VI

Unipolarni tranzistori
Unipolarni tranzistori (engl. unipolar field-effect transistor) mogu
se podijeliti u dvije skupine: tranzistori na bazi p-n spoja i tranzistori na
MOS osnovi (M - metal, O - oksid, S -semiconductor-poluprovodnik). U
struji provođenja učestvuje samo jedna vrsta nosilaca elektriciteta po
čemu su i dobili naziv unipolarni tranzistori. U osnovi ovih tranzistora je
upravljanje strujom pod dejstvom električnog polja (engl. field effect
transistor-FET).
Kada tranzistor kao upravljačku elektrodu (gejt) koristi inverzno
polarizovan p-n spoj, tada se naziva FET sa upravljačkim p-n spojem ili
skraćeno JFET (engl. Junction-gate Field-Effect Transistor). Rad takvih
unipolarnih tranzistora sa efektom polja je zasnovan je na principu
promjene debljine provodnog kanala sužavanjem ili širenjem područja
prostornog naboja (osiromašenog sloja) p-n spoja.
JFET se sastoji iz osnovne poluprovodničke oblasti n (ili p) tipa na
koju su priključene elektrode sorsa (engl. source) i drejna (engl. drain),
dok se između tih priključaka nalaze oblasti suprotnog tipa u odnosu na
osnovnu oblast. Prednost tog tranzistora u odnosu na bipolarne tranzistore
je velika ulazna otpornost zbog korišćenja inverzno polarizovanog p-n
spoja kao upravljačke elektrode - gejta. Kod n-kanalnog tranzistora gejt je
načinjen od poluprovodničkog materijala p-tipa sa homogenom

VI•1
 ELEKTRONIKA 1

koncentracijom akceptorskih primjesa. Područje P tipa je legirano

područje p+ tipa poluprovodnika na koje je priključen gejt – (G-gate).
Za rad u aktivnom području N JFET-a potrebno je na drejn
priključiti pozitivan kraj izvora jednosmjernog napona, a na sors
negativan kraj istog izvora (sl. 6.1). Pri tome gejt mora biti priključen na
minus pol baterije u odnosu na sors kako bi se obezbjedila inverzna
polarizacija p-n spoja. Time se postiže da je struja gejta praktično veoma
mala, te se može zanemariti. Naime, jednosmjerna struja gejta je veoma
malena u poređenju sa strujom drejna što implicira da je diferencijalna
ulazna otpornost gejta vrlo velika i obično je veća od 109 Ω kod
silicijumskih tranzistora.

Sl. 6.1. Presjek N kanalnog JFET tranzistora.

Zbog protoka struje ID kroz kanal dolazi do pada napona duž

kanala, pa je oblast kanala blizu drejna na višem potencijalu od dijela
kanala koji je bliže sorsu. Zbog toga n-kanal se sužava od sorsa prema
drejnu. Pad potencijala po dužini, pa prema tome i električno polje, biće
veći na kraju kanala uz drejn. Na p+-n spoju stvorena je barijera koja se
širi na stranu slabije legiranog poluprovodnika, dakle na N stranu.

VI_1. KARAKTERISTIKE JFET TRANZISTORA

Kod unipolarnih tranzistora definišu se samo izlazne statičke
karakteristike ID = f ( VDS ), VGS = const. Kroz prostor kanala,
omeđenog potencijalnom barijerom, teče struja koja je funkcija napona
između gejta i sorsa kao i napona između drejna i sorsa.
Na slici 6.2. predstavljene su izlazne karakteristike realnog n-
kanalnog JFET-a.

VI•2
 6. Unipolarni tranzistori

Na ordinati je apsolutna vrijednost struje drejna (u miliamperima), a

na apscisu apsolutna vrijednost normalizovanog napona VDS. Vidljivo je
da povećanjem napona VDS tranzistor ulazi u domen proboja tako što u
području zasićenja dolazi do naglog porasta struje drejna. Ta oblast
naziva se oblast proboja .

VDS, V
Sl. 6.2. Izlazne karakteristike realnog JFET-a sa N kanalom .

U oblasti zasićenja se dobija najveća linearnost tako da se kod

pojačavača radna tačka treba postavljati u toj oblasti.
Pri dovoljno negativnoj vrijednosti napona vGS oblast prostornog
naboja u barijeri prekrije N kanal smanjujući njegovu provodnost na
zanemarljivo malu vrijednost. Taj napon se označava kao napon praga
provođenja (pinch-off voltage) VP. Kada je napon VGS manji od napona
praga VP kanal je potpuno zatvoren i tranzistor je tada u neprovodnom
stanju.
Pri većim naponima vDS potencijal u tačkama bliže drejnu je veći.
Dalje povećanje napona drejna izaziva porast otpornosti kanala i zbog
toga sporiji rast struje kroz kanal. Konačno dvije oblasti prostornog
naboja uz drejn se približavaju vrlo blisko jedna drugoj, tako da pri
daljem porastu napona drejna nema bitnog povećanja struje drejna.

VI•3
 ELEKTRONIKA 1

Na slici 6.3 prikazane su idealizovane strujno-naponske statičke

karakteristike JFET-a. Na ordinati je nanesena apsolutna vrijednost struje
drejna, a na apscisi apsolutna vrijednost napona VDS .
Oblast između ordinatne ose za struju i crtkane linije naziva oblast
nezasićenja.
8
oblast
nezasicenja A
VGS=0 V
6
A1
−1 V
4 B oblast
zasićenja
B1
−2 V
2 C
C1
D1
D
0
0 1 2 3 4 5 6
VDS , [V]
Sl. 6.3. Teorijske statičke karakteristike n-kanalnog silicijumskog JFET-a.

Desno od presjeka crtkano izvučene krive linije i statičkih

karakteristika nalazi se područje zasićenja tranzistoru. Statičke
karakteristike su tada prikazane horizontalnim linijama. Struja drejna u
toj oblasti zavisi samo od prednapona između gejta i sorsa. Pri dovoljno
negativnoj vrijednosti napona vGS oblast prostornog naboja u barijeri
prekrije N kanal smanjujući njegovu provodnost na zanemarljivo malu
vrijednost. Taj napon se označava kao napon praga provođenja VP. Kada
je napon VGS manji od napona praga kanal je potpuno zatvoren i tranzistor
je u neprovodnom stanju odnosno zakočen. U oblasti manjih napona vDS
strujno-naponska karakteristika FET-a je data u obliku:
⎧3v ⎡⎛ v − v ⎞3 / 2 ⎛ v ⎞3 / 2 ⎤ ⎫⎪
⎪ DS
i D = I DSS ⎨ − 2 ⎢⎜ DS GS
⎟ − ⎜ GS ⎟ ⎥ ⎬ .
−V ⎢ −V ⎝ VP ⎠ ⎥⎦ ⎪⎭
⎪⎩ P ⎣⎝ P ⎠

VI•4
 6. Unipolarni tranzistori

Područje nezasićenja se ponekad naziva omsko područje s obzirom da u

tome području sa porastom napona VDS raste i struja ID. Pri jako malim
naponima napona vDS (vD S << VP) tranzistor radi u linearnoj oblasti u tzv.
omskoj oblasti kao naponski upravljani otpornik. Tada se razvojem u
Tejlorov red dobija da je struja pri:
VGS > VP , VGD > VP , VDS ≈ 0 .

3 I DSS ⎡ ⎛ vGS ⎞ ⎤
1/ 2
iD = ⎢1 − ⎜ ⎟ ⎥ ⋅ vDS .
−VP ⎢ ⎝ VP ⎠ ⎥
⎣ ⎦
Otpornost u toj oblasti se dobija u obliku:
vDS − VP 1 1
Ron = = 1/ 2
= Ro 1/ 2
.
iD 3 I DSS ⎛v ⎞ ⎛v ⎞
1 − ⎜ GS ⎟ 1 − ⎜ GS ⎟
⎝ VP ⎠ ⎝ VP ⎠
Međutim, kada veličina napona drejna raste iznad tačke zasićenja
dolazi do malog porasta struje drejna. Zbog te pojave otpornost drejn-sors
postaje konačna pri porastu napona VDS.
Strujno-naponska karakteristika za rad na granici omske oblasti i u
oblasti zasićenja daje se u obliku:
2
⎛ vGS ⎞
i D = I DSS ⎜1 − ⎟ , vDS ≥ vGS − VP ,
⎝ VP ⎠
gdje je IDSS struja drejna pri nultom naponu između gejta i sorsa.
Kod unipolarnih tranzistora se koriste dva diferencijalna parametra:
transkonduktansa (transconductance) gm i izlazna provodnost (engl.
output conductance) gds . Diferencijalni parametar gm ekvivalentan je
parametru G21 , a izlazna provodnost gds ekvivalentna je parametru G22.
Parametri se mogu definisati na slijedeći način. Struja drejna iD
predstavlja funkciju napona vGS i vDS :
iD = f ( vGS ,vDS ) .
U okolini radne tačke totalni diferencijal struje je :

VI•5
 ELEKTRONIKA 1

∂ iD ∂i
diD = dvGS + D d vDS ,
∂ vGS ∂ vDS

diD = g m dvGS + g ds dvDS ,

gdje je gm traskonduktansa tranzistora:
∂iD
gm = ,
∂ vGS vDS =const
a izlazna provodnost i otpornost su:
∂ iD 1
g ds = , rds = .
∂ vDS vGS =const
gds
Vrijednosti diferencijalnih parametara JFET-a mogu se dobiti
grafičkim putem na osnovu poznatih statičkih karakteristika.

VI_2. MOSFET

Osnova unipolarnog tranzistora sa efektom polja MOS FET je M-

metal, O oksid, S poluprovodnik (Metal-Oxide-Semiconductor Field-
Effect Transistor).
Postoje n kanalni MOSFET sa ugrađenim kanalom i n kanalni
MOSFET sa indukovanim kanalom. Potencijal drejna je pozitivan u
odnosu na sors. Kod tranzistora sa ugrađenim n kanalom konstrukciono
su na podlozi p tipa ugrađena dva područja sa jako legiranim-dopiranim
poluprovodnikom n+ tipa na koje su priključene elektrode sorsa i drejna a
između njih je formiran kanal n tipa. Iznad kanala nalazi se SiO2 (silicijev
dioksid) kao izolator na koga je nanesena metalna elektroda-gejt.
Pojednostavljena struktura n-MOSFET -a data je na slijedećoj slici 6.4.
Ako tranzistori imaju formiran kanal kada je napon VGS = 0
nazivaju tranzistori sa ugrađenim kanalom (sl. 6.4). Tranzistor sa
ugrađenim n- kanalom pri negativnim naponima između gejta i sorsa radi
u režimu osiromašenja (depletion mode).

VI•6
 6. Unipolarni tranzistori

Sl. 6.4. Geometrijski oblik n-MOSFETsa ugrađenim kanalom [3].

Priključivanjem negativnog napona između gejta i sorsa kanal se

sužava pa se struja drejna smanjuje (oblast osiromašenja- engl. depletion
mode) (sl 6.5).

Sl. 6.5. Polarizacija gejta u oblasti osiromašenja.

Naime, priključivanjem pozitivnog napona između gejta i sorsa

kanal se proširuje pa se struja drejna povećava (sl 6.6).

Sl. 6.6. Polarizacija gejta u oblasti obogaćenja.

VI•7
 ELEKTRONIKA 1

To znači da MOSFET sa ugrađenim n-kanalom može da radi i pri

pozitivnom naponu u tzv. obogaćenom režimu (engl. enhancement
mode). Ako je, pak, potrebno priključiti napon VGS ≠ 0 da bi se formirao
(indukovao) kanal tada se takav tranzistor naziva tranzistor sa
indukovanim kanalom (sl.6.7).

Sl. 6.7. MOSFET sa indukovanim kanalom.

Sa druge strane p-kanalni MOS tranzistori na osnovi n-tipa nemaju
provodni kanal kada je VGS = 0 . Između dvije oblasti p-tipa koje
predstavljaju kontakte sorsa i drejna ne protiče struja drejna i kada je
VDS < 0 . Ustvari pozitivni naboj u oksidu stvara unutrašnje inverzno
napajanje koje mora biti neutralisano prije nego što se uspostavi provodni
kanal.
Zbog toga taj tranzistor radi jedino u režimu obogaćenja kanala
sporednim nosiocima (šupljinama), pa tranzistor radi u režimu obogaćenja
(enhancement transistor).
Kod p-kanalnih MOS tranzistora napon praga VT je negativan, dok
kod n-kanalnih tranzistora može biti pozitivan i/ili negativan. Tranzistor
sa n-kanalom koji ima pozitivan napon praga ( VT > 0 ) naziva se
tranzistor sa obogaćenjem ili tranzistor sa indukovanim kanalom
(enhancement transistor). Tranzistor sa negativnim naponom praga
( VT < 0 ) naziva se tranzistor sa osiromašenjem ili tranzistor sa
ugrađenim kanalom (depletion transistor). Za tranzistore sa p-kanalom
važi obrnuto.
Na slici 6.8 predstavljena je strujno-naponska karakteristika ID =
f(VGS) za tranzistor sa ugrađenim n kanalom. Napon praga (threshold

VI•8
 6. Unipolarni tranzistori

voltage) VT je napon između gejta i sorsa pri kome struja drejna postaje
jednaka nuli. Može se reći da struja drejna počinje da teče kada napon
između gejta i sorsa dostigne napon VT (threshold voltage).
Napon praga otvaranja tda iznosi VT =-3 V dok je struja IDSS pri
naponu VGS =0 označena na sl.6.8.

Sl. 6.8. Strujno-naponska karakteristika ID = f(VGS).

Sa druge strane p-kanalni MOS tranzistori na osnovi n-tipa nemaju

provodni kanal kada je VGS = 0 . Između dvije oblasti p-tipa koje
predstavljaju kontakte sorsa i drejna ne može da protiče struja drejna i
kada je VDS < 0 . Ustvari pozitivni naboj u oksidu stvara unutrašnje
inverzno napajanje koje mora biti neutralisano prije nego što se uspostavi
provodni kanal.
Zbog toga taj tranzistor radi jedino u režimu obogaćenja kanala
sporednim nosiocima (šupljinama), pa i taj tranzistor radi u režimu
obogaćenja (enhancement transistor).

Prenosna karakteristika za tranzistor sa indukovanim n kanalom ima

oblik prema slici 6.9a gdje je napon otvaranja VT = +1,8 V.

VI•9
 ELEKTRONIKA 1

ID

20mA

10mA

0A
0V 0.5V 1.0V 1.5V 2.0V 2.5V VGS

Sl. 6.9a. Strujno-naponska karakteristika ID = f(VGS) n- kanalnog MOSFET-a sa

indukovanim kanalom.

Strujno-naponska karakteristika ID = f(VGS) kod p-kanalnog

MOSFET-a sa indukovanim kanalom predstavljena je na sl. 6.9b.
ID=0 A

-20mA

-40mA
-3.8V -3.6V -3.4V -3.2V -3.0V -2.8V -2.6V -2.4V VGS

Sl. 6.9b. Strujno-naponska karakteristika ID = f(VGS) p- kanalnog MOSFET-a sa

indukovanim kanalom.

VI_3. STRUJNO-NAPONSKE KARAKTERISTIKE

MOSFET-a
Statičke karakteristike tranzistora obuhvataju jednosmjerne veličine
struja i napona. Geometrijski posmatrano kanal ima svoju debljina, te
širinu kanala W i dužinu kanala L.

VI•10
 6. Unipolarni tranzistori

Izlazne karakteristike tranzistora u području nezasićenja za

jednosmjerne veličine opisane su slijedećom zavisnošću struje drejna:

μ n εox W ⎡ 2 ⎤
VDS
ID = ⎢(VGS − VT )VDS − ⎥,
tox L ⎣⎢ 2 ⎦⎥
odnosno u slučaju kada se jednosmjernim naponima u radnoj tački
superponira i naizmjenična komponenta napona:
1 W
iD = μ n Co ⋅ ⎡ 2 ( v GS − VT ) vDS − vDS
2 ⎤
2 L ⎣ ⎦
gdje je: ε -dielektrična konstanta, μ -pokretljivoist nosilaca elektriciteta,
tox - debljina oksida, W širina kanala ispod gejta, L dužina kanala,
kapacitivnost gejta po jedinici površine Co = εox / tox , tox debljina oksida
SiO2.
Matematička analiza funkcije struje drejna u zavisnosti od napona
između drejna i sorsa, koja ima oblik parabole, pokazuje da bi struja
trebala početi opadati što je fizički nemoguće. Zbog toga gornja jednačina
vrijedi samo do napona pri kome nastupa maksimum parabole.
Maksimum se nalazi u tjemenu pabole čije mjesto se određuje iz
uslova: d I D / dVDS = 0 . Odavde se dobija napon VDS = VGS − VT koji
predstavlja granicu omske oblasti i oblasti zasićenja (sl. 6.9). U području
zasićenja kada je ispunjen uslov:
VDS ≥ VGS − VT ,
struja drejna je data sa:
μ n εox W
ID = (VGS − VT )2 .
2 tox L
Pojednostavljeni izraz za struju drejna kod MOSFET-a u zasićenju
dobija se uvođenjem konstante kn.
μ n εox W
kn = .
tox L
Ukupni izraz za struju pogodan je i za tranzistore sa indukovanim
kanalom.
VI•11
 ELEKTRONIKA 1

εox μ W μCoW
I D = k ( vGS − VT ) , k =
2
= .
2 tox L 2L

Pri daljem povećanju napona tranzistora u stanju zasićenja struja

drejna ostaje približno konačne vrijednosti. Analogno, grafički prikaz
strujno-naponske karakteristike P kanalnog MOSFET-a nalazi se u trećem
kvadrantu.
ID

realna
20

15

10 teorijske krive
5

0 2 4 6 8 10 12 VDS [V]
Sl. 6.9. Statičke karakteristike N MOS FET.

Na sl. 6.10a date su izlazne statičke karakteristike n kanalnog

MOSFET-a u području osiromašenja. Na sl. 6.10b predstavljene su
izlazne karakteristike MOSFET-a sa indukovanim n kanalom sa VT >0.

ID[mA]
0V

2
VGS1

1. VGS2

0
5V 10V 15V 20V 25V VDS

Sl. 6.10a. Izlazne statičke karakteristike n kanalnog MOSFET-a (PSPICE).

VI•12
 6. Unipolarni tranzistori
Vgs=2.5V
ID

Vgs=2.4V
15mA

Vgs=2.3V
10mA
Vgs=2.2V

5mA Vgs=2.1V
Vgs=2V

0A Vgs=0V
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V 14V 16V VDS
Sl. 6.10b. Izlazne statičke karakteristike MOSFET-a sa indukovanim n kanalom.
(PSPICE).

Izlazne statičke karakteristike MOSFET-a sa indukovanim p

kanalom gdje je parametar napon VSG= -VGS date su na slici 6.10c.

ID=0mA

Vsg=3.4V

Vsg=3.5V
-20mA
Vsg=3.6V

Vsg=3.7V

-40mA
- VDS -16V -14V -12V -10V -8V -6V -4V -2V 0V

Sl. 6.10c. Izlazne statičke karakteristike MOSFET-a sa indukovanim p kanalom

gdje je parametar napon VSG= -VGS. (PSPICE).

Međutim, za tranzistore sa ugrađenim kanalom pogodno je koristiti

struju drejna IDSS koja protiče od drejna ka sorsu pri nultom naponu
između gejta i sorsa. Tako se u području zasićenja, uvrštavanjem napona
kojim je definisana granica omske oblasti i oblasti zasićenja
VDS ≥ VGS − VT u tački maksimuma u izraz za struju drejna, dobija se:

VI•13
 ELEKTRONIKA 1

2
⎛ V ⎞ εμW
I D = I DSS ⎜1 − GS ⎟ , I DSS = ( −VT )2 .
⎝ VT ⎠ 2 t ox L

VI_4. PARAMETRI MOSFET-A

Kod unipolarnih tranzistora se koriste dva diferencijalna parametra
i to strmina tranzistora ili transkonduktansa (transconductance) gm i
izlazna provodnost (output conductance) gds . Diferencijalni parametar
gm ekvivalentan je parametru G21 , a izlazna provodnost gds ekvivalentna
je parametru G22 kod bipolarnih tranzistora.
Struja drejna iD je funkcija od napona vGS i vDS :
iD = f ( vGS ,vDS ) .
Totalni diferencijal struje je :
∂ iD ∂i
diD = dvGS + D d vDS ,
∂ vGS ∂ vDS

diD = g m d vGS + g ds d vDS ,

U okolini radne tačke gdje je gm traskonduktansa tranzistora:

∂iD
gm = ,
∂ vGS v D S =const

a izlazna diferencijalna provodnost odnosno otpornost tranzistora:

∂I D 1
gds = , rds = .
∂VDS VGS = const
gds

Tako je transkonduktansa u radnoj tački Q data sa:

∂ iD ∂ ⎡ 2⎤
gm = = k ⋅ ( v − V ) ,
∂ vGS ⎣⎢ ⎦⎥
n GS T
∂ vGS Q Q

g m = 2 kn ⋅ (VGS − VT ) .

VI•14
 6. Unipolarni tranzistori

U području zasićenja pri struji:

2
⎛ v ⎞
i D = I DSS ⎜1 − GS ⎟
⎝ VT ⎠
proizlazi da je transkonduktansa u radnoj tački opisana sa:
2
∂i ∂ ⎛ v ⎞
gm = D = I DSS ⎜ 1 − GS ⎟ ,
∂ vGS Q
∂vGS ⎝ VT ⎠
Q

−2 I DSS ⎛ VGS ⎞
odnosno: gm = ⎜1 − ⎟.
VT ⎝ VT ⎠
Uvrštavanjem se dobija:
2
g m = − ⋅ I D I DSS .
VT
U slučaju kada je izraz za struju drejna u oblasti zasićenja dat sa:
1 εox μ n W
ID = ( VGS − VT )2 ,
2 tox L

1 Cox μ n W
ID = ( VGS − VT )2 .
2 L
tada se ukupna struja, uključujući i naizmjenične signale, izražava u
obliku:
k
i D = n ( vGS − VT ) , vGD = vGS − VDS > VT .
2
2
Proširenjem ove jednačine dobija se za jednosmjerni i naizmjenični
radni režim proizlazi:
k
( )
2
I D + i d = n VGS + vgs − VT ,
2
.
kn ⎡ 2 ⎤
I D + i d = ⎢(VGS − VT ) + 2 (VGS − VT ) vgs + vgs ⎥ .
2
2 ⎣ ⎦
Izdvajajući DC komponentu:
k
I D = n (VGS − VT ) 2 ,
2

VI•15
 ELEKTRONIKA 1

Naizmjenična komponenta struja je:

k
i d = n ⎡ 2 vgs (VGS − VT ) + vgs
2 ⎤
.
2 ⎣ ⎦
Pri malim vrijednostima naizmjeničnih signala, koje su ipak većih
vrijednosti nego kod bipolarnih tranzistora, kvadratni član se može
zanemariti pa je:
iD = I D + kn (VGS − VT ) vgs ,
iD = I D + g m vgs = I D + i d .
Uticaj naizmjeničnog napona vgs na promjeljivu komponentu struje
id srazmjeran je transkonduktansi gm.
Pri malim naponima kada je vDS ≅ 0 struja se dobija u obliku:
kn
iD = ( 2 vGS − 2VT − vDS ) vDS ,
2
pa tada tranzistor radi u omskoj oblasti za koju vrijedi relacija:
i D = kn (vGS − VT ) vDS = vDS / Ron .
U ovom području u linearnoj oblasti tranzistor se ponaša kao naponsko
kontrolisani otpornik. Njegova strujno naponska karakteristika je linearna
sve do napona reda 300 mV.
U prim,jeni se koristi oznaka k=β pa izraz za struju drejna kod
MOSFET-a pri djelovanju jednosmjernog i naizmjeničnog napona
između gejta i sorsa u području zasićenja postaje:
βn
iD = ( vGS − VT )2 , vGD = vGS − VDS > VT .
2

VI_6. EFEKAT SKRAĆIVANJA KANALA

Kada veličina napona drejna raste iznad tačke zasićenja dolazi do
porasta struje drejna Struja drejna raste zbog raspodjele električnog polja
između drejna i kanala. Struja drejna raste kao da se dužina gejta fizički
smanjuje, pri čemu debljina kanala ostaje ista. Zbog toga otpornost drejn-
sors postaje konačna pri porastu napona VDS.

VI•16
 6. Unipolarni tranzistori

Naime, u dijelu ispod oblasti drejna (u podlozi) nalaze se negativni

joni koji potiskuju elektrone iz kanala.
Time se porastom napona VDS mijenja izgled kanala koji se sužava
na strani drejna (sl.9.4.2)

Sl. 6.12. Sužavanje kanala u blizini drejna

Nagib strujno-naposke karakteristike pri tome nije konstantan što
utiče na to da se dobija konačna dinamička otpornost rds .
Struja drejna tada raste sa porastom napona između drejna i sorsa.

Zbog toga izraz za struju potrebno je korigovati prema izrazu:

VI•17
 ELEKTRONIKA 1

2
⎛ v ⎞
i D = I DSS ⎜1 − GS ⎟ (1 + λ vDS ) , VGS > VP , VGD < VP ,
⎜ V p ⎟⎠
⎝
gdje je λ = 1 / VA faktor modulacije kanala.

Joni u toj zoni potiskuju nosioce elektriciteta u kanalu pa se

dužina kanala skraćuje čime se smanjuje otpornost kanala te struja raste.
Diferencijalna otpornost je tada konačna i određena sa:
Δ vDS λ −1
rd = = .
Δ iD Q: v GS =VGS I DS ⎡⎣1 − (VGS / VP ) ⎤⎦
2

Ta pojava se naziva efektom skraćivanja kanala - efekat

modulacije dužine kanala (channel shortening effect). To je mehanizam
povratne veze koji je sličan Irlijevom (Early) efektu kod bipolarnih
tranzistora.

Efekat modulacije dužine kanala se ogleda u skraćivanju

dužine kanala za Δ L (VDS ) . Struja drejna je tada:
μ n εox W
iD = (vGS − VT )2 ,
2 tox L − Δ L
odnosno:
μ ε W
iD = n ox ( vGS − VT )2
2 tox L − Δ L
.
1 2
iD = kn ( vGS − VT )
1− ΔL / L
Efektivna dužina kanala je Lef = L − ΔL . Kako je skraćivanje
mnogo manje od same dužine kanala možese uzeti da je:

I D = k n (VGS − VT ) 2 (1 + ΔL / L) = k n (VGS − VT ) 2 (1 + λ VDS )

odnosno:

I D = βn (VGS − VT ) 2 ⋅ (1 + λ VDS ).

VI•18
 6. Unipolarni tranzistori

Pri tome je : ΔL / L = λ VDS , gdje je λ faktor modulacije

kanala.
Diferenciranjem struje drejna u zasićenoj oblasti po VDS
proizlazi:
∂ ID W d Lef
= − k n 2 (VGS − VT ) 2
∂ V DS Lef d V DS

Skraćivanje kanala iznosi ΔL pa je:

∂ ID I D d ΔL
= .
∂ VDS Lef d VDS
Kod bipolarnih tranzistora Erlijev napon je definisan kao:
IC WB
VA = =− .
∂ I C / ∂ VCE d WB / d VCE

Analogno tome i ovdje može se definisati isti odnos:

ID Lef Lef
VA = = =− .
∂ I D / ∂ VDS d xd / d VDS d Lef / d VDS

Zadatak 6.1.
Izračunati vrijednost transkonduktanse i međuelektrodnih
kapacitivnosti za brojčane vrijednosti: T=300 K, ID= 0,5mA ,
VDS = 5V, IDSS = 1 mA, VT = - 2 V, kontaktni napon pri NA
=1015 cm-3, ND =1016 cm-3, iznosi:
N AN D
Vk = VT ln 2
= 0,638 V .
ni
U području zasićenja napon VGS je dat sa:
⎛ I DS ⎞⎟ = − 0,568 V
V GS = V T ⎜⎜ 1 -
⎝ I DSS ⎟⎠
pa transkonduktnasa (strmina) iznosi:

VI•19
 ELEKTRONIKA 1

2 I DSS ⎛ V GS ⎞
gm = − ⎜1− ⎟ = 0,7 mA/V .
VT ⎝ VT ⎠
U području visokih frekvencija neophodno je uzimati u obzir
međuelektrodne parazitne kapacitivnosti Cp:
Vk
C p = C p0
Vk + V
gdje je Vk kontaktni potencijal a V napon priključen između
posmatranih elektroda.
Uz ⏐VGD⏐ = VGS - VDS = 5,586 V kapacitivnosti između gejta
i sorsa, te između gejta i drejna pri Cgs0 =2 pF i Cgd0 = 0,5
pF, su:
Vk
C gs = C gs 0 ⋅ = 1, 444 pF ,
Vk + V GS

Vk
C gd = C gd 0 ⋅ = 0 ,154 pF.
Vk + V GD

Zadatak 6.2.
Struja drejna I D u opštijem slučaju može se izraziti preko gustine
struje J (x,y ) relacijom:
xd
− ID = Z ∫ J ( x,y) dx ,
0
gdje je xd debljina inverznog sloja formiranog između sorsa i drejna.
Gustina struje drifta u pravcu y ose data je relacijom :
dV ( y )
J ( x,y ) = q n μ n E y = −q n μ n
,
dy
gdje je Ey komponenta električnog polja u pravcu y-ose. Smjenom se
dobija:

VI•20
 6. Unipolarni tranzistori
x
dV ( y ) d
dy 0∫
ID = Z q μ n n dx .

xd
Kako je − μ*n Qn ( y ) = ∫ q μ n n dx ,
0
gdje je Qn ( y ) < 0 električni naboj inverznog sloja po jedinici površine,
relacija se može pisati u obliku :
dV ( y )
I D = −μ*n Z Qn ( y ) .
dy
Integriranjem izraza po nezavisno promjenljivoj y u granicama od y = 0
do y = L , odnosno po naponu V u granicama od V (0) = 0 do V ( L) = VDS ,
dobija se vrijednost struje drejna tranzistora:
⎧
* ⎪ 2
Co μ n Z ⎪ VDS
ID = ⎨VDS (VGS − VX ) − −
L ⎪ 2
⎪⎩
12 ⎫
2 ⎛ 2 N qε s ⎞
⎡(V − V + 2ϕ )3 2 − ( −V + 2ϕ )3 2 ⎤ ⎬⎪ .
− ⎜ ⎟
3 ⎜⎝ Co2 ⎟ ⎣⎢ DS BS F BS F
⎦⎥ ⎪
⎠ ⎭
Ako je neto gustina primjesa N u osnovi tranzistora mala ili ako je
kapacitivnost Co velika, tada se aproksimacijom dobija:

Co μ*n Z ⎡ 2 ⎤
VDS
ID ≈ V (V
⎢ DS GS − V X ) − ⎥.
L ⎣ 2 ⎦

Za male vrijednosti napona VDS → 0 , dobra aproksimacija za struju

dobija se u obliku:
⎛ ⎧ ⎡ 2 N qε s (− VBS + 2ϕ F ) ⎤ ⎫⎪ ⎞⎟
12
Co μ*n Z ⎜ ⎪
ID ≈ VDS ⎨ VGS − V X − ⎢ ⎥ ⎬ ⎟.
L ⎜⎜ ⎪⎩ ⎣ Co2 ⎦ ⎪⎭ ⎟⎠
⎝

VI•21