Diferentes Etapas de Salida para Amplificadores de Audio Clase A : Los dispositivos 0 el dispositivo (puede ser asimétrica) conducen durante los 360 grados ce la sefial. Clase B : los dispositivos conducen 180 grados, en la practica algo mas debido a la corriente de bias (polarizacién). Clase AB : Los dispositivos estan polarizatlos con una corriente de bias que permite e! tuncionamiento en clase A por debajo de cierto nivel de potencia y en clase B por encima de éste. Esta técnica aplicada en amplificadores de estado sélido, proviene del descanocimiento del comportamiento de las etapa de salida en clase B. Clase D : Los dispositivos funcionan entre la saturacién y el corte. Exclusivamente para amplificadores por modulacién de ancho de pulso (PWM). Transferencia de la etapa de salida elemental en clase B La zona muerta que produce la distancia entre el umbra! de conduccién de los transistores compiementarios (2Vbe) es la zona de cruce, discontinuidad responsable de generar deformacién en la serial de salida Forma elemental de una etapa de salida en clase B Vee % R @ Vee Agregando dos diodos se compensa el salto 2Vbe De esta forma se salva la discontinuidad en la transferesiciaimponiendo una ‘adecuada corriente de polarizacién y compensanco los coeficientes de temperatura por e! acoplamiento térmico entre los diodos y los ‘ransistores.Etapa de salida cuasi complementaria Asimetria entre los umbrales de conduccién del darlington Los primeros transistores de potencia de scio cian solo NPN y cuasi darlington que componen los heinicircuitos Soe ee ee oe de una etapa de salida cuasi comelementaria A gw MNS Me ie ates ow i a wee i | ‘ Cuasi Baxandall, una mejora a la cuasi complementaria Seguidor por emisor de simetria complementaria La adicién de un diodo en el cuasi darlington agrege !a caida de tension La simetria complementaria iguala las caidas de tensién de las junturas ‘de una juntura para igualar la caida total del darlington ‘base-emisor de los hemicircuitos. no sve & aEI multiplicador de VBE compensa la tension entre las bases de Q2 y Q3, variable debido al coeficiente negativo de temperatura de las tensiones VBE de los cuatro dispositivos g ke idge te bw Tg e\S* on vee Los transistores involucrados en una etapa de salida en seguidor por emisor deben estar en contacto térmico and the total current, I, is equal co (Z, + Ie) sch that ten anegtags ton tallt) ‘The circuit is normally operated in the region where Je is much greater than 1, In this region, and, inverting, Dispositivo para el ensayo de diferentes topologias de amplificadores de puienciaSimulacién en Spice de! seguidor por emisor complemetario Las tensiones de offset de los generadores, enulan el rivel de continua en el node do salda para preservar a simetria, bias = 110 mA (6ptima para R3 / RA de 0.22 Ohm), toteCuasi Darlington Complementario (CFP - Complementary Feedback Pair Sziklai Pair) El control de la corriente de bias esté a cargo de lus drivers Q2 y O3 por medio dela reaimentacién por emisor atraés de Ré y RE oto Diagrama esquematico para la simulacién en Spice del Cuasi Darlington Complemetario Ibias éptim */Moduloy fase de la transferencia del ca et tario De cass eg Ta AaEfecto de la variacion de la corriente de bias —) Comparacion de espectros de distorsion para diferentes a corrientes de bias en el sequidor por emisor, superiores e y inferiores a la optima en un 50%, a frecuencias de 1 y 20 KHzey ere aavanDiagrama esquema ico para la simulacién en Spice de un “Output Triple” de simetria compleinentaria + 4h ay = i* | ° ™ b Output Triples, una opcién de realizacién comprometida Los dos poos signifeaivos en a transferencia de ios hemici~uitos requieren de un ‘rtericeo disero para evtar la potencial nestebicedfente a dferentes cargesGanancia de tension en funcién de la carga para una etapa de salida cuasi complerientaria jisis de las variables que afectan la linealidad Variacién de la ganancia de tensién de las diferentes etapas de salida en funcién de la carga y zona de Crossover en funcién de Vbias Ganancia de tension en funcién de la carga Ganancia de tensi6n en funcion de la carga para un seguidor por emisor para un Cuasi Darlington Complemeniario (CFP)Regién de crossover para una etapa Cuasi Complementaria Regién de crossover para un Seguidor por Emisor ne! Fon B/S EA ts ah” SURE SIME werTeck SENS os 9 coer eon ES neue feceraturs: 25.0 Region de crossover para un Cuasi Darligton Salida de distorsién del analizador de THD correspondiente Complementario a un amplificador con corriente de bias inferior ala optima El rapido crecimiento en la zona de crossover eviencia la incapacidad de la sR ede aero to. ee reaimentacion para actuar sobre las componentes de ala frecuencia generadas, [byComparacién de los umbrales de conduccién de los transistores de germanio y s! // 1) Silicon ase voltage Collector current, amperes Dos causas de alinealidad en un mismo grafico ‘Con el aumento deta frecuencia se rek para reduc la dstrsin por cruce que introduce la Trecuencias, Para 4 Ohms el ncremento de coriente desafa la lineaidad del bela de los transistors (en este caso 2N3055 / M2055), [piste varcision ra pean om Pama i nS ae a 40 seek 8a En los primitivos amplificadores de estado sdlido la distorsién por cruce era responsab!e del notable incremento de la THD a bajos niveles 0 30 watt transistor 3 iSwattvalve $10 E Fou. 0.01 ya aor oa 10 To 30 (Overload) Power output (watts) Ganancia de corriente de los transistores 2N3055 / MJ2955 Para ambos dispositivos la linealidad es sumamente dericiente. E12N3055 est ‘especificado como transistor de 15 amperes, valor para el que la ganancia de corriente (beta) es extremadamente baja. rescoomen cn \Gozeror current ae ‘eOCTon ome Figure 3. 0€ Grant Gin, 242055 (NPN) Pig 406 Curent Gain i235 PNUna mejor linealidad se obtiene mediante la aplicacién de dispositivos especificamente desarrolados para audio El par complementario MJL1302 / MJL3281 ofrece- una transferencie de Corriente (beta) particularmente plana hasta cortientes ele vadas, Para gran demanda de corriente o para mejor linealidad se recurre a la disposicién de tansistores en paralelo [Es mandatorio qua los transistores de potencia se soleccionen por valores de beta y \Vbe para asegurar menos de un 10% de error en la cst ibucién de la coriente a Curvas de ft en funcién de la corriente de colector para los transistores MJL1302 / @Ji3281 El par complementario MJL1302 / MJL3281 esté especficado como dispositivos con ft de 30 MHz, un valor notablemente superior los 4 MHz ‘como maximo de los mejores transistores comunes, won Tagan r i i i NM | eeourcroncra rs Transistores de potencia en encapsulado T0264Clase A, una solucién poco ecolégica para la distorsién por cruce, rendimieniv 50 % Coniente NPN > Se conieste PNP Si ing GNA a a ep eres Ce eee) da al:Ganancia de tensién de un seguidor por emisor en clase A Comparacién con clase B, bias dptimo Efecto de los resistores de emisor sobre la linealidad de la ganancia de tensién en un Seguidor pur Emisor stati run MOPS an Sy Woe IPOMEIER, MEDIO SWE asses 9 Comparacién de las diferentes etapas de salida en un mismo esquema de realimentaciér ‘UDLO PRECISION THD THDYNG) vs FREGC) OL Efecto de los resistores de emisor sobre la linealidad de la ganancia de tensién en un Cuasi Darlington Complementario: cate Fin' Pan “Toyo /28 Sag nS, Senet,La carga reactiva mantiene valores importantes de corrients para altos valores : : : i Tabla comparativa de los efectos de la variacion del resistor de emisor ‘Seguidor por Emisor Re Optimal Vbie Optimal Vq_IgmA XWidh Average Goi ohne Mole hv mA oe aia on 286 26 8 022287 402. 2 033280 ve 749 oar 293 wa 58 Cuasi Dariigto: fe Opfnal bine Opimalivg Ig With Average Goi hme Moe 12 we 28 11 Complementario 300 153 See se 718 7 3 95s oat 983 Recta de carga para un amplificador de 100 Watts de Vee, lo que puede producir ruptura secundaria. Ean =" Fe 12 eed neo 10 at Age COLLECTOR CURRENT (AMPS) Limitaciones de los transistores bipolares Potenciales de ruptura y ruptura secundai SOAR (Safe Operating Area) para los transistores de potenci complementarios MJL1302 (PNP) y MJL3281 (NPN) “10 10 100 \Voe, COLLEGTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)Recta de carga para un amplificador de 200 Watts La conexion serie paralelo de los transistores de salida La carga reactiva mantiene valores importantes de corrcnto para altos valores permite el trabajo en una zona segura del SOAR de Voe, lo que puede product ruptura secundaria