Professional Documents
Culture Documents
Thongtinquang PDF
Thongtinquang PDF
Thongtinquang PDF
Baøi 1:
Tín hieäu Maïch Nguoàn Linh kieän Phuïc hoài Tín hieäu
KÑ
ñieän kích thích quang thu quang tín hieäu ñieän
Sôïi quang
Baøi 2:
1300
nm
1,6 1,5 1,4 1,3 1,2 1,1 1,0 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4
m m m m m m m m m m m m m
1550 850
nm nm
AÙnh saùng duøng trong thoâng tin quang Vuøng aùnh saùng khaû kieán
CÔ SÔÛ QUANG HOÏC
1 1 ’
n1 moâi tröôøng 1
n2 moâi tröôøng 2
2
Tia khuùc xaï
CÔ SÔÛ QUANG HOÏC
Tia tôùi, tia phaûn xaï vaø tia khuùc xaï cuøng naèm treân moät
maët phaúng
Goùc phaûn xaï baèng goùc tôùi: 1= 1’
Goùc khuùc xaï ñöôïc xaùc ñònh töø coâng thöùc Snell:
n1sin1= n2 sin2
Tia tôùi Tia phaûn xaï Tia tôùi Tia phaûn xaï
1 1
n1 moâi tröôøng 1 n1 moâi tröôøng 1
c
n1 2= 90 (1= c)
n2 (n1>n2)
2< 90 (1< c)
a
n2 n
0 n1 ’
a
b
KHAÅU ÑOÄ SOÁ NA
(NUMERICAL APERTURE)
Ñieàu kieän ñeå moät tia saùng chieáu tôùi ñaàu sôïi quang vôùi goùc
tôùi coù theå truyeàn ñöôïc trong loõi sôïi quang?
2 1 3
1
3 = 90o - c
2 Loõi (n1)
3
Lôùp boïc (n2)
1
2
KHAÅU ÑOÄ SOÁ NA
(NUMERICAL APERTURE)
Keát luaän:
Söï phaûn xaï toaøn phaàn chæ xaûy ra ñoái vôùi nhöõng tia
saùng coù goùc tôùi ôû ñaàu sôïi quang nhoû hôn goùc tôùi haïn
max
sin max ñöôïc goïi laø khaåu ñoä soá NA cuûa sôïi quang
NA bieåu dieãn khaû naêng gheùp aùnh saùng vaøo trong sôïi
quang:
NA lôùn hieäu suaát gheùp aùnh saùng lôùn
NA lôùn nhieàu mode soùng taùn saéc mode
3 b
to t1 t2 t3
Ñònh nghóa: Taùn saéc laø hieän töôïng khi cho moät
xung aùnh saùng heïp chieáu vaøo ñaàu sôïi quang thì thu
ñöôïc moät xung aùnh saùng roäng hôn ôû cuoái sôïi quang
Aûnh höôûng cuûa taùn saéc:
Tín hieäu töôïng töï: meùo daïng tín hieäu
Tín hieäu soá: choàng laáp giöõa caùc bit
haïn cheá dung löôïng vaø cöï ly truyeàn cuûa tuyeán quang
TAÙN SAÉC MODE
(MODAL DISPERSION)
Moät tia saùng ñöôïc xem nhö moät mode soùng taùn saéc mode.
Nguyeân nhaân gaây ra hieän töôïng taùn saéc treân?
Coù nhieàu tia saùng truyeàn trong sôïi quang vôùi quaõng ñuôøng truyeàn khaùc
nhau
Vaän toác truyeàn baèng nhau thôøi gian truyeàn khaùc nhau t
Laøm caùch naøo ñeå haïn cheá taùn saéc?
Chæ cho moät tia saùng (mode soùng) truyeàn ñi trong sôïi quang sôïi
quang ñôn mode SMF (Single Mode Fiber)
Giaûm t giöõa caùc tia saùng sôïi quang coù chieát suaát giaûm daàn GI
(Graded Index fiber)
SÔÏI QUANG GI
(Graded-Index Fiber)
r
3 > 2 > 1= 0o
b
a
n(r) 3
n2 3
0 n1 2 1
2
a
b
r
n1 1 r a
n(r ) a
n2 r a
a
n(r) 3
n2 3
0 n1 2 1
2
a
b
r
Caùc tia saùng coù quaõng ñöôøng truyeàn khaùc nhau: s1< s2< s3
Vaän toác truyeàn giöõa caùc tia saùng khaùc nhau: v1< v2< v3
Taïi truïc (r=0): n(0)=n1 lôùn nhaát v(0)=c/n(0) nhoû nhaát
Caøng ra xa truïc vaän toác truyeàn caøng lôùn
quaûng ñöôøng truyeàn tyû leä thuaän vôùi vaän toác truyeàn
Thôøi gian truyeàn cuûa caùc tia saùng khaùc nhau: ti=si/vi
tij = ti – tj nhoû
SÔÏI QUANG GI
(Graded-Index Fiber)
Sôïi GI coù taùn saéc mode nhoû hôn nhieàu so vôùi sôïi quang SI
Taùn saéc mode ñôn vò dmode (ns/km) cuûa sôïi SI vaø GI:
n1 n1 2
d mod e SI d mod e GI
c c 8
SI vaø GI: sôïi quang ña mode: dmode 0 Haïn cheá cöï ly
vaø toác ñoä bit truyeàn
Sôïi quang ñôn mode SMF: dmode = 0
ÖÙng duïng:
Sôïi SI: cöï ly truyeàn ngaén vaø toác ñoä bit truyeàn thaáp
Sôïi GI: cöï ly truyeàn vaø toác ñoä bit truyeàn trung bình
Sôïi SM: cöï ly truyeàn daøi vaø toác ñoä bit truyeàn cao
r
b
a n(r)
n2
0 n1
a
b
r
r
b
a n(r)
n2
0 n1
a
b
r
r
b
a n2 n(r)
a n1
b
r
PHAÂN LOAÏI SÔÏI QUANG
Phaân loaïi theo daïng chieát suaát cuûa loõi:
Sôïi quang coù chieát suaát nhaûy baäc SI
Sôïi quang coù chieát suaát giaûm daàn GI
Sôïi quang giaûm chieát suaát lôùp boïc
Sôïi quang dòch taùn saéc DSF (Dispersion-Shifted Fiber)
Sôïi quang san baèng taùn saéc DFF (Dispersion-Flatened Fiber)
n(r) n(r) n(r)
n1
n2
r r r r r r
a2 a1 0 a1 a2 a3 a2 a1 0 a1 a2 a3 a3 a1 0 a1 a3
a4 a2 a2 a4
Giaûm chieát suaát lôùp boïc Sôïi dòch taùn saéc DSF Sôïi san baèng taùn saéc DFF
PHAÂN LOAÏI SÔÏI QUANG
Phaân loaïi theo soá mode truyeàn trong sôïi quang
Sôïi ña mode:
Sôïi SI, GI (G.651):
(50/125m), (62.5/125m), (100/140m)
Sôïi ñôn mode SMF (Single-Mode Fiber)
Sôïi ñôn mode tieâu chuaån SMF (G.652):
o (9/125 m)
o Heä soá suy hao: 0.38 dB/km (=1310nm) vaø 0.2 dB/km (= 1550nm)
o Heä soá taùn saéc: baèng 0 taïi =1310nm vaø 18ps/nm.km taïi = 1550nm
Sôïi DSF (G.653)
Sôïi dòch taùn saéc khaùc zero NZ-DSF (G.655)
PHAÂN LOAÏI SÔÏI QUANG
Phaân loaïi theo vaät lieäu cheá taïo:
Sôïi thuûy tinh (All-glass fiber): loõi vaø lôùp boïc baèng thuyû tinh
Sôïi plastic (All-plastic fiber): loõi vaø lôùp boïc ñeàu baèng plastic
Sôïi PCS (Plastic-Cladded Silica): loõi baèng thuûy tinh, lôùp boïc
laøm baèng nhöïa
PHAÂN LOAÏI SÔÏI QUANG
Sôïi thuûy tinh Sôïi PCS Sôïi plastic
Ñaëc tính kyõ thuaät:
- Kích thöôùc sôïi (9/125m), (50/125m), Ñöôøng kính loõi: 0,5-1mm
(62.5/125m)
- Chieát suaát / NA =0,2% -1,3%; n1=1,46; n2=1,40 NA= 0.54
Baøi 3:
L
P ( L ) P ( 0 ) 10 10
600
500
400
noàng ñoä ñoä taïp chaát 10-6 Cu
300
200 Fe
100 Mn
0
500 600 800 1000 1200 1400 1600 (nm)
SUY HAO (ATTENUATION)
Haáp thuï ion OH-: ñoä suy hao phuï thuoäc vaøo
o Noàng ñoä ion OH- giaù trò cho pheùp <10-9
o Böôùc soùng aùnh saùng: ñænh suy hao taïi böôùc soùng gaàn 950nm,
1240nm vaø 1400nm
Ñoä aåm laø moät nguyeân nhaân gaây ra suy hao trong sôïi quang
(dB/Km)
1978
TAÙN SAÉC (DISPERSION)
Ñònh nghóa:
Laø hieän töôïng khi ñöa moät xung aùnh saùng heïp vaøo ñaàu
sôïi quang laïi nhaän ñöôïc moät xung aùnh saùng roäng hôn ôû
cuoái sôïi
Pi
Pi /2 Po
Po /2
L
i o
D o2 i2
TAÙN SAÉC (DISPERSION)
Nguyeân nhaân gaây ra taùn saéc:
Do söï cheânh leäch veà thôøi gian truyeàn cuûa caùc tia saùng
(caùc mode soùng) taùn saéc do ñöôøng truyeàn hay taùn
saéc mode (modal dispersion)
AÙnh saùng do nguoàn quang phaùt ra trong moät khoaûng
böôùc soùng + vaän toác truyeàn pha cuûa moãi böôùc soùng
laïi khaùc nhau thôøi gian truyeàn cuûa caùc böôùc soùng
khaùc nhau taùn saéc saéc theå (chromatical
dispersion)
Taùn saéc chaát lieäu (material dispersion)
Taùn saéc daãn soùng (waveguide dispersion)
TAÙN SAÉC (DISPERSION)
Taùn saéc toång coäng (Total Dispersion):
2 2 2 2
Dt D mod D chr dt d mod d chr
LD APD
Daây nhaûy Daây noái Caùp ñöôøng truïc Daây noái Daây nhaûy
quang quang quang quang
FC/FC FC/FC
THIEÁT KEÁ
TUYEÁN TRUYEÀN DAÃN QUANG
Phaân boá suy hao treân tuyeán:
Coâng suaát nguoàn quang phoùng vaøo sôïi
P(dBm)
Baøi 4:
1
NOÄI DUNG
Caùc khaùi nieäm cô baûn:
Möùc naêng löôïng (Energy Level)
Vuøng naêng löôïng (Energy Band)
Chaát baùn daãn (Semiconductor)
Nguyeân lyù bieán ñoåi quang ñieän
Nguoàn quang (Light Source)
LED (Light Emitting Diode)
Laser (Light Amplification by Stimulated Emitting of Radiation)
Caùc thoâng soá kyõ thuaät cuûa nguoàn quang
Linh kieän taùch soùng quang (Light Detector)
PIN
APD (Avalanche Photodiode)
Caùc thoâng soá kyõ thuaät cuûa linh kieän thu quang 2
CAÙC KHAÙI NIEÄM CÔ BAÛN
Lyù thuyeát löôïng töû cuûa Borh:
Moät nguyeân töû bao goàm haït nhaân (+) ñöôïc bao quanh bôûi caùc ñieän
töû (-)
Caùc ñieän töû quay quanh haït nhaân theo moät quyõ ñaïo oån ñònh vaø do
ñoù mang moät möùc naêng löôïng xaùc ñònh
Caùc ñieän töû chæ thay ñoåi traïng thaùi naêng löôïng khi chuyeån töø quyõ
ñaïo naøy sang moät quyõ ñaïo khaùc
toaøn boä nguyeân töû mang caùc möùc naêng löôïng rôøi raïc
naêng löôïng cuûa nguyeân töû ñöôïc löôïng töû hoùa
3
CAÙC KHAÙI NIEÄM CÔ BAÛN
Möùc naêng löôïng (Energy level):
Naêng löôïng E(eV)
E4
E3
E2
E1 Energy gap Eij=Ej -
Ei
E0 Ground state
Caùc möùc naêng löôïng trong cuûa ñieän töû trong nguyeân töû khoâng lieân tuïc
Moät ñieän töû chæ coù theå mang moät trong caùc möùc naêng löôïng rôøi raïc
naøy
Möùc naêng löôïng thaáp nhaát E0 ñöôïc goïi laø möùc neàn (ground state)
traïng thaùi oån ñònh cuûa nguyeân töû 4
CAÙC KHAÙI NIEÄM CÔ BAÛN
Möùc naêng löôïng (tt):
Khi ñieän töû chuyeån töø möùc naêng löôïng cao Ej xuoáng möùc naêng löôïng
thaáp Ei thì noù seõ phaùt ra moät naêng löôïng E = Eij = Ej – Ei
E ñöôïc phaùt ra döôùi daïng nhieät hoaëc döôùi daïng photon aùnh saùng (söï
böùc xaï aùnh saùng (radiation) )
Naêng löôïng cuûa moät photon ñöôïc böùc xaï:
Ephoton = E = hf = hc/ = hc/ E
Böôùc soùng aùnh saùng phaùt xaï phuï thuoäc vaøo khoaûng caùch giöõa caùc
möùc naêng löôïng cuûa vaät lieäu
5
CAÙC KHAÙI NIEÄM CÔ BAÛN
Möùc naêng löôïng (tt):
Khi nguyeân töû nhaän moät naêng löôïng E töø beân ngoaøi cung caáp seõ xaûy
ra hai tröôøng hôïp:
Neáu E = Eij (i,j= 0,1,2 …), ñieän töû coù traïng thaùi naêng löôïng Ei seõ haáp thuï
(absorption) naêng löôïng E vaø di chuyeån leân möùc naêng löôïng cao hôn Ej
Neáu E Eij (i,j= 0,1,2 …) khoâng xaûy ra haáp thuï
E(eV) E(eV)
Ej Ej
E= Eij (Eij = Ej – Ei) E Eij (Eij = Ej – Ei)
Ei Ei
6
CAÙC KHAÙI NIEÄM CÔ BAÛN
Quaù trình bieán ñoåi quang ñieän xaûy ra döïa treân 3 hieän töôïng
sau:
Haáp thuï Phaùt xaï töï phaùt Phaùt xaï kích thích
(Absortion) (Spontaneous emission) (Spontaneous
emission)
Bieán ñoåi quang -ñieän Bieán ñoåi ñieän - quang Bieán ñoåi ñieän - quang
8
CAÙC KHAÙI NIEÄM CÔ BAÛN
Vuøng naêng löôïng (Energy band):
Trong chaát baùn daãn (hay chaát raén noùi chung), caùc möùc naêng löôïng
rôøi raïc nhau nhöng raát gaàn nhau
caùc ñieän töû xem nhö naèm ôû caùc vuøng naêng löôïng (energy band)
Trong chaát baùn daãn, coù theå phaân bieät thaønh hai vuøng naêng löôïng:
Vuøng hoaù trò (Valence band): vuøng naêng löôïng thaáp, laø vuøng naêng
löôïng beàn vöõng cuûa ñieän töû.
Vuøng daãn (Connection band): vuøng naêng löôïng cao
Caùc ñieän töû coù theå naèm ôû moät trong caùc vuøng naêng löôïng naøy (vuøng
daãn hoaëc vuøng hoaù trò) nhöng khoâng theå naèm giöõa caùc vuøng naêng
löôïng energy gap
9
CAÙC KHAÙI NIEÄM CÔ BAÛN
Vuøng naêng löôïng (tt):
E
Vuøng daãn
(Conduction band)
Energy gap
10
CAÙC KHAÙI NIEÄM CÔ BAÛN
Chaát baùn daãn (Semiconductor):
Khi T= 0oK, taát caû caùc ñieän töû ñeàu taäp trung trong vuøng hoùa trò
(traïng thaùi naêng löôïng oån ñònh), khoâng coù ñieän töû naèm trong
vuøng daãn chaát baùn daãn hoaït ñoäng ôû traïng thaùi caùch ñieän
T>0oK, moät soá ñieän töû seõ nhaän naêng löôïng nhieät vaø chuyeån leân
vuøng daãn coù möùc naêng löôïng cao hôn chaát baùn daãn hoaït ñoäng
ôû traïng thaùi daãn
Khi ñieän töû (electron) chuyeån leân vuøng daãn, noù ñöôïc goïi laø ñieän
töû töï do vaø ñeå laïi loã troáng torng vuøng hoaù trò
Vuøng hoaù trò laø vuøng naêng löôïng oån ñònh cuûa ñieän töû caùc ñieän
töû luoân coù khuynh höôùng chuyeån töø vuøng daãn xuoáng vuøng hoùa trò
Thôøi gian ñieän töû ôû vuøng daãn tröôùc khi di chuyeån xuoáng vuøng
daãn ñöôïc goïi laø lifetime tf.
tf phuï thuoäc vaøo loaïi baùn daãn
11
CAÙC KHAÙI NIEÄM CÔ BAÛN
Chaát baùn daãn (tt):
Taïi traïng thaùi caân baèng veà nhieät (T=const), soá löôïng ñieän töû di
chuyeån töø vuøng hoaù trò leân vuøng daãn vaø, ngöôïc laïi, töø vuøng daãn
xuoáng vuøng hoaù trò laø caân baèng nhau
Muoán taïo ra aùnh saùng (soá löôïng photon phaùt ra nhieàu hôn soá
photon bò haáp thuï) thì caàn taïo ra moät traïng thaùi goïi laø “nghòch
ñaûo maät ñoä” (population conversion)
12
NGUOÀN QUANG
(LIGHT SOURCE)
Ñònh nghóa:
Nguoàn quang laø linh kieän bieán ñoåi tín hieäu ñieän thaønh tín hieäu
aùnh saùng coù coâng suaát tyû leä vôùi doøng ñieän chaïy qua noù.
Coù hai loaïi nguoàn quang:
LED (Light Emitting Diode)
Laser ( Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation)
Böôùc soùng do nguoàn quang taïo ra chæ phuï thuoäc vaøo vaät
lieäu cheá taïo: hc 1, 24
( m)
Eg ( J ) Eg (eV )
13
NGUOÀN QUANG
(LIGHT SOURCE)
Trong TTQ, nguoàn quang ñöôïc cheá taïo baèng vaät lieäu
baùn daãn, goàm caùc vaät lieäu nhoùm III vaø V keát hôïp vôùi
nhau.
GaP, GaAsP, AlGaAs, GaAs, InGaAsPInP, InGaAsP
GaAs/InP
AlGaAs
GaAsP
GaAs
In1-xGaxAs1-yPy: thay ñoåi caùc giaù trò x,y phuø hôïp seõ taïo ra aùnh saùng
14
coù böôùc soùng thích hôïp
NGUOÀN QUANG
(LIGHT SOURCE)
Ñoä roäng phoå:
Trong TTQ, aùnh saùng do nguoàn quang phaùt ra khoâng phaûi taïi
moät böôùc soùng maø taïi moät khoaûng böôùc soùng:
Caùc ñieän töû naèm trong moät vuøng naêng löôïng chöù khoâng phaûi ôû moät
möùc naêng löôïng
Caùc ñieän töû khi chuyeån töø caùc caùc möùc naêng löôïng Ej trong vuøng
daãn xuoáng möùc naêng löôïng Ei trong vuøng hoaù trò seõ taïo ra photon
coù böôùc soùng:
1, 24
ij ( m) vôùi Eij = Ej - Ei
Eij (eV )
Do coù nhieàu möùc naêng löôïng khaùc nhau trong caùc vuøng naêng löôïng
neân seõ coù nhieàu böôùc soùng aùnh saùng ñöôïc taïo ra
15
NGUOÀN QUANG
(LIGHT SOURCE)
Ñoä roäng phoå (tt):
E
0.5
1, 24
ij ( m) vôùi Eij = Ej - Ei
Eij (eV )
16
NGUOÀN QUANG
(LIGHT SOURCE)
Ñoä roäng phoå (tt):
Phaân boá maät ñoä ñieän töû trong vuøng daãn vaø vuøng hoaù trò khoâng
ñeàu nhau coâng suaát phaùt quang taïi caùc böùôc soùng khaùc nhau
khoâng ñeàu nhau
Böùôc soùng coù coâng suaát lôùn nhaát ñöôïc goïi laø böùôc soùng trung
taâm. Böôùc soùng naøy thay ñoåi theo nhieät ñoä do phaân boá maät ñoä
ñieän töû trong caùc vuøng naêng löôïng thay ñoåi theo nhieät ñoä.
Ñoä roäng phoå: khoaûng böôùc soùng aùnh saùng do nguoàn quang phaùt
ra coù coâng suaát baèng 0.5 laàn coâng suaát ñænh
Ñoä roäng phoå laøm taêng taùn saéc cuûa sôïi quang haïn cheá cöï ly vaø
toác ñoä bit truyeàn cuûa tín hieäu
Laøm caùch naøo ñeå giaûm ñoä roäng phoå cuûa nguoàn quang?
17
LED
(Light Emitting Diode)
Nguyeân lyù hoaït ñoäng: döïa treân hieän töôïng phaùt xaï töï phaùt
Caáu taïo:
Phaùt trieån töø diode baùn daãn tieáp giaùp pn ñöôïc phaân cöïc thuaän
Treân thöïc teá, LED coù caáu truùc phöùc taïp hôn, goàm nhieàu lôùp baùn
daãn ñeå ñaùp öùng ñoàng thôøi caùc yeâu caàu kyõ thuaät cuûa moät nguoàn
quang
Quaù trình phaùt quang:
18
LED
(Light Emitting Diode)
I V -
+
Vuøng hieám
p (Depletion region) n
- +
Phaùt xaï töï phaùt - +
-
- +
+ V>VD
+ - - + -
- +
- +
- +
photon -- +
- - +
+
- VD +
Ec -
Eph = h
+ Loã troáng
Eg = Ec - Ev
E - Ñieän töû
Ev
+
19
LED
(Light Emitting Diode)
Phaân loaïi:
LED phaùt xaï maët SLED (Surface
LED):
AÙnh saùng phaùt ra ôû phía maët cuûa
LED
Hieäu suaát gheùp aùnh saùng vaøo sôïi
Caáu truùc LED tieáp xuùc maët GaAs quang thaáp
LED tieáp xuùc maët GaAs, LED
Burrus …
23
LASER
(Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation)
Aùnh saùng phaùt ra theo chieàu doïc cuûa hoác coäng höôûng seõ bò
phaûn xaï qua laïi giöõa hai maët phaûn xaï.
Trong quaù trình di chuyeån theo chieàu doïc cuûa hoác coäng
höôûng seõ xaûy ra ñoàng thôøi 3 hieän töôïng:
Haáp thuï nabsorption photon bò haáp thuï
Phaùt xaï töï phaùt nspontaneous photon ñöôïc taïo ra
Phaùt xaï kích thích nstimulated photon ñöôïc taïo ra
Ñieàu kieän ñeå aùnh saùng ñöôïc khuyeách ñaïi trong quaù trong
phaûn xaï qua laïi giöõa hai hoác coäng höôûng laø:
nspontaneous + nstimulated > naborption
Xaùc suaát ñeå xaûy ra phaùt xaï photon phaûi lôùn hôn so vôùi
vieäc photon bò haáp thu
24
LASER
(Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation)
Ñieàu naøy coù nghóa laø soá electron naèm ôû vuøng daãn n2 (coù
naêng löôïng cao E2) phaûi nhieàu hôn soá photon naèm ôû vuøng
hoùa trò n1 (coù naêng löôïng thaáp E1)
traïng thaùi nghòch ñaûo noàng ñoä (population inversion)
ÔÛ traïng thaùi bình thöôøng: n1>n2
ñeå coù theå ñaït ñöôïc ñieàu kieän naøy caàn phaûi cung caáp naêng löôïng töø
beân ngoaøi ñuû lôùn
Ñoái vôùi laser baùn daãn, nguoàn naêng löôïng beân ngoaøi naøy
ñöôïc cung caáp döôùi daïng doøng ñieän
Doøng ñieän toái thieåu ñeå coù theå xaûy ra quaù trình khueách ñaïi aùnh saùng
ñöôïc goïi laø doøng ngöôõng
25
LASER
(Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation)
Ñieàu kieän veà coâng suaát: g > - (1/2L).ln(R1R2)
g, laø heä soá khueách ñaïi vaø heä soá suy hao trong hoác coäng höôûng
g, phuï thuoäc vaøo doøng ñieän kích thích
28
LASER
(Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation)
Grating
n5
Grating n4
n3
Active layer
Active layer n2
n1
Nguyeân lyù caáu taïo DFB Laser Nguyeân lyù caáu taïo cuûa DBR Laser
Nguyeân lyù caáu taïo cuûa C3 Laser Nguyeân lyù caáu taïo cuûa External
(Cleaved-Coupled-Cavity Laser) Cavity Laser
29
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
NGUOÀN QUANG
Coâng suaát phaùt quang:
Laø coâng suaát toång coäng maø nguoàn quang phaùt ra
Phuï thuoäc vaøo doøng ñieän kích thích
32
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
NGUOÀN QUANG
Hieäu suaát gheùp quang (tt):
Hieäu suaát gheùp quang cuûa moät loaïi nguoàn quang:
SLED: 1-5%
ELED: 5-15%
Laser: - 60% ñoái vôùi sôïi ñôn mode (SMF)
- 90% ñoái vôùi sôïi ña mod
Moät soá phöông phaùp gheùp aùnh saùng töø LED vaøo sôïi quang:
33
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
NGUOÀN QUANG
Ñoä roäng phoå (Spectral width):
Nguoàn quang phaùt ra coâng suaát cöïc ñaïi ôû böôùc soùng trung taâm vaø
giaûm daàn veà hai phía
Coâng suaát
Ñoä roäng phoå laø khoaûng böôùc soùng chuaån hoaù 1
maø coâng suaát quang khoâng nhoû hôn
0.5
phaân nöõa möùc coâng suaát ñænh
Laser coù ñoä roäng phoå raát heïp so vôùi LED: (nm
Laser: 1- 4 nm p )
LED: 35-100nm
Moät soá loaïi laser (DFB laser) ñöôïc söû duïng trong kyõ thuaät WDM coù
< 0,1nm
34
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
NGUOÀN QUANG
Thôøi gian chuyeån leân (Rise time):
Laø thôøi gian ñeå coâng suaát ra taêng töø 10% ñeán 90% möùc soâng suaát oån
ñònh khi coù xung doøng ñieän kích thích nguoàn quang
Coâng suaát töông ñoái
1
0.9
0.1 t
tr
Thôøi gian leân aûnh höôûng ñeán toác ñoä bit cuûa tín hieäu ñieàu cheá
Muoán ñieàu cheá ôû toác ñoä bit caøng cao thì nguoàn quang phaûi coù thôøøi
gian chuyeån caøng nhanh
Thôøi gian chuyeån cuûa Laser (khoâng quaù 1 ns) raát nhanh so vôùi LED
(2–50 ns tuøy loaïi) 35
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
NGUOÀN QUANG
Aûnh höôûng cuûa nhieät ñoä:
Böôùc soùng thay ñoåi khi nhieät ñoä thay ñoåi
aûnh höôûng lôùn ñeán heä thoáng truyeàn daãn quang gheùp keânh phaân
chia theo böùôc soùng (WDM)
Doøøng ngöôõng cuûa Laser thay ñoåi khi nhieät ñoä thay ñoåi (+1%/oC)
Laser chòu aûnh höôûng bôûi nhieät ñoä lôùn hôn so vôùi LED.
caàn phaûi oån ñònh nhieät cho Laser
Laser thöôøng ñöôïc cheá taïo döôùi daïng module, bao goàm caùc thaønh
phaàn oån ñònh nhieät cho Laser.
36
LINH KIEÄN TAÙCH SOÙNG QUANG
(PHOTO DECTECTOR)
Ñònh nghóa:
Linh kieän taùch soùng quang laø linh kieän bieán ñoåi tín hieäu aùnh
saùng thaønh tín hieäu ñieän coù cöôøng ñoä doøng ñieän tyû leä vôùi coâng
suaát aùnh saùng chieáu vaøo noù.
Nguyeân lyù hoaït ñoäng:
Moái tieáp giaùp pn phaân cöïc ngöôïc
Hieän töôïng haáp thuï (absorption)
Coù hai loaïi linh kieän taùch soùng quang ñöôïc söû duïng:
PIN: diode thu quang coù 3 lôùp baùn daãn P, I, N
APD (Avelanche Photodiode) : diode thaùc luõ
Vuøng böôùc böôùc soùng hoaït ñoäng cuûa linh kieän thu quang
phuï thuoäc vaøo vaät lieäu cheá taïo
37
LINH KIEÄN TAÙCH SOÙNG QUANG
(PHOTO DECTECTOR)
Hieäu suaát löôïng töû (Quantum Efficiency)
ne ne: soá löôïng ñieän töû taùch ra
n ph nph: soá löôïng photon chieáu vaøo
Hieäu suaát bieán ñoäi quang-ñieän
cuûa moãi vaät lieäu thay ñoåi theo böôùc soùng aùnh saùng
38
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
LINH KIEÄN TAÙCH SOÙNG QUANG
Ñaùp öùng (Responsivity):
I ph Iph: doøng quang ñieän
R
Popt Popt: coâng suaát quang
Phuï thuoäc hieäu suaát löôïng töû cuûa vaät lieäu böùôc soùng hoaït ñoäng
39
LINH KIEÄN TAÙCH SOÙNG QUANG
(PHOTO DECTECTOR)
Quaù trình taùch soùng quang:
Ec -
Eph = h
Eg = Ec - Ev
Ev
+
40
LINH KIEÄN TAÙCH SOÙNG QUANG
(PHOTO DECTECTOR)
Nhaän xeùt:
Quaù trình haáp thuï xaûy ra chuû yeáu trong vuøng hieám (vuøng coù ít
caùc ñieän tích töï do)
Vuøng hieám ñöôïc taïo ra töï nhieân heïp hieäu suaát thaáp
Muoán taêng hieäu suaát bieán ñoåi quang-ñieän (hieäu suaát löôïng töû):
Taêng ñoä roäng cuûa vuøng hieám baèng caùch taêng ñieän aùp phaân cöïc
khoâng hieäu quaû
Ñaët giöõa hai lôùp baùn daãn P vaø N moät lôùp baùn daãn coù ñoä roäng lôùn coù
tính chaát töông töïï nhö vuøng hieám
diode thu quang PIN
41
DIODE THU QUANG PIN
Caáu taïo: goàm 3 lôùp baùn daãn P-I-N, trong ñoù I (Intrinsic)
laø lôùp baùn daãn khoâng pha taïp chaát hoaëc pha vôùi noàng ñoä
raát thaáp
43
DIODE THU QUANG APD
(Avalanche Photo Diode)
44
DIODE THU QUANG APD
(Avalanche Photo Diode)
Hieäu suaát löôïng töû trong APD: >1
Doøng quang ñieän do APD tao ra:
R: ñaùp öùng (A/W)
Iph = R.M.Popt M: heä soá nhaân
Popt: coâng suaát quang
Heä soá nhaân M:
Laø soá ñieän töû thöù caáp phaùt sinh öùng vôùi moät ñieän töû sô caáp
Thay ñoåi theo ñieän aùp phaân cöïc ngöôïc
Phuï thuoäc vaøo nhieät ñoä tính oån ñònh cuûa APD keùm
Vuøng thaùc luõ caøng lôùn thì heä soá M caøng lôùn, nhöng thôøi gian troâi
cuûa ñieän töû caøng chaäm neân toác ñoä hoaït ñoäng cuûa APD giaûm
M= 10-1000 laàn, nhöng treân thöïc teá M ñöôïc hieäu chænh baèng 50-
200 laàn ñeå giaûm nhieãu
45
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
LINH KIEÄN TAÙCH SOÙNG QUANG
Ñoä nhaïy (Sensitivity):
Laø möùc coâng suaát quang thaáp nhaát maø linh kieän thu quang coù
theå thu ñöôïc vôùi moät tyû soá loãi (BER) nhaát ñònh
Phuï thuoäc vaøo loaïi linh kieän taùch soùng quang vaø muùc nhieãu cuûa
boä khueách ñaïi ñieän
Toác ñoä bit ruyeàn daãn caøng cao thì ñoä nhaïy cuûa thieát bò thu caøng
keùm
APD nhaïy hôn PIN (töø 5dB ñeán 15dB)
46
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
LINH KIEÄN TAÙCH SOÙNG QUANG
Daûi ñoäng (Dynamic Range)
Laø khoaûng cheânh leäch giöõa möùc coâng suaát quang cao nhaát vaø
möùc coâng suaát quang thaáp nhaát maø linh kieän thu quang coù theå
thu ñöôïc trong moät giôùi haïn tyû soá loãi (BER) nhaát ñònh
Phuï thuoäc vaøo loaïi linh kieän taùch soùng quang, ñoä tuyeán tính vaø
giôùi haïn baûo hoaø cuûa boä khueách ñaïi thu
Daûi ñoäng cuûa APD roäng hôn so vôùi PIN vì coù theå ñieàu chænh
ñöôïc baèng caùch thay ñoåi ñieän aùp phaân cöïc ñeå thay ñoåi heä soá
47
nhaân M.
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
LINH KIEÄN TAÙCH SOÙNG QUANG
Taïp aâm (Noise):
Taïp aâm nhieät:
Do ñieän trôû taûi cuûa diode thu quang cuõng nhö trôû khaùng vaøo cuûa boä
khueách ñaïi
Phuï thuoäc vaøo nhieät ñoä, beà roäng baêng taïp aâm, ñieän trôû taûi:
2 4 KT
I
t B
R
Taïp aâm löôïng töû:
Do bieán ñoäng ngaãu nhieân naêng löôïng cuûa caùc photon ñaäp vaøo diode
thu quang
Doøng taïp aâm löôïng töû: I 2 2e.R.P .B 2e.I .B
q opt ph
Taïp aâm doøng toái:
Doøng ñieän nhieãu do caùc diode thu quang phaùt ra khi khoâng coù aùnh
saùng chieáu vaøo
Doøng toái: I q2 2e.iD .B
48
CAÙC ÑAËC TÍNH KYÕ THUAÄT CUÛA
LINH KIEÄN TAÙCH SOÙNG QUANG
Ñoä oån ñònh:
Ñoä oån ñònh cuûa PIN toát hôn APD vì heä soá nhaân M cuûa APD vöùa phuï
thuoäc vaøo ñieän aùp phaân cöïc vöøa thay ñoåi theo nhieät ñoä
Ñieän aùp phaân cöïc:
APD caàn ñieän aùp phaân cöïc cao hôn PIN
APD: haøng traêm Volt
PIN: thuôøng döôùi 20 volt
49
THOÂNG TIN QUANG
Baøi 5:
1
NOÄI DUNG
Caùc yeâu caàu:
Muïc ñích: Cöï ly truyeàn daãn, toác ñoä truyeàn daãn, tyû soá loãi bit BER
Caùc thaønh phaàn cuûa tuyeán: Sôïi quang, nguoàn quang, thieát bò thu
quang
Quyõ coâng suaát
Quyõ thôøi gian leân
Nhieãu trong heä thoáng thoâng tin quang
Nhieãu luôïng töû
Nhieãu nhieät
Tyû leä tín hieäu treân nhieãu: PIN, APD
Caùc giaù trò caùc thaønh phaàn
Baøi toaùn thieát keá
2
5.1. CAÙC YEÂU CAÀU
Heä thoáng heä thoáng thoâng tin quang ñieåm-ñieåm:
3
CAÙC THAØNH PHAÀN CUÛA TUYEÁN
Sôïi quang: Thieát bò thu quang: PIN
Sôïi quang ñôn mode hay ña hay APD
mode Heä soá chuyeån ñoåi
Kích thöôùc loõi sôïi Böôùc soùng laøm vieäc
Chæ soá chieát suaát maët caét loõi Toác ñoä laøm vieäc
Baêng taàn hoaëc taùn saéc Ñoä nhaïy thu.
Suy hao cuûa sôïi
Khaåu ñoä hay baùn kính tröôøng
mode.
Nguoàn quang:
Böôùc soùng phaùt
Ñoä roäng phoå
Coâng suaát phaùt
Vuøng phaùt xaï coù hieäu quaû.
4
5.2. QUYÕ COÂNG SUAÁT
Suy hao treân tuyeán:suy hao treân SQ, treân caùc boä noái vaø caùc moái haøn.
Pout
Suy hao töøng phaàn ñöôïc xaùc ñònh theo coâng thöùc A 10 log
Pin
Coâng suaát döï phoøng cho tuoåi thoï cuûa caùc thaønh phaàn, cho söï thay ñoåi
cuûa nhieät ñoä: 6dB ñeán 8dB.
Phöông trình caân baèng quyõ coâng suaát (ñieåm-ñieåm) laø:
10 log[ PS .(hs )] MDP ( cap ) L n. C m. S d device
Trong ñoù:
Ps laø coâng suaát phaùt [mW] L: Khoaûng caùch giöõa phía phaùt vaø thu [km]
c, s : Suy hao connector vaø suy hao moái
hs: Hieäu suaát gheùp quang [%] haøn [dB]
MDP: Ñoä nhaïy maùy thu n, m: Soá connector vaø soá moái haøn
MDP=-27,5dBm d : Suy hao gheùp sôïi quang-boä thu[dB]
, cap : Heä soá suy hao caùp vaø döï device : Suy hao döï phoøng cho thieát bò [dB]
phoøng cho caùp [dB/km]
5
5.2. QUYÕ COÂNG SUAÁT (tt)
Công suất quang tới [dB]:
Pd 10 log[ PS .(hs )] [( cap ) L n. C m. S d device ]
Khi công suất quang tới nằm trong khoảng giữa [MDP
đến (MDP+Over)] với Over là hệ số quá tải máy thu. Lúc này
tỷ số lỗi bit BER sẽ nhỏ hơn mong muốn và không bị quá tải
máy thu.
6
5.3. QUYÕ THÔØI GIAN LEÂN
Thôøi gian leân:laø khoaûng thôøi gian t sao cho bieân ñoä tín hieäu xung taêng
töø 10% ñeán 90% bieân ñoä cöïc ñaïi cuûa noù t t 2 t1 ln(9) RC 2,2 RC
Tín hieäu NRZ: Tín hieäu RZ: Thôøi gian leân cuûa tuyeán:
N
t NRZ 0.7 t RZ 0.35 tt i
t 2
R R i 1
Thôøi gian leân cuûa Thôøi gian leân cuûa Thôøi gian leân taùn saéc vaät
thieát bò thu: taùn saéc mode: lieäu:
q
t rx 350 t mod e 440 . L [ns ] tVL D.L.
B B0
2 2
Thôøi gian leân toång coäng: 440 Lq
350
tt ttx ( D.L. )
2 2
B0 Brx
7
5.4. NHIEÃU
Trong heä thoáng taùch soùng, ñoä nhaïy cuûa heä thoáng phuï thuoäc raát nhieàu
vaøo caùc loaïi nhieãu vaø hai nguoàn nhieãu chính ôû ñaây laø nhieãu löôïng töû vaø
nhieãu nhieät.
Nhieãu löôïng töû: Nhieãu nhieät:
2
ishot 2.e.B.i i 2 4 KTB / RL
8
5.5. SNR
Trong heä thoáng taùch soùng, ñoä nhaïy cuûa heä thoáng phuï thuoäc raát nhieàu
vaøo caùc loaïi nhieãu vaø hai nguoàn nhieãu chính ôû ñaây laø nhieãu löôïng töû vaø
nhieãu nhieät.
PIN: Photodiode APD:
2 2
e e
. pS RL .M . pS RL
S hf S hf
N e N e 2 x
2e . pS id B.RL 4 K .B.T 2e . pS id M B.RL 4 K .B.T
hf hf
photodiode Si x = 0.3
photodiode InGAs x = 0.7
photodiode Ge x = 1
9
5.6. CAÙC GIAÙ TRÒ CAÙC THAØNH PHAÀN
Thieát bò phaùt quang: Caùp sôïi quang:
Tham số Giá trị Tham số Giá trị
Bước sóng làm việc 1300nm hay 1550nm Độ rộng băng thông 100 đến 2500Mhz
Dải sóng làm việc ± 50nm 1km cáp sợi quang
Suy hao của sợi(sh) MM<2dB/km
Công suất ra LED: -32 đến 15dBm
SM tại 1300nm:0.36dB/km
LD: -12 đến 7dBm
SM tại 1550nm:0.22dB/km
Thời gian lên LED: 3ns(max)
LD: <1ns
Hệ số tán sắc(D) MM<6ps/nm.km
Độ rộng phổ LED: 30 đến 100nm SM tại 1300nm <3,5 ps/nm.km
LD: 1 đến 2nm SM tại 1550nm <18 ps/nm.km
Thieát bò thu:
Suy hao do haøn noái vaø boä noái: Tham số Giá trị
Độ nhạy(S) PIN: -43 đến 27,1 dBm
Tham số Giá trị APD: -41,5 đến 29,6 dBm
Suy hao mối hàn 0,3 db(max)
Suy hao bộ nối 0,5 db(max) Hiệu suất 60%-90%
Dòng id , iL 1nA 10
5.7. BÀI TOÁN THIẾT KẾ
Hệ thống sử dụng lần lượt 2 thiết bị thu quang là photodiode PIN và
photodiode APD, tính toán công suất phát tối ưu
Yêu cầu cụ thể của tuyến như sau:
- Tuyến A-B với cự ly truyền dẫn: L = 40 km
- Tốc độ bit : Bt =2,5 Gb/s
- Mã sử dụng là mã NRZ
- Số conector (mối nối) : 1
- Số Slice(mối hàn) : 13 (mỗi 3 km có một mối hàn)
- BER cho phép 10-11 và không sử dụng bộ khuyếch đại quang
11
CAÙC BUÔÙC THIEÁT KEÁ
1. Choïn böôùc soùng laøm vieäc cuûa tuyeán
2. Löïa choïn thaønh phaàn thieát bò hoaït ñoäng ôû böôùc soùng naøy
3. Choïn thieát bò thoaû maõn yeâu caàu ñaët ra
12
CHỌN BƯỚC SÓNG LÀM VIỆC
Ba vùng cửa sổ để có thể lựa chọn khi thết kế: 850nm, 1300nm, 1550nm.
Nghiên cứu về cáp quang đã cho thấy rằng, cáp quang có đặc tính tốt hơn
ở vùng bước sóng dài. Khi tổn hao truyền dẫn và tán sắc là các nhân tố
quyết định để xác định được chiều dài của tuyến.
Bước sóng ngắn: hệ thống thông tin hoạt động với tốc độ thấp.
Bước sóng dài: các hệ thống họat động ở bước sóng 1550nm cho mức suy
hao thấp nhưng lại có mức tán xạ lớn hơn 1300nm
Do chiều dài của tuyến là 40km nên ta cho bước sóng làm việc của tuyến
là 1300nm để có mức suy hao vừa phải và hệ số tán sắc D không quá lớn .
13
CHỌN LOẠI SỢI QUANG
Theo sự trình bày ở phần lý thuyết sợi quang được phân thành 3 loại:
đơn mode, đa mode chỉ số bước, đa mode chỉ số lớp. Loại sợi đơn mode
có đặc tính tổn hao và tần số rất tốt cho nên loại này được sử dụng phổ
biến cho đường dài, dung lượng truyền dẫn cao đòi hỏi băng thông rộng
và tổn hao thấp.
Loại sợi quang của tuyến được chọn là: sợi quang đơn mode với chỉ số
suy hao là 0,38dB/km tại λ=1310nm và hệ số tán sắc D=3,5ps/nm.km.
14
CHỌN THIẾT BỊ THU QUANG
Với BER cho trước thì ta sẽ tính được tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu từ bảng.
BER=10-11 thì từ hình vẽ ta sẽ có S/N = 22,6dB hay S/N = 182
15
TỔN HAO TRÊN ĐƯỜNG TRUYỀN
16
THIẾT BỊ THU: PIN
Sử dụng PIN:
2 Photodiode PIN G6742-003
e của Hamamatsu Photonic:
. pS RL
S hf
N e
2e . pS id B.RL 4 K .B.T
hf 2
e
. pS
S hf
Các hằng số :
N e 4 K .B.T
2e . pS id B K = 1,38.10-23 J/K
hf RL h = 6,626.10-34 Js
Với B=Bt/2=1,25Gb/s (do mã sử dụng là c= 3.108 m/s
NRZ)
17
THIẾT BỊ THU: PIN
Thay các giá trị vào ta được phương trình:
(0,95 PS ) 2
182
19 9 4 1,38.10 23 300 1,25.109
9
3,2.10 (0.95 PS 0,3.10 ) 1,25.10
50
Phương trình theo Ps:
0,9025.PS2-69,15.10-9PS -7,55.10-11 = 0
Giải phương trình bậc hai ta được: PS = 9,18.10-6 W
PS = -9,108.10-6W (loại)
Vậy độ nhạy của máy thu là: PS = 9,18.10-6 W hay PS =-20,37dBm
Công suất phát tối ưu cho laser trong trường hợp sử dụng PIN:
Thời gian lên của tín hiệu NRZ: t NRZ = 0,7/Bt = 0,7/2,5.109 = 0,28ns
Thời gian lên của LD là: ttx = 0,1ns
Thời gian lên của thiết bị thu: trx = 350/B = 350/2,5.109 = 0,14ns
Thời gian lên tán sắc vật liệu ống dẫn sóng:
tvl = D.L.σ = 3,5.40.1 = 140ps = 0,14ns
Thời gian lên của tuyến:
2
350
tt t ( D.L. )
2
tx
2
0,22ns
Brx
Như vậy: t t= 0,22 ns < t NRZ= 0,28 ns.
(đảm bảo băng tần của hệ thống)
21
KẾT LUẬN
Kết quả việc tính toán dựa vào các thông số cho trước của tuyến đã cho
thấy rằng, ở APD có hệ số nhân M nên tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu S/N có giá
trị lớn hơn nên độ nhạy máy thu được nâng cao hơn so với PIN.
Do đó, việc lựa chọn APD làm thiết bị thu quang sẽ kéo theo thuận lợi là
chỉ cần sử dụng diode Laser với công suất phát nhỏ hơn rất nhiều so với
khi dùng PIN làm thiết bị thu quang
22
Tài liệu tham khảo
Bài giảng “Kỹ thuật thông tin quang”, Cao Hồng Sơn, Học Viện Công
Nghệ Bưu Chính Viễn Thông, Hà Nội, 2008
Bài giảng “Kỹ thuật thông tin quang 1, 2”, Lê Quốc Cường, Đỗ Văn Việt
Em, Phạm Quốc Hợp, Học Viện Công Nghệ Bưu Chính Viễn Thông,
TPHCM, 2009
Optical Fiber Communications, 3rd Edition, Gerd Keiser, Mc. Graw Hill,
Boston, 2000.
23
THOÂNG TIN QUANG
Bài 6:
Khuếch đại quang bán dẫn về thực chất là phương tiện truyền đạt
tích cực của Laser bán dẫn, hay nói cách khác SOA là một LD ở
bên ngoài hoặc có hồi tiếp quang rất thấp.
Gs (1 − R )
2
P out
GFPA (ω ) = in =
⎡ (ω − ω0 )L ⎤
P
(1 − RGs )
2
+ 4 RGs sin ⎢
2
⎥⎦
⎣ ν
Hệ số khuếch đại của FPA (GFPA):
+ ω và ω0 là tần số góc hiện tại và trung tâm, FPA cho ra các
đỉnh khuếch đại gọi là gợn sóng khuếch đại ở tần số (bước sóng)
cộng hưởng, bước sóng cộng hưởng λN như sau:
2 LR
λN =
N
+ N là một số nguyên, LR là chiều dài vùng cộng hưởng tích cực,
tần số cộng hưởng cho bởi:
2πν R N R
ωN =
2 LN
Hệ số khuếch đại của TWA (GTWA):
P out
GTWA(ω ) = = Gs (ω )
P in
Hệ số khuếch đại của TWA (GTWA):
Gs = e (Γg −α )L
+ Γ là hệ số hạn chế tính toán với dẫn hướng của các Photon
bức xạ bởi cấu trúc dẫn hướng của vùng tích cực,
+ g (1/m) là hệ số khuếch đại
+ α (1/m) là hệ số suy hao hốc cộng hưởng của vùng tích cực
trên một đơn vị chiều dài
Khuếch đại quang sợi (FOA)
Khuếch đại quang sợi (FOA) là gì ?
Sử dụng các sợi quang pha đất hiếm để làm các bộ khuếch đại
quang và được xem là sợi tích cực bởi vì chúng có khả năng thay
đổi nhiệt độ, áp suất, ...
Hơn nữa lại có tính chất bức xạ ánh sáng cũng như khả năng tự
khuếch đại hoặc tái tạo tín hiệu nếu như có kích thích phù hợp.
Bộ khuếch đại sử dụng sợi quang tích cực để thực hiện khuếch đại
gọi là bộ khuếch đại quang sợi (FOA), đặc trưng bởi các phần tử
đất hiếm pha vào lõi sợi quang trong quá trình chế tạo.
Các thuộc tính của FOA:
Để đạt được khuếch đại, cần phải cung cấp năng lượng
cho EDFA thông qua bơm LD có bước sóng 980 nm
hoặc 1480 nm, công suất bơm khoảng vài chục tới hàng
trăm mW
WSC thực hiện ghép ánh sáng tín hiệu và bơm vào sợi
EDF hoặc tách tín hiệu này trong một số trường hợp.
ISO có tác dụng ngăn chặn ánh sáng phản xạ ngược trở
lại (như phản xạ Rayleigh từ các bộ nối quang).
EDF là thành phần quan trọng nhất của EDFA và được
gọi là sợi tích cực.
Khuếch đại quang sợi pha Erbium
Sự hấp thụ các Photon Laser bơm sẽ kích thích ion tới trạng
thái năng lượng cao hơn thể hiện bằng mũi tên hướng lên trên
Xu hướng bức xạ Photon khi dịch chuyển tới mức năng lượng
thấp hơn tăng lên theo dải cấm năng lượng, nhưng dịch chuyển
4I
13/2 - I15/2 trong Silic là quá trình bức xạ trội.
4
Bơm thực hiện bằng một Laser đi ốt (LD) bức xạ công suất
ánh sáng ở bước sóng khác với bước sóng tín hiệu quang (980
nm hoặc 1480 nm)
Khuếch đại quang sợi pha Erbium
Đặc biệt, tín hiệu quang phát ra trong dải 1550 nm nhưng các
Laser bơm lại bức xạ ở hoặc 980 nm hoặc 1480 nm hoặc cả
980 nm và 1480 nm
Tín hiệu quang và tín hiệu bơm được đưa vào sợi EDF nhờ bộ
ghép nối WSC và cùng truyền theo chiều dọc sợi, ở đây tín
hiệu quang được khuếch đại còn tín hiệu bơm bị tiêu hao công
suất, nghĩa là ánh sáng bơm truyền công suất cho ánh sáng tín
hiệu và rồi bị “mất đi”
Khuếch đại quang sợi pha Erbium
Sơ đồ mức năng lượng và các đường hấp thụ của ion Er3+ :
2H
11/2
4I LD InGaAs 980 nm
13/2
4I
15/2
h
LD InGaAsP 1480 nm 1530 -
1550 nm
h
Nguyên lý hoạt động cơ bản của EDFA theo cơ chế hấp thụ và
bức xạ (gồm bức xạ cưỡng bức và tự phát):
Năng lượng tín hiệu bơm kích thích các ion Er3+ từ dải năng
lượng cơ bản lên dải năng lượng cao hơn thông qua hấp thụ
trạng thái bơm để đạt được nghịch đảo nồng độ, nghĩa là phải
bơm ion Er3+ lên mức cao hay phải có nhiều ion Er3+ ở mức 2
(4I13/2) hơn mức 1 (4I15/2)
Nguyên lý hoạt động của EDFA:
Thông thường có hai cách để thực hiện bơm đó là bơm trực tiếp
ở bước sóng 1480 nm và bơm gián tiếp ở bước sóng 980 nm
Trường hợp bơm ở bước sóng 980 nm, các ion Er3+ liên tục dịch
chuyển từ mức 1 lên mức 3 (4I11/2), rồi chúng phân rã không
bức xạ từ mức 3 tới mức 2, ở mức này chúng lại tiếp tục rơi
xuống mức 1 và bức xạ bước sóng trong dải 1500-1600 nm, đó
là cơ chế ba mức
Nguyên lý hoạt động của EDFA:
Vì vậy, các ion Er3+ dịch chuyển rất nhanh từ mức 3 xuống mức
2 và tồn tại trong thời gian tương đối dài ở mức 2, hay nói cách
khác các ion Er3+ tích tụ ở mức 2 để tạo nên nghịch đảo nồng độ
Trường hợp bơm ở bước sóng 1480 nm, chỉ có hai mức năng
lượng (mức 1 và 2), thông qua năng lượng bơm ở 1480 nm, các
ion Er3+ liên tục dịch chuyển từ mức 1 tới mức 2, do thời gian
tồn tại của các ion Er3+ ở mức 2 dài, nên chúng tích tụ ở mức 2
và cũng lại tạo nên nghịch đảo nồng độ
Kết quả của quá trình là tại mức 2 nồng độ của ion Er3+ cao hơn
mức 1
Nguyên lý hoạt động của EDFA:
Khi tín hiệu quang hoạt động ở một trong các bước sóng WDM
truyền qua sợi EDF, nó sẽ kích thích dịch chuyển các ion Er3+ từ
trạng thái bức xạ (4I13/2) tới trạng thái cơ bản , quá trình dịch
chuyển này sẽ bức xạ cưỡng bức ra Photon có cùng bước sóng,
hướng và pha như Photon tới. Do vậy EDFA đã thực hiện
khuếch đại tín hiệu đầu vào
Vì một EDFA có băng thông khuếch đại tương đối rộng, cho nên
nó có thể khuếch đại đồng thời nhiều kênh bước sóng
Khuếch đại quang EDFA cho các kênh WDM:
{
Ứng dụng của Khuếch đại quang FOA:
Các ứng dụng đối với FOA như thể hiện trên
hình vẽ :
Bộ khuếch đại đường truyền
Khuếch Khuếch
Máy phát Máy thu
Sợi quang đại đại Sợi quang
Hình II.7a: Bộ khuếch đại quang sử dụng như các bộ khuếch đại đường truyền
Hình II.7b: Bộ khuếch đại quang sử dụng như các bộ tăng cường công suất phát
Hình II.7c: Bộ khuếch đại quang sử dụng như các bộ tiền khuếch đại
Ứng dụng của Khuếch đại quang FOA:
+ Khuếch đại đường truyền: Ứng dụng quan trọng nhất đối với
các hệ thống đường dài đó là sử dụng OA như một bộ khuếch đại
đường truyền để thay thế cho các bộ khuếch đại điện truyền
thống. Bộ khuếch đại đường truyền thường yêu cầu có hệ số
khuếch đại bằng phẳng đối với các bước sóng trong dải
+ Tiền khuếch đại: Bộ tiền khuếch đại nằm trước bộ thu để tăng
cường công suất thu và cải thiện độ nhạy thu. Bộ tiền khuếch đại
thường đòi hỏi nhiễu thập và hệ số khuếch đại cao
Ứng dụng của Khuếch đại quang FOA:
Bài 7:
KỸ THUẬT GHÉP KÊNH
BƯỚC SÓNG WDM
NỘI DUNG
Kỹ thuật ghép kênh bước sóng WDM
Hệ thống thông tin quang WDM
KỸ THUẬT GHÉP KÊNH BƯỚC SÓNG WDM
Tổng quan:
Kỹ thuật ghép kênh theo không gian OSDM.
Kỹ thuật ghép kênh quang theo thời gian OTDM.
Kỹ thuật ghép kênh theo bước sóng WDM.
KỸ THUẬT GHÉP KÊNH BƯỚC SÓNG WDM
Kªnh 1
Bé ®iÒu chÕ
Bộ Bé Bé
Nguồn
EDFA chia ghÐp EDFA t¸ch
phát Sîi quang
quang quang kªnh
Bé ®iÒu chÕ
Kªnh 4
Bé ®iÒu chÕ
TrÔ quang
Thêi gian Kªnh: 1 2 3 4 1 2 3 4 Thêi gian
H×nh III.3: S¬ ®å tuyÕn th«ng tin quang sö dông kü thuËt OTDM ghÐp 4 kªnh quang
Kỹ thuật ghép kênh quang thời gian(OTDM):
Sau khi truyền tải trên đường truyền, thiết bị tách kênh
ở phía thu sẽ thực hiện tách kênh, khôi phục xung
Clock và đưa ra từng kênh quang riêng tương ứng với
các kênh quang ở đầu vào bộ ghép phía phát
Nguyên lý này có thể xây dựng hệ thống thông tin tốc
độ 200 Gbps, nhưng ở tốc độ này cần phải xem xét tới
vấn đề bù tán sắc cho hệ thống
Hệ thống thông tin quang WDM/DWDM
1, 2, 3 , ..., N 1, 2 , 3, ..., N
Bộ suy hao có khả
DEMUX MUX
năng biến đổi
Vào sợi quang Ra sợi quang
Lưu lượng
Lưu lượng xen nội bộ rẽ nội bộ
1, 2, ..., N 1, 2, ..., N Tín hiệu giám sát
Hình II.23b: Module xen/rẽ quang động (DOADM)
Bộ xen rớt quang OADM:
OADM động:
Cấu trúc bao gồm:
+ Bộ tách kênh WDM
+ Chuyển mạch 2×2
+ Bộ suy hao có khả năng biến đổi
+ Bộ ghép kênh WDM.
Bộ xen rớt quang OADM:
Chức năng các khối:
Luồng dữ liệu chính bước sóng (λ1, λ2, ..., λN) đưa vào Module
qua đầu vào sợi quang, lưu lượng đến bộ tách kênh theo một
bước sóng riêng.
Chuyển mạch 2×2 ở trạng thái truyền qua cho phép kênh thông
qua, ở trạng thái kết nối chéo ghép và tách bước sóng.
Bộ suy hao có khả năng biến đổi để cân bằng công suất ánh sáng
của tất cả các kênh.
Bộ kết nối chéo OXC:
Là phần tử trung tâm của mạng mắt lưới.
OXC tĩnh dựa trên cơ sở ghép/tách bước
sóng thụ động hoặc định tuyến bước sóng.
OXC động có hai loại:
+ Loại không có bộ chuyển đổi bước sóng .
+ Loại có bộ chuyển đổi bước sóng .
OXC không có bộ chuyển đổi bước sóng:
OXC không có bộ chuyển đổi bước sóng:
+ Sau khi chuyển mạch, tất cả các bước sóng được dẫn tới bộ
ghép kênh tương ứng, tại đây chúng được ghép với luồng dữ liệu
riêng ở λ1 tới λN.
+ Cần có N bộ rẽ/ghép kênh và N chuyển mạch, các chuyển mạch
có cấu hình N×N.
OXC động có bộ chuyển đổi bước sóng:
Chuyển đổi bước sóng
Trung kế 1 Trung kế 1
1, 2, 3, ..., N
Chuyển mạch 1, 2, 3, ...,
DEMUX MUX N
quang
Trung kế 2 Trung kế 2
1, 2, 3,
..., N DEMUX MUX 1, 2, 3, ..., N
Trung kế
Trung kế M
M
OXC
Lưu lượng xen nội bộ Lưu lượng rẽ nội bộ
Hình II.24b: Kết nối chéo quang (OXC) có bộ chuyển đổi quang
OXC động có bộ chuyển đổi bước sóng:
+ Tín hiệu thông tin từ các trung kế được tách kênh và dẫn tới
chuyển mạch quang, lưu ý rằng cần phải có chuyển mạch lớn hơn
với cấu hình tối thiểu MN×MN.
+ Tín hiệu được chuyển mạch đưa vào bộ chuyển bước sóng tại
đây chúng được chuyển đổi thành các bước sóng tương ứng từ λ1
tới λN, mỗi bước sóng này được ghép bởi bộ ghép kênh và truyền
đi trên các trung kế riêng biệt.
+ Tiện lợi của OXC có bộ chuyển đổi bước sóng là bất kỳ một
bước sóng đến nào cũng có thể được chuyển mạch để tới cổng đầu
ra ở bước sóng bất kỳ
Hệ thống thông tin quang WDM/DWDM
Sợi quang đặc biệt có thể sử dụng toàn bộ phổ từ 1310 nm tới
trên 1600 nm, mặc dù công nghệ sợi quang mới có thể mở ra
vùng phổ rộng, nhưng không phải tất cả các thành phần quang
đều hoạt động hiệu quả như nhau trên toàn bộ vùng phổ
Ví dụ, EDFA hoạt động tốt nhất trong dải 1550 nm, theo
khuyến nghị của ITU-T G.692, trong dải bước sóng từ 1530 nm
tới 1565 nm, nếu khoảng cách kênh 100 GHz thì sẽ có 43 kênh
bước sóng mà mỗi kênh truyền tải một tín hiệu OC-192 ở tốc
độ 10 Gbps
Hệ thống thông tin quang WDM/DWDM
Hiện nay, các hệ thống WDM thương mại đã có 16, 40, 80, 128
kênh bước sóng, với 40 kênh bước sóng thì khoảng cách kênh là
100 GHz và với 80 kênh bước sóng thì khoảng cách kênh là 50
GHz
Hệ thống thông tin quang WDM/DWDM
Mỗi cấu trúc liên kết có những yêu cầu riêng tùy theo
các ứng dụng.
Ngoài ra còn có cấu trúc liên kết mạng kiểu lai ghép
bao gồm các tuyến liên kết hình sao và/hoặc tuyến liên
kết vòng kết nối với tuyến liên kết điểm - điểm, như
mạng quang trung tâm (MONET)
Hệ thống thông tin quang WDM/DWDM
+ Khoảng cách giữa đầu phát và thu có thể lên tới vài ngàn km
và số lượng bộ khuếch đại giữa hai điểm đầu cuối nhỏ hơn 10,
xác định bởi suy hao công suất và méo tín hiệu
+ Cấu trúc liên kết mạng điểm - điểm có xen/rẽ kênh cho phép
xen và rẽ các kênh dọc theo đường truyền dẫn; số lượng kênh,
khoảng cách kênh, loại sợi quang, phương pháp điều chế tín
hiệu và các thành phần quang là những tham số quan trọng để
tính toán quỹ công suất
Hệ thống thông tin quang WDM/DWDM
1 2 N 1 2 N
1 1 1 2 N 1 2 N k k
j j
Hình III.5: Cấu hình mạng vòng WDM cơ bản với trạm tập trung các loại tải
Hệ thống thông tin quang WDM/DWDM
Baøi 8:
1
CÁC PHẦN TỬ TRÊN MẠNG SDH
(CẤU HÌNH PHẦN TỬ MẠNG)
Luồng tổng
Luồng nhánh
TRM STM-N
(Tributary interface)
(Line interface)
Chức năng: lấy hoặc chèn luồng nhánh vào luồng tổng
Luồng nhánh
(Tributary interface)
Line: STM-1 Æ Trib.: E1, E3, E4
Line: STM-N (N>1) Æ Trib.: E1, E3, E4, STM-1
CẤU HÌNH REG
Chức năng: khuếch đại tín hiệu bị suy yếu trên đường truyền.
Luồng nhánh
(Tributary interface)
Kết nối chéo ở mức VC-n (ở VC cùng cấp)
MẠNG SDH
(CẤU HÌNH MẠNG)
STM-N
TRM TRM
STM-N STM-N
TRM REG TRM
MẠNG SDH
CHUỖI
Đặc điểm: thích hợp cho hệ thống kéo dài qua các điểm
dân cư tập trung
STM-N STM-N
TRM ADM TRM
MẠNG SDH
VÒNG
Đặc điểm: các phần tử mạng nối với nhau thành vòng kín
Min: 3NE; Max: 16NE
ADM ADM
STM-N
ADM ADM
MẠNG SDH
SAO
STM-N
TRM
MẠNG SDH
HỖN HỢP
TRM
STM-N
ADM ADM
MẠNG SDH
HỖN HỢP
ADM ADM
STM-N
ADM ADM
MẠNG SDH
HỖN HỢP
STM-N STM-N
ĐOẠN (Section): RS và MS
TUYẾN (Path)
MẠNG SDH
ĐOẠN VÀ TUYẾN
VC12 VC12
VC12
VC12
VC12 E1 VC12
Bảo vệ 1+1
Bảo vệ 1:N
Bảo vệ 1:1
CƠ CHẾ BẢO VỆ 1+1
Đặc điểm: tín hiệu được phát cùng lúc trên hai đường
làm việc và đường dự phòng, nhưng đầu thu chỉ chọn
thu trên một đường có chất lượng cao hơn.
Tx w
Rx
p
A B
Rx w
Tx
p
W
T R
Bridge Selector
T R
P
CƠ CHẾ BẢO VỆ 1:N
w1 (Tx)
1 w1 (Rx) 1
w2 (Tx)
2 w2 (Rx) 2
.. ..
. wN (Tx)
.
N wN (Rx) N
A p (Tx) B
p (Rx)
PSC PSC
CƠ CHẾ BẢO VỆ 1:N
Switch Switch
W1
T R
W²
T R
…
…
…
…
Wn
T R
P
T R
APS signaling
CƠ CHẾ BẢO VỆ 1:1
w (Tx)
1 w (Rx) 1
p (Tx)
p (Rx)
A B
PSC PSC
CƠ CHẾ BẢO VỆ 1:1
Switch Switch
W
T R
APS signaling
T R
P
CÁC DẠNG MẠNG VÒNG
2 4
STM-N STM-N
1 1
NE1 NE2 NE1 NE2
5 5
4 8
STM-N 6 2 4 8
STM-N 6 2
7 7
NE4 NE3 NE4 NE3
3 3
NE1 Æ NE2: sợi 1 NE1 Æ NE2: sợi 1
NE2 Æ NE1: sợi 2, 3, 4 NE2 Æ NE1: sợi 5
CÁC KIỂU CHUYỂN MẠCH BẢO VỆ
TRONG MẠNG VÒNG
Bảo vệ tuyến (path protection) và bảo vệ
đường (Line protection)
2F-UPSR
Two-Fiber Unidirectional Path
Switched Ring
Mạng vòng 2 sợi đơn hướng chuyển mạch bảo vệ
tuyến.
Đường làm việc đi theo chiều quay kim đồng hồ.
Đường bảo vệ đi theo ngược chiều quay kim đồng
hồ.
Giống như 1+1
2F-UPSR
W
1 W
NE1 NE2
5 P
P
4 8 6 2
7
NE4 NE3
3
2F-UPSR
7
NE4 NE3
3
2F-UPSR
Fail
1 W Giả sử sự cố trên sợi 1
NE1 NE2
5
P
4 8 6 2
7
NE4 NE3
3
2F-UPSR
NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC
Giả sử chúng ta xét lưu lượng
1 W truyền từ NE1 đến NE3.
NE1 NE2 Ở trạng thái bình thường:
5
P Hướng phát: lưu lượng gởi từ NE1
được phát trên cả hai vòng: vòng làm
4 8 6 2 việc (trên sợi 1,2) và vòng bảo vệ
(trên sợi 8, 7).
7 Hướng thu: NE3 chỉ chọn tín hiệu trên
NE4 NE3 vòng làm việc (hoặc trên hướng có
chất lượng tín hiệu tốt nhất).
3
2F-UPSR
NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC
Giả sử có sự cố đứt sợi quang số
Fail
1 W 1. Bây giờ mạng sẽ làm việc qua
NE1 NE2 các bước sau:
5 Trên mạng, NE2 sẽ phát hiện ra sự
P
7
NE4 NE3
3
2F-UPSR
LOS
Fail
1 W Đứt sợi 1:
NE1 NE2
5
P NE1 Æ NE3: 8,7
NE1 Æ NE4: 8
4 8 6 2 AIS
AIS
7
NE4 NE3
3
AIS
ĐẶC TÍNH CỦA UPSR
7
NE4 NE3
3 W
P
2F-BLSR
4 8
STM-N 6 2
7
NE4 NE3
3
2F-BLSR
NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC
4
STM-N 6 2
8
7
NE4 NE3
3
VÍ DỤ MẠNG VÒNG 2F-BLSR: (1)
7
NE4 NE3
3
VÍ DỤ MẠNG VÒNG 2F-BLSR: (1)
1 2
ADM1 REG ADM2
6 7
5 STM-N 8 3
0
9
ADM4 ADM3
4
VÍ DỤ MẠNG VÒNG 2F-BLSR: (2)
1 2
Fail
ADM1 REG ADM2
6 7
5 STM-N 8 3
0
9
ADM4 ADM3
4
VÍ DỤ MẠNG VÒNG 2F-BLSR: (2)
1 2
Fail
ADM1 REG ADM2
6 7
5 STM-N 8 3
0
9
ADM4 ADM3
4
CÂU HỎI MẠNG SDH