Professional Documents
Culture Documents
Predavanje 6 PDF
Predavanje 6 PDF
BIPOLARNI TRANZISTORI
I NE
Odnos između struja tranzistora se sada može predstaviti
iC = αiE + I CB 0
β
iC = β iB + I CB 0 = β iB + (1 + β ) I CB 0
α
α=β*γ faktor strujnog pojačanja od E do K; α<1
β=α/(1-α) faktor strujnog pojačanja od B do K
što je α bliže 1 to je i β veće
tipične vrednosti za β za tranzistore manjih snaga su β>100
Strujno-naponska karakteristika
Strujno-naponska karakteristika je:
v BE
iC = I S e VT
iC
β=
iB
v BE
1
iB = ⋅ ISe VT
β
Električni model tranzistora
Aktivni režim:
Ekvivalentna kolo tranzistora
Tranzistor pokazuje pojačavačka svojstva jer male
promene bazne struje izazivaju β puta veće promene
kolektorske struje
Promene vg izazivaju promenu Vbe, promena Vbe izaziva promenu
ib. Promenljive komponente Vbe i ib su u fazi.
Ekvivalentna kolo tranzistora
Promena ib izaziva β puta veću promenu ic
Promena vbe i vce su u protivfazi
vCE = VCC − RC I C
Ekvivalentno kolo tranzistora
Pod pretpostavkom da su karakteristike tranzistora u
okolini mirne radne tačke linearne i da je strujno
pojačanje β konstantno:
vbe 1 V
rπ =
ib
=
diB
=β T
I ri = VA
I CQ0
Q0 CQ
dvBE 0
Ekvivalentno kolo tranzistora
Često se umesto strujnog izvora i
βib u ekvivalentnom kolu tranzistora c diC β
koristi strujni izvor gmvbe gde je gm
gm = = Q0 =
v dvBE r
transkonduktansa tranzistora be π
definisana:
Ekvivalentno kolo tranzistora
ri vce ri RC
Ai = g m rπ Av = = −gm
ri + RC vg ri + RC
Ekvivalentno kolo tranzistora
PRIMER:
β=100, ICQ=2.6mA, VA=260V RC=2kΩ
VA VT
ri = = 100kΩ rπ = β = 1kΩ
I CQ0 I CQ0
vce ri RC
β Av = = −gm = −200
gm = = 0.1S vg ri + RC
rπ
ri
Ai = g m rπ ≈ 100
ri + RC
Darlingtonova sprega
U cilju povećanja strujnog
pojačanja formira se
DARLINGTONOVA
SPREGA
Pošto je emitor TR1
vezan na bazu TR2
ukupno strujno pojačanje
je približno
βe=β1·β2
Napon zasićenja
Darligtonovog stepena:
VS=VBE2+VCES1
POJAČAVAČKI STEPENI
POJAČANJE NAPONA
vp
Av =
vg
POJAČANJE STRUJE
ip
Ai =
ig
ULAZNA OTPORNOST
IZLAZNA OTPORNOST
Pojačavač sa zajedničkim emiterom
Pojačavač sa zajedničkim emiterom
POJAČANJE STRUJE:
ip − Re + βri βr
Ai = = , za Re = 0, A = i ≈β
ig Re + R p + ri R' + r
' i
p i
ULAZNA OTPORNOST
vt βRe ri − Re 2
Ru = = rπ + Re + r + R + R '
it i e p
za Re = 0, Ru ≈ rπ
Pojačavač sa zajedničkim emiterom
IZLAZNA OTPORNOST:
vt
Re = 0, Ri = = ri
it
Pojačavač sa zajedničkim kolektorom
Pojačavač sa zajedničkim kolektorom
Av =
vp
=
(1 + β )(ri || RE )
<≈ 1
vg Rg + rπ + (1 + β )(ri || RE )
Pojačavač sa zajedničkim kolektorom
STRUJNO POJAČANJE
ip ri
Ai = = (1 + β )
ig ri + RE
Ai ≈ (1 + β )
ULAZNA OTPORNOST
(velika ulazna otpornost)
IZLAZNA OTPORNOST
vt
Ru = = Rg + rπ + (1 + β )( RE || ri ) (mala izlazna otpornost)
it
Ru ≈ Rg + rπ + (1 + β ) RE rπ + Rg rπ + Rg
Ri = ri || ≈
β +1 β +1
Pojačavač sa zajedničkom bazom
βRC β
Av = Ai ≈
rπ + Rg (1 + β ) β +1
rπ
Ru ≈ Rg + Ri = ri + (1 + g m ri )(rπ || Rg )
1+ β
Statičke karakteristike tranzistora
ULAZNA
IZLAZNA
PRENOSNA
Polarizacija tranzistora
Priključenje tranzistora na jednosmeran napon u cilju
njegovog dovođenja u željeni radni režim
VBB = RB I B + vBE
v BE
iC = I S e VT
vCE = VCC − RC iC
VBB − VBE
IB =
RB
VBB = VT = R2VCC /( R1 + R2 ) RB = RT = R1 R2 /( R1 + R2 )
Ogračinjenja pri polarizaciji
OGRANIČENJA: Lavinski i Zenerov proboj PN spoja,
smanjenje strujnog pojačanja β usled povećanja
kolektorske struje ili destrukcija tranzistorskih priključaka
usled povećanja kolektorske struje,ograničenje po
disipaciji
Proboj na spoju BE je Zenerovog tipa a probojni napon
reda 5-10 V
Proboj na kolektorskom spoju je lavinskog tipa
Oblast sigurnog rada
Kada se uzmu u obzir strujna, naponska i ograničenja po
disipaciji dobije se oblast sigurnog rada tranzistora
Režim rada tranzistora
REŽIM ZASIĆENJA
Oba PN spoja su
direktno polarisna
Strujno pojačanje je
manje nego u aktivnom
režimu i izrazito opada sa
povećanjem direktne
polarizacije
kolektorskog spoja
TIPIČNE VREDNOST:
VBES=0.7 V, VCBS=0.5V
VCES=0.2V
Režimi rada tranzistora
NEPROVODNI REŽIM RADA
oba spoja inverzno polarisana;
dobija se između bilo koje dve elektrode otvorena
veza (ako se zanemare struje curenja)
INVERZNI AKTIVNI REŽIM
emitorski spoj polarisan inverzno a kolektorski
direktno
radni režim je sličan aktivnom ali je koeficijent
strujnog pojačanja β manji
Kada se u prekidačkom režimu koristi invertovani spoj
sa zajedničkim emitorom napon zasićenja je manji
Tranzistor kao prekidač
TRANZISTOR U ZASIĆENJU – UKLJUČEN PREKIDAČ
TRANZISTOR ZAKOČEN - ISKLJUČEN PREKIDAČ
FOTOTRANZISTOR
Koriste apsorpciju svetlosti za generisanje slobodnih
nosilaca kao i fotodiode, s tim da pomoću mehanizma
strujnog pojačanja pri istoj jačini svetlosti se dobija
veća kolektorska struja
Postoje i FOTOFET tranzistori, i FOTOTIRISTORI
OPTOKAPLER
Elementi sa svetlosnom spregom se nazivaju
OPTOKAPLERI
Ovi elementi predstavljaju kombinaciju fotoemitujuće
diode i fotoosetljivog elementa kao što su dioda,
tranzistor ili tiristor
Optokapleri se pretežno koriste u digitalnim sistemima
za prenos informacije: ima signala - nema signala