحد من األخطار الناتجة عان
األعطال ..يمكِن أيضا إضافة مقاومات صغيرة إلى القاعدة التي ستعمق دارة مفتوحاة عنادما تتعطَاق
(مثااق عمااق الفاصاامة المنصااهرة) بنتيجااة تعرضااها لجهااد مرت ِفااع و بالتااالي تااؤدي إلااى فصااق بوابااة
الترانزيستور ..
عادة يعطي ترانزيستور MOSFETنارا أو ينفجر عندما يتعطأق حتى في دارات الهواة ,و هذا يعناي أ ّ
ن الترانزيساتور
حظ وجاود الساواد كن كش ُف ُه بالن ر ,حي سيكون مكان الثقب فيه على لوحة الدارة محروقا أو ستال ِالمعطوب يم ِ
016
رأيت هذ ِه األشكال كثيرا في وحدات التغذية التي ال تنقطع UPSالتي قد تحوي أكثار مان ُ ن ما حولَ ُه ,لقدفي مكا ٍ
ثمانية ترانزستورات MOSFETعلى التوا ي ،وعادة ما نحتا إلى استبدالِ ِهم جميعا باإلضافة إلى دارة قيادتِ ِهم ..
أبدا ..ال تستخ ِدم كاوي لحام عادي في لحاام ترانزساتورات , MOSFETباق اساتخ ِدم منصّاة لِحاام احترافيّاة ESD
خاصّة محميّة ..
رموزًومميزاتًخرجًترانزستوراتًًMOSFETنوعًمقللً
019
The power MOS FET switching circuit
تقاوم هاذه الادارة بتحوياق التياار المساتمر
الدارة التالية تحوي على ترانزستورات ( )MOS FETاستطاعية ،حيا
( )DCإلى تيار متناوب (.. )AC
إن المحول يقوم على تحويق التيار المقطع بواسطة الترانزستورات من ( )12Vإلى (.. )220V
تجري عملية التبديق بالتناوب بين مجموعتين من الترانزستورات حي :
يعمااق الترانزسااتوران ( )TR3 and TR6عناادما تكااون إشااارة الااتحكم ( )Lعلااى ( )TR3 and TR4و ( )Hعلااى
(.. )TR5 and TR6
يعمااق الترانزسااتوران ( )TR4 and TR5عناادما تكااون إشااارة الااتحكم ( )Hعلااى ( )TR3 and TR4و ( )Lعلااى
(.. )TR5 and TR6
001
IRF511 TMOS Power FET
Data sheet
الدارة التالية هي دارة قيادة حمق (ريليه) ،حي تعمق الريلياه عناد تطبياق جهاود علاى البواباة مان ()6 to 12
فولت ،وتحتا قاعدة الترانزستور حتى يعمق تيارا أقق من (.. )10uA
الدارة التالية عبارة عن هزا عديم االستقرار يعمق فيه المصباحان بالتناوب على نحو متقطع ..
000
الدارة التالية هي دارة مفتاق يستغق المعاوقة الداخلية العالية للترانزستور وقابلية المعالجة الكهربائياة لعماق دارة
. إنذار السائق اقتراب وجر بسيطة ولكن حساسة وهي دارة حسا
which functions as the pick-up sensor, A 3x3-inch piece of circuit board (or similar size metal object),
is connected to the gate of Q1. A 100 Mega Ohm resistor, R2, isolates Q1's gate from R1, allowing
the input impedance to remain very high. If a 100-MegaOhm resistor cannot be located, just tie 5
22-MegaOhm resistors in series and use that combination for R2. In fact, R2 can be made even
higher in value for added sensitivity.
Potentiometer R1 is adjusted to a point where the piezo buzzer just begins to sound off and then
carefully backed off to the point where the sound ceases. Experimenting with the setting of R1 will
help in obtainin the best sensitivity adjustment for the circuit. Potentiometer R1 may be set to a point
where the pick-up must be contacted to set of the alarm sounder. A relay or other current-hungry
component can take the place of the piezo sounder to control almost any external circuit.
ً
ً
002
ً
تشغيلًثنائيًضوئيًبمجالًجهدًمنًً5فولتًإلىًً30فولتًدونًالحاجةًإلىًتغييرًقيمةًالمقاومةًً..
يكاون التياار فاي هاذه الحالاة بحادود الدارة التالية يقوم فيها الترانزستور FETبوريفة منباع مثاالي للتياار ،حيا
( ، )15mAوالديود ( )1N4148يحمي الدارة من عكس القطبية ..
003
وهااو عبااارة عاان دارة متكاملااة نملااك ثمانيااة أقطاب،أنتجتااه فااي البدايااة شااركة Signetics
Corporationعلااى الشااكق SE555/NE555فااي العااام ،1001يسااتخدم علااى نطاااج واسااع
وتطبيقات متعددة نذكرها في هذا البح إن شاء هللا.
004
الجدول يبين الرمو المقابلة للشركات المصنعة للمؤقت 555
المميزات العامة:
من التوقف عن العمق صغير. -1
-2تردد التشغيق األع مي حتى .511KHz
-3التوقيت الزمني من عدة مايكرو ثانية وحتى عدة ساعات.
-4يمكن تشغيله كمهتز أحاادي االساتقرار يولاد نبضاة واحادة /مهتاز عاديم االساتقرار يولاد سلسالة غيار
منتهية من النبضات تتكرر بشكق دوري ومضبوط منيا بدقة.
-5تيار خر عالي بحدود 211ميللي أمبير .
-6يمكن ضب الدور للنبضة أي نسبة النبضة الموجبة أو النبضة السالبة إلى الصفر .
-0المخر متوافق تماما مع الدارات الرقمية والمنطقية نوع TTLعند تغذيته بجهد 5فولت فيمكننا استغالل
هذا المؤقت لقيادة الدارات الرقمية .TTL
-0االستقرار تجاه تغيرات درجة الحرارة هو من رتبة %1.115لكق درجة مئوية واحدة.
005
البنية الداخلية للمؤقت :555
إن البنية الداخلية للدارة المتكاملة 555تعتبر بسيطة إلى حد ما وهي تتألف مان مقارناان تشاابهيان وقاالب مان
نوع R&Sوترانزستور نوع NPNوهو T1المسؤول عن تفريغ المكثاف عان فتحاه وترانزساتور آخار ناوع PNPإلعاادة
القالب إلى الحالة البدائية (التصفير) ومقسم كمون لمداخق القالبات يتألف مان ثاالث مقاوماات متسااوية القيماة
باإلضافة إلى مرحلة الخر .
إن الدارة المتكاملة 555من وجهة ن ر تفصيلية أكثر تتألف من عدد كبيار مان الترانزساتورات والمقاوماات لتشاكق
بدورها جميعا الحاالت المنطقية المطلوبة لكق عنصر من العناصر المذكورة باإلضافة إلى الترانزستورات التي تمثاق
المقارن التشابهي ،والشكق التالي يبين البنية الداخلية التفصيلية..
006
أنماط عمق الدارة المتكاملة :555
تعمق الدارة المتكاملة بشكق عام بنمطي عمق مختلفين ،نقوم بشرحهما في التفصيق في الفقرة التالية..
عند تغذية الدارة بالجهد Vccفإنه سوف يتشكق جهد علاى المادخق العااكس للمقاارن COMP1أكبار مان الجهاد
الموجود على المدخق غيار العااكس عناد النقطاة V1=Vcc/3مماا يبقاي حالاة خار المقاارن Qعلاى المساتوى
المنطقااي " "Lوذلااك مهمااا تغياارت الحالااة علااى خاار المقااارن COMP2ونفااس الوقاات ال ينشااحن المكثااف ألن
الترانزستور TRفي حالة عمق .
عندما يتم الضغ على المفتاق SWتبدأ عملية التوقيت ،حي أناه يانخفض فجاأة الجهاد علاى المادخق العااكس
للمقارن ( COMP1يتم توصيله إلى األرض عن طريق المفتاق )SWليصبح خر المقارن على الحالاة المنطقياة ""H
كمااا أن الحالااة المنطقيااة للمقااارن COMP2هااي باألصااق " "Lفيغياار القااالب حالتااه " Q="Hو " /Q="Lويفصااق
الترانزستور وتبدأ المكثفة بالشحن.
طبعا لن يبقى المفتاق مضغوطا ،وهنا (عن تحرير المفتاق) فإن خر المقارن COMP1يعود إلى الحالة " "Lولكن لن
يتغير خر القالب FFفي هذه الحالة.
هو من التوقيت ،بعاد ذلاك يصابح الجهاد علاى المادخق Vc
2Vcc إن من وصول الجهد على طرفي المكثفة إلى
3
غيرا لعاكس للمقارن COMP2أكبر من الجهد الموجود على المدخق العاكس ويصبح خار المقاارن COMP2علاى
الحالة المنطقية " "Hوبنفس الوقت يكون خر المقارن COMP1على الحالة " "Lليغير عنادها القلاب حالاة خرجاه
ويفتح الترانزستور وتبدأ المكثفة عملية التفريغ.
يبقى الخر على حاله إلى أن يتم ضغ المفتاق SWمرة أخرى.
007
:يحسب من التوقيت بالعالقة التالية
:إن التيار الذي يتغير على طرفي المكثف والمقاومة يعطى بالعالقة
: أن حي
i : Electric current which changes in the time(A)
V : Applied voltage(V)
R : Resistance value(ohm)
C : Capacitor value(F)
e : Base of the natural logarithm(2.71828)
t : Elapsed time after the charging beginning(sec)
CR : Capacitive time constant (C x R)
:الدارة العملية
008
الشكق التالي يبين أنه عند تطبيق نبضة القدق السالبة فإن الخر يصبح فعاال..
ذكرنا أنه لحساب من التوقيت ( من استمرار نبضة الخر على الحالة المنطقية " )"Hيمكن حسابه من العالقة :
t high 1.1 RA C
باإلضافة إلى ذلك يمكن حساب الزمن thighبيانيا باالستعانة بالشكق التالي وذلك من أجق قيم مختلفة للمقاومة
RAوللمكثفة .C
حتى تصبح هذه الدارة مقبولة وريفيا فإنه يجب إضافة مكثف رب على التسلسق مع مدخق القدق وإضافة ثناائي
على التوا ي مع المقاومة Rمحيز عكسيا.الشكق التالي يبين الدارة المحسنة..
009
-2المهتز عديم االستقرار (:)LM555 Astable Oscillator
في هذا النم عند توصيق التغذية للدارة سوف ت هر إشارة منطقية على الخار ،والشاكق التاالي يباين توصايلة
المهتز عديم االستقرار واإلشارات عند كق نقطة من نقاط الدارة ..
في هذا النم مباشرة بعد تطبياق التغذياة علاى الادارة ينتقاق الخار إلاى الحالاة المنطقياة " "Hويبادأ المكثاف
بعملية الشحن من خالل المقاومتين RA & RBوذلك وفق المبدأ التالي:
عند تطبيق التغذية فإن التيار سوف يمر من خالل مقاوماات المقارناات المتسااوية والجهاد ساوف يقسام بنسابة
الثل لكق منها حي أن الجهد عند النقطة V2على المدخق العاكس للمقارن الثاني Comp2هاو ، 2Vccكماا اناه
3
عن النقطة V1على المدخق الغير عاكس للمقارن األول Comp1هو Vccوبالتالي فإن خر المقارن األول هاو ""H
3
كما أن خر المقارن الثاني " "Lوبالتالي فاإن خار القاالب R-Sسايكون " Q="Hويكاون " /Q="Lوالترانزساتور TR
في حالة إغالج لتتابع المكثفة عملية الشحن.
خالل عملية الشحن يزداد الجهد على طرفي المكثفة حتى يصبح الجهد على طرفيها (عناد النقطاة )Xالمتصالة
مع مداخق المقارنات أكبر من الجهود الموجودة على األطراف األخرى ،وعندها ينتقاق خار المقاارن COMP1إلاى
" "Lوينتقق خر المقاارن COMP2إلاى الحالاة المنطقياة " "Hوعنادها يغيار القاالب حالتاه ليصابح الخار "Q="L
والخر " /Q="Hوينقق بدوره الترانزستور TRإلى حالة اإلشاباع لتبادأ عنادها المكثفاة باالتفريغ عبار المقاوماة RB
والترانزستور . TRكما يبين الشكق التالي:
تستمر عملية التفريغ حتى ينخفض الجهد عند النقطة Xبحي أنه يصبح الجهد علاى المادخق العااكس للمقاارن
COMP1أصغر مان الجهاد الموجاود علاى المادخق غيار العااكس لانفس المقاارن أي أن Vx Vccوكاذلك بالنسابة
3
للمقارن COMP2يصبح الجهد على المدخق غير العاكس أكبر من الجهد الموجاود علاى المادخق العااكس لانفس
021
المقارن أي أن Vx Vccوهذا بدوره ينقق خر المقارن COMP2إلى الحالة " "Hوخر المقاارن COMP1إلاى الحالاة
3
"،"Lفيقطع الترانزستور ويصبح الخر Outعلى الحالة المنطقية " "Hوتعاد المرحلة األولى.
أن ) (tHهو من العماق و ) (tLهاو مان يتم حساب أ منة العمق والتوقف في حالة الخر من العالقات التالية حي
التوقف و Fالتردد.
020
الدارة العملية:
كما مر سابقا يمكن حساب قيمة التردد بيانيا باالستعانة بالشكق التالي وذلك من أجاق قايم مختلفاة للمكثفاة C
وللمقدار (.)RA+2RB
ً
مالح ة :1يجب وضع مكثف على دخق دارة التغذية في النمطين قيمته 220uFلتحسين استقرار إشارة المنبع.
مالح ة :2في حال عدم استخدام القطب ( 5مدخق الاتحكم بالجهاد) فإناه يجاب وصاله علاى األرض عان طرياق
مكثف قيمته 0.01uFلتفادي تأثر الضجي على الدارة .
022
دورًالتشغيل:
يعرف بأنه نسبة tlowإلى الدور الكلي Tوهو مدة بقااء إشاارة الخار عناد المساتوى المنطقاي " "0مان دور تلاك
اإلشارة ويحسب من العالقة:
t RB
D low
T R A 2 RB
من المالحظ أنه ال يمكن الحصول علاى دور تشاغيق بنسابة ،50%أي أناه ال يمكان الحصاول علاى موجاة مربعاة
متناررة إال في حال كون المقاومة RAصفرية وهذا ال يمكن ألنه يؤدي على قصر التغذياة إلاى األرض أثنااء عملياة
تفريغ المكثف.
عمليا تستخدم المقاومة RAبقيمة 1Kأوم أو أكثر ومن اجق الحصول على دور تشاغيق بنسابة 50%نقاوم بوصاق
ثنائي إلى التوا ي مع المقاومة RAحي يتم شحن المكثفة عن طريق المقاومة RAوالثنائي وتفريغها عان طرياق
المقاومة RBلذلك يمكن إعادة كتابة العالقات بالشكق:
t high 0.695 R A C
t low 0.695 RB C
T t high tloe 0.695 ( RA RB ) C
وبالتالي يمكن الحصول على دور تشغيق بنسبة 50%إذا كانت RA=RBوالشكق التالي يبين الدارة العملية:
023
Duty Cycle <50% Duty Cycle >50%
024
المؤقت الزمني 556
هذه الدارة المتكاملة هي عبارة عن دارتين 555ضمن غالف واحد وبالتالي أصبح لدي مؤقتين ضمن عنصر واحد.
تتو ع أقطاب هذه الدارة كماا هاو مباين علاى الشاكق ،كماا أن الماؤقتين الموجاودين فيهاا مساتقلين تماماا عان
بعضهما وال يتأثر احدهما باآلخر وتُعامق وكما لو أن لدي دارتين .555
تخضع هذه الدارة لنفس العالقات المذكورة في فقرة المؤقت 555وتعمق بنفس األنماط ..
025
التطبيقات العملية لدارة المؤقت 555
مقارنة بين مولد موجة مربعة باستخدام 555وقادق شمي :
الشكق التالي يبين دارتين تعطيان في خرجهما موجة مربعة تستطيع أن تغذي تيار حمق بحدود .200mA
إن خر دارة المؤقت 555يمكن توصيلها بطريقتين-1 ،كمنبع تيار -2 .......كمصرف تياار .واألشاكال التالياة توضاح
ذلك..
تكون الدارة منبعا للتيار توصيق الحمق بحي تكون الدارة مصرفا للتيار توصيق الحمق بحي
وعند انقضاء من التوقيت يعود الخر إلى الحالة البدائية للدارة (الفعالة).
026
LIGHT & DARK DETECTOR كاشف الضوء وال الم
الدارة التالية عبارة عن كاشف الضوء باستخدام مقاومة ضوئية LDRومؤقت .555
تتحسس الدارة لسقوط خفيف للضوء على الخلية الضوئية وبالتالي فإن أي جهد فاوج القيماة 0.7Vساوف يفعاق
خر الدارة وينطلق الصوت من الزمور.
عند تسلي الضوء على الخلية فإن مقاومتها تنخفض من 2Mإلى عشرات الكيلو أوم مما ياؤدي إلاى نشاوء جهاد
موجب على القطب ( 4قطب التصفير) يقود الخر إلى الحالة المنطقية ". "H
من أجق عكس عمق الدارة يكفي باأن نبادل باين الخلياة الضاوئية والمقاوماات الموصاولة معهاا علاى التسلساق
وبالتالي سوف تنعكس آلية العمق حي أنه عند وجود ال الم تازداد قيماة الخلياة إلاى قايم بالميغاا أوم والشاكق
التالي يبين الدارة اإللكترونية لكاشف ال الم..
027
POLICE SIREN صفارة إنذار الشرطة:
تستعمق دائرة صفارة إنذار الشرطة دارتا 555إلنتا تردد صوت صفارة اإلنذار.
تم توصيق الدارتين كمذبذب عاديم االساتقرار حيا يساتعمق خار الادارة األولاى كإشاارة تحكام لمخاق الاتحكم
بالجهد للدارة الثانية وبالتالي فإن الخر سوف يتغير تردده بين قيمتين عليا ودنيا تقابالن تردد صوت صفارة اإلنذار.
يمكن رسم الدارة باستخدام برنام محاكاة لمعرفة شكق اإلشارة في الخر .
إن دارة مرسق أشعة تحت الحمراء يجب أن تولد إشاارة ذات مساتوى أقاق مان 40uSecويجاب أن تكاون اإلشاارة
ذات دور تشغيق 90%للحالة " "Hو 10%للحالة " "Lويجب أن يكون التياار بحادود 150mAوالتاردد بحاوالي 2kHz
والدارة التالية تبين دارة توليد تردد لمرسق أشعة تحت الحمراء..
028
Touch Switch اللمس مفتاق حسا
إن الدارة المبينة بالشكق تتحسس لإلشارة التي يمكن أن تنشأ عن اللمس بواسطة األصبع للشاريحة المعدنياة
والتي تؤدي إلى نشوء ضجي وشحنة كهربائية صغيرة ناتجة عن الشحنة الموجاودة فاي جسام اإلنساان والتاي
تقود بدورها الترانزستور إلى حالة اإلشباع ليولد نبضة قدق لدارة المهتز أحادي االستقرار تغير من وضعية الخر .
029
دارة فالشر باستخدام الدارة 555وتريا :
031
اإلشارة األولى لها من تشغيق متنارر ( )50%أي إذا كان الجهد المطبق على الدارة 12Vسيكون الجهاد علاى
المحر هو 6Vوالسرعة هي نصف السرعة االسمية.
اإلشارة الثانية لها من تشغيق ( )75%أي إذا كان الجهد المطبق على الدارة 12Vسيكون الجهد علاى المحار
هو 9Vوالسرعة هي 75%من السرعة االسمية.
اإلشارة الثالثة لها من تشغيق ( )25%أي إذا كان الجهد المطبق على الدارة 12Vسيكون الجهد علاى المحار
هو 3Vوالسرعة هي 25%من السرعة االسمية.
على التحكم بدور اإلشارة دون الاتأثير على مطالها.. وعلى هذا فإن مفهوم تعديق عرض النبضة يقتصر فق
030
مان يتم توصيق المحر دوما إلى المأخذ ذي األقطاب األربعة وهي األطراف ( )- & +في حال تم قياادة المحار
نفس وحدة التغذية التي تغذي وحدة القيادة قم بإضافة الوصلة . LK1
أما إذا كانت تغذية قيادة المحر تأتي من وحدة تغذية مستقلة فقم بإ الة هذه الوصلة وقم بوصاق وحادة التغذياة
الخارجية الخاصة بالمحر إلى المربطين Extوالذي يرمز لهما با( +و – ) وهذا ياؤدي إلاى وصاق خطاوط األرضاي
في كق وحدة تغذية معا على الدارة المطبوعة .
يمكن في البداية تطبيق الدارة على المخط اإللكتروني التالي وبعدها يمكن التعديق للمخط األول..
تقوم الادارة المتكاملاة 555التاي تعماق كمذباذب عاديم االساتقرار بتولياد موجاة مربعاة ماتحكم بهاا عان طرياق
المقاومة VR1والتي تطباق علاى مادخق التازامن للادارة المتكاملاة 4110التاي تعماق كعاداد تصااعدي عشاري
متزامن مع فا شيفرة بعشر مخار يمكن تمثيله بالعداد الزاحف.
عن الجبهة الهابطة لنبضة الساعة األولى وبعد تطبيق نبضة هابطة على قطب التفعيق للعداد RSTيفعق المخار
األول Q0ثم عن الجبهة الهابطة للنبضة الثانية يفعق المخر Q1وهكذا حتى الجبهة األخيرة .
إشارات مخار الدارة 4110التالي: تكرر العملية من جديد وهي مبينة على مخط
032
إن المقاومة VR1تتحكم بتردد اإلشارة المربعة المولدة من المؤقت 555وبزيادة تردد اإلشارة المولدة تزداد سرعة
انتقال اإلضاءة من مصباق إلى مصباق والعكس صحيح .وتقوم الترانزستورات من T1وحتى T4بقدق الترياكات ،كما
أن المقاومات الموصلة مع قواعد الترانزستور هي لتحديد تيار قاعدة الترانزستورات.
يمكن إكمال توصيق األقطاب في خر الدارة المتكاملة 4017لتشكيق 11مخار .
033
إن التطبيقات التي تستخدم الدارة المتكاملة 555تتعدى اهتماماتنا لكثرتها ،لذا سأحاول أ ،أدر قد ماا اساتطعت
منها وأعللها وأكللها بكلمات قصيرة علنا أن نجد فيها بلسما وترياقا ل مأ عروقنا ..وإليكم أ فها ...
034
فاااي الحقيقاااة إن الاااا( )Metronomeعباااارة عااان أداة
استعملت في الصناعة الموسيقية على وجه التعبير.
لذا تم توصيق الدارة 555لتعمق كهازا عاديم االساتقرار
من أجق توليد إشارة يمكن سماع ترددها على المجهار
،كما يمكن معيرة الصوت من خاالل المقاوماة المتغيارة
.Speed
035
إن من خصائص قادق شمي أنه مهما تكن اإلشارة في
الدخق فإن اإلشارة في الخر هي إشارة مربعة موافقة
لتغيرات اإلشارة في الدخق.
الشكق التالي يبين توصاق المؤقات 555ليعماق كقاادق
شمي والمكثف فاي الادخق هاو للاتخلص مان ضاجي
التغذية.
الدارة التالية هي عبارة عن تجربة لتوليد نغمتين على خر المجهار الصوتي ،والغرض من هذه التجربة هاو تعلام
توصيق دارتي 555مع بعضهما .كما يمكن االستعاضة عن الدارتين بادارة المؤقات .556كماا هاو واضاح تام توصايق
الدارتين لتعمال كهزا عديم االستقرار مع وجود تبويب من خر الدارة األولى على مدخق التفريغ للدارة الثانية تؤثر
على أ منة الموجة.
036
هذه الادائرة تساتعمق لالساتمرار بتساجيق المكالماات
الهاتفية ولكن بشكق مسموق به وقانوني.
ويتم سماعها عن طريق المجهار الموجود.
دراة مسبار منطقي مزودة بثالثة حاالت إرهار لفحص الحالة المنطقية وهاي يمكان أن تساتعمق لفحاص الادارات
من نوع . TTL&CMOS
الثنائي األحمر يشير إلى المنطق العالي " ،)"1"(/"Hوالثنائي األخضر يشير إلى المنطاق المانخفض "،)"0"( / "L
والثنائي األصفر يشير إلى الحالة النبضية ليأتيناا باوميض مناه 20mSدون اعتباار لعارض اإلشاارة النبضاية وهاذه
الميزة تمكننا من معرفة وجود اإلشارة النبضية التي يمكن أن ت هر على الثنائي األحمر ليعماق بشاكق دائام دون
مالح ة وجودها .المفتاق S1هو إلبقاء الثنائي األصفر يعمق باستمرار مع أول إشارة نبضية تحصق على المجس.
يقوم الترانزستور T1بتضخيم اإلشاارة الموجاودة علاى المجاس المنطقاي ثام تطباق علاى البواباة NANDويقاوم
الثنائي D1بحماية البوابة والثنائيات الضوئية من الجهود العكسية المفرطة أثناء تفريغ المكثف.
037
DCبتعديق عرض نبضة الخر : التحكم بسرعة محر
إن هذه الدارة قادرة علاى تن ايم الجهاد 12Vالاذي يمكان أن يساتخدم للاتحكم بسارعة محار DCأو باإلضااءة
لمصباق ،وذلك من خالل تغيير عرض النبضة المولدة مان الادارة 555والمطبقاة علاى الترانزساتور MOSFETالاذي
يتصرف كقناة ناقلة يزداد مرور التيار فيها با دياد مستوى الجهاد علاى قاعدتاه .عان طرياق المقاوماة المتغيارة P1
يمكن تغيير عرض نبضة الخر للدارة .555
038
إن الفترة الزمنية بين T1 and T2مخصصة من أحق الدارة IC3والمؤقت تحت االختباار ساوف ينهاي دورتاه وينات
على خرجه إشارة ذات مستوى منطقي منخفض.
فق خالل هذا الوقت يستطيع خار الادارة IC3أن ينتقاق مان المساتوى المنطقاي العاالي " "Hإلاى المساتوى
المنطقي المنخفض " "Lليقدق دارة القاالب ( ،IC5 )Flip-Flopلاذلك إذا أضااء الثناائي LED1فهاذا يعناي أن الادارة
تحت االختبار صالحة ( ،)timer okويضيء الثنائي الثاني عند اكتمال االختبار.
بالرغم من أنه يمكن أن يكون هنا بضعة أجزاء من الميلاي ثانياة مان االتصاال ترجاع عنادما يكاون S1مغلاق أوال
والذي يسبب تأخير في شحن المكثف وي هر هذا التأخير على جميع الدارات المتكاملاة ) ،(IC'sولكان بسابب أن
نسبة أ منة التأخير بين دارات المؤقتات الثالثة نفسها فإن التأثير على دقة التجربة مهمق.
الدارة تستخدم لتحويق التيار المستمر إلى تيار متناوب ( ،)DC-to-ACوتقاوم دارة 555بتشاكيق التاردد المانخفض
في الخر ألن تردد الشبكة الكهربائية المتناوبة 50Hzأو ،60HZلذا يمكن معايرة التردد باستخدام المقاومة .R4
.
يوصق خر الدارة 555إلاى دارة مضاخم ترانزساتوري ( Q1,Q2مقطعاات إشاارة) مؤلاف مان ترانزساتورين Q1,Q2
يوصق خرجهما إلى محولة رافعة للجهد ،إما أن تكون المحولة رافعة من 15 to 220بتاردد ،50HZأو مان جهاد 15
to 120بتردد .60HZإن استطاعة الخر تتعلق باستطاعة المحولة واستطاعة الترانزستورات .Q1,Q2
إن المكثف C4والملف L1الموصولين بين المحولة والترانزستورات يقومان بالترشيح لإلشارة من إشاارات الضاجي
وعزل التغذية المستمرة التي يمكن أن تنشا عن منبع التغذية المستمرة مان أجاق الحصاول علاى إشاارة جيبيّاة
جيدة.
إن جهد التغذية المستمرة يمكن أن يتراوق من +5Vdcوحتى +15Vdcويجب عندها تعديق المحولة.
يجب األخذ بعين االعتبار استطاعة المحولة ،مع االنتباه إلاى أن المحولاة الرافعاة للجهاد يكاون عادد لفاات ملفهاا
االبتدائي صغيرا ومقطع سلكها غلي ا تبعا لالستطاعة المطلوبة ،كما أن ملفها الثانوي على العكس ،لذا تحساب
التيارات من العاقة التالية:
V 1 I 2 N1
K
V 2 I1 N 2
إن اإلشارة المتولدة من خر الادارة 555لهاا نسابة تشاغيق واحادة 50%ألناه سايتم قادق الترانزساتور Q1فاي
النبضة العالية " "Hوالذي سيشكق بدوره نصف الدور الموجب لإلشارة المتناوبة ،كما يتم قدق الترانزستور Q2في
النبضة المنخفضة " "Lوالذي سيشكق بدوره نصف الدور السالب لإلشارة المتناوبة.
039
التحكم بثنائي ضوئي ذو قطبين :
041
مؤقت بثالثة أ منة على ثالث مخار :
040
مصباح نيون جهاز لقياس شدة التيار
ترانزستور ضوئي بوابة آند املنطقية
042
مصدر تغذية موجب ميكرفون كريستايل
مقاومة متغرية هزاز كريستايل
ريلية دياك
ريلية ديود
walidbalid81@gmail.com
ً
وليد بليد
044