ELEKTRONIKA

TRANZISTORI SA EFEKTOM
POLJA

Nerecenzirana radna verzija materijala za predavanja iz predmeta

Elektronika, Prof. S. Marinković, deo materijala preuzet od prof. P. Bošnjaković
Tranzistori sa efektom polja
„ FET (Field Effect Transistors)
‰ Koristi se električno polje za kontrolu intenziteta struje
između izlaznih priključaka;

„ Električno polje se javlja kao posledica napona

priključenog na:
„ GEJT (gate) - upravljačku elektrodu
„ Izlazni priključci:
„ SORS (source) i DREJN (drain)

„ FET tranzistori se dele na:

„ JFET – spojni tranzistori sa efektom polja
„ IGFET - FET sa izolovanim gejtom ili MOSFET
FET (JFET) tranzistori
„ Spoljni napon VGS
inverzno polariše PN
spoj
„ VDS utiče da nosioci u
kanalu izviru iz SORS-a i
poniru u DREJN-u
FET (JFET) tranzistori

„ VDS~0, VGS=0, kanal ima najveću provodnost

„ VGS= VP=VGS(OFF), FET zakočen
„ VDS~0, VGS<<VP=VGS(OFF) linearna oblast

iD = GvDS G = 1− vGS / VP
FET (JFET) tranzistori

„ Kako VDS raste, širina oblasti prostornog tovara duž kanala postaje
sve neravnomernija (kanal je najuži kod drejna)
„ Sve dok je VGD=VGS-VDS>VP struja drejna zavisi i od VDS i od VGS
„ Ova oblast rada se naziva triodna oblast rada
FET (JFET) tranzistori
„ FET u zasićenju:
„ Kada je VGD=VGS-VDS<VP, VGS>VP
„ Kanal je uštinut kod drejna dok kod sorsa nije i FET ulazi
u oblast zasićenja kada struja drejna veoma malo zavisi
od napona VDS

2
⎛ vDS ⎞ ⎛ vGS ⎞
iD = ⎜⎜1 + ⎟⎟ I DSS ⎜⎜1 − ⎟⎟
⎝ VA ⎠ ⎝ VP ⎠
2
⎛ vGS ⎞
iD = I DSS ⎜⎜1 − ⎟⎟
⎝ VP ⎠
Statička karakteristika FET-a
Polarizacija FET-a
Primer polarizacije FET-a
„ VDD=15 V , VP=-2V, RS=1kΩ, RD=3kΩ IDSS=4mA
2
⎛ RS I D ⎞
I D = I DSS ⎜⎜1 + ⎟⎟ VGS = − RS I D
⎝ VP ⎠
VGS 2 I D1 = 4mA,
I D = I DSS (1 − )
VP I D 2 = 1mA
„ za ID1=4 mA sledi VGS=0,
što je u suprotnosti sa VGS=-RSID
„ znači ID1=1 mA
„ PROVERA PREDPOSTAVKE ZASIĆENJA

VGD = VGS − VDS = VGS − (VDD − ( RS + RD ) I D ) ≤ VP

Ekvivalentno kolo FET-a
1 VA vds
2 I DSS I DQ r= ≈ =
diD id I DQ vgs
gm = = ≈ diD
dvGS iD = I DQ
− VP v gs dvDS iD = I DQ
Primer FET pojačavača
„ IDSS=4mA, VP=-3V, VA=100V, RD=5kΩ, VGG=-1.5V,
VDD=12V 2 I DSS I DQ
2 gm = = 4 / 3S
⎛ VGG ⎞ − VP
I DQ = I DSS ⎜⎜1 − ⎟⎟ = 1mA
⎝ VP ⎠ VA
rds = = 100kΩ
VGDQ = VGG − VDSQ = −8.5V < VP I DQ
„ PROVERA REŽIMA ZASIĆENJA vp rds RD
Av = = −gm ≈ − g m RD = −6.6
vg rds + RD
FET kao prekidač
„ STANJE PREKIDAČA SE KONTROLIŠE SA VGS
„ KADA JE FET ZAKOČEN VGS<VP PREKIDAČ OTVOREN
„ PREKIDAČ ZATVOREN: FET PROVODI I IMA MALU
OTPORNOST
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)

„ Kod MOSFET-a između metalne elektrode gejta i poluprovodnika

se nalazi oksid silicijuma; Ova struktura formira KONDENZATOR
„ MOSFET-ovi mogu biti sa: UGRAĐENIM i INDUKOVANIM kanalom
‰ MOSFET sa UGRAĐENIM kanalom dat je na slici:
MOSFET sa indukovanim kanalom
„ Nema sloja poluprovodnika između drejna i sorsa
„ iDS ne teče u odsustvu VGS
‰ MOSFET sa INDUKOVANIM kanalom dat je na slici
Statičke karakteristike MOSFET-a
MOSFET sa ugrađenim kanalom U oblasti zasićenja:
⎛ vDS ⎞
iD = B⎜⎜1 + ⎟⎟(vGS − VP )2
⎝ VA ⎠
1 ⎛W ⎞
B= μ n C0 ⎜ ⎟
2 ⎝L⎠
Statičke karakteristike MOSFET-a
„ MOSFET sa INDUKOVANIM kanalom U oblasti zasićenja:

⎛ vDS ⎞
iD = B⎜⎜1 + ⎟⎟(vGS − VT )2
⎝ VA ⎠
Polarizacija MOSFET-a
„ Polarizacija MOSFET-a sa ugrađenim kanalom
Polarizacija MOSFET-a
„ Polarizacija MOSFET-a sa indukovanim kanalom
Ekvivalentno kolo MOSFET-a
V A
g m = 2 BI DQ r ds =
I DQ