Scribd Logo
Upload

Welcome to Scribd!

  • Grila Mos PDF

    Uploaded by

    Băcă Sergiu
    5 views31 pages

    Original Title

    grila mos.pdf

    Copyright

    © © All Rights Reserved

    Available Formats

    PDF or read online from Scribd

    Did you find this document useful?

    Is this content inappropriate?

    Report this Document

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Download as PDF or read online from Scribd
    Flag for inappropriate content
    5 views31 pages

    Grila Mos PDF

    Uploaded by

    Băcă Sergiu

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Download as PDF or read online from Scribd
    Flag for inappropriate content
    of 31
    Lucrarea 5 COMANDA TRANZISTOARELOR DE PUTERE ‘CU GRILA MOS 1. Introducore Dispozitivele semiconductoare de putere cu gril MOS sunt comandate in tensiune deoarece au terminalul de comanda (grila) integrat intr-o structurt de tip Metal-Orid-Semiconductor. Avind in vedere calititile incotestahile ale acestar dispozitive (putere mica de comands, frecventé mare de lueru ete.) cercettrile din domeniul semiconductoarelor de putere si eforturile tehnologice de fabricatie s-au Indreptat cu prectidere spre dezvoltarea lor, In-prezent, se glsese pe pia(S o mutitudine de asemenea dispozitve: tranzistoare MUSKET de putere (MOS Field Effect Transistors), tranzistoare bipolare cu grild izolata (Insulated Gate Bipolar Tranzisior = IGBT), tiristorul controlat MOS (MOS Controlled Thyristor - MCT) etc. Deoarece puterea de comanda a acestor dispozitive este neeliiabilt pot fi integrate circuite de comanda complexe iMGDs ~ MOS Gate Drivers) cu multiple functii care simplificd mult structura convertoarelor, le creste performantele de funetionare si le reduce gabaritul. Beneficiind de o experienti larga in acest domeniu fabricantii dispozitivelor semiconductoare de putere au inclus micro-circuitele de comands intr-un modul impreundi cu unul sau mai multe dispozitive semiconductoare de putere cu gril MOS, S-a pus, astfel, taza tehnologiei Smart Power care oferd in prezent pe piata semiconductoarelor de pulere numeroase tipuri de module inteligente aun pret atractiv. Luand in consideratie aceste avantaje dublate de calitatea vitezelor mari de comutatie este explicabila tendinia actualé a utilizatorilor de a apela din ee ‘mai mult la categoria dispozitivelor cu grifa MOS in dauna celor deja consaerate cum ar fi GTO-uI sau tranzistorul bipolar de putere. 2 imbolurile, structura semiconductoare si caracterist ale tranzistoarelor MOSFET de putere ‘Asa cum sugereaza si numele, tranzistorul de tip MOSFET este primul reprezentant al categoriei dispozitivelor semiconductoare de putere cu gril MOS. In ig.5.1 sunt prezentate simbolul si structura semiconductoare a celui mai utilizat tranzistor MOSFET de putere, tranzistorul cu canal de tip n. Terminale de forga sunt numite drend (D), respectiv sursa (S) si trebuie polarizate ca in figura penini o functionare corecta. Tensiumea de comanda, notatA cu tugs, $e aplicd tntre grila (G) si sursd. Prin intermediul acesteia poate fi controlat ‘Autor: dring. Mihai Albu 2__ULT. ,Gheorghe Asacl in Iasi, Facultatea [EEL Laborator Electronic& de Putere ‘curentul prin tranzistor numit curent de drend — ip, in cazul tranzistorului MOSFET de puteze cu canal de tip » tensiunea grila-sursd trebuie 88 fie pozitiv’ (ngs >0) penteu ca tranzistorul si fie adus in conductie. Poe 5 \ nsss ssea \ ( ee fog COE Sc. | Ce (Gritay SQ (Surss) @ Oy - Fig. £1. Simbotul (a) gi structura semieondustoare (b) a unui tranzistor MOSFET de autere cu canal de tip 2. Siructura semiconductoare @ tranzistoarelor MUSFET de putere este una de tip vertical cu 4 straturi obfinute prin difuzie pe un disc de siliciu - Fig.5.1(b) Stratul de la care se porneste este cel al drenei (n') care se intinde pe intreaya supraaya transversala a discului semiconductor peste care este crescut epitaxial stratul de drift al drenei (7°). Ca si in cazul altor dispozitive studiate grosimea acestui strat este in functie de tensiunea de lueru pentru care a fost proiectat tranzistorul. in stratul de drift sunt formate prin difwic insule de tip p are vor sta la baza unor tranzistoare MOS elementare. in corpul de tip p al fiecdrei insule numit corp al canalu'ui (body), se vor forma in adéncime, prin difuzie, cordoane inelare de tip care se vor conecta 1a terminalul sursei. Canalele de conductie, induse de cémpul electric creat de gril, vor lua nastere la suprafaja materialului semiconductor prin traversarea radial’ de catre curentul de drew a benzilor circutare de tip p, rimase intre cordoarele n’ si suprafata regiunii de drift care inconjoara toate insulele. So poate observa of, in condi ote intre drend gi curd, dar far o polarizarea corespunzatoare @ grilei faté de terminalul sursei tranzistorul mine blocat. Practe, stratul n’ in contac: cu terminalul drenei, zona de drift a drenei (n) si substratul p al fiecdrei insule aflat in contact cu terminalul sursei formeaza simctira unei diode de putere parazite, polarizath invers in acest ear Capacitaten de blocare directa a tranzistorului va fi data de tensiunea inversi maxima a acestei diode, data la rindul ei de grosimea zonei de drift. Aceiasi dioda rezultata. constructiv anuleaza capacitatea de blocare inversd a tranzistorului MOSFET de putere. Totusi, prezenta ei este beneticd in majoritatea structurilor electronice de putere ceoarece joaca rolul unei diode de deseareare. polariatei Lucrarea S: Comanda tranzistoarelor de putere cu grili MOS. 3 Prin polarizarea grilei cu un potential pozitiv fata de terminalul sursei capacitaten MOS incepe si se incarce aga cum se prezint& in Fig.$.1(b). in acest fe sub stratul izolator al grilei, pe suprafata benzilor circulare de tip p, apar sareini negative. Daci tensiunea de comandi este micf, sub o valoare de prag (tics “Users ) aceste sarcini negative sunt obtinute doar printr-un fenomen de golire a materialului semiconductor apropiat, Astfel, ionii pozitivi (golurile) sunt respinsi in profunzime si s i ii MOS se datoreaza, in exclusivitate, ionilor accentori. Acestia nu pot amorsa conductia canalului si implicit a datoriti faptului ci sunt imobili in refeaua cristelind a Daca tensiunea de grila depaseste valoarea de prag specified tranzistoralui (us >Vesives) apare asa numitul fenomen de inversie prin care materialul semiconductor de tip p aflat sub stratulizolator al grilei capata trasdturile unui material de tip msi va nbogati sarcine newativa de pe armatura capacitayii MOS cu electroni liberi. Datovita mobilitti lor electronii creeaz o punte Ge legitur’ intre zona de drift i cordoanele inclare n’ legate Ia terminalul sursei, amorsind curentul de drend pe traseele prezentate in Fig.5.1(b). Aceste punfi de legaturd luate in ansamblul lor formeaza canalut de conductie al tranzistorului MOSFET care, in eazul prezentat, este de tip deoareve este format din sarcini negative. Odati cu amorsarea curentului de drent cloctroaii difsesaza aprs potontialul posit orvat do terminalul dronsi in regiunoa do drift. {alocuirea continua a electronilor plecati din zona canalului este realizati de cordomele n legate la potentialul negativ la sursei. Fenomenul prin care este modulaté conductivitatea _materialului semiconductor prin intermediul unei teasiuni sau a unui camp electric poarté denumirea de efect de céimp si trancistorul care-l utilizeazé tranzistor cu efect de camp - FET (Field Effect Tranzistor). Aceste wranzistoare pot fi, 1a randul lor, de mai ‘multe tipuri. Tranzistorul MOSFET reaizeazi efectul de cimp prin intermediul capacititii MOS asa cum s-a descris mai sts. Conform celor aratate mai sus, datorita diodei parazite (n'- n'- p) ce apare intre drend si sursd, tranzistorul MOSFET de putere nu poate bloca tensiuni inverse Din acest motiv caracterisicile statice tensiume-curent vor fi prezentate doar in cadranul | al sistemului de axe w - i, Astfl. in Fig, 5.2(a) se prezinta dependenia dintre caderea Ue tensiune pe wanzistor (Wesiumes drend-sursa — ps) yl curentul de dren (in) pentru diferite valori ale variabilei de comands (us). Daca tranzistorul nu este comanda: sau tensiunea de grild este sub valoarea de prag Ussirae (in cataloage Vesny ~ Gate Threshold Voltage) dispozitivul nu se deschide i punctul de functionare sc plaseaza pe caracteristica de blocare direct Up — 0), in conditile in care tensiunea drend-sursi: nu depiiseste o limita maxima, Daca, {nsa, tensiunea de alimentare depayeste 0 valoare maxima (Ulyy *Uiyas) tanzistorul este stlipuns si curentul de drend creste pnd ta valoarea limitaté de circuitul de sarcina Ca si in cazul tranzistorului bipolar de putere, ‘ensiunea de strdpungere ‘Autor: dring. Mihai Albu 4 UT. ,Gheorghe Asachi” din Iasi, Facultatea IEEI, Laborator Electronic& de Putere directa este notata in foile de catalog cu BV (Drain-Source Breakdown Voltage, gote-scuce Short cireuited) si este dat’ pentru situatia in care tensiunea de comand’ este zero (terminalele grilt-sursa scurtcireuitate). Zona ohmic (sauraie") Uesiy > Ves 1 stipungee Hd intone Z | voxt conduc dealt Ueaiy > Vespony Uesymng = (2V Ccarscteristea de BV Use) BV ss @ ) Fig, 52 (a) Caracterstcle ui reale pentru un tranzistor MOSFET de putere; (h) Caracter idealizate si aria de Fmctionare sigur8 ($4) Deschiderea controlati a tranzistorului MOSFET se produce atunci cdnd tensiunea de gril depaseste valoarea de p-ag. in Fig.5.2(a) sunt prezentate mai multe caracteristicistatice pentru diferite valori ale tensiunii de comanda, cuprinse intr-un interval recomandat de firma producatoare a dispozitivului Gesrney

    You might also like