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  • Diseno Electronico - C.J.Savant Prentice Hall PDF

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    " ACERCA DE LOS AUTORES C. J. SAVANT, Jr., es un ingeniero dedicado a la educacin, Recibié su Ph.D. cum laude de\ California Institute of Technology y ha impartido cétedra en el sistema de la California State University, en los campus de Long Beach y Los Angeles. El doctor Savant posee el “Premio al Profesor Distinguido” otorgado por la California State University y constantemente es elegido por sus alumnos como el “profesor ‘més querido del Departamento de Ingenierfa Eléctrica” en la misma universidad. MARTIN S. RODEN es Jefe del Departamento de Ingenierfa Eléctrica y de Computacién en la California State University en Los Angeles. El Dr. Roden recibié su BSEE summa cum laude del Polytechnic Institute of Brooklyn, y iuego pas6 cinco.afios haciendo investigacién en los Laboratorios Bel, el'Iugar de na~ cimiento del transistor. Su interés en la educacién lo llev6 a la academia, donde ‘ocupé los cargos de Jefe de Departamento, Decano Asociado, Decano y Vicepre- sidente Asociado varias veces. Sin embargo, el principal amor del profesor Roden sigue siendo la ensefianza, por lo cual se le otorg6 el Premio al Profesor Dist guido de la Universidad. Es un miembro muy activo de la TEEE, obtuvo el Premio ‘al Consejero mas Distinguido, y es miembro del Institute for the Advancement of Engineering. GORDON CARPENTER es un Teniente Coronel retirado de la Fuerza Aérea de Jos Esiados Unidos, donde acumul6 més de veinteafios de experiencia en el diseio - y desarrollo de alta teenologia para el equipo de la USAF. Esta experiencia hizo al profesor Carpenter muy realista en sus métodos de educaci6n de los futuros inge- nieros. En su carrera en la Fuerza Aérea como director de R&D, entrené nuevos ingenieros para desarollar especificaciones de hardware a partir de requerimientos de sistemas y asegurar que el hardware pueda constrirse para cumplir esas es- pecificaciones. El Coronel Carpenter es un convencido partidario de la educacién orientada al disefo, y su experiencia prictica ha sido esencial para este texto. Vv PREFACIO La presente obra ha sido escrita para utilizarse como texto en los cursos de clectrénica bésicos en programas de pregrado en ingenieria. El libro cubre tres &reas:- dispositivos discretos, circuitos integrados lineales y circuitos integrados Ip lp CA GIL Repién desérica o » © en directo. La regi6n desértica disminuye de tamafio debido a la atraccién de pportadores mayoritarios al lado opuesto. Esto es, el potencial negativo ala derecha atrae huecos a la regién p, y viceversa. Con una regién desértica més pequefia, la corriente puede fluir con mayor rapidez. Cuando.se polariza en directo, Ip—Is =I después-de alcanzar el equilibrio, donde J es la corriente a través de la uniGn. Por otra parte, si la tensi6n se aplica como en la figura 1.11(c), el diodo se polariza en inverso. Los electrones libres se llevan del material n hacia la derecha; ¥¥ del mismo modo, los huecos se llevan hacia la iaquierda. La regiGn desértica se ‘hace més ancha y el diodo acta como un aislante. Cuando se polariza en inverso, Is — Ip =1 luego de alcanzar el equilibrio, donde es 1a corriente a través de la unién. Operacién del diodo En la figura 1.12 se ilustran las earactersticas de operacién de wn diodo practice. Esta curva difiere de la caracterstica ideal de la figura 1.9(0) en los siguientes puntos: conforme la tensién en directo aumenta més allé de cero, la cortiente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensién minima, denotada por V3, pare obtener una coriene significtiva. Conforme la tension tiende aexceder V, 8 €0- riente aumenta con rapide. La pendiente de la curva caracerstca es grande Pero ‘no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensién minima necesaria para obte- ner una corriente significativa, V,, es aproximadamente 0.7 V para semiconductores 39 Ma 12 Capitulo 1 Andlisis de ciruitos con diodos semiconductores Figura 12 (Caracteriieas de operacin del dodo, Regi de polasiacion Repisn de potaizacion en desto 02 07 * Conesie |v, SH e pdida reste & Roprra de svalancha 4e silcio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La Giferencia de tensién para el silico y el germanio radica en la estructura at6mica e los materiales. Para diodos de arseniuro de galio, V, €s més 0 menos 1.2 V. ‘Cuando el diodo esta polarizado en inverso, existe una pequefia cortiente de fuga. Esta corrente se produce siempre que la tensién sea inferior a la requerida para romper la unién. La comiente de fuga es mucho mayor para los diodos de germanio que para los de silicio 0 arseniuro de galio. Si la tensién negativa es lo suficientermente grande como para estar en la regién de raptura, podria destruirse un diodo normal. Esta tensién de ruptura se define como tensién inversa pico (PIV, ‘peak inverse voliage) en-las especificaciones del fabricante (el Ap. D contiene hojas de especificaciones representativas. A menudo se hard referencia a ellas en €l texto, por lo que serfa conveniente tomar unos minutos para localizarlas en este momento). La curva de la figura 1.12 no esté a escala en la regi6n inversa, ya {que la ruptura por avalancha suele tener valores negativos de tensiGn elevados (generalmente 50 V0 més). El dafio al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones, que fluyen a través de la uni6n con poco incremento en la tensién, La corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensién de ruptura del diodo (Ve. 1.2. Diodos semiconductores 13 Figura 1 Modelos de diodes o7v 7 Ry Diode ideat (© Modelo en ed (dteto einvers) ie z (@) Model simple en oa pars el diodo polarizado en inverse (© Modelo en ca para el diodo polaraado en diecto Los diodos se pueden construir para utilizar Ia tensién de ruptura a fin de simular ‘un dispositivo de control de tensidn. El resultado es un diodo Zener, que se analiza en la seccién 1.6. 1.2.3 Modelos de suite equivalentes del diodo cireuito mostrado en la figura 1.13(a) representa un modelo simplificado del diodo de silcio bajo condiciones de operacién en cd tanto en directo como en inverso, Las relaciones para este modelo se aproximan a las curvas de opereciGn del diodo de la figura 1.12. El resistor R representa la resistencia en polarizacion inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (MO). El resistor ‘Ry representa la resistencia de bloque y contacto del diodo, y suele ser menor que ‘50.2. Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocireuto, 6 resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo préctico modelado en la figura 1.13(@) es BUR) Ry a * 14 Capitulo 1 Anélisis de circuitos con diodos semiconductores Bajo condiciones de polarizacién en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita (Circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo prictico es R,. El diodo {deal que es parte del modelo de la figura 1.13(a) esté polarizado en directo cuando Ja tensiGn entre sus terminales excede de 0.7 V. Los modelos de circuito en ca son més complejos debido a que la operacién del diodo depende de Ia frecuencia. En la figura 1.13(b) se muestra un modelo simple en ca para un diodo polarizado en inverso. El capacitor, Cy, representa Ja capacitancia de unin. En la figura 1.13(€) se muestra el circuito equivalente fen ca para un diodo potarizado en directo. El modelo incluye dos capacitores, el capacitor de difusién, Cp, y el capacitor de unién, Cz. La capacitancia de difusién, Cp, se aproxima a cero para diodos polarizados en inverso. La resistencia dindmica es ra y esté dada por la pendiente de la caracteristica tensiGn-corriente. A baja frecuencias, los efectos capacitivos son pequefios y ra és el tinico elemento significativo. 1.3 FISICA DE LOS DIODOS DE ESTADO SOLIDO Ahora que se ha analizado la construccién del diodo y presentado una breve in- troduccién a los modelos pricticos del diodo, se explorardn algunos aspectos més detallados de las diferencias entre diodos précticos ¢ ideales. En el apéndice B se incluyen detalles adicionales. 1.3.1 Distribucién de carga [Los diodos se pueden visualizar como la combinacién de un semiconductor de tipo n conectado a un semiconductor de tipo p. Sin embargo, en una produccién real, se forma un solo cristal semiconductor con una parte del cristal contaminada por material de tipo n y la otra parte contaminada por material de tipo p. ‘Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se produce ‘una redistribucién de carga. Algunos de los electrones libres del material n migran 2 través de la-unién y se combinan con huecos libres en el material p. De la misma forma, algunos de 10s huecos libres del material p se mueven a través de la uni6n y Se combinan con electrones libres en el material n. Como resultado de esta ‘edistribucién de carga, el material p adquiere una carga negativa neta y el material 1m obtiene una carga positiva neta. Estas cargas crean un campo eléctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de material que inhiben cualquier otro movirhiento de carga. El resultado es una reduocién en el nmero de portadores de Corriente cerca de la unin, Esto sucede en un érea conocida como region desé El campo eléctrico resultante proporciona una barrera de potencial, 0 colina, en 42 1.3 Fisica de los diodos de estado sdlido 15 Figura 114 ‘Bueras de potecil. Potéacat Posiiéa tuna diteccién que inhibe la migracién de pontadores a través de la uni6n. Esto se muestra en la figura 1.14. Para producir una corriente a través de la unién, se ‘debe reducir la barrera de potencial o colina aplicando una tensi6n con la polaridad aptopiada a través del diodo. 1.3.2. Relacién entre la corriente y la tensién en un diodo Existe una relacién exponencial entre la corriente del diodo y el potencial aplicado. Es posible escribir una expresi6n dinica para la comiente que se aplique a condi- ciones de polarizacién tanto en directo como en inverso. La expresin se aplica siempre que la tensién no exceda la tensiGn de ruptura. La relacién se describe por medio de la ecuacién (1.1). [exe (22) - 1] an Los términos de la ecuacién (1.1) se definen como sigue: ip ip = comtiente en el diodo up = diferencia de potencial a través del diodo I, = comriente de fuga q = carga del electrén: 1.6 x 107" coulombs (C) k= constante de Boltzmann: 1.38 x 10-# °K T = temperatura absolvta en grados Kelvin rn = constante empirica entre 1 y 2, que a veces se refiere como el factor exponenciai de idealidad 43 16 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores La ecuacién (1.1) se puede simplificar definiendo wr wet a q Esto da inele [= (2) 5 H| a2 Si se opera a temperatura ambiente (25°C) y sélo en la regién de polarizacién en directo (vp > 0), entonces predomina el primer término en el paréntesis y la corriente esté dada aproximadamente por ip = Teexp. (3) as) Estas ecuaciones se ilustran en la figura 1.15, La comrente de ssturacin inversa, Ie, eS funcign de la pureza del material, de la contaminacién y de la geometia del diodo. La constante empirica, n, es un ‘iimero propiedad de la construcciGn del diodo y puede variar de acuerdo con los niveles de tensiGn y de corriente. Sin embargo, algunos diodos operan sobre un ‘ntervalo considerable de tensign con una constante n aceptable. Si m = 1, el valor de nVp es de 26 mV a 25°C. Cuando n = 2, nVp tiene un valor de 52 mV. Para diodos de germanio, por lo comin se considera que n es 1. Para diodos de silcio, 1a teorfa de Sah-Noyce-Shockley (SNS) [47] predice que n deberia ser 2. Aunque se predice el valor de 2, muchos diodos de silicio operan con n en el intervalo 13 a 16. El valor de n puede variar un poco, inclusive en una produccién particular debido a la tolerancia durante Ia fabricacién, la pureza del material y los niveles de contaminacién ((36], Sec. 1.2). ‘Ya se tiene la informacin necesaria para evaluar Ia relacién entre la corriente ¥y Ta tension en un punto de operacién Q. Aunque las curvas para la regién en directo mostradas en la figura 1.15 recuerdan una linea recta, se sabe que la linea ‘no es recta, ya que sigue una relacién exponencial. Esto significa que la penidiente de la linea se modifica conforme cambia ip. Se puede diferenciar Ia expresién de Ja ecuacién (1.3) para encontrar la pendiente en cualquier ip dada: io [oe (38)] wp a as) Para eliminar la funci6n exponencial, se resuelve la ecuaci (1.2) a fin de obtener ee aa Figura 115 Relacin tensiGn-comiene en el dodo 1.3.3 1.3. Fisica de los diodos de estado s6lido 17 ip= le av; (Sato region deca) vy % (Toda ta curva) ip Te +1 vw (3%) ‘Entonces, al susttur esta expresi6n en la ecuacién (1.4) se tiene dip Gv +h) dup Vy La resistencia dinfmica, rg, ¢s el reefproco de esta expresi6n, © Vr . Vr “+ ~ t4 ip ‘Aunque se sabe que ra cambia cuando cambia ip, se puede suponer fija para um intervalo de operaciGn espectfco, Se utiliza el término Ry para denotar 1a resistencia del diodo en directo, la cual se compone de rg y la resistencia de contacto. Efectos de la temperatura ‘La temperatura tiene un papel importante en la determinacién de las caracteristcas coperacionales de los diodos. Los cambios en estas caracteristicas provocados por cambios de temperatura requieren ajustes en el disefio y empaquetado de los Circuitos. 45 18 Capitulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores Figura 1.16 7 Dependencia de Ip hacia la tempera. TT To T>T\>T Vy Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensién de encendido V;. Por otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento en V,. Esto se ilustra en la figura 1.16. Aqui V, varia linealmente con la temperatura de acuerdo ccon la siguiente ecuacién (se supone que la corriente del diodo, ip, se mantiene constante): Vy(Ty) — Va (To) = RT — To) donde Te = temperatura ambiente, 025° T; = nueva temperatura del diodo en °C Vi(C,) = tens del diodo a temperatura ambiente VAT k = coeficiente de temperatura en V/°C tensién del diodo a la nueva temperatura ‘Aunque de hecho k varia con cambios en los parémetros de operacién, la préctica estindar en ingenier‘a permite suponer que es constante. A continuacién se mues- tran valores de k para varios tipos de diodos ({50}, Sec. 1.11): ~2.5 mVFC. para diodos de germanio -2.0 mVFC para diodos de silicio 1:5 mVFC para diodos de Schottky 46 Ejercicios 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido, 19 Vy(Zz) es igual a os valoces mostrados abajo. diodos de silicio: onVv diodos de germanio: o2V diodos Schottky: 03V diodos de arseniuro de galio: 1.2 V La comiente de saturacién en inverso, I,, es otro pardmetro que depende de Ja temperatura. Aumenta aproximadamente 7.296/°C para diodos tanto de silicio ‘como de germanio. En otras palabras, J. se duplica mas o menos por cada 10°C de aumento en la temperatura, La expresiOn para la corriente de saturacién inversa fen funci6n de la temperatura es IAT) = ToT exp [BCT - T)] donde kj =0.072/C y Ty 7; son dos temperaturas diferentes. Esta expresi6n se puede simplificar y reesctibir como: To(Pa) = ToT APO as) Esta simplificacién es posible porque OP a2 1.1 Cuando un diodo esté en conduccién a 25°C, hay una cafda de 0.7 V entre sus terminales. {Cufl es la tensi6n, V>, a uavés del diodo a 100°C? Reps Vj, =0.55.V 1.2 El diodo descrito en el ejercicio D1.1 se enfria a ~100°C. ;Cusl es la tension necesaria para establecer una corriente apreciable a la nueva temperatura? Resp: Vy =0.95.V Lineas de carga del diodo ‘Como el diodo es un dispositivo no lineal, se deben modificar las técnicas estindar de anilisis de circuitos. No se pueden escribir ecuaciones simples y resolver para las variables, ya que las ecuaciones s6lo son vélidas dentro de una regién particular de operacién. a a 20 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 117 ‘Gauita con dio. (2) Circuito del diodo Vs % Noo 8s IR + Yoo (©) Linea de carga en ef dodo ‘A menudo un circuito cofitiene fuentes de ed y fuentes variables en el tiempo. Si se hace a las fuentes variables iguales a cero, la tnica energfa suministrada a Jos circuitos proviene de las fuentes de cd. Con las fuentes variables en el tiempo fuera del circuit, la tensi6n y la corriente en el diodo definen lo que se conoce como punto de operacién en reposo (punto Q). En a figura 1.17(a) se ilustra un cicuito con un diodo, un capacitor, una fuente y dos esistores. Si se denomina a la corrientey ala tensiGn del diodo como las dos inobgnitas del circito, se necesitan dos ecuaciones independientes que incluyan estas dos incégnitas para encontrar una soluci dnica para el punto de operacién. Una de las ecvaciones es la restricci6n proporcionada por los elementos conectados al diodo. La segunda es la relacién real entre corviente y tensi6n para el diodo. Esias dos ecuaciones se deben resolver simulténeamente para determinar la tensi6n y la corriente en el diodo. Esta solucién simulténea se puede levar a cabo en forma gréfica. Si-en primer lugar se toma la condicin de cd, la fuente de tensiGn se vuelve simplemente Vs, y el capacitor es un circuito abierto (es decir, la impedancia del 48 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido 21 capacitor es infinita a frecuencia cero). Por tanto, la ecuacién de lazo se puede escribir como Vs = Vp + Vai = Vo $Zii+ Jo? Vp=-Rilp+Vs a6) Esta es Ia primera de dos ecuaciones que incluyen la corriente y la tensién del iodo. Es necesario combinarla con la caracteristica del diodo y resolver para el punto de operacién, La gréfica de esta ecuacién se muestra en la figura 1.17(0) y se etiqueta como “linea de carga en cd”. La grifica de la caracteristica del diodo también se muestra en el mismo conjunto de ejes. La interseccién de las dos ‘grficas da la solucién simultinea de las dos ecuaciones y se etiqueta como “punto Q” en Ia figura. Este es el punto en el cual opera el circuito con las entradas variables iguales a cero. La Q (quiescent) denota condicién de reposo. SSi ahora se aplica una seffal variable en el tiempo ademés de la entrada de cd, cambia una de las dos ecuaciones simultineas. Si se supone que la entrada variable es de una frecuencia suficientemente alta como para permitir la aproximacién del capacitor como un cortocircuito, Ia nueva ecuaci6n est dada por (1.7): vy = va ie(Ry || Re) v= =(Ri || Radia + ¥s an De los mychos parémetros, s6lo se han considerado los componentes variables en el tiempo. (Notese la utilizaci6n de letras minisculas para las variables. Considérese Ja simbologia de etiquetas presentada al principio del texto.) Entonces, el valor total de los parémetros esté dado por y la ecuacién (1.7) se vuelve p= Voq = ~(Rs | Ri Xip ~Ipq)+ % Esta sitima ecuaciGn se etiqueta como “linea de carga en ca” en la figura 1.17(0). La linea de carga en ca debe pasar a través del punto @, ya que en los momentos en que la parte variable se hace cero, las dos condiciones de operaciOn (cd y ca) deben coincidir. Por tanto la linea de carga en ca se determina de manera \inica, ~ 49 22 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Ejemplo 1.41 h La fuente de tensién, ug = 1.1 + 0.1 sen 1000t ‘se coloca a través de una combinaciGn en serie de un diodo y un resistor de 100 2, ‘como se muestra en la figura 1.18. Encuéntrese la corriente, ip, si SOLUCION Se utiliza LTK para la ecuacién en ed a fin de obtener Ve=V,+IoRe Ye-¥y He Ibe 100 mA Esto fija el punto de operacin en cd del diodo. Se necesita determinar la resistencia dindmica (se utiliza el simbolo Ry en ver de ra, porque el primero incluye la resistencia de contacto) para poder establecer la resistencia de la uni6n polarizada fen directo para la sefial de ca. ‘Utilizando 1a ecuacién (1.4a) y suponiendo que la resistencia de contacto es despreciable, se tiene ay Ft Ow 100 ‘Ahora se puede reemplazar el diodo por un resistor de 10 9, con la salvedad de que permanezca polarizado en directo durante todo el periodo de la sefial de entrada de ca. Utlizando otra vez LTK, se obtiene vy = Ryigt Rria * Ry Rt TiO fa 0.91 sen 10008 mA Por tanto, la corriente del diodo esté dada por ip =4+0.91 sen 1000t mA ‘Como ip siempre es positiva, el diodo se encuentra potarizado en directo todo el tiempo, y la solucién esté completa. ‘ 50 Figura 1 Cito con diodo en 13.5 13.6 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido 23 bs 1000 Si la amplitud de la corriente en ca es mayor que él valor de ta corriente en cd, la solucién se debe modificar. En ese caso, cuando la amplitud de corriente en ca en la parte negativa es mayor que el valor en ed, el diodo se polariza en inverso y la coments se nul. Esta situaci we anna ena seceida 18 ¢ Capacidad de manejo de potencia Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las ccaracteristicas se determina por la construccién fisica del diodo (por ejemplo, el tamafo de la unién, el tipo de empaque y el tamafio del diodo). Las especificaciones del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo para ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se clasifiean por su capacidad de paso de cortiente. La potencia instanténea disipada por un diodo se define por medio de la ex- presién de la ecuaci6n (1.8): po=vpip as) Capacitancia del diodo El cireuto equivalente del diodo incluye un pequefio capacitor. El tamafio de este capacitor depende de la magnitud y polaridad de 1a tensién aplicada al diodo, asf como de las caracteristicas de la uni6n formada durante la fabricacin, En el modelo simple del diodo de unién mostrado en la figura 1.19, la regién alrededor dela unign es deficiente ef electrones y huecos. En el lado p de la unién existe una gran concentracién de huecos, mientras que en el lado 7 18 concen- traci6n de eleetrones es grande. La difusién de estos eletrones y huecos se produce cerca de la uni6n, provocando wna corriente de difusin iniial. Cuando los huecos se difunden hacia la regi6n n a través de la nin, se combinan répidamente con los electrones mayoritarios presentes en el drea y desaparecen. Del mismo modo, Jos eleetrones se difunden a través de Ia uniGn, se recombinan y desaparecen. Esto forma una regiGn desértca (a veces Hamada regién de carga espacial) cerca de la unién debido a la recombinacién de electrones y huecos. Conforme se aplica una tensi6n inversa a través de la unién, esta regi6n se ensancha, provocando que la regiGn desértca aumente de tamaio. st 24 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Movimiento de huecos debido 's polaizacin iaversa Movimiento de eleewones dbido \ - ' polaiaci savers 1 Regis TF estrics Hiuxso ——9 +0 SO Electén oe ee oo eee Figura L19 Modelo de dio y circuit equivalence 14 1.4.1 La regién desémtica actia como aislante. Por tanto, un diodo polarizado en inverso actéa como un capacitor cuya capacitancia varia en raz6n inversa a la raiz cuadrada de la tensiGn a través del material semiconductor. La capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a 5 pF. Esta capacitancia puede legar a ser tan grande como 500 pF en diodos de alta co- rriente (baja velocidad). Se deben consultar las especificaciones del fabricante para

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