Zbornik radova 52. Konferencije za ETRAN, Palić, 8-12. juna 2008.
Proc. 52nd ETRAN Conference, Palić, June 8-12, 2008
EKSTRAKCIJA PARAMETARA KOMPAKTNOG MODELA IGBT-a
Đorđe Davidović, Hidroelektrane na Trebišnjici
Vladan Vujičić, Elektrotehnički fakultet u Podgorici
Nebojša Kuduz, Telekom Republike Srpske
Sadržaj – U radu se razmatra ekstrakcija parametara
dinamičkog kompaktnog modela IGBT-a (Insulated gate
bipolar transistor), koji je realizovan primjenom
Hammerstein-ove konfiguracije. Statički blok Hammerstein-
ove realizacije IGBT-a, baziran na empirijskim formulama,
zahtjeva tri granične tačke između linearnog i režima
zasićenja sa kataloških I-V krivih da generiše sve statičke
karakteristike. Parametri dinamičkog bloka, koji je praćen
statičkim, dobijaju se iz rezultata simulacije fizičkog modela
IGBT-a. Osim toga, prikazat će se i drugi način dobijanja
dinamičkih parametara isključenja rješavanjem određene
empirijske jednačine. Rezultati simulacije kompaktnog
modela IGBT-a slažu se sa rezultatima simulacije
posmatranog fizičkog modela.
1. UVOD
IGBT (Insulated gate bipolar transistor) kombinuje
prednosti velike provodnosti bipolarnog tranzistora, što za
posledicu ima male gubitke u periodu uključenja, i dobre
frekventne osobine MOSFET-a. Dovođenjem malog napona
na gejt kontroliše se velika provodna struja. Još od kada su se
pojavili 1983, IGBT-ovi postaju široko primjenjivani u
različitim energetskim pretvaračima. U literatutri mogu se
naći različite podjele modela koji opisuju statičke i dinamičke
osobine IGBT-a. Mogu se izdvojiti dvije osnovne grupe:
fizički modeli i kompaktni modeli, o čemu se govori u [6] i
[8].
Hammerstein-ova konfiguracija sastoji se od nelinearnog
statičkog bloka posle koga slijedi linearni dinamički blok, Sl.
1. Prepoznato je da se primjenom Hammerstein-ove
konfiguracije mogu modelovati statičke i dinamičke
karakteristike IGBT-a. Statičkim nelinearnim blokom
Hammerstein-ove konfiguracije modeluju se kompletne
statičke I-V karakteristike IGBT-a. Da bi se modelovale
nelinearnosti talasnih oblika napona i struje IGBT-a, koriste
se nelinearni elementi u dinamičkom bloku, što je glavna
razlika od standardnog Hammerstein-ovog modela kod koga
su dinamički parametri linearni, [5].
Nelinearan Linearan
u(t) x(t)
y(t)
F[u(t)] h(t)
Statički Dinamički
Sl.1. Hammerstein-ova konfiguracija
Potrebno je napomenuti da se posmatra Pspice fizički
model ixgh24n60b IGBT-a, koji se ustvari modeluje, pa će se
na kraju njegovi talasni oblici napona i struje uporediti sa
dobijenim talasnim oblicima kompaktnog modela.
Rad je organizovan na sljedeći način. Opis kompaktnog
modela dat je u poglavlju broj dva, metodologija ekstrakcije
EL1.5-1-4
statičkih i dinamičkih parametara je data u poglavlju broj tri,
a rezultati simulacije prikazani su u poglavlju broj četiri.
2. OPIS KORIŠĆENOG MODELA
A. Statički blok
IGBT se može predstaviti kao Darlington-ov par sa
bipolarnim tranzistorom kao izlaznim tranzistorom i
MOSFET-om kao kontrolnim elementom [4]. Jednačine koje
opisuju MOSFET u linearnom i u režimu zasićenja, zajedno
sa jednačinom bipolarnog tranzistora u aktivnom režimu,
ustvari predstavljaju statički nelinearni Hammerstein-ov blok.
Da bi se uključio u razmatranje i pad napona spoljnog kola,
koga čini RL opterećenje i jednosmjerni naponski izvor VCC,
uvode se korekcione funkcije f1 i f2, pa jednačine statičkog
bloka su:
f1 = a0 + a1VGE + a 2VGE
2
(1)
f 2 = b0 + b1VGE + b2VGE
2
(2)
( f1VCE − VD ) 2
I C = kf 2 [(VGE − Vth )( f1VCE − VD ) − ] (3)
2
za f1VCE < VGE + VD - Vth (linearan režim)
(VGE − Vth ) 2
I C = kf 2 (4)
2
za f1VCE > VGE + VD - Vth (režim zasićenja)
gdje su as i bs (s=0,1,2) korekcioni koeficijenti, k=(1+β)kp, kp-
konstanta, β – strujno pojačanje, Vth - napon praga MOSFET-
a, VD – napon spoja emitor-baza, IC – struja kolektora, VGE
napon gejt-emitor i VCE napon kolektor-emitor.
B. Dinamički blok
Dinamički kompaktni model IGBT-a [4] [5] dat je na Sl.
2. Anodna (kolektorska) struja je suma struja koje teku kroz
kapacitivnosti CCG i CGE, i struje i1. Struja i1 sastoji se iz dvije
komponente koje su označene kao i2 i i4. Ove dvije strujne
komponente jednake su vrijednostima napona V2 i V4, koji se
javljaju u Hammerstein-ovoj strukturi, Sl.3. Strujno-naponska
konverzija se jednostavno vrši koristeći idealni konvertor
napona u struju. Ovo znači da se naponi V2 i V4 sa Sl. 3
pretvaraju u struje i2 i i4 na Sl. 2.
Na Sl. 3 mogu se primjetiti nisko-propusni RC filtri
gornjeg i donjeg kola, koji imaju različite vremenske
konstante za vrijeme uključenja i isključenja. Gornje kolo
modeluje anodnu struju za vrijeme konstantnog anodnog
napona, tj. kada je dVCE/dt=0. Taj slučaj se dešava kada je
anodni priključak direktno spojen na jednosmjerno napajanje
bez otpornosti R. Elementi R1, C1 i Cx opisuju nagli pad
anodne struje na početku procesa isključenja, kada se vrši test
prekidanja sa konstantnim anodnim naponom. Donje kolo
modeluje anodnu struju kada je dVCE/dt≠0, tj. opisuje prelazni V2
režim anodne struje. 40Vdc
Z1

Sve otpornosti i kapacitivnosi koje se javljaju na Sl. 2 i

Sl. 3 imaju dvije vrijednosti, jednu uključenja (on), a drugu V1 = 0V V1
ixgh24n60b/IXS

isključenja (off), osim CGE, C1 i C2 koje su konstantne u oba V2 = 15V

TD = 2us

intervala. Pošto je ulazni napon VCC konstantan, a posmatra TR = 100ns

TF = 100ns
PW = 6us
se jednostavno RL kolo, onda nije potrebno imati neku PER = 20us
0 0
komplikovaniju zavisnost posmatranih kapacitivnosti od 0

napona C=C(V), pa se zato uzimaju dvije vrijednosti, jedna

za uključenje, a druga za isključenje. Dodatni izrazi i Sl.4. Kolo za ekstrakciju parametara R1 i Cx
detaljnija objašnjenja jasno se vide u [5]. B. Ekstrakcija parametara CGE, CCG, R2 i CCE

G
CCG
C
U normalnom modu rada CGE se može posmatrati kao
konstanta. U kolu koje se koristi za njegovu ekstrakciju, na
ic gejt se dovodi rampa funkcija, Sl. 5a.

Z1
CGE i 1=i2+i4 V2
50Vdc
+ V1 ixgh24n60b/IXS

FREQUENCY = 50
E E AMPLITUDE = 10 -

Sl.2. Dinamički kompaktni model IGBT-ja 0 0 0

(a)
VCE DC Model R1
V1
V2 I g1
V GE f(VCE,VGE) G

C GE
C1 Cx

CCE*(dVCE/dt) V3 R2 (b)
VCE V4
Sl.5. Kolo za ekstrahciju CGE: (a) sa ixgh24n60b IGBT-om
(b) ekvivalentno kolo
C2
Simulacijom kola sa Sl. 5a dobije se talasni oblik struje
Ig1 koja je gotovao konstantna, pa je CGE≈Ig1/(dVGE/dt).
Posle izračunavanja CGE, primjenjujući sličan postupak,
Sl. 6a i Sl. 6b, dobije se CCG0, [5].
Sl.3. Struktura kompaktnog modela

3. EKSTRAKCIJA PARAMETARA
Z1
Da bi se odredili statički parametri uzimaju se sa
kataloških statičkih karakteristika ixgh24n60b IGBT-a [7] ixgh24n60b/IXS
sljedeće tri granične tačke između linearnog režima i režima + V1

zasićenja, za različito VGE: A1(4.8V, 38A) za VGE=7V, FREQUENCY = 50

AMPLITUDE = 10 -

A2(5.8V, 77A) za VGE=9V, A3(9V, 118A) za VGE=11V, gdje

0 0 0
je u navedenim tačkama prva koordinata napon zasićenja
VCE(sat), a druga struja zasićenja IC(sat). Uvrštavajući prethodne (a)
tačke u formule date u [4], pa rješavanjem dva sistema sa tri
nepoznate dobijaju se tražene vrijednosti za as i bs (s=0,1,2): I g2
G
a0=-2.7751, a1=0.7513, a2=-0.3921e-1, b0=1.0043, b1=- CGE C CG0
0.1712 i b2=0.78e-2. Za ostale statičke parametre uzete su
sljedeće vrijednosti: Vth=5V, VD=0.7 i k=101.
A. Ekstrakcija parametara R1 i Cx
Parametri R1 i Cx pripadaju gornjem kolu sa Sl. 3, a to je (b)
slučaj kada se modeluje anodna struja za dVCE/dt=0, tj. u
Sl.6. Kolo za ekstrahciju CCG0: (a) sa ixgh24n60b IGBT-
ustaljenom režimu. Da bi se ekstrahovali traženi parametri
om (b) ekvivalentno kolo
simulira se kolo sa fizičkim modelom IGBT-a ixgh24n60b,
Sl. 4. Sa dobijenog dijagrama struje ic, mogu se izračunati Drugi parametrar sCG, koji figuriše u formuli za CCG, se
vrijednosti struje ic posle i prije naglog pada u trenutku izračunava pod sličnim uslovima i primjenom fomula (9),
isključenja, I1 i I0. Njihov odnos se označava kao α=I1/I0. (10), (18) i (19) iz [5].
Pošto se ima da je Ton=R1onC1 i Toff=R1off(C1+Cx)=R1offC1/α,
Parametri CCE i R2 izračunavaju se iz talasnog oblika
uzimanjem C1 za konstantu i jednostavnim izračunavanjem
struje i4, koja je ustvari komponenta anodne struje ic, tj.
Ton i Toff, dobijaju se R1 i Cx.
modeluje njen prelazni režim. Ona se dobije jednostavno
kada se paralelno u Pspice-u simuliraju, kolo koje daje
ukupnu anodnu struju i kolo kao sa Sl. 4 koje daje struju
ustaljenog režima i2, pa je i4=ic-i2. Pomoću jednačine (23) u
[5], dobijaju se vrijednosti CCeon, CCeoff, R2on i R2off. U Tabeli 1
dati su izračunati dinamiči parametri.
1nF
C1
C2 10nF
Na Sl. 7 i Sl. 8 dati su rezultati simulacije jednostavnog
kola, sastavljenog od redne veze ixgh24n60b IGBT-a,
otpornika Rp=10Ω i kalema Lp=0.4μH, koje se napaja
jednosmjernim naponom VCC=600V. IGBT je pobuđivan
naponom VGEu=15V, pri čemu otpornost u kolu gejta iznosi
Rg=1.2Ω. Simulacija je paralelno izvršena u Matlab-u, gdje je
korišćen kompaktni model ixgh24n60b IGBT-a, i u Pspice-u,
gdje je korišćen fizički model ixgh24n60b IGBT-a.

R 1on 2000Ω 800

700
R 1off 234Ω
600
a 0.26
500

Vce(V)
R 2on 132.85Ω
400
R 2off 55.31Ω
300

C CEon 150nF
200

C CEoff 1nF 100

C GE 1.5nF 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

S CG 2.30E-07 t (us)
C CGj 59.63nF
(a)
Tabela 1. Ekstrahovani dinamički parametri 800V

C. Ekstrakcija parametara isključenja preko 600

600V

jednačine energije isključenja

400
400V
Vce(t)
Drugi način na koji se mogu ekstrakovati dinamički
200
parametri isključenja je preko opšte jednačine energije 200V

isključenja kompaktnog modela, koja je data izrazom (19), 0V

0s
55us 10us 15us 20us
odnosno (20) u [6]. U Pspice-u se na osnovu simulacije V(Rp:1) 10 15
Time
fizičkog modela ixgh24n60b IGBT-a u prostom RL kolu, za (μs)
pet različitih vrijednosti Vge1, Vce i Rp dobije po pet vrijednosti
za V0, Vf, t1, t2 i dVce/dt, Tabela 2. (b)
E off =[0.5 1 1.5 2 2.25 ] Sl.7. Talasni oblik napona na ixgh24n60b IGBT-u
V s =[100 200 300 400 450]
dobijen pomoću: (a)kompaktnog modela, (b) Pspice fizičkog
dV ce /dt =[1365 1377 1478 1500
modela
1659] 60

t 1 =[0.17 0.23 0.29 0.31 0.27] 50

t 2 =[1.39 1.74 2.03 0.45 0.67] 40

V f =[1.39 1.74 2.03 2.30 2.38]

ic(A)

30

V 0 =[4.52 5.21 6.18 6.76 7.53]

20

V GE1 =[8 10 12 14 16]

10

R g =[20 20 30 40 50] 0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
t(us)

Tabela 2. Vrijednosti dobijene simulacijom ixgh24n60b

IGBT-a u prostom RL kolu (a)
60A
60
Vrijednosti iz Tabele 2 se koriste za računanje
koeficijenata jednačine (20) iz [6], pa tako se dobije sistem 4040A
od pet jednačina sa četiri nepoznate, koji treba riješiti. Mora ic(t)
se koristiti neki numerički metod da bi se dobilo neko 20 20A

približno rješenje za svih pet jednačina. Sistem se rješava u

Matlab-u funkcijom fsolve: 0A
0s 5us 10us 15us 20us
5 10 15
options=optimset('Display','iter','NonlEqnAlgorithm','gn','Ma I(HB2.ABM2I1)
Time
xFunEvals',2000,'MaxIter',300); (μs)

[x,fval,exitflag]=fsolve(@abc,x0,options), gdje je početna

(b)
vrijednost x0=[1e-8 1e-9 1e-3 1e+4];
Sl.8. Talasni oblik struje na ixgh24n60b IGBT-u dobijen
Dobijene nepoznate vrijednosti sistema su: x(1)=6.5e-8,
pomoću: (a) kompaktnog modela, (b) Pspice fizičkog modela
x(2)=1,0098e-9, x(3)=0.002 i x(4)=1.71e+4. Pretpostave se
vrijednosti za R1off=300Ω i R2off=50Ω, pa onda slijedi iz Na Sl. 9 su dati talasni oblici napona i struje simuliranog
dobijenih nepoznatih [6], da je C1=0.216e-9F, C2=1.11e-8F, kompaktnog modela sa parametrima isključenja
Ccgoff=9.8333e-12F i CCEoff=1.99e-9F. ekstrahovanih preko jednačine energije isključenja. Model je
implementiran u Matlab-u.
4. REZULTATI SIMULACIJE
Statičke karakteristike su dobijene korišćenjem jednačina
statičkog bloka, pomoću programskog paketa Matlab, a
njihov dijagram je dat na Sl. 4 u [8]. Rezultati se slažu sa
kataloškim karakteristikama ixgh24n60b IGBT-a.
 800 5. ZAKLJUČAK
Kompaktni modeli IGBT-a bazirani na Hammerstein-
700

600
ovoj konfiguraciji, implementirani u programskim paketima
500
Matlab-u i Pspice-u obezbjeđuju tačnost simulacionih

Vce (V)
400
rezultata koja je uporediva sa onom koju pružaju Pspice
300
fizički modeli. Prednost ovih modela ogleda se u manjem
200
broju parametara, pri čemu je postupak njihovog utvrđivanja
100
mnogo jednostavniji. Kompaktni modeli usljed svoje
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 jednostavnosti obezbjeđuju i veću brzinu simulacije.
t (us)

(a) LITERATURA
60 [1] A. R. Hefner Jr. And D. M. Diebolt, “ An experimentally
50
verified IGBT model implemented in the Saber circuit
simulator ”, IEEE transaction on power electronics, vol
9, pp. 532-542, 5. september 1994.
40
ic(A)

30

20
[2] A. R. Hefner Jr. , “ An improved understanding for the
transient operation of power insulated gate bipolar
10
transistor (IGBT) ”, IEEE transaction on power
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 electronics, vol 5, no. 4, october 1990, pp. 459-468.
t(us)

[3] A. R. Hefnar Jr. , “ An investigation of the drive circuit

(b)
requirements for the power insulated gate bipolar
Sl.9. Talasni oblici kompaktnog modela sa dinamičkim transistor (IGBT) ”, IEEE transaction on power
parametrima isključenja u 3.C: (a) napona, (b) struje electronics, vol 6, no. 2, april 1991., pp. 208-219.
Pspice šema sa snubber kolom, u kojoj blok HB2 [4] H. S. Oh and M. A. El-Nokali, “ A new IGBT behavioral
predstavlja implementaciju kompaktnog modela ixgh24n60b model ”, Solid-State Electron, vol. 45, pp. 2069-2075,
IGBT-a dat je na Sl. 10. Talasni oblici napona za slučaj kada Nov. 2001.
je CS=200nF, RS=1kΩ, Lp=4μH i Rp=10Ω dati su na: Sl. 11a
[5] J. T. Hsu and K. D. T. Ngo, “ Behavioral modeling of the
Pspice kompaktnog modela ixgh24n60b IGBT-a i Sl. 11b
IGBT using the Hammerstein configuration ” IEEE
Pspice fizičkog modela ixgh24n60b IGBT-a.
Trans. Power Electron., vol. PEL-11, pp. 746-754, Nov.
1996.
[6] W. K. Hyungkuen Ahn and M. A. El-Nokali, “ A
parameter extraction algorithm for an IGBT behavioral
model ”, IEEE transaction on power electronics, vol. 19,
no. 6, Nov. 2004., pp. 1365-1371.
[7] http://www.datasheetarchive.com/datasheet/pdf/10317
.html
[8] Đ. Davidović, V. Vujičić, “Mogućnost korišćenja
kompaktnih modela IGBT-a u računarskoj simulaciji
elektronskih kola”, Zbornik radova 51. konferencije za
Sl.10. Pspice kolo sa ugrađenim kompaktnim modelom ETRAN, Herceg Novi—Igalo, 4-8. jun 2007.
ixgh24n60b IGBT-a i snubber-om
800V
800V

Abstract – In this paper, a parameter extraction of an IGBT

600V
600V
dynamic behavioral model, which has been realized applying
400V
400V

Vce(t)
Hammmerstein configuration, has been considered. Static
200V
200V
block of Hammerstein IGBT realisation, which is based on
0V
0s
V(Rp:1)
5us 10us 15us 20us empirical formulas, needs three border data points between
Time
linear and saturation region on the I-V curves to generate
entire d.c. characteristics. Parameters of dynamic block,
(a) which is followed by static, are got from simulaton results of
800V
IGBT physics based model. Furthermore, it will be presented
600V
Vce(t)
also another way of getting turn off dynamic parameters
solving a particular empirical equation. Simulaton resuts of
400V
behavioral IGBT modal are in well agreement with
200V
simulation results of observing physics based model.
0V0s
2us 4us 6us 8us 10us 12us 14us 16us 18us 20us

A PARAMETER EXTRACTION OF AN IGBT

V(Z1:C)
Time

BEHAVIORAL MODEL
(b)
Đorđe Davidović, Vladan Vujičić, Kuduz Nebojša
Sl.11. Talasni oblik napona za kolo sa Sl. 10 dobijen
pomoću: (a) kompaktnog modela, (b)fizičkog modela