ENDUSTRiYEL OKULLAR iCiN

•
\
') E~.EKTRONIK
, ..:->.. ;

t:.

Eli'EMANl:AR
''
i
,,'
\Ii
,,,..,. /

VE DEVRE', TEO Risi

i
!
t.

II
!
,,
,•.·

Robert Boylestad
Louis Nashelsky

OEVLET KiTAPLARI

BE$iNCi BASK!

Mill1' Egitim Bas1mevi - [stanbul, 2004

 TE~EKKOR

1 ~·/ -, ! :'.it. -·:;:1 : 1 DiYf.T! L./\Fi 1

1.1 Giri~ I
1.2 Gene! Karakteristikler I
1.3 Encrji Duzeyleri 5
1.4 Katkih Malzcrneler 7
1.5 ideal Diyot ll
1.6 Tcmcl Yapi Karakteristikleri 13
1.7 DC veya statik direnc 21
1.8 AC vcya Dinamik direnc 22
1.9 Ortalama AC direnci 27
1.10 E~degcr Devreler-Diyot modelleri 28
1.11 Siiriiklcnme ve Difiizyon (yayrlrna) akirnlan 32

OnSiiz
 1.U Ge9i§ ve Difiizyon Kapasitansi 33
1.13
1.14
Tikanma Silresi 34
S1cakhlc Etkileri 35 4 iKi KUTUPLU JONKSiYON TRANSiSTORLHti (BJT) "163
1.15 Diyot bilgi Sayfalan 36 4.1 Giri§ 163
1.16 Yaniletken Diyot Sembolleri 40 4.2 Transistorun Yaprst 164
1.17 Diyodun OMMETRE ile Test Edilmesi 40 4.3 Transistorun Cahsmasr I 65
1.18 Uretim Teknikleri 41 4.4 Transistorun Yiikseltme Etkisi 167
1.19 Diyor dizileri-Entegre Devreler 49 4.5 Ortak Bazh Devre 169
Problemler 5 I 4.6 Ortak Emetorlu Devre 173

2
4.7 Ortak Kollektorlil Devre 180
btYOT UYGULAMALARI SB 4.8 Transistor Maksimum Anma Degerleri 181
4.9 Transistor Karakteristik Ozellikler Sayfasi 183
2.1 Girl§ 58 4.10 Transistor Ureurni 189
2.2 DC Gir~li Seri Diyot Devreleri 58 4.11 Transistor K1Ltf1 ve Uclann Tammi 192
2.3 Paralel ve Seri-Paralel Devreler 65 Problemler 194
2.4 VE/VEY A Mantik Kapilan 68
2.5
2.6
Yanm Dalga Dogrultrna 71
Tam Dalga Dogrultrna 75
5 DC ONGERiLiMLEME: (BJT)'LER 199

2.7 Kirpict Devreler 81 5.1 Giris 199

2.8 Kcnetleme Devreleri 89 5.2 Cahsma Noktasi 200
Problemler 97 5.3 Sabit-Ongerilirnli Devre 202

3 ZENEH'-ER VE DiGER iKi U(LU ELEMANLAR 1G5

5.4
5.5
5.6
Emetor Direncli DC Ongerilim Devresi 207
Beta'dan Bagrmsrz DC Ongerilirnleme Devresi 212
Geribcslemeli DC Ongerilimleme 217
3.1 Giri~ 105 5.7 Cesitli DC Ongcrilirn Dcvrclerinin Analizi 221
3.2 Zener Diyot Karakteristikleri vc Sembollcri 105 5.8 Grafik olarak DC Ongcrilim Analizi 225
3.3 Zener Diyot Uygulamalan 109 5.9 DC Ongerilirn Devrelerinin Tasanrru 230
3.4 SCHOTTKY-ENGEL (Steak tasiyrci) Diyotlan 117 5.10 6ngerilimin Kararlr hale Getirilmesi (Stabilizasyon) 235
3.5 V ARAKTOR (Varikap) Diyotlan 123 5.11 DC Ongerilimlemenin Bilgisayar <;ozlimii 241
3.6 Gil9 Diyotlan 127 Problemler 246
3.7 Tiinel Diyotlan 127 Bilgisayar Problemleri 253
3.8 Fotodiyotlar 130 Pratik Problemler 253
3.9 Fo10 Iletken Hilcreler 134
3.10
3.11
Kizrlotesi (IR) l§tk Kaynaklan 136
l§1k Yayan Diyotlar 139 6 ALAN ETKiLi TRANSiSTORLER 256
3.12 SIVI Kristalli Gorilnril Birimleri 144 6.1 Alan Etkili Transistonin Gencl Tammi 256
3.13 Gunes HUcreleri 148 6.2 JFET'lerin Yaprsi ve Karakteristikleri 257
3.14 Termistorler 153 6.3 JFET Transfer ve Karakteristiginin Cizilmesi 263
Problemler 155 6.4 JFET Parametreleri 266
6.5 MOSFETlerin Yaprsi ve Karakteristilcleri 268

i~indekller
i~lndekiler
 6.6 Karakteristik ozellikler sayfasi 274 9.9 RL ve Rs'nin yiiklemc etkilcri 404
6.7 CMOS 276 9.10 Tam karma csdeger devre 412
Problemler 277 9.11 Sistern yaklasmu 420

7
9.12 Bilgisayar analizi 424
Problemler 431
Bilgisayar problcmleri 439
7.1 Sabit ongerilim 281
7 .2 Kendinden ongerilimli JFET ytikseltcci 285
7.3 Gerilim-bolucu ile ongerilimlerne 292 440
7 .4 Kanai olusturmah MOSFET ongerilirn devreleri 300 10.1 Genel giris 440
7.5 <;e§itli ongerilim devreleri 303 10.2 JFET/kanal-ayarlamah MOSFET kiicuk sinyal modeli 441
7.6 DC ongerilim devrelerinin tasanmi 310 10.3 AC kucuk-sinyal vah§mas1 444
7.7 Genel JFET ongerilim egrisi yardrrmyla DC ongcrilirnleme 320 10.4 Yiikleme Etkileri 451
7.8 JFET ongerilim Devrelerinin Bilgisayarla analizi 325 10.5 Kaynak Izleyici (ortak-akac) devresi 456
Problernler 330 10.6 Ortak kapih devre 461
Bilgisayar problernlcri 337 10.7 FETli ytikscltec devrelcrinin tasanrru 463
10.8 Yuksck Frekans etkilcri-Millcr kapasitansi 469
10.9 FETli Yukseltec devrelerinin bilgisayarla analizi 472

8 Problemler 477
Bilgisayar problemleri 48 !
8.1 Giri§ 338
8.2
8.3
AC Domeninde yukseltrne 338
Transistor Modellemesi 340 11
8.4 Transistonin karma C§deger devresi 343 11.1 Giris 482
8.5 r, modeli 349 11.2 Gene! kaskat bagh sistemler 482
8.6 Hangi model 354 11.3 RC -kuplajli yukseltecler 484
8.7 h.-Parametrelerinin grafik olarak bulunmasi 355 11.4 Transformator kuplajh transistorlu yukseltecler 492
8.8 Transistor Parametrelerindeki degisrneler 360 11.5 Dogrudan kuplajli transistorlu yukseltecler 495
Problemlcr 363 11.6 Kaskod yukseltec 497

9
11.7 Darlington Birlesik Duzenlemcsi 499
U.JT 1<0<.;:Ui<-:;iNYAL .'\:l.i/\U;::i :.11
11.8 Dcsibcl 506
11.9 Frekansa iliskin temel noktalar 514
9.1 Girls 367 11.1 O Tck kath Transistorlu yiiksehec-Dusuk frekanslardaki temel noktalar 518
9.2 Ortak-Emetorlu sabit-ongerilirnli diizenleme 367 11.11 Tck kath transistorlu yiikseltec- Yiiksek frekans durumu 533
9.3 Gerilirn-Bolucu ile ongerilimlerne 374 11.12 Cok kath frckans etkileri 540
9.4 CE koprulenmemis Emetor-ongerilimli dtizenleme 379 11.13 Kaskat bagh FET'li yukselteclerin frekans tepkisi 543
9.5 Emctor-Izleyici diizenlemesi 385 Problemler 545
9.6 Ortak-Bazli diizenleme 390
9.7 Kollekror DC geribeslemesi ve fark yukselteci 394
9.8 Kollektor geribeslemeli dtizenlcme 400

k:indekiler if;:indekiler
 14.6 Tek parca entegre devre-vc/degil kaprsi 678
BU YUK SiNYAL YUKS EL TE<;LERi 14.7 Ince ve kalm filmli entegre devreler 693
554
14.8 Karma (hibrit) entegre devreler 693
12.1 Girls 554
12.2 Seri beslemeli A-Sm1fi yukseltec 555
12.3
12.4
Transformator-Kuplajli giir; yiikselteci 560
B-Sm1f1 yukselteclerin cahsmasr 572 15 DOGRUSAL ENTEGRE DEVRELER: i$LEMSEL YUKSELTE<;LER 695
12.5 B-Sm1f1 Yukseltec Devreleri 578 15.1 Temel fork yiikselteci 695
12.6 Yukseltec Cahsrna Smrflan ve Bozulma 586 15.2 Fark yukselteci devreleri 702
12. 7 Gii9 Transistorunun Sogutulmas1 594 15.3 Sabir Akim kaynagi 710
Problemler 599 15.4 Ortak isaretin bastmlrnasi 719
Bilgisayar problemleri 601 15.5 Islemsel yiikseltecin tcmelleri 726
15.6 lslernsel yukseltec devreleri 730
13 pnpn VE DiGER ELEMANLAR
603
15.7
15.8
Pratik islernsel yukseltec devreleri 737
Islernsel yukseltec ozellikleri 739
13.1 Giris 603 15.9 Islemsel yukselrec uygulamalan 746
13.2 Silisyum Kontrollii Dogrultucu 603 Problemler 755
13.3 Temel Silisyurn Kontrollu Dogrultucunun Cahsrnasi 604
13.4
13.5
13.6
SCR Karakteristikleri ve anma degerleri 608
SCR'nin Yaprsi ve u9 tanmu 611
SCR uygulamalan 612
16 QOGRUSAL IC'LER: REGULATORLER 761
16.I Giri§ 761
13.7 Silisyum kontrollii anahtar 616 16.2 Gene! filtre esaslan 762
13.8 Kapidan kapanabilir anahtar 620 16.3 Basit kondansatorlii filtre 765
13.9 Isikla Calisan SCR 622 16.4 RC filtresi 772
13.10 SHOCKLEY Diyodu 625 16.5 Gerilim katlama devreleri 778
13.11 DiY AK 626 16.6 Aynk gerilim regulatorleri 781
13.12 TRiY AK 629 16. 7 IC Gerilim regiilatorleri 793
13.13 Tek jonksiyonlo transistor 631 16.8 Pratik gii9 kaynaklan 796
13.14 FOTOTRANSiSTORLER 646 Problemler 801
13.15 Optik yalmctlar 648
13.16 Programlanabilir tek jonksiyonlu transistor 652
Problemler 659 17 OOGRUSAL/SA YISAL ENTEGRE Df.Vflf::LER (IC) 806

14
17.1 Giris 806
ENTEGRE DEVRELER 17.2 Karsilasnrma birimleri ve cahsmalar 807
661
17.3 Sayisal analog donustiinictiler 815
14.l Giri§ 664 17.4 Zamanlayrci IC birimi ve Uygularnalan 819
14.2 Son gelisrneler 665 17.5 Gerilim kontrolli.i osilator 824
14.3 Tek parca (monolitik) entegre devre 667 17.6 Faz kilitlemeli dongti 828
14.4 Tek parca devre elemanlan 670 17.7 Arabirim kurma 834
14.5 Maskeler 674 Problemler 837

i~indekiler lctndekiler
18 GEFliBESLEMELi YUKSELTE<_::LER VE OS!L.t,,TOfl DEVFlELEi:li
18.1 Geribesleme kavramlan 840
18.2 Geribesleme baglann tiirleri 841
18.3 Pratik geribesleme devreleri 850
18.4 Geribeslemeli Yukseltee-faz ve frekans 859
18.5 Osilatorun ~al1§mas1 862
18.6 Faz kaydirmah osilator 863
18.7 Wien kopru osilatoru 868
18.8 Akortlu osilator devresi 870
18.9 Kristalli Osilator 874
18.10 Tekjonksiyonlu osilator 878
Problernler 880
Elektronik Elemanlar ve Devre Teorisi kitabim okumak icin zaman, ilgi ve caba har-
El<LER
cayan turn kisilere sukranlanmrzi sunmak istiyoruz. Onlann yorum ve oncrileri dor-
A. Karma (Hibrit) Parametreler-Doniisiim E§degerleri (Tam ve Yaklasik) 883 diincii baskuun gelistirilmesinde icerik ve yaklasimm en son egilim ve gelismeleri
B. Dalgalihk faktoru ve gerilim hesaplamalan 886 yansumas: bakumndan katkida bulunmustur,
C. Grafikler ve Tablolar 894
Metni kullananlardan, metnin ihtiyaclanrn karsilayip karsilamadigi ve teknik
olarak miimkiin oldugu kadar dogru olup olmadigi konusunda elestiri bekliyoruz.
iNDEKS 90'1
Yorumlar taktirle karsrlanacak ve ilk firsatta §ahsi bir yamt alacaktir.
TERiMLEr-i SOZL0G0 '.3 i ,
Ernest Lee Abbott, Napa Valley College
J. L. Brockband, DeYry Institute ofTechnology
John W. Coons, RCA Bloomington
Kenneth Dunn, Peusacola Jr. College
Bryan L.Gugnon, Indian V ocutional Technical College
Trevor Glove, British Columbia Iustitube of Technology
Thurman Grass, Lima Technical College
Harold Hambrock, De Voy Institute of Technology
D. Hanchak, Northern Alberlia Institube of Technology
Robert W. James DeVry lnstitue of Technology
John Jcllema, Eastern Michigan University
Albert Koon. Tidewater Community College
Ken Kramer, DcVry Institute of Technology
D~vid Krispinsky, Rochester msitute of Technology
Paul Maini, suffolk Community College
Jim Pannell, DeVry Insitutc of Technology
Lester C. Peach, Illinois insitute of Technology
Fred Pirkey, DeVry Institute of Technology
Raghuwanshi Pravin M., DeVry Institute of Technology
i~indekiler P.K. rastogi, Case Western Reserve University
.... -.·--·-·-·----~---------------------------------,

'.,\

1.1 cinis

l 940'larm sonlanna dogru yaniletken transistorun ortaya crkmasmdan sonraki

yirrni-otuz yil, elektronik endiistrisinde cok dramatik degisikliklere raruk olrnustur.
Gerceklesen minyaturlesme, suurlan konusunda bizi merak icerisinde birakryor.
Daha onceki dcvrelerin tek bir elemanmdan binlerce kat daha ki.io;:i.ik bir pul tizerine
simdi komple sistemler yerlestirilebilrnektedir, Daha 6nceki yillann ttipli.i dev-
releriyle kiyaslandrginda yaniletken sistemleriyle ilgili olan avantajlar btiytik capra
hernen gorulebilir: daha kiio;:i.ik Ve hafif olrnalan, isiuci gereksinimini veya (tuplerde
oldugu gibi) rsrticidan kaynaklanan kayiplann olmarnasi, daha sert yapida ve daha
verimli olmalan ve ismma si.iresine gerek duymamalan.
Son yillardaki minyatiirizasyon, oylesine kucuk sisternler ortaya cikarmisur ki
sistemlerin icine konulacagr kutunun temel arnaci sadcce elemarun yerlestirilmesini
ve bacaklann yaniletken pula sabitlesrnesini saglamaknr. Minyatiirizasyonun St-
rnrlan ti9 faktorle srrurh gibi gorunuyor: yaniletken rnalzernenin kalitesi, devre ta-
sarun teknigi ile urerim ve islerne donarurnnun sirurlan.

1.2 GENEL KARAKTERiSTiKLER

Yartiletken adrrun kendisi karakteristlikleri konusunda bazi ipuclan veriyor. Yan

oneki, genelde iki sirur arasinda kalan birsey icin kullarnhr, lletken terimi ise srrurh
miktarda d1~ basinc uygulanmas, sonucu rahat bir yuk akisma izin veren hcrhangi
bir maclde icin kullamlrr. Bu nedenle bir yaniletken, bir izolator (cok dusuk ilet-
kenlik) ile bakir gibi yi.iksek bir iletkenlige sahip bir iletkenin srrurlan arasmda kalan
bir iletkenlik duzeyine sahiptir. Bir maddenin, yiik akrsma veya akima karsi direnci
 Tipik Ozdireni; Degerleri (300 k Oda Srcakligmda)

. Iletken .. . Yartiletken
--- .. - - --·-~·
Yalukan
iletkcnligi ile tcrs oranuhdrr, Yani, iletkenlik diizeyi nc kadar yuksekse, direnc dii-
---~~---· ·-·--··--
zeyi o kadar dusuktiir, Tablolarda ozdirens: ( p, Yunan alfabesindeki ro) terirni,
P= 10·6 n · cm p = 50 n · cm (germanyum) P= 10 0 · cm 12

maddclerin direnc diizeyleri kiyaslarurken sik sik kullaruhr. Bir maddenin oz-
direnci ~ekil 1.1 'de gosterildig! gibi 1 cm uzunlugunda ve 1 cm2 kesite sahip bir
rnalzerne orneglnin direnci esas ahnarak incelenebilir. Bir maddenin direncine ili§-
kin denklemin (belli bir sicakhkta) R = pl/A ile belirlendigini haurlayin; burada R,
ols:iilen omik direnci, I malzeme orneginin uzunlugunu, A kesitini ve p da oz-
direnci gostermektedir, l = 1 cm ve A = l cm2 olursa yukanda gosterildigi gibi R
I olur. Bu nedenle lcm3'liik numunenin direnci, ozdirenc tarafindan bclirlenir. Veya
baska bir deyisle, ozdirenc ne kadar buyukse, boyle bir numunenin direnci de o
kadar biiyiiktiir. p 'nun birimi;
p= RA ~ Q · cm2 = n.cm olarak bulunur. (1.1)
I cm
p = 50 x 10 Q · cm (silisyum)
(mika)
(bakir) 3
--·-·-·--· -·---·-···---··· -·-----·--
..... - ....... ------------
manyumdan uzaklasarak git gide silikon kayrmsur, fakat germanyum hala bir mik-
tar ilretilmektedir.
= Tablo 1.1 'de verilen iletken ve yahtkan rnaddelerinin l cm uzunlugundaki or·
nekleri arasmda bulunan buyuk farklara dilckat edin. Bir sayi ile diger sayi arasinda
ondahk virgulunun konumu balammdan 18 hane fark vardir, Ge ve "Si bir dizi ne-
deaden dolayi bu ilgiyi toplanusur, Cok onernli bir sebep bunlann cok yiiksek bir
safhk duzeyinde uretilebilrncsidir. Gercekten de, son gelisrneler saf maddedeki kat-
kih dizaym 10 milyarda l 'e (1: 10,000,000,000) dii§iiffilil§tiir. Insanin akhna boylesi
diistik yabanci madde duzeylerinin gerekli olup olrnadigi sorusu gelebilir. Silisyum
maddesinin bir pulunda, milyon basina bir adet katkr maddesi cklenmesinin maddeyi

~FF"~l
nispctcn kotu bir iletkenden iyi bir elektrik iletkenine donusturulebildigi gozonunc
almirsa bunun gerekli oldugu gorulur. Acikca goriildtigii uzerc yaniletkenler alaruna

i. ~lcm_-·
girdigimizde karsilasurma diizeylerinin yepyeni bir tanmuyla karsr karsryayiz. "Kat-
kilama" denen bir islern ile maddcnin tipik ozelliklerini onemli olcudc degistirebilmc
imkaru, Ge ve Si'nin bu kadar yogun ilgi toplamasimn bir baska nedenidir. Baska ne-
A
~= I ,1112 ,,, I cm dcnlcr bu rnaddelerin karakteristiklerinin 1s1 ve J§i.lc uygulanarak onernli olcude de·
gi§tirebilmesine dayamyor; bu, 1s1 ve 1§1ga kars; duyarli aygitlann gelistirmesinde
onernli bir varsayirndir.
Ge vc Si'nin yukanda arulan bazi essiz nitelikleri, atomik yapilanna da-
yanrnaktadir. Her iki maddenin atomlan yapisal olarak periyodik (yani surekli ken·
dini tekrarlayan) ozellikle cok belirli bir yapi olusturur, Komp le bir yap1ya kristal, ve
Liitfen bu kitabin matematiksel islemlere ve karmasik cebirsel tekniklere cok
atomlann periyodik diizenine de orgi! deniyor. Ge ve Si kristali, ~ekil l.2'de gos-
fazla egildigini dii§iinmeyin. Saglam bir miihendislik ternelinin gelismesi icin, bi-
terilen ii9 boyutlu elmas yapisma sahiprir. Yanhzca siirekli tekrarlanan ayru tipte
rimlcrin acrk bir sekilde anlasdrms olmasmm mutlaka gerekli olduguna inaruyoruz.
Biraz soyut olan ozdirenc olciim biriminin §imdi belli bir a91kliga ve an-
lasilabilirlige kaVU§tugunu varsay1yoruz. Bu arada i9in, yaniletken bir maddenin
ger9ek direnci yukandaki gibi ol9illdiigiinde govde direnci ad101 ahr. Telleri gov-
deye (malzemeye) baglamakla ortaya 91kan diren9, omik temas direncidir. Bu tc-
rimler kitap boyunca tamlllacak elemanlann tarifinde siirekli olarak kullamlacaktir.
Tablo I . I'de us: gene! maddc katcgorisi i9in tipik ozdircn,;: dcgerlcri vc-
rilmi§tir. Her ne kadar ge,;:mi§ dcrslerinizden bak1r vc mikanm elcktrikscl ozel-
liklerini biliyor olsamz da, germanyum (G,) vc silikon (S;) yaniletken maddelerinin
karakteristik:leri sizin i,;:in nispeten yeni olabilir. ileriki boliimlcrde goreceginiz
gibi, tck yaniletken madde bunlar dcgildir. Arna bunlar, yaniletken ayg1tlann gc-
li~tirilmesinde en s:ok ilgi toplayan iki madde olmu§tur. Son y1Uarda ilgi ger-

Bol!im 1.2 Genel Karakteristlkler 3

2 Boliim 1 Yanitetken Olyotlar
 enerji alip kovalent bagdan koparak "serbest'' duruma gecmesi miimkilndilr. Bu do-
k:ristal yapilardan olusan herhangi bir maddeye tek-kristalli yapi denir. Elektronik
gal sebepler, foton ~eklinde ~1k enerjisi ve cevreleyen ortamdaki 1s1 cnerjisi
alarunda pratik uygulama bulan yaniletken maddelerde bu tek-kristalli yapi goniliir
sayilabilir. Oda sicakhgmda, bir santimetre kiip oz silisyum maddesinde yaklasik
ve buna ck olarak yapirun periyodikligi, katktlama silrecinde katkrlarin ya-
1,5 x 1010 serbcst tasryrci vardir. Oz maddeler, katkilan yak dil§ilk bir duzcyc dii-
prlmasryla onernli olyilde degismez .
§iirmek amaciyla modem teknoloji ile miimkiin olan en yiiksek saflik i~in ozenle ra-
Sirndi de atomun kendisinin yaplSlm inceleyelim ve maddenin elektriksel ka-
fine edilmis yaniletkendir. Maddenin icinde yanhzca dogal sebeblerden dolnyi
rakteristliklerini nasrl etkileyebileceginc bakalirn. Bildiginiz gibi atom iiy terncl
paryactkta~ ol~~ur: Elektron, proton ve notron. Atornik orgtlde, notronlar ve pro-
serbest halde bulunan elektronlara, oz ta,r1y1c1/a1:.~cnmcktedir. Aym sicakhkta, ()Z
gcrinanyum rnaddesinin bir santimetre kupunde: .yaklasik olarak 2.5 x 1013 ser-
tonlar cckirdcgi olusturur, elektronlar ise cekirdek etrafmda sabit bir yorungede
best tasiyic: olacakur. Gerrnanyumdaki tasiyierlann silisyumdaki tasiyicilara oraru
d_ola~ir. En yaygm olarak kullarulan yaniletken maddclcrdcn gcrmanyum ve si-
1013'tcn daha fazladir ve bu da, germanyumun oda sicakhgmd» cok daha iyi bir
lisyumun Bohr modelleri, ~ekil l .3'de gosterilrnistir.
iletken oldugunu gosterir. Bu dogru olabilir ancak her ikisi de halen, oz (yapisal)
~ekil l.3a:d_a gosterildigi gibi germanyum atornunun ~2 adet yorungesel elek-
durumda zayif iletkenler olarak kabul edilir. Tablo 1.1 'e bakngimzda ozdirencin de
tt'onu_ varken, silisyumun 14 adet elektronu vardir. Her bir durumda, en dt~ (valans)
yaklasik 1000: 1 'lik bir oranla farkh oldugunu goreceksiniz ki; silikon daha biiyiik bir
~a~ugunda 4 elektron bulunrnaktadrr, Bu dort valans elektronlarmdan herhangi bi-
degerc sahiptir. Boyle de olmasi gerekir, yiinkii ozdirenc ile iletkenlik ters oran-
nm uz~la~tirma~ icin gerekli olan potansiyel (iyonizasyon potansiyeli) yapidaki
1Il1d1r. Yaniletken maddenin sicakhgmdaki bir degi~me, serbest elektronlann say-
herhangi baska bir elektronu uzaklasurmak icin gerekenden daha azdir, Saf bir ger-
isuu onemli oranda artirabilir. Sicakhk mutlak sifrrdan (0°K) yiikselmeye basladikca
'.11~ny~m ~ey:_si~s~um kristalinde bu dort valans elektron, Sekil l.4'de silisyum
valans elekrronlann artarak biiyiiyen bir boltimii kovalent bag, k1rmak ic;:in 1s1l cner-
1ymgostenld1g1 gibi, 4 kornsu aroma baglidir, Hem G. hem de S;, dart valans elek-
jiyi altr ve yukanda anlat1ld1g1 gibi serbest haldeki elektron say1s1111 artmr. Arlan ta-
trona sahip oldugu icin tetravalans atomlar olarak arnhrlar.
~1y1c1 say1s1 iletkenlik oranm1 art1racak ve daha dil§iik bir direny diizcyine yo! a<;:-
acaktJr. G, ve S; gibi, artan s1cakhkta direnc;:Ierinde dil§ii§ gosteren yaniletken
maddeler iyin, negatif s1cakl1k katsay1sma sahiptir denir. iletk.enlerin bir yogunun di-

-J-L-J-L-J-L
rencinin s1cakltkla birlikte arttigm1 hatirlaym. Bunun nedeni, iletkendcki ta~1y1c1

J~·trD~t
say1sm10 s1cakhk ile onernli olyilde artmama..~1, ama nispeten sabit olan ko-
numlannm iistiindeki titre~me deseninin elektronlann geyi~ini giderek zor-
h1~tmnas1d1r. Bu nedenle stcakltk.taki bir art1§, direncin artmas1yla ve bir pozitif s1-
caklrk katsay1S1yla sonuylanmaktad1r.

j~[J~[J~t Si - - Si -
1~ ENERJiDOZEYLERi

Yahttlmt~ atomik yap1da, ~ekil l.Sa'da gosterildigi gibi her bir yorilnge elektronuyla
ilgili aynk (farkh) enerji diizeyleri vard1r. Ashnda her madde, atomik yapismdaki

r-11-11·-,
- Si - -
elektronlan iyin kendi izin verilebilir enerji "diizeyleri kiimesine sahip olacakt1r.
(b)
Elektron, yekirdekten ne kadar uzakta ise, enerji durumu da o kadar yuksektir ve ana
atomundan aynlm1~ olan bir elektron atomik yap1daki herhangi bir elektrondan daha
S<kil 1.3 Atomik Yap, (a) gcnnanyum (b) silisyum Seki! 1.4 Sili,yum atomun kovatent ba~laisn11.
yiiksek bir enerji durumuna sahiptir. Ayrtk. enerji diizeyleri arasrnda, yal1ttlm1§ atomik
yap1 iyerisinde, hiybir elektronun goziikemeyecegi bo~luklar vardH. Maddcnin atom-
Bu elektronlann paylastlmastyla olusan bu tilr baglara k~valent bag denir. Her lan kristal orgii yap1sm1 olu~turacak ~ekilde birbirine yakla§Ukya atomlar arasmdaki
ne _kadar kovalent bag1, valans elekrronlan ile ana atomlar arasmda daha saglam bir etkile§im, bir.atomun belirli bir yi:iriingesindeki elektronlarm kom~u bir atomun ayn·1
baglasuna yo! acsa da, valans elektronlannm dogal sebeplerle yeteri kadar kinetik yiirilngesindeki clektronlarrndan biraz daha · farkh enerji dilzeylerine sahip olmas1

Biili.im 1.3 Enerjl Di.izeyleri 5

4 BiilOm 1 Yanilelken Diyotlar
 Enerji

Vala.ns seviyesi
(yorUnge elckttonlan i~ercn cm dl~ kabuk)
Encrji bo~lugu
1---------H2. Seviye
Enerjl~lugu (atomlk yapidald bir sonrald kabuk) ·
sonucuna yol acar. Toplam sonuc, valans elektronlan iyin miimkiin olan enerji du-
3. seviye
rum!anna iliskin aynk diizeylerinin, §ekil l.5b'de gosterildigi gibi, bantlara ya- us (vs.)
:,,. '
yilrnasidir. Yine de atomik orgudeki herhangi bir elektronun bulunabilecegi smir
<;:cldrdck
diizeyleri ve maksimum enerji durumlannm oldugunu ve valans bandiyla iyo- + ~ I :

nizasyon diizeyi arasmda yasak bir bolgenin kaldigm: unutmaym. lyonizasyonun,

bir elektronun atomik yapidan kopup, iletim bandmdaki "serbest" tasiyicrlara ka-
... •·. ,.!!:'
tilabilecegi kadar enerjilendirilmesini saglayan mekanizma oldugunu haurlaym, -a
Enerjinin elektron Volt (eV) birimiyle olytildiigiinii goreceksiniz, Bu olytim birimi Enerji ti
.!! ii
Enerjl
. ~ : •• :J; Enorjl

tlctim

Il
uygundur, c;ilnkil tlctim
band.I tletJm bandi
band.I
,,:.:
W (enerji) = P (gtiy) · t (zaman) • •
• • • •
·A•
,-- BandlarO
E,
P=,VI £1> SeV .=l llstcblner

W= vu
'°"!;
.B c! • • •
~I V alans bandl V alans bondi

I= Q. veya Q = It • •bandi•
• Valans .. c
:t
u
~'iS

- ..
L~~le. (1.2) < > E1= l.leY
E, = 0.67eV (Ge)
Yan [letken
(Si)

hetkcn
Bir elektron ytikii ve l vollluk bir potansiyel farkrru Denklem l.2'dc yerinc ko- Yahtkan
(b)
yarsak, bir elekiron volt dcnilen bir enerji dtizeyi bulrnus oluruz. Enerji aym za-
manda jul birimiyle olc;Uldiigii ve elektronun yiikii = 1.6 x 10-19 coulomb oldugu ,,.1.;i , Enerji Dii«yicri: (a) Yallllln>lj alomik yapllarda aynk diixeylet (bl Yalttkan, yan ilclkcn ve ilctkendc
1
icin, iletim \IC vatansbantlan

W=QV=(1.6 x 10·19c}(1 v) Boliim 1 4'de oz y~uletken malzemelere bazr katkilar yap1ldtgrnda,

~1y1c1 var d 1 r. . , . . . ..

I 1 eV = 1.6 x 10·19 J I (1.3)

A§ag1daki tarusmada yok kiir,:iik sayilardan kacmrnak icin kiic;iik olr,:ii birimi
kullarulacakur,
0°K veya mutlak sifirda, yaniletken malzemelerin tUm valans elektronlan va-
lans bandmda bulunurlar. Ancak, oda sicakhgmda (300°K) c;ok sayida elektron ile-
tim bandma girmeye, yani silisyumda 1.1= -eV'luk, germanyumda 0.67 eV'luk
enerji arahgim atlamaya yetecek enerji rniktanm alrms olacakttr. Germanyum icin
belirgin olarak daha dii§ilk ol~1E8,.oda sicakhgmdaki silisyum ile k~~tmld1gmda
bu malzemedeki fazla ta§1y1c1 sayismm nedenidir. Izolator icin enerji bO§lugunun
tipik olarak 5eV'dir. Cok az elektron oda sicakhginda gerekli enerjiyi ala-
bildiginden, malzeme bir yahtkan o!arak kalmaktadir. Bu nedenle dogal olarak
oda srcakligmda biiyiik bir yuk akI§l veya akmu sagrayacak fazlaca serbest ta-
yasak bantta izin verilebilir enerji durumlan ve her iki yaniletken malzeme. icm
Es'de net bir azalma dogacak, sonuc;ta oda sicakhgmda iletim bandmda artan bir ta-
§ty1c1 yogunlugu olacaknr,
1.4 i<ATl<ILI MALZEMELER- n · VE p ·TiPl
Yaniletken malzemelerin karakteristlikleri, nisperen' saf yaniletken malzemeye b~z1
katki atomlan eklenerek onemli olr,:iide degi§tirileoilir. Bu katkilar, ancak 10 mil-
yonda J orarunda ekleniyor olrnasma karsm Bant\-ap__1~1~1, ":1~1zemenin elektrik~el
ozelliklerini tiimiiyle degi§tirmeye yetecck olc;iidc deg1§llreb1hr. Bu katk,lama I§·
lemine tabi tutulan yaniletken malzemeye, katk,11 malzeme denir. Y~li!etken ~l~-
man iiretiminde paha biyilmez onemde iki katlah malzeme vardir: n-up1 ve p-t1p1.
Bunlann her biri, ll§ag1da aynnuh olarak anlatllacaktrr.

BolUm 1.4 Katk1h Malzemeler • n-ve p-Tlpl 7

6 B610m 1 Yanlletken Dlyotlar

.,
n-Tipi Malzeme
Hem 11- hem de p- tipi malzeme bir gcnnanyum veya silisyum tabana. on-
ceden belirlenrnis sayrda katki atomu ekJenmesiyle olusturulur. n-tipi malzerne.
antirnon, arsenik ve fosfor gibi bes valans elektronuna sahip (pentavalans) katki
maddeleri eklenerek olusturulur, Bu katki maddelerinin etkileri ~ekil I.6'da
gosterilrnistir (silisyum taban iizerine katla olarak antimon kullarulrmsnr), Dort
kovalent bagm halen mevcut oldqg~na dikkat edin. Ancak, katkt atomundan do-
Iayi ck bir besinci elektron vardir ve belirli herhangi bir kovalent bag ile iliskisi
yoktur. Geri ye kalan ve- ana (antimon) atornuna gevsekce bagh olan bu elekt-
ron, yeni olusturulan n-tipi malzeme icerisinde nispeten hareket serbesrisine sa-
hiptir. Eklenen katkt atomu _ni~peten serbest bir elektron katkismda bulundugu
n-tipi ma!zemede an!imon katk!SI
i9in bes elektrona sahip katki maddelerine katki atomlan veya donor atornlan
denir. 11-tipi malzemede ,;:o~ · sayida "serbest" tasiyicrlar olusmasina ragmen
rnalzernenin atom cekirdegindeki pozitif yuklu protonlann sayisi ideal yapida
serbest olan ve ycrungede bulunan negatif yiiklil elektronlann sayrsina esit
oldugundan, elektriksel clarak notr durumunda olduguna dikkat ediniz. Bu
katkilarna islerninin nisbi iletkenlik iizerindeki etkisi en iyi ~ekil l.7'dek:
enerji bandi diyagrami ile tarumlanabilir. Yasak bantta E ,'si oz malzerueden
onemli olcude dilsuk olan ay}lk bir enerji duzeyinin (donor diizeyi olarak
adlandmltr) ortaya ,;:1kt1gtna dikkat ediniz. Eklenen katkrdan gelcn bu ser-
best elektronlar, bu enerji diizeyinde kalrr ve yeterli olcude lSII enerji alarak
oda stcakhginda iletim bandina gecmek icin hi~ zorluk cekmezlcr. Bumm so-
nucunda oda s1cakhgmda, iletkenlik dilzeyinde cok sayida ta§ty1c1 (elektron) vardir ve
8 Bolilm 1.4 Katk1h Malzemele_r - 1>-ve p- Tipl
Boliim 1 Yartiletken Dlyotlar
malzemenin ·i.letkenligi onemli ol,;:iide artmisur, Oda sicakhgmda bir oz Si mal-
zemesinde her 1012 atom icin (Ge i9in I ila 109) yaklasrk bir serbest elektron bu-
lunur. Katki diizeyimiz 10 milyonda (107) I olsaydi, (1012/ 107 = 105) oraru tasiyrci
yogunlugunun 100,000:1 oranmda artngm: gosterecekti,
Energy I' r,
,---,r--'--"--;..;...L-£/;;0.05~V (Si, 0.0leV (Ge)
E1llncelcl gibi Vcriti ~rji dilzeyi
! :;r:
,:.·,,
:.·11·.1~-
$ekil 1.7 Enerji band, yaprs: iizerinde verici kal-
k1s1mn elkisi
p- Tipi Malzeme
p-tipi malzeme, saf bir germanyum veya silisyum kristaline ii~ valans elekt-
ronuna sahip katk.t atomlan eklenerek olusturulur, Bu amacla en sik kullarnlan ele-
mentler boron, galyum ve indiyumdur. Bu elementlerden boron'un silisyum taban
uzerindeki etkisi Seki] l .8'de gosterilmistir, .
Dikkat edilirse, yeni olusturulan orgude kovalent baglan tamamlamak icin ye-
terli sayida elektron olmadig; gorulecektir, Sonucta ortaya cikan bu bo§luga delik
denir ve negatif yilk olmamasi nedeniyle kucuk bir daire veya matematiksel arti isa-
reti ile gosterilir. Ortaya cikan bosluklar serbest elektronlan almaya hazir ol-
dugundan, eklenen katkilara ahct (akseptor) atomlar denir. Olusan p-tipi maJzeme, n-
tipi malzeme i~in gecerli olan nedenlerden dolayr, elektriksel olarak notr durumdadrr.
Deligin iletkenlik iizerindeki etkisi ~ekil l.~;da gosterilmi§tir. Eger bir valans
elektronu kovalent bagm1 koparmaya yetecek ki~etik enerjiyi altr ve deligin ya-
ratt1g1 bo~lugu doldurursa, bu durumda elektronu b1rakan kovalent bagda bir delik
veya bo~luk olU§Uf. Bundan dolayt ~ek:il l .9'da da goriildilgii gibi deliklerin ha-
reketi sagdan sola, elektronlannki ise soldan saga dogrudur. Bu kitapta kullamlacak
olan yon, delik ala§ yoniiyle gosterilen geleneksel ala§ yontidiir.
Saf halde, Ge veya Si'deki serbest elektron_ /,if\s1sadece valans bandmda bu-
lunan ve 1s1 veya 1~1k kaynaklarmdan kovalent bag'i'icoparmaya yetecek enerji alan
,
veya tam ,afs1zla~tmlamamaktan kaynaklanan az say1daki elektrondan olu~ur. Ko-
valent bag yap1smda geride kalan bo~luklar ~ok s101rh delik kaynag1 durumundad1r.
Bir n-tipi malzemede, delik say1s1 bu oz dtizeyden pek farklila§mam1§Ur. Yani so-
9
 Benzer nedenlerden dolayi ahci (akseptor) atom icin de negatif isaret kullamlir.
n- ve P: tipi malzemeler yaniletken elemanlann temel yap; taslanrn olusturur,
Bu boliimiln ilerki kisrmlannda tek bir n-tipi malzemenin p-tipi bir malzeme ile bir-
lestirilmesinin elektronik sistemlerde oldukca onernli bir yaniletken eleman olus-
turacagmi gorecegiz.

1:5 iDEAL DiYOT

Tanrtacagmuz ilk elekrronik eleman, diyottur. Y aniletken elemanlann en basiti ol-

masma ragmen, basil bir anahtannkine benzeyen karakteristikleri ile, elektronik sis-
"";!' -1 ;I ~ckil J .S J>-lipi malzemcd~ boron tcmlerde cok onernli rol oynarlar. En basitinden en karmasigma kadar i;:e§itli uy-

L---- ~-?L~ - L~
kutk1s1

. . . - \ Si- L.-· -----.j-

gulamalarda karsirmza r;1kacakt1r. Yapisi ve karakteristiklerine iliskin detaylara ek
olarak, veri sayfalannda bulunabilecek cok onemli bilgilerin . ve grafiklerde kul-
- - Si. - . Si - - Si -

JI=f1;[;[J:L
larulan terrninolojinin anlasilrnasrm sagfarnak ve iireticilerden almabilecek tipik
bilgi zenginligini gosterrnek icin bu tiir veri sayfalan da ele ahnacaknr,
Gercek bir diyodun yapismi ve karakteristiklerini incelemeden once, kar-
§1la§t1rma olanagi verrnek arnaciyla, ilkin ideal diyodabir goz atacagiz, idealdiyot

iM--r-
-:s1- -·ir·- -st-
t: r---------7- \1
-Si-
sirasiyla ~ekil l.lla ve 1.llb'deki sembol ve karakteristiklere sahip iki uclu bir
elernandrr.
A§ag1da gorecegimiz elemanlann aciklarnalannda kullarulan cesitli harf sem-
Delikaklfl bollerinin, gerilim polaritelerinin ve akim yiinlerinin tarumlanrms olmasi onemlidir,
Hlelctron'WJI Uygulanan gerilimin polaritesi, ~ekil 1.1 I'da gosterildigi gibi ise, Sekil 1.1 lb'de ka-
~\·kif f .c, Elcktron..ctelik. aka:p rakteristigin goz ominde tutulacak parcasi dikey eksenin saguilr. Ters bir gerilim uy-
gularursa solda verilen karakteristikler gecerli olacakur, Diyottan gecen akim, ~ekil
nui;:t~, el~kt'.~~ s.a~1s1 delik sayisuu fazlasiyla asrnaktadir. Bu nedenle ~ekil l.lOa'da
1.1 Ia'daki yonde ise karakteristigin dikkate almacak boli.imii yatay eksenin tisnidur.
da ~ostenld1g1 gibi, elektrona r;ogunluk tasiytcts: ve delige de azmltk tastyicts: denir.
(~ekil 1.11) Tcrsine bir durum karakteristigin yatay eksenin alnnda kalan kisrnmm
~ekil 1.10.b'de bunun tersinin p-tipi malzeme icin gecerli olduguna dikkat edin. Bir
kullamlmasuu gerektirir. Bu kitapta islenecek diyot karakteristiklerin biiyiik i;:o-
d?nor atornun besinci elektronu ana atomdan ayr1ld.tgmda, geride lcalan atomun net
gunlugu icin ordinat; aktm ekseni, apsis ise gerilim ekseni olacakur, .
bir pozitif yiikii olur; bundan dolayi donor-iyonu gtisterimindc isareti vardir, art, Diyoda iliskin onemli parametrelerden bir tanesi r;:al1§ffia bolgesi veya nok-
Verici iyonlan - <;:ogwuuk Ab~1 iyonlan . tasmdaki direnctir, ~ekil l. l Ia'da i;nin yonu ..ve. ..V J.nin polaritesi ile. tanimlanan

r!·+·.
. + I. ~ .

r-~+A+--::j+- ...,..,.. --1_-+·-··1 d

lH:- +. ~ +-- _ +
1

[. +
,· -

+
Azmhk
~1yictlan
+ '
r·_
- +
_ ++ .-
+
-· ---·-· - o~
+

.......,
+,- . ~ Allnlak + - + +
+: - +· . ~1yu:tla.n ud

I.'..
.; +
. ..., +- - + +~-
- 0
1 ·.;
. --:., -\ f
0

<;:ogWllukta.,iy1C1lm Id
Snkil 1.11 Ideal diyot..
(a) (b) (b) (a) sembol
(a)
(b) Karakteristik
:~,-1,il 1.lfl (a)11-tipim.alzemc

10 Bol!im 1.s ideal Diyot

Bol!im 1 Yanllotken Dlyotlar 11
 bolgeyi (Sekil 1.llb'nin sag iist bolgesi) dikkate alacak olursak, Ohm kanunu ile be-
lirlenen ileri yi:in direnci R /nin degerinin;

R1=Y..t_=-·---~~----=OQ

- -
11 2, 3, mA , ... , veya pozitif deger

-
oldugunu buluruz; burada VJ, diyot ilzerindeki ileri yi:in gerilimini ve lf ise diyot'tan
gecen ileri yon akmudir. ~
Id
Bu nedenle ideal diyot, ileri yonde iletim icin bolgesi icin kisa devre ele- id

- - --
(a)
manidir (id*' 0).
~imdi ~ekil 1.1 lb'in ters yonde uygulanan potansiyele iliskin bolumune (iictln- ~ ~-:
id= 0
cil ceyrek) bakacak olursak, id
(b)
R, = V, = -5, 20, veya ters yonde herhangi bir potansiyel deger! .• ,:t.

i O
:p,f- !-,·kil 1. IJ 'Uysulama devrenin nkun yllnUyle bclirlendifinde ideal diyodun (a) ilc1mc ve (b) ile1momo durumt:i;•·
= Cok biiyiik sayr, amacrrnrza uygun olmasi icin . i~: ! ·.

sonsuz (oo) kabul edecegiz, 1.6 TEMEL YAPI VE KARAKTERiSTiKLER'--": :,

Burada Vn diyot iizerindeki ters yon gerilim ve I, ise diyottan ters yonde akan akrmdir,
Bu nedenle ideal diyot, iletimin 9lmadtg1 bolgede bir a¥1k devre elemamdir (id= 0).
Bu bolurnun baslannda, hem 11- hem de p~tipi malzeme tanrnlrmsu. Yaniletken
Ozetle Sekil l.12'de gi:isterilen kosullar gecerlidir,
diyot, bu malzemeleri, ~ekil I.l4'de gcsterildigi gibi ve bolumiin ileri kisrmlannda
tammlanacak teknikler kullanarak biraraya getirmekle olusturulur (G, veya S; gibi
ayru taban kullamlarak). iki malzernenin "birlestirildigi" anda jonksiyon bi:il-

-
+ Kisa devre
vd
O>------il.i9t---O ~ ./.·
i,c (devrcylc suurh)
(a)

~-·
(b)

Scki1 1.12 Uygul~nan ong..:,llimlcmeyc

gore ideal diyodun iletme ve ilecmcmc
,J.urumlan.

Genelde, uygulanacak gerilimin olusturacagi akirn yontine Cid) bakarak bir di-
yodun iletme veya iletmeme bi:ilgesinde olup olmadigrru anlamak nispeten kolaydtr,
Klasik: ala§ yonii (elektron akisirim ters yon!i) icin eger akan akim, diyodun sembolii
iizerindeki ok ucu ile aym yorie sahipse, diyor iletim bolgesinde c;:ah§1yor denir. Bu,
p n
sekil l.13'de gosrerilrnistir,
Pratik bir diyodun gercek yaprsi ve karakteristigi 2. Bolumde anlanlmakradir.
Ileri ve ters yondeki direnclerin degerlerini az i:ince elde edilenlerle karsilasnnn ve Ongerilim yok 'd
ideal diyodun gercek diinyadakine uyup uymadigma karar verin. ·,
)~~ii I.tr I l:uici Nl~crilimk..'tllCOinolmad1~1 ,luni od., p·n \uU. ·iyouu

12 BolOm 1 Yanlletken Diyollar Bolum 1.6 Temel Yap, ve Karakterlstikter 13

 gesindeki elektronlar ve delikler birleserek, jonksiyona yakm bolgede bir tasryic)
eksilmesine yo! acacaknr, Pozitif ve negatif iyonlardan olusan bu bolgeye, bu bol-
gcnin tasiyicilardan bosaltilrrns olmasi sebebiyle, bosalulmis bolge denir.
Bosalulmis bolgede bulunan n:tipi rnalzemeye ait azmh.k tasiyrcilan. dogrudan p-
tipi rnalzemeye gececeklerdir, Azfr1hl<- tasiyicilanrun, jonksiyona yakm olrnasi, negatif
iyon tabakasmm o oranda gil9J'u"ohira.k 9ekilrnesine, uza.k olrnasi ise, n-tipi rnal-
zemcnin bo§altllm1§ bolgesindeki pozitif iyonlan itrne gucunuu o oranda azalmasrna
neden o!ur. Ilerki tartismalannuz acismdan rastgele hareketlerinden dolayi kendilerini
etkin olarak srfira inidirecektir (!;iekil 1.15).
Anca.k bo§allllm1§ bolgeye giren azmhk ta§1y1c1lann say.ts1 degi§meyecek, bu
da ,<;;ekil l.14'te verilen ve gerilirnin uygulanmad1g1 durumla aym bilyilkliikte azmb.k
ta§1y1c1 ak1§ vektorleriyle sonu9lanacakur. Bu ko§ullar altmda ortaya ~lkan ak1ma rers
doyma akmn denir ve s indisi ile gosterilir. Bu alam, baz1 yUksek giiy elemanlan d1-
§tnda ender olara.k birka~ mikroamperi ll§an biiyiikliiktedir. Terimdeki "doyrna" ke-
limesi bu ak1mm azami degerine yabucak ul8§mas1 ve tersine ongerilimlerne po-
tansiyelindeki art1§la beraber onemli tilyude degi§memesi ger9egine dayanmaktad1r.
~ekil l.15'de gosterilen durumu tersine ongeril{rr1lqme durumu dcnir.
. .,:..,;.

bosalulmrs bolgede bulan n-tipi rnalzemeye ait tiim azmhk tasiyrcrlanrun, p-tipi mal- -1, Aztnbk~1y1c1 ~·-·...-:
zerneye gececegini varsayacagiz, Benzer bir varsayirn, p-tipi malzernenin azmhk ta- I~un1ulc - 0 '" . ' . .
§Iy1cllan (elektronlan) icin de yapilabilir. Tasryicilann bu sekilde ala§! ,<; ekil 1.14'de - + . - - - .+ .+ + + - ···! '.~_,, . .i w
- ... +... ..._
her bir malzemenin azmhk tasryicilan iyin gosterilmistir, + -- + - __ + + + ; + .....;'! I ,1•:'J

n-tipi malzernenin yogunl~k ta~1y1c1lan, p-tipi malzemedeki notr bolgeye gtiy + + - - - - + ++ - + + i ,,_; :,
-- +----+++_+ __,
edebilmek icin, zr-tipi rnalzemedeki pozitif iyon katmanm cckim giiciinil ve p-tipi
malzemedeki negatif iyonlann olu§(U:rdugu kal.kam asmak zorundadir, Anc~k n-tipi p n
malzemedeki_ yogunluk tasryrcilanrun sayisi o kadar bilyiiktiir ki, kacirulmaz olarak ~-hilu;; Ttt.re~~1,-rr jonk-
p-tipi malzemenin bosalnlrms bolgesine gecebilecek ycterlilikte kinetik enerjiye ~iyonu
sahip cogunluk tasiyic; sayrsi 90.k az olacaknr, Yine, aym olay p-tipi malzernedeki
9ogunluk tasryicilan icin de dil§iiniilebilir. Sonucta ortaya 91kacak cogunluk ta- +
v
§ty1c1larmm akis. da, !;iekil 1.14'de gosterilmistir, ileri Yonde Ongerilimlemc Dun.:mu
Sekil l.14 dikkatlice incelendiginde, akis vektorlerinin nisbi biiyilkli.iklerinin,
her yondeki net a.kl§ sifir olacak §Ckilde oldugu ortaya crkar, Vektorlerin bu sekilde
birbirlerini gtitiirmeleri kesik 9izgilerle gosterilmistir, Bilyiikliiklerin birbirlerini go- ileri yonde ongerilimleme dururnu, .<;;ekil 1.16'da gostcrildigi gibi, p-tipi mal-
turmeleri icin e§it olmasi gerekmedigini ve her malzerne icin katki diizeylerinin
zemeye pozitif potansiyel ve 11-tipi, malzemeye de negatif potansiyel uygulanarak
delik ve elektronlarm esit olmayan tasiyici- akisiyla sonuclanabilecegini gostermck
saglamr (ileridcki tart1~malar ayismdan. ileri tingerilimleme durumunun; ilk harf-
_ icin dclik akisrru temsil eden vektor, elektron akisma ait olan vaktordcn daha uzun
-1,
'yizilmi§tir. Ozetle, gerilimin uygulanmadtgi durumda herhangi bir yone olan net yuk
akts: stftrdtr. -------~u);
.
- + - - + +!"- +
+ ----+-+_t, + -
T-.,;·:;.ine bnr1eri!imleme Durumu _-. ' + - ' - + +; - +
+ +- +.-+ ~+ +
- - + - - + +: - + -
!;iekil l.15'de gosterildigl gibi p-n jonksiyonuna, pozitif us; n-tipi rnalzcmeye ve n
p
negatif Uy da p-tipi malzemeye bagtanacak §ekilde V voltluk harici bir potansiyel uy-
gulandrgmda, n-tipi malzemenin bo§alUlmr§ bolgesindeki iletime katilmayan pozitif
iyonlarm sayisi, uygulanan gerilirnin pozitif potansiyel tarafma cekilcn s;ok sayrdaki
"serbest" elcktron dolayisiyla artacaktrr, Benzer sekilde, p-tipi malzeme icindeki ile- +
time katilmayan negatif iyonlann sayisi da artacaktir, Bunun net sonucu bosalnlmis v
bolgenin genislemesidir, Bosalnlnus bolgenin bu genislemesi, yogunluk tasryictlann
asamayacaklan kadar bilyiik bir engel olusturacak vc yogunluk tasryicisr akrsim

14 · Boliim 1 Yaniletken Diyotlar BolOm1.6 Temel Yap1 ve Karakterlstlkler

15
 halde, dilsey eksenin akmu gi:isrerdigi yaniletken diyotlar da mevcuttur.
25 Katihal fizigi kullarularak bu diyot akimt ile sicaklik (TK) ve uygulanan on-
gerilirn (V) arasmda a§ag1daki rnatematiksel iliskikurulabilir:
20
(1.4)

(5 (lleri l\ngerilimbo!gcsi)

Burada ls= ters yonde doyma akimi

. k = 11.600!/ 11
10
i ..
ve id'nin kii9tik degerleri icin Ge'de 71 =l ve Si'de 11 = 2'dir.

s /d(mA)

60
..•• J.~-. I
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 I
v4(volt) I
.:•., so Eq. (1.4) I
-5 <,
r (Geri ongeriltrnbolgesi)
40 I
I- Ticari piyasada mevcut
-10 I tipilc Si iinltesi
i T-25°C (Oda s1cakh*1)
30
-IS i
I
20 l
I
-20 I (ilerfongerilimbolgesi)
I

-25

30 20 10 . v,1(voll)
Is
lerin kar~1hg1 olarak p-tipi malzeme ve pozitif veya n-tipi malzeme ve negatif ola- 2µA
rak tamrnlandrgiru hanrlaym). Azmhk tasiyrcisr akisrrun §iddetinin degi~medigini,
Ilk ~eyrekten 3µA
buna karsihk, bosalnlnus bi:ilge geni§ligindeki azalmamn, jonksiyon iizerinden
itibaren olyegin
biiyiik _bir 9ogunluk t8§1y1c1S1 akisina yol ayllgma dikkat edin. <;ogunluk ta§1y1c1s1 akr- nasrl degl~igine 4µA
dikntedin
sirun siddeti, ,5ekil l.17 ve $ekil l.18'de gosterildigi gibi ileri ongerilirnlemenin ar- ' .
(Ters 6ngc.. ilim b6lgesi)
l!§1yla birlikte ustel olarak artacaknr, ,5ek:il l.l 7'de, cok buyuk negatif gerilimler di- ·
'smda ideal diyotla olan benzerliklerc dikkat edin, Eksen sisteminin ilk bolgesindeki 1:'·

kayrna vc ii9iincii bolgedeki keskin dii§ti§ bu bolumde inceleneccktir, Tekrnrlamak ~<·1,il I .IX Yoriilelkcn ;liyo1 (S;)kurnk1eris1ifi.

gerekirse, ilk bi:ilge; ileri ongerilimleme bolgesini ve ii9iincii bolge de; tersine on-
gerilimleme bolgesini temsil etmektedir, $ekil l.18'de hem gerilim hem de akirrun bo-
ve hem G, hem de S; icin karakteristigin dusey lasmmda r, = 1,
yutlanndaki asm degi§iklige dikkat edin. Bu degi§im, aktrn icin 5000: 1 orarundadir.
TK=Tc+273° (TK=°K,Tc=°C)
Sekil l.18'de gosterildigi gibi, kuciik birimlerin 9ogunlugu icin dusey eksen mi-
liamper cinsindendir. Ancak gunurniizde kihflar 1/4 inch boyutunu ge9medigi

Bol!im 1.6 Temel Yap, ve Karakterlstlkler

16 Bo!Om 1 Yanllatken Diyotlar 17
 sabit gcrilim ctkisi, diyot uzerindeki ters yonde biiyiik bir ongerilim duzeyinden kay-
Bunun yanmda, V'deki arnsm, /'mn·da iistel bicirnde artrnasi sonucunu doguracagina
dikkat edin. Piyasadan alman bir silisyum (Si) diyodun tipik ozellikleri; yaniletken
naklanmakradir, Uygulanan ters yonltl potansiyel, negatif yonde daha da arunldikca, az
sayidaki serbest azinhk tasryicismm, iyonizasyon yolu ile ck tasryicilan serbest hale ge-
malzemenin giivde veya kiitle direnci ve yaniletken malzeme ile d.t~ rnetalik ilctkcn
tircbilmeyc yetecek hiz kazandiklan bir noktaya ulasilacakur, Yani, valans elektronlan
arasindaki temas direnci nedeniyle, !jekil l.18'deki ozelliklerden biraz farkli ola-
ile 9arp1§acak ve bunlara ana atomdan kopmalarnusaglayacak yeterlilikte enerji ak-
cakur, Bu direncler egrinin, !jckil"lJ8'de kesik yizgi boyunca ileri ongerileme bol-
gesine dogru hafifcc kaymasma yol 'a9acakt1r. Yapim teknikleri ilerledikce ve bu is-
taracaklardir. Ardmdan bu ek tasryrcilar, yiiksek.bir fig akimimn olusturulup, fig ks-
nlma bolgesinin belirlendigi nok.taya kadar iyonizasyon siirecinc katkida bulunabilirler.
tenmeyen direnc diizeyleri dii~iitiildiikye, ticari olarak satin almabilen birimler
Denldem (1.4) ile tarumlanan karakteristlige yaklasacaknr,
<;1g bolgesi (Vz), p- ve n- tipi malzcrnelerdeki katki diizeyleri yiikseltilerek
dii§ey eksene daha da yaklastmlabilir, Ancak,,Yz, .~n1egin - 5 V gibi cok dii§iik du-
(1.4)'nolu denklemin pratikte ·~-ekil l.18'in egrilerini temsil ettigini gostermek
zeylere indikce, Zener kirtlmasi denen baskabir.mekanizma karakteristiktcki kes-
uzere, 0.5V'Juk ileri ongerilimlem1tvoltajmm oda sicakhginda (25°C) yaratacagi I
kin degi§ime katkida bulunacakur, Bu olay, jonksiyon bolgesinde, atomdaki baglan
akimiru bulahm. ..- .. ,,.:"
I) :,. : '. koparabilecek ve tasiyic; "uretilebilecek" giiylii bir elektrik alarurun bulunmasmdan
I,i;,;-1,:µA = l x 10·6 A kaynaklamr. Herne kadar Zener kmlmasi anp,~ dii§iik Vz diizeylerinde onernli bir
···;r! ·,; ti. · katki durumunda olsa da, karakteristik uzerinde, herhangi bir dtizeyde keskin de-
Tk ==Tc+ 273 ° = 25° + 273 ° = 298° gi§imin oldugu bolgeye, Zener bolgesi, ve p-~-jo'nksiyonunun karakteristiginin bu
.· :·i '. ;iJ~ ~ .
k(Si).;;;.},+,pOO.= 5800 ozgiin k1smm1 kullanan diyotlara da Zener di7otlari denir. Bunlar 3. Boliimde ay-
2· nnt1h olarak anlaulacaklard1r.
kV = (5800) (0.5) = 9_732 id (mA) I
I
TK 298 30

· l:;: ls(e9·132 - l):;: (1 x 10·6) ( 16848 - I):;: I ~.848 x ~ ~-3

I
L
25
I ;;; 16.8 mA
I
I
Si
20 .j
Sicakhk, diyottan akan alam iizerinde belirgin bir etki olusturabilir. Bu etki, 1.4 1
no'lu denldemdeki TK faktoru ile aylkya belli olmaktadir. Degisen TK'nin etkisi I
I
boliirn sonundaki problemlerde ileri ongerilimteme durumu icin belirleneccktir. Ter- lS
I
sine ongerilimlcme bolgesinde, ters yiinde doyma akinu Is'nin, sicakhktaki her
J0°C'lik degi~im icin siddetinin hemen. hemen ikiye katlandigt deneysel olarak go- JO 1
I
rillmiistiir, Ornegm ls degeri 25°C'de I veya 2 µA diizeyinde olan bir germanyurn
diyodunun 100°C de, 100 µA~ 0.1 µA'lik bir kayak alama sahip olmasi olagand1§1
deg.ildir. Tersine ongerilimleme bolgesinde bu §iddetteki alam duzeyleri, tersine on-
gerilimleme bolgesinde gormek istedigirniz acik-devre durumunun gerceklesmesine
golge dii§iirecektir. Silisyum'!tipik ·d~iederi, benzer gui ve
akim duzeylerinde ger-
Yz (Si)
ls (Si)• 10 nA

Vz (Ge)
5

_,./ /i
O. J 0.2 0.3 ·0.4 O.S 0.6
2µA I
oi7 0.8 ''d(voll)
manyumunkinden cok daha dii§iiktiir. Bunun sonucu olarak yuksek sicakhklarda t 41,1A
Yr (Ge) Vr(Si)
ls (Ge)
bile silisyurnun ls degerleri, germanyumda gorulen yiiksek degerlere ulasmaz ve bu
6µA
da silisyum elemanlann tasanmda daha yOk kullamlmasmm en onemli ne-
denlerindendir. Temelde, tersine ongerilimlerne bolgesinde acik devre esdegeri, her
Si Ge
sicakhkta silisyum ile germanyumdan yOk daha iyi gerceklestirilmektedir,

~ekil l.19'da vcrilen, V. ters yonde ongcrilimlerne potansiyeli altmda (Z, Zener
~('!,II l, 19 Si ve Ge yaniletken diyotlannL:al}1l~l1nlm,1~1
admm b~ harfidir) karakteristigin nasil keskin bicimde dcgi§tigine dikkat edin. Bu

BolOm 1 Yaniletken Diyotlar BoJOm 1.6 Temel Yap, ve Karakteristikler 19

18
 1.7 DC VE.VA STATit< DiRENt'.;
Ters gerilim bolgesine ili§kin karakteristikte gorulen keskin degisrnenin. her- I
hangi bir sisternin cevabmi tiimiiyle degi§tirrnesi istenmiyorsa, soz konusu ya-
., niletken diyodun Zener bolgesinde ~ah§1lmamas1 gerekir. Bu bolgeye girmeksizin Diyodun, belirli bir r;ah§ma noktasmdaki direncine de veya statik direnci denir. ~u
uygulanabilecek malcsimum tersine ongerilimleme potansiyeline, ters tepe gerilimi sekilde hesaplamr;
• (veya basitce PIV degeri) denmektedir. Eger bir uygularnada tek bir i.initenin sag-
hyabilcceginden daha fazla bir PIV degeri gerekiyorsa, ayru karakteristige sahip bir- (1.5)
~ohm
kac diyot seri sekilde baglanabilir. Diyotlar paralel baglanarak da, a.lam tasima ka-
pasitesi arnnlabilir, ~
~ekil l.20'deki ideal diyot icin, i,1 = 20 mA'deki de direnci;
Germanyum-Silisyum Ka_r~1la~t1rmas1
Roc=~=_Q_=On
Silisyum diyotlann, geneldc gerrnanyum diyotlara gore daha yiiksek bir PIV ve lo 20mA
akim degeri ile daha genis bir sicakhk arahg1 vardir. Silisyum icin PIV degerleri beklendigi gibi; buna karsrlik silisyurn diyodun de direnci ise;
1000 V'a yakm olabilirken, germanyurn icin maksimum deger 400 V'a yakmdir. Si-
lisyurn, 200°C'ye kadar sicakhklarda kullarulabilirken, gerrnanyumda maksimurn St- Roe= Vo= _QJL_= 40 Q
cakhk cok daha dii§tiktiir (100°C). Ancak germanyuma kiyasla silisyumun de- lo 20mA
zavantaji, Sekil l.l8'de de goriilecegi gibi, yukari sahmm bolgesine ulasmak icin id= 20mA'de ideal diyodun direnci On olarak kahr, ancak simdi silisyum diyodun
daha yiiksek bir ileri ongerilim diizeyinin gerekli olmasrdir. Piyasadan satm alman direnci;
silisyurn diyotlarda bu deger 0.7 V iken, gerrnanyum diyotlar icin 0.3 V'tur, Si-
lisyumdaki daha yiiksek saprna temelde (I-4) denklemindeki 1J faktorunden kay-
Rdc =Vo=~= 250 Q olarak bulunur.
naklanmaktadir. Bu faktor egrinin sneak dii~iik akim diizeylerindeki scklini be- lo 2mA
'Iirlernede rol oynar. Egri dikey olarak yiikselmeye basladiktan soma, Tl katsayisi I'e
iner (germanyum icin siirekli deger). Bu, sapma potansiyeline ulasildigmda eg- Sonuclar, ileri ongerilimleme bolgesindeki bir diyodun de direncinin, daha yuksek
rilerin benzerliklerinden gorulebilir. Bu yiikselmenin ba§lad1g1 potansiyel genelde gerilim ve akimlara yaklasukca azaldrgim gostermektedir,
sapma, esik veya atcsleme potansiyelr olarak amhr. S1k stk, belli bir niceligi ta- va= -lOV'daki ters yonde ongerilimleme bolgesinde ideal diyodun direnci, teorik
mrnlayan bir terimin ilk harfi, bu niceligin gosteriminde kullamhr. Ancak baska te- olarak (acik-devreye karsihk gelecek sekilde) soosu:z.dur ve §U formulle hesaplarur:
rimlerle, ornegin ytkl§ gerilimi (V0) ve ileri yonde gerilim (VJ) ile dogabilecek ka-
fl§tkl1g1 en aza indirebilmek icin, bu kitapta, "esik" (threshold) kelimesinden
turetilerek Vt sernbolu benimsenmistir.
30
Kisaca:
- SUil.')'Ulll

20 ------
Vr=0.1 (Si)
Vr= 0.3 (Ge)
10 I

;! I
I
Acikca gorulebilecegi gibi yukan salrmrn, dikey eksene ne kadar yakmsa, eleman da
o 51,;iide "ideal" olacaktir. Ancak germanyuma ktyasla silisyumun diger ka- I O 0.5 0.8 v,1(volt)
....!.--____.... 2 µA
rakteristikleri onun dcari elemanlannm r;ogunlugunda tercih edilmesini sag- Silisyum
lamaktadir.

20 Boliim 1 YaniletkenDlyotlar asrem 1.7 DCveya Statlk Dlren~ 21

 Diyod kamkteristigi
Silisyum diyodun direnci ise,

Rdc= .!'.'.Q= -=.J.Q_= 5 Mil

ID -2 µA

ki bu da bircok uygulama icin kesinliklc bir acrk devreye karsihk gelir.

Bclirli bir yah§ma noktasinda de direnei bulundaktan sonra, diyodun yerine
~ekil l.2l'de gosterildigi gibi bir direnc elernarn konularak analize dcvam cdilcbilir.

akun duzeylerindc ac direnci cok daha biiyiikken, karakteristikligin diisey yiikselis

bolgesindeki ac dircnci oldukca kiiciiktiir.

1.8 AC VEYA DiNAMiK DiRENc;

CJl~:\EK 1.1

Seki! l.20'den acikca gorulebilecegi gibi bir diyodun de direnci, soz konusu noktayi
~ckil l.23'deki karakteristik icin:
cevrelcyen bolgedeki karakteristigin biciminden bagrmsrzdir. Dogru gerilim yerine
(a) 1. bolge icin ac direncini bulun.
sinusoidal bir giris uygulandiginda durum tamamiyle degi§ecektir. Degisken giris,
(b) 2. bolge icin ac direncini bulun.
karakteristigin bir bolgesindc anhk 9ah§ma noktasmi a§agiya-yukan harekct et-
(c) (a) vc (b) krsimlannm sonuclanru karsilasunn,
tirecek ve ~ckil l.22'de gosterildigi gibi akirn ve gerilimde ozel bir degi§imi gos-
terecektir, Degi§ken bir sinyal uygulanmadrgi takdirde 9ah§ma noktasi, uygulanan
de diizeylcri tarafrndan belirlenen ve ~ekil 1.22 gosterilen Q-noktas1 olacakur, Q-
<;oziim:
noktasi terimi "hie degi§Jneyen duzey" anlamina gelen quiescent (siikunct) kc-
(a) I. bolge icin
limesinden turetilmistir.
Q-noktasindan geyen egriye 9izilen tegel, diyot karaktcristiginin bu bolgcsl i9in
ac vcya dinamik direnci hesaplarken kullarnlabilecek akun ve gerilimdeki degi§iini
~vd = 0.72 - 0.57 = 0.15 v Md= (6-2) mA = 4 rnA

tarumlayacakur, Denklem §eklinde yazrnak gerekirse: ve r,11=6V!£=0.15V::37.50

M,r 4mA

(b) 2. bolgc icin

(1.6)
6Vd: 0.8 - 0.78 = 0.02 V 6/J= (30- 20) mA = JO mA

Egim nc kadar dik ise, Afd'daki ayrn degi§meyc karsilik ~Vinin degeri o
ve rc1i=o.02v =2n
kadar clii§iik vc dolayisiyla direnc de o kadar kucuk olacaknr. Dolayisryla dii§iik lOmA

22 BolOm 1 Yaniletken Dlyotlar B610m 1.8 AC veya Dinamik Direni;

23
 Ge ve Si icin karakteristigin dii~ey-yiikseli~ bolumunde T/ = 1 koyarsak

k = 11.600 = lL..2QQ.= !l.600

T/ .I

30 ---------------- elde edcriz ve oda sicakhgmda,

TK =Tc+ 273° = 25° + 273° = 298°

25 2
:, s.= !.l...QOQ.= 38.93
boylece TK 298
w ---------------
ve JJL= 38.93/ sonucunu buluruz.
dV
15
Sonucu bir direnc oraru (R = VI[) elde ctmek icin cevirirsek

10 dV = 0.026
di I
s (1.7)
veya rJ=dV = 26mV
di lo (mA)
'--------~ Ge,Si

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0. 7 0.8 0.9 1 v,i(vo)l)

~d,il l.lJ
(c) rd,: rd2 oraru = 37.5: 2 = 18.75: 1.
Diferansiyel matematikte, bir fonksiyonun bir noktadaki tiirevinin, o noktadan
cizilen bir tegetin egimine esit oldugunu ifade eden bir Lamm vardir, Bu nedenle
~ekil l.22'de tarumlandig) gibi, (1-6) denklerni esasta fonksiyonun, Qscahsrna nok-
tasmdaki turevini alrnaktadir. Yaniletken diyot icin gene! denklemin [Denklem
(1.4)] uygulanan ileri ongerilime gore tiirevini bulup sonucu tersine cevirecek olur-
sak, bu bolge icin dinamik veya ac direncinin denklcrnini buluruz, yani, Denk.
( l.4 )'un turevini uygulanan ongerilerne gore ahrsak §U sonucu elde ederiz:
ve
[Denklem (1.7)] elde ederiz, .
Denklem (l.7)'nin onemi acikca anlastlrnahdir. Denklern, dinamik direncin,
diyot akimirun sukunet degerini esitlikte yerine koyarak hnlunabilecegini gos-
tennektedir. Karakteristigi onceden bilmeye veya Denklern (1.6) ile tarumlandigr
gibi teget yizmeye gerek 'yoktur. · .
Denklem ( I.6)'dan, egrinin seklinin dinamik direnc uzerinde bir etki ya-
ratacagiru anlryoruz. Sekil l.18'deki silisyum ve germanyum egrilerinin, dusey
yukselisledne basladiktan sonra neredeyse aym olmalan gerceg], Denklem
(l.7)'nin isaret ettigi gibi her biri icin dinarnik direnc denklerninin aym olmasi ge-
rektigi sonucunu akla getirir.
~ekil l.18'de de belirtildigi gibi, yaniletken elemanm govde ve tcmas di-
rencinden dolayi ticari bir elernamn karakteristikleri, Denklcrn 1.4 ile be·
Jirlenenlerden kii<;:iik farklihklar gostermektedir. Bu ek direnc diizeyi, Denklem
(l.8)'de gosterildigi gibi Denklem l.7'ye r8 olarak adlandinlan bir faktor ck·
lenerek dahil edilebilir.

diferansiyel matematigin bazi temel kurallarim uygulayacak olursak geneldc [.,'den r'J= 26mV +r8 ohmdur (1.8)
cok cok buyuk oldugundan I, ihmal edilebilir, lo(mA)

a.; ...L1 Ohm birimiyle olyiilen 1·/J faktoru, yiiksek guce sahip elernanlar icin tipik olarak 0.1
dV TK degerinden, bazi gene! amach dii~iik gii9te diyotlar icin 2 degerine kadar de-

24 Bolurn 1 Yarriletken Dlyottar

BolOm 1.8 AC veya Olnamik Diren~ 25
 gi§ebilmektedir. Yapirn teknikleri gelistikce, bu ek faktoriin onerni azalacak ve so- ruzca ara akim djizeyleri durumunda ortaya 91k1yor. Dii§iik akirn duzcylerinde 'B de-
~unda_ ih'.11al·e·dile':k 0,-7) dcnklemi uygulanacakttr. /o'nin mA olarak degerleri icin gerlerinin her ikisi de onemsiz faktor olacakur. Daha yiiksek duzeylerde direnc dii-
ilk tcnrrun birirnleri rll ile aymdir: Ohm. Dii§iik akrm diizcylcri icin Denklern l.8'in zeyi diger seri elemanlara kiyasla oylesinc kil9iiktiir ki ihmal edilebilir. Konumuz ay1-
ilk terimi elbette ag1rhk!t olacakur .. sindan, ornek olarak secilen rs degeri dogrudan alum diizeyi ile iliskili olacakur;
yuksek akimlarda 0.1 .Q gibi minimum bir degerden, dil§iik akimlarda 2 n gibi mak-
lo= 1 mA simum bir deger arasmda yer alacakur, Deneyimle birlikte, hangi degerin secilrnesi
gcrcktig], haua bunun onemli bir faktor olup olmadrg; sezgisi de birlikte gelisccektir,
oldugunu varsayahm. Ozetlcmck gcrekirse, bir diyodun statik veya de direncinin tiimiiylc, calrsma
noktasi ve dinamik direncinin ise soz konusu bolgede ki cgrinin bicimi tarafindan
O halde r0=2D. bclirlendigini haunruzdan crkarmaym.
r~ '= 12. + 2 = 0.5 + 2 = 2.5 D.
52
Daha yiiksek akim diizeylerinde ikinci terim ag1r basacakur.
ORTALAM/\ AC DiRENCi
oldugunu varsayalim. lo= 52 mA Giris sinyali ~ekil l.24'de gosterilen turde bir sahrum iiretebilecek yeterlilikte isc,
bu bolgede elernarun direnci, ortalarna ac dircnci olarak arnhr. Ortalama ac dircnci,
O haldc ve
tamm gereg! giri§ gcriliminin en yilksck ve en diistik degerleriyle bclirlencn ke-
r,i = 26 + 2 = 0.5 + 2 = 2.5 D. olur. sisrne noktalan arasinda cizilen diiz bir 9izgi tarafindan belirlcnen dircnctir. Esitlik
52 olarak (Sekil l.24'c bakm)
Ornek 1.1 iyin 25 mA'daki ac direnci 2D. olarak hesaplannusu. (J.7) denklemini
~1: I
F
kullanarak
(1.9)
ti!,,~

degerin] elde cderiz. ~ekil I.24'te, I bolgesiyle gosterilen durum icin,

nkadarhk
Bu l fark, r0'nin katkrsi olarak dii§ilniilebilir.
lo= 4 mA'da ac direnci 37.5 n olarak hesaplanrmsu. (1-7) denklemini kul-
r
m1.-
- .1 V,1
.1/,1
I nok.-nok.-
- __Q,_85 - 0.6
(5-0.75)x 1()-3
0.25 = 58.s n
lamrsak, 4.25 x 10-3

Id (mA)

rd=-~.-= 2fu:n.Y._= 6.5 D.

Io(mA) 25 mA
:f-----------j/
sonuc~nu buluruz ki bu da 37.5 'dan oldukca farkhdir. Ancak, (1-7) ve (1-8) denk- 4
lemlenntn sadece karakteristiklerin 17 = I oldugu dusey yukselis krsrm icin tarumh
oldugunu unutmaym . · 3
. . Hangi rs degerinin secilmesi gerektigi sorusu gilndeme gelcbilir. Bazi elemanlar
2
Iym 2 n miikemmel bir secirn olacaknr, digerleri i9in ise l n yaklasik ortalamasr daha
uygun olabilir: '.akat 2 n degeri, her zaman icin en kotu-durum tasarun yaklasirm ola-
rak kullamlabilir. Ancak giiniimiiz teknolojisi genelde ortalama 1 .Q degerinin daha
uygun olacag: bir noktaya gelmis goriinilyor. Tabii ki dogru degcri secrne sorunu ya!- Sekil 1.24 Ortalama ac direnci
0 0.5
26
Solum 1 Yaniletken Oiyotlar BolOm 1.9 o,rt,itam,a AC Direnci 27
 IL Bolge icin
devre egrinin altmda gorunmektedir. ideal diyot, elemanda sadece bir yonde ile-
L1Vd·1
Fort, = -- , =
07· - 0 = 583.3 Q timin sozkonusu oldugunu ve tersine ongerilirnleme durumunun, acik devre du-
,1Jd nok.-nok. (r.z -o)« 10-3 rumu oldugunu gostermek icin konulrnustur,
Bir silisyum yaniletken diyodu, yaklasik 0.7 Volt'a varmadan iletim
Egri boyunca ~ag1ya dogru ilerledikce direncteki onernli arusa dikkat edin. Dusey ("ate~Jeme") dururnuna gecmedigi icin, esdeger devrede bu degere karsi koyan bir
eksenin akrmr Akmun ve yatay cksenin de gerilimi gosterdigi egrilerde, bolge ne Vr pi! geriliminin gorunrnesi gerekir. Bu ise, esdeger devredeki ideal diyot ileri
kadar yatay ise direncin de o kadar yilksek olduguna dikkat edin. Veya tercihe bagl: yonde ongerilimlenmcden once, diyot iizerinde dusen toplam ileri yonde gerilimi
otarak, bolge ne kadar dikse direnc de, o oranda dil§iik olacaktir. VD'nin Vr 'den daha buyuk olrnasi gerektigini gosterir,
Ortalama AC direncine iliskin bu tarusrnada, elernan ile ilgili direncin, ka- Ancak Vr'nin bi~ sistem icerisinde bag1ms1z bir enerji kaynagi olmadigma
rakteristigin tiimilyle de,~il,sadece soz konusu bulge ile belirlendigine dikkat ediniz. dikkat edin. Basirce bir voltmetre, yahulrms bir silisyum diyot iizerinde Vr =0.7
V'lik bir gerilim dti§iimii gostermeyecektir, Bu sadece, yaniletken diyoda iliskin
yatay kaymayi temsil etrnek icin yararh bir aracur, R0,1. degeri genelde sadece bilgi
1.10 E?DEGER DEVRELER- sayfalannda verilen birkac sayisal deger kullamlara.k hesaplanabilir. Bu nedenle
DiYOT MODELLERi bu hesaplar icin tilm karakteristige genelde ihtiyac duyulmaz. Ornegin bir ya-
niletken diyot icin l V'ta Vp = lOmA ise karakteristik yilkselmeden once silisyum
Esdeger devreler, eleman, sistem v.s.'nin gercek u9 karakteristiklerini en iyi temsil icin 0.7 volt'luk bir kayrnarun gerekli oldugunu biliyoruz, buradan:
edecek uygun bir elemanlar kombinasyonudur. Yani, bir kez esdeger devre be- t'ort. = l - 0.7 = _JlJ_ == 30 Q
lirlendiginde, elernarun sembolii semadan cikarulip yerine; sistemin gene! davrarusi IOmA lOmA .
onernli olcude etkilenmeksizin esdeger devre konabilir. sonucunu buluruz.
Bir diyot icin C§deger devre clde etme tekniklerinden biri, Sekil l.25'dc gos-
terildigi gibi, duz-cizgi parcalan (segrnanlan) ile elemarun karaktcristiklerine yak- Bircok uygulama icin rort. direnci, devrenin diger elernanlanna kiyasla go-
lasrnaya cahsmaktadrr, Bu ttir e§deger devreye, parcali do.~rusal e~de.~er devre zardi edilebilecek kadar kti9ilktiir. Rjdeger devreden rorr.'11111 cikartrlrnasi, diyot ka-
denir. Egrilerden de goriilecegi uzere duz-cizgi parcalanrun olusturdugu ka- rakteristiginin ~ekil _I .26'da gosterildigi gibi oldugunu soylemekle aym §Cydir. Ger-
rakteristik ile esdeger devre arasmda tam bir esdcgerlilik saglanamaz. Ancak en c;ekten de bu yakla§im yan iletken devre analizinde s1k9a kullamhr. indirgenmi~
azmdan uc; davraruslan icin bir ilk yaklastm saglayacakur. Her durumda secilen di- e§deger devre aym §ekilde gorillmektedir. ~ekil, d.c §artlanndaki bir elektronik sis-
renc, Denklcm (1.9) ile tammlanan ortalama ac direncidir, Sekil l.25'de esdeger temdeki ileri yonde ongerilimlenmi~ bir silisyum diyodun, diyot ak.Jm1 ne olursa
olsun (tabii ki nominal degerleri i9erisinde)'iletim durumundayken 0.7V'luk bir ge-
id (mA)
JO-----' rilim dii~iimii oldugunu gosiermektedir.
Aslmda §imdi bir ad1m daha ileri gidip uygulanan gerilimlere layasla 0.7 V'un,
yalmzca ideal diyodu yan iletken elemanm C§degeri olarak blfakarak, c;ogu dummda
goz ard1 edilebilccegini soyleyebiliriz. Bu nedenle sonraki boliimlerde ele almacak
uygulamalann biryogunda komple e~deger devrenin yerine ideal diyotlar kul-
Tort : _Q1__ : Jon lamlm1§t1r. Dii~iik gerilimler veya seri direnyler hari~ olm:1k tizerc, elde edilcn bu
IOX 10-3
devre yanltl, higbir zaman gcryek yamttan rok fark!, degiltlir vc c;ok say1da m:i-
, vd
O Vr=0.7 1.0
',. '•

: :Vr =0.7V •· .

<;;:;1; j:J~.·. 0

Ideal
divot
$ckil 1.25 Ynrtitctken bir diyo1 i~in pnn;al1 ~ckil 1.2<, !)ilisyun1 yanilc1ken ctiyOI i~in
dogn1!,:.;•l e~do..!.~er devreler. k.1smeo do~msal i:~cger dcvreler
O VT=0:7_V ud

28 Boliim 1 Yaniletken Diyollar Bolum 1.10 E~deger Devreier-Diyot Modelleri 29

tematiksel islern yapilmasi, uygulamayi cok karmasrk hale gctirmez,
Cozum:

Endustride "diyot esdeger devresi" terimi yerine yaygm bir terim, diyot modeli'dir;
(a) R, diyodun rort. degerindcn 9ok daha biiyiik oldugundan, rort, yaklasiklik
model, tarum itibariyle mevcut bir elernan, nesne, sistem vs.nin temsilidir. Bundan
acismdan ihmal edilebilir. Ancak Vr, Vnin %14'i.i kadardir ve bu nedenle he-
sonraki boli.imlerde hemen her zaman sadcce bu terim kullarulacaktir. Aciklik sag-
saba katilmahdrr. Secilcn model ~ekil 1.29'da gosterilmistir,
lamak icin, bir dizi devre parametresi ve uygulamalan icin kullarulan diyot mo-
delleri ve parca bazmda dogrusal karakteristikler, Sekil l .'.27',k ,·,·1 il1111~lll.

r=
Vr

·~--~
+
Komple:
,, /...
o---f>f--o -
-
--..-v ... ~
'ort Ideal
diyot
~· ol L
Vr "d
V SV

.)tkil 1.2')
R (devresl) >>r ..

o---(>f--o - o--j1-1 --t~--0

Vr Ideal (b) Uygulanan gerilirn, diyot uzerinde, diyotu kisa devre durumuna getiren bir
diyot
gerilim yaratrmstrr, Diyot yerine kisa dcvre esdegeri konuldugunda, !jekil
l.30'daki devre ortaya cikar, buradan da,
V(dcvrosi)>> Vr
R (dcvresi) >>r,., Vn= V - Vr=5 -0.7 =4.3 V
o..--{)1---o - O>----~.-.i
..... ----<O
Sekil 1.27 Diyot modelleri.
0 ve Iv= I« = VR = --4,_1_ = 2.15 mA
R 2H2
Bunlardan her biri, bu ve sonraki bolumlerde verilen analizdc, bir veya iki uy-
gulamada kullamlacakur.

(>RNEK 1.2

V1·:: . .
~v-~
~ekil l.28'deki devre verilrnis olsun: +

(a) Verilen devre parametreleri di.izeylerinde silisyum diyot i~in hangi R

· modelin daha uygun oldugunu belirleyin.
(b) R direncine iliskin aknn vc gerilimi hesaplaym.
~<~ii I.JO

rtN"' 20-U
+
Si ~ekil l.27'deki modellcrin kullaruldigi bir cok uygulama BoWm 2'.de ve-
rilmistir, Bu bolum, oncelikli olarak yaniletken diyotlarm tcmel isleyisi, ka-
v sv R rakteristigi, modelleri ve yap1m tekniklerini tamtmaya aynlrrusur,

Boliim 1.10 E~deger Oevreler-Dlyot Modelleri 31

30 Boliim 1 Yaniletken Oiyotlar

1.11 SURUKLENME VE DiFUZYON (YA YILMA) AKiMLARi
Bir yanilelken malzcme icerisinden yi.ik veya akirrun ak1~1 normalde iki sekilde mum-
ki.indi.ir: Si.iri.iklenme ve difi.izyon. Siiriiklenme akimt dogrudan dogruya bir iletkendeki
yiik akismda karsilasilan mekanizmayla ilgilidir. ~ekil 1.3 l'de gosterildigi gibi ya·
niletken malzemeye bir gerilim uygulandigmda, elektronlar dogal olarak malzernenin
pozitif ucuna cekilirler, Ancak, hareketleri sirasmda karsilasnklan diger atom, iyon ve
rasiyicrlarla carpismalan, Sekilde gosterildig! gibi duzensiz bir dag1hma yol acabilir,
Fakat net sonuc, tasryicilann pozitif uca dogru siirtiklenmesidir.
UygulaDMgcrilim---------
t,
- +
Bu harekct yanlizca komsu atomlarrn karsihkh etkilesiminden kaynaklarur; su-
ruklenrne akmunda gereken bir enerji kaynagma burada ihtiyac yoktur, Difiizyon
akirru kavrami, n · ve p-tipi malzemelerde azmhk tasryicisi akrsirun incelemnesincle
onemli bir yaklasirndir. Difiizyon olgusu katkilama islernine yonelik bir teknoloji
olarak da onernlidir ve yaniletken eleman modclleri olusturuldugunda dikkatlice
incelenrnesi gerekir (difiizyon kapasitansi v.s).
·1.12 GE<;i$ VE DiFUZ,YON KAPASiTANSI
Elektronik devre elemanlan yapisal olarak cok yiiksek frekanslara karsi du-
yarhdir. Xe = l !2rcfC reaktansuun 9ok yiiksek olmasi dolay1S1yl~ _(a91k _de:re ~§·
degeri) alcak frekanslarda gozardi edilebilen sont (paralel) kapasirif etkilerin bir-
cogu, <;ok yiiksek frekanslarda gozard, edilmeyecek diizey!ere cikar, Bu durumda Xe
, yiiksek f degeri nedeniyle dii~iik reaktansh bir "kisa devre" yolu acmaya yetecek
kadar kii<;i.ik olacakur. p-n yaniletken diyodunda gozoniinde bulundurulmasi gereken
iki kapasitif etki vardir, Her iki tip kapasitans hem ileri _hem de geri ongerilimleme
bolgesinde gorulmekle beraber, her bir bolgede biri digerine o kadar baskmdir ki biz

....
Elektron siiriiklenmcsi
~t·kil LH Surukteome akrrru
Difiizyon aktmi kavrarru ise en iyi §ekilde temiz bir su havuzuna damlatilan bir
damla boya ornegiyle acrklanabilir, En sonunda, boyanm yogunlugu suyun ta-
mamma yayilmis olacaknr, Yogun boyamn koyu rengi, su icerisinde yayildrkca ye-
rini daha acik bir tona birakacakur, Ayru etki, bir yaniletken malzeme icerisinde,
~ekil l.32a'da gosterildigi gibi, bir bolge cok yogun olarak yuklendigi zaman ger-
ceklesir. Elektronlar zamanla ~ekil l.32b'de gosterildigi gibi malzeme icerisinde
dengeli olarak yayilir.
Dcngell clektron dagilmu
ancak her bolge icin birisinin etkilerini dikkate alacag1z._Geri ongerilimlerne bol-
gesinde ger;i§ veya bosalalmis bolge kapasitansr (CT) sozkonusuyken, ileri ongerilim
bolgesinde difiizyon. (CD ) veya sak/ama kapasitanst agtr basar.
Paralel plakali bir kondansatoriin kapasitansi icin temel denklemin C = EA!d ile
tarurnlandigrm hanrlaym; burada , aralannda d mesafesi bulunan A alanh iki plakanm
arasmdaki dielektrigin (izolatorun) permitivitesidir (gecirgenlik). Geri ongerilimlerne
bolgesinde ters yiikle yiiklii iki plaka arasmda temelde, bir yahtkan olarak i~lev goren,
bo~alulm1~ (yiiksiiz) bir bolge vardlf. ~ekil l.33'de gosterildigi gibi, bo~alt1lm1~ bolge,
geri ongerilim potansiyelinin artmas1yla birlikle biiyiiyeceginden bum.in sonucunda or-
taya 91kan ge9i~ kapasilama dii~cektir. Kapasitansm,uygulanan tersine ongerilimlemc po-
tansiyeline bagh ol111as1 bir dizi elektronik sistemde uygulama alam bulmaktadlf. 3. Bi:i-
liimde varhg1 1.1111w11en bu olguya bagh olan bir diyot tamt1lacak11r.
C(pF)
I
--~---.---.-----,.--15 ,___ ..... , --1
1--+--+--+--t--·----=: :i---.::·-
1----+--+--+---l--:-:-t----v~----
1----+---+----t---1.--10+----~r-----
l---+--1--+----t---i-·--·--j----
(CT) +--+---/,'-1i------
f----t--Ters Ongertlim

Net diffilzyonakuru - O.
hro ongertlim (Col -
~(\kif J.]2 omu~on .,k.11111 taJ ya
niletken malzemcnin bir btiigesim.lcL I
(V) -25 -20 -15 -10 -5 O 0.25 O.S
yotun ta11y1c, giriJi; (b) kararf llet-
kcnlik durumu
$ekil 1.33 Silisyum diyo1tan ~ygulann_n On·
garilim1n tonksiyonu otarak gee,~ ve d1fuzyon
kapasilans1

32 Bo!Qm 1 Yartlletken Diyotlar BolOm 1.12 Ge~i~ve Oifiizyon Kapasitans1 33


. Her ne kadar yukarda tammlanan etki, ileri ongerilimlerne bolgesinde
olsa da, bosaltilrms bolgenin hemen disindaki bolgelere elektron puskurtme hrzma ba-
g1mh olan bir kapasitans etkisinin golgesinde kalmaktadir, Baska bir deyisle bu, dog-
rudan dogruya diyottan ge9en akima bagbdir. Akim §iddetinin artrnasr, difuzyon ka-
pasitans diizeylerinin artmasma neden olacakur, Ancak, akim §iddetinin artmasi, ilgili
direnc diizeylerinin azalmasma yo! acar (kisaca anlanlacagi gibi) ve sonucta yiiksek
luz uygulamalannda cok onemli olan zaman sabiti ( r = RC) asm artmaz,
Yukarda tarif edilen kapasitif etkiler, ~ekil l.l4'de gosterildigi uzere, ideal bir
diyota bagh bir kondansatorle temsil edilmektedir. Ancak alcak veya orta diizeydcki
frekans uygulamalannda (giiy alaru haric), kondansator norrnalde diyot semboliine
dahil cdilmez.
necek ve azmlrk rasiyrcilann karsi malzcmede cogunluk rasryicrsi durumuna don·
de mevcut rneleri icin gereken t, zamam kadar (saklama siiresi) bir siireyle bu olculebilir du-
zeyde kalacaklardir, Ozunde diyot, devre parametreleri ile belirlenen bir /"'·' ters
akum ile kisa devre durumunda kalacaknr, Bu saklama suresi gectikten sonra akirn,
iletrneme durumu diizeyine inecektir. Bu ikinci sure t, (geyi~ arahgr) ile gosterilir.
Tikanma suresi bu iki arahgin toplarmdir: t.; = t, ·+t1 • Dogal olarak bu olgu yiiksek
hizh anahtarlama uygulamalannda onemlidir, Ticari olarak. saun almabilen anah-
tarlama diyotlannm yOgu birkac nanosaniyeden, 1 mikrosaniyeye uzanan bir t,, ara
hgma sahiptirler. Ancak yanhzca birkac yuz pikosaniyelik (10-12) t.; degerine sahij ·
birirnler de mevcuttur.
1.1,1 SICl,l<LIK f.:TKiLER!

Sicakhk, elektronik sistemlerin tasanrn vcya analizinde dikkate ahnrnasr gcreken

~,·$..ii1..•.1 Gec;i4 vcya <lifUzyon kn- cok onernli bir noktadir. Herhangi biryaniletken elemamn tiim karakteristiklerini
pa,i.i1nn,.1nm y11nik1kcn diyot Ozcri1)dcki cl- etkileyecektir. Bir yaniletken diyotun karakteristiginde oda sicakhginm (25°C) tis-
klslnin clahil t."tlilmesi.
tiinde veya altmda kalan sicakhk dcgi§imlerinden dolayi meydana gelen degi~me,
Sekil 1.36'da gosterilrnistir, 100°C'de ilcri yonde uygulanan gerilimdeki dii§ii§ du-
1.13 T!KANMA SUFiESi zeyine karsilik, doyma akrmmdaki arusa dikkat edin. Zener potansiyeli diizeyinde
de belirgin bir degisme gorulmckrc.lir.
Norrnaldc diyot bilgi sayfalarmda ureticiler tarafmdan vcrilen bazi vcriler vardir. $u
ana kadar dikkate almadrguruz bu niceliklerden bir tanesi t,, ile gosterilen ukanma
siiresidir. Daha once, ileri ongerilimleme durumunda 1Hipi malzemeden p·tipi mal-
12
zerneye dogru ilerleyen cok sayida elektron oldugunu ve n-tipi malzemede cok sa-
yida delik bulundugunu soylemistik; bu, iletkenlik icin bir gerekliliktir. p-tipi mal-
zemedeki elektronlar ile 11-tipi malzemede ilerleyen delikler, her bir malzemede cok
sayida azmhk tasryicrs: olusturur, Uygulanan gerilim, geriye ongerllimlerne durumu
yaratmak uzere tersine cevrildiginde, ideal olarak diyotun, iletme durumundan ilet-
.meme durumuna amnda gectigini gormeyi bekleriz. Ancak her iki malzemedeki cok
.' sayidaki azinhk tasiyicis: nedeniyle diyot, sadece ~ekil l.35'deki gibi tersine do·
4

Dunun dcgl~ikligi (acik - kapah) (volt)

.•• . . .
60 50 40 30

r-r--=------ 1.5 2

I .
/--~-----..,/ 2
, I I :
I I 3
I I
(µA)
l.;1.·l,ili \ ..•,~ Diyot kar.1ktcris1iklcrindc s1cuk1tga haS,h dcgi~mdcr.
~1·kil 1 •. t.:.. Tikanma si.lrcsinin tammlnnmnst,
Bolum 1 .14 S1cakhk Etkllerl
35
34 Bolilm 1 Yanlletken Dlyotlar
1.15 DiYOT BiLGi SA YFALARI DiFOZYONLU SiLiSYUM DUZLEM

Belirli yaniletken elemanlar hakkindaki bilgiler, uretici tarafindan genelde iki se- BV ... 100 µA'de 125 V (M!N)(BAY73)
DO • 35 BOYUTLA.R
kilde verilir. Bunlardan birisi, diyotun cok kisa bir tarurm seklinde olup, birkac say- BV ..• 100 µA'de 200 V (MIN) (BA 129)

fada mevcut tiim diyotlann cabucak gozden gecirilmesini miimkiin kilar, Digeri ise MUTLAK MAKSIMUM ANMA DEGERLERi (NOT 1) a---r
grafikler, uygulamalar vs. gibi rnalzerne de dahil olmak uzere bir elernarun etrafhca -ss·c • -aoo'c fil ,.•
s,cakhkler

i.. ..
(H.<IO)-

Saklama s,cakhk Arahg, +175°C

incelenmesini kapsar ve ayn bir btitiinlilge sahiptir. Ikincisi genelde yalmzca ozel- Jonksiyonun Maksimum <;ah,;ma s1cakl191 +260°C
likle istendigi zaman saglarur. Bacak s,cakhg,

Ancak her ikisinde de ortak olan bazi bilgiler vardir. Bunlar arasmda: G!lg Harcemas1 (Not 2)
,.i:",t'iiii"ii\
, ,,,

J
2s•c onam s1cakhg1nda Toplam Maksimum
Gil<; Harcamas, SOOmW

fil
1. Maksimum ileri gerilimi VF (mah) (belirlenen bir akrm ve sicakhkta) DOOrusal Gu<; Du§urme FaktOril (25°C'den
itibaren) 3.33mwrc
2. Maksimum ileri akrrru VF (mah) (belirlenen bir sicaklikra)
Makslmum Gerlllm ve Ak1mlar
3. Maksimum ters akim IR (maks) (belirlenen bir srcakhkta) WIV Tars YOnte y3h$ma Gerillmi BAY73 100V
BA129 180V
4. Ters gerilim degeri (PIV) veya PRV veya V(BR), burada BR (Bre- 10 Onalama DOOruttulmu} Akim 200mA 04111to.WJDU
.t.Oiito•-,) 1.on(ttl) ;'
akdown) "kmlrna" sozcugunden gelmektedir (bclirlcnen bir sicakhkta) IF iteri Yonde SOrekU Akim soomA · iJiiTiiij Cllla

ileri Y6nde Tekrarlamalr Akim Tepe

5. Maksimum kapasitans Degeri 600mA
6. Maksimum t,, it (§ok) ileri YMde $ok Akim, Tepe Degeri
1.0A
Darbe Geni§ligi • 1 s
7. Maksimum cahsma (veya kilrf) sicakhg: gibi bilgiler sayilabilir, Darbe Geni}ligi = 1 us 4.0A

Ele alman diyot tiirilne bagh olarak, frekans arahg1, giiriiltii diizeyi, anah-
tarlama si.iresi, isrl direnc dilz_eyleri ve tekrarlanan tepe degerleri gibi ck veriler de
sunulabilir. Dtisiintilen uygulama icin verilerin onemi genelde kemli icinde acik ola-
caktir. Eger maksimum giiy veya harcama degeri de verilmisse, asagidaki carpima
esit oldugu anlasilmahdir: ELEKTRiKSEL KARAKTERiSTiKLER (Aksi belirtllmedlkge 25°C ortam srcakhgmda)
,----
SEMBOL KARAKTERiSTiK BAY73 BA129 BiRiMi TEST KO~ULI.ARI
-· - --
~Dmaks = Volo (l. l 0) ..'!.f ilori Yon Gerilimi MIN MAKS MIN MAKS

0.85 1.00 v IF· 200mA

0.81 0.94 v IF· lOOmA
burada Io ve Vo belirli bir cahsma noktasindaki diyot akirm ve gerilimidir; de- 0.78 0.88 0.78 · 1.00 v IF· 50 mA
0.69 0.80 0.69 0.83 v IF•10mA
0.67 0.75 v If• 5.0 mA
0.60 0.68 0.60 0.71 v lf-1.0mA
0.51 0.60 v If·.~----
IR Ters YOn Akim, VR • 20 V, TA • 125 -e
T ABLO 1.2 Genel-Amaeh Diyotlar 500 nA
nA VR·100V
5.0
1.0 µA VR • 100 V, TA· 125°C
10 nA VR•180V
5.0 µA VR • ~80 V. T~.- 100°C_
Maksimum IR
v
-
Ktnlma Geriliml 125 200 IR·1~0µA ·----
~---
heri Akim 25°C I50°C c Kapasitans 8.0 6.0 pF VR • 0, f • 1.0 MHz

____ R _____ __M _____ Irr Ters YOnde T1kanma suresi 3.0 ps ~. tOmA. Vr-35 V
L • 1.0 • 100 Kn
CL• 10 pf, JAN 256
Eleman. VsR --· -
Tipi IF(mA) VF(V) (V) v µA v µA ~-o;.,~:~ade(jerle<i, uterine ~1k1l<!!O,nda eklmaron hasar gilfebilecll\'ji su,r_~rle<dir.
2. BurJar, kararh durum smu ~eridlr. Oarbeveya ~ ·~~
.
dgili i1Jem4erde tabnkaya dani~11ma,1 gerekir,

I N463 1.0 1.0 200 175 0.5 175 30

IN462 5.0 1.0 70 60 0.5 60 30 Seki! 1.37 Fairchild Bay 73. BA 129 yuksek·gerilim, du~uk-ka<;ak ak1mh diyot1a11na ili~kin karakterisikler
IN459A 100.0 LO 200 175 0.025 175 5 (Fairchild Camera ve Instrument Corporalion'un izniyle.) · ·· --
TISI 200.0 1.0 20 10
36 Solum 1 Solum 1.15 Oiyot Sllgi Sayfalari 37
Yantletken Diyotlar
 gi§kenlerin maksimum degeri asmarnasi gerekir, Tablo l.2'deki bilgiler dogrudan
Texas Instruments, Inc. veri kitabmdan ahnrmsnr. ileri yonde gerilim dtisumunun
TIPtK ELEKTRIKSELKARA.KTER1srtKEGR.tu:Rf
>bl bdlnllmtmlpe lS c - •cllwJ>Dda l V'u asmadigma, ancak akmun l'den 200 mA'e kadar maksimum degerlere ulas-
llgma clikkat edin,
tLERl AKIMA BAGLI SICAKLIK KATSA YISINA TERS YONDE GERILb:'. 1N463 diyotu icin maksimum ileri.gerilim ve alum durumunda;
ILERt GERlLlM BAGU !LERI AKIM BAGLI KAPASlTANi
500
(1) (1 x 10-3) = I mW (dii§iik giiylii diyot)

,,-
I \ Po= Volo
100 \
degerini buluruz,
1 -
! 10
--./-= i\ !::::=
- Kuskusuz bir eleman, maksimum degerler ile belirlenenden daha dti§iik bir rnak-
t 1.0
\
\
-- simum gii~ harcamasma sahip olabilir. Yani gerilim maksimum ise akmun, mak-
i simum anma degerinden daha dii§iik olmasi gerekebilir, Her eleman icin sicakhga
.!!- 0.1
-~
I

,- ,::
\_
H-
bagh olarak IR'deki arusa dikkat edin. 1N463 diyotu icin bu deger, 30/0.5 =.60 kat
O.OI O 0.5 1.0 1.S 2.0 2.5 3.0 buyuktur.
Tc• SicalcJ1k k11Uy1M • mvrc Fairchild Camera and InstrurnentCorporation tarafmdan BAY 73 ve BA 129
yiiksek-gerilim dii§iik-ka<;:ak akirnh diyotlaricin verilen bilgilerin tam bir kopyasi
TERS Y0NDE AKIMABAGLI ORTAM SICAKLIGINA BAGLI
TERS YON GER1L1Ml TERS YON AKIMI Sekil 1.37 ve l.38'de verilmistir. Bu ornek, bilgi ve karakteristikler icin kapsamh
1.0 SK 100
:::vR~12sv bir listeye karsilik gelir. Bu bolumde, ortalarna dogrultulrnus akrm, ileri tepe tck-
IK ~-
I
I rarlamah alum ve ileri sok tepe akimi dismda tiim terimlerin tarurnlannus oldugunu
-:; ii ~ 10
1 unutmaym. Bu ii~ niceligin onemi a~ag1daki gibi aciklanabilir:
i
/
100
it ~-e
0.1 !.... 10 ,.,.
.,,
-- ·- ..:!!
1.0
1. Orta lama Dogrultulmus Akim. Bir yanm-dalga-dogrultulmu§ sinyal (2.5. bo-
5 o.os '-"'--•·-'-- ...·-"--<--'-
I-
...li ,--.....
7' -- !--- .!!- 0.1
Iurnde anlaulmisnr), I ort . = 0.31811epe ilctarumlanan bir ortalama degere
.!:'- 1.0 '- sahiptir, Ortalama akim anma degeri siirekli ileri akumndan dusuktur, ~iinkii
.!!- 0.02 - ---
0.0 I ........__,__.._...__.__.___,___.__.__,
bir yanm-dalga akim dalgasmm anlik degerleri ortalama degerler-den ~ok
0 25 50 75 100 125 O.I O 25 so 75 100 125 150 daha yiiksek olacaknr.
T,\·OrWD11cuhi)· C

2. iLeri tekrarlamalt tepe akinu. Bu, tekrarlanan ileri akrrmrun, maksimum an-
hk dcgeridir. Cok krsa bir sure icin bu duzeyde kald1g1 icin, siirekli diizeye
gore daha yiiksek olabilecegini goz onunde bulundurun.
:t:
E
3. lleri §Ok tepe akum. ilk a~tlt§, anza, vb. durumlarda diyottan yOk kisa zaman
~
1 200
s< araliklan icinde eek yiiksek akimlar (tekrarlanrnayan akirnlar) gececektir, Bu
anma degeri, akirn duzeyindeki ani yiikselmelerin maksimum degerlerini ve
13 ~{. zaman arahklanru tarumlamaktadir.
tP 100
'.:}
'.,!

25 50 15 100125150 175 200 so 15 100125 150 175 200

TA · Ort.Im sicakhl• ~ •c
.:: ·, ..
Fairchild Bay 73 · B}\Jg9 Y,u!<sek-g,•riUm, diyolla11nm u,: kara~.!Grislik!eri (Fairchild Camera ve
Instrument Corporalion'un izniyle.)
"
;:}:
.'?ekil l.38'deki bazi egrilerde gorulen logaritmik olceklere dikkat edin. Her
TA. Oum s1c:ak11tJ · •c bolge, her yatay cizg] az cok belli olacak §ekilde esit arahklara boliinmii§tiir. Vp'nin
bir fonksiyonu olarak verilen ft.·, 1.0 ve 10.0 mA arasmdaki yatay cizgiler 2 mA, 4
mA, 6 mA ve 8 mA §Cklindedir. Verilen grafiklcrdeki eksen degi§kenlerin yogunu
· daha once tamlmt§tik; bu degi~kcnler, kavranabilir bir anlam ta§tyan bir egriler kii-
mcsi vermcktedir. S1cakhk katsay!SI, farklt akJm· diizeylerinde gerilimin s1cakl!ga

BolOm 1.15 Diyot Bllgl Sayfalan 39

38 Bolilm 1 Yaniletken Diyotlar
 Du,;uk okurna Yftk.sckokuma

bagh olarak degi~imini tammlar, Her aknn dUzeyinde sicakhk katsayisi icin bir de-
gerler arahgt verilmistir. Din~mik empedans (pratikte elemanm ileri akirnda gosterdigi
direnc) daha sonraki bir bolumde cle almacaktir, ,$eklin sag alt ko§esindeki sicakhgm,
guce iliskin degeri ve akim anma degeri uzerindeki etlcilerine dikkat edin.
Kmruz1
1.16 VARI iLETKEN DiYOT SEMBOLLERi

Yan iletken diyotlar icin en sik kullamlan semboller ,$ekil l.39'da verilmistir. Di-
(al (bl
yotlann yogunlugu -~<;in, ,$ekil l.39'da gosterildigi gibi bir nokta veya band sek-
lindeki herhangi bir 'isaret katot ucunu gosterir, Katot vc anot terimleri vakumlu
:jc~il I AO Ynnilctken bir diyotun Om-
lamba devrinden kalmadir. Anot yuksek veya pozitif potansiyele, katot ise dusuk metre testi: (:I) ileri gerilirn: (b) ters on-
geiilim.
veya negatif uca karsilik gelir. Ongerilirn duzeylerindeki bu ye~itlilik diyotun ileri
ongerilim veya "acik (iletim)" durumuna gelmesine yo! acacakur. Genelde Sekil diyot test ozelligine sahiptir. ileri ongerilirn baglannsi atesleme gerilimini/ sag-
1.39'daki diyotlann akrm tasima kapasitesi soldan saga dogru artrnakradir, Her bi- larken, geri ongerilim baglanusi, acrk devre durumunu temsil eden 0.L'yi gosterir.
rinde ek gily kaybiyla basa crkabilmesini saglarnak icin akirn anma degerine bagh
olarak fiziksc! hovur da artacaur. Saplama.tipi haricindc tiimii birkac amper ile si-
n1rl1d1~ · 1.18 URETiM TEKNiKLERi

-
Herhangi bir yaniletken elemamn i.iretimindeki ilk adirn, gennanyum veya silisyum
gibi yaniletken malzemeleri istenilen safhk di.izeyinde elde etmektir. GUnUmiiz ya-
niletken iiretimlerinin s;ogunlugu icin bir milyarda birden az (1,000,000,000'de 1)
katki diizeyi gerekmektedir.
Ham maddeler ilkonce istenilen safhk diizeyinde bir yok krlstalli yap1ya sahip
kristal olusturmak · iizere bir dizi kimyasal reaksiyon ve bir bolgesel antma i§-
~cl.:if L.\IJ Yuniletken diyol sembolleri,
leminden gecirilir, Cok kristalli yapiya sahip bir kristalin atomlan rasgele du-
zenlenmislcrdir. Buna karsin tek kristal yapida atornlar simetrik, tekbicirnli, ge-
ometrik bir orgusel duzene sahiptir.
1.17 DiYODUN OMMETRE iLE TEST EDiLMESi Bolgesel-antrna diizenegi Sekil 1.4l'de gosterilrnistir, Bu diizenek, kirlenmeyi
Bir yan iletken diyodun durumu, standart VOM (Volt-Ornrnetre) aletinde bulunan (kontaminasyonu) minimum diizeyde tutmak iyin bir grafit veya kuvars althktan, bir
tiirden bir ommetre kullamlarak cabucak belirlenebilir. Ommetre bolurnunun iy pili kuvars kap ve bir grup RF (Radyo Frekans) endiiksiyon bobininden olusrnaktadir.
(genelde l.SV'luk), uygulandigi zaman diyodu ileri veya ters yonde on-
Endilksiyon
gerilimleyecektir, Eger ommetrenin pozitif (nonnalde kirrruzr) ucu anoda ve negatif isnma Kuvartt kap Asal veya bo~luk
(norm aide siyah) ucu da katoda baglarursa, diyot ileri ongerilimlenrnistir ve i:ilyi.i ale- bobinleri ---~ ; _
rinden dU~Uk bir direnc okuruz. R x 1000 veya R x 10.000 kademesi bu olyiim icin
uygun olacaknr, Ters polarite ile, i9 batarya, diyodu geri ongerilimleyecektir ve bu Eriyen b<ilge
durumda direnc 90.k yiiksek olmahdir, Ki.i9iik bir geri ongerilimleme direnci oku- Grafit tekne
masi bir "kisa" devre dururnunu; buyuk bir ileri i:ingerilimleme direnci ise bir "acik"
devre durumunu gostcrir,
Test icin temel baglant1I J"iekil 0 l.40'da verilmistir, Sayisal milltimetre'lerin C:ok saf
gennanyurn
harcketi .
Gerrnanyumkiilcesi (d~iiksatl,kta)
. ~:: ,:;: .- . ; :
(DMM) 9ogu, bir arahk secimi olarak •I diyot semboliiylc gosterilen bir

40 BolOm 1 Yarrlletken Diyotlar

BolOm 1.18 '.Oretlm Teknlklerl 41
Althgm veya bobinlerin kuvars kap icinde boylamasma hareket ettirilebilrnesi ge-
rekmektedir. Her iki uygulamada da sonu9 aym olacakur; ancak biz burada daha Doner ,;ekme ,;ubutu
yaygm olarak kullamldig; icin bobinlerin hareket ettirildigi secenegi tartisacagrz.
Kuvars kabm ici, kontaminasyon (kirlenme) riskini azaltrnak icin soy (cok az veya
hiy kimyasal reaksiyon verrneyen) bir gaz ile doldurulur veya bosalnhr. Bolgesel- German~ tohwn
Asal gaz veya ~luk
antma isleminde, bir germ an yum kulcesi, ~ekil 1.4 J'de gosterildigi gibi, kulcenin
bir ucuna bobinler sanh oldugu halde, althga yerlestirilir, Daha soma bobinc radyo
Kuvartz leap
frekans sinyali uygulamr; bu da germanyum kiil9e iizerinde bir yiik akis: yaraur
Teklcrist.aJU
(anafor akimlan), Bu alamlann §iddeti, yan iletken malzemenin sozkonusu bol- .8~yum
gesini eritecek ol9iide 1s1 olusuncaya kadar artmhr, Kulcedeki katki maddeleri, bun-
Ian kusatan yan iletken malzemcden daha sivi bir hale gelecektir, ~ekil 1.21 'deki en-
diiksiyon bobinleri §imdi yavasca saga dogru komsu bolgede erirne saglamak uzere
kaydmldiginda, "daha akrcr" olan katki maddeleri eriyen bolgeyi "takip" edecektir.
Net sonuc, endiiksiyon bobinleri sag uca vardrginda katki maddclcrinin biiyiik bir
_____ \T
yiizdesinin bu ucta gorunecegidir. Katki maddelerirr bulundugu bu uc kisim bundan Grafil\'Mak 'l'ermolrupl (1st! fifl)
(S1cak11k ol,;Umil)
sonra kcsilcbilir vc tiim islem istcnilcn .saflik diizcyinc ulasana kadar tckrarlnnabilir.
Yan ilctkcn iiretimine gecmedcn onceki son islem gcrrnanyum vcya si-
lisyumdan tek kristalli bir yapirun olusturulmasidir. Bu ya Czochralski veya yiizer-
bolge teknigi kullamlarak gcrceklestirilir. Bunlardan ikincisi daha yakrn zamanlarda
gelistirilmistir. Czochralski rekniginde kullamlan cihaz ~ekil l.42a'da gos-
+
terilmektedir. Cok kristalli yapiya sahip malzemeilk once RF enduksiyon bobinleri
ilc crimis hale donii§liiriiliir. Ardmdan istenilcn safsizlik diizeyindc tck bir kristal
"tohumu" erimis germanyumun icine batmhr ve tohumu tutan mil yavasca ckseni ct-
rafmda donerken kademe kademe disan ~ekilir. "Tohum" disan cckildikce, bir tek
kristal gcrmanyum orgii yapisi ~ekil l.42a'da gosterildigi gibi biiyiir. Olusan tek-
kristal kiilceler tipik olarak 15 ila 90 cm uzunlukta ve 2.5-12,5 cm capinda (Sekil
l.42b) olrnaktadtr. 120 cm. uzunlugunda ve 7.5 cm. capmda kulceler de iirctilmistir.
Boylesi bir yapmm ag1rhg1 yaklasik 13 kg'drr.
. Yuzer-bolge teknigi hem bolgesel antrna hem tck-kristal olusturrna islernine du-
lyuJan ihtiyaci ortadan kaldmr. Her ikisi de, bu teknik sayesinde aym anda ya- 0)
prlmaktadir, Bu yoruemin ikinci bir avantaji da germanyum veya silisyum kiilcede sik N
II
sik kontaminasyona (kirlenmeye) yo) ayan grafit veya kuvars althgm bulunmamasidrr. 0) S~kil 1.42 CzochralsklteknlOi ve
/\'> ku~eler. l(b) Ostteki, Texas lns-
~ekil l.43'de gosterildig! gibi germaniyum veya silisyum kiil9e dikey durnmda hareket 1.(uments'in lzniy!e: alllakl ~ekil,
edebilir bir grup RF endUksiyon bobini icerisinde mengene kolu arasmda tutulur, is- MotorolaJnc.'in izniyleJ

tenilen safsizhk diizeyinde kii9iik bir tek-kristal "tohurn", cubugun a§ag1 ucuna yer-
Dretilen tek-kristal yap1s1 arl!k bazen 0,001 in9 kalmhgmda (bir kitap sayfasmm
lestirilir ve germanyum ~ubuk ile beraber eriyinceyc kadar isruhr. Ardindan en-
yakla~1k be§lc biri kahnhkta) incelikt.e pullar halinde kesilebilir. Bu, kesme i§lerni
diiksiyon bobinleri germanyum veya · silisyurn killye boyunca yava§~ yukari dogru
~ekil l.44a veya b·de gosterilcn diizcnck kuUamlarak ger9eklc~1iril~bilir .. ~ckil
hareket edcr ve bu arada 9ubuk yavas bir donme hareketini gerceklestirir, Oncekinde
l .44a'da 1.m1para yiizcyli tungsten teller (0.001 in9 9ap10da) uygun arahkla destek
oldugu gibi, katki maddelcri erimeye devam eder; bu da erimis bolgenin altmda artan
bloklar tizerine baglanir ve tiirrt sistem testere gibi ileri geri hareket ettirilir. ~ck.ii
safhk diizeyinde bir tek-kristal germanyum orguye yo! ayar. Islemin uygun bicimde
1.44 b'deki sistem yeterince ayiktir.
kontrol edilmesiyle, kiil9enin erimi§ bolgeden k.mlmasuu onlemek iyin yan iletkcn
malzemedc her zama:n yeterli yiizey gerilimi olacakhr. ,•-:•.

42 Solum 1 Yariiletken Diyotlar BolOm 1.18 Oretlm Teknlkleri

43
 Bi.iyi.iti.ilmi.i~ Jonksiyoniu Diyotlar
Bu tip diyotlarCzochralskikristal cekme islemi suasmda olusnaulur,p- ve n-tipi katkilan,
potadak:i erimis yaniletken malzemeye suasiyla eklenebilir ve ~kil l.44'de gosterildigi gibi
Dil,jiiksafukderccch
kristal ~kildiginde bu bir p-n jonksiyonunun olusmasma yo! as:ar- Dilimlemeden sonra,
ll>::====::;:'11 polikristalingeimanyum. biiyiik-hacimlielemanlar cok sayida (bazen binleree) daha ~ilk hacirnli yaniletken diyotlar
halinde kesilebilir, Biiyiitiilm~ jonksiyonlu diyotlarm ~-yiiksek akimlarla basedebilecek
yeterliliktedir(ve bundan dolayi yiiksek gi.iiy aruna degerlerire sahiprir). Ancak biiyiik yuzey,
istenilmeycnjonksiyon kapasitif etkilerineyol ~-
13nglama

t/
~enelcrt <._')
Krist~! eekme ~bugu
Eri¥N~
b61ge
Yliksek dereeede saf

:,-;yoo, rh
tek k.ristalli gcnnanyum

"Tohum"

5ckil 1.43 Yuzer-bolge 1eknigi

Dilimlemei~lemi T Figure J.-15 Grown junction
"Ergitme diode.
!;,ckil us llUyU1Ulmu1 jonksiyonlu diyot,

Tungstenteller
Ala~1m Diyotlan
Kiili,,e
Alasim isleminde de, yuksek akim anma degerine ve biiytik PIV anma de-
gcrine sahip jonksiyon tipi yaniletken diyot olusacaktir. Ancak buyuk jonksiyon
alam nedeniyle jonksiyon kapasitansi da biiyiik. olacakur,
p-n. jonksiyonu, ilk once bir p-tipi katkmm bir n-tipi katrnan tizerine ko-
nulrnasr, daha sonra iki malzemenin birle~tigi yerde erime meydana gelene kadar
ikisinin de rsrulmasiyla olusiurulur (:;,ekil 1.16). Bir alasirn, sogutuldugunda, alasirn
ile alt katman arasmdaki simrda bir p-n jonksiyonuna ortaya 91km1.~ olacaktrr. n- ve
p-tipi malz.emelerinin oynadigi rol karsilikh degi~tirilebilir.
p-lipi

~\ \i, !Y'""''~·
malzcme \
Ktil~destck
Doner blogu ~-njonksiyonu
break

I I
(b)

$ekif 1.4.J
niyle)
Tek-kristal ktilcesinin pullar halinde dilimlenmesi (Texas Instruments lnc.'in iz-

Diger yaniletken maddeler, kullamm alanlan yeri geldikce tamtilacaknr.

-: r \\\~
n-lipi ah katrnan
I
SEC. 1.18 Manufacturing Techniques·
Yan iletken diyotlar normalde ~u tiplerden birisi halindedir: Buyutulrnus jonk-
siyonlu, alasim, difiizyon, epitaksiyel biiytittilmii~ veya nokta-temash. Bunlardan her
biri bazi aynnuyla bu bolumde tamtilacaktir.
BolOm 1.18 Oretim Teknlkleri
45
Biiliim 1 Yaniletken Diyotlar
44

Dlfuzyon
Yaniletken jonksiyon diyotlannm olusturulmasmdaki difiizyon isleminde kau
veya gaz difiizyonu kuUamlabilir. Alasim i§lemine gore daha fazla zarnan ge-
rektirmekle beraber nispeten' daha ucuzdur ve cok hassas bir sekilde kontrol cdi-
lebilir. Difiizyon cok yogun bir parcacik yogunlugunun, yevresindeki daha az yo-
gunluk:lu bolgeye "nufuz ettigi, (yayildigt)" bir islemdir. Diftizyon ile alasim i§lemi
arasmdaki ternel fark, diftizyon isleminde sivilasrna noktasma vanlmarnasidir. Di-
filzyon isleminde 1s1, yalmzca kullamlan elernentlerin hareketliligini artirmak icin
uygulamr.
Kati diftizyon islerni n-tipi katman iizerinde bulunan bir akseptor katkrsintn
"boyanmasiyla" baslar, katkilar alt katmana p-tipi katmarn olusturacak §ekilde ya-
yilana kadar ikisinin birden isrulmasryla devam eder (~ek.il 1.47a).
Gaz difiizyonu isleminde. n-tipi bir malzernc akseptor katkilanndan olusan
bir gaz ortamma daldmlir ve 1S1l1hr (~ekil 1.47b). Katkilar, alt katmana yaniletkcn
diyodun p-tipi katmamru olusturacak sekilde yayihr, Burada da her iki halde p- vc
rr-tipi malzemclerin rolti karsrlikh olarak dcgisurilebilir. DifUzyon islcmi gu-
ni.imlizde yaniletken diyotlarm uretimindc en sik kullamlan yorucmdir.
Epitaksiyc! Buvutulmus Diyotlar
Epitaksiyel terimi, Yunanca "uzcrine" anlanuna gelen epi ile "diizenlcme" an-
lamina gelen raxis'tcn turetilmistir, n+ malzemeli bir taban pulu, Sekil l.18'de gos-
terildigi gibi metalik bir iletkene baglamr. 11 +, dli§iik. bir direnc karakteristigi icin
cok yiiksek bir katkilama duzeyini ifade eder. Gorevi, .p-n jonksiyonunun n-tipi
malzemesi olrnaktan cok iletkenin yaniletken uzanusi olarak davranmakur,
1Hipi katman, ~ekil l.48'de gosterildigi gibi bir diflizyon i§lemi uygulanarak
bu katrnan i.izerine birakihr. Bu 11+, baz: kullanma teknig:i ureticiye belli tasanm
avantajlan saglar. Sonraki adirnda bir difiizyon teknig! kullamlarak p-tipi silisyum
uygulamr ve ~ek: I I. l 8'de gosterildig! gibi rnetalik anot baglanusi eklenir.
Anot
11• silisyum
0d .. il 1.-1;,.; Epitahiycl bUyii1Ulmli*
Ka tot yanilc.tkcn diyot.

Nokta Ternash Diyotlar

Is, uygulamr Is, uygulamr Nokta temash diyotlar, yaniletken diyotu bir fosfor-bronz yaymm (kedi b1y1g1 denir)
""\\iJ;
_____ .,,...- ~~yah"
~\\iJ;
_ indiyuin pareacrklan
11-tipi bir alt katmana bastmlmasiyla olusturulur (Sekil 1.49). Archndan biyik ve alt-
katmandan kisa siireyle yi.iksek bir a.lorn gecirilir, Bunun sonucunda telden birkac atom
n-tipi · -" indiyum n-tipi iccrcn gez halindeki 11-tipi malzemeye .gecerek pulda bir p-bolgesi yaraur, p-n jonksiyonunun kiictik alaru
alt Jcatmani -- · · alt kaunan atmosfcr
cok kii9i.ik bir jonksiyon kapasitansma (tipik olarak 1 pF veya daha az) yo! acar,
Bu nedenle, nokta temash diyotlar, mikrodalga mikserleri veya dedektorler gibi y0k,yiiksek

i I Indiyum
"kaznur"
i frek.'UlSlaroa ~a§llan uygulamalarda sikya kullaruhr. Temas alarurun ktiylik olmasuun de-
zavantaj1, jonksiyon tipi.yaniletkcn.diyotlara gore daha dti§iik akJm anma degerlerive ka-
/I rakteristiklerinde yatmliktachr. Nokta temasl1 diyotlanrun teinel yap1S1 ve fotograflan ~ekil
n _ l .SO'de verilmi§tir. <;e§itli tipte jonksiyon diyotlan ~kil 1.51 'de verilmi§tir.
~
i Kesmc
i~lcmi i Kesme
~lemi

$ $
,,.~ii
I .J>. DifUzyon i~lcn1H diyottur: (a) kar,
di!Uzyon; (b) gazh difUzyon
p-11 jonksiyontt
-is, gcnl~mcsinc ka~,
b1ralalan egim

~,:kil J .•.p: Nokto1-tcma.,h diyot.

BolOm 1 Yaniletken Diyollar Boliim 1.18 Oretim Teknikleri

46 47
 1.19 DiYOT oizu.rn: - ENTEGRE DEVRELER

Entegre devrelerin essiz karakteristikleri 14. Bolumde tarunlacaknr. Ancak elekt-

ronik devrelere giriste, entegre-devre paketi i~eri.sind~ bulunan diyot dizilerini en
azindan yiizeysel olarak inceleyebilecegimiz bir'seyj¥¢ye gelmis bulunuyoruz. En-
tegre devrenin, bu giri§ bolumlerinde inceleyecek 01~ufa:1anm1zdan tamamiyla farkh
karakteristiklere sahip essiz bir eleman olmadigmr gb;~_ceksiniz.
.

l
,---·-·
FSA 1410M I

(a) D0?L.EMSEL HAVADAN-YAUTILMI$ MONOLiTiK DiYOT

DIZISI

Sekil 1.50 Nokta-1cm:cd1 di- C ... 5.0 pF (MAKS)

yottar: (a) 1cmel y:ip,so: (bl {~i1li a.VF ... 10 mA'de 15 mV (MAKS)
tipleri. (General Electric Com- UAGLANTJ DIYAGRAMI
r,:rny izniylc) MUnAK MAKSiMUM ANMA DEGERLERi (NOT 1)
FIA1410M I

j fHHfH
S1cakhklar -ss•c • +2oo·c
Saklama Stcakhk Arahg, .rso-c
Jonksiyonun Maksimum yalt~a s1cakli91 +260-C

. . . .
Bacak S1cakhg1
Guy Harcamast (Not 2)
Guy harcamasr, 25°C ortam s1cakf191nda herbir
jonksiyon iyin 25°C ortam sr- 400mW
' '
cakhg,nda herbir paket i<;in 600mW
Dogrusal Gu<; Du~urme laktoru (25°C'den 3.2mWl°C BKZ. T0-96 Standard, Paket Boyullnn
itibaren) 4.8mWl°C

Maksimum Gerilim ve Aktmlar

WIV Ters Yonte t;:alt~a Gerilimi SSV
IF lleri Yonde Surekli Aktm 350mA
it (~ok) ileri Yonde $ok Ak,mt Tepe Degeri
Darbe Geni~ligi ~ 1.0 s 1.0 A
Darbe Geni~ligi • 1.0 ps 2.0A

ELEKTRiKSEL KARAKTERiSTiKLER (Aksi belirtilmedik~e 25°C ortam s1cakhgmda)

KARAKTERiSTiK
·-·-
SEMBOL MIN MAKS BiRiM TEST KO$ULLARI
BV Krrrlma Gerilimi 60 v IR~10µA
··--
VF ileri Yon Gerilimi (Not 3) 1.5 v IF· 500mA
1.1 v IF •200 mA
1.0 v
IR Ters Yon Akrm1 100 nA
IF• 100mA
VR • 40 V
--
Ters Yon Ak1m1 (TA-150°C) 100 µA VR •40 V
c Kapasitans 5.0 pF VR • 0. f • 1 MHz
---··
VFM ileri YOnde Gerilimln Tepe degeri 4.0 v
--·-
lfr ileri YOnde Trkanma SOresi 40 ns
If • 500 mA, tr -c 1 O ns
··-··--
II • 500 mA, tr < 10 ns
Irr Ters Yonde Ttkanma Siiresi 10 ns ~-Ir· 10·200 mA
50 ns ~ • 500 mA, l5.
L .100 n,.Dogr. 0.1 Ir
50 ma
L • 100 n, ogr. 5 mA
-·-- ilerl Yonde Gerilim Uydurma
t!.VF 15 mV IF• lOmA
-
NOTLAR:
-
1. Ou anma de,Oei1&n.Uzerine ~1kUdi(;1nda elemanin hasar o«~ s1rur deOenerdr.
{C) 2. B\Jolar, kararh durum snur ~erta<idir. Dame veya ~ i$~imiyte ilgiti i$1emlerde lab<ikayadarn;1lmas1 gerekir.
3. VF. 8ms'lik dart>e slnyali kullanHarak ~~tut.
..
~ekil l.Sl ~itli iiplcrdejonk.<iyoo diyo!lan,{(a),ve (b). General Electrik Company ve (c), Internationa! Rectifier ~ekil 1.52 Monolitik diyot dizisi, (Fairchild Camera ve lnstnnntiir'eil,\xi~tion izniyle.)
Company izniyle.l
BolOm 1.19 Olyot Oizlleri-Entegre Devreler
BolOm 1 Yanlletken Olyotlar 49
48
 Bu sadece basitce elektronik sisternlerde onemli oli;:ude boyut kii<;iilmcsini sag- la111lacag1 dururnlardn, sadccc 1 vc 2 nurnarali bacaklar (3'tcn 9'a kadar hcrhangi bir
layan bir paketleme teknigidir. Baska bir deyisle, entegre dcvrcnin iccrisindc. bugiin bacak) kullarulacakur, Geri kalan diyotlar scrbest olacak ve 1 ile 2 numarah ba-
bildigirniz anlarmyla entegre devreler gerceklcsmeden cok once var olan sisternler cagm bagl: oldugu devrcyi etkilemeycceklerdir.
·ve dcvre elemanlan bulunmaktadir.
Olasi dizilerden bir tanesi ~ekil l.52'de gorulrnektedir, Fairchild FSH 1410M :'ROB LEMLER
diyot dizisinde sckiz adet diyot bulunduguna dikkat edin. Yani Sekil l.53'de gos-
terilen paket icinde bulunan diyotlar, tiim anotlan 1. bacaga ve katotlan 2-9 arasi ba- .'·-'
caklara bagll olan tek bir silisyum pula ycrlestirilrnistir. Kihfa aluan bakugirruzda I
numarah bacagin, kihfta bulunan kii<;ilk i;:1k.tntrnm solunda bulundugunu ayru §C- 1. Yaniletken, oz direny, govde direnci ve omik temas direncini kendi ciim-
kilden gorcbiliriz, Bunu sirasiyla diger numaralar izlcr, Yanhzca bir diyodun kul- lelerinizle ifade cdin.

~--~Jrl_ f ......
2 0 t Otunnaduzlcmi
2. (a) Tablo I. I 'i kullanarak 1 cm2 alana ve 3 cm uzunluga sahip bir silisyurn
parcasimn direncini hesaplayin.
(b) (a) §lkk.tm, uzunlugu I cm2 ve alaru 4 cm? kabul ederek tekrarlaym.
(c) (a) §Lkkm1, uzunlugu 8 cm2 ve alaru 0,5 cm? alarak tekrarlaym.

mm~oo~
~ .500 (d) (a) sikkim bakir icin tckrarlaym vc sonuclan karsrlasnrm.
min.

3. Bakmn atomik yapisuu 9izin ve nedcn iyi bir iletken oldugunu taI11§1p, ya-
pisimn germanyum ve silisyumdan hangi acilardan farkh oldugunu bclirleyin.
Cam
4. Oz yarriletken bir malzemeyi, ncgatif sicakhk katsayrsmi ve kovalent bagi
kendi tan,mlaym.
Yahtk:an rnadde- ~,·~ii t.,.,
FSA 1410M diyotdizisinc
dcgi~k ;ekiUerdc ili;kin TO-% soandanlt p:okci boyuuan.
Tl.im Ulunluklar ii~ olarak verilmistir.
5. Kiitiiphanede arasurma yaparak, negatif sicakhk katsayisma sahip ii<; rnal-
C Fairchild Camera and lnstrumem Cor- zemeyle, pozitif sicakhk katsayisina sahip ii<; malzemeyi belirleyin.
No4/ar: ~tion faniyh!.)
Kovar bacaklat, alhn kaplamah tam
Tam 11zdfrmazhk HllaaQ\lf paket TO·l 16-7 Slooda,do Boyullaro
Paltet •l,ritli 1.32 gram

1, 1.3
/
6. 3 volt'luk bir potansiyel farkmdan 6 C'luk bir yiikii gecirmek i~in ne kadar
enerji (joule)gercklidir.
7. Eger, 12 Volt'luk bir polansiyel farkmdan bir yiikil gecirmek icin 48 eV
Baglanll¥)malan enerji gerekiyorsa, yiikiin biiyiikliigiinii bulun.
FSA2500M 8. Kiitiiphaneden yararlanarak pratik oneme sahip olan yan iletkenJerclen GaP ve
I
ZnS i<;in E, diizeyini belirleyin. Aynca bunlardan her birinin 1am admi bulun.

~~{{1---.---.-,.--,{111 1 .•. 1

Bn TQ-TIC>-2 Paket BoyuUari 9. n-lipi ile /Hipi yar1iletken malzemeler arasmdaki fark1 belirtin.
~ddl 15J Mnoolitilr.. di~or ~li~1~1. I •1111
Nll4/ar: uzunluk.lar i1~ 0J:,.r3\:. ven\n11~11r. (l·a
42 adet alllfundanyap,lmlf kolay ,;-,, l , -. irchild Cumcra nud 11ls1rnm.enlCor-
kaplamalt bacak poration izniylc.) 10. Donor ile akseptor kalk1lan arasmdaki farkt belirtin.
Altla taplam•h bacaklat da vardlr
Tam ,izd,rmazhk u~laomtf BolOm 1 Yaniletken Oiyotlar Boliim 1 Problemler
&enmik paket
51
 lamlacagi durumlarda, sadecc 1 ve 2 nurnarah bacaklar (3'cen 9'a kadar herhangi bir
Bu sadece basitce elektronik sistemlerde onernli oli;iide boyut kii<;iilmesini sag-
bacak:) kullamlacaktir. Geri kalan diyotlar scrbest olacak ve 1 ile 2 numarah ba-
layan bir paketlemc teknigidir. Baska bir deyi~le, entegre dcvrenin i9erisinde, buglin
cagm bagh oldugu devreyi ctkilemeyeceklerdir.
bildigimiz anlarmyla entegre devreler ger<;:ekle~meden cok once var olan sisternler
ve devre elemanlart bulunmaktadir, PROBLEMLER
Olasr dizilerden bir tanesi $ekil l.52'de gorillmektedir. Fairchild FSH 1410M
diyot dizisinde sekiz adet diyot bulunduguna dikkat edin. Yani Sekil l.53'de gos-
terilen paket icinde bulunan diyotlar, tum anotlari 1. bacaga ve katotlan 2-9 arasr ba-
caklara bagh olan tek bir silisyum pula yerle~tirilmi~tir. Kilifa alttan bakt1g1m1zda I
nurnarah bacagro, kihfta bulunan kiiciik cikmnrun solunda bulundugunu aym ~e-
1. Yaniletken, dz direnc, govde clirenci ve omik temas direncini kendi cum-
lelerinizle ifade edin.
kilden gorcbiliriz. Bunu sirasiyla diger numaralar izler. Yanlizca bir diyodun kul-

2. (a) Table 1.1 'i kullanarak I cm2 alana ve 3 cm uzunluga sahip bir silisyum

~Flrl_
parcasrrun dircncini hesaplaym.
(b) (a) §tkkmt. uzunlugu I cm2 ve alaru 4 crn? kabul ederek tekrarlaym.
2_.._}0_ ..... Otunnadiizlemi (c) (a) §1kkm1, uzunlugu 8 cm2 vc alaru 0,5 cm? alarak tekrarlaym.
1
mm~m~
(d) (a) sikkiru bakrr icin tekrarlaym ve sonuclan karsrlasnrm.
- .500
min.
3. Bakmn atomik yapismi <;izin ve neden iyi bir iletken oldugunu tartisrp, ya-
ptsrrnn germanyum ve silisyumdan hangi acilardan farkh oldugunu belirleyin.

Cam
4. Oz yaniletken bir malzemeyi, uegatif srcakhk katsayismt ve kovalent bag,
kcndi tarumlaym.

Yahtkan madde- ~,kil J.,.< FSA 1410M diyot dizisine

de!i~ik ~elcillerde iliikin TO-% standanh paket boyuttan. 5. Kutuphanede arastirma yaparak, negatif sicakhk katsayisma sahip liq mal-
Tiim uzun1uklar inc; olara.k verilmistir.
(f'airchild Camera and Instrurncut Cor- zemeyle, pozitif sicakhk katsayisma sahip ii<; malzemeyi bclirleyin.
Notw: l'M~.11ion izfliyh:.)
Kovar bacatl&C.altm kaplamabtam
Tam stzd1rmazhk••~l••nui patct T0· 116-2 Standard, Boyutlan
Pakel a~irbA• 1.32 gtant ~ ! . .I

6. 3 volt'luk bir potansiyel farkmdan 6 C'Juk bir yuku gecirmek icin nc kadar
.0:?5 nom. enerji (joulejgereklidir.
7. Eger, 12 Volt'luk bir potansiyel farkmdan bir yiikii gecirrnek icin 48 eV
cnerji gerekiyorsa, yukun bilyiiklligiinu bulun.
Baglanb. ~malan 8. Kutuphaneden yararlanarak pratik oneme sahip olan yan iletkenlerden GaP ve
FSA2500M
ZnS icin E.~ dtizeyini belirleyin. Aynca bunlardan her birinin tam adm1 bulun.

1.-!
l--31! •
not
9. 11-tipi ile p-tipi yaniletken malzemeler arasmdaki farki belirtin.
BlczTQ-Tf6-2 Pake! Bo)Ullan Seki! l.5-.t Monotitik diyct disi:.i. l'iim
u.zuoh1ktar in<.; olamk vtrih11l~1ir. (\·;1
Notlar: ircluld C:m~r:\ .11\d ln~trum.::nt Cor- 10. Donor ile akseptor katktlan arasmdaki fark1 belirtin.
42 add. al°'mtdan yapll!ruf kolay • <;;,_; ,-,:. poration i1.niytcJ
uplamab bacak
AIIIO taplamah bacaklar da vardlr Biiliim 1 Problemler
Tam ,izd1nnazhlr. .alJan1111t BiilOm 1 Yaniletken Diyotlar 51
seramik pokel
 11. c;ogunluk ile azinlik tasiyicrlan arasindaki farki belirtin. 22. Geri ongerilimleme bolgesinde bir silisyum diyodun doyma akirru yaklasik
0.1 µA (T = 20°C). Sicakhk 40°C artmldigmda yaklasik degerini bulun.
12. Silisyumun atomik yaprstru cizerek, !;iekil l.6'da germanyum icin gosterildigi
gibi, bu yapiya arscnik katkilan yapm. 23. Bir silisyum ile germanyum diyodun karakteristiklerini ka~1la~tmn ve pratik
bir uygulamada ~ogunlukla bunlardan hangisini kullanrnayi tercih cdeceginizi
13. Problem 12'yi indiyum katkisi yaparak tekrarlaym. belirleyin. Baska aynnnlan da belirtin. Bir uretici listesini kullanarak ve benzer
I maksimum anma degerlerine sahip bir gerrnanyum ve silisyum diyodunun ka-
14. Kutuphaneden yararlanarak delige karsihk elcktron aki~1 i~in Iarkh bir acrk- rakteristiklerini karsilasunn.
lama bulun. Her iki acrklamayi kullanarak kendi kelimclerinizle delik enjeksi-
yonu islcmini anlaun.
I.7

24. !;iekil 1.20'dcki diyottan, ilcri yonde 5 mA'lik bir akrm akmasi durumunda sta-
'' 1.5
tik veya de dircneini bulun.
15. Bir ideal diyodu kendi sozciiklerinizle tammlaym vc elemamn a~,k (iletrne) ve ka-
pali (ilctrncme) durumlanm nasrl belirledigini acrklayin. Yani, kisa-dcvrc ve 25. 24. problcmi. 30 mA'Irk bir ileri alum degeri icin tekrarlaym ve sonuclan
acrk-devre C§dcgerlerinin neden uygun oldugunu anlatm. karsilasunn,

16. Basil bir §alter {anahtar) ile diyot karakteristigi arasrndaki oneml! fark nedir? 26. !;iekil l .20'deki diyodun, -5 V'luk bir ters gerilimdeki statik veya de di-
(Ipucu: Iletirn durumunu ve yuk aki§ ydnunu goz onune alm). rencini belirleyin. - 10 V'luk bir ters gerilimde elde edilen degcrlc nasil bir
farkhhk gosteriyor?

~ {.(,
r.s
17. Kendi kclimelerinizle bir ileri ve geri ongcrilirn durumu tarafmdan bir p-n
jonksiyon diyodunda olusturulan kosullan ve bu nun olusan akinu nasil et- 27. ~ekil 1.23'deki diyottan, ileri yonde, IO mA'lik bir akim akmast durumunda
kiledigini tarif edin. dinamik (ac) dircncini bulun. .

18. Bir p-11 jonksiyon diyodunda ileri ve geri ongerilirnlerne durumlarrru nasil
haurlayacagmm tarif edin. Yani, hangi potansiyelin (pozitif veya negatit)
hangi uca uygulandrgrm nasil hatirlayacaksrmz?
19. !;iekil l.18'i kullanarak, id= 10 mA - 50 mA bolgesi icin, piyasadan all-
nabilen ticari bir S; elcmaru ile 1.4 C§itligi ile verilen karakteristikler
arasindaki gerilim cinsinden hesaplaym.
20. Denki em (l.4)'ii kullanarak 20°C'de, I,= 50A olan bir silisyum diyot vc 0.6 V'luk
bir ileri ongerilirnlemesi i~in diyot ak1m1111 belirleyin.
28. ~ekil l.23'deki diyodun, 10 mA'lik bir ileri akrrndaki dinarnik (ac) direncini
Denklem (l.7)'yi kullanarak bulun ve 27 numarah problemin sonuclan ile kar-
§!la§llnn. ro'nin katkisi ne kadardu? Dinamik (ac) dircncini Dcnklcm (l.7)'yi
kullanarak bulun ve 27 numarali problemin sonuclan ile karsilastmn. r8'nin
katkisi ne kadardir? , ..
29. ~ekil l.23'deki diyodun, 20 mA'hk bir ilcri yon akrmmdaki de ve ac direneini
hesaplaym ve sonuclan kar§ila§Urm.
* 1.9

21. 20 numarah problerni T = 100 °C (suyun kaynama noktasi) icin tekrarlayin. I., 'nin 30. !;iekil l.24'deki diyodun, 0.4 ile 0.8 V arasmdaki bolge i~in ortalama ac direneini
5.0A'e yukseldigini varsaym. bulun.

52 BotOm 1 Yanlletken Dlyotlar BOIOm 1 Probtemtar

53
31. Sekil l.24'deki diyodun, 0.6 V'ta de ve ac direncini hesaplayrn ve 30 numarah
problemdc hesaplanan ortalama ac direnciyle karsilastrnn.

:r,
~ I. [ ()

32. ~ekil 1.24'deki diyot icin parcah dogrusal esdcger devreyi bulun. Yanilctken 10

;___J10,n
diyod icin dogrusal-cizg! kisrrunm yatay ekseni 0.7 V'ta kestigini varsaym (S;).

33. Ornek problem l .2'yi r 011• = 32 n icin tekrarlaym. Ryuk = 220 n

0
5

~ l.l I

34. Difi.izyon islemini baska bir drnek vererek aciklayin.

35. Stiriiklemne akum, difiizyon akimmdan hangi baktmdan farkhdir?
~ l.12
36. (a) Sckil l.33'c gore, -25V ve - lOV'luk geri ongerilimlerne potansiyellerinde
ge<;i~ kapasitansuu hesaplaym. Kapasitanstaki degi~imin gerilimdeki
degisime oram ncdir?
(b) (a) sikkuu -lOV ve -IV'luk geri ongerilmelerne potansiyelleri icin tekrar-
laym. Kapasitanstaki degi~imin gerilimdeki degi~imc ora111111 bulun.
(c) (a) ve (b)'de elde edilen oranlann karsrlasunnasi ne gibi bir sonuc veriyor.
Hangi gerilim arahgimn daha pratik uygulama alam olabilecegi konusun-
da ne soyleyebilmektedir,
~ 1.1-1
41. Sekil l.36'da karakteristigi gorulen diyotta 10 mA"lik bir akimda ve ~75
°㩤ɆC, 25 °C, 100 °C, ve 200 °C sicakliklarda meydana gelen ileri gerilim dii-
§iimiinii bulun. Her bir sicakhk icin doyma akrmirun duzeyini belirleyin.
Her ikisinin u9 degerlerini karsilasunn ve bunlann birbirine oraru uzerine
yorum yapm.
42. T 151 diyodu icin ileri ongerilimlerne bolgesindeki maksimum giiy kaybuu he-
saplaym. Maksimum geri ongerilimlerne kaybi V = -lOV'ta (T = 25 °C) ne
kadardrr?

37. $ekil J .33'e bakarak, OV ve 0.25V'ta difuzyon kapasitansiru belirleyin.
38. Kendi kelimelerinizle difiizyon ve ge9i~ kapasitansi arasmdaki farki belirtin.
39. $ekil I .33'teki karakteristikle tarurnlanan bir diyodun, uygulanan frekansm 6
MHz olmasr halinde 0.2 V ileri potansiyelde ve -20 V geri potansiyelde sag-
Iayacag. reaktansi belirleyin.
43. Problem 42'yi 1N459A diyodu icin tekrarlaym, /R'nin geri ongerilirnlerne ile
onernli bir degi~ildige ugramad1g1nt varsaym.
44. $ekil l.37'nin verilerini kullanarak BAY73 diyodu icin gii<; anma degerinin dti~ti~
egrisini yizin ve 50°C'de nominal gtiy diizeyini bulun.
45. ~ekil 1.37'delci verilerden yararlanarak BAY73 diyodu icin Ir (ordinat)'yc karsi
VF (maks) (apsis) egrisini cizin ve varsa, konuya iliskin belli bash noktalan be-
lirtin.

40. Sekil l.55'deki devre icin i'nin dalga bicirnini t, = 2t., ve toplam nkanma suresi 46. Problem45'i ters (geri) akim icin tekrarlayin (TA= 25°C).

I
19 ns oldugunu dikkate alarak cizin.

54 Bolilm 1 Yanlletken Dlyotlar BOIOm 1 Problem!er 55

 47. BA129 diyodunun 1 MHz'lik bir frekansta kapasitif reaktansi nedir'!
59. Eger FSA 141 OM'nin her bir diyodundan 40 rnA'lik akirn akiyorsa, 1.
48. t, = ls olarak kabul edildiginde, BA Y73 diycxlunun ukanma siiresinin cgrisini cizin. uctan akan akim ne kadardir? Eger 1,5 ve 9 nolu diyotlar 100 mA'lik y

ileri akirnlarla (!,,) ile aktif dururndaysa, 1 nolu bacaktan 9 nolu bacaga
· 49. lo= 200mA'lik bir ortalama dogrultulmus seviye anma degeri ile baglannh kadar ileri yondc gerilim dii§iimii ne kadardir?
olan tepe akimiru hesaplaym (yanm dalga dogrultulmus sinyal). '
60. Sekil l.54'deki her bir diyodda 0.7V'hk bir Vr ve 30 mA'lik bir IF oldugunu
SO. $ekil l.38'deki V,.- - Ip egrisini 45 numaralan problemin sonuclanyla karsilas- kabul edersek, l nolu uctan 10 nolu uca kadar olan akirru ve l nolu bacakan ·
tmn. 10 nolu bacaga kadar dii§en gerilimi hesaplaym.

51. (a) $ck.ii l.38'e bakarak, maksimum §artlar altmda IrnA'Iik ileri akimdaki sr-
cakhk katsayrsiru belirleyin.
(b) (a) kismmm sonuclanru kullanarak, sicaklik 20C arttigmda ilcri gc-
rilimdeki degi§imi belirleyin.

52. Sckil 1.38'dcki gi.ic;: anma degerinin dii§i.i§ egrisiyle 44 numaralan problemin
sonuclanru karsrlasunn,

53. Maksimum kosullar altinda akrm, !OmA'den O. Im A'e dii~iiriildiigiindc di-

namik empedansdaki degisim nedir? Sekil l.38'i kullanm.

~ 1.18

54. Tck bir gcnnanyum vcya silisyum kristali iiretrnek icin kullanilan Czochralski yon-
temini anlatm.

55. Ytizer-bolge bolge tcknigi Czochralski yonteminden ne gibi farklt.hldar gostermekte-

dir?

56. Endiiksiyon isitmasi nedir? Kendi ciimlelerinizle anlatm.

~:

x
' 1.1 '>

57. FSA 1410M dizisindeki her bir diyot icin 75 °C'de maksimum giic;: kaybi nedir?
Giic;: anma degerini dil§iinne egrisin; cizin.

58. Seki! l.52'yc bakarak, (diyot basina) ileri akinu 100 mA'in ve s1cakl1g1 oda st-
cakhgirnn (25 °C) iistilne c;:1kanld1g1nda meydana gelebilecek zararli etkilerin
listesini cikarnn.

Bolilm 1 Problemler
56 BolOrn 1 YarilletkenDlyotlar 57
 II Si Ge
I -t>J-- -t>t-
0 0 0 0.3 V

$ekil 2.1 Diyodury ideal ve yakla~ok karak1e1is1ikleri .

..

Sekil 2.i Herhangi bir diyodun "kapah" durumu.

vd>O
2.1 GiHi$
lld
Yaniletkcn diyotlann yapiss, karakteristikleri ve modelleri 1. Bolumde tamttldt. Bu bo-
O +~ - 0 -
li.imi.in temel arnacr ise, deg~ik dcvre diizenlemelerinde, uygulama alanma uygun mo-

-
deller kullanarnk: diyodun pratik uygulamalanna ili§kin bilgiler kazandurnakur, Bolumun
v.,. 0,1 V'dan

-
az vd~ 0.7 V
sonunda diyodlarm de ve ac devrelerindeki temel davrarus yapisi a9tl((;:a anl~Jlm1§ ol-
l/4 114
malidrr, Bu boliimiinde ogrenilen kavramlar daha sonraki boliimlerde biiyiik oneme sahip
~ 0-
~ 0 • 11 • 0
olacaknr, Omegin, cliyotlar transistorlerin temel yapisirun tamrnlanrnasmda ve transistor Si Si 0.7V

-
devrelerinin de ve ac eksenlerinde analizi sikca kullamlmaktadrr,

-
Bu boliimiin i~rigi elektronik elemanlar ve sistemlcr gibi bir alan iizerinde i;;a·
l'J,0,3 V'cb,naz ua> 0_.3 V
V4 l/4
hsmarnn olumlu bir yoniinii ortaya koymaktadrr; bir elemanm temel davrarus bi-
cimi bir kere anlasildiktan sonra sonsuz sayida duzenleme icinde islevleri ve rep- ~ <>------
~ 0 • 11 • 0

Ge Ge 0.3 V
kileri belirlenebilir. Uygulama alanlanrun sonu yoktur; ancak karakteristikleri ve
modelleri hep ay111 kalmaktadir,
Sckil 2.• ideal ve yakla~,k e~deger di·
Sc kif 2.3 Si ve Ge diyotlannon "kapah• durumlaro. yottaron ·a~1k" durumlan.

2.2 DC GiRi$Li SERi DiYOT DEhlHEl-1i
A§ag1daki analiz icin l.10. Bolumde tarnmlanan ve ~ekil 2.1 'de verilen sembollerle
yaklasik diyot modeli kullarulacaknr. ~ekil 2.1 'in turn modelleri icin ~ekil 2.2'de
verilen polarite ile diyot iizerine uygulanan veya sonucta ortaya cikan her bu-
yiiklilkte gerilimin bir aak-devre esdegcrine yani "kapah" duruma yol a9acagm1
unutmayin. Yaklasik modeller durumunda (ideal model hari9 olmak uzere), si-
lisyumda 0.7V ve gennanyumda 0.3V'dan dii§ilk ve ~ekil 2.3'deki polarireye sahip
olan gerilimler, aynca bir acik devre esdegerine yo! acacaktir. ideal diyot icin Sekil
2.3'de gosterilen polariteye sahip herhangi bir pozitif gerilim, ~ekil 2.4'i.in "acik"
durum kisa-devre ~degerini saglayacakur.
A~ag,daki analizde esdeger devrelerde yer alan 0.7 ve 0.3V'luk gerilim kaynak.lannm,
ba.~1ms1z birer enerji kaynag1 olrnadigiru unutmaym. Ornegin, diger devre ele-
manlarmdan yahulrms tek basina bir doyotun uclanna bir. voltmetre bagland1gmda 0.7V
vc 0.3V'luk degerler gostermeyecekrir, Bu, diyodu, ideal karakteristikten ayiran saprna
geriliminin etkilerini dahil etmek icin kullamlan bir mekanizma, yontem, vs'dir.
Kuskusuz, uygulanan ileri ongerilirnin bi.iyiikliigi.i diyodun davraruslan iizerindc
belirgin bir etkiye sahiptir. Arna ya sonuctaki akirn diizeyi? Ai;;ik dcvre durumu icin bu
a91k~a O A'dir. Eger kisa devre durumu sozkonusuysa, aktm; diyodun ba,~t, oldu.~11
devre tarafindan belirlenecektir. Dogal olarak bu deger, aygiun maksimum anma de-
gerinden daha dil~iik olmahdir, ancak ideal olarak, ileri ongerilirnli bir diyot iizerinde
sabit bir gcrilim dii~i.imil olacakur (ideal diyod icin OV, Si icin 0.7 V ve Ge icin 0.3V)
ve akirn, diyodun icinde bulundugu devre tarafmdan belirlenecektir.

58 BolOm 2.2 OC Glrl§II Serl Dlyot Devrelerl 59

 ~ekil 2.5'deki seri bagh de devrelerinin farkli gerilim vc akim diizeylerini he-
saplayarak i§e ba§layahm. Aglf!Jkh oneme sahip ilk soru diyodun durnmudur; acik ORNEK2.1
devre durumu mu yoksa kisa devre durumu mu varsayllmaildir? Devrelerin co- ~ckil 2.8'deki seri diyot devresi icin Vo, VR ve lo'yi bulun.
gunlugunda, diyotu §Ckildcn tamamiyle pka11t1g1mtZda, akrrrun hangi yonde be-
lirlcrnek, diyodun durumuna ili§kin ipucunu saghyacaktu. Eger akirnm yonii (~ekil
2.6'da oldugu gibi) diyot seniboliindeki okun yoniiyle aym yone sahipsc, diyot, dev-
rcde diyotun Vr geri ongerilimleme geritimim karsilarnaya yeterli gerilim oldugu
siirece "a~ak" durumdadrr,

-t>t--
+
VD

~:R ~ .. .
+ rt Si
(I
•'
+
E
R VR E R VR ~'
(oziim:

. . sem bo1··un okuyla ayru yonde olacak §Cki!de saat yonunde bir
Uygulanan gerilim,
akimm akmasma neden oldugundan diyot "acik'' durumdadir.
~··k ii 1., Seri bagh di}'OI ~l:~iJ .?.(1 l)jyot durumunun belirlcnmc.~i.
devres;
Vo=0.7 V
Vn=E- Yr=8-0.7 =7.3 V
E>Vr oldugunu varsayarsak, diyot "acik" dururndadir ve ~ekil 2.7'deki ~deger
devre ortaya crkar, ~imdi, IO = lR = ~ = __:j;J_ = 3.32 mA
R 2.2 kil
IVD=VT]
{2.1)

E3
()RNEK 2.2

(2.2) .. k pro blem 2- 2'y1' diyodu ters yonde yerlestirerektekrarlayin.

Orne

ve
f lo=IR=1;f
(2.3} Ciizilln: .. . ..
• . .. .. .. c: kil 2 9'daki diyot semboli.indeki ok yo·
Diyodu kaldirdrgirmzda, fnm yonunun "e . h . ode! kullanihrsa kul-
.. .. Id ~ nu buluruz ve dolayrsiyla ang1 m .
nune gore ters o ugu !j kil lO'daki devredir; bu-
2
larulsin diyot ~dcgeri a~tk devre.o!acak~ :~nufd ~e i~in. VR = (O)R = 0 V'dir .
. rada ID, aytk devre dolayisiyla OA dir. VR - R o ugu •
<;evrc boyunca Kirchoff gerilim yasasmi uygularsak,

~l'kil 1.7 Si dlyo1a ail ·~1k"-durum qdej;crinin dev- E- Vo- V11=0

redc ycrine kooulm.iSe.
vc =
Vo= E- VR E- 0 E= 8 V =
60
Bolum 2 Oiyot Uygutamalarr

DC Giri~U Seri Oiyot Devrelerl 61

 .. ,, ID =OA

EC
;•
=n/R =i)!R =OA
rr; + VD +
6mek 2: l'dekine benzer bir yaklapm, akan alamm her iki diyodun sembolleriyle
aym yonde oldugunu gosterecektir; dolayrsiyla E =. (2V > (0.7 + 0.3) IV ol- =
E 8V R 2.21cn VR R 2.2 kn VR
dugu icin ~ekil 2.13'deki devre ortaya ytkar. Yeni 12V'luk kaynaga ve 5.6 k'luk
direnc uzerindeki Vo'm polaritesine dikkat edin. Olusan gerilim;

V0=E-V7 I -V7•,=12-0.7-0.3=11 V

~ckll 2.10 /o=IR= VR =YQ.=_t_l _= 1.96 mA

ve R R 5.6 kn
Ozellikle Ornek 2.2'de "kapah" durumda olrnasma ragrnen diyot iizerinde dii§en
yiiksek gerilime dikkat edin. Akim sifir, ancak gerilirn anlarnh bir diizeydedir, in-
(Jl{:\l-'.f( 2 .. :
celeme acismdan, ll§ag1daki analiz icin ~u noktalan aklrruzda bulundurun:

I. Bir actk: bir devrenin uclanna herhangi birgerilim uygulanmts olabilir,

ancak, aka'! aktm daima O A 'dir.
2. Bir kisa devrenin uclanndaki gerilim diisiimi! daima OV'dur, ancak akan aki-

I
min biiyiiklii.~ii sadece ccvreleyen devreyle strurlultr.
,;-1,ii !.l-1

~imdi verecegirniz ornekte uygulanan gerilim icin ~ekil 2.ll'deki semboller

kullarulacaknr, Bunlar, endustride yaygm kullamlan ve okurun bilmesi gereken
sembollerdir. Bu semboller ve diger tarumh gerilim diizeyleri 5. Bolumde daha ay-
rmnh olarak ele ahnacaktir. ( 'ii1i1111:

Diyotlar 91kanhp olusan I alammm yonii belirlenince $ekil 2.15'deki devre elde

-l
E=-S V edilir, Silisyum diyot icin akirn yonunde eslesme vardir, nncak gennanyum diyot
0
i,;:in yoktur. Bir kisa devrenin bir a,;:1k devre ile seri olarak dtizenlenmesi her

EI sv zaman acik devreye yol aear, $ekil 2.16'da gosterildigi gibi Iv= 0 A olur.

1'
·-,, •.
i;) +

S.6Jc0
<)HNEK:U
-=-
'-l1i.i:.• 1·,

Sckil 2. I 2'dl'ki scri dcvrc icin 1 ·,, vc '"'yi hulun.

Si IR

+ +
:-,:.-1,:1 .' I"

l
12V~

~d,il ~.I~

62 Bolum 2 Diyot Uygufamalari B610m 2.2 DC Girl~II Serl Dlyot Oevrelerl 63

 (,:iiziim:
~imdi sorun, silisyum diyodun yerine neyin konmasi gerektigidir, Bu ve ile-
riki bolumlerdc yapilacak analizlerde pratik diyot icin I. Bolumde on- ~ekil 2. l 9'da gosterildig! gibi kaynaklar 9izilmi§ ve akirn yonleri belirlenrnistir.
Diyot "acik" durumdadir ve yaklasik C§deger model .~ekil 2.20'de yerine kon-
gerilimlemenin olmadigr durum i9in tarumlandigr gibi VO= O V oldugu zaman / 0
= 0 A oldugunu (ve tersi) hanrlaym. Vo, = 0 V ve lo= O A ile tammlanan ko- mustur.
§Ullar ~ekil 2.1 Tde gosterilmistir. l=Ei+Ei-Vo= !0+5-0.7 =_H,l_
Ri + R2 4.6 kn+ 2.2 kn 6.8 kn
= 2.1 mA
ve
Vi= !Rt= (2.1 mA)(4.6 kU) = 9.66 V
V2 = IR2 = (2.1 mA)(2.2 kn)= 4.62 V

<:;1kt§a Kirchhoff gerilim yasasuu saat ynnilndc •. ,1guh,rsak;

4.6 k!l

~rkil .!.17

Kirchhoff gerilim yasasiru saat yonunde uygularsak

~ckil 2 . .!U
E - Vo1 • Vo1 - Vo= 0
Vo1 = E - Vo1 - Vo= 12 V - 0 - 0
vc
= 12 V
ve
-£2 + V2 - V2 = 0

Vo= 0 V Vo= V2 - E2 = 4.62 - 5 =- 0.38 V

Eksi isareti, V0'm ~ekil 2.20'dekinin tersi bir polaritleye sahip oldugunu gosterir.
(YRNEK 2.5

2.3 PARALEL VE SERi-PARALEL

~ckil 2.18'deki seri bagh de devresi i<;in I, V1, Vz ve Vo'1 bulun.
DEVRELER

v, - 2.2. Boliimde uygulanan yontemler, paralel ve seri paralel devrelerin analizini de uy-
+
gulanabilir. Her uygulama alam icin, seri diyot devrelerinde uygulanan ardisik adim-
R1
Ei" IOV Vo lar dizisini e~lcmcniz yctcrlidir.
4.6 kn +
Si i)
R2 2.2 kSl "2 ()RNEK 2.6

Seki! 2.2l'deki paralel diyot devresi icin V0, !1, 101 ve /D2'yi bulun.

Biilum 2.3 Paratel ve Serl·Paralet Devreler 65

64 BolOm 2 Diyot Uygulamalan
 (}ltNE!,: 2.7

Seki! 2.23'dcki dcvreden akan I akirrum bulun.

-
+ V11. -

~·
t, o.33 kn
+
J'o, + Si

-
R 101

E IOV D1 Si D1 Si Vo
£110V 0.7v_I -r0.7Vo: i R

Ge

~i:kil 2 . .!I

Dcvreyi $ekil 2.24'de gosterildigi gibi tekrar cizersek akan akim yiintiniiri, si-
Coziuu: lisyurn diyodunu acik ve gerrnanyum diyodunu kapali hale gctirccek sekilde ol-
(1ugu ortaya crkar. Dolayrsiyla sonucta akan I akirm
Uygulanan gerilim icin kaynagm "baskrsi", Sekil 2.22'de gosterildigi gibi her bir
diyot uzerindc aym yonde bir aktm almmasma neden olur. Akan akirrun yonti, 20 - 4 - 0.7 = 6.95 mA olur.
her diyodun uzerindeki sernbol ile aym yonde ve uygulanan gerilim 0,7 V'tan 2.2 kD
daha biiyiik oldugu icin, diyotlann ikisi de "acik" durumdadir, Paralcl baglt ele-
manlar iizerindeki gerilim her zaman ayrudtr ve bundan dolayi,

Vo=0.7V
fl

·1~v
R =2.2krt
Akim

fi=V11.=E-Vo=l0-0,7 ,,,28.18mA
R R 0.33 kn

Diyotlann, benzer karakteristiklere sahip oldugunu dii~iiniirsek, (JJ{:\J.:k .!.t\

Sekil 2.25'deki devrc icin ls, /z ve lo; akrrnlanru bulun.

lo =lo= lL:28.18 mA - 14.09 m A 1, R1

I I 2 2 Si _3.3kn

D1 iIoz
Ornek 2.6'da, diyotlann nicin paralel bagland1klanm gostermektedir, $ekil
2.21'deki diyotlann akim anma degerleri sadece 20 mA olsaydi, 28.18 mA'lik bir E 20V Si Dz
akrm, Sekil 2.21'deki tek elernan olmasi halinde hasara yol acardr, Ikisini paralel
yerlestirerek, akim aym ur;; gerilimi ile 14.09 rnA'lik giivcnli bir diizeyde s1-
rurlanrmsnr. S.6 kfl

66 BolOm 2 Diyot Uygulamalarr Boli.im 2.3 Paralel ve Serl-Paralel Devreler 67

 "O" olarak verilmistir, VEY A kapisi, girislerden biri veya ikisi birden I oldugu zaman ~~
<,:ii,:ii Ill;
gerilim diizeyini 1 yapar. Her iki giri§ siftr oldugunda, S:00§ da O'dir, VF,/VEY A kapilanrun
analizi ideal diyot modcli kullanmak yerine diyot yaklasik ~degcrinin kullanilmasiyla ol-
Uygulanan gcrilim (basmc) her iki diyodu as:1k duruma getirecck §Ckildcdir. Du
dukca kolayl~maktadir. <;Unkii diyot uzerindeki gerilirnin, "acik" duruma ge9cbilmek icm
durum ~c.kil. 2.26'da gosterilen alam yonleriyle belirtllmistir. Burada esdeger
d~vre c;:ekild1kten sonra + c;:ozi.imiin dc-seri-paralel devreler ic;:in uygulanan tek-
silisyum diyotta 0.7V (Ge'de 0.3V) olmasi gerektigini varsayabiliriz.
Genelde bu konuya en iyi yaklasim, uygulanan gerilimin "baskisma" vc yoniinc
nikler kullanilarak elde edildigine dikkat edin.
bakarak, diyotlann durumunu belirleme konusunda bir sezgi geli§tinncktir. Daha
sonra analiz, ilk varsayirmzm dogrulugunu veya yanh§hgm1 ortaya koyacakttr.

()RNEK 2.9
~ekil 2.27'dcki dcvre icin Vo't bulun

Si
(I) E• IOV
I D1
+
0.7 V R1 3.3 kU
Si
(0) ov Vo
- ------ _Ja 2 D2
s.s en ~cl.ii l.26 R !kn
Vz +

~irchhoff gerilim yasasi gosterilen yevre boyunca saat yonunde uygulamrsa

- ~ekil Z.27 Potilif mannk veya kaptst

-V1 + E. VT • VT = 0 ()i,:ii Ill:

I 2
VC V2=E- Vr1 • VT2=20-0.7= 18.6 V
Baslangicta, sadece 1. uca uygulanan lO V'luk bir gerilimin uyguhmdigma dikkat
/z = YI.= ---11LlL= 3.32 mA edin. O V di.izcyindeki 2. girls ucu, ~ekil 2.28'de yeniden cizilerck vcrilcn dev-
ilc ve R2 5.6 Jen
rede de goserildigi gibi, toprak poransiyelindedir, Sekil 2.28, D/in bir olasihkla
' (a) alt diigiimiinde, uygulanan lO V 'dan dolayi "acik" ve Di'nin "pozitif" yonii O V'da oldugu icin
lo +f1=h "kapah" durumunda bulundugunu "dusilndtirrnektedir". Bu durumlann ~ekil
2
vc fo1 = li -Ii= 3.32 rnA - 0.212 mA = 3.108 mA

2.4 VE/VEYA MANTIK KAPILARI

Aruk analiz icin gcrekli arac;: gerece sahibiz; ve bir bilgisayar diizenlenmesini in-
cele~~k, .nispcten basil olan bu elemanm uygulamalanrun genisligin] gosterecektir,
An~l'.z1m1z gcril!m duzeylcrini bclirlcmeklc suurh kalacak vc Boole ccbirinin vcya I R I kSl
pozitif ve negatif manugm aynnulanna girmeyecektir. Ornek 2.9'da incelenecek
olan dcvre pozitif manuk icin bir VEY A kaprsidir.
Yani, ~ekil 2.27'deki lOV diizeyi, Boole cebirine gore "1" ve O- diizeyide v ~d,il !.~~

BolOm 2.4 VEJVEYA Mantik Kap1lan 69

68 Bllliim 2 Dlyot Uygulamalari
 Sonraki adim, yapugmuz varsayunlar y~li§en bir dumm olup olmadrgmr kont-
ise de, D1 'in katot tarafmda IO Vile Di 'in "kapah" oldugu varsayrlnusnr, Ancak,
rol etmektir. Yani, DI uzerindeki polaritenin onu ay1k duruma ve Di iizerindeki po- bu bolurniin girls kisrrunda belirttigirniz gibi analizde yaklasik modelin kul-
laritcnin onu kapah dururna getirdigine dikkat edin; D 1 icin "acik'' durumu Vo= E -
lannrunm v .mlnucr olacagim hanrlaym.
Vo::::: 10 - 0.7 = 9.3 V dtizeyinde bir Vo olusrurmakradrr, Dj'nin katot (-) tarafmda
9.3 V ve anot (+) tarafmda bir O Vile Di kesinlikle "kapali" durumdadir. Akirrun
yonil ve iletim icin olusan kesintisiz yol da D i'in iletim durumunda oldugunun bir
baska gostergesidir, Varsayimlanrmz, devredeki gerilim ve akimlar tarafmdan dog-
rularuyor gibi gorunrnektedir ve dolayisiyla ilk analizimiz dogru kabul edilebilir.
<;:1ki~ gerilim duzeyi, "I" giri.~i icin tammlanan IOV'Juk dilzeyde degildir ancak 9.3
V'Juk deger 1 diizcyinde oldugunu kabul etmek i9in yeteri kadar bilyiiktilr. Bundan
dolayr 91ki~. yalruzca bir giri§ yardirruyla l duzeyinde bulunmaktadrr, ki bu da ka-
pmm bir VEYA kaplSl·Oldugunun belirtisidir. Ayru devrenin lOV'luk iki girisle
analizi her iki diyodun da "acik" durumda ve 91k1§m 9.3 Volt duzeyinde olacagim
gosterecektir. Her iki giristeki 0-V'luk bir girls, diyotlan acmak icin gerekli 0.7 ~d,:il ~.Jt
Voltu saglayamayacaktir ve 91k1§, 0-V'luk 91kl§ diizeyi nedeniyle O olacaknr. Seki!
2.29'daki devre icin akrm diizeyi §U §Ckilde belirlenir:
. 'lDI diyodu durumunda; giris ve kaynak gerilimleri ayru diizeydeyse ve karsilrklr
l = E - Vo = ..!..O...:...Q. ~ 9.3 rnA bir baski yaratiyorlarsa 0.7 V nereden gelecektir? D2 diyodu, katot tarafmdaki
R. lkn l dii§iik gerilim ve 1 kn'luk direnc uzerinden gelen 10 V kaynag1 nedeniyle "acik"

Ili olarak kabul edilmektedir.

~ekil 2.3l'deki devrede V0'daki gerilim, ileri i.ingerilimlenmi~ olan Dz di-
j Sekil 2.30'daki pozitif "':mt.:!_.--1, '.!?_ kaprsi i~·in 91k1~ duzeyini bulun. ! yodu sebebiyle 0.7V'tur. D1 anodunda 0.7 V ve katotunda 10 V oldugu icin Di
! (I) Si
kesinlikle "kapali" haldedir. I akirrurun yonii ~ekil 2.3 l'de gosterilen yon, bu-
! £1=-JOVo---ilC}-~--, \ yiikliigii ise

I
I l
r I= E - Vv = l.Q...:JU. = 9.3 mA
~ (0) Si R l kn
t E1=- 0 V o--KJ-~~--oV,, olacaktir. ·
I 2

! R I kn Dolayisiyla diyotlann ne durumda olduguna iliskin varsayrm dogrulanrrusnr

i ve daha onceki analizirniz ge9erlidir. 0 diizeyi i9in tammlanan O V'ra olmamasma

l ~;,.1.it .! . .10 Po-lilifmunrtk VE kap1s1

ragmen 91k1§ gerilimi O diizeyinde kabul edilebilecek kadar kli9iiktiir. Bu nedcnle
bir VE kapssirun tek bir girisi, 0-diizeyinde bir 91ki~a yo! acacaknr. Geriye kalan
iki giri~li ve girissiz olasihklan icin diyot dururnlan boltimiln sonundak.i prob-
lemlcr kismmda incelenecektir.

')"'
,.,,)
Bu durumda devrcnin .topraga bagh bacagmda bagimsrz bir kaynagm bu-
lunduguna dilckat edin. · Birazdan gorecegimiz nedenlerden dolayi bu kaynagm
diizeyi, giris rnanttgi duzeyi ilc ayru tutulmustur, Devre, diyotlarm durumu ko-
. nusundaki ilk varsayimlanrmza uygun olarak ~ekil 2.31 'de yeniden cizilmisrir.
Herne kadar D1 diyodunun anoduna direnc iizerinden IO V'luk bir kaynak bagh
Y AfllM DALGA OOGRUL TMA
Diyot analizini simdi, sinusoidal dalga bicimi ve kare dalga gibi zamana gore de-
gi~en fonksiyonlan kapsayacak §Ckilde geni§letilecektir. Zorluk derecesinin artacag1
ku§ku gollim1ez, ancak temel teknikler bir kere anla§tld1ktan sonra analiz, olduk9a
dolays1z ve s1radan bir yakla§1m i;izgisini izleyecektir.

71
70 Boliim 2 Dlyot Uygulamalan Bo!Om 2.5 Yanm Dalga Dogrultma
 Zamanla degi~en sinyal girisli en basit devrelcrden biri ~ekil 2.32'dc go-
riilmektedir. Y aklasmun ek rnatematiksel islemlerle karmasik hale gelmesini on- ~- de diizeyi elde etmek icin giri§ sinyalinin yansmi kesme islemine yerinde bir
lemek icin simdilik ideal modeli kullanacagrz, deyimle yartm dalga dogrultma denir, Dogrultma terimi ac'den dc'ye donustttrme i~-
lemindc gi.i<;: kaynaklarmdaki diyotlar icin kullamlan "dogrultucu" teriminden gel-
mektedir, Ileride sabit bir de gerilimi olusturmak i<;:in bu dalgah gerilimin kullarurm
iizerinde duracagiz,
+ V;

0 L\j']T
2 I
R
I saylah t-'-
~cl.ii .! .. t:? \';in:u-c.folga d0Jruhuc11.

~ekil 2.32'deki T periyodu ile tarumlanan bir tam cevrimde ortalama deger
(eksen iizerindc ve alunda kalan alanlann cebirsel toplami) sifrrdrr. ~ekil 2.32'deki
yanm dalga dogrultusu adi verilen devre, ac'den dcye donusturme isleminde bclirli
bir kullarumi olan ortalama bir dcgere sahip bir LI? dalga bicirni uretecektir.
~ekil 2.32'deki t = 0 ~ Tl.2 arahgmda giri§ gerilimi V; 'nin polaritesi, Sekil
2.33'de gosterilrnistir, Sonne, diyot iizerinde gosterildigi gibi, yarundaki sekilde
gosterilen krsa devre esdegerine yol a<;an polaritedir. Bu sekilde <;tkt§ dogrudan gi-
rise baglannusnr ve dolayisryla O~ T/2 periyodunda 1,y, = v;'dir. T/2 ~ T pc-
riyodu boyunca V; girisinin polaritesi ~ekil 2.34'de gosterildigi gibi olup, sonunda ~c~il ~ .. •;; Yanm-dalga dogrullmu} ,inya!

+
Sekil 2.36'da ileri ongerilimleme bolgesinde VT = 0,7 V olan bir Silisyum di·
+ + + +
yodun kullamlmasmm etkileri gosterilmektedir. Burada diyot, iletmeye baslamadan
R once gtr1§m en az 0,7 V olmasi gerekir; k:i bu da ge<;i§ gerceklesene kadar sifir =.
zeyinde bir <;:1k1~a yo! acmaktadir, Iletirn durumuna ge<;ildiginde, LI? ile v, arasmdaki
fark sabit VT = 0,7 V duzeyinde ve §Ck:i!de gosterildigi gibi Vo = V; - Vr'dir. Net
etki eksen uzerinde kalan alanm kii<;:iilmesidir; bu da doga! olarak sonucta elde edi-

-r:,v
~ekil 1..1.l i!otim oolgcsi (0-, T/2)

+ len de gerilim diizeyini dti§iirecektfr. Eger V m, Vo'dan <;:ok daha biiyiik aradaki fark
+ ihmal edilip Denklern (2.4) uygulanabilir. Yani,

+ +
1 ,~ ,,,;,,_s ,.,,m, -; fen ~ "
+ Vr -

diyot iizerinde olusan polarite, acik devre esdegeriyle diyodun "kapalr" duruma
gecmesine neden olur. Sonuc, yuk i<;in bir akl§ yolunun olmayisr ve T/2~ T pe-
riyodu i<;in L\? = i R = (0) R = 0 V olmasidir. Karsilasnrma amaciyla V; girisi ve L\? o-<>-JT
+

,,
0.7 V

\R= ·~
+

O I ,1 T T

'-J ..'.
I . .112
<;1kt§l ~ekil 2.35'de birlikte <;izilmi§tir. Bu durumda Vo <;tkt§ sinyali tam bir periyot ·
boyunca eksenin iistiinde net pozitif bir alana ve a§agidaki denklem(e bclirlenen bir
VT'dcnkaynaklanansapm
ortalama degere sahiptir: .

ortalarna (de degeri) = 0,318 V,,, (2.4) Vr'nin yanm-Oalga doSrultu!nul~sinyal ti,.ccinc olan etkisi.

72 Bolilm 2 Diyot Uygulamalan B61ilm 2.5 Yanm Dalga Do{lrultma

73
 Vm, nispeten Vr'a yakm bir duzeydeyse Denklem 2.4'U, tepe degerini kayma
gerilimi kadar dii§iircrek kullanmak suretiylc yaklasik bir deger bulunabilir. Sag ve
sol kenarlardaki saeaklama alanlarmm ihmal edilmesi ncdeniyle de diizeyinde mey-
dana gelen farkhhk normalde cidcii sorun yaratrnayacak biiyiikH.iktedir. Bu nedenle
+
··-········ ··-- ···-··-1 (2.6) v, 2 kn 0
I__ Vdc = 0.318 (v .. - Vr}_ I
+

( ~ :>·.f ~ .....

(a) ~ekil 2.37'deki devre icin v0 9ik1§m1 cizin ve cikrsm de duzeyini bulun.
(b) (a) stkkim ideal diyot yerine silisyum diyot kullanarak tekrarlaym.

V;
0 . f'V!/jfjJT w
20V + + L20 _ 0.1 = t9.3 v
v,
0 T T
2
Diyodun ters tepe gerilimi (PIV) anma degeri, dogrultucu sistemlerin t11-
·· elikli onerne sahiptir · Bunun • geri ongerilirn alamnda
sanmm d a one . ph§1ld1gmda y

lmamasi gereken anma gerilim dcgeri oldugurm, aksi takdirde diyodun, zener 91g
::lgesine girecegini unutmaym. Yanm dalga dogrult~cus~ ~-9in ~e~ken P.IV ~nma
degeri, maksimum uygulanan gerilimle ~ekil 2;32'd~k_1 gen ongerilimlenmis d1yod.u
gosteren ~ekil 2.40'tan bulunabilir. Kirchhoff gerilim ya~as1 ~yguland1gmda d1-
odun PIV anrna degerinin uygulanan gerilimin tepe degerine e~H olrnasi veya onu
(a) Bu durumda diyot ~ekil 2.38'de gosterildigi gibi girisin negatif yansi bo-
~~mast gerektigi ar;:1kr;:a belli olmaktadir. Bu nedenle;
yunea iletimdc olaeak ve v0 aynen, sekilde gosterildigi gibi gortmecektir. Tam
bir periyot icin de diizeyi, ----· -·-·----·--· -1
~~Vanma c1eiori = Vn, yanm d,lga dotrult:c~--
( 2.7)
Vdc = -0.318Vm = -0.318(20) = -6.36 V
V(PIV)
Eksi isareti, 91k1§ polaritesinin ~ekil 2.37'de tamrnlanan polariteye gore ters ol-
dugunu gostermektedir,
(b) Silisyum diyot kullaruldigmda 91k1§ ~ekil 2.39'da gosterildigi gibidir ve V0 = IR = (O)R = 0V •wJ,il !.. :Ii Yunm-dalg11 tl\1~--
rtJ1tucu iqin gereken PfV anma
~rinln betirlenmes].

Vdc = -0.3I8(Vm - 0.7) = -0.318(19.3) = -6.14 V

+ +
'
2.6 TAM DAL.GA DOGRULTMA
Sonucta de diizeyinde meydana gelen dusme 0.22 V ya da % 3.5 kadardir,
Bir sinusoidal giristen elde edilen de dlizeyi tam dalga. dogrultmasi denen bir i~-
lemle % 100 diizeltilebilir. Boylesi bir islevi yerine getirmek icin kullamlan en yay-

74 Boli.im 2 Dlyot Uygulamalan Bol!lm 2.6 Tam Dalga Dogrultma 75

 Bir tam periyot boyunca eksen iizerindeki alan, yanm dalga sistemine gore
-+ + ikiye katlandrgr icin de duzeyi de ikiye katlannus olmakta ve

u, v,
r::::::-;ama (de degeri) = 0.636 Vm
L~:--------... -~· -----
J ( 2.8)

.-::,·1. ii .!.-11 Tam-dalga kUpN d,,gmhucu \,·~ii !.J1 ~kil 2.41'dcki v; girii gc-
rilimin O -+ T/2 pcriyo<lu~a ili1kin dcvrcsi.

gm devre, koprii duzeninde baglanrms dort diyotlu devre, ~ekil 2.4'dc go·
riilmektedir. Giri§in polaritesi l/O'dan T(2'ye kadar olan periyodda ~ekil 2.42'de
gosterildigi gibidir,
D2 ve D.1 iletim durumdayken D1 ve D,'Un "kapah" oldugunu gostermek icin
ideal diyotlar uzerindcki polariteler de ~ckil 2.42'dc gosterilmisrir, Net sonuc R
iizerinden akan akim ve polaritcyle beraber Sekil 2.43'deki devredir. Diyotlar ideal
olugu icin aym ~ckilde gosterildigi uzere yuk gerilimi (yilk dircnci uzerindeki ge- 0 T T
rilim), v" = v/dir. Girisin negatif bolgesinde iletimde olan diyotlar D1 ve D4 olup 2
Sekil 2.44'dcki dcvre mcydana gelmektedir, Buradaki onemli sonuc yuk direnci R
iizerindeki polaritenin ~ckil 2.42 ile aym ve bunun da ~ckil 2.44'de gosterildigi gibi
Silisyum diyotlarda pozitif iletme fazi siiresince ~ekil 2.46'da gosterildigi gibi
ikinci pozitif bir darbeye neden olmasidir, Bir tam periyot boyunca giris ve c;1k1§
gerilimleri ~ekil 2.45'deki gibi gorunecektir. Vo'rn etkisi de ik.iye katlanrmsur. Ancak, eger Vm >> 2Vr ise, bu durumda

(2.9)

ve eger Vm, 2Vr'ye yakrn ise

r~l
de = 0.636 ( v, - ;v~):J1 v .. ·yeyakin'Zl'r
(2.10)

Her bir (ideal) diyot icin gereken PN, ~ekil 2.47'de giri~ sinyalinin pozitif bol-
gedeki tcpc dcgcrinden cldc cdilcbilir. Gosterilcn dongii ic;in R ilzerindeki rnak-
simum gerilim Vm'dir ve

I
r- \
O T 0 T ( 2.11)
2 [ PIV = Vml tam-dalga kopru dogruhucu

Bolum 2.6 Tam Dalga Dogrultma 77

Bolilm 2 Dlyot Uygulamalan
76
 ---,.,--- .. ·V - 2V
lf:Jzv10J~~ T
...,
O T T
2 ,-'• ..·fm
•
I ..

• ·.\,1!,}i'.;_: :._\

0 O T T
2

ikinci ve yaygm olarak kullamlan bir tam dalga dogrultucu ~ekil 2.48'de go·
rulmektedir; yalmzca iki diyodu vardrr, Fakat transfcrmatorun sekonderinin her bir
sargi dilimi ilzerinde giris sinyalini olnsturmak icin orta uclu bir transformatore
gerek duymaktadir,
Transformatorun primer sargrsma uygulanan v/nin pozitif kisrm sirasmda
devre, Sekil 2.49'da gosterildigi gibi gori.inecektir. Sekonder gcrilimleriyle ve so-
nucta akan ak1m111 yonleriyle belirlcndigi gibi D1 kisa devre esdegerinin yerini, D2
ise acik devre ~degerinin yerini alacaktir. <;1k1§ gerilimi Sekil 2.49'daki gibi go-
ri.inecektir.
Girisin negarif boltimii ~f]resmce devre, ~ekil 2.50'deki gibi gorunecektir, yani
diyotlarm rolleri degi~mi~1ir, ancak R yilk dircnci iizcrindeki gerilimin polaritesl.ay-
mdrr. Net sonuc ~ekil 2.45'de gorulen ~da~ ve de duzeyleri ile ayrn olmaktadrr, /
Sekil 2.5 l'deki dcvre, bu tam dalga dogmltusunun her bir diyodu icin ;nqt
PIV'yi belirlcmede bize yardimcr olacaknr. Sekonder gerilimi icin maksimum g~-
rilimi ve bitisikteki dongu ile olusturulan V,,,'yi yerine koyarsak

PlV +

v'" :)_
ssr:
1:-:·-·.·_-; + R
\Y v..
...••..
+ I
,u I
I
I

; • .:.i:

PIV = Vsckondcr + VII

= V,,,+ Vm
I P[V = ~~: j tr.111,fonnotOrlU tam-dolga do~rullucu (2.12)

./\ vm
P\ elde ederiz.
1.. ' ~
O T
2

-~ 1· i-. il ·'.-~ •,

BolOm 2 Dlyot Uygulamalart

.
78 BolOm 2.6 Tam Oalga Dogrultma 79

I·'.
(>RNEK 2.12 Bu nedenle iki diyodu kopni devresinden 9Ikarmanm etkisi, mevcut de dti-
zeyini,

Vc1c:: 0.636(5) :: 3.18 V

Sekil 2.52'deki devre icin 9ikl§ dalga bicimini bulun ve her bir diyot icin gerekli
PIY'i ve de diizeyini hcsaplaym. veya aym giri§ degeri ile yanm dalga dogrultusundan elde edilcn degere dii-
~iirmek olmustur. Ancak ~ekil 2.S6'dan belirlenen PIV, R uzerindeki maksirnum
gerilime esiuir, Bu ise S volttur, yani ayru giri§ degeri altmda bir yanm dalga
dogrultucusu icin gerekenin yansi kadar.
+

2.7 KIRPICI DEVRELER

(.'iiziim:
Devre, giris geriliminin pozitif bolgesinde ~ekil 2.53'deki gibi gorunecektir,
Dovre yeniden cizildiginde Sekil 2.54'deki devre ortaya cikar; burada
v,~mak.,) = t V;cmah) = t(IO) = 5 v(~ekil 2.54). Negatif bolumil i9in diyotlarm rolleri de-
gi~ecek ve Vo Sekil 2.55'deki gibi gorunecektir,
Donil§i.imlu dalga biciminin gcri kalan kismim bozmadan girls sinyalinin bir bo-
liimilnii "kirpma" ozelligine sahip olan vc k11_p1c1 adi verilcn i;e§itli diyot devreleri
vardir. 2.5. bolumdeki yanm dalga dogrultucusu, bir diyotlu kirpicuun en basil or-
nek:lerinden (bir diyot bir direnc) biridir. Diyodun yoniine bagh olarak girls sin-
yalinin pozitif veya negatif bolgesi "kirpilmakur".
Kirptcilann iki gene! kategorisi vardir: Seri ve parallel kirpicilar, Seri dev-
relerde diyot, yiike seri, paralel devrelerde ise paralel baghdir.

+
~
(a)
11,

-V
____v
+ (b)
+

2kSl {0[f>,.5 V
Seri

I
O i'
2
0 T T
2 i.·
~ekil 2.56a'daki seri devrenin i;e§itli donii§iimli.i dalga bicimlerine tepkisi ~ek:il
....,.;·:.:;·": 2.56b'de gosterilmistir. Baslangicta bir yanm dalga dogrultucusu (siniizoidal dalga

'
;

BolOm 2 Oiyot Uygulamalari

80 BolOm 2.7 K1rp1c1 Devreler 81

tf
 bicimleri icin) olarak gelistirilrnis olmasma karsin, bir kirpiciya uygulanabilecek
dalga turleri uzerinde herhangi bir smirlama yoktur.
$ekil 2.57'deki gibi bir de kaynagrrun eklenmesi, krrpicnnn 91k1~1 iizerinde be-
lirgin bir etki yaratabilir. Buradaki tarnsmarmz ideal diyotlarla sirurh katacakttr ve
V0'm etkisi son bir ornekle gosterilecektir.
V Volt'tan daha biiyiik bir giris gerilirninde diyod kisa devre durumundadir;
daha dii~iik bir giri~ geriliminde ise a91k devre veya "kapali" durumdadir.
3. Tantmlanan 11,tarm ve v0 polaritesinin stireklifarkmda olmaltstmz, Diyot
$ekil 2.59'daki gibi, krsa devre durumundayken, r;~~ gerilimi v0 ~ek.il ii~e-
rindc gosterildigi gibi (a) ve (b) kisimlan ile ayrudir; ve Kirchhoff gerilim
yasasrru uygularsak;

r----,
v
. . . v,,, ~.__---iM---.--<> + V; - V -v0 = 0 (Saatin donme yonunde)
!..'· \.
O T,
2 ·.
·1 T
I
R vc Lv 0=V; -v _ (2.14)
'
$ckll 2.57

$ekil 2.57'deki gibi devreleri analiz etmenin gene! bir yonterni olmarnakla be- R v0
raber, r;oziim iizerinde ~l~trken aklmtzda bulundunnamz gereken birkac nokta
vardir. - b •,,,.,,, ..

l. Diyodun yoniinii ve uygulanan gerilim diizeylerini dikkate alarak, devrenin

tepkisini kafantzda canlandmn. $ekil 2.57'deki devre icin diyodun yonii vi
sinyalinin diyodu acmak icin pozitif olmasi gerekrigini dii§iindilliiyor. Aynca
de kaynagt 1Jj geriliminin, diyodu acmak icin V Volt'tan daha biiyiik olrnasrru
gerektiriyor.
Giris sinyalinin negatif bolgesi, de kaynagmm da destegi ile, diyotu "kapa-
Ir" duruma gecmeye "zorluyor". Bu nedenle genelde diyodun girl§ sinyalinin ne-
gatif bolgesi icin bir a91k devre ("kapah" durumda) oldugundan emin olabiliriz.
2. Diyodun durumunda degi~·ikligeyo/ acacak uygulama gerilimini (gerif ge-
rilimi) belirleyin, Ideal diyotta bir ge9i§i saglayaeak v;'nin diizeyini belir-
=
lemek iizere id= 0 veya Vd 0 kosulu kullarulacakur.
4. Giris sinyalini, Seki/ 2.60'da gosterildW gibi, r1k1~,n iistiinde fizmek ve fikJ§t gi-
risin anlik deiferlerine bag!, olarak belirlemek kolaylik sa,~layabi/i1·. Daha sonra
1. 91kl§ gerilimi, V0 'rn belirlenen veri noktalarmdan cizilebilir, v. 'nin anlik bir de-
gerinde girisin O degerde bir de kaynagi olarak ele almabileeegi~i ve s:ikt~m, buna
karsrlik gelen de degerinin (anhk deger) belirlenebilecegini unutmaym. Ornegin,
~ekil 2.57'deki dcvrede V; =V.,'de incelenecek olan devre ~ekil 2.61'de go-
riilmektedir. I'm >V icin diyot kisa devre durumunda olup, ~ekil 2.60'da gos-
terildigi gibi, V0= Vm- V'dir.
U;

=
$ckil 2.57'deki devreye Vd = O'da (1 0 kosulu uygulandigmda $e-
kil 2.58'deki devre elde edilir. Buradan anla§1lacag1 uzere durumdaki bir de-
gi§ffieyi mcydana getirecek V; diizeyi 0 ... ,.I, T
T1x0·. t
121 ·/ I
I I I
( 2. !'3) I 1 I I
I I I I
I I 1 I
I I I I
I I I I
U4"' OV Vol I I I
V + id"' OA I I I I +
! v... - v :
I I I I R v.
~t-l-<io--o-o-1....+-R 1,R • l,R • --<>:: • 0R• 0 V '
0 T T
_ ~··~·1-.58
2
O>-~~~~~~~---+~~- ·, t.,,

. 82 Bolum 2 Dlyot Uygulamalari BolOm 2.7 K1rp1c1 Devreler

83
 I
.
t
j rilimi icin Vd = O'da id= 0 koyarsak Sekil 2.65'deki devreyi ve V; = -5V elde ederiz.
Aym yontem vo 'in kesintisiz bir egrisini 9izmek icin yeterli sayida ~1kt§
.. nok- Diyot -SV'dan daha negatif gcrilimler icin acik devre durumunda, -5V'dan
ralan elde $eki1'2.57'deki
edilene kadar girl§ geriliminin istenen sayidaki noktasi icm uy-
0
daha pozitif gcrilimler icin de, kisa devre durumunda olacakur. Giris ve c;:1k1§ ge-
culanabilir.
~ devre icin c;:ikt§, ~ekil 2.62'deki gibidir.
. rilimleri ~ekil 2.66'da gorulmektcdir.
Uygulamada kare-dalga girisli kirpicr devrclerin analizi, sinusoidal girisli
dcvrelerin analizinden daha kolnydrr. t;i.inkii sadccc iki di.izcyin goz oniinde bu-

_ + "d., 0 V
T t o---tl---o--<>--1,-..--<> ~---if-----<>-~-o----.~-o
+ - +
5V
+
+ 5 V 14
+
=DA\
R v,. u,

I
v.

I
20
0
'
\
I; . -5V - - T--:- -~-T--~ t
r "-\- , ;: ~i~
!>RNEK 2.!J gerllimi

Vt+ 5 = 20 + 5 = 25 V
Sckil 2.63'deki devre icin c;:1k1§ dalga bicimini bulun.

V1 V=SV --..,;;.-;-----:-- 110 = O+ 5 = 5 V

o-;
+ - + + O f \ T
"• = -5 +5 = 0V
01 R
"•
Ba~ka bir deyisle devre iki de diizcyine sahiprnis gibi c;:oztimlenebilmekte ve olu-
~an v0 1y1kI~1 uygun zaman cercevesinde cizilebilmektedir.

Iii · ..,,

~ckil 2.67'dcki kara dalga giri~c gore ornck '.!. l'.1'ii rckrarlaym.
(,.'iiziim:

Onceki deneyimleriniz diyodun, V; 'nin pozitif bolgesi ic;:in "acik" durumda ola-
cagm: dii§iindilnnektedir (Ozellikle V = 5V'un yardrmci etkisini dikkat~ alir-
sak). Devre, ~ekil 2.64'deki gibi davranacak ve v0 = V; +5 olacaknr, Gec;:1§ ge- 0 r~~.r c.: tr ,
2 -10
B610m 2 Diyot Uygulamalan
Biiliim 2.7 Kirp1c1 Devreler 85
84
 =
V; 20 V (0 ~ T{l.). i~in $ekil 2.68'deki devre elde edilir. Diyot kisa devre du-
rurnundadu ve Vo= 20 + 5 = 25 V'dur. V; = 10 V icin $ekil 2.69'daki devre mey-
dana gelir ve diyot "kapah" duruma gecer, Dolayisiyla v,, = inR (O)R = 0 V olur.
$ckil 2.72'deki dcvre icin L\'i't bulun.
Sonuctaki i;:1k1~ gerilimi ,5ekil 2.70'de vcrilmistir.
v,
+ 16 -

R
0
-16

L
25V

----
ov
T T t Diyodun yonii ve de kaynagirun polaritesi, giri§ sinyalinin negatif bolgesiride di-
. 2
yotun "acik" dururnda olacagiru diisiindurilyor. Bu bolge icin devre Sekil 2.73'de

Ornek 2.14'delci kirprcmm tam saluumdan 5 V krrpmakla kalmayip sinyalin

=
gosterildigi gibi olacakur ve v0 icin tamrnlanan terminaller v0 V ::: 4V olmasrrn
gerektirmcktedir.
de duzeyini 5 V yukseltmis olduguna dikkat edin.
VR = OV
R + + +
Sekil 2.71'deki devre, en basil paralel devre olup, ,5ekil 2.56'daki girislere
td=o:) vd=OV
karsihk r;1kt~lan gostermektcdir. Sonraki ornekte de gosterildigi gibi, paralel dev-
v, u0 = V=4 V "1 v.
relerin analizi scri devrelerinkine cok benzcrncktcdir,
+
0
VI 4V
0
v
+
-I 4V

0 0

R +

"' Ger;i~ durumu, v,, =0 V'de V; =0 A kosulunun uygulandigt $ekil 2.74'ten be-
lirlenebilir. Sonucta V;(ger;i§)= V =4 V olur.
de kaynagr, diyodun kisa dcvre durumda kalmasi icin "baskr" uyguladrjnna

r v, gore diyodun "kapah" dururna gecmcsi icin giris geriliminin 4V'tan daha btlyuk
Vo

-
"o olmasr gerekir. 4V'tan daha dil~ilk herhangi bir gerilim, diyotun kisa devre du-
v v -
- rumunda kalmasma yo! acacaknr.

+
.... A91k devre durumu iein devre, ui = V; olmak uzere ~ekil 2.75'de gcisterildigi
0 0 gibi olacaktir. 1.\?'m cizimini tarnamlarsak ~elcil 2.76'deki dalga bicirnini elde ede-
-V -V -V riz.
Vy'nin ~:ikt~ gerilirni iizerindeki etkilerini ineelemek uzere bir sonraki 6r-
nekte ideal diyot esdegeri yerine silisyum diyot kullarulacakttr.

Biitom 2 Dlyot Uygulamalan

86 BiilOm 2.7 K1rp1c1 Devreler 87
 .I
.
v,
16/. -- - - 4-V g~i~ duzeyi
·1 _ .\,-
,. .. ...
0:
I
f\\/
I
T

I I

Vl4V
I I
I I
u0 I
O>--- _ _._J __ O
!6V
I
il\it,
I
.,i.11''

4yl _

0 T T
2 Sonuctaki t,:1k1§ dalga bicirni $ckil 2.79'da gorunmektedir. Burada Wnm tek et-
kisinin, "acik'' durum duzeyini 4V'dan 3.3V'a dusurmek olduguna dikkat cdin.

I
I Ornek 2.15'i, VT= 0.7V olan bir silisyum diyot icin tekrarlayin.
..
j
l
j (.;'il1.li1n: . 16 V .'\
. '
!
I
3.3 V
.
ilk <)OCe Vd = Vo= 0.7'da id= 0 A kosulu uygulamp get,:i§ gerilimi bulunabilir. 0 T T
2
! Sekil 2.77'deki devre elde edildikten soma Kirchhoff gerilim yasasi t,:1k1§
J(
I i;cvre denklemi icin saat yonunde uygularnrsa, ;1 ·

!
II v;+ VT_ v = o
VT'nin etkilcrini hesaba kaunamn analizi biraz karmasrklasuracagi kusku
• V; = V - VT= 4- 0.7 = 3.3 V ve buluruz.

I
goturmez, ancak ideal diyot analiz bir kere anlasildiktan soma, yontem,
Vr'nin etkileri de dahil olmak uzere ytintem o kadar zor olrnayacaknr.
3.3V'dan daha biiyiik giri§ gerilimleri icin diyot bir acik devre ve vo == v;

I
<;e~itli seri ve paralcl kirprci devrelcr ve sinusoidal girisle elde edilen
olacakur, ~.3V'dan daha dii§iik giri§ gcrilimleri icln diyot "at,:1k'' durumda ola-
t,:tkt§lar §ekil 2.80'de verilmistir. Ozellikle son konfigurasyonun de kay-
cak ve ~ek1l 2.78'deki devre clde edileeektir; burada
naklanmn biiylikliigiinc gore belirlencn pozitif ve negatif boliimlcri kir-
pabilme yetenegine dikkat cdin.

1'0 = 4 - 0.7 = 3.3 V

Kenetlcyici, bir sinyali farkh bir de duzcyine "kenctlcyebilcn" bir devredir. Dcvrede
bir kondansator, bir diyot ve direncscl bir eleman bulunmak zorundadrr; aneak ek bir
kayma elde etmek icin bagrmsiz bir de kaynag: da kullaruyor olabilir.
I =
R ve Cnin degeri, r RC zaman sabiti, kondansatordeki gerihm, diyodun iletim du-
I romunda olmadig: zaman arahg1 icerisinde oncmli ol<;iide bosalmasnu onleyccck biiyiikliiklc

88 Biiliim 2 Oiyot Uygulamalan

Biiliim 2.8 Kenetleme Devrelerl 89
BASiT SERlKIRPIClLAR

POztriF NEGATiF

olacak sekilde secilmelidir. Analiz boyunca pratik acidan kondansatorun bes zaman
sabiti silresince tamamen bosaldiguu veya doldugunu kabul edecegiz.
,5ekil 2.81'deki devre girl§ sinyalini srfir diizeyinc kenetleyecektir (ideal di-
yotlar icin). R direnci yilk ulr::;1ci veya R'mn istenilen dii,x':-·ini saglamak iizere yuk
direncine paralel bir direncin kombinasyonu olabilir.

:IF,
ONGER.iLlMLi SERI KIRPICILAR
+
v V;

~-.~~ R ~i~ 0 T T
2
-V Kenctk:1111.; dev-
resi

0 ~ T/2 zaman arabgt icinde devre ,5ekil 2.82'deki gibi olacaknr, Burada
diyot kisa devre durumunda oldugundan R direncinin etkisini ortadan kaldmr, RC
~o--~---R-+---0~:~
zaman sabiti o kadar kucukrur ki (R devrenin icseldirenci tarafmdan belirlenir)
kondansator, V volta cok cabuk yi.ikleneccktir. Bu zaman arahginda i;:1k1§ gerilimi

CI··~=r~
BASiTPARALEL KIRP!CILAR
dogrudan kisa devredir ve Vo= O V olur.
Girisin -V durumuna gei;:tigi zaman devre, ~ekil 2.83'deki gibi gortrnecektir, Bu-

. : ~· .
rada diyodun acik devre esdegeri, her ikisi de akmu diyotta anottan katoda dogru
+ R - + + R + - : "iten" uygulanan sinyal ve kondansatordeki gerilimle belirlenmektedir, R tekrar dev-
reye girdigi icin RC ile belirlenen zaman sabiti, T/2 T periyodundan cok daha buyiik
v
olan 5't'lik bir bosalma periyodunu olusturabilecek uzunluktadir ve yaklasik bir var-
sayimla kondansatorun rum yiikilnil ve dolayisiyla gerilimini (cunkii V = Q/C) bu
siire icinde turtugu kabul edilebilir.
ONGER!J.lMLI PARALELKIRPICJLAR

v -rt-
c c
.,1.
v rv-
~v~
Vt Vo J·
v +
; I o i'

Vo
+
+

R Vo R Vo
+ :)

~v
.,..:r.
•
U1 Vo 1-~~-1

-0 v I
-
-0

Lb, paralel baglt diyot ve direncin uclanndaki gerilim oldugundan, Sekil

2.83'de gosterilen diger pozisyonda da cizilebilir. Kirchhoff gcrilim yasasi girise ait
cevre dcnkleminden,
-V-V-Vo=O
ve Vo= -2V
h,ij0h,l I',-.,
,.
Bolilm 2 Diyot Uygulamalar1 BlilOm 2.8 Kenetleme Devreleri 91
90
 2V polaritesinden kaynaklanan eksi i.§areti, Vo icin tarurnlanarun tersidir. So-
nucta elde edilen c;1k1§ dalga bicirni, giri§ sinyali ile birlikte Sekil 2.84'de verilmistir,
<;lk1§ sinyali O ~ T/2 zarnan arahg1 icin OV'a kenetlenmistir, ancak giri~ ilc ayru
Verilen giris icin ~ckil 2.85'deki devrenin v0'1m belirleyin.
(2V duzeyindcki sahrurru korumakradrr.

C=. I µF
~t--~-.-~-,-~~~+

R JOOkn Vo
v 5V

O T
2

-2V

Frekansm 1000 Hz oldugu gbz onunde bulundurulursa, diizeyler arasmda 0.5

ns'lik zaman arahgi ve toplam l rns'lik periyotlann varhg1 gorulur. Analiz 1. one-
Kenetleme devrelerinde c;1k1§m toplam sahrurm, giris sinyalinin toplam sa- ride soylendigl gibi, diyodun krsa devre durumunda oldugu giris sinyalinin t1 -? r2
lmmuna esittir, Bu olgu elde edilen sonucu kontrol etmek icin cok iyi bir aractir. periyodu ile bashyacaktir, Bu zaman arahgma karsilik gelen devre ~ekil 2.86'daki
Genelde kenetleme dcvrelerinin analizinde a§ag1daki noktalar yardirnci olabilir: gibidir.

1.. Kenetleme devrelerinin analizine her zaman ic;in giris sinyalinin diyodu ilcri c
ongerilimleyen bolurnu ile baslaym. Bu bazen giri§ sinyalinin bir bo- 0
I + +
lumuntin arlanmasiru gerektirebilir (bir sonraki ornekte gosterilecegi gibi) Ve
ancak analiz, gereksiz bir incelemeyle uzarruyacakur.
20 V R IOOkU Vo

2. Diyodun krsa devre durumunda oldugu siire icerisinde kondansatorun, ac;1k devre +
v SY
C§degeri durumunda kondansator iizerindeki gerilimle belirlencn duzeye arun- +
cla yuklenccegini varsayin.
3. Diyodun acrk devre ("kapah") durumunda oldugu sure icerisindc kondansatorun
'-rl,,l 2.Sr,
tiim yiikiinii ve dolayisiyla gcrilimini korudugunu varsaym.

4. Ana liz boyunca v0'rn nerede rarumh oldugunu siirekli goz onunde bu-
lundurmaruz, v0'm uygun diizeylerini elde etmenizi saglayacaktir.
<;1k1§ R uzerindedir, ancak Vo icin tarumlanan uclan ile kaynak uclan ara-
5. (:1k1§ saluunnrun giri§ salinunma cslenmesi gercktigi kuraluu unutmaym. smdaki dogrudan baglanuyi izleyccek. olursaruz, bunun dogrudan 5- V'luk ba-
tarya iizerinde oldugu da goriiliir. Sonuc, bu zarnan araligi i'rin 1.Jo= 5- V'dur.
92 Boliim 2 Oiyot Uygulamalari

BolOm 2.8 Kenelleme Oevrelerl 93

 Kirchhoff gerilim yasasi giris 9evre dcnklemine uygulamrsa,

-20 + Ve - 5 = 0
I 10
11,

,. ~·
35
1/0

I 30V

_J_
ve Vc=25 V 0 f .
3

_J
30V

Bu nedenle 2. oneride de soylendigi gibi kondansator 25 V'a kadar yilk-

lcnecektir. Bu durumda R direnci diyot tarafmdan devre d1§1 brrakilrnarrusnr; 5
ancak devrenin, kaynak ve direncini kapsayan bir Thevenin esdeger devresi RTH 20
= O veEr11 = 5 V ile sonuylanacakt1r. Devre, 12 ---) ts periyodu icin Sekil 2.87'deki
0 fI fl t3
'•
gibi ~iir;jnecektir.

2sv~~~~~~~-
o--=-t~+__.t--~--~-o
+ +
Ornck 2.17'yi Vr= 0,7 V'luk bir silisyum diyodu ile tekrarlaym.
JOY R V0

SV

Kisa devre durumu icin devre ~ekil 2.89'daki goriintimil alir. Ve v0, 91kt§ bo-
KVL himiindc Kirchhoff gcrilim yasasi uygulanarak bulunabilir.

+5 - 0.7 ~ Vo"' 0
vc Vo = 5 - 0.7 = 4.3 V
Diyodun a91k devre esdegeri 5 V'luk bataryamn UJ uzerindeki tum etkilerini
ortaclan kaldiracaknr; devrenin cit~ cevresine Kirchhoff gerilim yasas1 uy-
gulandigmda a§ag1daki degerler clde edilir:
0
_I +
+10+25-V11=0

ve 20V

Sekil 2.87'deki bosalrna devresinin zaman sahibi RC yarp1m1yla belirlenir +

ve btiyUkltigii

-r =RC= (100 kn (0.1 µF) = 0.01 s = 10 ms olur.

Toplam bosalrna siiresi bu nedenle 5 t = 5(10 )ms= 50 ms'dir. Giris bolumu icin Kirch!1~ff acrilim
"' vasasi
. uyannca .
tz ---> ts
zaman araligi ancak 0.5 ms surecegi icin, kondansatorun girls sinyalinin -20 + v,. + 0.7 - 5 = 0
darbeleri arasmdaki bosalrna periyodu sirasmda gerilimini koruyacagirn kabul ve v,. = 25 - 0.7 = 24.3 V
etmek iyi bir yaklasim olacakur. Eide edilen 91k1§, giri§ sinyali ile birlikte $ekil
2.88'de verilrnistir. 5'inci oneride de belirtildigi gibi 30V'luk ,;:1kt§ salmmurun verecektir,
giris salirurmyla e§IC§tigine dikkat edin. lz ~ ts periyodu icln devre, tek fark kondansator uzerindeki gerilim

Bolum 2 Dlyat Uygulamalari BolOm 2.8 Kenetleme Devreletl 95

94
 olmak uzcre, ~ekil 2.90'daki gibi olacaknr. Kirchhoff gerilim yasas1 uygulanirsa, {'Ji.01\lY.\li.l.l<

+10+24.3-Vi, =0
l. $ckil 1.9'.>'tkki dcvrclcr icin VO ve /o'yi bulun.
ve Vo= 34.3 V

Olusan ~1k1~ ~ckil 2.9l'dc

dugunu soyleyen kurah dogrular,
verilrnistir. vc giri§ ve ~tlcl§ salimmlann aym ol-
-S V

~Y,
--
lo

.
+6V
1.2kn
Vo

34.3 V
:- n
~+ + lo+ Si

IOV
24.3V

R Vo
I 30V
-.
lsv I (aJ (b)

-
•... ..:.ii·_•;\

4.3V lo

Vo
l
.
,?,-: ··,;
Si
I
I
Bir dizi kenetleme devresi ve ~airis' sinvali ilzcrindeki etkileri Sekil 2.92'de ve- 1
+ IOmA 2.2k!l 2.2k!l

,n::; f 1 ~
' '{

-!-
·1 ..

- (a)
-
Vo~, ;
~ C -R~ 0
lo
-V +2~v
-2V 6.8 kfl Si

QI
(b) -~·L! : ·,:
+
111 C R u,;
2. ~ek.il 1.'··'·'i"::l:::t d, · +elcr 1\:in I : ; ve 1D'yi butu»,
- v, . -

-JOY Ge Si 2.2 k!l

+12 V Si 6.2 k!l

~ c +
R 110 01------ Ge 3.3 k!l
.v,
t
2V

i (a) (b)

Kcnedeme dcvrcleri ('t .~. :,KC »Tf2)

Solum 2 Problamler 97
Boliim 2 Diyot Uygulamalan
96
 Vo1
io sn s.6kn
4. Sekil 2.96'daki devreler icin V0 ve J0'yi bulun. v~2
tl
20V Si Si

-
15 V
ID

PD
+20V Si
Vo Si Si

Si Vo 7. Sekil 2.99'daki devre icin V0 ve J0'yi belirleyin.

4.7kn

2.2 kn

lOY
- 8. ~ekil 2.27'deki devre icin her iki girisre OV oldugunu varsayarak V0'1 bulun.
(a) (b} 9. ~ekil 2.27'deki devre icin her iki giriste IOV oldugunu varsayarak V0'1 bulun.
10. Sekil 2.30'daki devre icin her iki giriste OV oldugunu varsayarak V0'1 bulun.
5. ~ekil 2.97'deki devreler icin VO ve /'y1 bulun.
11. ~ekil 2.30'daki devre icin her iki giriste !OV oldugunu varsayarak V0'1 bulun.
12. Sekil 2. lOO'deki negatif manuk VEY A kapisi icin V0'1 bulun.

+16V
-JOY -IOV
+!OY
Si Si Si
fl fl
Si G.e Si, Si Si Si
I k!l 2.2 kn

Vo Vo
-lOV

I kn s.s en ,$ckil 2.100 $ekil 2.!01

+4Y
-::- 13. ;,ekil 2.101 'deki negatif rnanuk VE kaprsi icin \10'yi bulun.
Ca> (b)

6. ~ekil 298'deki devre icin V01 ve V02'yi bulun. 14. ideal diyot kullaruldigmr varsayarak $ekil 2.102'dcki yanm dalga dogrultucu
icin v;, vd vc i"'yi bulun. Giris, 60Hz'lik bir sinuzoidal dalgadir.

Bolum 2 Dlyot Uygulamalan Bi:iliim 2 Problemler 99

98
l
 . (e) Yanhzca tek bir diyot kullanilmis olmasi durumunda. diyouan akan akmu
bulun ve maksimum anma degeri ile karsrlasunn.

+ +
u,
- Id

Ideal
U;

l60Y
Si

2.2kn Si
4.7 kn ss kn

15. Problem 14'ii bir silisyum diyot kullanarak (Vr= 0.7Y) tckrarlaym,

16. Prob_lcm 14'0 !}ekil 2.103'de gos1erildigi gibi uygulanan bir 6.8 kn yuk (di- 20. 20 V rms sinuzoidal giri~li bir mm dalga kopru dogmltucusunun I kQ'luk yiik
renci) kullanarak tekrnrlaym. Aynca VL ve iL'yi yizin. direnci vardrr.
Ideal
(a) Silisyum diyotlar kullamldigmda yiik uzerindeki de gerilimini bulun.
u,
l)'L +
z.z xn (b) Her bir cliyot icin gcrckli PIV anma degerini bulun.
(c) Her bir diyouan iletirn sirasmda gecen maksimum akirru bulun.
+ +
z.z kn RL s.s xn UL
(cl) Her bir diyot icin gerekli gii9 anma degeri nedir?
V,= 110 Y (rms) Ideal Uo(Vdc)
21. $ckil 2.107'de verilen devrcdeki her bir diyot icin gerekli PIV anma degerini
- - vc v0 91k1~ gerilirnini bulun.

u, +
'•!.t! • 1111
20Y

17. ~ekil 2.104'deki devre icin v,,'1. yizin ve V<k:'yi bulun.

-20Y

-
18. ~ckil 2.105'deki devrc i<;in v" ve iR'yi cizin.
'II
' + !kn
. .. . . \'.·.. .r Si 22. ~ekil 2.108'deki devrc icin ui'19izin ve mevcut de gerilimini·bulun.
-JOY \(j
+
40Y
19. (a) ~ckil 2.106'daki h bi .. i:, • p . . olsun. Her bir di-
. er "'"')Ot ·lytn "'"ks =14 mW vcrilrnis
yodun maksirnum akirn anrna degerini hcsaplayrn.
(b) V;..,,,h= 160 Y icin ln1<1ks degerini bulun. · -40V
(c) V,,, = 160 V iyin her diyottan gecen akrmi bulun.
~d) (c~ ~1kk111da bulunan akimlar (a) ~1.kkmda bulunan maksimum anrna de-
gcrlermden az rmdir?

100 · BolOm 2 Problemler 101

Bolum 2 Dlyot Uygufamalan
 23. ~ekil -~-109'daki dcvre icin Ut/1 cizin ve rncvcut de gcrilimini bulun,
. v,
+8V
+
Si
~rv., 4V

Si

-8V
t.
4 v--<> I -=-
v, +
o-----+----....
(a)
(b)

IOY

-IOV ·1
27. Gosten en gin~ 1,;:111 "
. . . . Sckil 2 • l 13'deki devrenin ip akmum ,;:izin.

-
10 k!l
+ +
24. Gosterilen giris icin ~ckil 2.11 O'daki her bir dcvrcnin !Jo degerini bulun. tOV
IR Si Si
Vo

I
"1

S.3V 7.3VI
-lOV ---~-~-------;; ~··kill.il3
0
-
Si 5Y Ideal
+IS V ~11----M----i~---<l+

~
V; 6.8kS°2
• • • • • <1 kil 2 114'deki hcrbir devrenin tJo grafigini cizin.
-ISV
28. Gostcrilcn gin~ rem 'fc I ·
~

(a) (b) c c
zo v -· _JJ-------,~~ o--1-----~----Q
~ + ~ ~
25. Gosterilen giri~ icin ~ck.ii 2.111 'dcki her bir devrcuin Uti degerini bulun. Ideal
·' v1 Ideal R R
0

., 2V Ideal -20V
Ideal
o--f
+
IOY + v, Vo
(a) (b)
v, IOkSl v., 2.2 kSl
, ... :, '11

0
+S V
-SV 29. ~ekil 2.ll5'deki devre icin:
(a) (b) (a) 5't'yi hesaplaym,
(b) St'yi uygulanan sinyalin yan periyodu ile kar~1la~t1nn.
26. Gosrerilen giri~ icin ~ckil 2. I l Z'dcki her bir dcvrcnin tJo degerini bulun. (c) Voegrisini ,;:izin.
!
l
102 103
BolOm 2 Diyot Uygulamalart BolOm 2 Problemler

t
 !
+JO
c
L~.~·-=···---
",,,_I ~r--,-~~----o
0.1 µF +
_...J -10 "1
Si

R S6k!2
r» I kHz
2Y
110

~l'kil :?.J ,~
30. J~eal diyotlar kullanarak ~ekil 2. l l 6'da gosterilen i§levi yerine getirrnck icin
Im kcnetleme devresi tasarlayin.

+JOY
20V Ideal diyotlar

-+- ·1.•
-- +
Yaniletken diyot gibi tek bir p-n jonksiyonuna sahip olan, ancak cahsma sekiller],
Uy karakteristikleri ve uygulama alanlan farkh olan bir dizi iki uclu eleman vardir,
~ Bunlardan bazilan (Zener, Schottky, tiinel ve varikap diyotlan, foto diyotlar,
"1 I Tasanm J
,_ o·
lJ-1ov I LED'ler ve giine.~ hiicreleri gibi) bu boliimde tarutilacaknr. Buna ek olarak foto ilet-
ken hiircc, LCD (sivi kristalli gostergc) ve termistor gibi farkh yaprya sahip iki uclu
elernanlar da incelenecektir .

. :· I
"-d,il .?.11<1
"';i.

31. f~eal diyotlar kullanarak ~ckil 2.117'de gosterilen i§levi yerine getirmek icin
Yaniletken diyodun Zener ve 1r1g bolgesi 1.6. Boliimde aynnulanyla anlaulmisu.
bJI kenetleme devresi tasarlaym.
~ekil 3.la'daki diyoua bu durum, bir Vz geri ongerilirnlerne potansiyelinde ortaya
y!kar. Zener diyodu, bu Zener bolgesinden tam anlamiyla faydalanmak icin ta-
sarlanan bir elernandir. Karakteristigi ~ekil 3.lb'de gosterildigi gibi (~ekil 3.la'mn
Silisyum diyoclan O noktasma gore simetrigi) soz konusu bolgeyi vurgulamak icin xy koordinat duz-
oY leminin birinci bolgesinde verirsek, bu karakteristik ile 1.10 bolumdeki silisyum di-
GTl yodun karakteristigi arasinda bir benzerlik ortaya 91kar. Dikey yiikseli§ Vz gerilimi
I•.· :·~.-
(
2.7Y kadar ideal egriye yaklasmaktadrr, O'dan V1'ye kadar herhangi bir gerilim, silisyum
0
. c·.
•·::'"._---·_
_l'.··j·
_ I diyotta V7'nin aluna dii§mcsi gibi, bir a91k dcvre esdcgerine yol acacakur. Bununla
: ·!·•.:I
beraber Zener diyot ile silisyum diyodun karaktcristikleri arasmda geri on-
-JOY
gerilimleme bolgesindc onernli Iarklrliklar vardrr, Silisyum diyot geri on-
,c-1. . ir.1.,1·1 gerilirnlemc bolgesinde acrk devre C§degerliligini korurken, Zener diyotu geri
kayma gerilimine ulasildrktan sonra ICJSa devre duruma gecer. Sekil 3. l 6b'nin bi-
rinci bolgesi, aym §Ckildeki Zener diyotu semboliiniin yanmda gorunen polarite vc
104
Bolum 2 Dlyot Uygulamalan
105
 -
lz
lz lz

+ Vz -
Vz
I
~~lO~A•/11.
0 v 0 ----------~0.25
mA • lzx.

.,..
{a) (b)
1.:---------'-------ilzr• 12.5 mA
:0,- ,, • 8.S ri • Zzr
Zenerdiyodar: (a) Zener pocansiycli (b) karJktcri,cik ve nocosyoou
...
akim yonuyle tarumhdir. ,5ekil 3.lb'de gosrerilen polariteyle bir Vz geriliminin uy-
gulanmasi, Zener diyodunun, 2. Boliimde silisyum diyotu icin tarif edilene cok ben- ..:-------------;lz1,1"32mA
Zener t¢sl ka-
zer bir bicimde, acrk devre durumundan "ac;:1k'' duruma gelmesine yo! acacaknr, rJklcrisci~.I (Fain:ihild
IN961)
Zener bolgesinin konumu, katkilarna duzeyleri deg~tirilerek ayarlanabilir. Kat-
kilarnadaki arus, eklenen katki maddelerinin sayrsuu artirarak, Zener potansiyelini
dusurecektir. Zener potansiyeli 2.4 ila 200 V arasinda bulunan ve 1/4 ila 50_W ara- TABLO 3.1 Elektriksel Karakteristikler
(Aksi Belirtilmedikce 25°C ortam sicakhgmda)
smda degi§en bir giic;: anma degerine sahip Zener diyotlan mevcuttur. Daha yiiksek
sicaklrk ve akirn kapasitesi nedeniyle Zener diyotlann yapimmda genelde silisyum
tercih edilir,
Zener Mnks, Mak.~. Maksimum Mok.~imum
Zener diyodunun Zener bolgesindek] tam e§deger devresi ,5ekil 3.2'de gos- Anma Tcot Dinamik Buktllme Ters-yonde Test Regulator Tipik
Gcrilimi, Akum, empedans; Empedansr, Akim, Gcrilimi.- Akim, S1cnkhk
terildig] gibi kiic;:iik bir dinarnik direncten vs: Zener potansiyeline esit bir de kay- Jcdec
Vz tzr lzr'deZzr lzx'dnZzx VR'delR VR IZM Kntsay1s1
Tipi
nagmdan olusur, Ancak a~ag1daki. uygul<1malar i~in birinci dercceden yaklasrk oln- (V) (ml\) (0) (0) (mA) (J1A) (V) (mA) (%fC)

rak harici dircnc;:lerin Zener e§degeri direneten cok daha biiyiik vc e§deger devrenin -t-0.072
1N961 10 12.5 8.5 700 0.25 10 7.2 32
$ekil 3.2b'de t7osterildigi gibi oldugunu kabul edecegiz,
i>
Vz 'yle ilgili "nominal" (anma) terimi bunun tipik bir ~rt~a'.11a deger oldugunu~ gos-
terir. Bu, % 20'lik bir diyot oldugu icin Zener potansiyelinin, uygulama arahgrnda
lQV %20 ya da 8 iH\ 12 V arasmda degi~mesi beklenebilir. . .
Ayru ozelliklerde % 10 veya % 5'lik diyotlar da mevcuttur. lzr test ak.Im'. tipik
bir yah§ma duzeyi olup Vzr bu akim dtlzeyinin dinamik empedansidrr. Masimum
biikiilme empedansi, /ZK biikiilme akirmnda ortaya cikar, Ters-yonde doyma '.11<1m1
Zener eyle~cr devresi: belirli bir potansiyel dilzeyinde saglarur ve lzr % 20'lik birimc karsihk maksimum
(a) cam (b) yakfa4,k
akmudir, x. d k.
(a) (b) Sicaklik katsayrsi Vzr 'nm s1cakl!ga gore % degi~imini yansinr; ve 8§301 a I
denklem ile tamrnlamr:

Tablo 3.l'deki Zener isim plakasmda IN961, Fairchild, 500 mW% 20 ile ta- :Tc= ..1Vz x %100 , %l°C {3.1)
mrnlanan diyot icin gosterilen verileri aciklamak amaciyla Zener bolgesinin daha bu- Vz (T, - To) ;
yiik9e bir cizimi ,5ekil 3.3'de verilmistir,
Burada t.vz sicakhk degi§iminden dolayi Zener potansiyelinde meydana gelen de-
106
Bolilm 3 Zenerler ve Dlger ikl U~lu Elemanlar BolOm 2.2 Zener Dlyot Karakterlstlklerl ve Sembollerl 107
 -I_,
'
vc pozitif srcakhk katsay1smdan dolayi Vi ile tarumlaoan yeni Zener potansiycli
Ztncr aJamma gon: §Oyle olacakur:
s1cakhkkatsayw
.I 2
I II !kn
rr··: . . , ~ ,,
Vz = Vz + 0.54
=
.0 a-nx- t 111
~ J. 1_,_
'""' '7
50 Or,

200
-.
I

' i'
'' 10.54 V

'" <;
e-6.8V
--· ~ • ·1 !"-·· 1100 -, Dinamik empedanstaki (aslinda, seri direncteki) akirna gore dcgi§im .';,ekil

1i
"'\.
0 ..
~ 50
.......
'
.....
3.4b'de gorUlmektedir. lOV'luk Zener yine 6.8V vc 24V'luk Zencrler arasmda

J
gortinmektedir. Burada. akim artukca (ya da ~ekil 3. lb'deki yuksclen egrinin ne
.:;_3, .~v
"'
:!:! 20
~

----- -
kadar yukansmda bulunulursa) direnc degerinin o oranda dii§ilk olduguna dikkat
-.04
~{tY___ .' : 10
cdin. Aynca yine egrinin biikiilrne kisrmna yakla§u.k93 ve ileri ge9tik9e di-
'? -.08 . N~ 5 ~I~
11 2
I
rencin onemli diizeylere 91kt1gma dikkat edin.
l-." ,6
-.12 111 Ii · <;:e§itli Zener diyotlannm kihf ve Uy tammlan ~ekil 3.5'dc goriilmektedir.
.01 .05 .1 .5 I 5 JO 50100 1.0 0.2 0.5 I 2 5 10 20 SO JOO Seki! 3.6'da ise ye§itli Zener elemanlarmm fotograf) ~ekil 3.6'da verilrnistir. Go·
1•• Zener abmi • mA 1. • Zena abmi • mA rliniimlerinin yaniletken diyoda cok bemrccli~inc dikkat edin. Zener diyodunun
(a) (b)
birkac uygulama alanlan ;o,.,f:"l:i i.« :'.:~, ·. ·I:: ..
~cl<il 3.4 iz.niylc)
por.uion 500-n>W Fairchikl Zcncrdiyod a 1T·"·
•rm c lck tnkscl
· .. ukk:.r \F'.il.irchikJCamera vc lnstrumeru Cor~
k.Jrakteni1i

gi§~liktir. Sekil 3.4~'da :~rklt Zener diizeyleri icin sicakhk katsayisnun ozitif nc-
gat1~, hatta sifir olabilecegine dikkat, edin. Pozitif bir deg- er srcaklikraki bp . rt '1 V
'd ki b li li bi . . " ' If a I§ a z
e e ir i tr artisr, negatif bir deger ise srcakliktaki bir arnsla V 'deki bir dii ....
yansiuyor olacaknr, 24 V, 6.8 V ve 3.6 V diizeyleri 1N961 ·1 zz §U§U ~d.il .'5 Zener u~ 1un:..:l.1n
b - . . - • 1 e aym ener grubundan
, ~· ~mbotlcri
u anma degerlenne sahip ii9 Zener diyoduyla ilgilidir IOV'luk IN961
· · I -I I · ener m eg-
z ,. -
"" c oga .~ ara.~ 6.s_v_ ve 2~V 'luk zenerlerin egrileri arasmda kahyor olacaktir, Bu
diyodun tum bolge lym pozitif bir sicakhk katsayisma sahip olduguna dikkat d'
Denklem
; 3 . I' e d"onece k o I ursak, To, Vz'nm sagland1g1 sicakhkur (normaldc
- odae m,.
cakhg, 25oq; T, ise yeni diizeydir. Ornek 3.1 ~itlik 3.l'in k II st
layacakur, u arurmrn acik-

()l{NEf(3.l

Bir iN961 Fairchild Zener diyodunun 1000C'deki anma gerilimini bulun .

.< <;1)/.tllll: '-.d,il .\.r, 7.c-ncr di}o\l.u

•' 1~·011..·n:- Corponuion \·1.n1yk1

Dcnklem 3.1 'dcn:

L\Vz =~(T1 · To)
100
3.3 ZENEn oiYOT UYGULAMALABI
AV
Yerine konursa £.I z = (0.012)(10) (
100 · 25 )
100 Zener diyodun en sik go1iilen kullamm1 ongerilimleme ve kar§tla§llrmaya yonelik
= {0.0072) (75) sabit bir referans gerilimi°saglamaktlr. Orncgin Vi veya R1,'deki degi§imlere karsr

= 0.54 V
Bolum 3.3 Zener Diyot Uygulamalan
109

108 BolOm 3 Zenerler ve Diger iki U~lu Elemanlar

 Denklem 3.2 ile tammlanan kosul minimum RL yaratir; ancak maksimum h
yuk uzerinde sabit bir Vz gerilimi saglamak icin tasarlanrrus olan ~ekil 3.7'deki devreyi
ele alahm, Burada gozonunde bulundurulmasi gereken iki durum sozkonusudur: birincisi . v v
h,m,k, = ....1,_ = -2- ·
i
(3.3)
giri~ geriliminin sabit olup RL'nin degi§ecegi ve digerinin ise RL'nin sabit olup V;'nin de- R1, 11.m;.
gi§ecegi durum. Bu iki durum ayn ayn ele alinacaktir,
Sabit V;, Degi~ken RL, Vz kayma gerilimi dolayisiyla Zener diyodunun "acik" durumda
olrnasini sagliyacak belirli bir direnc degeri (ve bu nedenle yuk akirru) arahg1 olacakt1r. Diyod bir kere "acik" (cahsu) duruma gectikten sonra Rs uzerindeki gerilim;
RL dii~iik degerde olursa, V2'den daha dii~i.ik VL geriliminc yol acncak ve Zener diyodu
"kapah" durumda bulunacakur.

-
(3.4)
Rs
ile sabit kahr ve IR
::;) Ti
+
111
tfz
+
V1 _Vz RL 1R =~
s R»
i
(3.5)
ile sabit kahr.

Zener akirm,
Zener diyodunu <;alt~Uracak minimum yiik direncini (ve dolayrsiyla maksimum yuk
akrrmru) belirlemek i<;in basitce ~ekil 3.8'de gosterildigi gibi Zener diyodunu 91- (3.6)
karnn ve VL =V2'lik bir yuk gerilimine yol acacak Rl degerini hesaplaym. Yani;

VL= Vz= RL V; Buda JR sabit oldugu icin h maksimumken minimum bir /z'ye ve lt. minumumken
Rl + R,
maksimum bir lz'ye yo) a<;ar.
Gerilirn-bolucu kuralmdan; ve Rl icin c;ozersek Bilgi sayfasindan gosterildigi gibi /2; /ZM ile sinirh oldugundan R,.'nin ve do-
.. l layisiyla h 'nm deger aralrgim etkilemektedir .
I yerine JRM konursa minimum le.
I
/2
RL . = R., Vz (3.2)
m,n V; · Vz !
elde cderiz. . • ..J• (3.7)

Esitlik 3.2'den clde edilen Rl 'den btiyiik her direny degeri, Zener diyodunun 9llh~asm1 sag- olarak bulunur ve maksimum ytlk direnci de
hyacakur ve aruk diyot Vz kaynak e¢egeriyle ~ekil 3.9'da gostcrildigi gibi degi§tirilcbilir.
(3.8)
_ Vz
R1.,.,ks ---

+-
Rs Rs
=;..IL -~eklinde bulunur. hmin
+
+ l11s +
Vi Rl vL v, RL vL

(a) $ekil 3.lO'daki devre icin VRL 'yi lOV'ta tutacak RL ve h arahgrm bulun.
(b) Diyodun bir regulator olarak rnaksimurn gii<; anma degerini hesaplaym,

110 Botom 3 Zenerler ve Dlger ikl U9lu Elemanlar Bolilm 3.3 Zener Dlyot Uygulamalan 111
 VL)'C karsihk RL'nin grafigi Sekil 3.1 l a'da ve h'ye karsihk V,,'nin grafigi Seki!
3.11 b'dc goriilmektedir.
1kn
+ (b)
P11111k.< = Vz lzM
=
V1 SOY
Vz = 10 V = (10}(32 mA)= 320 mW
Iv,= 32mA

IOV
i
~------
.. .,"1
. , I
I ··.? · ·:1 .• l
!• '.:. II
zso n 1.2s kn

(a) Zener diyodunu i;;ah§Ir duruma getirecek RL d~erini hesaplamak icin Denk- ~ (a)

lcm 3.2'yi kullarun:

Vi

Jt kn){lO) = lO x 10
!OV
l
R
tn,in
= R., Vz 3 __
250 rv
~•
1 ·
•
V; - Vz 50 - JO 40 !
I I

I
Daha sonra Rs dircnci iizerindeki gerilim Denklem 3.4 ile bulunur: 8mA 40mA
(b)
VR, = V; - Vz = 50 - JO = 40 V

Sabit R1., Dcqisken V;

ve Denklem 3.5 !Rs degerini verir:
~ekil 3.7'deki devrede RL'nin sabit degerleri icin V; gerilimi Zener diyodunu ca-
hsuracak biiyuklukte olrnahdir. <;ah~tirma gerilimi,

VL= Vz= RL V;
RL + Rs
Ardindan minimum Ii. degeri Denklem 3.7 ilc bulunur: ve
i-::(~·: R,) Vz I (3.9)

hmin=Is, ·IZM ·40 - 32 = 8 mA

ile bulunmaktadir.
L---,-~·-·
Denklem (3.8) maksimum Rl degeri bulunur: Maksimum V; degeri, maksirnum Zener akuru IZM ile srrurhdir, lZM = IR - lt: ol-
dugundan

Rt,,0,ks = ~
RL.,; 0
= _lQ_
8 mA
= 1.25 k

~~:·:~,+h
-
I
/11(,1.1\.',
.
(3.10)

Boliim 3.3 Zener Diyot Uygulamalari 113

112 Bolum 3 Zenerler ve Oiger ikl U~lu Elemanlar
 Ic, VzfRL'de sabit ve Tw maksimum lz degeri oldugu icin, maksimum V;;
V;'nin fonksiyonu olarak Vi'nin grafigi $ekil 3.13'de verilmistir.
veya (3.11)

ilc tammlamr.

20V -------

$ekil 3.12'deki Zener diyodunu "acik" (cahsn') durumda tutacak V; deger arahgiru
I :~'
.
bulun. . .
0 I~ 20 40· v,
23.67 V 36.87 V
1:·:
Ornek 3.3'de elde edilen sonuclar $ekil 3.12'deki sabit Rl'yc sahip devredc
23.67 V -36.87V arasmda degin giris gerilimi icin 91k1§ geriliminin 20V'ta sabit ka-

-
lacagnu gosterir.
/Rs

=n1i
Rs Ashnda giri§ $ekil 3.14'deki gibi olabilir ve yU<l§, Sekil 3. l4'de gosterildigi
+ 220.n
J!z gibi IO V'ta sabit ~alabilirdi. $ekil 3. !4'de gorulcn dalga bicimi yanrn- veya tam-
dalga dogrultulmus ·bir 9tla§m filtrelcnmesiyle eldc edilmektedir, bu islem daha son-
v, Vz220V
IZM •60mA RL 1.21cn raki bir boliirnde aynnusiyla anlanlrnaktadir. Ancak net sonuc, ortalama O degerine
sahip siniizsoidal bir kaynaktan $ekil 3.13'de gosterildigi gibi kararh bir de gerilirn
olusturulmasidir.
Zener diyotlar $ekil 3.15'de gosterildigi gibi seri baglanarak iki veya daha fazla
referans diizeyi olusturulabilir, E, Vz1 ve Vz2'nin toplammdan daha bliyiik oldugu sU-
rece her iki diyot "acik" durumda olacak ve ii9 referans gerilimi elde edilecektir,

v,
(Denklem 3.9] V·1min _ (RL + Rs) Vz (1200 + 220) (20)
- R - = 23.67 V
L 1200 36.87 V + 20V _
;!
It: = ~= }'.'.z_= -2Q__= 16.67 mA ') Skil + +
Ri Ri 1.2 k!l
23.67 V ----
+
[Denklem3.10) IRm,,..=lw+h=(60+ 16.67)mA E SOV 30V
10
=76.67 mA

0
[Denklem 3.11) Vimaks = IR11111ksR, + Vz
= (76.67 mA}(0.22 k.Q) + 20
=16.87 + 20
=36.87 V 04; refcrans i:;eri limi

114 Botom 3.3 Zener Olyot Uygulamalan

B610m 3 Zenerler ve Olger lkl U9!u Elemanlar 115
 ~ekil 3.l6'da gosterildigi gibi, sut suta bagh iki Zener de bir ac regulatoru olaruk
kullarulabilir, Siniizoidal Vi sinyali icin devre, V; = l OV amnda $ekil 3. l 6b'deki gibi dav- 3. i SCHOTTKY-ENGEL (SICAK-TA~IYlCI) DiYOTLARI
ranacakur, Her bir diyodun ¢.t§ma bolgcsihemcn yiuundaki §Ckilde gosterilmistir,
Gcctigimiz yillarda, Schottky-engcli, yuzey-engeli vcya sicak-tasryici diyotlan denen
Skn iki uclu elemanlara olan ilgi giderek artrrusur, Kullamm alani baslangicta nokta-
tcmasli diyoda altcrnatif olarak cok yuksek frekans arahg; ilc sirurhydi. Bu denemc ba-
0 20- V Zcn:nkri
20V sanh oldu, <;iinkil bu elemanlar cok daha saglamdi, (yiiksek frekanslarda onernli ohm)
wt
20V WI daha kisa bir tepki surcsine ve (yiiksek frekans uygulamalan icin prarik oncrnc sahip
bir biiyiikliik olan.) daha <lii§iik giiriillii degerine sahipti, Ancak son yrllarda diisuk-
22 o-~~~~-'-~~~ t gerilim yiiksek-akrrnli giir kaynaklan ile ac'den dc'ye donii§tiiriiciilerde giderek daha
(a) iz
cok kullamm alam buldu. Diyodun diger uygulama alanlan arasmda radar sisternleri,
z,,Zi
5kS1 ka.ralctmstikfori bilgisayarlar icin Schottky TIT.. mant1g1, iletisim cihazlanndaki kansnncilar ve. de-
tektorler, alctlendirme ve analog-sayrsal doni.i§ti.iriiciiler sayilabilir,
rov Yapisr, geleneksel p-ti jonksiyonlanndan ~ekil 3.18'dc gori.ildilgii gibi bir
rnctal-yaniletken jonksiyon kullamlmasi bakmundan cok farkhdrr, Yan iletken ola-
Vz = 20V vz
rak normalde n-tipi silisyum kullanilmaktadrr (her nc kadar bazcn p-tipi silisyum
kullaruhyor olsa <la); Ancak molibden, plarin, krom veya tungsten gibi farkh me-
.
(b)
. . .. taller de kullanilmaktadrr. Farkh yapun tekniklcri clcmanda, frekans arahklanrun
SinHzoill;\I ac rq;.iila~yonu:h(1 T-.:1,~.:ll,·1o 1.:1"::\. ·''' .1~ 1l:.:1;,,,i·· •.•. ,11 ~-vr"·nin V; = 10 V'rn ~uh~U.;\:,.i , artrnasr ve daha dii~tik 6ngcrilimlcmc vs. gibi farkh karakteristiklerc yol a9111aktad1r.
Z1 ile ilgili empedansm cok ku<;i.ik, hatta bir kisa dcvre olduguna dikkat edin, cunku Konumuzdaki oncelikler her bir tcknigin_burada incelenmesine elvenniyor, ancak bu
5 kfrluk dircncle scri baghdir, buna karsrhk a<;1k devre scmbolune karsriik gelen Z: ko11ud;1ki hil~ilcr gcncldc iirctici taraflndan saglanmaktad1r.
cmpedansi cok biiyiiktiir. Z2 bir acik devre oldugundan, Vo :c V; = I OV'dur. Bu, V;, 20
V'tan biraz daha biiyiik oluncaya kadar devam edecektir. Bundan sonra Z2 dii~i.ik cli-
renc bolgesine (Zener bolgesine) girecek, Z1 pratik acidan kisa devre olacak ve Vz =
20V Zi'nin yerini alacaknr. Olusan <;tki~ dalga bicimi aym sekilde gosterilmistir,
Dalga biciminin tam bir siniis olmayip, rms degerinin 20V'luk tcpe degerl] si-
niizoidal clalga bicimine 22V'luk tepe degerine sahip sinusoidal giristen daha yakin
olduguna dikkat cdin (bir karc dalgarun rms degeri tepe degeridir; buna karsin bir si- ,_ =--'__ II Sllifywndiyouitelrnn
niizoidal fonksiyonun rms degeri, tepe degerinin 0.707 kadandir). V; sinyali IO V'luk
Zenerlerle 50V'luk bir tepe degerinc yukscltirsc, $ckil 3,. l6a'daki devre basit kare Met.al yan ilctkcnjonl<slyon
dalga iiretecinc donii§tiiriilebilir (kirpma ozelliginden dolayr), Eide edilen dalga bi- ~t•J..il J.1:-: Pasitl~1irilmi1 ~tt.:ak·l.1~1y1c1 di-
cimi $ekil 3.l7'de gorulmektedir, yodu.
L'1
Kalot (·)

r
SOY +
Ancak nokta-temasli diyoda k1yasla Schottky diyot daha tek bi<;imli bir jonksiyon
bolgesi ve saglam bir yapt saglamaktad1r.
z, IOV Malzemclerin ikisinde de <;ogunluk ta~1y1c1s1 elektrondur. Metalde azmllk ta-
0 , 2,r WI
IO V'luk Zenctlct §Lytcilaruun (deliklcrin) diizcyi onemsiz kalmaktad1r. Malzcmclcr birle~tirildiginde
n-tipi silisyum yaniletken malzemesindeki elektronlar anmda biti§ikteki metale akar
vc boylece biiyiik bir i;ogunluk ta§1y1c1s1 akt§t olu§turur. Enjckte cdilen ta§1y1c1lar
metaldeki elektronlara gore 9ok yi.iksek kinetik enerjiye sahip olduklarmdan, bun Iara
gcnelde ''s1cak ta~1y1c1lar" denir. Gelenckscl p-11 jonksiyonunda biti§ikteki bolgeye
B:i.'1:'.il hir karc dalga ilrctcci.
azmhk ta§1y1cilar111 cnjeksiyonu sozkonusuydu. Burada ise elektronlar ayru elektron

116 Boliim 3 Zenerler ve Diger iki U~lu Elemanlar Boliim 3.4 Schottky-Engel (S1cak-Ta§1y1c1) Diyotlari 117
c;:ogunJuguna sahip bir bolgeye girmektedir, Bu nedenle Schottky diyotlan, iletimin
tiimiiyle cogunluk tasryicilan aracrlrgryla gerceklesrnesinden dolayi-benzersizdir, ne kadar darsa, Vr dcgeri de o kadar dii§iik olacakllr. Baz1 dii~lik-glic;:lti elemanlarda
Merale olan biiyiik elektron aki§t, silisyum·malzemedejonksiyon yuzeyine yakin bir Vr degeri yakla!jtk s1f1r olarak kabul cdilcbiiir. Ancak orta ve yiiksck arahklarda
yerde, tasryrcilan bosalulrrus bir bolge ya,rnt1r (p-n jonksiyon diyodundaki bo- 0.2V'luk bir deger iyi bir temsili degcr olarak kabul edilcbilir.
saltrlrrus bolgeye cok benzer bir §ekilde). Metaldeki ek rasiyicilar iki rnalzernenin sr-
nmnda metal uzerindc negatif bir duvar olusturur. Ne! sonuc, iki malzerne aru-
I i
smdaki aknm onleyen bir "yiizey engelidir." Yani·silisyum malzernedeki elektronlar
(negarif yi.ikler). metal yiizeyinde tastyicisrz bir bolgeyle ve negatif bir duvarla kar- S,cu IJJ.n
Jonksiyon /
/ diyodu I
I

§ila§ir.
Sekil 3.18'de gosterildigi gibi bir ilcri ongerilim uygulanrnasi, uygulanan po-
~l)'lCI
diyodu I /
I /
,, I /
zitif potunsiyelin bu bolgeden gelen clektronlar' iizerindeki cekirninden dolayi ne-
gatif engelin gucunf ·azaltacaktll'. Ortaya 91kan sonuc ise, sintr uzerinden, siddeti I // ~ok!a umash

J ,""I
diyot
uygulanan ongerilirn potansiyeli tarafmdan kontrol edilen yogun elektron akismm
tekrar baslamasidir. Bir Schottky diyodunun-"jonksiyonundaki engel, hem ileri hem
,-----------,
~~~~~~~~~~~~.i.--- .....::~.,,...,.. /
de geri ongerilimlerne bolgelerinde p-n jonksiyon elemana gore daha di.i§iiktiir. Bu v
nedenle ileri ve geri ongerilim bolgeslnde uygulanan ayru ongerilimlerne icin daha I r--~-·:-1·
biiyi.ik bir akim meydana gelecektir. Bu, ileriongerilirnlemede istenilen bir sonuctur,
ancak geri ongerilim bolgesinde kesinlikleistenmeyen bir sonuctur, I
I
I l
_p·n
jonksiyon
diyodu
• S1calc
~l)'lCI
diyodu I
I
Nok!atemull
diyol
ileri ongerilimlerne, akimda meydana gelen ustel ylikselme Denklem l .4'le ta- I II I
rumlanmaktadrr: ancak burada ri yapim reknigine baghdir (metal kedi b1y1gr yap1m I I
I ,I I
tiiriindc, germanyum diyoda benzer bir sekilde bu deger 1.05'dir). Ters ongerilirn
bolgesinde f" akmu, temel olarak metalden yaniletken malzemeye gecen elekt- ·~d.il J.l'l S1c"k~l-''t'Ytcl, nokta-tem.::i.sh ve 11-11 jonksiyon diyotlimnm
l.:aq:tlatttrillll:.I.SI,
ronlardan kaynaklanmaktadir. Schottky: diyodunda devam eden arasurma alan-
larmdan bir tanesi, 100°C'nin i.istiinde sicakhklarda meydana gelecek olan yuksek
Elcmarnn maksimum akrm anma degeri ~imdilik: 75A ile smirhdrr, fakat yakm gc-
kacak akimlan uzerinde yogunlasmaktadmTasanmda iyilestirmelerle artik, -65°C'den
lecekte IOOA'llk elemanlar beklenmektedir.Bu diyodun temel uygulama alanlanndan birisi
150°C'ye kadar sicakhk arahgma sahip elemanlar mevcuttur, Oda sicakhgmda ls,
20 kHz veya daha yiiksek frekanslarda 9al1~an analuar/ama/1giir kaynak/and!I'. Bu gti9
dii§iik-giic;lii elemanlarda tipik olarak mikroarnper diizeyinde ve yitksek giic;:lli elc-
kaynaklanndan birinde kuliamlmak iizere 25°C'de 0.6V ileri gerilim degeri ve 10 ns'lik bir
manlarda ise, miliamper dlizeyinde olmaktadir: ancak bu degerler, ayru akim St-
ukanma siiresine sahip 50A anma degerli tipik bir eleman dii~iiniilebilir. Aym 50A'lik ak1m
mrlarma sahip tipik p-11 jonksiyon elernanlardaki degerlerden gcnelde daha bil-
limitine sahip /Nl jonksiyonlu bir eleman, l.JV'luk bir ile1i gerilim dii~ii~iine ve 30 ilfi 50
yiiktiir. Buna ek olarak, her ne kadar Schottky ·diyotlan ters ongerilim bolgesinde
ns'lik bir ukanma siiresine sahip olabilir. heri gerilimdeld fark onernli goriinmeycbilir,
Sekil 3. l 9'da gosterildigi gibi nokta ternash diyotlara gore daha iyi karakteristiklere
ancak giic;: kaybt frukm1 goz oniinde bulundurun: P s,cak-i~,yic, = (0.6) (50) = 30W'a kar§1hk
sahip olsa da, bu diyotlann PIV anma degerleri karsilastmlabilecek bir p-n jonk-
Pp.,,=( L !) (50) = 55 W; bu da verimlilik kriterleri a91smdan ol9i.ilebilir bir farkllr. Dogal
siyonlu elemana gore genelde onemli olc;i.ide daha dii~i.iktiir. Tipik olarak 50 A'lik bir
olarak Schottky durumun-da ortaya c;:tkacak olan daha yiiksek ka9ak aklmmdan dolay1 gcri
eleman icin, Schottky diyodunun PIV degeri, p-n jonksiyonundaki 150V'a kiyasla
ongerilimleme bolgesinde daha yiiksek birkay1p olacaktu; ancak p-n jonksiyon elemam ile
yaklasik 50 V'ta kalmaktadir. Ancak son zamanlardaki gelismeler bu akim du-
kar§1l~11nld1gmda ileri ve geri ongerilimleme bolgclerindeki toplam kay1p onemli olc;:lide
zeyinde 100 V'u asan PIV degerlerine sahip Schottky diyotlarina yo! acmisnr. $ekil
3.19'da verilen karakteristiklerden de anla~J!acag1·i.izere Schottky diyodu, ideal ka- iyile~ti.rilmi~tir.
Yaniletken diyotlardaki tJ.kanma siiresi konusunda vcrdigimiz bilgilerden ha-
rakterisriklere, nokta ternas diyoda gore daha yakindir ve tipik bir silisyum ya-
t1rlayacag1mz gibi, enjekte edilen azinhk ta§1y1c11an ytiksek t,,. degerinin (t1kanma
niletken /J-11 jonksiyonuna gore daha dU§tik VT duzeylerine sahiptir. "Sicak-rasryici"
sliresi) nedeni olarak gosterilmi~ri. Schottky diyodunda kayda deger diizeydc azm-
diyodunun Vr duzeyi biiyi.ik olc;:iide kullarulan metal tarafmdan kontrol edilir, S1-
hk ta~1yicdann gortilmemesi yukarda belirtildigi gibi c;ok daha dii~iik diizeylerde bir
caklrk aralrg: ile Vr dlizeyi arasmda bir ili§ki vard1r. Birindeki bir Uf'll'i cligerindeki
t1kanma siiresine yo] ac;maktadtr. Schottky diyodunun, durumlar arasmda i;ok l11zl1
bir an1~a kar~thk geliyor gibidir. Buna ek olarak, izin verilen ak1m diizcy!eri arallg1
;
;c,ijt·_.
118 Bi:iliim 3 Zenerler ve Oiger iki Uc;:lu Elemanlar Boliim 3.4 Schottky-Engel (S1cak-Ta~1y1c1) D!yotlan 119
.

;
 gcr;:i~ yapilmasi gerckcn 20GHz'c yakrn Irckanslarda bu kadar ctkin olmasnun temcl 0
0 ~ "' "'
-o
nedeni budur. Daha ytiksck frekanslar icin, eek kuciik jonksiyon alaruna sahip nokta "" "' 0

temash diyotlar hala kullamlmaktadrr.

Diyodun C§deger devresi (tipik degerleriyle) ve yaygm olarak kullarulan sernbolu
8 0
"' M

"'
--0
r-
Sekil 3.20'de verilrnistir. Bazi ureticiler, i§levi ozunde aym oldugu bu diyot icin stan- "" 0

dart diyot semboliinii kullanmayi tercih etmcktedir. L,, endiiktansi ve C» kapasitansi

paket (eleman) degerleri olup, r11 ternas ve govde dircncini iceren seri direnctir. r0 di-
renci ve C] kapasitansi. daha onceki boliimlcrde tarutilan degerlerdir. Bircok uy-
8
co
.,,
....
.,,
N
.
"'.,..0

gulama icin miikemmel bir yaklasrk C§deger dcvre basitce ideal diyoda paralel bag- .,.. tl
8 0 .,..
"'
lanrms jonksiyon kapasitansmdan olusmaktadir. (~ekil 3.21 ). co ""
N
0 ~0..
9g
8 "' "' ...
"" ~
co N
~ .~
"" ~ ~
s "'~
:a?{l
e
8
"'
0
"'
"" "'
"'
"'
0 1~
oli ·~
~
5 it ~
""e
f..·t0 -g
:aq
,..,..
c-,
;;
5~ -,;;
'cl'
;;;
]6 ,.,
. li
00
-!!:
"'
0 §

o~c--11~-{-J--
ideal diyodu ~~ ]
.9:; ~
"'"
i~
-!!
"""'
:ii ..
l~-
=~
Jl~
0.15 pF .,.. .. :;i "'
-:
0 'g-§
"' "'0 :::! ..5 lj ~
(a)
x
~..2
.,, Jl ..
(b) N
"'
.,..
"' g~~
~ OOc ~
-=-8 ..2
1·., s
""
\1 ·1. ii ~ .. •; 1 Schottky C~1c;\f.. t:,~1y1cu d;}'\~~l (:,: .\.! 1 Schottky diyota ili~ki11 y11kla~1k ·~-
~.-~;i .,.. "' i!=-i
qdc~t!r dcvrcsk (b) scmhum dc~crdcvrc N
"'0 ·~ a
"" ::lo
]:Sf
"'>,

.
Motorola Semiconductor Products., Inc. tarafmdan uretilen bir dizi steak- 0
>, .....
Ef > "
"' "' ~·~
ta§1y1c1 dogrultucusu ozellikleri ve Uy kodlanyla birlikte ~ekil 3.22'de go- ci ;:,
...
N
l:L:o.!! ·c...
CIO'C:: t;
rulmektcdir. Gordiigiiniiz gibi elemanlarm tiimiinde, maksimum ileri gerilim du- -li~'°° -8 e
....... ~ ·:.::e s&. .5"
§timti VF, 0.65 V'u asmamaktadrr; ki bu bir silisyum diyot icin ozunde Vr'ydi. .,,
0 -a:a.e
"'
N .~:.::,
5-o·c j
Hewlett-Packard 5082-2300 serisi gene! amacli Schottky-engel diyoduna ait ti9 ci
";;:i
~ ·c-"
.. 0
00 ~

egri, ~ekil 3.23'de verilmistir, ~ekil 3.23a'da T = 100°C'de 0.01 mA'Jik bir akimda !~i
-·c:.!,(
8. rf E
.!l _;i -
Vp'nin yalruzca O.IV olduguna dikkat edin. Aynca ~ekil 3.23b'de geri akmun na- _g>~ 12 s:~
:~-~
:~-~-~.~
u :zi' 0
noamper diizeyiyle ve kapasitansm yiiksek bir anahtarlama hiz; saglarnak icin ~ekil g-~ [·c.:::-
3.23c'de I pF ile smirh kaldigma dikkat edin. 8 i ..
,au>
cX'iiE :il ~:,:
;ii:~ ::::. ......

120 Boliim 3 Zenerler ve Oiger ikl Ui;:lu Elemanlar 121

Biilum 3.4 Schottky-Engel (S1cak-Ta;;1y1c1) Diyot1ar1
 3.5 V.I>.FLU(T\JF; (V.t\fi!KAP) DiYOTLARI

Varaktor [aym zamanda, varikap, VVC (gerilimle-degistirilebilen kapasitans) veya

akort da dcnir] diyotlan yaniletken, gerilime bag1mh, degisken kondansatorlerdir.
Cahsma modu, eleman gcri (lngerilimlemligi zaman p-n jonksiyonunda var olan ka-
s,cuhk pasitansa baghdir. Geri ongerilimlcme kosullan alnnda, jonksiyonun her iki ta-
IF talsay .. ,
rafinda, bcraberce bosalnlrrus bolgeyi olusturan ve bosalnlrms bolge geni§ligi W"'yi
lOµA
ramrnlayan ve kullarulmayan yuklerden olusan bir bolge oldugu tesbit edilmisti.
1000 - izole kullamlmayan yiikler tarafindan olusturulan ge<;:i§ kapasitansi (Cr) <1~ag1daki
formtil ile belirlenmektedir:
500
~
1 ,::.
c 2900 i /
(3.12)
! -2
~
100 t::
2303_.....1./

]j
501---z-···-· 1_........ __.,-> burada yaniletkcn malzernclerin geyirgenligi (permitivite), A, p-n jonksiyon alam
-::,/ "'--+-----!
------- - 2301--4-----! ve Wd bosalulrms bolgenin genisligidir.
2302--41------! Ters yonde ongerilirnlerne potansiyeli artukca, bosalnlrrus bolgenin alaru bu-
2305
yiimekte, bu ise gc<;:i§ kapasitansiru azaltrnaktadir. Ticari olarak sanlan tipik bir va-
I 00 200 300 400 500 600 700 15 rikap diyodun karakteristigi, ~ekil 3.24'de gorulmektedir. Ters iingerilimin art-
Ters gerilim (V)
iltri gerilim(mV) masiyla Cr'nin baslangictaki keskin dii§ii~iine dikkat ed.in. VVC diyotlan icin
5082-2:!00Scrisi Sdiotthy 5082-2300 S«isi normal V,. arahg1 yaklasrk 20V ile sirurhdu. Uygulanan ters ongerilim terimleriyle
. DiyoUara ili~l<inTipil: S1cakhk Diyotlara iliflcin
Deg~imini Glls~en Ten: gerilime bagh ge«;:i§ kapasitansi yaklasik olarak
1-VE~i Ter:s Alam
(a) (b)

(3.13)

j 1.01\ hulunur; burnda K = yan iletken malzeme ve yapim teknigine bagh sabit
0.8 ~\::--~---4-----1---1---!
, =
Vr 1.6 boliimde ranrmlanan bi.ikiilmc potansiyeli

!B \\
0.6 _\_;,...\+_--29+-00--4---1--1 C(pF) Vr = uygulanan ters ongerilim potansiyelinin biiyiik!iigii

---·
11 •• :11.1~1111 j.,11!.. ,i) "n!.,n i,·in l/2, difuzyon jonksiyonlan icin l/3
0.4 ,___..:.,.e::, __-e,2~!-03_-1---4--

0.21--~1--
....... ~::....--
i1g~ - -~-
2305
QL--.1-~.L-~.L-~.J......___J
0 4 8 12 16 20
VR-Tas gcrilim (V)
40
5082-2300 Serisi DiyoUanna
ilitl<i• Tin Gerilime
bagh Tipik upasitafts.
(fA :ZS C s,cakhk:ta) 20
(c)

. ~ · !, ! \ Hewlen-Packard 5082-2300 gcnef-amar;h Scho1tly t::ngd diyotlnnna ili~kin knr,~kl~r.is.tik cgri!er ( Hewlett-
.; · ~ :. 0 -2 -4 -6 -8--10-12 -14 V,(volt) !i
~ .. I. i Vr'yc h•t~h C(pF> olarak vu-
Packard CorporJ.tiou iwiyle) · ".•,;.,.';,;.: · :· ·· ; .:
(If, = uygul....,. lefS On gerilim) ril:,1~ L:.1.,r:.1ktcri:..1i~i

122 Biiliini 3 Zenerler ve Diger iki Ui,lu Elemanlar Biilum 3.5 Varaktiir (Varikap) Diyotlan 123
 Srfrr ongerilimlerne durumundaki C(O) kapasitans rerimleriyle, ve V,.'nin bir fonk-
siyonu olarak kapasitans 88139
VHF/FM VARAKTOR DiYODU
DiFOZYONLU SiLiSYUM DUZLEMi

cr(vr) = c(o) (3.14) DO. )S STANDARD) DOYlITLARI

+I:; Ir
• CJ!C25 5.0-6.5
, UYDUAULMU$ TAKIMLAR (Not 2)
(1
ile ifade edilir. lolUTLAK MAKSiMUM ANMA OEGERLEAi (NOT 1)
-55'C to+ 150'C
Varikap diyodu icin kullanilan en yaygm scmboller vc geri ongerilimle bol- s,cakhklar +t50'C
Saklama S,cakhk Arahl)1 +260'C
gcsindeki e~deger devresi icin birinci dereceden yaklasik devresi ~ekil 3.25'de ve- Jonksiyonun Maksimum 9ah~ma s1cakl191
rilmistir. Geri ongcrilim bolgesinde oldugumuz icin, C§degcr devrcdeki direncin de- Bacak S1cakhg1
Makalmum Gerilim 30V
geri cok bi.iyi.ikt.iir (tipik olarak l Mn veya daha buyiik), ancak diyodun geornetrik WIV Ters Yonde <;;ali~ma Gerilimi
dircnci Rs, ~ckil 3.25'de gosterildig] gibi, cok kii9iikti.ir. C'nin dcgcr: ele alman va-
rikap diyoduna bagh olarak 2 ila 100 pF arasinda dcgi§eccktir. Rr'nin (kacak aknrun
n.1inim~m di.izeyde olmasi arnaciyla) mi.imkiin oldugu kadar biiyiik olrnasr icin, va-
rikap diyodlannda normalde silisyum kullaruhr, Diyodun cok yi.iksck Irckanslarda
kullarulacak olrnasi, nanohenri olarakolculmesine karsm, L, endukransmi da hesaba
katmarmzi gerektirmektedir. Hanrlayacagmn gibi Xl = 2 nf L ; vc 10 GHz'lik bir fre- NOTLAR,
k~~ ii~!:.:'=. =
l?H, ?C1.,=2:r,fL (6.28) (10'°) (W-9) 62.8 Q 'a elde edilecektir. Acrkca= Baklr kapll ~elilr. uzeriae
lalay bplanllllf
goruldugu gibi varikap diyodunun kullarummda bir frekans smrrlamasi vardir. Allin Jr.aplamah bacalr.larda vardir
Tam sii.dirrnazblr. aajlanlnlf
campaket
Paket aj)rhlt 0.14 gr' dir,

Cr= f(V,) I ELEKTRiKSEL KARAKTERiSTiKLEA (Aksi bellrtllmedik9e 25°C Ortam s,cakhginda)

-~----·---
KARAKTERiSTiK i MIN TiPiK MAKS; BiRiM i TEST K0$ULLAAI
~MBOLI- -- v IR -100 µA
Bv . K1 nlma Gerilimi 30
' so
"
IR Te rs Yon Ak1m1 10 na
0.1 0.5 µa ~~:~:~. TA-60°c
R,>IMh Ls - 29 pF VR • 3.0 V, I • 1 MHz
C Kapasilans 6.0 pF VR • 25 V, I= 1 MHz
(I - 5 nH) 4.3 5.1
5.0 5.7 6.5 VR = 3 V/25 V, I • 1 MHz
C3IC25 Kapasitans orarn
". VR • 3.0 V, I - 100 MHz
__ Q___ y ararhllk Faktoru 150
~i·h ii . .' . .:!::; Yarik.:tp diyudu: (a) gcri fing.crilim hOlgcsindcki ~dcgcr dcvre..ii;i (b) semboltcrl
Rs Seri Diren£. 0.35 n C. 10 pF, I• 600 MHz

tt-: eri Endiiktans 2.5 nH K1hllan 1.5 mm uzakta

Uygun bir frekans arahg; ile diger seri elemanlanna kiyasla dii~iik bir R., ve X1_,. ol- 1.4 GHz VR- 25 V
eri Rezonans
dugu Sekil 3.25a'daki varikapm e~deger devresi yerine sadece degi§ken kondansator ..
konulabilir. Tam bilgi sayfasi ve karaktcristik egrileri srrasiyla Sekil 3.26 ve ~ekil NOTLAR · · d • r1 ·d·
1 Bu anma degerleri. iizerine 91k1ld1ginda ayg1t1n hasar 90reb1leceg1srn1r ege e(• ,r. .. . .
3.27'de gorulmektedir. ~ekil 3.26'daki C3/C25 oraru, 3 vc 25V'Iuk ongerilirn po- 2:Bir gruplaki herhangi iki diyol arasindaki kapasitans lark,: 0.5 V-28 V aras,ndaki ters genhm degennin
tansiyellerindeki kapasitans diizcylerinin orarudir. Du oran kapasitansin, geri on- %3'iinden daha kiii,uklur.
gerilirn potansiyelindeki bir degi~imle ne kadar degi§ecegi konusunda hizh bir tah- ~ckil 3.26 VHF/FM Fairchild varnk10r diyoduna ilijkin clck1riksct k:traktcrisiiklcr (Fairchild C,uncr, and lnsirun,cnl
min saglamaktadir, Bu olcu, varikap diyotun kullarulmastnda goz onundc Corponu•un l:t.niyll!)
bulundurulan bir nicelik olup, her yevrimde kapasitif clernan tarafindan depolanan
enerjinin her cevrimdc harcanan (veya kaybedilen) enerjiyc oranirun ol9iisi.idi.ir.
Enerji kaybi cok ender olarak olumlu birsey olarak goriildiigiindcn bu nisbi degcr nc Tc • LlC x % JOO %f'C
c Co (T1 - 7o) (3.15)
kadar yiiksekse O kadar iyidir. Elernarun rezonans frekansi f o = l/2rc ...fLc· for-
miiliiyle belirlcnir vc varikap diyotun kullamm arahgiru etkiler.
Sekil 3.27'de miktarlann (,Ogu ycterincc acikur. Ancak kapasitans stcakltk kat- burada t.C, T, - To s1cakhk dcgi~iminden dolay1 mcydana gelen kapasitans de-
saytsi a~ag1daki formiil ile tamrnlamr: gi§ikligini; ve Co, belirli bir geri ongerilim potansiyelinde To s1cakbg111daki ka-

Biili.im 3.5 Varaktor (Varikap) Diyotlan 125

124 Biiliim 3 Zenerler ve Diger iki U~lu Elernanlar
pasitanstrr. Ornegin ~ekil 3.26'ya bakihrsa VR = 3V ve To= 25°C'de Co= 29pF ol- 3.6 GU<; DiYOTLA!il
dugu giiriiliir. Bcylece kapasitanstaki fonniil 3.15'te T1 ve sicakhgi ve grafikten be-
lirlenen TCc degeri (= 0.013) yerine konularak bulunabilir. Yeni bir VR degerinde Bazt uygularnalann yiiksek gii9 ve sicakhk gereksinirnlerini karsilamak icin ozel
TCc'nin degeri buna uygun olarak degisecekrir. ~ekil3.26'ya donersek maksimum olarak bir dizi diyot tasarlannusur. Gii9 diyotlanmn en sik kullarnrru, ac sin-
yallerinin (ortalama degeri stfir olan) ortalama veya de diizeyli sinyallere do-
nii§tiiriildiigii dogrulima islerninde gorulmektedir. Bu arnacla kullamldiklannda, di-
Tersa.lam • C Ten gerlllme baAh l:oadanaa!Or\lJI
ters gerllim 11cakl1k tauay1&1 yotlara genelde dogrultucu denir.
1.0 0.1 Gu~ diyotlannm ~ogunlugu daha yuksek akrm, sicaklik ve PIV anma de-
,J gerinden dolayi silisyumdan yapilmaktadrr. _Daha yiiksek akrm gereksinimi, dti§tik
.....__: 'J

1~ '"""' '~ ---

bir ileri diyot direnci saglamak icin daha buyuk jonksiyon alanlan gerektirmektcdir.

.v
J 0.05
Ileri yon direnci cok biiyiik olsaydi, asm I2R kayiplan rneydana gelirdi. G!i9 di-
··, 0.04 h
GI~
"- ~... yodlarmm akirn kapasitesi, iki veya daha cok diyodu paralel baglayarak, PIV anma
0.1 )'
11.
0.03
., 1./
',
degeri ise diyotlan seri baglayarak artmlabilir.
O.o2
r-, . ,_._ Degisik tipteki g!i9 diyotlan, akrrn anma degeriyle birlikte Sekil 3.28a'da ve-
_., .,
/ .a li '
-y ~·
~ 0.01
'l rilmistir. Yi.iksek akrm dolayisryla rneydana gelen yiiksek sicakliklar, bir cok du-
rumda elemandan 1S1y1 cekrnek tizere sogutuculann kullamlmasmi · ge-
10 20 30 100 30 10 3.0 LO rektirmektedir. Degi§ik tipteki bir kac sogutucu Sekil 3.28b'de gosterilmistir.
Vk • Ters gerilim-volt Vk • Ters gerilim-volt Sogutucu kullamlmadrgi durumlarda, sasiye dogrudan takilan ve onun sogutucu
olarak gorev gormesini saghyan iri bash diyodlar tasarlanrnaktadir.
Kapesitans sicaklik
b.tsa}'ISI - ICl'S gerillm Yararhhk- frekans
1ooo~~~~J~~~l...---.-c-TT~,
l
100
5001---r'~~-+1---+~+--1-++-.....j
c
so
30 --:.
,'.._
c
'-,
' I\. ·-·
20
10
0,
. 100 1---l--+--l.-l--~"""',·-,+-
so
-;-+-+-----,
.,
r---.
5.0
~-+--++~+----+-++-~
3.0 <,
2.0
1.0 10..__.__._.L.J..~..l----'---'-..L.L~~
0.5 1.0 2.0 3.0 S 10 20 30 IO 50 100 500 1000
V,. • Tets gerillm-volt FrekansMHz
'-1.-1.,I ~. )".' VHf'/f'M Fairchilc.1 v.t.rak1<\r diyoduna ili~kin kctr.tktcristik cgril<:r (f-airchild C.,mer.1 and lnsrrnment Cor-
r...-ration izniyle)
IR HlZU 11KANMALI ooCRULTIJCULAR
401 PDL (SOLDA), 400 AMP.
Irekansin 600 MHz oldugunu gorurtlz. Bu frekans da 251 UL(ORTADA>.,_2SOAMP.
101 KL& KLR(SAuDA), IOOAMP

XL= 2rr.fL = (6.28) (600 x 106) (2.5 X 10'9) = 9.42!1 (a) (b)

~··l,il l!X t ,11\ ,h~·~""" vc M1:,:utucular. lfmc.ma1ional ReclifterCorµor:nion izniylc)

olarak bulunur, normalde ihmal edilebilecek kii~iikliikte bir degerdir,
Diyodun kullamrn buldugu bazi yiiksek frekans alanlan (dii§iik kapasitans du-
zeyleri ilc belirlendigi uzere) arasinda FM rnoddlatorleri, otomatik frekans kontrol 3.7 TUNEL DiYOTLMl!
aygrtlan, ayarlanabilir bantgeciren filtreler ve parametrik ytikseltecler bu-
Tiincl diyodu ilk defa 1958 yilmda Leo Esaki tarafmdan gelistirildi. Sekil 3.29'da
lunrnaktadrr.

Boliim 3.7 Tiinel Diyotlan - 127

126 Solum 3 Zenerler ve Dlger iki U9lu Elemanlar
 ~u ana dcgin ele aldigumz tiim diyotlardan, negatif direnc bolgesine sahip olmasi ba- yoduna aittir. Ls enduktoru uc tellerinden dolayi olu§maktadtr. Rs direnci ise, teller,
krrrnndan Iarkhdir. Bu bolgede u~ gerilimindeki bir arns, diyot akirnindaki bir aza- rel-yaniletken jonksiyonundaki rcmas vc yan iletken malze1~elerinin k~ndil~rindcn
hsa yo! acmaktadtr. kaynaklanrnaktadir. C kapasitans1, jonksiyon difuzyon kapasitansuu, R is~ bo-~gemn
Tune!_ diyotlan, p-11 jonksiyonu olusturan malzemeleri normal bir yan ilctken negatif dircncini gosterir. Negatif dircnc, ileride ele ahnacak olan osilator uy-
diyoduna gore yiizlerce ve binlerce kat daha fazla katkilayarak iircrilir. Bu, 1Q·6 cm gulamasmda kullanilmaktadlf.
gibi, yani tipik bir yan ilctken diyodunun yiizde biri gcni§liginde cok kiiyiik bir bo- ~ Diyodun ozellikleri arasmda bulunan 1/8 inclik tel uzunluguna dikkat edin.
§alt1hm§ bolgeye yol acmaktadrr. Bu ince bosalulnus bolgeden bircok tasryici, dii§Uk Bu uzunluktaki bir arus Ls'de arnsa yol acacaknr. Gercekten de bu tiinel diyot icm
tel uzunluguna bagl! olarak Ls 'nin l ila 12 nH arasmda dcgi§tigi biliniyordu, Yuk-
sek frckanslarda (X1.~= 2rtf Ls) bu fakror ctkisini hissettirebilir.
y = 500 111 y (tipik) ve I;1.,; (rnaks) = 5 mA olmast tiinel diyotlann dii§iik
11,
:.,;:..:
tii ~
· 5 pF _ Lsil'.
(>---'VY'--__.
. 6nHR-•--
I.SU
.r~: _. -~.
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
I. I . "\:~ ,l:
; ·..
. .-~,- .. ~'
VP Vu
(a) (b)
~d,.il J.:?9 TUocl diyot karaktcrlstiSi.

ileri ongerilimde ~ekil 3.29'daki egridc gorulen tepeye neden olan, "tunellerneyi''
gerceklestirrnektedir. Karsilastirrna acisindan tipik bir yaniletken diyodu ka-
rakteristigi ;,ekil 3.29'daki tiincl.diyotu karakteristiginin uzerine cizilmistir. TABLO 3.2 Karaktcristik Oicllikler: Ge 1N2939

Minimum Tipik Maksimum

Bu inceltilmis bolge klasik diyotlardakinden cok daha yuksek hiza sahip tasryicilara
yo! acmaktadir. Tiinel diyodu bu nedenle nonosaniyc veya pikosaniye duzeyinde
anahtarlama hizlanna gcrcksinirn duyulan bilgisayar gibi yuksek 1112 uy- Mutlak maksimum anma dcgcrleri ·
ileri-yon ak1m (-55 ila + 100°C) 5mA
gularnalannda kullarulabilmektedir.
Ters-yon akum (-55 ila + J00°C) lOmA
t 3.2. Bolumden de hazrrlayacaguuz gibi katkrlama diizeyindcki bir arus Zener
Elektrikod karaktcrisliklcr (25°)
potansiyelini dii§iinnektedir. ~ckil 3.29'da, cok yiiksek bir katkilarna diizeyinin bu
(1/8 ins: bacak uz.)
bolge iizerindeki etkilerine dikk.at edin. Tiinel diyodu ilretiminde en sik kullarulan Ip 0.9. 1.0 1.1 mA
yan iletken malzemeler germanyum ve galyum arseninir. l,Jlc orarn, bilgisayar uy- 0.1 0.14 mA
Iv
gulamalan icin cok onernlidir. Bu oran, germanyum i1rin tipik olarak 10:l'ken, ger- Vp 50 60 65 mV
rnanyum arsenittc 20: l 'e yakmdir, Vv 350 mV
Tunel diyodunun tepe akinu (/p) birkac mikroarnperden birkay yiiz ampere Ters-yon gerilimi UR== 1.0 mA) 30 mY
kadar degi§ebilmekledir. Ancak tepc gerilirni yaklasik 600 m V ile smrrhdir. Bu ne- !Jeri yonde tepe nokta ak1m1 gerilimi, V11, 450 · 500 600 mV
denle 1.5 V'luk bir pil gerilimine sahip basit bir AVO-metre yanhs kullamlrrsa tune! I/Iv 10
diyodunda oncmli hasarlara yol acabilir. · ·R -152 .n
Tuncl diyodunun negat..if direnc bolgcsindeki csdegcr dcvrcsi, tiinel diyotlar c 5 15 pF
6 nH
icin en srk kullamlan sembollerlc birlikte, ~ekil 3.30'da gosterilmistir. Her pa- Ls
R_, 1.5 4.0 .n
rarnetreye iliskin degerler Tablo 3.2'de ozellikleri gosterilen IN2939 GE ti.incl di- ----
128 BolOm 3 Zenerfer ve Diger iki Uglu Elemanlar BolOm 3.7 TOnel Diyotlan 129
 Reklam medyasi sayesinde sokaktaki insan, u;1k kaynaklanrun essiz bir enerji
gii<;: tunel diyotJan oldugunu [Po= (0.5) (5 x 10·3) = 2.5 mWJ gosrerrnektedir. ki bu da bil-
kaynagi sundugunun farkma varnustir. Foton denilen aynk paketler halinde iletilen
gisayaruygulamalan i9in mlikemmeldir. Elemarun bir gi.irilniimii ~ekil 3.3l'dc verilrnistir,
Her ne kadar giiniimiiz yiiksek frekans sisternlerinde tiinel diyotlanmn kul- bu enerji, a~ag1daki formiilde belirlendigi gibi hareket eden 1§1k dalgasirun fre-
larurru tiinel diyoduna alternatif olusturan iiretim tekniklerince kisitlannus olsa da, kansiyla dogrudan ilgili bir diizeye sahiptir:

Ii. W =~t-1J joule

basitligi, dogrusalhgr, dii§iik gii~ kullarurru ve guvenilirligi, bu diyotun kullarulmaya
devarruru saglam1§llr. Gelisrnis tasanmli bir tiinel diyodun temel yapist ve gercek (3.16)

jonksiyonun fotograf1 Sekil 3.32'de verilmistir.

burada Fi Planck sabitidir ve degeri 6.624 x 10·34 joule-saniyedir. Bu forrnul, 1i sabit
oldugu icin, gelen 1§1k dalgalanyla ilgili enerjinin, hareket eden dalgamn fre-
kansiyla dogrudan iliskili oldugunu ortaya.koymaktad1r.
Frekans ise, hareket eden dalganm dalga boyuyla (art arda gelen tepeler ara-
rn,~,
· ! <.i1.· In ~1>J9 diyoru. (Ge-
smdaki uzaklik) dogrudan ilgilidir ve a~ag1daki formtille ifade edilir:
m::rn1 Electrk Corpor.11too izuiyle)

(3,17)

SONVAL!TlM
(KAYNAK)
burada A= dalga boyu, metre olarak
Sn-lCAPU v = 1~1k luzr, 3x108 mis
YAUTKAN
Ni0R00
0Ro0 Dl!STEOI f = hareket eden dalgarun frekanst, hertz
Sl!RAMIK.

Dalga boyu genelde angstrom (A.) veya mikrometre (pm) birimiyle ol9Uliir;
DAl'.ll.ANMJ$ Cl< YONOASI

KOVARTABANI
burada
(a)
I A = 10·10 m ve lprn == 10·6 m

Dalga boyu onernlidir, ,;i.inkii optoelektronik elemanda kullarulacak olan rnal-

zcrneyi belirleyecektir. G,, S; ve Selenyum'un bag1l tayf tepkileri ~ekil 3.33'de gos-
terilmistir. Gi.iriinebilir 1~1k tayfida degi~ik renklerle ilgili dalgaboylan da birlikte
verilmistir.
Her malzeme icinde uretilen serbest elektron sayisi, gelen 1.~1gm ~iddeti ile
orannhdir. I~1k ~iddeti belli bir yiizey alamna dusen 1~·1k akisr rniktannm bir ol-
9iisiidiir. /~1k akts: norrnalde, lumen (Im) veya watt ile i:il<;:iiliir. Iki birim arasinda
Tii11cl diyodu: la) y;ipm; (b) foto~mr,. (COM-SAT1'echnical Review. P.l'. Vuruili ,md T.D. Kirkeud11!1 iz-
niyle)
I Im= 1.496 x 10·10 W ·

'..LB FOTOOiYOTLAR iliskisi vardir.

!.
I~1k §iddeti normalde Im/Ft, fit-kandela (f/c) veya W/m2 ile ol9iiliir; burada
l§1ga duyarli elemanlara olan ilgi, g~tigimfa: yillarda olagantistii bir arns gosterdi,
Sonuctaki optoelektronik a/am, verirnlilik diizeylerini artirma yonundeki cabalarda
biiyiik arasurmalara sahne olacaktir.
1 lm/ft2 l fc= = 1.609 x 10·12 W/m2

131
130 Biil!im 3 Zenerler ve Diger ikl u.,ru Elemanlar Biilum 3.8 Fotodiyotlar
 1. Bolumden hanrlayacagiruzgibi ters doyma akirm ..normalde bir mikroamper ile
smrrhdir. Bu akim tamarmyle n- ve p-tipi malzemelerde JS1! olarak iiretilen azmlik ta-
~1y1cdannclan kaynaklamr. Jonksiyona I§lk uygulamasiyla, gelen hareket halindeki
(foton halindeki) 1~1k dalgalan atomik yap1ya enerji transfer ederek azmlik tasiyici sa-
yismda ve tcrs yondeki akirn diizcyindc brr arnsa yol acacakur, Bu, ~ekil 3.35'de de-
gi~ik 1,1k siddeti diizeyleri i<;in acrkca gosterilmi~tir. Karanltk akimi, uygulanan ay-
Ih (µA)

5000fc
1-----.i-.,,.,,.--.
-=·-~""" ------- .. ~ ......~·--"·

/. 4000fc=
600 jl / .....-.---·='-'·-----,· ---·-
/,/ - ---------
400{,! ,.r·
. ·---···-- ~~~/~
'I'./
l,i'c.,;:.---1-----+----+.2°00.tc=_
i, It' /1~,,,..~ -·----' 7----
200 I;. !OOOfc-
!.' .,/·'- ---·· -----·. ·-····-·- -

40~ /:o . 6~00 /.°'' .I soon 9000 '°;,:'.s:;;ooo 12.000 is.ooo t /'
a.,,.....-··---. ,-
---- ------~~llkmu.., ,_.
. , I ..

Moriitesi \'.?" a {! 5 Kmloksi V0 O. IO 20 30 40 V1 (ters-gcnltm)

>< "' /?.. l2 ·,-:t ;I : Tipikbir forodiyot
Goriinilrtayf . ).::ar.a.k1crl~tik gjubu

dmlatma olmadan var olan akimdir. Burada akimm ancak V0'a esit bir pozitif ongerilim
Foiodiyodu. calisma bolgesi tersine ongerilimleme bolgesi ile sirurh olan bir uygulanmasryla srfir. duzeyine donecegine dikkat edin, Buna ek olarak, 1~1gi jonksiyon
yaniletken p-11 jonksiyon elemamdir. Temel ongerilimlerne cliizenlemesi, yapisi, ve bolgesine yogunla§trrmak.i¢in birinert:egin nasil kullamldtgi ~ekil 3.34'dc gosterilmistir.
Iotodiyot sembolii Sekil 3.34'dc giistcrilmi~tir: Kapaktaklmercegi gostercng~#,kblfeiemanaait fotograf~ekil 3.36'da sunuhnustur.

11111
~

- r,.
+
R

+
v
(a)

v,. + {:I.ii '· '''llcwlcn-l'acbrd 50R2.

4:!00 s 1...":-11..!1 fctodivodun ro.
x ·..;,-1.1: l. ~-i Folodiyol:
1o~r.,f1 cl l~wkn-Pod:~,r(I Cor·

-·'~
(a) Temcl-Ongcrilimlemc
o~~~--1....
~.t--~~~o f'Ot":_tlloo i1.11iyk:)
dilzcnlcmesi vc y;.1p1s1; (b)
sembolu.

BolOrn 3.8 Fotodiyotlar 133

132 Boliirn 3 Zenerler ve Diger iki Ui;:lu Elernanlar
(b)
 I~Ll< akrsinda, ayru artis egrileri arasindaki hemen hemen birbirine esit olan aralrk,
ters akun ile 1~1kakis: arasinda yaklasik dogrusal bir ilisk; oldugunu ortaya koy-
makradir. Baska bir deyisle, 1~1k siddetindeki bir artis ters akimda benzer bir arnsa

*
ncden olrnukradrr, Bu dogrusa! iliskiyi gosterrnek i.izere iki egrinin cizirni 20V'luk
0
sabit bir V" gerilirni icin ~ekil 3.37'de verilmistir. Baglanuh olarak degerlendirirsck 0

gelen 1~1k olmadan ters akrrnin nere<leyse srfir di.izeyinde oldugunu varsayabiliriz.
Yukselme ve alcalma si.ireleri (durum degi~ikligi pnramerrelcri) bu clernan icin cok (a) (b)

kii9i.ik oldugundan (nanosaniye nrahgmdn). yuksck luzda sayun vcya unahtarlarna uy-
gulamalan icin kullamlabilir. ~ekil 3.33'e donersek, Gc'un Si'dan daha genis bir dalga
boyu rayfiru kapsadrgiru gortiritz. Bu ozcllik onu. ileridc k1,aca aulutacagmuz lazer ve
kizilotcs! (JR) 1~1k kaynaklan icin uygun kilmaktadrr. Kuskusuz Ge'un silisyumdan
daha yuksek bir karanlik akrmi var anca.k ayru zamanda daha yuksek bir ters aknn dii-
zeyine de sahiptir. Gelen 1~1gm fotodiyot uzerinde iirettigi akun dtizeyi, kontrol ama-
cma yonelik olarak dogrudan kullamlacak kadar olrnasa da bu arnacln yukselrilebilir.
J..,.. (µA)
800
600 / zeyide artacaktir. Boylece yapida nispeten "serbest" elektronlarm sayismda bir art1~
'\, 1 ·I ; -i'·: Fotoilerken hucre: (u) gO·
rtlnll*U: (b) sombolO l(nl lntem,uio,u,I
i;.i_, ·.... Rectifler Corporation iz.niyl!!l
En sik kullarulan foto iletken malzemelerin basinda kadmiyum stilfit (CdS) ve
Kadmiyum Selenit (CdSe) gelmektedir. Sekil 3.33'de gosterildig! gibi Cds'nin tayf
tepe tepkisi yaklasik 5100 A'da, Cdse'in tayf tepe tepkisi ise 6150 A'da bu-
Iunmaktadir. Cds kullamlan elemanlarda tepki si.iresi yaklasik 100 ms, CdSe'li hue-
relerde ise 10 ms dolaymdadir.
Foto iletken hucrenin, normal diyotta gorulen jonksiyonu yoktur, Uclar arasma
baglanm1~ ince bir malzeme tabakasi gelen 1~1k enerjisine maruz birakrlmaktadrr.
Foto iletken uzerine dusen t§tgm siddeti artnkca enerji tasiyan foton pa-
ketlerinin artmasmdan dolayi yapida bulunan cok sayrdaki elektronun enerji di.i-

/~
v' ortaya cikmakta ve u9 direnci dusmektedir. Tipik bir foto iletlcen hucrenin du-
yarlihk egris! ~ekil 3.39'da gorulmektedir. Olusan egrideki (bir dogrusalhga lo-
400 garitmik-logaritmik olceklc <;izildiginde) ve l§tkta.ki degi§iklige bagll olarak di-
v
/ I rcnc;teki bi.iyiik degi§meye (100 kQ ~ JOO 0) dikkat edin.
_,,/
200
v ... R (log. O!yek)
(A ortaliuna kalllkterlsUJder)
IOOkU

0
/ /I
1000 2000 3000 4000 5000
' '
I.
[c
~chit 3.37'd<ki tctodiyoda ili*kin
lOkU
'
IC· I). (VA~ 20 VJ egrisi ' 1,
....
Jkn I"

3.9 FOTO iLETKEN HUCRELER

0.1 kn
Foto iletkcn hucre, i<; direnci, gelen 1~1gm.§iddeti ile (dogrusal olarak) degisen iki 0.1 1.0 10 100 1000 Mmn.cil'IS!ndcn
uclu bir yaniletken elemandtL.~u:ozelliginden dolayr da sik sik fotodirenc elemaru aydmluttm
(log.01¢.k)
d~ ~lenilme~tedir. Tipik bir fotoiletken hucre en cok kullanilan grafik scmboliiyle
birlikte ~ektl 3.38'de gbriilmektedir. '··.·~ ii '· -:· ! Fo1oi!etken hticr(:nin u.;
karaktcri<tikleri (GE 9425.)

134 BolOm 3 Zenerler ve Diger iki uctu ElemanJar Boliim 3.9 Foto iletken Hilcreler 135
 Elernarun basit ancak ilgin9 sayilabilecek bir uygulamasi ~ekil 3.40'da su-
nulmustur. Sistemin arnaci, V; anma degerinden sapmalar gostcrse bile, V0'1 sabit bir 100 '
di.izcydc tutrnaya yoneliktir. ~ckilde gosterildigi gibi, fotoilerken hiicre, lamba vc di- I \\
' .
rencle birliktc bu gerilim regiilatoru sisrernin bir parcasiru olusturmaktadir. ~u veya 90
I
I \
l
bu ncdenlc V; miktan dusecck olursa, lambanm parlakl1g1 da azalacakur, I~lktaki bu
dii§U§, V0'1 gerilirn boliicu kuralmm belirledig] anma degerinde tutrnak iizere, foto 80 !
1
J
\ \
I
iletken hucrenin dircncinde bir artisa yo! acacaktir: yani, ! l

70
I
I \
I \
I
Vo=_fu.XL 60
(3.18)
R~+ R1
\
so ·1
40 ..
+ )
+ I

v, 30 -

20
I \ \
/ \
, '

" ·t .I ~ J1t Fotoilcrkcll hilcrc

kull:anan hir gcrilim rc:Ulat61ii
0

0
'
-. <,

4~0 6000 8000 10,000

Her bir eleman icin ureuciler tarafindan saglanan bilgilcrin zenginligini or-
An8Jlrom
neklemek acismdan ~ekil 3. I l'de tammlanan CdS (kadmiyum sulfit) Iotoiletken hue-
rcsini inccleyin. Sicaklrk ve tepki suresine dikkat cdin.
----··--
iletkenligin S1cakhk ve l~1ga Bagh
3.10 KIZILOTESi (IR} 1$1K KA YNAl<LARI I\· Olarak Degi~imi

Fit Kandela .OJ 0.1 1.0 10 100

K1Z1! oresi diyotlan, ilcri yonde ongcrilimlcndikleri zaman bir 1§1ma akr huzrnesi
Sicaklt): % lletkenlik
yayan yan iletken galyum arsenit elemanlardrr, Elemanm ternel yapisr, ~ckil 3.42'cte
gosterilmi~tir. Jonksiyon ileri yonde ongerilimlendigi zaman n-bolgesinden gclen -25°C 103 104 104 102 106
elektronlar, p- ile 11-tipi malzemeler arasinda bulunan 01.el tasanmh bir yeniden bir- 0 98 102 102 100 103
25°C 100 100 100 100 100
lesme bolgcsindeki p malzemesinde bulunan aruk deliklerle yeniden bir-
50°C 98 102 103 104 99
le~mektedir!cr. Bu yeniden birlesme islerni sirasinda elemandan Coton seklinde ener- 90 106 108 109 • 104
75°C
ji yayrhr, Oretilen Iotonlar ya tekrar malzerne icerisindc emilir veya ~ckil 3.42'de
goriildugii gibi yayirn cncrjisi olarak elcman yiizcyini terk eder, 1~1ga Bagh Tepki Silresl
Tipik bir clemandaki de ileri aknrnmn bir fonksiyonu olarak ynyim nk1~111m (mN
Fir Kandela .01 0.1 1.0 10 JOO
olarak) cgrisi ~ekil 3.43'dc gorulmcktedir, Bu iki dcgi§ken arasindaki neredeyse dog-
rusal olan ili§kiyc dikkat cdin. Bu tiir elemanlara ail ilgine bir desen, ~ekil 3.44'de ve- Yukselme (saniye)* 0.5 .095 .022 .005 .002
nlmistir, Dahili bir kolirnator (paralcllestirici) sistemli elemanlardaki dar desene dikkat Azalrna (saniye)** .125 .021 .005 .002 .001
').·,. ii :. 11 Clairex
edin. Bu liir bir elemanm i9 yapisr ve grafik. semboliiyle birlikte ~ekil 3.45'de ve- CdS fo1oilc1kcn hUc·
* 5 sn'lik kar~nltk adaptasyonu sonrasmdason okunan
rilmistir, Bu liir elemanlann birkac uygulama alaru arasrnda kart ve kagH serit oku- degerin 1/e'sine kadar ge9en sure. ..
rtnin karnklcrisllktcri
(Cl.:irex Elec1ronics i,
yuculan, §aft kodlayicrlan, veri-iletim sistcmleri ve Iursrz alarmlan sayllabilir. ** ilk okunan degerin 1/e'sine kadar ge9en sure. niylc)

136 BolOm 3.10 K1z1lotesl (IA) 1~1k Kaynaklan 137

BolOm 3 Zenerler ve Diger iki U9lu Elemanlar
 $<kil 3.45 IR-yayan RCA diyodu (aJ yap .. r; (bl roto~f,; (c) seem
I ·1t1 bolii. (RCA Solids,.,,., Division illliylt)

l!robil~ne

Yansittc1
+ J:
,.·-1 ;I · IR·y-•y•n yarsilotken di-
J)!UllboUk
yiluy
yotlarm ~enel yap,s, (RCA Solid Sl310
Division izniyle)
<;clordolr.
K1hf s1cakh~1 (T,) = 21•c
10.---~-~-

:!: (a)
E
I

4r---+--

20 40 60 80 100 120
de ilcri akuru Up) - mA (c)
~d .. i! .~.~.~ IR·yuya11 bir diyodu ili~-
1 11 ·.k ileri ~ktmum ba£h tipik bir
,11n~ ak,s, e~ri$i (RCA SoJid Suue Oi-
,·ision izniyle)
3 11 1$1K YAYAN DiYOTLAR

~.:\..if i ...l t IR·y;,yim RCA dir.odu,n11l
tipik bir ,~mni yo~unluk dcscni (RCA
Sofi<l Srate Division izniyle)
l~1k yayan diyot (LED), adirun da belirttigi gibi, enerji verildigi zaman gorulebilir bir
1~1k yayan diyottur. ileri ongerilirnli bir p-n jonksiyonunda, yapi icerisinde ve te-
melde jonksiyon yakmlannda elektronlar ve delikler yeniden birlesir. Bu yeniden bir-
lesme, baglanamayan serbest elektronun t~1d1g.i enerjinin baska bir enerji durumuna
transferini gerektirir. Tiim yaniletken p-11 jonksiyonlannda bu cnerjinin bir boliimil 1s1
olarak bir boliimii de foton seklinde disan verilmektedir. Silisyum ve germanyurnda
enerjinin buyiik bir boliimii 1s1, geri kalan bolum ise 1§1k ~klinde yayihr. Galyum ar-
senit fosfit (GaAsP) vcya Galyum Fos.fit (GaP) gibi diger rnalzernelerde, yayilan 1§1k
enerjsindeki fotonlann sayisr, iyi gorillebilir bir t§Lk kaynag1 yaratmak. i,;in yeterli ol-
rnaktadrr. Elektrik enerjisi uygulayarak ~Lk vermeyi saglama islemine elektro-
parlakhk denmektedir. $ekil 3.46'da gosterildigi gibi, mak.simum sayida 1§1k enerjisi
fotonu uretrnck icin p-malzemesine baglanan iletken yiizey cok kii,;iik tutulur, $e-
kilde dikkat ederseniz ileri yonde ongerilimlenmis jonksiyon dolayisiyla cnjekte edi-
len tasiyrcslann yeniden birlesrnesi, yeniden birlesme bolgesinde 1~tlc yayrlmasma yol
acmaktadir. Gene §Ckilde de gosterildigi gibi dogal olarak foton enerjisi paketlerinin
bir btiliirniinii yapmm kendisi tarafrndan emilir; ancak cok buyuk bir yuzdesi ay-
nlrnayr basanr,

138 Boliim 3 Zenerler ve Diger ikl U9lu Elemanlar

BolOm 3.11 l~1k Yayan Diyotlar 139
 / Y ay,Jan gorilniir
/ c;,k

.46(.018)
r;,
·J ,91 (.075)
maks,
(+)o----
.l= Maks
T .J.
Melal
· kontak Me!al
lcoulak
>·~ ,,·; ,,~ LED i~indekielektro-
,18(.007)
I.
i.96(.077)
;I
.76(.030) Mats
1~1rlakl1k i;lemi
Not3'e
2.54{. WO) ' bakimz
nom,
Hewlett-Packard tarafmdan iin:iikll)iir minyaulr-alu yuksek verimli yan ilet-
kcn LED'lerin gorunum ve karakterikieri~ekil3.47'de verilmistir ..
~u ana kadar tammlanmayan iki nicelik, TA = 25°C'de elektriksel/optik ka-
(b)
raktcristikler ba§hg1 altmda goriiltnektedit.:Bunlar eksenel.rsrk §iddeti (lv) ve t§1k re- Notlar:
sirliligi (11v) terimleridir. I§tk §iddeti.kanddil:iirirniyle ol9liliir. Bir kandela, I§Ik kay- l. Tum boyutlar milimetre (inc) cinsindendir.
nagrndan l fit uzakhkta l fit2 alaild~d fil -kandelalik bir aydmlatma saglar ve 4 2. Bacaklar giimti§ kaplanrmsur, Bkz. basvuru billtcni 3.
'1umenlik bir I§lk akisi yayar. Bu tarifhernekadarbir til9iim birirni olarakkandela hak- 3. Kullaruci, bacaklan sckildc gortildiigti gibi krvirabilir.
kmda yeterli aciklik getirmese de, diizeyi, benzer elemanlarla karsilasunlabilir, "Te-
(b)
sirlilik" terimi, tarum itibariyle bir elemarun istenilen etkiyi yaratma kabiliyetinin bir
olcusudur, LED icin bu, uygulanan her watt icin uretilen liimen sayrsirnn orarudir,
-----------·----
Mutlak Maksimum Anma Degerleri (TA= 25°C'de)
Yuksek-verimli kirrmzi LED'in yiiksek tesirliligine dikkat edin. ~ekil 3.47h'da gti-
·--------·-------------------------j
Parlak
riildiigii gibi bag1! verimlilik, birim akima karsilik gelen I§tk §iddeti ile tammlarur, Ay-
K1rm1z1 K1n111u Sari Ye§il
nca her bir LED'in (kirnuzr, san, yesil) lircttigi I§lk dalgalanmn tepe dalga boyunun 4/0014}0/ 4/()() 4150 4190 Birimi
I'arumetre
her bir renk icin tarnmlanan dalga boyuna (Ad)'ne ol9tidc yakm olduguna dikkat edin.
GUi;, harcamast 100 120 120 120 mW
Her rengin bag1l §iddetinin dalga boyuna gore grafigi ~ckil 3.47c'de verilmistir, 50111 2()1!1 20111 30121 mA
Ortalama ileri akrm
LED p-n jonksiyonlu bir eleman oldugundan, l. Bi:iliim'de taruulan diyot tepkisi ilcri tepe gcrilimi 1000 60 60 60 mA
egrilerine benzer bir ilcri ongerim karakteristigine sahip olacaktir (~ekil 3.47f). Ileri <;:.ilt~ma ve saklama -55°C ile I 00°C arasinda
Srcakhk .1ral1g1
akima bagl, olarak bag1l 1§1k siddetinin hernen hcmcn dogrusal bicimde artmasma
Bacak lchimleme s1cakhg1 230°C i,in 3 saniyc
dikkat edin (Sekil 3.47g). Sekil 3.17i'den anlasilabilecegi gibi belli bir frekansta lgovdeden L6 mm (0,063 in~) mesafede]
darbe silresi ne kadar uzun olursa, izin vcrilcn tepe akimi da o kadar ki.i9ilk olur (11,
kmlmi degerini gectikren sonra). ~ekil 3.47j'de ise, sidderin, I§tgtn 0°'den (tarn yu- [ 1 J. 50°C'den itibaren 0.2 mArC azalnn oramylu
karidan) gelmesi halinde maksimum, 90°'den gelmesi (elemana yandan bakrlrnasi) 12]. 50°C'dcn itibarcn 0.4 mA°C azahm oramyla

halinde ise minimum oldugu ortaya 91kmaktadir.

(C)
Gunumuzde LED gorunruleme birimleri bircok ebat ve sekilde bu-
lunabilmektedir, Bu birimlerin I§Ik yayan bolgesi 0.1-1 inc arasmdadir. Rakamlar ~ekil J.41 Hewlen-Packard mtnyatur-atn yuk.<ek-vcrimli ktrnuzt yan-ilclkcn LEO'ler. (a) gMinlijii: (n) p:,kcl bo-
yutlan~(c) mutlak maksimumanmadcgcrlcri(dcvanu sayfal.1rd.1)

140 Bi:ilOm 3 Zeoerler ve Diger iki Ui;lu Elemanlar

Boliim 3.11 1~1k Yayan Diyotlar 141
 ....
"""
I\) Elektrik/Optik Karakteristikler (TA::: 25°C'de)
5082-4/00!4/0J 5082-4/60 5082-4/50 5082-4/90
------
Min. Tipik. Maks. Mi11. Tipik. Maks. Min. Tipik. Maks. Min. Tipik. Maks. Bi rim Test Kosullan
Sembol Ta111m1
IF= lOmA,
,,. Eksenel aydmlauna ~iddeti -/0.5 7/1.0 1.0 3.0 1.0 2.0 0.8 1.5 med

80 90 IF=20mA'de derece Not I

Yan aydmlatma ~iddetine 45
29112 70
sahip noktalar arasindal<.i
i, 3yl nm
Tepe degeri dalga boyu 655 635 583 565 Tepe degcrinde
Atepe
<ll,ilm
585 nm Not2
NJ Baskin dalgaboyu 640 628 572
ns
Tepid hiz; 15 90 90 200
tS pF VF=O;f= l MHz
t:O
c Kapasitans 100 JI
120
LS
100
13
100 •CfW GtlvdC!len i;:1kan 0.79
o, B.1c ls1ldire~ 125
i5 mm (0.031 ini;:) uzun-
3 I uktaki katot ba-
(.,)
cagina baglanu
2.2 3.0 2.2 3.0 2.4 3.0 IF= IOmA
N VF lleri gerilim 1.6 2.0 v
~
11)
IF=20mA'de
v JR= IOOµa
~ Bl'R
Ters yonde kmlma ge- 3.0 10 5.0 5.0 5.0
~ rilimi
<
11)
'e Not 3
t5; Aydmlatma tesirli~i 55 147 570 665 lm/W
1]\f
~
~- NOTLAR:
c: I. el/2; aydmlatma §iddetinin, eksenel aydmlatma ~idderinin yans1 oldugu ekscn-drsi acrdir.
"'c 2. Baskin dalgaboyu, Ad, CIE renk diyagrammdan tiiretilrnis olus, cihazm rengini tarurnlayan tek bir dalgaboyunu temsil eder.
rn
.; 3. Yayinun ~iddeti, le, (watl/steradyan); le"" /1,/T)p formOllinden bulunabilir, bu formiildeki 171'; aydmlatma ~iddeti (kandela) ve parlaklrk tesirliligi
3 (himen/wa!t)'dir.
"'
::,
~ Seki! 3._47 (devanu) (d) Elek1rik.<eVop<ikkarakteristikler.

••==sw-· ....... ···~·7~ .. - ----·-···- --·~~,..~-----

bifl ....U.. .,....,.lmurp

1..,..mab ic,pc,ok1n>, • lz;lo
vcrilea d.c. &t1n:wla IF - lien abm-mA
1.,,

- --
mob

~ w
oraru

°' .;:: 00
v, 0 v,
...
0 N'iapi~iddet
.o
.,C:I,. V\
0
I .v, \.ho
~
V't

8
c:,
o. ,tl -0
s -· - 8. :--
3
~·~
... .:, 'IQ V,·

Ut'e
~ !'-'
(.,)
:.... a o -<
-'
I v.
... !
<ii <...,

o,c···*r
;.- l;i':'.',-.

-< !~% 0
~
~"'
;t,t J
"' Nilpi Aydllllatma fidde:tl
c ~~g (JO mA ilc normalize edilmif)
.;;:· 1·
[~~
i1
I I I I ...0 ...,
2.
~ ;rg'~ § I
0 0
.; :;!!
}~.,)~ :.,'-!

T,
.,,- v,
7?. ·;.
i'e- -0
...'1
II
~
~1
i(S~
~&;:.
~~~
s ~
(")

o ar
-g tl .-;· l. ;:;; ~
g, ~·~
2 a~
:.rp: s ...
0
~.;i
"$.ii~
f;..[~ Nispi VeriJn
~ a.
=a?:""
~ (10 mA de ile oormaliu edilmi4)

~~ ~ -------
0\~0Cl'-OO=-Nw~t,..O\
gl~
i~
:i ~ s ~11o
~ j.__·i O
0
:-,,....._
:: :,.
f
...
•• Co
O
s~ :-,.. '-
,-
.F. a ~
}r@ e f ~ \ ...'1
....
7' g'
!~
r:
t O ;:;: .._ ......
(")
_J
.I
"""
\.n

""' 0
I 0

ot 1 I f I J I I t
s \

C>
 ~·.
a]H
I
(·1·
'.
e.
.

.
rak mikrowatt duzeyindedir. Ancak harici veya dahili bir t§tk kaynagina gercksinim
duyarlar, 0-60°C'lik bir sicaklik arahg: ile smirhdir ve omurleri ilgi konusudur,
9iinkii LCD'lcr kimyasal olarak bozunabilrnektedir.Thtnurnuzde merkezi ilgi oda-
gmda bulunanlar alan-etkili ve dinarriik-sacihm iiniteieridir. Her ikisini de bu kt-

lD
sirnda kisa ranuacagiz.
1,1·
:'."
1.0875 -o.ot S
{.' Bir SIVI kristal malzemesi (LCD'ler icin normaldc organiktir), sivi gibi akan
lb:==
.' =:=!i~ -0.000 ancak molekiiler yapsst norrnalde kaularda gorulen bazi ozelliklere sahiptir, Isik-
t, 0.803-J
sa9an unitclcr alarunda en biiyiik ilgi, Sckil 3.SO'de gosterilcn kristal yapiya sahip
±0.003 nematik stvt kristaller uzerinde yogunlasmisur. Bagimsiz molekullerin, §ekilde go-

J:_r±:
ruldligii gibi 9ubuga benzer bir gorunurnleri vardir.

0.600
t O.o40R-;;;35+0.004~
-1. -0.000
.
,,·~,! : l · Luroniks pori;:oh g6sterye.
Gelen 1~1k

0.300 I 0.600 I
f.. ±0.QlO...j
0.100 Tip,k
±0.010
I-JL 0.020 Tipik<;ap
±0.003
14 adet kooum

Aralayici
vc
yahncr

,,_Lil ; .,,_. Sekiz-haneli Ye i~aretli

h.·'-1Jl m.-ldoesi eknul1 (l Iewleu- ~•. -], 11 : .. ::.. .! i Ongerillm uygulanm.imti hal<le »emmik !..lVt k1iS1aL .
t'ockard Corpornllon)
Indiyum oksit iletken yiizeyi saydamdir ve sekilde gostcrilen sartlar altinda gelen
1§1k, buradan gccerck srvi kristal yapryi gorunur kilar, Iletken yiizeylcrc Sekil
Sekil 3.48'deki tiirden parcalarla olusturulabilir, Uygun p-tipi malzeme parcasina bir
3.5 l'de gosterildigi gibi gerilim (ticari elemanlar icin esik degeri genellikle 6 ila 20
ileri ongcrilim uygulanarak O ila 9 arasmda bir sayi gorunnilenebilir,
v arasmdadir) uygulandig, zarnan molekiilcr duzen bozulur vc sonucta farkli kr-
~ckil 3.49'daki goriintiilerne (display) birimi, hesap makinalannda kul-
nlma indisli bolgeler olusur.
larulmaktadir ve sekiz hanelidir. iki LED'li iki uclu LED larnbalan da rnevcut olup
boylelikle ongerilimlerncnin yonii degi§tiginde rcnk yesilden kirmizrya veya tersine
donmektedir. LED'ler giiniimiizde kirmjzi, san, portakal rengi ve beyaz olarak iire-
tilmektedir. Mavi renkte LED'lerin uretilmesini yakin gelecekte miirnkiin gorunuyor.
Genelde LED'ler, bunlarla yanilctken devreleri tarnamiyle uyumlu kilan 1.7 ile 3.3V
arasi gerilim diizeylerinde 9ah~1r. Cok hizh bir tepki suresine (nanosaniyclcr du-
zeyinde) sahiptirler vc gorunilrluk acismdan iyi kontrast oranlan saglarlar. Gus: ge-
rcksinimleri 10 ila 150 mW arasmda olup ornurlcri 100.000 saati asmaktadir. Ya-
niletkcn yapilan onemli bir saglamhk faktorii saglar,
/\111lay1e1
VC-
3. \ '.! :.;iv1 l<RiST ALL! C:,ORUN1'Q FJ!f-11MLERi yabllCI

SlVI kristal gortintulerne birimlerinin (LCD) LED'e gore daha dii§iik gii9 ihtiyaci gibi
onernli bir avantajr vardir. Bu ihtiyac, LED'deki miliwatt diizeyine kiyasla tipik ola-

BiilOm 3.12 S1v1 Krlstalli GiiriintOleme Birlmleri 145

144 Boliim 3 Zenerler ve Diger iki Uc,lu Elemanlar
 Arayu;1 ve
yal1llc1

Bu nedenle gelen 1~1k, degi§ik kmlma,indislerine sahip bolgelerin ara yu-

zeylerinde degi§ik.yonlere yansmlmakta ve. dolayrsiyla sacrlan 1~1k, buzlu cam go- .·· .;.,·.
L'am

riintimiinti vermektedir (ilk defa RCA tarafmdan 1968 yilmda incelenrnistir ve di-
namik sacilma adiyla arulmaktadrr. Ancak .Seki! 3.51 'e dikkat ederseniz buzlu
gorunum sadece iletken yiizeyler birbirine karsitsa olusmakta ve geri kalan alanlar
yan saydam kalmaktadir.
LCD goruntuleme birimi iizerindeki bir rakam ~ekil 3.52'del<l parca go-
rtiniimtine sahip olabilir. Siyah alan gercekte alttaki uclara harici kontrol arnaciyla
bagh olan temiz bir iletken yiizeydir. iki benzer maske, sizdtrrnaz ve kalm bir sivi
kristal malzeme tabakasirnn karsihkh yuzeylerine yerlestirilmisrir. Eger 2 rakarm is-
teniyorsa 8, 7, 3, 4 ve 5_ ~umaralt uclara enerji verilir ve bu bolgeler buzlarurken
diger alanlar acrk kalu.
~d .. i! 3 5.~
2345678
gostergesi
Y •toy polanzasyon
dll.!ey polnrlay1c1 UYg,ulonan Ongerilimin bngl:1ntoh "ldufu
icluden ~~cmc.1. tcnltZilctitu )1tlcylen
~d j I ; ~ ., Ongerilitn uygulanmam1~
haldc rr.msmisif al;\n-ctkiH LCD.
II
\: gecebilrnektedir, Alan-etkili LUYd..: ya ~a;;dak1 ;1.,:1k iletken yuzey kimyasal olarak
,- asmdmhr veya srvi kristaldeki molekiillcri diisen yilzeyde hucre duvanna paralel
yonlendirmck icin organik bir film uygulamr. SIVI kristalin sag ucundaki cubuklara
1' dikkat edin. Molckullcrin gostcrilen yond~ (yatay) 90° faz farklr, buna karsm
hucre duvarma paralel olmasmi saglarnak icin, kars: taraftaki yiizey de i§lenir/S1v1
kristalin iki duvan arasmda, sekilde gosterildigi gibi, bir polarizasyondan dig~rine
gene! bir si.irilklenme vardrr. Soldaki t§tk polarizatorii de yalnizca dusey olarak po-
larize edilmis gelen 1§1gm geyi§ine izin· verecek §ekildedir. iletken yi.izeyle-re uy-
g11lanan bir gerilim uygulanmam1§sa/dii§ey olarak polarize edilen I§tk, s1v1 kristal
bolgesine girip molekill yap1smm 90°'lik biiklimlerini izler. Sagdaki dii§ey 1§1k po-
larizatoriindeki yatay polarizasyon gec;i§e · izin vennez ve bakan ki~i tilm go-
riinttileme ekram iizerinde tek pars;a halinde karanlik bir dcscn goriir. Bir e§ik ge-
rilimi uyguland1gmda (ticari Unitelerde 2 ila 8V aras1) c;ubuk benzeri molekiiller
elektrik alam ile aym yone donerek (duvara dikey olacak §ekilde) l§tgm 90°'1ik
kayrna olmaks1zm gcc;i§ine izin verir. Dii§ey olarak gelen t§tk boylece ikincil
dii§ey polariz.e edilmi§ ekrandan dogrudan g_ec;~r ve bakan ki§i aydmltk bir alan
gtiriir. Her rakamm par9alannm uygun bir §ekilde enerjilenmesiyle desen, ~ekil
3.54'de gosterildigi gibi gorlinccekfir. Yans1hc1 tip·alan-etkili LCD, ~ekil 3.55'de

Daha once belirtrigimiz gibi, LCD kendi 1§1gm1 iiretrnez; dahili veya harici bir
katmana ihtiyac duyar. Karanlik kosullar altmda birim, LCD'nin arkasmda veya yan
tarafmda kendi dahili 1§ik kaynagma sahip olmahdrr, Giindiizleri veya aydmhk alan-
larda, maksirnum siddetl saglarnak iizere 1§1g1 goruntuleme birimi icerisinden geriye
I
i
·Araytc1 ve yaht1ct

Cam

yansttrnak icin LCD'nin arkasma bir yansruci konabilir. Optimal cahsma saglamak
icin giiniimiizde saat iireticileri, transmisif (kendi J§tk kaynagma sahip) ve yan- ':i,:l..d ~ ).! Yansmc1 tip Yan.s1t1c1
LCD (RCA Solid Stale
sttmah tiplerin transreflektif (yansitmah) denilen bir birlesimi kullanmaktadir. Division izniyle.) ]> ODZ
Alan-etkili veya biikfl!ii-nematik LCD'ler, ayru parca gonlnurnune ve kapatilrrus
ince srvi kristal katmamna sahiptir, ancak c;ah§ma· sekli oldukca farkhdir. Dinarnik- .Temiz iletim yUzey1eri

sacrlrmh LCD'ye benzer bir sekilde, alan-etkili LCD yansuma veya gecirgen modda
LL..J----''--"-.._ DuteY 1;1k polarlay,cm
dahili bir kaynak ile c;ah§abilmek(eclir. Gecirgen goriintii aygm $ekil 3.53'de go-
riilmektedir. Dahili 1§1k kaynag1 solda ve bakan kisiye sagda kalmaktadir. Bu sekil, \ .Yatay 111k po;a,l~y1m1
",:k:i \:'(, Tnmsmisif
Sekil 3.50'den, bir 1i1k polarizatorii bulundurrnasi bakrrmndan oldukca farklidir.
rip LCD. (RCA Solid . .~.·!. ii : . ~ ~ On~crilim uygulanmam1~ h;.tfch: y:111s111L'i
Sagdan gclen l§tgm yalnizca dusey bileseni sagdaki diisey-isrk polarizatoriinden Sture Division izniyle.) lip ah10-erkili LCD.

146 BiilOm 3 Zenerler ve Diger iki U~lu Elemanlar Bolilm 3.12 S1v1 Kristalfi Goriint(Heme Birimleri 147
 gosterilmistir, Bu durumda sol uctaki yatay polarize edilmis l§Jk yatay polarize edil-
mi~ bir filtre ile karsilasir, yansrticrya geyer ve buradan tekrar kristalin icine yansir, di-
geri dikey polarizasyona yonelir ve gcri bakan kisiye doner. Uygulanan hcrhangi bir
gcrilim yoksa tek parca halinde aydmlanlmrs bir ekran goriiliir. Belirli bir gcrilimin
uygulanrnasi diisey olarak gelen l§Igm solda bulunan ve icinden gecemeyip yan-
smlacag: yatay olarak polarize edilrnis bir filtre ile karsdasmasina yol acacaknr, Kris-
tal uzerinde karanlik bir bolge olusur ve ~ekil 3.56'da gorulen desenortaya cikar,
Alan-ctkili LCD'ler normalde, cnerjikaynagrrun temel faktor oldugu durumlarda
(om: kol-saatleri. tasmabilir cihazlar vs) kullamhr; c;:unkU 1§1k-sa91c1 modellere gore
cok daha az cnerji harcarlar (birincisinde mikrowatt duzeyinde digerindc miliwatt du-
zcyindc). Alan-ctkili elcrnanlarda maliyet daha yuksckiir ve boylan yaklasik 5 cm ilc
sirurhdir; buna karsihk 1§1k-sa91c1 iinitelerin boylan 20 crn'ye kadar 91kabilmektedir.
Goruntu birimlerinde onemli baska bir nokta, acilma ve kapanma siireleridir.
LCD'ler ozellik itibariyle LED'lerden 901< daha yavasnr, LCD'ler tipik olarak 100 ila
300 ms arasrnda tepki siirclerine sahipken, LED'ler JOO ns'nin altmda tepki sureleri
saglamaktadrr. Ancak, 100 ns ile 100 ms (saniyenin onda biri) arasindaki farkin pek
onernli olmadigi cesitli uygulamalar .(ornegin saatler) mevcuttur. Bu uygulamalar
icin LCD'lerin dii§iik gii<; gereksinimi cok.cekici bir ozellik olmakradrr. LCD bi-
rimlerinin omrii surekli artmlarak 10.000. saati geyen duzeylere getirilmistir. LCD
birimlerinin iirettigi renk, aydmlatma kaynagina bagh oldugundan, renk secimindc
daha cok sccenck soz konusudur.
. ·, l , G(!f'H:$ HLJCREU:fli
riilmektedir, Usuen gotiinii§le gosterildigi gibi gunese dik bakan yuzey alarurun mak-
simum diizeyde olmasiru saglamak icin her tiirlii yaba harcanmakradir,Buna ek olarak, p-
tipi malzemeye baglanan metalik iletkenirr vep-tipi malzemenin kalmhguun maksirnum
sayida i§ik enerjisi fotonunun jonksiyoiia ulasmasim saghyacak §Ckilde olduguna dikkat
edin. Bu bolgcdekibir 1~Lk enerjisi fotonu bir valans elektronuile <;:arpt§lp ana atomdan ay-
nlmasma yetecek oranda cnerjiyi aktarabilir.Sonne serbest elektronlann ve deliklerin ure-
tilmesidir. Bu, jonksiyonun her iki tarafindada olacakur, p-Lipi malzemede yeni iiretilen
elektronlar azinhk tasiyicilandirve jonksiyon boyunca, ongerilimsiz temelp-11 jonksiyonu
i9in a9J.k.land1g1 gibi, serbestce hareket edeceklerdir. Benzer bir yaklasim 11-tipi mal-
zcmcde tirctilen delikler i9in geyerlidir. Sonuc;:, bir p-n jonksiyonunun konvansiyoncl ileri
ak1m1yla ters yonde olan azmhk la~1y1c1s1 akimmdaki bir artJ§tlf. Tcrs ak.imdaki bu a111~
~ekil 3.58'de gosterilme~tir. Dii§ey cksenin herl1angi bir yerinde V = 0 oldugu vc bir losa
-devrc durumunu temsil ettigi i9in bu kesi~me noktasmdaki akima lasa-devre ak1m1 denir
ve r«· ile gosterilir. A<;tk devre durumunda .c;,, = 0) fotovoltaikgerilim (V.,.) ortaya 9lkar.
Bu ~ekil 3.59'da gosterildigi gibi, aydmlalmanm Jogaritmik bir fonksiyonudur. V,H·, yiiksiiz
(ar;:lk-devrc) durumundaki pilin terminal (uc;:) gerilimidir. Ancak aym §Ckilde, losa devrc
alammm aydmlatmarun dogrusal bir: fonksiyonu olduguna dikkat edin. Yani ay-
dmlatmadaki art.J§a ka!§1.lik ikiye katlanacaktlr (~ekil 3.59'dakiJcI ve 2/c1) buna ka!§ihk
V0c'deki degi§im bu bolge ir;:in tlal1a dii§iik kalacaktJ.t. Voc'deki temel art!§ aydmlatmadaki
dii§iik diizeyli artt§larda gotiilmektedir;Sonuc;:ta aydmlatmanmdaha tla artrnas1 V'". iizc-
rinde, [IC arliTia5103 fagT11CI1, yOk az etkiyaratacaktu; bu da· gii<; kapa,iteSiJ1lll alt!118Slll3
neden olacaktir.

Son yillarda alternatif enerji kaynagi olarak gtine§ hucresi artan bir ilgi toplarrusur.
Denizseviyesinde gunesten ahnan giiq§iddetitiin 100 mW/cm2 (JkW/m2) dolayinda
oldugunu dii§iiniirsek, gunesin bir enerji kaynagr oldugu ve gunes enerjisini elektrik
encrjisine dcntisturme verimini en yiiksek diizeye 91kam1ak icin daha fazla arasnrma
ve gelistirrne gerektirdigi kesindir. .
Silisyurn p-11 Jonksiyonlu hir giine§ hiicresinin temel yaprsi ~ekil 3.57'de go-

Golen gone~ ·~•l• v

01tca1oriia~
n,~ halka
temasi

!"--. D,, halka

------~ l911t 1iddell/c1

!
temas1
n·tipi
0-

{.

I
Metalik lemas /
,.·;, ;, ·· ':. UU11q hikn:.lcrimJc 111k fid·
(a) deline ha!;h ol,rnk kisa-devre ak1m1 v:;:• __.,
__
(b)

!
3lj:lk-devm i;erililTlinin dciilimi.
'-:,,,·1 .. d ·. ..,' GUnc~ htic:rc.,:;i ; (aJ Kesi1i: (h) usnen g,Ori,oii~.

148 BolOm 3 Zenerler ve Dlger ikl Ui;:lu Elemanlar

I Borom 3.13 Gune~ HOcrelerl 149
 Voe orlsc

f triksel Karakteristikl

!R
Numarasi

SP2A40B
er*
Yuk
Gerilimi
(volt) (min.)

1.6
Yiik
Akmu
{miliamper) (min.)

36
G11~·
(miliwatr)
(min.)

58
SP2B48B 1.6 40 64
SP4C40B 3.2 36 115
SP2C80B 1.6 72 l 15
Ayd1nlattna SP4048B 3.2 40 128
·~-.:~,! ; 5
11 Gone* hUcreleriod..:, uy- SP2D96B 1.6 80 129
t.hnlatmaya ba£.h ol;u1tk \10c: vie. lJr'nin de· S2900E5M .4 60 24
~iiimi S2900E7M .4 90 36
S2900E9.5M .4 120 48
Giines hucreleri it;;in en yaygm kullarulan malzerneler selenyum ve silisyumdur.
Ancak baska malzemelerinin yarusira galyum arsenit, indiyum arsenit ve kadmiyum ... * A.k1m-Gerilim ka_rakteristi~leri~ 100 mW/cm2 (yaklasik giine~ l§tgt parlakhgm-
sulfit de kullanilmaktadu. Gelen 1~1gm dalga boyu. p-n. jonksiyonunun gelen Io- da) lik bir aydrnlatrna duzeymdeki degerleri ifade eder.
tonlara tepkisini etkileyecektir. Sekil 3 -,60'da sclenyum hiicrenin tepki egrisinin
_Gi.ine~. hiicr~l~rinin kullammmdaki bir · yenilik Sekil 3.62'de gorulrnektedir.
%Tepki Gu~:§ hucrelennm seri olarak diizenlenmesi tek bir elemandan daha fazla gerilimleri
fgerilimler elde . etrnek
. . miimkiln
. olmaktadir
. ·· Tipik bir do"rt - hii
ucre di1z1s1mn
· · · · per-
LOO ormansi da verilm.stir, Yaklasik 2.6 mA'lik bir akunda ~OO§ gerilimi 1.6 V doluvm. I.I
Schottky diyotlu tlpik bir 4-hUcreli dizi.
75 (Gcrilim • Akun Grafifi)
3.4
3.2
50
3.0.
2.ij
25 4 Hllcre: 0.490 X o.2_55. inv ( l 2.44 x 6.48 mm) .
2:6 [I Sun.'daal~~J -i---+.·----+-~
O'--~-""...L._....'--~.....1-....,._::,,,__.__~_._~--"'~~-. i:4 IOOmW/cm2, AM holar yay1n1m1
2000 4000 6000 8000 l0,000 12,000 x A ·,.id : ,,,, Sc.Si vc~ipl:.k g6Zli111:1yf 2.2
Scbonky
repkisi
-e 2.0 diyodu · Solar gUy devresi
insan gozununkinc ne kadar yakm olduguna dikkat edin. Bu olgu, pozometrc vc oto- e 1.8
e
marik pozlama diyaframlan gibi fotograf makinelerinde genis bir uygulama alaru
bulmaktadir. Silisyum da gorunebilir tayfa sarkmaktadir, ancak tepe degeri kizilotesi ..
.;; 1.6
1.4
Doldurulabilir
pil
bolgede olan 0,8 mm (8000 A) dalga boyundadir, Gene! olarak silisyumun daha yiik-
5
cJ, l.2
sek bir donusturme verimi, daha biiyiik kararhgi vardir ve yorgunlugu karsi daha da- 1.0 Solar
yamklrdir. Her iki malzemenin de miikemmel srcaklik karakteristikleri vardir, Yani, .8
power
iinemli olc;iidc verimlilik dii~~iinc ugramadan asin steak veya soguga dayarukhdir, cells de solar
.6 gU~
lipik hir glinc~ hiicrcsi. clcktrik karakienstligi ilc birliktc ~.:kil 3.61 'de gorulmektedir. donuiur11cu.u ----+--.!!.
.4
+ .2

0 .2 .4 .6 .8 l.O l.2 1.4 1.6 l.8 2.0

c,1u, gerilimi - volt
(b}
·...,.:.;: \!>I "l'ipik birgilnc~hucresi ve ·.. !_.11 : .i~--~ Li -:.. 1to!"'·' Rectifier'in dOrt#hllcrcli dizisi: (a)
efcktrikse! kurakterisrikler! (lntern:.niooal goronu~u; th• l~1.-:1lten!U1klcr;(Jmemarionul Rectifier Cor-
Rectifitr Corporntion izntyie.) poration izniylel

Solum 3 Zenerler ve Diger iki U~lu Elemanlar Solum 3.13 GOnei? HOcreleri 151
150
olmakta ve boylece 9tk1§ giicii de 4.16 mW'1 bulrnaktadir. Schottky engel diyoou, gii9
konvertoni uzerinden pi! akim ka~giru engellernek icin konmustur, Yani Schottky di-
yodunun direnci gti9 konvertoninden (+ dan -ye) gecen yiik icin o denli yiikscktir ki ye-
niden doldurulabilir pi! icin a91k devre gibi goninecck vc ondan aknn cekmeyecektir.
Bu konuyla ilgili bir not ilgin9 olabilir. Lockheed Missiles and Space Company
NASA, uzay rnekigi icin biiyiik bir giine§ hucresi kanadi iiretmek iizere ihaleyi ka-
zanmisur. Kanat a91ld1g1 zaman 4 m gcni§liginde ve 32 m uzunlugunda olacakur ve
iizerinde her biri 3060 silisyum gunes hiicresi bulunan 41 adet panel olacak, Kanat,
toplarn 12.5 kW'lik elektrik encrjisi uretebilccektir,
Bir giinC§ hiicresinin verimi, elcktriksel gii9 9tkt§mm 1~tk kaynaguun saglad1g1
giice oraruyla belirlenir. Yani
1l = P,, (eleklrikscl) X % l OO = P m:iks(gonc; hiicrc$i)
P; <•$•k cncrjisi) (cm2 olarak alan) (100 m W/cm2)
3.14 TEPMiSTORLER
Termistor, adindan da anlasilabilecegi gibi sicakhga duyarh bir direnctir; yani u9-
lanndan olculcn direnc govdc sicakhgina baglidir. Negatif bir srcaklik karsayrsina
sahiptir; bu da govde sicakhg; artukca direncinin azalacagi anlamma gelir. Bir
jonksiyon elernarn degildir, Ge veya Si'dan veya kobalt, nikel, stronsiyurn veya
mangan elementlerinin oksitlcrinin bir kansirrundan iiretilmektedir.
Ternsili bir termistortin karakreristigi eleman icin yaygm olarak kullanilan
scrnbolle birlikte ~ekil 3.64'de verilmistir. Dikkatle incelerseniz termistorun oda sr-
cakliginda (20°C) 5000 Q dolayrnda bir dirence, 100°C'de ise 100 Q 'luk bir di-
rence sahip oldugunu gcrtirsunuz. Yani 80°C'ltk bir sicaklik farki 50:l'lik bir di-
X % l OO
(3.19) ren9 dcgi§imine yol acrrusur. Bu degi§im oraru tipik olarak sicakhktaki bir derecelik
degi§itn icin % 3 ila % 5 arasmdadir. Temelde elemanm sicakhgim degi§tinnek icin

Vcrimlilik duzeylcri % JO ila 40 arasrnda degismcktcdir vc mcvcut ilgi devam Ou! din,09 • (ohm-cam, dltcn~ maberncnin
cdcrsc bunun daha da aurnasi bcklencbilir. % 10 verimliligc vc I cm-Tik aktif alana ·! Icm'' IUk ytw,ylcrl aru1odad1t
(log. Ol9ek)
sahip silisyum giine;f hiicrelerine ait tipik 91k1~ karakteristikleri ~ckil 3.63'de go-
riilmektedir. Sabit gerilimde l§tk akisma bagh olarak 91kt§ akmundaki neredcysc
, logrusalhga ve optimum giic; yuzcyinc dikkat cdin.
I\
\ No: I Fwwall elekttooik -
14misUlr malume<i
, 100mW/cm2
3
<,
90m-.Y/cm2
r-. O>----•'W~'lnl·---o

25 (b)

~ ~()
.
g, 10"""

il
~ 1o-6 0 100 200 300 400
-100
~ 15
~
c- 20°
(a)
10
~d 1\ : ., •. : 'l\:nirn.1i.lr. i.a) ,:pik. hir 'knrnktcri~lik ~rubu: (b) SernbolO.

5
iki yo! vardir: dahili ve harici. Terrnistorden gecen alamdaki kii9ilk bir degi§iklik i~
S mW/cm2
srcakliktaki bir degi§iklige yol acacakur, Uygulanan kii9ilk bir gerilim, govde s1-
0 cakhgm1 9evre s1cakhg1mn ilstiine 91kannaya yetecek oran,da bir ak1m ya-
0 0.1 0.2 0.2 0.4 0.6
~1kl4 gerilimi (voll)
ratmayacakt1r. Bu bolgede, ~ekil 3.65'de gosterildigi gibi, termistor bir dircn9 gibi
_, .. ·-. - ,_·l.11 ~ (1 ~ '1m vcrimlilil.: vc ' cm? .1k1,r .ti.Ina
,- ,,,hip silisyum gli1q hOcrelerinc ililkin 1ipik ~1k1~ davranacak ve pozitif bir s1cakhk katsay1sma sahip olacakt1r. Ancak ak1m arttJk9a
"-arak1eris1iklc.ri. HUcn:nin ~K;ai-.:hi• JOc,Cdir
s1cakltk, negatif s1cak.ltk katsay1smm ortaya ~1kacag1 noktaya kadai'yiikselecektir.

~52 Biiliim 3 Zenerler ve Oiger lki Uglu Elemanlar

BiilOm 3.14 Termlstiirler 153
 I•.
.

·~ ; 11 ~ .. ,·. S1c1tkhk gOstcrgcdcvresi.

Duyarh J,.arckcl
v s,cakhkla ny11rh

PF!OBLEMLER
>:.:: i/,.-. rcnw3I Electronics 8K65VI Ter-
utl:iitilrH1, Kamrh-durum ukun-gerdirn k11·
Abm(Ampu) 1;1k1c:ristillerL (Fenwnl Electronics. ~ .\.2
lncorporn1etl izniyle)
l. Belirli birZenerdiyodu icin §U karakteristikler verilrnistir: V2 = 29V, VR = 16.8
Dahill akt§ oranmm, elcrnanm direnci iizerindc boylesinc bir etkiye sahip olmast: Vzr = lOmA.In = 20A ve lzu=40 mA. Karakteristik egriyi Sekil 3.3'de gosterildig!
kontrol. ol<;ilm teknikleri vs. gibi bircok alanda yeni ufuklar acrnaktadir, Harici bir sekilde <;izin.
degi§iklik <;evreleyen ortarnm sicakhginrn degi!itirilrnesini veya rermistor sicak veya
soguk bir cozelti icerisine daldmlmasiru gerektirirdi. 2. Hangi sicakhkta 1N%1 lOV Fairchild Zener diyodunun 10.75V'luk bir nominal
Ticari piyasada mevcut birkac termistorurrfotografi Sekil 3.66'da verilmistir, gerilimi olacakur (Ipucu: Tablo 3.1 'deki verileri dikkate aim).

3. 5V'luk: bir Zener diyodunun (25°C anma degeri) 100°C sicakhkta nominal gerilimi
4.8V'a dii§iiyorsa, sicakhk katsayrsiru hesaplaym.

4. ~ekil 3.4a'daki egrileri kullanarak, 20V'luk bir diyot iqin srcakhk katsayrsmin
hangi diizeyde olmasim belclerdiniz? Soruyu 5V'luk bir diyot icin tekrarlaym, No-
\.:t.;1 ,.f1'• <;c1irlitcr-
minal gerilim diizeyleri ile o: 1 mA'lik akim diizeyi arasmda dogrusal bir i.ilqek ol-
111.· .. ,. tiplcri: (I) damln; (2) dugunu kabul edin.
t ·.,, • l'l'ObiU: (3) Cj·O~l'ili de-
vi- : ,kbi!ir problu ve dumla
,,,, ,~) mercimek: (S) pu]:
t(, ;uhuk; (7) ozel montajh
5. ~ekil 3.4b'den lz = IO mA'de, 24V'luk:diyodun dinamik ernpedansrm belirleyin,
.t:11 ,la; (8) vakumlu ve goz Logaritmik oti;:ekte bir qizim olduguna dikkat edin.
,1,,, 111,\IIITl<1j problu: (9) Orel
!'f• •111 (FcnwttJ Electronicn
4 11,· .rpomted izniyle)
6. ~ekil 3.4b'deld 24 V'luk diyot i9in 0.2 mA, l mA ve 10 mA'lik akrm duzeylerin-de

. Cf clinamik empedans diizeylerini karsilasunn. Sonuclar, bu bolgedeki karakterisugin

' I\• bicirniyle ne ol9ilde iliskilidir?

Basit bir sicakhk gosicrgc dvvres: .-;,.:kil J.o'i'dc giirtilrn.:k1ed1r. (cvreleyen ortam si- ~ .u
cakhgmdaki herhangi bir artt§ tennistor direncinde bir dil§il§C ve Ir akirmnda bir ar-
tisa yo! acacaknr. /r'deki arus, artan birsapmatiretecekvc bu da iyi ayarlarnrsa artan 1. (a) RL =180 .0. olarak kabul edilirse, ~ekil 3.68'deki devrenin Vt, Ii, In ve In
sicakhgi gosterecektir, Degisken direnc, kalibrasyon amaciyla eklenrnistir, degerlerini bulun.

154 BolOm 3 Zenerler ve Diger iki Uclu Elemanlar BolOm 3 Problemler 155
 11. Girisi 50 V'luk kare dalga kabul cderek $ekil 3.17'deki devrenin 91k1§1nt

-
Rs cizin. Problcmi, SV'luk bir kare dalga giri§i icin tekrarlayin.

+
TR
zzo n Jiz
~IL+

20V Vz = JOV RL YL
Pz =400mW 12. (a) Sicak-tasryici diyodunun gelencksel yan iletken diyodun yapismdan hangi
mak.s.
bakimmdan onemli bir fark gosterdigini kcndi ciimlelerinizle aciklaym.
(b) Buna ck olarak 9ah§ma §Cklini anlatm.13. (a) ~ekil 3.19'a bakin. Diyot-lann
ileri yonde ongerilimleme bolgelerindeki dinamik direnclerini nasil kar-
§ila§tmrsuuz?
(b) (a) sikkiru RL = 470 alarak tekrarlayrn.
(b) ls 'den daha negatif olan t e rs a kr m 111 herhangi bir diizeyindc nasil
(c) Zenerdiyodu icin maksimum gii9 kosullari saglayacak:RL dcgerini
bir karsilasnrrna yapilabilir?
(d) Zener diyodunu "9al1§H" iletim duruma geti.recek minimum Rl degerini bulun:

14. ~ekil 3.22 ile ilgili olarak; sok aknm lrs« , ortalama dogrultulmu§ ileri yon
8. (a) Sekil 3.69'daki devrede VL yiik akrrrumn O i!e 200 mA arasmda degisrnesi
akmu ilc nasil bir iliski iccrisindedir? Tipik olarak 20: I 'den daha buyuk miidilr?
durumunda VL'yi 12 V'ta tutacak Rs vc Rz dcgcrlcrini bulun.
Bu kadar yuksck akirn diizcyleri nasil mumkiin olabiliyor? Akirrun nominal
(b) (a) §lkktndaki Zener diyodu icin Pz,,,ah degcrini bulun.
degerlcri arttikca yapilarda ne gibi onernli farklar gorulmektedir?

15. ~ekil 3.23a ile ilgili olarak; hangi sicaklikta l mA'lik akirnla 300 m V'luk yonde
bir ileri gerilim dii§iimii meydanagelmektedir. Hangi akun duzeyleri en yiik-
sek sicakhk katsayisma sahiptir'i.Sicakhk diizeyleri arasmda dogrusal bir gecis
oldugunu varsaym.

16. Sekil 3.23b'deki 2900/2303 ile amlan egri icin tees gerilimin 5'ten 10 V'a
yukselmesi durumunda IR'deki degisimiyuzde cinsinden bulun. Hangi ters
gerilimde l µA'lik bir tcrs akirn el de edilmesini beklcrsiniz? IR icin lo-
garitrnik olcek kullamlnus olduguna dikkat edin.
9. ~ckil 3.70'deki devre icin, V1,'yi 8V'ta. tutacak ve Zener diyodun maksirnurn
lgii9 anma degerini asmayacak V; dcgcr arahgrm bulun.
17. $ekil 3.23c'deki 2900/2303 egrisi icin O ila 2 V arasrnda kapasitansta mey-
dana gelen dcgi§imi yiizde cinsinden bulun, 8 ila lOV arasmdaki degisimle ne ol-

o--,V. .l\r--...-1
Rs cudc karsilasunlabilir?
V; 91 n
VZ = 8V . . RL 0.22 k.f2
PzM =400mW

-=- ~ 18.
10. 1 kQ'luk bir yuk direnci iizerindc 20 V'luk c;1k1§ gcrilimi saglayacak, 30 ila 50
V arasi girise sahip bir gerilim regularoru tasarlaym. Yani, uygun Rs degerini
19
ve rnaksimum akimt ([ZM) bulun.
(a) Difuzyou jonksiyonlu bir varikap diyodun, C(O) = 80 pF ve Vo:: 0.7 ise
4.2 V'luk bir ters gcrilimdeki gcc;i§ kapasitansi ne degerde olacaknr,
(b) (a) §tk.kmda vcrilen bilgilerden yararlanarak Dcnklcm (3.13)'deki K sabitini
bulun.
(a) Sekil 3.24'deki karakteristige sahip bir varikap diyodu icin -3 ve -12V ara-
sinda kalan ters ongerilirn potansiyellerindeki.kapasitans farkim bulun.

156 Boliim 3 Zenerler ve Diger iki Uglu Elemanlar

BolOm3 Problemler 157
 (b) V = -8V'ta (tiC/tW,)degi~iminin arum oramm bulun. -2V'ta belirlenen de·
gi~imin arum oram ile nasil bir iliski gorulebilir,
20 (a) Bir RLC (direnc, enduktans, kapasitor) seri devresinin rezonans frekansi
fo = 1/(2~ ile bulunur. $ekil 13.26'da verilen Fo ve Ls degerlerini
kullanarak, C degerini bulun.
(b) (a) sikkmda hesaplanan deger ile ~ekil 3.27'deki egriyle Vii=25 V'la bulunan
degeri karsrlasunn,
21. =
$ekil 3.27 ile ilgili olarak; VR = 3V'taki kapasitans ile V11 25V'taki kapasitans
arasmdaki orarn bulun ve Sekil 3.26'da C1/C25 icln verilen degerle karsilastmn
(Maksimum = 6.5).
22. Co= 22 pF. TCc = %0.02t'C ve tiC = 0.11 pF olursa, To = 25°C'nin iizerinde bir
sicakltk arusr icin varaktor diyodun Tl degerini bulun.
23. BB 139 varaktor diyoduna uygulanan ters gerilimdeki her bir degisim basma ka-
pasitansta meydana geleceken biiyiik degi§irn V 11'nin hangi bolgesinde ortaya ~1-
kacakur? Olceklerin dogrusal olmadigma dikkat edin.
24. Q = XJR = 21tfUR, ise R5 = 0.35 ve L5 = 2.5 mH degerlerini kullanarak 600
MHz'teki yararl!hk faktorunu (Q) bulun, Frekansa bagti olarak Q'daki degi§me-
yi yorumlaym ve ~ekil 3.27'deki grafigi destekleyip desteklernedigini aciklaym.
25. Bir tiretici bilgi sayfasma bakarak bir yiiksek gtir; elernaruyla (> lOA) ve dU§Uk
gU9 aygmrun (<lOOmA) genel karakteristiklerini karsilasnrm. Verilen bilgi ve
karakteristiklerde onemli bir degi§iklik var midir? Neden?
~ J.7
26. Bir yan iletken jonksiyon diyoduyla tunel diyodu arasmdaki temel farklar ne-
lerdir?
27. $ekil 3.30'daki e~deger devrede kapasitorun negatif direnc ile paralel bagh ol-
duguna dikkat edin. C = 5 pF iken bir kapasirorun l MHz ve 100 MHz'deki re-
aktansrm bulun. Aynca parale l birle~irninin (R= - 152 Q) her bir frekans icin
toplam empedansiru bulun. Ls'i 6 nH kabul edersek, endiiktif reaktansm bii-
yiikltigti, bu frekanslann herhangi birinde onemsenecek kadar biiyiik mii ol-
maktadir?
158 BolOm 3 Zenerler ve Dlger ikl U,;lu Etemanlar
28. Tiinel diyodunun maksimum ters akirn anma degerinin ileri aknn anma de-
gerinden daha biiyiik olabilecegine neden inarursimz? (Ipucu: Karakreristige
bakm ve gii9 anma degerini goz onunde bulundurun.)
29. Yesil ~1gm (500 A dalgaboyundaki) fotonlannm enerjisini bulun. Cevabnuzi
jul ve elektron volt birimleriyle verin.
30. (a) ~ekil 3.33 ile ilgili olarak; gorulebilir tayfm alt ve list simrlanyla ilgili
frckanslar hangileri olabilir?
(b) Silisyumun bagtl tepe tepkisi ile ilgili dalgaboyu kac mikrondur?
(c) Her malzemenin tayf tepkisinin bant geni§ligini tepe degerin %
70'indeki diizey ile tarurnlarsak, silisyumun bant geni§ligi ne olurdu?
31. $ekil 3.35 ile ilgili olarak; V.i =30V ve t§i.k siddeti 4 x 1(}9 W/m2 ise I,.'y1 bulun.
32. (a) Sekil 3.33'de verilen malzemelerden hangisi san, krrrruzr, yesil ve kizil
otesi ( 11.000 A'dan az) l§tk kaynaklanna en iyi tepkiyi verir?
(b) Hangi renk 0.5 x lQlS Hz'lik bir frekansta maksimum tayf tepkisine sahiptir?
33. Gelen ala 3000 fc, V,t = 25 V ve R =100 kn ise, $ekil 3.34'deki direnc uze-
rindeki gerilim dusumu ne olacaknr?
34. $ekil 3.39'daki karakteristige sahip bir fotoiletken hiicre icin, direncin I§Iga gore;
(a) l ~ I ill, (b) I ~ 10 Qk, (c) 10 ~ 100 kQ (bu nun logaritrnik bir olcek ol-
duguna dikkat edin) araWdan icin yaklasik degisme oraru nedir? Direncin 1~1ga
baglt olarak en biiyUk gosterdigi bolge hangisidir?
35. Bir forodiyodun "karanlik ak1m1" nedir?
36. $ekil 3.40'daki fotoiletken diyot iizcrindeki aydmlatma 10 fc ve Ri= 5 k ise
hticre iizerinde 6 V'Juk bir gerilim iiretecek V; degerin bulun. $ekil 3.39'daki
karakteristikleri kullamn.
37. $ekil 3.41 'deki verileri kullanarak, 0.0 l, 1.0 ve l 00 _t;, ii;in iletkenlik yiizdesinin
s1cakhga gore egrisini r;izin?
38. (a) $ekil 3.41'deki verileri kullanarak: aydmlatmaya bagh olarak yiik-
Biilum 3 Problemler 159
 47. (a) ~ekil 3.47i ile ilgili olarak; darbe suresi 1 ms, frekans 300 Hz vc izin
selrne siiresinin egrisini cizin. verilebilir maksimum de aknm 20 mA ise, izin verilebilir tepe akmu ne
(b) (a) sikkiru bozunma suresi i_c;i_n tekrarlaym. olacakur.
(c) (a) ve (b) §Jk!armdaki aydmlatrnarun onernli tum etkilerini tarusin. (b) (a) §LkkLm JOO Hz icin tekrarlayin.

39. ~ekil 3.41'deki CdS elernam en ~ok hangi renge kaq1 duyarhdir? 48. (a) Q0 acisal yerdegistirmede J§lk §iddeti ~ekil 3.47'deki eleman icin 3 med
olursa, hangi acrda 0,75 med olur?
(b) Hangi acida 1§1k siddeu kaybi % 50 diizeyinin altma duser?
~ J.IO
49. Sekil 3.47'de gorulen yuksck vcrimlikurmzi LED ic;in sicaklikla belirlenen,
40. (a) ~ekil 3.43'<leki aygn lcin 70 mA'Jik bir ileri de akurundaki 1§11na akisiru bulun, ortalama ileri akirmna ait akim anrna degerini dii§iirme cgrisini <,:izin. (Mutlak
(b) 45 mA ileri akirmndaki l§IIT!a akisiru lumen birimiyle bulun. maksimum anma degerlerine dikkat edin).

41. (a) ~ekil 3.44'ten y ar ar l an arak dtiz cam pencereye sahip bir kihfin 25° acr-
daki bag1l 1§1ma siddetini bulun.
(b) Di.iz kihf icin derecenin fonksiyonu olarak nisbi yaytrn siddetinin grafigini
* J.12

cizin. SO. ~ekil 3.52 ile ilgili olarak; 7 rakarruru goriintiilcmck icin hangi uclara
enerji vcrilrnelidir?
42. Bir SG 10 JOA krzilotesi emetorune 60 mA'lik bir de ileri akum uygularursn vc
emeti:irdedahili bir paralellestirici sistem varsa merkezin 5° disindaki isirna akisr 51. LCD'nin tcmel <,:all§1nasm1 kendi cumlelerinizle anlattn.
lumens birimiyle ne kadar olur? ~ekil 3.43 ve 3.44'e bakm.
52. LED ile LCD'nin c;ah§ma bicimi arasmdaki nispi Iarklan aciklaym.

J.11
43. (a) Sekil 3.47e'deki yatay ekseni angstrom birimine cevirin.
(b) Bagi! §iddetin tcpe degerleri ~ekil 3.33'dc verilen rcnk bandlannm nerelcrinc
karsilrk geliyor?
44/ ~ekil 3.47f ile ilgili olarak; sozkonusu eleman icin en uygun Vrdegeri nedir?
Bu deger silisyum ve germanyuma ili§kin Vrdegerleriyle ne i:ilc;iide karsilas-
tmlabilir?
45. ~ekil 3.47'deki verileri kullanarak bagil 1§ik §iddeti 1.5 ise diyot uzerindeki ileri
gcrilimi bulun.
46. (a) ~ekil 3.47'deki elernarnn tepe akrrm 5 mA'den 10 mA'e yukselrilirse bag1l
vcrirnliligindcki arus yuzdesi nc olur?
(b) (a) §tkk1m 30'dan 35 mA'c yukselme icin tekrarlaym.
(c) (a) ve (b) siklannda buldugunuz arns yuzdelerini karsilasnnn, Sizcc egrinin
hangi noktasmda tepe degerinin daha fazla artmlrnast onemli bir kazanc
saglamayacaknr.
53. LCD gi:iriintii elernamyla LED goriintii elemaru ile karsilastmldigmdabagmuh
avantajlari ve dezavantajlan nelerdir.
54. lcrn x 2 cm boyutunda bir gunes hucresi %9'luk bir donii§tiirme verimliligine
sahiptir. Elernarun maksimurn gii<,: anma degerini bulun.
SS. Bir giine§ hiicrcsinin giic; anma degeri kabacaVoc! sc c arpinuyla bulunursa,
en yuksek a111§ oraru, aydmlatmamn yi.iksek mi yoksa alcak duzeylerinde mi elde
edilecektir? Ula§UgmIZ sonueun nedcnlerini belirtin.
56. (a) ~ckil 3.63 ilc ilgili olarak: 0.25 V'luk bir c;1k1§ gcrilimindc 24 rrtA'lik bir ak101
akitrnak icin gercken giic; yogunlugu ne kadardir?
(b) ~ckil 3.63'dc maksimumgilc yogunlugu ncdcn 100 mW/cm'dir?
(c) <;1k1§ gerilimi 0.3V ve giiy 40 mW/cm2 ise <,:1kl§ ak1m1m bulun.
57. (a) .<;,ckil 3.63'dcki karnkterisli.klcri k.-ullanarakO. l 5V'luk bir c;lk1~ gerilimindc c;.tla~
akmunm giic; yogunlugm,a -gore cgrisini ~izin?

BolOm 3 Problemler
161
160 Bofilm 3 Zenerler ve Diger iki U~lu Elemanlar
 (b) 19 mA'Jik bir akimda y~ geriliminin gii9 yogunluguna gore egrisim cizin.
(c) (a) ve (b) siklarmdaki egriler maksimum gii9 sirurlamalan icerisinde dog-
rusal kaltyor mu'!

~ J. r .:

58. ~ekil 3.64'de gorulen terrnistor icin sicakhk T = 20°C'deyken oz direncteki di-
namik degi§im oraruru belirleyin. Bu deger 300°C'de belirlenen degerle ne
olyiide karsilasunlabilir? Eide euiginiz sonuclardan yararlanarak birim sicak- ·::} ... : ~ ·.
hk basma direncte mcydana gelen en biiyiik degisimin yiiksek sicakhklarda rru : -~··
yoksa dii§iik sicakhklarda rm meydana geldigini bulun. Dusey ek.senin logarit-
mik olduguna dikkat edin.

59. ~ckil 3.64'deki verileri kullanarak 1- cm2 dikey yiizey alamna sahip 2-cm uzun-
lugunda bir malzeme parcasirun 0°C'deki toplam direncini bulun. Dusey eksenin lo-
garitmik olduguna dikkat edin.
~---___]
60. (a) ~ekil 3.65 ile ilgili olarak, 25°C sicakhga sahip bir malzeme parcasuun po-
zitif srcakhkkatsayismdannegatifsicakhk katsayisma geyi~ yapt1g1 akim de-
gerini bulun. (Sekil 3.65 logaritmik olceklidir). 4.1 cinis
(b) Sekil 3.65'deki elemamn 0°C'likegrinin tepe noktasmda sahip oldugu giiy 1904-1907 doneminde vakum tiipler, ilgi ve gelistirme odagi durumundaki elekt-
ve direnc diizey!erini bu!un. ronik aktif elernaru. 1904'de vakum tiip diyodu I.A. Flemming tarafmdan bulundu.
(c) 25°C'!ik sicakhkta, direnc diizeyini I MQ kabul ederek giiy anma dcgerini Bundan kisa bir siirc sonra, I 906'da Lee De Forest, kontrol tzgarasi denen ve ilk
bnlun. yukseltec sayrlan triyodun ortaya 91kmasm1 saglayan ii9lincii bir elernaru vakum di-
yoduna eklcdi. llerleyen yrllarda, radyo ve televizyon tup endustrisine biiyiik ivme
61. =
~ekil 3.67'de V 0.2V ve R.ie~i~ket, = 10 ffdur. Duyarli harekette geccn akim kazandirdi. Oretim 1922 yilmdaki l milyon tiipten 1937'de 100 milyon tiipc yuk-
2mA ve gerilim dii§iimii OV olursa termistorun direnc degeri ne olur? seldi. l 930'lann ilk yrllannda dort elemanh tetrot ve bes elemanh pcntot, elektron-
tiip endustrisinde agJrhk kazanmayabasladi. Sonraki yrllarda, bu endiistri iincelikli
onem kazanmaya basladi ve tasanm, uretirn teknikleri, yiiksek giic;: ve ytlksek fre-
kans uygulamalannda ve rninyaturlesmede luzh gelisrneler yasandi.
Ancak 23 Arahk 1947'de elektronik endiistrisi yepyeni bir ilgi ve gelistirrne alarurun
ac;:1h§1nt yasadi, 0 giiniin ogleden sonrasmda Waller H. Brattain ve John Bardeen,
Bell Telephone laboratuvarlarinda ilk transistorun yiikseltici etkisini gosterdi, ilk
transistor (bir nokra-ternas transistoru) Sekil 4.1 'de gosterilmistir. Bu lie;: uclu yan
iletken elernarun tiipe gore avantajlan hemcn anlasilabiliyordu: daha kiii;iik vc ha-
fifti; rsitryiciya gereksinirn duymuyordu veya 1s111c1 kaybi yoktu; saglam bir ya-
prya sahipti; ve eleman daha az gii9 harcadigmdan daha verimliydi; hernen kul-
Iarulabiliyordu, yani ismma siiresine ihtiyac yoktu; ve daha dustlk oranda
cahsma gerilimi gercktirmekteydi. Bu bolumun, iiy veya daha fazla uca sahip
elemanlara ilk deginisirniz olduguna dikkat edin. Tiim yukselreclerin (gerilim,

162 Solum 3 Zenerler ve Olger ikl U~lu Elemanlar 163

 ~ekil 4.2'de gosterilen ongerilimlemede uclar, ba§ harflcrle gosterilrnistir: emetor
(emitter) iyin E, kollektor (collector) iyin C ve baz (base) icin B. Notasyonun bu §C-
kilde kullamlmasmm nedeni, transistorun cahsmasuu ele ald1g1m1zda anlasilacakur,
iki kutuplu (bipolar) jonksiyon transistoriiniin krsaltrnasi olan BJT terimi, bu iif uclu
clcman icin sik sik kullarulmaktadir. iki kutuplu'luk terirni elektron vc dcliklcrin, zit
polarizasyonlu malzemcdek:i enjcksiyon islernine kanldiklanru gosterir. Yanlizca bir
ta§1y1c1 kullamldigmda (elektron veya delik) tek-kutuplu elcman olarak arulrr.
Schotrky diyodunun boylesine bir eleman oldugunu haurlaym.

;( ,i.? TT,'/J·l!:·:j•::' 1\-'.JI.:. · i.: i: . , ;,;:.;

·'
>'-ii I.I Ilk lrnn<i<tCr.
~imdi, §ekil 4.2a'daki pnp transistorunu goz onune alarak bir transistorun temel ya-
(Bell Telephone l..iborntorics izniylc.) hsmasi anlaulacakur, Elektron vc deliklerin rolleri karsrhkh olarak degi§tirildiginde,
akim veya gUf diizeyini aruran clemanlar) di-,~r ikisi . . bir npn transistorunun yah§mas1 pnp transtorunki ile npatip ayrudir,
bir uca sahip en az iiy uclu elcmanlar old kl g .. ara_smdak1 ak.1§1 kontrol eden Sekil 3.43'delci pnp transistoru baz-kollektor ongerilimlemesi olmadan yeniden fi-
T , u arm, gorcccksmtz.
zilmistir. Bu durum ilc I. Bolumdc anlaulan ileri ongerilirnli diyodun durumu ara-
4.2 sindaki benzerligc dikkat edin. Bosalulrms bolgcnin gcni§ligi uygulanan on-
TRANSiSTORUN YAPISI
gerilimleme dolayisryla azalmisur vc dolayrsiyla p-tipi malzcmeden n-tipi
Tr:insisllir ya iki n- ve bir p-tipi malzerne rabakasmdan vc . . . . . malzemeye biiyiik bir yogunluk t~1y1c1s1 akt§J olmaktadir.
tabakas•ndan olusan ·· k . ,. . ya iki P- ve bu n-11p1 rnalzcme
. . •' ""Y"'' Uf atmanu yan iletken bir elemand.tr iikine 11 . • •• .. • . ~imdi ~ekil 4.2a'daki pnp transistoriiniin baz-emetor ongerilimini, ~ekil 4.4'de go-
cisme rse pnp lransistorii demnektedir. Her ikisi de u . .. . ~n-transIStoru, ikin- ruldiigU gibi kaldrrallm. Bu durum ile 1.6. BolUmde ters-i:ingerilimi diyodun durumu
~eki! 4.2'dc goriibnekledir 5 B.. .. .. . • y~n de ongenhmlemc durumu ilc arasmdaki benzerliklere dikkat edin. Haurlayacagm1z gibi fogunluk ta§1y1c1larmm
<;:a11~ma bolgesi yaratma ~aku~:~:e;:.:t~;':mesm,_~· ac !iikseltme iyin uygun bir ak1§mm s1firlamp, ~ekil 4.4'de gosterildigi gibi yaln1zca azmltk-ta§1y1c1s1 ak1m1run
bakalan, sandvif benzeri arad b I J o ugu~u- gorecego, Transistorun di~ ta-
bu .. . . . . a u unan P- veya n-Up1 malzemeJerdekinden k . olclugunu gormii§tUk.
uyukolan gen!§liklere sahip yuksek katkih . . . yO daha 'c;.ogwuuk 1a~1y1cilan ' Azmhk t~1y1c1lan

•
terilen transistorlerde toplam kalml - _.,_ y~etken malzemelerdu. ~ekil 4.2'de gos-
igin met ....eZI tabakanm kali.nhgma oraru O 15QKl 001 + ~--+
1 50 : t;dir,
.
· ,v. +- +
(ti ik l
Sandviytabakasmm katkilan d"' .
ma uzeyi de di§ katmanlara goreoldukca diif 'kt ..
= E e+•+e -:. .• --n $+\6 C

·-
+ +_n
+ p .+ +Pf&_+
p o arak 10: l veya daha az). Bu d~Uk katlolama duze i "se
sm1rlayarak malzemenin ilelkenJ"ln
"
. du .. kl . . ~ . rbest ~1y1cilarm say1s1111
u ur,
+•+- + ;f S+s +
10·111 usurme edir (direncini antinnaktad!r).
+ - B
I
B +\- Bo~alulm1§ bolge
Bo~lllllll~ bolge

+
,. - - ,.
..
+1, -

Vea

llir 1m1, 1r:u\!C.i~16rOn ilcri·Ol\{!crilimli I . Oir ,,,,,, 11,IIN~IOrlin Ccr.t·Ungcrili111i1

JOnksiy1\1111 jonksiyono

Bu nedenle, ozetlcrsek, bir transis1orii11 bir p-n jonksiyonu ters ongerilimliyken differ
jonksiyo1111 iferi ongerilimlidir.
1 ~ekil 4.5'dc her iki ongerilimlcme potansiycli bir p11p-transistorU11e uygulanm1§llr vc

I
(b) ~cl.ii I.: Tran,i<t<lr tiplcri; olu§an ~ogunluk ve aZJnhk ta§1y1c1 ala§lan gosterildigi. gibidir. ~ekil 4.5'de bo-
-•lp,1p: (b)n1m
164
Bolum 4 iki Kuluplu Jonksiyon Transislorteri (BJT)
4.3 Transistorun <;:ahi;;mas, 165

I
 salnlmis bolgelerin genisliklerine dikkat edilirse, hangi jonksiyonun
ters ongerilimlenrnis oldugu hernen anlasdabilir, Yine ~ekil 4.5'de gosterildigi
eek sayida yogunluk ileri.ongerilimli p-n jonksiyonunu difiizyon yoluyla
tasiyicisr,
asarak n-tipi malzemeye ulasmakradir .. Buradabu tasiyicrlann dogrudan fn baz akr-
mmami katkida bulunduklan, yoksa dogrudan p-tipi malzerneye mi gectikleri sorusu
glindernc geliyor, Arada kalnn- n-tipi malzemc, cok incc vc iletkenligi dii~iik olu-
dugu icin cok az sayida ~1y1c1; yuksek dirence sahip bu yolu izleyerek baz ucuna
, ulasacaknr. Tipik olarak mikroarnper dilzeyindeki · baz akirru, ernetor ve kollektor
akimlannda gorulen miliamper duzeylerine kiyasla kii9Uk kalmaktadtr,
'Cogunlnk l•~1y1c1lan
p
~co Cle
!t.-
Dosnlltlnui bolgelcr
),:l,d -L' Bir pnp 1r.1nsistOri.in<.fo co-
gunhtk vc azmhk 1t1~1y1c,larmm :tk.1~1.
Sekil 4.5'de gosterildigi gibi bu 9ogunluk ta~1y1ctlann daha biiyilk bir boli.imii, ters
ongerilimli jonksiyon uzerinden diftizyon yoluyla kollektorun ucuna bagh p-tipi
malzemeye gececektir, <:;ogunluk tasiyicrlann ters ongerilimli jonksiyon uzerinden
kolayhkla gecmelerinin sebebi, egertcrs ongerilimli diyota enjekte edilen cogunluk
tasiyicilanmn n-tipi malzemede azmhk tasiyicist olarak goriindiigUnii goz onunde
bulundurursak, rahathkla anlasrlabiirnektedir. Baska bir deyisle, n-tipi baz bolgesi
rnalzemeye aztnhk tasiyicrlan enjekte edilrnis oluyor. Bunu, bosaltilnus bolgedeki
tiim azinhk tasiyicilannm diyodurr rers-ongerilim jonksiyonundan gecmcsi ol-
gusuyla birlestirirsek, $ekil 4.5'deki ak1§ yonunun nedeni anlasilacaknr.
Sckil 4.5'deki transistorii ·tek bir diigiim kabul ederek Kirchhoff akrrn yasasiru
uygularsak,
elde ederiz ve ernetor akirmyla kollektor ve baz akrmlanrun toplarru oldugunu bu-
luruz. Ancak kollektor akmu iki bilesenden olusmaktadir: $ekil 4.5'de gosterildig:
gibi yogunluk ve azinhk tasiyicrlan. Azmltk-akirni bilesenine kayak akim denir ve
,. I"" sembolilyle gosterilir. (ernetor ucu.acikken akan J,. akirm). Bu nedenle kollektor
akrmi toplam olarak Esitlik (4.2) ile belirlenir.
166 BiilOm 4 iki Kutuplu Jonksiyon Translsliirleri {BJT)
ileri, hangisinin
gibi Gene! amach transistorlerde, le miliamper diizeyinde goniliirkcn, lco mikroamper veya
nanoamper diizeyinde gonllmektedir, Ters ongerilirnlenmis diyotlardaki Is akiminda ol-
dugu gibi, lea akmu da sicakliga kar§• duyarhdir ve genis sicakhk arahklanna sahip uy-
gularnalar sozkonusu oldugunda dikkatle incelenmelidir, Gerekli onern verilmezse yuk-
sek sicakhklarda sistemin kararhhgtru onemli olyiide etkileyebilmektedir,
Yapim tekniklerinde saglanan ilerlemelerle lco duzeyleri, etkilerinin ihmal edi-
lebilecegi noktalara kadar dU§iirUlmil§tUr.
$ekil 4.2'de npn ve pnp transistorleri iyin gorulen devre, bazm hem girl~ (emetor) hem de
ylkt§ (kollektor) uylannda ortak olmas1 dolay1s1yla orrak-bazli devre olarak amlmaktad1r.
Onak bazh devresinde sabit Vco degerleri i9in /c'deki kU9iik bit degi§mcnin h'dcki
kUyiik bir degi~ime olan oram genelde ortak-bazh, k1sa devre yiikseltme faktorii ad1yla
amlmakta ve o; (alfa) semboliiyle gosterilmektedir.
. (4.3)
ile ifade edilir.
"K1sa-devre" terimi, a. belirlendigi anda yiikiin ktsa devre yap1ld1gm1 gosterir.
Yi.ikiin (yi.ik direncinin) k1sa devre·yap1lmas1 zorunlulugu ve Denklem (4.3) beni.eri
formiillcrin kullantlmas1yla ilgili i§lemler konusunda, 8. Bi.iliimde e~deger devreleri
ele ahrken daha aynntlh bilgilcr verileceklir. Tipik a. degerleri, 0.90 ve 0.998 arn-
smda degi~mektedir. Pratik uygulamalann 1rogunda degeri yi.izde birka9ltk bir be-
lirsizlikle ve a~ag1daki formUUe yakla§lk olarak clde edilebilir:
(4.4)
burada le ve h siras1yla kollekti.ir ve emeti.ir ak1mlannm transistor karakteristigi i.ize-
rinde belli bir noktadaki biiyiikliigiidUr.
Denklem (4.3) vc (4.4), a. degerini, transistor karakteristikleri veya devre ko-
§ullanndan bulmak i9in kullantllT. Ancak en kcsin anlamda sadece $ekil 4.5'in p-
tipi emetor malzemesinden s:1k1p kollekliir ucuna ula§an deliklerin (9ogunluk ta-
(4. l) ~1y1ctlann) yUzdesini gosteren bir ols:Udiir.
Bu nedcnle Denklem (4.2) ile tammland1g1 gibi
I
IC = o;/ F.~o~unluk + I ~~~uihk (4.5)
4.4 THANSiSTORUN YUKSEL TME ETKiSi
Art1k ~ckil 4.6'daki devre kullamlarak ortak bazl1 devrenin gerilim-yUkseltme etkisi
(4.2) a1r1klanabilir. ~ekilde, de ongerilimleme ~ekilde yer almamaktadtr, 9iinkU ilgimiz ac
4.4 Translstiiriin Yiikseltme Etklsl 167
 ,:j._ ,:i ();: .._ ·;·· '· '.:

tepkisiylc srrurh olacakur, Ortak bazli devrede bir rransistorun cmctor ilc bazr ara-
smdaki giris direnci tipik olarak 10 ila.100 Q arasinda, <;:Ila~ direnci isc 100 kn ile I
M.Q arasinda degi§ir. Direncteki bufarklihk, giristeki ileri ongerilimli jonksiyondan
Gtinlimiizde yaymlanan kitap vb. yaymlarm yogunlugunda transistorler icin kul-
lamlan isaret ve semboller, ~ekil 4.7'de pnp ve npn transistorleri ortak bazh devrede
gosterilmektedir. Ortak-baz terimi, bazm, devrenin hem girls hem y1kt;i1 icin ortak
olrnasmdan kaynaklanrnaktadir. Her iki gerilim kaynaguun da B harfiyle isa-
retlendigine ve bazm, devrenin toprakh veya "destekleyici" ucu (bacagi) olduguna
di.kkat edin. Kitap boyunca turn akim yonleri, elektron akismdan yOk geleneksel ak1§

-
B + yonlinii (delik akisun) gosterecek sekilde kullarulacaknr. Bu secim ternelde git-
Vi= 200mY
zun
niimiizdeki ve gecmistcki yaymlann · 9ogunda gelcneksel akirmn kullarulnns ol-
masma dayanmaktadir.
Bazt kitaplarda, transistoriin cahsmasi anlaulirken, ~ekil 4.7'yc giren ttim akirnlan
)d,il -U1 t)t1nk-b,1th dcvrcninpcrilim ytlk- gosterip gerekli oldugu yerlere eksi isareti koyma yontemi tercih edilmektedir. Baska
selnne clki.-:i.
bir deyisle, gercek konvansiyoncl akt§ yonu ters oldugu takdirdc buyukluk ilc birlikte
(baz'dan emetore) vc crkistaki ters ongerilimli jonksiyondan (bazdan kollektore) eksi isareti de kullamlmaktadir. A91klik gctirri1ek:amac1yla, ~ek:il 4.7'de gosterildigi
kaynaklanmaktadir, Giris direnci olarak 20 .Q degeri ortak alrmr vc eikin dcgcrlcr gibi tiim akimlar, aktif bolgedcki gercck ak1~ yi:inletlnLgosterecektir. Semboldeki ok
kullarursa, yoniiniin, fE'nin yoni: ile aytu olduguna dikkai edin (bu yalmzca geleneksel akis yonii
icin dagrudur). Bilgi sayfalarmdakieksi isareti tiim akrmlann girdigini gosterir,
I= V; = 200 x 10·3
!OmA
R; 20
le le
buluruz. Bu noktada o: =l (le =le) kabul cdersck, _.;. -+-
n p n
E c
h=l=lOmA B
ve VL=hR Id
+ + - + +
= (10 X 10'3)(5 x 10+3)
-
- --
=SOY Vea Vea Vea Vcs
le le
le- --le
Gerilirn yukseltmc E c £. c
+ + + +
vt·a Vea Vea Vea
Av = J'.1.. =
V; 200
. 50
x 10·3
= 250 f la tis
olur. B B
(a) (b)
Ortak bazh devrede tipik gerilim yukseltme dcgerleri 50 ila 300 arasinda de- , • . • Ortak-b.17.h devre i~in kul-
ktn1l:m i~arcl vc scmboller: (a) pnp;
gi§mektedir. Akim yukseltme (/c/h) oraru, ortak bazh devre icin her zarnan l'in al- (b)np11.
nndadir. Bu son ozellik a9ik9a anlasihyor olmalidrr, 9iinkii fc = JE ve her zaman
I'den kii<;:tiktiir. Ortak bazh devre durumunda uygulanan potansiyeller, baz potansiyeline gore ve V1,a
Tern el_ yukscltme islemi, bir I akmuru bir alcak dircnc devresinden yuksek direnc ve v
§etdinde yazihrlar. Ba§ka.bir ·deyi§le, indisin ikind harfi daima transistoriin
dcvrcsine transfer cderek gerceklcstiriimektedir. Bu terirnlerin Ingilizcc kar- devr~~ipini bclirtecektir. Her durumda indisin ilk harfi her zaman i~in, ~ckil 4.7'dc
§thklannm tek bir terimde birlestirilmesi ile transistor kelimcsi uretilmistir; yani gosterildigi gibi, daha yiiksek potansiyele sahip noktay1 tammlar. Bu n~~enle pnp
transistorti i9in, ~ekil 4.S'dcki karakteristikte belirtildigi tizcre, VEB po21t1f ve Ven
transfer+ resistor ~ transistor v
negatiftir (ytinkii CB kaynag1, kollektorti daha dii§iik potansiyelde tutmaktad1r). npn
transistortinde VEB negatif ve VcB pozitiftir.
168 Boliim 4 ikl Kutuplu Jonksiyon Transistdrlerl (BJT)
169
4.5 Ortak Bazh Devre
 Buna ek olarak, §ekil 4.7'deki pnp ortak-baz transistoruntln davrarusmi temsil
etmek icin iki grup karakteristigin gerekli olduguna dikkat edin: Siirme noktasi
(veya giris) ve riktf grubu.
,5ekil 4.8a'daki 9Ikt§ veya kollekror.karakteristigi, kollektor (91k1§) akinuru, kol-
lektorden baza giden.(900§) geriiin:i~vi(giri§) ernetor akmuna iliskilendirir, Ko- Emetor akmu Ch) sifir dtizeyindeyken kollektor akirm Sekil 48a'da gosterildigi gibi,
lektor karakteristiginin., §ekil48a'da. beHrtildigi gibi ilgi konusu i.i<,: temel bolgesi ters doyma akirm Ico'dan olu§malctadir. !co akirru, /c'nin dil§ey eksen ol9egine (mi-
vardir: iletirn, kesim ve doyrna bdlgeleri. liamper) gore o denli kti<,:Uktiiiki (mikroarnper), le= 0 ile ozunde aym yatay eksende
llcrim hiilj!rsinde kollektor jonksiyonu ters yonde, emetor jonksiyonu ise ileri gortilmektedir, Ortak-bazh devrede le= O'durumunda gordlerr devre kosullan ~ekil
I tc (mA) yondc iingerilimlcnn11}1ir. 4.9'da gosterilmistir, lco icin bilgi sayfalarmda en sik kullarulan isaret, ~ekil 4.9'da
i Bu kosullar !;,ckil ·4.5'dcki durumla ilgilidir, lIctirn bolgcs]. sinyallerin minimum gosterildigi gibi, Icso'dur. Gelisen yap1m teknikleri sayesinde gene! amach (ozellikle
dilzeyde bozulurak yukscltihncsi :1111ac1yl:1 kallumlan 1ck biilg.:di, silisyum) transistorlerde dil§ilk ve orta-gil9 arahklannda Icoo dilzeyi genellikle o den Ii
1-----Aktif bolge (lalllf1 olmayanalan)-------,
7mA di.i§ilk kahr ki etkileri ihmal edilebilmektedir. Ancak yiiksek gilc;: elemanlarmda lceo
yine mikroamper arahginda kalacaknr, Buna ek olarak: Icso'nun, ayru diyottaki ls
6mA akirru (her ikisi de kacak akimdir) gibi, sicakhga ~1 duyarh oldugunu unutmayin.
Daha yilksek srcakhklarda herhangi bir dtizeydeki gti<,: elemani icin sicakhkla beraber
5mA
hizlr bir yukselise gecmesi nedeniyle onernli bir faktor olabilir.
4mA Sekil 4.8a'ya dikkat edilirse, emetor akirru siftnn uzerine crkmca kollektor akirru
yaklasik olarak, transistor-akim denklemlerinde belirtildigi gibi emetor akmurim ar-
3mA
trsma esit bir arns gostermektedir. AyncaVc8'nin, iletim bolgesinde kollektor akmu
2mA uzerindeki neredeyse ihmal edilebilir olan etkisine dikkat edin. Egrilerden de a91k9a
anlasilabilecegi gibi, le ve le arasmdaki iliski iletirn bolgesinde yaklasik olarak

(4.6)

vc8 (volt)
kadardir,

(a)
if: (mA)
Vea= -20V

8
Vrn c -;IOV
7

v-
6 / Vcn=-IV

5 Ornek4.I
Tcrs doyma aktnu,

4 Omck4.l
3 Kesirn bolgesinde, hem kollekror hem de emetor jonksiyonu ters ongerilimlenrnistir ve
dolayisiyla, ,5ekil 4.8a'da gosterildigi gibi ihmal edilebilir bir kolleklor alomma yo! ac;:-
2
makradir, Bu bolgenin karakteristigini ac;:1kc;:a gostermek i9in Yes yatay ol9egi O V'un
soluna dogru genisletilmistir. Doyrna bolgesi adr verilen bolgede kollektor ve erne-
0 tor jonksiyonlan ileri ongerilimlenmistir; bu da kollektor-baz potansiyelindeki
0.2 0.4 0.6, 0.8 1.0 vw(volt) kil9ilk degisikliklere karsihk kollektor akmunda i.istel degisimler yaratmaktadrr,
CVr> Sekil 4.8b'de gosterildigi gibi, girirveya emetor karak:teristiklerinin sadece bir bol-
(b) gesi ile ilgilenilmektedir. Kollektori.in sabit Vea geriliminde bulunmas1 dururnunda,
\(·I.ii .J.~Onak-baz.h dev-rcdeki bir J)Jtf) tr.msis1ori.i;1iin kar:ik;cri5tildcri: (a) kolfck10r veya f.rlk1~ k;..rJJ.ac:;r1si\..:leri: (b)
emetor-baz potansiyeli artuk9a emetor alam1 da artmak:tad1r. Arlan Vea dilzeyleri,
CnlCtOr vcy.1 giri~ karakteristikteri.

170 BolOm 4 ikl Kutuplu Jonksiyon Transisti:irleri (BJT) 4.5 Ortak Bazil Devre 171
 I
4.6 ORTAK EMETORLU DEVRE
uyru akmu saglayacak sekilde, VEu diizeyinin azalmasma yol acmaktadir. Genis bir pnp vc npn trnnsitorlcri is:in en sik rastlarulan transistor dcvresi, ~ckil 4.11 'de gosterilmistir,
\Ien degerleri arahg1 is;in egrilerdeki yakm gruplasmaya dikkat edin. Aynca silisyum Emetorun hem giri§ hem de yikl§ uclannda ortak clmasi nedeniyle bu duzenlcrneye ortak-
transistorde egrilerin ortalarna degerlerinin yaklasik Vr= 0.7V'da yiikselise ne kadar emetorlu devre denir, (bu durumda hem baz hem de kollektor uclan emetoru ortak olarak
yakm basladtklarma dikkat edin, kullamr). Ortak-emerorlu devrenin davrarnsiru tam anlanuyla ortaya koymak icin gene iki
Yan iletken silisyum diyotta oldugu gibi, de fal1;mada ileri ongerilimli baz-emetor karakteristik grubu gereklidir: birincisi giri§ veya baz devresi iyin ve digeri de ~tla§ veya
jonksiyonu icin yaklast]: olarak
kollektor dcvresi icin. Her ikisi de ~14.12'dc gosterilmistir.
Emetor, kollektor ve baz akimlan, gercek geleneksel akim yonleriyle gosterilmis
(4.7) olup, potansiyeller icinse devrenin tipini bclirtmck uzerc ikinci indis olarak E harfi
konulur. Transistor devre tipinin degi§mesine ragmen, daha once ortak-bazli devre
olacakur,
icin gclistirilen akirn denldemleri aynen gecerlidir,
Ortak cmctorlii dcvrenin s:1k1§ karakteristigi. (/o) giri§ akirrnrun dcgcr arahg1 icin,
()RNEK 4.1 i;:1k1~ akmumn (le) s:1k1§ gcrilimine (Vet:) gore bir grafigi olacakur, Giris ka-
raktcristikleri ise (Va) s:1k1§ gcriliminin dcger arnhg1 icin, giri§ akirmrun (lo) giri~
$ekil 4.8'deki karakteristikleri kullanarak: gerilimine (Voe) gore grafigidir.
(a) 1£= 3mA ve Vco = -lOV olursa akacak olan kollektor akimim bulun. Sckil 4.12'deki karakteristige dikkat cderscniz, /c'nin miliampcr duzcyinde olmasi
(b) V1w = 750 mV ve Vco = -IOV olursa/c'nin degeri ne olur? karsin lo rnikroamperler diizeyindedir. Aynca lo egrilcrinin ortak bazli dcvrelerdc le
.c] le= 5 mA ve Veo = IV icin VEB'Yi bulun. icin clde ed.ilen egriler kadar yatay olmadigma dikkat edin; bu olgu, kollektor-cmeror
gcriliminin, kollektor akirmnm biiyiikliigiini.i etkileyecegini gosterir.
<,::oziim;

(a)le= IE ::3mA
(b) Giri§ karakteristiklerinde VEo = 750 mV ve Ve8 = -lOV'tan kesisme nok-
tasinda h= 3.5 mA boylece le= le= 3.5 mA'dir.
c
(c) le= le= 5 mA. Giris karakterisuginde le= 5 mA ve Ven= -IV'un kesisrne
= =
noktasinda VEn 800 mV 0.8 V olarak bulunur,

=
f~.=le yaklasik degeri kullarularak ve 10 0 µA varsayrlarak ortak-bazm uygun on-
genlimlenme kosullan kolayca belirlenebilir. Sonuc, ~ekil 4.1 O'da pnp transistoru icin
=
-
gorulen devredir. Semboliin uzerindeki ok le le durumu icin geleneksel aki§ yonimu
gostermekredir, Daha sonra de kaynaklan akan akirmn yonilnii destekleyccek bir po- le
laritcyle araya eklenmektcdir. 11p11 transistoru icin polariteler tersinc ycvrilcccktir.
+
c c
+
lg
E c B -
+

E E
(a) (lb)

+
Vea ~,·~rl ,I. Ill ),. ; : I f. ! I Ori~11.. cmct0r1u dcvre i}in k.ullam\an i~rtl vc sembcltcr- (al upn tran.,i~r. (b) p111> transi~16r.

172 4.6 Orlak Emetorlil Devre 173

BolOm 4 ikl Kutuplu Jonkslyon Translstortert (BJT)
 le (mA)

Ortak ernetorlu devrenin iletimde oldugu bolge, eksenin en biiyiik dogrusalhga sahip
paryas1; yani, Is egrilerinin hemen hemen diiz ve esit aralikta oldugu bolgedir, $ekil
4.12a'da bu bolge Vee doyrna noktasindaki ddsey kesik cizginin sagmda ve lo= 0 eg-
risinin iistiinde gotii!Ur. VC£ doyma noktasmm solundaki bolgcye doyma bolgesi denir.
lletim bolgesinde kollektor jonksiyonunun tees ongerilirnli olmasma karsihk, emctor
jonksiyonu ileri ongerilimlidir, Bunlann, ortak-bazh devrenin iletim bolgesinde gorulen
kosullarla aym oldugunu hanriayacaksiruz. Ortak-emetorlu devrenin iletim bolgesi:
gerilim, akim veya gi.iy yiikseltmede kullamlabilir.
Ortak ernetorlti devrenin kesim bolgesi. ortak bazh devredeki kadar iyi ta-
rumlanmarmsur. $ekil 4.12'dek.i kollektor devresinde, ls sifirken Ic'nin sifir ol-
+I
ll----------~---e'+IOµ.A
madrgma dikkat edin. Ortak bazli devre durumunda h giri~ akimi sifira esirken, ko-
lektor akirm yalmzca tcrs doyma akimi leo'ya esittir; boylece le= O egrisi ve gerilim ,,.iiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiijiiiiiiiiii'N
11!,i i'i'~fsj=~0---
t
0 +5 +10 \ +15 +20 VC£(volt)
ekseni pratik acidan aymydi,
Vcr(doy) (Kesim l>Olge.i)
Kollektor karakteristiklerinde gorulen bu farkhligm nedeni Denklem (4.1) ve (a)
Denklem (4.5) kullanilarak bulunabilir. Yani,
Vee= IV
le= alE +lco (Denklcm 4.5) VcE = IOV
100
90 · VcE = 20V
ancak Ie=Lc+Ie (Denklem 4.1) 80
70
Bu nedenle, le= a (le+ le)+ lco =ale+ ala+ lco 60
Omck4.2
50
lco
-·· ·---1 I
ve /c(l - a)= ala+

r
40
30
20
sonucta j le = ala + !co (4.8)
l 1-a 1-a 10
--L...-. ..I
----- ······----1 0 0.2
., I .. ,, •·
0.4 o.6 I o.s 1.0
(Vrl
Daha once tarnsilan la= 0 durumunu ele alirve bu degeri Denklem (4.8)'de ye-
(b)
rine koyarsak

'\.·I d I I .1 Ormk emcUSrltl dcvrcti bir ,,,,,, tr.1nsis10rOnUn kumkt~,,~tiklcri: (u) kol\cktijr kurukrcristikteri; (b) baz kn-
(4.9)
rnklcns.tikl~ri.

a= 0.996 i9in,
le= !co .Ica: I
! ak1011 Denklem (4.1 Oj'daki gibi 6sterilecektir ..

ve
l ·0.996
le= 250 lco
0.004
La =O
j
i·,
l
1,=" f';;- I,, •O (4.10)

bu da, la = 0 egrisinin yatay gerilim eksininden dusey dogrultuda sapmasiru I

I
Yeni tammlanan bu akrrm 9ev7efeyen ko~ullar, bu'na iliskin referans yonu ile bir-
aciklarnaktadir. ilerde kullanmak iizere Denklem (4.9) ile tammlanan kollektor :i likre Seki! 4. I 3'te verilrnistir,
1

174 BiilOm 4 iki Kutuplu Jonksiyon Transistiirleri (BJn 4.6 Ortak Emetiirlii Devre 175
 ..---<>C
lc:5.1 mA
degerinde bir akim elde edilir.

(b) <;1kt§ karakteristiginde le= +4 rnA ve ls== +40µ A'in kesistigi noktadan,

VC£=+6.2 V
E bulunur.
~<kil 4.13 IC£o'• ili~kin dcvrc koiullan.
Giris karakteristiginde 18 = +40µA ve VCE= +6.2V'un kesi§tigi noktadan,
lcw'nun biiyiikliigii tipik olarak silisyum malzemelerde germanyum mal-
zemelerde olandan cok daha dii§ii~tiir. Benzer anma degerlerine sahip tran-
sistorlerde tipik few degeri, silisyumda birkac mikroamper olurken, gerrnanyumda bulunur.
birkac yiiz mikroamper olabilmektedir.
Dogrusal (en az bozulmali) yilkseltme amaclan ifin, ortak-emetorlii devrenin kesim 4.3. Bolurnde alfa (a) sembolu, ortak bazh devrenin ileri akirn transfer oraru ic;in
bolgesi (bu kitap ii;in) I c = I ceo ile belirlenecektir, Baska bir deyisle bozulmasiz bir c;ikis kullamlmisn. Ortak emetorlu dcvrede, sabit bir kollektor-ernetor gerilirninde <Vee)
sinyali istendigi takdirde l 8 = O'm altmda kalan bolgedc yali§maktan kacirulmahdrr, ' kollektor akrmmdaki kii<;iik bir degi§iklige karsi baz akirmndaki degi§ikligin oraru
Bir bilgisayarm rnannk devrelerinde anahtar olarak kullamld1gmda. transistorun Yunanca beta CP) harfi ile gosterilir ve genelde ortak-emetor ileri yonde akim yiik-
onem tasiyan iki · cahsrna noktasi olacakur: birincisi, kesim digeri doyum bol- seltme faktorii adrru ahr. Wnm degcri,
gesinde. Kesim durumu secilcn VCE gerilimi icin ideal olarak le= O ile bclirlenrnis Mc I
{J _--,
olmahdir. Iceo. silisyum malzcmelerde tipik olarak dii§iik oldugu icin, anahtarlama (4.11)
Mn I VcE=sal>i1
amacma yonelik kcsim, yalmzca silisyum transistorlcri icin le= lcno vcya /11 = O'da
ger?ekle§ecektir. Germanyum transistorlerde ise anahtarlama amacma yonelik formi.iliiyle veriliri.
kesirn lceo = lceo = lea kosullan altmda tarnmh olacakur, Bu kosul, germanyum
transisrorlerde, normalde ileri ongerilimli baz-ernetor jonksiyonunu, gerilim de- ile ifade edilir. Beta CP) degeri, yaklasik olarak §U formulden de bulunabilir:
gerinin onda biri-ikisi kadar ters ongerilimleyerek clde edilebilir.
{hie (4.12)
: I '• :.· ~ j,~: lo
burada le ve !8, dogrusal bolgedeki (yani, ortak emetor karakteristiginin yatay baz akimi
~ekil 4.12'dekj karakteristikleri kullanarak: cizgilerinin paralel ve C§it aralikh olmaya en yakm oldu.l<lan yerde) belirli bir cahsma
(a) V/J£ = +800 mV Ve£= +1.0V'a karsrlrk gelen le degerini bulun. noktasmm kollektor ve baz akirnlandir. Denklern (4.12)'dc le ve 18 sabit vcya de de-
(h) le= +4mA ve lo= +40 µA'e k~§1hk gelen Va vc V8E dcgcrlerlni bulun. gerleri oldugundan icin Denklem (4.12) ile bulunan degere de, Denklem (4.11) ile bu-
lunan degere de ac veya dinarnik degeri denmekteclir. Tipik degerlcri 20 ila 100 ara-
smda degi§mektedir. Denklem (4.1). (4.4), (4.12) iizerinde ~ag1daki islemleri yaparsak:

(a) Giri§ karakteristiginde V8£ = +800mV ile Ve£= +JO Y'un kesi~Ligi noktadan, Denklem (4.1) f3 = !.£ ifadesindcn ls=!.£ elde edilir,
lo f3
lo: 50pA
gibi bir dcger bulunmaktadu. Denklern (4.4) a= ls: ifadesinden IE=!.£ elde edilir.
le a
<;:1kl§ karnkteristiginde Iq = 50 µA ve VC£ = IO Y'un kesi:}tiginoktadan, Dcnklem (4.1) Ie=Ic+!»

176 Borom 4 ikl Kutuplu Jonksiyon Transistorleri (BJT) 4.6 Ortak EmetorlO Devre 177
 Ortak cmetorlu devredeki gins karakteristikleri, ortak bazh devrenin ka-
rakteristiklerine cok benzemektedir (~ekil 4.12). Her iki durumda <la giri~ aki-
Yerine koyarsak: le= le+ le
rrundaki arns, ilcri ongerilim potansiyelinin artmasi sonueu baz-emetor jonk-
a f3
siyonunu gecen r;:ogunluk tasiyicrlanrnn arusindan kaynaklanrnaktndir, Aynca r;:1k1~
ve Ic ile bolersek; l._= l +l gerilimindcki degi~melerin (ortak-emetorlu devre icin Va ve ortak-bazli devre icin
a f3
Vca) karakteristiklerde buyuk kaymalara yol acmadigma dikkat edin. Ashnda, ge-
ve 13 = al3 + a nelde karsilasrlan de gerilim duzeylerinde, r;:1kl§ ur;: gerilimindeki degi§meler ne-
deniyle baz-emetor geriliminde meydana gelen degisirnler, yaklasik olarak ihmal
veya 13(1-a)=a
edilebilir. Bu temelde ortalarna bir deger kullarucakolursak, kollektor-emetor dev-

J
resi icin ~ekil 4.14'deki egri olusmaktadir. Silisyum diyotu karakteristikleriyle olan
(4.13)
benzerliklere dikkat edin. Yaniletken diyot tarurmrmzdan hanrlayacagiruz gibi de
'[ f3=JL
1-a _ aualizindc ~ekil 4.l4'deki egriyi, ~ekil 4.JS'deki egriyle gosterrnistik. Bu neclcnle
elde ederiz,
ozunde bir transistor yapismm baz-ernetor gerilimi, de analizinde birinci derecedcn
=
veya
1---
1
I
a=L·-1
/3-
(4.14)
yakmsama, silisyum ir;:inVnE 0.7V ve germanyum icin de 0.3 V olarak var-
sayrnaknr. Eger uygun polariteyle 0.7 V ongerilirn (silisyum rransistorler icin): sag-
layaeak ycterli gerilim yoksa, transistor aktif bolgede olamaz, Bu yaklasik degerin

I
Buna ek olarak
,
1 _J

kullaruldtgi bir dizi uygulama 9. Bolurn'de gortilecektir. Ortak-bazh devresinin ben-

few= lea = Jeno I zer giris karakteristikleri oldugundan [bu ilcride tamtacagrmz ortak-kollektor (CC)

---------~
1-a 1-a I devresi icin de dogrudur], de analizinde birinei dereceden yaklasikhk olarak ka-
rakteristigin iletim bolgesinde ongerilimlenen bir_BJT'nin baz-emeior geriliminin v.,.
oldugundan lcw= <13 +_ 1)/c~ (4.15) I oldugu sonucuna varabiliriz. Aynea CB devresinin r;:1k·1~ karakteristiginde le= Iii ol-

(a) ~ekil 4_12'deki karakteristikte Vee= +10 V ve le= +3mA r;:ali§ma noktasmdaki
II
;I
dugunu gorrnustuk. CE devresinin le= l3ln'dir vc R calisma kosullanyla belirlenir.

is (µA)
is (µA)
de beta degerini bulun.
(b) Bu cahsma noktasiyla ilgili a degerini bulun. 1 JOO
JOO

(c) Vee= +JO V'a karsihk gelen lceodegerini bulun. 1

(b) (a) §lkkmdan elde edilen 13dc degerini kullanarak yaklasik lceo degerini
50
hesaplayrn. I 50
j
l
(a) VCE = + 10 V ve le= +3 mA, ln = +25 µA 'nm kesisme noktasmda VaE = Vr = 0.7V vse

/3<lc =le= 3 x 10·3 = 120 'j,I. ii .1 1 I Vci;'nin ihmal ttlil· ~~·~ ii ~ ) ~ <k· :urnlii'i il;in ~\::kil
la 25 x 10·6 mcsi halinde ~eki1 4.12'nio ycni<lcn .J.1-l'iiu y,,t.:l;,~1L.h._ yi\mcmiylc: ye-
,;izilm~i. nitk•n (.,'hiltm·si.
(b) a= L = llQ.= 0.992
13+ l 121 El kitaplan, bilgi sayfalan ve transistorlere iliskin diger yayinlarda ortak-ernetor ka-
(e) lczo = 0.3 mA; Va;= 10 V ve In= 0 ;,A'in kesisme noktasinda. rakteristiklerine sikca rastlamr. Ortak-baz karakreristigi, son birkac kisrmda tiiretilen
akim denklemleri kullamlarak dogrudan ortak-emerorlu devreden eldc edilebilir.
(d) lcso =km.= lU.mA. = 2.5 µA Baska bir deyisle ortak-emetorlu devrenin karakreristiglndeki her nokta icin, ortak-
/3 120

178 B610m 4 ikl Kutuplu Jonkslyon Translstorlerf (BJT) 4.6 Ortak EmetorlO Devre 179
 baz karakteristiginin bir noktasiru olusturmak iizere turetilmis olan ve forrnullerde
yerine konabilecek yeterli sayida degi§ken islem dogal olarak
elde edilebilir. Bu
zaman ahcidir, ancak istcnilen karakteristigi saglayacakur.
Uygulanan de potansiyelleri icin uygun polariteyi belirlernek uzere ilk once ~ekil p .n
4.16'da bir npn transistoru icin gostcrildig! gibi, le yoni.inii scrnbol iizcrindeki ok
yoni.i ile eslestirrnektir. Ie =le+ In oldugundan hem le hem de lo ayru §elcilde gos-
rerildig] gibi transistorc girmclidir. Bundan sonra gerekli tek §CY, (Seki! 4.16)

-
te

-
E E
VEB +
lu
8 Vee

,. l 11 I I a Onakkollcl<10rlii
h11 ,I.·.,\·•~ kulamlan ifH'CC ve

· .. ! ,, • ,• Onuk cmeH)rlU bir c c "·m·,0111.·1· (a) p,rp tr::msi.stf>r:{h)

IIJ)ll "".11l'(i:,.tl)r.
np11 lransi>ii!riin uygun 6ng<:rilin>- (b)
lcnmcsinin hclirlcnme!";i . (a)
. .I
· V8£ vc Va kaynaklanru, aknm In ve le ile gosterilen yonde "itecek" sekilde yer-
lcstirmektir. Bir pnp transistorunde tiim akimlar ve dolayisiyla da tiim kaynaklar ters
ccvnlcccktir.

D~tinci.i ve sonuncu transistorlu devre tipi, ortak-kollektorlti devredir ve ~ckil 4. l 7'de

ilgili akim yonleri ve gerilim sembolleriyle gosterilmistir. Ortak kollektorlu devre, on-
celikli olarak empedans uydunna arnaciyla kullarulir; ~iinkii bu devre, yilksek giri§
empedansiru vc dii§iik ~1k.i§ ernpedansma yevirrnektedir, yani ortak baz ve ortak cme-
torl,.ti devrelerin tam tersi ozelliklere sahiptir.
Ortak kollektorlu dcvre genelde ~ekil 4.18'de gosterildigi gibi emetorden topraga,
arada yiik dircnci bulunacak sckilde di.izenlenir. Bu devrcde transistor, ortak-
ernetorlu devreye benzer §elcilde baglanm1§ olmasina karsin kollektorun top-
raklanrms olduguna dikkat edin. Tasanrn acisindan, ~ekil 4.18'deki devrenin pa-
rametlerini secmek icin ortak-kollektor karakteristik grubuna gcrck duyulmaz,
Devre, 4.6. bolumdeki ortak ernetor karakteristikleri kullarularak tasarlanabilir, Pra-
tik acidan ortak kollcktorlti devrcnin c;:ik1§ karakteristikleri, ortak-emctorlu dev-
reninkiyle ayrudir. Ortak kollektorlu devrede c;:1kt§ karakteristigi, Io deger ara-
4.8
hgmda fc'nin Vi::c'ye gore grafigidir, Bunedenle giri§ akirm, hem ortak emetor hem
de ortak kolektor karakterisuginde aymdir. Ortak kollektorlu devrenin yatay gerilim
ckseni, VEe = -Vee oldugu iyin, ortak emetor karakteristiginin kollcktdr-emetor ge-
riliminin isareti degi§tirilerek elde edilir. Son olarak, ortak kollektor karakteristinde
,.-1.. d I i \: En1pcdan.,uydumut
:m1ac1yl:1 lullao,lan or1:1k kollck-
1Brli.i dcvrc
le, ycrine le konuldugu taktirde, ortak ernetor karakteristigi~in ~~§C!le olc;:egindc
hernen hernen fark edilemeyecek bir degi§iklik mcy~ana gclir (c;:unku a :1). Ortak
kollektorlu devrenin giris devresine iliskin gerekli bilgiyi elde etmek i~in ortak-
crnctor knrakteristigi yetcrlidir; yapilrnasi gereken tek §CY ~ekil _4.18'~eki yev_re et-
rafinda Kirchhoff gerilim yasasiru uygulayarak uygun matematJkscl l§lcmlen ger-
c;:ekle~tirmcktedir.
TRANSiSTOR MAKSiMUM ANMA DEGERLERi
'Standart transisror bilgi Sayfalannda en az tic;: maksimum anma degeri goriil~c~ktir:
Kollektor kaybi, ko/lektor gerilimi ve ko/lektor ak1m1. ~ekil 4.12'dc karaktenstiklen

4.8 Transistor Makslmum Anma Oegerlerl

181
180 Boliim 4 iki Kutuplu Jonkslyon Translstdrleri {BJT)
vcrilcn rransisrorun maksimum anma degerlcri a~ag1daki gibidir: le= 1.5 mA

Pcmnk., = 30 mW Bu tic; noktanm birlestirilrnesiyle gtic; egrisi elde edilir. Maksimum gtic; anma de-
lcmak,; = 6 mA gerinin asilrnamasr gerekiyorsa, bu transistorun kullarnldrgr sistem tasanmlarrnda bu
VC£maks= 20 V egrinin ilstunde kalan bolgede 9ah~tlmamas, gerekir. Maksimum kollektor gerilimi,
yani ornegimizdeki VCE, ~ekil 4.19'da dti~ey 9izgi olarak gosterilrnistir, Maksimum
Gi.ic; veya kayip anma degeri, kollektor gerilimi ve kollektor akmurun carpinundan kollektor akmu da yatay cizgi olarak gosterilmi§tir.
olusur. Ortak emerorlu devre icin Ortak bazli devre icin kollektor kaybi a~ag1daki esitlikle verilir. Maksimum kol-

! I
lektor gerilimi \Irn'yle ilgilidir.

!
Pcmaks=Vc£lc
__ ...... J
Bu formiil ile belirlenen dogrusal olrnayan egri ~ekil 4. l 9'dn gosterilrnistir, Egri, c;e-
(4.16)
l Pcmnks = Vcof~
(4.17)

§itli VCE (veya le) degerleri secilerek ve diger degi§ken Denklem (4.16) Yukseltme amaclan icin, doyma ve kesim bolgelerinin dogrusal olmayan ka-
rakteristiklerinden de kacinmak gerekir. Doyma bolgesi, Vce doyma noktasmdaki
yardrrmyla bulunarak elde edilmistir. Orne gin, VCE= lOV'ta dusey cizgiyle, kesirn bolgesi ise In = 0 ile gosterilmistir, (Sekil 4.19). Geriye kalan
taralr olmayan bolge yukselrme arnaclan icin kullanilan bolgedir, Her ne kadar ya-
le= Pmaks = 30 x 10·3 = 3 mA hsrna alam cok srmrlanmrs gorunse de, karakteristigin yatay ekseni volt olcekli ol-
VCE 10 dugunda, bircok sinyalin mikrovolt ve milivolt arahgmda kaldrgim unutrnaym. Mak-
Sekil 4. l 9'da gosterildigi gibi. VCE= SV'ta simum anrna degerlerine ck olarak bilgi ve karakreristik ozellik sayfalannda
transistoriin cahsmasina 'iliskin baska onemli bilgiler de bulunrnaktadir. Bu ck bil-
le= 6mA gilerin tarusmasma, her parametre tamarruyle tamnlrnadan girilrneyecektir,

ve VCE = 20 V'ta ,; <) T!lMlSi-;ron l<Ml/\i<TEP.iSTiK (lZELLfKLER SI\ YFi\SI

le (mA)
RCA gu9 transistorleri veri kitabmda 2Nl7 l l transistoru icin verilen bilgilcr 4.20 -
+90µA
+80µA
4.27 ~ekillerdc verilmistir. Belinildigi gibi bu, genel arnach kiic;tik sinyal/orta-guclu
+7
+70µA bir elemandir.
lcmax = +6 +60µA Bir parametrcnin sonundaki "o" harfi, belirtilrnernis olan ucun acik brrakrldrgtru gfis-
tcrir. ~ekil 4.20'de dikkat edcrseniz Iceo 25°C'de sadece 0.01 A iken 150°C'de IO A'c
+5
crkrnaktadrr, ~de = Ic/18 ile esanlarnh clan hpe biiyiikliigiiniin minimum degeri 20'dir.
+4 Onceliklerirniz, ~ekil 4.20'de verilen rum buyukluklerin tamarmru tarnsmarruza izin ver-
miyor. Ancak §irketlerin ~ogu bu biiyilkliikleri kataloglannm basinda dikkatle ta-
+3 rumlamaktadir. Bu biiytiklillderden bazilan ileriki boliimlerde taruulacakur,
+2
Vcg (doyl• kapasitans diizeyleri ve isrl direnc buyukluklerini elbette biliyor olmamz
gerckir. h1,. h;b, hrh• ve h01, hibrid (karma) parametreleri 9. Bclumde tamtilacakur.
+I Elemarun c;1k1~ karakteristikleri ~ekil 4.22'de goriilmektedir. Ytiksek gerilim ve
akim duzeylerinde gonllen bozulmaya dikkat edin; dogrusal c;ah~ma ic;in bu bol-
+S +10 +IS +20 Va (volt) geden kac;11'11lrnahd1r. Dogrusal c;ah§ma, ~ikt~ dalga bic;irninin giri§ ile aym _ go-
VcEmax (V(BR)CEO) ri.inilme sahip olmas1m {yiikseltilmi~ olarak) ve yukseltici birim tarafmdan bo-
'-:.·t. ,! ; . i'' YOkseltnll! 1~lcm111.: zulmamasmr gerektirir.
ili1ldn cahsma txslgesi.

182 Biifum 4 iki Kutuplu Jonksiyon Transistorleri (BJT) 4.9 Transistor Karakterlstik Ozellikler Sayfas1 183
 .....
co ·-~_.J.i: .. RCA 2N171 I' gU~ transisrbrtlrnin elekrriksel karaktcrlsrlkten
"" Elektriksel Karakteristikler
Test Kosullan

de de de de de de
Kollektor Kollekuir Emetilr- Kollekriir Enreuir Ba:
- Baz · £nrefl1r Baz akinu akmu aktmt
Gerilimi Gerilimi Gerilimi
Kil,/ v v v nrA mA Stntrlar
---
nrA

Kamkteristtk Sembol
s1cakltg1
•c
Frekans --- --- --- --- ---
kHz Vea VC£ VEB le IE Is Min. Maks. Birim
Kollektor-kesim 25 60 0 0.01
akmu Jeno 150 60 0 10 µA
Emetor-kesim akrmr 1£80 25 5 0 0.005 µA
dc-darbesi 25 10 10 75
ileriakrrn iiFE 25 10 150 100 300
transfer oraru- 25 10 soo 40
25 10 0.01 20
de ileri akrm hFE, 25 10 0.1 35
transfer cram .55 10 10 35
Kollektor-baz V(BR)CBO 25 0.1 0 75 v
km Ima geri!imi
Emetor-baz
V1BRJEBO 0 0.1 7 v
kin Ima gerilimi 25
Kollektbr-emero«
arasrnda dusen
VRT
25 1.5' 0.1 75 v
gerilimli

lOohmluk
buz-emetor direnci
durumunda
VcER (sus)
kolleklor-entetor 25 100 50 v
arns1 gerilimi (darbeli)

···········-- ·····--··--·· ---...------------- -·~ ----,----,---~-~-,....,._,........... ,__,... __

Elektriksel Karakteristikler (devarru)

Test Kosullan

de de de de de de
K ollekWr K ollekliir Emetor- Ko/lekror Emrtiir Baz
- Ba: -Emetiir Ba: aktmt akmu akmu
Gerllimi Geriiimi Gerilimi
Krl,f v v v mA mA mA S1111rlar
s1wk/1g1 Frekans --- --- --- --- --- ---
Blrlm
Karakteristik Sembol •c kfl: Vea VcE Vt:B le IE Is Min. Maks.

150 15 1.5 y
Kollektor-emeter VCF. ( doyum) 25
doyma gerilimi
Baz-ernetor 25 150 15 1.3 v
Var, (doyum)
doyma gerilirni
Kil)Uk-sinyal ·.
ileri akrrn 25 I 5 I 50 200
transfer cram
hr, 25 I 10 5 70 300
GUrilltil fakttirii 25 20MHz 10 50 5
Oret~ direnci NF dB
(RG) = 510' ohm. 25 I 10 0.3 8
devrenin bant gcru~ligi
(BW) = I periyot Co1, pF
<;tki~ kapasitans. 25 10 0 15
C;o 0.5 0 80 pF
Giri~ kapasltansi 25
25 I 5 l 24 34
Giris direnci h;b
25 I 10 5 4 8
25 I 5 I 5 x 10·• n
Gerillm-geribeslerne
cram hrb I 10 5 5 x 104
25 11S
25 I 5 I 0.1 0.5
<;1k1j iletkcnli~i I 10 5 0.1 I
hob 25
Isrl direnc:
Jonksiyou-kihf R8lc 58.3 ·crw
Jonksiyon-snbcst kova R81.i 219

A Darbe surest = 300 µs; i~ faktoril S %2

....
,::0 B VEDF= Emetor-baz yilzer potansiyel
(11
 600
S<rbait·h• ....~li 30
Ortak-einetOrlU devre, bo:r: Jiri4li. '.TFA)=2S C -.-,1--+-+--ir
s..t-t-bav• 1ic&tl1i1 CfFA) • 2S C so
Gii4r Transistorleri
Ji
10 70
9 5001--+--+---+- 90
100
2N1711 .J
·-a
8
7
400 ._..._..__.Lo

6 ,!j 300
~
Silisyum N-P-N El ~
~
Diizlemsel Transistor
I
4
3 ·t
::,
KU9'.ik·Sinyal ve Orta-0~ Uygulamalan 0
w 2 :.:!
~n Gonel Amayl1 Tip

6zellikleri: QL....;~~::...a.!~-L..L....L....;Ll--1.....J
• Minimum kazan~ x bani geni~liQI • 70 0 10 20 30 40 so 60 70 0.5 0. 7 0.9 I.I .1.3 1.5
MHz; dc'den 25 MHz'e kadar uy- Kollelr:!llr • cmdOr aerilimi 0/C£)
gulamalarda kuNamma uygundut (volt) Bu- emdllr aerlUml (Y IE) (volt)
• Yiiksek jonksiyon s1cakl1klannda ea-
Bu eleman: bacak uzunlugu, 1/2 In<;
: I h~obilme
• Ou~Ok.gOrultil ve dO§Ok·ka~k ka-
(T0·5 pakeli) veya 1/2 I~ (T0-39 pa·
keU) saglanabilir. Bacak uzunluQu
RCA 2Nl71 I ~1kli ·. ''' RCA 2N171 I transfer
2Nl711L 2107111 korak1cris1ikkri. (RCA Solid kanokreristikh:ri. (RCA Solid St>le
JEOECTO·S J£DfCT0•3' rakteristil<Jeo 9n diizlemsel (planar) dana uzun clan tipler, tip numa,as, ve Stare Division itniyle.) ·•
L son eki, daha k1sa olan lipler tse lip Division i1J1iyle.)
H·131!110 y6ntemiyle imal edilmi~tir. numaras, ve. s son eki Re befirtilirter.
• Dii~Ok c,1k1~ kapasitans,
t
n
RCA·2N1711, asl<eri ve endustriye!ciNZlarda ~ bi< be!a (hFE) di!Oeri, ~ l«nlma gerilimi. ~ doyma ge,
k~·Sinyal ve orta-g(l,; uygulamal.vlnda Wlanolmal<atna· rilitni, yOksel< Mma goriliml ve ~ ,;tlu~ kapasitansi g;IJi 3

H
c,yta O<elilml; ootunan t,i, smsyum n1)1) dilzlemseC tran- Oz.el nileliti.lere sahiptir.
sislOoudOt. ~uk-gO..ulliive ka~ak karakteristikleri. yiiksek
2
ea
MAKSiMUM ANMA DEGERLERi, Mutfak-Maksimum De{jerler: l~
:E~

KOLLEKTOR·BAZ GER ii.I Mi .. Vceo 75 V 0

KOLLEKTOR·EMETOR GERILiMi: -SO 0 50 100 ISO 200
o,~artan bal)lanan baz-emeter dkend lie (RBE) s 10 o . VCER 50 V
EMETOR·BAZ GERiLIMI . 7 V S1cak11k - °C '' RCA 2N171 I i;U~
KOLLEKTOR AKIMI . VEBO t A doiunne ei\rilcri. (RCA Solid
TRANSiSTOR GO<; HARCAMASI: IC Smtc Division izniyte.)
2s•cye kadar k1hf s1cakl1l)1nda .. Pr 3 W
25'C uzeri klh! s1cakl101nda .. Bl<Z.~322 Ortak-emdllrlU devre baz air{tli.
25"C'ye kadar serbest hava s1cakl1C1nda . OB W ICollektO<·emdllrattilimi 01 Cl!) • 1 o
2s•c uzeri serbest hava s1cakl1Cinda . Bl<Z.$eld322 (volt)
SICAKLIK ARALIGI:
Saklama ve <;ah~a (Jonksiyon) .. ·65 ile +200 -c
BACAK SICAKLIG1 (Leh!mlemede):
oturma dOzlemincfen ~ 1/16 i~ (1.58 mm) mesa!ode males. 10 s. sOreyle . 230 -c

' ! ·I : ': RCA 2Nl711 gOc; trnnsisr~ril. (RCA Solid Stoic Division izniylc.)

Artan baz akim duzeylerine bagli olarak Voe'nin /c'ye gore egrisinde rneydana
gelen kaymaya dikkat cdin. Aynca elemamn bir giiy transistoru olmas, nedeniyle
!8'nin miliamper ile olyiildiigiinii goz onunde bulundurun. ~ck.ii 4.28'de gosterildigi
gibi baz akimlan muhtemelen 25 mA'i gecmeyecegi Icin, kullandigumz V8£ = 0.7 V
RCA 2N17 I I de k11·
degerinin iyi bir ortalama oldugu gortllecektir, ' ' 0.01 0.1 10 100 !000 r;k1eristikleri. (RCA Solid SIM~ m.
Kollck16r alollll (le} mili~) vision izniylc.)

186 Bolum 4 ikl Kutuplu Jonkslyon Translstortert (BJT) 4.9 Transistor Karakterlstik 6zellikler Sayfas1 187
 ~ekil 4.26'da lceo duzeyi, farkh kollektor-baz gerilim diizeyleri icin, jonksiyon
scakhgmm fonksiyonu olarak _verilmi§tir. Goriindiigii kadanyla jonksiyon srcaklrgi
135°C'ye yaklasmcaya kadar lceo, 1 A'c i;:1k.maz. Bcta'nm 100 olmasi dummunda bile
=
lceo bu sicakhkta few= ~lceo 100(1) = 100 µA= 0.1 mA ile suurli olacakur, Orta-
giiy)li bir clemanda bu istenilmeyen etki icin bu oldukca dli§iik bir degerdir,
Kucuk-sinyal ileri akim transfer oraru (hie) 9. Bolurnde tarnmlanacaknr. Kisaca
aciklarnak gerekirse bu, elemamn kiiyiik-sinyal ac kazancuun bir olcustldur (yani bir
sinuzoidal sinyalin tepeden tcpeye arus duzeyidir).
~ekil 4.28'dc yuksek akim diizeylerinde kollektor karakteristigindeki degi§iklikler
-50 0 50 100' ·150 200 gosterilmistir. ~ekil 4.22'deki egriler arasinda gorulen esit arahklar gitrnis, yerinc
'>d.il -U<> RC.\ 2Nl7i ! kollck1tlr·
kcsim.;1lun1 ~~r.11..h.'l'il-likkri. (RCA cizgilerin artan yogunluklan oldukca dogrusal bir desen kazanrnisnr. ·
Orlak - en,e16rlU devre, baz giriJli Solid Suuc Division izniylc.) Diger bolurnlerde onemli yeni biiyiikliikleri tamtukca bu §ekillere donecegiz.
Frek.ans c 20 MHz
Scrb.. t-hava s1calth!1 (/FA)= 25 ·°C
ll -
10 xeaeeor-eee- 4.10 TRANSiSTOR URETiMi

........__..,._ _ ....
IOfgerilim
,va·> -.1s cvo11>
--- -·
9
Transistor uretirninde kullarulan yontemlerin 9ogu kisaca yan iletken diyot ure-
8 -- ~ sr+r++
7
6 "'
/i/,
/,,-
"~[O~~+5 ___
timinde kullamlan tekniklerin bir uzanusidrr. Giiniimlizde en sik kullarnlan teknikler
arasmda nokta temas, alasim jonksiyon, biiyiitiilmii§ jonksiyon ve difuzyon yontemi
/,
bulunrnaktadir. Her yonternin a§ag1da sunulan tarnurm kisa olacak, fakat her bi-
5
4
,,v """ ' rindeki temcl adimlara yer verilecektir. Her yontemin aynnnli taruurru kendi basina
3 II~ - ~ -i' bir kitap gcrcktirecck kadar biiyiiktiir.
i ..........
-· .
I
2 4 68 2 4 68 2 4 6 8' Nokta Temash Transistor
10 100 1000 '),·kil ~.27 RCA 2Nl71 I ku,uk-sinyal
beta karaktcristikleri. (RCA Solid S1:uc
KolleklOraktm1 (/ c) (miliampe,)
Division lzniylc.)
Nokta ternasli transistor, nokia ternash yan iletken diyot icin kullarulan yonterne
Bilmcn gii1r unma d..:gerini dusiirme egrisi ~ekil 4.24'dc verilmistir, Kihf icinde ve cok benzer bir sckilde iiretilir. Bu durumda .iki adet tel, ~ekil 4.29'da gosterildigi
acik-havadaki sicakhk ii;:in de bir egri verildigini da fark edeceksiniz. Belli bir sicaklrk gibi, bir n-tipi pulun hcmcn yanma yerlestirilir, Ardindan her tele elektrik darbeleri
araligmda hff'dcki degisme /c'nin bir fonksiyonu olarak verilmistir. Kollektor aki- verilcrek her tel ile yan ilelken pul arasmda kalan s1mrda bir p·n jonksiyonunun olu-
1111111n cok viibd: ,,Jm:1,1 dun111111nd:1 nr:111111 h,·r ,1r;1khk degi§iminde dli§tugiinii go- §Umu saglamr. Sonui;:, ~ekil 4.29'da gosterilen pnp transistoriidlir. Bu teknik gli-
rcccksiniz. Or1ok-<me1Urlu Jcvre. oaz giti,li nUmiizde yiiksek frekans/dii§iik gi.i1r elcmanlan ile sm1rhdir. ~ck.ii 4. l'de gosterilen
•«ticst·hava &1cnkl1l1 (T,. ) • 2.S C
ilk transistoriin imalinde kullan1lan yi\n1cm buydu.

I
g
S1.:kir .1.21, Nokia 1cma~h wm-
e" !\i~10r
il
~ ~00
...9
.!!
Ala~11n Jonksiyonlu Transistor B
100
~ ,'id.ii -1.~X RCA 2Ni71 I ~1k11 Ala§im jonksiyonu teknigi de yanilc_tkcn diyotlann iiretimincleki ala~1m yon-
~or:1k1cri>1il:lcri (YU\:sck IC).
0 0.S 1.5 ~ ~.S ] 3.S 4. 4.5 (RCA Solid Stare Division ii- tcminin bir u1.ant1S1chr. Ancak trnnsistordc :-";,ckil: 430'da gosterildigi gibi, aym kat-
niylc.}
KnllcklOr-e111tlllr &<rilinu (V n:) (Voll}

188 Biilurn 4 iki Kutuplu Jonksiyon Transistorleri (BJT) 4.1O Transistor Orelimi 189
 kiya sahip iki .nokta, yan Heiken pu!un zukatkilnra sahip .iki ya1111m yerlestirilir,
Daha sonra p11/9a11111. tarnarm eriyip noktalar taban pulla birlesinceye kadar isrnhr; transist1irlcrin iiretiminde uygulamr. ~ekil 4.32'de gosterildigi gibi pnp difuzyon-tipi
sonucra ~ekiF4'.30'da io.si~filen VC yaniletken diyotlar icin anlaulan p-n jonk- mesa (duz tipte) transistorde ilk i§lem,. taban bolgesini olusturmak iizere, p-tipi bir
siyonlan meydan11\;elir.,\' pul iizerinde n-tipi difiizyon yapilmasidir, Ardmdan p-tipi emetor, §ekildeki gibi, n-
tipi tabana difuze edilir veya alasim yapilir. Kollektor jonksiyonu kapasitansim dii-
§iirmek amaciyla kimyasal asmdirma yapihr, "Mesa" terimi cografi sekulere bcn-
zerlikten esinlenerek niretilmistir. Diyot tiretimiyle ilgili tarusmada da belirttigirniz
c gibi difiizyon teknigi, c;C§itli bolgelerin katkilarna diizeylerinin ve kalmliklannm
cok hassas bir sekilde kontrol edilmesini saglar,

11· lipi pareacrkler iceren

gazh atmosfer
~.:ktt J .3c f Ala11m jonkslycn!u E B
lntnsis1Hr

Kollektor damlasi (noktasr) vc olusan jonksiyon, kollekror-baz jonksiyonuridaki

gii9 kaybma ve biiyiik akima dayanacak kadar buyilktur, Bu yontem kisaca an-
laulacak olan difiizyon teknig! kadar sik olmasa da yuksek-guclu diyotlarm ya-
pirrunda ha.la yaygm olarak kullamlmaktadir.
-~
Bi.iyC1tulmO? Jonksiyonlu Transistor rs, uygularur
(a) (b) (c)

Biiyiittilmii~ jonksiyonlu transistoriin iki p-n jonksiyonunu olusturmak icin

Czochralski teknigi (Ll~, B.?~ilnl)il:ullan1hr. Bu i§lem, Seki! 4.31 'de gosterildigi
gibi, .katki duzeyi kontroliinMefve~~~e lnzuun, n- vc p-tipi malzernelerinde uygun
. katkilama cliizeyi ve taban geii\§Hgiff{saglayacak sekilde olmasim gerektinnektedir.
f·w:t.i~·
~.·!,i! .t _!_' Dill (mesa)transistor:(a) diH.iz.yon ~icmi: \b) ~la~mi ~ku•i; \c) oyma i~h.·mi.
Epitaksiyel mesa transistoru ile mesa transistoru arasmdaki temel fark, orijinal
kollektor alt tabakasina bir epitaksiyel tabakanm eklenmesidir. Epitaksiyel terimi

-·
Bu tipteki transistdrler genelde altrnda bir anrna dcgcri ilc s1111rl1d1r. Yunanca cpi-ustune vc taksi-duzenlemck kelimelerindcn turetilmis olup bu ck ta-
bakarun olusrurulmasmdaki islerni tarif etmektedir. Asil p-tipi alt tabaka (Sekil
4.33'deki kollekror) aym katki diizeyine sahip buharla dolu kapah bir kihfm icine
yerlestirilir. Srcaklrgm gerektigi gibikontrol edilmesiylc, buhardaki atomlar orjinal
:: ··~iau.;• ~buiu p-tipi alt tabakamn iistiine dii~iip belli bir diizene girerek Sekil 4.33'de gosterilen epi-
---Tolun taksiyel tabakayi olusturur. Bu tabaka olusturulduktan sonra, mesa transistorti icin
yukarda anlauldrgi gibi bu isleme baz ve emetor bolgelcrini olusturacak sekiklc
devam edilir. Orijinal p-tipi alt tabakamn epitaksiyel tabakaya gore daha yuksek bir
p katkrlama diizeyi ve dolayisryla daha az direnci olacakur.

·-·-Erg:i!l)C.
i1• ! .; ! OUyUttilmii~jook-
', ·l
xiycntu 1r-Jn~is10r
E B
Difuzyon Tranststorleri

Giintimiizde transistor imalatmda en s1k kullamlan yontcm difiizyon (yay1lma) tck-

nigidir. Temel i~lem yariiletken diyot tiretimi anlallrken tanmlrm~t1.
Difiizyon teknigi, difiizyon veya epitaksiyeltipte olabilen mesa (diiz) ve diizlemsel
:-;, Li! L :. : Epilaksiyal mes;:1 fnJll-

(' sisrOril.

190 Bi:ililm 4 iki Kutuplu Jonksiyon Translsti:irleri (BJT) 191

4.10 Transistor Oretiml
 Sonucta transistonin kayiplanru dii~iirmek, kollektor bacagmn daha ctii~iik direnc
baglanarak elde edilir.
· Duzlernsel ve epitaksiyel diizlemsel transistorler, baz ve emeror bolgelerini
olusturmak ic;;in iki difiizyon islerni klillanarak iiretilir. Diizlemsel transistor,
.'?ekil 4.34'de goriildiigii uzere, diiz bir yuzeye sahip oldugundan diizlernsel srfan
veritrnektedir. ~ekil 4.34'de gosterildig] gibi yiizeysel kacak kayiplanru (jonk-
siyorr' ic;;erisinden eek yuzey iizerindeki kacak akimlannr) biiyiik olr;:iide azalt-
mak icin, acrkta kalan jonksiyonlan kapatmak iizere bir oksit tabakasi ek-
lenmektedir.
. . ." r · . · .1, ,ipleri 1(3) vc (b) General Electric Com1s111~: (c) vc hll lmcm:u .. •nal
)l:~, I .I. , :,. ..,..e~tt 1-.' lm_ma.s or
Rectiticr Corr,or;\tmn ,rn1y1e.)

/C(l1hf) OC ·,
........_~,,
B • . 0 :: E f;~;ol B
\ ..::l.i! -L_;_i Duzlemsel (planar)lmnJislOr
E c
.\:Lil .:..·:r, Transistor u~ tanunlan

Ekscncl dokmc
Uil~ik cnjebiyonu
4.11 TRANSISTOR KILIFI VE
U<;LARIN TANIMI
Pasifu~

Epol:si paketi
4.10. Bolumde anlatilan tekniklerden .biri.kullarularak transistor iiretildikten sonra Baku cerccve
tipik .olarak altm, alurninyum veya nikelden teller takilmakta ve tum yap1 ~ekil
4.35.'de gosterilen kihfa benzer bir kapsiile yerlestirilmektedir, Biiyiik bash ve so-
gutma plakah olanlar yiiksek giic;; elemanlan, ve kiic;;iik baslr veya plastik govdeli
olanlar ise dii§iik veya orta-giiclii elernanlardir,
Miimkiin oldugu ol9iide transistor kihfinda hangi bacagm emetor, kollektor veya
baza baglandiguu bclirtmek icin bazi isaretler olacakur. Genelde kullarulan yon-
temlerden birkac, ~ekil 4.36'da verilmistir.
Fairchild scrisinden T0-92 ambalajrrun is: yaptsi ~ckil 4.37'dc gonilmektcdir.
Gordugunuz gibi asil yan iletken eleman cok kucuk boyuttadrr, Altm baglann tel-
leri, bakir bir 9er9cve ve epoksi malzcmeden kihf vardir.
14 bacakh plastik 9ift mah pakete (DIP) (~ekil 4.38a) dort adet bagrmsiz pnp si-
lisyum transistoru konulabilmektedir. i~ bacak baglanulan ~ckil 4.38b'dc go-
rulmektedir, Diyot IC paketinde oldugu gibi, iist yiizeydcki ~1kmu 1 numarasrm ve ~c:J..il .! ..\71'0-92 ~:andard1 bir pakcucki
F;,irchiklmarka bir tr.m~istOrUn i~ yaprsr.
14 bacagi gosterir" (Faichild Camera«ool lnstrumcnt Cor-
(b) poration izniyle.)

192 BolOm 4 ikl Kutuplu Jonksiyon Translstorlerl (BJT) 4.11 Transistor K,tih ve Uc;1ann Tammi 193

(al
 (OSTEN G0RONO$)

c B E NC E B 8. Kollcktor aknrundaki 2 mA degi~meye ve a= 0.98 degerine karsrlik emetor aki-

mmda meydana gclen degi~imi bulun.

'-. 9. Emetor akuru 8 mA ve degeri 0.99 olan bir rransistorun kolektor akmu ne kadardtr.

!i -1.-1
10. ~ekil 4.6'daki devrede V; = 500 mV ve R:: 1 k oldugunu kabul edersek, gerilim
knzancim (A.= \1,,/V;) hesaplaym. (Diger devre degerleri ayru kaliyor.)
C ·-, B E NC E B c
11. ~ekil 4.6'daki devre icin kaynagin Vi ile seri bagh 100 om'luk bir i9 dirence
'1/C- i~erden bai)anllh delildir
sahip oldugunu kabul edersek, elde edilecek gerilimi (A.= V"/V;) hesaplaym.
(a) (b)
\,:!~il .l. :.:,.: Q~'l'2905 tipi Texas tn~tntnl~nt~
;n:,,rkn dOrtlU hir fM11) ~ilisymn tr~u,sistOl'\l, (a) gi>-
rUoO~O {b).b:.1cak bilghtl\t1!1,n. (Texas lnstnmlcnts !i ~-=-
l~lC<'lrpor.ul izuiyle.)
12. Yalruzca ve yalruzca hatirladiklanmzmdan cikarak ortak bazh transistor dev-
'ROB LEMLER resini (npn ve pnp icin) cizin ve uygulanan ongerilimin polaritesine bagh olarak
akan akunlann yonlerini belirtin .
.u.
1. lki transistor tiiriiniin adlan nelerdir? Her transistl.iriin ~emasm1 cizip, her bir ta- 13. ~ekil 4.8'deki karakteristikleri kullanarak:
bakadaki yogunluk ve azmlik t~1y1c1lann tiiriinii belirtin. Bu bilgiler silisyurn (a) fr= 5mA ve Ven"" -lOV ise akan kollektor akirrum bulun,
tipi rnalzemeden germanyum tipi malzemeye gecildiginde degi~iyor mu? (b) VEn= 7 50 m V ve Vco= - lOV ise akan kollektor akinum bulun.
(c) le"" 4 mA ve Ven== -lV ise V£8'yi bulun.
2. lki kutuplu ile tek kutuplu transistor arasmdaki temel fark nedir?
14. Sekil 4.8b'dcki karakteristikler bir silisyum trnnsistl.iri.ine aittir, lleri l.ingerilimli
jonksiyonun baz-erneror gerilimi icin yaklasik deger ne olabilir? Bir ger-
,; -1..1 manyum transistoru icin ne gibi farklihklar bcklersiniz?
3. Transistorun uygun calismast icin iki transistor jonksiyonu nasil on-
gerilimlenmelidir?
!i -I .I,
4. Bir transistordeki kayak akimm nedeni nedir? 15. lco ve/cr:0'yu tarurnlaym. Aralanndaki farklar nelerdir? Aralanndaki iliski nedir?
Biiyiikli.ikleri bakimmdan tipik olarak birbirlerine yaktn rrudir?
5. Bir npn transistorunun ileri ongerilimli jonksiyonunun $ekil 4.3'e benzer bir ci-
zimini yapm. Meydana gelen ta~1y1c1 hareketini actklayrn. 16. $ekil 4. l2'deki karakterisrigi kullanarak:
(a) Vo£= +750 mV ve Vee= +5V icin le degerini bulun.
6. Bir npn transistorunun ters ongerilimlenmis jonksiyonunun Seki! 4.4'c benzer (b) I c = 3 mA ve Io "" 30 A icin V CE ve Vo£ degerlerini bulun.
bir cizimini yapin. Meydana gelen tasiyici hareketini actklayin.
17. (a) $ekil 4.12'deki ortak ernetor karakteristig] lcin, VC£ = +8V ve le= 2 mA'lik
7. Bir npn transistorunun yogunluk ve azmhk.tasiyicrlan akismm Sekil 4.5'e ben- bir cahsma noktasmda de beta degerini bulun.
zer bir cizimini yapm. Meydana gelen ta~1y1c1 hareketini aciklayin. (b) Bu cahsma noktasma karsihk gelen a degerini bulun.

194 BiilOm 4 ikl Kutuplu Jonksiyon Translstorlerl (BJT) PROBLEMLER 195


(c) VCE = +8V icin lceo dcgerini bulun.
(d) (a) ~1kkmda elde cttiginiz de beta degerini kullanarak lcna'nun yaklasik
degerini hesaplaym.
~ 4.7
18. ~ekil 4.18'dcki devreyc 2 Vrms'lik bir giris gcrilirni (baz toprak arasi olr,:Ulen)
uygularuyor. Emetor geriliminin baz gerilimini lam olarak takip euigini ve V,,,.
(rms) = 0.lV oldugunu kabul cdcrck, RE= lkU icin devrenin gerilim yuk-
seltime oraruni (A,.= V,,/V;) ve emetor aknrum hesaplayin.
19. ,5ekil 4.12'dek:i karakteristige sahip bir transistor icin, ortak-kollektor devrenin
girls ve c.,1k1§ karakterisrigini cizin.
~ -r.s
20. /cnrnks = SmA, Vc£n.,k, = 15V vc Pcmaks = 40 mW icin, ~ekil 4.12'dcki ka-
rakteristige sahip bir transistorun r,:ah§ma bolgesini belirleyin.
21. lcmaks = 6 mA, Vc/Jmaks = -15V ve Perna!<.<= 30mW icin, Sekil 4.8'deki ka-
rakteristige sahip bir transistorun r,:ah§ma bolgesini belirleyin.
~ 4.')
22. ~ekil 4.21 'e bakarak, transistorun sicakhk arahgnu Fahrenheit cinsinden bulun.
23. Verilen a de ileri akrm transfer orarnru (,5ekil 4.20) kullanarak I c = 0.1 mA iken
d~gerini bulun.
24. Denklem (4.9) ve 23. Problemin sonuclanru kullanarak lco'yu hesaplaym ve ~ekil
4.20'deki Ic80 degerinin smirlan icinde kahp kalmadigma bakin, / 8 = 0 µA'de le= 0.1
mA ve kihf srcakhgm; Tk,br = l50°C ahn ..
25. ~ekil 4.20 ve 4.2l'deki verilerden yararlanarak ortak cmetorlu devrenin mak-
simum gi.iy kaybi bolgcsinin sinrrlanru cizin (Tkihf= 25°C).
26. A,;1k hava sicakhgrm J 00°C alarak, maksimum gu,; cgrisini ,Seki! 4.28'dcki ka-
rakteristigin uzerine cizin.
27. ,Seki! 4.22'ye bakarak:
196 Boliim 4 ikl Kutuplu Jonkslyon Translstortert
·1·'.
(a) VCE= 30V, la= 25 µA ic;in le.
(b) le= 4 mA, Ia= 30µA icin VcE·
(c) le= 3mA, Va= 20V icin la degerini bulun,
28. (a) VCE= 30V vc le= 7mA'lik bir t;ali§ma noktasmda, ,Seki! 4.22 ve 4.23'den ya-
rarlanarak VBE degerini bulun, lOmA'den cok ktir,:iik akimlar icin, VCE = l OV
degeri ile $ekil 3.23'de isaretli bulunan egriyi kullarun.
(b) Vee== 2V ve lc=300 mA'lik bir c;ah~ma noktasmda, ~ekil 4.23 vc 4.28'clen
yararlanarak Voe degerini bulun.
(c) (a) ve (b) §iklanndaki c;ah§mi'.I kosullanrun her biri icin yaklasik esdegerbir
devrenin uygun Vr duzeyi ne olurdu?
29. (a) $ekil 4.24'deki her bir egriye ili§kin gii<; anma degerini diisiirrne faktoriinii
hesaplaym.
(b) K1hf-s1cakhg1 egrisi icin elde ettiginiz degerden yararlanarak, 100°C'lik bir sr-
cakhktaki gii<; anrna degcrini bulun.
(c) Grafiktcn eldc edilcn dcgcri (b) §ikkmda eldc edilcnle karsilasunn.
30. (a) Sckil 4.25'den yararlanarak, le= 5mA ve 100°C'lik bir srcaklikta de degerini
belirleyin.
(b) Bu noktadaki a degeri nedir?
(c) le = 0.01 mA ila le= 10 mA'lik bir aralikta, oda sicaklig. ilc 100°C ara-
smdaki ortalama degisim nedir? Bu, tasanmda ustiinde onernle durmamiz
gereken bir nokta m1d1T? Neden?
31. (a) 50°C'lik bir jonksiyon sicaklig: ve Ven= 30 V icin $ekil 4.26'dan lcoo
degerini bulun. Logaritmik olr,:ege dikkat edin.
(b) j3 =200 ise, I ceo diizeyi nedir?
( c) 50°C'yc yakm sicakhklarda V co = 30 V'da s1cakhktaki her dcrece degi§iklik
i1rin I cuo'nun degi§me oram nedir?
32. (a) $ckil 4.27'dcn yararlanarak, le= 2 ile 4mA (V CIJ =--1 OV) arahgmda kollektor
akJmmdaki degi§meyc gore hfe'nin degi§me oranuu belirleyin.
(b) Tipik life dcgerlerinin 100 dolaylannda ohnasma ragmen, buradaki dii§CY
M1rck1e bu kadar ki.ir,:iik olmasm1 ncyc baghyorsunuz?
~ -1.l O
33. (a) Transistor yap1m teknikleri arasmdaki temel farklan a,;1klay111.
(b) Yi.iksek-giir,: uygulamalan ic;in hangilerini kabul edilebilir buluyorsunuz?
(BJT) PROB LEMLER
197
 (c) Difi.izyon islemini anlaun.

~ ~Lt r
34. (a) Degisik kiliflara sahip il9 transistor bulun, uclan (bacaklari) belirleyin ve
aygin 9izin.
(b) Bir uretici bilgi kitabmda yalruzca transistorlerle sirurh bir IC (Entegre
Devre) yap1S1 bulmaya 9ah§m. i<; sernasnu cizin: uclan belirleyin.

·:.
""!:.

:i1 cinis

Transistorler 9ok ~§itli uygularna alanlannda 'rok 9C§itli §ekillerde kullarulmaktadir.

Aksi halde, her alarun ve uygulamamn ogrenilmesi 'rQk zor hatta imkansiz olurdu.
Bunun yerine, daha temel devre 'rah§masi incelenirse, bu bilgiler biraz farkhhk gosteren
veya tamamen fark.h olan uygulamalara aktanlabilir. Bu boldmde iki kutuplu jonksiyon
uanslsrcrlednln (BJT'lerin) ongerilimlenmesindeki temel kavramlar ele almacaknr.
Bu transistorlerin gerilim veya akim yUkseltme veyu kontrol (a~ma-kapama) ele-
manlan olarak kullanabilmek i9in once transistorun iingerilimlenmesi gerekir. On-
gerilirnlemenin gene! nedeni transistortl a9Llc duruma getirmektir ve ozelde transistorti,
karakteristigin, en dogrusal 'rUh§iigi. bir bolgesiode 9ah§t1rmakt1r. Her ne kadar on-
gerilimlerneyi saglayan devrenin arnaci aygiu istenilen dogrusal 9ah§ma bolgesinde ca-
hsurmak olsa da (bu beige her elernan icin uretici tarafmdan tammlamr), ongerilimleme
elemanlan hfila gene! uygulama devresinin bir parcasidir: yani yukseltec, dalga bicirni
sekillendiricisi, manuk devresi v.s. Devrenin tamarmru ele ahp ~al1~rnasmm tiim yon-
lerini birden inceleyebilirdik; ancak bu karmasik ve kafa'kansnnct olurdu. Her devre uy-
gularnasi tipini, 9al1~manm ortak ozelliklerine iliskin derin bir bilgiye sahip olmaksizm
9al1~masmm tilm yonleriyle incelenmek zorunda kalacaknk, Bu bolilm bu. nedenle iki
kutuplu transistonln de ongerilirnlenmesinin ternel kavramlanm kapsamaktadir, Tabii ki
ama~; transistor karakterisriginln istenilen bolgesinde 9al1~maktrr.
Bu kavramlar iyi anlasihrsa, bircok farkh devre, hatta yeni devre uygulamalan
bile, devreler konusunda derinligine bilgi sahibi olundugu icin, daha kolay in-

199
198 BolOm 4 ikl Kutuplu Jonkslyon Translstorlerl (BJT)
 cc~enebili~- ve yOZiimlenebilir. Yiikscltccin kazancmi ve ac ~1~masm1 etkilcyen
diger faktorlcr 9. Boliimde clc ahnacakur. Temel de ongcrilim kavramlan bu bo-
.I
.

lumde anlaulrnakta ve sonra 9., 11. ve 12. Bolumlerde uygulanrnaktadir,

~ ~~g-crili'.11lc1~c, ~bit (duragan) bir akmu (transistoriin icerisindcn) gccirrnck vc veya alan yogunlukla devrenin kullarurn amacma baghdir. Fakat yah§ma noktasi kav-
transistor
• _ • uzenndc
• istenilen sabit bir gerilim diisusiinu
...., Y sag-lam akl a ·11 g1·1· 1 o Id ugun
~ d an sta- rarmna ve dolayisiyla ongerilimleme devresinc iliskin bazi ternel fikirleri sunmak arna-
tik bir 1~lemd1r. Transistor hakkmda gerekli bilgiler transistor statik karakteristiklerindcn ciyla ~ekil 5.1 'de gorulen yC§itli noktalar arasmdaki bazi farkhliklan. ele alabiliriz.
clde cdilebilir. Ongerilimleme olmasaydi, transistor daha bastan tiimiiyle kapali olurdu; ki bu da
A noktasmdaki ak.Jma karsihk gclirdi. Yani transistorde akun stfrr (vc uzerinde
5.2 c;:AL1$MA NOl<TASl
dti§en gerilim de srfir) olurdu. Transistoriin, giri§ sinyalinin tiim arahg1 icinde akim
Ongerilimlemenin amaci, f(llt§ma noaast (siikunet veya Q-noktasi) denen ve bclli bir dii- ve gerilime gore degi§ebilecek veya repki verebilecek §Ckilde ongerilimlcnrnesi ge-
zeyde ~~ve gerilim saglamak oldugundan, bu noktarun transistor karakteristigi iizerinden rekir. A noktasi bunun iyin uygun olmazken, B noktasi istenilen yal1§may1 sag-
nasu_s~ld1gi kon~s~~~a b~ egile.cegiz. Gosteru.ei1 dort t;:ali~ma noktasr ile birlikie gene! bir layacakttr, Ongerilimleme diizeyine ek olarak, devreye bir sinyal uyguland1gmda
transistor karaktcrisugi ~ckil 5.1 'dc vcrilmistir, Ongcrilimlemc devrcsi, tran~istoriin bu nok- transistor, ¥ah§ma noktasi B'den, ak1m vc gerilim olarak saparak, transistoriin, giri§
talardan hc~angi birinde veya ~~lt§ma bolgesi11in hemangi bir nokrasinda ¥al~masim sag- sinyalinin hem pozitif hem negatif boliimilne tepki vermesini (ve belki de yiik-
layacak
. . .. sekildc
.. tasarlanrms
. olabilir· <;aJ1•ma
, bolgesi , sozkonusu trans1s
· t··orun
·· akr
· m veya ge- seltmesini) saglayacakllr. Giri§ sinyali kii9iikse, transistor iizerindeki gerilim ve
nii~ y?nunden ~1~1mum ~m1rlar icindeki alandtr. Bu maksimum anma degerleri ~kil ak1m degi§ecek, ancak bu, transistorii kesim veya doyum bolgcsine kaydirmaya yet-
5.1 d~ -~enst'.1<1e: m_aks1mum akim Im.*., iyin yatay bir cizgiyle vc maksimum gerilim meyeccktir. Kesim, transistoriin art1k iletmedigi durumdur. Doyma ise, transistor
V.,"'ks.~~m. ~u§C~ brr _¥1zg1yl_e belirtilmistir, ~kil 5.l'dc Pm.As He i§aretli olan yizgiyle gos- tizerindeki gerilim miimki.in oldugu kadar kilyiikken, dt§ devreyc bagh olarak tran-
terildigi gibi, bclirli bir transistoriin <;a]1§ma bolgesinin tammlanmasinda maksi num ·· ·· d sistordcn ge9en ak1mtn s1mr veya doyum degerine ula§Ug1 durumdur. Genelde is-
ili -1 -•·· . 1 gucun c
(gen m 1 e asnmn carpmu) dikkate ahnmasi gerekiyor. tenilen yi.ikscltme etkisi, transistoriin yall§ma bolgesi iyerisinde yani doyum ilc
~J_T
elem~~,, bu_ maksirnum limit noktalanrun disinda cahsmak uzere de on- kesim noktalan arasmda goriililr.
gerilimlcnebilir: ancak boylesi bir uygulama ya transistorun ornrunu cok fazla kr- C noktas1 da s:ah§an transistorde pozitif veya negatif sapmalara izin verecektir;
salnr veya_ bozulm~~m_a yol a9ar. Kendimizi, guvenli olan cahsma bolgesiyle si- ancak s:1k1§ gcrilimi, C ongcrilimleme noktasmm gerilimi B noktasmdan dalla U§a·
mrlarsak bircok deg1§1ie yah§ma alanlan veya noktalanm secebiliriz. Tam nokta g1da oldugundan, yOk fazla yi.ikselemeyecektir. C noktas1, transistordcki ak1m dii·
I ·zeyinin daha di.i§ilk oldugu ve transistoriin kazancmm dogrusal olmad1g1, yani bir
egriden digerinc geyi§ arahgm C§it olmad1g1 bir ¥al1§ma bolgesindedir. Bu dogrusal
[mu· _. ....__ -·-·-~-- olmama durumu, transistor kazancmm, karakteristiktc ll§ag1 ongerilimlendigi zaman
daha di.i§ii.k, yukan ongcrilimlendigi zaman ise daha biiyiik oldugunu gosteriyor.
Transistor kazancmm en sabit (veya dogrusal) oldugu yerde yah§may1 ger-
s:ekle§tirerek giri§ sinyalinin sahmm arahgmm tamammda yiik~eltme diizeyinin ayni
kalmas1m saglanmas1 tercih edilmelidir. B noktas1 daha dogrusal arahgm oldugu bir
btilgededir vc dolay1s1yla daha dogrusal bir 9all§ma saglayacakttr (~ekil 5.1).
D noktas1, transistor yal~ma noktas1m maksimum gerilim diizeyinin yamna ye_k·
mektedir. Dolay1s1yla maksimum gerilim di.izcyinin U§Llmamas1 \.yin pozitif yandaki s:1lo~
gerilimi sahrummm s11urlanmas1 gerekir. Bu nedenle B noktas1, dogrusal kazany vcya
miimkUn olan en biiytik gerilim ve alam salmuru ay1smdan, en iyi yali§ma noktas1 olarak
goriinmektedir. Bu genelde kiiffik sinyal yilkseltes:leri (9. Boli.im) is:in istenilen bir du-
rumdur; fakat 12. Boliimde ele almacak olan gii9 yiikselticileri iyin gerekli degildir. ~im-
dilik uansistoriin kiif11k sinyal yiikseltme i§lcmi iyin tingerilim1enmesi iizerinde duracag1z.
<;ok onemli diger bir iingerilimlemc "rak--iorii de cle almmal1dlr. BITyi istenilen ya-
1.i§ma noktasma getirip ongerilimledikten sonra, s1cakllgm etkisini de hesaba katmak zo-
v runday17_ S1cakl1k t.ranSistor alam kazanc1 ve transistor kayak aklm1 gibi transistor ka-
rakteristiklerinin dcgi§mesine yo! a9ar. Dalla yiiksek bir s1cakllk transisltirden oda
),. k i I ._. :.. r ·rrnnsi:uOtun NUui~ karateri.sliklcri Ozerinclcki ~Jilli ~ah~ma oolual.in
201
200 BolOm 5 DC Ongerllimfeme: BJT'ler 5.2 c;:ah~ma Noktas1
 sicakhgma gore daha fazla akima yol acar, boylece ongerilim devresiyle kurulan ca-
lernler ve hesaplar, tum akim yonleri ve gerilim polariteleri degistirilerek, bir pnp
hsrna kosulunu deg~tirir. Bu nedenle, ongerilirn devresinin, devreye belli bir oranda st-
transistorune de aynen uygulanabilir.
cakltk kararhltg: saglayarak transistordeki sicakhk degi§melerinin calisma noktasmda
yaratngi degi§meyi en azaindirmesi gcrekir. <;ah~mit'noktasmm bu ~ckilde korunrnasr,
kararitltk faktoril (S) gibi bir parametre ile belirtilebilir; bu, cahsma noktasi aknnmda si-
cakliga bagh degi§meye gosterir, Yuksek kararhlijia sahip bir devre arzu edilen bir §Cy- lei Re
Ra Ve ac
dir; u§agida birka9 tcmel ongerilim devrcsinin kararhlrgi karsilasurrtacakur.
iki kutuplu transistorun 9ah§mas1, transistor parametreleri ile yetcrince be-
. 11 -u---<) ~~
slnyall
+

C>-- --1(---b-+ +\
Vee
lirlenebilir ve i:ingerilimlemeyi bulmak icin matematiksel teknikler kullarulabilir. ac
giriJ --I
Buna ragrnen transistorkarakteristikleri transistorun anlasilrnasi icin yeterli bir yar- slnyall
dim saglar; tarnsmarruzda yer yer bu kultaruiacakur. \ VBE
BJT'nin dogrusal veya aktif cahsma bolgesinde ongerilimlenebilrnesi iein asa-
"'-.
g1daki kosullann saglanmt§ olrnasi gerekir:

1. Baz-emetor jonksiyonu ileri ongerillrnli (p-bolgesinin potansiyeli daha pozitif) olmali ve >•I. d \ .~ Snbit ongerllimli devre
baz emetorjonksiyonutizerindeki bu iteri ongerilim 0.6 ile 0.7 V arasmda olmahdir,
2. Baz kolekror jonksiyonunun ters ongerilimli (n-bolgesinin potansiyeli daha po- Bir BJTnin ongerilimlenmesi baz-emetor ve baz-kollektor de ongerilimlenrne cevre
zitif) olrnasi gerekir; baz kolektor jonksiyonu iizcrindeki bu ters ongerilirn de- denklernleri ayn ayn ele almarak analiz edilebilir. Hanrlayacagiruz gibi BJT'nin dog-
geri, transistorun maksirnum simrlan icinde herhangi bir degeri alabilir. rusal bolgede 9ah~mas1 iein baz-ernetoriin ileri (aksi takdirde transistor kapamr), baz-
kolektoriin ise ters ongerilimli olmasi gerekir. ~ekil 5.2'deki sabit ongerilimli devrede,
[Burada, ileri ongerilim icin p-n jonksiyonuiizerindeki gerilimin p-pozitif, rers on; transistorun baz ve kollektoriinun de ongerilim akrm ve gerilimlerini nasil bulabiliriz?
gerilim icin ise 11-pozitif ile zu (ters) olduguna dikkat edin. ilk harf uzerindeki bu Bu bolurnde bu soruya cevap getirecek yontemleri gelistirecegiz,
vurgu gerekli gerilim polaritesini hatulamada yardirnci olabilir.]
BJT karakteristiginin kesirn, doyum ve dogrusal bolgelerindeki calisma ~u sekilde Baz-EmetorOn irerl Ongerilimlenmesl
saglamr:
ilk once ~ekil 5.3'de gorulen k1smi devre §emasmdaki baz-ernctor devresi r;evre
1. Dogrusal bolgede ,all~ma: denklemine bakahm. <;evre i9in Kirchhoff gerilim denklemini yazarsak,
Baz-emetor ileri ongcrilimlenir -
Baz-kollektor ters ongerilimlenir +V cc - InRn - VOE= 0 elde ederiz.
2. Kesim bolgesinde ,alt~ma:
Baz-ernetor ters iingerilimlenir
3.. Doyum bolgesinde ,altima:
Baz-ernetor ileri ongerilirnlenir
Baz-kollektor ileri ongerilimlcnir

5.3 SABiT-ONGERiLiMLi DEVRE

. la \
VaE
Sekil 5.2'de gosterilen sabit-ongerilimli devre, de ongerilimlerne inc~le1:1csinde ol-
dukca dogrudan vc basit bir b~la1;1g1r; nokrasr saglamaktadir. A~ag1daki devre ana-
lizi her ne kadar bir npn transistorii'kullamlarak yapilan hesaplan gosterse de, denk- -- '-
BolOm 5 DC Ongerlllmleme: BJT'ler 5.3 Sablt-Ongerlllmll Dovre 203
202
 Yukandaki denklemi le baz akimi icin 'rOzersek,
lo= Vee- Vo£
Ro
Kaynak gerilimi Vee ve baz-emetor gerilimi V8£ sabit gerilim degerleri oldugundan,
bir baz-ongerilim direncinin secilmesi baz akirrumn degerini sabit tutar, Yaklasikhk
· olarak ileri ongerilimli baz-emetor iizerindeki voltun onda biri ikisi kadar clan gerilirn
dii§iimii <Ve£) ihmal edilebilir, boylece baz akimuu hesaplamak i'rin sadelestirilen
c;;ah§masmdan belirlenir. Denklem (5.3) ile gosterildigi gibi kollektor akmu baz
akimmdan kat daha bilyiiktiir ve.kollektor dcvresindeki dirence kesinlikle ba-
(5.1) gunh degildir, Bu ncdenle kollcktor akuru, devrenin kolektor-baz (veya bu du-
rumda kollektor-emetor) kisrru tarafmdan degil, baz-ernetor kisrru tarafrndan
kontrol edilir.
Kollektor-emetor dongusundeki gerilim dii~iimlerini hesaplarsak,
Vec-fcRc· Vee=O

leafu (5.2) Vee=Vee~ (5.4)

Ro
denklernini elde ederiz. eldc ederiz,

Baz-Kollektorun Ters 6ngerilimlenmesi

()RNEK 5.1
Dcvrcnin (Sekil 5.4) kollektor-emetor kisrm, gii'r kaynagi, kollektor direnci vc tran-
sistorun kollektor-ernetor jonksiyonunundan olusmaktadir, Kollektor ve ernetorden ~ekil 5.5'deki devrenin de ongerilimleme gerilim ve aklmlanm bulun.
gec;;cn akimlar, lo her ikisine gore cok kiic;;(ik-kald1gmdan, hemen hemen ayrudir.
Vee =+J2V

Re
2.2kfl

~%okn le ~--<;11(---~~~1
G._,, -. '+\
\
IOµF

". "· ''· VeE 13"' so·

J
~cl, ii ;5 ()znek 5.1 'c ilijkia ;le sabit Ongerilimli oevre,
~i.:~il 5. 1 Kollckl<k-cmc10r~cvrc~i.

Dogrusal yukscltecin 'rah§mll~t icin kollektor akrrru, transistor alum kazanci beta (!})
veya hFE ile baz akmnna baghdir. Matematiksel olarak ifade edcrsek:
IB= Vee- Vqi;_(l2-0·7)V =47.08µA
le= Pio (5.3) Ro 240 k.Q
=
le= ~/8 50(47.08 µA)= 2.35 mA
Baz akmu, Denklem (5.1) ve (5.2)'den yararlamlarak, devrenin baz-emetor kisrmnin Vee= Vee ·lcRe = 12V -(2.35 mA)(2.2 k.Q) = 6.83 V

204 Biiliim 5 DC Ongerlllmleme: BJrler 5.3 Sabit-Ongerllimll Devre

205
 Ic « Vee
(5.5)
Re
olmahdir.
~ekil 5.6'daki ckwcnin J...,lkl..t,ir fdili11,i111 vc «l-.11111111 buiuu,
. Vee=
-22 V Bu nedcnlc, kollektor-cmctor gcrilim hcsaplan yapnrkcn sozkonusu devrede be-
lirttigimiz kosulun saglarup saglanrnadigm. kontrol etmek icin Denklem (5.S)'den
yararlanrnak yerinde olacaknr, Eger kosul saglanrmssa.yukarda belirtilen Uc;: 9ozilm
Re
adirm uygulanabilir. Ancak yukardaki esitlikle belirtilen transistorun dogrusal bol-'
3.3 k!2
Rn gesindeki izin verilebilen maksimum le degeri asiliyorsa, transistor doyum bol-
680kn
gesinde c;:ab§1yor demektir. Bu durumda kollektor akirm devrece belirlcnen rnak-
simum degerde olacaknr:
(J= 120
/cdoy = Vee (5.6)
Re

~ckil 5.(1 ()~1h:k '.'.~·y..:- ilb.L s.. . i._·\ re. ve VCEdoy =0V (gercekte voltun onda bir ikisi kadar). (5.7)

Denklem (5.1) ile hesaplanan baz akirm her durumda dogrudur,

Analiz edilecek devre yukseltec olarak kullarulryorsa, doyum bolgesinde ongerilimli
In= Vcc-VnE=(22-0.1)V :a:31.32µA
olmasiru beklemeyiz. Fakat herhangi bir degcr hatah veya baglanularda bir yanlislrk
Rn 680 k.Q.
sozkonusuysa, sonuctaki cahsma transistoru doyum bolgesine ongerilirnleyebilir; bu
le= ~18 = 120(31.32 µA)= 3.76 mA
duruma dikkat etmeliyiz. (Doyum durumunun sadece yukseltecin cahsmasmda is-
tenmedigini unutrnaym. Bilgisayar anahtarlama devrelerinin c;:ah§mas1 icin bu bolec
Ve=· (Vee- IcRc) = -[22 V • (3.76 mA)(3.3 kn)]= -9.6 V
onemlidir). · _ "'

·r,;rn:,istbri.in Doyumu
5.4 EME:TOR DiR_EN<;:Li _
Yukandaki c;:oztim adimlanna ek bir varsayirn katmak gerekiyor. Kollektor ve baz DC ONGERIUM DEVHESI
akimlan arasmdaki iliski, yani le :a: ~18, sadece transistor dogrusal cahsma bol-
~ekil 5.7'deki de ongerilim devresinde, 5.3. Bolumde ele ahnan sabir-ongerilim dev-
gesinde uygun bir sekilde ongerillmlenmis ise dogrudur, Transistor, ornegin doyum
resinden daha kararli bir ongerilimleme saglayan bir ernetor direnci vardtr. Devrenin
bolgesinde ongerilimliyse. Denklem (5.3) ve (5.4) yanhs sonuclara yo! acar.
cahsrnasim analiz etrnek icin devrenin baz-ernetor cevresi ile ~ekil 5.7'deki kol-
Transistorun dogrusal yukseltec c;:ah~ma bolgesinde ongerilirnli olabilrnesi icin
lektor-emeror cevresini ayn ayn ele alacagiz,
(kesim veya doyum bolgelerinin tersine) baz-ernetor jonksiyonu ileri ve baz-
kollekior jonksiyonu ters yonde ongerilimlenmelidir. Burada bizi ilgilendiren sey,
Baz-Ernetor <;evresi
ikinci ongerilimlerne durumudur; yani kollekttir-bazmm uygun bir sekilde ters on-
gerilimli olup olrnadtgidtr. Bu ise ancak kollektor-ernetor gerilimi Ver,; deger olarak
baz-emetor ileri ongerilimleme gerilimi V8e'den daha bilyuk oldugu siirece dog- Baz-ernetor cevresinin krsmi bir §emas1 ~ekil 5.8'de gortumekredir. Cevreye
Kirchhoff gerilim yasasiru uygularsak
rudur. Denklem (5.4) ile belirlenen kollektor-emetor gerilimi Vee, kaynak gerilimi
Vcc ile kollektor direnci iizerindeki gerilim dusrnesi arasmdaki fark oldugundan,
ikincisinin Vcc'den daha kiic;:i.ik veya le kollektor aknru bakimmdan ifade edilirse
elde ederiz.
Vce/Rc'den daha ktic;:i.ik olmasi gerekir. Matematiksel olarak ifade edersek ca-
hsmarun aktif (dogrusal) bolgesinde ongerilimlenecek transistor icin,
5.4 Emetor Dlrena;:11 DC Ongerlllm Oevresl 207
BolUm 5 DC Ongerlllmleme: BJT'ler
206
le ycrine (/3 + l )/ n koyarsak yukardaki denklem I
+
+Vee Re + le
+ +
+
Vei· Vee

+
+
Vee +'£

~cl.ii).•) EmeiOrdircociylc hir-

likte kolkkllir-cme1or cevresi.

Kollektor akmu Uc) Dcnklcm (5.3) kullarularak hcsaplamr.

-~·:f,i! <: EmctC>rk;1rarhl1kdircnci c.klcnmis $ekil 5.8 Emetfir di"!nciylc hirllk1e bnz-
DC OngerHim dcvrcsi .1 • emetOr~cvresi

ili§kisini kulanarak kollektor-emetor iizerindeki gerilim icin i,:ozebiliriz.

1· VCE= Vcc-lc!-Rc + Ri)~ (5.9)

Baz akmu icin i,:6zersek .--~~~~~~-~~~-,

l lo= Vee-Vo£ Emetorden topraga olculen gerilim

(5.8)
Rn+ (/3 + 1)RE
Ve=leRe =l~ (5.JO)
elde ederiz.
0

ve kollektorden topraga oli,;iilen gerilim

Sabit ongerilim akim hcsabi [Denklern (S.l)] ve Denklem (5.8) arasmdaki farkin
paydadaki (/3 +J)Re teriminden kaynaklandigma dikkat cdin. '
I Vc=Vcc ·le~~ (5.11)

Kollektor-Emetor yevresi Transistorun ongerilimlendigi gerilim, kollektor ile emetor arasmda 6lyi.iltir (VC£) ve
Denklern (5.9) ile verilmistir; .ancak ~u §ekilde hesaplanabilir:
Kollektor-emetcr cevresi $el<ll 5.9'da gosterilmisrir. Bu i,:evre icin Kirchhoff ge-
rilim denklcmini yazarsak

Vee - lcRc - V0; -ld?e = 0

elde ederiz.
I ~ekil 5.lO'daki devredeki de ongerilimleme gerilirnini (VCE) ve/c akirmru hesaplaym.

I 11;, a.IC +lp=/Jlo +!» tt(/J+ /)lo

5.4 Emetor Diren~II DC Ongerllim Devresi 209
208 Boliim 5 DC Ongerlllmleme: BJrler
 Vee= +20V
ARTIRILM1$ ONGERiLiMLEME Ki\R,11,RULiG!

BJT de ongerilimlenmesine bir ernetor direncinin eklenrnesi kararhlrgi arttrnr;

yani kaynak gerilirni, sicakhk ve hatta transistorun betasi gibi degerlerin de-
Ra.
430kn IOµF gi~mesine ragmen de ongerilim akimlan ve gerilimleri, devre tarafmdan be-
( Vo lirlenen degerlere yakm kalrr. Matematiksel bir analiz 5.10. Bolurnde ve-
IOµF ~
c, rilecekrir, ancak ~.5. ornekte gosterildigi gibi, kararhligm artmlrnasi icin bir
V; ~---+- ----1' ft= 100 karsrlastirrna yapilabilir.
c.

~i
! P P
Sckil 5.5'deki devrede = 50 icin ve yeni bir =100 icin ongerilim degerini ve
aktmlanru karsilasuran bir tablo hazirlaym . .'.;,ekil 5. lO'daki devre icin ~ =l-00 ve
!l )ci. ii _;_ 111 Omck S.3 ve 5.4'c ili~kin en>cWr- yeni bir P = 50 icin tablo hazirlayin. '
i_.·,_ hr•rhhkdire~li 6ngerilim devresi

·: (frtli!lt:

II
'8 = Vee -
RB+(f3+
VBE
l)RE
20 V - 0.7
430ill+
V _ J.2.,.1.Y_ = 36.35 µA
101(1 kQ) 531 ill
{~rnek 5.l'de bulunan sonuelan kullanarak ~ =100 degeri icin tekrarlarsak asa-
gtdak.i degerler elde edilir:
j le = f3/n = 100(36.35 µA)= 3.635 mA =h
Iv CE= V cc - lcRc - IERE = 20 V - 3.635 mA(2 k!l) - 3.635 mA( l ill) = 9. ! V /3 In (J-IA) le (mA) VeE (V)

50 47.08 2.35 6.83

100 47.08 4.71 1.64
Sekil 5.lO'daki devreden yararlanarak: Vc:=10 V'luk bir gerilim elde etrnek icin ge-
rckli kollektor direncini (Re) bulun.
BJT kollektor akmu, 'daki % lOO'liik arusla % lOO'liik bir arus gosteriyor (//J'de
degisiklik yok).
Cfr1.ihn:
In= Vee- VoE; 20V - 0.7 V = 36.35 µA Ornek 5.3'de buldugumuz sonuclan Jcullanarnk P = 50 icin tekrarlarsak a~ag1daki
Ro+ (/3 + l)RE 430 kQ + 101(1 kQ) degerler elde edilir:
le= /3lB = 100(36.35 µA)= 3.635 mA
/3 lo (µA) le (mA) VcE(V)
18 vc lc'nin, 5.3. ornekte hesaplanan degerler ile aym kaldigina dikkat edin. Denk-
lem (5 .11 )'i kullarursak, 13.97
50 40.12 2.01
100 36.35 3.635 9.095
Ve= Vee - leRe
10 = 20 - (3.635 x 10"3)Rc
BJT kollektor akirru, P,daki %100 azahsa karsrlik % SO'nin alnnda bir oranda
degi~mektedir. /11'nin yukseldigine dikkat edin, ki bu dale degerini korurnayn
ve bu da Re icin 9ozi.iliirse,
yardimci olur; veya en azmdan P'daki degi~im nedeniyle lc'de orraya ~1kacak
Re= 20 - 10 - 2.75 kfl (2.7 kQ kullamhr) genel degi~imi azalnr. '
3.635 x 10"3

5.4 Emator Direm;II DC Ongerillm Devresi 211

210 B6!0m 5 DC Ongerlllmleme: BJrler
 Yaklasik Analiz
Onceki de ongcrilim devrelerinde kollektorun ongcrilim akmu ve zerilirn de·
gerlcri transistorun alam kazancrna (/J) baghydr, Ancak beta degeri tlzellikle si-
- lisyum transistorlerde sicakliga kaf§l duyarhdrr; aynca, betamn anma degeri de iyi
tarumlanrrus olmadigmdan, bu vc baska nedenlerden dolayi (transistortin bir baska
transistorle degi§tirilmesi ve kararhhgi) transistorun beta degerinden bagtmstz bir de
ongerilim devresi tasarmu gcrekecektir, ~ekil 5Sdeki devre bu kosullan kar-
silamaktadir ve bu 1h·,k11k ~"" 1,,111111111:; bir iinf,·rilimll'me devresidir.
+Vee
ilk once baz-emetor giris dcvrcsini analiz edelim. Bazi goren direnc (Bkz, ~ekil
5.12) Rm direncinden cok daha biiyiikse, baz gerilimi; R81 ve Rs2 gerilim boliicii di-
rencler tarafmdan belirlenir.
Eger durum boyleyse, Rs1'den gccen akrmm neredeyse Liimii R82'ye gider ve bu iki
transistor seri bagh olarak kabul edilebilir. Direnclerin baglandig1 noktadaki gerilim
(ki bu, aynca transistorun baz gerilimidir), Rs, ve Ra2 gerilim bolucu devresi ve kay-
nak gerilimi tarafmdan belirlenir, Bu gerilim boliicti tarafmdan transistor bazinda
olusturulan gerilimi hesaplarsak.

Va= R112 Vee (5.12)

Rs1 + Roi

Rs1
!/1 lie
elde ederiz; burada Vs; baz iletoprak arasmdaki gcrilimdir.
Ardmdan emeror gcrilimini hcsaplarsak,

-!/2
~00~1
ac Vs (5.13)
giri~i ---I
Is
Emetor akuru
Rs2
(5.14)

- ":"

ll(:1:1'<fn11 h . . -ij!111u1z de On£erilim

ile bulunur ve kollektor akirru

devrcsi (5.15)

olur.

Kollektor direnci tizerindeki gerilim du~iimii

olarak bulunur. Artik kollektor gerilimi (topraga gore olyiile~)

Ve= Vee· VRe = Vee -IcRc (5.16)

ilc bulunur ve son olarak kollektor- emetor gerilirn,

Yaklaftk baz gcrilimi, Vn'nin

hcsaplanma~ina iH~kin krsmi ongcrilim dev-
(5.17)
rcsi

212 Boliim 5 DC Ongerllimleme: BJT'fer 5.5 Beta'dan Bag1ms1z DC Ongerilimleme Devresi 213
 ; 1til ..• : .. :'.ii.

Uyguladiguruz yonteme bir goz atacak olursamz (5.I2)'den (5.17)'ye kadar clan
esitliklerde beta degerinin hiy kullarulmadiguu goreceksiniz. Baz gerilimi, R01 ve ~ekil 5.ll'deki devre yukardaki gibi sadece, eger gerilim boliictisti transistoru goren
Roz direncleri ile kaynak gerilim tarafmdan belirlemektedir. Emetor gerilimi, yak- de empedansi ile yuklenmemisse analiz edilebilir; A§ag1daki anulizde anlanldig. gibi,
Iasik olarak baz gerilimi ile ayru dilzeyde sabitlenmistir. Bu nedenle Re direnci, gerilim bolucunun Thevenin esdegeri kullamlarak daha tam bir analiz yapilabilir,
ernetor ve kollektor akimlanru belirler. Son olarak, Re direnci, kollektor gerilirnini Rn1 ve R112 direnclerinin Thevenin C§deger direnei:
ve bu nedenle kollektor-ernetor ongerilirn voltajirn belirler. -- ·---------·--· -1
Baz gerilimi RIJ2 direnci ile, kollektor akirm R1: direnci ile ve kollektor-emetor ge- Rns= Rn1R02 (5.18)
1
rilimi Re direnci ile ayarlamr,
! -~?01_~_!?.E.d
Diger elemanlar uzerindeki degi§iklikler, de ongerilim ayan uzerinde pek fazla etki Thevenin esdeger gerilimi ise:

I-
yaratmaz, Kondansatorler, ac yilkseltme i§leminin parcasi olmakla beraber de on- ,· --- --- -------------·-1
gerilimlemesi uzerinde etkileri yoktur ve buradaki analizde dikkate ahnrnayacaknr. Rno = R92 Vee I (5.19)
RB1+Ro2·
- . - -~------·J
Artik analiz edilecek de devresi Sekil 5. l4'deki gibi yeniden cizilebilir. $ekil
5. I 4'den 18 degerini a~ag1daki formulle hesaphyabiliriz:
Sckil .'i. I :rcteki dcvrcnin ,k iin!!crilim volrniun (VCE) ve le akumru bulun.
Yee= +22V (5.20)

IOµF Va
Vi~l-~-+--~-=-~...r
(J= 140
C1

·· ~·i 11 •. ! : Thevenin c1deti:ri kullaurlumk

de devre an.1li1.i.

Vo= Rn2 Vee= 39 (22) = 2V Du durumda kollektor akirm.

Roi + Roz 39 + 3.9
VE =Vo-Ver:=2-0.7=1.3V
fe=VE:fe= l.3V =0.867mA
RE 1.5 kD. olur ve VCE degeri Denklem (5.9) yardimiyla bulunabilir.
Ve= Vee - lcRe"" 22-(0.867 mA)(lO kD.) = 13.33 V
VCE = Ve - VE= 13.33 - 1.3 = 12.03 V Tam analiz a~ag1daki ornekte anlanlrrusnr,

214 Bo!Om 5 DC Ongerlllmleme: BJT'ler 5.5 Beta'dan Bag1ms1z DC Ongerlllmfeme Devresl 215
(mNEK 5.7 mamasma baglidir. Orncgin %10 toleransh dircncler kullanihrken, miihendislik
bakis acismdan tam degerden % 10 sapmayla elde edilen sonuclar kabul edilebilir
Sekil 5.13'deki devrcnin de ongerilim voltajmi (VCE) ve le akrrrum bulun. olacaknr. Bu baglamda yaklasik analiz .

<,:iizii 111:

Vos= Roi Vee= 3.9kn (22V)==2V oldugu surece yeterli olacaknr,

Roi+ Roi 39 kQ + 3.9 ill

Ros== R81 R82 == 39 kQ · 3.9 kQ = 3_55 kQ Transistorun Doyumu

Roi + Ro2 39 kQ + 3.9 kQ
le== Vno - Viu: == 2 V - 0.7 V = 6_05 µA Sekil 5.7.'deki transistor doyum bolgesinde ongerilimlenmisse, kollektor-emetor
Roo + ({3 + l)RE 3.55 ill+ 141 (1.5 kQ) uzcrindeki doyum gerilimi (VeEdoy) yakla§tk s1fir vc doyum akmn da
le= {3/n = 140(6.05 µA)== 0.85 mA ft; =
(5.21)
Ver,== Vee - lc(Rc +Re)== 22 V -0.85 mA(IO kQ + 1.5 kQ) lecJ,,y = Ve~
Re+ RE
= 22 V - 9.8 V = 12.2 V
olur.
Bu degerler Ornek 5.6'da hesaplanan degerlcrle karsilastmhrsa, aradaki farkm
. ancak %2 kadar oldugu gorulur. le "' !8 kullarularak hesaplanan le dcgcri feooy degerinden kiii,;iik oldugu siirccc,
(5.12 - 5.20) dcnklemlerdeki de ongerilimleme hesaplan gecerlidir: aksi takdirde
<)RNEK 5.8 VC£, Denklem (5.21) kullarularakbesaplanan leooy akimmda kollektor akimmdaki
transistorun VeEdoy degerinc esittir, yani VCE = VcEc1oy·
~ekil 5.13'deki devrenin tam ongerilimleme analizini yaparak, f3 =140 ve f3 = 70
icin kollektor akmu ve kollektor-emetor gerilimlerini karsrlastinn.
5.6 GERiBESLEMELiDC ONGERiLiMLEME
Cozuin: Ongerilimleme kurarhhji 1111 arurrnak icin bir emeror direncinin kullamlmasmm ya-
+ Vee
Ori1ek 5.7'de hesaplanan sonuclan kullanarak f3 = 70 icin tekrarlarsak

f3 lo (mA) VcE (V)

Re
140 0.85 12.2
70 0.83 12.46 ac
.----JOW\r---t-ll-c--Ctt2---~1~1
elde ederiz. ~Ro t'{
oc ___.,__ __ ,._ ...,~--t :;: VcE
Dcvrcnin kollcktor akirm vc kollcktor-emetor ongerilim voltajuu nc kadar iyi kn- glri~i. c, +' J
rudugu goruluyor: f3 'daki % lOO'liik bir degi§imc karsihk, bu devrcdeki on- Vst' __ /

gerilimleme degerleri ancak % 3'ten az bir degisrne gostermektedir.

I
Tam veya yaklasik analizin tcrcih edilmesi, R/nin R00'den ~ok biiyiik olup ol- s._·kil ~.:, Gcrilim ecriheslcmcli DC en-
'gcrilit~l ck.vn:.'>i ..

216 B.olOm 5 DC Ongerilimleme: BJT'ler

5.6 Geribeslemeli DC Ongerilimleme 217

l
msrra, gerilim geribeslemesi de bu gorevi y_erine getinnektedir. ~ekil 5.15'de gerilirn
geribeslemeli bir de ongerilirn devresi gonilrnektedir. Bu boltimde bu devrenin de
akun ve geriliminin nasil hesaplanacagi gosterilecektir, ~ekil 5.17'deki kollektor-emetor bolilmiiniin kismi devre semasmdan Kirchhoff
gerilim yasasi uygulamrsa

~ekil 5.16'da gerilim geribeslemeli devrenin baz-emetor cevre denklemi ve-

rilmistir. Kirchhoff gerilim denklerninden, ve /'c = I£ e§itligini kullamrsak, VCE: icin c;:ozebiliriz:
r--··--···-------·---, J
t Va= Vee - lr:f.Rc + RE) (5.23)
! --·--- -···

G_+
+
RJJ
Re
- fc
fc + Vee
l+

Va
+
Vee

., ·! · 1: : : r · llnz-cmcror d~ngUsUnU g6skn:n ...-d, ii ~ .1 ·~ Ko11ckt0r·cmcH.\r don-

krsmi devre. £UsUnU gOstc~n kssml devre.

l'c akirru, le ve 18 akimlanrun toplarmdrr;

I Geribeslemesi uygulanan Sekil 5.18'deki devrenin de ongerilim aktrm, 1£ ve V cs

Kirchhoff gerilim eliitliginde yerine konursa I '''.' '.:'.~; hesaplaym,

1 · Rn geribesleme diren. ci, kollektor ile baz arasmdaki_ dire~c;:.lerin toplanudir (ac ge-
In baz akmu icin c;:ozulilrse f ribeslerne kolundaki kondansator ac geribesleme sinyalinin durdurulmasiru veya
······-··-·-··--- .... -h····· __ , -· ···-··, / znyrflaulmasmr saglar ve de ongerilim hesabi iizerinde etkisi yoktur).

I
In= Vcc-VnE ~
elde edilir.
Rn+ (/3 + l)(Rc + RE) l (5.22)
lo= Vee- VnE (10- 0.7) V = 20.03 µA
.
;
-~ \ Rn+ (/3 + J)(Rc + RE) zso kn + (51 )(3 kn + 1.2 kn)

218 Bolum 5 DC Ongerilimleme: BJT'ler 5.6 Gerlbeslemell DC Ongerlllmleme 219

 Vci;- = lOV

(:iizi'1m:
Re
3kn
lo= Vee- Vgi:: (18 - 0.7) V = 33_2 A
+
Ro+ (/J l)(Rc + Re) 300 .kQ + (76)(2.4 kQ + 510 kQ) µ
ac~ila~1
le= /Jin= 75(33.2 µA)= 2.49 mA
Ve= Vee - lcRc = I 8 V - (2.49 mA)(2.4 kQ)::: 12.02 V
IOµF
acgiriti---flt----+------------l
c, ~.7 't;E$iTLi DC ONGERiLiM DEVRELERiNiN ANALiZi
6=50 Daha onceki krsimlarda standart npn ongerilim devrelerinin analiz cdilmesine karsin,
pratik devre elemanlannda cok y~itli devre §emalarma rastlamr. Bu bolumde, daha
once ele alman standart bicimde tasarlanmayan bir dizi devre icin de ongerilim he-
saplan verilecekrir. Ancak goreceginiz gibi kullanilan teknikler burada da gecerlidir,

-~1..·kil S. ls Cmck 5.9'a ili~kin gc.ribc~k!mcli brarlt tlcYre.

()RNEK 5.11

le""' (/J +!)lo""' (51)(20.03 µA)= 1.02 mA

$ekil 5.20'deki devrenin kollektor akmum Uc) ·,e gerilimini <VcE) hesaplaym,
V CE= Vcc- 1Ff.Re +_ RE) "" IO V - (1.02 mA)(3 kQ + 1.2 kQ)
= 10-4.28 =5.72 V
VEEz -12V
(>RNEK 5.10

Sckil 5. l 9'daki ongerilim .devresinin de kollektor akinu /c ve vc gerilirnin'

~ · 1· I1esapl ayin.

+Vee~ 18V

Re= 2.4 kn
R8 =300Jcn
R8 uoxn
Re= 1.Sltn
IOµF

-
C1
:1,it1 ----i1t--------------l
IOµF 18

lei
I'°"'
Re Ce
.)1:(if .". !fl Omek 5.1 re ili§kin nu.
gertum devreai.
<;ii:r,ii 111:

,100

1),
: · i ! .~. · ! '·1 EmctOrij dtrcn~li vc gerlbe.~\.en'\t! ik: karnrh h:,le gctir.tmi~ OC OOgcrilim de.vrc~1.
Baz-Emetdr <;evre denklemi: -InRn - VBE - IERe + VE£= 0

220 Boliim 5 DC Ongerilimleme: BJrler

5.7 Ce~IIII DC Ongerilim Devrelerinin Anallzi 221
 ls= Vg:E- VsE = . 12 V-0.7 V = 74.78 µA Seki! 5.22'deki devre icin kollektor gerilimini <Ve) hesaplaym. (Yaklasik gerilirn-
Ro+ ({3 + 1)RE 120 kQ + 61(0.510 Hl) bolucil metodunu kullanm)
le= [3/o = 60(74.78 µA)= 4.79 mA

Kollektor-Emetor <;evre Denklemi: -VEE+ hRE +Vcs+ leRe = 0 Vo: Ra, VEE= 43kn (10V)=8.11V
Vee= VEE - lc(Re +RE)= 12 V - (4.49 mA)(l.5 kQ + 0.510 kQ) = 2.975 V Roi + Ro2 43 ill + 10 kn
VE=iVo+VoE=8.11 V+0.7V=8.81 V
Ie = VEE - V£ - \0 V - 8.81 V = 0.595 mA = I e
Re 2kD.
Sekil 5.2l'deki devrenin ongerilirnini (V,,) ve le akmuru bulun.
Ve= leRc = (0.595 mA)(6.2 kn)= 3.69 V
YEE :+JOV

YEe= +20V

R.e Ce Re
.2k0. 20µF 2..k_O
C2 Ra2 +1£
..-~~-n(~~~-Vo JOkn VE

+\
JOµF

-
C1 P• 180
Va
P= so v,~ Vee
IOµF
Ia -:/ C2
{--Y
Ra Ve
0

240k0. 1:0µF

Re
le+ 6.2k0.

i11 Onlcli. 5.1:?'yc ili~kin Ongcrilim ocvres!

, Omck 5.13°e ili1kin Oogeritim devresi,

Baz-ernetor 9evre denklernini yazarsak

VEe ~ feRE - VoE - lsRo = 0 Sekil 5.23'deki devrenin kollekior gerilimini (V c) ve le akirruru hesaplaym.

In= VEE - Vee ... 20 V - 0.7 V = 48.01 µA (,:iiziin1:

Ra+ (/3 + l)Re 240 ill+ 81(2 ill) I

'·
le= [3Ia = 80(48'.0l µA)= 3.84 mA = le -loRo - Voe+ VEE= 0

Ve= VEE - iERe = 20 V - (3.84 mA)(2 k!l) = 12.32 V In= Ve£- V11e = (9-0.7) V = 83 µA
Ro 100 k!l

222 BolOm 5 DC Ongerlllmleme: BJT'ler ':).7 ~e~ltll DC Ongerlllm Devrelerlnln Anallzl 223
 (,'.iit.ii Ill:

Rao = (8.2 kQ)(2.2 kQ) = 1.735 kn

8.2 kD. + 2.2 ill

Vno = 2.2 k.Q (20 V) + 8.2 kD. (-20 V)

s.2 kn + 2.2 kn · 8.2 kn + 2.2 kn
= 4.23 V - 15.77 Y = -J l.54 V
Re
1.21tn -Von - loRoo • VoE - IERE +Vu= 0
lo= VEe-Vno-Vnc:- 20-11.54-0.7
Roe + ({3 + l)RE 1.735 kQ + 131(1.8 kQ)
.I f:t.·

r,' ,;,:&}
= 32.67 µA
le= ({3+ l)lu= 131(32.67 µ A)= 4.58 mA
Va
Ve= Vee - leRc = 20 V - (4.28 mA)(2.7 U1) = 8.4 V
. Rs
IOOk.n
5.8 GRAFiK OLARAK DC ONGERiLiM ANALIZi
De ongerilim alum ve gerilimleri i<;in yapug1m1z analiz, bir dizi transistor devresi icin
rnatematiksel olarak ger<;ekl~tirildi. Kullarulan faktorler.sadeceala.m kazanci (/3) ve ileri
yonde ongcrilimlcmede baz-ernetor · gerilim! (V0£) olmusru, Bu bolumde bir transistor
devresinin cahsrna noktasim grafik olarak bulmak icin kullamlan bir tck:nik an-
::;l'kil 5-.!.I 6m~k S.14'e ili~kin Onpcrilim dcvrc.o.i. latilacaknr. Aciklanan grafik yontern r,ah~ma noktasmm secilrnesine yardnnci olacakur
ve de ongerilirn devre tasanrm k:onulu 5:9: Boliim icin bir ternel olu~turacakur.
le= /3lo = 45(831, A)= 3.735 mA Sckil 5.25'dc gosrerilcn tipik CE kollektor karakieristigi, transistorun yalruzca gencl
Ve= -IeRe= - (3.735 mA)(l.2 k.Q) = -4.48 V calismasim tammlamaktad1r. Gercek cahsma noktasuun.(stikunet cahsma noktasi vcya
Q-nuktas1 denir) clde edilrncsinde dcvrc k.ts1tlamalan da hesaba kanlmahdrr,

------
()RNl~K 5.15
le (mA) 90µA

Seki! 5.24'dcki dcvrcnin emctor akmuru (/Ei ve kollektor gerilimini <Ve) he-
80µA
sap)aym. Vee"' +20 V
16 >-
___...... ..

14 >-
r: ~70µ.A

Re 12 ....
r 60µA

-
2.1 kn
10 ... v 50µA
.... - 40µA
.8

- · 30 µA
,,tr
...... 6 .,...,_,
·•·.v. ~
IP' '20µA
4

2
"" IOµA
18=0
I I I
w I I

~kil 5.24 Omck 5. IS'c ili~kin dcvrc.

0 s 10 IS 20 25
VEE"' -20V
224 Bolum 5 DC Ongerllimleme: BJT'ler 5.8 · Graflk DC bngerilim Anaiizi 225
Kollektor-ernetor ¥evre denklemi grafik olarak kollektor karakteristiginin tizerine ci-
zilebilir. Daha once ele aldigmuz bircok devre is:in tipik olan Denklern (5.9)'u kul-
Bu noktalar ~ekil 5.26'da sirasiyla (1) ve (2)$klinde i§llretlenmi§ olup, bunlan birlestiren
dogruya de yiik dogrusu denrnektedlr. Herne kadar transistorun kollektor karakteristigi ile
lanarak, denklemi kollektor akimi ic,iii c,ozinek tizere §iiyle yazabiliriz.
aym gerilim-akim eksen sistemi kulianilrru§ olsada, dc.ytlk dogrusunun, transistonln ken-
Va== Vee - Ic(Rc + RE)
disiyle ilgili olmad1g1m vurgulamak i~iillmrakteristikler gosterilmenii§tir. Cizilen ytlk dog·
le- Vee Va rusu yalmzca kaynak genii mi (Vcc), Rcve RE degerledne baghdir.
Re+ RE Re+ RE Yilk dogrusunun egimi yalruzca Re ve RE'nin degerine baglrdir, Sekil 5.27a'da,
(5.24)
le= . VCE+ Vee (Re + RE)'nin $ekil·5.26'dan daha biiyiik: ve daha ktic,iik degerler! icin ytik dogrusu
Rc+RE Rc+RE egimleri gosterilmistir. $ekil 5.27b, yalruzca kaynak geriliminin degi~tirilmesinin,
~ <c> yuk dogrusunu $ekil 5.26'ya gore paralel olarak kaydirdigiru ve (Re + RE) degeri
y= m . x + b
,:,bit kald1g1 icin egirnin aym kaldiguu gostermektedi-
Denklem (5.24), cevre denkleminin a~agtda belirtilen egime sahip bir dogru denk-
lemi oldugunu gosteriyor: le

Ill=---.,_!_
Re+ RE

ve y-eksenini kestigi nokta ise

b Vee
Re+ RE
He belirtilir, burada le ve VCE degisken olarak yer almaktadir, Denklem (5.24)'ti tern-
sil eden dogru, Sekil 5.26'daki grafik tizerine a§ag1da gosterildig! gibi dogrunun iki
uc, nokrasi bulunarak cizilebilir:

1. Denklem(5.24)'delc=Okonursa, VeE=Vcc Yc£(volt)

2. Denklem (5.24)'dc Ve, = 0 konursa, le =Yccl'Rc + RE) elde edilir. (a)
le (mA)

16

14

12 V.
(2) /'le= R ';R
10 .,/" C E

8
6

2
(Re+ 11£) ve Vcc"nin
0 5 10 15 20 25 dcgi~mc-sinin de yilk do~ni~u uzeriuc
Ycc(volt) e1ki!eri: (a) <liren~leki dej;i~menin ck
Ya(voll)
yiik dogru,u Uzerine ctkisi: (b) kay-
nak geriHminde1d degi~n.en;n de yllk
·, De yLik dogru~n (b)
do~rusu Ozerinc edci~i.

Bolum 5 DC Ongerlllmleme: BJT'ler 227

I
226·. 5.8 Grafik DC Ongerilim Analizi
 Devrcnin ~ah§mas1, hem transistor karakteristigine hem de dcvre elemanlanna bagl1 ()RNEK 5.1 <,
oldugundan, her iki egriyi (transistor karakteristigini ve de yuk dogrusunu) bir grafigin
uzerine ~izmek devrenin Q-noktasmm .belirlenmesini saglar. Bu, ~ckil 5.28'de gos- ~ckil 5.25'deki transistor kollektor karaktcristigindcn yararlanarak ~ekil 5.29'daki
terilmistir, ~ekil 5.28'de gosterilen tipik de ongerilim noktasi, gerilirn araliguun (0 ile dcvrcnin Q-noktasm1 bulun.
Vee arasi) rnerkezi ile akim arahgmm (0 ile Vee /(Re+ Re) arasi] merkezine yakiudrr, +20V
Gerilirn kaynag1 tarafmdan belirlcnen gerilim arabgma yakm bir ~00§ gerilimi sa-
hrumma sahip bir biiyiik-sinyal yiikselteci, ortada bir ~l§ma noktasr gerektirecektir,
Yukseltec di§mdaki devrelerde farkli ongerilim noktalan gcrckcbilir. De yuk dogrusu, 1.2 kn
devrenin kollektor-emetor kisrnmdaki tiim olasi gerilim ve akrm degerlerini rarurnlar, 5l0k0 ·
~ekil 5.28'de, baz akimi ve de yiik dogrusu ile belirlencn tipik bir ongerilirn noktasi g()-
riiliiyor. Baz akimirun daha yiiksek degerlere yekilmesi, s:alt~ma noktasuu yiik dogrusu
boyunea doyum bolgesine dogru kaydmr. Buna karsm baz aknrurun dii§iiriilmesi on-
gerilim noktasim transistorun kesim bolgesinc kaydmr. ~ekil 5.28'deki karakteristik ve
yuk dogrusu icin, 60 µA'i asan baz akimlan rransistoru doyum bolgeslne siirecektir. Dik-
kat edilirse bclirtilen yiik dogrusu ve ~ali§ma noktasi icin, de baz on gerilim akrrmna ek- szo n
Ienen bir ac girisi, sirurlama (doyum) durumu ortaya ~1kmadan once yalruzca yaklasik
25 µA'lik bir pozitif sahmma (30'dan 55A'e yiikseltmek icin) sahip olabilir. Diger yan-
dan, ac baz akimuun degi§irni kesim noktasma vanlmadan once 30 µA (30'dan O µA'e)
kadar negatife gidebilir; boylecc ~cl<ll 5.28'deki ongerilim noktasi merkezlenir. Birkac
volttan daha dU~Uk ~Lia~ gcrilim sahrumlanna.sahip -kiiyiik-sinyal yukseltcclerinde Q- S;.:til ~._2t.i Omck 5.J6'y.i ili~kin
noktasmm tarn olarak ortalanmasi yOk onernli degildir; genelde en buyuk transistor ka- Ongctlfon dcvcesl.

zanci veya vn dnfn,,:r! cahsmanm ger~kle~tigi bolge hedeflenir.

le (mA) 90µ.A l_:iir(im:

Sekil 5.25'deki kollektor karakteristiginin iizerine bir de yiik dogrusu 9izilmelidir.

------------ 80µ.A
Bu de yiik dogrusu, le ekseni uzerindeki
.-------------~70µ.A
Vee 20V = 11 mA
Vee
Rc+RB-10
--------------60µ.A Re +RE 1.2 kQ + 0.62 kQ

noktasmdan, VCE ekseni uzerindeki

Vee=20V
6
_r------:o:.~--------30µ.A
4 noktasma diiz bir c;izgi c;izilerek elde edilir.
.,,.--·~----__:~-------20µ.A
2 ~y---------~~----- lOµA Baz akinu (5.8). denkleminden hesaplarursa;
ls= Vee- VBF.
Rn+ (/3 + l)Re
Vc.-(volt)

VcEq Vee = (20 - 0.7) V = 30.4 µA

.'j\·L1 i .'. -~:,.; SUkuner ~all~ma nok1a~1 (Q-nok1as1)'111 cldc cunck ~in tr.mxish•11111 !.,,lh:kllir kn- 510 kQ + 201(0.62 kQ)
rakteristiklen ve de yilk dogrusununkullan1hna,1.
5.8 Grafik DC Ongerilim Analizi
229
228 Boliim 5 DC Ongerllimleme: BJT'ler
 ~<!kil (30'da, devrenin de yuk dogmsu ve transistor kollektor karakteristigi, de
yiik dogrusu ile lo== 30A'lik baz aksrrumn kesisme noktasinda i§areUenen Q- nok-
tasi ile birliktc verilmistir. bclli bir yukseltec kau ile ilgili devrc faktorleri de bir tasarrmm Q-noktasmm be-
lirlenmesindc kullarulabilecek akrm sahmrru, gerilim sahrumt, ortak kaynak ge-
Gortildugil gibi transistor, rilimi, vs. gibi bazi kosullar gerektircbilir.
Sentez (veya tasanrn) teknikJeri daha once ele aJman devre analizi tarusmamizdan
Yet:= 10 V ve le= 5.5 mA kolayca cikanlabilir. Hemen her durumda devre elernanlannm hesaplan analiz yon-
temindekine gore ters hir sira izler. Bu ktsimda ele almacak sorun temelde §ll sekilde
nokrasmda ongerilimlenmistir, ozetlenebilir: Bir transistor icin belirli bir <;ah~ma noktasini saglayacak on-
gerilimleme devresini (direncler ve kaynak gerilimi degerleri) tasarlaym,
Pratikte, istenilen cahsma noktasirun secimine katkida bulunacak ve goz onunde
le (mA) bulundurulmasi gereken baska faktorler de vardir, Ancak §U an icin belli bir <;ah~ma
90µA
- -·- noktasuu elde etmek icin elemanlann degerlerinin belirlenmesi uzerine yo-

------
gunla~acag1z. Bir dizi ongerilim devresinin temel denklemlerini ve isleyislerini daha
16 _80µA
once inceledigimiz iyin gelistirmemiz gereken yeni bir teori yolctur.
14
1·'1;H:,ti;r (;eri Besleme Direncli Ongerilim
20Y 12 l),·,vrclc,rinin Tasanmi
{ 1.2 kn + 0.62 kn)= 11 mA-
10
ilk once emetor-direncli ongerilirn kararhligma (~ekil 5.31) sahip bir yukseltec
8 devresinin temel de ongerilirn elemanlanrun tasanmuu ele alacagiz, Kaynak geriJimi
,,,.---···---,, ve calisma noktasi, yukseltecte kullamlan transistor icin ilretici tarafmdan sunulan
5.5 mA 6 •• J. - • - - --
bilgilere dayanaruk sccilccckrir.
Vce=20V
4

2 .......---
<,
r---··-·~-·

·.; ;. ii · ·11 Omd: S.16'yn ili}kin $~kit S.29'daki tlcv~nin ~r.alik anafrzi.
ac
g~i
C1

IOµF Va
la
--fi-----+-----1 -2N4401
W" 150)
Ve£-= IOY

5.9 DC ONGERiLiM DEVRELEAitlii'i TASARIMI

Buraya kadar, belli bir transistor devresinde de yah~rna noktasiru belirlemek icin
kullarulan ye~itli analiz teknikleri ilzcrinc durrnustuk. Her ne kadar belli bir dev-
renin Q-noktasm1 belirlemek sik stk gerekli olsa da, bir devreyi istenen veya ·be-
-. t. d , 1 1 Tasnnm :una~lan i~in
lirlenen bir ongerilim noktasmda 9al~tuacak bir devre tasarlarnak da onern ta- cntet6r·diren~li knr.srh OngeriJim
devrcsl.
~1maktad1r. Genelde iireticinin ozellik sayfasi belirli bir transistor icin uygun bir
9ah~ma noktasmi (veya bolgesini) beli~en bilgiler saglarnaktadrr. Buna ck olurak, Kollektor ve emctor direncinin secimi dogrudan dogruya az once verilen bilgilerc

230 Boliim 5 DC Ongerilimleme: BJT'ler 5.9 DC Ongerlllm Devrelerfnln Tasanm, 231

 dayah olarak yapilamaz. Kollektor-emetor cevresi ctrafmdaki gcrilimlcrle ilgili V· == _L Vcc=_l...(20 V) = 2V
EQ JO 10
Denklem 5.9'da iki bilinmeyen vardir; kollektor ve cmetor (sirasiyla Re ve R1J di-
renclerinin degerleri. Problemin 9oziimiinii kolaylasurmak (ve anlarnh krlmak) icin Bu durumda emetor direnci
biraz muhendislik rnanugi kullamlabilir: ornegin emetor geriliminin makul bir yak- RE= Vi,= .1.Y_ = 400Q
lasik dcgeri bulunabilirse problem basitlesir, lea 5 mA
Hatulayacagm1z gibi ernetor ile toprak arasina bir direnc yerlestirmenin amaci, olarak bulunur. Kollektor direnci,
bir de ongerilim kararhhgl saglamakn; boylece transistordekl kacak akimlar ne- Vee· Vc£q - Vt:q _ (20 - JO - 2) V = JLY_ = 1.6 kQ
deniyle kollekror akuninda ve transistonin /3 degerinde meydana gelen degi§imler, Re= I
CQ
- SmA 5mA
9alJ§ma noktasmda buyuk bir kayma yaratmayacaku. Baz akirru ise,
Emetor direnci biiyiik tutularnaz, 9iinkii uzcrinde dusen gerilim, kollektor-ernctor 18 = ~ = 5 mA
a f3 90
= 55.56 µA
arusindaki gcrilimin sahrurn araliguu snurlarnaktadir. 5.4. Boliirndcki ornekler cme-
tor ile toprak arasindaki R8 uzerindeki gerilimin, tipik olarak kaynak geriliminin olarak hesaplamr.
<Vee) bestc biri ila onda biri arasmda degi§tigini gostermektcdl-, Emetor gerilimini Vcc-Voi;-V£0_(20-0.7-2)'V _ 17.3V
bu §Ckildc sccmek, crnctor dircnci. Rt'yi ve ardmdan kollektor dircnci Re'yi he- Ro= loo - 55.56 µA 55.56 µA
saplamanuzi rnumkun kilar. Bu hesaplamalan. yaparsak
= 311 kn (Ro = 300 kfl kullamhr)
VEQ=_l...Vce=20V =2V
10 · 10 Akim Kazanci Kararh (Beta'dan Baqrmsrz) .Devre Tasanrm

Re= VEQ = VEQ =_ll_= l kn ~ekil 5.32'deki devre, hem kacak akirnlar hem de akrm k. aza nclanndaki
. . . degi§meleretat
IEQ lcQ 2 mA kar t kararhhk saglamaktadtr. Verilen dort direncin degerinin belirli b~ s:_al~§man_~k ;_
.. · § . . erekir, Daha onceki devre tasannu yaklasnrundaki gibi e1~etor _g.
Re= Vcc-Vc£Q'-V£Q_(20- I0-2)V c::4kn 1i,;m belirlenmesi g . . v kull rulm tum direnc degcrlenmn
IeQ 2mA riliminin (VE) secilrnesinde miihendislik mantigmm a asi kilde di .
• v d bi1~yo J sunrnaktadir Tasanm adimlan §U §C e r.
bulunmasi icin basit vc dogru. ~n . · d bi · kadar olacak sekilde secilir,
lnQ = lcQ = 2 mA = 13.33 µA Emetor gerilirni, kaynak gcnhmmm (Ved yaklasik on a in .
{J 150
v£Q-= _L Vee= _l...(20 V) =2 V
Ro= Vcc-VoE-VEQ=(20-0.7-2)V = L3Mn 10 IO

loa 13.33 µA Vee= 20V

elde ~deriz.

<H{NEK 5.17

Emctor-diren~ kararhhgina sahip transistorlu bir yukseltec devresinin (Seki! 5.31)

Re, Ne ve R0 direnc dcgerlerini bulun. Bir npn 2N440 I lransistoriiniin ak1111 ka-
zanci, 5 mA'lik bir kollekror akimmda tipik olarak 90'd1r. Kaynak gerilimini 20 V
olarak aim.

Kaynak gerilimi ve transistor hakkmdaki bilgilerden lcQ == 5mA vc Vc£Q

I O'V'luk bir cahsrna noktasi bulunur. ,Sd;.il 5.)2 Tasanm ama~h1n_ ~in
akim·kau.~-kai~rhhk devrt!;I.

232 DC ongerllim Devrelerinln Tasanmi

233
BolOm 5 DC Ongerilimleme: BJT'ler 5_9
Bu VE degerini kullanarnk emetor-direnci degerini VCQ = fu_ = 16 V = 8 V
2 2
RE=VEQ
lea
=~=200Q
10 mA
VeEo = VcQ - VEo = 8 V - 1.6 V = 6.4 V
olarak buluruz. Kollektor direnci Sirndi Rc'yi bulun

Rc V cc - V CEq - V Eq _ (20 - 8 - 2) V = I kn
Re= Vee - VeEq - VEq = (16 - 6.4 - 1.6) V = 8 kn (8.2 kn kullamlir)
lea 10 mA lea l mA
Baz gerilimi yaklasik olarak emetor gerilimine esittir veya daha kesin bir ifacleyle
VnQ'yu hesaplayin:
Vs= VE+ VsE= 2 V + 0.7 V = 2.7 V
V8Q= Vt:Q+ VsE= l.6V + 0.7 V = 2.3 V
Rn I ve Ro2 baz direnclerinin hesaplanmasmda kullamlacak e§itligi biraz incelemek ge-
rekecek. Yukarda baz gerilimi icin hesaplanan degerlerden ve kaynak geriliminin de- Son olarak R81 ve R82'yi hesaplaym:
gerinden yararlanarak bir esitlik elde edilir; ancak iki bilinmeyen vardir, R1J1 ve RB2,
Ikinci bir esirlik bu iki direncin baz gerilimini.saglamadaki i§levinin anlasilmasryla elde Rs2 s ~f3Re) = 150(1 :6 ill) = 24 kil
edilebilir. Devrenin gerektigi gibi cahsmasi i9in ikidirencten gecen akim yaklasik olarak JO JO
esit dolayisiyla <la baz aknmndan yaklasik: 10 kat daha biiyi.ik olmahdir. Rm ve R02 di-
renclerinin hesaplanmasiru saglayacak-iki esitlik 8§ag1da verilmistir: ve
Vs= Rm (Vee) Rn2 Vee =VnQ = 2.3 V
Rn1 + Rn2 oldugundan
Re: + R02
Rn2 -5, J_ ({JRE) R81 = 143 kQ (150 kO)
JO
Bu denklemler 9oziiliirse
bulunur.
Rn, = 10.25 kQ (10 kQ kullamhr) ve Rn2 = 1.6 kQ
!;. ! O ()NCEni~iMil-.J KAFlAnLI HALE GETifl!LMES! (STADiLi7j\:;YO!,!)

Sekil 5.32'deki gibi bir yukseltec devresi icin bir de ongerilim devresi tasarlayin. Sabit-ongerilimli devre, yukseltec olarak uygun bir kazanc saglamasina karsin, on-
Bu ornek icin, iiretici bilgi sayfasimn verdigi bilgilere gore translstorun, lmA'lik gerilim kararhhgiru korumada zorluk ceker, Her yiikseltec devresinde kollektor akirru
tipik bir kollektor akmunda akim kazanci 150'dir ve devrenin kaynak gerilimi 16 le a~ag1daki ii9 temel nedenden dolayi sicakhk degi~imine bagl; olarak degi~ecektir.
V'dur. VCQ = Vccf2 olacak sekilde tasanm yapm.
1. Ters yonde alarm (kacak akimi) I co, sicakhktaki her 10°C'lik arusla ikiye katlamr.
('.i>zii m: 2. Baz-emetor gerilimi V8E, °C basina 2,5 mV azahr,
3. Transistortin akim kazanci, sicakhkla artar,
Vi;;Q = J_ Wee)= J_ (16V) = 1.6 V secin ve Ri;;'yi hesaplaym:
10 IO Yukardaki faktorlerden herhangi birisi veya ti.imii sicakhktaki degi~imden dolayi on-
gerilim noktasmm belirlenen degerinden kaymasma yol acabilir. Tablo 5.1 'de si-
RE=VF.Q = 1.6 v = 1.6 kQ lisyum transistorleri icin tipik parametre degerleri verilmistir.
Ie0 1 mA

5.10 Ongerllfmln Kararh Hale Getlrllmesl (Stablllzasyon) 235

234 BolOm 5 DC Ongerltlmleme: BJT'ler
 .
::
•.

TAB LO 5.1 Tipik bir Silisyum Transisti:ire ili~kin Parametreler I '

-'~:. gosterildigi gibi bu, de ongerilim noktasmm daha yiiksek bir kollcktor akrmina kay-
--··--···----·----- ----···--· --~------·--··· masma ve daha dii§iik bir Uy noktada kollektor-ernetor gerilimli.cahsma noktasma yol
acacaknr, Uy noktada transistor doyum bolgesine kayabilir. Her durumda yeni cahsma
T lea /3 Voe
(OC) (nA) (V) noktasi yeterli olmayabilir ve ongerilim noktasirun. kaymasmdan dclayi onemli bir
bozulma olusabilir. Daha iyi bir ongerilirn devresi, baslangictaki ongerilimlemeyi
-65 0.2 x 10-3 20 0.85 kararh hale getiren veya koruyan vc boylece yiikseltecin, srcakhg: degi§en bir or-
25 0.1 50 0.65 tamda kullarulmasiru miimkiin kilan bir devredir.
100 20 80 0.48
175 3.3 x 103
···-·--------------- --
120
___________ ., __________
0.3 Kararlrhk Faktoru, S

ilk once, kayak akrmmm ve akim kazancmdaki degi§menin baslangicta devre ta-
rafindan belirlenen de ongerilim noktasi iizerindeki etkisini gostereccgiz, Transistor
kolektor karakteristigini oda srcakhgmda (25°C) ve l00°C'de gosteren $ekil 5.33a
ve 5.33b'yi ele alahm. Dikkat edilirse, kayak akmundaki oncmli bir arus, yalmzca
egriterin yUkselmesine yo! aym1yor, aynca egriler arasrndaki daha biiyiik araliklann
da gosterdigi gibi, yuksek sicakhkta.beta degeri de artar.
Cahsma noktasi, kollektor karakteristiginin grafigi uzerine dcvrcnin de yiik dozrusu
yizilerek ve yiik dogrusuyla giris devresinin olusturdugu de baz akrmmm kesi§tigi
noktaya bakilarak belirlenebilir, ~ekil 5.33a'da rastgele secilmis bir nokta ornekleme
amaciyla isaretlenmistir. Sabit ongerilirn devresi, yaklasik degeri sicakliktan veya
kayak akmundaki ya da betadaki ct,egi§melerden etkilenmeyen kaynak gerilimine ve
baz direncine bagh olan bir baz akirm saglad1g1 icin, ~ekil 5.33b'dcki grafiktc de gos-
I cri Id i fri .!!ihi. vuk sck srcnklrklard» da .rvnt h:,,- ;1k11111 miktan v.nolacaknr. ;,ekildc
le (mA) le (mA) ·
--------- 80µA
7 ,:,
J
Kararlihk Faktorii, (S), ongerilim kararhhgrru etkileyen her parametre icin bir ka-
rarlthk faktorii (S) tarumlanabilir. Bunlar soyledir:
S(/co)= Mc S(/3) = Mc
Meo . 6./3
Kararhlik faktoru, sicaklik nedeniyle·her bir parametrede meydana gclcn degi§iklik
ncdcniyle kollektor akirrunda gorulen.degismesinin niceliksel olcusudur. Transistor
parametrelerinden her birisinin../c uzerindeki etkilerinikiyaslamak amactyla, eleman
vc devre bilesenlerinin ongerilim kararhhgiru nasil. etkiledigini .incelemek icin ay-
nnnh matematiksel analiz sonuclan kullamlacakur,
S Uco}
~ckil 5.34a'da temel bir transistor devresi ve fco'nun etkilerini gorulmektedir. ~eki!
S.34b sadece fco'daki degi~imlere dayah ( ve Voe sabit varsayilrrusur)kararhhk analizleri
sonuclanru gostermektedir, ~ekil 5.34b'ye bakihrsa, kararhhk faktoninun ideal durum (en
iyi kosul) olan S = l ile maksimum deger olan S = /3 +I arasmda degi§tigini goruruz, ki bu
son durum sabit-ongerilim devresinde veya RiJRe oraru f3 + I 'den daha biiyilk oldugunda
gorilliir. Ozunde kararhlik faktoru, Rinin biiyilk degerleri iyin daha kiiyiikliir, dolayrsiyla

I
bir ernetor direncinin eklenmesi ongerilim kararhhgiru aruracaktrr. (Syi kii9iiltecektir).
::....-------- 60 µA
4 S(Jco) = (/3 + 1 )(1 + Rn/Re) (5.25)
3
(/3 + 1) + (Ro/Re)
2
lk========~---- 40 µA
30 µA'
R8!RF. » (P + 1) oldugu durumlarda E§itlik (5.25), (/3 + l)'e yakla§maktad1r:
2
1-~-----+--....;;.-.::---~20µA ~------_;....---18 = 0 S(/co)-? ({3+ l)(Ro!Re) =(/3+ l) Rs/Re »(/3+ I)
1-----~-+-----.::-~IOµA
1..----,----,+--,:---.,,- Ia =0 (/3 + I)+(Ro/Re)
0 10 15 20 Vcc{volt) 0 5 10 IS 20 Vci(voll)
Ashnda Rr, = 0 (sabit 6ngerilimle yah§ma) i1rin
S(lco) = (/3 + 1)
(a) (b)
kararhhk faktoriinUn en biiyiik degcrini saglamaktad1r.
'..l; I , , : S1cokli,1;1ki <k~iime n«lcniylcde onierilin, noktos, (Q-nokca.. )'n:bki kayma: 1'1) 25°C: (bl 1ocrc

236 BtilOm 5 DC Ongerilimleme: BJT'ler

5.10 Ongerilimin Kararh Hale Getlrilmesi (Stabilizasyon) 237
 TAB LO 5.1 Tipik bir Silisyum Transisti:ire ili~kin Pararnetreler
.: i gosterildigi gibi bu, de ongerilim noktasuun daha yiiksek bir kollektor akrrruna kay-
------··------------ masina ve daha dti§tik bir Uy noktada kollektor-emetor gerilirnli cahsrna noktasma yol
T lee /3 Ve£ acacakur, Uc; noktada transistor doyum bolgesine kayabilir. Her durumda yeni cahsma
(OC) (nA) (V) noktasi yeterli olmayabilir ve ongerilim.noktasuun kaymasmdan dolayi onernli bir
bozulma olusabilir, Daha iyi bir i:ingerilim devresi, baslangicraki ongerilimlemeyi
-65 0.2 x 10-3 20 0.85 kararlr hale getiren veya koruyan ve boylece yiikseltecin, s1cakl1g1 degi~en bir or-
25 0.1 50 0.65 tamda kullarulmasiru miimkiin kilan bir devredir.
100 20 80 0.48
175 3.3 x 103 120 0.3 Kararlihk Faktoru, S
----------·-··-·---------
ilk once, kacak akirrumn ve akrm kazancindaki degi§menin baslangicra devre ta- Kararhlik Faktoru, (S), ongerilim kararlihgnu etkileyen her parametre icin bir ka-
rafmdan belirlenen de ongerilirn noktasi iizerindeki etkisini gosterecegiz. Transistor rarhhk faktoru (S) tammlanabilir. Bunlar §ciyledir:
kolektor karakteristigini oda sicakhgmda (25°C) ve J00°C'de gosteren ~ekil 5.33a
ve 5.33b'yi ele alalim. Dikkat edilirse, kacak akirnmdaki onernli bir ams, yalmzca S(/co)= Mc S(V se) = Mc S(/3) =~le
t:.!co !:!Ne£ . 6/3
egrilerin yiikselmesine yol acnnyor, aync~ etriler arasindaki daha biiyi.ik araliklann
da gosterdigi gibi, yiiksek srcaklikta beta degeri de artar. Kararlihk faktoni, sicaklrk nedeniyle her bir parametrede meydana gelen degi§iklik
. ~ah§ma noktasi, kollektor karakteristigi.nin grafigi iizerine devrenin de yi.ik dogrusu nedeniyle kollektor akimmda gorulen degi§mesinin niceliksel olcusudur. Transistor
cizilerek ve yi.ik dogrusuyla giri~ devresinin olusturdugu de baz akirmnm kesi§tigi parametrelerinden her birisinin le iizerindeki etkilerini kiyaslamak amactyla, elernan
noktaya bakilarak belirlenebilir. ;iekil 5.33a'd<1 rastgele secilmis bir nokta ornekleme ve devre bilesenlerinin ongerilim kararhhgimnasrl etkiledigini incelernek icin ay-
amacryla isaretlenmistir. Sabir ongerilirn devresi, yaklasik degeri stcakhkran veya nnuh matematiksel analiz sonuclan k.-ullan1lac~t1~.
kacak akimmdaki ya da betadaki degi§!l\elerden etkilenmeyen kaynak gerilirnine ve
b~ d'.r_:nc!n~ bagh olan bir baz akrrru sagladigi icin, ,5ekil 5.33b'deki grafikte de gos- S (/co)
ten Jd1!!1 ~101. ,·iik~t'k srcakhklnrd» da :,vni h:1;, ak,1111 miktan vaiolacaknr. ;;ekildc
le (mA) ~ekil 5.34a'da temel bir transistor devresi ve lco'nun etkilerini gorulmektedir, Sekil
le (mA)
80µA S.34b sadece lco'daki degi§imlere dayali ( ve VB£ sabit varsayrlrrustir) kararliltk analizleri
7 sonuclanru gostermektedir. ;;ekil
5.34b'ye bakilirsa, kararhhk faktorunun ideal durum (en

70µA
= =
iyi kosul) olan S 1 ile maksimum deger olan S f3 + I arasmda degi§tigini goruruz, ki bu
son durum sabit-ongerilim devresinde veya RJRE oraru /3 + l'den daha biiyiik oldugunda
gorulur. Oziinde kararhhk faktoru, R £'nin biiyiik degerleri icin daha kiic;uktiir, dolayisiyla
60µA bir ernetor direncinin eklenmesi ongerilim kararlihguu aruracakur,(Syi kuciiltecektir),
<, SOµA S(/co) = (/3 + 1)(1 + Ro!R£)
(5.25)
3
(/3 + 1) + (RslRE)
40µA
2 30µA R8!RE » (P + I) oldugu durumJarda E§itli.k (5.25), (/3 +l)'e yakla~maktadir:
20µA
·,
IOµA S(/co)~ (/J+l)(Rn!Rt) =(/3+1) RslR£»(/3+1)
I 18 =o (/J + I)+ (RoiRE)
0 5 10 IS 20 Vcc(volt} 0 5 10 15 20 Vcc(volt) Ashnda Rt= 0 (sabit ongerilimle c;ah§ma) i9in
(a)
(b) S(lco) = (/3 + I)
,:kil , .1: Sicakli~t:,}(i deb\i;me ncdeniyledc6ngerilim nok1m (Q·noktas,)"n:laki kuyma: (a) 25•c: (b) JOO"C kararhhk faktortiniin en biiyiik degerini sag!amaktad1r.
236 5.10 Ongerilimln Kararll Hale Getirilmesi (Stabilizasyon)
Solum 5 DC Ongerilimleme: BJT!er 237
 ()R\'El...: 5.19
R8!RE'nin l ile (/3+ 1) arasmdaki degerleri icin

S(lco) ~ ((J+ l)
(/3+ I)+ (RBIRE)
(RnlRE) = Rs/RE Tablo 5.1 'de gorulen parametrelere sahip transistor kullarulan bir devrede (a) sabir
ongerilim (RsfRE ~00), (b) RsfRE = II ve (c) R8fRE = O.Ql icin i5°C'den
Son olarak, R81Re'nin l'den kii~iik degerleri icin (R8 >RE'dir, ancak, kotu bir J 00°C'ye bir yukselise bagh olarak lc'de meydana gelen degi~itni hesaplaym.
devre ongerilirnlernesi saglar)
C,:ii~_i\111:
S(lco) ~ ({J+ l)(l) - I
({J + I) 25°C'den 100°C'ye lco'daki degisrne %ag1daki gibidir:
en iyi kararhhgt, ancak en kotti devre ongerilimiyle sonuclamr,
Ancak modem transistorlerde Ico degeri o kadar kti9tiktiir ki (bkz. Tablo 5.1), S Meo= (20 - 0.1) nA = 20 nA
(lco)'nun bUytik degerlerinde bile bir devredeki ongerilim noktasmm degi§mesi, asa-
g1daki ornekte de 6oriilecegi gibi, pek onernli olmayacaknr. (a) Sabit-ongerilirnde, S =./3 +l = 51. Kararhligm tarurruru kullarursak

ic+ +slco
Mc= S(Mco) = 51 (20 nA) = 1 µA
Re
elde ederiz.
RE
SlcoRS +R
· E
= 10
fF-r
(b) Ra/RE-:: 11 icin, S = 51(1 + 11)/(51 + 11)

IE+
+ Slco RERs+Rs Afc = 10 Meo= 10(20 nA)= 0.2 µA
Rs
RE
(c) Ra/RE= 0.01 icin, S = 51(1.01)/(51 + 0.1) =l
-- (a)
":.-
Afc = 1(2.0 nA) = 20 nA

S(I,.), Herne kadar lc'deki degisme ideal kararlihga sahip (S = 1) bir devre ile maksimum
Kararlw.Jcfalc10n1 kararhhk faktorune sahip (o~ncgimizde S = 51) bir devrede oldukca farkh olsa da,
/3+l ------·--·-· -~s,.s(1< Ra> B+l,~in) bu degi§me onernli degildir. Ornegin, 2 mA'a ayarlanan bir ongerilim akirmnda
/c'de meydana gelen degi~-me 2 mA'den en koti.i durumda 2.001 mA'e kadar ola-
/ RE caktir. (yalruzca % 0.05); bu da ihmal edilebilecek kadar kii9iiktiir. Bazi gii9 tran-
sistorlerinde daha biiytik kacak akimlar gorUliir; fakat yukseltec devrelerinin 90-
/ ~S;;;~ (1< R8 < R.B+li~1a)
Re Re gunda sicakliga bagh olarak Ica'da meydarra gelen degi§menin etkisi cok azdir,

2
.,/
1 ·
13+ I ''7
! Vae'deki degi§meye bagh dayanarak kararhhk faktoru analizi
s •.1(R8< 1i,;;a) S(Vnr,) = Mc - -P
RE l'i.Vnli Ro+RF.({3+ I) (5.26)
(b)
. :. i! °' .. : .! . tco'nun·on£-.:rilim nokt.1.,1 Ozcrine etkisi.
= ..:.L, icin (/3 + I) >> Rn ve f3 >> I
R" R,;
238 Ongerllimin Kararh Hale Getirllmesl (Stabilizasyon)
BolOm 5 DC 6ngerilimleme: BJT'ler 5.10 239
Kucuk S degerleri daha iyi kararhligtn gostergesi oldugundan, RE'nin degeri ne
II.
ORNH.:5.21
kadar biiyiik olursa, VaE'de sicakhga bagh degisrneler nedeniyle devre kararlihgr da I Tablo 5, I'deki parametrelere sahip bir transistoriin, oda stcakhgmdan 100°C'ye
o kadar i yi olur.
yukseldiginde kollektor aknmnda meydana gelen degi§meyi bulun. Devrede R8!
()RNEK5.20 RE= 20_ ve lc'mn oda sicaklrgmda z·mA oldugunu varsayin.

Tablo 5.1 'deki parametrelere sahip bir transistorun RE= 1 kn (ve + l»RnfRE) icin, Cozuru:
25 ile 100°C arasmda le dcgerinde rneydana gelen degi~meyi bulun.
tc •.!{:l;j degi~me
(,':01.lim:
Mc= lc(T,) [( + I &)
Rt:
[{3(_T2)//J(_T1)]-
{3(_T2)
I]
= -l!Rt: = -1/1 =
25 ile 100°C arasinda, SCVat:)
0.17 V kullarursak
Hl = -10"_3 ve VBE = (0.65. 0.48)
= 2 mA [o+ 20) (gO/!~ - 1] = 0.315 mA = 315 µA

le= S dVaE = -10-3 (0.17 V) = -170 JI A olarak bulunur.

elde ederiz. Goriildtigii gibi bu, Ico'daki degi§imden kaynakalanan akirn de-
gi§mesine gore oldukca biiyiik bir akim degi§mesidir. Orne gin 2 mA'lik tipik bir
kollektor akirru kullarursak kollektor akmurun, 25°C'de 2 mA'den I00°C'de 1.830 -
mA'e indigini gortiruz; bu da % 8.5'1ukbirdegi~me demektir,
····f •
Vet:'nin stcakhkla degi§me;inin yaratacagi ~tld, diyotla telafi yoluna gidilerek
biraz hafifletilebilir. Bu dururnda bir diyot uzerindeki gerilim degi§imi, /c'nin on-
gerilim degerini koruyacak §ekilde V8/deki degi§rneyi-dengeler. Gerektijiinde tran-
sistor ve termistor dengeleme (kompanzasyon) teknikleri de kullarulrnaktadir.
s ({J)
Sicakhkla beraber degi~iminin devrenin ongerilim kararhhgi uzerindeki etkisinin
analizi,
5.11
Oda stcakhginda 2 mA olan kollektor akmu 100°C'de 2.315 mA olur; bu da
% l 6'hk bir degi§me demektir.
Ongerilim kararhhgiru etkileyen pararnetrelerin. orneklendigi ui; ornek kar-
silasunhrsa parametreler arasmda en biiyi.ik etkiyi fJ dak1 degi§menin yaratng, gorulur .
Parametrelerdek:i bu degi§melerin yalruzca sicakhga bagh olmasi gerekmiyor. lco'nun
dcgeri oda sicakhginda transistorler arasinda klyaslama yapildigmda ihrnal edi-
lebilecek duzeydeyken, V8Egibi [Jnm degeri de ayru iiretim tipindeki transistorler ara-
sinda bile 6nemli 61<;:iide farklilik gostermektedir, Ornegin aym numarali tran-
sistorlerden biri icin /3 == 150 digeri icin f3 = 300 olabilir. Buna ek olarak belirli
transistorler icin degeri ongerilim akirmrun farkh degeri icin farkh olacakur, Turn bu
nedenlerden dolayr ongcrilim-kararhhgi iyi olan bir devrenin tasanrru genelde en cok
transistor betasmm degi§me etkilerini kararhlasurma uzerinde yogunla~maktadtr.
DC ONGERiLiMLEMENiN BiLGiSAYAR <;:6Z0M0

(
1+ Re) ({3(_T2)//J(_T1)]- l (5.27)
<;e§itli ongerilim devreleri baz-emetor gerilim cevre denklerni, baz akirru icin i;o-
RE {3{_T2) zulerek analiz edilebilirken, nispeten standart bir devre §ekliyle temsil edilebilen bir-
sonucunu verir. cok devre vardir, Belli bir devreyi sik sik kullamyorsak, zaman ahcr bircok hesabi
yapmak icin uygun bir bilgisayar programmm gelistirilrnesi yerinde olacakur, Bir-
Burada; kac ornek, bilgisayan anlamli bir- sekilde kullanmak ·ii;in bir yaklasirmn ge-
{3{_Tt) = T1 sicakhgmdaki beta listirilmesinde yardnn saglayacakur. ilk once, ~ekil 5.1 I'deki standart ongerilim
{3(_T2) = T2 stcakhgmdaki beta devresinin de ongcrilim analizini yapacak bir program modiilii veya altprogramr yaz-
lc(T,) = T1 sicakhgmdaki kollektor akimr. rnayi ele alahm.

240 Boliim 5 DC Ongerilimleme: BJT'ler

5.11 DC Ongerilimlemenin Bilgisayar yoziimi.i 241
 LiSTE 5.2 DC Ongerilim Hssaptama Mod:J\i.i<i-&
iliskin Esitlixler ve B:Jg!sayar Ueg1s!,sn!z:ti
Bu devre, ~ekil 5.7'deki emetoru kararhlasunlrms devrenin ongerilim hesaplanru
Rin'yi acrk (sonsuz direnc) ve ayru zamanda ~elcil 5.2'del<l sabit ongerilim devresini
Rsz'yi ac;:tk: ve Rbi kisa (sifir direncli) kabul ederek incelenmelidir. Denklem ozeti
Liste S.l'de, denklem degi§kenleri ve bilgisayar degi§kenleriise liste S.2'de verilmistir. E§itlik Bilgisayar Degi§keni
Modiil 10000 icin yazilan program dokiimii a§ag1da ele ahnacakur, Ro, Rl
Modiiltin ihtiyac;: duydugu devrc degerlerini saghyacak ve hesaplarm sonuclanru Rin R2
basacak bir ana programm eklenmesi gerekir. Rao RT
Vee cc
Voo VT
lo lB
Vs£ BE
~ek.il 5.11 'deki gibi bir devrenin de ongerilimlernesi icin hesaplan yapacak bir prog- f3 BETA
ram modiilii 10000. sanrdan baslayarak BASIC dilinde yazdrrusnr. 10010. saur, RE RE
Rin'ye paralel olan Rs1'in Thevenin C§degeri baz dircncini hcsaplar. R02 yoksa (acrk
le JC
IE IE
devre ise), kullaruci, bilgisayann hesap suurlanru zorlayacak bir degeri girmek zo- VE VE
runda kalacak, boylece hesaplanan Rr degeri Rs, degerine indirgenecektir. 10020. Vo VB
satir, bazdaki Thevenin C§deger gerilimini hesaplar. Yine R82 yoksa, hesaplanan Ve vc
deger Yee'(nin degeridir. 10030. Satirda Vs£ baz emetor gerilimi 0.7V almarak !8 Ve£· CE
akrmi hesaplarnr. Daha sonra 10040. sanr Vrdegeri Yo£, 0.7V degerinden kUc;:iik ol- ---·---·-------
dugunda ortaya ctkan kesim-ongerilim kosulunu test eder; bu durumda 18 sifrr ahmr;
aksi takdirde ls, 10030. saurda hesaplandigr gibi kahr, Bundan sonra 10060. ve 10090. sanrda devrenin doyum durumunda olup olmadigr test edilir ve eger doyum
10070. saurlar sirasiyla Ic ve Ie hesaplarur. durumundaysa le (ve /£)'ye doyum degeri verilir;_ eger degilse, le ve fe. degerleri on-
ceden hesaplandigr.gibi kahr. Daha sonra 10100 - 10120. Satrrlarda sirasiyla V£, V8
,· ;..iSTE 5.1 DC onqeritim Hesaplama Modiili.ine lliskin vc Ve degcrleri.hesaplamr, 10030. satrr, Ye£ degerini hesaplar ve program modiilU
asitllkler ve Bilgisayar Deyimleri ana programa doner,
Lisre S.3'te, gerekli devre bilgilerini isteyen ana program, de ongerilim hesaplanm
yapan Modiil 10000 ve sonuclan basnracak ana program adimlan verilmistir. Bazi
E§itlik Bilgi=ayar Deyimi ornek cahsurmalar daha once c;:oziilen orneklerin degerleri kullarularak program so-
nuclan saglarnak uzere Liste S.4'te verilrnistir.
Rss = _fu.!&l_ RT=(RI *R2)/(RI +R2)
Rs,+ Rsi
LiSTE 5.3
Vss= R,n Vee VT= (R2 * CC)/(R I + R2)
Rsi+ Rs2 10 REM*******************************************************
20 REM
la= Voo · 0.7 IB =(YT· 0.7)/(RT +(BETA+ I)• RE) 30 REM STANDART DEVRE t~tN DC ONGERILIM HESAPLAMALARI
Rao+ (/J + 1) Re 40 REM
IC=BETA • IB
50 REM*******************************************************
le= /J,o 60 REM
IE= (f3 + l)lo TE=(BETA +I)* IB 100 PRINT "Bu program, ~ekil 5.ll'de gDsterilen standart"
VE=l£R£ YE=IE*RE 110 PRINT 'bir devrenin de ongerilimlerini hesaplar"
-ee-e- 120 PRINT
Vs"'VE+0.1 VB=VE+0.7 130 PRINT "once. a~ag1daki devre degerlerini girin:·
Ve= Vee -leRe vc"' cc - re • RC 140 INPUT "RBI•"; Rl
150 INPUT "'RB2 Ceger ·a~1k' ise 1E30'u kullan1n) =": R2
Vee= Ve- Vi; CE=VC-VE

242 BolOm 5 DC Ongerlllmleme: BJrler 5.11 DC Ongerillmlemenin Bilgisayar 96:i:OmO 243

LiSTE 5.3 (devarru) RB2 (eger ·a~1k" ise lE30'u kullan1n)
RE=? 0
160 INPUT "RE=": RE RC =? 2.2E3
170 INPUT "RC=": RC Vee=? 12
180 PRINT
190 INPUT "Vee .... : cc Transistorun betas1 =? 50
200 PRINT
210 INPUT "Transistorun betas1 ="; BETA de ongerilim hesaplama sonu~lar1:
220 PRINT
230 REM Oevre hesarlamalar1 yap1l1yor Oevre ek ml ar i :
240 GOSUB 1000 IB ~ 47.08333 uA
250 PRINT "de ongerilim hesaplama sonu~lar1:" IC= 2.354167 mA
260 PRINT IE m 2.40125 ma
270 PRINT "Oevre ak i ml ar i : •
280 PRINT "IB "'" 18 #l000000!;"uA" Devre gerilimlerl:
2 90 PRINT " IC =" IC # 1000 ! : • mA" VB= .7 volt
VE= 0 volt
300 PRINT "IE=· IE #1000!:"mA" VC = 6.820833 volt
310· PRINT Vee= 6.820833 volt
320 P~INT "Devre gerilimleri:"
330 PRINT "VB=": VB:"volt"
340 PRINT "VE="; VE;"volt" Bu program. Sekil 5.ll'de gosterilen standart
350 PRINT "VC ="; VC;"volt" bir devrenin de ongerilimlerini hesaplar
360 PRINT "Vee=": CE:"volt"
370 PRINT : PRINT Once. a~ag1daki devre degerlerini girin:
380 END RBI=? 430E3 .
10000 RHi RB2 (eger ·a~1k" ise 1E30'u kullan1n)
10010 RT= Rl #(RZ/{Rl + R2)) RE =? 1E3
10020 VT= CC #(R2/{Rl + R2)) RC=? 2E3
10030 IB = (VT -.7)/(RT +(BETA+ 1) #RE)
Vee=? 20
10040 REM Kesim durumunun testi
10050 IF VT<=.7 THEM 18 = 0 Transistorun betas, =? 100
10060 IC= BETA #18
10070 IE= (BETA+ 1) #18 de ongerilim hesaplama sonucler i:
10080 REM Doyum durumunun testi
10090 IF IC # (RC + RE) >= CC THEN IC = CCI (RE + RC) IE= IC Oevre ak tml a r t :
10100 VE = IE # RE IB - 36.34652 UA
10110 VB= VE +.7 IC 3.634652 mA
10120 VC = CC·IC #RC IE• 3:670998 mA
10130 CE= VC·VE
10140 RETURN
Oevre ge~ilimleri:
VB= 4.370998 volt
LiSTE 5.4 VE= 3.670998 volt
VC = 12.7307 volt
RUN Vee= 9.0597 volt
Bu program. Sekil 5.ll'de gosterilen ~tandart
bir devrenin de ongerilimlerini hesaplar.
Bu program, Sekil 5.ll'de gosterilen standart
Once. a~agidakl devre degerlerini girin: bir devrenin de ongerilimlerini hesap1ar.
RBI=? 240£3

244 BolOm 5 DC Ongerilimleme: BJT'ler 5.11 DC Ongerlllmlemenln Bllglsayar <;oziimU 245

 LiSTE 5.4 (devarru)
§ 5.4
7. ~ekil S.7'deki gibi bir emetoru-kararhlasnnlrrus ongerilimlerne devresi icin de
Once. a~ag1daki devre degerlerini girin:
RBl =? 39E3 ongerilimlerne voltajr, VCE, ve le akirmru hesaplaym; Rs= 220 kil, Re= 2.7 kQ,
RB2 (eger ·a~1k" ise 1E30'u kullan,n) RE= 1.5 kn /3= 55, ve Vee= 18 v.
RE •? 1. 5E3
RC•? 10E3
8. ~ek:il 5.7'deki devrenin le akimiru hesaplaym; Rs= 510 kn, Re= 1.2 kn Re=
Vee=? 22 2.4 ill, Vee= 20 V ve /3= 100.
TransistOrOn betas1 =? 140
9. ~ekil 5.7'deki devredeki transistorun f3 degerini hesaplaym; Rs = 330 ill, RE=
de Ongerilim hesaplama sonu~lar1: =
1 kn Re = 1.8 ve Ve 16 V, VE 3 V. =
Oevre a1<1mlar1:
IB • 6.978567 uA 10. ~ekil 5.7'deki devrede Vs = 4.4V'Iuk bir baz gerilimi saglryacak Rs degerini
IC - .8463327 mA bulun; RE= 2.2 kn Re= 2.7 kn. Vee= 12 V, ve /3= 150.
IE• .8523779 mA
Devre gerilimleri: 11. ~ekil 5.7'deki devre is:in ongerilimleme voltaji VcE'yi bulun; Rs= 1.5 Mn, Re=
VB= 1.978567 volt 1.1 ill, Re= 4.3 kn, Vee= 25 V ve /3= 140. "
VE= 1.278567 volt
VC • 13.53667 volt
Vee= 12.25811 volt 12. ~ekil S.7'de devreyi doyma bolgesine kaydiracak Rs degerini bulun; Re= 820 n
Re= 2.4 kQ, Vcc= 18 V ve f3 = 85.

Pi108LD.iLER 13. ~ekil 5.7'deki devrede le= 0.5 lcdoy icin ongerilirnlerneyi saghyacak Rs degerini
=
bulun: RE= 620 n, Re;,, 1.8 ill, Vcc 20 V ve {3 = 110.

1. ~ekil 5.5'deki devrenin kollektor gerilimini hesaplaym; Rs = 330 kn, Re= 2.7 14. $ekil 5.7'de Rs= 680 ill, RE= 910 Q, Re= 2.2 kn vc Vee= 15 V, devre de-
kn, Vee= 12 V, ve /3= 50 gerlerini esas alarak /3 = 90'dan l 80'e 9lkt1gmda Vc'de meydana gelecek degi§imi
yiizde olarak hesaplaym.
2. ~ekil 5.5'deki devrenin kollektor-baz gerilimini hesaplaym; Rs= 150 kn, Re =
2.1 kn, Vee= 9 V, ve /3=45 15. ~ekil 5.7'de ongerilirnlerne voltajlan V8, Veve Vc'Yi hesaplaym; Rs= 750 kn,
RE=0.82ill,Rc=3.3kQ, Vcc=9V ve/3=75.
3. Sekil 5.5'deki devrenin kollektor akirru ve kollektor-emetor gerilimini he-
saplaym; Rs= 240 kn, Re= 1.8 ill, Vcc= 12 V, ve /3 = 70 § 5.5

4. ~ekil 5.5'deki devrede Ve= 8V olrnasi icin Rs'nin hangi degeri olmah? Re= 2.4 16. ~ekil 5.1 l'deki devrenin baz gerilimini hcsaplaym; Rs,= 470 ill, RB2 = 68 kn,
kn, Vee= 18 V, ve /3= 90? RE= 3.3 ill,Rc = 15 kn, Vee= 18 V ve /3= 120.
S. ~ekil 5.5'deki devrede Vee= 6V olmasi icin Re'nin hangi degeri olmah? Rs = 17. $ekil 5.ll'deki devrenin baz ve kollektor akrmlanm hesaplaym; Rs,= 91 kn,
510 kn, Vee= 22 V, ve /3= 120? Rs2 = 11 kn, RE= 1.2 kn, Re= 4.7 kil, Vee= 18 V ve /3= 70.

6. ~ekil 5.6'da /3 = 85 ahrursa, -8.4 V'luk bir kollektor gerilimi elde etmek icin Re 18. ~ekil 5.ll'de Ve= 6V'u saghyacak RE degerini bulun; Rs1 = 82 ill, Rs2 = 24
hangi degere sahip olmah? kn,Re=5.6ill, Vee= 16V ve/3= 150?

246 BolOm 5 DC Ongerlllmleme: BJT'ler Bolilm 5 Problemler 247

 19. ~ekil 5.ll'deki devre icin le ve Va'yi hesaplaym; R81 = 100 kQ, Rn2 = 22 kD,
Re= 8.2 kQ, Re= 2.2 kn, Vee= 9 V ve fJ = 100.

20. ~ekil 5.ll'deki devrenin 0,5 Ic,µ,y'da ongerilil!llenrnesini saghyacak Re degerini

28. ~ekil 5.35a'da Vc = 0.-5 Vcc = 8V dcgerini saglayacak geribesleme direncinin
=
bulun; Re1 = 220 kn, Ri,2 5 fkn, Re= 3.lk.Q, Vcc= 18 V, ve fJ = 130.
degerini belirleyin.

29. ~ekil 5.35b'deki devrenin Vc degerini hesaplayrn.

21. ~ekil 5.1 l'deki devrenin kollektor-baz gerilimini(Vc8) hesaplayin; Re1 = 62 ill,
Rn2=9.lld1,Re=0.68kn,Rc=3.9kn, Vee= 16V vefJ= 110.
30. ~ekil 5.35b'deki devreyi le= 0.5 fedoy degerinde ongerilimleyecek geribesleme
direncinin degerin! bulun.
22. ~ekil 5.ll'deki devreyi 0.5 Vee'de ongerilirnlemek i9in gereken Re degerini
=
bulun; Ra1 = 220 kn, Re2 33 ill, RE= 1.8 kn, Vee= 25 V ve f3 180? = 31. ~ekil 5.35b'de Ve= 15V degerini saglayacak kollektor direncini bulun,

23. ~ekil S.ll'de R81 = 75 ill, Rn2 = 24 kn, Re= 2.4 ill, RE= l.2 ld1 ve Vee= 16
32. ~ekil 5.36a'daki devrenin VCE ve le degerlerini bulun.
V, devre degerlerini esas alarak, fJ = 80'den 160'a 9iktigmda VcE'de meydana
gelecek degi~imi yiizde olarak bulun.
+22 V +12 V

24. ~ekil 5.ll'deki devrenin le= 0.5 fcdoy degerinde ongerilimlenmesini sagliyacakRe
degerini buluri; R81 = 100 ill, Rn2 = 10 kn, Re= 3.3 kn, Vee= 30 V ve fJ = 200. 9.11cn 4.H.Sl
47Dkn
25. ~ekil 5.ll'de kollektor gerilirnini Ve = 12V'ta ongerilimleyecek Re degerini
=
bulun; Ra1 91 kn,Rs2 = 11 kn, Re= l:rkn, Vee= 18 V ve fJ= 90. !Mn
'i
26. ~ekil 5.1 l'deki devrenin doyma akmuru belirleyin; R81 = 12 kD, Rn2"' 2.2 kD, --1
Re= 1.1 kn, Re= 2.7 ill, Vee= 9V, ve fJ= 120.
I 13% 120
~ 5.6 9.l lc!l

II
27. ~ekil S.35a'daki devrenin \/c degerini hesaplayin.
l (a) (b)
,\c'..:! ·'· ;,, 32-37 no'lu prob-
lcmler<: ili~kin Onger'1\in1devreteri.
+16 V +30V
33. !;iekil 5.36a'daki transistor yerine fJ = 60 degerine sahip bir transistor kul-
lamldigmda Ve'de meydana gelecek degi~irni ytizde olarak hesaplayin.
3.6 kn 6.2k!2
470k~,\ 34. Sekil S.36b'deki dcvrede potansiyometre l MQ ve O Mffa ayarhyken lc'nin en
btiytik ve en kti~tik degerini bulun.
·· .. , .. :;·.
.·.:...::#'•

Jl= 120
35. ~ekil 5.36b'deki l Mn'luk potansiyometre orta degere ayarhyken goriilen Ve ge-
Jl= 90
rilimini hesaplayin.

~c~il 5.)5 27-31 no'lu prob- 36. Sekil 5.36b'deki devrede potansiyornetre Offdan l Mffa cikanhnca Vc'nin ala-
temlere ili~kin t>ngcrilim dev,
rcleri. cag: en biiytik deger nedir?
248 B610m 5 DC Ongerilimleme: BJT'ler
(a) (b)
Bii!Om 5 Problemler 249
 37. ~ekil 5.36b'deki potansiyometre OQ'dan 1 MQ'a 91kanhrsa le'de meydana ge-
40. ~ekil 5.37c'deki devrenin Ve degerini hesap!aym.
lecek degi§me yiizdesi ne olur?

;i 5.7 41. $ekil 5.37b'deki devrenin degeri 120'ye 91ktigmda olusan VCE gerilimini he-
saplaym.

38. ~ekil 5.37a'daki ongerilim devresinin Ve degerini hesaplaym.

42. $ckil 5.37c'de kaynak gerilimleri 9V almdtginda olusan Ve gerilimini he-
saplayin.
+16V +16V
43. $ekil 5.37d'deki devrenin Ve degerini hesaplaym.
121cn
4.3Jc0
44. $ekil 5.37d'deki devrede negatif gerilim OV ahndigrnda olusan Ve gerilimini he-
Ve
saplaym.

·~·1_20 /Js SS

9.11cn szo en Ve

1s1cn 45. $ckil 5.Tdeki gibi birdevre ir,:in, Rs= 82 kQ, Re= 4.3 k.O, Vee= 20 V, V8E"'
- -
4.3Jc0
0.7 V, degerlerini esas alarak ve S38;de gosterilen kollektor karakteristigine
-12V -16V sahip transistor oldugunu kabul ederek:
(a)
.... ·-···.!
···-.·-. (a) De yiik dogrusunu 9izin .
(b)
(b) Q-noktas1m (siikunet ~h§ma noktasrru) bulun.
-12 V (c) Re= 8.2 k.O ahrursa cahsma noktasuu bulun.
+18 V (d) Vee, 15 V almdigmda (Re yine 4.3 ill) c;al1§ma noktasuu bulun
4.7Jc0
9.1 kn le (mA).
Ve sio en ··1 5.0 --------- 450µA
4.5 --------- 400µA
/J• 65 /Ja 130 4.0

v===---------
--------· ·350 µA
3.5
680kn ----~ 300 µA
Ve
SlOkfl
t.s kn 7.5 lcn ).O 250 µA

t=-------------
-200µA
I":
ISOµA
+12 V -18 V
(c) (d)
,.ov---
1,s ' ------ IOOµA

Os \----------------
· r ,..,....,.oIs• 50 µA
):;kit :i .. ~: 38~44 no'lu ptohlem1erc
ili~kin Onserilim devreleri, 0 5 10 JS 20 25 Va(voh)

39. $ekil 5.37b'deki devrenin Ve degerini hesaplaym.

S·~·l:!I :<}:--: Problem45'e ili~kin
riansistiir kollektOr kara.ktcristikleri.
250 BoJ{im 5 DC Ongerillmleme: BJT'ler Boliim 5 Problemler 251
 51. Transistorun akim kazancrrun 180 ve gerilim kaynagrrun 16V, Rc'nin 4.3 kn ol-
dugu ernetoru-kararhlasunlrrus bir devreyi, Va= 0.5 Vcc'de <;:ali§acak sekilde
46. Sekil 5.39'daki gibibir kollektor karakteristigine.sahip pnp transistorlu bir sabit-
tasarlaym.
ongerilirn devresinin ,;al1~ma noktasrru grafik olarak bu! un. R8 = 150 kn, Re = 2
JcQ ve Vcc= -20 V devre degerlerini esas ahn,
52. Transistorun a1am .kazancuun 140 ve gerilim kaynaguun 25 V oldugu betadan ba-
guns1z ongerilimli bir devreyi, VCE = 12V, le= 5 mA'de~ah§acak ~kilde tasarlaym,
le (mA)
--------- -270 µA 53. Transistorun akim kazancirun 80 ve gerilim kaynaguun I2V, RE'nin 1.2 kn ol-
~14: ';--""
-
I _ ----- -240 µA dugu betadan bagunsrz ongerilimli bir devreyi, VcE = 0,5 Vcc'de calisacak §e·
-12V kilde tasarlayin.
--------------- -210µA
-IOy
I -180µA
_g:V 54. Transistorun akirn kazancmin 80 ve gerilim kaynagimn 16 V, R81'in 68 kn,
I----------- -ISOµA Ra2'nin 7 .5 kn oldugu betadan bagnnstz bir devreyi V CE = 6V, / c == J rnA'de ~a-
-6(iv----------.,.-- -120µA lisacak sekilde tasarlaym.
-4 v -90µ.A
-2 ,,, ·Ia =-60µA BiLGiSA VAR PROBLEMLERi
v---,--,------------3~µA A§ag1daki problernler icin BASIC programlan yazm:
.,OµA
0 -4 -8 -12 -16 -20 -24 -28 ·vc£(volt)
1. Sabit-ongerilimli bir devre icin le ve Va ongerilirnleme deger!erini hesaplayin,

_, 2. Ernetoru-kararh bir ongerilirn devresi icin I c degerini hesaplayin.

!)-:;. :1 ;,. ~11 Problem 46'y3 iti~kin tran·
:(istOr koCl...:k10rkorJk.teri~rikleri.
3. Yaklasik deger yonteminden yararlanarak gerilim-bolucu ongerilirnlemesi kul-
47. Sekil 5.7'deki gibi bir devrede, V cc= 22, ,~e = 75 kQ ve Re. = 3.3 kQ degerleri
esas almarak ve $ekil 5.38'dcki transistor karakteristiginden yararlanarak dev-
reyi Vce= I 2V'ta ongerilimlemek icin gereken Re degerini bulun,
II 4.
lanan bir devrenin V8 degerini hesaplayrn.

Tam analiz yonterninden yararlanarak gerilim-bolucu ongerilimlemeli bir dev-

I renin V8 degerini hesaplayin (Thevenin esdegeri).
48. $ekil 5.7'deki gibi bir devrede, Ro= 3.3 kn, Vee= 22, V devre degcrleri esas
ahnarak ve $ekil 5.38'delci transistor karakteristiginden yararlanarak, Re di-
S. Tam analiz yonreminden yararlanarak gerilirn-bolucu ongerilirnli bir devrenin le
rencinin I ile 5 kn arasinda ayarlanabilmesi halinde kollektor geriliminin ala-
ve VCE degerlerini hesaplaym.
bilecegi deger arahg1 nedir.
6. Yaklasik analiz yonterninden yararlanarak gerilim-bolucii ongerilimlerncli bir
devrcnin I c ve V C£ degerlerini hesaplaym

7. Kollektor-geribeslemeyle kararhlasunlrms bir devrenin le ve Vct: on-

49. Va= 8V, le= 5:nA'de s:ah§acak ve 18V'luk bir Vee kaynagiyla, /Js1 100 olan
gerilirnlemc degerlerini hesaplaym,
bir transistor kullamlarak, ernetorti-kararhlastmlrms bir ongcrilirulerne devrcsi
tasarlaym.
PRATiK PROBLEMLER
50. Transistorun akim kazancmm (/J} 120 ve gerilim kaynagirun 22 V oldugu erne-
1. Sekil 5.40'taki devre icin a§agidaki sorulan cevaplaym:
toru-karariastmlrrus bir devreyi, 0.5 lcooy degerinde calisacak sekilde rasarlaym.

Solum 5 Problemler 253

252 BolOm 5 DC Ongerilimleme: BJT'ler
 (a) Ro arunldiginda Ve azaliyor mu aruyor mu?
(b) f3 dii~ilrilldilgi.inde le azahyor mu ar~1yor mu? 3. ~ekil 5.42'deki devre i9in a~ag1daki sorulan cevaplaym:
(c) {3 arnnldrgmda doyma :1k11111 11.· \'iimk 1k"i,ir'? (a) R8 direnci a91k olursa \!c'nin degeri ne olur?
(b) Sicakhk nedeniyle /3 art1~ gosterirse VCE ne olur?
(c) Kollektor direnci, tolerans araltgirun alt smmnda olan bir direnc ilc de-
-+'Vee" 16 V
gi§tirildiginde VE nasil etkilenir?
Re
Rs J.6kn
2'4okn

/J• 120 Vcc•+l8V

Re
Rs 2.2 kn
SIP kn
\.! r1 ' ·• • Pratik l'roblcmlcr
I 'e ilijkin devre,

(d) Vcc di.i§ilri.ildiig1indc kollektor akmu azuhr rru 9ogahr mi?

(e) Daha dii~i.ik {Jya sahip bir transistor kullaruldigmda Va nasil davramr?

2. ~ekil 5.41'deki devre icin ~ag1daki sorulan cevaplaym;

(a) Daha yiiksek bir {J'ya sahip bir transistor kullarulirsa Vc nasil davrarur?
(b) Rs2 direncinin toprak ayag1 a~hrsa (topraga bagh degilse) VCE gerilimi ne
olur? S-..:k.il 5 -~~ Prukit Prcbrcrulcr
3'e ili1kin devre.
(c) Kaynak gerilimi dil§i.ikse le ne olur?
(d) Transistorun baz-ernetor jonksiyonu acik devre yapihrsa VCE degeri ne olur? (d) Transistoriin kollektor bagtanns. acihrsa VCE'de ne gibi degi§i.klik olur?
(e) Transistorun baz-emetor jonksiyonu kisa devre edilirse Vcc degeri ne olur? (e) Vc£'nin yaklasik olarak OV olrnasuu ne saglayabilir?

~:,rl 5.11 l'r,cik Problcmler

2'ye ili~kin devre,

254 BotOm 5 DC Ongerllimleme: BJT'ler BolOm 5 Problemler

255
 FET'in bazt dezavantajlan arasinda BjT'ye gore nispeten daha kii'riik olan kazanc
bant genislig] ve kolayca hasar gorebilmesisayilabilir.

6.2 JFET'LERiN YAPISf VE KARAKTERiSTiKLERi

FET, tek temel p-n jonksiyonuna sahip ii'r uclu bir eleman olup ya Jonksiyon FET
(JFET) veya Metaloksit yaniletken FET (MOSFET) otaralc tiretilmektedir. Yuk-
seltecler icin onerilen ilk yan-iletken elemanlanndan birisi olmasina kaT§m( t ),
FET'in Licari anlamda yararh bir elernan olarak gelistirilrnesi, iiretim teknikleri s1 ·
• I =, A
mrlamalan nedeniyle 1960'm ortalanna kadar gecikrnistir . Buyuk ve cok-buyuk ol-
.-- .....
I•:
' ;, 'rekli entegre devreler oncelikle MOSFET transistorleri kultamlaralc uretilmektedir.

JFET'in 9ah~mas1

Bir JFET'in fiziksel yaptsi ~ekil 6.l'de gosterilrnistir, Sekil 6. Ia'da gosterilen n-
kanalli JFET, icine bir 9ift p-tipi bolgenin difiizyon yoluyla yerlestirilrnis olan n-tipi
bir cubuk kullarularak yapilmaktadir. Sekil 6.lb'de gosterilen p·kanalh JFET ise n-
6.1 ALAN ETKiLi TRANS!STORUN GEMEL TANiM1 tipi difuzyon bolgelerine sahip p-tipi bir cubuk kullamlarak yaprlrnaktadir.
Her bir JFET tiiriine iliskin sembol Sekilo. l'de gosterilmistir,
Npn veya pnp olaralc yapdan bir iki-kutuplu jonksiyon transistoru (BJT), hem elekt- Sekil 6. l a'daki 11-tipi eleman icin: gecit tizerindeki ok, gecitin p-tipi, kanalm ise n-
ron akmllhem de delikalcuni:~ui'"kuUarnld1giakun kontrollu bir transistordur, Alan- tipi oldugunu gosterir. ~ekil 6.lb'<lekip,kanalJFET'in semboHinde gecitin n-tipi ka-
etkili transistor {FET) ise tek kutuplu bir elernandir. n- kanalh bir FET'te elektron nahn ise p-tipi oldugunu gosteren bir.ok isareti vardir.
akmuyla veya p-kanall1 bir FETte delik akmuyla 'ralt§an gerilirn kontrollu bir tran-
sistordur, Hem BJT hem de FEI"ler, farkli ongerilim varsayirnlanyla bir yiikse!ter,
devresinde ( veya benzeri devrelerde) kuUarulabilir.
Ge~it(G) Ge~it(G)
FET ve BJT elemanlan ve · bunlann kullarnld1g1 devrelerin genel bir kar-
lo
§lla§hrmas1 yaprldigmda §Oyle bir tab ile karsilasmz:
G
1. FET'in tipik olaralc 100 MU olan cok yiiksek bir girl§ direnci vardir (BJT'Ierde Aka~(Dj
Kaynak(S) Aka~ (D) kaynak(S)
bu deger, tipik olaralc 2 ill'dur).
2. FET'in, anahtar (veya kiyici) olaralc kullamld1gmda, sapma gerilimi yoktur.
\ Ohmik
3. FET'ler, yayinima (radyasyon) kars: nispeten duyarsizdir, buna karsin BJT cok - ..... -- ·kontak
duyarhdir (ozellikle beta degeri cok etkilenir),
(a) (b)
4. FET, BJT'den daha az "giiriiltiilildiir" ve bundan dolayi dti§ilk-dtizeyli yuk-
selteclerin (hi-ti FM ahcilannda yaygm olarak kullamhr) giris katlan icin daha S-:lil(,.1 JF~l"in fiziksel Y•P•SI
uygundur. ve sembolu: (o) 11-k:,nolh: (b) 1>·
kanalh
···.!':'
S. FET, BJT'lere gore daha ytiksek 1s1 kararhhg: saglayacak §ekilde 'rah§tmlabilir.
Tran~istoriin ncsil c;al1§t1g1111 incelcmek i9in,".elemanm 9ali§masm1 saglayan ongerilirnle
6. FET, BJTden daha kii'riikWr ve bu nedenle IC'lerde daha yaygm olaralc kul-
laruhr. birlikte Sckil 6.2'de verilen n-kanalh JFET'i ele alalim. Beslerne gerilimi vDD, akac-

I
Ek.~tro,ls.;anJ.Holes in ~K.·onth.K..'ttlfS\New Y,uk: V~n Nouran<l, 19SJ)
256
6.2 JFET'lerin Yaprst ve Karaklerlstikleri 257
 6.4a), Vcs gerilimiyle ayarlanan bir akac akmu (Io) akar. Bu durumda kapi akrrm

kaynak arasmda bir Vos gerilimi olusturarak akactan-kaynaga (n-kanal tipindc · IG=O (6.1)
elektronlar gercekte kaynaktan akaca dogru hareket eder, ki adim da buradan alrr) bir
Io aktmmm akrnasuu saglar, Du akac alarru p-tipi kapi ile cevrili olan kanal icerisinden olur; c;iinku ters ongerilimli kapi-kaynak jonksiyonundan akirn almrnayacaknr.
gecer, GoriildUgU gibi kapi ile kaynak arasinda bir Vee besleme kaynagiyla bir-V<;s Gecit-kaynak gerilimi tam olarak OV'a ayarlandigmda, akac akimirun degeri
gerilimi olusturulrnustur. Bu kapi-kaynak gcriliminin polaritesi, kapi-kaynak onernli bir btiyiikli.ik olmaktadrr ve loss olarak adlandmhr (bkz. $ekil 6.4 b). Kapt
- Vos T akirm (6.1).
Kaoal UUrinde bofal
Geri oaaerilimll bOtae IAmamlllllllCI
bof&ltdmit bOlac b.Dal bllkU!mo<i olur

s D
-10 n
s n D s D

+
T +
n-bnahndald
alam
Yes =OV

jonk.siyonunu ters ongerilimleyeceginden, kapidan alam akmayacaknr, Kapi-kaynak ge-

(a) n - kanah boyunca (b)
riliminin yaratacagi etki, kanaldaki bit: bosaltrna bolgesi yaratrnak ve boylece kalan ge-
sabitalwn
ni~Jigini azaltarak akac-kaynakdirencini artmp daha az.akac akrmi gecirmektir,
Elemanm 9alt~masm1 itk onceVcs = 0 ve daha sonra Vcs'Y1 sifir volt, ardrndan Vcs \
ters ongerilimi amnlmis (n-kanalh bir FET i9in daha negatit) varsayarak ele alacagiz. /'-- n - bnaluun
/ bilkillmcsi
~ekil 6.3a'da, akac-kaynagm n-malzemesi uzerinden gec;en akac akirrurun, kanal bo- ~ n - lcaMluun
yunca bir gerilim dO§iimii yaratugr, bunun da akac-kapi jonksiyonun, kaynak-kapi I~ dircncindcn
jonk.siyonundan daha POZtriF oldugu gorulrnektedir. p-n jonksiyonundaki bir ters
I Jcaynaldananejim

ongerilim potansiyeli, ~ekil 6.3a'daki gibi bir bosalulrrus bolge yaraur, V00 gerilimi O Vos
yukseldikce, Io akrrm aratarak daha biiyiik bir bosalulrms bolgeye yol acar. V00 ge- (c)

rilimi daha da ytikseltildikce, ~ekil 6.3b'dc gosterildig] gibi, kanal boyunca bosatulnus
bolge tam olarak olusur, V00'nin daha da arnnlmasi akac aktmmda herhangi bir de-
tJo
- -
gi~iklige neden olmaz, /0 akirm sabit kahr, Bu cahsma ~ekli ~ekil 6.3c'deki Vcs = 0 D
le• o

-
le= 0
karakreristik egrisiyle gosterilmistir. Vos artukca, lo akrrru, kana\ boyunca bo- n -lcanalli Vas=OV n-bnalh n-bnalh
~al1tlm1~ bolge tam olarak olusana kadar artar ve bundan sonra V05 artmlirsa bile G JFET JFET JFET
akac akirm doyuma ulasip sabit bir deger alir. Vcs = OV'ta gorulcn sabit akac aki- •.:Jb s 10 • o
rmrun bu degeri JFETin calisrnastm tarurnlamada kullarulan onernli bir parametre
+
olup loss ile gosterilir. (yani lngilizce kisaltmada, kapi-kaynak kisa devre oldugunda
akae-kaynak arasmda gorulen akirndir).
~ekil 6.4'te, n-kanalh bir JFET'in cahsma ozeti goriilebilir. Kapi-kaynak geri!imi (a) (b) (c)

Vcs, OV'tan daha kii9iik fakat kisma geriliminden daha biiyiik: tutulursa (bkz. $ckil ~,f,,i (·.- Oe=scmbolu o,erinclc:n n-kanalh JFtTin f•l~m,.,: (a}OV -Yi,
bOtg.. in<lcl<i Yes: (bl Ycs:OV: (c} Yes~ Yp-

258 Bo!Om 6 Alan-Etkili Translstcrler 6.2 JFErlerln Yap1s1 ve Karakterlstikleri 259

 denklemle verildigi gibi, hala sifrrdir. Kapi-kaynak gerilimi kisma degerinin otesine Sekil 6.Sa'da tipik bir n-kanalli JFET akac-kaynak karakteristigi gosterilmistir.
yukseltildiginde (kanah krsmak i'.ringerek:en dejt:rclen daha negatif tutuldugunda), =
VGs OV icin cizilen egride, VDs artinldikca akac akmurnn doyum diizeyine kadar
akac akirm sifira iner, Ti; srfir olur Ve JFET"elemam boylece tiimtiyle kaparnr (bkz. artt1g1 gorulmektedir, Daha once anlanlanlardan haurlayacagiruz gibi bosalulrrus ic;
~ekil 6.4c ).
bolge, akac-kaynak aknruru simrlayacak §Cki.lde 9ah§1r. V05 = 0 icin bu doyma
akrrm loss olarak adlandmlir,
Aka9-Kaynak Karakteris!igi Kapi-kaynak gerilimi V05 = -lV'a (bkz. ~ekil 6.5 b) ayarlandiginda, Vos yuk-
seltildikce akim, doyum duzeyine ulasmcaya kadar artar, ancak bu duzey V05 = OV'a
~ekil 6.4'de gosterilen yall§ma §_ekli, gercek akac; akrmim, kapr-kaynak geriliminin gore daha dti§iik bir duzeydir; c;:tinkti Vos= -lV'tan dolayr lasmen olusmaya bas-
bir deger arahginda akac-kaynak geriliminin farkli degerlerindeki grafig! cizilerek layan bosalnlrms bolge, akac-kaynak akrrrurun daha dil§tik bir diizeyinde tamarniyle
daha iyi anlatrlabilir. Bu egri, akac akirmrun akac-kaynak gerilimine gore bir grafigi OIU§Ur.
oldugundan, akac karakteristigi adim almaktadir. Akac-kaynak karakreristigi, OV ila k.tsma gerilimi arasmdaki farkli Vos degerleri
icin cizilen bir egriler grubudur. Kisrna gerilimi, akac-kaynak akirru olmaksiruz bo-
§alt1lm1§ bolgenin olu~tugu ve hie; akac-kaynak akimirun akrnayacagi gerilimdir,
Krsma gerilimi, genelde V,, veya VOS(kopah) olarak adlandinhr. Sekil 6.6'da p-kanalh
In (mA) JFET icin, akac-kaynak akmuru azaltan pozitif kapi-kaynak gerilirnlerine gore bir
In (mA)
Vc;:s=OV akac-knynak karakteristigi gorulmektedir,
loss
+V: + lo_-= loss
Vns
r l0(mA)

I
I VGs=OV

~ "::"'
I
I
I p-bllalh
Vcs =OV
0 0
Vm(volt)
(a) +IV
(b) I
,I.,._•
{/
ln (mA)
' +2Y
/.,..--..--
~~~~~~~
•·kanalh 0 V0s (volt)
.,:L ; ._,, p-kanalh JFET ak">·kayn11k
karakteris1i~i.
VGS" 0 V-

Transfer Karakt-c:rLstig;

:,· FET karakteristiginin bir basks ~ekli, sabit bir akac-kaynak gerilimi V05 icin,
'~1 kapr-kaynak geriliminin <Vos) bir fonksiyonu olarak Io akac akrmrrnn grafigi olan
i transfer karakteristigidir. Transfer karakteristlgi, dogrudan, elernarun calisma ol-
'"'.\! <;ilmleriyle egri izlerne cihazt ekrarundan izlenebilir veya ~ekil 6.7'de gosterildig]
Yos(volt)
(c) gibi akac karakteristiginden yizilebilir. Gosterilen transfer egrisinin iki onernli nok-
i<·:. .i: h.5 Ak:1~-k.ayn.i.k kar.tktcristiji: (a) Vcs = 0 V: {t)Vcs = .( V; (c) tlim karJkh.:ri.'ilik, tast Ioss ve V,, degerleridir,

260 BolOm 6 Alan-Etkili Translstcrter

6.2 JFETlerin Yap1s1 ve Karakteristikleri 261
 10 (mA) 6.3 JFET TRANSFER KARAKTERiSTiGiNiN c;:iziLMESi

Belirli bir JFET elemarurnn 9~h~rnas1m tarumlamak icin kullamlan parametreler loss
- loss ve v,, degerleridir. Oretici karalcteristik ozellik sayfalarmdaki tipik degerler kul-

/
larnlabilir veya sozkonusu JFET ilzerinden ol9iilebilir.
$ekil 6.8'de loss degerini ol9mek icin kullamlan bir devre gosrerilmistir. Vos'yi
Gtafilc
. Vcs 1 / OV'a ayarlarsak, devre bir arnpermetre yoluyla akac-kaynak akimi loss'yi olcer, Kay-
!0 •!~(I -,r.l '
:': .. ,. ,. / nak geriliminin (Voo). akac-kaynak akirmru doyma duzeyine ¥tkaracak oranda ol-
mast yeterlidir (yani kaynak gerilimi, lo'nin yukselis! durana kadar arnnlir ve ula-
silan dilzey loss olarak kabul edilir.)

-
v,. O Vcs
(volt) loss

.' . · · • - JFET rran.<fer korakrcristiii

(n-kanall1).
Bu noktalar tesbit edildikten sonra ~grinin geri kalaru, transfer karakteristigi uze-
rinde gorulebilir veya JFET'lerde meydana gelen fiziksel sureclerin teorik in-
celernesinden elde edilebilir; ve ~u denklem bulunur 2
,--·-A....----'<~r,., . . -.,._,
l
+
ID= Loss ( 1- y"5,)2 ! (6.2)
----·.... . p i
Bu formill, ~ekil 6.Tdeki transfer karakteristik egrisini temsil etrnektedir, Dikkat edilirse
transferkarakteristigiridegorilldiigii gibi Yes= O'dalo =Ioss ve lo= O'da Vos= VP 'dir.
).:~,I<·-~ toss» O~,ck ~in kullanrbrr :<·l,I (,.,; Vp'yi Ol<;mek i<;in kullamlan
dcvrc dcvre.

~ekil 6.9'daki devre Vp degerini ol~ek icin kullamlabilir.

Kisilma gerilirni VP = -4V, akac-kaynak doyum akirm loss= J2mA olan bir n- Akac-kaynak gerilimi, akac akmu O'a cok yakm olana (veya minimum bir akim
kanalh JFET'in akac akmuru ~agidaki kap1-kaynak gerilimleri i9in bulun. diizcyinin altma dusene) kadar OV'tan daha biiyiik negatif degerlere dogru ayarlarur.
(a) Yes= OV, (b) Vcs = -l.2V ve (c) Yes= -2V Akac akummn sifir olmasrm saghyan minimum Vcs gerilimi, Vcs(ofl) veya Vp'nin ol-
culen degeridir,
Joss ve Vp'nin degerleri olyilrnlerle veya elemanm ozellik sayfalanndan bu-
lunduktan sonra kullamci, de ongerilim hesaplarmda veya ac ¥alt~ma analizlerinde
Denklem (6.2)'yi kullarursak: kullarulmak uzere bir transfer egrisi cizebilir.

(a)lo=loss(l-~r = 12mA(1-1r = 12 mA JFET Transfer Karakteristik Egrisi

(b) lo= 12 mA ( I -=11-r = 5.88 mA n-kanalh bir JFET'in transfer karakteristigi, yaray ekseni OV'tan Vp'ye uzanan ne-

~r
··~-
gatif degerleri ve dii~y ekseni O'dan foss'ye uzanan, lo akirruru temsil eden koordinat
(c) lo= 12 mA ( I - = 3 mA sisternine cizilebilir, ~kil 6.10_ a'da Vp =-SY ve foss=lO mA i9in bu ttir bir sistem ve-
, rilmistir, Transfer karakteristigi.n iki noktasi gosterilmi~tir.
... Shockley Jenkkmi JFETlen.tek1sma bm~i ilffll 11i,;11 s:oe,n:HJir.

262 BolOm 6 Alan-Etkill Translstorler 6.3 JFET Transfer Karakteristlginin <;izllmesl 263
 I
• ....,_,_~ ~---- - --"'$-J _ • ..,. <.; ,. t.,.) - v. ;•

2. V1, = -5V yatay eksen iizerinde Uo = OrnA).

Bu degerler Denklem (6.2) ile hesaplarur: Ardmdan, ~ek.il 6.lOb'de gosterildigigibi, transfer karakteristigi egrisi bu noktalar
birlestirilerek cizilir. Egrinin ciziminde kularulan bu noktalar a~ag1da gosterildigi
Vos= OV icin: Io= loss (l - 0)2 =loss= 10 mA gibi oldukca kolay bulunabilir.

/_.. = ll1w\ ir in: II= Jll m '\ f 1 •

. \' .5Y
\lr;s)~·. \' . = ._';\' 1. lo= loss oldugu Vos= OV secin:
• ·.JI

10 (mA) Vos=OV loss= 12mA

r
2. Vos= 0.3 Vp secin, burada

8 lo= loss ( I • O.t? = loss (0.49) = loss (0.5)

-5 0
Vos= 0.3(-4V) = -1.2 V Io= 0.5 loss= 0.5(12 mA) = 6 mA
6

r=
3. Vos= 0.5 VJ> secin, burada
4
lo= loss ( I -O.~~P 0.25 loss
2 Vos= 0.5(-4V) = -2 V lo= 0.25 loss= 0.25(12 mA) = 3 mA

-5 V

t
-4 -3 -2 -I 0
VGs(volt)
4. Vas= V1, secin, burada ID=loss(I · ~;r =0

VF Vcs=Vv=-4V fo=O
(a) 10 (mA)
VGS 10 (tnA)
VGS lo t= v
JO mA(I - ~)2 J [01 O 12 [/=)
(V) (mA) -5V 10 -JOSS
0 10 [0.3 Vp) -1.2 V 6 1loss1
-I 2
6.4 8
-2 3.6 . 12 [l~~i
3 {0~!
-3
-4
1.6
(0.5 Vpl -2 V
4 r
0.4 6 _JVpJ __--4.._v o__10_1_ / 10
-5 0

4 I 8

2
I.

-5 -4 -3 -2 -I 0
t
Vp
VGs(volt)
2
\,! :i' JFET tr.tnsfo~ kar;.1k((risriginin
~1iilme,s1.
(b)
Transfer egrisuu <;11.n11.:k i<;in gcrcken diger noktalar O ila V,, arasinda iki veya ii<; ge- -4 -3 -2 -1 0
YGs(volt)
rilim degeri secilerek bulunabilir. ~ekil <5. !0b'de birkac gerilim degeri icin he- I
(V.-J.
,(O.S
...... L-,V,J;., . [0.3
,..,.L_··-·.,
V.-1 ':
saplanan lo degerleri transfer karakteristiginin uzerinde isarerl] olarak gi:iriilebilir. .· :-/.-- ....:.: .,·.~ :'~- ..-·.'.-.~~- ' ~
toss- t~ UI/\, ... ,, : -4V i~in ~izik:n trunsfer karJkleriscigi.
264 6.3 JFET Transfer Karakterlstlginin <;:lzllmesl
Boliim 6 Alan-Etkill Transistorler 265
 ~ekii 6.11, yukardaki dort veri noktasmin transfer karakteristtgi koordinat sistemi akac ak1m101 temsil eder. Kil9ilk sinyal elemanlannda bu akrm tipik olarak mi-
uzerinde birlesririlmesiyle olusan egriyi gosterrnektedir. Herne kadar daha 9ok nok- liamper (mA) dtizeyindcdir,
tayla daha dolu bir egri 9izilebilse de, yalruzca dort noktarun kullamlmasi de on-
gerilim veya ac 9al1~mas1 i9in bircok durumda yeterli olrnaktadir. Kapr-Kaynak Kapama (Krsma) Gerilimi,
VGs icin kullamlan dort nokta, lo degerlerinin, 9ogu kez hesap makinasiru bile ge- \lo= Vas (kapah)
rektirmeyecek kadar kolay hesaplanmasiru saglar, Onerilen degerlerin ve sonuclann
bir listesi Tablo 6.l'de verilrnistir, ; Akac-kaynak kanalmm kapandrg: veya kmld1g1. (yani neredeyse hi9 akim ge-
yirmedigi) kapi-kaynak gerilimi Vos (kapali), uretici ozellik sayfalannda Vp olarak
Table 6.1 aruhr. Pratik o\ytimler, kisma gerilirninin, akay akmumn belirli dti§Uk bir dtizeyinde
belirlenmesini (birkac mikro arnper) gerekmektedir; yiinkil stfir akim veya yok
kil9Uk bir akac akmu ol9tilmesi zor bir degerdir. Vp degerinin ol9illmesini sag-
Vas lo layacak bir devre ~ekil 6.9'da_gosterilm~tir. V0s'nin belirli bir degerinde, Io ki-
·! ,: .. nlmanm geryekle§tigini gosterecek yeterli kil9tikliikteki bir degere dil§tinceye kadar
0 loss VGS ayarlarurken, VGs ve Io olyUIUr.
0.3V1, loss
2 Kapi-Kaynak Krnlma Gerillmi BVass
0.5Vp loss
4 Kapi-kaynak jonksiyonunun kinlma gerilimi BVGss, belirli bir akimda akac-
0 kaynak kisa devreyken (Vos = OV) ol9tiliir. Kinlma gerilimi kapi-kaynak iizerinde
ayarlanabilecek gerilime iliskin simrlayrci bir degerdir. Bu degerin ustune ylk1lmas1
durumunda elernanakmun harici bir devre tarafmdan suurlanmasi gerekir, aksi tak-
6.4 JFET ;.:'ARA~iElRELER~ dirde eleman hasar gorebilir. Kmlma gerilimi, akac besleme geriliminin seciminde
Ureticiler, JFET elemamm tammlamak ve farkli elemanlar arasmda secim yapmak suurlayicr bir deger saglamaktadir.
icin gerekli olan bilgileri saglayan bir dizi parametre verir. Tarnrnlanan parametlerin
nispeten daha yararli olanlardan birkaci a§·ag1da verilmistir: Ortak-Kaynak ileri Ge9i~iletkenliqi 91s = 9m

1. loss, akac-kaynak doyum akirru. Olctilen ortak-kaynak ileri ge9i§ iletkenligi, gf, veya 8m olarak arulir. Bu deger,
2. V1, = Vos (kapah), kisma veya kapi-kaynak kaparna gerilimi. akac-kaynak kisa devreliyken ol9tiliir; yani
3.
4.
BVGss, akae-kaynak kisa devreyken elernamn kmlma gerilimi.
gm= g1,, elemanm ge9i~ iletkenligi (transkcnduktansi) 81,= 6/o
ti.Vas
I v05=o
S. Ifo eleman a91ld1g1 zaman gdrulen akac-kaynak d.irenci
ve JFET ac yUkseltiminin bir gostergesidir, g1,'nin (veya 8m) degeri, uygulanan bir
Elernarun gilril\tii gerilimi, acrna ve kaparna siiresi, gii9 degerleri ve kapasitansi ile ac kapi-kaynak gerilirnine bagh olarak ac akirrumn ne kadar degi§tigini gosterir.
ilgili bir dizi parametre de genelde iiretici karakteristik ozellik sayfalannda yer alir, 8m degeri siemens (S) birimiyle olr,;iili.ir (daha once mho (U )) ve tipik degerler l
ila 10 mS veya lOOOµS-10.000 µS arasmdadir,
Denldem (6.2) ile verilen bagmllmn tilrevi almd1g.mda3;

Kapi-kaynak kisa devre yapildig; zaman kanahn kapandigr (k1S1!d1g1) akirn

(Vos =0), en onernli elernan pararnetrelerinden biridir. ~ekil 6.S'deki gibi bir ~ Denklern (6.2)'nin turevi lo= loss! I • wr.~hn11>0;
devreyle koyalca ol9iilebilen loss degeri, JFET ters ongerilirnliyken en buyuk gm=~=-'
a Vcs
?!Jlli.(1-~)~2{oss(1-~)
Vp Vp VJ'! Vp
...:.·

266 Bolilm 6 Alan·Etkill Translstorter -~'

6.4 JFET PARAMETRELERi 267
,·-;.
 1· Cm = CmO ( I -
•
fu} I
Vp
(6.3)
ayarlamali tiretim tipinde kanal, fiziksel olarak olusmrulur ve akac-kaynak arasma
uygulanan bir gerilirn sonucu akac ile kaynak arasmda bir akim akar. Kanai olus-
turmali MOSFET'te kanal, elernan uretilirken olusturulmaz, Yuk tasiyicilanndan bir
elde edilir; burada kanal olusturrnak ve akac-kaynak arasma gerilim uygulandigmda aktrn akmasiru
saglamak dzere kapiya bir gerilirn uygulanmasr gerekir.
g = '1:!.!lli.
m
O
lvr-l (6.4)
Kanai Ayarlamala MOSFET
Cmo degeri, V Gs = OV'luk bir ongerilimde JFET'in maksimum ac kazanc pa-
rametresidir, Diger ongerilim §artlannda 8m degeri, Denklern (6.3) ve (6.4) ile he- ~ekil 6.12a'daki n-kanalli kanal ayarlamali MOSFET transistor p-tipi bir alt ta-
saplandigi gibi, daha dii~iik olur. baka (FET yaprsina ternel olarak kullarulan p-katkih silisyum rnalzeme) tizerinde
olusturulmustur. Kaynak ve akay uclan, dahili olarak n-katkd1 kanal bolgesine bag-
ORNEK6.2 ,-,\ lanrms olan, n-katkih kaynak ve akac bolgelerine bir metal (a!Uminyum) ile bag-
lamr, n-kanahnm tizerinde izolasyon katmaru olarak gorev yapan silisyurn dioksit
loss= 12 mA ve v,, = -4V'luk degerlere sahip bir JFETin geyi§ iletkenligini (gm), (Si02) katmaruna bir metal katrnan uygulanrrusur. Oksit bir katman uzerine metal
(a) VGs = OV ve {b) VGs = -1.SV ongerilim noktalannda hesaplaym. gecit birlesirninin yan iletken bir alt tabaka uzerine yerlestirilmesi kanal ayarlamah
MOSFET transistoru olusturur, Sekil 6.12a'daki n-kanal elemanda, negatif kapi-
Cozum: kaynak gerilimleri kanal bolgesinden elektronlan iterek kanali bosalur ve buyuk bir
negatif bir kapi-kaynak gerilimi kanali kisacakur, Ote yandan pozitif kapi-kaynak
Denklem (6.3) ve (6.4) kullaruhrsa gerilimi, kanah gcnisletecck (p-tipi tastyrcrlan itecek) ve boylece daha cok yuk ta-
.... sryrcrlaruuu gccmcvinc. yani kanal akmurun :,rtm:,,111:1 n,l :1c1c1~11r .
8mO = Y.fils._= 2(12 mA) = 24 xl0-3 = 6 x 10·3 s = 6 ms= 6000 µS
. IV,.j l-4VI 1-41 s G s G D

(a) 8m = Cmo ( I - ~}= 6 mS ( I - ~~) = 6 mS = 6000µS

. .cc·:· (yahucr
sio, (dielektrik)

(b)g,,, = 6 mS ( I - -~5/) = 3.75 mS = 3750µS

n - lcatloh
----
malz.c,mc;
Akac;-Kaynak acrk (iletim) Direnci, rds (apk)

(a) n-1:anah F.ndiiklenen n - kanah

Belirli bi~ kapi-kaynak gerilimi ve akay akirmnda olyiilen gerilim akac-kaynak
actk: (iletlm) direnci, JFE1' anahtar olarak kullaruldrginda onem tasir, JFET, r,;a-
hsrnasirun doyma veya omik bolgesinde ongerilimlenrnisse, akac ile kaynak ara-
smda, r,1,car,k) degeri ile belirtilen ye on ila birkac yiiz arasmda degi~en bir direnc
soz konusudur.
6.5 MOSFET'LERiN Y ~PISI VE KARAKTERiSTiKLERi
. '11f
Alan etkili bir transistorun ger,;it ucu kanaldan izole edilmis olarak yapilabilir. Po-
puler Metal-Oksit- Yaniletken FET (MOSFET) ya kanal ayarlamalt MOSFET (~ekil ,;,
6.12a) veya kanal olusturmali MOSFET (Sekil 6.12 b)' olarak iiretilmektedir. Kanai !~
(b)
~ekil 6.13'te kanal ayarlarnah bir n-kanal MOSFET elernarurun karakieristigi gos-
terilmistir. Eleman hem pozitif hem de negatif kapi-kaynak gerilimiyle <;ah§irkcn
gosterilmektedir. VGs'nin negatif degerleri akac akirmru kisma gerilimine kadar dii-
§Uri.ir ve bu noktadan sonra hir,; akac akirm akrnaz. Transfer karakteristigi negatif
kapi-kaynak gerilimleri icin ayrudrr, ancak Vcs'nin pozitif degerleri i<;in dcvarn
eder. Kap,, Vdnin hem pozitif hem de negatif dcgerleri ic;in kanaldan izole edilroi§
oldugundan, eleman VGs'nin her iki polaritesiyle r,;ah~llnlabilir vc hi<; bir durumda
kap1dan akim akmaz. ~ekil 6.l3'deki elemanm §Crnatik semboli.inde bir alt tabaka
ucunun eklendigi (kap1, kaynak ve akay tellerine ek olarak) goriiltiyor. Bunun tize-

268 Boliim 6 Alan-Etkill Translstorlar 6.5 JFET Transfer Karakteristiginin vizilmesl 269
...; .
 rinde elernan tipi isaretlidir; burada ok, p-tipi bir alt tabaka, dolayisiyla bir n-kanal
elernaru olduguna gosterir. Kana! ayarlamah bir p-kanal MOSFET karakteristigi
$ekil 6.14'de gosterilmistir.
D Kanai ayarlarnalt bir MOSFET, loss = 12 mA ve Vp = -4.SV degerlerine sahiptir.

/ Altkabnan
Akac akirmru (a) OV (b) -2V ve (c) -3V'luk kapi-kaynak gerilimleri iyin he-
saplaym.
10 (mA) G_J ( /i,(mA)
--~~~~~~~...;..-
+IV

s·
IO Denklem (6.2)'yi kullamrsak:
Vcs • 0V
Vas) 2 = 12 mA {t _ _Q_Y_)2 = 12 mA
8.5
(a) lo= loss(I -
· Vp -4.5 V
s -IV (b) lo= 12 mA (1 -..:2L)
-4.5 V
= 3.7 mA
2

-2 V
-3 V, (c) Io= 12 mA { I - ..
-4.5 V
as:..y = 1.33 mA
-4 -3 -2 -I 0 Vc;s(volt) 0 s 10 IS Vos(volt)
:,,~ii I•. I.; 11,k:,nalh i.•nal ayarlamoh MOSFET kar:,kteristildcri.

s G D $ekil 6.15'deki kanal olusturmah MOSFET, akac ile kaynak arasmda temel eleman
yapisi olarak bir kanala sahip degildir: Pozitif bir kapi-kaynak geriliminin uy-
gulanmasi, kapmm altmdaki alt tabakadaki delikleri iterek bosaltilrms bir bolge olus-
masiru sagiar.Kapi gerilimi yeterince pozitif oldugu zarnan elekrronlar, bu bo§alttlm~

(a) s G(+) D

-IV

Vy 'den bOyOk
Yes • UV pozltifkap1
gcrilimi.nlnol~urduju Bo~llllmsf b61gr.
n-kanah ,..M~:S:.::'.l:lill!.u..,....1m~::a:;W
+IV

+2V
bolgeye i;ekilir ve akac ile kaynak arasmda bir n-kanah olarak gorev yapar. Buradan
0 olusan n-kanal, kanal olusturmali MOSFET karakteristigi ~ckil 6.16'da gosterilrnistir.
VI' VGS (volt) O Vos(volt)
Kapi-kaynak gerilimi V7 esik degerini asincaya kadar akac akmu akmayacakttr. Bu
(b)
esik degerini asan pozitif gerilimler, artan bir akac akrrruna yol acacakur; transfer ka-
)ck,! I•. i J p·kanalh kanal olu11um111h MOSFET: (a) yop,.,; (b) koraktcristiklcri

270 6.5 JFET Transfer Karakterlstiglnin «;:izilmesi 271

BolOm 6 Alan-Etklli Transistorler
 rakteristiginin denklemi ile yc::~tir. buradaR: (tipi,k olarak 0.3 mA/V2) elemanm ya- s G D
pisma iliskin bir degerdir.4 Dikkatedilirse; Ve;= OV ile hiy akac akirru
l
10 = K(Vcs-VT)2 1· (6.5)

akrnadigmdan kanal olusturrnah bir MOSFET ile ilgili bir loss degeri yoktur. Herne n - altkatmaru

kadar kanal olusturmah MOSFET yah§ma aral1g1 bakimmdan kanal ayarlarnah ele-
(a). ~ -
mana gore daha krsith olsa da, kanal olu§numalJ eleman daha basit yapist ve daha ki.iyuk

D
11- lcanal
ol~turroah
_J ~
I --------
MOFSET Allkatman !0 (mA) --6V
G
s
-SV
p- kana1
4.5 ol~tunnal.t
MOFSET
-4V
Vcs =6V
/ Vcs = ·-3v
3.0
I
J--
0
I 5V Vas(volt) Vos(volt)
(b)

1.5
,.,
:;(
.Ii

r=r+>:
4V ~ck.ii (d7 i>--k~m41Ui kanal olu~lurmah MOSFET: (a) ynp1s1; Sb) kuJ.1.kteristikl.eri

ORNEK 6.4
!.----,---~------
ff 3V
:J
0
VDs(voll) N-kanall1 kanal olusturmah, esik degeri 2.SV olan bir MOSFET icin a§ag1dak:i
gecit-kaynak gerilirnlerinde akan akirn degerlerini bulun:

~c},;: ,,.1 •, n·kanalh knnal olul!Unnah MOSFETe ilijkin kar.iktcri:<tildcr. (a) Vcs = 2.5 V (b) Vcs = 4V, (c) Vcs·= 6V

ol9iileri dolayrsryla, biiyiik yaph entegre devreler icin daha uygun bir elernandrr, <,:ozitm:
Kana! olusturmali elemanm §ematik sernbolunde akac ile kaynak arasmda bas-
Iangicta bir kanahn olmadigiru belirten kesik bir 9izgi gorulur. Alt tabaka uc; oku p- K; 0.3 mA/V2 degerini Denklern (6.4)'te yerine koyarsak:
tipi bir alt tabakayi ve n-tipi bir kanah gosterir, P-kanal kanal olusturmah MOS-
FET'ler de iiretilebilmektedir. Bu tiir bir eleman ve karakteristigi Sekil 6. l 7'de gos- =
(a) Io= 0.3 x 10·3 CVcs - VT)2 0.3 x 10·3 (2.5 · 2.5)2 = 0 mA
terilmistir, "',~:
(b) Io= 0.3 x 10·3 (4 - 2.5)2 = 0.675 mA
. 'I
··-····-- ·-·--- ------·----------------------·-·· (c) Io= 0.3 x 10·3 (6 - 2.5)2 = 3.675 mA

272 6.5 JFET Transfer Karakteristiginln «;:izllmesi 273

Boliim 6 Alan-Etkili Transistorler
 . ·".('
\I
1

Bir JFET veya kanal ayarlamah MOSFET icin oldugu gibi kanal olusturrnah bir
MOSFET icin de bir aktanna iletkenligi degeri bulunabilir; bu durumda gecerli olan maksimum In= mak~imum Po = 360 mW = 12 mA
bagmt15 rnaksimum Vos 30 V

'im = 2K(Vcs - Vr) (6.6) olacaknr; bu da 360 rnV{'luk maksimum anrna degerin oldukca alundadrr. Aslmda
30 V'taki maksimum alam;

ilc verilmistir,
BVcss=-30V
ORNEK 6.5
,.:.•
·~ ........
Vr = 3V'luk esik degerin~ ;~hip kanal olusturrnah bir n-kanal MOSFETin ge9i§
llerkenligini a§ag1daki 9all§ffi11 noktalan icin bulun: (a) 6V ve (b) 8V.
?~,
<;oziim:
! \

(a) g111 = 2(.3 X 10·3)(6 - 3) = 1.8 mS (a)

(b) g .. = 2(0.3 x 10-3)(8 - 3) = 3 mS Mutlak maksimum anma dcJcriett t25' C ,crbc,1 huva .-ic:,~1ig1ndul

Aka~-Kap1 gerilimi 30V

6.6 KARAKTERiSTiK OZELLiKLER SAYFALARI Ten yBnde Kapr-Kaynak Gcrilimi -30V
llerl Yonde SOrckli Kapr Akum IOmA
Bir JFETin karalcteristik tizelliklcr sayfasi onem tasiyan bir dizi elektriksel ka- TransistBr SOrekli Harcama Gocu (25°C (vcya daha d~Ok) Serbcst
Hava Sicakhltnda) · 360mW
rakteristik ve anma degerleri konusunda bilgi saglamaktadrr, ~ekil 6.18'de say- TransistBr SUrckli Harcama GUcU (25°C (veya daha dO§Uk) Bacak
falarmda bulunabilecek tipik bilgiler gtiriilmektedir. Mutlak rnaksimum anma de- SrcakllJmda SOOmW
gerleri a§ag.idaki gibi bilgiler saglamaktadrr. Saklama S1cakhlc Arahl• -6S°C ile I SO"C
(b)
Maksimum Akac-Kaynak Gerilimi = 30 V
Elcktriskel karakteristiklcr (25°C serbest hava s1cakhfmda)
Buna esir veya altmdaki bcsleme gerilimleri JFET elernarurun guvenli 9ah§mas1rn PARAMETRE MIN. MAKS.
saglayabilecektir. BVoss Kapr-Kaynak Kmlma Gerilimi -JOV
v~, Kapr-Kaynak Kapanma Gerilimi -2.SV -6V
25°C'de toplam gii9 harcamasi = 360 mW loss
rda(~•k>
S1f1r O~it Geriliminde Akay Ak1m1 IOma lSmA
KU~Ok-Sinyal Aka;-Kaynak A~1k-
Durum Direnci 210 Cl
Transistorun oda sicakligmda harcadigi maksimum gii9 360 mW'a ~it veya daha KO;Ulc-Sinyal Ortak-Kaynak ileri
Yr,.
dii§iik olmahdir. Omcgin Vos= 20V ve lo= 8mA ongerilirn kosufunda harcanan gU9; Transfer Admitansi 3.SJJS 1.SµS
Y"' KO;Ok-Sinyal Ortak-Kaynak c;1k11
.Jl .
•..::L Admltans: 75µS

(c)
x.. •!!P._•2K(VCS· "Tl
was ,.
fekll '-II 2N5950 JFETc ilitkln llr.cllik bililleri: (a) clernan1n bocaklan; (b) mutlalc mak.tlmum anma de-
.,
bur.Ida K • 0.3 x 10 A/V'l (1ir,it) : QJ tnAfV2, Jerleri: (c) tipllc elelclribelkank1cri1tikbilJileri.
jonksiyonun ters tingcrilim yontlnde lcmldtg1 tipik kmlma gerilimini tarnrnlayan

274 BOIOm 6 Alan-Etklll Translstorler U Kll'lkterlatlk 6ztlllklerl 275

 Vos= 15 V'Juk bir akac-kaynak geriliminde ol9iilen kapi-kaynak kmlma gerilimi
Vp'yi tamrnlayan
VGS(kapoh) = -2.5 ile - 6V

VGS = OV ve VDS = 15 V degerlerde ol9Ulen doyum durumundaki akac akirniru ta-

rumlayan

loss= 15 mA (maksimum)

gibi degerler sayilabilir. O'--~~~--'=="""'"--~~-..

+Yoo +Vair

Bir diger pararnetre de kiiytik ac sinyalleri icin akac-kaynak direncini tammlayan

rd~~·k) = 210 n (maksimumjdegeridir. Seki! 6.20 CMOS'un girii,l~1k1,

ili1ki:ti.

s.7 cnos
Temel olarak sayisal devrelerde kularulan ve oldukca yaygm olan bir baglanti, kanal
olusturmah pMOS ve 11MOS transistorlerini tiimler veya diger adryla CMOS ele-
manda birlestiren bi~ baglanudir. ~ek:il 6.19'da temel CMOS baglantisr gos-
terilmisrir. Giris, pMOS ve nMOS transistorlerinin ortak gecitlerine baghdir. Pozitif
bir giris gerilimi pMQS'u kapali, 11MOS'u a9tk duruma getirerck, 91k1~ta OV ve-
recektir. Dii§tik degerli bir giris gerUinu buna k~1ltkpMOS'u acik, nMOS'u kapah
duruma gerirerek, 91kt§ gerilimini +Voo'ye 91karacakt1r. Giris ve 9t.k1§ gerilimleri
arasmdaki iliskiyi gosteren bir grafik ~ekil 6.20'de gosrerilmistir.
pMOS
Yss (0 V)
Giri~ gerilimi dii§ilk oldugu zarnan nMOS transistoru kapah kahrken pMOS tran-
sistorii. aytk duruma ongerimlenir ve 900§ besleme gerilimi dtizeyi, +V00'ye 9t.kar. Giris
gerilimi artnkca, ~ekil 6.20'de gosterildigigibi, giris gerilimi nMOS transistorunu a9tk
hale getirecek diizeye ulasmcaya kadar durum korunur. Daha sonra 9tla§ gerilirni,
pMOS elemam tarnamen acihp ve nMOS transistoriin kapanmaya baslarken hizla OV'a
duser,
Gerilimin +Voo'den OV'a d~tiigti veya OV'tan +Voo'ye. yiikseldig] kisa bir sure
dismda, pMOS ve nMOS transistorleriiiifl.seri baglanusmdaki transistorlerinden biri
kapahdir ve besleme kaynagindan akim i;ekilmez. Yti.ksek ve alcak 9tkt§ duzeyleri
arasmda kalan kisa anahtarlarna siiresi dismda (yani biri a91k digeri kapah duruma
gecerken her iki transistorun acik oldugu sure dismda) CMOS devresi besleme kay-
nagmdan giii; cekmeden yii.ksek veya alcak 91.k.t§ ile 9ah§maktadtr. Ashnda bir
CMOS devresinin gti9 tiiketimi de kosullannda sifir olup, .uygulanan sinyalin fre-
kansryla birlikte devre daha sik anahtarlama yapt1gmdan bu ttiketim artacaknr,
CMOS'lar agtrhkh olarak sayisal devrelerde kullarulir ve besleme kaynagindan
cok az giic; cekerken OV veya +5V'luk bir 91k1§. saglar. Dti§iik giic;lii entegre dcv-
relerin 9ogunlugu CMOS transistorleri ile yapilrrusnr.

AltkoJ.mun c.:
1. Eleman parametreleri Vp = -3V ve loss = 8mA olan bir n-kanal JFETin akac
(a)

akirrum, a§ag1daki kapi-kaynak gerilimleri icin hesaplaym: (a) -Lv, (b) OV, (c)
-2V.
' ' '11• i-: ·:·emc1CMOS h>Al!ntoso.

276 BolOm 6 Alan-Etklll Translstorler BolCim 6 PROBLEMLER

-~· .
.:,:
2. VP= +4V vel0ss = 7.5 mA olan bir p-kanalh JFET elc-
Eleman pararnetreleri 14. V;, = -3.8V ve loss= 6.8 mA parametrelerinesahip bir p-kanalh JFET cle-
mnmmn akay akirruru, a~ag1daki kapi-kaynak gerilimleri icin hcsaplaym: (a) mamnm 8nro dcgerin! bulun.
+2V, (b) +3V. .
15. n-kanallt bir JFET (loss= 8mA, VP= -4V), Vcs= -1.SV'ta <;ah~tmld1gmda gc<;i~
3. VP = -3V ve loss= 8mA degerlerine sahip bir n-kanalh JFET elemamnda 5 iletkenligi gm degeri ne olur?
mA'hk bir aka<; akirrn saghyacak kapi-kaynak gerilimini hesaplaym.
16. Bir p-kanalh JFET Uoss = 9mA, V1, = +3.5V), Vas= 0.75V'ta yalt~tmld1gmda
4. Yp = +4V ve loss= 7.5 mA degerlerine sahip bir p-kanalh JFET elemanmda 5 ge<;i§ iletkenligi Km degeri ne olur? . . 'r , -'
mA'lik bir akay aknm saghyacak kapi-kaynak gerilimini hesaplaym. ~ !.~; .
17. Bir n-kanalh JFET, VGs = -1.SV ve loss= 2.9mA'de ongerilimlldir. loss = 7.5mA
S. loss degeri 8.5 mA olan bir n-kanallt JFET <;ah~tmld1gmda /0 = 2.125 mA ve olduguna gore V1,ve gm degerleri nedir?
Vas= -2.SV olarak <ll<;iiliiyor. Elemanm VP degeri nedir?
18. Bir n-kanallt JFET (loss= 7.8 mA).10 = 3.82 mA ve VGs = -l.2Y'ta <;alt§tmhyor.
6. V1, degeri -6 V olan bir n-kanalh JFET, 10 = 6.75 mA ve Yes= 1.5 V'de i;a- Bu yalt§ma noktasmdaki gm degeri nedir.
lt§tyor. Elemamn loss degerini bulun.
19. Bir p-kanalh JFET (loss= 13.SmA, VP= +SY), 10 = 9.5 mA'de 9ah§tmhyor. Bu
7. Anma degerleri loss= 10 mA ve VP= -3.SV olan bir n-kanalh JFET elernam <;a- <;al1§ma noktasmdaki gm degeri nedir?
h~tmld1gmda 10, 3.625 mA olarak <ll<;iiliiyor. Vas degeri nedir?
20. Bir n-kanalh JFET (Vp = 4.5 V, loss= 8 mA), VGs = -l.2V'ta cahsurilryor, Ele-
rnanm gcyi§ iletkenligini (gn,0) ve cahsma noktasindaki aktanna (transfer) ilet-
kenligini (g.,) bulun.
8. loss= 16 mA ve VP= -6V parametrelerine sahip bir n-kanalh IFET elemamna
transfer karakteristigini <;iiin. 21. Bir JFET (gmo = 4200 S) Yes= -lV'ta cahsunhyor, Bu noktadaki gm nedir?
(Vp = -4V.)
9. loss = lOmA ve V1, = -SY parametrelerine sahip bir n-kanalh JFET elemanuun
transfer karakteristigini <;izin. 22. Bir JFET Uoss = 6mA, VP= -2.5V), 10 = 5mA'dc <;alt§tmhyor. Bu noktadaki gm
nedir?
10. loss= 12mA ve VP= 4.SV parametrelerine sahip bir p-kanalh JFET clemanmm
transfer karakteristigini <;izin. 23. Bir JFET (Vp = -4V), VGs = -IV'ta yalt§tmldlg1 zaman 4500µ S'lik bir geyi§ ilet-
kenligine sahipse, elernanm mak.simum geyi§ iletkenligi nedir?
~ 6.4

11. loss= 8mA ve VP= -4.SV parametrelerine sahip bir n-kanallt JFET elemanmm, ;: (1.5
g,,.00 geyi~ ilerkenligini (transkonduktansuu) bulun.
24. Kanai ayarlamah bir MOSFET Uoss = 12 mA, VP= -4V), Vas= -SV'ta <;a·
12. v,, = -3V ve gnr0 = 4.5 mS parametrelerine sahip bir 11-kanalh JFET clemanmm · h§tmhyor. Bu <;al~ma noktasmdak.i ge9i§ iletkenligi (transkonduktans) (g111)
Ioss degeri nedir? nedir?

~3. loss= 12 mA ve Kmo = 6500 µS parametrelerine sahip bir p-kanalh JFET ele- 25. Kanai ayarlamalt bir MOSFET Uoss = 8mA, VP= -2V), Vas= OV'ta yah§tmhyor.
manrnm VP degefi nedir? .J. Elemarun geyi§ iletkenligi nedir?
,}:,,
6
278 B610m 6 Alan-Etklll Tranalatorler B610m 6 PROBLEMLER ·279
 26. 3.SV esik gerilimi olan kanal olusturrnah bir MOSFET vcs = 5V'ta ca-
hsunhyor. Akan akimlann degeri nedir (K = 0.3 mAN)? '

27. n-kana~h kanal ol~tu~al1 -~ir MOSFET, 7V'ta ongerilimlendiginde Iv =

4.8mA de <;al1§1yorsa C§1k gerilimi (Vr) nedir?

28. n-kanalh kanal olusturmah bir ~OSFET 6V'ta <;al1~tmld1gmda esik deger! Vr=
2.8V olmaktadir, Bu durumdaki devre ge<;~ iletkenligini hesaplaym.
.
·+

29. Vcs = 7.SV'ta <;alt§tmlan kanal olusrurmah bir MOSFET 2 5 mS'lik · ·1

·~· . . , · ge<;t§ 1 et·
ken I rgrne sahiptir, Elemanm esik gerilirni nedir?
.:;.·.
30. n-kanalh kanal olusturmah bir MOSFET (Vr = 2.SV), lo = 6mA'de <;a· I~·,,:
lt§tmld1gmda ge<;i§ iletkenligi ne olur?
; .. ·.i· ~=

_J

-·-·- ····----·· · ..

Bir FET elemamn de iingerilimlemesi, istenilen bir akac akirrurun akmasma yol a9an bir
gecit-kaynak gerilirninin uygulanmasuu gerektirir, Bir JFET icin akac akirru, doyma
'#- .
akirm loss ile suurhdir, Kanai ayarlamah bir MOSFET. Ioss'nin altmda, iistiinde veya
ona esir bir degerde ongerilimlenebilir; Kanai olusturmali bir MOSFETin, elemamn a91l·
mast icin ~ik degerini asan bir gecit-kaynak gerilimiyle ongerilimlenmesi gerekir. Fc.'T
gecite bakildrgmda giiriilen empedans <;ok yiiksek oldugundan (bir JFETde ters on-
gerilimli p-n jonksiyonu veya kanal olusturrnah MOSFETde bir silisyum dioksit ta-
bakasiyla izolasyon) gerilim boliicii veya sabit kaynak geriliminin gecitre olusturdugu
de gerilimi FET tarafmdan etkilenrnez veya yiiklenmez. Sabit de ongerilirnleme, ~ekil
7. l'de gosterildigi gibi, gecit-kaynak jonksiyonunu ters ongerilirnlernek ic;in kullamlan
bir kaynakla elde edilir. Vee kaynagr, Vcs gerilimini Rc'den ya da gecitucundan hi'<
akirn akrnayacak §Ckilde ters ongerilirn diizeyine <;ckrnek icin kullanahr.

le =0

Gecit-kaynak ters ongerilirnli oldugu icin, bu jonksiyondan akim akmaz, C kon-

dansatorunden de akrrru gecmediginden. Re direncinden de akrm gecmeyecektlr.
Kaynak, n-kanal JFETi ongerilimleyecek Vcs gerilimini saglar, fakat Vcs kay-
nagmdan akim cekilmez.
Re dircnci, C kondansatoru iizerinden uygulanacak herhangi bir ac sinyalinin Re
280
Bol(im 6 Alan-Etkill Translstorter
281
 ORNEK 7.1
O:zerinde arunlmasmi satlamak i9in eklenmistir, ac sinyalinin Ra (lzerinde art-
masiyla birlikte Ra Uzerindeld de gerilim dil§ilmii,

~ekil 7.2'deki sabit ongerilim devresinin aka~ akirrum ve akac-kaynak gerilimini

bulun.

+l'oo +12 V

~ I.SY

~,,ii •.I SabitongcrilimkuUonanJFETdcvresi.

Vas. gecit-kaynak gerilimi ise, <;:iiziim:

Vas= Vo- Vs= Vac;-0= Vea (7.1) Yes= Vee= -1.5 V

olarak bulunur. Dab sonra akac-kaynak akimi lo, ~g1da verilen Shockley esit-
lo=loloss(I - V::r = 12mA(1--~vVY =4.69 m

-~r
ligiyle bulunabilen, gecit-kaynak gerilimi Yes tarafmdan olusturulur; Vo= Voo -loRo = 12 V - (4.69 mA) (1.2 kQ) = 6.4 Y
Vos= Vo - Vs= 6.4 V - 0 V = 6.4 V
lo=loss(i (7.2)

Bu aknn, ak39 direneinde belli bir gerilim dii§iimiine neden olur : JFET Aka~-Kaynak Karakterlstlglne Dayah
Graflk Anallz

""
=· A~ag1da, bir JFET devresinin de ongerilirnli 9al1§masmm grafik olarak analizi ve-
aka9taki gerilim ise, ·
rilmistir. Herne kadar yukarda kullarulan maternatiksel yontem devredeki rum akirn-
lan belirlemek icin avt.k ve dogrudan bir aray saghyorsa da, grafik analiz, on-
Vo= Yoo - loRo (7.3) gerilimle 9ah§maya yeni bir bakrs a91S1 getirrnekte ve de ongerilimlerneye neden
ihtiyac duyuldugunun anlasrlmasma yardimci olmaktadir, ~ekil 7.3'de bir JFET'in
olarak bulunur.
=
(/ oss 12 mA, V1, = -4V) akac-kaynak karakteristigi verilrnistir,

282 B610m 7 FET Ongerlllmleme B61il~ Sablt Ongerllim 283

 10 (mA)

VGS = 0 V
..
=
(10 0 yani yatay eksen iizerinde bulunan bir nokta VO= V00'de isaretlenrnistir.)
2. Vos= Vo= OV icin:

O V = Voo - loRo
-IV
Io =Y.iul
Ro
(V05 =
0 yani dii§ey eksen uzerinde bulunan nokta lo = VoofR0'de isa-
-2V retlenrnistir.)
3. De yiik dogrusu, I ve 2. adimlarda isaretlenen noktalar arasinda r;:izilir.
-3 V
OR:\EK 7.2
0 2 4 6 8 10 12 Vos (v)
Akac-kaynak karakteristigi ~ekil 7.3'te gorulen JFETi kullanarak ~ekil 7.2'deki
devrenin siikunet (Q) noktasuu bulun.
Kapi-kaynak ongerilirn gerilimi, Vee kaynak degeri ile secilebilir, l.SV'luk bir pilin
<;:01.ii111:
kullamlmasi akac aknruru ve secilen Ro degeri akac gerilimini olusturacakur. Vcs= -
1.5 Va ait kapi-kaynak karakteristik egrisi ~ekil 7 .3'de gosterilrnedigi icin, vGS= • J v Vos= -1.SV'e ili§kin karakteristik egri, -lV ve -2Y egril,:rinin arasma r;:izilmi§tir.
ve Vcs = -2V. arasmda kalan bir cizgi ~ekil 7.4'de gosterildigi gibi Vos= -l.5V'luk A§ag1daki iki nokta arasmda bir dogru r;:izilerek de yiik dogrusu eldc edilir:
kesik bir r;:izgiyte yaklasik olarak verilrnistir,
Esitlik (7.3) ile verilen c;ah§may1 temsil eden bir de yuk dogrusu, §U §ekilde <;i- !0 = 0 ic;in: Vo= Vo0 = 12 Y
zilebilir:
Vos= 0 ic;in: lo=fu=...ll.Y.....== 10 mA
l. Io= 0 mA icin: Ro 1.2 kO
Vo= VoD - (O)Ro = Voo ~ekil 7.4'te gortilen siikunet noktasmm koordinatlan:
10 {mA)
De yiik ~izgisi
(R0 - 1.20 i~in)
Vcs=OV_ olarak bulunur.
12

Q. noktas1 7.2 KENDiNDEN ONGERiLiMLi JFET YUKSEL TECi

-IV Daha pratik bir JFET ongeriliminde ikinci bir kaynaga gerek olmadan, kapi-kaynak
ongerilirnlni saglamak ic;in bir kaynak direnci (Rs) kullamh'.. ~~~I 7.5'dc sadec_c_ te~
gerilim kaynag1 (V00) kullarulan de ongerilim devresi verilrnistir, Tees ongerilimli
kapi-kaynak iizcrinden hi~ kapi akirru akmayacagmdan, kapi akimi :
. .i
lo=O
bu nedenle kapi gerilirni,
0 2 4 6 8 '0 12 Vos (V)
Vc=IcRc=OV (7.4)
t olur.
'jd.,I · I Ond; 7.2'ye iliJkin al:a~-1.-aynokl:arakrcrisri!i ve yiik do~"'"''

284 BolGm 7 FET Ongerilimleme BOIOm 7.2 Kendlnden Ongerlllm JFET YOkseltecl 285
 lo= O icin: VGs = (O)Rs = 0 V

VGs = Vp icin: Iv=~

Rs

-
Ornek 7-3'tc gosterildigi gibi kendinden-ongerilim dogrusu ile transfer ka-
rakteristiginin kesisme noktasi istenilen Q noktasiru vermektedir.

~ckil 7.6'dak.i devrenin VGs·ve Iv d~}.:rkrin1 h11l1111.

+V00 (24 V)

6.2 kn

~kll 7.5 Kaidindon ooscritimli JFET dcv_rc:u.

Aka9 akrmi /0'ye ayarhyken, kaynaktaki gerilim;

I
.,h

Vs=/::] (7.5)

olur.

O halde kapi-kaynak gerilimi;

VGs = VG - Vs = 0 V - 1oRs
JFET transfer karakteristigini cizmek icin [Denklem (7.2)]:
VGs = -loRs (7.6)
VGs(V) J0(mA)
Aka9 akirmrun, Denklem (7.2), ile belirlendigi gibi, JFET i9in yererli olmasi gerekir.
Denklem (7.2) ve (7.6), iki bilinmeyenli ([0 ve VGs) iki denklemdir. Bir denklcm
0 10
digerinde yerine konarak bilinmeyenlerden biri ve ardmdan digcri icin 9ozi.im bu-
lunabilir. Herne kadar bu, bir bilgisayar prograrmyla kolayca yapilabilse de, bu iki [0.3Vp] -1.2 5 [Yf]
denklerni 9ozmenin daha uygun bir yontemi grafik tekniktir; 9izilen iki egrinin ke-
sisme nokrasi aranan 9oziimil verir.
ilk once Denklem 7.2'nin JFET transfer karakteristigini Daha sonra Denklern
[0.5Vp] -2.0 2.5 [~]
[Vp) -4.0 0
(7.6)'nm dogrusunu 9izin (kendinden ongerilirn dogrusu). Bu ikinci dogru iki nokta
secilerek kolayca 9izilebilir. Kendinden-bngerilim dogrusunu ~izmek i9in [Denklem (7.6)]:

286 BcllOm 7.2. Kendln~n On~llm JFET YOkaeltecl

B610m 7 FET Ongerlllmleme 287
 Vo= Yoo - IoRo = 24 V - (1.6 mA)(6.2 kQ) = l4.08 V
0 0 Vs = IoRs ~ (l.6 mA)( l.S kn)= 2.4 V
2.67 -4 Vos= Vo- Vs= 14.08 V -2.4 V= 11.68 V

In (mA)
<>RNEK :.~
10-lnss
$ekil 7.6'daki devrede lossfl. ile /0ss/4 arasmda de ongerilimi saghyacak Rs di-
9
rencinin deger arahgm: bulun.
8
<,:iizf1m:
7
Ornek 7 .3'te 9i1.ilen transfer karakteristiglnden yararlanarak,
6

5 lo= lsss ; 10 mA = S mA
Vas= -10 (1.5 k.l'l) 2 2
4
;
ve
3 lo= !.fill.= 10 mA = 2.5 mA
4 2
2
noktalanndan ge9en kendinden-ongerilim dogrulanru 91210. Bu noktalar once
transfer karakteristigi ve kendinden-iingerilim dogrulan uzerinde i§aretlenir, ar-
-4 drndan (0,0) rnerkez noktasmdan baslayarak Sekil 7.8'deki gihi birlestirilir,
-3 -2 -1 0
t
Vas (volt)•
/0(mA)
v,. Vas0 = -2.4 v
~l·hif 7.i J1:1 r 1r.u1,11:r l:,ir:tL.h.:rii,.11g1,1t11 \.111111..,,,1 vc umd;.7 ·3'\! ili'-kin kend'11iutn--ongcnf1m
.. 1 - . • ...
, dognisu. 10
Self-bias line I 9.
$ekil 7.7'de . transfer
• karakteristigi
. ve kendinden-ongerili·rn do"grusunun kest~rne
·
8
no ktasmdaki degerlen verilrnistir.
7

6
5
C)RNEK 7.-! 4
3
$ekil 7.6'dak.i devrede V05'nin ongcrilim c.kgerini bulun.
2

(<i/.ii ill:
Vcs(volts)
-1 0
.... -4 -2
Ornek 7 .3'ten, IO = 1.6 rnA
.
•!\'

~··~ii 1.~ Omek 7.Yre verilen egrikrin ~izihnesi.

288
BolOm 7 FET Ongerlllmleme Bolilm 7.2 Kendlnden 6ngerilim JFET Yilkselteci 289
 Rs degerleri, artik bu dogrulann egimlerinden bulunabilir.

.Rs (!..M..s.. iiin)

2
JvIn I = Ll...Y.
GS
5 mA
= 240 .Q
I u = 0 iken; VGS= --0(0.56) kn) = 0 V
ve
Vcs = Vp = -4.5 V iken;
· Vp = ·(-4.5k.Q
• lo -- R, Y) = 8.04 mA
Rs (lo~~4" ·
iyi11) JV cs I= 1.2 v = soon
Iv 5 mA
0_56
Rs - ,00 Q i~ln
olarak bulunur. kcndindcn-oo&erilim dojruw 12
Rs'nin degerleri 240 ile 800 n arasmda tutulursa devre 2.5 ile 5 mA arasmdalci lo
degerleri iyin ongerilimlenecektir.
8
OR:\1::K 7.6
6

· ~ekil 7.9b transfer karakteristiginden yararlanarak, ~ekil 7.9a'daki devrenin In ve 4

Vvs degerlerini belirleyin. loss ve. Vp degerlcri nelerdir'!
/0 (mA)

+16V 12
~t·J..il 7.ln Ornck 7.6'y-d ili~kin kcodinc.len-Ongerilim dojrusunun ~izi1n~i.
10

6
0 0
4
[ ~] 8.04 -4.5
Rs
2 ------------,--
Bu dogruoun, JFET transfer karakteristigi ilc kesismesinden :
-5 -4 -3 -2 -·l O
VGS (volt)
(a) l0Q = 3.2 mA ve Vc;sQ= -1.8 Y
(b)

Buradan akay gerilimi ;

V0 = V0~ -loRo = 16 V • (3.2 mA}(2.l kO) = 9.28 V

Transfer karakteristiginden ve kaynak gcrilim ;

10 ekseni iizerinde: loss= 9 mA Vs= loRs = (3.2 mA)(560 n) = 1.79 V

Vc;sekseni uzerinde: Vp= -4.SV
.,'i..
•• '.t.:;

:1 sonucta elde edilen ongerilim degeri;

Rs dogrusu Denklem (7.6) ile yizilir (bkz. ~ekil 7. lO):
vos = vD • Vs= 9.28 V - 1.79 V = 7.49 V = 7.5 V
Yes= -lvRs
olacakur.
290
• - BolOm 7 · FET Ongerillmleme
8610m 7.2 Kendlnden Ongerlllm JFET YOkseltecl 291
 I
~---~--<> +J6V
7.3 GERiLiM-BOL0C0 iLE ONGERiLiMLEME

De ongerilimlernenin biraz degi~tiril~i~ bir fo~ri ~ikil .7. ll 'de gosterilrnisrir, Gecit
ile kaynak arasindaki ek gecit direnci RG, de ti.ngc:riFm nokrasirun daha buyuk bir 2.1 MO
arahkta ayarlanmasmi ve daha buyuk Rs degerlerinin kullamlrnasiru miimkiin kilar, -------Vo
Kisaca gosterilecegi gibi, de ongerilim analizi 7.2. Bolumde anlatilan yonternle ay-
mdir; tek fark burada kendinden-ongerilim dogrusunun (0,Q) noktasmdan kay- V;--l Vp= -4V
dmlrrus olmasrdir. O. \µF 1055 = 8 mA

21okn
1.5k!1 WµF
.---------<> +VDD

Omck 7.Ty~ ili1kin JFET oogerilim devresl.

:f;_;:;:.

l Transfer karakteristigi ~agrdaki tablo degerleri kullamlarak !jekil 7.13'te cizilrnistir.

Il VGs(V)

0
J0(mA)

8
.~ .. kil i.! i (K!rilim-OOIOcU kullenan 6'1gerilim de\'tcsi.
! [0.3Vp] -1.2 4 [~]
Gecit hala ters-ongerilirnlidir, dolayisiyla /G = 0 olmaktadir ve gecit gerilimi Ve;
[0.5Vp] -2 2 [~]
[Vp] -4 0
(7.7)
Gecit VG, Denklem (7.7) ile hesaplarur:
ve JFET ongerilimi:
VG= 270 Hl (16 V) = +1.82 V
Vcs= VG. Vs= VG-loRs (7.8) 2.1 Mn+ 270 Hl
ve kendinden-ongerilim dogrusu Denklem (7.8) ile bulunur: .
()R\'n: 7.7

I Sekil 7.12'deki devrenin ongerilim akirrum (Iv} belirleyin.

VGs= l.82 V - Io( 1.5 k!l)
/0 = 0 i9in; VGS = -1.82 V

292 ·. Boli.im 7 ·FET Ongerilimleme Biililm 7.3 Gerilim-Biili.ici.i ile Ongeritlmleme 293
 lo (mA) Vs= IoRs = (2.4 mA)(l.5 kn)= 3.6 V
VDS = VD • Vs= 10.24 Y = 6.64 V
; '
: 10

I
I Kanai ayarlamah bir MOSFEf transistoru, gecit, silisyum-dioksit dielektrik ile
izole edildig! ve kapi de _aiorm her zaman i~iri Ii;; 0 oldugundan, hem pozitif hem
de negatif kapi-kaynak geri ~al1~bilir. Transistor transfer karakteristigi, loss de-
l K~llmdoj,-i gerini asabilmekte ve de ongerilimleme noktasi, vcs = 0 ekseninin her iki yamnda
1 -----~----f====I kalabilmektedir, · ·· · ·

j
l
l -S -4 -3 -2 -I 0 2 3 4 s ')cl,.i' ?,l<l'deki n-kanalh kanal ayarlamah MOSFET'in transfer karakteristigini
I
I
~izin.
+18V
l
1 ~,:!',.i/ "'.',I_'; Omd. 7.1'y.: ili~kin L:cndintk>ttfin~\!rilim dojrusunun fizilmc3i.
''
Vas= 0 icin: lo =-Yes= 1.82 V = 1.21 mA i.s itn
Rs t.5 kn

[ floss. =,6 mA
VP :=.'..,3V ..
0 1.82
1.21 0 soo n
;1·:

Bu de keodinden-ongeriltm dogrusu, transistor transfer karakteristigini,

VGSQ = -1.8 V ve IDQ = 2.4 mA :j.l·:..il 7. i ~ ()mck 7.9 v~ 7.1(1.a ili}kin kanal ;i:,,"3rbnl31l MOSFET OOgcrifim dcvresl.

noktasmda keser, Cozum:

Transfer karakteristigi, v,. = -3V ve loss= 6 mA degerleri kullarularak Denklem

(7.2) ile elde edilebilir.
Ornek 7.7'deki devre i~in V0, V5 ve V0s ongerilim voltajlanrn bclirleyin.
lo= 6 mA (1 - .!'-3.fil..)
V
2 · ·

Dahn once gosterilen noktalann yarusrra Vcs = 0.4 v,. noktasi da kullamlabilir; bu·
Ornek 7.6'dan, /0 = 2.4 mA: rada,

r
.1.i .·
Vo= VDD - loRv = 16 V - (2.4 mA)(2.4 kO) = 10.24 V lo "'/L>ss(i - 0-~:P
= _L9p ~f~S ==,,2Joss.

294
BOIOm 7 FET Onoi,rillmteme
BolOm 7.3 '''Gerlllm-BolOcO·11& Ongerlllmleme 295
 ------ --- -- ------ --------·--·~··---·
VGs(V) /0(mA)
Vo= Rqz Yoo= !OMO (18V)=l.5V
Ro, +Rci llOMO+ lOMO
[-0.4Vp] +1.2 12 [2JDSS) ve kendinden-ongerilim dogrusu,
0 6 [Iossl
Vos= Vo - IoRs = 1.5 V -10 (300)
[0.3Vp] -0.9 3
[~1
[0.5Vp]
[Vp]
-1.5
-3
1.5
0
[~] 0 1.5
s
-·-·------- _Q__ ..
Eide edilen transfer karakteristigi, ~ek.il 7. l5;de gosterilmistir. 'j ile elde edilir.

/0 (mA) / Kendinden-ongerilirn dogrusu $ek:il 7.16'da gosterilmistir, Bulunan de ongerilim

I
, noktasi:
14
Transferkarakteristigi Vos=·0.15V ve/0=5.SmA
10 = 6 mA (1 --3Vcs)V 2
~
i
I O halde akac-kaynak gerilimi,

Vo= Voo -loR0 = 18 V -(5.5 mA) (1.8 kn)= 8.1 V

Vs::: IoRs = (S.S mA) (300 0) = 1.65 V
V05 = Vo - Vs= 8.1 V - 1.65 V = 6.45 V
10 (mA)

14

-3 -2.5 -2 -1.5 -I --0.5 0 0.5 1.5 2 2.5 3

·,
:,cw 1.,; 6mek 7.14'deki kanal ayarlamah MOSFCTin transfer kor,kt<rL<ti~i.
'
0Ri\'EK 7.10

$ekil 7.14'dek:i devre i~in ~ekil 7.15'deki transfer karakteristiginden ynrarlanarak

Vcs gerilirni, lo akirmru ve Vos gerilimini bulun. <,

2
__.,./'
<;ozu m: .c: ----
-3.0 -2.5 -2.0 ~1-5 -1.0 -0.S O 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Kapi gerilimi Denklern (7.7) ile hesaplamr: Vcs12:0.15 v
,• ' • .. 6mek 7.10'• il~kin kcO'<fiqd•ndingcrilim.dogrusu.
296
Biilum 7 FET Ongerllimleme BiilOm 7.3 Gerlllm-Stiliicii lie Onge:rlllmleme 297
 ve

kullanrlarak ~izilir.
~ekil 7. 17'deki devrenin ID ve Vos ongerilim kosulunu belirleyin.

-----------
r--------<> ~15 V

szo n 0 '· 5.07

IOOMn 6.76 _ 0 ~ , .
•, ·--\.

O.S i<F
-,. ·ainA ~ekil 7.18'de ~izilen egrilerin kesi~":e noktasmdan ongerillrn kosulu,
V1~11---.--44
v, • -6_V __:
· .... ,,. ·•' ~-~ ~., ' '
loQ =.1.2 mA ve Vc;sa = -0.32 V
olarak bulunur,

1son
9

n-_kanalh JFET transfer karakieristigi;

Vc;s(V) /0(mA)
....... ·- ----- ,'--+---H2
0 8 UossJ
:-
·1,
[0.3Vp] -1.8 4
[~] _ ... ::::::::._.L5
_i_ 6 _ _J_L4.:--_l:3--_1:12--1:,:--!-'.o~~--:2~~3--:4~-
-~5---:-6
--~YGs(volt)

l [¥]
[0 ..Wp] -3 2
[Vp] VGSQ = -0.32 V
-6 0
- ··- ---------- .. ·-·--
i ,,~ii -1.18 ~kil7.ll'e ili.jkin ~izim.

i yardmuyla cizilir. Buradan Vos gerilimi;

l
j Kendinden-ongerilim dogrusu, =
V0 V00 -loRo = 15 V - (7.2 mA) (820 fl)= 9.1 V

I
Vs= loRs = (7.2 mA) (0.75 ill)= 5.4 V: · ·
R 5·1 MO
Ve;= Gl Yoo= (15V)=5.07V Vos= V0 .- Vs= 9.1 V -.5.4 V = 3.7_V
Res + Rc;2 - 100 MO+ 51 MO
I ilur,
298
Bt\lOm 7.3-,Gerliln;.Bt\lDcQ lie Ongerlllmleme 299
7.4 KANAL OLU$TURMALI MOSFET ONGERiLiM DEVRELERi

Kanai olusturmah bir MQSFET, transistoru acrnak icin gereken esik geriliminden
daha biiyiik bir gecit-kaynak gerilimine ihtiya1r duyulur, Kanai olusturmah MOS-
FET transosturunu ongenlirnlemek icin cok kullarulan bir devre Seki! 7.19'da gos-
terilmistir. RG direnci MOSFET'ia1rtlcdururna getirmek icin gecite yeterli bu-
yiikliik:te bir · gerilim uygulamaktadir .. Akim. daha 'sonra akac-kaynak (veya gecit-
kaynak). gerilimi ile akac akirm arasmda belli bir denge durumu olusana kadar artar,
MOSFET akac akirru gecit-kaynak gerilimiyle olusturulur ve,
MOSFET akac karakteristigi Denklem (7.11) kullamlarak cizilebilir. Verilen V-r ve
K degerleri icin, birkac Vos degeri secilerek lo degerleri hesaplanarak cizirn icin ge-
rekli noktalar bulunabilir. ~ekil 7.20'de MOSFET akac karakteristiginin veya de 011-
geriliminin tipik bir grafigi gosterilmisur. Denklern (7.12)'nin yiik: dogrusu da, Sekil
7.20'de cizilmistir. Burada da ~ekil 7.20'deki iki egrinin kesisrne noktasr, ongerilirn
.lcvrc-cinin <iikunct (()1.-:1l1§ma degerlerini vermektedir. ·
/0 (mA)

lo= K (VGs - Vr)2 (7.9)

ifadesiyle verilir; burada Vr, MOSFET'in belirlenen esik gerilimidir. !0 akrrm ayru
zarnanda Ro iizerinde bir voltaj dii§iimiine yol acar, boylece

Vv = Voo - loRo (7.10)

0
f Vc.s= Vru(vol))
Yoo
Sddl 7 ..!U Kanai olu~tunnah MOSFETa~ karakteristiginin i;izimi.
D
(>RNEK 7.12

Seki] 7.2l'deki devrenin /0 ve V05 ongerilimleme dcgerlerini bulun.

+12 V
~:.::~i I 7. t 1.1 K.10:tl oiu~1u1m.J:1 :<AOSFET ijr.gcrilic.1 devn:.'\i.

Gecit akirm /G = 0 oldugu iyin VGs = Vvs'dir, bu nedenle Esitlik (7.9);

Iv= K (Vos- Vrl ·. (7 .11) ~------i{--vo

seklinde yazilabilir. 0.0SµF

lOMfl ., ...r,.;:·
D
••
Vs= OV iken Vos degeri,

(7.12)
v,-j 15'-µ-F_...__G_' -"i;...·:~,.~,
~?Jti:~,'J,'.,;trt~
'sfl
olur. {y',~"3V'.1
!)tkil 7.21 Karml ,1luitu:1•l1 MOSFL':Ton; ·1ii1111 ,k-\ ,._.,,.
300 Boliim 7 FET Ongerilimleme Bo. l!im 7.4 Olusturrnah MOSFET Ongerilim Devre-le,.rr,,~-····- ":::-
Kanai
301
 Vr = 3V vc K = 0.3 mA/V2 degerler! kullarnlarak, Denklem (7.11) yardirmyla n-
kanalh MOSFET akay karakteristigine iliskin noktalar hesaplamr. ·

lo=0.3{V05-3)2
~--: .-----.----
»
7t -
.
CE$iTLi ONGERiLiM DEVHELERi
.
·

Her ne kadar bi~ok devre -daha once ele ald1g1m1z standan bicimlerde kuruluyor
olsa da, bazs degi~ildilder olacakur, Bu kisundaki orneklerde bir dizi ~eiilli devre bi-
~imleri incelenecek1ir;·Gt>ri1lecegi gibi yeni bir tcoriye gerek duyulmayacakur.
CVrJ 3 0
5 1.2 <>RNEK 7. t.,
7 4.8
9 10.8
--------------- ~ckil 7.23'deki devre i~in love Vos iingerilim degerlerini hesaplaym.

. D~~em (7.12)'nin yiik dogrusu a~ag1daki veriler kullanilarak ~ekil 7.22'dc j.

~~~ . y +12V

· Vos= 12 V - /0 (2 kf.l)

:,. _{r_i~m~) Vc,s<Y)

. ._--~-~ --. ------·-·--· /Diii • 12 mA
-~- ·v,.•-6V
0 12
6 0 Rs
-------~~----- ·--·------ sse n
~ckil 7.22'deki iki ejrinin kesisrne noktasmdan buJunan ongerilim deo I · · .
In (mA) - ger en rse: ~ekil 7D Omek.7.13'c iliJkin oogcrilim devr<si.

12
!. , = 2.9 mA ve Vos= 6.1 V'dur.
<;iiziim:
II r----~-----1/
JO -1!: ... J:.~ i:,.. ID=0 .3(Vos·3V)2
Ashnda bu standart bir devredir ve tamulan grafik yontemle analiz edilcbilir.
9
Ancak altematif bir yaklasun olarak, ongerilirn ~ah§ma noktasr, hem transistor
8
hem devre denldemlerini karsilayacak birlc~ 10 ve Vos degerleri ararda hizh bir
7
sckilde hesaplanarak bulunabilir. Sagla.nmas, gereken iki denklem §unlard1r:

Vcs =-(680 0) lo (1)

ln0" 2.9-3F-------~, I (2)

.J:f.
/cs= 12_mA ( I · V1sr
2
Vos = 12V In· (2 ldl) Her iki denldemi saglayacek 10 ve Yes degerleri belirlemek i~in, lo i~in bir deger
secin, DenkJem (l)'i kulanarak Yes degerini bulun ve bu degeri, lo'yi hesaplamak icin
Denklem (2)'dc kullanmBulunan bu iki /otlegeri birbirine esitse (veya yaklasik %10
,1;,_,.v~0.=6.1v farlch ise) ~oziim blilundu oeinekfu. Eger degilse, iki deger arasmda kalan yeni bir ID
'!,:t
1'
-' .' Omek 7.12'ye ilqkin elcman vc devrc c~rifcrinin ~izilmcsi.
degeriyle tekrar hesap yapin, ~glda bu i$1em table ~klinde verilmistir,
,._,.:. .
302
· BiilOm 7 · FET Ongerlllmleme 86IOm 7.5 (:etffll Onoe,111m l>evrel.ff 303
 ---------·1 -----~----~-·-·---------- ---
De11klm1(I) bdlamlaruk Denk/em (2) btl1wulmr1I Di.~er ID d~.~eri11i11 (,:iiziim:
l» (m~ v_c_s_cv_> _ /o(mA) buiunntasi
---·- ..·--- --· -----····-·-··-··--··--·-····· Kapi-kaynak ~evre denklerninden,
6 -4.08 1.23 6 + 1.23 = 3.615
2
3.615 -2.46 3.615 + 4.18 = 3.9 -Vas-loRs+ IOV=O (1)
4.18
2 VGs= 10 V =lo (l.5 k.Q)
3.9 -2.65 3.74 3.9 + 3.74 = 3.82

~r ~r
2 buna karsihk elemarun denklemi :
3.82 -2.6 3.85 3.82 + 3.85 = 3.84
-·······----·- --·-------- lo= loss(l - = 9 mA(I - (2)
--- ------·- 2 ·-----·--··-···- . , , .
Yonterne bu sekilde devarn edilebiimesine ragrnen, de ongerilirnlemesi yaklasik
Egriler, ~ag1daki veriler kullamlara.k ~ekil 7.25'te yizilmi§tir:
Denklem (!)'den:
Iv= 3.84 mA ve VGs = -2.61 V
I Vcs = 10 V - (1.5
l k.Q) /0

I
kadar olmaktadir. Boylece akac ve kayna.k gerilimleri :

Vo= Voo - lvRv = 12 V - (3.84 mA) (1.5 k.Q) = 6.24 V

j Vs= lvRs = (3.84 mA) (680 Q) = 2.61 V
j 0 10

I
olarak bu\unur. Buradan, 6.67 0

Vvs= Vo - Vs= 6.24 V - 2.61 V = 3.63 V elde edilir, 10 (mA)

12

~ekil 7.24'cleki devr-.nin 2ka~ akimun, akac ve kayna.k gerilimlerini bulun. 10

+20V

r.s kn
··:-:.
lDSS="9mA
v, =':,,3 V !,
'""3 -2 -1 0 Vos(volt)
,:..,:
·:t={···
VcsQ: -0.35 V
1.5 k.Q
7.:..;
~ ...'>.ii Omek7.14'e iliikin efii!crir.yizimi.

-IOV
Denklem (2)'den:
~--·!,,:ii-;-~ !t01'1ll.:l 7.14'e ifi~l.'.in 5n~erilim dev~i. Solum 7 FET Ongerilimleme

304 Bolilnt 7.5 <;:e~ltli Ongerilim Devreleri 305

 -22 V

lot 2.71cn

D
. _;_.: .~· G loa •7.SmA
v~~(V) ... }0 (mA) fl',• +3.S V
>!' s
0 9 · .1Ioss1 IMO
[0.3V,,) -15.9.
..
4.5
1~] 3600

[0.SV,,]
[V,,)
-1.5
-3
2.25
0
l~] ~ckil 1.lr. Omek 7.IS'c ilitkin dtvn,.

- Bu ..:griler ~g1daki veriler kullamlarak ~ekil 7.27'de ~izilmi~tir.

-
-·· .. ·----···---- ·~-- ..-- -------------- -----·--··-~·- -.
~ekil 7.25'teki egrilerin kesisme noktasmdan: Denkle»: (Ii k11/lt1111/aral:: Den ft mi (2 ): hu1am/ural:
VGS(V) t0(mA)
la= 6.9 ~Ave VGs = -0.35 V --- ··-·~-----
0 0 0 7.5
Diger devre gerilimleri: [Joss!
9.7 3.5 [V,,J [0.3V,,J +l.05 3.75
-~· [li;ss]
V0 = 20 V - (6.9 mA) (1.8 Jen)= 7.58 V .~ ;
..,;,
Vs= -10 V'+ (6.9 mA) (LS kn)= +0.35 V
[~]
~-
[0.5V,,] +l.75· . 1.875

,: ~ .,.
+3.5 0
p-kanalh bir JFET kullanarak, !;ickil 7.26'd,aki devrenin lo vc V05 degerlerini
~~~ : /0 (mA)

Keodlndm-
<;<i:1.(iIll: . ; - ... c'lna«lllmdoinau
I' GI • +(036 lc0)/0
Bu p-kanalb JFET i~in kullarulacak denk!emler:

VGS= +loRs = Io (0.36 kfl) (1)

lo= loss(I -fu}\ 7.5 mA (1 - .J'.'.fil...)2 (2)

. . ·- .L :Y'P. 3.5 V
·::. ! !. .:
-~ddf 7.J.7 l)111ek 7.IS'in~it.i1111. I I.S 2 2.S 3 3.S
VGS('volt)
Yc.sg•+l.2V
·<, ·e610m7 FETOngerlllrnleme 86'0m 7.5. Cetltll Ono«ilim Devrelerl 307
 Aka~ gerilirni Vo ise,
Egrilerin $ekil 7.27'deki kesisme noktalarmdan,
Vo= Voo -loRo = 20 V - (8 mA) (1.5 kn)= 8 V
lo= 3.3 mA ve Vcs = -1.2 V
bR,,;EK 7.17
Vos gerilimi ise :
$ekil 7.29'daki devre i~in (n-kanalh bir JFET'ten yararlanarak) lo ve Vs de-
Vos= V00 +IoRo = -22 V + (3.3 mA) (2.7 kn)= -13.09 V gcrlerini hesaplayin.
Vs= -loRs = -(3.3 mA) (360 0) = -1.19 V
Vos= Vo - Vs= -13.09 V - (-1.19 V) = ·11.9 V <;oziim:

Devre denklemi a~ag1daki gibidir.

Sekil 7.28'deki devre icin love Vo degerlerini bulun (n-kanalh kanal ayarlamah
.
...
Vcs = 0 - loRs = -(1.8 kO)/o (1)
MOSFET kullanarak).
+9 V

+20V
o.or µF
v,--11------......,
1.Hn

2.2Mn
lrus = 8 mA
v,= -4 v

Sc~il 7.29 7.17·ye ila~ldndevn:.

vc aygu denklemi:
Chnek 7. l6'ya 1i1~l<in \"'-''re.

(2)

Tablo yontemi kullarulirsa:

Bir kanal ayarlamah MOSFET'te kapi-kaynak gerilimi her iki polariteye sahip
'Joi.
olabileceginden, yukardaki devre, De11/dem (I) l:11!(amloral:: Dtnklt!m (2) l:r11/a111/arak: Diger ID dexcrinin
~·
.ii. /o(mA) Vas(V) to(mA) bu/11nnum
Vcs=Vc-Vs=O-O=OV
-3.6 0.31 2 t 0.31 = 1. 16
2
noktasinda ongerilimlidir. Bu nedenle, -~. l.16 + 1.35 = 1.26
~::.~ 1.26 -2.09 1.35
,r.i.
2
lo= loss= 8 mA J.26 ± J.l 9 - l.23
1.26 -2.27 l.19
2
308
BolOm 7 FET Ongerlllmleme Boliim 7.5 t;eJitll Ongerlllm Oevrelerl 309.
 lo= 1.23 mA ve Yes:-2.2 V

Bu durumda kaynak: gerilimi,

Voo = 20V'luk bir kaynak: gerilimiyle 2N5950 11-k:malh silisyum FET transistor
<,alt~urmak i<,in ~ekil 7.5'teki gibi kendinden ongerilirnli bir devre tasarlayin,
Ys=loRs=(l.23mA)(l.8kQ)=+2.21 V

7.6 DC ONGERiLiM DEVRELERiNiN TASARIMI Transistortln karakreristik ozellikler sayfasmdan a§ag1da.ki degerleri buluruz:

De ongcrilim devrelerinin tasanrm, daha once ele aldigrrruz problemlerin tersten c;o-
BYess=-30 V
zulmesinin ve rnanukh bir secirnin yapilrnasmm bir birlesirninden olusan bir yak-
less =-200 nA (100°C)
lasrrndir, Pratikte tasanrn cok c;e§itli bicimlerde elc almabilir ve bu bolumde sunulan
YGs ita,"'l,i = - 2.5 V den -6 V'a (Yp = -4 V degeri kullamlir.)
yonremler sec;ilmi§ olmalda beraber istenilen bir ongerilim durumuna ula~mak icin
loss= 10 mA'den 15 mA'e (loss)= 12 mA degeri kullamlir.)
gerekli devre degerlerini bulmanm tek yolu degildir.

Kendinden-Ongerilimlemeli JFET Devrelerinin Tasanrm

1. 30V'luk kinlma gozonune almd1gmda Y00 =
20V'luk bir kaynak gerilimi ye-
terlidir.
2. Sozkonusu devrede ihmal edilebilecek kadar kii<,lik olan 0.1 V'luk bir gerilim
~ekil 7.5'deki gibi kendinden ongerilimli bir devre icin, devre elemanlannm de-
dii§iimii secersek,
gerlerini belirlemek gibi bir problemi ele alalim. Once, kullamlacak olan JFET tran-
sistor iliskin karak:teristik ozellikler sayfasi bilgilerinden ba~Jayacag1z.
IcssRc < 0.1 V
~~~: Re< 0.1 V{200 nA = 5 x 105 = 500 kQ (Re= 470 kQ degeri kullarulir)
1. Transistorun kml_ma voltaji BY ess degennden kiic;iik bir Y00 secin. Eger kmlma de-
gerine uygunsa, mevcutkaynak:gerilimlerinden (9 V, 12 V, vb.) birini kullarun. 'ii
·~
·.ti elde ederiz,
2. Transistorun ters akimdan (less) kaynaldanan gerilim dli~iimii, devredeki diger 1·
gerilirnlerle kiyaslandrgmda, oldukca kiic;iik kalacak sekilde bir Re secin. is- ;;:;.
"\ . 3. Yr= -4V ve lo ise belli olmadigmdan, -0.SV ila -3V arasmda bir voltajm kabul edil-
tenilen ongerilim noktasi, a~ag1dak:i araliklarda kalan love Yes degerleridir. \T..
mesi, verilen arahga uygun dU§CCCktir. Elimizdeki ornek icin sec;tigirniz deger,

Ycs=-1 V
ve

~r
ve bu deger i<,in,

Iv< loss lo= 12 mA (1 - = 6.75 mA

3. Gecit-kaynak gcrilimini veya akac akirruru belirli bir degerde ongerilimleyecek

bulunur.
(yukarda belirtilen araliklann orta noktalanna gore belirlenebilir) bir Rs secin.
~: ·r. ..
4. Kendinden-ongerilim varsayimlan yoluyla 10 belirlendikten veya istenen on-
Ya = OV oldugu icin,
gerilim degerine sahip olduktan sonra R0'nin degeri bulunabilir. R0'yi, akac
akirm belirlencn bir deger veya.asagidak; aralikta kalacak ~ekilde sccin.
Vs=YG-Yes=0-(-1 V)=+l V

bagmusmdan,

310
BolOm 7 FET Ongerllimleme BolOm 7.6 DC ongerlllm Devrelerlnln Tasanmt 311
 Cozum:
Vs= loRs

Rs= Yi_= I V = 148 n (Ro= 150 n degeri kullarulir) 2N5952'nin karakteristik ozellikler sayfasma gore:
lo 6.15 mA

4. Arahk icinde kalan Vo degeri icin, BVcss= -30 V

lcss=200nA
1 V<Vo<20V
loss= 4 mA ila 8 rnA Uoss = 6 rnA kullaruhr)
Vcs(k.,pah> =-1.3 Vila -3.5 V (Vp = -2.5 V kullaruhr)
Ongerilim noktasmda Vo= 12V secin, ..~.
-.~ istenilen akac akirm icin Vcs hesaplamrsa ;
Vo= Voo - loRo oldugu icin,

12 V = 20 V - (6.75 mA) Ro 5 mA = 6 mA(1-~)2

-2.5 V
Ro= 20 V • 12 V = 1.185 kn (use Ro= 1.2 kn)
6.75 mA Ves = -0.22 V
Eld~ cdilen devre ~ekil 7.30'da gosterilrnistir.
Ve= OV oldugu icin,

+20V Vs= Ve - Yes =0-(-0.22 V) = 0.22 V

Vs=loRs

bagrnusmdan yararlanarak,
2N5950
/DSS"•':12mA·., Rs= Vs= 0.22 V = 44 n (Rs= 4311 kullamlir)
y, ':'.;::4;Y.. lo 5 mA
470kSl
Transistoru Vos= 15V'ta ongerilimlernek icin,
V0s = V0 - Vs
V0 = V0s+ Vs= 15 V +0.22 V= 15.22V
Vo=Voo·loRo
. ~ckil 7.JO Oma; 7.18'deki tasaruu ic;in :icm .. yt.:1.cit.le e<i::en dcvl'e. 15.22 V = 22 V - (5 mA)Ro

Ro= 22 V - 15.22 V = l .36 kn (1.3 kn kullamhr)

Sonucra elde edilen c'evrenin de ongerilirn analizi, secilen degerlerin kabul edilebilir bir 5mA
ongcrilim ~ali§ffias1 saglay1p saglamad!guu kontrol etmek icin iyi bir yaklasim olacaknr. Son olarak, Re ilzerindeki gerilirn dii§ilmiiniin 0.1 V'tan daha kii~iik olmasi icin:

ORNEK7.t9 lcssRc < 0.1 V

I
Bir 2N5952'yi ~ah~hrmak icin sekil 7.5't~ki gibi·kendinden-ongerilimli bir devre Re < _QJ_Y_ = 5 x 105 (Re = 470 kn kullaruhr)
200nA
tasarlaym . 22V'luk bir kaynak kullanm ve transistoru lo= 5mA, Vos= 15V nok- . • J
tusmda ongerilimleyin. Eide edilen devre ~ekil 7.3l'de gosterilrnistir. ·

312
Boliim 7 FET Ongerilimleme
Botom 7.6 DCongerillm Devrelerlnin Tasarrrm 313
 /~'111:
Transist5r karakteristiginden,

+22 V -< loss= 12 mA ve V,=-6 V

.r bulunur.
.,, · Transistorun 10 = !0ssf2:; 6 mA'de ongerilimleyebilmek icin, Sekil 7.33'de gos-
terilen kendinden-ongerilirnleme dogrusu, merkezden istenilen ongerilimlerne
...2N5952
. ,.~ .. -· . noktasma bir dogru 9izilerek elde edilir. Bu ongerilimlerne durumunda:
.s lo.s.1~6mA
_v, ~ ,~.?..~ .Y .. J0=6mA
470k'1 Vcs=-1.75 V
4311

Boylcce Rs degeri,
Vs=foRs
=
1.75 V (6 mA)Rs

~ckil 7 .•II Orne.I: 7.19 ~in elde cdilen oogerilim devrt>i. Rs=~= 291.7 Q (Rs= 300 Q kullarnhr)
6mA
l
ORNEK7.20 '?0'nin, Vo= V0o/2'deki iingerilimleme icin degeri ise,

!?ekil 7.5'teki gibi bir kendinden-ongerilimli devreyi, karakterjstigi ~ekil 7.32'dc

Vo= Voo - IoRo
9 V= 18 V - (6 mA)Ro
gostcrildigi gibi olan bir JFET kullanarak tasarlayin. l SV'luk ~ir kaynak gerilimi
kullanm ve transistoru, lo = 0.5 Ioss ve Vo= 0.5 Voo noktasinda ongerilimleyin. Ro·= !8V-9V = 1.5kn
6mA
Ters yonde bir kapi akmu clarnayacagmdan, uygun bir deger olarak Re =l MQ
sccin. Eide edilen devre ~elcil 1734'?c gosterilmi-iir.
10 (mA) /0 (mA)

12
12 Clo.s.1>
10 Kmdindcn-
10
ongerllim doirusu
8
8
6
6-U=/2)
4
4
~:
2 = l· 2
!
-6 -5 -4 -3 -2 -l 0 Vcs (volt) ""'1!. -6 -5 -4 -3 Vcs (Volt)

z.
~~kit 132 Ornck 7.20'dtki tl".u-.swar0n1rJns'rtrk:1..1k1eriS1i~i.
,,
lsteoen keodindcn-6ngcrilimlcme doglUSunun gUStcrildijJ Omck 7.20'nin 1r-.msfcrkar.1k1cris1igi.
314 Boliim 7 FET Ongerillmlerne BolOm 7.6 DC angerllim Devrelerlnln Tasanrm 315
 1
P 5 = (2 Y + ·8 V) = l .27 kn (Rs = 1.3 kn kullanihr)
3mA
+18V

kadar bir direnc gerekecektir.

/0 (mA)

IM!l

~~kif 7.3J Orre~ 7.:!0 i<;in ckl., «Iii:~ ·i.'r.gcrilitn devresj.

-6 -S -4 -3 -2 -I O I 2 3 4 S 6 7 8 9 10 11 12
ORNEK 7.21 V~sa = -1.8 v
~cki1 7.35 Omek 7.2 !'c lli:;;.;u tr-Jfbk1 L;tr.akteristi~i ve Lcndi111.lcn--Ot1gr:rilimlem,,: do~rusu.
,5ekil 7.14'deki gibi bir gerilirn-boluculu ongerilimlcme devresini, lo= loss!l'de
cahsacak bir 2N3797 n-kanalh kanal ayarlarnah MOSFET kullanarak tasarlaym.
12V:Iuk bir kaynak gerilimi kullanm. O halde,
Vs= IvRs = (3 mA) (1.3 kn)= 3.9 V
<;:iiz~m: ve
Vcs=Vc-Vs
2N379Tnin karakteristik ozellikler sayfasmdan; oldugundan,
Va=Vcs+Vs=·l.8V+3.9V=2.l V
Ioss = 6 mA ve VGS(kapahJ = -6 V elde edili r.

lo= lvss/2 = 3 mA'de, kapr-kaynak gerilimi §U sekilde elde edilir: Va §U formulle bulunur,

(1-~}2
~'yr
lo =Ioss Ve = R92 Voo
Ra,+ Rc2
3mA=6mA(I - 2.l V = Rc2 (12 V)
Re,+ Re2
Vas = -t.76 v = -1.8 v
,5ekil 7.35'den goriilebilecegi. gibi, istenilen de ongcrilimleme noktasr, (JOO n - 4.6 ill arasr ~..B.a = ..12..Y.. = 5. 7
Rei 2.1 V ... k:.:1 '.: i":
bir Rs icin bir kendinden-oogerilimleme dogrusu cizilerek elde edilebilir. VGS eksenini
kesen kendinden-ongerilimleme dogrusu ic;in rastgele bir deger olarak Va=+ 2V ahrursa, !k.L+ I= 5.7
Rei
Va= Vas +lvRs Re.!..= 5.7 - 1 = 4.7,.,.
2 V = -1.8 V + 3 mA (Rs) bulunur. Rc2 •

316 BolOm 7.6 DC ongerilim Devrelerinln Tasenrm

Boliim 7 FET Ongerilimleme 317
 loss= 4 mA - 16 mA (loss= 10 mA kullaruhr)
Rc2 icin rastgele 10 MO secilirse,
VGS(kapalt) = 1.8 V - 9 V (Vp = 6 V kullaruhr)
~ckil 7.37'deki istenen ongerilim noktast,
Rei= 4.7 (10 MO)= 47 MO

bulunur, VGs=+l Vve/o=6.9mA

ic;:in VGs=VG-Vs
+ l V = -8 V • Vs
Vo; Voo = 12V ve Vs= 3.9V arasinda sirurh rutulrnasr ic;:in V0 = 8V makul go- Vs= -9V
riilmektedir. Boylece,

Vo= Voo - loRo Vs=-loRs

8V = 12 V - (3 mA) Ro oldugundan,

Ro= 12 V - 8 V
3mA
= 1.33 kO (Ro= 1.3 kQ kullarnhr) Rs - -Vs - - <-
9 V) - 1.3 xl03 (Rs= 1.3 kO kullarulrr)
lo 6.9 mA
Eide edilen ongerilimlerne devresi ~ekil 7.36'da gosterilmistir, 10 (mA)

r-------o+12 V
l.3kf2

2N3797
/~•6mA
v,.;-6V

10Mf2
1.3 kn

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -I O I 2 3 4 5 6
. t ·. I Vas(volt)
...
.,,fl'
r;
VcsaeJV

J ~d. ii 7 .' '! Omck 7.22'ye ili1kin On£crilim dof.N'• ve ,...,,,~ •• i,.;,rak1eris1i~i.

ORNEK 7.22
VG= RG2 Voo
RG1 + RG2
Seki! 7.37'de gosterildigi gibi ongcrilimlenmis olan p-kanalh JFET gerilim-
boliicii ongerilimleme devresinin tasanmiru, 2N5462 elemaruru ve V00 = • -8 v= RG2
RG1 +Ro2
(),9,Y,Lii
.
30V'luk besleme kaynag: kullanarak tamamlaym. ,· ;
I + Roi = -30 V = 3.75
Coziun: RG2 -8 V
~=2.75
Transistoriin karakteristik ozellikler sayfasmdan;
RG2 ,h;· •.\•, ...

318
BolOm 7 FET Ongerlllmleme 319
BolOm 7.6 DC ongerlllm Devrelerinin Tasanrm
 RG2'yi 10 Mn olarak secersek, +VI> D
r----r-Q
Ro
= 2:75 (101\10) ::,27S¥ff (RG2 = 27 Mn kullaruhr)
RG.,
Akay gerilimi Vo;niii; v;o = ~JOY ye Vs.= -9V arasmda olmasi gerekir.
-~ : RGl
GG . Rc1 +RGl
Vo = -12V olarak secilirse, . . Rs

Vo= Voo + IoRo m•---

w,1
-12 V = -30 V + (6.9 mA)Ro . Rsfoss

elde ederiz.
'Ll
I
I

r--------o . 30 V A
II

0.8
I i y D
1--

I I

2N5462 ~
'1.•
1,
'

,Sckil 7.Jg Omcl:7.22'yc ili~~cio rasarun devresi.

30 12
Ro= V- V = 2.61 x 103 (Ro= 2.7 kn kullaruhr)
6.9mA
-I -0.8 --0.6 --0.4 -0.2 0
Eide edilen devre ~ekiJ 7 .38'de gosterilmi~tir.

7.7 GENEL JFET ONGERiLiM EGRiSi YAROIMIYLA ,Sekil 7.39 Gcnd JFcT korakteris1isi.
oc ONGERiLiMLEME
olusan bir eksen, rn degeri olarak <;:izilmi~tir, burada:
JFET'lerde (veya kar,al ayarlamali MOSFET) de i:ingerilimlemc hesaplanndaki gii<;:-
IVp I
liigii biraz azaltmak icin ~ekil 7.39'da gosterildigi: gibi bir normalize n-kanal egrisi
m=--- (7.13)
kullamlabilir. JFET transfer karakteristigini · normalize eksenler tizerine <;:izilmi~tir. lossks
Rs kendinden ongerilim dogru.11u.nui:i cizimin] kolaylasnrmak icin, Rs degerlcrinden
v,,: Volt, loss miliamper ve Rs kiloohm olarak !ahnir'.i'·Gerilim · bi:iliici.i ongerilim
320
Boliim 7 FET Ongerllimleme
BolOm 7.7 Genel JFET Ongerilim Egrlsl Yardunryla DC Ongerilimleme 321
 IVpl VGG
kararlihkh devre icin krsaca gosterileceg} gibi, M ve Vee degerleri kullamhr. m=-- M=mXIVpl
lossRs
Vee= Rc2 • Voo 1.0 1.0
Rei + Rei (7.14)

M=mx~
IVpl (7.15)
0.8 0.8
Her bir ongerilimleme devre tilrilne iliskin bir ornek, bu gene! karakteristigin nasil
kullamld1grn1 gostermede yardimci olacakur,
ORNEK 7.23
0.6 0.6
,$ekil 7.40'taki devre icin de gerilirn ve akirnlanm bclirlcyin,

Yoo =+J6V

0.4
Ro
3.9K
C2
(--vo
Ci O.OSµF 0.2
v1 ~1'-----......;..-.1 M=0.165
O:OSµF JDSS"' 6mA
v.-"'-3Y
-1.0 -0.8 -0.61 1-0.4 --0.2 0

VGs=-0.515 VGs
IVpl !Vpl = -0.44
~ckil 7..lll Omck 7.23'd ilijkin d<vn:.
-~1.·ldl 7 .-f I Orrk·k 7.23 ve 7 . .!4'e ili1kin genel c£.ri.

Cozum:
Buradan,
m degeri hesaplamrsa: !0Q = 0.18(6 mA) = 1.08 mA

m=~=H.1._=0.31
Iossks 6( 1.6)
·~1
;.(: J
VGSQ = --0.575 ( l-3 I)= -1.73 V
degerleri hesaplarur,
... : .•
Rs ongerilim dogrusunu M-ekseni ilzerindeki O nokrasmdan m-ekseni uzerindekt ..·.,.

I
Eide ertigimiz loo degerini kullanarak, . -".'.
m = 0.31 noktasma cizeriz. ~ekil 7.4l'de gorulen ongerilim noktasi:
--W..:.=0.18 ve Ves =--0.575
loss IVpj VDSQ = VDO - lDQ (RD +Rs)
· -- ··J6--1·08mA(39kQ+
• · .• . l.6kfl)=10.06V
olarak bulunur,
degerini buluruz.
322
Bolilm 7 FET Ongerlllmleme
Boliim 7.7 Gene! JFET Ongerilim Egrisi Yard1m1yla DC Ongerilimleme 323
 V GS = -0.44· ve .lu: =·0;3
()R\'EK 7.24
!VP I loss

Ongerilim noktasuu verdigini gortiriiz ve bundan

~ekil 7.42'deki devrenin de ongerilim kosulunu hesaplaym.

VasQ=-0.44(1-3 VI) =-1.32 V

Cozurn:
=
loQ 0.3 (6 mA) 1.8 mA =
§ekil 7.42'deki boliicii ongerilim devresi icin ilkonce
degerlerini elde ederiz.

m =~=J..iL=0.31
lossRs 6(1.6) Ardindan,

degerini buluruz.
VosQ = Voo -IoQ (R0 +Rs)= 16 - l.08 mA (3.9 kn+ 1.6 kn)= 6.1.V

sonucunu buluruz.
,---------oVDD =)6V

7.8 JFET ONGERiLiM DEVRELERiNiN

BILGISAYARLA ANALiZi
·Rc1 .
4.7 Mn Bir JFET devresinin de ongerilirnlernesinicesitli devre kosullannda analiz etrnek
icin bilgisayar programlan kullamlabilir. §ekil 7.43a'daki gibi standart bir JFET dev-
c,
V;---ft--. --+--~ resinin de ongerilim akirn ve gerilimlerini belirlemek icin basit bir program modtilii
O.OSµF gelistircccgiz. Sekil 7.43b'de verilcn denklemlerin kullaruldrgr bir program modi.ili.i,
ongerilimi ve akmu belirleyebilir. PrC>gralll;/?ci = actk veya Ro= ktsa (devre) du-
rumlan icin 'ri:iziim saghyabilir ve kullamlan gerilirn polaritesine bagh olarak hem n-
kanal hem de p-kanal JFETler icin cahsmasi miimkiin olabilir.

~ckil 7.-0 Omek 7.24'c ililki,, devee.

Vee= R92 Voo= 5JOkil (16):::l.6V

Re,+ Rc2 4.7 Mn+ 510 kn

M= mlVqc =0.31 li=0.165

Vp I I -3 I
6_ngeri!im dogrusunu cizebilrnek icin onceki ornekteki dogruyla ayru egime sahip
Rs
=
b'.r dogruyu (ayrn Rs ve JFET degerleri) M 0.165 noktasmdan gececek §ekilck
cizmcmiz gerekir. Bu, M-ekseni iizerindek.i M-= 0.165 noktasi ile m-ekseni uze-
rinde bulunan ve·O.Jl'lik bir deger kadar daha . yiiksekte bulunan bir nokta ara-
smda bir dogru cizerek yapilabilir, ~ekil 7.41 'e:b-akarsak bu dogrunun, (a)

)-.:1..i I 7 .·~ _:; JFET de Ongcritiminin bilgisayar aoaHzinde kutlaml:tcak devre ve e~itlildcr.
324 BlilOm 7 FET Ongerilimleme BiilGm 7.8 JFET Ongerilim Devrelerinln Bilgisayarla Analizi 325
 Programi gelistirmenin ilk adrrm, cozumde kullamlacak fonnilliin ortaya kon- Ll:\i;: -i.f .\.i,Jt.hd. i ,;,.u :.. . : ..». · ~' v ; •

masidir. Her ne kadar bu formi)llerin yogu daha once belirlendiyse de, burada bil- ;\: ... ~·ni:!::
gisayar yoziimlcri saglamak iizere tekrar kullamlmi§hr.

De11kl<'11t Rilgi.wt_r(lrOeyimi
Vo= Vo= Rgi Vno (7.16)
', .• . .;;,, ·.:·, Rei + Roi Ra1
Voo.. R Voo GG • (R2/(R I + R2)) • DD
Ra,+ a,
.. .Vs
~ =~.InRs
.... (7.17)
•,.)
~ ""loRs VS• ID• RS
Vos=.Vo - Vs= Voo -lnRs (7.18) Vas~Va-~ GS= VG - VS
•

' ./o_=,loss { I
•

-~)
2

(7.19)
lo .. lins(I - t)2 ID - SS • (I - GS/VP) l 2

A !.w_& A - SS • RS/VP t 2
vi,
a

~r
Denklem (7.19)'u Denklem (7.18)'de yerine koyarsa,

.·~os_~Joc • lossks ( l ·
B ~ I _ 21rusRs
~
B = I- 2 • SS • RS/VP
(7.20a)
elde ederiz. Bu denklem acihrsa : · C = lr,ssR, - Voo C =SS• RS - GG

eo~_rs) Ves + ( I
2/o~!Rs)Vos+ (/ossRs • Vee)= D = B' - 4AC
+YD
D-=B t 2-4•A•C

= -B
• 0
v, 2A
VI • (-B + SQR(D))/(2 • A)
(7.20b)
A <B .: . C -B-YD
V, ,. V2,. (-B - SQR(D))/(2 • A)
ikinci dereceden bir denklem elde edilir. 2A
.. ',;.:
~"' v,,.;- loRo VD = DD - ID • RD
Boylece kapi-kaynak ongerilimirun· bir yOZiimii ~= lr,Rs VS• ID• RS
Vp_,=Vo-~ DS • VD - VS
V1.2= -B± YB2 -4AC
(7.21)
2A .<,ii'.

olur; ve V1 ve V2 degerlerinden hangisi n-kanall1 JFET icin O ile -VP degeri arasinda !: i.!~Ti'. '7.2
kahyorsa yciziim degeri yerine gecer, Program elbette B2-4AC dcgerini test ederek,
negatif olrnasr durumunda reel bir ~ozilmlin olmad1g1m belirtecektir. Bu durumda Denklern Dc~i~keni Progr_amDcgi~keni
akac ve kaynak gerilimleri : Ve VG
Vo= Voo - loRn Vs VS
(7.22) Vo VD
Vee GG
Vs= lof?s (7.23) Voo DD
Vcs GS
Vos= Vo - Vs (7.24) :i Vos DS
,$. Vp VP
olur. ,,_.~
.::.1•.:: lo ID
loss SS
Modill llOOO'de kullamlan degi§ken ve denklemlerin bir ozeti, Liste 7.1 ve Liste
Ro, Rl
7.2'de verilrnistir, Program Listesi (7.3), Liste (7.1)'te gosterildigi gibi daha onceki Rc;z R2
omeklerde yer alan hesaplardan bazrlanmn tekranru iyermektedir. Rs RS
,'?o RD
326 -· ··---·-
BolOm 7 FET Ongerilimleme 861ilm7.8 JFE; 6n~er;l;m ~.~;;,;;i,;;n Bllglsayarla Anallzl 327
 10 REM******************************************** Yiik di renei Ceger 1E30 yoksa), RL-? RUN
20 REM Bu program, Sekil 7.43'deki gibi
30 REM FET de Ongerilim Hesaplama Modiilii JFET veya kanal ayarlamal1 MOSFET devresi i~in
40 REM de hesaplamalar, yapar
50 REM********************************************
60 REM . A1ag1daki devre bilgilerini girin:
100 PRINT "Bu program, Sekil 7.43'deki gibi"
110 PRINT "JFET veya kana,-.ayarlamall MOSFET devresi i~in" RGI (eger a~1ksa 1E30 kullan,n) -? 110E6
120 PRINT "de 6ngerilim heiaplamalar1 yapar" RG2 - 10E6
130 PRINT RS-? 300
140 PRINT "A1ag1daki devre bilgilerini girin:" RD -? 1.8E3
150 PRINT
160 INPUT "(eger a~1ksa 1E30 kullan1n) - ": Rl ....
170 INPUT "RG2 Kaynak gerilimi, VDD -? 18
180 INPUT "RS-":RS -": R2
190 INPUT "RO-":RD A,ag1 dak i transl storiin degerl eri nt gi ri n:
200 PRINT Aka~·kaynak doyma ak1m1, IDSS -? 6E·3
210 INPUT "Kaynak gerilimi~ VDD-": DO Kap,-kaynak k1sma gerilimi, VP-? -3
220 PRINT
230 PRINT "A1ag1daki transist6r de§erlerini girin:" Ongerilim ak1m1, ID- 5.460326 mA
240 INPUT ::Aka~·kaynak doyma ak um , IDSS-"; SS Ongerilim voltaj degerleri:
250 INPUT Kap1-kaynak k1sma gerilimi VP-"· VP VGS - ·.1380968 volt
260 PRINT :PRINT ' ' VD - 8.171413 volt
270 REM VS - 1.638093 volt
280 GOSUB 11000 VOS - 6.533316 volt
290 PRINT "Ongerilim ak1m1 ID-"; ID*l000!;"mA" ok
300 PRINT "Ongerilim voltaj degerleri :"
310 PRINT "VGS-":GS;"volt"
320 PRINT "VO-"; VD;"volt" Bu program, Sekil 7.43'dek1 gibi
330 PRINT "VS-"; VS;"volt" JFET veya kanal ayarlamal1 MOSFET devresi i~in
340 PRINT "VDS-";OS;"volt" de hesaplamalar1 yapar
350 END

,J.'§
A~aQ1 daki devre bilgilerini girin :
,,\'if.', RGl ( eger a~1ksa 1E30 kullan1n) -? 1E30
.i_T,.
RG2 - 1.8E6
11000 REM FET de Ongerilim hesaplama modiilii RS-? 560
11010 GG-(R2/Rl+R2)) •DD RO-? 2.1E3
11020 A-SS*RS/VPA2
11030 B-l-2*SS*RS/VP Kaynak gerilimi, VDD -? 16
11040 C-SS*RS~GG
11050 D•BA2·4*A*C A,aij1daki transistor deijerlerini girin:
11060 IF D<O THEN PRINT "C6ziim yok !!!" :STOP ·~ Aka~·kaynak doyma ak1m1, IDSS -? 9E-3
11070 Vl-(-B+SOR (D))/(2*A) . Kap1-kaynak k1sma gerilimi, VP-? -4.5
11080 V2•(-B-SOR (D))/(2*A)
11090 IF ABS CVl) > ABS (VP) THEN GS-V2 Ongerilim ak1m1, ID - 3.225263 mA
11100 IF ABS CV2) > ABS (VP) THEN GS·Vl Ongerilim voltaj deQerleri:
11110 ID-SS*(l·GS/VP)A2 VGS - -1.806147 volt
11120 VS-ID*RS VD - 9.226949 volt
11130 VG-GG VS - 1.806147 volt
11140 VD-DO·IO*RO VOS - 7.420802 volt
11150 os-vo-vs
11160 RETURN

328 Bolilm 7.8 JFET Ongerllim Devrelerinln Bilglsayarla Analizl 329

Boliim 7 FET Ongerilimleme
 +20V

i.s kn
I. ~ekil 7.44'deki devre icin akac akirmru ve akac-kaynak gerilimini bulun.

;'°•(• -
IDSS •8 mA
Yp a-6V
+16 V
; ..·
7500
2.2kn

,,-i_ 1 ;:· 6'dan 9'a bdar problcmlerc iliikin devrc.

D
v,---.--.:::_.. , .. G
IDs:s = 10 mA
7. ~ekil 7.45'teki devredc Rs yerine 1.2 kO'luk direnc konuldugunda olusacak de
Vp; .:,4.5 v .·.
ongerilimleme Volatji Vs'yi bulun.
I Mn s
. ..
8. ~ekil 7.45'teki devrede Ro, yerine 5.1 k!l'luk direnc konuldugunda olusacak de
ongerilimlerne voltaji Vvs'yi bulun.

l'den Ye kadar prob!¢mlerc ili;kin devre. 9. Sekil 7.45'tcki devrede ongerilimleme noktasuu Vcs= -2V yapmak icin gerekli
Rs degeri nedir?

2. ~ekil 7.44'deki devrede, kapryi besleyen 3 V'Iuk pil yerine 1.5 V'luk pil ko-
nulursa akacak akac akimi ile akay-kaynak geriliminin degerleri ne olur? 10, ~ekil 7.46'da verilcn devre i9in akac akmum bulun.

11. ~ekil 7.46'daki devre iyin kaynak gcrilimi Vs'yi bulun.

3. ~ekil 7.44'de 8V'luk bir akay gerilirni meydana gelebilmesi icin Ro degeri ne ol-
malidir? -l8V

4. ~ekil 7.44'teki JFET yerine loss = 8mA ve Vp = 4V olan bir JFET kullarulirsa RD
Vos degeri ne olur? 3.3kn
C2

S. ~ekiJ 7.44'deki devrede lo = 5 mA'lik bir ongerilirn akirm elde cdebilmek icin
.___ _.f-- Vo
kapi besleme gerilimi ne olmahdu? C1 0.05µF
v,----j1i---1r---t
IDs{;,.·11.mA
O.OSµF
v, .. -sv
Ro
1.51,m
6. ~ekil 7.45'deki devre icin de ongerilim voltaji V0'yi bulun:

330 ~,-kil 't.u. IO'dan )2'ye kador problemlcre ili~kin ,h.,,.

BiiWm 7 FET Ongerilimleme
BiilOm 7 Problemler 331
 12. !;,ekil 7.46'daki devrede Vvs degeri nedir?

19. !;,ekil 7.48'deki JFET yerine loss ,,; 8 mA, VP= -6V olan bir JFET kullarulirsa lo
13. !;,ekil 7.47'deki devrede Iv degeri nedir?
·+30V ve Vos degerleri ne olur?

20. !;,ekil 7.48'deki JFET yerine loss= 6 mA, .VP= -4V olan bir JFET kullaruhrsa 10
ve Vos degerleri ne olur?

21. ~ekil 7.48'deki JFET yerine loss= 8 mA, VP = -4 V olan bir JFET kullarulirsa IO
ve. Vos degerleri ne olur?

§ 7.3

22. ~ekil 7.49'daki devre icin VGs ve /0 degerlerini bulun.

-~~kif 7A7 13.den 17'yckadarproblcmlereil~kindevre.

14. ~ekil 7.47'deki devrede kaynak direnci 330 n yapihrsa Iv degeri ne olur? 2.2 kn
9IOkn
15. ~ekil 7.47'.deki devrede kaynak direnci 51 n yapilrrsa IO ve Vos iingerilim de-
ger!eri ne olur? loss= 10 mA
Vp = -3.5 V

16. Sekil 7.47'deki JFIIT yerine loss = 10 rnA ve VP = -4V olan bir JFET kul-
larnhrsa Vo degeri ne olur? 110k11
l.! kQ

17. ~ekil 7.47'deki devreyi-lV'ta iingerilimlemek iyin gereken Rs degeri nedir?

~,·kil 7 .·l9 ~ckil 22'den 2Tye kodor problemlere il~kin dcvrc.
18. !;,ekil 7.48'deki devre icin love Vos degerlerini belirleyin.

+9V 23. ~ekil 7.49'daki devre i~in V05 degerini bulun.

24. !;,ekil 7.49'daki ongerilimlcme noktastrn VGs = :2v yapmak icin Rs direncinin
1.skn degeri ne olmahdir?

25. !;,ekil 7.49'dak.i akac gerilimini 12V'a getirmek icin Ro degeri ne olrnalidir?
~-.r,-::::;:,
V,~1----....-~~-~~:.
.~\
26. !;,ekil 7.49'da Rs= 750 yapildigmda akae akmu artar 1111, azahr mi?

2.2Mn 27. Seki! 7.49'daki JFET yerinc loss= 16 mA. V1, = -3.5V olan bir JFET kullaruhrsa
sso n kaynak gerilimi artar mi, azahr rm?

!/"dil 7.4X 18'den21'cbduproblcml=ili~kindcvn-.

28. !;,ekil 7.50-deki devre iyin kapr-kaynak gerilimini bulun.
332
Boliim 7 Fi:T 6ngerilimleme
Bo!Om 7 Problemler 333
 21 Md
36. Akac direnci yerine 1.8 kn'luk bir direnc kull!m.ursii Vo degeri ne olur?
IDSS • 12 mA ·
V.-•-4V 37, §ekil 7.5 I'deki devrenin akac gerilimi IOV is~ K'nm degeri nedir?

38. §ekil 7.5l'deki MOSFET yerine Vr = 3V (K = 0.3) olan bir MOSFET kul-
lamhrsa Vo degeri ne olur?

39, §ekil 7.5l'deki besleme gerilimi 15V'a dii~iiriililrse Ko degeri ne olur?

·)"~ ;1 , .>ii 2l!'den 34'e kadar problcmlere ilijltin dcvre. 40. §ekil 7.5l'deki MOSFET yerine Vr = 7.5V olan bir MOSFET kullanihrsa akac
akirru artar mi, azalir mi?
29. ~ekil 7.50'deki devre ic;:in 10 ve Vosongerilim degerlerini bulun.

30. ~ekil 7.50'deki MOSFET yerine /055 = 10 mA, Vp = -5V olan bir MOSFET kul- ~ 7.5
lanrhrsa IO ve V vs degerleri ne olur?
41. Sekil 7 .52'deki devre icin IO ve Vos de ongerilim degerlerini belirleyin.
31. ~ek:il 7.50'deki 7.5 Mfl'luk direnc c;:1kanh.rsa 10 ve Vvs degerleri nc olur?
42. §ekil7.53'deki devre icin Iv ve V05 de ongerilimleme degerlerini belirleyin.
32. ¥kil 7.50'deki 21 MQ'luk direnc devreden c;:1kanhrsa IO ve Vos degerler, ne olur?
43. §ekil 7.54'deki devre.icin Vp == -3V isclnssdcgeri tie olur?
33. §ekil 7.50'deki MOSFET yerine Vp = -2,5 V olan bir MOSFET kullarnhrsn 10
degeri artar mi, azahr rru? 44. §ekil 7.54'dek:i devre icin V0, VS vein degerlerini belirleyin.

34. ¥kil 7.50'deki kaynak yerine Vo= 12'1uk birkaynak kullamhrsa Vo degeri nc olur?
+IOV
-20V

35. ~ekil 7.5l'deki devrenin \11, d.:gcrini bulun. +25 V 2.2kn 1.1 kn

2.4 k!2 loss= .12 mA loss.= 20mA

v, .. ..:.4 V v,
=+8 V

IOMn s.i kn 2.4 kn

1;
Vr.=S.,V ...,·,·,· ....
K,;, .0.3 m_Aiv2
-IOV +IOV

:1: 1
.-;;cl.ii 7.~3 Problem 42'yc ili~k~:1 devrc.
334
Solum 7 FET Ongerillmleme Bi:ilOm7 Problemler 335
 +20V
* 7.7

49. ~ekil 7.49'daki devrede bir JFET Uoss = 8.5 mA, Vp = -4.5V) kullanarak ve
gene! JFET grafiginden yararlanarak de ongerilirnleme voltaji VGS degerini be-
lirleyin.

SO. ~ekil 7.49'daki JFET yerine loss= IOmA ve VP= -5V olan bir JFET kullaruldigi
6V takdirde 10 ve de ongerilirnlerne alammm alacagi degeri gene! JFET grafiginden
~c~il i.S~ l'roblem 43'c ilijkin devre.
yararlanarak bulun.

~ 7.6 51. ~ekil 7.49'da Rs direnci yerine 1.2 krl'luk bir direnc kullaruldrgi takdirde de on-
gerilim aktrmmn alacagi degeri gene! JFET grafiginden yararlanarak bulun.

45. ~ekil 7.55'deki gibi bir JPET ongerilim devresini, loss= 6 mA ve Vp = .av de-
52. ~ekil 7.49'da Rm direnci yerine 270 kffluk bit direnc kullaruldigr taktirde de on-
gerlerine sahip bir JFET ve 22 V'luk bir kaynak kullanarak /0 = 3i:nA ve Vos=
gerilimi V0s'nin alacag: degeri gene! JFET grafiginden yararlanarak bulun,
10 V'ta i;:ali§aeak §ekilde tasarlaym.
46. ~ekil 7 .11 'deki gibi bir kanal ayarlamali MOSFET devresini (/ oss = lOmA. Vp =
53. Kullamlan JFET loss= 12 mA ve Vp = -4_.5V'luk degerlere sahip olursa ~ekil
-4.5V degerlerine sahip bir FET kullanarak), Iv= 4 mA ve V0 IOV'ta, 30V'luk = 7.49'daki devrede Vcs degeri ne olur?
bir besleme ile i;:ah§abilecek sckilde tasarlaym.
47. ~ekil 7.19'daki gibi bir kanal olusturmah MOSFET devresini (VT= 3.5V, K =
=
0.3 mA/V2 degerlerine sahip bir FET kullanarak), 10 6mA ve V0 = 8V'ta, 18 "''.':.~
BiLGiSA VAR PROBLEMLERi
V'luk bir besleme ile i;:alt§abileeek §ekilde tasarlaym.
A§agrdaki problernler i9in BASIC programlan yazin,
48. ~ekil 7.56'daki devrenin tasarurum tamamlaym.

1. loss ve Vas (kapali) verilen transistor.degerleri icin bir JFET devresinin lo ve

+20V Vos noktalanm tablo halinde diizenleyin.

2. Sabir kaynak ongerilimlernesi kullanarak bir JFEr devresi icin 10 ve Vos de-
gerlerini hesaplaym.
+25 V
t----Vo
3. Kendinden-ongerilimli bir JFET devresinin/o ve Vos degerlerini hesaplaym,
0.01 µF IDss = 6 mA
V;--11'-------.J Vp = -3v 4. Gerilirn-boluculu ongerilirnli bir JFET devresinin lo ve Vos degerlerini he-
saplaym.

5. Kendinden-ongerilimli bir JFET devresi icin, verilen bir transistorun transfer ka-
!Mn ·._,:~, '. rakteristigini cizmek uzere gerekli olan noktalann tablosunu cikann.
IOOM.n

6. Kanai olusturmali bir MOSFETin elemarrakac karakteristigini cizrnek icin Io

ve Vns'nin degerlerini hesaplaym tablo olusturun.

~;!kil 7 . ."!1 Problem 48't ili~kin devrc.

336 BolOm 7 FET Ongerilimleme _Bolum 7 Problemler 337
 sorusu karsumza cikar, A~ag1daki birkac paragrafrn temel arnaci bu soruyu ce-
vaplamak olacakur, Bu, kitapta daha sonra tarurnlanacak birkac onernli verirnlilik
kriterinin iyi anlasilrnasmda ternel olacakur,
i:ki ~ey arasinda.benzcrlikler kurmak bazen miikemmel sonuclar verir, ancak ~a-
,::
g1da verecegirniz omek, ileride elde edilecek sonuclara goturecek olaylan a~1k-
Jamada foydalt olacakur, ~ekil 8.la'da bir pompa aracdigiyla bir sivrrun duzenli
yogun akt§t gosterilmektedir. Bu sistemin elektriksel benzeri ~ekil 8.1 b'de go-
riilmektedir. Her bir durumda, btiyilklilgii Ohm yasasi ile belirlenen akt§a kars: bir
direnc mevcuttur. Her birine iliskin akis-zaman grafigi §ekilde gosterilrnistir.

(';Q~ f' R
~
l
Devridairn
s

/JI
pompasi
I

L
8.1 ciais ~

Transistorun ternel yaprsi, goriiniimii ve karakteristikleri 4. Bohtmde tamtilmt~ti:i q ~kan·la~· ···1i Alam .
Daha sonra 5. Boliimde elemanm de ongerilimlemesi aynnuli olarak incelenmi§tL~
Bu boliimde BJT yiikseltecinin kiiyiik-sinyal ac tepkisini; transistoru siniizoidal ac j· Q (58~1)
--·
·,. I (s,ibit)
domeninde temsil etrnek. iqin en qok kullamlan modelleri gozonune alarak in-'!; .
celemeye b~layacagtz. · ~·
0 0
. Tni:1~istorlil devrelerin siniizoidal ac analizindc bizi ilgilendiren ilk noktadan biri, gi~ ·~ •
la) (b)
smyahmn biiyilldilgiidilr. Bu, kiiqilk-sinyal veya biiyilk-sinyal tekniklerinden hangisinin · ~
uygulanmasi gerektigini bcl.irleyecektir. Bu i.kisi arasinda kesin bir suur olmamakla bir- :i ·
:ii.1 de giri~li seri b:ilh bir clektrik dcvl'C."ioin s,v, a1u~m~ bcntt1i1mesi: (3) s1v1 .ik.11 sistemi; (b) elekr-
liktc, tiygulama ve ilgilenilen dcgi§kenlerin transistor karakteristiklerine oranla bil- 1 ·t -~ti.if
rik sistemi.

yiiklilklcri, hangi yonternin daha uygun oldugunu ~tk¥a gosterir, Bu boliimdc kii¥ilk·
sinyal teknikleri tarunlacak, bilyiik sinyal teknikleri ise 12. Boliimdc incelenecektir.
Transistorlu devrelerin kiiyilk-sinyal ac analizinde qogunlukla kullamlan iki s· .
model va~~1~ Karma :§dcgeri ve r, modeli. Bu bolurnde iki modeli tarutrnanm yam }
sira, herbirinin oynadrg: roli.l ve birbiriyle iliskisln] de tammlayacagiz. .;;:
Daha once de belirtildig] gibi, transistor bir yiikseltme elemamdrr. Yani ¥iki§taki ~i~';:,
n~s~id~I- sinyal, girl$ sinyalinden daha bilyiiktilr ya da baska bir deyisle, ¥tla§ acl~
gucii gm§ ac giiciinden daha biiyiiktiir. Sik srk bu ck ac gilciiniin nerede iiretildioi'2 :
"'~}JI.,
338
~. ~ekil 8.2'de gosterildigi gibi, her bir sisternebir kontrol mekanizmasi ekleyelim.
Bu kontrol elemanlannm herbirinin girisindeki kiicuk bir sinyal her bir sisterndeki
mevcut kararli-durum (de) ala§t iizerinde belirgin etkiye neden olabilir. Akt§ sistemi
icin bu, borudaki srvi akrsiru simrlayan bir gecidin surekli olarak kismen acihp ka-
panmasi olabilir. Elektriksel sistcm icin sistemden akan i akirmru kontrol eden bir
rnekanizma kurulur. Ortak ernetorlu transistor baglannsmda, ls akrrrundaki kucuk
• .i.: degi§imlcrin belirgin bir etkiye neden olabilecegini hattrlaym ..
Diger bir deyi§le kii¥tik bir giri§ sinyali sistemin )warh durum akt~1 tizerinde be-
Iirgin bir etkiye neden olabilir. Her iki sistc~\:in 'so.nuytaki yila§ aktmmm ~ekil
8.2'de gosterildigi gibi oldugunu dil§ilnelim. <;tla§ akJ§mdaki siniizoidal sahrum kc-
8.2 AC Domenlnde YOkseltme 339

slnlikle uygulanan giristen daha buyuktur, bu nedenle ac domeninde yiikseltme (kuv-
vet/endirme) bir gerqektir!
Dolayisiyla yukselteclerin i;:ogunun, diger iki Uy (normalde ytkt§ devresinin uclan) ara-
sindaki akista, biiyiik deg~imleri saglayabilecek bir kontrol noktasina vaya ucuna sahip
basit elemanlar oldugu sonucuna varabiliriz. DC ongcrilim devreleri giris sinyalinin gen,
ligine ~1 cok hassas olacak yogun yiik akisiru olusturmak icin gereklidir. Anan ac
giicii, de giiciin bir kisrmrun sinuzoidal donii§tiiriilmesinin sonucudur. Bir elektronik
ytikseltecin verimliligi: 1iPik
., olarak. cikun ac giiciin, gircn de giiciinc orarudir.
Dcvrldaim
pompesr'
dogrudan turetilen bir esdeger devre ile, r0 rnodeli ile paylasmaktadir. Uretici firrnalar
bilgi sayfalannda belirli bir ,.al!§ma bo!gesi icin karma parametreleri yaymlanmaya
devam etmektedir. ,., modelinin parametreleri (veya elernanlan) bu bolgede dogrudan
dogruya karma parametrelerinden elde edilebilir. Bununla birlikte karma (hibrid) es-
deger devre, dogru bir sonuc verebilrnesi iyin bclirli yal.i§ma kosullanyla kisitlidir.
Diger ~deger devrenin parametreleri, iletim bolgesi icerisinde herhangi bir cahsrna
bolgesi icin hesaplanabilir ve bilgi sayfasmda belirtilen tek bir parametre grubu ile si-
rnrh degildir. Ancak karsihk olarak r e rnodeli de elernamn, 9tlo§ empedans duzeyini ve
~tkt§tan girise geri besleme etkisini belirleyen bir parametreye sahip degildir.
Her iki yontern de bugiin yogun olarak kullaruldig, icin, her ikisi de bu bolumde
aynntih olarak incelenecektir. Bazi analiz ve orneklerde karma modeli uygularnrken
digerlerinde ozellikle r, modeli kullamlacaktir. Metinde iki modelin birbiriylc nc
kadar yakm iliskili oldugunu ve birindeki basanrun, digerinin de dogal basansma
nasil yol acacagim gostermcyc 9ah~acaga.
vet"

Re

Rs1 { 0

C2

re,
q +
c
. D_{:),_!
~:[[i;f{~J!'
B
:j :-7;$ ;
.~ ;\{~~:•.:-'.· :. .;~. Rs
1)0

'?$ E
0 0 .
··1'~
i
+ Rs2

"':!-
-:~
(a) (b) us
. -ii
JC3
RE ~·~ii 8.J Bu iirii billilmiindc
~1 inci:knen 1ran~iMOrdcvrc:t1 .

-!-
.~e"il X.2 k,,e11~d . .,,.., .. unu; (;ti :-1v11\..11 sistcmi, (b) c1cktrik si$lcmi Uzerindeki c1L.i~1.

8.3 TRANSiSTOR MODELL!::MESi

- -

Kiiyiik sinyal yaklasuruna yciziim yolu bu boliimde daha sonra tiirctilecek olan C§-
- .::..

deger devrelerin (modellerin) kullarulrnastdir. Belirli bir yah~ma bolgesinde gercek Re

yaniletken elemana iliskin yapilacak en iyi yaklasim, dogru sei;:ildigi taktirde, iste bu Rs1
devre elemanlan birlesirnidir, AC e§deger devre bir kere belirlcndiginde, elernamn
+
grafik sembolii yerine bu devrenin §emas1 konabilir ve AC devre analizinin temel
yonternleri (dal-akimlan analizi, diigiim analizi, devre analizi ve Thevenin teoremi)
devrenin tepkisini belirlemek icin uygulanabilir. Vo
Rs
Transistor yerine konulacak e§deger devreyle ilgili bugiin ag1r basan iki dii§Unce
vardrr, Endiistriyel ve egitim kuruluslan yillarca yogun bir §ekilde karma pa- + Rs2

rarnetreleri (kisaca taruulacakur) kullandilar, Karma prametreli e§deger devre hala Vs'\, ~·~ii SA $ekil 8.3"<1eki dev,eniu, de

-l
o,:1;ritim k:iyM!tnm ~tlcanlma.oc;1 ve
popiilaritesini surdurrnekle birlikte, §imdi bunu transistorun cahsma kosullanndan \..1mdans.itOr yc:rine ktsa-devre e~~
~ -:- -:- l,·~l!rinin \:.onmas1yta alaca~• dun1m.

340 341
Solum 8 Transistor Modelleme 8.3 Transistor Modellemesi
 ~ag1da analiz edilecek ac C§deger devrcnin etkisini gosterrnek icin, ,5ekil 8.3'teki
·· et bir tamummdan sonra yukanda sozti edilen biiyiikliiklerden her birinin be-
devreyi ele alahrn. Bir ail icin 'transostiirun kii9iik~sinyal esdeger devresinin be- oz . d ..
lirlenmesini miimkiin kilan parametrelere sahip karma e§deger evreyi in-
lirlendigini varsayahrn. Y alruzca devrenin ac tepkisiyle ilgiJendigimiz icin, biitiin de
celeyeeegiz.
kaynaklan yerine stfir-potansiyelli C§deger (kisa devre) elernam konabilir; yiinkii
de kaynaklar 9tkt§ geriliminin yalrnzca de veya siikunet diizeyini belirler ve ac s;i-
kisuun sahrurn genliginde herhangi bir degi§iklige sebep olmaz, Bu durum, $ekil ·
4'te a91ks:a gosteriJmi§tir. De duzeyleri yaJmzca uygun bir Q 9al1§ma noktasim be-
A§agida, iki-port teorisi olarakbilinen konunun kisa bir ozeti yeralma~tad1r. ~e~i~
!irlemek ~9in. ~nemJidir. De diizeyleri, belirlendikten sonra, devrenin ac analizi icin
8.6'dan da goriilebilcce_gi iizere, temel ii9-u9lu elektronik eleman veya ststem de 1k1

-
thmal edllebilir. Ci, C2 kuplaj kondansatorleri ve C3 koprtileme kondansatorti ca-
it§~a frekansmda cok kii9iik bir reaktansa sahip olacak §ekilde secilir, Bu nedenle Io
pratik acidan bunlann yerine de dii§iik direncl] bir yol (ktsa devre) konabilir, Bunun ,,, jo---- -0 <>--- 2
da de ongerilim direnei RE'nin "kisa devre" olmasi anlamma geldigine dikkar edin. + +
De kararh-durum kosullarmda kondanstorlerin a91k devre e§degeri gibi dav-
r~nd1gm1; bunun da. de diizeyleri ve siikunet kosullan icin katlar arasrnda yalium
(izolasyon) saglad1g1111 unuunaym.
l'o-----

-
----<>2'

-
i1
lo
port (Uy 9ifti) vardtr. Buradaki amae1m1Z ay1smdan soldaki grup giri§ u9l~n01 _v~
+ B sagdaki isc, 91kJ§ u9lannt gostermek i9in kullamlaeakur. Her bir Uy grubu 191_n_ '.k1
c +

-
Rs degi§ken olduguna dikkat edin. ~ag1daki C§itlikler (8.1), 4 dcgi§ken arasrndaki ih§·

-
01
+ Ra1 II Ra2 kiyi gostermenin 9C§itli yollanndan sadece birisidir. Bu, transistor devresinin ana-
Vo
Re
Vs '\, z, lizinde en 9ok kullamlan yontemlerden biri oidugu i9in bu boliimdc aynntth olarak

i I
Z; - incelenmektir.
":'
":' .i (8.La)
~lil 8.4'deki devrcnin k~bli:~.sinyal ac ;mali2:i ~in yemdc.'ll \'i2ih111:,1.
(8.1.b)
Ortak topraklann baglanrnasr R81 ve R02 nin paralel birlesirni saglayacak ve Re
$ekil 8.5'te gortildiigii gibi, kollektor-emetor arasmda gorulecektir. $ekil 8.5'te dev-
Dort degi§ken arasrndak~§kileri belirleyen parametreler "hybrid" (karma) soz·
reye eklenen transistor C§deger devre elernanlan bildigimiz turden elernanlar (di-
ciigtiniin b3§ harfi kullamlarak h-parametreleri adt verilmektedir. Hibrid (karma)
rencler, kontrollii kaynaklar vs) oldugu icin, istenilen degerleri elde etmek icin su-
sozciigilniin se9ilmesinin nedeni, e§itlik1erin her birindeki degi§kenler kan§immm
perpozisyon teknigi, Theven teoremi vb. analiz yonternleri kullantlabilir.
(v ve 1), /z-parametrelerinin her biri i9in bir "karma" birimle sonu9lanm~s'.dtr. ~e~
~ekil 8.5'i daha aynnnh ineeleyelim ve sistern icin belirlenecek onernli biiyiikllikleri
§itli h-parametrelerinin neyi temsil ·ettigini ve nc §Ckilde kullantlabileceg1m daha 1y1
rarurnlayahm. $iiphesiz, ~ekil 8.S'te gortildiigii gibi giri§ ve 91k1§ empedanslarnu (Z; ve
anlamak i9in, her birini ayn ayn ele ahp sonus:taki ili§kiyi ineeleyebiliriz.
Z,,) bilmek isteriz, Transistorun yiikseltici bir eleman oldugunu bildigimiz i9in, 0 v Rastgele V" = O se9ip (9tkt§ u9lanm k1sa devre edip) 8.la denklemini lz11 i9in 90-
911<!§ gerilimi ile V; giris gerilimi arasmda nasil bir iliski oldugunu gosteren bir gos-
terge beklerizki bu, gerilim kazanc1d1r. $ekil 8.S'reki bu duzenlemede i; = i1, ve ;11 =
zersek a§ag1daki sonueu elde ed~f.!b-·----~~-·-~
·~ .
;/dir; ki bu da A; = i,,/i;ile ifade edilen aktm kazanc101 tammlar.
4. Bolumde kollekror-emeror geriliminin, i8 ve v8E arasindaki girl§ bagmtts1 uze-
~ h11 = V;
1 /;
I •·o=O •
ohm (8.2)

rinde (az da olsa) belli bir etkiye sahip oldugunu gormii§tiik. Bu nedenle C§deger
Orant.t, h1 I parametresinin 6hmcinsinden-bir~e;;:pedansparametresi oldugunu
devrede 9W§tan giri§e bir "geribesleme" bekleyebiliriz. A§ag1da, iki-port reorisinin
gostennektedir. Bu parametre 91kl§ kisa devreyken giri§ gerilimininin, giri§ akJmma

342
BolOm 8 Transistor Modelleme 8.4 TranslstorOn Karma E~deger Devresi 343
 (8.lb) denkleminde her bir terirn akim biriminde oldu~ndan dolayi ~ekil 8.8'deki
oram oldugu icin, kisa-devre giris-ernpedans h 11 'deki
parametresi olarak adlandinlir. vre i elde etmek icin Kirchoff akim yasasiru ters yonde uygulayahm. h22 ad-
indis, parametrenin girl§ uclanndaki biiyi.ikliiklerin oraru olarak belirlendigini' gosterir. :itan: biriminde oldugundan (bu, transistor modelin~e ~letkenli~i gosteri:)·. dii:en<;
Eger giris uclanm acarak · O'a · e 1 4de edilecektir. semboli.iyle gosterilmi§tir. Ne var ki bu direncin ohm ile ifade edilcn degerinin, 1Jet-

I
kenligin tersine (l/h22) esit oldugunu unutrnayalirn.
h12=.Y.L birimsiz (8.3)
Vu 1<=0
Bu nedenle h12 parametresi, girl§ akrrru O'a e§itken giri§ geriliminin 9llCl§ gerilimine +
oramdir. Gerilim diizeylerinin oram oldugu icin birimsizdir; ve acik-devre ters yonde
transfer gerilimi oraru parametresi olarak adlandmhr. hr2'deki 12 alt indisi pa-
v.
rarnetrenin giris ve yW§ ol9iimlerinin oraru olarak tarumlanan bir transfer biiyiikli.igi.i
oldugunu gosterir, Indisin ilk tamsaytsr, paya yazilacak ol9i.im biiyiikli.igi.ini.i tanimlar,
ikinci tamsayi ise, paydaya yazilacak bi.iyi.ikli.igi.in kaynaguu tammlar. Ters yonde te-
rimi gerilim oramrun giris bi.iyiikli.igiini.in, ytk.t§ bilyi.ikli.igilne oranlanarak elde edil- ~ekil ~- 7 Knm>a si~ qde~<rdevresl,
~kll ~.8 Kam,a,1k11 t~~erdevresi.
mesinden kaynaklanmaktadu k:i, genellikle ilgilenilen bunun tersidir.
8. lb C§itligindeki V.,, 9tk.t§ uclan kisa devre edilerek tekrar srfira esitlenirse, h21
i9in sonuc soyle olacaktir:

j
lt21 = !Ji..
/;
I ,·0=0 ;
birimsiz (8.4)
~~:.~: NV'· + I r· +

;'#Ji~Ji~~~~'c~r~i;:$;;_'¥¥r~~;''.,i
Burada 91ki§ biiyi.ikli.igi.ini.in giri§ bi.iyi.ikli.igi.ine oranlandigma dikkat edin. h12'e ili§-
kin ters terimi yerine, ileri yonde terimi kullarulacakur, h12 parametresi, 91ki§ uclan
!C1Sa devre iken 9tk.t§ akrrrurun girl§ akmuna orarudir. Bu, uygulamalann bir r,;ogu
icin en onemli parametredir. Alam di.izeylerinin oraru oldugu icin, h12 gibi bu pa- ».: ·,~·{!_:.~ .: '. ·-- .,/,~=-- ,,;::. -,:_.,. ,- ~:-::; ~. Y{---.-~:> .. , s.; ~-·
~c~il S.?
rametre de birimsizdir. Formal olarak kisa devre ileri transfer akim oraru pa-
rametresi olarak adlandmhr, 21 -indisi, paym 91k1§ biiyiikliigiine, paydamn ise giris
biiyiikliine ait oldugunu gostermektedir.. Ternel uc uclu dogrusal elemarun tam "ac'' esdeger deveresi $ekil 8.9'da h-

,.
Son parametre olan hri. 11 = 0 yapmak icin giris uclanru acarak ve 8.1 b denklemi parametrele-ri ir,;in yeni bir alt indisler kiimesiyle birlikte verilmi§tir. ~ekil 8.9'~aki

'
h22 icin r,;ozillerek elde edilir: --------.
. .'~: semboller, h-parametreleriyle son birkar,; paragrafta elde edilen oranlar ara~mda '.lt§-

I ki kurdugu ir,;in, daha pratiktir. Harflerin se9irni ~ag1dak:i listeden a91k b1r §Ckilde

I
h22 =.b_ siemens (8.5) gorillebilir:
v,, 1;=0 ,

Bu, 91k1§ akirmrun 91k1§ gerilimine oraru oldugu i9in, 91kt§ admitans parametresidir
;,:
ve birimi siemens'tir (S), (daha once mhos(il) idi]. Buna acik-devre 91k1~ adrnitansr
pararnetresi olarak adlandinhr. 22 alt indisi lm'nin 91kt~ biiyiikli.iklerinin oraruyla
belirlendigini gosterir,
8.Ia e~itligindeki terimlerden her birisi Volt biriminde oldugu icin e~itligi saglayan
devreyi bulmak i9in Kirchoffun gerilim yasasiru ters yonde uygulayalirn. Bu islernin
yapilmasi ile Sekil 8.7'de gorulen devreyi elde ederiz. h11 pararnetresinin birimi ohm
oldugundan, $ekil 8.7'de bir direncle gosterilmistir. h12 boyutsuzdur (yonsuzdur), bu-
nedenle giri§ devresinde geribeslemeyi gosteren bir r,;arp1m faktoru olarak gorulur.
h11--+ giri§ (input) direnci --+ h;
!t12--+ ters (reverse) transfer gerilim oram--+ h,
h21 --+ ileri (forward) transfer aklm oran1 -+ ht
h22-+ <;tla§ (output) iletkenligi --+ ho
$ekil 8.9'daki devre bagrrns1z kaynak i9ermeyen herhangi ~ir __ur. u~~u dogrusal e\ek-
tronik aygita vcya sisteme uygulanabilir. Dolay1s1yla trans1storde, u9 '.emel b.ag~antl
§ekline sahip olmasma ragmen, hepsi de u9 ur,;lu baglantt diii.enlem~sine sah1pt1r ve
bu nedenle sonur.taki e~deger devre §Ckil 8.9'dakiyle aym formta sah1p olacakllr.

344 Bolilm 8 Transistor Modelleme 8.4 TranslstorOn Karma EJdeger Oevresi

345
 I
,If;'

c lmayacak olan diger iki transistor esdeger devresinde, gerilim kaynag: veya akim
U§l . a~.I ~az. ,8 . 7 .
· • · aym anda kull
• devrede ikisi
ka nagt kullamhr; ancak aym C§deger a·o-
·
+ lil;de, 9e~itli parametrelerin bilyilklilkleri, transistorun arzu edilen ku9~k~smy~l es-
+
deger devresinin elde edildigi cahsma bolgesindeki transistor karakteristiklerinden
bulunacakllr.
vi>< I,~ V.,
E
I, h

~
c

B
lb
~ --
I,

c
+ +

+ + v.,b vcb

B
V1,, - I,~ Ve,
E

Her bir dururnda ~ek.il 8.9'daki devrenin giris ve 900~ boliimlerinin alt uclan, po-
tansiyel dtizeyleri aym oldugu icin ~ekil 8.IO'daki gibi baglanabilir. Dolayisiyla as-
E
--
1,

c
lmda transistor modeli ii9 uclu iki portlu bir sistemdir. Bununla beraber h- + +
parametreleri herbir diizenleme icin degi§ecektir. Hangi parametrenin kullamld1gm1
veya rnevcut oldugunu gosterrnek i9in h-parametre sernbolune ikinci bir indis ek-
lenir. Ortak-bazli diizenleme icin b harfi eklenirken, onak-ernetorm ve ortak- B
Ur1:1k bazh diizentcmc.
kollektorlu diizenlemesi icin sirasiyla e ve c harfleri eklenir, Ortak-emctorlii dii-
zenlemenin karma e§deger devresi ~ekil 8.lO'da standart sembolleriylc go-
Bu bolttm tcmel olarak modellerin tamnrru ile sirurhdrr. 9. Bolumde her biri icin 9c-
=
riilmektedir. Burada I, = Ih, lo le, ve Kirchhoff akim yasasirun uygulanmas1 sonucu
§itli standart duzenlemeler uygulanacakur, 9. Bolurndeki ~ygulamada esnasmda tin-
l, =I,,+ le olduguna dikkat edelim. Arnk giri~ gerilimf. Vi..-, 91ki§ gerilirni ise Vn.'dir.
ceki krsimlarda ~ekil 8.9'un basitlestirilmis §e\<il olan bir yaklasik esdeger model
~ekil l l'deki orrak bazli diizenleme icin I;= l.; ln = l,, V,1, == V; ve v,.h = v,, dir. ~ekil
kullarulacaknr. ·
8.10 ve 8.J l'deki devreler, pnp veya npn raransisrortcre uygulanabilir. ~ekil
Orrak-ernetorlu ve ortak-bazh duzenlernelerde h, ve ho degerleri 9ogu zaman oy-
8.9'daki karma e~deger devre gilniimiiz elektronik alanmda son derece onemli bir
devredir. Bu, asagrdaki analizlerde tekrar tekrar karsumza 9ikacakur. Bu noktada,
z
· k"u9u"ktu.. r ki , Z,.. o, A v ve A, gibi onernli parametreler icin elde edilen sonuclar,
1esme
modelde h, ve h; kullamlmamast halinde cok az etkiler. .
okurun bu devreyi ezberlemek ve temel diizenlemesini ezbere cizrnek ve degi~ik pa-
rametrelerio neyi belirtigini bilmek [8.2 den 8.5 e kadar olan esuliklere bakrn] icin
=
h, degeri normalde eek kii9iik oldugu i9in h, 0 ve h,V,, = 0 almir, bu ~a. ~elcil
8.12'de gosterildigi gibi gcribesleme elemamnm yerine kls~ de~~ ~d~g~n~1~ ko-
harcanacak zaman bosa geymi§ olmayacaknr. ~ck.ii 8.9'da hem bir Thevenin hem de
nulmasiyla sonu9lamr. l/h11 ile belirlenen diren9, ~ekil 8.12 de gostenld1g1 g1b1, pa-
Norton devresinin gorulmesi, sonucta clde edilen devreye karma e§deger devre den-
ralel yiike oranla yeterince bilyilk oldugu i9in ihmal edilerek CE ve CB modellerde
rnesi icin baska bir nedendir. z ve y parmetreleri O!arak adlandmlan ve burada tar-
yerine bir a91k devre elemam konur.
346
BolOm 8 Transistor Modelleme 8.4 Transistor Karma E~deger Devresi 347

+
hr ve ho'nun getirdigi matematiksel kann~1khg1 ortadan kaldmnak icin ~ekil
8.13'deki C§deger devre 9. Bolurnde srk sik kullamlacakur. Bazi genel sonuclan dog-
rulamak ve C§deger devre yaklasmumn 9e§itli uygulamalardaki ge9erliligini daha iyi
gostermek icin 9.10. Bolumde tam ve yakl~tk modellerle elde edilen sonuclan kar-
§ll~L::acag1z.
Z,, = ooQ (a91k devre)
ileriki bolumlerde ~ekil 8.12'deki modelortak-ernetorlu diizenleme icin yaklasik
karma esdeger devre olarak, ~ekil 8.9'dili devre ise tam karma C§deger devresi ola-
rak amlacaktir.
Kii<;iik-sinyal ac de~relerin analizde nadi~en kullaruldig: icin ortak-kollektiirlii du-
zenlemeden yukanda soz edilmernistir. Bunun yerine, 9. Bolumde gosterildigi gibi,
ortak-emetorlii duzenleme kultamlrrusur, Aynca, yukanda ortak-emetorlu ve ortak-
bazh duzenlemeler icin gosrerildigi gibi, hoc'm etkisinin normal olarak ihmal edi-
lebilmesine ragrnen. hrc degeri ihmal edilmeyecek kadar biiyi.ikttir.
8.5 re MODELi

--
I;

+
+
Son yillarda, parametrelerinden biri de calisma kosullanna gore belirlenen bir tran-
sistor yaklasik e§deger devresi artan bir ilgi kaynagi olrnustur, 4. Boltirnde verilen
transistor bilgi sayfasmdan, h;, .karma pararnetresinin, belirli bir calisma noktasi
v,
icin tammlandrguu hanrhyor olmahsimz. ~ekil 8.30'de h;e'de le(= IE) ile belirgin bir
degi§me oldugunu goreceksiniz. Bu durumda, <;ah§ma kosullanrnn (Jc I£ diizeyi) =
transistor bilgi sayfasmda belirtilenden farkli olrnasi halinde verilen h;0 degerinin ne
)i::kif ~-1 J Yaklasrk karma e~dcger rnodcli. yaprlabilecegi sorusu karsirruza cikar. A§agida gelistirecegimiz C§deger devre, dev-
renin de cahsrna kosullarmi kullanmak suretiylc imalatcmm saglad1g1 verilerle Sl-
Ortak-emetiirlti diizenlcme icin yaklasrk esdeger model sekil 8.!4'tcki gibi ola-
cakrrr. Burada, rurh kalmaksizm esdeger bir h,, devresini~:belirlenmesini mumkun kilacakur,

I;= lb le (mA) ie
Z; = h;,
lo = le = h1,!1, (I,, nin h1, faktoru kadar biiyiitiilmesi)
IE z4mA 1
I
I
IE= 3 mA
olacag. aciknr,
I; IE =2 mA
-b
+ (.,_,.?T- +
IE= I mA t
-z, "i .... l 0 "cs. 0 y 1 • 0.7V (SI) VEB

(a) (b)
~:. ~·:,..do -1...t.:.~: ...: ·~~·.,~;:~~:__.~-.~~~t~.!:.tl
'\ck.ii S.1-1 Yukf:1~1k CE k.innac~de£er
dcvre mcxkli. ~d,il x, 15 Yaldai1lc; CB karakteri$1i~leri a)~·~·~ b) girii.

Z0'yu bulmak icin V; sifrra esitlenir, bu da Ii,·= 0 ve ht.I.h = 0 sonucunu verir, boylece Alternatif bir esdeger devrcnin geli~tirilmesi, ~ck.ii il}de
gosterildigi gibi, tran-
akim kaynagi acik devre olur. Sonne olarak, sistorun CB duzenlemesinin girl~ ve:<;llo§ 'J<ararkteristiklerinin yakmdan ince-
lenmesiyle baslar, Diiz cizgili bolilmlerinin, kollektor karakteristiklerini ve emetor

348
Boliim 8 Transistor Modelleme 8.5 r0 Modeli 349
 devresi icin tek bir diyot karakteristigini gostermek icin kullamldrgina dikkat edin r, degerini ycrine koyarsak $ekil 8.17'de gorulen ortak-bazli dilzenlemenin r, rnodeli elde
(giri§ karakteristiklerinin Vce'ye bagh degi§imi ihmal edilrnistir); bu da $ekil 8.16'da edilecektir. $ekiJde, $ek. 8.15'deki grafiklerin de dogruladlg1 gibi, le= IE olduguna dikkat
gosrerilen C§deger devreyi verecektir. Bu nedenle ac kosullan i9in CB duzenindekl edin. Aynca ortak-bazh dilzenleme i~in $ekil 8.18'deki yaklasik karma esdeger modeIi ile,
transistorun emetorundeki giri§ empedansi, diyodun dinamik direnci icin verilen ~ekil 8.1 Tde tarumlanan re modelinin benzerliklerinedikkat edin. Ikisinin ka!§1l~tmlmast;
(1.21) C§itligi kullarularak bulunabilir. Diyot akirru ernetor akirm olacagmdan, diyot di-
renci r, ile gosterilecek ve degeri ~agidaki denklemiyle belirlenecektir:
h;h = re (8.7)
:··~:'2tmv-Ml ohm hp,=-1 (8.8)
(8.6) ... .... -.... - ---,

- -
.:
- · ...,IE-~·····'

-
oldugunu acikca gostermektedir.
I, t, Kollektor karakteristiklerinin yatay yizgilerle yaklasik olarak gosrerilmesi, $ekil
It'"' I,
=

:=t
e<>---- c 8.17'de de 'gorilldilgii gibi, 1/hob oo n veya transistorun ytla§mm acik-devre C§-
+ + .--------ooc
+ degeri olmasiru gerektirir. Buna ek olarak giri§ tarafindaki ¥e§itli egrilerin yerine bir
egrinin konulmasi, karma C§deger devredc V,h'nin h,h girl§ biiyilklilkleri uzerindeki
Vo
etkisinin ihmal edilmesini gerektirir. Daha once belirtildigi gibi, r, modeli icin her
zaman h,.h = h0h = 0 yaklasiklik degerleri varsayilmaktadrr. Karakteristiklere veya
b
veri sayfalanna donerek belirlenen buyuklukleri C§degerdevreye eklernenin d1§tnda,
(a) (b) bu etkileri dahil etrnenin baska biryolu yoktur.
~ekil 8. l 7'deki ortak-bazlrmodel icin ~agrdaki parametreler tammlanrmsur:
\al CB devresi. (b)~kil 8.ISte cammlanan yakbi1k CB· 1.:1-.,, .l.,vn,,i.
11 = I,
A§ag1daki analizlerde ~alt§ma kosullanrun, her hangi bir govde veya ternas di- Z; = r,
rencinin [(1.8) denklerninde] (8.6) denklerniyle hesaplanan degere gore ihmal edi- Z0 = ee Q (/; = !0 = 0; dolayrsiyla le= I,= O'dir)

-e -1. c-
lebilecek duzeyde oldugu varsayilrrnsnr.
lo= le= I,
11
I,-. lo
Sekil 8.19a'da gonilen ortak-emetorlu diizenleme icin giris ve ¥1la§ karakteristikleri,

-
+ ~,----...:....---~ yakla§1k olarak sirasiyla $elcil 8.19b ve Sekil 8.19c'de verilen grupla ternsil edilir. Baz

Z1
Vi r, t I,"' I,
karakteristikleri burada da diyot karakteristigine yaklasik olarak ahnmrsur (VCE nin ka-
rakteristiklcr iizcrindeki etkisi ihmal edilmistir) ve ~ekil 8.20'de goriildilgii gibi,
,... ----- ·- -· ... . .....
b , roe= 26 mV : ohm
b
i Is ,
( 8.9)
ic •f3is

-e
· · Cll 'e Ejde~erdevn:sl.
~:-:--·-·-~le~"'fJls6 ls6
1, c I t :-~------~···,,,·,-~--·=·· ·· · ·· " -, 1ss
c-.
lo
:I
- 1~---··- -· · ·--·
· · · · la
+
I
, · la3
4

--
+
Vi 1e2 • f3ls2 '.·· · ·-·- .. la2
z, Vo
Zo E ,,. fe1 :f3fs11;· Is,
0
b b
(a) (b)
~~: •.. ·-.I~ Y,kla11k Cll karma (c)
c~e§er devre.~i.

350
Bolum a Transistor Modelleme 8.5 r0 Modeli 351
 Fakat
fr·== le= /J!s vela E !..&_
/3
Dolayisryla,

ve
fa; = ~ ls = ~
[
. l,f/J

r,c = /3r,
= /3 (2.2..D1Y.)

I
IE
b
+
c
+
--lo

(8.10) v,
Sozlil olarak ifade edecek olursak sonuc; emetoni toprakli ortak-emetiirlil du-
zenlernedeki bir transistorun giri~ direncinin, (8.6) denklemiyle belirlenen di- e e
rencinin f3 ile carpimma esittir, 9. Bolumde daha ar,:1k anla§tlmas1 icin, r, direnci
$ekil 8.20'de gosterildigi gibi ernetor bacagina baglarur.

Analizimizde {Jnm verilen.degerde sabit oldugunu varsayac~~·~_; b~ da $ekil ~.21 ve

8.22'deki 'rtki~ e§deger devreleriyJe sonuclarur, Ortak-en:ietorlu. duze~len:ie~m yak-
lasik karma C§deger devresi karsilasurma amaciyla $ekil 8.23 te verilmistir, Dev-
relerin karsilastmlmasi ;

!
f3 = ht, (8.11)
/3 re= hie (8.12)

oldugunu as:tki;a gostermektedir,

.~t:kil ;(~II · ·1· $ekil 8.22'den;

Yukanda belirtilcn nedenlerden dolayi, CE diizcnlemesinin giri~ devresi yerine,

1·
;.si(.'
11 = h ve I; = lu = lc=f3J,,
~ekil 8.2 l'deki yakl~tk diyot devresi kuUarulrn1§ttr; ancak rc'nin lh degil le tarafindan Z; = f3r.
belirlenmesi nedeniyle girl~ ernpedansr, $ekil 8-22'de /3 olarak karsirmza 9tkar. Sekil Z; = oo n (V; = 0 V =, t, =t,= 0 Ave h1, l,, = 0 A)
8.19c'de {Jrun transistorun karakteristiklerinde ayru kalrnasim saglayacak bir yaklasik
deger kullarulrrusnr, Ancak bunun kesinlikle. yanh§ oldugunu biliyoruz, Bun;mla be- bulunur.
raber, iletim biilgesinde tipik bir uygulama icin {Jmn verilen degerde degi~imin cok
ki!S:iik oldugu ve gecerli bir yakla§1m icin sabit degere sahip oldugu varsay1lm11t1r.
b c
-- lo

--
+ +
1,
b
v, Vo

--
z, +
Zo
e
~ . , . Y.i1... i:i,,i.. f 1 , .• :~dege-rclcvrcsi
~Nmh.-·' '
~-·""

Aruk r, modelini tarnmladrgmuza gore, ileriki bolumlerde r.'ni~, de ~ngeri.lim ~li-

,. :)ckil x.21 zenlemesinin de ernctor akirnryla belirlendigini unutmayabm. D1gcr bir deyisle, ac
:li!:r·.
_..;:
352
Boli.im 8 Transistor Modelleme 8.5 re Modeli 353
 analizine baslarnadan once, 5. Boltimde anlattlan yontemleri kullanarak dii- Ku§kusuz, 9al!§ma ko§ullannda ol9illen bir h;, degerin kullamlmas1, hesaplanan /3rc
zenlemenin ernetor akrrm oncellkle belirlenmelidir. Bu islem 9. Bohirnde orneklerle degerinden daha iyidir.
gosrerilmistir. ··
~oyle veya boyle, ogreneinin her iki modelden de haberdar olmas1 onemlidir,
~iinkU endiistri ve egitimde her iki model de uygulama alanrna sahiptir. Her birisinin
kendine gore avantajlan ve dezavantajlan vardir. Se9im, ~ogunlukla ki§inin de-
neyimlerine dayanarak yap1labilir. lki model arasmdaki benzerlikleri akhmzda bu-
Transistor i9i1; birden fazla model tarumlanmas, nedeniyle, dogal o!arak verilen lundurun ve a§ag1daki ac analizinde arzu edilen niceliklerin belirlenmesi i9in kul-
durum icin hangi rnodelin kullarulacag; sorusu akla gelmektedir. !amlan yontemlerdeki benzerliklere dikkat edin.
re rnodelinin aeik avantaji ae dtizenlemesinin yakla§tk analizi icin sadeee {Jmn bi- A§ag1daki k1s1mda, karma parametrelcr arasmda kold.'tor ak.immtn degi§imine
linmesini gerektirrnesidir. /3 degeri, transistor bilgi sayfasrna veya transistorun mak- kar§t en az hassas o!an pararnetrenin hfe karma parametresi oldugunu gorecegiz. Bu
simurn nominal degerlerinin otesinde aynnuh bilgilere gerek duyulmadan egri iz- =
nedenle h1, f!mn soz konusu arahk-ta sabit oldugunu varsaymak olduk9a iyi bir
leyici gibi bir eihazla belirlenebilir, Ashnda veri sayfalan, bir f3 (= l1Jc, degerler yakla§tmdir. Ic'ye bag!J olarak onemli ol9iide degi§ecek olan ve 9ah§ma dU-
arabg1 verir; bu da makul bir dogruluk dtizeyi i9in modellerden birisinin kul- zeylerinde belirlenmesi gereken degcr, Ir;.= /Jr, degeridir, 9iinkti bir transistor yi.ik-
larulmasi halinde hesaplamalarda kullamlmas1 gereken ol9Um degerinl gosrerir, seltecinin kazan~ diizcyleri iizerinde ger~ek bir etkisi olabilir.
Daha sonra, sistemin de analizinden ve ortak-bazh diizenlemedeki fJ uy-
gularnasrndan re degeri hesaplanarak giri~ ernpedann bulunabilir. 87
Bununla beraber, onceki bolumlerde de belirtildigi gibi r. modclinin, tipik tran- K1smi tiircvleri kuUanarak, ortak-emetorlti dtizenlemede ~ah§ma bolgesi i~erisinde
sistor veri sayfalannda belirtilen geribesleme elernanj h,. ve 91kt~ ernpedansi 1/lz,..'nin kti9Uk-sinyal transistor e§deger devrcsi i9in h-parametrelerinin a§ag1daki e§itliklerle
etkilerini hesaba katmamak gibi bir kusuru vardu. Kitaptaki uygulamalann s:ogunda bulunabileeegini gosterebiliriz:
= =
h,. h.,, 0 degen uygulanabilir. Ancak istenilen duzeyde doimiluk elde edebilmek
icin h.; ve 1/h"" degerlerinin hesaba kat1lmasm1 gerektiren durumlar da vardrr, Or- (8.13)
ne~in eger h,. ve V,, yeterince biiyiikse, karma modelin girl§ C§deger devresindeki
genbesleme elernaru h,.V0• girl§ baz akirrum %10'dan fazla oranda azaltabilir ve sis-
~---------~------··-
tern kazanci uzerinde belirgin bir etki yaratabilir. Yine de 9ogu durumda 11:-e etkisi
analiz yapihrken ihmal edilebilir. Bu aciklamay, yapmarruzin tek nedeni, oit-
.-·~~··------·
= dv; =
h,. dVbc = !',.vb, ,
(8.14)
rencinin, geribeslerne elemammn etkisinin ve gozardi ediiemeyecek onernli bir etken dv0 Ovc '6vc, -·lo•"3bit
olabileceginin farkma varmasim saglarnaktir.
Eger 1/hh, degerinin, yU<l§ uclanna bagh RL yukune oram ; 10:l'den az ise, (8.lS)
.lfho.'nin etkisinin hesaba kaulrnasi gerekebilir. Ornegin R1. = S ill ve 1/h"" = SO ill
ise, RL = RL 11 J/h"' = 5 kf2 I I so kQ = 4.55 k.O olur ve elernanlar arasrndaki JO: 1
oraru, etkin deger olarak yaklasik %'10 luk bir dii§U§e neden olur. ~tiphesiz, daha
_______,
r
I (8.16)

l =
dil~tik bir oran daha buyuk etkiye neden olacaktrr. Ozetle, 1/h"", RL 'den 10 kat veya
h,,, = di0 = die 6ic
daha buyukse, 1/h,.., nin etkisi yaklasik olarak ihmal edilebilir.
~artlann h,... ve I/hoc etkilerinin ihmal edilmesine elverisli olrnasi halinde iki mo- .....-- dvo clv., _ 6v"-·--~~-~'._. _
r: '.
.. ~\l

delin temel yapist blrbiri ile ayru olacakur, {3(h1.)bilindigi taktirde, yaklasik e§dcger
•..e& . t:,. sembolii. her bir durum iyin stikunet 9alr§ma noktas1 civannda bir degerdeki
model herbir dtizenleme icin hemen hemen biliniyor demektir. Eger re model kul-
kti9lik degi~meleri ifade ctmektedir. Ba§ka bir deyi§le h·parametrelcri, uygulanan
laruhrsa {3,., ~o~rudan de anallziyle bulunabilir. Karma model cturumunda, araligm
sinyalin ~ah§ma bolgesinde elde edileceklerdir, boyleee elde edilen C§deger devre,
normalde belirli 9ali§ma kollektor akrmlan icin verilmesine ve kollektor akrrmnm
miimkUn olan en yiiksekdogruluk derecesine sahip olacaktrr. Her birinde sabit Va:
§~ddetin~ kar§: oldukca ~uyarh olmas1 nedeniyle farkh bir seviyenin h;,, degerleri et-
ve 18 degerlcri, ~C§illi parametrelerinin transistor karakteristiklerinden belirlendi ·
ktlemesme ragmen, verilen h;e deger arahgmrn ortalama degeri kullamlabilir.
gi zaman saglanrnasr gercken ko§ulu gosterir. Ortak-bazh ve ortak-kollektorlti

354
Boliim 8 Transistor Modelleme 8.7 h-Parametrelerinln Grafik Olarak Bulunmasr 355
diizenlemelerde uygun v;, vu, i, ve io degerleri yerine konarak uygun esitlikler clde Vce'nin kesi§tigi noktalardan dii§ey eksene yatay yizgiler yekilerek bulunur. Geri
edilebilir, Uy temel transistor diizenlemesinin karma parametreleri arasmdaki iii§· kalan tek §CY, ic ve ib'deki degi§meleri (8.15) C§itliginde yerine koymaktu; yani:
k:ileri gosteren bir lisle Ek A'da verilmistir. B~ka bir deyisle ortak-emetor dil-
zenlemesine ait h-parametreleri biliniyorsa, ortak-bazh veya onak-kollektonu du- I hi,I = ~1:i.ic = c2.1 - 1.1) x m31
ti.ii, . (20 - 10) x 10"6
zenlemelerin h-parametreleri bu tablolar kullarularak bulunabilir. Vc£•~t VcF.sS.4V

hie ve h,., pararnetreleri, yOO§ veya kollektor karakteristiklerinden elde edilirken, h;c
= 10·3 = 100
ve h,.., pararnetreleri giris veya baz karakteristi.klerinden elde edilir, fzJ, parametresi ge- 10 x 10·6
nelli.kle bizi en cok ilgilendiren parametre oldugundan, ilk once bu parametre iyin
(8.13)'den (8.16)'ya kadar olan esitliklerin iyerdigi i§lemleri inceleyecegiz, Dort karma
parametreden herhangi birinin belirlenmesinde ilk adim, ~ekil 8.24'de de gosterildigi $ekil 8.25'te (8.16) h,,.'ye ait esitlikte gereken 18 = sabit yizgisini bulmak i~in Q
gibi, cahsrna siikunet noktasiru bulmaknr, (8.15) C§itliginde Va'nin sabit olmasi, sabit ile !8 arasmdaki egriye teget dilz bir cizgi cizilir, Daha sonra Vc£'de bir degi§me se-
bir kollektor-erneror gerilirnini temsil eden Q noktasi uzerinde kollekror ve baz ala- cifir, ic'de buna karsrhk gelen degi§me, ls sabit yizgisi uzerindeki kesisme nok-
",<,:
mmdak:i degi§ikliklerin, duz bir dusey yizgi boyunca degi~mesini gerektirir. Bu du- talanndan dusey eksene yatay yizgiler cekilerek bulunur. Bu degerler (8.16) denk-
rumda (8.15) C§itligi, kollektor alammdaki kiiyUk bir degi~me, baz akrmmda buna kar- teminde yerine konarak ;
§1!.tk bir degi§meye neden olur. En yiiksek dogruluk (kesinlik) icin bu degi§imlerin
murnkun oldugu kadar kiiyiik rutulmasi gerekir. = (2.2 - 2.1) x 10·31
J0-7 /o=+I.SpA

le (mA)

----
7
O.l x
3
10.3
=33µA/V=33x 10·6
.
s =33uS
.
~60µA

6 .r +SOµA
-~ degeri elde edilir.
"?ff.
\"Olcdogrusu
5 ~- +4()µA
Lr V CE - 8.4V (sabit) .,./
4 i ',. +30µA
le (mA)

3 f ,, ·- /Q-pt 181 = +20µA

·;..,<

i (18 +ISµA)
2 '. ·- /81 = +IOµA

I
20 vet (volt)

'\..:'.,ii;,;.~~ ''f/nin bulunm3st.

·~.;.: ·
~ekil 8.24'de Ip 'deki degi§me Veenoktasmda dik bir ~izgi boyunca lni'den J112'yc
kadar seyilmi§tir. Bu durumda i/de buna karsihk gelen degisrne, Is, ve /82 ile sabit ·:~ ·
1
. :.¥.
Sd,il S.!3, h.« 'nin buluuiu., ... ,

356 ~5,
Solum 8 Transistor Modelleme ··Jj·' 8.7 h-Parametrelerinin Grafik Olarak Bulunmas, 357
tt
;"i'r-
7 ·
 h,, ve h., parametrelerinin be!irlenmesi icin ilk once, ~ekil 8.26'da gosterildigi
gibi, giris veya baz karakteristikleri iizerinden Q noktasmm bulunmasj gerekir, h;/yi
'• U&A)
bulmak icin, (8.13) e§itliginin gerektirdig] Va"" sabit 9izgisini cizmek tizere Q nok-
Vc8 •0V
tasi uzerinde VCE '=.8kV-·egris_ine teget yizilir. Ardmdan, vb;de kilfilk bir degisme
secilir, bu da is'de buna k~1hkoirdegi~me yaratir.(8.13) e~itliginde yerine konursa;
ltcE,. lOV
I Ii I
Vc8 •20V

l h,,. I ---
- D.Vh·
'/ I
- (733 - 718) x 10·31
6.i1, VC£'<S.bil
- (20 - 10) x !0"6 l'cr: = 8.4 v

15 x 10·3 = 1.5 k.Q

10 x 10"6 ~·
- li1~.·20V
elde edilir.
20
Son parametre olan h,,, ilk once Is= 15 µA'.da Q-noktas1 iizerinde yatay bir cizg!
s:elcilerekbulunabilir. Daha sonra ~ekil 8-27'de gosterildigi gibi, Vddc bir degi~me 15 L----------"--t;l'j--
' J8 • 1!1 µA (sablt)
ahrur ve sonus:ta-V8/de k~thk gelen degi~me bulunur,
(8-14) C§itliginde degerleri yerine koyarsak; ~-

I hre I== 6.vh

D.Vc
1 .
== (733 - 725) x 10·3 =8x 10·3 "' 4 x 10·4
elde ederiz. 10=..i,., 20- 0 20

Karakteristikleri 8.25-8.27 nolu -~ekillerde gorulen transistcrun sonucm elde editen

ka=nn kii~·iik-sinyal ~deger devresi ~ekil 8.28'de verilmi~tir.
._ • n1i1 bnluemasr.
Is (JJ.A)

VcE =ovi J VcE = JOY

30
.J ..,f 'j Ve£ = 20V
1
i I f
.. ....
lb 1.5 kfi(hs.)

_:.,l;t..J_ Vee 8.4 v (sabit) B~-

'J,-j I
4.X 10-• V., '\, 33 µ.A/V Vet
· ·1;1I ~i.. (h,.V,.) _1 (h.,.)
• ),1. J
?Ir Eo

20'------------:NI. :. . -} »<s
JSl----------- ...;·,·111 . lllb• IOµA ~.:~:l ~. i:-i Karn~rcrisriklcri 8.25-
R.27nolu ~ekill~rdc verilen 1mnsis:
r6r ~in tum k:uma C¥ieJe:r devresi,
101-------------.<....-~
·/r
I .:t&t.
_,f
r.' Daha onccde de ll_mld1g1 gibi, ortak baz ve onak k~l~ktor ~iizenlemeleri i~!n
karma karma parametreler uygun degi§kenler ve karaktenstikler ile ayru temel esu-
. »> Iikleri kullanarak eldc edilebilir. . . . . . .
0.6 0.11
--.J
L 0.8
A11b<:!!O,OISV
v8£ '(volt)
BugUn mevcut olan 9e§itli transistor!~~~ U~ d~z~nlem;eden her bm~mdeki tip_i~
parametrc degerleri; Taolo S;l'de verilmistir, Eks1 l§aretl, (8-.15) derikle~de esu
. .: .. ... :, \~ h;/nin bolunma$.1. liklerden birinin degeri arunldigi zaman, digerinin azaldigmr gostermektedir.
358
Bolum 8 Transistor Modelleme
a. 7 h-Parametrelerlnin Grafik Olarak Bulunmasi 359
 durumda h,. biiyiikliigii, belirlenen Q noktasmdaki bilyukltigilnun yaklasik 11 kauna
tikm1§llr; bu, esdeger devreden bu· parametrenin ihmal edilmesine izin ver-
meyebilecek bir biiytikliiktiir. h"" parametresi ise normalize degerin yaklasik 35 ka-
Paramctre CE cc CB
udir. hoc'delci bu arll§ transistori.in 9~ direncini azaltarak yiik direncinin degerine
·---------·--··--- yakla§ttrabilir. Bu durumda yakla§tkhk temelinde e§deger devrede h,,,,'nin iptal edil-
fz; l kn lkO 200 mesinin dogru 0Lmay:1cag1111 gii~terir.
,,
h, 2.5 x 10·4
50
:::l
-50
3.0 x 104
-0.98
h., 25 pA{V 25pA/V 50
0.5 pA/V
1/Jrn 40kn 40kn 2MO
20

· Daha onc~~i boliimi~rc ·.b:OOlarak (Bolilrn 4.4: Transistorun Yiikscltme (etkisi)

o~~~-b~~h diizenlemenin gms direncinin dii§iik, c;:1k.i§ direncinin ise yuksek oldugu le= lmA
gonilebilir, Aynca ktsa devre akim kazancmm J'e cok yakm oldusu da .. _ Va=SV
"I k ed. 0 5 go T= 2S°C
0·
T
ru me t ir ... rtak-ernetorlu ve ortak-kollektorlu diizenmcler icin giri§ direnci
f=s !kHz I•
onak-bazh d~zenlemeye gore oldukea biiyiikti.ir ve ~Ikl§ direncinin girls direncin;
oraru, 40; l civarindadir, Buna ek olarak ortak-emeti:irlii ve ortak-bazli du e l d
h; · z n eme e
_,n_m 90~ kiic;:iik oldugunu d~ haurlayin, Giiniimiizde rnevcut translstortertn 171, de-
~en_ 20 lie 600 ~~mda degi§mektedir. Herhangi bir transistor icin calisma bolgesi o.os
e ~~§~ll~, c;:~1th h-parametrelerini etkileyecektir. Srcaklrgin, kollektor akirru ve 0.02
genhmmrn h-parametreleri uzerindeki etkisi 8.8, Boliimiinde tarusilacaknr. 0.01 L..--L---JL-....L.--L..-....L-....L.-..l.-
__ i__ _ _...
0.1 0.2 o.s 2 s 10 20 so le (mA)

B.8 TR.~P.-JS~s·:'"68 !' ..!.:t~i1;:;i";;;·:L::;.?(<DCK~ D~,3~S?:ilELER

h-parametreleri~de s1cakhga, frekans;; gerilime ve ak.im~ bagh degi~meleri gosteren ,5ekil 8.30'da, h-parametre!erindeki kollektor gerilimine bagb degi~meler, nor-
cok sayida ~gn ~ard1r: Bu asamada en ilginc ve yararh degi§meler aras7nda, /z. malize edilmi§ degerler cinsinden gosterilmi§tir. Bu egriler, iki egriler grubunun kar-
paramerrelennde
-· jonksiyon sicakhgina
. , kollektor akimma ve ::,eerili mme
· b acr·1 l O I an §Ila§tmlabilmesi ay1smdan, ~ekil 8.29'da veri!en transistorle aym 9ab§ma noktasmda
deg1~meler yer almaktadrr. · · .: ;:, ,1.( normalize edilmi§tir. ha, ve h,. degerlerinin se9ilen c;:ah§ma noktasmm sagmda ve
·.~
·,~ I

.. ,5ekil 8.29'da kollektor. aktmtnm

, .. h·parametreleri iizeri'ndeki' e tki Sl· gosten
.. ·1 m1~t1r.
· ·
Du~ey_ v~. yatay eksenlenn logaritmlk olarak i:ilc;:eklendiriJdigine dikkat edin. Lo-
g~t~ik olc;:ekler 11. Bolumde incelenecektir. Kollektor akirmna bagh olarak bu-
yukl~kte gozlenen bagtl ~eg~meleri_n kolayca belirlenmesi icin, pararnetrelerin
~eps1, ortak say1yla_ norm~lize ~~lmi§tir. ,5ekil 8.30'daki gibi her bir egri grubu uze-
:.mde, .p~ametrelenn belirlendigl c;:ali§ma noktasi dairna gosterilmi§tir. Elimizdeki
omek rc;:m siikunet
_
noktasr VCE -- 5 •O V ve I.c -- 1 · O m A''m kesisme
· noktasmdadtr. <;a- . Ji
~'.§m~ s1c~lig1 ~e ~e~ans da h-parametrelerini etkiledigi icin, bu degerler de egriler
uzennde gosterilmistir. 0.1 mA'de /z, 0 O 5'dir veya 1 mA'dek·, deX · · d ~
, ,. • 6enmn yanst tr. .)
~~dey~en ~- l.5 .v~ya l mA:deki dege~in %150'sidir. Baska bir deyisle, le~ l mA
ic;:in h1,- ~O ise, le nm O.lmA den 3 mA e c;:ikmas1yla h1,degeri 0.5(50) 25'den l.5=
= =
(50) 75 e cikar. Ancak le 50 mA dtizeyindeki c;:ah~ma noktasuu ele alalrm. Bu
solunda 9ok daha btiyiik olmasma k~m h;, ve h1, degerlerinin nispeten kararlt ol·
duguna dikkal edin. Ba§ka bir deyi§Le h00 ve h,., kollektor gerilimindeki degi§imlere
.qiK,
~; k~,. h;0 ve ht, den c;:ok daha fazla hassastLr.
~
.·,<:.:..· 8.29 ve 8.30. ~ekillerden de gori.ilecegi iizere, en az degi§en parametrenin hte ol-
·,.{ '
W< mas1 ilginc;:tir. Bu nedenle, ak.im kazancmm belirli bir degeri, ister ht, ister /3 olsun,
;.
:i;t yakla§ikhk ve bagil olarak kollektor ak.im1 ve gerilimi arahgmda oldukc;:a sabit ola-
rak dii§iinlilebilir.
h1c = f3r,. 'nin degeri kollektor ak.imma gore onemli olc;:ilde degi§ir. Bu da r;nin
emetor ak1mma k~1 hassasiyetinden tahmin edilebilir. Bu ned~l)le·. bu; deger ya·
h§ma ko§ullarma mtimkiin oldu.gu kadar yak.in bir noktada tespit edilmelidir. Be-
lirlenen VC£'nin altmda h,. oldukc;:a sabittir, ancak yiiksek degerler ic;:in belirgin ola-
rak artar. Uygulamalann c;:ogunda h,. ve h,,. degerlerinin genellikle ihmal

360 8.8 Transistor Parametrelerindeki Oegi~meler 361

Bo!Om 8 Transistor Modelleme
 edilebilecek duzeyde olmasi iyi bir avantajdrr, Bu parametreler kollekror akmu ve
kollckliir-cmc1iir ~·-·riliminc kar~1 ulJul,.'rd h<1.», ..,111.
- .~ - -- ..
3000
2000
1. Genel terimlerle bir sistemin veya cihazm "rnodelinin" temel fonksiyonunu ta·
lOOO mmlaym.
700
500

2. (a) karma ve r, modelleri arasindaki fark.t aciklayin.

(b) Her bir modeli, hangi durumlarda kullarulmalan gerekrigini belirtin .

.;
·•
3. (a) ~kil 8.5'i uygun uelar arasma tam karma ~eger modeli ekleyerek yeni~n cizin.
30'--~7'-:~~.L-~J......-...JL-..~-l_~-L~---l.~~..l_~L__---
o.z 2 s 10o.s20 -so 100 (b) (a) ~1klam, ortak-ernetorlu baglann icin yaklasik e~deger modeli koyarak
~ !!... i I 8.3() Kanu;,1 par.11u .. 11 ...... ,..,,lk:lr.1oc-emccOr i:-crilimin...· l\1fh ,i..:~1;-ui...·k..,. Va (volt) tekrarlaym.

~ekil 8.31 de h-parametrelerinin jonksiyon srcaklrgina gore degi~imi ~izilmi~1ir.

Nonnalizasyon degeri T = 25°C oda srcakhginda almnustir. Yatay olcek, ~ekil 8.29 4. ~ekil 8.32'de verilen ortak-ernetorlu dlizenleme i~in:_ . . . . , .
(a) Transistordn e¢eger modelini koymadan ac ~degen cizm. ~ekil 8.5 teki ya-
ve ~ekil 8.30'dakilerin aksine dogrusal bir olc,:ekrir. Genelde biitiin parametrelerin
ptda btrakm. Z;, Z0, v;.v0 i; ve ib terimlerini tarumlaym, _ ..
biiyiikliigti_ sicaklikla birlikte artar, Bununla birlikte en az etkilenen parametre hco. en
(b) (a)'da elde edilen devreyi tam ortak-emetorlil karma esdeger devresini kul-
cok etkilenen parametre ise h;, giris ernpedansidir. h1e'nin -socC'de % 50 normalize
degerinden 150°C'de % 150'sine crkmasi, transistor devrelerinin tasanmmda cahsma lanarak yeniden ~izin. . . .
srcakhgirnn i\;,c11lc dikkarc ahrunavr ;!l'rcktij!ini 1,!ii,tcrir.
(c) (a)'da elde edilen devreyi yakl~ik e§deger deve modelini kullanarak yeniden 91ZJn.

.bagll parame1re buyiiklwderi Vee

3.0 (Suyun bynatn4 nok) • (Suyun donma nolc.)

Re
2.0 >-

1.5
c
le= lmA
VeE = SV
T= zs-c
I= I kHz
0.7,..

o.s
~f"
Y
hr,
B

0.4 hi.i
0.3 ':-:--........1'::---'--f::--.l----l__ --1•__ _.J_• _
-100 -SO O 2 ° SO 100 ISO 200 T"C
~~~i! SJ f Karma para,nern ..'!rinsteakhkladeiitimi.
Oda s1<:alwgi
362
Bolum 8 Transistor Modelleme
Boliim 8 Problemler 363
 5. $ekil 8.33 te verilen ortak-bazh duzenlerne icin: 9. Tipik R1 = 2;2 k.Q ve h,,. = 20 µ5 icin 1/h;,;,'nin etkisini ihmal etmek iyi bir yak-
(a) Transistorun e§deger modelini koyrnadan ac esdeger] cizin. $ekil 8.5'te ta- lasikhk midir? A~g1daki denklemi kullanarak yiik direncindeki farki yiizde olarak
rumlanan yapida birakm. Z;, Z0 v;, v0 i; ve io terimlerini tammlaym. bulun.
(b) {a)'da elde edilen devreyi tam ortak-ememr karma e§deger devresini 'kul- % fark _ RL (I/ho, yok)-RL(llh"e:var) x %lOO
lanarak yeniden cizin. . RL(llho, yok)
(c) (a)'da elde edilen devrcyi yaklasik e§deger devre modelini kullanarak ye-
niden cizin, 10. 8. Problemi h,. = 3.8 x 10·4 ve A,.= 280 alarak tekrarlaym.

11. 9. Problemi RL = 6.8 kn ve h°' = 25 ;1S alarak tekrarlaym.

~ 8.7

1-.....1.........:..:·
-· . "r· .:.··- .........-1•~-
12. (a) Sekil 8.24'deki karakteristikleri kullanarak, le = 6 mA ve VeE =5 V icin
...;..;-
,-..;,
hrc'Yibulun.
(b) (a) srkkiru le= 1 mA ve VcE = 15 V icin tekrarlaym.

13. Sekil 8.25'teki karakteristikleri kullanarak, le= 6 mAve VcE= 5V icin heo'yi bulun,
(b) (a) sikkiru le= I mA ve VcE = 15 V icin tekrarlaym.

14. (a) Sekil 8.26'daki karakteristikleri kullanarak, IB = 20 µA ve VCE = 20 V icin

h,c'yi bulun.
(b) (a) §•kkm1 la= 5 uAve VC£= IOV.ic;in tekrarlaym,
~ 8.5
15. (a) ~ekil 8.27'de verilen karakteristikleri kullanarak, fa= 20 µAve VCE = 20 V
6. $ek.il 8.32'deki devre icin: icin h,c'yi bulun.
(a) 4. Problemin (a} ~1kkm1 tekrarlaym. (b) (a) srkkuu In"" 30pA ve VC£= 10 V icin tekrarlaym.
(b) (a) sikkmdaki devreyi, uygun uclar arasma r, modelini koyarak yeniden cizin.
16. $ekil 8.24 ve 8.26'daki karakteristikleri kullanarak, yaklasik karma esdeger mo-
7. $ekil 8.33'deki devre icin: delini /8 = 25 JtA ve VcE = 12.5 V icin bulun.
(a) 4. Problemin (a) sikkiru tekrarlayin.
(b) (a) sikkmdaki devreyi, uygun uclar arasmer, rnodelini koyarak yeniden cizin, 17. $ekil 8.24 ve 8.26'daki karakteristikleri kullanarak, lo= 25 pA ve VcE = 12.5 V
icin r,. rnodelini bulun.

18. 8.7. Bolurndeki sonuclan kullanarak /0 = 15 µAve VCE = 8.4 V icin r, modelini
· 8. h,., = 2.104 ve Av = I (i() tipik. degerli icin sisternin ac analizinde h,."nin etkilerini ilunal bulun.
etrnek iyi bir yaklasikbk rmdir? h,;nin etkisinin oldugu ve olrnad1g1 durumlarda h'nin
dilzeyleri arasmdaki fark yuzde olarak ne kadardir? A~ag1daki fonniili.i kullanm.
% fark Ii, (llh,. yOk) • h (I/ho, var) x % IOO
cu«,
lb yok) 19. (a) ~ekil 8.29'u kullanarak, lc'nin 0.2 mA'den l rrtA'e cikmasi halinde hr/deki
degisme yiizdesini ~ag1daki e§itligi kullanarak hesaplaym.
364
Bolum 8 Transistor Modelleme
Btiliim 8 Problemler
365
 I
% _degi§im = ht• (I e) - I
hfe(yUksek l c) x % l 00
h1,(at~akl c)

(b) (a) §lkk1m le'nin l mA'dcn 5 mA'e y1kmas1 durumunda tckrarlaym.

(c) (a) §1kk..m1 le'nill 0.2 mA'dcn 5 mA' y1kmas1 durumunda tekrarlaym.

20. 19. Problemi h;, is;in tekrarlaym (le'deki degi§imler aym).

21. (a) ~ckil 8.29 ilzerinde le =I mA'dc hoe= 20 µSise, le= 10 rnA icin hne'nin yak- ;.,·.1

l~1k degeri nedir?

(b) 0.1 mA'de hne'nin direnc degerini hesaplaym vc 6.8 knluk saf omik bir yUkle
karsilasunn. Bu durumda 1/hoe'yi ihmal etmek iyi bir yaklastklik rmdir?

22. (a) ~ekil 8.29'da le= 1 rnA'dc hoe= 20 µS ise h,,.,'nin le= 10 mA'deki yaklasik
degeri nedir?
(b) 10 mA'de h,,.,'nin direnc degerin; hesaplaym ve 6.8 kn'luk rezistif bir yukle
karsilasurm. Bu durumda l/h0.'yi ihmal etmek iyi bir yaklasikhk rmdir?
9.1
23. (a) ~ekil 8.29'da le= 1 mA'de h,. = 2 x lo-4 ise le= 0.1 mA icin h,.'nin yaklasik
degerini bulun.
(b) (a) §ikklnda buldugunuz hre degerini kullanarak, Av = 210 icin h,.'nin ihmal
edilmesi iyi bir yaklasikhk olacak rmdir?
GiRi;,
8. Bolumde tamulan transistor modelleri bu boH.imde, bir dizi standart transistor devresi dii-
zenlernesinin kiiytik.-sinyal ac analizi iyin kullarulacaknr, Analiz edilecek devreler, bugi.in
pratikte gorulen devrelerin s:ogunlugunu temsil eder.. Bu boliirn iyice okunup anlasrldiktan
sonra, standart di.izenlernelerdeki degisiklikleri incelemek nispeten kolay olacaknr,
Analizdeki benzerlikleri ve modeller arasmdaki ortak ozellikleri gostermek icin
hem karma hem de r, rnodelleri kullarulacaknr, 9.10. Bolurn dismda, yogun ma-
tematiksel islcmlerden ve hesaplardan kacmmak icin, bolurn boyunca yaklasik
karma C§deger devre kullarulrmsur. 9.10. Bolum, analizde tam modelin etkilerini ve
elde edilen sonuclan gostermektedir,
Uygulanan Rl yilkilniin ve Rs kaynak direncinin etkilcri 9.9. Bolurnde ele ahn-
m1§, 9.11. Boliimde birkac standart diizenleme icin bilgisayar analizi verilmistir.
Analizde kullarnlan BASIC bilgisayar dilini tanttmak arnaclanmarmsur. Bilgisayar
<;oziimiinUn eklerunesinin tek nedeni, bilgisayann kullamslihguu ve geregince an-
lasihp uygulanmasi halinde ne kadar etkili olabilecegini gosterme arzusudur.

9.2 Oz}TJ:,K .. r:£:v1CT·:~.d=t~0 ~j_t~~i·-t ·• '::·!(~ ::"1~Lif;1t.f

:JUI~::-.·: :;~_: . :.:;;

Aynnttlanyla incelenecek ilk diizenleme ~ekil 9.1 'deki ortak - emetorlu saoit
ongerilimli devredir. V0 yLk.i§ sinyali kollektorden ahrnrken, giri~ sinyali V,-'nin

366 BOliim 8 Transistor Modelleme 367

 transistorun bazina uygulandigina dikkat edin, Buna ek olarak, c;:tlc1~ akmu /,,'m kol-
lektor akirm olrnasma karsm, giris akirm /;'nin baz akum egil kaynak akmu cl-
duguna dikkat edin. Kiic;:iik-sinyal analizi; Vcc'nin de etkilerini kaldmlarak ve C1, Cz (9.1)
de durdurma kondansatdrlerinin yerinekisa devre e§degeri konularak baslar: bunun
sonueunda elde edilen devre, ~ekil 9.2'de gorulmektedir, Ro'nin h;e'nin 10 kat1ndan daha biiyillc oldugu\lururnlarda (bu, tipik bir durumdur),
a§ag1daki yaklasim sik sik uygulamr:

[ . .:; = h 1, Johm (9.2)

r. model esdegerini kulland1gim1zda Z; icin ~ag1daki denklemi elde edin.

(9.3)

11 Z0: Herhangi bir devrenin c;:tla~ empedansi V; = 0 iken belirlenen Zo empedansi ola-

-
V;'o - ,...___.~B-.J V; o-----C)-.-.11 rak tarumlamr, Sekil 9.3 lcin V; = 0 iken It ve dolayrsiyla lb= 0 ve hfe lb= 0 olur. Bu
C1 da akirn kaynagi yerine acik-devre esdegerini koymak demektir. Sonuc karma ve re
E modelleri icin a§ag1da verildigi gibidir.
z, i·-------,
i \
' ______
Zo=Rc J'ohm (9.4)

Av: Gerilim kazanciA,.= Vo/Vi oncelikle !,, = /;

yaklasikhgrm yapabilmek icin Rs>> h;c
kabul edilrnesi ve daha sonra Vo icin 0zillmesiyle bulunur,

~ekil 9.2'de, de kaynagrrun ve emetor direncinin ortak topragmin, Rn ve Rc'nin St·

rasiyla transistonin giris ve c;:1k1§ bolurnlerine paralel baglanmasmi miimkiin kil-
d'.gina dikkat edin. Aynca onernli devre parametreleri Z;, Z0, I; ve /0'm yeniden ci- Eksi isareti, /"'nm belirtilen yonune gore Vn'nu_n-·polaritesinin Zit oldugunu gosterir.
zilen devre iizerindeki yerlerine dikkat edin. lo yerine lo= htc /1, ve h yerine lb= I; yazarsak, _ ·-
~ekil 9.2'deki transistorun yerine yaklasik karma e§deger devresini koyarsak Sekil
= -111,Ii,Rc= -h1e/;Rc
I ··l'·I·

9.3'deki devre elde edilecektir. Yapilan analiz, §U sonuclan vermektcdir, -V0

-
olacaknr, Ancak l;= V;
1, lb s;
+

v, -
z,
Rs
b
~

hi,
e

Re
ve
Vu= -h1, (V'h,..') R c
A,.= Vu = _ hreRc
V; h;,
(9.5)

elde edilir.
Son denklemdeki eksi isareti; giris ve ~1la~ sinyalleri arasmda Sekil 9.4'te goriildiigil
gibi 180° faz kayrnast oldugunu gosterir.

368 9.2 Ortak-Ernetorlu Sabit-Ongerilimli Di.izenleme

Bi:ihim 9 BJT KO~Uk-Slnyal Anali:zi 369
 r, model icin h1, = {3 ve h;, = /3rc'yi yerine koyarsak
edin. Bunun icin ht, = f3 ve h;, = (Jr, oldugunu haurlamaruz yeterlidir; bu bilgiyle
her iki rnodeli cabucak olusturablliriz. A§ag1dalci ornekler iki model arasmdaki ilis-
kileri daha iyi gosterecektir, ·
ve
<'ll{.\'EF. o. l

(9.6)
:j,~il Y.5'teki devre icin Z;, Zn, A,. ve A;yi bulun.
elde edilir.
Bu da kazanc ir,:in daha uygun bir formdur. rc'yi bulabilrnek icin Pdan ya-
rarlanmarruz gerekmesine ragmen, (9.6) denklemdePnm bulunmadigma dikkat edin,

,-------o 12 V

--
560kn

. .:.:· 1, Q.,J µF

v,o-f----
0.1 µF
·+-:
----~- l h1, • 100
z,
. I
j

I ..
h1c ~ 1300
atlc = 2mA

I
A;: Akim kazanci A;= /JI; ~ag1daki sekilde bulunur. I Karma parametreler (yaklattk)

l
Z;:

= h1,I;

B:~]
In= hJefb Re = 560 kfl » h,. = 1300 11

i
VC
(9.7) (9.2) e§itligindcn

ya da r, modeli ir,:in,
l A;::{3 . ,_]
(9.8)
=
Z; h;, = 1300 Q
...._ ! Z0: ((9.4) e§itligi);
CE sabit onerilimli dtizenleme icin biitiin onemli parametreler belirlendi, Ge-
rektiginde talctirde bir modeldcn digerine gecisin nispeten kolay olduguna dikkat ZaRc=3 kQ

370
BolOm 9 BJT K090k-Slnyal Anallzl 9.2 Ortak,EmetorHl Sabit-6ngerilimli DOzenleme 371
 A,. ((9.5) denklemi):

Av= -hr,Re = -(100) (3 ill)·

h;, 1.3 k!l
= -230.77 r----p-,-----+----0Vo
A; ((9.7) denklerni): - .... 1o
h;,\
t
A;= 11•= 10-0 .-.:5-..I;·.\·

. r, modeli
$ekil 9.6

DC:
haline gelecek ve sonucta,
Is= Vee - Viu.- ll...:..Q1..= 20 µA
Rs 560 k.Q
le= {3/s = (lOO) (20 µA)= 2 mA = h; A,.=~(Rel
h,.
tl+II )i: (9.10)

r,= 26 mV = 26 = 13 .Q elde edilecekti. .

le 2 r
Her bir degerin sadece Re yerine R~I 1/hoe kondugunda nasil etkilendigine dikkat
Z; ((9.3) denklemi): edin. A/nin elde edilmesi icin once ~ekil 9.6'daki devreye akrrn-bolticu kurahru uy-
gulamahyiz.
Z; = /3re ': (100) (13) = 1300 .Q I _ ( llhoe)h1~Ii!
n llh,1e+R
hr,h
1 + h",R
!'
r-

l Zo ((9.4) denklemi): A;=f.p_= hr~

ll Z,,=Rc=3 kQ
ve I; I + h,,,Rc

Her bir durumda h,,,:nin etkisi.isoz konusu niceligi azaltma yoniindedir. Bununla bir-
(9.11)

~ A,. ((9.6) denklemi): likte, I/hoc degeri Rc'den s;ok dah~ biiyfil: oldui~ i9i~. etkisi genclde ihmal edilir ve
i daha onceki denklemler uygulamr. r, modeli denklernlerinin degi~tirilmi~ bicimleri,
l
~,i
Re
Av=--=
3 k11
---=-230.77
model iliskilerine bakslarak cok hrzh bir sekilde belirlenebilir.
I
r, 13
j A; ((9.8) denldemi): ORNEK ?.2

I
I A;::./3= 100 h,.,. = 20 µS ve 1/h,,. = 50k.Q olrnasi halinde ho;nin Ornek 9. l'deki degerler uzc-
rindeki etkisini belirleyin.
ho,'nin etkisi: Eger h~ ~ekil 9.3'deki modele dahil edilseydi 91kl~ devresi, ~ekil
9.6'dak:i gibi olacaku, Z; etkilenmeyecekti ancak Z0 , Cozum:

(9.9)

ve Z0 ((9.9) denklemi) :
Z" = R cl 1-hne1- = 3 k!l 11 50 kQ = 2.83 k.Q karsilik yukanda 3 kQ degeri clde edildi.

372 Bi:ilum 9 BJT KO~uk-Sinyal Anallzi

9.2 Ortak-Emetortu Sabit-Ongerilimli DOzenleme 373
 A,. ((9.10) denklemi):
''
A. = _ !1k_ (Re .J....) = -100 (2.83) kn

--
h;, ho, 1.3 k.Q 1,

o----t----;r---o--=i~Vt;::l;·\:;[~;:i·.-·.:;
b
.=-217.69 ka.t§lllkp'ukan~ -230.77 degeri elde edildi
+ c +

v, z,
,'· ~
.•
,.·,,:-1·•~7,'·1··• Re
A1 ((9.ll)denklemi) h R111 R111
-·~·;·_ t ···1'• l l -
o--t----:4-------<";----:_.-:.::t'.(. ",·.-/-~."':"~r~~:-:;;----'
~
A;= r, = 100 = J.00.
1 + h,,~Rc .. ··1 + (20 x 10-6) (3 x I 03) 1.06
Tz_o_"V
= 94.34 karsihk yukanda 100 degeri elde edildi. R1111

9.3 GERiLiM-BOU}CO'iLE ONGERiLiMLEME Rei ve Rsi'nin paralel birl~imi apg1daki gibi tarumlamr.

~imdi incelenecek duzenlerne, ~eldl 9.7'de gonilen gerilim-boliicidtl devredir. Dil- :I Ras= Ra1 I I RB2 = RsiRs/ (9.12)
zenleme admm, girl~ devresinde Vs'nin seviyesini belirlemek icin kullarulan ge- Rs1 + R02
rilim-bolrneli ongeriJiminden kaynaklandigrm hatirlaym.

(9. L3)

ve r, modeli i9in,

.•,.
·,a.'
..~-
·;.· (9.14)
c '"'

B ~~-(~· ~~~.P~'
.,,s;z·..
'\.'!' '":..~.i·)
~.. . .
Z0: ~ekil 9.8'dcn

..
... -.-.~ ..,. Zo=Rc (9.15)

E
her iki model i9in,
Av: Vo= I.Re= -h1,l1,Re
=-h1,(~;)Re
h,.
~ckil 9.7 · =. '1kReV;
h;, .

Yaklasik karma qdeger devrcyi yerine koyarsak ~ekil 9.8'deki devre elde edi-
,.•..
-•" ve Av=.!'.£.=_hr.Rc (9.16)
lecektir. Cinin dti~iik-empedans kisa devrc etkisinden dolayi Re'nin mevcut ol- V; h;,
madrgrna dikkat edin. Yani kondansator reaktansi, ~alt~ma frckansmda R£'yc ve
ve r, modeli i~in ,
devrenin diger parametrelerine gore ~ok kil~iik oldugundan devrc, RE iizerinden ktsa
devre olmus gibi degerlcndirilir,
(9.17)

374
Boh'.im 9 BJT KO~Ok-Slnyal Anallzl
9.3 Gerlllm·BtilOcO Ile Ongerlllmleme 375
sabit-ongerilirnli duzenleme icin elde edilenle ayru olarak: bulur.
A;: R88 direnci <rOgu durumda h;.'nin biiyiikltigiine ihrnal edilemeyecek kadar
yak:m oldugu i~in, Rss'nin erkisi akimkazanci denklerninde dikkate almmahdir.
~ekil 9,8 referans ahrursa

I~= Rssl;
22V
Ras+ h;,
veya
!Jz..= Rap
I; Roe+ h;,
<;tlo~ tarafr icin ; ss en

V, o_!111----+----.·.,
I ,iF

-
yada t,

Alam kazanci ;
z,
A;=h.,.1£.!i?_
. ''/; Is I, Cozum:

= 'hfe Rn»
DC analizi:
Rs» + h;,

Vas= Ro2 Vee= 5.6 kn (22) - 2 V

ve Roi + Ro2 56 kn+ 5.6 k!l
(9.18)
A;= Ronht,
Rao+ h;,
R80 = Ra1 I !Rei= 56 k!ll I 5.6 k!l = 5.09 ill
lo= Voo-VBf: . = .. 2-0.7
Ras+ (I + /3)RE 5.09 kQ + ( I · 90) 1.5 kQ
Ron>> h;, ise
= 9.18 µA
A;= Roehr,= hi,
Rea le= [3/8-== (90) (9.18 µA)= 0.826 mA = IE

olarak onceki gibi elde edilir. r, = 2fu:nY.. = -2L

IE 0.826
= 3 1.5 n
r, modeli icin,
:.1: Z,: (9.12)
j.,
denkleminden :
A;== Raa/3 = h1, (9.19)
Rae+ f3r, R88 = R81 11 R82 = 56 kn I I 5.6 ill= 5.09 ill
(lRNEK9.3
(9.14) denkleminden :

I ~ekil 9.9'daki devrede r, modeli yaklasmum

bulun.
kullanarak Z;, Zn, A,. ve A/yi
Z; = R88I I f3r, = 5.09 ill
= 1.821 kQ
II (90) (31.5) = 5.09 kn I I 2835 n
376 BolOm 9 BJT K01,:0k-Sinyal Analizl
9.3 Gerilim-BolOcO ile Ongerilimleme 377
 Z0 ((9.15) denkleminde
Zo=Re= lOkQ r« modelini kullamrken ~ti~,~ direnci (1/h,,.)'nin etkilerini de i~ine alacak herhangi
bir gene! mekanizma yoktur; yapt.lan tek §CY, bunun, analiz icin hi~ bir sonuc ver-
Av ((9.17) denkleminden)
meyecek kadar ~ok biiyUk bir nicelik oldugunu varsaymakur, Bununla beraber, 9.3.
ornekteki denklemlerde hoe= 20 µS veya 1/h,,. = 50 kfl olarak almd1g1 taktirde, 1/hne
' Rr 10 kn ve Re 5: 1 oranmda oldugu i~in, belirli bir etkiye neden olacaknr,
Av=~= ·--=-317.5
r, 31.5
A1((9.l9) denkleminden)
9,4 CE KOPRULENMEMi$ EMETOR·ONGERiLiMLi DUZENLEME

5.09 kn (90) = Bu btllilmde incelenecek devreler ac dorneninde, koprulenmemis bir ernetor direnci
Ai= Roo./3 . 57_8
Roa.+ f3.r, 5.09 kn + (90) (31.5) i~ermekted.ir. Bu tip dUzcnlemelerin ternel yapist $ekil 9.lO'daki gibidir. Yaklasik
karma C§deger devre modelini yerine koyarak $ekil 9.1 I'deki di.lzenleme elde cdilir.
Ayru sonuclar,

ht•= /3= 90
= /3r, = 2.835 kn
11;,

Re
ve ilgili denklernler kullamlarak da elde edilebilirdi.

ho..'nin etkisi: h"" $ekil 9.6'da gorulene benzer §Ckilde R,. ile paralel oldugu i~in
Z,, ve A,. denklemleri benzer ~ekilde diizenlenir'

(9.20)

Av=· ~(Rel
h,.
l_ha,l_) (9.21) ~~l...if •J.111

$ekil 9.1 l'in girl§ lasmma Kirchhoff gerilim yasasuu uygularsak a~ag,daki csitliklcr
elde edilir.
In -- (llhoe)hfelb (aki 0 UC u ku ra l)l
<UUm- bolu
llhn, + Re
olarak onceki gibi elde cdilir. Pakat R88'nin etkileri n§ag1daki denklemi verecekrir;
ve V·
Z1,=~=h;,+(I +h1,)RE
A;=!£..=&&= (Ilho,)hfe Ros /1,
I; /1, I; 1/h,,, + Re Re« + h;, ~ckil 9.12'de gosterildigi gibi sonuc kopri.llenmemi§ bir RE direncinin transistore ge-
ve
tirecegi giri~ empedansmm a§agtdaki gibi bulunabilecegini gosterir.

A;= Rsa "'• (9.22) (9.23)

(I + li,,,Rc) (Rao+ h;,)

378
Bo!Om 9 BJT KO~Ok-Slnyai Analizl 9.4 CE K6pr01enmemlf EmetOr·Ongerlllmll DOzenleme 379
 +
....
1,
b c /J>>I oldugunu varsayarsak (9.26) denklemi,
+

- -
(9.27)
z,
+10
-- z; olacaktir,
v, Ra z,
Re Vo
z, ~ekil 9 .11 'e donersek,
(9.28)

clde ederiz. Bunda z,, her iki yapi icin de yukandaki gibi tarumhdrr,
~di/ 9.11
Z,,: V1 = 0, lb= 0 alinarak h1, 18 yerine a9ik devre esdegeri konur. Sonuc her iki
yapi icin de soyle olacaktrr:
h1, normalde l 'den cok daha buyuk oldugu icin denklern,
(9.29)
(9.24)

e§itligine indirgenir,
- V;.
Ib--
Zti
Bircok uygulamada ht, RE aym zamanda·:h;,'den cok daha bilyiik oldugu icin 9ogu
durumda ~ag1daki yaklasikhk elde edilir: ve VQ =-/"Re= -ht,lhRe

[ Z1,::h1,R£ ~ ·ht, ~:)Re

(9.25)

Sekil 9.13'teki r, modeli icin normalde (9.23) denkleminden turetildigi gibi asa- ve (9.30)
Av= V,, =_hr- Re
g1daki fonntil kullanrhr,
V; Z1,

( 9.26) veya (9.31)

Av= V"=-~
V; r, + RE

:1~.

,~. f
ve A .. = V,, = . Bs: (9.32)
.... V; RE

bu da, herhangi bir transistor parametresi icermediginden her iki model icin de ge-
~ckil 9./~ cerlidir.
~ekil 9.13

380 Bolum 9 BJT KO~iik·Sinyal Analii:i

9.4 CE Koprillenmemi~ Emetor-Ongerilimli Dilzenleme 381
 A,: Ra de~eri, genellikle Zi,'ye ihmal edilemeyecek kadar yakmdir; bu nedenle
giri~ devresine akim bolilcil kurahrun uygulanmasi gereklidir. Yani, Cozum:

lb=_&_h__ Z1: (9.23) denkleminden,

Rs+ Zi,

ve Zb = h;e + (l + h1,)RE
=. 0.56 kn + (.1 + 120) 1.2 kn
Ancak, = 145.76kn

(9.28) denkleminden,

ve Z;=RJlzb
= 270 kQ II 145.76 kn
ile, A;:b..:&.Y!.. = 94.66Jcn
I; lb I;
= IIJ, __fiB..__ Z0 [(9.29) denkleminden]:
Rs+z,,
Z0;;S.6kQ
ve A;=&.= Rahr,
I; Ra+ z, (9.33) Av (9.30 denklerninden] :

A;=-!.YJk
r, modeli icin, {3 = h1, yazmamz ve uygun z,, degerini (9.26 denkleminde) yerine 21,
koymamz yeterlidir. = _ (120) (5.6 kO)
145.76 kO
ORNEKY.4
=-4.61
A1 [9.33 denklerninden]
~ekil 9.14'deki dcvre icin Z;. Z,.. A, ve A;'yi bulun.
20V A; = - .Bsb«:
Ra+ Z1,
(270 kn) ( 120)
fJo 270 k!l + 145.76 kn
s.61cn
270Jcfi 0.1 i,F = 77.93
(--o V0
0.1 i,F h1, • 120
yaklasik denklemleri z,, icin uygulayarak
v, 0 _ =
lt---+-.,,,.,.f · .:::., h" 560 n
11 =
Zi, htfi£= (120) (1.2 kQ) = 144 kn
ve Z;=Ra!IZ,,=270kOll 144kQ
= 93.91 k!l
~eki! lJ.14
bulunur; bu, yukanda elde edilen (94.66 Jen) degere cok yakindir ve
382 BolOm 9 BJT K090k·Slnya1 Anallzl
9.4 CE KoprOlenmemi~ Emetor-6ngerllimli Diizenleme 383
 A.,=-&
RE 9.5 EMETOR-iZLEYici DUZENLEMESi
=-5.6 kQ Ciktsm, ~ekil 9. l 7'de goriildiigii gibi transistorun emetor uclanndan ahnrnasi ha-
1.2 kQ linde devre bir emeiQr izleyicisi olarak adlandmhr..Bazdan ernetore olan dii~ii§ten
=-4.67 dolayi 91la.§ gerilimi,' giri§ sinyalinden her zaman biraz daha dli§tikltir; ancak A, 1 =
secilmesi genellikle iyi bir uygulamadir. Kollektor geriliminin aksine, ernetor ge-
Buda yukanda elde edilen deger, -4.6t degerine oldukca yakmdir.
rilirni v; ile aym fazdadir. Yani hem ve hem de v; negatif ve pozitif tepelerine ayrn
zamanda ulasacakur, V0'nun, v/nin genligini ayru fazda "izlernesinden" dolayi erne-
~ekil 9.14'deki devrenin de analizi 8.§ag1daki degerleri verecektir. tor-izleyicisi terimi uygun bir terimdir.
lo= 46. 5µA h= 5.578 mA En yaygm emetor izleyicisi diizenlemesi, ~ekil 9.17'de verilrnistir. Aslmda kol-
ve r, = 4.66 11 ile /Jr, = 559 Q Iektor, ac analizi ir;in topraklandrgmdan dolayi, bu gercekte bir ortak-kollektorlii du·
zen\emedir. V,, = V; yU<l~tntn, ernetorden alJndtgl diger tiirler (varyasonlar) ~ekil
Bun!~, yukandakilerle aym sonuclan elde etmek i9in kullarulabilirdi. 9.17'de verilrnistir ve bu boliirnde daha sonra ele almacakur .
.. ~ekil ~-15'de koprtilenmemis emetor Qflgerilimi diizenlemenin ikinci bir liirii go-
rulm~_ktedir. ~ analiz i9in.(9.23)-(9.33) arasi denklemlerde RE, RE1 olurken, de analizinde
emeto~ direnci RE1 + RE2'dir. ac analizinde RE2; q.tarafmdankisa devre (bypass) edilir.
12V
~ekil 9.16'da iii;:ii~cii bir tiir verilmistir, Bu durumda ac analiz icin (9.23)-)9.33)
aras\d~~klemler~ekt Rs ~~~~ci Roj vf!?~2'nirt paralel birlesimi olacaktrr. re'yi elde
. etmes, ''<tn gereki de analizi Ornek 9.3 de yapilan ile ayru olacaknr.
zzo en
h,.= 121sn
h1 98 .=

··3.Jkn

1,
Pio- fll---+---..:.1
C1
~~kil 'I.I:

Ernetor izleyici dlizenlemesi r;ogunlukla empedans uydunna amaclari icin kullaruhr.

·".''.";I Bu diizenleme, standart sabit ongcrilimli diitenlernenin tersinc, giriste yuksck em-
pedans. 91k.t~ta dU~lik empedans gosterir, Sonucta ortaya crkan etki, sisternde ma-
-~ kirnum gii9 transferi icin yiikiin kaynak empedansma uyduruldugu bir trans-
Seki! 9.is formarorden elde edilen\e aymdir.
~<·kil Y.16
~ckil 9. l 7'delci devrenin yerine yaklasik esdeger devreyi koyarsak ~ekil 9. l S'deki
devre elde edilecektir.
384 Bo!Om 9 BJT KOc;Ok-Sinyal Analizi
9.5 Emetor-izleyici Oiizenlemesi 385
 Simdi (9.35) denklemi ile tarnmlanan devreyi kurarsak ~ekil 9.19'daki diizenleme
elde edilecektir.

-
z,
~dil9.l<J

Zn'yu bulabilmek icin Vi sifira esitlenir ve·· .

z, = RE_,,-1EL._ (9.36)
1 + ht,

'idil9.1~ Baska bir deyisle, emetor kolundan "gorulen" devre, h;, ve llf, karma pa-
rametreleriyle belirlenen bir direncle seri bag!t olan V; giris gerilimidir, h;e/(1 + ~,)
direnci genellikle oldukca kii~iiktiir ve Z0'yu, RE seviyesinin oldukca aluna dii§iiriir.
Z1: Giris ernpedansi daha onceki krsimda aciklanana bcnzer bir yontemle bulunur: A,: Gerilim kazanciru bulmak icin gerilim bolucu . kurah uygulanarak ~ekil
9. l 9'dan yararlamlabilir.
Z;=Roll Z,, (9.34) V0 - REV;
RE+ [h;.J(J + h1,)]
Burada z,,, (9.23)-(9.27) arasr denklemlerle tarumlanrmsur,
-

Zo: <;1k1~ empedansim tarumlamarun en iyi yolu ilk once I,, akirn denklemini yaz- ve
mak, Av= Vn = ----'R-'-"'---- (9.37)
V; RE+ [h;..1(1 + h1,)J
lb= V;
Zb Eksi i§aretinin olrnarnasi, V" ile V;'nin ayru fazda oldugunu gosterir ve V0'nun V;ye
esit olmarnasmm tek nedeni h;J(l+h1,) faktdrtldur.
vc daha sonra /c'yi bulrnak icin Ii, (1 + h1,) ile ~arpmakllr. Yani, A1: ~ekil 9.18'den

I, = ( I + ht,)li, = ( I + Jy,) .YJ. lb=_&}j_

Zb Rs +Zb
= (l+h1,)V;
U!.:____&_
h;, + (I + llf,) RE ve
I; Rn+ Z1,

veya I,= V~·---

(9.35)
[h;.f(I + llf,)] + RE
ve

386 B610m 9 BJT KO~Ok·Slnyal Anallzl 9.5 Emetor-izJeyicl Duzenlemesi 387

 A;=f.u.=&U!.. <;:01:iim
I; lb!;
= (I +h1,)___Jy_ Z;: z,, = h;, + (t+ h1,)R£
· Rs+ Z1, = J.275ill.+ (1 + 98)3.3 ill
= 327.98 ill .
A;= (1 + ly.) Rs ve Z;=Rsllzb
ve Ro+Z1, = 220 Hl 11 327.98 k.Q
(9.38)
= nt.68kn
r, modeli icin esitlikler, lr;c = f3r; ve h1, = /3 yerine konarak dogrudan dogruya yu-
kandaki denklemlerden elde edilebilir.

Z« = Rel l-1!k_
/3» I icin I + ht,
~ = 3.3 kn
t:.:.J (9.39) 111.215 kn
l + 98
= 3.3 kn 1112.9 n
(9.40) = 12.90
Ve
~ (9.41) A,,= Rt:

burada,
.L=i Rt:+ (h;,/(1 + h1,)J
3300
3300 + 12.9
ORNEK9.5 = 0.996 = I

~ekil 9.20 de gc.uien ernetor izleyici devre icin Z", Z;. A,. ve A;'yi bulun .. A;= (I+ h1,) Rn
Rt:+ Z1,
(I+ 98) 220 kU
=
220 kQ + 327.98 kU

- c = 39.75
I;

"' ~1---+-<>---f :· _I sistemin de analizi ~u sonuclan verecektir:

c,
/0 =20.7 JIA
fc=f318:2mA:fe

ve r,=26mV =2Q.= 1311

fr 2
~,·kil <J.111
ile f3r, = 1274 n
388 Solum 9 BJT KOt;:iik-Slnyal Anallzi 389
9.5 Emetor-izleyici Diizenlemesi
 Yukandaki denklemlerde h;. ={Jr,= 1274 Q (= 1275 Q) ve ht,= fJ = 98 degerlerini diizenleme ~ekil 9.23'te gorulmektedir. YakJ~!lc karma C§deger modeli yerine ko-
yerine koyarsak aym cozumler! elde ederiz. nulursa ~ekil 9.24'deki devre elde edilir. Ortak-bazli modelin; parametrelerin §imdi
Sekil 9.21'deki devre, giri§ kaunda de ongerilimi saglarnak icin bir gerilim bolilcii ortak-baz parametreleri olmasi ve h yerine I. konulrnasi dismda, ortak-emetor e~-
kullarulan 9.17'deki devrenin bir baska tilriidiir. (9.34)-(9.38) arasi denkJemler yal- deger devresiyle ayru yerlesim diizenine sahip olduguna dikkat edin.
nizca Ro yerine Ros = Ro1 11 Ro2 konarak degi§tirilmi§tir.
~ekil 9.22'deki devre de bir emetor izleyicinin giri§·<rikl§ karakteristiklcrini sag-
lar, ancak bir R c kollektor direnci icerir,
Bu dururnda Rn yerine yine Ro1 ve Roi paralel birlesimi konmustur, Z; girl§ em-
pedansi ve 20 91k1§ empedansi, Re direncinden etkilenmcz, 9iinkti baz ve ernetor C§-
deger devrelerine yansrmarmsttr. Aslmda Rc'nin tek etkisi Q 9alt§ma noktasiru be-
-- --
1, 1.

- 1.

- -
1 •.
lirlemek olacakur. · · + E c ~/0
+
l/h<>< nin etkisi ht.lb ab~;rim bir kisrnuu Rc'den cekmektir: bu da Vn'nun se- Re Re
viyesini azaltarak akirn kazancuu d~iiriir. Bununla beraber. 1/hnc, normalde Rr::' den v, z, B
Vo zo
cok biiyiiktiir ve etkisi genellikle ihmal edilir, VEE Vee

'>;l,d 'i.2:

-- =j}I,
-
e c
l
Vee + Fo
-
+
I;
v, Re ·ha·
J hf)!, Re Vo
zo
z,

-I;
Vi~---~ C1
'\,·j. i! q -~:

Analize a§ag1daki gibi devam edilebilir.

Z;= REii h;h I (9.42)

LZo=Rc J (9.43)

',.,,, ..
Vn = InRc = lcRc = -hp,l.Rc
Burada !,==~
Ortak - bazh duzenlerne, dii§iik bir giri§ vc ,;tk.t§ empedansi ile I 'den kii9iik akrrn h;b
kazanci ile tarumlamr. Ancak gerilim kazanci oldukca biiyiik degerdedir. Standart ve V., = -hp,(~)
hit,
Re
390
BcilOm 9 BJT KO~Ok-Slnyal Anallzi 9.6 Ortak·Bazll DOzenleme 391
 A1: R6>> r, oldugunu varsayarsak
boylece ; A.= V0 = _ !Yfl. Re
. V; h;b . (9.44)
1. = t,
hfb negatif bir deger oldugu ir;ia· ortak-b (d·· 10=!,=l;
A;: RE» h;1, oldugunu v~ayarsak~ ~ lu,· zenlemede Vo ve V;, ayrn fazdadir, ve
ve
10 = -l9iJ, boylece, ~
{9.49)
=hN;
<lenklemi elde edilir. ~
ve
A;= !a_= - hth

"
(9.45)
I ()RNEK 9.6
bulunur.
r, modeli icin, h;b = r,. ve hfb = I ld . Karma (hibrit) parametrelerin verilmedigine dikkat ederek, Sekil 9.26'daki devre
9.25'teki gibi olacaktrr. o ugundan, yaklasik e~deger devre §ekil
icin, Z;, Z0, A,. ve A/yi belirleyin.
Z;:
[ (9.46)

[ J I 11F
-I,

-
·Z,,=.Re (9.47)
+-
I,
11cn
·1 Vi
z,
2V

~l'kil l).!(.

Cozurn:

£.::.li = 1.3 mA
~ckil ?.25 1kn

r, = 2§..mY. = 12. = 20 n
IE l.3
V" =Ifie= I, Re
Ancak
Z;:
I,= !'.l. : ,:.:;~· Z;=Rcllr;= 1 knll 20

l
r,
=19.6!1
Ve V· Re
Vn = -1.. ''""::.!:""'.
,;,
boylece
bulunur. Zo=Re
(9.48)
=5kQ

392
9.6 Ortak-Bazh DOzenleme 393
BolOm 9 BJT KOfOk-Sinyal Analizi
 Av=&= 5 kD.
r, 20 11

-
=250 +o-------~!~.
+
z,
Karma C§dcger devre ir;in (9.42}-(9.45) arasi aenklemlerde h;h = r, = 20 Q ve
i hp,= -1 yerine konur.

~
s.:· '.~-: --~:<T-j;:: DC GERiBESLEMESi VE R'
,=;~R.< YUl<SEL TECi

~ekil 9.27'deki devreye, karahg1 arnrmak ir;in bir de geribesleme direncini' ek-
lenrnistir, ancak C3 kondansatoru, bu de geribesleme direncinin bir bolumtinti, ac (9.51)
domenindeld devrenin giri§ ve r;tkt§ma kaydrracaknr, Girise veya r;i.kt§a kaydmlan
A.,:
RF oranr, arzu edilen ac giris ve r;1lo.§ direne seviyeleriyle belirlcnecektir.
R'=RF) I Re
ve vn = -h1.Jifi'
Burada, /1,= V;
h;.

Re
;t
V., = -IIJ, {t) R'
RF1 RF2 J!o Boylece,
r-'W\.--..--.,w,..--~~(---, Vo Av= Vo =-h[<R'
C2 V; h;, (9.52)

--
Ci
~o::-:-11-----~~~~~....f
[~
z,
. ;' ~-
~1k1§ kisrm i~in :
I - RF2 hr, I; veya !!!..= RF1 hr,
n - R F1 + Re [1, RF2 + Re
<;:ah§ma frekansi veya frekanslannda, kondansator, diger devre elemanlanmn se-
viyelerine gore dusilk empedansmdan dolayi ropraga kisa devre olacaknr, Boylece
kiir;ilk-sinyal ac e~eger devresi sekil 9.28 de gosterildigi gibi olur.
Akim kazanci :
A; = !.e. = !.e_fl_
zI Ii /1, I;
= RF2 hi, RF1
(9.50) RF2 + Re RF, + h;.
394
Btililm 9 BJT KO~Ok·Sinyal Analizl
9.7 Kollekt6r DC Geribeslemesi ve Fark Yukselteci 395
 :~:
;~ ..

;,·.;:.
hr, RF,
·1.'
A-= RF2
~:
ve boylece
1 ''
.. (RF1 + hi~) (RF2 + Re)

I
(9.53)
; 'I,
f3r. = (140) (I0.04) 1.4 kn =
··,:··' ·.. ;
'
..

..
I'

~ekil 9.29'daki devre icin r, modelini kullanarak, Z;, Z0 A,. ve Aryi bulun, ) ',
r~.
~}L-.>. ·:;;;~!.::.·.:.:
.41r.n !
'll'il.
'.

·1
.·:.:·".·
.1, ~

·,.·.··,·' ..
•
.~ 1
\ : s-'.~;,; ~J!;J·/:f}Si
1401. ,: 681c0

I
~
~ckil 9.30
-
12 V
,,A'.'.
·.7¢.
Hn
Z; = RF1l I {Jr,= 120 k.Q 11 L4 kn
f
120 ill 68 Jen
r-'V\l\r---+-1\11,1~+:---1{-o
o
v,, J•. = l.38kQ

-
0.1,,F
Ii_

-
z, = Re 11 Rn=
v,~--------
0.1,,p
p .. 140 ::2.87 kQ
3 kn I I 68 ill

z,
R' = Rel I Rn= 2.87 ki1
<;oziim;
-h R' -{JR'
A-~=--=- B:...
De analizi (C3 kondansatoru a~,k devre): v - ht, f3re' IC

lo= Vee- Vat: -2.87 kQ

RF+ (/3 + I) Re ·~.
,, 10.04
= 12 - 0.7 ~~t: = -285.86
(120 kn+ 68 kn)+ (140 + I) 3 kn

=-1LL= 18.5 µA
-. :'".I.
··~~- . _ __r:13:.:.:Rc:..F!..:1
R...;Fcz.l
__
611 kn A;= -
~ ...... (RF, +'{Jr,) (RF2 + _Re)
=
le= f3!o (140) (18.5 µA)= 2.59 mA = le (140) (120 kQ) (68 kQ)
r, = 26 mV = -22_= 10.04 kn = u20 kn+ t.4 kQ) (68 kn+ 3 kn)
le 2.59
=13H4
396
BolOm 9 BJT KO~Ok-Sinyar Analizi
9.7 Kollektor DC Geribeslemesl ve Fark Yukselteci 397
 ~ekil 9.31'deki fark yukselteci, 9.4. boliimde incelenen ernetor-kararh devreye
benzer, ancak burada emetor bacagma ikinci bir sinyal eklenmi§tir. Gerilim kazanci
denklernini belirlemenin en iyi yolu, ~ekil 9.32'deki ac e§deger devresini kul- ve
Vn-- -h'ft [ V;, - V;z J Re
lanrnakur, h;, + (hj,+ l) RE

I
I
(9.54)
veya Vo=. _-hr, Re (V;,. V;z)
· h;, +(hf,+ I) Re
olacakt1r.

onuc devre parametrelerine ve transistor esdeger devresine bagh bir

Bu ne d en Ie s T• .1. · akt r
faktorle ~arpt I an I'ki . isaretin farkma C§it bir ~!kl§ gen rrm o 1ac I .

__
V« VII .,

Re + Fb Vo h'ft >> l ve norrnalde hi,RE>> h;, oldugundan ;

;
Ra }rk
I 1r,,1b Vo= • !YLB.£. (V;1 • V;z)
,
C2
f--ovo t10 ..... h1,
.....:._ R£

l
J
+ f1, "'.O + ,,,,)lb Re
zo
ve Vo=_Rc (V;i·V;z) (9.55)
Re RE I
L..~~~--....::..._~~~l
+
elde ediliir.
Vi2

~
"' ORNEK9.8

.
Sekil .
9.3 l 'deki devrede verilen . kn, RE -- 0 · 56 kQ h'f,. = 200 ve h;e = 1,5 kQ
Re 4.7
degerleri icin V/yu bulun.

Cozum:

Giri~ kismma Kirchhoff gerilim yasasi uygulanirsa a~ag1daki sonue elde edi- (9.54) denkleminden,
lecektir:
V - • -hr, Re ( V;, • V;2)
"- h;, + (hf, + l) R£
-(200) (4.7 kn) cv.-1 • V;2>
= 1.5 kn+ c200 + I) o.56 kn
Bu denklemi lh icin fozerek,

(9.55) denklemini kullanarak,

ve lh = __ V.c1.;_-_V""';'-- v,.: · Bs: (V;, • V;2)

. h;r+ (hf,+ I) RE R£
elde edilir; flk;§ gerilimi ise, - 4.7 kQ (V· . V·)
-
o.ss kn " '2.

sonucunu elde ederiz.

398
earom 9 BJT KO~Ok-Slnyar Anallzl
9.7 Ko llektor DC Geribeslemesi ve Fark Yukselteci 399
 Tipik degerler icin h1, Is »> I've In= hJ.lb'dir.
c;:ikl~ gerilimi :
9.8 KOLLEKTOR GERiBESLEMELi DUZENLEME

I yerine ls == V;/ h;. koyarsak,

Sistemin kararhhg1m artmnak icin, ~ekil.9.33'deki kolektor geribeslemeli devrede
kolektorden baza bir geribesleme yolu l..'11Uamlm1§tir. Direncin, bazdan de kaynagina
b .
Vu== -h1, ~V·) Rei:
degil de kolektorden baza baglanmas1 gibi bir manevra, devre analiz edilirken kar- "
§1l~1lan zorluk derecesini onemli ol9iide azaltacaktir. A,,= 'Y.P_= - !!ft.. Re .
ve (9.56)
V; ht« · .

elde ederiz. , · · ak
A;: Kirchhoff gerilim yasasuu devrenin dt§ ¥evres1 t¥m yazars ,
V;+VRrV,,=0
ve J~;c + (lb - l;)Rr: + I oRe = 0
RF f/ 0
elde edilir.
r---«.N\r--+---tf---o Vo
=
10 hi,h C§itligini kullanarak ·

-
,J'..-c- · ·
C C2
11 [bh;, + f~r:-f;RF + hJ, f~e = 0

-
- B
Yi~f--_._-o---.1 ve lb (h;, + Rr + h1,Rc)
• == /;RF.
C1 zo elde ederiz. . . ( · ·· · ·
Io "'h
- fc Ih'den turettigirniz lb= !Jh1.' y1 yenne koyarsak,
Z1
l<!.. (h,e +RF+ hfe Re)= t, Rr:
hrc
I - hr, Rr: I;
A§ag1da yaptlacak bazi ·manevralar, bu gibi diizenlemelerlc cahsrna sonucu ka- ve o r- h;,+ Rr+ hf, Re
zarulan deneyimin sonucudur. Konuya acemi olan ogrenciden, ll§ag1da a~1klanan
islem basamaklan sirasrm yanli§stz sekilde .. sccmesi beklenmez. Yaklasrk e~deger clde edi lecektir.
devre yerine konarak devrenin yeniden ·9izilmesi sonucunda ~ekil 9.34'teki dii- s, ve ly,Rc'yegore h;c'yi ihmal eder_sek,
zenlemeyi elde ederiz.
ilk once gerilim kazanci, daha sonra akrrn kazanc, ve cmpedans seviyeleri he- A;= lt!_= . hr(RF (9.57)
saplanacaktir. I; Rr:+ hJ, Re
A,.: C cliigiimiinde: elde ederiz.

A--lt!.=hr, Rr:
' - /; ht, Re
c
+ -
!1
111,-
' I' f I, '·::·· ve (9.58)

v.I -Z1 hi. ··•--h,,lb olarak bulunur.

t z,: 9.34 denkleminden, I V0 - V;

lb=;+---
Rr:
400
BiilOm 9 BJT KO~Ok·Slnyal Analizi 9.8 Kollektor Geribeslemeli Duzenleme 401
 Vo>> Vi oldugundan, l)R-.;EK 9.9

ve V; = l,,h;t ~ekil 9.36'da gorulen devre icin r, modelini ~llanarak A,., A;, Z; ve Zo'yu bulun.

=(Ii+ ~)h;,
= I; h;, + h;, V0
. RF 9V

Av= V,JV/den V0 = Av V;'yi yerine koyarsak, 2.7kn

Vi= I; h;, + h;, A. V; 180Jcn

-AA"'-_,._--1{--o
+1 0
V0
RF 0.1 µF
ve v;(1-h~:·)=J;h;, /3=200

Burada V; _ h;
/; I ~h;, (A.IRF)
Paralel elernanlar icin,
~eki1 ?. .'\<,
xlly=...:2'......=_y_
x+y 1+L
x <;ozi'1111:
ls= Vee - VsE = 9 - 0.7
Bu denklern, y = h;, ve x = RF/A,. degerleriyle yukandaki denklernle ayrn. yapiya sa- RF+ ({3 + 1) Re 180 kn+ (200 + l) 2.7 kQ
hiptir, Bu nedenle,
= 11.5 µA

(9.59) le= (3/s = (200) (11.5 µA)= 2.3 mA = fr.

burada, gerilirn kazancindan once giri~ empedansimn hesaplanrnas1 gercktigine dik-
kat edelirn.
Z0 : z,;yu tammlamak iyin gerektigi gibi V,, srfin esitlenirse, devre, 9.35'deki gibi ve {3r, = (200) (11.3) = 2260 n
olacaktir. h;,'nin etkisi ytkanltr ve Re, RFye paralel goriiniir ve her ik.i model icin,
A, [(9.56) denklernindenJ :

(9.60)
olur.

Vi= 0 A;[9.57) dcnkleminden] :

A- - hr, RF - {3RF (200)(180 kQ)
,- RF+hi,Re R,+{3Re 180 kQ + (200) (2.7 kn)

= 50
402 Bo!Om 9 BJT KO~Ok-Slnyal Anallzl
9.8 Kollektor Gerlbeslemeli Di.izenleme 403
 I
Z; [(9.59) denkleminden)]:

Z; = h;. II , RF I·= f3r, 11., RF I = (200) (11.3)11180 k.O.

Av .. Av 238.94
= 2.261<0110.153 k.O = o.565 kn ,; . ·'(::"~-:,.~:- .. ( .
+
.. ::.·... ·.

Z() ((9.60) denkleminden): Y~elt~;

-·· .;:·.,:•::'.f
,;i· .

z, = Rel !RF= 2.7 k.O I I 180 ill -I~-----o--. ;:.--· ...·:,;:._. ..... :
=2.66kQ
$dil 9.)~
~ekil 9.37'deki diizenleme icin ilgili parametreler (9.61)-(9.54) arasi denklemlerle
belirlenir. Tiiretilmeleri, bolumun sonunda odev olarak brrakilrmsnr.
Vee (9.65)

ve V; gerilimi, gerilimi bolucii iizerinden V;ye baglrdu:

Re
. +1. = V:,

-
V; 21
r--'VV'w--i-~f---o Y,, Z;+ R,
t, Cz
v, ~lt-------t veya V;=~
cl (9.66)
Vs Z; + .Rs 0

Sistemin toplam gerilim kazanci :

~ (9.67)
A,: . (9.61)
·~
olarak yazrlabilir.
buna gore giris akirru :
A I•.• A;= R.,_F
........ _
(9.62)
RE+ Re+ Rp/h1,
/;:-L. (9.68)
R.,+ Z;
Z;: Z; = - hf,REii.&_
Av
(9.63) olur.
<;:tkt§ kisrm icin V,, gerilimi, iizerinden !0 akirm akan Re uclannda tammlamr. Z;
daha onceki kisrrnlarda tarumlandigr gibidir.
(9.64) <;e§itli diizenlemelerde R, etksi oldukca bcnzer olacak ve gerilim kazancr denk-
lemleri Rl'den cok az etkilenecektir, /0'nun yiik direnci iizerinde tarumlanmasi, akirn
9.9 RL VE R5'NiM YUKLEME ETKiLERi kazancim bir ol9iide degi~tirecektir, ancak a~ag'1daki ·yakla§11n hem zaman ka-
zandiracak, hem de caba sarfetmekten kurtaracakur,
Pratikte, biitiin kaynaklar bir R, itr d.irencine sahiptir ve yiikler, ~ekil 9.38'de gos- A,, = V JV; bir kez belirlendikten. sonra (buna RL nin etkileri de dahildir), herhangi
terildigi gibi yiikseltecin 'rtkt~. uclanna baglamr. Giri~ tarafinda Zs;,;1 empedansi ~u bir sistemin akim kazanci ~ekil 9.38'de tammlanan degi§kenlcr kullarularak asa-
denklemle tammlamr: g1daki gibi bulunabilir.

404 Boliim 9 BJT KO~Ok-Slnyal Anallzl 9.9 RL ve R5'nin Yi.ikleme Elkileri 405
 ,.; ..
,,;.f,

I A; I =I &I =I V,,IRL ·,= Zi...l z,: daha onceki gibi [(9.13) denkleminden)):
I; V; IZ; RL

ve Z; = Ros 11 h;, = 7.378 kn 112.125 ill

I A; l=llE_l=kJAv / = 1.6SkQ
I; RL (9.69)
ORNEK9.to Z8;,;1 [(9.65) denkl.eminden] :

Z8;rq = R, + Z,= 1 kn+ 1.65 kO

~ekil 9.39'daki iki kath yukseltee ifin Z1, 28;,q • Z0, A,., A,., ve A;'yi belirleyin.
=2.65 kO
<,;:01.iim:
Z0: daha onceki gibi ((9,!5) denlcleminden)] :

C, ve C2 kuplaj kondansatorler] katlann de ongerilimlerini birbirinden izole eder;

=
ve ikinci katm yiikii, Z,-i 1,5 ill degerindek] giri~ direncidir. ~ekil 9.40'da ac es-
z, =Re= 3.3 k.Q
=R
deger devresi goriilmektedir. Burada R88 8111 Rs2 39 ill 11 9.1 kn= 7.37 ill =
degerindedir. A,: (9.16) denkleminde yaprlan tek degi~ilclik, Re yerine Rel I RL konulmasidir,
12 V · A;= .!'.'.l!. = -h1• (Re 11 RL) _ -(120) (3.3 ill 111.s kn) = -(120) (1.03 ill)
V; h;, 2.125 kO 2.125 ill

=-58.16
'J.3 kn
39 kn C2 = I µF. 1o
Vot-----11-------,
Yalmzca Re
varken, RL'nin toplam kazancta -186 seviyesinden bir dii~ii§ ya-
ratugma dikkat edin.

A,,: [(9.67) denkleminden] :

A,., = V n = Vn V;
V, V; V,
Burada 1 ·65 kn
V; = _b__ = - 0.623
V., Z; + R, l.65 kn + l kn

VC
Av
I
= V,,
Vs
= (-58.16) (0.623)

I .. = -36.23
~ckH tJ.p:. -J\/'V\r--....---
..l.:...'I
=;) ..b .
-.-.,.·;
kazanci daha da azaltir.
+
+
~: ·~:t·~; \~ _:;,. ;"• A1 [(9.69) denklemindenj]:
~ ?_1_2_s ~...; i .Ukn r.s 1cn
f.: •.. ,!-~- • '._,_ • ·" I A; I = Zi I Av I
RL.
= 1.65 kO (58_ 16)
1.5 kn
R'= J.J kn 11 1.s kn
406 = I.OJ kn = 63.98
BolOm 9 BJT KO~Ok-Sinyal Anallzl
9.9 RL ve Rs'nln YOkle"'!~ Etkllerl 407
 A, sonucunu kontrol etrnek icin, ~imdi A;'yi aynnnli bir devre analiziyle bulahrn.
Girls kisrm i9i11: {1, icin cozersek,
lb= Reel;
Ros+ h;. lb= v..
Rs + h;, + (1 + hJe) Rt:
ve !,, = Res = __ =
7_.3_7..:..8..:.ck.Q::..:.... elde edilir.
0_776
I; Ree+ h;, 7.378 kQ + 2. 125 kQ I, 'yi bulmak icin,
<;1ki§ krsrru icin, R h
[0 = e ft lb !,=(I +h1,)lb= (l + h[<)V,
Re+ Rl R., + h,, + (1 + h1,) RE

ve u; Re hr, (3.3 kn) (120) =

82_5 ve [, = V.,
t, Re+ Rl 3.3 kn+ I.5 kn [(R., + h;, )/(1 + h1,)] + RE
(9.70)
ve
A;= [,, =~UL (82.5) (0.776) = 64.02 bulunur.
I; lb !,

yukandaldyle ayru sonuc elde edilir (aradaki ku9tik fark hesaplamalardan kay- Devrenin, (9.70) denklemini saglayacak §ekilde cizilmesiyle, Sekil 9.41'deki
naklanmaktadir).
devre elde edilecektir; bu da emetor kollu bir devre icin daha onceden elde edilen
. r, modeli icin de analizi,/ s = 12.23 µA.[ c = 1.468 mA, r, = I 7. 71 Q ve f3r, = 2125 Q
devreye cok benzerdir. Ancak buradaR£ 'ye seri olan direncin degerini artirmak icin
sonucunu verecektir.
h;;ye R., eklenmistir.
Ernetor Kolu uzerindeki Rs'nin Etkisi

Emetor kollu bir devrenin·giri§kJSrru, yak.ll!§tk e§deger devresi yerine kondugu zarnan
9.41 'de goriildtigii gibi olacaknr, Kirchhoff gerilirn yasasi, kapah cevre icin yaz,hyotsa,

$ekil 1)...12
ve
elde edilir, C)RNEK 9.1 I

Sekil 9.43 teki devrede r, modclini kullanarak Z;,A", Av ve Z0'1 bulun.

r
+'' :::\,,1b
IS V

-
e
+ f I, = ( l + hi,)Ib_
RE +

-
"?.'\;"'
zo =i) 1

-
0
Vs ... "'J z, Vi +

408
Solum 9 BJT K090k-Sinyal Analizi
~ckil 9.~J
j_
3.3 kn

-
-
z;
-
2.2 kn

z•0
Vo

9.9 RL ve R5'nin Yuklerne Etkileri 409

 Cozum:
DC analizi:
ls=:: Vcc-VsE =. 15-0.7 En, i9in, gerilim bolumcu kurahyla belirlenen gerekli Thevenin gerilimiyle ~ekil
. Rs+ (/3 + I) RE 500 kn+ (65 + I) 3.3 kn
9.46'daki devre kullaruhr,
- 143 =:: 18.4µA En.=~= (560 kQ) Vs
560 kn+ 211.s kn
Rs+ Rs 560 kn+ 0.56 kn
le a: f3io =:: 68 (18.4 µA) =:: U96 mA = le = 0.999 Vs
r,=~=_2L=21.74n
IE 1.196
f3r, = 65 (21.74) = 1413 n l.4 kn = +
z.. (9.26) denkleminden:
z,» f3<_rc + RE)
= 65(21.74 + 3300)
=2I5.9kn r,
(9.28) denkleminden :
Z;=Rollz,,
= 560 kn 11215.9 kn
= 155.82kQ Rs degerinin biiyiik olmasmdan _dolay1 Rn,_= ve En,= V, olduguna dikkat edin:
bu, tipik bir sonuc ve sik srk'kullarnlan bir yaklasimdir.
A,: A,,,'yi bulabilmenin en iyi yolu, Sekil 9.42'deki diizenlemeyi kullanmakur,
Ancak ~ekil 9.43'te V, ve R,, Rs ile paraleldir ve ~ekil 9.41'de goriildiigii gibi tek Re=R£11Rt.=3.3knll z.2kn
basina degildir. Giris krsrruna Thevenin teoremi uygularursa, istenilen duzenlerne = I.32kn
elde edilebilir ve 9.42'deki sonuclar kullamlabilir.
~ekil 9.44'deki devre icin Thevenin e§deger devresinin belirlenmesi, Rn, icin tammlayarak ve ~ekil 9.42'yi referans alarak,
~ekil 9.45'teki devrcyi verecektir.
Vo= R~ETo
R~ +[(Rn,+ h;,)/(1 + hr,)]
R,11=Ra11R,=560knll 0.56kn
=0.559kn R~ (0.999 V,)
Re+ t(0.559 kO + /Jr,)/(1 + ~)]

-
vc
'~ A. = v,, = 0.999 RE
--Thevenin . Rs
.~ R.B Ru,
' V., Re + [(0.559 kQ + {Jr,)/( l + /3)]
~
'~
0.999 (l.32 kQ)
VsaOV = 1.32 kQ [(0.559 k!l + 1.4 kn)/( I + 65)1
·~ ····~·.···
"':':~'
1.319 kn 1.319 kn
\t, 1.32 ill + .0297 kn 1.3497 kn
../..::
~ckil 'l.'15 )! i- = 0.977
410 BolOm 9 BJT KO~Ok-Sinyal Analizi 411
9.9 RL ve Rs'nln Yiikleme Etklleri
 ·:~} -
elde edilir, bu da A,., = 1 yaklaak degerinin, ernetor-izleyie! diizenleme i¢in iyi
bir yakla§Jm olduguiiu gosterir.
I
.
••~.,·
•• ::
.
•• ••••• <

;;
··.~.
Z~: (9.42) denk.leminden : +

Z0 = Rt: 11 Rn, + h;, = Rt: I J RTo + fJr,

l+h1, 1+{3 · Transisfor
.: '· z,
Vs .A.1.
= 3.3 kn 11 o.559 ill + 1.4 kn = 3.3 kn 110.0297 kn
1 + 65 _:L___:;__
= 29.44 n
Z~=RLllz"

-
~.;\.;ii l))?
= 2.2 kn I I 29.44 n 11
= 29.05 n
A;: + +

Rs

+ v,
-+-
Z1
Gerilim kazanci A,.= V,JV;.yerine Av,= VJV, kullandigirruz icin, yukandaki Vs 'v
denklemde Z; yerine Zg;n1 ku1lanmam1z gerektigine dikkat edin,
-I 0

Z2;,~ = R, + Z; = 0.56 kQ + 155.82 kQ

-~d,;i'.i,-.;i'

=156:38 kf.l
Akim Kazanci, A;= lc,'l;
I~
I A; 1 = Zgiri~ 1 A., 1 =156:38 kn (0_977) <;:iki~ devresine Kirchhoff akJm.yasasmi uygularsak:
RL 2.2 kQ
= 69.45 lo=htfb+l=h1/;+ V,, =hJl;+h,,V,,
1/h/)
9.10 TAM KARMA E~DEGER DEVRE elde edilir.

Bu bolumde §U ana kadar yapuan analizlerde, yak1a§1k karma e§deger modeli kul-
y0 yerine v0 = -/" RL konursa,
laruldi. h°"'nin etkileri yalmzca.baz1 tarunci devre!erde incelendi. Bu bolumde tam
karma C§deger model kullanarak, akim kazanci, gerilim kazinci, giri§ ve ~1k1§ em-
pedansi ve gii~ kazanci ile ilgili gene! denklemler elde edilecektir. Bir ornek ve-
elde edilir ve yukandaki denk!emi yeniden yazarsak,
rilerek kullarumi gcsterilecek ve yaklasik modelde elde edilen sonuclarta kar-
. .; I·~
·i:,'·
§tla§tmlacakur.
~ek. 9.47'deki ilgili pararnetrelere sahip gene] diizenlerney] cle alahrn. Tam 10 = + h,,Rdo = hf;
karma e§deger devre Sekil 9.48'de yerine konulrnustur, Karma parametrelen i~in ve L, (1 + hoRL) = hjl;
kullarulan ikinci indis konulmam1§t1r; bu da, sonucta elde edilen denklem!erin,
boylece,
------------.
A--1" hr
uygun parametreleri (hfe,hp,, veya htcv.s.) yerine koymak suretiyle herhangi bir du-
:zenleme icin (CE,CB veya CC) kullamlmasrn1 milmkun kilrnaktadrr. ,- I; 1 + hoRL (9.71)
elde edilir.
412
Boliim 9 BJT Kus:iik-Sinyal Ana!izi 9_10 Tam Karma E~deger Devre 413
 Gerilim Kazaner, Av= VofV;
Z;=V;=h;- hrf,,Rt, (9.73)
Kirchhoff gerilim yasasim giris kisrnma uygularsak, t, 1 + .hoRL
elde edilir.

elde edilir, (9.71) dcnkleminden /1 = (1 + h,,RL) fa/hive/ = VJR itlikl · ·

<;1k1~ Empedans1, Z0 = Vallo
konacak olursa: o L C§l en yenne . .
Bir yukseltecin ~1ki~ empedanst, V, sinyali sifrrken ¥1k1~ geriliminin ~1k1~ aktrm-
V; =-_(,_I_+_h..:;o.;.;.R""L).:.:..h
Vo+ hr V0
na orarndir. Giri~ devresindc V, = 0 yazarak,
hlh
r- -h,Vn
elde edilir, VJV1 oram icin ~oziiliirse ,- Rs+ h;

Bu iliskiyi ¥1kl~ devresinden elde edilen ll§ag1daki denklemlerde yerine koyarsak :

A.= Vn = -hJRL
Vi h; + (h;ho - hjlz,)RL (9.72) In= hp;+ ho Vo
elde edilir, = -hth,Vo + ho Vo
R, + h,
Giri~ Empedans1, Z1 = Villi
boylece, Z,, = Vn = l (9.74)
Giris dcvresi icin I,, h., - [hjh,l(h; + R,)]

V; = h;I; + h,V0
Vo= -1,,RL 'yi ycrine koyahm,
V; = h;l; - hrRd0 elde ederiz. Bir yuke aktanlan ortalama gu¥, Vclc cos 8 dir: elimizdeki ornekte bu, Vofo cos
8 olacaktrr. Tarusrnarmzi sadece rezistif yiiklerle simrlayacak olursak, Cos 8 = 1
ve PL= P,, = VJo olur. Giris gucii V); 'dir, dolayistyla,
oldugundan,

Ap=PL=V0ln
P; va,
Boylece yukandaki C§itlik: ._ I,,
A,·-= Vn ve A,--
V; t,

olacakur, ... .;::,. ve Ap=A,A; (9.75) .

h-parametreleri cinsinden ;
Z; = .!::'..i. = h; - h,R. A .
I; lfl1

(9.76)
ve
olacaktir.

BolOm 9 BJT Ku~Ok-Slnyal Anallzi 9.10 Tam Karma E~deger Devre ;415
 <JR:\EK 9.12

~ekil 9.49'daki devre i~in A;, A,., Zi, A,.,, Z,, ve Ap'yi bulun, Y akJ~tk C§deger devre
i~in elde edilen sonuclarla k~tl~tmn.

<;:o,:iirn:
I
7C. = soxn
"' = 20i,S
h",,.
.
+

-
Z'0

Tam karma e§deger devre ~ekil 9.50'de yerine konmustur. Giris kisrru icin ,5ekil
9.50'de yerine konan Thevenin C§deger devresi, £11, V, ve R,,, R, = 1 kn ol- = =
masi nedeniyle R8'nin, analizin kalan bolurnunde ~tkanlmasm1 milmktin kilar, Bu
~ckll 9.51
durumda !0' ve R(. = Re 11 RL tarurm, dogrudan dogruya 9.48'deki duzenlerne ile
eslenen 9.5l'delci diizenlemeyi verir. Bu nedenle yukanda elde edilen esitlikler is-
tenilen ttim nicelilderi bulmak icin dogrudan yerine konabilir. -- 110 )10 -_lliL
-3
1 + 51 .2 x 10 1 + 0.0512 1.0512
A1: [(9.71) denkleminden] :
= 104.64
A;=&= lzrr . l!O - • /0 ve 1,; arasmdaki iliski akim boliicti kuraliyla tarnmhdrr:
Iv I + ho,RL I + (20 x I o-6) (2.56 x Io+')
lo= (4.7 kn)/~
av 4.7 kn+ 5.6 ill

ve !.£. = (4.7 till) = 0.456

i. 10.3 kn
4.7kn
4101cn
Burada, A= h: ~!.£.= (0.456) (104.64)
t, Iv I;
+
= 47.72
A, ((9.72) denkleminden]:

A _ ~= -hr,RL
v - V;h;, + (h;,h,,, - lt;,h,.)R~
h;,ltv, - Jy,h-. = ( 1.6 x 10 3 ) (20 x Io· 6) - ( 110) (2 X l 0·'1)
= 32 x 10·3 - 22 x 10·3
1, = 10 x 10·3
.--~~~~~..-~~~-'11\1\.-::;)4

-- --
+ 1.6 kn
ve
·.,... , .. ;,; Zo' Z0 -{l 10) (2.56 x 103)
+ v, Av= 3
so 1cn 4.1 kn s.e kn 1.6 x 103 + (10 x «r 3 ) (2.56 x 10)
"!':'--1-·:~_.a;f t"·;"~;-~~~~~ "'1' ·~~·f·-::~l· = -281.6 x 103 = -28.6 x 103
'--~~~--+~+-~~~--...J I >,•\"
1600+ 25.6 1625.6
~-,kil 9.50 '---y--J = -173.23
Thevenin R/ ~ Re I R1, = 2.56
416
Solum 9 BJT Ku9uk-Slnya1 Anallzl
9_10 Tam Karma E~deger Devre 417
 Z; [(9.73 denklemindenj,
Z; = h;, • hr,h,..R~
A ,... A,- = k = ~!Ji.= (0.456) (hj,)
l + ho,R~
I; t, I;
= 1.6x JO. (110) (2 x 10) (2.56 x iO) = (0.456) (llO)
1.0512 = 50.16'ya k3111hk: yuk:anda 47.72 elde edildi.
= 1600 - ~l.0512 = 1600 - 53.58 3
= -(1 JO) (2.56 x JO)
'• .J

'\v = -hr.RL
= 1546.4 n
A,:
.
h;, 1.6 x JO
3
A,,: ~ekil 9 .5 l referans ahrursa,
= ·176'ya k3111 yukanda -173.23 elde edildi.
V; = Z;V.,
Z;+ R., Z;:
ve ..!'.'.i.=.....b_= 1546.4 Z,-=h;,
V, Z; + R, 1546.4 + 1000 = l.6.103'e karsihk yukanda l.546.W3 elde edildi.
= 0.607
elde ederiz, A,,:
V; =~= l.6x 103
Buradan, V., Z; + R., 1.6 x 103 + 1 x 103
A,.,= V., = V,, V; =(-173.23)(0.607)
V., V;_ Vs
=0.615
= -105.15

z, ((9.74) denlclemi~den): bu rad a: A,,,::: Va = V,. V; "'(-176) (0.615)

V., V; V.,
z:=----'----~
h"' - [h1,h,.l(h;, + R,)J
= -108.24'e karsihk yukanda -105.15 degeri elde edildi.

Z,, =Re= 4.7 kQ'.'.yakar~1ltlc yukanda 4.46 kn elde cdildi,

=----,--'-----
20 x 10· 8.46x 10·
6 - 6 IA,,I =IA,.!· IA;! =(176)(50.16)
= 8828.16'ya karsi yukanda 8266.5 elde eclilcli.
z, = = 86.66 kn
11.54 x 10"6

z,, = z, 114.7 ill= 86.66 kn 114.7 kn = 4.46 kn Tam ve yaklasik modeller icin elde edilen sonuclar arasinda en buyuk fark (Guce
iliskin sonuctaki) %6.4'diir; bu da yaklasik e~deger devrenin gecerli bir yaklasim ol-
• A, ((9.75) denklerninden] : .. dugunu, devrenin tum elemanlanru dikkate ald1g1mzda elde edilecek sonuctan
±%5'1erle ifade edilen birduzeyde sapma olabilecegini g&stcrir. Bununla beraber I/
. IApl ';:IA,.!: IA;I hoc ve h,./nin etkilerinin dikkate ahnrnasi gerektigi durumlar da vardir. Bilgisayar
=_(173.23) (47.72) yonternleri, bircok buyuk karrnasik sistemde tam e§deger devre analizini, yaklastk
::8266.5 csdeger devre ile hemen hernen aym siirede gerceklestirirBir sonraki kisrmda, bu
Y aklasrk <;cizum (ft,,= O, lfh"' = oo fl): alana yonelik bilgisayar prograrru uygulamalanndan ornek verilecektir.
·. ;'.

418
BblOm 9 BJT K090k-Slnya1 Ana Uzi 9.10 Tam Karma E§deger Devre 419
9.11 SiSTEM YAKLA;,IMI
l;_.
Son yillarda, 14. Bolumde arulan turden eek c;e§itli entegre devrelerin ve sistemlerin

-
..
ortaya cikmasr, tasanrn ve analize yonelik sistem yaklasirm konusundaki ilgiyi ar- Z; ·. .· .
nrrrusnr, Temel olarak bu yaklasimda, paketin uc; karakteristikleri kullaruhr ve her
biri, top!am paket yapisiru olusturan bir yap1 t~1 .olarak degerlendirilir, Ornegin
$ekil 9.52'de, "paketlenrnis" (entegre edilmis) bir y(ikseltecin baslica uc; ka-
~
~
::
rakteristikleri gosterilrnisrir.
<;1kt§ uclanna bir "Thevenin bakisiyla" bakarsa.k,
s~ki1 9.53

R11, = Z,, = R,. (V; = 0 iken) icin

a,;:1k devre ETI, gerilimi

£11, = Vo
= Av V; denkleminden A,,= Vo
V;
ifadesi elde edilir.

--
fo

-::.iRl
.,.=---,,_- ----- .... :~-·
o----
+

<;1k1§ gerilimi, gerilirn-bolticu kurah uygulanarak Sekil 9.53 veya 9.54'den bu-
lunabilir:
~ V''L _- R,.A.V;
Thevenin
RL+ Rf}

5~;.;1 ').5~
AoL = .!::'..ru..: RtAv
ve V; RL + Ru (9.77)

<;1kl§ uclan arasina Thevenin C§dcger devresinin konulmasi, $ekil 9.53'deki dii- Baska bir deyisle, yuk uygulamah kazanc, Re /(Rc+R") ile yiiksiiz kazancin carpuru
zenlemeyi verecektir. A,.V; icin gosterilen polaritede A,. pozitiftir. $ekil 9.53'tcki kadar olacaktir.
format kullaruldigrnda A,.'nin, yiikiin olmad1g1 durum ic;in· belirlendigini hanrlaym. Akim kazanaci icin,
Bu bolllrnde analiz edilen bircok dcvre icin A,. hesaplarurken Re kullamlrms,
I A; I=&= V0/Rc. = Z; ~~
ancak Rt. hesaba kaulrnarrusnr. $ekil 9.53 ic;in ikinci .bir format, ozellikle i§lcmsel t, V;IZ; R t: V;
yiiksclte.,lerde populer olan $ekil 9.54'deki diizenlcmedir. Tek degi§iklik modelin
gorunusundedir, IA;l=klA,'/.1
ve (9.78)
Re.
420 BoHirn 9 BJT Kii~iik·Sinyal Analizi 9.11 Sistem Yaklastrru 421
 (a) ~ekil 9.53'teki diizenleme icin ~ekil 9.5S'in paramctrelerini bulun. <;•
(b) Z;, Zn, A,., A,.L ve A,.s'yi hesaplaym. Sonuc, ~ekil 9.56'da gonilmektedir, • ~ 1

l
I
.i

r ~;: ,.tI -------, +

I I 2.2 kn

t
16V
I iT I
II '
47 kn 3.3 kn
I
I µFf
I

I Fl
~ lµFf + ~ekil 9.56

I z,
h,,=100 ,_
0.56 kn + I hi.= I.HO
z
b) Z ,,. "' ve .A. yukanda verilmisti.
+ - I I Vi
Vs '\, Z; Vi I 8.2 kil I
1
I l A,i [(9.77) denkleminden)]:

j
I 1
-, -=- - : -=-
L
_
-
I kil

I- __ I
lµF

_j
__&&.._- (2.2 kO) (-194.12)
A~= RL + Ro - 2.2 kn+ 3. 3k0

I Yiilcscl~ =-77.65
Onceki yontemleri kullanarak kontrol edersck ;
I AvL = -hr,(Rc 11 Ri)
h;,

I
(a) R;::: Z;:
-(100) (l.32 kQ)
Ron =Ro1 11Ro2 = 47 kn II 8.2 kn= 6.98 kn
z,, = h;, = 1. 7 kn 1700

I
! ve
(emetor direnci krsa devre -bypass- edilmi~tir)
R; = Rsa 11 z; = 6.98 kn I I I.7 kf.l
= -77.65 (Yukandaki gibi)

R,-= 1.367 kn
A·I [(9.78) denkleminden)]: Z· I I
A;=_!.. Avl ·
R0 =Z0: Ri
Rn=Rc:3.3 kn
= 1.367 k!l (77.65)
A,: ,,,:.,•. l 2.2
A v = Vn (yuksuz) = 48.2
v, ? _7 :
...,.,,.:
= -l1J,Rc = -(!00) (3.3 kn) A,,: . - ..JiiY.L_
V,-
· h;, 1.1 kn -.
·::1· R; + R.,
V; _ .-ft_.= 1.367 kQ = 0.71
=-"194.12 ve
V, - R; + R, 1.367 kQ + 0.56 kQ
422
423
9.11 Slstem Yakla~1m1
 I ""' " " A,,=~=~
-V.,
=-55.13
V; V,·
V; == (-77.65) (0.71)

.·~ ! ', r .. ·
300 GOSUB 11000: REM BJT devresinin ac analizini
310 PRINT • AC anal i z s onuc l an:"
320 PRINT
c: '
yapar.

;-'~i \!,. :: 330 PRINT "Giri1 empedans1. Ri="; RI/1000: "kiloohm"

9.12 BiLGiSAYAR ANALiZi · ·A 340 PRINT "C1k1~ empedans1, Ro-·; R0/1000: "kiloohm'"
350 PRINT "Gerllim kazanc1 (yUksDz), Av=": Av
Tam ka~a. e~deger devresi kullamld1grnda kar~t!~llan nispeten karrnasik denk- 360 PRINT "Akim kaz enc i (IL/Ii). Ai="; AI
leml:r, ~llgisayar yardrrruyla ~~ek bir dogrulukla 9oztilebilir. $ekil 9.57, $ekil 370 PRINT
9.58 deki devrenin baslica parametrelerini bulan bir programi gostermektedir. Devre 380 PRINT "C1k1~ gerllimi (yOksUz). Vo="; VO; "volt"
e~~~anl_anm~. d~g~rleri _160 ile 2~.00s_a~1rlar arasmda girilmektedir. Yazrci ~1la~mdan 390 PR £NT
gorulebtleceg1 gib! 310 lie 400 aras1ndaki saurlar sonuclan yazdiracaknr,
400 PRINT "C1k1~ gerilimi (yUk mevpJ/· VL="; Vl; "volt"
410 END
~~ki! 9.:', 7 (Elektrik ve Bilgisoyartcknolojisi i<;in BASIC, No.hclsky, Boylcstod, Prentice-Holl. Inc., Englewood Ctiffs.
N.J. 1986 kitabrndan).
10 REM ------------- ----------------
20 REM - -- -- -- - - -- - -- - --- -- - - --
PROGRAM 11-1
30 REM ------------- 11000 REM Karma parametreleri kullanarak ac hesaplamalar1n1
------------- ... -- - --- -- --- --- ----- -- - --- - yapan modOl
40 REM
KARMA PARAMETRELERi KULLANARAK 11010 RP=RC*Rl/(RC+RLl
50 REM
BJT AC ANAL! Z i 11020 RZ=HI·HF*HR*RP/Cl+*HO*RP)
60 REM ------------ -~------------ - - - - - - - - ~ - - - - - - - - ---------- 11030 RB=Rl*R2/(Rl*RZl
70 REM
10 CLS 11040 RI=RZ*RB/(RZ+RBl
110 11050 IF H0<>0 ANO HR<>0 THEN RT=l/(HO·HF*HR/(HI+RS)) ELSE
PRINT "Bu program blr BJT devreslnin AC analizini" RT=lE+30
120
PRINT "Karma parametrelerl kullanarak ger~ekle~tirir" 11060 RO=RT*RC/(RT+RC)
130 PRINT
140 11070 Al=(RB/(RB+RZ))*(HF/(l+HO*RP))*(RC/(+RL))
PRINT "A,ag1daki dEvre bilgilerini girin:" 11080 IF AI<.000001 THEN Al=0
150 PRINT
160 INPUT "RBl=";Rl 11090 AV=·HI*RC/(Hl+(Hl*HO-HF*HR)*RC)
170 INPUT "RB2="; R2 11100 Vl=Rl*VS/CRI+RS)
180 11110 VO=AV*VI
INPUT "RC=";RC
190 PRINT 11120 VL=VO*RL/(RD+RL)
200 INPUT "YOk direnci. RL="; RL 11130 RETURN
210 INPUT "Kaynak direnci. RS="; RS
220 INPUT "Kaynak geriliml, Bu program bir BJT devresinin AC analizini
VS="; vs
230 PRINT "BJT'nin karma parametresi de~erlerini girin:· karma pararnetreleri kullanarak ger~ekle~tirir.
240 PRINT
250 INPUT "hie=·: HI A~a~1daki devre bilgilerini girin:
~~~
260 INPUT "hfe=·: HF
•'

270 INPUT "hoe=="; HO RBI=? 47E3

280 INPUT "hre=": HR RB2 =? 8.2E3
290 PRINT : PRINT RC = ? 3 .3£3
424
BoHim 9 BJT KugOk-SinyaJ Analizi 9.12 Bilgisayar Analizi 425
 11010. saur, R'=Rcl I RL'yi hesaplar ve 11020, sanr,
YOk direnci. RL =? 2.2E3
Kaynak direnci. Rs - ? 0 z,, = h;, - hr,h,,R'
Kaynak gerilimi, Vs Q? lE-3 I+ ho,R'
ifadcsinden z,,'yi bulur. ~;
BJT karma parametre degerlerini girin: 11030. saur R88=Rs111 RBl'den Rss'yi hesaplar.
hie ? 1.7E3
hfe a ? 100
hoe ? 20E-6 ·;i,.;d
ve 11040. saur Z/yi, Z1 = Rss 11 z, bagmusmdan bulur.
b »,

hre c ? 3E-4

Eger h0, ve h,. .e O ise 11050. satir

AC anal i z sonuct ar i :
Zo=~--~----
ho, - [h1,h,rl(h;,+ R,)]
Giri~ direnci, Ria 1.34206 kiloohm
yi.k1~ ernpedansim hesaplar.
C1k1~ direnci, Ro - 3.274574 kiloohm
Alesi takdirde z; = l x I 03° Q olarak, acik devre varsayilabilir.
Gerilim ke z anci (yOksuz}. AV - -192.622
Daha sonra yllCI~ empedans1.11060. satirda hesaplamr.
Akim kazanc1 (IL/!i}, Ai =47.22017

C1k1~ gerilimi (yuksuz), Vo O -.192622 volt

Akim kazanci :

C1k1i gerillmi (yOk mevcut). VL - -7.740665E·02 volt A;= f.e.:!R..f.d.!1..

Ok . I; I; /1, le

Burada akirn bolilcii kurah :

.--------<> "cc lb= _fifllL_ ve /0 = Rclc

Rs+Z; Rc+Ri

Ra1 C2
....
lo
k, A;=
lb 1
ht,
+ hn,R'
ifadesinin standart formandir.

-- --
1, lb -:) 1.
+

Vo
- Zo
Gerilirn kazanci (yUksiiz),

A -
v -
-hr.Re
h;, + (h;,h,,. - h1,h,.)Rc
RL
Ra2 Burada A,, ~ekil 9.53'dcki gerilim kazancidir. B giris kisrrunda gerilim bo!iicii kurah
Re -uygulayarak ;

- -
V;=....&!'.i...
-=- ······•.'-:"! R;+ Rs

ve 1110. saur, ~ekil 9.53 icin V0 == A,V;'yi hesaplar, son olarak,

Vol= ..fi&_ ( burada V., = A,V; 'dir.

RL+ Ro
426 Bolum 9 B~T KO~Ok-Slnyal Analizl
9.12 Bilglsayar Analizl 427
 Prograrnda, aym devre diizen1emesi icin Omek 9.13'te kullarnlan hi, ve iy, degerleri
260 INPUT "Kaynak gerilimi. VS=": VS,
aynen kullan!lm1§llr. hr, ve hoe degerleri, srrasiyla 4 x 10·4 ve 20 .uA/V olarak ortak
degerlerdir, ;., 270 PRINT :PRINT
280 GOSUB 11200: REM ac analizi ger~ekle~tirir
Sonuclann, yaklasik e§deger devrenin kullamldig1 Ornek 9. l3'de elde edilen so-
290 PRINT "Ac analizi sonuc l ar-r ;" .. ,.,:
nuclara ne kadar yakin olduguna dikkat edin, Aynca prograrrumrzda, oramn degil,
300 PRINT
900§ geriliminin bilyukliigiiniin hesapland1gma dikkat edin. Degerleri eslernek icin
310 PRINT "Tr ans t s torun dinamik o i renct . re=":RE; "ohm"
programda giris gerilimi 1 mV olarak almrrustir. Elinizde boyle bir program ol-
320 PRINT
duktan sonra, devre elemanlarmm herhangi bir birlesirni icin diizenlemenin onemli
parametreleri cok hizh bir sekilde belirlenebilir.
330 IF CC·IE*(RC+El+E2) <= 0 THEN PRINT "Oevre doymada" :GOTO 420
340 PRINT "Gt r t s empedans i • Ri="; RI: "ohm"
Program 11-2 gerilim-boliicii ongerilirnli, koprtilenmi§ ve kopriilenmemi§ Re ve
350 PRINT ·~1k1$ empedans i • Ro=": ·1.W: "ohm"
Re2 direncli bir BJT transistor diizenleinesi icin ayrmuh bir analiz ger9ekle§tirir. ~Y-
360 PRINT "Gerilim kaz anc i (yOksui-),-,Av=". AV
gulanan ,·, modeli, 11210-11260 sanrlarda r(nin ve /3<.r,+RE1)'in hesaplanmasmi ge-
370 PRINT "Akim kazanc1, Al="; Al
rektirmektedir. Daha sonra ~ekil 9.60'in esdeger devresi l 1270-11330. sanrlarda sis-
380 PRINT
ternin onemli karakteristiklerini bulabilmek icin kullaruhr, Kullamlan onemli
denklemler ~ekiI 9.60'da giirtilmektedir. 390 PRINT ·~1k1$ gerilimi (yuksDz), Vo=": VO; "volt"
400 PRINT 410 PRINT ·~1k1$ gerilimi (yuk-a Lt t nda) , VL="; VL,
10 REM -·------------ "volt·
--------------------------------------- 420 PRINT
20 PROGRAM 11-2
30 REM --------------- 430 VM=CC-IE*CBETA/BETA+l)*(RC+El+E2): REM Maximum sinyal
------------------------------- sapmas1
40 REM
re ve BETA PARAMETRELERINi KULLANARAK 440 IF ABS(Vl)>VM THEN PRINT
50 REM "Maximum distorslyonsuz
BJT'NIN AC ANAL1Zi k 1 ~ •; VM: ·volt"
60 REM ..................................................... c;:1

70 REM 450 END

100 CLS
11200 REM re modelini kullanarak BJT ac analizi yapan modul.
110 PRINT:· PRINT ''..Bu program re ve beta parametrelerini kul lanara!<"
11210 RB=Rl*(R2/(Rl+R2))
120 PRINT "bir BJT'nin ac analizini ger~ekle~tirir."
130 PRINT 11220 RP=RC*(Rl/(RC+RL))
11230 BB=R2*CC/(Rl+R2)
140 PRINT "A~a~1daki devre bilgilerini girin:"
150 PRINT 11240 IE=(BB-.7)*(BETA+l)/(RB+BETA*(El+E2))
160 INPUT "RBl=";. Rl 11250 RE=.026/IE
170 INPUT "RB2="; R2 11260 R3=BETA*(RE+El)
180 INPUT "RC=" ; RC 11270 Rl=RB*(R3/(RB+RB3))
.,,-.·, 11280 RO=RC
190 INPUT "K0PR0LENMEM!~ EMETOR OlRENCl,REl•": El .·,/

200 INPUT "KQPR0LENEN EMETOR 01RENCi, RE2=": E2

.•,',".,
.,.,. 11290 Al=(RC/(RC+RL))*BETA*(RB/(RB+R3))
210 PRINT
··\'.:'
11300 AV=-RC/(El+RE)
.)~~::.. 11310 VI=VS*(Rl/(Rl+RS))
220 INPUT "Beta:"; BETA
230 INPUT "Besleme gerilimi, VCC="; CC 11320 VO=AV*Vl
240 INPUT "Yuk direnci, RL=": RL 11330 VL=VO*(Rl/(RO+RL))
250 INPUT "Kaynak direnci, RS="; RS 11340 RETURN

~~~i_l 9.59 (Elektrik ve Bilgi<ayor teknoloji,ii<;in BASIC, Noshelsky, Boule Sl;id Prencrice-H:,11 snc. Enulcwood Bu program ; bir BJT devresinin AC analizini. karma
Cliff.<, N.J 1986 kitabmdan). ' ' · ~

428
parametrelerini kullanarak ger~ekle~tirir.
Bolum 9 BJT KO~Ok-Sinyal Analiz]
9.12 Bilgisayar Analizi 429
A~ag1daki devre bilgilerini girin:
pROBLEMLER
47£3
-
RBI u ?
1iii;i!L
RB2 ? 8.2E3 . Butiin problemlerde silisyum tabanh transistor kullaruldig, varsayilacakur
RC = ? 3.3E3 (Va.:= 0.7 V).

Yuk direnci. RL - ? 2.2E3 § 9.2

Kaynak dt~enci. Rs•? 0
Kaynak gerilimt. Vs - ? lf-3 1. (a) ~ek:il 9.61 'deki devre icin, Z;, Z0, A,. ve A;'yi ,bulun.
(b) h<,. = 20 ;,S i9in, (a) sikkindaki degerleri yeriiden bulun.
BJT karma parametre degerlertni girin:
i ·:· i,
12V
hie=? 1.7E3
hfe - ? 100
hoe=? 20E-6
hre =? 3E·4 220kfl

ac analiz

C1k1~ direnci.
sonu~lar1:

Giri~ direnci. Ria 1.34206 kiloohm

Ro= 3.274574 ktloohm --
v, <>-:-111--~--1
. 1, hit·
h1, = 60
- Za
soon
Gerilim kazanc1 (yOksuz). Av~ -192.622 z, @le~3mA
Akim kazanc1 (IL/Ii). Ai =47.22017 .: .·.
(1k1~ gerilimi (yOksO~). Vo - ·.192622 volt
2. ~ekil 9.62'dek.i devre icin, A,· =-200 ise Vcc'yi butun.
(1k1~ gerilimi {yUk mevcut). VL - -7.740665£-02 volt

-
IOV
Ok

-I< la ------ovcc

+
- t,

+ -
Zo
Re Vo
+
IMO

-
v, <>-ii---~

-
Vs./'\,. . .... v, v, 0-,11----+---t t,
z, Rei 3901c.n

l ·z,
·.• +IOV
.. •. !
~,:kil IJ.hf•

430 Bofilm 9 BJT KOc;Ok-Sinyal Analfzl Solum 9 Problemler 431

 3. -?ekil 9.63'deki devrede,
(a) le, love r,'yi hesaplayin.
(b) f1Je ve h;e'yi bulun.
(c) Z;, Z0, A,. ve A;'yi hesaplaym.
(d) hnc = 25 µS'in, Av ve A; iizerindeki etkisini hesaplaym,

* 9.3 6. ~ekil 9.66'dak.i devre icin

(a) rc'yi bulun ·

4. (a) ~ekil 9.64'de gorulen devre i~in Z;, Z A,. ve A;'yi bulun.
11,
(b) Vs ve Vc'yi hesaplaym

(b) hM = 20 ,,s
ise, (a) §tkkmdak.i degerler uzerindeki etk.isini hesaplaym.
(c) Z; ve A,.= V .,/V;'yi bulun.
r!
(c) r/yi hesaplaym ve = /3 ile kar~ila§tinn_.
Ycc•l6V .· .·:u.

h,. • 100 7. ~ck.ii 9 .67'deki devrede

hi.23200{1 (a) Z;, Zn, A,., A;'yi bulun.
3.9 kfl
(b) h0, = 20 )tS icin (a) ~1kktndak.i degerlere etkisini hesaplaym.
39kn

-
I µF
Yi ~1------""-f
,,
-
20V

20V
z, 4.7 kn

L2kn I IOµF 390 kn

4.1 kn

Jl 0 Ra
8.2kn

{--ovo f--ovo
- -=-

-
· h;e=0.7Skn
~ekil 9.65'deki devre A,. = -160 icin Vcc'Yi bulun.
V;o--f

-
5. hr,= 140 Yi~ {j = 120

~----,o---o Vee
z,
I;

1.2 kn -
z, RE

3.3 kn - -
82kn 220kn ~1.:~d (}.(ii Sdil 9.hil
(--ov.,
,.-+-;'}:.:.? -.... Cc
~ <>----tt----+--!::-t:· · fJ
.:~\::t]o/ c I 00 Va
v, <>--iJ--+...:_--{

-
Cc ~.· "'
Cc 8. Sekil 9.68'deki devre icin A,.= -10 ve r, = 3.8 Q iken K1; ve Ra'yi hesaplayin.
Z8 = {3Rg varsaym.
s.s kn
I
Z; ss en
tkn 9. Sekil 9.69'dak.i devre icin:
2.2kn Ce
(a) rc'yi hesaplaym .
... ·• .... ~r.:·

(b) Z; ve A;yi bulun.

'"::" -=-
(c) Ar'yi hesaplayin.

432
Bolum 9 BJT Kuguk-Sinyal Anafiz, Bolum 9 Problemler 433
 ...----..--o 22 V
11. ~ekil 9.7l'deki devre.icin:
s.6kn (a) Z;, Z0, Av ve A;'yi hesaplaym.
JJOkn
Po l--<>vo (b) V;::; 1 mV icin V0'1 bulun.

v, =«-__~
1, . Cc

fJ •h,. • 80
12. ~ekil 9.72'deki devre icin:
(a) r;yi bulun.
Cc (b) ls ve /c'yi hesaplayin,
(c) A, ve A/yi bulun.
1.2 kn

Vee =zo v
0.47k0

fJ= 200
* 9.5

10. Seki! 9)0'de goriilen devre icin:

(a) r,' yi ve Pre' yi bulun. Pre· ile hie' yi karsilastmn.
(b) Zi. Z0• A, .. ve Ai • yi bulun.
~ ').6

16V 13. Sekil 9.73'deki ortak-bazh diizenlernc icin:

(a) r;yi hesaplaym. 4V
12 V (b) Z;, Z0, A,. ve A/yi bulun.
270kn 3.6 kn

-
z,
h,.=110
». • ioso n +6 v.

6.8 kn '
-IOV

-
f-:-o v,
I;
fj=h1,= 100

-8V

~~kit 0.70 ~~~ii 9.71

.- .. :.!;:'. --5 V
434 BolOm 9 BJT Kli~Ok-Slnyal Anallzi · Solum 9 Problemler 435
 14. $ekil 9. 74'dek:i devre icin A,. ve A;'yi bulun. 18. $ekil 9.77'deki devrcde verilen re:::: 10, /3 = 200, A,.= -160 vc A;= +19 de-
gerleri icin Re, RF ve Vce'yi hesaplaym.
{ 9.7
19. $ckil 9.37'deki devre icin:
15. $ekil 9. 75'dekidevre i9in,Z;, Z0, A,. ve A/yi hesaplaym. (a) A,. icin yaklasik bir denklem turetin.
9V (b) A; icin yaklasik bir denklern tiireti~.
(c) Z; ve Z,, icin yaklasik denklemler turetin.
fo (d)Rc= 2.2 ill,RF= 120 ill,RE= 1.2 ill, /3= 90, Vee= 10 V verilmis olsun.A,.,
l.8k0 A;, Z;, ve Zn degerlerini (a), (b) ve (c) §tklannda tiiretilen denklemleri kul-
39kSl 22 kO lanarak hesaplaym.
r--"V\al\r------"'JV\.~...-----1{--o Vo

11
J. lOµF
I µF

{ 9.9
v, o-----1----...------..J 13= 80
I µF
20. (a) $ekil 9.61 'deki devrede verilen R., = 220 Q veRL .= 6.8 kQ icin A,.,= V"/V'
ve A; = I,Jl;'yi bulun. RL, kollektor-toprak arasma baglanrrusur ve !0, Re
uzerinden akan akrmdir.
(b) Problem I 'in sonuclan ile karsilastmn.
16. $ekil 9.3l'de gorulenfark yiikselteci icin Re= 5.6 ill, R£ = 1.1 l<ll, h1,. = 100, h;, = 2
ill, V;1 = 10 m V ve V;2 =4 m Vise, 8§ag1daki niceliklerin degerlerini hesaplaym. 21. (a) $ckil 9.64'deki devrede verilen R, = 2.2 kQ ve RL = 4.7 kQ degerleri icin
(a) Vo (b) t, A,.s = V,JV., ve A;= /,J//yi hesaplaym. RL, kollektor-toprak arasma bag·
(c)1I,= I, (d) V, lanmrstrr ve /0, RL uzerinden gecen akimdir.
Vb degerinin V;'den V.'ye degi~tirilmesi durumunu karsilastinn. (b) Sonuclan problem 4 ile karsilasunn.

§ 9.8 22. = ,=
(a) Sekil 9.67'dcki devrede R, 1.2 kQ ve RI.= 22 ill icin A, .. V,,/\1, ve A;=
I,JI;'yi hesaplaym. R1.• kollektor-toprak arasina baglanrmstir ve t.; RL uzc-
17. Sekil 9.76'da gorulen kollektor sabit-ongerilimli dtizcnleme icin: rinden ge9en akrrndir.
(a) r(yi bulun. (b) Sonuclan problem 7 ile karsilasnnn.
(b) Z;, Z,,, A,. vc A/yi hesaplaym,
23. (a) ~ekil 9.70'deki devrede, Vcrilen R, = 6.8 kQ ve Rl = 3.3 kn icin A, ..,= V,J
V,, ve A;= l,Jl;'yi hesaplaym. RL, ernetor-toprek arasma baglanm1~t1r ve /11,
RL uzerinden gecen akirndtr,
(b) Sonuclan problem 10 ile karsilastmn.
220k0

-
...-...AJVv--1>---i {--o V0 24 . (a) Sekil 9.73'de verilen devrede verilen R, = 0.2 ill ve RL = 6.8 kQ icin, A,:,= V,J
..~;'. . ...
V, ve A;= J,JJ;'yi hesaplaym. RL, kollektor-toprak arasma baglanm1§l!f ve !,,. RL
h1, = 120 z, '• = 10 .,.,~?· .. , ....
iizerinden gecen akrmdir.
hi,= 16000 (b} Sonuclan problem 13 ile kamlasnnn.
-. = 200
.13
z,
'jckil 9. 7(,
.').:kii 9.77

436 Solum 9 BJT Kiis;Ok-Sinyal Analizi Solum 9 Probtemter 437

 * 9.10 BiLGiSAYAR PROBLEMLERi
25. (a) ~ekil 9.61'dek.i devrede, h;, = 0.5 ill, h1, = 60, h,c = 1.5 X 1Q·4 ve h0, = 25
31. Hem R, hem de RL direncleri varken, ortak-ernetorltt sabit ongerilimli dev-
µS icin, A,, A;, Z;, Z., ve Aµ'yi bulun.
renin tam analizini yapan bir bilgisayar prograrm yazm. r,, h;,, Av = VJV;.
(b) (a) §ik.kmdak:i sonuclan problem l ile kar§1la§tmn.
A ,·.r -- VO/nrY S• A·It Z,I ve zO'1 belirleyin • Biitiin direnc;: degerleri, de kaynak: ge-
(c) R, = 220 n ve Rl = 6.8 ill icin, Av, ve (a) §iklanda verilen niceiikleri he-
·

saplaym. rilimi ve h1, = {J programa girdi olarak verilecektir.

(d) (c) §ikkmm sonuclanru problem 20 ile karsilasunn.
32. 31 'deki problemi, koprillenrnemis emetor-ongerilimli diizenleme icin tek-
rarlaym.
26. (a) $ekiJ 9.64'deki devrede h;, = 3.2 kn, h1,= 100, h,. = 2 x 10·4 ve hnc = 20 µS
icin, A,., A;, Z;, Z0 ve Ap'yi bulun.
33. 31 'deki problemi ortak-bazh diizenleme icin tekrarlaym.
(b) (a) §Jklcmdak:i sonuclan problem 21 ile karsrlasunn.
(c) R, = 2.2 kn ve RL = 4.7 kQ icin, A,.,'yi ve (a) §•kkmdaki hesaplaym, i1''

(d) (c) §ikkmdak:i sonuclan problem 2 ile karsilasunn. ,.

.;

27. (a) $ekil 9.73'deki devrede, h;b = 33.4 Q, hfh = -1, h,1, = 2.10·4 ve h01, = 0.5 ,us
ii;:in A,., A;. Z;, Z., ve Ap'yi bulun.
(b) (a) §Jklcmdaki sonuclan problem 13 ile karsilastmn.
=
(c)R, 0.2 kQ ve RL = 6.8 kQ icin (a) §iklandaki nicelikleri hesaplaym.
(d) (c)'deki sonuclan problem 24 ile karstlasurm.

~ 9.11

28. (a) $ekil 9.6l'deki devrede, verilen R, = 220!1 ve RL = 6.8 Q icin $ekil
9.53'deki pararnetreleri hesaplayin.
(b) A,.,= V,/V,'yi hesaplaym ve problem 20 ile kar§tla§tmn.

29. (a) $ekil 9.64'deki devrede verilen R, = 2.2 kQ ve RL = 4.7 kQ icin, $ekil
9.53'deki pararnetreleri hesaplaym.
(b) A,.,= V,/V,'yi hesaplaym ve problem 21 ile ka!'§tla§tmn.

30. (a) 9.53'dck.i dcvrede, verilen R, = 0.2 ill ve RL = 6.8 kQ icin $ekil 9.53'deki
paramecreleri hesaplaym.
(b) A,.,= VJV,'yi hesaplaym ve problem 24 ile karsilastrnn.
,•:
..:.= ..

· i·,,· . . .
;;;_,

438
Boliim 9 BJT Kiigiik·Slnyal Analizi BolOm 9 Problemler 439
 10. 2 JFET/KAN.AL-A
. YARLAMf\LI
L MOSFET
KO<;UKSINYAL MODE I

,.
~:·::~:;;;.
-~---·.
.. .
-
.. ..
FET kulanan ac devrelerin analizinde yardimci olmasi acismdan, ilk once tran-
sistoriln ac e§deger devresini elde etrnemiz gerekir. ~ekil 10.1, basit bir FET e§deger
:-·;: -;.- . ... ··. devresini gostermektedir. Kapi-kaynak arasma uygulanan ac gerilimi V8,, g,., ~~-' de-
gerinde bir akac akirru (/d) yaraur, Transistorun ges:i§ iletkenligi g111, kapi-kaynak
uzerine uygulanan gerilimden kaynaklanan akrm miktanm gosterir. grn'nin degeri
Shockley denkleminden elde edilebilir, 1

(10.1)

(10.2)

-
10.1 GENEL GiRi$
G
FET elemanlan c;:ok yi.iksek giris dircncinde gerilim kazanci saglayan kti9iik-sinyal yuk- ,__:;;.,
selteclerinin kurulmasr icin kullaruiabilir. Hem JFET hem de kanal-ayarlamal1 MOS- v,,
FET, aym gerilim -kazancm, Sl\glayan benzer de ongerilim kosullannda 9ah§abilir. Bu-
nunla beraber MOSFET transiston] eek daha yuksek giris empedans, saglar.
En iyi gerilim-kazancli 9ah§may1, ortak-kaynak yiikselteci duzenlernesi saglar.
Kapiya bir giris sinyali uygularur; 91la§ sinyali kanaldan alrrur vc kaynak ucu re- ao ma dcgeri t geri~
l' " ik:1kenlil!1nin
... ~ cs· = 0 iing..:rih111 noktasmdaki degeridir ve JFET
ferans ve ortak u9 olarak kullarulir, Ortak-akach bir yiikseltec, yaklasik bir kazanc transistorunun rnaksimum kazanci icin sabit bir degeri ternsil eder. gmo'nun degeri
degerinde terslenmemis bir 91kt§ saglar, Ortak-kapih bir yukseltee daha az kullarulir belirli bir FET icin sabittir ve de ongerilirn kosullanndan etkilenrnez. Ters-
ve polarite terslemesi olmadan gerilim kazanci saglar. ongerilimli calisma bolgesindc herhagi bir ongerilirn noktasinda gmo degerinden
FET kucuk-sinyal esdegeri BJT'den daha basittir ve yalruzca transisrorun ge9i§ daha kiic;:iik bir g., eldc edilir.
iletkenlig] g., temel parametresine bagh olan bir 91k1~ akirnr kaynagma sahiptir, -~~'--~~~~~~~~~~~-~~~~~
FET'in gec;:i§ iletkenligi degerleri yaklasik olarak 1 rns'den 20 ms'ye kadar degi§ir; v )?.
io=Ioss ( I-~·
bu da daha biiyiik gm degerleri ic;:in daha yuksek gerilim kazanci sagtar.
FET dogrusal veya sayisal bir eleman olara.k kullamlabilir. Dogrusal devrelerde oldugundan,
9ogunlukla JFET ve kanal-ayarlamah MOSFET kullaruhr, Sayisal FET dev- .. L..
relerinde, ozellikle buyuk olcekli (LSI), cok bilyiik olc;:ekli (VLSI) ve ultra buyuk bl· clio
Cm = -- Iv DS = sa bitt
c;:ekli (ULSI) entegre devrelcrde kanal olusturmah MOSFET'ler kullaruhr. cJVcs

ve gm= 21V,,/Jli.(J -~)=gnw(I

Vp
-.!'..G..s.)
Vp

bu rad a, 21
elde ederiz..
440
811m= IVp
DSS
I
Boliim 10.2 JFET/Kanal·Ayarlamah MOSFET Kii1riik Slnyal Modeli 441
 ~.1·
9m ve gmo'nun hesaptanmasi
·-
~ekil 10.2b'deki Cni degcri de ongerilim voltajr Vos ve cleman parametresi loss ve
g""' degeri, Vos= 0 ongerilim noktasmdaki"ge9i~ iletkenligidir. Yani, Vos= 0 V
Vp ile belirlenir. Uygulanan V; ac giri~ gerilimi icln, elde edilen akirn g., VR, ola-
noktasmda : cakttr,
~ekil 10.3'tc de gclriildU~U gibi, ac modeline JFETin ~J!a~ direnci de eklcncbilir.
Bu 91kt§ direnci genellikle veri sayfalarmda

()RNEK 10.l
Yas = kO~Uk-sinyal 9tla§ iletkenli~i olarak verilir.
loss= 12 mA ve Vp = -3 V degerlerine sahip bir 1FET ic,:in Snro'yu hesaplaym. Buradan 91la~ ac direnci,

<;oziim:
rs= .L
=
)'us
8mn
2 IDSS = 2 {12x 10·3) = 8 mS = 8,000µS
jVpl l-3VI olacaktrr,

Vcs = OV dismda herhangi bir ongerilirn noktasmda Vos'nin degeri 10 .I denk-

lemde verilen 8mo'dan daha kil9iikliir.

(>RNEK 10.2

loss= 12mA ve Vr = -3 volt degerlerine sahip bir JFET icin Vos= -1 V'da gm'yi
hesaplayrn.

-.
Cozum: s
s
( 10.1) denklemini kullanarak ; Cs lcondansa10rll

=~) = 5.333 mS = 5333 µS

Ile lc.OpT1)Jcnm11 Rs
g., = 8mn ( I - ~) = 8 mS ( l - l<&ynak gcrilimi
-=- ec iopratma baghrur
olarak bulunur. (a) (b)
5,·kil 10.2 JFETyUl<.,..lle,devrc.,i
(:,) devrc: (M ac eidc~er dcvres].
AC E~deger Devresi

~ekil I0.2'da, de ongerilirninin ayarlanrnasr i9in kendinden-ongcrilimli Rs di-

renci kullarulan tipik bir JFET devresi gorulmektedir. Sekil 10.26'da cizilen esdeger
devredc, R5'nin Cs kondansatoru ile koprtilendigini ve yerine, kisa devrc es-
degerinin konuldugunu (kondansatortin ac empedansi = 0) ve +V00' ye bagh R0 di-
rencinin, ac topragina bagland1gm1, c,:iinkii gerilim kaynagirun ac ernpedansirun ye-
rine O degerinde bir ac empedansi kondugunu goruruz. 1FET transistorun ycrine ise -.-.
basil bir model konrnusrur; bu modelde Vos gecit-kaynak jonksiyonuna uygulanan
ac sinyali, g,,, VR, degerine e~it bir akac-kaynak (kanal) akirrn yaranr. s
~ckil 10.3 Ak•,·koynok din:nci ~<·
"'" JFET uc modeli,
442 BolOm 10 FET KO~Ok Slnyal Anallzl
BolOm 10.2 JFET Kanal-Ayarlamah MOSFET KOyOkSlnyal Modell 443
 Ioss = 15 mA, V1, = - 6V ve Yns = 0.05 mS icin gnw ve rd degerleri nedir?
RD
·1.2kn
Cozurn: C2
_ 2loss _ 2(15 x lff3)
g1110---- _
mS ,..~1 ( Vo
- 5 0.002i1F
Vp l-61 --1---...--..i
0.002µF ----lDss..8mA
91k1~ direnci, V,•-4V

r
rd= _!_ - I = 20 kn v,.
y,,, 0.05 x 10·3
Rs C3
'=' 200 n IOµF
$<!kii if!.-; 6mek 10.4'dcki FET
10.3 AC KO<;Ol<-Si.NY;..\L c;:ALl$M.<\SI yilksclte~ tlevresi

10.2. biiliimde taruulan FET ac ~deger devresi, burada, gerilim kazanci, giri§ ve Cozum:
91k1§ direncleri i9in cesitli FET yukseltec diizenlemelerinin analizinde kullamlabilir.
Ac e~deger devrenin kullamrm gostermek icin Sekil I0.2a'daki FET yukseltec dev . =
Bolum 7'de anlattld1g1 gibi de ongerilimi VcsQ -0,94 V olarak bulunur. Bu on-
resini ele alahrn. Ac ~deger devresi, ac cahsrnasi i9in kondansator yerine kisa gerilim noktasrnda g., degeri, (10.1) ve (10.2) denklemleri kullarularak,
devre, .FET transistoru yerine basit.e§deger devre (r,1 sonsuz direnc veya acrk devre
varsayilrrustir) konarak ~ekil l0.2b'de yeniden ,;:izilmi§lir. ytlct~ gerilimi, gm,,= 2foss = 2(8 mA) = ·4 mS
. IVpl l-4Vj
ve
gm _
- g,,., { I - ~VcsQ) = 4 mS ( l - -0.94
~ v) = 3.06 mS
V; = "'.~, oldugundan gerilim kazancr, olarak clde edilir.
( 10.3)-( 10.5) arast denklemler kullantlarak;
IA v=-=-g..,
1
Vo R Dl1·
A,.= -gmRo = -(3.06 mS) (1.2 kfl) = -3.67
l V; j
(10.3)
R;=Rc= l MQ
Yiikseltece bakan ac ernpcdansi :
Ro= Ro= 1.2 kQ bulunur.
Aynk devreler kullamlarak bir BJT devresinden farkh olarak, 3.67'Iik bir zerilim
( 10.4) kazanci, FET kullanarak elde edilen dii~iik degerlere &zgiidiir. -

ve yiikten yiikseltecin 91ki§ ucuna bakan ac empedansi: Gerilim-kazanci denklemi rm direnci tarumlayarak uygun bir ~ekilde yeniden ya-
~~-s ..j
zilabilir. r _ I · 1
R,,=R0 j (10.5) !
Tm--
g,,, (10.6)
t -..-r..-...,_"""'"""'~"';;,,.;::,..t ~ ....,,."'.,1 Burada Vcs ongerilirn noktasrnda JFET'in ac dircnci ,-,,, ile Ls iingcrilim akrrnmda

Yij :~:D
._.

I
BIT'nin ac direnci re arasmda bir benzerlik vardir. (10.3) denkleminde verilen ge-
~e~il. l?.4'de g~ri.il~n J~~· yukselteci icin A,., R; ve R,, degerlerini
(r" nm ihmal edilebilecegini varsaym).
hesaplaym
I rilim-kazancr a~ag1daki gibi = -Ro (lO.?)

I ·--.-:..
r; 1
I
444 Bol(im 10 FETKu~uk Sinyal Analizi Solum 10.3 AC Kii~uk-Sinyal <;ah~masr 445
 Kaynak Diren~li Yukselte~ 10.6c'deki kisrni devrede goriildiigti gibi FET akim kaynag1 gerilim kaynagma do-
. nil~tilriildilkten sonra Vn i¥in a~ag1daki ifade elde edilir:
Efer yilkselte¥ kopriilenmemi§ bir kaynak direnciyle kurulrnussa (,$ekil 10.5'e
bakin), gerilirn kazanci iliskisi ~kil 10.6'daki ac C§deger devresi kullamlarak be- G

lirtilebilir (cihazin ¥1kl~ direnci, r,/nin ihmal edilebilecek duzeyde oldugu varsayilrrusur), +
=
Vg, V8 - V, = V;-1,lls, = Vi- gn.VRsRsr v,, ,,
v,. •• im

v, tI,•--V0

"'
Ro ~ RD Vo
s Vo -Vs
RD
rd
Vs
G /dm -~ Rsl
,......------vo Rsi

• ''" v,.
(b)

(a)

~~~ ii I 05 KOpr111enmemiikaynudiron,;li FET

yuk.1elr~ devresi. ~d ii 10.6 ~ckil IOSteki yOk.<eltecin ac ejdejer
devrest,

V; icin ¥ozersek (c)

ve ~tkl~ geri!imi V"=- Ro .g,,,r,1 \ ,;~

r,1+Rsi + Ro
Vg, = V; - Vs oldugundan,

Boylece Av= V,, = -g,,.Ro Vu= - Ro . 8m rd (V,-V,)

(10.8 a) rd+Ro+ Rs,
V; 1 + g,.Rsi
(10.6) denklemini kullanarak, (10.8a)'daki gerilim kazanc1 §tlyle ifade edilebilir: V,= Id . Rs,= - Vu . R51 (bkn. $ekil l0.6b kullanarak)
Ri1
-( .l.) Ro Vu= - 8nzTdRo (v;
+ X£. Rs1) elde ederiz.
Av= .!:'.e. = r,,, = _ Rp ri1+R0+Rs1 Ro .
V; I + ( .l.) Rsr r,,. + Rs, (10.8 b) Boylece yeni bir gerilim kazanci denklemi a~ag1daki gibi yazilabilir:
rm
V -g., Ro (10.9 a)
,$ekil 10.6b'de gosterildigi gibi, FET ac e§deger rnodeline FET ~lk.t~ direnci vd IA.v = _Jl. =
dahil edilirse, A,. gerilim kazan9 ifadesi a§ag1daki gibi elde edilebilir. ~ekil V; 1 + gm R +Ro+ Rsi
SI r<1

446
Bl)fOm 10 FET K090k. Slnyal Anallzl · Bolilm 10.3 AC K0¢0k-Sinyal Calt~masi 447
 Ayarlanan ongerihm noktasinda ;
r4 > (Ro + .ks1) olmasi halinde ifadenin (IO.Ba) denklemine indirgenebilecegine dik-
kat edin. g., = 8mo ( l - Vcs,...)
--.><. = 2 mS ( I - -l.76V)
--- = l .413 m;,
Vp -6V
rm= ...1..
glll ifadesini kullanarak gerilirn kazancr denklemi yeniden yazrlabilir. Boylece elernarun direnci, r.,== ...1.. = 707.7 Q olarak bulunur.
gm

A,.=J'.'.e.= Rn Buradan [(10.8b) denldemini kullanarakj ;

V; r., + Rs1 + rm (Ro+ Rs,) (10.9 b)
rt1 A,.=~=--4.3x lOJ =-5_2
sonucu elde edilir. rm+ R,1 707.7 + l20
r,lf
(10.9 b) denklerni, r,, (Ro+Rs1) olur;
terim ihmal edilirse, yani r,,'nin degeri, r,,,, R0 ve R51'e gore cok buyukse, (IO.Sb) c>it\E:S:: 1n.6
denklernine indirgenebilir.
Sekil 10.8'de gorulen devre i~in gerilim kazanciru, giri~ ve ~1k1~ direnclcrini he-
ORNEK 10.5 saplayin (rd'yi ihmal edin).

+16 V
~ckil ·10.7 de gorulen devre icingerilim kazancrm hesaplayin (r"'yi ihrnal edin).

+24V RGI
2.1 Mn

4.Jkn C1
0.05 µF lo"ss =8 mA
v,~1----+----..l
t--------1(---v,. 0.02 µF
Vp = -4 V

v, ---11------ ... Vp = -6V

0.05 µF "i~ss = 6mA
1
izo n l
.l,

r
1.2 Mn
\:~:i! ;,:_., Ornc.:k I0.6tt;inckvri.: .
l
+ j (_.'ii/.ii::i:
-:- 470 n 20µF

I
,S.~kil 10.76mek 10.5 i~in
JfET yOksohcci.
D, ongerilirni. Ornek 7.7'deki gibi belirlenir: VGSQ = -l.8 V
t;iizum:
Bu ongerilirn noktastnda; { }
· gm=2loss 1_Vcsq =2(8mA)(r-:J.8V)
De ongerilirni, VGSQ = - l ,76'hk bir kap1-k~y_nak gerilimi saglar, IV~ Vp 1-4 vi ~4 v
JFET transistorun ge~i§ iletkenligi,
= 2.2 x 10·3 = 2.2 ms
g.,o·= 2/oss == 2(6 mA~-= 2 mS
Iv;. I l-6 vi Boylece elemanm direnci rm= ...L:: = 454.5 Q olur.
g., 2.2x 10
448 Biilum 10 FET Kii,.:uk Sinyal Analizl
Borom _10.3 AC Kuc;uk-Sinyal ~ah§mas1 449
ac gerilim kazanci, ongerilim noktasmda;
A,·=~= -2.4x 10 =-3.18
r,., + R.,1 454.5 + 300 gm = gmo ( I - ~)
Vp
= 4 mS ( l - -0.15
---
-3V
v} = 3.8 mec
giri~ direnci,
Buradan,
R, =RG111Ra2= 2.1 Mn 11210 kn= 239 kn
rm= ..L: 1 = 263.2 o
g.. 3.8 x 10·3
<;tki~ direnci,
MOSFET'in 91kJ~ direnci :
Ro = Ro = 2.4 kQ
olarak bulunur. ,,, = _L = = 20 mn
Yo, 0.05 x 10
ORNEK 10.7
Boylece ac gerilim kazancr;
A,.= -_R-=o'----- -1.8 x 103
~ekil 10.9'da gorulen devre icin gerilirn kazancmi, giri§ ve 91kl§ direnclerini he- t'm + R, + !:m. (Ro+ Rs) 263.2 + 300 + ...2fil,,L(l.8 x 1
saplaym, FET 900~ iletkenlig] y,., = 0.05 mS'dir. 'd 20x 10
= -3.05
giri~ ernpedansi ;
+18 V

i.s kn ve devrenin ~:tki§ ernpedansi :

+----Vo Rn= Roi I rd= 1.8 Mn 1120 kn= 1.65 kn

1;'l:f'~\ mA olur.
v,---+---1 V, • .:_3·y

10.4 YUKLEME ETKiLERi

IOMn
30Qfl Bir yukseltee kaurun 1y1k1~1 diger bir elektronik devreye bagland1gmda, o devrenin
yilkti, yukseltecin kazanciru azaltacakur, Aynca herhangi bir kaynak direnci de,
!)d.cl 10.9 i'lnM'k 10.7 i_;,, devre.
yilkseltec kanrun giris dircncine bir ytiklenme etkisi yapacagi icin 1ytk1§ geriliminde
dii~ii~e neden olacakur.

<;oziim:
<;11<1~ Yukunun Etklsi
7.10 clmegindeki de ongerilim hesaplanndan V05Q = -0.15 V bulunur,
·-·- i FET yilkseltecin <;tkl~mdaki bir 'yilk direnci Sekil 10. IOa'da gosterilmistir. Bu
devrcnin ac e§degeri $ekil 10.lOb'deki gibidir. Yuk direnci, kanal ongerilim di-

I
g,,w'yu hesaplarsak; 3
gm,,=~= 2(6x 10") =4 ms rencinc paralel gorunecektir, dolayrsiyla ytik alnndaki ytikseltec kazanci (vd ihrnal
Iv~ -3 edilirse) :
j

I
450 Bi:IIOm 10 FET KO~Ok Slnyal Anall:zl
BolOm 10.4 Yukleme Etkllerl 451
;
 G

(,:iiziim :

De ongerilim analizinden Vcsa = -0.92 V

Emu= Zlo55 2(8 x lff3) = 5.33 x 10·3 S = 5.33 mS

IVM I-~
V csQ = -0.92 V ongerllirn degerinde ;

(a) (b)
m = 8nw(I - ~i~o)= 5.33 X 10·3 (1 -:Of)
~<~ii 111.111 C,:1k1~1 yOklO FET ylik·
selteci: (a) devre {b) ac e¥'1eger devrexi
= 3.7 x 10·3 = 3.7 mS
ve FET ac direnci,
A,.= Vo = -(Ro 11 RL) (10.10 a) ,;,. = _1_= 1 = 210.3 n
V; T,,, + Rs 8m 3.7 X Jff3
rt1 hesaba kanlirsa :
r------·----- ......---- (a} yuk bagh degilkengerilim kazanci :
A,. =Vo= -(Ro II RL)
(10. IO b) 3
V; Tm+ Rs+ Tm (Ro
T,1
11 RL + Rs) A,.= __::_&____ = -1.8 x IO - -3.53
olacakttr. Tm+ Rs 270.3 + 240
Buradan,
<)R.\EK 10.8
V" = A,.V; =-·3.53 (40 mV tepe) = -141.2 mV tepe
~ekil 810.l l(a)'daki devrenin-gcrili11t"kazanc1 ve ylki§ gcrilimini (a) yuksiiz du-
rumda (b) yuklu durumda hesaplaym (r,1 ihmal edilebilir). (b) Yiik baghyken gerilim kazancr :

A,.= -Roi I Ri = -{l.8 kn) 11 (IO kn)

+12V
Tm+ Rs 270.3 !.1 + 240 n

= -2.99
l.8k.O
loss-8mA
VGS(ICAPALI) - -JV Buradan,

2µF

V" = AY;= -2.99 (40 mV tepe) = -119.6 mV tepe

Kaynak Giri~ Direncinin Etkisi

40mV,tepe IM!l 240.n
Gins sinyali, giri~ direnci srfirdan farkh clan birkaynak tarafindan saglamyorsa,
yukseltece uygulanan giri~ sinyali V;. Rs kaynak direnci ile R; yukseltec girls direnci
arasindaki yukleme ile, Vs sinyal kaynagrrun yi.iksi.iz degerinden diisilnllecektir.
~,·kil !fl. I I Omek 10.8 i<;in yliks.:11"', devn:si. ~ekil I0.12'de bu ytiklemenin aynntilan verilmistir. Yukscltece, giris gerilimi,

452 Boliim 10 FET Kuc;:uk Slnyal Anallz]

Solum 10.4 Yukleme Etkilerl 453
 1 ...... ,
.V; = --1iL_ Vs
Rs+ R; (10.11)
+18V

IDss"'6mA
v,=-:: .,4v . ,
..... ~:/ .• , .. ,.' "!~ ,.,.

lµF

loss I 0.02µF
Vp .,
V. • SOmV, tepe Iv, r; rson Cs
I20µF

~ -=- -=-

)d. it I 0.1.! K3yo:il ~iri~ ~d,rl Ill.I.~ Omck 10.9~inFETyuk.<clt~dcvresi.

,: · · ·'- inin yOklcnmcsini gos-
n-rcn yukseuec kan. Boylece ae direnei ;

Yiikseltece uygulanan giri§ gerilimi.(10.11) denklemiyle belirlendikten sonra geriye r. _ _1_ = 1 - 406.5 n
kalan hesaplamalur, daha once a~tk:land1g1 gibi yaprur. m - Km 2.46 X 10"3

(IR\'EK J ().9 (a) Yuk alunda ae yukseltec kazanci (kondansator koprulernesi nedreniyle Rs= 0
ffd1r):

~ekil 10.IJ'teki devre i~in (a) herhangi bir yuk baglanmaks!Zln yiikselticinin ge- V -Rn _ -2. I x I 0 -~. _5 17
A" = .!..!!.. = ---'-'-"'--- - .
rilim kazanciru; (b) yilk bagh iken V,, ~1k1~ gerilimini; ve (c) devrenin yuk al- V; rm + Rs 406.5
tmdaki toplarn VJV; gerilim kazancim hesaplayin,
(b) Katin girl§ direnci, R1
(,'iiztim:
R;= RG = 750 kn

~ekil 10.13'teki devrenin de ongcrilim hesaplan, VGSQ = -0.72 V sonueunu verir.

bu ncdenle giri§ gerilimi V;:

Elernanm g.",'su : V;=_&_ Vs

Rs+ R;
8mn =~ = 2<6 x l0'3) = 3 x 10·3 = 3 ms
Vp -4 =
750 kn 50 mV tepe = ~7.5 mV tepe
de ongerilim degerinde, 250 kn + 150 kn
o halde yuk altmdaki 91k1~ gerilimi:
g., = Cmn ( I GSn) = 3 x IO ·3 { I - zuas:
V
- __,,_ .n 72)
IVl -4 V =A V·= {2.1 x 103 I I 10 x 103) 37.5 mV tepe = 160.1 mv tepe
= 2.46 x 10·3 = 2.46 mS II l' I 406.5
454
BillOm 10 FET K090k Slnyal Anallzl 455
BOIOm 10.4 YOkleme Etkllerl
 Buradan,
(c) Toplam devre kazanci (yiik altmda)

V,, = -160.! mV tepe __

3_2
Vs 50mv tepe
Boylece yilksehey gerilim kazanci,
Dolayisiyla yukseltece kau kazanci tek basina 5.17'1ik bir kazanc saglarken, kaynak
ve ylik direnclerinin yiiklenmesiyle toplarn devre kazanci, 3.2'ye dii§mektedir. V (gmV1,)Rs
A. = ~"' --'"'-----
Vi (1 + g.,Rs)V,,

= BmRs (10.12)
1 + 8mRs
$ekil !0.14a'da verilen ikinci bir ac devre duzenlernesi de, ortak-aknc veya kaynak-
re= 1/g., yi kullanarak,
izleyici devresidir. Devre, bipolar ernetor-izleyicl diizenlemesinin JFET uyarlamasi Av= V n = (llrm)Rs = _fu_
olarak degerlendirilfr. Oysa gerilim kazanci, polarite terslemesi olmaksizin bi- V; I + (llr,,,)Rs . r'!f + Rs ( 10.13)
rirnden (birden) kiiy!iktiir ve devre ortak-kaynak dilzenlemesine gore daha yi.iksek
girl~ direnci ve daha dii§i.ik yLkl§ direnci gosterir, Gorilldii~U gibi gerilim kazancr birden kii~Uktiir ve Rs, rm'den bUyiik olduk9a 1 'e

B
yaklasrnakradir, Ytlkseltecin giri~ direnci:

I 1
r- '
+Yoo (10.14)
G K,,, vxs.:::: '"
cI I DSS 9tkt~ direnci ise, clcmarun r,. ac direnciyle paralel Rs kaynak ongerilim dircncidir:
v,--t~ v, r; s
v '\, .."

'
Ci Re (10.15)
v.,. j

R, Re
R,
....
-lf-v,,
Ro
R, <>R\EK 10..10

~ekil 10.15'tcki devrenin gerilim kazancim ve giris ve ~tkt§ empedanslanm he-

saplaym.
+9V
(a)
(b)

,. : I, · · Kaynok iz.Jeyici yUksel!~ dev=i.

.l»'i3 • 16mA
Eger i;1k1§ $ekil I0.14(b)'dcki gifi_lcaynak ucundan alirursa, giri§ ve c;:1k1§ arasrnda Y,~..74V '.
polarite farki olmayacaknr ve gerilirnin genlig), giri§ degerinden daha di.i§i.ik ola-
caknr. ac gerilim kazanci 3§ag1daki gibi belirlencbilir. Gecit-kaynak gcrilimi Vv:
(--vo
I Mn O.OS1<F
2.2.kfl
...,.....
·i~~~,:
_. · ···~ V,, = lj?, ve Id= g111V.~, olclugu iyin yukandaki denklern §Oyle ifade edilebilir:

s~~il lll.15 Omek 10.101\° 1l<aynaklzleyici

yOluelte. dev .... i.
456 BiiJ(im 10 FET KiigOk Slnyal Analizl
BOJbm 10.s Kaynak l.zl.ytcJ(Ortak·Aka9) Oevre 457
j (~\)1.1~1n: <;:oziim:
j . de ongerilirn kosullanndan =
l
VosQ -2. Sb V bulunur. Elemamn ge9i§ iletkenligi:
Verilen bilgilerden,
_ 2ln« _ 2(16 x 10·3) _ x _ mS
g11111-~-
I Vp I -4
- 8 10-3 - 8 I Vp I =Ym.t= 2(12 x 10"3) = 5.33 v
8mo 4.5 X 10"3
Ongerilim kosulunda (noktasmda) :
de ongerilim hesaplanndan VGS= -1.4 V. Bu de ongerilirn degerinde:
gm=g.,o ( 1-v:-Vas,.. ) = 8 mS ( 1-~-2.86 V ) = 2.3 mS gm=8mu(1-fu)=4.5mS(1- -l.4V )=3.32x 10"3S=3.32mS
ve JFET ac direnci, Vp -5.33 V
rn, = 1/gn, = 1/2.3 x 10-3 = 434.8 Q
Buradan,
ac gerilim kazanci,
3
A,.= Vn=__fu_= 2.2x 10 =0.835 rm=J_= 1 ~ 301.20.
Vi rm+ Rs 434.8 + 2.2 x 103 gn, 3.32 x 10"3
Yukselrec giri§ direnci,
akac s;1kl§tndaki ac gerilimi :
R;=Ro=lMQ
ve s;tla§ ernpedansi, Vo, =AvV;= ·RD V;
Ro= I'm 11 Rs= 434.8 I I 2.2 x 10-3 = 363.05 n rm+ Rs,
3
olarak bulunur.
= 1.5 x 10 (40 mV rrns) = -149.55 mV rms
301.2 + 100
\J;:<.~'\t.t\. iU.11 kaynak 9lk1§mdaki ac gerilimi :

~ekil I0.!6'daki devre icin Y01 ve V02 s;1ki§ gerilimlerini hesaplaym. V02=A,.V;= -Rs, V;
rm+ Rs,
+16V A,.= 100 (40 mV nns) = 9.97 mV rms
301.2 + 100

Yuk ve Kaynak Direncinin Etkisi

~ekil 10. J 7'de gosterildigi gibi, kaynak iz.leyicinin 9tla§ma bir ytik bagland1g1
loss= 12mA zaman gerilim kazanci, kaynak direncine paralel RL yuk direnci ile (10.13) denk-
g,..0 =4.5 mS lemi uyarlanarak elde edil._.ir:
....~--------,

A.=~= Rsl I RL (10.16)

V; rm+/?sllRL
40mV,;; '\J I Mn
Yukseltec kanrun girl~ direrici, 01 ve R;;;i>ngerilirn direnclerinin paralel C§ degeridir,

50µF
I R;=Ro, l~Roi I (10.17)

Yi.ikten yi.ikseltece dogru bakacak olursak 91k1~ direnci, elernarnn direnci r,,, ile pa-
ralel kaynak direnci Rs olacakur:
~ekil IP. ( I, Omck 10.11 ~in JFET yilksclt~ devresi

458 Biililm 10 FET KO~Ok Sinyal Anallzl

BolQm 10.5 Kaynak lzleylcl (Ortak-Aka~) Oevre 459
 1.
R,,=Rs 11 r,,. (10.18)

Kaynak dircncinin yuklemesi, ydkseltec katmm giri~ direnci tarafindan kaynagm

yuklenrnesi ncd~niyle giris geriliminin azalrnasma neden olur. de ongerilim hesaplanndan VGs = -2.69 V'dur. Boylece,

I I
I I
I I de ongerilim durumunda g., degeri:
I I
I
I
I g .. = g.,,. (1 - VGso) = 2.4 mS (1 - ~) = 1.11 mS
I Vp -5 V
I
'=
v,
II
rft-1--~

'-h n
Ci I
r.,= __L = 900.9
gm
v, 'v I
v.f R,
! [:
Giris gerilimi:

I Ro~ V;= __&___ Vs= 1.5 x IO (lOOmV rms)

I I Rs+R; l00xlO+I.5xJO
Yuksehmekatt
\:;;1\ ;:.,_;; Kaynak ve = 93.75 mV rms
yuk dircn,;!eri ile birlikte 1
FET yilbelte,; devreai Yiikseltecin kazanci:
j A,.= RsllRi
V;=__&__Vs i (10.19) 'l r,. + Rs II Ri
Rs+ R; '
1 (2.1 x 10\II (IOx 103) =0_66
J 900.9+(2.l xI03lj IOx 103)
1 Boylece <;tla§ gerilimi:

l
~ekil l0.18'deki devre icin <;tkl§ gerilimi V;, ve <;Ik.t§ direnci R0'yu hesaplaym.
+lllV
V0 = A..V; = (0.66) (93.75) mV rrns) = 61.9 mV rms
·i
.. :.··· ~.. ~ -,·-· ......... - ... ,- . ....... l/),fS·6mA
ij <;1k1§ direnci :
V.-= -SY
J Rn= r.. 11 Rs= (900.9)11 (2._J'x 103) = 630.4 .Q

'\., : v.
; ·1'
l.5Mn
JI I 00 111 V. rmsl ..
10.6
~ekil 10. l9'de, kaynaga ac girisi uygulanan ve akactan ac 91k1§t
ahnan il9iincU bir
L ---·-- -i .
-- --- devre di.izenlemesi verilrnistir; buna ortak gecitli yukseltec diizenlcmesi denir, Go-
riileccgi uzere bu yukseltec, dii~iik bir girls ernpedansi, terslemesiz gerilim kazanci
(ortak akacli devreye benzer bi.iyiikliikte) ve 011ak akach devre ile ayru ylk.t§ di-
St:i-. d ii 1. I X Omek f0.12 i~in kaynak i1:leyid devee. rcncine sahip olacakur.

460 Borom 10 FET KOc,uk Sinyal Analizi

Elotom 10.6 Ortak·Kap,h Devre
461
 ~ekil 10. l 9a'daki ac C§deger devre, ~ekil IO. I 9b'de verilmi~tir. Gerilirn kazancr
~ag1daki gibi bulunur: (,:iizum:

De ongerilim hesaplamalanndan VGsQ= -2.2 V bulunur.gnm = 5 mS ilc g,,. degeri:

...',.. gm= g.,,, (1 - Vasa } = 5 mS (1 - -2·69 V ) = 2.25 rr
A,.= V,, = 8mRo = Ro,-,,, (10.20)
Vp -5V

..
V; burada,
..,. rm= ...L= = 444.4 n
Km 2.25 x 10'3
Buradan yUkseltecin gerilimi kazanci :

Av=Yn=fu2_=3.6xl03 =8.1

.. J'f[r·i -···~.
. ·.· .•
V; rm 444.4
<;1k1~ gerilimi,

R, V0 = A.V1 = 8.1 (100 mV rms) = 0.81 V rrns

.-:·1~.- ·, ', ~-
G
G

(a)
- • 10.7 FET'Li YUKSEL TE9 DEVAELERit·l!M TASAAIMI
(bl
$,kd l•l.i'J Onok~i1liyUk<ehCf:
(a) devre (b) ac ~egerdevresi. Bir yukseltec devresinin tasanrm, istenen gerilim kazanci ile makul giris ve ,;1k1§ di-
Giris direnci: renclerinin elde edilmesini kapsar. Sekil 10.2a'daki ortak kaynakh yiikseltec icin ge-
rilirn kazanci (10.7) denkleminde verilmistir. Daha sonra de ongerilirn dururnunu ve
ve ~1kr~ direnci : (10.21) arzu edilen ae kazanciru elde etmek icin JFET secirni oldukca onernlidir. Tasanm is-
lerninin adim arum veya bir islem sirasina gor(? yapilrnasi zorunlu degildir. Bu, el-
(10.22) deki bilgilere ve kazanc, direnc ve de ongerilimi gibi cesitli devre degerlerinin ele
ahrus sirasina baglidir. lstenen parametreler icin bir JFET devresinin tasanmmm
OR:\E~ 1.0.U
nasil gerceklcstirileccgi bazi omeklerle gosterilecektir. Istenen gerilirn kazancina
+12 V ulasmak icin daha baska tasanrn yaklasimlan da kullarnlabilir.
~ekil 10.20'deki devre i~in Vn'yu hesaplayin.

J.6 kn (>RNEK IOA

IOµF
(--vo ~ekil 10.20'daki gibi bir JFET yilkselteci tasarlayin. Gerilim kazancimn bu-
ytik!Ugii 20 olacakur. VDD= 20 V kaynak gerilimine sahip 2N4416 tip n-kanalli
loss•IOmA bir JFET kullanm.
v,. .. -4V
<:;:oziim:.

I.I xn 2N4416 i,;in irnalatcmm saglad1g1 bilgiler ~oyledic

loss 5'ten 15 mA'e kadar Uoss = 10 rnA kullamn)

Vp=-6 V
~kll 10.20 Omek 10.IJ ~i11dcv11:.
462
BolOm 10 FET KOgOk Slnyal Anallzi Bi:ilOm 10.7 FErll YOkselteg Devrelerlnln Tasanrm 463
 loss= IO mA icin, elemarun ge9i§ iletkenligi
3 .
g=;: 2/oss = 2(10 xlff ) = 3_33 mS
IVp I l-61
Tasanma baslarnanmbir yolu.ibir degerler tablosu olusturmak ve daha uygun bir
degerler aral1g1 olup olmadigma bakrnaknr, Ro
Rei
~ag1da, de ongeriliminin O ile -5 volt arasmda degi§tigi bir tablo verilmistir, 910Mn
Vo

1. VGS icin bir deger secin 2N3797

Cr
2. /p = loss (1- VGsfVp)2. · /DSS·=6 mA
Vi---f 1----+---' V,.=-6.V
3 .. g,,, = g"'" (1- VcsfV1,), r,,, = llgm, 0.05 µF
4. A,.= - Ro/rm den, Ro = I ,A,. I rm. R,I
S. Akac direnci uzerindeki ongerilim dtismesini (loR0) hesaplaym.
RGi

Jc,
IOOMn

{1) (2) (3)

·-----····"""'----·-· · ·--- -·-··--- ·- R,z
(4) (5)
Vcs lo rm Ro foRD
(V) (mA) (D.) (kn.) (V) -=- -
-----·--·-·-
-· .... _.,..__ ____ .._ ___,....,.

0 10 300 6 60

}
i)o·ro,/1;e rn s c
-1.7 VDD = 20 V degerinde bu
5 424 8.5 42.5
i
gerilim dii~i.imleri cok
-3 2.5 600 12 30 biiytik olmaktadir. ~ekil 10.22'deki yukseltec devresinin tasanrmm kazancr, 8 olacak sekilde ta-
-4
-4.5
LI 900 18 20 l mamlayin.

}
0.625 1200 24 15 Bu aralik icindeki her-
v,m = +!O v
-5
-5.5
0.278
O.Q7
1800
3600
36 10 hangi bir deger kabul cdi-
lebilir niteliktedir.
l
l
72 5
I
l

Tablodaki bilgilerden, 0 ile --4 V arahgmda bir de ongerilimi secilmesinin, 20 V

kaynak geriliminde cok buyukbir dii§ii§e neden oldugu gorulur, Kabul edilebilir
10s.r=l0mA
bir cahsma icin Va- ongerilim degerleri -4.5 ve - 5.5 v' arasinda secilrnelidir. VGS
v,. = -6 V
= -5 V secildiginde kanal direncinin degeri:
Re
Ro= 36 Jen. olur, IMU Rs

I
rs kn
VGS= -IoRs oldugundan Rs'nin tasanm degeri :
-Vcs -5
Rs=--= = 17.98 (18 kn. kullanm)
·,D 0.278 X 10'3
Bir JFET devresi icin Re=· l Mn secilmesiuygundurv Sonucta eldc edilen devre
~ekil 10.21 'de gorulrnektedir. s-~!-il n: ..:.: Omek I0.15'tckira~:mm1~in
dcvre.
..._...
464 BolOm 10.7 FET'II Viikselte9 Devrelerinin Tasanmi 465
BiilOm 10 FET KO,;Ok Sinyal Analili
 Rs1 = 130!1
..
·--., Rs2=3.6kQ

Ornek l0.l4'tekine benzer bir tablo, Yes degerleri arahgmm tamami icinde kabul
Bir yukseltec devresinin tasanrru yalruzca istenilen kazanci saglarnak icin eleman
edilebilir bir ongerilim elde edilebilecegini gosterir, Vcs= -3 V alirsak:
degerlerinin belirlenmesini degil, ayru zamanda FETin de ongeriliminin ele alin-
masim da gerektirir. Genelde karsilasrlan bir problem, tasanrnda arzu edilen ac ka-

~:s r r
Vcs = -3 V (secilen deger)
zanci icin eleman degerlerinin secilmesi haJinde bu degerlerin de ongcrilirn ~a-
lo= loss( I - = 6 mA (1- =! ~ = 1.5 mA
hsmas: iyin uygun olmayabilecegidir. Ote yandan, elernan degeri uygun de
ongerilimi saglarnak iyin secilirsc, devre istenilen ac kazanciru vermeyebilir. Bu ne-
denle devre tasarrrmru tamamlamak icin FETin Yes ve lo dcgerleri ile llgili s1-
gm= gmn ( I - Vv°:)- 2(6
~0'3) { I - ~ ) = I mS mrlann da de ve ac varsayirnlanna (hesaplarma) kanlmasi gerekir. Dikkate ahnmasi
gereken bntun bu faktorler karsisinda, temelde hangi devre ozelliklerinin ilk once
rm=..L=_L_= 10000 seyildiginc veya hesaplandigma ve hangi devre ozelliklerinin daha onernli go-
gnr I x 10·3 ruldilgiine baglt olarak, bircok uygun tasanm-cczumu olabilecegi acikur.
Ornegin, de ongerilim ozellikleriyle baslayahm ve ongerilim devresinin Ioosf2'ye
Kazancirnn 8 olmasi icin,
=
ayarlandiguu dii~iinelim. Buna ck olarak, kanal gerilimini VO V00(2 olarak se-
A,=-8= Ro cersck, tasanrnrn geri kalan kisrm, var olabilecek bu ti.ir baslangic krsitlarnalan da-
rm+ Rs, hilinde hangi gerilim arahklanrun bulundugunu belirlemek icin incelenebilir. ~ekil
I 0.23'te, devre ve tasanrnda kullarulan denklemler verilrnistir.
Ro direnei, de ongerilirn dii~iimii, Voo'nin yansi olacak §ekilde secilirse:

loRo = Voo = 12.5 V

2

Ro= IoRo = ~ = 8.33 kn.(9.1 kn kullamn)

lo 1.5 mA DCOngerilim ACHcsap14malar~-

Burada kazancm 8 olmasi icin , VGS l A = - Ro

lo "'loss (I--}
v, • rm
-Ro 9.1 x 103
A,.=-8= =-----
rm+ Rs1 1000 + Rs,

Rss= 9.I x l03 -1000 = 137.5 n (130 n kullantn)

8
Yes= Ve - Vs oldugundan ; R,
I
r •-

---------------
m Km
100 Mn (25 V) - 1.5 x 10·3 (Rs, + Rsi) = -3 V .,.
910 Mn+ 100 Mn

Rs, + Rs2 = 2.475 ± 3 = 3.65 x 103 n ~ckil I 0.2J Dcvre ve tasaruu dcnklemlcti.
1.5 x 10·3

Rs2 = 3650- 130 = 3520 ( 3.6 ill kullamn) OR:\EK 10.16

I
Boylece mevcut tasanm icin a§ag1daki direnc degerleri elde edilir: Ongerilim seviyeleri t, == loss/2ve Vo= Voof2 olcak sekildc, loss = 12 mA ve V,,
Ro= 9.I kQ = -4V tipik degerlerine sahip bir MOSFETf!llanarak bir FET devresi rasarlayrn.

·455 BolOm 1 o FET K090k Slnyal Anellzl Bi:ilOm 10.7 FET'li Yilkseltei; Oevrelerinin Tasanmr 467
 (En yuksek gerilim kazanciru sagtamak icin V0o = 25 V'luk bir kaynak gerilimi
kullarnn).
Rs= Vo- Vcs = 25V-(-1.17 V) = 26.17 v = 4.36kn
lo 6 mA 6 mA
Cozum:
degerinden kaynaklanacagim e!e alalim, Ancak son Rs dcgerinde Rs uzerindeki
gerilim dil§iimii,
Istenilen de ongerilirn kosullanndan,

·,o = lsss: = 11...mA. = 6 mA loRs = (6 mA) (4.36 ill)= 26.16 V

Bunu saglamak icin,
2 2
olacaknr, ki bunun da cok buyuk oldugµ aciknr,
En dil§ilk Vs degerindeki de ongeriliminl secersek:
Vos=(I- o;;-)Vp=(1-y 6mA )<-4V)=-!.17
'\/ Y';;;; 12 mA
baglantismdan, Rs= 195 Q (Rs= 200 Q kullarun)

V0 = V00!2 = 25 V/2 = 125V, Bunun icin Rc1 = acik devredir ve Roi= 100 MQ (yada istenilen baska bir buyuk
deger) olacaktir. Sonuctaki devre degerleri:
loRo = Voo - Vo= 12.5 V

Ro= 12.5 V = 2.08 kQ (2 kQ kullanm) Ro=2kQ

6mA
aynea, Rs=200Q
R01 = aflk devre
Roi= lOOMQ

Vos =-1.17 V ongerilim diizeniydeki g,., degeri :

Km= Km<> (1 - Vos)=

Vp
6 ms·(1- -1.1
-4 V
7 V) = 4.25 mS
ve
10.8 YUKSEK FREKANS ETKiLERi •
Tm=..1.= I - 235 Q
MiLLER KAPASiTANSI
8111 4.25 x 10·3

Rs'in tarnamen koprulenmis halde en bilyiik yukseltec kazanci Buraya kadar yapilan AC analizinde, devrenin sadece orta frekanslarda cahsrnasi
ele ahnrmsur, Daha yuksek frekanslarda, uclar arasmdaki devre kapasitanslan,
3
A,.= -Ro = -2 x 10 __ artan frekansa bagh olarak azalan kapasitif ernpedanstan dolayi, yukseltec ka-
8_5
T,n 235 zancmda dil§ii§e neden olacakur. Transistorun yapisindan (ya da devredeki ka-
R5'yu secrnek icin orijin noktasmdan 6 mA'lik i:ingerilim noktasma cekilen bir caklardan) kaynaklanan bu devre kapasitanslannm, devreye bagh olmayan, ancak
kendinden-ongerilirn dogrusunun · devre ve transistor yapisnun bir sonucu olarak ortaya cikan kapasitanslar ol-
dugunu gostermek icin, ~ekil 10.24a'da, kesik c;:izgilerle gosterilmistir, Her bir u9
Rs= fu= L.11..Y.= 195 n kiirnesi arasmdaki transistor kapasitansmm gene! yiikseltec kazanciru etkilernesine
lo 6mA
degerinden kaynaklanacagmi, aneak en u9 durumda +25 V'tan de ongerilim nok- karsihk, en buyuk etki, a§ag1da tartI§tlacag1 gibi etkili kapasitansin yukseltec ka-
=
tasi/0 6 mA ve Vcs= -1.17 V'a giden bir kendinden i:ingerilim dogrusunun, zanci ile carpilmasma neden olan Miller etkisi nedeniyle giris ile 91k1§ arasmdaki
kapasitanstan gelmektedir.

468 Bo!Om 10 FET KO,;;Ok Slnyal Anallzi

BolOm 10.8 VOksek Frekans Etkileri-Miller Kapasltansr 469
 elde edilir.

------Vo
.. Buda kapasitans degerleri terimleriyle if~de edilebilir

' .1.-C.,, • 2pF

I
\ C1 =Ct,+ (1 • A,.)CM (10.23a)
,r,
\
,'>;_,- ,,,/
I
loss "
V ~-4V
12mA} g,,.0•6mS
CM=(l -A,.)C.¢,1 (10.23b)

C,•4pF ...... ' .,. p

ki burada, CM, Miller kapasitansidir,
Re ~ekil I0.24c'de gosterildigi gibi, hem Cx, hem de C,1:,/~en kaynaklanan ctkin
!Mn Rs Cs
soon IOOµF (efektif) giri§ kapasitansi, (10.23). denklem ile verilen ctkin kapasitansnr ve ~o-
gunlukla Miller etkisinden kaynaklanmaktadir.

()RNEK 10.17
(a)

~ekil 10.24'deki devredeki Miller kapasitansmi hesap\~ym.

(,:ii:r.iim:

ck .ilngcrilimi hesaplarsak VGSQ = -1.8 v bulunur, Ongerilim noktasindaki ilct-

kcnligi:
- 2/oss - 2(12 mA) - 6 mS
g.,,.-1 Vp, - l-4 v I -- --
(b) (cl

~kil llt~?J !~h It 1.1 ,A.... ,,, .. :, \111 t I ii ""·11'•''''·111.,11111, :, i,t,, 1111K.:~l. 8m = 6 x 10- (13 - -~S )= 3.3 ms
MiLLER ETKiSi (Miller Kapasltans1)
bu durumda r, degeri :

Bu transistor kapasitanslanrun en belirgin etkisi, ~ekil 10.24'teki devrede C.t" ilc

gosterilen giri~ ile ~1k1§ ~lli1 .arasmdaki kapasitanstan kaynaklanmaktadrr, Her bir
kapasitif empedans yiiksek frekanslarda yuklerneye neden olurken. giri§/r.1k1j ka-
pasitansi Ctiden kaynaklanan ·etkili yillcleme miktan, yukscltcc kazanci ilc artar.
ve devrenin orta frekans kazanci :
~ekil 10.24b'de, ~ekil 10.24a'daki JFET yiikseltecin ac C§dcger devresi verilmistir: 3 · .... ·•
bu sekilde uclar arasi kapasitanslann etkisi de belirtilrnistir. Sekil I0.24b'de giri~ A,·= -Ro = -1.8 x IO = ~5.94
akrrm: t'm 303

Bu durumda Miller kapasitansr :

Buradan,
C,.,= (1-A,.)C,d= [1-(-5.94)] (3 pF)=20.82 pF

470 BolOm 10 FET KO~Ok Slnyal Anallzl

861Qm 10.8 YOksek Frelclns Etidferl·Mfller Kapasllans1 471
10·9 FET'L! YUKSELTEy DsVRELERiNiN
BiLGiSAYARLA ANALIZI
120 PRINT "Sekil l0.23'teki ·gibl bir· devre i<;in"
Bilgisayar, ~ok <;e§itli devrelerin de ongerilim ve ac kazanc ve empedans hesaplanru 130 PRINT "ac yilkselte~ hesaplamalar1n1 yapar."
oldukcaetkin bir §ekilde yapmak amactylakullarulabilir, ac kazanci hesaplanmadan
140 PRINT
once de ongerilim hesaplan yapilmahdir, De ongerilirn hesaplan 7. Bolumde verilen 150 PRINT "A1a~1daki devre bilgilerini girin:"
tilrden bir modiille yapilabilir. Denklemler ve bilgisayar komutlan 10.1. listede ve-
160 PRINT
rilmistir. A§ag1daki programda (Liste 10.2), daha once gelistirilen de ongerilirn mo- 170 INPUT "RGI (a<;1k devre ise 1E30 kullan,n) - ";Rl
dillii kullarulmaktadir: aynca ~ek. 10.25'teki devrenin ac hesaplan icin 1300 modil!U 180 INPUT "RG2 - ";R2
adt verilen yeni bir modiil eklenrnistir, Programm <;ah§Unlmas1yla elde edilen bazi 190 INPUT "Toplam kaynak direnci ,RS - ":RS
tipik sonuclar Liste !0.3'te verilmistir, 200 INPUT" RD - ": RD
210 PRINT
LiSTE 10.1 Modiil 1300 i<;in Denklemler ve 220 INPUT "Besleme gerilimi, VOD - "; DD
Ililgisayar Deyimleri 230 PRINT
240 PRINT "A1aij1daki eleman bilgilerini giriri:"
Denklernler Bilgisayar Deyimleri 250 INPUT "aka<;-kaynak doyma ak1m1, IOSS - ": SS
260 INPUT "ge~it-kaynak k1s1ma gerilimi, VP - ";VP
g...,=2/oss GO= 2 * SS/ABS(VP)
270 PRINT
lvp I 280 REM ~imdi 6n gerilim hesaplar1n1 yapal1m
g~=g·~(i -t) GM= GO* (1-GSNP)
290 GOSUB 11000
300 PRINT "Kutuplama ak1m1, ID-": 10*1000!; "mA"
r,,,=J..... RM= I/GM
310 PRINT "6ngerilimler:"
gm 320 PRINT "VGS -": GS; "Volt"
Rp=RollRL RP= RD * RU(RD + RL) 330 PRINT "VD - "; VO; "Volt"
340 PRINT "VS - "; VS: "Volt"
A. = - ____IJ_Q__ AV "'-RP/(RM + Si)
rR,+Rs1 350 PRINT "VOS =" ; OS; "Volt"
360 PRINT :PRINT
R;=Rc1 IIR02 Rl =RI* R2/(Rl + R2)
R0=Ro
370 PRINT "Simdi de ac yilkselte<; verilerini alal1m:"
RO=RD
380 PRINT
V;=......B.i_ Vs 390 INPUT "Yilk direnci (yok ise IE30 al1n), RL - ";RL
Rs+R; VI = RI * V A/(RA + RI)
400 INPUT "Kaynak gerilim, Vs - " : VA
V0=A,V; . ··.-,
VO=AV * VI
410 INPUT "Kaynak direnci, Rs - "; RA
420 INPUT "K6prillenmemt1 kaynak direnci, RSI - ";Sl
430 REM Simdi FET ac hesaplamalar1n1 yapal1m
440 GOSUB 1300
10 REH************************************
450 PRINT
20 REM************************************
30 REM FET ac yukselte<; hesaplar, i<;in modiil 460 PRINT "Yilkseltectn gerilim kazanc,. Av - ": Av
40 REM 510 REH 470 PRINT "Yuk Qzerindeki ~1k11 gerilimi": VL * 1000 "; "AV"
480 PRINT
60 REM************************************
100 PR! NT "Bu program, bi r JFET veya kana l aya ra lama 1, MOSFET" 490 PRINT "Yukse l tec kat i m n giri1 direnci. Ri-";RI/1000 "kiloohm"
110 PRINT "l<;in de 6ngerifim hesa~lar1n1 ve" 500 PRINT "Yukse l tec kat i 91k11 direnci. Ro - ";R0/1000 "kiloohm"
510 END
472 Boliim 1~ FET Kii~Ok Slnyal Anallzl
Boliim 10.9 FET'li YOkselte~ Oevrelerinin Bilgisayar Analizi 473
11000 REM FET de ongerilim hesaplamalar, i~in modul
11010 GG - (R2/(Rl+R2))*DD
11020 A-SS*RS/VPA2
11030 B-1-~*SS*RS/VP
11040 C-SS*RS·GG c,
11050 D-BA2-4*A*C
11060 IF D<O THEN PRINT ·,azom yokll!" :STOP
11070 Vl-(-B+SOR CD))/C2*A)
11080 V2-(-B-SQR(O))/C2*A)
11090 IF ABS (Vl)>ABS(VP) THEN GS-V2
11100 IF ABS (V2)>ABS (VP) THEN GS-VI
11110 ID-SS*(l-GS/VP)A2 v,
Fl20 VS-IO*RS
11130 VG-GG
c,
11140 VD-DD·ID*RO
11150 os-vo-vs
11160 RETURN $<:hil 10.25 ,c ,·~acl.,..pl:mtolannd•
kull,mlan yUk.,clt~ <11,vl\:Si.

13000 REM Module to do FET amplifier ac calculations

13010 G0-2*SS/ABS (VP)
13020 GM-GO* (1-GS/VP) Besleme gerilimi. VDD - ? 18
'13030 RM-1/GM
13040 AV-·RD/ (RM+Sl) A~ag1daki JFET transistor bilgilerini girin:
13050 RI-Rl*R2/ (Rl+R2) Akac·kaynak doyma ak1m1, IDSS - ? 6E - 3
13060 RO-RD Gec1t-kaynak k1sma gerilimi, Vp - ? - 3
13070 VI-RI*VA/ (RA+RI)
13080 VL-AV*VI* (RL/ (RO+RL)) Onger11im ak1m1 ID - 5.460326 mA
13090 RETURN Ongeril 1mler :
VGS - -.1380968 volt
Bu program bir JFET veya kanal·ayarlamal1 MOSFET VOS - 8.171413 volt '> .... , '
i~in de ongerilim hes ap l ar tm ve ~ekil 10.23'teki VS - 1.638098 volt
gibi bir devre 1cin ac yukseltec hesaplamalar1n1 VOS - 6.533316 volt
yapar.
~1mdi de ac yOkselte~ verilerini alal1m:
A~ag1daki devre bilgilerini girin:
Yuk direnci (yok ise 1E30 al1n), RL - ? 1E30
RGI (a~1k devre ise 1E30 kullan1n) - ? 110E6 Kaynak gerilimi. Vs - ? 10£-3
RG2 - ? 10E6 Kaynak direnci. Rs - ? 0
Toplam kaynak direnci. RS - ? 300 KoprOlenmemi~ kaynak direnci, RSI - ? 0
RD - ? 1800 YOkseltec gerilim kazanc1. Av - -6.868568
YOk Ozerindeki ~1k1~ gerilimi: -68.68568 mV
474 Bo!Om 10 FET K090k Slnyal Anallzl 9610m 10.9 FETII YOkselte~ Devrelerlnin Bllglaayer Anall:d 475
YOkseltec; kat1n1n giri~ direnci Ri - 9166.666 kiloohm
PROB LEMLER
YOkselte<; kat1n1n c;1k1~ direnci Ro - 1.8 kiloohm ~ 10.3

Bu program bir JFET veya kanal-ayarlamal1 MOSFET 1. loss = 10 mA ve v,,

= --4 volt ozelliklerine sahip bir JFET kullanarak ~ekil
i<;in de ongerilim hesaplar1 yaparak ~ekil 10.23 teki 10.4'dek.i devre icin gcrilim kazancuu hesaplaym.
gibi bir devre i~in ac yukselte<i hesaplamalar1n1 yapar.
2. ~eki\ l0.4'teki devrede Ro yerine Ro = 1.8 kn"luk bir direnc koyarak yuk-
A~ag1daki devre bilgilerini girin: seltecin gerilim kazancun hesaplayin.

RGl (Ac;1k devre ise IE30 kul l arn n) ? 2 .1E6 3. ~ekil 10.4'dek.i devrede Rs = 330 n alarak devrenin gerilim kazancim he-
RG23 ? 270E3 saplaym.
Toplanan kaynak direnci RS - ? 1. SE3
RD - ? 2.4E3 4. loss = 8 mA ve Vp = -5 V ozelliklerine sahip bir JFET kullanarak ~ekil
Besleme gerilimi. VDD - 7 16 10.7'deki devrenin gerilim kazancuu hesaplaym.

A~a~1daki JFET transistor bilgilerini girin: 5. ~ekil I0.7'deki devrede Ro = 5.6 ill alarak devrenin gerilim kazancuu hesaplayin.

Akac;-kaynak doyma ak1m1, IDOS - ? 8E-3 6. ~ekil 10.?'deki devrede giri~ gerilimini 100 mV tepe alarak y1k1~ gerilirnini he-
Ge~it-kaynak k1sma gerilimi. VP - ? -4 saplayin,

6ngerilim ~k1m1, ID·= 2.416309 mA 7. Sekil 10.7'deki devrede Ro = 3.6 k.Q, Rs1 = 150 n ve V; = 80 mV, rm., alarak
Ongeril imler: ylk.J~ gerilimini hesaplaym.
VGS - 1.801678 volt
VD 10.20086 volt 8. loss= JO mA ve V,, = --4 v olan bir JFET icin ~ekil 10.8'deki devrede Av, R; ve
VS - 3.624464 volt R0 degerlerini bulun.
VDS - 6.576393 volt
9. ~ekil 10.8'deki yuk direnci 3 kn olarak degi~tirilirse V; = 75 mV tepe i~in i;:1kl~
~imdi de ac yOkseltec; verilerini alal1m: gerilimi ne olur?

Yuk direnci (yok ise IE30 al1n), RL - ? 10E3 10. Rs = 180 n icin ~ckil I0.9'daki devrede 'yukseltecin gerilim kazancrru he·
Kaynak gerilimi, Vs - ? 100 E-3 saplaym,
Kaynak direnci, Rs - ? 100 E*3
Koprulenmemi~ kaynak direnci. RSl - ? 300 * 10.4

YOkseltecin gerilim kazanc1, Av - -3.179261 11. Girls, V; = 80 mV tepe ve R1• = 22 kffluk yuk icin sekil 10.l I'deki devrenin
Yuk uzerindeki <;lk1~ gerflimi: -180.8138 mV 'rlki~ gerilimini hesaplaym.

YOkseltec; kat1n1n giri~ direnci, Ri - 239.2405 kiloohm 12. R0 = 2.4 Jen ve RL = 50 kn iyin Sekil 10.ll'deki devrenin gerilim kazancim
Yukseltec; kat1n1n c;1k1~ direnci. Ro - 2.4 kilohm bulun.

476 BolOm 10 FET KO~Ok Sinyal Analizi Bolum 10 Problemler

 .I
13. v, = 120 m tepe, Rs= 100 k.Q ve Rl = 20 k!l i9in ~ekil 10.13'teki devrenin \:tkt§
gerilimi ne olur?
14. $ekil 10. l 3'teki devrede Rl = 50 k.O'da 300 mV'Juk tepe gerilimi elde etrnek i9in
· gerekli giri~· sinyal geriliminin bilyUkJClgilnU bulun.
15. ~ekil l0.13'deki devrede, loss = 8 mA ve V1, = - 5 V degerlerine sahip bir JFET
kullanarak, Rl = 3.3 kn ve RL = 20 kn iyin A,., R;, R0 ve V,, degerlerini he-
saplaym.
20. ~ekil 10.26'daki devrede, RL = 20 kn olursa ¥1la~ gerilirni ne olur?
~ I0.5
21. $ekil 10.15'tek.i devredeki JFET yerine loss =12 mA; VP= -3 V degerlerine sahip
bir JFET kondugu taktirde ¥1k1§ gerilimi ne olur?
22. $ckil 10.15'deki devrede Rt.= 10 KO'luk bir direnc ~lk1§a baglamrsa 9t.k1~ ge-
rilimi ne olur?

16. $ekil 10.26'daki devrede JFET dinamik direncinin r., = 250 n olmasi i¥in ge- 23. $ekil 10.15 teki devrede 2.2 k.Q'luk direnc yerine L2 kn'luk direnc konursa
rekli Rs degeri nedir? ¥tkl§ gerilimi ne olur?

24. $ekil 10.16'daki JFET yerine, loss= 8 mA ve VP= -4 V degerlerine sahip bir
+22 V JFET konursa Vo1 ve V02 ¥•kl§ gerilimleri ne olur?

25. $ekil 10.16'daki devrede kanaldan ve kaynaktan gorulen 9tki§ direnclerini hesaplaym.

o.s l'f 26. $ekil 1 O. l 6'dak.i devrede, her bir ¥1k1§m 5 kil'luk bir yuke bagland1gm1 var-
l20Mn sayarak Vo1 ve Vai'yi hesaplaym.

27. $ekil 10.18'deki devrede JFET yerine, loss= 12 mA ve VP= -4 V degerlerinc

sahip bir JFET konulursa, ~ikI§ gerilimi ne olur?

28. ,$ekil 10.1 B'deki devrede 2.1 kn'luk kaynak direncinin yerine 1.5 k.Q'luk bir di-
ren9 konulursa ¥1k.t~ gerilimi ve direnci ne olur?

§ 10.6

29. $ekil 10.20'dek.i devrede JFET yerine loss = 12 mA ve V" = -4 V degerlerine

sahip bir JFET konursa devrenin kazanci ne olur?

~dil 10.:!{J '16'dan 20'yc k:id.>rolan problcml<r if;in dcvre.

30. $ekil 10.20 devrede Va ~1k1§ma Rl = 10 kn'luk bir yiik bagland1gmda ~1k1§ ge-
rilimi ne olur?
17. Problem l 6'daki ongerilim iyin VofV, devrc kazanci nedir?
31. $ekil 10.20'deki devredc 3.6 k.Q'luk akac direnci yerine 2.7 kQ'luk bir dircnc
18. $ekil I0.26'daki devrede yilk uzerindeki ¥11Cl§ gerilimi nedir? baglarursa dcvrenin gerilim ~azane1 ne olur?

19. Rs2 = 220 n ahrursa, ~ckil J0.26'daki devrede V,JV; devre gerilim kazancmi he- 32. ,$ekil 10.20'deki devrede ylkl§m 350 mV olmasi icin girise uygulanmas, gereken
saplaym. gerilimi hesaplaym.

478" BOIOm 1 O Problemler Borom 10 Problemler 479

 33. ~ekil l0.20'deki devrede 1.1 kn'luk kaynak clirenci yerine 820 Q'luk'bir direnc 10.S
kondugu talctirde olusacak 9tla§ gerilirnini hesaplaym.
38. $ekil 10.24'deki devrede R0 = 2.1 kQ ve C.fd = 4.5 pf icln Miller kapasitansim
§ 10.7 _ hesaplaym.

34. loss= 10 rnA ve VP= -6 V degerlerine sahip bir 2N4416 kullanarak, lo= loss/2 39. $ekil 10.24'deki devrede Cgs = 4.5 pF ve Bo= 2.1 kn iyin giri~ kapasitansrru he-
ongerilimi icin en az 5'li.k bir ac kazanci saglayacak bicimde Sekil 10.4'deki gibi saplayin.
bir devre tasarlaym (20 V'luk VDD kullamn).

35. $ekil 10.27'deki devrenin tasanrmru, ac gerilirn kazanci en az 10 olacak §Ckilde

tarnarnlaym.
BiLGiSAYAR PROBLEMLERi

A§ag1daki islernleri yapabilecek BASIC programJan yazm:

=
36. loss= 6 rnA ve Vp 2.5 V degerlerine sahip bir 2N5362 kullanarak, lo= Iossf2'de
9al1§mak icin en az IO'luk bir ac kazanci saglayacak bicirnde, $ekil 10.23'deki 1. Sekil 10.15'teki ortak kaynakh devrenin gerilim kazanciru hesaplaym.
gihi bi- viikseltec devresi tasarlaym Wno= 30 V'luk bir kaynak kullamn).
+30 V 2. $ckil 10.15'teki gibi bir JFET devresinin giris ve yUCJ§ direnclerini hesaplaym.

3. Sekil 10.14'deki gibi bir JFET kaynak izleyici devresinin giris ve 91kl~ di-
renclerini hesaplaym.

4. $ekil l0. l 4'deki gibi bir kaynak izleyici devrenin gerilirn kazanciru hesaplaym.

5. $ekil 10. l 7'deki gibi bir kaynak izleyici devre icin 91lo~ gerilimini hesaplayin.

6. $ekil 10. l 9a'daki gibi ortak kaprh bir devrertin' 'iik1~ gerilimini hesaplayin.

37. $ekil 10.28'deki_MOSFET yukseltecinin tasanrrum, loo= foss/2 cahsmasmda

3.5'ten daha biiyiik bir kazanc saglayacak sekilde tamamlaym.
+JOY

510Mn

2N3797
0.01 µF
V1°4t---+--.,.... t;:~~~3
tJ.'l:.G,::t ..,.,x:
,'.?··
51 Mn ~~kit 10.~S Probl<m37 i\:indevre.

480 r20µF Solum 1 0 Problemler BolOm 10 Bllglsayar Problemler · 481

 - ,.,
+

~~k i I I I.I Kuko1 bagh gent! bir sistem, . . •

Sisternin toplam (gerilim ya da akim) kazancim ifade etrnek yenne basil bir sa-
yisal ornek iizerinde yalt~mak, ~oziimii daha acik bir bicimde ortaya koyacaknr,
A,.1 =-40 ve A,"2 =-50 ve-Vi1 =l"mV ise, _
,.,- ,., ,
V -A x V- == -40 (lmV) =-40 mV olacaktir.
v01 = V;2 oldugu iyin ; .
V02=A,-i V;i =-50 (-40 mV) =2000 mV = 2 V

Boylece toplam kazanc A,7 = 2000 m V/1 rnV == 2000

11.1 GiRi$ Buradan, iki kaun toplam kazancmm her bir katm kazanclannm (A,-1 ve A,2) car-

I l
pmuna esit oldugu acikur. Geoelol_arak n say1da kat iyin
Bu bdltimde cok kat!J sistemler ba~lig1 altinda hem kaskat (an arda bagh) hem de bi-
Iesik diizenlemelcr ele almacaknr, Kitabm amaclan a~1smdan kaskat bagh bir sis-
A.7= ±A,.,A,-0,'3 .. ·A,.~ (11.1)
tern, katlann cok iyi tammland1g1 ve .katlar arasmdaki baglanlllann birbirinc cok

I
benzedigi veya ayru oldugu bir_s\~!~m olarak anl~1lacak11r. Bile§ik sistem ise ~e~itli Aym iliski net akim kazanci iyin de ge~erlidir: ,·,1<" ,id
ara baglanttlara sahip olan diger aktif elernan diizcnlemelerinin tamami i~in ortak bir I

terim olarak kullamlacakur, ' .

A;r= ±A;,A;t\;3···~~2:·,-:;:I ( 11.2)
Bu boliirniin ilk birkac konusu, onceki boliimlerde geli~tirilen aoaliz tekniginin
kullamld1g1 ~ok kath sisternlerin incelenmesini kapsamaktadir. Bu bolumlcrin ar- Sekil 11.l'de gosterildigi gibi her bir kaun giri_~ v~ ~f!a~ ernpedansr, siste~dck'.
drndan, desibel (dB) ve frekan~1,{(~k ve ~ok kath sistemferin tepkisi iizerindeki et- her bir katin etkisi goz oniine almarak bulunan 19~?"L';~_r?ir. Her bir kann degerle?n
kilerinin aynnuh bir §ekilde' ;~i~teridigi diger boliimler gelmektedir.
. .:i'.'"titi ,-f cinsinden sisternin giris ve ~·kl~ crnpedanslan i~\P,}~.~m:t olarak uygulanan, ( l L)
denklemi gibi, gene! bir denklern yoktur, Bununla birlikte bazi durumlarda ~D1:'
11.2 GENEL KASKAT B,A_GL1· SiSTEMLER transistoru, FET veya Vakumlu lamba) giri~ (ya da ~1k1~) empe~ans'. ~or'.11al <~larak,
sistemin sadece bir'bir veya iki kauru goz oniine alarak kabul edilebilir bir dogruluk
Kaskath sistemlerin tarusmasina b~lamanm en iyi yolu, ~ekil J 1.1 'deki gibi bir
derecesiyle belirlenebilir. . . .· .. .. .. • . a" idaki
blok semasm, ele alrnaknr. Soz konusu nicelikler §ckilde gosterilmi§tir. Her bir kaun

-I
~ckil J 1.1 'deki temsili sistcmin toplam genl!m kazancmm buyuklugu a~ g ,
gosterilen A,. (gcrilirn kazanci) ve A; (akrm kazanci), her bir kat ~ekil 11.l 'deki gibi
baghyken belirienmi§tir. Baska bir deyi§le. her bir kata ili§kin A,, ve A; degerleri, her gibi yaz1labilir; I Avr 1I - -v 0• 1--1-ln,,Zl 1-
.
bir kattn bag1ms1z (tek basma ele ahnd1gmdaki) kazanc1m gostermez. Bu niceliklcr V;1 l;1Zii
belirlenirken bir kann digcrine olan yuk etkisi dikkate ahmr, Biitiin-kazan~. gerilirn,
akrm vc empedans seviyeleri sadecc birer biiyiikliik olup kannll§tk degerler degildir. Boylcce ( 11.3)
482
BOliim 11.2 Genel Kaska! Bagh Slslemler 483
 A~ag1daki . . ·(11.3) denkleminin yararh old ugu
. .. . analizde • an I ~uac
.r ak
ur, Btr· adim
Zt
daha ileri gitrnek icm, akrm ve gerilim kazanclan
'" rezi tif "kl · · d"
s I yu er tt;m uzenlenirse · ;
Tek katli yukselteclere ili~kin ge',111~ deneyimlerimize ve az once tamamlanan ana-
IA,r Air l=l[""Ri;,
l;,R,,
_ ,fo.l=ll~R1,I=&
Ii, l-lJ R·If P·I
lizlere dayanarak, ac teplcisi i<;in devre yeniden qizildigi taktirde 4 ill ve 20 ill'luk di·
renclerin her ilcisinin de birbirine paralel gi:irunecegi at;lkur. Bunlar aym zamanda, eme-
ve tor direnci CE ile koprulendigi i<;in yaklasik h;. = f3r, = 0,5 ill degerindeki Q, giri~
ApT I= I A,7 I - I Aq elde edilir. ( 11.4)
empedansiyla da paraleldir.
bu da turn sistemin gti<; kazancidu, Paralel duzenlerne sonunda:
~-ekil 11.l 'deki gibi bir sis~~in katlan arasmda, ele almmasi gereken ti<; kuplaj
z1, = 20 ill 11 4 ill 11 o.5 ill= o.435 kn
(b~glan'.1) v~d-1r. Bunlardan ilk.i, Ut;ti arasinda en t;ok uygulanan RC-kuplajliyl1k- degerini buluruz,
~e telf s1stem_id1r. Daha sonra transforrnator ve dogrudan-kuplajh yukseltec devreleri
mce enecekur.

Bir transistorun yaklasik kollektor ernetor ~deger devresinin sadece ly,,h akim
11.3 RC KUPLAJU YUKS EL TE<;:LER kaynag: oldugunu hanrlayahm. Bu durumda Vi = 0 oldugu zaman li,1 = 0 ve li,2 = 0
Tipik degerleri
.• · ve ongerilirn
. teknikl enru
· · gosteren
.. RC-kuplajh transistorlti bir dk-
=
ve sonucta hi.Itri 0 olur, dolaytsiyla Z0, kontro\lU akim kaynagirun at;tk devre e~-
seltee (ikt kath) ~ekiJ J l.2'de gortilmektedir. "RC kuplajlr" t . . iki k . ~. degeri iJe paralel olan Rc2'dir. Yani,
b g1 . ~u eruru, t atm birbirine
a lanmaskmddakuplaj kondansatorleri ve ongerilim direncleri kullamlm.asmdan by-
n ak anma ta rr, '

b' y~~~tk dldeger tekni~inin ternel amaci minimum zaman ve <;aba harcayarak basit
....
IC <;ozum e e ermekrir Zamandan tasa f d . . Akim bolilcu kurahm uygularsak (Sekil 11.3) ;
minimum .' . rru • evrey1 tekrar tekrar cizme say1smm

t, =---
olmasuu gerektirir, Ashnda, iyirnser olarak Sekil 11 2'd lei d d
· · bi -- · 'I'- • e evre e ancak trt;
ryi IC orjinal <;alt§ma sonucunda <;oziim bulunabilecegimizi si:iylemeliyiz. I
R' + hit

= _...:..3.c.:..3...:..33.:.._..kn........;1,""·'
_
3.333 ill+ o.5 kn
ve
Vee= 20V
QI, Q1 : hf• "/3"' 50
= Pr. 5!! 0.5 ill
=
lb, 0.87 I;,
h,_
=
Birinci kann kollektor akrrru Iq hf.fh1'dir. Bununla beraber lq, 4 ill'luk direnc
ve ikinci kaun ytiklernesi arasmda bi:iltinecektir. (Sekil 11.3) R" ve bir sonraki kaun
yuklenrnesini temsil eden 0,5 kn direnclerin paralel e~degeri, 0.385 kO'luk bir di-
renq gi:isterecektir.
f<c1 -I Hl
ful =/1! 11,,
-----.--::;,
: ..... \'
.\' ..
~JP. f¢':!i':''\1

-
R"
1.661 kn {'i(. o.s icn
.... >·~
R' 3.333 kH
, ~\.·kil 11 : !;1 ve lh]. a.r.1..~ln<bld ilitkinin
_ = o., kn:: ikinci
11 .. -- katm ~ i,·lil':,:111"-"'i.
yOklcmcsi
484 Bo!Om 11.3 RC Kuplajh YOkselte;ler 485
Bolilm 11 <;:ok Kath Sistemler ve Frekans
 Akim-bolucu kurahm uygularsak

101
= -Re, (lei) _ -4 kQ (/c,) A,7 = A,.1A,'2 = (-35.09) (~66.70)
Re,+ 0.385 kn 4 kn+ 0.385 kn A.-r= 2340.50 ,,
. ,.
= -4 kn (ht<lha) = -4 kn (50) (0.87 I;,)
(11.3) denklemini kullanarak , ·:.
4.385 kn •
.... ' .
4.385 kn
! '

ve
·, ,-:. rt I A,r. I= I A·IT ' · I 11..1
Z;,
= (1017.0)(H!l)
0.435 kn
= 2337.93
.. - !,,, - . ..39 68
.A ,,--.::::
' 1;,
Eide edilen Aq degerleri arasmdaki kii9iik farl/4vr ve A;r i9in yapila~ ayr'. ayn
Ikinci kat i9in:
hesaplardaki ondahk kesir eldesinden kaynaklanmaktadtr, Bu ne~en~e il~rki _ko-
nularda ilk once Aq'nin bulunmasi Arr'den daha basittir. Bu nedenle 1len~e o~cehkle
'1>:i = ~ = 1.667 kn Uii) - 0.769 l;z
R" + h;, 1.667 kn + 0.5 kn A.,7 bulunmasi, daha sonra (11.3) denklemi kullamlnrak A;r'nin ~ag1dalci ~ekilde bu-
lunrnasi zaman tasanufu saglayabilir: ·

l~I
ve
I Avrl =I A;rl ·
Z,,
<;oo~ devresine akim bolucu kurahru uygularsak (~ekil 11.2 ye bakm):
()R:\EK ! l.l
lni = Reif c, = 2 kn (hJ,1"2) = 2 kn (38.45 lri) _
25_63
t;
Re2 + RL 2 kn+ 1 kn 3 kn ·
~ekil l 1.4'deki iki kath yukseltec dev~ini~ gi~ ve 91kl~. empe~~m1, ~~rili~
ve Aii = lnz = 25.63 k a7,anc1n 1 v e akim kazancmi. hesaplayin. Ikinci kann bir ernetor-izleyici du-_
/;2
zcnlcrnesi oldugun:, rlikk:'.tcdin.
ile A,,= A;,An = (-39.68) (25.63) = ·1017.0 Yee• 18V

-
Ra 200k0
AC kosullan alunda ~ekil I 1.2'de a91kya gorulen dogrudan baglann, V;'nin, bi-
rinci kat transistoriiniin girisine dogrudan uyguland1gm1 gosterir, Transistoriin eme- 1, c.,
tor bacagr topraklanmis bir ernitor oldugundan, ac geriJim kazanci (yaklassk degcr +
kullarularak) ~ag1daki gibi hcsaplamr:
v, -z,
Av= -h1cRc. = -RL
h;, r,
Birinci kaun yiik direnci olan Re.; Re1.Rs3• Rs4 ve h;, (= /3r,) = 0.3509 kn ile pa-
ralelidir. Boylece A,.1 gerilim yiikseltmesi (- (50) (0.3509)]/0.5 kn = -35.09'a esit
olur. Ikinci kat icin:

A,·z = -(50)(Re, I I RL) = -(50)(2 kQ 111 kQ) = -(50)(0.667 k!l) = -66.70 .... !-il !! .\ i\ynnhlt olur.lk incek:nccek iki k.11111r.1.nsist~rlU dcvn:..

o.s kn o.5 kn o.5 kn

(:iizim1:
Boylece net kazanc
Z;: ac kosullan icin ilk kaun RE'si CE tarafmdan koprtilenecek ve Q,'in giri§

486
BolOm 11 9ok KatJ1 Slstemler ve Frekans 487
BOlilm 11•3 RC Kuplajh YOkselt99ler
 ernpedansr =/Jr,= (100) (10.74) = 1.074 k.Q olacaknr.
Boylece . ' Yukandaki oldukca karmasik duzenlernelere, 9. Bolumde gelistirilen yaklasik
denklemler kullarularak. ne kadar hizh ,;:oziimler elde edildigine dikkat edin. Asa-
g1dak..i ornekte r, degerlerinin hesaplanmasi gerekecektir,
C>RNt-:K 11.2 ..
Zo: .ac kosullan icin devre ~eki1 1 l.5'teki gibi yeniden cizilebilir. Z; = (R.J/J) + ·.···
r.'dir; burada R, transistiiriln .bazma bagli kaynak direncidir. Bu durumda R, = 2 f ! \.,.,;

=
ill II 200k.Q 2k0 ve s: •
~ekil I I .6'daki devrede Z;, Z,,, A,., A; ve A,,'yi bulun.

Z, =
2
k.Q + 4.51 = 20 + 4.51 = 24.51 Q
100
Zo = 2:. RE2 = 24.51 I kQ = 24.51 .Q Yee «22v

!
i

Re 2 ldl R8 2001dl

1kn- z,
,,
-
·v,------- B1
~=80
'•1 = 19.70

S,~il I U ~ckil 11.4\lcki

'~vrc ~in Z,'mbuh.1nm.u1.

A,.: v, = V"1
vc
A,., = -RL = -[Re 11 Ra 11 /3(Rr) I Zr.)] -[2 k.Q 11200 kfl II 100(1 ill II I kQ)]
~ ~ ~
(,:<izii m:
=-?. kn 11200 kn I I 5o kn = _ 2 ill = _186_22
10.74 10.74 r, degcrlerinin hesaplanrnasr gerekir.
v,><2 = 0 V ve Vh2 = vi) Q1 icin :
Buradan ; A,-:z = (V ,,,JV;2) = I. R' = R82 I I f3<REi+ RE2) tarurm geregi,
A,7=A,,1A,'2 = (-172.27) (I) =-172.27 = 22 kO 11 80 (3 kO) = 22 kn 11 240 kO = R82
ve
I A;r I = I AVT I · I i~ I _ R' Vee _ Rs2 Vee _ 22 k0(22)
V81 -
R' + R111
-
RE,+ R£2 22 kQ+ 82 kQ

= 172.27(1.074kil) =ill.= 4.65 V

104
JkQ
ve V1:1 = V81 - V8E = 4.65 - 0.7 = 3.95 V
= 185 489
468 BOlllm 11.3 RC Kuplajh YOkseltei;ler
BolOm 11 <;:ok Kath Slstemler ve Frekans
 Buradan;
IE,= Ve, =~= 1.32 mA
Re, + Re2 3 k.Q ORNEK 11.3 FET RC· Kuplajli Yllkseltef
ve
r.,=~=~= 1.9.70.Q RC-kuplaj1, ~ekil ll.7'deki iki kath FET'li yukseltecte de gosterildigi gibi, sadecc
Is.- ;;. 1.32 BJT transistor katlan ile suurh degildir. Toplam gerilim kazancnu bulun,
Q2is;in:

Vcc-(/3+ l)lsRc2-RFls- V80 = O 20V IJ +lt

Im= 2mA
22- (lO~?lo 10 k.Q-10610 - 0.7 = O ' \t!.
.'\' v
~J.3 = 2.01 x 106 ls i '., rd "' roozn
ve RD, 301dl 12ill
,; ls= 10.6 JtA O.SµF

, f·
r Buradan IE= le= /310 = (100)(10.6 µA)= l.06 mA +.
0.Sf&F Cc C2
ve rn..=~=~=24.53.Q O.S1,1F
IE 1.06 RL 5~ v.,
JMn JMn
IOOµF Rs, 4700 Cs2 IOOµF
Rs•

.')c~ ii I I 7 lki kalli FETli yilkseh~.

A,.: Av,= -RL = -{Re, 112;2)
ve
Re, + r.1 Re1 + r,1

Bolum 9'dan(9.59. denklem) : FET kiiyi.lk-sinyal e§deger devresini yerine koyarak ~ekil 11.S'deki di.izenleme

,.t ··"I \'

eldc edilir,

Av2 = -RL ::: -Rc2 I I ZL = - 5 k.Q = -203.8:

ve r<'2 r<'2 24.53
6
z, = 2~3~83 /j 1ooc24.53) = 4.906 kn I I 2.453 kn= l.6353 ill 'o:.;-,
..-,v.-
..-.-.-.-~,-,-oo-.ktl--R-n,-,-JO_k_~_M_n-r--:_-:~
•• < :.,;.;-:-, -,.--1-00_k_n-~,-~-kn-,
..-.!(-.. ~-:~-- H

Boylece ;
Av, =-(4.7 k.Q// 1.6353 k.Q) __ .J..2U.=.
"-y---"
I ill+ 0.0197 k.Q 1.0197 - 12 kn h ~ kn "' 3.SJ
IOOkn I JO kn 11 ~tn .. 23 kn

ve AvT = Av Av
1 2 = (-1.19) (-203.83) 242.56=
A;:
~l·I, ii I I _:-;~ckil I l. 7'dcki cl¢vrcni1i. ac klh;Ok~siny~I ~dcger devrcii ycri1\C kondukum sournki hJlli koy.1r.1k cklc edilcn bt.;imi.
I A;r I= I Avr I · I Z;, I= (242.56)( 14.26 k.Q) = 345.89 ..
ZL 10 k.Q Paralel elemanlan birlesrirerek ve toplam gelir kazancma etkisi olmayan ele-
I Apl = I A;71 · I Av) = (345.89) (242.56) = 83.9 x 103 manlan crkartarak ~ekil l 1.9'daki devreyi elde ederiz,

490
B610m 11 Cok Kath Slstemler ve Frekana B6l0m 11,3 RC Kuplajh Yllkselte~ler 491
 Vee= 8V

+ + "r, = fJ = so
h.,={Jr,=2kU
v, -v v,,, l 2X 10-3 V.
- ,,, r>.. 2x10-3 v.1'2 ·v., 20kl1 20k!l h0, ~ 20µA/V

l + ti·
23lcll VP2 J.53Jcn

-.
-,
' '":" -+- J:2 ~·~
,·,.~
:~
-i
.~d.il 11.\! 5: I 5: I
(indirici} (yO)cse!Uci)
~ekii I I .8'deki dcvrcnin, par.ilcl clemanlann bir~tirilmesiylc clde edilcn ycoi bi~imi. 4 kfl10µF I kfl.rOµF

"':" -:" -::- ":""

oldugu aciknr,
~d ii I I. IO lki kalh tnlllsfonnolor kuplajh tron,istllrlil yllk.<eho,;.
ve Vg,2 =-(2 x 10-3 V11,1) (23 kQ)
Bir katm de seviyelerinin diger bir katm ongerilim kosullanru etkilemesini onlemek
Boylece Vx,2 = -46 Vg,1 icin araya, bir kuplaj kondansatorunun koyuldugunu hanrlayin. Transformator.. bu
de izolasyonu eok iyi bir sekilde gerccklestirir. ·
. Eksi isareti, 23 kQ direnci uzerinde akim kaynagindan dolayi dusen gerilimin pa-
Bu devrenin temel cahsmasi, transformator kuplajli sisternin, kollektor devresinin
Iaritesinin Vg,2 icm tammlanan polaritelere ters oldugunu gostermektedir.
di.i§iik de direncinden dolayi RC-kuplajh devreden daha verimlidir. Bir trans-
Sonne olarak
formatorun primer sargr direnci RC-kuplajh sistemin buyuk kolektor direnei R,. ile
karsrlasunldigmda nadiren bir kac ohmdan biiyiikliir. Bu dii§iik de direnci cahsma
V,, = -(2 x 10·3 V.f,2) (3.53 kQ) = -7.06 V8,2
kosullannda daha az de gi.i<; kaybma neden olur. Dolayrsiyla <;lla§taki ae giieiini.in
Boylcce V,, =-7.06 V11,2 =-7.06(-46 Vg,1) = 324.8 V.~,1 = 324.8 V; giristeki de giiciine oram olan verimlilik bir olcude artacaktir.
Bununla birlikte transformator kuplajh sisternin bazi dezavantajlan vardir. En
ve Av= V" = 324.8 biiyiik dezavantaji, RC kuplajh sistemlere kiyasla, (transformatorler nedeniyle) sis-
V;
temin boyutlanmn bilyilmesidir. Ikincisi ise yeni tarnulan reaktif elemanlardan do-
olur. layi (bobinlerin enduktansi, sanmlar arasmdaki kapasitans) zayif frekans tepkisidir,
Sik sik onemli olan ii<,iinei.i bir faktor de transformator kuplajh sistemin (RC kup-
.4 TRANSFORMATOR KUPLAJLI TRANSiSTORLU lajltya gore) artan maliyetidir .
YUKSELTE!;LER Sistemin ac tepkisini incelemeye baslarnadan once, transformatore iliskiu temel

.A
denklcmlerin gozden gecirilmesi gerekir. ~ekil 11.11 'de gorulen diizenleme icin:
· iki · katli transforrnator kuplajh transistorlti bir yukscltec · ~ekil 1 J. IO'da go-
Sanm sayilan , _
rulmemektedir, Katlar arasmda dii~iiriicii transformator kullarulrrken V; kaynagma
yiikseltici bir transforrnator baglandtgma dikkat edin, Yiikseltici transformator sinyal 1, . ' "' /2

- :. i.~()!i .: f
seviyesini yiikseltirken, indirici transformator, her bir katm yiiklemesini bir onceki
kann i,tla~ empedansma miimkiin oldugu kadar yakm bir §ekilde uydurur. Bu, rnak-
simum gi.i<; transferi kosuluna olabildigince yaklasmak icin yapihr, Transforrnaror kup-
Z;
lajiyla yaprlan bu uydurma tekniginin etkisi a~ag1daki analizde acikca gosrerilecektir, Sd. ii I I. I I Tomei tmns.
f. .. . .. . . -
o----,--, f0nn:u6, dlh:clllen'M::s~.

492 BolOm 11 ~ok Kath Sliitemler ve Frekans Boliim 11.4 Transformalor Kuplajh Translstdrlu YOkselte,;ler 493
 Ancak, V3 = N2 V2 = l. V2 = L (-2500 V;) = -500 V;

J-
Ni 5 5
~ (do,u,om -. (11.5)

I '.~:z:=~
ve A.,2 = N4 = -llf,Zl = -{50) (25 kn)=_ 625
N3 Ii;, • 2JO
(11.6) Boylece V4 = -625 V3 = -{)25 (-500.V;)

Q~~
= 312.50 x 103 V;
ve (11.7)
VL= l V4 = 1(312.50 X 103 V;)
ya <la kelimelerle ifade edilecek ol~rsak bir transformatorun giri§ ernpedansr, yiik ve 5 5
empedansi ile sanm oranmm karesinin 9arp1mma e§ittir. Avr= .!'.'..!,_= 62.50 x 103
V; .
AC tepkisinde ~ekil 11.lO'daki devre §ekil ll.12'deki gibi olacakur, Maksimum
gii1y transferi i9in 22 ve 24 empedanslan'run, her bir transistorun 91la§ empedansi : 11.5 DOG RU DAN l<UPLA,JLI TR~l·J:3if. r •.. u)
Z" = 1/h0, - 1(20 µS = 50 kn'a C§it olrnasi gerekir. Bu sistemde lfhnc 'nin etkisi YUKS EL TE<;:LER .
gozonune almmahdir, Bu nedenle 9oziimde karma pararnetrelcr kullarulacakur,
=
Z, = a? ZL uygularsak, 24 = a2 RL (5)2 2kQ = 50 k!l, Z2 de, her bir kaun giri§ Katlar arasmdaki kuplaja, bu iliskin boliimde tarutrlacak ii9iincii kuplaj ti.irii, dog-
rudan kuplajdir. ~ekil l l.13'de gortllen devre iki kau dogrudan kuplajh transistorlii
bir sistcme ornek tcskil eder. Bu tip kuplaj, 9ok dii§iik frekansh uygulamalar icin ge-
reklidir. Bu tiir bir duzenleme icin, bir katm de seviyelerinin diger bir kaun de se-
viycleriyle iliskili olacag, a91kllr. Bu nedenle ongerilim diizenlemesi, her bir kat icin
bag1ms1z olarak degil, tiim devre .icin yapilmahdir. 12 V'luk ii9 ayn kaynakkul-
lamlmasma ragmcn, her bir kaynak icin yiiksck (pozitif) potansiyelli ii9 ucun paralel
y:1rifn1:1'1 h:1ffn1k ,;1d,:;.V J,jr!,J ~CP:kfj nhc:tl-:Jtf
QI: /J1 =40 Qi: /J2 = 100
,,1 = 13.47 n ,,2 .,s.~n
~cl. 1 I I 1.1 '.! KU~Ok-•inyal ac t~plcisini beli,lcmck ~in ~kil 11. IO'daki ka.,kat l10n,;fom~II!< kupl•jlt yOlcscl1~
devn,sinin yenidcn ~izilmit hali, 8V

,, ..· . I; ,
direnci (Z1 ve Z3), h;, = 2 kQ oidugundan 50'kn dur, Frekansla iliskili faktorler 22 3.02v-
ya da Ziiin her zaman 1/h,,c'ye esit-olmasma izin venneyebilir. Bu tip durumlarda Zi' + fJ, Rc2 0.8 kSl
ve 24 genellikle l/h0/ye miimkiin °6ldugu kadar yakm secilir,
R11 186Ul
~ekil I I .2'deki devrenin ayrmuh analizi a§ag1daki degerleri verir ; Vt°.

1
1.1 kn '.

Vi =;;N2 Vi= 4 V; ,2
VC
Ni l·.l: l)c,~rm.la"·k.\1plajl11nu1."i~au,
~atfari.

A,., = !'.1. = -hfrZl = -llf,<=111i,,,, 11 Z2) = -50(50 kn I I 5o k!l) _ -625

v, h;, h;, 2 k!l · Dogrudan-kuplajli devrelerdc karsmuza 9ikan en biiyiik problemlerden birisi ka-
rarhhkur, Bir katm de seviseyindekiherhangi bir degi§im digcr katlarda yukseltilerek ak-
tanhr, Emetor direneinin cldenmesi, her bir katta kararhhk elernaru olarak isler go-
boylece ; Vi = ~25 Vi = -625 (4 V;) = -2500 V; recektir.

494 BolOm 11 9ok Kath Slstemler ve Frek11ris 9610m 11.5 Dogrudan Kuplajh TranslstorlO YOkseltei;;ler 495
 (DC) Ongerilim Kosullan ve Zii = f>iRE 2 = 100 (1.1 kQ) = 110 k.Q
$ekil 11.13 te gosrerildigi gibi Vci = 8 V'luk bir ~tla~ gerilimi icin: A,,1 = -RL1 = -Rc111 {3iRE2 = _ 3 kQ I I ·11.0 k.0. _ -3 k.O. = _2.S
RE1 Re, 1.2 kil 1.2 kil

lo.; kn ~ .12..:....a.. = 5 rnA

AY2 = -RL2 = -Rc2 = --0.8 kn = 0.7273
R1,:1 R£1 1.1 kQ1·'
'0.8 kQ

Bu nedenle lc2=h2E5 mA ve A,T = A,.1A"2 = (-2.S) (--0.727.3) = 1.818

VE2 = (5 mA) (LI k.O) = S.S
ve
I Ad=I Av 1.1 ~1= (t.818) { &4 kn)= 109.08
·1 VoE2 = 0.7 V ZL 0.8·k.O.
V112 = Vc, = s.s + 0.7 = 6.2 V Buradan, IA,.TI = IA,.I · IA;!= (1.818)(109.08) = 198.3
olarak bulunur.

sonucunu buluruz.
11.6 KASKOD YUKSELTE<;

Yiiksek frekans uygulamalannda CB diizenlemesi, ii~ tipdiizenleme arasmda en

uygun karakteristiklere sahiptir. Bununla birlikte, cok dii~iik bir giris ernpedansma
h.n=~=_i.L=
3 kQ 3 kn
1.93 mA
=
sahip olmak gibi bir kusuru vardir {Z; h;b = r.). Sekil l l.l4'de gorulen kaskod du-
zenleme, CB duzenlemesinin giris ernpedans seviyesini tipik bir CE devresi kul-
lanarak iyilestirmek icin tasarlannusur. CE duzenlernesinde kazanc, yiiksek frekans
ve /JkO >> lo2 oldugundan uygularnalannda, giri~ Miller kapasitansirun etkilerini minimumda tutmaya yetecek
kadar dii.~iiktilr (10. Boliimde FETle ilgili olarak Miller kapasitansi konusunu ha-
lc1;;; /3w = 1.93 mA olarak kabul edelim.
trrlaym).

ve

Boylece VE1 = (l.93 mA) (1.2 k.Q) = 2.32 V

ve Vs1 = VE1 + VsEi = 2.32 + 0.7 = 3.02 V

,--------o Vo

olur.
v,o--..._--~
$ekil l l.13'te gorulen potansiyel seviyelerinin kontrolu a~1k~a gosterir ki, dogrudan-
kuplajlt bir yukselticin ongerilim seviyeleri arasmda yakm bir baglanu vardir,
Sirndide ac tepkisini ele alahm. Incelemede, bu bolumde daha once tarnulrms olan
yaklasik deger teknigi kullamhr. Her bir emetor izleyici devrenin giri~ empedansi
= f3RE'dir. Bu nedenle,

~~kil 11. I-I KaskO<I dU1.e11k111<.

BotOm 11.6 Kaskod YOkselte~ 497

496 BillOm 11 <;ok Kath Slstemlerve Frekans
 ,~)/. AC:
~ekil .l l.15'te kaskod yukseltecin pratik bir uygulamasi gorulmektedir, CE dev-
Av1 = Yu, = -R~'
Yi, . r,j ...
re~mdek1 kolektorun, yinc CB devresinin emetonine dogrudan bagh oiduguna dikkat
;;·= o;·run h;1,2 ve
....•. l-, i

edin. · ·· · Buradan bu bagh katm giri§ ernpedansr RL = r

r,, = - l
DC:
A,,1 = ·rn (Miller etkisi ncdeniyle istenen diizcyde dii§iik)
' .
. '
A ..2 =&:Re= 1.S/.0 :a 294.1
vcya oldugundan her bir taraft /J1' ye bolerek
le, le · ! Buradan ; R<2 e.. 6.12
--==~ veya fo2:ln, 'J•
•,
/3 {3 .,
:.' -, Yee• 18V ve A,,r= ~= Av1 A,-i = (-]) (2941.=I) = -294.1
V;,

11.7 DARLiNGTON BiLr:;;if<. f:0?E. . ··1Er:;j

6.8.ldl
( O "02 Darlington devresi, iyilestirilmis yukseltec karaktcristikleri veren bir bilesik dii-
c, C• SµF zenlemcdir. ~ckil ll.16'da goriilen duzenlemc; yuksck giri§ cmpedansi, di.i§iik 91kl§
I
Jr a2 ernpedansi, yuksek akim kazanci gibi.bir akim yukselteciicin arzu edilen biitiln iyi
IOµF
ozelliklere sahiptir. Ancak, 91k1§m ernetor bacagindan alinrnasi halinde gerihm ka-
RB2 S.6k'1 zancmm birden kil1yiik oldugunu gorecegiz. Dilzenlemedeld bir degi§iklik, 91kl§ cm-
<P1 • 112 - 100) pcdansi ile gerilim kazancmm iyilestirilmesi arasmda bir secim He sonuclarur.
v,lo Q, Ongerilim di.izenlemesinin aciklamasr, akim geri bcslerneli Lek kath bir ernetor iz-
Cs zSµF leyicinin a4r1klamasma benzer, Darlington diizenlemcs1ndc ilk transistorun emetor
Vee= 20V

ln1 akimr, Ro1 ve BRE paralel birlesimindeki BR£ uzerinden gececektir. R8 2MS1
f3R~ =
= (~O?). (1 kn) = 100 kn v._e Ro3 4.7kn oldugundan, etkisinin ihmal edi-
lebilmesi 1910, fo1 14.7 k!l'dan i;:ok kiii;:iik olrnalrdir. Bu yaklasrm /01•e uy-

Vo,= Rt11 (Vee)·

Rs~+ Roi+ Rs,
= 4.95 V
=
gulandigmdan lo2'ye de uygulanabilir (/02 !81 oldugundan) ve ·
= 4.7 k!l (18)
4.7 kfl 5.6 kn+ 6.8 ill
_ 84.6
17.l
-
Z;
-- Darlington
dcvresi

ve lu= VE, =Va,. VnE - 4.95 - 0.7 = 4.25 mA

RE Re I kQ -
Buradan ; r,, = 26 mV = ..l§_= 6.12 n -+-
le, 4.25
ve =
le, h2 oldugundan akirrumn, ikinci transistortm baz akmu olduguna dikkat cdin. Dcvrc, kii4riik-sinya ac
'•1 = 6.12 .Q formunda ~ekil 11. l 7'deki gibi gozukecektir.
498 8610m.11.7 Darlfngton.BlleJlk DOzenlemesl 499
BolOm 11 ~ok Kath Slstemler ve Frekans
 V, -
z, Ra
gibi olacaktir:

ve (11.11)

h1,1, = h1ei = hi, ve h,,,,1, = hoc2-- h oe icm ,

s~hil 11.11
2
Z;1= hr'Js.s.
iyi bir yaklasik deger icin, bu denldemler birinci kata uygulanamaz. Nesemizi ka- 1 + ho,hJ,RE (11.12)
91ran bir olay da Z;2'nin ·lfhoe degerine yakmhg1d1r. Haurlanacagi gibi, pek cok du-

I
rumda 1/hn, >> Zl oldugundan 1/hoe ihmal edilebiliyordu. Darlington dUzenlemesi
icin giris empedansi Z;2'inin 1/h"" degerinc yakm olmasi 1/h.,/nin de goz onunde tu-
tulmasmt gerektirrnektedir. Boltlm 9'da tek kath emetoru topraklanrnis bir tran- I (1Ll3)

sistorlu ylikseltec iryin l/h1>e'nin incelendigi bir durum vardi. (9.71. denkleme bakm.) A~agidaki parametre degerleri icin :

A;:: hr, . = =
h[,J, "iei h1, = 50
l + h,,.ZL hteJ, = lien, h;,2 = 0.5 kn
hoe 1, = hoci= hoe= 20 µA/V
ve
A; = Ul..=
!E..= ,;, =
hf (50)2
A;= hfe, 11 l + h.,,h1,RE 1 + (20 x 10-6) (50) (I kn)
Ii ,,,, 1 + """' (h1t1.RE)
ve = 2500 = 1250
I + 1
Buradan; (11.8)
Z;, - h[eRE - <50)2 (1 kn) = 1250 kn= 1.25 Mn
I + ho,hJ,RE 2
Boylece Rn = 2 Mn icin,

(11.9)
u.: Rn -----
2Mn
= -,f,_
-1
= 0.615
I; Rn+ 2;1 2 Mn + 1.25 Mn 3.25

ho,hJ.f?.E« 0.1 icin iyi bir yaklasrm (% IO'luk bir yaklasikhk icinde) ; Arr= In= f.g_!J.= A; x ls:
I A;: h)= ff olacaknr. (l 1.10)
ve
Ii Ii I;
= (1250)(0.615) = 769
t,

$ekil 11.17 de tammlanan Afr !JI; akim kazanci akirn boliicii kurah uygulanarak be- Buradan; z, = 2 Mn 11 Z;1 = 2 Mn 11 1.25 Mn = 769 kn
lirlenebilir :
1, = Rpli Sik sik, Darlington devresinin akim kazancr, 1/ho, di.kkate almmaksizm sadece
Rn+ 2;1 A~= h~ olarak dii§iintiliir. Bu durumda A~= h~ = 2500 olacakttr, Ku§kusu~ 2500'e
Z;2 = l1J<2 RE, ilk katin emetor direnci oldugundan ($ekil l 1.17'ye bakm), birinci
karsihk 1250 kesinlikle iyi bir yaklasirn de~ildir. Bu nedenle l/h0;nin etkisi ilk

=
kaun giris ernpedansi 2;1 h),1 (Z;2 I I llhoe) olacakur, c;unkti Z;2 = llfei RE ve 1//10,,
katm akim kazanci belirlenirken goz onune almmahdir.
t;ikl§ empedansi Z0, dogrudan dogruya emetor · e§deger devresinden a§ag1daki
kiiyiik sinyal e§deger devresinde birbirine paralel gortinecektir, Sonuc ~ag1daki

500 BiilOm 11 <;:ok Kath Slstemler ve Frekans BolOm 11.7 Darlington Blle~lk D!izenlemesl 501
gibi bulunabilir. ilk kat icin:
{11.14)
Gu9 Transistorleri
Kati Hal
BolOmO
= o + t kn == 20.0 n 2N6383 2N6834 2N6385
50

1 O Amper N • P • N • Darlington
ve (l l.15) ---------, Gu9 Transistorleri

40 • 60 • 60 Volt, 100 Wall uc BAGLANTILAAI

= c200 I I so kn) + o.5 kn = 2on + o.5 kn _ 52on 5 Amperde 1000 deOerinde kazang
1.bilC:~·8U
2.t>acak. • E:molOI
50 50 50 K4t· KoltklOI
~ GOvde ·KohklOt
= 10.40 n I
'( 6zeU;Jiferf: Uygu/amaJall:
I ~ • ~ anahtar\ama • Sos yuksell
• On sOriieu otmadan IC'den ~f'lbilrne
Giristeki tarusmada da belirtildigi gibi, giri§ empedansmm yi.iksek, 91k1§ em- • V(il<sok sicakhkta dO¥if< ka¢ alom • C•ki<; siinicOleri
pedansmm 9ok dii§tik ve akrm kazancmm isc yiiksek olduguna dikkat cdin. ~imdi de aoacro.J • Seri vo pa,alol rogO!atllrler
• Ybk ters yOroe oonci-krntma yet~
sistemin gerilim kazancim inceleyecegiz, Kirchoff gerilim yasasiru ~ekil l l.16'daki
devreye uygularsak: 2N6363, 2N6384 ve 2N6385' du$ii~ •• Orta trel<ansl• guc; uygu·
V0 V; - Vhci - Vhci = lamalan ~in dizayn edilmi$ tek n-p-n so1isyum Oarti<lgton trar>-
sistMe«iir. au elemanlann 91l epilaksiytl yapist. iyl bit ~eri v• ,------------""
I I
tors yO<'llii kmlma yelene{ji sa(jlat. Vuksek kazat>l;lart, ~-<Ian
<;1k1§ potansiyelinin, giri§ gerilimi eksi her bir transistorun baz ernitor potansiyeli anteg,e devroloolensiitOlmelerinisa(jlat. I I I
kadar olmasi, V0 < V; oldugunu a91k<;a gosterir, Bu da biiyi.ikliik olarak srfirdan 9ok I I
• Oaha Oocekl adlan RCA Dov.Nos.TA8349,TA8486ve TA8348 I I
bire yakmdir, Yaklasik deger ternelinde emetor C§deger devresinden elde edildigi I
I
gibi, §U formulle ifade edilir : 1 .1 •a • rs • I
L- ------ __ ...1
14. = -----''-----I
(l I.16)
l + h;..j(hJeiRE)

Bu gene! ornegin sayisal degerlerini yerinc koyarsak:

MAKsiMUM ANMA DEGERLERi, Mutl1k Mak•lmum Dttg1rl1r
:N63a5 2N6384 ·2N6383
y
A,,= I I = 0.99 • KOLLEKTOR-BAZGERILIMI vcso 80 60 40
I + 0.5 W.150 kil I+ 0.01 KOLLEKT0R·EMET6RGERILIMI
Harici baz-emelOrdirenci {Rl!lo) •100!l lo. sOrekli
vceR{sOrl eo 60 40 y
Baz. a.;1k d&'f're,sOrekli
10 A'lik bir RCA npn Darlington giiy transistorunun karakteristikleri ve nominal 'Bat tars yonde Vae. ·1.5V1a ongerilimleomif, ABB• HJQ n Vceo(sOt) eo 60 40 v
degerleri ~ekil l I.18'de vcrilrnistir. l l.19-24. numaralar arasi §ekillerde bazi ka-
' EMET6R-BAZOERitlMI vcex .. 80 60 40 v
• KOLLEKTORAKIMI veso 5 s 5 v
rakteristikler gorulrnektedir. Vcrilcn bilgilcr devrenin tarnanu icindir; {3 degcrleri tck SOt&kll
Topg ic
' S0REKLIBAZ AKIMI 10 A
tek verilrnemistir, 1 Karakteristiklerde, iki transistore iliskin dii§il§ii icerrnesi ne- • TRANSISTOR coo HARCAMASI
10
15
10
15 15 A
2S•C'ye kRdOr tOm kd1f IMC&hklannda A
dcniylc V8e'nin artmis olduguna dikkat edin. Aynca ly,'nin lkHz de 3000, 2 MHz 2s•c·,.;n Otttlnd• 10m luhf s11:,,s,1i1<1annc!•
• SICAJ<LlK ARALl~I ta 0.25 0.25 0.25 w
de isc yalrnzca 20 olduguna dikkat edin. Frekansm, transistor performansi iizerinde Pr

-253-
Saklama ve ~ltf'N' (Jorl<sjyon)
• BACAK SICAKLl~I(L&himi.me 11ra11nda) 100 100 100
belirgin bir etkiye sahip olacagr acikur, ~ekil l l. l 9'da kolektor akmunm amper cin- Owrma dilzi.mlnden 1132 lnc; (0.8 mm) veya daha uzak -lll<z.$ek.9.20-
meufede 1 O •· sOreyl6 'C
sinden verildigine ve darbeli s:ah§manm akimm yiikselmesini sagladrgma dikk:at ---65ilA+200-
• JEOEC kay111t veri fonnab JS-6 ROF·2"yeuyvun ola<ak 'C
edin (darbe ne kadar uzu?s_a ~2:i? verilen akirn da o kadar dii§iiktiir).
I
Ynni. l'f, = lcflb.-bOylece 1m11sisto, b.irfqi'l'_i tek bir cleman, gibi dUjUnUlmUitur. ~ekil I I .JS RCA NPN Darlington g~ trandsrnrleri (RCA Solid State Divii:ion'un izniylc)

502 Boli.im 11 <;ok Kath Sistemler ve Frekans BolOm 11.7 Darlington Blle§lk DOzenlemesi 503
 Kilif S1cakhjl (Tc) -.25°C
8
8
6 Kollc.kl«-cmcC&gcri1im1 (Va)•SV

4 "'
2

2
le (mab.) darbcll \
Darl>ell~.
4 ~~.,
~ ;:::~c,,.
.....
~g_\~=--
IS -,-M-rr,, J I /.,/' ""i..

I
2
,,.<~-~~~ .. I'.~ t>
--~~
\
10 I~
8
6 ~-~ ~·~ ... 1, 4
~:~~
2 ,... (tc) ,
I

\
~L-~~~
1
~.~\ Jps 1<>2 I
4
~~r IIII 0.1 2 4681 2
KolleklOr umu (/c)-A
46810 2 4 6
\~

l'-1.- I
2 _•Tele ~ \ I
tekrad.uvnaym SOµs
...__ daJbe lcln ' ~~!-ii 11.21 1ilm ti pier i<;i111ipil:: de beta
,,..,~s~.= \
;~ ...
I kar.1kteris1ilr.. lc,:ri.

8 I ms
Kollclr1«alann (/c)-A
6 JC.oUc:ld«~gcriliml(Vcv-SV

4 ' I II
S l)lS Ktltf sakbp (Tc) - 25°C
VCE.O(males-) - 40 V (2N6383) l I 8
SO ms
I I I I l I I I I I
Is 4
2 Vcro(maks.)• 60V (2N6384} ~

---- -- I
I'
de
1"'-
I I I I 11 I . I I I

~~<~·~ ~ ~ V (~63~. '

"\
2 4 6 8 10 2 4 6 8100 2 4 6 8
·JC.oUc~-anet6cgcrillml O'a;)-V •
I\.
\
'-;1,•k1I I I, I 'J llthd1t 1i1tkr i\·in m:1\.'111\um .,;:1h~11t:1 :il:1111
I'\

2
\
10 i\
0.01 2 4 6 80.1 ~ 4 68 I ~ 4 6 810
Frcbns (J) • MHz

~,-~ ii 11.221'llm 1ipl~r i<;in tipik kU~Ok·

siny.-1 kn:11•: c.:grisi.

~ekil l l.20'de oda s1cakhg1 ile baslayarak, nominal gtic; degerinde gorulen clii~u~
dikkatimizi ceker; ~ekil 11.21 de ise de fJ degerinin kolektor akimma ka~t cok has-
sas oldugunu goriiriiz. Frekansin ac kazanci uzerindeki etkisi, ~ekil l l.12'de daha
dikkatli tammlanmrsnr. 0.1 MHz ya da 100 kHz'de belirgin bir dU~ii~lc baslar, Sekil
l I .23'te iki transistor nedeniyle V7nin (kesim gerilimi) ve l 1.24 re mA cinsinden
0 25 50 75 100 125 ISO 175 200
verilen baz akimm seviyesindeki arusa dikkat edin. "
l(tltf Slcaldsp (Tc)-°C ~~!- ii I I .~II Tiim 1ip!er i~in gil~ dOjOnne e~risi.

504 Bolum 11 ~ok Kath Slstemler ve Frekans

Bolum 11.7 Darlington Bile~lk DOzenlemesi sos

Bu durumda, karma parametreler ve admitans paramctreleri verimistir. Melinde su-
nulmayan admitans parametreleri, sadece, transistor icin baska bir e~dcger devrenin
pararnetrelcrini temsil eder. Transistor ,;:ifti icin giri§ empcdansmm yuksekligine vc
esdegcr 1/h,,. = 9.3 kfl degerinin dii§iikliigiine dikkat edin. dB cinsinden kazanc,
a§ag1daki kisimda tiiretilecek olan denklemlerle tamrnlanacaknr.
Kollck16r-emetllrgerilimi (Ytv-SV
gelmektedir. Yani gii,;: seviycsindeki, ornegin 4 W'tan 16 W'a ohm bir artis, scs se-
viyesinin de 16/4 = 4 kat armasi anlarmna gelmez. (4)2 = 16 C§itliginclen de an-
l~1lacag1 gibi dB, 4'iin kuvveti kadar, yani 2 kat artacaknr. 4 W'tan 64 W'a yuk-
selmesi durumunda ses seviyesi, (4)3 = 64 oldugundan 3 kat artacakur. Logaritrnik
iliski a§ag1daki gibi yazilabilir:
log, 64 3 =
Kelimelerle ifade edilecck olursak denklem, 64'tin 4 tabanmdaki lolgaritrnasirun 3
oldugunu soyler, Genelde: log, a = x. ifadcsindeki dcgi§kenler arasinda, 111· = a'ya
benzer bir iliski kurar.

!1 7.:
Standartlasurmaya yonelik r,:ali§malarm getirdigi zorunluluk nedeniyle bel (B), PI
ve P 2 giir,; seviyeleri arasinda ili§ki kurmak ir,:in a§ag1daki denklernle tarumlanmisur:
10
1---+-+---+--+--•-------t
G = log,o Pi be(
Pi ( 11.17)
ca 2.S 1----+--+--+-__....,,
Ortak yada 10 tabanli sisremin, degi§kenligi ortadan kaldirmak icin secildigine
dikkat edin. Tabanm artrk orijinalguc seviyesi olmarnasma ragmen denklem, giir,:
0
~i.:kil 11.2.l TUm tiplcr ",in lipik p:id~
seviyelerindeki degi§iklilder nedeniyle ses seviyelerinde ortaya r,;tkan degi~meleri
sin~tt1i karuk1eristikleri. karsrlastirrnak it;:in bir temel olusturur, Bel terimi Alexander Graham Bell'in so-
yadmdan gelmektedir.
Ne var ki bel biriminin pratik acidan cok btiyiik bir birim oldugu anla§lld1g1 icin,
bel'in lO'da biri olan dcsibcl (dB) tammlanrmsur. Bu nedenle ;

(11.18)

Elektronik ileusim cihazlannin (yukseltecler mikrofonlar, vs.) nominal U<; de-

gerleri, ortak dB cinsinden oranlamr. Ancak (11.18). dcnklem, desibcl oranmm, iki
giiy seviyesi arasmdaki bilytiklilk farkmm bir olyiisii oldugunu oldugunu a,;:1k,;:a gos-
terir. Belli bir Uy (9da§) giicti (P2) icin bir referans giiy seviyesi (P1) olmasi ge-
reklidir. Refcrans seviyesi, bazen eski .6 mW standardinm kullarnlmasma ragmen,
genelliklc I mW olarak kabul edilir. l mW'bk giir,: seviyesiyle ilgili direnc, ses ile-
0 2 4 6 8 10 12 ,14 ~dit 11.2.J 111m 1ipl<r l~in 1ipik ~1k11
§iti§im hatlanrun karakteristik empcdansi nedeniyle 600 n olarak secilmistir. Re-
KoUek16r-anctOr gc:rillml( V cv· V siny;\I l,..;m~klcriitliklcri.
ferans seviyesi olarak I mW uygulandig: zarnan desbel sembolii r,;ogunlukla dBm
olarak kullamhr. Denklem formunda §i>ylc ifadc edilir:

11.8 DESiBEL
Gdom = 10 log10 --1:L
I mW
I IIOOCl
dBm
(11.19)

Desibel (dB) kavrami ve ilgili .. h~saplamalar, bu boltimiin geri kalan kisimlannda

artan bir onerne sahip olacaku,~1,J?,esibel terminin tcmcli kokcn olarak, cski bir gcr-
cekten, ses ve giir,: seviyeleri arasinda logaritmik bir iliski olmasi gcrccginden
S1k srk uygulanan ik:inci bir desibel denklemi d~tia vardir. Bunu anlatrnamn en iyi

506 Boliim 11 <;:ok Kath Sistemler ve Frekans BolOm 11.s Deslbel 507
 A,T = A,.1A,.1A,.1 ••• A,.,,
yolu ~ekil l l.25'deki devreyi goz onune almaktir. V;, V1 gibi bir degere esir ise, P1 = uygun logaritmik bagmuy; uygularsak:
V/IR; olur; burada R;, Sek. l l.25a'daki sistemin giris direncidir. V/nin, V2 gibi bir
=
degere yiikseltilmesi veya dii~iiriilmesi halinde P2 V12/R; olur. Giiy seviyeleri ara- G; = 20 log!O Avr"" 20 log10A,.1 + 20 logu0•'2
smdaki farki desi1?el cinsinden bulabilmek icin ( 11.18) denkleminde degerleri yerine +·20 log10A,1 + ... + 20 log10Av,, (dB) (11.22)
koyacak olursak :
Baska bir deyisle denklern, kaskat bagl.t bir sistemin desibel cinsinden kazancmm,
Gda = IO log,o Pi IO log,o V!IR; = 10 log10 (Vi )2 her bir k:atm desibel kazanc1mn toplamt oldugunu soylernektedir. Yani,

I
P1 V1/R; Vi
Gv =·~vi + GY2 + G".l + ... + Gvn (~B) 1 · {1 l.23)

Yukandak:i denklemler ak:tm hesaplannda da kullamlabilir. P2 =uR0 ve P2 = !(

Roic,;in,

dB
(a) (b)

~ .. -~.1 ! 1 J .~:' ( 11.18). dcn\demin inct!lconM:1indckullaml;m dlizt!nkmdcr.

ve (11.25)

ve
Bununla birlikte bu denklemin sadece uygulanan her bir gerilim icin ilgili direncin
ayru olmasi halinde dogru oldugunu unutmaym. Giris ve y!k1~ seviyeleri kar-
*
srlasnnlan ~ekil l l .25b'deki sistem icin Z; ZL olacak ve ( 11.20). denklern dogru
sonuc venneyecelctir. Bu nedenle (11.18). denklemin kullarulmasr gerekccektir.
(11.18). denklemde, PL= V~_(ZL cos {}), vb. olacak sekilde Z; = Z; cos 1 ve ZL= Z1. e
cos 8t. degerlcri yerine konursa, ~ag1daki gene! denklem elde edilir:
Orneklere gecmeden once logaritmik fonksiyonlarla ilgili temel islcmleri ele ala-
(11.20) cagiz. Bircogunuz icin bu sadece bir ozet olacaknr, Bazilanmz icinse a§ag1daki bil-
gilcri tam olarak: anlamak icin biraz zaman gerckebilecektir.
Bu krsimda verilen her bir denklemde ortak veya IO tabanli logaritmik sistem kul-
larulacaktir. Giris tartismasmda da belirtildigi gibi, Secilen tabarnn kuvvetleri olan
sayilann logaritmalan kolayca belirlenir. Ornegin
a
Jog1f 10,000=x

G,m = 20 log,o .!'.'..1,_+ lO loe0 Z; + JO loo0 SQ~_§_ (11.21) b

V; Z1. cos (Ji. veb-,.=a
=
En cok karsrlasrlan rezistif elemanlar icin cosB; cost1i, 'dir ve son terim Jog10 (I) = O olur, ya da (lOY = 10000
Buna ek olamk:Z; = Z1. ise ikinci terim de aulaeak, bu da ( 11.20). denklemi verecek.tir. x = 4 sonucunu verecektir.
*
S1k sik, empedanslann farklt olmasrmn (Z; Z1.) etkisi ihmal edilir ve ( 11.20) ayru sekilde,
denklem sadece gerilim veya akim seviyeleri arasmda karsilastrrma terneli olus- log10 1000 = log10 (10)3 = 3
turmak icin kullarulrr. Bu rip dururnlar icin desibel kazancrrun, giic; seviyelerine uy- log10 100 = log10 (10)2 = 2
gulanan yaygm desibel k:ullammmdan ayirmak icin, desibel cinsinden gerilim ve log10 10 = log10 (10)1 1=
aktrn kazancr olarak ifade edilmesi daha dogru olacaktir. Iog10 1 = Iog10 (10)0 = 0
Logaritrnik iliskinin avantajlanndan birisi, kaskat bagl1 sistemlere uygulan-
masrdir, 6rnegin kaskat bagh bir sistemin ioplarn gerilim kazanci a~ag1<laki sekilde 24.8 gibi bir saymm logaritmasi
verilir: log10 24.8 = x

508 Biiliim 11 «;:ok Kath Sistemler ve Frekans Biiliim 11.8 Desibel 509
veya 10' = 24.8 Gtir;: oranlan icin, negatif bir desibel oraru, ba§lang1y veya giri§ gucune gore gi.ic,:
Bilinmeyen x degerinin ile 2 arasinda oldugu acikur; ancak logaritmik fonk- seviyesindeki azalmayi gosterir,
siyon olrnamasi halindc degerin bulunabilmesi tam anlarmyla bir deneme yarulma
sureci olacaktrr, Bir saymm logaritmasuu bulma islemi, ayn ayn belirlenecck iki ORNEK 11.4
eleman gerektirir, Bu iki elernana karakteristik ve mantis denilrnektedir. Ka-
rakteristik, logaritmasi bulunucak sayi ile ilgili lO'un kuvvetidir, 100 dB'e karsihk gelen kazancmm genlik degerini bulun.

24.8 = 2.48 x 101 ==) I = karakteristik <;oziim:

4860.0 = 4.860 x 103 ==) 3 = karakteristik (1.18). denklemnden;

G<la = JO logro Ex ; 100 dB==) logio h = 10

Mantis yada logaritmarun ondahk kismuun, bir tablodan vcya bir hesap ma- Pi Pi
kinesiyle belirlenmesi gerekir.
Boylece, P2 = 1010 = 10,000,000,000
loglO 24.8 = 1.3945 Pi
log10 4860.0 = 3.6866 Bu ornek, pratik cihazlardan beklenebilecek desibel degerleri arahgiru ar;:tkc,:a
gostermektedir, Ileride yapilacak hesaplarda elde edilecek 100 civannda bir dB
Kuskusuz, hesap makinelerinin r;:ogu karakteristigi ve rnantisi dogrudan dogruya ver- dcgcri kesinliklc gozden gecirilmelidir, Gercekte SO dB'lik bir kazanc,
mektedir. 100.000'lik bir kazanc biiyiikliigiinc karsihk gelir ki bu da c,:ok biiyiik bir degerdir.
Bir sayirun tcrs logaritmasrmn belirlcnmesini_gercktiren pek cok durum olacakur,
Yani, yukanda ornekte 24.8 ve 4860'1 bu sayilann logaritrnalanndan bulun. lslcm, {}RNEK 11.5
logaritrnayi bclirlemek icin yapilamn tcrsidir. Ornegin 2. l 40'm ters logaritmasiru bu-
lahm: Bir cihazda giris gucu, 100 V'da 10.000 W'ur, <:;1kl§ giicii ise, r;:tkt§ ernpedansr 20
O ikcn 500 W'ur.
karakteristik ==) 102 } (a) dB cinsindcn giir;: kazanciru bulun.
2140 } 1.38 x 102 = 138 (b) dB cinsinden gerilim kazanciru bulun.
mantis ::) 138 (c) (a) ve (b) sikkrndaki sonuclarm neclen uyustugunu veya uyusmadigiru acik-
layin.
Hesap makinesinde
Cozum:

(a) - = JO log10 0.5 x 103 = l O log10 - J

Gda = 10 Jog10 P2 = -10 logro 20
Pi !Ox 103 , 20
degerinin
102.140 = x =-10 (J.301) =-13.01 dB

esdeger oldugunu unutmaym; lOY, standart hesap makinesi fonsiyonudur. (b) o, = 20 log10 ~ = 20 log10 m_ = 20 Jog10 Y500XW
V; . 1000 1000
Birden kii¢iik oranlann Iogaritmasi, oranm tersini ahp onune bir eksi konarak he-
saplanabilir. = 20 logic .JQQ__ = 20 logm J_ = -20 logio IO= -20 d
1000 10
Jog10 u24 = -log10 .M..:
1.6
-10°10 15
o
= -1.1761 (c)

log10 0.788 = -Jog10 _I_= -log10 1.269 = ---0.1035

0.788
510 Btiliim 11 Qok Kath Slstemler ve Frekans BolOm 11.8 Oesibel 511
ORNEK 11.6

40 W 91lu~h bir yiikseltec IO Q'luk bir hoparlore baglanrrusur.

(a) GU9 kazanci 25 dB ise tam gii9 saglamak icin gereken giri§ giiciinil bulun.
(b) Yi.ikseltecin gerilim kazanci 40 dB ise nominal ytkl§ icin giri§ gerilimini he-
saplayin.

<;oziim:

(a) (11.18) denklemindcn

··,
25 = 10 log 40 ::) i = 40 40
P; ters log (2.5) 3.16 x 102
=.AQ..= 126.5 mW
316
(b)
G; = 20 log10 Vn ::) 40 = 20 log10 V"
V; V;
Vo = ters log 2 = 100
V;
Vo= YPR = V40 X 10 = 20 V

V;=XL=.10...= 0.2 V = 200 mV

100 100

Bir grafik i.izerinde togaritmik i:il9eklerin kullarulrnasi, belli bir degi~enin degi§irn .
arahguu belirgin ol9iide genisletebilir. · Bu etki ~agidaki kisrmda daha iyi an-
la§tlacalcllr. Grafik.lerin veya rnilimetrik 9izimlerin 9ogunlugu, yan-logaritmik veya
9ift logaritrnik (log-log) tiiriindenclir. Yan terirni, iki oli;ekten sadece birinin lo-
garitmik oldugunu gosterirken, yift-log, her iki <ilyegin de logaritmik oldugunu gos-
terir. Yan logaritrnik bir ol9ek ~ekil 1 l.26'da gorulmektedir, Dusey ol9egin, e§it ara-
hkh dogrusal bir olyek olduguna dikkat edin. Logaritrnik grafigin cizgileri arasmdaki
bo§lugun kaynagt, grafik:te gosterilmistir, 2'nin 10 tabamna gore logaritmasi yalcl~ik
olarak 0.3'tiir. Bu nedenle 1(log10 1 = O)'dan 2'ye olan rnesafe, arahgin %30'u kadardir.
=
log10 5 0.7 oldugundan, rnesafenin %70'indeki bir nokta olarak isaretlenir, Soldan
saga giderken, herhangi iki basamak arasmdaki ~izgilerde ayru sikisnrmamn olduguna
dikk:at edin. Yer darhg1 nedeniyle grafikte ~ek. l l.17'de gosterildigi gibi tipik olarak
sadece tik isaretleri olacag; icin, sonucta elde edilen sayisal degere ve bo§luga dikkat
etmek onemlidir, Gecmis deneyimlerinizden, bu §ekildeki uzun 9ubuklann ilgili de-
gerlerinin 0.3, 3 ve 30 oldugunu, buna karsrhk sonraki kisa cubuklann ilgili de-
gerlerinin 0.5, 5 ve 50, en kisa cubuklann degerlerinin ise 0.7, 7 ve 70 oldugunu gor-
meniz gerekir.

512 Boliim 11 <;:ok Kath Sistemler ve Frekans BolOm 11.B Oesibel 513
 aktansin (XL = 21tfL) kisa devre elf-" ,nden kaynaklandigun soylemekle yctinelirn. f
= O'da kazancin sifir olmasi gerekugi aciktir; i;:iinkii bu noktada cekirdek iizerinde,
bir sekonder veya ylkt~ gcrilimi yaratacak bir yiiklemc akl§I bulunmaz. ~ekil
l l.28'de de gosrerildigi gibi yiiksekfrekans tepkisi temel olarak primer ve sckonder
sanmlan arasmdaki kayak kapasitans tarafindan kontrol edilir. Dogrudan-kuplajli
yukseltecte, yuksek frekanslarda bir dii~ii~e sebep olabilecek herhangi bir kuplaj ya
da kopruleme kondansatorii yoktur. ~ekilde de gostcrildigi gibi bu, devrenin ve aktif
elcmanm parazitik kapasitansi veya aktif elemanm kazancnun frekansa bagimh-
l1~1nm belirledigi i,, L kcsirn frekansina yonelik duz bir tepkidir.

IA.I= l¥,I (devrmin ve alctif

i-------Bandg~ligi-------...i
elemamn parazitik
kapasltanslan ve translslllr,

I FET ya \OpQn lwanlc1111n

frckansbegunhliAJ)
0.1 10 100 loa /
~~~ii I l.27 Orta frekans
Bir log ill~cgindcki fik ,~arctk!rininsayeal deEcrlcrininbtlirlenmc.-.L Yiiksek·frekans
<,
1000 10,000 100,000 fi IMHz IO MHz f Qogaritmik ol~
11.9 FREKANSA iLi!;,KiN TEMEL NOKTALAR (a)

Uygulanan sinyalin Irekansi, tek veya cok kath bir devrenin iizerinde belirgin bir et-
i.--------Bandgmifligi-------l
kiye sahip olabilir. Bu noktaya kadar yapilan analizlerde 011a frekans arahg1 kul-
larulmisur. Dii§iik frekanslarda, soz konusu elemanlann reaktansmdaki degi§me ne-
deniylc, kuplaj ve kopruleme kondansatorlerinin yerine aruk kisa devrc yaklasimuun
kullarulamayacagim gorecegiz, Kiii;:iik-sinyal esdeger devrelerinin frekansa bagunh
Orta frckans
parametreleri ve aktif elemana ve devreye bagll kacak kapasitif elernanlan, sistemin Y iiksek-frckans
yiiksek frekans tepkisini smirlayacaktir. Kaskat bagli bir sisternin kat sayisindaki '
100 1000 100,000 f (logariunik ol~k)
arll§ hem alcak, hem de yiiksek frckans tepkisini srrurlayacakur, 10
RC-kuplajh, dogrudan-kuplajh ve transformotor-kuplajh bir yilkseltecin genlik {b)
kazanci ~ekil 11.28'de verilmistir. Yatay ol,;:egin, alcak frekans bolgelcrinden yuk-
sek frekans bolgelerine uzanan bir grafik i;:izebilmek i,;:in logarirrnik til~ekte ve-
Dandgcnl~llgl~ (devrcnin ve·akl.if elcmarun
rildigine dikkat edin. Her bir grafik icin bir alcak, yiiksck vc orta frckans bolgesi ta-
rumlanrrusur. Buna ek olarak, dii§iik ve yuksek frckanslardaki kazanc dii§ii§iiniln Av,~i..----------
Av..,.1-------.
----
. parazitik kapasitanslan ve
transist6r,FET yada tOpOn
/ lcazamcuunfrekan'l
temel nedenleri parantez icinde gosterilrnistir, RC-kuplajh bir yukseltecte dii§iik frc- beguniwp)
kanslardaki dli§ii§iln nedeni, Cc, Cs vcya C'e nin artan reakranstdir; buna karsilik
yiiksek frekans smm ise ya devrenin ve aktif elemarun parazitik kapasitif elemanlan
ya da aktif elemanm frekansa bagh kazancr tarafmdan bclirlenir. Transformator- 10 100 1000 10,000 fi 100,000 !MHz
kuplajh bir sistcmin kazancindaki dii~ii§iin aciklamasr, transformatoriin 9ah§ma il-
kelerinin ve transformattir C§deger devresinin anlasilmasuu gerektirir. ~u an icin
(c) . :;·;· ~ ,:·· .
.

bunun, dil§iik frekanslarda transformator giri§ uclanndaki magnetize cndiiktif re- .'>ckil I I .2K 1a1 l<C - kurl:•ilt yllksclllylcr:_I.bl!ransfom1a10tkuplajl'. yo~scll~l~i-i"'1'
1,·1 d<1~rn<'an l11plaJh yukselt~lere1hjktn frckan.s-kazao~cgnlero.

BolOm 11 c;:ok Kath Slstemler ve Frekans Bl:ilOm 11.9 Frekansa ill~kin Temel Noktalar 515
514
 Sekil 1 l.28'deki her bir sistem icin kazanc miktannm orta frekanstaki degere Orta band frekanslarmda 20 loglOl= 0 ve kesim frekanslarmda 20 logl01/Y2 -3 =
yakm ya da ~it oldugu bir frekans bandrvardu. Nispeten yiiksek olan kazancm Ire- dB'dir. Her iki deger de $ekil 1 L30'daki desibel qiziminde a91k9a gosterilmistir. ·
kans sirurlanm sabitlestirmek icin kazanc kesim seviyesi olarak 0.707 A,,ru,, se- 11.8. Boltirnde tarnsilan tersleme siireci ncdeniyle, kesir oram ne kadar kilctikse, de-
cilmistir. Buna karsihk gelen Ji ve Ji ve frekanslan genellikle ko§e, kesim, band, ki- sibel seviyesi de o kadar negatif olacaknr.
nlma, ya da yanrn-guc frekanslan olarak adlandmhr. 0.707 9:1rpanmm secilmcsinln
nedeni, bu seviyede 91k1~ giiciiniin, orta band gii,;: 91k1~m111 yansi kadar olmasidir,
yani or111 frekanslarda:
P _I v} I _I A,.•,., V; 12
o,.,.--;::- Ru I A~.:. L.)
ve yanm-guc frekansmda; JO f I 100 IOOO 10,000 100,900 '1 IMHz
OdB
p _ J 0.707 Avon. V; 12 ::: 0.51 Avortu V; 12 ·3dB
Ul(PF- R,, R,,
·6dB
·9dB
ve PoHPF = 0.5 P,,ona ( 11.26)
·12dB
Her bir sis tern in band geni§ligi (veya ge9i§ bandi) /1 ve fi ile belirlenir. Yani, Sc"
I
ii 11 .. H>Frekaus - Nonualize knzar~ egrisini,1
ck:sibel cinsin<len grat'igi.

Band geni§ligi (BW) =Ii - /1 (11.28)

A§ag1daki tartrsmada r;ogunlukla sadece dii§iik ve yiiksek frekans bolgeleri icin
desibel egrisi cizilecekrlr. Bu nedenle gene! sistem tepkisini gozunuzde - can-
Iletisimin alanmdaki uygulamalarda (ses, goruntu) kazancm frekansa gore desibel
landirmak icin Sekil 11.30'u aklnuzda bulundurmamzda yarar var.
olarak grafigi Sekil 11.28'dekinden daha yararlidir. Bununla birlikte logaritmik grafik
Yiikseltecin, girl§ ile r;tkl§ arasmda genellikle bir tersleme olusturdugu an-
cizilmeden once egri genellikle, $ekil 11.29' daki gibi normalize edilir. Sekilde, her bir
lasilmahdrr. Bu gercek, yalmzca orta band bolgesinde gecerlidir, Dii§iik frekanslarda
frekanstaki kazanc orta band degerine bolunrnustur. Boylece orta band degerinin gos-
V,, ile V; arasmda, V0'm acmm artrnasiyla birlikte V;'nin gerisinde kalmasi sonucunu
terildigi gibi I olacagr aciktrr, Yanrn-guc frekanslannda seviye 0.707 = I/Y2'dir. Boy-
doguracak bir faz kaymasi mevcuttur. Yiiksek frekanslarda faz kaymasi 180° 'nin al·
Jcce (11.20). denklemi ~ag1daki gibi uygulanarak, desibel graligi clde cdilebilir:
tma dusecektir. Sekil 11.31, RC-kuplajh bir yukseltecin standart faz egrisidir.

~1 =2010°101~
1 A,.ll'rt;1 dO o A,'lm:a (11.28)

I.A~:ul -c ,A,1 ( V 0• V, arastnda.klfa.z faclu)

)60°

90"'--~----l~~~~~~~~~~~~~-t~~
f1 100 1000 10,000 l 00,000 '2 l MHz lOMHz /(logaritmlkOI .

..:k ii 11. :!l) Frekans - Normatlac k.:1za1u; cgrl~i.

~~li I I I _ _; I RC. kuplajlt bir yiiksch~ sish:mindhcr bir kala)

ili~kin fill cJrisi.

516 BolOm 11 9ok Kath Slstemler ve Frekans BolOm 11.9 Frekansa ill§kln Temel Noktalar 517
 r ;; I /\, ! li\i,::j',l {1;1Lfl Y0KSEL TE<;: - DU$UK
I
! ; , i
t: ; ,,.11:;::.' ;·rn:.,•.;:J lT:MYL NOKTALAR <;:lk1§ ve giri§ gerilimlcri arasmda, gerilim bolme kurahyla belirlenen a§ag1daki gibi
J".ifj,"";I,;\

Temel BJT yi.ikseltecini dii§iik frekans bolgesinde incelemeden once, ~ekil bir ili§ki vardir : · " ,,,;,
l l.32'deki seri RC devresini inceleyelim ve -uygulanan frekansm A,. = VJV; iize- Vo= RV; ,,i:,>' .. ;.;
R +Xe;;.:-,.,;,·,,
rindeki etkisine bakalun. Cok yi.iksek frekanslarda
Buradan V0 degeri,
Xe=_l_=on
_ 2rc/1C
ve ~ekil l l.33'de goriildiigii gibi kond~nsatoriin yerine kisa devre esdegeri konabilir. ile bulunur.
Sonucta yiiksek frekanslarda V" = V; olacakur. f = 0 Hz'de,

Xe,= _L=_J_=ooil
.
. 2rc/1
·;
C 2rc(O)C
~ekil l l.34'de gosterildigl gibi acik devre yaklasik esdegcri kularnlabilir, bu durumda ;
V,, = 0 V olur. (11.29)

+ + + Bunun seviyesi ~ekil l l.35'te gosterilrnistir. Baska bir deyisle Xe = R saglayan Ire-
R Y0 kansta ylkt§, ~ekil l l.32'deki devre ii;in girisin %70.7'si olacakur.
Bu olaym ger~ekle~tigi frekans ~ti esitlikle bulunur:

--·]
Xc=-1-=R
21t/1C
~d~1111.:n
ve _1_.. (11.30)
1tRC
Logaritmik tcrimler cinsinden, -~ ...
iki Uy nokta arasmdaki A,. = VJV; oraru ~ekil l l .35'teki gibi degisecekrir. Frekans
artarken kapasitif reaktans azalir ve <c1kl§ uclannda, giris geriliminin daha biiyiik bir G,= 20 login A.= 20 logio ...L=-3 dB
kisrm goriiltir. fi
Av= VJV;= l ya da V0 = V, (maksimum deger) ise
G,. = 20 log10 l = 20(0) = 0 dB
~ck.ii l l.30'da f = J1 oldugu
zaman orta banttaki kazai:i.<r seviyesindc 3dB'lik bir
dti~il~ oldugunu goriiriiz. Buradan, BIT transistorunde alcak frekans kesim fre-
-·· -------- /"
kansmm bir RC devresi tarafmdan belirlendigini ve bunun da ( 11.30). denklemle ve-

r
./"'
»:
0.707 - / i rildigini buluruz. Eger kazanc denklemi a~ag1daki gibi yazilirsa, .
,
/ I
I Av=V"=_fl_= I l = I
I
I
V; R - jX I - j(XIR) I - j(1/(J)CR) I - j( 1127ifCR)
I

vc yukanda tammlanan k"llam\.,.._~·

A.= I (11.31)
I - j(/1//)

BOIOm 11.10 Tel< Kalli TranslstorlOYOl<Nlt99"Ai?k Frekanslardakl Temel Noktalar 519

518 BOIOm 11 <;:ok.Kath Slstemler-ve Frekans
Faz ve genlik terimleriyle,

Av="V
-1L= I Ian- 1 (/1/fJ (11.32)
0.1 /1 'den /1 'e kadar bu noktalann grafigi ~ek.il 1 L36'da gosterilmistir, Logaritmik
olcekle cizildigi zaman bu egrinin diiz bir ,;:izgi olacagma dikkat edin, Aym sekilde
Vi
.....
VI + (f,1!)2 J <<!, icin OdB kosulu i,;:in de diiz bir ,;:izgi ,;:ekilmi§tir. Daha once ifade edildigi
. t' • ....
V0ilc Vi gibi, duz ,;:izgili parealar (asimptotlar), sadece f << /1 durumunda 3dB i,;:in ve f = f,
A, 'nin gcnli!i
, .. d:. ~ ar.mnd:iki oldugu zaman egirnli cizgi i,;:in dogrudur, Bununla birlikte J = f, oldugu zaman orta
foz~ISI
.,-,J. ,; band seviyesinden 3 dB'lik bir dU§U§ oldugunu biliyoruz. Diiz ,;:izgili parcalarla ilis-
f = f, old~gu zaman genlik icin ,; ... '... kili olarak bu bilgiyi kullamrsak, aym sekilde gosterildigi gibi, frekans tepkisinin ol-
dukca dogru bir grafigini elde edebiliriz. Asimptotlarm parcah dogrusal grafigi ve il-
A,.= I = .L = 0.707 => -3 dB gili kinlma noktalan, Bode egrisi olarak adlandinhr.
-, YI +(1)2 fi : ·.

Logaritmik fonnda dB cinsinden kazanc:

Avl00 = 20 log10 ::: -20 log10[1 + ffl.)2]112

\J
I + (ft/JJ2
1 ··~.
(~rJ
(do...... .,,

= -U) (20) logro[ I+ ;-20 log10 I = 0 dB

+(trJ
fi/100 /1/4 /1/2
=-l0Jogw[1 0
-3
_6
---,---r---r- I

..J____
I

~
......
,;;t,-... \
~kfrebnsyamu
I (logaritmik llll'Ctl

J <<!, ve (frff>2 » 1 olan frekanslar icin yukandaki denklem yaklasik olarak §tiyle I ,,
I ,
yaztlabilir:
(tr
I ,
-9
= -10 log10 lj_'/\
-12
-6 dB/oktav vcya - 20 dB/dcbd
ve sonuc olarak

A,, I do= -20 log,ofl. (11.33)

f /«/1

Bir an i,;:inf «Ji durumunu ihmal edersek, logariunik frekans ol,;:egindc (11.33). denk-
lemle iyi elde edilen bir grafik, ileride karsinuza ,;:tlcacak desibel grafikleri ir;:in cok yararh ~dil 11 . .1(1
bir sonuc verecektir.
Yukandaki hesaplarnalar ve grafik, frekansta 1 oktava e~deger 2 kathk bir de-
f = /1 'de : fl.= I ve -20 logic I = 0 dB gi§menin, oranda. 6 dB'lik bir degi§meye neden oldugunu gosterir. Ozellikle ka-
f zancm fifl' den/1'e degismesi halinde ortaya cikan degi§ime dikkat edin. Frekansta
10: 1 'lik bir degi§me durumunda, /r/10 ve /1 frekanslarmda gosterildigi gibi, 20
f = lf 'de: .h.. =·2 ve -20 log10 2 -6 di
2 I f
= dB'lik bir degi§me olacakur, Bu nedenle ileride (11.13). denklcm fonnatma sahip bir
fonksiyon i~in bir desibel grafigi kolayca elde edilebilir. Bu amacla ilk once devre
f = ! f 'de : .iJ... = 4 ve -20 log10 4 = -12 dE parametrelerinden ft'i bulun, sonra da (biri 3dB dogrultusunda, digeri 6dB/oktav
4 I f
veya 20 dB/decad'da dogrusalliktan aynlan) iki asimptotu ,;:izin. Daha sonraj.'e kar-
f = J... f 'de : .iJ...; 10 ve -20 logm 10 = -20 dB §ihk gelen 3dB noktasim bulun ve egriyi ,;:izin.
1o-'1 f

520 BolOm 11 yok Kath Slstemler ve Frekans Bl>IOm 11.10 , Tel< Kath TranslstorlO YOkse~-A~ Frekanslardakl Temel Noktalar 521
 Boylece herhangi bir frekanstaki kazanc Bode egrisinden a§ag1daki gibi bulunur:

Avl dB= 20 log10~

$ckil 11.37 de gortllen devre i~in: :;.X1·,1·
~= lOlog10 v,,
I C 20 Vi
~'---~--<>
+,1,. 0,1 l'F
v,
,,
+
Ancak

ve
~---,.
14•-
· I . V,,
V;
L---
= :J·
~~i:l-
1
, (11.34)

Omegin A. I dB = -3 dB lse _,_,

t
i A,.= V,, =
10·3120 10·0·15 =
0.707 olacaktir. =
V;
1 10-0,15 degeri, bilimsel hesap makinelerin.in gogunqa:olan 1<)'' fonksiyonuyla bu-
lr
f, (a) Kmlma frekansin, bulun ·
(b) Asimptotlan yizin ve -3dB noktasuu bclirlcyin. lunabilir.
(CJ Frekans tcpkisi egrlsin; yizin. $ckil 1 l.38'dcn/ = 2/1 = 637 Hz'de A,. I dB= !dB olacakur Bu noktadaki kazanc
~
V
Av= z,e,
Av ldB
= 10~ = 10- = 10--0.os = 0.98 I
1120
V;
(a) /1 = ----1._ = ----":----- ve
21!RC (6.28) (5 x 103) (0.1 x IQ'6)
= 318.5 Hz ya da/ = 637 Hz de V,,. V;'nin %89.l'dir.
(b) ve (c) icin ~ekil l l.38'e bakm.
(11.35)

den belirlcnir.
( 11.32) denkleminden
f <</1 frekanslar icin,

Omegin /1 = 100/ise,
e = tan-I A tan-1 (100) = 89.4°
f

8= tan-1 Ii: tan-1 1 = 89.45°

f
/» /1 icin : (}=tan-I .Is. ~ 0°
I

522 BoUim 11 9ok Kath Slstemler ve Frekans BOIOm 11.1 O Tak Kath TranslstorlO YOksell419-Algalc Frekansllardald Temel Noktalar 523
 Cs

Omegin/= 100/1 ise,

Cs'yi cevreleyen ktic,:ii!tillmii§ ac ~deger devresi ~ekil 1 l.4l'de verilrnistir, V; ge-
0 = tan "'.1 ..fJ.. tan-I 0:01 :: Q.573c rilimi, gerilim-bolucu kurah uygulanarak bulunabilir:
f
- V·- R;V,
e = tan-I (/,//) egrisi ~ekil. I l:39'da verilmistir, Yukseltecten kaynaklanan ilave ' - R, + R; - jX-es1 ; 1, (11.36)
180° faz kayrnasim da eklersek ~e.k,il J 1.3 l'deki faz grafigi elde edilir.
ve kesirn frekansi ~ekil I J .32'deki devrede oldu'g~ ibi · g 0

V., V,'denlleride

9<f
---- -
------
...... <,
',
45° ---------'------ "",,
I , /
I ',,
I -.._
I ------. ~
~l__~__L_--ll-...,.....L~--1.~--:-I;:----:'::--:-;-;:--~~~~
0.1/1 0.2/1 0.3/1 0.5/1 /1 2/1 3/1 5/1 I0/1 f
~cki! 11.39 ~ck il I 1.41 Cs'ye ili1kin kismi
ac e~delerdcvresl.
Simdi dikkatimizi ~ekil l 1.40'daki alc,:alf frekans tepkisini etkileyecek olan Cs,
C c, CE kondansatorlii ternel BJT yukseltecine
: cevirelim. Her birinin etkisini ayn Rs+R;=Xcs
ayn inceleyecegiz, denkleminden bulunacaknr,

Bu senucu kullanarak, CS tarafmdan belirlenen dii§iik kesim frekansi,

Voc=20V
/L,= I
(11.37)
2m,R, + R;)Cs

Orta veya yiiksek frekanslarda kondansatorun reaktansi, eleman ic,:in yerine devre
Re 4kn C§degerini koymarmza izin verecek kadar kiic,:iik olacakur, Boylece V; gerilimi ilc Vs
arasmda a§agidaki ili§ki kurulacaknr,

' V; I 0'12
= R;V ...
(11.38)
·; • R; + Rs

!rs frekansmda V; gerilimi (11.38). dcnklemde belirlenen degerin %70.7'si olacaknr,

Cc

Cc kuplaj kondansatorunun etkisini belirlemenin en iyi yolu, ~ekil l l.42'dcki

c,:1k1~ esdeger devresine bakmaknr, Orta veya yiiksek frekanslarda Cc kon-
dansarorundn yerine kisa devre esdegeri konabilir; bu durumda V,, yilo~ gerilimi,
~ckil 11.40
transistorun kollektor gerilimine esit olacaktir.

524 BiilOm 11 ~ok Kath Slstemler ve Frekans

B610m 11.1o Tele Kati! Translstorto Yllk~·Ah;ak Frekanslardakl Temel Noktalar 525
 c . -~'· .·.•
Cc
+
5 ---]
---.1 --·-,_.
2_:rRr~:_J
Ce'nin kazanc iizerindeki etkisini tam~lam~mn eii iyi yolu, ~ekil l l.44'teki du-
(11.40)

zenlemenin ; i
R0 (lnmillllr)
v. Ya A ,. = ~\<'. 'i' ,,,,,
!illooll
fr+ RE f
C§itligiyle vcrilen kazanciru d.ikkatc alarak nic:1..olarak degerlendirmektir.
Gii9 kazancmin, RE sifir ohm iken maksimum oldugu acikur, Dil§iik frekanslarda,
Ce kopruleme kondansatoru a91k devre iken, RE'nin tamarru yukandaki denklemdc
•':.::. gtiriinilr; bu da minimum kazanca neden olur. Frekans artarken CE kondansati:iriiniin
rcaktansi azalacak ve RE CE tarafindan efektif olarak kisa devre edilinceye kadar Re
Kesim frekansi, ve CE paralel empedansi dil§eccktir. Sonuc, Av= -Rc/r, ile belirlenen maksimum yn
Rc+RL= Xcc da orta band kazanci olacaktir. Ae frekansinda kazanc, Ce kisa devre iken degerinin
3 dB alunda olacaknr,
kosuluyla tarumlamr vc

flc= . l
2m._Rc + RL)Cc (11.39)
degerine esittir,

fie frekansmda V,, 9Lkt§ gerilimi V,,'nun orta band degcrinin %70.7 si olacaktir.

v,o---- '!:
)
. ii!;.'.!

CE kondansatorunun harici e§deger devresi ~ekil 11.43'dc gi>riilmektedir.

_Rr = RE ~ [ RJ + fr ] = XcE
! .
kosulu, ernetor ktipriileme kondansatorii ile belirlenen kesim frekansnu tarnmlar:
\, ,.:: ; j

Bir sonraki ornegi incelemeden once, Cs. Cc ve Ce'niri-yalmzca alcak frekans tep-

-
Rs
"f +r, E kisini etkiledigini haurlaym, Orta band frekans scviyesinde kondansatorler yerinc
kisa devre e~degerleri konabilir. Her birisinin A,. =VJV; kazancim benzer bir fre-
R, kans bolgesindc etkilernesine ragrncn, Cs, Cc ya da Ce tarafindan belirlenen en yuk-
sek kesim frekansr en bilytik etkiye sahip olacaknr, yilnkil orta bant seviyesinden
once karsilasilan en son frekans bu olacaknr. Frekanslann birbirine nispeten uzak
olmasi halinde en yiiksck kesim frckansi oziinde sistemin tamarmrun "alt" kesim frc-
kansrru belirlcyecektir. Eger iki ya da daha fazla "ust" kesim frckansi varsa, etki
alcak kesim frekansrru daha da artiracak ve olmusuz bir sonuc olarak sisternin band
~dil I I ..I.~ Cr:'yc ili~kin k1,mi ac geni§liginin azalmasiyla sonuclanacakur.
C¥1ci;.:rdcvrc

526 Bolilm 11 C<>k Kath Slstemler ve Frekans BolOm 11.10 Tek Kath Translstor!OYOkselt119-A1?1<Frel<anslal'daklTemel Noktalar 527
ORNEK 11.8
ve !}ekil l l.45'ten
$ekil 11.40'daki devre ii;:in alcak kesim frekansim belirleyin ve Bode egrisini V; = ...B.tYL_ ... 11,

cizin. Frekans egrisine kars; gercek kazancm hesabiru yapm. R;+ R, .·,

(,:iiziim:
\I_.
Yi= _}Jj__ = 1.32 kn = 0.569
·. :..l i : veya V., R; + R, J.32 kQ + I kn
de kosullan icin r;yi bulursak ;
Boylece A,...,.=~ Vi = (-90) (0.569)
V; V, , ..
..
f3RE = (100)(2 kn)= 200 kn» 10 kn
=-51.21

bu nedenle yaklasik deger ternelinde PRE ihmal edilcbilir vc Cs:

R;=Rn1 II Ru2II /3r,=40kOII JO kn II J.576kn= l.32kf.l i
Vu= Ru2Vcc _ l0kn(20) =m=4V i
Rs2 + Rs1 10 kn + 40 kn 50
+
Buradan ;
IE= Vi; =1..::...Q.1=.l.J._= 1.65 mA
RE 2 kn 2 kn
Boylece
~d.il 11.45
tv= 26 mV - 15.76 Q
l.65mA

ve f3r.= 100(15.76) = 1516n = 1.s16 kn Iu= =-----l------

2n(R, + R;)Cs (6.28) (I kQ + l.32 k!l) {10 x 10-6)
A§agidaki analizde HP-85 masa iistii bilimsel bilgisayanndan alman i;1k1§ omegi /Ls= 6.86 Hz
vcrilrnistir. Sistemin yazthm destegi. soz konusu frekans arahgmda i;1k1§ ge-
Sadece Cs iceren devre icin elde edilen HP-85 bilgisayar grafig! $ekil 1 I.46'da
riliminin giri§ gerilimine oranmm grafigiru i;izen bir devre analizi paketi icer-
gorulmektedir. $ekil l 1.46'da da g<>rilldiigil gibi, 3 dB nokrasnun, orta frekans
mektedir. Karsilasnrma amaciyla orta band kazanci gerekecektir:
kazancm 0.707'sine ya da 36.2l'e karsihk geldigini hatirlayin. .

Yo/Y,
8~
80
7:1
Kazanc, 70
Av= v(I = -Re 11 RL = _ (4 kn) 11 (2.2 kQ) = -90 60)
60
r, :!~

Girls ernpedansr,
V; 15.76
5~
4 !5 ......,,. - ·-··"' .
4EI
J~ -0.707Av- --../
Z;=R;=Rs, II Rs2II f3re J9
2~
/1
-. . ../ II
= 40 ill II IO Hl 11 1.576 ill 20 .·
I <to>
I.... •
1!1
= l.32kn 19 ~_>. ···· · · (100)
I '=-i'III I. I I I I
$cl.ii I I .'16

B610m 11.10 Tele Keib Translst&IO VOkseh~~AI~ Frekanslardakl Temel Noktalar 529
528 BolOm 11 Cok Kath Slstemler ve Frekans
~ekil 1 I .46'daki logaritmik olyek iizerinde kesim frekansi (= 6.86 Hz) olarak tah- _,,,. .. ·,
_

min edilrnistir, v01v,

80
75
70
!Le= __ _.____ 6:5
,;0
21C(Rc + succ 53
50
- I 4 '3
40 _______ ..,.
~ (6,28). (4 kO + 2.2 kO) ( I x I 0'6) 3'3 ----- o.mAv.,..
. I

= 25.68 Hz 30
25
20
..... ~- ~-~ .~
I
I
I
15 I
I
I9 I
Cc 'ye ait bilgisayar yizimi ~ekil 11.47 gorulmektedir, 0.707
seviyesine tekrar 5 (10) (100)
.i.---~""""~..:......~ ......-++>---+--+l .......++<>--f
I (1000)
dikkat edildiginde, kesint.fr;kansmm. 25.68.Hz'e ya.km oldugu tahmin edilmistir. HIN F-1
", ·.:, AF-LOG
.':·i. d i ! .. t;;

fi.1/nin /Ls ve /Lc'den oldukca biiyi.ik olmasr, bunun, liim sisternin alcak frekans
tcpkisinin belirlenmesinde daha aguh.kl1 faktor olacaguu dii~iindiiriir. Hi-
potczirnizin dogrulugunu kontrol etmek icin ti.im devre bilgisayara girilmis ve
~e
7'3 ~ekil l l.49'daki grafik elde edilmistir, Bununla ~ekil 11.48 arasmdaki yakm ben-
70
65 zcrlige dikkat edin, Pratik acrdan Cc ve Cs. kazanci, yalrnzca 100 Hz'nin altmdaki
60 frekanslarda etkileyeccktir.
'35
50
45
40
3'3 ---- 0.707 Av..,. _.,._~-1··
30 .. I
2~ I ee
20 ,· I 75
!~ / I 70
10
5 rn . /,.,... oo> I noo) 63
60
~·~·--......, 1
~,----~--~i:.......,_...,~,~·~"A+·K~·s~F--1~~-0~~t,-1,-1~·
~ .. 55
50
:i~l~~l MAG KV4/NV1 Le 45
4~
35 ----- 0.707 Av----...:--;•
. .'I
30 . I

Re =Re II (R} +r,)=2kni (\~+ l5.76)=2knll(IO+ 15.76)

25.
20
15 .../'
I
I
I

= 2 kn I I 2s.16 n = 25.76 n
10
5 (I)
I t f
(10)
I ti lflt
. ·. (100)
c ~·, I I ti Ill
I
I (1000)
6 MIN F-1 MAKS F~1000 '\""" .. f
Ice= _L_- =-1['._= 309.1 Hz AF-LOG HAG NV6/NV1
2,rR,Ce (6.28) (25.76) (20 x 10·6) 3235.46

Cc: icin bilgisayar grafigi ~ekil 11.48'de verilrnistir. Burada da 0.707 seviyesinin,
tahmin edilen kesim frekansmrn 309.1 Hz civannda elde edildigine dikkat edin. Dahn onceden de belirtildigi gibi dB grafikleri gcnellikle orta band kazancma bo-

B610m 11 · <;ok Kath Slstemler ve Frekans BolOm 11.1 o Tak Kath TranslstorlO YOl<seH~·~k Frekanslardakl Temel Noktalar 531
liinerek normalize edilir. Sekil l l.40'daki devre icin orta band kazanci -51.21 ve
=
I A,/A,,01101 oraru orta band bolgesinde I A,./A,,011.I dB 1 olur. Sonne ise, ~ekil l l.50'de §ey, a~ag1da gosterilecegi gibi yiiksek frekans bolgesiicin de gecerlidir,
gosterildigi gibi 20 log10 5l.21/5L21 =
0 dB olacaktir. Dusuk frekanslarla A,. ka- Koprulenmemis bir emitor direnci icin yalmzca Cs ve Cc'den kaynaklanan iki
zanct duseccktir, ancak A,.mid 51.21 duzcyinde sabit kahr ve I A,./A,,011• I omni da, kesim frekansi olacag: acikur. fis denklemi de buna baglt olarak degi~tirilecektir.
buna bagl1 olarak dii§er. Ornegin kesim frekansmda·IA,) = (0.707) (51.21) 36.21 = Bolumun sonunda bu konuda bir ahsnrma problemi vardir.
ve sekil 11.50 de gosterildigi gibi IA,JA,,o,101 = (0.707)(51.21) = 36.21 olacakur ve
I A,./A,,011.I dB oraru'da 36.21 = 0.70751.21 olacaknr, 11.11 T~K KATLI TRANSiSTORLO YUKSELTE<;:
YUKSEKFREKANSDURUMU

Yuksek frekans kisrmda -3 dB noktasiru belirleyen 2 faktor vardir: Devre ka-

pasiransi (parazitik ve devrcye giren baglann kablolanndan kaynaklanan) ve hi,,
(/3)'mn frekans bag1mhhg1. . . ·
O O.l f (logaritmikm~kl Yiiksek frekans bolgesinde soz konusu RC devresinin diizenlemesi ~ekil 11.5l'cleki
1000
_31--~~~+-~~--,<--~--,<-+-~~-'---,rc',',::___;;.;;__~~~ gibidir. Artan frekanslarda Xe reaktansi azalacak, bu da r,:1k.t§ uclannda kisa dcvre ct-
-6 kisi gostererek kazancm azalmasma neden olacakur, Bu RC duzenlernesi i~in ko~e fre-
-9 kansmm bulunmasmdaki islemler, alcak frekans bolgesinde yaprlan islemlere benzer,
-12 Aradaki en onemli fark, A,,'nin yapismda gorulen 8§ag1daki farkur:

I
-15
-18 A - I ·, (11.41)
v - I + j(f/J2) _
-21
-24 Bu da, ~ekil l l.52'de verilen ve frekansla birlikte 6 dB/oktav'da dusen asimptotik
-27 grafigi verecektir. Burada (11.31) denkleminde f 'nin, kesrin paymda olrnasirun ak-
-30 sinefi, frekans oranmm paydasidir,
• L2dB/Olc1av

R I (logllritmikol~kl
0 v,. 0

IC
~,,kil J 1511~mek 11.8 ~in al~akfrekan<grafi!i. + +
Sekil 11.50, her bir kesim frekansinda -{i dB/oktav'hk bir asimptot cizerek elde v,

I
Vo
edilir. Eleman degerleri icin sekilden, CE ile tammlanan kesim frekansmm, ge-
nellikle devre band genisligini tarumlamak icin kullamlan -3 dB noktasim be- 0 0
lirleyecegi acrknr, Band geni§ligi icinde kalan frekanslar lcin mevcut maksimum
gilciln en azmdan yansi yiike ulasacaktir, Vs= 0. 707 Vmales icin,
~-~ii 11.51 ~<:~ii I 1.52 Oenklcm (11.41) ik rammlunau .,,implotik c[lri.

Pi= Vi-= (0.707Vmn1cs)2

Ri Ri
~ekil l 1.53'te, transistorun r,:e§itli parazitik kapasitanslan (Cbc, Coc, Ccc), devrenin
= 0.5Pmalcs kurulmasi sirasinda kullamlan baglanu kablolarmm kapasitansiyla (Cw" Cw2) bir-
$ekil l l.50'de, gercek frekans tepkisini cizrnek icin kullamlan asimptot eglminin likte eklenrnistir. Sekil l 1.53'deki devrenin yiiksek frekans esdeger modeli ~ekil
-12 dB'ye dii§tiigiine dikkat edin. Bode grafiklerinde, asimptot, alt kesim fre- 1 l.54'de gorulmektedir, Bu frekanslarda kisa devre durumunda oldugu varsayilan
kansmdan gecerken sonucta elde edilen asimptotun egimi eklemeli olacaknr. Aym Cc, Cs ve CE kondansatorlerinin olmadtgma dikkat edin. Alcak frekans kesim

532 Biiliim 11 <;:ok Kath Slstemler ve Frekens BolOm 11.11 Tek Kath Translstor!O YOkselt~Yilksek Frekenslardakl Temel Noktalar 533
noktasiru belirleyen kondansatorlerin, ~ek. l l.53'teki gibi ylkl§ uzerinde degil, RC
devresinin giri§ ve ylkl§ uclan arasinda goriildiigtinii unutmaym. C; kapasitansi, I 0.
Bolumde FET icin gosterildig! uzere CM Miller kapasitansuu, C,,e kapasitansnu ve Giris devresi icin -3 dB frekansi
Cw, girl§ kablolama kapasitansiru - icerir. C,, kapasiransi ise y1k1§ kablolama ka-
pasitansmi ve kollektor kapasitansmi icerir, (11.42)
~ekil l l.53'teki giri§ ve pkl§ devrelerinin Thevenin e§degerini cizecek olursak,
sonucta ~ekil 11.55 teki dtizenlemeyi elde ederiz, olarak tammlamr.
Burada
Vee= 20V

ve

Cw1 =4pF
<;ok yuksck frckanslarda C;'nin etkisi ~ck.ii l.1.54 te Roi, Rs2, R; ve C; paralel bir-
C1112 = 8pF
lesiminin toplam empedansmi azaltrnaknr, Sonucta C; uclanndaki gerilim ve ii,
Ch =48pF
Cb<• I.SpF
akimi azahr, Net sonuc, sistemin toplam kazancmm dusmesidir.
C.,=6pF Yilksek frekans araligmda A,. gerilim kazanci, kapasitif elemanlar nedeniylc fre-
Cs '\ lµF·'
I
I kansm bir fonksiyonu olacaknr. Bu, 9.Boliimdeki gibi basit direnc oramyla be-
oo =•:c ..
I
I
I
I
lirlenemez. Bununla AncakA,. degeri icin ilk yaklasim (yaklasik deger) olarak orta
band degerini kullanacagiz. Frekans artnkca kazancm, kapasitif elemanlardan dolayi
I I
/ • .L. orta band· degerinin aluna dii§ecegi acrknr, Bu nedenle orta band degerini kul-
Cw2"T"
I lanmarmz halinde, maksimum A,. degeri ve maksimum Miller kapasitansi elde etmis
I
·I oluruz. Bu da, maksimum C; ve minimum !H; degeriyle sonuclamr, Ozf!nde bu du-
CEI20µF I
2k0 I rumda C; nedeniylc en alt kesim frekansim bclirlemis ve en kotii durum tasanmuu
I
tammlamrs oluruz, Baska bir deyisle, C; nedeniyle gercek (fiili) kesim noktasi, orta
- - -.t:r
band kazanci kullamlarak belirlenen degerden ~er zaman yuksek olacakur,
~c~il l U:, ~ckil I l.40'daki devrenin, y(ik.sek-frd:ans tepkisi <;!kt§ devresi icin,
lizeriudc ctkili olan koodansat6rlcrlc birlikto yenidon ~izimi.

( 11.43)
~~~--~~....-~~-+--<>Vo
Burada;
~
Re RL ve

<;ok yuksek frekanslarda C0 kapasitif reaktansi azalac'-ak ve dolayisiyla ~ekil

$dil I I .54~okii 11.~-~·doki clcvn:nin yUl.,d.
ll.54'deki paralel 91ki§ kollarmm toplam empedansmi dti§iirecektir. Net sonuc, Xe
reaktansi kti9illdilk9e V0'nun da sifira dogru azalmasidrr,
fr.-,, .. ,,. 111<>d<li.
Bu noktada, yukseltecin ytiksek kesim frekansiru belirlememesi icin hte ya da -run
frekansa bagh olarak degi§mesini ele almak gerckmektedir. h1e'nin frekansla de-
gi§mesi, belli bir dogruluk derecesiylc a§ag1daki iliskiye )'akla§acakt1r:

{r, = ft,ona '.

(11.44)
1 ti!/Jpj

~kll 11.55 -(a) - (b) B6JOm 11.11 Tek Katll TranslstorlO YOkselt~-YOksek FrekanslardaklTemel Noktalar 535
 ,
Tammlanmayan tek bilyiikliik olan/p, transistoru yilk:sek frekans bolgesinde en iyi ,;ogu kez ortak emeror parametreleri yerine ortak bazli yi.iksek frekans parametrelcri
bir sekilde ternsil eden Giacoletto veya karma.rt e§deger devresi parametreleriyle be- tarumlarur, A~ag1daki denklem, fa ve a'nm belirtilmis olmasi halinde /p'nin be-
lirlenir. Bu model ~ekil l l.56'da gonilmcktedir. <;e§itli parametreler aciklanma ge- lirlenmesi icin dogrudan bir don~tiinneyi miimkiin kilar.
rektirmektedir. rb/,' direnci; baz kontak, baz govde ve baz difiizyon direncini icerir.
lhr,1, lhrbl
Bunlardan ilki bazm gercek fiziksel baglant1smdan kaynaklanir. Ikincisi, transitorun
aktif bdlgesine yapilan dt~ baglant1dan1kaynaklanan direncir; sonuncusu ise alctif baz
40dB
bolgesi icindeki gercek direnctir. rb·,, re, ve rb·c direncleri, transistor aktif bol-
gedeyken gosterilen uclar arasmdaki direnclerdir. Bu, Cs» ve Ch'• kapasitanslan icin
de gecerlidir; ancak burada Cb'• difiizyon kapasitansi iken Ch'• ge9i§ kapasitansrdir.
Bunlardan her birinin fr~~ans bag1mhltg10a iliskin daha aynnnh bilgiler, kolayca
elde edilebilen ~e§itli kitaplarda bulunahilir,

-
rb'c (3 MO) 20dB

B (IOO!l) b' c
lb
rbb'
i4 Cb'• (4pF)
IOdB
I
rb., =-
Kb'< (I ill) Cb•,
r-:«:I {l~ ill) tJ°i{rJKm~·• ~:,,,'b-.Ii, ai ht•oJb
(80pF) ~-~· (SOX 10 Vb'•.) / "1,, i~ orta band degeri
lh,, I= 1
(h,.) • O<
'--OdBf-~~~~~~~~--,f--~~-+_._:.---"-"=-=::::=-ll
-3dBJ--~~-~~~~~-r--+-~~~+-~~~-~

E E
l -IOdB
~~kil I 1.56(;;acolctto (veya karina n) yiiksek. Frckans
trnnsisti\r kll~k sinyal ac C¥fci,er de\lT'CSi.

·; -20dB
Bu parametreler cinsinden: O.IMHz I.OM Hz 10.0MHz 100.0MHz lkMHz IOkMHz f. lognriuniklll~k

~ekil I l.57Yul.:.ckfrchnsb!llgesindc
fp (bazenfi~, olarak goriiliir) = gb·, (ll .45)
frckansa bal\~ h1,vc h..,_

21e(Cb·, + Cb·c)

~,=l
Jp=fa(l - a) (11.47)

ya da h1, karma parametresi ile gb'• arasmdaki Cm = h/•0<1.Ch',ili§k:i nedeniyle Transistor icin, kazanc-bant geni~ligi ,;arpum denen bir nicelik a~ag1daki kosulla
tarumlanrr :
fp = I gm
ht,.... 21t( Cs» + Cb·c)

(ll.44). denldemin ternel formau, bununla alcak frekans tepkisi iyin eldc edilen
( l l.46)
l I + jf/fp

egriler arasmda bazi benzerlilder oldugunu dii§iindiirmektedir. En belirgin fork,

fp'nin, frekans oranmm paydasmda olmasma ka!§m.f1'in payrnda olmasidir, Bu far- boylece ; I ht, I do= 20 logic I~ I=
I +jftfp
20 log10 I = 0 d:
km etkisi, ~ek. l 1.57'deki gibi olacaktir; frekansm artmasiyla birlikte egri, orta band
degerine yaklasmak yerine bu degerin alnna dusecektir, Ayru sekilde, frekansm bir I I
h1, dB= 0 dB noktasmdaki frckans, ~ekil l l .57'de fr ile aytkya gosterilmistir, Ta-
fonksiyonu olarak hJb'nin grafigi yer almaktadir, Bunun, frekans araligmda hemen mmlanan kosul noktasmdaki <fr >> /p) ,,,;inin biiyi.ikliigii a~ag1daki denklemle vc-
hemen sabit olmasma dikkat edin. Genelde ortak bazli devre, ortak emetorltl devreye rilir :
h1,...... hreooa = 1 =
kiyasla, daha iyi yiiksek frekans karakteristikleri gosterir, Bu nedenle transistor icin Y I + (frlfp)2 . fr /fp
536 BolOm 11 <;ok Kath Slstemler ve Frekans
Bolilm 11.11 Tek Kath Transistorlil VOkseltec;-YOksekFrekanslardakl Temel Noktaler 537
 /,1; = = ------J.,------=-
Cs BG)
--../
2trRTh1Ci (6.28) (0.568 x Ja3) (188.5 x 10'12)
· boylece fr= llfeor,a fp (kazanc bant geni§ligi carpmu) (11.48) 6 . :.
= lOOO x 10 = L49 MHz
672.4
veya fr=Pfp
RTh2=Rcl[Ri=4kOll2.2 k!l= 1.419 kQ
C,, = C1vi + Cce = 8pF + 6 pF = 14 pF
buradan, (1 l.49) 1
Ju,.= ---"'--= 3 12
21tRTh2C., (6.28) (1.419 x 10) (14 x JO' )
( 11.48). denklemde Jp degerini yerine koyarsak,
fr= htcu,iaf p = hteoru [-1- gm J = lOOO x 10
6
= 8.02 MHz
124.76
. ht•oru 21C(Cb'e + C1,•c)

elde ederiz, ilk yaklasik deger olarak rhh· etkisini ihmal edersek, sonucta :;;ekil
11.56'daki B ve b' uclan birlestirilmis ve Ch'e = Che ve C1,·, = C1,c olur. Sonuc ise fp= g1,·,
21C(C1,, + C1n:)
Ix 10·3 1000 x 106
fr= gm
(11.50)
=-------
310.86
2tr ( C1,, + C1,c) (6.28) (49.5 X 10'12)

olacakur. Jp= 3.217 MHz

elde edilir,
ORNEK 11.9
ve fr~ h1/P
(a) ~ekil l l.53'teki devrede g1,·, = l x 10-3 S ise [u;./110,Ip ve fr yi hesaplaym. = 1po (3.217 x 106)
(b) Alcak ve yuksek-frekans bolgeleriicin Bode egrisini cizin. =321.7MHz
(c) Sistemin kazanc band geni§liginin yarp1mm1 bulun.
b)"~ekil l l.53'teki devrenin alcak, orta ve ytiksek frekans bolgeleri icin bir Bode
<;:ozum: egrisi ~ekil 1 I.58'de verilrnistir. Yiiksek, 'orta ve alcak frekans bolgelerinde, her
bir kesim frekansirun -6 dB/oktav'hk bir asimptot tarurnladigma ve egimin, kesim
(a) Rn,1 = Rs 11 Ro1 11 Roil I R; = l ill 11 40 kQ 11 10 kn 11 1.576 kn= 0.568 kQ frekansmdan her geyi§inde -6 dB/oktav (gercek tepkiyi tammlayacak asirnptot
icin) artugma dikkat edin. ~ekil ilzcrinde aynca gercek tepkiye yaklasan bir egri
C; = Cw1 + C,,. + (1 +IA,. I) C,,. de gorulmekredir, En yuksek alt kesim frekansmdaki vc en dii§ilk ust kesim fre-
kansindaki -3 dB'lik dii§ii~e dikkat edin.
= 4 pF + 48 pF + (1 + 90) (l.5 pF)
c) Band geni§ligi
= 188.5 pF
BW =fH; - AE =Im= 1.49 MHz
Miller kapasitansiyla ilgili kazanc seviyesini vermesi nedeniyle Ornek 11.8'dc
=
A,. Vo/V; olarak tammlanan A,, degerinin kullamldrgma dikkat edin.

538 Bolum 11 yok Kath Slstemler ve Frekans BolOm 11.11 Tek Kath TranslstorlO YOkselt1!9-YOksek Frekanslardakl Te1Tl91 Noktalar 539
 or-~~~-;,r--::::;:::;a:::;::~:::,,--~----oit::::::~::e-=::::---,.::--~~--
-3 dB I (logoritmik G~k)
-6 dB
lie a 309.1 Hz fr 't
-9 dB
f-; o:-:-_,---.--::;.:...,+-.---r-::::i--....---.....--::-iri---i:--ir---.,----.--.---/(logari1m1 i ·
-12 dB
~~~.!.---,f-...~4-__.!.!!!!..-/.,,l-~~IOOO~~~IO~k~H~z~~~:-!.~~HJ.-l-~..!!!~'-'-"~:.:::..-'-'1000:,=M~Hz
6~) . -ISdB n =I
-6dl3/0lctav -18 dB
n-2 n=2
n• 3 n=3
t, r; J'i /,' /!2 h
·· .. ' =
-, <,, s I )(n 2) {n a 3) (n a 3)(n = 2){n = I)

~ckil 11.59
I
Katlann, cizdC§ (birbirinin aym) katlar oldugu varsayilarak, her bir band frekansr
-l 2d8/Qlctav
icin kat sayismin fonksiyonu olan bir denklem a§ag1daki gibi belirlenebilir:
Alcak frekans bolgesi icin,
kil I I 5M ~kil J I .50"dcki dcvn: i~in frehnsa
ijlo A,d8 (logari1mik 6~k)

11.12 <;OK KATLI FREKANS ETKiLERi Ancak her bir kat birbiriyle aym oldugundan A •lalt A "2ail = et.c.
Birinci katm 9tki§ma dogrudan baglanan ikinci bir transistor katinda toplam frekans
tcpkisinde belirgin bir degi~me olacaknr. Yuksek frekans bolgesinde C'o <,;1kJ§ ka-
pasitansnun, simdi bir sonraki katin baglanu kapasitansiru (Cw1), parazitik ka-
pasitansi (C1,c) ve Miller kapasitansmi (Cn.) icermesi gerekir. Aynca, ikinci kat ne-
deniyle ilave alcak frekans kesim seviyeleri olacaktir; bu da bu bolgedeki sistemin yada
A
.::!'.!IL (toplam) = ( ~A )2 = l
A.0,.. A.Orta (l + jf1/f)"
toplam kazancim daha da azaltacaktir. Her bir ek kat icin, tist kesim frekansi temel
olarak kesim frekansi en dii§tik olan kat tarafmdan belirlenecektir. Alcak frekans ke- Bu sonucu vfi (-3 dB seviyesine) esitlersek,
simi ise temel olarak en yiiksek frekansh kesim frekansma sahip olan kat tarafmdan
-;===:::~:::;::=- ..L
belirlenecektir. Bu nedenle, kotti tasarlanan bir kat, baska tiirlti iyi tasarlanrrus bir
sistemde sapma yaratacaknr,
rY 1 + if,tfi>2J" fi
Ozde§ (birbirinin ayru) katlann sayisuun artmlmasmm etkisi, ~ekil l 1.59'daki du-
yada
rumlar incelenerek a91k9a gosterilebilir. Her bir dururnda, katkat bagh her bir katm
tist ve alt kesim frekanslan birbirinin ayrudtr. Tek bir kat i<,;in kesme frekanslan gos-
terildigi gibi/1 vefi'dir. Kaskat bagh iki ozde§ kat durumunda yuksek ve alcak Ire-
kans bolgelerindeki dU~me oraru, -12 dB/oktav ya da -40 dB/dekad'a yUkselecektir. Boylece
Bu nedenle j] vefz'de desibel dti§mesi-3 dB olarak tammlt band frckans kazanc se-
viyesi yerine, -6 dB olacaktir, Gosterildig] gibi, -3 dB noktasi, /1 ve fi'yc kayarak
band geni~liginin diisrnesine neden olur. -18 dB/oktav ya da -60 dB/dckadltk bir
egirn, katlan ozdC§ olan ii9 kath bir sistemde, band genisliginde (/1 ve Ji) belirtilen ve
dii§ii§e neden olacakur.
BOIOm 11.11 Tek Kath TranslstorlO YOksell~·YOksek Frekanslardald Temel Noklalar 541
540 Bo!Om 11 <;ok Kath Slstemler ve Frekans
 sabit kazanc band geni§ligi nedeniyle, 10 kat artarak 100.000 olacaknr, Kuskusuz,
Sonuc olarak (11.51)
tasanmm, artan band geni§ligine elverecek VC alcak kazanc seviyesini kuracak ~e-
kilde olmasi gerekir.
Benzer bir §Ckilde, ytiksek frekans bolgesi icin
·Kaskath transistorlii arnplifikator sistemlerinin analizini tamamlamak acismdan,
artan kat sayisirun frekans tepkisi ilzerindeki etkisi, bolum sonunda degil de burada
(11.52)
tarnsilrmsur, ancak burada elde edilen sonuclar dogrudan dogruya FET ve vakum
tiiplii kaskat sistemler icin de gecerlidir, ·
oldugu gosterilebilir.
11.13 KASKAT BAGLI ff¥T'Li YUKSELTE9LERiN
Her bir denklemde aym ~ faktoriinun varhgma dikkat edin. <;e§itli II de- FREKANS TEPKISI .
gerleri icin bu faktorun biiyiikliigil a§ag1daki tabloda verilmistir:
FET ydkselrecler iceren kaskat bagh _temsili bir sistem ~ekil I 1.60'da verilmistir,
n fi!iiCT
1
2 0.64
3 0.51
4 0.43
5 0.39

11 = 2 icin, i.ist kesim frekansi Ji = 0.64/2 ya da tek kat icin elde edilcn degerin
%64,il oldugunu, buna kar§ihk/2= 1/(0,64}!1 = 1.56/1 oldugunu di.i§i.ini.in. 11 = 3 icin,
Ji= 0.51 h ya da yaklasik olarak tek kann degerinin yansi olurken/i= (1/0.51}!1 =
1.96/1 ya da tek katmdegerinin iki 'kan olur. I
Son birkac; konudaki ornegi ele alahrn: bu ornektefi:: 1.49 MHz vef, = 309.l Hz I
I
idi. II = 2 icin, R<li I
I
I
.h' = 0.64/i = 0.64 (1.49) MHz)= 0.95 MHz I'
Ii= l.56fi = 1.56(309.1) = 482.2 Hz
I
ve I
a a'
,Simdi bant geni§ligi 0.95 MHz· 482.2 Hz =Ii ~ ya da tek kath degerinin % 64.4'il
kadardir, bu da belirgin bir di.i§medir. ~ckil t l .60 Kaskal bajlo FETli YUl<.<elleflcr.
RC kuplajh transistorlu yiikseltec ic;in/2 =/p olmasi veya her ikisi de ilst 3 dB fre-
kansiru etkileyecek kadar birbirine yakm olmasi halinde, 1/(J + jftf,) fakrorlerinin ,Seki! l I.60'da a-a' ile gosterilen boliimiin e~deger devresi, hem yiiksek hem de alcak
artan sayisi nedeniyle,/i belirlenirken kat sayisimn 2 kat arnnlmasi gerekir, frekans bolgeleri iyin ,Seki! ll.6l'de verilmistir ', Alcak frekans tepkisinde, Cs'den
Kat sayismdan bagimsiz olarak orta bant kazanci sabit kalabilirse., bant ge- kaynaklanan kmlma frekansuun, Cc'nin alyak bant frekansiru belirlemesine yetecek
ni~ligindeki azalma, kat sayisinda bir arnsla her zaman ili§kili olmayacakur. Or- kadar kiiyiik oldugu varsayilmrsur .. Bu nedenle alyak frekans modelinde Cs go-
negin, tek kath bir yiikseltec 10000 Hz bant geni§liginde lOO'liik bir kazanc iiretirse, zukmemektedir. Daha sonra referans olmak uzere, Cs ile belirlenen kmlma frekansi
§Oyle tammlanacakt;;.ir ..: -.
sonuctaki kazanc-bant geni§ligi c;arp1m1, 102 x 104 = 106 olacaknr, iki kath bir sis-
tem ic;in ayni kazanc, kazanci 10 olan iki katla elde edilebilir, c;ilnkii 10 x 10 =
f, = l + R,1(1 + g111rd)l(rd + Ro111 &) (11.53)
lOO'diir. Bu durumda her bir kann bant genisligi, dil§ilk kazanc geregi ve 1Q6'1Ik . : 2nCsR., ,

542 BofOm 11 c;:ok Kath Slstamler ve Frekans Boliim 11.12 Kaska! Bagh FET'II Yiikseft~lerinFrekans Tepklsi 543
 c1
c, D1 burada /2=-......L--
0 + 21rCostRilst ·
+

v, .. v,,1 ·l>,
,, ,1Km v.lfJ rd,
••. =•,, v,,2 "Va ve c.. = Cw+ C;2
1

~ -
'----v--1
- ve

R' FET yi.ikselte9leri i9in izleyen katm giris kapasitansi, 10. Bolumde ttiretildigi
{a)
gibi ~ag1daki denklemle verilir:

rr
(11.56)

I
Kazanc-bant geni~ligi carprrru ise ; I
I

(kazanc) (BG)= Avona (/2 - /1 ;;;./2)

.,
= g., R 211:R (Cw+
l
C;)
'

R ylllcsek

(b) KxBG- gm =J=A,,"".h. (11.57)

ve 211:(C,v+C;)
Seki I 11.6 ~ii l l.60'daki devrcnin a-a' p:,,,asmm
k~ilk-siny.al ac qde~r devresi.

10. ve bu bolumde, orta bant gerilim kazancirun ~ag1daki denklemle verildigi

gosterilmisti :
Av = Va = -g R burada R = r,1 11 Ro, 11 RG2' dir. PROB LEMLER
""" V; m

~ekil 11.61 'deki devrelerle transistcrlt; kaskat bagb sistemler icin son birkac la- ~ 11.2
simda anlatrlan devreler arasmdaki benzerlikler oldugu a~1kt1r. Bunu gez onune ala-
rak, ~ag1daki sonuclan veren islernlerin de a91k olmasi gerekir. 1. (a) Gil9 kazanci 12.8 x 103, ZL = 4 kn veilk kaun giri~ empedansi Z;1 2 kn =
olan kaskat baglt bir sistem i9in A,7 ve A,,r degerlcrini bulun.
(b) (a) §ik.kmdaki sistem iki ozde§ kauan olusrnus ise her bir katrn akim ve ge-
~·=_J__ (11.54)
rilim kazanctm bulun.
Avoru : I - jJi/f

~ 11.3
Burada, /1= 1.
21CCc(_R + RG2) 2. ~ekil I J.62'deki iki katli RC kuplajh )'.tikselte9 it;in
ve R'= rd1 11 Ro1
(a) Z; ve Z0'yu bulun.
Avw :::::· I (b) A,. = V ,/V; gerilim kazancim hesaplayuuz.
(l 1.55)
Av°''" 1 + jf //2 (c) A;= /JI; akim kazanciru bulun.

544 Bolclm 11 9ok Kath Slstemler ve Frekans

Problemler 545
 kemmel bir gerilim kaynagi (Rs = 0 n ) ile beslenecek vc 10 kffluk bir yuk
alunda yah§acakllr. Her bir eleman icin (ticari olarak mevcut) tipik degerini
gosterin ve kontrol etmek icin sonuctaki devrenin gerilim kazancuu hesaplaym.
Ticari olarak mcvcut direnclerin listesi herhangi bir elektronik urunler ya·
ymmda bulunabilir.
20V : , r
9. 11.3 ornegi, Cs1 ve c52'nin y1kanld1gm1 ve Rs1 = _2.2 k!l ve = _ l~~ rr·i .

-
Rs2
sayarak rekrarlayin. ·
J.OµF lo
,,

·-
11.4
C2

z, 10. 22 Q'luk bir ytike baglanm1~ 5:1 oranli bir indirici transfonnatoriin primerinden
Ri 4.6 gorulen empedansi hesaplayin.
CE2
IIOOµF IL 50 Q'luk bir yiikti 20 Q'luk bir kaynak empedansma uyudurmak icin gerekli
transformator sanm sayisim hesaplayin.
T
a a'
12. (a) Sekil I 1.63'teki transformator kuplajh devrenin (V,/~;) gerilim kazancmi he-
saplayin.

~dil I I .62 lki kath RC-kupl•jh yUk,elle,;.

------------.---- V cc= 22.5 V

3. ~ekil 11.62'de!<i RC·kuplajh yukseltec devresinde her bir transistor icin R111 =
56 kn ve R112 ;,, 5.6 ill ve Re1 = 6.8 kn ve Re2 = 3.3 kn, Re1 = Re2 = 0,56 Ml,
Re = 2.2 Ml secilirse Z;, Z,, A,T, Air ve Apr yi bulun. Biitiin kondansator de·
gerleri ayrudir, Her bir transistorun /Js1 120 dir. h;e belirtilmedigi icin, her tran-
sistor icin r, hesaplanqialldtr. Biitiin ilgili yaklasiklan kullamn.

4. CE emetor kondansatorlerinin ikisinin de ylkardmt~ oldugunu varsayarak 3. prob

lemi tekrarlaym.

5. Ce'nin y1karild1gm1 varsayarak 11.1 ornegini tekrarlaym.

6. Ce'nin y1kanld1gm1 ve Zl ylki§ yiikilniin bir kondansator araciligryla Q2' nin

kollcktoriine _bagland1gm1 varsayarak 11.1. omegi tekrarlaym.
I_ 20µF
I
' . ·. IOµF '::") k!2
-=4.7 k!l '::"
7. Re1 'in y1kanld1gm1 vc ZL'nfo 0.56 ill'ya dil§iiriildiigilnii varsayarak J l.2 i:ir-
negi'ni tekrarlaym, ·

8. Toplam kazanci 2000 olan RC kuplajh bir yukselrec tasarlaym. Devre, mu- ~ckil I I .6~iki kath 1r.i,.,fonnatl\r-kuplajh yukscllcf.

546 BlilOm 11 ltok Kath Slstemler ve Frekans · Problemler 547

 15. ~ekil l l.65'teki kaskod yukseltee icin ~g1daki degerleri bulun :
; (a) /J1 =/J.i = 50 icin, rep ve rC?. :·,
(b) ~ekil 11.63 teki devrede yiik 0.5 ~Q'a dii~iiriiliirse, devrenin gerilirn kazanci
(b) V,. = lOrn V ise, A,r ve V"
ne olur? •
(c)Z; veZ0

* 11.5
Vee= 20V

13. ~ekil l l.l3'teki devrede 12 V'luk kaynaklann yerine 16 V kaynak konulursa

yeni de seviyeleri ne olur? Aynca, her bir transistor icin yeni r, degerini bulun.
AC gerilirn ve akim kazanclan nasil etkilenir? Bu degi~irnden etkilenirse yeni
Re 2.nn Q,.
seviyeler ne olacaknr?
+.
11.6

14. ~ekil l l .64'deki kaskod yukseltec icin a~ag1daki degerleri bulun: .

(a) V0
(b) Z;, Z0

Vlt'=l8V
-~
J
~~ki I I U,S Problcin 15'dcki iki katll yUlcsck~.

2.2kn * I J.7

16. ~ekil 1 l.66'daki Darlington devresi iyin A;, Z;, Zo ve A,.'yi belirleyin.

Yee =+20V

a,: h1e = 3.s kn

hr,= so
Rs 2.2Mn h«= IOµS
1, Q1: h1e=.o.13 kn

0-1-----
+ IOµF
hj;= 50
h«= IO~S
ioo n
1.2 k!l
CE 150µF . +
...

$~kil 11.64 . -=-

(c) (,,/; ve A;
~-·k i I l L(,<, Problem I 6'cfaki yUkseh~ devrcsi.
(d)A,,T

548 BolOm 11 yok Kath Slstemler ve Frekans Problemler 549

 17. Q1 Transistoriiniin kollektoru ile Vee arasina 2.2 kQ'luk bir koilektor direnci ek-
lcndigini ve ylkt~m. Darlington devresinin kolektorunden almd1gm1 varsayarak 16.
problemi tekrarlaym. I,,,
ekleneri'2.iR.Q'luk direnc iizerinden akan akimdir, 21, Aym direny iizerinde v. v v=
= 25 ve 2 100.V olmak uzere iki ge~~lim ol¥iimii
· ·i :,j\-1 yapilnusur. Birinci okumaya kiyasla ikinci okumadan okunan dB guy kazancrm
18. ~ekil 1 l.67'de, ly, ve h;., rransistorler yerine, Darlington ¥ifti icin verilmistir. bulun.

22, Giri§ ve ylkl§ gerilim olyiimleri V; = 10 mv ve V,, = 25V olarak yap1lm1§t1r. De-
sibel cinsinden gerilim kazanci nedir?

23 (a) Uy-kath bir sistemin toplam gerili~ kazanci 120 dB dir. Ikinci katm db ka-
, anci birinci katm iki kau ve iiyiincii kaun desibel kazanci ilk kann 2.7 kan
ise her bit katm desibel kazanciru bulun.
(b) Her bir katm gerilim kazanciru bulun.

~ ll.9-11.11

24. ~ekil l l.68'deki devre icin,

Cw ~ SpF {giri§)
1
Cw2 "'4pF C~1k11)
Cbc= 2pF
Cc,"' 5pF
+
C~,,. 30pF
uo xn 47W

Cs
(a) Aq = V"ifl ';
(b) Av2 = V,12/Vi. O.Skn
lµF
(c) A, . ,= V,.,fVs.
+
(d) 0.56 kQ'luk yiike 10 kQJuk bir direnc paralel olarak baglamrsa A,.1 dcgeri nc
y, .. Ys • JmV ~:,.
olur?

19. R6 direncini 150 n yaparak 17. problemi tekrarlayin.

ir
11.8

20. A~ag1dak.iler icin giiy kazancmr-dls cinsinden hesaplaym. (a) Alt kesim frekanslanfi5.ft.c vefLE'yi belirleyin ..
a)P0= 100W,P;=5W. (b) Orta bani kazancrru hesaplayin.
b)P"= 100mW,P;=5mW. r•· (c) Dst kesim frekanslart/H; vefHo' yu hesaplay1~ '.
=
c) P0 100 µWt P; = 20 µW. J~(·:r_. (d) A,.= V,JV/yi logaritmik duzlemde kabaca ¥1z10.

550 Boliim 11 <;:ok Kath Slstemler ve Frekans

551
Problemler
 § 11.13
25. CE kondansatoruml kaldirarak 24. problemi tekrarlaym.
31. ~ekil l l.60'daki gibi bir FET yukseltec devresinde ~ag1daki devre degerleri iyi_n
26. Ce= l µF yaparak:''25. probl~ini tekrarlayin.
orta frekans kazancnu hesaplaym : '•· · ··

n.rz gm= 6000 µmhos, rd= 50 kO (Q, ve Q2) ;

Ro1 =Ro2= lOkO; .
27. Her biri 20 dB kazanca sahip 4 oz.de~ kata sahip dort kath bir yukseltecin top-
RG1 =·Ro-i = 1 Mfl ; . . ···"
lam gerilim kazancmi hesaplayin. .t11.;, •• ,, .
• \ . .,..·.,.: <' I Cs= 10 µF, Rs= 1 kO, Cc= 0.1 µF, C8, =·Cgd = 4 pF, Cw= 7 pF .
28. Her bir kann iist kesim.frekans1fi =
2.5 MHz olan 4 kath bir yukseltec icin dev-
32. Problem 3l'deki devre iyinf1 veh degerlerini h'J~~playm:
renin 3 dB toplam Iist frekanstm hesaplaym. . • I ;.Ur.Hi..

33. Problem 31'deki degerler ve devre icin kazanc-band geni~ligi carpanmuhe-

29. Her birij] = 40 Hz kesim d;;f;~~rna sahip 4 kath bir yilkseltecin tamarmndakijj
saplaym.
. ~ ·.,., u; . "'_. >I : . !
i
degeri nedir?

34. ~ekil 11.70'deki devre i9in

30. (a) ~ekil l l.69'daki iki kath yukseltec devrcsi icln alt kesim frekanslanru bulun.
(b) Sekil l l.69'daki devrenin iist kesim frekanslanm bulun if{J = 5MHz) . :..·,
(c) Orta band gerilim kazancmi hesaplaym ve A,.'nin frekansa gore (logaritmik
olcekli) kaba bir yizimini yapm .. 12V.
T4 = 50kSl
4.7kSl;

2.2kn
22kll . 2µF lMn
_c,
0.2µF
I
I
I
o-----111--_,._...,.,.., Ongmlim nokw.Dda
g111 =2mV
1o-----l'----<>--~~_,:;.-'I P= 100· /3= 100 I + 0.00'.ZµF
I I I
I I I
I 1 I
I I I v, .. 1omv
I 22on . I
I I ::hcw3
I
2.2k0
4.6 kn:*:: Cw1 :*:Cw2
I
I
I
I
I I I
I I I
I 2ill lOOµF I I
I 1 I ~c~il 11.70
I t I

QI' Q2 : Cb, = 50pF Cw1 =4pF

c;» 2pF Cw2 =6pF (a) Verilen kondansator degerleri ile belirlenen alt ve iist kesim frekanslannr he
C,. = 5pF .1:,1 Cw3 = 8pF saplaym. Vcc:=20V, rp=:O'Okullantn.
~ckil 11.6') (b) C;'nin hangi deger] ic;in alcak kesim frekansi 10 Hz olur?
(c) Yiiksek kesim frekansmda V0'1 bulun.

Problemler 553
552 Bo!Um 11 <;ok Kath Slstemler ve Frekans
 12.2 SERi-BESLEMELi A-SINIFI YUKSELTE<;

~ekil 12.9'de gosterildigi gibi basil sabit-ongerilirnli devre baglannsi, A~s1mf1

, biiyiik-sinyal yiikselteci olarak kullamlabilir. Daha once incclenen kiii;;iik~~i~yltl
'. · :,.,1.r1..i, .... ,·
devresi ile bu devrc arasmdaki tek fark, biiyiik sinyal devresi tarafmdan kullarulan
,.. sinyallerin, volt diizeyinde olrnasi ve kullamlan transistorun, birkai;; watt arahgmda
. .,. ·~' ), ,. ·.
:.'
,' .', •• . • . '.• . ; ' : . ; : ~ % .. :
9ah§abilcn bir gili;; transistorii olrnasidir, A§ag1da da gosterileccgi gibi, bu devre,
biiyiik sinyal yiikseltecinde kullamlacak en iyi devre degildir. DC i.ingerilimi v;J ile
belirlenirken, R8 a§ag1daki de baz-ongerilim akimun belirler. ~i
T:' ..
=
Io= Vee· VBE Vee - 0.7 V (12. l)
Ro Rs
Buradan kollektor akmu

le= /Jla = hFEIB (12.2)

ve kollektor-emetor gerilimi

Vee= Vcc-IcRe (12.3)

12.1 ciats
Bir yukseltec sistemi; bir kiii;;iik sinyal yiikseltecinden, bir biiytik sinyal yiikseltccinden Vee
ve bir i;;ikl§ transdiiserinden olusur, Giri§ transdiiser sinyali genellikle kiii;;iiktiir ve bir
yllCI§ cihazim i;;al~tmnak ii;;in kullamlabilecek diizeyde ytikseltilmelidir. Bu nedenle
kiii;;iik-sinyal yukselteclerinde dikkate · ahnmasi gereken temel faktorler genellilde dog-
rusalhk vc kazancnr, Giris transdiiserinden gelen sinyal gerilimi ve akim genellilde
kiii;;iik oldugundan, giii;; kapasitesi ve giii;; verimliligi pek onemli degildir, Gerilim yiik-
seltecleri, hoparlor ve motor gibi cihazlan i;;al1§tumak ii;;in bi.iyiik-sinyal yiikseltec kat-
11)11na yeterince biiyiik gerilim sinyali saglarlar. Bir biiyiik-sinyal yiikseltecinin, verimli v, I\,.
i;;ali§rnas1 ve tipik olarak birkac watt'tan ytizlerce watt'a kadar giicii kaldirabilrne ka-
pasitesine sahip olmasr gerekir. Bu bolumde, tipik olarak bir kai;; volttan onlarca volta i ,,.,.·~·· · ,)C:kil-12. l Serl beskintli A-sm1f1
kadar degi§cn biiytik sinyalleri kullanabilen ytikseltei;; katlan iizerinde durulacaknr, Bizi .110Yiik·sinyal 1ilkselltci.
en cok ilgilendiren ytikseltei;; faktorleri arasmda devrenin gili;; verimi, devrenin kal-
dirabildigi maksimum gili;; rniktan ve yikl§ cihazm empedans uydurmasi sayilabilir, de ongerilimin, yiikseltecin 9al1§masmdaltj onemini daha iyi belirtebilmek ay1smdan
·tlk once, boyle bir devre baglannsirun kullarulmasmdaki bazr sirurlan gostermek ~ekil 12.2'de bir kollektor karakterisrigi verilmistir, Vee ve Re devre degerleri icin,
acrsindan, A suufi seri beslemeli bir yiikseltec kau ele ahnacaktir. Daha sonra, su- bir de giii;; i;;izgisi §Ck:il 12.2'de gortildilgil-gibi yizilebilir. 18 ongerilirn degeriyle de
riicii · katla ytik (i;;tkl§ transdiiseri) · arasmdaki empedans esleme icin kullarulan bir yilk cizgisinin kesisimi, devrenin siikunet:yah§rna noktasuu (Q-noktas1) belirler, le
yonterni gostermek amaciylatek ui;;lu transformator kuplajh katJ 'inceleyecegiz. Sin- ve Vee silklinet noktasi.degerleri, (12.1)-(12.3).;~asi denklemlcrle hesaplamr. Eger
yalin, bir hoparior veya motora dii§lik'bozulmal1 (distorsiyonlu) etkili bir kuplajla bag- de ongerilim kollektor akmu miimkiin olabilecek .sinyal salmurunm (0 ile Vcc/Re
lanmasi ii;;in i;;ok populerolanpush-pull .baglantJsm~.!aft1§acag1z. Son olarak, trans- arasmda) yansi olarak secilirse, en biiyiik ac k~ll~~Jor akirru miimkiin olacaknr. Bu-
formatorstiz push-pull i;;alt§masi'i~n birbirini tiimler t'ransistorlii devreler sunulacaknr, na ck olarak, eger siikunetteki kollektor-t:mctof gejilimi besleme geriliminin yansi

554 Bl>IOm 12.2 Serl-Beslemell A·Sintf1 YOkselt~ 555

olarak secilirse, en biiyiik kollektor gerilimi salmum miimkiln olacaktir. Eger Q nok- I~ -i I

tasr bu en iyi ongerilim noktasmda secilirse ~ekil 12. l'deki devre icin gil'r he-
saplarnalan ~ag1daki gibi belirlenecektir.

I
/ g~baz
: ( alanuac
·:· sinyall

/Q-noklas• \ ,, .\
lcQ-H-==~~--'sa
I
alamaac
siny.U
!
.. $ckil 12.2 YUkdogrusu ve
Q • nok1asu,1n gllstcrildij!i
translstGrkaraktcristi!i,

$ekil 12.3 De yOk dofrusu ve

Gerilim kaynagindan saglanan giris giicii: ac si11yotletini go.stc«:n rr:msis-
tGr kolk:lttGr karaktcristikleri.

P,(dc) = VcdeQ (12.4)

aym zamanda ~agidaki gibi de ifade edilebilir. ·
I
<;1kl~ giicii, devredeki yiik direncine, yani kollektor direnci Rc'ye aklanlan gti'rtiir. V;
Po(ac):: le (rms) Ve~(rms) (12.6a)
ac sinyali, baz akmurun de ongerilim etrafmda degi~mesine ve dolayisiyla kollektor
akimm le siikunet akimi etrafmda degi~mesine neden olur. ~ekil 12.3'te, ac baz = lc(tepe) Ve£,(lepe)
akirm giri~ sinyali ve elde edilen ac kollektorakmu ve kollektdr-emetor gerilirn sin- Y2 Y2
yali gorulmektedir. Eger giris sinyali )di'riikse ~ sinyalleri siikunet noktasi et-
_ /c(tepe)Vee(tepe)
rafmda . yalruzca kii'riik degi~imler gosterecektir .. Vi giris sinyali arttikca ve ac baz
·2 (12.6b)
akim sinyali buyudukce, ac 'rlkt~ sinyali de bilyiiyecektir; burada miimkiin ola-
bilecek en bilyiik sinyal salimnu devrenin parametreleri tarafmdan sirurlanacaknr. ac
sinyali tarafmdan Re yiik iizerinde olusturulan gil'r 'rC§itli ~ekillerde ifade edilebilir:
= le (tepe-tepe) \ICE (tepe-tepe)
2V2 2fi
' 2
Po(ac)=f~(rm's)Re= VeE(nns) (12.5a)
· .. 'i '. Re Po(ae)-le(tepe-tepe) Vee(tepe)
8 (12.6c)
I

.=.(17yepe)) Re= VtE(tepe) . (12.Sb) (12.5)-(12.6) esitliklerinden herhangi biri kullarulabilir; sonuctaki degerler aym ola-
fi- 2Rc cakur. ·
·,.,·,:' .) o le ...._a=.=,..:....~~-.
Boylece yiikseltecin verirnlili.,...i ..........hesa lamr:
= le2 (tepe-tepe)Re
t
• · 2
= VCE (tepc--tepe) (12.5c)
·, 1 ·i· -: 8 8Re %71=Po(i~)'~~IOO (12.7)
(- P1(dc)
556 BolOm 12 BOy_Ok Slnyal YOkselte~lerl
BolOm 12.2 Serl-Beslemell A-Sinrt1 Yiiksett~ 557
 Verirnlilik, sadece kaynak geriliminden ~kilen gUciln ne kadannm ac sinyali ola- 0RNEKJ2.l I•.

rak yiike ula~t1gm1 gostermesi acismdan degil, aynca ne kadanmn yiike ulas-
. mac1Jg1m ve ozellikle transistor 'tarafindan ne kadannm 1s1 olarak tiiketildigini gos- JO mA'lik tepe baz akrmr saglayan blr girl§ gerilimi elde edecek §ekildc, $ekil
terrnesi acismdan da onemlidir, · ·, 12.4'teki yukseltecin giris gilciinil, 900§ gUcilnil ve verimliligini hesaplaym. Ay-
£;•. • nca transistor tarafindan harcanan gUcii de hesaplaym.
~]. :
(12.8)
<;ozum:
Maksimum GO~ ve Verlmlilikl' .
( Sekil 12.4a'daki devrc icin Q noktasi a§ag1daki §ekilde bulunur .

Eger Q noktasi maksimum ·sinyal sapmasuun orta noktasma ayarlarursa, mak- lo= Vee· 0.7 V =20 V• 0.7 v .-: 19.3 mA
Ro I kO · ::· ·
simum giiy kosulu yerine geririlmis olabilir. $ekil 12. J 'deki dcvrc iyin bu a§ag1daki -: t •

baglannlar kullanarak belirlencccktir. le= /310 = 25(19.3 mA) = 482.5,mA.

..
maksimum Ve£ (tepe-tepe) = Vee
Ve£= Vee - lcRc = 20 V - (482.s'~A)'(20Q) = 10.35 V
maksimum le (tepe-tepe) = Vee
Re Bu nokta ~ck.ii 12.4b'deki transistor karakteristikleri iizerine isaretlenmistir. <;1.la.§
(12.6c) denklemi kullanarak: sinyalinin ac degi~imi, $eki1 12.4b'deki de yiik dogrusu yiziminin kullammryla, le

maksimum P,, (ac) /c(lepe-tepe)Va (tepe-tepe) = (Vee /Rc)Vcc = Vtc = VcdRc = 1000 mA ile Vce = VCE = 20 Y.
birlestirerek, grafiksel olara.k elde
cdilebilir. Girl§ ac baz akirm, bunun ongerilim seviyesinden gelen baz akirrunr
8 8 8Rc
artirdigi zaman, kollektor akirru a§ag1daki kadar artar:
A§ag1daki ifadeyle verilen siikunet noktasi iyin :ii.

/c(tepe) = {318 (Lepe)= 25(10 mA tepe) = 250 mA tepe

le= Vee /Re
2 (12.Sb) denklemini kullanarak
Kaynak geriliminden gelen de gilcil :
P" (ac) = (~)2 Re= (250 x
10-3)2
(20) = 0.625 W
maksimum P,{dc)= Ycclc= Vc)fu)=.!'.'.& ff ff.
\2Rc 2Rc
( 12.4) dcnkleminin kullaruhsa:
(12.7). denklem ile verilen yilkselteylerin verimliligi maksimum giiy kosulu iyin asa-
g1daki gibi hesaplamr. P;(dc) = Vcclc= (20 V) (482.5 x 10-3.).= 9.65 W

maksimum % 1J = maks P,.(ac) x % 100 Boylece yiikseltecin gily verimliligi (12-?) denklemi kullarularak hesaplanabilir:
maksP;(dc)
2
= Vcd8Rcx% 100=%25 % 11 = P,,(ac) x % 100 = 0.625 W x % 100 = % 6.48
., Vtd2Rc P,{dc) 9.65 W
Bu, seri-beslemeli A-sm1f1 bir yukseltec icin maksimum verimlilik yilzdcsidir. Bu Buradan transistorun harcad1g1 gUy; -,~;
maksimum verimlilik yalruzca ideal §artlarda ve maksimum ac sinyal sahmnu du- ; ;J,'.•"
rumunda ge.1yekle§tiginden, sen:beslemeli A-sm1fi yilkselteclerin y0gunlugu P Q = P; - P0 = 9.65 W • 0.~2.5:W = 9.025 W
%25'den yOk daha az verim saglar, L'

558 Borom 12 BOyOk Slnyal YOkse1te9lerl Borom 12.2 Serl-Beslemell A-Smrf1 Ylikselt99 55!}
 lc(mA)
40

ii[},
30

10
c

I 100 ,
(a) (b)
s IS 20 25
I
- :,- 'r .I, ~c~il 12.5 Transformatllr-kuplajh scs g~yobcheci.
(a} (b)

-5ekil 12.-1 Omek 12.l'deldscn-beolemelidcvTenin~htmaso. R~,,, V1//1 _ Vi Ii_ Vi h _N1-N1 -(Ni)2

Ri V2/h /1 V2 V2 Ii N2 N2 N2
l
Ornek 12.l, A-sm1f1 seri _besl~!lleli devrenin ~1~masmm zay1fhgm1 gos- = =
Burada VtfV2 N1/N2 ve /,J/1 Ni/N2 dir. Dcllayi~1yla transformator giris ve ,;:1kt~
tennektedir. Sinyal salmtmmm mumkun' olabilecek maksirnum sahrum olmamasma direnclerinin oraru, transforrnator sanm oraruriin 'lc~siyle dogru orantih degi§ir:
ragmen, ,;:al1~ma noktasi civanndaki iinemli bir biilgeyi kaplanusur, Boyle bile olsa,
devrenin verimliligi %25'1ik ideal rnaksimum degerin oldukca altmdadir (%6.48).
Daha da onemlisi, transistorun yiike yalrnzca 0.625 W'hk bir gii,;: vermesi icin 9.025 (12.9)
W'hk gii,;: harcamasr gerekmektedir. Dolayisryle bu devrenin kullamma pek clverisli ·
olmadrg; acikur,
ve (12.10)
3 TRANSFORMATOR-KUPLAJLI G09 YUKSEL TECi ': i
!

Daha makul bir A-Sm1f1 yukseltec diizenlemcsinde, $ekil 12.Sa'da gosterildig! gibi, burada Ri = Transformator sekonder uclanna bag1t!yilk direnci
yiikil yukseltec katma baglamak i,;:.in bir transformator kullaruhr, Bu, temel bazi kav- =
R(. Transformatorun primerinden gorillen etkin direne
ramlan gostermek i,;:in seeilen basit bir devre duzenlemesidir, Daha prarik devre tip- a = NiJN2, transformatiiriln primerinden yilk' direncini daha buyuk bir etkin
leri ktsaca.ele almacaknr, $ekil 12.~b'de, gerilim, aktm ve empedanslan gosterilen direny olarak gostermek icin gerekcn dil§i!riiCil Sartin' oramdir.
bir ,;:ila§-kuplaj transformaroru verilmistir. ··I;,

ORNEK 12.2
Transtorrnatorle Empedans Uydurma

I
a:;:,,,. 8 O'luk bir ,;:tk1~ yiikilne baglt 15:1 oranh br~~sformatorun primerinden gii-
Transformatiiriin prirnerinden gonilen direnci, sekonder uclanna baglanan di-
riilen etkin direnci (Ri) hesaplaym. · : .··
rencle ilgilidir. Sekonder direncinin, primer direncine orarn a§ag1daki sekilde ifade .!IH\i., .

edilebilir:
sa1om 12.3 Transformat6r-KuplalhGO~ YOkseltecl 561
560 Bolilm 12 BOyOk Slnyal Y!ikselte9lerl
 (iii.ii Ill: AC Yuk Dogrusu

( 12. 10) denklemini kullanarak · ·· ' Ac sinyal cahsrnasmi elde edebilmek iyin, transistordn primer ucundan gorulen ac
yiik direncini hesaplamak ve daha sonra transistor karakteristikleri uzerinde ac yuk
R~ = {&)2Ri, = (15)28 = 1800 Q = 1.8 kQ dogrusunu yizmek gerekir. Etkin yiik .direnci •(12._IO) denklemi kullarularak, trans-
Nz · ,. formatorun sanm orarn ve sekonder yiik direnci degerleri ile belirlenir. R'r, degcri
eldc edilir. elde edildi.kten sonra, ac yuk dogrusunun, cahsma noktasmdan gecrnesini ve -1/Ri,
oramna C§it bir egime sahip olmasuu saglayacak §ekilde yizilmesi gerekir; burada
6RNEK 12.3 •'i). yiik dogrusunun egimi, ac yiik direncinin negatif ka1'§1ltg1d1r. Sinyal uygulanmadrgi
zaman kollektor sinyali ~ah§ma noktasmdan ge~tigi icin, yiik dogrusunun, yal1§ma
Etkin yiik clirenci 10 kQ olan bir yukseltecle 16 Q'luk bir hoparler yiikii arasmda noktasindan gecmesi gerekir, , ,. . . ; :., ,
empedans uydunnak iyin gerekli transformator sanm oram nedir? Cahsma noktasmda gecen -1/R'c egirnli :~iJi.,;;;µk dogrusunun cizimini basit-
lestirmek icin 8§ag1daki teknik kullarulabilir (bakmiz ~ekil 12.6a):
<;tiziim: Eger Ac sinyal stikunet seviyesindcn O V'a kadar degi§mi§ olsaydr, IcQ siikunet
akirm seviyesi de a§ag1daki oranda degisecekti:
(12.9) denklemini kullanarak
(12.11)

Transistor karakteristiginin y .ekseni uzerinde, sukuner noktasmdan Afc kadar

DC Yuk Dogrusu
.. Transformatorun de (sargrj.direnci, devrenin de yiik yizgisini belirler. Tipik olarak
qu de direnci cok kiiyiiktiir ~ekil 12.5ii'da On olarak gosterilmistir, bu da duz
· (dusey) bir yiik dogrusu saglar. Bu, transformator icin ideal bir yuk yizgisidir. Pra-
tikte, transformator sanmlan yilk dogrusunda hafif bir egim olusturur, ancak burada
yalmzca ideal durum tarusilacaktir, ideal durumda yilk direnci iizerinde herhangi bir
gerilim dii§timil olmaz ve yiik dogrusu, V CEQ = Vcc gerilim noktasmdan dil§ey ola-
rak dilz bir yizgiyle yizilir.
yukanda bir nokta isaretleyin ve ac yiik dogrusunu yizmek icin bu noktayi, ya-
hsrna noktasmdan gecirerek istenen ac yuk dogrusunu cizin. Ac yiik dog-
rusunun, 1,1k1§ sinyal sahnmurun, Vee ;kaynak gerilimini asabilecegini gos-
terdigine dikkat edin. Ashnda, transformatorun primeri uzerinde ortaya cikan
gerilim biiyiik olabilir, Dikkatle kontrof.edilmesi gereken maksimurn yah§ma
degerlerindcn birisi, ac yiik dogrusu yizildikten sonra elde edilen m.tlcsimurn ge-
rilim degerinin transistoriin maksimum anma degerini asrp asmadignu kontrol
etmek icin incelenen ve imalatci tarafmdan verile_n VeEm:ks degeridir. Mak-
simum gii<; ve gerilim oranlannm asrlmadigm. varsayarak, ac akim ve gerilim
sinyalinin sahrnrm ~ekil 12.6a'daki gibi elde edilir. Bu egriler dahaaynnuh ola-
. rak ~ekil 12.6.b ve 12.6c'de cizilmistir. .
L...
Slnyal Sahrurm ve 91k1~ ac gOcu

Si.ikunet <;ah$ma Noktas, ~ckil 12.6b ve 12.6c'deki sinyal degi§in:ilerinden, tepeden-tepeye sinyal sahmm1
· degerleri a§ag1daki gibi ifade edilir: ·
<;nh§ma noktasi grafiksel olarak, rransistorun baz akmu egrisiyle de yiik(dog- .. i! .. ,.

rusunun) kesisme noktasi olarak clde edilir. <;ah§ma noktasmdan sukilnetteki lcQ V,ahn1n1 = Va (tepe) = (~CEnuiks - Vam;n) (12.12)
siikunet kollektor akmu okunur. Baz aktmmm degeri 5. Bclumdekl de ongerillm he- .\1:,,.
saplarnalarrnda gosterildigi §ekilde devreden ayn olarak hesaplarur, lsahmm = le (tepe) = lcmak, ;;,lcmin) (12.13)

562 BlllOm 12 BOyOk Slnyal YOkselter;:lerl Bolilm 12.3 Translormator-KuplaJhGOr;: YOkseltecl 563
 le (A)

G.
Transfonnatorun prirnerinde olusacak ac giicii 3§ag1daki ·§ekilde hesaplanabilir:
0.5 . acyiikdoi1US1
0 4S . '-(CR~)
;'. . . . -~--1--~--
12mA Piac) = VCF. (rms) le (rms)
Ale 0,4 .'< .
IOmA = VvE (tepe) le (lepe)
XoUclcl&' 0.35 -, Y2 V2
.
--~-.----<1---8-·m-::A. Ca1J1l1llnokw.t = Va (tepe)/2 x /c(tepe)/2
abmslnyall 0.3
··· ~. V2 V2
~--4--_....__._0.2S
0.2 4mA
P " (a C) (VcEm,ks - VcEmio)(/c, ••k, - /cmi11)
0.IS 8 (12.14)
0.1
"' ' 2 mA'
-, J11 aOmA
0.05 ~~!--~+-~-+~ Hesaplanan ac giicii, transformatorun primerinde olusan gii9tilr. Oldukca yiiksek
verimlilikli bir transformator varsayarsak, hoparlor uclanndaki gerilimin hemen
I
O S 10 IS 20 2S VCE (volt) hemen (12.14) denklemi ile hesaplanan degere esit olacag1 soylenebilir. Burada
J.+-AVCE ideal bir transforrnator oldugu varsayrlacaknr; dolayisiyla (12.14) denklemi ile.elde
Vaio = Ya; u t2V
edilen ac giicU, aym zamanda yiike aktanlan gii9 olarak kabul eclilecektir.
Xollddl>r gerillminin Soz konusu ideal transformatorde sekonder uclardaki gerilim a§ag1daki sekilde
de!~iml hesaplanabilir :

( 12.15)
(a)
Burada V2 sekonder gerilirni, hoparlor ya da yiik gerilimi Vc'ye esittir, Yuk gerilimi
Vc,;(volt) le (A) ile transformatorun primer uclannda gorulen gerilim (Vi) arasmda, rransformatorun
sanm orani N2/N1 ile tammlanan bir iliski vardir, Primer uzerindeki gerilim daha
once VCE(rms) olarak etiketlenrnisti; gti~e iliskin gcz onunde bulundurulmasi ge-
reken noktalarda genellikle gerilimin rms degerleri kullarulmaktadir [(12.14) denk-
leminde oldugu gibi aksi belirtilrnedigi siirece].
Yiik iizerindeki gil9 ~oyle ifade edilebilir :

IC 2
II\ID Pt,= VL (rms) (12.16)
Ico RL
Vc.ro
Buda (12.14) denklemini kullarularak elde edilen giice esittir. Dolayisryla ac gucu,
1cmm a~ag1daki de dahil olmak uzere 9e§itli yollardan hesaplanabilir:
Va"""
0 wt 0 Wt

(b) (c) lt. (rms) = N, le (rms) (12.17)

N2
~~kil 12.6 ·1,.11,fom,:u0<,kupl1jh A·S1n1f1 ses gU~ yUkscllcc:inin ~1l1.1m•S1 gralik o·«rinoc ~O,tcriln=i.

Burada fi, yuk direnci (ya da hoparlor direnciluzerindeki akimm rms degeridir; vc
yuk akirm ile kollekror akirnrrun ac bileseni 'arasinda, transformator sanrn.oram ile
belirlenen bir iliski vardir,

564 B610m 12 BOyOk Slnyal VOkselteQlerl Borom 12.3 Transformator-Kuplafh GO~ VOkseltecl 565
 ac ve giicii de ll§ag1daki denklemle hesaplamr: Vee == IOV

(12.18)

ORNEK 12.14

$ekil 12.7 a'daki devre, 8 O'luk. bir hoparloru siiren transformator-kuplajh A-s1mf1
bir gti<; yukseltecini gostennektedir. Kuplaj transformatoni 3: l'lik dii~iiliicii sanm N: = 3: I
N

oramna sahiptir. Devre elemanlannm degerleri 6 mA'lik bir de baz akirru olu§-
turuyorsa ve giri§ sinyali (V;) 4 mA'lik bir baz akirm tepe sahrmru olusturuyorsa, ls= 6mA
$ekil 12.7b'de gorulen transistor karakteristiklerini kullanarak a§ag1dak.i devre dc- Cl'i neoonlyle)
gerlerini hesaplaym: VCEm:iks' Yamin• lc;moks' IcEmin' yiik ak.tmm ve gerilirninin lt,.,.. ·4mA
rms degerleri ve yiik. uzerindeki ac giicii. Kontrol amacryla ac giiciinii farkh denk-
lcmler, yani ( 12.14 ), ( 12.16) ve ( 12.18). denklemleri kullanarak hesaplay m,
fa)

<;oziim:
le (mA) / de yiik dogrusu

1. de yiik. dogrusu V CEQ = V cc = 10 V noktasmdan diisey olarak 9izilebilir (ba- 14mA 14mA
kuuz ~ekil 12.7c). ·
=
2. l~ 6 mA icin ~ekil 12.7c'deki 9ah§ma noktasi: l2mA

IOmA
VcEQ= lOVvelcQ= 140mA
8mA ~~nolctasi
8mA
3. Etkin ac direnci R;, ((12.10) denklemi kullarularak] ~ Q-nok.
6mA 6mA

R~,;, (ZJ RL = (3)28 = 12 o. 4mA 100

-,
' <,
'
<,
4mA

50 18 = 2mA
4. Ac yiik dogrusunu a§ag1daki gibi 9izin: 9ah§ma noktasirnn iizerindeki akim sa- le,.1• = 25mA-:---:--t;;-l--.,-,--,--l---,,--~........::_ __
hrumuu hesaplamak icin ( 12.11) denklemi kullamn: JO IS 20 25 VCE (volt) ·0 : , 5- .. JO 15 20 25

Va·m1n = 1.7V Veema1cs"' 18.3V

Mc=6V~e= lOV =139mA
(b) (c)
RL 72 Q
A noktasiru {~ekil 12.7c);:;: lceQ +Mc= 140 + 139 = 279 mA y ekseni uzerinde -~d.il 12, 7 <}rnck 12A'e ili1kin 1111n,;fonn•16r-kupl•jlo ses gilf yUlucllcci vc 1r.ansisUlr brok1eri,liAi.

isarerleyin. ac yuk dogrusunu 9izmek i9in A noktasun Q noktasryla birlestirin.

5. Verilen baz tepc akirn sahrnrru 4 mA icin ~ck.ii 127c'den elde edilen kollektor
akrmimn ve geriliminin maksimum ve minimum degerleri:

=
VcEmin 1.7 V lcm;n=25 mA

VCEmoks == 18.3 V lcm,ks = 255 mA

BolOm 12 BOyOk Sinyal YOkselte<,:lerl BolOm 12.3 Transformator-Kuplajll GO~ YOkseltecl 567
566
 6_ (IZ.l4) denklemini kullanarak transforrnatorun prirneri i.izerindeki ac guciinii PQ• 1s1 olarak harcanan enerjidir. Bu denklem, basit gorilnmesine ragmen gil9
hesaplay1mz.
transformatorunun c;ah§masmda oldukca onemlidir. Transistorun haread1g1 gucun
(Vam,u - VcEm;.) (lcm,k, - lcm;n)
P., (ae)- (bu miktar transistorun gii9 kapasitesini belirleyeeektir), yiik tarafmdan cekilen glic;
8
ile kaynaktan cekilen de giri§ gucu (bu giic;, sabit bir kaynak ve 9ah§ma noktasi ic;in
- (18.3 - L.7)(255 - 25) x 10·3 = 0.477 w sabittir) arasindaki farknr, Eger c;tla§ glieii sifir ise transistorun, A-s1mf1 cahsma on-
- 8 gerilimi ve kaynak gcrilirni ile belirlenen maksimum mikrardaki giieii kaldnmasi gc-
. 7. Primer iizerindeki rms gerilimini hesaplaym.
rekecekrir, Eger yiik bir rniktan gi.ieii cekerse, bu durumda transistor (bir an icin)
_ Vi(p-p) _ VcEm•k• • Va,.io
V1 (rms) - - zfi daha az giicii kaldirmak zorundadir, Diger bir deyisle, yiik A-sm1f1 ynkselreclcrin
26 yukseltee devresinden aynltrsa en zor durnmda (en yliksek glicii hareayarak) 9a-
. . , = _lQj__ = 5.87 V hsacaknr ve devreden maksimum glieii 9ekerse transistor en az giicu harcayacaknr.
2.828 Avsiruf) bir yukseltecte kullamlan en emniyetli transistor nominal degerinin, yilk c;1-
8. Yuk geriliminin rms degerini bulmak icin ( 12.15) denklemini kullamn : kanldigmda elde edilen maksimun\ deger oldugu acrknr, Yuk baghyken normal ca-
hsrnada transistorun daha az glii,: harcamasi gerektigi icin, A-sm1f1 yiikselrec bir/ini
vL(1ms) = ~V 1 (rms) = {.L}
(5.87) = I .96 V 1191k oldugu surece yilkii baglt tutmak her zaman teieih edilen bir §eydir. 1
N2 3
9. ae giieiinii hesaplamak icin (12.16) denklemini kullamrsak: 0RNEK12.5
. . . 2
PL (ae) = vl
= (l.96) = 0.480 W
12.4. ornekteki yiikseltei,: devresinin verirnliligini hesaplaym, Aynca transistorun
RL 8 _ .. k II .
10. Yiik akmurun rms bile§enini hesaplamak icin (12.17) denklemini u anm · haread1g1 giie(i hesaplaym.

h
_ Nt I ( )-N,[l~'"'"'-' .c:
- /cminl::::
j (3) 230 mA = 244 mA
(rms) = - rms -- 2 828 <;:oziim:
N2 Ni l 2v2. ·
l I. (12.18) denklemini kullanarak a~giicii hesaplamrsa:
Giris giiciinii hesaplarnak icin 12.4 denklemini kullanarak
pl (ae) I[ Rl:::: (244 ~ l~-3)28 = 0.476 W elde edilir.
;

P; (de)= VcclcQ = (10) (140 x 10·3) = 1.4 W

' Gi.ic; ve Verimlilik Hesaplatt
elde ederiz,
Buraya kadar, yilke aktanlan ac gileiinii11 ·:C91k1~ ac giieiiniin~ h~saplanm~sm1 in-
1 dik. ~imdi de kaynaktan 9ekilen giris gucunii, yukseltecteki guc kay1p~~nm ve
( 12.19) denkleminden, transistor uzerinde hareanan glieiin
. ee e ft ator kuplajh A-sm1f1 bir yiikseltecin gii9 verimliligini inccleyeeeg1z. Kay-
trans orm ' T · k
naktan cekilen de giri~ gucu (12.4) denklemindeki gibi de_ ka~~ak gen 1m1 ve cay-
Pa=P;(de) • P0(ae)= 1.4 W • 0.48 W= 0.92 W
naktan cekilen ortalama akim degerleri kullamlarak elde edilebilir.

P; (de)= VccfcQ
oldugunu goriirilz.

. $ekil. 12.5'le gorulen transformator kuplajlt bir yukseltectc, trn~sfo~atoriin har- Verim ise:
cadigi giiy kii<;:iiktiir ve buradaki hesaplamalarda ihma~ edileee~ur. Boylece_Trans:
fonnator-kuplajh bir yukseltec devresinde kaybolan gil9 yalruzca, a§ag1dak1 denk
temle hesaplanacagi gibi transistor iizerinde hareanan glic;tiir. 1J = P., (ac) x 100 = 0.48 W x lOO = % 34.3

I I
P;(de) 1.4 W

pQ = P; (de) - P,. (ae) (12.19) olacakrrr,

BolOm 12 BOyiikSinyal Yiikselter;leri

568 Boliim 12.3 Transformator-KuplajhGii~ Yilkselteci
569
 Maksimum Teorik Verimliiik 1J = 25 (V CEm,h • VCEmin) %=25[ (24V-ov>2 l %=%25
VCC (V CEm,b + VCEmin) . 24 V (24 + 0 V)] .
Avsmif) bir yukseltec iiyin rnaksimum teorik verimlilik seri-beslerneli devrede
%25 ve transistor-kuplajli devre de %50 dir. Seri beslemeli bir yukseltec devresinin elde edilir.
cahsma bolgesinin analizinden, verimlilik a§ag1daki gibi ifade edilebilir:
(b) VcEmaks = VcEQ + Vtcpe = 12 V + 6 V = 18 V
(12.20) VCEmin = VCEQ • Vtcpe = 12 V • 6 V = 6 V

Pratikte verim % 25'ten azdir. Aslmda 12.1. ornekteki devrede verimlilik sadece % 1J = 25 [ (18 V. 6 V)2 ] % = % 6.25
6.48 kadardi; bu .da yetersiz 9al1§an seri beslemeli bir devre oldugunu gosterir. 24 V (18 + 6 V)
A-s1mf1 transforrnator kuplajh bir yiikseltecin verimi §Oyle ifade edilebilir:

I
elde eclilir.

11 = 50 ( VcEmub. VcEn11n )2 % (12.21) (c) VcE1rn1k< = VCEQ + Ytepc = 18 V + 6 V = 24 V

VCEm,k< + VCEmi•
--~~~~~~~~~~-}.
!
=
VCEmin VCEQ - V,cpc = 18 V - 6 V = 12 V
VCEmah ne kadar bilyiik ve VCEm;,; ne kadar kii~iik olursa, verimlilik de %50'1ik te-
orik smira o kadar yaklasir. 12.4. ornekteki devrede vcrimlilik %34.3 olarak elde 1J=25[ (24V-12V)2] %=%4.17
edilmistir, Iyi tasarlanan devreler %50 teorik Iimitine yaklasabilir, Bu nedenle ~ekil 24 V (24 + 12 V)
12.7a'daki devre ~alt§mada ortalama bir devre olarak dii§ilniilecektir. Yiikseltecin elde edilir.
giiiy kapasitesi artukca, verimlilik daha onemli hale gelecektir. Bir kai,: wau'hk gili,:
ii,:in maksimum verimlilik verrneyen basit, ucuz bir devre kabul edilebilir (ki bazen Gerilim kaynaguun yansi secilen ongerilirn ve maksimum sinyal salmmu ile ve-
arzu da edilir). Ancak onlarca, yiizlerce watthk giiiy seviyeleri durumunda teorik rimlilik (a) §lkkmda %25 olacaktir. Aym ongerilim noktasi civannda sinyal sa-
maksimuma olabildigince yakm bir verimlilik aranacakur. hmmmm 6 V Lepe degerine dii§iiriilmesi.halinde sonuctaki veri.mlilik (b) §Ik·
Transformator kuplajh yukseltecler i~in maksimum %50 smm yalrnzca Avsimf) kmda yalruzca %6.25 olacaknr. Ayru sinyal sahmmi orta nokta (12 V) dismdaki
9al1§ma icin gecerlidir, lncelenecegi.gibi, daha yiiksek verimlilige ulasrnak icin yiik- bir ongerilim noktasmda verili.rse verimlilik (c} §Ikkmda %4.17'ye dii~ecektir.
seltecleri cahsuran (ongerilimleyen) daha baska smrflarda mevcuttur.
()RNEK 12.7
(>RNEK 12.6
~elcil 12.5 gibi transformator-kuplajli Avsnufr bir yukseltec devresinin ve-
~ekil 12.l'deki gibi seri-beslemeli A-s1mf1 bir yukseltec devresinin verimliligini rimliligini Vcc = 12v'luk bir kaynak gerilimi ve a§ag1daki degerler icin bulun: (a)
Vcc = 24 voltluk bir kaynak gerilimi ve a§ag1daki 9lkl§lar icin hesaplaym: V,epc = 12 V; (b) V,ope = 6 V; (c) Vt<:pc = 2 V:
a) VcEQ =12Vongerilim civannda Y,cpe =12V
b) VCEQ =12V ongerilim civarmda Viepc = 6V ~:oziim:
c) VcEQ =18V ongerilim civarmda Viepe 6V
Transformator-kuplajh A-s1mf1 bir ytikseltec i9in VCEQ = Vee= 12 V'tur, (12.21)
Ciiziim: dcnklemi kullamlarak:

(12.20) denklemi kullanarak

(a) VcEmaks = Vceo + vlcpc =.12 V + 12 V = 24 V

VcEmin = VCEQ -v,.~ = 12 v_- 12 V = 0 V

570 Boliim 12 Biiyilk Sinyal Yiikselteylerr Borom 12.3 Transformator-Kupla)II GOi;: YOkseltecl
 (b) Ve£nuks = 12 V + 6 V = 18 V
VCE . = 12 V - 6 V = 6 V
· mm

T/ = 50 ( l 8 V - 6 V )2 % = % 12.5
18 V + 6 V

(c) VcEmoks = 12 + 2 = 14 V
VCEmin = 12 - 2 = 10 V

. ""I

T/ = 50 ( 14 V - 10 V )2 % = % 1.39
14 V + 10 V
V ,=V =
durumunda %50 olan maksimum verirnliliginin, V,epe 1/6 VCE:::: 2 V
I
iepc cc . di
durumunda % I 'in biraz iizerinde bir seviyeye dii§tilgilne dikkat e m.
/

12.4 8-SINIFI YUKSEL TEQLERiN QALl$MASI

v.
,~ 1:0.. . - .
Bvsimf) yalt§ma, de ongerilimioin, transistorti tam kapanmaya ongerilimledigi
noktada saglamr; bu durumda transistor, ac sinyali verildigi zaman acihr. ~u da
oziinde ongerilim olmarnasidrr; ve tek transistor sinyal saykihmn sadece. b.11" ~a~
nsmda akirru iletebilir. Tam sinyal saykilr i9in istenilen 900§1 elde ermek 19m, 1k1 ~,-kil I ~.8 Push-pull ~lcymasinm blok diyagramlarta giSsterilmcsi.
transistor kullanmak ve her birisinin ters yanm saykillarda iletrnesini saglamak ge-
rekir; boylece ikisinin birlikte 9all§mas1 tam
saykilh bir 91k1~ sinyali sagl_ar. ~ev- GiRi$ DC GOCO
renin bir krsrru yanm saylal siiresincc sinyali yukanya ittigi, diger kisrm ise d1ger
yanm saykil boyunca sinyali a§ag1ya c;:ektigi icin, Bvsirufmda cahsan dev_rele~e Bir gily yukseltec devresinin hoparlorune aktanlan giiy, gily kaynagindan (ya da
push-pull (it-eek) devreleri de denmektedir. Push-~ull c;:_ah§mam~ §~mat~ d1- gily kaynaklanndan; bakiruz Sekil 12.9) yekilir ve giris ya da de giicii olarak de-
yagrarru ~ekil 12.S'de verilrnistir, Push-pull devresme bir ac gm~ s_myah u_~- gerlendirilir. Du gucun miktan ll§ag1daki denklemle hesaplanabilir:
gulanrnaktadir, Devrenin herbiri yansi farkh yan saylallarda c;:all~1r,_ bo~le~e y~k
tam ac saykilda sinyal ahr, Push-pull devrede kullamlan giic;: transistorlcri yu~e 1s- P; (de)= Vccf.,., (12.22)
tcnilcn giicii aktnrabilecck kapasitede olmahdir. Bu transistorlerin Bvsiruft c;:a-
h§masi, tek bir transistor kullanan A-smif1 9al..i§mada elde edilebilenden daha Burada '""' giic;: kaynagmdan cekilen de akirm ya da ortalama akirnrdir.
bilyiik bir verimlilik saglar. D-s1mf1 c;:ah§mada tek bir kaynaktan cekilen akmun dogrultulmu~ ram dalga sin-
yali olmasma karsihk, iki gilt; kaynagina sahip bir devreden cekilen akim, her bir
B-Sm111 Yukselte<,;lerde Gu<,; ve Verimlllik Hesaplan kaynagm yanm dogrultulmus bir dalgasdir. Her iki durumda da ortalama giiy asa-
.. g1daki gibi ifade edilebiJir:
<;e§itli Bvsrruf gilc;: yukselteclerlnin giiv ve verirnlilik hesaplamalan, bu devrelerin
nasil yah~ugm1 anlamada ve onernli devre degerleri arasmda karsilasurma yapmada (12.23)
yardimcr olacaknr.
BolOm 12.4 B-Sm1h YOkselt~ Qah~mas1 573
BolOm 12 BOyOk Sinyal YOkseltec;leri
572
 Burada P2Q. iki ytlcl§ gii', transistorunun harcadigr giiytiir. Dolayisiyla bir tran-
sistorun harcadrgi giiy:
Pa=P2Q (12.27)
ifadesi ile bulunur. 2

ORNEK 12.8

Vcc = 30 V'luk tek bir kaynak kullanarak 16 Q'luk bir yiike 20 V tepe degerli sin-
yali saglayan B-s11uf1 bir yukselrectek; giris giiciinii, yOO§ giicilnii ve verimliligi
Yllk hesaplaym.

(:ozi.im:

(b)
16 .Q'luk bir yiikc 20 V tepe degerli bir sinyal icin
(a)
1,cpc = V,epe ·= 20 V = 1.25 A
0 ck i I
I 2. '! Push-pull yUl<Jel1ecinyUkeba.!,lanma,u:(Ii) iki gerilim kaynai• RL 16 .Q
kullanan,k: (b) tek bir gerilim kaynag,kullanan,k. Gerilim kaynagmdan cekilen akirmn .dc degeri
lcJc = 2- /tepe = 1. (1.25 A) = 0.796 A
Burada l,epe• 1r1la.§ akimm dalga §eklinin tepe degeridir, · 7r st
ve gerilirn kaynagmdan alman giri§ giicii
QIK1$ AC GOCO
P; (de)= Vccl,1c= (30 V) (0.796 A)= 23.9 W
Yiike (genellikle RL direnci olarak amhr) aktanlan gil1r, birbirine esit bir kac ili~-
kiden herhangi biri ...-~--~~~~~~~~~~--.
ile hesaplanabilir: yuke aktanlan 900~ giicii
2
PQ (ac) = VL(p) = (20 V) = 12.5 W
2
P,, (ac)"" \{ (tepe) = \f, (tepe) = \f.
2 2
(rms) (12.24) 2RL 2(160)
BRL 2Rl Rl ve devre verirnliligi

VEP!MLiLil-< % rJ= Po(ac) x % IOO=~x % 100= % 52.3

P; (de) . 23.9 W

Boylece devrenin gil9 verimliligi ~oyle hesaplarur; l-.

Maksimum GO~ Kosullan
1]=~X% 100 (12.25)
P; Vl(p) = Vcc oldugunda B-s1mf1 ~ah§ma i4tin yiike aktanlan gti9
· QIKI$ TRANSiSTORLERi UZERiNDE HARCANAN GO<; 2
maksimum P; (ae) =fu (12.28)
2R
<;1k1§ gil'r transistorleri ilzerinde (1s1 olarak) harcanan gil1r, yiike aktanlan gi.i9 ilc
kaynaktan 9ckilen gii4t arasmdaki farknr, Buna karsihk yiik uzerinde olusan ac akirn sinyali ~ag1daki tepc degerine ulasir:

l1cpc=fu
(12.26) RL

574 BOIOm 12 BOyOk Slnyal YOkselte9lerl BoJOm 12.4 B-Simfl YOkselte9 <;a11,mas1 575
Boylece gii9 kaynagmdan 9ekilen ortalama akim, devre verimliligi beklendigi gibi,

Ide"' 2- /,cpc "' 1. ill (12.29) maksiruum % 1/ = p" x % 100 = 28.125 W x %.100 = % 78.54
n: 11: RL P; 35.81 W ..

her bir transistor tarafmdan harcanan maksimum gii<;

.maks'nnum p Q _
-
maksimum P2Q _ 0 5 ( '>} (Vtr)
- . ..6<__ -"-
. . 2 n2 RL
Boylece Bvsimfi cahsma icin maksimum devre verirnliligi,
-= o.5 {..l..} no V) 2
= 5.7 w
n
maksimum 1J = p" x 1 oo;,, V ¢d2R1, 100 = JI x 100 = % 78.54 (12.31)
n2 16

P; Vee( 2. Vee) 4 Her biri en 9ok 5.7 W gii<; kaldirabilen bir transistor 9ifti, maksimum kosullar al-
1t RL
tmda 16 Q'luk bir yiike 28.125 W verebilmektedir. ,
Giris sinyali maksimum <;tla§ sinyali salrrurrundan daha kii<;iik bir salimrnla' so- Bvsrmf yukseltecin maksimum verimliligi a§ag1dald gibi de ifare edilebilir: /
nuctaldig: taktirde, devre verimliligi %78.5'den daha kii<;iik olur. Bvstmf c;al1§ma 2 .
p" = Viepe
icin 91k1§ transistorleri tarafmdan harcanan maksimum gii<; rnaksimum verimlilik du- 2RL
rumunda gerceklesmez, Yiik iizerindeki c;1k1§ gerilimi 0.636 Vcc ( (2/7t)Vcc) iken =
iki 91k1§ transistortlnun harcadigr giic; maksimum olur ve §5yle ifade edilir: P i = V CC1de = VCC -2 --
Vrepe
1C RL
2
maksimum P2Q = 2. V cc (12.32) ve 1J = fi1. x % 100 = Vi~r,c /2RL X % JOO
11: RL
P; V 2 Viepe
cc---
1! R1.
0RNEK12.9
1] :: 78.54 Vcepe % (12.33)
Vee= 30 V'luk bir besleme kaynagt kullananve 16 il'luk bir yiikii siiren Bvsimfr Vee
bir yukseltec icin maksimum gil<; degerlerini belirleyin.
C>RNliK 12.10
<;tiziim:
(a) V«pe = 22 V; (b) Viepe = 6 V'Iuk bir tepeden tepeye 91k1~h Vee= 24 V'luk bir
Maksimum 91kt§ giicii ; kaynak gerilimi icin, Bssirufi yiikseltecin verimliligini hesaplayrn:

v2 (30 v)2
maksimum Pu (ac) =J:'...CQ. = -·-- = 28.125 W
2RL 2(16 .{l) Cozum:

Gerilim kaynagmdan cekilen maksimum giri§ giicii, (12.33) denklemini kullanarak ;

(a) 1) = 78.54
V,cpe % = 78.54 (22..Y.) % = % 72
maksimum P0 (de)= Vee1. Vee Vee 24 v
. 1t RL
(b) 1/ = 78.54 6 V % = % 19.6
= (30 V) 1.(30
1r 16
V) = 35.81
n
W 24 V
elde edilir.

Bolflm 12 Bilyiik Slnyal Yilkselte,;leri

576 BolOm12.4 B-Sm1fr Yiikselte~ Cah~masr sn
 Maksimuma yakm bir gerilimin [(a) §ikkmda 22 VJ, maksimuma yakin bir ve-
rimle sonuclandigma dilclcat cdin. Aynca, kti<;Uk bir gerilim sahmmmm bile [(b)
~1kkmda 6 VJ %20'yc yakm bir vcrimlilik saglad1gma dikkat cdin. A-sm1f1 yuk- .
scltecte benzer bir gil<; kaynag; ve sinyal sahmrru cok daha dil§ilk bir verimliliklc
sonuclanacakur.

12.5 8-SINIFI YUKSELTE9 DEVRELERi

Push-pull c;ah§ma icin <;e§itli devre diizenlemesi milmkiindUr. Burada, bunlardan bir-
kacnu ve avantaj ve dezavatajlanm inceleyecegiz, Push-pull c;ah§manm avan- (a)
tajlanndan yararlanmak ic;in kullanilan farkh yontemleri kavramak icin, devrenin
gene! c;ah§masm1 bilmek onemlidir. Push-pull dcvrede, c;1k1§ geriliminin, B-
simfmda c;ah§an iki katm donii§iimlii yanm saykillarda iletirne gecerek tam saykilh
bir sinyal iiretmesini saglayacak bir <;lki§ gcrilimi olusrurmak gerckir.

·.4-- ..
1
Bir siirilcil ytikseltec katmdan eldc eclilen girls sinyaliyle baslayarak, B suufi c;a-
hsma icin iki kath Push-Pull devreyi donii§iimlii yanm saylallarda c;ah§Urmak ge-
reklidir. push-pull devrenin iki kauna uygulanan ters polariteli giri§ sinyalleri, <;e§itli

j-- ~-
' I ' Pmh-pull
yollardan elde .~dilebilir. ~ekil 12:1Oa'da iki push-pull giris sinyali arasmda polarise
terslemesi saglayan bir giris rransformatorunun kullarurm gosterilmektedir. Se-
konderi Orta U<;!U bir transformatorde, Uy geriliminin polaritesi, orta uca gore terstir.
Zit polariteli giris sinyalleri elde etmek icin kullamlan diger devreler ~ekil 12.lOb
ve c'de verilmistir, ~ekil 12.lOb'deki devreye uygulanan giris sinyali, kollektorde
ters polariteli olarak gonllur. Emetorden gelen ~lki§, girisle ayru polaritededir, boy-
lece iy1k1§ sinyleri ters polariteli olur. Re, RE ve hi, degcrleri, kollektor ~1kl§ sinyali
icin gerilim kazancmi 1 yapacak sekilde secilebilir, Ernetorden alman sinyal ic;in ka-
zany l'dir (emetor-izleyicl c;ah§mas1). Boylece devre push-pull yukseltcc katim sur-
rnck icin zit polariteJi sinyaller verecektir. Bu siirilcil diizenlemesinin avantaji; ag1r,
~ahah ve snurh bir c;al1§ma frekansi bolgesine sahip orta-uclu transformatorun kul-
lamrndan kurtulmakur, ,Bu devrenin bir dezavantajr, iki sinyalin aym ernpedans kay- ·
naklanndan gelrnemesldir. Emetorden gelen sinyal, emetorden gorulen direnc dii§iik
oldugunda iyi bir silrilcii baglanns, saglar. Bununla birlikte kollektor direnci yilk·
sektir ve yuklenmemis ~Ila§ sinyalleri esitken, yiiklii durumda birbirinden farklrdrr,
<;1k1§1 yuke baglamak i<;in ilave bir emetor-izleyici kau eklemek bir iyilesme sag-
L-------,---4-.-----,-. ,:'f(: .·~
layabilir, c;iinkii boyle bir kat, Have bir gerilim kazanct veya polarite ierslemesi sag- (c)
Iamayacak, ancak push-pull kanrn dii§iik direncli bir kaynaktan siirecektir:
~ck ii 12.1 O Faz kai'<lirmat, devreler.
Push-pull kanm silrmek ic;in zit kutuplu sinyaller elde etmenin diger bir yolu ~ekil
12. lOc'dcki blok §emada gosterilmistir. Bir yukseltec katt giri§ sinyalini yukseltir vc
terslcr; daha soma bu sinyal gene! birlik kazanci ic;in zayiflanhr. iki emetor iz-
leyicinin (muhtemelen Darlington devrelerinin) kullarulmasi, push-pull kauru dii§iik
cmpedansli kaynaklardan siircr.

578 Boliim 12.5 B·S1111h YOkselte~ Devreleri 579

Boliim 12 · Bliyiik Slnyal Yiikselte~terl
 Transformator Kuplajh Push-Pull Devreleri

ud'
~ekil 12.ll'deki devrede, iki transisttiriin girislcrine uygulanacak: ters kutuplu sin-
~
yaller elde etmek icin bir gi~ transformatoru vc r.;ag1da anlaulacak olan push-pull
modda yah§mada yiikii siinnek icin bir 9lk1§ transformatoru kullamhr.
"3
-~l
.! .8

·~
s
...

LJ
I ,:,.
-l
~ I
......
I
I
l
e .,,>"
. ..!i,..J.· ;;
3 t
j ~
::,
c,

'---.,---'
Faz-boliicO fi "
,g

1 .
v,
~tmlsformatorii .· ]j ~
:. ·5 ,:,.
~d:il 12.11 Posh-pull dl,vre,i. !
i
a .f ~
"',..,

+u
i ~
<;ah§manm· ilk yan-saykJlmda Q1 tr~nsistorii iletime sokulurken, Q2 transistorti "'
v,•
kesime gider. Transformator iizerindeki i1 akrrm, sinyalin ilk yan saykihrun yiike
aktartlmasmt saglar. 1I . ·~
-l ~
Giris sinyalinin ikinci yan sayktlmda Q1. kesirnde kahrkcn Q2 iletimdedir ve ,..<>. I
transformatorden gecen akim. ikinci yan
saykihn yiike ulasmasim saglar. Genel OI ~

Toplam yUk sinyali sinyalin tdrnsaykilr boyunca degi§ir. ......

~
TOmler-Simetrlk Devreler
l
1
'.i
).:·

Girls polarite-tersleyici transformatcruou devreden yi.kamiamn da otesine gecen

ye§itli devreler vardir, Bu devreler ayni\ zamanda 91ki§ transformotorunti de ortadan
kaldtrarak tamamen nansformatorsuz bir ' devre saglar. Transfdrmatorsuz push-pull
yiikseltec devresinin basil bir uyarlarnasi §Ckil 12.12'de verilmistir, Ayru tip iki tran-
sistor kullanrnak yerine, tiimler tip, yani npn ve pnp transistorler kullarulrr. Gerekli
iek giri$ sinyali, baz girislerinin ikisinede uygulamr, Bununla beraber, rransistorlcr
Zit tipte olduklanndan, yalruzca, giri~i~ zit yan saykillannda iletilme gccerler.

BolOm 12.5 B·Sin1f1 Yiikseltec, Devrelerl_ 581

, BolOm 12 BOyOk Slnyal YOkseltec,lerl
580

Ornegin giris sinyalinin pozitif yan saykili esnasmda pnp transistoru ters yonde ge-
rilimlenecektir vc iletimdc olmayacaknr, npn transistoru $ekil I2.12b'de goriildiigii
gibi pozitif yan-saykil boyunca iletim yonunde ongerilimlenecek ve yuk iizerinde
ykI§m yan saykih gorulccektir. Giri§ sinyalinin negatif yan saykrli boyunca npn
transistor ongerilirnlenmeyecek ve ytkt§ yan saykih pnp transistorun cahsmasryla
$ekil 12.12c'de goriildiigii gibi yuk uzerinde elde edilecektir.
Girisin tam saykih boyunca, c;1kl§La yiik iizerinde tam bir <;tkt§ sinyali saykih olu-
sacakur, Bu devre duzenlemesinin, iki giic; kaynag1 gerektirrnek gibi bir dezavantaji ol-
dugu acrkur, Tiimler devrenin o kadar acik olmayan, ancak onernli bir baska de,
zavantaji da, <;ikl§ sinyalindeki gec;i§ bozulmasrdir, Gec;i§ bozulmasr, sinyalin
pozitifken neganfc (ya da tersi) geyi§i esnasinda yda§ sinyalinde ~ekil 12.12d'de gos-
terilen dogrusal olmamadurum iyin kullarnlan bir terimdir. Bu da, $ekil 12.12c'deki
gibi basit devrede devrenin.kesim/iletim anahtarlamasim tam sifrr gerilim durumunda
yapmamasmdan kaynaklamr. Aym olyiide olmasa da gcyi~ noktasmdaki bu durum,
$ekil 12.1 I'deki push-pull devrcsi-icin de soz konusudur, AB suufi transistorlcrin on-
gcrilimi, transistorleri, saykilin yansmdan uzun siireyle iletimde kalacak §ekilde on-
gerilimleyerek, dcvrenin cahsmasinr iyilestirir. $ekil l2.12a'daki devrede geyi§ bo-
zuhnasrru azalarnak icin onemli · .olr;:tidc caba gerekir. Daha pratik devre
baglannlannda, cahsmamn iyilestirilrnesi amaciyla baz devresine ilave ongerilim ele-
manlan kullmultr
Yiikiin, bir emetor-izleylci dcvrenin ~lki§J~n siiriildiigiine, boylece ylikiin dii§tik di-
rencinin kaynagm dti§iik direncine uy?uruld~guna dikkat edin. Ttimler devrelerin iyi-
lestirilrnis uyarlamalarmda, · tek transistorlulerde olandan daha dii§tik siirii§ direncleri
saglamak arnaciyla her biri Darlington duzenlernesinde baglanan transistorler kullarulrr,
~ekil l 2. l 3'te, Darlington transistor baglantilan ve sicakliga kar§1 ongerilim kararhhgr
iyin Have emetor direncleri kullarulan pratik bir.devre baglanusi verilmistir.
{
Yan - Turnier Push-Pull Yukseltec f
~ekil I 2. l 4'deki push-pull devre, 'guy 9tkt§ transistorlerinden (Q3 ve Q4) once.
tiimler transistorler (Q1 ve Q2) kullarularakjgerceklestirilmistir, boylece her iki gii9.
91k1~ transisroru de npn tipi olabilmektedir, Bu, pratikte tercih edilen bir · dii-
zenlemedir, c;iinkii mevcut en iyi transisttir!er npn transistorlerdir. Q1 ve Q3 tran-
sistorlerinin, cmetorden dii§iik empedans seviyeli bir ylkt§ saglayan bir Darlington
baglannsr olusturduguna .dikkat cdin. Q2 v~ Q4 transistorleri, bir geri-beslerne yifti ,
olusturulur, bu yapi da bcnzer §Ckilde yukiin dii§iik empedans ile surulmesini saglar,
R2 dircnci, geyi§ bozulmasrru en aza indirecek.sekilde belirlenebilir. Push-pull ka-
tma girls olarak uygulanan tek sinyal, Rl yukune tam saykilh bir yilo§ olu§tu~r; ve
devrenin her bir yar1s1, etkili gii9 yalt§mas(!~in B-sm1f1 bir 9ah§ma saglar .. Bu yan-
tiimlcr push-pull yiikscltey, halen en popiiler devre baglan1ts1du.

h'
+
Darlington
~ifli '

{\_j
Vcc2 = 20V

r-cedback
~ifU

H~parlor{ 220 4-160'lulc.

~ikanldljlllda hoparl<ire
ac y!ildi bajlaym
TJ).22µF }

l":" ~ck ii i 2.13 Oarlineton tr:msisw

cOrlcr lcullammtUmlc:r-itimet~iii
#"":"'
i
•.

push-pull devre, ~ck ii I.'.. I-! Trnnsfom,atllBilt yart·lumlcr push-pull gtl\' yU~ltcci.

582 Boliini 12 BiiyOkSlnyal YOkseltei;leri BolOm 12.5 B·S1mf1 YOkseltei; Oevrel,erl 583
ORNEK 12.11
Yuk uzerindeki gerilim idealdc giri~ ile ayru olmasi gerektiginden (yiikseltecin
Sekil 12.15 teki devre icin gerilim kazanci, ideal durumda birdir) :
(a) 12 Vrms'lik bir giri~ icin her bir 91k.i~ transisttiriiniin haread1g1 giieii ve devrc VL(p)= !7V
tarnfi11da11 kaldrnlan giri~ ve 900~ giiciinii hesaplayin. 2 2
P,, (ac) = Vi (p) = {l7 V) = 36.125 W
2RL 2(4 Q)

=
ti (p) = Vi (p) 11.Y. 4.25 A =
RL 4n
+Vee= +2SV boylece iki gerilim kaynagmdan 9ekilen de akmu ,

Ide= .2.. It. {p) = 2<4·25 A) = 2.71 A

7r n
Buradan devreyc aktanlan gii9 ;
,1 l
Jli\ ~1 \
. ~;h'f o •
·q P1 (de)= Vccl""= (25 V) (2.71 A)= 67.75 W
"
Devrenin verimi (Vi= 12 Vrms icin),
v, vL
r,=P0 x % 100=36.125 W x % 100 = % 53.3
RL pi 67.75 W
.,{
4n
ve her bir transistorun harcadrgi gii9
01

R1
-,,4
- Pa= P2a = P;- Po= 67.75 W - 36.125 W = 15.8 W
2 2 2
=
(b) V1. (p) = Vcc 25 V olacak §Ck.ilde giri§ sinyali V; = 25 V tepe (Vi = 17.68 V
rms) seviyesine 91kanldig1 taktirde §U degerler bulunur:
-Vcc=-2SV
V2
maksimum PO = l'..IT = ---
(2SV)2
= 78.125 W
~c~il I!. IS Ornck 12.8'c ilitkin ll-Snuf, !0<; yUkscllcci.
2Ri 2(4 Q)
. (b) Giris sinyalinin, maksimum bozulmarrus, 91k.i§ saglamak yiikscltilmesi halinde
her bir ,;:1k1§ transisroru tarafmdan harcanan giici.l ve giri~ ve 91k1~ giictinii he- maksimum P; = l. Vtc = l. <25 V)2 = 99.47 W
7r Rt: 7r 4Q
saplaym.
(c) Her bir ,;:1k1§ transisttirtiniin kaldurnak zorunda kalacag. maksirnurn giicti he-
saplaym. T'/ = Pn x % 100 = ll...llix % JOO=% 78.54
ve P; 99.47

(:ii:t.iim:
(Maksimum devre verimi). Bu maksimum sinyal durumunda her bir 900~ tran-
(a) Tepe giris gerilirni sistorunun harcadig: gii9

Vi (p) = fi Vi (rrns) = fi (12 V) = 16.97 V = 17 v Pa= P2a = P; - P11 = 99.47

2 2
w - 78.125 w =
2
10.67 w

584 Bo!Om 12 BuyOk Sfnyal Yukselte,;lerl

ssrem 12.5 B-S1mf1 Yiikselt~ Devreferl 585
 (c) Transistorlerin maksimum gi.i<; harcamasi

maksimum P2Q = 1- .!'V.2.IT= 1- (25

n2 Ri, n2
--- V)2
4Q
= 31.66 W

Boylece PQ = P2Q = 31.66 W = 15.83 W

2 2

12.6 YUKSELTE<; <;ALl$MA SINIFLARI .;:.

VE BOZULMA ;;·

e 1<
~
c;ah~ma Smrflan
~ -=c
:e
Tamm geregi A-s1mf1 c;:ah§ma, butiin sinyal saykili boyunca (360° araligmda) kol-
~
lektor (<;do§) akirm saglar. ~ekil 12.16a, A-sm1f1 devre <;ah§masmm <;1ki§tn1 gos- !
termektedir, Ongerilim seviye akmu lcQ'dur ve gosterilen yuk cizgisinde (dog-
rusunda) <;1ki§ sinyali lcmaks ve lcmin degerlerini a§maz, aksi halde devrenin c;:al1§mas1
1:s ~
0
~ 3
<
c~
dogrusal bolgenin disma tasacaktir. ~ekil 12.16b, Bssuuf) <;ah§may1 gostermektedir. 0 a1 c:
a;;;
Ongerilirn noktasi kesime ayarlannusnr. <;tk1§ akmu yalmzca saykilm 180°'lik bo-
§.
lumu icin degismektedir; bu da Bvsuuf) calrsmayi tammlar. Devrenin kollektor
i
akimi olmaksizm ongerilirnlendigine ve bu nedenle transistorde giic;: kaybi ol- -:::
·~
rnadigina dikkat edin, Transistor, sadece sinyal uygulandrgi zaman daha bi.iyiik giri§ e
sinyalleri icin artan ortalama bir akim kullarur. Giris sinyali olmadigr zaman en kotti -~
durumun ortaya <;1kt1g1 ve maksimum giris sinyalinde transistortin giic;: tiiketiminin Ct -0 1
~ m .s. ~
minimum· oldugu A-sm1f1 cahsmasuun tersine B-s1ruf1 devresinin cahsmasr, artan ~
sinyal girisiyle birlikte transistor gi.i<; kaybiru da artmr. Bvsunfr <;ah§masmdaki or- ....'-'e ~;

;;.
talama akim Avsirnfuidan az oldugu icin, transistorun harcadig; giic;: miktan B- '~
er,·
sirnfmda azdir,
~ekil 1_2.16c'de gosterilen AB-s1rufi <;ah§ma, A-sm1f1 ile Bvsuufi <;ah§ma ara-
L.
sindadir, Kollektor akmn sinyal saykiluun 180°'den fazla, 360°'den ise az oldugu
bolgede _akar. AB sirufmm maksimum <;ali§ma verimi, A-sm,f, ile Bvsuuf arasinda,
yani, %50 ila %78.5 arasmdadir,
180°'den daha ki.i<;iik acilarda <;Iki§tn iletimde oldugu <;alt§ma ise C sirufi olarak
adlandmhr ve omegin radyo ya da televizyondaki gibi rezonans veya akortlu yuk-
seltec devrelerinde kullamlrr. Darbe tipi sinyallerle cahsma ise Dssuufi olarak ad-
landmhr.

BOIOm 12.6 YOkselte~ <;:ah~ma Smrtlan ve Bozulma 587

586 BOIOm 12 BOyOk Slnyal YOkseJte~lerl
Bozuhna
Alam dalga §ekli;s1f1r girls sinyalinde gortilen orijinal siikunet akrmrru (/cQ), bo-
Sinyal saykihrun 360°'den daha kuytik:ytlar sinyali degi§imleri bozulma olarak zulan sinyalin srfir olmayan ortalamasmdan kaynaklanan ilave bir de akirrum (/0),
degerlendirilir. Bu da ylkt§ sinyalinin artik yalmzca girissinyalinin yukseltilmis bir bozulan ac sinyalinin temel bilesenini (/1) ve temel frekansm iki katt olan ikinci har-
hali olmadig; ve bir sekilde bozuldugu ya da giristen · farkhla§t1g1 anlamma gelir. monik bilesenini (h) icermektedir. Diger harmoniklerin de mevcut olmasma rag-
Radyodan ya da hi-fi bir sistemden gelen dii~uk kaliteli miizilc, bozulma nedeniyle men, burada yalruzca ikinci harmonik bilesen dikkate almrrusnr. Akun dalga sekli
orijinal olarak kaydedildigi ya da iletildigi gibi olamayacaktir. Herhangi bir ses sis- uzerinde gosterilen saykil icerisindeki birkac noktada, (12.34) denkleminden elde
teminde bozulma farkh noktalardan kaynaklanabilir. edilen akirm esitleyerek a§ag1daki ti<; iliski edle edilmistir:
Bozulma, eleman karakleristiklerinin dogrusal olmamasmdan kaynaklanabilir:
dogrusal olmayan yada genlik bozulrnasi. Bu bozulrna turn yah§ma smiflannda or- 1. noktada (mt= 0) ic = lcmoks = lcQ +I,,+ /1 cos (0) + Ii cos (0)
taya ytlcabi!ir. Buna ck olarak devre elernanlan ve yukseltec devresi farkh frekans lcmah =tcs+ I,,+ /1 + Ii (12.35)
kademelerinde sinyale farkh tepkiler verebilir:frekans bozulmasi.
Bozulma olustugu zarnan yOO§ sinyali girl§ sinyalini tam olarak temsil edemez. 2. noktada (wt=rt/2) ic= lcQ= !c0 + 1;, + /1 cos(~)+ '2 cos (22 n). I
<;1k1§ sinyalindeki bu degi§imi incelemek icln-kullamlan tekniklerden biri Fourier I
analizidir. Fourier analizi, periyodik bir sinyali, temel frekans bileseni ve har- lcQ = 'cc + lo-12 (12.36)
nomik bilesenler ya da harmonikler olarak adlandmlan tam katlanndaki frekans
bilesenleri ile aciklamak icin kullamlan bir yontemdir. Ornegin orijinal olarak 3. noktada (wt= re) ic = lcm;n= lea+!"+ /1 cosOr) + /2 cos (1t)
1000 Hz olan bir sinyal bozulmadan sonra 1000 Hz'de bir bilesen ve 2 kHz (2 x lcmin = 'ca +lo-ft+ Ii (12.37)
lOOOHz), 3kHz'de (3 x 1000 Hz), 4 kHz'de,(4 x 1000 Hz) v.s. hannonik bi-
lesenleri icerecektir. 1000 Hz'likorijinal frekansa temel frekans, bunun tam kat- (12.35), (12.36) ve (12.37) denklcmleri aym anda cozersek a§ag1daki sonuclan elde
lanna ise harmonik denir; 2 kHz'de ikinci harmonik, 3 kHz'de iiyiincii harrnonik ederiz.
v.s. Temel sinyal birinci harmonik olarak dii§iiniiliir. (Bu teknilc kullaruldigmda
temel frekansm kusurlu katlannda hormonik yoktur). Io- - [2-_1cm,b + /cmin · 2/cQ , Ji = f Cmnk< - J C,nir._ (12.38)
Tayf analizoru gibi bir devre, bir CRT ekran iizerinde sinyalin temel frekans bi-
lesenini ve ye§itli harmoniklerini gosterereksinyaldeki mevcut harmonilderin ol-
' 2·

ytilmesini saglar, Benzer bir sekilde. bir dalga analizoru bir bu bilesenleri filtreden
gecirerek ve okunmasim saglayarak bozulrnus sinyalin harmonik bilesenlerinin daha
hassas bir ol<;iimiinii saglar. .
~oyle veya boyle, bozulmah bir sinyali, bir temel bilesen ve harmomik bilesenler
iceren bir sinyal olarak degerlendirmek pratik ve· yararhdir. AB ya da Bvsmifmdaki

\ ) \,J
bir sinyal i<;in bozulma temel olarak, en biiyiik bileseni ikinci harmonik olan <;ift har-
monilder olabilir. Dolayisiyla bozulmah sinyalin, ikinci harmonikten itibaren btitiin
harmonik bilesenleri icermesine ragmen, 9al1§ma siruflanndaki bozulma miktannm
acismdan en onemlisi, burada inceleyecegirniz ikinci harmoniktir.
~ekil l 2. l 7'de, bir kollektor akirm dalga §ekli verilrnis ve §Ckil iizerinde siikunet,
minimum ve maksimurn sinyal seviyeleriyle bunlann ortaya ~tla§ siireleri isa- t: __ _:\~- / I
cmln I- ''QI'
retlenmistir. $ekildeki sinyal, biraz bozulma bulundugunu gosterir, Bozulrnah sinyal
dalga seklini yaklasik olarak tamrnlayan bir denklem a§ag1da verilmistir:
'If' ,,. J,r 2,r wt
(12.34)
2 T
~d.il I.!. i 7 lkinci h:im,ooik bozuhnasuuu cldc cdildij\i dnlgn i,,kli.

588 BolOm 12 BOyOk Slnyal VOkselte9lerl

BolOm 12.6 Viikseltec; <;ah~ma S1mflan ve Bozulma 589
 Tamm geregi ikinci harmonik bozulma, yuzde olarak a§ag1daki esitlikle verilir:
D2 = ll2J x % 100
1/il
Ikinci harrnonik bozulmasi, 9da§ akim dalga §eklindc rnevcut bulunan ikinci har-
daha fazla nokta secerek daha yiiksek harmonik frekanslardaki harmonik bi-
lesenlerin genlikleri icin iliskiler (bagmular) elde edilebilir. Bes noktah bir yon-
(12.39) temin kullarulmasr, de bileseni .ile, birinci harrnonik (temel), ikinci harrnonik, ii4riin-
cii harrnonik ve dorduncu harmonik bilesenlerini verecektir, Boylece bunlarm her
biri icin harmonik: bozulma §6yle tammlamr:

D~=ltl
monik bilesenin ternel bilesenin miktanna oranrnin yiizdesi olarak verilir. Bozulma
olmamasr i9in % 0 bozulmanm ideal oldugu acrkur. (12.42)
(12.39). denklemde tammlanan ikinci harrnonik bozulrnasuu ifade etmek icin
(12.38). denklemin sonuclanrn kullan1ISak: Toplarn bozulma genel olarak ayn ayn bozulrna bilesenlerini kullanrnak suretiyle ta-
mrnlanabilir:

D = '/Di + DS + v1 + ...
(12.43)
(12.40)

eld~ .edilir. Benz~r bir sekilde, ik:inci hormonik bozulrna miktan ilc bozulmah 9,ki§ Bozulma olu§tugu zaman bozulmasiz durumda hesaplanan 91k1§ giicii artik dogru ol-
gerilirn dalga sekillerinin ol4riilen degerleri arasmda bir ili§ki kurulabilir: mayacakur. Ornegin (12.14) denklemi yalmzca bozulmasiz durum icin dogrudur.

D2= f(lci..,,u + /cEmin) - I . Bozulmali durumda, bozulmus sinyalin temel bileseni nedeniyle olusan 91kl§ gi.icii:

I
lcQ (12.41)
x%100 2
(12.44)
I CEm,1.s - I CEmin Pi= Ii Re
2
ORNEK 12.12 olacaktir. Bozulmah sinyalin biitiin honnonik bilesenlerinin olusturdugu toplam
91kl§ gucu ise:
Osiloskop iizerinde gozlenen bir 91ki§ dalga sekli a§ag1daki olyiilen degerleri ver-
mistir: 2
P=(]1+h+ 2 /2
3+ ... )& (12.45)
2
=
(a) VcEmin;,, 1 V; VcEmaks 22 V, VCEQ= 12 V.
(b) VcEmin = 4 V, VcEmaks = 20 V, VCEQ = 12 V. Toplam 91k1§ giicii, toplam bozulma cinsinden de ifade edilebilir:

Her bir degerler kiimesi i4rin ikinci harrnonik bozulma miktanru hesaplaym,
i
'
Ip= (I+
j
Di+ Di+ ... ) Jrfk= (1
2
+ D2)P1 1-
1 (12.46)

(:iiz(im: ~. .. ':

ORNEK 12.IJ
12.41 denklemini kullanarak;
l,

Harrnonik bilesenleri hesaplamak icin, bes-noktali bir yon tern in kullarnrm asa-
l
:!{22+1)-121
2
(a) Di= x % 100 = % 2.38 = =
g1daki sonuclan vermistir: D2 0.1, D3 0.02, D4 = 0.01 ile /1 4 Ave Re= 8 =
22- I
n. Toplam bozulrnayi, temel giley bilesenini ve toplam giicii hesaplaym .
. 1!(20+ 4)- 121
(b) D2 = i x % JOO = % 0 (bozulma yok)
20-4

Ikinci harrnonik bozulma rniktanrn elde etmek i9in kuUamlan yonteme, iley nokta ·_ (12.43) denklemini kullamrsak toplam bozulma;
yonterni denir, iiy nokta yonterni denmesinin nedeni, 4r1ki§_ geriliminin varsayilan de-
geriyle sinyal saykdmm iiey noktasinda oleyillcn gerilim esitlenmesi nedeniyledir.
Daha fazla harmonik iceren bir yOO§ sinyal denklemi kullamlarak ve dalga seklinde
D = Y Di+ Di+ D] = Y (0.1) 2 + (0.02)2 + (0.01)2 = 0.1
590 BolOm 12 BOyOk Slnyal Yllkselte~lerl BolOm 12.6 YOkselle9 <;ah~ma S1111flan ve Bozulma ~591
 (12.44) denklemini kullarursak temel gii¥ v v
/V1sin(wt)
2 ( 4) 2 / Bozulmah siniisoidal sinyal (temel siniisoidal bi!~n)
P, = !J..!i£.= 8 = 64 W
2 2
olarak elde edilir,
Wt ·wt

Toplam gtiv ise (12.46) denklemi ile bulunacaktu:

p = (l + D2)P1 = [1 + (0.1)2]64= (1.01)64= 64.64 W (a) (b)

.,
(%10'Juk bir ikinci hannonik bozulmasmdabile toplam gtiv temelde bilesenden v v
kaynaklanmaktadir.) · • V2 cos (2<oll}
/ (ikinci hannonik bllesen]
BOZULMU$ SiNYALiN HARMONiK BiLE$ENLERiNiN
GRAFiK AylKLAMASI QL--L~~~~...-~~~~---
Wt

Kavrarna acikhk kazandmnak acrsmdan, bozulmus bir sinyali temsil eden har- ), .

rnonik bilesenlerin kullarnhsnu gosterecegiz. Ornek olarak, ~ekil 12.18a'da, Bssrrufs

vah§madan kaynaklanan bir bozulrnus dalga §Ckli verilmistir, Sinyal negatif yan
(c) (d)
saykil strasmda krrpihr, boylece sadecepozitifsinuzoidal yanm saykil vikl§ sinyali
verir, .
v v
Fourier analiz tekniklerini kullanarak, ~ekil 12.Sb'de gosterildigi gibi, bozulrnali Temel ve ikinci hannonik

I
Temel, ikinci ve_~ hannonilderden
sinyalin temel bilesenini hesaplayabiliriz, ~ekil 12.18'b, bozulmali sinyali gos- / bilC§endenkaynaklanan dalga $eldi ·· kaynaklllllllrt dalga ~ldi
termez, yalmzca temel bileseni (ki bu tam bir siniizoidal sinyaldir) gosterir. Benzer
· ·.• V1 sin (wt) ·
bir sekilde ikinci ve iir;iincii harmonik bilesenler ~ekil 12. I Sc ve l 2. J 8d'de gos- · /-V2 cos (2wt)
terildigi gibi elde edilebilir.
~imdi, her biri tam, bozulmamrs siniizodial sinyal olan bu bilesenlerin top-
lanmasmm, bozulmus orijinal sinyali yaklasik olarak verip vermedigini kontrol wt
etmek istiyoruz. ~ekil 12.18e, temel ve ikinci harmonik bilesenlerinin toplanrnasryla
elde edilen dalga seklini gostermektedir. lkinci yan-saykildaki duzlesmeye dikkat
edin. ~ekil 12.18fde iiyiincii hannonik bilesenin eklenmesiyle elde edilen dalga sek- .,
!
linin bozulmus orijinal sinyale benzerneye ba§lad1gm1 gorurtlz, Dogru genlik ve faz- (e) ., ,· (I)
daki daha yuksek harmonik bilesenlerin eklenmesi elde edilen dalga §eklini bo- ;

zulrnus orijinal sinyale daha cok yaklasuracaknr, Basit bir anlatimla, bir temel · ~ekil 12 .18 1301ulm~ sinyalden hannonik bileienlerin iw11,~1mma ~:1dar itlemkrii, gr.;.fik gasierimi.
bilesen ve harmonik bilesenlerin eklenmesiyle bozulmus orijinal dalga §eklinin elde
edilebilecegini gozlernleyebiliriz. Gene! olarak herhangi bir periyodik dalga sekli bir
ternel bilesen ve her biri degi§ik faz ve genliklerde harmonik bilesenlerin toplarmyla
temsil ediiebilir. sinuzoidal sinyaller olduklarmdan, her birinin devre ilzerindeki etkisini ayn ayn !n·
celeyebilir ve superpozisyon yontemini kullanarak (yani, soz konusu gerilimlcri vc
Harmonik kavrarm, hem bozulmus (siniizoidal olmayan) dalga sekillerinin analizde
hem de bu gibi sinyallerle cahsuan yerlerde yararhdir, Butun harmonik bilesenler akimlan birbirine ekleyerek) toplam etkiyi elde edebiliriz.

592 Boliim 12.6 Yiikseltet;<;ah!jma S1mflar1 ve Bozulma 593

Boliim 12 BiiyOk Slnyal Yiikseltet;leri
12.7 GO<; TRANSiSTORUNUN SOGUTULMASI duzcyde kalacakur, Sonsuz biiyiiklukteki bir sogutma plakasi durumun~a bi!~ (ki el-
bette milmkiln degildir), kilif sicaklrg; oda sicakhgmda ka\acak, ama Jonks1yon_ st-
K.iic;:iik sinyalli ve dii~iik gii,;:lii uygulamalar icin entegre devreler kullamhrkcn, yuk- cakhgi, rnuhafaza sicakhgmdan fazla olacaktir; dolayisiyla maksimurn gilc;: nominal
sek giic;:lti uygulamalarm i;:ogunlugu halA ozel gtii;: transistorlerinin kullarulmasmi ge- degerinin dikkate ahnmasi gerekir. · ·
rektirmektedir, Urctim tekniklerindeki ilerlemeler, daha kiic;:tik boyutlu paketlerde
daha yiiksek giic;: oranlan elde edilmesini saglarrus, maksimum transistor kinlma
gerilimini artirmis vc giic;: transistorlerinin daha htzh anahtarlama yapmasim sag-
larmsur,
Belirli bir cihaz tarafmdan kullarulan maksimurn gtic;: ile transistorun jonk-
siyonlarmm srcaklig; arasmda bir iliski vardrr, ,;:tinkii cihazm ttikettigi giic;:, jonk-
siyonlann sicakhguu arnrmaktadir. 100 W'hk bir transistorun 10- W'hktan daha
yuksek bir giir,: kapasitesi saglayacag1 ac;:1.k11r. Ote yandan, uygun sogutrna teknikleri
bir transistorun maksimum gii,;: oranma yak.m ,;:al1~bilmesini saglayacakur.
~~I-ii I.~. I') Tipik gUpransisiorleri
Iki transistor tipinden (Germanyum ve silisyum) silisyurnun, daha biiyiik mak- ..,,~utucul,m.
simum sicakhk oranlan saglad1gm1 belirtmckte yarar var. Tipik olarak bu tiplcrdcki
gilc;: transistorlerinin maksimum fonksiyon srcakhklan §Oylcdir: lyi bir sogutma plukasi bile transistor ki hfuu ortru~ 1~1smda 1u1an'.ayacag1 icin (ki tran-
sistorun onernli olc;:iide ISi yayan diger elemanlarla birl~t~ kapal~ ~1r _aianda _k~l~mas1
Germanyum : l 00-110°C halinde ortam sicak.ltgi 25 °C'nin oldukca uzerinde olabilir), belirlt brr transistorun rnak-
Silisyum : 150-200°C . ·· iktanrun , artan s1cak.ltgvin bir fonksiyonu olarak azalulmasi gerekir.
s1mumgu9m . • ..
$ck.ii 12.20, tipik bir silisyum transistor i9in giic;: dil§iirme (nommal deger du-
Pek cok uygulamada harcanan ortalama gii,;: yaklasik olarak. §oyle bulunabilir: ilrme) egrisini gostennektedir. Egri, imalatc;:1mn bir list s1cakl1k noktas1 t~-
!imladigm, (ki bunun 25°C olmas1 gerckmcz) ve bu noktanm ilsttinde dogrusal bll'
Po= Ycelc gily dil§il~ti oldugunu gosterir. Silisyum duruhrnnda elemanm kald1rmas1 gereken
maksimum gi.i~, 200°C'ye ula~mcayakadar O_Watt'a_dil~rnez..
Ancak. bu gii,;: harcamasi, maksimum sicakhga kadar miimkiindiir. Bu sicakhgin uze-
rinde transistorun giic;: harcama kapasitesi dti§iiriilmelidir, boylcce daha yiiksek mu-
hafaza sicakliklannda giic;: kullanma kapasitesi azalir; bu, maksimum kihf sr-
100~------
cakl1gmda O W'a iner,
Transistor tarafmdan kullamlan giic;: ne kadar biiyiik olursa (ki bu devrc tarafmdan
belirlcnen giic;: seviyesine baghdir), transistorun kilrf s1cakhg1 da o k.adar yuksek
olur. Ashnda belirli bir transistorun kullanabilecegi yiikti sirurlayan faktor, elernarun ~--
kollektor jonksiyon sicaklgidu. Gii~ transistorleri, ilrettikleri 1s1y1 geni§ bir alana ya-
yabilmeleri icin bilytik metal kihflara monte edilir. Buna ragrnen, transistoru dog-
rudan havada c;:ah§lirmak. (ornegin plastik bir yere monte ctrnek), transistorun no- O 25 SO 75 100 125 150 175 JOO
minal gilc;: degerini oldukca srrurlayacakur, Bunun yerine (pratikte oldugu gibi) K1ltf s1cald1l• (°C) Sr)i if 1; ~{I Sili~~um lr<Jn.~i~1llf
eleman bir tilr sogutucu uzerine monte edilecck olursa, giic;: kaldirma kapasitesi be- ' ,~in rip,kg~ dO~Unne ej!ns,.

lirlenen mak.simum oranma daha cok yaklasacakur, $ekil 12.19'da bir ka9 sogutma
plakasi gorulrnektedir, Sogutma plakasi kullaruldigrnda zaman, gil9 harcayan tran-
sistorun iirettigi 1s1, havaya yayilmak.lcin daha btiyiik bir alana sahip olacak boy-
lece krhf s1cak.hg1, sogutma plakasi. bulunmayan duruma gore cok daha dil~iik bir
Aym bilgiler elemanm veri sayfalannda giic;: {nominal de!~r)_ ~ma. fak.t~~nti
gostcrcn bir Jiste olarak. verilebildigindcn, aynca azalma egnsmm venlmes1 ge-
rekmez. Matematiksel olarak. .ifade edilirse, ,

BillOm 12.7 GOi;: TranslstorOniin ~ogutulmas1 595

594 Bo!Om 12 BOyOk Slnyal YOkseltei;:larl
 Po (sicakhk.) = P0 sS1cakl1ko) - (Sicakhk, - Sicakhkj) (Azalma faktoru) (12.47) gibi tarumlanmisnr:

Burada sicakhk., degeri, giiy azalmasimn baslamasi gereken sicakhk; Sicaklrk, de- ()JA = Toplam ml direnc (jonksiyondan ortarna)
geri, soz konusu sicakhknr (Sicakhk.tin iistunde), Po (Sicakhkj) vc P0(Sicak!Jk1) B1c = Transistor isil direnci (jonksiyondan kilifa)
ise belirtilen sicakhklardaki rnaksimum gi.iy harcamasidir: gi.i9 azalma fakti:irii ise her Bes = lzolator JS!! direnci (krhftan sogutrna plakasma)
· · derece sicakhk icin imalatci tarafmdan watt (veya rniliwatt) cinsinden vcrilen de- BsA = Sogutucu rsrl direnci (sogutrna plakasindan ortama)
gerdir.

()RNEK 12.14 . -,
25°C'nin i.izerinde gtiy,.di.i§ti.rrne gerektigi taktirde 0.5 Wf'C"lik bir gi.i9 azalma
faktl:iriiyle 125°C kihf sicakhgmd~ 80 W'l.tk bir silisyum transistorde (nomin~l de-
gcri 25°C'de) kabul edilebilir maksimum gii9 harcamasrm bulun. I
ff
I
I
j.f,I f Jonksiyon s1cakhg1 T1
-tr------'------.-----.-·
Transistor
K,hf s1cakhg1 (Tc)
~,,J
! harearnasi
(:iizii Ill: I I
q l izolator ve kont.ak
Sogutucu sicakhg1 (THs)
P0 {125°C) = P0 (25°C) - (125°C - 25°C) (0.5 Wf'C)
Sogutucu
= 80 W - 100°C(0.5Wf'C) = 30 W
OI1am s1cald1gt (T,1)

Burada sogutma plakasi olmaksizm bir gi.i9 transistoru kullantlarak eldc edilen I)JA = 0JC + 0JS + 0SA
gi.iy oranma dikkat edin. 6megin HXl0C'de (veya altmda) 100 W anma gii91i.i bir si-
lisyum transistor, 25°C sicakligmda serbest-havada sadece 4 W anma gtici.ine (no-
~
minal gi.ice) sahiptir. Dolayisiyla sogutma plakasi olmaksizin calistinlan cleman,
25°C oda stcaklrgmda yalruzca maksimum 4 watt kullanabilir. 100 W'ta krhf si-
cakhgiru 100°C'de tutmak icin yeterince biiyiik bir sogutma plakasi kullarulmasi, .~c~ii I~ 21 lstl · ebcktrik l,cn·Lcrligi.
maksimum nominal giicte cahsrlmasim mi.imkiin krlar.

GOQ Translstorunun ls1I Benzerligi Isil direncler icin elektriksel benzerligini kullanarak ·

Uygun bir sogutma plakasmm secimi, gii9 transistorune iliskin mevcut tar- (1,2.48)
tisrnarruzla ilgili olmayan onernli ol<;:i.ide ayrmtt gerektirmektedir. Bununla birlikte
transistoriln 1SJl karakteristikleri ve gi.i9 harcamasiyla iliskisi hakkmda daha fazla ay- Benzerlik, a§ag1daki denk.lemi elde etmek i9in Kirchoff yasasi uygulamasmda da
nnti. sicakhk ile gi.ici.in srrurlanmasimri daha iyi anlasilrnasmda yardrmct olabilir. kullamlabilir,
A~ag1daki inceleme bazi temel bilgileri saglayacakur.
$ekil 12.2l'deki 1SJ! - elektrik benzetmesinde, Jonksiyon stcaklig: (T1), kihf s1-
cakhg1 (Tc) ve ortam (hava) sicakhg: (TA) arasmdaki iliskiyi belirleyen elernanm 1s1
, .T; = Poe,A + TA I (12.49)

kaldtrma kapasitesi (genellikle ml direnc denilen bir katsayi) kullamlrmsnr. Son iliski, jonksiyon sicaklrgmm ortam sicakhginda "yi.izdiigtinii" ve ortam 1s1s1
Bir isil-elektrik benzetmesi verilirken, bir elektrik elemamnm rsil etkilerini actk- ne kadar ytiksekse, cihazda miimkiin olan gtii;: tiiketiminin de o kadar dii§iik ol-
lamak icin ml direnc terimi kullarulmaktadrr. $el<ll 12.2l'deki terimler a§ag1daki dugunu gosterir,

596 Botum 12 BOyuk Slnyal YOkselte~lerl Botilm 12. 7 GO~ TrenslstorOnOn Sogutufma:11 597
 Isrl faktor e, belli bir giir. harcamasi miktannda srcakhk dii~ii~iiniin (veya ar- havada cahsmasiyla elde edilen 40°C/W'a gore jonksiyon ve hava arasmda 3.3°C/i
nsmm) ne kadar olacagi hakkinda bilgi verir. Ornegin 81e degeri genellikle 0.5°C/ W'hk bir isil direnc e!de edilir. Ornegin 2 W'ta yah~n bir transistor icin yukanda
W civanndadrr. Bu da 50 W'hk giiy harcamasi icin kihf stcakhg: ile (tennokupl ile Q,A degerini kullanarak
olr.iiliir) ii. jonksiyon sicakhgi arasmdaki sicakhk farkmm yalmzca a§ag1daki kadar
olacagtru gosterir: (T., - TA)= QJAPD = (3.3°C/W + 0.5°C/W = 3.3°CW

T1- Tc= e,cPo = (0.5°C/W) (50 W) = 25°C buluruz.

Dolayisiyla sogutma plakasi kilrf omegin 50°C'de tutabilirse, jonksiyon sicakligi Baska bir deyisle bu ornekte sogutrna plakasmm kullarulmast, sogutucusuz du-:
sadece 75°C olur. Bu da ozellikle di.i§iik giiy harcama seviyelerinde nispeten daha rumdaki 80°C'lik yiikselmcye kiyasla, jonksiyon sicakligmda yalruzca 6.6°C'lik bir
kuciik bir sicakhk farkrdir. yiikselme saglayacakur.
Jonksiyondan serbest havaya olan ISII direncin degeri (sogutma plakasi kul-
larulmaksizm) tipik olarak: ORNEK 12.15

(serbest-hava iccrisinde)
Bu isrl direncte sadcce I W'lik giis: harcamasi cevre sicakligmdan 40°C daha yuksek
bir jonksiyon s1cakhg1 yaraur.
Sogutma plakasuun, kihf ile hava arasmda yalmzca transistor kihfmm kullaruldrgi
durumdaki 40°C/W degerinden daha dii~iik bir 1SII direnc saglayacag; gorulebilir.
Bir silisyum gii9 transistoru (OsA = l.5°C/W) degerine sahip bir sogutma pla-
kasiyla cahsmaktadrr. Transistor 150 W'luk bir anma giiciine (25°C'de) ve eJC =
=
0.6°C/W'luk bir montaj yalmrmna sahiptir. T1mak• 200°C ve ortam sicakhgt
40°C ise rnaksimum giiy harcamasi nedir?
Cozum:

9sA =2°C/W
p D = _ _.;:.T._1 _-..CCT,.<.,A
__ 200- 40 16ooc = 61.5 w
degerine sahip bir sogutrna plakasr ve ~ag1daki dcgere sahip bir yahnci rsil direnc O;e + Bes + esA 0.5 + 0.6 + 1.5 2.6°CW
(kihftan sogutrna plakasma) kullaruhrsa,

ecs = 0.8°C/W olacakur. PROBLEMLER

I
ve son olarak transistor icin * 12.2

fJo=0.5°C/W l. Vee= 25 V'luk bir beslemc kaynag. icin ~ekil 12.4'deki devrede giri§ ve ytkl§
giiciinii hesaplaym. Giri§ sinyali 5 mA rms'lik bir ba~ab.m1 vcrmektedir,
vc
2. ~ekil 12.4'deki devredeR8_direnci 2 kn yaprhrsa harcanan giri§ giicii ne olur?
9JA = 9S/\ + 9cs + 9o
= 2.0°C/W + 0.8°C/W + 0.5°C/W = 3.3°C/W 3. ~ekil l2.4'deki devrede R8 2 kQ yapihrsa elde edilebilecek maksimum ytk1~ gii-
yiinii hesaplaym.
elde edebiliriz.
4. ~ekil 12.l'deki devre orta gerilim ve orta kollektor akrmi noktasmda on-
Dolayrsiyla sogutma plakasi kullamldrgmda, transistortm dogrudan dogruya serbest gerilimlcnirse, maksimum 1.5 W'luk yll(l§ icin giris giicii ne olur?

598 Biiliim 12 BGyOk Slnyal YOkselle~lerl BiilOm 12 Problemler 599

* 12.3
15. Transformatorsuz devrenin transforrnatorlu devreye gore avantajlanruru belirtin.

5. A-s1mf1 transformator kaplajh bir' yukseltec, 4 n Juk bir yilkil siirmek icin 16. R,, = 8!1 ve 30 V besleme kaynag1 kullanan ~ekil 12.14'deki B- siruf giiy yuk-
25: l 'lik bir transforrnator kullanrnaktadir. Etkin ac yiikunil (transformatorun selteci icin a~ag1dalcileri hesaplaym. (a) maksimum P,.(ac), (b) maksimum P;
sanm sayisi fazla olan tarafma bagh transistorden gorillcn yiikil) hesaplayin. (de), (c) maksimum %71, (d) Her ik.i c;1k1~ giic; transistoru tarafmdan harcannn
=
giic;. R1. yiikOnii 8 !1 aim.
6. 8 Q'luk bir yukii, lOk Q'luk bir etkin yiik olarak baglamalc icin gerekli trans-
17. Re= 8 !1 ve 30 V'luk bir giic; kaynag1 kullanan ~k.il 12.14'dek.i giic; yilkseltecinde
Iormator sanm oraru nedir?
8 V rms'lik bir giri~ gerilimi uygularursa ~ag1dakileri hesaplaym. (a) Po(ac), (b)
7. 16 Q'luk 4 paralel hoparloru, 8 Q'luk etk.in yuk olarak gorulecek sekilde bag- P;(dc), (c) % T'/, (d) Her iki c;oo~ giic; transistortmde harcanan toplam giic;.
lamak icin gerekli transformattir sanm oramru hesaplayin.
18. 40 V'luk besleme kaynagi ve 18 V nns'Jik bir sinyal giri§i kullanan sekil 12.15
8.
"'
Transformator kup1:J1i. A-s1mf1 bir yukseltec, fil: l bir transformator i~e 16 teki gii,;: yukselteci icin (a) P 0(oc), (b) P;(ac), (c) %71, (d) R1. = 8 n ol?ugu
Q'luk bir yiikO surmektedir, Devre, 36 V'luk bir gil,;: kaynag. (Vee) kullamlarak zaman c,1k1§ giic; transistorlerindeki toplam giic; harcamasim hesaplaym. /
yiike 2 W'hk bir giic; aktarmaktadir,
(a) Transformattiriln prirnerindeki ac gilcii * 12.1\
(b) Yilk geriliminin rms degerin!
(c) Primer geriliminin rrns degerini 19. A§ag1dak.i yiikseltec suuflan ve gerilimleri ic;in verimi hesaplaym.
(d) Yuk ve primer akirrurun nns degerini hesaplaym. (a) A-sm1f1 c;alt~ma, Vamal.s = 24 V ve VcEmin = 2 V.
(b) Bvsrmf transformatorlu cahsma, VeEmaks = 4 V ve VCC = 22 V.
9. Problem 8'deki devrede ongerilirn akirm leQ = 150 m A ise devrenin verimini he-
20. Osiloskop iizerinde ol<;iilen a§ag1daki gerilim degerleri icin ikinci harmonik bo-
saplayin.
zulmasmi hesaplaym: Vcem,ks = 27 V, Vc£n,in = 14 V, VeeQ = 20 V.
10. npn tipi bir transistor kullanarak Avsuuf) transforrnator kuplajh bir dcvrenin ~e-
12.7
. mes1ru ,;:izin.

* 12.4
11. Transformattir kuplajh giri§ kullanarak Bvsrrufi npn push-pull giic, yilkseltecinin
devre §emasm1 ,;;izin.
12. Problem 11 'deki devre icin gin§ dalga ~ekillerini hem kollcktor gerilim dalga
killeriyle, hem de kollektor akim dalga sekilterlyle birlikte r,;izin.
21. 150"C lahf s1cakhgmda 0.6 WfC azalma faktorhl 100 W (25°Cde) anma giic,lii si-
lisyum bir transistor i9in miisade edilen maksimum giic; harcamasiru belirleyin.
22. (~5A = l.5°C/W) degerine sahip bir sogutrna plakasiyla c;ah~unlan 160 W'hk bir
silisyum transistor, fJ;c = 0.5°C/W ve fJ;s = 0.8°C/W montaj izolasyonu de-
§C· gerlerine sahiptir. 80°C ortam s1calchg1 ic;in transistorun kaldirabilecegi mak-
simum giic; ne olur (jonksiyon srcaklig. 200°C yi a~amayacaktJr)?

13. AB-sm1f1 c;al.t§an npn push-pull gilc; ytikseltecinin devre diyagrarru cizin. Push- 23. 80°C ortam sicakligrnda bir silisyum transistorun (T;maks = 200°C) har-
pull kattan once bir faz-bolucu devre kati koyun. cayabilecegi maksimum gOc; nedir?

12.5 BiLGiSA Y AR PROBLEMLERi

. !
. {
1( Yan-turnler bir yiikseltecin devre §Cmas1m cizin ve devredeki gerilim dalga §C· . ;
·. J
A~ag1daki i~lemleri yapabilecek i9in BASIC programlan yazrn .
. !
:. i;
killerini gosterin.
Boliim 12 BiiyOk Slnyal YOkseltec;lerl Boliim 12 Problemler 601
-600
1. Sekil 12. l 'deki Avsrruf) seri-beslcmeli devrenin l,1c ve P;' dcgerlerini hesaplayrn,

_2. ,Seki! 12.1 deki A-sm1ti seri-beslemeli devrenin P,, degerini hesaplaym.

3. Sekil 12.l deki A-sm1f1 seri beslemeli devrenin 91k1§ tepe gerlimlerini 0.1 Vcc
den Vee ye degi§tirerek verim degerlerinin tablosunu hazirlayin.

4. ,Seki! 12.l deki Avsuufi beslemeli devrede, Re 'nin degerleri icin verimi he-
saplaym,

5. ,Seki! 12.5 teki rransfonnator kuplajh Avsrruf) yukseltec icin P; hesaplayin.

6. Sekil 12.5 teki transformetor-kuplajh Avsnuf) yukseltecte verilen bir RL yiikiine

en uygun baglantiyr saglayacak transformator sanm oraruru hesaplaym.

7. Sekil 12.5 teki Avsuuf) transformator-kuplajh devrenin, 0.1 Vee ile Vee ara-
sm<la degisen kaynak gerilirnlerindeki verim degerlcrini bulun.

8. Sekil 12.15 re gorulen Bssrmfr yukseltec icin 0.1 Vee ile Vee arasmda degisen
kaynak gerilim degerleri icin P; degerlerini bulun.
9. ,Seki! 12.15 teki B sirufi yukseltec i9in 0.1 Vcc ile Vee arasmda degi§en kaynak
gerilim degerleri icin P0 degerlerini bulun.
10. Sekil 12.15 tcki devrede 0.1 Vcc ile Vee arahgmdaki kaynak gerilimleri ii;:ii) her
iki 91k1§ transistoriindeki giii;: kaybim bulun.
13.1 GiRi$
Bu bolumde, onceki boltimlerde ele ahnmayan bir dizi onernli elemam in-
celeyecegiz, iki katmanh yan iletken diyot, iii;:, dort hatla be§ katmanh elernanlarm
urerilmesine yo! acrmsur, ilk once dort-katmanli pnpn elemanlan ailesi ele ab-
nacaktir: SCR (silisyum kontrollii dogrultucu), SSC (silisyum kontrolli.i anahtar),
GTO (kapidan kapamali anahtar), LASCR (1§1kla cahsan SCR); bunu, giderek artan
bir onern kazanan UJT (tek-jonksiyonlu transistor) elemam izleyecck, Kontrol me-
kanizrnali dort katmanh bu elemanlara gene! olarak tristor dcnrnektedir; ancak bu
terim daha cok SCR (silisyum kontrollu dogrultucu) i~i~_kullamlmaktad1r. Bolumun
sonunda fotoelektrik transistor, optik yaliticrlar ve f'.UT, (prograrnlanabilir tek-
jonksiyonlu transistor) tamtrlacaktir.
L.

pnpn ELEMANLARI

:j·, 13.2 SiLiSYUM KONTROLLU DOGRUL TUCU

pnpn elemanlar ailesindc guniirntlzde tarusrnasiz en buyuk ilgiyi silisyum kontrollil

dogrultucu (SCR) toplamaktadir. ilk defa 19S6'da Bell Telephone Laboratories ta-
rafmdan gelistirilmistir. SCR'lerin daha yaygm uygulama alanlan arasmda role kont-
rolleri, zaman gcciktirme devrcleri, duzenlenmis giii;: kaynaklariru, statik anahtarlar,
motor kontrolleri, kiyrcrlar, tersleyiciler, saykil-doniistiirilculer, aki.i dolduruculan,

602 BiilOm 12 BOyOk Sinyal Yiikselter;lerl 603

 $ekil 13.3b'deki gibi gorulecektir. (Vkap, = 0 V, §ekilde goriildtigii gibi kapi ucunun
koruma devreleri, tssticr kontrolleri vc faz kontrolleri sayilabilir. topraklanmasma esdegerdir.) VloE2 = Vkap1 = 0 V icin, baz akmu !02 0 ve Ic2 yak- =
Son yillarda. anma deieril800 V'ta 2000 A'e ulasan ve 10 MW'a kadar buyuk =
lasik olarak Ico olacaktir. Q,'in bazr akmu Io1 lc2 ,,; le(/ Q1 'i iletime gecirmek icin
gucleri konti~l eden SCR'ler.tasarlanm1~t1r.· SCR'lerin uygulama frekans aralig: da cok kiic;:iiktiir. Bu nedenle her iki transistor de "kapah" (kesim) dururnundadrr; ki bu
50 kHz civanna genisletilmistir, bu da ultrasonik temizleme ve endiiksiyonla isu- da $ekil ! 3.3c'de gosterildigi gibi, her bir transistorun emetoru ile kollektoru ara-
masi gibi bazi yuksek frekans uygulamalanru rniimktin krlmaktadir. smda ytiksek bir empedansla ve kontrollii dogrultucuyu rernsil eden bir acrk dev-
rcvle sonuclarur.
Ano\
13.3 TEMEL SiLiSYUM KONTROLLU \
DOGRUL TUCUNUN 9All~M~SI \
\

Adindan da anlasilabilecegi gibi, SCR, kontrol amaciyla eklenen u,;:ilncii bir uca
sahip silisyum malzemeden yapilrms dogrultucudur. Silisyumun secilmesinin ne-
deni, yuksek sicakhk've giic;: kapasitesine sahip olmasidir. SCR'nin temel cahsmasi,
'-, .

I
;

kapi adr verilen ve dogrultucunun kisa devre durumuna mt yoksa acik devre du-
rumuna mt anahtarlanacagmr belirleyenucunctl bir uc;: icermesi acrsmdan, klasik iki Kap, /
katrnanh yaniletken diyottan farkhdir, Elemanm sadecc anot - katot bolgesini ileri
ongerilimlemek yeterli degildir. iletim bolgesinde, SCR'nin dinamik direnci tipik
olarak 0.01 ile 0.1 U arasindadrr. Ters direnc tipik olarak 100 kD. veya daha faz-
ladir, Figure 13.2 SCR two-transistor
(a) (b) equivalent circuit.
SCR'nin grafik sernbolii 'dort katmanuyanilerken yap1ya uygun baglantrlar ile bir-
likte Sekil 13. l'de gosterilmistir, ~ekil 13. Ia'da gosterildig] gibi, ileri yonde iletim
icin anot katoda gore daha pozitif olmahdir, Yine de clemam iletime gecirrnek -}ekif ] :\.2 SCR'nin iki-1t;.msis1C:,dc
(acmak) icin bu yeterli degildir. lc;i ile sembolik olarak gosterilen kapi acma akr-
gbstertlen ~leger dcvrosi.

rmm olusturmak icin kapiya aynca yeterlibityuklukte bir darbe uygulanrnasr ge-
rekrnektedir.

i
Kap1
l,;r}
0>---~-"---1:,~e,T'f-~--
.._p_l
_K_
.. -
O p n p n·
,, 12
Yilksekempedans
Anet. Kalot Anet Ka101 (•~ik-devre
~ yalda~mu)
+
(a) (b)

~tkil U.1 (a) SCR .._,nbolO: (bJ 1e111cl y11111st.

SCR'nin temel c;:ah§masm1 aynnttlanyla incelemenin en iyi yolu, ~ekil 13. lb'deki (ll)
Ch) (C).
dort katmanh pnpn yap1y1, Sekil 13.2a'da gosterildigi gibi iki adet ii<; katrnanh tran- ~ckil 13.3 SCR.oin "ke,im (kapah)" dununu,
sistor yaprsma ayumak ve sonra ~ekil 13.2b'de elde edilen devre gibi dusunmekrir,
~ekil 13.2'deki bir transistorun npr:i ve digerinin de pop transistor olduguna dikkat /= t1'de Ve gerilimlerinin birdarbesi SCR'nin kapisinda goriilecektir, Bu giri§ ile ·
edin. inceleme amacryla Sekil 13.3a'da gosterilen sinyal ~ekil 13.2b'deki devrenin gerc;ekle§tirilen devre ko~ullan $ekil 13.4a'da gosterilmi§tir. Vo potansiyeli Q2'yi ile-
kapisma uygulanacakur, 0---) I! aral;gmda Vkap, = 0 V ve ~ekil 13.2b'deki devrc time gec;:innek i,;:in yeterli biiyiikliikte se~ilmi§tir (V8E2 :=Ve). Daha sonra Q2'nin kol-

604 BolCim 13.3 Temel Sillsyum KontrollO Dogrultucunun Cah~mas1 BolOm 13 pnpn ve Diger Elemanlar
605.
lektor akirru, Q1'i iletime gecirmeye yetecek degere yukselecektir (Jo1 = lc2)· Q, ile-
time gecince Ic1 artacak ve buna karsihk gelen 102 de artacakur, Q2'nin baz aki-
mmdaki artl§ /ci'nin daha cok artmasma neden olacaknr, Net sonuc, her bir tran-
sistorun kollektor akimmdaki tekrar iiretilen arnsur, Sonuctakl anot-katot arasi
=
direnc [RscR VI (/A· bUyUk)], c,:ok kU9UktUr ve bunun sonucu ~ekil 13.4b'deki gibi
SCR icin kisa devre gosterirni elde edilir. Yukanda belirtilen tekrar tiretilme islemi,
tipik olarak 0.1 ile 1 µs arasmda iletime gecrne siirelerine sahip SCR'ler olusturur,
Bununla beraber, 100 ile 400 A arahgmdaki yiiksek gii91U elemanlarda iletime
gecme (acilrna) sureleri 10 ile 25 ;,s arasmda degisebilir,
Kapi tetiklemesine ek olarak, ·scR'ler, elemamn srcakhgirun onernli olarak yuk-
selmesi veya anot katot arasi gerilimin ~ekil 13.7'deki karakteristiklerde gosterilen ~ckil l .~.5 Anot akumn1nke:;;lm(si.
kmlma gerilimine yukselrnesiyle de iletime gecebilir,
~eldl 13.5a'da anahtar acikken IA stfirdrr (seri kesme), ~ekil 13.5b'de ise ayru
durum anahtar kapahyken gerceklestirilmistir (paralel kesme). Zorlanrrus ko-
miitasyon, SCR uzerindeki akimm, ileriiletim yonunun tersi yonune "zorlanma-
v. sidir." Bu islevi yerine .getirmek .icin cok.eesitli _devreler mevcuttur; ve bunlarm ba-
zilan bu alandaki buyuk. urcticilerin el kitaplarmda bulunabilir, En temcl tiplerden
biri Sekil 13.6'da gosterilmistir, $ekilde belirtildigi gibi kesim (kapatma) devresi, bir
npn transistorden, bir de pilinden (V8) vebir darbe iiretecinden olusur, SCR iletimi
=
sirasmda transistor "kapah" durumundadir; yani/8 O'drr ve kollektor-emetor em-
pedansi cok yuksektir (pratik acidan.bir ac,:ik devredir). Bu yii_ksek empedans, kcsmc
(kapatma) devrelerinin, SCR'nin .9ah§masm1 etkilemesine en gel olacaknr, Kesim ko-
sullan icin, transistorun bazma pozitif bir darbe uygularur; bu da transistoru yava§9a
acar (iletime sokar) ve cok diistik bir kollektor-ernetor empedansi yaraur (kisa devrc
esdegeri), Daha sonra pi! potansiyeli $eldl 13.6b'de gosterildigi gibi, SCR'yi kesirne

,~~,
,~·~d~?.:
goturmek 'icinden ters yonde zorla akim akiulacak sekilde dogrudan SCR'nin kar-
sismda gorunecekrir. SCR'b;:in tipik kesime gitme sureleri 5 ile 30 µs arasmdadir,
(a) (b)

~.ck j I J .U SCR'nin "iletim (~ok)" durumu.

Bizi ilgilendiren bir sonraki soru §Udur: kesime ne kadar surede gidccektir ve
kesim i§lemi nasil gerceklesecektir? SCR, sadece kapr sinyalini keserek kapatilamaz
ve sadece bazi ozel SCR'ler, ~ekil 13.3a'daki t = ts arnndaki gosterilen negatif dar-
i :-.1
kc- lie> Ice- .. •'
~1 tini.:!iri{~~;~J
1,Q11,

benin kapi uclanna uygulanmastyla kesime gidebilir. SCR'nin kesime gitmesi icin
kullamlan iki gene! yontem, anot aktmttun kesilmesi ve zorlanmts komiltasyon tek- (a) (b)

nikleri olarak snuflandmhr. Alam kesmenin iki olasi yolu ~eldl 13.5'de gos-
terilrnistir. ,)dil 13.C, Zortannus komuuayoo 1eknij;i.

606 Bolilm 13.3 Temel Sllisyum KontrollOOogrultucunun t;ah~mas1 Bolilm 13 pnpnve Oiger Elemanlar 607
 R == Kaptdan katoda direnc
3.4 SCR KARAKTERiSTiKLERi VE Va: Kapidan katoda sabit ongerilirn
ANMA DEGERLER_i 2. Tutma akuru tln): alunda SCR'nin iletim konumundan belirtilen kosullarda ileri
bloklama bolgesine anahtarlandrgr akim degeridir.
3. iteri ve ters bloklama bblgeleri; anottan katoda alam~n bosalrna akism; blok-
<;e~itli kapr_llk.irri
degerleri }9in bif SCR'nin karakteristikleri $ekil 13.?'de. ve-
layan kontrollti dogrultucular icin acik devre kosuluna karsihk gene! bolgelerdir .
.rilmi~tir; Genel akim ve gerilimler karakteristik uzerinde gosterilmistir, A§ag1da her
4. Ters km/ma gerilimi; temel iki katmanh yan iletken 'diyodun zener ya da ~1g
biri i9in ozet bir aciklama verilmistir, \ bolgelcrine esdegerdir,
\
. -"\ $ekil 13.7'deki SCR karakteristiklerinin, iletim bolgesine girilmeden onceki
yatay dal haric temel iki katrnanh yaniletken diyodunkine yOk benzedigi hemen
gorulebilir. Bu yatay dal, SCR'nin iletim durumuna karstlrk gelen iletim bolgesine
girecektir. Aym sekilde goriildugii gibi kapr ucuna ongerilim uygulanarak kap1

-
akirru /c1'e kadar artarsa, iletim icin gereken VF degeri (VF1) oldukca azahr. /c'nin
+ arusiyla /11'nin dii§tiigiine dikkat edin. Eger kapi akmu la2'ye kadar artarsa SCR,

1,..
gerilimin cok dti§iik degerlerinde (VFJ) ateslenecek ve karakteristiklc/iemel fi,-n
jonksiyonlu diyodunkine yaklasmaya baslayacaknr. Karakteristiklere tamamen
farkli anlarnda bakrhrsa, belirli VF gcrilimi icin, ornegin ~F2 icin (~ekil 13.7) eger
kapi akum le= O'dan lo1 'e veya daha fazlasma artarsa SCR ateslenecektir.
~ekil 13.8'de kapi karakteristikleri verilmistir, ~ekil 13.8b'deki karakteristikler,
Sekil 13.8a'daki golgeli bolgenin btlytitillmus tiirtidtir. $ekil 13.78a'da bizi en fazla
ilgilenilen kapi anma degerleri Pcn1, lcr« ve Van1 gosterilmistir. Her birisi, tran-
sistordekiylc aym yontemle dahil edilrnistir, Tarah bolgenin bazi kisimlan drsmda
Tees yonde bozulma . Tutma
gerilimi aJam, bu bolgenin icine dusen kapi akim ve geriliminin herhangi bir bilesirni, ka-
\ rakteristikleri. verilen elernadlarla ayru serideki herhangi bir SCR'yi atesleyecekrir.
V(BRJF• Tarah bclgenin hangi krsunlannda iyah§maktan kacrmlmasi gerektigini sicakhk be-
I llertyondc: lirleyecektir. -65 °C'de SCR serilerini tetikleyecek minimum akirn 80 mA iken
Ters yonde b!oldarna !Jeri yoodc blokaj lanlma
bolgesi gerilimi
+ 150° C'de sadece 20 mA gerekecektir, 3 V veya daha yukan kapi gerilimleri ge-
bolgcsl
nellikle kolayca bulundugundan sicakhgm minimum kapr gerilimi iizerindeki et-
kisi bu tip egrilerde genellikle gosterilmez. $ekil 13.8b'de isaret edildigi gibi,
btitiin birimlerin soz konusu sicaklik araltg1 icin minumum 3 V'luk gerilim gos-
$d,il 13. 7 SCR k~r•ktcri~likkri. terilmi§tir.
SCR veri sayfalannda genellikle bulunan diger parametreler arasmda iletime
geiyme stiresi (l,,pk), kesime gitme (kapanma) stiresi (tka1,a1,), jonksiyon s1cakhg1 (T.1)
1. lleri km/ma gerilimi V1nRJF* , ustunde SCR'nin iletim bolgesine girdigi gerilim ve k1hf s1cakhg1 (Tc) saydabilir; ki bunlann tamam1mn bu noktaya kadar yeterince
degeridir, Kapi ucunun durumuna baglt olarak konan (*) i§areti, sonuna geldigi ay1k olmas1 gerckir.
harfe a§ag1daki anlamlan verir:

0 = Kapidan katoda acrk devre

S = Kapidan katoda kisa devre

608 BotOm 13.4 SCR KArakterlstlklerl ve Anma De(lerlerl Bol!lm 13 pnpn ve Dlger Elemanlar 609
 13.5 SCR'NiN YAPISI VE U<; TANIMI

SCR"nin dort katrnanh cekirdeginin temcl yaplSl ~ekil 13.9a'da gosterilmistir. Yuk-
sek akimh vc 1s1 yogunlugu olmayan SCRyap1smm tamanu Sekil 13.9b'de gos-

!-'
~~~~ ....--~,_.,_.,_.,_.,_.,_...,

~l~ili~t )~}.
&;
... fJ
"' (lf<M)IW!l!l"3 1dq 'l'l"V
0
:5
"'
1 "'g
.u.,~u. . ~·"'J
0 ,a'[ 3: ·5
\ ....<> ~
i ~
I
I +
.§ 7 8
'b
>
0
0
·E
;;;
~
ll-~
'il.a'7
I
~ .§ ~
ff
~
,,::
"' ~

'
§.
jf! I ~~~
.S.<n s.
c:
~
""
\ I
f~ jj E
-< ~ u
(a) (h)

~J~
\ ...u
0 "':;:;_
\ Sck i l I 3. ()
(a) Ala~nn - diluiyonlu SCR ~kirdck. (b) ,., yor£unlugu oln1.1yan SCI(
... · y;oposo. (General Electric Company izniylc).
\
\ l~j·G ~
a! ...,
-'-"

\
\
liE~ ;S
!:!
"! :.P,·

\ :::,(:!.
,/l~·L..
.. \
J
~,
ii ~
<i.-,oy·· ·
00
~ \ ci .. .r
\
~] \ ~.
\
\
\
.
ci
\
'' ci
Ka tot
~f ~Pl
..,.

it
:: 0
'• f
W IW!1!=3,d"'l 'll(U'Y
A~
lri) (bl (c)

Sd,il 13. I (l SCR kohf yapos1 vc u~ rarumlan. l(a) General ElectricCompany'nin: (bl ve
"\(c) International Rectifier Corporation'un izniytc:J ·

610 Bolilm 13.4 SCA Karakterlstlkleri ve Anma Degerlerl Bolum 13 pnpnve Diger Elemanlar 611
 -- . . . '\f•..r- .... ! ----~-----o 0-~ ,.._ ............
R

JJ-
R1_
A

R,
0° 90°
Kapr, anot ve katot uclanmnkonumlanna.dikkaredin. Taban kisrru, 1S1y1 SCR'nin

-
'-r'
monte edildigi saseye aktararak sogutma' plakasigibi islev ·goriir. SCR'lerin kihf ya- K G f:- 90° ilctim
pisi ve uc tammlamast, uygulamayii baglr olarak degisecektir. Diger kilif yapisi tek- I(; (b)
nikleri ve Uy tarurnlarnalanSekil 13. IO'da gosrerilrnistir, 1,1) ·} ..:
:,
.'i,·I, ii 1.1. 12 Yonm·dulga '"'f'~ken dire~li faz kontrol devrc.i.
-,
i.s SCR UYGULAMALARI
13.12a'da gosterilrnistir. Devre, anahtarm kaldmlmasi ve degi§ken direncin eklen-
SCR i9in_ m~~kiin olan uygulamalardari birkacr ~'ye giri§. boliimiinde. (Bolilm mesi dismda, $ekil 13.lla'dakine benzemektedir, R ve R1 direnclerinin birlesirni,
13.2) verilmistir, Bu bolumde bunlardan besini ele alacag1z: statik anahtar, faz kont- giris sinyalinin pozitif parcasi boyunca kapi' akmuru suurlayacakur, Eger R1 mak-
rol sistemi, pi! dolduruculan, 1s1 kontrol devrelerive tek kaynak!t acil aydmlatma simum degerine ayarlarursa, kapi akmu iletime ge9mc genligine hi~ ulasamayabilir.
sisterni. R 1, maksimum degerinden azaldikca, kapi akirm aym girls geriliminden dolayi ar-
Yanm dalga seri statiksanahtar $ekil l13.l Ia'dagosterilrnistir. $ekil 13. l lb'de go- tacaknr. Bu yolla, gercken iletime geerne. kapi akmu, Seki! 13.12b'de gortildiigu
riildiigii gibi anahtar kapaltysa, girissinyalinin pozitifparcasr boyunca kapidan akim gibi, 0 ile 90° arasmdaki herhangi bir noktada kurulabhir. Eger R1 dti~Ukse SCI} he-
akacak ve SCR iletime gececektir.Kaprakimmmgenligini R1 direnci sirurlar. SCR men hemen aninda ateslenecektir; vebu da $ekil 13.1 Ia'daki devreyle ayni somicu
- . . ~ -- .- - - I
iletimdeyken, anot-katot arasr ""geri]im (\IF); i!etim degerine dusecek VC bunun SO- verebilir (180° iletim). Bununla beraberyukanda deginildigi gibi R1 artarsa, SCR'yi
nucunda 9ok kiicuk bir kapi akrmi ve kapi devr~siride cok az kayip olusacaktrr, Girls ateslemek i9in daha bUytik bir giri~ gerilimine (pozitif) ihtiyac duyulacaknr. Sekil
sinyalinin negatifbolgesi icin, anot katoda gore daha negatif olacagmdan SCR ke- 13.12b'de gosrerildigi gibi, giri§ 90°'lik faz kayrnasi noktasinda maksimum degerine
sirne gidecektir. Kapi akrmlannm tersine iWnmesini onlemek icin devreye D1 di- ulasacagindan komrol bu nokladan ileriye 9ekilemez. Eger . SCR'yi ate§lcmek i9in
yodu eklenmistir, · ' kap1 gerilimi dii§erse ve giri§in pozitif egimindeki giri§ gerilimi degerlerinden daha
az ise, aym lepki sinyal dalga §eklinin negatif egimli par<;:asmdan da beklenmelidir.
Buradaki 9ah§ma, teknik olarak: yanm dalga, degi§ken direnfli faz kontmlii olarak
amhr. Bu, ak1mm ortalama degerini (rms) kontrol etmenin ve boylece yiike gti9 ak-
tarmanm etkili bir yontemdir.
SCR'nin ii~iincii popiiler uygulamas1 pil doldurma (akii §arj) regiilatoriidiir. Dev-
A
renin temel elemanlan $ekil 13. I 3'de gosterilmi§tir. Buradaki amac1m1z a~1smdan.
D1 kontrol devresinin blok halinde gusterildigine dikkat cdin.
Mekanik, elektrlk
veya elektromckanik
Jrfl_
anahtar ·
G
II~ SCR1
lkap,
:_j '---t--.i1-1 C20F ·
GE ·:,·,;,

• • ."r" • t ;,: ._:,,~·~·., •

(b)
'id, i I 13 11 Yonm:lolg• seri Sliltik an,hi;,r. 47n (2W)(;ll- .;
--------,; 'f.}'.f).-.\ \ . :·:.'

:" ;ftitlilri!t":
Sonucta olusan yi.ik akmu ve gerilimi dalga §Ckilleri $ekil 13.11 b'de gosterilrnis-
tir, Soou~. · yiikten gecen yanm dalga dogrultulmus sinyaldir. I 80°'den daha az ilc-
tim istendigi.taktirde anahtar, giri§ sinyalinin poztif kisrm sirasmda herhangi bir faz 12V'luk,
yer degisrirmesinde kapatilabilir. Uygulamaya bagli olarak anahtar, elektronik, elek- Pil
tromanyetik veya rnekanik olabilir,
Iletim acrsirun 90° ile 180° arasmda kurma kapasitesine sahip bir devre, $ekil ~ekil IJ.13
Pil·dotdum1t,
reg.Ul;uOrii. ·. _.:· ~>?.-.= .:_...
612 Boliim 13.6 SCA Uygulamalan
Bolilm 13 pnpn ve Dlger Elemanlar 613
 ~ckildc de gostcrildigi gibi, 01 vc D2 diyotlan, SCR1 ve doldurulacak I2V'luk pil
iizerinde tam dalga dogrultulmus bir sinyal olusturur, Dii§iik pil gerilirnlerinde, ki-
saca acrklanacak nedenlerden·,dolay1 SCR2 kesim durumundadir, SCR2 acrkken,
SCR, kontrol devresi, bu bolumde daha once tarusilan seri sratik anahtarh kontrol
devre~iyle tamarnen ayrudir, Tarn dalga dogrultulrnus giris, iletime gecirme ii;:in
gerekli kapi aknmru iiretmek icin yeteri kadar biiyiik oldugunda (R1 ile kontrol edilir),
SCR1 iletime gececek ve-pif dolrnaya baslayacakur, Doldurma isleminin bas-
l~ng1cmda'. ~ii~iik pi] gerilimi; basil gerilim stirme devresi tarafindan belirlenen dii§iik
bir VR gerilimiyle sonuclanacaknr, Buna karsihk Vn gerilimi, 11 V'luk zeneri iletime
gecirmeye (acmaya) yetmeyecek kadar kiiyiiktiir. Kesim durumunda, SCR2'yi bes-
leyen zener ai;:lk devre gibi davrarnr ve kapi akirru srfir oldugundan SCR2 de kesim du-
1:1mundachr. C1 kondansatoru, devre icindeki SCR2'yi kazayla iletime gccirecek ge-
rilim gei;:i§lerini onlemek icin konulmustur, Devre analizindeki temel cahsmala-
nruzdan kapasitorun iizerinde ani -gcrilim degi§melerinin olmayacagrm hanrlaym,
1,
c parak, kondansatoriin ate§leme potansiyclinc kadardolarak SCR'nin tetiklenme ihti-
bu yolla gecici etkenlerin SCR'yi etkilernesini onler.
Doldunna islemi surdukce pil gerilirni, VR degeri, 11.0 V'luk zeneri ve SCR2'yi ates-
lemeye yetecek yiiksek bir noktaya ulasir, SCR2 areslendikten sonra, SCR2'nin kisa
devre C§degeri,-Rt ve R2 tarafmdan belirlenen ve V2'yi, SCR'yi acamayacak (iletime
sokamayacak) kadar kiii;:iik bir diizeyde. tutan bir gerilim bolucu devreyle sonuclamr,
Bu gerceklestiginde, pil tamamen dolmustur ve SCR'in as;lk devre durumu doldurma
akmun kesecektir, Boylece diizenleyid,.pil gerilimi dii§tiigiinde onu tekrar doldurur
ve tam doldurma olu§tugunda asin dolumu onler,
cok duyarhdir. Gercckten de 0.1. 0C'ye ,kadar kui;:iik degi§imleri hissedebilir. Uy·
gulamada suurlanmis olmasma ragmen, tennostatta yalmzca i;:ok ktii;:iik akim du-
zeyleri kullarulir (l mA'in altmda). Bu. uygulamada SCR, yiik anahtarlama ele-
mamndaki akirn yiikselteci olarak i§lev goriir .. Bu, tennostatm akim diizeyini yilk·
seltmesi anlarnmda bir yukseltec degildir. Bu daha ziyade, yiiksek akim diizeyi ter-
mostatm davranrslanyla kontrol edilen bir elemandir. _ •
Kopru devresinin, 100 W'ltk 1s1t1c1 yardirmyla alternatif akim (ac) kaynagina b~g-
landig1 acikur. Bu, SCR iizerinde tam dalga dogrultulmus bir gerilimle sonuclana-
caknr, Termostat acik oldugu zaman kondansatorun uzerindeki gerilirn, dogrultul·
mu§ sinyalin her darbesinin yardimiyla kapi atesleme potansiyeline kadar dolacaknr,
Dolma siiresi sabiti RC carpirmyla belirlenir. Bu, giri§ sinyalinin her yanm saykil!
boyunca SCR'yi tetikleycrek, yiikiin (akrmin) 1s1tJc1ya dogru ak1m akmasm1 miim-
kiin k1lacakt1r. S1cakltk yiikseldiki;:e -iletken .tcrmostat, kondansatorii kJsa devre ya-
malini ortadan kald1racakt1r. Daha-sonra 510 kQ'luk direni;:, termostat iizerinde i;:ok
kiii;:iik bir ak1mm (250 µA'den az) korunmasma katkida bulunacakttr.
SCR'nin ele ahnacak son uygulamas1 ~eki!J3.15'te gosterilmi§tir. Bu, 6V'luk pili
kullamma haz1r tutacak §Ckilde dolduran ,ve aym zamanda giii;: eksikligi olu§tugunda
ampule de enerji saglayan tck kaynakh bir acil durum ayd1nlatma sistemiclir.
/ lstcncnyilldcnmo omum (deAc:rini
R1 vegOcilnll)vmncki~~lllr.

SCR kullamlan 100 W'hk bir 1s1t1c1 kontrol devresinin §emast ~ck.ii l3. l4'te ve- SCR1
rilmistir. D~vrc, termostatlarla belirlendigi §ekilde 100 W'hk 1s1t1c1y1 acip ka- Cl06YI
payacak sekilde tasarlanrmstrr. <;1val1 cam termostat sicakhk degi§imlerine karsr
C1
· 100.W'lukJSUu:iyilkil JOOµF
l
10-Y
<.
GECS8 ~- . "'·':,_ R3 - + 6-Volt'luk
R2·- ",
veya
6V'luk JkSl ~ pll
Cl06B Jamba
·1son
L

\
GEA14B ,1 -1 11 l, Tck knynakh acil-ayd111h11mi. ~is1emi (General Elcciric Comp. Scmiconduc1or Produce Division'un iiniylc)
CRI-CR4 S''- 'I •, . \

R,
O.lµF _SIOkSl Dive D2 diyotlanndan dolay1 6 V'luk lambanm iizerinde tam dalg~ dogrultulmv
bir sinyal goriinecektir. C1 .kondansatorii, tam dalga dogrultulmu~ sin'yalin tepe di
-'.- 1_"oplanmayt en aza lndinnek
. l¢1n~~Jar geri ile 6 V pi! tarafmdan R2/iizerinde olu~turulail de. gerilimi _arasmdaki farkta
biraz kiii;:iik bir gerilimle yiiklenecektir. ~oyle veya boyle, SCR1'in katodu an<
~~kiJ I 3. J .J S1caklikck?nc1leyicisi.
Civah cam tennostat
(General Ek...:cric Scmiconduccor tundan daha yiiksektir ve kap1,katot gerilimi .negatiftir; .bu da SCR'nin iletmemesir
Pmclocls Divisiou'un b:niyle.)

614 Boliim 13.6 SCR Uygulamalarr Boliim 13 pnpn ve Diger Elemanlar ,61~
I
 saglar, Pil, R, ile belirlenen bir hizda R1 ve D1 uzerinden §arj olmaktadtr, Dolrna i§-
acacaknr (iletime sokacaknr). Sonuctaki kuv~e~\Lko)lektor akmu le" Qz'yi iletime
lemi yalruzca D,'in anodu kat'bctb11a~Htlaha.pozitifoldugu zaman gerceklesir. Tam
sokacak ve sonucta bu islem tekrar ilretilerek S~.S,c:.kmanmm iletimde kalmasi sag-
dalga dogrultulmus sinyalin <l<:°1seviyesi, gu~ acikken lambarun yanmasmi sag~ .
lanacaknr. Anot kapismdaki pozitifbir darbe, (?1,'.i.~,,baz.~emetorjonksiyonu ters on-
layacakttr. Elektrigin kesilrriesi'tfu'iiu'nunda C1, SCR,'in katotu anodundan daha az
gerilimleyerek kesime gotunir, bunu sonucunda da elemarun acik devre kesirn (ka~
pozitif oluncaya kadar D1, R(ve:.R3·ui~1inden desarj otacakiir, Ayn: zamanda R2 ve
R3 jonksiyonu pozitif olacak 1 ve'·sCR Yi
tetiklemek i9in yeterli kapi-katot gerilimini
pah) durumu olusur, Genelde tetikleyen (iletime.sokma) anot kapi akuru, gerekh
· katot kapi aktmmdan daha biiyilktilr. Ornek bir.S~S _e!~rnaru icin, tetikleyen anot kapi
olusturacaktir. Ateslendikten sBrl~ ~-v·ruk pil SCRi° uzerinden bosalacak ve Iam-
akum 1.5 mA iken, gerekli lcatot ·kapt akimi 1 l!~'d~.: Her iki uctaki gerekli iletime
baya enerji vererek yamk kaltiia~11n(:s~glayacakt1~ Elektrik kesintisi ortaclan kalk-
sokma kapi akmu bircok fakiorden etkilenir. Bun\~1~ ,~~1lan, i;:ah§ma s1cakhg1, an~t
nktan sonra yukanda a91kland1j1·gi'bi'icondansator ?ekrar dolacak ve SCR'in tekrar
katot arasi gerilim, yiikiin yeri ve katot ile kapi katotveya anot kapisi ile anot bag-
kesim (kapah) durumuna gelm'esini1sa~layacak!lr.
-1 1 i, _ •.. . . .,..,. lantrlandir (lasa devre, ai;:tk devre, ongerilim, yuk, v.s.). Her bir elcman icin, yukanda
verilen tilrden bilgiler saglayan tablolar, grafikler ve egriler mevcuttur.
. . "~ .. SCS'yi kesime goturen en' temel tic;: devre tipi ~ekil 13.l 7'de verilmi~tir. ~ekil
°13.7 SILISYUM KONTR0!-L_UANAHTAR
... 'i 13. l 7a'daki devreye darbe uygulandig1 zaman, transistor yabucak iletime g~er ve bi.mun
sonucunda kollektorii ile emetorii arasmda dil§iik empedans (yakl~ik lasa devre) ka-
Silisyum kontrollil anahtar (SCS), silisyurn kontrollu dogrultucu gibi dort katmanlt
rakteristligi olU§Ur. Bu dci§uk empedans kolu, anot ak:Jmmt SCS'den ba§ka yone c;:e-
bir pnpn elemamdir. ~ekil l3.16a'da gosterildigi gibi anot kapismm eklenmesinden
virerek onu tutma degerinin altma du~iiriir ve bunun sonucunda SCS kesime gider. Ben-
dolayr SCS'nin dort katmarun tamami kullarulabilir, Grafik sembolu ve tansistor e~-
zer §ekilde, ~ekil 13.17b'deki anot kap1smdaki pozitif darbe, bu bolumcle claha once
deger clevresi de ayru sekilde gosterilrnistir, Elemanm karakteristikleri temel olarak
belirtilen mekanizmayla SCS'yi kesime goturecekUr. ~ekil J3.17c'deki devre, katot ka-
SCR'ninkiyle ayrudir. Anot kapi akimmm etkisi, ~ekil 13.7'de gosterilen kapi aki-
ptsma uygun genlikte darbe ~ygulanarak iletime veya kesime gotiirelebilir. Kesime go-
mmmkinecok benzer. Anotkapisrakirrune kadaryuksekse, elemaru acmak (iletime
tiirme karakteristigi sadece dogro RA degerleriyle miirnkiin olacak!lr. Bu, bu tiir bir 9a-
sokmak) icin gerekli anot-katot gerilimi de o kaclar dii~iik olur.
h~mada kritik olan pozitif geribeslemenin genlik miktanm kontrol edecektir. Rl yiik
direncinin ~e§itli noktalara konabilecegine dikkat edin. Kapsamh herhangi bir yaniletkr,n
el kitabmda bulunabilen daha b~ka.olas1hklar da soz konusudur.

-
Anot

Anol QI AnotkapLSl
p pnp
kapisr v
Anot /GA v
kapis,
(a tot
capisr Ka tot Q2
Ka tot R,
kap!Sl-fr ··:.t'. ~: (': npn
kaplSl
foK
Ka tot i
Katot

~c~ j I 13. 16 Sili,fum kon1rollO analttar (SCSJ: (•J 1emcl yap,; (b) tr•fik ,embulU; (c) cideger 1r:111,is1Br devresi.

Anot kapr b~glant1s1 elernam iletime ve kesime sokmak (acip kapamak) icin kul-
lanilabilir. Elemam iletime gecirmek icin, anot kapisi ucuna negatif darbe uy- -v
gulanmasi gerekirken, kesime goturmek icin pozitif darbe gereklidir, Yu~~1da be- (bl (c)
lirtilen darbe tipi ihtiyacr, ~ekil 13 .. 16c'deki devre kullamlarak aciklanabilir. Anot
kapismdaki negatif bir darbe, Q1'in baz-emetor jonksiyonunu ileri ongerilimleyerek ~L'kil I J.17 SCS'yi kc.~inlCgtililnu~ td.:nikkri.

Biiliim 13 pnpn ve Dlger Elemanlar 617

616 Bolilm 13.7 Sillsyum Kontrollii Anahtar
 SCS'nin buna karsihk gelen .SCR karsismdaki bir avantaji, azalan kesime gitmc yeterli baz akmuna neden olabilir. Elernan, SCS'nin iletim yollanru acan ve anot
suresidir; SCS iyin bu sure tipik olarak .lIle 10 µs aralrgmdayken, SCR icin 5 ile 30 akrrmru sifira goturen sifrrlama diigmesine basilarak sifirlamr.
· µs arasmda degisir, SCS'nin SCR .kar§1smdaki diger bazi avantajlan arasmda artan
kontrol ve tetikleme hassasiyeti ve dahakesin olarak tahmin edilebilen arcslerne du-
rumu sayilabilir. Ancak bugiln iyin SCS, dii§iik giiy, akirn ve gerilim anma degeriyle
simrhdrr. Tipik maksimum anot !l1<1m1 arahg: 100 mA'dan 300mA'e kadar iken giiy ~~~--~~~-----0+12v
kaybi 100 mW ila 500 mW arasmda degi§mektedir. Si.fu:lama
100k0
Dahayaygm uygulama ala~(ar.r arasmda cok yC§itli bilgisayar devreleri (sayicilar, AJann ( Ol1l1I etlcisi

kaydedicilcr vc zamanlama devrelcri), darbe urcrecleri, gerilim algilayrcrlan vc osi- rolesJ ~In)
200Q
latorler sayilabilir. SCS'nin gcrilim algilama elernam olarak basit bir uygulamasi ,.:,:·. i .
~ekil 13. lS'de gosterilmistir, Bu, ye§itli durumlardan gelen n girisli bir alarm sis- f.fi ~
...____:'.;..·c:.J"l-;'·;<3N84
temidir. Herhangi bir giri§ SCS'yi iletime gecirerek, alarm rolesini ve giris bolgesini -:~: . . j_'} ~-
gosteren anot kapisi devresindeki lambayi enerjilendirir.
l kn'dan IMQ'a
bdar ayarlarur
-12V

~ij:1)11
··;, .
\,GE·
//344
---+---------+-----~
GE
344
~d; i l I 3. l 9 Alarm devresi (General Electric Semiconductor Product Divisioo'un imiyle.

Yukanda verilen iiy enerji kaynagmm herhangi birinin uygulamasmdan dolayi Rs

direncinin artisma karsrhk gelen duyarhhk basitce Rs ile degisken (ayarh) direncin ·
~· ycrlerinin degistirilmesiyle uyarlanabilir, SCS'nin Uy tarurnlamalan, paketli SCS ile
GE 3N60 GE 3N60
birlikte ~ekil 13.20'de gosterilmistir.
Girl~ I
IOkU IOkSl IOkSl

.)t·~ilJ 3.1 N SLR ;d.111h ,kw1..:si.

Diger bir SCS uygulamasi da ~ekil 13.J9'daki alarm devresidir. R5, sicakhk,
1§1ga veya yayihrna duyarli direnci; yani, bu Us; enerji kaynagirnn herhangi birinin
uygularnasiyla deger] azalan bir direnci gosterir. Katot kapisi potansiyeli, Rs ve de-
gi§ken direnc ile olusturulan boliicii iliskisiyle belirlenir. Eger Rs degi§ken direncin
degerine esit kurulmussa, her iki direncin iizerinde de 12 V olusacagindan kapi po-
(b)
tansiyeli yaklasrk olarak O Volt olacakur. Bununla beraber Rs azaldig: taktirde SCS
ileri ongerilimlenene kadar jonksiyon potansiyeli artacak ve bu da SCS'yi iletime
gecirerek alarm rclesinin enerjilenmesine ncden olacaknr,
100 kn'luk direnc, hiz etkisi diye bilinen bir olgunun elemam kazayla tetiklemesi
riskini azaltmak icin eklenrnistir. Buna, kapilar arasmdaki kayak kapasite diizeyleri
neden olur. Bir yiiksek frekans gecici durumu, SCS'yi kazayla iletime sokacak ~,,,! I .\ .. ;i!Sili,yum-kootrollU anahJor(SCS): (a) clcm:,.n: (b) ~ tammlan. (General Electric Company'nin izniyle)

618 Biiliim 13.7 Slllsyum KontrollO Anahtar · Boliim 13 ·pnpn ve Diger Elemanlar 619
3.8 KAPIDAN KAPANABiLiR ANAHTAR

Bu bolumde anlanlacak il<;Uncii pnpn- elernani, kapidan kapanabilir anahtardir
(GTO). Ancak §ekil 13.21a'da.'.da; g9sterildig(gib1, SCR gibi -il<; d1~ uca sahiptir,
,5ekil 13.2lb'de grafik sernbolu-de verilrnistir, Grafik semboltiniln SCR'den yada
SCS'den farkh olmasma ragrnen, transistor e§degeri kesinlikle ayrudrr ve ka-
rakteristikleri benzerdir,
GTO'nun bazr uygularna alanlan arasinda sayicilar, darbe tiretecleri, mul-
tivibratorler ve gerilim duzenleyicileri say1labilir.'~ekil 13.23, GTO ve zener diyot
kullamlarak gerceklestirilen basit bir testere disi ureticini gostermektedir.

\
\
Ano!

p
n
Kapt

Ka tot

(a) (b)
.Aile(
Kapt
Kato!
~d:il I 1.21 Kaprdan kapanabilir am,i,w (GTO): (a) lcmcl yapi: (b) scmbolti. $d.il 13.~..? Tipik bir GTO ve LN; uenmtao.
(Oeremt E~t.:lric Comp;.my'oin iznJylc.)

Aslmda GTO'nun SCR veya SCS karsisindaki en onernli avantaji, katot kapisma
uygun darbe uygulayarak elemarun iletirne veya kesime cekilebilmesidir (SCS icin
gerekli anot kapisi ve ilgili devre olrnaksrzm). Bu kesime gotiirrne yeteneginin bir
GTO
G6D
sonucu olarak tetiklerne icin gereken kapi akimmm genlig] artrrustrr, Benzer mak- 200voll
simum rms akim anma degerlerine sahip bir SCR ve GTO durumunda SCR'nin kapr besleme
gcriliml
tetiklerne akirru 30 µA iken, GTO'nun tetikleme akmu 20 rttA'drr. GTO'nun kesime
gitme (kapanma) akmu, gerekli tetikleme aki!ll,llldan biraz daha biiyiiktiir. Gu-
numuzde uretilen GTO'lann maksimum ortalama akimi ve gil<; harcama degerleri si-
rasiyla 3 A ve 20 W'tir. .
GTO'nun ikinci onemli bir ozelligi de duzeltilmis anahtarlama karakteristigidir.
Iletime gecrne suresi SCR'ye benzer (tipik olarak 1 µs), fakat kesime gitme si.iresi de
~ag1 yukan ayru siirede (1 µs) ·scR'nin tipik kesime gitme suresinden (5 - 30 µs)
<;ok·kii<;iiktiir. Kesime gitme silresinin, iletirne gecrne siiresinin benzeri olmasi, bu
elemanm yiiksek htzli uygularnalarda kullarurmm milmkiln kilar,
Tipik bir GTO ve u<; tarumlan ~ekil 13.22'de gosterilmistir, GTO kapr giri§i ka-
rakteristikleri ve kesime goturme devreleri kapsamlr bir el kitabinda veya veri say-
fasmda bulunabilir. SCR'yi kesirne gottirme devrelerinin <;ogunlugu GTO'lar icin de
kullanilabilir,
~tkif l :;_23 GTO iceren bir resrere dis! urereci.

620 Bolilm 13.8 Kaptdan Kapanabilir Anahtar Boliim 13 pnpn ve Dlger Elemanlar 621
 Besleme ac;:1ld1grnda, GTO iletime gececek ve bunun sonucu anodu ile katodu ara-
smda kisa devre esdegeri olarak.gordlecektir. C1 kondansatoru, ~ekil 13.23'te go-
iiildiigii gibi besleme gerilimine dogru dolmaya baslayacakur, CI kondansatoru uze-
rindeki gerilim, zcner potansiyelinin iizerinde doldugu zaman, kapi-katod gerilimi
tees yone donecek, bu da kapi akirmrun ters yone donmesine neden olacaktir. So·
nunda negatif kapi akmu, GTO'yu kesime goturmeye yetccek kadar biiyiik ola-
caktir. GTO kesime giderek (kapanarak) acik-devre gosterirniyle sonuclandiktan
sonra C1 kondansatoru R3 direnci iizerinden bosalacaktrr, Baslama silresi devre
=
zaman sabiti r R3C I tarafmdan belirlenecektir. Uygun R3 ve CI secirni sonucunda
~ekil 13.23'teki testeredisi dalgasekli elde edilecektir. Vn c;:1kt§ potansiyeli V2'nin al-
tina dii§tiikten sonra GTO tekrar iletime gececck ve islem tekrarlanacakur,
13.9 1$1KLA <;ALl$AN SCR
pnpn eleman serisindeki bir sonraki eleman l§tkla c;:ah§an olan SCR'dir (LASCR).
Terimden de anlasilacagr iizere SCR'nin durumu, elernarnn silisyum yan iletkenin
uzerine l§lk uygulanmasiyla kontrol edilir. LASCR'nin temel yap1s1 §ekil 13.24a'da
gosterilmistir, ,5ekil 13.24a'da gosterildigi gibi, elemanm tipik SCR yontemleriyle
tetiklenmesini mi.imki.in kilmak amaciyla bir kapi ucu eklenrnistir, ,5ekilde silisyum
cekirdegin montaj yiizeyinin, elemanm anot baglannsr olduguna dikkat cdin.
LASCR icin en c;:ok kullamlan grafik sembolleri ~ekil 13.24b'de verilmistir. Uc
tammlamalan ve tipik LASCR'ler ise ,5ekil 13.25a'da gosterilmistir.
Anot
Kap,
\ICU
KaJll
Kaynakhana
swhr. mal.u.rnesi
Kalot
JJ)
)c'k ii I.;.:?-' I11kla ~ah1an SCR (LASCR): (a) temel yap,si; (b)scmbolleri.
622 Bol(Jm 13.9 l~1kla ~ah~an SCR
LASCR uygulama alanlan arasmda optik l§Jk kontrolleri, roller, faz kontrolu,
motor kontrolil ve c;:e§itli bilgisayar uygulamalan .sayL111bilir. Giini.imi.izde ticari ola-
rak kullamlan LASCR'lerin maksimum akimi.(nns) ~c:kap1 giicii degerleri 3 Ave
0.1 W civanndadir. Tipik bir LASCR'nin karakteristikleri (istkla tetiklerne), §ekil
13.25b'de gosterilmistir, ~ekilde, jonksiyon sicakligmdaki bir artism, elemanr 'ra-
hsnrmak ic;:in gerekli I§lk enerjisindeki bir diismeyle sonuclandigma dikkat edin. ·
LASCR'nin ilginc;: bir uygulamasi, ~ekil 13.26'claki VE ve VEY A devreleridir.
Yalruzca LASCR1 ve LASCR2 iizerine 1§1k dii§liigi.i zaman herbiri icin uygulanabilir
krsa dcvre esdegeri olusacak ve yiik uzerinde beslerne gerilimi gorunecektir. VEY A ·
devresinde ise LASCR1 ve LASCR2'ye uygulanan l§tk enerjisinin sonucunda yuk
ilzerindc kaynak gerilimi gorunecektir. ;
LASCR'nin 1§1ga en duyarh oldugu durum, kapi ucunun acrk oldugu durumdur.
~ckil 13.2b'da gosterildigi gibi duyarhhk, kapr direnci eklemek suretiyle biraz azal-
nlabilir ve kontrol edilebilir.
lkinci bir LASCR uygulamasi ~ekil 13.27'de gosterilmistir, Bu, elektromekanik
rolenin analog yaniletken vcrsiyonudur. Bunun, girls ile anahtarlama clcmaru ara-
sinda tam bir yahum saglad1gma dikkat edin. ~ekilde goriildi.igii gibi, enerjilendirme
akmu t§Jk yayan diyot veya lamba iizerinden gecebilir, Gelen I§ik LASCR'nin ile~
time gecerek kaynak tarafmdan olusturulan akimm yiik uzerinden akmasnu mumkun
krlacaktir. LASCR, S1 sifirlama anahtanyla kapanlabilir, Bu sistemin, elekt-
romekanik anahtar karsismda, uzunomtirlu olmasi.jnikrosaniye duzeyinde tepkiye
sahip bulunmasi, kiic;:i.ik boyutlu olmasi ve temas titresimini gidermesi gibi ek avan-
tajlan cla vard1r.
Anet
Kap,
Ka tot
(a)
(b)
~ckil 1.1.2:' LASCR: (a) g6rilnil~O ve u~ 1an1mlon: (b) •i•k-tetiklcmc
kar.1ktcri,1ikleri. (General Eleccric Comp•ny'nin·ii:JiiyleY ·
BolDm 13 pnpn ve Dlger Elemanfar 623
 40

l
Yilk
?i'iroi?f:l
q >r.~-
• .•• -

20
. LASCR1
. .j
LASCR2
. ...
.;•-: -, '·1
I
10 : " Butiln blrlmlcr bu alanda tctiklenlr Bcsleme Besleme
8
6

(a) (b)
2

:,;._.~ ii r .:. >,

LASCR oploelek1ronikmonhk devrcleri: (a) VE kapi,1-y1ike enerji vennck i,in gereken LACSR I
vc LASCRz i;iri~leri; (b) VEYA kapm-LASCR1 veya LASCRiye &iriJ,_yilkc eocrji :tktomc•k.llr",

Bu a1anda hl~ir birim tetilclemez

deg~

0.2

0.1 Notlar: 0
o
(I) GolgeU alan-65 C'den + 100 C'ye laularmlimldln
0.08
olabUcn tetilcleme _noktalanrun yederini giistcrir. -~'--~ ii I ~l.~7 Mandall:\ma 1·ilk:si
(2) Uy~ anot gerilirni • 6 voltde (Genc:l':11 Electric Scmlconducror
0.06 Division'un izniyle.
(3) Kap1 blot arast din:89 - 56,000 ohm.
(4) 1'ik lalynai1 leafa dOzlemincdilctlr.
0.04
13.10 SHOCKLEY DiYODU

Shockley diyodu, grafik semboliiyle birlikte ~ekil 13.28a'da gosterildigi gibi, yal-
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100
Jonksiyon sicaldtjt. °C
mzca iki d1~ ucu bulunan dort katmanli bir pnpn diyotudur. Elemamn karak-
{b) teristikleri (~ekil 13.28b) le= 0 degerine sahip SCR'ninkilerle tamamen ayrudir. Ka-
rakteristliklerin de gosterdigi 'gibi eleman, kmlma gerilmine ulasana kadar kesirn
Seki! ~ _\_)_":(tlrwmu) (kapah) durumundadir (acik devre esdegeri); tam bu gerilime ulasildigmda 91g ko-
sultan gelisir ve eleman iletime ge9er (ktsa devre esdegeri).

624 Bol!im 13.9 1~1kla Cah~an SCR Bi:ilum 13 pnpnve Dlger Elemanlar 625
 Shockley cliyodunu SCR i9in tetikleme anahtan olarak kullaruldigi yaygm bir uy-
gulama, ~ekil 13.29'da gosterilmistir. Devre enerjilendiginde, kondansator uze-
rindeki gcrilim, kaynak gerilirnine dogru dolmaya baslayacakur, Kondansator uze-
rindeki gerilirn once Shockley diyodunu sonra SCR'yi iletime gecirmeye yetecck
yukseklige ulasir. ·
Diyakm yan iletken katmanlannm temel diizenlcmcsi ve grafik sernbolu ~ekil
13.30b'de gosterilmistir, Uclardan hi9 birinin katqt olarak gosterilmedigine .dikkat
edin. Bunun yerine anot I (veya elektrot I) ve .anot 2 (veya elektrol 2) vard1f. Anot
1, anot 2'ye gore pozitif oldugunda, kullamlan ;:an ilctken katmanlar p1n2p2 ve
113'tiir. Anot 2'nin anor 1 'e gore pozitif olmasi durumunda ise, p2n2p1 ve 111 'dir. . ,

'/
~ekil 13.30'da gorunen birimde kinlrna gerilimlerinin genlikleri birbirine cok ya-
kmdir fakat minumum 28 V'tan maksimum 42 V'a kadar dcgi§ebilir. Bunlar ara- ·
Anol
smda, veri sayfasmda vcrilen a§ag1daki denklemle belirlenen bir iliski vardir: ' ; ·
p ;

. . n. .: (13.1)
I
~-~~~~~~~~~~~-'
p
,s. /(BR) Her bir eleman icin akim dii~eylerinin (/u1 ve /82) genliklcri de birbirlerinc cok
~BR) v.F . yakmdir. Sekil 13.30'daki birim icin her iki.akim dilzeyi de 200 µA= 0.2 mA.ci-
Katot vanndadrr.
(a) (b) Diyakm yaklasma dedektoriinde kullarumi.Sekil l3.3l'de gosterilmistir. Yuke seri
bir SCR'nin kullamldigma ve algtlama elektroduna dogrudan baglanrms prog-
ramlanabilir tek-jonksiyonlu rransistore (Bolurn 13.J3'de acrkianacaktir) dikkat edin.

s~- (,, l I _;, .!X Shockley diyodu: (:i) tcmel Y~fllSI Ye ~mholii ~ <_h, \.;1r.1lr.h.·ristigi.

v
1
Anoll
----·---·- lsR
R
; ,·, ·:: ;',

)l.'~1 I I , ~uShoci,.1cy cliyt)(lunun hir

uygulama~, ~ SCR'nin 1e11klcnme~i.
(a} (b)
\
.)i. !'J...il 13.~~{ll)iy:ik: (at ~;1m'-:1cri~1igi: (h) ~mbollcri ve tcmcl yap1s1. (Ge~rnl Electric Company'nin iz.ni)'lc.)
13.11 OiYAK

Diyak temel olarak, iki yonde de tetiklemeyi miimkiin kilan iki adet paralel yaniletkcn
Insanm vucudu algilama elckiroduna yaklasukca elektrot ile toprak arasmdaki ka-
katmamnm · ters birlesimidir, ~ekil 13.30a'da verilen eleman karakteristikleri, her iki
pasitans artacakttr. Programlanabilir UJT (PUT), anot gerilimi (VA), kapi gerilimi
yonde de kmlma gerilimi oldugunu ac,:tlc9a gosterir, Bu iki yonlu tetil<leme ozel-
(VG)'den en azmdan 0.7 V biiyiik oldugu zaman (silisyum icin) ateslenen (kisa devre
liginden, ac uygulamalarmda tam olarak.yararlarnlmasnu murnkun kilar,

BtilUm 13 pnpn ve Diger Elemanlar 627

626 Bolilm 13.11 Dlyak
 4 7Jcfl IO Mil
Yilk ~-;..._---<o--~---4 A G I MO Algt)an: A§ag1da, bir diger onemli giiy kontrol elernaruru (triyak) ele ahrken diyakm ikinci

f clcktroch; bir uygularnasim gorecegiz (Sekil 13.34) .

r
115volt . ;~;j GE
IMO .? 2N6027
(PUT) · 13.12 TRiYAK

\ etrnek icin kapi ucu eklenrnis bir diyakur. Baska bir deyislc, SCR icin gosterilene
Biiliin~lcr 1/4 watt'~·
.5<'1, ii I J.J I Yaklotm• dedektMi°veya temas anahtan. (GenerJI krcctric ;,micondu~tor Products Division"un izniyle.)
durumuna gecen) bir elemandir. Programlanabilen eleman iletime gecmeden ,.(ai;:11-
madan) once sistem esas itibariyle ~ekil 13.32'.deki gibidir. Giris gerilimi yukseldik-
ce, sekilde goriildiigti gibi di yak gerilimi VG, atesleme potansiyeline ulasihncaya ka-
dar girisi izleyecektir. Daha sonra -di yak iletime geceeck ve uclardaki gcrilim, onern-
li olciide diisecektir. Diyakm, ateslenene.kadar esas itibariyle acrk devre olduguna
dikkat edin. Kapasitifeleman konulmadanonce Ve gerilimi girisle ayru olacaknr,
Sckildc gosterildigi gibi VA ve V0giri§i izleyecegiicin, VA, Va'den hie bir zarnan 0.7
V'tan daha buyuk olamaz ve -elemanl'iletimc. geciremez. Bununla beraber kapasitif
Triyak temel olarak iki yondeki iki yanal elemanm iletime gecme kosullanm kontrol
cok benzer bir yoldan, kapi akmu elemanm davramsrru her iki yonde dekontrol ede-
bilir. Bununla beraber triyalan birinci ve iii;;iincii eksenindeki karakteristikler, ~ekil
13.33c'de goriildilgii gibi diyakmkilerden birazfarkhdrr, Her iki yondeki tutma aki-
mmm di yak karakteristiklerinde bulunmadigma dikkat edin.
Elemanm grafik semboHi ve yan ilctken katmanlanmn dagtl1m1, fotograflanyla
birlikte Sekil 13.33'te gosterilmistir, Miimkiin olan her iletim yonii icin, kapi ucuna
uygulanan sinyalle kontrol edilebilcn duruma sahip bir yaniletken katmanlan bir-
lesirni vardrr. .
Triyakm temel bir uygularnasrSekil 13.32'te verilmistir, Bu di.izenlemede triyak,
girls sinuzoidal sinyalin pozitif vd negatif krsimlan sirasmda a91p kapanarak yiike
uygulanan gi.icii kontrol eder. Devrenin giris sinyalinin pozitif krsrm srrasindaki dav-
rarnsr, ~ekil 13.29'daki Shockley .diyotnnunkine oldukca benzer. Bu duzenlemenin
<;:ilnki.i
0

eleman konuldugu zaman Vo gerilirni §ekilde goriildiigii gibi, giri§ geriliminden avantaji, giris sinyalinin negatifkisnnri9a da aym tepkinin elde edilmesidir,
artan bir aciyla geride kalacakur, Bu.nedenleVa'run Vc'yi .7 V a§tlg1 bir nokta ge- hem diyak hem de triyak ters yonde ateslenecebilmektedir, Yuk uzerindeki akirmn
lisir ve bu noktada programlanabilireleman ateslenir, Bu noktada PUT uzerinde sonuctaki dalga sekli ~ekil 13;34'te verilmistir. Rdirenci degi§tirilerek iletim acisr
yogun bir akim olusarak VK gerilimini yiikseltir ve SCR'yi iletime sokar, Dahn kontrol edilebilir. Giini.imiizde :10" kW'!an fazla yiiklerlc kullarulebilen clemanlar
sonra, yaklasan kisinin varligina tepki olarak yiik iizerinde kuvvetli bir SCR akirru mevcuttur.
olusur.

Cef=O

~1.:f. i I f 3. J2 Kap.uitif elemanm, $ekil 13.3 t'dekidcvrcnin d::ivrJ111~1 Ozerine etkisr.

628 Bii!Om 13.11 Dlyak BiilOm 13 pnpnve Diger Elemanlar 629

 I Anor2 I Anot2

J . Dic3E:R E!.EM!,NU\R
) nz
.. .• -r; f .,, •. -- ····-··- 13.13 TEI< ,JONKSiYONLU TRANSiSTOH

l
n,
Son zamanlarda tck jonksiyonlu transistore (UIT) yonelik ilgi, SCR'dc oldugu gibi
K~
' Anotl biiyilk bir hizla artmaktadir, ilk kez 1948 yrlmda gelistirilmis olmasma ragmen 1952
(b) yrhna kadar piyasaya surulrnemistir, Diisuk birim maliyetiyle birlikte elemanm mii-
kernmel karakteristikleri, ¥e§itli uygulamalardaki kullamrmru ararur hale getirrnistir.
Uygulama alanlan arasmda osilatorler, tetikleme devreleri, testere di§i uretecleri, faz
kontrol devreleri, zamanlama devreleri, iki kararli devreler ve gerilim veya akim dii-
zenlemeli kaynaklar sayilabilir. Elemanm normal ¥alJ§ma kosullan altmda genelde
dii§iik giiy cekmesi geryegi, nispet~n daha etkili sistemler tasarlama yabalannda
buyuk kolayhk saglamaktadtr,
"i,NOT-1 ;. UJT, $ekil 13.35'teki temel yapiya sahip iiy uclu bir elernandrr. Az katkih n tipi
--.·---:----!
(yiiksek direnc karakteristiginc sahip) silisyum malzeme tabakasi, bir yiiziin her iki
ucuna baglanan iki baz kontagma ve ·oteki ·yiiziine .ala§tmlanan. bir aluminyum ¥u-
buga sahiptir. Elernarun p-n. joksiyonu, aliiminyum cubuk ile n-tipi silisyum tabaka
arasmdaki suura yerlestirilmistir. Tek :jonksiyonlu denmesinin nedcni, tck bir p-n
joksiyonu bulunrnasidir, Baslangrctaiki baz kontagma sahip olmasr nedeniyle yift
bazh diyot olarak aruhyordu. ~ekil 13.35'teki aliiminyum ¥ubugun silisyum ta-
bakaya kansunldigi noktada baz 2 .kontaguun. baz l kontagma bitisik. olduguna vc
V88'den dolayi baz 2 ucunun bazl ucuna gore daha pozitif olduguna dikkat cdin. Her
birinin etkisi asagrdaki paragraflarda aciklanacaktir.

p-njonkslyonu B2
---<>----,
I
I

(d)
E \·· t-•· I
I
'.,d, ii r .\.\,\ Triyak: (a) sern~~·J: 11>11~1!,, ... <c\ h··,; :· • · ·.l·,1: (d) totograllan. Omi1t1a.bui I
Jr.onta-r. .-=l=- Van
0-----,------=v!L
+
AJOrnlnyum ~ubuk
.
f'~.
j
I
I
t,, I
I

I·
I
I
· n-tlpl yilbe~~.llcl. -----<>-
- --!
sllisyum~a
111 I
?

'i•.·kil I:,.,~ Triyak uygulamas, )d- i 1 l .;·. ,\.'; Tck jonksiyonlu ,r.msistOr (UJ'O; Tcmcl yap~s:.
Faz (g~) konlrolii.
630 BolOm 13.12 Trlyak Bolum 13 pnpnve Dlger Elemanlar 631
 Tck jonksiyonlu transistoriin sernbolu Sekil 13.36'da verilmistir, Emetor ba-
B2
caguun, 11 tip malzemenin tabakasi olarak gosterilen dikey cizgiye bclli bir aciyla 9i- ...-------,,--....q +
zildigine dikkat cdin. Ok, elernan ileri ongerilirnliyken, aktifken veya ilctim du-
rumundavkcn klasik akrm (delik) akrsunn y6niinii gosterir,

Is B
..... --.. ~ 2

Vas
I
VE I
S1..·h1! f J.-'17 UJinin c~tcger devresi,

Bi
Yunan 1/ harfi (eta), elemanm oz uzaklastirma (intrinsic stand-oft) orarn olarak ad-
Iandmlrr ve a§ag1daki esitlikle tanrrnlamr:

~dil 1 .l..\6 Tck jonksiyonlu 1rnn.,istoriin sembolii ve ternel ongerilimleme devresi,

(13.4)

UJT'nin devrc c~c!e-gi ~ekil 13.37'de gosterilmistir, Bu esdegcr devrenin ba-

sitligine dikkat edin: iki direnc (biri basil, digeri degi~kcn) ve tek bir diyottan olu-
§Ur. R81 direnci, dcgi~ken (ayarlanabilir direnc) olarak gostcrilrnistir, c;Unkti bu-
yUkltigti h akimma bagh olarak dcgi§ir. Aslmda ornck bir tek jonksiyonlu transistor
icin R01 direnci, fe'nin O'dan 50 pA'e kadar dcgi~mine karsilik olarak, 5 l<l2'dan 50
Q'a kadar degi~bilir. Bazlar arasi <lirenci Rno: Is = 0 iken elernarun BI ilc B2 uclan
arasmdaki direnetir ve ~ag1daki denklemlc ifade edilir:
V1w = 11Vw'den diyotun ileri gerilim dusmesi Vo'den (0.35 ~ 0.7 V) daha btiyiik
ernetor potansiyellerinde (Ve) diyot ateslenecek, krsa devre duromuna gececek
(ideal olarak) ve R01 iizerinden le aknru akmaya baslayacaktir.' Emeror atesleme po-
tansiyeli ~agrdak:i denklemle verilir:
v,, 11Voo + Vo (13.5)

(13.2)
(Roe tiplkolarak 4 ile 10 kQ araligmdadrr.) ~ckil 13.35'tcki alurninyum cubugun ko-
numu, I,;= 0 iken R81 ve R01 direncinin nisbi degerlerini belirleyeccktir. VR01'in bu-
yilkliigii (h: = 0 iken) gerilim boliicti kurahyla a~ag1d::tki gibi bulunur:
(13.3)
=
V00 IO V icin ornek eek jonksiyonlu transistorun karakteristikleri $ekil 13.38'de
gosterilmistir, Tepe noktasmm solundaki emetor potansiyelleri icin, fr. genliginin,
feo'dan (mikroamperler mertebesinde ol~iiliir) hie; bir zaman biiyiik olmayacagrna
dikkat edin. leo akmu, klasik iki kuruplu' transisrorun lco ters yondeki kacak aki-
rruna oldukca benzer. $ekilde goriildiigii gibi bu bolge kesim bolgesi diye ad-
landmhr. Ve= V1, noktasmda ilctim basladrktan sonra VE emeror potansiyeli, /e'deki
arnsla birlikte dusecektir, Bu da daha once tarU§1ld1g1 gibi, !,; akmurun artmasi icin
Rs1 direncinin azalmasinm tam kar§1hg1dlr. Dolayrsiyla bu elemarun, yukanda am-
Ian uygulama alanlannda buyuk bir giivenlikle kullarulabilmesini saglayacak kadar
kararh olan bir negatif direnc bolgesi vardrr, En sonunda vadi noktasina erisilecek

632 BolOm 13;13 Tek Jonkslyonlu Transistor BolOm 13 pnpn ve Dlger Elemanlar 633
 ve fe'deki herhangi bir arus, elemani doyma bolgesinc sokacaktir. Bu bolgede kn-
rakteristikler, ~ekil 13.37'deki esdeger devrede bulunan yariiletken diyodunkilerc
yaklasir,

VE (volt)

18
Nogatlf
Doyma
---- KCllm ----- ~ - b6Jp 16
b6lgcai b61ge&l
Vp r--,
Tope noklast
14

12 <TA = +2s0c)

vadl nows,

_j lp so
leo (µA)

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 IE (mA)
'.j,·~ ii I _s,_,xUJT ,talik cmctor karaktcristik et,ri,i.

Direncteki azalma, iletim kuruldugu zaman p-tipi alilminyum cubuktan, n tipi ta-
bakaya enjekte edilen deliklerden kaynaklanmaktadir, n-tipi malzemedeki deliklerin
'.~1. · :.,j ! t.; >it UJlye ili1kin tipik stat~kcmctOr-karakteristikclrilcri.
arh§l, tabaka icindeki serbest elektronlann sayismm artmasma neden olacak; bu da
iletkenligi (G) artmrken direnci azaltacakur (Ri = 1/Gi). Tek jonksiyonlu tran-
sistoriin iinemli diger iiy parametresi Ip, Vv ve lv'dir. Bunlar ~ekil 13.38'te gos- Tipik UJT ozelliklcri ~ekil 13.40b'de vcrilmistir. Son birkac paragrafta verilen
terllmistir. Anlamlan isc aytklama gerektirmeyecek kadar acrkttr, bilgiler temelinde, niceliklerden her birinin kolayca anlasilmasi gcrekir, UJT Uy ta-
Emetor karakteristikleri, norrnalde gozuktukleri haliyle ~ekil 13.39'da verilmistir. mmlamalan ve fotografl aym §ekilde 'gosterilrnistir. Baz uclanrun kars; karsiya ol-
Yatay ii19ek miliamper diizeyinde oldugu i9in ho'nun (JIA) a91k9a gorillmedigine masma karsibk cmetor ucunun bu ilcisinin arasmda olduguna dikkat edin. Buna ek
dikkat edin. Her bir egrinin dii§ey eksenle kesisirni, ilgili VP degerinc kar§1hk gelir. olarak, yuksek potansiyele ba)Janan baz ucu, kihfm kenanndaki uzanuya daha ya-
Sabit 1J ve Vo dcgerleri i9in V1, dcgeri, Voo'ye bagh olarak degi§ecektir, yani, kmdir. ·
UJT'nin oldukca yaygm bir uygulamasi SCR gibi diger elemanlan tetiklemesidir.
Vp i = 11 V00 T + V0 Boyle bir tetiklerne devresinin temel clcmanlan ~ekil 13.4J'dc gtistcrilmi§tir. Rl di-
t t rencinin, R1 ile belirlencn ytik 9izgisinin, ncgatif dircnc bolgesinde cleman ka-
i rakteristiklerinden, yani tepe noktasimn sagmdan, ancakSekil 13.42'de gosterildigi
sabit gibi vadi noktasinm solundan gecrnesini saglayacak btiyiik!Ukte secilmesi gerckir.

634 Bolum 13.13 · Tek Jonkslyonlu Transistor Boli.im 13 pnpn ve Diger Elemanar • 635
 v
Mutlak malcsimum anma degerleri : (2S0 q
OUflhn:anunt 300mw
&n<t<i< akmumnc,rtaw,,.. Jc•cri

-
SO ma R1
Eme1acalwnirun 1cpe .icicn·~ 2 Wpe:
Tea )'Ol>dc uygubna~_emctorgeriUmi · 30 volt E

r
Bazwuas1 gerilim JS volt
~s~Arahli .(;s•c-•12s•c IE
Saklama Slca.khk:Arahj1 .(;5°C • • ISO"C

\ R1
\

-
Min. Tipik Mab.
Oz uzak tutma oraru O.S6 0.65
(Vu.- 10 V) 0.5(; 0.6S 0.1S
13ulararw~ {kQ)
CV••-J V, le•O) 4.7 9.1
Ernetor doyma gerilimi ~Ck ii 13.41 SCR'nin UJT ik totiklc,1111,.-,i.
(Va,- IOY,:1£~S0ina) V£.(SAT) 2
Ters )'Ol1dc akabilen emctoc ahnu I
(Vu·· 30 V{t.,-·o) "/ro o.os 12
Tcpenokas1cnw,wralwru I, i,,.1 0.04 s
cv.. -zs VJ

"
Vadi nolaffl alwru
(V•r20 V) [JV (mA) 4 6

///11,·
(b)

/I/{ '° -
~ -~
I .·-c. 2 .
•. '.--··11···-·-.·_.··. ·. ·.9.·i·:·'···.·.:
,/1,· '·: ,• ~4: ·. . ·
. •. _.f>:·:-::-:-

. .

·, . . . ··

(a) (cf·

0d, i J 1.l AU UJT: M gorilnU~U: (b) 6zcllik soyf1S1: (c) Uf 1an,ml:1ma>1.

Eger yuk cizgisi tepe noktasuun sagmdan gecernezse, eleman iletime girmez (acr-
larnaz). IR, = Ip ve Ve= Vr kosulunu saglayan tepe noktasiru ele alirsak, acilma
(iletme) kosulunu saglayan bir Rl dcnklemi kurabiliriz. UR, = Ir dcnklemi ge-
ccrlidir, r;unku tam o anda kcndansarorun dolma akirm sifrrdrr: yani, kondansator Vadi noktasmda le= Iv ve VE= Vv oldugu icin
soz konusu anda dolma durumundan bosalma durumuna geemektedir.) Daha sonra
tepc noktasmda V-11. IR,= Veve R, = (V-V£)//R1 = (V-V11)/111 olur. Ateslerneyi sag- v£
V-IR, R, ==
lamak icin:
V -fvR, = Vv

._,, (13.6) olur

R, < V - Vr
olrnahdrr. /p
ve

Boliim 13 pnpn ve Dlger Elemanlar 637

636 Boliim 13.13 Tek Jonkslyonlu Transistor
 Dolma suresine iliskin gene! denklem §6yledir:.
vcya kesime gitmeyi (kapanmayi) saglamak icin

I Ve= Vv + (V: Yv)(l· - e·IIR1e)

(13.7)
[ . . . .

~ekil 13.44'e dikkat edilirse R2'nin uzerindeki gerilim, bu dolma periyodu siircsincc
olmahdir,
(13.9). denklem yardnruyla bulunur. Ve== ve = Vp oldugu zaman, UJT iletim du-
rumuna girccek ve kondansator, -r =
(Rs1 + R2) C zaman sabitiyle belirlenen bir ·

I
Dolayrsiyla RI arahg1
oranda Rs1 ve R2 iizcrinden bosalacaknr. l ·'
~< R, < V-Vp vc = ve gerilimi i9in bosalma de~emi §6yledir:
Iv /p . (13.8)
. ve = V,,e·rl(RBJ+Rs2>C' . (13.11).
f d · · . . . .
=
ile suurhdrr, R2 direnci, le 0 A iken SCR'nin Sekil 13 43'teki v
" ·
·1· ·
R2 gen 1m1 ta-
ra m an iletime gecirilmesini engellemek icin yeterli kadar kucuk secilm I'd'
gerilimi: T T
v
e 1 Jr. R2 Emetor akrrmnm artmasma bagh olarak R81'in_ artmasi ve R1 ve V gibi diger devre ·
elemanlarmm bosalma oraniru ve nihai seviyeyletkilemesi nedeniyle (13.11). denk- ·
lem biraz karmasikur. Bununla beraber C§deger devre ~ekil 13.45'teki gibidir ve RI
ve R82 degerleri tipik olarak, C kondansatorlintisevreleyen Thevenin devresini ~ok
v az etkiler. V gerilimi onernli olc;iide yiiksek bile .olsa, yaklasik deger temelinde ge-
rilim boliiciintin Thevenin gerilimine katkrs; ihmal edilebilir,
Bosalma suresinde ~ekil 13.46'daki kii9iilttilmti§ e§degerin kullarulmasi, Vn2nin
tepe degeri ic;in a§ag1daki yaklasik degeri verir:
r=R-2-(V-p--
0-.7-)--,

L
(13.12)
R2+RB1

~ekil 13.44'teki t1 stiresi a§ag1daki gibi belirlenebilir:

Ve (dolma) = Vv + (V - Vv)(l - e·1IR1e)

= Vv + V - Vv- (V -Vv) - e·ttR,c

;;>dil IJ.4.\ Ii; a O A ohm.so l~tlin,:e :<.ikleniedcvre.i. ::: V - (V - Vv)- e-1/R1e

VR2 = R2
R2 + Rs»
I. ·1
v
te;;OA
Ve= v,,, I= ti oldugu zaman Vp= V - (V - Vv)- e-rtR1e, veya
\
\
(13.9) Vp - V = -e·t1IR1e
--l
· V- Vv
CV kondansato~ ilerde_ gorecegimiz gibi tetikleme darbeleri arasindaki zaman ara-
hgmi ve her bir darbenin suresini belirler, ve -e·t1IR1e = V - Vp
.. S~~i-~ ~c.besleme gerilimi V uygulandigi anda ve::: ve gerilimi ~ekil 13.44'te go- V- Vv
ruldugu gibi 'f= R,C zaman sabitiyle Vv'den V volta dogru dolmaya baslayacaknr,

638 BOliim 13.13 Tek Jonkslyonlu :rransistor BlilOm 13 · pnpn ve Dlger Elemanlar 639
 v --------------------------
~ , ,.,~

V0[Dcnlc.{13.12))
Vy

------- ---------
Vc=Vr
r C
7V

T =<Ra"+ R1>c
vn (Dcnlc. (13.9)1 -------'
")

i.-~~~r~
--
fI

V= 12V il'I, •I I·'·-") UJ'inin ;k:1im du!umn\Clali

(a) kOc;UttUln,u~ c~lcJJ.cr dcvre. :

v,
R88 = 5 kn, 11 = 0.6
Vy a I V,/y = IOmA,lp "i 10 µA
R1 (R81 • 100 Q ~ boyunca)
Yr
+ - +
0.7V

+
Ve= Vr c

V- Vv
ti= R1C log. ---
buradan V - Vp (13.13)
(b)
~~~ii I J ,-1-1 (a) ~kil 13.41"dcki <levrcnin r<likleme dev..,.inin dolma ve bo1•lma ra.i,ra:
(b) UJ"l"11i11 ac;1k olm• durumuna lc:ul•hk gelcn C¥1eger dcvn:. Bosalrna periyodu ic;in r, ile t2 arasmdaki sure, (13.11) denklemiylc a~ag1daki gibi
bulunur:
logaritma kullanarak ;

log, -e·tilR;c =log..~

V- Vv
t 1, t = 0 olacak sekilde ahrursa

ve ....:L= log...!".....:J'.'.
R1C V- Vv r = 12 iken vc= Vv

640 BolOm 13.13 Tek Jonkslyonlu Transistor BolOm 13 pnpn ve Olger Elemanfar '641
 ()RNEi\ .lJ . .l
ve
~ekil l 3.46'da vcrilen gevsernc osilatorii icin
veya e·t1!(Rs., + Ri)C = Vv (a) h, = 0 A icin Rn1 ve Rn2'Yi bulun,
Vp (b) UJT'yi iletirne gecirmek.icin gereken Vp gerilimi hesaplayin, . .; !( y
(c) UJT'nin ateslenmesini. saglamak i1yin (13.~) denklemle bulunan izin verilen(
logaritma ozelliklerini kullanarak
deger arahgmda RI direncinin hesaplaym. '· ; ! . , • '• . • ,, l::
.. -12 =log..~ (d) Bosalma fazr esnasmda R01 = 100 nise osilasyon frekansim bulun. · .! :
(Ro,+ R2)C Vr
(e) Tam bir saykil boyunca vc'nin ~alga§eldini kabataslak 1yizin. ,\ j{
(f) Tam bir saykil boyunca VR2'nin dalga §Cklini kabataslak 'rizin. j·
ve ..._
t2 = (Ro, + R2)C log, Vv
Vp
..:_ __ ,·
( (13.14) !i l
I.

f
t;
I.
Bir saykih tamarnlamak icin gecen siire ~ekil 13.44'te T iJe tarumlanrrusur. Yani,
(a)
iJ= Ro,
Ru,+ Roi
T=ti+t2 (13.15)
0.6= !!J!.i.
Ron
SCR'nin. d.ii:enlem~en 1y1kanlmas1 (iptal edilmesi) halinde devre, ~ekil 13.44'teki
dalga ~ekhnt ureten bir gevseme osilatoru gibi davranacakur, Osilasyon frekansi
R111 = 0.6Rnn = 0.6(5 ki1) = 3 ki1
a~ag1daki gibi belirlenir: Rn~= Ron - Ro1 :::: 5 ki1 - 3 kn = 2 kn

(b) vc = v,, noktasmda, le = 0 Aile devam edersek, a~ag1daki degerlere sahip olan
(13.16)
~ekil !3.47'deki devrc eldc edilecektir:
Bircok sistemdc ti >> t2 ve _O (Ro1 + R) 12
VP- . 7 +
R81+R82 + R1
T = t1 = R1C loge V - Vv
V- Vp RBo
Bircok durumda V>>> Vv oldugu i1yin = 0.7 + (3 ki1 + 0.1 k.Q) 12 = 0.7 + 7.294
5 kU + 0.1 kn

T: ti= R1C log,-V_ ::8V

V- Vp
12V
= R1C log, I
l - Vp/V

Arna (13.5) denklemindeki V,,'mn etkisini ihmal edersek TJ - V,IV ve

' - I

T= RiC log,-l_
. 1 - 17

veya f= . I (13.17)
R1C log, [ 1/(1 -1])]
· ~·:!,ii l 3.,J7

642 Boliim 13.13 Tek Jonkslyonlu Transistor Bolilm 13 pnpnve OJgerElemanlar c 643
 (c)
V - Vv < Ri < V - Vp
Iv · /p i..-~~~~~~~~-5r=5R1c·~~~~~~~~--+l
J1...:.j_ < R 1 < 1l...:..B..
IOmA IOµA V= 12V -
_ _:.---- ---
--------------~

I.I k.Q < R, < 400 k.Q

Vp•BV --v--,<.._
l- .,...-- /,,...:;:~.--.
r = R, C
. . -- - ---
---- ----- -
.

/ l r, /.
~·J' -------

R, = 50 k.Q direnci bu araligm iyinde kalir. \

(d) fl= R1C loge V - Vv

V- Vp ·1 Vv =IV------
I
, /
v !/
-----
. ,

--------
I

---------

= (50 x I 03)(0.1 x 10-6) log, ll..:.l_ 0

I .
12- 8 1\ / .
= 5 x 10-3 log, Ll, = 5 x lff\1.01)
4
__ J '~Arahli:-0.228ms
~d:ii 1.1.:~
= 5.05 ms I I
S.05 ms 5.278 ms
t: =(Roi+ R2)C log, Vp
Vv
= (O. l kn + 0.1 k.Q)(O. I x 10-6) 10~ a_ (I) Dolma fazi boyunca, (Denklem 13.9)
I
= (0.02 x 10"6)(2.08) VR,= R2V = 0.lk.Q(l2) =0.235V
- R2 + Ron 0.1 k.Q + 5 k.Q
= 41.6 JIS
vc = Vr ( 13.12 denklemi) oldugunda,
ve T= t, + /2 = 5.05 ms+ 0.0416 ms VR2 = R2(V - 0.7) = O:l k.Q(8 - 0.7)
=5.092 ms R2 + Roi 0.1 kn+ 0.1 k.Q

= 3.65 V
buradan fo.,•-1 nsyo n =.l=
T 5.092
I
X 10-3
= 196 H2

(13.17) denkleminden

f= I
R1C log, [1/(1 -17)]
I
5 x 10·3 log, 2.5

= 218 Hz
0
5.0S msj Ls.21s ms
228 µs
(e) ~ekil 13.48'e bakimz.

644 Solum 13;13 Tek Jonkslyonlu Transistor BolOm 13 pnpn ve Olger Elemanlar 645
 75

13.14 FOTOTRANSiSTORLER

< 50
Fotoelekurik elcmanlann temel davraruslan, fotodiyot aciklamalan altmda daha -3'
once sunulmustu. Burada ise foto algilama tizelligi bulunan kollektor-baz p-n jonk-
siyonuna sahip bir fototransistoru ele alarak bu tarusmayi genisleteccgiz, Fo-
J
toelektrik etkilcrin sebep oldugu akrrn, transistorun baz akrrrudrr. l§1kla olusan baz ca zs (c)
akrmrm 111 ile gosterirsek sonucta akacak kollektor akirm, yaklasik olarak a§ag1daki
.....
gibidir:
1:i
,.
20.0 . 0
Xaynalc sicaklJlt - 2870 JC
2

116.0

-O<q:
(a)

'
~
= 10"·mu. ·
j
6

8.0 (b)
(d)

...,t! 4.0 ),·L ,I i l_, I f'OI011l1nsi>1or: (al ak, yogunlu~m"

hagh 002 ,lumi: (bl ckmM: (c) ur; 1,mml•n:
(d) ~L<al hizolam.1 (Molorol• Jnc:in illliylc.)
H = l.25mW/cm2
(b)
0 20 40 60 80
"cc , lcaynak gcnlimi (volt)
(a)

.)d, iJ I .I .."ii I Fototran<istOr: (a) KollektOr k;;.~tcris1ikleri(MRJD JOO) :

(b) sembohl, (Motorob Jnc:an iz11iylc)

(13.18)

$ekil 13.50'de, tipik bir fototransistorun karakteristikleri verilrnistir. Bu egriler ile

tipik iki kutupulu rransistorun egtjl_eri arasindaki benzerliklere dikkat edin. Bek-
lcndigi gibi, t§lk §iddetindeki art;§m kar§1ltg1 kollcktor akrrmm aruracaknr, arusnr,
Santimetre kare basma rniliwatt olarak ifade edilcn 1§1k §iddeti biriminin daha iyi ha-
nrlanrnasi icin, $ck.ii 13.5 Ia'da akr §iddetinin fonksiyonu olarak baz akmurun bir )~~ti 13 52 F<>1oiran,isc!lrlcr vc
grafigi verilmistir, Arlan aki yogunluguna bagh olarak baz aknmndaki ustel artrsa ·11 •. ; .
•tik~yaynn dlyotlur l.ED) kullunun
yubck y:il111mh hlr Vt; kaprst.
dikkat edin, Aym sekilde fototransistorun ury tammlamalan ve acrsal ayarlamayla
birlikre kaba bir ciziml de verilm~tir.' Fctotransistdriln uygulama alanlan arasmda delikli kart okuyuculan, bilgisayar

646 · BolOm 13.14 Fototransl1tOrler BolOm 13 pnpnve Dlger Elemanlar 647

 IL-1 modelinin maksimum anrna degerleri ve elektriksel karakteristikleri $ekil
mantik devreleri, aydinlatma kontroi devreleri (otoban, vs), seviye gostergeleri, ro- '13.45'te verilmistir. lc£O'nun nanoamper diizeyinde olc;:iildiigi.ine ve LED ile tran-
leler ve sayrna sistemleri saytlabilir. . sisrorun gtic;: kaybuun hemen hemen ayrn olduguna dikkat edin.
. Oc;: fororansistor vc i.ic;: LED kullamlan yi.iksek yaliumh bir ~E lrnpts~ ~ek1l Herbir kanal icin tipik opto-elektronik karakteristik egrileri $ekil l3.55'tcn $ekil
13.52'<le gosterilmistir, LED'lcr, cleman uzerindeki ileri akrmla beltrlenen §tddelte 13.59'a kadar olan egnlerde gosterilmistir, Oii§i.ik sicakhklarda sicakhgtn c;:1k1~ akmu
bir t§ik yayan yan iletken elernanlardir. 3. Bolilmde verilen bil~le~n _y~rd1m1yla, iizerindeki etkisinin belirgin olmasma karsihk, oda sicakligmda (25°C) ve ustunde
devre davrarusuu anlamak_.nispeten kolaydir, "Yuksek yaht1~" tenmi, gm§ ve 91k1~ tepki diizcyinin daha dii§i.ik olduguna dikkat edin. Daha once de bellrtildigi gibi fern
devreleri arasmda elekrriksel baglanll olmadigi anlamma gelir. duzeyi, gelisen tasanm ve yapirn teknikleriyle daha da iyilesmektedir (ne kadar dii-
\
\ ~Ukse o kadar iyidir). $ekil 13.55'te sicakhk 75°C'nin usnlne c;:1kana kadar 1 JiA'e
13.15 OPTiK YALITICILAR erismeyiz, ~ekil J 3.56'daki transfer karakteristikleri, giri§ LED akirrn (I§tk akismi
·1 . . belirler) ile 9akt§ taransistorunun (baz akrmi gelen akim tarafmdan belirlenir) kol-
Optik yahucr, yukanda anlanlan .karakterisriklerin birc;:ogunu kendinde to~l~ya.n bir . lektor akimmm sonuclanru karsrlasnnr. Ashnda $ekil 13.57, Va gcriliminin so-
elcrnandrr. Bu, hem silisyum diyqi, Darlington transistor c;:ifti veya SCR gibi bir fo- nuctaki kollektor akmum cok az etkiledigini··g5sterir. $ckil 13.58'de, opti~ ya-
. iodetektor, hem de bir k1Z1ltiteii ~pD iceren bir pakettir. Her bir elemamn 1 ~al- hticmm anahtarlama siiresinin, aktmm artmasma bagl1 olarak azald1gm1 gefrmek
gaboyu tepkisi, olabildigince bBY.iilf bir baglasrrn (kuplaj) olc;:i.isi.i saglam_ay1 mu~- ilginytir: c;:iinJ...ii birc;:ok elemanda bunun tersi soi konusudur. 6 mA'lik kollektor
kiln kilacak kadar birbirine yw.n,.(ayru) olacak sekilde tasarlarur. ~ek1l 13.53 re ak1m1 ve JOO ffluk RL yiikti i9in anahtarlarrii'~tiresi yalmzca 2 ps'dir. S1cakhgm
fotografianyla birlikte, iki olasi yonga dtizenlemesi verilrnistir, I~1gm gecmesini fonksiyonu olarak bagmttlt 91kl~m grafigi ~ekit:B:59'da verilmi§tir. . ;
saglamak icin, yaptdaki her bir ~l~.man kurnesi arasina sayclarn bir yahtrn~ mal- Transistor kuplajmm §ematik gostcrimi ~ekil' I3'.53'te yer almaktadJC. Fotodiyot,
zemesi (gorulmez) konulmustur. .. B.unlann teplci siiresi o kadar kiic;:tiktiir kt, Me- foto-Darlington ve foto-SCR optik yahllc1J~;nm §ematik gosterimleri ise $ekil
gahertz diizeylcrinde ve~i iletmek icin kullarulabilirlcr. J 3.60'da verilmi§lir.
!SO-LIT I ISO-LIT QI
{a) M,;l(!,1rr,u111 ,:;11rna. degerleri
Bacak (Osttcn Cloriirl~)
Bacak
No. /iJ., I(,

anol
s« ~ev Galyum arsenit LED (her bir kanal) IL-1
blol I> anol
Gile;: harcamm1 25°C'de 200mW
3 boghdelil katol
4 c.mclOf" katot
25°C'den dogrusal d~me 2.6mwrc
s kollektOc
14 anol
6 bu
1.l <,
anol
kotol
,. Stirekli ileri yonde akim !50mA
t J.:a1ot Alg1lay1c1 silisyum fototaransistor (her kanal) IL-1
U!O yongas, 2.nolu bacaktad,~
Fototranz.ii\« yong.151
I: .,
x anol
crnelOr Kollektor-emetor aras1 kmlma gerilimi 200mW
5 no.tu baca.k\ld\f · 10 kollektl>c 2.6mwrc
II II kollekt6r Emetor-kollektor aras1 kmlma gerilimi
1' emeU)t
Kollektor-baz aras1 kmlma gerilimi 30V
Ill I.I cmc1or
14 1<o11c1:111, Paket IL-1 7V
IS kollckt6r
'I I<, emeu.\r 25°C'lik ortam s1cakhgmda paketin toplam gii~ 70V
harcamas1 (LED arn algtlay1c1)
25°C'den dogrusa! dii~rne 250mW·
Saklama s1cakhg1 3.3 mwrc
<;:a!J~ma s1cakhg1 -55°C den+ l50.°C'ye
-55°C'den + 100°dye:;·;i:,-.

~ ·ktl ! : ": iki litroniks optik y~1hw.~1.

(Utrl)nix lnc.'in Ianiyle. l
BolOm 13 pnpn ve Dlger Elemanlar 649
B61Cim 13.15 Optik Yahttctlar
 (b) Her bir kanal i<;:in elektiriksel karakteristikier {2!/'C'!:k ,,r·;;:,,;n 10 16
! • :
.l
I

1
Sicakhgmda) 14 -VcE'" )OV '.--.- .
8 /F=20mA ! 12

- -
... -·· ··- .. ·-·· --- - .. ~ Rl
.._I.J
' :1 10 I\ 0

= I Jen----
Test Ko§uflar, 6. Ip= 15mA

I
Parametre Min. Tip Maks Birim
----· ---- .. ·-· j 8 ·- ;

I
Galyum arsenit LED 4 6
v •Ip= IOmA
ll'eri y!ln gerilimi 1.3 1.5 l,,=60mA 4 l\
Ters y!ln gerilimi 0.1 10 JtA VR=3.0 V 2
2
-, RL = 1000
Kapasitans 100 pF VR=O [Fm's mA
FototransistllrlU algilayic: 0o
y 00 10 .IS 20 25 30 2 4 6 8 · 10 12
BVcEO 30 le= lmA
5.0 50 nA VcE= IOV,IF=O KolloklOr&crillml • VCE (V) KollektOr alarru • I, (mA)
ICEO pf
2.0 Va=O
Kollektor-emetor kapasitansi 7 y IE:= 100 µA
BVcEO
~,· k i I 13 ..,71><.u:k16rtln ~1k11 $e~il 1.t58 KollcktOrok1m1n• i.,~h
Diger elemanlarla birlikte kar.sk1cri:o:.1iklcri. nnuh1ilrhm1a silresi
oldugunda karakteristikler
de akim transfer oram 0.2 0.35 IF= IOmA, VCE= IOY
Kapasitans, giristen pk1§a 0.5 pF
Kmlma gerilimi 2500 y DC
direnc, giri~ten ~1k1§a 100 GO 1.2
Vooy 0.5 v le= l.6mA,IF= 16mA
Yayilma gecikmesi 1.0
~ ..--
to (:AWjMA (ON) 6.0 /IS R1• = 2.4 kO, Va= 5 Y
1 v
Ip DURMA (OFF}
-·---·---~-- -----~------
25 /IS

- --------~-
IF= 16 mA
.a-i;.
0.8

0.6
, v
~ekil 13.5~ Litroniks IL-I optlk-yatujcr. j 0.4 l
0
(
-SO -25' 0 25 50 75 100
10-$
K1hf S1cakhj1
.? 10-6 ~
. ...,,.,
; 0
10-1
,/
·I'

.;
' 10-8
/
/

Ir- t
10-9
j 10-10 v : i' l-

~ 10-1 I i/
J< . 'l-~:
10-12 i>
.
.
,!,•.' .
-S0-25 0 25 50 75 100
Ktltf S1cakllit (°C)
·J
~ ,,/ii,:i~!,Jtf1:
r.·. .:;.: .
·1 .·.

(a) (b) . {c)'

$ckil 13.55 S1cokliga bogh karanhk akirm Vc;1,q>· ~d <I I .~.(,(I Optlk-yahucuar: (a) fouxliyot:(b) roto-0.rlington:(c) foto-SCR.

650 Bolilm 13.15 Opllk Yall11cllar BolOm 13- .pnpn ve Dlger Elemanlar 651
13.16 PROGRAMLANABiLiR TEK JONKSiYONLU
TRANSiSTOR
Eleman karakteristiklcri $ekil 13.63'1c verilmistir. Sekilde goriildiigil iizere, kesim
=
durumu (/ alcak, V; 0 ile V1, arasmda) vc ileum durumu (/ 2: Iv, V ~ Vv), UJT'dc
olusan karasiz bolgeyle aynlrrustir. Yani. elernan kararsiz durumda kalrnaz (sadccc
kesim yada iletim durumlanna kayacaktir).
Admdaki benzerlige ragmen programlanabilir tek jonksiyonlu trenslstorun (PUT)
gercek yapisi ve cahsma modu tek jonksiyonlu transistorden tamamen farkhdir. Bu
adtn verilmesinin nedeni bu iki elemamn I-V knrakteristiklerinin ve uygulamalanmn
benzer olmasidir. \

..,
Mot
A
+ + +
v,,.._,
+

p
.-,.,(

K
K
,;:::_ o. ~.,; I·.

St•ki! 13,61 rro~rnmlanabilir UJT(PU11. ~ckil 13.62 PUTun temel ongcrilimlcme devresi.
~,·~11 I l.h.l PUT Karakleti"ikleri.

$ekil 13.61'de gosterildigi gibi PUT, kapt ucu dogrudan iki p-tipi tabaka ara-
Atesleme potansiyeli (Vp) vcya elernaru ateslernek icin gereken gerilim a~a~1daki
smdaki 11-tipi tabakaya baglanm1~ dort katmanlt bir pnpn elemamdir. Elemamn sem- 0

I
denklcrnle verilrnistir:
bolii ve ternel ongerilimlerne duzenlernesi $ekil L3.62'te verilmistir. Semboliin de
dii~iindi.irdligii gibi, esas itibanyla PUT, tipik SCR karakteristiklerinin ayrusirun
olu~turulmas1m saglayan bir kontrol rnekanizmasi bulunan bir SCR'dir. "Prog- Vp==r,V~o+Vv] (13.20)
rarnlanabilir'' teriminin kullamlmasmm nedeni, UJT icin rammlanan Ree. 7'/ ve VJ>
degerlerinin, Ro1, R02 direni;leriyle ve V88 kaynak gerilimiyle kontrol edi- Bu ~a- U~_T i9!n '.ammla~an gerilimdir. Ancak Vp, $ekil 13.6l'deki VAK gerilim dii§-
rnesmi gostenr (ileten diyot uzerindeki ileri gerilim dii~iimii). Silisyurnda vI) deg~cri
lebilmesidir. $ekil L3.62'de, le= O"ik.en gerilim bolilci.l kurah uygulanarak . •
tipik olarak 0. 7 V'tur. Dolayrsiyla,
(13.19)
Ve= . Ro, Vnn = r,Voo
Rn,+ Rn2
Burada

UJT i9in tarumlandrgi gibidir.

652 Botom 13.16 Programlanablllr Tek Jonksiyonlu Transistor
VC

I'
_
VP= r,Von + 0.7.J! Silisyum (13.21)

Bi:iliim 13 pnpn ve Diger Elernanlar 653

Ancak yukanda belirttigimiz gibi VG= T]Voo oldugundan durumuna gectikten sonra Va'nin kcsilmesi (iptal edilmesi) elemaru-kesime: (ka-
panmaya) goturmeyecektir, Ak1m111, tutma diizeyinin altma indirilmesf icin ;y_l/gc:
q
I
rilim diizcyinin yeterince dii§iiriilmesi gerckir, ~ · · :~:·: ;;;·
Vp=YG+o.1
• Sili~y1101
(13.22)
()Ef'il·> U.2 , } \A
' '·''-
UJT durumunda hem Ro1 hem de Ro2'nin, clcmarun en bilyilk dircncini ve omik Eger 11 = 0.8, V,, = I 0.3 vc Ro2 = 5k!l olarak vcrilrnisse bir silisyurn ·_PUT~ ilJ~kiJ
baz kontaklanm gosterdigini haurlaym (her ikisinc de ulasilamaz). Yukanda verilen Ro, ve Yoo degcrlerini bulun. . : .. '. j
bilgilerden, Ro1 ve Ro2'nin,T] ve dolayisiyla Vdnin ayarlanmasmi saglayan di§ ele- i .1
rnanlar oldugunu goruruz. Baska bir deyisle, elemaru iletime gecirmek icin V1, dii-
zeyinin belli ol9iilerde kontrol cdilmesi gerekmektcdir. .
( 13. 19) Dcnklemindcn,
J
PUT'un ve UJT karakteristiklerinin benzer olmasma ragmen PUT'un tepe ve vadi
akimlan, benzer anma degerlere sahip 'Uf'Tninkinderrdaha dii§iiktiir. Buna ek ola-
rak, PUT'un minumum ¥ah§ma gerilimi de dii§iiktiir. .
~ekil 13.62'deki kapi ucunun sagmdaki devrenin Thevenin C§degirini alrrsak,
13.64'teki devre elde edilir, Sonµ9f¥i,,R1 direnci onemlidlr, ¥iinkil Iv alammm du-
zeyini etkilemesfiiedeniy1~b1Igr(¥~i~kasyon) sayfalarmda sik sik yer almaktadrr. Ro1 = 0.8(Ro1 + RIJ2{
0.2 Ro1 = 0.8 Rn2 , •..

-
Roi =4R02
G Rn1 = 4(5 kO) = 20 k.Q

Ir; l (l 3.20) Denklcminden,

l
--
V1, = 1]Vno + VD

I
10.3 = (0.8)(V80) + 0.7
9.6=0.BVoo
~c~il I .'U,-1 ~ckil IJ.54'dc.kap, ucu- Von= 12 V
nun ~••£me.la kalan dcvreyc ili~~in
11tev1;..·nine~dcfcri. ·
PUT'un popiiler uygulamalanndan biri ~ekil 13.65'teki gevseme osilatorudur.
Kaynagm bagland1g1 andakondansator Voo volta dogru yiiklenmcye baslayacakur,
Elemamn temcl 9ah§mas1, ~ekil 13.63 referans ahnarak incelenebilir. Kesim du- ¥iinkii bu noktada hi9 bir anot akirm yoktur. Dolma egrisi ~ekil 13.66'da_verilmi§tir.
rumundaki bir eleman, VG ve V.o 'ile tammlanan V1, gerilimine ulasihncaya kadar V,, atesleme potansiyeline u,la§mak icin gerekli T peryodu yaklasik olarak:
durum dcgi§tirimeyecektir. lp'ye ulasilincaya kadar akirn diizeyi cok dii§ilk ola-
caknr: bu da bir acrk devre C§degeri verecektir, 9iinkii R = V (yiiksck)//(al9ak), yiik- f ', -~
sek bir direnc seviyesiyle sonuclanacakur. Vp'ye ul~tld1g1 zaman eleman, kararsiz
f! T = RC loge VonVns- Vp .·
(13.23)
bolge vasuasiyla iletime gecccektir; bu noktada gcrilim dii§iik, ancak akrm yuk-
sektir; bu da R = V(al9ak)/I(yiiksek) gibi oldukca kii¥iik bir uc dircnciylc so- veya
·-
V1, = 17 Voo oldugu zaman
--
nuclanacakur. Bu ise yaklasik deger temelinde bir kisa devre esdegerin! gosterir, ?'' --------·----
~
Dolayisryla elcman, esasmda Ra1,:Ro2 ve Vno ile belirlcncn bir noktada tarnameu = RC Jog, (1 + Rn,.)
'

j T (13.24)
acrk devre durumundan kisa devredurumuna 9cvrilmi~tir. Elernan, ilctim (acik) ! . Ro2
~~~--.,..-~----!

654 Boliim 13.16 Programlanabilir Tek·Jonk~iyonluTransistor B&IOm 13 · pnpn ve Dlger Elemanlar 655
 VA, Ve ve VK dalga sekilleri ~ekil J3.67'de verilmistir. Tnin, . Vimn yuk-
lenebilecegi (dolabilecegi) maksimum gerilimi belirledigine dikkat edin. Elcman
ateslendikten sonra kapasitor, PUT ve RK uzerinden hizla bosalacak ve §ckilde gos-.
tcrilen dusmeye neden olacaknr. Kuskusuz, kisa, ancak yogun akim nedeniyle.
R VK'nm da aym zamanda tepeye ula§acagi aytkttr. Ve gerilimi Ve diizeyinden, O voi-::
tun biraz iisliinde bir diizeye hrzh bir §Ckilde diisecektir. Kondansator gerilimi dii§iik ·
II
A• "tpasitc bir diizeye indigi zaman PUT tek.rar kesime gidecek ve dolum: saykih tek-
Vaa 1-.-;,--
_ _._ _ raralanacaknr, VG ve V K uzerindeki etkileri ~ekil I 3.67'de gosterilmi§tif._ · '
Vp ,·
Ve
Vp~~-::=---~,::.-~~~=-

i
Oi.------51---~ I
r:"RC 0
r-l
~di! l.l.6'> Pllilaolu1turulmu1 ~-el; 1 I I \ N· ~ekil I 3.6~'ceki C kondansatortine aic
bir gevseme osi1,,16rii devresi. dclitim dalgusr.

Kondansator iizerindeki gerilim V1,'ye esit oldugu anda eleman ate~lenecek vc

PUT iizerinde J,.. = /p'lik bir akrm olusacaknr, Eger R cok buyukse, Ip akrrm olu-
§amaz ve eleman ateslenemez, Bu gei;i§ noktasmda:

ve ( 13.25)
r r ..
Rmnk..'tan daha biiyiik herhangi bir R degerinin, /p'den daha kiiyilk bir akrrna yo! aca-
!jckil J.1.67 ~,·kil 13.6S'<l<ki rUTo•ilolMln<Jnd:slga itkilleri.
cag1m gostermek i9in alt indis eklenmistir, Osilasyon ilretmek icin, R dlizeyinin de
/v'den az olmasi gerekir. Baska bir deyisle elernarun kararsiz bolgeye girmesini ve 1·•
daha sonra kesim (kapah) durumuna geri donmesini istiyoruz. Yukandakine benzer
ORNEK 13.3
bir akil yilriltmeyle :

( 13.26)
Eger Von= 12 V, R = 20 ill, C = I pF, RK =-JOO Ro1 n. = lOkQ, Rs2 = 5 kQ, t» =
100.uA, Vv= IV, ve/v= 5.5 mA ise su degerleri bulun:
(a) Vi,.
Yukandaki tarusma, bir gibi SI·
(b) Rm.,k< ve Rmin
rurlanmasuu gerektirir: (c) T ve osilasyon Jrekansi
(d) v,1, ve ve vK'nm dalga ~ekilleri.
Rmin <R < Rmaks ·.• .. ,;
BolOm 13 pnpnve Oiger Elemanlar 657
656 Bo!Om 13.16 Programlanablllr Tek Jonksiyonlu Transistor
 (:ozilm:

(a) (13.20) Denkleminden: v,, = 11V oo +Y o

Roi = V88 + 0.7

e»,» Roi
-J 25.8 ms f-
__ (12) + 0.7
__I_O_kn
10kn+5kn VK
Vx = VA -Vv =8.7-1 =7.7V
= (0.67)(12) + 0.7 = 8.7 V

(b) (13.25) Denkleminden ;.... .. \. ~ \.

0
R = Voo - Vr 1
mok• lp

12- 8.7 = 33 kn
100 x 10-6
/' v
(13.26) Denkleminden:

Voo - Vv
I . 0 .

Rm;n=---
/y I ,::•'·ii ,:-,.·;:, $ekil 13,3'deki osilalorun dalga §akilleri.

12-1 = 2 kn
5.5 x 10-3

R : 2 kQ < 20 kQ < 33 kn

(c) (13.23) Denklemi :

T= RC log = Vos
e Voo+ Vp 1. SCR'nin temel davramsim, iki-transistorlii e§deger devreyi kullanarak kendi
sozcuklerinizle ifade edin. ..._
= ( 20 x 103 ) ( 1x w·6 ) log, -17_
·. 12-8.7
·· 1.,: 2. Bir SCR'nin kapatilrnasma ilitin iki teknigi aciklaym,
= 20 x I 0·3 log, (3.64)
20
= x .I 0·3 (1.29) 3. Oreti~inin elkitabma veya veri sayfalanna basvurarak kapama devresinin §C-
0

: r:, 1:;,1 masim cikann, Eger yapabiliyorsaruz, devrenin kapama ctkisini acrklaym,
= 25.8 .ms

f ,;,>~L;,,. =38.8 Hz 4. (a) SCR karakteristikleri, yiiksek gecit akimr diizeylerine s;1klld1gmda, hangi.iki
.. ·T, 25.8 x 10·3 · · . uclu eleman karakteristiklerine yaklasmaktadrr. ·
(b) Vio,w•'den daha dii§iik birsabit anot-katot geriliminde; gecit akimirun, mak-
(d) ~ckil 13.68'de gosterildigi gibi,
Bolum 13.16 Programlanablllr . Tek Jonkslyonlu Transistor BlllOm 13 pnpn ve Dlger Elemanlar 659
658
 (c) Yilkselrne siiresinin, (b) sikkmda hesaplanan bozulma (dusme) siiresinin ya-
simum degerinden sifira di.i§i.iriilmcsinin, SCR'nin ateslenmesi i.izerinde ne-
nsr kadar olmast halinde GTO'nun i9 dircncini hesaplaym.
gibi bir etkisi olacakur?
=
(c) fa O'dan daha di.i~iikbir··sabifge9it.ak1mmda, geci: geriliminin VaJRw•nin
13.9
aluna dii§iiri.ilmesinin SCR'nin· ateslenrncsi ilzerinde ne gibi bir etkisi ola-
caktrr? 11. (a) ~ekil 13.25b'yi kullanarak, elemaru ateslemek icin oda sicakhgmdaki mi-
(d) /a'nin arunlrnasmm tutma akirm iizerindeki etkisi ne olacaktir?
numum isunay. belirleyin.
\ (b) Jonksiyon srcaklrg: 0 °C'den (32°F) ioo
°C'ye (212°F) yiikselirse 1~1madaki izin
5. (a) \
verilebilir azalma yuzdesi ne olur?
(b) (a) ~1kkm1 LO mA'hk kapi akmuyla tekrarlaym.
(c) 2.6 V'luk leapt gerilimi, elemaru oda srcakligmda tetikler mi?
13.(()
(d) Va= 6 V, la= 800 mA atesleme kosullan icin iyi bir secim midir? Yoksa
Ve;= 4 V, la= 1.6 A'm1 tercih edilmelidir? Nedenini aciklaym.
= = =
12. ~ekil l 3.29'daki devrc icin, V(BRJ = 6 V, V 40 V, R 10 kf.l C 0.2 }IF ve VaK
(aresleme potansiyeli) = 3 V ise devreyi enerjileme ile SCR'nin iletime g6~mesi
!J.5 arasmdaki siireyi belirleyin. ·

6. ~ekil 13.1 lb'de. iletim sirasmda SCR i.izerindeki potansiyeldeki kayip neden
cok kucuktur?
* LUl

13. lstcdiginiz herhangi bir refcrans devre kullanarak, bir diyak uygulamasi bulun ve
7. ~ekil 13.12'de, azalan R1 degerlerinin, neden artan bir iletim acisiyla so-
devrcnin davramsun anlarm.
nuclandigmr aciklaym.
14. VoR2 = 6.4 Vise (13.1) denklemini kullanarak VoR1 arahgiru hesaplaym.
8. Sekil 13.13'deki doldunna devresine bakin.
(a) l: 1 oranli transformator _kullamlmas1 halinde tam dalga dogrultulmu~ sin-
li 13.12
yalin de dtizeyini bulun.
(b) Pil doldurulmadigr zaman 11 V diizeyinde kahyor ise, SCR1 uzerindeki
15. 13. problemi triyak icin tckrarlaym.
anot-katot arasi gerilim dii~iimii ne kadardir?
=
(c) VR'niri olabilecek en buyukdegcrl nedir? (VaK 0.7 V) 13.13
(d) (c) §Lkkimn maksimum degerinde: SCR2'nin kapi pcitansiyeli nedir?
(e) SCR2 kisa devre durumuna girdikten sonra V2'nin duzeyi ne olur?
16. ?ekil ~3.41 'deki devrede V = 40 V, rJ = 0.6, v,= l V, Iv= 8 mA ve [1, = 10 .uA
ise tetikleme devresi i9in R1 arahgiru hesaplayin. ·- ·
~ D.7
17. Van= 20V, 7J = 0.65. Ro1 = 2 ill Ue= 0) ve Vo= 0.7 V olan tek jonksiyonlu
9. ~ekil 13.17'deki devrelerin davrarnslartru kendi sozciiklerinizle tam olarak acik-
transistor icin a§ag1daki degerleri hesaplaym.
laym. (a) Ro2
(b) Rnn
(c) VR111
(d) v,
10. (a) ~ekil 13.23'te, Vz = 50 Vise C1 kondansatoriintin dolabilecegi maksimum
degeri hesaplaym. (VGKs o:7
V)
18. Sekil 13.69'da verilen gevseme osilatoru icin,
(b) RJ = 20 kQ icin yaklasik bosalma siiresini (5-r) hesaplaym.

Boliim 13 Problemler
Boliim 13 pnpn ve Diger Elemanlar 661
660
 (b) Oda srcakhgimn iistiindeki sicakhk degen icin (100°C'ye kadar) 91k1§ aki-
mmm srcakliktan etkilenrnedigi soylenebilir mi?

Ras =
JO k.Cl, 11 = 0.55 22.(a) $ekil 13.55'ten, 25-50°C arahgmda srcakhktaki her derece dcgi§imi icin
Ri 68 kn Vy= l.2V,ly:c5 mA,l,,=50µA
(Rs1) = :;,.on Q bo?Jma suresince) IcEo'daki ortalama degi§imini hesaplaym.
(b) (a) sikkinda elde edilen sonuclar, 35 °C'deki Iese degerini bulmak icin lcul-
+ lamlabilir mi? Teorinizi test edin.

1''''
+
lie 23. $ekil 13.56'dan, 20 mA'hk c;:1icl§ akirru ic;:in LED giri§ aknmrun algrlayici c;:tk1§
akirnma oraruru bulun, Elemamn, kullarurn a1:1ac;:lar1 acismdan nispeten vcrimli
oldugunu soylcyebilir misiniz?
-=-
24. (a) ,Seki! [3.57'deki grafik iizerinde Po= 200 mW ic;in rnaksimum gUc; cgrisini
kabataslak c;izin. Onernli sonuclan belirtin.
(b) Va= 15V, IF= 10 mA'lilc bir sistcrn icin Bdc dcgerin; belirlcyin (Jc/IF ile
~t'kil U.fi1J
tarumlamr).
(c} (b) §lkkmda elde edilen sonuclan, IF.= 10 mA'de ~ekil 11.48'den elde edilen
sonuclarla karsrlastmn. Aralannda bir iliski var mi? Olrnab rru? Neden?
(a) I e = 0 A'dc R111 VC Ro2 degerlerini bulun.
(b) UJT'yi iletime gecirrnek icin gerekli Vp gerilimini hesaplaym. 25. (a) ~ekil 13.58'e bakarak, RL = 1 kQ ve Rt = 100 n icin iistiine <;1k1ld1gm~a
(c) R1'in, (13.8). denklemle tarumlanan maksimum degerler arahg1 icinde olup anahtarlarna siiresinin belirgin olc;:iide degh;medigi kollektor akun duzeyini
olrnadrgnu belirleyin. belirleyin.
(d) Bosalrna fazr esnasmdaRo1::: 200 n ise osilasyon Irekansiru bulun. (b) Jc= 6 mA'de Rt.= l kQ ve RL,=100 Q icin anahtarlarna siireleri oram ile di-
(e) iki tam saykil icin Vc'nin dalga §eklini kabataslak cizin. renc diizeyleri orarn arasmda nasil bir ili§ki vardir?
(I) Iki tam saykil icin VR2'nin dalga §Cklini kabataslak cizin,
(g) (13.17) c~itliligini kullanarak frekansi hesaplaym vc (d) §1lckmda buldu- 26. Vno = 20 V ve R01 = 3 R02 degerlerine sahip bir PUT icin 1/. ve Vdyi hesaplayin.
gunuz degerlerle karsilasunn. Bashca'Iarkhhklann nedcnini aciklayin,
27 . .13.3 ornekte verilen bilgileri kullanarak.iateslerne ve vadi noktalanndaki PUT em-
1
* B.14 pedansiru hesaplaym. Yaklasikacik vc kisa devre durum Ian dogrulamyor mu?

19. $ekil 13.Sl'deki karakreristiklere sahip bir fototransistor icin, 5 mW/cm2'1ik bir 28. (13.24) denlclemi tam olarak (13.24) denklernindeki gibi tiiretilebilir mi? TU-
akr yayilma yogunlugu icin baz ak1m1111 hesaplaym. hn= 40 ise /c'yi bulun. retilemiyorsa (13.24) denkleminde hangi eleman eksiktir?

20. Fororaransistorlcr ve LED'ler kullanarak yiiksek yahtimh bir VEY A kaprsi ta- 29. (a) Voo IO v yapthrsa '
13.3' ornegindeki devre osilasyon yapar rru? Gereken en
sarlaym. dil§iik Voo degeri nedir? (Vv sabit) ·
(b) Ayru ornege bakrn. Sistemin osilasyon tepkisini ortadan kaldirmak vc kararli
13.15 iletim dururnunda lcalmak icin devredeki R degcri ne olmahdir?
(c) Hangi R degeri, devreyi 2 ms'lik bir gecilctirme devresi yapar? Yani, kaynak
21. (a) ,Seki! 13.59'daki egride. 25 °C'nin altmdaki srcakhklarla tamrnlanan bolge a'rildiktan sonra ve a9tk durumda k;31d1ktan 2 ms sonra vk darbcsi saglansm.
icin ortalama bir giii; dii§iirme faktorii belirleyin.

662 Boliim 13 Problemler Bolilm 13 pnpn ve Diger Elemanlar 663

 :-,1~
"T·I
Enregre devreler nadiren onanlir; yani, IC icindeki tek bir elernarun bozulmasi ha-
linde, yapmm (devrenin) tarnarm degi§tirilir (bu <la daha ekonomik bir yaklasirndir).
Gunumuzde piyasada bi.iyi.ik capta kui.Jan1lan ii<; tip IC vardir: Tek parca (mo-
nolitik), ince (veya kalm) film ve karma entegre devreleridir, Bu boliimde her birini
sirasiyla ele alacagiz.

·14.2 SON GELi$MELER

14.1 GiRi~
Gecen on yrlicinde entegre devrelerin(IC) kullanun alaru genislemis ve c;e~illi reklam
araclan vasitasryla temel islevi _ ve arnaci amatorler tarafindan da anlasilrrusnr. Bir
IC'nin en belirgin ozelligiboyuelandrr; Tipik olarak aynk elarnanlarla ahsilrrus yon-
rernlerle iiretilen bir yan iletken yapidan binlerce kat kucuktur, Ornegin Sekil 14. I 'deki
entegre dcvrenin boyutlarmm sadece yaklasik 1.3 x 1.3 mm olmasma ragmen uzerinde
68.000 transistore ilaveten dahabaska birc;ok eleman vardrr. MC68000, Motorola ta-
rafmdan iiretilen mikrobilgisayann kalbi olan bir mikroislerncidir.
Gecen on yil icinde entegre devre i.iretimine giden i§lemler sirasrrun onemli ol<;:iicle
degi§memi§ olmasma ragmen, her bir islemin yapihs §Ckli koklu olarak degi§mi§tir.
ilk gtinlcrde IC iireticileri i.iretim 9ev.\iminde kullamlan donarumi tasarlamakta,' kur-
rnakta ve bakirmm yururmekreydi.Ama bugiin uretim donarurrnnda saglanan en son
teknolojik gelismeleri pratige aktarrna sorumlulugunu iistlenen yeni yeni sana)!i kol-
Ian ortaya cikrrusnr. Bunun sonucunda ureticiler, dikkatlerini rasarim, kalite kontrol,
... ,
iyilestirilmis verim, guvenilirlik ye minyatiirizasyon iizerinde toplayabilmektedir.
Ne var ki yan sirketlerden temin edilen techizatin maliyeti cok yuksektir (yanrn mil-
yon dolann uzerindeki birim maliyetleri ah~1lm1§ bir olgudur) ve saglam bir eko-
nomi politikasi icin 24 saat c;ali§ma nerecleyse bir zorunluluktur. Kesintisiz calisma
(isletrne) cabasr icindeki biiyiik IC irnalatcrlan, techizat imalatcrsmm yardrrruna gii-
venmek yerine, kendi servis kadrolanm kurmaktadir.
Otornasyon, liretim saykilmda onernli bir faktor olmaya devam ediyor. "Kaset ad-
resleme" (casette addressment) biciminde sunulan bircok mikroislemci kontrolii,
mikroislemci birimine hatah bilgi aktarma nedeniyle ortaya c;1kan hara olasihgrm
onernli ol<;:iide azaltrrusur. Bu aynca yapilan ismeme karsi, insanm tepki luziyla
miimkun olmayan bir hassaslik derecesine sahiptir. Komple bir kornutlar kiimesi
manyetik bir bant kasedine kaydedilir ve belli bir IC pulunun hazirlanmasmda kul-
larulacak sekilde tannnlarur. Otomasyonun artmasi aynca pulu "ele alma" ve pula
temas etme oraruru da azaltarak, kirlilik kaynaklarmm sayisiru azalnrken verim fak-
toriinii arnnr.
Kesinrisiz ilgi alanlanndan birisi de verimliliktir. Bir puldaki ortalama "iyi" parca

:i,J:lt sayisirnn artmasina ragmen bu oran % 30-40 civarmda kalmaktadrr, Ancak, dev-
renin boyutlan kii9i.ildiik9e ve yogunlugu art11k9a, ve_rim dilzeyinin 9ok fozla art-
mayabilecegini, ancak aym pul alam ilzerine yerle~tirilen eleman say1smm bi.lyUk ol-
<;:i.ide artt1gm1 kavramak gerek. Ba~ka bir deyi§le bugiiniin geli~mi§ i.lretim

~;111';
$i:kil 14.1 MC6800mikwi,..ktnciiivc.:
aynf... bir u,m~istOr µakell. 8~ :a.ynl.. elc-
m:m M;inc.tc kullamlan yonga. daire i~in-
de gorilnme~redir.
tekniklerini 5 yr! once Uretilen IC'lerde uygulam1~ olsayd1k, verim muhtemelen
%90'1 a~ard1.
Son on yildaki geli§meler, gene! olarak _ endUstrinin, IC yog1111/11gumm her iki
ytlda iki kat111a pkt1if1m kabul etmesini saglam1§t1r. ~ekil 14.2, on y1lhk bir stire
.::.-f:\,.:· i9inde BJT'lcrin boyutlarmdak.i kiic;i.ilmeyigosterir. Bir zamanlar ol~iiler milimetre
.~:t. :"}<_~'
- - ve milimetrekare olarak veriliyordu. ~imdi ise mikron veya mikrometre (metrenin
'::{- .. :·,: ·\

664 Borom 14 Entegre Devreter 665

 milyonda ~iri; µm) standart ol~ildilr. ~ekil 14.2'de 1983 alarurnn, 1973 alanm yak-
la§1k .~ 1.0 u ~ldugun~ ve oli;ildeki esas azalmanm 1980 ile 1983 arasmda ger-
¥ekle§t1g1~e dikkat edin. 1982 ve 1983 modellcri ilretimde halen kullamlmakta olan
rnodellerdir, Arlan yogunluga iliskin soylenenlere bakilirsa, iiretimin 100-um2'1ik
BJT'le~e ya~l~11gm1 ve onumuzdek] birkac yd icindeki Uretim i;evriminde kul-
lamlabilecegm1 dil§ilndilrmektedir.
1973
fotograflarda gbrtilen beyaz onlukler, botlar ve §apkalar, bazi ilretim alanlarmda zo-
runludur. Kontrol oylesine sikidir ki, ortama yabanci parcaciklann girme olasihgnu
ortadan kaldirmak icin, bu alan!ann bircogunda ¥ah§30 kadmlann makyaj yapmasi
yasakur,
Temizleme arnaciyla kullamlan su, 0,2 µm filtrelerle siizUJmektedir ve 18 MQ'Juk
bir ozdircnce (resistivity) sahiptir. (Bolum l.2'deki ozdirenc konusunu haurlayin).
Organik maddclerden oylesine anndmlrrusur ki kiilti.ir gelismesi soz konusu olamaz.
Buna ek olarak, pula "temas eden" kimyasal maddeler, boyalar vc digcr clernanlar

Tl'
1978
MMT-LSI MOSAIC I
1980 gibi islenen malzemelerin safhk derecesi de artan yogunluk diizeylerine uygun ola-
MOSAIC ll
B ..
T E
B
E . I
rak geli§tirilmi§tir. ·
Mevcut iiretim tekniklerinin hat geni§ligi ·RF (radyo Irekansr) dii§ilk gil9lti ele-
~
E
.,..., E
~
~ f ·#
. E
manlar icin 1-2 pm arasmda, daha yiiksek gili;lii elemanlar icin ise 10-15 ,um ara-

1 c
.1. :.
H
c smda degi§mektedir. Mevcut isleme geni§ligi 0.5 pm kadardir, ancak tipik olarak
1.5 ;1m dilzeyindedir. Dretim isleminin oriiimUzdeki bir iki yil icinde 1 ,,m'ye du-
1--J
28µm 15µm surulmesi beklcnmektedir.
525 µml
40µm 1169µm2 Silisyum pul, bu endUstrinin dogu§undan gilniimiizdeki iiretim sayk:Jhna kadar en-
2040µm2 (c)
diistri icin temel yap, ta§I olmustur, Yogunluk diizeyleri artukca ve <;izgi geni§ligi
(b)
(a) azald1k¥a, daha iyi rand1man karakteristiklerine sahip GaAs (Galyum Arsenid) gibi
1982
malzemeler ihtiya¥ duyulabilir.

!JI=:
MOSAIC I~ 1983
MOSAIC III Yatmmlann ¥ok biiyiik olmas1 nedeniyle, iiriin i§lemenin, saglam bir i§letme sis-

H :
temi yoluyla s1la bir kontrol alunda tutulmas1 mutlak.bir zorunluluktur. Bugiin bil-
gisayar, iiretim sayktlmm kcsintisiz denetimi i9in gerekli verilerin saglanmasmda
i;ok onemli bir rol oynamaktadtr.
1-l
16µm H -Oretim i§lemindeki 1ye§itli geli§meler, bu bo!Umde iiretim siir~Jeri anlat1hrken ele
424µm2 12µm ahnacakllr.
222 µml
(d)
(e)
~ckil 14.2 ll,1 kulupluclen1anlann i}lfflmesi. (Moiorola h>c.'in izni)i.,.1
·; c.:; -.T :-c F r,;,9A (MOJ\JOL!TiK) El :TE(· ..RE DEVRE
i
Arlan yogunluk ve verim temel olarak iiretim cevriminde kullan J 1· · Tek par¥a (yekparc-monolitik) terimi, Yunanca tek anlamma gelen monas kelimesi
h· .. . . ' 1 an ge 1~m1§ 1c¥- ile, la§ anlamma gelen lithos kelimelerinin birle§mesinden tiiremi§tir. Bu tan1mlay1c1
izat, k~s~rlru-,i,n tesp1.t1~e v~ giderilmesine yonclik yonremlerin gelisrnes], daha yilk-
terimden de anla§tlacag1 iizere, tek entegre, tek bir yaniletken pul ilzerine yer-
:~ tcm1zh~ duzc.ylen, uretim malzemesindeki artan saflik diizeyleri, dahaiyi iiretim
.le§tirilmi§tir. Pulun biiyiik bir ktsm1 sadece; 9ok ince oian entegre devrcyi koruyan
zemeleri ve l§lcm basamaklarmm sayismin azalnlmasr gibi etkenlerden ka _
naklanmakladir. y bir yap1 olarak i§lev gonnekleqir. Tek par9a IC'lerin iiretiminin ii;erdigi a§amalarm
gene! bir gorOnii§il ~ekil 14.3'te verilmi§tir. Son iirilnii elde etmek i¥in gerekli i§lem
5 yil once s'.mf: 100 ortamlan yayginken, bugiiniin sanayi standard; smif-10 or-
bas.amaklanmn say1SJ, ~ekil 14.3'te goriilenden kat kat fazlad1r. Ancak §ekil, lek
1a'.11J~d1r. Smtl-10 la tanunlanan bir ortam, tipik hastane ortammdan on kat daha re-
mizdir, Srmf numarasi, (yakla§1k her 0.3 m3'teki) l µm veya daha bilyiik parcac k _ par¥a IC'lerin ba§hca ilretim evrelcrini gostcrmektedir.
YIS!m g .. l . B" I b' -..- I sa Yukat1da da belirtildigi gibi, son y1llarda i§lem adtmlan degil, i§lem donamnn
.. os. errr.. ~y e •.r o~tam yaratmanm maliyeti ·olaganilstii ol¥iidc yiiksektir.
Yukse~ bir t~m1zhk scvryesi saglamak ii;in, ortamin tabaru ile tavam arasmda filt- · onemli ol~Ude degi§mi§tir. ~ekil 14.'.3'teki yan ile1ken pulun ilk hazirug1, diyotun
relenmi § kesin (isiz· b'tr dogrusal
x iiretimiyle ilgili olarak l. Boliimde tart1§Ilm1§U. ~ekilde de gosteri!digi gibi, ilk once
(laminar) hava aki§t yaratilrr. Bu bolumdek! bazi
ozeilikleri kar§ilayacak bir devre tasarlamak gereklidir. Daha sonra mevcut alan111
666
BolOm 14.2 Son Gell~meler
BolOm 14 Entegre Devreler 667
 en iyi sekllde kullarulmasi ve difiizyon i~.lemindeki zorluklann en aza indirilmesi
icin devre yerlesim plamnm yapilmasi gerekir, Maskenin goriinil~ii ve verilen islern 20 µm TfflIISlstor
basamaklan sirasrndaki i~tcvi, 14.5. Bolurndc anlaulacakur, ~u an i9in, rnaskenin
ncgatif bir gorunume sahip oldugunu ve katki maddelerinin silisyum pulun icine bu . i-- so mil --i,. /
_,./l!1[i]lll
»>:
t2µm
yolla (ay1k alanlanlann yardirruyla) niifuz euigini soylernekle yetinelim. Her bir ev- ,, ----1---3011m I
redeki gercek difiizyon islem! 4. bolurnde incelenen difiizyonlu transistorlerin tire- ft61..-- --
timinde uygulanan isleme benzer. i§lemleru1 son maskesi, yC§itli elernanlar ara- 11!!!11..--=.- ~-])!!:~•
§§~1~~j6µm
smdaki iletim desenlerinin baglanulanrun yerle§t1ilmesini kontrol edecektir. Daha
sonra ye~itli test i§lemlerinden gecen pul, tek te](,yongaJar halinde kesilerek pa-
ketlenecek ve rnonte edilecektir. i§lenmi~ bir silisyum pulu ~ekil 14.4'tc go-
-- -----==:.
11!'--
-- 1001110 I knDircn~

I'm
riinmektcdir. Orijinat pulun 9ap1 1.2 ila 13 cm arasmda degi§ebilir. Kuskusuz, her 15 µm Diyol
bir yonganm boyutu, tek put iizerine yerlestirecek devre sayisin belirleyecektir. ~ekil ICdilbnl Tipik
14.4'teki pulun her yongasmm boyutlan 50 x 50 mil'dir (1 mil= 2.54 mikromerre). yay1~ mal7J;11l0
Bu yongalann boyutlanrun ne kadar kiivlik oldugunu belirtmek icin, 2.5 cm bo- ~lenmll silisyum IC dilimi boyutlan/

yundaki bir pul uzerine 20 adet yonga dizilebilecegini soyleyelim. Tck parca IC ele- I
~d ii 1-I.4 l.1lc11111ij hir 1ck pu~• IC pulunun difer elemanlann boyullariyb ki!l•ltt11mlmasi. /
manlannm ortalarna nisbi boyutlan Sekil 14.4'te gorunmektedir, l kn'luk dircnc icin
gerekli alarun, diger elemanlara kiyasla daha buyuk olduguna dikkat edin. Asagida, Son donemde yaymlanan bir makalede, aynk transistorlere kiyasla tek parya
bu elemanlardan her birinin temel yapist ele almacakur. IC'lerin iiretimindeki 9e§itli asamalann nisbi maliyetleri yiizde olarak verilmistir, Bu
Dcvre makaledeki sonuclar ~ekil ~ekil- 14.5'te grafiksel olarak verilmistir, i§lem evreleri,
tasaruru ~ekil 14.4'1eki yongalann uretimindeki butun asamalan ieerir, Uretirnin ye§itli ev-
Dcvre
relerinde, yongamn boyutlan ve yogunlugu ile belirlenen maliyetleri arasmdaki
dl1zeni
farklara dikkat edin.
Fotomaskc iirctimi
LSl"lar
Mha~iilc, LSI'lar
dahaaz (daha biiyuk,

l~~l l~j
Aynk yogun yogun
transistorler birimler blrimlcr)

6-0&tt~=~1mo1
.. Tom,,_~~~~~ ~ ~eme.
S1IL~yum ve difiilyon Yaluun Baz Emclor arabaglanli (%2S)'

Yahurn Baz fanet6r Tcrnas ve

difiizyonu difilzyonu difilzyonu ara-
baglanfl

Prob YaZITl.• Pakct i,;ine Xaynakh

tcsti ve krrrna top lama paket test ~cl...it 14.5 Ayn\. 1r:u1.,is10rkri11
ve t>UyUk-Ol~ckli entegre devre-
lerin (LSI) Ur~tifmcsiyle ilgili
m:itiyet daf1hmfan.

668 Bolum 14.3 Tek Pari;a (Monolitik) Entegre Devre Boliim 14 Entegre Oevreler . 669
 ' . !~ !.
14.4 TEK PAR9A DEVRE ELEMANLARI Tek parya direncinin boyuna kesiti.Jki tek parca direncin yiizey gurttnumuylebir-.
likle ~ekil I4.7'de verilmistir, ~ekil 14.7a'da tabaka direnc rnalzemesi (p); flii·
minyum Uy baglanulan ile birlikte g~sterilmi§tir. n-yahum bolgesi admmbelirttigi
Transistorun, diyotun ve direncin yiizey gortlnilsleri ~ekil 14.4'de gorulmektcdir .
. Simdl her birinin ternel yapisuu aynnnlanyla inceleyeccgiz. islevi yerine getirir, yani tek parya dire~y elemanlanru yonganm dige~~.J'~:,; '
manlanndan yahnhr, ~ekil .14. 7b'de, smrh 91r alanda maksirnum l elde etm~f;.19~•\r,: .
Direnc; kullarulan yonteme dikkat edin, p-tip malzeme ~ekil i4.3'de gosterilen bazyay1luna; ·.·
(difuzyon) islerni sirasmda p-tipi govde iyine yayilacagindan ~ekil 14.7'dekLdi- ·
rencler baz-yayihmali (baz-difiizyonlu) direncler olarak adlandmhr.
Bir maddenin direncinin oz direnc, uzunluk, alan ve malzemenin sicakhg. ilc ta-
rumlandrgin; hanrlayrn, Entegre devrede gerekli her eleman, ~ekil 14.6'daki yan iler-
ken malzeme tabakasmda verilmistir. Kondansator .
Tek par9a kapasitif elemanlar, ters ongerilimli p-n jonksiyonun kapasitans .: ge-
yi§lerinin kullarulmasiyla olusturulur ... Artan,.ters ongerilim potansiyellerinde .p ve 1~
tipi katkilar arasmdaki jonksiyon mesafesi de artar. Bu zit katkih tabakalar .ara-
sindaki bolgeye, "serbest" tasiyicilann -bulunmarnasmdan dolayr bosalulrms bolge
olarak adlandinhr. Bu nedenle kapasitif .elernan .icin .gerekli elemanlar mevcuttur
.~ckil 14.6 Oiryaniletkenmalzemepa"l'a- (bosaltilnus bolge, ters dolumlu (yuklemeli) .iki tabakayi ayrran yalitma ozelliklerine
suun direncini tammlayan paramc1reler.
sahiptir), Geyi§ kapasitansi, bosalulrrus bolgenin geni§liginc.(w), jonksiyon alamna
~ekilde goriildtigil gibi, p-tipinin daha sik kullamlmasma ragmen, yan iletken mal- (A) ve bosalulnus bolge icindeki malzemenin dielektrik (e) sabitine baghdir vc
zeme P: veya n-tip! olabilir. a~ag1daki sekilde ifade edilir:
Her hangi bir malzemenin direnci §U fonniille belirlenir:

R=pL
A
I = w icin sonuctaki kare tabakada,
R=~=pl

h-iJ
yw. yl

ve ohm (14.1)

Burada p, santimetre-obm ve y santirnetre olarak verilmistir, R,, tabaka direnci diye

arulrr ve birimi santimetre kare/ohm'dur. Denklem, tabaka direncinin, kare bo-
p Upl alt blman
yutlanndan bagimsiz oldugunu aylkya gostermektedir.
Gene! olarak w,;: I duru .imla, ,..,

R = Rs j_
w
ohm (14.2)

~ekil 14.4'teki direnc icin w = 6Jim, I= 30 µmR, = 200 0/kare ise:

(a)
R = Rs L: 200 xJQ=JO
IV 6
)di I 1,1. 7 Tck paa;a direocter : (o) keshi vc boyutloro: (h) rek bir par~a
670 i~indeki iki par~a direncin ·yiizey goninumu (Motorola loc.fn i:uuyle).
Boliim 14.4 Tek Par~a Devre Elemanlart

Boli.lm 14 Entegre Devreler 671

 Tek parya kapasitif birelemarun boyuna kesiti ve yuzey goriinii§ii ~ekil 14.S'dc
verilmistir, Soz konusu rers ongcrilimlijonbiiyon, h'dir. J1 jonksiyonu uzerindeki
istenmeyen parazitik kapasitans dilckatli'lii~ tasir1m yoluyla azaluhr. Aliiminyumun
silisyurndaki p-tip katki olmasi nedeniyle, aliim.inyum kontak ile n-tipi katkih bolge
arasindaki srrnrda istenmeyen p-n jonksiyonun olusmasmdan kacmmak icin, cok
fazla katk1lr bir n+bolgesi, n-tipi bolgenin icine yayrlrrusur,
Enduktor (Bobin)
\
Entegre dcvre tasanmm~a enduktor (bobin) kullanmaktan olabildigince kacirulrr,
~u ana kadar, entegre devreler icin nominal enduktans degerleri elde etmek icin et-
kili bir teknik gelistirilrnis degildir. Bircok durumda, RC sentezi olarak bilinen bir
teknikle indukrif eleman ihtiyaci ortadan kaldmlabilir. Ince (veya kalrn) film veya
. I
karma entegre devrelerde, tekparca enregre devrelerde kullamlamayan bir secenek
vardir: yapirun yiizeyine aynk endiiktif elernanlar eklemek. Ancak bu secenekle bile
nispeten kutlescl olan yapilan nedeniyle' bunlar, nadircn kullarulmaktadrr.
parya JC transistorlerin biiyiik yO&'llnlugu, konuya iliskin daha ileri duzeyli kitaplarda
bulunabilecek nedenlerden otiirii, pnp'den cok npn .tiptir, ~ekil 14.9'u incelerken, p alt
katmamnm, aktif elemanda· hi1, bir rolu olmadyan ve sadece bir destek ve yahtma ya-
pisi olarak i§ gordiigiinii unutrnaym. Baz, emetor v~ kollektor bclgeleri, sekil l4.3'teki
ilgili yayilma (diftizyon) islernleri sirasmda rneydana gelirler.
Tipik tek transistoritn iistten gorlinii§ti, Uy yayilma alanlanyla birlikte ~ekil
14.9b'de gosterilmistir. Yayilrna (difuzyon) sirasi, difiizyon alam ve derinlikle be-
lirlendigi sekliyle C,E ve B'dir.
Diyotlar
Tck parca entegre devre diyotlar, ilk once transistorun gerekil bolgelerinin ya-
yrlmasi ve sonra transistor Uy baglanulanndan yerine diyotun maskelenmesiyle olusur,
Ne var ki bir transistorun temel diyot islevini yerine getirmesini saglarnamn birdcn
cok yolu vardir. Tek parca entegre devrelerdc en cok uygulanan yonternlerden ikisi
$ekil 14.lO'da gosterilmistir. BC-E diyotunun yapisi $ekil 14.11 'de gosrerilmistir.

.,,,,.....,
'.a') --

-: .Emct6rdifilzyonu

(a)
I r-=--.-4---- :o~j~filzylTonu
. '•':•.

I I
I
.· I
·1

qirp~~~ tJ&tJ1
I < ••
I I \ ,'; .' . I
~ckll l~.8 Tck kondansall!(: (a) k~si1i; (b) fotq!ruf,.(Motorolo lnc.'u, "'"! · !I {·e ;_·_/e.·_ .:,:~ · . -: .• el e
.·:··
• Bj,.;• - \Cf.;I;
·:_::·:r\~?r . .. / '. : I
i
rransistorler
. . . ·,1
Tek bir transistorun boyuna.kesiti Sekil 1.9a'da verilmistir, Burada da »-upr epi- St..•kil 14.9 Tekt\:Jft.;a 1111m,is10r: (ll} ke-
~ siti: lh) 1ip1k. bir tel tr,msistUrtin )·U·
taksiyel kollektor bolgesinin icinde n+ _ bolgesinin bulunduguna dikkat edin. Tek zcyi- nin gOri.inU~U ve boyutl:m (Mo·
toro1a Mooitor'un izniyle) ~------~
26-.s,,-.~
-
672 Boliim 14.4 Tek Parca Oevre Elemanlari BolUm 14 Entegre Devreler 673
(b)
 i-
i} :J
::;.
~ .;ir

Nihai rnaskcnin ortaya ,,,m~m, kadar J"'"

1,1,mJ« sirasnu,
en kucuk elemanlann mikron duzeyindeki gerii§ligi belirler. 0.5 ila 2 .um ;{h11gi'i9i~:
p,Jtindo~!; II
(,
B E• elektron hiizmeli litografi kullanmak gereku:r buna karsilik 3 ila ·s µrnttriuiinaut H
0>---1 ..M---<>o
BC
O'----l•--1-~oE daha az karmasik (ve daha ucuz) yonternlcr kuHanilabilir. ·i: {~fr!:\ i(i i'
Esk.idcn rnaske yapimr, biltiin .katmanlann.
buytik
:,.
oJ1rekli duzgun birifii~1i1:h'
·· .. :1ft-1:,
ge/ ! _•
.· .: .. r; ... ••
rektiriyordu. Cizirn daha sonra Rubylith denen . ktrrmzi plastik kaph tenii~i ~
t·'l.:.h,
jr Mylar
,;·, :.·3 y·:
). ;
uzerinc akranlir. Kirnuzi malzeme r,;ok hassas bir §ekilde kesilir katki maddele1iniil' ,!,. '
yayilabilecegi bolgeleri ortaya cikmak icin ilgili bohimler soyulur, Sonuiia oluia1~ r '
desenin fotograf) r,;ekilir ve istenen master elde edilene kadar bir dizi i§lemden ge~·
• • •• , l>

Tmnxist~ri.iltyc1111s1 vc rck ll:1',a diy(ltl:,r ol11~1urulmasmda kull"111 I·au ""'

·1.· . .
o 1 il:(1 t,;1~l:u111 hp1. cirilerek 500 defa kU9iiltiiliir (uretirnde gerekli boyutlann 500 kan). f · ·· . ·
Gunumuzde ayrn duzgun r,;izimler Calma (kullamlan techizaun imalatci firmas1~ •
E BC
nm adr) 9eklindc adlandmlan CAD (bilgisayar destekli t.asamn) vasitasiyla yapihr .
ve Sckil 14.13'teki gibi sayisallasurilrms ..
birtabloya (karta) rnonte edilir. Operator. .
cizimin geometrik ozelliklcrinin Calma sisterninin bilgisayar bellegine aktanlmasim
p saglayan ve sayisallasnrma adi verilcn bir islemyapar. Ay111 islern entegre devrenin
':: n ~Upi <:pilusiyel Jcollekt&-,
p -tipi altkatll'lan '.jt_·!.. ii I i · i f Dir OC·E tipi tek
par~a diyodun kesit gi>ri.inil~ii.

14.5 MASKELER

Entegrc devrenin cesitll aktif.vepasif elemanlannm olusturulmas . . kl.

mcli difiiz s;: · , • •• _ " l 1r,;1n gcrc 1 sci,;-
.yon, Sekil 14.12_dek1 ttirden maskelerin kulla I I
,.. kl ti T B''l" , ru masiy a ger-
yC C§ In If. 0 um 14.6. Boliirnde de gorecegimiz zibi acik renkli I
.r • I -o· • ........ a an I ar, ..1r,;md en
verier ve a icr katki rnaddelerinin gei;ebildigi bir alandir Buna k I k ··1 . ..
< v il . . v• • • af§l l • go genm gun
•

i~1gmm er t rengmi deg1~urmesme engel olmasi gibi koyu renkli bo"J I d k k

dd J · difu ' ge er e at I
mal .. e· erm
· nuzyonuna engel olacakur. Bir sonrak:i krsimda , bitr bil1 g1sayar
. rnannk
c ev 1 esuun o 1 usuuulmasmdn bu maskelcrin nasrl kullanildiihm - anlat
c acag1z. v •

. :· . . .
~L'k it I :.I.I., Calma say1sallaJl1mla i~la.~yonu~M.Oloroia111t:. ve L'almatnc.tn izniyle).
~:1.ij 1-l.; .: Maske

674
BolOm 14.5 Maske/er Bolilm 14 Entegre Devreler 675
 her katmam icin tekrarlarur, Tasanmm herhangi bir boli.imii, ~ekil 14.14'te gos-
terildigi gibi, deseni degi~tirmek, surekliligini kontrol etmek vb. amaclarla du-
zenlcrne istasyonunun ekramna 9agr1labBfr. C~lma sisteminin bashca avantaji, tek-
rarlanan hiicrelerin diizenleme asamasioda . bellekren eklenebilmesi ve duzgun
cizirnin bir parcasi gibi gorunmernesidir .. Buna ek olarak, gerektigi zarnan ek-
lenebilecek §ekilde bir hiicreler kuntphanesi olusturulabilir, Bunun sonucunda ye-
tenekli bir operator, cizme asarnasinda minimum bir cabayla komple master cizirnin
bi.iyiik bir boliimilnii tasarlayip gelistirebilir,
Bu noktada nihai maskenin elde edilmesi i<;fo kullarulabilecek iki yontern vardir .
. Yontemlerden birisi Calma sisteminden elde ~dilen rammlayrc» verilere.dayanarak,
(a) hassas bir iyi:z.im ureten ve ~ekil 14.lS'te gosterilen.Xynetics ~izicisi' kullamhr, Bu
. cizici; .cok.renkli.secenegi ve.~ok. h~lti hassas h~i:~ketleriyle; <;al!§lfken §!l§kmlik
uy~nd1ran bir.aracur. istendigi taktir1tbelli bir alani J 0000 icat biiyfi1tilebilir/ Daha
sonra.desenilOOX vc ardindan lOX kii~iiltmek iyinfoto~kii<;iiltmei~Jemi yaprlabilir,
lOX deseni, bir desen iireteci kullanarak.bir.defada~lde edilebilir. Desen vefilerinin
saklandrgi manyetik teyp, diskete yey~ ~afrzaya yiiklenir ve bilgisayar yaid1m1yla
1 OX deseni elde edilir. Kann:i~tlc.LSI;i~.z'de 20.)la 36 saat arasrnda degisen siirelerle
200.000 ila 300.000 aras1n(ia:deg°f~ei~iffi~§(~el,cirri)gerekebilir. Daha sonra prog-
ramh bir ad1mfa-ve~teJcrarlamaki~~~i;liii.in grubu icin IOX desenine dayah olarak
gerekli formal! uretecektir.

(b)

5..;k if 14. 14 l.\ir C.1hna (t"tktltiimH bilgisayarh i;rafik sistem) dl!~~tc~lc/1abk1 i~1asyoo011<f.l
d1.:'t'1, 1as:u1m1/llc~i~iklik ~;,h~mas, (Mocorol3 lnc.veDtma Jnc. tn izniyle},
~c·kil I~- I 5 Xyucucx 1200 <;izici (Motorola Inc. ve Xynericx lnc.'in izniyle)

676 Solum 14.5 Maskeler

BiilOm l 4 Entegre Devreler 677
 Yukanda anlaulan yontemin gunumiizde hala kullarulrnasma ragrnen, bazr uretim
cevrimlerinde, sekil 14.16'da goriilen elektron hiizmesi (E-hiizmcsi) sistemiyle "dog-
rudan yazma" yontemi kullamlmaktadir, Kesici olarak elekrron hiizmesi kullanarak
maske deseninin dogrudan dogruya.Calma verilcrine dayah olarak "kesilmesi'', ara
islcm say1s1111 onernli olc;:udc. azah1r:j§lem sayismm azaltrlmasi ve maskenin dog-
0
+6.SV
G)
+3V
rudan kesilrnesi, son iiriindeki kusur ve' eksiklik sayisuu azalur. LSI'lerdc ilk ta-
sarundan maskenin uretilmesine kadar gecen sure birkac ay ile 1-2 yil arasinda de-
gi§ebilir.

0@
(a) (b)

·---~-
Jnc:ve:X~i.;,;,litc.~~
::,ckil I .J 17 Xynctics J200<;izid{ld~fiirola - .. ··.·
;,;,iylc)

.·.. ·;1··
····t +;( . . · ..· .. .' .
~imdi ~ekil 14.9'da gosterilen.het
.
b'frdifiliy<>n(yay1lmli)
:· ,::.-.·t: · .... :.•_
itleminL izlemek
·.-·=~-- .. :·: . . ..... : ...
icin gerekli adimlarin do gal· sirasmi gostermek. . ,, icirr.ilk
.
difuzyoh
. . .
i}lernine
.
ge-
c;:ebiliriz. ·

14.6 TEKPAH9A ENTEGREDE\/RE~VEDEGiLKAPISl p- Tlpi Silisyum Pul Haztrlarna

Bu kisunda, tek parca VEDEGiL kapi devresinin iiretim asamalanrun sirasi ele ah- Buyukkulceden dilimlcnmesinden sonra, p-tipi silisyuml.-pul, ~ekil i4.17b'dcki
nacaktir. Her bir islemin aynnuh incelenmesi, sayfalar dolusu malzeme gerektirir; ki yapryi elde edecek §ekilde ust uste bindirilir, cilalarur ve temizlenir (~ekil 14.Sa).
bu da kitabin kapsarruru asar, Ancak kisa tutulacak tamrmn da, son derece degi§ken Aynca)yUzeyi daha da dtizgunlestirmek ve cilalarna ve rernizleme sirasmda zarar
clan bu alanda gelecekte okura yardrmci olabilrnesi acrsmdan yeterince.tam ve bil- gbnnUf6labilecck ilk pul katmanmrcikarrnak icin kimyasal bir islem uygulamr.
gilendirici olmasr gcrekir.'Hazrrlanacak devre §ekil 14.17a'da verilrnistir. Yer ayir-
ma, pin baglanulanrun yerlestirilmesi, vb. konusundaki kritcrler, clemanlann ~ekil
14.17b'de gostcrilen nisbi noktalara yerlestirilmesini gerektirmcktcdir .. Birbirinden
aynlan bolgeler, koyu c;:izgilerle gosterilir, Daha sonra c;:e§itli difiizyon islcmlcri icin
gerekli bir dizi rnaskenin, ~ekil J 4.17b'de gosterildigi gibi devrcye eklenmesi ge-
rekir.

678 Boli.im 14.6 Tek Parca Enlegre Devre-VEDEGiL Kaprsi BolOm 14 Entegre Devreler 679
 ~,-~ :I I 4. I •J n-tipi epitaksiyal diliizyon l~mi sonras,nda p-!ipl silisyum pulunun durumu.
/
i
!
c;okeltme isleminde kullarulan cihaz, bir rad yo frekans (RF) enduksiyon bobini
ile cevrili uzun bir quartz rup icerir, Pullar, tekne adi vcrilen dikdortgen bir grafit ya-
prrun iisttine yerlestirilir ve ~ekil 14.20'de gosterildigi gibi bolmenin icine yer-
lestirilir. Gaz halindeki katki maddeleri ortama verilirken, RF bobinleri de ortanu
l !00°C'nin iistiinde bir srcakliga kadarisrnr. i§lemin tamarm, uygun yuzey temasi
gclismeyi saglamek icin dikk:atli bir sekilde gozlenir ve kontrol edilir.

(b)

S!.!l.. ii 14. IX (~) P\11 haurl:anla(.b. Ul!ol Us1-.: bindinllc

ve cilahun.t ttl;1_ma.,1: (h) 11-ti1,i ,ilisymn
'pul. l(a) Mocorul:i lnc.'ln i1uiyk:: (b) T~.u.,;lnsirun1en1~ lnc:.'in it.niyk:.

n-tipi Epitaksiyel (Yuzey temaslt) Bolge

Daha sonra Sekil 14.19'da gosterildigi gibi, p-tipi alt katrnarnn icine n-tipi bir
epitaksiyel (yuzey temash) bolge nufuz ettirilir (difuzyon). Bu bdlge, alt katrnanla
farkh iletkenlik dilzeyine, ancak ayru kristal yapiya ve yone sahip tek kristalli bir
yap, olusruracak sekilde r;:okeltilir. Aktif ve pasif elemanlar i~tc bu inee yuzey re-
mash tabaka icine nufuz euirilecektir. p-tip alan esas itibariylc dayarnkhhgr arnrmak
ve kullarurru kolaylasurmak icin yapiyr kahnlasuran bir desrek yapisidir. ~,·~i!1-1.211 EpttakSiyel!abakantn ¢kellilmesi.

680 Bolum 14.6 Tek Parca Entegre Devre-VEDEGiL Kaprsi Bolum 14 Entegre Devreler 681
 Silisyum Oksidasyonu (Si02)

Sonucta olusan pul, Sekil 14.2l'de goriildiigil gibi Si02 (silisyum dioksit) yuzey
katrnarn olusacak sekilde oksidasyon islemine tabi tutulur. Bu yuzcy katmaru, n-tipi
yiizcy ternash katmanm icine yabanci maddelcrin girmesini onleyecektir. Bununla
beraber bu katrnarun secici bir ~ekilde kazmmasi, silisyum dilimin tasarlanan 11-tipi
yuzey temash bolgelerine uygun katk1 maddelerinin nufuz etmesine izin verecektir,

:id i I 14. 2 I ~ckil 14.I R'<lcki pulun SiO, tabakasuun ~kcltilmesiodco sonraki dnmm.

Oksidasyon isleminde kullarulan cihaz, pullann bir tekneye (quartz) yer- ,, ·! d I-!.~: Mikroi1l•mci-kon1rollO fotodin,n, modUID (M~orola lnc.'in izniyle)
lestirilrnesi ve quartz bir tupe konulmasi acrsindan, yiizey temasi katmamn olus-
turulmasmda kullamlan cihaza benzer. Tipik:olarak,_aym anda 20 civannda pul ah-
Bir sonraki adirnda yahum difuzyon i§le~i~~~azrrlJ.k amaciyla Si02 tabakasmm an-
rnr. Ancak bu durumda tupun ctrafma, sicakhg. 1100 "C'yc yukselten bir direncli
lacak bolumlerini belirlemek uzere daha 'once anlatilan maskelerden biri kullanilir,
1s1t1c1 sanhr. istenilen Si02 katmaru olusana kadar oksijen islak veya kuru bir bi-
Maske, Sekil 14.23'te goriildiigii gibi;f1tod~~ciriiizerine dogrudan konabilecegi
cirude verilir. Son gelismelerden birisi, islern sicakhjhru azaltrnak amacryla kap
gibi, ~ekil l4.24'te gosterildigi gibi maskeden de .ayrilabilir. Pulurr diliniin uzerine
icindeki atrnosferlik basmci yukseltmektir. Basmctaki her I atrn (atmosferlik) arns
icin, gerekli sicakhkta 30°C'aza)ma olur, 10-atm .basmcta s1cakl1k_-300°c·ye kadar
dogrudan konuldugu taktirde, 1§1gaj ij6yarh iliiii:#'.rr1ihln;.
n'idsk? deseniyle .ka-
patilmayan bolgelerine poz vennek i~iiiinorofe51bff1~lktiyglila111r{~ekill423).
dusurulebilir, Silisyum, 800°C'de cokuygun davramr, fakat J lOO?C'de davramsi ta- . . -·-· -· .... · .· ·: ..

mamen degisebilir, Dil§ilki~lem sicakhklannda aynca oksit kalitesi.arrar, baski aza-

hr ve elcman tasanm krsrtlamalanndan bazilan azalir vcya tamamen orradan kalkar,
Maskclcmc dcscnl
Oksidasyon suresi, oksit tabakasrmnkahnhgma ve .istenen kaliteye bagh olarak
birkac saatten 24 saate kadar degi§ebilir.

Fotolitografik (1~1~la tas baski) [stem

Si02'.in se91ci.biqekildeJcazmmas1, 1§J.k1a baski islemiyle gerceklestirilir, Pu! ilk

once'/ $ekil 14.22'de g5~~in sistern vasitasryla, ~ogunlukla fotodirenc .olark ad-
landmlanince bir1§i~a: dt1yarh :rabakayla kaplamr, Fotodirene uygulafoisltamamen
mikroislemci denetimHclir>~ekiIJ4.22'ni11 sol tarafindaki bolgede gortite~ ah§ rep-
silerinin uzerinde bir pulla~
ytglri1 oiu~u~. rion~mm,
yuksek basmch zimparalama,
sudan anndirma (dehidrasyon), direnc kaplama ve hafif pisirme islemlerini otomatik
olarak yapar; daha sonra da sert pisirme uygular ve pullar OIU§UT.

682 Boliim 14.6 Tek Parc;:a Entegre Devre-VEDEGiL Kaprsi Boliim 14 Entegre Devreler 683

!;,,:~ii1-C.l 600 HT Mimliin
Pn\jeksiyonlu Oa:,;~1·;.s1s_1em1.
d'crkm-Elmer Joe. tn Izniyle.)
\, i--il I -L:.l i·~ i,a!!Jil!b:: yojucm, prujcksiyun (izdusum) bas'.m1 olarak ad-
landmhr. Cesitli bolgeleri ortaya cikarmak (pozlamak) ir.;i_n optik cihazlar kullamr.
Bu yaklasnmn en onernli avantaji, maskenin pul yuzeyine yabanci madde sok-
mamasidtr. Bu yaklasim son senelerde giderek daha cok kullarulmaktadrr,
Si!- ii I ,.2.,
~<kil 14.23'deki yon-
ga111n. ortaya c;1kan1nmn11l fot0<H-
n:r1,· bolgclcrini.n frtk:,nlmastmla,,
sonraki kesiti.
)d ii 1-L~°r, ~e~il.J.~:25'in kapa--
111111,m,~ Si02 bi)lg~l.erl~in_.,_1.lc..1-
nlmasmdanisonrJ1d kcsiti:-"·· ...
Si02
___ I _\ _ derir. Bu iyonlar, diger yontemlerdeki 2.5 µm.ye.kiyasla,
Sckil I-U7 ~~kil 14.26',nk:,lon
· fo10<lirc~ malzemesinin (jikanl-
masmdun sonraki kei.il i,
684 Bol!im 14.6 Tek Parca Entegre Oevre-VEOEGiL Kaprs:
Eide edilcn puldal_1,X~onra pozla!lrnaYan: ·~iia duyadi maddeleri ternizleyen kim-
yasal birsozeltiye sokulur, Bµ noktad~ yqifrii~111 qoyunite~iti•.($ekil 14.2J'_te S~S),
ikiri~i'$.ir
kaplanmayan bolg~lerdela
$eki_l.J 4:25'teki.gibig6ziikti/.biifia.sl%tl
Si02 tabakasim .• _iemii'i~yecektir. _
~h~lt.ii fo_todireµ~_-llialzemesjyle
Difii;yon i§l¢111(ia~
rnamlanmadan onceki son adimda, -1§1ga duyarh ~addeler 9oz~ltiyle temiz!6ni/ Bu -
noktada.yapi $ekil 14,27'deki gibi gozukecektir.
Yahtrm Difuzyonu·
$ekiU4.27'deki .yap, daha sonra, p-tipi difuzyorr.islemine.tabi tutulur; bunun so-
nucunda: da $'ekil -I4,28'de .goriilen 11-tipi adaciklar o.l1.1§ur. Difuzyon i§lemi,JHipi
. adaciklar ar~~inday~gun-katk1b.p:,ipt.~foooige (pf ile;gost~rilir) olu§t~ruript·MJ-
- . ·--·-- . ··--.· :-·-··-·--·:.·-- ·-··-.·,·.--· -- _- . . -·!
geleri, il-tipf adaciklarda O!U§turufacii.Jcaktifve pas if elernanlar arasrnda daha iyi - ya-
1Jt1m oz~llikleri'saltar. - - -: '"-- • .·_ _._••. ,. • - .
1s1:c~y~~nr:ir:1::t:i~~~~r~r1rr;J!otf!~fh~k~Jtlv25j~:v;~s;~z:-~~:;:~::t~;i~;
O!U§Ur. Difuzyon islemi nomutlde i200~C'.: .cfv~iJ:!d~'diu~:ti;·,.
$eki! 14.29'daki sistem
ramamen mikroislemci kont~ollildtir (b"s~'t iici;~~le1~c vasrtasryla). Uc-dorr ki§i 16 n.
nru ~ah§t!rabilir; teknelcrin frnnlara verilip geri ahnmasmdan, s1cakhgrn ve karki
seviyesinin izlenmesine kadar geri kalan biitiin isler bilgisayar tarafmdan kontrol
edilir.
Ytiksek srcaklikta difi.izyon islemine altematif olarak iyon ekimi (iyon implan-
tasyonu) kullamlabilir, Katki iyonlan huzrnesi Iyon htzlandmcr tabanca, kalem bo-
yutlannda olan bir katki iyonlan huzrnesini cok yuksek bir hrzla pulun uzerine gon-
0.5 rnikron duzeyinde
kontrol edilebilen bir diizede ortama i§leye~ek<ir;}:3u teknikte kontroliin daha da art-
masma ek olarak, isleme s1cakhg1 cf~ij~dil§iikriirve da~itJok elektriksclparametre
kullarulabilir. Giiniimiizde bu yo~!€~in.JemeLlcuHai.i,m alaru. baz bolgesi difuzyo-
nudur. 2aman1a ve gerek.li ctegi~ik1ikic/1~;iY~cr&ci1illzyo;;1ari
da mumkun olacakur,
Bolilm 14 Entegre Oevreler
685
 Baz ve Emetor Diluzyon lslern!
Yahnrn difuzyonundan sonra baz ve emeror difiizyonu gerceklestirilir, Bunlann her
birisindeki islem adimlanmn sirasi, yahum (izolasyon) difiizyonunun tarnrmnda an-
tilanlarla ayrudir, "Baz'' ve "eme1df ie{ifulirftizfoikiCJa'nsiSt6ty~p1s{ylailgi olmasi-
na ragmen, her bir elemamn (direnc, kondansator ve diyot) gerekJi k:1siiiiian (katman-
Ian) her bir difiizyon islerni sirasmda -olusturulacaknr. Yaliuma, b;~ ·ve emetor di-
fuzyon islcrnlerinden sonra VEDEGiCkap!Simnyiizey gorlinii~ii ~ekil 14.3l'deki gibi
olacakur. Her bir islemde kullarulanrnaske de her bir fotografm iistiinde verilrnistir,
Baz ve emetor yayilrna saykrllanndan sonra transistorun kesiti ~ekil 14.32'deki
gibi olacaktir.

On omik Oyma

lyi bir omik koruagin hazirlanmasmda; 11'". bolgeleri (Bolllrn 14:4:e bakrn) ~ckil
14.33'teki acrk renkli yapi icine rilifuz titlrifir: As;Jk rrinki(aiariiarit1naske deseni
arasindaki uygunluga dikkat edin:· ·::-c :, ·. . .. · · • · · . ··.. · ··

Metallestlrme

Son maskeleme deseninde her bir.elemarun, meralik kontak yaprlmasr gereken

(a)'--------
Yahurndlfuzyonu(r,.aske) Emel.ordifiizyonu (maske) Baz difiizyonu (maske)

c.. , . -1 ,q Mikroiilcmci kootrollU diflizyon i~lemi (5-i~lik pullarla ~•hin>U). (Mocorola lnc.'in iuiiylo.)
Sc,1 14 ·-
'-.··~
Bir sonraki maskeleme ve difiizyon i§lemine hazrrlik olarak, pulun yiizeyinin ta-
·:LJoj
DD
marru ~ekil 14.30'da goriildiigii gibi Si02 ile kaplamr.

I
Ycnl SlOl lc.atman
Orljlnal SlOl lc.atman

Yahumdlftlzyonu Emetordifiizyonu · Baz difuzyonu

S~kil 1-1.:HI Bir sonraki difo,yon i~le-

. mine h:mrhk ~in. tUm pul yUzeyi Sd,, I I ,t. _; l Maskeler: (3) tlim difiizyon i~lcmindc, kullamlai):.(1,)_y:11111111•.baz vc emetdr
Si02 tabalc:a51y1a kaplamr,
,111uzyonu i~leminin ardmdan tek par~aVEDEGILkopL\lilloyilzcyiitin{iorunU~U.

Boliim 14.6 Tek Par~a Entegre Devre-VEDEGiL Kaprs: Boliim 14 Entegre Devreler 687
686
 I
Emetor difiizyonu
Ost I
Bazdifiizyon~ ~ /11-tipiyuuytenwlt biilgc plaka)----->-.:.:.

.),.'kii 1-'.3 -~ ll:11. ve CIIH!lijnlit'iit.>'(lllll

~011ras11kfa 11·111,sb1ii1i.in J..:csil~.
G6vde
ta~•r..•cilan

\ \

On-omik oyulmasr
~,:kir 14.·:_.}f.Me1.tliz:iS)·oo i~kmii\i.1.1.
.';dcil i ~:.J3~ekil 14.3l"deki·yc,ngail\Ol,Oll,.;~,ikoyma i~1tJii;int-
unmn11l:mm1i.bi~imi.(Moiorola Mo~
dmdan yozcy g6rlinO~_il:-yaiwa_i~~-kull_:,.rl\1_.ii~--~i.1Ske g01UJiI:Jt!kiec:lir.
OIIOl''lin ii!liyll.'!.
(M~orol• Moni1or'un izniyle.)- · ·· · ·

bolgeleri\lle!lir. Daha sonra pulun tai-nam(ince .bir aluminyurn, alun, molibden

veya tantal (hepsideyiikselcilcikinlik, duiiik
kaynama noktasma saI-iipbirir metal-
dir) tabakas1yi~k:apl;io1rye buriJ~n
sonr~geiektigi gibi daglanarak (ll§mdmlal"llk) is-" •.
(a)
tenen: iletim, baglanti[ii,i-1 clJe
ediJir. T~rna1nlanan metalizasyon i~leminin • bir Io-
togiafl~~kil 1434't~g5~iiri~~kicdir. < \>
Tekbicimli (diizgiin) bir iletken mali6lµi; illbakas1 olusturmak i9in en sik kul-
.lamlan )ki yootern. l>uharla~tuma ve M~k.iir.triledir. Ilkinde kaynak, rnetali bu-
.· . harla~ti(i;1~ i~in ll;l<!tal i:;1t~a
b~binleriyle er.itilir
veya elektron tabancasiyla bom-
.bardiman edili~. r:iatia
so~ra metalizasyon rnaddesi, ~ekil I 4;35'te gosterildigi gibi,
. masalarla bir kasnak vcya yanm kiire icinde iutulan pullann uzerine piiski,irtiilii: .
.$ekil 14.36'daki gibi robot birimlerinin kullaml<ltgt otomatik puskurrrne sistemi, ol-
dukca negatlf bir potansiyclde olan kaplarna meralini, pozitif bir potansiyele sahip bir
· anotun karsisma yerlestirir, ancak metal, anota degrnez; Plakalar arasmaverilen, omegin
argon gibi asal bir gaz, negatif plakayi bombardrman ederekmetalin yuzeyinden pozitif
jyonlar- kopanr, Daha sonra "serbest" metal iyonlan anot yuzeyiodeki pullann uzerine
duser,
Goriirar.miun d;ha:dii~iik-olmas1 nedeniyle sik sik puskiirtme teknigi-tercih edi-
lir. Bu yontemde keskin jonksiyonlar (birlesrne noktalan) uzcrindc daha duzgun bir (bf
depozit tabakasi elde edilir. Onurnuzdekiyrllarda. puskurtrne ve buharla~urma yon-
ternlcrinin, i.iretim saykilmda metalizasyon roltinii paylasacagi aciktir. ~dil l~..1.'Mc1.1lboharla\11nna··1em·
1~ meleba"-
swno mela 11e·nmn
· yeoidcn L.onumlan,.hrilm:,~,.
· (Mo1orol;~ lnc.'!n izniyle)

Bolilm 14.6 Tek Parca Enlegre Devre-VEDEGiL Kapisr Boliim 14 Entegre Devreler 689
688
 I Test

~,'k 11 I J. ,1>01onHllik PU>kUo'I·
-n-. S1~1Cmi: (Malcrials Research
, ,;rrora1io1l'in izniyle.)
Pul kahplar halinde kinlmadan once ~ckil 14.38'deki test sistemiyle her kahp
(die) uzerinde elektriksel bir test uygulamrvSistem, pulun "ellenrnesini" daha da
azaltrnak icin, karosel (carroiis6Ifk:ullanmak~iireiiyle. pulu otornatik olarak yiikler/
bosalnr. Uretim saykihmn buyuk
~ogunluiu~d~ oldugu gibi bu i§lem de mik-
roislemci kontrolliidiir. Her bii:IC i~iri bir prob karu vardir; bu kart, hem hatah par·
calann reddedilmesini, hem de hata turunun (a91k, kisa, kazanc, vb.) belirlenmesini
miimkiin kilar. Hatah kahplar (parcalar), sistem tarafmdan otornatik olarak kir-
mrziyla isarctlenerek tarumlarnr.

Paketlemc .,.
Pasltlestirrne i
Yapmm tamarmrun yiizeyine kapla_na~ Si(h tabakasr, su buhanna ve bazi kir- Mctalizasyon ve test i§lemletf.1~iria;lijaridikti111 .sonra, pulun tck tck yongalar
liklere karsr etkili bir koruma tabakasi olusturacakur. Ancak bazi metal .iyonlan SiO! halindc .kmlmasi gerekir. Bu}}§fki(. !4'.39'da
gosterilen cizmc ve kirma i§·
tabakasrru gecerek eleman karakteristiklerini bozabilir, Kalite bozulmasim en aza in· lemleriyle gcrccklestirilir. Daha so~'?a
hef yonga ~ekil l 4.40'taki forrnlardan bi·
dirmek icin, pasiflcstirme islemini iyil~Cirtnek amacryla yuzeyc bir cam (plazma si- risinc pakctlcnir .. Her birinin adi §ekild(gli;(crllmi§tir.
lisyum nitrat) tabakasi (2000-5000 A kalmhgmda) uygulanir .
.... :- -- -·. _

I
. 9 (Di
i

(a) (h)
-- Yahulrrus bolgeyigosterir J.c-,c,;)J Me111U~tirilmeyigosterir
S1.:k i I I ~ .. ~:-.. Tck tel kahplann clcktrik IC:Mlcrir:in 1:1;1,lm;.i."1. Ha> EJcc1ro~Jas lnc.'il\ i2niylc: (h) Texa:,;;
Insmnncnts'm izniylc; (c) J\u101\t:tits, No~h Amcdc.on Rod:.wcJI CQrporalion'\m iwiylc.j
Sc:~ ii 14. ,7 :jelcil 14.ITdelci VEDEGIL. kapismm tek par~a Y"P'"·

BolOm 14.6 Tek Parca Entegre Devre-VEDEGiL Kaprsi Boliim 14 Entegre Oevreler 691
690
 14.7 iNCE VE KALIN FiLMLi ENTEGRE DEVRELER

ince ve kahn filmli entegre devrelerin gene! karaktekistikleri, ozellikleri ve go-

ninusleri benzer olsa da, bircok acidan tek eruegre d~vrilerden fakhdir, Bunlar, ya-
niletken bir pul uzerinde degil, cam veya uygun seramik malzerne gibi bir yahtim all
katmarunm yuzeyi uzerinde olusturulur; Buna ek olarak.yahtkan yilzey uzerindeki ince
veya kalm · film teknikleriyle sadece pasil' elernanlar. (direnc, kondansator) ilretilir.
Alctif elem~n..lar (transisrorler, diyotlar) ise pasif elernanlar olusturulduktan sonra ya-
pmm yuzeyine aynk elemanlar olarak eklenir, Aynk aktif elemanlar cogunlukla tek-
pari;a teknigiyle iiretilir, .
ince ve kalm film teknikleri .arasmdakitemef . fark, pasif elemanlan ve me-
talik iletirn d6senini
·
olU§l~rmakj~f~(kuiiiwiari
.· .· .: ·., ... :·.,:·i······· ...,,.
Wemdir.
· ··..
Ince filmli devrede
I
buharlasma veya katot-piiskilrtm~tekriigi/kiihn filmde ise ipek-orgu teknikleri
·i, ;: ! '. ·:; 'Tck pulun t\!k bir yoogayi, (a) i;izih1~si vc {h) kmln~•1s.,. (Sold;tki: Au~on.c1ic~. ~o.~~1 ~l~tcr:c,ul
.'-:C
Rockwell Corporauouuo. onada\..i; Texas lns.uunlel\lS \'C sagd.:,k1: Motorol;\ h\t;. ~irl~tlcnnm 1z111knyh:.~ kullamr. Onceliklerimiz, b~rada bu j§lemledn ayrmnlanna girmemize el-
vermiyor. ·.··.:· . · :i.=>.: · .' .. ·.·
Gene! olarak, filmli d~:vi~lerinpasif elemanlan, tek IC'lere kryasla daha
genis bir deger arabgma>~e daha
az toleransa sahiptir. Aynk elernanlann kul-
larurru aynca filmli devrclerin tasanm esnekligini de artmr; ancak sonuctaki dev-
renin daha bliylik olacag: da aciknr, Aynca, cok sayida eleman iceren filmli dev-
relerin rnaliyeti, gene! olarak tek parca entegre devrelerinkinden onernli olcudc
yuksektir.

14.8 KARMA (HiBRiD) ENTEGRE DEVRELER

Karma entegre devre terimi, cok-yongah 9e§illi entegre devreler icin kullarnhr ve
film ve tek parca tekniklerinin birlikte kullamlmasiyla olusturulabilir, Cok yongali
entegre devrelerde, ~e§illi elemanlann veya ayn devre kiimclerinin olusturulmasi
icin film veya tekparea teknigi kullamhr; bunlar daha sonra yahtkan bir altkatrnan
iizerindc birbirine baglarur ve ayni arnbalaj icine paketlenir, Bu tip entegre devreler
~ekil 14.4 l'de gorunmckredir. Daha karmasik bir karma entegre devrede aktif ele-
rnanlar yaniletken bir pul iizerinde olusturulduktan sonra Si02 gibi yahtkan bir ta-
bakayla kaplarur. Daha sonra SiOi ilzerinde pasif elemanlan olusturrnak icin film
teknikleri kullamhr. Si02 tabakasi ilzerinde kesilen "pencereler" vasitasryla' filmle
tek yapi arasmdaki baglannlar kurulur.

'··- ., :' ·. , .. 'U 'rek par~a paketleme rckoiklcri: (a) dilz pake11<me; (b) ·~o (1op-lia1·~.tpka1
· tipi pakerleme: (c) i;i(1.s1rnh plastik. pakctlcn,e. (Texas lnstrumertt'u\ izniyle.)

Solum 14.6 Tek Par~a Entegre Oevre-VEDEGiL Kaprsi

BolOm 14 Entegre Devreler 693
692
 _J

Yukselteclcr, Bff ve FETdevrel~ritis:~ten,genellikle IC devreler icine paketlenen

. Kamm (I librid) Entcgre Dcvrctcr. (Tcxa.s. lusuumcms'ln1zniylc.}
ve gerilim veya akim kazanci saglay~{dektronik devrelerdir. Ayn ca gtii,: kazanci ya
da empcdans donii~liirme de y;p~biiii/!1fatikteher elektronik uygulamanm ana las-
rmru olusturdugu .icin. temel bit':deiri(blmaozclligine sahiptir. Yukseltecler daha
once de gordtigilmilz tizere·i;:e~itliy8ifatdan smiflandmlabilir, Her birisi ongorulen
frekans arahgmda i;:all§an dii§tik:fi"ek~ii~yilkscltes:leri, ses yukseltecleri, ultrasonik
yukseltecler, radyofrekans (RF)ytikJelt~eleri,genis band ytlkseltecleri ve goruntti
(video) yukseltecleri vardir. Daha once; ktii;:tik sinyal ve bilytik sinyal yukseltecleri
ile RC veya transformator bagh yukseltecleri incelemistik,
Fark yukselteci, .r;:ok i;:e§itli uygulamalarda kulamlan ozel bir devre tiiriidi.ir. Gelin,
fark yukselteclerinin temel ozelliklerini ele alarak baslayahrn, Fark yukseltec bi-
riminin blok.sernbolu ~ekil 15,l'de gosrerilmistir. Gorulecegi uzere iki ayn giri~
\

\
Olrlfi-- ----Cib,1

I
Fark yOksclfccinin
biol ~Clll;ISI,

694 Bi:iliim 14.8 Karma (Hibrid) Entegre Devreler 695

 (1 ve 2) ve iki ayn r,da§_ (3 Y~. 4} ucu vardrr, Fark yukseltecinin nasil uy-
sinyalinin ve 3. uctaki V01 9tla§mrn blok ve devre semalan gosterilmektedir. Blok
gulanabilecegini anlarnak icin, ilk.once buuclar arasmdaki iliskiyi incelernemiz ge-
semada. sinusoidal bir giri§ ve yi.ikseltilnti§, terslenmis bir 91ki§ oldugu go-
rekir. Giris veya t,tkt§ uclan toprag,(gorefark!1.potansiyelde olabildigi icin, Sekil
riilmektedir. Devre semasrnda ise, -~intisoidal.gi.1-'i§in ve 91k1§m da kollektortindcn.
15. l'deki toprak baglanusirun farkh gost~rildigin~ dikkat edin. Gerilirnler, giris u9-
180° terslenmis olarak abnd1g1 gorulmektedir kl, 'ieic kntl; transistorli.i yukseltece ili~-
lanndan birine veya her ikisine birden uygulanabilir ve t,1k1§ gerilimleri, her iki 91k1~
kin eski bilgilerimize dayanarak bekledigirniz de budur.
ucunda da gonilecektir. Bununla beraber, her iki giri~ ve 91k1§ ucu arasmda cok ozcl
bazi kutup (polarite) iliskileri vardir. .
~ckil 15.2'de. a§ag1daki incelemede kullarulaca]; olan temel fark yi.ikseltecinin
blok ve dcvre §Cmas1 vcrilrnistir. Blok §Cm~da iki 1;1iri§. vc iki 91k1~ gosterilmistir. Gi-
risler iki ayn transistoriin ~azma uygularur, Ancak gorillecegi uzere, V,,1 ve V,'2 i;:1kt~
uclanrun rck ya da iki gir1§ sinyalinden etkilenmesini saglamak icin transistorlerin
emetorleri, ortak ernetor direncine baglanmisnr. <;1ki§lar, transistorlerin kollektor
uclanndan ahnmaktadir. incelemeyi kolaylasurmak actsmdan giris ve r,1k1~ uclan da
numaralandmlrrusur, Devre semasmda iki kaynak gerilimi vardir; ve pozitif ve ne-
gatif gerilim kaynaklarinm.karsrt uclarrrun topraga bagh gibi anlasilmasma ragmen
clevre icinde hie bir toprak ucu gosterilmedigine dikkar edin. Yukseltcc, tek bir ge-
rilim kaynagiyla da cahsabilir,

~d ii 15 .. \ Farl< yiikseltecinin tek giriili olarak

,a1i~mas1: (a) hlok ~ma~ (b) devre ~mas,.

4
Giris 2 topraklanrms oldugundan, 4. ucta t,tkt§ yokmus gibi gorulebilir, ancak bu
I----•,;,
2
dogru degildir. Sekil 15.4'teki blok sernada, 1. uctaki V;1 girisinden kaynaklanan 4.
II, ---'2. 4 ·----V,,l uctaki V,.2 <;1k1§ma sahip fark yi.ikseltecin cahsrnasigosterilmistir, I. uctaki V;1 giri~i.
·'2 '
topraga gore kucuk sinusoidal bir gerilirndir, Emetor direnci, her iki ernetorc de
(a) bagh oldugundan, V;1'den dolayi olusan gerilim, ortak ernetor ucunda gortlnur. Top-
raga gore i.il<;ulen sinusoidal gerilim, devrenin, emetor izleyici islevinin sonucu ola-
rak V;1 ile aym fazda ve onun yans1 kadar olacaknr.
Devrenin, ernetor izleyici gibi davranan kisrru ~ekil 15.4c'de gosterilmistir, Dev-
renin gosterilen ernetor izleyici k1sm1 i9in Q,'in bazma uygulanan giri§, Q1'in eme-
-~~kil l~.2 Temclfot1(yuksel!eci:
M blok l(>lllu: (b) devre IC"'""· (b) ti:iriinde aym polaritede ve onun yans1 kadar goriinilr. Emetor izleyici devresinin ka-
zancm birden daha az oldugunu (polarite terslenmesi olmaks1zm) hattrlaym. Bu
emetor sinyali topraga gore ol9illmii~tiir. ~ekil 15.4d, devrenin, i;:ah~mas1 emettir ge-
Tek Glrisll Fark YOkselteci
riliminden ctkilenen Q2 transistor lasmin1 gtisterrnektedir. Q2'nin emcttiri.indeki ge-
ilk once, l. uca tek bit sinyalin uyguland1g1; 2. ucun ise (0 V'a) topraga bagl: ol- rilim, Qi transisti:iriiniinkiyle aymd1r(emetorler birbirine bagland1gmdan) ve bu· ge-
dugu bir fark yiikseltecinin calismasim ele alahm. Sekil 15.3'de l. uctaki V;1 giri~ . rilim Qi'nin emetori.iyle toprak arasmda veya Q2'nin baz1 arasmda goriinilr (topraga
bagh oldugu i9in). Eger Q2'nin emetoriinden bazma olt,iilcn gcrilim, gostcrildigi

696 Boliim 15.1 Temel Fark Yukselteci

Botiim 15 Dogrusal Entegre Devreler: ii;lemsel Yilkseltei;ler 697
 oldugunu gorebiliriz. Buna ek olarak, bu <;lkt§lar ters kutuplu fakat aym genliktedir.
Sonucta, (~ckil l5.5a'daki gibi) 3. uctaki s:dCJ.§, 1. uctaki girise gore ters kutuplu
~i~i, V;, giri§iyl.e aym f~da oldug~ taktirde, Q2'nin bazmdan emetorune ol<;Ulen ge-
iken, 4," uctaki i.1kl§in 1. w;taki giri§le ay111 kutuplu oldugunu gorebiliriz. Onceki bil-
rilirn, ters polantedc aym ~_inyal olur. Boylece Qfnin bazmdan emetorunc olyilldUgil
gilerimize dayanarak, burdan',2;'uca uygulanan bir.:,giri§in (1. uc topraklanrrus),
Zaman V;1 'in genliginin yariSI ciVartnda.btr gerilim elde edilir, ancak bu sinyal V. 'e
~ekil ,1S.5b'dc gosterilen ylki§ gerilimleri ilretecegisonucuc;ikar.
gore te'.~ ~~lari~ededir. Q2 tiarisistoriiniin yukseltrne ctkisi ve Rc2 yilk direnci, Q2·~1in
kollektorU iizerinde, Q2'nin baz-emetoru ·uzerinde bUyiiyen sinyalden yukseltilen vc
terslencn bir 91k1§ saglar,
i .
Fark yUkselteci devrelerinin 9ah§mas1 icin yalmzca tek girisin kullamlmasma el
I.•;,:,· olarakher iki girise de sinyal uygulamak miimkilndiir; bu durumda iki 91k1§ ucund.
ters polaritede yllo§lar gorunur, tki giri§ sinyalinin ters polaritede ve ayru genliku
... "' v., oldugu durumlarda genellikle yift uclu veya fark (diferansiyel) giri§ modu kullarulu
.J
Bu durum, ~ekil 15:6'da gosterilml§tir.
V 3

·..---·····-·· ·--, :i····

(a) i V,1 sinyall

r..£\:,.· -I 3 -·
-.::
r~-2 4---
I i
i,;l '\,,
I
-2 4 --J/
\ o,._ V.1.. ·v
\ \ J'-~
J..,,.
(b)

Baz-emetor arasma
uygulaµanyilkseltilmi~
(a)
;
'·
i r
.
+-l {b)

ve tersine ~vrilmi~ sinyal Re,

<,

'
~ ,i
/.-- \___ /
~-
~-
.~v
EmetOr
lzleylcl elldsl
/
R-t \ · ,:P-
Ayru gcrlllm bunda bezdan rI f\:_,,-1 J. "1

(1 V11l
l.
cmctOro 6l~Qlmilft0r (g6rilld0jil I
.1 11
- v.. . .L\:r gibi tam :at yOndo) ri..:;1-'· t ~1
H Emetordcn topraga 1 '

=: l '\ .\
(baza) 6l~Ulen genlim
I'
v.
I·.:. ~
--\., 1--
td) 'I
I
'
i
$,·k ii I :\.•I Fark yilksellecini111ck ~lu ?hJmas•. .,.__,.f .,! i",.:·. F,,rkhgh
' !-1ny:\Hcnylc ~ahjm.1

Ozer olarak, V;1 .giri§i, giri§ l 'e uygulamr ve 91kl§ ucu 4 ilzerinde biiyiiycn v" ile ~imdi her bir girisin 9ikt§lan nasrl etkiledigini ve olusacak 91k1~ sinyalinin nc-
aym fazda yiikseltilir. 2. ucraki glri§ jopraklanmq olmasma ragmen, 4. ucta y~kl§ benzeyecegini ele almamiz gerekir. Bunu, her bir giri§i, diger giri§ 0 V'tayken a)
olusur, Aslmda, 1. uctaki girisln, hem 3., hem de 4. ucta 91kt§ sinyaline nedcn olarak uygulamyor gibi dii§iiniip sonucta her bir ucta olusan gerilimitoplam:

698 BolOm 15.1. Temel Fark YOkseltecl BolOm 15 Dogrusal Entegre Devreler: i~lemsel Yiikseltec;ler 69
i

suretiyle, siiperpozisyon (iist iiste eklerne) ilkesini uygulayarak yapabiliriz. ~ekil
15.7a ve 15.7b lier bir gi~. tek basina var oldugu zamanki sonucu ve ~ekil 15.7c
gene! (toplam) yah§may1 gosterir, L uca uygulanan girl§, 3. ucta ters polaritede yiik-
seltilrnis bir 91k1§, 4. ucta ise aym ·pol;ritede 'yukseltilmis bir c;1k1§ olusturur, Bu-
radaki amacumz acrsmdan, giri§lerin C§it genlikte vc olusacak cikrslann V dcgcrine
gore esit genlikte oldugunu varsaym.
2. uca uygulanan girisin, ·4. ucta ters polaritcdc ytlkscltilmis bir c;1k1~ vc 3. uctu
ayru kutuplu yukseltilmis bir c;tla§ olusur, Girls genliklerinio aym oldugu var-
Tek ve yift uclu calisrna durumlannda, yal1§may1 tam bir perspektif icinde gorrnek
icin, ~ekil 15.9'daki iki fark yiikseltecinin baglanusuu ele alalmi. Yukanda an-
latdanlardan, yiikselteclerin ayru (ozde§) tek u<;lu kazanca sahip olrnasi halindc l.
katm y1k1§lanmn, girislerden yukseltecin kazanci' orarunda, buna karsihk 2. kat 91-
krsmm ise, 2. kata uygulanan girislcrden yUkseltey kazancmin iki kau orarunda
buyuk olacagrru biliyoruz. Ornegin radyo anteninden, fonograf toplama kar-
tusundan, vb. gelen ba~lang19 sinyali tek u<;lud.ur ve bu sekilde kullaruhr, Bununla
beraber, ikinci fark yukseltec kati, kat kazancrru ilciye 91karrnak icin iki-uclu olarak
yali§tJnlabilir. 2. katm 9ik1§lanndan birisi (veya her i~.i~i de), sistemin bir sonraki

'
sayildigmdan cikislann genlikleriV'olacaktrr, Her iki durumda da <;1k1§lann her iki bolumu icin yukseltilmis sinyaller uretir, Farkli girislerle cahsmada esit ve ters po·_
91kJ.§ ucunda ayru pclaritederolmasronemli bir noktadir, Superpozisyon yonteminde, laritede sinyaller gerekmesine ragmen bu. ozellikle rek 1.i'c; girisli kaun kazancmdun
her bir yu<1§ ucunda olup~ sinyaller toplamr ve ~ekil 15.7c'de gorulen devrenin sonra elde edilebilmektedir.
genel yah*mas1 elde edilmis olur. Herbir giri§ iyin c;da§lar aym polariteye sahip ol-
.i:

t
dugundan her bir uctaki 91k1§, tek uclu ~ah§tnada uretilen 91ki§larm iki kaudir. 'Uy-
gulanan girislerin aym polaritede olrnasi (veya her iki girls ucuna da aym girisin uy-
VJv Sadece ~ , 'djndolay1
·
gulanrnasi) halinde, her bir giri§ tek basma etkin oldugundan, tek basma calisan her
bir giristen kaynaklanan sinyaller, hez:.~ir y!kt§la ters polaritede; ve sonuctaki y1k1~ iJJ_v
V Sadece \'dcndolay,

k;,-j-~'.-~--v.,
Sekil 15.8'de gosterildigi gibi ideal olarak O V kadar olacakur.

----1~,
I ·3-,._-.
~
I
_J_

v '.i{ .
G
' t ... -

••. ·:~':J~·
V,
•2
t.,;J.. .- >
'I\ .
·'t \J
- 2~.,.,.

Sadcce v11·dendolay1

r:P-2 _ 4i i ~ Sadece I\ 'den dotny,

V,/J' Seki I t 5.X Ayn• fo'-<la ~in·

+ i
y:1\lcrle ¥-1l111l111.1s1.

(a) (b)

I
v,, ~ .

l
-5ckil 15.7 Yuselrecin fork!.- giri~·
krlc (ah1m:m; (a) V,"!:0: {b)Vi,~O;
(c) Her ild giri~ de ,,f,rdan farl:.h. BolOm 15 Dogrusal Entegre Devreler: i!ilemsel YOkselte4,ler 701
(c)
700 Bo!Om 15.1 Temel Fark YOkseltecl
 Fark yukselreclerinin temel ozelliklerini inceledik; §imdi de bazt devre aynnulanru . ·
ele alacagiz, Ozellikle, bir katur gerilim kazancim.ve giri§ ile ytk1§ ernpedanslanru
inceleyecegiz, ilk once, devre'.kavrmrjlatiniri tanittlrnast amaciyla aynk devre ttir-
lerini inceleyecegiz. Daha sonra fark' yUkselt~lerinin yC§itli kisimlannm IC tiplerini
ele alacagiz: ki bunlar, entegre devre §eklindeki islem yiikselteylerinde kullamlan
tipik devrclerdir. Aynk fark yukseltecinln temel devresi ~ekil 15. JO'da gos-
terilmistir. Giri§ sinyalleri, gene! durumdakaynak direncli gerilim kaynag1 gibi gos-
terilmistir, ·, . · · · 1
dogru gerilim kaynag1 ilc ileri yonde ongerilirnlenrnistir (bakrruz ~ekil 15.12a). De
gerilim ve akimlanru yozmck i9in bir dizi denklem yazmarmz gerekecektir. Bununla
beraber hesaplamalan daha dolaysiz kilmakiein yaklasik degerler kullanmak da
mi.imkiindiir. Omegin, Rs, kaynak ~i.renciniri<iizerindeki de .gerilim dii§i.imi.i, a§a·
gidaki hesaplarnada da gorlildiigii gibi, yok ki.iyiiktiir (mikroamper duzeyinde tipik
bir baz akirru oldugunu varsayarsak):
[o1Rs1 = (100 µA) (l ldl) = 100 mV = 0.1 V

,,,! Baz akmurun sadcce 10 µA.olmas1 durumunda Rs1 iizerindeki de gerilim di.i§iitnil, 10
!'' .'.Ycc,=:,t I2V m V olacaknr, ki bu da ihmal cdilebilir. Ote yandan 10 kQ'luk kaynak dircnci ile 100
;,A'lik baz akmu nedeniyle olusan l V'luk gerilim dii§i.imi.i ihmal edilebilir bir bu-
ytikli.ik degildir. Amactarmuz icin.igerilim d~§iimiini.in .kiiyi.ik oldugunu .kabulede-
XannaModel . r,ModeU
:;;,::J: :·. cegiz (genellikle dogrudur) ve dahasonraki hesaplarnalanrmzda boyle bir var-
42kR . R
c, 42k{l
h1, 90= fJ,. 90
sayimda bulunup bulunamayacag1m1:z.msaglamasm1 yapacagiz .
h,. .14.1 kn ,. •46n
I
~ -=250kn
h(N Vo1 ;;; 0 V kabul edersek,
2.
Voc =+12V
Oiri~ I

Rs, I kn Rs2 1 kn

Vs, '\.., IOmV Js2_;,/' IOmV

~ 1 -T
....+-.----,
/ .. ov
·Yu
~
. Rs2 .. 1 kO

~1..·I. ii I:=;: 11'} Temcl hark ylik.~l1a.·idcvrcsi.

Re
zo xn L.

\ VEe=-l2V
~t:I.. 1: l ~. I l lx,·1':mn de 6ngcrilim
Devrenin gerilim yiikselteci gibi yah§masm1 ele almadan once, devrenin nasil on- 'al11nda davraru~r.
gerilimlendigine bakahm. ~ekil 15.J l'de, devrenin ana de gcrilim vc ak.tm de-
gerlerini gosterir. Sadece kaynak direncleri iceren ac sinyal kaynaklan O V'a ayar- Bmetor gerilimi,
lanrmsnr. Qr 'in baz-emetor arasr, topraktan .baslayip, Rs, direncinden, baz-emetor Ve= VE1 = V01 • V0e1
(15.1)
jonksiyonundan ve -Vee'ye bagh R~ direncinden gecen akmun yardrmiyla VE/:
=0-0.7V=-0.7V

702 Bo I Om ·15.2 . Fark Yiikseltecl Devrelarl B610m 15 Dogrusal Entegre Devreler: iflemsel YOkselte~ler 703
 Sirndi /e1'i a§ag1daki gibi hesaplayarak V111 icin yapngirm» varsaynrun ne dcnli
dogru oldugunu kontrol edebiliriz:
Vcc=+!2V ., IE1
IBi---- (15.4)
htc + I

= 0.28 mA = 3.08 µA
90 + I
\ Ve1 = lo, Rs,= 3.08 µAx l kn= 3.q8 mV
..
Bu da dcvrenin diger gcrilim dtisilmlerine kiyasla ihrnal edilebilir. Seki! 15.12b'de,
devrenin ytla§ bolumilnun devre semasr gosterilmistir. Kollektor akimr, emetor aki-
mirun bulunmasryla elde edilebilir.

1(15.5)

=0.28 mA
(a} (b)
ve kollektor gerilimi

(15.6)

~d,cil 15.12 l'orlc yiikscltccidevresinden b61il111ler: (n) giri~ oolumu; (b) ~,k,~ bo!Umii. = 12 V - (0.28 mA) (42 kQ) = 0.24 V = OV

Fark Yukseltecl Devreslnln AC qa11,mas1

Bu dururnda RE direncinden gecen akrm:

Devrenin ac yalJ~mas1m incelemek icin butun de gerilim kaynaklanru sifrr olarak

IE= v6 - VEE (15.2)
RF. ahp transistorlerin yerine kucuk-sinyal ac e§deger devreleri koyacagiz. $ekil
15.13a, transistorlerin yerine karma e§deger dcvreleri konularak elde edilen ac q-
= -0.7 - (-12V}·=11.3 v = 0.565 mA deger devre yer almaktadir. Devrenin karmasik · gorilndiigti aciknr; dolayisiyla ti.im
20 kQ 20 kQ
devrenin analizi de kansrk olacakur. Burada da sadelestirrneye yardimci olacak bazi
yakla§tk degerler kullanarak hesaplan ayirmak mlimkiindiir; boylece devrenin kiiyiik
RE uzerinden akan akim, her bir transistorden gelen ernetor akimlarmm toplarrundan
olusur, Transistorler birbirine e§ sc'rildigi taktirde her bir transistorun emetor akirru
parcalan ayn ayn analiz edilebilir.
Re'den uzerindeki toplam akimm yansr olur.

le, = 1£2 = Is. (15.3)

2 ve

=~ mA = 0.2825 mA s 0.28 mA oldugunu varsayabiliriz,

2

704 Bolilm 15.2 Fark YOkseltecl Devrelerl

Boli.im 15 Dogrusal Entegre Devreleri lstemsel YOkselte9ler 705
 Rsi Bi
_.
'v h1 h,.
r
Vsl

l
-
hi, • flr.

..
R,, _'\,

1
I,,,

·~· '::"

(a)
'·'=·

(a)

- -
vol vol

(b)

(b)
t · -; , -L. i! r i .: Fark yUk.<;.eltccinin k.~1i ac C¥Jeg¢.rdevn:s~.
,.

~t.'f .. i1 1-=.. I_; Fark ytiksdlccinin ac c¥,1cicrdevrc:n: ta) kamt:t moUd; (b) r~ moddi. RE ve REz direnclerinin paralel c~degeri, apg1daki dcgere sahip esdeger ac di-
rencini, verir:
RE I IR,2 = R,1 RE - 56 x 20.000 - 55.8 n
';.1iF!i:;, UfaCJM() R,1 + RE 56 + 20.000

Qi_ transistorunun kisrni ac giri~ e§deger devresi ~ekiJ J5.14'de gosterilmlstir, Q2 Fark yukselteci devrelerinde genellikle Re. buyuk degerl~re sahip oldugundan,
transistorunun emetorunden balold1gmda, kilc;lik bir ac ~deger dircnci vardir ve
degeri, \ R£2>>Re2

R•2 _Rs+
-
h;.
(15.7) olmasi halinde paralel e§degerin, Sekil 15.14a'da gosterildig] gibi yaklasrk Ri:;2. de-
hi,+ 1 gcrinc sahip oldugunu varsayabiliriz. Sonuc;ta elde edilcn ac csdeger devreyi kul-
~ekil 15. lO'daki degcrler ic;in lanarak ac baz akirmrun degeri a§ag1daki gibi
..
hesaplanir: -~

R,2 = 1 kn + 4.1 m = 56 n Ih1 =

Vs, - Vs2 _ Vs, - Vsz (15.Sa)
-
90 + 1 Rs+ Ii;, + (ht,+ 1 )R 2(Rs + h;,)

706 BOlilm .15 Oogrusal Entegre Devreler: iilemsel YOkseltec;ler 707

· Boliim 15.2 FarkYilkseltecl Devreleri
Vd = Vs1 - Vs2'yi fark: giris gerilimi olarak tammlarsak: (;IKI$ DiRENCi
I,,.-
' - v., .
(l5.8b)
2(Rs + h;.) $ekil 15.14a'daki ac e§deger devreden hesaplanan yaklasik ~1k1§ direnci (hoe= 0
kabul edilmistir)
AC QIK1$ BOLOMO
(15.11)
<;1k1§ gcrilimi,

$ekil 15. lO'deki devre icin R0 = 42 k!l'dur.

seklinde yazilabilir, _<)RNf~K lS.J

(15.8b) denkleminde ifade edildigi gibi I,1 = l1J}1,1 ahrursa

Re1 = Re2 = 36kn, RE = 18k!l, h1• = =
/3 = 120, h;, = lOk.Q ve Rs1 1.2 Jill de-
gerleri icin $ekil 15.lO'daki fark ytikseltecinin fark kazanciru (A,,), giris direncini
Vn1- _ -hr,Re1 . V
- ,I
(R;) ve 9tki§ direncini (R0) hesaplayin.
2(Rs + h;,)

Devrenin ac fark ka,.:z~a~nc:::,:1 ~ ..... -----------. (iiziim:

A,-,v"l-1 ·
' -
·h,-.Rc ·,-1
VJ - - 2(Rs + h;,) - - 2(Rs + /3r,)
___/}_Re J (15.9)
I
AJ =12(~~ft:~;,) =I 20.;?~~6(1~0:103) I= 193
/3rc >> Rs oldugu t I.Ir e . . . i . ' 3
R; = 2h;, +Rs= 2(10 x 10 ) + 1.2 x. to = 21.2 kQ
-1• 2(/3r,)
A cl- - fJRe-1-1-
-- - -
2r,
R_c:I Ro =Re= 36 kn

$ekil 15.lO'daki devre degerlerini kullamrsak ORNEK 15.2

AJ = I- 2(1 90ill;+
x 42 kn I=
4.1 ill
370.6 Rs= 0 Q, RE= 10 kn. h1, = 80 ve Ve~ =.20 V, V££ = -20 V degerleri icin Seki!
15.JO'daki fark ylikseltecinin fark kazancirnn 250.olmasi icin gereken kollektor
sonucunu buluruz. direncinin (Re) degerini bulun.

GIRi$ DiRENCi

$eldl 15.14a'daki ac e§deger devreden, kaynaktan bakildtgmda gortllen devrenin fr= VE- Vu =12.J...Y.= 1.93 mA
giris direnci: RE 10 kQ

IE, =IE;= !.E. = 1.93 mA ::; 0.965 mA

2 2
(15.7) denklemindeki RC2 degeri yerine k?nulduktan sonra
r,=22.=_lL= 27 Q
le 0.965
R; = R;1 = Ri2 = 2/z;, +Rs= 2(/3r. + Rs)
=I f:I
(15.10)
AJ ifadesinden,
Sekil 15.lO'daki devre icin
R; = 2(4.I Jill);+- 1 kn= 9.2 k!l Re= 2r;.AiJ = 2(27)(250) = 13.5 kQ

708 .. Botom 15.2 Fark Yiikselteci Devrelerl Boliim 15 Dogrusal Entegre Devreler: i,1emsel YOkselte9ler 709
 ... ~ .. ~ Makul bir de emetor akmundan taviz venneksizin yuksek bir ac direnci elde et-
menin bir yolu, ~ekil 15.15'tcki gibi bir sabit-akun kaynagi kullanmakur, le degeri
sabit akim kaynagr devresiyle istenilen degere (-1, 10, 20 mA vb.) ayarlanabilir. Sa-
bit akim kaynagirun ac direnci ideal olarak sonsuzdur ve pratikte 100 kil' - I MQ
V;i = 0 V, V;2 = 5 mV rms, Rs1 = Rs2 = 0 n, Re= 24 ill ve r., = r.i = 90 fl de- arasmda degi~ir. ·· :'
Vee • ·ir··, , .,
gerlcri iyin ~ekil 15.lO'daki devrenin V02 ytkl~ gerilimi ne olur?

(iiziim:
Ad= 1-Jkl
2r,
= ·71 x 1031
1
2(90)
= 133.3
! .:
iir'. Re,
. i .
Vn = AJVd = At1(¥,;1 '--V,2) = 133.3(0 - 5 mV) = -0.67 mis ,~,l +.:
'°'\
·1 s.3 SABiT AKIM I<,\ YNAGI. j ' •·
···.or"'.,

Sabil J\krm l<aynakh

Fark Yukselteci Devresi

Bir onceki devre incelemesinde dikkat edilmesi gerekcn onemli bir nokta,
R,2 << Re olmasi halinde RE degerinin \:Ok biiyillc- ve ihmal edilebilir olmassdir. As- ~ckil 1.'>.15 Sal>i1 ukun kaynakh
fark yuk.schc<:i.
lmda, Re degeri ne kadar biiyiikse, bir farlc yilkselteci devresinin bazi ozellikleri de o
kadar iyi olur. Re'nin ~ok biiyiik, olmasmm ternelnedeni, 15.3. Boliimde aynnula- iyi tasarlanmis fork yukselteclerin yapisi icin iiiiliit'ahm
kaynaguun kullamrru kri-
. . . ··.•.··-rJ' ,.
nyla incelenecek olan ve ortak i~reti basurma adi verilcn bir devre faktoriidur. tik bir onem tasir, Devrenin aynk elemanlardan ·oiu~ri:iu~ tiplerinde ve hatta entegre
De ongerilim hesaplan, emetii((~e dolayisryla kollektor) akmurun kismen, RE devrelerde durum budur. A~ag1da, her iki 'tip sa9~J~ii:(kaynag1 icin bazi ornekler
degeriyle belirlendigi gosterrnekt~ir'.. Omegin VEt::= - 20 V gibi sabit bir negarif ge- verecegiz,
- . . . ~h.J:..JJ_) .

rilim kaynagi olmasi durumunda l O ill'luk bir RE degeri, emetor dire~ akmuru asa-
g1daki oranda sirnrlayacaknr: Ayrtk Sabit Akim Kaynag1
·- ·.;,.', ·:.. '
fr=lli= 20V =2mA
I RE ''·'10 kn
Direnc kullamlan bir sabit aktm kaynagi ~elal . .f-?.16'da gosrerilmistir. Istenen
/ sabit aknn, le kollektor aknndir ve R,, R2, RE direncleri ve VEE kaynagiyla ayarlamr.
Tercihen RE = 100 ill gibi daha bilyiik bir degcr kullarulmasi halinde emctor di~ Sabir akim kaynagr ne kadar iyi ~ah~1rsa, le de bagk bulundugu devreden o kadar az
rencinden gcyen de akmunm degeri ~oyle olacakUr: ctkilenecektir,

IE= fu = ..lQ...Y_ = 0.2 mA = 200 µA

~tfi
RE 100 ill V8 .,~-~-h ....
) ,: • '., r'

.-----.-~-.i QI.
ve RE= 1 Mn gibi \:Ok daha biiyilk bir deger kullamhrsa:
VE
IE = .l.fJ.}:L = 20 µA
IMO ·~
Goruleceg! uzere, kullanrlan RE degeri bilyii<iilkye, translsrcrun uygun ~ah§mas1 iyin
de emetor akirm yok dii§mektedir, \:ilnkii her iki transistorun emetor ve kollektor
akirm, zaten 9ok kiiyilk olan crnetor akimnun yansi kadardir. -V~ .. ~ekil 15.16 Aynksabit akun koyoajj,

B610m 15.3 SabltAlum t<avneot· BoJilm 15 -Dogrusal Entegre Devreler: i§lemsel YOkselt~ler
710
 De ongerilirn akirm le ~ag1daki gibi hesaplanir (li1,RE>> R2 varsayilrmsnr):

Vs= Rr VEE (15.12) ve 91kl§ empedansi, .

R, +·R2
(15.13) Ro =_L(1
h,,,
+
RE+
hr. Re
i1;, + R, I IR2
)

ve IE= VE - VE;E - le (15.14)

'~ ,' ,i)( RE \
= lOOkn(I + l00(2ill) )=4.06Mn
Boylece, daha once dil§iiniildµgu, gibi, bir fark yiikselteci devresinin diger ki- 2 kn + o.5 kn + 5· 1 kn
simlannda kullamlrnak uzere, bir kollektor veya sabit akirn uretilmis olur. :,, :•· 2 . . .
Sabir akirn kaynagmm ac sinyaUeriyle 9ab§mas1mn ne oranda iyi oldugunu be-
lirleme konusunda onernli bir ozellik, ac 91k1§ empedansrdir, ideal olarak, ac 91ki§ "! , J. : '

empedansi sonsuzdur, ~ekil 15.16'daki devre icin, gercek 91k1§ ernpedansr, ~ekil
15.17'deki ac esdeger devre kullarularak bulunabilir. Bu ac esdeger devre~e 91k1§
empedansi §U denklern yardtrmyla hesaplanabilir:
-~. \

Ro= ~1,+ ·h,;RE )

11,,:·l ~:~RE+ h;. + e, I IR2 (15.15)

5.1 kfl
Bu deger ne kadar biiyiik olursa, sabit akimkaynagi olarak dcvrenin cahsmasi da o
kadar iyi nlu r.
I ~ekil 15.IH Omek 15.4'c air
~;1hit .rkun k:1ynu£:1.
-20V

I Zenerli Sabi! Akim Kaynag1

h,,.
-Ro
$ekil 15.19'da gi:iriildiigii gibi R2 direnc.inin yerine Zener diyot konulacak olursa
Sekil 15.16'dakinden daha iyi bir sabit akim kifnag1 elde edilir. Zener diyot, akmu
sabit tutar ve akimm degeri; · · · .· ·
. ·,
~~~ii I~. I 7 Sabi! nkuuh hir (15.16)
dcvrcnin ac c~ei!,trl
ORNEI<. lS.4
Ve= Vs· 0.7 V (15.17)
~ckil 15.18'deki dcvrcdc sabit ukun ve \=•kl~ dircnci degerlerini bulun.
lc:h= VE- VEE= Vs-0.1 V - Vu
5·1 ill RE RE
Vo= R, VEE= (·20)=-lOV
R, +R2 s.: kn+ 5.1 kn = Vz+ 0.7 V · (15.18)
VE= VB· 0.7 V::: -10 V- 0.7 V = -10.7 V RE
VE- VEE= -10.7 V - (-20 V) = 9.3 V (15: ~8)_ denklemi, Zener diyot kullanmarun sonucunda, degeri sadece Zener diyot
RE 2 ill 2 ill gerilirni Vz ve emetor direnci Re'ye bagh sabit bir akrrn elde edilir.

= 4.65 mA = I
Boliim 15 Oogrusal Entegre Oevreler: i~lemsel YOkselteyler 713
712 Bolilm 15.3 Sabit Akim Kaynag1
 Di.i§iik akirn degerleri icin ~ekil 15.21a'da gosterile11 "akim aynast devresi, oldukca
rarunrms bir devrcdir. QI transistoru, Q2 transi~toriinun. sabit s;1k1§ akrrnmda s:a·
h§tmhnas1 is:in sicakhk dengelemesi sagfayan diyot bagh_ bir transistordur. iki tran-
' ;; sister birbiriyle C§ secilirse (ki elemanlar ayru yonga ilzerinde birbirine cok yakm
+ yerle§firjldigi zaman tipik durum budur) 1,1kl§ ak[nu, ~1k akim kaynagina baglanan
Vz devreden), ·•;.b~g1ms1z olarak, Vee kaynag1 veR
' . tarafmdan
. direnci ,•
belirlenen sabit de-.
.
gerde kalacaknr, ~ekil 15.2lb'deki devrede, akirn kaynagmdan daha yuksek s:1kt§
empeda~sliin elde etmek icin s:ila§a seri bi; Q3 tr~sistoril konulrnustur. Akim kay-
nagmm. empedansi
.. . . ne .
kadar bUyilkse,
. . . s:ah§mas1,da
devre~in \
o kadar ideal olacaktir.
~ek.W15.21a'daki devre icin girl§ akimi §U dege~e ayarlamr:
' '
Vee - VoE ' .,
/8;,= -le+.2/o (15.19)
~e~.il 1~ .. !r., 1'.,11 .• , ••},111•111mh R
JFET'li sabit akun k•y11aj1.

'.jd ii 15. I 'I Zener diyot lwllomlan 5'll>it okinul.ivro.ti.

Q1 ve Q2 transistorlerinin birbirine C§ ses;ildigi varsayihrsa, biiyilk {3 degerleri du-
rumunda s:lkl§, 8§ag1daki degerde sabit tutulur: ' , .. ·. .
JFET'li Sabit Ak11n Kaynag1

JFET veya kanal ayarlamah MOSFET mukemmel bir sabit akim kaynag1 saglar. : lc=fl'lo=l
. · ..·2lo=f
. g~r · ·
-. f)~CJi.' .t (15.20)
PET elemanmm VGS = O V olacak ~kilde ongerilimleemesi halinde sabit akim,
~ekil 15.21b'deki dcvrc icin girl§ akirm, ·
FET'in loss akmuna ayarlamr. ~ekil 15.20, sabit ak.im kaynag1 devresinin nc kadar ;. )_ .:-~

basil olabilecegini gosterir,

/gi, = Vee -2Voi; = le+ In {15.21)
R '
ENTEGRE DEVRELi (IC) AKIM KAYNAKLARI: ,·· \il>ll\
ve Q 1, Q2• Q3 e§ transistorler iyin ',lkl§ akmu

Ornegirnizdeki akim kaynag1, en popiiler IC'li devre diizenlemcsidir. ~kil 15.2L

(15.22)
IC'li akim kaynaklarmm olusturulmasi is:in kullarulan bazi temcl formlan gos·
termektcdir.
Bcylece ',lkl§ akmu, Vee gerilimi, R direnci ve ~ansistorlerin baz emetor arasi ge-
+Vee +Vee rilim dil§iimiiyle belirlenir. 1
i' +
I

i i
------
; I
i
10111
R
VIE
/(,»(
Iola
R
IC Devre Telmikleri ,
>'?' ·:.·
Tek bir IC yongasi uzerine bir · islemsel yilkselt~il\C§itli kls~lar1m yerlestirilmesi,
Q, bir dizi dcvre tekniginin kullarul~asuu .gerektirir; b~ tekniklerde istenen i§l~vi saglamak
icin yogunlukla transistor elemanlan k'tlllambr ve direnc sayisi ve degerleri dii§iik tu-
tulur. Kondansatorlerin sayss; kadar degerleri-de dii§iik tutulur. Gene! IC devresinin daha
·.,,:.·. iyi anlasrlrnasi acrsmdan ~ag1da temel devre parcalan anlanlrrusur,
·' ,,
IC GERiLiM KAYNAKLARI (ONC3ERiL.iM~QEVRELERi)
~~kil 1~.21 I<' Sahit aktm kay·
10,ll:01>: (ol :il<;•k •k1m dejlerkri

(a) (b)
:,.,., '"' yllk<ek @irit cmpedan,h Bir cntegre devrede ongcrilirn ya 'iia referans gerilimi gerektigi zaman, ~ckil
s.ihit akun kaynag1.

714 B{IIOm 15.3 Sablt Alum Kaynag1 BolOm '15 . Dogrusal Entegre Devreler: i§lemsel Yukselte~ler 715
15.22'deki gibi baglant1lar kullarulabilir. ~ekil 15.22a'da, sabit gerilim saglayan
Zener diyodu iizerlnden sabit bi~ ongerili~ aklm1 saglamak amaciyla kullarulan bir
JFET verilrnistir. Daha sonra dlren~ge~iiim btiliidi, Zener diyodunun gerilimini is-
tenen ongerilim degerine (VONGERILIM) dii~iitiir; bu ongerilirn, i§lemsel yukseltcc
devresinin diger kisimlannda kullaruhr. ~ekil 15.22b'de, ongerilimi belli bir sicakhk
arahginda sabit tutmak amaciyla sicaklik dengelemesi (kompanzasyonu) saglamak
t---~
icin Zener diyoduna seri bir iki-kutuplu tran~stor eklerirnistir. iki-kutuplu tran-
sistortm baz-emetor arasi gerilim dii§iimii, Zener diyodunkiyle ters orantih olarak
degi§ir; boylece ongerilimin degeri,' sicakhk degi§tigi zarnan bile korunmus olur. +G~
Aym IC yongasi iizeriride birbirine yakm konumda yerlestirildigi icin, hem Zener +G~
diyodun hem d~ iki kutuplu translstoriin birbirini izlemesi iyi bir duzeydedir.
+Vee

d-1
01
·, l··
(a)
-!-
(b)

+VO'..'
R1

VONOll
-r
.R2 ~:

- (a) ,
""J'.'.
, ·rM" -
(b)

~ck.ii I ).:!2 De Of1;,,>cnl;m veyn rcfcran~ gcriliminiu gcli~lirilmc~i: {a) temel ongerilim devresi:
lh) ,11.'.akl,k den!!l!kR11:li ongeri~im devrexi.

SABiT AKIM YUKLO FARK

YOKSEL TECi KATI
+~
Fark yukseltec katlarmm IC'ler iizerinde' nasil kuruldugunun anlasilmasma yar-
dimer olmak acisindan Sekil. 15.23a'da sabit akrm kaynakh bir temel kat, ~ekil
15.23b'de ise daha biiyiik etkili Re degerled ve dolayrsiyla daha biiyiik kat gerilim
kazanci saglamak icin yiik direncinin yerine konan pnp akim kaynag: yukleri gos-
terilmistir. Daha biiyiik kazanc istenirse, 5ekil 15.23c'deki geli~tirilmi§ devre kul-
larulabilir, llave dircnc ve transistorler, tek kat icin daha biiyiik etkili yiik ernpedansr
(c)
ve daha biiyiikbir gerilim kazanct saglar,
~ck ii 15.:'3 Si1\'ll!1rik. S:ibi1.nl...11n kaynnktaruun kullamkh"Le fork yu"·•lrec·
,.-...... · IC bi,ymu.
mm - ·
Bolilm 15.3 Sablt Akim Kaynag1
716 BolOm 15 Dogrusal Entegre Devreler: i!11emse1 Yilkseltec;ler 717
 15.4 ORTAK i!_?ARETiN BASTIRILMASI
DUZEY KAYDIRMA

Giris ve c;1k1§ kau arasmda arabaglanu veya kondansator baglamamn getirdig] ki- :~rk.yO~selt~~inin en onemli o~llikl~ri~~~~~1\i, b11Z1_.istenmeyen gerilim sinyal tiir-
sitlarnalar olmaksizm katlan birbirine baglamak icin, birgerillrn dilzeyi kayduma nm tiplerini basnrma veyag1denneyeteneg111r. Bu istenmeyen sinyallerc "gilriiltU''
devrcsi kullanmak gerekir. $ekil 1S.24'te, giris ve c;ik.1§ arasmda de duzey kaydrrma +Yee
saglay~ birkac; tipik devre verilmistir. $ekil 1S.24a'da, RI direneinin belirledigi c;1·
kl§ln ve Cti transistora ilzerinde belirlenen aktmm d~ilk de dilzeyi dismda, c;1k1§ gc-
rilimi girl§ gerilimini izleyecektir. $ekil 15.24b'deki devrede giri§ ve c;1k.t§ ara-
smdaki gerilim dii§ilmii, ternelde Zener diyot geriµmi (vc Q1 transistorunun baz-
emetorarasi gerilim dii§ilmil dcgeri) ile belirlenir, ·. ·· · · -,-.,

+Vee ...... 1 ... ,Olitf

01 VONaa
Olllf

RE

-Vu
(a) (b) (c)

+I'«· +Yee
VOfloR

'.(b)
·~c~,/1 l.'-.~-1 Dll{~Y kaychnna<!"vrc-
ter]: (a) dm:n,;h:rle dilz.:y kayd_1nna:
.. (h)-Z,,nc:r diyoclo dOzey lu>ydmh,., (23

QIKI$ KATI
'}f. a. Clbt
<;1ki§ katlan; girisler istenen c;d.a~ gerilim degerine ytiksellildikten sonra, yiikil sil-
rebilecek bir, sinyal saglamak ic;in k~llambr. $ekil is.is
bazs c;lk1§ kau devrelerini \
gosterir. $e}9l 1S.2Sa'da· v~rilen devre, sadece klasik bir ernetor "izieylcidir; ~e~il
1S.2Sb'de ise, IC yongasmm ktic;ilk bir parcasrru kullanarak bilyilk Re degeri sag·
lamak ic;in, Re yerine akim k~y~agmm konuldugunu gost~rTr .. $ekil l 5.2Sc'deki c;1kt§ ·} .. Glrif
devresi, c;1lo§m atom akrtmasi 've c;ekmesini saglayan, diyot uzerinden ongerilim-' · t '12
lenmis sUrilciiyilic;crir. ~ekil 15.2Sd'de transistor ongerilimi kullanan tam bir c;:1k1~
siirticilsU verilrnistir. Son olarak ~ekil _ 15.2Se'de verilen devre, $ekil 1S.25c'deki
devreniri, c;tkt§a kisa devre korurnasi eklenen degi§ik bir duzenlemesidir.

,- Solum 15.3 S11blt Akim Kaynag1 DDMim 15 Dogruaal Entegre Oevreler: i,1emsel YOksette~ler 719
718
 . . ,.. ~ .. l. ucran
..- 2 . uca
• o··1 i;:u··1 en gerilim
· · • farkgerilimi
· · ." olarak d usunu
.... ··1 e bili
1 ir.

adi verilir ve toprak veya sinyalhatla;nnda!Q·ka<;ak manyctik alanlann yarattiklan

gerilimler veya gerilim kaynagmdaki gerilim dalgalanrnalan olarak ortaya cikabilir.
Burada onemli olan, gurtiltti sinyallerinin, f~rk yukscltecinde yilkseltilmesi istenen
.__v_d_=_v_;1_-_v_-;2 _ ....J[ (15.23)

sinyaller olrnatnasrdtr- Bu yiikselte<;lerin ayirt edici bir ozellig], giiriiltil sinyalinin ideal durumda oldugu gibi V;, = . v;2 ise !:·
devrenin her iki girisinde de e§it olarak goriinmesidir.
Ayru polarirede veya her iki giris ucunda da ortak olarak ortaya <;ikan her is- v, = V;1 - (- V;1) = 2V;1 =. -2Vi2
tenmeyen sinyalin (giiriiltilniin),_ (ark yiikseltech\in <;tkt§mda buyuk ol<;iide bas-
nnlacagim soyleyebiliriz. Yukseltilecek olan sinyal, ya sadece bir giri§te ya da gi- ~e~el olarak giris sinyallerinin ortak bile§enle;/~1~~ilir. Ortak bir gi . . • daki
gibi tammlayabiliriz: · · . rt§t a§ag1 , 1
rislerin her ik.isinde birden ters polaritede goriinecektir. Burada cevap arayacagmuz ,------_;:'.:.;;':::',q
soru sudur. istenmeyen giiriiltti ortaya <;tktJgt taktirde yukseltec bu gi.iriiltiiyil ne ol- , ";,\,, :·1:1

cude basuracaknr? Her iki giristeki ortak sinyalin bastmlmasma yiikseltecin ortak Ve= i(V;, + Vii), ·;:?1 (15.24)
isaret hastirmasr denilir ve ortak isareii basnrma oram (CMRR) olarak arulan sayisal
• . . . l,
Ideal durumda (sekil 15.26b'de gosterilen)' V-,1 -- '·v·';2:'our
-1 ve
bir degerle ifade edilir.
~ekil 15.26a'da, iki girls sinyallibir y.iikseltei;; gosterilmistir. Gene! olarak, bu sin-
Ve= } (V;, + Vi2) = V)t~!\;;~
yallerin ram olarak ters ve aynt~ol;u:itede bile§enler i<;erdigi dii§iini.ilebilir. ide~l ca-
h§mada, sinyallerin ters polantciii·,,bile§enleri .icin yiiksek kazanc ve aym po- ~15.23) ve (15.24) denk.Iemlerinden, Ve veVd'y~i~~~i olarak v. v _ · · • .
ifadeleri elde edebiliriz: - _g,. •1 e V,2 icm a~ag1dak1
laritedeki bilesenleri icin srfir kazanc saglayan bir Iark yi.ikselteci arzu edilir.

(15.25a)

- v,,, V;, = Ve- V,1 -

.
Bu durumda <;tkt§ gerilimleri lioyle ifade edilebilir:
2 (15.25b)

Vo1 =A, V;, +Az V;z (15.26a)

V,,.,- = A2 V;1 +A1 V-'2 ( 15.26b)

Burada A1 = giris ucu l'den i;:tl<t§ ucu 3'e negatif gerilim kazancidir (giri§ ucu 2 top-
raklannus).
A2 = giri§ ucu 2'den i;;ik111 ucu 3'e pozitif gerilim kazancidrr (girl§ ucu l top-
raklanm t§). · ·
Yiikseltecin
.. k"" b d - . fark ve ortak · ~a tr · .
. Iy r::, i i;:a t§masm1n dikkate almmasi daha onemlidir
1
cun u u, . evrerun o~ak i_§areu ne ol<;ilde basuracagiru belirler. Yukseltecin a~
l'.§~~sm1~ mcelcnmesmdek1 bu ikinci yol, a5ag1daki gibi ifade eclilen bi ik . i;:
rilimi venr: , tr i;: I§ ge-

(15.27a)

(15.27b)

Bo!Om 15 Dogrusal Entegre Devreler: i~lemsel YOkselte9ler 721

Bo!Om 15.4 Ortak i§areti aasnrme
720
 Ortak i~areti Bastirrna Oram
Burada A, = yiikseltecin fark isaretli kazanci :=··

Ac = yiikseltecin ortak isaretli kazanci

·. :: ·i ,:.· . . ",i ···; Yukandaki 9oztimler, fark yukselteci devrelerinde A,1 ve Ac'nin nasil ol-
. ? •• ,, ~illebileccgini gostermektedir, t .
v11 ve Ve sirayla (15.23) ve (15.24) denklemlerde tammlanrmsur,

. .
'·•·'I
. 1, A/yi ofrmek ifin: =
vd 1 v ve Ve= 0 v olacak §ekilde v,I =
-V;2 = V., = .0.5 v

'TERS POLARiTELi GiRi$1:.ER · secin. Bu kosullar alunda 91.ki§ ·gerilimi Ad x (1 V) ve 91kl§ ge-
rilimi de A,/ye esitrir,
Girisler birbirine e~itve'ter.s_'polatitede ise, V;I = v, ve V;2 = -V,., (15:23) denk-
2,A/yi olrmek icin: vd = 0 V ve_Yc = 1 V olacaksekilde V;,·= V;2 = v., = 1. V secin,
leminden ·. ' -:l.i:,:., I'" . · · Bu durumda "o19iilen 91k1§ gerilimi Ac'ye esit olur.

Vd=V,, I -V;2=V,-(-Vs)=2V, ~ .:~i ~

•.. ;1J1;;;;;};; .. . : . YUkseltey icin Ad vc Ac ol9Uldi.ikten sonra a§ag1daki §Ckilde tanimlanan bir ortak
isareti basurma oram (CMRR)bnlabiliriz:

I '. t j·',
ve (15.24) denkleminden

Ve= t (V;1 + V;~) = f [V,, + (-V.,)] = O C~RR ~ (15.28a)

CMMR'nin degcri logaritmik olarakda ifade.edilebilir:

ifadeleri elde edilir. boylece'(15~2c7a) denkleminden, ·

V01 = A;~~ -'.j) A~Vc = Ad (2V,)·+Ac (0) CMRR (log) = 20 log. A,1
A,;
(15.28b)

V01 =2AdV,
., ;j;i)::.- lsteniten ~al1~mamn, yok btiyi.ik Ad ve s:ok 19i9tik A/ye sahip olacagi acikur, Yani
bu da sadece fark isaretli · <;hli~,i' oldugunu (ve · to plain kazancm A;, degerinin iki
ters polari!edeki sinyaller <;tla§ ucunda btiyiik 0~!19'1,Ytikseltilmi§ olarak gorunilrken,
aym polaritedeki sinyaller 9ogunlukla bastmla~ ve dolayisryla ortak isaret kazanci
kau oidugunu) gosterir, ,_. ;, )J;:,,., · · · · ; '· ·. · ·· .. ·.· . · . . ••.
·. ·1·, .A~:··~~I. :· A,., ~ok ku9Uk olacaktir, ideal olarak, Ad ~ok btiyiik ve Ac sifirdir, boylece CMMR de-
· ·;.i =· ·.frfr.~.,-. · geri sonsuz olur. CMRR ne kadar biiytikse, devrcnin tzrtak
i§arCti bastirmasi da O kadar
.,:,. iyi olacaknr, · ·
AYNI POLARiTELi GiRi$LER
; ·. .: ;\·:·,:n1 :~"--'L:. <;1kl§ gerilimi i~in a§ag1daki ifadeyi elde etmek mtimktindtir:

/ Eger girisler birbirine C§itNe..:.ay,n.1 polaritede, yani; _v;1 = v,, = V;2 ise, (15.23) . t:·· ,.Ve )
V,.1 = Ad Vd ( l +---- (15.29)
denklemlnden ... J ,_;511. · . CMRR Vd
V,,:::; V, - V;
·T r't :lo·'I - .2
= \1 1- V., = 0
' Girislerde gerilimin hem Ve hem de Vd bile§ehJ~ri bulunsa bile, (l/CMRR)(VJVd)
. . . . ' •• ~ -· 111: -~. . .... ·.: . degeri yOk kil<;ilk olacaktir, 9ilnkii CMRR yOk biiyiiktilr ve yllCI§ gerilimi yakla§i.k
ve (15.24) denklerninden
• . : ' '. ,\1.:
: ... .,1,
olarak AdVd olacaknr, Baska bir deyisle s:iki§, ncredeyse tamamen fark sinyalinden
Ve= f(#;{f Vil)= f (V., +V.,) = Vs gelecek ve ortak i§aret giri§ sinyalleri basunlacaknr. Bazi pratik ornekler bu bil-
'
•I gilcrin netlesmesine yardrmcr olacakur,
boylece (15.27a) denkleminden,
<)F.i~EK 15.5
V01 = AdVd. + A,.Vr =. Ad (0) + AcV,
: -AV
- c ~-f,.,· =
V;1 = 150 ;tV ve V;2 100 µV giri§ gerilimleri icin fark yiikseltecinin s;ikl§ ge-
rilimini bulun. Yukseltec, Ad =
lOOO'lik bir fark i§arel kazancma sahiptir ve
.~ .' •. ' ." CMRR degeri §Oyledir: (a) 100; (b) 105.

86f0m.15, _f>o6ru .. 1 Entegre Devreler: i9lemsel YOkselt~ler 723

722
 Vt1 = V;1 - V;2 = (150 - 100) µV= 50 µV
Ve= 1. (V;, + V;2) - (150 + IOO)µV = 125 µV
2 2
Re Re
Ortak sinyalin, fark siny~linden iki kat daha biiyiik olduguna dikkat edin, Sill Skn

(a) vi> . = Ad VJ (1 + _1_

CMRR Vi1
,Y£.) = Ai1 Vt1(1
.
+ _1_ x
100
ill.)::
50
A11 v,, ( 1.025)
= (1000) (50 µV-) (1.025) = 51.25 mV

<;Ila~. 50 µVluk fark sinyali 9tla~mdan yalruzca 0.025 pV ya da diger deyimle 'E .rE
%2.5 daha biiyiiktiir. son son

(b) V" = A,1 V,1 {t + _1_ 125;)= At1 V,1 (1.000025) = 100 x 50 µV = 50 mV RE
10 50 5 . •
IOkn

Ornek 15.5'den, CMRR degeri ·.ne kadar yiiksekse, devrenin ortak gm~ sin-
-VEE
yallerini o kadar iyi basnracagim gorebiliriz, Dolayisryla, fark yiikselte9lerinde dik- (b)
kate ahnmasi gereken onemli faktorlerden birisi de devrenin ortak isareti bastrrma
-;_,1,
· Ii 1,· ·-'7 Fark ,u
""k se.." ~ Ien· uzenn
• · de f ark ve 0<1ak-i~aret kazan~ ifadelerinin g6sterilmesi.
orarudir.
~ekil 15.2Tde ozetlendigi gibi, herhangi bir giris ve 9tla!? ucu arasmdaki fark ka-
zanci:
{>RNEK 15.6
_fk_
I At1!- hr. Re .
2h;, + 2(h1, + 1 ){:
:£
2(r, +rE)
(15.30)

I
u
~ckil l5.27'deki dcvrelerin fark ve ortak isaret kazanclanyla ilgili CMRR de-
gcrlerini hcsaplaym:
Burada giris ve 91k1~ arasmdaki polarite ili§.kisi, hangi uclartn kullaruldigma bag- I
(,:iiziirn:
hdir .
. Ortak isaret kazanci aynca, emetor direncli bir devre kullarnlarak a~ag1daki gibi 1i. ~ekil 15.27a iyin,
hesaplanabilir:

I A,1 hreRc _ 100(5k!l) =38_17

II
(15.31) 2[h;, + (ly, + I )rE] 2[1.5 kQ + 101 (50 Q) .

veya R0 ~1k1~ direncine sahip sabit akimkaynakh bir devre icin:

Ac = !if:_= S ill = 0.25
2RE 2(10 kQ)
1 CMRR = AJ = 38.17 = 152.68(=43.68 dB)
A - Bs: {15.32) l Ac 0.25 .
c r: 2R,, li
Bolilm 15.4 Ortak l!Jaretl aasnrma BolOm 15 Dooro1sal Entegre Devreler: i,1emsel Yiikselte~ler 725
724
 '5ckil 15.27b'dcki devrc icin, Ad= 38.17 ('5ekil 15.27a'daki gibi) (15.15) denk- R direnci iizerindcn aym giris ucuna geribeslenir. Arn giri§ ucu topraga baghdir.
lemini kullanarak R,,'yu hesaplarsak ~fmdi, devrcnin toplam kazanciru (VJV1) i bulmak istersek islernsel yukseltec bi-
riminin bazi aynnulanm incclememizgerekir.
R,, = 80 kil(lOI) = 8.08 Mil ~ekil 15.29'da, islernsel yukseltecyerine, R; giris direncli ve c;:1k1§ gerilim kay-
nakh ve kaynak ii; direncini iceren C§deger devre konulrnustur, ~ekil 15.29c'de go-
boylece Ac Ac=..&;__=:; S kil 3.09 x 10·4
riildiigii gibi ideal islemsel yiikselte9, sons~z giri§ direncinc (R; = 00~, stfir i;:1k1§ di-
2R.. 2(8.08 Mil)
rencine (R0 =
0) ve sonsuz gerilim _.kaza~cma (A,. = 00) sahiptir, Ideal yukseltec
Ardmdan da CMRR'yi hesaplayabiliriz; baglanus1 ~ekil !5.29d'de tekrar 9izilmi§tir.j
l
CMRR=.&i. 38.17 = 1.24x 105(::101.9 dB)

1.
Ac 3.09 x .10-4

.
15.5 i~LEMSEL YUKSEL TECiN TEMELLERi Yi-""'· +'\j.r'lil.?l\t.-+--- ~~-#\l'lfto-~+--!--~
R1 R~
"1,-Yllb. Y,
Islcmsel yiikseltec, kararh bir gerilim kazanc: saglamak ii;;in gerilim geribeslemesi
+
kullanan cok yiiksek kazanch bir fark yiikscltccidir. Kullarnlan yiikscltec, csasinda
yiiksek giri§ ernpedansi ve di.i§iik c;lk1§ empedansr ile yiiksek acrk cevrim kazancma
(geribeslcme sinyalinin olmadig: durum) sahip bir fark yiikscltccidir. Islemsel yuk-
(a) (b)
seltecin tipik kullamm alanlan arasinda i:ilc;ek degi§tirme; toplama ve integral alma
gibi analog bilgisayar islemleri ve yC§itli faz kaydirma, osilator ve enstrtimetasyon
devreleri saydabilir. ....A
R1
...,....... ........
.I
iki girisli, tek c;lki§h bir i~lemsel yiiks~ltei;;, ~ekil 15.28'de gosterilmistir, Fark R1 Rt

yi.ikseltecindeki girislerin c;:1k1§1 nasrl etkiledigini hatJrlaym. Burada girisler, ters-

v, --.Y:a
\ ~o
v.. f v.
R1
Y1 -v Y, }\1 -A.Y, =

l
1
lemeyen ve tersleyen girisleri gi:istermek icin strasryla artt (+) vc eksi (-) ilc isa- v, R,""• '\, -A.Y,

J T
retlcnmistir. Aru girisine uygulanan sinyal, c;lk1§ta aym polaritede ve yukscltilmis
I t
olarak gordndrken, eksi (-) ucuna uygulanan giris, ylkl§ta yukseltilmis ancak ters-
Ien1mi§ olarak gorulecektir,
. I i l,
,.....-_.-T·

I (c) (d)
»>
---·
Tersleyengiri~ --- :-;,.~; I I ).~•!I ·lemscl yokscllecin bir oJ.;ck <k:gi\liricl olarak f>h1111:1S1: (al 1en>1:l ha~l:mnsi (>:ibit kaw,~h 9a11,m:i
'dcvn,,;i): (b) /~lemsel yUkselt~ devre:<inin ctkisi: (c) ideal itlcmsel yUk.<ch~: (d) Klcal ej<lctcr clcvrc.
i ,
~.-Yliks. ---c;:~
Superpozisyon yontemini kullanarak, V;' gerilimini kaynakJardan gelecek olan bi-
Terslcmeyengiri~ --- +
lesenleri cinsinden bulabiliriz. Sadcce V1 kaynag; durumunda (-A,.V; sifrrken),

.":-ckil l.'UX Temcl i~lc111scl yuhcl1c(. V; I = ___Bi__ VI

R, + Rt
i§lemsel yiikseltecin temel devre baglanusi ~ekil 15.29a'da gosterilmistir. Go- Sadcce -A,.V; kaynagi durumunda (Vrs1f1rken)
ri.ildiigii gibi devre olcek degi§tirici veya sabit kazanc katlarna devresi olarak c;ali~1r.
R i .
RI direnci uzerinden eksi girisucuna birV, giti~ sinyali uygularur, <,;ila§ gcrilimi, V;2=~(-A,· V,)
R, + RJi

726 Boliim 15.5 i~lemsel Yiiksellecin Temelleri BolOm 15 Dogrusal Entegre Devreler: i~lemsel Yiikselte~ler 727
O halde toplam V; gerilimi ;

V; = V;1 + V;2 = __BL_ Vi+~ (-A,. V;)

RI + Rt . RI + Rt

Bunu da Vi icin 9ozersek, olur.

V; = __ ....:R=--- Vi
Rt+ (l + Av)R1 ( 15.33) Eger devrenin toplam kazanci (V,IV1) ornegin 1 olursa, Vi degeri 10 V olacakttr. Bu
durumda diger biitiin gerilimlerle ka~tla§tmld1gmda Vi degeri kil9ilktiir ve O V gibi
A,.>> 1 ve A,R 1 >> Rt ise (ki bu genellikle dogrudur) dii~tinillebilir. V; =0 V olsa da ytk.l~. V1 degeriyle yukseltec kazancmm 9arp1mmn
esit oldugundan, tam olarak O V deglldir,
-·, · V; = _Bi_ Vi
AvR1
=
V1 0 olmasi, yukseltec girisinde zahiri bir kisa devre veya zahiri toprak ol-
dugunu dii~tindtirmektedir. Zahiri kisa devre kavrarru, gerilimin O V'a yakm ol-
masma karsihk, yiikseltey girisinden topraga herhangi bir akirn akmad1gi anlamma
gelir. Zahiri toprak kavrarm grafik olarak §Ckil gosterir. Koyu
.
=
9izgi, V; 0 V il6I bir
kisa devrc bulundugunu dii§tinebilecegimizi, ancak kisa devre uzerinden topraga hi9
bir akim olrnadrgi i9in bunun zahiri (gorunen) bir kisa devre oldugunu gostermek
iyin kullarulmrsur, Gosterildigi gibi akim, R i ve R1uzerindedir.
( 15.34) Zahiri toprak dii§ilncesini kullanarak, I akirru iyin esitlikleri a§ag1daki gibi ya-
zabiliriz,
Sonne, giristen 91kt~a toplam gerilim orarunm, (A.'nin cok biiyiik olrnast kosuluyla)
l=Y!_=- Vn
sadece R; ve R1 direnc degerlerine bagh oldugunu gostermektedir, s, Rt
R 1 = RI ise kazanc;
Av=-RL=-1
R1
I
~=~.~~ .
olur ve devre, giris sinyalinin genligin] 9egi~tirmez, yalmzca isaretini degi~tirir.

·,
A,.= - -2'R
:£.!!.!..= -2 Vi _I\,·. I v, ... ov
R1 f t, 3! 0
olur ve devre, giri~ sinyaLinin polaritesini tersine cevlrir ve 2 kat kazanc saglar.
R1 ve R1 is:in tam direnc degerleri secersek, geni~ bir kazanc araltg1 elde ede- ~d ii I :i J(I lilo:tl'scl yli~s<11,,
U1c:rinc.1¢ 2:1hil"l 1oru~,L.
biliriz; bu degerler, direnc dcgerleri kadar tam (hassas) olur ve sicakhktan ve diger
devrc Iaktorlerinden cok az etkilenir,

Zahid Toprak

<;tkl~ gerilimi, tipik olarak besleme gerilimi ile birkac volt degerinde suurlamr.
Daha once de belirtildig] gibi gerilim kazanclan cok yiiksektir. Omegin v,,::: -lO ve Av degerinin cok bdyiik olmasi kosnluna bagh zahiri toprak kavrarm, top lam gerilim ·
A,. = 10000 ise giri~ geritimi; kazanci hesabmi basitlesrirmektedir. $ekil 15.30'daki devre fiziksel bir devre olmasa
da, toplam devre kazancmm bulunabilmesinde kolayhk saglad1g1 anlasilmaktadir.

728 B51ilm 15.5 i~temsel Viikseltecln Temellerl

B510m 15 Dogrusal Entegre_Devreler: ii;lemsel VOkseltel,ler 729
i
'
15.6 i$LEMSEL YUKSEL TEf; DEVRELERi
is;in RI uzerindeki gerilimin V1 olduguna dikkat edin. Bu, V,, gerilimi nedeniyle, RI
Sabit-Kazanc Katlayrc: Devre ve R1 gerilim boluculcri uzerindeki gerilime C§it olmalidir, dolayisiyla:

Tersleycn bir sabit kazanc katlayrci devre daha once incelenmisti, ancak temel i~- V,=_R_,_yo
lemsel yukseltec devreler icin daha eksiksiz bir liste vermek ayismdan burada tekrar ele R1 + Rt
almacakur, ~ekil 15.3l'de, tersleyen bir sabit kazanc kallama (s;ogaltma) dcvresi ve-
rilmistir,
ve ~~=l:+& (15.35)
R1 R1
---..-. . -·--
Vi-----+
ltl.·Yllks. v, = 0

~t:ki! I)_] I Sabit ka7..a11\'.J1 tersk!ycn

kaz.snc; \rntlay1cl dcvre.

(a) (b)
()RNEK 15.7

~ckil 15.3l'deki devrede R1 =100 kn ve R1 = 500 kD.'dur. V1 = -2 V'luk girls icin $ckil 15.32 Sabir kauu>;h 1erslemcycn k.1,a"I' kallayic, dcvre.

s:1k1§ gerilimi ne olur?

( I :i.34) denklemini kullanarak V1 = =

2 V, R1 500 kO ve R1 =100 kU degerleri icin (Sekil l5.32'deki gibi) ters-
lemeyen sabit kazanc katlayici devresinin ·91kl§ gerilimini hesaplaym.
R 500 kD. .
V,, = - ~Vi= - -- (-2 V) = +JO V
R1 100 kO

(15.35) denklemini kullarnrsak

Terslemeyen Yukseltec

~ckil 15.32a'daki baglanu, terslemeyen bir sabit kazanc katlayrcisi gibi 9al1§an bir Vn = (.l + -R ) Y1 = ( L+.-.500
--kD.)
.. · (2V) =.6(2 V) = +12 V
i§lemsel yukseltec devresini gostcrmektcdir, Devrcnin gerilim kazancuu bulabil- R 100 kff . .
mek icin, Sekil 15.32b'deki C§deg~rzahiri toprakC§degerini kullanabiliriz. V; 0 V =
730 BolUm 15.6 i§lemsel Yukselte,;; Devreleri BolOm 15 Dogrusal Entegre Devreler: i§lemset. YOkseltec;:ler 731
 kazanc faktoruyle <;arp1p daha sonra bunlan cebirsel olarak toplayan i.iy girisli bir
Kazanct Bir Olan lzleyicl toplam yukseltec devresini gosterrnektedir.
Zahiri esdeger devre kullarulmasi halinde r;:1b§ gerilimi, girisler cinsinclen asa-
Sekil 15.33'deki gibi kazanci bire esit olan izleyici, polarireyi tersine ce- g1daki gibi ifade edilebilir:
virmeksizin I degerinde bir kazanc saglar, Zahiri toprakli e§dcger devreden,

G.~J '
15.36) (15.37)

oldugu, 91k1§m girisle aym polarite ve genlikte oldugu aciknr, Kazancm bire cok
yakm olmasr dr~mda devrenin davramsi, emetor izleyiciye cok benzer. Baska bir deyisle her giri§, tersleyen sabit kazanc devresi~de~ elde edilcn ytlo§a bir gerilim
.:; degeri ekler. Daha fazla giri§in kullarulmasi halinde bu girisler de c;tlo§a ilave bilesenler
ek.Ier.

4J.-Y~. I';,., 0
()RNEK 15.9
v.,

l
-----'+ v., A§ag1daki giris gerilimleri ve direncleri icin islernsel toplam ahci yi.ikseltecin

l
Vi i;1k1§ gerilimi ne olur? (Her durumda R1= l MQ aim).
t
(a) V, =+l V, V2=+2 V, V3""+3 V,

(b)
=
R, = 500 k!:l, R2 = 1 M{l, R3 l M{l

(b) V1 = -2 V, V2 = +3 V, V3 = -rv,
Toplam Alma Yi.ikselteci =
R, = 200 kn,R2 500 lill,Rj = rMn

Analog bilgisayarlarda kullamlan islemsel yiikseltec devrelerinin belki de en ya- Cozum:

rarhsi toplam alan yukseltec devresidir. Sekil 15.34'de, her bir giris gerilimini sabit
(15.37) denldemini kullanarak ,

V,, = -[1000 kQ (+I V) + 1000· k.Q (+2 V) + 1000 k.Q (+3 V)]
(a) 500 kn 1 ooo ill 1000 kf2
={2(1 V)+ 1(2V)+ 1(3)]=-7V

'."th·,
1§1.-Ynb. , --+-- V.,

V,, = -[1000 kQ (-2 V) + IOOO k!l (+3 V) + 1 M!l (+IV)]·.

(b) 200 kQ 500 kQ I MQ

=-[5(-2 V) +2(+3 V)+ 1(1 V)]= ~(lOV + 6 V +IV) =+3 V

(a) . (b)

BolOm 15 Dogrusal Entegre Devreier: i~remsel YOkselte~ler 733

732 Boliim 15.6 l~lemsel Yi.ikselte~ Devreleri
 integral Ahc1 (15.38b) denklemi, <;1kt§m, girisin terslenmis oldugunu ve integralinin 1/RC sa-
bitiyle <;arp1ld1g101 gosterrnekredir. Belli bir sinyalin integralini alma yeienegi, ana-
Simdiye kadar ck akhg1m1z. giri~ vc gcribesleme elernanlan direncti. Gcribcslcrnc log bilgisayara diferansiyel denklemlerini cozebilmc ozelligi kazandmr ve boylece
~lcmam olarak ~ekil 15.J5'teki gibi kondansator kullamhrsa, elde edilen devre,bir fiziksel sistem islernleri ile cok <;e§itli; elektrikli devreleri arasmda analojiler ku-
integral alma devresi olur. · rulmasuu miimkiin kilar.
Ornek olarak, ~ekil 15.36'da gorunen giri§ adrm gerilimi ele alalim. Adm, ge-
riliminin integrali, rampa veya dogrusal olarak degi§en gerilimdir. -1/RC'lik carpan.

- _j_= - = -1 'dir.
j. RC 106 x 10·6
R
oyleyse vo(t) =- J v;(r) -dt
ve y1k1§, Sekil 15.36b'de gosterildigi gibi negatif bir rampadir. Ornegin R = 100 kit
v, ::s ov v., alarak sabit yarpam degi§tirecek olursak

__ !_=- 1 -10
RC I05 x ro"
(a) (b)

. Zahiri roprakh C§deger devre, giri§ ve s;tk1§ gerilimJeri arasmdaki ifadenin, gi-
nstcn s;1k1§a gecen I akmundan turetilebilecegini gostermektedir. Zahiri topragm an-
l~~~-111 t~~r~ hatt~arsak, R ve _XC:n~n bagla,nt1 noktasmdaki gerilirnin topraklandigun
du~un~~ilmz (V; = 0 V oldugu icin), fakat bu noktada topraga giden akirn yoktur.
Kapasitif ernpedans §Dyle ifade edilebilir: ·

Xe= -1-=J__
jwC sC
(a) (c)
Burada s = jm Laplace notasyonudur. V,,IV1 icin cozersek.

I=~=- Vo=..:J::'.Q_=-sCVo
R Xe 1/sC l ve $ekil 15.36c'de gosterildigi gibi <;•la§
.i! .·

Vo= ...=J_ v,,(t) = - IO J v; (t) dt

Vi sCR (15.38a)
~ekil 15.37'de goriildiigii gibi integral ahciya birden fazla giri§ uygulanabilir, bu du-
Son ifade zaman domeninde a§ag1daki gibi tekrar yazdabllir: rumdaki sonuctaki islern §Oyle ifade edilir:

--
vo(t) = - _I_.f v1(t)
RC
dt
(15.38b) v,, (t) = -[-1
n,
.
-J
C
v1 (t) dt + _J v2
R2 C
.
-J (t) dt
..

+ _I-J
R3 C
~
v3 (t) dt] I (15.39)

734 Boliim 15.6 i~lemsel Yiikseltei; OevrelerJ Boliim 15 OogrusalEntegreDevreler:··i~lemselYiiksellei;ler 735

 Burada sabit carpan -RC'dir. Temel olarak toplam ve integral alma devreleri kul-
R1 c lamlarak diferansiyel denklernlerin nasil ~oztilebilccegine iliskin aynnuli bilgiler,
v1 (f)
analog bilgisayarlara iliskin kitaplarda bulunabilir.
R2
V2 (t)·
R3
VJ (t) _ _., __ Vo (I)

... (a) Vt (t)-f(---- ... }-.

C
C= lµF ' .-YOb. ·
J;t ---·tio:W

r
\··::.·· . _·:;::)"'

I
'1i---'1Ni.--......t,.._-- -·
~ckil
I
15.JK TUrcv aim,, devrcsi.
,.·
~- .. ~.

Vi--5
·15.7 PRATiK i$LEM:-,EL YUKSELTEv DEVRELERi
Vi--10 ·--·v.,
{b)
Vi--1 Tek bir IC paket iizerine birden ~ok fark yiikseltcci kan yerlestirilerek islemsel yuk-
settee (op-amp) ad, verilen gene! bir devre elde edilir. Bu devrenin ternel ozellikleri
arasmda son derece yuksek gerilim kazanci, yiiksek giri§ ve dii§iil:c <;1k1§ direnci sa-
(c) yilabilir, Bu bolumde daha once ele aldigumz fark yiikselteci devrcsi, pratik is-
. ~
1d:il 15.37 (a) Toplam-lntegrat olm.,·d,.·vn::\i: ·(b) l~l~I yUkseh"',: lemsel yukseltec devresini kurmak icin kullamlan temel bir devredir. Emegre devre
(c} analos b,lgis:tyur. integrala1ma devresinin gOsterimi.
yapisi, tck bir IC yongasi uzerine .bir ila don adet islernsel yukseltec kurmak icin
yiizlerce elemam (lei bunlann ~cigu transistordur) olusturacak sekilde olabildigince
~ckil 15.37'de, analog bilgisayarda kullarulan toplam-integral alma devresini gos- kucuk elemanlar kullarulmasrru gercktirir; Bu devreler.. sadece BJT (iki kutuplu),
reren bir ornek verilmistir. Gercek devrenin giris direncleri ve geribeslemc ka- hem iki kutuplu hem de JFET (BiFET), ya da iki kutuplu ve MOSfET (BiMOS)
pasitesiyle gosterilmesine karsihk, analog bilgisayar gosterirni sadece her bir girisin kullarularak kullarulabilir. Giiniimiizde BiFET islemsel yukseltecleri en popiiler
carparum gostermektedir. yukselteclerdir; bunlar, ~ekil 15.25'te gosterildig] gibi, JFET giri§ translstoruntin
saglad1g1 yiiksek bir dirence, iki kutuplu fark yukseltec devrelerinin saglad1g1 yi.ik-
Turev Ahc1 sek kazanca ve ernetor izleyici 91kl§ kanrun saglad1g1 dU~iik <;1kt§ direncine sahiptir.
BiFET islcmsel yukseltecinde, yilksek girls direnci eldc etrnek icin devrenin giri~
~etdl 15.38'deki tiirev ahci devre, giiriiltuyle ilgili pratik problemleri ncdeniyle, kisrnmda JFET elemam kullaruhr, Gunumuzde giri§ iyin cogunlukla JFET tran-
bir bilgisayar devresi olarak integral abet kadar kullanish degildir. Devre iliskisi sistorleri kullarnhr. Omegin, 347 islemsel yukseltecinin ~ematik ve baglanu ~emas1
~oyledir: Sekil 15.39'da gosterilmistir, 347 IC, BiFET teknolojisini kullanan don adet JFET
girisli i§lemsel yukseltectir. Bir islemsel yukseltec katmm devresi ~ekil 15.39a'cla
v,, (t) = -RC dvi (t) (15.40) gosterilmistir: dort islemsel yukseltec birimini gosteren bacak duzenlerne semasr,
tit $ekil 15.39b'de aynnulanyla verilmistir,
736
BolOm 15.6 i~lemsel VOkselte~ Devreleri
Boliim 15 Dogrusal Entegre Devreler: i~lemsel VOkselte~ler 737
 lmalatcuun vcrdigi elcman ozelliklerinden bazilan ~nlard1r:

Rg;,: Giris direnci = 1012 U

Agerilim: Biiyiik-sinyal gcrilim kazanci = lOOV/mV = 100000 (= 100 dB)
CMRR: Onak isareti basurma oram = 100 dB
GB: Kazanc-bant geni§ligi yarp1m1 = 4MHz
SR: Degi§im h1z1 = 13 V/ps
~ekil !5.39a'daki devrenin bircok kisrrurun 15.3. Bolurnde anlauldrgma dikkat
+ edin. Bununla beraber, bu devreyi kullanmak icin uzerinde ayrmnlanyla durmarruza
GiriJ
gerek yoktur, A§ag1da ele alacagurnz bazi d1~ _ozellikler, yUkselteci kullanmak icin
yetcrli olacaknr,
Tablo 15.l, imalatci tarafmdan verilen elekrrik karakteristikleri ve terim tarumlan
li.tesinden almnusur. A§ag1daki tarusmada, daha onernli karakteristiklcrin bir bo-
rumunun aynnulanna inerek bazi ornekler verecegiz.

347 istemset Yuksell£t.:inin Elektriksel Karakteristikler

T ABLO 15.1
(TA :·25°C, Vee= +15 V ve VEE= -15 V durumunda)
--·---·--····-------------·- ··---- '-····-~----·------
Simr

Karakteristik Sembol Min Tip Maks. Birimi

--------------------··---- --------------
Dinamik karakteristikler
Buyuk-sinyal gerilim kazanci Ager 25 100 V!mV
-Vu
Giri~ direnci R£ir JO'l o
ro Ortak isareii basurrna oraru CMMR 70 100 dlJ
<;:1k1~ gerillm sahnmu .Vo(tepc-tepc) ±l2 ±13.5 v
V- Giri~ oriak iprct gcrilim arahg1 VcM ' ±ll -12 v
~4 GlR4-;GIR4+ 000-f'GIRJ- CIK3
Kazanc-bant gcnislig] c;arp1rn1 GB 4
14 13 i2 . 11 · 10 9 8 MHz
Statik karakteristikler
Giris kayma gcrilirni 5 IO mV
}-~., ...
,,3.· Giri~ kayma akmu 25 JOO pA
Elemumn harcumasi 500 mW
----·-··--····--·--·-·--··--- -----'-'--·

.,.;,j. .. ~h

~liit.>~t i;,LEMSEL YUKSEL TE9 OZELLiKLEHi

• "';'.<
i~lemsel YOkseltei;: Terimlerinin Tanimlan
l 23 4-~6 7
CDC 1 olRI-OIRI+ olR2+-0IR12 - ~2 Giris Kayma Gerilimi: <;1k1§ uclannda c§il siikunet 9ali§ma gerilimleri (sifir 91k1:.
V+ gerilimi) elde ctmck icin giri§ uc;:_lanna uygulanmas1 gcrekcn de gcrilimleri am
.(b)
smdaki fark.
,';;d,il 15.,,<Jfilcm,cl yUksch~ entegre dc_vresi (J47): (a) denccliyagr.101,: (b) ba~lan1, diya~ram,. Girls kayma Akuni: iki giris ucunda bulunan akimlar arasindaki fark.

738 BolOm .15. 7 Pralik i~lemsel YOkselte~ Devreleri BolOm 15.8 Dogrusal Entegre Devreler: i~temsel YOkseltei;:ler 739
 Siikunet <;altima Gerilimi: <;1kt§ uclanndan birin ilzerindeki topraga gore de ge- ayrudir. Bu durumda 106 dB'lik kazanc, 100.000'in uzerindeki bir gerilim ka-
rilimleri. ,;. '
zanciyla ayru olmaktadir; ve tam olarak §tiyle hesaplanabilir:
DC Elemamn Harcamast: Sinyal uygulamaksmn ve di§ ytik akmu olmaksizm t"''
elemanm toplam giit;: harcamasi. 106 = 20 log A,
Ortak hare/ Gerilim Kazanct: iki 91k1§ ucunda gelisen sinyal gerilimlerinin, pa- 5.3 = log A,
ralel bagh iki giri§ ucuna uygulanan ortak sinyal gerilimine oraru. A,.= ters log 5.3 = 2 x 10~ = 200.000
Fark Gerilim Kazancs (Tek Ui;/11 GiriI-91k1~·): 1ki 91k1§ ucundan birindeki ropraga
gore 91k1§ gerilimi degi§iminin, giri§ gerilirnlerindeki farka oraru, Buyuk acik dongu kazanci (= 200000) ve simrh ,;:1kt§ gerilimi saluurru (± 13 V),
Ortak isareti basurma orant: Toplam fark gerilim kazancuun, ortak mod gerilim acrk devrc c;ah§mas1 icin uygulanacak giri§ geriliminin
kazancina oraru
3 dB Noktasindaki Bantgeni;lif!i (B): Elemarun gerilirn kazancmm, belirlenen bir v,,=J'.'..iL= ±13 v =±65.JtV
Avol 200,000
dii§iik frekanstaki gerilirn kazancuun 3 dB altmda oldugu zamanki frekansi
Maksimum <;1kt$ Gerilimi VJtepe-tepe): Sinyal dalga sekli kirprlmaksrztn elde degerinden biiyiik olmarnasnu gerektirir. I
edilebilecek maksimum tepeden tepeye t;:ikt§ gerilimi sahmrm, topraga gore ol,;:illilr. I
Tek Uclu Giris Direnci (R,i,): Giris gerilimindeki degi§menin, giris uclanndan bi- Boylesinc yuksek kazanch bir islemsel yuksetrec, daha buytik giri§ gerilimleriyle ca-
rinde topraga gore olt;:iilen girl§ aktmmdaki degismeye oraru. lrsmayi miimkiin kilmak icin, bu bolumde daha sonra da anlanldigi gibi, tipik olarak
Tek Uclu (:1k1I Direnci.(Ri): <;ik1§ gerilirnindeki degi§menin, t;:1k1~ uclanndan bi- kapah dongude ,;:ah§tu'11Lr.
rinde ropraga gore ol,;:tilen ,;:~ akimmdaki degi§meye oraru,
De[:i;im Htzi: <;1k1§ geriliminin zamana baglt olarak ne oranda luzh degi~tigini
gosteren elernan pararnetresi.
Giris direnci giris uclanndan birinde olt;:illiir. 1012 Q'luk bir listc degeri, yuksek
DC Eiektrilcsel Parametreler bir degeri gosterir, 11. Bolumde, yukselte; katlan birbirine baglarurken veya yuk-
seltec bir gerilim kaynagryla siiriiliirken giri§ direnc degerlerinin ne ·kadar onernli ol-
FARK GERiLiM KAZANCI - <;; dugu anlanlrmsn. Giris direncinin kaynak direncinden fazla buyuk olmamasi ha-
BUYUK SiNYAL GERiLiM KAZANC!. AGER linde yiikleme, giri~ geriliminin, yuklemesiz kaynak sinyalinden kiic;iik olmasma
neden olacak; bu da t;:tkt§ geriliminin az olmasiyla sonuclanacaktrr,
Tipik 106 dB degeri, bir giri§ ucundan bir t;:ikt§ ucuna olan kazancur. Bu, 15.1- iki kutuplu islemsel yukselteclerin gir~ direnci tipik olarak 1 MQ civanndadir.
15.3 Bolurnlerde Av kazanci olarak arulnusn. Ureticiler, kazanci desibel. biriminde B1FET islemsel yukselteclerinin anma degeri, · I 012 Q ve BiMOS'Iann tipik nominal
(dB) vermektedir. Desibel ile kazanc arasmdaki iliski, ,;:1kt§ geriliminin (V0) giris ge- degeri 1015 Q civanndadir.
rilirnine (V;) niimerik oraru olarak ifade edilir ve a~ag1daki sekilde hesaplarur:

Ado= 20 log I A, I = 20 log I ~; I (I i.41)

Tipik olarak 100 n olan c;ikt§ clircnci, sinyali yilke uygulamak ic;in kullamlan c;1kt~
Ornegin A,.= lOOO'lik bir kazanc ile katma baghdlf. <;tkt§ katlan, yalmzca gerilim salm1m1mn tek yoniinde veya geriJim sa-
lmummn her iki yoniinde uygun sinyal saltmm1 saglayabilir ve hangi c;1kt~ katJ dev-
Adil= 20 log 1000 = 20(3) = 60 dB resinin kullamld1gma bagh olaraldasadevre korumab olabilir (bakimz ~ekil 15.25).

ayrudir ve A,.= 100.000'lik bir kazanc ile OF:l.A.I< i$ARE.l i GASTIHMf\ OF;A!\11

A,m = 20 log JOO.ODO= 20(5) = 100 dB

CMRR=I~: I
740 Bolum.15.8 i~lemsel YOkselte~ Ozellikleri Boliim 15 · Dogrusal Entegre Devreler: Yiikselte¢1er 741
olarak tarumlanan ortak i§areti basurma oraru desibel cinsinden de hesaplanabilir: Ornegin 357 islemsel yi.ikselteci, ~ekil ·15.41'de goriildi.igi.i gibi, kayma gerilimini

¥.I .
ayarlamak icin dengeli giris uclanna sahiptir. Imalatcr, l ile 5. bacaklar arasina bag-
(l5.42) lanmasi icin 25 kil'Juk bir potansiyometrcsonermcktedir; 2 ve 3 nolu · bacalclar iize-
~~:R (dB)= 20 1og] dB
=
rindeki girisler topraklandigi zaman (Vc1 0 V), ol9i.ilen 91k1§ gerilimi O V olana
CMRR = 100 dB degert, fark isaret kazancrrun onak i§m-el kazancina orarudir vc kadar potansiyometrenin ortaucu ayarlarur. ·
a§ag1daki dcgere e§degerdir: +Vee
A,,= ters log CMRR (dB)= ters log JOO dB = ters log 5
Ac 20 20
= I 05 = 100.000

Boylece e~ veya aym polarite de sinyal, fark veya ters polaritede girislerden 100.000
kat daha az kazanc ile yiikseltilir.
~ekil l5.40'taki grafikten de gortil_cccgi uzcre CMRR dcgeri gcncldc, [rekanstaki
artisa bagh olarak diiser. . -> . . .
CMRR(dB)

GiRi~ ONGERiLiM AKIMl, /009erilim (/bias)

IC icindeki devrenin uygun calismasi icin, imalatci tarafmdan belirtilen yeterli de

ongerilim akrmirun olmasi gerekir. BJT girisleri icin gereldi akim, tipik olarak rnik-

40
~t:"kil I ~.40 hx:k:m~a haFh ortak i~:1n.•1i
(CMMR) ~rnfi~i.
o.1~llOlli1 nr.1111 roamper; JFET'li giri§ katlan icin io pikoamperler duzeyindedir, Elernarun tipik
anrna degeri 25°C'de (oda sicakhgmda) bulunmasma karsilik, ~ekil 15.42'deki grn-
20 ;., .. fiktcn de gori.ilecegi iizerc sicakhga bagh olarak onemli mikrarda artar,

O'-~-'-~--''--~-'-~---'~~.._~~-.·
10 100 1 kSl io xn IOOkSl I MSl
Frclcam (Hz) lOOlt
KAYMA (OFSET) GERiLiMi, V05 lOk
lk
Giri§ kayrna geriliminin <Vos) 1amm1, "islemsel yukseltecin ~1k1~1111 0 V'a cckmek
JFBT g1rltl
i9i1l' girisler arasmda olrnasi ge;ac~~ .de
fark gerilimi" olarak da ifade edilebilir. 100· (1.57)
ideal V0.1 degeri O V olmahdir; pratiktc ise birkac milivottur, Bi.iyi.ik sinyal 9a- 10
hsmasmda islemscl yukseltcc kullamldrg. ..zaman, kii9iik bir kayma gerilimi kabul
l
edilebilir. Bir donii§ti.iri.ici.idc, ol9ii aleti veya olcme cihazinda oldugu gibi, ki.i9iik
bir 91k1§ gcriliminin ol9iilen bir nic;cligi tcmsil cttigi uygulumalarda kullarulmnst ha- 0.1.
linde srfir olmayan bir \'.Lkt§ gerilimi ciddi hatalara yol acabilir, Bu tur devre uy-
-SS -zs 5 35 65
gulamalarmda kayma gcrilimi cok di.i~iik olan veya giri§ uclannda kayma gcrilimi
~dil 15.-U Elemamn krhf si-
ayarlamasi yapilabilen bir i~lemsel yukseltec kullamlir. cakhJula ba£h gerckli giri~ on-
gerilirn akmum ~Os1cren cgri.

742 Boliim)5.8 i~lemsel Yiikselte,; Ozellikleri Boliim 15. Dogrusal Entegre Devrelerd~lemsel YOkselte,;ler 743
 Emegre devrenin bant geni§ligini bulmak iyin kullaruJan diger bir pa.rametre yi.ikselme
..·: GiRi$ KAYMA AKl,M"i:°i~~- . suresidir (t,). Yiikselme siiresi degeri ile bant geni§Jigi arasmda §oyle bir ili~kivardir:
B .Q;ll = (15.43)
. , Giri~lerdeki ongeritim alam.mdaki_kil9ilkfark, c.1k1~ sap'.11a gerilimi saglamak icin fr
yi.ikseltey kazanci orarunda yilkseltilir. BJT giris devrele:1~de sapma (offse_t). akmu Ornegin, irnalatcirun verdigi t, degeri 0.3'},s ise, bir degerinde kazanc bant geni§ligi
on ile yuz nanoamper diizcyinde ifadc edilirken, JFET gm§ katlannda bu tipik ola- degeri
rak pikoamper diizeyindedir.
B = ...Q.1L = 1.167 MHz
0.3 µs
S0R01<LENME olur.

Siiriiklenme, sicakhktaki deji§meye bagb olarak gerilimindc gori.ilen clegi§mel_er Elemana ait t;:e§itli veri sayfalarmda, islemsel yJici~ite9 kullamhrken soz konusu fre-
icin kullamlan bir terimdir;~~i~.§ gerilimi oda sicakhgmde ? Va ~yarl~n~1~ bile kans smmru belirtmek i9in bir degerinde kazanci'B, kazanc bant geni~ligi carpirm
olsa, bu deger sicak.W.cta.k{.,~fgi§ritelere. bagh olarak deg1§ecekt1r. T1p1k. olar~ veya yiikselme sUresi verilir. A91k cevrim ka~rici"J00.000 (dc'de) ve kazanc ;bant
·1· j siiriiklenmesi (/!.VcJ6.T) 5-40 pVl°C aralrgmdadir. Kab!1ca su- geni§ligi 9arp1m1 l MHz olan bir islemsel yilksbtteci'n A8., (Av01) degerinin cok .daha
saprna gen 1m ?·,,:i·. .. . . . . , . . , . _
ri.iklenme, ba~lang19taki sapm~. genltmmm her m V u 1910 3 .3 JN f'C dir, .s~pma ala kil9iik, ornegin 10 kHz oldugu acikur. ~ekil 15.43'te.ki grafige bakacak olursak, i§·
rnmdan kaynaklanan silri.ikl~~,';lytipik olarak, 0.0 I · 0.5 nAf'C dir. lemsel yiikseltecin kazancmm de geriliminde 100.'dB'den biiyiik oldugunu, ancak 10
6.L,J/!.T=
0
kHz'de 65 dB'ye dil:}tiigiinii gonlruz, 1 Mflz'de islemsel yukseltec kazanci 20 dB ci-
a:.,.~
AC Elektriksel Paramqtr!~.l.erl vanndadir (Ager = 10); bunun da islemsel ytlkseltet;: uygularnalan icin buyuk bir ka-
_: ... -
.

SANT GENiSLiGi, B : ... ~

.

.
}

. zanc olmadig: acikur, Ne olursa olsun, bant geni§liginin daha btiyi.ik olmas1, i§·
lemsel yiikseltecin daha yi.iksek bir frekansta 9al.J§ma.sm1 sagla.r.
.. •• ':i-1' •• : ~

lslemse! yukseltec bir degerindeki kazanc bani gen~ligi, d:~r~ni.~ inmlatm~i'.~ k?-
naklanan kapasitanslar nedeniyle kazancm bire (kazanc = 1) du:}tugu noktad~ ~~tire-
kansi belirtir. Bir degerinde kazanc bant geni§liginin veya kazanc bant gem§hg1 9a.r- Degi§im hm, 91ki§ geriliminin zamana. bagh olaiak ne kadar h1zh degi§tigini gos-
pirrunm tipik degerleri l ~'.d_en'biiyilktiir. ~ekil l5.~3'~e, _357 IC i9i~: frekansa ~agll teren bir parametredir. Tipik degi§me h121 degerlerl 0.S - 50 V/µs arasmda degiliir;
olarak a1rik c.evrim gerilim kazancirun bir grafig! verilmistir. 1_00 Hz'in altmdaki de- degcrin biiyiik olmas1, devreniii daha h1zlt 9al1~tigiri1 gosterir.
ger!erde kazancm, nominal d~}11r1k 9cvrim kazanc degerde s~b1t knl~1gma, buna kar- Tablo 15.2'de, birka9 IC i9in 9e§itli eleman· paiametrelerinin bir kar§1la§t1nnas1
~thk 10 MHz civanndaki freirnn'siarda birc (0 dB) dii~tiigiine dikkat cdin. verilmi§tir.
A~~gerillmlatDDCt(dB)
··_·}·.:.~:L(> ·1 ~). ! ~~!1..;t1.:,j.,;l \'U!~~r~i£~f PL.rviu -~ t~·et.::dnht f'~:..:i~r1fi]~i\11·rn:tsi
s~·l-..il 15 .. 1.,mrd..:~~rimk-
110 "K.rtal~ bani l!Clli~li~ill~ h.1~h Paramelre iki-ku111p/11 BiFET Nortm1-lli-;:;;;;;---·
100 rrel:nb ciri!<>i
·90 A9ik-c;evrim gerilim kazanc1 Ager 200 200 2.8 V/mV
Giri§ direnci Rcir 2 106 1 M.Q
<;1k1~ direnci ~·k 75 8 n
Ortak i§a.reti bashrma oram CMRR 90 100 dB
Giri~ kayrna gerilimi v,,, 1 mV
Giri~ ongerilim ak1m1 IDt,·fl<I' 80nA 30pA 30pA nA veya pA
Giri~ kayma alam1 In, 20nA 3pA nA veya pA
Siirilklenme tN,./6.T 15 3 µvrc
Bant geni~ligi B l 20 2.5 MHz
Degi§me h1z1 SR 0.5 50 0.5 V/es
Boliim 15 OogrusalEntegre Oevrel~~: 1,remsel YOkselt~ler 745
15.9 i$LEMSEL YUKSEL T!:c9 UYGULAMAl,.ARI olacakur; bu da aletin §imdi tam olyekte 5,mV okudugunu gosterir. Boyle bir mi-
livoltmetreyi kurmak is;in bir i~lemsel yiikseltes; devresi, birkac direnc ve olyii aleti
i~lemsel yukselteclerin analog bilgisayai":devreleri (ki b~, i;:o~. biiyuk bi1: i~~em~.~]
kadrarn saun almak gerektigini unutmaym. 1Tamame~ test edilrnis, yah§ir vaziyette
yukseltec uygulama alamdir) dismda ne kadar yararh o:ab1lec~g1 -~onusund<1 bu _f1~_1'.
vennek icin, burada birkac uygulamayi daha ele alacagiz. Osilator uygulamalan rsc bir i§lemsel vukseltec temin edebllmeirnkam, tilyme aletini kurmayi kolaylasunr,
18. Bolurnde incelenccektir.
Sabit Akim Kaynag1

DC Milivoltmetresi
~ckil 15.45'd, sabit akim saglayan islemsel yi.ikseltei;: devrelerini gostermektedir.
~ekil 15.44'de, de milivoltmetrede ternel yukscltec olarak kullanilan ~ir 741. i§- ~ekil 15.45a'daki devre iii;: direnc tarafmdan 1 mA'de sabitlenen bir yi.k1~ akrmi sag-
lemsel yukseltec _gosterilmekteciir'. Yukseltec, giris ernpedansi ve ols;ek fak- lar. R2 ve R3 gerilim boli.iciisii, terslemeyen girisi +3 V'a ayarlar, bu da R1 iizerinde
. • ,,• (lif! .. I +2 V'luk bir gerilim dil§i.imi.i saglar, Daha sonra 91k1§ akirm (2V) IR 1 = (2V) I 2 k.Q
·11!11Vi:. = l mA degerinde sabitlenir, Dii§ilk akim kaynagmm9ah§mas1, RI direnc degerinin
secilrnesiyle belli bir deger aral1giha sabitlenebilir, .

l'tt,J;v
~ifit:~/ l1'•
Vj--"'R11.i11\.---.---®-2_· V+ (5 V)

V+
@
,. - .; ~
r-------t----<> (S V)
IOOkn @

1 .
T
! . ,Y-
'"'M_·_, v
:,> ,; . .sapma
.
, lbrcdeO-lmA'lik

lV Ri
2kfl

IOOW
V4""0V
R, 10.!1
~dil l:iA~ i~lcm'l,!1 yiikscile\li
de milivol1mclrcs1 ..
0
___ _,._....;;;.._. +

+
iorleri sadece direnc degcrine Yf ~ogruluK ali~eyi_n~ bagh olan bi~ olvti. ~~cti si'.gh~r. JV R3 + R1
3 k.!1 2y 1 kfl
Oll;i.i aletinin, devre girisi uzerindeki sinyali milivolt olara~ gos~erd1gme -dikkat
edin. i~Iemsel yukseltec devresinin analizi yaprldigmda a§ag1daki devre transfer
":'
fonksiyonunu verir:
(a) (b)
JQ..-&(.
V1 Rt R.,
. L)
=!00 k~ x _I_=Lme, ~ekil 15.45'deki devre, sabit 91k1§h cekme aknru i.iretir (ornegimizde 2 mA). R1
IOQ k.Q 10 k.Q 5 mV
direnc degerinin ayarlanmasr, 91k1§ akirmru istenilen degerde sabitler,
Boylece 10 mV'luk bir giris, oli;:u aleii uzerinden 1 mA'lik bir akirn akiracaknr. Eger '
giris 5 my ise, oli;:i.i aleti uzerinden gei;:en akim 0.5 mA duzeyinde olaca~ur; bu d_a Gosterge SOrOculeri
· yanm o"I <;:.ek sapmasrdir • Orneg~in
Iib rentn • . , R1'nin 200 k.Q'a cikanlmasi halindc devrc

olcek faktoru Is: = i(JQ k.Q x _1_ = 1 mA ~ekil 15.46, larnbah gosterge (display) veya LED'li gostergeyi surmek iyin kul-
larulan islemsel yukseltec devrelerini gostermcktedir. ~ekil 15.46'daki tcrslemeyen
v. · icfo'kn 10 n s mv
746 Boliim H.B. i~lemsel YOkseltei;: Ozelllkleri BolOm 15Dogrusal EntegreDevreler: i~lemsel_Yilkselte~ler 747
 +IOV
. . tersleyen girisin ilstiine <;:1kug1 zarnan, 1 nolu uctaki r;;1k1~. ~o~itif doyrna dit-
gm~, id (b .. nekte +5 V civan) ve Q1 transistoru iletime ger;;ttg1 (ar;;1Id1g1) anda
Q
. I@
zeyme gi er u or . . · k Ri @
!amba surulur O uzere • islernsel yukseltecin r;;1 1~1..1 1
.. .. .. (yanar ). D evred e· de gortilece11i
Vi
. .. .. . bazma 30 m A'l'k akrm saX.lar. bu da bu rniktarda akirn kaldirabi en t: IOOJcn I·
rransistoruntin 1 5 , .. \·1 ! G)
v (/J > 20) Uzerinden 600 mA'lik silrme gerr;;ekle~tinr.
uygun biir transis. t"r 3•7

V-+ (5 'i) r+
G) I
1@D1
-IOV
I Vt(5 V) fbrt.dc0-lmA 'Ille
sapma

1 Rr
-, ... ~600,n~
I@ IOOkO

J5&
~d.,I I ~.-17 l~lem!ICI yllk,elte, kull<I·
111tar.1k ynpuan bir uc mllivohnlC1rcsi.

(b)
i~lernsel yukselteclerin populer uygulamalanndan birisi de, aktif filtre yapmudir,
Filtre devresi, direnc ve kondansator gibi pasif elemanlarla kurulur. Aktif filtrede
~clil 15 .. Jc,• Glistefl!e sllnlcli :ievrckri: (al lamb> s(iructlsu; (bl LF.O ,urticUsu. bunlara ek olarak gerilim kazanci ve sinyal yauhrm veya tamponlama ir;;in bir yuk-
seltec kullanrhr,
De dUzeyinden kesim frekansma (J,, H) kadar sabit bir r;;do~ saglayan ve daha sonra
· ·'" :.- · ·
~ekil 15.46b'de, - girise klyasla \&~~
· if ldug"u zamnn LED'Ii siirmek icin 20
pozit o. . .. . sinyal gecirmeyen bir filtre $ekil t5.48a'daki tepki grafiginde de gdsterildig] gibi ideal
mA akim akuabilen bir i~lemset'y,Ukselter;; devresim gostermekted1r.
bir alcak band geciren filtredir. Sadece kesim frekansnun iistiindeki sinyalleri geciren bir
filtre, ~kil 15.48b'de idealize edildig! gibi, yiiksek geciren bir filtredir. Filtre devresi,
AC Milivoltmetresi
belli bir kesim frekansuun ilstilnde vc ikinci bir kesim frekansmm altmdaki sinyalleri
. I ak ,:;: kil 15 47'de bir ac milivoltmctrc devresi vcrilrnistir. ge<;:irdigi zaman, bu fihre devresi, $ekil 15.48c'de idealize edildigi gibi bant geciren Iilt-
Bir baska ornek o ar 'le : redir.
Devrenin transfer fonksiyonu ~oyledtr:
AL(;Af< GEc;iREI\I Fil TRE
.&.-Jkfj_)=~x-1-= I mA $ekil 15.49a'daki gibi tek direnc ve kondansator' kullarulan birinci dereceden bir
V1 -Rt \R, .. 1001ill JOQ JOmV
aleak geciren filtre, $ekil 15.49b'de gorti1diigii gibi pratik olarak her dekad'da 20
' dB'lik bir egime sahiptir ($ekil l 5.48a'daki ideal tepkiden farkh olarak). Kesim fre-
.. d Id - gibidir ancak burada ac sinyaller i:\lr;;ulmektedir.
Bu da de m1hvoltmetre e o ugu • .. .. . .. V'tuk kansirun alunda gerilim kazanci su degerde sabiltir:
. .. . 10 mV'luk ac'giris gerilirni rem tam olr;;ek sapar, 10 m
Voltmctrenin gostergesi O
rl<l V'luk ac giris sinyalinde ibre,
ac giri~ sinyali tam olr;;ek sapmnya neden o I u en, 5 m
(15.44)
yanm oL,;ek sapar ve okunan deger milivolt olarak yorumlamr. Av= I+ &J.;
Ra,
Boliim 15• i~lemsel YOkselte,; Ozelllkleri
748 749 BolOm 15 Dogrusal Entegre Devreler: i~lemsel YOkselte,;ler
 kesim frekansi,

(15.45)

'}i(i(~~-_ ;j):f:_:;
.... ··~. ~ : . ...~.. ;>·.
Filtrenin iki boliimiiniin Seki! 15.50'deki gibi baglanmasi, Seki! t5.48a'daki ideal
karakteristige cok yakin olan 40 dB/dckadhk kesirn frekansh ikinci dereceden bir
alcak geciren filtre olusturur. lkinci dereceden devrenin filtre tepkisinin daha luzli
L.:.-~-'-~---- ........... ~~~~, · dusmesi dismda, devrenin gerilim kazanci vc kesim frekanst, birinci dcrece filtrc
fo,H fo,L
devresiyle ayrudir,
(a) (b)

t.i.-Yilks.
f\~OdB/dekad
f~,L.
{c}
fo,H

~c~il I SA~lde;il Iiltrc 1q>ki,i: (a) al,o,k gcc;iren: \b) yUbck ~<~ircn: (c11~1111 r,~ircn.
c,
i\
!
I \

\
'
fo,H

(a) : --· . -~-- (b)

K
.,. .. C)RNEK 15.10
. clebd
.
N 1 = 1,2 kQ ve C1 = 0,02 µF alarak birinci.dereceden alcak geciren filtrenin kesim
frckansirn hesaplayin:

<;oii.im:
f,,,11 = __t - = I - 6.63 kHz
2nR, C1 2n'(l.2 x !03)(0.02 x 10·6)

YUKSEK GE<;iREN Al<TiF FiLIRE

{a) (b)

Birinci vc ikinci dercce yuksek gecircn !1ctif filtrelcr, ~ckil 15.51.'dc gori.ildi.igii

750 Bolilm 15.8 i~lemselYilkselle~ Ozelllklerl Biilum 15 Dogrusal Entegre Devreler: l~lemsel Yiikseltei,ler 751
 I
Kesim frekansr,
gibi Jcurulabilir. Yiikseltecin kazancr, (15.44) denklemi ve a~ag1da verilen kesim fre- f,,,L = -·-1-= · , I ·' ·. = 1.5 kHz
kansi ifadesi kullarularak bulunur: 21rR1C1 21t'(2.1 x 103)(0.05 x 10·6)
f,,,l = __I_ (15.46)
21rR1C1
(Ri = R2 ve c1 = c1 olan ikinci derece filtre de ayrn kesim frekansiru verir);
BANT GE<;iREN Fil TRE

~ekil 15.52'de, iki kath bir bant geciren bir filtre verilrnistir; ilk kati yiiksek ge-.
ciren bir filtre olup, ikinci kan alcak geciren bir filtredir ve ikisinin birlikte ~a-
hsmasi istenen bani geciren filtre tepkisini verir: J .

- \

_ij!.-YOks. .r,

~-_ .. _,, ·;
!::,:
\·ij!.-Ylib.~h

~.-Yllb. ---N-....--:t
(a) '-" (b)

.ft
r
• 20 dB/ delrud// j
./ / 1,, •40 dB/ dekad

/t1 Yo.bclcg~ bOlllm

(a)
~~~~~~~-f
L-~~_,:_if~~'~L I

I
fo,L A (orta) ----- ' I
(c)
t;ckil ;.,.S'YUksek g~iren lihrc: la) Oiti1H:, d~rci.:1::1h) ikind dcrece: (cl tepki ~1:1fi~i.. 20dB/debd

fo,L
~ckil 15.S.1 Al1ifban1 ge,;in:n fil1.-.:
ORNEK 15.11. (b)
'
l s, = =
R~ = 2.1 kQ, c, = c2 0.05 µF ve R01 = 10 kn, R,1= 50 kn degerl~n icin (>RNEK 15.12
; ~ekil 15.51 b'deki ikinci derece yiiksek geciren filtrenin kazancmi ve kesim fre-
i
i
kansirn hesaplaym: f R_1 = =
R2 = l? kO, Ci_= 0,1 ~,F ve C2 0.00211F alarak ~ekil 15.52'deki bani ge-

i
t
<;i>'fifm:
A,.= I + !1iJ. I + 50
R,,1
kQ = 6
10 kn
l
fl
crren filtremn alt ve iist kesim ftckanslanm hesaplayin.
. .
BolOm 15 Dogrusal Entegre Devrefer: i~lemsel YOkselte~ler 753
BolOm 15.8 illlemsel Yuksettec; Ozellikleri
752
 Cozum:
PROB LEMLER

{11 L=--1-= = 159.15 kHz 1.5.1

. . 2nR1C1 21t(IO x 103)(0.1 x 10·6)
1. ~ekil 15.54'tc verilen fark yiikselteci ve giri~ sinyali icin c;Lk1~ dalga sckillerini
!,,,fl = __l__ = . 1 = 7.96 kHz
21rR2C2 21t(IO x 103)(0.002 x 10·6) cizin (Sekil l5.2'deki ayrmulara bakm).

Gerilim Tamponu ve Dag1t1C1$1

3i v.,
!
~ekil 15.53'teki devre, islemsel yukseltec devreleri kullanarak bir sinyalin, birkac ~~~ i??.f:.
91k1§a nasil tamponlanabilecegl ve dagiulabileceglni gosterir, Dort islemsel yuk- t1y: j,.-
4t" -·
seltec devresinin tamami tek bir ddrtlii 347 islemsel yukseltec entegre birimi uzerine
yerlestirilmistir, 4 ve 11 nolu bacaklara uygulanan kaynak gerilimleri, dort islemsel ,:, ·'·
yiikseltec dcvrenin tiimiine baglarur, Birim kazanch yukseltec olarak baglanan giri~
kati, 1 nolu bacak iizerinde giris sinyaliyle ayni olan bir 91k1§ saglar, Diger ii~ kat,
birim kazanch terslemeycn ytikseltec olarak baglanmrsnr ve birbirinden ayn ve ya- ._' .: :.
hulrrus iic; c;1k1§ olarak daginlan ii<; 07.<l~ (birbirinin ayru) sinyal saglar, .: . ·_;:j !~i .

'.-:,\·~ i I i 5 .).J Problem I ve 2'ye ili~kin fork yUkschl!Ci ve ~iri} doill!a ~kiHcri.

2. Viz giris sinyali 8 mY tepe degerli 1000 Hz'(ik bir sinyal ise, ~ekil I5.54'teki v01
ve V"2 y1k1§ dalga sekillerini kaba taslak yi_zin (yukseltec kazanci lOOO'dir).

3. ~ekil l5.55'dcki fork yiikseltcci icin Vn2'dcki c;1k1§ dalga scklini cizin,

'
3 vo.
},,,._ ..
'\., Vid
v '-·

2 4' v,,,

~~kil 15.5~ Problem 3 ve 4'c ilijkin fork yukschL'Ci ve siriJ clolga ickillcri.

4. Yukseltecin kazanci lOOO ise, 5 mY'luk tcpe degcrli giri~ ic;in ~ekil 15.55'deki
~t:kil 15.5.~i~lcms.:1 yilk-
scha;lcrin datu1m• is;in rnm- devrenin V111 'deki r;1k11i dalga seklini .<;izin.
pon ,,larnk l.:ullamlnm~1.

Boliim 15.8 i§lemsel Yiikseltei; Ozellikleri Bolum 15 .Problemler

754 755
 +22V

§ 15.2

s. $ekil l5.56'daki devrenin de koUe.ktor gerilimlerini bulun.

8.1 kSl

+ISV v.,,

ISkO ISkSl

i~l~!
+
lkO
VRE·=· o.1v·J··.!"·,
hn = h1,.·-.,;·60"
2.8kn
»: =:3AkSl
ISkil ....._ _.
~ekil 15.57 Problem 8
ve tJ·a ill§kin dcvre.
.L = 120k!l
""" .
-ISV
'~~· t-. i I I .,. '~4, Prohkm ~.11
* l5.4
-22V
vi: 7'yctli~kill devrc

12. Fark gerilim kazanci 200 ve ortak isaret! basurma oraru 80 dB olan bir yuk-
6. $ekil 15.56'daki fark yilkseltecinin ae gerilim kazancim hesaplaym. scltecin ortakisaret kazanci nedir?

7. $ekil 15.56'daki devrenin giris ve ~Jkl§ direneini hesaplaym. 13. Park kazanci 180 vc ortak isaret kazanci 0.5 olan bir ydkselrecin ortak isareti
bastirma orarn dB olarak nedir?
8. $ekil 15.57'deki devre icin, J e sabit akirn degerini hesaplaym.
14. Re= 4.3·ill, RE= 11 ill ve transistor icin h1, = 120 ve h;, = J.5 ill alarak Sckil
9. $ekil 15.57'deki devredeki de kollektor gerilimini hesaplaym. 15.27a'daki devrenin fark ve ortak isaret kazanclan ile CMRR degerini he-
saplayin.
10. Vz = 6.8 V, Re= 1.8 ill ve R 1 = 5 kn degerleri icin §ekil l5. I 9'daki
devrenin sabit akirruns hesaplaym. 15. Re= 4.3 kQ, h10 = 120, llhoe = 100 k.Q ve h;, = J.5 k.Q alarak Seki! 15.27b'deki
devre icin fark ve ortak isaret kazanclan ile CMRR degerini hesaplayin,
11. Problem lO'daki degerlcri kullanarak, devrcnin ac ~1k1~ direncini hesaplayin.
(hrc = 150, I/hoc =100 kn, h;e =tl50 n) .. 16. V;1 = 0.5 mV, Vn = 0.45 mV'luk girisler ile Ad= 450 ve CMRR = I 04 degerleri
iein bir fark yiikseltecinin 1r1ki~ gerilimini hesaplayin.

BolOm15 Dogrusal Entegre Devreler:i~lemsel Viiksettei;:ler BolOm 15 Problemler 757

756
17. Fark yukseltecinin giri§ direnci, 5 V'luk girise seri 25 kn'luk direnc kullamlarak
o!yi.ilmii§ttir. Eger ytiksellecin girisindeki gerilim 1.5 V ise R; degeri nedir? l'j=-2Y--+

=
18. Bir fark yukseltecinin tek giri§ varken kazanci A.1 120'dir. A., bulunurken yapilan
devre ol9timlerinde V; = 2 V ve V,, = 20 mV'tur. CMRR degerini dB cinsinden he-
saplaym.

* 15.5 soom
IOOkSl
19. "Zahiri toprak" ne demektir? ;,
';,
.~ckil J 5.:i') Problem

* 15.6
23'e ili~kin devre.

20. Vi = 4V, R1= 250 kO vc R 1 = 50 kn degerleri i9in ~ekil 15.3l'deki gibi bir ters- 24. $ekil 15.60'daki devre ve girisler icin 91k.t§ dalga seklini cizin.
lemeyen i§lemsel yukseltec devresinin r;iki§ gerilimini hesaplayrn.

21. A§ag1daki degerler icin ~ekil 15.34'deki gibi bir

22. ~ekil 15.58'deki devrelerin 91k1§ gerilimini bulun.

iir; girisli toplam ahci yiik-
seltecin 91kt§ gerilimini .hesaplaym: R1 = 200 kO, R2 = 250 kO, R3 = 500 kQ,
Rr= 1 MQ, V1 = -2V, V2 = +2V ve.'13 = iv "1 (t)--'1· •.,..
..."'
200kSl
... _ I __
....
lµF

.....
SOOkil ~,·kil IS.GO Problem
i4'c ili}kindevre.

V.c-JV-2~-- 01__ . . 25. Problem 24'ii. Sekil 15.61 icin tekrarlaym.

v1 m +JV--"''11"11'-~--' . t,1.-Ytlb.
IOOkfi

ti Yr lµF
•·
ov J ~ "1 (t) __ .,..,.,.__ - ,.
(b)
'; :fo•
(a)
!Mn

r"
...:~)'Ob:
SOOk.ll
~ckll I S5M 1-.mblt.•m 22'ye ili~kiu dcvrc.

23. Problem 22'yi, ~ekil 15.59'daki.devre_ir;in tekrarlaym. ~ekil 15.td Prohlern

2.'S'c ili~kin dcvrc.

758 BolOm 15 Dogrusal Entegre Devreler: i,1emsel YOkselte~ler Bolilm 15 Problemler 759
§ 15.7

26. R2 =1,8 kii, R3 = 3.3 kil ve R1 = 1.8 kQ ise Sekil J.5.45a'daki devrenin sabit
<;1kl§ akirru nedir?
~::;ffii
t:: ·J
,;;
\,.~ il.::~_•.;.
27. Sekil 15.45b'deki devrede R2 = 2.7 kil, R3 = 1.8 kQ ve R1 = 1.2 kil ise /" <;1k1~
akimimn degeri nedir?

28. $ekil 15.62a'daki filtre .levrcsinin kesim frekansiru hesaplayin.

16.1 cinis
Gcrilim regillatorleri dogrusal IC'lerin populer bir grubudur. Gerilim regiilatorti en-
tegre devresi, girisine uygulanan.oldukcasabi]: bir de gerilimini ahr ve daha dil§iik
(a)
bu
diizeyli bir ae gerilim <;IIG§I verir; iik1§:iegtilai6r tarafmdan biiyiik bir yiik aknm
veya giris gerilimi degi~me araiigi.ndilsabit>~eya regule edilmis halde tutulur. AC
1001cn gerilim kaynagmdan baslayarak, ac gerilimini dq~rultmak suretiyle kararh bir de ge-
rilimi olusturulur ve bu de gerilimi, bir de seviyesine filtrelenerek sonunda bir IC ge-
rilim regulatoru devresiyle diizenlenir.
Bu b6liimde, filtre kondansatorlerinin <;ah~mas1 ve transforrnator, dogrultucu ve
filtre kullanarak ae geriliminin de gerilimine donii§tiirulmesi islemi ele almacaktir.
Diyotlu dogruhma devreleri icin 2. Bolume tekrar bakm.
<;e§itli ~1kt§ gerilimi degerlerine sahip sabit bir ~tkl§ gerilimi iireten entegre (IC)
gerilim regi.ilatorii rnevcuttur, Regulator entegreleri, pozitif veya negatif gerilimlerde
<;alt~aeak ~ekilde secilebilir, Aynea dt§ direnc degerleriyle ayarlanan belli bir ge-
rilim arahgmda <;1k1§ veren gerilim regulatorleri 'de mevcuttur.
~ekil 16.l'de, tipik bir gil<; kaynagirun bolumlerini ve 9c~itli noktalardaki ge-
(b)
rilimleri gosteren bir diyagram verilmistir. Ortalamadegeri tipikolarak 120 V olan
S<'kil 1.5.62 Problem 2~ ve 29'a ili1kin a~tif filtre devre. ae gerilimi, istenen de <;tki§ duzeyi icin. bu _gerilimi' artiran veya <;ogunlukla dil~ilren
bir transformatore baglamr. Ardmdan bir diyotlu d~grultucu, sinyal degi§imini daha
29. $ekiJ' 15.62b'deki filtre·devresinin kesim frekansiru hesaplaym. Filtrenin ideal dtizgiln bir hale getirmek i<;inbirfiltreye:uygtifanan'yar1~ dalga (9oguniukla tipik
tepki grafigini cizin. olarak tam dalga) dogrultulmus bir gerilim iiretir. Bu dilzgunlestirme icin <;ogu kez

760 BolOm 15 Dogrusal Entegre Devreler:i~lemsel YOkselte~ler

761
 basit bir kondansatorlufiltre yeterli olur. _Sonur;ta elde edilen kisrnen dalgacikh veya
ae degi~meli de gerilimi daha sonra belli bir ytik araliginda son dereee dti§tik dal-
gacik gerilimli bir de gerilim r;1kt§I veren bir entegre regulatore giri§ olarak uy-
gulamr, r
\
IC regOlator YOlc 0 Wt.

~ekil I 1,.1 llir _gU~ kayllllgmmana par~lann1n g6'1eriklij\i blok diyagrarm.

Filtre devresinin c;;tl<t§ geriliminin, bir de voltmetre ve ac (rms) (ortalama deger)
voltmetre kullamlarak i:ilr,:iilmesini ele alalim. De voltmetre yalmzea c;;tlo§ ge-
16.2 GENEL Fil TRE ESASLARI riliminin ortalamasim veya de diizeyini okuyacaktrr. Ac voltmetrc yalmzca r,:tkl§ ge·
Ortalama degeri sifir olan bir sinyali, ortalama degeri sifirdan farkh bir sinyale do- riliminin ac bilesenlerinin ortalama deg~rini okuyacakur (sinyalin olr,;ii aletine, de
nii§tli1111ek icin bir dogrultucu devreye _gerek vardir. Ne var ki sonucta elde edilen diizeyini bloklayan bir kondansator iizerinden baglandig1 varsayihrsa).
darbe seklindeki de sinyal, diizgtin bir de olmadigr gibi de icin iyi bir ornek bile de-
gildir. Kuskusuz, elde edilen de seviyesi akiiyii (pili) doldurdugu siirece, sinyalin Tamm: Dalgal11Ik:
darbeli yapisi pi! doldurma devre;i gibi birdt:vrede r,:ok onemli degildir. 6te yandan
kasetcalar veya radyodaki gerilimbesiemerlev~leri ir,:in darbeli de gerilimi, cikista '\ r=daloahhk = dalgactkgerilimi (nns) = V,{rms) x %JOO 1 (16.l)
devrenin tamammm r,:ah§masm1 ~erirnsiiiala~ 50 Hz (veya 100 Hz)'lik bir sinyal _ _
0
. de gerilim - .Vde_ J
liretecektir. Bu ttir ve diger bircok uygulamada de r,:d,J§m, yanm dalga veya tam
dalga dogrultucu devrelerinden elde edilcn darbel; de gcrilirnden daha dtizgiin 01- ()RNEK Hi.I
mast gerekir.
Bir filtre devresinden gelcn r,;1k.t§ sinyalini i:ilc;;mek icin de ve ac voltmetre kul-
Filtre ile Gerilim RegOlasyonu larnldigmda, 25 V'lukbir.dc.gerilimi ve 1.5 V rms'lik (ortalama deger) bir ac dal-
ve Dalqacik Gerilimi gacik gerilimi elde edilmistir, Filtre r,;1kl§mdaki dalgactk gerilimini hesaplaym.
,_
Filtre devresinin aynnulanna girmeden i;ince, bir devrenin Iiltre olarak ne oranda ~;i_i·t,(im:
verimli oldugunu dcgerlendlrebilmek ir,:in devrelerin anma degcrlerinin be-
lirlenmesinde kullanilan gene! yontemi ele almarmzda yarar vardir, ~ekil 16.2, bazi r Yr (rms) x %100 = Ll...Y. 100 = %6
sinyal faktorlerini tammla~ak ir,:in ku1Ian1lacak olan tipik bir filtre r,:1k1§ gerilimini Vdc 25 V
gostermektedir. ~ek:il 16.2'deki filtrelenmis r,:tk•§ geriliminin bir de degeri ve bir
miktar ac degi§imi (dalgal1lik)-vardrr. Pilden alman gerilimin sabit ya da de duzeyli GERiLiM REGULASYONU
olmasma karsihk, bir ac kaynagindan dogrult~a ve filtrelcme sonrasmda alman ge-
rilim uzerinde ise bazi degi§iniler (dalgaciklar) bulunur, De seviyesine oranla ac de- Gerilim kaynagmdaki bir baska onemli faktor de, devrenin r,:ah§ma arahg1 icinde
gi§mesi ne kadar kiir,:iikse,filt~ devresinin r,:ah§l~la~l da O kadar iyiolur. c;;1k1§taki de geriliminde ortaya <;ikan degi§imin _ miktandir. Yuk, kaynaktan akirn

762 Biilum 16 Dogrusal IC'ler: RegOlaliirler (Flllreler ve Gii~ Kaynaklan Dahill Biilum 16.2 Gene! Flltre Esaslan 763
 bir sorunsa) yanrn dalga dogrulrucu yeterli olabilir. Aynca Iiltrelenrnis 91la~. yiike
yektiginde, yiiksiiz halde (kaynaktan akim yelolmedigi durumda) ytla~ta elde edilen az miktarda akim iletiyor ve filtre devresi kritik bir onern tasmuyorsa, yanm dalga
gerilim azahr, · Yiiklii ve yiiksiiz 93l1§mada, -~lk1~tan alinan gerili~in ne oranda de- dogrulttilmu§ bir sinyal yeterli olabilir, Ote yandan, kaynagm olabildigince az dai-
gi§tigi, kaynak kullanan herkes iyin belirgin bir onern tasu. Gerilimdeki bu degi§imi; gacik ieermesini gerektiren durumlarda en iyisi, ~ag1da da gosterilecegi gibi, tam
gerilim regulasyonu olarak adlandinlan fakti:ir ile tarumlarur. dalga dogrultmali bir sinyalle baslamak olacaknr,
Yanm dalga dogrultulmus bir sinyal icin 91k.l§ de gerilirni Vdc =
0.318 Vm'dir.
Tamm: Gerilim regiilasyonu: Crkissinyalinin ac bileseninin rms degeri hesaplanabilir, V,. (rms) = 0.385 Vm'dir.
.1. dii . yiiksilz gerilim degeri - tam yilkte gerilim degeri Dalgalihk yi.izdesini hesaplarsak:
gen 1m uzen 1 emes1 - - - - - ·--
. ram yiikte eerilim degeri
r= V,(rms) (100)=0.385 V., (100)= l.2!'(100)=%121 (yarim dalga) (16.3)

. ,- ,V.R=VN~: 1~F~·x %100. (16.2)

Vdc
elde ederiz,
0.318 V.,

ORNEK 16.2 Tarn dalga dogrultucu icin Vde degerl Vde = 0.636 Vm'dir. Ek B'de elde edden so-
1
=
nuclardan tam dalga dogrultnlmus sinyalin dalgacik geriliminin V,. (rms) 0:308 V"'
Bir de gerilim kaynagi, ylla§a yiik baghdegilken 60 V y1la~ vermektedir. Tam oldugunu goruruz. Dalgacik yuzdesini hesaplarsak:
yukte kaynaktan akrm cekildiginde y1k1§ gerilimi 56 V'a dusmekredir, Gerilim re-
gulasyonu degerini hesaplaym. r= V, (rms) ( 1 OO) _ 0.385 Vm (100) = %48 (tam dalga) (16.4)
Vdc 0.306 V.,
(:tiziim: elde ederiz.
V.R. = VNi-VFL x %100 = 60 V - 56V x %100 = %7.14
VFL - 56V Tam dalga dogrultulmus sinyalin dalgalihk faktonl rniktan, yanm da!ga dog-
rultulmus sinyalinkinden yak1~&25~tdaha azdir ve daha iyi filtrelenmis bir sin-
Tam yiikteki gerilim degerinin yiiksuz: gerilim degeriyle ayru olmasi halinde V .R. yal saglar. Bu dalgalihk fak.torii degerleririiri hirer mutlak deger olduguna ve tepe ge-
% 0 olarak bulunacakur, bu da'beklenebilecek.eniyisonuctur. Bu deger, kaynagm, rilirnine bagh olmadigrna dikkat edin. Tepe geriliminin arnnlmasi halinde yOO§IO de
dogru bit kaynak oldugu ve yi.ki§·geriliminin kaynaktan cekilen akimdan bagunsiz degeri de artar, ama bu durumda daliac1kgerilimlde artar. Ikisi de ayru oranda art-
oldugu anlamma gelir. Kaynaklann yogunda gerilim kaynagindan cekilcn akrm mik- t1gmdan dalgacik faktoru aynr kalacaktir,
tarmm artrnasma bagh olarak ylkl§ gerilirni de azalir. Gerilim azalmasi ne kadar kii-
cukse, V.R. yiizdesi o kadar kiictik ve gerilim kaynag: <levresinin 9ah§mas1 da o
kadar iyi olur,
16.3 BASiT KONDANSAT6RL0FIL'rRE
Popiiler bir filtre devresi, ~ekil 16.3'de goriilen basit kondansator!U filtre devresidir.
OOGRULTULMU$ SiNYALiN OALGALILIK FAKTORU Kondansator, dogrultucunun 91la~ina baglanm1~!lr ve de 91k1§ gerilimi kondansator,

Dogrultulrnus sinyal, filtrelenmis bir gerilim olmamasma ragmen, bir de ve bir de

dalgacik bileseni icerir. Bu de gerilim ve dalgacik gerilimi (rms) degerlerini he-
saplayabilir ve bunlardan, yanm dalga ve tam dalga dogrultulmus gerilimlerin dal- acgiri~i
gacik faktoriiml elde edebiliriz. Hesaplamalar, dii§iik dalgacrk yiizdesi istenmesi ha-
linde, tam dalga dogrultulmu§ sinyalin dalgacik yuzdesinin daha dti§tik oldugunu ve
bu nedenle yanm dalga dogrultulrnus: sinyalden daha iyi bir dogrultulrnus sinyal
elde edildigini gosrerir, Dalgahlik yuzdesi her zaman en onernli sorun degildir, Eger
devrenin karrnasrklrgr ve maliyet onemliyseIve dalgahhk yuzdesi ikinci derecede $ckil 16.3 lln<it komansntGrlU fillre.

Bolum 16.3 Basil KondansatorlO Ffltre 765

764 BolOm 16 Dogrusal IC'ler: Regiilatorler (Filtreler ve Goe; Kaynaklari Dahfl)
 kondansator degeri, direnc (yiik) degeri, dalgahlik faktoru ve diizenleme arasindaki
bazi illskileri belirlememiz gcrckir.

:r{]ll c RL
D2

\a)

Ve ( V,),,.p
L
·;----

:!
wt
T,
(a) (~) T2
T
2
~ckil 16.4 Kondam,110,10 filtn:nin ~•htm"'o:{o) tam dalga (losrultulut &erilim; (b) filln:lcnmiJ~1k11 ~crilimi. (b)

iizerinden ahmr, ~ekil l 6.4a, sinyal filtrelenmeden onceki tam dalga dogrulmcu devresinin ~ckil 1 (,.; KondansatorlO filare: (a) kondansaaorlofiltn: devresi; lhJ <;1kq gcriHmi dal!'-" sektl
dogrultulmus yll<l§ gerilimini gostermektedir, ~ekil 16.4b, kondansator dogrultucu yll<l§1
tizerine baglandiktan sonraki dalga ~eklini gosterir: G&.tcrilcligi, gibi, filtrelenrnis bu ge- ~ekil 16.6, duz bir dolma ve bo§alm~egrisi~~ yakla§tmlan ~UC!§ dalga seklini gos-
de
rilim, iizerinde bir miktar dalgacik gerilimi.bulunan bir duzeyine sahiptir. termektedir. Bu da makuldiir, yiinkii pratikte gerceklesen ve dogrusal olmayan
Sekil 16.Sa, bir tam dalga dogrultuc~yu ~e ylki§ yilkiine baglandigmda elde edi- dolma ve bosalrna analizi cok karmasiknr ve :etde edilensonuclar, devreler iiz~rindc
len ylk1§ dalga §eklinigostermektedir. Piltr~nfu
y;kl§mda yiik yoksa yi.kl§, dalga yapilan pratikolcumlerle uyusan degerler verecektir. ~eki116.6'daki dalga §C~lt, tam
§Ckli .ideal olarak, dogrultucu de~resinde~ gelen tepe gerilimine (Vm) esit degerde dalga dogrultulmus bir sinyalin yaklasik gerilim dalga §e_klini .gostermektedir. Bu
sabit bir de diizeyi olacakur, Ne var Jci de
ge#liininelde edilmesindeki amac, bu ge-
rilimi diger elektronik devrelerde kullanmalrur; bu da gerilim kaynagma belli bir
yiik getirecektir. Filtre iizerinde her zaman belli bir yiik olacagi iyin, tartismarmzda
bu pratik durumu dikkate alrnarruz gerekir. ~ekil 163b'de gosterilen tam dalga dog-
. .....,,.
rultulrnus sinyal icin, belirtilen iki zaman arabg1 vardir, T1, tam dalga dogrultucunun
Ii ,. \
\
diyotunun iletimde oldugu ve kondansatoru, dogrultucu ylkt§J tepe gerilimine (V,..)
.
\I• l
I

kadar doldurdugu siiredir. T2 ise, dogrulrucu geriliminin tepe degerinin altma dii§- \ /
. I
.t
tiigii ve kondansatorun yiik iizerinden bo§aldJg1 siiredir.
Kondansatoriin (kiiyiik bir yiik nedeniyle) yOk az bosalmasi halinde ortalama ge-
rilim, optimum Vm degerine cok yakm olacakur. KiiyUk yiikler iyin dalgacik ge-
Ir
Ii
,
l;
\1
~
'\
~
•l I
j
rilirninin miktan da kiiyiik olacakur -. Bu, kondansatorlil filtre devresinin, yiikler icin
kuctik dalgacikli biiyiik biCdc:gerilfui.((ye'biiyiikyiikler iyi~ biiyiik dalgacikh daha 0 I. T
2
kiiyiik bir de gerilimi) sagladig1m go~tetir. Bu nicelikleri daha iyi anlarnak icin, ylkt§
dalga §eklini daha aynntih incelememiz ve dogrultulacak giris sinyali, devrenin ~ckil 16.6 Kondun,alorlUfihre devrcsininyaklatikflklj gerilim.

766 BolOm 16 Oogrusal IC'ler: RegOlat_orler (Flltreler ve G09 Kaynaklan Oahll)

Borom 16.3 Baslt KondansetorlO Filtre . 767
gerilim dalga seklinin analizinden asagidaki baglanular elde edilebilir:
<;ozilm:
(yanrn dalga
Vdc = Vm - V, (t~r;-tepe) 'J (16.5)
(16. 7c) denklemini kullanarak,
ve
v, (rms) = v, (tepe-tepe) tam dalga) (16.6)
V, (rms) = 2·88 (50) = 1.44 V
2ff . 100
l elcle ederiz.
Ancak bu bagmular sadece dalga §ekli gerilimleri cinsinden verilmistir ve bunlarla
dcvredeki 9e§itli elemanlar arasmda daha baska bagmnlar da kurmarruz gerekir.
Yanm dalga icin dalgacik dalga §eklinin bicimi, tam dalgadakiyle aym oldugu icin,
DC Gerlllml, Vdc

(16.5) ve (16.6) denklemleri her iki dogrultucu filtre devre i9in de gecerlidir.
(16.5), (16.6) ve (16.7a) denklernlerini kullanrrsak, filtrenin de geriliminin
Dalqacik Geriliml, V,(rms)
Vdc = V m - V, (lepe-tepe) = Vm _ }k.. X ~ (tam dalga) ~16.8a)
2 4/C V., .
Ek B'de, diger devre parametreleri cinsinden dalgacik gerilim degerinin belirlenmesi
oldugunu goriiriiz. Yine hafif yiiklerde V~'nin V~i ile a§ag1 yukan aym oldigu yo-
icin gerek.li aynntilar yer almaktadir, · V, (rms) icin ~Ide edilen sonuc soyledir:
Jundaki varsayirm kullamrsak, yaklasik Va., degerini buluruz <Vm'den d~ha ku-
V, (rms)'i= ~x .!'.k (tam dalga) (16.7a) 9iiktiir):
4V3fC · Vm.
Vdc = V.,-~ (tam dalga, kii9ilk yiik) (l6.8b)
Burada f. ac sinusoidal giiy kaynagr geriliminin frekansi (genellikle 50 Hz), l,1c, 4JC
yiikiin filtreden 9ektigi ortalarna akim, C'ise filtre kondansatorunun degeridir.
Bu da, (f = 50 Hz almarak) §U sekilde yaztlabilir:
Yapilabilecek diger sadelestirici yaklasnrmada sudur: tipik olarak kii9tik ytiklerde
kullarulmasi halinde' vde degeri vm'cten cok az du§tiktur, dolayisiyla vde v111 ah- = (16.8c)
nabilir ve denklem §i:iyle yazilabilir: (tam dalga, kilciik yuk)

V, (rms)::~ (tam dalga, kii9iik yilk) (16.7b) yazilabilir.

4Y3fC
Son olarak, sadelestirilen denklemde, sebeke frekansmm tipik degerini (f = 50 Burada V,,,, volt olarak dogrultulrnus gerilimin tepe degeri, Ide miliamper olarak yiik
Hz) ve diger sabitleri yerine koyarsak aknru ve C ise, kondansatorunun mikrofarad ciosinden degeridir.

V, (rrns) = 2.88/4c = 2.88Vdc (tam dalga, kii9iik yiik) (l6.7c)

(>RNEK 16.4
C R1.C
elde ederiz. Burada /de miliamper, C mikrofarad ve Rl kilohmdur. Ornek 16.3'deki filtre devresinde dogrullulmu~ gerilimin tepe degeri 30 Vise, filt-
renin de gerilimini hesaplaym.
ORNEK16.3

I.
<;iiziim:
50 mAilik yuke baglanan .100 ·µF degerinde kondansatorlu filtre icere» bir tam
dalga dogrultucunun dalgacik gerilimini hesaplaym. (16.8c) denklcmini kullanarak

Vue= Vm - Side= 30 - 5(50) = 27.5 V

I
Ek B'de, d:alg.acrk. mjL:1.a.nll~ c&c Yd,; Uc V.,. #1.1mdaki ili,11ti gOStcrihniftlt. ~kil B..l'ten %6.5'dan daha k~Uk dJlg:ihhli: f~k· C. 100
torilndc Ydc'nin, Vm'in % lO Hmiti i~indeoldutunu gBrilril't.. Bu ncdcnle e-'6Sd::1nd.tha kf.i.c;:Uk dalgac,klar.i yot ut;an yiikleri hofif
yUk olarak.tammfay:abitiri?..
elde ederiz.

768 Boliim 16 Dogrusar IC'fer: RegOlatorler (Filtrefer ve Gile, Kaynaklan Dahill

BolOm 16.3 Basit KondansatorlO Flftre 769
 De gerilim degeri, dogrultulmus gerilimin tepe degerinden kii<;ilktiir. Ayrica Diyodun iletlm Periyodu
; (16.8c) denkleminden, filtreden cekilen ortalama akrrn deger] ne kadar bilyukse, ve Diyot Tepe Almrn
I . ylk.i§ de geriliminin o kadar dii§iik olduguna ve filtre kondansatorunun degcri ne
I kadar biiyiikse, yOO§ de geriliminin de Vm tepe degerine o kadar cok yaklastigma
I dikkat ectin.
Yukanda soylenenlerden, daha biiyilk kondansator degerlerinin, daha kiiyilk dal-
gacik degerleri ve daha yiiksek ortalama gerilimler saglad1g1, boylece filtrenin ya-
hsmasmm daha iyi oldugu acikur. Buradan, kondansatorlu bir filtrenin verimini ar-
Fiitreleme Kondansatoru Uzerindeki Dalgahltl( urmak icin, filtre kondansatoriiniln bilyilklilgilnli arurrnarun yeterli olacagi sonucu
~Lkanlabilir." Ancak kondansator, dogrultucu diyot nedeniyle tepe akirruru da etkiler;
Dalgacik tamrrum [(16.1) denklerni] ve dalgacik gerilim denklemini [(16.7c) a§agtda da gostcrilecegi iizere kullamlan kondansatonin degeri nc kadar buyuksc,
denklemi) kullanarak, tam dalga kondansatorlii filtrenin dalgalihk faktorunun ifa- dogrultucu diyot uzcrindeki tepe akrrm da o kadar biiyiik olacakur,
desini elde ederiz: Dogrultucunun ve kondansatorlu filtre devresinin ~ah§masma donecek olursak,
dikkate almmasi gereken iki yah§ma donerni oldugunu gortiruz, Kondansatdr, dog-
\ r= v, (rms) x %100 = 2-88/dc x %1~ (tam dalga, kii<;ilk yiik) (16.9a) rultulmus gerilimin tepe degerine kadar doldulctan sonra (Sekil 16.5b'ye bakm), di-
: Vd,· CVde
yodun kesim durumuna gecinceye kadar belli bir siire gecer (Ti), bu silre icinde y1k1§
Vde ve /de• filtre ylikii Rl'yc bagh oldugundan dalgacig: §oyle de ifade edebiliriz: gerilimi yiik iizerinden bosahr, T2'den sonra dogrultulrnus giris gerilimi, kondansator
geriliminden biiyiik olur ve T1 siiresi boyunca kondansator tekrar, dogrultulmus tepe
[:,=~x%100 '· (tamdalga,kli<;iikyiik) (16.9b) geriliminc kadar dolar. Bu dolma silresi icinde kondansatore ve yiike iletilen or-
talama akirmn, bosalma siiresi iyinde kondansarorden. cekile» akima esit olrnasi gc-
Burada /de miliarnper, C mikrofarad, Vde volt ve Rl kiloohmdur. rekir. ~ekil 16.7'de, yanm dalga dogrultucu yah§madaki diyot akmn dalga §ekli gos-
Bu dalgalrlrk faktoru, yiik akimiyla dogru orantih (yiik akrrm ne kadar bu- terilmistir, Diyodun, sayktlm yok kisa bir siiresi boyunca iletimde olduguna dikkat
yiikse, dalgalthk faktoru de o kadar bUyiiktiir) ve kondansatorun biiyiiklilgiiyle edin. Ashnda kondansator nc. kadar biiyiikse, gcrilimin sonmesinin (azalmasmm)
ters orannh degi§ir. Bu da filtre devresinin yalI§masma iliskin soylenenlere miktarmm o oranda az ve dolmanm gerceklesrnc suresinin de o kadar kisa olacagi
uyar. gorlilcbilir.

ORNEK 16.5

I
Kfndansa~orlii (C = 100 11F) bir filtre devresinden, 50 mA'lik bir yiik akmu ce-
kilmektedir, Dogrultulmus gerilimin tepe deger] 30 V ise r'yi hesaplaym. Dlyot iletimde

Cozum:

Ornek 16.3 ve J6.4'iin sonuclanni ve (16.9a) denklernini kullanacak olursak:

2·88(50) x%100=%5.2 Yanm-dalga

r=2·88ldcx%100= ....do~llulm~sinyal
CV de (100)(27.5)
r'nin ternel tammmdan r'yi §Oyle de hesaplayabilirctik:

r= V, (nns) X %100 = 1.44 x %100 = %5.2

Vdc 27.5
~rkil 1(,.7 Diyot, kond:ms>1(1rdolunciyakodar ile1imd<dir. :

770 Bolilm 16 Dogrusal IC'ler: AegOlatorler (Flltreler ve Gil~ Kaynaklan Oahll) Bolilm 16.3 Baslt Kondansatorlii Flllre 771
 Bu kisa dolum arahg1 icinde diyotun, aym miktardaki ortalama akirru gecirmesi ge- Ve Ve

rekir; bunu da sadece daha biiyiik birtepe ak1rt11 gecirerek gerceklestirebilir. Sekil
16.8'de, kiic;iik ve biiyiik kondansatqrdegerl~~i i~inwki§ akim ve gerilimin dalga §C- f
\, ,i' \
killeri gosterilmistir, Dikkat edilmesi gerekenonemli bir faktor, biiyilk degerli kon-
dansatorler olmasi durumunda diyottan- gecen tepe akimuun arnsidrr. Dolum per-
yodu boyunca, kaynaktan cekilen ortalama akirnm diyottan gecen akima esit olrnasi
'' '
f

'I !
I
\ / \
\
I
\
I
/
I
I \,,
\
gerektiginden, ~ekil 16.8'den ll§ag1daki bagrrm tiiretilebilir.2 lo io

(16.lOa)

Buradan

ftepc= I_ Ide (16.lOb)

Tr '
elde ederiz.
Burada T1 = diyodun iletimde oldugu sure
T = l/f = 5'o;
50 Hz'lik sebeke gerilimi icin
(a) (b)
ts= filtre devresinden cekilen ortalama akrm
I,ef>! = Iletirn diyodundan gec;en aknnm tepe dcgeri
~d ii I r,.o <;•k•t i;erilimi vc diyot ak,mmm dalga l('killeri: {a} kufiik C dc~cri; (b) bUyiik C degcri.

16.4 RCFiLTRESi
yuzdesi olan bir <;lki§ gerilimi saglar, RL direnci ile gosterilen yuk, R iizerinden bir de
akmu ceker ve RL uclanndaki gerilim; Rdirenci uzerindeki gerilim dii§iimii nedeniyle,
~ekil 16.9'da goriildUgii gibi, ilave bir RC filtre paryas1 kullanmak suretiyle, bir filt-
C1 'in uclannda ol~iilen gerilimden dahi dii§iikttir. Basit kondansatorlu filtre devresi
rclemc kondansatorlu uzerindeki dalgahlrgive de gerilimini azaltmak miimkiindiir.
gibi bu filtre devresi de, kii<;Uk yiiklerde en iyi <;al!limay1 saglar, ancak biiyiik yuklerdc
ilave edilen devrenin amaci, ilk G' 1filtreleme kondansatoru iizerinde artan gerilimin
gerilim regiilasyonu helirgin ol<;iide daha zayif ve dalgahhk yiizdesi daha yiiksek olur.
de bilesenini olabildigince fazla gecirmek ve C1 iizerinde biiyiiyen dalgacik ge-
riliminin ae bilesenini olabildigince zayiflatrnaknr. Bu i§le!11, de dtizeyiyle iliskili
olarak dalgahlik oramm azaltarak, basit kondarisatorlii filtrcdekinden daha iyi bir
R
filtre c;ah§mas1 saglar, Ancak gosterilecegiuzere bu iyilesmenin bir de bedeli vardir:
bu bedel, direnc iizcrindeki de gerilim dii§iimilnden kaynaklanan daha dii~iik bir de Do!rultucu
devresi
<;tkl§ gerilimi ve devredeki ilave iki elemarun getirdigi maliyettir .
. ~ekil 16.10, tam dalga 9ah§masmdaki dogrultma filtresinin devresini gos-
termektedir. Dogrultucunun 91k1§1 dogrudan dogruya kondansatore beslendigi icin,
Kondansatclr Ek RC Yilk
diyotlar ii:z.erindcki tepe akimlan, kaynaktan cekilen orta!ama akrmdan kat km faz- ~,·kil 1(,.9 HCfiltreko1 .. fllttesl fillreSi
ladrr. C1 kondansatoru uzerinde artan gerilim bu durumda direnc-kondansator (R,
C2) uzerinde daha da filtrelenir, bu da C1 iizerindekinden daha dii~iik bir dalgahlrk C1 kondansatoru iizerindcn ahnan filtrenin ac ve de gerilim cikrslaruun analizi, su-
pcrpozisyon yonlemi kullarularak yapilabilir .. Devreyi; C1'in uc;lanndaki de diizeyi ile
1
r, sU~li dikdortscn bi~imli bir tLtrbc. llef)c'li.k bir ~p: de..g~ri ve 1' icG~i (p::riyodu) i~in. gralik1en d;jrb!/sllrt: al.Jnu'Hn altmdald ilgili RC devrcsi ve C1 Uzerinde biiyiiyen ac (dalgaedc) gerilimi ile ilgili RC dcvn;si
ksstm •. ~rtahun:i /dA:. de&erini verir. gibi iki ayn devre ~cldinde dii~nebiliriz. Ardmdan, bulunan degerler, gene! devrc gc-
rilim regiilasyonu ve dalgalthk ornrum hesaplamak ic;in kullamlabilir.

772 Biilum 16 Oogrusal IC'ler: Regulatorler (Flllreler ve Gue; Kaynaklan Dahill BiilUm 16.4 RCFlltresl 773
 V, (nns) V,' (rms) tarafmdan zayiflanldiguu goruruz; sonuctayuk iizerindeki _de gerilimi V'dc:
Yd.c ,..,._... - ·_ '~· .. _i v.' i,.....;....-,.-____.=...a.;;........ -1
f de f
V~c=~ Vdc (16.11)
R + Rt

\
olacakur,

120Vac~II R
ORNEK Hi.6

r r
R = L20 n ile eklenen RC filtre boliimii, filtreleme kondansatoru uzerinde bas-
langicta meveut 60 V'luk (V c1c) de gerilimini dii§iirmektedir. Yilk direnci 1 kn ise,
filtrc devresinin de ¥lkt§ gerilirninin (V'ctJ degerini hesaplayrn.

Tam-dalgadoiroltucu Flltrc Yak

(,.'.oziim:

(16.l l) denklemini kullanarak

~i1~k iJ I Ii. [(I Tmn dalg.a dogrulllM.-u ve RC ftltrc devresi,

V~c = .Bu.: Vdc ~ 1 ()()() X 60 ::: 53.6 V.

R + RL 120+ 1000 · -
RC Filtre Bi:!lum(inun DC Qah~mas,
elde ederiz.
Sekil 16.lla'da, filtre ve yiikteki dcgerilimi ve akimt incelenirken kullarulacak
esdeger devre gosterilmistir, iki filtreleme _kortclansatorii, de gerilimleri icin acik Buna ek olarak, filtre direnci iizerindeki gerilim di:i~i:imilni:i ve cekilen yuk akrmim
devredir ve bu nedenle §imdilik dikkate almmayacaknr, CI filtreleme kondansatoril hesaplayabiliriz:
iizerindeki de gerilim hesaplan esas "itib"ar1yre-· 16.3. Boltimde anlatilrmsu; do- VR = Vdc - Vdc =.60 -.53.6 = 6.4 V
layisiyla ilave cdilen RC filtre katuu. o noktadanbaslayarak ele alacagiz. ilk filt-
l<1c= V~c=~=53:6mA
releme kondansatoru (C1) uzerindeki de gerilimibilindigi taktirde, eklenen RC filtrc RL -1 _x ·:103 -- .
bol~miiniin ylkl.§mdaki de gerilimi de hesaplanabilir. ~ekil 16.lla'dan C1 iizcrindeki
v..j geriliminin, R ve Rt'den olusan bir direnc-bolucu devresi (esdeger yiik direnci) RCflltre BolumOnOn AC yahJ~asr

~ekil 16.llb'de, filtre devresinin ac.calismasirun analizinde kullaml~n esdeger

c1 kDndansalool
ilzerindcartan
dcvre gosterilmistir, ilk filtrelenie- kondansatorunden (C1) filtre kauna girls, c,
8C dalgahhkgaillmi iizerindeki V, (rms) geriliminin dalgacik veya ac sinyal krsrnrdir; burada bu ge-
rilim, yaklasrk olarak sinusoidal bir sinyal gi,bi kabul edilrnistir, Hem RC filtre ka-
\ .....----.-R
-----. nrun elernanlan hem de yiik direnci, filtre ¥•'?§mdaki ac sinyalini etkiler.
50 Hz'lik dalgacik gerilimi frekansinda (j) 10 JtFhk filtre kondansatorii icin, kon-
.':v V, (nns)
V.'r
(nns)
dansatorun ac empedansr'
Xc=-1_. =-1-= · I -0.318.ill
me 21ifC 6.28(50)(!0 x 10-6)
(a} (b)

~d;il 1(1.11 R< · fihrcsinin de ve ac C1(kgc,dcvrclcri: (a) de cjdcfl!r devresi: (h) ac c¢c~oer dcvrcsi. 3 X('. burnda sadece l.:cmd:ans.iitoriio JC cmpcdoosmm bUyUldUfunillemsil eder.

774 Boliim 16 Dogrusal IC'ler: RegOlatorler (Filtreler ve GO~ Kaynaklan Dahl!) BolOm 16.4 RC Flltresl 775
~ekil 16.llb'ye bakacak olursak, bu kapasirif empedansm yiik direnciyle paralel ol- Cozum:
dugunu gorilruz. Ornegin 2 kQ'luk bh- yiik direnci icin iki bilesenin paralel bir-
lesimi, a§ag1daki degere sahip bir ernpedans verecektir: Xe= J.592 = 1.592 = 0.106 k.Q ~ 106 .Q
C 15
Z= R,Xc 2<0·318) ,._L(0.318)=0.314kQ Yii~ _clirenciyle ve kapasitif empedansmm paralel birlesirninin yaklasik olarak ka-
VRl + Xt v 22 + (0.318)2 . 2.02 pasitif empedansa esit oldugu yolundaki yakla~1k sadelestirme iliskisini kullanacak
Beklendigi gibi bu deger, tek basma kapasitif ernpedansin degerine yakmdir, r,:iinkii olursak, filtre kaundaki ac zayiflatmasrm hesaplayabiliriz:
kapasitif empedans, yiik direncinden cok daha diiiiiktiir ve ikisinin paraleli, tek tek
her birinin degerinden daha kiir,:iik olacakur, Kural olarak, yilk direnci kapasitif em- V~ (nns) = Xe · v, (rrns)
(16.13a)
pedanstan en az bes kat daha biiyiik oldugu surece, yiik direncinin yo! ar,:11g1 yiik- 'iR2+Xt:
lenmeyi ihmal edebiliriz. Kiir,:iik filtre devresine gerirdigi sirurlamalar necleniyle, Direnc ve_ kapasiti_f empedansi cebirsel degil, vekterel olarak toplamak gerektigi icin
yiik direncinin erkin degeri, genelde.jnikrofaradlardiizeyindeki kondansatorun em- paydadaki karelenn toplammm karekokunn .kullaninak gereklidir. Direnc d v • •
k · if egerimn,
ap~s1t1 _e I emanm degennden 5 kat biiyiik olrnasi halinde paydanm sadelestirilmesi
v • ,.

pedansma oranla daha biiyiiktiir. .. . \

Yukanda, dalgacrk gerilirninin frekansmm 50 Hz oldugunu soylemistik, ~ebeke a§ag1dak1 sonucu verebilir: ;
!
frekansuu 50 Hz ahrsak, yanm dalga dogrultucudaki dalgacik geriliminin dalgacik . x
V, (rms) = ~. V, (rrns)
frekansi da 50 Hz olacaktir. Ancak · tam dalga dogrultucudan gelen dalgacik ge- (16.13b)
R
rilirninin frekansi iki kat olacaktir, r,:iinkii yanm saykillannm sayisuun iki kati ola-
ORNEK 16.8
cak ve bu durumda dalgacik frekansi' 100 Hz olacakur. Xe = l/ccC kapasitif em-
pedansma donecek olursak, 50 Hz ir,:in:,mdegerini m = 314 ve 100 Hz icin m = 628
buluruz. Kondansator degerlerini pF cinsinden kullanacak olursak, kapasitif cm- Bir tam dalga dogrultucunun ve kondansarortu filtrenin ylkl§i, bir RC filtresi ilc
pedans baglannsmt §6yle ifade edebiliriz: tekrar filtrelenmcktedir (baknuz
. '/Sekil 16 . 1..2) . RC b"t·· ·· ·· e I eman d egerlen R
o umunun v •

= 500 Q _v~ ~ = 10 µPur. Ilk kondansattirlu filtrede artan gerilirn 15 V ac dal-

Xe= lJJii (yanm dalga) (16.12a) ~a~1~ ~enhmh 150 V de ise, 5 ill'luk yiik uzerinde olusan de ve dalzacik ge- ·
c n limini hesaplaym. "'
Xe= 1.592 (tam dalga) (16.12b)
c
Y.ic = lSO·V
Burada C rnikrofarad ve Xe kiloohmdur.4 V, (rms) = JS V v,;.
. / V,'(rms)

~!ti~ .: ~..
ORNEK 16.7

·1 · Tam dalga dogrultrna kullanan devrenin 'filtre boltimtinde kullarntan

kondansatorun empedansini hesaplayin.
15 pF'hk
ftn
r),~:;.1(1~:fr:It---4-------+--o--1
40.,nklem
(16 .. 12•) ve (16.12b). *" tekildc de if:idc edilcbilir:
Xe c ~ (yonm dolgo) {;i)'l.litn:

.
xc··= 1592
I
(tarn dalga) DC Hcsaplamalan:(16.11) denklemiyle V'de degeri hesaplarursa
c . . R 5ooo
Vdc = __L_ Vdc = (150) = 5000 (150) = 136 4 V
burada C, mikrofarad ve Xe dt ohm ci1t.~ndenv~rilmi~ir.
R + Ri 500 + 5000 . 5500 . .
Boliim 16.4 RCFlltresl
776 Bolum 16 Dogrusal IC'ler: Dilzenleyiciler (Filtreler ve GOc, Kaynaklan Dahil) 777
 AC Hesaplamalan: ilk once kapasitif cmpedans degerini hesaplayalim (tam dalgu

~,,
9ali§ma icin),

Xe= Llil= 1.592 = 0.1592 kil = 159.2il

C 10 2Vm

Bu empedans, filtre direnc degerinin (R = 500 il) 5 katmdan kil9ilk olmadrgr icin +
hesaplamada (16.13a) denklemini kullanacagiz ve (16.13b) denklemin kul-
lamlmast halinde ortaya cikacak farki gosterrnek icin hesaplamayi tek- ~·kil 1(,.13 Ynnm daly.;1 t,?t,.'rilim .;if11eyidsi.
rarlayacagiz. ( l 6.13a) denklemi kullamrsak:
D2 dlyodu Uellmde
V~(rms)=
. .. ,YR2+Xt
Xe V,(rms)= 0.1592
Y(0.5)2+(0.15922
(15) / .

= !Ll222. (J 5) = 4.55 v
0.524
Simdi de ( 16.13b) denklemi kullamrsak
+
V~ (rms) = Xe V~ (rms) = 0.1592 (15) = 4.77 V DI myodii lletlmdc
R . 0.500 DI diyodu tllcamada
(a) (b)
clde cdcriz. 4.77 V ve 4.54 V sonuclan karsrlasunlarak, (16.13b) denklemin,
% S'Iik toleransh daha kesin bir cevap verdigini goruruz.
Seki! I 6.14 Ciftlemc. i~lcmin her bir yanm ~yk1h g!i5tcrilmittir: (a) pozitif yanm '"ykd; (b) neg.atif yanm saykil,

·16.S GERiLiM KATLAMA DEVRELEH( Buradan,

Gerilim <;;Htleyici

Kondansatorlu filtre devresi iizerinde yapilacak bir degisiklik, dogrutulrnus ge-

rilimin tcpe degerinden (V,,,) daha biiyiik gerilimlerin elde edilmesini miimkiin kr-
lacakur. Bu tip devrenin kullarumi, transformator geriliminin tepe degeri dii§iik de-
gerde tutulurken, tepe 91kt§ geriliminin, dogrultulmus gerilimin tepe degerinin iki,
i.i9, dort veya daha fazla katma yiikseltilmesini miimkiin kilar,
Sekil 16.13, bir yanm dalga gerilirn 9iftleyiciyi (ikiye katlarna devresini) gos-
tennektedir. Transformatorun uclanndaki pozitif gerilimin yanm saykrli boyunca, C,
kondansatoriinii dogrulrulrnus tepe gerilimine CVm) kadar dolduran sekonder diyotu D1
iletimdedir (ve D2 diyotu tikamadadtr). Di diyotu, bu sayktl boyunca ideal olarak kisa
dcvredir vc giri~ gerilimi, Ci kondansatorunu ~ekil 16.14a'da gosterilen polaritc ile V,,,
gerilimine doldurur. Sekonder geriliminin negatif yanm saykilmda D1 diyodu ke-
simdedir vc C2 kondansatorunu dolduran D2 diyotu iletimdcdir. Negatif yanm saykil
boyunca D2 diyodu kisa devre oldugundan (ve D1 diyodu a9ik devre olur), di§ 9cv-
redeki gerilimleri toplayabiliriz. (Sekil l6.14b'yc bakin):
- Vc2 + Ve,+ V,. = 0
• Vc2 + ·v 111 + V111 = 0
Bir .sonraki pozitif yanm saykilda, D2 diyotu tikamadadrr vc C2 yiik iizerindcn bo-
salacakur. C2 kondansatoru uzerine .yiik baglanmadrg. taktirde he~ iki kondansator
de yilklenmis olduklandegerlerdc kahr (C1 l\;'de ve C2 ZVm'de). Beklenildigi gibi,
gerilim ciftleyici ylkt§ma bir yiik baglanmissa, C2 kondansatoru iizerindeki gcrilirn,
pozitif yanm sayktl boyunca (giristeki) dii§ecektir ve negatif yanm saykil boyunca
tekrar 2Vm degerine dolacakur, C2 kondansatoru uzerindeki s:tkt§ dalga §ekli, kon-
dansatorlu filtre tarafmdan filtrelenen yanm dalga sinyali gibidir, ·Her bir diyodun
uclanndaki ters yondeki tepe gerilimi 2· Vnr'dir: . · .
Digcr bir 9iftleyici devre, ~ckil 16.lSdcki tam dalga 9iftleyicidir. Transformator
sekonder geriliminin pozitif.yanrn saykih boyunca (~ekil 16.16_a'ya bakin), C1 kon- ·
dansatorunu Vm tepe gerilimine dolduran Di diyotu iletimdcdir, Bu surede D2 diyotu
nkamadadrr, ·
Negatif yanm sayktl boyunca (~ekil 16.16b'ye bakin), D1 diyotu ukamadayken,
C2 kondansatorunu dolduran D2 diyotu iletimdedir, Devreden akim cekilmezse, c,
ve C2 kondansatorleri iizerindelci gerilim 2 V~, p.iizeyinde kairr. Eger dcvreden yuk

778 BolOm 16 Dogrusal lC'ler: Re_giilatorler (Flltreler ve GO!, Kaynaklan Dahill BtHUm 16.5 Gerlllm Kallama Devrelerl 779
ak 1m1 c;ekiliirse, c 1 ve c2 kondansatorleri uzerindeki gerilim, tam dalga dogrultucu
• f k ki
devresi tarafmdan beslenen kondansator iizerindekiyle aynrdir, Aradaki ar , e~ ''.n
kapasitansm, c, ve C/nin seri e§degeri oll1las1d1r, b~ da tek basina ~1 -~eya C2 ~111
·
kapasitansm .. Ilktiir Dusuk
d an d U~W\.w.:: ., - . kondansator.degeri,
. ,".-. - . tek kondansatorlu filtre dev-
resinden daha zayif bir filtreleme saglayacak11r.

v,,.
2v,,.

-~ -
$ckU ltS.15 Taru tlal~a tcrili11~-~if1leyte1.

J
lkiloytcl(2V.)+ ~

l
loo--•---------- D&tloylci(•V.)

/ TJbmada
-----IN'---,
!+
=F_v,,. Cahsmada, transformator sekonder·geriliminin pozitif yanm saykih boyunca CI ken-
dansatoru D1 diyotu iizerinden Vm tepe gerilimine kadar dolar. Transformatorun se-
+
konder geriliminin negatifyanm saykih boyunca, C2 kondansatoru, C1 ve transformator
uzerindeki gerilimlerin toplanmasiyla olusan iki kattepe degerine kadar (2V,;,) dolar.
Pozitif yanm saykil boyunca D3 iletimdedir ve C2 kondansatoru iizerindeki gerilirn,
C3 kondansarorunu, aym 2V~,- tepe.gcrilirninekadar doldurur, Negatif yanm saykil bo-
yunca D2 veD4 diyotlan i!etimdedir ve Cj-k<indansatoril2V,,,'ye kadar dolar,
C1 kondansatoru iizcrindeki- gerilim-2V~,, C1 ve C3 iizerindeki gerilim 3V111 ve C2
ve C4 uzerindeki gerilim 4 V~1'dir. llave diyotvekondansarorlerineklenmesi halinde
Turn d;olu.•anofilim ~iftleyici dcvrcsinde yanm sayk,llanlaki d6nUlUm1U ~ahl""'· her kondansaror 2V,,,'ye dolacakur.t'Iransformatdrun. sargilanrun ustunden yapilan
. ~·"" i6.16 , c
oh;:iimde (Seki! 16.17) V111'nin tek katlanru, altmdan ·-yapdan olyiimde ise tepe ge-
rilimini V,,,'nin yift katlanm elde ederiz,
b. diyot uzerindeki ters tepe gerilimi,"kondansatorlil filtre devresinde o~dugu
;V
H
Maksimum transformamr anma degeri yalruzca V,,,'dir ve devredeki her bir diyot
.b. 1 Ozetlersek yanm dalga veya tam dalga gerilim 1riftleyiei devreleri, orta
1,~.r
g1 1 "' · ' d. ti · · 2V PIV anrna de- icin anma dcgeri 2V,,, PIV olmalidir, Eger yuk ve kondansatorlerdeki sizmu ku-
u lu transformatore ihtiyac duyrneksizm, sadeee iyo ar ic;1_n. . ~·
g;rinde, transformatorun sekonderindeki gerilimin tepe degerini iki katina cikanr. ytiksc, de gerilimini arnrmak i~in bazi bolumler kullanarak, bu tip devreler ile cok ·
yiiksek de gerilimleri elde edilebilir .
. I.
Getllhl'I 09leylel ve O&rtleylcl )·
. I 16.6 AYRIK GERiLiM REG0t.ATOALERi
~ekil i6.17, yanm dalga gerilim ciftleyicinin, girirtepe~gerilimini Uyve dort karma
. Ieu·1 mis
. bi1r tu"ru"ntigostermektedir. Devre baglantt .~emasmdan,
RegOlasyon ternrm
cikaran gem§ . . . . 1r1ki~Ii ge-
.. . . ana tepe gen·1·1mmm
riliminin, . . (Vm) bes.,, aln , ·yedi • vs.
• .
kati olabilrnesi icm ilave c iyot
Gerilim ve akirn regulasyon yetenegine sahip cok yC~itli devre diizcnlemelcri
ve kondansatorlerin nasil baglanabilecegi a,;1kr;a bellidir.
mevcuttur. Burada daha yaygm olarak-uygulanan devrelerden sadece birkacr cle alt-

BolOm 16 Dogrusal IC'ler: RegUlatorler (Flltreler ve GUt, Kaynaklarr Dahil)

780 BolOm 16.6 Ayrrk Gerlllm Regillatorleri 781

nacaknr, Gerilirn ve akim regiilasyonunu tamrnlarnamn
16.18 vc 16.19'dak:i devreleri kullanmakur.
.' (a)
.,.;#'
,,.,./
-;;?'"
en iyi yolu, sirasryla ~ekil ' ..,.-,,
rimler belirtilmistir, Daha tipik olan bazr devre duzenlerrielerini incelerken, daha
karmasik regulatorlerin, ayni sistemde hem.serl hem de paralelregulasyonun avan-
tajlanndan yararlamlabilmeyi nasi] mii;nkiinki.ldigm1 goreceksiniz, Devam etrneden
once, ~eldl 16.2l'deki regulasyonsuz kaynag; inceleyelim. ~ekil, gerilim ve/veya
akrm regulatorlerinc duyulan ihtiyaci ay1kya gosterrnektedir. Deneysel ya·
hsmalanrnzdan, kaynagiruz 10 V'u gosterdig] zarnan, uclanna uygulanan her" yuk
icin bunun ayru olmasrru istediginizi haurlaym. ~eldl 16.2l'de, sonsuz direnc di-
sinda, durum bu mu olacak:ttr? Elbette-hayir. Rt artnkca. RL uzerinde dii§en gerilim
(b) de artar ve VL sabit kalmaz. Gcrilim regillatoriinun islevi, RL degerleri icin VL'yi 10
V'ta sabit tutmaktrr,

-
~tkil Ii IX (icrilim !"SUl~syonu: (ol yilksilz (NL) durum: (bl lam yiik ffl) dun,mu.
Regiilasyonlu
Regillasyonlu

- ~~ ~~
=itll
I

+ +/ + ~Ii +j
v RL vL v

(b)
(a) (b)
~ckil 16.1 q Akim re~lllasyonu: (al yilksOz (NL) durum; (b) lam yuk (FL) durumn. llcfiilati\rlcr: (al scri: \hi paralel (~i\nt).

~ekil 16.18a'da kaynagin yiiksiiz (acrk-devre) Uy gerilirni VNL ile gosterilmistir.

Buna karsihk. gelen yukakirru !NL, =,O'dtr. Tam yiik dururnu ~ekil 16.18b'dc gos- son +
terilmistir, ideal durum, tarn yiiklii ve yiiksiiz durumlar .arasmda her RL degeri icin
Vl = Vr-L = VNl olmasim gerekririr, Baska bir deyisle Vl Uy gerilirni, RL'deki de- IOV
gi§_inelerden .etkilenmeyecektir, Ne-yazik ki giiniirniizde, uygulanan yiiklerden ta-
rnamen bagnnsiz Uy gerilimi verebilcn yaniletken veya elektrornekanik (jenerator)
bir kaynak mcvcut degildir. Gerilim regiilasyonu, forrniil §Cklindc (16.2) dcnk-
lemindeki gibi tammlarur. Akim regulasyonu ise §<iyle tamrnlamr:
'··. :': Cieri Jin, vc ak1m rt'giil.,syonunun ~creklUi~inin gihh:rikli~i devn-,

akim regiilasyonu = INL - I FL x % I 00 (16.14)

. I ~Ont (J'aralel) regillator
+

l
Burada /Nl ve In, ~ekil 16.19'da rarumlandigi gibi yiiksiiz ve tarn yiikle ynh§madak:i +
akrmlardir. Rs= IOOn tlz
+
Zener ve Terrnistorlu Gerilim RegOlatbrleri
Vz JOV
i!L__
Temel olarak, gerilim ve akim regiilasyonu icin kullarulan iki temel devre tipi
vardrr. Bunlar !?ekil 16.20'de gosterilmistir, ~ekilde herbirinde ortak kullamlan re- :·~:·!; ii ':,. · .: Zener diyollu paralel n:giif;itilr.
. o] IOV Vz

Dogrusal JC'ler: Dilzenleyicller (Flitreler ve GU~ Kaynaklan Oahil) Bolilm 16.6 Ayrik Gerilim Regillatorleri
782 Bolum 16 783
 Dolayisiyla bu kaynak icin minimum yuk, RL 50 .Q'dur ve buna karsihk gelen en
Bu noktada ilgimizi, bir gerilim regillasyon devresi iizerinde yogunlasnracagrz, biiyuk yuk akmu: in --
Basit bir paralel gerilim regulator sistemi $ekil 16.22'de gostcrilmistir, Goruleceg!
iizere bu devre, sadece bir zener diyotran ve seri bir Rs direncindcn ulusmaktadrr. In~,"' = .lQ..Y. = 200 mA
son
Uygun 9al~ma icin Zener diyodun iletim durumunda olmasuu gerekir. Bu nedcnle ilk
gereklilik, bu kosulun saglanmas1 icin minimum RL (ve buna bagh olarak !,.) degerini Maksimum akim $ekil 16.24b'deki grafikte gosterilmistir, 50 n. I kil arasi bir
bulmakur. Iletirne gecrneden once, Zener diyot a91k devredir vc $ekil l6.22'dcki devre RL degeri ir;in zener diyot iletim durumunda olacakur. 50 .Q'dan ktiyiik bir RL deger!
yerine Sckil !6.23'deki devre konabilir. $ekilde gosrerildigi gibi yiik gerilimi, gerilirn icin, $ekil 16.23'teki devreye gerilim bolilcii kurali uygulandrgmda, VL < Vz sonucu
bolticii kuraltyla belirlenir. Zener iletime gC9tiginde, VL = Vz = 10 V olur. Bu degerler ortaya ,;1kacak ve diyot, nkama durumunda kalacakur: RL = 1 k.Q'da h = (10/1 k.Q)
kullamlarak Zenerin, VL'yi~ sabit tutabilmesi ir;in gerekli minimum R1. dcgeri bu- = JO mA ($ekil 16.24b'de gosterilen lm;J ve
lunabilir. Seki! t 6.24a'daki devreye gerilim boliicii kurahm uygularsak:
!Rs= 30 V • IO V = 200 mA
VL = __&.___ V; 0.1 kn -
RL + R,
ile

+ IOO{l
+ Rz = 0 n yaklasik degerimiz, 10 ve 200 mA arasmda, ~ekil 16.24b'deki ideal ka-
rakteristikleri verir. Bu regulator icin regiilasyon yiizdesi, normal yah~mamn bu iki
R =.oon nokrasi arasmda belirlenebilir. $ekil 16.25'ieki devrenin l ve 2. noktalarm so-
lundaki par,;a icin Thevenin C§deger: devresini bulabilirsek, R2'nin regulasyon iizc-
rindeki etkisini kolayca belirleyebiliriz,

V,h = 10 V + 2 il(30 V - 10 V) = 10 + ..1Q.. = 10.4 V

~d.il 16.2.\i>iyoc.lun ik.."lime !!C~lCSi (at~IL-mcl ~)C6indc~ekiH6.22'del.:i regO!atOr <1cvrt.~i. 10211 102
R,h = 100 n 112 n 2 n =
Rs
lt/L

tt l,,
+ . 10on. +
10 . .

v, RL cson.-+ 1 Jcn> YL 1000

:<;

?:
O l~A
,_
(a) (b) 2
•!
!iekll 16.2~ /.ca\\.·1 ,h)1•:h.1 v .. :.,k:I R:):illaUSr:(:.) alctk"l1i..·..... ,nrasr: tb) regUlasyon1u ~1k1~. Th

$ckil 16.25 Rz din:ncinin. Zcnerti poralel regala16rt111 ftk!f•na olan ctkislnin belirlcnine,i.
elde' edilir. Degerleri yerine koyarsak:
lO = Rt, 30 V Thevenin esdeger devresini (Sekil 16.26) yerine koyar ve VL'yi bulursak:
RL + 0.1 k.Q
VL = 50 Q(l0.4 V) = JO V
= 30RL
ve -
IORL + 1 kQ
RL = 50 Q
52Q

Solum 16.6 Aynk Gerllfm RegOlatorlerl 765

784 BolOm 16 Dogrusal IC'fer: Regulatorler (Filtreler ve Gu,; Kaynaklan Dahlf)
 2U
+

10.4V

2 Gerilim regulatorunun karakteristikleri,. transistor gibi aktif elemanlar kullanarak

,5ekil 16.2(, ~ekil l6.25'deki devrenin TheveninC¥Jeg<rdevn:si. onernli olyiide iyilestirilebilir. ~ekiLi6;28a'<la, transistorlii seri tip en basil gerilim
regtilatoru verilmistir. Bu .duzenlemede transistor; direnci, yah§ma kosullan .ile be-
Dolayisiyla minimum Rl (maksimum h) durumunda, Rz'nin etkisi ihmal edilebilir. lirlenen basit bir ayarlanabilir direnc gibi davrarur. Rcgulatorunun temcl yal!§masm,
Rr. =l kO (minimum fr.) iyin: tarumlamamn en iyi yolu, transistor yerine ayarh bir Rr dircncinin konuldugu ~ekil
16.28b'deki devreyi incelemektir. R1.,'deki bir degi§rneye karsihk \/l'nin sabit kalrnasi
Vi~ !KO (10.4 V) - 10.4 V > JO V
isteniyorsa, R1.,'nin Rr'ye orammn sabit olmasi gerekir. Gerilim boliictl kuralmt uy-
-!K0+20
gularsak,
ve V.R. = Vi.a - Vso ox %100 = I0.4 V - 10.0 V_ x %!00
Vso n 10.0 V
[Sabit V1., CV;= sabit) iyin sabit kahr]
= .]A_y_x %iOO = %4
10.0 V
Sekil 16.27'dc, termistorlu kullarulan bir paralel regulator devrcsi verilrnistir. V1.,=.
.s:
R1. V;
RL+ Rr
Yi.ikiin degismesinden nedeniyle VL'deki herhangi bir azalma, termistorden gecen
akimm da azalmasma yol acacakur. Boylece termistor elernarumn srcaklig, dii§ecck,
bu da direncinin artmasina neden olacakt1r. Sonuctaki Rr = R1., 11 (R11, + 100 0) di-
renci bir miktar artacak ve vt: = RrVAkr+ Ri)yi.ik gerilimi artma egilirni gostererek
VL'de baslangicta olusan dii§meyi dengeleyecektir, Bu sistemin gerilim regiilasyon
etkisine iliskin a§ag1ctaki ozette artan niceiilc't semboliiyle, azalan nicelik L sem- + +
boliiyle gosterilecektir (soldan saga dogru okuyun): v.·t:
Ii.I

:id:.:: : '•. ·.:: Trnnsisthrlil ~n zerllin g.Olni.irti.

\!~'deki bir arus, yukandaki ozet §Crnadaki her bir elernan ve nicelik uzerinde karsu
etki rneydana getirecektir. -. Vr.
1=~
R1 I Rn+R1
kiRr = _k_,
- =k (sabit)
+ RL+Rr k1Rr + Rr k, + I 1.- .

Ozetlersek, aym gerilim bolurnu oraruru korumak icin, azalan veya artan bir yuk
(RJ icin Rr'nin de ayru §Ckiide vc oranda degi§mesi gerekir.
Gerilim regiilasyonunun, yuk.akirru ihtiyacma bagh Uy gerilimindeki degismelerin
kaydedilmesiyle belirlenebildigini hanrlayin. Bu. devrede Ri'nin azalmaya bagh olarak
artan akim ihriyaci, Y1.,'nin genliginde .de azalrna egilimi yararacaknr, Ancak §ckil
16.28a'daki 9ikt§ yevrcsi etrafmda civanna Kirchoffgerilirn denklemini yazarsak
(sabit) •.
A_,
~ckil 16.27 Tcm,i,1or1U fl"ralcl rciUlotor. Vne=Vz·-'v,_

786 BolOm 16 Dogrusal IC'ler: RegOlato_rler.(Flltreler ve G01, Kaynaklan Dahl!) BolOm 16.6 Aynk Gerlllm Reglilatorlerl 787
 VL 'deki azalma (Vz'nin genligi sabit oldugundan) Va,;'de bir arus yaratacaktir.
Karsihk olarak bu da transistorun iletim duzeyini arnracak ve sonucta Uy (kollektor
ernetor arast) direncinde azalrnaya neden oiacaknr. Yukanda da belirtildigi gibi bu
da, VL'yi sabit bir noktada tutmak icin arzu edilen bir sonucrur,
Paralel regiilasyon bir tmnsistontn kullamlan bir gerilim regiilatoril Sekil l 6.29'da
verilmistir. VL genligindeki artma veya azalrna egilimi,

(sabit)

·, A
Voe= VL- Vz

oldugundan. VBE tizerinde buna karsihkgelen bir etki yaratacaknr,

+ ~l'ldl 1630 lid ltnn,;l~tOrlO seri rcg.01.m5r.

c:~a:~ tasimr, I~.:

ve _Ic2'deki arusa karsihk gelen Vn£2'deki arus, 101 'in azalmasma
Y Y caktir (IR3 un ruspeten sabit <>{d:ugunu V.eya· yOk az dii•tiig-u.'nil k)
Sonuct Q •· ·i tk n1·-· ·· · . ., varsayarsa .
, ..- a I m 1 e . e 1g1 azahr, Uy direncinde buna karsrlik gelen bir dii§ii§ olur ve
VL kararlt hale gelir, Sirah mantrkla ifade edecek olursak:

~ckit 16.29 Tr.insistOrlliparalel gcrilim ~gUlat6rU.

VL'deki azalmaya bagh olarak Rs uzerindeki akim da dusecektir, yiinkii tran-

Burada da benzer bir tarusma
.. azalan VL deger
- I en· 1-,:m
.: · d'e gecerlidir.
· ·
sistorun iletim duzeyi dii§mii§tiir (Vi11, ,J, ). Rs uzerindeki gerilim dii§iimiini.in azal-
mast, V1_'nin genligindeki azalma egilimini dengeleyecektir. Siralr rnanukla itade
<)RNF.K 16.9
edilecek olursa:
Gosterilen
. . giri§ icin • ve
c kil1 16 . 30'd a k'I d evrenm
. ye§1tl1
· ... akirn ve gerilim de-
gerl~nn~. hesa~layacag1z. Bu analizde deha onceki bolumlerde anlanlan yaklasik
dcger yontemr kullarulacakur, Temel bir onerne sahip bu yaklasik degerler ara-
sinda le= hi.Jo, Vo£= 0 V ve le= le sayilabillr.

Benzer tarnsrna VL degerinin artmast icin de geyerli olabilir, Cozum:

·: Kontrol arnaciyla ikinci bir transisloriin kullamld1g1 seri bir gerilim regulatortl,
~ekil 16.30'da verilmistir. Q2 kontrd transist.oriintin baz-ernctor gerilimi, (VBE,), V1
ve referans gerilimi Vz arasmdaki·farkla belirlenir. V2 gerilim diizeyi, VL u~ ge-
rilimindeki degismelere kars. duyarhdir. VNeki bir artma egilirn], VBEi = V2 -Vz vc IR~= 20V =2mA
iliskisi nedeniyle V2'de ve dolayisiyla VBE;cte artl§a yol acacaknr, Potansiyel farki, 10 kil
kontrol transistoru tarafmdan yukseltilir ve Q1 seri ayarlanabilir (degi§ken) direnc

BolOm 16.6 Aynk Gerlllm RegOlatiirlerl 789

Bolilm 16 Dogrusal IC'ler: RegOlatorler (Flltreler ve GO,;: Kaynaklar1 Dahill
788
 V0£2 = 0 V oldugundan Yukandaki durum icin,

VC IR2 = JO V = 5 mA VL= 10(1 +J)= 15V ': '.

2k0 .
lo2<< TR,, IR2 oldugu varsaytlarak +

""Vzo-~- ..

ve

Crock 16.9"da kullan,lan dcvre.

degerleri bulunur .. VR3 = V;·- vl <Vn£1 0 V)= ~,~;1 16..\1

..= 30 V - 15 V = 15 V
Sekil 16.30'dan, R2'nin ayarh (degi§ken) bir direnc oldugunu gorebilirsiniz, Bu di-
IR,= J.iY. = 7.5 mA rencteki degisimler Vt'Yi kontrol·edecektir. Bu noktada. Vc1 = 0 V (doyum) ol-
ve . 2k0 . dugu icin, elde edilecek maksimum.gerilimin 30 y olacagr aciknr (V; = 30 V
icin). R1 = 0 veyaR2 = 00i~indd~t@'i°ebiiet,tg111inimum deger 10 V'tur.
Aym §ekilde, Ve,= V;- Vl = 30 V - 15 V = 15 V
Ia,= h1J81= 100 /81
Komple Gil<;: Kaynag1
_ Is; (500 +.5)mA _ 05 A (Gerilim RegOlasyonlu)
vc I 01-- - 5. m
100 100
~ekil 16.30'dakine benzerbirgeriii~\iiulft~~lcullarulan bir giii;: kaynag. Sekil
lei :.lc1 = IR3 ~ Io, .· l6.32'de verilmistir, Regiilatoriin vicilft_aJifi{irt6i~re'kaI§I
duyarhlrguu artirmak

= (7.5 - 5.05) mA = 2.45 mA icin Seki! 16.28'deki tek serittansisiorrikyeririe 6ailirigton

devresi konmustur, Sekil
16.30'daki devrede, lc2'deki degi§irnle~, IR3 't~kt
degismelere yansryacaktir, bu da
fo2 = lsi.
100
2.45 mA -24.5 µA
100
/81'in, Vl'deki degi~melere olan duyarlt,1gm1 azalur'. Bu.jstenmeyen etkiyi azaltmak
icin, R3'iin, olabildigince buyuk, ancak uygun devre davramsma elverisli olmasi ge-
i
rckir. R3 yerine bir akim kaynagi kullanilarak daha biiyUk bit' verim elde cdilir, ideal
(Kuskusuz /82 << /R2'dir. Yukanda kullarulan /R2, miikemmcl bir yaklasik de-
olarak akim kaynagi, sonsuz u¢ diren2e ve istenen akirru saglarna yetenegine sa-
gerdir.) Son olarak,
/ hiptir.,

Iz = IR4 + /£2 = (2 + 2.45) mA = 4.45 mA

Darling Ion devresi

182 « /RI' lR2 olmasi, ~ekil 16.30'daki devre icin oldukca yararh bir denklem til-
"•,
\... •.1lcll 1.81<!1

retmck amacryla ~ekil 16.3l'deki devrenin kullarulabilmesini miimkiin kilar. Ge-

rilim bolUcU kuralim uygularsak: 10,F

Vz=_fu_ vl 1000,F
R, - R2
ya da Vz sabit oldugundan, "fam-dalga dojrultucu Hltre On-rcgfilator Rcgiilatllr Park yiilcselticl Son

Sek ii I 6.J2 Komple gerilim regUlasyonlu guy kiy11ag1.

790 BolOm 16 Dogrusal IC'ler: Regiilatorler (Flltreler ve GOy Kaynaklan Dahll) BolOm16.6 Aynk Gerllim Oiizenleyicileri 791
 16.7 IC GERiLiM REGULATORLERi
~ekil 16.32'de gosterildigi gibi giiy kaynag1nin bu boliimii bazen on regulator olarak Gerilim regulatorleri arasrnda, yayg!n olarakJrullamlan, entegre devreler de .vard tr,
aruhr, ~ekil 16.32'deki devre icin ·1 i Bu devreler, tek bir IC yongasr ~~erincte t<Jpianan referans kaynag1, hata yiikselteci,
kontrol elemaru ve asm yuk k~rumn_cle~releiini ii;:~nnektedir.ii;: yapilan aynk ge-
=R
.. I - le - Vz1
akim kaynut:1 - J rilim regiilatorii devrelerindekinden biraz farkh 'olmasina ragmen, i;:all§malan ay-
3
rudir, Popiiler 3 uclu sabit gerilim regulatorlerinden (hem pozitif hem de negatif ge-
Regulatorun VL.'deki degi§imlere kars: duyarhhgim daha da artumak icin, i;:1k1~1. rilimler ii;:in) ve ayarlanabilir bir i;:ila§ gerilimi saglayan devrelerden bazrlarirun
kontrol transistorune uygulanan bir fark yiikselteci kullarulnustir. Regtllasyonsuz i;:ah§malanm inceleyecegiz.
giris, kapasitif bir filtreden gei;:irilecek tam dalga dogrultulrnus bir sinyaldir. <;1- Basil bir gii<; kaynagr yapmak ii;:in, gerilimi istenen diizeyc getirmek amaciyla ac
krstaki IO µFhk kondansator, osilasyon riskini azalur ve besleme gerilimini daha iyi kaynagma bir transistor baglamr, bu gerilim, yanrn veya tam dalga dogrultma dev- .
filtreler. Regiilasyon ko~nurken R1'i degi§tirmek suretiyle V1• gerilimi de- resiyJe dogruJtuJur, basil bir kondansatorlu filtreyle-filtrelenir Ve son olarak da en-
gi§tirilebilir. tegre (IC) bir.gerilim regulatoru kullalltlantlc_regtii~ edilir,
Temel gerilim regulatorleri; sadece pozitif g~~ilimlerde kullarulanlar, sadece, ne-
Akim RegulatorO gatif gerilimlerde kullarulanlar ve ~a~it v~ya iti~rh (degi§ken) <;1k1§h gerilimlei icin
> kullamlanlar olmak iizere smiflandmlan diger regulatorleri icermektcdir. B~ dii-
Akim regiilatorlerinin11nalizini. ~ekil Hq3'deki devre icin ozet bir incelemeyle zenleyiciler, yiiz miliamper d{izi:yind~i) 'i~Iru:ia ifade edilcn amper diizeylerine kadar
suurh tutacagiz, Tantum ~ac1yta· verilen bilgilerden, akim regiilatoriiniin, ui;: ge- yiik alamlanyla ve rniliwatt diizeyi~dep)onlarla ifade edilen watt dtizeyine kadar
rilimindeki degi§melere kan/yiikten sabit bir akim gecirmek icin tasarlandignu ha- giii;: anma degerleriyle <;ah§Uruabi~r: A§<lgida, i;:e§itli entegre gerilim diizenleyici
v
urlayin. L.'deki bir degi§me nedeniyl{/L J lc'deki bir azalma, Ir-:= h'yi azaltacak tiirlerine bir ornek verilrnistir, Elekrronigin bu alarunda ortak olan <;e§itli terim ler de
ve bu da karsihk olarak VR£'de bir dil§ii§e.neden olacaktir. Baz-emetor potansiyeli: tammlanacakur,

0~ Uclu Gerilim Regulatorleri

:A
°(Sabit)

V86:= V2 - VR£ Belli bir yiik akmu arahgmda bir pozitif regiilasyonlu sabit bi; gerilim veren ge-
rilim rcgtilatorleri §Cmatik olarak ~e.ldl 1634'te gosterilmisrir, Sabit gerilim re-
Vn 'deki bir azalma, V8£'dc ve transist6riin iletkenliginde bir arusa neden olacak, bu giilatlirii, uclardan birinc uygulanan regiilasyonsuz bir gerilimi (V~iri~) ahr ve ikinci
E .
da h'nin sabit diizeyde kalmasmt saglayacakur, ui;:tan regiilasyonlu bir yOO§ gerilimi (V,,) verir; ii~iincii u~ ise topraga baghd1r. Belli bir

v, + r:
l'z ; 101<0 (
!;ckil 16.J.l Seri ak,m rcgalatoril.
~l'kil 16 .. \-' 0~ u~(u t,."t'!rilin'I reg.UlattSriinUn btok ietnas1.
792 eotom 16 oogrusal IC'ler: Regillatl:lrler (Flltreler ve GO~ Kaynaklarr Dahll)
Biiliim 16.7 IC Gerllim Regillatiirlerl 793
 TABLO 16.1 78XX Serisi Pozitif Seri Gerilim Requlatorleri
IC biriminin elcman ozclliklcri verilirken bir gerilim arahg1 belirtilir, giri§ gc-
Regu/asyonlu Minimum
rilimi; bu arahk iyiode, belli bir lo yUkakimraraltgmda regulasyonlu ylkl~ gerilimi
IC Par9a No Pozitif Gerilim(V)
v,, korunacak §Cki\de degi§ebilir; lC'nin ~ah§trias1 i9iil bir ylkl§·giri§ gcrllim far-
Vgir{V)

kuun korunmasi gerekir; bu

da giii§ geriliminirl"degi§ntesinin, iy devrenin dogru 7805 +5 7.3
7806 +6 8.35
cahsmesim saglamak iyin, IC uzerinde belli bir gerilim dil§ilmunii korumaya ye- 7808 +8 10.5
tecek kadar biiyilk olmasi anlamma gelir. Eleman ozelliklerinde aynca y1k1§ ge- 7809 +9 12.5
riliminin (V,,) degi§me miktan da bellrfilir: bu ·degi§me yuk akrmmdaki (yuk re- 7812 ·.+ 12 14.6
7815 ,+ 15 17.7
gulasyonu) ve aynca glri§ gerilimindeki (sebeke regiilasyonu) degi§mclerdcn 7818 +18 21
kaynaklamr, 7824 +24 27.l
Sabit pozitif gerilim regulatorlerinin bir grubu, 5V'1an 24V'a kadar sabit gerilim
saglayan 78 serisidir, ~ekil1635a'da, bu regulatorlerden kay tanesinin baglanmt!j 78 serisine benzeyen, ancak regtilasyonsuz negatif ~1k1§ gerilimi saglamak icin ne-
oldugu gosterilrnistir. Dogrultulmus, filtrelenmis ve regulasyonsuz bir de gc- gatif gerilimlerde yalt§an 79 serisi IC'ler, negatif gerilim regulator entegreleridir,
rilimi, regulator enregresinin Jnolu bacaginll, giri§ olarak uygulamr (V6;,;t). Giri§ 79XX serisi sabit, negatif gerilim regulatorleri ve ilgili regulasyonsuz ~1k1§lan Table
veya ylki~la toprak arasma baglana:r:i .kondansarorler, de gerilim duzeyinin ko- 16.2'de verilrnistir,
runmasma ve ayrrca yuksek: frekansli gerilim degi§imlerinin filtrelenmesinc yar-
dunci olur. Boylece 2 nolu bacakian al~ii11n91b§ geriliml yukc baglanabilir. 3 nolu TABLO 16.2 79XX Serisi $abit Negatif Gerilim Regulatorleri
bacak, IC'nin referansi veya topragidi{ lste~err
sabit, regiilasyonlu y1k1§ gerilimi
Minimum
RegDlasyonlu
secilecegi zaman, 78 onekinden sonraki iki
say; iliizenleyici ylkl§ gerilimini gos- IC Peres No 9,k1~ 4fuilirfJ_i(VJ Vg;,(V)
terir. Tablo 16.1 'de bazi tipik veriler bulo~iifalfr;
7905 ·-5 -7.3
7906 --6 -8.4
7908 . -8 -10.S
<D
+ -----,..---·
7909
7912
-9
-12
-11.5
-14.6
;
7915 - IS j_.
-17.7
7918 -18 -20.8

--.
7924 .-24 -27.1
. l
Kullarucirun, ylkt§ gerilimini istedig] bir iegiilasyonlu dcgere ayarlamasrm mum-
kiin b1an devre diizenlemelerine sahip gerilim regulatorleri de mevcuttur. Ornegin
(a) LM3 l 7. regiilasyonlu ~JkJ§ gerilimi,-1.2 V : 37 V araligmdaki herhangi bir degere
ayarlanarak ~ah~tmlabilir. ~ekil J6.36'da, LM317 IC kullarulan tipik bir devre du-

zenlemesi gosterilmektedir.
+-;t~-it} wt~-t.
-~i.·.·;'fi . , ·.::.,.''. f.})·'·.:.;;.. •. . u; ••.•.'. ':
}}l'\~~3i7 ·r~!H'~ ·
c....

l +

rir:.;>.~i·. :~1i::-:· ..
11

lh . /AYAR..
(b)

~d.il t<i . .l~ (a) 7KXX .1ocrisi 114,1.hif gerilim n!~iila1tsru: (h) 11,xx ~ri~i llCf!.tlif 1--crilim ~J.!iHatfoii. .,ekU f(,J(i Ayarlan;abilir gerilim ~gl.llatOrU L~l317'u ',:1g,ta.iu1~1.

794 B610m 16 Dogrusal IC'ler: RegOlatorler (Flllreler v& GO!, Kaynaklar1 Dahil} Boliim 16.7 JC Gerlllm Regiilatorlerl ' ·.
~:. .795
 R1 ve R2 direnclerinin secimi, 9Jla~1~, ayarlama araitgmdaki (1.2 V - 37 ~_) is-
tenen gerilme ayarlanabilmesini saglar. istenen 9tkt~ gerilimi ~oyle hesaplanabilir:

: R ). . (16.15)
V,,= Vref ( 1 +~ + layar R2

Tipik degerler

., .
.
ORNEK 16.10 .. ·~

.
Sekil 16.36'daki gibi bir LM317 kullaruldigmda 91k1§tan ahnacak 91kl~ gerilimini
bulun. R1 = 240 n ve R2 = 2.4 kO. \
~ckil 16.37 12 V'luk pozitif gli~kay11•g1.
Cozurn:
<,
(16.15) denklemini kullanarak,
<;oziim:

v0 = 1.25 v(1 + 2.4 kn)+
240·.o.
= 13.75 V + 0.24 V::: 13.99 V
Transformator, 120 V ortalama degerli (rms) ~beke gerilimini, orta uclu trans-
100 µA (2.4 kD.) formarorun her bir yansmda 18 V ortalama degerli (rrns) sekonder gcrilimine dil~iiriir.
Buda, transformator iizerindcki a~g1dak:i degere sahip bir tepe gerilim yaraur:
v, = V2 Vrms = fix 18 V::: 25.456 V

Bu durumda dalgacik gerilimi [( 16.7c) denklemini kullanarak]:

16.8 PRATiK G0c; KAYNAKLARI v, (rms) = 2.88/dc = 2.88(400) 2.45 y

C 470
· f';:~;ik :bir
gii9 kaynag1, 120 V besl~rile gerilimini istenen regule edilmis de ge- ve tepe dalgacik gerilimi ((16.6) denklemini kullanarak]
rllhnine dclnii~tiireeek §ekilde kurulabilir. St'andart devre; gerilimi istenen ac du-
zeyine cekmek icin kullarulan bir tra~sfonn~tor, ac sinyali yanm dalga veya tam V,. (tepe) = f3 V, (rms) = f3 (2.45 V) = 4.245 V
dalga dogrultmak: icin kullarulan bir diyotlu dogrultucu ve regulasyonlu bir de ge-
rilimi saglayan kondansatorlu bir filtreicerir, Daha sonra regUlasyonsuz de gerilimi, 470 ,uF'hk kondansator ilzerindcki gerilimin de dilzeyi,
istenen dtizenlenmis 91k.t§ de gerilimini sagla~a11 IC gerilim regulatorune giris olarak
uygularur. Bir kac ornek, de gerilim lcaynaginm nasil kurulabileccgini ve nasil 9a·
Vde= V"' - V, (tepe) = 25.456 V - 4.245 V = 21.21 V
lt§t1g1m gostermeye yeterli olacaknr, ! '"
400 mA'lik yiikte cahsuken filtre kondansatorunun dalgahhk fak:torii [(16.9a)
ORNEK 16.11 denkleminden]

40~ mA'lik alam 9e~en bir.yiike ba~lanan:~ekil 16.37'deki 12 V'Juk gerilim kay- r= 2.88/dc x %100 = 2·88(400) X %100 = %11.56
CV de
1 naguun cahsmasmr meeleym. ·l · .· (470)(2L21)

I Biiliim 16.8 Pratik GOr;: Kaynaklan 797

796 Biilum 16 Dogrusal IC'tef: Regulatiirler (Filtreler ve Gilr;: Kaynaklan Dahil)
 c filtrelerne kondansatoru tiz~rindeki gerilimin dalgaltltgi %l L56 kadardir vc ve 250 1,F'hk filtreleme kondansatoru tizerin1eki de gerilimi,
a§ag1daki minimum gerilim _d~zeyine dU§er:
Vele= Vm - V, (tepe)_= 15 V - 2.99 V = 12 V
V..
sm,.min.
= V - 2V (tepe)
m ., ~ ". .:.,·
= 25.456 V - 2(4.245
-
V) = 16.97 V
· · Filtreleme kondansaroru tizerindeki gerilim ~ag1daki minimum degere dii§ecektir:
Elemanm ozellik tarnmlannda, §ebeke regUlasyonunu korumak iyin V,;,;~ de-
gerinin 14.6 V olmasi gerekrigini belirtilmcktedir. Kondansator iizerinde olusan VgiriJ min= V"' - 2V, (tepe) = 15 V - 2(2.99 V) = 9.02 V
minimum gerilirn 16.97 V'tan biraz btiytiktUr.
· Filtrc kondansator degerinin dU§UrUlmesi veya yiik · akimmm artmlmasr, Bu deger 7.3 anma degerinin tistilnde kaJd1g1 ir;:in r;:1kt§, regiilasyonlu +5 V dii-
1
zeyinde kalacaktir,
daha bUytik bir dalgacik gerilimine ve kondansaror uzerlnde daha dti§tik bir mi-
nimum gerilime yo! acacaknr. Bu minimum gcrilim, 14.6 V'un tistilnde kald1g1 (b) /de= 300 mA'lik bir yiikte dalgacik gerilimi
surece, 7812, r;:ikt§ gerilirnini +12 V'ta regute edilrnis olarak tutacakur.
V, (tepe) = ff . <2·88)(300) - 6 V
7812 elemammn ozelliklerinde maksimum gerilim degismesi 60 mV olarak . . 250
verilmistir. Bu da r;:tki§ gcrilim regtilasyonunun a§ag1daki degerden daha. az ola-
de gerilimi,
cagm1 gosrerir:

V.R. = 60 mV x %100 = %0.5 voc = 15 v - 6 v = 9 v

12 V
Buda nominal 7.3 V degerinden biiyiikttir. Ancak giri§ bu de diizcyinde 6.65 V
()RNEK 16.L1 tepe degeri kadar sahrur, bu da saykil Slfasm~a ~agtdaki degere dii§er:
'
~ckil 16.38'deki 5 V'luk kaynagm r;:all§mas1m ~ag1daki ytik akirnlannda in- Vgiriimin = 15 V - 2(6:V) =3 V
celeyin, (a) 150 mA ve (b) 300 mA.
ki bu da kabul edilebilir minimum girl§ gerilimi olan}.3 V'un r;:ok alnndadir. Bu
nedenle r;:tla;i, giris saykthrun tarnamt boyunca regale e~mi;i +5 V dtizeyinde tu-
, tulumaz. Regulasyon, 150 mA'in alnndaki yuk akimlanrida korunur, ancak 300

:c.{]11
120V,mi•
mA'in ustiindeki yuk akimlannda gerceklesmez.

()RNEK 16.13
.
~ekil 16.38'deki devrede . regtilasyon saglanrnasi i~in maksimum ytik akimi degeri
1.-
ne olmahdir?
~e~il 16 ..18 5 V'luk pozilif ~ii~kay1111j,.1.
~:o:dim:
Cozum:
Vf;,1~ <:: 7.3 V durumunu korumak icin:
7805 elemamnm ozclliklerinde, §Cbeke regillasyonunu korumak ir;:in kabul edi-
lebilir minimum girl§ gcrilimi 7 ;3 V·ol.arak verilrnistir. V, (tepe-tepe) > Vm • Vgiri~min = ,15 v - 7.3 V = 7.7 V
(a) /de= 200 mA'lik bir ytikte dalgacik gerilirni
boylece V, (rms) = V,(tepe-tepe)/2 .;,_7.7 V/2 = 2.2 V
V,(tepe) =Y3 V,. (nns) = Y3X ('.f8&)/dc -ff x 2·88(l50) = 2.99 V fi.. . fi
. C 250
798 Solum 16 Oogrusal IC'ler: Regillatorler (Filtreler ve Gily Kaynaklari Dahil). BolOm 16.8 Pratlk Gil!, Kaynaklan 799
 Burdan /de degerini (mA cinsinden)b1labiliriz: PROBLEMLER

Ide= V, (rms) C ~·(fa)(250f= 191 mA

1.
* J6.2
. 2.88 . i 2.88 Ortalarna.degeri 50 V olan ve tepe degeri 2 V olan dalgaciga sahip sinusoidal
Bu. degerin iisttindeki herhangi bir akirn devrenin, dilzenleyici s;tk.t§im +5 V'ta tut- bir sinyalin dalgalihk faktoru nedir? .

mass icin gerekli akimdan cok biiyii~tilr.

2. Bir filtre devresi yiiksiiz 28 V ve tam yiikle 9ah§ma alnnda 25 V'luk bir 91k1~
vermektedir, Gerilim regiilasyon yiizdesini hcsaplaym.
Ayarlanabilir pozitif bir gerilim regilla toc entegresi ~llanarak, regiilas!onl~ Cr~§ ge-
0

rilimini, (devrenin Cralejma degerleri i9inde) istenen gerilirne ayarlamnk milmki.indur.

- ··~ . 3. Bir yanm dalga dogrultucunun 9!,k.i§mdan 20 V dc'lik bir gerilim almmaktadir.
Dalgacrk geriliminin rms degeri nedir?
ORNEK16.l4
~
· 4. <;1ki§ gerilimi 8 V de olan bir tam dalga dogrultucunun dalgacik gcrilimin\Ji rms
~ekil 16.39'daki devrenin reglilasyortlu 9tkt§ gerilimini bulun.
· degeri nedir? /

16.3

5. Tam dalga dogrultucu ile beslenen basil kondansatorlu bir filtrcden % 8.5'luk
IN4002 dalgahlik faktorunde 14.5 V 91ki§ almmaktadir, <;1la~ dalgacik geriliminin (rms)
degeri nedir?

t(]I\ 6. Tam dalga dogrultulmus 18 V tepe degerli bir sinyal, kondansatorlti bir filtreye
uygulanmaktadir. Eger tam yiiktekidc 91kt.~1 17 V isc filtre devresinin gcrilim
regiilasyon oram nedir?
,20 V, rrns:
:) ~~--~....----'--+-,

I""'
+ c
R2' 7. Tam dalga dogrultulmus 18 V tepe degerli bir sinyal 400 1!F'hk bir filtreleme
•
rI
1.8:kn kondansatorune baglanmisur. 100 rriA'lik
ytikte kondansator uzerindeki de ge-
rilim degeri ne olur?
·i~
;.'

t . 8. 50 Hz ac kaynaktan beslenen bir tam dalga dogrultucu, 20 V tepe dcgerl] dog-

Sckil 16.J9 Omek I<,. I 4'c ilitkio ayarl1111t1bilir pofitif ~rilim "'&Ulatilnl;
rultulrnus bir gerilim iiretmektedir. 200 J1Fl1k filtreleme kondansatoru kul-
:!'
-~
·.} . lamhrsa, 120 mA'lik yukteki dalgacigi hesaplaym.
<;ozi.im:
9. Kondansarorlu (C = 100 JIF) bir filtre devresi 2.5 kffluk yiike bagland1g1
<;1k1~ gerilimi _ . . . zaman 12 V de gerilim olusturmakradir, 50 Hz'lik kaynakla 9ah~an bir tam

v = !.25 V (1 + 1.8
11
· .
kri ) + I~ JiA(l.8 kil)
240~ . ··.· ·
= 10.8 V
dalga dogrultucu kullanarak, 9ik.1~ gerilimdeki dalgae1g1 hesaplaym.

10. 150 mA'lik bir ytikte %15 dalgahhk oraruna sahip filtrelenmis gerilim sag-
Filtreleme kond~satorgetjljminin}ontr~l edilmesi, en. a~m~~n mA'lik _Ylik _2~? lanmak icin gereken filtre kondansatoriini.in degerini hesaplaym. Tam dalga dog-
akmuna kadar 2 V'luk giri§·9ikt§ gerilim farkirun korunabildigini gosterecektir. rultulmus gerilim 24 V de ve kaynak 50 Hz'dir.
~
BolOm 16 Oogrusal tC'ler: RegOlatorler (Flltreler ve Gil!, Kaynaklar1 Dahill
800 Borom 16 Problemler 801
11. 500 pF'hk bir filtre kondansatorti, %8 dalgahhk. oramnda 200 mA'lik bir yiik
akimi iiretmektedir. 50 Hz'lik kaynaktan elde edilen dogrultulmus gerilimin Lepe
j
degerini ve filtreleme kondansatorii iizerindeki de gerilimini hesaplaym.
'.II . .' 20. Gerilim 9iftlcyicinin devre §emasm1;.,;:izin.:Diyoduri PIV anrna degerini, trans-
formatorun tepe gerilimi (V;,,) beliriin. -
12. 200 mA'lik yiikte %7 dalgahhk oramnda filtrelenmis gerilim elde etmek icin gc-
reken filtreleme kondansatoru degerini hesaplayin, Tam dalga dogrultulrnus ge-
. '
21. Gerilim Uyleyici devresini cizin. Diy~dun ~IV anma degerlerini ve devrelerdcki
rilim 30 V de ve kaynak frekansi 50 Hz'dir. '.,. kondansatorler dzerindeki gerilirni belirtin.:
13. 80 mA'hk yiik akirm sagland1gmda, 120 pFlik filtre kondansatoru uzerinde olus-
22. Problem 21 'i gerilim dortleyici icin tekrarlayin.
turulan gerilim _i,;:in yiizde dalgacik degcrini hesaplaym. 50 Hz kaynaktan ca-
h§an tam dalga dogrultucu, 25 V'luk tepe degerli dogrultulmus gerilim olus-
16.6
turur.
23. Yuksuz durumda 100 V ve tam yiikte 95 V <;tkl§ veren de kaynagimn gerilim re-
14. Diyot, saykihn 1/lO'u siiresince iletimdeyken filtreden cekilen ortalarna aknn
gulasyon yiizdcsini hesaplaym.
100 mA ise, kondansatorlu filtreyi besleyen tam dalga dogrultma diyodundan
gecen diyot tepe akrmnun biiyiikliigiinii hesaplayin.
24. ~ekil 16.40'daki devrede kaynagm akrrn simrlan asilmadan once R1., I kil'luk
minimum degerle sirurlandmlnussa bu dcvrenin gcrilim rcgiilasyonu ne olur?
16.4

15. Dalgalihk yiizdesini %2'ye azaltmak icln kondansatorlu filtreden sonra bir RC
filtre kau eklenmistir .. 80 V de saglayan RC filtre kaurnn <;oo§mdaki dalgacik
gerilimini hesaplaym.
1 JcO (minimum
16. Tam dalga dogrultucudan urerilen 2 V rms dalgacikh 24 V de sinyali filtrelernek deger)
icin bir RC filtre kau (R = 33 n, C = 120 µF) kullarulmisur. 100 mA'lik yiik icin
RC boliimiiniin <;1k1§mdaki dalgalihk yiizdesini hesaplaym. Aynca RC katma
uygulanan filtrelenmis sinyalin de dalgac1gin1 hesaplaym. $ekii 16.40 Problem24'e ilitkin dcvrc.
. . .

17. Basil kondansatorlu bir filtre 40 V de girise sahiptir, Eger bu gerilirn, RC filtre 25. ~ekil 16.4l'deki devrede knynagm gerilim sirurlan a§ilmadan once Rr.., 1 kn'lu~
kanru beslerse (R = 50 n, C = 40 µF), 500 Q'luk yiik direnci icin yuk akmurun minimum degerle suurlandmlnussa bu devrcnin akun rcgulasyonu ne olur?
degeri ne olur?

18. RC filtre katmm girisi, tam dalga dogrulrucudan ve kondansatorlu filtrcden

_elde edilen 2.5 V rrns dalgacikh 50 V de gerilim oldugu zarnan, l kil'luk l kO (Minimum
yilkil besleyen bu kat;n <;1ki§tndaki dalgacik geriliminin (rms) degerini he- dep)
saplaym. RC filtresinin eleman degcrleri R = lOOil ve C = IOOµF'd1r.
.~tkil 1(,.41 Problem25'eili~kindcvre.
19. Problem IS'deki devre icin yilksiiz 91k1~ gerilimi 60 V isc, l kffluk yiikteki ge-
rilim regiilasyonunun yuzdesini hesaplayin. =
26. (a) ~ekil 16.22'dcki zener diyotlu pararel regulator icin, V1 = 60 V. V2 12.5 V vc
Rs= 200 n ise Zener diyodun 'iletirne ge<;misiiii saglayan minimum Rr.. ne olur?

802 BolOm 16 Dogrusal IC'ler: RegOlati:irler (Filtreler ve Gil!, Kaynaklan Dahll) BOlum 16 Problemler 803
 (b) (a) §tkkmdaki kosultar icin, maksimum hyiik akimuu hesaplaym. ~ 16.8
(c) R'-maks = 5 lill
ise minimum h:degeJ:in,ibulun.
(d) Ri = 1.5 Q ise, yukanda belirtilen aralik ir;fo gerilim regiilasyonunu hesaplayin. 35. 250 mA'lik akrm. ~eken bir yiikle cahsan Sekil 16.37',leki gibi bir gerilim
kaynagunn filtreleme kondansatoru iizerindeki % dalgahhk degerini bulun.
-,-
27. Bir Zenerli regulator, Vz = 22 V ve maksimum gur; harcamasi 2 W olanbirdiyor Vm = 25.5 V oldugunu varsaym.
kullanmaktadir. Eger uygulanan gerilim 50 V isc, minimum Rs direnc dcgerini
bulun. 36. $ekil 16.37'deki gibi bir gerilim kaynagt, C kondansatoru uzerinde 20 V dc'dc
%12'1ik dalgahhga sahipse, sayk.tl boyunca V8;,;~min degerinin dil~ecegi en dil~iik
28. ~ekil 16.28'deki devre icin, s; = l kQ, R = 5 kQ, Vz = 10 V, \I/J£ = 0.7 V ve =
deger ne olur? Vm 25.5 V oldugunu varsaym.
V; = 20 V ise, - - .....,
(a) Vi gerilimi ve fi akrmiru 37. $ekil 16.38'deki gibi 5 V'Juk bir gii~. kaynagmda C = 500 pF ve yiik Ide= 150
(b) le kollektor akirmru mA ise a~ag1daki degerleri hesaplaytn.
(c) R iizerindeki akimmt (a) C kondansatoru uzerindeki V de -

(d) Kaynak aknmru hesaplaym. ' (b) C kondansatorti iizerindeki V, (tepe) /

. .
29. ~ekil 16.29'daki devre icin Ri = 4 kQ, Rs= 2 ill, Vz = 10 V, VnE = 0.7 ve V; = 38. $ekil 16.38'deki gibi +5 V'luk bir gii~ kaynagmda C = 330 µF ve yiikrik1m1 300
20 ise t "=· ~~-- :
.
mA ise Vgiri~mindegeri ne olur? t:;:1~. regtile edilmis +5 V diizeyinde tutulabilir
mi'! (V111 = 15 V oldugunu varsaym).
(a) VL gerilimini
(b)fiakmum
(c) Rs Iizerinden gecen kaynak akrrmru
(d) f3 = 50 ise Zenerden gC9en alam1 hesaplaym.

30. 20 V'luk yiik gerilimi elde etmek icin, $ekil 16.30'daki devrede R2 degeri ne ol-
mahdir?

31. {a) $ekil 16.32'deki gerilim regulasyonlu.kaynagm nasil r;alt§t1g101 aciklayin.

(b)VL diizcyinin dii§meye ba~Iainast:halindeVL degerini sabit tutmak icin dev-
rede bangi olaylar ortaya ~tkn;aktad1r.

32. $ekil 16.33'deki devre ii,:in V86.; 0.7 V, Vz = 10 V ve V; = 20 V ise VL degcrini

·: hesaplaym. Direnc degerleri ayrudrr.

* "16.7

if'$ekil 16.36'daki gibi bir LM3 l 7 entegresi kuUanarak R 1 = 240 n ve R2 = 1.8 kQ

ir;in regiilasyonlu r;tlo§ gerilimini hesaplaym.
. . 1 --~
34. R, = 240 n ve R2 = 3.3 ki1 d~gerleriyle $ekil 16.36'daki devrenin 91k1~ ge-
riliminin sonucu ne olur?

804 BiilOm 16 Oogrusal IC'ler: Regfilatiirler (Filtreler ve ~i.l9 Kaynaklar: Dahill Biili.lm 16 Problemler 805
 17.2
-~
::. .
17.1 GiRi$
Hern dogrusal hem de sayrsal devreler iceren bir dizi entegre devre (IC) birimi mev-
cuttur. Bunlar arasmda en popiiler olanlan, karsilasnrma devreleri, sayisal/analog
doni.i§ttiriicii devreler, arabirimler ve zamanlama devreleri sayilabilir. Karsrlastmcr
devresi, giri§ olarak dogrusal gerilim ahr ve bunu, hangisinin daha biiyiik oldugunu
belirlernek icin bir referans giri§ gerilimiylc karsilasnnr. Bu devrenin ylk1§1; girisin,
referansi a§lp asmadigm: gosteren sayrsal bir sinyaldir. Boylece giri§ olarak dogrusa!
gerilim alan entegre devre (IC) birimi, 91k1§ olarak sayisal gerilim verir, Sayisal/
i analog dt>nii§ti.iriicii devreleri, sayisal degeri oransal bir analog veya dogrusal ge-
rilime donii§tiirn1ek icin kullaruhrlar. · seltecli karsilastmcmm ¥ah§masm1 inceleyebilipz. Referans giri§i (2 nolu bacak O V'a
Hem dogrusal hem de sayisal olmak iizere, 9C§itli sinyal tiirleri arasmda arabirirn
veya ara baglann kurmak i9in 9ok yC§itli devreler mevcuttur. Bazi arabirim dev-
releri, empedans diizeylerinin uydurulmasryla, bazilan belirli transduserlerden, ba-.
zilan ise tarumh yuklerle ¥ah§1r. Arabirim devrelerinin bir ttirii de farklt sayisal sin-
yal duzeylerini birbirine donii§ti.iriir,
Zamanlama devresinde de hem dogrusal hem de sayisal devreler bulunur. Dogrusal
ka~1la§t1rrna dcvreleriylc sayisal devrelerin uygun bir duzenlernesi, zamanlama dev-
resinin, bir giri§ sinyaliyle tetiklencn darbc sinyallerinin iiretilmcsi ve dt§ dircnc ve
kondansarorle belirlencn bir frekansta ¥al1§an bir saat sinyalinin iiretilmcsi de dahil
olrnak uzere cok ye§itli uygulamalarda kullanrlmasirn miimkiln kilar, Bu boltimdc, 9ok
popiiler devrelerden biri olan 555IC zamanlayicrsi ele alinrrusnr,
806
KAR$1LA$TIRMA BiRiMLERi VE<;ALl$MALARI
Karsrlastmci devresi, giris olarak dogruaalgerilimleri ahr ve bir girisin digerinden
daha ktiyilk veya buyuk oldugunu gBsi~ren sayisal ylkt§ verir. Temel karsilasunci
devresi .~ekil 17. I a'da verilrnistir. <;1lo§; terslemeyen (+) girls, lerslcyen (-) giristen
daha biiyiik oldugu zaman ydksek duzeyde kalan ve terslemeyen giri§ gerilirni, ters-
leyen giris referans gerilim diizeyinin altma indigi zaman da alcak gerilim diizeyine
anahtarlanan sayisal bir sinyaldir, ~ekil 17.lb, bir girisi referans gerilimine (or-
negimizde tersleyen girls), diger giris sinyal gerilirnine baglanm1§ tipik baglannyi
gostermektedir. Vgir, referans gerilim dUzeyi olan +2 V'tan daha dil§iik oldugu sii-
rece ¥1k1§, alcak gerilim diizeyinde (-10 V civannda) kahr, Girls, +2V'un iizerine
ytktlg1 zaman, yUG§ hrzh bir bicimde yiiksek gerilim diizeyine (+10 V civan) anah-
tarlarur, Boylece 91k1§tan ahnan bir yiiksek duzey, girl§ sinyalinin +2 V'tan daha
btiyiik oldugunu gosterir, . ;
+V +V(+IOV)
fput--- r v~£P~'.:.. J
Yr---t#{' --~'
(+2 V) ~e,_.:i ;:
+Glr!J-.+ l
-v t. -V(-10 V)
(a)
:~~,·
K"~tla*mie,; (a) tcmel yap,: (h) tipik bir uygulama.<1:
Karsilasnnciyr kurmak icin kullamlan i9 deyre esas itibariyle cok yiiksek kazancli
bir islemsel yukseltec devresi oldugu i~ip,ilk once ~ekil 17.2'deki 741 i§lemsel yiik-
ayarh iken, girl§ ucuna (3 nolu bacak) uygula?an sinusoidal bir sinyal, 9IIG§m, ~ekil
17.2b'de gosterildigi gibi iki 91kl§ durumu arasmda anahtarlanmasina neden olacakur.
V; girisi, 0 V'luk referans duzeyinin milivolt d~zeyinin iistiinde olsa bile, cok yuksek
kazancla (tipik olarak lOOOOfften fazla) ydkseltilecektir, dolay1s1yla 9Lk1§, pozitif 9lkt§
doyma d(lzeyinc yiikselccek ve Vref = 0 V'u~ iizerinde kald1g1 siirece, burada ka-
lacakur. Girl§, 0 V referans dtizeyinin,biraz.a(tma dti§ttigii anda s;tla§, alt doyma dil-
zeyine ula§ir ve giri§ Vror = 0 V'un altinda kaldJg1 silrece orada kahr. ~ekil 17.2b, giri§
sinyali dogmsal iken \:'la§m say1sal oldugunu a91k9a:gosterrnektcdir.
Gene! olarak, referans dilzcyinin .yalmzca 0: Y olmas1 gerekmez, pozitif veya ne-
gatif bir deger de olabilir. 4lemscl yiilcsellc~in (veya kar§Jla§tmcmm) giri§lerinden
herhangi biri referans dilzeyi olarak kullamlabilir, dige_ri ise 'giri§ sinyaline baglamr.
Borom 17.2 Kar§1la§t1rma Birlmlerl ve.yah§mas! 807
 ~ekil J7.3a'da, pozirif gerilim referans duzeyli bir devre gosterilmistir, devrenin Referans gerilimi tersleyerr girise baglcoldugundan; V; girisi, +6 V referans gerilim
c;ikt§I bir LED'i surrnektedir. Referans d~zeyi a§agrdaki degere ayarlannustir: diizeyinden daha pozitif oldugu zaman ¥rl<J§;ikendi pozitifdoyma diizeyine anah-
tarlamr. Bu durumda V0 ~tkr§ gerilirni, LED.'i yakar, bu da girisin referans du-
Vref-- _;, .·. · J'O kQ . (+12V)=+6V
lOkQ+ 10 kQ zeyinden daha pozitif oldugunu gosterir, ···~ .. : ' .
Alternatif olurak referans gerilimi, terslerneyen girise de baglanabilir (Sekil
,, 17.3b'ye bakm). Bu baglannda, giri§ sinyalinin referans diizeyinin altma inmesi, ¥1-
kism LED'i yakmasma neden olabilir, Boylelikle giri§ sinyali ve referansm baglam§
bleimlerine bagh olarak, giri§ sinyali referans diizeyinin altinda veya ilstUnde ol-
dugu zaman LED yanabilir.
IC (entegre) i~lemsel ytikselteclerin karsrlasurrna devreleri olarak kul-
larulabilmesine karsm, bu ti.ir uygulamalara yonelik baska entegre karsilastmci dev-
releri de mevcuttur. Entegre karsilasnnc; devrelerde saglanan bazi iyilesmeler ara-
smda, iki ¥1k1§ diizeyf.imis1~dalci)<4ilia h1~ii)~ahtarfama
stiresi, giri§ referans
diizeyini gecerken yik;§;n:saiIR~r:itY~Piti~ii'oi.6hieyenyap1sa1
gurii1tu ve bag1§1li1tg1
¥e§itli yi.ikleri dogriiclan dogruy~ si.ire~1ime . yetenegine sahip ¥1kl§lar sayilabilir.

-,"",
(a)

po;::;~~ .!::~a~~1~1t~:1 tfw~tEif

Nasil tammland1klari.nrve nas1IJii1f~nilabileceklerinj gosterrnek acismdan a~agrda

l~s±;;~f!:·kaynak,an (sayisal man Ilk

~ckil l 7.27~: i~£emsd yfiksdtc!Clnin k,1P.i1b~tl~, ol:nak ~h\11\aSI.
-V devreleri icin kullaruhr) ± 15 vi~k~if(giifbyrialdanna
kadar besleme gerilim ara-
hgmda ~alr~abilen bir karsilasurma devresiicerir. (;1k1§, iki ayn duzeyden birinde
gerilim uretebilir veya lambalan ya da roleleri stirmek i9in kullamlabilir. Degisik
(b)
yiiklerin siiriilebilmesi icin ¥1kl§m iki kutuplu transistor iizerinden ahndigma dikkat
lOkn edin. Entegre devre uzerinde, aynca dengeve strob girisleri de bulunmaktadir; bu-
rada strob girisi, 91kt§m kapilanmasuu miimki.in kilar, Karsilastirma devresinin yay-
gm uygulamalarda nasrl kullamlacaguu gosterrnek icin birkac ornek vcrecegiz,
lOkn
J1Jt,··1~0 n 470 {v ~ VREF ( - 16 Vj'un
,.i.
-12 V i· /\..t'
.,,:,;, LED · fu:crine ~1ku••nda
, &"'
i : LED yanar
(a) ! ':' .
~·. :

.
. ., +12V
. !1 :,•

v, l'C!Slcycn
girilj ----

TI
<11on
/ V. V ( • 16 V)'tm

.
-12V :~ LED {.lllfulll
• ~lilgundo
'j:. . LED yanar . . v-
.{ -::- 1 $d,;I 17..1 Dir 311 ka'l1ia;uncm (Sekiz-bacakh DIP) .
:·
(b)
BolOm 1~.2 Kar,11a,tmna Blrlmlerl ve <;ah§mas1 809
 +V(S V)
~ekil 17.5'te de gosterildigi gibi bir sifrr-gecis dedektoru, 311 kullanarak ku-
rulabilir. Pozitife giden giri§ (0 V'un. iislii) 91ki§ transistorunu iletime goturtir, 91k1§
alcak diizeye (bu diizenlemede .10 V) gider. 0 V'un altma dusen girls, 91kl§ tran-
sistortlnti kesime goturecektir (y~l§ +10 V'agider).
Boylcce 91k.i§, girisin O V'un uzerindeya.da altmda olup olmadigiru gosterecektir,
Giri§ herhangi bir pozitif (0 V'un iisiii) gerilim oldugunda, 91ki§ alcak diizeyde ola-
cakur, buna karstlik negatif bir giri§ gcrilimi, 91k1§m yiiksek gerilim diizcyinc git-
mesine nedcn olacakur.

1'11.,
20kSl slrobu

---Ctlaf

~ekil 17.1, llir 311 kar11la111nc,s1n,n •lrob giriJiyle ~ah1ma.<1.

+V fT"° Nonnalde a~tk

v-(-IOV)
+V -i-., (N.O .) kontaklar

le~
~ckll 17.5 Hir 311 kullamlar.ik yapdan :uf1r-gci,.iJ 0,.'(1c.ktoril.

_ill__'
!t;~ib,
~ekil, 17.6'da, 311 karsilasnncismm stroblamayla nastl kullamlabilecegi gos- Gi~
terilmistir. Bu ornekte giris, referans diizeyinin iizerine 9tkt1g1 zaman 91k1§ yiiksek
0 -~...;Q)::::? ..

diizeye gidecektir (ancak, sadece eger TIL strob girisi kesimdeyse (kapahysa) veya
O V ise), TIL strob girisi yiiksek duzeye gittigi taktirde, 6 nolu bacak iizerindeki 311
strob; girisini alcak duzeye cekcr; bu4;1.
giii§ sinyali hangi durumda olursa olsun 91-
kism, (91ki§ yiiksekdiiieydey~en)k~siindurunrurida kalmasma neden olur. Aslmda
ylkl§, Stroblanmad1g1.$ti~et:<(jiii·k~eltdiiz~ytle kahr. yikl§, stroblandig: Zaman normal
hareket ederek, gitir~i~y:fdtl~yine bagl1 olarak yilksekten-al9ak'a anahtarlamr. <;a-
h§ma sirasrnda ka1'§1la§tlflc1.y1k1§1, sadece strob sinyali boyle bir isleme izin verdigi
zaman giri§ sinyaline tepld .yetecektir.,
~ekil 17. 7'de, bii'roleyisUren bir .k~1la§hnc1 ylkl§J gosterilmektedir, Giris 0 V'un
altma di.i§tiigii za.inllrti~lkl§'d.ii§iik di.izeye silriiliir, role ~ab§tr ve o anda normalde-
acik (N.0.) kontlil<iaik~prtri~i'; Bii kohfaklar boylece ~§itli cihazlan ~ah§llracak §C·
kilde baglanabilir. Ornegin, kontaklara.baglanmis zil veya buzzer, giri§ gerilimi O
V'un altma di.i§tiigi.i zaman cahsunlabilir, Giris ucunda gerilim oldugu surece zil ka-
pah kalir.
r6 Y;f,
_[ -v -
\....
~ekil_ 17.7 Bir 311 kar11la1hnc1S1n1n .-tile ~1k111yla ~•h1mo,o.
,.
Diger bir populer karsrlasurma biriminde dtirt ayn gerilim karsrlasnrma devresi
tek IC uzerinde toplanrmsur. 339. dortli.i bir ,kar§tla§Urma entegresidir: dort kar-
§Ila§t1nna devresinin tarnamr, ~ekil 17.S'de gosterildigi gibi di§ bacaklara bag-
lanrrusur. Herbir karsrlasunci, bir tersleyen ve terslemeyen girls ile bir 91k1§a sa-
hiptir. Bacak ciftlerine uygulanan kaynak gerilimi dort karsilasnrma devresinin
dordune de baglamr, Karsilasurma devrelerinden sadece birisini kullanrnak istesek
bile, devrelerin dordi.i de 9ah§1r dururnda olacak ve kaynaktan enerji 9ekecektir.

810 Boliim ..17 DogrusaVSay1sal Entegre Devreler (IC) 811

, ,, Bu karsilasunci devrelerin nasrl .kullanrlabilecegini gormek acismdan, Sekil
v+(S V)
S:17 .9'de, sifu-gecis dedektort( olarak baghman, 339 karsrlasnnci devrelerinden biri
s gosterilmi§tir. Girls sinyali O V'un.uzerine 9lkt1g1 zaman y1k1~. v+'ya anahtarlarur.
L <;1kl§, yalmzca girisin O V'un ~ltma inm~i halinde.V''ye anahtarlanacakur.
: Referans olarak O V'tan °f~rkh bfr diizey de kullarulabilir; bu durumda giri§ Uy· 5.1 kSl
' !anndan biri referans, digeri."\se sinyal giri§i olarak kullamlabilir. Karsilastmct dev-
relerinden birinin 9al1§mas1 ~ag1da anlaulnusnr,
Pozitife giden fark girisi (giri§ uclan arasindaki gerilim farki), 91kt§ transistorunu
kesime (acik devre) gotilriirken, aegatif fark girisi, ytkt§t rransistortmii iletime go·
tilriir; bu durumda ytkt§-i!lyak kay_nak duzeyinde olur,
Negatif giri§ V-er referans diizeyinde ayarlan1rsa, V,,,r'in ilzerine cikan pozitif girls, V-(-5 V}
pozitif fark girisi ile birlikte acik devre du.rumuna silriilen 91kt§t meydana getirir. (a)
Terslemeyen girls Vrer'in aluna inerek negatif bir fork girisi yaratng: zaman 91kt§ V- 1
'ye cekilir. .. l . ·,
Pozitif giris referans dilzeyine ayarlamrsa, Vrer'in alnna dusen tersleyen giris, 91·
kista acik devre olu§tu.01rken; _ V,~iin ustilne 91kan tersleyen girls, V- 91k1§.l olus-
'- . '
v- -------·~·

'-~
turacaknr. Bu 9~ma, $'ekil 17.10.'da ozetlenmi§lir.
y+ l. (b)

v+
~l

OiriJ --~;J 1J',•1

~;.{{;·; ..

VREl'--,~~1
v-
(a)

v-
(b)

Sckil 17.H Dor!IO kft~lll\!jll'1CI IC (339).

~d.:.il 11. HI Bir 339 kaqila;unc, ~vresinin: (a) cksi; (b) ant referansgiriilcrindc: ~ah~masi.

Bolilm ,17 Dogrusal/Saytsal Entegre Devreler (IC} Bolilm 17.2 Kar!i•la!itlrma Birimlerl ve <;al;-!imas1
812 813
 .17.3 SAYISAL!ANALOG DONU~T0R0CULER
+9V
Ele~troni~te. karsimiza cikan gerilim Ve aknn sinyallerinin bir9ogu dogrusaldir,

l
yam, belli bir deger arahg1nda·sUreklilik go¥terecek §ekilde degi§ir. Sayisal dev-
relerde ve bilgisayarlardaki sinyaller say1sal~ir, yani bir veya sifrr ikili degerlerini
©;,· (D S.l kO gosteren iki diizeyden birindedir, ' ;·! · ·'
--1'------©;: •:a. if > .su, Cilat
Bazi sayisal i§lemlerde kullamlan sinyallerin dogrusal (analog) gerilim olrnasi ha-
linde (ornegin sicakhgi, basmci veya konurnu gosteren de gerilimleri), bir devrenin
b~ analog gerilimi sayisal degerlere d,onii§tii;1mesi_gerekir. Bu donii§tiirme devresi
bir _a~alog/say1sal donii§tiiriicudiir. Bilgisayarda, 9ik1§a gonderllecek degerin analog
gerilim olmasi durumunda bu deger, sayisal/analog donii§tiiriicU devresi kullaml~~ak
dOOU§liiriiliir. I . .
i_..,
VREFl21+S V
+9V Say1sal/Analog Donu~tunne

8.2 kil Cikifal~. Sayisal/Analog donii§tiirme, ~C§itli yonte;lerle gerceklestirilebilir, Popiiler .bir
Vm 1 e!+l V @+ +sv.1---------- yontemde merdiven devresi deriilen ve direnilerden olusan devreler kullamhr. M;~-
divcn devresi, tipik olarak O Vveya Vn:fdej~ilerirideki ikili girisleri alrr ve b~ ikili

©iJii;i: Ci) +l v L----------

giri§ degeriyle orantih hir c;1k1§ ~erili111i verir. L
r
R R R
:, .,

_ _.---=-';it)?
2R 2R 2R

V,{0)
Do
/
.' Sayisalg~
Bu karsilasnrma devrelerinden birinin 91ki§1 a9ik dcvre kollekror oldugundan, bir-
(a)
den cok devreden gelen 91ki§larm telli-VEY A ile baglanabildigi uygulamalar ya-
prlabilir. $ekil 17.11, 91ki§ ve girisleri birbirine bagh iki karsilasnncr devreyi gos-
termektedir. I nolu karsilasuncr, terslemeyen girise bagh +5 V'luk bir referans
gerilim girisine sahiptir. Girl§ sinyali +5 V'un iisttine 91kt1g1 zaman, 91k1§, 1 nolu
karsilasnnci tarafindan alcak dtizeye yekilecektir. 2 nolu karsilastmci tersleyen gi- 2okn 20kn
!.
Wkn
;
rise bagh + 1 V'luk bir referans gerilimine sahiptir. Girls sinyali + 1 V'un aluna dii:j-
ttigii zaman 2 nolu karsilasnncrrun 91k1§1 alcak dllzeye cekilir, $ekil 17.ll'dc go- +16V +16V
Do =0 ,. D1 =I D2 = I
riildiigU iizere, giri§ + 1 V'un altma veya +5 V'un iistUne 91lct1g1 zaman <,:tkl§ alcak
0

diizeye 9ekilecektir; dolayrsiyla bir biitiin olarak devre, bir gerilim pcnceresi de- ~d;.il 17.11 D/AdOnOJIUrUcUt1,,1o1·.k1: 11ul:1.U1·:1r...i1,1mcrdiven,k.•\1, (b)
tektorii gibi 9ala§acaktJr. <;1ki§m yiiksek olmasi, girlsin +1 V ila +5 V arahgmdaki J .,'
gcrilim penceresi ir,:indc oldugunu gosterir (bu degerler, kullarulan rcferans gerilirn
duzeyleri ile belirlenir).
:f., $ekil 17.12a'da, 4-bitlik sayisal veriyi ~e bir de gerilim 91k1§m1 tanunlayan, dort ge-
rilim giri§i bulunan bir merdiven devresi gosterilmistir, <;1ki§ gerilimi, sayisal girls
,.'!f

BolOm 17 Oogrusal/Say1sal Entegre Oevreler (IC) BolOm 17.3 Say1sal/Analog DonO~tOrOcOler 815
814
 Arialog/Say1sal DonO~turme

QiFT EGiMLi DON0$TURME

degeriyle orantrhdir ve aradaki bagmtt a§ag1da verilmistir:
. 0 - - I 2 J
_ Do x 2 + Drx2 .:+ D2 x 2 + DJ x 2 x Vref (17.1) . An~log !erili~~ say1s~ dege~ere donii§turiilmesinde kullamlan popiiler bir yontem.
V ,, - .. · .': ·2 4 ~if~ e~i~ yontcrnidir, Seki! 17:l4ada, temel yiftegimli doniisttiriiciintin blok ..
terilrnistir Dentist.... , k • semasi gos-
. ;. . :j( - · .. ~ uru ece ana 1 og gerilirn, elektronik anahtar yardirmyla bir integral alma
Sekil 17. l 2b'deki ornekte, elde e!}_i\e~JL~ geriliminin §Oyle olmasi gerekir:

~~, l .
veya rarnpa uretey devresine uygulanrr (burada ~1 {rifi~yle dogrusal bl ·· ·
iiret k · · bi k 1rrampa gerilimi

·.
me 1910 ir ondansator sabit akimla dolduruluru-Sayisal <;Ila§ integral at d
~=Oxl+lx2+lx4+0x8xt6V=6V resinin hem pozitif he m de negan·r eg1m
· araltklan sirasmda
· · · ~:tlt§an sayrcidan
' ' ' edilir
elde ma ev-
;, )6 ., I

// L
Dolayistyla, 01102 degeri 6,V'a donii§tiiriilmii§ olmaktadir. \l' ' t..; Say1Sal<;~
Olusan V,, degerinin ge~kten de 6 V olup olmadigiru gorebilmek i9in siiperpozisyon '\•''Y. '"'.}~f"'.,,,.i . J ., "
r.:Jlwi, ;J 11/tj) fu~ '. , ,. :·
i
yontemini kullamn. Merdiven tipi devrenin islevi, OOOO'dan 111 I'e kadar olasi 16 farkh
,, , , gnilahci , . .,~-r'i<-.
ikili degeri, Vre/16 adirn ara1Jg1 i9inde 16 gerilim diizeyinden birine donii§tiirmektir. cr:,{%,N,F'i'ift I riitJ~· ... Saymayt

tZ~:·hW""5 [:'1'P'/
( . , ·'•\ 'r.i,,,;·>.:J•c> ,!')~'l;,e;Jii• ~-~ -.duntur_- 1.- -
Daha fazla mcrdiven parcasi kuff~iliJak, daha fazla ikili giri§ ve boylece her bir' adim
icin daha biiytik nicemleme elde edilir. Ornegin., 10 katli bir merdiven devresi, gerilim
!
_:_~~--- - +-~
adimlanmn sayisnu vcya "gerilim 9oziiniirliiitinii Vrertz1° veya Vrer/l02"'e s;tkanr. Bu 'du-
rumda 10 V'luk referans geiilimi. 10 V/1024 ya da yaklasik olarak 10 mV'luk <,;Iki§ ge-
rilimi adimlan saglar. Daha fazla rnerdiven kan, daha biiytik gerilim s;oziiniirliigii saglar, Ta~

gcnel olarak n merdiven kan icin gerilim'c;:oziiniirliigii§U bagmtiyla verilir.

L_
Vrer (17.2) Sayasal
2" (a)

Tipik bir IC D/A (say1sal/analog) donii§liiriiciiniin ana elemanlanmn blok §Cmas1

Sekil 17. l 3'te verilrnistir. ~emada R-2R· rnerdi vcni olarak arulan rnerdiven devresi,
referans akim kaynag; ile her bir ikili girise bagh akim anahtarlan arasma ko-
nulmustur: sonucta elde edilen .91.kt§_ aknm.ikili giris degeriyle orannhdir. tuu gi-
ri§ler merdivenin secilen bacaklarm1-iletimc'sokar; burada 91k1§ akrrru, referans aki-
mmm agtrhkh toplamtdir. Crkisa bir direnc baglarnnasi halinde, bir analog giri~
.iiretecektir.

sayun
sayun
---- Sabit zaman
arahj1

Sayun an,hjt
(b)
~ckil 17.IJ «;ift ciim yllntcn1ini kullanarak ~ID dooOjlUrmc
. . . (a) man11k diyogr.mi: (b) dalga ~Wleri.
11lenu:
.i
~d;.il 17 .1.; : R-2R mcnliven dcwailmllan;mD/A~1Q~tUrucilerncgre devrest.
BolOm 17.3 Say1sal/Analog DonO~tUrOciller 817
Boliim 17 Oogrusal/Say1sal Entegre Devreler (IC)
816
 Donusturme yontemi a§ag1dak:i gibi gerceklcsir, Sabit zaman arabg1 icin (genelliklc
sayicuun tam sayim arahgidir), integral alma devresine bagh analog giri§ gerilimi, kar-
§il8§tmc1dak:i gerilimi pozitif diizeyc yiikseltir. ~ekil 17.14b'de, sabit zaman aralignun
sonunda, cntegral alma devresinden gelen. gerilimin, daha bilyiik giri§ gerilimlcri icin
daha biiyiik oldugu gosterilmistir, Sabit -sayim arahgirun sonunda, saynn sifrrlamr vc
elektronik: anahtar integraL.al!J.)~;-,d~vresini bir referansa veya sabit girise baglar, Ar-
dmdan, integral alma devresinin 9~1 (veya kondansatorun girisi) sabit bir .hizla azahr,
Bu siire boyunca saymaya devam edilir, integral alma devresinin 91ki§1, ka£§1l8§t1nc1 re-
ferans geriliminin altma dii§ene kadar sabit bir hizla azahr ve tam o noktada kontrol
mannk devresi sayirm durdurmak uzere bir sinyal (karsrlastmcimn yOO§Idir) ahr, Bu
noktada sayicida saklanan sayisal degcr,di:inii§tiiriiciiniin sayisal 91ki§td1r.
Pozitif ve negatif egim arahklan boyunca di:inil§lilrme i9in ayru saat ve integral alma dev-
resinin kullarulmasi, saat frekansmdaki kaymalan ve integral alma devresinden gelen sr- 4• -·~·

rurlamalan dengeler.Referans girl§ degerinivesaat luzuu ayarlamak suretiylc sayici 91k1~1 is- Merdivcn

. :=7lj
gcrilimi
cenildigi gibi ol9eklendirilir.Sayic(ikili,BCD veya istenirse digersayisal bicirnde olabilir. Analoggerilim ~

MERDiVEN DEVRESIYLE DONU$TURME

Analog/sayisal donii§tilrmenin poptiler baska bir yontemi, sayicr ve karsuasnrma dev-

releri ile birlikte merdiven tipi devre kullanmaktrr (~ekil 17.lS'e bakm), Sayisal sayrci, sr-
firdan yukanya dogru sayarken sayicmm surougu~erctiven dcvresi, ~ekil 11.1sb'ctc go-
riildugu bir merdiven basamagi §Ck1inde ylki§ gerilimi iiretir; burada gcrilim, her bir sayim
f.-- Sayuna
Sayma Alll!Jg1
Sayuru
bll!jla durdur. )
adimmda bir basamak artar. Hem basamak gin§ gerilimi, hem de analog giri~ gerilirnini
!(b)
alan bir k3£§113§tmna devrcsi, basamak gerilimi giri§ geriliminin iizerine 9ik.1:Jg1 zaman sa- . i· -
yum durdurmak: i9in bir sinyal iiretir. 0 andaki sayJ.Sal 91la§, sayicuun degeridir, ~ckil 17.1 ~ Mcrdivcn devresl kullanarak A/DdOOiiJti.imlC illcmi; [a} manille diyagram,: (l>) dal~a ~ckli.
J : '!-.
Merdiven sinyalinin belirledigi gerilim degi§mesinin miktan, merdiven dcvrcsinc i ;
uygulanan referans gerilimine ve kullarulan sayirn bitlerinin sayisma baghdir. 10 Bazt donil§tilrmclerin, kisa sayun sures], bazilannm maksimum say1m siiresi ge-
V'luk
I
bir referans gerilimi kullanarak 12 kath bir merdiven devresini. sUren 12 kath rektii;mesi ncdeniyle ortalama (4.1 ms)IJ = 2.0,5 ms.ilk bir di:inil§tilnnc silrcsine ihtiyai,:
sayicmin her sayimmm adim gcrilimi §tiyle olacaktir: duyulacak ve boyle bir bu durumda ort,alama:donii§tiinnc say1S1, 2 x 244 = 488 dii-
.!:rd.= .lQ..Y. = 2.4
mV nii§liirme/saniye olacakttr. Daha yav3§1 bir saat hm, saniyedeki donil~tiirrne sayism1
212 4096 azaltacakllr. Daha az sayun kat1 (ve.dah~ az.d6nil§tiim1e 9oziiniirliigU) kullanan bir do-
Bu da 2.4 mV'luk bir di:inil§tiirme 9i:iziinilrlilgii vereccktir. Sayicuun saat hiz], di:i- nii§tiiriicilniln saniyede gcr9ekle§tirecegi di:inil.§tilrme say1~i <laha fazla olacaktlf. Do-
nii§tiim1eyi gerceklestirmek i9in gereken silreyi etkileyccektir. 1 MHz'lik: saat luzi ile nil§tilrmenin dogrulugu, k8C§1la§t1nc1run ne o~nda dogru olduguna bagud1r.
·, r
9al1§an 12 katli bir sayicimn ihtiyay duyacagi maksimum don~tUm1e silresi: ;
17.4 ZAMAN LA VICI IC BiRiMi VE UYGULA:MALARl
4096 x 1 us 4096 Jts = 4.1 ms
Bir ba§ka popUler analog/say1sal entegrc dev~e. 9ok yonlil kullanima sahip olan 555
olacakur. Bu durumda saniyede geryekle§tirilebilecek.minimum dtinll~tilrme sayrsi zamanlay1c1 birimidir. IC, ~ekil l7.16'da ;.giisterildigi gibi, bir dogrusal kar-
§ila§tmc1lar vc say1sal flip-floplar birT6§imindcn olu§maktadlf. Dcvrcnin 1amam1 ge-
donil§tiirme sayrsi = 1/4.1 ms= 244 dontisttlrme/saniye olacaknr, tf
nellikle sekiz bacakh bir DIP pakctinden planmaktad1r; baeak ta111mlan ~ekil

818 BiilOm· 17 Dogrusal/Say1sal Entegre Devreler (IC) Bo!Om 17.4 Zamanlay1c1 IC Birimi ve Uygulamalan 819
' l
 kondansatoriin, tekrar RA ve RJJ direncleri yardumyla vcc'ye dogru dolabilmesi icin
bosaltrna transistoru kesime gider.
~.ekil 1_7.l~b.' ~-arars1z dev'.e baglantismdan kaynaklanan kondansator ve i;iki§
l 7.16'da verilrnistir. Uc;: dircncin seri.olarak baglanmas1, iki kanstmciya uygulanan dalga §~k11ler1~1 ~~stennektedtr. A§ag1daki bagmnlar kullamlarak, ytki§m yiiksek ve
referans duzcy girl§leririi cc t v ve f v
cc duzeylerine ayarlar; bu kar§tla§tmcilann yl- alcak duzeye g1.tt1g1 zaman arahklan hesaplanabilir:
kislan da, flip-flop hirirnini kurmak veya' sifrrlamak icin kullamlir, Ardmdan flip- +Vff

flop devresinin <;ilo§l, <;1ki§ yukseltec kati iizerinden ahrur. Flip-flop devresi aynca
entegredeki bir transistoru de 9al1§t1nr; bir zamanlama kon<lansatoriiniin bosaltilmasi
C kond1msa1or0

:;:~J "·
icin bu transistorun kollektorii genellikle aleak diizeye cekilir. ~ ilzcrindcn R,1
bosahr.

Yee Efik

~-+·
Denetim 0 (t Yee) }l
gcrll.iml ~,,,,
R (·F/F
<t f2r~ - .... _J ,?,
-,

!@~':
'"'-;:2
R

CD
- Tetikleme
girl¥

~d-.il 17.17 ~;5 cn1eg~ devresiyk y:1pllm1~ ku,m;1z 1i1fihivihrn10r.

~l'l,i:I 17. I(, 555 7..amanlayte1 eniegre dcvresinin aynnulan.

[ Tyuksck = 0.7 (RA+ Ro) C (17.3)

· ) SSS zarnanlayrci entegrenin populer bir '~ygulamas1, kararsiz multivibrator veyu

·;~at'devresidir. SSS'in kararsiz bir devre olarak 9ah§masma iliskin a§ag1daki analiz, Toplam siire
.· b'iii~in farkh parcalanrun aynnulan 'ile c;:e§itli girl§ ve c;:1k1§lann nasil kullamldijnna
. i~i§kin< ayrmular ic;:ermektedir. ~ekil 117. l 7'de, <;1k1§ sinyalinin zamanlama arahgim Periyot = T = Tyoksek + T81~,k ( 17.5)
ayarlamak ic;:in dt§ direnc ve kondansator kullanan bir kararsiz devre gosterilrnistir.
. ·. !
C kondensatoru, dt§ RA ve R8 direncleri iizerinden Vee diizeyine kadar dolar. ~ekil Boylece a§ag1daki ili§ki kuUamlarak kara~1z devrenin frekansi hesaplarur ,
17.i7'.den, kondansator geriliminin \l
Vcc'nin iizerine c;:tkana kadar ytikseldigi go-
f = l. = (RA+1.442Ro)C
riillir. Bu gerilim, 3 nolu bacak uzcrindeki tetikleme gerilimidir; ve 3 nolu bacak T (17.6)
iizerindcki ~lkl§lll alcak'a c;:ekilmesi?i¥in flip-flopu tetikleyen 1 nolu kar§tla§lm<:1y1
9al1§tmr. Buna ck' olarak bo§alma (desarj) :1ransistorii acihr (iletime gecer), bu da 7
'Periyot, dofrudnn doi\ruy:,•1•£1daki donklem~ hcsopbn1bilir.
nolu bacak uzerindeki ytkl§tn, R8jdirenci' iizerinden kondansatoriin bo§almasma
T; 0.693 (Rti + 2Ro)C;;(0.1(RA+ 2Ro)C
neden olur. Ardmdarr kondarisator·gerilim°i;·tetikleme dlizeyinin (Vccf3) altma dil-
§Cne kadar bosahr, <;1kt§tn yiiksek duzeye geri donmesi icin flip-flop tetiklenir VC
ve Irekans: 1- ·1,44
(RA +2Rs)C

f BolO~ 17 Dogrusal/Say1sal Entegre Devreler (IC) BolOm 17.4 Zamanlay1c1 IC Blrlml va Uygulamalan 821
820
 Tek kararh Mliltivibrator

555 zarnanlaytci entegresi aynca tek darbeliveya tek kararli multivibrator devrcsi
gibi de kullamlabilir. ~ekil 17 .19'de bu .tiir bir diizenleme gosterilmistir. Tetiklemc
girls sinyali negatife gittiginde devre, J nolubacak uzerindcki ylio.§(a tek vurusluk
s darbeyi tetiklcr ve a§ag1daki siire.boyunca yiil.segc gider,
c botahr c dolar
: --71'\d-----lr,·------f v
+Vee

cc • 3.33 v
8 2, 'l·/t I\/
---+--r----+-1---- t
7 4 3 Vcc • 1.67 V
SSS I I I I I
R . I I .I 8
8 . Zamanlay,ci: . 0 1-------'1---...:.------"-<..._-+---- 7-n(IIII)
7 ; 4
7.S k.G 2' . 3 -·- CJ°'(V) I.OS l.575 2.625 3, IS
I I i..
I
I I 555
I I I

~q:dl[! ~
V0 Zhn:&r1lay1c1
6 ; ' 3 -- <;tlo~

_ I c

:J }~
2 _1 5,

(a) L-L _J
01-----~--~------Zaman(ml)
I.OS l.S7S 2.625 3.1 S Tetiklcyici
giri}i -
T'i!!! 1.6ms (a)
(b)
Yules.~_ r-- .
Tetikleme L:J-:---__ ~sinyali zamanlaytciy,,
glri§i . negatif kenarda tetiklct.
~<~ii 17.IS Omck 17.l'e iliJkin kararm."mOltivibratllr:(a)devre: (h) dalga ¥>kilk:ri. .. ·.

<;,!of
Yiib.f- ·. T Yiik.sck
· -~
()RNEK 17. l
~- (';'I.IR,4C) . '. •

~ckil 17. l 8a'daki devrenin frekansiru.hesaplaym ve ytla§ dalga §ekiJlerini 9izin. (b)

i I i "\I
\,.'\.. 1 1' 555 zamanluy1cJ c:n,cgre dcvre~inin tek kararh mUltivibratf>r olarak t;ah~mns,: (a) dcvn:; (b) datga se-
c,:ii~iim: kilh!ri. i

(17.3)-(17.6) denklemlerini kullamrsak (17.7)

Tyuk.,ek = 0.7 (RA+ Ra) C = 0.7 (7.5 x 103 ·+ 7.5 x 103) (0.1 x 10 ·6) = l.05 ms ~ekil 17 .16'ya tekrar bakihrsa, tctikleme girisinin negatif kenanrun, 2 nolu kar-
§tla§tmcmm, 3 nolu bacaktaki c;:tkt§t yUksek duzeye c;:ekerek.flip-flopu tetiklemesine
r.,~~k = 0.7 R8C = 0.7 (7.5 x 103) (0.1 x 10-6) = 0.525 ms neden oldugu gorulUr. C kondansatoru, RA 'uzerin'den Vcc'ye dogru dolar, Dolum
arahginda 91la§ yiiksek diizeyde kahr, Kondansaror iizerindeki gerilim f Vee diizeyli
T = Tynbek + r.~.k = 1.05 ms + 0.525 ms = 1.57 5 ms esik degerine ula§llg1 zaman.rkarsilastmcmm 1 nolu,ylkt§l alcak diizeye giderek
flip-flopu tetikler. Bosalma transistoru.de alcak .giderekkondansatorun, tekrar tc-
f = l. = 1. = 635 Hz
tiklenene kadar O v civannda kalmasmi saglar.. . ' . ,
T l.575xl0
elde ederiz. Dalga §ekilleri ~ekil 17.18b'de fizilm~tir. ~ekil 17.19b'de, tek darbeli 9ah§tmlan ,5~5 .zamanlayicr entegresi icin girls tc-

822 . B610m 17 Dogrusal1Say1sal Entegre Devr11ler (IC) BolOm 17.4 Zamanlay1c1IC Blrlml ve Uygulamalim 823
 dansatorunu R1 dt~ direnciyle belirlenen bir.luzda doldunnak ve bosaltmak i<;in kul-
larulan akim kaynaklan ve bir de modiilasyon giri§ gerilimine sahip oldugu gos-
tikle~e sinyali ve sonucta olusan i;ikti dalg~ ~ekli gosterilmistir. Bu dcvreye iliskin terilmisrir, Kondansatorun doldurulmas1 ve .bo~alt1lmas1 icin akirn kaynaklannr
zarnan arahklan, mikrosaniye ile birka<; saniyc arasinda degi§ir; bu ozellik ne- anahtarlamak amaciyla bir Schmitt t~iiloeyicide:vresi kullamlrrnsur; kondansatorlln
deniyle bu entegre devre, cok i;e~itli uygularnalarda kullamlmaktadir. uzerinde olusan ui;gen dalga gerilirnnie Schmitt tetikleyiciden gelen kare dalga,
tampon yukseltecleri ilzerinden ytk1§ olarak verilir.
<iRNEK 17.1 566 biriminin bacak baglannlari ile formtilleri ve diger smirlamalan ~ckil
17.2lb'de gosterilrnistir, Uygun bir dt~ dircnc ve kondansatorun secilmesiyle osi-
Ne ..o atif darbc ile tetiklendigi zaman Sekil 17.20'deki devre icin 91k1~ dalga ~ek- later, 10 Hz . 1 MHz frekans arahg1 icindc ddzenlenebilir VC sonra vc kontrol ge-
linin suresini belirleyin. rilimiyle 10 Hz - 1 MHz frekans arahgmda degi§tirilebilir (modtile edllebilir).
+5 V Serbest cahsma veya merkez i;ali§ma frekans1,f,,.

') y+ - v
!,,=·-"'-~ (17.8)
i

tli
R1C1 y+
....-----------0y•
R11
1.5 kn
8

c - ,]~f1 3
0·_1
Tetikl<:me
_1.1F_· I---'-=-'_,-_:¥o.0011.1F
_
.:. . ~
girisi

(,":oziim:

(l 7. 7) denklemi kullanilarak
(a)

T y0ks<:k = 1.i°R"C = i.l-(7.5 x '103) (0.1 x 10·6) = 0.825 ms Moduwyor,

eldc ederiz.
girlfl,
5
Ye
lo =RI 2':
C1
(v+-y_+_j
__
Ye\

2kSl<Ri'<20k!2
· 0.75 v•< Ve< v+
17.5 GERiLiM KONT.ROLLU OSiLp.!OH 10 <I MHz
IOV<Jr<24V
Gerilim kontrollii bir osilator (VCO), frekansi.. de gerilimiylc bclli srmrlar i<;inde
ayarlanabilen bir osilasyon.cikis sinyali {tipik olarak kare veya ili;gen dalga) tire ten
bir devredir: 566 IC, VCO'ya bir ornek teskil eder; bu entegre, frekansi di§ direnc vc
kondansatorle belirlenen ve uygulanan: de gerilimiyle degi~tirilebilen kare dalga ve
Kamdalga (b)
ucgen dalga sinyalleri ureten devreler icerir, Sekil 17.21a'da, 566'nm C, d1~ kon- etlaJ

Sel...il 17.! I :"<'6 fonL:siyonlirerc.-c,: (;U bfot::<fiyot~r.uu: (b) hac:tkdlizcnle~ivc ~o,h)ma 01.cti.
824 '. Boliim 17 Dogrusal/Say1sal Entegre Devreler (IC)
Bolum 17.5 Gerilim Kontrollu Osilator
825
denklemiyle besaplanabilir ve ~ag1dakiprlltik devre degcr kisnlamalanna sahiptir:

1. e; 2 kO $Rt$ 20 kO aral1gli~inde olmahdir, __1_0-:n-,-1~.....--. .. -- .....,.....-.. - .....;.v+<+12 V).

rR-s1-2o_n
2. Ve, tv+ $ v c s y+ aral1gli~inde ~lmal1d1r.
3. !,,. I MHz'in altmda olrnahdir, ·
4. V". 10 V ile 24 V urnsinda olmahdir. ~R_,__ S 6. -~~ ''j ,
.----------.----<> v+(+l 2 V) 5kfi ·j·~
i.
. . : ft .
-.: 566'1.jj

;. 6 ~
7 1
----$
Ve
c, ..L ...L
"':'.
220pF+

~t.·1,il l i . ..'!J 5()(l dcvrcsinin VCO ~klinde dUzenk!nmcsi.

Ve=
R,+R4 v+- 5,kQ+l8-kQ .-.
R 2+ R 3+ R4
- .·.·. (+12V)=ll.74V
5100'f'5kQ+·l8kQ
bu <la, alt ylkt§ frekansmm §U degerde clmasi dem~ktir.
':•·l~il 17 . .:!! 566VC0deVl'C$ini:nba~lanust. f,,= 2 (12-;10.4),,,J97kHz
<10 x 103)(220 x
,
w·'2> p_ - .
566 entegre devresinin, R1, C1 ve Veile belirlenen sabit bir frekansta hem kare
dalga hem de U~gcn dalga sinyali uretmek i~in bir fonksiyon ureteci olarak kul~ R3 ayar ucu en alt noktaya getirildigi zaman kontrol geriliini, .
lamldtgi bir ornek, ~ekil 17.22'de gosterilmi§tir. R2 ve R3 direnc btililcil, a§ag1dak1
v R4 v+= .18ko;· __ "'\-, ·
sabll degerc sahip de modiilasyon geriliminibelirler: .c= R2+ R~+ R4 5lOQ+5,kQ+)8k.Q (+12V)=9.19V
Ve= R3 v• = lO kO 12 V = 10.4 V olur, bud~ iist frckansmm degerinin
R2 + R3 i.sin + 10 kO
yll<l§
. .
2
(ki bu da gerektigi gibi 0.75 v+ = 9 V ve v+ = 12 V gcrilim arahgmdadir). (17.8) , !,,.= ..
(JO x 103)(220 x 10'12)'
(.12 - 2.19)== 219.9 kHz
12 .·
denklemini·kullamrsak: (.
oldugu anlarmna gelmektedir,
(12 -1210.4) = 32.5
i
!,, = .. kHz Boyle~e 91kt§ ka~ dalgasirun frekansi, en az 10 Hz -1 'MHz frekans arahg1 icinde R3
(10 x 103)(820 x 10"12)
poranstyomerrest kullarularak degi§tirilebilir. ' ·
elde edilir. Ve, deg~rini, d~~~§t~~e~ i~_i~ potansiyometre ayanru degi§tinnek yerine, ~ekil
1_7.24 tc gostcnld1g1 gibi bir gm§ modiilasyon gerilimi (V iri) de uygulanabilir. Ge-
Sinyal frekansnu degi§tirebilmek i~in ~1k1§ kare dalga fyekansm,.ayarlamnk uzere rilirn b~lii~il, ~C:yi 10.4 V civanna ayarlar .. 1.4 V ·civ:m~d~ ac giri§ .gerilirninin
Ve giris geriliminin nasrl kullamlabilecegi:~ekil)7.23'deki dcvredc gostcrilmi§tir. tep~ degen, ~e yi, <,:lkt§.frekansmm l OHz-llMHz ~rahgmda-degi§mesini saglayacak
R3 poransiyometresi, Ve'nin 9 V'tanJ2V'.a kadar degi§tirilmesini mtimkUn kilar; bu §~~lid~ 9 ?
ile 11.8, ~. ru:a~mdaki. bir.ongetilim noktasmda siltebilir. Boylecc V£;,;~
da 10 Hz-1 MHz frekans arahgma k.ai§1hk gelmekted.ir. rotansiyometrenin ucu en gm§ sinyali, <,:tkt§ gerilirninin frekansm1,Vc=·l0.4,Nongcrilim degeri.ile ayarlanan
ust noktada iken kontrol gerilimi §U degere sahiptir: merkez frekansi civannda (fo ,= 121.2 kHz):modUle;edcr. · _ . . .. • . . .

BolOm 17 DogrusaVSay1sal Entegre Oevreler (IC) Bolum 17.5 Gerilim KontrollO Osilator
826 827
 v.
-----'."."~ 1·
-· I VCOmcrkt1.
-- :-i fielcans•./.
l I .. -~
i,;:..;..._~_......__
90°

<;1~
3- _fl__J sinyall

4-~

I
I
~ckil 17.25 l ,!Incl faz L:ititk:meli tl:\ngU'oiln t,PLL) btnk°dtya~r..um.

Temel PLL <;ah~mas1

17.6 FAZ KiLiTLEMELi DONGO
Faz kilitlerneli dongtl (PLL), ~ekil 17.25'te goriildiigii gibi baglanan bir faz de-
dektoru, bir alcak geciren filtre ve 'gerilirn kontrollti osilatorden olusan elektronik bir
devredir. PLL'nin yaygiil·kullamm alanlan arasmda sunlar sayilabilir: (l) Bir re-
ferans sinyal frekansmm.katlanm uretenfrekans sentezleyici (ornegin bir halk bandi
(CB) birirninin ta§1y1c1 frekansi veya denizcilikte kullamlan radyo bandi biriminin
coklu kanallari, tek kristal kontrollii bir frekans ve bunun katlan bir PLL kul-
lamlarak elde edilebilir); (2) Giris .sinyal frekansr ile PLL i;1kt§ gerilimi arasmda mu-
kemrnel bir dogrusalliga sahip FM demodiilasyon devreleri; (3) Frekans kaydirmah
anahtarlama (FSK) i;ah§masmda: kullamlan sayisal veri iletimindeki ta~1y1c1 fre-
kanslannm veya iki veri iletiminin demodiilasyonu; ve (4) Modcmler. telemetre ahci
ve vericileri, ton kod ~ozilcillerini; genlik modillasyonu (AM) dedektorleri ve izleme
filtreleri de dahil olmak uzere cok 9e~i1Ii·uygulama alanlan.
- v. giri§ sinyali i\e VCO'dan elde edilen V", bir faz karstlastmcida karsilasunln;
: (b~mz ~el<ll 17 .25) ve bu islemin sonunda, bu iki sinyal arasrndaki faz farkmi _g~s~
teren bir 9ikt§ gerilimi {V.) i.iretilir . Bu gerilim daha sonra, PLL'dcn 91k1§ gerilimi
· olarak alinabilen ve· VCO-freka_nsm1 modi.ile eden bir gerilim olarak kullamlabilen
bir 9iki§ gerili~j (gerektiginde yti~etill~bilfr) sa~layan bir alcak gcciren fi_It:ey~ uy-
gularur. Devrenin kapah dongil ~ah§masmm nedeni, VCO frekansirun, gins sinyal
frekansma kilitlcnmesidir.
. .
PLL devresinin temel 9ah§mas(~ekii 11:25'tekj devre i.izerinde aciklanabilir. ilk
once, dongti kilitlendigi zaman (giri§ sfriy~li frek~ns1 ile VCO'nun frekansi ayrudir),
faz kilitlemeJi dongunun iyindel<i ~e~itlideviderin yBh§ffia5lnt_inceJeyecegiz. Giris
sinyal frekansi ile VCO'dan ~ila§ftrma devresine gelen frekans ayru oldugu
zaman, 91kt§ olarak alman Vd geiili;(yCO'yu giri§ sinyali ile kilitli tutmak icin ge-
reken degerdir. Ardmdan VCO, giri§ frekansinda sabit genlikli kare dalga sinyali
i.iretir. En iyi 9ah§ma, VCO merkez frekansmin {{,,), kendi dogrusal yah~ma ara-
hgmm ortasmdaki de ongerilirn noktasma ayarlanmasiyla elde edilir. Yukseltec, filt-
re devresinin 91k1§1 olarak elde edilen de geriliminin ayarlanmasmi mi.imktin kilur.
Dongu kilitii oldugu zarnan, karsilasnnciya uygulanan iki sinyal, ayrn fazda olmasa
da aym frekanstadir, Knrsilasuncrya uygulanan iki sinyal arasmdaki ·sabit faz farki,
VCO icin sabit bir de gerilimi olusturur, Bu durumda giri§ sinyali frekansmdaki de-
gi§meler, VCO'ya uygulanan de gerilirninin degi§mesine neden olur. Yakalama ve
kiliderne frekans araligmda de gerilimi, VCO frekansmi sdrerek giri~ frekansiyla
esitlenmesini saglar.
Dongu, kilitlenrne durumuna gecrneye i;ah§trken, faz kar§tla§tmcmm 91k1~1, kar-
§tla§hnlan sinyallerin toplarn ve fark sinyal bile§enlerini i~erir: Al9ak ge9ircn filtre,
dongi.iniin, giri§ ile VCO sinyalleri arasmda kilitlerne saglayabilmesi i9in sin:yalin
sadece al9ak frekans bile§enlerini gC9irfr.
BolOm 17.6 Faz Kllltlemell Dongo 829

Boliim 17 Dogrusal/Say1sal Entegre Devreler (lC)

828
 "i . .
VCO'nun sirurh yllli§ma aral!gi ve PLL devrcsinin geribesleme baglanusmdan dolayi, PLL
2

{ ...,t_6_ ;.
ii.in bclirlenen iki onernli frekans band! vardu, PLL'nin yakalama arabg1, dongilnun giri§ sin-
Fu 3.6 kO 7 . Dcrnodiilasyonlu
yaliyle kilitlenme saglayabildigi VCOscrbest,i.ali~ma frekans1.fo civannda merkezlenen fie- Oirlt .DcdekUlrii
3 -'\,,11\1¥'\r
..
kans aral1g1dir.PLL, yakalsmayige~~tirdiktensoma, kilitleme araligi olarak adlandinlan
biraz daha geni§ bir frekans aral!gmdagiri§ sinyaliyle kilitleruneyi siirdiiriir. 5 I
Uygulamalar 4
vco
Cilat .,.

PLL, (1) frckans demodiilasyonu, (2) frekans sentezleme ve (3) frekans kay-
dirmali anahtarlama (FSK) kod i.oziiciileri de dahil olmak iizerc bircok uygulama
alanmda kullamlabilir. A§ag1da her birisi icin birer ornek verilmi§tir.
. R~I {,
r.,
FREKANS DEMOOULASYONU

FM demodiilasyonu veya dcdeksiycinu dogrudan dogruya PLL devresi kul- 330pF

FM1inyal 2
lamlarak ger'rekle§tirilebilir. PLL merkez frekansirnn FM ta§1y1c1 frekansmda se-
llrifl
;'1 • · 3.6 kO 7 Dcmodillasyonlu
Faz ---. YOksl.
cihnesi halinde ~ekil l7.25'teki devredeki filtrelcnmi§ gcrilim veya 'rlkt§ gcrilirni, 3 DedeklOrO ~

*
degeri sinyal frekansmdaki degi§meyle oranuh olarak degi§en demodiilasyonlu ge-
5 Rcfenns
rilimdir. Boylece PLL devresi, FM ahcilannda kullarulan ara frekans (IF) devresi, SI· L---,---+--6- ~·
mrlayici ve demodulator gibi 'rah§1r.
4
Popiiler bir PLL birimi, ~ekil l7.26a'da gosterilen 565'tir. 565, kismen icten bagh Calat vco
bir faz dedektoru, bir yukseltec ve gerilirn kontrollii osilatorden olusur, VCO'nun
serbest i.ah§ma veya rnerkez frekansim ayarlainaJCii.xnR1 di§ direnci vc C1 di§ kon-
dansatoru kullarulmaktadrr. C2 ile gosterifen .ikinc! bir di§ .kondansator, alcak ge-
ciren filtrenin gecirme banduu ayarlamak i~in kullaruhr; burada PLL dongusum! ka-
patmak .icin vco 'rlki§mm, geriye faz dedekioriiiliin girisine baglanrnasr gerekir.
565 tipik olarak iki giiy kaynag1 kullarnr er
v~ V).
~
-6V
(b)
FM ,demodiilatorii · oiarak i.ab§an 565 l>L.L diizenlemcsi, ~ekil 17 .26b'de gos-
terilmlktedir. RI direnci ve C,kondansatorti, 2 kn$ RI $ 20 kQ aralig1 icindc /,, scr-
+S.3 V ---~~
best ,ru.,mr.w... be~~J"I .
m (!7
+S V ------t----
. I
'":~
I

91
+4.7 V -----r-----T-----,
I
I
I
I
I
1·
I .._
I
l-

. 0.3 r. r.
= = 136.36 kHz
(lO X 103)(220 X 10"12) . r. -2IL (" 136.36 kHz) r.+T
fL
r- 45.45 kHz) (• 227,27 kHz)

il I
t :tft I .
r--(:t 181.82 kHz)_..,.
/L=±'§k i (c)
L_ _ _:'_j
= ± 8(136.36 x 10) _ ± IS LS.kHz s,·~ i! 1 i.l<, . ) ~5 PLL biriminin blok diyagram1;(b) FM d•m,l11,11orO.·ofar.ikbolglan11,1;(c} ~1k1~ gerili111i-frckans
6 ili!jki~i. (a .! ·r· . ~- .
830 B610m 17 Dogrusaitsay1~1 Entegre Devreler '(IC)
BOIOm 17.6 Faz Kllltlemell Dongo !_. 831
s .

1
 -·~~- J~ef,:
V = ± 6 V'luk kaynakgerilirnleriicin kilitleme ve tutma arahklart;

[
. >j .
.
(space, +14 V) manuk duzeylerini gostei;e~, sirasryla 1270 Hz ve 1070 Hz'lik iki
Jc=±~ . -_ . ' ayn t~1y1e1 frekanslanndan birine sahip bir sinyal.alir, .Sinyal giriste goriildi.igiinde,
___- 2~-R~~~..I: dongtl giris frekansma kilitlenir ve ytkt§taki ilgili de kaymasma sahip iki olasr fre-
kans arasmdan girisi izler.
=±.J_ 21I(i81.8 x io) = 156.1 kHz
2n (3.6 x 103)(330 x 10"12)
4 nolu baeaktaki sinyal 136.6 kHz'lik bir kare dalgadir, 181.8 kHz'lik kilitleme ara- Glri~
hgmdaki bir giris, 7 nolu baeak i.izerinde bir 91la§ gerilimi yararacaknr; bu gerilim,,f,,'a !1
ayarlanrrus giri~ sinyaliyle belirlenen de gerilim di.izeyi. civannda degi§eeektir. Sekll
17.26e, giri§ sinyal frekansirun bir fonksiyonu olarak 7 nolu bacak i.izerindeki 91k1~1
gosterir, 7 nolu baeak ilzerindeki de gerilirn ile 136.36 kHz'lik orta frekansi civannda \
181.8 kHz frekans arahgindaki giri§ frekansi arasmda dogrusa! bir iliski vardir, <;:1k1~
gerilimi, belirlenen 9al1§ma arahgmda fiekanslarla degi§en demodi.ilasyonlu siny~ldir.

FREKANS SENTEZi
(a)
Frekans sentezleyici, ~~l~J.27'de giiri.ildi.igii .gibi bir PLL kullamlarak kumlabilir.
VCO 91ki§t ile faz kar§1l~tmc1~ arasmabir frekans biiliieii konulmustur; boylece kar- +SV
Ci
§lla~tme1ya uygulanan dongii sinyali /0 frekansmda iken, VCO 91kl§t NJ;, frekansmda 330 pF

olur. Bu t;tkt§, diingii k.ilitli oldugu si.irece girls frekansmm tam katlandir, Giris sinyali,

I
R1 5.1 kU
/1 noktasmda kristal yardmuyla kararli duruma getirilebilir; bu durumda dongunun
lOkU
teinel frekansta (f0 =/1 iken) kilitlenecek sekitde ayarlanmast halinde, VCO 91k1~1 N/1
frekansmda olacakur, ~ekil 17.27b frekans katlaytci olarak kullamlan bir 565 PLL'yi : ; 8 ',:, ·. ;-" · >"'io';

_Jfc.Jz~:u""d11
ve boliicii olarak kullarulan bir 7490'1 g~stermclctedir. /i frekansindaki V; girisi, 5 nolu
baeaktaki girisle (f0 frekansh) ka~Jla§ttnltr. NJ;, frekansmdaki bir 9tk.i§ (ornegimizde
4f0), 7490'nm 14 nolu bacagi iizerinde oy
ile +5 V arasmda degi§en bir girls sag-

220:~/~ I
lamak icin bir tersleyici devreye baglanmrstrr, 7490 girisindeki sinyal 4'e bolunerek
: elde edilen 9 nolu baeak iizerindeki ~tkt~ kullamlarak, PLL'nin 4 nolu bacaginda, -=-
• dongil kilitli oldugu siirece giri§ frekansuun ddrt.kan olan bir sinyal elde edilir. VCO
merkez frekansi arahginda sirnrh 0(9iide degi.~ebildigi icin, bolme degeri dcgi~tigi
· zarnanyco frekansmi degi§tirmek gerekebilir. PLL devresi kilitli oldugu surece . 1
I
I -5 V
- VCO 91k1f frekansi, giri~ frekansmm ta1J1 N kau olacaknr, !,, frekansmr, yakalama ve L------...---
'
kilitleme. arahg1 icinde kalacak sekilde tekrar '
ayarlamak yeterlidir; kapali dongtl VCO
9tk1§mm kilitlenme durumunda tam olarak Njj 'ye C§i t olmasim saglayacakttr. (b)

FSK KOO ~ozOcOLERi !),·kil 17.27 Frekmis sentezlcyici: (a) blok diyngrum,; (b) 565 PLL <levresi ile gcn;ekleitirilmcsi,

Frekans kaydirmah anahtarlama {FSK) sinyal kod 9ozi.ici.isi.i, .';iekil l 7.28'de gii- C merdiven filtresi (C = 0.02 pF ve R_ = 10 kQ clemanlanna sahip i.ii;: kath), toplam
ri.ildi.igii gibi kurulabilir. Kod 9oziici.i,;Rs-2~2C'nin isaret (mark, -5 V) ve bosluk frekans bilesenini gidermek (ortada~ icaidirmak) i~in kullaruhr. Cikrsraki (7 nolu baeak
iizerindeki) de gerilim duzeyi, 6 nolu bacaktakiyle aym yapmak icin, serbest 9ah~ma Ire-

832 Biilum 17 - Dogrusal/Say1sal Entegre Devreier (IC)

BiilOm 17.6 Faz Kilitlemell Dongii 833

kansr RI ile ayarlarur, Ardmdan 1070 Hz frckansmdaki giris, kod 0zticti c,1ki§ gerilimini
daha pozitif bir gerilim duzeyinecekerek, sayrsal c,1ki§1 yiiksek (bosluk veya + 14 V) dii-
zcyc cikaracaknr, 1270 Hz'lik giri§ isesbuna ka~tl1kolarak 565dc girisini sayisal c,iki§la
daha az pozitife cekerek alcak (isarerveya -5 V) 'tliizeye dii§ecektir.
:
yalinin tersleyen girise baglanmas1,al1c1 birimden terslenmis bir 91kt§ elde edilmesini
saglar. Giri§in terslemeyen giri§C baglanmasf'isc aym arabirimi ~aglayacak, ancak bu
kez elde edilen yOO§, ahnan sinyalle aym polarit~ye sahip olacaknr. ~ekil 17.29'daki
gibi hem sUriicii ve ahci devrelerin kullant1111asi:durumimda~1kl~iar, sadece strob sin-

1.02 •• 1.02.., I; -s v
yali mevculken (ornegimizdeki devrcl~rde yiiksck duzcydeyken) gorulecektir.

. · O.o2 µF
. . . . •. ,( f. ii~\.·~
1A

~ -{·, ~1,
~

i. P~!!i "- lY

, '{:", , 1
. :_\.:/i~:if};
'' -··-· Cilaf
(_-'.l.'._.:·
.. zr
· d}. · n ':- ·:..~- ~~;:!.. ·.;; ·.
(a)

Stob l

-SV Tcnleyaillrif --<>

T~aialrlf --- _IT
l

17.7 ARABiRiM KURMA Toalancyal

Farkli tip devrelerin, farkli.analog veya sayisal birimlerin ve girislerin vcya yiiklerin
diger elektronik devrelere baglanmasi bir tiir.arabirim kurmayi gerektirir, Arabirim
devreleri, siiriicii veya alter birimleri olarak siruflandmlabilir. Alier temclde, giri§ sin-
yalini alrr ve giris sinyalinin yiikiinti en aza indirecek bir yiiksek giris empedansi gos-
terir. Bir suriicu devre ise, bir dizl yukii veya roleler, gostergeler, guc. birirnleri gibi
devreleri yab§Urmak icin uygun .gerilim veya aklm diizeylerine sahip bir \:lkl§ sinyali
tlretir. Aynca bu giri§ veya c,1k1§lar, strob ilc belirlenen ozel zarnan arahklan suresince
arabirim sinyal baglanus; saglayanbir stroblama da gerektirebilir.
~ekil 17 .29a'daki devre, bir c.ift hat siiriiciisiinii gostermektedir; burada her bir su-
riicti, TIL sinyallerini. alabilen bir girise ve TIL, DTL veya MOS elernanlanru su-
rebilen bir 91kt§a sahiptir, <;ogu durumda belli bir tip devreden (TIL, DTL,. ECL,
MOS) sinyal almak ve sinyali diger farkli bir tip devreye gondermek ii;:in arabirirn
gerekir, Giris ve ~lk•§ sinyali arasindaki iliski, arabirimin terslemeyen birim veya
tersleyen birim olarak kullamlabilmesini miimkiin kilar, Tiim bu arabirim devrelcri
veya bu duzenlerneler gereklidir.ve entegre _devrelcr halinde sanlmaktadir.
~ekil l 7.29b'deki devre, hem tersleyenhem de. terslemeyen giri§i bulunan yift hath
bir ahcidir; boylece iki 9al1§ma modund~n biri seeilebilmektedir, Omegin bir giris sin-
alrif 2
Tcalano)'al JJ
_j -~L.
glrlf_2
SIQl,2
(b)
~.-1-.;1 17.!•1 Arabirim dcvrelcri: Ca) 5ifl -s 11,1h sOrilcUlcr (SN 75150); (b) 5if1-sir.1h ahctlar (SN 75152).
Bir diger onemli arabirim tiirii, sayisal bir sisternin ~§itli uclan arasmda sinyal
baglantas1 yapmak iein kullamhr, Teletayp, monitor, kart okuyucu veya yazicr gibi
cibazlardan gelen sinyallcr genellikle bir dizi sinyal biciminden birine sahiptir,
EAi elcktronik cndiistrisinin en popJiler standard, RS-232C olarak arulmaktadir,
Bu standart icin beklenen sinyal kosullanmn biitiin aynnnlan, burada ozetle -12 V
ve +12 V gerilim diizeylerine karsilrk gelen i§areti (mannksal 1) ve bo~Jugu (man-
tJksal 0} temsil eden ikili sinyaller olarak ifade edilebilir. TTL devreler, i~aret i9in
+5 .V, bo§luk i9in ise O Vile tammlanan siih,allerle yah§u. Bazen teletayp birimleri
ak1m dongii sinyallcriyle 93h~acakjekilde baglanu; bu durumda · 20 mA, i~areti ve

. 834 Boliim 17 Dogrusal/Say1sal Entegre Devreler (IC} B6t0m 17.7 Arabtrlm Kurma 835
 '!.-.,,,-.

akirnrn olmayrsi da bo§lugu gosterir. Bu farkli sinyal turleri belli bir ucun girisinde Arabirimlere.bir baska ornek, $ekil 1730c'de gosterildigi gibi, akrm dongu girisi
veya 9tk1§mda gorulebildiginden, bit sinyal ttiiiinden digerine donii§iim yapmak icin ile TTL arasrna konan arabirimdir. Teletayp'm (TIY) c;1kt§ hattmdan 20 mA'hk
9e§it1i arabirirn devreleri ge~kmekte<li:r:' A§aglcta
bazi popiiler arabirim ornekleri ve- akim yekildigi zaman giris isareti olusur, Bu .akim, daha sonra 91k1r rransistorunu
rilmistir, ·i .. . iletime sokan bir optik yahncmm diyot elemarundan gecer, Tersleyiciye uygulanan
$ekil 17.30a'da, akim dongusu, RS-2.32C ve TIL sinyalleri icin tarumlanan isaret ve alcak dUzeye giden giris, TTL girisinde + 15 V'luk bir sinyal olarak ortaya ytkar,
ve bosluk durumlanm gosterilrnekredir.' boylece teletayptan gelen isaret, TTL girisine isaret uygulanmasma neden olur. Te-
letayp. akim dongusunden gelen bir bosluk (space), hi<; bir akim saglamaz; do-
RS-232CITTL DonG~ti.irOcO layisiyla optik yahuci transistor kesimde kalir ve tersleyici ytkl§t, TTL bosluk
(space) sinyali olan O V olur.
\
RS-232C ile tammlanan bir <,:1~11 sahip bir birimin, TIL sinyal duzeyleriyle ca- Diger arabirim devresi tiirleri de incelenebilir; ~ekil 17.31 'deki devreler sadece
Iisan baska bir birimdc·~a1l~mas1 halinde, $ekil 17.30b'deki arabirim devresi kul-. birkac ornektir. Sayisal sinyallere arabirim kunnanm baska bir yolu da acik kol-
larnlabilir, Siiriiciiden gelen isaret (mark) <,:1la§t (-12 V), diyot tarafmdan kirpihr, lektor c;iki111 ve Uy durumlu tampon <,:1k1§lan kullanmaknr, Baska elektronik ele-
boylece tersleyici devresineuygulanan kiri§ 0 V civannda olur, bu da +5 V'luk bir manlara bagh olmayan bir transistorun kollektorunden sinyal <,:lkt§t yaptld1g1 zaman
91k1§ veya TTL duzey isareri (mark) olusturur. +12 V duzeyindeki bosluk 91k1§1\ O V (bakmiz ~ekil 17.31) bu <,:tkt§ bir aytk kollektlirdiir. Buda bir dizi sinyalin ayni sin-
bosluk (TTL) icin tersleyici 91kt§mt al<,:ak diizeye ceker. yal · iletkenine veya sinyal yoluna baglanmasmi milmkiin krlar, Boylece il~time
gccen herhangi bir transistor, bir alcak ytkt~ durumu saglarken, kesimdeki digcr
\, blitiin transistorler yiiksek bir 91ki§ saglar.
'., '· +S V
Alum l)ongf~ii RS-232-C TTL
i~ARET 20mA -12V +!>V R
Vcri hatta (yolu) +5V
BO~LUK OmA +12V ov
(a) QI Q2 i;:~
Kesim Kesim A~1kdevre
RS-232-C/TTL
;1rabirimi
Kcsim ilellm ov
l!etlm l!etlm +5V
(bl

+5 V

(a) (b)

.~ckil I 7 ..l I Vc11 h:ubn11., hl~l.11111loi: (a) a~1k kollcltOr 1·1k111: (b) U~-dun ... 1lu ,. ,k,,.

PROB LEMLER
;i 17.2

20 mA ~kun di\n1,ftsil
11'1. arabiriiu ,
I. Eksi giris ucuna girl§ sinyali ve arngiris ucuna +5V'luk referans bagh ±15 V'luk kay-
. ~ naklarla c;al1~an 74 J islemsel yukseltecininsemasuu c;izin. Uc; baglannlanm gosteiin .
...;1:f..il 17.)11 ;\ r.,binn\ s1ny:1I ~and:1.rtl~n ve <li'inii\ti.lnnc.; <k!vrcle.ri.

836 Biiliim 17 Dogrusal/Say1sal Entegre Oevreler (IC) Boliim 17 Problemler 837

2. Girisi 10 V nus alarak, problem l 'deki devrenin dalga §_ekillerini 9izin. ~ 17 . .f

3 .. 3 nolu bacagma lO V rms.giris ve 2 nolu bacagma toprak uygulanan 311 i~- 15. 100 kHz'de tral1§mas1 iyin kararsiz bir multivibrator devresi baglanan 555 za- ;
lemsel yiikseltecinin baglanu §emas1m ~izin. manlayrciyi kabataslak trizin. RA = Rn = 7.5 kQ tse gerekli C kondansator dc-'
gerini hesaplayin. .
4. ±. 12 V'luk bir kaynak kullanilrrus ve 91k1§, 10 kQ'luk direnc iizerinden
pozitif kaynaga baglanrnistrr. Girls ve 9ik1§ dalga sekillerini kabataslak .16. 25 ;,s'lik bir siire icin RA= 7.5 kQ kullanaraJ< bir tek darbe olarak kullarulan 555
9izin. zamanlayicisim cizin. Gereken C kondansator degerini belirleyin.

5. Girise 10 V nus uygulandiguu kabul ederek ~ekil 17.7'deki devrenin 9a- 17. Girisin JO kHz saat ilc tetiklendigini varsayarak Problem 16'daki gibi tek dar-
hsmasmi anlann, .. : beli 9ah§mamn giri§ ve yOO§ dalga §Ckillerir~ kabataslak cizin,
t
~
;_}
;

6. ± 12 V'luk kaynaklarla 339. karsilasnncr kan kullanarak kurulan bir sifrr geyi§ ~ . !7.5
dedektorunun devre §emasm1 s:_izin. ·
18. R 1 = =
4.7 k!l, R2 1.8 k!l, R3 = Ukn ve ~i ~0.001 }IF icin ~ekiJ I 7.22'deki
7. Problem 6'daki devrenin, cksi girisine 10 V rms'lik bir girls uygulandrgi vc aru gibi bir 566 kullarulan VCO'nun merkez frekansiru hesaplayin.
giri§ topraklandtgt taktirde olusacak ytla§-dalga §Ckillcrini yizin.
19. C1 = 0.001 pF icin ~ekil 17.23'deki devrenin/rekans arahgt ne olur?
8. ~ckil 17. l I'deki devrcde, 7.5 ld1 ve 8.2 kQ direnc dcgerlerinin yerine 6.2 ld1 i .
kullarulmasi halindc pencere dedeksiyon devresinin nasil 9ah§acagm1 anlaun, 20. 100 kHz'lik ylkl§ elde etmek ii;:in ~ekil 17.2;Z'deki devredc ihtiyac duyulan kon-
dansatorun degerini hesaplaym. ·
17.3
17.6
9. 15 kn ve 30 kQ'luk direnc degerlcri kullanarak yapilan ii9 girisli bir merdiven ; ~, .

dev resi cizin. 21. R1 = 4.7 ld1 ve C1 =

0.001 pF alarak ~ekil 17.26b'deki~vre iyin VCO'nun ser-
b~st 1rah§ma frekansrru hesaplaym. · '\
10, 16 V'luk bir refcrans gerilirni icin, giri§i 110 V alarak Problem 9'daki .devrenin : :'j.:.

,,'rlkI§Im hesaplayin, 22. 100 \kRz'lik bir merkez frekansi elde etmek icin ~ekil 17 .26b'deki devrede gc-
reken C1 kondansatorunun degeri nedir?
11. 10 V'luk referans gerilimi ile 12 kath merdiven devresinde olabilccck gerilim yci-
zliniirliigiiniin degeri nedir? · 23. R1 =4.7 kn ve C1 =
0.001 pF alirursa ~~kil l7.26b'deki PLL devresinin ki-
litleme arahg: ne olur? '
12. Gift egimli donii§tiirmenin sabit zaman aralig; ve sayrm arahg; esnasmda neler
olu§lUgunu anlaun. 17.7
!

13. AID (analog/sayisal) donii§tiiriiciiniin 91kl§I 12 katli sayisal bir sayici ise saynn 24. Akim dongusu ve RS-232C arabirimleri iyin;sinyaI durumlanru aciklaym,
adirru kay olur?
25. Veri yolu (data bus) nedir?
14. 2 MHz'lik saat hizmda yah§an 12 kath sayici kullaruldiginda gerceklesecek en
biiyiik sayirn arahg1 ne kadardir? 26. Acrk kollektorlti ve uc-durumlu ylkI§lar arasmdaki fark nedir?

Bomm 17 Dogrusal/Saytsal Entegre Oevreler (IC) Bo((im 17 Problemler 839

838
 Girt,
slnyall
v.s --+-+- V; A

Gcribcslemell yillcsel~

- ~"'· ii 18. J Gcrioo<lemcli yUk.<el!ccin t,:i,it. h,lok diy•crnnu.

l. Daha yiiksek giris empedansr

2. Daha iyi kararh gerilirn kazanci
18.1 GERiBESLEME KAVRAMLARI 3. Daha iyi frekans tepkisi
4. Daha fazla dogrusal ~alt§ma
5: ve 7. Bolumlerde de ongeriim"i kararhligi incelenirken geribeslcmeden soz etmistik,
5. Daha ki.iyiik ~1k1§ empedansi
De ongerilirn kararhgirun iyilestirilmesi icin devre tasanmmda yukseltec kazancmdan 6. Daha az giiriiltii
ozveride bulunrnustuk. Devre tasanmmda kararhhk icin kazanctan ozveride .b~1-
lundugumuzu soyleyebiliriz; Bu tiir ozveriler, miihendislik tasanmmda gorulen tipik
uzlasmalardir. Ornegin, negatif gerilirn geribeslemesi kullamhrsa devre, y1k1~ ge- 18.2 GERiBESLEME BAGLANTI TURLERi
riliminin bir kisrru tekrar ,giri§e verilecek sekildc tasarlanabilir, bu da devrenin top-
Geribesleme sinyalini baglamarun d6n temel yolu vardir, Hem gerilim hem de
- lam gerilim kazancmr azalur: Ancak bu kazanc kaybma karsihk yiiksek bir giri§ cm-
akim, girise seri ya <la paralel.olarak uygulanabill~.' Ozellikle,
I pedansi, clii§iik bir yikit' 6n'ipedans1, daha kararh bir yukselrec kazanci veya daha

yuksek bir kesim frekansi elde etmek miimki.indiir. . . I. Seri-gerilim geribeslemed(- (~ekil 18.2a) · '1 i,::•.
Ancak uygulanan giri§ sinyaline yardimci olmak veya katkida bulunrnak 1ym. ge- J ·-:
2. Paralel-gerilim geribeslemesi (~ekil 18.2b)
ribesleme sinyalinin baglanmasi halinde pozitif bir geribesleme ortaya crkar: ki bu
3. Seri-akim geri beslemesi (~ekil 18.2c) · '·
da devreyi, bir osilator.o!~rak ~ah~maya gcturebilir. . . . . .
4. Paralel-akim geribeslemesi (Sekil l8.2d) soz konusu olabilir.
Tipik bir geribesle~t tiaglanus1 ~ekil 18_.l'de _gosterilmi~tir. ~! g1r'.§ s1~y.a~1, bir . , •• ;f) .. ,

kanstirma devresine ~Y.~~\~mr. '" bu arada v1gen~e.sleme_ ~m~ah ile birlestirilir, Bu

Yukandaki listede gerilim, geribesleme devi~~IJ{~iri§ olarak baglanan ~lk1§ ge-
sinyallerin farki olan · V;. daha sonra yukseltece gm§ gerilimi olarak uygulanrr '. V"
rilimini, aktm, geribesleme devresinden akan iih~' akmuru gostermektedir;.Seri te~-
yiikseltec i;:ila§mtn bir kisrm, ylkt§tn bir kismuu giri§ kansunci (rnikser) devresine
geribesleme sinyali olarak uygulayan geribesleme devresine ({3) baglamr. . .
rimi, geribesleme siriyalinin, giri§ sinya! gerilirni ile seri §ek:ilde ba~lrind1 1';·pa> · giri
ralel ise geribesleme sinyalinin giri§ akrm kaynagma para/el baglandigmi gosterir,
- Yiikseltecin topl~-k:azanc1;!bu iteg,,;if:gedbesfomeyle azalnhr (geribesleme sin-
Seri geribesleme baglantllar1, giris direncini yiikseltme, paralel geribesleme bag-
yali, giris sinyaliyle ters polaritededir). Bu kazanc azalrnasma karsihk olarak, asa-
lanulan ise girl§ direncini dii§iirme egilimi gosterir, Gerilim geribeslemesi ~1kt§ em-
gtdaki tiirden yC§itli iyile§meJer:sagfanabilir:

BolOm 18.2 Gerlbesleme Baglanti TOrlerl

840 841
 pedansirn di.i~tiriir, akrm geribeslemesi ise <;ikl~ empedansmi yiikseltir. Tipik olarak, ~;rni-GEHiLiM GERiBESLEMESi
kaskat bagh yukselteclerin <;ogunda yiiksek giri§ ve alcak <;1kJ§ empedansi arzu edi-
lir. Bunlann her ikisi de gerilim seri geribesleme baglanusi kullamlarak sagtarur. . _se'.i
_gerilim geribesleme baglant1S1 ~ekil 18 2a'da .. . . .
riliminin bir kismi seri olarak t '·- . . . • . gostenlmi§ttr; burada <;1k1~ ge-
Dolayisiyla ilk once bu yukseltec baglanus: tizerinde duracagiz. exrar gm§ smyaltne bes! · b ·
aza l rnasma neden olur. Gerib 1 . ernr, u da toplam kazancin
es cmc yoksa (V. _ O) iik 1.
zanci, I - , yu se tey katmm gerilim ka-
Geribeslemell Kazanc

Bu kisirnda ~ekil 18.2'deki geribeslemeli devre baglanularmm her birinin ka- A= V,, =fa.
. Vs 'V; ·· (18.1)
zancrru inceleyecegiz. Geribeslemesiz kazanc A, ytikseltec katuun kazancidir. Ge-
ribesleme ({J) durumunda, a§ag1da aynnnlan verildigi gibi, devresinin toplam ka- l'J. gibi.bir· geribesleme sinyalinin giri~e seri b ~; . .
· , ag anmasi
.
halinde
zanci (1 + {3A) faktorii kadar azalacaknr, ~ekil 18.2'deki devrenin; kazanc, i ..

-
geribesleme faktorii ve gcribeslemeli kazanci Tablo 18.1 'de ozetlenmi§tir. V;= v, -Yi ..
(18.2)
I, olur.
+
v,,' •:R,.
+ TABLO 18.1 ;,eki_l 18.2'deki geribesfemetilrle : : . . .
v• v,, R, .
A= Vo
1, GenbeslemeliKazan¢'.ifadelefr· rt u;;in Kazan9,.Geribesleme ve

Seri- Para!el-

,,.,,;,tL.:
Seri- Paralel-
Gerilim Gerilim Akim GeriJim
-
p ~.!!. Geribeslemesiz A .!'.'.a. v,, la
Vo kazany !_g_
V; /; V; I;

ta)
(b) Gcribesleme f3 XL '
.r u.
'
·'· Yi !L

-
Vo ;
.V,,

-
'l.
~. lo lo
I; lo = IL Geribeslemeli
lo= 11.
A1 v". v,, s: i:
kazan~
v, I I., V, 1.;
,,.
; \

A =5?_ R1. ·!
R,. • 1,
v,, = AV; =A(V, - Vi) =AVS -AV1==AVS-A(/JV())

11= (JI,, i
ti=!.£. ..
.. Io_:,.
J oldugu i<;in
( 1 + /311) V.,=~~Vs

boylece geribeslemeli toplam gerilim kazanci

'

A1= V,,=-L
Vs I + {3A (18.3)
(d)
(c)
(18.3) denkJemi, geribeslemeli kazanc1n.(1 + . f: ....
zanci oldugunu gosterlr, Bu faktd .. . • ~) aktoru kadar azalan yt'ikselte~ ka-
~ckil 1_8.2 G<,ribeslemeliyUk.sell~lorin_boJ!;ui1_1_1Urleri:(a) .scri;gerilimgcril-.·,lemc.1
.. l/s I ,1• .,: ,;,, l"'r•k:• f«ilim orun aynca.d1gerdevre O llikl · .
ve yda§ empedansm: da etkiledigini gor~~gfa: 7 . ze enrun yam sira giri~
geribe•lerncsi,A1= Vnfls (c) .scri-ak,m geribeslcmcsi.-Aj=/,IV.,;{cl) paralcl:aJom geribeslemosi, Ar la/I, . . ;.
BolOm 18 Gerlbeslemell .YOkselte~ler ve Osllatilr Devrelerl
842 B610rri 18.2 Gerlbesleme Baglant, TOrlerl
843
 PARALEL-GERiLiM GERiBESLEMESi Seri geribeslemeli giri~ empedansi, (1 + /jA) ile varp1lan geribeslemesiz giri§ cm-
pedansi degeri olarak gorulebilir ve hem seri-gerilirn (~ekil 18.2a), hem de seri-
18.2b'deki devre icin geribeslemeli kazanc: akun (sekil 18.2c) duzenlemeleri iiin gecerlidir,
A V,._ A/;: _ __A]J__- Al;
i= Is- l; + If - /; + {3Vo - I;+ {3AI; PARALEL GERIBESLEME

=-A __ ,, Daha aynnuli bir paralel geribeslerne baglant1~l ~ekil I8.4'de gosteriimistir. Giris
1 + {3A . · empedansi ~i.iyle bulunabilir: · '
"'"\ .. :
Geribeslemeli Girl~ Empedans1 Zif=.!'.l.=~=~
ls I;+ 11 t, + f3V,,

SERi GERiBESLEME v.tt,

I; II;+ f3V,,/J;
Daha aynnuli bir scri geribeslem~ baglant!Sl !?ekil 18.3'de gosterilmi§tir. Giri§ (18.5)
= ___A_
empedansi §U sekilde bhl~abilir: : ' ' 1 + /3A
I; =·'V; = V! - VL= V., - f3V., = V, - {3A V;
Z; Z; z. Z;
l;Z; == V, - {3A V;
Vs= l;Z; +. {3A V; = l;Z; + {3Al;Z;
•
Zif= V., = Z;+ ({3, I )Z; = Z;( l + /3A)
. l; ; . +

:,·

'

~ckil ~ It-' Par:ilcl·s,: 11,11, '!i:l'ihcslente bafl;ulll'il.

··'i
Girls empedansmdaki bu azalma, hem !;iekil 18.2b'deki paralel gerilim baglanusi
.. ~l' .
~ckil IN ..1 Seri-gerilim geribesleme baglnnt1s1. i hem de ~ekil 18.2d'deki paralel alam baglant1s1 icin gccerlidir.

eomm' 18 Geribesleme!i Yiiksellec;ler ve Osllator Oevreleri

BolUm 18.2 Geribesleme Baglarit1 Tilrleri 845
 Geribeslemeli <;1k1s. Empedansi

;
~ekil 18.2'deki baglantilarda 91ia.§ empedansi, gerilim ya da akim ge- f:
ribeslemesinden hangisinin kullamldigma bagiid_1r. · Gerilim geribeslemesinde 91k1~
1,
ernpedansi azehrken, akim geribeslemesi 9lia.$ empedansnu artar, _ __;;-=----.
::J:
+ + ;:i~ t:
GERiLiM GERiBESLEMESi .
' v, z, '}'~
~,
......

C
~ekil 18.3'deki seri gerilim geribeslemc devresi, geribeslemeli 91k1§ empedansiru '.;i:,
bulabilmcye yetecek kadar devre aynnnsi is;ermektedir. <;1k1§ empedansi: V_,, kisa ·.:~·h
devre ol_mak ilzere (V., = 0), I akirm akitacak sekilde V gerilimi uygulanarak bulunur. .·.
Bu durumda V gerilimi:

boylece V = IZ,, • AV1= /Zn· A(,BV)

';,t·l~i! IS.3- Seri-akun gcrihcslcmc b:.1glantm.

Denklemin .;«, AV;

Z,,
= .z.. A Vt= .z.. A{3l
z, . z, .
- - .. - ... :'.-· ~· - z, (l + {3A) I= V '~,.
z ' . . ; "'-,

I Z,if= Y.::::
·.J. ·1+/3
n (18.6)
Z111= y_ = Z,:(1 {JA)
. I -
(18.7)
+.
(18.6) d~nklemi, gerilim geribeslemeli durumda 9lk1§ cmpedansmm, geribeslernesiz Geribeslemenin giris ve 91k1§ empedansi uzerindeki. etkileri, Tablo l 8.2'de ozet ola-
y1k1§ empedansmdan (I +/3A) carparu kadar az oldugunu gosterir, rak verilrnistir, , . .- .,: i';r'

AKIM GERiBESLEMESi T ABLO '18.3 Geribeslemesinin Giri)' ve <;1k1~ Emp'edanslarma Etkisi

Seri- Seri- .. , . Paralel- Paralel-

Akim geribeslemeli 91k1§ empedansh}'., lasa devreyken, l akimi aknacak §Ckilde Gerilim Alam'"'1'1'-· Gerilim Akim
V sinyali uygulanarak bulunabilir; burada V'nin /'ya oram 91k1§ empedansuu verir. ......_

'"
·.
~ekil 18.5, seri akim geribesleme baglanusuu daha ayrmuu gostermektedir. ~ckil
18.5'teki seri akim baglantismm 91k1§ kismi icin, olusacak 91kl§ empedansi a§ag1daki Z; (1 + {3A) :Z; (1 /JA) + .:«: --1.L
Zif I+ {3A I+ {3A
gibi bulunur. V., = 0 ahnarak: (artar) (arprr)
(azahr) (azahr)

.z«: .-
z, (1 + {3A)
.s«: Zn (l + {3A)
Zot 1 + {3A I+ /3A
(azabr) (artar) (azahr) (artar)

846 Biililm 18 Geribe_slemell Yiikselte9ler ve Osilatiir Oevreleti eamm 18.2 Gerlbesleme Baglanll Tilrleri ;. , _ 847
 GOrultu ve Dogrusal Olmayan
Bozulmanm. Azaltrlmast
Sinyal geribeslemes!, gilriilru sinyalinin (gii{kaynag1 vinlarnasi gibi) ve dogrusal ol-
ORNRK 1.8.1 mayan bozulmanm rniktannr azaltma egilimi gosterir, (I + {3A) faktoru he . · · ··-
riilt"s" .. h d ' m gm~ gu
(a) f3 = • 0.1 ve (b) {3 = • 0.5 geribeslernesi icin.A =. ~ 100, R; = 10 kn, Ro = 20 kn u un~ ~m . e_ s~nu,;:ta ortaya r;:1kan dogrusal.olmayan bozulmayi onernli olr;:i.ide azal-
degerlerine sahip seri gerilim geribeslerneli
pedansuu hesaplaym.
,
·r ·
.
gerilim kazancrru, giris ve r;:tla§ cm- tarnk behr~ brr _1y'.l~me saglar, Ancak toplam kazancm da azaldigrm belirtmek gerekir
(bu, dev1::nm .venmmi arurmak icin odenmesi gereken bedeldir). Kazancr, geribeslernesiz
~.an,;: du2<:y1ne r;:I.karmak icin ilave katlann kullamlmasi halinde, bu Have kann/katlann,
-~
51_~teme, ~enbesleme yiikseltecinin azallt!g1 kadar giiriillii ekleyebilecegi bilinmelidir, Daha
(,":iiziim: yuksek bir ~.an,;: ve daha az giiriilti.i iiretecek §Ckilde geribeslerneli yukseltec dcvresinin
kazanciru yeniden ayarlarnak suretiyle bu problem bir olyiide hafifletilebilir.
(18.3), (18.5) ve (18.7) denklemlerinikullanarak,
l

(a) At~ _L_= -100 = ::lQQ.= -9.09 · Negatif Gerlbeslernenin Kazanc ve

1 + {JA l + (-0.1)(-100) : 11 Bant Geni~ligi Uzerindeki Etkisi
Z;1= Z,{l + /3A) = 10 kn (11~ = do kQ · (18.3) denkleminde negatif geribeslemeli topla~ kazancin
3 . ' . ·'·
20 ~ 10 - 1.82 kQ
Zot = ___b_ = At= _A_· l. . 'i,;:fo fJA » I
- =.A_=
1 + /3A 5}"· . 1+/3A
/JA /3.
b) Ai=-A-= -100: =-100=-l.96 oldugu gi.ister!lmi_~ti. ./3A >> l oldugu siirece toplam kazanc yaklasrk olarak 1//J
1 + f3A I + (0.5)(100) '. 51 kad_ardir. ~rattk bir yukselteete (tek biralcak ve yuksek frekans kmlma noktasina
Zif= Z; (1 + /JA) = 10 kQ(Sl) = 510 kQ sah,~), aktif elernan ~~ ~~~.:e-~apasitanslarmdan dolayi, yiiksek frekanslarda acik-
3 cevnm kazancmm dU§tugunu kavrarnak gcrekir. Kondansatorle baglt yi.ikselte¥
Zot= _z_=20 x lO - 392.16 n katlannda k~zan,;:, al,;:ak frekanslarda da dii§ebilir. A91k r;:evrim kazanci A, yeteri ·
1+f3A 51 kadar azald1_g1 ve {JA ~arpam l'den r;:ok biiyiik olmadigi zaman, (18.3) denklerninin
sonucu, yam A1 =l//31fadesi ger;:erliHgini kaybcder.
Ornek 18.1 'den, daha iyi bir giris, ve :r;:Jk1§ empedansr icin kazanctan ozveride bu- . ~eki!. ~-8.6, negati~ ~~'.ibeslemeli yiikseltecu1; geribeslemesiz yiikselter;:ten (B)
lunulmasi gerektigini gormekteyiz. g6sterir, Kazancm l l 'de bir oranmda azal- d~ha b_~yuk ~.ant gem~ligme (B1) sahip oldugunu gosterir. Geribeslemeli yiikselte(,,
nlmasma (lOO'den 9.09'a) karsihk.' ,;:ila§ direnci de l I'de bir oranmda azalmrs ve daha yuksek ust 3 dB frekansma ve daha dii~iikalt).dB frekansma sahiptir.
giri§ direnci 11 kat artmisnr, Kazancm 51 kat dii§iiriilmesi, sadece 2'lik bir kazanc K~
1> ~hi!.•
saglar, ancak bu, aym artan bir giri§ direnciyle-(500.kfl'dan fazla) ve 20 kn'dan 400 1·~

O'un altma dil§en bir r;:ua§ direnciyle sonuclamr, Geribeslerne, tasanrnciya, diger ~.i,(
A
devre ozellikleri iyilestirmek adma, mevcut gerilim kazancmm bir kismmdan vaz-
ger;:me irnkam verir.

Frekans Bozulmasmm Azaltrlmasr

f3A >> l'e sahip negatif geribeslemeli lir yiikselte,;:te geribeslemeli kazanc A/= 1/{Jdu.
Buradan, geribesleme devresinin tamanien direnr;:lerden yapilnus olmasi halinde temel
yiikseltec kazanci frekansa bag1mltolsa'.bile, geribeslerneli kazancm frekansa bagh ol- Prolams
t-+'------Bi------..a
madlg1 sonucu cikar, Pratikte frekansa b'agli olarak degi§Cn yukselte; kazanci nedeniyle
ortaya ~Ikan frekans bozulmasi. negatif1 gerilim geribeslemeli bir yukseltec devresinde
1--------~B,,----'----_...;
onemli olviide azahr. ~,·kit IX.<, Ncgatif geribeslemenin kDZJUlf ve OOntgeni}li~ine etkisi.·

BolOm 18.2 Gerlbesteme Bagfant/Tiirf~ri 849

848 Boliim 18 Geribeslemell YOkseltec;ler ve Osilator Devrelerl
 Geribeslerne kullarulrnasi, gerilim kazancim azaltmasma ragrncn, B vc ozellikle
i.ist 3 dB frekansmda arns saglandiguu gormek ilginctir, Aslmda kazanc-bant gc- Scti-Gertlirn Geribeslemesi
ni§ligi ~arp1m1 aym kahr, dolayrsryla temel yukseltecin kazanc-bant genisligi ,;ar-
pirm, geribeslemeli .yukseltecle aym degere sahip olur. Ne var ki geribeslemeli yiik- $ckil 18.Tdc, seri-gerilim geribeslemeli bir FET'li yiikseltec kati gosrerilrnisrir.
seltecin kazanci. dii§iik oldugo icin, net sonuc, bant geni§ligini (tipik olarak I: » /1 ytkt§ sinyalinin (V,,) bir krsmr, RI ve Rz
direnclerinden olusan bir geribeslerne ;CV·
oldugundan ust 3 dB frekansi · i~:in bani genlsligini kullanmz) arnrma ugruna ka- resi kullamlarak elde cdilmistir. Vj geribesleme gerilimi, V, kaynak sinyaliy1~ seri
zancm azalmasidrr. sekilde baglanmt§hr; ikisi arasmdaki fork, V; giris sinyalini olusturur, . . :; , , ,
Geribeslcrnesiz yukseltec kazanci .
Geribeslemeli Kazanc Kararllhg1
A= !'.!!.=-gm Rl (18.10)
V;
Kcsin kazanc dcgerini belirleyen f3 ,;arpanma ek olarak, geribeslemeli yilkseltecin :-·:: .. :

kararlihgr ile geribeslernesiz yukseltccin kararhhg. arasmda nasil bir iliski oldugunu Burada Rl, a§agidaki direnclerin paralelidir: ,; ',.:

gormek isteriz. (18.3). dcnkleminin turevini ahrsak: . -~ .

(18.11)
<JAL= I dA (18.8)
At 11 + /3A I A

<JAL =< _I4.A. ({JA » I icin) (18.9)

At - j3A A Ro.

Bu, geribesleme kullaruldigi zaman kazanctaki degi§menin (dA), /3A ~arpam ora-
nmda azaldrgiru gostcrmektedir. cl!
+

()RNEK 18.2 +

Kazancr -1000 ve fj= -0.1 olan biryiikseltecin kazanci sicakhga bagh olarak %20 de- +
-.... ~
gi~iyorsa, geribeslemeli yukseltecin kazancmdakidegi§imi hesaplayiruz, ~ '\,

Qoiiim:

(18.9) denklemini kullanarak ,Ii.:·:.

~,·,ii Is. i Seri-gerilim seribeslen,cli FETli yukseltev kah.

<JAL= _Idfl.- I (%20) = %0.2 . t ..

At fjA A -0.1 (-1000) Geribesleme devresi a§ag1daki degere sahip bir geribdstemtfaktorilne sahiptir:
eldc ederiz.Iyilestirme 100 katur. Boylece, yiikseltecin kazanci A= -IOOO'den %20 om- f3=l:L= -R2·· ". ,.;.; ..
runda degi§irken, geribeslemeli kazanc yalruzcaAt= -lOO'den %0.2 orarunda degi§ir. V,, R1 + R2 A ;1,u (18.12)

Yukandaki A ve /3 degerlerini (18.3) denlcleminde yerine koyarsak negatif gc-

ribeslemeli kazanci,
18.3 PRATiK GERiBESLEME DEVRELERi
A§ag1da, geribeslemenin 1,~itli baglanu tiirleri i.izerindeki etkilerini gostermek icin (18.13)
pratik geribesleme devrelerine ornekler verecegiz.

BIIIOm 18.3. Pratlk Gerlbesleme Devrelerl 851

BolOm 18 Gerlbeslemell YOkseltei;lerve Osllator Devrelerl
850
olarak buluruz. /3A >> 1 ise , (18.15)
'' ... ,
A = A:: Rt+ R7, (18.14) geribeslerne faktorti kadar azahr ..
1-/3. ! R. 2
<>RNEK 18.4
()RNEK JIU

A~agidaki devre degerlerini kullanarak ~ekil l8.7'deki FET'li yiikseltec devresi ~~l_emsel_Yilksefteci_n kazanci A= ~100,000 ve R1 =LS kn. R2 = 200 n direncleri
icln geribeslemesiz ve geribeslemeli kazanci hesaplaym: R 1 = 80 ill, R2 = 20 ill, icm ~eldl l8.8dek1 yilkseltecin kazanciru hesaplayin,
R" = 10 ill. Ro = 10 ill ve g111 = 4000 ]IS
·~ -v t Cozum:
.! /3= -R2 = -200 = 0.1
(tiziiin: ! R, + R2 200 !l'+ 1.8 k!l
Ri= R11Ro j 10kn(l0ki1) =5kn At=-1L.....= · 100,000
R0 + Ro : 10 ki1 + IO ki1 I+ {3A 1 +.(-0.1) (- 100,000)

"'
(Seri bagh RI ve R2 ~irenc;lerinin degeri ola~ 100 kQ ihmal edilirse)

A=
.
);;,Ri= -(4000 x
.

10·6)(5 kQ) = -20 {3A » 1 oldugu icin

= - 100,000
10.001
= ~9.999,

A1=:l= _I_= -IO

Geribeslerne faktorii /J -0.1 · ·
olduguna dikkat edin.
f3 = -I?i = ___d{L_ = -0.2
R1 + R2 80+ 20
Geribeslerneli kazanc . ~ek:il l~-.9'~ emetor izleyici devrede, seri gerilim geribeslemesi kullanrlnusnr. V,,
sm~al gerilimi, ~;.'de g~ gerilimidir, V0 ~tk.i~ gerilimi, aym zamanda giri§ gerilimine
At= _A_::: -20 = -20= -4
s~n ol~ gen beslenen gerilimdir. ~ekil 18.9'da goriildtig(l gibi yukseltec, ge-
1 + /3A · 1 + (-0:2) (-20) 5
nbeslemeh olarak c;aI1§maktadir. Geribeslemesiz c;ah~mada v1::: O'du, boylece

+I + + ht• RE (V.h;,') = hr. Re

V;
;: • 1~1-Y!iks. A = v,, = hr. /1, RE -
Vs
V., Vs v. h;,

t R1

+
v, _Rz

+
$ekil 18.8 Bir itlcmscl yilkselt~ baglan11sind•ki scri-gerilini ccribeslcmesi.

~ekil I 8.8, i~lemsel yiikse1tei kullanan seri gerilim geribesleme baglant1s1m gos- +
termektedir. i~lemsel yukseltecin geri beslemesiz kazanci A. St·1·i IS.•) Scri-gerilim ~..:ribcslcmedevresi (emetGrizleyic1J.

Borom 18.3 Pratlk Ge~lbe~lemeDevre~I 853

BolOm 18 ,oerlbeslemeH YOkeelte9ler ve Osllator Oevrelerl
'852
 ve /3 = .Y.t_ = I
v,
GE:l'liBESLEMESiZ DURUM
Bu durumda geribeslemeli ~ah§ma
Irr, Rs
$ekil l8.2a'da verilcn ve Tablo 18.l'de ozetlenen temel formata bakacak olursak:
A ,------
_Vo_
v, l + /3A
A _
l + (I)
h;,
(hr, Re) A = .!.£._ = -I,, hr, = :fJk_ .
h,. . V; lb h;, (18.16)
h;0 0

= hr, Re f3=Xl= -I,, Re=;_ Re (18.17)

It;,+ ht•Re 111 I,,
Giris ve 91k1§ empedanslan,

Z; = R0 11 h;, = h; 0 (18.18)
Seri-Akim Geribeslernesi Zn=Re (18.19)

Bir baska geribesleme teknigi de 900§ akmundan Un) ornek almak ve girislc seri
oranuh bir gerilim olarak geri beslemektir, Seri akim geribeslemesi, yiikseltecin ka- GERiBESLEMELi DURUM
zanciru kararh hale getirir, ancak giri§ direncini artmr,
$ekil 18.lO'da, tek rransistorltl bif;_yiikselt~ kau gosterilmistir. Bu katm emetoru
Af;;
I
=
A
=
: ~,·;,1:,:,,,,.
/c/
lre

(-R:t(~)·.
__!.!_
kopnllenmedigi i9in, bu geribesleme, bir seri-akim geribeslemesidir. RE direncinden
gecen akim, uygulanan kaynak.sinyalinin tersi yonunde bir geribesleme geriliminc V., I + /3A I+
. ", .. hk (18.20)
neden olur; dolayisiyla V,, ~tk.I§ gerilimiazalir. Seri akim geribeslemcsini ortadan kal-
dirmak i9in ya ernetor direnci kaldmlmah ya da (genellikle yaplld1g1 gibi) kon- -hr,.
dansator ile koprulenmelidir. h;, + hte RE
Giris ve ytk.I§ empedansi Tablo 18.2'de goste~ildigi gibi ~esaplamr:

Zif= Z; (I + /3A) = h;. (1;+ h{chi~~E } = h·· +J1t,·< RE

; .r! t<
(18.21)

Re
Zt1/ = Zt1 (l + /3A) = Re (1 + Frr;RE ) (18.22)
h;.
Ra

- -
Geribeslerneli kazanc
+

l ·1 ~
C1 lb I,, At= V,, =/,,Re= (la_)
Re= ~f Re= . -hrc Re (18.23)
. . . V.,.
+
Vs . V., 1 , ht« t_hfc R1:.
OR~EK 18.S !
v,
+I t/ v,,
,.i.
+ "'
0 Vs Rs hit
Vs 'v ~ekil 18.11 'deki devrenin gcrilim kazancrru hesaplaym.
v, RF.
-=1
j_ -:
-
Geribeslernesiz,
(a) (b) A=.!.£._= :!!:fr_.= -l20 = -0. 1333
V; h;, 900
-:;,·k ii 18. l 11 Seri-akom geribeslemesi ~in cmellk direnci. R£. kllpnllcnmcmiJ lnu1>iuilrlU yliluel1,~: (a) yOhcllc,; dcv f3=YL=i-Re=\s10
L, .
rcsi; (b) geribeslemcsiz durum ~in ac qdcJcr dcvn,si.

854 B610m 18 Gerllxtslernell VOkselte~ler ve Osllator Devrelerl Borom 18.3 Prallk Geribesleme Devreleri · .sss
 +!6V

fJ=lL= .:;L (18.25)

2.2 kn v, R,,
470kn elde ederiz. Bu durumda geribeslemeli'kazanc:

At= Vo= Vn = __A_= i , -R,. (18.26)

t, t, t+{JA ,{J

,-------~·
r11

Vi --NV\1-.. . . ,j{~l\{b~
The facto~ (1 + {JA) is then pt1-"'
~ckll lK.11 6n11.·~ 1,.,, 1il~~~a~1111-~'Crilx-,.Ie11,d, 11)1 lo yiik,ell~.
(a) (h)
',.',. ; .
o halde (1 + /3A) faktorii: : .. ,, ,... i
l +/JA ~.J + (-0.1333) (-510)=69 Bu, bir aktanm direnci kazancidir, Daha yaygm 'olan kazanc, · geribeslemeli gerilim
olur. kazancidrr:
Geribeslemeli kazanc:
·.: = (. L} , :; · 3 A,f=·(v") {.b..) = (-R {..L) = -R,, (18.27)
l.L::. _:A_~ (·0:1333) = -1.93
0)

At= x io: I., Vi Rt R1

v. l + /3A',: . .
;!_ t~ ~}{; ~:.i ~ekil 18.13'deki devre FET kullanan paralel gerilim geribeslemcli bir yukseteerir,
ve geribeslemeli gerilim kazanci =
Geribesleme direnci bagh d~gilk~ri geribeslemesiz kazanc (I, I;), ortak kaynakli
.: : ; . .; . : . -3 . . 3 devrenin kazanci ile direncinin r;:arp1m1 kadardrr.
Avf= V:1• =AtRc=(·l.93xlO )(2.2x 10 )=-4.25
: Vs ., .
-iolarak .. bulunur. , · . A= V't,., = (~) (V'.')= (V")
V, I,
(V·') = (-g,,, Ro)
V., I., ..
Rs (18.28)
ifaerib~slemesiz gerilim kazancmm'genli~
'.[. !·· t ! 3
Geribesleme
:.:· IA,,l=k=·2·2X 10' =-293.3
r, r 7.5
(18.29)
. Paralel-Gerilim Geribeslemesl
Devrenin geribeslemedeki kazanci
$el<ll 18.12a'daki
sabit kazanch i§lcmsel ytik~e.ltci;. devr~si, paralel .. gerilim ge-
ribeslemesi saglar, $ekil 18.2b ve. Table 1.8.1 t<;m, ideal islernsel yukseltec ka- At-_ -V,, -_A_-
-
-g,,,.Ro Rs
- ---=-----
rakteristikleri olan I, =·O, V; = O degerlerini 'ahr ve gerilim kazancimn sonsuz ol- t, I +/JA 1 +(-IIR1)(0g;,,RoRs) (18:30)
dugunu varsayarsak,
(18.24) = -g,,, Ro Rs RF
RF+ g,,, Ro Rs

B6IO~ 18 Gerlbeslemell YUkselte~ler ve Osllator Devrelerl

Bol!lm 18.3 Pratlk Gerlbesleme·oevrelerl 857
 Bu durumda geribeslemeli devrenin gerilim kazanci

Avi=(V"}(fL)= -g.,RoRsRF ...L

18.4 GERi BESLEMELi YUKSEL TEi;-
FAZ VE FREKANS
Is V., RF+ gm Ro Rs Rs
~imdiye kadar geribesleme sinyalin~n giri§ sinyaline karsit oldugu geribeslemeli
= -g,,, Rv R,.- _ (·Cm Ro) RF yukseltecin cahsrnasnu inceledik.jnegatif geribesleme), Pratik devrelcrde bu durum
RF+ Cm Ro Rs RF+ g,,, Ro Rs (18.31) sadece orta frekans yah~ma arahgmda ortaya cikar, Yukseltec kazancuun, frekansa
bagh olarak degi§tigini, orta frekanstan b~layarak yuksek frekanslarda azaldiguu
biliyoruz, Buna ek olarak, yiikseltecin faz kaymasi da frekansla degi§ecektir.
Frekanstaki arnsa bagh olarak faz kaymasmm degismesi halinde geribesleme sin-
yalinin blrkrsrru giri§ sinyaline eklenir. Bu durumda, pozitif geribesleme nedeniyle
yiikseltec, osilasyona girebilir. Yukseltec, alcak veya yiiksek bir frekansta osi-
lasyon yapmasi durumunda yararhhgim kaybeder, Geribeslemeli bir yukseltec icin
dogru bir tasanm, devrenin sadece soz konusu arahkta dcgil, biaiin frekanslarda ka-
rarh olmasim gerektirir. Aksi taktirde gecici bir bozulrna, kararli gibi gozuken bir
yiikseltecin aniden osilasyona baslamasma nedcn olabilir.
Is t Nyquist Kriteri

I ·-
!
. ~-
. Frekansin bir fonksiyonu olarak geribeslemeli' bir yiikseltecin kararhhgiru de-
gerlendirmede, belirleyici faktorler, {3A 9arpam v;'giri§ ile 91k.t§ arasmdaki faz kay-
(a) (b) masidir. Kararhhgi incelcmek .icinkullarulan en popiiler tekniklerden biri Nyquist
. -~;
yonremidir. Nyquist §emas1, kompleks bir dilzlem uzerinde frckansrn bir fonk-
. ~ekil I ~-1 .l FEl ,11111,ulamk Y•P•lan p,\~~·-~filj\'1gerilx:olemeli yUk!ell~:(a) dcvrc;(b) q<Jcj\cr <levrcsi.
siyonu olarak kazanc ve faz kaymasmm grafi'i1'1ti"1~izmek icin kullaruhr, Esas iti-
···:·I'•: bariyle Nyquist grafigi, frekansm birfonksiyonuolarak kazancin ve yine frekansin
t>RNEK 18.(i bir fonksiyonu olarak faz kaymasirnn Bode egriletini tek bir grafik uzerinde bir-
1 .. -~--
. lestirir. Nyquist grafigi, bir yukscltecin butiinfrekanslarda kararli olup olmadtgnu
= 5 mS, Ro= 5.1 kn, Rs= 1 kn, RF= 20 Jill degerleri iyin ~ekil
. .

g,,, 18.J3a'daki ve belli kazanc veya faz kaymasi kriterlerine gore ne oranda kararh oldugunu c;a-
dcyrenin gcribeslemeli ve geribeslemeslzgerlllm kazanciru hesaplaym. bucak gormek icin kullaruhr.
I . . ·i •

Baslangic olarak, $ekil l8.14'teki kompleks duzlemi ele alalnn. <;C§illi kazanc de-
<;iizti m.. gerlerinin (/3A) bazi noktalan, farkh birkac faz kaymasi acrsinda gosterilmistir, Pozitif
gercek eksen (0°) referans olarak kullaruhrsa, /3A = 2 biiyiikliigii, 0°lik faz kaymasiyla
Geribcslemesiz gcrilim kazanci, 1 noktasmda gosterilrnistir. Buna ilaveten, {3A = 3 bilyi.ikltigii, l 35°'1ik faz kaymasiyla
2 noktasmda ve {3A = 1 genligi 180°1ik faz kaymasiyla 3 noktasmda gosterilmistir.
A,,= -g,,,Ro = -(5 x 10·3) (5.1 x 10-1) = -25.5 Boylece bu grafik uzerindeki noktalar hem {3A kazanc genligini hem de faz kayrnasiru
gosterebilir, Ytikseltec devresi iyin kazanc ve faz kaymas1m temsil eden noktalar artan
Geribeslemeli durumda kazanc frekanst~~izilirsc, $ckil 18.JS'teki grafikten de gori.ileccgi iizere, Nyquist grafigi clde
Av/= (-g., Ro) Rf edilir. Orijin noktasmda, 0 frekansmda kazany O'd1r (RC tipi kuplaj ic;in). Artan frc-
RF+.g,. Ro Rs kansla birlikte J.,fi ve/J noktalan ve faz. kaymas1 kadar /JA'nm genligi de artar. Tem-
;,, (-25.5) · 20 x 103 silif4 frekansmda A degeri, orijin i10kta;1~dan Ji noktasma kadar 9izilen vektoriin
(20 x I 03) + (5 x 10·3)(5. I x I 03)( 1 x 103) uzunlugudur ve faz kaymas1 ¢ llylSld;r. JS:irekansmmda faz kaymasi 180°dh. Daha
yilksek frekanslarda kazancm O'a dogru azalacag1 goriilmektedir. ,
= -25.5 (0.44) = -11.2 ··:.. .r· :

858 Blililm 18 _ Gerlbeslemell Yllksell~ler ve Osllator Devrelerl Boliim 18.4 Geribeslemeli Yiikseltei;~Faz_ve Frekans 859
 Kazanc ve Faz Srrurlan
. · .-.- _· .
:--~

jJA =I at~ =180°\.·· . IPA = 2 at, = 0° Nyquist kriterinden, faz ay1s1 180° iken yevrim kazancr (,{i4), birden daha ku-
.~
!"
).

. ,----A--, 0 r;iikse (0 dB), geribeslerneli yiikselte.cin kararh oldugunu biliyoruz, Buna ek olarak,

/0;: ·.·, ~leksen yilkseltecin kararsizhgn ne kadar yakin · olcl~g~nu gostermek ivin bir kararlihk smm

J.lt'"'•-135'
(marijini) belirleyebiliriz. Yani eger kazanc (/JA), birim kazanctan kiiyiikse, ama
sozgelimi 0.95 degerinde ise, bu ytikseltec, (/JA) = 0.7'lik bir baska yukseltec kadar
(her.ikisi de 180°'de olr;iilmii§tiir) kararh.degildir, Kuskusuz, 0.95 ve 0.7 cevrim ka-
zanch yilkscltccler kararhdrr fakat vevrim kazancmm artmasi halinde biri .ka-
i . rarsizhga daha yakmdrr. A~ag1daki terimleri tammlayabiliriz:
Kazanc Sin/ti (marji): (GM), faz a91s101n 180° oldugu frekansta, /JA'nm desibel
cinsinden degeri olarak tarumlarur, Dolayrsiyla ,lt4 = 1 degerine C§it olan O dB, ka-
.( rarlrlik smmdir ve negatif desibel degerleri kararlrdir, Desibel kazanci ne kadar ne-
gatifse, geribesleme devresi de o kadar kararh olacaknr. GM, ~ekil 18.17'~eki cg-
riden desibel olarak hesaplanabilir. . /
Faz suurt (PM): 180° eksi /JA degerinln bir oldugu (O dB) acuun genligi olarak
tarurnlarur. PM de dogrudan dogruya ~elcil 18. l 7'dekiiegriden hesaplanabilir,
Bu iki yiikseller; faktorunun birornegl, ~ekit.:.1;8'.I7'deki Bode egrilerinde gos-
terilmistir. Kararsizhk vardir, bu nedenle GM pozitiftir ve PM I 80°'den bilyiiktiir.
1 ' ...... i

. k arar11·•-.kr1.ter1·
N yquist t u-
""ag-tdaki<>ibiifa.
,.,-, •·..
de edilebilir:
,;:,. . . .•. .
r;izilen
. •
Nyquist egrisi ./
noktasuu icine ahrsa yiikselter;.ka_rqs1~dtr, aks_,tqkordekarai:lld'.' ·. . 6 'ru kl PA
. . . . bir ome-i, ~ekil i!U(l'AAla ,;:grilerde gosterilmistir, Sekil 18.l a ~ i (dB)
.Nyquist kirt.cnrun . g .. ·· .·.· .... ·· ·..., .·· · .. ;. . . . uki .;: kil 18.16b'de gos-
. rafi-· -1 noktasrru.icine alinadtg11~µr~hd!r. halb 'ie
• N~qu1st ~ ~ - igi, tasl!ll i ·in~ ~d1g1 i~i~ ~;17.(hr. -1 noktasim iyine almarnn (kap-
terilen. egn . l .nok ., · v · .... _.. , · ...·. •·· · , n,i.) I'd dah biiyuk anlrunma
samanm), 180°!ik faz kaymasmda yevnm kazaocuun "'""' , en ... a · . .
eldigini. unutmaym; -bu ncdenle.~iny~; gitj§lf}F•f,izda~r-·ve gtr1§me uygulanan sm_- Fff>kans (/J
g . . daha btiyiik genliktc biir gm§
yaldeo .· . smya . . Ii uretecek
· . kadar buyuk olur ve bunun sonucunda

osilasyon ortayu vikar·

' '
Artan/ FAZ~lSI

o _

-90°

-270° FazslJlln

(b)
...;,.i..il 11.:.17 K:tLalt!i ve {az uotrlanntn gOSletifdififlode ~rile,-i:
~d,il l~.1,.
BolOm18.4 GerlbeslemellYOkselte~Fazve'Frekans..
Boliim 18 Geribeslemell Viikselte,;ler ve Ositator Oevrelen 861
860
 /3A. I 'den biiyilk yapihr ve sistem, hep var olan giiriiltii gerilimini yiikselterek osi-
18.5 OSiLATORUN <;:ALl$MASI < Jas!ona baslar, Pratik devredeki dO)'.Ulll faktorleri, "ortalama" l degerinde bir f3A

l 'den biiyiik olan ve faz kosullanru karsilayan Atgibi bir kapah .cevrim kazancma
saglar. Boylece elde edilen dalga §ekilleri tam
olarak sinusoidal degildir. Ne var ki
f3A degeri l'e ne kadar ya.km olursa.idalga §Ckli de sinusoidal §ekle o kadar yak-
sahip pozitif geribeslemcli .bir Y.iikseltey kullatul.f11~•·. devrenin osilator gibi ya,
lasacakur .. ~ekil 18.19'de, giirtiltu .slnyalinln, kararh bir osilasyon durumunu na~tl
h§masma neden olacakur. Bu dui-bmda bir osilator devresi; degi§imi sureklilik (ke- yaratug1 gosterilmekredtr, · :
sikli olmayan) gosteren bir ytkl§ sinyali verecektir. Eger 91kl§ sinyali siniisoidal bi- Devre doywnuyla Slllll~ ·
cimde degi§iyorsa, devre sinusoidal osilator olarak adlandmhr. Eger y1k1§ gerilimi 1war1i - durum uni .
/
belli bir gerilim duzeyine hizla yiikseliyor ve ardmdan baska bir gerilim duzeyine
dii§iiyorsa, devre genelde darbe ya da kare dalga osilatorii olarak aruhr.

~,·~ii rs. LS O,ilat6r olar•k kullan1lun ~cribe,;lemcdcvresi.

)(·I.: ii J :,;. f ') Kar.a.rh-durvm o:dla.111yonunun ol1.111mut.

Bir geribesleme devresinin osilator olarak nasil yah§llgm1 anlamak icin, ~ekil :.p_,:;._,J h:

18.18'deki geribesleme devresinii.inceleyelim. Ytikseltec girisindeki anahtar aciksa Geribesleme devresinin osilaror olarak nai1Ival1§llg1m anlamanm diger bir yolu
osilasyon ortaya cikmaz. Yukseltee girisinde hayali'bir gerilim (V;) oldugunu var- da, temel gcribesleme denklemindekf[(I8:3f'.deriklein}paydaya bakmaknr: A = Al
=
sayahrn., Bu.. temel yukseltec: kanndan sonra V0 AV;'lik bir 91k1§ gerilimi ve gc- (l + /JA). 180°'lik faz acismda /3A :i:i/~fy~ya
genligil okliigu zarnan payda O olur ve
ribeslerne katmdan sonra v1= /3AVi)'lik bir gerilim yaranr, Dolayisiyla \'f' = /3AV/lik geribeslemell kazanc At, sonsuza giderf B6y14e son derecc'}mylik bir sinyal (gurtll til
bir geribesleme gerilimi elde ederiz,: burada /JA, revrim kazanci olarak arulir. Eger gerilimi), belirgin bir ylki§ gerilimisagiaynb11irve devre; girissinyali olmasa bile
temel iYiikseltey ve geribesleme devreleri dogru genlik ve faza sahip bir /3A ure- osilator\. gibi davramr, · ·• Y'
tebilirlerse, v,.
V/ye esitlenebilir, Bu durumda anahtar kapatihp hayali V; gerilimi Bu boliimun geri kalam yC§itli clen_{anlar kiillaiulan degi§ik osilator devrelerine
iptal edildigi zaman devre <;alJ§maya devam edecektir, <;iinkii geribesleme gerilimi, aynlm1§t1r. Bunlarm her bitisiyle iigfi(pratiic devrelerin incelenebilmesi i<;in pratik
yukselteci ve geribesleme devrelerini <;ah§llm1aya yeterli olacak ve bunun · so- a<;1klamalara ycr verilmi§tir.
l-
nucunda ortaya <;1kan uygun bir girl§ gerilimi, cevrimln devam ctmesini sag-
layacaknr, A§ag1daki kosulun saglanmasi halinde, anahtar kapandiktan sonra bile <;•- 18.(i FAZ KAYDfflMALI OSiLATOR
lo§tan sinyal almabilecektir.
Gcribesleme devresinin temel geli§imini izleyen bir osilator devresi ornegi.faz kav-
{3A = 1 (18.32) dirma/1 osilatiJrdiir. Bu devrcnin ideal tipi ~ekil 18.20'de gosterilmi§tir. O;i-
Jasyonun, /3A <;evrim kazancmm birden biiyiik olmasuu ve geribesleme devresinden
Bu, osilasyon iyin Barkhausen kriteri olarak bilinir. geyi§lcki faz kaymasmm 180° olmas1:gerektigini (pozitif.geribesleme) hallrlaym.
Gercekte osilatoru yah§llrmak icin girls sinyali gerekrnez, Kendi kendini yah§ttran Buradaki idealle§tinne, geribesleme devresinin miikemmel. (i<; direnci s1ftr olan)
(besleyen) osilasyonlar elde etmck icin /JA1 kosulunun saglanmasi yeterlidir. Pratikte kaynak tar.1fmdan siiriildiigiinii ve ylkI§m miikemmel yiike (sonsuz yiik empcdanst)

862 Boliim .18 .. Ger_lbeslemell.YOkselt~ler ve Osilator Devrelerl B610m 18.6 Faz Kaydrrmah Osllat6r 863 ·
 bolumilnun faz kaymasi olyiilecek .. olursa, her ·boliimiin aym faz kaymasiru sag-
bagh oldugunu varsay1y·o~'. Ideal durum, faz kaydirmalr osilator yah~masmm -~1- lamad1g1 gorulecektirtancak toplam-faz kaymasr 180° olacaktir). 0¥, kann her bi"
tmda yatan teoriningeli~tirilmesiiii'mUmkUn k1lacaktrr; Daha sonra pratik devre up- risinde 'tam olarak 60°'lik birfaz-kaymasi elde edilmek istendigi' raktirde, bir bo-
leriniele alacagrz, · liimiin bir sonrakinden yiiklenmesini onlemek iyin her bir RC bolumitnde bir
emetor-izleyici katma ihtiyac duyulacakur.
. _.:,:.;!·
]~"'.?''.' ------,------, FET'li Faz Kaydirmah Osilator.

Faz kaydirmah osilator devresinin pratik bir tipi, ~ekil 18.2la'da gosterilrnistir.
Devre, yukseltec ve geribesleme devresini ay1kya gosterecek sekilde yizilrni~tir.
i.
.. II
Yukseltec kau, kondansatorle koprulenen Rs kaynak direnci ve R0 kanal ongerilirn
dircnci ile kendi kendini ongerllimler.: FET iyilkseller;: tcorisinden yukseltec ka-
I\
c "c zancmm genligi a~ag1daki gibi hesaplarur:
• • :•R
'•R
' - ·. :~R / (18.36)

Burada RL; R0 ve r,,'nin parale] esdegeridir,

, Gcribcslcme ck,vresi · RL= Rn r,1

l?n + ,.., WU7)

Dikkatimizi faz kaydirma devresiuzerindc.toplayarak, fazm tam olarak 180° kay-

dig1 frekansta devrenin zayrflatmasim. Inceleyecegiz. Klasik devre analizini kul-
lanacak olursak:

P= 2.a1CTO I (18.33)

/3= _L; (18.34)

29 ·
ve faz kaymasmm 180° oldugenu buluruz.
, , {i4,yevrim kazancmm birden daha ·bilyUk;olmas1 icin yukseltec katrrunkazanct 1/
f3 veya 29'dan daha biiyiik olrnahdir.

(18.35)
rri:.~-·"~r~, ·".Et-t:·"' :l~-~r:~:-t·t
A>29 bir Rd16.+ 4>R '.11~P
·-!f-~1-~t-I-;f-
/t
\i :Ef·.·:~:.), i . ~--~; , ... :. ,tL, ...C,., . ..t;,.
c c c
· 'Geribesterne devresinin yitl1~mas1 incelenirken bir arnator, her bir bolum icin
(belli bir frekansta) 60° faz kayrnasi saglayacak R ve C degerleri secebilir, bu da is·
R R
-·--v;, .
N · II
tendigi ·gibi iiy bolilm icin. 180°'lik bir Caz kayrnasi verir. Ancak durum bu degildir,
~ilnkii geribesleme devresindeki RC :ooltimlerinden herbiri, bir oncekinin yiikii du-
rumundadir. Onemli olan. tek ~ey toplam foz kaymasmm 180° olmasidrr. (18.33).
-. --
denklemde verilen frekans; toplam rrz
kaymasmtn 180° oldugu frekansnr, Her RC
Sd.il IX.~ 1
(a)

l'r.11ik faz kaydomiah o,ifoUlr tlevreleri: (al ·FET'li osilattir: (b) BJTH osila!Or.
11 ..

,864 BolOm 18 GerlbeslemellYOkselte~lerve Osllattir Devreleri Bi:ilurtf 18.6 Faz Kayd1rmah Osllati:ir 865
 Cok iyi bir yaklasikhk olarak fET'li yiikselt~c;: katirun giri§ empedansmm ~onsuz ~1-
terildigi gibi). Bu baglanuda geribesleme si~yali,_Rs geribesleme direnci iizerin~en,
dugunu varsayacagiz, Bu varsayun, osilaror. c;:ah~ma frekansuun, FE1)n kapasitif
yukseltec kau giri§ direncine (R;) seri cila!ak}agfanm1it1r .. ·
cmpedanslannm ihmal editcbilmesl.iein-yeteri k~dar alcak olmasi durumunda ge-
AC devrcsinin analizi sonucraki osilator frekaris1_ i~in ~ag1daki denklemi, verir:
cerli olacaktir, Yiiklemeden kaynaklanan birzayrflarna olmamasr icin, yukseltec ka-
tirun RL ilc gosterilen 91k1~ empedansmm <la gcribesleme devresine bakildrgmda go-
riilen ernpedansa oranla ki.ic;:iik olrnasi .gerekir, Pratikte bu varsayrrnlar her zarnan (18.38)
ihmal edilemez; bu dururnda osilatorun osilasyana gccebilmcsi ic;:in gereken 29 fak-
torunden biraz daha biiyiik bir yiikseltec;: kau kazanci_ sccilir, Cevrim kazancmm birden bi.iyiik olmasi icin, transistorun akim kazancina ilisldn
kosul, a~ag1daki §ekilde bulunabilir: ·

(18.39)
,. > 23 + 29 !k.,+
"'• R' ..R.
4 Re
g111 = 5000 )IS, rtl = 40 kn degerlerine sahip bir FET ve R = JO kQ'luk bir gc-
Faz Kaydrrmalt ostrator Entegre Dqvresi
ribesleme devresi kullanarak (Sekil l8".2la'daki gibi) bir faz kaydrrmah osilaror ·i '
.• • 1
rasurlamak istiyoruz. Osilatorun 1 kHz'de osilasyona gecebilmesini C degerini vc
A > 29 kosulunu sagla)'a~ R;
degerini hesaplaym. . . Yaygmhk kazanan entegre devreler, osilatot devrelerinde de kullamlmaya
baslanmisur. Bir osilator devresi kurmak amac1~Ia kararh kazanc ayarlamah bir
yukseltec devresi olusturmak ic;:in)iir islemsel yukseltec satin alarak, bunu bir
tiir sinyal geribeslemesiyle birlestirmek yeterlidir. Ornegin ~ekil 18.22'dc faz

Kondansatorun degerini bul~iakic;:in (18.33) denklemini kullan~nz./;:; l/21tRffi kaydirmah bir osilator devresi verilmistir. i§lemsel yiikseltecin c;:1k1§1. (l/29'1~1k
oldugundan, C'yi; zayiflatrnada) 180°'1ik faz kaymasmi sagl~yan iic;:-katlt RC devresini besler. I§-
lcmscl yiikseltecin 29'dan daha biiyiik bir.kazanc saglamasi halindc (kazanc, R;
C=--1-= ~d ..\ij>: I = 6.5 nF vc R1 dircn~leriylc ayarlamr), birden.daha biiyiik:bk_c;:evrim .kazanc1 el~e cdilir
2nRfi6 (6i28);f10 x 103}(1 x 103) (2.45) vc dcvre osilator gibi davrantr, -[osilator·:frekans1 · (1-833) denklc1111yle vc-
olarak buluruz. rilmi§tir.J
( 18.36). denklernini kullanarak, oinegin A = 40 kn'luk bir kazanc saglayacak (bu, :
. : }-~.-~

RL ile gcribeslcme devresi giri§ empedansi arasinda bir miktar yiiklemc getirir) RL
degerini bulursak;
I A I= Cm RL Rr
+Yee
RL = ~ = 40 = 8 k.Q T
g,,, 5000 x I 0"6

CTC
R1 '-·
elde cderiz. (18.37) denklemini kullanarak.R0 = JO ill buluruz.

·-r-+
~-YOb.
·c
Trarrststorlu Faz Kaydrrrnah Osilat6r ! R R'
-Yee
Yukseltec katmda aktif elernan olarak transistor kullaruhrsa, geribesleme dcv-
resinin c;:1k1§1, transistorun nispcten dii§iik olan giri§ empedansi (h;e) ile bclirgin ol-
c;:iide yiiklenir. Kuskusuz, bir emctor-izleyici giris kan ve bunun ardmdan da ortak-
emetorlu bir yukselrec kau kullamlabilir. Ancak tek bir transistor kan arzu edilirse,
paralel gerilim geribeslemesinin kullanilrnasr daha uygundur (Sekil 18.2Ib'dc gos-
,..i, ;1 1 s.: , hle1n.<el yUk>eh~ kullomlarak yapdan faz kayd1nmh n<i11u6r.

866 Boliim 18 Geribeslemell Yiikselte~ler_ve Osilator Devrelerl B610m .18.6 Faz Kayd1rmah Osllator 867
8.7 WIEN KOPRO osiLATORf1 Dolayisiyla ~j'iin R4'e oranmm 2'den biiy~k olmasi, devreye, (18.42) denklemiyle
~csaplanan Irekansta osilasyon yapmasi i9iii yeterli cevrim kazanciru saglayacakllr.

Pratik bir osilator devresinde, osilator frekansi R ve C elemanlanyla belirlenecek §e· ()RNEK i8.8
kilde bir islemsel yukseltec ve bir RC ki:iprti devresi kullarultr, ~ekil 18.23, Wien
koprii osilator devresinin temel bir tipini gostermektedir. Temel koprn baglanusmu
dikkat edin. Frekansi belirleyen elernanlar n; a;
direncleri ile c., C2, kon-
Sekil 18.24'deki Wien koprii osilatorunun rezonans frckans{m hesaplaym.

dansatorleridir, R3 ve R4 direncleri geribesleme yolunun bir parcasrru olusturur, 1~-

lcmsel yukseltecin ~Lla§1, a ve c noktalannda kopril giri§i olarak baglanmistrr. Koprii .. : !

devresinin b ve d noktalan.a,rasmdaki ~J.k1§1, i§l_emsel yukseltecin girisidir.

lslemsel yiikseltecin giri~ ve ~ikl§empedanslanmn yiikleme etkisini goz ardi eder- .
sek, koprii devrcsinin analizi ll§ag1daki sonucu.verir: +Vee
'
RJ =R' + Ci
'
(18.40)
L-.yvt.~1-----------'·+· ·. r
51 kn O.OOJµF
R4 R1. Ci ----<,. ~
.I
~-Ylllcs.
(18.41)
;,.;.,
l
Ozellikle RI = Rz = R ve c I = C2 = c olras1 halinde osilator frekansi,
-VEE

R3
!,, = ! I . : (18.42) JOO kn
1trRC
IOOkfl
ve ,&=·2 (18.43)
R4)

olacakttr.

<;iizi.im:

( 18.42) denklemini kullamrsak a~ag1daki sonucu buluruz:

!,, = _1-= I . 3120.7 Hz
+Vee 1trR C 2tr (51 x 103) (0.001 x I 0"6)

T ()RNEh: 18.9
·. .. .,.") ~ :-
¢,ht
. ·:}:4.~:'.Y~: ------ in~id.al
sinyal J;, = 10 kHz frckansmda ~ah§ma icin ~ekil 18.24'd~ki gibi bir Wien koprll osi-
+' . ! lali>rilniin RC elemanlanm tasarlaym.

-Vee
(:iiziim:
!.0 - I
- 2,r../R1C1R2C2
R ve C icin e~il degerler kullamrsak, R = 100 kil sccebilir ve (18.42). denklcrn
yardmuyla gerekli C degerini hesaplayabiliriz:

B610m 18 tGerlbeslemell YOkselte~ler ve Osllator Devreleri BolOm 18.7 Wien KoprO OsllatorO 869
868
 -9
C=-1-= I _ J.[_= 159 pF
2,rf,, R 6.28 (10 x 103) (100 x 103) 6.28
Osilasyonun olusmasi icin RJR4 orammn 2'den biiylik olmasiru saglayan R3 = 300
ill ve R4 = 100 kQ degerlerini kullanabiliriz. ·

18.8 AKORTLU OSiLATOR DEVRESi

Akortlu Giri~•. Akortlu <;1k1~

Osilator Devreleri

Devrenin hem giri§ hem de yt.kl§ bolumlerinde akortlama saglamak suretiyle ~ckil
18.25'te gorulen devre kullamlarak ye§itli devreler kurulabilir. ~ekil 18.25'deki dcv-
renin analizi, verilen ·rcaktans elemanlarrun kullarulmasi halinde a§ag1daki osilator
L
tiirlerinin elde edilebilecegini g~sterir.
~··~ii Is.,« FETli Col1,iu, osila10riL

Reaktans Elemanlan
Osilator frekansr, !'
Osilator Turil X1 X2 X3 (18.44)
fr,= --:=::l=:i'·=
Colpitts osilatoru c c L
olarak bulunabilir. Burada
2nYLC,¢~r.
Hartley Osilatorti L L c
C,i,tg,. : C1 C2 (18.45)
Akortlu giris, akortlu ylkt§ LC LC
C1 +, C2
TRANSiSTORLU COLPITTS OSiLATORU
Colpitts Osilatbrleri
Transistorlii Colpitts osilator devresi, ~ekil.18.27'dcki gibi kurulabilir, Dcvrenin
FET'Li COLPITTS OSiLATORU
osilasyon frekanst ( 18.44) denklemiyle verilmistir.

FET'li Colpitts osilarorunun pratik bir tipi ~ekil 18.26'da gosterilmistir, Devrc,
temel olarak ,5ekil 18.25'tekiyle ayrudir, ancak FET'li yukseltecin de on-
gerilimlemesi icin gerekli elernanlar ilave edilmistir.
/ kL: 4:. RFC
~;_)=.; .·.
: ~ 1-.r ..,:r-
~--·;r:vllksel~

'.i'li
.

Xixi. · x,
t:~ ~f. -;.. ~'.

~----· 'lh~-.~----'
S(·l,il JS.~7 Tr.msi,:,t6rlU ColpiusosilatOrii.
~<;kil IX.25 Rczorn,ns dc.vrcli osiliUl)riln 1cmcl dn1e ~liu1.•oicn\\:.c.i.

Boliim 18 GerlbeslemelfYiikselte~lerve Osilator Devreleri Botorp 18.6 Akortlu Osllator Devresi

870
 ENTEGRE COLPITIS OSiLATORO

i§lemsel yukseltecli Colpitts osilatijr devresi~ekil 18.28'de gosrerilmistir, Buradu

da, temelyukseltme i§lemsel.yii.kselte9tar~J1dan gerceklestirilmekte ve osilatorun
frekansi bir Colpitt devresinin LGgeribe~ie~~
devresiyle ayarlanmaktadir. Osilator
frekansi (18.44). dcnklemiyle verilrnistir.:

----, R1= IOOkn

~di.ii fX.2'>
c
Devrenin osilasyon frekansi yaklasik olarak a~ag1daki dcnklemle verilir:
J. .· (18.46)
fn = --;=:::::::==
21dL~, .~ c
ve (18.47)

TRANSiS',i)R, ('; !:;'c1(\LEY osir .,\T()Rli

·.,
Transistorlii bir Hartley osilator devresi. ~ckil 18.30'da gosterilimistir, Dcvre,
1L ( 18.46) dcnklcmiyle belirlenenfrekansm cahsrr, Vee

~<.·\..ii IK.:?K l1kmsel yUk-~lh .. ,liColpiusosihunrii~

RFC
Hartley Osllatoru
. ·t Tank dcvn:sl
$ekil 18.25'deki temel rezonans devresindeki elemanlar X1 ve X2 (bobin) ve X3
(kondansator) ise, devre Hartley osilatoriidiir .
.·.~ ~
c
. F.
.....ET'Li HARTLEY
.
osfLATORU

FET'li Hartley osilator devresi Sekil 18.29'da gosterilmistir, Devre: geribesleme

devresi, temel rezonans. devresinde gosterilen (~ekil 18.25) forma uygunluk sag-
layacak sekilde .,.:i.zilmiitiri Ancak i,
ve i;,;.b~bi11leri arasmda karsihkh bir kuplaj
(M) soz konusudur; bu, tank devresinin e§d~ger ernpedansr belirlenirken hesaba ka- • I~ !•

ulmasi gercken bir faktordur,

~..:kil I S ..l1• Trdnsi:.tOrlil 1-t~;rtlcy osihttOrdevrcsi.

.. Bolilm 18 GeribeslemeliYOkselte~ler've Osllator Devreleri Bolilm 18.8 Akortlu Osllato~Oe~resi 873

872
18.9 KRiSTALLi osiLATOR
Elektiriksel e§deger devrcsi $ckil 18.32'de gosterilen kristalin iki rezonans fre-
kansi olabilir. Seri RLC bacagmm reaktanslai1:e§it (ve rcrs) oldugu zaman bir re-
Krisralli osilator temelde, tank devresi oiarak piezo-elektrik kristal kullamlan akortlu zonans durumu ortaya ylkar. Bu dun:iirid~ seri rezonansta devre empedansi cok dii-
bir osilator devresidir. Kristal (genellikle kuvars), baslangrcra belirlcnen Irekansi . §ilktiir (R'ye esittir). Bir baska rezoriaiis'clururnu, yiiksek frekansta, seri rezonans
siirdiinne konusunda daha bilyilk 'bir kararhhga sahiptir. Yuksek kararhhk . ge- bacagmdaki reaktans CM kondansatorunun reaktansina C§il oldugu Ulman orraya
. rektiren, or~egin haberlesmcde kullarulan verici ve ahcilar icin kristalli osilator kul- ~1kar'>Bu, kristalin paralel rezonans veya antirezonans durumudur. Bu frekansta
laruhr, kristal, 9ok yilksek bir empedans gosterir, Prekansm bir fonksiyonu olarak kristalin
empedansirun grafigi ~ekil 18.32'dc verilmistir. Kristal, uygun §ekilde kullarulmak
Kuvars (Quartz) Kristalinin Ozellikleri i~in devrcye, seri rezonans yal!§ma modunda dil§iik empedans, ya da antirczonans
. . . yah§ma modunda yillcsek empedans secilebilecek saglayacak §Ckilde baglanrnasi ge-
Kuvars kristali (bir kristal tiiru), bir yUzilne mekanik baski uygulandrgi zaman rckir. · ·
karsrt yuzler arasmda bir potansiyel farki ilretmek gibi bir ozellige sahiptir. Kris-
talin bu ozelligine piezo-elektrik etki adi verilir. Aym §Ckilde, kristalin bir yilzilne IZI
uygulanan elcktrik gerilimi, kristalin §Cklinde mekanik bir bozulmn (distorsiyon) ya-
raur,
Kristale alternatif gerilim uygulandigt zaman mekanik titresimler olusur; bu tit-
resimlerin, krisrale bagh olan dogalbirrezonans frekansi vardir. Kristalin rezonansa
gelmesi elektrornekanik olmasma ra~inen; kristal davramsirn, ~ekil 18.3l'de go-
riildilgii gibi C§deger elektriksel rezonans devresi.ile gosterebiliriz, L bobini ve C
kondansatoru, kristalin kutle ve uyumluluk acismdan elektriksel esdegerlerini, R di-
renci ise kristal yapismm iy siirtiinmesinin elektriksel esdegerini gosterir. CM paralcl
kapasitansi yani, kristalin mekanik montajmdan kaynaklanan kapasitansi gosterir, R
ile gosterilen kristal kayiplan kilyiik oldugu icin, esdeger kristal Q'su (kalite faktodl)
yiiksektir (tipik olarak 20000). Kristal kullanarak lO&ya kadar Q degerleri elde
etmek mumkundur.
t

/ ....• :. '".:~ s,
0
(~)
fz

~<:kil 1.~ . .11 Frek""'" bagh kri.i,I cmpcd:111si.

Seri-Rezonans Devreleri

.. I
l
•
T - L

c
c,.,
Kristal, seri rezonans modunda kristali uyannak icin geribesleme baglann yoluna
seri olarak baglanabilir, Seri rezonans frekansmcla kristal empedansi en dii§iik dii-
zeyde ve (pozitif) geribesleme rniktan en bilyilk dilzeydedir. Tipik bir transistor dev-
resi $ekil 18.33'de gosterilmistir. R1, R2 ve Re direncleri, gerilirn boliicil olarak ka-
rarh · bir de bngerilim dcvresi olu§tUrur.: Ce kondansatoru, emeror direncinin ac
isaretleri iyin koprulenmesini, RFC(Radyo Frekans)bobini ise de ongerilimi saglar
ve gii~ kaynagindan gelen herharigi.'bit'(ac sihyaiinfr1 ylkl§ sinyalini etkilemcsini
onler, Kristal empedansi minimum oidtigu zarnan (seri rezonans rnodunda) kol-
~tkil IN.JI llir krii.ralin deklrikscl cp:.£cr<.h::vl"CS1.

874 BolOm 18 Gerlbeslemell YOkselte~ler ve 9sllator Devrelerl B010m·1s.9 Krlstalll Osllator 875
 lekti:irden' baza gerilim geribeslemesi maksimumdur. Calisma frekansmda Cc kuplaj
kondansatorunun ernpedansi ihmal edilebileeek kadar kiifi:iiktiir, aneak kollektor ile
baz arasmda de bloklamasi (engellemesi) saglar. .

Vee

C1

r
Yoo

re,
I
• XTAL
R1
. ·, RFC
R2

•H
XTAL Cc
Ola.$

XTAL
•H Cc
<;1~ "::' ":' . ., ,
.,!
·.,r

~d .. il 1:LU Pitr.1lcl l'C'1.M:111s «k,¥~i otarnk ,;ahFln kri'in,l lontrollU o~ih,tik

Rz
~'·<- c£
RG

(a) ":" ":" {b)

":"

L c
)<•kil 18 ..\5 Seri .,c,ihe,lcm<
e- yolunda kristal oolu;,,n kristal-kontrollU osil;,tlir. (a) DJT devresl; (b) FET devresi,

C•~
Sonucta devrenin osilasyon frebnst, kristalin seri rezonans frekansiyla belirlenir.
Kaynak geriliminde, transistorun parametrelerinde vb. ortaya cikacak degi§imlerin, kris- ., :·i ..
1J tarafmdan kararh tutulan devrenin 9al1§ma frekansi tizerinde hie;: bir etkisi yoktur, .., •. 1

Devrenin frekans kararhltg1,olduk9aiyi ola~ kristalfrekans kararhhg; ile belirlenir. ·{:..: ;.

Sekil 18.33a ve 18.33b'deki devrelergenellikle kristal kontrollil Pierce osilatorleri ·. ·~·· ,,

olarak aruhr.
RFC Rs· Cs

Paralel Rezonans Devrelerl

... ~i; kristalin paralel rezonansta ~mpedans,, maksimum duzeyde oldugu icin, pa- ~~·"ii IX ..1$ Kristal \:on1rolHI MillerOsil.1t11ri.1.
ralel baglamr, Paralel rezonans frekansmda kristalin endilktif reakransi enbttyukdu-
zeydedir, ~ekil 18.34, uzerinde degi§iklik yapilan bir Colpitts devresinde induktor
Kristal kontrollu bir Miller osilator devresi $ekil 18.35'te gosterilrnistir. Akac ta-
(bob in) elernaru ~larak baglanan bir kristali gcstermektedir. Ternel de ongerilim dev-
rafmdaki akortlu LC devresi, kristalin paralel rezonans Jrekan~ma yakm bir degerc
resi a91k9a· · goriilmektedir:. Paralel .rezonans frekansinda kristal uzerindeki gerillm
ayarlarur, Devrenin cahsma frekansrm kontrol eden kristalin antirezonans fre-
dii§iimil maksi~um olur. Genfirn.ikondansatorlu bir gerilim bolucilyle {C1 ve C2) kansinda maksimum kapr-kaynak sinyaliolusur,
ernetore baghdrr, !
BolOm 18.9 Krlstalll Osllator 877
876 BolOm 18 Geribeslemell Y!ikseltec;:ler ve Osilator Devreleri
 Kristalli Osilator

· ~ekil 18.36'da goriildUgiLgibi, kristalli bir osilatorde i§lemsel yukseltec de kul-

larulabilir. Kristal, seri rezonans yoluna ·baglanmi§tir ve seri rezonans frekansmda
s;ah§ir. Bu ornekte verilen devrenin yiiksek bir kazanci vardir, boylece sekilde de
gcsterildig] ilzere, kare dalga sinyal ~1k1~1 elde edilir, Tam olarak zener geriliminde
(V;,;) i;:1k1§ genlijii saglamak ii;in 1sikip bir ,·ift zencr konmustur, "
"t
Vemin
IOOkfl
ov

iti,--+----
+Vee Zaman
R2
RT
lkO Vz
n r., 82
l'a1 v,.
;.,•;'-'Q':;,;1·1
+~''.J>' .
0::. E
r... <~·
Vz
. , -VEE B1
CT .-:~--Vs,
--~1J--11-. _ _, R1,
XTAL O.ipF

18.10 TEK JONKSiYONLU OSiLATOR

~d1 ii I s_J/ Tck~jonkidyonlu tcrnel osilatOr
Sayisal devre uygulamalan ii;;in uygun olan bir darbe sinyali ureunek icin, tek kath tk..--vrcsi. ;
bir osilator devresinde tek jonksiyonlu transistor kullarulabilir, Tek jonksiyonlu tran- . ,.
sistor, ~ekil 18.37'deki temel.devrede de gosterildigi gibi, gevseme osilator olarak Cr kondansatoru, RT dircnci iizcrinden_ V88 kaynak .geriliminc kadar dolar, V1.: kon-
adlandmlan bir devrede kullanilabilir. Rt direnci ve Cr kondansatoru, devrenin osi- dansator gerilimi, 81 - 82 iizerindeki.gerilim ve-transistortin uzaklastirma oraniyla
lasyon h1Z101 belirleycn zamanf~ma elemanlandir, Osilasyon frckansi, osilasyon fre- bclirlenen uzaklasurma geriliminin (V,,) altmda oldugu siirece tek jonksiyonlu tran-
kansmda bir faktor olarak tek jonksiyonlu translstorun yapisal uzaklastirma (stand- sistorun ernetor ucu acik devre gibi goriinilr · '
oft) oranuu (TJ) (Rr ve Cr'ye ilaveten) (18.48) denklerni kullarularak hesaplanabilir,
(18.50)
!,, = I (18.48)
RrCrlJJ [ 1/( I - 11)) Cr kondansatortinun uclanndaki ernctor get;ilimi, bu dcgeri (V1,) a§llg1 zaman, tek jonk-
Tipik olarak rek jonksiyonlu transistorun uzaklasurma (stand-off) oraru 0.4-0.6 ara- siyonlu transistor ateslcnir, kondansaror bosahr ve.yeni bir dolma saykilr baslar, Tek
sinda dcgi§ir. TJ = 0;5 degerini kullanarak jonksiyonlu transistor atC§lcndigi za'!lan .~ekil 13.3fde goriildilgil gibi, R1 iizerindeki ge-
fn= I . = 1.44 rilim yukselir ve R2 iizerindeki .gerilim dU§er. Einetor uzerindeki sinyal testere di§i dalga
RrCr tn [1/(1 - 0.5)) RrCr ill 2 RrCr (18.49) §Cldindcdir, yani baz l'deki sinyal pozitife.giden bir.darbe ve baz 2'deki sinyal negatife
;,: _Ll__ giden bir darbedir, Tek jonksiyonlu osilatorun yC§itli tipleri ~ekil l 8.39'da verilrnistir.
Ri-Cr
878 BolOm 18 . Gerlbeslemell YOksell~ler ve Osllator Devrelerl B61Qm 18.10 Tek Jonslyonlu Osllator 879
 VBB

VBB

R2
Rr 3. A = -300, R; = 1.5 kQ, R = SO kQ
0 ve f3 = -1/15 olan gerilim seri geribeslerneli
yiikseltecin kazancmr, girls ve 91k1§ ernpedanslanru hesaplaym.

4. R1 = = =
200 kQ, R, 800 Q, R0 40 kQ, Ro 8 kQ ve =
5000 JtS clevre de-gn/=
gerleri icin ~ekil 18.S'deki gibi FETH bir yukseltecin geribeslemeli ve ge-

Cr
J\_ Cr
ribeslemesiz kazanciru hesaplaym,

5. ~ekil 18.ll'deki gibi bir devre i~n a§agtdaki devre dege'rlerinde, geribeslemeli ve
geribeslemesiz devre kazancnu, giri§. ve 9tla§ empedanslanrn hesaplaym : R8 = 600
k.Q, Rt:= 1.2 ki1,Rc= 12k.Q, h;.=2k.O veh1• =75. Vee= 16 V kullamn.
'":' ':'

(a) (b) .. l: 18.6

VBB
6. g,,, = 6000 )IS, rt!= 36 kQ degerlerine_sahip bir FET'li faz kaydtrmah osilaror vc
R = 12 kQ'luk bir geribesleme direncinden olusan devre, 2.5 kHz'de 9a-
~i hsacakur. Bclirtilen osilator cahsmasi ir,:in RD ve C degerini secin.

7. =
R1 = 24 kQ, R2 75 kQ, Re= 18 kQ, R =6 =
kn· ve h1, 2 kQ'lik devre degerleri
icin, transistorlu faz kaydirmah bir osilatorunun S kHz'de cahsmasr icin gerckli
C kondansator degerini ve h1.,transistor kazanciru belirleyin.

8. t; = 2 klfz'de yah§ma icin Sekil J8.23'deki_gi!>i bir Wien k:oprti osilator dev-
resinin RC elemanlanru tasarlaym.
.,.
'
18.8.

9. ~ekil 18.26'daki gibi FET'li bir Colpitts osila,tQr,i ve a§ag1daki devre degerleri
icin osilasyon frekansiru hesaplaym: C1 = 750 pF, C2 2500 pF, L.= 40 µH, =
RG = 750 kQ, LRFe = 0.2 mH, Cc= 2000 pF.
PROB LEMLER
10. $ekil 18.27'deki transistorlu Colpitts osilatorii ve a§ag1daki devre degerleri
)i 18.2 icin osilasyon frekansrru hesaplaym: L = 100 mH, LRFC = 0.5 mH, C1 = 0.005
µF, C2 = O.Ql µF, Cc= 10 µF.
1. A= -2000, {3 = -1/10 degerlerine sahip negatif geribeslemeli bir yiikseltecin ka-
zanciru hesaplaym. · 11. ~ek:il 18.29'daki FET'li Hartley osilatorunun a'.?llgidaki devre degerleri icin osilasyon
frekansiru hesaplaym: C = 250 pF, L1 = 1.5 rnH, Li= 1.5 mH, M = 0.5 mH.
v

2. Bir yukseltecin kiizanci.lOOOdegerfoden %10 kadar degi~irse, yii~seltecin

/3=1/20 degerine sahip bir geribesleme devresinde kullarulmasr halinde ka- 12. ~ekil 18.30'daki transistorlu Hartley osilator devresinin a§ag1daki devrc
zan~ degi~mesini hesaplaym. ·; !

Borom 18 Problemler 881

BolOm 18 Gerlbeslemell YOkseltei;ler ve Osl!ator Devreleri
880
 degerleri i~in osilasyon frekansun hesaplayin: LRr-c "" 0.5 mH, L1 = 750
pH, L2 = 750 ;,H, M = 150 pH, C = 150 pF.

~ 18.'J

13. (a) Seri ~ah§an osilatortln ve (b) paralel uyanlan kristalli osilatorun devre se- . ·,.·: . ·:,) : ~ ,;::, ;

malanru yizin.

18.10

14. (a) 1 kHz'de ve (b) 150 kHz'de yah§acak tek jonksiyonlu bir osilator devrcsi ta-
sarlaym.

, Ortak-Ernetorlu Devre

h· - hii, -h·
" - (I + hp,) (I. - hro) + h"1, h;1, '\""

h,. = hu, h111, - h,1, ( I + hp,) = I _ h,,

(I+ hp,) (I - h,r,) + h.,1, h;1,

hi,= -h(I, (l - h,1,)- h0t, h;1, = -(I + ht,)

(I + hp,) (1 - hrh) + h,,h h;1,

hn, "" ht11, - hoc '

(I + hp,) (I - h,1,) + h,,1, h;i,

Ortak-Bazlr Devre
hu, = ----~"----- lu I;= h;
(! + hj,) (l - h~) + h;, h,,~ h;c h,u: - htc h,c

_ h;e hot - h,. (I + hfe) ~h[c (I - h,c) + h;c h11c

h,h- (I+ /ii,) (I - h,.) + /ii( h~, h;c h,ic - hJchrc

882 Btiliim 18 Geribeslemell YOkselte9ler ve Osllator Devrelerl 883

 Ortak-Bazh Devre
hfb = -hf, (I - hr,)• hie h~ _ hrc ( I + h{c) - hie h11c
( I + hf,) ( l -hu) + lu, hot h;c h,,c - htc hrc hi/, s -1!k__ s :!1k. ~ r,
1 + ht, htc

_____h-"""'"---- = __ .,_,h, ., '~- hrb = h;, hot - h,.. = hrc • I · h;., hoc
J + 11,. h1,·
(I +h1,)(I -h,,)+h;,h,,,
=
htc __:}Jfr_ = -( I + h1c) = - a
Ortak-Kol!ektorlii Devre I + ht, htc

...... hnb=~=~
l + hte hJc
h;c = h;h = h;,
· (1 + /y,,) (I - hro) + h"b h;b
Ortak-Kollektorhi Devre
h,c = I +.h(b_ . = l -hre
( l + hj1,) (1 - h,1;) + hob hu, h;c = _fuJL_
1 + hp,
= /3r,
h>' h;b - I ' - - (l + ly,) h,c= I
(1, + hj1,) ( l - h,1,) + h,,h hi!, - ~1
hfc=---=· ..:. /3
l + hp,
hnc = h.,1, - h,,,
(I + hJb) (I - h,b) + hoi, h;i, hoc=.~
l+ hp,

A.2 YAl<LA$1K

ortak-Emetcrlu Devre

hre = hit, h.,1, = - hrb

I+ h11,

hte=~=/3
1 + hfh

h,,,=~
l + hfb

EK A Karma Parametreler DiinO!}IOrme Denklamlerl (Kasln ve Yakla~1k} 885

884 EK A Karma Parametre1er DanO!}tllrme Denklamlerl (Kesln ve Yakla!}1k)
 V, (rms) = [V2(nns) - vJc]112
= [(v;, r -(~· nn
= Vnr [(})2 - (tYJ" 2

[~s) = 0.38V,,. _ ~~anm dalga) (B.1)

Tam dalga dogrultulmus sinyal iyin,

-.~ ~- . )
V, (nns) = [V2(rms) - vJc]1'2
. -," ! . = [(~r-· (2~·,rr 2

, .. = v, (L2 .A...),r2
112
.

L' (rms) = 0.308Y:_

I .
(tamdalga) (B.2)

F1.2 KONDANSATORLU FiLTRENiN;

8.1 DOGRUL TUCUNUN DALGALILIK FAKTORO DALGACII<: GERiLiMi
~ekil B.l'de gosterildigi gibi yaklasik olarak iiygen dalgacik.dalga §eldi oldugu var-
Ucrilirnin dalgacik faktorii· sayilrrsa (bakiruz ~ekil B.2): ·. . ' . . .. .. . . ..
r= sinyalin ac bile§eninin rms degeri
sinyalin ortalama degcri (B.3)

ile tammlanabilir aynca,

yazabiliriz
r= V, (rms)
Vdc

olar~k da ifadc edilebilir. DC duzey de iceren sinyalin ac gerilim bileseni

v, (p-p)

V, (nns) = [...L
2,r
r-
oldugu iyin, ac bilesenin rms degeri

U -,
din=
j
(i_2,r J2a
II
(v -
,
·
Vctc)2 d91112
'J
. Jiil
c: [i; C<v 2 - 2v Vdc + vJc)d9J .. j.._..j
. T .! .
Wt

4
= [V2 (nns) - 2vJc + vJcJ'f2 = [v2 (rms) - vJi'2 •·
-~--
Burada V(rms) toplam gcrilimin rms dcgeridir. Yanm dalga clogrultulmu§ sinyal icin !$ekil fl.I Koodansnt6rlU fihn, i~in ya~ta11k il{~en ~killhlolgac,k gcrilimi.

· 886 EK B Dslgahhk FaktotO ve Gerlllm Hesaplamalan . '887

 T=l.
f
V/(tei»-t~pe) ;,· ]k.: (B.7)
·. · · 2JC' ·
Wt
(B.5) ve (B.7) denklemleri birle§tirerek V,(rms)'yi buluruz:

V,(rms)= V,(tepe-t~pe) =~~ (B.8) ·

2V3 4V3/C V.,
~,·lH JU Dalgac1k gerilimi.. ....,
·1
Kondansatorun bosalmasi sirasmda Ctizerindelci gerilim degisimi B.3 Vctc VE Vm'iN DALGALILIK (r).ARASINDAKi iLi$KiSi
V111 gibi · bir tepe gerilimi saglayan bir transformatorden bir filtreleme kondansaton!
V, (p~i) = ldd T2 \ (B.4)
uzerinde btiytiyen de gerilimi Ile dalgahlik arasmda 8§ag1daki gibi bir ili~ki kurulabilir:
: c
r= V,(rms) = V,(tepe~tepe).
~ekil Bl 'deki ti9gen dal~ §eklinden l . Vdc 'ifi.Ydc/: .
~v',
r\TmS
) _.V,.
-
(tepe-tepe) (B.5) Vdc = V, (tepe-tepe)< V; (tepe1tepe)/2· · V, (tepe) _ Vm - Vdc
. 2ff 2V3r ·._·.. . . ff/ - ffr Dr
(hesaplarnalardan bulunmus, aneak gosrerilmemistir). Vm - Vdc = ff rVde
Sekil Bl 'deki dalga sekli aynnulanru kullanarak ~u sonueu buluruz: Vm = ( l + ff rt,.)V:.;.:d:;;.c·-----
c :·cc;·-· .
V,(tepe-tepe) _ ~ v .....
Ti T/4 v.:{··=
....J!£ I +V3.r
.·.· ,. (B.9)
Tt = V,(tepe-tepe) (T/4)
· Vm (B.9) denklemindeki iliski, hem yanm hem de tam dalga dogrultucu kondansatorlu
filtre devreleri icin gecerlidir ve grafigi ~~kil B.3'te cizilmistir, Ornegin %5 dal-
Aynea T2 =I.. Ti =I.. v, (tepe-t~pe) (T/4) = 2TV,,, - V, (tepe-tepe)T
gahhkta de· gerilimi Vde = 0.92 Vm veya tepe geriliminin % lO'u icindedir, oysa %20
2 --2 · V,; 4V,,,
dalgalihkta de gerilirni, tepe degerinin %25'ten fazla alnnda bir deger olan 0.74
(B.6)
. Ti= 2Vm - V, (tepe-tepe) I. ·. Vm'ye duser, %6.S'in alnndaki dalgahhk icin V<1c'nin, V,,,'nin %10;un ieinde olduguna
,: v,. , 4 dikkat edin. Bu dalgahhk degeri kU~ilk yiik durumunun smmm ternsil eder.
(B.3) denklemi .,
.. r
••
Yde -
_2Vm-V,(tepe-tepe)
_
8.4 V,(rms) ve v; iLE DALGALILIK (r) ARASINDAKi ili$Ki
2
Hem yanm dalga hem de tam dalga dogrultucu kondansaror filtre devrelerinde V,
olarak da yazilabildigi icin, son de~lemi (B.6) denklemiyle birlestirebiliriz: (rms), V,., ve dalgacik miktan arasmda da a~ag1daki gibi bir iliskl kurabiliriz:
V, (tepc-tepe) V,. _ Vdc
T2=~T.
2 v, 2
. ·t .
V, (tepe-tepc)/2 V,.. - Vdc _ I • Vde
bunu (B.4) denkleminde yerinekoyarsak Vu, I

V, (tepe-tepe) =' Ide

C
·(vv, I.)2
de V3 V,(rms)
1
_ v110
V,,. v,
888 ': EK ai Dalgahhk FaktorO ve Gerillm Hesaplamalan EK B Dalgahhk FaktorO ve Garmin Hesa~la;,.,a,an 889
(B.9) dcnklcmini f,•ti!an:,r:,~

V,(nns) I
~-1+.,/'J,
200

X J0-3 100

so

. {

'.,:.,··!·:
• ;!. \ (~}
~1·i,i! i<.~ %r'nin fonk,iyonu ol•rak {Yr (rm,)(Vm)'grofiJi.

. . :)(
V, (rms) = V,(rms) = r (kii9iik;~,
v; vd·c
0 s IS 20 %,
Dllf{lkyOk __J ve dalgalrlrk $ %6.5 icin V,(nns)/Vm = r kullanabiliriz.
~<6.S%) I I

11.5 DOGRUL TUCU J<ONDANSATORLO

, _; 1·._l_n11, · _ 1 _ -~--
Fil TRE DEVRF:LERiNDE iLETiM
v, l+Y3r 1WISI, % DALGACII< VE l1ep,!/<1c
V,(rms) _ _J_(i -_L_)=J_(l +fir-!) ARASINDAKi iLi$Ki
V,. Y3 I + fir fi I + fir
~ekil B. I 'de, diyotun iletime bll§lad1g1 9 a91sm1 ll§agidaki gibi hesaplayabiliriz:
$,ckil B3
V, (rms) _ __L_ (B.10) v= Vmsin 9= V.n- V,(p-p) den
V., I+ fir
(J I = . -I
Siii
[J -
V, (p-p)] ,
v,., :
(B.10) dcnklcmi §Ckil B.4'tc 9izilmi§tir.
Dalgahhk, S %6.5 i9in Vde degcri V,,,'nin % 10 i9inde olacag1 i9in, (B.10) denklemini ve V, (rms) = V, (p-pl2fi degerini kullarursak

EK B D•lg•lll1k F•kt6!:(l ve Gerlllm Hosaplaffllllan EK B Dalgahflk FaktorO ve Gerillm Hesaplllrnalari

89.1
 V, (tepe-tepe) 2,fi V, (rms)
v, v...
1 _ V, (tepe-lepe) 1 _ 2f3 V, (rms) = I. _ 25 (-r-)
elde ederiz, boylece V.., V,,. I+ Dr
_ J..=.ili
- J + fir

- . 1 , ~M-
ve 91 = sin· ..!...:....L2L (B.11)
. l +:fir
- ---;
e. iletimin ba§lad1g1 acidir.
RL ve · C paralel empedanslarryiiklendikten sonra alam sifir oldugu zaman

7
oldugunu belirley~bilir~C ifad~sini is a~ag1daki gibi elde edebiliriz:

r= V, (rms) '-- (IdJ4fiJC) (V<1c/V.,) = VdclRr. _1_

Vdc Vdc 4Y3fC V...

= VdcfVm ~
2
~(T.;&) 0 5 10 15 20 25 %r

4,fi JCRL 4,ff mCRL

WRLC = ;. · 21r •, = _M.Ql_
Boylece
~1-(1 +f!3r)r r(l+ fir)
Dolayisryla iletirn 01 = sin·1 (.£:.lli)
I +V3r
8i=1l'·tan·l 1.814
r[I +V3r)
O,-=fh-01

(h = ir- tan. I 0.907 (B.12) ftepc 180° f1epe · 360° .

(l + ff r)r -=--(tam dalga):-. =-- (yanmdalga)
Ide o; l,J,; Oc
acismda durur, (16.lOb) Denkleminden

=.I_:
;

lr,,pe = /1cpe 180o' (tam dalga)

Ide l<1c T1 9 (B.13a)

'' 360° .
=- (yanm dalga)
. e
<
Hem yanm hem de tam dalga yah§mas1 iyin dalgahligin bir fonksiyonu olarak
///dc'nin bir grafigi ~ekil BiS'te verilrnistir,

EK B ' Dalgalthk FakttirO ve Gerllim Hesaplamatan EK B Dalgahhk FakttirO ve Gerllim Hesaplamalan 893
892
 .! ~f.

"

iJ'
" .i·. .I'!

, , ' " '/;, · rl,:1.: 1Jrnt'fi)t;~J~~

i-' ! ,. I • '' I

. ,/ .; · 1
. ·.; !
I.'
p ;,.·; , +i,· .. ~-, . , .. y{, 1,11,! , : t'Ff\.iv ·;y1J ..?, t,,i. ~. jl Qt'";i~
. . ·~ (

DOLOM 1
TABLO
·: .t;
C.1 Yunan
,
Alfabesi
. .'
veKullaruldrqt
.. -·-
Verier ..
=
1. 6.4 x 10-19 c i9. o.3 v 21. 56.4 mA is. 30 n 21. ion 29. Rdc = 40 n,
.. rac = 2 n 31, Rd<:= 800 n,r.., = 333 n 33.(a)V.j., r.,;,,
ideal diyot (b) IR= 17.l
Adi BOyOKHarf ', Ka9ok Harl Kul[~mld1g1Yer/er;
mA, VR = 3.762 V 37. (a) 0 V: 3.2 pf: 0;25 y: 9 pF ... 39; 0.2 V: 3.54 ldl; -20 Vi
a/fa A a Ac;1, alan, katsayi =
44.25 ldl 41. -75°C: Vo 1.7 v, ls= OJ µA, +25°C: Vo= L3 v, ls= 0.4 µA,
beta B . i fJ Ac;1, akryogunlugu, katsayi =
+100°C: V0 0.98 V, ls :LO µA, +200°C: YD= 0.64~V..~s 2.2 µA 43. P0m.1k, = =
gama
delta
r '.:,:. r
.0
'lletkenlik,ozgUI ag1rhk
Degi~im, yQg.unluk
=
200 mW, Pomo1,:, (ters ongerilimj HfµW 47i26.54 ldl ~9. 628.93 mA 51. (a)
2.3 «vrc: (b) 46.0 mV 53. 493 n 57. 240 mW 59. 320 mA, l V
ll ..
epsilon E'··· E Dogal logaritma tabant

'
zeta z Empedans, katsayi, koordinat
eta H µ Histerezis, katsayr, etkinlik
I teta e 8 Sicaklik, faz ac;1s1 BOLOM ·-:'
iota I
v;
L
kappa K· ' K Dielektrik sablti, suseptibilite · r, (a) -4.3 V, 0.915 mA: (b) 4.75 V, 1.039 ma 3. (a) Yn, = 11.3 V,,2 0.3 V =
lamda
mii
A: A,
µ
Dalgaboyu · .
Mikro, yUkseltme faktorU, gcc;irgenlik
(b) V,,1 = =
·9 V, V02 -5.4 V S. (a) 9.7 mA , .. (b) 14.6 V, l.893 mA _7. 4.65 Y,
M
nii v RclUktivite 2.325 mA 9. 9.3 V 11, 10 V . 13. -0.7 Vi 17. Vm = 155.54 V, Vdc = 49.462
N
ksi :;:; .
~ V 19. (a) 20 mA (b) 36.74 mA (c) 18.37 'mA (d) Daha az (e) 36.74 mA >
omikron 0 0 .. 20 mA 23. Yn, = 4.3 V, Vc1c = l.367 V 25. (a) 0 V, -3 V (b) 20 V, 5 V 27. JR
p! .. np 11: gembcr c;evresjnin c;apma oraru ~ 3. I 416
:ldirenc; =
(pozitif tepe) = 0.4 mA IR (negatif tepe) 0.2 mA 29. (a) 28 ms (b) 5t » 0.5
• f(I
p
sigma 1 a Toplam i§areti ms (c) -1.3 V, -21.3 V
lo T 1' Zaman sabiti, zarnan arahg1
upsilon y I'
Ji <l> ~ Manyetik akr, ac;1 SOLUM 3
ki x x-
psi
omega
'I' YI
Dielcktrik akrsr, faz fark I
Bilyiik harf': ohm; kilc;iik harf: ac;1sal hrz
J, %0.053!°C 5. = 13 0 7. (a) Vt.= 9 V, It.= 50 mA, fz= 0 mA, /R = 50 (b) VL
.Q m
894 895
 =
;,. 10 V, fi = 21 mA, Iz 24,mA, l«l=' 45 mA {c) 21& (d) 220 U 9. V;min = l l.309 Artar 29. Vi>i,;,,
. 336V
. ·. '31. Vos= 1:8 V· 33. Azahr(/0 = 4,86 mA) 35. VosQ
V v. = 15.826 V 15. 47.5°C dii§iik akim diizeyleri 17. 0--? 2 V: %33; 8 ~ = 9.6 V 37. K = 0.25'mAN 39; VvsQ =·8.1 y 4L Vos= 2.48.Y 43. loss =
l~ v'to/:5.4 19. {a) 27 pF {b) -8 V: 2 pFN; -2 V: 9.25 pFN 21. 6.67 23. Dii~Uk 9.37 mA, Vp = -3 V 45. Rs= 390 Q, R0 = 3;61 kQ {3.6 kil kullanihr) 47. Ro=
=
duzeyler 29. 3.97 x 10·19 J = 2.48 eV . 31. 350 ;,A 33. 42.5 V 39. Ye§il 41 2.39 kQ (2.4 kQ kullamlir) 49. Vasa =·~Z.61 V 51. /0 = 1.32 mA 53. Vos= -
(a) 0.77 45. 2.3 v 47. {a) 36 mA (b) 54 rnA 59. 20 kf.l 61. 90 n 2.43 V

SOLUM 4 BOL0M8

9. 7.92 mA 11. 25 13. (a) 4,95'.mA :<b) 3 mA (c) 800 mV 17. (a) 114.3 9. Evet, %4.227 11. Hayir, %14.529 13. (a) iOO ,,s
(b) 20 µS 15. (a) 10 x
(b) 0.991 (c) 30011A1 (d) 2.62.JiA 23. 0.972 27. (a) 3.3 mA (b) 28 V (c) 10·4 (b) 15 x 10-4 17. f3 = 100, r,· = 7.88 (i 19. (a) %66:7: · (b) %50 (c)
25 µA 29. (a) 4.57 mWf'C (b) '.t,714 W (c) tyi bir empedans uygunlugu 31. %150 21. {a) 2,,s (b) Evet 23. (a) 5A x 10-4 (b) Hayir
(a) 7.5 nA (b) 1.5 µA' (c) 0.267 nAf'C
B6L0M 9 ., /
SOLUM 5 I

l = =
1. (a) Z, 0.5 kn. Z,. 5.1 kn, A,.= -612, A;= 60 (b)Z; = 0.5 kQ, Z,, 4.628 kQ, =
1. Ve=7V 3,le='>~mA, Va~6.06V15.Re=3.19kn(3.3ld1kullan1hr) 7. A,.= -555.36, A;= 54.45 3. (a) 18 ;_ 23.85µA;lc = 2:385 mA, r, = 10.9 Q •
Vee= 4.77 V 9. /3= 19:4,9 · 11. 'Ve£= 13.88 V 13. R8 = 445.161& (430 ld1 kul- =
(b) h1, = 100, h10 = l.09 lill (c) Z; 1.09 kn,Z~ :4.3 kn, A,.= -394.5, A;= 100
larulir) 15. V = 0.637 v.v. =6.47 V,E8= 2.07 V 17. /8= 13.05µA, Ie=0.914 (d) Ay = -355.96, A;= 90.29 5. Vee= 30.66V 7. (a) Z;=: 118.37 kn, Z,, 4.7 kQ, =
mA 19.le = ~.383 mA, Vee= 5V: 21. Ven= 7.14 V 23. Vc'deki degi§iin oraru = A,.= -3.87, A;= 97.51 {b) Z;= 118.37 kQ, Z0 = 4.296 kO, A,.= -3.54, ·
%10.1 25. Re= 5.9 = 5.91& (6.2lill kullamhr) 27. Ve= 8.66 V 29. Ve= 18.03 =
A;= 89.07 9. (a) r0 = 7.075 Q (b) Z; 74.71 kn, A,.= -371.17
V 31. Re:::: 9.4 kn (9;11& kullantlrr) 33. Vc'deki degi§im oram = %9.75 35. Ve = =
(¢)A,.= 61.89 11. (a) Z; 231.4 kQ, Z0 33.5 n, A,.= 0.994, A,.= 41.074
= 7.42 V 37./c'deki degi§imoraru.=%3,8.35= %38.35 39. Ve= -11.4 V 41. VCE =
{b) V" = 0.994 mV 13. (a) r, = 33.776 n (b) Z; 33.40, Z" 4.7 kU, =
=20.18 V 43. Ve=-6.375V · 47:fic= L7ld1(1.6 kn kullaruhr) A,.= 140.72,A; = 1 15. Z;=0.632fn,z,,s (.664'kn,A;.=-207.35,
49. RE= 360 n,Re= 1.64 kn (1.6 kn kullaruhr), Rs= 310 ill {300 lillkullamhr) 51. =
A,.= 73.95 17. (a)'r, = 13.2 Q (b)Zi :i 0.511 kn, Z0 3.83 kn, A,= -29.25,
RE= l.069 kn (LI kn kullamhr), Rs= 1.66 x 106 (l.6 kn kullaruhr) 53. Re= 4.8 kn A,.= 38.37 19. (d)A,. = -1833,A; = 25.354,Z;:i40.76 kQ, Z,,:: 2.16 kn 21. (a)
(4.7 kn kullaruhr), Rs2 = 9.6 kn (10 ld1 kullamhr), Rs1 = 51 kn A, ..,= -30. I, A,.= 25.67 (b) A,,= -121.88, A;= 56.6 · 23. {a) A,.s = 0.95,
=
A,.= 35.243 (b) A,. = 0.997, A,.= 70.518 25. {a) Z; 0.459 kQ,. Z0 4.924 kQ, =
B!)LUM6 = =
A,.= -590, Av= 53.22, A1, = 31.4 x 103 {b) Z; 0.5 ill, Z0 5.1 kQ, A,.= -612,
A;= 60, A1, = 36.72 x 103 {c) A,.,= -231.66, A,.= -342.69, Z; 0.459 kQ, =
1. (a) [0 = 3.556 mA, (b) /0 = 8.mA, (c) /0 = 0.889 mA 3. Ves = 0.628 V 5. =
Z,, 4.924 kQ, A;= 23.989, A1, = 8.22 x 103 (d) A,.,= :242.68; A,,= ~349.68, .
Vp = -5 V 7. Vas= -1.5 v. 11. grno = 3.556 mS .· 13. Vp = 3.692 V 15. gm= 2.5 = =
Z; 0.5 kQ, Z0 5.1 kn, A;= 25.74, A1, = 6.25 x 10:! n. {a) A;.= .138.16, 'A;=, I,
· mS , 17. Vp = -3.966 V, g111 = 2352 µS ·19. gm= 4.53 mS 21. g111:= 3150 µS 23. ,=
Z; a 34.24 Q, Z,, ::4.56 ill, A1 138.16·· ·{b) A,= 140.72; A;= -1, Z1 33.4 fl, =
8m,,=.6000µs 25•. g111=8mS 27.Vr=3V 29.Vr=3.33V =
z() 4.7 lill, A,,= 140.72 (c) A,.,= 79.3Q5, A;= 81.735; Ai= -0.409, Z; 33,4·n. ' =
Z,. ::4.7 kil, A1, = 33.43 {d)A.,, = 11.91,Av = 83.204,A1 = 0.409. Z; 33.4 U, =
SOLUM 7
=
Z" 4.7 kQ 29. {a) R1 = 1.815 kQ, A,.= -66.59, R,, = 2.131 k!l (b) A,.,= -30.1,
aym~oziim.
1. Vo= 13.56 V · 3. Ro= 7.2 kQ {7.5 kQ kullamlir) 5. Vas= Vee= 1.32 V 7.
BOLOM 10 .
Vs = 2.8 v 9. Rs = 562 n (560 kil kullamhr) 11. Vs = 2.8 V 13. lo = 1.7
mA 15.Vos=3.77V .11.Rs= 140.6Q{l500kullamhr) 19. Vos=0.6 21. =
1. A,.= -4.392 3. A,.= -3.301 5. A,.= -6.761 7. V" -0.33 V rms 9. V11 = 224
Vos= 2.2 V 23. Vos= 9.11 V 25, Ro = 2.42 kn (2.4 kil kullamhr) 27. mV tepe 11. V0 = -353.25 mV iepe 13. V0 = -737.786 mV tepe 15. R; =so=

~~llml!J Tek Numarah Ah!}t1rmalarm Cevaplar1 Se~llml!J Tek Numarah Al1!Jl1rmalarrn Cevaplar1 897
896
 19.A;. ::i 8.2 2L
750 k!l, R,, =Ro::: 3.3 k.O'. V;,;= 344.5 mV tepe -17.A;:=~7.24 0 Mfl 13. CMRR = 5L 126 dB 15. Ad::: 172, Ac= 0.355 x 10\ CMRR = 113.7
V" =
333.3 mV 23. V~ = '311.6 mV · '.25. R;,, = 76·.9 n '127. V" =·72.4 mV dB =
17.R; = 10714 k..Q 21. V0 = 0 V. 23. V" -tz Y 27. t, 1.667 mA =
rms 29. A,.= 9.18 31. A,.= 6.89 33. V0 = 1.026 V rrns 35. Rs= 150 n 37.
=
Ro= 6.8 kQ, Rs= 1.5 k..Q 39. C; 40.185 pF
BOLUM 1G
BOLUM 11
1.,. = %2.8 3. v, = 22.4 v 's, v, = 1.233 v, 1. vd,:: 16.958 v
1.(a) A;r'= 80, A,r::: 160- :(b) A,,= 12.65, A;= 8.94 3. z.«1.31 kn, z, ,d.3 kQ," 9. r = %0.96 11. v, = 1.663 v, Vc1c.,, 12 V- J3. Vde= 22.22 V, r = %7,201 15. v,
= = =
A,.7= 5968:4; A;7 3553.91"iA;r'= 21.2 x 106 . 5,Z; 13.85 k..Q, Z,, 24'.Sl, . · = 1.6 V 17. h = 73 mA 19. V.R. = %32.01 -, -23. V.R. =· %5.263 25. Akim re-
A,,1 =. -2, AV2 ='l, A.,7 = -2; A;7 = 27.7 7. Z;·~ 1:19 kQ, Z,,"l: 10 kn, A,.1 ='-0.779, giilasyonu = %~. · 27. Rsmln = 307.697 0 2g. (a) .VL = 10.7 _Y (b) TL = 2.675
=
AV2 -21.61, A,T= 16.83,'A;f°=·:35_:76 Ar.r= 601.84 9. A,.1 = i.10.486, A,.:/= -'2.3i8, mA. (c) Ir.,.= 4.65:mA (d) I:= 44.61 ~A, le= 2.23 mA. -33. V~,k·~ = 10.805 V .
A,'7=24.307 11.a=20- 13,Ai2'=1lV,Vo2=l 1.7V,Ve,=l:716V,'
0 • . =
35. v = %5.485 37. (a) Vtk 13.749 v.: · (b) ~r (tepe) = 1.247V · i ··· ·
Vo1 = 2.416 V 15. (a) r~1 = 4.828 Q, r~ = 6.976 Q (b) A,r = 455.71, V0 = 4.56
= =
V (c) Z; 222 c, Zn= 2.2 kQ 17. A;= 843.75, Z; 1.012 MO, Z,. 2.2 kQ, = SOLUM l7
=
A,.= -1.834 19. A;= 2006.98, Z; 310.1 k..Q, Zn= 2.2 k!l, A,.= -14.664 21. 12
;= =
dB 23. (a) dB, = 21.05,"dB2 = 42.l, dB3 = 56;84 · (b) A,.1 11.29, A,'2 l2i:35} 11. <;oziinUrliik = 2.44 mV 13. 4096 Sayim adinu 15, C 640 pF = 19. Frekaris
A.-3 = 691.83 25. (a)fi.s = 85.'61 Hz./J;35.78Hz (b) A,..;ri~ = -2.08 · · =
arahgt 42.47 kHz 21. fn = 63.83 kHt: 23.Ji = ± 85.H kHz,
(c}fH; = 9.75 MHz,f,1"= 8.52 MHz 27.A~,= 160 x 103 29./1 = 92.17 Hz
31. GBW = -50 33. A,.= 4.445 x 106
BOLLIPv118
BOLUM 12
l. Ai= 9.95 3. A1 = 14.286, R!I = 31.5 k.!l'.
Ro/= 2.381 kfl 5. Re devreden ~1-

· 1. P; = 15.1875 W, P0 = 312.5 mW 3.-maks P,, (ac) = 0.582 W 5. R'l = 2.5 karllm1§ (kopriilenmi~): A= 450, R;=2,k..QRJ=12 kQ ve R~ dcvrede: ·
kn 7. 11 "' 44.72/1 9. n ~ %37:04 17.-:(a{P0 = 28.125 W (b) P; = 50.643 =
A1= 0.998, Rif= 90.2 k..Q,R,1 12kQ 1.h1, ~44;61'·,..9.J,;= 1.048 MHz
=
W (c~n %55.536 (d)PzQ=22.518 W 19. (a)n= %35.8 11.f,, = 159.155 kHz i·
;'
.""'-.
(a) n =;o/064.2 21. P0 = 25 W 23. Po,m.i:s = 3 W
"\

SOLUM ' 13
=
5. (a) T = 25°C, /G > 40 mA i~in Evet (b) HayJT (c) Hayir, minimum 3 V (d)
=
6 V, 800 mA, mUkemmel ve 4 V, 1.6 A: hayir 11. 0.7 mW/cm2 (b) %81.25
orarunda azalma 17. (a) R82 = 1.08 kO (b) R88 = 3.08 k..Q (c) VRoi = 13 V
(d) Vp = 13.7 V 19./8=27 JtA,lc= 1.08_mA 21. (a) %0.67!°C (b) Evet
23. Oran=0.471,evet 25. (a)/c=2mA (b)Rl1 :Rl2= 10:1, t_,1: ,,2 = 4.4:1
= = =
'.,2 4.4:J 27. z,, 87 kn (acrk devre), Z,, 181.8 n (kisa devrc) 29. (a) Ever,
V08 (min)= 8.18 V (b) R < 2 k..Q (c) R = 1.82 kn

BbLOM 15

5. Ve= 7.84 V 7. R; = 7.8 kQ, R,,::: 15 k..Q 9. Ve= 11.438 V 11. Rn= 3.496

898 S~_llml~ Tek Numaral1 Ah,11rmalarin Cevaplar1 ~limit Tu NumaJall Ahtt•rmalarm Cevaplari 899
A 8
AC direnc (diyot), 20-24
Acil aydmlatma sistemi, 540
Ay1k devre, 56
Akim diizenleyici, 696
Akordlama diyotlan, 110-13
Alan etkili LCD, 132-34
Alan (zon) incelmesi, 37-38
Alarm devresi, 542-43
Alasrm fonksiyonlu transistor, 172
Alfa, 151, 160-617
Alier atomlan, 8-14
Analog-sayrsal donii~tiirme, 717
Angstrom,117
Anot akirru kesirni, 532
Antilogaritma, 449-51
Arabirim iizerinden baglann kurma, 733
Atesleme potansiyeli 19, 555, 572
Ayak-murn, 118-21
Azinhk tasiyrcrlan, 9-14, 31,149-50
Band frekanslan, 476-78
Band geni§ligi, 455,476-78
Bag1ms1z kaynak, 53
Baglama kondansotorleri, 426-33
Bardeen, John, 147
Batarya-dolum diizenleyicisi, 538-39
Baz, 148-49
Bcl,447
Bell, 160-61
Beta, 160-61
Bilgi analizi 286·
Bilgiisayar destek.li tasanm, 591
Bilgisayar analizi, transistor ac analizi,
375-80
BITier (bkz. transistor)
Bode graflkleri, 458-76
Boole cebri, 61
Boslanlnus bolge, 12-14,30,110,587
Brattain, Waller H, 147
901
Buharlasurma islemli IC'lcr, 602-5 DIYAK, 549-51 Yakum Liibii, 147 Transistor, 298-324
Buyuk sinyal tepkisi, 298 · Diyodun dinamik direnci, 20-24 Varakror, 110-13 Tiincl diyodu, 115-16
Biiyiltulrnus jonksiyonlu diyot, 40-41 Diyot, 1-121,125-30 Zener, 94-104 UJT,554
Btiytittilmti§ jonksiyonlu transistor, l 72 ac direnc, 20-24 Diyot modellernesi, 25-29 Varaktor diyodu, 111
VE/VEYA kapilan, 61-64 Diyot uygulamalan, 52-93 Zener
c Diziler (IC'Jer), 45-47 Dizi, 45-47 E§ik Gerilimi, 19
Ortalama ac direnci, 24-25 Dogrudan baglamah yuksehecler, 435-37
CAD, 591 Karakteristikler, 12-18 Dogrultrna F
Calma sisterni, 591-594 Yapi, 12-14 Dogrusal IC'ler q69
CMOS, 247 de direnc, 19-20 Dogrusal-Sayisal IC'ler; 707 Fark yiikselteci, 351-53
CMRR, 635, 651 Yayilma kapasitesi, 30-31 Doyma, 155-56, 158, 181, 185, 194 Diferensiyel yukseltec, 610, 616
Czochrolski teknigi, 38039,41 Yayrlma akirm, 29-30 Duzenrcyici, 103-4, 122 ac cahsma, 619
<;ah§ma nokrasi, .180, 202 Siiriiklenme akirm, 29-30 Sabit akim kaynagi, 623,625-627
r:
<;ekirdek, 3-19 Dinamik direnc, 20-24 '- Sayisal/Anolog donii~tUriici.ilcr, 715
Cift taraflt plastik govdeli paket (DIP), Surukleme aknnr, 29-30 <;ift uclu, 614
174-75 Katktli malzcmeler, 7-8 Eksenel t§tk siddeti, 126 Diizey kaldirma, 631
<;1g akirru, 17 -18 Fonksiyon, 37-44 Elektriksel, t§ilmada, 125 <;tk1§ katr, 631
Cok kath sistemler, 424-46,476-80 Ileri yonde dirnec, 11 Elcktron, 3-19,29-30,105 Tek uclu, 611
Bode cizimlcri, 458- 76 & Genet karakteristiklcr, 1-5 Elektron akisi, 152 Faz kaydmna, 456, 461-62
Kaskat, 437-39 IC'ler, 589-90 & ideal, 10-12 Elektron-vclt (ev), 5-6 Faz kilitlemeli dongu (PLLL), 727
Darlington, 439-46 LED'ler, 125-30,134 Emetor, 14849 Uygulamalar, 729
Dogrudan bagh, 435-37 Uretirn teknikleri, 37-46 Emetor iz!eyici duzenlerneli transistor, : Temel PLL calismasi, 728
Frekans etkileri, 476-80 Modeller, 25-29 340-45 Faz sirun, 756
Faz kaydrrma, 456 n tipi malzerne, 7-8 Enerji duzeyleri, 5-11 FET -,
RC baglamah, 426-33, 478-80 Notasyon, 36 Enerji - band §Cmas1, 8-14 ac e§deger-,devresi, 390
Transformator.baglamalr, 433-35 ohm olcer kontrolii. 36-37 Entcgrc devre (IC), 45-47,174-76, 58!,609 · ac kiiciik sinyal calismasi, 391
<;ogunl~k tasiyrcilan. 9-14, 31,105)49- p tipi rnalzeme, 8-12 Dcvre elemanlari, 586-91 Yukseltec, 399, 478-80
50 i Paralcl diyotlar, 59-61 Tarihce, 581, 609 Yukseltec tasanrm, 409
Fotodiyotlar, 117-21 Yal1l1m yayilrnasi, 600-2 Karakteristik, 228, 232
D Gii,;:, 113-14 Maskeler, 591-95 Bilgisayar analizi, 416
Tikanma suresi, 31-32 tcktas IC, 584-86 Ortak kap; devresi, 407
Dalga boyu, 117-20. 126, 129 Ters direnc, I VEDEGtL kapisr, 595-606 Yapi, 228
Darlington yukseltec, 439-46 Schottky engeli, 104-9 Foto basim islemi, 598-600 Yiiksek frekans etkileri, 414
DC direnc (diyot), 19-20 Seri, 52-59 silisyum oksirlcme, 597-98 Giris kaynag; direnc yiil<lemesi, 400
Deforest, Lee, 147 Seri-paralel, 59-61 Epitaksiyel biiyiime, 42-43,173- 74, 596-97 JFET,228
Dclik, 8-14,21 Schockley, 548-49 E§dcger devrcler Yiikleme, 404
Desibcl, 446- 78 vcri foyii, 32-36 diyot, 25-29 <;1k1§ yiiklemesi 398
Dielektrik sabiri, 587-88 Sicakhk etkileri, 31 Schottly diyot, 107 Kucuk sinyal analizi, 388
Dinarnik yayilma, 131 Ge\'.i§ kapasitansr, 30-31 SCR, 531-32 Transfer karakterisrigi, 232, 235
Direnc (IC), 596-87 Tiinel diyodu, 114-17 scs, 541 Filtre, 103,670

902 indeks indeks 903


ac cahsmasr, 681
Aktif, 658
Band geciren, 661
Kapasire, 672
de gerilirn, 676,680
Yiiksek geciren, 660
,,,(.
Alcak geciren, 658
RC, 678
I •.
Dalgacik faktorii, 670,672
Dalgacik gerilimi 675'1
Gerilim duzenlernesi, 670. ·
Fleming, J.A, 147
Fotobastm islemi, 598-602 · <·;
Fotodirenc, 598-600
Fotodiyctlar, 117-21 . ·· \
Fotoiletken hiicre, 121-22"- ·. · · · ·
Fotoiletken hiicre, 121-22 ~"'\_:;!
Fotonlar, 117, 119, 122-25; 134;
Pototransistor, 565-66
Fotovoltaj gerilimi, 135°38
Frekans bozulmasi, 745
Frekans etkileri, 453-80'
G .. ·=~
Ge9i~ kapasitansr, 30-31, 110:13, 472,
1 Zahiri toprak, 640
587-88.
Gened:ing~rilim egrisi; 283 · · :.! i
Geribeslemeli yukseltecler, 738 :. ; . '.
Akim gerioeslemesi, 743,:-:,.· .. z
Akim seri geribeslemcsi, J50 · ., ... i
Kazanc kararhhgi, 746 · · '.
Faz, 754 ,.·,. ·
Pratik devreler, 747 ·
Seri geribeslerne, 741
Paralel geribesleme, 742.
Gerilim gcribeslemesi, 743
seri gerilirn, 739;740,747
paralcl gerilim.141,752
Gerilim 9arp1c1, 684
904
Kanal-kaynak doyma akirru, 238
Gerilim 9iftleyici, 684
Kandi!, 126
Gerilim duzcnleyiciler, 687
ideal diyot,10-12 Kapasitans sicakhk katsayisi, 111-12
IC,697
Termistor, 688
iki kapi teorisi, 302~8 Kapasitans
iki kutuplu fonksiyon transistorii Kenetleyiciler, 81-86
Transistor; 692
(bkz.transistor) Yayilma, 30-31, 472
Zener, 688
iletken, 6 Miller, 470-76,480.
Gerilim kontrollii osilator (VCO), 724
ince film IC, 606, 608-9 Parazitik, 470,476
Gerilim ii9leyici, 686
induktor (IC), 588 geyi§, 110-13,587-88
Gennanyum, 2-19, 38-43.
iyon ekimi, 601-2 Kablolama, 470,476
Gerrilim bdliicti ongerilim, transistor,
Iyonizasyon potansiyeli, 4 Kaptdan kapanabilir motorlar, 544, 45
331~35
1§.lemsel yukseltec, 638 Kapi-kaynak bagrnasi, 238
., Gcvseme, 547-77 .
ac elektriksel parametreleri,_653 Kapi-kaynak bozulma gerilimi, 2_39
Gevsemcli osilator, 574-77
Uygulamalar, 655 Karakteristik (logoratmik),449-50
Giacoletto mode!i'472
Sabit alum kaynagr, 656 Karanhk akimi, 119-20 ·'
Grafiksel analiz
Sabit kazane earpics, 641 Kararlihk faktorti, 181- 212
BJT,201
Turev ahci, 647 Kararsiz, 719
FET, 252
Integrator, 644 Kare dalga ureteci, 104
GTO (bkz. kapidan kapanabilir anahrar)
Terslemeyen yiikseltey, 642 Karma esdeger model, 170-71,300-
Gii9 diyotlan, H3-14
Parametreler, 650 308,313-2 l ,325-80
Gii9 kaynagr, 695
Pratiksel, 647 Karma IC, 609
Gunes hiicreleri,-134-38
Degisirn hizr, 654 Karma parametreler(karma esdeger
Glines hilcresi, 134-38
Spektrurnlar, 649 modele bakm)
r Toplayicr yukseltec, 643 Karma pi modeli, 472
H
Birim izleyicisi, 640 Karsrlasnnc; birimleri, 708
Kaset adreslemesi, 582, 601
h parametreleri (bakm karma e~deger
devre)
J
. Kaskath FET yukseltecleri, 478-80
Kaskatli yukseltec, 478-39
Hat genisligi, 584
Katkilarna, 3,7-IO
;1 H1z etkisi, 543
JFET,228 Katkihmalzeme, 7-8
Kayan alan teknigi, 38-29
· ·,
K Kazanc karnrhhg1, 746
Kazanc smm, 756
Isurcr kontrolU, 539-40
Kayak akim, 105-6, 150-51,153, 171 Kazany-bandgeni§li@ylllpunt, 476,478,480
~lk akJ§I, 118-20
·~;~:;;;:.i~~:er·k¥~io1· ;~5·f £i~~tii\.t!~lf1M
Kafes, 3 Kenetleyiciler, 81-86
Istk polarizoru, 132-1. 34
I§tk tesirliligi, 126 ·· ·
Isik yayan diyot; 125-30, 134,566-71
1§.tkla etkin olan SCR, 545-48
Kanai gelistirmeli MOSFET. 266 Kesim frekanslan, 454-55,469,476-78
Kanal-kaynak direnci, 240 Kirprcrlar, 72-81
indeks indeks 905
Kisa devre, 56 Karakteristikler, 240 Hartley, 767 Kapidan k.apanabilir anahtar, 544-45
Klasik akis, 9,152 Yapr, 240 IC faz kaydirma, 762 Isikla etkin olan SCR, 545-48
Kollektor, 148-49 Kanai ayarlarnah, 240 Paralel rezonant, 771 Programlanabilir tek jonk.siyonlu
Kollektor de geribesleme duzenlemesi, Kanai olusturmah, 242 Faz kaydirma, 759 · transistor, 571- 77
348-53 6n omik oyulmasi, 602-3 Shockley diyot, 548-49 ·
Kollektcr geribesleme . duzenlemesi, N 6ngerilimleme, betadan bagrmsiz, Silisyum kontrollil dogrultucu,529-40
. 353.57 . 190,209 Silisyum kontrollii anahtar, 541-44
Kondansator (IC), 587-88 n lip malzeme, 7-14, 30-31, 41-43, 104·5 BJT, 179 TRIAK 551-53
Kontak direnci, 16, 29-24,472 Negatif direnc bolgesi, 115-555 . BJT Tasanrru, 206,209 Pozitif sicakhk katsayisi, 5
Kontrol izgarasr, 147 Negatif sicaklik katsayisr, 5-139-40 bilgisayar 9Bziimti, 216 Pratik olarak., 700
Kovalent bag,4,19. :· · _ Ncmatik sivi krisral, 130-31 . Emetor direnci, 186, 207 Programlanabilir UJT, 550, 571 •77
Kopril dogrultucu, 67769,539-40 Nokta kontak diyodu, 43 Kanal gelistirmeli MOSFET, 266 Projeksiyon basirm, 599
Koprulenmemis emitor engerilim .. Nokta kontak transistoril, 171 • 72 FET Tasanmi, 250 Proton, 3-19
diizenlemeli transistor, 335-40 Notron, 3-4 Sabit ongerilimlerne, 182 PRV, ters tepe gerilimine bakin
Kose frekanslan, 454-55,469,476-478 · npn transistor, 148-65 ilerii yonde ongerilimleme, 182 Pu!, 584-85, 595-607
Kristal kafes, 3 Nyguist.kriteri, 755 Grafiksel, 20 l PUT (bkz, programlanabilir UJT)
Kiir;:iik sinyal analizi, transistor, 325·87 JFET'in kcndi ongerilimi 254, 275 Pilskurtme, 602, 605
Kiicuk sinyal modeli, 384 0 JFET gerilim bolilcil, 258 Pilskiirtmeli kaplarna, 605
Kiictik sinyal tepkisi, 298 ters ongerilimleme, 182 p-n jonksiyonu, '12-19, 114-15, 118-19,
Kulce, 38-39,595 Oktav,459. Karar!Jhk, 189,211 122-25, 134-36, 148-53; 157, 163, 171-
Kiltie direnci, 2,16,23-24,472 Omik kontak direnci, 2 Gene! JFET egrisi, 283 74, 530-31, 54( 549-50, 552-53, 571,
Ondahk,459 Gerilim geribeslemesi, 195 587-90
L Optoelektronik, U 7 Oz direnc, 2-4
OPTiK-YALITICILAR, 566-71 Oz malzeme, 4-14 R :,

""'
LASCR, 1~1kla etkin hale getirilen Orta uclu tam dalga dogrultucu, 67-69
SCR'ye bakm Ortak basih duzenleme, 152-56,344-48 p Redicle, 591 ·
LCD'l.er, 130-134 ,. ,, Ortak ernitorlu sabit ongerilimlemc dii- .
Referans gerilimi, 98-103
LED'.)er, 125-30, 134 zenlemesi, 156- 63 p tipi malzeme, 8-14, 30-31, 41-43 RS232·TIL donii§tii~cii, 734
Logaritmalar, 446-78 Paralel diyotlar, 59-61 Rubylith, 591
Ortak ernitorlii sabit ongerilimleme Paralel kirprcilar, 77 -81 R-C bagla§1mlt JFET yukseltecler, 478-80
M diizenlemesi, 326-31 Parazitlik kapasitans, 470-76 R-C bagl8§1mh transistorlii yukseltecler,
Ortak kaynak.h ileri yonde Parcah dogrusal esd egcr devre, 26-28 426-33
Maksimum giir;: anma diyodu, 33 transkonduktans, 239 Pasifle§lirm~, IC'Jer, 605 r-model, 300-301, 308-14, 325-80
Mantis (logaritrna), 449-50 Ortak kolektoru diizenleme, 163-65 Pentavalent, 7
Maskeler, 584-85, 591-95, 602-3 Ortak mod basurma, 631 PIV, ters yonde tepe gerilimine bakm s
Mesa transistorleri, 173.74 Ortalama ac direnc (diyot), 24-25 Plank sabiti, 117
Metalleme, 602-5 Osilarorler, 757 . Planor transistor, 173· 74 Sabi! akirn kaynagi, 656
Mikrobilgisayar, 582 Colpitts, 765 pnp transistor, 148-65 Sabit ongerilim duzenlemeli transistor,
Miller kapasitansi, 414,470-76, 480 Kristal, 768, 772 pnpn aygular, 529-53 326-31
MOSFET,240 FET faz kaydirma, 760 DIY AK, 549-5 l Sak.lama suresi, 31-32

906 indeks indeks 907

Sapma gcrilimi, 19 Tek parca IC, 584-90 Kucuk sinyat analizi, 325-87 Verim, 126
Sanm kapasitans1, 476 Temas anahtan, 550 veri kag1d1, 165-71 Verim di.izeyi, 582
Sayisallasnrma, 591 Termistorler, 138-40 Terminal tarumlamasi, 174-76 VEY A kaprsi, 61-64, 548
Schokley diyot, 548-49 Ters doyrna akmu, 13-19, l 19 Koprusiiz emetor ongerilim VVC diyotlan, 110-13
Schottky engel diyodu, 104-9, 137 Ters ongerilirn. 105-6, 110-ll, 149-50, duzenlemesi. 335-40
SCR (bkz, silisyum kontrollii 152, 155, 156 Gerilim bolilcu ongerilimi, 331-35 y
. dogrultucu) Tees tepe gerilim, 18, 33 Transistor modellemesi, 298-324
SCS (bkz. silisyum kontrollii anahtar) Ters yonde tepe gerilimi, 18, 33, 67 69- Transkonduktans, 390 Yahnci, 6
541-44 ..: , 71, 106, l l 4 TRIAK, 551-53 Yahum yayilmasi, 599-603
Seri diyotlar, 52-59 -. .. r Test, 584-85, 605-7 Triyot, 147 Yapisal uzak tutrna oraru, 555
Seri kirpicilar, 73- 77 Testere disi dalga sekli, 545 Tutma akuru, 533-34 Yan logaritmik kagu, 451-53
Seri rezonant, 770 : Tetravalent atom, 4 · Ti.inel diyotlan, 114-17 Yanm dalga ayarli dircnc Iaz kontrolu,
Thevenin e§degeri, 470-71, 57~ 537-38
Transistorlu faz kaydirma, 761 \
Akordlu devreler, 764 Tikanabilme suresi, 31-32, 107' u Yanm dalga dogrultma, 64-67
I
Tekjonksiyonlu, 772 Transfektif, 132 Yanm gii9 frekanslan, 454°69
Wien koprtisti, 7~~ • · t Transformaror, 434 UJT (bkz. tekjonksiyonlu transistore) Yan-iletken, 1-19
Seri statik anahtar, 537 . ,, . . ! Transistor, 147-77, 298-387, 424-87 Uretim teknikleri diyot, 37-46 Yayilrna akimi, 29-30
Seri-paralel diyotlar, 59-61 · .i Alasim jonksiyonu, 172 Ustii sapkah transistorler, 174-75 Yayilma diyodu, 42
Silisyum, 2-9 . Kollektor de geribeslemesi, 348-53 Yayilma kapasitansi, 30.31, 472
Silisyum kontrollii anahtar, 541-44.1 Kollektor geribeslernesi, 353-57 v Yayilrna transistorii, 172°73
Silisyum kontrollii dogrultucu, 529-40 Ortak baz, 152-56, 344-48 Yuk hatu de, 203
Silisyum oksidasyonu, 597-98, 609( Ortak kollektor, 163-65 Vakum tipi, 147 Yiikleme etkileri, 357-64
Sistemlerin yaklasirm, 371-74 Ortak emetor, 156-63 Valons elektronu, 4-19 Yiikseltme, 151-52, 298-300
Sicakhk kararhligr, 181 Yapi, 148-49 Varakt1ir diyodu, 110- l 3 Yiizey engelli diyot, 104-9
Sicakhk katsayisi, 96-97 Fark yukselteci, 351-53 Varikap diyodu, 110-13 Yuzey engclli diyot, 104-9
Sifir ge9i!i algilayrcrsi. 711 Yayilma, 172-73 VE DEGiL kaprsi IC, 595-606
S!Vl kristalli gostergeler, 130-34 Ernetor izleyici, 340-45 VE kapisi, 61-64, 548 z
Sogutucu, 114-537 Fabrikasyon, 171-74 Veri kagid;
Statik direnc (diyot), 19-20 -'. Sabir ongerilim duzenlemesi, 326-31 Darlingtoon yukseltec, 442-46 Zarnanlayici IC birim, 719
Siikunet noktasr, 21 Bilyiitiilmii§ jonksiyon, 172 Diyot, 32c36 Zener bolgesi, 17-18
Si.iriikleme akirm, 29-30 Yiiksek frekans, 4.69-7 6 LED, 127-29 Zener diyot, 94-104, 538-39
Karma model.~300~.8, 313-21 Optik yalruci, 569- 71 uygulamalar, 98-104, 538-39
T IC'ler, 589-90 Schottky diyot, 107-9 karakteristikler, 94-98
Alcak frekans, 456-69 Silisyum kontrolli.i dogrultucu, 534-35 esdeger devre, 95
Tabaka direnci, 587 Maksimum anma degerleri, 164-65 Trransistor, 165-71 notasyon, 98
' Tam dalga dogrultma, 67-7'2,, 538:40 npn, 148 Tiinel diyodu, 116 Zener potansiyeli, 94-104, 115
·: Tekjonksiyonlu transistor, 553-65, cahsma, 149-52 Varaktor, lll-13 Zenerin dinamik dircnci, 98
Tek kararh, 723 pnp; 148 Zener diyodu, 96-97 Zorlanmis komiitasyon, 532-33
Tek kristal, 3 Nokta kontak, 171-72 Verici atomlar, 7-8
Tek kutuplu, 149 r model, 300-301-308-14 Verici karkrlan, 8-14

indeks indeks 909

908