Bài 4.

 Khi t = t1, vi = 10v  D: OFF, ta có mạch tương đương:

áp dụng bài tập 1.13 chương I, ta có:

R  1  2  t/ 2 
 v o  t   10 1  e 
R  Rr  2 

Với 1  Rr.Cp  0.05 s Cp

5pF

 2  R.C  1,5 s
Rr

10kΩ

100  0,05  1,5  t/1,5 

 v o  t   10
C
1 e R

100  10  
Vi 15pF
100kΩ
1,5 

 vo (0)  0.273V
 
 v o  t   9,1 1  0,97e t/ 2  
vo (1 s )  4.57V


 Khi t = t2, vi = -10v  D: ON, ta có mạch tương đương:

 R  1  2  t/ 2 
 v o  t   10 1  e 
R  Rf  2  Cp

5pF

Với 1  Rf .Cp  0.5ns

Rf

10kΩ

 2  R.C  1,5 s Vi R
C
15pF
100kΩ


 v o  t   10 1  e t/ 2 
 vo (1 s  )  4,86V
 
 v o  t   10 1  e  t/   
vo (1,1 s )  5, 2V


vi

t
T1 T2

Vo

t
1us 1,1us

Bài 4.3
Tổng quát:

 1 
 Z1    sC1 
 R1 
 1 
 Z2    sC2 
 R2 
Z2
 Vo  s   Vi  K  s  Vi  s 
Z1  Z2

Z2 R2 1  1s
 K    
Z1  Z2 R1  R2 1  2s

R1R2
Trong đó: 1  R1C1 và 2   C1  C2 
R1  R2

Khi D ON R1 = Rf = 1k
τ1 = R1 C1 = 1k * 5p = 5. 10-9
𝑅1 𝑅2
τ2 = ( C1 +C2) = 1.81. 10-8
𝑅1 + 𝑅2
Khi D OFF R1 = Rr = 100k
τ1 = R1 C1 = 100k * 5p = 5. 10-7
𝑅1 𝑅2
τ2 = ( C1 +C2) = 1.81. 10-7
𝑅1 + 𝑅2

xét chỉ có Vi
Khi Vi = 10v D On R1 = Rf = 1k
 𝑡
𝑅2 τ1− τ2
V0 =𝑉𝑖 (1 + 𝑒 −(τ2) )
𝑅1 + 𝑅2 τ2

𝑡
10𝑘 5.10−9 − 1.81.10−8 −( )
=10 (1 + 𝑒 1.81.10−8 )
1𝑘+ 10𝑘 1.81.10−8

Khi Vi = - 10v D Off R1 = Rr = 100k

𝑡
𝑅2 τ1− τ2 −(τ2)
V0 =𝑉𝑖 (1 + 𝑒 )
𝑅1 + 𝑅2 τ2

𝑡
10𝑘 5.10−7 − 1.81.10−7 −( )
=−10 (1 + 𝑒 1.81.10−7 )
100𝑘+ 10𝑘 1.81.10−8

Xét chỉ có Vr

Đặt C=C1+C2=20p

Z= Rf //C
𝑍
Vo(s)=VR.
𝑍+𝑅

𝑅𝑓
 Vo(s)=VR(s).
𝑅𝑓+𝑅+𝑠𝑅𝑓.𝑅.𝐶
𝑅𝑓
=VR(s). 𝑠𝑅𝑓.𝑅.𝐶
(𝑅𝑓+𝑅).(1+ )
𝑅𝑓+𝑅

−𝑡
𝑅𝑓
 Vo(t)= VR. .(1 − 𝑒 τ )
𝑅𝑓+𝑅
Với τ= C. R* =C. (Rf // R)=1,82 . 10^-12
Vậy ngõ ra Vo là chồng chập giữa 2 ngõ ra do Vi và Vr gây ra

Khi Vi=10v thì ( D on)

Ta có
R1 = Rf = 1k
R2 =R=10k
τ1 = R1 C1 = 1k * 5p = 5. 10-9
 𝑅1 𝑅2
τ2 = ( C1 +C2) = 1.81. 10-8
𝑅1 + 𝑅2
τ= C. R* =C. (Rf // R)=1,82 . 10^-12

−𝑡 𝑡
𝑅𝑓 𝑅 τ1− τ2 −(τ2)
Vo(t )=VR. .(1 − 𝑒 )+ 𝑉𝑖
τ (1 + 𝑒 )
𝑅𝑓+𝑅 𝑅𝑓 +𝑅 τ2

Khi Vi=-10v thì (D OFF)

τ1 = R1 C1 = 100k * 5p = 5. 10-7
𝑅1 𝑅2
τ2 = ( C1 +C2) = 1.81. 10-7
𝑅1 + 𝑅2
τ= C. R* =C. (Rf // R)=1,82 . 10^-12

−𝑡 𝑡
𝑅𝑓 𝑅 τ1− τ2 −(τ2)
Vo(t)= VR. .(1 − 𝑒 )+ 𝑉𝑖τ (1 + 𝑒 )
𝑅𝑓+𝑅 𝑅𝑓 +𝑅 τ2

Vo(0)=2.51

Vo(1us-)=9.27

Vo(1us+)=-8.97
Nhóm 8
Bài 4.5
a) Cho diode lý tưởng vẽ Vo theo Vin

 Khi Vi < 0 thì D1 off, D2 off => 0V là mức xén dưới

 Với 0 ≤ Vin < VA :D1 on và D2 off

R1
A

R2

𝑣𝑖𝑛
𝑣𝐴 =
2
Với VA = Vin/2> 10v thì D2 on => Vi ≥ 20V thì D1 on, D2 on
Vậy 0V ≤ Vin < 20v : D1 on D2 off
𝑣𝑖𝑛
𝑣𝑜 = 𝑣𝐴 =
2
 Với Vin > 20v : D1 on ,D2 on => Vo= 10v
Vẽ đặc tuyến truyền đạt :
 b) Với Vin= 40sin(𝜔𝑡)

20v

10v
Bài 4.6
giả sử diode lý tưởng, vẽ đặc tuyến hàm truyền vo theo vi từ 0 ->50V.

 0  vi  v1 D1 dẫn , D2&D3 tắt

5k
v0  6   3V  v1  3V
5k  5k

 3  vi  v2 D1&D3 dẫn, D2 tắt

vi 6 2v 5k
vth  (  )(2,5k / /5k )  i  2 Rth  2,5k / /5k 
2,5k 5k 3 3
v .5k v
v0  th  i  1,5
Rth  5k 2
vi
v0   1,5  6  v2  (6  1,5)  2  9V
2

 9  vi  v3 D3 dẫn,D1&D2 tắt

vi  5k 2v
v0   i
5k  2,5k 3
2v
v0  i  20  v3  30V
3

 30  vi  50 D2&D3 dẫn,D1 tắt

 v 20  4v
vth   i   (2,5k / /10k )  i  4 Rth  2,5k / /10k  2k
 2,5k 10k  5
5k  4v  5 4v 20
v0  vth    i  4  i 
5k  Rth  5  7 7 7
 35 31.43

30

25
20
20
r

15

10
6
5 3 3

0
0 10 20 30 40 50 60
Vi

Bài 4.7

D2 dùng để bù nhiệt, Rf=50 Ω, Rr=∞, Vγ=0

a, Vẽ đặc tuyến truyền đạt của V0 theo Vi, chứng minh rằng mạch 1 có 1 điểm gãy mở rộng.

b, vẽ đặc tuyến truyền đạt nếu bỏ D2 và dịch chuyển R thay thế chỗ D2.

c, chứng minh rằng 2 điểm gãy ở câu a sẽ mất nếu Rf<<R.

bài làm

Xét tín hiệu khi có 3 phần tử R, D2 và nguồn DC thì áp trên R bằng 9.9V.Vậy

a/ Ta thấy, khi Vi<9.9v thì D1 tắt, D2 dẫn nên Vo sẽ bằng áp trên R

Vo = 9.9v

Khi 9.9≤Vi<10, thì D1 dẫn, D2 dẫn

Tổng trở trên mạch

Rx= ( R//Rf )+ Rf = Rz+Rf = (5000//50)+50=99.5 Ω

𝑉𝑖.𝑅𝑧 49.5𝑉𝑖
Áp ngõ ra V0 = = = 0.49Vi
𝑅𝑥 99.5

Khi áp Vi≥10v0 thì D1 dẫn, D2 tắt và áp đầu ra V0 sẽ là :

5000𝑉𝑖
V 0= =0.99Vi
5000+50
Ta có đặc tuyến Vo, Vi

V0

Độ dốc 0.99

9.9v
Điểm gãy mở rộng

10v

9.9v Vi

Nhìn vào đồ thị, trong đoạn Vi từ 9.9 đến 10 độ dốc đặc tuyến là 0.49, từ 10 trở đi thì là 0.99, vì điểm này
rất nhỏ và gần nên đây là điểm gãy mở rộng.
b, Khi bỏ D2 và dịch chuyển R thay thế chỗ D2.

Ta thấy khi Vi<10v D1 thì tắt nên áp đầu ra Vo=10v

Khi Vi≥10v, thì D1 dẫn, với Rf=50Ω

𝑉𝑖.𝑅1 𝑉𝑖.5000
Vo= = 0.99Vi
𝑅1+𝑅𝑓 5000+50

V0

Độ dốc 0.99
10

10 Vi
c/ Ta tìm lại công thức ở câu a,
𝑉𝑑𝑐.𝑅1
xét tín hiệu khi có 3 phần tử R, D2 và nguồn DC thì VR1=
𝑅1+𝑅𝑓

Vậy :

𝑉𝑑𝑐.𝑅1
Khi Vi< VR1 thì D1 tắt và D2 dẫn, áp ngõ ra V0 =
𝑅1+𝑅𝑓

𝑉𝑑𝑐.𝑅1
Khi ≤ Vi < 10V, thì D1 dẫn, D2 dẫn
𝑅1+𝑅𝑓

𝑉𝑖.(𝑅1//𝑅𝑓) 𝑉𝑖.𝑅𝑓.𝑅1
V0 =
(𝑅1//𝑅𝑓)+𝑅𝑓
= (1)
(𝑅1.𝑅𝑓)+𝑅𝑓(𝑅1+𝑅𝑓)

Khi Vi>10V thì D1 dẫn, D2 tắt

𝑉𝑖.𝑅1
V 0= . (2)
𝑅1+𝑅𝑓

Ta nhận thấy, trong biểu thức 1 và 2 thì độ dốc của Vi là khác nhau, đây là nguyên nhân gây ra
𝑉𝑑𝑐.𝑅1
điểm gãy mở rộng trong đoạn ≤ Vi < 10V
𝑅1+𝑅𝑓

𝑉𝑑𝑐.𝑅1
khi Rf<<R thì đoạn càng ngày càng tiến tới Vdc = 10v, => càng ngày càng thu hẹp độ rộng của điểm
𝑅1+𝑅𝑓
gãy, đến khi 1 mức nào đó, thì điểm gãy sẽ không còn và đặc tuyến ngõ ra sẽ giống câu b.

Bài 4.12
/ mạch tương đương khi D on và D off:
τ1 = (Rf + Rs)C = 0.1 ms τ2 = (R + Rs)C = 10ms

 0 ≤ t < 0.1 ms: Vi = 0 => V0 = 0, Vc (0.1-)= 0

𝑅𝑓
 ≤ t < 0.2 ms: Vi = 5V => V0(t) = 𝑅𝑓+𝑅𝑠 (Vi-Vc(0.1-))𝑒 −(𝑡−𝑡2)/𝜏1
 V0 = 2.5𝑒 −(𝑡−0.1)/0.1
V0(0.1+) = 2.5V
V0(0.2-) = 0.92V
V0(0.2-) = 4.18V

 0.2 ≤ t < 0.3 ms: Vi = -5V => D off

𝑅
V0(t)= 𝑅+𝑅𝑠 (Vi-Vc(0.2-))𝑒 −(𝑡−0.2)/10

Mà do τ2 rất lớn hơn so với thời gian xả nên xem như C không xả
V0 = -5 –Vc(0.1-) = -9.08V và Vc(0.3-) = 4.08V

 0.3 ≤ t < 0.4 ms: Vi = 10V

Tương tự biểu thức khi D on: V0(t) = 2.96𝑒 −(𝑡−0.3)/𝜏1
V0(0.3+) = 2.96V , V0(0.4-) = 1.08V,
 Vc(0.4-) = 8.911V

 t ≥ 0.4 ms: Vi = 0V => D off tương tự C không xả

 V0(t) = -Vc(0.4-) = 8.911 V, Vc(0.4+) = 8.911 V
Bài 4.13
  0 ≤ t <0.1 ms vi = 10v , vc(0-) =0 , D ON
τ1 = (Rf + Rs) C = (100 + 5k) 0.5. 10-6 = 2.55 ms
𝑅𝑓 100
v0(t) = [(𝑉1 − 𝑣𝑐 (𝑡1− )] 𝑒 −(𝑡−𝑡1)/τ1 = (10 − 0) 𝑒 −𝑡/2.55
𝑅𝑓 +𝑅𝑠 100+5𝑘
v0 (0+) = 0.196
v0 (0.1-) = 0.1885
𝑅𝑓 +𝑅𝑠 5𝑘+100
vc (0.1-) = 𝑉1 − 𝑣0 (𝑡1− ) = 10 -0.1885 = 0.386 v
𝑅𝑓 100

 0.1 ≤ t <0.2 ms vi = 0v , vc(0.1-) =0.386 , D OFF

τ2 = (R + Rs) C = (15k + 5k) 0.5. 10-6 = 10 ms
𝑇
τ2 = 10ms > = 0.1 ms nên xem như C2 không xả
2
v0 = vc (0.1-) = -0.386v
vc (0.2-) 0.386v

 0.2 ≤ t <0.3 ms vi = 10v , vc(0.2-) =0.386v , D ON

τ1 = (Rf + Rs) C = (100 + 5k) 0.5. 10-6 = 2.55 ms
𝑅𝑓
v0(t) = [(𝑉1 − 𝑣𝑐 (𝑡1− )] 𝑒 −(𝑡−𝑡1)/τ1
𝑅𝑓 +𝑅𝑠
100
= 100+5𝑘 (10 − 0.386) 𝑒 −(𝑡−0.2)/2.55
v0 (0.2+) = 0.1885
v0 (0.3-) = 0.181
𝑅𝑓 +𝑅𝑠 5𝑘+100
vc (0.3-) = 𝑉1 − 𝑣0 (𝑡1− ) = 10 -0.181 = 0.769 v
𝑅𝑓 100

 0.3 ≤ t <0.4 ms vi = 0v , vc(0.3-) =0.769 , D OFF

𝑇
τ2 = 10ms > = 0.1 ms nên xem như C2 không xả
2
v0 = vc (0.3-) = -0.769v
vc (0.4-) = 0.769v
 0.4 ≤ t <0.5 ms vi = 10v , vc(0.4-) =0.769v , D ON ,τ1 = 2.55 ms
𝑅𝑓
v0(t) = [(𝑉1 − 𝑣𝑐 (𝑡1− )] 𝑒 −(𝑡−𝑡1)/τ1
𝑅𝑓 +𝑅𝑠
100
= 100+5𝑘 (10 − 0.769) 𝑒 −(𝑡−0.4)/2.55
v0 (0.4+) = 0.181
 v0 (0.5-) = 0.174
𝑅𝑓 +𝑅𝑠 5𝑘+100
vc (0.5-) = 𝑉1 − 𝑣0 (𝑡1− ) = 10 -0.174 = 1.126 v
𝑅𝑓 100

 0.5 ≤ t <0.6 ms vi = 0v , vc(0.5-) =1.126 , D OFF

𝑇
τ2 = 10ms > = 0.1 ms nên xem như C2 không xả
2
v0 = vc (0.5-) = -1.126v
vc (0.6-) = 1.126v
 0.6 ≤ t <0.7 ms vi = 10v , vc(0.6-) =1.126v , D ON , τ1 = 2.55 ms
𝑅𝑓
v0(t) = [(𝑉1 − 𝑣𝑐 (𝑡1− )] 𝑒 −(𝑡−𝑡1)/τ1
𝑅𝑓 +𝑅𝑠
100
= 100+5𝑘 (10 − 1.126) 𝑒 −(𝑡−0.6)/2.55
v0 (0.6+) = 0.174
v0 (0.7-) = 0.167
𝑅𝑓 +𝑅𝑠 5𝑘+100
vc (0.7-) = 𝑉1 − 𝑣0 (𝑡1− ) = 10 -0.167 = 1.483v
𝑅𝑓 100

Dạng sóng ngỏ ra:

Bài 4.15

a)
 t=0-  Vi=-V/2 : D off

 VA(0-) = Vi – (V2/R)(Rs+R) = -V/2 – (V2/R)(Rs+R)

 t=0+  Vi=V : D on

 VA (0+ )=V/2 – (V1 /Rf )(Rs + Rf )

Điện áp trên tụ không đột biến => VA (0+ ) = VA(0-)

 V/2 + (V2 /R)(Rs+R)=V/2-(V1 /Rf )(Rs + Rf )

 V= (V1 /Rf )(Rs + Rf ) + (V2 /R)(Rs+R)
  V= (V1 /Rf )(Rs + Rf ) + (V1 /Rf)(Rs+R)
 V= (V1 /Rf )(2Rs + Rf + R) = (V1 /Rf )(2Rs + R) vì Rf <<R
 V1 = VRf /(2Rs + R) và -V2 = VR/(2Rs + R)

c) V/V2 = V(Rf+R)/(2Rs+R)=10k/(2Rs+10k) ≥ 0.99

 Rs ≤ 50.5 (Ohm)

Bài 4.16
Trong mạch kẹp hình 4.11 ( lý thuyết), Rf = 100, Rr =∞, V =0, R =100K.Dạng sóng ngõ vào là xung vuông V=30V, T1
=50µs ,T2 =1000µs.
a) Rs = 0 và C rất lớn. Tính và vẽ dạng sóng xác lập ngõ ra.
b) Lập lại a nếu RS =100
c) Lập lại b nếu C =0,05µF
d) Lập lại C nếu V =0,7V

S + +
+
V0
VS Vi

a. Rs = 0 và C rất lớn +
Gọi V1 là biên độ phần xung dương của ngõ ra, biên
+ độ phần xung âm là

+
30- V1 .
V0
Vi
 Af 50V1 R 100
RS  0    f   V1  0,6V
Ar 1000(30  V1 ) R 100k

b. Rs = 100 và C rất lớn.

 R f  Rs R  Rs '
V V1  V2  2V1  V2'  30 (4.18)
Rf R
V2'  V2e T2 /( R Rs )C  V2 (C  ) (4.21)
 2V1  V2  30

Af V1T1 50V1 R 100

   f 
Ar | V2 | T2 1000(30  2V1 ) R 100k
Ta lại có :  V1  0.6(V );V2  28,8(V)
 c. Rs = 100 , C =0,05µF

Cách 1: Áp dụng công thức (4.27) (4.28) (4.29) về mạch kẹp thực tế:

V1'  0
R
V2  V  29,97(V )
R  RS
t T2
( RS  R )C
V  V2 e  29,97 e
2
' 
 24,54(V )
R  Rs Rf
V1  (V  V2' )  2,73(V)
R R f  Rs

Cách 2 : Giải theo quá độ

Khi vi (t )  V , Diode dẫn : C  C (t1 )

 1   R f / / R  Rs  C   R f  Rs  C  10  s
Rf / / R
v0 (t )  (V  C )   e  (t t1 )/1
R f / / R  Rs
e (t t1 )/10
 (30  C )
2

Khi vi (t )  0 , Diode tắt : C  C (t2 )

 Rr / / R
v0 (t )  C   e  (t t2 )/ 2  2   Rr / / R  Rs  C   R  Rs  C  5000  s
Rr / / R  Rs
 C e  (t t2 )/5000

0  t  50 s : C  0 v0 (t )  15e t /10

50  t  1050 s : C  30  30e T /10  29.7979
1
v0 (t )  29.7979e  (t 50)/5000
1050  t  1100  s : C  29.7979e T2 /5000  24.3964 v0 (t )  2.8018e  (t 1050)/10
1100  t  2100  s : C  30  2.8018e T1 /10  29.9811 v0 (t )  29.9811e  ( t 1100)/5000
2100  t  2150  s : C  29.9811e T2 /5000  24.5465 v0 (t )  2.7268e  (t 2100)/10
2150  t  3150  s : C  30  2.7268e T1 /10  29.9816 v0 (t )  29.9816 e  (t 2150)/5000
3150  t  3200  s : C  29.9816 e T2 /5000  24.5469 v0 (t )  2.7266e  (t 3150)/10

Vậy mạch xác lập ở chu kì thứ 4.

d. Rs = 100 , C =0,05µF , V  0.7

Khi vi (t )  V , Diode dẫn : C  C (t1 )

 1   R f / / R  Rs  C   R f  Rs  C  10  s
Rf / / R
v0 (t )  (V  C  V )   e  (t t1 )/1  V
R f / / R  Rs
e (t t1 )/10
 (29.3  C )  0,7
2

Khi vi (t )  0 , Diode tắt : C  C (t2 )

Rr / / R
v0 (t )  C   e  (t t2 )/ 2  2   Rr / / R  Rs  C   R  Rs  C  5000  s
Rr / / R  Rs
 C e  (t t2 )/5000
Dạng sóng tương tự câu c.

Dựa vào cách thiết lập các công thức tính xác lập từ 4.18 đến 4.21,thiết lập các công thức mới tìm
V1,V1’,V2,V2’ khi diode có phân cực VR(VR=Vγ) !

Bài 4.16
Mạch kẹp hình 4.11, Rf = 100Ω, Rr = ∞,
Vγ = 0, R = 100K

Dạng sóng ngõ vào là xung vuông V =

30V, T1 = 50µs, T2 = 1000µs.

a) Rs = 0 và C rất lớn. Tính và vẽ dạng

sóng xác lập ngõ ra
b) Lặp lại câu a với Rs = 100Ω
c) Lặp lại câu b với C = 0,05µF
d) Lặp lại câu c nếu Vγ = 0,7V

Giải

Mạch tương đương (chưa xét Vγ):

Tổng quát (chưa xét Vγ) :

Tại t < 0 : Diode tắt

R  RS
  
v A 0   V "
R
V2 '

Khi 0 < t ≤ T1 : Diode dẫn

R  RS
 v A  0    V ' f V1
Rf
  
v A 0  v A 0  
R f  RS R  RS
 V ' V1  V " V2 '
Rf R
Rf  RS R  RS
 V1  V2 '  V' V"
Rf R
RS  R f
  
v A T1  V '
Rf
V1 '

Khi T1 < t ≤ T2 : Diode tắt

R  Rf
 
 v A T1  V " S
Rf
V2

  
v A T1  v A T1  
R f  RS R  RS R  RS R  RS
 V " V2  V ' V1 '  f V1 ' V2  V' V"
Rf R Rf R
Ngoài ra :
 T1 / Rf RS C
 V1 '  V1e
V2 '  V2e 1  S 
 T / RR C

Tóm lại, ta có hệ 4 phương trình sau :
 R f  RS R  RS
 V1  V2 '  V' V" 1
Rf R
R f  RS R  RS
 V1 ' V2  V' V"  2 
Rf R
 V1 '  V1e 3
 T1 / Rf RS C

 V2 '  V2e 
 T / R R C
2
 4
S

a) Khi RS = 0, C rất lớn, thay vào 4 phương trình :

 V1  V2 '  30 1a 
 V1 ' V2  30  2a 
 V1 '  V1  3a 
 V2 '  V2  4a 

 V1  V2  30  5a 

A f Rf 1
Mặc khác,   3
A r R 10

 A f  T1.V1
 A r  T2 . V2
V1 1
   6a
V2 50

Thay vào phương trình (5’) :

 V1  V1 '  0,59V

 V2  V2 '  29,41V

b) RS = 100Ω, C vẫn rất lớn, thay vào 4 phương trình :

 2V1  V2 '  30 1b 
 2V1 ' V2  30  2b 
  V1 '  V1  3b 
 V2 '  V2  4b 

 2V1  V2  30(5b)

Kết hợp với phương trình (6a) ta được :

 V1  V1 '  0,58V

 V2  V2 '  28,85V

c) Rs = 100Ω, C = 0,05µF, thay vào 4 phương trình, ta được :

 2V1  V2 '  30 1c 
 2V1 ' V2  30  2c 
 V1 '  6,74.10 3.V1  3c 
 V2 '  0,82V2  4c 
 V1  2,72V

 V1 '  0,02V

 V2  29,96V
 V '  24,57V
 2

d) Khi Vγ = 0,7V :
Với t < 0 : Diode tắt
 R  RS
  
VA 0   V "
R
V2 '

Với 0 ≤ t < T1 : Diode dẫn

R  RS
 
 VA 0  V ' f
Rf
 V1  V   V
  
VA 0   VA 0   
Rf  RS R  RS R  RS
 V1  V2 '  V ' V " V f  V 1d
Rf R Rf
R f  RS
  
VA T1  V '
Rf
 V1 ' V   V
Với T1 ≤ t < T2 : Diode tắt
R  RS
 VA  T1   V " V2
R
 VA  T1   VA  T1 

Rf  RS R  RS R  RS
 V1 ' V2  V ' V " V f  V  2d
Rf R Rf

Ngoài ra :
 V1 '  V1e  3d
 T1 / Rf RS C

 V2 '  V2e 
 T / R R C
2
 4d
S

Thay số vào các phương trình, ta có hệ sau :

2V1  V2 '  30,7


2V1 ' V2  30,7
 3
 V1 '  6,74.10 V1
 V '  0,82V
 2 2

Giải hệ, ta được

 V1  2,78V

 V1 '  0,02V

 V2  30,66V
 V '  25,14V
 2
Bài 4.17
a)

10ms

Af V1 1ms

Ar

20-V1

Gọi biên độ phần xung dương là V1, biên độ phần xung âm là 20-V1
𝐴𝑓 𝑉 𝑅𝑓 10
Ta có: = (20−𝑉1 )10 = = = 0.01
𝐴𝑟 1 𝑅 1𝐾

Suy ra: 𝑉1 ≈ 1,82 𝑉

b)

Nếu đảo chiều diode, Ar ở phần dương xung và Af ở phần âm xung

𝐴𝑓 (20−𝑉1 )10 𝑅𝑓 10
Ta có: = = = = 0.01
𝐴𝑟 𝑉1 𝑅 1𝐾

Suy ra: 𝑉1 ≈ 19,98 𝑉

c)

R=1M
 𝐴𝑓 𝑉 𝑅𝑓 10
Câu a): = (20−𝑉1 )10 = = = 10−5
𝐴𝑟 1 𝑅 1𝑀

Suy ra: 𝑉1 ≈ 2.10−3 𝑉

𝐴𝑓 (20−𝑉1 )10 𝑅𝑓 10
Câu b): = = = = 10−5
𝐴𝑟 𝑉1 𝑅 1𝑀

Suy ra: 𝑉1 ≈ 20 𝑉

Bài 4.20
Opamp lý tưởng, smith trigger đảo

Ta có 𝑉𝑖 so sánh với 𝑉+

Dùng phương pháp chồng chập :

𝑅2 𝑅1
𝑣+ = 𝑉𝑅 + 𝑣
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 0

Dặc tính vòng trễ.

Ban đầu 𝑣𝑖 𝑏é , ∆𝑣𝑖 > 0: 𝑣0 = 𝑉𝐶𝐶

𝑣𝑖 = 𝑉𝑈 𝑡ạ𝑖 đó 𝑛𝑔õ 𝑟𝑎 độ𝑡 𝑏𝑖ế𝑛:

𝑅2 𝑅1
𝑉𝑈 = 𝑉+ = 𝑉𝑅 + 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶

Tăng dần 𝑣𝑖 đế𝑛 𝑘ℎ𝑖 𝑣0 = −𝑉𝐶𝐶

𝑣𝑖 = 𝑉𝐿 𝑡ạ𝑖 đó 𝑛𝑔õ 𝑟𝑎 độ𝑡 𝑏𝑖ế𝑛:

𝑅2 𝑅1
𝑉𝐿 = 𝑉+ = 𝑉𝑅 − 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶

Đô rộng vòng trễ:

𝑅1
𝑉𝐶 = 𝑉𝑈 − 𝑉𝐿 = 2 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
Nhóm 1:
Ngô Tuấn Anh 41100090
Hứa Minh Tuấn 41204264
Nguyễn Đào Ngọc Hoàng

Bài 5.1
a)Tính thời gian mono của mạch monostable

Tại T=0+:

Q1 off, Q2 sat, điện áp tích trên tụ C:

VC(0-)=VA=VCC-VBES
Áp dương hướng về cực CQ1

Tại T=0+:

Mạch tương đương:

Biến đổi Laplace mạch:

Dòng điện I:

VCC  VCES  VA 2VCC  VBES  VCES

I ( s)  s  R
1 1
R S
sC RC

VCC V 2V  VBES  VCES

=> VB 2 ( s )   RI ( s )  CC  CC
s s 1
s
RC
t

=> VB 2 (t )  VCC  (2VCC  VBES  VCES )e RC

Với VB 2 (T  )  V , suy ra:

 2V  VBES  VCES 
T  RC ln  CC 
 VCC  V
 

T  T1  T2  0,69 R1C1  0,69 R2C2

b)Tính chu kỳ dao động của mạch astable

Khi Q1 bão hòa, Q2 tắt:

Tụ C nạp từ Vcc qua R và C xuống đất,mạch tương đương:

Tương tự như trên, ta có:

 2V  VBES  VCES 
T1  R1C1 ln  CC   0,69 R1C1
 V  V
 CC  
 2V  VBES  VCES 
T2  R2C2 ln  CC   0,69 R2C2
 V  V
 CC  
Chu kỳ dao động:
 T  T1  T2  0,69 R1C1  0,69 R2C2

Bài 5.2
Kiểm chứng lại các biểu thức tính thời gian mono T, chu kỳ dao động T mạch astable ghép EC.

Kiểm chứng lại T1 :

- Tại t  0 : Q2 sat , Q1off :

RE
VB 2 (0 )  VBES  VE 2  VBES  VCC  VCES 
RE  RC 2
VA  VC (0 )  VCC  VB 2 (0 )
- Tại t  0 : Q2off,Q1 dẫn chủ động : Mạch tương đương

 Xét nguồn VCC tác động :

Ta thấy : VB 21  VCC

 Xét nguồn VC (0  ) tác động :

Mạch thượng thông và chia áp :

R  t /  R  R C 
VB 22   VC (0 ) e  C1 
R  RC1

R  t /  R  R  C 
  VCC  VB 2 (0 )  e  C1 
R  RC1
  Xét nguồn  I E1 tác động :

VE1 V  VE1
VE1  V  VBE1 , I E1  
RE RE

Mạch thượng thông và chia áp :

R  t /  R  R  C 
VB 23   I E1 RC1 e  C1 
R  RC1

V  VE1 R  t /  R  R  C 
  RC1 e  C1 
RE R  RC1

R  V  VE1 
VB 2 (t )  VB 21  VB 22  VB 23  VCC   RC1  VCC  VB 2 (0 )  
R  RC1  RE 

Ta có : VB 2 (T1 )  VE1  V 2  V  VBE1  V 2

Kiểm chứng lại T2 :

- Tại t  T1 :

VB 2 (T1 )  VE1  V 2

VC (T1 )  VC1 (T1 )  VB 2 (T1 )  VCC  I1RC1   VE1  V 2 

 - Tại t  T1 : Q2 sat , Q1off : Mạch tương đương

 Xét nguồn VCC tác động :

Mạch thượng thông và chia áp :

VB 21  VCC
   1 RE et /   1R  R
E C1 C 
   1 RE  RC1

 Xét nguồn VC (T1 ) tác động :

Mạch thượng thông và chia áp :

VB 22  VC (T1 )
   1 RE et /   1R  R E C1 C 
   1 RE  RC1

VB 2 (t )  VB 21  VB 22 
   1 RE V  V (T  )  et /   1R  R
E C1 C 
   1 RE  RC1  CC C 1 
Ta có : VB 2 (T2 )  V  VBES  V 1

 (   1) RE V  VC (T1 ) 

T2  CRC1  (   1) RE ln   CC  (5.55)
 (   1) RE  RC1 V  VBES  V 1 

Bài 5.3
Kiểm chứng lại các biểu thức tính thời gain mono T, chu kỳ dao động T:
a) Mạch monotable OPAMP
b) Mạch astable OPAMP
Bài Giải
a) Với mạch monotable OPAMP

Với các điều kiện như trong slide bài giảng ta có được
Khi t=0- => Vc(0-) = -Vcc
V0 (0+) =Vcc
Vi (0+) = 2Vcc
Vi (∞) = 0
𝑡
 Vi = 2Vcc 𝑒 −𝜏
Để mạch chuyển trạng thái thì Vi ( T- ) =𝛼Vcc
Vậy ta có
𝑇
−𝜏
 𝛼Vcc= 2Vcc 𝑒
2
 T=𝜏ln
𝛼

b) Với mạch Astable OPAMP ta được

Ta chỉ cần đi tìm T1 và T2 :
Với T1 thì theo slide ta có được:
Vc (0-) = −𝛼Vcc , V0 (0+) =Vcc
𝑡
−𝜏
Ta tìm được Vi = Vcc + (-𝛼Vcc –Vcc )𝑒
-

Mạch đổi trạng thái khí

𝑇1
-
Vi = 𝛼Vcc = Vcc + (-𝛼Vcc –Vcc )𝑒 − 𝜏
 1+𝛼
 T1 = 𝜏 ln
1−𝛼

Tương tự với T2 ta chứng minh được rằng

1+𝛼
T2 = 𝜏 ln
1−𝛼

Bài 5.4
a)

Tại t=0-, ta có Vi = 0, V1= V2 = VDD, V0=0

Tại t=0+ , kích 1 xung dương vào Vi. Lúc này C nạp từ VDD qua R và ngõ ra cổng 1 làm V2 tăng theo hàm

V2 (t )  VDD (1  et / )

Tại t=T-, V2 đạt đến VT nên t có

V2 (T  )  VDD (1  eT / )  VT

VDD VDD
 T   ln  RC ln
VDD  VT VDD  VT

b)

Tại t=0-: V0=0. C nạp từ V2=VDD qua R và ngõ ra V0 về GND, V3 theo 𝜏 = 𝑅𝐶 đến khi V3= VT

Tại t=0+: V0= VDD, lúc này V3=VT + VDD. Sau đó C xả qua R vào ngõ ra V2 làm cho áp V3 giảm theo

V3 (t )  (VDD  VT )et /

Taị t=T1-: áp V3 giảm còn VT nên ta có

V3 (T1 )  (VDD  VT )eT1 /  VT

VDD  VT V V
 T1   ln  RC ln DD T
VDD VDD

Tại t=T1+: V3 giảm kéo theo V1 giảm đến VT làm cho V0=0, V3 giảm đến VT - VDD. Sau đó C nạp điện từ V2=VDD qua R và ngõ
ra V0 theo 𝜏 = 𝑅𝐶 làm V3 tăng theo:

V3 (t )  (2VDD  VT )(1  e(t T1 )/ )  (VT  VDD )

Tại t=(T1 + T2) -: áp V3=VT, nên ta có

V3 (T1  T2 )  (2VDD  VT )(1  eT2 / )  (VT  VDD )  VT

2VDD  VT 2V  V
 T2   ln  RC ln DD T
VDD  VT VDD  VT
 VDD  VT 2VDD  VT
 T  T1  T2  RC ln 
VDD VDD  VT

Bài 5.5
Mạch bistable ghép C-B có các thông số : VCC=VBB=6V
Q(Si),CCES=0.2V,VBES=0.7V,ICBO=10nA@t=250C
RC=1.2K,R1 =4.7k, R2 =27K.
a)Tìm β min và chứng tỏ 1BJT off và BJT kia sat.
b)Tìm nhiệt độ cực đại mạch vẫn hoạt động.
c)Gắn thêm tải RL vào cực C 1 BJT và GND , tìm giá trị tối thiểu RL min để mạch
vẫn hoạt động đúng.
HI

Vcc

RC RC

C1 C2

R1 R1
Q1
Q2

R2 R2

-Vbb
HI

Bài làm
a)Giả sử Q1 sat và Q2 off ta có:

Q1 sat:
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸𝑆 6−0.2
𝐼𝑅𝐶 = = = 4.833𝑚𝐴
𝑅𝐶 1.2𝐾

𝑉𝐶𝐸𝑆 + 𝑉𝐵𝐵 − 𝑅2 𝐼𝐶𝐵𝑂 0.2 + 6 − 27𝐾 × 10−8

𝐼1 = = = 0.195𝑚𝐴
𝑅1 + 𝑅2 31.7𝐾
𝐼𝐶𝑆 = 𝐼𝑅𝐶 − 𝐼1 = 4.638𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝐵𝑂 𝑅𝐶 − 𝑉𝐵𝐸𝑆 6 − 10−8 × 1.2𝐾 − 0.7

𝐼3 = = = 0.898𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅1 1.2𝐾 + 4.7𝐾
𝑉𝐵𝐸𝑆 + 𝑉𝐵𝐵 0.7 + 6
𝐼4 = = = 0.248𝑚𝐴
𝑅2 27𝐾
𝐼𝐵𝑆 = 𝐼3 − 𝐼4 = 0.65𝑚𝐴
Điều kiện Q1 bão hòa : β𝐼𝐵𝑆 ≥ 𝐼𝐶𝑆 => β ≥ 7.44
Q2 off:
Sử dụng thevenin với đỉnh V2:
 1 1 𝑉𝐶𝐸𝑆 𝑉𝐵𝐵
( + ) 𝑉2 = 𝐼𝐶𝐵𝑂 + − => 𝑉2 = −0.719𝑉
𝑅1 𝑅2 𝑅1 𝑅2
=>thỏa mãn điều kiện Q2 off.
b)Khi ICBO tăng thì dòng ICS tăng đồng thời IBS giảm , tuy nhiên điều kiện để BJT
bão hòa còn phụ thuộc vào β nên ta có thể tăng β để đảm bảo Q1 sat.Do đó ICBO
chỉ tác động vào điều kiên tắt của BJT vậy:
𝑉2 > 0
𝑅2 𝑅1
=> 𝑉2 = (𝑅1 \\𝑅2 ) × 𝐼𝐶𝐵𝑂 + 𝑉𝐶𝐸𝑆 − 𝑉 >0
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝐵𝐵
=>𝐼𝐶𝐵𝑂 > 0.18𝑚𝐴

Ta có : khi t tăng 100C thì 𝐼𝐶𝐵𝑂 tăng gấp đôi do đó

0.18×10−3
t'=25+10*log2( )=166.30C
10−8

c)ở đây RL có thể được mắc ở cực C của BJT bão hòa (Q1) hoặc mắc ở cực C BJT
tắt (Q2):
TH1: RL được mắc ở cực C Q1
 Vcc

RC RC
CB CB

R1 R1

Q1_sat
Q2_of f
RL

R2 R2

-Vbb

Mạch tương đương:

Từ mạch tương đương ta thấy RL chỉ làm giảm giá trị dòng Ics và dòng I1 do đó
với bất kì giá trị RL ≠ 0 nào mạch đều hoạt động đúng.
TH2: RL được mắc ở cực C Q2
 Vcc

RC RC
CB CB

R1 R1

Q1

Q2 RL

R2 R2
0

-Vbb

Mạch tương đương:

Ta thấy RL làm dòng I3 giảm dẫn tới Ibs giảm nên nó chỉ ảnh hưởng tới tính bão
hòa của Q1
Ta có:
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶2 𝑉𝐶2 𝑅𝐿 𝑅𝐿 𝑅𝐶
𝐼3 = − =>VC2 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼
𝑅𝐶 𝑅𝐿 𝑅𝐶 +𝑅𝐿 𝑅𝐶 +𝑅𝐿 3

𝑉𝐶2 − 𝑉𝐵𝐸𝑆
𝐼3 =
𝑅1
𝑅𝐿 𝑅𝐿 + 𝑅𝐶
= 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉
𝑅1 𝑅𝐿 + 𝑅1 𝑅𝐶 + 𝑅𝐶 𝑅𝐿 𝑅1 𝑅𝐿 + 𝑅1 𝑅𝐶 + 𝑅𝐶 𝑅𝐿 𝐵𝐸𝑆
 6𝑅𝐿 0.7(𝑅𝐿 + 1.2)
= − ; 𝑅𝐿 (𝑘Ω)
5.9𝑅𝐿 + 5640 5.9𝑅𝐿 + 5640
𝑉𝐵𝐸𝑆 + 𝑉𝐵𝐵 0.7 + 6
𝐼4 = = = 0.248𝑚𝐴
𝑅2 27𝐾
6𝑅𝐿 0.7(𝑅𝐿 + 1.2)
𝐼𝐵𝑆 = 𝐼3 − 𝐼4 = − − 0.248
5.9𝑅𝐿 + 5640 5.9𝑅𝐿 + 5640
Điều kiện để Q1 bão hòa : β𝐼𝐵𝑆 ≥ 𝐼𝐶𝑆
Theo câu a) 𝐼𝐶𝑆 = 4.638𝑚𝐴 & β = 7.44
=>𝐼𝐵𝑆 ≥ 0.623𝑚𝐴
6𝑅𝐿 0.7(𝑅𝐿 + 1.2)
=> − − 0.248 ≥ 0.623
5.9𝑅𝐿 + 5640 5.9𝑅𝐿 + 5640
=> 𝑅𝐿 ≥ 30.5𝑘
Vậy để mạch vẫn hoạt động đúng thì RLmin =30.5k
Điều kiện mạch hoạt động sai là Q1 từ dẫn bão hòa chuyển sang dẫn chủ
động,lúc đó:
βIB=IC và VBE=0,6V !
Bài 5.6

Giả sử Q1 sat,Q2 on , ta có mạch tương đương ( Quy dòng ICBO về nguồn –VBB và +VCC như hình )
Dễ có đc:

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝑆1 VCC  VCES VCES  VBB  I CBO .R2

IRC= = ; I1=
𝑅𝐶 RC R1  R2

VCC  VBES  ICBO .RC VBES VBB

I3= ; I4=
R1  RC R2

 Điều kiện Q2 off : VB2<VBES

VCES  VBB  I CBO .R2

VC1 - I1.R1 < VBES  VCES - 𝑅1 < VBES
R1  R2

 R2 .VCES  RV
1 BB  R1 R2 .VCBO  ( R1  R2 ).VBES

 Điều kiện Q1 sat IC1 < β.IB1

 (IC1-I1)  β(I3-I4)

Bài 5.8
 a) Khi Vi =V1=UTP : Q1 on , Q2 off . Giả sử Q1 dẫn chủ động

V’= R2*Vcc/(Rc1+R1+R2)=6v

Áp dụng công thức tính UTP ta có : V1 = UTP = V’ – 0.2 = 5.8V

𝑽𝟏−𝑽𝜸𝟏
Ib1 = 𝑹𝒔+ 𝜷𝑹𝑬 = 0.058mA => Ic1 = βIb1 = 1.74mA

Vb1 = Vγ1 + Ic1*RE = 5.72V

Vt=(R1+R2)*Vcc/(Rc1+R1+R2)=8v

R=Rc1*(R2+R1)/(R2+Rc1+R1)= 2.6K

Vc1 = Vt – R*Ic1 = 3.476V

  Vbc1 phân cực thuận => giả sử Q1 dẫn chủ động sai
𝑽𝒕−𝑽𝒄𝒆𝒔
 Giả sử Q1 dẫn bão hòa : Ic1 = = 1.39mA
𝑹+𝑹𝒆
Vc1 = Vt – R*Ic1 = 4.386V => Vbc1 phân cực thuận => Q1 dẫn bão hòa đúng

b) Vi=V2 = LTP: Q1 off, Q2 on

Ib1 = Ic1 = 0

Giả sử Q2 dẫn chủ động:

Vbb = R2*Vcc/(Rc1+R1+R2) = 6V

Rbb = R2*(R1+Rc1)/(R2+Rc1+R1) = 3K

𝑽𝒃𝒃−𝑽𝜸𝟐
Ib2= 𝑹𝒃𝒃+𝜷𝑹𝒆 = 0.059mA => Ic2 = β*Ib2 = 1.77mA

Vb2 = Vγ2 + Ic2*Re = 5.81V

Vc2 = Vcc – Ic2*Rc2 = 10.23V

 Vbc2 phân cực nghịch => Q2 dẫn chủ động là đúng.

c) Giả sử Q2 dẫn chủ động
𝑽𝒃𝒃−𝑽𝜸𝟐
Ib2= 𝑹𝒃𝒃+𝜷𝑹𝒆 = 0.059mA => Ic2 = β*Ib2 = 1.77mA

Vb2 = Vγ2 + Ic2*Re = 5.81V

Vc2 = Vcc – Ic2*Rc2 = 4.92V

 Vbc2 phân cực thuận => Q2 dẫn chủ động là sai

 Giả sử Q2 dẫn bão hòa
𝑽𝒄𝒄−𝑽𝒄𝒆𝒔
Ic2 = 𝑹𝒄𝟏+𝑹𝒆
= 1.68mA => Vc2 = 5.28V , Vb2 = 5.81V

 Vbc2 phân cực thuận => Q2 dẫn bão hòa.

Bài 5.9

Cho BJT có 𝛽=80, 𝑉𝑐𝑐 = 30 ,𝑅1 = 24𝑘 , 𝑅2 = 6𝑘 , UTP=4,5V, LTP=1.5V và 𝐼𝑐2 . 𝑅𝑐2 = 10𝑣

Tìm 𝑅𝑐1 , 𝑅𝑐2 , 𝑅𝑒 ? ?

Tính 𝑉1 = 𝑈𝑇𝑃 , 𝑄1 𝑜𝑓𝑓, 𝑄2 𝑜𝑛

𝑉𝑐𝑐 𝑅2
𝑉′ = 𝑅
𝑐1 +𝑅1 +𝑅2

𝑅2 (𝑅𝑐1 +𝑅1 )
𝑅𝑏 = =5.14K
𝑅𝑐1 +𝑅1 +𝑅2

𝐼𝐸2 = 𝐼𝑏2 + 𝐼𝑐2 = 𝐼𝑏2 (𝛽 + 1)

Áp dụng đinh lí mạch vòng cho vòng kín BE2

𝑉 ′ − 𝑉𝐵𝐸 = (𝑅𝑏 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽))𝐼𝑏2 (1)

𝑉𝐸 = 𝐼𝑏2 𝑅𝐸 (𝛽 + 1) (2)
𝑅𝐸 (𝛽+1)
Từ (1) và (2) => ta có 𝑉𝐸 = (𝑉 ′ − 𝑉𝐵𝐸2 )
𝑅𝑏 +𝑅𝐸 (𝛽+1)

Suy ra: 𝑉1 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝛾1

Nếu 𝑅𝐸 (𝛽 + 1) ≫ 𝑅𝑏 ta đơn giản được

𝑉1 ≈ 𝑉 ′ − 𝑉𝐵𝐸2 + 𝑉𝛾1

Với 𝑄2 (𝑆𝑖) ta có: 𝑉𝐵𝐸2 = 0,7𝑉(𝑄2 𝑠𝑎𝑡), 𝑉𝛾1 = 0,5𝑉

𝑉1 ≈ 𝑉 ′ − 0,2𝑉
𝑅2 𝑉𝑐𝑐
4.5=𝑅 − 0.2 𝑅𝑐1 = 11.86𝑘
𝑐1 +𝑅1 +𝑅2

2) tính 𝑉2 = 𝐿𝑇𝑃, 𝑄1 𝑜𝑛 𝑄2 𝑜𝑓𝑓

(𝑅1 + 𝑅2 )𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑡 = = 21.5𝑉
𝑅𝑐1 + 𝑅1 + 𝑅2

𝑅𝑐1 (𝑅1 + 𝑅2 )
𝑅= = 8.5𝐾
𝑅𝑐1 + 𝑅1 + 𝑅2
𝑅2
𝑉𝑏2 = 𝑅 𝑉𝐶1=𝛼𝑉𝑐1=0.2𝑉𝐶1
1 +𝑅2

Áp dụng định luật K2 cho vòng mạch BE Q2:

-𝛼𝑉𝑐1 +𝑉𝛾2 + (𝐼𝑏1 + 𝐼𝑐1 )𝑅𝐸 = 0

Với 𝑉𝑐1 = 𝑉𝑡 − 𝐼𝑐1 𝑅, 𝐼𝑐1 = 𝛽𝐼𝑏1

𝛼𝑉𝑡 − 𝑉𝛾2
𝐼𝑐1 =
1
𝛼𝑅 + 𝑅𝐸 (1 + )
𝛽
𝑉2 = 𝐼𝐵1 𝑅𝑆 + 𝑉𝐵𝐸1 + (𝐼𝐶1 + 𝐼𝐵1 )𝑅𝐸

1 𝑅
𝑅𝐸 (1 + ) + 𝑆
𝛽 𝛽
𝑉2 = 𝑉𝐵𝐸 (𝑉 ′ − 𝑉𝛾2 )
1
𝛼𝑅 + 𝑅𝐸 (1 + )
𝛽

𝑅𝐸 (𝛼𝑉𝑇 −𝑉𝛾2 ) 𝑅𝐸 (4.3−0.7)

VÌ 𝛽 ≫ 1 𝑉2 ~𝑉𝐵𝐸1 +  1.5 = 0.5 + => 𝑅𝐸 = 653,84
𝛼𝑅+𝑅𝐸 1.7𝐾+𝑅𝐸

3) Tìm 𝑅𝐶2 khi Q2 on và Q1 off

Ta có∶ −𝑉 ′ + 𝐼𝐵2 𝑅𝐵 + 𝑉𝛾2 + (𝐼𝐵2 + 𝐼𝐶2 )𝑅𝐸 = 0

𝑉 ′ −𝑉𝛾2
 𝐼𝐵2 = = 0.196𝑥10−5
𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸
10
 𝑅𝐶2 = = 2.017𝐾
𝐼𝐶2

Bài 5.9
Thiết kế mạch Schmitt-trigger dùng BJT (Si) có  min  80 . Chọn VCC  30V , R1  24 K , R2  6 K  . Yêu cầu
UTP=4.5V, LTP=1.5V, chênh lệch áp tắt / dẫn ngõ ra là 10V, Q2 hoạt động chủ động. Tính RC1 , RC 2 , RE .
Giải:
  BJT Si:
Qactive : VBEA  0.6V
Qsat : VBES  0.7V
Qoff : VBEO  0.5V

Khi Qoff bỏ qua I BCO , và ảnh hưởng của điện trở Rs

 Khi VS nhỏ : Q1off , Q2 on , VS tăng sao trạng thái

2 BJT vẫn chưa thay đổi VS  UTP : tại điểm kích trên.

Mạch tương đương như hình bên

Q2on active

R2 R ( R  R1 )
V'  VCC (1), Rb  2 C1
RC1  R1  R2 RC1  R1  R2

UTP  VBEO  VE 2  VE 2  4.5  0.5  4V

V '  VBEA V '  VBEA

IE2  (2) @ RE Rb (1   )  V ' VE 2  VBEA  4  0.6  4.6V
RE  Rb (1   ) RE

30
Từ (1)  RC1   6  (6  24) 9.13K 
4.6

V0  VCC  RC 2 I C 2 VCC  RC 2 I E 2 (3)

 Khi VS tăng vượt quá UTP  Q1off    Q1on , Q2on    Q2off , tiếp tục tăng VS thì

2BJT giữ nguyên trạng thái. Khi VS giảm đến giá trị mà tại đó vẫn Q1on , Q2 off  VS  LTP

tại điểm kích dưới.

Mạch tương đương như hình bên.

Giả sử Q1on active, Q2off

LTP  VBEA  VE1  VE1  1.5  .6  0.9V

VB 2  VBEO  VE1  0.5  0.9  1.4V
R1  R2 30*1.4
VC1  VB 2   7V
R2 6
VC1E1  7  0.9  6.1    Q1on active là đúng.

VB 2 VE1
RC1 I RC 1  RC1 (  )  VCC  VC1
R2 RE
1.4 0.9
(  ) RC1  30  7  RE  394
6 RE R C 1  9.13 K 

V '  VBEA 4.6  0.6

Từ (2) I E 2  10.15mA
RE 394

Ngõ ra : V0  VCC (4)

10
Từ (3) và (4) ta có : V0  I C 2 RC 2 I E 2 RC 2  10V  RC 2   985
10.15mA

Vậy RC1  9.13K , RC 2  985, RE  394

Chọn: RC1  10 K , RC 2  1k , RE  560

Tính toán lại:

Bài 5.10

𝑇ạ𝑖 𝑡 = 0− : 𝑄1 𝑜𝑓𝑓, 𝑄2 𝑠𝑎𝑡, đ𝑖ệ𝑛 á𝑝 𝑡í𝑐ℎ 𝑡𝑟ê𝑛 𝐶:

𝑉𝐴 = 𝑉𝐶 (0− ) = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝐵𝑂 ∗ 𝑅𝐶1 − 𝑉𝐵𝐸𝑆

Áp dương hướng về cực CQ1

𝑇ạ𝑖 𝑡 = 0+ : 𝑄1 𝑠𝑎𝑡, 𝑄2 𝑜𝑓𝑓, 𝑡ℎ𝑎𝑦 𝑚ạ𝑐ℎ 𝐶𝐸𝑄1 𝑏ằ𝑛𝑔 𝑛𝑔𝑢ố𝑛 𝑉𝐶𝐸𝑆

Từ hình trên ta tìm được biểu thức 𝑉𝐵2 và 𝑉𝐵2 (𝑇 − ) = 𝑉𝛾 − 𝐼𝐶𝐵𝑂 ∗ 𝑅

Ta tìm được:
V + R ∗ ICBO + Vcc − VCES − VBES − ICBO ∗ R c1
𝑇=τ
V + R ∗ ICBO − V

𝑉 + 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝐵𝑂 ∗ 𝑅𝐶1 − 𝑉𝐵𝐸𝑆 − 𝑉𝐶𝐸𝑆 + 𝐼𝐶𝐵𝑂 ∗ 𝑅

𝑇 = 𝑅𝐶 ∗ ln( )
𝑉 − 𝑉𝛾 + 𝐼𝐶𝐵𝑂 ∗ 𝑅

Nhóm 11:

Bài 5.11
Để giảm thời gian hồi phục của mạch monostable (thời gian từ lúc xuất hiện vọt lố tới lúc
VB2 = VBES ), người ta mắc thêm Zener ở cực C của Q1 và GND.

Nếu V2 = VCC/2, chứng minh T = 0,41RC.

 Giải

(tương tự bài 5.1)

Tại t = 0- : Q1 tắt, Q2 bão hòa

 VA  0    CC  VBES (do Zener phân cực ngược nên VC1  CC )
V V
2 2
Khi 0 < t : Q1 bão hòa, Q2 tắt
 Dùng xếp chồng
 
VB2  VCC 1  e  t/    VCES  VA  0  e  t/ 
với τ = RC

 VCC  VCC  VA  0 
  V e
CES
 t/ 

 Tại t = T : VB2 = Vγ

V  VCC  VCC  VA  0   VCES e  T/  
VCC  V
 e  T/  
VCC  VA  0   VCES
T VCC  V
  ln
 VCC  VA  0   VCES

VCC  VA  0   VCES
 T  RCln
VCC  V

Mà VA  0   
VCC
 VBES nên :
2
1,5VCC  VBES  VCES
T  RCln
VCC  V
Giả sử : VCC  V ,VBES ,VCES
T  RCln1,5  0,41RC
Bài 5.12

Thông số:
Vcc  12V ,VBB  3V , Q(Si)   30, RC  2 K , R  R1  R2  20K , rbb '  200, C  1000 pF , I BCO  0.
Khi nguồn ổn định, mạch ở trạng thái Q2 sat(do R dẫn dòng IB2) và Q1 off.
VC 2  VCES ,VC1  VCC . Đây là một trạng thái bền, chỉ đảo trạng thái khi ta tác động xung kích
vào mạch.Giả sử kích một xung âm vào cực BQ2 : Q2 dẫn yếu làm IC2 giảm, dẫn đến VC2
tăng. Hồi tiếp tái sinh qua R1 / /C1 làm VB2 tăng, Q1 bắt đầu dẫn, IC1 tăng làm VC1 giảm, hồi
tiếp tái sinh qua C làm VB2 giảm và Q2 dẫn càng yếu… Quá trình tiếp tục khi cho đến khi
Q1 bão hòa, Q2 off.
Tại t=0− ,𝑄1off 𝑄2 sat thi ta có : 𝑉𝐶2 = 𝑉𝐶𝐸𝑠 , 𝑉𝐶1 = 𝑉𝐶𝐶
Điện áp trên tụ 𝑣(0− ) = 𝑉𝐶𝐶 -𝑉𝐵𝐸𝑆 =𝑉𝐴

Sau đó kích một xung đủ để 𝑄1sat 𝑄2 off khi này

𝑉𝐶1 = 𝑉𝐶𝐸𝑠 , 𝑉𝐶2 = 𝑉𝐶𝐶 .

Do 𝑄1sat 𝑉𝐶1 giảm từ 𝑉𝐶𝐶 𝑥𝑢ố𝑛𝑔 𝑉𝐶𝐸𝑠 dẫn đến 𝑉𝐵2 giảm tới khi âm thì 𝑄2 off ,C xả nguồn từ Vcc qua
R xét mạch lúc này để tìm 𝑉𝐵2. Mạch tương đương như hình bên dưới

Áp dụng kiên thức chương 1 ta suy ra được biêu thức

−𝑡
𝑉𝐵2 = 𝑉𝐶𝐶 + (𝑉𝐶𝐸𝑠 − 2𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐵𝐸𝑠 ) 𝑒 𝜏 𝜏 = 𝑅𝐶

Khi 𝑉𝐵2 tăng tới 𝑉𝛾 thì 𝑄2 dẫn lại

 Thời gian mono T thoả 𝑉𝐵2(T-) =𝑉𝛾
2𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸𝑠 −𝑉𝐵𝐸𝑠 2𝑥12−0.3−0.7
 T=𝑅𝐶𝑙𝑛 =20x103 x1x10−9ln =13.86(us)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝛾 12−0.5

Khi Q1 off có độ vọt lố  ’ tại cực CQ1 và qua C làm VB2 có độ vọt lố  . Tại thời điểm
đó Q2 on và xuất hiện dòng I’B2.
Mạch tương đương khi Q2 sat là rbb’ và nguồn VBES.

Do R>>RC1 nên ta xem dòng I’B2 ghép qua RC1,C,rbb’.

= 12  0.3  0.7  0.5 2K200

 200
 0.7  0.5  1.245(V )
Bài 5.13
Thiết kế mạch monostable ghép C-B:
Thông số đã biết:

𝑉𝑐𝑐 = 12𝑉

𝛽 = 20

𝐼𝐶𝑆 = 2𝑚𝐴

𝑇 = 3𝑚𝑠

𝑉𝐵𝐸𝑂𝑓𝑓 = −1𝑉

𝑄2 sat:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑆 12 − 0,2

𝑅𝑐 = = = 5,9𝑘Ω
𝐼𝐶𝑆 2. 10−3

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸𝑆 (𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸𝑆 ) 12 − 0,7

𝑅= = 𝛽= 20 = 113𝑘Ω
𝐼𝐵𝑆 𝐼𝐶𝑆 2. 10−3

𝑇 3. 10−3
𝐶= = ≈ 38,5𝑛𝐹
0,69𝑅 0,69.113. 103

Tính 𝑅1 , 𝑅2 :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸𝑆 𝑉𝐵𝐸𝑆 + 𝑉𝐵𝐵 𝐼𝐶𝑆
𝐼𝐵𝑆 = 𝐼1 − 𝐼2 = − =
𝑅𝐶 + 𝑅1 𝑅2 𝛽

12 − 0,7 0,7 + 12 2. 10−3

− = (1)
5,9. 103 + 𝑅1 𝑅2 20

𝐼4 = 𝐼3 + 𝐼𝐶𝐵𝑂
𝑉𝐵𝐸𝑂𝑓𝑓 + 𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐶𝐸𝑆 − 𝑉𝐵𝐸𝑂𝑓𝑓
=
𝑅2 𝑅1

−1 + 12 0,2 − (−1)
= (2)
𝑅2 𝑅1

Từ (1) & (2) suy ra: 𝑅1 ≈ 92,4𝑘Ω

𝑅2 ≈ 847𝑘Ω
Bài 5.14
Mạch Astable ghép C-B , R1 và R2 cùng nối tiếp đến nguồn V ≠ VCC. Tìm biểu thức tính chu kì dao
động.

 Tính thời gian T1, T2 tương tự như mạch monostable ghép C-B

Tính thời gian mono T1

Tại thời điểm t= 0- , Q1 off Q2 sat điện áp tính trên C

VC(0-) = Vcc- VBES áp dương hướng về cực CQ1

Tại thời điểm t = 0+ , Q1 sat, Q2 off điện áp tính trên C thay mạch CEQ1 bằng nguồn VCES

Ta có mạch tương đương tính T1

Ta có VB2 = Vɣ

Xếp chồng 3 nguồn ta có:

 Khi nối tắt VC(0-) và VCES, mạch tương đương mạch hạ thông
VB2 = V.(1 – e-t/R1C1)
 Khi nối tắt V và VCES, mạch tương đương mạch thượng thông
VB2 = - VC(0-). e-t/R1C1
 Khi nối tắt V và VC(0-), mạch tương đương mạch thượng thông
VB2 = VCES. e-t/R1C1

VB2 = Vɣ = V.(1 – e-t/R1C1) - VC(0-). e-t/R1C1 + VCES. e-t/R1C1

= V +(- VC(0-) + VCES – V) e-t/R1C1
V- Vɣ = ( V + VC(0-) - VCES ) e-t/R1C1
V- Vɣ = ( V + Vcc - VBES - VCES ) e-t/R1C1
Khi t = T
V+Vcc – VCES −VBES
T1 = R1C1 𝑙𝑛
V− Vɣ
 V+Vcc – VCES −VBES
Tương tự ta tính được T2 = R2C2 𝑙𝑛 V− Vɣ

Chu kì dao động

V+Vcc – VCES −VBES V+Vcc – VCES −VBES
T = T1 +T2 = R1C1 𝑙𝑛
V – Vɣ
+ R2C2 𝑙𝑛 V− Vɣ

Bài 5.16
 a) Ta có biểu thức 𝑉𝑖+ sau khi kết thúc xung mono (t>T)
Vi+ = (αVCC - 2VCC) . e-t/τ ; τ=RC
- Thời gian hồi phục tr (từ 90% đến 10% biên độ) :
 𝑉𝑖+ = 0.9 𝑉𝑖+ max
10
 e-t/τ =0,9 t1= τ.ln
9
 𝑉𝑖+ = 0,1 𝑉𝑖+ max
 e-t/τ =0,1
 t2 = τ.ln10
 t =t2-t1= τ.ln9 (với τ=RC)

b) mắc thêm Diode.

- Xét t<T : D off nên quá trình nạp xả của
tụ như khi không có Diode.
Ta tìm được
Vc(𝑇 − )= VCC - αVCC

- Khi t>T : D on, mạch như hình : (Coi như R >> Rf  R // Rf  Rf )

 𝑉𝑖+ = Vf - [Vc(𝑇 − ) − 𝑉𝑜 + 𝑉𝑓 ]. 𝑒 −𝑡/𝜏′

 = Vf - (2VCC - αVCC + Vf). 𝑒 −𝑡/𝜏′
= Vf + (αVCC - 2VCC - Vf). 𝑒 −𝑡/𝜏′
(𝜏 ′ = 𝑅𝑓 𝐶)
 Khi 𝑉𝑖+ = 0.9 𝑉𝑖+ max

 Vf + (αVCC - 2VCC - Vf). 𝑒 −𝑡1/𝜏′ = 0.9.( αVCC - 2VCC)

0.9.( α𝑉𝐶𝐶 − 2𝑉𝐶𝐶 )−V𝑓

 𝑒 −𝑡1/𝜏′ = α𝑉𝐶𝐶 − 2𝑉𝐶𝐶 −V𝑓
=A

 t1 = -𝜏′.ln(A)

 𝑉𝑖+ = 0,1 𝑉𝑖+ max

 Vf + (αVCC - 2VCC - Vf). 𝑒 −𝑡2/𝜏′ = 0.1.( αVCC - 2VCC)

0.1.( α𝑉𝐶𝐶 − 2𝑉𝐶𝐶 )−V𝑓

 𝑒 −𝑡2/𝜏′ = α𝑉𝐶𝐶 − 2𝑉𝐶𝐶 −V𝑓
=B

 t2 = -𝜏′.ln(B)

𝐴 0.9.( α𝑉𝐶𝐶 − 2𝑉𝐶𝐶 )−V𝑓

 t = t2-t1 = 𝜏 ′ . ln ( ) = 𝜏 ′ . ln( )
𝐵 0.1.( α𝑉𝐶𝐶 − 2𝑉𝐶𝐶 )−V𝑓

Bài 5.18
Hình 5.18

Lời giải:

𝑽𝒄𝒄∗𝑹𝟏−𝟐𝑽∗𝑹𝟏−𝑽∗𝑹𝟐
Vi+ = R1*(Vo – V)/(R1+R2) – V =
𝑹𝟏+𝑹𝟐
2𝑉∗𝑅1+𝑉∗𝑅2
Đặt a = R1/(R1+R2) ; A = − = k*Vcc
𝑅1+𝑅2

 Vi+ = a*Vcc + A = (a+k)*Vcc

C nạp từ Vo qua R, Vi- tăng theo thời hằng τ = RC

−𝑽𝒄𝒄∗𝑹𝟏−𝟐𝑽∗𝑹𝟏−𝑽∗𝑹𝟐
Tại t = T1- : Vi-(T1- ) = = -a*Vcc + A làm cho δVi ≤ 0
𝑹𝟏+𝑹𝟐
Vo(T1+) = Vcc

Lấy mốc thời gian tại T1

 𝑽𝒄𝒄∗𝑹𝟏−𝟐𝑽∗𝑹𝟏−𝑽∗𝑹𝟐
Sau thời gian t=T1 , Vi(T2-) = = a*Vcc + A
𝑹𝟏+𝑹𝟐

Ta có: Vi(T2-)=(a*Vcc + A) = Vcc(1- e-T1/ τ) + (-a*Vcc + A)*e-T1/ τ

 (a+k)Vcc = Vcc(1- e-T1/ τ) + ( k-a) *e-T1/ τ

𝒌−𝟏+𝒂 𝒌−𝟏+𝒂
 T1 = τ*Ln = RC* Ln
𝒌−𝟏−𝒂 𝒌−𝟏−𝒂

𝑽𝒄𝒄∗𝑹𝟏−𝟐𝑽∗𝑹𝟏−𝑽∗𝑹𝟐
Tại t = (T2)- : Vi- (T2-)- = = a*Vcc + A làm cho δVi ≥ 0
𝑹𝟏+𝑹𝟐
Vo(T2+) = -Vcc

Sau thời gian T2 :

Vi((T1+T2)-) = -a*Vcc + A = -Vcc(1- e-T2/ τ) + (a*Vcc + A)*e-T2/ τ

 (-a+k)Vcc = -Vcc(1- e-T1/ τ) + ( k+a) *e-T1/ τ

𝒌+𝟏+𝒂
 T2 = RC*Ln
𝒌+𝟏−𝒂
𝒌+𝟏+𝒂 𝒌−𝟏−𝒂
 T = T1+T2 = = RC*Ln
𝒌+𝟏−𝒂 𝒌−𝟏+𝒂

Nhom 9 ( sang t4 )

Bài 5.19
Mạch astable như hình BT5.19 có D//C(D lý tưởng V   0, R f  0, Rr   ). Hãy cho nhận xét về hoạt động của mạch.
Tính các độ rộng xung?
Giải:

R1 , R2 : Tạo ngưỡng điện áp so sánh

R, C : Tạo mạch RC nhằm thực hiện quá trình nạp xả tụ

Diode D: Tạo mạch ghim điện áp, ngắn mạch tụ C khi mạch ở

trạng thái bền.

 Nguyên lý hoạt động:

Ở chế độ xác lập, giả sử V0  VCC  Vi   VCC ,   R1 / ( R1  R2 )

 D dẫn  Vi   V  0V  Vi   VCC . Do đó mạch luôn giữ nguyên trạng thái xác lập này.
Vậy mạch này không dao động vì vậy không phải mạch astable, không có độ rộng xung.

Mạch này có thể chuyển thành mạch monostable bằng cách kích một xung dương tại ngõ vào Vi  .

 Mạch thiết kế lại để trở thành mạch monostable:

Nguyên lý hoạt động.

Tiếp tục nguyên lý hoạt động phía trên:

Tại ngõ vào Vi  của opamp ta kích khởi Vi với

biên độ đủ lớn lúc này: Vi   Vi   Vi  0

V0  VCC  Vi   VCC , Diode D phân cực ngược

D tắt, hở tụ C. Đồng thời lúc đó tụ C được nạp

bởi +Vcc qua R. Điện áp trên tụ Vi  tăng dần

cho tới khi có xu hướng vượt qua Vi   VCC

Vi   Vi   Vi  0 . Ngõ ra V0  VCC . Khi đó

tụ C xả điện áp từ mạch qua R, khi điện áp trên tụ

tụ C có xu hướng nhỏ âm Vi   0 . Diode phân cực thuận nối tắt ghim điện áp trên tụ
Vi   V  0V  Vi   VCC . Mạch giữ nguyên trạng thái V0  VCC cho tới khi nhận được một xung kích mới.

Tính chu kỳ xung T monostable và thời gian phục hồi Tph của tụ điện.

Xét gốc tại 0+: VC  Vi   V  0V ,V0  VCC

Phương trình nạp điện của tụ:

t t
Vi  (t )  (V0  V  )  (1  e RC
)  VCC (1  e RC
)
T 1
Vi  (T )  VCC  VCC (1  e RC
)  T  RC ln( )
1

Tụ phục hồi: Xét gốc tọa độ tại t=T+

Tại t=T+: VC  Vi   VCC ,V0  VCC

Ta có phương trình xả của tụ điện:

t t
Vi  (t )  VCC (1  e 
)  VCC e 
,  RC
Tph Tph
Vi  (Tph )  VCC (1  e 
)  VCC e 
0
 Tph  RC ln(1   )
Bài 5.21
Mạch VCO như hình BT 5.21. Tìm biểu thức tính chu kỳ dao động, giả sử R bằng với giá trị R trong nhánh 3R trong cấu
trúc vi mạch.

Bài làm:

Ta có cấu trúc vi mạch:

Ta thấy có 1 điện áp +V cấp vào chân số 5, Dựa vào cấu trúc IC ta có thể tương đương:

Bây giờ ngưỡng đã được set lại.

Đặt VTR=(Vcc+V)/2

 VTH=(2VTR)/2,5 và VTL=(VTR)/2,5
Chu kỳ T:
T=T1+T2
Thời gian T1: C nạp qua R1 và R2 với

Thời gian T2: C xả qua R1 với


Suy ra:

Với điều kiện T >0 và ln có nghĩa thì:

 Vì còn phụ thuộc vào điện áp V kích thích ở chân số 5 nên vẫn chưa thể rút gọn công
thức được.

Bài 6.3
Mạch monostable blocking BC như hình BT 6.3, điện cảm từ hoá cực C

L= 10mH, a =-hFB=0,98, bỏ qua các điện áp tiếp giáp. Tỉ số vòng BAX 2:1:1.

a. Tính và vẽ dạng sóng iC (t), iE (t)vàVL (t).

 Trong trạng thái tĩnh, các dòng điện trong biến áp lý tưởng(BALT) = 0 nên tổng đại số
số amper x số vòng(số amper vòng) trong BALT = 0:
iE  2i  i1  0

Gọi V là biên độ điện áp rơi trên sơ cấp : V  Vcc  6V

Vcc 6
Và iE    1.5mA
2 R 2.2

Vcc 6
i1    1mA
2 RL 2.3

iE  i1 Vcc 1 1.5  1
=> i  .   1.25mA
2 4 R / / RL 2

im là dòng từ hóa , do V=const nên

dim V .t Vcc .t
L  V hay im  
dt L L

Vcc 1 V .t
Ta có : ic  i  im  .  cc  1.25  0.6t (mA)
4 R / / RL L

Vcc
VL   3V
2

b. Tính độ rộng xung tp

Tại t  t p : ic (t p )   i E (t p )

Vcc 1 Vcc .t p V
 .    cc
4 R / / RL L 2R

L L 10 10
 tp  (2  1)   (2.0,98  1)   0.3667  s
4R 4 RL 4.2 4.3

Dạng sóng của các tín hiệu :

Bài 6.4
Áp dụng định luật vòng kín ta có:

 .  VBB
nV
VBB  iE .R  nV
. 0 iE  (1)
  R
 V  V  V  0 
V  VCC  VBB
CC BB (2)

Tổng đại số số amper vòng trong BALT bằng 0:

.  VBB
nV
i  n.iE  0  i  n.iE thế biểu thức (1) vào ta có: i  n. (3)
R

.  VBB V
nV
iC  i  im  n.  t thế biểu thức (2) vào ta có
R L

n.(VCC  VBB )  VBB VCC  VBB

iC  n.  t
R L
.  VBB
nV n.(VCC  VBB )  VBB VCC  VBB
iB  iE  iC   n.  t
R R L

Tại t=tp: iC   iB , ta tìm được tp

 n.(VCC  VBB )  VBB VCC  VBB .  VBB
 nV n.(VCC  VBB )  VBB VCC  VBB 
n.  tp  .  n.  tp 
R L  R R L 
V  VBB n.(VCC  VBB )  VBB
 CC (1   ).t p  (   n  n)
L R
L n.(VCC  VBB )  VBB
 tp  . (   n  n)
(VCC  VBB )(1   ) R với
n 1
(VCC  VBB )
nL n   n  n
 tp  . .
R (VCC  VBB ) (1   )
nL V /n 
 tp  .(1  BB ).(  n)
R VCC  VBB 1  

 ta có được biểu thức cuối cùng
1 

nL V /n
tp  .(  n).(1  BB ) (ĐPCM)
R VCC  VBB

b) Với VBB=0, để tp >0 thì n <  . Khi n<  , hồi tiếp dương đưa về ngõ vào mới có thể làm
BJT chuyển từ dẫn bảo hòa sang chủ động,dòng iC=  .iE mới kết thúc thời gian mono tại t=tp.

+ n=1, mà  <1 nên BAX không hoạt động.

c) thưc tế VBB không cần thiết , BJT off, VC=VCC hồi tiếp qua BAX làm cho VE >0, phân cực
BE là phân cực nghịch, BJT off, đúng với mạch monostable
1
d) n  , VCC  18; L  5mH ;   50; R  1K  thế số ta có:
2

1
.18
n.(VCC  VBB )  VBB VCC  VBB 1 2 18
iC  n.  t .  .t  4,5.103  3600t
R L 2 1000 5.103

iC (t p )  8,82mA

n.(VCC  VBB )  VBB 0,5.18

iE    9mA
R 1000
t p  1, 2  s

iB  iE  iC  4,5.103  3600t
iB (t p )  0,18mA

VR (t )  R.iE (t )  9V
Bài 6.5

i1

n1V + n1

- -

nV n:1 ic

+ ib
B E + V C SDTD

i - im
 ie=ib+ic

*Để mạch dao động blocking,cực tính của cuộn dây được chọn
như trên hình
*Tính toán thời gian tp:
Phương trình BAXLT:
-nib+i+n1i1=0 (1)
Phương trình vòng kính mạch B-E-C-GND :
𝑉𝑐𝑐
Vcc-nV=0 =>V=
𝑛

Từ mạch tải:
−𝑛1𝑉
i1=
𝑅𝐿

Từ mạch E:
𝑛𝑉−𝑉 (𝑛−1)𝑉
ie= = (2)
𝑅 𝑅

và ie=i+ im
=>i= ie -im (3)
 𝑉
im= 𝑡
𝐿

Thế (2),(3) vào (1) ta được:

𝑉𝑐𝑐 𝑛12 𝑡 𝑛−1
𝑖𝑏 = ( − + ) (5)
𝑛 2 𝑅𝐿 𝐿 𝑅

𝑖𝑒 =(𝛽 + 1)𝑖𝑏
Thời gian mono đối với monostable Blocking CC là:
𝑖𝑒 (𝑡𝑝) = (𝛽 + 1)𝑖𝑏 (𝑡𝑝) (6)
Từ (5) và (6) ta tìm ra được
𝐿(𝑛−1) 𝐿𝑛12 (𝑛−1)𝑛𝐿
tp= + −
𝑅 𝑅𝐿 (𝛽+1)

Bài 6.6
Giải:
a) Áp dụng định luật vòng kín mạch CB:
-Vcc + V+V=0
=>V=Vcc/2
𝑚ặ𝑡 𝑘ℎá𝑐 ∶ −𝐼𝑟𝑒𝑠𝑒𝑡 . 𝑅𝑟 + 𝑉 + 𝑉𝑐𝑐 = 0
𝑉𝑐𝑐
𝑉+𝑉𝑐𝑐 +𝑉𝑐𝑐 𝑉𝑐𝑐
 𝐼𝑟𝑒𝑠𝑒𝑡 = 𝑅𝑟
= 2
𝑅𝑟
= 3 2𝑅
𝑟
b)
Áp dụng định luật vòng kín mạch CB:
-Vcc + V+V=0
=>V=Vcc/2
Ta có tổng đại số ambe vòng BALT
𝐼 - 𝐼𝐵 - 𝐼1 = 0 (*)
Từ mạch C
𝑉.𝑡 𝑉 𝑉.𝑡 𝑉𝑐𝑐
𝐼 = 𝐼𝑐 − 𝐼𝑚 − 𝐼 ′ =𝐼𝑐 − − 𝑅′ = 𝐼𝑐 − − 2𝑅′ (1)
𝐿 𝐿

Từ mạch E
𝑉
Ta có: 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 - 𝐼𝑐 = 𝑅 − 𝐼𝑐 (2)
𝑉𝑐𝑐−𝑉 𝑉𝑐𝑐
Mặt khác ta có: 𝐼1 = = 2𝑅 (3)
𝑅𝑟 𝑟

Thế (1),(2),(3) vào (*) ta được:

𝑉.𝑡 𝑉𝑐𝑐 𝑉𝑐𝑐 𝑉𝑐𝑐
𝐼𝑐 − − 2𝑅′ − ( 2𝑅 − 𝐼𝑐 ) − 2𝑅 = 0
𝐿 𝑟

𝑉𝑐𝑐 1 1 1
 𝐼𝑐 = (𝑅 + 𝑅 + 𝑅′ )
4 𝑟
Bài 6.7

Như lý thuyết ta có:

Ban đầu : Trong thời gian 0  tp, mạch làm việc như mạch monostable định thời
cực E.

Tại t = tp, dòng từ hóa im

Vcc .t p
im   I0
(n  1) L

n Vcc
Với RL=∞, ta có I 0 
n 1 L

+ Tại t = tp, Q - off, dòng qua cuộn dây sẽ ghép qua mạch Diode và điện dung BAX
như hình
 V
I0 L 
 Im ( s)  s
R f  sL

I0 L V
 Im (s)  
Rf R
 s R f s(s  f )
L L
Rf Rf
 t V  t
 I m (t)  I 0 e L
 (1  e L
)
Rf

- Dòng từ hóa giảm tuyến tính theo t, Dòng qua diode giảm về 0 tại
t = tf, im=0
Rf Rf
 t V  t
 I0 e L
 (1  e L
)0
Rf

L I0 R f
 tf  .ln(1  ) (1)
Rf V

I0 R f I0 R f I0R f
b) Nếu  1  ln(1  )
Vf V Vf
 𝐿 𝐼𝑜. 𝑅𝑓 𝐿𝐼𝑜 𝑛 𝐿 𝑉𝑐𝑐
(1)  𝑡𝑓 = . = =
𝑅𝑓 𝑉𝑓 𝑉𝑓 𝑛+1 𝑅 𝑉𝛾

Bài 6.8

Mạch Astable blocking kiểm soát bằng diode:

 Lúc đầu, 𝑉𝐵𝐵 phân cực thuận cho BJT và làm BJT dẫn. Mạch hoạt động giống
như mạch monostable định thời cực E

𝑉𝑡
+ 𝑖𝑚 =
𝐿

+ Dùng định luật Kirchoff I cho vòng kín=> nV+ V -𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐵𝐵 = 0
𝑉𝐶𝐶
Vì 𝑉𝐵𝐵 =0.5 << 𝑉𝐶𝐶 = 10 nên có thể tính gần đúng: V ≈
𝑛+1
 𝑛𝑉−𝑉𝐵𝐵 𝑛𝑉 𝑛𝑉𝐶𝐶
+ 𝑖𝐵 + 𝑖𝐶 = 𝑖𝐸 = 𝑅
≈
𝑅
=
𝑅(𝑛+1)
(1)

+ Tổng đại số số ampere vòng trong BALT là bằng 0:

 i - n𝑖𝐵 =0=> 𝑖𝐶 - 𝑖𝑚 - n𝑖𝐵 =0

𝑉𝑡
 𝑖𝐶 = n𝑖𝐵 + (2)
𝐿

Sau thời gian 𝑡𝑝 𝑖𝐶 đạt tới giá trị = β𝑖𝐵 , 𝑉𝐶𝐸 bắt đầu tăng do BJT tích cực
thuận => hồi tiếp tái sinh qua BAX làm BJT bị tắt nhanh. Thay giá trị 𝑖𝐶 = β𝑖𝐵
vào và dựa vào hai phương trình (1) và (2), tính được:
𝑛𝐿(𝛽−𝑛)
𝑡𝑝 =
𝑅(𝛽+1)

Để mạch định thời chính xác, người ta có thể chọn những transistor có β lớn,
khi đó n<<β và 1<<β
𝑛𝐿
 𝑡𝑝 =
𝑅

 Khi Q off, dòng qua cuộn dây sẽ ghép qua mạch diode như hình vẽ (bỏ qua
điện trở thuận của diode)

𝑉𝑡𝑝 𝑛𝑉 𝐶𝐶
+ Giá trị của dòng qua cuộn dây lúc đó: 𝑖𝐿 = 𝐼0 = = (𝑛+1)𝑅
𝐿

𝐿 𝑑𝑖 𝑉𝛾 𝑡
Ta có: - 𝑉𝛾 = => 𝑖𝐿 = 𝐼0 -
𝑑𝑡 𝐿
+ Dòng điện 𝑖𝐿 cũng là dòng qua diode và sẽ tiến về 0 sau thời gian 𝑡𝑓 và làm
diode bị tắt.

+ Sau thời gian diode tắt, tụ điện vẫn còn tích trữ điện tích và cùng với cuộn dây
tạo thành mạch dao động tắt dần với biên độ 𝑉𝛾 :

+ Sau thời gian 𝑡𝑎 = ¼ chu kì, điện áp trên tụ C bị giảm về 0 làm thế cực C bằng
𝑉𝐶𝐶 và có xu hướng giảm tiếp, hồi tiếp tái sinh qua BAX làm 𝑉𝐵𝐸 tăng nhanh
chóng, bắt đầu một chu kì mới.

𝑡𝑎 = ¼ . 2π √𝐿𝐶 = 1,57√𝐿𝐶

 Như vậy, chu kì T của mạch định thời :

𝑛𝐿 𝑛𝐿𝑉 𝐶𝐶
T = 𝑡𝑝 + 𝑡𝑓 + 𝑡𝑎 = + (𝑛+1)𝑅𝑉 + 1,57√𝐿𝐶
𝑅 𝛾

Thế các giá trị: n=2, R= 1.5 k, L = 3mH, C= 100pF, 𝑉𝛾 = 9V, 𝑉𝐶𝐶 = 10V, tính được:

T ≈ 6,34 µs
 𝑡𝑝 4
Chu kì nhiệm vụ = = = 0,63
𝑇 6,34

Bài 6.11
Kiểm chứng lại các biểu thức tính t f , t p , V1 trong mạch astable blocking kiểm soát bằng R1C1 ở cực E.
Giải:

Mạch tương đương lúc TST bão hòa Mạch astable blocking kiểm soát bằng R1C1 tại cực E

Dạng sóng trên tụ C1

  Xác định khoảng thời gian tp và V1. Đặt mốc thời gian là thời điểm TST bắt đầu bão hòa và kết thúc khi TST dẫn
chủ động.

Ta có điện áp trên cực E: ve  Vbb  nV

Vcc  Vbb V
Mặt khác: Vcc  V  nV  Vbb  V   cc @ Vcc Vbb  V là hằng khi TST sat
n 1 n 1

Vt n V
 im  , i1  1
L RL

n12V
Các dòng điện trong BAXLT: i  n1i1  nib  0  i  nib 
RL

n12V Vt n 2V Vcct
Dòng cực thu ic  i  im  nib    nib  1 cc  (1)
RL L (n  1) RL (n  1) L

Tính v1 (t ) . Từ dạng sóng trên tụ C1 ta có: vC1 (0)  Vbb  V  Vbb

(bỏ qua điện áp tiếp giáp)

Mạch hình bên là mạch hạ thông có 2 nguồn tác động

vC1 (0), ve và thời hằng  1  ( R / / R1 )C1  RC1 do thông thường R R1

t t t
R1 R
v1 (t )  ve (1  e 1 )  vC1 (0)e 1  ( 1 ve  vC1 (0))(1  e 1 )  vC1 (0)
R1  R R1  R
t t
R1 (Vbb  nV ) (nVR1  Vbb R )
(  Vbb )(1  e 1 )  Vbb  Vbb  (1  e 1 )
R1  R R1  R

Dòng tại cực E

t
v v (nVR1  Vbb R )
ie  e 1  (Vbb  nV  (Vbb  (1  e 1 ))) / R
R R1  R
t
1
nVR  Vbb R  (nVR1  Vbb R )e

R ( R  R1 )
 t t

nVR  nVR1e 1 nVcc ( R  R1e 1 )

Thường R1 R,Vcc Vbb do đó ie    ib  ic (2)
RR1 (n  1) RR1

Từ (1) và (2)

t t
nVcc ( R  R1e 1 ) n12Vcc Vcc t n 2Vcc ( R  R1e 1 ) n12Vcc Vcc t
ib    , ic   
(n  1) RR1
2
(n  1) RL (n  1) L
2 2
(n  1) RR1
2
(n  1) RL (n  1) 2 L
2

Tại t=tp điều kiện dẫn chủ động: ic   ib ,  1  n hay ib  0

t
t
nVcc ( R  R1ee 1 ) n12Vcc Vcc t p 1 1 1 n12 t p
   n (  e )  
(n  1) 2 RR1 (n  1) 2 RL ( n  1) 2 L R1 R RL L
t
n n2 t p
 e 1  1  @ R1 R
R RL L

t
tp
n 1 n12
Hay   e   ( được kiểm chứng)(3)
L R RL

tp
Vì thông thường 1 nên ta khai triển (3) thành:
1

n n12

tp n tp n12 R RL
 (1  )  tp 
L R RC1 RL 1 1
 2
L R C1

Biết tp ta xác định được biên độ cực đại V1 của điện thế v1

t
(nVR1  Vbb R)
Theo trên v1 (t )  Vbb  (1  e 1 )
R1  R

t t
1 n(Vcc  Vbb )
Thông thường R1 R,Vcc Vbb nên gần đúng v1 (t )  Vbb  nV (1  e )  Vbb  (1  e 1 )
n 1
t
n(Vcc  Vbb )
v1 (tp )  V1  Vbb  (1  e 1 )  V1
n 1
t
1
 (n  1)V1  nVcc  Vbb  n(Vcc  Vbb )e ( được kiểm chứng)
  Xác định thời gian phục hồi t f . Ta chọn mốc thời gian là điểm bắt đầu quá trình phục hồi v1 (0)  V1 . Đây là
quá trình tụ C1 xả điện tích qua điện trở R1. Do R1 thường rất lớn nên quá trình xả tụ diễn ra rất chậm. Khi điện
thế v1 trên tụ giảm tới mức v1 (t f )  Vbb  V  thì kết thúc giai đoạn phục hồi và chu kỳ dao động mới lại bắt
đầu.
t
v1 (t )  V1e 
,  R1C1

t f
v1 (t f )  Vbb  V   V1e R1C1
 Vbb  V 

V1
 t f  R1C1 ln ( được kiểm chứng)
Vbb  V 

Bài 7.2

UIJ là linh kiện điện trở âm, có tính chất đặc biệt là khi U giảm thì I tăng.

Khi 𝑉𝐸 < 𝑉𝑃 dòng 𝐼𝐸 = 0, nhưng khi 𝑉𝐸 bắt đầu tăng đến khi 𝑉𝐸 = 𝑉𝑃 thì dòng 𝐼𝐸 tăng.
 a/ Khi vừa mới đóng điện thì tụ sẽ nạp điện từ 0 lên đến 𝑉𝑃 rồi sau đó tụ xả điện đến 𝑉𝑉 . Những lần
sau tụ nạp từ 𝑉𝑉 đến 𝑉𝑃 rồi lại xả từ điện thế 𝑉𝑃 xuống 𝑉𝑉 . Thời gian nạp và xả của tụ được tính giữa hai
điện thế này.

Ta có điện áp trên tụ C :
−𝑡
𝑉𝐶 = 𝑉𝑉 + (𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑉 ) ∗ (1 − 𝑒 𝑅∗𝐶 )
−𝑡
=> 𝑉𝐶 = 𝑉𝐵𝐵 − (𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑉 ) ∗ 𝑒 𝑅∗𝐶

Tại 𝑇𝑆 , 𝑉𝐶 = 𝑉𝑃
−𝑇𝑆
=> 𝑉𝑃 = 𝑉𝐵𝐵 − (𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑉 ) ∗ 𝑒 𝑅∗𝐶

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑉
=> 𝑇𝑆 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln ( )
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑃

b/ Khi 𝑉𝑉 ≪ 𝑉𝐵𝐵 , ta có :

𝑉𝑃 = 𝑉𝐵 + 𝑉𝛾 = 𝜂𝑉𝐵𝐵 ( do 𝑅1 ≪ 𝑅𝐵1 < 𝑅𝐵𝐵 𝑣à 𝑉𝛾 ≈ 0)

1
=> 𝑇𝑆 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln ( )
1−𝜂

Bài 7.6:
Mạch điện như hình vẽ :
a)Tìm quan hệ R1,R2,R3,R4 để điện áp trên C tuyến tính, hay nói cách khác để
opamp trở thành nguồn dòng.
b)Xác định Vcmax ,cho điện áp bão hòa dương ngõ ra vo=+VCC
BÀI LÀM
a) Gọi I0 là dòng nạp cho tụ C , opamp trở thành nguồn dòng khi I0 là hằng số và
opamp hoạt động ở chế độ tuyến tính (khuếch đại) do đó:
𝑅3
𝑣+ = 𝑣− = 𝑣
𝑅3 + 𝑅4 𝑜
𝑣𝑖 − 𝑣+
𝐼1 =
𝑅1
𝑣𝑜 − 𝑣+
𝐼2 =
𝑅2
𝑣𝑖 𝑣𝑜 1 1 𝑅3
𝐼0 = 𝐼1 + 𝐼2 = + −( + ) 𝑣
𝑅1 𝑅2 𝑅1 𝑅2 𝑅3 + 𝑅4 𝑜
I0 là hằng số khi nó không phụ thuộc vào áp ngõ ra, hay:
𝑣𝑜 1 1 𝑅3
−( + ) 𝑣 =0
𝑅2 𝑅1 𝑅2 𝑅3 + 𝑅4 𝑜
𝑹𝟏 𝑹𝟑
=> =
𝑹𝟐 𝑹𝟒
 𝑣𝑖
Khi đó 𝐼0 =
𝑅1

b)Khi điện áp ngõ ra bão hòa dương 𝑣𝑜 = 𝑉𝑐𝑐 ta có:

𝑅3 𝑅3
𝑣− = 𝑣𝑜 = 𝑉
𝑅3 + 𝑅4 𝑅3 + 𝑅4 𝑐𝑐
Để opamp vẫn hoạt đông như nguồn dòng thì 𝑣− = 𝑣+
𝑹𝟑
Nên 𝑽𝒄𝒎𝒂𝒙 = 𝒗− = 𝒗+ = 𝑽
𝑹𝟑 + 𝑹𝟒 𝒄𝒄

Bài 7.9

Giải:

a.
Tại t=0-, Vb1= Vi* R2/(R1+R2) + Vee*R1(R1+R2)=-2V

Suy ra Q1 sat, Vc1=Vces

V0= Vces+ Vbe2= 0.2+0.6=0.8V

b.

Vi=-8V suy ra Q1 off trong thời gian Tg. Dòng Ic1 bây giờ nạp qua C và nếu hệ số khuếch đại điện áp là 1 thì
ngõ ra sẽ thay đổi tuyến tính theo thời gian:

V0=(-Vcc+Vd)*t/RC

Vì –Vcc+Vd= -12+0.6=-11.4V nên dạng sóng quét có độ dốc âm ở ngõ ra

c.

Ts=RC suy ra C=Ts/R=50µs/50KΩ=10nF

d.

ic1= βib1=60x((16-0.5)/20+(12-0.5)/20)=81 mA

iR = (-0.2V-(-11.4V))/5=2.26 mA

iA=-81+2.26=-78.74 mA

VS= -11,4V

Tr=CVs/iA = 1,45 us

f.

T=Tg+Tr=100+1.45=101.45µs

Thời gian hồi phục cho C1

T1=(Vcc-Vd)*Re*T/(Vee*R)=57,8µs

e.

Lượng điện tích nạp C1

Vee*T1/Re=0.2314*10-6
Bà i 7.10

Công tắc hở :

Áp dụng Laplace ta có :

Vs
vs ( s ) 
LCs 2  RCs  C
Khai triển ta được :

vs  V 1  e  Rt /2 L ( A.sin t  cos t ) 

2
11 R 1  R 
A (  ) &   
 RC 2 L LC  2 L 
Khai triển :

V  1 t 2 1 t  
2
t
vs  t 1  ( )    
12  LC  2 L / R
...
RC  6 LC 
V  t2 
Nếu t / LC 1 thì : vs  t 1
RC  6 LC 
 T2 
Sai số lệch ed  0.385  s   0.458%
 6 LC 
 V  t2 
Điện áp ngõ ra : vs  t 1 ,t=500  s
RC  6 LC 

Suy ra : Vs  247V

d./ Nếu không L mạch trở thành :

Tại t=0,S hở,điện áp quét cho bởi công thức :

 s  V (1  et / RC )
Sau thời gian đóng xả tụ,điện áp  s nhanh chóng giảm về 0
t
Nếu 1 khai triển theo chuỗi lũy thừa :
RC

t t2
s  V (1   ...)
2 RC 6 R 2C 2
 VTs T
Tại t =Ts ta có : Vs  (1  s )
RC 2 RC

Điện áp đỉnh ngõ ra tại t=500  s là Vs=125V

1 Ts
Sai số lệch ed : ed   12.5%
8 RC

Nhận xét : Cuộn dây được sử dụng để cải thiện độ tuyến tính của mạch quét RC,cuộn dây cho
phép mạch quét đạt được biên độ lớn hơn biên độ của mạch RC

Bài 7.11
Trong hình 7.20a, cho các thông số: Vcc  20V , L  200mH , RL  20, RCS  5, Rd  200, Ts  500 s .
a.Vẽ dạng sóng iL , vce và chú thích các giá trị và thời hằng.

b.Tính sai số độ dốc es.

Giải. Mạch quét dòng điện đơn giản

Cực E nối mass  vc=vce

Khi t<0, Vb âm Qoff iL(0-)=0, vc(0-)=Vcc=20V

Tại t=0+, Vb dương làm Q sat. Mạch tương đương Qsat

Hình 1
Ta có:

Rcs t t
vc (t )  Vcc (1  e 1 )  4(1  e 8 ), 1  L / ( Rcs  RL )  8(ms), t (ms)
Rcs  RL
vc (t ) t
iL   0.8(1  e 8 )
Rcs

Tại t=Ts-=0.5ms ta có iL (Ts )  48.47mA, vc (Ts )  0.242V

Tại t=Ts+, Vb âm Qoff, áp trên cuộn dây đảo cực tính, D (lý tưởng) phân cực thuận khép dòng iL (Ts ) qua Rd theo thời
hằng  2  L / ( Rd  RL )  0.909ms .

Mạch tương đương hình 2

Phương trình dòng xả và điện áp vc

 ( t Ts )  ( t  0.5)
2
iL (t )  iL (Ts )e  48.47e 0.909
(mA), t (ms )
 ( t  0.5)
vc  Vcc  Rd iL (t )  20  9.694e 0.909
(V )

Tại t=Ts+ thì áp gai trên cực C: vc (Ts )  29.694(V )

Dạng sóng điện áp và dòng điện

 ( RL  Rcs ) L
c. sai số độ dốc: es   0.25
Vcc

Bài 7.12

Mạch điện như hình vẽ:

Với V’=-20V, V’’=-10V,R2=100K, mạch cấp tín hiệu cho ngõ vào tầng sau có
Ri=400K.Yêu cầu dạng sóng v0 như hình BT 7.12, dạng sóng có sai số độ dốc
es=5%.

a)Tính V1,r,R1,C1.
b)Tìm áp tĩnh trên C1.
c)Khi S đóng tìm thời hằng tương ứng để dạng sóng trở về vị trí ban đầu của nó.
BÀI LÀM
a)Tại t<0: S đóng ta có như hình vẽ:

Mạch tương đương:

𝑅𝑖
𝑉= 𝑉 = 0.8𝑉1
𝑅𝑖 + 𝑅2 1
𝑅 = 𝑅𝑖 //𝑅2 = 80𝐾
 𝑟
𝑣0 (0− ) = 𝑉 ′ +× (𝑉 − 𝑉 ′ )
𝑅+𝑟
−)
𝑟
(
=> 𝑣0 0 = −20 + × (0.8𝑉1 + 20)
80𝐾 + 𝑟
Từ dạng sóng ngõ ra ta có:
𝑣0 (0− ) = −5𝑉
𝑟
=> × (0.8𝑉1 + 20) = 15 (1)
80𝐾 + 𝑟
𝑣𝐶1 (0− ) = 𝑣0 (0− ) − 𝑉 ′′ = 5𝑉
Tại t=0 : S mở ta có mạch tương đương như hình vẽ:

Gọi 𝑣1 , 𝑣2 , 𝑣3 lần lượt là áp tại ngõ ra do các nguồn V, V ′′

và vC1 (0− ) tác dụng lên tụ điểm A , ta có:
𝑡 𝑡
𝑣1 = 𝑉 (1 − 𝑒 − ⁄𝜏 ) = 0.8𝑉1 (1 − 𝑒 − ⁄𝜏 ) ; 𝜏 = (𝑅1 + 𝑅)𝐶1
𝑡 𝑡
𝑣2 = 𝑉 ′′ 𝑒 − ⁄𝜏 = −10𝑒 − ⁄𝜏
𝑡 𝑡
𝑣3 = vC1 (0− )𝑒 − ⁄𝜏 = 5𝑒 − ⁄𝜏
 𝑡 𝑡
=> vA (t) = 0.8𝑉1 (1 − 𝑒 − ⁄𝜏 ) − 5𝑒 − ⁄𝜏

𝑅
𝑣0 (𝑡) = 𝑉 − [𝑉 − vA (t)]
𝑅1 + 𝑅
80𝐾 𝑡
=> 𝑣0 (𝑡) = 0.8𝑉1 − (0.8𝑉1 + 5)𝑒 − ⁄𝜏
𝑅1 + 80𝐾
80𝐾
Đặ𝑡 𝑎 = 0.8𝑉1 & 𝑏 = (0.8𝑉1 + 5)
𝑅1 + 80𝐾
𝑡
𝑣0 (𝑡) = 𝑎 − 𝑏𝑒 − ⁄𝜏

Do 𝑡⁄𝜏 ≪ 1 , khai triển chuổi lũy thừa đến bậc 2 ta có:

1 2
𝑣0 (𝑡) = 𝑎 − 𝑏 (1 − 𝑡⁄𝜏 + (𝑡⁄𝜏) )
2
Do dạng sóng ngõ ra tuyến tính nên: 𝑣0 (𝑡) = 𝑎 − 𝑏 + 𝑏 × 𝑡⁄𝜏
𝑏 𝑡
Ta có ∶ 𝑣′0 (𝑡) = −𝑏 2
𝜏 𝜏
Sai số độ dốc là:
𝑣 ′ 0 (0) − 𝑣 ′ 0 (𝑇) 𝑇
𝑒𝑠 = = = 0.05 => 𝜏 = 10𝑚𝑠
𝑣 ′ 0 (0) 𝜏

=> 𝑣0 (𝑡) = 𝑎 − 𝑏 + 𝑏 × 𝑡⁄0.01

𝑣0 (0) = 𝑎 − 𝑏
Từ dạng sóng ngõ ra => 𝑣0 (0) = −2𝑉 => 𝑎 − 𝑏 = −2 (2 )

𝑣0 (0.5𝑚𝑠) = 𝑎 − 0.95𝑏
Từ dạng sóng ngõ ra => 𝑣0 (0.5𝑚𝑠) = 10𝑉 => 𝑎 − 0.95𝑏 = 10 (3)
Từ (2)&(3) ta có :a=238 & b=240
=>V1 = 297.5V
 80𝐾
(0.8𝑉1 + 5) = 240 => 𝑹𝟏 = 𝟏𝑲
𝑅1 + 80𝐾
𝑟
Từ (1)ta có: × (0.8𝑉1 + 20) = 15 => 𝒓 = 𝟒. 𝟗𝟒𝑲
80𝐾 + 𝑟
𝟏𝟎𝒎𝒔
𝜏 = (𝑅1 + 𝑅 )𝐶1 => 𝑪𝟏 = ≈ 𝟎. 𝟏𝟐𝟓𝝁𝑭
𝟏𝑲 + 𝟖𝟎𝑲
b)Tại t<0, S đóng :
𝑣𝐶1 (0− ) = 𝑣0 (0− ) − 𝑉 ′′ = 5𝑉
tại t=0 , S mở áp tại A là:
𝑡 𝑡
vA (t) = 0.8𝑉1 (1 − 𝑒 − ⁄𝜏 ) − 5𝑒 − ⁄𝜏

𝑡 𝑡
=> vA (t) = 0.8𝑉1 (1 − 1 + ) − 5 (1 − )
𝜏 𝜏
=> vA (t) = −5 + 24.3𝑡 (𝑡: 𝑚𝑠)
Vậy áp trên tụ là:
vc1 (t) = vA (t) − 𝑉 ′ = 5 + 24.3𝑡 (𝑡: 𝑚𝑠)

c)Giả sử tại t=0.5ms S đóng khi đó: V2 = vC1 (0.5𝑚𝑠 − ) = 7.15V

Ta có mạch tương đương:
Tụ C1 sẽ qua R1 nt RT về nguồn VT đến khi áp ngõ ra bằng -5V .
Thời hằng 𝝉′ = (𝑹𝟏 + 𝑹𝑻 )𝑪𝟏 = 𝟎. 𝟕𝒎𝒔