CRISTALOGRAFÍA

Cuando se han formado las estructuras cristalinas y se tiene las celdas unitarias
con empaquetamientos definidos, es necesario hablar de planos de compactación
que pueden ser definidos por coordenadas cartesianas.

La identificación de los planos y las direcciones en las estructuras cristalinas y de

los átomos asociados con estos planos pueden ayudar a comprender cuál es la
influencia de las posiciones atómicas y las estructuras cristalinas en las
propiedades mecánicas del material.

Es necesario hablar entonces de posiciones de los átomos, direcciones y planos

cristalográficos en las estructuras cristalinas. (Se estudiarán las estructuras
cúbicas y las hexagonales)

ESTRUCTURA CÚBICA

Puntos

Las posiciones de los átomos en una red cristalina se describen con base en un
sistema de coordenadas cartesianas en el espacio x y z al que se le asigna un
origen, a partir del cual se determina la distancia a la que se encuentra el átomo,
tomando valores entre 0 y 1 (1 es el valor máximo de las aristas del cristal) por
tratarse de una celda unitaria.

Las posiciones se definen de acuerdo con la longitud de los parámetros de red a,

b y c de los correspondientes ejes x y z en el plano cartesiano y son denotados
con los valores numéricos separados entre sí por comas.

Para poder identificar un sistema cristalográfico se le asigna un juego de tres

números que reciben el nombre de Índices de Miller.

Los índices de Miller de un sistema de puntos, direcciones o planos se indican

genéricamente con las letras (h k l).

Los índices de Miller son números enteros que pueden ser negativos o positivos,
donde el signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado sobre dicho
número.
En la figura se muestra la representación esquemática y la notación respectiva
 En la notación común, para el plano
cartesiano, los valores negativos se
denotan con el valor numérico
correspondiente y se precede con el
sigo (-), pero los valores positivos no
llevan el signo (+).

Cuando los índices de Miller se

trabajan en el sistema cristalográfico,
es necesario denotarlos con paréntesis
y separados por comas entre sí,
siguiendo el orden de las coordenadas
ya sea para (h k l ).o (x y z) que son
equivalentes para las coordenadas
usadas en el sistema cúbico, pero
cualquiera que sea el sistema de
coordenadas escogido debe conservar
la “regla de la mano derecha”

Direcciones

Una dirección [h k l ] ó [x y z] es el vector que se extiende desde el origen al

punto x ,y ,z es decir tiene componente de magnitud h sobre el eje x , k en el
eje y y l en el eje z. Las componentes deben ser expresadas con los números
enteros más pequeños que guarden las relaciones de proporción en los índices de
Miller, encerrados entre corchetes cuadrados, ejemplo [100], [110] y [111].

Una dirección es un vector, línea o

segmento que encierra el concepto de
“son el resultado de la unión de dos o
más puntos”.

En la figura muestra un vector que

conserva ese concepto (vector [110])

Siendo así, la dirección [111] es la unión

de los puntos 000, ½ ½0 y 111.
 Los vectores se designan con el
menor número, en este caso la
unidad dado que se trabaja con
celdas unitarias, pero cuando éstos
están dados por fracciones, es
necesario eliminar dichas fracciones
quedando así valores diferentes a la
unidad, como se muestra en la
figura:

Por conveniencia, el origen de coordenadas se ubica en una esquina de la ceda

unitaria. Las componentes en el sentido negativo de los ejes coordenados se
designan con una rayita encima del valor correspondiente a la magnitud en esa
dirección.

Cristalográficamente se conoce como una familia de direcciones a aquella que

agrupa a todas las direcciones que poseen la misma longitud y el mismo número
de átomos; es decir, son físicamente indiferenciables. Una familia de direcciones
se representa con los índices de las direcciones, encerrándola entre corchetes
angulares < x y z >.

Planos

La designación de los índices para planos cristalográficos se realiza teniendo en

cuenta la ecuación matemática que describe el plano en un espacio tridimensional
en el que las intersecciones del plano con los ejes x y z determinan los valores
mediante el uso de los recíprocos h k l de estas intersecciones, expresadas en
números enteros.

Los índices de Miller para planos, se encierran entre paréntesis (h k l). Se puede
decir entonces que (h k l).es el plano que intercepta a los ejes x, y y z en los
puntos 1/h 0 0, 0 1/k 0 y 0 0 1/l.

Con el fin de poder determinar el intercepto del plano con los ejes coordenados, el
origen debe seleccionarse de tal manera que el plano no pase por él. Si un plano
dado es paralelo a uno de los ejes, es decir no intercepta al eje, su reciproco y por
tanto el respectivo índice de Miller serán cero.

El número y distribución de las direcciones y planos más compactos de una

estructura son diferentes para estructuras diferentes, siendo estos planos y
direcciones los que en primera instancia determinan que los fenómenos ocurran
con mayor o menor dificultad.

Por tanto, es de suma importancia distinguir las diferentes direcciones y planos, y

determinar para ellos la densidad lineal de átomos, definida como el número de
átomos por unidad de longitud en la dirección considerada, y la densidad planar
de átomos, entendida como el número de átomos que contiene el plano en la
unidad de área.

Es de anotar que para contabilizar un átomo como perteneciente a una dirección o

a un plano dado, se requiere que la dirección pase o que el plano corte al átomo
por su centro.

Para designar una familia de planos los índices de uno cualquiera de los planos
físicamente equivalentes se encierra entre llave {100}

ESTRUCTURA HEXAGONAL

En el sistema de coordenadas para las redes hexagonales, debido a la simetría

que presenta el sistema, se debe utilizar la relación dada por cuatro ejes (h k i l)
en lugar de tres (h k l) donde i es el resultado de la ecuación: h + k = - i.

De manera similar que en la estructura cúbica, para designar las familias, las
direcciones y planos, los índices se encierran entre corchetes y llaves
respectivamente.
Como en el sistema anterior, tener
estas coordenadas será equivalente a
tener: (a1, a2, a3 y c) para una
notación en cuatro ejes, o lo que es lo
mismo (a1, a2 y c) para notación en
tres ejes.

La distancia entre las aristas de un

sistema hexágono tiene como valor la
unidad, por estar trabajando con
celdas unitarias, por lo que las
diagonales tienen un valor 2 unidades
(la suma del valor del origen a cada
arista).

Los índices de Miller se hallan de la misma manera que para el sistema cúbico
pero teniendo en cuenta las notaciones respectivas para tres y cuatro ejes.

Direcciones Planos
 DEFECTOS CRISTALINOS

Un sólido cristalino está formado por estructuras ordenadas pero casi nunca son
perfectos, pues siempre contienen “defectos cristalinos” de diferentes clases que
afectan sus propiedades. Entiéndase "defecto cristalino" como una irregularidad o
imperfección en la red, el cual tiene una o más de sus dimensiones de orden de un
diámetro atómico.

Aunque muchas de las propiedades de los materiales son afectadas por esas
irregularidades, la influencia no siempre es adversa, a veces algunas
características específicas son deliberadamente conferidas mediante la
introducción de cantidades controladas de defectos particulares. Tal es el caso de
las dislocaciones que facilitan la deformación del material al permitir el movimiento
de los átomos en la estructura.

Esta deformación es necesaria muchas veces para dar forma a las piezas que se
quieren utilizar. Si no existieran estas dislocaciones la energía necesaria para la
deformación miles de veces superior que la necesaria con dislocaciones.

La clasificación de las imperfecciones cristalinas es frecuentemente hecha de

acuerdo con la geometría o dimensionalidad del defecto. Las principales
imperfecciones cristalinas pueden clasificarse como de tipo puntual o de
dimensión cero, lineales o unidimensionales, superficiales o bidimensionales y
volumétricas o tridimensionales.

DEFECTOS PUNTUALES

Este tipo de imperfecciones comprende sitios aislados en la red tridimensional, y

aunque cubren un volumen o área finita, su extensión se limita a un desorden local
y en consecuencia se tratan como si se comportaran como un punto.

Inicialmente se asumió que la red es perfecta y que todos los lugares estaban
ocupados por átomos de un tipo particular; sin embargo, dado que no existen
redes perfectas, es posible que en algunas posiciones reticulares se den:

Vacancias

Es el más simple de los defectos puntuales y se presenta cuando en alguna parte

de la red cristalina no hay átomos presentes, dejando un sitio vacío, lo que se
denomina también como “lugares vacantes”, “huecos” o “vacantes”
Las vacancias son formadas durante la solidificación y también como resultado de
las vibraciones atómicas, que causan el dislocamiento de átomos a partir de sus
sitios normales en la red. También se pueden presentar durante la cristalización de
los materiales por la deformación plástica o permanente y por radiación de alta
energía. En metales puros, la excitación térmica produce pequeñas cantidades de
vacantes

Átomos Intersticiales.

Es prácticamente imposible que un metal “puro” contenga sólo átomos de su

misma especie, pues siempre habrá átomos de impurezas presentes, los cuales
pueden quedar aprisionados entre los intersticios dejados por los átomos del
elemento principal.

La formación de este defecto no es altamente

probable, pues existe en concentraciones muy
pequeñas, que son bastante menores que las
de las vacancias en la red y se verá así en la
celda unitaria del cristal.

Los átomos intersticiales producen un disturbio local en la red tridimensional que

depende principalmente de su tamaño, del tamaño de los átomos “huéspedes”,
efectos de valencia y de la estructura de la red receptora.
Si el átomo intersticial presenta un
tamaño atómico mayor que el de los
átomos de la red, logra generar una
expansión en la red circundante

Si el átomo intersticial presenta un

tamaño atómico mucho menor que el
de los átomos de la red, logra generar
una compresión en la red circundante.

Átomos Sustitucionales.

Cuando átomos de naturaleza diferente entran en la red pueden ser considerados

como átomos de impurezas. Si estos átomos son de tamaño similar a los del
elemento base, ellos toman posiciones regulares en la red.

Cuando se tiene un átomo

sustitucional, la celda unitaria tiene
uno de sus vértices ocupados por un
átomo diferente que causa un
aumento en la entropía y eso
repercute en la red tridimensional.

Puesto que los átomos diferentes exhiben comportamientos químicos o

electrónicos distintos, hay una cierta incompatibilidad entre la impureza y los
átomos vecinos, lo que influye en la solubilidad y por ende en el comportamiento
de los materiales.

Los principales factores que influyen en la solubilidad sustitucional son el tamaño

relativo de los átomos, la similitud de las estructuras cristalinas individuales, las
valencias relativas de los átomos y las electronegatividades de los átomos
componentes siguiendo las reglas de Home Rothery.
Existen otros dos tipos de defectos puntuales que son la combinación de varios
de los defectos antes mencionados.

Defecto de Frenkel

Aparecen en las redes iónicas donde hay enlaces entre aniones y cationes en las
cuales se da el desplazamiento de un ion desde su posición normal en la red
hasta un sitio en un intersticio.

Defecto Schottky

Aparece también en redes iónicas y consiste en una vacante catiónica y una

aniónica. Se da cuando hay migración de un par de iones (catión y anión) hasta
una posición en la superficie libre o a una frontera intercristalina.

En la figura se observan los Frenkel

defectos de Fenkel y Schottky
para una red tridimensional.
Schottky

DEFECTOS LINEALES

Estos defectos son producidos como consecuencia de la acumulación de defectos

puntuales, los cuales pueden extenderse a través del cristal en muchas distancias
atómicas a lo largo de una línea, generando un semiplano extra en la red cristalina
conocido como “dislocación”.

En los materiales existen gran cantidad de dislocaciones que pueden formarse

durante la solidificación o mediante deformación plástica las cuales crecen cuando
se aplican las fuerzas de deformación haciendo que haya más facilidad de
movimiento (deslizamiento) sobre determinadas direcciones y planos.

Existen dos tipos principales de dislocaciones, las de borde o cuña y las

helicoidales, de hélice o de tornillo. La combinación de las dos da origen a las
dislocaciones mixtas, que poseen tanto componente de borde como de hélice.
Dislocación de borde

Esta dislocación está asociada con la existencia de planos atómicos incompletos

dentro del cristal. Un plano incompleto o semiplano extra en el interior de un cristal
genera una distorsión en el mismo.

El lugar geométrico de los puntos que son el centro de la distorsión es una línea
que corre a lo largo del semiplano extra hasta lograr que el material se deforme
completamente. El símbolo empleado para designar la dislocación de borde es
una T invertida (), que representa al semiplano extra y al plano sobre el cual
puede moverse la dislocación.

En la figura se observa el esquema de la dislocación de borde donde se señala en

rojo la dirección del movimiento una vez se ha aplicado la fuerza.

Dislocación de hélice o de tornillo

En este tipo de dislocación los planos atómicos se apilan en forma de espiral a lo

largo de la línea de dislocación. El desplazamiento se da paralelo a la línea de
dislocación y no perpendicular a ella como se observa en la figura.

En la figura se observa el esquema de la dislocación de borde donde se señala en

rojo la dirección del movimiento una vez se ha aplicado la fuerza.
Dislocación mixta

Las dislocaciones no necesitan ser puramente de borde o de hélice; de hecho, la

mayoría de las dislocaciones en un cristal real son de naturaleza mixta, o sea que
tienen componentes de borde y de hélice.

DEFECTOS SUPERFICIALES

Existe un número de imperfecciones cristalinas que muestran las características y

dimensiones de una superficie. Pueden ser clasificados como límites o fronteras
de grano, maclas y límites de macla.

Limites de grano.

Los materiales metálicos de uso común son policristalinos, es decir, están

constituidos por un gran número de cristales o “granos” cuyo tamaño promedio
normal está en el rango de 10 a 250 micrómetros.

Los límites de grano constituyen la superficie que limita granos vecinos con
diferente orientación y las propiedades físicas de los metales están influenciadas
por la existencia de los límites de grano ya que obstaculizan el movimiento de las
dislocaciones haciendo así más difícil la deformación en presencia de esfuerzos.

Maclas y Límites de macla

Durante la solidificación se puede dar un cambio en la secuencia de apilamiento

de los planos atómicos del cristal, pero si esta secuencia de apilamiento se
interrumpe sólo por unas pocas distancias interatómicas se forma una macla.
Las maclas pueden también formarse por deformación, cuando se aplican
esfuerzos cortantes a un cristal.

La superficie de separación de las dos regiones recibe el nombre de “límite de

macla” y es considerado como una imperfección superficial semejante al límite de
grano. El plano que constituye el límite actúa como un “espejo” a través del cual se
refleja una región del cristal en la otra.

DEFECTOS VOLUMÉTRICOS

Las imperfecciones volumétricas son consideradas como defectos del material

terminado y son de importancia por influir principalmente en las propiedades
macroscópicas.

Son los defectos de mayor tamaño y se presentan al interior de la masa del

material como consecuencia de su procesamiento. Entre estos defectos los más
comunes son los poros, los rechupes, las grietas y las inclusiones.

Los poros (o porosidades) son defectos que se presentan durante la solidificación

del metal, quedan atrapados como gases que se desprenden en el interior de la
masa líquida como producto de la diferencia en solubilidad en el líquido y el sólido.

El tamaño de estos defectos (poros) puede ser micro o macroscópico y su forma,

aun cuando normalmente redonda, puede ser diversa, acorde con el tipo y la
velocidad de solidificación.

Los rechupes (internos o externos; se dan como consecuencia de la contracción

(cambio de volumen) que sufre el metal al solidificar.

Las grietas en caliente son fisuras que se generan después de la solidificación.

Son generadas por el proceso de contracción volumétrica en el estado sólido y por
condiciones no uniformes de enfriamiento.
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