: : i 1 ‘ i a : : i oo Meanaiatanee — att ha adTRANZISTOARE intrebari si raspunsuri ' Brown y Traducere din limba engleza 133 tv. ry ty. netv. ty. raty, ty. ry. rely. nty. mtv. ny rty. ret. rotv. rote nity. nity. tvs 1 Editura tehnicad * Bucuresti — 1976 nv. rive ri. rity. ctv. rt nity,Clement Brown and Answers on Transistors Butterworth & Co (Publishers) Ltd, 1969 Traducere: ing. ION MARGHESCU ing. MARIN SAMPALEANU Redactor: ing. CONSTANTIN MINEA Tehnoredactor: VALERIU MORARESCU Coperta: CONSTANTIN GULUTA Bun de tipar: 14.06.1976. Coli de tipar: 6,75. Tiraj: 83 000-++50 exemplare brosate. C.Z.: 621,362,3 Tiparul executat sub comanda nr. 169, la Intreprinderea poligraficd _,,Crisana*, Oradea, str. Moscovei nr. 5. Republica Socialist’ Romania. Pree jee ta In citiva ani ,,tranzistorul* a devenit un termen foarte rdspindit dar adesea folosit tn mod incorect in locul unui radio echipat cu tranzistoare. In prezent, tranzistorul ocupa o pozifie dominanté in electronici, fiind folosit intr-un numar vast de radioreceptoare si alte echipa- mente electronice domestice, calculatoare, instrumente, echipament industrial de comandii si control, echipament de prelucrarea datelor, echipament de comunicafii aero- navale, lanturi de telecomunicatii si altele. De aici largul interes pentru acest dispozitiv de dimensiuni mici care facut totusi posibile toate aceste realiziri. Scopul aces- i cdrti este de a explica trasdturile fundamentale ale tranzistorului, cum functioneazd si ce poate face si se trec in re multe din aplicafiile sale. Tranzistorul este doar unul din multele dispozitive are utilizeazd caracteristicile electrice ale materialelor »miconductoare. Prin wrmare, in afari de tranzistor, sint descrise un numér de alte dispozitive, multe din ele folo- site Impreund cu tranzistoarele. In cartea de fafé autorul a folosit multe informafii procurate de la Brush Eléctrical Engineering Co. Ltd., Iver Ready Co. Ltd., Hird-Brown Ltd., I.B.M. United Kingdom Ltd., M.E.L. Equipment Co. Ltd., Mullard Ltd. si Newmarket Transitors Ltd., ctirora autorul le exprima mulpumiri. Figurile 55—57 sint reproduse prin amabilitatea lui Practical Eléctronics. Cl. Brown 3fe Co nit in wt } FA 1 Semiconductoarele nev rbve rly rit. . Alte utilizari ale dispozitivelor semiconductoare 92 functiile realizate anterior cu tuburi si . Depanarea echipamentelor tranzistorizate 105 de asemenea face posibile noi realizari pentru care tubul electronic nu poate fi luat in consideratie. Tranzistorul este realizat dintr-un material semiconductor: cel mai simplu si mai obisnuit tip de tranzitor folosit const& in principal dintr-un_ ,sandvici* de trei straturi de astfel de material. Acest ansamblu este montat intr-o cap- sulé prevaézuta cu fire de conexiune, iar Fis. 1. Compara- sai fie intre un tran- dispozitivul astfel realizat este foarte zistor de semnal mie fat de tubul clectronic. O compa- mic obisnuit, siun ratie a dimensiunilor lor este ardtataé ceste doua dispo- ee zitive realizeaza in figyae functii similare, 1, Semiconductoarele 5 Galsse Gaels t 2. Tranzistorul 16 3. Circuite cu tranzistoare 31 Este un dispozitiv care poate amplifica semnale elec. : 4. Tranzistoarele in radioreceptoare 38 trice si indeplineste si alte functii in circuitele electri | 5. Alte dispozitive semiconductoare 65 Desi nu este un inlocuitor direct al tubului electronic, 6. Tranzistoarele in industrie 74 in cele mai multe cazuri tranzistorul poate si preia toate 7 3 8. Semiconductoarele si proprietatile lor Un numar mare de maieriale, intermediare intre con- ductoare si izolatoare, sint reunite sub numele de semi- conductoare. Cele mai multe metale conduc electricita- 5! tea rapid (instantancu) gi aceasta se datoreste prezentei | in interiorul lor a unui numar foarte mare de electroni. Acestia (lectronii liberi) sint negativi din punct de ve- dere electric, Mi se migcd sub influenja unei tensiuni electrice gi joact rolul de purt&tori de curent. Pe de alta | parte, in izolator (spre exemplu mica, sau unul din ma~ i terialcle ‘plastice folosit in electrotehnica) exista putini i electroni liberi ca se miste, si prin urmare nu exista curent — sau foarte putin — cind se aplicd o tensiune clecirica, Existenta (posibilitatea de obtinere) electronilor liberi depinde de structura atomicé a materialului, po- zijia relativa a atomilor si de temperatura. Foarte im- portant este faptul cA un numar mic de atomi_,,straini* pot influenta proprictitile electrice a unor materiale. Aceste materiale sint semiconductoarele, dintre care cele mai importante, in fabricarea actuala a. tranzistoarelor, sint germaniul si siliciul, In general, semiconductoarele conduc mult mai rapid cind temperatura lor creste; re- ciproe este adevrat numai pentru conductoarele bune, cum este cuprul. Cum functioneaz’ germaniul ca un semiconductor? Germaniul este un element metalic si la fel ca toate semiconductoarele este un cristal, cu atomii aranjati in- tr-un fel denumit retea cristalind. Datorita acestel struc- turi materialul va putea fi taiat mai usor dupa unele directii de cit altele (intocmai ca diamantul ce se taie dupa anumite directii). In fig, 2 se araté o retea perfecta desenataé in doua dimensiuni. Atomul de germaniu are 32 de electroni. Patru dintre a formeazd un inel mai-indepartat in jurul atomu- sint la dispozitia legaturilor de valentd sau ong i electroni, numiti electroni de valenta, sint ace mice. Aces mai putin strins legati de atom decit ceilal{i clectroni ai atomului, In structura cristalini a germaniului acesti electroni de valenta formeaza legdturi covalente, asa cum se arata in fig. 2, cu electronii de valenjé ai atomului alaturat, fiecare atom fiind echidistant de cei patru atomi vecini si fiecare electron de va- lenf& al unui atom formind o beat pereche — legitur& covalenté — cu un electron de valenta din atomul vecin. Cind un electron devine li- ber prin ruperea legiturii co- valente si prin urmare poar & Bae oa Fig. 2. Structura retelei Onecare : 4 a telei arcind electricd, si de ase- istaline a germaniului, menea cind un atom de ger- !a temperatura zero abso- maniu din refeaua cristalind jegatmrie cea ee este inlocuit cu un atom din 40! electroni) formate intre alt element (acest fapt este ek cunoscut sub numele de dopare) in reteaua crista- lind. apar imperfectiuni). Intr-un cristal perfect la tem- peratura de zero absolut (—273°C) toate legiturile cova- lente sint complete, dar cind temperatura creste unii electroni din legaturile covalente capita o energie sufi- cient pentru a pardsi legatura si a deveni liberi. Locurile vacante ramase in legéturé sint numite go- luri. Accast& situatie este arataté in fig. 3. Un electron liber devine un purtator de sarcin& electricd negativa, in timp ce un gol devine un purtator de sarcin& pozitiva. Germaniul pur are un numar de goluri egal cu cel al electronilor liberi, dar se pot adauga impurit&ti prin dopare in scopul modific&rii acestei situafii, Prin contro- lul doparii se poate asigura o conductivitate mai mare in timp ce reteaua este pastrataDaci un atom ¢u cinci electroni de valenji (spre exemplu antimoniu) se introduce in refea, se obtine un electron liber (vezi fig. 4). Chiar la temperatura obis- nuit’ a camerei acest electron are suficienté energie si se deplaseye prin refeaua de germaniu ca un purtator earn eat \ r(D} (Go— . [ee es t) | (Gv) —@)= Weare Fig. 3. Reteaua cristalina a germaniului la tempera- {ura camerei, in care se observa prezenta electroni- lor liberi si a golurilor la temperaturi normale, Fig. 4, Releaua cristalina a germaniului in care este cuprins un atom de anti- moniu (Sb) eu electronul liber donat materialului de catre atomul donor de an- timoniu in momentul for- marii legaturilor covalente cu atomii de germaniu ve- cini de sarcin’ negativa. Atomul de impuritati este numit donor: el doneazi un electron pentru formarea curentu- lui, Se spune ci impuritatea se numeste de tip n (nv se foloseste pentru negativ), iar germaniul dopat cu atomi donori este deci cunoscut ca germaniu de tip n. In reteaua cristalin’ se poate introduce un atom cu trei electroni de valent& (spre exemplu indiu) si in acest cay, apare un gol asa Cum se arata in fig. 5. Acest gol va captura un electron ce trece prin apro- pierea sa si aceasta va conduce Ja formarea unui alt gol 8 care va fi intiInit de catre alt electron. Astfel exista un proces continuu de miseare a purt&torilor de sarcind po- viliva (a golurilor). Atomii de impurititi trivalenti sint numifi acceptori; ei accepta un electron care, umple go- lul. Impuritatea este numita de tip p (p pentru pozitiv), si in acest caz germa- niul dopat cu atomi ac- ceptori este denumit germaniu de tip p. In final, pe ling& acesti purtatori de sar- cini obtinuti prin intro- ducerea controlaia de impurit&ti, se pot obtine clectroni liberi prin io- hizare — ape exam 716 8 ee ane plu prin efectul tempe- de indiu (In) cu golul creat in re- raturii sau tensiunii, ee a Oe uae Ce este 0 dioda redresoare? Daca se aplicé o tensiune alternativa unei jonctiuni formata de un semiconductor de tip n si un semiconduc- tor de tip p, bariera de tensiune prezentat& de jonctiune curgerii de purtatori de sarcina dintr-o parte in alta, va fi alternativ ingusté sau largité. Cu alte cuvinte, rezis— tenta jonctiunii opusa curgerii curentului depinde de po- laritatea si valoarea tensiunii ce i se aplica. Se obtine astfel o actiune de redresare, iar o diod& bazata pe aceast& actiune este numit&é diod’ cu jonctiune redre- soare. Notati ca jonctiunea reprezinti o zona de tranzitie de la semiconductorul de tip p la semiconductorul de tip n in interiorul unei structuri cristaline continue.In citeva cazuri este folositt de asemenea dioda semi- conductoare cu contact punctiform, Purtétorii de sarcin’ dintr-un semiconductor tind s& se concentreze la supra- fafa: 0 zon& de suprafalai a clectronilor si o zona alitu- rata de atomi donori formeaz&é a barieré asemenea a jonc\iunii menfionate in paragraful precedent. se aplici o tensiune alternativa intre suprafati si alt punct are loc fenomenul de redresare. Un terminal este incorporat in cristalul de germaniu iar celalalt, ca o ,mustaté de pisica*, este asamblat pe su- prafaa. Contactul punctiform are efectul unei concentrari a cimpului electric astfel ci are loc 0 crestere a curentului electri Ce se intelege prin polarizare directa inversa? Dac& se aplick o tensiune continud de-a lingul unei jonctiuni p-n (vezi fig. 6,a) cu negativul pe sectiunea p si pozitivul pe sectiunea m, se spune ca jonctiunea este Curgereo purtitonlor Curgerea purtatoriior we sarcing scode ‘Cl saree Ob Sorcha reste AG ela t a4 Polarizare inverso o b Fig. 6. Polarizarea inversa a si directa b a unei jonctiuni semiconductoare pn. polarizaté invers, trecerea purtatorilor de sarcind prin jonctiune fiind intirziataé. Pe de alt& parte dac& se inver- seazi polaritatile tensiunii cu negativul pe sectiunea n si 10 pozitivul pe sectiunea p (vezi fig. 6, b) se spune ca jonc- tiunea este polarizatad direct, trecerea purtatorilor de sar- cini prin jonctiune fiind crescuta. Ce inseamna expresia ,,solid-state“? Solid-state este termenul ce se aplica diodelor, tran- zistoarelor si celorlalte dispozitive semiconductoare pre- cum si tuturor echipamentelor realizate cu ele. Un dis- pozitiv in stare solidi aga cum se explicd in acest capitol — depinde de interactiunea legaturilor electro- nice din structurile moleculare, care de asemenea sint solide, Prin contrast tubul electronic este un dispozitiv termo-ionic in care electronii liberi se misc4 prin vid sau printr-un gaz. Cum se obtine germaniul? Germaniul se objine pe doud cai cu totul distincte. Una este obfinerea din cantitatea de’ praf ce rezulta prin arderea carbunelui Northumbrian, care contine 29% germaniu. Arderea cérbunelui reprezinté prima etapa a extractiei, iar tirajul de praf contine cam 2 procente de germaniu. Minereurile de cupru din Congo si minereu- rile de zine din Africa de sud-vest formeaza cealalta sursi principalaé. Materialul extras astfel se trimite sub forma de bioxid de germaniu pentru fabricarea tranzis- toarelor. Se folosese si alte materiale semiconductoare pentru fabricarea tranzistoarelor? Siliciul capaté o importan{a crescuta in fabricarea diodelor semiconductoare, tranzistoarelor si altor dispo- ive semiconductoare. Este unul din cele mai raspindite uelemente, dar cere o purificare mai mare decit germa- niul peniru a putea fi folosit in fabricarea dispozitivelor semiconductoare, Ca si germaniul, este o substanta cr talina gi are patru electroni de valenta. re este prineipalul avantaj al siliciului? Asa cum s-a mentionat deja, numSrul golurilor si electronilor liberi va creste, intr-un material semicon- ductor datorité temperaturii, temperatura asigurind su- ficient&é energie pentru a permite unor electroni sa para- sca legaturile covalente si sd devina liberi, Golurile si electronii liberi care iau nastere provoaca cregterea rentilor nedoriti care se suprapun peste curentul dorit ce trece prin materialul semiconductor. Deoarece ,,groapa se energia necesarA unui electron pentru de energie“ a-si pardsi legatura si a deveni liber — este mai mare la siliciu decit la germaniu, rezulta ca functionarea dispo- zitivelor semiconductoare cu siliciu este mai putin afec- tata de temperatura decit cele cu germaniu. ului il constituie usurinta cu care se oxideaz’ suprafaja sa formind un strat izolator de bioxid de siliciu. Acest fenomen este de o importanta majora in fabricarea unor dispozitive semiconductoare, cuprinzind circuitele integrate. Germaniul are vreun avantaj particular? Germaniul este afectat de temperatura mai mult de- cit siliciul datorita groapei de energie mai mica, iar aceasté groapi de energie mai micé inseamnaé ca golurile au o mobilitate mai mare in germaniu. Datorit& acestui fenomen. dispozitivele semiconductoare cu germaniu pot 12 o lucra la frecvente mai mari decit cele cu siliciu. De ase- menea aceasta inseamna ca ele pot fi polarizate cu ten- siuni mai mici. > se intelege prin purtatori ,,majoritari* si ,minoritari“? Asa cum am vazut, prin materialul semiconductor pot trece doua tipuri de curenti. Unul cauzat de miscarea clectronilor, care transporté o sarcina electricd negativa (ci curg c&tre borna pozitiva a bateriei) si rezulté un cu- rent negativ si in al doilea rind miscarea golurilor, care reprezinté un curent pozitiv. Prin dopare, se poate crea un exces de electroni faté de goluri sau invers. In cazul unui material de tip p, dopat cu impuritati acceptoare, existé un exces de goluri, cari se numese in acest caz purtatori majoritari. In cazul unui material de tip n, do- pat cu impuritéti donoare, exista un exces de electroni cave in aceasté situatie se numesc purtdtori majoritari. Cind se polarizeazd direct o jonctiune pn purtatorii majoritari vor difuza prin jonctiune. Odat& trecuti de joncfiune ei vor deveni purtatori minoritari, formind un curent de purtatori minoritari. Actiunea dispozitivelor emiconductoare se bazeazi in principal pe efectele pola- iii jonctiunilor pn controlind in acest mod. curentii ce tree prin ele. Ce se intelege prin regiunea de saracire a jonetiunii? Cind se formeazi jonctiunea pn apare initial o curgere | purtatorilor prin jonctiune — electronii din regiunea n int. atrasi prin jonctiune de sarcina pozitiva. reprezen- laté de golurile din regiunea p si invers. Acest fenomen tyare ca rezultat, asa cum se observa din fig. 7, aparitia unei regiuni de fiecare parte a jonctiunii relativ saraca in purt&tori de sarcini. Aceast% regiune se numeste de saracire sau de golire. Odata formata, regiunea de sara- /oretone cire actioneazi impotriva ar difuziei ulterioare intru- cit cimpul electric initial nu mai atrage golurile si electronii prin jonctiune. : Polarizarea directa reduce Fig. 7. Regiunea de golire a jone- MARS Te {iunil unui dispozitiv. semicon- aU neutralizeaza regiunea ductor pn. In regiunea de golire de golire iar polarizarea sin prezenti puiini purtitori de 8 B sarcing electrica. inversa 0 mareste. Care este curba caracteristicd a unei joncfiuni pr? O curba caracteristici reprezinté caracteristicile elec- trice ale unei jonctiuni pn. In fig. 8 se arata un exemplu. Dup& cum se poate vedea, cresterea tensiunii directe — 2 Fig. 8 CurbA caracteristicA re- Lurent © prezentind caracteristicile electri- caries ce ale unei jonctiuni pn. Curba ‘ners punctata ilustreaza efectul cres- ——= teri temperaturii asupra caracte- Taste risticilor. Curentul rezidual_ in vers este determinat in princi pal de golurile si clectronii liberi cl din regiunea de golire formati prin ionizare. Tensione de ‘Sirapungere polarizare directa — are ca rezultat o crestere de curent. Polarizarea invers& nu provoacé aparitia curentului pind nu se atinge un punct critic, tensiunea de strapungere 14 zener, cind apare brusc un curent de -valoare ridicata care poate distruge jonctiunea, Inainte de atingerea aces- lui punct, prin jonctiune trece un curent invers de va- loare micd numit curent rezidual invers. Acesta este de- lerminat de ionizare — efeciul temperaturii. Curba punctat& indic&é schimbarea ce are loc in caracteristici — cresterea curentului rezidual si a curentului direct — determinata de cresterea temperaturii Ce se intelege prin tranzistoare bipolare si unipolare? ‘Tranzistoarele a céror functionare depinde de goluri i electroni asa cum s-a aratat mai sus, se numesc tran- istoare bipolare deoarece folosesc purtétori de sarcina de ‘4 polaritati. Unele tipuri de tranzistoare mai spe- iale — tranzistoare cu efect de cimp — functioneazi folosind numai purtatori majoritari si in consecinta se iumesc tranzistoare unipolare. 4Tranzistorul Prin ce difera tranzistorul de dioda? Tranzistorul este un dispozitiv mult mai complex, el presupune dou& jonctiuni aranjate spate in spate (vezi fig. 9). Primele tranzistoare au fost de constructie cu Emitor e Toleston Gaal basa 6 0 b c Fig, 9. O forma simpla a unui tranzistor cu jonctitine a, diagrami bloc echivalenta b si simbol de circuit ¢. f contact punctiform, dar acestea au fost inlocuite de c&- tre tranzistoarele cu jonctiuni, care vor fi principalul tip ce va fi descris aici. Tranzistorul este o inventie recenta? Detectoarele cu cristal se foloseau inainte ca tuburile electronice s& fie inventate (1904), si este bine cunoscut cd galena gi alte cristale erau folosite de catre exper! mentatori in primele zile ale radioului. Totusi, dezvolta rile viitoare ale unor astfel de dispozitive au trebuit sai astepte mulfi ani. 16 ima vreme activitatea a fost reluata, cu contri- alistilor luerind in multe domenii stiintifice. trei cercetatori stiintifici la Beli Tele- care in 1948 au inventat care putea sd In ul bufia spe Printre ei erau phone Laboratories din S.U.A., un dispozitiv de cristal cu trei electr amplifice si detecteze semnale electrice, Asemenea detectoarelor timpurii, noul dispozitiv folosea »mustatile pisicii* in rol de conexiuni — doua in acest caz, Numele tranzistor“ a fost decis dupa studiul actiunii sale, si de- riva din dou& cuvinte: transfer si rezistor. Deserieti functionarea {ranzistorului Dupé cum s-a aréitat deja, tranzistorul cu jonetiuni consta din trei straturi de germaniu sau siliciu: acestea pot forma o structuré p-n-p sau N-p-N. Exista trei co- nexiuni — la emitor, la baza si la colector. Regiunea bazei (tipul m in structura p-n-p) este foarte re se obtin electroni ca pur- subtire si usor dopata din ca Pozitiv Positiv , Negotiv Boterie A Boierie 8 p= @o] —=Flectron Fig, 10. Tranzistor pnp polarizat. {tori de sarcin’. Regiunile laterale sint puternic dopate pentru a obtine goluri pozitive ca purtatori de sarcina. Structura p-n-p este aratata in fig. 10. Ww 2 — TranzistoareLuind regiunea bazei ca punct de referin nea p-n poate fi numit& jonctiunea emitorului, nea n-p joncjiunea colectorult 1a, jonctiu- Jjonctiu- Tn fig. 10 jonctiunea emitorului este polavizata de catre bateria A in sens di- rect (emitorul pozitiy ‘ata de baza) si jonctiunea colec- torului este polarizati invers (colectorul negativ fata de bazé) de céitre bateria B. Regiunea p este mult mai pu- ternic dopata decit re iunea n: astfel ci cea mai mare parte a curentului care trece prin jonctiunea emitorului se datore: zi golurilor din regiunea p, Corespunzitor, existé un curent de electroni ce trece prin jonctiune de la bazd la emitor, dar acesta este mic din cauza puternicii dopari mentionate mai sus. Polari- zavea directa a jonctiunii emitorului inseamna ca golu- rile vor fi injectate din emitor in regiunea bazei, Daca se aplicd colectorului o polarizare negativa mare — de la bateria B — cea mai mare parte a golurilor vor fi atrase prin jonctiunea colectorului si prin regiunea co- lectorului catre conexiunea externa a colectorului. Aici golurile vor reprezenta o sarcina pozitiva care atrage electronii din sursa de alimentare in colector. Ceea ce Se intimpla prin urmare, este faptul ca golurile tree prin tranzistor intr-o directie in timp ce electronii trec in Sens opus, astfel cd se stabileste o trecere de curent prin tranzistor, La trecere prin regiunea bazei, o parte dintre go- Juri — 2 procente reprezinta o cifraé tipict! — se vor re- combina cu electronii liberi din regiunea bazei, repre- zentind un curent al bazei (Iz). Aceasta inseamna c& tre- cerea electronilor in colector va fi cu 2 procente mai mic decit numarul de goluri ce tree prin jonctiunea emi- torului : Un punct important care trebuie notat totusi, este ca 98 de procente de goluri traverseaz& jonctiunea de la un 18 { cu rezistenjé mica (circuitul de DO eee en t 7a) la un circuit de rezistenfa mare nn emitor-bazi ane ‘ke ae izare invers& colector-haza) te aS eae de transfer-rezistor, de la care Dre a oe ee or. Astfel, ca desi curentul de colector . Lee 1 cel de la emitor, amplificarea de putere alii (deoarece puterea=I? x R). ‘Tranzistorul n-p-n este fundamental diferit? a ici iconduc- Diferenta consta in faptul ca nee i ae ‘ a in: fig. inversat asa cum se arata in s lor este inversat aga se a ee ( ( le tensiunilor ce se aplic& sint de asemenea 1 ilile te p Wlectronii, in locul golurilor, int injectati de emitor si colectati la colector, trecind \poi prin. circuitul extern. . Caracteristicile electrice nu ty : int prea diferite faja de ieee ‘le ale tranzistorulul Pete si simbolul de circuit al n i ie unui tranzistor apn. descris mai devreme. i 2 ifice Cum poate fi facut un tranzistor sa amplific curent? ita configuratie cu isd um — numita co 2 Structura descrisé ac cone ae I coe deoarece baza este comuna oe ae niza Cl ae emitor si circuitului de colector — ne oe ee um vaaut, o amplificare de Se Soa Aoi é nplifi are june daca in s a mplificare de tensii oo i nal nr ae ioctl © rezistenta de sarcind convenabila. Cistig) © in de si i ae le curent, totusi, este mai mic decit unital oe Sa resupunem ca polarizarea este rear a ae Sa area : : m cae in fig. 12, asa ca emitorul este o leg cum s comuna. 19eee ee de intrare const4 intr-un curent poem regiunea bazei. La baza se aplicd un cu- a ie 2 inp ce ren da colector va fi relativ » Deoarece intr-un dispozitiv electronic cistigul este Fig. A rs ig. 12. Tranzistor in conexitmea cu emitorul comun, raportul marimii de intrare faji de marimea de iesire ay ae configuratie s-a realizat un c tig de curent. ru a desemna cistigul de f ‘ z curent pentru configuratiz : ia cu emitor comun se foloseste simbolul 8 sau Dye eh Care sint tipurile principale de tranzistoare bipolare, si prin ce difera ele? Tipurile de tranzi anzistoare cele mai uzu. int t toarele aliate, eet ciu. Toate const See / ranzis- zate si tranzistoarele planare cu sili- 2 fapt din doud jonctiuni Se jonctiuni p-n aranjate see formatie P-N-p sau n-p-n. Diferentele naan : oe in diferitele tehnici de fabricare folosite si care condue la caracteristici electrice diferite. eee aliat este simplu, ieftin si prin urmare sit. El este folosit cu o functiona ee ‘ sonare convenabila nv " ae frecvente joase. Tranzistorul difuzat aliat a Hf ate é ‘ ealizat performante bune la frecvente inalte si este large 20 {olosit in radio si televiziune in etajele RF si IF. Tran- istorul planar cu siliciu este mult mai complex dar are performante superioare. Cu toate ca acum devine utili- ibil in echipamente electronice domestice. principalul u cimp de aplicatii 1a moda este in ca culatoare gi elec- (ronica industriala. Cum se prepara’ germaniul pentru folosire? \sa cum s-a stabilit mai devreme, procesul de fabri- cafie incepe cu bioxidul de germaniu. El este topit pen- ira a forma un lingou brut. Germaniul, desi foarte pur chimie, nu este de o puritate standard extrem de inalta eruta pentru fabricarea tranzistorului: intreaga activi- late de fabricare se sprijina pe controlul strict al impu- pilifilor, pentru efectul lor asupra conductivitatii germa- niului, Pentru reducerea impurit&tilor in raport de una la 10! (0 parte la 10 mii de milioane) se foloseste 0 me- lod’ numit& purificare zonala. Aceasta metoda depinde de faptul c& impuritatile se concentreazi cel mai rapid in germaniul topit. O zona. topita este trecuté progresiv printr-o bard de germaniu, ducind impurititile caitre un capat, care dupa solidificare poate fi separata si arun- cat, In practice’ germaniul este asezat intr-o cutie de wwafit si tras& incet printr-o serie de bobine de incalzire in radiofrecventa intr-o atmosfera inerta. Totusi, o can- litate de impuritaéti (antimoniu de exemplu) controlata, pobuie adaugaté pentru a obtine proprietafile electrice corute de tranzistor. Adaosul introdus pentru a obfine 0 oncentratie de o parte la 108, este nivelat:, adica, distri- butia de adaos de-a lungul cristalului de germaniu este ficuta uniforma. 21Nivelarea este ceva similar purificiirii vonile, lar pro- eesul este in mod normal combinat cu recristalivaves in copul convertirii lingoului de germaniu intrun mono- cristal mare care va avea proprictifile elecirice cerute. Aceasta se realizeazi prin asocievea unul lingou a unei seminje de cristal cu o anumité orientare a rolelei: in starea topit germaniul eregte pe simin(i si ii aceleasi caracteristici Cristalul de tip nm ce regulti e extrem de dur si se foloseyte un cufit de diamant pentru al tiia in bu- eati. Acestea sint glefuite, polizate si apoi taiate inc& odata pentru a face pastilele necesare pentru: fabricarea tranzistorului, Hle pot fi tot atit de mici ca un patrat cu latura de cifiva milimetri si de o zecime de milimetru grosime. Cum este facut iranzistorul aliat? Pastilele mai sus amintite pot forma baza tranzisto- rului p-n-p. Sint necesare apoi regiunile de colector si emitor din material de tip p, iar acestea pot fi obtinute prin topirea unui material de tip p (indiu) pe fiecare parte a pastilei de baz&. Indiul este mai itii format intr-o pastila sfericd, cea pentru colector fiind de citeva ori mai mare decit cea pentru emitor. Fiecare pastila, este unita la baza (intii colectorul apoi emitorul) prin- tr-un proces de aliere executat la o temperatura inalta. Astfel indiul patrunde in germaniu si formeazi un aliaj care este tocmai germaniul de tip p. O sectiune simplificata a unui tranzistor cu jonctiune aliatad se arata in figura 13. Apoi urmeazd sé se sudeze conexiunile (firele de le- gatura) si si se monteze ansamblul pe un suport de sticlé. Unitatile astfel formate sint spalate fn api ne-+ 22 jonizat& si suprafetele lor se oxideazi intr-un cuptor. Etapa finala este incapsularea: capsula este din sticlé paca, plastic sau metal continind o umplutura inerté care asigura protec- fia impotriva umidi- t&tii si ajuta s& se di- Indu al Portite de germaris de tip 0 sipe caldura. ‘. eee as ah Prin ce difera di- Emir ——~} 1] | — colector fuzia de aliere? 4 In procesul de aliere impuritatea oe este topita la tempe- vp raturé inalt&é si di- zolva suprafata pas- tilei de baz& de sub ea, astfel ca la racire si recristalizare, a p&truns si a schimbat polarizitatea regiunii de dedesupt. In procesul de difuzie pastila de baza este crescuta la 0 temperatura apropiata de punctul sau de topire intr-o atmosferd gazoa: continind sub- stan{a impurificatoare ceruté: in aceste conditii atomii de impuritati difuzeaza in pastila de baza. Fig. 13. Sectiune (simplificata) in- trun tranzistor cu jonctiune aliat. Deserieti tranzistorul aliat-difuzat Pentru cerinte particulare — spre exemplu, lucrul la puteri mari sau functionarea in doua regimuri in circuite speciale — s-au inventat alte tipuri de con- structie si fabricare. Un tip important este procesul de difuzie aliata, care da posibilitatea tranzistoarelor s& func- tioneze la frecvente foarte inalte. Cu alte cuvinte, este imbunatatit raspunsul la frecvente inalte. 23.Performanta unui tranzistor la freevente inalte de= pinde de timpul necesar pentru ca purtilorii de curent sa se migte de la emilor la colector gi de grosimea re- giunii de bavi, Prin procesul de aliere deja deseris con- difille practice de fabricare condue la o freeventa de lucrus maxima de aproximativ 15° MIL Pentru multe scopuri este necesard o freevenfi de taicre mult mai mare gi este realizatii cu ajutorul tranzistorulni difuzat aliat, Pe suprafaja unei pastile d prin tehnicile mentionate anterior tip p ce se obtine i printr-un proces de pre-difuzie se formeaz% un strat de material de tip n, aga cum se arataé in figura 14, a. Doua pastile sint plasate pe suprafata: pastila mar- cata prin litera B, care formeaz& leg&tura la bazi, con- Stat precifuzot de tpn Canfactuh Contectel een Postité cu aditivi| Postité cv adit? ree de tnpein core| dtp npenrua armecsa emto- | tera contacto! 7a! 3 jonctioneo | ohmic cu bore emitor-baed | de tp a kG en (ee B)\, Steatyy vers Pp—Sralep xx theo ‘baze) iizat ok tip n aeentl a core formears coleciori! Colector de tp p Date CET ’ Fig. 14. Constructia unui tranzistor difuzat-aliat. Componentele principale inainte de inedlzire a si sectiune transversala dupa difuzie-aliere si coro- dare b, tine un material aditiv de tip nm, in timp ce pastila E (emitorul) contine aditivi de tip p si n. Acest ansamblu este incalzit si aditivii patrund in pastila de germaniu. Aditivul de tip p al pastilei B difuzeaz& incet si pa- trunde foarte putin in pastilé, dar aditivii de tip m din ambele pastile difuzeazA rapid, formind straturi de tipn in pastila. 5 24 Acest strat, care formeazd baza tranzistorului, poate fi de o grosime mai micd de douad sutimi de milimetru. Cind se raceste ansamblul, din pastile se recristali- zeazi un strat de germaniu: stratul de sub pastila E este in special de tip p, deoarece aditivul de tip p este mai solubil in germaniul recristalizat. Acest strat for- meazi o jonctiune p-n cu stratul de bazd difuzat, care in schimb formeazi o jonctiune n-p cu pastila colecto- rului. Stratul recristalizat de sub pastila B este de tipn si formeazi o jonctiune neredresoare cu stratul difuzat al bazei de tip n. Structura esie apoi mascat& in jurul suprafetelor ce- lor doud pastile, si suprafaa rémasi este corodatt pen- tru a obfine o configuratie finalA asa cum se arat{ in fig. 14, b. Ce este un tranzistor planar epitaxial? in figura 15 se arat& configurafia unui tranzistor, epitaxial planar. Ambele jonctiuni, colector-baza si emi- tor-baz4, sint formate prin difuzie. Regiunile emitorului si bazei sint difuzate prin ferestre gravate intr-un strat de suprafata oxidat al pastilei suport suprafetele reoxi- dindu-se dupa fiecare proces. Suprafata oxidataé — bio- xidul de siliciu — protejeaz jonctiunile, conducind Ja performante imbunatatite printre care si un curent re- zidual de colector foarte mic si foarte stabil. Ca si la alte tranzistoare difuzatc, stratul de bazi poate fi facuta extrem de subtire, astfel ci este posibila functionarea la frecvente foarte mari, peste citeva mii de MHz. Prin formarea tranzistorului, asa cum s-a aratat, pe o pastild compusaé avind o rezistenta scdézuté a substra- 25tului, rezistenja interndi a regiunii de colector si deci caderea de tensiune pe ea este mult redusi Epit se refer la modul cum se formea colec- torul pe un substrat de rx zisten\a scazuta, Aceasta con- sta in cresterea unei pelicule subfiri de semiconductor DE has Gnicctut eniterty | P2 © pastild’ de mono- Cromer cr stal din acelagi mate- Roh rial: dacé orientarea Ge ~ us cristalului este conti- ‘Stat ‘mitor ee Se epitonial { bo2d nuata din pastilad in Colector 2 strat, se spune cA este Substrat cu rezistenta mic epitaxiala — orientarea Fig, 15, Tréiséturile esentiale ale CTistalului este menti- unui tranzistor cu Seu planar epi- nuta in aceleasi axe. taxial in timpul fabricatiei, Diferi- ; 5 tele regiuni sint difuzate prin ,,fe- Procesul de fabri- restre“ corodate in suprafata oxi- care a tranzistorului dului, suprafata find reoxidata dupa ieee i fiecare proces. Tipul prezentat este €Pitaxial planar este un tranzistor de audio frecven{i de mult mai complicata semnal mic. decit pentru tipurile simple de tranzistoare dar se obtine un tranzistor cu ca- racteristice extrem de bune. Performanjele exceptionale Ja freevente inalte le face convenabile in folosirea pentru cireuite de impulsuri, de exemplu in calculatoare, sau alte aplica{ii de prelucrare a datelor. Procesul planar este baza dezvoltarii multor circuite monolitice. Difera tranzistorul de putere de cele descri anterior? In afar de faptul c& este mult mai mare, tranzisto- rul de putere este identic in aspectele esentiale cu cele- Jalte tipuri descrise pind acum. Totusi acesta este inchis intr-o capsula metalica, iar in timpul uti , este ast- 26 fel montat incit s& fie in contact (printr-o saiba izola- toare de mica) cu sasiul ajutind asifel la disiparea tem- peraturii considerabile produsai de colector. Dacé nu se ia in consideratie aceast& precorectie tranzistorul se va de- teriora {n mod ireparabil. In fig. 16 se reprezintd 0 sec- Invelis metalic Enitor Conerwneo bazel a ie conductitogre Pastilé ok oe céldure germenis va Colector | Fig. 16. Sectiune simplificat’ printr-um tran- zistor de putere. tiune simplificata printr-un tranzistor de putere. Acesta este un tip de tranzistor ce se foloseste in etajul de ie- sire al unui radioreceptor. Ce este un tranzistor cu efect de cimp? Acesta este un tranzistor unipolar, functionarea sa de- pinzind numai de purtitori majoritari, Exist’ doud ti- puri principale, tranzistorul cu efect de cimp cu oa jonctiune si tranzistor cu efect de cimp cu poarta as Jataé. In fig. 17,a se reprezinta constructia unui tranzis- tor cu efect de cimp cu jonctiune ce are la bazi un sub- strat de siliciu de tip n. Dac& se conecteaz& o sursa extern’ de tensiune intre sursi si dren’, prin tranzistor trece curent de la sursé la dren prin canal. Daca intre sursd si poarta se aplicd o tensiune va rezulta in canal un cimp electric care va impiedica trecerea curentului a7(de aici numele de tranzistor cu efect de cimp). Curentul ce trece prin tranzistor ¢ controlat deci de variatia tensiunii aplicate pe poarti, 'Pranzistorul din figurd este un tranz or cu efect de cimp cu canal p: versiunea cu canal m poate fi realizati in mod identic prin difuzia sursei, drenei yi canalului de tip 2 in substratul de tip p. Pour Strot iolator pod Ge Siteie frend fort cstisees. ae | Drené— Sursé | ' oS TP eginte cetion : | Cana sieptale oie baa silat conat —earapsiseaicale : (ues \ Lec tone oe aoe ee S00, en ae Betton BEB, IN Cdsigtonteace Coneriune de substrat (ev cbicer nu tte meus) Fig. 17, Doua forme ale tranzistorului cu efect de cimp: Daca poarta este separaté de canal printr-un strat izolator, functionarea dispozitivului se desfisoari simi- lar cu a unui capacitor, capacitatea fiind formata de stra- tul izolator ca dielectric iar poarta si canalul ca _,,arma- turi*, Se obtine astfel tranzistorul cu efect de cimp cu poarta izolata, la care controlul trecerii curentului prin canal este realizat de tensiunea aplicata porfii. In fi- gura 17,6 se arata o structuraé de tranzistor cu efect de cimp cu poarta izolat’ mult mai claboratéi, Dup’i cum se poate vedea, aici existé doud jonctiuni pn, regiunile sursei si drenei, fiind separate*. Astfel, prin dispozitiv * Uneori intre drena si surs& se formeasii un « foarte putin dopat, numit ,,canal initial astfel ci la aplicarea unel tensiuni intre dren si surs va lua najtere wn eurent de va- Joare mica. 28 nu va trece curent la conectarea unei tensiuni intre sursi si dren deoarece jonctiunile sint spate in spate. Sa vedem ce se intimpla cind, la configuratia din fi- gura 17,b cu substratul de tip p si regiunile sursei si drenei de tip nr, se aplick o tensiune pozitiva pe poarta. Electronii liberi, deoarece sarcinile de semn contrar se atrag, se vor aduna chiar sub stratul izolator. In acest mod sub stratul izolator apare o regiune cu sarcinad ne- gativS iar acest canal de tip m indus permite curentului s& curgd de la sursé la drenad. Variind tensiunea dintre poarta si sursd se va realiza controlul asupra curentului ce trece prin dispozitiv. In figura 17,b se arata un tran- zistor cu canal n indus dar este posibili gi versiunea cu canal p. Acest tip de tranzistor cu efect de cimp se mai numeste tranzistor metal oxid semiconductor datorita portii metalice, stratului de oxid izolator si a substratu- lui semiconductor. Cind curentul ce trece prin tranzistorul cu efect de cimp cregte odatdi cu cresterea tensiunii por ca in structura descrisd mai sus, acest mod de lucru se nu- meste functionare cu imbogatire de purtatori. Cind mic- gorarea tensiunii portii provoacaé micsorarea curentului ce trece prin dispozitiv ca in tranzistorul cu efect de cimp cu jonctiune sau tipul mai simplu cu poarta izolata, acest mod se numeste functionare cu saracire de pur- tatori, Diferenta importanti dintre tranzistorul cu efect de cimp si tipurile de tranzistoare bipolare este cA elec- trodul de comanda al tranzistorului cu efect de cimp — poarta — nu absoarbe curent, dispozitivul fiind con- trolat prin tensiunea aplicaté electrodului. Aceasta in- seamnaé cé impedanta de intrare a tranzistoarelor cu efect de cimp este mult mai mare decit a tranzistoarelor 29bipolare, ceea ce reprezintié un avantaj considerabil in z ; unele aplica{ii, S = Circuite cu tranzistoare Intrucit stratul izolator al unui tor cu efect de | : : cimp metal-oxid-semiconductor poate fi ugor deteriorat | ] datorita supratensiunilor acesta este alimentat printr-un | 2 i colier ce scurtcircuiteaza electrozii poarta $i sursa si acesta 2 2 ar putea fi Lisat in aceast& pozifie ori de cite ori dispo- a zitivul nu se afla in circuit. Cum se conecteazi tranzistorul intr-un circuit? Deoarece tranzistorul este un dispozitiy cu trei elec- trozi, el poate fi conectat in trei moduri, sau conexiuni cum se mai numesc. Acestea sint conexiunile cu baza comuna, cu emitor comun si cu colector comun si sint ie Pye! 6 Intrare 3h 9 sntrare ST sere Enitor comun Bazé coming Colector comun Fig. 18. Cele trei conexiuni principale ale tranzistorului. reprezentate in figura 18. Uneori in loc de ,,comun“ se foloseste termenul ,,masa“ intrucit terminalul comun va fi conectat la masa sau la sasiu, Caracteristicile principale ale acestor conexiuni sint prezentate in tabelul 1. Valorile exacte depind de tipul de tranzistor si de natura sarcinii aplicate. Conexiunea cu emitorul comun este cea mai frecvent folosité in amplificatoare. In aceasté conexiune se poate objine o amplificare de 70 cu un iranzistor cu jonc- tiuni. Conexiunea cu colectorul comun este interesanta prin aceea c&, datoritaé impedantei de intrare mare si impedanjei de iesire mic&d, acest montaj corespunde re- petorului pe catod folosit in amplificatoarele cu tuburi. 31ic Tabehul t pas: ele devin ambele pozitive sau negative in acelasi Caracteristicile conexiunilor tranzistoarelor | moment (vezi fig. 19). In conexiunea cu emitorul comun, semnalul de iesire devine pozitiv in timp ce semnalul de intrare devine negativ. Apare astfel o inversare a fazei, iar cele doua semnale sint defazate cu 180°, Aceasta este ca si cum ai da inapoi semnalul cu o jum&tate de Te peaanis de ciclu (180°). De notat cA in aceasta figura nu s-a tinut iesire mare mica seama de amplitudinea semnalelor: unul ar putea fi mai Amplificarea mare decit celalalt. Inversarea fazei are o importanta de curent Bee mare deosebita in circuitele de impulsuri. Caracteristici ymitorul comun | Baza comunt | Coleetorul comun Impedan}a de intrare medie mica mare Amplificarea de tensiune mare mare mai_mica ete 4 decit 1 Cum se polarizeaza un tranzistor? Defazaj inversare nu cu 180° Am observat din figurile 10 si 12 ca pentru polariza- rea tranzistoarelor in conexiunile cu baza comuna si emitorul comun se folosesc doua baterii. Folosirea celor dou& baterii nu este practic’. In figura 20,a se arat& o metod& simpl& de polarizare a etajului cu emitorul comun folosind o singurd baterie. In acest montaj va Aceasté conexiune se foloseste ca etaj de cuplare intre tranzistoarele montate in conexiunea cu emitorul comun. Conexiunea cu baza comuna isi are cele mai multe apli- catii in radiofrecvenja. Ce este defazajul? S-a ar&tat in tabelul 1 c&, in conexiunile cu baza comuna si colectorul comun, nu exista defazaje. Cu alte cuvinte, semnalele de la intrare gi iesire sint in acelasi + Ipbrare Fig. 19. Semnale de intrare si ies re in faza a si i verse in fazi b: miu de ies! Fig. 20, Metode de polarizare a tranzistoarelor. In pelecteideraaaeict aceste exemple sint prezentate tranzistoare npn. 180° fati de som- nalul de intrare. curge un curent mic de la baterie in circuitul bazei ca rezultat al conectarii rezistorului de polarizare Rg intre baz& si borna pozitiva a bateriei. 3 — Tranzistoare 33Acest curent va pozitiva baza in raport cu emitorul, situatie pe care o dorim, intr-o configuratie pnp, pentru a polariza direct jonctiunea emitorului, Tn practicd se folosese in general montaje mult mai complicate in scopul elimina cresterii curentului dato- rita efectelor de temperatura ce apar in materialul semi- conductor. Dac& un tranzistor se incalzeste in timpul functionarii, curentul ce trece prin el va creste, un cu- rent mai mare inseamna o crestere suplimentara a tem- peraturii si asa mai departe, astfel ca poate aparea condifia numita ambalare termicd daca nu se iau pre- cautii speciale. In figura 20,6 se arati ciile uzuale de prevenire a acestei situatii. Pentru a realiza o polarizare’ stabila a bazei se foloseste un divizor de tensiune (R, si R,), iar in emitor se introduce rezistorul Re. de valoare mica. Kiectul lui R, este acela ci la cresterea curentului de emi- tor datorita temperaturii, tensiunea bazei fata de emitor (pentru o structura npn) scade, prin urmare micsorind curentul bazei si al colectorului. Asa cum se arata, pen- tru prevenirea reactiei negative se introduce un capaci- tor C de decuplare pe R.. Descrierea unui circuit amplificator cu doua etaje In fig. 21 se reprezinta un amplificator cu doua etaje simplu care foloseste dou& tranzistoare pnp. In acest exemplu se foloseste o alti metoda de stabilizare a pola- rizarii desi mai putin eficace decit cea prezentat& in fig. 20, b: Aceasta metod& consti in conectarea rezistoa- relor de polarizare (R; si Rs) direct la colectoarele tran- zistorului si nu la sursa de tensiune. Principiul de func- fionare este similar: cind curentul colectorului creste, 34 datorita cresterii temperaturii, tensiunea de colector ya scidea: Acest fapt va modifica polarizarea bazei, tensiu-~ nea pe baz scade, si deci curentul de colector va scidea si/el. Pentru cupla- rea celor doua etaje se foloseste un grup rezistent4-capacitate, tensiunea de iesire a primului tranzistor se BZaseste pe rezisto- rul Ry si se aplicd pe baza celui de al SOUS ea aiS LOE Co Fig. 21. Amplificator tranzistorizat intermediul — capaci- simplu cu doua etaje. In circuitele cu Ua a cn gee ee Nenteren cate valorilor relativ mari, electrolitice. In general la tranzistoa- i de rele pnp montate in cascada colectorul Be rasta tanaccam iia negativ cuplare folosite in decit baza celui de al doilea, astfel in- i i jg- cit capacitorul electrolitic se conectea- circuitele cu tranzis se Urania Gaatadeea: toare, adesea se uti- lizeaza _ capacitoare electrolitice, asa cum s-a aratat in figura. Este important s& se conecteze cu polari- tatea corect. Uneori se folosesc montaje complemen- Fig, 22. Circuit complementar folosind tare. Un amplificator 'anzistoare pnp. aes cuplaj di- in cascada cu doud etaje poate folosi caracteristicile complementare ale tran- zistoarelor pnp si npn in scopul realizarii unei cuplari directe dintre cele doua etaje. In exemplul prezentat in fig. 22, polarizarea primului etaj este realizata prin divi- ie 35zorul de tensiune R, Circuitul emitor-baza al celui de al doilea etaj actione ca o sarcina pentru primul etaj, iar curentul de colector al primului tranzistor devine curent de polarizare a bazei pentru al doilea tranzistor. Rs reprezinta sarcina celui de al doilea etaj. Un astfel de montaj, folosind foarte putine componente, are un cistig mare si un raspuns la frecvenje joase bun (nu exista capacitor de cuplare prin care semnalul trebuie si treaci). Semnalele de intrare si jesire sint in faza. Cum se foloseste tranzistorul in circuitele oscilatoare? Tn fig. 23 se arata un oscilator RF simplu. Baza tran- zistorului este polarizat& prin divizorul de tensiune Ry, Ry» incit curentul circuld prin tranzistorul a c&rui sar- Fig. 23. Oscilator rf cu Rig. 24, Circuit multi- tranzistor avind ca sar- vibrator cu tranzistoare. cind un circuit acordat Cele dowd tran (Ly Cy). Remarcim ca sint cuplaie in crucis semnalul de intrare (la prin grupul capacitate bornele lui Re) este aici rezistenta in serie cu curentul de polarizare (via R,) din R, care este decuplat. 36 cin& este circuitul acordat L,, C;. O parte din semnalul de iesire este aplicat. inapoi pe bazé prin infasurarea de cuplaj L,, rezultind oscilatii intretinute daca infasurarea este corect montat& pentru a asigura o reactie pozitiva. In fig. 24, se reprezint{ una din alte citeva posibili- tati de realizare a circuitelor oscilatoare. Dacé cele doua etaje cu emitorul comun sint conectate asa cum se arata in figura intre semnalele de intrare si iesire apare un defazaj de 360°, adici cele dou semnale sint in fazi. Circuitul va oscila dacd semnalul de iesire este aplicat la intrare. Un astfel de oscilator va produce la iesire un semnal complex, depinzind de caracteristicile rejelelor rezistenti-capacitate folosite, iar forma de und& este bo- gata in armonice. Pentru acest montaj se foloseste adesea numele de multivibrator. El are aplicatii in circuitele bazi de timp, calculatoare, echipamente de comunicafii gi instrumente.Tranzistoarele in radioreceptoare Ttv. rtv. ntv. rtv. rity. Cit de mult sint folosite tranzistoarele in radio? In largul domeniu al radiocomunicatiilor exist un numar de echipamente, care inc& nu pot fi realizate in Intregime cu tranzistoare sau imbunatatite prin folosirea lor. In alte echipamente tranzistoarele, de obicei folosite pe cablaje imprimate si miniaturizate, aduc benefi si avantaje pe care tuburile nu le-ar putea oferi. Dispoziti- vele semiconductoare sint folosite in televiziune, magne- tofoane si 0 varietate larga de echipamente audio. Receptoarele tranzistorizate portabile, alimentate la baterii si adesea suficient de mici pentru a intra intr-un buzunar, sint in momentul de fat& ceva foarte obisnuit. In momentul de fafa tranzistoarele sint folosite in toate tipurile de receptoare radio, inclusiv Ppicupurile, alimen- tate la rejea si cu puteri de iesiri relativ ridicate. Tran- zistoarele sint folosite in toate etajele: amplificatoarele de frecvenja intermediara, detectoare, mixere si etajele de iesire. Tranzistoarele sint folosite atit in receptoa- rele MA cit si MF dar in aceasta lucrare ne vom referi numai la receptoarele MA. Descrierea functiei de amplificare a unui tranzistor intr-un receptor radio Conditiile de bazi pentru amplificare au fost deja descrise. In continuare se va considera amplificatorul din 38 « receptoarele radio si apoi, echipamentele de reprodu- cere a sunetului mult mai specializate. In etajele finale ale receptorului se pune problema obfinerii unei puteri maxime cu minimum de distorsiuni ale semnalului, sau pentru orice eventualitate cu un nivel de distorsiuni care va fi acceptabil pentru ascultator. Pentru aceasta sint posibile citeva moduri sau clase de functionare ale etajclor amplificatoare. Care sint aceste clase de functionare? Pentru etajele de iesire ale receptoarelor sau echi- pamentelor audio mai specializate sint importante trei clase de functionare; sau, pentrtu a fi mai precisi, doud clase principale, clasa A si clasa B, si o clas& interme- diaraé numita clasa AB. Aceasta clasificare este deter- minata de polarizarea tranzistorului. In fig. 25 se reprezinté un ctaj de iesire cu tranzis- tor in clasA A. Pentru a obfine cel mai bun randament semnalul din sarcina si de la intrare trebuie sd fie astfel aranjate ca tensiunea pe co- lector si curentul sa varieze intre zero si dublul valorii in absenta semnalului, Va- loarea medie a curentului de colector este aceeasi indife- rent dac&é se aplicd sau nu semnal: astfel puterea absor- Fig. 25. Btaj de iesire clasa A cu tranzistoare. bité de la sursa de alimen- tare raémine constanta. Aceasta inseamna ca puterea disi- pata in tranzistor se reduce cind se aplica semnal. Ran- damentul teoretic al etajului clasi A este de 509/) (adica, sub conditiile ideale); in practica este ceva mai mic. 39In functionarea in clas& B curentul de repaus — exis- tent in absenta semnalului — este foarte mic, dar curentul creste pe masura ce creste amplitudinea sem- nalului aplicat. Deoarece consumul de Ja sursa de alimen- tare depinde de semnal oa sint posibile realizarea “oH ; unor economii. Randa- mentul teoretic este de 78,59/9. Forma de unda a semnalului de icsire a unui etaj clasd B re- prezinta o serie de se- mialternante ale semna- lului de intrare si deci + este necesara utilizarea a doua tranzistoare in montaj push-pull in scopul obfinerii unei forme de unda utilizabile (fig. 26). Acest montaj ofera o putere de iegire relativ ridicataé, dar necesita o grijé deosebitaé in proiectare pentru a elimina distor- siunile. Clasa AB de functionare este intermediara intre clasa A si clasa B. In absenta semnalului de intrare prin etaj curge un curent oarecare dar acesta este mai mic decit in etajul clasi A. In general etajele clasi AB sau clas’ B, precum si variante ale acestora, sint folo- site acolo unde se folosesc semnale de intrare mari, in- Fig, 26, Etaj de iesire push-pull clasa B, deosebi in etajele de putere. Etajele clasé A sint folosite in multe moduri acolo unde se folosesc semnale mici dar este necesar un cistig considerabil. 40 Cit este de mare puterea ce se obtine din etajele finale cu tranzistoare? Desi etajele de iesire in push-pull din radioreceptoa- rele portabile si picupuri au o putere de un watt sau mai mica, in radioreceptoarele mai scumpe realizarea unor puteri de 10 W a devenit ceva obisnuit. In amplifi- catoarele audio relatiy mai costisitoare cu ajutorul unor circuite speciale se ating puteri pind la 50 W: aceasta putere este realizabila pe fiecare canal al unui sistem stereofonic. Succesele in aceasta directie depind de de- pasirea dificultatilor de fabricatie si realizarea unor tran- zistoare de putere mare suficient de ieftine. Ce tipuri de oscilatoare se folosesc? S-a vorbit deja despre un oscilator de radiofrecventa si despre un multivibrator simplu. In toate oscilatoarele existé doua& parti principale: una este formati de com ponentele ce determina frecventa de oscilatie iar cea- lalt4 asigur& amplificarea, cu ajutorul unui tranzistor, pentru a mentine oscilatiile. In cele mai simple oscila- toare, numite in general oscilatoare de relaxare, tran- zistorul ce asiguré amplificarea este in fapt un comuta- tor, deoarece tranzistorul trece din starile de conductie in cele de ne-conductie (adici, de taiere), Freeventa de lucru este determinaté de retele simple, sa zicem din re- zistente si capacit&ti. Alte tipuri de oscilatoare includ circuitele Hartley’ si Colpitts, care produc ‘a iesire un semnal sinusoidal. Ele vor fi familiare acelora care au avut ocazia s& studieze radioreceptoarele cu tuburi electronice. Intr-adevar, .cir- cuitele cu tranzistoare sint principial similare celor cu Bretuburi. Un exemplu care sa ilustreze acest fapt este re- prezentat in fig, 27. In astfel de circuite frecventa de rezonanta deobicei este determinaté de inductanta L si capacitatea C din circuitul de = reactie conectat, in fig. 27, intre colectorul si baza tran- zistorului, O oscilafie generataé in acest circuit se va amortiza, e T urmind o lege exponentiala, datorita efectului rezistentei. Fe Aceasté pierdere de putere trebuie compensata daca do- rim mentinerea oscilatiilor, iar sursa de putere in acest caz este etajul amplificator Fig. 27, Oscilator Hartley cu i annie) cu tranzistor. Cum se foloseste tranzistorul intr-un etaj detector? in cazurile cele mai simple in etajul detector se folo- seste 0 diodi, mai degrab& decit un tranzistor. El are o sarcina rezistiva posibil potentiometrul de volum al re- ceptorului, si deci semnalul detectat este aplicat etajelor amplificatoare de audiofrecven{a. Adesea, totusi, pentru detectie se foloseste tranzistorul: aceasta se realizeaza polarizind astfel tranzistorul incit sA se poata folosi por- tiunea neliniara a caracteristicii de colector care asigura deci actiunea de redresare. Ce este C.A.A. si cum se realizeaza? Controlul automat al amplificdrii reprezinta o tehnica de reglare. Scopul sdu este sé previné supraincdrcarea 42 ultimelor etaje ale receptorului ce ar putea sd se pro- duca la receptia semnalelor puternice. Pe de alta parte, cind apare fenomenul de fading al semnalelor (de obicei in receptoarele MA) CAA ajuti la minimizarea efectului asupra condifiilor de auditie. In acest scop, din detector se culege o tensiune de control care se aplica unui etaj FI, adesea in serie cu tensiunea de polarizare bazd-emitor a primului tranzis- tor FI. Tensiune de control este proportionala cu amplitu- dinea purtatoarei de la detector si controleazi amplifica- rea etajelor cdrora se aplica. Circuitul este astfel aranjat incit semnalele mici (sd zicem cele de fading) permit o amplificare ridicaté in etajul FI, in timp ce semnalele puternice reduc din amplificare. Pentru eliminarea sem- nalelor de frecven{a radio sau audio din linia CAA este necesaré includerea unor componente de filtrare. Deserieti etajul amplificator de freeventa intermediara Aga cum se arata in fig. 28, etajul de frecventa in- termediara este foarte asemanator cu etajele amplifica- toare simple de care ne-am ocupat, doar c& acestea au la intrare si iesire transformatoare, care sint acordate pe frecvenja intermediara, in’ mod obisnuit 460 KHz la receptoarele MA. Aceste transformatoare determina banda de frecventé in care etajul asigurd amplificarea admitind trecerea numai pentru semnalele cu frecventa cuprinsa in interiorul acestei benzi. ‘ La frecvenje radio trebuie luata in consideratie reac- tia interna proprie a tranzistorului, deoarece aceasta de- termina amplificarea ce poate fi obtinuté fara distor- siune sau instabilit&éti. Printr-o proiectare adecvata se adaug& componente externe care introduc o reactie opus 43,ca faz, care echilibreazi reactia proprie tranzistorului Aceast& metoda, numita unilateralizare, implic& utiliza- rea de rezistente si capacititi. Un sistem mai simplu, care utilizeaza numai ca- pacitati, se numeste neu- trodinare. La tipurile de tranzistoare ce se folosesc in acest. moment in am- plificatoarele FI si RF reactia intern este negli- jabila. In fig. 29 se reprezinta un etaj complet al unui amplificator de frecventa intermediara echipat cu un tranzistor OC 45, Com- ponentele de neutralizare sint Ry si-Cj. Ar fide re- = Fig. 29. Amplificator de FI cu un ctaj. CY repre- " zinté capacitorul de 22% 3 acord; R, si C; sint componentele de reac- fie, asigurind unilatera- lizarea. Unilateralizarea este rareori necesard dac&é se folosese tran- zistoare de frecventa fesire inalté cum sint cele di- fuzat aliate. A marcat ci largimea de banda si selectivitatea unui am- plificator FI pot fi imbunatafite dacé cele doua infasurari ale transformatoareldér sint acordate. 44 Explicati cum se foloseste tranzistorul in etajul mixer Rolul schimbitorului de frecvenjé sau al etajului mixer este evident acelasi ca si in receptoarele cu tuburi Cu ajutorul unui proces de heterodinare diferitele frec- vente ale semnalelor receptionate sint convertite intr-o singura frecventa fixd, de obicei 460 kHz, ce se aplicd la intrarea amplificatorului FI. Informatia audio este transportata de semnalul de radiofrecventa ca o modu- latie de amplitudine in receptia MA (sau ‘a frecventei in receptia MF) si aceasta este transferata purtatoarei FI. Frecventa intermediara este situaté deasupra benzii audio si prin urmare poate fi numit& frecven{A supersonica: aceasta combinaté cu cuvintul heterodin&d, cu multi ani fn urm4 a format noul cuvint ,,superheterodina, care se aplicA azi receptoarelor. Receptorul ,acordat pe frecventa radio" este astazi demodat. Functiile de mixare si oscilatie trebuie combinate in- tr-un mod oarecare intr-un singur etaj in receptor. Desi se pot folosi doua tranzistoare cu componentele asociate, este absolut normal ca un singur tranzistor s& faca tot ceea ce este necesar. © proiectare atent& inl&turd diferenta dintre perfor- mate si desigur se reduce pretul, factor de mare impor- tanta in productia radioreceptoarelor in serie de ma Un astfel de etaj se numeste mixer auto-oscilant iar in fig. 30, sint reprezentate trasaturile sale esentiale. Circuitul din baz4 este acordat pentru a recepjiona sem- nalul de radiofrecventa de la intrare in timp ce circuitul de iesire este acordat pe frecventa intermediara a sem- nalului de iesire. Circuitul de reactie LC dintre colector si emitor realizeazd oscilatia iar frecventa intermediara 45reprezinta diferenta dintre frecventa radio de la intrare si frecventa etajului auto-oscilant, 4 In fig. 31, se reprezinté un etaj mixer auto-oscilant cu tranzistor OC 44, Fig. 30. Etaj mixer-oscilator. Acest cir- cuit este un mixer aditiv, 2H 250° 2h A Riera lect iat 56K Hi it ranstornte Circuitel ocordot @/ osciatorilus Grreuit de acord of onene] Fig. 31. Etaj mixer-oscilator folosind tran- zistorul OC 44, 46 Sint reprezentate componentele numai pentru o sin- gura banda, pentru alte benzi in circuit se introduc alte inductoare si alte capacitoare. Pentru a asigura pornirea ugoaré a oscilatorului tranzistorul este polarizat initial in clasa A de functionare cu ajutorul a doua rezistoare ce lucreaz& ca un divizor de tensiune, (56 KQ si 10 KQ). Pe masura ce oscilatiile cresc dioda bazé-emitor redre- seazd semnalul generat; aceasta determina o tensiune continua negativa pe rezistorul din emitor si pe capaci- torul sau de decuplare, provocind intrarea tranzistorului in clasa B de functionare. Amplitudinea oscilatiei este stabilizata de schimbarea de tensiune de la emitor. Cum se combina toate aceste etaje intr-un receptor? In fig. 32, este reprezentat circuitul unui receptor portabil cu sase tranzistoare care ilustreazé modul de im- binare a caracteristicilor fiecdrui etaj. In acest receptor se folosesc trei tranzistoare de frecvente inalte, un OC 44 si dow& OC 45 pentru mixer si etajele FI. Detectorul este realizat cu o diodA cu germaniu de tip OA 70. In etajele de audio se gasesc trei tranzistoare — un OC71 ce co- mand’ dou OC 72 imperechiate care formeazi etajul push-pull simetric in clas’ B. Se remarc& eliminarea transformatorului de icsire: in acest montaj impedanta de iesire este astfel redusa incit etajul poate fi adoptat la impedanta ridicata a difuzorului (75 Q). (Difuzoarele con- ventionale au impedante de 3 Q si 15 Q). Radioreceptorul foloseste o antené magnetica (situata in interiorul receptorului), Bobinele de impedan{é mica cupleazé circuitul acordat din antend la baza tranzisto- rului OC 44, care este folosit ca mixer auto-oscilant. Frecventa intermediara se extrage din tranzistorul OC 44 47oxvoysyzuean, — F coer aes [ fe k 7, ort t ee cS 1 OT 2 el {ite tae eo Fig. 32. Receptor: superheterodina folosind sase tranzistoare aliate, 47g Fig. 33. Receptor superheterodin’ cu sapte tranzistoare aliate si doud lungimi de unda. Bobinele de intrare sint infigurate pe o antend de ferita. Capacitoarele de reactie (47 pF si 15 pF) se folosese peniru a asigura neutralizarea celor doud etaje amlificatoare de freeven{é intermdeiaré, freeventa intermediara fiind de 465 kHz. Etajul de iesire clasé B cu o pereche complimentara de tranzistoare se conecteaza la difuzorul de 15 Q. Puterea maxima de iesire este de 0,5 W. Consumul in absenta semnalului este de 10 mA si 40 mA pentru puterea de 5) mW.cu ajutorul primului transformator de frecventa inter- mediara T3 iar cele doua tranzistoare OC 45 formeaza primul si al doilea etaj amplificator FI, Pentru a asigura o buna stabilitate se foloseste metoda unilateralizarii despre care s-a vorbit anterior. Semnalul audio este cules de la detector prin potentiometrul de volum (5 k®) §i aplicat tranzistorului OC 71, si un semnal continuu de Ja detector si intors la primul etaj FI pentru a asi- gura CAA, In fig. 33 se reprezinté un receptor cu sapte tran- zistoare ce realizeaz{ o putere’ de iesire de 0,5 W. Circ tul diferaé de primul in principal prin existenta a doud etaje de amplificare audio urmate de un etaj de iesire format dintr-o pereche -complimentaré de tranzistoare conectate clasa B acest etaj fiind cuplat cu un difu- zor de 15 Q. Ce este un cablaj imprimat si cit de mult se foloseste? Cablajele imprimate sint larg folosite nu numai in ra- diourile cu tranzistoare ci de asemenea in calculatoare si © varietate de echipamente electronice industriale si mi- —_?> Fig. 34. Exemplu de cablaj imprimat. Canalele negre. de material conductor formeaza ,,cabla- jul*. Terminalele componentelor se introdue in gaurile aratate si sudate. litare. El are forma unor fisii metalice subtiri (cablajul) fixate pe o placa izolatoare, pe care pot fi montate com- ponentele-rezistoare miniatura, capacitoare, etc, care com- pleteaza circuitul. 50 Uneori componentele insile, precum si firele de lega- turd, sint realitate prin metoda imprimarii, iar apoi placa completa este pe drept cuvint numité circuit imprimat. In figura 34 se reprezinta un exemplu tipi¢ de cablaj im- primat. i Cum se realizeaza cablajul imprimat? Pe scurt, in metodele curent folosite forma cablajului, adesea foarte complex, este desenat (pictat) pe suprafata foliei de cupru ce acopera banda subtire de material izo- lant, iar suprafetele de cupru nepictat sint indepartate prin corodare. Ca metode de desenare se folosese foto- grafierea, procesul silk-screen sau litografic. Pentru coro- dare se foloseste clorura ferica. Placa este prevazuta apoi cu gauri prin care trec ter- minalele componentelor. In general, componentele sint si- tuate de o parte a placii iar terminalele de cealaltaé. Ter- minalele trebuie si fie sudate apoi la punctele corespun- zatoare de pe cablajul imprimat. Toate sudurile pot fi realizate intr-o singura operatie prin scufundarea partii cu conexiuni pentru citeva se- cunde intr-o baie de sudura, Aceasta se face economic prin folosirea sudurii selective. Se aplicd un strat de aliaj pe suprafetele unde nu urmeaza sa se realizeze conexiuni, iar partilor rémase se aplici un flux, fn final scufundarea in aliajul de lipit completeazi operatia de sudura. Care sint avantajele cablajului imprimat? Dezvoltarea cablajelor imprimate a avut loc in para- Jel cu miniaturizarea componentelor, astfel incit a fost posibila realizarea unor ansamble mai compacte si mai ugoare. Despre rapiditatea sudurii s-a mentionat deja iar ro 51un alt factor este reducerea diferitelor capse si cose care Sint folosite in numar mare in cablajele conventionale. Prin urmare este posibilA realizarea unor ansamble mai simple si mai rapide: crescind viteza de realizare pretu- rile scad. De asemenea, se considera cé se reduc substan- fial legaturile electrice gresite (numite de obicei legaturi uscate sau seci). Sint posibile dezvoltari viitoare ale cablajelor imprimate? Etapa urmatoare este deja pornita: folosirea circuite- lor integrate in echipamentele electronice. In circuitele integrate cele citeva tranzistoare impreuné cu rezistoarele,

You might also like

• The Subtle Art of Not Giving a F*ck: A Counterintuitive Approach to Living a Good Life

  

  From Everand

  The Subtle Art of Not Giving a F*ck: A Counterintuitive Approach to Living a Good Life

  Mark Manson

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (5811)
• The Gifts of Imperfection: Let Go of Who You Think You're Supposed to Be and Embrace Who You Are

  

  From Everand

  The Gifts of Imperfection: Let Go of Who You Think You're Supposed to Be and Embrace Who You Are

  Brené Brown

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (1092)
• Never Split the Difference: Negotiating As If Your Life Depended On It

  

  From Everand

  Never Split the Difference: Negotiating As If Your Life Depended On It

  Chris Voss

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (844)
• • Magazines
  • Podcasts
  • Sheet music
• Principles: Life and Work

  

  From Everand

  Principles: Life and Work

  Ray Dalio

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (608)
• The Glass Castle: A Memoir

  

  From Everand

  The Glass Castle: A Memoir

  Jeannette Walls

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (1716)
• Grit: The Power of Passion and Perseverance

  

  From Everand

  Grit: The Power of Passion and Perseverance

  Angela Duckworth

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (590)
• Sing, Unburied, Sing: A Novel

  

  From Everand

  Sing, Unburied, Sing: A Novel

  Jesmyn Ward

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (1104)
• Hidden Figures: The American Dream and the Untold Story of the Black Women Mathematicians Who Helped Win the Space Race

  

  From Everand

  Hidden Figures: The American Dream and the Untold Story of the Black Women Mathematicians Who Helped Win the Space Race

  Margot Lee Shetterly

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (897)
• Shoe Dog: A Memoir by the Creator of Nike

  

  From Everand

  Shoe Dog: A Memoir by the Creator of Nike

  Phil Knight

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (540)
• The Perks of Being a Wallflower

  

  From Everand

  The Perks of Being a Wallflower

  Stephen Chbosky

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (2104)
• The Hard Thing About Hard Things: Building a Business When There Are No Easy Answers

  

  From Everand

  The Hard Thing About Hard Things: Building a Business When There Are No Easy Answers

  Ben Horowitz

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (348)
• Bad Feminist: Essays

  

  From Everand

  Bad Feminist: Essays

  Roxane Gay

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (1018)
• Elon Musk: Tesla, SpaceX, and the Quest for a Fantastic Future

  

  From Everand

  Elon Musk: Tesla, SpaceX, and the Quest for a Fantastic Future

  Ashlee Vance

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (474)
• Her Body and Other Parties: Stories

  

  From Everand

  Her Body and Other Parties: Stories

  Carmen Maria Machado

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (822)
• The Outsider: A Novel

  

  From Everand

  The Outsider: A Novel

  Stephen King

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (1850)
• The Emperor of All Maladies: A Biography of Cancer

  

  From Everand

  The Emperor of All Maladies: A Biography of Cancer

  Siddhartha Mukherjee

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (271)
• The Sympathizer: A Novel (Pulitzer Prize for Fiction)

  

  From Everand

  The Sympathizer: A Novel (Pulitzer Prize for Fiction)

  Viet Thanh Nguyen

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (122)
• Angela's Ashes: A Memoir

  

  From Everand

  Angela's Ashes: A Memoir

  Frank McCourt

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (441)
• Brooklyn: A Novel

  

  From Everand

  Brooklyn: A Novel

  Colm Tóibín

  Rating: 3.5 out of 5 stars

  3.5/5 (1947)
• The Little Book of Hygge: Danish Secrets to Happy Living

  

  From Everand

  The Little Book of Hygge: Danish Secrets to Happy Living

  Meik Wiking

  Rating: 3.5 out of 5 stars

  3.5/5 (401)
• A Man Called Ove: A Novel

  

  From Everand

  A Man Called Ove: A Novel

  Fredrik Backman

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (4610)
• The World Is Flat 3.0: A Brief History of the Twenty-first Century

  

  From Everand

  The World Is Flat 3.0: A Brief History of the Twenty-first Century

  Thomas L. Friedman

  Rating: 3.5 out of 5 stars

  3.5/5 (2259)
• The Art of Racing in the Rain: A Novel

  

  From Everand

  The Art of Racing in the Rain: A Novel

  Garth Stein

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (4203)
• A Tree Grows in Brooklyn

  

  From Everand

  A Tree Grows in Brooklyn

  Betty Smith

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (1929)
• Steve Jobs

  

  From Everand

  Steve Jobs

  Walter Isaacson

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (807)
• The Yellow House: A Memoir (2019 National Book Award Winner)

  

  From Everand

  The Yellow House: A Memoir (2019 National Book Award Winner)

  Sarah M. Broom

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (98)
• Devil in the Grove: Thurgood Marshall, the Groveland Boys, and the Dawn of a New America

  

  From Everand

  Devil in the Grove: Thurgood Marshall, the Groveland Boys, and the Dawn of a New America

  Gilbert King

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (266)
• A Heartbreaking Work Of Staggering Genius: A Memoir Based on a True Story

  

  From Everand

  A Heartbreaking Work Of Staggering Genius: A Memoir Based on a True Story

  Dave Eggers

  Rating: 3.5 out of 5 stars

  3.5/5 (231)
• Yes Please

  

  From Everand

  Yes Please

  Amy Poehler

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (1898)
• Team of Rivals: The Political Genius of Abraham Lincoln

  

  From Everand

  Team of Rivals: The Political Genius of Abraham Lincoln

  Doris Kearns Goodwin

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (234)
• The Woman in Cabin 10

  

  From Everand

  The Woman in Cabin 10

  Ruth Ware

  Rating: 3.5 out of 5 stars

  3.5/5 (2521)
• Fear: Trump in the White House

  

  From Everand

  Fear: Trump in the White House

  Bob Woodward

  Rating: 3.5 out of 5 stars

  3.5/5 (738)
• Wolf Hall: A Novel

  

  From Everand

  Wolf Hall: A Novel

  Hilary Mantel

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (3811)
• John Adams

  

  From Everand

  John Adams

  David McCullough

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (2409)
• On Fire: The (Burning) Case for a Green New Deal

  

  From Everand

  On Fire: The (Burning) Case for a Green New Deal

  Naomi Klein

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (74)
• The Light Between Oceans: A Novel

  

  From Everand

  The Light Between Oceans: A Novel

  M.L. Stedman

  Rating: 4.5 out of 5 stars

  4.5/5 (789)
• The Unwinding: An Inner History of the New America

  

  From Everand

  The Unwinding: An Inner History of the New America

  George Packer

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (45)
• Manhattan Beach: A Novel

  

  From Everand

  Manhattan Beach: A Novel

  Jennifer Egan

  Rating: 3.5 out of 5 stars

  3.5/5 (792)
• The Constant Gardener: A Novel

  

  From Everand

  The Constant Gardener: A Novel

  John le Carré

  Rating: 3.5 out of 5 stars

  3.5/5 (104)
• Ionel Teodoreanu - La Medeleni (Vol. 1 - 4)

  

  Document522 pages

  Ionel Teodoreanu - La Medeleni (Vol. 1 - 4)

  alina_terpu

  60% (5)
• Rise of ISIS: A Threat We Can't Ignore

  

  From Everand

  Rise of ISIS: A Threat We Can't Ignore

  Jay Sekulow

  Rating: 3.5 out of 5 stars

  3.5/5 (137)
• Little Women

  

  From Everand

  Little Women

  Louisa May Alcott

  Rating: 4 out of 5 stars

  4/5 (104)
• Un Tranzistor, Doua Tranzistoare - Ilie Mihaescu

  

  Document168 pages

  Un Tranzistor, Doua Tranzistoare - Ilie Mihaescu

  yo3fhm

  87% (15)
• Wallace Edgar, Omul de La Carlton

  

  Document161 pages

  Wallace Edgar, Omul de La Carlton

  comentator

  No ratings yet
• Manual Photoshop CS5

  

  Document650 pages

  Manual Photoshop CS5

  Eusebiu Pungaru

  No ratings yet
• PRUNCUCIDEREA

  

  Document14 pages

  PRUNCUCIDEREA

  Cristiana Gherman

  No ratings yet
• Medicina Legala (Forensic Medicine) - ROMANIAN

  

  Document176 pages

  Medicina Legala (Forensic Medicine) - ROMANIAN

  AndreiBc

  100% (13)
• Părintele Paisie Aghioritul-Despre Televizor

  

  Document2 pages

  Părintele Paisie Aghioritul-Despre Televizor

  comentator

  100% (1)