curso foci de eecironice bosica
Nota En éste, como en los demas esquemas de
polarizacién que examinaremos a continuacién, la
resistencia Rc puede tener cualquier valor, hasta
410MOQ mximo. Este limite lo determina la corriente
inversa de fuga de la compuerta, designada como
Iss en las hojas de datos, la cual puede llegar @
imponer sobre esta resistencia una caida de volta-
je suficiente para alterar las condiciones de polari-
zacién. Para el 2N5484, por ejemplo, la corriente
{ss puede llegar a ser hasta de -21A en el peor de
los casos. sta corriente,al circular a través de una
resistencia Rc de 10MQ producira una caida de
voltaje positiva de ;20V!. De este modo, para con-
seguir una tensién de polarizacién de compuerta,
por ejemplo, de -2V, la caida de tensién sobre la
resistencia de fuente (Rs) deberia ser de ;22V!
Polarizacién de compuerta con
referencia (offset)
El esquema de autopolarizacién, discutido ante-
riormente, proporciona resultados satisfactorios
para la mayoria de las aplicaciones practicas, pero
no es muy exacto debido a la dificultad para fijar
la corriente Ip en un valor especifico. La polariza-
cién por voltaje de referencia u offset, ilustrada
en la figura 8.62, ofrece mejores resultados, a
expensas de una mayor complejidad. En este caso,
el divisor de tensién formado por las resistencias
R1 y R2 proporciona, a través de la resistencia
Re, una tensién de polarizacién positiva fija (Ve),
la cual se resta de la tensién sobre Rs (Vas) para
establecer el voltaje de polarizacién compuerta-
fuente (Vos). Esto es:
Vos = Vas -Va
Naturalmente,Vas debe ser mayor queVs para
que el valor resultante deVcs sea negativo. De este
modo, si Ve es grande comparada con Vos, la co-
rriente lo depende principalmente del valor de Rs.
Va. Por tanto, no esta muy influenciada por las
variaciones de la tensién Vos entre transistores
individuales.Todo esto permite que la corriente Io
pueda ser fijada exactamente, evitando la tediosa
tarea de tener que seleccionar, por ensayo y error,
fa resistencia Rs éptima.
rrrvrrrererrrrrnnree
a
a
a
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a
a
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207 Teoria «
Yoo
‘meckante tens comparatva
(ofser)
Polarizacién mediante fuente de
corriente constante
Otro método muy eficiente de polarizar un ampli-
ficador con JFET es utilizando una fuente de co-
rriente constante,como se ilustra en la figura 8.63.
En este caso, a resistencia de fuente (Rs) es reem-
plazada por el transistor bipolar Q2 y sus compo-
nentes asociados (R1-R3), los cuales se encargan
de establecer la corriente ID e independizarla de la
tension Ves, Esta corriente es igual a la corriente
de colector (Ic) de Q2 y se puede evaluar asi:
Vs-Vee
Re
siendo
Figura 8.63.
Polorizecién mediante
fuente de coriente
AAA AAA AAA AEA
4444444
Por ejemplo, si R1=8,2k02, RI=1,6 kQ, R:
kQ yVoD=10V, entonces, asumiendo Vae=0.,.63V, la
corriente ID es exactamente igual a 1mA y no de-
pende de las caracteristicas del JFET, particularmen-
te de la tensién de corte (Vess(off)) y de la co-
rriente de saturacién (IDss), que son, como ya sa-
bemos, dos parémetros muy variables de un tran-
sistor a otro. Esto garantiza una alta estabilidad del
punto de polarizacién o trabajo, a expensas de al-
_gunos componentes adicionales. Para mayor exac-
titud, la resistencia R2 puede ser reemplazada por
tun diodo Zener o un voltaje de referencia fijo.
Circuito equivalente de baja sefial de
un amplificador con JFET
Para efectos practicos, desde el punto de vista de
su funcién como amplificador, un JFET puede ser
representado mediante un circuito equivalente
como el de la figura 8.64, vilido para sefales
Pequefias, es decir, aquellas que producen varia-
ciones en la corriente de drenador (Id) inferiores
al 10% de su valor en reposo. En este caso, Res
representa la resistencia de la unién compuerta-
fuente que, como sabemos, es muy alta, del orden
de varios cientos de megachmios. El drenador se
‘comporta como una fuente que proporciona una
corriente (is) proporcional al voltaje de sefial apli-
cado en la compuerta (vgs). La constante de pro-
porcionalidad es precisamente la transconduc-
tancia (gm) del dispositivo, la cual se expresa en
mhos (15,al revés), 0 siemens (S). Esto es:
id = (gm) x (ves)
‘Compuerta (G) Drenador (O)
Ves Res ames)
l
Fuente (5)
Figura 8.64. Circuito equivolene de seal para un JFET Res
representa la resistencia dela unién compuertafuente, que es
muy alto, vgs el voto de sefial de la compuerta, id fa corente
de sefil de drenador y gm=idivgs la trasconductancia para la
tensién de polorizacién de compuerta (Vos) del dspositv.
Curse facil de elecrinice bisica > MAT: De este modo, si gm=3.000jimho, entonces una
variacién de 0,15V en el voltaje de compuerta (vgs
© Avcs) produce una variacién de 3.000mho x
0,15V = 450A en la corriente de drenador (id 0
io), con respecto a su valor de polarizacién. La
transconductancia (gm) varia con la tensién de
polarizacién de compuerta (Vos), alcanzando su
valor maximo cuando Vos=0. Este valor maximo
se designa en las hojas de datos como gm0, gfs0
© yfs0. El JFET 2N5484 de ON Semiconductor,
por citar un caso, se especifica con una gm0 mini-
ma de 2.500uimho. En general, la transconductan-
cia (gm) de un JFET, para cualquier valor deVas,se
puede evaluar a partir de la siguiente formula:
anf
Por ejemplo, si gm0=3,000umho, Vas(off)=-3V
yVos=-1V, entonces:
‘gm = 3.000j1mho (1 -
Configuraciones basicas de
amplificadores con JFET
Al igual que con los transistores bipolares, son
posibles tres configuraciones basicas de amplifica-
dores con transistores JFET, representadas en la
figura 8.65, llamadas fuente comin (CS: common
source), compuerta comin (CG: common gate) y
drenador comtin (CD:common drain), andlogas,en
su orden, a las estructuras emisor comin, base
comin y colector comin, y con propiedades
fares. La configuracién drenador comin se deno-
mina también seguidora de fuente (follower sour-
ce) y es una de las més empleadas. Los amplficado-
res de compuerta comin son poco empleados,
‘excepto en tareas de muy alta frecuencia, debido a
‘que presentan una muy baja impedancia de entra-
da.Por esta razén,en esta lecci6n no los examina-
remos en detalle.
En un amplificador de fuente comiin, figu-
ra 8.65a, la sefial de entrada (Vi) se aplica en la
compuerta (G), mientras que la sefal de salida (Vo)
se obtiene en el drenador (D).El surtidor o fuente
() esté conectado dinémicamente a tierra. Esta
configuracién produce inversién de fase,asi como
tuna moderada ganancia de voltaje, inferior a la de
tun amplificador en emisor comin. También posee
tuna alta impedancia de entrada y produce una dis-
torsin baja para sefiales peque’ias, pero alta para
sefiales grandes. Este ultimo fendmeno se denomi-
na distorsion de ley cuadratica y, aunque es
indeseable en un amplificador, se aprovecha con
‘Yentaja en unos circuitos llamados mezcladores
de frecuencia, muy utilizados en equipos de co-
municaciones.
En un amplificador de compuerta co-
min, figura 8.65b, la sefal de entrada (Vi) se
aplica en el surtidor (S), mientras que la sefial de
salida (Vo) se obtiene en el drenador (D). La
compuerta (G) esté conectada dindmicamente a
tierra. Esta configuracién no produce inversién
de fase y proporciona una ganancia de voltaje
similar a la de un amplificador en fuente comin.
+Yo0. +V00 +Vb0
Ro
Ro
=
gt s
——s Ve
w s
(2) Amplifcador de fuente
GIT > C0 faci de cectinica barice
(b) Amplifiador de
compuerta comin
Figura 8.65. Configureciones bésicas de omplficadores con JFET
(©) Amplificador de drenador comin
(seguidor de fuente)
PPPPEPEPPPD PPD PPPP> DPD PhP DP h b> DDD bh DD rrr
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