Power Electronics အေၾကာင္း

သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

KNOWLEDGE IN POWER ENGINEERING

KPE Engineering Group
(www.facebook.com/powerengineeringkno-
wledge)

Page 1
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ေက်းဇူးတင္လႊာ

အားလံုးပဲ မဂၤလာပါ။ ကြ်န္ေတာ္တုိ ့Power Engineering Page ကုိ ၂၀၁၆ ေလာက္မွ စျပီး ေရးသားခဲ့တာ
အခုဆိုရင္ ၃ ႏွစ္ေက်ာ္ေလာက္ ရွိလာခဲ့ပါျပီ။ Page စတင္တည္ေထာင္ခ်ိန္မွစျပီး အခုဆုိရင္
စာဖတ္ပရိသတ ္၇၀၀၀နီးပါး ရွိလာခဲ့ပါျပီ။ သင္ဆရာ ျမင္ဆရာ ၾကားဆရာမ်ား၊ အစဥ္အဆက္ အားေပးေသာ
နည္းပညာျမတ္ႏုိးသူ ေက်ာင္းသား၊ ေက်ာင္းသူမ်ား ဆရာမ်ားႏွင့္တကြ စာခ်စ္သူ ပရိသတ္တုိ့အား
အထူးေက်းဇူးတင္အပ္ပါတယ္။

ဒီ Page ရဲ ့အဓိက ရည္ရြယ္ခ်က္က Electrical/Electronics ေက်ာင္းသား၊ ေက်ာင္းသူမ်ား

နည္းပညာေလ့လာလိုက္စားသူမ်ားအတြက္ ေပါင္းကူးေလး ျပဳလုပ္ေပးခ်င္တာ ျဖစ္ပါတယ္။ ေက်ာင္းသား၊
ေက်ာင္းသူမ်ားအေနနဲ ့ေက်ာင္းမွာ သင္ခဲ့တဲ့ Theory ကုိ လက္ေတြ ့နဲ ့ဆက္စပ္တတ္ျပီး စံနစ္တက်
ေလ့လာတတ္ေစဖို ့ရည္ရြယ္ပါတယ္။ ဒါမွမဟုတ္ ႏုိင္ငံျခားမွာ ပညာသင္သြားေရာက္မည့္
ေက်ာင္းသား၊ေက်ာင္းသူမ်ားအေနႏွင့္လည္း Power Engineering / Electrical Engineering
ဘာသာရပ္ေတြမွာ သူမ်ားေက်ာင္းသား၊ေက်ာင္းသူမ်ားႏွင့္ ရင္ေပါင္တန္းႏုိင္ေအာင္၊ ကုိယ့္ဘာသာ
ေလ့လာႏုိင္ေအာင္ လမ္းညႊန္ေပးခ်င္တဲ ့ေစတနာလဲ ပါပါတယ္။

Power Engineering ပညာရပ္ဟာ အလြန္က်ယ္ျပန္ ့ျပီး နယ္ပယ္ က်ယ္၀န္းပါတယ္။ အခုေခတ္မွာ Power

Engineering ဘာသာရပ္ဟာ Electrical Power (EP) တစ္ခုတည္းမဟုတ္ေတာ့ပဲ Electronics၊ Renewable
System Engineering, IT, Mechatronics နည္းပညာရပ္မ်ားႏွင့္ ေပါင္းစပ္လာၾကပါတယ္။ Automation,
Power System Design, Internet of Things (Iot) အစရွိတဲ့ နည္းပညာေတြကုိ ေလ့လာၾကည့္ရင္
သိႏုိငပ
္ ါတယ္။ ဘယ္ေလာက္ပဲ နည္းပညာေတြက်ယ္ျပန့္သည္ျဖစ္ေစ၊ အေျခခံနည္းပညာရပ္မ်ားကုိ
စံနစ္တက်ေလ့လာျခင္းျဖင့္ မည္သည့္ပညာရပ္မ်ိဳးမဆို Self-study လုပ္ျပီး Critical Thinking
(ေၾကာင္းက်ိဳးဆက္စပ္စဥ္းစားျခင္း) နဲ ့ကုိယ့္ဘာသာဆက္လက္ေလ့လာႏုိင္ဖို ့အေရးၾကီးပါတယ္။
ကြ်န္ေတာ္တုိ ့Pageရဲ ့ ရည္ရြယ္ခ်က္က စာဖတ္သူ ပရိသတ္မ်ားကုိ Power Engineering ပညာ၇ပ္ကုိ
စံနစ္တက် ေလ့လာေစလိုျခင္းျဖစ္ပါတယ္။

ဒီစာအုပ္မွာေတာ့ Power Electronics နည္းပညာနဲ ့ပတ္သက္ျပီး Page မွာ ေရးသားခဲ့တဲ့ အပုိင္း ၁ မွ ၉ အထိ
Power Electronic Device အေၾကာင္း ေတြကုိ စာခ်စ္သူမ်ား၏ ေတာင္းဆိုခ်က္အရ
စာေတြ ့လက္ေတြ ့စုစည္း ေရးသားသြားမွာျဖစ္ပါတယ္။ ဒီစာအုပပ
္ ါ အေၾကာင္းအရာမ်ားဟာ Master of
Professional Engineering (University of Sydney-Power) မွာ Reference လုပ္ရတဲ့ Ned Mohan ရဲ့
Power Electronic Converters & Applications ဆိုတဲ ့စာအုပ္ပါ သေဘာတရားကုိ
အေျခခံထားတာျဖစ္ပါတယ္။ ေရးထားတာ အလြန္ စံနစ္က်တဲ ့စာအုပ္ျဖစ္ပါတယ္။ Power Electronics
နည္းပညာဟာ အခုေခတ္မွာ Power Engineering ဘာသာရပ္မွာ မသိမျဖစ္ပညာရပ္ျဖစ္ပါတယ္။ Renewable
Energy Systems (Solar, Wind) ေတြ၊ Automation & Control System Engineering၊ Power System

Page 2
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

Analysis and Design အစရွိတဲ့ ဘာသာရပ္ေတြကို ေလ့လာေနသူေတြ အတြက္လဲ အလြန္အသံုး၀င္တဲ့

ဘာသာရပ္ျဖစ္ပါတယ္။ လက္ေတြ ့မွာလဲ Power Electronics နည္းပညာကုိ ေခတ္ေပၚ Smart Phones ေတြ၊
Auto Pilot Systems၊ Robotics & Artificial Intelligence (AI) ေတြမွာ ေတြ ့၇ွိႏုိင္ပါတယ္။ ဒီစာအုပ္ဟာ
ျမန္မာျပည္မွ ေက်ာင္းသူ ေက်ာင္းသားမ်ား၊ နည္းပညာေလ့လာေနသူမ်ားအတြက္ အက်ိဳးျပဳေသာ
ေပါင္းကူးတံတားေလးတစ္စင္းျဖစ္မယ္ဆုိရင္ျဖင္ ့ေရးသားရက်ိဳးနပ္ပါေၾကာင္း ေလးစားစြာျဖင့္
တင္ျပအပ္ပါတယ္။

မွတ္ခ်က္။ ။ ဒီစာအုပ္ပါ အေၾကာင္းအရာမ်ားဟာ စာေရးသူ ကုိယ္တုိင္ ဖတ္မွတ္ ေလ့လာအခ်ိန္ယူျပီး

စာေတြ ့လက္ေတြ ့ အလုပ္ခင
ြ ္နဲ ့ဆက္စပ္ျပီး ေရးသားထားျခင္းျဖစ္သည့္အတြက္ မိမ
ိ ၏
ိ အမည္ခံျပီး
ကူးယူေရးသားျခင္းတုိ ့မျပဳလုပ္ၾကပါရန္ ေလးစားစြာျဖင့္ ပန္ၾကားအပ္ပါသည္။ လြတ္လပ္စြာ တဆင့္ျပန္လည္
မ်ွေ၀ႏုိင္ပါတယ္။

Power Engineering နည္းပညာရွင္မ်ားစြာ ေပၚထြက္လာႏုိင္ၾကပါေစ။

ေက်းဇူးတင္လ်က္

ေက်ာ္ေဇယ်ာ(Knowledge in Power Engineering)

BE(Marine Electrical and Electronics Systems, MMU)

MPE(Power Engineering, USYD)

Senior Electrical ASP Level 3 Design Engineer (North Sydney, Australia)

Page 3
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား အပိုင္း ၁

Power Engineering ဘာသာရပ္နဲ့ ပတ္သက္ျပီး သိရမဲ ့ဘာသာရပ္တစ္ခုကေတာ့ Power Electronics

ဘာသာရပ္ပဲျဖစ္ပါတယ္။ Power Electronics နည္းပညာဟာ တကယ္ေတာ့ ယေန့ေခတ္
တုုိးတက္လာတဲ ့နည္းပညာဆိုင္ရာ ပစၥည္းေတြ အမ်ားစုုနဲ ့မကင္းႏုုိင္ပါဘူး။ Robotics ၊ Renewable Energy
Systems, Smart Grid, Automation, HVDC Transmission, Control Systems ေတြ အားလံုးဟာ Power
Electronics နည္းပညာနဲ ့ဆက္စပ္ေနတာပါ။

Electrical/Electronicsေက်ာင္းသားေတြ၊နည္းပညာေလ့လာေနသူေတြအတြက္လဲမရွိမျဖစ္သိသင့္တဲ့
ဘာသာရပ္ျဖစ္ပါတယ္ ။

ဒါေၾကာင့္ Power Electronics ဘာသာရပ္ကုိ စာေတြ ့လက္ေတြ ့ဆက္စပ္ျပီး ကြ်န္ေတာ္ ေလ့လာခဲ့သမွ်

နားလည္သေလာက္အပိုင္းလုုိက္ ျပန္လည္ေရးသားသြားမွာ ျဖစ္ပါတယ္။

Power Electronics System

Power Electronics နည္းပညာဆိုတာ လုုိအပ္တဲ ့desired output တစ္ခုကုိ ရရွဖ

ိ ုိ ့အတြက္ inputs (Voltage,
Current, frequency) ေတြကုိ switching နည္းပညာ သံုးျပီး စြမ္းအင္ကုိ ထိေရာက္စြာ
ထိန္းခ်ုဳပ္ေပးတဲ ့နညး္ပညာလို ့အလြယ္တကူမွတ္သားႏုုိင္ပါတယ္။ Closed loop Control System
တစ္ခုလို ့လဲ ဆုုိႏုိင္ပါတယ္။ ပံု ၁.၁ မွာ ၾကည့္ပါ။

ပံု ၁.၁ Closed Loop Control System with feedback

Page 4
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

Power Electronics Vs Linear Electronics System

Linear Electronics System

ကြ်န္ေတာ္တု ိ့ ေက်ာင္းသားဘ၀က Linear Electronics ကုုိ ေလ့လာခဲ့ၾကပါတယ္။ Linear Components

ပစၥည္းေတြ အားလံုးဟာ အပူကုိ ထိန္းခ်ဳပ္ႏဳိင္စမ
ြ ္းမရွိၾကပါဘူး။ ဥပမာ၊ ၊ Linear IC ကုုိ ပဲၾကည့္ပါ။ Linear IC
ေတြကုိ ကြ်န္ေတာ္တုိ ့Power Supply ေတြ အမ်ားစုုမွာ သံုးၾက Dပါတယ္။ 7805 IC ဆိုရင္ ကြ်န္ေတာ္တုိ ့ 5V
Power Supply ေတြ အမ်ားစုုမွာ သံုးၾကပါတယ္။ 7812 ဆို 12V Supply ေတြေပါ့၊ သူတုိ ့ဟာ
တည္ေဆာက္ရလြယ္ကူျပီး ေစ်းသက္သာပါတယ္။ သူတုိ ့ရဲ့ အားနည္းခ်က္က Electrical Isolation (safety)
အတြက္ Line Transformer (50/60Hz frequency) ေတြ သံုးရတာမ်ိဳး၊ ျပီးေတာ့ သူတုိ ့ဟာ Switching
Device မွာ Power Dissipation လို ့ေခၚတဲ ့Energy ေလ လြင့္မွု မ်ားတာ ျဖစ္ပါတယ္။ ပံု ၁.၂မွာ Linear IC
တစ္လံုးရဲ့ အေျခခံ တည္ေဆာက္ပံုကုိ ေလ ့လာႏုုိင္ပါတယ္။

ပံု ၁.၂ Linear IC တစ္လံုး၏ အေျခခံတည္ေဆာက္ပံု

ပံု ၂ ကိုၾကည့္ရင္ စစခ်င္း line voltage (230V/50Hz AC) ကုုိ Rectifier လို ့ေခၚတဲ ့AC to DC converter က
DC အျဖစ္ေျပာင္းလဲ ေပးပါတယ္။ ျပီးေတာ့ သူ ့ေနာက္က Capacitor နဲ့ line မွာ ပါလာတဲ့ Ripple voltage
ေတြကုိ Filter လုုပ္ယူပါတယ္။ ျပီးေတာ့မွ လိုခ်င္တဲ ့Voltage တန္ဖို းရေအာင္ Transistor နဲ ့On/off
လုုပ္ယူပါတယ္။ ဒါေၾကာင့္ သူ ့ရဲ ့output waveform ကုုိ ၾကည့္ရင္ output voltage ရဖို ့အတြက္ input
voltage ကို ေလ်ာ့ခ်ရပါတယ္။ ဒါေၾကာင့္ Input > Output ျဖစ္ပါတယ္။ ဒါဟာ စြမ္းအင္
ျဖဳန္းတီးတာပဲျဖစ္ပါတယ္။ linear IC ေတြဟာ current 1A ေအာက္ circuit

Page 5
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ေတြမွာပဲအသံုးျပဳဖို ့သင့္ေတာ္ပါတယ္။ ဒီလို ျပႆနာ ေတြကုိ Power Electronics နည္းပညာနဲ့

ေျဖရွင္းႏုုိင္ပါတယ္။

Power Electronics System

Power Electronics System (ပံု ၁.၃) ကုုိၾကည့္ရင္ သူ ့ရဲ့ input voltage (မ်ားေသာအားျဖင့္ DC input
ျဖစ္ေလ့ရ)ွိ မွာ Electrical Isoation for Safety အတြက္ Line Frequency Transformer (50/60Hz) အစား
High Frequency (normally from 10kHz onwards) transformer သံုးထားပါတယ္။ ဒါေၾကာင့္ Size ေရာ
Weight ေရာ ေသးငယ္သြားပါတယ္။ ဒုုတိယအခ်က္က On/off Switch အစား High Frequency Switch ကုုိ
သံုးထားတဲ့အတြက္ Energy ကို ေခြ်တာရာေရာက္ပါတယ္။ ဥပမာ ၊ ၊ တစ္ခ်ိန္လံုး ဖြင့္ထားတဲ ့မီးလံုးနဲ ့မသံုးရင္
ပိတ္ထား ၊လိုရင္ သံုး (ဖြင့္လုိက္ပိတ္လိုက္လုပ္တဲ ့မီးလံုး ၂ လံုးမွာ ဒုုတိယမီးလံုးက မီတာခ
သက္သာတယ္ေပါ့ဗ်ာ။ ျပီးေတာ့ တတိယအခ်က္က လိုအပ္တဲ ့အခ်ိန္မွာ waveform shaping
လုုပ္ႏုိင္ပါတယ္။ ဒါေၾကာင့္ DC-AC inverter ေတြ ဆိုလာအင္ဗာတာေတြမွာ Power Electronics
နည္းပညာကုုိ အသံုးျပဳရပါတယ္။ ဘယ္လို လုုပ္သလဲဆုိတာ ေနာက္အပုုိင္းေတြ မွာ
ဆက္လက္တင္ျပသြားပါ့မယ္။ ေစာေစာက Linear IC ေတြ နဲ ့ယွဥ္လုိက္ရင္ Switching IC ေတြဟာ
ေနာက္ပိုင္း အသံုးမ်ားလာၾကပါတယ္။ SMPS (Switching Mode Power Supply) လို ့လဲ ေခၚၾကပါတယ္။

ပံု ၁.၃ Switching Mode Power Electronic System

Page 6
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

Power Processor and Power Converter

Power Electronics က ဘာေတြလုပ္ေပးမွာလဲ ေလ့လာၾကည့္ၾကရေအာင္။ Power Electronics ပစၥၫ္းေတြရဲ့

processed output ေတြဟာ အုုပ္စုအားျဖင့္

၁။ DC (Constant magnitude )

၂။ DC (Adjustable magnitude)

၃။ AC (Constant Frequency+Adjustable magnitude)

၄။ AC (Adjustable Frequency+Adjustable magnitude) ဆိုျပီး ၄ မ်ိဳးပဲရွိပါတယ္။

Converter ေတြကုိေတာ့ Frequency ေပၚမူတည္ျပီး

၁။ AC to DC

၂။ DC to AC

၃။ DC to DC

၄။ AC to AC ဆိုျပီး ၄ မ်ိဳး ခဲြျခားႏုုိင္ပါတယ္။

Converter ေတြကုိ

၁။ Line frequency (naturally Commutated) Converters (50/60Hz switching)

၂။ Switching (Forced Commutated) Converters (High Frequency Switching)

၃။ Resonant and Quasi Resonant Converters- switching at zero voltage /zero current) ဆိုျပီး
လုုပ္ေဆာင္ပံုေပၚမူတည္ျပီး ခြဲျခားထားႏုုိ္င္ပါတယ္။

အခုုဆုိရင္ Power Electronics နဲ ့ပတ္သက္တဲ ့အက်ိဳးေက်းဇူးေတြနဲ ့ သေဘာတရားေတြကုိ အၾကမး္ဖ်င္း

သေဘာေပါက္ၾကမယ္လို ့ယူဆပါတယ္။

Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာ အပုုိင္း ၂

ျပီးခဲ့တဲ့ အပုုိင္း ၁ မွာ Power Electronics System နဲ ့ Linear Electronics System တို ့ရဲ့ ကြာျခား ပံု ကုုိ
ေရးသားခဲ့ပါတယ္။ အခုု ဒီအပုုိင္းမွာေတာ့ Power Electronics မွာ ပါ၀င္တဲ ့Devices ပစၥည္းေတြ အေၾကာင္းကုုိ

Page 7
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ေရးသားသြားပါ့မယ္။ Power Electronics Devices ေတြ ရဲ့ အလုုပ္လုပ္ပံု ကုုိ ေသခ်ာ သိမွသာ Circuit Design
ကုုိ စနစ္တက် နားလည္မွာ ျဖစ္ပါတယ္။ ကုုိယ္တုိင္ ဒီဇုိင္းလုုပ္ႏုိင္မွာျဖစ္ပါတယ္။

Semiconductor Switches
-------------------------------------------
တကယ္ေတာ့ Power Electronics Devices ေတြဟာ Semiconductor On/OFF Switches ဖြင့္ပိတ္ခလုုတ္
ေတြ ပါပဲ။ မီးခလုုတ္ေတြ လိုပဲ ေပါ့ ။ ဒါေပမဲ့ သူတို ့အလုုပ္လုပ္ဖို ့အတြက္ သက္ဆုိင္ရာ Frequency Voltage
ေတြ နဲ ့လိုအပ္တဲ ့Desired Output ရေအာင္ Control ထိန္းခ်ဳပ္ေပးရပါတယ္။

Power Semiconductor Switches ေတြကုိ Control လုုပ္ႏုိင္မွု ေပၚမူတည္ျပီး အဓိကအားျဖင့္

၁။Diodes
၂။Thyristors
၃။ Controllable Switches ဆိုျပီး ၃ မ်ိဳး ခြဲျခားႏုုိင္ပါတယ္။

၁။Diodes -အဖြင့္အပိတ္ကို Power Circuit နဲ ့ထိန္းခ်ဳပ္တယ္။

၂။Thyristors- Switch On ဖို ့Control Circuit က ထိန္းခ်ဳပ္ျပီး Switch Off ဖို ့Power Circuit နဲ့
လုုပ္ေဆာင္ရပါတယ္။
၃။ Controllable Switch ေတြကုိေတာ့ Control Circuit နဲ ့ON/OFF လုုပ္ႏုိင္ပါတယ္။

Power Circuit နဲ ့Control Circuit

-----------------------------------------------------
Power Circuit ဆိုတာ Circuit ကို ေပးထားတဲ ့Power Supply ဥပမာ။ ။ 5V/12V/ 240V AC/DC lines ေတြ
ျဖစ္ျပီး Control Circuit ကေတာ့ magnitude အနည္းငယ္ပဲ၇ွိတဲ့ (3.3V/ 5V မ်ားေသာအားျဖင့္
DC )နဲ ့ထိန္းခ်ဳပ္တဲ ့Circuit ေတြ ပါပဲ ။

Power Semiconductor Switches ေတြထဲမွာ Controllable Switches ေတြကုိ Bipolar Junction

Transistors (BJTs), Metal Oxide Field Effect Transistors (MOSFETs), Gate Turn-Off Thyristors
(GTOs), Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) , MOS-Controlled Thyristor (MCTs) ဆိုျပီး
ထပ္မံ ခဲြျခားထားပါတယ္။ အဓိကအားျဖင့္ သူတုိ ့ေတြ အားလံုးဟာ အသံုးျပဳႏုုိင္ တဲ ့Frequency နဲ ့Voltage
Capability ေပၚမူတည္ျပီး ခဲြျခားႏုုိင္ပါတယ္။ ပံု ၂.၁ မွာ ၾကည့္ပါ။

Page 8
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ပံု ၂.၁ Controllable Switches and their Capabilities

ဒါဆို အခုု Diodes ေတြ အလုုပ္လုပ္ပံုကုိ စေလ့လာၾကည့္ရေအာင္။

Semiconductor Diodes ေတြဟာ Circuit ေတြမွာ မရွမ

ိ ျဖစ္ အေရး ပါတဲ့ ပစၥည္း တစ္ခုပါပဲ။ ပံု ၂.၂ ကို
ၾကည့္ရင္ သူတုိ ့ရဲ ့Characteristic Curve နဲ ့Symbol ကုုိ ေတြ ့ႏုိင္ပါတယ္။

သူတုိ ့မွာ Anode(A)နဲ့ Cathode (K) ဆိုျပီး အစႏွစ္ဖက္ရွိပါတယ္။ Anode ကုုိ Positive Power Supply
ေပးျပီး Cathode ကုုိ zero Voltage ေပးရင္ Forward Bias လို ့ေခၚပါတယ္။ ေျပာင္းျပန္ေပးရင္ေတာ့
Negative Bias ေပါ့ဗ်ာ။ ပံု ၂.၂ Curve မွာ ၾကည့္ရင္ ပထမဆံုး Anode ကို positive volt ေပးလုုိက္တာနဲ ့Id
(Diode Current ) ဟာ အခ်ိန္ အနည္းငယ္ (microseconds ) အတြင္းမွာပဲ Diode ကုုိ ျဖတ္ျပီး
စီးဆင္းသြားပါတယ္။ ပံရ
ု ဲ ့ညာဘက္ Curve မွာၾကည့္ႏုိင္ပါတယ္။ Ideal Diode (တကယ္မွာေတာ့ မရွ-ိ Design
လြယ္ကူေစရန္) ေတြမွာေတာ့ ခ်က္ခ်င္း ဆိုသလိုပဲ +0.000001(almost a bit positive bias) Volt
ေလာက္မွာတင္ Id ကို ခ်က္ခ်င္း စီးဆင္းခြင့္ေပးလိုက္ပါတယ္။ ဒါကို Ton Time (ခလုုပ္ဖင
ြ ့္ ခ်ိန္)
လို ့သတ္မွတ္ႏုိ္င္ပါတယ္။

ကဲအခုု ေျပာင္းျပန္ ေပးၾကည့္ပါတယ္။ Anode ကုုိ Negative Bias ေပးတဲ့အခါ Diode ဟာ သူ ့ရဲ့
သတ္မွတ္တဲ ့Voltage မေရာက္ခင္အထိ ေတာင့္ခံထားႏုုိင္ပါတယ္။ သေဘာက ပံု၂.၂ရဲ ့ဗယ္ဘက္ Curve ကုုိ
ၾကည့္ရင္ Negative Bias (Negative Voltage ) ေပးတဲ့အခါ Negative Id ဟာ ခ်က္ခ်င္း မစီးႏုုိင္ပါဘူး။

Page 9
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ဒီလိုျဖစ္ေအာင္ တမင္လုပ္ထားပါတယ္။ Semiconductor အေၾကာင္း အေသးစိတ္ေတာ့ မရွင္းျပေတာ့ပါဘူး။

သိခ်င္ရင္ အေျခခံ Diode Electrons အလုုပ္လုပ္ပံုကုိ ေလ့လာၾကည့္ၾကပါ။

ပံု ၂.၂ (a) Diode Symbol

(b) Diode Characteristic Curve
(c) Ideal Curve (တကယ့္လက္ေတြ ့မွာ မျဖစ္ႏုိင္)

အဲဒီေတာင့္ခံႏဳိင္တဲ ့Volt ကုုိ Reverse Breakdown Voltage လိ ု့ေခၚပါတယ္။ အဲဒီထက္ ေက်ာ္ျပီး Negative
Bias ေပးမိရင္ေတာ့ Diode ဟာ Id အမ်ားၾကီးစီးသြားျပီး ၾကြသြားပါလိမ့္မယ္။ ဒါဟာ သူ ့ကုိ Negative Bias မွာ
မလုုပ္ႏဳိင္ေအာင္ တားဆီးထားတာပဲျဖစ္ပါတယ္။

ခုုဆက္ျပီး ေစာေစာက Positive Bias ေပးရာကေန ရုုတ္တရက္ Negative Bias ေပးၾကည့္ရေအာင္။

ဒီလိုအခ်ိန္မွာ Id ဟာ Curve မွာျပသလို ခ်က္ခ်င္း zero မျဖစ္သြားပါဘူး။ တကယ္တမ္းမွာ zero
ေရာက္ဖုိ ့အတြက္ reverse recovery time (trr) ၾကာပါတယ္။ ပံု ၂.၃ ကုုိ ၾကည့္ပါ။ အၾကမ္းဖ်င္းေျပာရင္ ဒီtrr
အနည္းအမ်ားေပၚမူတည္ျပီးCircuitအလုုပ္လုပ္ပံုျမန္တာေႏွးတာကြာပါတယ္။
ျပီးေတာ ့ဒီtrr ရွျိ ခင္းအားျဖင့္ Diode ရဲ ့reverse အေျခအေနမွာ reverse current စီးေစလို ့reverse voltage
ကုုိ ေတာင့္ခံေပးထားႏုုိင္တာပဲျဖစ္ပါတယ္။ magnetic circuit ေတြမွာေတာ့ ဒီ trr Reverse Current ေၾကာင့္
OverVoltage ျဖစ္ေစပါတယ္။

ပံု ၂.၃ Reverse Recovery Time (trr)

Page 10
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

Diodeေတြကိုလဲအသံုးျပဳပံုအရ...
၁။ Schottky Diode - Forward Voltage Drop (Bias) 0.3V ေလာက္နဲ့အလုုပ္လုပ္တဲ့ Low Voltage circuit
ေတြမွာ သံုးပါတယ္။ Blocking Voltage 50-100V ထိ သံုးႏုုိင္ပါတယ္။
၂။ Fast Recovery Diode- High Frequency circuit ေတြမွာ အသံုးျပဳတယ္။ trr reverse recovery time
နည္းတဲ့အတြက္ အရမ္းျမန္ျပီး Voltage၊ Current ရာေက်ာ္ အထိရွိတဲ့ Power Circuit ေတြမွာ သံုးႏုုိင္ပါတယ္။
၃။ Line Frequency Diode- Forward Voltage (0.6V) ေလာက္မွာ အလုုပ္လုပ္ျပီး trr မ်ားပါတယ္။
ဒီအမ်ိဳးအစားေတြကုိေတာ့ Kilo Volt/ KAmps ေတြ ထိရွိတဲ ့Power Circuit ေတြမွာ သံုးပါတယ္။

Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာ အပုုိင္း ၃

ျပီးခဲ့တဲ ့အပိုင္း ၂ မွာ Power Electronics နဲ့ ပတ္သက္တဲ ့Semiconductor Diode ေတြ အေၾကာင္းကုုိ
ေရးသားခဲ့ပါတယ္။ အခုု ေနာက္ထပ္ Diode နဲ့အလုုပ္လုပ္ပံု ဆင္တူတဲ့ Thyristor အေၾကာင္းကုုိ
ေလ ့လာၾကည့္ၾကရေအာင္။

Thyristor အလုုပ္လုပ္ပံု

Thyristor ရဲ ့သေကၤတ ပံု ၃.၁ ကုုိ ၾကည့္ရင္ Diode လိုမ်ိဳး Anode (A) နဲ ့ Cathode (K) ဆိုတာ ပါတဲ ့အျပင္
သူ ့မွာ Gate (G) ဆိုတဲ့ Pin ပါ၀င္လာပါတယ္။ Thyristor ဟာ Diode နဲ ့မတူတာက Switching နဲ ့Control
လုုပ္ႏုိင္တဲ့ ပစၥည္းတစ္ခုျဖစ္ပါတယ္။

ပံု ၃. ၁ Thyristor Circuit

Thyristor ကုုိ Diodeလိုမ်ိဳး Anode Cathode ကုုိ Forward Bias ေပးထားရံုနဲ ့အလုုပ္မလုုပ္ႏုိ္င္ပါဘူး။ Current
ျဖတ္မစီးသြားပါဘူး။ Thyristor ရဲ့ Gate pin က ေန logic pulse signal တစ္ခု ( 0->1) ေပးလိုက္တဲ့အခါမွ
သူ ့ရဲ့ Forward Breakdown Voltage ေပးထားမယ္ဆုိရင္ Conduction ျဖစ္ျပီး Current (IA)
ျဖတ္စီးသြားႏုုိင္ပါတယ္။ ပံု ၃.၂ ကုုိ ၾကည့္ပါ။ ဒါဟာ Thyristor Gate Pin ရဲ ့Current Control လုုပ္ႏဳိင္စြမ္းပဲ
ျဖစ္ပါတယ္။

Page 11
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

မွတ္ခ်က္၊ ၊ 0->1 / 1->0 တစ္စံု ေပးတာကို Pulse လို ့ေခၚျပီး Pulse ေတြကုိ ဆက္တုိက္ ေပးတာမ်ိဳးကုုိ Pulse
Train လို ့ေခၚပါတယ္။

အခုုဆိုရင္ Gate pulse ေပးျပီး Thyristor ON လိုက္ပါျပီ၊ အခုုအခ်ိန္မွာ Gate Signal ကုုိ
ျဖဳတ္လိုက္ေပမဲ ့Thyristor ဟာ ဆက္ျပီး ON state မွာပဲ ရွေ
ိ နမွာပါ။ သူ ့ကုိ OFF ျဖစ္ေစခ်င္တယ္ဆုိရင္ Vak
(Anode to Cathode Voltage)ကုုိ Threshold Level ထက္နည္းေအာင္ ေပးရပါတယ္။ Reverse Voltage
ေပးလိုက္တယ္ဆုိရင္ Diode လိုမ်ိဳး OFF state ျဖစ္သြားပါတယ္။ သတ္မွတ္ထားတဲ့ Reverse Voltage
ထက္ေက်ာ္သြားရင္ေတာ့ Diode လိုမ်ိဳး Thyristor Breakdown ျဖစ္သြားပါလိမ့္မယ္။ ပံု ၃.၂ရဲ ့Negative Bias
ကုုိ ၾကည့္ပါ။

ပံု ၃.၂ Thyristor Characteristic Curve

ပံု ၃.၃ မွာေတာ့ Thyristor အလုုပ္လုပ္တဲ ့ Waveform ကို ျပထားပါတယ္။ Thyristor ကုုိ AC Voltage
ေပးထားတဲ့အခါ Positive Cycle မွာ စစခ်င္း Iak=0 ပါ ၊ Vak (Threshold Forward Voltage ) ေက်ာ္မွ Gate
pulse ေပးလိုက္မယ္ဆုိရင္ စျပီး IA(Anode to Cathode Current) စီးသြားပါတယ္။ Negative Cycle
ေရာက္တဲ့ အခါ Ideal Characteristics အရ IA က ခ်က္ခ်င္း Zero ျပန္ျဖစ္သြားမွာပါ။ ပံဳ ၃.၃မွာ ၾကည့္ပါ။

Page 12
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ပံု ၃.၃ Thyristor Waveform when triggered

ဒါေပမဲ ့တကယ့္ Thyristor ေတြဟာ Diode လိုမ်ိဳးပဲ Negative Bias ေပးလိုက္တဲ့အခါ ခ်က္ခ်င္း Zero
Current ျဖစ္မသြားပါဘူး။ သူ ့မွာ Negative Current တစ္ခု စီးသြားျပီးမွ Zero ကုုိ ေရာက္သြားပါတယ္။
ၾကာခ်ိန္ကုိ Trr (Reverse Recovery Time) လို ့ေခၚပါတယ္။ ပံု ၃.၄ ကို ၾကည့္ပါ။ Diode လိုပါပဲ။ ဒါေပမဲ့
Diode နဲ့ မတူတာက Thyristor ေတြဟာ Negative Bias ေပးတဲ့အခါမွာ Trr ၾကာခ်ိန္အျပင္ Tq (Turn-off
time Interval) ဆိုတာ ပါလာပါတယ္။ သေဘာက Negative Bias ေပးတဲ့အခါ Reverse Current ၾကာတဲ့
အခ်ိန္အျပင္ Thyristor Voltage zero ကို ျပန္ေရာက္ရွိမဲ ့အခ်ိန္ကုိပါ ထည့္ေပးထားပါတယ္။ ဒါဟာ Safety
Reason ေၾကာင့္ပါ။ တကယ္လို ့Thyristor က လံုေလာက္စြာ Off မျဖစ္ေသးပဲ Vak ( Forward Bias) ကုုိ
Threshold level ေရာက္ေအာင္ ေပးလိုက္တဲ့အခါ Thyristor ဟာ အျမဲတမ္း ON အေျခအေနမွာပဲ
ေရာက္ရွိသြားျပီး Thyristor ပ်က္စီးသြားႏုုိင္ပါတယ္။ ဒါေၾကာင့္ Circuit Design စဥး္စားတဲ့အခါ Tq
ၾကာျပီးတဲ့အခ်ိန္က်မွပဲ Vak ကုုိ ေပးႏဳိင္ဖို ့လိုပါတယ္။

ပံု ၃.၄ Reverse Recovery Time (Thyristor)

ဒါေၾကာင့္ Thyristor Circuit တစ္ခုကုိ Design လုုပ္တဲ့အခါ Forward Voltage Drop, Trr, Tq, rate of
change of current (Turn ON), rate of change of voltage( Turn-OFF) စတဲ ့Parameters ေတြကုိပါ
ထည့္စဥ္းစားရပါတယ္။

Page 13
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

Thyristor ေတြကုိလဲ အသံုးျပဳပံုေပၚမူတည္ျပီး အဓိက အမ်ိဳးအစား ၃ မ်ိဳး ထပ္ခြဲႏုိင္ပါတယ္။

၁။ Phase Controlled Thyristor

Converter Thyristor လို ့လဲေခၚပါတယ္။ Line Frequency (50/60Hz) မွာ အလုုပ္လုပ္ပါတယ္။ Wave
Shape လုုပ္ဖို ့အတြက္ပါ။ AC/DC motor drive ေတြနဲ ့HVDC Transmission lines ေတြမွာ သံုးပါတယ္။
1000V- 7KV, 4000A ေလာက္ထိ Handle လုုပ္ႏုိင္ပါတယ္။ 1000V ေတြမွာ Vak=1.5V , 5-7kV ဆုုိရင္
Vak=3V ေလာက္နဲ ့Turn On လုုပ္ႏုိင္ပါတယ္။

၂။Inverter Grade Thyristor

ဒီ Thyristor ေတြဟာ Tq Time ကုုိ အနည္းဆံုးျဖစ္ေအာင္ ျပဳလုုပ္ထားပါတယ္။
Turn off time ဟာ 100 microseconds ေလာက္ပဲ ရွိပါတယ္။2500V 1500A ေလာက္ထိ Handle
လုုပ္ႏုိင္ပါတယ္။

၃။Light Activated Thyristor

ဒီ အမ်ိဳးအစားေတြကုိေတာ့ Light pulse နဲ့ အသံုးျပဳျပီး Turn On ျပဳလုုပ္ပါတယ္။ Optical Fibre
ေတြနဲ ့တသ
ြဲ ံုးပါတယ္။ HVDC Transmission ေတြမွာ Series Thyristor ေတြ (Converter
အဖြင့္အပိတ္လုပ္တဲ့ Valve သေဘာ) အေနနဲ့ ေတြ ့ရမွာပါ။ 4kV, 3kA ထိ Handle လုုပ္ႏုိင္ပါတယ္။ 2V
ေလာက္နဲ ့ Turn On ျဖစ္ေစပါတယ္။

အသံုးျပဳပံုေပၚမူတည္ျပီး Thyristor ေတြအေနနဲ ့GATE-assisted Turn-off Thyristors(GATTs),

Asymmetrical silicon controlled rectifiers(ASCRs) နဲ ့ Reverse-conducting Thyristor (RCTs)
ဆိုျပီးေတာ့လည္း၇ွိပါေသးတယ္။

Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာ အပို္င္း ၄

Desired Characteristics in Controllable Switches

အဓိက အားျဖင့္ Ideal Controllable Switch ေတြဟာ

၁။OFF State မွာ Current လံုး၀ ျဖတ္မစီးပါဘူး။

၂။ON State မွာ Voltage drop လံုး၀မရွိပါဘူး။
၃။Power Loss လံုး၀ မရွိပါဘူး ။ (ျဖည့္စြက္ခ်က္)

ဒီလို Ideal Characteristics ရွိတဲ့ Switch ေတြဟာ သီအိုရီအရပဲ ျဖစ္ႏုိင္ပါတယ္။

Page 14
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

တကယ့္လက္ေတ ြ ့အေျခအေနကုုိ ေလ့လာဖို ့အတြက္ ပံု ၄.၁ က Switching Circuit ကုုိ ၾကည့္ၾကရေအာင္။
ပံု ၄.၁ ရဲ ့Switching circuit model ကုုိ ၾကည့္ရင္ Switch OFF ျဖစ္ေနခ်ိန္မွာ Io က Switch ကုုိ လံုး၀
မျဖတ္စီးႏုုိင္ပါဘူး။ဒီအခ်ိန္မွာVd=VTေပါ့။
Switch ON ျဖစ္ေနခ်ိန္မွာ IT= Io ပါ၊ Io ဟာ Switch ကုုိ ျဖတ္စီးသြားပါတယ္။ ဒါေပမဲ ့Delay Time
တစ္ခုၾကာျပီးမွ ေဖာ္ျပခဲ့တဲ့ အေျခအေနေတြကုိ ေရာက္ရွိတာျဖစ္ပါတယ္။

ပံု ၄.၁ Simplified Clamped Inductive Switching Circuit

ပံု ၄.၂ Wave form ကုုိ ၾကည့္ရင္ လက္ေတြ ့Delay Time ပါ၀င္တဲ့ အေျခအေနကုုိ ေလ့လာႏုုိင္ပါတယ္။

ပံု ၄.၂ Switching waveform & Instantaneous Power Loss

၁။ ON Signal or Positive Bias ေပးလိုက္တဲ့အခါ Switch တစ္ခုဟာ Fully ON State ေရာက္ဖို ့အတြက္
Device On Time (Td on) လို အပ္ပါတယ္။ ျပီးေတာ့ မွ tri လိုိ ့ေခၚတဲ ့Current Rise Time နဲ ့tfv

Page 15
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

လိ ု့ေခၚတဲ ့Voltage falling time ဆိုတဲ ့Vd zero ျဖစ္သြားဖို ့အတြက္ အခ်ိန္လို အပ္ပါတယ္။ အဲဒီအခ်ိန္ ၂ ခုု
ေပါင္းကုုိ (Tc on) Conduction ON Time လို ့ေခၚပါတယ္။ ျပီးောက္တာ့ မွ Vd zero ျဖစ္ျပီး Current က Io
ေ၇ာက္ရွိသြားပါတယ္။

၂။OFF Signal or Reverse Bias ေပးလိုက္တဲ့အခါ Switch တစ္ခုဟာ Fully OFF State ကုုိ
ေရာက္ဖို ့အတြက္ Device Off Time (Td off) လိုအပ္ပါတယ္။ ျပီးေတာ့မွ trv လို ့ေခၚတဲ ့Voltage Rise Time
နဲ ့tfi လို ့ေခၚတဲ့ Current Falling time လို အပ္ပါတယ္ ။ ၁ နဲ ့ဆန္ ့က်င္ဘက္ Io zero ျဖစ္သြားဖို ့ၾကာခ်ိန္ေပါ့
။ အဲဒီ trv နဲ ့tfi ၂ ခုုေပါင္းကုုိ ( Tc off) Conduction OFF time လိ ု့ေခၚပါတယ္။ Voltage က Vd ကို
ေရာက္ျပီး Current က zero ျဖစ္သြားတဲ ့အေျခအေနေပါ့ ။

၃။ ေဖာ္ျပခဲ့တဲ့ ၁ နဲ ့ ၂ အေျခေနေတြေၾကာင့္ Switching Power Loss ျဖစ္လာပါတယ္။ ON State မွာ တစ္ခါ

OFF State မွာ တစ္ခါပါ။ ပံု ၄.၂ ေအာက္ဆံုးက Waveform ကုုိ ၾကည့္ပါ။ Wc (On) Wc (Off) ဆိုျပီး ၂ခုု
၇ွိပါတယ္။ ဘယ္လိုရသလဲဆို၇င္ Area under triangle ( 1/2*Base*Height) နဲ ့တြက္ထားတာပါ။
Switching Powerloss ကုုိ တြက္ၾကည့္ရင္ Ps= 1/2Vd*Io*fs* (tc(on)+ tc(off))
Switching loss အျပင္ Switch ON ျဖစ္ေနခ်ိန္မွာ P(on)= Von * Ion * (ton/T) ဆိုတဲ့ ON State loss
ဆိုတာလဲ ရွိပါတယ္။ OFF ျဖစ္ေနခ်ိန္မွာ ေတာ့ Leakage current က အနည္းငယ္မွ်သာရွိတဲ့အတြက္ Neglect
လုုပ္ႏုိင္ပါတယ္။ ဒီေတာ့ အႏွစ္ခ်ဳပ္လိုက္ရင္ Switching Device တစ္ခု ရဲ့ Power loss= Switching loss+
ON State loss ျဖစ္သြားပါတယ္။
ဒါေၾကာင့္ Power Switch တစ္ခုကုိ ေ၇ြးဖို ့အတြက္
1. small Leakage current at OFF State
2. small ON State Voltage to minimise Power loss
3. Ton, Toff time အနည္းဆံုးျဖစ္ရပါမယ္။ ဒါေၾကာင့္ Higher Switching frequency (fs)
နဲ ့အလုုပ္လုပ္ႏို္င္တဲ့ Device ကုုိ ေရြးခ်ယ္ရပါတယ္။
4. dv/dt or di/dt rating ျမင့္တဲ ့Device ျဖစ္၇မယ္။ တနည္းအားျဖင့္ Voltage နဲ ့ Current ေျပာင္းလဲမွုကို
ခံႏုိင္တဲ့ Device ျဖစ္ရမယ္။ ဒါမွ current voltage limit လုုပ္တဲ ့External circuit ေတြ အသံုးျပဳစရာ
မလိုအပ္မွာ ျဖစ္ပါတယ္။

Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာ အပို္င္း ၅

Bipolar Junction Transistors and Monolithic Darlingtons

Bipolar Junction Transistors(BJT) ေတြဟာ Power Electronics အသံုးမ်ားတဲ့ Switching Devices

ေတြထဲက တစ္ခုျဖစ္ပါတယ္။ BJT ေတြကုိ On/Off Switching Circuit ေတြနဲ ့Amplifier Circuit ေတြမွာလဲ
အသံုးျပဳၾကပါတယ္။

Page 16
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

သူ ့ရဲ ့ သေကၤတ ကုုိ ပံု ၅.၁ မွာ ျပထားပါတယ္။ Base, Collector, Emitter ဆိုျပီး terminal ၃ ခုု ရွိပါတယ္။

ပံု ၅.၁ Symbol of BJT (NPN)

Steady State I-V curve ကုုိ ပံု ၅.၂မွာၾကည့္ရွုႏုိ္င္ပါတယ္။

ပံု ၅.၂ i-v Characteristic Curve

ပံု၅.၃မွာေတာ့ ideal state ကို ေဖာ္ျပထားပါတယ္။

ပံု ၅.၃ Ideal Curve

BJT Switching Device ကို Turn ON ျပဳလုုပ္ဖို ့အတြက္ Control Circuit ကေန လံုေလာက္တဲ့ Base
Current (iB) ေပးဖို ့လိုပါတယ္။

iB ေပးလိုက္တုိင္း Device က Turn ON ျဖစ္မသြားပါဘူး။ iB ဟာ iC (Collector) Current ေပၚမူတည္ပါတယ္။

ျပီးေတာ့ hFE လို္ ့ေခၚတဲ့ BJT ရဲ့ dc Current gain ေပၚ မူတည္ပါတယ္။

ဆက္သြယ္ခ်က္က IB > (IC/hFE) ျဖစ္ပါတယ္။

Page 17
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

hFE (current gain) တန္ဖိုးဟာ BJT Power Transistor ေတြမွာ

BJT power transistor ေတြ ရဲ့ On State Voltage (VCE(sat)) ဟာ 1-2 Voltage drop ပဲ ရွိရပါတယ္။ ဒါမွ
Conduction Power Loss နဲ မွာပါ။ တကယ္ ့Ideal Device မွာေတာ့ Power Loss zero
သတ္မွတ္ၾကပါတယ္။

BJT ေတြဟာ Current Controlled Device ျဖစ္ပါတယ္။ Voltage အမ်ားၾကီးေပးစရာမလိုပါဘူး။

လံုေလာက္တဲ့ base current ရရင္ Turn ON ျဖစ္သြားပါတယ္။ ဒါေပမဲ့ Base Current မေပးေတာ့ရင္ေတာ့
Turn OFF ျပန္ျဖစ္သြားပါတယ္။ ဒါေၾကာင့္ BJT ေတြ Turn ON ဖို ့အတြက္ Continuous base current
ေပးထားဖို ့လိုပါတယ္။

Monolithic Darlingtons (MD)

current gain ဟာ hFE ေပၚမူတည္ပါတယ္။ hFE တန္ဖိုးမ်ားေလေလ current gain မ်ားေလေလပါပဲ။

ဒါေၾကာင့္ Amplifier circuit ေတြမွာ လံုေလာက္တဲ့ current gain ရဖို ့BJT
ေတြကုိ ္ခ်ိတ္ဆက္အသံုးျပဳရပါတယ္။ Power Electronics Converters ေတြမွာေတာ့ Darlington ၂ ခုု
သို ့မဟုုတ္ ၃ ခုု ခ်ိတ္ဆက္အသံုးျပဳၾကပါတယ္။

Darlington လို ့ေျပာရင္ အနည္းဆံုး BJT transistor ၂ ခုု ခ်ိတ္ဆက္ၾကပါတယ္။ Triple Darlington
ဆိုရင္ေတာ့ transistor ၃ ခုု ခ်ိတ္ဆက္ပါတယ္။ ပံု ၅.၄ မွာ ၾကည့္ပါ။

ပံု ၅. ၄ Monolithic Darlingtons (MD)

Darington transistors ေတြဟာ Gain ျမင့္ေပမဲ့ သူ့ မွာ အားနည္းခ်က္က Response ၊ Switching Time
(few hundred nanoseconds to few microseconds) မ်ားပါတယ္။ သေဘာက Transistor အနည္းဆံုး ၂ခုု
လံုး အလုုပ္လုပ္ဖို ့လိုအပ္တဲ့ အတြက္ ျဖစ္ပါတယ္။

MDs, BJTs ေတြဟာ ေစ်းကြက္မွာ Voltage rating 1400Volts ေလာက္နဲ ့ Current Ratings ရာဂဏန္း
ေလာက္ထိ အမ်ိဳးမ်ိဳး ရွႏ
ိ င
ို ပ
္ ါတယ္။

မွတခ
္ ်က္။ ။BJT ေတြဟာ DC ငircuit/Supply ေတြမွာပဲ အသံုးျပဳၾကပါတယ္။

Page 18
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာ အပို္င္း ၆

Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect Transistors (MOSFETs)

ျပီးခဲ့တဲ ့အပိုင္းမွာ Bipolar Junction Transistors (BJTs) ေတြ အေၾကာင္းတင္ျပခဲ့ပါတယ္. BJTs ေတြဟာ
Current Controlled Device ျဖစ္ပါတယ္။ သေဘာက သူ အလုုပ္လုပ္ဖို ့အတြက္ Base signal တစ္ခုေပးျပီး
Base Current ကုုိ ေျပာင္းလဲေပးရပါတယ္။

အခုုဒီအပို္င္းမွာေတာ့ MOSFET ေတြအေၾကာင္းတင္ျပပါရေစ၊ BJT လိိုမ်ိဳး pin 3 ခုု ရွိပါတယ္။ BJTမွာ Base,
Collector, Emitter နဲ ့ကုိယ္စားျပဳပါတယ္။
MOSFET မွာ Gate, Source, Drain (G,D,S) နဲ ့သတ္မွတ္ပါတယ္။ ပံု ၆.၁ မွာ ၾကည့္ပါ။

ပံု ၆.၁ MOSFET Symbol

BJT နဲ ့မတူတာက MOSFET ေတြဟာ Voltage Controlled Device ေတြ ျဖစ္ၾကပါတယ္။ Gate Voltage
ေျပာင္းလဲမွုေပၚလိုက္ျပီး drain to source current (ID) ေျပာင္းလဲပါတယ္။ သူ ့ရဲ့ characteristic curve ကုုိ ပံု
၆.၂ မွာျပထားပါတယ္။
MOSFET စတင္အလုုပ္လုပ္ဖို ့အတြက္ Forward Voltage ေပး၇ပါတယ္။ အနည္းဆံုးေပးရတဲ့ Gate to
Source Voltage ကုုိ VGS(threshold) လို ့ေခၚပါတယ္။ VGS(th) ေက်ာ္တာနဲ ့ MOSFET ဟာ Drain
Current ကုုိ ျဖတ္စီးခြင့္ျပဳလိုက္ပါတယ္။ ပံု ၆.၂ မွာ ရွဳပါ။

ပံု ၆.၂ MOSFET Characteristic Curve

Page 19
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ပံု ၆.၃မွာေတာ့ Ideal Curve ကို ျပထားပါတယ္။

ပံု ၆.၃ MOSFET (Ideal Curve)

MOSFET ေတြ ဟာ BJT ေတြလိုပဲ ON state ျဖစ္ဖို ့အတြက္ V(GS) ကုုိ ေပးထားရပါတယ္။ မေပးရင္ေတာ့
OFF state ျပန္ေရာက္သြားပါတယ္။

MOSFET ေတြ ၇ဲ့ အားသာခ်က္က Switching time တို ပါတယ္။ few tens of nanoseconds to hundred
nanoseconds ေလာက္ပဲလိုပါတယ္။ သေဘာက BJT ေတြထက္ response time speed ပိုျမန္ပါတယ္။
ျပီးေတာ ့Conduction Loss or ON state loss နဲပါတယ္။

MOSFET ေတြဟာ BJT ေတြထက္ Voltage Rating မ်ားမ်ားခံႏုိင္ရည္ရွိပါတယ္။ ဒါေပမဲ့ သူ ့ရဲ့ Voltage
Rating က အမ်ားဆံုး 1kV အထိပဲရပါတယ္။ Frequency ကေတာ ့အမ်ားဆံုး 30-100KHZ
ေလာက္နဲ ့အလုုပ္လုပ္ႏုိင္ပါတယ္။

Gate Source Voltage က Device အမ်ိဳးအစားေပၚမူတည္ျပီး 5V က ေန 20V ေလာက္ထိ ေပးႏုုိင္ပါတယ္။

MOSFET ေတြရဲ ့On State Resistance တန္ဖိုးဟာ Positive Temperature Coefficient ျဖစ္တဲ့အတြက္
အပူခ်ိန္ျမင့္လာတဲ့အခါ Current ျမင့္တက္လာမွုကုိ ခံႏုိင္ရည္ ရွိေအာင္ Parallel ခ်ိတ္ဆက္
အသံုးျပဳၾကပါတယ္။

Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာ အပုုိ္င္း ၇

Gate Turn-Off Thyristors (GTO)

ျပီးခဲ့တဲ့ အပို္င္းေတြ မွာ ေဖာ္ျပခဲ့တဲ့ BJT MOSFET တို ့ဟာ သူတုိ့ ကုုိ ON state မွာ ရွေ
ိ နေစဖို ့Gate Pulse
တစ္ခု ေပးထားဖို ့လိုပါတယ္။

GTO ေတြက် ေတာ့ Gate Pulse Signal တစ္ခုေပးလိုက္တာနဲ ့ သူ ဟာ Gate Pulse Signal
ျဖဳတ္လိုက္သည့္တုိင္ ဆက္လက္ျပီး ON State မွာ ရွိေနေစပါတယ္။

Page 20
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

Thyristor တစ္ခုကုိ ON State ကေန OFF State ျဖစ္ေစဖို ့အတြက္ Gate Pulse
ျဖတ္ေတာက္ေပးရံုနဲ ့မရပါဘူး။ Anode to Cathode သုုိ ့မဟုုတ္ Collector to Emitter (IGBT) current ကုုိ
ျဖတ္ေတာက္ေပးရပါတယ္။ ဒါမွ Thyristor ေတြဟာ ON State ကေန OFF State ကုုိ ေရာက္ရွိမွာျဖစ္ပါတယ္။

ဒါေပမဲ ့GTO ေတြရဲ့ ထူးျခားခ်က္က သူတို ့ကုိ OFF State ျဖစ္ေစဖို ့အတြက္ Anode to Cathode Current ကို
ျဖတ္ေတာက္စရာမလိုပဲ ၾကီးမားတဲ ့Negative Pulse (Reverse Bias) တစ္ခုေပးရံုနဲ ့ ရပါတယ္။ ဘယ္ေလာက္
ၾကီးမားဖို ့လိုသလဲဆုိရင္ Anode Current ရဲ့ ၃ ပံု ၁ ပံုေလာက္ ရွဖ
ိ ုိ ့လိုပါတယ္။ Pulse ရဲ့ Duration က
Microseconds ေလာက္ပဲရွိရံုနဲ ့ရပါတယ္။

GTO ရဲ ့Symbol ကုုိ ပံု ၇.၁ မွာ ျပထားပါတယ္။

ပံု ၇.၁ GTO Symbol

ျပီးေတာ့ သူ ့ရဲ့ ့i-v curve ကုုိ ပံု ၇.၂ မွာျပထားပါတယ။္

ပံု ၇.၂ GTO Characteristic Curve

ပံု ၇.၃ မွာ ideal Charateristics ကို ေဖာ္ျပထားပါတယ္။

Page 21
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ပံု ၇.၃ Ideal Curve (GTO)

GTO ေတြရဲ ့အားနည္းခ်က္က Gate Negative Pulse ေပးတဲ့အခါ ၾကီးမားတဲ ့Voltage change (dv/dt) ကုုိ
ျဖစ္ေစပါတယ္။ dv/dt ဆုုိတာ slope Voltage ျဖစ္ပါတယ္။ Circuit တစ္ခုအတြက္ Back
EMF=Electromotive Force ကို ျဖစ္ေစတဲ့အတြက္ Switching Device ေတြအတြက္ အႏၱရာယ္ရွိပါတယ္။
ဒါေၾကာင့္ မို ့Relay Circuit ေတြမွာ Flywheel Diode လို ့ေခၚတဲ(့ dv/dt အခ်ိန္မွာ Negative Current ကုုိ
ျပန္စီးသြားေစမဲ) D
့ iode ကုုိ Power Supply နဲ ့ ေျပာင္းျပန္ ခ်ိတ္ဆက္ထားရပါတယ္။ ဒါကုုိ Inductive Turn
off လို ့ေခၚပါတယ္။

လက္ရွိ မွာေတာ့ GTO ေတြ ဟာ Inductive Turn off ကုုိ အသံုးျပဳလို ့မရေသးပါဘူး။ ဒါေၾကာင့္ Snubber
Circuit ကုုိ အသံုးျပဳရပါတယ္။ ပံု ၇.၄ မွာ ၾကည့္ပါ။ သူ ့မွာ Capacitor Resistor Diode တို ့အဓိက
ပါ၀င္ပါတယ္။

ပံု ၇.၄ Snubber Circuit

ပံု ၇.၅ကုုိၾကည့္ရင္ Snubber Circuit နဲ ့တြဲ ဖက္အသံုးျပဳတဲ့အခါ သူ ့ရဲ့ slope Voltage ဟာ သိသိသာသာ
ေလ်ာ့က်သြားတာကုုိ ေတြ့ျမင္ရမွာပါ။

Page 22
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ပံု ၇.၅ Characteristic Curve with Snubber Circuit

GTO ေတြရဲ ့ON State Voltage က (2 to 3 V) ေလာက္ရွိပါတယ္။ သေဘာက တျခား Thyristor ေတြထက္
On State Voltage ပိုမ်ားပါတယ္။ သူ ့ရဲ ့Switching Speed ကေတာ့ 1-25 microseconds
ေလာက္ရွိပါတယ္။

GTO ေတြရဲ့ အားသာခ်က္က Higher Voltage (4.5KV ) နဲ ့Higher Current (few Kiloamps) ေလာက္ထိ
ခံႏုိင္ရည္ရွိပါတယ္။ သူတုိ ့ရဲ ့Switching Frequency ကေတာ ့100Hz ကေန 10KHz ေလာက္ထိ
ေပးႏုုိင္ပါတယ္။

Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာ အပိုင္း ၈

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)

ျပီးခဲ့တဲ့ အပို္င္းမွာ Controllable Switches ေတြ ျဖစ္တဲ ့BJT, MOSFET, GTO တို ့အေၾကာင္းကုုိ
ေျပာျပခဲ့ပါတယ္။ သူတို ့ေတြ ရဲ့ အသံုး၀င္မွုကုိလဲ တင္ျပခဲ့ပါတယ္။ အခုု IGBT ရဲ့ အားသာခ်က္ကေတာ့
ေစာေစာက ေျပာခဲ့တဲ့ Switches ေတြရဲ ့ေကာင္းတဲ့ အခ်က္ေတြကုိ
ေပါင္းစည္းတည္ေဆာက္ထားတာျဖစ္ပါတယ္။

IGBT ေတြရဲ့ သေကၤတကုုိ ပံု ၈.၁ မွာ ေဖာ္ျပထားပါတယ္။ သေကၤတ ၂ မ်ိဳး အသံုးျပဳႏုုိင္ပါတယ္။
တစ္ခ်ိဳ့စာအုုပ္ေတြမွာ MOSFET သေကၤတလို Gate Source Drain
နဲ ့ေတြ ့ရသလို၊တစ္ခ်ိဳ ့သင္ရုိးညႊန္းတမ္းေတြမွာ Gate, Collector Emitter ဆိုျပီး GTO, BJT, MOSFET ၃
မ်ိဳးကုုိ ေပါင္းစပ္ျပီး ဆြထ
ဲ ားတဲ့ သေကၤတ Symbol မ်ိဳးကို ေတြ ့ရမွာပါ။

Page 23
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ပံု ၈.၁ IGBT Symbols ၂ မ်ိဳး

ပံု ၈.၂မွာ IGBT ရဲ့ I-v Characteristic curve ကုုိ ေတြ ့ႏုိင္ပါတယ္။

ပံု ၈.၂ i-v Characteristic Curve (IGBT)

IGBT ေတြဟာ MOSFET, GTO, BJT ေတြရဲ့ အားသာခ်က္ေတြကုိ ေပါင္းစပ္ထားတယ္လို ့ေျပာခဲ့ပါတယ္။

ဘယ္လို အားသာခ်က္ေတြလဲေလ့လာရေအာင္။

IGBT ေတြဟာ MOSFET လို Gate Impedance (ခုခ

ု မ
ံ ုွ) ျမင့္မားပါတယ္။ ဒါေၾကာင့္ သူ ့ကုိ Trigger ေပးျပီး
ON ဖို ့အတြက္ စြမ္းအင္ သိပ္မလိုအပ္ပါဘူး။
BJT ေတြလို IGBT ေတြဟာ Blocking Voltage ျမင့္မားျပီး On State Voltage (Von) အနည္းငယ္ေပးရံု (eg.
2-3V in 1000V device) နဲ့အလုုပ္လုပ္ပါတယ္။
GTO ေတြနဲ့ တူတာကေတာ့ IGBTေတြဟာ Negative Voltage ကုုိ Block လုုပ္ႏုိင္ပါတယ္။ ပံု ၈.၃ မွာ သူ ့ရဲ့
Ideal Curve ကို ၾကည့္ရင္ သိႏဳိင္ပါတယ္။

Page 24
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ပံု ၈.၃ Ideal Curve(IGBT)

ဒါ့အျပင္ IGBT ေတြရဲ့ ဖြင့္ခ်ိန္ ပိတ္ခ်ိန္ (Turn On/ Turn Off ) time ဟာ microseconds
(1us)ပမာဏပဲၾကာပါတယ္။ ဒါေၾကာင့္ Switching Power Loss နည္းပါတယ္။
IGBT Module ေတြကုိ Voltage Rating 2-3KV ေလာက္ထိရွိတဲ ့Circuit ေတြမွာ အသံုးျပဳႏုုိင္ပါတယ္။ 1200A
ေလာက္ထိ ရွႏ
ိ င
ုိ ပ
္ ါတယ္။

ပံု၈.၄ IGBT Device (Credit: IXYS)

Power Electronics အေၾကာင္းသိေကာင္းစရာ အပုုိင္း ၉

MOS-Controlled Thyristors (MCT)

အခုုဒီအပို္င္းမွာေတာ့ Power Electronic Switch အေနနဲ ့အသစ္ထပ္မံေပၚထြက္လာတဲ့ MCT

အေၾကာင္းတင္ျပေပးပ့ါမယ္။ သူ ့ရဲ့ သေကၤတကုုိ ပံု ၉.၁ မွာ ၾကည့္ပါ။ သူ ့မွာ တျခား Electronic Switch
ေတြလိုပဲ P-MCT နဲ ့N-MCT ဆိုျပီး ၂ မ်ိဳးရွိပါတယ္။ Control terminal ေတြရဲ ့အေနအထားေပၚမူတည္ျပီး
ခြဲထားတာပါ။ Anode(A) ဘက္မွာ Control လုုပ္ရင္ P-MCT, Cathode (K)မွာ Control လုုပ္ရင္ N-MCT ဆိုျပီး
ခြဲျခားႏုုိင္ပါတယ္။

Page 25
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

ပံု ၉.၁ MCT Symbol

သူ ့ရဲ ့i-v characteristics ကို ပံု ၉.၂ မွာ ျပထားပါတယ္။

ပံု ၉.၂ i-v Characteristic Curve

သူရဲ့ အားသာခ်က္က GTO ေတြလိုမ်ိဳး ON-state Voltage drop နဲ ပါတယ္။ ျပီးေတာ့ GTO ေတြလိုမ်ိဳး Gate
drive signal ဖယ္ရွားလိုက္သည့္တုိင္ေအာင္ Turn ON ဆက္ျဖစ္ေနပါတယ္။

ျပီးေတာ့ IGBT ေတြနဲ ့MOSFET ေတြလို Voltage Controlled Device ေတြ ျဖစ္ပါတယ္။ Switch Turn ON
ျပဳလုုပ္ဖို ့အတြက္ MOSFET IGBT ေတြေလာက္ပဲ စြမ္းအင္ပမာဏကုုိ အသံုးျပဳပါတယ္။ သေဘာက Power
Consumption နည္းပါတယ္။

MCT မွာ တျခား device ေတြထက္ သာတာရွိပါတယ္။

၁။ Drive Circuit ဟာ GTO ေတြထက္ ပိျု ပီး ရိးု ရွင္းစြာ တည္ေဆာက္ႏုိင္ပါတယ္။ ဘာလို ့လဲဆုိေတာ့ Turn
OFF လုုပ္ဖို ့အတြက္ GTO ေတြလို ၾကီးမားတဲ ့Negative gate current အသံုးျပဳစရာ မလိုလို ့ပါပဲ။ ျပီးေတာ ့
GTO ေတြထက္ switching speed ပိျု မန္ပါတယ္။ (turn ON, turn OFF time က Microseconds
ေလာက္ပဲရွိပါတယ္။)

၂။ IGBT ေတြထက္ သူ ့မွာ ON-state Voltage Drop နညး္ပါတယ္။ Voltage rating 1500V, 50A
ေလာက္အထိ ေစ်းကြက္မွာ ရႏုုိင္ပါတယ္။ 2500-3000V ေလာက္ထိလဲ Prototype
အေနနဲ ့စမ္းသပ္ထားတယ္လို ့ဆိုပါတယ္။ ဒါေပမဲ့ GTO ေတြလC
ို urrent Rating မ်ားမ်ား အသံုးမျပဳႏုုိင္ပါဘူး။
အေၾကာင္းက သူ ့ရဲ ့တည္ေဆာက္ထားပံုက ပိုျပီး ရွဳပ္ေထြး ခက္ခဲ တဲ့အတြက္ျဖစ္ပါတယ္။

Page 26
 Power Electronics အေၾကာင္း သိေကာင္းစရာမ်ား(အပုိင္း ၁ မွ ၉)

အခုုဆိုရင္ Device ေတြ ေတာ္ေတာ္မ်ားမ်ား စံုေလာက္ျပီလို ့ထင္ပါတယ္။ အခုုလို အားသာခ်က္

အားနည္းခ်က္ေတြ တစ္ခုခ်င္းစီဘာလို ့ေျပာဖို ့လိုသလဲဆုိရင္ Device ေတြရဲ ့ကြာျခားခ်က္ကုိ သိျခင္းအားျဖင့္
Design လုုပ္ရာမွာ မွန္ကန္တဲ ့Device ကို ေရြးခ်ယ္ႏုိ္င္မွာ ျဖစ္ပါတယ္။

သူ တုုိ ့ေတြရဲ ့Power Capability နဲ ့Switching Speed ကြာျခားခ်က္ကုိ ပံု ၉.၃ န ဲ့ ၉.၄ မွာ
ေဖာ္ျပထားပါတယ္။

ပံု ၉.၃ Power Capability and Switching Speed of Various Types of Switches

ပံု ၉.၄ Summary of Power Electronic Switches Capabilities

ေနာက္အပုိင္းမ်ားတြင္ Converters မ်ားအေၾကာင္း ဆက္လက္ေရးသားသြားပါမည္။ ရႊင္လန္းခ်မ္းေျမ့ၾကပါေစ။

စာဖတ္ပရိသတ္မ်ားအား ေလးစားစြာျဖင့္္

ေက်ာ္ေဇယ်ာ(Knowledge in Power Engineering)

02/Apr/2018

Page 27