TUGAS MATA KULIAH

SEMIKONDUKTOR

1. Menghitung jumlah elektron dan hole dalam semikonduktor

a. Jumlah elektron pada pita konduksi

Jumlah elektron pada pita konduksi dapat nyatakan dengan

𝑛(𝐸) = ∫ 𝑔(𝐸) 𝑓𝑒 (𝐸) 𝑑𝐸 (a.1)
dimana, fungsi distribusi elektron dalam semikonduktor 𝑓𝑒 (𝐸)
1
𝑓𝑒 (𝐸) = (𝐸−𝐸𝐹 ) , pada pita konduksi 𝐸 > 𝐸𝐶 berlaku (𝐸 − 𝐸𝐹 )>> KT sehingga fungsi
1+𝑒 𝐾𝑇

distribusi elektron menjadi,

−(𝐸−𝐸𝐹 )
1
𝑓𝑒 (𝐸) = (𝐸−𝐸𝐹 )
=𝑒 𝐾𝑇 (a.2)
𝑒 𝐾𝑇

Rapat kebolehjadian elektron,

∗ 3 1
1 √2𝑚𝑛
𝑔𝑛 (𝐸) = 2𝜋2 ( ) (𝐸 − 𝐸𝐶 )2 (a.3)
ћ

Persamaan (a.1) dapat ditulis kembali menjadi,

∗ 3 1 −(𝐸−𝐸𝐹 )
∞ 1 √2𝑚𝑛
𝑛(𝐸) = ∫𝐸 ( ) (𝐸 − 𝐸𝐶 )2 𝑒 𝐾𝑇 𝑑𝐸
𝑐 2𝜋 2 ћ

3 1
1 −(𝐸−𝐸𝐶 −𝐸𝐹 +𝐸𝐶 )
∞ 1 √2𝑚∗ (𝐾𝑇)2
= ∫𝐸 2𝜋2 ( ћ 𝑛) (𝐸 − 𝐸𝐶 ) 2 1𝑒 𝐾𝑇 𝑑𝐸
𝑐
(𝐾𝑇)2

3 1
(𝐸𝐹 −𝐸𝐶 )
1 ∗
√2𝑚𝑛 1
∞ (𝐸−𝐸𝐶 )2 −(𝐸−𝐸𝐶 )
= 2𝜋2 ( ) (𝐾𝑇)2 𝑒 𝐾𝑇 ∫𝐸 1 𝑒 𝐾𝑇 𝑑𝐸 (a.4)
ћ 𝑐
(𝐾𝑇)2
(𝐸−𝐸𝐶 )
Misalkan 𝑥 = ,
(𝐾𝑇)

(𝐸 − 𝐸𝐶 ) = 𝐾𝑇 𝑥
𝐸 = 𝐸𝐶 + 𝐾𝑇 𝑥
𝑑𝐸
= 𝐾𝑇
𝑑𝑥
𝑑𝐸 = 𝐾𝑇 𝑑𝑥
Untuk 𝐸 = 𝐸𝐶 maka x = 0 dan E = ∞ maka x = ∞
Persamaan (a.4) akan menjadi :
∗ 3 1 (𝐸𝐹 −𝐸𝐶 ) 1
1 √2𝑚𝑛 ∞
= 2𝜋2 ( ћ
) (𝐾𝑇)2 𝑒 𝐾𝑇 ∫0 𝑥 2 𝑒 −𝑥 𝐾𝑇𝑑𝑥
 ∗ 𝐾𝑇 3 (𝐸𝐹 −𝐸𝐶 ) 1
1 √2𝑚𝑛 ∞
= 2𝜋2 ( ћ
) 𝑒 𝐾𝑇 ∫0 𝑥 2 𝑒 −𝑥 𝑑𝑥

(a.5)
Dapat diselesaikan menggunakan fungsi gamma

Fungsi gamma :
∞
Γ(𝑛) = ∫0 𝑥 𝑛−1 𝑒 −𝑥 𝑑𝑥; dimana 𝑛 > 0
1
∞
Γ(𝑛) = ∫0 𝑥 2 𝑒 −𝑥 𝑑𝑥
Γ(𝑛 + 1) = 𝑛Γ(𝑛)
1
Γ ( ) = √𝜋
2
1
∞
∫0 𝑥 2 𝑒 −𝑥 𝑑𝑥 = √𝜋 (a.6)
Persamaan (a.5) dapat ditulis menjadi
∗ 𝐾𝑇 3 (𝐸𝐹 −𝐸𝐶 )
√𝜋 √2𝑚𝑛
𝑛(𝐸) = 2𝜋2 ( ) 𝑒 𝐾𝑇
ћ
ℎ
ћ = 2𝜋;
3
2𝑚∗ 𝜋𝐾𝑇 2 (𝐸𝐹−𝐸𝐶 )
𝑛(𝐸) = 2 ( ℎ𝑛 2 ) 𝑒 𝐾𝑇 (a.7)

dimana rapat keadaan efektif 𝑁𝑐

3
∗ 𝜋𝐾𝑇
2𝑚𝑛 2
𝑁𝑐 = 2 ( ) (a.8)
ℎ2

Sehingga jumlah elektron pada pita konduksi adalah :

(𝐸𝐹 −𝐸𝐶 )
𝑛(𝐸) = 𝑁𝑐 𝑒 𝐾𝑇 (a.9)

b. Jumlah hole pada pita valensi

Jumlah hole pada pita valensi dapat nyatakan dengan

𝑝(𝐸) = ∫ 𝑔(𝐸) 𝑓𝑝 (𝐸) 𝑑𝐸 (b.1)
dimana, fungsi distribusi hole dalam semikonduktor 𝑓𝑝 (𝐸)
1
𝑓𝑝 (𝐸) = (𝐸𝐹 −𝐸) , pada pita valensi 𝐸 < 𝐸𝑣 berlaku (𝐸𝐹 − 𝐸)>> KT sehingga fungsi
1+𝑒 𝐾𝑇

distribusi hole menjadi,

(𝐸−𝐸𝐹 ) −(𝐸𝐹 −𝐸)
1
𝑓𝑝 (𝐸) = (𝐸−𝐸𝐹 )
=𝑒 𝐾𝑇 =𝑒 𝐾𝑇 (b.2)
𝑒 𝐾𝑇
Rapat kebolehjadian hole,
3
∗
√2𝑚𝑝 1
1
𝑔𝑝 (𝐸) = 2𝜋2 ( ) (𝐸𝑉 − 𝐸)2 (b.3)
ћ

Persamaan (a.1) dapat ditulis kembali menjadi,

3
∗
𝐸 √2𝑚𝑝 1 −(𝐸𝐹 −𝐸)
𝑣 1
𝑝(𝐸) = ∫−∞ ( ) (𝐸𝑉 − 𝐸)2 𝑒 𝐾𝑇 𝑑𝐸
2𝜋 2 ћ

3
∗ 1
𝐸𝑣 1 √2𝑚𝑝 1 (𝐾𝑇)2 −(𝐸𝑉 −𝐸+𝐸𝐹 −𝐸𝑉 )
= ∫−∞ 2𝜋2 ( ) (𝐸𝑉 − 𝐸) 2 1 𝑒 𝐾𝑇 𝑑𝐸
ћ (𝐾𝑇)2

3
∗ 1
√2𝑚𝑝 1 −(𝐸𝐹 −𝐸𝑉 )
𝐸𝑉 (𝐸 −𝐸)2 −(𝐸𝑉 −𝐸)
1
= 2𝜋2 ( ћ
) (𝐾𝑇) 𝑒 2 𝐾𝑇 ∫−∞ 𝑉 1 𝑒 𝐾𝑇 𝑑𝐸 (b.4)
(𝐾𝑇)2

(𝐸𝑉 −𝐸)
Misalkan 𝑥 = ,
(𝐾𝑇)

(𝐸𝑉 − 𝐸) = 𝐾𝑇 𝑥
𝐸 = 𝐸𝑉 + 𝐾𝑇 𝑥
𝑑𝐸
= 𝐾𝑇
𝑑𝑥
𝑑𝐸 = 𝐾𝑇 𝑑𝑥
Untuk 𝐸 = 𝐸𝑉 maka x = 0 dan E = ∞ maka x = −∞
Persamaan (a.4) akan menjadi :
3
∗
√2𝑚𝑝 1 −(𝐸𝐹 −𝐸𝑉 )
∞ 1
1
= 2𝜋2 ( ћ
) (𝐾𝑇)2 𝑒 𝐾𝑇 ∫0 𝑥 2 𝑒 −𝑥 𝐾𝑇𝑑𝑥

3
∗ 𝐾𝑇
√2𝑚𝑝 −(𝐸𝐹 −𝐸𝑉 )
∞ 1
1
= 2𝜋2 ( ћ
) 𝑒 𝐾𝑇 ∫0 𝑥 2 𝑒 −𝑥 𝑑𝑥 (b.5)

Dapat diselesaikan menggunakan fungsi gamma

Fungsi gamma :
∞
Γ(𝑛) = ∫0 𝑥 𝑛−1 𝑒 −𝑥 𝑑𝑥; dimana 𝑛 > 0
1
∞
Γ(𝑛) = ∫0 𝑥 2 𝑒 −𝑥 𝑑𝑥
Γ(𝑛 + 1) = 𝑛Γ(𝑛)
1
Γ (2) = √𝜋
 1
∞
∫0 𝑥 2 𝑒 −𝑥 𝑑𝑥 = √𝜋 (b.6)
Persamaan (a.5) dapat ditulis menjadi
3
∗ 𝐾𝑇
√2𝑚𝑝 −(𝐸𝐹 −𝐸𝑉 )
√𝜋
𝑝(𝐸) = 2𝜋2 ( ) 𝑒 𝐾𝑇
ћ

ℎ
ћ = 2𝜋;
3
∗ 𝜋𝐾𝑇 (𝐸𝑉 −𝐸𝐹 )
2𝑚𝑝 2
𝑝(𝐸) = 2 ( ) 𝑒 𝐾𝑇 (b.7)
ℎ2

dimana rapat keadaan efektif 𝑁𝑉

3
∗ 𝜋𝐾𝑇
2𝑚𝑝 2
𝑁𝑉 = 2 ( ) (b.8)
ℎ2

Sehingga jumlah hole pada pita valensi adalah :

(𝐸𝑉 −𝐸𝐹 )
𝑝(𝐸) = 𝑁𝑉 𝑒 𝐾𝑇 (b.9)

2. Menghitung Energi Fermi pada semikonduktor intrinsik (n=p)

jumlah elektron pada pita konduksi

(𝐸𝐹 −𝐸𝐶 )
𝑛(𝐸) = 𝑁𝑐 𝑒 𝐾𝑇 (a.9)
jumlah hole pada pita valensi
(𝐸𝑉 −𝐸𝐹 )
𝑝(𝐸) = 𝑁𝑉 𝑒 𝐾𝑇 (b.9)

Karna jumlah elektron dan hole sama (n=p), maka

(𝐸𝐹 −𝐸𝐶 ) (𝐸𝑉 −𝐸𝐹 )
𝑁𝑐 𝑒 𝐾𝑇 =𝑁𝑉 𝑒 𝐾𝑇

𝑁𝐶 (𝐸𝑉 −𝐸𝐹 +𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )

= 𝑒 𝐾𝑇
𝑁𝑉

𝑁𝐶 −2𝐸𝐹 +𝐸𝑉 +𝐸𝐶

= 𝑒 𝐾𝑇
𝑁𝑉

2𝐸𝐹 −(𝐸𝑉 +𝐸𝐶 ) 𝑁𝑉

𝑒 𝐾𝑇 =
𝑁𝐶

𝑁𝑉
2𝐸𝐹 − (𝐸𝑉 + 𝐸𝐶 ) = 𝐾𝑇 ln
𝑁𝐶
 𝑁𝑉
2𝐸𝐹 = (𝐸𝑉 + 𝐸𝐶 ) + 𝐾𝑇 ln
𝑁𝐶

Energi Fermi untuk semikonduktor intrinsik (n=p)

(𝐸𝑉 + 𝐸𝐶 ) 𝐾𝑇 𝑁𝑉
𝐸𝐹 = + ln
2 2 𝑁𝐶

3. Menghitung Energi Fermi pada semikonduktor tak murni (ekstrinsik)

a. Tipe n

Konsentrasi pembawa dalam pita konduksi

3
(𝐸𝐹 −𝐸𝐶 )
2𝑚∗ 𝜋𝐾𝑇 2
𝑛 = 𝑁𝑐 𝑒 𝐾𝑇 dengan 𝑁𝑐 = 2 ( ℎ𝑛 2 )

Jika semua elektron konduksi berasal dari elektron donor , maka 𝑛 sama dengan
konsentrasi elektron donor (atau konsentrasi atom donor, karena setiap atom
semikonduktor ekstrinsik hanya menyumbang satu elektron) yang dieksitasi kedalam pita
konduksi.

Sehingga, jumlah n sama dengan konsentrasi atom tak-murni 𝑁𝐷 dikurangi dengan

konsentrasi yang tersisa dalam pita 𝐸𝐷 (pita energi atom donor)

(𝐸𝐷 −𝐸𝐹 )
𝑛 = 𝑁𝐷 − 𝑁𝐷 𝑓(𝐸𝐷 ) ≅ 𝑁𝐷 𝑒 𝐾𝑇

Dengan demikian
(𝐸𝐹 −𝐸𝐶 ) (𝐸𝐷 −𝐸𝐹 )
𝑁𝑐 𝑒 𝐾𝑇 = 𝑁𝐷 𝑒 𝐾𝑇

𝑁𝐶 (𝐸𝐷 −𝐸𝐹 +𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )

= 𝑒 𝐾𝑇
𝑁𝐷

𝑁𝐶 −2𝐸𝐹 +𝐸𝐷 +𝐸𝐶

= 𝑒 𝐾𝑇
𝑁𝐷

2𝐸𝐹 −(𝐸𝐷 +𝐸𝐶 ) 𝑁𝐷

𝑒 𝐾𝑇 =
𝑁𝐶
 𝑁𝐷
2𝐸𝐹 − (𝐸𝐷 + 𝐸𝐶 ) = 𝐾𝑇 ln
𝑁𝐶

𝑁𝑉
2𝐸𝐹 = (𝐸𝐷 + 𝐸𝐶 ) + 𝐾𝑇 ln
𝑁𝐶

Tingkat energi Fermi untuk semikonduktor tipe- n

(𝐸𝐷 + 𝐸𝐶 ) 𝐾𝑇 𝑁𝐷
𝐸𝐹 = + ln
2 2 𝑁𝐶

b. Tipe p

Konsentrasi hole pada pita valensi

3
(𝐸𝑉 −𝐸𝐹 ) ∗ 𝜋𝐾𝑇
2𝑚𝑝 2
𝑝 = 𝑁𝑉 𝑒 𝐾𝑇 , dengan 𝑁𝑉 = 2 ( )
ℎ2

𝑁𝐴 𝑓(𝐸𝐴 ) aseptor dengan konsentrasi 𝑁𝐴 diionisasikan negatif dengan memberikan

elektron dari jalur valensi yang menaikkan jumlah hole yang sama disana.

Sehingga

(𝐸𝐹 −𝐸𝐴 )
𝑝 = 𝑁𝐴 − 𝑁𝐴 𝑓(𝐸𝐴 ) ≅ 𝑁𝐴 𝑒 𝐾𝑇 ,

Dengan demikian

(𝐸𝑉 −𝐸𝐹 ) (𝐸𝐹 −𝐸𝐴 )

𝑁𝑉 𝑒 𝐾𝑇 = 𝑁𝐴 𝑒 𝐾𝑇

𝑁𝑉 (𝐸𝐹 +𝐸𝐹 −𝐸𝐴 −𝐸𝑉 )

= 𝑒 𝐾𝑇
𝑁𝐴

𝑁𝑉 2𝐸𝐹 −𝐸𝐴 −𝐸𝑉

= 𝑒 𝐾𝑇
𝑁𝐴

𝑁𝑉
2𝐸𝐹 − (𝐸𝐴 + 𝐸𝑉 ) = 𝐾𝑇 ln
𝑁𝐴

Tingkat energi fermi untuk semikonduktor tipe-p

(𝐸𝐴 + 𝐸𝑉 ) 𝐾𝑇 𝑁𝑉
𝐸𝐹 = + ln
2 2 𝑁𝐴