FİZ314 Fizikte Güncel Konular

2015-2016 Bahar Yarıyılı

Bölüm-5
19.04.2016 Ankara

A. OZANSOY
22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 1
 Bölüm 5: Katı Hal Fiziği ve Uygulamalar

1.Kristaller
2.Katılarda bağlanma
3.Katıların Bant teorisi
4.Metal, Yalıtkan ve Yarıiletkenlerde Elektriksel İletim
5.Metallerin Serbest Elektron Teorisi
6.Yarıiletken Aygıtlar
7.Süperiletkenler

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016

2
 Yoğun madde Fiziği: Maddenin yoğun halleri (sıvı ve katı) ile ilgilenir.
1945’lerde gelişmeye başlamıştır.

Sert (hard) yoğun madde Yumuşak (soft) yoğun madde

Kristaller Sıvı kristaller
Quasikristaller Polimer çözeltiler
Amorf malzemeler
Polimer katılar
Manyetik katılar

 20 yy başı itibariyle kuantum mekaniğinin gelişmesi, saçılma deneyleri ve optik spektroskobinin

gelişmesiyle maddenin atomik yapısı hakkında bilgi sahibi olundu. Bu ilerlemeler yoğun maddenin
özelliklerini mikroskobik seviyede anlamanın ve araştırmanın kapısını açtı.
 1920’lerde katıların kuantum mekaniksel özellikleri çalışılmaya başlandı ve bugün «katı hal
fiziği» olarak bilinen alan doğdu.
 X-ışını ve nötron kırınımı güçlü ölçüm yöntemleri olarak gelişti.
 Simetri kırılması, renormalizasyon grubu (farklı mikroskobik etkileşmeler uzun uzaklık
ölçeklerinde nasıl özdeş davranabilir sorusunu açıklar) gibi teorik çalışmalar maddenin yoğun
fazını tanımlamak için bir çerçeve oluşturdu.
 Benzeri gelişmelere rağmen bir süre «geleneksel katı hal fiziği» ile “ soft ” yoğun madde fiziği
ayrık alanlarmış gibi düşünüldü.
 Yoğun madde fiziği çok sayıda etkileşen parçacığın olduğu sistemlerle ilgilenir. Klasik mekanik,
kuantum mekaniği, atom ve molekül fiziği ve istatistik fizik bilgileri üzerine kuruludur.
 Parçacık sayısı çok olduğu için, parçacıkların etkileşimini anlatacak analitik bir çözüm bulmak
zordur. Bunu yerine parçacık yoğunluğu, momentum yoğunluğu, magnetizasyon, dış elektrik alana
tepkiler vb. gibi makroskobik değişkenlere bakarız.
 1. Kristaller

• Katılar, kimyasal bağlarla bir araya gelmiş atomlar topluluğudur. Bu bağlar,

elektrik kuvvetleriyle ilgilidir; bağlanma türleri arasındaki temel farklılık
yapıtaşlarındaki dış elektronların dağılış biçimiyle ilgilidir.

• Atom, iyon veya moleküllerin belli bir düzen içerisinde 3- boyutlu tekrarlandığı
katılara “kristal” denir. Kristallerin en önemli özelliği uzun erimli düzenin
varlığıdır. Kristali ele aldığımızda gerek dış görünüşte gerekse atomların
yerleşiminde bir simetri vardır. Bu nedenle gazlarda kristal özellik gözlenmez.
Kristal yapıya sahip katıların çok azı tek kristalden oluşmuştur. Çoğu kristal ise
çok kristallidir (polikristal). Bunlar kristalit adı verilen çok sayıda küçük
kristalden oluşmuştur.
• Kristallerdeki kadar belirgin bir düzenin olmadığı katılara da “amorf (şekilsiz)”
katılar denir. Bu katıları; çok yüksek bir viskozluğu olan aşırı soğutulmuş sıvılar
olarak düşünülebilirler. Cam, zift ve plastiklerin çoğu amorf katılara örnektir.
Amorf katılarda ise kısa erimli bir düzen görülmektedir. Amorf bir katıdaki
bağların sağlamlığı, uzun erimli bir düzen olmadığı için birbirinden farklıdır.
Amorf bir katı ısıtıldığında zayıf bağlar daha düşük sıcaklıklarda kırılır ve
böylece katı yavaş yavaş yumuşar. Kristal bir katıda ise tüm bağlar aynı anda
kırılır ve erime ani olarak başlar.

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 4

  Kristal yapının anlaşılması 1912' de Max von Laue' nin X-ışınlarını
kristallerde kırınıma uğratılabileceği fikri ile başlamıştır. Daha sonra Sir
Lawrence Bragg kaya tuzu kristalinin yapısını X-ışını kullanarak belirlemiştir.
Sonraki araştırmalarla kristali oluşturan en küçük yapı olan “ birim hücre ”
yi ve onun uzayda ne şekilde yayılarak katıyı oluşturacağı anlaşılmıştır. X-
ışınları kırınımı ile başlatılan çalışmalar elektron ve nötron kırınımı ile devam
etmiş ve böylece pek çok maddenin (mineraller, besin maddeleri,...) atomik
yapısının ortaya çıkarılması sağlanmıştır.

 Mükemmel bir kristal, kütle ve yükün bir dağılımını içeren, yapısal bir birimin
özdeş olarak tekrarlanmasından oluşur. Tekrarlanan yapısal birime « birim
hücre » denir, kristali oluşturan en küçük birimdir.

 Birim hücre, kristalin tüm simetri elemanlarını içerir. 3 boyutta üç öteleme

(a,b,c) ve üç açı (,,) (Hücre parametreleri olarak adlandırılır)
 Birim hücre birden fazla atom içeriyorsa, hücrenin merkezine göre atomların
konumlarına « baz » denir.

 Birim hücrelerdeki eşit noktalar periyodik bir örgü üzerindedirler. Atomların

ortaya çıkardığı düzeni bir nokta ile gösterecek olursak, üç boyutta oluşan
kristal, noktalardan yapılmış bir kafes gibi düşünülebilir. Kristali gözümüzde
canlandırmaya yarayan bu matematiksel yapıya uzay örgüsü ya da örgü
denir. Örgü öteleme simetrisine sahiptir.

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 5

 Şekil Kaynak [2]’
Birim hücrenin seçimi tek değildir. den alınmıştır.

 Mümkün en küçük hacimli hücreye ilkel hücre denir. Bir örgü noktasına en yakın
komşu noktaları birleştiren çizgiler çizilip, bu çizgilere dik çizgiler çizildiğinde en
küçük kapalı alan Wigner-Seitz hücresi olarak adlandırılır ve merkezinde bir örgü
noktası yer alır.

Şekil Kaynak [3]’

ten alınmıştır.

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 6

 Bir boyutlu örgü sistemleri
Şekiller Kaynak [2]’
den alınmıştır.

İki boyutta örgü

sistemleri
a) Kare örgü
b) Eğik örgü
c) Dikdörtgen örgü
d) Merkezlenmiş dikdörtgen örgü
e) Altıgen örgü

Koyu kısımlar Wigner-Seitz

hücrelerini göstermektedir.
Merkezlenmiş dikdörtgen örgünün
anlaşmasal birim hücresi kesikli
çizgilerle gösterilmiştir.
 Simetri işlemlerinin getirdiği
kısıtlamalardan dolayı 2 boyutta 5
3 boyutta 14 farklı örgü tipi
bulunmaktadır.

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 7

Hücre parametrelerinin farklı kombinasyonları ile 7 farklı kristal sistemi (sınıfı)
oluşur. Bir kristal sistemindeki atomların farklı düzenlenmesi ile 3 boyutta 14 farklı
örgü oluşur (Bravais örgüleri)

Tablo Kaynak [1]’

den alınmıştır.

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 8

 Şekil Kaynak [2]’
den alınmıştır.

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016

9
 2. Katılarda Bağlanma

• Bir kristalin toplam enerjisi, kendisini oluşturan atom ve moleküllerin tek

başlarına sahip oldukları enerjilerinin toplamından daha küçük ise kararlı
durumdadır. Aradaki fark, bağlanma enerjisi olarak tanımlanır. En basit
kristalleri oluşturan asal gazlar en küçük bağlanma enerjilerine sahipken;
geçiş metallerinin bağlanma enerjileri en yüksektir.

• Moleküllerin bağlanmasından sorumlu iki mekanizma (kovalent ve iyonik

bağlanma) katılardaki bağlanmayı anlatmada da uygundur. Bir de bakır,
gümüş ve diğer katı metallerin bağlanmasından sorumlu metalik bağlanma
vardır.

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 10

 2.1. İyonik Bağlanma
Zıt yüklü iyonların elektrostatik etkileşmesi sonucu oluşur. İyonik bir kristalde her
iyon, genellikle maksimum kararlığa yol açacak şekilde, en yüksek sayıdaki zıt yüklü
iyonla çevrilidir. İyon çifti başına toplam potansiyel enerji;
e2 B
U toplam  k  m
r r
: Madelung Sabiti (etkileşmenin şiddetine ve kristalin yapısına bağlıdır). Toplam
potansiyel ifadesinde birinci terim Coulomb potansiyelidir. İkinci terim Pauli
Dışarlama İlkesine göre, dolu seviyelerin birbiri üstüne gelmesini engelleyen (bu
nedenle atomların birbirine çok yakın olmasından koruyan) itici bir potansiyeldir.

dU ke m 1
2
0 B  r0
dr m
e2 1
U (r0 )  U o  k (1 
r0 m)

U0, enerjisi, iyon çifti başına iyonik bağ (kohesif)

enerjisi olarak adlandırılır ve bu enerjinin mutlak
değeri, katıyı pozitif ve negatif iyonlarına ayırmak için
iyon çifti başına gerekli enerjidir.
Şekil; Kaynak [4]’ ten alınmıştır.
22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 11
1 mol iyonik katıda Avagadro sayısı (NA) kadar pozitif ve negatif iyon vardır.
2 iyonlu iyonik bir katı malzemenin kohesif enerjisi C= -(1/2) U0 (2NA)
ile verilir. (1/2) çarpanı iyonları iki defa sayma problemini kaldırır. İki iyon olduğu için 2
çarpanı vardır.
İyonik Katıların Özellikleri

1. İyonik katılar genelde kristaldir. Çünkü iyonları bir arada düzenli bir sıra içinde
daha etkin bir biçimde tutabiliriz.
2. Zayıf elektriksel iletkendirler, çünkü çevrede serbest elektron yoktur.
3. Yüksek buharlaşma sıcaklığına sahiptirler.
4. Polar sıvılar içinde iyi çözünürler.
5. Görünür ışığa saydamdırlar.
6.Kızılötesi ışınımı soğururlar. (İyonların denge konumu etrafında titreştiği
frekanslarda)

NaCl, yüzey CsCl, hacim

merkezli kübik merkezli kübik

Şekiller Kaynak [5]’

NaCl kristalinde Na
(küçük küreler) ve Cl CsCl kristalinde Cl (küçük ten alınmıştır.
(büyük küreler) küreler) ve Cs (büyük
küreler)
22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 12
 2.2. Kovalent Bağlanma
Kovalent kristallerde elektronları paylaşılması ile bağ oluşur. Bağa katılan her atom
elektron katkısında bulunur.
 Örneğin, katı karbon, elmas biçiminde iken atomları kovalent bağlı bir kristaldir.
Dolu kabuk n=2’ ye göre karbonun 4 elektron eksikliği vardır. (1s22s22p2). Karbon
atomlarının her biri 4 karbon atomu ile kovalent bağ yapar. Bu yapı tetrahedraldir
(dört yüzlü) . Karbonun bir diğer kristal şekli grafittir. Grafit altıgen tabakalardan
oluşur.

Grafitin STM görüntüsü

Şekil Kaynak [6]’
Karbonun tetrahedral yapısı dan alınmıştır.
Şekil Kaynak [5]’
ten alınmıştır.
Kovalent Katıların Özellikleri:

1. Kovalent katıların bağlanma enerjileri büyük olduğundan serttirler.

2. Erime çok yüksektir.
3. Isı ve elektriği iletmezler.
4. Hemen hemen hiçbir sıvıda çözünmezler.
22.05.2016
13 A.Ozansoy, 2016 13
 Karbon nanotüpler:
‘ Bucky topu ’
Buckminsterfullerene (Amerikalı Altıgenler halinde dizilmiş karbon
mimar R. Buckminister Fuller’ in atomlarının bükülüp rulo yapıldığı
ansına) yapıdır. Transistörler gibi
elektronik uygulamaları
araştırılmaktadır. Yeterince uzun
Örneğin, Bucky topunun bir yapılabilirlerse çok kuvvetli
formu, 12 beşgen ve 20 altıgen fiberler oluşturabileceklerdir.
içinde 60 karbon atomunun Karbon nanotüpler, nanometre
oluşturduğu yapıdır. boyutlarındaki elektronik
devrelerinde ya da
kuvvetlendirilmiş polimer
Şekiller, sırasıyla malzemelerde kullanılabilir.
Kaynak [7] ve [8]’
den alınmıştır.
22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 14
 2.3. Metalik Bağlanma

Metalik bağlar, genel olarak, iyonik ve kovalent bağlardan daha zayıftır. Atomlar
ya da + iyonlar bir elektron bulutuna batmış gibi bulunurlar. Böylece + iyonlar
bütün komşularına, aralarındaki elektronlar aracılığıyla eşit şekilde bağlanmış olur.
Bu elektron bulutu, genelde metallerin en dış yörüngelerindeki elektronlardan
oluşur. Bir metal içinde böyle serbestçe hareket edebilen çok sayıda elektron
vardır. Metal yapıya, pozitif iyonların « elektron gazı » ile çevrili olduğu bir yapı
olarak bakılabilir.
Metal iyonlarının elektron gazı içinde bulunduğu düşüncesi ilk kez 1902 de Drude
tarafından ortaya atılmıştır.

Metalik katıların özellikleri:

Metalik bağlanmayı, metalik iyonlar ile

elektron gazı arasındaki çekici etkileşmeler
sağlar. Metalik katılar, parlaktırlar, yüksek
ısısal ve elektriksel iletkenliğe sahiptirler.

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 15

2.4. Moleküler Bağlanma

Buraya kadar anlatılan katıların hiç biri ayrık moleküllerden oluşmamıştı. Moleküller
birbirine kuvvet uygulayarak bağlanıp, katıları oluşturabilirler. Moleküler katılar,
genelde moleküllerin elektrik dipol momentlerine bağlı olan daha zayıf kuvvetlerle bir
arada bulunurlar. Moleküller arasındaki bu kuvvet, molekülü bir arada tutan iç
kuvvetlerden daha zayıftır. Bu nedenle bir molekül, moleküler bir katı içinde kendi
özelliğini kaybetmez.

Moleküler bağlanmanın özellikleri:

Moleküler katılar elektriksel olarak nötraldir, dolayısıyla Coulomb etkileşmesi yoktur.
Dipol etkileşmeleri önemlidir. Düşük erime noktasına sahiptirler.

 van der Waals Etkileşmesi (London Etkileşmesi): (moleküler bağlanmayı açıklar)

Tüm atomlar, moleküller hatta asal gaz atomları (He ve Ar gibi) van der Waals
etkileşmesi denilen zayıf ve kısa erimli çekici kuvvetler uygularlar. r uzaklığındaki iki
molekül için van der Waals etkileşmesi r-7 ile orantılı olduğundan çok zayıftır ancak
çok yakın moleküllerde önem kazanır. İyonik, kovalent ya da metalik bağlanmanın
olmadığında, gazların sıvılaşması, sıvıların donarak katılaşmasından sorumludur. Toplu
haldeki madde için sürtünme, yüzey gerilimi, viskozluk, kohezyon,sıvı ve kabın duvarları
arasındaki adhezyon kuvvetleri vb. özellikler bu etkileşmeler ile açıklanır. van der
Waals kuvvetleri, iyonik ve kovalent bağlanma türlerindeki kuvvetlerden çok daha
zayıftır. Bu etkileşme türü ile oluşan kristallerin erime ve kaynama noktaları genellikle
düşük ve mekanik dayanıklılıkları azdır.
22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 16
Hidrojen Bağı

 Hidrojen atomu içeren bazı moleküllerde hidrojen bağı denilen özel bir bağlanma türü oluşur.
Önceden incelenen bağlanma türleri dışında yeni bir tür olmasa da ilgi çekici özel bir durumdur. Bir
moleküldeki pozitif yük merkezi ile diğer moleküldeki negatif yük merkezinin etkileşmesi sonucu açığa
çıkar.
H2O molekülleri arasındaki etkileşmeyi açıklamada hidrojen bağı önemlidir. H2O molekülündeki 2
kovalent bağda, H atomu elektronları O atomuna daha yakın dağılmışlardır. O atomu çevresinde
elektronlar simetrik dağılmamıştır, bazı bölgelerde bulunma olasılığı daha fazladır, sanki bir düzgün
dörtyüzlünün köşelerinde dışarı doğru daha fazla bulunurlar. H atomları bu köşelerin ikisinde
bulunurlar, buralarda da pozitif yük olasılığı fazladır. Böylece bir H2O molekülü diğer 4 tane diğer H2O
molekülü ile hidrojen bağı kurabilir.
Şekil; Kaynak [9]’ dan alınmıştır.

+ pozitif yük fazlalığını, -  negatif yük fazlalığını

gösterir

 Hidrojen molekülleri biyolojik moleküllerde bulunur. Örneğin; proteinleri

oluşturmak üzere birleşen aminoasitler arasındaki peptid bağları ve DNA nın iki
sarmalını bir arada tutan bağlar hidrojen bağlarıdır

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 17

3. Katıların Bant Teorisi
1s22s22p63s elektronik yerleşimine sahip Na atomundan 2 tanesini dikkate alalım. Bu
iki sodyum atomu birbirinden çok uzakta ise, birinin varlığında diğerini elektronik
seviyeleri etkilenmez. Her Na atomunun çekirdeğine göre 3s elektronları bir tek
enerji değerine sahiptir. Na atomlarını yaklaştırmaya başladığımızda 3s yörüngeleri
arasında etkileşme başlar. Elektron dalga fonksiyonları üst üste gelerek 2 farklı 3s
seviyesi meydana getirirler. (3s seviyesindeki elektronların dalga fonksiyonlarının
toplanması ya da çıkarılmasına bağlı olarak birbirine çok yakın 2 ayrık enerji seviyesi
oluşur.)
Bir katı oluşturmak için çok sayıda elektron bir araya geldiğinde aynı etki oluşur. N
tane atom enerji seviyelerinin bir «bandını» oluşturur, artık ayrık enerji seviyeleri
ayırt edilemez. Bu seviyeler Na için 3s durumundaki atomlar için tanımlandığından
bu banda 3s bandı denir.
Her enerji bandında N tane ayrık enerji seviyesi bulunmaktadır. Her seviye 2(2l+1)
tane elektron aldığından, bir enerji bandının elektron kapasitesi 2 (2l+1)  N olarak
verilir.

2 Na atomu yaklaştırıldığında 3s 6 Na atomu Katı oluşturmak üzere N tane Na

seviyesinin yarılması yaklaştırıldığında 3s atomunun bir araya gelerek 3s bandını
seviyesinin yarılması oluşturması

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016

18
 Sodyum metalinde 3s bandı yarı doludur, onun
üzerinde 3p bandı tamamen boştur. 3s bandının
altındaki bantlar tamamen doludur. Şekilde, her
bandın kaç elektron olabileceği gösterilmiştir.

İzinli enerji bantları arasında elektronların

işgal edemeyeceği durumları içeren enerji
aralıkları ya da yasak enerji bantları
bulunmaktadır. Bu gösterim, sodyum metalinin
taban durumu için geçerlidir. Elektriksel ya da
termal uyarımlar ile elektronlar boş
durumlardan birini doldurmak üzere hareket
edebilirler.

Katıların bant teorisi ile iletken , yalıtkan ve

yarı iletkenlerin elektriksel iletim özellikleri
için bir açıklama yapılabilir.

 Kuantum istatistiğini dikkate alarak bant

teorisini tekrar inceleyelim. Elektronlar
fermiyon olduklarından Fermi-Dirac
istatistiğine uyarlar. T= 0 K de EF (Fermi
Enerjisi)’ nin altındaki tüm elektronik seviyeler
dolu iken EF‘ nin üstündeki tüm seviyeler boştur
22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 19
 Bant teorisi özet:

1. Çok sayıda atom, bir katı oluşturmak üzere bir araya getirildiğinde
izole atomların ayrık enerji seviyelerini, atomlar arasındaki
etkileşmeler bantlara yayarlar.
2. Bantların özelliklerini, izole atomların özellikleri ve katıdaki
atomların dengedeki ayrılmaları belirler.
3. Katıların özellikleri, bantların doluluğu, bantlar arası boşluklar ve
Fermi enerjisinin bağıl yerleşimi ile belirlenir.

22.05.2016 A.Ozansoy, 2016 20

 4. Metal, Yalıtkan ve Yarıiletkenlerde Elektriksel İletim
A) Metaller:

 Metallerde yük taşıyıcılar serbest elektronlardır. Bir elektrik alan uygulandığında

elektronlar enerji alarak kolaylıkla dolmamış enerji seviyelerine geçerler. Bunun
olabilmesi için bandın tam dolu olmaması yani bantta boş enerji seviyelerinin olması
gerekir. Bant tamamen dolu olsaydı, elektronlar uygulanan alana tepki olarak hareket
edemez ve üst enerji seviyelerine geçemezdi.
 Sodyum metali gibi taban durumunda yarı dolu bir enerji bandı olan bir metal
dikkate alınarak metallerin elektriksel iletkenlikleri anlaşılabilir. Na için EF 3s
bandının tam ortasındadır. (3s bandının elektron kapasitesi 2N’ dir, ancak sadece N
elektron olduğundan bu bant yarı doludur).
T> 0 için çok az sayıda elektron EF‘ nin üstündeki seviyelere ısısal olarak uyarılır. T=0 K’
deki durumdan çok küçük bir değişiklik olur.

T > 0 K için EF
sıcaklıkla çok
fazla
değişmez,
ancak 3p
durumu
tamamen boş
değidir.
Yarı dolu bir bant ve T=0 K’ de Fermi-Dirac
dağılımı

Şekiller; Kaynak [10]’ dan alınmıştır.

Bunun yanı sıra metale elektrik alan uygulandığında, elektronlar alandan sadece
çok az bir enerji alarak, Fermi enerjisi civarındaki boş enerji seviyelerine
ulaşırlar. Dolu seviyelerin bitişiğinde çok sayıda boş seviye olduğu için elektronlar
kolaylıkla bu seviyelere çıkarlar. Böylece çok küçük bir alan yardımıyla (~ 1 eV’ luk
bir potansiyel fark uygulandığında) elektronlar metal içinde serbestçe hareket
edebilirler.
-------------------------------------------------------------------------------
B) Yalıtkanlar:  Dolu olan en son dış (en son) bantla, boş
bantlar arasını enerji aralığı (Eg) olarak
gösterilir. Buralar elektronların yer işgal
edemeyeceği yerlerdir. Dolu olan alt banda
değerlik (valans) bandı; boş olan üst banda
da iletim bandı denir. EF enerji aralığında
herhangi bir yerde olabilir.
 Oda sıcaklığında kT değeri ~0,025 eV,
yalıtkanların enerji aralığı (~10 eV) ile
kıyaslandığında çok büyük olduğundan oda
sıcaklığında çok az elektron iletim bandına
uyarılabilir. İletim bandında çok sayıda boş
Fermi enerjisinin seviye olmasına rağmen ısısal uyarımla bu
üzerindeki banttaki seviyelere uyarılarak elektriksel
durumlarda bulunma iletime katkıda bulunabilecek çok az
olasılığı hala elektron vardır. Bu ise, yalıtkanların
sıfırdır. kT<< Eg
özdirençlerinin çok yüksek olmasını açıklar.
 C) Yarıiletkenler:

 Bant yapısı yalıtkanlara benzer ancak enerji aralığı çok daha küçüktür. T=0 K’ de bütün
elektronlar değerlik bandındadır ve iletim bandında hiçbir elektron yoktur. Normal sıcaklıklarda
(oda sıcaklığı) bu malzemelerin iletkenliği artar. Enerji aralığının küçük olması ve Fermi
enerjisinin hemen hemen bu aralığın ortasında bulunması nedeniyle, fazla sayıda elektron iletim
bandına uyarılır.

1. Yarı iletkenlerin elektriksel iletkenliği sıcaklığa bağlıdır, sıcaklık artışı iletkenliği arıtır (ya da
özdirenci düşürür). Bu durum, sıcaklık artışı ile iletkenlikleri azalan iletkenlerle tamamen terstir.
2. Yarıiletkenlerde hem pozitif hem de negatif yük taşıyıcıları vardır. Bir elektron değerlik
bandından iletim bandına geçtiğinde arkasında bir boşluk bırakır. Buna deşik (hole) denir. Elektronu
eksik olan bu deşik pozitif bir yük gibi görünür. Yarıiletkene bir elektrik alan uyguladığımızda bu
deşiklerin hareketi elektron hareketinin tersi yönde gözlenir. Bu nedenle bir yarıiletkende akıma
a) İletim bandındaki (-) yüklü elektronlar ve b) değerlik bandındaki (+) yüklü deşikler katkıda
bulunur.
Bu yarıiletkenlere saf (özden) yarıiletkenler denir.
3. Safsızlıklar katılarak iletkenlik artırılabilir.
 D) Katkılı Yarıiletkenler:
Bilinen özellikteki safsızlıklar, kontrollü miktarlarda yarıiletkenlere katılırsa,
yarıiletkenin iletkenliği artar. Bu yarıiletkenlere katkılı yarıiletkenler , safsızlık katma
işine de aşılama (katkılama) denir. Bunlar iki çeşit olabilir:
- Safsızlığın iletim bandına ilave elektron katkısında bulunduğu yarıiletkenler
- Safsızlığın değerlik bandına ilave deşik katkısında buluduğu yarıiletkenler

 Silisyum (Si) ya da germanyum (Ge) gibi 4 değerlik elektronuna sahip atomları ele
alalım. Her Si ya da Ge, her biri ile bir elektronu ortak paylaştığı 4 tane komşusu ile
kovalent bağ yapar.
Si ya da Ge
atomu

elektron

Kovalent
bağ

Şekil; Kaynak [10]’ dan alınmıştır.

 5 değerlik elektronuna sahip fosfor (P) , antimon (Sb), arsenik (As) gibi gibi bir
atomla yarıiletkenin (Si veya Ge) katkılandığını düşünelim. 4 elektron komşu Si
veya Ge ile kovalent bağ yapar; 1 tanesi boşta kalır. Bu bağımsız olan elektron
iletkenliğe katkıda bulunur. Bu tip safsızlıklar verici (donör) olarak bilinir.
 Bu serbest elektron, iletim bandının hemen altında yer alan enerji seviyesine
sahiptir. Bu enerji seviyelerine verici durumları (seviyeleri) (Ed) denir. Bu
elektronların iletim bandına katılması için çok küçük bir enerjiye ihtiyaç vardır.
(Ge için ~ 0.01 eV ve Si için ~ 0.05 eV). Bu nedenle oda sıcaklığında iletim bandına
uyarımlar gerçekleşir.
 Verici atomlarla katkılandırılan yarıiletkenlere n-tipi yarıiletkenler denir. (Yük
taşıyıcılar negatif yüklü elektronlar olduğundan)
 3 değerlik elektronuna sahip bor (B) , alüminyum (Al), galyum (Ga) veya indiyum (In)
gibi gibi bir atomla yarıiletkenin (Si veya Ge) katkılandığını düşünelim. 3 elektron
komşu Si veya Ge ile kovalent bağ yapar. Dördüncü bağda elektron eksiği kalır.
Kovalent bağı dörde tamamlamak için, değerlik bandından bir elektron yakalanır ve
geride değerlik bandında bir deşik kalır. Bu tip safsızlıklar alıcı olarak bilinir.
 Bu safsızlık atomlarının değerlik bandının hemen üstünde yer alan enerji seviyeleri
vardır. Bu enerji seviyelerine alıcı durumları (seviyeleri) (Ea) denir. Oda
sıcaklığında değerlik bandından alıcı seviyelerine uyarımlar gerçekleşir.
 Alıcı atomlarla katkılandırılan yarıiletkenlere p-tipi yarıiletkenler denir. (Yük
taşıyıcılar pozitif yüklü deşikler olduğundan)
 5. Metallerin Serbest Elektron Teorisi
Metallerdeki serbest elektron teorisinde, elektronlar serbest olarak hareket ederler,
metaldeki iyon korlarından saçıldıklarında bir kuvvet hissederler. Elektronların hareketi
2 faktörler sınırlanmıştır.
1. Enerji dağılımları Fermi-Dirac dağılım fonksiyonu ile belirlenir.
2. Bazı enerji değerleri bant teorisi ile yasaklanmıştır. İzinli bantlar içerisinde
elektronların hareketi sadece Fermi-Dirac dağılımı ile sınırlandırılmıştır.
1
f FD ( E )  ( E  E f ) / kT
e 1
 Fermi enerjisi (EF), bir metaldeki elektron gazı gibi fermiyonlardan oluşan bir sitem
için önemli bir kavramdır. T=0’ da böyle bir fermiyon sistemini düşünelim:
E  E F  f FD  1
E  E F  f FD  0
 Mutlak sıfırda, EF’ ye kadar bütün enerji durumları dolu, EF’ nin üstündekilerin tümü boştur.
N fermiyon içeren bir sistemin Fermi enerjisini bulabilmek için, enerji durumlarını E=0’ dan
başlayarak enerji artışı sırasına göre N parçacıkla doldururuz.
 Serbest elektron modeline göre, serbest elektronlar T sıcaklığında bağımsız
parçacıklardan oluşan bir gaz oluşturur. Bu elektronlar uygulanan bir elektrik
alanla kısa mesafelerde hızlanır. Fakat maddenin kristal örgü yapısını oluşturan
atom ya da iyonlarla çarpıştığında yavaşlar. Başka bir ifadeyle, sürükleme
kuvvetleri elektronlara etkir. En basit sürükleme kuvveti hız ile orantılı olandır.
   
 F  ma  Fe  f s
 eE  ( sabit )vd
Sabit m/
: Çarpışmalar arasındaki ortalama zaman E ve v ters yönde
a  0 iken
mv d  eE
 eE   vd 
 m
Akım yoğunluğu;
 eE ne e e
J  ne evd  ne (e)( ) E
m m
 
J  E (OHM YASASI )
ne e 2
iletkenlik   
m
1
özdirenc   

 6. Yarıiletken Aygıtlar
6.1. p-n eklemi:

p-tipi yarıiletkenle n-tipi yarıiletkenin bir araya getirilmesiyle oluşur. 3 bölge

oluşur: p-tipi bölge, tüketim bölgesi ve n-tipi bölge. n-tipi bölgeden elektronlar
denge sağlanıncaya kadar p-tipi bölgeye doğru hareket edeler. İki malzemedeki
Fermi düzeyleri özdeş olunca bu denge sağlanır. Elektronlar birleşme bölgesinden
daha uzağa gidemezler, çünkü yarıiletken iyi iletim yapmaz.

n bölgesindeki elektronlar p bölgesine doğru

geçerken arkalarında hareketsiz pozitif iyon
korları bırakırlar. Aynı zamanda p-bölgesindeki
deşikler de arkalarında negatif iyon korları
bırakarak n bölgesine doğru yayılırlar. Eklemden
itibaren belli bir bölgede bir iç elektrik alan
oluşur. Burasına tüketim bölgesi denir. Bu iç
elektrik alan elektron ve deşiklerin eklemin bu
bölgesinden geçmesini engelleyen bir Vo
oluşturur. Böylece bu potansiyel sayesinde, bir
dış potansiyel fark yokken eklem içinden akım
geçmez.
 V potansiyel farkı uygulanırsa (eklemin p tarafı bir
güç kaynağının pozitif kutbuna bağlanırsa) , eklemin iç
potansiyeli Vo azalmış olur. Engel zayıfladığı için, ileri
yön voltaj ile üstel olarak artan akım meydana gelir.
Ters bağlama durumunda, bu sefer iç potansiyel artar.
Çok küçük bir ters akım oluşur ve bu kısa sürede doyma
değerine ((I0) )ulaşır.

P-n ekleminin en belirgin özelliği akımı

sadece bir yönde iletmesidir. Şekilde
gerçek bir p-n ekleminin belirtgen
eğrisi gösterilmektedir.

I  I 0 (e eV / kT  1)
 6.2. Fotodiyot:

İşleyişi sırasında ışık yayan ya da soğuran p-n eklemlerine fotodiyot denir.

Yarıiletkenlerin ışık yayması ya da soğurması, atomlardaki duruma benzer; sadece
ayrık enerji seviyeleri yerine enerji bantları gelmiştir. İletkenlik bandına uyarılan
bir elektron değerlik bandındaki bir deşikle birleştiğinde Eg enerjili bir foton
yayınlanır. Işık yayan diyotlar (LED) ve yarıiletken lazerler bu temele göre
çalışırlar.

Yarıiletken lazer

Şekil Kaynak [11]’ den

alınmıştır.

Tersine olarak, değerlik bandındaki bir elektron bir foton soğurarak arkasında bir
deşik bırakır ve iletim bandına yükselir. Bu ilkeye göre çalışan bir aygıt fotovoltaik
güneş pilleridir.
 6.3. Eklem Transistör

pnp ya da npn olmak üzere 2 tipi vardır. Bir tipteki yarıiletken tabakalar arasına diğer
tipten ince bir yarıiletken tabaka koyulmuştur. İki tipin de çalışma prensibi aynıdır.
Burada sadece pnp tipini anlatmak yeterlidir.
Dış tabakalardan biri yayıcı (emitör),diğeri toplayıcı (kollektör) olarak adlandırılır.
Aradaki diğer tipten yarıiletkenin oluşturduğu dar bölgeye baz (taban) denir. Bu
şekillenime göre iki eklem oluşur: 1) Yayıcı-baz arasında 2) Baz- toplayıcı arasında

Yayıcı, toplayıcıya göre daha yüksek potansiyelde olacak şekilde, bir üreteç yardımıyla
bir gerilim uygulansın. (Şekilde Vec ile sağlanır) Buna göre 1. Eklem (yayıcı-baz eklemi)
düz beslemede, 2. Eklem (baz-toplayıcı eklemi) ters beslemededir. Yayıcı-baz
ekleminden geçen hareketli deşikler akımı sağlar. Bu deşikler baz-toplayıcı ekleminin
uçları arasında hızlanarak Ie akımını oluştururlar.
 Transistör düz beslemeli ise,
toplayıcı (çıkış) akımı (Ic), baz (giriş)
akımı(Ib) ile doğrudan orantılıdr.
Böylece transistör akım yükseltici
olarak çalışır.

Ic =Ib

 akım kazancı 10 ile 100

arasındadır.

 Elektronik devrelerinin çok önemli

bir parçası olan transistörler çok
küçüktür ve çok az enerji harcarlar,
uzun çalışma ömrüne sahiptirler,
çalışma voltajları çok daha azdır. Pille
bile çalışırlar ve üretimleri daha ucuz
ve kolaydır.
 7. Süperiletkenlik:
 En iyi elektriksel iletkenler bile, normal sıcaklıklarda içlerinden yüklerin geçmesine
bir dereceye kadar karşı koyarlar. Fakat süperiletken olarak adlandırılan bazı
malzemeler ( bazı metaller, birçok alaşım ve bazı bileşikler)çok düşük sıcaklıklarda
akımın içlerinden serbestçe geçmesine izin verirler. Süperiletkenlerin elektriksel
dirençleri ’ kiritk sıcaklık ’ olarak adlandırılan bir Tc sıcaklığının altındaki
sıcaklıklarda hemen hemen sıfırdır.
 Süperiletkenlik 1911 yılında, fizikçi H. Kamerlingh Onnes tarafından civa örneği
üzerinde çalışılırken bulunmuştur. Tc= 4.15 K ‘ de direnç keskin biçimde sıfıra düştüğü
gözlenmiştir.

Kritik sıcaklığın üstündeki sıcaklıklarda

direnç-sıcaklık grafiği normal bir
metalinki gibidir. Kritik sıcaklık,
kimyasal bileşime, basınç ve moleküler
yapıya bağlıdır.
 Süperiletken malzemelerin içinde manyetik akı değişmez. Süperiletkenlerde
akımı devam ettirebilmek için sürücü bir kuvvete yani elektrik alana ihtiyaç
yoktur. Faraday’ ın indüksiyon yasasına göre
  d B
 E .ds  
dt
E  0   B sabit
B sabit .

Bu kesim Kaynak 4’ ten

alınmıştır.
  Bc kritik manyetik alan, verilen
malzemede süperiletkenliğin ortadan
kalması için verilmesi gerekli manyetik
alan. B < Bc olacak şekilde bir dış alana
yerleştirilsin.
a) T > Tc olduğunda süperiletken hale
geçiş olmadığından manyetik alan
çizgileri malzemeye nüfuz eder.
b) T < Tc için, yüzeyel bir i akımı var.
Bu akım dış manyetik alanı
sıfırlıyor. Yüzeyel akımlar, dış
manyetik alanın malzemeye nüfuz
etmesini engelleyecek şekilde ters
yönlü bir manyetik alan
oluşturuyorlar. (Akı
dışarlanması=Meissner Olayı) T <
Tc ‘ de süperiletken malzeme
diamanyetik özellik gösteriyor.
 B > Bc olursa süperiltekn hal bozulur
ve alan madde içine girer
 Süperiletkenler sürekli mıknatısları iterler. Küçük bir mıknatıs süperiletken
üzerinde havada tutulabilir.
 Yararlı bir uygulama enerji depolama aracı olarak süperiletken mıknatısların
yapılmasıdır. (MR cihazlarında, parçacık hızlandırıcılarında vs. kullanılır)
 Kaynaklar:

1. ‘ FİZ4001 Katıhal Fiziği Ders Notları’ , Dr. A. G. Gökçe,

http://kisi.deu.edu.tr/aytac.gokce/SSP_3.pdf
2. ‘Princples of Condensed Matter Physics’ ; P.M Chaikin, T.C. Lubensky
3. http://fizikliblog.blogspot.com.tr/2012/03/birim-hucre-ve-wigner-seitz-
hucresi.html
4. “Fen ve Mühendislik için Fizik ” , Cilt-II, R.A. Serway ve R.J. Beichner, (Çeviri
Editörü: Prof. Dr. Kemal Çolakoğlu), 5. Baskıdan çeviri, Palme Yayıncılık 2002, Ankara.
(Aksi belirtilmediği sürece, sunu dosyası içindeki tüm şekiller bu kaynaktan alınmıştır).
5. Modern Physics, K. Krane, John Wiley&Sons Inc, 1996, USA.
6. http://www.wikiwand.com/de/Graphit
7.http://chemwiki.ucdavis.edu/Textbook_Maps/Organic_Chemistry_Textbook_Maps/
Map%3A_Organic_Chemistry_%28Smith%29/Chapter_17%3A_Benzene_and_Aromati
c_Compounds/17.11_Buckminsterfullerene%E2%80%94Is_It_Aromatic%3F
8. http://www.fizikmakaleleri.com/2013/09/nanoteknoloji.html
9. http://www.slideshare.net/veneethmathew/03-lecture-presentation-43264447
10.Modern Fiziğin Kavramları, A. Beiser (Çeviri Prof. Dr. Gülsen Önengüt), 6. Baskıdan
Çeviri, Akademi Yayıncılık 2008, İstanbul.
11. http://www.robotiksistem.com/diyot_cesitleri_varikap_tunel_led_shottky.html

22.05.2016
A.Ozansoy, 2016 37